KR20210034203A - 터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널 - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 라운드 형상의 에지 영역에 배치되는 터치 전극의 단위 면적이 평평한 형상의 내부 영역에 배치되는 터치 전극의 단위 면적보다 크게 형성된 디스플레이 패널과, 터치 전극에 터치 구동 신호를 인가하고, 터치 전극으로부터 수신되는 터치 센싱 신호를 이용하여, 터치 유무 또는 터치 위치를 센싱하는 터치 회로를 포함하는 터치 디스플레이 장치를 개시한다.

Description

터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널{TOUCH DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL}
본 명세서는 터치 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 터치 전극들 사이에 커패시턴스 편차가 발생하는 것을 감소시킴으로써, 우수한 터치 감도를 얻을 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 디스플레이 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP), 유기 발광 디스플레이(Organic Light Emitting Display) 등과 같은 여러 가지 디스플레이 장치가 활용되고 있다.
이러한 디스플레이 장치 중에는, 버튼, 키보드, 마우스 등의 통상적인 입력 방식에서 탈피하여, 사용자가 손쉽게 정보 또는 명령을 직관적이고 편리하게 입력할 수 있도록 해주는 터치 기반의 입력 방식을 제공하는 터치 디스플레이 장치가 있다.
이러한 터치 디스플레이 장치가 터치 기반의 입력 방식을 제공하기 위해서는, 사용자의 터치 유무를 파악하고 터치 좌표를 정확하게 검출할 수 있어야 한다.
이를 위해, 여러 가지의 터치 센싱 방식 중, 디스플레이 패널에 형성된 다수의 터치 전극에 형성되는 커패시턴스(capacitance)의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출하는 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식이 많이 이용되고 있다.
그러나, 이러한 터치 디스플레이 장치는 디스플레이 패널의 형상에 따라 터치 전극의 위치 및 모양이 달라질 수 있고, 이로 인해, 터치 전극들 사이에 원하지 않는 커패시턴스 편차가 발생하여 터치 감도가 떨어지는 문제점이 발생하고 있다.
이에 본 명세서의 발명자들은 터치 전극의 위치에 상관없이, 터치 전극들 사이에 커패시턴스 편차가 발생하는 것을 방지하거나 감소시킴으로써, 우수한 터치 감도를 얻을 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널을 발명하였다.
또한, 본 명세서의 발명자들은 디스플레이 패널의 형상에 관계없이 정확한 커패시턴스를 기반으로 터치 센싱이 가능한 터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널을 발명하였다.
또한, 본 명세서의 발명자들은 디스플레이 패널의 라운드 영역에 위치한 터치 전극의 커패시턴스와, 중앙 영역에 위치한 터치 전극의 커패시턴스 사이의 편차를 감소시켜서, 균일한 터치 감도를 얻을 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널을 발명하였다.
이하에서 설명하게 될 본 명세서의 실시예들에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치는 라운드 형상의 에지 영역에 배치되는 터치 전극의 단위 면적이 평평한 형상의 내부 영역에 배치되는 터치 전극의 단위 면적보다 크게 형성된 디스플레이 패널과, 터치 전극에 터치 구동 신호를 인가하고, 터치 전극으로부터 수신되는 터치 센싱 신호를 이용하여, 터치 유무 또는 터치 위치를 센싱하는 터치 회로를 포함한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 터치 전극은 메쉬 형상으로 패터닝된 다수의 터치 전극 메탈로 이루어진다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 내부 영역에 배치되는 터치 전극보다 선폭이 큰 터치 전극 메탈로 이루어진다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 내부 영역에서 멀어질수록 가로 방향의 길이가 세로 방향의 길이보다 큰 터치 전극 메탈로 이루어진다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 내부 영역에서 멀어질수록 세로 방향의 길이가 가로 방향의 길이보다 큰 터치 전극 메탈로 이루어진다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 선폭이 2배 내지 4배의 터치 전극 메탈로 이루어진다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 제 1 방향의 길이가 제 2 방향의 길이보다 길게 형성된 직사각형 형상으로 이루어진다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 에지 영역은 디스플레이 패널의 상부 수평 라인, 하부 수평 라인, 좌측 수직 라인, 및 우측 수직 라인 중 적어도 하나 이상으로 이루어진다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널은 라운드 형상의 에지 영역에 배치된 다수의 제 1 터치 전극과, 평평한 형상의 내부 영역에 배치된 다수의 제 2 터치 전극과, 다수의 제 1 터치 전극 및 다수의 제 2 터치 전극에 연결된 다수의 터치 라인을 포함하되, 제 1 터치 전극의 단위 면적은 제 2 터치 전극의 단위 면적보다 크게 형성된다.
본 명세서의 실시예들에 따르면, 터치 전극의 위치에 상관없이, 터치 전극들 사이에 커패시턴스 편차가 발생하는 것을 방지하거나 감소시킴으로써, 우수한 터치 감도를 얻을 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 명세서의 실시예들에 따르면, 디스플레이 패널의 형상에 관계없이 정확한 커패시턴스를 기반으로 터치 센싱이 가능한 효과가 있다.
또한, 본 명세서의 실시예들에 따르면, 디스플레이 패널의 라운드 영역에 위치한 터치 전극의 커패시턴스와, 중앙 영역에 위치한 터치 전극의 커패시턴스 사이의 편차를 감소시켜서, 균일한 터치 감도를 얻을 수 있는 효과가 있다.
