KR20210054733A - 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 및 유기 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents

헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 및 유기 발광 소자의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 및 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.

Description

헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 및 유기 발광 소자의 제조 방법{HETEROCYCLIC COMPOUND, ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SAME, COMPOSITION FOR ORGANIC LAYER OF ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}
본 명세서는 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 및 유기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
전계 발광 소자는 자체 발광형 표시 소자의 일종으로서, 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다.
유기 발광 소자는 2개의 전극 사이에 유기 박막을 배치시킨 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조의 유기 발광 소자에 전압이 인가되면, 2개의 전극으로부터 주입된 전자와 정공이 유기 박막에서 결합하여 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 발하게 된다. 상기 유기 박막은 필요에 따라 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.
유기 박막의 재료는 필요에 따라 발광 기능을 가질 수 있다. 예컨대, 유기 박막 재료로는 그 자체가 단독으로 발광층을 구성할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있고, 또는 호스트-도펀트계 발광층의 호스트 또는 도펀트 역할을 할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다. 그 외에도, 유기 박막의 재료로서, 정공 주입, 정공 수송, 전자 저지, 정공 저지, 전자 수송, 전자 주입 등의 역할을 수행할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다.
유기 발광 소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기 박막의 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
유기 발광 소자에서 사용 가능한 물질에 요구되는 조건, 예컨대 적절한 에너지 준위, 전기 화학적 안정성 및 열적 안정성 등을 만족시킬 수 있으며, 치환기에 따라 유기 발광 소자에서 요구되는 다양한 역할을 할 수 있는 화학 구조를 갖는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자에 대한 연구가 필요하다.
미국 특허 제4,356,429호
본 출원은 본 명세서는 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 및 유기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
N-Het는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 단환 또는 다환의 C2 내지 C60의 헤테로고리기이고,
L 및 L1은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접 결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기이고,
Ar은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
R1 내지 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; -SiRR'R" 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리를 형성하고,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
a 및 c는 0 내지 4의 정수이고,
b는 0 내지 2의 정수이다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물을 제공한다.
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 2에 있어서,
Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
Rc 및 Rd는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
r 및 s는 0 내지 7의 정수이다.
마지막으로, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기물층용 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기발광소자의 유기물층 재료로서 사용할 수 있다. 상기 화합물은 유기발광소자에서 정공주입재료, 정공수송재료, 발광재료, 전자수송재료, 전자주입재료 등의 역할을 할 수 있다. 특히, 상기 화합물이 유기발광소자의 발광층 재료로서 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 화합물은 단독으로 발광 재료로 사용될 수도 있고, 상기 화합물은 2개의 화합물이 함께 발광 재료로 사용될 수 있으며, 발광층의 호스트 재료로서 사용될 수 있다.
특히, 화학식 1의 화합물은 디벤조퓨란 구조의 한쪽 벤젠 고리의 특정 위치에 N 함유 고리가 치환되고, 상기 디벤조퓨란의 구조 중 N 함유 고리가 치환되지 않은 다른 벤젠 고리에 카바졸 치환기 및 특정의 치환기가 치환되어 있다. 이 경우, 전체적인 물질의 선형성(linearity)이 높아지며 물질의 다이폴 모먼트(dipole moment)가 보다 강화된다. 그로 인해 N 함유 고리를 포함한 강한 ET 유닛이 갖는 특성인 전자 당김(Electron Withdrawing)효과가 더욱 강하게 발현되어 디벤조퓨란의 비편재화된 전자들이 보다 ET유닛쪽으로 당겨지게 되는 특징을 갖게 된다.
상기 화학식 1의 화합물들을 이용하여 수명 및 구동 안정, 효율이 개선된 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 각각 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 적층구조를 개략적으로 나타낸 도이다.
이하 본 출원에 대해서 자세히 설명한다.
본 명세서에 있어서, 상기 할로겐은 불소, 염소, 브롬 또는 요오드일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 탄소수 1 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 60, 구체적으로 1 내지 40, 더욱 구체적으로, 1 내지 20일 수 있다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, 1-메틸-부틸기, 1-에틸-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 헵틸기, n-헵틸기, 1-메틸헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실메틸기, 옥틸기, n-옥틸기, tert-옥틸기, 1-메틸헵틸기, 2-에틸헥실기, 2-프로필펜틸기, n-노닐기, 2,2-디메틸헵틸기, 1-에틸-프로필기, 1,1-디메틸-프로필기, 이소헥실기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다. 구체적인 예로는 비닐기, 1-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 3-펜테닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 1,3-부타디에닐기, 알릴기, 1-페닐비닐-1-일기, 2-페닐비닐-1-일기, 2,2-디페닐비닐-1-일기, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일기, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일기, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알키닐기는 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알키닐기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 시클로알킬기는 탄소수 3 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 60, 구체적으로 3 내지 40, 더욱 구체적으로 5 내지 20일 수 있다. 구체적으로, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 3-메틸시클로펜틸기, 2,3-디메틸시클로펜틸기, 시클로헥실기, 3-메틸시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 2,3-디메틸시클로헥실기, 3,4,5-트리메틸시클로헥실기, 4-tert-부틸시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 헤테로시클로알킬기는 헤테로 원자로서 O, S, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 헤테로시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 헤테로시클로알킬기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 아릴기는 탄소수 6 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 아릴기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 아릴기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 60, 구체적으로 6 내지 40, 더욱 구체적으로 6 내지 25일 수 있다. 상기 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, 비페닐기, 트리페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 크라이세닐기, 페난트레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 페날레닐기, 파이레닐기, 테트라세닐기, 펜타세닐기, 인데닐기, 아세나프틸레닐기, 2,3-디히드로-1H-인데닐기, 이들의 축합고리기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure pat00003
,
Figure pat00004
,
Figure pat00005
,
Figure pat00006
,
Figure pat00007
,
Figure pat00008
등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 헤테로아릴기는 헤테로 원자로서 S, O, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60인 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 상기 다환이란 헤테로아릴기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로아릴기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기 등일 수도 있다. 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 25일 수 있다. 상기 헤테로아릴기의 구체적인 예로는 피리딜기, 피롤릴기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 푸라닐기, 티오펜기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 옥사졸릴기, 이속사졸릴기, 티아졸릴기, 이소티아졸릴기, 트리아졸릴기, 푸라자닐기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 디티아졸릴기, 테트라졸릴기, 파이라닐기, 티오파이라닐기, 디아지닐기, 옥사지닐기, 티아지닐기, 디옥시닐기, 트리아지닐기, 테트라지닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴나졸리닐기, 이소퀴나졸리닐기, 퀴노졸리릴기, 나프티리딜기, 아크리디닐기, 페난트리디닐기, 이미다조피리디닐기, 디아자나프탈레닐기, 트리아자인덴기, 인돌릴기, 인돌리지닐기, 벤조티아졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티오펜기, 벤조푸란기, 디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 카바졸릴기, 벤조카바졸릴기, 디벤조카바졸릴기, 페나지닐기, 디벤조실롤기, 스피로비(디벤조실롤), 디히드로페나지닐기, 페녹사지닐기, 페난트리딜기, 이미다조피리디닐기, 티에닐기, 인돌로[2,3-a]카바졸릴기, 인돌로[2,3-b]카바졸릴기, 인돌리닐기, 10,11-디히드로-디벤조[b,f]아제핀기, 9,10-디히드로아크리디닐기, 페난트라지닐기, 페노티아티아지닐기, 프탈라지닐기, 나프틸리디닐기, 페난트롤리닐기, 벤조[c][1,2,5]티아디아졸릴기, 5,10-디히드로디벤조[b,e][1,4]아자실리닐, 피라졸로[1,5-c]퀴나졸리닐기, 피리도[1,2-b]인다졸릴기, 피리도[1,2-a]이미다조[1,2-e]인돌리닐기, 5,11-디히드로인데노[1,2-b]카바졸릴기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 아민기는 모노알킬아민기; 모노아릴아민기; 모노헤테로아릴아민기; -NH2; 디알킬아민기; 디아릴아민기; 디헤테로아릴아민기; 알킬아릴아민기; 알킬헤테로아릴아민기; 및 아릴헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 상기 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 디비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, 비페닐나프틸아민기, 페닐비페닐아민기, 비페닐플루오레닐아민기, 페닐트리페닐레닐아민기, 비페닐트리페닐레닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다. 또한, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 -P(=O)R101R102로 표시되고, R101 및 R102는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 상기 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 Si를 포함하고 상기 Si 원자가 라디칼로서 직접 연결되는 치환기이며, -SiR104R105R106로 표시되고, R104 내지 R106은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 “인접한”기로 해석될 수 있다.
인접한 기들이 형성할 수 있는 지방족 또는 방향족 탄화수소 고리 또는 헤테로고리는 1가기가 아닌 것을 제외하고는 전술한 시클로알킬기, 시클로헤테로알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기로 예시된 구조들이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에 있어서, "치환 또는 비치환"이란 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알키닐; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; C1 내지 C20의 알킬아민; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중에서 선택된 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미하며,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3 또는 4로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00009
[화학식 4]
Figure pat00010
상기 화학식 3 및 4에 있어서,
R1 내지 R11, N-Het, L, L1, Ar, a, b, 및 c의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
상기 화학식 3의 경우, 디벤조퓨란의 3번 위치에 N-het의 치환기가 치환된 경우로, 이 경우, 전체적인 물질의 선형성(linearity)이 높아지며 물질의 다이폴모먼트(dipole moment)가 보다 강화된다. 그로 인해 N-het의 치환기를 포함한 강한 ET 유닛이 갖는 특성인 전자 당김(Electron Withdrawing)효과가 더욱 강하게 발현되어 디벤조퓨란의 비편재화된 전자들이 보다 ET유닛쪽으로 당겨지게 된다.
이때 호스트 물질의 LUMO site는 ET unit인 N-het의 치환기를 중심으로 위치하고 있는데, 전자가 강하게 끌려오게 되면 디벤조퓨란 주변에서 HOMO Site와의 중첩되는 영역이 크게 줄어든다. 또한 영역내에 존재하는 전자가 LUMO site 쪽으로 편재화되므로 HOMO site내의 전자밀도는 감소하게 된다. 그러므로 LUMO-HOMO의 중첩에서 기인되는 분자 내 Charge Transfer 역시 감소하게 되며, 분자구조의 안정성이 보다 증대되는 특성을 갖게 되어 소자의 수명이 특히 증가하는 특징을 보일 수 있다.
상기 화학식 4의 경우, 디벤조퓨란의 1번 위치에 N-het의 치환기가 치환된 경우로, 이 경우, 상대적으로 약간 떨어지는 선형성(linearity)을 갖지만, 디벤조퓨란의 반대편에 위치한 카바졸계 치환기 또는 Ar의 치환기가 치환된 위치에 따라 일정 수준 선형성(linearity)을 더 높이거나 줄이는 효과를 볼 수 있다. 따라서 약간의 전자 당김 효과(withdrawing Effect)를 갖지만, 전자의 비편재화도는 더 높은편이므로 분자내의 Charge Transfer는 보다 활발하게 이루어 진다. 즉, 비편재화된 전자들의 존재와 그의 활발한 Charge Transfer효과로 인해 구동전압과 소자내의 전류효율이 상기 화학식 4의 경우 특히 우수하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3은 하기 화학식 3-1 내지 3-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 3-1]
Figure pat00011
[화학식 3-2]
Figure pat00012
[화학식 3-3]
Figure pat00013
[화학식 3-4]
Figure pat00014
[화학식 3-5]
Figure pat00015
[화학식 3-6]
Figure pat00016
