KR20210072110A - 태양전지 및 태양전지의 제조방법 - Google Patents

Abstract

(목적) 본 발명은, 태양전지 및 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 직렬저항성분을 작게 하고 또한 병렬저항성분을 크게 하여, 태양전지의 효율을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
(구성) 절연막 상에 은 및 납을 포함하는 핑거 전극을 형성함과 아울러, 핑거 전극의 부분 혹은 여유를 준 부분을 개구로 하여 절연막 상에 절연성의 고정바를 형성한 후에 소성하고, 소성 시의 핑거 전극에 포함되는 은 및 납의 작용에 의하여 핑거 전극의 하측의 막인 절연막을 관통하여 영역과 핑거 전극의 사이에 전기도전성 통로를 형성하고, 또한 소성과 동시에 절연성의 고정바 혹은 고정바에 포함되는 글라스 재료의 작용에 의하여 절연막에 강고하게 고착 및 납땜이 양호한 절연성의 고정바를 형성한다.

Description

태양전지 및 태양전지의 제조방법

본 발명은, 기판 상에 빛 등을 조사(照射)하였을 때에 고전자농도(高電子濃度)를 생성하는 영역을 형성함과 아울러 영역 상에 빛 등을 투과하는 절연막(絶緣膜)을 형성하고, 절연막 상에 영역으로부터 전자를 인출하는 인출구(引出口)를 형성하는 핑거 전극(finger 電極)을 형성하고, 또한 복수의 핑거 전극을 전기적으로 접속하여 전자를 외부로 인출하는, 태양전지에 있어서 종래의 버스바 전극(bus bar 電極)을 대신하여 절연성의 고정바(固定bar)를 갖는 태양전지 및 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.

종래에 있어서 태양전지 셀(太陽電池 cell)의 설계에서는, 태양전지 셀 내에서 생성된 전자를, 접속된 외부회로에 효율적으로 흐르게 하는 것이 매우 중요하다. 이것을 달성하기 위하여 셀로부터 외부로 연속되는 부분의 저항성분을 작게 하는 것과 생성된 전자가 소실되지 않도록 하는 것이 특히 중요하다.

이를 위하여, 본 발명자들이 출원한 도전성 글라스(導電性 glass)인 바나듐산염 글라스(vanadate glass)를 버스바 전극에 사용하여 핑거 전극과 외부인출의 리본(리드선(lead線))의 접속 사이의 저항값을 작게 하고, 또한 버스바 전극에 모인 전자의 소실이 적어지도록 하는 기술이 있다(일본국 특허출원 특원2016―015873, 일본국 특허출원 특원2015―180720).

그러나 상기에서 설명한 종래의 은이나 도전성 글라스를 버스바 전극에 사용하여 핑거 전극과 외부인출의 리본(리드선)의 접속 사이의 저항값을 작게 하는 것만으로는 불충분하여, 한층 더 개선하여 태양전지의 고효율을 달성하는 것이 필요하다는 과제가 있었다.

또한 저가이며 간단하고 또한 고효율인 태양전지 셀의 구조 및 그 제조방법이 필요하다는 과제도 있었다.

또한 종래 고가인 은이나 바나듐, 바륨을 포함하는 도전성 글라스의 사용량을 없애거나 저감시키고, 및 납(납 글라스)의 사용량을 저감시키거나 또는 없애서서, 태양전지의 제조비용을 더 저감시키고, 무공해이며 구조를 간단하게 하는 것이 필요하다는 과제도 있었다.

또한 태양전지에 있어서 기판의 이면측 및 표면측의 단자를 저렴한 방법으로 간단하고 확실하며 강고하게 납땜하는 것이 충분히 이루어지고 있지 않다는 과제도 있었다.

본 발명자들은, 핑거 전극의 상부가 절연막 상에 노출되어 있는 것에 주목하여, 이 노출되어 있는 핑거 전극의 부분에 개구를 구비하는 절연성 글라스를 강고한 밀착성을 갖게 하여 형성하고, 그 위에서부터 직접 외부단자인 띠 모양의 리본을 접속하면 직렬저항성분이 작아지게 됨과 아울러, 외부단자로부터 내부로 전자가 누설되는 병렬저항성분이 커지게 되는 구성 등을 발견하였다.

이에 따라, 핑거 전극과 외부단자 사이의 직접저항성분을 작게 하고 또한 외부단자와 기판의 내부 사이의 병렬저항성분을 크게 함과 아울러, 종래의 버스바 전극의 재료인 은, 도전성 글라스 등의 고가의 재료를 대신하여, 저렴한 재료인 절연성 글라스에 의하여 개구를 갖는 고정바를 형성하고 그 위에 직접 외부단자를 강고하게 고정하여, 고효율, 저누설전류, 구조가 간단하고 또한 저렴한 태양전지의 제조를 가능하게 하였다.

그래서 본 발명자들은, 기판 상에 빛 등을 조사하였을 때에 고전자농도를 생성하는 영역을 형성함과 아울러 영역 상에 빛 등을 투과시키는 절연막을 형성하고, 절연막 상에 영역으로부터 전자를 인출하는 인출구인 핑거 전극을 형성하여 핑거 전극을 통하여 전자를 외부로 인출하는 태양전지에 있어서, 절연막 상에 은 및 납을 포함하는 핑거 전극을 형성함과 아울러, 핑거 전극의 부분 혹은 여유를 준 부분을 개구로 하여 절연막 상에 절연성의 고정바를 형성한 후에 소성하고, 소성 시의 핑거 전극에 포함되는 은 및 납의 작용에 의하여 핑거 전극의 하측의 막인 절연막을 관통하여 영역과 핑거 전극의 사이에 전기도전성 통로를 형성하고, 또한 소성과 동시에 절연성의 고정바 혹은 고정바에 포함되는 글라스 재료의 작용에 의하여 절연막에 강고하게 고착 및 납땜이 양호한 절연성의 고정바를 형성하도록 하고 있다.

이때에 여유를 준 부분을 개구로 하는 것으로서, 핑거 전극 및 절연성의 고정바의 형성 시의 오차에 의한 영향이 작아지는 소정 폭의 부분을 개구로 하도록 하고 있다.

또한 여유를 준 부분을 개구로 하는 것으로서, 핑거 전극 및 절연성의 고정바 상에 외부단자를 초음파 납땜할 때의 초음파 납땜 인두의 선단의 접촉부분과 같거나 혹은 약간 좁은 개구로 하여, 선단의 접촉부분이 직접 절연막에 닿지 않도록 하고 있다.

또한 소성은, 핑거 전극을 파이어링하는 온도와 절연성의 고정바를 형성하는 온도 중에서 전자가 후자와 같거나 혹은 높고, 또한 전자의 온도에서 하도록 하고 있다.

또한 소성은, 1초 이상 60초 이하로 하도록 하고 있다.

또한 절연성의 고정바 혹은 고정바에 포함되는 절연 글라스 재료로서, 인산염 글라스, 비스무트 글라스 중 어느 하나 이상으로 하도록 하고 있다.

또한 핑거 전극 및 절연성의 고정바에 외부단자를 납땜하는 땜납재료는, 주석, 주석의 산화물, 아연, 아연의 산화물 중에서 적어도 하나 이상을 포함하도록 하고 있다.

또한 땜납재료는, 첨가물로서 구리, 은, 알루미늄, 비스무트, 인듐, 안티몬 중에서 하나 이상을 필요에 따라 첨가하도록 하고 있다.

또한 핑거 전극 및 절연성의 고정바에 대한 외부단자의 납땜은, 초음파 납땜하도록 하고 있다.

또한 외부단자는, 띠 모양의 리본으로 하도록 하고 있다.

또한 기판에 있어서 상기 영역, 절연막, 핑거 전극 및 절연성의 고정바를 형성한 표면측과 반대인 이면측의 전체 면에 알루미늄 혹은 부분적으로 홀을 뚫은 알루미늄을 형성하여 이면측의 외부단자를 납땜 혹은 초음파 납땜하도록 하고 있다.

또한 이면측의 외부단자는, 표면측의 절연성의 고정바와 거의 동일한 위치에 대응하는 이면측의 알루미늄의 상측의 위치 혹은 부분적으로 홀을 뚫은 부분에 이면측의 외부단자를 납땜 혹은 초음파 납땜하도록 하고 있다.

또한 절연막 상에 절연성의 고정바를 형성하지 않고, 핑거 전극과 고정바가 형성되지 않은 부분에 상당하는 핑거 전극 및 절연막에 직접 납땜 혹은 예비땜납을 부착한 인출선을 납땜하여, 버스바 전극의 형성 혹은 버스바 전극의 형성과 인출선의 납땜을 하도록 하고 있다. 납땜은 초음파 납땜하도록 하고 있다.

본 발명은, 상기에서 설명한 바와 같이 핑거 전극의 상부가 산화막 상에 노출되어 있는 구성에 있어서, 핑거 전극의 부분에 개구를 구비하는 절연성 글라스를 강고한 밀착성을 갖게 하여 형성하고, 그 위에서부터 직접 외부단자인 띠 모양의 리본을 접속하면 직렬저항성분이 작아지게 됨과 아울러, 외부단자로부터 내부로 전자가 누설되는 병렬저항성분이 커지게 되는 구성이 되어, 고효율의 태양전지가 된다.

또한 주석(그 산화물)과 아연(그 산화물) 등을 땜납재료로 하여, 산화막, 절연성의 고정바, 리본의 3자를 납땜(초음파 납땜 등)한 경우에는 절연성의 고정바의 땜납 밀착성이 좋기 때문에, 핑거 전극이나 산화막과 리본의 접합성을 안정하게 하여 수명이 장기화된다는 효과가 발생한다.

또한 종래의 은재료나 도전성 글라스 등으로 이루어지는 버스바 전극이 고가인 구성에 대하여, 저렴한 절연성 글라스의 재료에 의하여 더 대폭적인 비용 삭감이 가능하다.

또한 종래 납 땜납이 주류를 차지하는 태양전지에 있어서의 납 사용을 경감시킴으로써 환경에 친화적인 프로세스의 구축이 이루어진다.

또한 태양전지의 기판의 이면측에, 접속단자를 저렴한 재료에 의하여 강고하고 확실하게 납땜할 수 있게 되었다.

또한 절연막 상에 절연성의 고정바를 형성하지 않고, 핑거 전극과 고정바가 형성되지 않은 부분에 상당하는 핑거 전극 및 절연막에 직접 납땜 혹은 예비땜납을 부착한 인출선을 납땜하여, 버스바 전극의 형성 혹은 버스바 전극의 형성과 인출선의 납땜(초음파 납땜)을 함으로써, 버스바를 없애는 것이 가능하게 된다.

[도1] 본 발명의 1실시예의 구성도(전체의 외관도)이다.
[도2] 본 발명의 1실시예의 구성도(웨이퍼의 상측에서 핑거 전극(5)과 고정바(6) 부분의 확대 도식도의 예)이다.
[도3] 본 발명의 1실시예의 구성도(웨이퍼의 측면에서 핑거 전극(5)과 고정바(6) 부분의 확대 도식 단면도의 예)이다.
[도4] 본 발명의 공정 플로1이다.
[도5] 본 발명의 공정 플로2이다.
[도6] 본 발명의 공정 플로3이다.
[도7] 본 발명의 공정 플로4이다.
[도8] 본 발명의 구체예와 종래예이다.
[도9] 본 발명의 글라스 제조 플로차트이다.
[도10] 본 발명의 절연 글라스의 성분·조건예이다.
[도11] 본 발명의 인산염 글라스 및 비스무트계 글라스의 예이다.
[도12] 본 발명의 절연 페이스트 적용 플로차트이다.
[도13] 본 발명의 절연 글라스 페이스트의 조성예이다.
[도14] 본 발명의 스크린 인쇄에 사용하는 스크린의 조건예이다.
[도15] 본 발명의 실제의 적용예이다.
[도16] 본 발명의 특성의 설명도1(직렬저항성분의 경감효과)이다.
[도17] 본 발명의 특성의 설명도2(병렬저항성분에 의한 누설전류의 저감효과)이다.
[도18] 본 발명의 특성의 설명도3(절연 글라스의 고정바에 의한 전류, 전압의 증대효과)이다.
[도19] 본 발명에 관한 태양전지 표면의 버스바의 변천 설명도이다.
[도20] 본 발명의 동작설명 플로차트(예비납땜이 없는 경우)이다.
[도21] 본 발명의 리본 접속예이다.
[도22] 본 발명의 와이어 접속예이다.
[도23] 본 발명의 납땜조건예이다.
[도24] 본 발명의 와이어의 납땜조건 및 납땜 성공예이다.
[도25] 본 발명의 초음파 납땜에 있어서의 예비납땜의 유무, 땜납 공급의 유무 등의 설명도이다.
[도26] 본 발명의 ABS―F(아토비무의 태양전지의 표면기법)의 설명도이다.
[도27] 본 발명의 ABS―F의 이점·불리한 점의 설명도이다.
[도28] 본 발명의 각 글라스의 I―V특성 비교예이다.
[도29] 본 발명의 TC 1000시간 중의 온도 및 습도 변화예이다.
[도30] 본 발명의 TC 1000시간 경과 전과 후의 효율 비교예(인산 글라스)이다.
[도31] 본 발명의 인산 글라스에 있어서의 TC 전후의 I―V특성 비교예(No.1)이다.
[도32] 본 발명의 TC 전후의 EL 비교예(인산 글라스 No.1)이다.
[도33] 본 발명의 인산 글라스의 TC 후의 SEM 관찰예이다.
[도34] 본 발명의 다른 실시예의 단면 구조도(절연 글라스 없음, 직접 납땜한 단면구조)이다.
[도35] 본 발명에 있어서의 버스바의 변천 설명도이다.
[도36] 본 발명의 버스바 작성예(도35의 (d))이다.
[도37] 본 발명의 I―V특성예이다.