본 명세서에 개시된 실시예들의 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않는다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예들은 위에서 언급되지 않은 또 다른 효과를 발생시킬 수 있으며, 이는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치의 시스템 구성도이고,
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에 배치된 서브픽셀 구조의 예시를 나타낸 도면이고,
도 3은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서 디스플레이 패널의 평면을 예시로 나타낸 도면이고,
도 4는 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널에서 터치 전극이 배치되는 영역을 나타낸 도면이고,
도 5는 디스플레이 패널의 단면을 나타낸 예시적인 도면이고,
도 6은 디스플레이 패널에서 터치 전극이 배치되는 영역에 따른 커패시턴스를 비교한 도표이고,
도 7은 터치 디스플레이 장치의 에지 영역에서 터치 전극과 제 2 전극층 사이의 거리(Dedge)에 따른 커패시턴스의 변화를 나타낸 도표이고,
도 8은 터치 디스플레이 장치의 에지 영역에서 터치 전극과 제 2 전극층 사이의 거리(Dedge)에 따라 터치 전극의 커패시턴스가 감소되는 상황을 나타내는 설명도이고,
도 9는 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널의 단면을 나타낸 예시적인 도면이고,
도 10은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널의 에지 영역에 배치되는 터치 전극 메탈의 선폭에 따른 커패시턴스 변화를 나타낸 도표이고,
도 11은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 에지 영역 내에 배치되는 터치 금속 메탈의 선폭에 따른 커패시턴스 변화를 나타낸 도표이고,
도 12는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널의 단면을 나타낸 예시적인 도면이고,
도 13은 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널의 단면을 나타낸 예시적인 도면이다.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, "~상에", "~상부에", "~하부에", "~옆에" 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간 적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
신호의 흐름 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, "A 노드에서 B 노드로 신호가 전달된다"는 경우에도, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않은 이상, A 노드에서 다른 노드를 경유하여 B 노드로 신호가 전달되는 경우를 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치의 시스템 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 영상을 표시하기 위한 영상 표시 기능과, 사용자의 터치를 센싱하는 터치 센싱 기능을 제공할 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)는 영상 표시를 위해서 데이터 라인들과 게이트 라인들이 배치되는 디스플레이 패널(110)과, 디스플레이 패널(110)을 구동하기 위한 디스플레이 구동 회로(120) 등을 포함할 수 있다.
디스플레이 구동 회로(120)는 기능적으로 볼 때, 데이터 라인들을 구동하기 위한 데이터 구동 회로와, 게이트 라인들을 구동하기 위한 게이트 구동 회로와, 데이터 구동 회로 및 게이트 구동 회로를 제어하기 위한 컨트롤러 등을 포함할 수 있다. 디스플레이 구동 회로(120)는 하나 이상의 집적 회로로 구현될 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)는 터치 센싱을 위해서 다수의 터치전극들(TE)이 배치된 터치 스크린 패널(Touch Screen Panel; TSP)과, 터치 스크린 패널(TSP)의 구동 및 센싱 처리를 수행하는 터치 회로(130) 등을 포함할 수 있다.
이 때, 터치 디스플레이 장치(100)에서 터치 스크린 패널(TSP)은 디스플레이 패널(110)과 별도로 제작되어 디스플레이 패널(110)에 본딩되는 외장형 타입일 수도 있고, 디스플레이 패널(110)의 제작 과정에 함께 제작되어 디스플레이 패널(110)의 내부에 존재하는 내장형 타입일 수도 있다. 이하에서는 터치 스크린 패널(TSP)이 디스플레이 패널(110)에 내장된 경우를 가정하여 설명하기로 한다.
터치 회로(130)는 디스플레이 패널(110)을 구동하기 위하여 디스플레이 패널(110)로 터치 구동 신호를 공급하고, 디스플레이 패널(110)로부터 터치 센싱 신호를 수신하며, 이를 토대로, 터치 유무 및 터치 좌표를 검출한다.
이러한 터치 회로(130)는 터치 구동 신호를 공급하고 터치 센싱 신호를 수신하는 터치 구동 회로와, 터치 유무 및 터치 좌표를 검출하는 터치 컨트롤러 등을 포함하여 구현될 수도 있다.
터치 회로(130)는 하나 또는 둘 이상의 부품(예: 집적 회로)으로 구현될 수 있으며, 디스플레이 구동 회로(120)와 별도로 구현될 수도 있다.
또한, 터치 회로(130)의 전체 또는 일부는 디스플레이 구동 회로(120) 또는 그 내부 회로와 통합되어 구현될 수 있다. 예를 들어, 터치 회로(130)의 터치 구동 회로는 디스플레이 구동 회로(120)의 데이터 구동 회로와 함께 집적 회로로 구현될 수 있다.
한편, 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 전극들(TE)에 형성되는 커패시턴스(Capacitance)에 기반하여 터치 유무 및 터치 좌표를 센싱할 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)는 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로서, 상호 정전 용량(Mutual capacitance) 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 자기 정전 용량(Self capacitance) 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다.
상호 정전 용량(Mutual capacitance) 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 다수의 터치 전극들(TE)은 구동 라인(Tx)을 통해 터치 구동 신호가 인가되는 구동 전극과, 센싱 라인(Rx)을 통해 터치 센싱 신호가 센싱되고 구동 전극과 커패시턴스를 형성하는 센싱 전극으로 분류될 수 있다. 구동 라인(Tx)과 센싱 라인(Rx)을 포함하여 터치 라인(TL)으로 지칭할 수 있다.
