KR20210053941A - Substrate processing equipment - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 기판을 처리액으로 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 어떤 양태의 기판 처리 장치는, 기판을 수평 자세로 적재시키는 적재면을 갖는 지지부와, 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하기 위한 처리조와, 기판을 처리조 내에 강하 및 처리조로부터 상승시키기 위해 지지부를 승강시키는 승강부와, 처리조의 상방에 있어서, 지지부에 지지된 기판의 외주부를 파지하여 지지부로부터 기판을 수취하는 파지부와, 파지부에 의해 파지된 기판에 기체를 분사하여 기판을 건조시키는 제1 노즐을 구비한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus that treats a substrate with a processing liquid. In some embodiments, a substrate processing apparatus includes a support having a loading surface for loading a substrate in a horizontal position, a processing tank for supplying a processing liquid to the substrate to process the substrate, and for lowering the substrate into the processing tank and raising the substrate from the processing tank. An elevating part for raising and lowering the support part, a gripping part that grips the outer circumferential part of the substrate supported by the support part and receives the substrate from the support part above the processing tank, and a substrate that injects gas onto the substrate held by the gripping part to dry the substrate. It has a first nozzle.
Description
본 발명은, 기판을 처리액으로 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus that treats a substrate with a processing liquid.
반도체 웨이퍼 등의 기판에 배선이나 범프를 형성하는 방법으로서, 비교적 저렴하며 처리 시간이 짧은 전해 도금법이 널리 사용되고 있다. 전해 도금 공정에 있어서 상류 공정으로부터 공급된 기판을 기판 홀더에 세팅하고, 처리조에 반송하여 기판에 도금하는 장치가 알려져 있다. 도금 처리가 완료되면, 처리조로부터 기판 홀더를 취출하여 기판 착탈 위치에 반송하고, 그 기판 홀더로부터 기판을 취출한다. 이 일련의 공정은, 로봇 암이나 반송 기구를 구동함으로써 이루어진다.As a method of forming wirings or bumps on a substrate such as a semiconductor wafer, an electrolytic plating method that is relatively inexpensive and has a short processing time is widely used. In the electrolytic plating process, an apparatus is known in which a substrate supplied from an upstream process is set in a substrate holder and transferred to a processing tank to plate the substrate. When the plating process is completed, the substrate holder is taken out from the processing tank, transferred to the substrate attachment/removing position, and the substrate is taken out from the substrate holder. This series of steps is performed by driving a robot arm or a conveyance mechanism.
그런데, 도금 처리 후에 기판 홀더로부터 취출한 기판은, 세정 및 건조시킬 필요가 있다. 처리 기판이 원형 기판인 경우에는, SRD(Spin Rinse Dryer)에 의한 회전 세정 및 건조가 행해진다. 그러나, 제품의 용도에 따라서 기판 형상도 바뀐다. 근년에는 대형의 직사각형 기판에 도금 처리를 실시하는 것도 요구되고 있다. 그래서, SRD 대신에 롤러에 의한 수평 반송 기구를 채용하고, 그 반송 과정에서 기판의 수평 자세를 유지하면서 세정 및 건조 처리를 실행하는 장치가 제안되어 있다(예를 들어 특허문헌 1).By the way, it is necessary to clean and dry the substrate taken out from the substrate holder after the plating treatment. In the case where the processing substrate is a circular substrate, rotational cleaning and drying are performed using a Spin Rinse Dryer (SRD). However, the shape of the substrate also changes depending on the application of the product. In recent years, it is also required to perform a plating treatment on a large rectangular substrate. Therefore, an apparatus has been proposed that employs a horizontal transfer mechanism using a roller instead of the SRD, and performs cleaning and drying processes while maintaining the horizontal posture of the substrate in the transfer process (for example, Patent Document 1).
그러나, 대형이며 특히 얇은 기판은 휘기 쉽고, 변형되기 쉽다. 이 때문에, 도금 전 혹은 도금 후의 세정 및 건조 처리에 있어서, 롤러에 의한 수평 반송 기구를 채용하면, 그 반송 과정에서 기판이 롤러 등의 구조물과 간섭하여, 정상적인 반송에 지장을 초래하는 등의 우려가 있었다. 또한, 이러한 문제는 직사각형 기판에 한정되지 않고, 박형 기판을 채용하는 경우에는 마찬가지로 발생할 수 있다. 또한, 세정 및 건조 처리에 한정되지 않고, 처리액으로 박형 기판을 처리하는 장치에 있어서는 마찬가지로 발생할 수 있다.However, large and particularly thin substrates are easy to bend and deform. For this reason, in the cleaning and drying treatment before plating or after plating, if a horizontal conveyance mechanism using rollers is employed, there is a concern that the substrate interferes with structures such as rollers during the conveyance process, which hinders normal conveyance. there was. In addition, such a problem is not limited to a rectangular substrate, and may similarly occur when a thin substrate is employed. In addition, it is not limited to cleaning and drying treatment, and may occur in the same manner in an apparatus for treating a thin substrate with a treatment liquid.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적의 하나는, 박형 기판이라도 안정적으로 처리를 행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.The present invention has been made in view of such circumstances, and one of its objects is to provide a substrate processing apparatus capable of stably processing even a thin substrate.
본 발명의 어느 양태는 기판 처리 장치이다. 이 기판 처리 장치는, 기판을 수평 자세로 적재시키는 적재면을 갖는 지지부와, 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하기 위한 처리조와, 기판을 처리조 내에 강하 및 처리조로부터 상승시키기 위해 지지부를 승강시키는 승강부와, 처리조의 상방에 있어서, 지지부에 지지된 기판의 외주부를 파지하여 지지부로부터 기판을 수취하는 파지부와, 파지부에 의해 파지된 기판에 기체를 분사하여 기판을 건조시키는 제1 노즐을 구비한다.One aspect of the present invention is a substrate processing apparatus. This substrate processing apparatus includes a support having a loading surface for loading the substrate in a horizontal posture, a processing tank for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate, and a supporting portion for lowering the substrate into the processing tank and raising it from the processing tank. A lifting part for lifting and lowering, a gripping part for gripping the outer peripheral part of the substrate supported by the support part and receiving the substrate from the support part above the processing tank, and a first for drying the substrate by spraying gas onto the substrate held by the gripping part. Equipped with a nozzle.
본 발명의 기판 처리 장치에 의하면, 박형 기판이라도 안정적으로 처리를 행할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the present invention, even a thin substrate can be stably processed.
도 1은 제1 실시예에 관한 도금 장치를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 세정 장치의 전체 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은 세정 유닛의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 4는 세정 유닛의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 5는 세정 장치의 구성을 나타내는 종단면 도이다.
도 6은 클램프 기구의 구성 및 동작을 나타내는 측면도이다.
도 7은 지지 기구의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 8은 클램프 기구의 구성 및 동작을 나타내는 도면이다.
도 9는 클램프 기구의 구성 및 동작을 나타내는 도면이다.
도 10은 건조 처리 시의 상태를 나타내는 도면이다.
도 11은 전(前)세정 처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 12는 전세정 공정에서의 제어 방법을 나타내는 도면이다.
도 13은 전세정 공정에서의 제어 방법을 나타내는 도면이다.
도 14는 변형예에 관한 클램프 구조를 나타내는 단면도이다.
도 15는 제2 실시예에 관한 세정 유닛의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 16은 세정 유닛의 세정 중의 동작을 나타내는 사시도이다.1 is a plan view schematically showing a plating apparatus according to a first embodiment.
2 is a perspective view showing the overall configuration of the cleaning device.
3 is a perspective view showing the configuration of a cleaning unit.
4 is a perspective view showing the configuration of a cleaning unit.
5 is a longitudinal sectional view showing the configuration of a cleaning device.
6 is a side view showing the configuration and operation of the clamp mechanism.
7 is a plan view showing the configuration of a support mechanism.
8 is a diagram showing the configuration and operation of the clamp mechanism.
9 is a diagram showing the configuration and operation of the clamp mechanism.
Fig. 10 is a diagram showing a state at the time of drying treatment.
11 is a flowchart showing the flow of pre-cleaning processing.
12 is a diagram showing a control method in a pre-cleaning step.
13 is a diagram showing a control method in a pre-cleaning step.
14 is a cross-sectional view showing a clamp structure according to a modified example.
15 is a perspective view showing a configuration of a cleaning unit according to a second embodiment.
16 is a perspective view showing an operation of the cleaning unit during cleaning.
본 발명의 일 실시 형태는, 기판을 처리액으로 처리하는 기판 처리 장치이다. 이 처리는, 기판을 처리액에 침지시키는 것이어도 된다. 구체적으로는, 기판을 세정액에 침지시키는 세정 처리여도 된다. 기판을 도금액에 침지시키는 도금 처리여도 된다. 기판을 냉각수에 침지시키는 냉각 처리여도 된다. 혹은, 기판의 표면에 처리액을 분사하는 것이어도 된다. 처리액에 의한 처리 후, 기판의 건조가 이루어진다. 기판 처리 장치는, 일련의 처리를 위해 처리조, 처리액 공급부, 처리액 배출부, 지지부, 파지부, 승강부 및 제1 노즐을 구비한다.An embodiment of the present invention is a substrate processing apparatus that treats a substrate with a processing liquid. This processing may be performed by immersing the substrate in a processing liquid. Specifically, it may be a cleaning treatment in which the substrate is immersed in a cleaning liquid. A plating treatment in which the substrate is immersed in a plating solution may be employed. A cooling treatment in which the substrate is immersed in cooling water may be employed. Alternatively, the treatment liquid may be sprayed onto the surface of the substrate. After the treatment with the treatment liquid, the substrate is dried. The substrate processing apparatus includes a processing tank, a processing liquid supply part, a processing liquid discharge part, a support part, a gripping part, an elevating part, and a first nozzle for a series of treatments.
처리액 공급부가 처리조에 처리액을 공급한다. 기판을 처리액에 침지시켜 처리하는 경우, 처리액을 청정하게 유지하기 위해서, 처리조로부터 처리액을 오버플로우시키는 오버플로우조를 마련해도 된다. 오버플로우된 처리액은 그대로 폐기되어도 된다. 혹은, 오버플로우된 처리액을 필터 등으로 정화하여 처리조로 되돌리는 순환 기구를 마련해도 된다. 처리가 종료되면, 처리액의 공급이 정지되고, 처리액 배출부가 처리조로부터 처리액을 배출한다. 기판에 처리액을 분사하여 처리하는 경우, 처리조 내에서 기판의 표면에 처리액을 분사하기 위한 처리액 분사 노즐이 마련된다.The treatment liquid supply unit supplies the treatment liquid to the treatment tank. In the case of processing by immersing the substrate in the processing liquid, in order to keep the processing liquid clean, an overflow tank for overflowing the processing liquid from the processing tank may be provided. The overflowed treatment liquid may be discarded as it is. Alternatively, a circulation mechanism for purifying the overflowed treatment liquid with a filter or the like and returning it to the treatment tank may be provided. When the treatment is finished, the supply of the treatment liquid is stopped, and the treatment liquid discharge unit discharges the treatment liquid from the treatment tank. In the case of processing by spraying a processing liquid onto a substrate, a processing liquid spraying nozzle is provided for spraying the processing liquid onto the surface of the substrate in the processing tank.