(실시예1)

도1∼도3은, 본 발명의 1실시예의 구성도를 나타낸다.

도1∼도3에 있어서, 질화막(窒化膜)(3)은 기판(웨이퍼)(1) 상에 형성된 절연막이다.

핑거 전극(finger 電極)(5)은, 질화막(3) 상에 은(銀), 납(납 글라스(lead glass))의 페이스트(paste)를 인쇄하여 소결(燒結)시킴으로써, 공지의 파이어링(firing)에 의하여 당해 질화막(3)을 뚫고 고농도전자영역(高濃度電子領域)과의 사이에 전기도전성 통로(電氣導電性 通路)를 형성하여, 전자를 외부로 인출하도록 한 것이다(후술한다).

고정바(固定bar)(6)는, 본 발명에서 형성한 절연성의 고정바로서, 핑거 전극(5)의 부분을 개구(開口)로 하여 질화막(3)에 강고하게 고정됨과 아울러, 외부단자(띠 모양의 리본(ribbon))의 납땜을 양호하게 하거나, 핑거 전극(5)으로부터 인출된 전자가 기판(질화막(3) 등)으로 누설되는 것을 저감(즉, 병렬저항성분을 저감)시키는 것 등을 하기 위한 것이다(후술한다).

고정바 영역(61)은, 절연성의 고정바(6)를 형성하는 영역이다(후술한다).

도1은, 웨이퍼의 상측에서 핑거 전극(5)과 절연성의 고정바(6)를 부분 확대한 도식도의 예를 나타낸다.

도1에 있어서, 도면에 나타내는 직사각형 형상의 기판(실리콘 기판, 웨이퍼)은 실험에 사용한 것이다. 직사각형의 치수는 여기에서는 48mm의 것을 사용하였다(수치는 일례이다).

핑거 전극(5)은, 도면에 나타내는 바와 같이 여기에서는 가로방향으로 소정의 간격마다 다수 형성된 것으로서, 소결되어 파이어링에 의하여 고농도전자영역과의 사이에 전기도전성 통로를 형성한 것이다(후술한다).

고정바 영역(61)은, 절연성의 고정바 영역(61)으로서, 도면에 점선으로 나타내는 바와 같이 핑거 전극(5)에 있어서 직각방향으로 소정의 폭으로 후술하는 절연성의 고정바(6)를 형성하는 영역이다.

도2는, 웨이퍼의 상측에서 핑거 전극(5)과 절연성의 고정바(6)를 부분 확대한 도식도의 예를 나타낸다.

도2에 있어서의 절연성의 고정바(6)는, 도1의 절연성의 고정바 영역(61)에 형성된 것으로서, 여기에서는, 도면에 나타내는 바와 같이 핑거 전극(5)의 부분을 개구로 하는 띠 모양의 부분을 복수 형성한 것이다. 여기에서는, 예를 들면 도면에 나타내는 바와 같이 폭이 2.0mm, 길이가 1.2mm이고, 핑거 전극(5)과의 간격이 0.5mm 정도인 것을 복수 형성한 것이다. 이 절연성의 고정바(6)의 형성은 스크린 인쇄로 이루어지고, 그 후에 소결을 하여 질화막(3)에 강고하게 고착시킴과 아울러 양호하게 납땜을 한다(후술한다).

도3은, 웨이퍼의 측면에서 핑거 전극(5)과 절연성의 고정바(6)를 부분 확대한 도식 단면도의 예를 나타낸다.

도3에 있어서의 핑거 전극(5)은, 스크린 인쇄되어 소결되고, 도면에 나타내는 바와 같이, 파이어링에 의하여 하층의 질화막(3)을 뚫고 나가서 하측의 고농도전자영역과의 사이에 전기도전성 통로를 형성함과 아울러 상측방향에 상부(머리부)로서 보통 약 20μm의 돌출부를 형성한다(후술한다).

절연성의 고정바(6)는, 본 발명에서 채용한 것으로서, 절연 글라스(絶緣 glass) 혹은 절연 글라스를 포함하는 절연성의 페이스트를 스크린 인쇄하고, 핑거 전극(5)의 소결 시에 동시에 가열함으로써 용융시켜서 질화막(3)에 강고하게 고착시키고 또한 표면이 납땜되기 쉬운 상태로 형성되는 것이다(후술한다). 이 절연성의 고정바(6)는, 전기적으로 높은 절연성을 갖는 것이 바람직하고(즉, 병렬저항성분이 큰 것이 바람직하고), 즉 리본에 흐르는 전자가 기판 등으로 누설되지 않도록 하기 위함이다. 절연성의 고정바(6)는, 도면에 나타내는 바와 같이 핑거 전극(5)의 상부(머리부)의 높이(여기에서는 약 20μm)보다 낮은 높이(여기에서는 약 20μm 혹은 그 이하)로 형성되도록 조정하는(스크린 인쇄 시의 절연 글라스 혹은 절연 글라스를 포함하는 절연성의 페이스트의 농도 등을 조정한다) 것이 바람직하다. 이에 따라 도면에 나타내는 리본(7)을 납땜(초음파 납땜이 바람직하다)할 때에 핑거 전극(5)의 상부(머리부)의 부분이 덮이도록 완전하게 납땜하여 접촉저항(직렬저항성분)을 작게 하고 또한 기계적 강도(리본(7)을 잡아당겨도 박리되지 않도록)를 크게 하는 것이 가능하게 된다.

실험에서는,

·고정바(6)의 폭 : 2mm

·초음파 납땜 인두의 인두팁의 길이 : 2mm

·초음파 납땜 인두의 인두팁의 폭 : 2mm

로 한 경우에, 핑거 전극(5)과 절연성의 고정바(6)의 간격(길이방향의 간격)의

·상한은, 인두팁의 동작방향의 길이(상기 예에서는 2mm)보다 지나치게 길지 않게 하여, 인두팁이 하방의 질화막(3)에 접촉 등을 하여 손상시키지 않도록 한다(실험에 의하여 결정한다).

·하한은, 도3에 나타내는 땜납의 경사부분이 지나치게 가파르지 않고 또한 스크린 인쇄의 중첩 정밀도 이내로 하여, 땜납재료가 절단되지 않도록 한다(실험에 의하여 결정한다).

또한 핑거 전극(5)과 절연성의 고정바(6)의 폭의

·상한은 리본폭(고정바(6)의 폭)으로 한다.

·하한은 상한의 0.8 정도로 한다.

또한 초음파 납땜은 2W 정도로 한다. 지나치게 크면 N＋이미터(고농도전자영역)에 손상을 준다. 작으면 땜납 밀착성이 얻어지지 않기(땜납 밀착성의 규정은 0.2N 이상, 본 발명에서는 0.5N 이상으로 하였다) 때문에, 실험에 의하여 최적의 W수를 결정한다(초음파 납땜 인두(인두팁의 길이, 폭 등)에 따라 다르기 때문에 실험에 의하여 결정한다).

여기에서 절연성의 고정바(6) 및 핑거 전극(5)과, 리본(외부단자)을 납땜하기 위한 요건은, 핑거 전극(5)(은) 및 절연성의 고정바(6)(절연 글라스)와의 밀착성이 양호한 것이다.

·그에 적합한 땜납재료로서, 주석과 아연의 합금, 주석과 구리의 합금, 주석과 은의 합금 등을 사용한다.

·절연성의 고정바(6) 및 핑거 전극(5)에 리본(프리납땜(pre-soldering) 완료)을 초음파 납땜할 때의 초음파 출력은, 상기에서 설명한 바와 같이 2W 정도가 좋다. 초음파 납땜을 함으로써, 필요 이상으로 높은 온도를 필요로 하지 않는다. 또한 납땜영역 외의 불필요한 부분의 온도를 올리지 않아도 좋아서, 주위의 불필요한 온도상승에 의한 성능열화를 막을 수 있다.

또한 리본(외부단자)은, 중심을 구리를 재료로 한 선재(線材)로서, 외측을 땜납재료로 덮고 있다(프리납땜 완료).

·기판(웨이퍼)의 이면측의 납땜은, 당해 기판의 이면측의 전체 면에 알루미늄을 코팅하기 때문에, 이것에 직접 혹은 도전성의 고정바(바나듐산염 글라스)를 형성한 후에 리본을 초음파 납땜한다.

또한 땜납재료로서 주석, 아연 등을 주체로 하는 경우에 저온취성(低溫脆性)이 예상되는 경우에는, 이것을 회피하기 위하여 필요에 따라 첨가물(구리, 은 등)을 첨가한다(첨가하여 합금으로 한다). 또한 첨가물로서 알루미늄, 비스무트, 인듐, 안티몬 등을 첨가하여, 젖음성(wettability)이나 산화성의 개선이나 땜납합금을 만들기 쉽게 하는 등 필요에 따라 적정량을 첨가한다(실험에 의하여 정한다).

또한 절연성의 고정바(6)의 형성은, 실험에서는,

·인산·아연계 글라스, 비스무트계 글라스 혹은 이들을 주체로 한 페이스트를 사용하고, 스크린 인쇄하여 소결시켜서 형성하였다.

·재료예 : 절연 글라스(인산·아연계 글라스, 비스무트계 글라스(도11을 참조) 등) 또는 이들을 포함하는 절연성의 글라스 페이스트(glass paste).

·개략 설명 : 전체 재료를 용융하고 급속냉각시켜서 절연 글라스를 생성하고, 분말로 하여 페이스트를 작성한다. 이것을 스크린 인쇄하여 절연성의 고정바(6)를 형성하고 소결시켜서, 최종적인 절연성의 고정바(6)를 형성한다.

이 절연성의 고정바(6)의 형성요건은,

(1) 사용하는 땜납재료와의 밀착성이 양호

(2) 전기적 절연성이 양호

(3) 질화막(3)과의 밀착성이 양호

한 것을 충족시키도록 재료, 스크린 인쇄의 두께, 소결온도 등을 실험에 의하여 결정한다.

다음에, 도4∼도7의 공정 플로의 순서로 도1∼도3의 구성의 공정을 순차적으로 상세하게 설명한다.

도4∼도7은, 본 발명의 공정 플로를 나타낸다.

도4에 있어서, S1에서는 Si기판(4가)을 준비한다. 즉, 태양전지의 기판(4가)이 되는 웨이퍼를 준비한다.

S2에서는 P형(3가)의 기판(1)을 형성한다. 즉, S1의 Si기판(4가)에 붕소 등을 확산시켜서 P형(3가)으로 한다.

S3에서는 인(5가)을 확산시켜서 N＋형을 표면에 작성한다. 이에 따라 고농도전자영역(N＋형)이 형성될 수 있다.

도5에 있어서, S4에서는 기판(1)의 표면측의 N＋영역(고전자농도영역) 상에 질화막(3)을 형성한다. 질화막(3)은 보통 60nm 정도이다. 이에 따라 N＋영역(고전자농도영역)이 질화막(3)에 의하여 보호되게 된다.

