KR20210061808A - 터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널 - Google Patents

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KR20210061808A
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touch
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touch electrode
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송민섭
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 명세서는 제 1 단차를 가지는 제 1 터치 전극 메탈과 하부 전극층이 제 1 간극을 형성하는 내부 영역과, 내부 영역의 외곽에 형성되며, 제 1 단차보다 큰 제 2 단차를 가지는 제 2 터치 전극 메탈과 하부 전극층이 제 2 간극을 형성하는 단차 보상 구간을 하나 이상 포함하는 에지 영역으로 이루어진 디스플레이 패널과, 터치 전극 메탈에 터치 구동 신호를 인가하고, 터치 전극 메탈부터 수신되는 터치 센싱 신호를 이용하여, 터치 유무 또는 터치 위치를 센싱하는 터치 회로를 포함하는 터치 디스플레이 장치를 개시한다.

Description

터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널{TOUCH DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL}
본 명세서는 터치 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 에지 영역에 형성되는 터치 전극 메탈에 대한 단차 보상을 통해, 우수한 터치 감도를 얻을 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 디스플레이 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP), 유기 발광 디스플레이(Organic Light Emitting Display) 등과 같은 여러 가지 디스플레이 장치가 활용되고 있다.
이러한 디스플레이 장치 중에는, 버튼, 키보드, 마우스 등의 통상적인 입력 방식에서 탈피하여, 사용자가 손쉽게 정보 또는 명령을 직관적이고 편리하게 입력할 수 있도록 해주는 터치 기반의 입력 방식을 제공하는 터치 디스플레이 장치가 있다.
이러한 터치 디스플레이 장치가 터치 기반의 입력 방식을 제공하기 위해서는, 사용자의 터치 유무를 파악하고 터치 좌표를 정확하게 검출할 수 있어야 한다.
이를 위해, 여러 가지의 터치 센싱 방식 중, 디스플레이 패널에 형성된 다수의 터치 전극에 형성되는 커패시턴스(capacitance)의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출하는 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식이 많이 이용되고 있다.
특히, 최근에는 디자인적인 측면에서 디스플레이 패널의 에지 영역을 디스플레이 및 터치가 가능한 영역으로 사용되고 있다.
그러나, 이러한 터치 디스플레이 장치의 에지 영역은 디스플레이 패널의 곡률에 의하여, 터치 전극 메탈과 하부의 전극층 사이의 간극이 감소하게 되고 그로 인해 원하지 않는 기생 커패시턴스가 발생하여 터치 감도가 떨어지는 문제점이 발생하고 있다.
이에 본 명세서의 발명자들은 디스플레이 패널의 에지 영역에 대한 단차 보상을 통해 우수한 터치 감도를 얻을 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널을 발명하였다.
또한, 본 명세서의 발명자들은 디스플레이 패널의 에지 영역에 대한 단차 보상을 다양하게 변형함으로써 효과적으로 터치 센싱이 가능한 터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널을 발명하였다.
이하에서 설명하게 될 본 명세서의 실시예들에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치는 제 1 단차를 가지는 제 1 터치 전극 메탈과 하부 전극층이 제 1 간극을 형성하는 내부 영역, 및 내부 영역의 외곽에 형성되며, 제 1 단차보다 큰 제 2 단차를 가지는 제 2 터치 전극 메탈과 하부 전극층이 제 2 간극을 형성하는 단차 보상 구간을 하나 이상 포함하는 에지 영역으로 이루어진 디스플레이 패널과, 터치 전극 메탈에 터치 구동 신호를 인가하고, 터치 전극 메탈부터 수신되는 터치 센싱 신호를 이용하여, 터치 유무 또는 터치 위치를 센싱하는 터치 회로를 포함한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 제 1 간극은 일정한 값으로 유지된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 하부 전극층은 발광 소자의 캐소드 전극을 구성한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 제 2 단차는 제 1 단차보다 일정한 갭만큼 큰 값을 가진다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 제 2 간극은 제 1 간극보다 작은 크기를 가지며, 일정한 값으로 유지된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 단차 보상 구간에 인접하여, 터치 전극 메탈과 상기 하부 전극층 사이의 간극이 감소하는 간극 감소 구간을 더 포함한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 간극 감소 구간이 복수의 구간으로 형성된 경우, 간극 감소 구간의 간극 감소 비율이 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 단차 보상 구간이 복수의 구간으로 형성된 경우, 내부 영역에서 멀어질수록 단차 보상 구간에 형성된 터치 전극 메탈의 단차가 증가된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 내부 영역에서 멀어질수록 단차 보상 구간에 형성된 터치 전극 메탈의 단차가 일정한 비율로 증가한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널은 제 1 단차를 가지는 제 1 터치 전극 메탈과 하부 전극층이 제 1 간극을 형성하는 내부 영역과, 내부 영역의 외곽에 형성되며, 제 1 단차보다 큰 제 2 단차를 가지는 제 2 터치 전극 메탈과 하부 전극층이 제 2 간극을 형성하는 단차 보상 구간을 하나 이상 포함하는 에지 영역을 포함한다.