본 실시 형태에서는, 일련의 처리 과정에서 기판을 바꿔쥘 필요가 있기 때문에, 지지부와 파지부 사이에서 기판의 전달이 행해진다. 지지부는 처리액에 의한 처리 시에 기판을 지지하고, 파지부는 건조 처리 시에 기판을 지지한다. 지지부는 처리조의 상방에서 기판을 수취한다.In this embodiment, since it is necessary to hold the substrate in a series of processing steps, transfer of the substrate is performed between the support portion and the grip portion. The support portion supports the substrate during treatment with the processing liquid, and the holding portion supports the substrate during drying treatment. The support part receives the substrate from the upper side of the treatment tank.
지지부는 기판을 수평 자세로 적재시키는 적재면을 갖는다. 지지부는 박형 기판의 적재 상태를 안정적으로 유지하기 위한 복수의 클램프부(제1 클램프 기구)를 포함한다. 제1 클램프 기구는 적재면과의 사이에서 기판의 주연부를 끼움 지지한다. 복수의 제1 클램프 기구에 의해, 기판에 대하여 주연 방향(외측 방향)의 텐션을 걸어도 된다. 그것에 의해, 박형 기판이라도 휘게 하지 않아, 안정적으로 유지할 수 있다.The support portion has a loading surface for loading the substrate in a horizontal position. The support portion includes a plurality of clamp portions (first clamp mechanism) for stably maintaining the stacked state of the thin substrate. The first clamp mechanism clamps and supports the periphery of the substrate between the mounting surface. Tension in the peripheral direction (outward direction) may be applied to the substrate by a plurality of first clamping mechanisms. Thereby, even a thin substrate is not bent and can be stably maintained.
기판을 처리할 때, 기판을 적재한 지지부를 승강부에 의해 강하시킨다. 기판을 처리액에 침지시켜 처리하는 경우, 처리조에 미리 처리액을 저류해두고, 그 처리액을 향해 기판을 강하시켜도 되지만, 그렇게 하면 기판의 하면에 기포가 부착되기 쉬워진다. 또한, 액튐이 발생하여 처리액이 다른 구조물에 부착되어, 악영향을 미칠 가능성도 있다. 이 때문에, 기판의 강하 후에 처리액을 공급하는 것이 바람직하다. 또한, 기판의 하면보다도 하방으로부터 처리액을 공급하는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 액면의 상승 과정에서 처리액의 흐름에 의해 기포를 효율적으로 제거할 수 있다. 액튐이 발생할 가능성도 낮다. 복수 종류의 처리액에 의해 기판을 처리해도 된다. 그 경우, 기판을 처리조 내에 유지하면서, 각 처리액의 공급 및 배출을 순차로 실행하면 된다.When processing the substrate, the support portion on which the substrate is mounted is lowered by the elevating portion. In the case of processing by immersing the substrate in the processing liquid, the processing liquid may be stored in advance in the processing tank, and the substrate may be lowered toward the processing liquid. However, in this case, air bubbles tend to adhere to the lower surface of the substrate. In addition, there is a possibility that liquid splashing occurs and the treatment liquid adheres to other structures, thereby adversely affecting the structure. For this reason, it is preferable to supply the processing liquid after the substrate is lowered. In addition, it is preferable to supply the processing liquid from below the lower surface of the substrate. In this way, air bubbles can be efficiently removed by the flow of the treatment liquid in the process of raising the liquid level. There is also a low possibility of splashing. The substrate may be treated with a plurality of types of processing liquids. In that case, it is sufficient to sequentially perform supply and discharge of each processing liquid while holding the substrate in the processing tank.
처리액에 의한 처리가 종료되면, 승강부에 의해 지지부를 상승시킨다. 그 후, 지지부로부터 파지부로의 기판의 전달이 이루어진다. 지지부에 기판을 적재한 채로는 기판의 하면을 건조시키기 어렵기 때문이다. 파지부는 기판의 외주부를 파지하고, 기판의 상하면을 개방시킨다. 파지부는 복수의 클램프부(제2 클램프 기구)를 포함해도 된다. 복수의 제2 클램프 기구에 의해, 기판에 대하여 주연 방향(외측 방향)의 텐션을 걸어도 된다. 제1 노즐은, 파지부에 수평으로 파지된 기판에 기체를 분사하여, 그 기판을 건조시킨다.When the treatment with the treatment liquid is finished, the support part is raised by the lifting part. Thereafter, the substrate is transferred from the support portion to the grip portion. This is because it is difficult to dry the lower surface of the substrate while the substrate is mounted on the support. The gripping portion grips the outer periphery of the substrate and opens the upper and lower surfaces of the substrate. The gripping portion may include a plurality of clamping portions (second clamping mechanism). Tension in the peripheral direction (outward direction) may be applied to the substrate by a plurality of second clamp mechanisms. The first nozzle injects gas onto the substrate held horizontally by the gripping portion, thereby drying the substrate.
이 양태에 의하면, 기판을 적재면에 적재시킴으로써 수평 자세를 유지한 채로 승강시키고, 처리액에 의한 처리를 행할 수 있다. 건조 처리 시에의 기판의 전달도, 기판을 적재면에 적재한 채로 행해지기 때문에, 적재로부터 파지로 안정적으로 전환할 수 있다. 이 때문에, 일련의 처리 과정에서 기판이 휘어, 다른 구조물과 간섭되는 일도 없다. 즉, 박형 기판이라도 안정적으로 처리를 행할 수 있다.According to this aspect, it is possible to lift and lower the substrate while maintaining the horizontal posture by placing the substrate on the loading surface, and to perform treatment with the processing liquid. The transfer of the substrate during the drying treatment is also performed while the substrate is mounted on the mounting surface, so that it is possible to stably switch from stacking to gripping. For this reason, the substrate does not bend in a series of processing steps and interfere with other structures. That is, even a thin substrate can be stably processed.
지지부는 프레임체를 포함해도 된다. 그 프레임체의 상면에 복수의 돌기부를 마련하고, 그들 돌기부의 상면에 의해 적재면을 구성해도 된다. 「프레임체」는 외측 프레임만 갖는 형상을 가져도 되고, 격자 형상을 가져도 된다. 후자의 경우, 프레임체의 외측 프레임을 걸치거나-또는 복수의 가교부를 마련한다. 가교부의 유무 및 그 수에 대하여는, 지지 대상이 되는 기판의 크기에 따라서 적절히 설정할 수 있다. 돌기부는 기판의 접촉 가능 영역(회로 등의 비실장 영역)에 맞추어 배치하면 된다. 이와 같은 구성에 의해, 기판의 하면의 대부분을 처리액에 개방할 수 있어, 처리액을 기판의 상하면 전체에 널리 퍼지게 할 수 있다.The support portion may include a frame body. A plurality of protrusions may be provided on the upper surface of the frame body, and a loading surface may be formed by the upper surfaces of the protrusions. The "frame body" may have a shape having only an outer frame, or may have a lattice shape. In the latter case, the outer frame of the frame body is overlaid-or a plurality of bridges are provided. The presence or absence of crosslinked portions and the number thereof can be appropriately set according to the size of the substrate to be supported. The protrusion may be arranged in accordance with the contactable area of the substrate (a non-mountable area such as a circuit). With such a configuration, most of the lower surface of the substrate can be opened to the processing liquid, and the processing liquid can be widely spread over the entire upper and lower surfaces of the substrate.
기판 처리 장치는 각 부(각 기구)를 구동 제어하는 제어부를 구비한다. 제어부는 지지부로부터 파지부로 기판을 전달한 후에 지지부를 강하시키고, 제1 노즐로 기판을 건조시킨다. 그 때, 지지부가 강하 설정 위치에 도달하지 않고도, 파지부에 간섭하지 않는 위치까지 강하한 단계에서 제1 노즐을 구동해도 된다. 그것에 의해, 전체로서 처리 효율을 높일 수 있다.The substrate processing apparatus includes a control unit that drives and controls each unit (each mechanism). The control unit lowers the support unit after transferring the substrate from the support unit to the grip unit, and dry the substrate with the first nozzle. In that case, the first nozzle may be driven in a step in which the support portion is lowered to a position where it does not interfere with the holding portion without reaching the lowering setting position. Thereby, the processing efficiency as a whole can be improved.
지지부의 상승 전 또는 상승 후에 처리조로부터 처리액을 배출해도 된다. 그리고, 지지부로부터 파지부에 기판을 전달한 후, 지지부를 처리조에 강하시켜도 된다. 이에 의해, 처리조의 빈 공간을 이용하여 지지부를 퇴피시킬 수 있다. 처리조에 있어서 사용 완료된 처리액을 미리 배출해둠으로써, 지지부를 퇴피시켰을 때에 적재면을 청정한 상태로 유지할 수도 있다.The treatment liquid may be discharged from the treatment tank before or after the rise of the support portion. Then, after transferring the substrate from the support portion to the holding portion, the support portion may be lowered into the processing tank. Thereby, the support part can be retracted using the empty space of the processing tank. By discharging the used treatment liquid in advance in the treatment tank, the loading surface can also be kept in a clean state when the support part is retracted.
제1 노즐과는 별도로 제2 노즐을 마련하고, 지지부의 적재면을 건조시켜도 된다. 그리고, 제1 노즐에 의한 기판의 건조 처리(제1 건조 처리)와, 제2 노즐에 의한 적재면의 건조 처리(제2 건조 처리)를 병행시켜도 된다. 2가지의 건조 처리를 병행시킴으로써, 각 건조 처리에 의한 액튐의 영향을 서로 억제할 수 있다. 예를 들어, 제1 건조 처리에 의한 기판으로부터의 액튐이, 제2 건조 처리의 대상인 적재면을 적시는 등의 폐해를 억제할 수 있다. 특히 송풍에 의한 건조를 행하는 경우에 유효하다.A second nozzle may be provided separately from the first nozzle, and the mounting surface of the support portion may be dried. Then, the drying treatment of the substrate by the first nozzle (first drying treatment) and the drying treatment of the loading surface by the second nozzle (second drying treatment) may be performed in parallel. By performing the two drying treatments in parallel, it is possible to suppress the influence of liquid splash by each drying treatment. For example, it is possible to suppress harmful effects such as liquid splash from the substrate by the first drying treatment wets the loading surface that is the object of the second drying treatment. It is particularly effective in the case of drying by blowing air.