또한 S4에서 기판(1)의 이면측에 알루미늄막(4)을 증착, 스퍼터 등에 의하여 형성한다. 알루미늄막(4)은 태양전지의 이면측의 전극이 되는 부분이다.

S5에서는 핑거 전극의 인쇄를 한다. 즉, 이미 설명한 도1∼도3에 있어서의 핑거 전극(5)의 형상을 은, 납 글라스로 이루어지는 페이스트를 이용하여 스크린 인쇄를 한다.

S6에서는 용제 제거를 한다. 즉, 100∼120℃에서 1시간 정도 가열을 하여, 스크린 인쇄한 페이스트에 포함된 용제를 완전하게 제거한다.

도6의 S7에서는 절연성의 고정바(6)의 인쇄를 한다. 즉, 이미 설명한 도1∼도3에 있어서의 절연성의 고정바(6)의 형상을, 절연 글라스 혹은 절연 글라스를 포함하는 절연성의 페이스트를 이용하여 스크린 인쇄를 한다.

S8에서는 절연성의 고정바의 용제 제거를 한다. 즉, 100∼120℃에서 1시간 정도 가열을 하여, 스크린 인쇄한 절연성의 페이스트에 포함된 용제를 완전하게 제거한다.

S9에서는 소성을 한다. 즉, 핑거 전극(5)의 파이어 스루(fire through)를 발생시키는 조건으로 소성을 한다. 상세하게 설명하면, S5와 S6에서 질화막(3) 상에 핑거 전극(5)을 은, 납 글라스로 이루어지는 페이스트(은·납 글라스 페이스트)를 이용하여 스크린 인쇄하고, S7과 S8에서도 마찬가지로 중복되지 않도록 질화막(3) 상에 절연성의 고정바(6)를 절연 글라스 혹은 절연 글라스를 포함하는 절연성의 페이스트를 이용하여 스크린 인쇄한 상태에서, 양자를 동시에 소성(가열)한다. 이 소성의 조건은, 전술한 바와 같이 전자(前者)(은·납 글라스 페이스트에 의한 파이어 스루)의 소성온도와 후자(後者)(절연 글라스 페이스트의 용해·고착)의 온도(일종의 브레이징(brazing) 온도)를 비교하여, 전자가 후자보다 높거나 혹은 같을 것이 요건이고, 여기에서는 전자의 소성온도(파이어 스루의 소성온도)를 채용하여 소성을 한다. 구체적으로는, 예를 들면 750℃∼850℃의 범위 내이고, 1∼60초의 범위 내에서 소성을 한다(가열은 원적외선 램프를 이용하여 하고, 최적의 조건은 실험에 의하여 정한다).

이들에 의하여, (1) 핑거 전극(5)이 질화막(3)을 파이어 스루하는 것과, (2) 절연성의 고정바(6)가 질화막(3)에 강고하게 고착되고 또한 표면이 납땜하기 쉽게 되는 것을 동시에 달성할 수 있다는 현저한 효과가 발생한다.

도7의 S10에서는, 프리납땜을 한다. 즉, 이미 설명한 도3에 나타내는 바와 같이 S9에서 소성한 핑거 전극(5) 및 절연성의 고정바(6)의 위에서부터 초음파 납땜 인두로 땜납재료의 프리납땜을 한다.

S11에서는 리본부착을 한다. 즉, S10에서 프리납땜한 후에 리본을 납땜한다(상세한 것은 이미 설명한 도3의 설명을 참조). 또한 프리납땜된 리본을 이용하여 직접 핑거 전극(5) 및 절연성의 고정바(6)에 초음파 납땜을 하여도 좋다.

S12에서는 이면측의 리본부착을 한다. 즉, 도5의 S4에서 기판(1)의 이면측에 형성한 알루미늄막(4)에 리본을 초음파 납땜한다. 이 이면측의 리본부착은, 프리납땜된 리본을 직접 도5의 S4에서의 알루미늄막(4)에 초음파 납땜하여도 좋고, 개구(開口)가 있는 이면측에 도전성 글라스(導電性 glass)(예를 들면 바나듐산염 글라스)를 스크린 인쇄하고 소성시켜서 강하게 고착시킨 후에, 리본과 절연성의 고정바(6) 및 알루미늄막(4)의 양자를 초음파 납땜하여, 강도를 강하게 하여도 좋다.

도8은, 본 발명의 구체예와 종래예를 나타낸다.

도8의 (a)는 본 발명의 스플릿형(split型)의 예의 사진을 나타낸다. 즉, 절연성의 고정바(6)가 핑거 전극(5)으로부터 떨어져 있고, 절연성의 고정바(6)가 길이방향으로 분할되어 있는 예(스플릿형이라고 말한다)를 나타낸다.

도8의 (b)는 종래의 터치바형(touch-bar型)의 예의 사진을 나타낸다. 즉, 도전성의 고정바가 핑거 전극(5)에 접하고 있고, 도전성의 고정바가 길이방향으로 분할되어 있는 예(터치바형이라고 말한다)를 나타낸다.

이상에 있어서 도8의 (b)의 터치바형은, 도전성 고정바의 스크린 인쇄 시의 정밀도(위치맞춤 등)와 핑거 전극(5)의 스크린 인쇄 시의 정밀도(위치맞춤 등)가 큰 경우에는 채용할 수 없으며, 이들 정밀도 오차가 영향을 주지 않도록 본 발명의 도8의 (a)의 스플릿을 선택하는 것이 바람직하다.

또한 도8의 (a)의 스플릿형으로 한 경우에는, 전술한 바와 같이 초음파 납땜할 때에 인두팁의 사이즈(길이방향)보다 약간 작은 것이, 인두팁이 아래의 질화막(3)에 접촉하여 파괴시켜 버리는 등의 사태를 방지할 수 있기 때문에, 양호한 납땜을 하는 것이 가능하게 된다.

도8의 (c)는, 종래의 버스바 전극의 아래에 핑거 전극이 있는 예를 나타낸다. 이 종래의 경우에는, 핑거 전극에 직교하도록 띠 모양의 버스바 전극을 은, 납 글라스를 함유하는 페이스트를 스크린 인쇄하고 소성시켜서 형성하고 있었기 때문에, 핑거 전극이 버스바 전극의 위로 돌출될 수 없어, 본 발명의 당해 핑거 전극에 직접 리본을 납땜하는 것이 불가(不可)하여, 결과적으로 핑거 전극―버스바 전극―리본을 경유하여 외부로 전자를 인출하고 있었기 때문에, 경로의 저항(직렬저항성분)을 작게 할 수 없었다. 그 결과, 태양전지의 효율을 저하시켜 버린다는 결점이 있었다.

도9는, 본 발명의 글라스 제조 플로차트를 나타낸다. 즉, 이미 설명한 도2 등의 절연성의 고정바(6)를 형성하는 절연 글라스의 제조 플로차트이다.

도9에 있어서, S21에서는 글라스 성분을 조합(調合)한다. 즉, 예를 들면 후술하는 도11의 인산·아연계 글라스 혹은 비스무트계 글라스 등의 절연성 글라스의 글라스 성분(ZnO, P₂O₅, CaO, B₂O₃. ZnO 등의 각 성분)을 조합한다.

S22에서는 도가니에 넣고 교반한다. 즉, S21에서 분말상의 각 성분을 도가니에 넣고 잘 교반하여 균일하게 섞는다.

S23에서는 1000℃의 전기로에 넣는다. 즉, S22에서 각 글라스 성분의 분말을 도가니에 넣고 교반하여 잘 섞은 후에, 1000℃의 전기로에 넣는다(도가니를 전기로에 넣고 1000℃에서 가열하여도 좋다). 또한 가열온도는 실험에 의하여 최적의 온도를 정한다.

S24에서는 1시간 가열한다. 즉, S23에서 1000℃의 전기로에 넣은 후에 1시간 가열한다(가열을 할 때에는 교반한다).

S25에서는 전기로로부터 상온(常溫)인 외부의 철판(鐵板) 상으로 인출하여 급랭(急冷)시킨다. 이에 따라 절연성 글라스의 덩어리가 작성될 수 있게 된다.

이상의 S21부터 S25의 순서에 의하여, 후술하는 도11의 인산·아연계 글라스, 비스무트계 글라스 등의 절연 글라스의 덩어리가 작성될 수 있게 된다. 이 절연성 글라스의 덩어리를 소정의 입경(粒徑)으로 공지의 방법으로 분쇄하여, 절연 글라스 페이스트의 재료로 한다.

도10은, 본 발명의 절연 글라스의 성분·조건의 예를 나타낸다. 즉, 도2의 태양전지의 절연성의 고정바(6)에 절연 글라스를 사용하는 경우에 필요한 성분, 조건 등의 예를 나타낸다.

도10에 있어서, 태양전지의 절연성의 고정바(6)에 사용하는 경우의 절연 글라스에는 내수성(耐水性), 내광성(耐光性), 절연성, 밀착성(질화막, 땜납 밀착성) 등이 요구되고, 구체적으로는 도10에 나타내는 하기의 조건, 성분제한이 필요하다.

이상의 조건, 성분제한 등을 충족하는 절연 글라스를 이용하여 도2의 고정바(6)를 소성하여 형성함으로써, 절연성의 고정바(6)가 강하게 질화막에 고착됨과 아울러, 절연성의 고정바(6) 상에 리본을 초음파 납땜하더라도, 리본 밑에 절연성의 고정바(6)가 있어 그 기판 내부로의 저항성분(병렬저항성분이라고 한다)이 매우 커지게 되어, 핑거 전극(5)으로부터 리본으로 인출된 전자가 당해 병렬저항성분을 통하여 기판의 내부로 누설되는 비율을 매우 작게 하는 것이 가능하게 되고, 결과적으로 태양전지의 효율(전류×전압)의 저하를 저감시킬 수 있었다(후술하는 도16∼도19를 참조).

도11은, 본 발명의 인산염 글라스 및 비스무트계 글라스의 예를 나타낸다. 단위는 중량%이다.

도11에 있어서, 인산·아연계 글라스의 예1, 예2는, 도면에 나타내는 하기와 같은 성분(중량%)을 갖는 것이다.

도11에 있어서, 비스무트 글라스의 예1, 예2는, 도면에 나타내는 하기와 같은 성분(중량%)을 갖는 것이다.

이상과 같은 성분에 의하여 절연성의 인산·아연계 글라스, 비스무트 글라스를 작성하고, 태양전지의 고정바(6)로서 사용한 경우에, 병렬저항성분을 저감시켜서 효율을 양호하게 하는 것이 가능하게 되었다(후술하는 도16∼도19를 참조).

도12는, 본 발명의 절연 페이스트 적용 플로차트를 나타낸다. 즉, 절연성 글라스(인산·아연계 글라스, 비스무트 글라스)의 분말로 이루어지는 절연 페이스트를 실제로 태양전지의 고정바(6)의 작성에 적용하는 경우의 플로차트를 나타낸다.

도12에 있어서, S31에서는 절연 페이스트를 스크린 인쇄하여 고정바(6)의 패턴을 인쇄한다. 즉, 이미 설명한 도1의 고정바 영역(61)에 도2의 고정바(6)를 절연 페이스트를 이용하여 스크린 인쇄한다.

S32에서는 건조한 대기 중에 방치(2∼24시간)시킨다. 이 건조는, 예를 들면

·건조 BOX(건조용의 상자, 용기) 등을 사용한다.

·경우에 따라서는, 본 공정을 생략하는 경우도 있다.

S33에서는 인쇄한 절연 페이스트의 용제(유기용매)를 휘발시킨다. 예를 들면 조건으로서,

·40∼100℃ 정도의 온도영역에서,

·100분 정도의 열처리(건조처리)(용매 제거 공정)를

한다. 이에 따라 절연 페이스트를 스크린 인쇄한 태양전지의 고정바(6)의 부분에 포함되는 용제가 휘발되고, 또한 태양전지의 고정바(6)의 베이스의 부분에 접착된다.

S34에서는 건조한 대기 중에 방치(2∼24시간)시킨다. 이 건조는, 예를 들면

·건조 BOX(건조용의 상자, 용기) 등을 사용한다.

·경우에 따라서는, 본 공정을 생략하는 경우도 있다.