본 명세서의 실시예들에 따르면, 디스플레이 패널의 에지 영역에 대한 단차 보상을 통해 우수한 터치 감도를 얻을 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 명세서의 실시예들에 따르면, 디스플레이 패널의 에지 영역에 대한 단차 보상을 다양하게 변형함으로써 효과적으로 터치 센싱이 가능한 효과가 있다.
본 명세서에 개시된 실시예들의 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않는다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예들은 위에서 언급되지 않은 또 다른 효과를 발생시킬 수 있으며, 이는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치의 시스템 구성도이고,
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널에서 터치 전극이 배치되는 영역을 나타낸 도면이고,
도 3은 터치 디스플레이 장치에서 디스플레이 패널의 단면을 나타낸 예시적인 도면이고,
도 4는 터치 디스플레이 장치의 내부 영역과 에지 영역에서 터치 전극 메탈과 하부 전극층의 사이의 간극을 개략적으로 표현한 단면도이고,
도 5는 터치 디스플레이 장치의 내부 영역과 에지 영역에서 터치 전극 메탈과 하부 전극층의 간극으로 인한 커패시턴스의 변화를 나타낸 도면이고,
도 6은 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 개략적인 예시를 나타낸 도면이고,
도 7은 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널에서 내부 영역과 에지 영역에서 터치 전극 메탈과 하부 전극층의 간극에 따른 터치 전극 메탈의 단차를 개략적으로 표현한 단면도이고,
도 8은 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널에서 단차 보상 구간이 복수의 구간으로 형성된 경우를 나타낸 도면이고,
도 9는 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널에서 단차 보상 구간이 복수의 구간으로 형성된 경우에 터치 전극 메탈과 하부 전극층 사이의 간극을 개략적으로 표현한 단면도이고,
도 10은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 내부 영역과 에지 영역에서 터치 전극 메탈과 하부 전극층 사이의 간극에 따른 커패시턴스의 변화를 나타낸 도면이고,
도 11은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 8군데의 에지 영역에서 터치 전극 메탈과 하부 전극층 사이의 간극에 따른 커패시턴스의 변화를 나타낸 도면이다.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, "~상에", "~상부에", "~하부에", "~옆에" 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간 적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
신호의 흐름 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, "A 노드에서 B 노드로 신호가 전달된다"는 경우에도, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않은 이상, A 노드에서 다른 노드를 경유하여 B 노드로 신호가 전달되는 경우를 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치의 시스템 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 영상을 표시하기 위한 영상 표시 기능과, 사용자의 터치를 센싱하는 터치 센싱 기능을 제공할 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)는 영상 표시를 위해서 데이터 라인들과 게이트 라인들이 배치되는 디스플레이 패널(110)과, 디스플레이 패널(110)을 구동하기 위한 디스플레이 구동 회로 등을 포함할 수 있다.
디스플레이 구동 회로는 기능적으로 볼 때, 데이터 라인들을 구동하기 위한 데이터 구동 회로와, 게이트 라인들을 구동하기 위한 게이트 구동 회로와, 데이터 구동 회로 및 게이트 구동 회로를 제어하기 위한 타이밍 컨트롤러 등을 포함할 수 있다. 디스플레이 구동 회로는 하나 이상의 집적 회로로 구현될 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)는 터치 센싱을 위해서 다수의 터치전극들(TE)이 배치된 터치 스크린 패널(Touch Screen Panel)과, 터치 스크린 패널의 구동 및 센싱 처리를 수행하는 터치 회로(130) 등을 포함할 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)에서 터치 스크린 패널은 디스플레이 패널(110)과 별도로 제작되어 디스플레이 패널(110)에 본딩되는 외장형 타입일 수도 있고, 디스플레이 패널(110)의 제작 과정에 함께 제작되어 디스플레이 패널(110)의 내부에 존재하는 내장형 타입일 수도 있다. 이하에서는 터치 스크린 패널이 디스플레이 패널(110)에 내장된 경우를 가정하여 설명하기로 한다.
터치 회로(130)는 디스플레이 패널(110)을 구동하기 위하여 디스플레이 패널(110)로 터치 구동 신호를 공급하고, 디스플레이 패널(110)로부터 터치 센싱 신호를 수신하며, 이를 토대로, 터치 유무 및 터치 좌표를 검출한다.
이러한 터치 회로(130)는 터치 구동 신호를 공급하고 터치 센싱 신호를 수신하는 터치 구동 회로와, 터치 유무 및 터치 좌표를 검출하는 터치 컨트롤러 등을 포함하여 구현될 수도 있다.
터치 회로(130)는 하나 또는 둘 이상의 부품(예: 집적 회로)으로 구현될 수 있으며, 디스플레이 구동 회로와 별도로 구현될 수도 있다.