상기 화학식 3-1 내지 3-6에 있어서,
상기 R1 내지 R11, N-Het, L, L1, Ar, a, b, 및 c의 정의는 상기 화학식 3에서의 정의와 동일하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 4는 하기 화학식 4-1 내지 4-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 4-1]
Figure pat00017
[화학식 4-2]
Figure pat00018
[화학식 4-3]
Figure pat00019
[화학식 4-4]
Figure pat00020
[화학식 4-5]
Figure pat00021
[화학식 4-6]
Figure pat00022
상기 화학식 4-1 내지 4-6에 있어서,
상기 R1 내지 R11, N-Het, L, L1, Ar, a, b, 및 c의 정의는 상기 화학식 4에서의 정의와 동일하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, L 및 L1은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접 결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L 및 L1은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접 결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L 및 L1은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접 결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L 및 L1은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접 결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 단환 또는 다환의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L 및 L1은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접 결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 단환의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C10 내지 C30의 다환의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L 및 L1은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접 결합; C6 내지 C20의 단환의 아릴렌기; 또는 C10 내지 C30의 다환의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L 및 L1은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접 결합; 페닐렌기; 또는 비페닐렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L1은 직접 결합; 페닐렌기; 또는 비페닐렌기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, Ar은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar은 C1 내지 C20의 알킬기 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 또는 C2 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar은 C1 내지 C20의 알킬기 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 또는 C2 내지 C40의 O 또는 S를 포함하는 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar은 C1 내지 C20의 알킬기 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 또는 C2 내지 C30의 O 또는 S를 포함하는 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar은 메틸기 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 비페닐기; 나프틸기; 터페닐기; 디벤조티오펜기; 또는 디벤조퓨란기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar은 하기 구조중 어느 하나일 수 있다.
Figure pat00023
상기 구조식에 있어서,
Figure pat00024
는 L1에 연결되는 위치를 의미하며,
X1은 O; 또는 S이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; -SiRR'R" 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; -SiRR'R" 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 및 중수소로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 C1 내지 C20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 방향족 탄화수소 고리 또는 C6 내지 C30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 메틸기로 치환 또는 비치환된 인덴고리; 벤젠고리, 벤조퓨란고리, 벤조티오펜고리, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 인돌고리를 형성할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 R9 내지 R11은 수소일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 메틸기로 치환 또는 비치환된 인덴고리; 벤젠고리, 벤조퓨란고리, 벤조티오펜고리, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 인돌고리를 형성할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, N-Het은 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 단환 또는 다환의 C2 내지 C60의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het은 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 3개 이하로 포함하는 단환 또는 다환의 C2 내지 C60의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het은 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 2개 이하로 포함하는 단환 또는 다환의 C2 내지 C60의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het은 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 3개 이하로 포함하는 단환 또는 다환의 C2 내지 C40의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het은 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 3개 이하로 포함하는 단환의 C2 내지 C40의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het은 C1 내지 C20의 알킬기, C6 내지 C40의아릴기, C2 내지 C40의 헤테로아릴기, -P(=)ORR' 및 -SiRR'R"로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기 또는 상기 치환기가 2 이상 연결된 치환기로 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 3개 이하로 포함하는 단환의 C2 내지 C40의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het은 C6 내지 C40의 아릴기 및 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기 또는 상기 치환기가 2 이상 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된, 피리딘기; 피리미딘기; 또는 트리아진기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het은 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 디벤조퓨란기, 및 디벤조티오펜기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 피리딘기; 피리미딘기; 또는 트리아진기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, N-Het은 하기 구조식들에서 선택될 수 있다.
Figure pat00025
상기 구조식에 있어서,
Figure pat00026
는 상기 화학식 1의 L과 연결되는 위치를 의미하고,
R41 내지 R45는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R41 내지 R45는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R41 내지 R45는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R41 내지 R45는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, C6 내지 C40의 아릴기; 또는 C2 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R41 내지 R45는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 페닐기; 비페닐기; 나프틸기; 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 단환의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C6 내지 C20의 단환의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R, R' 및 R"은 페닐기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
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또한, 상기 화학식 1의 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송용 물질, 발광층 물질, 전자 수송층 물질 및 전하 생성층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 에너지 밴드갭을 미세하게 조절이 가능하게 하며, 한편으로 유기물 사이에서의 계면에서의 특성을 향상되게 하며 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물 하나를 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물에 대한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극일 수 있고, 상기 제2 전극은 음극일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극일 수 있고, 상기 제2 전극은 양극일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 청색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물은 상기 청색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물은 청색 유기 발광 소자의 청색 발광층의 호스트 물질에 포함될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 녹색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물은 상기 녹색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물은 녹색 유기 발광 소자의 녹색 발광층의 호스트 물질에 포함될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 적색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물은 상기 적색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물은 적색 유기 발광 소자의 적색 발광층의 호스트 물질에 포함될 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 헤테로고리 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
상기 헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.
또 다른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 호스트 물질을 포함하며, 상기 호스트 물질은 상기 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.
또 하나의 예로서, 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 호스트로서 포함하고, 이리듐계 도펀트와 함께 사용할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자주입층 또는 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.
또 다른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자저지층 또는 정공저지층을 포함하고, 상기 전자저지층 또는 정공저지층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층. 전자주입층, 전자수송층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함할 수 있다.
도 1 내지 3에 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 전극과 유기물층의 적층 순서를 예시하였다. 그러나, 이들 도면에 의하여 본 출원의 범위가 한정될 것을 의도한 것은 아니며, 당 기술분야에 알려져 있는 유기 발광 소자의 구조가 본 출원에도 적용될 수 있다.
도 1에 따르면, 기판(100) 상에 양극(200), 유기물층(300) 및 음극(400)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자가 도시된다. 그러나, 이와 같은 구조에만 한정되는 것은 아니고, 도 2와 같이, 기판 상에 음극, 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자가 구현될 수도 있다.
도 3은 유기물층이 다층인 경우를 예시한 것이다. 도 3에 따른 유기 발광 소자는 정공 주입층(301), 정공 수송층(302), 발광층(303), 정공 저지층(304), 전자 수송층(305) 및 전자 주입층(306)을 포함한다. 그러나, 이와 같은 적층 구조에 의하여 본 출원의 범위가 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 발광층을 제외한 나머지 층은 생략될 수도 있고, 필요한 다른 기능층이 더 추가될 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은, 필요에 따라 다른 물질을 추가로 포함할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 유기물층은 하기 화학식 2의 헤테로고리 화합물을 더 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00055
상기 화학식 2에 있어서,
Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
Rc 및 Rd는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
r 및 s는 0 내지 7의 정수이다.
상기 화학식 1의 화합물 및 상기 화학식 2의 화합물을 동시에 유기 발광 소자의 유기물층에 포함하는 경우 더 우수한 효율 및 수명 효과를 보인다. 이 결과는 두 화합물을 동시에 포함하는 경우 엑시플렉스(exciplex) 현상이 일어남을 예상할 수 있다.
상기 엑시플렉스(exciplex) 현상은 두 분자간 전자 교환으로 donor(p-host)의 HOMO level, acceptor(n-host) LUMO level 크기의 에너지를 방출하는 현상이다. 두 분자간 엑시플렉스(exciplex) 현상이 일어나면 Reverse Intersystem Crossing(RISC)이 일어나게 되고 이로 인해 형광의 내부양자 효율이 100%까지 올라갈 수 있다. 정공 수송 능력이 좋은 donor(p-host)와 전자 수송 능력이 좋은 acceptor(n-host)가 발광층의 호스트로 사용될 경우 정공은 p-host로 주입되고, 전자는 n-host로 주입되기 때문에 구동 전압을 낮출 수 있고, 그로 인해 수명 향상에 도움을 줄 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화학식 5 내지 12 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00056
[화학식 6]
Figure pat00057
[화학식 7]
Figure pat00058
[화학식 8]
Figure pat00059
[화학식 9]
Figure pat00060
[화학식 10]
Figure pat00061
[화학식 11]
Figure pat00062
[화학식 12]
Figure pat00063
상기 화학식 5 내지 12에 있어서,
Ra, Rb, Rc, Rd, r 및 s의 정의는 상기 화학식 2에서의 정의와 동일하다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 2의 Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 2의 Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 2의 Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 C1 내지 C40의 알킬기, C6 내지 C40의 아릴기, -CN 및 -SiR101R102R103으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 또는 C6 내지 C40의 아릴기 및 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 2의 Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기, -CN 또는 -SiR101R102R103로 치환 또는 비치환된 페닐기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 비페닐기; 나프틸기; 메틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 스피로비플루오렌기; 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 디메틸플루오렌기, 디벤조티오펜기 및 디벤조퓨란기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 또는 트리페닐렌기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 2의 R101, R102, 및 R103는 C6 내지 C20의 단환의 아릴기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 2의 R101, R102, 및 R103는 페닐기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Rc 및 Rd는 수소일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화합물 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00064