지지부의 강하 중에 제1 건조 처리를 개시하고, 지지부의 강하 완료 후에 제2 건조 처리를 개시해도 된다. 즉, 적재면보다도 기판의 건조가 중요하기 때문에, 제1 건조 처리의 쪽이 제2 건조 처리보다도 긴 처리 시간을 요하는 경우가 있다. 이러한 경우에, 제2 건조 처리에 앞서 제1 건조 처리를 개시함으로써 전체의 처리 시간을 단축시킬 수 있어, 효율화를 도모된다.The first drying treatment may be started during the descending of the support part, and the second drying treatment may be started after the completion of the fall of the support part. That is, since drying of the substrate is more important than the mounting surface, the first drying treatment may require a longer treatment time than the second drying treatment. In such a case, by starting the first drying treatment prior to the second drying treatment, the overall treatment time can be shortened, thereby improving the efficiency.
기판 처리 장치는 기판 반송부를 구비한다. 이 기판 반송부는 기판의 상면을 지지하는 지지면을 갖는다. 기판 반송부는 기판을 수평 자세로 유지하면서 지지부의 적재면에 전달하고, 또한 그 적재면으로부터 기판을 수취한다. 「지지면」은 기판의 상면을 비접촉 상태에서 흡인 가능한 「흡인면」이어도 된다. 혹은, 기판의 상면에 접촉하여 흡착 가능한 「흡착면」이어도 된다. 기판의 청정성을 엄격하게 유지하는 관점에서는, 지지면이 비접촉 타입인 것이 바람직하다.The substrate processing apparatus includes a substrate transfer unit. This substrate transfer section has a support surface that supports the upper surface of the substrate. The substrate transfer unit transfers the substrate to the mounting surface of the support unit while maintaining the substrate in a horizontal position, and further receives the substrate from the mounting surface. The "support surface" may be a "suction surface" capable of sucking the upper surface of the substrate in a non-contact state. Alternatively, it may be a "adsorption surface" capable of being sucked by contacting the upper surface of the substrate. From the viewpoint of strictly maintaining the cleanliness of the substrate, it is preferable that the support surface is of a non-contact type.
제어부는 건조 처리 후에 지지부를 상승시키고, 파지부로부터 지지부로 기판을 전달한다. 이 때, 기판을 적재면에 다시 적재시킴으로써 수평 자세를 유지한다. 그리고, 이와 같이 하여 적재면에 지지된 기판을 기판 반송부에 수취시킨다. 이와 같은 구성에 의해, 반송 롤러 등을 사용하지 않아도 기판의 전달을 할 수 있다.The control unit raises the support part after drying treatment, and transfers the substrate from the gripping part to the support part. At this time, the substrate is reloaded on the loading surface to maintain a horizontal posture. Then, the substrate supported on the mounting surface in this way is received by the substrate transfer unit. With such a configuration, it is possible to transfer the substrate without using a transfer roller or the like.
이하, 도면을 참조하면서, 본 실시 형태를 구체화한 실시예에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 실시예 및 그 변형예에 있어서, 거의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 적절히 생략한다.Hereinafter, examples in which the present embodiment is embodied will be described with reference to the drawings. In addition, in the following examples and their modifications, the same reference numerals are assigned to substantially the same constituent elements, and descriptions thereof are omitted as appropriate.
[제1 실시예][First embodiment]
도 1은, 제1 실시예에 관한 도금 장치를 모식적으로 나타내는 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a plating apparatus according to a first embodiment.
도금 장치(1)는 기판 착탈부(2), 도금 처리부(4) 및 제어부(6)를 구비한다. 본 실시예의 도금 장치(1)는 기판 상에 돌기상의 전극(범프)을 형성하기 위한 범프 도금 장치이다. 기판 착탈부(2)의 전방에 기판 전달대(8)가 마련되고, 기판 전달대(8)에 인접하도록 전세정부(10) 및 후세정부(12)가 마련되어 있다. 또한, 도금 장치(1)의 전방에는, 상류 공정에서 처리된 기판을 기판 전달대(8)에 전달하는 장치가 마련되지만, 그 설명에 대하여는 생략한다.The
기판 전달대(8)는 반도체 웨이퍼 등의 기판(W)을 수평 자세로 적재한다. 본 실시예에서는, 기판(W)은 비교적 큰 박형 기판이며 휘기 쉽다. 본 실시예에서는, 기판(W)으로서 500mm×500mm, 두께가 1mm 정도인 직사각형 기판이 사용되지만, 크기, 두께, 형상은 이것에 한정되지 않는다. 기판(W)은 웨이퍼의 상면에 구리의 시드층이 마련되고, 그 위에 레지스트의 패턴이 형성된 것이다. 기판(W)에 도금할 때에 레지스트의 개구부 내에 기포가 존재하고 있으면, 정상적인 도금을 행할 수 없다. 또한, 시드층에 유기물 등이 부착되어 있으면, 정상적인 도금을 행할 수 없는 경우가 있다.The substrate transfer table 8 loads a substrate W such as a semiconductor wafer in a horizontal position. In this embodiment, the substrate W is a relatively large thin substrate and is easy to bend. In this embodiment, a rectangular substrate having a thickness of about 500 mm x 500 mm and a thickness of about 1 mm is used as the substrate W, but the size, thickness, and shape are not limited thereto. In the substrate W, a seed layer of copper is provided on the upper surface of the wafer, and a resist pattern is formed thereon. When the substrate W is plated, if air bubbles are present in the openings of the resist, normal plating cannot be performed. In addition, if organic substances or the like adhere to the seed layer, normal plating may not be performed.
전세정부(10)는 세정 장치(14)를 갖고, 기판(W)의 표면에 부착되는 유기물 등을 도금 처리에 앞서 제거하는 전세정을 행한다. 후세정부(12)는 세정 장치(16)를 갖고, 도금 처리 후에 기판 홀더(24)로부터 분리된 기판(W)을 세정한다. 기판 착탈부(2)로부터 도금 처리부(4)에 걸쳐 홀더 반송 기구(18)가 마련되어 있다. 제어부(6)는 각 부의 동작을 제어한다.The
기판 착탈부(2)는 착탈 기구(20), 기판 반송 로봇(22) 및 이동 기구(23)를 포함한다. 기판 반송 로봇(22)은 로봇 핸드(22a)를 갖는다. 기판 반송 로봇(22)은 「기판 반송부」로서 기능하고, 기판 전달대(8)와의 기판(W)의 전달 및 각 기구와의 기판(W)의 전달을 행한다. 로봇 핸드(22a)는 기판(W)을 수평 자세인 채로 유지하기 위한 비접촉 척을 갖는다. 본 실시예에서는, 이 비접촉 척으로서 베르누이 타입을 채용하지만, 사이클론 타입으로 해도 된다. 기판(W)에 대한 청정성이 유지되는 경우에는, 접촉식의 흡착 패드(진공 패드)로 해도 된다.The substrate attaching/detaching
이동 기구(23)는 기판(W)의 전달 위치에 따라서 기판 반송 로봇(22)을 이동시킨다. 기판 반송 로봇(22)은 전세정 공정에 있어서는 전세정부(10)의 근방으로 이동하고, 후세정 공정에 있어서는 후세정부(12)의 근방으로 이동한다.The
착탈 기구(20)의 하방에는, 기판 홀더(24)를 수용하기 위한 스토커(25)가 마련되어 있다. 착탈 기구(20)는 기판 홀더(24)에 대하여 기판(W)을 착탈시킨다. 홀더 반송 기구(18)는, 기판 홀더(24)를 파지하는 파지 기구(26)와, 기판 홀더(24)를 도금 처리부(4)의 각 조에 반송하는 반송 기구(28)를 갖는다. 착탈 기구(20)는 또한, 파지 기구(26)에 대하여 기판 홀더(24)를 착탈시킨다.A
도금 처리부(4)는, 기판 착탈부(2)의 측으로부터 순서대로 프리웨트조(30), 프리소크조(32), 린스조(34), 블로우조(36), 린스조(38), 오버플로우조(40)를 갖는다. 오버플로우조(40)의 내측에 복수열의 도금조(42)가 마련되어 있다. 프리웨트조(30)는 기판(W)을 탈기수에 침지시켜 적심으로써 기판 표면의 레지스트 개구부 내도 탈기수로 채울 수 있다. 프리소크조(32)는 기판(W)의 표면에 생성된 산화막을 약액으로 에칭 제거한다.The