또한, 터치 회로(130)의 전체 또는 일부는 디스플레이 구동 회로 또는 그 내부 회로와 통합되어 구현될 수 있다. 예를 들어, 터치 회로(130)의 터치 구동 회로는 디스플레이 구동 회로의 데이터 구동 회로와 함께 집적 회로로 구현될 수 있다.
한편, 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 전극들(TE)에 형성되는 커패시턴스(Capacitance)에 기반하여 터치 유무 및 터치 좌표를 센싱할 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)는 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로서, 상호 정전 용량(Mutual capacitance) 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 자기 정전 용량(Self capacitance) 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다.
상호 정전 용량(Mutual capacitance) 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 다수의 터치 전극들(TE)은 터치 구동 라인(Tx)을 통해 터치 구동 신호가 인가되는 구동 전극과, 터치 센싱 라인(Rx)을 통해 터치 센싱 신호가 센싱되고 구동 전극과 커패시턴스를 형성하는 센싱 전극으로 분류될 수 있다. 터치 구동 라인(Tx)과 터치 센싱 라인(Rx)을 포함하여 터치 라인으로 지칭할 수 있다.
이러한 상호 정전 용량 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 손가락, 펜 등의 포인터 유무에 따라, 구동 전극과 센싱 전극 사이에 발생하는 상호 정전 용량의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출한다.
자기 정전 용량 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 각 터치 전극(TE)은 구동 전극의 역할과 센싱 전극의 역할을 모두 하게 된다. 즉, 각 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호가 인가되고, 터치 구동 신호가 인가된 터치 전극(TE)을 통해 터치 센싱 신호를 수신한다. 따라서, 자기 정전 용량 기반의 터치 센싱 방식에서는, 구동 전극과 센싱 전극의 구분이 없게 된다.
이와 같이, 터치 디스플레이 장치(100)는 상호 정전 용량 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 자기 정전 용량 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다.
터치 회로(130)는 터치 센싱 구간에서 터치 구동 라인(Tx)을 통해 다수의 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호를 순차적으로 출력한다.
터치 전극(TE)에 터치 구동 신호가 인가된 상태에서 디스플레이 패널(110)에 대한 사용자의 터치가 발생하면 터치 전극(TE)의 커패시턴스 변화가 발생한다.
터치 구동 신호를 전달하는 터치 구동 라인(Tx)은 디스플레이 패널(110)에 배치된 데이터 라인과 평행한 방향으로 배치될 수 있고, 터치 센싱 신호를 전달하는 터치 센싱 라인(Rx)은 디스플레이 패널(110)에 배치된 게이트 라인과 평행한 방향으로 배치될 수 있다.
일반적으로, 터치 구동 라인(Tx)은 디스플레이 패널(110)의 장축 방향으로 연장되고, 터치 센싱 라인(Rx)은 디스플레이 패널의 단축 방향으로 연장될 수 있지만, 터치 구동 라인(Tx)과 터치 센싱 라인(Rx)의 배치는 터치 디스플레이 장치(100)의 형상이나 구조에 따라 변경될 수 있을 것이다.
이 때, 디스플레이 패널(110)은 디스플레이 구동과 터치 센싱을 동시에 수행하므로, 디스플레이 패널(110)에 배치된 게이트 라인으로 스캔 신호가 인가된 상태에서 터치 구동 신호가 인가되고 터치 센싱이 수행될 수 있다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널에서 터치 전극이 배치되는 영역을 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(110)에서 터치 전극이 배치되는 영역은 내부 영역(112)과 에지 영역(114)으로 구분될 수 있다.
내부 영역(112)은 좌측 및 우측의 에지 영역(114)으로 둘러싸인 중앙 부분의 영역으로서, 평평한 평면 구조로 형성된 영역으로 볼 수 있으며 디스플레이 패널(110)의 하부 전극층으로부터 일정한 높이(간극)를 가지는 위치에 터치 전극(TE)이 형성될 수 있다.
따라서, 내부 영역(112)은 터치 전극(TE) 및 터치 라인과 하부에 위치하는 전극층 사이의 간극이 일정하기 때문에, 내부 영역(112) 내에서는 위치에 따른 커패시턴스 값이 일정하게 나타날 것이다.
에지 영역(114)은 내부 영역(112)의 좌측 또는 우측에서 수직 방향으로 연장되는 영역으로서, 디스플레이 패널(110)의 구조에 따라 평평한 평면 구조로 이루어질 수도 있지만, 최근에 출시되는 터치 디스플레이 장치(100)가 라운드 형태의 유선형으로 이루어지면서 터치 기능을 가지는 구조에서는 일정한 곡률로 휘어지는 구조로 이루어진다.
한편, 에지 영역(114)은 내부 영역(112)의 좌측 또는 우측에 위치할 수도 있지만, 디스플레이 패널(110)의 종류에 따라 내부 영역(112)의 상부 또는 하부에 위치할 수도 있을 것이다.