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Figure pat00079
Figure pat00080
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 2는 상기 유기물층 중 발광층에 포함될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 2는 상기 유기물층 중 발광층에 포함될 수 있으며, 구체적으로 발광층의 호스트 물질로 사용될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 발광층의 호스트 물질은 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2의 헤테로고리 화합물을 동시에 포함할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물을 제공한다.
상기 조성물 내 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 : 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물의 중량비는 1 : 10 내지 10 : 1일 수 있고, 1 : 8 내지 8 : 1일 수 있고, 1 : 5 내지 5 : 1 일 수 있으며, 1 : 2 내지 2 : 1일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기물층용 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 열 진공 증착 방법을 이용하여 형성하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물 2종을 혼합(pre-mixed)하여 열 진공 증착 방법을 이용하여 형성하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
상기 예비 혼합(pre-mixed)은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물 2종을 유기물층에 증착하기 전 먼저 재료를 섞어서 하나의 공원에 담아 혼합하는 것을 의미한다.
예비 혼합된 재료는 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기물층용 조성물로 언급될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물 이외의 재료를 하기에 예시하지만, 이들은 예시를 위한 것일 뿐 본 출원의 범위를 한정하기 위한 것은 아니며, 당 기술분야에 공지된 재료들로 대체될 수 있다.
양극 재료로는 비교적 일함수가 큰 재료들을 이용할 수 있으며, 투명 전도성 산화물, 금속 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다. 상기 양극 재료의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
음극 재료로는 비교적 일함수가 낮은 재료들을 이용할 수 있으며, 금속, 금속 산화물 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다. 상기 음극 재료의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
정공 주입 재료로는 공지된 정공 주입 재료를 이용할 수도 있는데, 예를 들면, 미국 특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 문헌 [Advanced Material, 6, p.677 (1994)]에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류, 예컨대 트리스(4-카바조일-9-일페닐)아민(TCTA), 4,4',4"-트리[페닐(m-톨릴)아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDAPB), 용해성이 있는 전도성 고분자인 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), 폴리아닐린/캠퍼술폰산(Polyaniline/Camphor sulfonic acid) 또는 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)(Polyaniline/Poly(4-styrene-sulfonate))등을 사용할 수 있다.
정공 수송 재료로는 피라졸린 유도체, 아릴아민계 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 또는 고분자 재료가 사용될 수도 있다.
전자 수송 재료로는 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 벤조퀴논 및 이의 유도체, 나프토퀴논 및 이의 유도체, 안트라퀴논 및 이의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 및 이의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 8-히드록시퀴놀린 및 이의 유도체의 금속 착체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 물질 뿐만 아니라 고분자 물질이 사용될 수도 있다.
전자 주입 재료로는 예를 들어, LiF가 당업계 대표적으로 사용되나, 본 출원이 이에 한정되는 것은 아니다.
발광 재료로는 적색, 녹색 또는 청색 발광재료가 사용될 수 있으며, 필요한 경우, 2 이상의 발광 재료를 혼합하여 사용할 수 있다. 이 때, 2 이상의 발광 재료를 개별적인 공급원으로 증착하여 사용하거나, 예비혼합하여 하나의 공급원으로 증착하여 사용할 수 있다. 또한, 발광 재료로서 형광 재료를 사용할 수도 있으나, 인광 재료로서 사용할 수도 있다. 발광 재료로는 단독으로서 양극과 음극으로부터 각각 주입된 정공과 전자를 결합하여 발광시키는 재료가 사용될 수도 있으나, 호스트 재료와 도펀트 재료가 함께 발광에 관여하는 재료들이 사용될 수도 있다.
발광 재료의 호스트를 혼합하여 사용하는 경우에는, 동일 계열의 호스트를 혼합하여 사용할 수도 있고, 다른 계열의 호스트를 혼합하여 사용할 수도 있다. 예를 들어, n 타입 호스트 재료 또는 p 타입 호스트 재료 중 어느 두 종류 이상의 재료를 선택하여 발광층의 호스트 재료로 사용할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 헤테로고리 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 명세서를 더욱 상세하게 설명하지만, 이들은 본 출원을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 출원 범위를 한정하기 위한 것은 아니다.
< 제조예 1> 중간체 1-1-iv의 합성
Figure pat00081
화합물 1-1-vi의 제조
일구의 라운드 바텀 플라스크(One neck r.b.f)에 (4-클로로-2-플루오로페닐)보론산((4-chloro-2-fluorophenyl)boronic acid) (100g/573.49mmol), 2-브로모-4-플루오로페놀(2-bromo-4-fluorophenol) (131.4g/688.19mmol), Pd(PPh3)4 (33.13g/28.67mmol), Na2CO3 (121.57/1146.99mmol)와 THF/H2O (1200ml/200ml)을 넣고 70℃에서 10시간동안 환류시켜 교반하였다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출 후 MgSO4로 건조한 다음, 컬럼 정제하고 여액을 농축하여 화합물 1-1-vi를 얻었다. (138g, 100%)
화합물 1-1-v의 제조
일구의 라운드 바텀 플라스크(One neck r.b.f)에 화합물 1-1-vi (138g/573.49mmol)과 디클로로메탄 (1400ml)을 넣고 상온에서 교반한 다음, NBS (107.18g/602.16mmol)를 적가하며 1시간 교반하였다. 증류수로 반응을 종결하고 유기층을 분리하여 추출한 다음 MgSO4로 건조하였다. 다음 컬럼 정제하고 여액을 농축하여 화합물 1-1-v를 얻었다. (134.2g, 73%)
화합물 1-1-iv의 제조
일구의 라운드 바텀 플라스크(One neck r.b.f)에 화합물 1-1-v (134.2g/420.00mmol), Cs2CO3 (273.68g/839.99mmol)와 DMAc (1400ml)을 넣고 170℃에서 3시간동안 환류시켜 교반하였다. 상온(25℃)으로 식힌 후 여과하여 염을 제거한 다음 여액의 용매를 제거하였다. 증류수로 씻어준 다음 디클로로메탄으로 추출하고 MgSO4로 건조하였다. 컬럼 정제하고 여액을 농축하여 중간체 화합물 1-1-iv를 얻었다. (45g, 40%)
상기 제조예 1에서 하기 표 1의 A, B를 중간체로 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-1-vi와 같은 방법으로 하기 목적화합물 C를 제조하였다.
Figure pat00082
< 제조예 2> 중간체 1-121-iv의 합성
Figure pat00083
화합물 1-121-vi의 제조
일구의 라운드 바텀 플라스크(One neck r.b.f)에 1-브로모-2,4-디플루오로-3-아이오도벤젠(1-bromo-2,4-difluoro-3-iodobenzene) (40g/125.44mmol), (4-클로로-2-메톡시페닐)보론산((4-chloro-2-methoxyphenyl)boronic acid), (30.40g/163.07mmol) Pd(PPh3)2Cl2 (7.04g/10.03mmol), Na2CO3 (26.59g/250.87mmol), THF/H2O (400ml/120ml)을 넣고 70℃에서 10시간동안 환류시켜 교반하였다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출 후 MgSO4로 건조한 다음, 컬럼 정제하고 여액을 농축하여 화합물 1-121-vi를 얻었다. (27.2g, 65%)
화합물 1-121-v의 제조
일구의 라운드 바텀 플라스크(One neck r.b.f)에 화합물 1-121-vi (27.20g/81.54mmol)과 디클로로메탄 (300ml)을 넣고 상온에서 교반한 다음, BBr3 (40.85g/163.08mmol)를 적가하며 1시간 교반하였다. 증류수로 반응을 종결하고 여과하여 염을 제거하였다. 다음, 유기층을 분리하여 추출한 다음 MgSO4로 건조 후 컬럼 정제하고 여액을 농축하여 화합물 1-121-v를 얻었다. (24g, 92%)
화합물 1-121-iv의 제조
일구의 라운드 바텀 플라스크(One neck r.b.f)에 화합물 1-121-v (24.0g/75.02mmol), Cs2CO3 (48.87g/150.04mmol)와 DMAc (250ml)을 넣고 170℃에서 3시간동안 환류시켜 교반하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 염을 제거한 다음 여액의 용매를 제거하였다. 증류수로 씻어준 다음 디클로로메탄으로 추출하고 MgSO4로 건조하였다. 컬럼 정제하고 여액을 농축하여 화합물 1-121-iv를 얻었다. (20g, 89%)
상기 제조예 2에서 하기 표 2의 A, B를 중간체로 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-121-vi와 같은 방법으로 하기 목적화합물 C를 제조하였다.
Figure pat00084
Figure pat00085
< 제조예 3> 화합물 1-1의 합성
Figure pat00086
화합물 1-1-iii의 제조
일구의 라운드 바텀 플라스크(One neck r.b.f)에 화합물 1-1-iv (20g/66.77mmol), 페닐보론산(phenylboronic acid)(A) (8.96g/73.45mmol), Pd(PPh3)4 (3.86g/3.34mmol), K2CO3 (18.46g/133.55mmol)와 1,4-dioxane/H2O (200ml/40ml)을 넣고 110℃에서 3시간동안 환류시켜 교반하였다. 디클로로메탄으로 유기층을 추출한 다음 MgSO4로 건조한 다음, 컬럼 정제하고 여액을 농축하여 화합물 1-1-iii을 얻었다. (14g, 71%)
화합물 1-1-ii의 제조
일구의 라운드 바텀 플라스크(One neck r.b.f)에 화합물 1-1-iii (12g/40.44mmol), bispinacolatodiboron (17.46g/68.75mmol), Pd2(dba)3 (3.70g/4.04mmol), P(cy)3 (3.40g/12.13mmol), KOAc (9.92g/101.10mmol)와 1,4-다이옥세인(1,4-dioxane) (120ml)을 넣고 110℃에서 1시간동안 환류시켜 교반하였다. 증류수로 반응을 종결하고 디클로로메탄으로 유기층을 추출 후 MgSO4로 건조하였다. 컬럼 정제하고 여액을 농축하여 화합물 1-1-ii를 얻었다.(14.6g, 93%)
화합물 1-1-i의 제조
일구의 라운드 바텀 플라스크(One neck r.b.f)에 화합물 1-1-ii (14,6g/37.60mmol), 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine)(B) (11.08g/41.37mmol), Pd(PPh3)4 (2.17g/1.88mmol), K2CO3 (10.39g/75.21mmol)와 1,4-dioxane/H2O (150ml/30ml)을 넣고 110℃에서 6시간동안 환류시켜 교반하였다. 상온으로 식힌 다음 필터하고 고체를 증류수와 MeOH에 1시간 교반하였다. 다음 DCB에 녹여 실리카켈에 필터한 다음 여액을 농축하여 화합물 1-1-i을 얻었다. (14.7g, 80%)
화합물 1-1의 제조
일구의 라운드 바텀 플라스크(One neck r.b.f)에 화합물 1-1-i (5.0g/10.13mmol), 9H-카바졸(9H-carbazole)(C) (2.20g/13.17mmol), Cs2CO3 (13.20g/40.53mmol)와 DMAc (50ml)을 넣고 170℃에서 72시간동안 환류시켜 교반하였다. 상온으로 식힌 다음 필터하고 고체를 증류수와 MeOH에 1시간 교반하였다. 다음 DCB에 녹여 실리카겔에 필터한 다음 여액을 농축하여 화합물 1-1을 얻었다. (4.54g, 76%)
상기 제조예 3에서 하기 표 3의 A를 출발물질로 하여 B, C, D 를 치환체로 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 3과 같은 방법으로 하기 목적화합물 E 를 제조하였다.
Figure pat00087
Figure pat00088
Figure pat00089
Figure pat00090
Figure pat00091
Figure pat00092
Figure pat00093
Figure pat00094
Figure pat00095
Figure pat00096
Figure pat00097
Figure pat00098
Figure pat00099
Figure pat00100
Figure pat00101
Figure pat00102
Figure pat00103
< 제조예 4> 화합물 3-3 합성
Figure pat00104
1) 화합물 3-3의 제조
3-브로모-1,1'-바이페닐 3.7g(15.8mM), 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 6.5g(15.8mM), CuI 3.0g(15.8mM), 트랜스-1,2-디아미노사이클로헥산 1.9mL(15.8mM), K3PO4 3.3g(31.6mM)를 1,4-옥산 100mL에 녹인 후 24시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 증류수와 DCM을 넣고 추출하였고 유기층은 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:3)로 정제하였고 메탄올로 재결정하여 목적화합물 3-3 7.5g(85%)을 얻었다.
상기 제조예 3에서 3-브로모-1,1`-바이페닐 대신 하기 표 3의 중간체 A를 사용하고 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 대신 하기 표 3의 중간체 B를 사용한 것을 제외하고 제조예 3의 제조와 동일한 방법으로 제조하여 목적화합물 A을 합성하였다.
Figure pat00105
Figure pat00106
< 제조예 5> 화합물 4-2 합성
Figure pat00107
1) 화합물 4-2-2의 제조
2-브로모디벤조[b,d]티오펜 4.2g(15.8mM), 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 6.5g(15.8mM), CuI 3.0g(15.8mM), 트랜스-1,2-디아미노사이클로헥산 1.9mL(15.8mM), K3PO4 3.3g(31.6mM)를 1,4-옥산 100mL에 녹인 후 24시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 증류수와 DCM을 넣고 추출하였고 유기층은 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:3)로 정제하였고 메탄올로 재결정하여 목적화합물 4-2-2 7.9g(85%)을 얻었다.
2) 화합물 4-2-1의 제조
화합물 4-2-2 8.4g(14.3mmol)과 THF 100mL를 넣은 혼합 용액을 -78℃에서 2.5M n-BuLi 7.4mL(18.6mmol)을 적가하였고 실온에서 1시간 교반하였다. 반응 혼합물에 트리메틸 보레이트 4.8mL(42.9mmol)을 적가하였고 실온에서 2시간 교반하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 증류수와 DCM을 넣고 추출하였고 유기층은 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼크로마토 그래피(DCM:MeOH=100:3)으로 정제하였고 DCM으로 재결정하여 목적화합물 4-2-1 3.9g(70%)을 얻었다.
3) 화합물 4-2의 제조
화합물 4-2-1 6.7g(10.5mM), 아이오도벤젠 2.1g(10.5mM), Pd(PPh3)4 606mg(0.52mM), K2CO3 2.9g(21.0mM)를 톨루엔/EtOH/H2O 100/20/20 mL에 녹인 후 12시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 증류수와 DCM을 넣고 추출하였고 유기층은 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:3)으로 정제하였고 메탄올로 재결정하여 목적화합물 4-2 4.9g(70%)을 얻었다.