린스조(34, 38)는 기판(W)의 표면을 탈이온수로 세정한다. 린스조(34)는 도금 처리 전의 수세, 린스조(38)는 도금 처리 후의 수세를 행한다. 블로우조(36)는 세정 후의 기판(W)의 물기 제거를 행한다. 도금조(42)에는 도금액이 저류된다. 도금조(42)에 기판(W)을 침지시키고, 도금액을 오버플로우조(40)에 오버플로우시키면서 순환시킴으로써, 도금을 실시할 수 있다. 도금 처리는 일반적으로 세정이나 건조 그 밖의 처리와 비교하여 처리 시간이 길다. 이 때문에, 도금조(42)를 복수 마련하여, 복수의 기판(W)을 동시 병행적으로 도금 처리할 수 있게 하고 있다.The rinse
반송 기구(28)는 예를 들어 리니어 모터 방식의 기구이며, 기판 홀더(24)를 도금 처리부(4)의 각 조에 반송한다. 반송 기구(28)는 각 도금조(42)에서의 처리의 타임 래그를 이용하여, 기판 홀더(24)를 차례차례로 반송한다.The
제어부(6)는 마이크로컴퓨터를 포함하고, 각종 연산 처리를 실행하는 CPU, 제어 프로그램 등을 저장하는 ROM, 데이터 저장이나 프로그램 실행을 위한 워크 에어리어로서 이용되는 RAM, 전원 차단 후에도 기억 내용을 유지하는 불휘발성 메모리, 입출력 인터페이스, 계시용의 타이머 등을 구비한다. 또한, 본 실시예에서는 제어부(6)가 각 기구를 구동 제어하는 것으로 하였지만, 기구마다 제어부를 구비해도 된다. 그 경우, 각 기구의 제어부를 통괄하는 통괄 제어부를 구비해도 된다.The
이상과 같은 구성에 의해, 도금 장치(1)는 개략적으로 이하의 동작을 행한다.With the above configuration, the
먼저, 기판 반송 로봇(22)이 기판 전달대(8)로부터 도금 대상의 기판(W)을 취출하고, 세정 장치(14)에 세트한다. 세정 장치(14)는 기판(W)을 수취하면, 유기물 등을 제거하는 전세정 처리를 실행한다. 이 세정 처리의 상세에 대하여는 후술한다. 전세정이 종료되면, 기판 반송 로봇(22)이 세정 장치(14)로부터 기판(W)을 수취하고, 착탈 기구(20)에 건낸다. 착탈 기구(20)는 기판(W)을 기판 홀더(24)에 세팅하고, 파지 기구(26)에 장착한다.First, the
반송 기구(28)는 파지 기구(26)를 리프트 업하여 기판 홀더(24)를 반송하고, 기판(W)을 기판 홀더(24)째로 프리웨트조(30)에 침지시킨다. 그것에 의해, 탈기수에 의한 프리웨트 처리가 이루어진다. 또한, 본 실시예에서는 프리웨트조(30)에 탈기수를 저류하지만, 기판 표면의 레지스트 개구부 내의 공기와 치환할 수 있고, 레지스트 개구부 내도 액체로 채우는 프리웨트 처리를 행할 수 있는 것이면, 이것에 한정할 필요는 없다.The
또한, 후술하는 바와 같이, 세정 장치(14)에 있어서의 프리웨트 처리가 충분하면, 프리웨트조(30)는 마련하지 않아도 된다.In addition, as will be described later, as long as the pre-wet treatment in the
반송 기구(28)는 계속해서 프리웨트조(30)로부터 기판 홀더(24)를 취출하여 반송하고, 프리소크조(32)에 침지시킨다. 프리소크조(32)에는, 황산이나 염산 등의 약액이 저류되어 있다. 기판(W)의 시드층(도전층)에 산화막이 발생한 경우, 이 약액에 의한 프리소크 처리가 이루어짐으로써 제거된다. 그것에 의해, 시드층의 청정한 금속면을 노출시킬 수 있다.The
반송 기구(28)는 계속해서 프리소크조(32)로부터 기판 홀더(24)를 취출하여 반송하고, 린스조(34)에 침지시킨다. 그것에 의해, 기판(W)에 부착된 약액이 탈이온수로 씻어내진다. 반송 기구(28)는 계속해서 기판(W)을 빈 도금조(42)에 침지시킨다. 또한, 본 실시예에서는 이 도금 처리에 있어서 구리 도금이 이루어지지만, 도금조(42)에 공급하는 도금액을 변경함으로써, 니켈, 금 도금, 그 밖의 도금을 실시할 수도 있다.The
이와 같이 하여 도금이 실시된 기판(W)은, 린스조(38)에서 세정된 후, 블로우조(36)에서 물기 제거가 이루어진다. 그 후, 착탈 기구(20)로 반송된다. 착탈 기구(20)는 파지 기구(26)로부터 기판 홀더(24)를 분리하고, 그 기판 홀더(24)로부터 기판(W)을 취출한다. 기판 반송 로봇(22)은 착탈 기구(20)로부터 그 기판(W)을 수취하고, 세정 장치(16)에 세트한다. 세정 장치(16)는 기판(W)을 수취하면, 후세정 처리를 실행한다.The substrate W, which has been plated in this way, is cleaned in the rinse
이어서, 세정 장치(14)의 구성 및 동작에 대하여 상세하게 설명한다.Next, the configuration and operation of the
도 2는, 세정 장치(14)의 전체 구성을 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view showing the overall configuration of the
세정 장치(14)는 평판상의 베이스(50)와, 베이스(50)에 탑재된 세정 유닛(52)과, 세정 유닛(52)의 상방에서 기판(W)을 지지하는 지지 기구(54)와, 세정 유닛(52)의 상방에서 기판(W)을 건조시키는 건조 기구(56)를 구비한다. 지지 기구(54)는 건조 처리 시에 기판(W)을 지지하는 기구이며, 「파지부」로서 기능한다. 건조 기구(56)는 기판(W)을 건조시키는 기구이다.The
베이스(50)의 네 코너에 지주(58)가 세워 설치되고, 좌우의 지주(58)를 걸치도록 한 쌍의 가이드 부재(60a, 60b)가 마련되어 있다(이들을 특별히 구별하지 않을 때에는 「가이드 부재(60)」라고 총칭함). 가이드 부재(60a, 60b)는 각각 수평으로 연장되고, 서로 평행하게 되어 있다. 지지 기구(54)는 건조 처리 시에 기판(W)을 수평으로 유지하기 위한 한 쌍의 파지 유닛(62a, 62b)을 갖는다(이들을 특별히 구별하지 않을 때에는 「파지 유닛(62)」이라고 총칭함). 파지 유닛(62a)은 가이드 부재(60a)에 현수 유지되고, 파지 유닛(62b)은 가이드 부재(60b)에 현수 유지되어 있다.
파지 유닛(62)은, 가이드 부재(60)와 평행하게 연장되는 지지대(64)와, 지지대(64)의 연장 방향으로 배치된 한 쌍의 클램프 기구(66)를 갖는다. 한 쌍의 파지 유닛(62)이 갖는 합계 4개의 클램프 기구(66)에 의해 기판(W)을 상하로부터 끼워, 수평으로 지지할 수 있다. 또한, 클램프 기구(66)의 상세에 대하여는 후술한다.The holding
건조 기구(56)는 한 쌍의 가이드 부재(60)에 따라서 이동 가능하게 지지되어 있다. 가이드 부재(60a)의 상면에는, 건조 기구(56)를 구동하는 리니어 모터(68)가 마련되어 있다. 가이드 부재(60b)의 상면에는, 건조 기구(56)의 구동을 가이드하는 가이드 레일(70)이 마련되어 있다. 건조 기구(56)는, 한 쌍의 가이드 부재(60)에 현수 유지되는 지지대(72)와, 지지대(72)에 지지된 상하 한 쌍의 에어 나이프(74a, 74b)를 갖는다(이들을 특별히 구별하지 않을 때에는 「에어 나이프(74)」라고 총칭함). 에어 나이프(74a, 74b)는 「제1 노즐」로서 기능하고, 건조 처리 시에 수평으로 유지된 기판(W)에 대하여 상하 방향으로부터 에어를 분출한다.The
도 3 및 도 4는, 세정 유닛(52)의 구성을 나타내는 사시도이다. 이들 도면은, 도 2에 있어서의 세정 유닛(52)을 발출하고, 기판(W)을 분리한 상태를 나타낸다. 도 3은 세정 유닛(52)의 지지 기구가 상승한 상태를 나타내고, 도 4는 하강한 상태를 나타낸다.3 and 4 are perspective views showing the configuration of the
도 3에 도시한 바와 같이, 세정 유닛(52)은 내부 기구를 수용하는 케이스(80)와, 케이스(80) 내에 배치된 처리조(82)와, 처리조(82)에 세정액을 공급하는 공급 기구(84)와, 처리조(82)로부터 세정액을 배출시키는 배출 기구(86)와, 기판(W)을 수평 자세에서 지지 가능한 지지 기구(88)와, 지지 기구(88)를 승강시키는 승강 기구(90)를 구비한다. 공급 기구(84)는 「처리액 공급부」로서 기능하고, 배출 기구(86)는 「처리액 배출부」로서 기능한다. 지지 기구(88)는 「지지부」로서 기능하고, 승강 기구(90)는 「승강부」로서 기능한다.As shown in FIG. 3, the
처리조(82)는, 세정액이 공급되는 세정조(92)와, 세정액이 오버플로우되는 오버플로우조(94)를 포함한다. 세정조(92)에 있어서의 오버플로우조(94)와는 반대측의 측벽에는, 세정액의 공급구(96)가 마련되어 있다. 본 실시예에서는, 공급구(96)로서 횡장(橫長) 형상의 것이 3개 마련되어 있다. 이들 공급구(96)는, 후술하는 지지 부재(104)가 강하하였을 때에 기판(W)의 하면보다도 낮은 위치가 되도록 위치 결정되어 있다.The
공급 기구(84)는, 공급구(96)에 연통하는 공급관(98), 공급관(98)의 상류측에 마련된 제어 밸브(공급 밸브 및 전환 밸브)를 갖는다(도시하지 않음). 전환 밸브는 복수 종류의 세정액 중 어느 것을 공급할지를 전환한다. 본 실시예에서는, 세정액으로서 탈기수, 오존수 및 탈이온수(DIW)의 3종류가 준비되어 있다. 전환 밸브에 의해 공급로가 개방된 처리액이 공급관(98)에 공급되고, 공급 밸브의 개방 밸브에 의해 세정조(92)에 공급된다.The
세정조(92)의 저부 중앙에 배출구(100)가 마련되어 있다. 배출 기구(86)는, 배출구(100)에 연통하는 드레인관, 그 드레인관에 마련된 제어 밸브(배출 밸브)를 갖는다(도시하지 않음). 배출 밸브가 개방 밸브됨으로써, 세정조(92) 내의 처리액이 배출된다.A
승강 기구(90)는, 처리조(82)의 주위의 네 코너에 마련된 승강축(102)과, 승강축(102)을 승강시키는 에어 실린더(도시하지 않음)를 포함한다. 지지 기구(88)는 직사각형 판상의 지지 부재(104)와, 지지 부재(104)의 주위의 네 코너에 배치된 클램프 기구(106)를 포함한다. 승강축(102)의 승강에 의해, 지지 부재(104)와 클램프 기구(106)가 일체로 승강한다. 4개의 클램프 기구(106)는 세정 처리 시에 기판(W)을 지지 부재(104)에 대하여 고정시키는 것이다. 세정조(92)에 공급되는 세정액의 수압에 의해, 기판(W)의 위치가 어긋나지 않도록 하는 것이다.The elevating
4개의 클램프 기구(106)는 4개의 승강축(102)에 각각 지지되어 있다. 지지 부재(104)는 4개의 승강축(102)에 네 코너가 지지되고, 수평 자세를 유지한다. 구체적으로는, 각 승강축(102)의 정상부에 L자상의 현수 유지 부재(105)가 각각 고정되고, 4개의 현수 유지 부재(105)가 지지 부재(104)의 네 코너에 각각 연결되어 있다.The four
지지 부재(104)의 상면에는, 그 격자 형상에 따라서 복수의 돌기부(108)가 마련되어 있다. 이들 돌기부(108)에 기판(W)이 적재된다. 또한, 지지 부재(104) 및 클램프 기구(106)의 상세에 대하여는 후술한다.On the upper surface of the
도 4에 도시한 바와 같이, 세정조(92)의 주위에 건조 기구(110)가 마련되어 있다. 건조 기구(110)는 지지 부재(104)의 적재면(돌기부(108))을 건조시키는 기구이다. 또한, 본 실시예에서는, 기판(W)의 건조(제1 건조 처리)와, 지지 부재(104)의 건조 처리(제2 건조 처리)를 개별로 실행한다. 기판(W)을 지지 부재(104)로부터 이탈시킴으로써, 기판(W)의 상하면 전체를 효율적으로 건조시키는 것이다. 또한, 기판(W)의 건조 후에 지지 부재(104)에 다시 적재하기 위해서, 그 적재면(돌기부(108))을 건조시켜 두는 것이다.As shown in FIG. 4, a