이와 같이, 에지 영역(114)이 라운드 형태로 형성되는 경우에는, 내부 영역(112)에서 외곽 방향으로 갈수록 터치 전극(TE) 및 터치 라인과 하부의 전극층 사이의 간극이 점차 감소하기 때문에, 내부 영역(112)과 비교해서 터치 센싱에 따른 커패시턴스 값이 감소되어 터치 감도가 하락하게 된다.
이 때, 에지 영역(114)의 상부 또는 하부의 모서리 부분도 라운드 형태로 형성될 수 있으며, 에지 영역(114)에 포함되는 것으로 볼 수 있을 것이다.
도 3은 터치 디스플레이 장치에서 디스플레이 패널의 단면을 나타낸 예시적인 도면이다.
도 3을 참조하면, 터치 디스플레이 장치(100)의 디스플레이 패널(110)은 기판 또는 백 플레이트(L01)의 상부에 폴리이미드 층(LI02, PI(Polyimide) Layer)이 위치한다.
폴리이미드 층(L02)의 상부에는 버퍼층(L03)이 위치할 수 있으며, 버퍼층(L03)의 상부에 층간 절연막(L04)이 위치할 수 있다.
층간 절연막(L04)의 상부에 게이트 층(L05)이 존재할 수 있으며, 게이트 층(L05)에는 필요한 위치마다 게이트 전극 등이 형성될 수 있다.
게이트 층(L05)의 상부에는 게이트 절연막(L06)이 존재할 수 있다.
게이트 절연막(L06)의 상부에는 소스/드레인 층(L07)이 존재할 수 있다.
소스/드레인 층(L07)에는 데이터 라인(DL), 게이트 라인(GL) 등의 신호 배선과, 각종 트랜지스터의 소스/드레인 전극 등이 형성될 수 있다.
소스/드레인 층(L07)의 상부에는 보호층(L08)이 존재할 수 있다.
보호층(L08)의 상부에는 평탄화층(L09)이 위치하고, 평탄화층(L09)의 상부에는 각 서브픽셀의 발광 위치에 제 1 전극층(L10)이 존재할 수 있다.
제 1 전극층(L10)의 상부에는 뱅크층(L11)이 위치하고, 뱅크층(L11)의 상부에는 유기 발광층(L12)이 위치한다.
유기 발광층(L12)의 상부에는 모든 서브픽셀 영역에 공통으로 형성되는 제 2 전극층(L13)이 존재할 수 있다.
제 2 전극층(L13)의 상부에는 수분, 공기 등의 침투 방지를 위한 봉지층(L14)이 존재할 수 있다.
또한, 디스플레이 패널(110)의 외곽에는 댐(DAM)이 존재할 수 있다.
봉지층(L14, Encap)은 1개의 층으로 되어 있을 수도 있고, 2개 이상의 층이 적층되어 있을 수도 있다.
또한, 봉지층(L14, Encap)은 유기물층과 무기물층이 둘 이상 적층되어 있을 수도 있다.
여기에서는 봉지층(L14, Encap)이 제 1 봉지층(L14a), 제 2 봉지층(L14b) 및 제 3 봉지층(L14c)으로 적층된 경우를 나타내고 있다.
제 1 봉지층(L14a), 제 2 봉지층(L14b) 및 제 3 봉지층(L14c) 각각은 유기물층과 무기물층일 수 있다.
봉지층(L14, Encap)의 상부에는 터치 전극(TE)과 터치 라인(TL)이 형성된다.
터치 전극(TE)은 개구 영역이 없는 하나의 판 형태로 이루어질 수도 있고, 메쉬(Mesh) 형상으로 이루어질 수도 있다. 메쉬 형상의 터치 전극(TE)은 메쉬 형상으로 패터닝된 터치 전극 메탈(TEM)로 이루어져서, 다수의 개구 영역이 형성될 수 있다.
봉지층(L14, Encap) 상부의 터치 전극(TE)과 전기적으로 연결된 터치 라인(TL)은 터치 전극들(TE)과 중첩되지 않도록 터치 전극들(TE)이 없는 영역으로 연장된다.
이러한 터치 라인(TL)은 댐(DAM)이 있는 영역을 지나쳐 댐(DAM) 외곽 영역, 즉, 통합 패드(IP)와 인접한 영역까지 연장된다.
그리고, 터치 라인(TL)은 댐(DAM) 외곽 영역에서 소스/드레인 층(L07)에 형성된 데이터 라인(DL)과 컨택홀(CNT)을 통해 연결될 수 있다.
데이터 라인(DL)은 댐(DAM) 외곽 영역에 존재하는 통합 패드(IP)와 전기적으로 연결된다.
터치 라인(TL)과 터치 전극(TE)은 봉지층(L14, Encap)의 상부에 위치하되, 서로 동일한 층에 위치할 수도 있고, 서로 다른 층에 위치할 수도 있다.