이러한 상호 정전 용량 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 손가락, 펜 등의 포인터 유무에 따라, 구동 전극과 센싱 전극 사이에 발생하는 상호 정전 용량의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출한다.
자기 정전 용량 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 각 터치 전극(TE)은 구동 전극의 역할과 센싱 전극의 역할을 모두 하게 된다. 즉, 각 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호가 인가되고, 터치 구동 신호가 인가된 터치 전극(TE)을 통해 터치 센싱 신호를 수신한다. 따라서, 자기 정전 용량 기반의 터치 센싱 방식에서는, 구동 전극과 센싱 전극의 구분이 없게 된다.
이러한 자기 정전 용량 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 손가락, 펜 등의 포인터와 터치 전극(TE) 사이에 발생하는 커패시턴스의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출한다.
이와 같이, 터치 디스플레이 장치(100)는 상호 정전 용량 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 자기 정전 용량 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다.
아래에서는, 설명의 편의를 위해, 상호 정전 용량 기반의 터치 센싱 방식이 채택된 터치 디스플레이 장치(100) 및 터치 회로(130)를 위주로 터치 감도의 향상을 위한 방법 등을 설명하지만, 이러한 터치 감도의 향상을 위한 방법 등은 상호 정전 용량 기반의 터치 센싱 방식이 채택된 터치 디스플레이 장치(100) 및 터치 회로(130)에도 동일하게 적용될 수 있을 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에 배치된 서브픽셀 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에 배치된 서브픽셀은 발광 소자로서의 유기 발광 다이오드(OLED)와 유기 발광 다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)를 포함한다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에는 스토리지 커패시터(Cst)가 전기적으로 연결되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)와 해당 데이터 라인(DL) 사이에는 스캔 신호(SCAN)에 의해 제어되는 스위칭 트랜지스터(SWT)가 전기적으로 연결되며, 구동 트랜지스터(DRT)의 제 2 노드(N2)와 해당 기준 전압 라인(RVL) 사이에는 센싱 트랜지스터(SENT)가 전기적으로 연결될 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 제 1 전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기층 및 제 2 전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극)으로 이루어진다. 일 예로, 유기 발광 다이오드(OLED)의 제 1 전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 제 2 노드(N2)와 연결되고, 유기 발광 다이오드(OLED)의 제 2 전극에는 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)는 유기 발광 다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급하여 유기 발광 다이오드(OLED)를 구동하는 트랜지스터로서, 게이트 노드에 해당하는 제 1 노드(N1), 소스 노드 또는 드레인 노드에 해당하는 제 2 노드(N2), 드레인 노드 또는 소스 노드에 해당하는 제 3 노드(N3)를 갖는다.
스위칭 트랜지스터(SWT)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)로 데이터 전압(Vdata)을 전달해주는 트랜지스터로서, 게이트 노드에 인가되는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되어 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)로 데이터 전압(Vdata)을 전달할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되어 한 프레임 동안 일정 전압을 유지해준다.
센싱 트랜지스터(SENT)는 게이트 노드에 인가되는 신호에 의해 턴-온 되어 기준 전압 라인(RVL)을 통해 공급된 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제 2 노드(N2)에 인가해 줄 수 있다. 또한, 센싱 트랜지스터(SENT)는 서브픽셀에 포함된 유기 발광 다이오드(OLED)나 구동 트랜지스터(DRT)와 같은 회로 소자의 열화를 센싱하기 위해 이용될 수 있다.
이러한 터치 디스플레이 장치(100)는 영상을 표시하는 디스플레이 패널(110)에 대한 사용자의 터치를 센싱하고 입력 처리에 이용하는 기능을 제공한다.
도 3은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서 디스플레이 패널의 평면을 예시로 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 명세서의 일실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 다수의 터치 전극(TE) 및 다수의 터치 라인(TL)이 배치된 디스플레이 패널(110)과, 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호를 출력하고 터치 전극(TE)으로부터 터치 센싱 신호를 수신하는 터치 회로(130)를 포함한다.
다수의 터치 전극(TE)은 디스플레이 패널(110)에 분할되어 배치될 수 있으며, 터치 라인(TL)을 통해 터치 회로(130)와 연결된다.
터치 라인(TL)은 터치 회로(130)로부터 출력된 터치 구동 신호를 터치 전극(TE)으로 인가하는 구동 라인(Tx)과, 터치 센싱 신호를 터치 전극(TE)으로부터 터치 회로(130)로 전달하는 센싱 라인(Rx)으로 구성될 수 있다.
터치 구동 신호를 전달하는 구동 라인(Tx)은 디스플레이 패널(110)에 배치된 데이터 라인(DL)과 평행한 방향으로 배치될 수 있고, 터치 센싱 신호를 전달하는 센싱 라인(Rx)은 디스플레이 패널(110)에 배치된 게이트 라인(GL)과 평행한 방향으로 배치될 수 있다.
일반적으로, 구동 라인(Tx)은 디스플레이 패널(110)의 장축 방향으로 연장되고, 센싱 라인(Rx)은 디스플레이 패널의 단축 방향으로 연장될 수 있지만, 구동 라인(Tx)과 센싱 라인(Rx)의 배치는 터치 디스플레이 장치(100)의 형상이나 구조에 따라 변경될 수 있을 것이다.
터치 회로(130)는 터치 센싱 구간에서 구동 라인(Tx)을 통해 다수의 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호를 순차적으로 출력한다.
터치 전극(TE)에 터치 구동 신호가 인가된 상태에서 디스플레이 패널(110)에 대한 사용자의 터치가 발생하면 터치 전극(TE)의 커패시턴스 변화가 발생한다.
