KR20210070598A - 에칭 레지스트 잉크 조성물 - Google Patents

에칭 레지스트 잉크 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20210070598A
KR20210070598A KR1020190160534A KR20190160534A KR20210070598A KR 20210070598 A KR20210070598 A KR 20210070598A KR 1020190160534 A KR1020190160534 A KR 1020190160534A KR 20190160534 A KR20190160534 A KR 20190160534A KR 20210070598 A KR20210070598 A KR 20210070598A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etching resist
ink composition
resist ink
pvb
peeled
Prior art date
Application number
KR1020190160534A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102362335B1 (ko
Inventor
아라타 엔도
전성제
이진희
송형완
Original Assignee
한국다이요잉크 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국다이요잉크 주식회사 filed Critical 한국다이요잉크 주식회사
Priority to KR1020190160534A priority Critical patent/KR102362335B1/ko
Publication of KR20210070598A publication Critical patent/KR20210070598A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102362335B1 publication Critical patent/KR102362335B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/30—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L29/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical; Compositions of hydrolysed polymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L29/14—Homopolymers or copolymers of acetals or ketals obtained by polymerisation of unsaturated acetals or ketals or by after-treatment of polymers of unsaturated alcohols
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G03F7/2043—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means with the production of a chemical active agent from a fluid, e.g. an etching agent; with meterial deposition from the fluid phase, e.g. contamination resists

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)

Abstract

본 발명은 저분자 알코올에 의해 박리가 가능한 친환경 에칭 레지스트 잉크 조성물에 관한 것으로, 산성과 염기성 용액 및 물에 의해 박리되지 않고, 저분자 알코올에 의해 선택적으로 박리되는 잉크 조성물로서, 폴리비닐부티랄 (PVB) 및 무기 필러를 포함하는, 에칭 레지스트 잉크 조성물에 관한 것이다.