내부 영역(112)에 대해 봉지층(L14, Encap)은 소정의 두께(Tencap)로 형성될 수 있으며, 봉지층(L14, Encap)의 두께(Tencap)는 터치 구동 및 터치 센싱 과정에서의 시간 지연과, 터치 감도에 영향을 끼칠 수 있다.
따라서, 봉지층(L14, Encap)의 두께(Tencap)는 터치 구동에 따른 시간 지연과 터치 감도 등을 고려하여 설계되어야 한다.
이와 같이, 디스플레이 패널(110)은 봉지층(L14, Encap)의 상부에 터치 전극(TE) 및 터치 라인(TL)이 위치하는 TOE(Touch on Encapsulation) 구조를 가질 수 있다.
한편, 이러한 디스플레이 패널(110)의 구조에서 봉지층(L14, Encap)의 상부에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)과 발광 소자의 캐소드 전극(Cathode)에 해당하는 제 2 전극층(L13) 사이의 간극(Step)은 라운드 형태로 이루어진 에지 영역(114)으로 갈수록 가까워지게 된다.
이 때, 에지 영역(114)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)과 하부의 제 2 전극층(L13) 사이의 간극(Step)이 가까워지는 경우에는, 평면 형태로 이루어진 내부 영역(112)에 비해서 커패시턴스 값이 감소하게 되어 터치 감도가 하락하게 되는 현상이 발생한다.
도 4는 터치 디스플레이 장치의 내부 영역과 에지 영역에서 터치 전극 메탈과 하부 전극층의 단차를 개략적으로 표현한 단면도이고, 도 5는 터치 디스플레이 장치의 내부 영역과 에지 영역에서 터치 전극 메탈과 하부 전극층의 단차로 인한 커패시턴스의 변화를 나타낸 도면이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 모서리 부분이 라운드 형태로 형성되는 터치 디스플레이 장치(100)에서 내부 영역(112)은 평면 구조로 이루어지기 때문에 캐소드 전극에 해당하는 하부의 전극층과 터치 전극 메탈(TEM) 사이의 간극(Step)이 거의 일정한 반면, 에지 영역(114)은 내부 영역(112)에서 멀어질수록 하부 전극층과 터치 전극 메탈(TEM) 사이의 간극(Step)가 급격히 감소하게 된다.
이에 따라, 하부 전극층과 터치 전극 메탈(TEM) 사이에 형성되는 기생 커패시턴스(Cp)는 하부 전극층과 터치 전극 메탈(TEM) 사이의 간극(Step)에 의하여 급격히 증가하게 된다.
이 때, 하부 전극층과 터치 전극 메탈(TEM) 사이에 형성되는 기생 커패시턴스(Cp)는 하부 전극층과 터치 전극 메탈(TEM) 사이의 간극(Step)이 감소할수록 증가하게 되는데, 에지 영역(114)에서 증가하는 기생 커패시턴스(Cp)가 터치 센싱을 위한 최대 허용 범위(Max Spec)를 벗어나는 경우에는 에지 영역(114)에서 터치 센싱이 제대로 이루어질 수 없게 된다.
따라서, 터치 디스플레이 장치(100)의 에지 영역(114)에서 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step)이 감소함으로써 기생 커패시턴(Cp)가 증가하는 것으로 보상하기 위한 구조가 요구된다.
본 명세서의 발명자들은 터치 디스플레이 장치(100)의 에지 영역(114)에서 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step) 감소에 따른 커패시턴스 변화를 보상할 수 있는 단차 보상 구간을 형성함으로써, 우수한 터치 감도를 얻을 수 있도록 한다.
도 6은 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 개략적인 예시를 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(110)에서 터치 전극 메탈(TEM)이 배치되는 영역은 내부 영역(112)과 에지 영역(114)으로 구분될 수 있다.
내부 영역(112)은 좌측 및 우측의 에지 영역(114)으로 둘러싸인 중앙 부분의 영역으로서, 평평한 평면 구조로 형성된 영역에 해당한다.
이러한 내부 영역(112)은 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이에 형성되는 봉지층(Encap)의 두께가 거의 일정하기 때문에 내부 영역(112)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 선폭에 해당하는 단차(CD1)는 일정한 기준 단차(Ref)를 가지도록 형성될 수 있다.
한편, 에지 영역(114)은 내부 영역(112)의 좌측 또는 우측, 상부 또는 하부 방향으로 연장되어 라운드 형태로 이루어지는 영역으로서, 내부 영역(112)으로부터 멀어지는 외곽 방향으로 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이에 형성되는 봉지층(Encap)의 간극(Step)이 감소하는 영역이다.
이 때, 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step)이 감소하는 경우에는 위에서 설명한 바와 같이, 기생 커패시턴스(Cp)가 증가하게 되어 터치 센싱의 감도가 저하될 수 있다.