건조 기구(110)는 세정조(92)의 전방측과 안측에 각각 3열씩 배치된 에어 노즐(112)을 포함한다. 에어 노즐(112)은 「제2 노즐」로서 기능한다. 도시한 바와 같이 지지 부재(104)가 강하 상태에 있을 때, 6개의 에어 노즐(112)로부터 복수의 돌기부(108)를 향해서 에어를 균일하게 분사할 수 있고(이점 쇄선 참조), 그 상면의 수분을 제거할 수 있다. 그렇게 각 에어 노즐(112)의 각도가 조정되어 있다.The
또한, 지지 부재(104)에 대해서도 에어 나이프로 상방으로부터 에어를 분사함으로써 건조가 가능하다. 그러나, 지지 부재(104)가 프레임체인 것, 그 프레임체에 산재적으로 배치된 돌기부(108)가 건조 대상인 것 등을 고려하면, 층상의 에어를 분출시킬 필요는 없고, 오히려 비효율적이라고도 할 수 있다. 이 때문에, 본 실시예에서는, 건조 기구(110)에 대하여는 에어 노즐(112)을 채용하고 있다. 건조 기구(110)의 상세에 대하여는 후술한다.Further, the
도 5는, 세정 장치(14)의 구성을 나타내는 종단면도이며, 도 1의 A-A 화살표 방향에서 본 단면에 대응한다. 도 6은, 클램프 기구(66)의 구성 및 동작을 나타내는 측면도이다. 도 6의 (a)는 언클램프 상태를 나타내고, 도 6의 (b)는 클램프 상태를 나타낸다.5 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of the
도 5에 도시한 바와 같이, 세정조(92)의 배출구(100)에 연통되도록 드레인관(114)이 마련되어 있다. 세정조(92)의 처리액은 드레인관(114)을 통해 배출된다. 또한, 오버플로우조(94)의 저부에도 배출구(116) 및 드레인관(118)이 마련되어 있다. 세정조(92)로부터 오버플로우된 처리액은, 드레인관(118)을 통해 배출된다.As shown in FIG. 5, a
에어 나이프(74)는 슬릿상의 노즐을 갖고, 압축된 에어를 얇은 층상으로 분출한다. 에어 나이프(74a)의 노즐은 경사진 하방을 향해 개구하고, 에어 나이프(74b)의 노즐은 경사진 상방을 향해 개구한다. 양자의 경사 각도는 수평 방향에 대하여 거의 동일 각도로 되어 있다.The
클램프 기구(66)는, 지지대(64)에 고정되는 베이스(120)와, 베이스(120)에 지지되는 상하 한 쌍의 파지부(122)와, 파지부(122)를 구동하는 에어 실린더(124)를 갖는다. 파지부(122)는 T자상의 암(126)과, 암(126)의 선단부에 고정된 끼움 지지 부재(128)를 포함한다. 암(126)의 기단부가 베이스(120)에 회동 가능하게 접속되어 있다. 끼움 지지 부재(128)는 로드상의 부재이다. 암(126)의 선단부가 U자상으로 형성되고, 그 양단부를 걸치도록 끼움 지지 부재(128)가 마련되어 있다. 끼움 지지 부재(128)의 길이 방향에 따라서 복수의 O링(130)(시일 링)이 마련되어 있다.The
도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 클램프 기구(66)의 비구동 상태에 있어서는, 에어 실린더(124)의 로드가 진출한다. 이 때문에, 상측의 암(126a)이 회동축(132a)을 중심으로 도면 중 시계 방향으로 회동하고, 하측의 암(126b)이 회동축(132b)을 중심으로 도면 중 반시계 방향으로 회동한다. 그 결과, 클램프 기구(66)가 개방된 상태(언클램프 상태)가 된다.As shown in FIG. 6A, in the non-driving state of the
한편, 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, 클램프 기구(66)의 구동 상태에 있어서는, 에어 실린더(124)의 로드가 후퇴한다. 이 때문에, 암(126a)이 도면 중 반시계 방향으로 회동하고, 암(126b)이 도면 중 시계 방향으로 회동한다. 그 결과, 기판(W)을 끼움 지지 가능한 상태(클램프 상태)가 된다. 이 클램프 상태에 있어서는, 상하 복수 쌍의 O링(130)이 기판(W)의 외주부를 끼움 지지한다.On the other hand, as shown in FIG. 6B, in the driving state of the
도 7은, 지지 기구(88)의 구성을 나타내는 평면도이다. 도 7의 (a)는 기판(W)이 적재되어 있지 않은 상태를 나타내고, 도 7의 (b)는 기판(W)이 적재된 상태를 나타낸다.7 is a plan view showing the configuration of the
도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 지지 부재(104)는 직사각형의 외측 프레임(140)과, 외측 프레임(140)을 좌우에 걸치는 가교부(142)와, 외측 프레임(140)의 전후에 걸치는 2개의 가교부(144)를 갖고, 전체로서 격자상으로 형성되어 있다. 외측 프레임(140)과 가교부(142, 144)에 둘러싸이는 6개의 빈 영역이 비교적 큰 면적을 갖고, 처리액의 유통을 촉진시킨다.As shown in (a) of FIG. 7, the
지지 부재(104)의 상면에는, 복수의 돌기부(108)가 산재적으로 마련되어 있다. 돌기부(108)는 각주 혹은 원통 형상이어도 되고, 반구 형상이어도 된다. 즉, 외측 프레임(140)의 주연부에 따라서 복수의 돌기부(108a)가 마련되고, 가교부(142, 144)의 길이 방향에 따라서 복수의 돌기부(108b)가 마련되어 있다. 돌기부(108b)는 돌기부(108a)보다도 약간 작다.On the upper surface of the
한편, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 하면에는, 복수의 돌기부(108)의 배열에 대응하도록 띠상(격자상)의 접촉 가능 영역(148)이 설정되어 있다. 접촉 가능 영역(148)은 기판의 반송 등을 위해 접촉이 허용된 영역이며, 예를 들어 배선이나 범프 등의 회로가 실장되어 있지 않은 영역이다. 기판(W)은 그 접촉 가능 영역(148)에 있어서 복수의 돌기부(108)에 적재된다. 즉, 기판(W)의 실장 부분이 지지 부재(104)의 표면으로부터 뜨는 상태가 되고, 세정액이 확실하게 널리 퍼지게 되어 있다.On the other hand, as shown in FIG. 7B, on the lower surface of the substrate W, a band-like (lattice-shaped)
또한, 본 실시예에서는, 기판(W)의 상면에도 하면과 마찬가지의 접촉 가능 영역이 형성되어 있다. 기판(W)의 양면 중 어느 것을 지지 부재(104)에 적재해도, 마찬가지로 세정·건조를 할 수 있게 하는 것이다.Further, in the present embodiment, the upper surface of the substrate W is also provided with a contactable region similar to that of the lower surface. Even if any of both surfaces of the substrate W is mounted on the
도 8 및 도 9는, 클램프 기구(106)의 구성 및 동작을 나타내는 도면이다. 도 8의 (a)는 언클램프 상태를 나타내고, 도 8의 (b)는 클램프 상태를 나타낸다. 도 9의 (a)는 세정·건조 시의 클램프 기구(106)의 기능 및 동작을 나타내는 단면도이다. 도 9의 (b)는 도 9의 (a)의 B부 확대도이다.8 and 9 are diagrams showing the configuration and operation of the
도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 클램프 기구(106)는 승강축(102)의 상부에 마련된 액추에이터(150)와, 액추에이터(150)에 의해 구동되는 암(152)을 갖는다. 액추에이터(150)는 에어 실린더를 포함하고, 실린더 바디(154)와, 실린더 바디(154)에 마련된 지지부(156)와, 실린더 바디(154)로부터 연장 돌출되는 피스톤 로드(158)를 갖는다.As shown in FIG. 8A, the
암(152)은 L자상의 본체(160)를 갖는다. 본체(160)는 L자상의 연결 부재(162)를 개재하여 피스톤 로드(158)에 접속되어 있다. 연결 부재(162)는 그 일단부가 본체(160)에 고정되고, 그 중앙에 있어서 지지부(156)에 회동 가능하게 축 지지되어 있다. 연결 부재(162)의 타단부에는 슬릿(163)이 마련되고, 피스톤 로드(158)의 선단부가 미끄럼 이동 가능하게 삽입 관통되어 있다.The
액추에이터(150)의 일방향으로의 구동에 의해 피스톤 로드(158)가 진출하면, 연결 부재(162)가 도면 중 시계 방향으로 회동한다. 그것에 의해, 암(152)이 클램프 방향으로 작동한다. 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 암(152)의 선단부는 지지 부재(104)에 지지된 기판(W)의 상면에 근접한다. 액추에이터(150)의 타방향으로의 구동에 의해 피스톤 로드(158)가 후퇴하면, 연결 부재(162)가 도면 중 반시계 방향으로 회동한다. 그것에 의해, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 암(152)이 언클램프 방향으로 작동한다.When the
도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이, 본체(160)를 그 선단부로부터 후단부에 걸쳐 관통하는 유체 통로(164)가 형성되어 있다. 본체(160)의 후단부에는 배관 조인트(166)가 마련되어 있다. 배관 조인트(166)에는 도시하지 않은 배관이 접속되고, 유체 통로(164)에 드라이 에어(CDA) 또는 탈이온수(DIW)를 공급할 수 있다.As shown in Fig. 9A, a
또한, 이와 같이, 암(152)과 기판(W)은 비접촉 상태가 되지만, 본체(160)의 선단부로부터 유체가 분출되기 때문에, 유체 압력이 클램프력으로서 작용하기 위해, 암(152)과 지지 부재(104) 사이에서 기판(W)을 끼움 지지할 수 있다. 본 실시예에서는, 지지 부재(104)를 세정조(92)에 강하시켜 기판(W)을 처리액에 침지시키고 있는 동안에, 유체 통로(164)에 탈이온수를 공급한다. 한편, 지지 부재(104)의 승강 중이나 상승 위치에서는, 유체 통로(164)에 드라이 에어를 공급한다. 즉, 클램프 기구(106)가 기판(W)을 개방할 때 이외, 어느 것의 유체를 분사하여 기판(W)을 지지 부재(104)에 압박한다. 그것에 의해, 기판(W)을 지지한다.In addition, in this way, the
도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 본체(160)의 선단부면에 O링(168)(시일 링)이 마련되어 있다. 이에 의해, 클램프 작동 시에 본체(160)의 회동이 너무 세다고 해도, 그 선단부가 기판(W)에 직접 접촉하여 흠집내는 사태를 방지할 수 있다.As shown in FIG. 9B, an O-ring 168 (seal ring) is provided on the distal end surface of the
도 10은, 건조 처리 시의 상태를 나타내는 도면이다.Fig. 10 is a diagram showing a state at the time of drying treatment.