상기 제조예 5에서 아이오도벤젠 대신 하기 표 5의 화합물 A를 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 5와 동일한 방법으로 제조하여, 하기 목적화합물 B를 얻었다.
Figure pat00108
상기 제조예 1 내지 5 및 표 1 내지 5에 기재된 화합물 이외의 상기 화학식 1 및 화학식 2에 해당하는 헤테로고리 화합물도 전술한 제조예에 기재된 방법과 마찬가지로 제조하였다.
상기에서 제조된 화합물들의 합성 확인자료는 하기 [표 6] 및 [표 7]에 기재한 바와 같다.
화합물 FD-Mass 화합물 FD-Mass
1-1 m/z= 640.75(C45H28N4O=640.23) 2-1 m/z= 640.75(C45H28N4O=640.23)
1-2 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26) 2-2 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26)
1-3 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26) 2-3 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26)
1-19 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-19 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-21 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-21 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-24 m/z= 766.90(C55H34N4O=766.27) 2-24 m/z= 766.90(C55H34N4O=766.27)
1-25 m/z= 766.90(C55H34N4O=766.27) 2-25 m/z= 766.90(C55H34N4O=766.27)
1-34 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-34 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-35 m/z= 766.90(C55H34N4O=766.27) 2-35 m/z= 766.90(C55H34N4O=766.27)
1-38 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-38 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-43 m/z= 730.83(C51H30N4O2=730.24) 2-43 m/z= 730.83(C51H30N4O2=730.24)
1-46 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26) 2-46 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26)
1-47 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26) 2-47 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26)
1-51 m/z= 730.83(C51H30N4O2=730.24) 2-51 m/z= 730.83(C51H30N4O2=730.24)
1-57 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-57 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-59 m/z= 740.87(C53H32N4O=740.26) 2-59 m/z= 740.87(C53H32N4O=740.26)
1-61 m/z= 640.75(C45H28N4O=640.23) 2-61 m/z= 640.75(C45H28N4O=640.23)
1-62 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26) 2-62 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26)
1-63 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26) 2-63 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26)
1-72 m/z= 730.83(C51H30N4O2=730.24) 2-72 m/z= 730.83(C51H30N4O2=730.24)
1-73 m/z= 746.89(C51H30N4OS=746.21) 2-73 m/z= 746.89(C51H30N4OS=746.21)
1-77 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-77 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-79 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-79 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-86 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26) 2-86 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26)
1-91 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-91 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-100 m/z= 730.83(C51H30N4O2=730.24) 2-100 m/z= 730.83(C51H30N4O2=730.24)
1-102 m/z= 746.89(C51H30N4OS=746.21) 2-102 m/z= 746.89(C51H30N4OS=746.21)
1-106 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26) 2-106 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26)
1-114 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-114 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-121 m/z= 640.75(C45H28N4O=640.23) 2-121 m/z= 640.75(C45H28N4O=640.23)
1-122 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26) 2-122 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26)
1-130 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-130 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-141 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-141 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-151 m/z= 640.75(C45H28N4O=640.23) 2-151 m/z= 640.75(C45H28N4O=640.23)
1-152 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26) 2-152 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26)
1-160 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-160 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-171 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-171 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-174 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26) 2-174 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26)
1-177 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-177 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-181 m/z= 640.75(C45H28N4O=640.23) 2-181 m/z= 640.75(C45H28N4O=640.23)
1-190 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-190 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-198 m/z= 730.83(C51H30N4O2=730.24) 2-198 m/z= 730.83(C51H30N4O2=730.24)
1-201 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-201 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-211 m/z= 640.75(C45H28N4O=640.23) 2-211 m/z= 640.75(C45H28N4O=640.23)
1-220 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24) 2-220 m/z= 690.81(C49H30N4O=690.24)
1-224 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26) 2-224 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26)
2-234 m/z= 716.84(C51H32N4O=716.26)
3-3 m/z= 560.23 (C42H28N2=560.70) 3-4 m/z= 560.23 (C42H28N2=560.70)
3-7 m/z= 636.26 (C48H32N2=636.80) 3-9 m/z=534.21 (C40H26N2=534.66)
3-31 m/z= 636.26 (C48H32N2=636.80) 3-32 m/z= 636.26 (C48H32N2=636.80)
3-37 m/z=610.24 (C46H30N2=610.76) 3-42 m/z= 636.26 (C48H32N2=636.80)
3-82 m/z=584.23 (C44H28N2=584.72)
4-2 m/z= 666.84 (C48H30N2=666.21) 4-3 m/z= 742.24 (C54H34N2S=742.94)
4-5 m/z= 716.23 (C52H32N2S=716.90)
화합물 1H NMR(CDCl3, 200Mz)
1-1 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.03(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82(1H ,d) 7.76(1H, s) 7.71(1H, s), 7.65(1H, s) 7.58-7.35(14H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-2 δ = 8.55(1H, d) 8.36-8.31(5H, m) 8.03(1H, d) 7.94(2H, t) 7.82(1H ,d) 7.76-7.74(5H, m) 7.65(1H, s) 7.51-7.35(15H, m) 7.16(2H, m)
1-3 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.03-7.94(3H, m) 7.89(1H, s) 7.82-7.75(6H, m) 7.65(1H, s) 7.51-7.35(15H, m) 7.16(1H, t)
1-19 δ = 8.55(1H, d) 8.36-8.28(5H, m), 8.11(1H, d) 8.03(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82(1H ,d) 7.76-7.69(5H, m) 7.55-7.35(14H, m) 7.16(1H, t)
1-21 δ = 8.55-8.54(2H, m) 8.36(4H, m) 8.03(1H, d) 7.99-7.94(2H, m) 7.82(1H, d) 7.76(1H ,s) 7.71(1H, s) 7.65-7.35(17H, m) 7.16(1H, t)
1-24 δ = 8.97(2H, d) 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.03(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82-7.76(5H, m) 7.65-7.35(19H, m) 7.16(1H, t)
1-25 δ = 8.62(1H, d) 8.54(1H, d) 8.36(4H ,d) 8.22(1H, d) 8.03-7.99(2H, m) 7.82(1H, d) 7.76-7.41(24H, m)
1-34 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.09-7.74(5H, m) 7.82(1H, d) 7.76(1H, s) 7.71(1H, s) 7.63-7.50(12H, m) 7.35-7.38(2H, m) 7.20-7.16(2H, t)
1-35 δ = 8.55(1H, d) 8.36-8.31(5H, m) 8.09-7.91(6H, m) 7.82(1H, d) 7.76-7.71(5H, m) 7.65-7.35(15H, m) 7.16(1H, t)
1-38 δ = 8.95(1H, d) 8.55-8.50(2H, m) 8.36(4H, d) 8.19(2H, m) 8.09(1H, d) 8.03(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82(1H, d) 7.77-7.71(3H, m) 7.65(1H, s) 7.58-7.50(9H, m) 7.39-7.35(2H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-43 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d), 8.19(1H, d) 8.08-7.94(5H, m) 7.82(1H, d) 7.76(1H, s) 7.71(1H, s) 7.65(1H, s) 7.58-7.50(10H, m) 7.39-7.31(3H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-46 δ = 8.55(1H, d) 8.46(2H, d), 8.19(1H s) 8.03(1H, s) 7.96-7.94(3H, m) 7.82(1H, d) 7.76-7.71(4H, m) 7.65(1H, s) 7.587.35(14H, m) 7.25-7.16(4H, m)
1-47 δ = 8.55(1H, d) 8.36-8.35(3H, m) 8.19(1H, s) 8.03(1H, d) 7.94(2H, m) 7.82(1H, d) 7.767-74(5H, m) 7.65-7.35(16H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-51 δ = 8.55(1H, d) 8.36(2H ,d) 8.19(1H, d) 8.08-7.88(5H, m) 7.82(1H, s) 7.76(1H, s) 7.71(1H, s)7.65(1H, s) 7.58-7.35(15H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-57 δ = 9.09(1H, s) 8.55(1H, d) 8.49(1H ,d) 8.36(2H, d) 8.19-8.16(2H, m) 8.08-7.94(4H, m) 7.82(1H, d) 7.76(1H, s) 7.71(1H, s) 7/65(1H, s) 7.59-7.35(13H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-59 δ = 9.09(1H, s) 8.55(1H, d) 8.49(1H, d) 8.36(2H, d) 8.28(1H, d) 8.11-7.94(6H, m) 7.82-7.35(19H, m)
1-61 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.03(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82-7.75(5H, m) 7.65(1H, s) 7.58-7.35(12H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-62 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.31(1H, d) 8.03(1H, d) 7.94-7.91(2H, m) 7.82(7.74(8H, m) 7.65(1H, s) 7.50-7.35(13H, m) 7.16(1H, t)
1-63 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.03-7.94(3H, m) 7.89(1H, s) 7.82-7.75(8H, m) 7.65(1H, s) 7.50-7.35(13H, m) 7.16(1H, t)
1-72 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.03-7.94(3H, m) 7.84-7.75(5H, m) 7.65(1H, s) 7.54-7.35(14H, m) 7.16(1H, t)
1-73 δ = 8.55(1H, d) 8.45(1H, d) 8.36(4H, d) 8.05(2H, d) 7.94(2H, d) 7.82-7.75(5H, m) 7.65(1H, s) 7.60-7.35(13H, m) 7.16(1H, t)
1-77 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.28(1H, d) 8.11(1H, d) 8.03(1H, d) 7.94(1H, d), 7.82-7.75(7H, m) 7.65(1H, s) 7.55-7.35(12H, m), 7.16(1H, t)
1-79 δ = 8.55(2H, d) 8.36(4H, d) 8.03-7.94(3H, m) 7.82-7.75(5h, m) 7.65-7.35(15H, m) 7.16(1H, t)
1-86 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d), 8.19(1H, d) 8.03(1h, d) 7.94(2H, d) 7.82-7.73(6H, m) 7.65-7.35(15H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-91 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.09-7.94(6H, m) 7.82-7.76(3H, m) 7.63-7.50(12H, m) 7.38-7.35(2H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-100 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.08-7.94(5H, m) 7.82-7.76(3H, m) 7.65(1H, s) 7.58-7.50(10H, m) 7.39-7.31(3H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-102 δ = 8.55(1H, d) 8.45(1H, d) 8.36-32(5H, m) 8.19(1H, d) 8.03(1H, d) 7.94(2H, d) 7.82-7.65(5H, m) 7.58-7.49(10H, m) 7.35(1H, t) 7.20-7.16(2H, m)