S35에서는 소성(소결)을 한다. 조건으로서,

·원적외선 소결장치의 하나의 예로서,

: 340∼900℃의 범위 내이고, 또한 3∼60초의 범위에서 소결한다.

또한 약 1(3이 바람직하다)∼60초의 범위이면 좋다. 또한 원적외선 소결장치를 대신하여 적외선을 사용한 소결장치이어도 가능하다. 원적외선, 적외선에 의한 소결로서, 상기의 예에서는 램프(원적외선 램프)를 사용하였지만, 이것에 한정되지 않으며, 세라믹 히터, 레이저 등에 의해서도 적외선, 원적외선을 방출하는 것이라면 무엇이든지 좋다. 또한 상기 범위 내에서의 온도, 소결시간으로 소결이 가능하다면, 다른 수단을 사용하여도 좋다(예를 들면, 공기 등의 기체를 가열한 열풍 등이어도 좋다).

또한 복수 회의 스크린 인쇄 및 소결을 하여 막두께를 조정하여도 좋다.

이상에 의하여, 실험에서는 태양전지의 절연성의 고정바(6)를 본 발명의 절연성의 절연 페이스트를 스크린 인쇄하여 상기 범위 내(온도, 소결시간)에서 소결하여, 종래의 은 페이스트(은 분말 100%) 등보다 좋은 태양전지의 효율(변환효율)을 측정할 수 있었다(후술하는 도16∼도19를 참조).

도13은, 본 발명의 절연 글라스 페이스트의 조성예를 나타낸다. 도13은, 절연 글라스 페이스트의 조성예로서, 주재(主材), 유기재(有機材), 유기용매, 수지로 이루어지는 페이스트이며, 도면에 나타내는 하기와 같은 조성으로 실험에서는 작성하였다.

도13에 있어서 성분, 농도범위(중량%), 비고는 도면에 나타내는 하기와 같이 하였다.

이상의 조성을 잘 혼련(混鍊)하여 절연 글라스 페이스트를 작성하고, 도12의 플로차트에 따라 고정바를 인쇄·건조·소결시켜서, 도2의 절연성의 고정바(6)를 작성하였다.

도14는, 본 발명의 스크린 인쇄에 사용되는 스크린의 조건예를 나타낸다.

도14에 기재되어 있는 바와 같이 스크린의 조건은, 예를 들면

·스크린 선지름 : 16μm

·메시 : 325개/inch

·애퍼처(aperture)(오프닝) : 62μm

·공간율 : 63%

이다. 여기에서, 태양전지의 절연성 고정바(6)의 막두께를 컨트롤하기 위해서는, 상기 스크린의 조건을 변경하거나 혹은 절연 페이스트 중의 유기용재의 농도를 변경한다.

도15는, 본 발명의 실제의 적용예를 나타낸다. 즉, 태양전지의 기판 상에 형성된 질화막 상에 은 페이스트(납 함유)로 핑거 전극을 스크린 인쇄하고, 또한 절연 글라스 페이스트로 고정바(6)를 스크린 인쇄한 후에, 양자를 일괄소성하여 핑거 전극(5), 절연성의 고정바(6)를 동시에 형성한 후의 사진의 예를 나타낸다.

여기에서는,

·핑거 전극(5)의 폭은 0.1mm

·절연성의 고정바(6)의 폭×길이는 0.5mm×0.7mm

·핑거 전극(5)과 고정바(6)의 간격은 0.3mm

로 하였다.

여기에서 절연성의 고정바(6)는 인산계 글라스를 사용하고, 사진은 글라스를 명료하게 촬영하기 위하여 황색광 조명을 사용하였다. 본래의 글라스는 무색투명이다.

또한 도면에 나타내는 바와 같이 형성된 핑거 전극(5), 절연성의 고정바(6) 상에, 세로방향으로 프리납땜한 구리 테이프를 초음파 납땜함으로써 리드선을 납땜한다.

이상에 의하여, 첫 번째, 핑거 전극(5)에 직접 테이프를 초음파 납땜하여, 핑거 전극(5)과의 사이에 종래의 버스바 전극(은)의 삽입을 없애서 직렬저항성분을 작게 할 수 있었다.

또한 두번째, 절연성의 고정바(6)에 의하여 종래의 버스바 전극(은, 도전성 글라스)을 대체하여, 당해 버스바 전극(은, 도전성 글라스)으로부터 기판 내부로의 전자의 누설성분을 삭감(즉, 병렬저항성분을 매우 크게 하여 누설을 삭감)할 수 있었다. 이때에 절연성의 고정바(6)는 하측의 질화막에 강하게 고착되고, 또한 당해 절연성의 고정바(6)는 초음파 납땜에 의하여 구리 테이프를 강고하게 납땜할 수 있어, 그 구리 테이프를 강고하게 기판에 고정할 수 있었다.

다음에, 도16∼도19를 사용하여 본 발명의 상기 제1직렬저항성분의 감소 및 상기 제2병렬저항성분을 매우 크게 하여 누설을 저감시킬 수 있었던 것에 의한 태양전지의 변환효율의 향상에 대하여 상세하게 설명한다.

도16은, 본 발명의 특성의 설명도1(직렬저항성분의 삭감효과)을 나타낸다. 세로축은 태양전지로부터 출력되는 전류를 나타내고, 가로축은 그때에 출력되는 전압을 나타낸다. 도면에 있어서 실선의 I―V곡선은 본 발명에 관한 절연성의 고정바(6)(도15)에 의한 I―V곡선(절연성의 고정바(6))의 예를 나타내고, 점선은 종래의 도전성의 버스바 전극에 의한 I―V곡선(종래의 도전성의 버스바 전극)의 예를 나타낸다.

도16에 있어서, 큰 타원의 부분은, 직접 핑거 전극(5)에 리본을 초음파 납땜하여 직렬저항성분을 경감시킴으로써, 전류성분이 증대된 상태를 도식적으로 나타낸다. 즉 본 발명은, 핑거 전극(5)의 돌출부분에 직접 리본(구리 테이프)을 초음파 납땜하였기 때문에, 핑거 전극(5)과 리본 사이에 종래의 버스바 전극이 없어지게 되어 그만큼의 저항(직렬저항)이 없어지게 되고, 이렇게 직렬저항성분이 작아지게 됨으로써, 도16의 I―V곡선의 전류가 증대, 상측방향으로 이동한 상태를 도식적으로 나타낸다.

도17은, 본 발명의 특성의 설명도2(큰 병렬저항성분에 의한 누설전류의 저감효과)를 나타낸다. 세로축, 가로축은 도16과 같다.

도17에 있어서, 큰 타원의 부분은, 종래의 도전성의 버스바 전극 부분을 절연 글라스에 의하여 고정바(6)로서 형성하여 병렬저항성분을 크게 함으로써, 누설전류를 저감시킨 상태를 도식적으로 나타낸다. 즉 본 발명은, 종래의 도전성의 버스바 전극을 대신하여 절연성의 스플릿형의 고정바(6)를 형성하고, 이 고정바(6)에 리본(구리 테이프)을 초음파 납땜하였다. 그 때문에, 리본과 기판 사이에 절연성의 고정바(6)가 있고, 이것이 리본으로부터 기판의 내부에 대한 저항을 매우 크게 하여 누설전류를 경감시키고, 그만큼 병렬저항성분이 매우 커지게 됨으로써, 도17의 I―V곡선의 전압이 증대되어, 우측방향으로 이동한 상태를 도식적으로 나타낸다.

도18은, 본 발명의 특성의 설명도3(절연 글라스의 고정바에 의한 전류, 전압의 증대효과)을 나타낸다. 세로축, 가로축은 도16과 같다.

도18에 있어서, 큰 타원의 부분은, 도16의 큰 타원과 도17의 큰 타원에 의한 상승효과, 즉 직렬저항성분의 저감에 의한 전류증대와, 병렬저항성분이 매우 커지게 되어 누설전류의 저감에 의한 전압상승과의 곱이 증대되었다는 상승효과를 도식적으로 나타낸 것이다.

도19는, 본 발명에 관한 태양전지 표면의 버스바 전극의 변천 설명도를 나타낸다. 즉, 태양전지 표면의 버스바 전극에 있어서의 본 발명자들에 의한 출원의 변천 설명도를 나타낸다.

도19의 (a)는, 도전 글라스의 버스바 전극을 사용한 경우의 상태를 도식적으로 나타낸다. 이 출원은, 예를 들면 일본국 특허출원 특원2016―015873에 기재되어 있다.

도19의 (b)는, 스플릿형 도전성 글라스의 버스바 전극을 사용한 경우의 상태를 도식적으로 나타낸다. 이 출원은, 예를 들면 일본국 특허출원 특원2016―257471에 기재되어 있다. 이 스플릿형 도전성 글라스의 버스바 전극의 경우에는, 스플릿형의 도전성 글라스를 사용함으로써, ① 직렬저항의 감소에 의하여 태양전지의 변환효율이 0.1―0.2% 상승되었다.

도19의 (c)는, 본 발명의 스플릿형의 절연 글라스의 고정바(6)(버스바)를 사용한 경우(도전성의 버스바 전극은 없음)의 상태를 도식적으로 나타낸다. 이 스플릿형의 절연성 글라스의 고정바(6)(버스바)의 경우에는, 도1∼도18을 사용하여 설명한 바와 같이 스플릿형의 절연성 글라스를 사용함으로써, ① 직렬저항성분의 감소와, ② 병렬저항성분의 증대에 의한 누설의 감소에 의하여, 태양전지의 변환효율이 0.2―0.4% 이상 상승되었다.

다음에 도20∼도25를 사용하여, 땜납을 부착시킨 인출선인 리본 혹은 선재(와이어)를, 기판, 기판 상에 형성한 막, 고정바, 이면의 알루미늄면, 그 알루미늄면에 홀을 뚫은 부분 등 초음파 납땜 대상의 부분에 직접 초음파 납땜하는 순서를 상세하게 설명한다.

도20은, 본 발명의 동작설명 플로차트(예비납땜이 없는 경우)를 나타낸다.

도20에 있어서, S101에서는 납땜인두, 웨이퍼 지지대 등의 온도, 초음파 발진주파수 등의 설정을 한다. 즉, 초음파 납땜을 하기에 앞서 사전준비로서 하기를 실시한다.

·납땜인두 : 소정의 온도로 가열(리본 혹은 선재에 부착되어 있는 땜납이 용융되는 온도로 가열)한다.

·웨이퍼 지지대 : 기판인 웨이퍼의 지지대를 소정의 온도로 예비가열(리본 혹은 선재에 부착되어 있는 땜납이 용융되는 온도보다 약간 낮은 온도, 예를 들면 180℃(후술한다))한다.

·초음파 발진주파수 등 : 소정 주파수, 소정 출력의 초음파를 납땜인두팁으로부터 기판인 웨이퍼에 공급하도록 조정한다(예를 들면, 후술하는 바와 같이 수십 KHz, 1∼6W의 초음파를 인두팁에 공급하도록 조정한다).

S102에서는 웨이퍼를 소정의 위치에 세팅한다. 즉, 리본 혹은 선재를 초음파 납땜하려고 하는, 예를 들면 태양전지의 웨이퍼를 S101에서 소정의 온도로 가열한 웨이퍼 지지대의 소정의 위치에, 도면에 나타내지 않은 자동기(自動機)에 의하여 반송하여 고정한다. 고정하면 매우 짧은 시간 동안 소정의 온도(예를 들면 180℃)로 예비가열한다.

S103에서는 땜납을 부착시킨 와이어 또는 리본을 송출한다. 즉, S102에서 웨이퍼 지지대의 소정의 위치에 고정되어 예비가열된 웨이퍼의 소정의 위치(초음파 납땜할 기판 혹은 기판 상의 막의 소정의 위치)로, 미리 땜납을 부착시킨 와이어(선재) 또는 리본을 도면에 나타내지 않은 자동기에 의하여 송출한다. 와이어(선재) 또는 리본은, 릴(reel)로부터 송출 혹은 소정의 길이로 절단한 와이어 또는 리본을 다수 수납한 탑재상자로부터 송출한다. 또한 특히 와이어를 릴로부터 송출하는 중에 비틀림에 의하여 끊어지는 경우가 가끔 발생하기 때문에, 소정의 길이로 절단한 와이어(선재)를 자동기에 의하여 탑재상자로부터 송출하는 것이 바람직하다. 리본의 경우에는 그 정도는 아니다.