Description

에칭 레지스트 잉크 조성물{ETCHING RESIST INK COMPOSITION}
본 발명은 저분자 알코올에 의해 박리가 가능한 친환경 에칭 레지스트 잉크 조성물에 관한 것이다.
인쇄된 에칭 레지스트 잉크는 일반적으로 강알칼리성의 박리액을 사용하여 박리되고 있다. 그러나, 강알칼리성의 박리액은 박리 후 폐액을 폐기시킬 때 환경오염의 우려가 있으며, 추가적인 폐액 처리 단계가 필요하다는 점에서 한계가 있다. 특허공개공보 제 2017-0095661 호에는 강알칼리성의 알칸올 아민 화합물을 20~30% 함유하는 박리액을 사용하고 있는데, 이 경우, 박리 폐액의 폐기시 여전히 인체에 대한 유해성 및 환경오염의 문제가 존재한다.
또한, 특허공개공보 제 2017-0123050 호에는 상기 인체에 대한 유해성 및 환경오염의 문제를 해결하기 위해, 시클로덱스트린 또는 그 유도체를 포함하는 친환경적인 수계 박리액 조성물을 제공하는 것이 기재되어 있으나, 상기 박리액은 물에 추가적인 물질을 첨가하여 박리액으로 사용하고 있다.
한편, 일반적인 에칭 레지스트 잉크는 수세공정에서 박리되지 않아 회로를 보호할 수 있으나, 잉크가 인쇄되지 않은 부분에 노출된 금속 회로가 다량의 수분에 의해 쉽게 부식되는 단점이 있다. 이에, 산업적으로 회로 제조시 수세공정에서 회로를 보호하기 위해서는 용제에 의해서만 선택적으로 박리되고 물에 의해서는 박리되지 않는 특성을 갖는 에칭 레지스트 잉크가 필요하다.
특허공개공보 제 2017-0095661 호 특허공개공보 제 2017-0123050 호
본 발명은 에칭 레지스트 잉크 조성물에 관한 것으로, 산성과 염기성 용액 및 물에 의해 박리되지 않고, 저분자 알코올에 의해 선택적으로 박리되는, 친환경 에칭 레지스트 잉크 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 용제, 예를 들어, 저분자 알코올류의 용제에 의해서만 박리되는 특성을 갖는 에칭 레지스트 잉크는 수분 노출에 의한 단점을 보완할 수 있다는 점에 착안하여 본 발명을 완성했다.
본 발명은, 폴리비닐부티랄 (PVB) 및 무기 필러를 포함하는, 에칭 레지스트 잉크 조성물에 관한 것이다.
상기 폴리비닐부티랄 (PVB) 은 히드록시기를 50 mol% 이하로 포함할 수 있다.
상기 폴리비닐부티랄 (PVB) 은 히드록시기를 30 내지 40 mol% 로 포함할 수 있다.
상기 폴리비닐부티랄 (PVB) 은 히드록시기를 35 내지 40 mol% 로 포함할 수 있다.
상기 무기 필러는 황산 바륨일 수 있다.
상기 에칭 레지스트 잉크 조성물은 소포제, 레벨링제 및 분산제 중 적어도 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 에칭 레지스트 잉크 조성물은 C1 내지 C6 의 저분자 알코올에 의해 박리되는 조성물이다.
본 발명의 에칭 레지스트 잉크 조성물은 물에 의해 박리되지 않는 조성물이다.
본 발명의 에칭 레지스트 잉크 조성물은 저분자 알코올에 의한 박리성이 우수하다. 나아가, 본 발명의 에칭 레지스트 잉크 조성물은 저분자 알코올에 의한 박리가 가능하여 산성과 염기성인 일반 박리액에 의해 유해성 물질이 발생하는 것을 막을 수 있어, 친환경적이다.
아울러, 본 발명의 에칭 레지스트 잉크 조성물은 물에 의해 박리되지 않고, 저분자 알코올에 의해서만 선택적으로 박리되어 수세공정에서 회로보호용으로 적합하다.
또한, 본 발명의 에칭 레지스트 잉크 조성물은 유동성이 적고, 번짐 현상이 적어 인쇄표면에 기포가 적어 파포성 및 레벨링성이 우수하여 인쇄성이 우수하다.
본 발명에 따른 에칭 레지스트 잉크 조성물은, 폴리비닐부티랄 (PVB) 및 무기 필러를 포함할 수 있다.
이어서 본 발명의 에칭 레지스트 잉크 조성물의 각 성분에 대해서 설명한다.
[(A) 폴리비닐부티랄 (PVB)]
본 발명의 에칭 레지스트 잉크 조성물은 폴리비닐부티랄 (PVB)를 함유할 수 있다.
본 발명의 하나의 실시양태에서, 상기 폴리비닐부티랄 (PVB) 은 히드록시기를 50 mol% 이하로, 바람직하게는 10 내지 50 mol% 로, 보다 바람직하게는 30 내지 40 mol% 로 또는 35 내지 40 mol% 로 포함할 수 있다. 폴리비닐부티랄 (PVB) 의 히드록시기 함량이 50 mol% 를 초과하는 경우, 수세공정에서 박리될 수 있어 수세공정에서 회로 보호용 잉크로서 적용하기에 부적합하다. 폴리비닐부티랄 (PVB) 의 히드록시기 함량이 상기 범위 내인 경우, 에칭 레지스트 잉크 조성물이 스크린 인쇄에 적합하며, 저분자 알코올에 의한 박리성이 우수하다.
본 발명의 하나의 실시양태에서, 상기 폴리비닐부티랄 (PVB) 의 분자량은 1.5 X 104 내지 1.1 X 105 g/mol, 바람직하게는 1.8 X 104 내지 3.0 X 104 g/mol 일 수 있고, 점도는 5 내지 250 mpa·s, 바람직하게는 10 내지 70 mpa·s 일 수 있다.
상기 기재된 히드록실기 함량 이외의 분자량 또는 점도 등의 물성도 폴리비닐부티랄 (PVB)의 중합도에 의해 정의되며 중합도가 낮을수록 박리성이 향상된다.