1-106 δ = 8.55(1H, d) 8.38(3H, m) 8.19(1H, d) 8.03(1H, d) 7.93(2H, d) 7.82-7.75(8H, m) 7.65-7.35(14H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-114 9.09(1H, s) 8.55(1H, d) 8.49(1H, d) 8.36(2H, d) 8.19-8.16(2H, m) 8.08-7.94(4H, m) 7.82-7.75(5h ,m) 7.65-7.35(12H, m) 7.20-7.16(2H ,m)
1-121 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.04(2H, d) 7.94(1H, d) 7.82(1H, d) 7.76(1H, s) 7.58-7.35(15H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-122 δ = 8.55(1H, d) 8.36-8.31(5H, m) 8.03(2H, d) 7.94-7.93(2H, m) 7.82(1H, d) 7.76(4H, d) 7.55-7.35(16H, m) 7.16(1H, t)
1-130 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.28(1H, d) 8.11(1H, d) 8.03(2H, d) 7.94(1H, d) 7.82(1H, d) 7.76-7.69(3H, m) 7.55-7.35(15H, m) 7.16(1H, t)
1-141 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.09-7.94(6H, m) 7.82(1H, s) 7.76(1H, s) 7.63-7.35(14H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-151 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.09(1H, d) 7.96-7.94(2H, m) 7.82-7.76(4H, m) 7.58-7.35(13H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-152 δ = 8.55(1H, d) 8.36-8.31(5H, m) 8.03(1H, d) 7.96-7.91(3H, m) 7.82-7.75(7H, m) 7.50-7.35(14H, m) 7.16(1H, t)
1-160 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.28(1H, d) 8.11(1H, d) 8.03(1H, d) 7.96-7.94(2H, d) 7.82-7.75(6H m) 7.55-7.35(13H, m) 7.16(1H, t)
1-171 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.09-7.94(6H, m) 7.82(1H, d) 7.76(1H, s) 7.63-7.50(12H, m) 7.38-7.35(2H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-174 δ = 8.55(1H, d) 8.36-8.33(3H, m) 8.19(1H, d) 8.03(1H, d) 7.96-7.94(3H, m) 7.82-7.73(7h, m) 7.61-7.35(14H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-177 δ = 9.09(1H, s) 8.55(1H, d) 8.49(1H, s) 8.36(2H, d) 8.19-8.16(2H, m) 8.08-7.94(5H, m) 7.82-7.76(4H, m) 7.61-7.35(12H ,m) 7.20-7.16(2H, m)
1-181 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.03(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82-7.72(5H, m) 7.59-7.35(13H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-190 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.28(1H, d) 8.11(1H, d) 8.03(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82-7.69(7H, m) 7.55-7.35(13H, m) 7.16(1H, t)
1-198 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.08-7.94(5H, m) 7.82(1H, d) 7.76(1H, s) 7.72(1H, s) 7.58-7.50(11H, m) 7.39-7.31(3h, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-201 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.09-7.94(5H, m) 7.82(1H, d) 7.76(1H, s) 7.72(1H, s) 7.63-7.35(14H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-211 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.03(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82-7.76(4H, m) 7.64(1H, s) 7.59-7.35(13H, m) 7.20-7.16(2H, m)
1-220 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.28(1H, d) 8.11(1H, d) 8.03(1H, d) 7.94(1H, d) 7.79-7.352(H, m) 7.16(1H, t)
1-224 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.03(1H, d) 8.03(1H, d) 7.94(2H, d)7.82(1H, d) 7.76-7.73(4H, m) 7.64-7.35(16H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-1 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.11(1H, d) 7.94(1H, d) 7.8(1H, d) 7.71-7.65(3H, m) 7.57-7.35(15H, m) 7.20-7.16(1H, t)
2-2 δ = 8.55(1H, d) 8.36-8.31(5H, m) 7.94(2H, t) 7.82(1H, d) 7.75-7.65(6H, m) 7.50-7.35(16H, m) 7.16(1H, t)
2-3 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 7.99-7.89(3H, m) 7.82-7.65(7H, m) 7.57-7.35(16H, m) 7.16(1H, t)
2-19 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.28(1H, d) 8.11(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82-7.69(6H, m) 7.57-7.35(15H, m) 7.16(1H, t)
2-21 δ = 8.55(2H, d) 8.36(4H, d) 7.99(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82(1H, d) 7.71-7.35(20H, m) 7.16(1H, t)
2-24 δ = 8.97(2H, d) 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 7.94(1H, d) 7.82(7.79(3H, m) 7.71-7.35(22H, m) 7.16(1H, t)
2-25 δ = 8.62(1H, d) 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.22(1H, d) 7.99(1H, d) 7.82(1H, d) 7.71-7.41(25H, m)
2-34 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d)8.19(1H, d) 8.09-7.94(4H, m) 7.82(1H, d) 7.71-7.50(15H, m) 7.38-7.35(2H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-35 δ = 8.55(1H, d) 8.36-8.31(5H, m) 8.09-7.91(5H, m) 7.82(1H, d) 7.71-7.35(21H, m) 7.16(1H, t)
2-38 δ = 8.95(1H, d) 8.55(1H, d) 8.50(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(2H, d) 8.09(1h, d) 7.94(1H, d) 7.82-7.65(5H, m) 7.57-7.50(10H, m) 7.39-7.35(2H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-43 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.08(1H, d) 8.02(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82(1H, d) 7.71-7.65(3H, m) 7.57-7.50(11H, m) 7.39-7.31(3H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-46 δ = 8.55(1H, d) 8.36(2H, d) 8.19(1H, d) 7.94(3H, d) 7.82(1H, d) 7.75-7.69(5H, m) 7.57-7.35(15H, m) 7.25-7.16(4H, m)
2-47 δ = 8.55(1H, d) 8.36(3H, d) 8.19(1H, d) 7.94(2H, d) 7.82(1H ,d) 7.75-7.35(22H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-51 δ = 8.55(1H, d) 8.36(2H, d) 8.19(1H, d) 8.08(1H, d) 7.98-7.88(4H, m) 7.71-7.65(3H, m) 7.57-7.31(16H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-57 δ = 9.09(1H, s) 8.55(1H, d) 8.49(1H, d) 8.36(1H, d) 8.19-8.16(2H, m) 8.08(1H, d) 8.00(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82(1H, d) 7.71-7.35(17H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-59 δ = 9.09(1H, s) 8.55(1H, d) 8.49(1H, d) 8.36(2H, d) 8.28(1H, d) 8.16-8.08(3H, m) 8.00(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82-7.35(20H, m) 7.16(1H, t)
2-61 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82-7.65(6H, m) 7.57-7.35(13H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-62 δ = 8.55(1H, d) 8.36-8.31(5H, m) 7.91(2H, m) 7.82-7.69(9H, m) 7.57-7.35(14H, m) 7.16(1H, t)
2-63 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 7.99-7.89(3H, m) 7.82-7.65(9H, m) 7.57-7.35(14H, m) 7.16(1H, t)
2-72 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 7.98(1H, d) 7.94(1H, d) 7.84-7.65(7H, m) 7.57-7.31(15H, m) 7.16(1H, t)
2-73 δ = 8.55(1H, d) 8,45(1H, d) 8.36(4H, d) 8.05(1H, d) 7.94(2H, d) 7.82-7.35(20H, m) 7.16(1H, t)
2-77 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.28(1H, d) 8.11(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82-7.65(8H, m) 7.57-7.35(13H, m) 7.16(1H, t)
2-79 δ = 8.55(2H, d) 8.36(4H, d) 7.99(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82-7.35(21H, m) 7.16(1H, t)
2-86 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 7.94(2H, m) 7.79-7.35(22H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-91 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.09-7.94(4H, m) 7.82-7.79(2H, m) 7.69-7.50(14H, m) 7.37-7.31(3H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-100 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.08(1H, d) 8.02-7.94(3H, m) 7.82-7.79(2H, m) 7.69-7.50(13H, m) 7.38-7.31(3H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-102 δ = 8.55(1H, d) 8.45(1H, d) 8.36-8.32(5H, m) 8.19(1H, d) 7.94(2H, d) 7.82-7.79(2H, m) 7.70-7.65(3H, m) 7.58-7.50(11H, m) 7.35(1H, t) 7.20-7.16(2H, m)
2-106 δ = 8.55(1H, d) 8.38-8.36(3H, m) 8.19(1H, d) 7.94(2H, m) 7.82-7.35(23H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-114 δ = 9.09(1H, s) 8.55(1H, d) 8.49(1H, d) 8.36(2H, d) 8.19-8.16(2H, m) 8.08(1H, d) 8.00(1H d) 7.94(1H, d) 7.82-7.35(18H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-121 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.02(1H, d) 7.94(1H, d) 7.69(1H, d) 7.58-7.35(16H, m) 7.21-7.20(2H, m)
2-122 δ = 8.55(1H, d) 8.36-8.31(5H, m) 8.02(1H, d) 7.94-7.91(2H, m) 7.82(1H, d) 7.75-7.69(4H, m) 7.58-7.35(17H, m) 7.16(1H, t)
2-130 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.28(1H, d) 8.11(1H, d) 8.02(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82(1H, d) 7.75-7.69(3H, m) 7.58-7.35(16H, m) 7.16(1H, t)
2-141 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.09-7.94(5H, m) 7.82(1H, d) 7.69-7.35(16H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-151 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 7.94(2H, d) 7.82-7.79(3H, m) 7.69(1H, d) 7.58-735(14H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-152 δ = 8.55(1H, d) 8.36-8.31(5H, m) 7.96-7.71(3h, m) 7.82-7.69(7H, m)7.58-7.35(15H, m) 7.16(1H, t)
2-160 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.28(1H, d) 8.11(1H, d) 7.96(2H, d) 7.82-7.69(6H, m) 7.58-7.35(14H, m) 7.16(1H, t)
2-171 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.09-7.94(5H, m) 7.82(1H, d) 7.63-7.50(14H, m) 7.38-7.35(2H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-174 δ = 8.55(1H, d) 8.38-8.36(3H, m) 8.19(1H, d) 7.96-7.94(3H, m) 7.82-7.69(7H, m) 7.58-7.35(15H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-177 δ = 9.09(1H, s) 8.55(1H, d) 8.49(1H, s) 8.36(2H, d) 8.19-8.16(2H, m) 8.08(1H, d) 8.00-7.94(3H ,m) 7.82-7.79(3H, m) 7.69-7.35(14H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-181 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82-7.69(5H, m) 7.58-7.35(14H, m) 7.16(1H, t)
2-190 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.28(1H, d) 8.11(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82(1H, d) 7.75-7.69(5H, m) 7.58-7.35(14H, m) 7.16(1H, t)
2-198 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.08(1H, d) 8.02-7.94(3H, m) 7.82(1H, d) 7.72-7.69(2H, m) 7.58-7.50(12H, m) 7.39-7.31(3H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-201 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d) 8.09-8.06(2H, m) 7.99(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82(1H, d) 7.69-7.50(15H, m) 7.39-7.35(2H, m)7.20-7.16(2H, m)
2-211 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d)8.19(1H, d) 7.94(1H, d) 7.82-7.79(3H, m) 7.64-7.35(16H, m)7.20-7.16(2H, m)