S104에서는 초음파 납땜한다. 즉, S102에서 웨이퍼를 웨이퍼 지지대에 고정하여 소정의 온도(예를 들면 180℃)로 예비가열한 상태, 또한 S103에서 땜납을 부착시킨 와이어(선재) 혹은 리본을 웨이퍼 상 혹은 웨이퍼 상에 형성된 막(알루미늄막, 질화막, 글라스막 등) 상에 공급(혹은 재치(載置))한 상태에서, 초음파 납땜 인두의 인두팁을 가볍게 눌러서 초음파를 공급하여 이물질(먼지) 등을 제거하면서, 당해 와이어(선재) 혹은 리본에 부착되어 있는 땜납을 용융시켜서, 와이어 혹은 리본과 웨이퍼(기판) 혹은 웨이퍼 상에 형성된 막(기판 상의 막)을 초음파 납땜한다.

S105에서는 처리 웨이퍼가 있는지를 판별한다. YES인 경우에는, 처리 웨이퍼가 아직 있기 때문에 S106에서 다음 웨이퍼의 처리(S102∼S104의 처리)를 반복한다. NO인 경우에는, 모든 웨이퍼의 처리가 종료되었기 때문에 종료한다.

이상에 의하여, 미리 땜납을 부착시킨 와이어(선재) 혹은 리본을, 예비가열한 웨이퍼(기판) 혹은 웨이퍼 상에 형성된 막(기판 상의 막)에 당해 와이어 혹은 리본에 부착시킨 땜납을 용융시켜서, 웨이퍼 혹은 웨이퍼 상의 막에 직접 초음파 납땜하는 것이 가능하게 된다. 이에 따라, 이미 설명한 땜납이 부착되어 있지 않은 와이어 혹은 리본을 기판 혹은 기판 상의 막에 초음파 납땜하는 경우에 비하여, 하기와 같은 우위점이 있다.

1. 본 예에서는, 와이어 혹은 리본에 땜납이 부착되어 있기 때문에, 땜납의 자동공급장치, 예비가열장치 등이 불필요하게 된다.

2. 땜납을 기판 혹은 기판 상의 막에 예비납땜하고, 다음에 와이어 혹은 리본을 납땜하는 경우에 비하여, 당해 예비납땜공정이 불필요하게 된다.

도21은, 본 발명의 리본 접속예를 나타낸다. 즉, 이미 설명한 도20의 플로차트에 따라, 땜납을 부착시킨 리본을 웨이퍼(예를 들면 태양전지) 혹은 웨이퍼 상의 막에 직접 초음파 납땜하여, 당해 리본을 전기적 또한 기계적으로 강고하게 접속한 예를 나타낸다.

도21의 (a)는 핑거면에 대한 접속예를 나타내고, 도21의 (b)는 실리콘면에 대한 접속예를 나타내고, 도21의 (c)는 이면 알루미늄면에 대한 접속예를 나타낸다.

도21의 (a)는 핑거면에 대한 접속예를 나타낸다. 도21의 (a-1)은 리본을 핑거면에 초음파 납땜한 예를 나타내고, 도21의 (a-2)는 가로방향에서 보았을 때의 도면을 나타낸다.

도21의 (a)에 있어서, 도면에 나타내는 리본(땜납을 부착시킨 리본)은, 도20의 플로차트에 따라 실리콘 기판 상에 형성된 핑거면에 직접 초음파 납땜하여, 당해 리본을 핑거면(핑거 전극)에 전기적으로 접속 및 당해 리본을 막(질화막 혹은 질화막 상에 형성된 글라스막)에 기계적으로 강고하게 접속(고정)한 예를 나타낸다.

도21의 (b)는 실리콘면(기판)에 대한 접속예를 나타낸다. 도21의 (b-1)은 리본을 실리콘면에 초음파 납땜한 예를 나타내고, 도21의 (b-2)는 가로방향에서 보았을 때의 도면을 나타낸다.

도21의 (b)에 있어서, 도면에 나타내는 리본(땜납을 부착시킨 리본)은, 도20의 플로차트에 따라 실리콘 기판 상에 직접 초음파 납땜하여, 당해 리본을 실리콘면(기판)에 전기적으로 접속 및 당해 리본을 실리콘면(기판)에 기계적으로 강고하게 접속(고정)한 예를 나타낸다.

도21의 (c)는 이면 알루미늄면에 대한 접속예를 나타낸다. 도21의 (c―1)은 리본을 이면 알루미늄면에 초음파 납땜한 예를 나타내고, 도21의 (c―2)는 가로방향에서 보았을 때의 도면을 나타낸다.

도21의 (c)에 있어서, 도면에 나타내는 리본(땜납을 부착시킨 리본)은, 도20의 플로차트에 따라 실리콘 기판의 이면의 알루미늄면에 직접 초음파 납땜하여, 당해 리본을 이면 알루미늄면에 전기적으로 접속 및 당해 리본을 기계적으로 강고하게 접속(고정)한 예를 나타낸다.

도22는, 본 발명의 와이어 접속예를 나타낸다. 즉, 이미 설명한 도20의 플로차트에 따라 땜납을 부착시킨 와이어(선재)를 웨이퍼(예를 들면 태양전지) 혹은 웨이퍼 상의 막에 직접 초음파 납땜하여, 당해 와이어를 전기적 또한 기계적으로 강고하게 접속한 예를 나타낸다.

도22의 (a)는 핑거면에 대한 접속예를 나타내고, 도22의 (b)는 실리콘면에 대한 접속예를 나타내고, 도22의 (c)는 이면 알루미늄면에 대한 접속예를 나타낸다.

도22의 (a)는 핑거면에 대한 접속예를 나타낸다. 도22의 (a-1)은 와이어를 핑거면에 초음파 납땜한 예를 나타내고, 도22의 (a-2)는 가로방향에서 보았을 때의 도면을 나타낸다.

도22의 (a)에 있어서, 도면에 나타내는 와이어(땜납을 부착시킨 와이어)는, 도20의 플로차트에 따라 실리콘 기판 상에 형성된 핑거면에 직접 초음파 납땜하여, 당해 와이어를 핑거면(핑거 전극)에 전기적으로 접속 및 당해 와이어를 막(질화막 혹은 질화막 상에 형성된 글라스막)에 기계적으로 강고하게 접속(고정)한 예를 나타낸다.

도22의 (b)는, 실리콘면(기판)에 대한 접속예를 나타낸다. 도22의 (b-1)은 와이어를 실리콘면에 초음파 납땜한 예를 나타내고, 도22의 (b-2)는 가로방향에서 보았을 때의 도면을 나타낸다.

도22의 (b)에 있어서, 도면에 나타내는 와이어(땜납을 부착시킨 와이어)는, 도20의 플로차트에 따라 실리콘 기판 상에 직접 초음파 납땜하여, 당해 와이어를 실리콘면(기판)에 전기적으로 접속 및 당해 와이어를 실리콘면(기판)에 기계적으로 강고하게 접속(고정)한 예를 나타낸다.

도22의 (c)는 이면 알루미늄면에 대한 접속예를 나타낸다. 도22의 (c―1)은 와이어를 이면 알루미늄면에 초음파 납땜한 예를 나타내고, 도22의 (c―2)는 가로방향에서 보았을 때의 도면을 나타낸다.

도22의 (c)에 있어서, 도면에 나타내는 와이어(땜납을 부착시킨 와이어)는, 도20의 플로차트에 따라 실리콘 기판의 이면의 알루미늄면에 직접 초음파 납땜하여, 당해 와이어를 이면 알루미늄면에 전기적으로 접속 및 당해 와이어를 기계적으로 강고하게 접속(고정)한 예를 나타낸다.

도23은 본 발명의 납땜조건의 예를 나타낸다. 즉, 이미 설명한 도20, 도21, 도22에 초음파 납땜에서 사용한 납땜조건의 일례를 나타낸다. 도면에 나타내는 바와 같이 샘플, 초음파 출력, 초음파 주파수, 인두온도, 스테이지 온도(웨이퍼 지지대 온도)는, 도면에 나타내는 하기와 같이 하였다.

도24는, 본 발명의 와이어의 납땜조건 및 납땜 성공예를 나타낸다.

도24의 (a)는 성공개수/총개수의 예를 나타낸다. 여기에서는, 와이어의 단면 형상으로서, 도면에 나타내는 바와 같이 0.5mmφ, 0.4mmφ, 0.3mmφ, 0.2mmφ에 대하여 실험하였을 때의 성공개수의 예를 나타내고, 도면에 나타내는 하기와 같은 결과가 얻어졌다.

여기에서, (a-1)「10μm 정도 두께의 땜납 코팅」은, 와이어(구리 와이어)에 10μm 정도의 땜납을 부착(땜납 코팅으로 부착)시킨 것이다. (a-2)「상기 와이어의 찌그러진 형상」은, 후술하는 도24의 (b)에서 설명하는 바와 같이 「10μm 정도 두께의 땜납 코팅」의 ○모양의 와이어를 약간 찌그러뜨린 것이다. (a-3)「예비납땜, 구리선 ○형상」은, 기판 상에 예비납땜하여 두고, 이것에 구리선 ○형상의 와이어를 초음파 납땜한 것이다.

이상과 같이, 와이어의 단면 지름 0.5mmφ, 0.4mmφ, 0.3mmφ, 0.2mmφ에 대하여, 이미 설명한 도20의 플로차트에 따라 기판(웨이퍼)에 대한 초음파 납땜을 실험한 결과, 하기와 같은 결과가 얻어졌다.

(1) (a-1)의 ○형상인 상태의 와이어는 초음파 납땜이 곤란하였지만, 그 이외는 모두 초음파 납땜을 할 수 있었다(전기적, 기계적인 접속이 양호하였다).

(2) 0.5mmφ의 와이어(0.5mmφ인 구리선의 표면에 땜납을 부착시킨 와이어)는 지나치게 단단하여, 웨이퍼에 초음파 납땜하였을 때에 당해 웨이퍼가 갈라지거나 벗겨지는 경우가 있어, 취급에 어려움이 있었다. 당해 와이어를 사용하기 위해서는 소둔(燒鈍) 등을 하여 부드럽게 할 필요성이 있다.

(3) (a-3)에 나타내는 바와 같이 기판에 미리 예비납땜(초음파 예비납땜)하여 두면, 구리선 ○형상의 와이어이더라도 기판에 초음파 납땜이 가능하다는 것이 판명되었다.

도24의 (b)는, 찌그러진 와이어의 설명도를 나타낸다. 즉, 상기에서 설명한 도24의 (a)의 「(a-2)상기 와이어의 찌그러진 형상」의 설명도를 나타낸다.

도24의 (b-1)은 구리선 ○형상의 와이어의 예를 나타내고, 도24의 (b-2)는 찌그러진 형상의 예를 나타낸다.

도24의 (b―2)에 있어서, 도24의 (b―1)의 구리선 ○형상의 와이어를, 여기에서는 도면에 나타내는 바와 같이 지름방향의 상하로 약간 찌그러뜨려서, 하방의 기판과 접하는 부분이 약 100∼200μm 정도 혹은 그 이상이면, 안정적으로 납땜이 가능(도20의 플로차트에 따른 초음파 납땜이 가능)하게 되는 것이 실험에 의하여 판명되었다.

도25는, 본 발명의 초음파 납땜의 설명도(예비납땜의 유무(有無), 땜납 공급의 유무 등)를 나타낸다. 여기에서, 세로축은 예비납땜의 유무의 구별을 나타낸다. 즉, 와이어 또는 리본을 초음파 납땜하려고 하는 기판(예를 들면, 웨이퍼 혹은 웨이퍼의 표면에 형성된 막)의 부분에 미리 예비납땜되어 있는 경우에는 유, 예비납땜되어 있지 않은 경우에는 무이다.

또한 가로축은, 와이어 또는 리본의 땜납 부착의 유무의 구별을 나타낸다. 즉, 와이어 또는 리본의 표면에 미리 납땜(혹은 땜납 코팅)되어 있는 경우에는 유, 납땜되어 있지 않은 경우는 무이다.

도25에 있어서, 예비납땜의 유무와 와이어 또는 리본의 땜납 부착의 유무의 조합에 대하여, 이미 설명한 도20의 플로차트에 따라 초음파 납땜한 경우에, 도면에 나타내는 하기의 실험결과가 얻어졌다.