상기 폴리비닐부티랄 (PVB) 을 포함하는 PVB 수지는, 본 발명에서, 예를 들어, SEKISUI 사의 S-LEC BL-1, S-LEC BL-1H, S-LEC BL-2, S-LEC BL-2H, S-LEC BL-5, S-LEC BL-10, S-LEC BL-S, S-LEC BX-L, S-LEC BM-1, S-LEC BM-2, S-LEC BM-5, S-LEC BM-S; CHANG CHUN GROUP 사의 Polyvinyl Butyral B-06HX, Polyvinyl Butyral B-08HX, Polyvinyl Butyral B-08SY, Polyvinyl Butyral B-18FG; Fradox 사 의 PVB powder B1282HX, B1291HX, B1293HX, B1294HX, B1291SY, B1293SY, B1294SY, B1295HX, B1296HX, B1296TX; Famouschem Technology 사 PVB TB-2, TB-3, TB-5, TB-6, TB-8, TB-12, TB-14, TB-16; HERRMAN 사 PVB AH-16H, AH-20H, AH-30H, AH-60H; Teng Chao 사 PVB SD-0, SD-1, SD-2, SD-3, SD-4, SD-5, SD-6 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 하나의 실시양태에서, 에칭 레지스트 잉크 조성물에 포함되는 무기 필러는 탈크, 탄산칼슘, 실리카, 황산 바륨 등을 사용할 수 있으며, 특히 황산 바륨이 바람직하다. 에칭 레지스트 잉크 조성물에 무기 필러를 포함함으로써, 에칭 레지스트 잉크 조성물의 유동성을 조절할 수 있고, 번짐 현상이 없어지는 등 인쇄성이 우수하고, 저분자 알코올에 의한 박리성이 우수하다. 특히, 폴리비닐부티랄 (PVB) 과 함께 무기 필러로서 황산 바륨을 사용하는 경우, 황산 바륨은 다른 무기 필러에 비해 큰 비중을 가지기 때문에, 저분자 알코올 박리 조건에서 기재 표면으로부터 빠르게 탈착되어 에칭 레지스트 잉크 조성물의 박리 속도를 향상시킬 수 있다.
[(B) 황산 바륨]
본 발명의 하나의 실시양태에서, 무기 필러인 황산 바륨은 에칭 레지스트 잉크 조성물의 총 중량에 대하여 0.1 내지 60 중량% 로 포함될 수 있다. 바람직하게, 상기 황산 바륨은 30 내지 60 중량% 로 포함될 수 있다. 에칭 레지스트 잉크 조성물에 포함되는 황산 바륨의 함량이 상기 범위 내인 경우, 에칭 레지스트 잉크 조성물의 유동성을 조절할 수 있고, 번짐 현상이 없어져 우수한 인쇄성 및 저분자 알코올에 대한 박리성을 구현할 수 있다. 반면, 에칭 레지스트 잉크 조성물에 포함되는 황산 바륨의 함량이 30 중량% 미만인 경우, 인쇄 후 도막이 번지는 단점이 있으며, 60 중량% 초과인 경우 수지 함량이 부족하여 박리성이 저하되는 단점이 있다.
본 발명의 하나의 실시양태에서, 에칭 레지스트 잉크 조성물에 포함되는 황산 바륨은 표면 처리되지 않은 것일 수 있다. 상기 표면 처리 성분으로는, 예를 들면, SiO2-Al2O3, 산화 실리콘, 산화 알루미늄 등을 들 수 있다. 표면 처리되지 않은 황산 바륨을 사용하면, 저분자 알코올 박리 조건에서 기재 표면으로부터 빠르게 탈착되어 에칭 레지스트 잉크의 박리 속도를 향상 시킬 수 있다.
본 발명의 하나의 실시양태에서, 황산 바륨은 통상적으로 시판되는 제품을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 표면처리가 되지 않은 황산 바륨, 바람직하게는 직경이 0.7 내지 10㎛ 인 것을 사용할 수 있다.
황산 바륨은 직경이 0.7㎛ 이상인 것부터 상용되며 에칭 레지스트 잉크 조성물에 포함되는 황산 바륨의 직경이 10㎛ 를 초과할 경우 인쇄성과 인쇄 경계면이 나빠지는 단점이 있다.
황산 바륨의 평균 입자 직경 및 입도 분포는 레이저 회절 및 산란법 (측정기기 : Mastersizer 3000, Malvern Panalytical 사)에 의해 정의할 수 있다.
본 발명의 하나의 실시양태에서, 황산 바륨은 Koch 사의 KCB-01, KCB-02, KCB-03, KCB-07, KCB-8000, BSB-8000; Nippon-chem 사의 Barium sulfate; SAKAI CHEMICAL INDUSTRY 사의 BARIUM SULFATE 100, 110, 200, 270, 300, B-54, B-55; Gemme 사의 Gemme Fine GM-80, BSP-L, GM-F, BSP-X 등일 수 있다.
본 발명의 하나의 실시양태에서, 에칭 레지스트 잉크 조성물은 희석제를 포함할 수 있다.
희석제로서는 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 케톤, 방향족 탄화수소 류, 글리콜 에테르 류, 글리콜 에테르 아세테이트 류, 에스테르 류, 알코올 류, 지방족 탄화수소 석유계 용제 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 메틸 에틸 케톤, 시클로 헥사논, 메틸 부틸 케톤, 메틸 이소 부틸 케톤 등의 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 테트라 메틸 벤젠 등의 방향족 탄화수소 류; 셀로솔브, 메틸 셀로 솔브, 부틸 셀로 솔브, 카르비톨, 메틸 카르비톨, 부틸 카르비톨, 에틸렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노 에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디 에틸 에테르, 트리 에틸렌 글리콜 모노 에틸 에테르 등의 글리콜 에테르 류, 에탄올, 프로판올, 2-메톡시 프로판올, n-부탄올, 이소 부틸 알코올, 이소 펜틸 알코올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 등의 알코올 류; 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소; 석유 에테르, 석유 나프타, 수소첨가 석유 나프타, 솔벤트 나프타 등의 석유계 용제; N,N-디메틸 포름 아미드 (DMF), 테트라 클로로 에틸렌, 식물성 기름 등을 들 수 있다.
또한, 마루젠석유화학 회사의 스와졸 1000, 스와졸 1500, 스탠다드 석유 오사카 발매소 회사의 소루벳소 100, 소루벳소 150, 산쿄 화학 회사의 솔벤트 #100, 솔벤트 # 150, 쉘 케미칼 재팬 회사의 쉘 졸 A100, 쉘 졸 A150, 이데미츠 고산 회사의 이프졸 100번, 이프졸 150번 등의 유기 용제를 사용할 수 있다. 유기 용제는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상의 혼합물로 사용할 수 있다.