2-220 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.28(1H, d) 8.11(1H, d) 7.94(1H, d) 7.75-7.35(21H, m) 7.16(1H, t)
2-224 δ = 8.55(1H, d) 8.36(4H, d) 8.19(1H, d)7.94(2H, d) 7.75-7.35(22H, m) 7.20-7.16(2H, m)
2-234 δ = 8.55(1H, d) 8.38-36(3H, m) 8.19(1H, d) 7.94(2H, d)7.79-7.35(23H, m) 7.20-7.16(2H, m)
3-3 δ= 8.55 (1H, d), 8.30 (1H, d), 8.21-8.13 (3H, m), 7.99-7.89 (4H, m), 7.77-7.35 (17H, m), 7.20-7.16 (2H, m)
3-4 δ= 8.55 (1H, d), 8.30(1H, d), 8.19-8.13(2H, m), 7.99-7.89(8H, m), 7.77-7.75 (3H, m), 7.62-7.35 (11H, m), 7.20-7.16 (2H, m)
3-7 δ= 8.55 (1H, d), 8.31-8.30 (3H, d), 8.19-8.13 (2H, m), 7.99-7.89 (5H, m), 7.77-7.75 (5H, m), 7.62-7.35 (14H, m), 7.20-7.16 (2H, m)
3-9 δ= 8.55 (1H, d), 8.30 (1H, d), 8.19-8.13 (2H, m), 8.03-7.77 (9H, m), 7.62-7.50 (9H, m), 7.36-7.35 (2H, m), 7.20-7.16 (2H, m)
3-31 δ= 8.55 (1H, d), 8.30 (1H, d), 8.21-8.13 (4H, m), 7.99-7.89 (4H, m), 7.77-7.35 (20H, m), 7.20-7.16 (2H, m)
3-32 δ= 8.55 (1H, d), 8.30 (1H, d), 8.21-8.13 (3H, m), 7.99-7.89 (8H, m), 7.77-7.35 (17H, m), 7.20-7.16 (2H, m)
3-37 δ= 8.55 (1H, d), 8.30 (1H, d), 8.21-8.13 (3H, m), 8.03-7.35 (23H, m), 7.20-7.16 (2H, m)
3-42 δ= 8.55 (1H, d), 8.30 (1H, d), 8.19(1H, d) 8.13 (1H, d), 7.99-7.89 (12H, m), 7.77-7.75 (5H, m), 7.50-7.35 (8H, m), 7.20-7.16 (2H, m)
3-82 δ= 8.55 (1H, d), 8.30 (1H, d), 8.19-8.13 (2H, m), 8.03-7.77 (13H, m), 7.59-7.50 (6H, m) 7.36-7.35 (3H, m), 7.20-7.16 (2H, m)
4-2 δ = 8.55(1H, d), 8.45(1H, d), 8.30(1H, d), 8.19(1H, d), 8.13(1H, d), 8.00~7.89(6H, m), 7.77(2H, m), 7.62~7.35(15H, m), 7.20~7.16(2H, m)
4-3 δ = 8.55(1H, d), 8.45(1H, d), 8.30(1H, d), 8.19(1H, d), 8.13(1H, d), 8.00~7.89(6H, m), 7.77-7.75(4H, m), 7.62~7.35(13H, m), 7.25~7.16(6H, m)
4-5 δ = 8.55(1H, d), 8.45(1H, d), 8.30(1H, d), 8.19-7.93 (11H, d), 7.77 (2H, d) 7.63-7.49 (12H, m) 7.38-7.35 (2H, m) 7.20~7.16(2H, m)
< 실험예 1-1>-유기 발광 소자의 제작(녹색, 단독 호스트)
1,500Å의 두께로 인듐틴옥사이드(ITO)가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 아세톤, 메탄올, 이소프로필 알코올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV 세정기에서 UV를 이용하여 5분간 UVO처리하였다. 이후 기판을 플라즈마 세정기(PT)로 이송시킨 후, 진공상태에서 ITO 일함수 및 잔막 제거를 위해 플라즈마 처리를 하여, 유기증착용 열증착 장비로 이송하였다.
상기 ITO 투명 전극(양극)위에 공통층인 정공 주입층 2-TNATA(4,4',4"-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine) 및 정공 수송층 NPB(N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine)을 형성시켰다.
그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 호스트로 하기 표 8의 화학식 1에 기재된 화합물을 400Å 증착하였고 녹색 인광 도펀트는 Ir(ppy)3를 발광층 증착 두께의 7% 도핑하여 증착하였다. 이후 정공 저지층으로 BCP를 60Å 증착하였으며, 그 위에 전자 수송층으로 Alq3를 200Å 증착하였다. 마지막으로 전자 수송층 위에 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10Å 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한 후, 전자 주입층 위에 알루미늄(Al) 음극을 1,200Å의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-6~10-8torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED 제작에 사용하였다.
상기와 같이 제작된 유기 전계 발광 소자에 대하여 맥사이어스사의 M7000으로 전계 발광(EL)특성을 측정하였으며, 그 측정 결과를 가지고 맥사이언스사에서 제조된 수명장비측정장비(M6000)를 통해 기준 휘도가 6,000 cd/m2 일 때, T90을 측정하였다. 제조된 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표(CIE), 수명을 측정한 결과는 하기 표 8과 같았다.
발광층
화합물		 구동전압
(V)		 효율
(cd/A)		 발광색 수명
(T90)
비교예 1 A 6.64 22.9 녹색 22
비교예 2 B 6.58 23.2 녹색 24
비교예 3 C 6.50 24.1 녹색 20
비교예 4 D 5.92 35.7 녹색 48
비교예 5 E 5.65 37.8 녹색 65
비교예 6 F 6.04 30.4 녹색 30
비교예 7 G 5.84 31.0 녹색 25
비교예 8 H 5.80 33.2 녹색 45
비교예 9 I 5.31 40.6 녹색 85
비교예 10 J 5.02 44.8 녹색 112
비교예 11 K 4.89 47.8 녹색 131
비교예 12 3-3 5.21 47.0 녹색 55
비교예 13 3-4 5.75 41.1 녹색 49
비교예 14 3-7 5.48 45.3 녹색 56
비교예 15 3-31 5.75 41.2 녹색 41
비교예 16 3-32 5.48 40.2 녹색 54
비교예 17 3-42 5.52 41.0 녹색 53
비교예 18 4-2 5.83 42.9 녹색 45
비교예 19 4-3 5.84 43.0 녹색 45
실시예 1 1-1 4.45 83.2 녹색 211
실시예 2 1-2 4.43 84.1 녹색 223
실시예 3 1-3 4.45 83.2 녹색 227
실시예 4 1-34 4.27 69.2 녹색 115
실시예 5 1-35 4.24 70.2 녹색 121
실시예 6 1-38 4.29 68.4 녹색 125
실시예 7 1-43 4.36 90.6 녹색 255
실시예 8 1-46 4.31 91.5 녹색 276
실시예 9 1-47 4.28 90.8 녹색 284
실시예 10 1-51 4.22 95.5 녹색 311
실시예 11 1-61 4.39 85.6 녹색 205
실시예 12 1-62 4.36 84.5 녹색 223
실시예 13 1-63 4.38 83.2 녹색 249
실시예 14 1-72 4.22 96.4 녹색 283
실시예 15 1-73 4.17 98.6 녹색 296
실시예 16 1-86 4.38 85.8 녹색 230
실시예 17 1-91 4.23 66.6 녹색 122
실시예 18 1-100 4.30 91.2 녹색 237
실시예 19 1-102 4.25 94.1 녹색 254
실시예 20 1-106 4.22 93.3 녹색 269
실시예 21 1-121 4.51 78.6 녹색 203
실시예 22 1-122 4.46 79.5 녹색 211
실시예 23 1-141 4.15 64.0 녹색 138
실시예 24 1-151 4.50 79.7 녹색 205
실시예 25 1-152 4.42 80.2 녹색 232
실시예 26 1-171 4.17 65.1 녹색 139
실시예 27 1-174 4.30 88.8 녹색 267
실시예 28 1-181 4.47 79.9 녹색 253
실시예 29 1-198 4.38 88.2 녹색 243
실시예 30 1-201 4.18 64.3 녹색 122
실시예 31 1-211 4.43 80.4 녹색 212
실시예 32 1-224 4.40 84.1 녹색 229
실시예 33 2-1 4.31 84.7 녹색 189
실시예 34 2-2 4.29 85.6 녹색 202
실시예 35 2-3 4.30 84.0 녹색 195
실시예 36 2-34 4.11 70.0 녹색 111
실시예 37 2-35 4.09 71.3 녹색 116
실시예 38 2-38 4.15 69.1 녹색 119
실시예 39 2-43 4.23 92.9 녹색 237
실시예 40 2-46 4.16 93.7 녹색 248
실시예 41 2-47 4.13 92.6 녹색 251
실시예 42 2-51 4.06 98.2 녹색 280
실시예 43 2-61 4.19 86.8 녹색 198
실시예 44 2-62 4.20 86.2 녹색 210
실시예 45 2-63 4.11 84.3 녹색 232
실시예 46 2-72 4.06 99.5 녹색 263
실시예 47 2-73 4.01 100.7 녹색 272
실시예 48 2-86 4.24 87.3 녹색 209
실시예 49 2-91 4.10 67.5 녹색 118
실시예 50 2-100 4.14 94.0 녹색 212
실시예 51 2-102 4.09 96.3 녹색 219
실시예 52 2-106 4.04 96.9 녹색 240
실시예 53 2-121 4.31 79.8 녹색 175
실시예 54 2-122 4.29 81.3 녹색 182
실시예 55 2-141 3.99 65.1 녹색 111
실시예 56 2-151 4.33 80.9 녹색 177
실시예 57 2-152 4.29 82.1 녹색 203
실시예 58 2-171 4.01 66.3 녹색 121
실시예 59 2-174 4.16 90.5 녹색 243
실시예 60 2-181 4.30 82.3 녹색 222
실시예 61 2-198 4.14 90.6 녹색 219
실시예 62 2-201 4.02 65.6 녹색 112
실시예 63 2-211 4.28 83.1 녹색 200
실시예 64 2-224 4.26 86.6 녹색 214
실시예 65 2-234 4.10 90.1 녹색 234
Figure pat00109
< 실험예 1-2>-유기 발광 소자의 제작(녹색, pre-mixed 호스트)
1,500Å의 두께로 ITO가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 아세톤, 메탄올, 이소프로필 알코올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV 세정기에서 UV를 이용하여 5분간 UVO처리하였다. 이후 기판을 플라즈마 세정기(PT)로 이송시킨 후, 진공상태에서 ITO 일함수 및 잔막 제거를 위해 플라즈마 처리를 하여, 유기증착용 열증착 장비로 이송하였다.
상기 ITO 투명 전극(양극)위에 공통층인 정공 주입층 2-TNATA(4,4',4"-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine) 및 정공 수송층 NPB(N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine)을 형성시켰다.
그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 호스트로 하기 표 9에 기재된 화학식 1에 기재된 화합물 한 종과 하기 표 9에 기재된 화학식 2에 기재된 화합물 한 종을 pre-mixed하여 예비 혼합 후 하나의 공원에서 400Å 증착하였고 녹색 인광 도펀트는 Ir(ppy)3를 발광층 증착 두께의 7% 도핑하여 증착하였다. 이후 정공 저지층으로 BCP를 60Å 증착하였으며, 그 위에 전자 수송층으로 Alq3 를 200Å 증착하였다. 마지막으로 전자 수송층 위에 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10Å 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한 후, 전자 주입층 위에 알루미늄(Al) 음극을 1,200Å로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-6~10-8torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED 제작에 사용하였다.
상기와 같이 제작된 유기 전계 발광 소자에 대하여 맥사이어스사의 M7000으로 전계 발광(EL)특성을 측정하였으며, 그 측정 결과를 가지고 맥사이언스사에서 제조된 수명장비측정장비(M6000)를 통해 기준 휘도가 6,000 cd/m2 일 때, T90을 측정하였다.
본 발명에 따라 제조된 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표(CIE), 수명을 측정한 결과는 하기 표 9와 같았다.
발광층
화합물		 비율 구동전압
(V)		 효율
(cd/A)		 발광색 수명
(T90)
실시예 65 1-1 3-4 1 : 8 5.12 61.7 녹색 88
실시예 66 1 : 5 4.75 73.6 녹색 149
실시예 67 1 : 2 4.38 86.0 녹색 402
실시예 68 1 : 1 4.32 87.2 녹색 369
실시예 69 2 : 1 4.29 88.4 녹색 344
실시예 70 5 : 1 4.40 83.9 녹색 236
실시예 70 8 : 1 4.42 83.2 녹색 211
실시예 71 4-2 1 : 2 4.53 87.2 녹색 432
실시예 72 1 : 1 4.39 90.1 녹색 400
실시예 73 2 : 1 4.31 91.7 녹색 374
실시예 74 1-2 3-31 1 : 3 4.53 84.1 녹색 441
실시예 75 1 : 2 4.28 86.0 녹색 424
실시예 76 1 : 1 4.22 87.2 녹색 390
실시예 77 2 : 1 4.17 88.9 녹색 364
실시예 78 3 : 1 4.26 76.1 녹색 255
실시예 79 1-47 3-42 1 : 2 4.37 91.8 녹색 451
실시예 80 1 : 1 4.19 93.6 녹색 425
실시예 81 2 : 1 4.13 94.8 녹색 393
실시예 82 1-61 3-3 1 : 2 4.29 87.6 녹색 381
실시예 83 1 : 1 4.22 89.0 녹색 362
실시예 84 2 : 1 4.16 89.6 녹색 335
실시예 85 1-122 3-32 1 : 2 4.29 88.5 녹색 372
실시예 86 1 : 1 4.20 89.7 녹색 384
실시예 87 2 : 1 4.13 91.6 녹색 326
실시예 88 2-1 3-3 1 : 2 4.21 87.9 녹색 388
실시예 89 1 : 1 4.14 89.2 녹색 350
실시예 90 2 : 1 4.08 90.5 녹색 332
실시예 91 2-1 4-2 1 : 2 4.46 88.6 녹색 417
실시예 92 1 : 1 4.37 91.2 녹색 383
실시예 93 2 : 1 4.25 93.5 녹색 350
실시예 94 2-3 3-7 1 : 2 4.20 87.7 녹색 410
실시예 95 1 : 1 4.10 90.1 녹색 375
실시예 96 2 : 1 4.04 91.4 녹색 346
실시예 97 2-63 3-31 1 : 2 4.23 88.1 녹색 384
실시예 98 1 : 1 4.11 91.3 녹색 359
실시예 99 2 : 1 4.02 92.2 녹색 342
실시예 100 2-73 4-3 1 : 2 4.43 91.9 녹색 462
실시예 101 1 : 1 4.34 93.3 녹색 430
실시예 102 2 : 1 4.22 95.1 녹색 388
실시예 103 2-100 3-42 1 : 2 4.27 88.9 녹색 414
실시예 104 1 : 1 4.16 91.6 녹색 384
실시예 105 2 : 1 4.09 93.0 녹색 352
실시예 106 2-106 3-31 1 : 2 4.17 92.2 녹색 401
실시예 107 1 : 1 4.06 95.0 녹색 361
실시예 108 2 : 1 3.98 97.5 녹색 338
< 실험예 2-1>-유기 발광 소자의 제작(적색, 단독 호스트)
1,500Å의 두께로 인듐틴옥사이드(ITO, Indium Tinoxide)가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 아세톤, 메탄올, 이소프로필 알코올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV(Ultraviolet) 세정기에서 UV를 이용하여 5분간 UVO(Ultraviolet Ozone)처리하였다. 이후 기판을 플라즈마 세정기(PT)로 이송시킨 후, 진공상태에서 ITO 일함수 및 잔막 제거를 위해 플라즈마 처리를 하여, 유기증착용 열증착 장비로 이송하였다.
상기 ITO 투명 전극(양극)위에 공통층인 정공 주입층 2-TNATA(4,4',4"-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino] triphenylamine) 및 정공 수송층 NPB(N,N'-diphenyl-(1,1'biphenyl)-4,4'diamine)을 형성시켰다.
그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 적색 호스트로 하기 표 10에 기재된 화학식 1에 해당하는 화합물, 적색 인광 도펀트로 (piq)2(Ir)(acac)을 사용하여 호스트에 (piq)2(Ir)(acac)를 3% 도핑하여 500Å 증착하였다. 이후 정공 저지층으로 BCP를 60Å 증착하였으며, 그 위에 전자 수송층으로 Alq3 를 200Å 증착하였다. 이후 정공 저지층으로 BCP를 60Å 증착하였으며, 그 위에 전자 수송층으로 Alq3 를 200Å 증착하였다. 마지막으로 전자 수송층 위에 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10Å 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한 후, 전자 주입층 위에 알루미늄(Al) 음극을 1,200Å의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-6~10-8torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED 제작에 사용하였다.
상기와 같이 제작된 유기 전계 발광 소자에 대하여 맥사이어스사의 M7000으로 전계 발광(EL)특성을 측정하였으며, 그 측정 결과를 가지고 맥사이언스사에서 제조된 수명장비측정장비(M6000)를 통해 기준 휘도가 6,000 cd/m2 일 때, T90을 측정하였다. 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 특성은 하기 표 10과 같다.
발광층
화합물		 구동전압
(V)		 효율
(cd/A)		 발광색 수명
(T90)
비교예 20 L 5.83 15.7 적색 20
비교예 21 M 5.81 16.3 적색 41
비교예 22 N 5.77 18.4 적색 44
비교예 23 O 5.22 23.2 적색 88
비교예 24 P 4.95 28.6 적색 157