여기에서 상세하게 설명하면, 4개의 조합 (1), (2), (3), (4)에 대하여 하기의 결과가 얻어졌다.

(1)「예비납땜 유」, 「와이어 또는 리본의 땜납 부착 유」인 경우에는,

1. 안정된 작업

2. ○형상의 와이어이더라도 납땜 가능

이라는 결과가 얻어졌다. 즉, 와이어 또는 리본을 초음파 납땜하려고 하는 기판(웨이퍼) 혹은 기판 상에 형성된 막의 부분에 미리 초음파 납땜에 의하여 예비납땜한 부분에, 땜납을 부착시킨 와이어 또는 리본을 초음파 납땜한 경우의 실험결과이다. 안정된 작업을 할 수 있고, 또한 ○형상의 와이어이더라도 양호하게 납땜이 가능(전기적으로 접속 또한 기계적으로 강고하게 접속 가능)하였다.

(2) 「예비납땜 무」, 「와이어 또는 리본의 땜납 부착 유」인 경우에는,

1. ○형상의 찌그러진 와이어 또는 리본은 밀착

2. ○형상의 와이어의 밀착은 불안정

3. 부착시킨 땜납이 벗겨진 장소의 밀착에 문제가 있다

는 결과가 얻어졌다. 즉, 와이어 또는 리본을 초음파 납땜하려고 하는 기판(웨이퍼) 혹은 기판 상에 형성된 막의 부분에 초음파 납땜에 의한 예비납땜이 없는 부분에, 땜납을 부착시킨 와이어 또는 리본을 초음파 납땜한 경우의 실험결과이다. ○형상의 찌그러진 와이어 또는 리본은 밀착이 양호, ○형상의 와이어의 밀착은 불안정, 또한 부착시킨 땜납이 벗겨진 장소의 밀착에 문제가 있다는 결과가 얻어졌다.

(3) 「예비납땜 유」, 「와이어 또는 리본의 땜납 부착 무」인 경우에는,

1. 열이 전해지는 방법에 따라서는, 땜납재료가 일정하게 부착되지 않는 경우가 있다는 결과가 얻어졌다. 즉, 와이어 또는 리본을 초음파 납땜하려고 하는 기판(웨이퍼) 혹은 기판 상에 형성된 막의 부분에 미리 초음파 납땜에 의하여 예비납땜한 부분에, 땜납 부착이 없는 와이어 또는 리본을 초음파 납땜한 경우의 실험결과이다. 열이 전해지는 방법에 따라서는, 땜납재료가 일정하게 부착되지 않는 경우가 있다는 결과가 얻어졌다. 즉 와이어 또는 리본에 땜납이 부착되어 있지 않고, 납땜하려고 하는 기판의 부분에 예비납땜이 되어 있고, 와이어 또는 리본의 위에서부터 납땜인두팁으로 가볍게 누르면서 초음파 납땜하기 때문에, 인두팁, 와이어 또는 리본, 기판 상의 예비납땜 부분으로 열이 전해지는 경로에 있어서 열이 전해지는 방법에 따라, 일정하고 말끔한 납땜이 이루어질 수 없는 경우가 발생하였다. 즉, 와이어 또는 리본에 납땜하여 두면 해결할 수 있다.

(4) 「예비납땜 무」, 「와이어 또는 리본의 땜납 부착 무」인 경우에는,

1. 땜납 공급 필요

2. 와이어 또는 리본의 공급과 더불어 땜납 공급은 작업이 불안정

3. 균일한 땜납재료의 공급이 어렵다

는 결과가 얻어졌다. 즉, 와이어 또는 리본 및 납땜하려고 하는 기판의 부분에도 예비납땜이 없는 경우이기 때문에, 와이어 또는 리본과 땜납을 동시에 공급할 필요가 있다. 그 때문에 땜납 공급이 필요하며, 와이어 또는 리본의 공급과 땜납의 공급의 양자의 공급작업이 불안정하고, 또한 균일한 땜납재료의 공급이 어렵다는 결과가 얻어졌다.

도26은, 본 발명의 ABS―F(아토비무의 태양전지기법)의 설명도를 나타낸다.

도26의 (a)는 종래기법(버스바·핑거 전극이 동일공정인 경우)의 설명도를 나타낸다. 즉, 종래의 버스바(61), 핑거 전극(5)의 제조에 있어서, 은 페이스트(납 글라스 함유)를 각각 도포(스크린 인쇄)·소성하는 것을 동일한 공정에서 하는 종래기법을 나타내는 것이다. 도포·소성 후에 버스바(61) 상에 땜납재료(납 땜납)(71)로 리본(외부단자)을 납땜하고 있었다.

도26의 (b)는 ABS―F 기법(버스바·핑거 전극이 별도의 공정인 경우)의 설명도를 나타낸다. 즉, 본 발명에 관한 ABS―F 기법으로서, 고정바 영역(종래의 버스바(61) 대신)(6)에 대한 본 발명의 글라스 페이스트의 도포와, 핑거 전극(5)을 위한 은 페이스트(납 글라스 함유)의 도포를 별도의 공정에서 하고, 다음에 소성을 동시에 하는 기법을 나타내는 것이다. 도포·소성 후에 고정바(종래의 버스바(61))(6) 상에 땜납재료(납 프리 땜납(lead-free solder))(72)로 리본 혹은 선재(외부단자)를 납땜 혹은 초음파 납땜하였다.

이 본원발명의 ABS―F 기법의 구성은,

(1) 고정바(6)는 종래의 버스바(61)를 치환한 것으로서, 당해 고정바(6)는 절연성을 가지고 또한 빛을 투과시키는 막이며, 하측의 질화막(3)에 강하게 고착되어 있다.

(2) 땜납재료(납 프리 땜납)(72)가 외부단자(리본, 선재)를 고정바(6) 및 핑거 전극(5)에 납땜 혹은 초음파 납땜하여 각각 고정하고 있기 때문에, 외부단자(리본, 선재)는 고정바(6)를 통하여 질화막(3) 또한 기판(1)에 기계적으로 강고하게 고정됨과 아울러, 외부단자(리본, 선재)는 핑거 전극(5)의 상부(머리부)에 직접 전기적으로 접속되어 있다. 이하 순차적으로 상세하게 설명한다.

도27은, 본 발명의 ABS―F의 이점·불리한 점의 설명도를 나타낸다.

도27에 있어서, 상단의 「종래기법(버스·핑거가 동일공정인 경우)」에 관하여 설명한다.

이러한 종래기법의 특징은, 도면에 나타내는 하기와 같다.

1. 버스바·핑거 전극을 은(납 글라스 함유)으로 동일한 공정에서 제조한다. 즉 도26의 (a)에 나타내는 바와 같이, 버스바(61)와 핑거 전극(5)에 있어서 납 글라스를 함유하는 은(은 페이스트)을 도포(스크린 인쇄), 건조, 소성을 각각 동시에 하여, 버스바(61), 핑거 전극(5)을 도26의 (a)와 같이 동일한 공정에서 제조한다.

2. 그때에 사용되는 은 페이스트는 주석·납 땜납이다.

또한 종래기법의 이점·불리한 점은 도면에 나타내는 하기와 같다.

<이점>

1. 공정을 단축시킨다. 즉, 버스바·핑거 전극을 동일한 공정에서 제조할 수 있기 때문에, 후술하는 본원발명의 별도의 공정에서 제조하는 경우에 비하여 공정을 단축시킬 수 있다.

<불리한 점>

1. 버스바의 납 글라스 또는 납 땜납의 영향에 의한 전자의 재결합(결정파괴 등에 의한다)이 발생한다. 즉, 도26의 (a)의 버스바(61)가 납 함유 은 페이스트를 도포·소성한 것에 의하여 작성되어 있고 또한 납 땜납을 사용하여 외부단자를 버스바(61)에 납땜하기 때문에, 이들에 의한 실리콘 기판(1)에 있어서 버스바(61)에 가까운 부분의 결정파괴 등에 의한 전자의 재결합이 발생하는 비율이 증대되어, 태양전지의 변환효율을 저하시키는 결점이 있다.

2. 버스바 영역의 은에 의하여 입사광의 비율이 감소한다. 즉, 도26의 (a)의 버스바(61)가 납 함유 은 페이스트를 도포·소성한 것에 의하여 작성되어 있기 때문에 입사광을 완전히 차단하여, 이 부분의 빛이 차단되어, 결과적으로 입사광의 비율을 저하시켜 버린다.

다음에, 도27에 있어서, 하단의 「본 발명의 ABS―F 기법(버스·핑거 전극이 별도의 공정인 경우)」에 관하여 설명한다.

이 본 발명의 ABS―F 기법의 특징은, 도면에 나타내는 하기와 같다.

1. 고정바를 납 프리 글라스(예를 들면 인산 글라스), 핑거 전극을 별도의 공정으로 하여 제조한다. 즉 도26의 (b)에 나타내는 바와 같이, 종래의 버스바(61)를 변경한 고정바(6)의 제조에서는 납 프리 글라스(예를 들면 인산 글라스), 핑거 전극(5)의 제조에서는 종래와 같은 납 글라스를 포함하는 은(은 페이스트)을 각각 도포(스크린 인쇄)하고(별도의 공정), 다음에 건조, 소성을 각각 동시에 하여, 고정바(6), 핑거 전극(5)을 도26의 (b)와 같이 제조한다.

2. 고정바(6)는 납 프리 글라스(예를 들면 인산 글라스),

핑거 전극은 납 함유 은 페이스트이다.

또한 본 발명의 이점·불리한 점은, 도면에 나타내는 하기와 같다.

<이점>

1. 고정바(6)의 납 프리 재료(예를 들면 인산 글라스)에 의한 제조를 하기 때문에, 납 프리 글라스 또는 납 프리 땜납의 영향에 의한 전자의 재결합(결정파괴 등에 의한다)이 감소가 된다. 즉, 도26의 (b)의 고정바(6)가 납 프리 글라스(예를 들면 인산 글라스)를 도포·소성한 것에 의하여 작성되어 있고 또한 납 프리 땜납을 사용하여 외부단자를 고정바(6)에 납땜하기 때문에, 이들에 의한 실리콘 기판(1)에 있어서 고정바(6)에 가까운 부분의 결정파괴 등에 따른 전자의 재결합의 발생이 감소되어, 태양전지의 변환효율을 향상시킨다.

2. 고정바(6)의 부분이 투명한 납 프리 재료(예를 들면 인산 글라스)이기 때문에, 빛이 통과하여 입사광의 비율이 향상된다. 즉, 도26의 (b)의 고정바(6)가 납 프리 재료(예를 들면 인산 글라스)로 작성되어 있기 때문에 입사광이 투과되고, 이 투과된 만큼 변환효율을 증대시킨다. 상세하게 설명하면, 도26의 (b)의 고정바(6)는 빛을 투과시키기 때문에, 이 투과된 빛이 하방의 고전자농도영역에 도달하여 전자를 발생시키고, 그만큼 전자가 증대되어, 결과적으로 이 증대된 만큼 태양전지의 변환효율을 향상시킬 수 있다.

또한 고정바(6) 상에는 리본 혹은 선재를 납 프리 땜납으로 납땜 혹은 초음파 납땜하지만, 이때의 리본 혹은 선재의 폭 또는 굵기를, 실험에서는 0.1에서 1mm 정도로 하더라도 충분히 전자(전류)를 외부로 인출할 수 있었다. 이 때문에, 고정바(6) 중에서 리본 혹은 선재의 폭 또는 굵기가 0.1에서 1mm인 부분만이 빛을 차단하고, 그 이외의 고정바(6)의 부분은 당해 고정바(6)의 글라스(예를 들면 인산 글라스)를 투과한 빛이 하방의 고전자농도영역에 도달하여 전자로 변환되고, 그만큼 변환효율을 증대시킬 수 있었다. 고정바(6)(예를 들면 인산 글라스)에서는, 빛 중에서 원적외선(1117nm 정도)에서 자외선(400nm 정도)의 범위에서 50 내지 95% 정도가 투과된다.

3. 은재료를 삭감할 수 있다. 즉, 도26의 (b)의 고정바(6)가 종래의 은을 사용한 버스바(61)로부터 변경되어 있기 때문에, 그만큼 은재료를 삭감할 수 있다.