본 발명의 하나의 실시양태에서, 에칭 레지스트 잉크 조성물은 첨가제로서 소포제, 레벨링제 및 분산제 중 적어도 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다.
상기 에칭 레지스트 잉크 조성물은 필요에 따라, 첨가제로서 실리콘계, 불소계, 고분자계 등의 소포제 및/또는 레벨링제를 포함할 수 있다. 상기 소포제, 레벨링제 및 분산제는 모두 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 시판되는 제품 중 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
본 발명의 하나의 실시양태에서, 에칭 레지스트 잉크 조성물은 소포제, 레벨링제 및 분산제 중 적어도 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다.
상기 소포제, 레벨링제 및 분산제는 모두 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 시판되는 제품 중 적절히 선택하여 사용할 수 있으므로 구체적인 예와 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 하나의 실시양태에서, 상기 소포제, 레벨링제 및 분산제 중 적어도 하나 이상은 0.1 내지 5 중량% 로 포함될 수 있다. 에칭 레지스트 잉크 조성물에 포함되는 소포제, 레벨링제 및 분산제 중 적어도 하나 이상의 함량이 상기 범위 내인 경우, 에칭 레지스트 잉크 조성물의 유동성을 조절할 수 있고, 번짐 현상이 없어지는 등 인쇄성이 우수하다. 또한, 에칭 레지스트 잉크 조성물에 포함되는 소포제, 레벨링제 및 분산제 중 적어도 하나 이상의 함량이 0.1 중량% 미만인 경우, 인쇄 후 잉크 도막과 기재 간의 부착성이 저하되는 단점이 있으며, 파포성 및/또는 레벨링성이 저하되는 단점이 있다. 소포제, 레벨링제 및 분산제 중 적어도 하나 이상의 함량이 5 중량% 초과인 경우, 상 분리가 일어날 수 있다는 단점이 있다.
본 발명의 하나의 실시양태에서, 에칭 레지스트 잉크 조성물은 C1 내지 C6 의 저분자 알코올에 의해 박리되는 조성물일 수 있다. 상기 C1 내지 C6 의 저분자 알코올은, 예를 들면, 에탄올, 프로판올, 이소 프로판올 등일 수 있다.
본 발명의 하나의 실시양태에서, 본 발명의 에칭 레지스트 잉크 조성물은 물에 의해 박리되지 않는 조성물일 수 있다.
본 발명은 하기 실시예에 의해 제한되지 않는다.
실험예
하기 표 1에 기재된 원료를 용기에 넣고 교반하여 필러가 고르게 분산된 것을 육안으로 확인한 후에 3본 롤에 연육하여 잉크를 제조하였다. 하기 표 1 에 기재된 원료의 함량은 중량% 단위로 기재하였다.
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 3 의 잉크 조성물을 유리 기판에 스크린 인쇄하여 150℃에서, 20분간 열경화하였다.
[표 1]
Figure pat00001
PVB : 폴리비닐부티랄 (BL-1, SEKISUI 사; PVB Resin 내 폴리비닐부티랄 (PVB)의 고형분 함량은 PVB Resin 전체에 대하여 50 wt% 임)
PVP : 폴리비닐피릴리돈 (PVP K-30, JH Nanhang Life Sciences 사)
PVA : 폴리비닐아세탈 (BX-L, sekisui 사)
* 히드록시기 함유량 = PVB 또는 PVA 의 히드록시기 함량 (mol%)
BARIACE B-30 : SiO2-Al2O3로 표면이 코팅된 BaSO4
KCB-8000 : BaSO4, Purity : 100%
KC-3000 : Talc (KOCH 사)
SOFTON 1800 : CaCO3 (BIHOKU FUNKA KOGYO 사)
E+508 : Sperical Silicone Resin powder(ABC Nanotech 사)
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 3 의 잉크 조성물을 유리 기판에 스크린 인쇄 후 150℃에서 20분간 열경화 또는 UV 1000mJ/cm2 광경화하였다. 인쇄성은 인쇄하였을 때 번지는 정도를 육안 및 현미경으로 관찰하여 측정하였다.
이후, 잉크가 인쇄된 유리 기판을 용제에 5분간 침적하여 기판 표면에 남은 잔사를 육안으로 평가하였다. 박리성은 각각 에탄올, 프로판올, 이소 프로판올 및 물에 5분간 침지 후 유리 기판 표면에 남은 잔사를 육안으로 평가하였다.
평가항목 1 : 인쇄성
인쇄성은 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 3 의 잉크 조성물을 유리 기판에 스크린 인쇄 후 150℃에서 20분간 열경화 한 후 번짐 영역의 크기로 평가하였다.
XX : 번짐 영역이 10μm 초과 또는 인쇄 표면에 기포가 많아 파포성이나 레벨링성이 떨어짐
X : 번짐 영역이 5 ~ 10μm
△ : 번짐 영역이 2 ~ 5μm
○ : 번짐 영역이 2 μm이하
평가항목 2 : 박리성
박리성은 잉크가 인쇄된 유리 기판을 에탄올, 프로판올, 이소 프로판올 및 물에 5분간 침적하여 기판 표면에 남은 잔사를 육안으로 확인하여 평가하였다.
X : 박리 안됨
△ : 잔사 육안으로 확인 가능
○ : 잔사 없음
[표 2]
Figure pat00002
비교예 1 에 비해 실시예 1 내지 6 은 인쇄성이 우수하다. 필러를 사용하지 않을 경우 인쇄성이 열등하여 에칭 레지스트 잉크 조성물로 사용이 어렵다.
비교예 2 및 3 에 비해 실시예 1 내지 6 은, 에탄올, 프로판올, 이소 프로판올과 같은 저분자 알코올에 의한 박리성이 우수하다.
비교예 3 은 에탄올, 프로판올, 이소 프로판올과 같은 저분자 알코올에 의한 박리성이 우수하게 나타나지만, 물에 의해서도 박리성이 우수하게 나타나므로 수세공정에서 회로보호용으로 사용 불가능하다.
무기 필러로서 표면 처리를 하지 않은 황산 바륨을 사용한 실시예 3 이, 표면 처리를 한 황산 바륨을 사용한 실시예 2 에 비해 저분자 알코올에 의한 박리성이 우수하다.