비교예 25 Q 5.34 20.5 적색 105
비교예 26 R 5.14 19.1 적색 97
비교예 27 S 5.10 23.4 적색 140
비교예 28 T 4.61 26.8 적색 182
비교예 29 U 4.32 28.7 적색 168
비교예 30 V 4.28 28.2 적색 203
비교예 31 3-9 5.19 17.0 적색 64
비교예 32 3-37 5.09 21.2 적색 50
비교예 33 3-82 5.03 22.4 적색 48
비교예 34 4-5 5.63 23.0 적색 51
실시예 109 1-19 3.70 42.3 적색 432
실시예 110 1-21 3.88 38.2 적색 388
실시예 111 1-24 3.85 40.9 적색 403
실시예 112 1-25 3.83 41.3 적색 415
실시예 113 1-34 3.64 38.5 적색 389
실시예 114 1-35 3.61 39.2 적색 401
실시예 115 1-38 3.65 37.9 적색 365
실시예 116 1-57 3.75 41.4 적색 424
실시예 117 1-59 3.76 40.8 적색 401
실시예 118 1-77 3.71 42.0 적색 420
실시예 119 1-79 3.92 37.9 적색 372
실시예 120 1-91 3.68 38.1 적색 375
실시예 121 1-114 3.74 41.8 적색 425
실시예 122 1-130 3.75 40.6 적색 411
실시예 123 1-141 3.66 36.5 적색 366
실시예 124 1-160 3.90 39.8 적색 404
실시예 125 1-171 3.67 36.6 적색 360
실시예 126 1-177 3.84 41.0 적색 413
실시예 127 1-190 3.86 41.0 적색 406
실시예 128 1-201 3.65 36.2 적색 351
실시예 129 1-220 3.79 40.3 적색 402
실시예 130 2-19 3.68 43.6 적색 420
실시예 131 2-21 3.86 39.5 적색 374
실시예 132 2-24 3.83 42.2 적색 388
실시예 133 2-25 3.80 42.6 적색 401
실시예 134 2-34 3.62 39.7 적색 373
실시예 135 2-35 3.58 40.4 적색 386
실시예 136 2-38 3.61 39.3 적색 352
실시예 137 2-57 3.73 43.1 적색 412
실시예 138 2-59 3.73 42.3 적색 387
실시예 139 2-77 3.68 43.3 적색 408
실시예 140 2-79 3.88 39.1 적색 360
실시예 141 2-91 3.62 39.5 적색 363
실시예 142 2-114 3.73 43.8 적색 414
실시예 143 2-130 3.71 42.0 적색 402
실시예 144 2-141 3.63 37.7 적색 352
실시예 145 2-160 3.85 40.9 적색 393
실시예 146 2-171 3.62 38.2 적색 349
실시예 147 2-177 3.79 42.7 적색 401
실시예 148 2-190 3.83 43.0 적색 393
실시예 149 2-201 3.61 37.8 적색 337
실시예 150 2-220 3.73 41.5 적색 388
Figure pat00110
< 실험예 2-2>-유기 발광 소자의 제작(적색, pre-mixed 호스트)
1,500Å 의 두께로 인듐틴옥사이드(ITO)가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 아세톤, 메탄올, 이소프로필 알코올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV 세정기에서 UV를 이용하여 5분간 UVO처리하였다. 이후 기판을 플라즈마 세정기(PT)로 이송시킨 후, 진공상태에서 ITO 일함수 및 잔막 제거를 위해 플라즈마 처리를 하여, 유기증착용 열증착 장비로 이송하였다.
상기 ITO 투명 전극(양극)위에 공통층인 정공 주입층 2-TNATA(4,4',4"-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine) 및 정공 수송층 NPB(N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine)을 형성시켰다.
그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 적색 호스트로 하기 표 11에 기재한 바와 같이 화합물 1 및 화합물 2에 해당하는 두 종을 예비 혼합 후 하나의 공급원에서 400Å 증착하였고 적색 인광 도펀트는 (piq)2(Ir)(acac)를 3% 도핑하여 증착하였다. 이후 정공 저지층으로 BCP를 60Å 증착하였으며, 그 위에 전자 수송층으로 Alq3 를 200Å 증착하였다. 마지막으로 전자 수송층 위에 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10Å 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한 후, 전자 주입층 위에 알루미늄(Al) 음극을 1,200Å의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-6~10-8torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED 제작에 사용하였다.
상기와 같이 제작된 유기 전계 발광 소자에 대하여 맥사이어스사의 M7000으로 전계 발광(EL)특성을 측정하였으며, 그 측정 결과를 가지고 맥사이언스사에서 제조된 수명장비측정장비(M6000)를 통해 기준 휘도가 6,000 cd/m2 일 때, T90을 측정하였다. 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 특성은 하기 표 11과 같다.
발광층
화합물		 비율 구동전압
(V)		 효율
(cd/A)		 발광색 수명
(T90)
실시예 151 1-19 3-9 1 : 8 4.66 29.4 적색 175
실시예 152 1 : 5 3.86 40.3 적색 420
실시예 153 1 : 2 3.55 47.7 적색 507
실시예 154 1 : 1 3.52 46.8 적색 575
실시예 155 2 : 1 3.59 46.0 적색 520
실시예 156 5 : 1 3.72 43.0 적색 457
실시예 157 8 : 1 3.79 39.4 적색 373
실시예 158 4-5 1 : 2 3.92 39.6 적색 499
실시예 159 1 : 1 3.74 45.6 적색 620
실시예 160 2 : 1 3.79 44.7 적색 551
실시예 161 1-21 3-9 1 : 3 3.81 37.0 적색 320
실시예 162 1 : 2 3.66 41.6 적색 467
실시예 163 1 : 1 3.63 42.2 적색 522
실시예 164 2 : 1 3.65 41.9 적색 501
실시예 165 3 : 1 3.80 39.2 적색 410
실시예 166 1-34 3-82 1 : 2 3.45 44.3 적색 581
실시예 167 1 : 1 3.46 43.1 적색 530
실시예 168 2 : 1 3.52 42.4 적색 479
실시예 169 1-59 3-37 1 : 2 3.50 45.5 적색 566
실시예 170 1 : 1 3.52 45.0 적색 541
실시예 171 2 : 1 3.60 43.1 적색 472
실시예 172 1-77 3-9 1 : 2 3.66 43.6 적색 490
실시예 173 1 : 1 3.56 45.2 적색 537
실시예 174 2 : 1 3.57 44.9 적색 511
실시예 175 1-130 3-9 1 : 2 3.51 45.7 적색 556
실시예 176 1 : 1 3.60 43.2 적색 491
실시예 177 2 : 1 3.69 42.5 적색 459
실시예 178 1-190 3-37 1 : 2 4.02 34.1 적색 294
실시예 179 1 : 1 3.68 41.7 적색 441
실시예 180 2 : 1 3.60 44.2 적색 520
실시예 181 2-19 3-9 1 : 2 3.40 49.5 적색 519
실시예 182 1 : 1 3.45 47.7 적색 500
실시예 183 2 : 1 3.57 45.9 적색 447
실시예 184 2-21 4-5 1 : 2 4.10 42.9 적색 490
실시예 185 1 : 1 3.90 43.8 적색 531
실시예 186 2 : 1 3.92 43.4 적색 467
실시예 187 2-34 3-82 1 : 2 3.61 43.9 적색 501
실시예 188 1 : 1 3.39 44.1 적색 462
실시예 189 2 : 1 3.47 42.5 적색 401
실시예 190 2-57 3-37 1 : 2 3.64 44.0 적색 539
실시예 191 1 : 1 3.49 48.2 적색 510
실시예 192 2 : 1 3.56 46.8 적색 460
실시예 193 2-77 3-9 1 : 2 3.55 45.4 적색 488
실시예 194 1 : 1 3.35 47.8 적색 480
실시예 195 2 : 1 3.42 46.0 적색 458
상기 표 8의 상기 실시예 1부터 실시예 32까지의 화합물은 디벤조퓨란 코어의 3번위치에 트리아진이 결합되어 있는 물질들이다. 이 경우, 전체적인 물질의 선형성(linearity)가 높아지며 물질의 다이폴모먼트(dipole moment)가 보다 강화된다. 그로 인해 트리아진을 포함한 강한 ET 유닛이 갖는 특성인 전자 당김(Electron Withdrawing)효과가 더욱 강하게 발현되어 코어구조인 디벤조퓨란의 비편재화된 전자들이 보다 ET유닛쪽으로 당겨지게 된다.
이때 호스트 물질의 LUMO site는 ET unit인 트리아진을 중심으로 위치하고 있는데, 전자가 강하게 끌려오게 되면 코어 주변에서 HOMO Site와의 중첩되는 영역이 크게 줄어든다. 또한 영역내에 존재하는 전자가 LUMO site 쪽으로 편재화되므로 HOMO site내의 전자밀도는 감소하게 된다. 그러므로 LUMO-HOMO의 중첩에서 기인되는 분자 내 Charge Transfer 역시 감소하게 되며, 분자구조의 안정성이 보다 증대되는 특성을 갖게 되어 소자의 수명이 비약적으로 증가함을 알 수 있었다.
다만 디벤조퓨란 코어의 3번위치에 트리아진이 결합되어 있는 물질은 전자의 비편재화도가 보다 떨어지게 되어 디벤조퓨란 코어의 1번 위치에 치환된 경우보다 구동전압이 약간 상승하는 경향이 있다. 이는 코어구조 반대편에 카바졸계 치환기 또는 화학식 1의 Ar의 위치나 Donor effect의 세기에 따라 일정수준 조절이 가능할 수 있다.
Bipolar Host System을 구성하는 또 다른 치환기인 카바졸계 치환기의 경우, 강한 Donor effect를 바탕으로 높은 T1 에너지레벨을 갖는 좋은 호스트 물질이다. (T1=3.00eV) 주요 HOMO site가 위치하고 있으며 카바졸기 자체의 치환/비치환을 통해 Donor Effect를 조절 할 수 있다. 더불어 카바졸기의 치환을 통해 분자량을 높여 분자 자체의 안정성과 열적 물성(Tg, Tm)을 높이는데 기여 할 수 있다.
특히 OLED소자에서 가장 중요한 Charge balance를 유지함에 있어 전자보다 빠른 mobility를 갖는 정공의 흐름을 조절하기 위해 카바졸기의 치환은 해당 호스트 구조에서 중요한 역할을 하게되며, 이를 통해 소자구조의 다변화를 꾀할 수 있고, 소자의 두께와 정공주입층, 정공전달층의 변화에 따른 Work Function의 변화에도 카바졸기의 치환을 통해 물질의 HOMO level을 일정수준 조절 가능하다. 이를 통해 정공전달층과의 에너지 장벽을 없애 소자내의 정공 흐름을 개선하여 구동전압을 효과적으로 낮게 유지 할 수 있는 역할을 함을 확인할 수 있었다.
카바졸계 치환기와 상기 화학식 1의 Ar의 치환을 비교해 보면, 동일 위치에서 카바졸기가 치환될 때 전체적인 구동전압이 낮아짐을 확인할 수 있었다. 이는 카바졸기의 work function인 HOMO레벨이 인접해있는 정공전달층의 HOMO레벨과 비슷해지면서 계면에서의 저항이 상대적으로 감소하기 때문이다. 이를 통해 정공의 흐름이 개선되며 Turn on Voltage가 낮아지고, 구동전압 역시 낮아지게 됨을 확인할 수 있었다.
상기 표 8의 상기 실시예 33에서 실시예 65까지의 화합물은 디벤조퓨란 코어의 1번위치에 트리아진이 결합된 물질들이다. 이 경우 상대적으로 약간 떨어지는 선형성(linearity)을 갖지만, 디벤조퓨란의 반대편에 위치한 카바졸기 또는 상기 화학식 1의 Ar이 치환된 위치에 따라 일정 수준 선형성(linearity)을 더 높이거나 줄이는 효과를 볼 수 있다.
따라서 약간의 전자 당김 효과(withdrawing Effect)를 갖지만, 전자의 비편재화도는 더 높은편이므로 분자내의 Charge Transfer는 보다 활발하게 이루어 진다. 상기의 실험결과에서, 동일 소자구조에서 색 좌표 또한 보다 Red Shift한 형태임을 확인 할 수 있으며, 이는 Charge Transfer가 일어남으로 인해 물질의 Bandgap이 보다 좁아짐을 의미할 수 있다. 비편재화된 전자들의 존재와 그의 활발한 Charge Transfer효과로 인해 구동전압과 소자내의 전류효율이 더 우수함을 확인 할 수 있었다.
상기 표 10은 적색 발광소자를 제조하여 측정한 것이다. 적색 소자의 경우, 금속 착물과 유기 호스트 물질 모두 녹색과 소자와 비교하여 낮은 T1 에너지 레벨을 갖는다. 따라서 녹색 소자보다는 상대적으로 낮은 전류효율과 장수명의 특성을 갖는다.
동일한 코어를 중심으로 적색 소자에 사용되는 적정 에너지 레벨수준을 갖는 물질을 만들기 위해 물질의 컨쥬게이션 영역을 조절 해 줄 필요가 있으며, 기존에 사용중인 HT unit인 카바졸계 치환기와 ET 유닛인 트리아진의 치환기들을 각각 다환 축합고리기로 변경하여 물질의 컨쥬게이션 영역을 확장시켜 주었고, 이를 통해 상대적으로 동일하게 장수명, 고효율의 특성을 갖는 적색 인광 호스트 물질을 디자인할 수 있었다.
특히, 카바졸기에 도입된 다환 축합을 통해 카바졸기가 갖는 빠른 정공특성을 유지하며 적색 인광이 발현 가능한 T1 에너지레벨로 조절이 가능하다. 동시에 축합환의 형태이므로 더 넓은 컨쥬게이션 영역을 확보 할 수 있으므로 분자의 안정성 또한 증대시킬 수 있다. 이때 카바졸기 주변을 치환해 줌으로서 일정수준 HOMO 준위의 에너지레벨을 조절 할 수 있다. 따라서 정공 수송층과의 근접한 Work Function을 갖도록 조절하여 소자 전체의 구동전압을 보다 낮출 수 있는 장점을 가짐을 확인할 수 있었다.
또한, 트리아진기에 도입된 디벤조퓨란, 디벤조디오펜, 트리페닐렌기 등 축합된 치환기는 트리아진이 갖는 강한 Electron Withdrawing 성질을 보다 강하게 만들어 줄 수 있다. 헤테로원자의 존재유무와는 별개로, 안정적인 구조를 갖는 다중 축합환의 도입으로 넓은 컨쥬게이션 영역을 확보하여 LUMO 준위의 확장을 꾀할 수 있다. 이를 통해 Electron Mobility를 보다 강하게 만들어주어 낮은 전압에서도 충분한 전류효율을 유지 할 수 있는 역할을 하며, 적색 발광에 필요한 적정 수준의 T1 에너지레벨로의 조절도 함께 이루어진다.
기존 구조체를 바탕으로 치환기의 축합환 도입 유무에 따라 동일 구조에서 여러 색상을 구현 할 수 있기 때문에 해당 구조체의 확장성은 무궁무진하며, RGB방식이나 2-Stack, 3-Stack 등의 여러 소자구조를 도입하더라도 유사한 형태의 소자구축이 가능한 장점이 있다.
치환기의 위치에 따라 적절한 Work Function을 갖는 물질을 제조 할 수 있으므로 향후 새로운 소자를 구축하더라도 에너지레벨의 조절은 물론, 소자 전체의 Electron Mobility를 조절하는 요소로도 사용 가능하다.
상기 표 9 및 표 11은 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2의 헤테로고리 화합물을 유기물층에 증착하기 전 먼저 재료를 섞어서 하나의 공원에 담아 혼합하는 예비 혼합(pre-mixed)과정을 거친다. 예비 혼합시에는 2~3가지의 증착원을 사용하는 것이 아닌 하나의 증착원을 사용하기 때문에 공정을 보다 단순하게 만드는 장점이 존재한다.
상기와 같이 예비 혼합 시, 각 물질의 고유의 열적 특성을 확인하여 혼합해야 하며, 이 때, 예비 혼합한 호스트(Host) 물질을 하나의 증착원으로부터 증착할 때, 물질 고유의 열적 특성에 따라 증착 속도를 포함한 증착 조건에 큰 영향을 줄 수 있다. 예비 혼합된 2종 이상의 물질 간 열적 특성이 유사하지 않고 상이한 경우에는 증착 공정에서의 반복성, 재현성을 유지 할 수 없으며, 이는 한 번의 증착공정에서 모두 균일한 OLED소자를 제작 할 수 없음을 의미한다.
이를 극복하기 위해 각 물질의 기본구조와 치환기의 적절한 조합을 활용하여 물질의 전기적 특성을 조율함과 동시에 열적 특성도 분자구조의 형태에 따라 조절 할 수 있다. 그러므로 상기 화학식 2와 같이 카바졸 N과 결합되는 탄소와의 결합뿐만 아니라, 기본골격 외 상기 화학식 2에 여러 치환기를 활용하여 소자의 성능 향상을 꾀함은 물론, 각 물질의 열적 특성을 조절하여 호스트-호스트간의 여러가지 예비 혼합 증착공정의 다양성을 확보 할 수 있다. 이를 통해 호스트로써 2가지 화합물뿐만 아니라 3~4가지 이상의 호스트(Host) 물질을 활용한 예비 혼합 증착 공정의 다양성도 함께 확보 할 수 있는 장점이 있다.
상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물과 상기 화학식 2의 헤테로고리 화합물의 혼합은 2종 이상의 물질을 혼합할 수 있음을 의미하는 것이며, 위의 실험예는 대표예일뿐 이에 한정되지 않는다.
상기 표 9 및 표 11에서 알 수 있듯, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물과 상기 화학식 2의 헤테로고리 화합물의 혼합을 통해 발광층의 전류효율이 일부 개선되는 효과를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 장수명의 특성을 갖는 소자를 구축 할 수 있음을 확인할 수 있었다. 상기 표 9 및 11의 결과를 보면 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물과 상기 화학식 2의 헤테로고리 화합물을 동시에 포함하는 경우 더 우수한 효율 및 수명 효과를 보임을 확인할 수 있었다. 이는 두가지 이상의 물질이 혼합되었을 때 발생하는 엑시플렉스(exciplex) 현상에 의한 것이다. 상기 엑시플렉스(exciplex) 현상은 두 분자간 전자 교환으로 donor(p-host)의 HOMO level, acceptor(n-host) LUMO level 크기의 에너지를 방출하는 현상이다.
두 분자간 엑시플렉스(exciplex) 현상이 일어나면 Reverse Intersystem Crossing(RISC)이 일어나게 되고 이로 인해 형광 발광의 내부양자 효율이 100%까지 올라갈 수 있다. 정공 수송 능력이 좋은 donor(p-host)와 전자 수송 능력이 좋은 acceptor(n-host)가 발광층의 호스트로 사용될 경우 정공은 p-host로 주입되고, 전자는 n-host로 주입되는데, 이때 분자간 전자교환으로 인해 엑시톤(exciton)이 Quenching되지 않고 에너지를 갖고 있을 수 있는 엑시톤의 Lifetime이 증가하게 된다. 그로 인해 전체적인 전류 효율이 개선됨과 더불어 소자의 수명 향상에 도움을 줄 수 있다. 본원 발명에서는 donor 역할은 상기 화학식 2의 헤테로고리 화합물, acceptor 역할은 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물이 발광층 호스트로 사용되었을 경우에 우수한 소자 특성을 나타냄을 확인할 수 있었다.
100: 기판
200: 양극
300: 유기물층
301: 정공 주입층
302: 정공 수송층
303: 발광층
304: 정공 저지층
305: 전자 수송층
306: 전자 주입층
400: 음극