<불리한 점>

1. 공정이 약간 늘어난다. 즉, 상기에서 설명한 바와 같이 도26의 (a)의 납 함유 은 페이스트로 작성된 버스바(61)를, 도26의 (b)의 납 프리 재료(예를 들면 인산 글라스)로 작성된 고정바(6)로 대신하기 때문에, 고정바(6)가 핑거 전극(5)과는 다른 재료에 의한 도포가 되어 별도의 공정이 되어, 그만큼 공정이 약간 늘어난다. 다른 공정은 동일하다.

또한 비고란에 기재한 바와 같이

·종래기법에 있어서는, 시장에서는 핑거와 버스바의 개별제조가 서서히 늘어나고 있는 경향을 보인다.

·본원발명의 기법에 있어서는, 시장에서는 핑거와 버스바의 개별제조에 의한 공정증가 이상으로 변환효율의 향상과 은재료의 감소효과를 중요시하고 있는 경향을 보인다.

다음에, 도26, 도27에서 설명한 본 발명의 납 프리 재료(예를 들면 인산 글라스)로 제조한 고정바(6)에 대하여, 도28∼도33을 이용하여 특징, 구성, 효과 등을 상세하게 순차적으로 설명한다.

도28은, 본 발명의 각 글라스의 I―V특성 비교예를 나타낸다. 즉, 각 글라스에 대하여 글라스 페이스트를 작성하고, 이미 설명한 도26의 (b)의 고정바(6)에 사용(도포·소성)하여 태양전지를 작성하고, 그 태양전지의 I―V특성을 측정한 결과의 비교예를 나타낸다. 가로축은 전압(V), 세로축은 전류(I)를 각각 나타낸다.

도28에 있어서, 인산 글라스가 비스무트산 글라스보다 태양전지의 변환효율이 높으며, 도면에서 외측에 나타내는 바와 같이 얻어졌다. 실험에서는,

(1) 고정바(6)의 밀착력이 5N 이상

(2) 온도 사이클(―20℃에서 ＋80℃, 1000시간)의 테스트 전후에서 발전효율, I―V특성의 열화가 0.5% 정도 이내

(3) 실리콘 기판에 글라스가 침투하지 않을 것

이라는 선택기준을 설정하였다. 그 결과, 인산 글라스는 합격하였고, 비스무트산 글라스는 불합격이었다.

또한 여기에서 사용한 인산 글라스의 성분예는 하기와 같다.

산화아연 ZnO 28.00∼29.00wt%

오산화인 P₂O₅ 49.00∼50.00wt%

산화칼슘 CaO 13.00∼14.00wt%

삼산화붕소 B₂O₃ 8.00∼9.00wt%

첨가물 : 알루미나 Al₂O₃, 실리카 SiO₂ 1wt% 이하

도29는, 본 발명의 TC 1000시간 중의 온도 및 습도 변화예를 나타낸다. 즉, 이미 설명한 도28의 각 글라스의 TC 1000시간 중의 온도, 습도의 변화를 기록한 예이다. 하부의 부분은 온도 변화예를 나타내며, 저온이 0∼―20℃의 범위, 고온이 60∼80℃ 전후의 범위이다. 상부의 부분은 온도가 변화하였을 때의 습도 변화예를 나타낸다.

도30은, 본 발명의 TC 1000시간 경과 전과 후의 효율 비교예(인산 글라스)를 나타낸다. 도30은, 각 샘플 No.1부터 No.10까지 이미 설명한 도29의 TC 1000시간 테스트 전과 후의 태양전지의 변환효율을 측정한 것이다. 결과로서, 인산 글라스를 이미 설명한 도26의 (b)의 고정바(6)(종래의 버스바에서 변경한 것)에 사용한 예(No.1부터 No.5)에서는, 변환효율이 최대 0.31% 이하로 그다지 내려가지 않는다는 결과가 얻어졌다.

도31은, 본 발명의 인산 글라스에 있어서의 TC 전후의 I―V특성 비교예(No.1)를 나타낸다. 즉, 이미 설명한 도30의 No.1의 인산 글라스를 도26의 (b)의 고정바(6)에 사용한 경우의 1000시간 테스트 전과 후의 I―V특성의 비교예를 나타낸다. 결과로서, TC 1000시간 후의 곡선은, 테스트 전에 비하여 I―V곡선이 내측으로 들어가 있기 때문에, 가혹한 온도변화에 의한 열화라고 생각되지만, 그것은 최대가 0.31% 이하(도30을 참조)이었다.

도32는, 본 발명의 TC 경과 전후의 EL 비교예(인산 글라스 No.1)를 나타낸다. (a)상단의 (a―1), (a―2), (a-3)은 전체의 광학사진을 나타내고, (b)하단의 (b―1), (b―2), (b-3)은 상단의 확대도를 나타낸다. 인산 글라스는, TC 테스트 전후에 불분명한 그림자가 없고, 확장도 인지되지 않아서, 태양전지의 고정바(6)로서 사용할 수 있다는 것이 판명되었다. 한편, 도면에는 나타내지 않았지만 다른 글라스(예를 들면 비스무트산 글라스)에서는, 도면에 있어서의 세로로 긴 직사각형 부분(도26의 (b)의 고정바(6)의 부분)이 확장되어 사용할 수 없다는 것이 판명되었다.

도33은, 본 발명의 인산 글라스의 TC 1000시간 경과 후의 SEM 관찰예를 나타낸다. 도33의 (a)는 저배율(30배)의 관찰예를 나타내고, 도33의 (b)는 고배율(1000배)의 관찰예를 나타낸다.

도33의 (a)는, 실리콘 기판 상에 형성된 고정바(6), 핑거 전극(5)의 사진을 나타낸다. 이 사진 중에서, 우측의 아랫부분의 가로로 긴 직사각형은 도26의 (b)의 고정바(6)를 나타내고, 그 고정바(6)를 1000배로 확대한 사진을 도33의 (b)에 나타낸다.

도33의 (c)는, No.1―3(글라스부)의 원소 분석예를 나타낸다. 즉, 도30의 No.1―3의 시료에 대하여, 각 고정바(6) 부분의 원소 분석예를 나타내는 것으로서, 기판의 Si는 검출되지 않았다. 즉 인산 글라스로 이루어지는 고정바(6)에는, 당해 고정바(6)를 도포·소결시킨 기판의 실리콘이 검출되지 않아서, 실리콘이 그 인산 글라스(고정바(6))로 확산되어 있지 않다는 것이 TC 1000시간 테스트 후에 확인되었다.

도33의 (d)는, No.4―9(Si 표면부)의 원소 분석예를 나타낸다. 즉, 도30의 No.4―9의 시료에 대하여 각 고정바(6)가 없는 Si 부분의 원소 분석예를 나타내는 것으로서, 기판의 Si만이 검출되고, 다른 것(인산 글라스의 Zn, P, Ca, B 등)은 검출되지 않았다는 것이 TC 1000시간 테스트 후에 확인되었다.

도34는, 본 발명의 다른 실시예의 단면 구조도(절연 글라스 없음, 직접 납땜한 단면구조)를 나타낸다. 이 도34는, 이미 설명한 도2의 고정바(절연성)(6)를 없애는 것으로 하고(형성하지 않고), 이 고정바(6)와 핑거 전극(5)의 부분에 직접 납땜 혹은 예비납땜한 인출선(리본 혹은 선형의 선재)을 납땜하는 실시예를 나타내는 것이다. 도34에 나타내는 바와 같이, 핑거(12)의 부분과 질화막(절연막)(13) 상에 직접 땜납(15)을 납땜(초음파 납땜)한 다른 실시예를 나타내는 것이다.

도34에 있어서, 기판(11)은 태양전지의 실리콘 기판이다.

질화막(13)은, 기판(11) 상에 형성된 절연막이다.

핑거(12)는, 질화막(13) 상에 납 함유의 은 페이스트를 도포·소결하고 당해 질화막(13)에 홀을 뚫어서 기판(11)의 고전자농도영역에 전기도전성 통로를 형성한 공지의 것이다.

땜납(15)은, 핑거(핑거 전극)(12)에 직교하는 방향으로 그 핑거(12)와 질화막(13)(도2의 고정바(6)에 상당하는 부분)에 직접 납땜 혹은 예비납땜한 리본(혹은 선재)을 직접 납땜한 것으로서, 버스바(버스바 전극)에 상당하는 것이다.

상기와 같이, 도34의 실시예에 의하여 핑거(12)와 질화막(13) 상에 직접 납땜 혹은 예비납땜한 리본(선재)을 직접 납땜함으로써, 도1∼도33에서 설명한 고정바(6) 등이 불필요하게 되어, 구성을 간단하게 또한 코스트 다운을 할 수 있다.

도35는, 본 발명에 의한 버스바의 변천 설명도를 나타낸다.

도35의 (a)는, 종래의 버스바(은)(14)를 형성한 예를 나타낸다. 도면에 나타내는 버스바(은)(14)는, 은 페이스트를 라인 모양으로 핑거(은)(12)에 직교하는 방향으로 질화막(13) 상에 도포·소결시켜서 형성한 것이다. 이 때문에 버스바(14)는 은으로 형성되어 있어, 은을 다량으로 소비하는 결점이 있다.

도35의 (b)는, 본 발명1의 버스바(고정바)(도전 글라스)(141)를 형성한 실시예를 나타낸다. 도면에 나타내는 버스바(고정바)(도전 글라스)(141)는, 도전 글라스를 핑거(은)(12)에 직교하는 방향으로 당해 핑거 전극(은)(12)의 부분은 없게 하여 질화막(13) 상에 도포·소결시켜서 형성한 것이다. 이 때문에 버스바(고정바)(도전 글라스)(141)는 도전 글라스로 형성되어 있어, 은이 불필요하다는 우월한 점이 있다.

도35의 (c)는, 본 발명2의 버스바(고정바)(절연 글라스)(142)를 형성한 실시예를 나타낸다. 도면에 나타내는 버스바(고정바)(절연 글라스)(142)는, 절연 글라스를 핑거(은)(12)에 직교하는 방향으로 당해 핑거 전극(은)(12)의 부분은 없게 하여 질화막(13) 상에 도포·소결시켜서 형성한 것이다. 이 때문에 버스바(고정바)(절연 글라스)(142)는 절연 글라스로 형성되어 있어, 은이 불필요함과 아울러, 절연성이므로 누설전류를 저감시켜서 태양전지의 효율을 높일 수 있다는 우월한 점이 있다.

도35의 (d)는, 본 발명3의 버스바는 없는 것으로 하고, 그 대신에 땜납(또는 땜납 부착 리본)으로 핑거(12)와 질화막(13)에 직접 납땜한 실시예를 나타낸다. 도면에 나타내는 땜납(또는 땜납 부착 리본)(15)은, 그 땜납(또는 땜납 부착 리본)(15)을 핑거(은)(12)에 직교하는 방향으로 당해 핑거 전극(은)(12)의 부분과 질화막(13) 상에 직접 납땜(초음파 납땜)하여, 버스바(14, 141, 142) 대신에 형성한 것이다. 이 때문에 버스바(14, 141, 142)가 불필요하게 되어, 공정을 삭감하여 코스트를 저감시킬 수 있음과 아울러, 버스바의 은을 불필요하게 할 수 있는 우월한 점이 있다.

도36은, 본 발명의 버스바의 작성예(도35의 (d))를 나타낸다. 도36은, 이미 설명한 도35의 (d)의 작성예를 나타낸다.

도36의 (a)는 예비납땜 가공 전의 예를 나타낸다. 즉, 버스바(땜납(땜납 부착 리본))(151)의 형성 전의 상태를 나타내고, 가로방향으로 핑거(은)(12)가 폭 W = 100μm로 형성되어 있다.

도36의 (b)는 예비납땜 가공 후의 예를 나타낸다. 즉, 버스바(땜납(땜납 부착 리본))(151)의 형성 후(땜납 가공 후)의 상태를 나타내고, 세로방향으로 버스바(땜납(땜납 부착 리본)(151)가 폭(W) = 1mm로 형성되어 있다. 이 버스바(151)는, 이미 설명한 도35의 (d)의 단면도에 나타내는 바와 같이 핑거(12)에 직교하는 방향으로 폭 1mm의 라인 모양으로 땜납(땜납 부착 리본)을 납땜(초음파 납땜)하여 형성(가공)한 것이다. 도면에 나타내는 사진으로부터 알 수 있는 바와 같이, 버스바(땜납(땜납 부착 리본))(151)는, 깨끗하게 핑거(12)와 질화막(13) 상에 폭 1mm로 납땜되어 있는 것을 알 수 있다.