따라서, 에지 영역(114) 내에서 일부 구간을 단차 보상 구간(Area2)으로 형성하고, 단차 보상 구간(Area2)에 위치하는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD2)를 내부 영역(112)에 위치하는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD1)보다 크게 형성함으로써, 기생 커패시턴스(Cp)의 증가를 방지하고 터치 센싱의 감도를 향상시킬 수 있도록 한다.
예를 들어, 에지 영역(114)은 간극 감소 구간(Area1)과 단차 보상 구간(Area2)으로 구분할 수있다.
간극 감소 구간(Area1)은 에지 영역(114) 중에서 내부 영역(112)과 인접한 위치에 형성되는 구간으로서, 에지 영역(114)의 라운드 형상에 의하여 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step)이 감소하는 영역이다.
이에 반해, 단차 보상 구간(Area2)은 간극 감소 구간(Area1)이 끝나는 지점부터 일정한 폭을 가지는 영역으로서, 단차 보상 구간(Area2)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD2)는 내부 영역(112)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD1) 보다 일정한 갭(Gap)만큼 크게 형성한다.
이 때, , 단차 보상 구간(Area2)은 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step2)이 일정한 값을 가지는 영역일 수 있다.
이와 같이, 단차 보상 구간(Area2)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD2)는 내부 영역(112)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD1)보다 크기 때문에, 에지 영역(114)에서 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이에 형성되는 기생 커패시턴스(Cp)의 증가를 완화시킬 수 있게 된다.
이 때, 간극 감소 구간(Area1)은 내부 영역(112)에 인접한 구간에 해당하기 때문에, 간극 감소 구간(Area1)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD)를 내부 영역(112)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD1)와 동일한 값을 가질 수 있다. 이 경우에는 간극 감소 구간(Area1)을 내부 영역(112)에 포함된다고 볼 수 있다.
반면, 간극 감소 구간(Area1)이 단차 보상 구간(Area2)에도 인접하기 때문에, 간극 감소 구간(Area1)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD)를 단차 보상 구간(Area2)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD2)와 동일한 값을 가지도록 할 수도 있을 것이다.
이와 같이, 간극 감소 구간(Area1)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD)를 단차 보상 구간(Area2)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD2)와 동일한 값을 가지도록 형성하는 경우에는, 간극 감소 구간(Area1)을 단차 보상 구간(Area2)에 포함할 수 있을 것이다.
이러한, 단차 보상 구간(Area2)은 디스플레이 패널(110)의 좌측 또는 우측에 위치하는 에지 영역(114)에 형성될 수도 있지만, 디스플레이 패널(110)의 종류에 따라 상부 또는 하부의 에지 영역(114)에 위치할 수도 있을 것이다.
도 7은 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널에서 내부 영역과 에지 영역에서 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극에 따른 터치 전극 메탈(TEM)의 단차를 개략적으로 표현한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(110)에서 내부 영역(112)은 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이에 형성되는 봉지층(Encap)의 두께가 일정한 간극(Step1)을 가질 수 있다.
에지 영역(114)은 라운드 형상의 곡률을 가지기 때문에, 에지 영역(114)에서 내부 영역(112)과 인접한 영역은 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step)이 일정한 비율로 감소하게 되는 간극 감소 구간(Area1)에 해당한다.
간극 감소 구간(Area1)의 폭은 디스플레이 패널(110)의 크기 또는 구조에 따라 달라질 수 있을 것이다.
일정한 폭을 가지는 간극 감소 구간(Area1)이 끝나는 지점부터는 다시 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step2)이 일정한 단차 보상 구간(Area2)이 형성된다.
단차 보상 구간(Area2)은 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step2)이 감소함으로써 야기되는 기생 커패시턴스(Cp)의 증가를 방지하기 위하여, 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD2)를 내부 영역(112)에 형성된 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD1)보다 크게 형성하는 구간이다.
단차 보상 구간(Area2)에서 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step2)은 내부 영역(112)의 간극(CD1) 보다 작아진 값을 가질 것이다.
단차 보상 구간(Area2)의 간극(Step2)는 간극 감소 구간(Area1)의 폭과 간극 감소 구간(Area1)에서의 간극 감소 비율에 따라 달라질 것이다.
단차 보상 구간(Area2)을 에지 영역(114) 내부에 형성하는 경우, 라운드 형상의 에지 영역(114)에서 발생하는 기생 커패시턴스(Cp) 증가가 억제될 수 있다.
이러한 단차 보상 구간(Area2)은 에지 영역(114) 내에서 하나 이상의 구간으로 형성될 수 있으며, 둘 이상의 복수의 구간으로 형성될 수도 있다.