Claims (18)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00111

    상기 화학식 1에 있어서,
    N-Het는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 단환 또는 다환의 C2 내지 C60의 헤테로고리기이고,
    L 및 L1은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접 결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기이고,
    Ar은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
    R1 내지 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; -SiRR'R" 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리를 형성하고,
    상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
    a 및 c는 0 내지 4의 정수이고,
    b는 0 내지 2의 정수이다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물:
    [화학식 3]
    Figure pat00112

    [화학식 4]
    Figure pat00113

    상기 화학식 3 및 4에 있어서,
    R1 내지 R11, N-Het, L, L1, Ar, a, b, 및 c의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 화학식 3은 하기 화학식 3-1 내지 3-6 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물:
    [화학식 3-1]
    Figure pat00114

    [화학식 3-2]
    Figure pat00115

    [화학식 3-3]
    Figure pat00116

    [화학식 3-4]
    Figure pat00117

    [화학식 3-5]
    Figure pat00118

    [화학식 3-6]
    Figure pat00119

    상기 화학식 3-1 내지 3-6에 있어서,
    상기 R1 내지 R11, N-Het, L, L1, Ar, a, b, 및 c의 정의는 상기 화학식 3에서의 정의와 동일하다.
  4. 청구항 2에 있어서, 상기 화학식 4는 하기 화학식 4-1 내지 4-6 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물:
    [화학식 4-1]
    Figure pat00120

    [화학식 4-2]
    Figure pat00121

    [화학식 4-3]
    Figure pat00122

    [화학식 4-4]
    Figure pat00123

    [화학식 4-5]
    Figure pat00124

    [화학식 4-6]
    Figure pat00125

    상기 화학식 4-1 내지 4-6에 있어서,
    상기 R1 내지 R11, N-Het, L, L1, Ar, a, b, 및 c의 정의는 상기 화학식 4에서의 정의와 동일하다.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 Ar은 하기 구조중 어느 하나인 것인 헤테로고리 화합물:
    Figure pat00126

    상기 구조식에 있어서,
    Figure pat00127
    는 L1에 연결되는 위치를 의미하며,
    X1은 O; 또는 S이다.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물:

    Figure pat00128

    Figure pat00129

    Figure pat00130

    Figure pat00131

    Figure pat00132

    Figure pat00133

    Figure pat00134

    Figure pat00135

    Figure pat00136

    Figure pat00137

    Figure pat00138

    Figure pat00139

    Figure pat00140

    Figure pat00141

    Figure pat00142

    Figure pat00143

    Figure pat00144

    Figure pat00145

    Figure pat00146

    Figure pat00147

    Figure pat00148

    Figure pat00149

    Figure pat00150

    Figure pat00151

    Figure pat00152

    Figure pat00153

    Figure pat00154

    Figure pat00155
    .
  7. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 따른 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 호스트 물질을 포함하며, 상기 호스트 물질은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  10. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층 또는 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  11. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 전자저지층 또는 정공저지층을 포함하고, 상기 전자저지층 또는 정공저지층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  12. 청구항 7에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층. 전자주입층, 전자수송층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  13. 청구항 7에 있어서,
    상기 유기물층은 하기 화학식 2의 헤테로고리 화합물을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 2]
    Figure pat00156

    상기 화학식 2에 있어서,
    Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
    Rc 및 Rd는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    r 및 s는 0 내지 7의 정수이다.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화합물 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:

    Figure pat00157

    Figure pat00158

    Figure pat00159

    Figure pat00160

    Figure pat00161

    Figure pat00162

    Figure pat00163

    Figure pat00164

    Figure pat00165

    Figure pat00166

    Figure pat00167

    Figure pat00168

    Figure pat00169

    Figure pat00170

    Figure pat00171

    Figure pat00172

    Figure pat00173
  15. 청구항 1에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물:
    [화학식 2]
    Figure pat00174

    상기 화학식 2에 있어서,
    Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
    Rc 및 Rd는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    r 및 s는 0 내지 7의 정수이다.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 조성물 내 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 : 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물의 중량비는 1 : 10 내지 10 : 1 인 것인 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물.
  17. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 유기물층을 형성하는 단계는 청구항 15에 따른 유기물층용 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법.
  18. 청구항 17에 있어서, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2의 헤테로고리 화합물을 예비 혼합(pre-mixed)하여 열 진공 증착 방법을 이용하여 형성하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220017367A (ko) * 2020-08-04 2022-02-11 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101915712B1 (ko) * 2017-03-24 2018-11-06 희성소재 (주) 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물
KR102290359B1 (ko) * 2018-12-11 2021-08-19 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 유기물층용 조성물
JP2022546218A (ja) * 2019-12-20 2022-11-04 エルジー・ケム・リミテッド 新規な化合物およびこれを利用した有機発光素子
CN113292545B (zh) * 2021-06-28 2023-05-09 南京高光半导体材料有限公司 一种含有三嗪及三嗪衍生物的化合物及有机电致发光器件
US20230031933A1 (en) * 2021-07-22 2023-02-02 Apple Inc. Group cast with retries (gcr) in a multi-link wlan system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
KR20180108425A (ko) * 2017-03-24 2018-10-04 희성소재 (주) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20180108428A (ko) * 2017-03-24 2018-10-04 희성소재 (주) 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102421772B (zh) * 2010-04-20 2015-11-25 出光兴产株式会社 双咔唑衍生物、有机电致发光元件用材料及使用其的有机电致发光元件
JP6007467B2 (ja) * 2010-07-27 2016-10-12 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、
US9780322B2 (en) * 2011-10-21 2017-10-03 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element
EP3034507A1 (en) * 2014-12-15 2016-06-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd 1-functionalized dibenzofurans and dibenzothiophenes for organic light emitting diodes (OLEDs)
KR101885899B1 (ko) * 2016-11-07 2018-08-06 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102038031B1 (ko) * 2017-09-15 2019-10-30 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US11706977B2 (en) * 2018-01-11 2023-07-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Heterocyclic compound, composition including the same, and organic light-emitting device including the heterocyclic compound
JP2019119723A (ja) * 2018-01-11 2019-07-22 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用組成物、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20190140749A (ko) 2018-06-12 2019-12-20 김창식 하수 처리장의 다기능 스크린 장치
KR102447008B1 (ko) * 2019-08-09 2022-09-22 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR102478094B1 (ko) * 2019-08-13 2022-12-15 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
KR20180108425A (ko) * 2017-03-24 2018-10-04 희성소재 (주) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20180108427A (ko) * 2017-03-24 2018-10-04 희성소재 (주) 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물
KR20180108428A (ko) * 2017-03-24 2018-10-04 희성소재 (주) 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물
KR20180108426A (ko) * 2017-03-24 2018-10-04 희성소재 (주) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220017367A (ko) * 2020-08-04 2022-02-11 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자

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