터치 회로(130)는 센싱 라인(Rx)을 통해 터치 전극(TE)으로부터 수신되는 터치 센싱 신호를 이용하여 터치 전극(TE)의 커패시턴스 변화를 센싱하고 디스플레이 패널(110)에 대한 사용자의 터치를 센싱할 수 있다.
이 때, 디스플레이 패널(110)은 디스플레이 구동과 터치 센싱을 동시에 수행하므로, 디스플레이 패널(110)에 배치된 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호(SCAN)가 인가된 상태에서 터치 구동 신호가 인가되고 터치 센싱이 수행될 수 있다.
도 4는 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널에서 터치 전극이 배치되는 영역을 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(110)에서 터치 전극이 배치되는 영역은 내부 영역(112)과 에지 영역(114)으로 구분될 수 있다.
내부 영역(112)은 좌측 및 우측의 에지 영역(114)으로 둘러싸인 중앙 부분의 영역으로서, 평평한 평면 구조로 형성된 영역으로 지칭할 수 있다.
따라서, 내부 영역(112)은 터치 전극(TE) 및 터치 라인(TL)과 제 2 전극층(L13) 사이의 거리가 일정하기 때문에, 내부 영역(112) 내에서는 위치에 따른 커패시턴스 값이 일정하게 나타날 것이다.
에지 영역(114)은 내부 영역(112)의 좌측 또는 우측에서 수직 방향으로 길게 연장되는 영역으로서, 디스플레이 패널(110)의 구조에 따라 평평한 평면 구조로 이루어질 수도 있지만, 최근에 출시되는 터치 디스플레이 장치(100)에서 라운드 형태로 형성하면서도 터치 기능을 가지는 구조에서는 일정한 곡률로 휘어지는 구조로 이루어진다.
한편, 에지 영역(114)은 내부 영역(112)의 좌측 또는 우측에 위치할 수도 있지만, 디스플레이 패널(110)의 종류에 따라 내부 영역(112)의 상부 또는 하부에 위치할 수도 있다.
이와 같이, 에지 영역(114)이 라운드 형태로 형성되는 경우에는, 터치 전극(TE) 및 터치 라인(TL)과 제 2 전극층(L13) 사이의 거리가 내부 영역(112)보다 짧아지기 때문에, 내부 영역(112)과 비교해서 터치 센싱에 따른 커패시턴스 값이 감소하게 되어 터치 감도가 하락하게 된다.
한편, 에지 영역(114)의 상부 또는 하부의 모서리 부분도 라운드 형태로 형성될 수 있으며, 에지 영역(114)에 포함되는 것으로 볼 수 있을 것이다.
도 5는 디스플레이 패널의 단면을 나타낸 예시적인 도면이다.
도 5를 참조하면, 터치 디스플레이 장치(100)의 디스플레이 패널(110)은 기판 또는 백 플레이트(L01) 상에 폴리이미드 층(LI02, PI(Polyimide) Layer)이 위치한다.
폴리이미드 층(L02) 상에 버퍼층(L03)이 위치할 수 있으며, 버퍼층(L03) 상에 층간 절연막(L04)이 위치할 수 있다.
층간 절연막(L04) 상에 게이트 층(L05)이 존재할 수 있으며, 게이트 층(L05)에는 필요한 위치마다 게이트 전극 등이 형성될 수 있다.
게이트 층(L05) 상에는 게이트 절연막(L06)이 존재할 수 있다.
게이트 절연막(L06) 상에는 소스/드레인 층(L07)이 존재할 수 있다.
소스/드레인 층(L07)에는 데이터 라인(DL), 게이트 라인(GL) 등의 신호 배선과, 각종 트랜지스터의 소스/드레인 전극 등이 형성될 수 있다.
소스/드레인 층(L07) 상에는 보호층(L08)이 존재할 수 있다.
보호층(L08) 상에는 평탄화층(L09)이 위치하고, 평탄화층(L09) 상에는 각 서브픽셀의 발광 위치에 제 1 전극 층(L10)이 존재할 수 있다.
제 1 전극 층(L10) 상에는 뱅크층(L11)이 위치하고, 뱅크층(L11) 상에는 유기 발광층(L12)이 위치한다.
유기 발광층(L12) 상에는 모든 서브픽셀 영역에 공통으로 형성되는 제 2 전극 층(L13)이 존재할 수 있다.
제 2 전극 층(L13) 상에는 수분, 공기 등의 침투 방지를 위한 봉지층(L14)이 존재할 수 있다.
또한, 디스플레이 패널(110)의 외곽에는 댐(DAM)이 존재할 수 있다.
봉지층(L14)은 1개의 층으로 되어 있을 수도 있고, 2개 이상의 층이 적층되어 있을 수도 있다.
또한, 봉지층(L14)은 금속층으로 되어 있을 수도 있고, 유기물층과 무기물층이 둘 이상 적층되어 있을 수도 있다.
여기에서는 봉지층(L14)이 제 1 봉지층(L14a), 제 2 봉지층(L14b) 및 제 3 봉지층(L14c)으로 적층된 경우를 나타내고 있다.
제 1 봉지층(L14a), 제 2 봉지층(L14b) 및 제 3 봉지층(L14c) 각각은 유기물층과 무기물층일 수 있다.
봉지층(L14) 상에는 터치 전극(TE)과 터치 라인(TL)이 형성된다.