도 8은 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널에서 단차 보상 구간이 복수의 구간으로 형성된 경우를 나타낸 도면이고, 도 9는 디스플레이 패널에서 단차 보상 구간이 복수의 구간으로 형성된 경우에 간극에 따른 터치 전극 메탈의 단차를 개략적으로 표현한 단면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(110)에서 터치 전극 메탈(TEM)이 배치되는 영역은 내부 영역(112)과 에지 영역(114)으로 구분될 수 있다.
내부 영역(112)은 좌측 및 우측의 에지 영역(114)으로 둘러싸인 중앙 부분의 영역으로서, 평평한 평면 구조로 형성된 영역에 해당하며, 내부 영역(112)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD1)는 일정한 기준 단차(Ref)를 가지게 될 것이다.
한편, 에지 영역(114)은 내부 영역(112)의 좌측 또는 우측, 상부 또는 하부 방향으로 연장되어 라운드 형태로 이루어지는 영역으로서, 내부 영역(112)으로부터 멀어지는 외곽 방향으로 갈수록 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step)이 감소하는 영역이다.
이 때, 에지 영역(114) 내에서 복수의 구간을 단차 보상 구간으로 형성함으로써, 기생 커패시턴스(Cp)의 증가를 방지하고 터치 센싱의 감도를 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 에지 영역(114)은 복수의 간극 감소 구간(Area1, Area3)과 복수의 단차 보상 구간(Area2, Area4)으로 구분될 수 있다.
이 경우, 간극 감소 구간(Area1)은 에지 영역(114) 중에서 에지 영역(114)의 라운드 형상에 의하여 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step)이 일률적으로 감소하는 영역이다.
이에 반해, 단차 보상 구간(Area2, Area4)은 간극 감소 구간(Area1, Area3)이 끝나는 지점부터 일정한 폭을 가지는 영역으로서, 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step22, Step3)를 일정한 값으로 유지하되 내부 영역(112)으로부터 멀어질수록 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD2, CD3)가 단계적으로 증가하는 영역이다.
이 때, 단차 보상 구간(Area2, Area4)은 간극 감소 구간(Area1, Area3)과 인접하여 교대로 형성될 수 있다.
예를 들어, 제 1 단차 보상 구간(Area2)는 제 1 간극 감소 구간(Area1)에 인접한 위치에 형성되며, 내부 영역(112)에서 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step1)보다 일정한 크기만큼 작은 간극(Step2)을 가진다.
터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD2)가 일정한 제 1 단차 보상 구간(Area2)이 끝나는 지점부터는 제 2 간극 감소 구간(Area3)이 형성되며, 제 2 간극 감소 구간(Area3)에서는 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step)이 다시 감소하게 된다.
제 2 간극 감소 구간(Area3)의 간극 감소 비율은 제 1 간극 감소 구간(Area1)의 간극 감소 비율과 같을 수도 있고 다를 수도 있다.
제 2 단차 보상 구간(Area4)은 제 2 간극 감소 구간(Area3)이 끝나는 지점부터 일정한 폭으로 형성될 수 있으며, 제 1 단차 보상 구간(Area2)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD2) 보다 큰 크기의 단차(CD3)로 터치 전극 메탈(TEM)이 형성될 수 있다.
제 2 단차 보상 구간(Area4)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD3)와 제 1 단차 보상 구간(Area2)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD2) 사이의 갭(Gap)은 제 1 단차 보상 구간(Area2)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD2)와 내부 영역(112)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD1) 사이의 갭(Gap)과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있을 것이다.
즉, 내부 영역(112)에서 멀어질수록 단차 보상 구간(Area2, Area4)에 형성되는 터치 전극 메탈(TEM)의 단차(CD)는 일정한 비율로 증가할 수도 있고, 상이한 비율로 증가할 수도 있다.
이와 같이, 에지 영역(114) 내부에 복수의 단차 보상 구간(Area2, Area4)을 형성하는 경우에, 에지 영역(114)에서 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이의 간극(Step1)에 의해 형성되는 기생 커패시턴스(Cp)의 증가를 단계적으로 완화시킬 수 있으므로, 기생 커패시턴스(Cp)에 의한 터치 센싱의 감도 저하를 효과적으로 방지할 수 있게 된다.
도 10은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 내부 영역과 에지 영역에서 터치 전극 메탈과 하부 전극층의 간극으로 인한 커패시턴스의 변화를 나타낸 도면이다.
도 10을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 에지 영역(114)에 단차 보상 구간을 형성하는 경우(160)에는 에지 영역(114)에서 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이에 형성되는 기생 커패시턴스(Cp)가 감소되는 것을 확인할 수 있다.
이는 단차 보상 구간을 형성하지 않고, 터치 전극 메탈(TEM)의 단차를 동일하게 유지하는 경우(150)와 비교할 때, 에지 영역(114)의 기생 커패시턴스(Cp) 증가를 억제할 수 있으므로, 에지 영역(114)에서의 터치 센싱 감도를 향상시키는 효과를 가져올 수 있다.