기판(W)의 건조 시에는, 클램프 기구(66)에 의해 기판(W)을 지지한 상태에서 건조 기구(56)를 구동한다. 이 때, 도시한 바와 같이 건조 기구(56)가 가이드 레일(70)에 따라서 이동하면서, 에어 나이프(74)가 기판(W)을 향해서 에어를 분사한다. 이 건조 과정에 있어서, 기판(W)은 에어 나이프(74a)와 에어 나이프(74b) 사이에 위치한다. 이 때문에, 양쪽 에어 나이프에 의해 그의 상하면이 효율적으로 건조된다.When drying the substrate W, the
또한 그 동안, 지지 부재(104)는 드레인 완료된 세정조(92)에 퇴피되어 있으며, 건조 기구(110)에 의한 건조가 행해진다. 에어 노즐(112)로부터 분사된 에어에 의해, 돌기부(108)에 부착된 수적이 제거된다. 이와 같이, 건조 기구(56)에 의한 제1 건조 처리와, 건조 기구(110)에 의한 제2 건조 처리가 병행한다.In the meantime, the
이어서, 세정 제어의 흐름에 대하여 설명한다.Next, the flow of cleaning control will be described.
도 11은, 전세정 처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다. 도 12 및 도 13은, 전세정 공정에서의 제어 방법을 나타내는 도면이다. 각 도면의 (a) 내지 (d)는 처리 과정을 나타낸다. 편의상, 공급 밸브(170), 배출 밸브(172) 및 전환 밸브(174)에 대하여는, 도 12의 (a)에만 나타내고, 그 밖의 도면에서는 기재를 생략한다. 이하, 도 11에 기초하여, 도 12, 도 13을 적절히 참조하면서 설명한다.11 is a flowchart showing the flow of pre-cleaning processing. 12 and 13 are diagrams showing a control method in a pre-cleaning step. (A) to (d) of each figure shows the processing process. For convenience, the supply valve 170, the
제어부(6)는 전세정 처리의 개시 시에, 승강 기구(90) 및 기판 반송 로봇(22)을 구동하여 세정 장치(14)에 기판(W)을 로드한다(S10). 도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이, 승강 기구(90)는 지지 부재(104)를 로드 위치까지 상승시킨다. 기판 반송 로봇(22)은 기판 전달대(8)로부터 기판(W)을 수평 자세로 유지하면서 취출하고, 지지 부재(104)에 적재한다. 본 실시예에서는, 로봇 핸드(22a)가 기판(W)의 상면측에 위치하여 기판(W)을 유지하게 되어 있다. 이 때, 유체 통로(164)를 통해서도 드라이 에어의 공급이 이루어지고, 클램프 기구(106)가 기판(W)을 클램프한다(S12). 이 시점에서 세정조(92)는 비어 있다.At the start of the pre-cleaning process, the
계속해서, 제어부(6)는 기판(W)의 클램프 상태를 유지시킨 채 승강 기구(90)를 구동하고, 지지 부재(104)를 세정조(92)에 강하시킨다(S14). 도 12의 (b)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)이 세정조(92) 내에 배치된다. 그리고 도 12의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제어부(6)는 공급 밸브(170)를 밸브 개방시켜 세정조(92)에 탈기수를 공급하고, 오버플로우시키면서 프리웨트 처리를 실행한다(S16). 이 때, 유체 통로(164)를 통해 탈이온수의 공급이 이루어지고, 클램프 기구(106)가 기판(W)의 클램프 상태를 유지한다. 이에 의해, 기판(W)의 레지스트 개구부 내는 탈기수로 채우고, 기포가 제거된다. 본 실시예에서는, 이 프리웨트 처리의 시간을 60초로 하고 있다. 프리웨트 처리가 종료되면, 공급 밸브(170)를 닫고, 배출 밸브(172)를 개방하여 배수한다(S18).Subsequently, the
계속해서, 제어부(6)는 전환 밸브(174)를 작동시켜 처리액을 오존수로 전환한다. 또한, 배출 밸브(172)를 닫고, 공급 밸브(170)를 개방하여 세정조(92)에 오존수를 공급하고, 오버플로우시키면서 세정 처리를 행한다(S20). 기판(W)의 레지스트 개구부 내는 이미 탈기수로 채워져 있으므로, 탈기수는 오존수와 치환되고, 오존수의 작용에 의해 기판(W)의 표면에 부착된 유기물 등이 제거되어, 친수성이 높아진다. 본 실시예에서는, 이 세정 처리의 시간을 60초로 하고 있다. 세정 처리가 종료되면, 공급 밸브(170)를 닫고, 배출 밸브(172)를 밸브 개방시켜 배수한다(S22).Subsequently, the
계속해서, 제어부(6)는 전환 밸브(174)를 작동시켜 처리액을 탈이온수(DIW)로 전환한다. 또한, 배출 밸브(172)를 닫고, 공급 밸브(170)를 개방하여 세정조(92)에 탈이온수를 공급하고, 오버플로우시키면서 린스 처리를 행한다(S24). 이 때, 클램프 기구(106)의 유체 통로(164)를 통해서도 탈이온수의 공급이 이루어진다. 본 실시예에서는, 이 린스 처리의 시간을 30초로 하고 있다. 린스 처리가 종료되면, 공급 밸브(170)를 닫고, 배출 밸브(172)를 밸브 개방시켜 배수한다(S26). 유체 통로(164)를 통한 탈이온수의 공급도 정지되고, 드라이 에어의 공급으로 전환된다.Subsequently, the
도 12의 (d)에 나타내는 바와 같이, 제어부(6)는 그 배수와 병행하여 승강 기구(90)를 구동하고, 지지 부재(104)를 건조 위치로 상승시킨다(S28). 그리고, 지지 기구(88)로부터 지지 기구(54)로의 기판(W)의 전달을 행한다(S30). 이 때, 클램프 기구(66)에 기판(W)을 클램프시키고, 클램프 기구(106)의 클램프를 해제한다. 유체 통로(164)를 통한 드라이 에어의 공급은 정지된다. 기판(W)의 전달이 완료되면, 도 13의 (a)에 나타내는 바와 같이, 지지 부재(104)를 강하시킨다(S32). 또한, 본 실시예에서는, 이 때의 지지 부재(104)의 높이를 세정 시의 높이와 일치시키고 있다. 변형예에 있어서는, 그 높이를 다르게 해도 된다.As shown in FIG. 12(d), the
지지 부재(104)가 세정조(92)에 퇴피되면, 제어부(6)는 건조 기구(56) 및 건조 기구(110)를 동시에 구동한다(S34). 도 13의 (b)에 나타내는 바와 같이, 에어 나이프(74)가 기판(W)을 건조시키고, 에어 노즐(112)이 지지 부재(104)(돌기부(108))를 건조시킨다. 이 때, 클램프 기구(106)의 유체 통로(164)를 통해서도 에어의 공급이 이루어진다. 이렇게 제1, 제2 건조 처리가 동시 병행적을 행해짐으로써, 각각의 건조 처리에서 발생하는 액튐의 영향을 서로 억제할 수 있다. 본 실시예에서는, 이들 건조 처리의 시간을 30초로 하고 있다.When the
에어 나이프(74)는 기판(W)에 대하여 왕복 작동은 하지 않고, 일방향 작동으로 건조 처리를 종료한다. 일방향 작동이 종료되면, 에어 블로우를 정지하고, 원래의 위치로 복귀된다. 이들 건조 처리가 종료되면, 유체 통로(164)를 통한 에어의 공급을 정지한다. 도 13의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제어부(6)는 승강 기구(90)를 구동하여 지지 부재(104)를 로드 위치로 상승시킨다(S36). 그리고, 지지 기구(54)로부터 지지 기구(88)로의 기판(W)의 전달을 행한다(S38). 기판(W)이 지지 부재(104)에 다시 적재된 후, 클램프 기구(66)의 클램프를 해제한다.The
도 13의 (d)에 나타내는 바와 같이, 제어부(6)는 기판 반송 로봇(22)을 구동하여 기판(W)을 언로드한다(S40). 기판 반송 로봇(22)은 지지 부재(104)로부터 기판(W)을 취출하고, 착탈 기구(20)에 반송한다. 그 후, 상술한 도금 처리가 개시된다.13D, the
도금 처리의 종료 후, 기판(W)이 세정 장치(16)에 반송되어, 후세정 처리가 행해진다. 세정 장치(16)의 구성 및 동작은 세정 장치(14)와 거의 마찬가지이지만, 세정조(92)에 공급하는 처리액은 탈이온수(DIW)만이다. 후세정 처리는 린스조(38)에서 전부 제거할 수 없었던 도금액의 성분이나 파티클을 기판(W)으로부터 제거한다.After completion of the plating process, the substrate W is conveyed to the
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 의하면, 기판(W)을 지지 부재(104)에 적재시킴으로써 수평 자세를 유지한 채로 승강시키고, 세정 처리를 행할 수 있다. 건조 처리 시에의 기판(W)의 전달도, 기판(W)을 지지 부재(104)에 적재한 채로 행해지기 때문에, 지지 양태를 적재로부터 파지로 안정적으로 전환할 수 있다. 이 때문에, 일련의 처리 과정에서 기판(W)이 휘어, 다른 구조물과 간섭되는 일도 없다. 즉, 기판(W)이 대형이며 얇은 기판이라도 안정적으로 처리할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the substrate W is mounted on the
또한, 지지 부재(104)에 복수의 돌기부(108)를 산재적으로 마련하고, 그 돌기부(108)를 적재면으로 함으로써, 기판(W)의 하면의 대부분을 세정액에 개방할 수 있고, 기판(W)의 상하면 전체에 세정액을 널리 퍼지게 할 수 있어, 세정 효과를 높일 수 있다.Further, by providing a plurality of
또한, 기판(W)의 건조 시에 지지 부재(104)를 세정조(92)에 퇴피시키는 구성으로 하였기 때문에, 지지 부재(104)의 퇴피 스페이스를 별도로 마련할 필요가 없다. 또한, 탈기수에 의한 프리웨트 처리, 오존수에 의한 세정 처리, 및 탈이온수에 의한 린스 처리를 세정조(92)에서 행하도록 하였기 때문에, 각 처리의 처리조를 마련할 필요가 없다. 이와 같은 구성에 의해, 세정 장치(14) 전체로서 공간 절약화를 도모할 수 있다.In addition, since the
또한, 기판(W)의 건조와 지지 부재(104)(돌기부(108))의 건조를 동시 병행시키기 때문에, 특히 기판(W)으로부터의 액튐이, 돌기부(108)를 적시는 등의 폐해를 억제할 수 있다. 지지 부재(104)의 건조를 세정조(92) 내에서 행하도록 하였기 때문에, 그 때에 불어 날린 수적을 세정조(92) 내에 머무르게 하고, 그대로 배출구(100)로부터 배출할 수 있다. 세정조(92) 밖의 구조물을 오염시키는 일도 없다.In addition, since drying of the substrate W and drying of the support member 104 (protrusion 108) are simultaneously performed, in particular, liquid splash from the substrate W and wetness of the
[제2 실시예][Second Example]
도 15는, 제2 실시예에 관한 세정 유닛의 구성을 나타내는 사시도이다.15 is a perspective view showing a configuration of a cleaning unit according to a second embodiment.