터치 전극(TE)은 개구 영역이 없는 하나의 판 형태로 이루어질 수도 있고, 메쉬(Mesh) 형상으로 이루어질 수도 있다. 메쉬 형상의 터치 전극(TE)은 메쉬 형상으로 패터닝된 터치 전극 메탈(TEM)로 이루어져서, 다수의 개구 영역이 형성될 수 있다.
봉지층(L14) 상에 형성된 터치 전극(TE)과 터치 라인(TL)은 전기적으로 연결될 수 있다.
봉지층(L14) 상에서, 대응되는 터치 전극(TE)과 전기적으로 연결된 터치 라인(TL)은 터치 전극들(TE)과 중첩되지 않도록 터치 전극들(TE)이 없는 영역으로 연장된다.
이러한 터치 라인(TL)은 댐(DAM)이 있는 영역을 지나쳐 댐(DAM) 외곽 영역, 즉, 통합 패드(IP)와 인접한 영역까지 연장된다.
그리고, 터치 라인(TL)은 댐(DAM) 외곽 영역에서 소스/드레인 층(L07)에 형성된 데이터 라인(DL)과 컨택홀(CNT)을 통해 연결될 수 있다.
데이터 라인(DL)은 댐(DAM) 외곽 영역에 존재하는 통합 패드(IP)와 전기적으로 연결된다.
터치 라인(TL)과 터치 전극(TE)은 봉지층(L14) 상에 위치하되, 서로 동일한 층에 위치할 수도 있고, 서로 다른 층에 위치할 수도 있다.
봉지층(L14)은 소정의 두께(Tencap)로 형성될 수 있으며, 봉지층(L14)의 두께(Tencap)는 터치 구동 및 터치 센싱 과정에서의 시간 지연과, 터치 감도에 영향을 끼칠 수 있다.
따라서, 봉지층(L14)의 두께(Tencap)는 터치 구동에 따른 시간 지연과 터치 감도 등을 고려하여 설계되어야 한다.
이와 같이, 디스플레이 패널(110)은 봉지층(L14) 상에 터치 전극(TE), 및 터치 라인(TL)을 구성하는 터치 전극 메탈(TEM)이 위치하는 TOE(Touch on Encapsulation) 구조를 가질 수 있다.
한편, 이러한 디스플레이 패널(110)의 구조에서 평탄화층(L09)의 단차 위에 형성되는 터치 전극(TE)과 캐소드 전극에 해당하는 제 2 전극층(L13) 사이의 거리(Dedge)는 라운드 형태로 이루어진 에지 영역(114)으로 갈수록 가까워지게 된다. 이와 같이, 터치 전극(TE)과 제 2 전극층(L13) 사이의 거리(Dedge)가 가까워지는 경우에는, 평면 형태로 이루어진 중앙 영역에 비해서 커패시턴스 값이 감소하게 되어 터치 감도가 하락하게 되는 현상이 발생한다.
도 6은 디스플레이 패널에서 터치 전극이 배치되는 영역에 따른 커패시턴스를 비교한 도표이다.
도 6은 수직 방향으로 길게 형성되고 좌측 및 우측의 에지 영역(114)이 라운드 형태로 이루어진 터치 디스플레이 장치(100)의 경우를 대상으로 측정한 값을 나타낸다.
도 6을 참조하면, 좌측 및 우측의 에지 영역(114)으로 둘러싸인 중앙 부분의 내부 영역(112)은 터치 전극(TE)의 수평 방향(X)과 수직 방향(Y)의 면적비가 일정하며, 내부에 동일한 개수의 서브 픽셀이 존재하므로, 내부 영역(112)의 커패시턴스(Cm)는 거의 일정한 값을 유지하게 된다.
이에 반해, 에지 영역(114)은 디스플레이 패널(110)의 좌측 및 우측 끝 부분이 라운드 형상으로 곡률을 가지는 구조이므로, 수평 방향(X) 및 수직 방향(Y)의 서브픽셀 개수가 달라질 수 있다.
특히, 에지 영역(116)의 경우에는 좌측 및 우측의 끝 부분으로 갈수록 터치 전극(TE)과 제 2 전극층(L13) 사이의 거리가 짧아져서 내부 영역(112)에 비해서 커패시턴스(Cm)가 크게 감소하게 된다.
도 7은 터치 디스플레이 장치의 에지 영역에서 터치 전극과 제 2 전극층 사이의 거리(Dedge)에 따른 커패시턴스의 변화를 나타낸 도표이다.
도 7을 참조하면, 디스플레이 패널(110)의 에지 영역(114)에서 터치 전극(TE)과 제 2 전극층(L13) 사이의 거리(Dedge)가 좁을수록 터치 전극(TE)에 의한 커패시턴스(Cm)의 크기가 감소하는 것을 확인할 수 있다.
즉, 에지 영역(114)에서 터치 전극(TE)과 제 2 전극층(L13) 사이의 거리(Dedge)가 10 μm 인 경우의 커패시턴스가 0.5 pF 에 해당하는데 비해서, 터치 전극(TE)과 제 2 전극층(L13) 사이의 거리(Dedge)가 7 μm 인 경우의 커패시턴스는 0.43 μm 로서 약 15% 의 커패시턴스 감소가 발생하였다.
이는 터치 전극(TE)과 제 2 전극층(L13) 사이의 거리(Dedge)가 가까워짐에 따라, 터치 전극(TE)을 구성하는 구동 전극(TE(Tx))으로부터 센싱 전극(TE(Rx))으로 전달되는 전하(Q)의 일부가 하부의 제 2 전극층(L13)으로 유입됨으로써, 센싱 전극(TE(Rx))에 전달되는 전하(Q)의 양이 감소하기 때문이다.