이러한 단차 보상 구간은 디스플레이 패널(110)의 좌측이나 우측, 상부 또는 하부뿐만 아니라 모서리 영역을 포함하는 모든 에지 영역(114)에 대하여 적용할 수 있을 것이다.
도 11은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 8군데의 에지 영역에 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층의 간극에 따른 커패시턴스의 변화를 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 단차 보상 구간은 디스플레이 패널(110)의 좌측이나 우측, 상부 또는 하부와 모서리 영역을 포함하는 모든 에지 영역(114) 내에 형성될 수 있다.
이와 같이, 에지 영역(114)에 단차 보상 구간을 형성하는 경우(160)에는 에지 영역(114)에서 터치 전극 메탈(TEM)과 하부 전극층 사이에 형성되는 기생 커패시턴스(Cp)가 감소되기 때문에, 단차 보상 구간을 형성하지 않고 터치 전극 메탈(TM)의 단차(CD)를 동일하게 형성하는 경우(150)와 비교할 때, 에지 영역(114)의 기생 커패시턴스(Cp) 증가를 억제할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 터치 디스플레이 장치
110: 디스플레이 패널
112: 내부 영역
114: 에지 영역
130: 터치 회로
150: 단차 보상 구간을 형성하지 않은 경우의 기생 커패시턴스
160: 단차 보상 구간을 형성한 경우의 기생 커패시턴스

Claims (18)

  1. 제 1 단차를 가지는 제 1 터치 전극 메탈과 하부 전극층이 제 1 간극을 형성하는 내부 영역과, 상기 내부 영역의 외곽에 형성되며, 상기 제 1 단차보다 큰 제 2 단차를 가지는 제 2 터치 전극 메탈과 하부 전극층이 제 2 간극을 형성하는 단차 보상 구간을 하나 이상 포함하는 에지 영역으로 이루어진 디스플레이 패널; 및
    상기 터치 전극 메탈에 터치 구동 신호를 인가하고, 상기 터치 전극 메탈부터 수신되는 터치 센싱 신호를 이용하여, 터치 유무 또는 터치 위치를 센싱하는 터치 회로를 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 간극은 일정한 값으로 유지되는 터치 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 전극층은 발광 소자의 캐소드 전극을 구성하는 터치 디스플레이 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 단차는 상기 제 1 단차보다 일정한 갭만큼 큰 값을 가지는 터치 디스플레이 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 간극은 상기 제 1 간극보다 작은 크기를 가지며, 일정한 값으로 유지되는 터치 디스플레이 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 단차 보상 구간에 인접하여, 상기 터치 전극 메탈과 상기 하부 전극층 사이의 간극이 감소하는 간극 감소 구간을 더 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 간극 감소 구간이 복수의 구간으로 형성된 경우, 상기 간극 감소 구간의 간극 감소 비율이 동일하거나 상이한 터치 디스플레이 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 단차 보상 구간이 복수의 구간으로 형성된 경우,
    상기 내부 영역에서 멀어질수록 상기 단차 보상 구간에 형성된 터치 전극 메탈의 단차가 증가되는 터치 디스플레이 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 내부 영역에서 멀어질수록 상기 단차 보상 구간에 형성된 터치 전극 메탈의 단차가 일정한 비율로 증가하는 터치 디스플레이 장치.
  10. 제 1 단차를 가지는 제 1 터치 전극 메탈과 하부 전극층이 제 1 간극을 형성하는 내부 영역; 및
    상기 내부 영역의 외곽에 형성되며, 상기 제 1 단차보다 큰 제 2 단차를 가지는 제 2 터치 전극 메탈과 하부 전극층이 제 2 간극을 형성하는 단차 보상 구간을 하나 이상 포함하는 에지 영역을 포함하는 디스플레이 패널.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 간극은 일정한 값으로 유지되는 디스플레이 패널.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 하부 전극층은 발광 소자의 캐소드 전극을 구성하는 디스플레이 패널.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 단차는 상기 제 1 단차보다 일정한 갭만큼 큰 값을 가지는 디스플레이 패널.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 간극은 상기 제 1 간극보다 작은 크기를 가지며, 일정한 값으로 유지되는 디스플레이 패널.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 단차 보상 구간에 인접하여, 상기 터치 전극 메탈과 상기 하부 전극층 사이의 간극이 감소하는 간극 감소 구간을 더 포함하는 디스플레이 패널.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 간극 감소 구간이 복수의 구간으로 형성된 경우, 상기 간극 감소 구간의 간극 감소 비율이 동일하거나 상이한 디스플레이 패널.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 단차 보상 구간이 복수의 구간으로 형성된 경우,
    상기 내부 영역에서 멀어질수록 상기 단차 보상 구간에 형성된 터치 전극 메탈의 단차가 증가되는 디스플레이 패널.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 내부 영역에서 멀어질수록 상기 단차 보상 구간에 형성된 터치 전극 메탈의 단차가 일정한 비율로 증가하는 디스플레이 패널.
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