본 실시예는, 세정 유닛이 기판을 세정액에 침지시키는 타입이 아니고, 세정액을 기판의 표면에 분사하는 타입(「샤워식」이라고도 함)인 점에서 제1 실시예와 다르다. 이하, 제1 실시예와의 상이점을 중심으로 설명한다. 본 실시예에 있어서 특별히 언급하지 않는 한, 제1 실시예와 마찬가지의 구성을 적용할 수 있다.This embodiment is different from the first embodiment in that the cleaning unit is not a type in which the substrate is immersed in a cleaning liquid, but a type in which the cleaning liquid is sprayed onto the surface of the substrate (also referred to as a "shower type"). Hereinafter, the difference from the first embodiment will be mainly described. In this embodiment, the same configuration as in the first embodiment can be applied unless otherwise specified.
본 실시예의 세정 유닛(252)에서는, 케이스(80)가 「처리조(82)(세정조(92))」로서 기능한다. 처리조(82)에는, 공급 기구(284), 승강 기구(90) 및 지지 기구(288)가 배치되어 있다. 공급 기구(284)는 제1 공급 기구(211) 및 제2 공급 기구(212)를 포함한다. 제1 공급 기구(211)는 한 쌍의 가동 공급관(214a, 214b)을 구비한다(이들을 특별히 구별하지 않을 경우에는 「공급관(214)」이라고 총칭함). 공급관(214a, 214b)은 처리조(82)의 2개의 모퉁이부에 각각 연직 방향의 회전축을 갖는다. 이들 회전축은 처리조(82)의 하나의 대각선에 따라서 이격하도록 배치되어 있다.In the
공급관(214)은 그 회전축으로부터 수평 방향으로 연장되어 있다. 공급관(214)은 처리조(82)의 상부에 위치한다. 공급관(214)의 하면에는, 그 연장 방향에 따라서 복수의 노즐(218)이 마련되어 있다. 노즐(218)은 「처리액 분사 노즐」로서 기능한다. 공급관(214)으로부터는 하방을 향해 세정액이 공급된다. 공급관(214a, 214b)의 양쪽이 회동하였을 때에 서로 간섭하지 않도록, 도시한 바와 같이, 공급관(214b) 쪽이 공급관(214a)보다도 높은 위치에 있다.The
제2 공급 기구(212)는 처리조(82)의 저부에 병설된 복수의 공급관(224)을 갖는다. 공급관(224)의 상면에는, 그 연장 방향에 따라서 복수의 노즐(228)이 마련되어 있다. 노즐(228)은 「처리액 분사 노즐」로서 기능한다. 공급관(224)으로부터는 상방을 향해 세정액이 공급된다. 처리조(82)의 저면에는, 도시하지 않은 배출구가 마련되어 있다. 공급관(214, 224)으로부터 공급된 세정액은, 기판을 세정한 후에 처리조(82)의 저면을 흘러, 그 배출구로부터 배출된다.The
지지 기구(288)는, 직사각형 판상의 지지 부재(204)와, 지지 부재(204) 주위의 네 코너에 배치된 클램프 기구(106)를 포함한다. 지지 부재(204)는 4개의 빈 영역을 갖는 격자상으로 형성되어 있다. 지지 부재(204)의 상면에는, 그 격자 형상에 따라서 복수의 돌기부(208)가 마련되어 있다. 지지 부재(204)의 2변에는, 돌기부(208)를 걸치는 로드상의 보강 부재(206)가 마련되어 있다. 이들 돌기부(208)에 기판이 적재된다.The
도 16은, 세정 유닛(252)의 세정 중의 동작을 나타내는 사시도이다.16 is a perspective view showing an operation of the
기판(W)이 지지 부재(204)의 적재면(돌기부(208))에 적재되고, 클램프 기구(106)에 클램프된 상태에서 세정 유닛(252)이 구동되면, 공급관(214)이 회동하면서 노즐(218)로부터 세정액을 분사한다. 공급관(224)의 노즐(228)로부터도 동시에 세정액이 분사된다. 그것에 의해, 기판(W)의 상하면에 세정액을 분사할 수 있다. 이 때, 공급관(214)은 약 90도 회동하면서 기판(W)의 상면을 스캔하는 양태로 세정액을 분사한다(도면 중 이점 쇄선 화살표 참조). 또한, 공급관(214)을 반복해서 스캔시켜 세정액을 기판에 분사해도 된다. 그 경우, 기판 상의 세정액을 일방향으로 흐르게 하여 배출하기 위해서, 공급관(214)을 스캔시키는 방향을 일방향으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 기판 표면에 있어서의 세정액의 배출성을 향상시키기 위해서, 지지 부재(204)를 수평으로부터 약간 기운 상태에서 세정 처리를 행하는 것이 바람직하다.When the
본 실시예에 의하면, 세정 방식이 다르지만, 세정 시의 기판(W)의 자세(수평 자세인 것)나, 건조 방법 등은 제1 실시예와 마찬가지이다. 이 때문에, 제1 실시예와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.According to the present embodiment, the cleaning method is different, but the posture (horizontal posture) of the substrate W during cleaning, the drying method, and the like are the same as in the first embodiment. For this reason, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
이상, 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명이 그 특정한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형이 가능한 것은 말할 필요도 없다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been described, but the present invention is not limited to the specific embodiments, and it is needless to say that various modifications are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
도 14는, 변형예에 관한 클램프 구조를 나타내는 단면도이다. 도 14의 (a)는 제1 변형예를 나타내고, 도 14의 (b)는 제2 변형예를 나타낸다.14 is a cross-sectional view showing a clamp structure according to a modified example. Fig. 14A shows a first modified example, and Fig. 14B shows a second modified example.
상기 실시예의 클램프 기구에서는, 도 9의 (b)에 도시한 바와 같이, 암(152)의 선단부에 O링(168)을 마련하고, 기판(W)에의 접촉에 대처하였다. 제1 변형예에서는, O링을 마련하지 않고, 암(260)의 선단부에 확경부(210)를 마련한다. 이에 의해, 기판(W)에 있어서 유체 압력이 작용하는 면적을 크게 할 수 있기 때문에, 암(260)에 의한 파지력을 높일 수 있다. 이 경우, 암(260)에 있어서의 적어도 선단부의 재질을 저경도의 것으로 하는 것이 바람직하다.In the clamp mechanism of the above embodiment, as shown in Fig. 9B, an O-
제2 변형예에서는, 암(262)에 유체 통로를 형성하지 않고, 그 선단부를 구면 형상으로 한다. 본 변형예에서는, 클램프 기구에 의한 드라이 에어나 탈이온수의 공급은 이루어지지 않는다. 암(262)과 지지 부재(104)에 의해 기판(W)의 주연부를 끼움 지지한다. 본 변형예에 의하면, 암(262)을 기판(W)에 대하여 점접촉 상태로 함으로써 접촉 면적이 작게 억제되기 때문에, 기판(W)의 흠집 발생을 억제하고, 접촉에 의한 오염을 최소한으로 할 수 있다. 이 경우도, 암(262)에 있어서의 적어도 선단부의 재질을 저경도의 것으로 하는 것이 바람직하다.In the second modification, a fluid passage is not formed in the
상기 실시예에서는, 도금 장치(1)에 있어서, 전세정부(10)와 도금 처리부(4)를 다른 영역으로 설정하였다. 변형예에 있어서는, 도금 처리부에 전세정부(10)의 기능을 편입시켜도 된다. 예를 들어, 도 1에 도시한 도금 처리부(4)에 있어서, 프리웨트조(30)와 프리소크조(32) 사이에 전세정조를 마련하고, 오존수 세정 및 린스 처리를 행하게 해도 된다.In the above embodiment, in the
상기 제1 실시예에서는, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 지지 부재(104)를 6개의 프레임 영역으로 분할한 격자 형상(프레임 형상)으로 하였지만, 프레임 영역의 수에 대하여는 6개에 한정되지 않고, 기판(W)에 설정하는 접촉 가능 영역(148)의 배치에 따라서 적절히 설정할 수 있다.In the first embodiment, as shown in Fig. 7(a), the
상기 실시예에서는 설명하지 않았지만, 기판의 종류에 따라서 교환 가능한 복수 종류의 지지 부재를 준비하고, 세정 유닛에 착탈 가능하게 해도 된다. 기판의 종류에 의해 실장 영역과 비실장 영역의 레이아웃이 다른 것을 고려한 것이다. 복수 종류의 지지 부재는, 어느 기판의 비실장 영역(접촉 가능 영역)에 대응한 사이즈, 형상 및 돌기부의 레이아웃을 갖는다. 이와 같은 구성에 의해, 다종 다양한 사이즈나 실장 레이아웃의 기판에 대응할 수 있다.Although not described in the above embodiment, a plurality of interchangeable support members may be prepared according to the type of substrate, and may be detachable from the cleaning unit. It is considered that the layout of the mounting area and the non-mounting area are different depending on the type of the substrate. The plurality of types of support members have a size, shape, and layout of protrusions corresponding to a non-mounting area (contactable area) of a certain substrate. With such a configuration, it is possible to cope with substrates of a wide variety of sizes and mounting layouts.