이상과 같이 본 발명3(도35의 (d)를 참조)의 버스바(땜납(땜납 부착 리본))(151)에서는, 핑거(12)와 직교하는 방향으로 폭 1mm의 땜납으로 당해 핑거(12)와 질화막(13)에 걸쳐서 깨끗하게 납땜(초음파 납땜)하여, 버스바(14, 141, 142)와 인출선의 양자를 대신하여 형성하는 것이 가능하게 되었다.

도37은, 본 발명의 I―V특성예를 나타낸다. 즉, 이미 설명한 도35의 (a), (b), (c), (d)의 태양전지의 I―V특성예를 나타낸 것이다. 가로축은 전압을 나타내고, 세로축은 전류를 나타낸다.

도37에 있어서 버스바 영역(종래기법)은, 이미 설명한 도35의 (a)를 나타낸다.

버스바 영역(ABS―F 기법)(글라스 있음/없음)은, 이미 설명한 도35의 (b), (c)/(d)를 각각 나타낸다.

이상과 같이 버스바 영역을 종래(도35의 (a))에서 본 발명1(도전 글라스(도35의 (b)), 본 발명2(절연 글라스(도35의 (c)), 본 발명3(없음(도35의 (d))으로 대신하면, 누설전류가 감소하는 등 모두 I―V 특성이 개선되는 것이 판명되었다.

1, 11 : 기판(실리콘 기판)
3, 13 : 질화막(절연막)
4 : 알루미늄막
5, 12 : 핑거(핑거 전극)
6 : 고정바(절연성)
61 : 버스바
61 : 고정바 영역
7 : 리본, 선재(프리납땜)
71, 72 : 땜납재료
14 : 버스바(은)
141 : 버스바(도전 글라스)
142 : 버스바(절연 글라스)
15 : 땜납(땜납 부착 리본)
151 : 버스바(땜납(땜납 부착 리본))

Claims (27)

1. 기판 상에 빛 등을 조사(照射)하였을 때에 고전자농도(高電子濃度)를 생성하는 영역을 형성함과 아울러 그 영역 상에 빛 등을 투과시키는 절연막(絶緣膜)을 형성하고, 그 절연막 상에 상기 영역으로부터 전자를 인출하는 인출구(引出口)인 핑거 전극(finger 電極)을 형성하여 그 핑거 전극을 통하여 상기 전자를 외부로 인출하는 태양전지(太陽電池)에 있어서,
   상기 절연막 상에 은(銀) 및 납을 포함하는 핑거 전극을 형성함과 아울러, 그 핑거 전극의 부분 혹은 여유를 준 부분을 개구(開口)로 하여 상기 절연막 상에 절연성의 고정바(固定bar)를 형성한 후에 소성(燒成)하고,
   그 소성 시의 상기 핑거 전극에 포함되는 은 및 납의 작용에 의하여 그 핑거 전극의 하측의 막인 상기 절연막을 관통하여 상기 영역과 그 핑거 전극의 사이에 전기도전성 통로(電氣導電性 通路)를 형성하고, 또한 그 소성과 동시에 상기 절연성의 고정바 혹은 고정바에 포함되는 글라스 재료(glass 材料)의 작용에 의하여 상기 절연막에 강고하게 고착(固着) 및 납땜이 양호한 상기 절연성의 고정바를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 여유를 준 부분을 개구로 하는 것으로서, 상기 핑거 전극 및 절연성의 고정바의 형성 시의 오차에 의한 영향이 작아지는 소정 폭의 부분을 개구로 하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
   
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 여유를 준 부분을 개구로 하는 것으로서, 상기 핑거 전극 및 상기 절연성의 고정바 상에 외부단자를 초음파 납땜할 때의 그 초음파 납땜 인두의 선단(先端)의 접촉부분과 같거나 혹은 약간 좁은 개구로 하여, 그 선단의 접촉부분이 직접 상기 절연막에 닿지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
   
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
   상기 소성은, 핑거 전극을 파이어링(firing)하는 온도와 상기 절연성의 고정바를 형성하는 온도 중에서 전자(前者)가 후자(後者)와 같거나 혹은 높고, 또한 전자의 온도에서 하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
   
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,
   상기 소성은, 1초 이상 60초 이하로 하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
   
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서,
   상기 절연성의 고정바 혹은 고정바에 포함되는 절연 글라스 재료로서, 인산염 글라스, 비스무트 글라스 중의 어느 하나 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
   
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서,
   상기 핑거 전극 및 상기 절연성의 고정바에 외부단자를 납땜하는 땜납재료는, 주석, 주석의 산화물, 아연, 아연의 산화물 중에서 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
   
8. 제7항에 있어서,
   상기 땜납재료는, 첨가물로서 구리, 은, 알루미늄, 비스무트, 인듐, 안티몬, 인 중의 하나 이상을 필요에 따라 첨가하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
   
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서,
   상기 핑거 전극 및 상기 절연성의 고정바에 대한 외부단자의 납땜은, 초음파 납땜하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
   
10. 제9항에 있어서,
    상기 외부단자는, 띠 모양의 리본(ribbon)으로 하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
    
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 고정바는, 빛을 투과시키는 절연막으로 하고, 그 위에 상기 리본 혹은 상기 선재(線材)인 외부단자를 납땜 혹은 초음파 납땜하고, 그 고정바의 부분을 투과한 빛을 상기 고전자농도를 생성하는 영역에 입사시켜서 변환효율을 향상시킴과 아울러, 그 빛을 투과시키는 절연막이 그 위에 납땜 혹은 초음파 납땜된 외부단자로부터 기판으로의 누설전류를 저감시키는 것을 특징으로 하는 태양전지.
    
12. 제11항에 있어서,
    상기 리본 혹은 선재의 폭 또는 굵기를 0.1mm 내지 1mm로 가늘게 하여, 고정바 부분의 빛의 투과비율을 크게 하여 변환효율을 향상시키는 것을 특징으로 하는 태양전지.
    
13. 제1항 내지 제12항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 절연막 상에 절연성의 고정바를 형성하지 않고, 상기 핑거 전극과 그 고정바를 형성하지 않은 부분에 상당하는 그 핑거 전극 및 그 절연막에 직접 납땜 혹은 예비땜납을 부착한 인출선(引出線)을 납땜하여, 버스바 전극의 형성 혹은 버스바 전극의 형성과 인출선의 납땜을 하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
    
14. 제13항에 있어서,
    납땜은 초음파 납땜으로 하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
    
15. 제1항 내지 제14항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기판에 있어서 상기 영역, 절연막, 핑거 전극 및 절연성의 고정바를 형성한 표면측과 반대인 이면측의 전체 면에 알루미늄 혹은 부분적으로 홀(hole)을 뚫은 알루미늄을 형성하여 이면측의 외부단자를 납땜 혹은 초음파 납땜한 것을 특징으로 하는 태양전지.
    
16. 제15항에 있어서,
    상기 이면측의 외부단자는, 상기 표면측의 절연성의 고정바와 거의 동일한 위치에 대응하는 그 이면측의 상기 알루미늄의 상측의 위치 혹은 상기 부분적으로 홀을 뚫은 부분에 그 이면측의 외부단자를 납땜 혹은 초음파 납땜하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
    
17. 제9항 내지 제16항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 외부단자는, 미리 땜납을 부착시킨 외부로 전류를 인출하는 인출선으로서, 리본 혹은 선재를, 상기 기판 혹은 기판 상에 형성된 막의 부분 혹은 상기 고정바 혹은 상기 기판의 이면의 알루미늄면 혹은 그 알루미늄면에 홀을 뚫은 부분에, 인두팁 부분으로 누르면서 상기 인두팁을 소정의 속도로 납땜방향으로 이동시키고,
    미리 리본 혹은 선재에 부착시킨 땜납을 인두팁 부분에 의하여 용해 및 초음파를 인가하여, 근접한 부분의 부착물을 제거하고 상기 부분에 그 용융땜납을 부착시켜서 납땜하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
    
18. 제17항에 있어서,
    상기 선재는 원(圓) 형상의 선재를 약간 찌그러뜨린 형상으로 하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
    
19. 기판 상에 빛 등을 조사하였을 때에 고전자농도를 생성하는 영역을 형성함과 아울러 그 영역 상에 빛 등을 투과시키는 절연막을 형성하고, 그 절연막 상에 상기 영역으로부터 전자를 인출하는 인출구인 핑거 전극을 형성하여 그 핑거 전극을 통하여 상기 전자를 외부로 인출하는 태양전지의 제조방법에 있어서,
    상기 절연막 상에 은 및 납을 포함하는 핑거 전극을 형성함과 아울러, 그 핑거 전극의 부분 혹은 여유를 준 부분을 개구로 하여 상기 절연막 상에 절연성의 고정바를 형성한 후에 소성하는 스텝과,
    그 소성 시의 상기 핑거 전극에 포함되는 은 및 납의 작용에 의하여 그 핑거 전극의 하측의 막인 상기 절연막을 관통하여 상기 영역과 그 핑거 전극의 사이에 전기도전성 통로를 형성하고, 또한 그 소성과 동시에 상기 절연성의 고정바 혹은 고정바에 포함되는 글라스 재료의 작용에 의하여 상기 절연막에 강고하게 고착 및 납땜이 양호한 상기 절연성의 고정바를 형성하는 스텝을
    구비하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
    
20. 제19항에 있어서,
    상기 기판에 있어서 상기 영역, 절연막, 핑거 전극 및 절연성의 고정바를 형성한 표면측과 반대인 이면측의 전체 면에 알루미늄을 형성하고 이것에 외부단자를 납땜 혹은 초음파 납땜하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
    
21. 제20항에 있어서,
    상기 이면측의 외부단자는, 상기 표면측의 절연성의 고정바와 거의 동일한 위치에 대응하는 그 이면측의 상기 알루미늄의 상측의 위치 혹은 임의의 위치에 도전성의 고정바를 형성하여 소성하고, 그 위에 그 이면측의 외부단자를 납땜 혹은 초음파 납땜하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
    
22. 제19항 내지 제21항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    외부단자는, 미리 땜납을 부착시킨 외부로 전류를 인출하는 인출선으로서, 리본 혹은 선재를, 상기 기판 혹은 기판 상에 형성된 막의 부분 혹은 상기 고정바 혹은 상기 기판의 이면의 알루미늄면 혹은 그 알루미늄면에 홀을 뚫은 부분에, 인두팁 부분으로 누르면서 상기 인두팁을 소정의 속도로 납땜방향으로 이동시키고,
    미리 리본 혹은 선재에 부착시킨 땜납을 인두팁 부분에 의하여 용해 및 초음파를 인가하여, 근접한 부분의 부착물을 제거하고 상기 부분에 그 용융땜납을 부착시켜서 납땜하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
    
23. 제22항에 있어서,
    상기 선재는 원 형상의 선재를 약간 찌그러뜨린 형상으로 하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
    
24. 제19항 내지 제23항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 고정바는, 빛을 투과시키는 절연막으로 하고, 그 위에 상기 리본 혹은 선재인 외부단자를 납땜 혹은 초음파 납땜하고, 그 고정바의 부분을 투과한 빛을 상기 고전자농도를 생성하는 영역에 입사시켜서 변환효율을 향상시킴과 아울러, 그 빛을 투과시키는 절연막이 그 위에 납땜 혹은 초음파 납땜된 외부단자로부터 기판으로의 누설전류를 저감시키는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
    
25. 제24항에 있어서,
    상기 리본 혹은 선재의 폭 또는 굵기를 0.1mm 내지 1mm로 가늘게 하여, 고정바 부분의 빛의 투과비율을 크게 하여 변환효율을 향상시키는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
    
26. 제19항 내지 제25항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 절연막 상에 절연성의 고정바를 형성하지 않고, 상기 핑거 전극과 그 고정바를 형성하지 않은 부분에 상당하는 그 핑거 전극 및 그 절연막에 직접 납땜 혹은 예비땜납을 부착한 인출선을 납땜하여, 버스바 전극의 형성 혹은 버스바 전극의 형성과 인출선의 납땜을 하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
    
27. 제26항에 있어서,
    납땜은 초음파 납땜으로 하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.

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