도 8은 터치 디스플레이 장치의 에지 영역에서 터치 전극과 제 2 전극층 사이의 거리(Dedge)에 따라 터치 전극의 커패시턴스가 감소되는 상황을 나타내는 설명도이다.
도 8을 참조하면, 터치 전극(TE)과 제 2 전극층(L13) 사이의 거리(Dedge)가 가까워짐에 따라, 터치 전극(TE)에 유기되는 커패시턴스(Cm)는 감소하고, 터치 전극(TE)과 제 2 전극층(L13) 사이의 기생 커패시턴스(Cp)가 증가하는 현상이 나타난다.
이와 같이, 터치 전극(TE)의 커패시턴스(Cm)가 감소하고 기생 커패시턴스(Cp)가 증가하는 경우에는 센싱 라인(Rx)을 통해 터치 회로(130)에 인가되는 센싱 신호의 신호대 잡음비(Signal to Noise Ration; SNR)에 영향을 미쳐서, 터치 감도를 악화시키게 된다.
이를 해결하기 위해서, 본 명세서의 발명자들은 디스플레이 패널의 에지 영역(114)에 위치한 터치 전극(TE)의 커패시턴스와, 내부 영역(112)에 위치한 터치 전극(TE)의 커패시턴스 사이의 편차를 감소시키기 위하여, 에지 영역(114)에 위치한 터치 전극(TE)의 선폭을 변경함으로써 에지 영역(114)의 커패시턴스를 개선하였다.
도 9는 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널의 단면을 나타낸 예시적인 도면이다.
도 9를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(110)은 기판 또는 백 플레이트(L01) 상에 폴리이미드 층(LI02, PI(Polyimide) Layer)이 위치하고, 폴리이미드 층(L02) 상에는 버퍼층(L03)이 위치하고, 버퍼층(L03) 상에 층간 절연막(L04)이 위치할 수 있다.
층간 절연막(L04) 상에는 게이트 층(L05)이 존재할 수 있으며, 게이트 층(L05)에는 필요한 위치마다 게이트 전극 등이 형성될 수 있다.
게이트 층(L05) 상에는 게이트 절연막(L06)이 존재하고, 게이트 절연막(L06) 상에는 소스/드레인 층(L07)이 존재할 수 있다.
소스/드레인 층(L07) 상에는 보호층(L08)이 존재하고, 보호층(L08) 상에는 평탄화층(L09)이 위치하며, 평탄화층(L09) 상에는 각 서브픽셀의 발광 위치에 제 1 전극 층(L10)이 존재할 수 있다.
제 1 전극 층(L10) 상에는 뱅크층(L11)이 위치하고, 뱅크층(L11) 상에는 유기 발광층(L12)이 위치하며, 유기 발광층(L12) 상에는 모든 서브픽셀 영역에 공통으로 형성되는 제 2 전극층(L13)이 존재할 수 있다.
제 2 전극층(L13) 상에는 수분, 공기 등의 침투 방지를 위한 봉지층(L14)이 존재하고, 디스플레이 패널(110)의 외곽에는 댐(DAM)이 존재할 수 있으며, 봉지층(L14) 상에는 터치 전극(TE)과 터치 라인(TL)이 형성된다.
터치 전극(TE)과 터치 라인(TL)은 전기적으로 연결될 수 있으며, 터치 라인(TL)은 터치 전극들(TE)과 중첩되지 않도록 터치 전극들(TE)이 없는 영역으로 연장된다. 터치 라인(TL)과 터치 전극(TE)은 봉지층(L14) 상에 위치하되, 서로 동일한 층에 위치할 수도 있고, 서로 다른 층에 위치할 수도 있다.
이 때, 터치 전극(TE)은 다수의 개구 영역이 메쉬 형상으로 패터닝된 터치 전극 메탈(TEM)로 이루어질 수 있다.
터치 전극(TE)에 형성된 다수의 개구 영역은 동일한 형상으로 이루어질 수도 있고, 상이한 형상으로 이루어질 수도 있다.
다만, 에지 영역(114)에서의 커패시턴스(Cm)를 개선하기 위해서, 위치에 따라 터치 전극 메탈(TEM)의 가로 방향(X)과 세로 방향(Y)에 대한 선폭을 달리하여 배치되도록 구성한다.
즉, 터치 전극(TE)의 커패시턴스(Cm)는 터치 전극 메탈(TEM)의 면적에 비례하기 때문에, 내부 영역(112)에 위치하는 터치 전극 메탈(TEM)보다 에지 영역(114)에 위치하는 터치 전극 메탈(TEM)의 선폭을 크게 형성한다.
이는 터치 전극(TE)을 형성하는 과정에서 에지 영역(114)에 대응되는 마스크의 형상을 달리 제작함으로써 손 쉽게 이루어질 수 있다.
다만, 앞에서 살펴본 바와 같이, 내부 영역(112)에서 에지 영역(114)으로 진행할수록 터치 전극(TE)과 제 2 전극층(L13) 사이의 거리가 짧아지고, 그에 따른 터치 전극(TE)의 커패시턴스(Cm)가 감소되기 때문에, 이러한 편차를 개선하기 위하여 내부 영역(112)에서 에지 영역(114)으로 진행할수록 터치 전극 메탈(TEM)의 선폭을 증가시키는 것이 효과적일 것이다.