Claims (9)

  1. 폴리비닐부티랄 (PVB) 및 무기 필러를 포함하는, 에칭 레지스트 잉크 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 폴리비닐부티랄 (PVB) 이 히드록시기를 50 mol% 이하로 포함하는, 에칭 레지스트 잉크 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, 폴리비닐부티랄 (PVB) 이 히드록시기를 10 내지 50 mol% 로 포함하는, 에칭 레지스트 잉크 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, 폴리비닐부티랄 (PVB) 이 히드록시기를 30 내지 40 mol% 로 포함하는, 에칭 레지스트 잉크 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, 폴리비닐부티랄 (PVB) 이 히드록시기를 35 내지 40 mol% 로 포함하는, 에칭 레지스트 잉크 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 무기 필러는 황산 바륨인, 에칭 레지스트 잉크 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서, 소포제, 레벨링제 및 분산제 중 적어도 하나 이상을 추가로 포함하는, 에칭 레지스트 잉크 조성물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, C1 내지 C6 의 저분자 알코올에 의해 박리되는 것인, 에칭 레지스트 잉크 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 물에 의해 박리되지 않는 것인, 에칭 레지스트 잉크 조성물.
KR1020190160534A 2019-12-05 2019-12-05 에칭 레지스트 잉크 조성물 KR102362335B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190160534A KR102362335B1 (ko) 2019-12-05 2019-12-05 에칭 레지스트 잉크 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190160534A KR102362335B1 (ko) 2019-12-05 2019-12-05 에칭 레지스트 잉크 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210070598A true KR20210070598A (ko) 2021-06-15
KR102362335B1 KR102362335B1 (ko) 2022-02-14