상기 실시예에서는 설명하지 않았지만, 상류 공정에 있어서 기판(W)의 세정을 행하고 나서, 도금 장치(1)에 기판(W)을 전달할 때까지 시간에 따라서, 전세정 처리에 있어서의 오존수 세정의 유무를 결정해도 된다. 상류 공정에 있어서 기판(W)의 세정을 행해도, 시간의 경과에 수반하여, 다시 기판(W)의 레지스트 개구부에 노출된 시드층 상에 유기물이 부착되는 경우가 있다. 따라서, 구체적으로는, 제어부(관리부)가 각 기판(W)에 대하여 상류 공정에서 기판(W)이 세정된 시간 정보를 입수하고, 기판 전달대(8)에 세트될 때까지의 경과 시간을 계산한다. 그 경과 시간이 소정 시간 이상이면 오존 세정을 실행하고, 소정 시간 미만이면 오존 세정을 생략해도 된다. 즉, 추정되는 기판(W)의 오염 레벨에 따라서 오존수 세정의 유무를 결정해도 된다. 혹은 오존 세정의 시간을 오염 레벨에 따라서 변경해도 된다. 과잉의 오존 세정은 시드층(도통층)에 대미지를 끼칠 가능성이 있기 때문에, 이렇게 최적인 세정 조건을 설정하는 것이 바람직하다.Although not described in the above embodiment, the presence or absence of ozone water cleaning in the pre-cleaning treatment depending on the time from the cleaning of the substrate W in the upstream process to the delivery of the substrate W to the
상기 제1 실시예에서는 설명하지 않았지만, 세정조(92)에 처리액을 공급할 때, 적어도 기판(W)이 침지될 때까지 기판(W)을 조금 기울여도 된다. 구체적으로는, 도 5에 나타내는 상태에 있어서, 4개의 승강축(102)의 작동을 조정하고, 지지 부재(104)를 수평면에 대하여 미소 각도 기울인다(예를 들어 1/1000 내지 1/100 정도). 이 때, 오버플로우조(94)측(우측)이 낮아지도록 한다.Although not described in the first embodiment, when supplying the processing liquid to the
그것에 의해, 기판(W)의 우측으로부터 좌측을 향해 점차 처리액에 잠기게 된다. 이것은, 기판(W)의 하면과 처리액의 액면 사이의 공간이 점차 좌측으로 옮겨지는 것, 즉 공기를 오버플로우조(94)와는 반대측으로 이동시키는 것을 의미한다. 그것에 의해, 기포가 오버플로우조(94)에 흐르기 어렵게 할 수 있다. 즉, 오버플로우조(94)에 기포 고임이 생겨 오버플로우의 효율을 저하시키는 것을 방지 또는 억제할 수 있다. 그 경우, 기판(W)이 처리액에 충분히 잠긴 후, 기판(W)을 수평으로 되돌리면 된다. 탈기수 세정이 끝난 후에 수평으로 되돌려도 된다.Thereby, it is gradually immersed in the processing liquid from the right side to the left side of the substrate W. This means that the space between the lower surface of the substrate W and the liquid level of the processing liquid is gradually moved to the left, that is, the air is moved to the side opposite to the
이러한 클램프 기구를 구비하는 기판 처리 장치에 의하면, 기판 본체의 처리와 동시에 클램프부도 처리할 수 있어, 기판 처리 전체의 효율이 높아진다.According to the substrate processing apparatus provided with such a clamping mechanism, the clamping portion can be processed simultaneously with the processing of the substrate main body, so that the overall efficiency of the substrate processing is increased.
또한, 본 발명은 상기 실시예나 변형예에 한정되는 것은 아니며, 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소를 변형하여 구체화할 수 있다. 상기 실시예나 변형예에 개시되어 있는 복수의 구성 요소를 적절히 조합함으로써 각종의 발명을 형성해도 된다. 또한, 상기 실시예나 변형예에 나타나는 전체 구성 요소로부터 몇 가지 구성 요소를 삭제해도 된다.In addition, the present invention is not limited to the above embodiments or modifications, and may be embodied by modifying components within a range not departing from the gist. Various inventions may be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments and modifications. Further, some of the constituent elements may be deleted from all constituent elements shown in the above embodiments or modifications.
본 발명은, 기판을 처리액으로 처리하는 기판 처리 장치에 이용 가능하다.The present invention can be used in a substrate processing apparatus that treats a substrate with a processing liquid.
1 도금 장치, 2 기판 착탈부, 4 도금 처리부, 6 제어부, 8 기판 전달대, 10전세정부, 12 후세정부, 14 세정 장치, 16 세정 장치, 18 홀더 반송 기구, 20 착탈 기구, 22 기판 반송 로봇, 23 이동 기구, 24 기판 홀더, 28 반송 기구, 30 프리웨트조, 32 프리소크조, 34 린스조, 36 블로우조, 38 린스조, 40 오버플로우조, 42 도금조, 52 세정 유닛, 54 지지 기구, 56 건조 기구, 60 가이드 부재, 66 클램프 기구, 74 에어 나이프, 82 처리조, 84 공급 기구, 86 배출 기구, 88 지지 기구, 90 승강 기구, 92 세정조, 94 오버플로우조, 96 공급구, 98 공급관, 100 배출구, 102 승강축, 104 지지 부재, 106 클램프 기구, 108 돌기부, 110 건조 기구, 112 에어 노즐, 114 드레인관, 116 배출구, 118 드레인관, 122 파지부, 124 에어 실린더, 126 암, 128 끼움 지지 부재, 130 O링, 148 접촉 가능 영역, 150 액추에이터, 152 암, 164 유체 통로, 168 O링, 170 공급 밸브, 172 배출 밸브, 174 전환 밸브, 204 지지 부재, 208 돌기부, 210 확경부, 211 제1 공급 기구, 212 제2 공급 기구, 214 공급관, 218 노즐, 224 공급관, 228 노즐, 252 세정 유닛, 260 암, 262 암, 284 공급 기구, 288 지지 기구, W 기판.1 plating unit, 2 substrate attachment/detachment unit, 4 plating processing unit, 6 control unit, 8 substrate transfer unit, 10 pre-cleaning unit, 12 post-cleaning unit, 14 cleaning unit, 16 cleaning unit, 18 holder transfer mechanism, 20 attachment/detachment mechanism, 22 substrate transfer robot , 23 transfer mechanism, 24 substrate holder, 28 transfer mechanism, 30 pre-wet tank, 32 presoak tank, 34 rinse tank, 36 blow tank, 38 rinse tank, 40 overflow tank, 42 plating tank, 52 cleaning unit, 54 support Mechanism, 56 drying mechanism, 60 guide member, 66 clamp mechanism, 74 air knife, 82 treatment tank, 84 supply mechanism, 86 discharge mechanism, 88 support mechanism, 90 lifting mechanism, 92 washing tank, 94 overflow tank, 96 supply port , 98 supply pipe, 100 outlet, 102 lifting shaft, 104 supporting member, 106 clamp mechanism, 108 protrusion, 110 drying mechanism, 112 air nozzle, 114 drain pipe, 116 outlet, 118 drain pipe, 122 gripping part, 124 air cylinder, 126 Arm, 128 fitting support member, 130 O-ring, 148 contactable area, 150 actuator, 152 arm, 164 fluid passage, 168 O-ring, 170 supply valve, 172 discharge valve, 174 switching valve, 204 support member, 208 protrusion, 210 Expansion part, 211 1st supply mechanism, 212 2nd supply mechanism, 214 supply pipe, 218 nozzle, 224 supply pipe, 228 nozzle, 252 cleaning unit, 260 arm, 262 arm, 284 supply mechanism, 288 support mechanism, W substrate.
Claims (9)
기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하기 위한 처리조와,
기판을 상기 처리조 내에 강하 및 상기 처리조로부터 상승시키기 위해 상기 지지부를 승강시키는 승강부와,
상기 처리조의 상방에 있어서, 상기 지지부에 지지된 기판의 외주부를 파지하여 상기 지지부로부터 기판을 수취하는 파지부와,
상기 파지부에 의해 파지된 기판에 기체를 분사하여 상기 기판을 건조시키는 제1 노즐
을 구비하는, 기판 처리 장치.A support having a loading surface for loading the substrate in a horizontal posture;
A processing tank for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate,
An elevating portion for raising and lowering the support portion in order to lower the substrate into the processing tank and raise it from the processing tank;
A gripping part above the processing tank for gripping an outer peripheral part of the substrate supported by the support part to receive the substrate from the support part,
A first nozzle for drying the substrate by spraying gas on the substrate held by the gripping unit
A substrate processing apparatus comprising a.
프레임체와,
상기 프레임체의 상면에 돌출되고, 상기 적재면을 구성하는 복수의 돌기부
를 포함하는, 기판 처리 장치.The method of claim 1, wherein the support,
With the frame body,
A plurality of protrusions protruding from the upper surface of the frame body and constituting the loading surface
Containing, a substrate processing apparatus.
상기 제어부는, 상기 파지부가 상기 기판을 파지한 후에 상기 지지부를 강하시키도록 상기 승강부를 제어하는, 기판 처리 장치.The method of claim 2, further comprising a control unit,
The control unit controls the lifting unit to lower the support unit after the holding unit grips the substrate.
상기 처리조로부터 처리액을 배출하는 처리액 배출부
를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 지지부의 상승 전 또는 상승 후에 상기 처리조 내의 처리액을 배출하도록 상기 처리액 배출부를 제어하는, 기판 처리 장치.The processing liquid supply unit according to claim 3, wherein the processing liquid is supplied to the processing tank;
Treatment liquid discharge unit for discharging treatment liquid from the treatment tank
Further comprising,
The control unit controls the processing liquid discharge unit to discharge the processing liquid in the processing tank before or after the raising of the support unit.
상기 제어부는,
상기 제2 노즐에 의해 상기 적재면을 건조시킨 후, 상기 지지부를 상승시키고, 상기 파지부에 파지된 기판을 상기 지지부의 상기 적재면에서 지지하도록 상기 승강부를 제어하고,
상기 기판 반송부는, 상기 적재면에 지지된 기판을 수취하는, 기판 처리 장치.The substrate transport according to claim 5 or 6, having a support surface that supports an upper surface of the substrate, and transferring the substrate to the loading surface of the support unit while maintaining the substrate in a horizontal position, and receiving from the loading surface. Have wealth,
The control unit,
After drying the loading surface by the second nozzle, the supporting portion is raised, and the lifting portion is controlled to support the substrate gripped by the holding portion on the loading surface of the supporting portion,
The substrate transfer unit receives a substrate supported on the loading surface.
상기 처리액 공급부는, 복수 종류의 세정액을 순차로 상기 기판 세정조에 공급하는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 4 to 7, wherein the treatment tank comprises a substrate cleaning tank,
The processing liquid supply unit sequentially supplies a plurality of types of cleaning liquids to the substrate cleaning tank.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a processing liquid spraying nozzle for spraying a processing liquid onto the surface of the substrate supported by the support in the processing tank.
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