도 10은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널에 배치되는 메쉬 형상의 터치 전극을 나타낸 도면이다.
도 10을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에 있어서, 디스플레이 패널(110)에 배치되는 메쉬 형상의 터치 전극(TE)은 정사각형 구조 또는 마름모 구조로 이루어진 투명 전극일 수 있다.
메쉬 형상의 터치 전극(TE)은 배치되는 위치에 따라 디스플레이 패널(110)의 평평한 내부 영역(112) 또는 라운딩 형태의 에지 영역(114)에 배치될 수 있을 것이다. 또는 터치 전극(TE) 중 일부의 터치 전극 메탈(TEM)은 내부 영역(112)에 위치하고 다른 일부의 터치 전극 메탈(TEM)은 에지 영역(114)에 위치할 수도 있다. 여기에서는 터치 전극(TE)을 구성하는 일부의 터치 전극 메탈(TEM)이 내부 영역(112)에 배치되고, 다른 일부의 터치 전극 메탈(TEM)이 에지 영역에(114)에 배치되는 경우를 나타내었다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서는 터치 전극(TE)을 구성하는 메쉬 형상의 터치 전극 메탈(TEM) 중에서 에지 영역(114)에 위치하는 터치 전극 메탈(TEM)의 폭을 내부 영역(112)에 위치하는 터치 전극 메탈(TEM)의 폭 보다 넓게 형성한다.
따라서, 에지 영역(114)에 배치되는 터치 전극 메탈(TEM)의 면적이 증가하게 되고, 그 결과 에지 영역(114)에서의 커패시턴스(Cm)가 상대적으로 증가하게 되어 에지 영역(114)의 커패시턴스(Cm) 감소를 개선하는 효과를 가져올 수 있다.
한편, 에지 영역(114) 내의 터치 전극 메탈(TEM)의 폭을 내부 영역(112)의 터치 전극 메탈(TEM)보다 넓게 형성하되, 에지 영역(114) 내의 터치 전극 메탈(TEM)을 동일한 폭으로 형성할 수도 있고, 내부 영역(112)에서 멀어질수록 터치 전극 메탈(TEM)의 폭을 증가시키는 구조로 형성할 수도 있을 것이다.
도 11은 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 에지 영역 내에 배치되는 터치 금속 메탈의 선폭에 따른 커패시턴스 변화를 나타낸 도표이다.
도 11을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 에지 영역(114) 내에 배치되는 터치 금속 메탈(TEM)의 선폭을 증가시킬수록 터치 전극(TE)의 커패시턴스(Cm)가 증가하는 것을 확인할 수 있다.
특히, 에지 영역(114) 내에 배치되는 터치 금속 메탈(TEM)의 가로 방향 길이를 세로 방향 길이의 약 3배로 형성하는 경우에는 내부 영역(114)에 배치되는 터치 전극(TE)의 커패시턴스(Cm)에 거의 근접한 커패시턴스를 나타내는 것을 확인할 수 있다.
이러한 선폭은 라운드 형상으로 이루어진 에지 영역(114)의 곡률에 따른 봉지층(L14)의 경사에 의해 변경될 수 있을 것이다.
이를 참조할 때, 내부 영역(112)과 에지 영역(114) 사이의 커패시턴스 편차를 해소하기 위해서는 에지 영역(114) 내에 배치되는 터치 전극 메탈(TEM)의 선폭은 가로 방향의 길이를 세로 방향의 길이 보다 2배 내지 4배 사이의 값으로 설정하는 것이 효과적일 것이다.
한편, 터치 전극 메탈(TEM)은 세로 방향의 길이를 길게 형성함으로써 커패시턴스(Cm)를 형성하기 위한 면적을 증가시킬 수도 있을 것이다.
도 12는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널의 단면을 나타낸 예시적인 도면이다.
도 12를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(110)에서 기판 또는 백 플레이트(L01) 상부에 순차적으로 위치하는 폴리이미드 층(LI02), 버퍼층(L03), 층간 절연막(L04), 게이트 층(L05), 게이트 절연막(L06), 소스/드레인 층(L07), 보호층(L08), 평탄화층(L09), 제 1 전극층(L10), 뱅크층(L11), 유기 발광층(L12), 제 2 전극층(L13), 및 봉지층(L14)의 구성은 도 9에서 설명한 구조와 동일할 수 있다.
다만, 봉지층(L14)의 상부에 배치되는 터치 전극(TE)은 에지 영역(114)에서의 커패시턴스(Cm)를 개선하기 위해서, 위치에 따라 가로 방향(Y)의 길이가 가로 방향(X)의 길이보다 크게 형성할 수 있다.
즉, 터치 전극(TE)의 커패시턴스(Cm) 값을 결정하는 터치 전극 메탈(TEM)의 면적을 세로 방향(Y)으로 길게 형성함으로써, 내부 영역(112)에 위치하는 터치 전극 메탈(TEM)보다 에지 영역(114)에 위치하는 터치 전극 메탈(TEM)의 선폭을 크게 형성한다.
그 결과, 터치 전극 메탈(TEM)의 면적이 넓어지게 되어, 터치 전극(TE)의 커패시턴스(Cm)가 증가할 수 있다.
이 때, 내부 영역(112)에서 에지 영역(114)으로 진행할수록 터치 전극(TE)과 제 2 전극층(L13) 사이의 거리가 짧아지고, 그에 따른 터치 전극(TE)의 커패시턴스(Cm)가 감소되기 때문에, 이러한 편차를 개선하기 위하여 내부 영역(112)에서 에지 영역(114)으로 진행할수록 터치 전극 메탈(TEM)의 세로 방향(Y)의 길이를 증가시킴으로써 선폭을 증가시키는 것이 효과적일 수 있다.
한편, 에지 영역(114)에서의 커패시턴스(Cm)를 증가시키기 위해서, 터치 전극 메탈(TEM)의 선폭을 증가시킬 수도 있지만, 에지 영역(114)에 내에서 터치 전극(TE)이 넓은 면적으로 차지하도록 터치 전극(TE)의 형상을 에지 영역(114)의 방향으로 확장시킬 수도 있을 것이다.
도 13은 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널의 단면을 나타낸 예시적인 도면이다.
도 13을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 내부 영역(112)에 배치되는 터치 전극(TE)과 에지 영역(114)에 배치되는 터치 전극(TE)의 형상을 달리할 수 있다.
예를 들어, 내부 영역(112)에 배치되는 터치 전극(TE)은 가로 및 세로 길이(w1)가 동일한 정사각형 구조로 형성하되, 에지 영역(114)에 배치되는 터치 전극(TE)은 에지 영역(114)의 방향의 가로 길이(w2)가 세로 길이(w1)보다 길게 형성되는 직사각형 구조로 형성함으로써, 내부 영역(112)에 배치되는 터치 전극(TE)의 단위 면적과 에지 영역(114)에 배치되는 터치 전극(TE)의 단위 면적을 다르게 할 수 있을 것이다.
그 결과, 에지 영역(114)에 배치되는 터치 전극(TE)의 단위 면적은 정사각형 구조로 형성하는 경우보다 넓어지기 때문에, 에지 영역(114)의 커패시턴스(Cm)를 개선할 수 있게 된다.
특히, 이러한 구조는 개구 영역이 없는 하나의 판 형태로 터치 전극(TE)이 형성되는 경우에 효과적일 것이다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 터치 디스플레이 장치
110: 디스플레이 패널
112: 내부 영역
114: 에지 영역
120: 디스플레이 구동 회로
130: 터치 회로

Claims (16)

  1. 라운드 형상의 에지 영역에 배치되는 터치 전극의 단위 면적이 평평한 형상의 내부 영역에 배치되는 터치 전극의 단위 면적보다 크게 형성된 디스플레이 패널; 및
    상기 터치 전극에 터치 구동 신호를 인가하고, 상기 터치 전극으로부터 수신되는 터치 센싱 신호를 이용하여, 터치 유무 또는 터치 위치를 센싱하는 터치 회로를 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 터치 전극은 메쉬 형상으로 패터닝된 다수의 터치 전극 메탈로 이루어진 터치 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 상기 내부 영역에 배치되는 터치 전극보다 선폭이 큰 터치 전극 메탈로 이루어진 터치 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 상기 내부 영역에서 멀어질수록 가로 방향의 길이가 세로 방향의 길이보다 큰 터치 전극 메탈로 이루어진 터치 디스플레이 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 상기 내부 영역에서 멀어질수록 세로 방향의 길이가 가로 방향의 길이보다 큰 터치 전극 메탈로 이루어진 터치 디스플레이 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 선폭이 2배 내지 4배의 터치 전극 메탈로 이루어진 터치 디스플레이 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 제 1 방향의 길이가 제 2 방향의 길이보다 길게 형성된 직사각형 형상으로 이루어진 터치 디스플레이 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지 영역은 상기 디스플레이 패널의 상부 수평 라인, 하부 수평 라인, 좌측 수직 라인, 및 우측 수직 라인 중 적어도 하나 이상으로 이루어지는 터치 디스플레이 장치.
  9. 라운드 형상의 에지 영역에 배치된 다수의 제 1 터치 전극;
    평평한 형상의 내부 영역에 배치된 다수의 제 2 터치 전극; 및
    상기 다수의 제 1 터치 전극 및 상기 다수의 제 2 터치 전극에 연결된 다수의 터치 라인을 포함하되,
    상기 제 1 터치 전극의 단위 면적은 상기 제 2 터치 전극의 단위 면적보다 크게 형성된 디스플레이 패널.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 터치 전극은 메쉬 형상으로 패터닝된 다수의 터치 전극 메탈로 이루어진 디스플레이 패널.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 상기 내부 영역에 배치되는 터치 전극보다 선폭이 큰 터치 전극 메탈로 이루어진 디스플레이 패널.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 터치 전극은 상기 내부 영역에서 멀어질수록 가로 방향의 길이가 세로 방향의 길이보다 큰 터치 전극 메탈로 이루어진 디스플레이 패널.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 상기 내부 영역에서 멀어질수록 세로 방향의 길이가 가로 방향의 길이보다 큰 터치 전극 메탈로 이루어진 디스플레이 패널.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 선폭이 2배 내지 4배의 터치 전극 메탈로 이루어진 디스플레이 패널.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 에지 영역에 배치되는 터치 전극은 제 1 방향의 길이가 제 2 방향의 길이보다 길게 형성된 직사각형 형상으로 이루어진 디스플레이 패널.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 에지 영역은 상기 디스플레이 패널의 상부 수평 라인, 하부 수평 라인, 좌측 수직 라인, 및 우측 수직 라인 중 적어도 하나 이상으로 이루어지는 디스플레이 패널.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US11995283B2 (en) * 2021-05-24 2024-05-28 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Touch control panel and display device with compensation area electrodes

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