Family

ID=76412011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190160534A KR102362335B1 (ko) 2019-12-05 2019-12-05 에칭 레지스트 잉크 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102362335B1 (ko)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050051133A (ko) * 2003-11-27 2005-06-01 가부시키가이샤 씽크. 라보라토리 포지티브형 감광성 조성물
KR20050051131A (ko) * 2003-11-27 2005-06-01 가부시키가이샤 씽크. 라보라토리 그라비아 제판방법
KR20080016462A (ko) * 2006-08-18 2008-02-21 산에이카가쿠 가부시키가이샤 레지스트 패턴의 형성 방법
KR20080051549A (ko) * 2006-12-06 2008-06-11 (주)도 은 렌즈의 표면보호를 위한 코팅 조성물
KR20130019272A (ko) * 2011-08-16 2013-02-26 주식회사 동진쎄미켐 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물
KR20170095661A (ko) 2016-02-15 2017-08-23 정병현 포토레지스트의 박리 방법
KR20170123050A (ko) 2016-04-28 2017-11-07 (주)덕산테코피아 포토레지스트 박리액 조성물

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050051133A (ko) * 2003-11-27 2005-06-01 가부시키가이샤 씽크. 라보라토리 포지티브형 감광성 조성물
KR20050051131A (ko) * 2003-11-27 2005-06-01 가부시키가이샤 씽크. 라보라토리 그라비아 제판방법
KR20080016462A (ko) * 2006-08-18 2008-02-21 산에이카가쿠 가부시키가이샤 레지스트 패턴의 형성 방법
KR20080051549A (ko) * 2006-12-06 2008-06-11 (주)도 은 렌즈의 표면보호를 위한 코팅 조성물
KR20130019272A (ko) * 2011-08-16 2013-02-26 주식회사 동진쎄미켐 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물
KR20170095661A (ko) 2016-02-15 2017-08-23 정병현 포토레지스트의 박리 방법
KR20170123050A (ko) 2016-04-28 2017-11-07 (주)덕산테코피아 포토레지스트 박리액 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
KR102362335B1 (ko) 2022-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6406646B1 (en) Resistive paste for the formation of electrically heat-generating thick film
KR101260956B1 (ko) 오프셋 또는 리버스­오프셋 인쇄용 전도성 잉크 조성물
US8133535B2 (en) Antipenetrating agent, solvent ink for inkjet printing and printing method
JP5389052B2 (ja) プリンタブルエレクトロニクス用の剥離コーティングとしてのガラス状シリコーン系ハードコーティングを備える電子デバイスの製造方法
JP2009506187A (ja) Ｕｖ硬化可能なハイブリッド硬化インクジェットインク組成物およびそれを使用するソルダマスク
EP1911818B1 (en) Solvent inkjet ink.
US9384868B2 (en) Water-based conductive ink for inkjet recording
KR102362335B1 (ko) 에칭 레지스트 잉크 조성물
KR101654463B1 (ko) 오프셋 인쇄 조성물, 이를 이용한 인쇄방법 및 오프셋 인쇄 조성물을 포함하는 패턴
KR102362334B1 (ko) 에칭 레지스트 잉크 조성물
US5393465A (en) Light-absorbing dielectric compositions
JP7348177B2 (ja) パターン印刷用レジスト組成物及びパターン形成方法
KR102544767B1 (ko) 낮은 굴절률을 갖는 광학 코팅
KR101793325B1 (ko) 에칭 레지스트 조성물, 기판 및 그의 제조 방법
JP2013258215A (ja) リフトオフ法用レジスト剤及び導体パターンの作製方法
WO2012115011A1 (ja) 防湿絶縁材料
JP5636661B2 (ja) 黒色インキ組成物
JP2008201921A (ja) 油性マーキングペン用インキ組成物
JPS63137976A (ja) 記録液
JP2011074122A (ja) 微細パターン形成用インキ組成物
KR20190051800A (ko) 코트 필름
CN113227234A (zh) 用于形成抗蚀剂图案的树脂组合物和半导体制品的制造方法
JP2011037915A (ja) 微細パターン積層用インキ組成物
KR101959681B1 (ko) 코팅 조성물
KR101735917B1 (ko) 이형처리 표면 마킹용 잉크 조성물 및 이를 포함하는 보호 필름

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant