JPH0758070A - Cleaning apparatus - Google Patents

Cleaning apparatus

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JPH0758070A
JPH0758070A JP2755393A JP2755393A JPH0758070A JP H0758070 A JPH0758070 A JP H0758070A JP 2755393 A JP2755393 A JP 2755393A JP 2755393 A JP2755393 A JP 2755393A JP H0758070 A JPH0758070 A JP H0758070A
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cleaning
drying
liquid
gas
processed
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Mitsuo Nishi
光雄 西
Naoki Shindo
尚樹 新藤
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Abstract

PURPOSE:To clean a wafer chuck efficiently in a short time, to decrease the consumption of cleaning liquid and to save the space when the wafer chuck is cleaned. CONSTITUTION:A wafer chuck 41A, which transfer a semiconductor wafer, and a chuck cleaning and drying vessel 42, which cleans and dries the wafer chuck 41A in the inside, are provided. The chuck cleaning and drying vessel 42 has a liquid injecting means 423 for injecting ultrapure water and a gas injecting means 424 for injecting air. The liquid injecting means 423 has a liquid supplying pipe 423A, which is arranged at the approximately intermediate part between holding rods 41B and 41B along the entire length in the front and rear directions of the right and left holding rods 41B and 41B of a wafer chuck 41A, and a plurality of liquid injecting nozzles 423B, which are arranged so as to face the holding rods 41B and 41B at the right and left of the liquid supplying pipe 423A.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、洗浄装置に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a cleaning device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、洗浄装置は半導体装置の製造
工程において被処理体(例えば半導体ウエハ)表面のパ
ーティクル、有機汚染物、あるいは金属不純物などのコ
ンタミネーションを除去する目的で用いられている。特
にウェット洗浄装置はパーティクルを効果的に除去でき
ると共にバッチ処理ができるため重要な洗浄手段として
現在広く普及している。このような洗浄装置は、通常、
所定枚数の半導体ウエハをカセット単位でロードするロ
ード機構と、このロード機構によってロードされた半導
体ウエハを所定枚数ずつ搬送するウエハ搬送装置と、こ
のウエハ搬送装置によって搬送された複数の半導体ウエ
ハをそれぞれアルカリ処理、水洗処理及び酸処理などに
より一括して洗浄するように順次配列された複数種の洗
浄処理槽と、各洗浄処理槽によって洗浄された半導体ウ
エハをアンロードするアンロード機構とを備えて構成さ
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a cleaning apparatus has been used for the purpose of removing contaminants such as particles, organic contaminants, and metal impurities on the surface of an object to be processed (for example, a semiconductor wafer) in the manufacturing process of semiconductor devices. In particular, a wet cleaning device is currently widely used as an important cleaning means because it can effectively remove particles and can perform batch processing. Such a cleaning device is usually
A load mechanism that loads a predetermined number of semiconductor wafers in cassette units, a wafer transfer device that transfers a predetermined number of semiconductor wafers loaded by the load mechanism, and a plurality of semiconductor wafers transferred by this wafer transfer device A plurality of types of cleaning treatment tanks are sequentially arranged so as to be collectively cleaned by treatment, washing treatment, acid treatment, etc., and an unloading mechanism for unloading the semiconductor wafers cleaned by each cleaning treatment tank is configured. Has been done.

【0003】そして、半導体ウエハを洗浄処理する際に
は、上記ウエハ搬送装置のウエハチャックで半導体ウエ
ハを把持した状態で上記各洗浄処理槽に対して出し入れ
するため、各洗浄処理槽内でそれぞれの洗浄処理液がウ
エハチャックに付着し、更にはそれぞれの洗浄処理槽で
上記ウエハチャックにパーティクル等の塵埃が僅かでは
あるが付着して上記ウエハチャックを汚染する虞があ
り、延いては半導体ウエハを汚染して半導体ウエハの電
気的特性を劣化させる虞があった。そのため従来から、
洗浄装置には複数種の洗浄処理槽の前後にウエハチャッ
クを洗浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽が配設さ
れ、清浄な半導体ウエハを搬送する直前にウエハチャッ
クを洗浄した後、乾燥することによりウエハチャックを
清浄にした後、清浄なウエハチャックで半導体ウエハを
搬送するようにしている。
When cleaning the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is taken in and out of each of the cleaning processing tanks while being held by the wafer chuck of the wafer transfer apparatus. The cleaning liquid may adhere to the wafer chuck, and dust such as particles may slightly adhere to the wafer chuck in each cleaning treatment tank to contaminate the wafer chuck. There is a risk that the electrical characteristics of the semiconductor wafer may deteriorate due to contamination. Therefore, from the past,
The cleaning device is equipped with a chuck cleaning / drying processing tank for cleaning and drying wafer chucks before and after a plurality of types of cleaning processing tanks. Cleaning the wafer chuck immediately before transporting a clean semiconductor wafer, and then drying. After cleaning the wafer chuck by, the semiconductor wafer is conveyed by the clean wafer chuck.

【0004】ここで上記のウエハチャック洗浄方式及び
乾燥方式について概説すると、従来のウエハチャックの
洗浄方式には、例えばウエハチャックを超純水に浸漬す
ることにより洗浄する浸漬洗浄方式や、ウエハチャック
に超純水を噴射することにより洗浄する噴射洗浄方式が
ある。前者の浸漬洗浄方式は、例えば浸漬槽内の超純水
にウエハチャックを浸漬してウエハチャックに付着した
洗浄処理液体、パーティクル等を洗浄する方式であり、
後者の噴射洗浄方式は、例えばウエハチャックをその外
側から全長に亘って挟む左右一対の液体供給配管に設け
られた複数の噴射ノズルあるいはスリットからウエハチ
ャックに超純水等の洗浄用液体を噴射して洗浄する方式
である。ところが、上述したいずれの洗浄方式を用い
も、ウエハチャックの把持部の内側には半導体ウエハの
把持枚数に即した把持溝が形成されているため、洗浄用
液体がこれらの把持溝に溜りがちである。
The wafer chuck cleaning method and the drying method described above will be briefly described below. As a conventional wafer chuck cleaning method, for example, an immersion cleaning method of cleaning a wafer chuck by immersing the wafer chuck in ultrapure water or a wafer chuck cleaning method is used. There is a spray cleaning method in which cleaning is performed by spraying ultrapure water. The former immersion cleaning method is, for example, a method of immersing a wafer chuck in ultrapure water in an immersion tank to clean the cleaning liquid, particles, etc. adhering to the wafer chuck,
In the latter jet cleaning method, for example, a cleaning liquid such as ultrapure water is jetted to the wafer chuck from a plurality of jet nozzles or slits provided in a pair of left and right liquid supply pipes that sandwich the wafer chuck from the outside over the entire length. It is a method of cleaning. However, even if any of the above-mentioned cleaning methods is used, since the gripping grooves corresponding to the number of semiconductor wafers to be gripped are formed inside the gripping portion of the wafer chuck, the cleaning liquid tends to accumulate in these gripping grooves. is there.

【0005】そこで、洗浄後のウエハチャックがチャッ
ク洗浄・乾燥処理槽内を上昇する間にウエハチャックに
乾燥用気体を噴射して把持溝に滞留した洗浄用液体の液
切れ促進しながらウエハチャックを乾燥させるようにし
ている。この場合には、ウエハチャックの左右の把持部
の両側でその全長に亘って水平に配設された気体供給管
に等間隔で形成された気体噴射ノズルからウエハチャッ
クに対して例えば乾燥空気等の乾燥用気体を水平方向に
噴射してチャック洗浄・乾燥処理槽内を上昇するウエハ
チャックに付着した超純水等の洗浄用液体を吹き飛ばし
て液切れを促進しつつ乾燥するようにしている。
Therefore, while the cleaned wafer chuck moves up in the chuck cleaning / drying processing tank, a drying gas is jetted to the wafer chuck to accelerate the running out of the cleaning liquid staying in the gripping groove, and the wafer chuck is cleaned. I try to dry it. In this case, for example, dry air or the like is supplied to the wafer chuck from gas injection nozzles formed at equal intervals in a gas supply pipe horizontally arranged on both sides of the left and right gripping portions of the wafer chuck. A drying gas is sprayed in the horizontal direction to blow up a cleaning liquid such as ultrapure water adhering to the wafer chuck rising in the chuck cleaning / drying processing tank to accelerate drying and promote drying.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
チャックを洗浄する際に、従来の浸漬洗浄方式を用いた
場合には、ウエハチャックの大部分を超純水に浸漬しな
くてはならないため、超純水の使用量が大量になり、し
かも浸漬槽の占めるスペースが大きくなり、また、従来
の噴射洗浄方式の場合には、通常、液体供給配管がウエ
ハチャックの左右の外側に配設されているため、一対の
液体供給配管を設けるスペースがウエハチャックの両外
側に必要になり、しかもウエハチャックの把持溝が把持
部の内側にあるため、各把持溝はそれぞれ遠い側の液体
供給配管から噴射される超純水によって洗浄しなくては
ならず、それには噴射圧力を上げて勢い良く水を噴射し
て超純水が遠い側の把持溝に届くようにしなくてはなら
ないため、洗浄効率も十分ではなく、均一な洗浄を行な
うことができないばかりか、超純水を大量に消費量する
という課題があった。
However, when the conventional immersion cleaning method is used for cleaning the wafer chuck, most of the wafer chuck must be immersed in ultrapure water. The amount of pure water used becomes large, the space occupied by the immersion tank becomes large, and in the case of the conventional jet cleaning method, the liquid supply pipes are usually arranged outside the left and right sides of the wafer chuck. Therefore, a space for providing a pair of liquid supply pipes is required on both outer sides of the wafer chuck, and since the gripping groove of the wafer chuck is inside the gripping portion, each gripping groove is ejected from the liquid supply pipe on the far side. It must be washed with ultrapure water, which must be increased in jet pressure to jet the water vigorously so that the ultrapure water reaches the holding groove on the far side. Also not sufficient, not only it is impossible to perform uniform cleaning, there is a problem that consumption of ultrapure water in large quantities.

【0007】また、ウエハチャックを乾燥する際に、従
来のウエハチャックの乾燥方式を用いた場合には、左右
の把持部を挟むように配設された二対の気体供給配管の
気体噴射ノズルから乾燥用空気を水平方向に噴射するた
め、大量の乾燥空気を消費することになり、しかもウエ
ハチャックの噴射部位によっては乾燥空気がウエハチャ
ック表面で左右上下の全方向に拡散し、液切れが必ずし
も完全でなく、十分な乾燥状態を得ることができないと
いう課題があった。また、従来の上記乾燥方式の場合に
は、気体噴射ノズルが各気体供給配管全長に亘って等間
隔に設けられているため、ウエハチャック全体に均等に
乾燥空気が噴射するようにしているため、ウエハチャッ
クの把持溝のように液体が溜り易い部位での乾燥空気の
噴射量が十分でなく、逆に液切れの良い滑らかなその他
の部分に必要以上の乾燥空気が噴射され、噴射量の配分
にアンバランスを生じ、効率的にウエハチャックを乾燥
させることができず、乾燥用空気の消費効率が悪く、大
量の乾燥空気を消費するという課題があった。
Further, when the conventional wafer chuck drying method is used for drying the wafer chuck, the gas injection nozzles of the two pairs of gas supply pipes arranged so as to sandwich the left and right grips are used. Since the drying air is sprayed in the horizontal direction, a large amount of dry air is consumed. Moreover, depending on the spraying part of the wafer chuck, the dry air is diffused in all directions of the left, right, up, and down on the surface of the wafer chuck, so that the liquid is not always drained. There is a problem that it is not perfect and a sufficient dry state cannot be obtained. Further, in the case of the conventional drying method, since the gas injection nozzles are provided at equal intervals over the entire length of each gas supply pipe, the dry air is evenly sprayed over the entire wafer chuck, Insufficient amount of dry air is injected in the area where liquid easily accumulates, such as the holding groove of the wafer chuck, and conversely, excess dry air is injected in other smooth and well-drained areas, and the injection amount is distributed. However, there is a problem in that the wafer chuck cannot be efficiently dried, the consumption efficiency of the drying air is low, and a large amount of dry air is consumed.

【0008】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、ウエハチャック等の被処理体搬送用治具を
洗浄及び/または乾燥する際に、被処理体搬送用治具を
効率良く短時間で洗浄及び/または乾燥できると共に、
洗浄用液体及び/または乾燥用気体の使用量を削減でき
る洗浄装置を提供することを目的としている。
The present invention has been made to solve the above problems, and when cleaning and / or drying an object-to-be-processed jig such as a wafer chuck, the object-to-be-processed jig is efficiently used. Can be washed and / or dried in a short time,
An object of the present invention is to provide a cleaning device that can reduce the amount of cleaning liquid and / or drying gas used.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の洗浄装置は、所定の処理液を貯留した洗浄処理槽内に
配設された被処理体保持具との間で洗浄前後の複数の被
処理体を授受する被処理体搬送用治具と、この被処理体
搬送用治具を内部で洗浄、乾燥する洗浄・乾燥処理槽と
を備え、上記被処理体搬送用治具は上記複数の被処理体
を把持する左右の把持部及びそれぞれを水平に支持する
支持部を有し、また、上記洗浄・乾燥処理槽は洗浄用液
体を噴射する液体噴射手段及び乾燥用気体を噴射する気
体噴射手段を有する洗浄装置において、上記液体噴射手
段は、上記左右の把持部の略中間でその前後方向全長に
亘って配設された液体供給管と、この液体供給管の左右
に上記各把持部に対向させてそれぞれ複数ずつ配設され
た液体噴射孔とを有するものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a cleaning device, which is used before and after cleaning with a holder for an object to be processed which is disposed in a cleaning processing tank which stores a predetermined processing liquid. The processing object transfer jig for transferring a plurality of processing objects and a cleaning / drying treatment tank for cleaning and drying the processing object transfer jig inside are provided. The cleaning / drying treatment tank has a liquid ejecting unit for ejecting a cleaning liquid and a drying gas, and has left and right gripping parts for gripping the plurality of objects to be processed and a supporting part for horizontally supporting each of the gripping parts. In the cleaning apparatus having the gas ejecting means, the liquid ejecting means includes a liquid supply pipe disposed substantially in the middle of the left and right grips and extending along the entire length in the front-rear direction, and the liquid supply pipes on the left and right sides of the liquid supply pipe. A plurality of liquid ejection holes are provided so as to face the grip portion. It is intended to.

【0010】また、本発明の請求項2に記載の洗浄装置
は、所定の処理液を貯留した洗浄処理槽内に配設された
被処理体保持具との間で洗浄前後の複数の被処理体を授
受する被処理体搬送用治具と、この被処理体搬送用治具
を内部で洗浄、乾燥する洗浄・乾燥処理槽とを備え、上
記被処理体搬送用治具は上記複数の被処理体を把持する
左右の把持部及びそれぞれを水平に支持する支持部を有
し、また、上記洗浄・乾燥処理槽は洗浄用液体を噴射す
る液体噴射手段及び乾燥用気体を噴射する気体噴射手段
を有する洗浄装置において、上記気体噴射手段は、上記
各支持部の左右両側にその下端から基部に亘ってそれぞ
れ立設された二対の気体供給管と、各気体供給管の略全
長に亘って所定間隔で複数ずつ配設された気体噴射孔
と、これらの気体噴射孔を有する上記各気体供給管を上
記各把持部に沿って一体的に往復移動させる駆動手段と
を有するものである。
Further, according to a second aspect of the present invention, in the cleaning apparatus, a plurality of objects to be processed before and after cleaning with the object-to-be-processed holder arranged in the cleaning processing tank storing a predetermined processing liquid. The jig for transferring the object to be processed and the cleaning / drying processing tank for cleaning and drying the jig for transferring the object to be processed are provided. The cleaning / drying treatment tank has a liquid ejecting means for ejecting a cleaning liquid and a gas ejecting means for ejecting a drying gas. In the cleaning device having the above, the gas injecting means has two pairs of gas supply pipes which are respectively erected from the lower end to the base part on the left and right sides of each of the support parts, and over substantially the entire length of each gas supply pipe. A plurality of gas injection holes arranged at a predetermined interval and these gas injection holes Each of the above-mentioned gas supply tube having a bore and has a drive means for reciprocating integrally along the respective gripper.

【0011】また、本発明の請求項3に記載の洗浄装置
は、請求項1または請求項2に記載の発明において、上
記各液体噴射孔を、上記被処理体搬送用治具に対して上
記洗浄用液体を斜め下方に向けて噴射するように設けた
ものである。
According to a third aspect of the present invention, in the cleaning apparatus according to the first or second aspect of the present invention, each of the liquid ejection holes is provided with respect to the jig for conveying the object to be treated. The cleaning liquid is provided so as to be sprayed obliquely downward.

【0012】また、本発明の請求項4に記載の洗浄装置
は、請求項1ないし請求項3のいずれか一つに記載の発
明において、上記気体噴射孔を、上記被処理体搬送用治
具に対して上記乾燥用気体を斜め下方に向けて噴射する
ように設けたものである。
A cleaning apparatus according to a fourth aspect of the present invention is the cleaning apparatus according to any one of the first to third aspects of the invention, wherein the gas injection hole is provided in the jig for transferring the object to be processed. On the other hand, the drying gas is provided so as to be jetted obliquely downward.

【0013】また、本発明の請求項5に記載の洗浄装置
は、請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載の発
明において、上記複数の気体噴射孔のうち、上記把持部
に対向する上記複数の気体噴射孔の全開口面積を大きく
形成すると共に、上記把持部以外の部位に対向する残り
の上記気体噴射孔の全開口面積を小さく形成したもので
ある。
Further, a cleaning device according to a fifth aspect of the present invention is the cleaning device according to any one of the first to fourth aspects, wherein the plurality of gas injection holes are opposed to the grip portion. The total opening area of the plurality of gas injection holes is formed large, and the total opening area of the remaining gas injection holes facing the portion other than the grip portion is formed small.

【0014】また、本発明の請求項6に記載の洗浄装置
は、請求項1ないし請求項5のいずれか一つに記載の発
明において、上記洗浄・乾燥処理槽内に上記被処理体搬
送用治具の乾燥を促進するヒータを設けたものである。
The cleaning apparatus according to a sixth aspect of the present invention is the cleaning apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein the cleaning / drying treatment tank is for transporting the object to be treated. A heater is provided to accelerate the drying of the jig.

【0015】[0015]

【作用】本発明の請求項1に記載の発明によれば、例え
ば、被処理体搬送用治具が洗浄処理槽内の被処理体保持
具との間で複数の被処理体を授受した後、この被処理体
搬送用治具が次の清浄な被処理体を搬送するまでに、洗
浄・乾燥処理槽内に進入すると、液体供給管の左右の複
数の液体噴射孔から洗浄用液体をそれぞれ噴射して被処
理体搬送用治具の左右の把持部の内側及び支持部を洗浄
することができる。
According to the first aspect of the present invention, for example, after the processing object conveying jig transfers a plurality of processing objects to and from the processing object holder in the cleaning processing tank. , If the jig for transferring the object to be processed enters the cleaning / drying processing tank before the next clean object to be processed is transferred, the cleaning liquid is respectively supplied from the plurality of liquid injection holes on the left and right of the liquid supply pipe. The inside of the left and right grips of the jig for transporting the object to be processed and the support can be cleaned by spraying.

【0016】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、例えば、被処理体搬送用治具が洗浄処理槽内の被
処理体保持具との間で複数の被処理体を授受した後、こ
の被処理体搬送用治具が次の被処理体を搬送するまで
に、洗浄・乾燥処理槽内に進入し、液体噴射手段の液体
供給管の液体噴射孔から洗浄用液体を噴射して被処理体
搬送用治具を洗浄した後、気体噴射手段が駆動し、二対
の気体供給管の気体噴射孔から乾燥用気体を噴射しなが
ら被処理体搬送用治具の左右の把持部の前方端から後方
端へ一体的に何度か往復する間に、被処理体搬送用治具
の左右の支持部に付着した洗浄用液体をその両側から乾
燥用気体によって吹き飛ばすと共に左右の把持部に付着
した洗浄用液体をその両側から乾燥用気体によって吹き
飛ばしてそれぞれの液切れを促進しながら被処理体搬送
用治具を迅速に乾燥させることができる。
According to the second aspect of the present invention, for example, the object-to-be-processed jig transfers and receives a plurality of objects to be processed with the object holder in the cleaning tank. After that, the jig for transferring the object to be processed enters the cleaning / drying processing tank before the next object to be processed is transferred, and the cleaning liquid is ejected from the liquid ejecting hole of the liquid supply pipe of the liquid ejecting means. After cleaning the object-to-be-processed jig, the gas injecting means is driven to grasp the left and right sides of the object-to-be-processed jig while injecting the drying gas from the gas injection holes of the two pairs of gas supply pipes. The cleaning liquid adhering to the left and right support parts of the jig for transporting the object to be processed is blown off from both sides by the drying gas and gripped on the left and right sides while reciprocating several times from the front end to the rear end The cleaning liquid adhering to the part is blown off from both sides by the drying gas and While promoting cutting the workpiece conveying jig can be rapidly dried.

【0017】また、本発明の請求項3に記載の発明によ
れば、請求項1または請求項2に記載の発明において、
液体噴射手段によって被処理体を洗浄する際に、各液体
噴射孔から被処理体搬送用治具に対して洗浄用液体を斜
め下方に向けて噴射して左右の把持部の付着物を効果的
に下方へ吹き飛ばすと共にこれらの把持部を支持する支
持部の付着物を効果的に下方へ吹き飛ばして洗浄時間を
更に短縮することができる。
Further, according to the invention of claim 3 of the present invention, in the invention of claim 1 or 2,
When cleaning the object to be processed by the liquid ejecting means, the cleaning liquid is jetted obliquely downward from the respective liquid ejecting holes to the object conveying jig to effectively attach the left and right gripping parts. The cleaning time can be further shortened by blowing off downwards and effectively adhering the deposits on the supporting portions that support these gripping portions downwards.

【0018】また、本発明の請求項4に記載の発明によ
れば、請求項1ないし請求項3のいずれか一つに記載の
発明において、気体噴射手段によって被処理体を乾燥す
る際に、気体噴射孔から被処理体搬送用治具に対して乾
燥用気体を斜め下方に向けて噴射して被処理体搬送用治
具の液切れを促進して乾燥時間を更に短縮することがで
きる。
Further, according to the invention described in claim 4 of the present invention, in the invention described in any one of claims 1 to 3, when the object to be processed is dried by the gas injection means, The drying gas can be jetted obliquely downward from the gas injection hole to the jig for conveying the object to be processed to accelerate the liquid running out of the jig for conveying the object to be processed, thereby further shortening the drying time.

【0019】また、本発明の請求項5に記載の発明によ
れば、請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載の
発明において、気体噴射手段によって被処理体を乾燥す
る際に、全開口面積の大きな気体噴射孔から被処理体搬
送用治具の把持部へ多くの乾燥用気体を噴射して把持部
の乾燥時間を更に短縮することができると共に、開口面
積の小さな気体噴射孔から把持部以外の部位に少量の乾
燥用気体を噴射して把持部以外の乾燥を少量の乾燥用気
体で効率良く乾燥して乾燥用気体の全体での使用量を削
減することができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to fourth aspects, when the object to be treated is dried by the gas jetting means, A large amount of drying gas can be injected from the gas injection hole with a large total opening area to the gripping portion of the jig for transporting the object to be processed to further reduce the drying time of the gripping portion, and the gas injection hole with a small opening area. Therefore, a small amount of the drying gas can be injected to a portion other than the gripping portion to efficiently dry the portion other than the gripping portion with a small amount of the drying gas, thereby reducing the total amount of the drying gas used.

【0020】また、本発明の請求項5に記載の発明によ
れば、請求項1ないし請求項5のいずれか一つに記載の
発明において、気体噴射手段によって乾燥した被処理体
にヒータの熱を照射することにより、被処理体をより確
実に乾燥させることができる。
Further, according to the invention of claim 5 of the present invention, in the invention of any one of claims 1 to 5, the heat of the heater is applied to the object dried by the gas injection means. By irradiating with, the object to be treated can be dried more reliably.

【0021】[0021]

【実施例】以下、図1〜図6に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。 実施例1.本実施例の洗浄装置10は、図1に示すよう
に、洗浄処理前の被処理体(以下、「半導体ウエハ」で
代表する。)をカセット単位で受け取ってカセットCを
保管するインプットバッファ機構20と、このインプッ
トバッファ機構20からカセット単位で半導体ウエハを
受け取るローダ機構30と、このローダ機構30からウ
エハ搬送装置41によって搬送されて来る半導体ウエハ
を薬液処理、水洗処理等の洗浄処理を行なう洗浄処理機
構40と、この洗浄処理機構40によって処理された半
導体ウエハWをアンロードするアンローダ機構50と、
このアンローダ機構50からカセット単位で半導体ウエ
ハを受け取って保管するアウトプットバッファ機構60
とを備えて構成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on the embodiments shown in FIGS. First Embodiment As shown in FIG. 1, the cleaning apparatus 10 of the present embodiment receives an object to be processed (hereinafter, represented by a “semiconductor wafer”) before cleaning in cassette units and stores the cassette C. An input buffer mechanism 20, a loader mechanism 30 that receives semiconductor wafers in cassette units from the input buffer mechanism 20, and a cleaning process such as a chemical solution process or a water cleaning process for a semiconductor wafer transferred from the loader mechanism 30 by a wafer transfer device 41. A cleaning processing mechanism 40 for performing the above, an unloader mechanism 50 for unloading the semiconductor wafer W processed by the cleaning processing mechanism 40,
Output buffer mechanism 60 for receiving and storing semiconductor wafers in cassette units from the unloader mechanism 50
And is configured.

【0022】また、上記洗浄処理機構40の上方には上
記ウエハ搬送装置41によって半導体ウエハが取り出さ
れた後の空のカセットCを洗浄、乾燥処理するカセット
洗浄・乾燥ライン70が上記洗浄処理機構40に沿って
配設されている。そして、このカセット洗浄・乾燥ライ
ン70には昇降機構80を介して空のカセットCを上記
ローダ機構30から持ち上げて供給するように構成され
ている。また、アンローダ機構50側にも同様の昇降機
構(図示せず)が配設され、この昇降機構を介して洗
浄、乾燥後のカセットCをアンローダ機構50へ供給す
るように構成されている。
A cassette cleaning / drying line 70 for cleaning and drying an empty cassette C after the semiconductor wafer is taken out by the wafer transfer device 41 is provided above the cleaning processing mechanism 40. Are arranged along. Then, the cassette cleaning / drying line 70 is configured to lift and supply an empty cassette C from the loader mechanism 30 via an elevating mechanism 80. A similar lifting mechanism (not shown) is also provided on the unloader mechanism 50 side, and the cassette C after cleaning and drying is supplied to the unloader mechanism 50 via this lifting mechanism.

【0023】そして、上記インプットバッファ機構20
は、外部から供給されたカセットCを載置する載置部2
1と、この載置部21のカセットCをカセット搬送機構
22によって移載し、すぐに処理できないカセットCを
一時的に保管するカセット保管部23とを備えて構成さ
れている。また、上記カセット搬送機構22は、上記載
置部21に載置されたカセットC内の半導体ウエハを処
理する際に、カセットCを上記載置部21から上記ロー
ダ機構30へ移載するように構成されている。そして、
このローダ機構30は半導体ウエハのオリエンテーショ
ンフラットを例えば上側あるいは下側に揃える位置合わ
せ機構(図示せず)を備えて構成されている。尚、上記
アウトプットバッファ機構60も上記インプットバッフ
ァ機構20と同様に構成されている。
Then, the input buffer mechanism 20
Is a mounting portion 2 for mounting the cassette C supplied from the outside.
1 and a cassette storage unit 23 that transfers the cassette C of the mounting unit 21 by the cassette transport mechanism 22 and temporarily stores the cassette C that cannot be immediately processed. Further, the cassette carrying mechanism 22 transfers the cassette C from the placing unit 21 to the loader mechanism 30 when processing the semiconductor wafer in the cassette C placed on the placing unit 21. It is configured. And
The loader mechanism 30 is configured to include a position adjusting mechanism (not shown) for aligning the orientation flat of the semiconductor wafer to the upper side or the lower side, for example. The output buffer mechanism 60 is also constructed similarly to the input buffer mechanism 20.

【0024】また、上記洗浄処理機構40は、例えば、
上記ウエハ搬送装置41と、このウエハ搬送装置41の
被処理体搬送用治具としてのウエハチャック41Aを洗
浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽42と、このチ
ャック洗浄・乾燥処理槽42の下流側に順次配設され且
つ半導体ウエハ表面の有機汚染物、金属不純物あるいは
パーティクル等の不要物質を洗浄により除去する薬液処
理槽43、薬液処理後の半導体ウエハを水洗する二つの
水洗処理槽44、44、上記薬液処理槽43とは別の薬
液処理を行なう薬液処理槽45、二つの水洗処理槽4
6、46と、ウエハチャック41Aを洗浄、乾燥するチ
ャック洗浄・乾燥処理槽47と、不純物質が除去された
半導体ウエハを例えばイソプロピルアルコール(IP
A)等で蒸気乾燥する乾燥処理槽48とを備えて構成さ
れている。そして、上記薬液処理槽43、45及び水洗
処理槽44、46は、それぞれの処理液がオーバーフロ
ーし、そのオーバーフローした処理液を排出し、あるい
は循環させて蓄積された不純物を除去して循環使用する
ように構成されている。また、図示しないが各処理槽は
外槽内に配置されている。そして、各外槽には各処理槽
を覆う開閉制御された開閉扉が取り付けられ、処理時に
各処理槽から処理液が放散しないように構成されてい
る。
The cleaning processing mechanism 40 is, for example,
The wafer transfer device 41, a chuck cleaning / drying processing tank 42 for cleaning and drying the wafer chuck 41A as a jig for transferring the object to be processed of the wafer transfer device 41, and a downstream side of the chuck cleaning / drying processing tank 42. , A chemical treatment tank 43 for sequentially removing unnecessary substances such as organic contaminants, metal impurities or particles on the surface of the semiconductor wafer by washing, and two washing treatment tanks 44, 44 for washing the semiconductor wafer after the chemical treatment with water. A chemical liquid treatment tank 45 for performing chemical liquid treatment different from the chemical liquid treatment tank 43, and two washing treatment tanks 4
6, 46, a chuck cleaning / drying treatment tank 47 for cleaning and drying the wafer chuck 41A, and a semiconductor wafer from which impurities have been removed, for example, isopropyl alcohol (IP
A) and the like, and a drying treatment tank 48 for steam drying. The chemical treatment tanks 43, 45 and the water washing treatment tanks 44, 46 are used by circulating the respective treatment liquids, discharging the overflowing treatment liquids, or circulating them to remove accumulated impurities. Is configured. Although not shown, each processing tank is arranged in the outer tank. An open / close door that is controlled to open and close is attached to each outer tank so that the processing liquid does not diffuse from each processing tank during processing.

【0025】そして、上記ウエハ搬送装置41は、図1
に示すように、各薬液処理槽43、45による影響のな
いように数台(図1では3台)配設されている。これら
の各ウエハ搬送装置41は、例えば50枚の半導体ウエ
ハを一括して把持する左右一対のウエハチャック41A
と、このウエハチャック41Aを昇降させると共に前後
方向で進退動させる駆動機構(図示せず)と、上記処理
槽42ないし48に沿って配設された搬送ベース41B
とを備え、上記搬送ベース41Bに沿って往復移動する
ように構成されている。そして、上記ウエハチャック4
1Aは、図2、図3に示すように、50枚の半導体ウエ
ハを把持する左右の把持部(以下、「把持棒」と称
す。)41B、41Bと、各把持棒41B、41Bをそ
れぞれを水平に支持する支持部(以下、「支持棒」と称
す。)41C、41Cとを備えて構成されている。ま
た、上記把持棒41Bの内側にはその略全長に亘って図
3に示すように把持溝41Dが50個形成され、各把持
溝41Dに半導体ウエハの周縁が係合するように構成さ
れている。
The wafer transfer device 41 is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, several units (three units in FIG. 1) are arranged so as not to be affected by the chemical liquid processing tanks 43 and 45. Each of these wafer transfer devices 41 has a pair of left and right wafer chucks 41A for collectively gripping, for example, 50 semiconductor wafers.
A drive mechanism (not shown) for moving the wafer chuck 41A up and down and moving it back and forth in the front-rear direction; and a transfer base 41B arranged along the processing baths 42 to 48.
And is configured to reciprocate along the transport base 41B. Then, the wafer chuck 4
As shown in FIGS. 2 and 3, 1A includes left and right gripping portions (hereinafter, referred to as “gripping bars”) 41B and 41B for gripping 50 semiconductor wafers and gripping bars 41B and 41B, respectively. It is configured to include support portions (hereinafter, referred to as "support rods") 41C and 41C that horizontally support. As shown in FIG. 3, 50 gripping grooves 41D are formed on the inside of the gripping rod 41B over substantially the entire length thereof, and the gripping grooves 41D are configured so that the peripheral edge of the semiconductor wafer is engaged. .

【0026】また、上記洗浄処理機構40のうち本実施
例の要部を構成する上記チャック洗浄・乾燥処理槽42
は、図2に示すように、矩形状に形成された処理槽本体
421と、この処理槽本体421内に配設された基台4
22と、この基台422上に配設された、洗浄用液体
(例えば、超純水)を噴射供給する液体噴射手段423
及び乾燥用気体(例えば、乾燥空気)を噴射供給する気
体噴射手段424とを備えて構成されている。また、上
記処理槽本体421の上面には上記左右のウエハチャッ
ク41A、41Aが出入りする細長形状の開口部421
Aが長手方向に二つ形成されている。
Further, the chuck cleaning / drying processing tank 42 which constitutes the essential part of the present embodiment of the cleaning processing mechanism 40.
As shown in FIG. 2, the processing tank main body 421 is formed in a rectangular shape, and the base 4 is disposed in the processing tank main body 421.
22 and a liquid ejecting means 423 disposed on the base 422 for ejecting and supplying a cleaning liquid (for example, ultrapure water).
And a gas injection unit 424 for injecting and supplying a drying gas (for example, dry air). In addition, an elongated opening 421 through which the left and right wafer chucks 41A, 41A come in and out is formed on the upper surface of the processing tank main body 421.
Two A are formed in the longitudinal direction.

【0027】そして、上記液体噴射手段423は、図
2、図3に示すように、上記ウエハチャック41Aの左
右の把持棒41B、41Bの略中間でその前後方向全長
に亘って配設された、硬質PVC等の合成樹脂からなる
液体供給管423Aと、この液体供給管423Aにそれ
ぞれ複数ずつ左右対称に配設された液体噴射孔としての
PCTFE等の合成樹脂からなる液体噴射ノズル423
Bとを備えて構成されている。また、上記液体供給管4
23Aの先後端部の近傍の2箇所には分岐した給水配管
423Cがそれぞれ下方から連結され、この給水配管4
23Cを介して図示しない給水源から超純水を受給する
ように構成されている。また、上記各液体噴射ノズル4
23Bは、図2の(a)に示すように、上記液体供給管
423Aに対してやや下方に傾斜させて取り付けられ、
図3に示すように超純水を斜め下方に向けて噴射して左
右の把持棒41B、41Bに付着した洗浄処理液、パー
ティクル等の付着物を効果的に下方へ吹き飛ばすと共に
支持する支持棒41C、41Cの付着物を効果的に下方
へ吹き飛ばして洗浄時間を短縮するように構成されてい
る。また、上記液体供給管423Aは、その両端が上記
基台422に立設された支持部材423D、423Dで
支持され、上記処理槽本体421上面のやや下方で水平
に位置している。尚、洗浄処理後の水は、上記処理槽本
体421の底面に形成されたドレン抜き(図示せず)か
ら排水するように構成されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the liquid ejecting means 423 is disposed substantially in the middle of the left and right gripping rods 41B and 41B of the wafer chuck 41A and along the entire length in the front-rear direction thereof. A liquid supply pipe 423A made of synthetic resin such as hard PVC, and a plurality of liquid injection nozzles 423 made of synthetic resin such as PCTFE as liquid injection holes symmetrically arranged in the liquid supply pipe 423A.
And B. In addition, the liquid supply pipe 4
23 A of branched water supply pipes 423C are respectively connected from below at two locations near the front and rear ends of the water supply pipe 23A.
It is configured to receive ultrapure water from a water supply source (not shown) via 23C. In addition, each of the liquid jet nozzles 4
As shown in (a) of FIG. 2, 23B is attached so as to be inclined slightly downward with respect to the liquid supply pipe 423A,
As shown in FIG. 3, a support rod 41C which sprays ultrapure water obliquely downward to effectively blow down the cleaning treatment liquid and the particles such as particles adhering to the left and right gripping rods 41B and 41B and to support them. , 41C are effectively blown down to shorten the cleaning time. Both ends of the liquid supply pipe 423A are supported by support members 423D and 423D provided upright on the base 422, and are horizontally positioned slightly below the upper surface of the processing tank main body 421. The water after the cleaning treatment is configured to be drained from a drain drain (not shown) formed on the bottom surface of the treatment tank main body 421.

【0028】また、上記気体噴射手段424は、図2、
図4に示すように、上記処理槽本体421内での進入端
にある上記ウエハチャック41A、41Aの各支持棒4
1C、41Cの左右両側にその下端から基部に亘ってそ
れぞれ立設された二対の硬質硬質PVC等の合成樹脂か
らなる気体供給管424A、424Bと、各気体供給管
424A、424Bの略全長に亘って所定間隔で複数ず
つ気体噴射孔424Cと、これらの気体噴射孔424C
を有する上記各気体供給管424A、424Bを上記各
把持棒41B、41Bに沿って一体的に往復移動させる
駆動手段としての駆動機構424Dとを備え、上記ウエ
ハチャック41Aが上記処理槽本体421内部での進入
端に静止した状態下で一体的に往復移動して上記ウエハ
チャック41Aの上下の把持棒41B、41B及びそれ
ぞれの支持棒41C、41Cに乾燥空気を噴射するよう
に構成されている。そして、上記二対の気体供給管42
4A、424B及び424A、424Bは、いずれも図
2の(a)、図4に示すように、連通管424Eによっ
て連結されている。そして、この連通管424Eは、図
4に示すように、その両端が閉塞されており、その中央
に下方から連結された給気配管424Fを介して図示し
ない給気源から乾燥空気を受給するように構成されてい
る。また、上記連通管424Eは、図2の(b)に示す
ように、連結部材424G、424Gを介して例えば駆
動機構424Dのベルト(図示せず)に連結され、この
駆動機構424Dの駆動によって上記処理槽本体421
内でその前後端間を往復移動するように構成されてい
る。
Further, the gas injection means 424 is shown in FIG.
As shown in FIG. 4, the support rods 4 of the wafer chucks 41A, 41A at the entrance end in the processing tank body 421 are supported.
Gas supply pipes 424A and 424B made of synthetic resin such as two pairs of hard and hard PVC, which are erected from the lower end to the base on the left and right sides of 1C and 41C, respectively, and approximately the entire length of each gas supply pipe 424A and 424B. A plurality of gas injection holes 424C at predetermined intervals and these gas injection holes 424C
And a drive mechanism 424D as a drive means for integrally reciprocating the gas supply pipes 424A and 424B having the above-mentioned structure along the gripping rods 41B and 41B, respectively, and the wafer chuck 41A inside the processing tank main body 421. It is configured to reciprocate integrally under a state of being stationary at the entrance end of No. 1 and to inject dry air to the upper and lower gripping rods 41B and 41B of the wafer chuck 41A and the respective supporting rods 41C and 41C. Then, the two pairs of gas supply pipes 42
4A, 424B and 424A, 424B are connected by a communication pipe 424E as shown in FIG. 2 (a) and FIG. As shown in FIG. 4, both ends of the communication pipe 424E are closed, and the communication pipe 424E receives dry air from an air supply source (not shown) via an air supply pipe 424F connected to the center from below. Is configured. As shown in FIG. 2B, the communication pipe 424E is connected to, for example, a belt (not shown) of the driving mechanism 424D via connecting members 424G and 424G, and the driving mechanism 424D drives the driving pipe 424E to move the Processing tank main body 421
It is configured to reciprocate between its front and rear ends.

【0029】また、上記ウエハチャック41Aの内側に
位置する気体供給管424Aと、上記ウエハチャック4
1Aの外側に位置する気体供給管424Bは、それぞれ
の気体噴射孔424Cの数が異なっている。即ち、上記
ウエハチャック41Aの把持溝41Dのある内側の気体
供給管424Aには、外側の気体供給管424Bよりも
多くの気体噴射孔424Cが形成されている。
Further, the gas supply pipe 424A located inside the wafer chuck 41A, and the wafer chuck 4
The gas supply pipes 424B located outside 1A have different numbers of gas injection holes 424C. That is, in the gas supply pipe 424A on the inner side of the wafer chuck 41A where the holding groove 41D is provided, more gas injection holes 424C are formed than in the outer gas supply pipe 424B.

【0030】そこで、上記気体供給管424A、424
Bについて更に図4を参照しながら詳述する。上記ウエ
ハチャック41Aの内側の上記気体供給管424Aの場
合には、上下の把持棒41B、41Bに向けて水平方向
に乾燥空気を噴射する気体噴射孔424Cが上下2箇所
に複数密集して形成され、2箇所でそれぞれ密集した気
体噴射孔424Cによって各把持棒41B、41Bそれ
ぞれのやや上方からやや下方の範囲に亘って乾燥空気を
噴射するように構成され、また、上述した部分以外(主
として上方の把持棒41Bより上の部分)には斜め下方
に乾燥空気を噴射する気体噴射孔424Cがそれぞれの
間隔を大きく採って等間隔に形成され、上述の密集した
気体噴射孔424Cと共に上記各支持棒41C、41C
の上下方向の略全体に亘って乾燥空気を噴射するように
構成されている。
Therefore, the gas supply pipes 424A, 424
B will be described in more detail with reference to FIG. In the case of the gas supply pipe 424A inside the wafer chuck 41A, a plurality of gas injection holes 424C for horizontally injecting dry air toward the upper and lower gripping bars 41B, 41B are densely formed at upper and lower portions. By the gas injection holes 424C densely gathered at two locations, it is configured to inject the dry air over a range from slightly above to slightly below each of the gripping rods 41B, 41B. Gas injection holes 424C for injecting dry air obliquely downward are formed at equal intervals in the upper part of the grip bar 41B, and are formed at equal intervals, and together with the above-mentioned dense gas injection holes 424C, the support bars 41C are formed. , 41C
Is configured to inject dry air over substantially the entire vertical direction.

【0031】また、上記ウエハチャック41Aの外側の
上記気体供給管424Bの場合には、上記気体供給管4
24Aに対応した気体噴射孔424Cが形成されいる
が、上記各把持棒41B、41Bに対応する部分の気体
噴射孔424Cは上記気体供給管424Aの場合よりも
少ない数が密集して形成されており、また、それ以外の
部分でも上記気体供給管424Aの場合よりも複数の気
体噴射孔424C間の間隔が大きく形成されている。そ
して、2箇所でそれぞれ密集した気体噴射孔424C
は、上記気体供給管424Aのもの略下半分の部分で乾
燥空気を噴射するように構成されている。このように気
体噴射手段424は、上記気体供給管424A、424
B間で、気体噴射孔424Cの数に差を付けてこれら両
者424A、424Bから噴射される乾燥空気の気流を
相殺することがないように乾燥空気の噴射量に差を付け
て上記ウエハチャック41Aを効率良く乾燥できるよう
に構成されている。
Further, in the case of the gas supply pipe 424B outside the wafer chuck 41A, the gas supply pipe 4 is used.
The gas injection holes 424C corresponding to 24A are formed, but the gas injection holes 424C in the portions corresponding to the gripping rods 41B and 41B are formed densely in a smaller number than in the case of the gas supply pipe 424A. Also, in other portions, the gaps between the plurality of gas injection holes 424C are formed larger than in the case of the gas supply pipe 424A. And gas injection holes 424C densely gathered at two locations
Is configured to inject dry air in a substantially lower half of the gas supply pipe 424A. In this way, the gas injection means 424 uses the gas supply pipes 424A, 424.
The number of gas injection holes 424C between B is different from each other so that the dry air injection amount is different so as not to cancel out the air flow of the dry air injected from both 424A and 424B. Is configured to be efficiently dried.

【0032】また、上記洗浄処理機構40の下流側に配
設された上記チャック洗浄・乾燥処理槽47は上述した
チャック洗浄・乾燥処理槽42に準じて構成されている
が、このチャック洗浄・乾燥処理槽47の場合には、図
5に示すように、その液体供給管473Aの左右斜め上
方で且つの処理槽本体471の前後端に亘って赤外線ヒ
ータ475、475が配設され、これらの赤外線ヒータ
475、475によって気体噴射手段474で乾燥され
たウエハチャック41Aをより完全に乾燥して半導体ウ
エハに対する洗浄後の超純水の付着を完全に防止するよ
うに構成されている。また、上記各赤外線ヒータ47
5、475には反射板476、476がそれぞれ取り付
けられ、更に、これらと対向する位置に赤外線の放散を
遮断する遮断板477、477が処理槽本体471の上
面から垂下され、赤外線による上記ウエハチャック41
Aの乾燥をより確実に行ない、更に他の部位への異常加
熱を防止するように構成されている。尚、上記赤外線ヒ
ータ475、475は、それぞれの両端が支持部材47
5Aを介して液体供給管473の支持部材473Dによ
って支持されている。
Further, the chuck cleaning / drying processing tank 47 arranged on the downstream side of the cleaning processing mechanism 40 is constructed according to the chuck cleaning / drying processing tank 42 described above. In the case of the processing tank 47, as shown in FIG. 5, infrared heaters 475 and 475 are arranged diagonally above and below the liquid supply pipe 473A and across the front and rear ends of the processing tank main body 471. The wafer chuck 41A dried by the gas jetting means 474 by the heaters 475 and 475 is more completely dried to completely prevent adhesion of ultrapure water after cleaning to the semiconductor wafer. In addition, the above infrared heaters 47
Reflector plates 476 and 476 are attached to the reference numerals 5 and 475, respectively. Further, shield plates 477 and 477 for shielding infrared radiation from the upper surface of the processing bath main body 471 are hung at positions facing the reflector plates 476 and 476. 41
It is configured so that A is dried more reliably and abnormal heating to other parts is prevented. The infrared heaters 475 and 475 have support members 47 at both ends.
It is supported by the support member 473D of the liquid supply pipe 473 via 5A.

【0033】次に、本実施例の洗浄装置10の動作につ
いて説明する。まず、25枚単位でカセットCに収納さ
れた半導体ウエハWをインプットバッファ機構20の載
置部21へ供給すると、カセット搬送機構22が駆動し
て供給されたカセットCを2個単位でローダ機構30へ
移載する。そして、その後に供給されたカセットCにつ
いてはカセット搬送機構22によって保管部23へ移載
し、保管部23でその後のカセットCの半導体ウエハW
を一時的に保管する。
Next, the operation of the cleaning apparatus 10 of this embodiment will be described. First, the semiconductor wafers W stored in the cassette C in units of 25 sheets are supplied to the mounting unit 21 of the input buffer mechanism 20, and the cassette transfer mechanism 22 is driven to supply the supplied cassettes C in units of two to the loader mechanism 30. Transfer to. Then, the cassette C supplied thereafter is transferred to the storage unit 23 by the cassette transfer mechanism 22, and the semiconductor wafer W of the subsequent cassette C is stored in the storage unit 23.
To store temporarily.

【0034】上記ローダ機構30に2個のカセットCが
供給されると、ローダ機構30が駆動して2個のカセッ
トC内の半導体ウエハWのオリエンテーションフラット
を一方向に揃えて50枚の半導体ウエハWを位置決めす
る一方、ウエハ搬送装置41が駆動してウエハチャック
41Aをチャック洗浄・乾燥処理槽42内に移動させて
ウエハチャック41Aを洗浄、乾燥してロード機構30
の半導体ウエハWを受け取る態勢に入る。その後、ロー
ダ機構30が駆動して2個のカセットCから半導体ウエ
ハWを一括して持ち上げながら各カセットCの半導体ウ
エハWを近づけると、ウエハ搬送装置41が駆動してウ
エハチャック41Aで50枚の半導体ウエハWを把持す
る。半導体ウエハWを把持したウエハチャック41A
は、ウエハ搬送装置41の駆動によって搬送ベース41
Bに沿って薬液処理槽43へ移動した後、その位置でウ
エハチャック41Aを下降させて薬液処理槽43内のウ
エハ保持具(図示せず)へ50枚の半導体ウエハWを引
き渡して処理液に浸漬して半導体ウエハを洗浄する。
When two cassettes C are supplied to the loader mechanism 30, the loader mechanism 30 is driven and the orientation flats of the semiconductor wafers W in the two cassettes C are aligned in one direction to obtain 50 semiconductor wafers. While positioning W, the wafer transfer device 41 is driven to move the wafer chuck 41A into the chuck cleaning / drying processing tank 42 to clean and dry the wafer chuck 41A to load the load mechanism 30.
The semiconductor wafer W is ready to be received. Then, the loader mechanism 30 drives to bring the semiconductor wafers W of the respective cassettes C closer to each other while collectively lifting the semiconductor wafers W from the two cassettes C, and the wafer transfer device 41 is driven to drive the wafer chucks 41A of 50 wafers. The semiconductor wafer W is gripped. Wafer chuck 41A holding a semiconductor wafer W
Is driven by the wafer transfer device 41.
After moving to the chemical solution processing bath 43 along B, the wafer chuck 41A is lowered at that position to transfer 50 semiconductor wafers W to a wafer holder (not shown) in the chemical solution processing bath 43 to be used as the processing liquid. The semiconductor wafer is washed by immersion.

【0035】上記薬液処理槽43での半導体ウエハWの
処理が終了すると、上述の場合とは逆の動作によってウ
エハ搬送装置41のウエハチャック41Aがウエハ保持
具から半導体ウエハWを一括して受け取り、次の水洗処
理槽44のウエハ保持具へ移載して上述と同様の動作に
よって水洗処理を行ない、更に次の水洗処理槽44で同
様の水洗処理を行なって最初の洗浄処理を完了する。そ
の後、中間のウエハ搬送装置41のウエハチャック41
Aにより薬液処理槽45、水洗処理槽46、46で上述
と同様の動作により洗浄処理を行なう。そして、最下流
のウエハ搬送装置41により水洗処理槽46から半導体
ウエハWを受け取ってこれらに乾燥処理槽48において
IPAによる蒸気乾燥を行なってローダ機構30と同様
に構成されたアンローダ機構50で待機する2個のカセ
ットCに乾燥後の半導体ウエハWを収納する。この時、
アンローダ機構50で待機するカセットCはカセット洗
浄・乾燥ライン70を通過する間に洗浄、乾燥されてパ
ーティクル等が除去された清浄な状態になっている。洗
浄処理後の半導体ウエハWは、アウトプットバッファ機
構60を介して次工程へカセット単位で排出される。
When the processing of the semiconductor wafers W in the chemical treatment tank 43 is completed, the wafer chuck 41A of the wafer transfer apparatus 41 receives the semiconductor wafers W from the wafer holder in a lump by the operation opposite to the above. The wafer is transferred to the wafer holder of the next water washing treatment tank 44, the water washing treatment is performed by the same operation as described above, and the same water washing treatment is further performed in the next water washing treatment tank 44 to complete the first washing treatment. After that, the wafer chuck 41 of the intermediate wafer transfer device 41
The cleaning treatment is performed in the chemical solution treatment tank 45 and the water washing treatment tanks 46, 46 by A in the same manner as described above. Then, the most downstream wafer transfer device 41 receives the semiconductor wafers W from the water washing treatment tank 46, vapor-drys them by IPA in the drying treatment tank 48, and waits in the unloader mechanism 50 configured similarly to the loader mechanism 30. The semiconductor wafers W after drying are stored in two cassettes C. At this time,
The cassette C standing by in the unloader mechanism 50 is cleaned and dried while passing through the cassette cleaning / drying line 70, and is in a clean state in which particles and the like are removed. The semiconductor wafer W after the cleaning process is discharged to the next process in cassette units via the output buffer mechanism 60.

【0036】ここで、上記チャック洗浄・乾燥処理槽4
2、47の動作について更に説明する。上記ウエハ搬送
装置41が駆動してウエハチャック41Aは処理槽本体
421の開口部421A、421Aからその内部の下降
端まで急速に進入した後、ゆっくりと上昇を開始する。
この上昇に伴って液体供給管423Aの左右の複数の液
体噴射ノズル423Bから超純水を斜め下方に向けて噴
射してウエハチャック41Aの左右の把持棒41B、4
1Bの洗浄処理液、パーティクル等の付着物を超純水の
噴射流によって下方へ吹き飛ばすと共に支持棒41C、
41Cの付着物を下方へ吹き飛ばしこれら両者41B、
41Cを洗浄することができる。そして、ウエハチャッ
ク41Aが上昇端に達すると、ウエハチャック41Aは
再び急速に下降端まで下降してその位置で静止し、引き
続き気体噴射手段424が駆動する。
Here, the chuck cleaning / drying treatment tank 4 is used.
The operations of Nos. 2 and 47 will be further described. The wafer transfer device 41 is driven to rapidly move the wafer chuck 41A from the openings 421A and 421A of the processing tank main body 421 to the descending end inside thereof, and then slowly start rising.
Along with this rise, ultrapure water is jetted obliquely downward from the left and right liquid jet nozzles 423B of the liquid supply pipe 423A, and the left and right gripping rods 41B, 4 of the wafer chuck 41A.
The cleaning treatment liquid of 1B, adhered substances such as particles are blown off downward by the jet flow of ultrapure water, and the supporting rod 41C,
41C is blown off the adhered matter downward, and both 41B,
41C can be washed. Then, when the wafer chuck 41A reaches the ascending end, the wafer chuck 41A rapidly descends to the descending end again and stops at that position, and the gas ejecting means 424 is subsequently driven.

【0037】上記気体噴射手段424が駆動すると、複
数の気体噴射孔424Cから乾燥空気を噴射しながら二
対の気体供給管424A、424B及び424A、42
4Bが処理槽本体421内の前方端と後方端との間で一
体的に数往復する間に、乾燥空気によってウエハチャッ
ク41Aの左右の支持棒41C、41Cの両側それぞれ
に付着した洗浄後の超純水を吹き飛ばすと共に左右の4
1B、41Bの両側それぞれに付着した洗浄後の超純水
を吹き飛ばしてこれら両者41B、41Cそれぞれの液
切れを促進しながらウエハチャック41Aを迅速に乾燥
させる。この時、洗浄後の超純水が溜り易い把持溝41
Dではその内側から乾燥空気が集中的に噴射することと
相俟ってその上方から乾燥空気が下方へ噴射してこの部
位における液切れを促進すると共に、支持棒41Dでは
気流が斜め下方に流れてこの部分に付着した超純水を下
方へ流して液切れを促進することができ、ウエハチャッ
ク41Aの乾燥を促進してより確実に乾燥することがで
きる。
When the gas injecting means 424 is driven, two pairs of gas supply pipes 424A, 424B and 424A, 42 are injecting dry air from the plurality of gas injecting holes 424C.
While 4B integrally reciprocates between the front end and the rear end in the processing tank main body 421 for several times, the super air after cleaning adhered to both sides of the left and right support rods 41C and 41C of the wafer chuck 41A by dry air. 4 on the left and right while blowing away pure water
The ultra pure water after cleaning adhering to both sides of 1B and 41B is blown away to accelerate the liquid running out of both 41B and 41C, and the wafer chuck 41A is quickly dried. At this time, the gripping groove 41 in which ultrapure water after cleaning tends to accumulate
In combination with the concentrated injection of dry air from the inside of D, the dry air is injected downward from above to promote liquid breakage at this portion, and at the support rod 41D, the air flow flows obliquely downward. The ultrapure water adhering to the lever portion can be made to flow downward to promote liquid breakage, and the wafer chuck 41A can be dried more reliably.

【0038】また、アンローダ側のチャック洗浄・乾燥
処理槽47では、気体噴射手段474で乾燥した後のウ
エハチャック41Aが処理槽本体471を退動する間
に、赤外線ヒータ475、475から照射された赤外線
によってウエハチャック41Aが加熱されてより完全に
ウエハチャック41Aを乾燥させることができる。従っ
て、このように洗浄、乾燥されたウエハチャック41A
で半導体ウエハを把持すれば、洗浄後の超純水を半導体
ウエハに全く付着させることなく次工程へ排出すること
ができる。
Further, in the chuck cleaning / drying processing tank 47 on the unloader side, while the wafer chuck 41A after being dried by the gas injection means 474 is retracted from the processing tank main body 471, it is irradiated with infrared heaters 475, 475. The wafer chuck 41A is heated by the infrared rays, so that the wafer chuck 41A can be more completely dried. Therefore, the wafer chuck 41A thus cleaned and dried
If the semiconductor wafer is gripped with, the ultrapure water after cleaning can be discharged to the next step without adhering to the semiconductor wafer at all.

【0039】以上説明したように本実施例によれば、ウ
エハチャック41Aの内側に液体噴射手段423を配設
し、内側からウエハチャック41Aを洗浄するようにし
たため、液体噴射手段423独自の設置スペースを設け
る必要がなく、チャック洗浄・乾燥処理槽42を省スペ
ース化することができ、また、ウエハチャック41Aの
洗浄に際し、最も汚染され易い把持溝41Dの間近から
超純水を噴射するため、従来より低い噴射圧力(例え
ば、1Kg/cm2G)でウエハチャック41Aを洗浄
でき、超純水の消費量を節約することができる。また、
ウエハチャック41Aに対して超純水を斜め下方に向け
て噴射するため、その噴射流によって洗浄処理液、パー
ティクル等の付着物を下方へ確実に吹き飛ばして洗浄時
間を短縮することができ、しかも洗浄後の超純水の液切
れを促進することができる。
As described above, according to this embodiment, since the liquid ejecting means 423 is arranged inside the wafer chuck 41A and the wafer chuck 41A is cleaned from the inside, the installation space unique to the liquid ejecting means 423 is provided. Since it is not necessary to provide the chuck cleaning / drying treatment tank 42, space can be saved, and when cleaning the wafer chuck 41A, ultrapure water is sprayed from the vicinity of the gripping groove 41D which is most easily polluted. The wafer chuck 41A can be cleaned with a lower jet pressure (for example, 1 Kg / cm 2 G), and the consumption of ultrapure water can be saved. Also,
Since ultrapure water is jetted obliquely downward to the wafer chuck 41A, the jet of the jet can surely blow down the cleaning treatment liquid, adhered matters such as particles, and shorten the cleaning time. It is possible to promote the later running-out of ultrapure water.

【0040】また、本実施例によれば、ウエハチャック
41Aの乾燥に際し、気体噴射手段424の気体噴射孔
424Cから乾燥空気を斜め下降に向けて噴射するよう
にしたため、洗浄後の超純水の水切りを促進し、延いて
は乾燥時間を短縮することができる。また、ウエハチャ
ック41Aの中でも把持溝41Dのように水が溜り易い
部分に乾燥空気を集中的に噴射し、支持棒41Cのよう
に滑らかな表面には少量の乾燥空気を噴射するようにし
たため、従来よりも気体噴射ノズルの数を減少させるこ
とができ、しかも気体噴射孔424Cの数が少ない分だ
け、各気体噴射孔424Cでの噴射圧力が高くなり、要
所に重点的に乾燥空気を噴射して乾燥効率を格段に高め
ることができ、それだけ乾燥時間を短縮することがで
き、また、全体の気体噴射孔424Cの数を少なくする
ことができるため、気体噴射手段424の加工コストを
削減することができる。
Further, according to the present embodiment, when the wafer chuck 41A is dried, the dry air is jetted obliquely downward from the gas jet holes 424C of the gas jetting means 424. Draining can be promoted and the drying time can be shortened. Further, in the wafer chuck 41A, the dry air is intensively jetted to a portion where water is likely to be accumulated, such as the gripping groove 41D, and a small amount of dry air is jetted to a smooth surface like the support rod 41C. The number of gas injection nozzles can be reduced as compared with the conventional one, and the injection pressure at each gas injection hole 424C is increased due to the smaller number of gas injection holes 424C, and dry air is mainly injected to important points. Therefore, the drying efficiency can be remarkably improved, the drying time can be shortened accordingly, and the number of the gas injection holes 424C can be reduced, so that the processing cost of the gas injection unit 424 can be reduced. be able to.

【0041】また、本実施例によれば、アンローダ側の
チャック洗浄・乾燥処理槽47には赤外線ヒータ475
を設けたため、赤外線によってウエハチャック41Aを
完全に乾燥させることができ、このように洗浄、乾燥さ
れたウエハチャック41Aで把持する半導体ウエハに洗
浄後の超純水を全く付着させることがなく、半導体ウエ
ハの電気的特性を損ねる虞がない。
Further, according to this embodiment, an infrared heater 475 is provided in the chuck cleaning / drying processing tank 47 on the unloader side.
Since the wafer chuck 41A can be completely dried by the infrared rays, the ultrapure water after cleaning is not attached to the semiconductor wafer held by the thus cleaned and dried wafer chuck 41A at all, There is no risk of damaging the electrical characteristics of the wafer.

【0042】実施例2.本実施例の洗浄装置10は、チ
ャック洗浄・乾燥処理槽42の気体供給管424B、4
24Bを実施例1と異にする以外は実施例1と同様に構
成されている。そこで、この気体供給管424A、42
4Bについて図6を参照しながら説明する。この気体供
給管424A、424Bは、実施例1で気体噴射孔42
4Cが密集している2箇所の部分に、開口面積の大きな
気体噴射スリット424C'を設けたものである。つま
り、ウエハチャック41Aの内側の気体供給管424A
には、実施例1の場合と同範囲に亘る気体噴射スリット
424C'を1個ずつ設け、また、ウエハチャック41
Aの外側の気体供給管424Bにも実施例1の場合と同
範囲に亘る気体噴射スリット424C'を1個ずつ設け
たものである。その部分には実施例1の場合と同様に気
体噴射孔424Cが設けられている。
Embodiment 2 The cleaning apparatus 10 of this embodiment is composed of the gas supply pipes 424B and 424B of the chuck cleaning / drying treatment tank 42.
The configuration is similar to that of the first embodiment except that 24B is different from that of the first embodiment. Therefore, this gas supply pipe 424A, 42
4B will be described with reference to FIG. The gas supply pipes 424A and 424B are the gas injection holes 42 in the first embodiment.
Gas injection slits 424C ′ having a large opening area are provided at two portions where 4C are densely arranged. That is, the gas supply pipe 424A inside the wafer chuck 41A
The gas chuck slits 424C ′ are provided one by one over the same range as in the first embodiment.
The gas supply pipe 424B on the outer side of A is also provided with one gas injection slit 424C ′ covering the same range as in the first embodiment. A gas injection hole 424C is provided in that portion as in the case of the first embodiment.

【0043】従って本実施例によれば、気体噴射孔の数
を格段に減少させることができ、加工コストを実施例1
に場合よりも削減することができ、しかも実施例1と同
様の洗浄効果を期することができる。
Therefore, according to the present embodiment, the number of gas injection holes can be remarkably reduced, and the processing cost is reduced to that of the first embodiment.
In addition, it is possible to reduce the number of cleanings compared to the case described above, and it is possible to achieve the same cleaning effect as in the first embodiment.

【0044】尚、上記各実施例では半導体ウエハを洗浄
する洗浄装置について説明したが、本発明は、上記各実
施例に何等制限されるものではなく、例えば、LCDガ
ラス基板等の被処理体の洗浄装置等にも適用することが
できる。また、液体噴射手段及び気体噴射手段を構成す
る各部材の材質は塵埃等を発生し難く、耐食性のあるも
のを適宜選択して用いることができる。また、液体噴射
孔及び気体噴射孔の数あるいはその内径も洗浄装置の規
模に応じて適宜選択することができる。
Although the cleaning apparatus for cleaning the semiconductor wafer has been described in each of the above-described embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, an object to be processed such as an LCD glass substrate may be used. It can also be applied to a cleaning device and the like. Further, as the material of each member constituting the liquid ejecting means and the gas ejecting means, it is possible to appropriately select and use a material that does not easily generate dust and the like and has corrosion resistance. Also, the number of liquid injection holes and gas injection holes or their inner diameters can be appropriately selected according to the scale of the cleaning device.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1に
記載の発明によれば、液体噴射手段の液体供給管をウエ
ハチャック等の被処理体搬送用治具の左右の把持部の略
中間に配設し且つ上記液体供給管の左右に液体噴射孔を
設けたため、被処理体搬送用治具を洗浄する際に、被処
理体搬送用治具を効率良く短時間で洗浄できると共に、
洗浄用液体の使用量を削減でき、しかも省スペース化を
図れる洗浄装置を提供することができる。
As described above, according to the invention described in claim 1 of the present invention, the liquid supply pipe of the liquid ejecting means is substantially formed by the left and right gripping portions of the jig for transferring the object to be processed such as a wafer chuck. Since the liquid ejection holes are provided in the middle and on the left and right sides of the liquid supply pipe, when cleaning the object-transporting jig, the object-transporting jig can be efficiently cleaned in a short time, and
It is possible to provide a cleaning device capable of reducing the amount of cleaning liquid used and saving space.

【0046】また、本発明の請求項2に記載に発明によ
れば、洗浄・乾燥処理槽内で静止したウエハチャック等
の被処理体搬送用治具の左右の把持部に沿って気体噴射
手段の気体供給管を往復させながら各把持部及びそれぞ
れの支持部に左右両側から乾燥用気体を噴射させてこれ
らを乾燥させるようにしたため、被処理体搬送用治具を
乾燥する際に、被処理体搬送用治具を効率良く短時間で
乾燥できると共に、乾燥用気体の使用量を削減できる洗
浄装置を提供することができる。
According to the second aspect of the present invention, the gas jetting means is provided along the left and right grips of the jig for conveying the object to be processed such as a wafer chuck which is stationary in the cleaning / drying processing tank. Since the drying gas is sprayed from both the left and right sides to each gripping part and each supporting part while reciprocating the gas supply pipe, the drying process is performed. It is possible to provide a cleaning device capable of efficiently drying a body transport jig in a short time and reducing the amount of drying gas used.

【0047】また、本発明の請求項3に記載に発明によ
れば、請求項1に記載の発明において、液体噴射孔から
洗浄用液体を斜め下方に噴射させるようにしたため、更
に液切れを促進して洗浄時間を短縮できる洗浄装置を提
供することができる。
Further, according to the invention described in claim 3 of the present invention, in the invention described in claim 1, since the cleaning liquid is jetted obliquely downward from the liquid jetting hole, further drainage is promoted. Thus, it is possible to provide a cleaning device that can shorten the cleaning time.

【0048】また、本発明の請求項4に記載に発明によ
れば、請求項2に記載の発明において、気体噴射孔から
乾燥用気体を斜め下方に噴射させるようにしたため、更
に洗浄用液体の液切れを促進して乾燥時間を短縮できる
洗浄装置を提供することができる。
Further, according to the invention described in claim 4 of the present invention, in the invention described in claim 2, since the drying gas is jetted obliquely downward from the gas jet hole, further cleaning liquid is obtained. It is possible to provide a cleaning device that can accelerate liquid shortage and shorten the drying time.

【0049】また、本発明の請求項5に記載に発明によ
れば、請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載の
発明において、被処理体搬送用治具のうち液体の溜り易
い把持部に対向する部分での気体噴射孔の開口面積を大
きくし、その他の部分での開口面積を小さくしたため、
乾燥用気体での乾燥効率を高めて乾燥時間を短縮でき、
しかも気体噴射孔の全体の数を従来より削減できるた
め、各気体噴射孔での噴射圧力が高くなって更に乾燥時
間を短縮できる洗浄装置を提供することができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to fourth aspects, the liquid is easily accumulated in the jig for conveying the object to be processed. Since the opening area of the gas injection hole in the part facing the grip part is made large and the opening area in other parts is made small,
You can shorten the drying time by increasing the drying efficiency with the drying gas,
Moreover, since the total number of gas injection holes can be reduced as compared with the related art, it is possible to provide a cleaning apparatus that can increase the injection pressure at each gas injection hole and further shorten the drying time.

【0050】また、本発明の請求項6に記載に発明によ
れば、請求項1ないし請求項5のいずれか一つに記載の
発明において、洗浄・乾燥処理槽内に上記被処理体搬送
用治具の乾燥を促進するヒータを設けたため、ヒータに
よって被処理体搬送用治具を完全に乾燥させ、この被処
理体搬送用治具で把持される被処理体の電気的信頼性を
損ねる虞がない洗浄装置を提供することができる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to fifth aspects, the cleaning / drying treatment tank is for transporting the object to be treated. Since the heater for accelerating the drying of the jig is provided, the heater for completely transporting the object to be processed is completely dried by the heater, and the electrical reliability of the object to be gripped by the object-to-be-processed object jig may be impaired. It is possible to provide a cleaning device that does not have the above.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の洗浄装置の一実施例の全体を示す斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an entire embodiment of a cleaning apparatus of the present invention.

【図2】図1に示す洗浄装置のローダ側のチャック洗浄
・乾燥装置を示す図で、同図(a)はその左右方向の断
面図、同図(b)はその前後方向の断面図である。
2A and 2B are views showing a chuck cleaning / drying device on the loader side of the cleaning device shown in FIG. 1, in which FIG. 2A is a sectional view in the left-right direction and FIG. 2B is a sectional view in the front-rear direction. is there.

【図3】図1に示すチャック洗浄・乾燥装置内でのウエ
ハチャックと液体噴射手段の液体供給管との関係を示す
斜視図である。
3 is a perspective view showing a relationship between a wafer chuck and a liquid supply pipe of a liquid ejecting means in the chuck cleaning / drying device shown in FIG.

【図4】図1に示すチャック洗浄・乾燥装置の気体噴射
手段の気体供給管及びその気体噴射孔の要部を示す部分
断面図である。
FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing a main part of a gas supply pipe and a gas injection hole of a gas injection unit of the chuck cleaning / drying device shown in FIG.

【図5】図1に示す洗浄装置のアンローダ側のチャック
洗浄・乾燥装置を示す左右方向の断面図である。
5 is a lateral cross-sectional view showing a chuck cleaning / drying device on the unloader side of the cleaning device shown in FIG.

【図6】本発明の洗浄装置の他の実施例の要部である気
体噴射手段の気体供給管及びその気体噴射孔の要部を示
す部分断面図である。
FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing a main part of a gas supply pipe of a gas injection means and a gas injection hole thereof, which are main parts of another embodiment of the cleaning apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 洗浄装置 41A ウエハチャック(被処理体搬送用治具) 41B 把持棒(把持部) 41C 支持棒(支持部) 42 チャック洗浄・乾燥装置 43 薬液処理槽(洗浄処理槽) 47 チャック洗浄・乾燥装置 423 液体噴射手段 423A 液体供給管 423B 液体噴射ノズル(液体噴射孔) 424 気体噴射手段 424A 気体供給管 424B 気体供給管 424C 気体噴射孔 424C' 気体噴射スリット 475 赤外線ヒータ(ヒータ) 10 Cleaning Device 41A Wafer Chuck (Jig for Transporting Processed Object) 41B Gripping Rod (Gripping Part) 41C Support Rod (Supporting Part) 42 Chuck Cleaning / Drying Device 43 Chemical Solution Processing Tank (Washing Processing Tank) 47 Chuck Cleaning / Drying Device 423 Liquid injection means 423A Liquid supply pipe 423B Liquid injection nozzle (liquid injection hole) 424 Gas injection means 424A Gas supply pipe 424B Gas supply pipe 424C Gas injection hole 424C 'Gas injection slit 475 Infrared heater (heater)

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【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成5年7月28日[Submission date] July 28, 1993

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】発明の詳細な説明[Name of item to be amended] Detailed explanation of the invention

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、洗浄装置に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a cleaning device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、洗浄装置は半導体装置の製造
工程において被処理体(例えば半導体ウエハ)表面のパ
ーティクル、有機汚染物、あるいは金属不純物などのコ
ンタミネーションを除去する目的で用いられている。特
にウェット洗浄装置はパーティクルを効果的に除去でき
ると共にバッチ処理ができるため重要な洗浄手段として
現在広く普及している。このような洗浄装置は、通常、
所定枚数の半導体ウエハをカセット単位でロードするロ
ード機構と、このロード機構によってロードされた半導
体ウエハを所定枚数ずつ搬送するウエハ搬送装置と、こ
のウエハ搬送装置によって搬送された複数の半導体ウエ
ハをそれぞれアルカリ処理、水洗処理及び酸処理などに
より一括して洗浄するように順次配列された複数種の洗
浄処理槽と、各洗浄処理槽によって洗浄された半導体ウ
エハをアンロードするアンロード機構とを備えて構成さ
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a cleaning apparatus has been used for the purpose of removing contaminants such as particles, organic contaminants, and metal impurities on the surface of an object to be processed (for example, a semiconductor wafer) in the manufacturing process of semiconductor devices. In particular, a wet cleaning device is currently widely used as an important cleaning means because it can effectively remove particles and can perform batch processing. Such a cleaning device is usually
A load mechanism that loads a predetermined number of semiconductor wafers in cassette units, a wafer transfer device that transfers a predetermined number of semiconductor wafers loaded by the load mechanism, and a plurality of semiconductor wafers transferred by this wafer transfer device A plurality of types of cleaning treatment tanks are sequentially arranged so as to be collectively cleaned by treatment, washing treatment, acid treatment, etc., and an unloading mechanism for unloading the semiconductor wafers cleaned by each cleaning treatment tank is configured. Has been done.

【0003】そして、半導体ウエハを洗浄処理する際に
は、上記ウエハ搬送装置のウエハチャックで半導体ウエ
ハを把持した状態で上記各洗浄処理槽に対して出し入れ
するため、各洗浄処理槽内でそれぞれの洗浄処理液がウ
エハチャックに付着し、更にはそれぞれの洗浄処理槽で
上記ウエハチャックにパーティクル等の塵埃が僅かでは
あるが付着して上記ウエハチャックを汚染する虞があ
り、延いては半導体ウエハを汚染して半導体ウエハの電
気的特性を劣化させる虞があった。そのため従来から、
洗浄装置には複数種の洗浄処理槽の前後にウエハチャッ
クを洗浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽が配設さ
れ、清浄な半導体ウエハを搬送する直前にウエハチャッ
クを洗浄した後、乾燥することによりウエハチャックを
清浄にした後、清浄なウエハチャックで半導体ウエハを
搬送するようにしている。
When cleaning the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is taken in and out of each of the cleaning processing tanks while being held by the wafer chuck of the wafer transfer apparatus. The cleaning liquid may adhere to the wafer chuck, and dust such as particles may slightly adhere to the wafer chuck in each cleaning treatment tank to contaminate the wafer chuck. There is a risk that the electrical characteristics of the semiconductor wafer may deteriorate due to contamination. Therefore, from the past,
The cleaning device is equipped with a chuck cleaning / drying processing tank for cleaning and drying wafer chucks before and after a plurality of types of cleaning processing tanks. Cleaning the wafer chuck immediately before transporting a clean semiconductor wafer, and then drying. After cleaning the wafer chuck by, the semiconductor wafer is conveyed by the clean wafer chuck.

【0004】ここで上記のウエハチャック洗浄方式及び
乾燥方式について概説すると、従来のウエハチャックの
洗浄方式には、例えばウエハチャックを超純水に浸漬す
ることにより洗浄する浸漬洗浄方式や、ウエハチャック
に超純水を噴射することにより洗浄する噴射洗浄方式が
ある。前者の浸漬洗浄方式は、例えば浸漬槽内の超純水
にウエハチャックを浸漬してウエハチャックに付着した
洗浄処理液体、パーティクル等を洗浄する方式であり、
後者の噴射洗浄方式は、例えばウエハチャックをその外
側から全長に亘って挟む左右一対の液体供給配管に設け
られた複数の噴射ノズルあるいはスリットからウエハチ
ャックに超純水等の洗浄用液体を噴射して洗浄する方式
である。ところが、上述したいずれの洗浄方式を用い
も、ウエハチャックの把持部の内側には半導体ウエハの
把持枚数に即した把持溝が形成されているため、洗浄用
液体がこれらの把持溝に溜りがちである。
The wafer chuck cleaning method and the drying method described above will be briefly described below. As a conventional wafer chuck cleaning method, for example, an immersion cleaning method of cleaning a wafer chuck by immersing the wafer chuck in ultrapure water or a wafer chuck cleaning method is used. There is a spray cleaning method in which cleaning is performed by spraying ultrapure water. The former immersion cleaning method is, for example, a method of immersing a wafer chuck in ultrapure water in an immersion tank to clean the cleaning liquid, particles, etc. adhering to the wafer chuck,
In the latter jet cleaning method, for example, a cleaning liquid such as ultrapure water is jetted to the wafer chuck from a plurality of jet nozzles or slits provided in a pair of left and right liquid supply pipes that sandwich the wafer chuck from the outside over the entire length. It is a method of cleaning. However, even if any of the above-mentioned cleaning methods is used, since the gripping grooves corresponding to the number of semiconductor wafers to be gripped are formed inside the gripping portion of the wafer chuck, the cleaning liquid tends to accumulate in these gripping grooves. is there.

【0005】そこで、洗浄後のウエハチャックがチャッ
ク洗浄・乾燥処理槽内を上昇する間にウエハチャックに
乾燥用気体を噴射して把持溝に滞留した洗浄用液体の液
切れ促進しながらウエハチャックを乾燥させるようにし
ている。この場合には、ウエハチャックの左右の把持部
の両側でその全長に亘って水平に配設された気体供給管
に等間隔で形成された気体噴射ノズルからウエハチャッ
クに対して例えば乾燥空気等の乾燥用気体を水平方向に
噴射してチャック洗浄・乾燥処理槽内を上昇するウエハ
チャックに付着した超純水等の洗浄用液体を吹き飛ばし
て液切れを促進しつつ乾燥するようにしている。
Therefore, while the cleaned wafer chuck moves up in the chuck cleaning / drying processing tank, a drying gas is jetted to the wafer chuck to accelerate the running out of the cleaning liquid staying in the gripping groove, and the wafer chuck is cleaned. I try to dry it. In this case, for example, dry air or the like is supplied to the wafer chuck from gas injection nozzles formed at equal intervals in a gas supply pipe horizontally arranged on both sides of the left and right gripping portions of the wafer chuck. A drying gas is sprayed in the horizontal direction to blow up a cleaning liquid such as ultrapure water adhering to the wafer chuck rising in the chuck cleaning / drying processing tank to accelerate drying and promote drying.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
チャックを洗浄する際に、従来の浸漬洗浄方式を用いた
場合には、ウエハチャックの大部分を超純水に浸漬しな
くてはならないため、超純水の使用量が大量になり、し
かも浸漬槽の占めるスペースが大きくなり、また、従来
の噴射洗浄方式の場合には、通常、液体供給配管がウエ
ハチャックの左右の外側に配設されているため、一対の
液体供給配管を設けるスペースがウエハチャックの両外
側に必要になり、しかもウエハチャックの把持溝が把持
部の内側にあるため、各把持溝はそれぞれ遠い側の液体
供給配管から噴射される超純水によって洗浄しなくては
ならず、それには噴射圧力を上げて勢い良く水を噴射し
て超純水が遠い側の把持溝に届くようにしなくてはなら
ないため、洗浄効率も十分ではなく、均一な洗浄を行な
うことができないばかりか、超純水を大量に消費量する
という課題があった。
However, when the conventional immersion cleaning method is used for cleaning the wafer chuck, most of the wafer chuck must be immersed in ultrapure water. The amount of pure water used becomes large, the space occupied by the immersion tank becomes large, and in the case of the conventional jet cleaning method, the liquid supply pipes are usually arranged outside the left and right sides of the wafer chuck. Therefore, a space for providing a pair of liquid supply pipes is required on both outer sides of the wafer chuck, and since the gripping groove of the wafer chuck is inside the gripping portion, each gripping groove is ejected from the liquid supply pipe on the far side. It must be washed with ultrapure water, which must be increased in jet pressure to jet the water vigorously so that the ultrapure water reaches the holding groove on the far side. Also not sufficient, not only it is impossible to perform uniform cleaning, there is a problem that consumption of ultrapure water in large quantities.

【0007】また、ウエハチャックを乾燥する際に、従
来のウエハチャックの乾燥方式を用いた場合には、左右
の把持部を挟むように配設された二対の気体供給配管の
気体噴射ノズルから乾燥用空気を水平方向に噴射するた
め、大量の乾燥空気を消費することになり、しかもウエ
ハチャックの噴射部位によっては乾燥空気がウエハチャ
ック表面で左右上下の全方向に拡散し、液切れが必ずし
も完全でなく、十分な乾燥状態を得ることができないと
いう課題があった。また、従来の上記乾燥方式の場合に
は、気体噴射ノズルが各気体供給配管全長に亘って等間
隔に設けられているため、ウエハチャック全体に均等に
乾燥空気が噴射するようにしているため、ウエハチャッ
クの把持溝のように液体が溜り易い部位での乾燥空気の
噴射量が十分でなく、逆に液切れの良い滑らかなその他
の部分に必要以上の乾燥空気が噴射され、噴射量の配分
にアンバランスを生じ、効率的にウエハチャックを乾燥
させることができず、乾燥用空気の消費効率が悪く、大
量の乾燥空気を消費するという課題があった。
Further, when the conventional wafer chuck drying method is used for drying the wafer chuck, the gas injection nozzles of the two pairs of gas supply pipes arranged so as to sandwich the left and right grips are used. Since the drying air is sprayed in the horizontal direction, a large amount of dry air is consumed. Moreover, depending on the spraying part of the wafer chuck, the dry air is diffused in all directions of the left, right, up, and down on the surface of the wafer chuck, so that the liquid is not always drained. There is a problem that it is not perfect and a sufficient dry state cannot be obtained. Further, in the case of the conventional drying method, since the gas injection nozzles are provided at equal intervals over the entire length of each gas supply pipe, the dry air is evenly sprayed over the entire wafer chuck, Insufficient amount of dry air is injected in the area where liquid easily accumulates, such as the holding groove of the wafer chuck, and conversely, excess dry air is injected in other smooth and well-drained areas, and the injection amount is distributed. However, there is a problem in that the wafer chuck cannot be efficiently dried, the consumption efficiency of the drying air is low, and a large amount of dry air is consumed.

【0008】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、ウエハチャック等の被処理体搬送用治具を
洗浄及び/または乾燥する際に、被処理体搬送用治具を
効率良く短時間で洗浄及び/または乾燥できると共に、
洗浄用液体及び/または乾燥用気体の使用量を削減でき
る洗浄装置を提供することを目的としている。
The present invention has been made to solve the above problems, and when cleaning and / or drying an object-to-be-processed jig such as a wafer chuck, the object-to-be-processed jig is efficiently used. Can be washed and / or dried in a short time,
An object of the present invention is to provide a cleaning device that can reduce the amount of cleaning liquid and / or drying gas used.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の洗浄装置は、所定の処理液を貯留した洗浄処理槽内に
配設された被処理体保持具との間で洗浄前後の複数の被
処理体を授受する被処理体搬送用治具と、この被処理体
搬送用治具を内部で洗浄、乾燥する洗浄・乾燥処理槽と
を備え、上記被処理体搬送用治具は上記複数の被処理体
を把持する左右の把持部及びそれぞれを水平に支持する
支持部を有し、また、上記洗浄・乾燥処理槽は洗浄用液
体を噴射する液体噴射手段及び乾燥用気体を噴射する気
体噴射手段を有する洗浄装置において、上記液体噴射手
段は、上記左右の把持部の略中間でその前後方向全長に
亘って配設された液体供給管と、この液体供給管の左右
に上記各把持部に対向させてそれぞれ複数ずつ配設され
た液体噴射孔とを有するものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a cleaning device, which is used before and after cleaning with a holder for an object to be processed which is disposed in a cleaning processing tank which stores a predetermined processing liquid. The processing object transfer jig for transferring a plurality of processing objects and a cleaning / drying treatment tank for cleaning and drying the processing object transfer jig inside are provided. The cleaning / drying treatment tank has a liquid ejecting unit for ejecting a cleaning liquid and a drying gas, and has left and right gripping parts for gripping the plurality of objects to be processed and a supporting part for horizontally supporting each of the gripping parts. In the cleaning apparatus having the gas ejecting means, the liquid ejecting means includes a liquid supply pipe disposed substantially in the middle of the left and right grips and extending along the entire length in the front-rear direction, and the liquid supply pipes on the left and right sides of the liquid supply pipe. A plurality of liquid ejection holes are provided so as to face the grip portion. It is intended to.

【0010】また、本発明の請求項2に記載の洗浄装置
は、所定の処理液を貯留した洗浄処理槽内に配設された
被処理体保持具との間で洗浄前後の複数の被処理体を授
受する被処理体搬送用治具と、この被処理体搬送用治具
を内部で洗浄、乾燥する洗浄・乾燥処理槽とを備え、上
記被処理体搬送用治具は上記複数の被処理体を把持する
左右の把持部及びそれぞれを水平に支持する支持部を有
し、また、上記洗浄・乾燥処理槽は洗浄用液体を噴射す
る液体噴射手段及び乾燥用気体を噴射する気体噴射手段
を有する洗浄装置において、上記気体噴射手段は、上記
各支持部の左右両側にその下端から基部に亘ってそれぞ
れ立設された二対の気体供給管と、各気体供給管の略全
長に亘って所定間隔で複数ずつ配設された気体噴射孔
と、これらの気体噴射孔を有する上記各気体供給管を上
記各把持部に沿って一体的に往復移動させる駆動手段と
を有するものである。
Further, according to a second aspect of the present invention, in the cleaning apparatus, a plurality of objects to be processed before and after cleaning with the object-to-be-processed holder arranged in the cleaning processing tank storing a predetermined processing liquid. The jig for transferring the object to be processed and the cleaning / drying processing tank for cleaning and drying the jig for transferring the object to be processed are provided. The cleaning / drying treatment tank has a liquid ejecting means for ejecting a cleaning liquid and a gas ejecting means for ejecting a drying gas. In the cleaning device having the above, the gas injecting means has two pairs of gas supply pipes which are respectively erected from the lower end to the base part on the left and right sides of each of the support parts, and over substantially the entire length of each gas supply pipe. A plurality of gas injection holes arranged at a predetermined interval and these gas injection holes Each of the above-mentioned gas supply tube having a bore and has a drive means for reciprocating integrally along the respective gripper.

【0011】また、本発明の請求項3に記載の洗浄装置
は、請求項1または請求項2に記載の発明において、上
記各液体噴射孔を、上記被処理体搬送用治具に対して上
記洗浄用液体を斜め下方に向けて噴射するように設けた
ものである。
According to a third aspect of the present invention, in the cleaning apparatus according to the first or second aspect of the present invention, each of the liquid ejection holes is provided with respect to the jig for conveying the object to be treated. The cleaning liquid is provided so as to be sprayed obliquely downward.

【0012】また、本発明の請求項4に記載の洗浄装置
は、請求項1ないし請求項3のいずれか一つに記載の発
明において、上記気体噴射孔を、上記被処理体搬送用治
具に対して上記乾燥用気体を斜め下方に向けて噴射する
ように設けたものである。
A cleaning apparatus according to a fourth aspect of the present invention is the cleaning apparatus according to any one of the first to third aspects of the invention, wherein the gas injection hole is provided in the jig for transferring the object to be processed. On the other hand, the drying gas is provided so as to be jetted obliquely downward.

【0013】また、本発明の請求項5に記載の洗浄装置
は、請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載の発
明において、上記複数の気体噴射孔のうち、上記把持部
に対向する上記複数の気体噴射孔の全開口面積を大きく
形成すると共に、上記把持部以外の部位に対向する残り
の上記気体噴射孔の全開口面積を小さく形成したもので
ある。
Further, a cleaning device according to a fifth aspect of the present invention is the cleaning device according to any one of the first to fourth aspects, wherein the plurality of gas injection holes are opposed to the grip portion. The total opening area of the plurality of gas injection holes is formed large, and the total opening area of the remaining gas injection holes facing the portion other than the grip portion is formed small.

【0014】また、本発明の請求項6に記載の洗浄装置
は、請求項1ないし請求項5のいずれか一つに記載の発
明において、上記洗浄・乾燥処理槽内に上記被処理体搬
送用治具の乾燥を促進するヒータを設けたものである。
The cleaning apparatus according to a sixth aspect of the present invention is the cleaning apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein the cleaning / drying treatment tank is for transporting the object to be treated. A heater is provided to accelerate the drying of the jig.

【0015】[0015]

【作用】本発明の請求項1に記載の発明によれば、例え
ば、被処理体搬送用治具が洗浄処理槽内の被処理体保持
具との間で複数の被処理体を授受した後、この被処理体
搬送用治具が次の清浄な被処理体を搬送するまでに、洗
浄・乾燥処理槽内に進入すると、液体供給管の左右の複
数の液体噴射孔から洗浄用液体をそれぞれ噴射して被処
理体搬送用治具の左右の把持部の内側及び支持部を洗浄
することができる。
According to the first aspect of the present invention, for example, after the processing object conveying jig transfers a plurality of processing objects to and from the processing object holder in the cleaning processing tank. , If the jig for transferring the object to be processed enters the cleaning / drying processing tank before the next clean object to be processed is transferred, the cleaning liquid is respectively supplied from the plurality of liquid injection holes on the left and right of the liquid supply pipe. The inside of the left and right grips of the jig for transporting the object to be processed and the support can be cleaned by spraying.

【0016】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、例えば、被処理体搬送用治具が洗浄処理槽内の被
処理体保持具との間で複数の被処理体を授受した後、こ
の被処理体搬送用治具が次の被処理体を搬送するまで
に、洗浄・乾燥処理槽内に進入し、液体噴射手段の液体
供給管の液体噴射孔から洗浄用液体を噴射して被処理体
搬送用治具を洗浄した後、気体噴射手段が駆動し、二対
の気体供給管の気体噴射孔から乾燥用気体を噴射しなが
ら被処理体搬送用治具の左右の把持部の前方端から後方
端へ一体的に何度か往復する間に、被処理体搬送用治具
の左右の支持部に付着した洗浄用液体をその両側から乾
燥用気体によって吹き飛ばすと共に左右の把持部に付着
した洗浄用液体をその両側から乾燥用気体によって吹き
飛ばしてそれぞれの液切れを促進しながら被処理体搬送
用治具を迅速に乾燥させることができる。
According to the second aspect of the present invention, for example, the object-to-be-processed jig transfers and receives a plurality of objects to be processed with the object holder in the cleaning tank. After that, the jig for transferring the object to be processed enters the cleaning / drying processing tank before the next object to be processed is transferred, and the cleaning liquid is ejected from the liquid ejecting hole of the liquid supply pipe of the liquid ejecting means. After cleaning the object-to-be-processed jig, the gas injecting means is driven to grasp the left and right sides of the object-to-be-processed jig while injecting the drying gas from the gas injection holes of the two pairs of gas supply pipes. The cleaning liquid adhering to the left and right support parts of the jig for transporting the object to be processed is blown off from both sides by the drying gas and gripped on the left and right sides while reciprocating several times from the front end to the rear end The cleaning liquid adhering to the part is blown off from both sides by the drying gas and While promoting cutting the workpiece conveying jig can be rapidly dried.

【0017】また、本発明の請求項3に記載の発明によ
れば、請求項1または請求項2に記載の発明において、
液体噴射手段によって被処理体を洗浄する際に、各液体
噴射孔から被処理体搬送用治具に対して洗浄用液体を斜
め下方に向けて噴射して左右の把持部の付着物を効果的
に下方へ吹き飛ばすと共にこれらの把持部を支持する支
持部の付着物を効果的に下方へ吹き飛ばして洗浄時間を
更に短縮することができる。
Further, according to the invention of claim 3 of the present invention, in the invention of claim 1 or 2,
When cleaning the object to be processed by the liquid ejecting means, the cleaning liquid is jetted obliquely downward from the respective liquid ejecting holes to the object conveying jig to effectively attach the left and right gripping parts. The cleaning time can be further shortened by blowing off downwards and effectively adhering the deposits on the supporting portions that support these gripping portions downwards.

【0018】また、本発明の請求項4に記載の発明によ
れば、請求項1ないし請求項3のいずれか一つに記載の
発明において、気体噴射手段によって被処理体を乾燥す
る際に、気体噴射孔から被処理体搬送用治具に対して乾
燥用気体を斜め下方に向けて噴射して被処理体搬送用治
具の液切れを促進して乾燥時間を更に短縮することがで
きる。
Further, according to the invention described in claim 4 of the present invention, in the invention described in any one of claims 1 to 3, when the object to be processed is dried by the gas injection means, The drying gas can be jetted obliquely downward from the gas injection hole to the jig for conveying the object to be processed to accelerate the liquid running out of the jig for conveying the object to be processed, thereby further shortening the drying time.

【0019】また、本発明の請求項5に記載の発明によ
れば、請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載の
発明において、気体噴射手段によって被処理体を乾燥す
る際に、全開口面積の大きな気体噴射孔から被処理体搬
送用治具の把持部へ多くの乾燥用気体を噴射して把持部
の乾燥時間を更に短縮することができると共に、開口面
積の小さな気体噴射孔から把持部以外の部位に少量の乾
燥用気体を噴射して把持部以外の乾燥を少量の乾燥用気
体で効率良く乾燥して乾燥用気体の全体での使用量を削
減することができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to fourth aspects, when the object to be treated is dried by the gas jetting means, A large amount of drying gas can be injected from the gas injection hole with a large total opening area to the gripping portion of the jig for transporting the object to be processed to further reduce the drying time of the gripping portion, and the gas injection hole with a small opening area. Therefore, a small amount of the drying gas can be injected to a portion other than the gripping portion to efficiently dry the portion other than the gripping portion with a small amount of the drying gas, thereby reducing the total amount of the drying gas used.

【0020】また、本発明の請求項5に記載の発明によ
れば、請求項1ないし請求項5のいずれか一つに記載の
発明において、気体噴射手段によって乾燥した被処理体
にヒータの熱を照射することにより、被処理体をより確
実に乾燥させることができる。
Further, according to the invention of claim 5 of the present invention, in the invention of any one of claims 1 to 5, the heat of the heater is applied to the object dried by the gas injection means. By irradiating with, the object to be treated can be dried more reliably.

【0021】[0021]

【実施例】以下、図1〜図7に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。 実施例1.本実施例の洗浄装置10は、図1に示すよう
に、洗浄処理前の被処理体(以下、「半導体ウエハ」で
代表する。)をカセット単位で受け取ってカセットCを
保管するインプットバッファ機構20と、このインプッ
トバッファ機構20からカセット単位で半導体ウエハを
受け取るローダ機構30と、このローダ機構30からウ
エハ搬送装置41によって搬送されて来る半導体ウエハ
を薬液処理、水洗処理等の洗浄処理を行なう洗浄処理機
構40と、この洗浄処理機構40によって処理された半
導体ウエハWをアンロードするアンローダ機構50と、
このアンローダ機構50からカセット単位で半導体ウエ
ハを受け取って保管するアウトプットバッファ機構60
とを備えて構成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on the embodiments shown in FIGS. First Embodiment As shown in FIG. 1, the cleaning apparatus 10 of the present embodiment receives an object to be processed (hereinafter, represented by a “semiconductor wafer”) before cleaning in cassette units and stores the cassette C. An input buffer mechanism 20, a loader mechanism 30 that receives semiconductor wafers in cassette units from the input buffer mechanism 20, and a cleaning process such as a chemical solution process or a water cleaning process for a semiconductor wafer transferred from the loader mechanism 30 by a wafer transfer device 41. A cleaning processing mechanism 40 for performing the above, an unloader mechanism 50 for unloading the semiconductor wafer W processed by the cleaning processing mechanism 40,
Output buffer mechanism 60 for receiving and storing semiconductor wafers in cassette units from the unloader mechanism 50
And is configured.

【0022】また、上記洗浄処理機構40の上方には上
記ウエハ搬送装置41によって半導体ウエハが取り出さ
れた後の空のカセットCを洗浄、乾燥処理するカセット
洗浄・乾燥ライン70が上記洗浄処理機構40に沿って
配設されている。そして、このカセット洗浄・乾燥ライ
ン70には昇降機構80を介して空のカセットCを上記
ローダ機構30から持ち上げて供給するように構成され
ている。また、アンローダ機構50側にも同様の昇降機
構(図示せず)が配設され、この昇降機構を介して洗
浄、乾燥後のカセットCをアンローダ機構50へ供給す
るように構成されている。
A cassette cleaning / drying line 70 for cleaning and drying an empty cassette C after the semiconductor wafer is taken out by the wafer transfer device 41 is provided above the cleaning processing mechanism 40. Are arranged along. Then, the cassette cleaning / drying line 70 is configured to lift and supply an empty cassette C from the loader mechanism 30 via an elevating mechanism 80. A similar lifting mechanism (not shown) is also provided on the unloader mechanism 50 side, and the cassette C after cleaning and drying is supplied to the unloader mechanism 50 via this lifting mechanism.

【0023】そして、上記インプットバッファ機構20
は、外部から供給されたカセットCを載置する載置部2
1と、この載置部21のカセットCをカセット搬送機構
22によって移載し、すぐに処理できないカセットCを
一時的に保管するカセット保管部23とを備えて構成さ
れている。また、上記カセット搬送機構22は、上記載
置部21に載置されたカセットC内の半導体ウエハを処
理する際に、カセットCを上記載置部21から上記ロー
ダ機構30へ移載するように構成されている。そして、
このローダ機構30は半導体ウエハのオリエンテーショ
ンフラットを例えば上側あるいは下側に揃える位置合わ
せ機構(図示せず)を備えて構成されている。尚、上記
アウトプットバッファ機構60も上記インプットバッフ
ァ機構20と同様に構成されている。
Then, the input buffer mechanism 20
Is a mounting portion 2 for mounting the cassette C supplied from the outside.
1 and a cassette storage unit 23 that transfers the cassette C of the mounting unit 21 by the cassette transport mechanism 22 and temporarily stores the cassette C that cannot be immediately processed. Further, the cassette carrying mechanism 22 transfers the cassette C from the placing unit 21 to the loader mechanism 30 when processing the semiconductor wafer in the cassette C placed on the placing unit 21. It is configured. And
The loader mechanism 30 is configured to include a position adjusting mechanism (not shown) for aligning the orientation flat of the semiconductor wafer to the upper side or the lower side, for example. The output buffer mechanism 60 is also constructed similarly to the input buffer mechanism 20.

【0024】また、上記洗浄処理機構40は、例えば、
上記ウエハ搬送装置41と、このウエハ搬送装置41の
被処理体搬送用治具としてのウエハチャック41Aを洗
浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽42と、このチ
ャック洗浄・乾燥処理槽42の下流側に順次配設され且
つ半導体ウエハ表面の有機汚染物、金属不純物あるいは
パーティクル等の不要物質を洗浄により除去する薬液処
理槽43、薬液処理後の半導体ウエハを水洗する二つの
水洗処理槽44、44、上記薬液処理槽43とは別の薬
液処理を行なう薬液処理槽45、二つの水洗処理槽4
6、46と、ウエハチャック41Aを洗浄、乾燥するチ
ャック洗浄・乾燥処理槽47と、不純物質が除去された
半導体ウエハを例えばイソプロピルアルコール(IP
A)等で蒸気乾燥する乾燥処理槽48とを備えて構成さ
れている。そして、上記薬液処理槽43、45及び水洗
処理槽44、46は、それぞれの処理液がオーバーフロ
ーし、そのオーバーフローした処理液を排出し、あるい
は循環させて蓄積された不純物を除去して循環使用する
ように構成されている。また、図示しないが各処理槽は
外槽内に配置されている。そして、各外槽には各処理槽
を覆う開閉制御された開閉扉が取り付けられ、処理時に
各処理槽から処理液が放散しないように構成されてい
る。
The cleaning processing mechanism 40 is, for example,
The wafer transfer device 41, a chuck cleaning / drying processing tank 42 for cleaning and drying the wafer chuck 41A as a jig for transferring the object to be processed of the wafer transfer device 41, and a downstream side of the chuck cleaning / drying processing tank 42. , A chemical treatment tank 43 for sequentially removing unnecessary substances such as organic contaminants, metal impurities or particles on the surface of the semiconductor wafer by washing, and two washing treatment tanks 44, 44 for washing the semiconductor wafer after the chemical treatment with water. A chemical liquid treatment tank 45 for performing chemical liquid treatment different from the chemical liquid treatment tank 43, and two washing treatment tanks 4
6, 46, a chuck cleaning / drying treatment tank 47 for cleaning and drying the wafer chuck 41A, and a semiconductor wafer from which impurities have been removed, for example, isopropyl alcohol (IP
A) and the like, and a drying treatment tank 48 for steam drying. The chemical treatment tanks 43, 45 and the water washing treatment tanks 44, 46 are used by circulating the respective treatment liquids, discharging the overflowing treatment liquids, or circulating them to remove accumulated impurities. Is configured. Although not shown, each processing tank is arranged in the outer tank. An open / close door that is controlled to open and close is attached to each outer tank so that the processing liquid does not diffuse from each processing tank during processing.

【0025】そして、上記ウエハ搬送装置41は、図1
に示すように、各薬液処理槽43、45による影響のな
いように数台(図1では3台)配設されている。これら
の各ウエハ搬送装置41は、例えば50枚の半導体ウエ
ハを一括して把持する左右一対のウエハチャック41A
と、このウエハチャック41Aを昇降させると共に前後
方向で進退動させる駆動機構(図示せず)と、上記処理
槽42ないし48に沿って配設された搬送ベース41B
とを備え、上記搬送ベース41Bに沿って往復移動する
ように構成されている。そして、上記ウエハチャック4
1Aは、図2〜図4に示すように、50枚の半導体ウエ
ハを把持する左右の把持部(以下、「把持棒」と称
す。)41B、41Bと、各把持棒41B、41Bをそ
れぞれを水平に支持する支持部(以下、「支持棒」と称
す。)41C、41Cとを備えて構成されている。ま
た、上記把持棒41Bの内側にはその略全長に亘って図
4に示すように把持溝41Dが50個形成され、各把持
溝41Dに半導体ウエハの周縁が係合するように構成さ
れている。
The wafer transfer device 41 is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, several units (three units in FIG. 1) are arranged so as not to be affected by the chemical liquid processing tanks 43 and 45. Each of these wafer transfer devices 41 has a pair of left and right wafer chucks 41A for collectively gripping, for example, 50 semiconductor wafers.
A drive mechanism (not shown) for moving the wafer chuck 41A up and down and moving it back and forth in the front-rear direction; and a transfer base 41B arranged along the processing baths 42 to 48.
And is configured to reciprocate along the transport base 41B. Then, the wafer chuck 4
As shown in FIGS. 2 to 4, 1A includes left and right gripping portions (hereinafter, referred to as “gripping bars”) 41B and 41B for gripping 50 semiconductor wafers and gripping bars 41B and 41B, respectively. It is configured to include support portions (hereinafter, referred to as "support rods") 41C and 41C that horizontally support. Further, as shown in FIG. 4, 50 gripping grooves 41D are formed inside the gripping rod 41B over substantially the entire length thereof, and the gripping grooves 41D are configured so that the peripheral edge of the semiconductor wafer is engaged. .

【0026】また、上記洗浄処理機構40のうち本実施
例の要部を構成する上記チャック洗浄・乾燥処理槽42
は、図2、図3に示すように、矩形状に形成された処理
槽本体421と、この処理槽本体421内に配設された
基台422と、この基台422上に配設された、洗浄用
液体(例えば、超純水)を噴射供給する液体噴射手段4
23及び乾燥用気体(例えば、乾燥空気)を噴射供給す
る気体噴射手段424とを備えて構成されている。ま
た、上記処理槽本体421の上面には上記左右のウエハ
チャック41A、41Aが出入りする細長形状の開口部
421Aが長手方向に二つ形成されている。
Further, the chuck cleaning / drying processing tank 42 which constitutes the essential part of the present embodiment of the cleaning processing mechanism 40.
As shown in FIGS. 2 and 3, the processing tank main body 421 formed in a rectangular shape, a base 422 arranged in the processing tank main body 421, and a base 422 arranged on the base 422. , A liquid jetting means 4 for jetting and supplying a cleaning liquid (for example, ultrapure water)
23 and a gas jetting means 424 for jetting and supplying a drying gas (for example, dry air). Further, two elongated opening portions 421A through which the left and right wafer chucks 41A, 41A come in and out are formed on the upper surface of the processing tank main body 421 in the longitudinal direction.

【0027】そして、上記液体噴射手段423は、図2
〜図4に示すように、上記ウエハチャック41Aの左右
の把持棒41B、41Bの略中間でその前後方向全長に
亘って配設された、硬質PVC等の合成樹脂からなる液
体供給管423Aと、この液体供給管423Aにそれぞ
れ複数ずつ左右対称に配設された液体噴射孔としてのP
CTFE等の合成樹脂からなる液体噴射ノズル423B
とを備えて構成されている。また、上記液体供給管42
3Aの先後端部の近傍の2箇所には分岐した給水配管4
23Cがそれぞれ下方から連結され、この給水配管42
3Cを介して図示しない給水源から超純水を受給するよ
うに構成されている。また、上記各液体噴射ノズル42
3Bは、図2に示すように、上記液体供給管423Aに
対してやや下方に傾斜させて取り付けられ、図4に示す
ように超純水を斜め下方に向けて噴射して左右の把持棒
41B、41Bに付着した洗浄処理液、パーティクル等
の付着物を効果的に下方へ吹き飛ばすと共に支持する支
持棒41C、41Cの付着物を効果的に下方へ吹き飛ば
して洗浄時間を短縮するように構成されている。また、
上記液体供給管423Aは、その両端が上記基台422
に立設された支持部材423D、423Dで支持され、
上記処理槽本体421上面のやや下方で水平に位置して
いる。尚、洗浄処理後の水は、上記処理槽本体421の
底面に形成されたドレン抜き(図示せず)から排水する
ように構成されている。
The liquid ejecting means 423 is shown in FIG.
As shown in FIG. 4, a liquid supply pipe 423A made of a synthetic resin such as hard PVC, which is disposed substantially in the middle of the left and right gripping rods 41B, 41B of the wafer chuck 41A and over the entire length in the front-rear direction thereof, A plurality of liquid ejecting holes P, which are symmetrically arranged in the liquid supply pipe 423A, are provided.
Liquid injection nozzle 423B made of synthetic resin such as CTFE
And is configured. Further, the liquid supply pipe 42
Water supply pipe 4 branched at two locations near the front and rear ends of 3A
23C are respectively connected from below, and this water supply pipe 42
It is configured to receive ultrapure water from a water supply source (not shown) via 3C. In addition, each of the liquid jet nozzles 42
As shown in FIG. 2, 3B is attached to the liquid supply pipe 423A with a slight inclination, and as shown in FIG. 4, ultrapure water is jetted obliquely downward to inject the left and right gripping rods 41B. , 41B, the cleaning treatment liquid and the adhered matters such as particles are effectively blown downward, and the adhered matters of the supporting rods 41C and 41C which support the supporting treatment are effectively blown downward to shorten the cleaning time. There is. Also,
Both ends of the liquid supply pipe 423A have the base 422.
Supported by support members 423D and 423D that are erected on the
It is horizontally located slightly below the upper surface of the processing tank body 421. The water after the cleaning treatment is configured to be drained from a drain drain (not shown) formed on the bottom surface of the treatment tank main body 421.

【0028】また、上記気体噴射手段424は、図2〜
図5に示すように、上記処理槽本体421内での進入端
にある上記ウエハチャック41A、41Aの各支持棒4
1C、41Cの左右両側にその下端から基部に亘ってそ
れぞれ立設された二対の硬質硬質PVC等の合成樹脂か
らなる気体供給管424A、424Bと、各気体供給管
424A、424Bの略全長に亘って所定間隔で複数ず
つ気体噴射孔424Cと、これらの気体噴射孔424C
を有する上記各気体供給管424A、424Bを上記各
把持棒41B、41Bに沿って一体的に往復移動させる
駆動手段としての駆動機構424Dとを備え、上記ウエ
ハチャック41Aが上記処理槽本体421内部での進入
端に静止した状態下で一体的に往復移動して上記ウエハ
チャック41Aの上下の把持棒41B、41B及びそれ
ぞれの支持棒41C、41Cに乾燥空気を噴射するよう
に構成されている。そして、上記二対の気体供給管42
4A、424B及び424A、424Bは、いずれも図
2、図5に示すように、連通管424Eによって連結さ
れている。そして、この連通管424Eは、図5に示す
ように、その両端が閉塞されており、その中央に下方か
ら連結された給気配管424Fを介して図示しない給気
源から乾燥空気を受給するように構成されている。ま
た、上記連通管424Eは、図2に示すように、連結部
材424G、424Gを介して例えば駆動機構424D
のベルト(図示せず)に連結され、この駆動機構424
Dの駆動によって上記処理槽本体421内でその前後端
間を往復移動するように構成されている。
The gas injection means 424 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 5, the support rods 4 of the wafer chucks 41A, 41A at the entrance end in the processing tank body 421 are supported.
Gas supply pipes 424A and 424B made of synthetic resin such as two pairs of hard and hard PVC, which are erected from the lower end to the base on the left and right sides of 1C and 41C, respectively, and approximately the entire length of each gas supply pipe 424A and 424B. A plurality of gas injection holes 424C at predetermined intervals and these gas injection holes 424C
And a drive mechanism 424D as a drive means for integrally reciprocating the gas supply pipes 424A and 424B having the above-mentioned structure along the gripping rods 41B and 41B, respectively, and the wafer chuck 41A inside the processing tank main body 421. It is configured to reciprocate integrally under a state of being stationary at the entrance end of No. 1 and to inject dry air to the upper and lower gripping rods 41B and 41B of the wafer chuck 41A and the respective supporting rods 41C and 41C. Then, the two pairs of gas supply pipes 42
4A, 424B and 424A, 424B are connected by a communication pipe 424E as shown in FIGS. 2 and 5. As shown in FIG. 5, the communication pipe 424E is closed at both ends, and receives dry air from an air supply source (not shown) through an air supply pipe 424F connected to the center of the communication pipe 424E from below. Is configured. Further, the communication pipe 424E is, for example, as shown in FIG. 2, via a connecting member 424G, 424G, for example, a drive mechanism 424D.
Is connected to a belt (not shown) of the drive mechanism 424.
It is configured to reciprocate between the front and rear ends of the processing tank main body 421 by driving D.

【0029】また、上記ウエハチャック41Aの内側に
位置する気体供給管424Aと、上記ウエハチャック4
1Aの外側に位置する気体供給管424Bは、それぞれ
の気体噴射孔424Cの数が異なっている。即ち、上記
ウエハチャック41Aの把持溝41Dのある内側の気体
供給管424Aには、外側の気体供給管424Bよりも
多くの気体噴射孔424Cが形成されている。
Further, the gas supply pipe 424A located inside the wafer chuck 41A, and the wafer chuck 4
The gas supply pipes 424B located outside 1A have different numbers of gas injection holes 424C. That is, in the gas supply pipe 424A on the inner side of the wafer chuck 41A where the holding groove 41D is provided, more gas injection holes 424C are formed than in the outer gas supply pipe 424B.

【0030】そこで、上記気体供給管424A、424
Bについて更に図5を参照しながら詳述する。上記ウエ
ハチャック41Aの内側の上記気体供給管424Aの場
合には、上下の把持棒41B、41Bに向けて水平方向
に乾燥空気を噴射する気体噴射孔424Cが上下2箇所
に複数密集して形成され、2箇所でそれぞれ密集した気
体噴射孔424Cによって各把持棒41B、41Bそれ
ぞれのやや上方からやや下方の範囲に亘って乾燥空気を
噴射するように構成され、また、上述した部分以外(主
として上方の把持棒41Bより上の部分)には斜め下方
に乾燥空気を噴射する気体噴射孔424Cがそれぞれの
間隔を大きく採って等間隔に形成され、上述の密集した
気体噴射孔424Cと共に上記各支持棒41C、41C
の上下方向の略全体に亘って乾燥空気を噴射するように
構成されている。
Therefore, the gas supply pipes 424A, 424
B will be described in detail with further reference to FIG. In the case of the gas supply pipe 424A inside the wafer chuck 41A, a plurality of gas injection holes 424C for horizontally injecting dry air toward the upper and lower gripping bars 41B, 41B are densely formed at upper and lower portions. By the gas injection holes 424C densely gathered at two locations, it is configured to inject the dry air over a range from slightly above to slightly below each of the gripping rods 41B, 41B. Gas injection holes 424C for injecting dry air obliquely downward are formed at equal intervals in the upper part of the grip bar 41B, and are formed at equal intervals, and together with the above-mentioned dense gas injection holes 424C, the support bars 41C are formed. , 41C
Is configured to inject dry air over substantially the entire vertical direction.

【0031】また、上記ウエハチャック41Aの外側の
上記気体供給管424Bの場合には、上記気体供給管4
24Aに対応した気体噴射孔424Cが形成されいる
が、上記各把持棒41B、41Bに対応する部分の気体
噴射孔424Cは上記気体供給管424Aの場合よりも
少ない数が密集して形成されており、また、それ以外の
部分でも上記気体供給管424Aの場合よりも複数の気
体噴射孔424C間の間隔が大きく形成されている。そ
して、2箇所でそれぞれ密集した気体噴射孔424C
は、上記気体供給管424Aのもの略下半分の部分で乾
燥空気を噴射するように構成されている。このように気
体噴射手段424は、上記気体供給管424A、424
B間で、気体噴射孔424Cの数に差を付けてこれら両
者424A、424Bから噴射される乾燥空気の気流を
相殺することがないように乾燥空気の噴射量に差を付け
て上記ウエハチャック41Aを効率良く乾燥できるよう
に構成されている。
Further, in the case of the gas supply pipe 424B outside the wafer chuck 41A, the gas supply pipe 4 is used.
The gas injection holes 424C corresponding to 24A are formed, but the gas injection holes 424C in the portions corresponding to the gripping rods 41B and 41B are formed densely in a smaller number than in the case of the gas supply pipe 424A. Also, in other portions, the gaps between the plurality of gas injection holes 424C are formed larger than in the case of the gas supply pipe 424A. And gas injection holes 424C densely gathered at two locations
Is configured to inject dry air in a substantially lower half of the gas supply pipe 424A. In this way, the gas injection means 424 uses the gas supply pipes 424A, 424.
The number of gas injection holes 424C between B is different from each other so that the dry air injection amount is different so as not to cancel out the air flow of the dry air injected from both 424A and 424B. Is configured to be efficiently dried.

【0032】また、上記洗浄処理機構40の下流側に配
設された上記チャック洗浄・乾燥処理槽47は上述した
チャック洗浄・乾燥処理槽42に準じて構成されている
が、このチャック洗浄・乾燥処理槽47の場合には、図
6に示すように、その液体供給管473Aの左右斜め上
方で且つの処理槽本体471の前後端に亘って赤外線ヒ
ータ475、475が配設され、これらの赤外線ヒータ
475、475によって気体噴射手段474で乾燥され
たウエハチャック41Aをより完全に乾燥して半導体ウ
エハに対する洗浄後の超純水の付着を完全に防止するよ
うに構成されている。また、上記各赤外線ヒータ47
5、475には反射板476、476がそれぞれ取り付
けられ、更に、これらと対向する位置に赤外線の放散を
遮断する遮断板477、477が処理槽本体471の上
面から垂下され、赤外線による上記ウエハチャック41
Aの乾燥をより確実に行ない、更に他の部位への異常加
熱を防止するように構成されている。尚、上記赤外線ヒ
ータ475、475は、それぞれの両端が支持部材47
5Aを介して液体供給管473の支持部材473Dによ
って支持されている。
Further, the chuck cleaning / drying processing tank 47 arranged on the downstream side of the cleaning processing mechanism 40 is constructed according to the chuck cleaning / drying processing tank 42 described above. In the case of the processing tank 47, as shown in FIG. 6, infrared heaters 475 and 475 are arranged diagonally above and to the left and right of the liquid supply pipe 473A and across the front and rear ends of the processing tank main body 471. The wafer chuck 41A dried by the gas jetting means 474 by the heaters 475 and 475 is more completely dried to completely prevent adhesion of ultrapure water after cleaning to the semiconductor wafer. In addition, the above infrared heaters 47
Reflector plates 476 and 476 are attached to the reference numerals 5 and 475, respectively. Further, shield plates 477 and 477 for shielding infrared radiation from the upper surface of the processing bath main body 471 are hung at positions facing the reflector plates 476 and 476. 41
It is configured so that A is dried more reliably and abnormal heating to other parts is prevented. The infrared heaters 475 and 475 have support members 47 at both ends.
It is supported by the support member 473D of the liquid supply pipe 473 via 5A.

【0033】次に、本実施例の洗浄装置10の動作につ
いて説明する。まず、25枚単位でカセットCに収納さ
れた半導体ウエハWをインプットバッファ機構20の載
置部21へ供給すると、カセット搬送機構22が駆動し
て供給されたカセットCを2個単位でローダ機構30へ
移載する。そして、その後に供給されたカセットCにつ
いてはカセット搬送機構22によって保管部23へ移載
し、保管部23でその後のカセットCの半導体ウエハW
を一時的に保管する。
Next, the operation of the cleaning apparatus 10 of this embodiment will be described. First, the semiconductor wafers W stored in the cassette C in units of 25 sheets are supplied to the mounting unit 21 of the input buffer mechanism 20, and the cassette transfer mechanism 22 is driven to supply the supplied cassettes C in units of two to the loader mechanism 30. Transfer to. Then, the cassette C supplied thereafter is transferred to the storage unit 23 by the cassette transfer mechanism 22, and the semiconductor wafer W of the subsequent cassette C is stored in the storage unit 23.
To store temporarily.

【0034】上記ローダ機構30に2個のカセットCが
供給されると、ローダ機構30が駆動して2個のカセッ
トC内の半導体ウエハWのオリエンテーションフラット
を一方向に揃えて50枚の半導体ウエハWを位置決めす
る一方、ウエハ搬送装置41が駆動してウエハチャック
41Aをチャック洗浄・乾燥処理槽42内に移動させて
ウエハチャック41Aを洗浄、乾燥してロード機構30
の半導体ウエハWを受け取る態勢に入る。その後、ロー
ダ機構30が駆動して2個のカセットCから半導体ウエ
ハWを一括して持ち上げながら各カセットCの半導体ウ
エハWを近づけると、ウエハ搬送装置41が駆動してウ
エハチャック41Aで50枚の半導体ウエハWを把持す
る。半導体ウエハWを把持したウエハチャック41A
は、ウエハ搬送装置41の駆動によって搬送ベース41
Bに沿って薬液処理槽43へ移動した後、その位置でウ
エハチャック41Aを下降させて薬液処理槽43内のウ
エハ保持具(図示せず)へ50枚の半導体ウエハWを引
き渡して処理液に浸漬して半導体ウエハを洗浄する。
When two cassettes C are supplied to the loader mechanism 30, the loader mechanism 30 is driven and the orientation flats of the semiconductor wafers W in the two cassettes C are aligned in one direction to obtain 50 semiconductor wafers. While positioning W, the wafer transfer device 41 is driven to move the wafer chuck 41A into the chuck cleaning / drying processing tank 42 to clean and dry the wafer chuck 41A to load the load mechanism 30.
The semiconductor wafer W is ready to be received. Then, the loader mechanism 30 drives to bring the semiconductor wafers W of the respective cassettes C closer to each other while collectively lifting the semiconductor wafers W from the two cassettes C, and the wafer transfer device 41 is driven to drive the wafer chucks 41A of 50 sheets. The semiconductor wafer W is gripped. Wafer chuck 41A holding a semiconductor wafer W
Is driven by the wafer transfer device 41.
After moving to the chemical solution processing bath 43 along B, the wafer chuck 41A is lowered at that position to transfer 50 semiconductor wafers W to a wafer holder (not shown) in the chemical solution processing bath 43 to be used as the processing liquid. The semiconductor wafer is washed by immersion.

【0035】上記薬液処理槽43での半導体ウエハWの
処理が終了すると、上述の場合とは逆の動作によってウ
エハ搬送装置41のウエハチャック41Aがウエハ保持
具から半導体ウエハWを一括して受け取り、次の水洗処
理槽44のウエハ保持具へ移載して上述と同様の動作に
よって水洗処理を行ない、更に次の水洗処理槽44で同
様の水洗処理を行なって最初の洗浄処理を完了する。そ
の後、中間のウエハ搬送装置41のウエハチャック41
Aにより薬液処理槽45、水洗処理槽46、46で上述
と同様の動作により洗浄処理を行なう。そして、最下流
のウエハ搬送装置41により水洗処理槽46から半導体
ウエハWを受け取ってこれらに乾燥処理槽48において
IPAによる蒸気乾燥を行なってローダ機構30と同様
に構成されたアンローダ機構50で待機する2個のカセ
ットCに乾燥後の半導体ウエハWを収納する。この時、
アンローダ機構50で待機するカセットCはカセット洗
浄・乾燥ライン70を通過する間に洗浄、乾燥されてパ
ーティクル等が除去された清浄な状態になっている。洗
浄処理後の半導体ウエハWは、アウトプットバッファ機
構60を介して次工程へカセット単位で排出される。
When the processing of the semiconductor wafers W in the chemical treatment tank 43 is completed, the wafer chuck 41A of the wafer transfer apparatus 41 receives the semiconductor wafers W from the wafer holder in a lump by the operation opposite to the above. The wafer is transferred to the wafer holder of the next water washing treatment tank 44, the water washing treatment is performed by the same operation as described above, and the same water washing treatment is further performed in the next water washing treatment tank 44 to complete the first washing treatment. After that, the wafer chuck 41 of the intermediate wafer transfer device 41
The cleaning treatment is performed in the chemical solution treatment tank 45 and the water washing treatment tanks 46, 46 by A in the same manner as described above. Then, the most downstream wafer transfer device 41 receives the semiconductor wafers W from the water washing treatment tank 46, vapor-drys them by IPA in the drying treatment tank 48, and waits in the unloader mechanism 50 configured similarly to the loader mechanism 30. The semiconductor wafers W after drying are stored in two cassettes C. At this time,
The cassette C standing by in the unloader mechanism 50 is cleaned and dried while passing through the cassette cleaning / drying line 70, and is in a clean state in which particles and the like are removed. The semiconductor wafer W after the cleaning process is discharged to the next process in cassette units via the output buffer mechanism 60.

【0036】ここで、上記チャック洗浄・乾燥処理槽4
2、47の動作について更に説明する。上記ウエハ搬送
装置41が駆動してウエハチャック41Aは処理槽本体
421の開口部421A、421Aからその内部の下降
端まで急速に進入した後、ゆっくりと上昇を開始する。
この上昇に伴って液体供給管423Aの左右の複数の液
体噴射ノズル423Bから超純水を斜め下方に向けて噴
射してウエハチャック41Aの左右の把持棒41B、4
1Bの洗浄処理液、パーティクル等の付着物を超純水の
噴射流によって下方へ吹き飛ばすと共に支持棒41C、
41Cの付着物を下方へ吹き飛ばしこれら両者41B、
41Cを洗浄することができる。そして、ウエハチャッ
ク41Aが上昇端に達すると、ウエハチャック41Aは
再び急速に下降端まで下降してその位置で静止し、引き
続き気体噴射手段424が駆動する。
Here, the chuck cleaning / drying treatment tank 4 is used.
The operations of Nos. 2 and 47 will be further described. The wafer transfer device 41 is driven to rapidly move the wafer chuck 41A from the openings 421A and 421A of the processing tank main body 421 to the descending end inside thereof, and then slowly start rising.
Along with this rise, ultrapure water is jetted obliquely downward from the left and right liquid jet nozzles 423B of the liquid supply pipe 423A, and the left and right gripping rods 41B, 4 of the wafer chuck 41A.
The cleaning treatment liquid of 1B, adhered substances such as particles are blown off downward by the jet flow of ultrapure water, and the supporting rod 41C,
41C is blown off the adhered matter downward, and both 41B,
41C can be washed. Then, when the wafer chuck 41A reaches the ascending end, the wafer chuck 41A rapidly descends to the descending end again and stops at that position, and the gas ejecting means 424 is subsequently driven.

【0037】上記気体噴射手段424が駆動すると、複
数の気体噴射孔424Cから乾燥空気を噴射しながら二
対の気体供給管424A、424B及び424A、42
4Bが処理槽本体421内の前方端と後方端との間で一
体的に数往復する間に、乾燥空気によってウエハチャッ
ク41Aの左右の支持棒41C、41Cの両側それぞれ
に付着した洗浄後の超純水を吹き飛ばすと共に左右の4
1B、41Bの両側それぞれに付着した洗浄後の超純水
を吹き飛ばしてこれら両者41B、41Cそれぞれの液
切れを促進しながらウエハチャック41Aを迅速に乾燥
させる。この時、洗浄後の超純水が溜り易い把持溝41
Dではその内側から乾燥空気が集中的に噴射することと
相俟ってその上方から乾燥空気が下方へ噴射してこの部
位における液切れを促進すると共に、支持棒41Dでは
気流が斜め下方に流れてこの部分に付着した超純水を下
方へ流して液切れを促進することができ、ウエハチャッ
ク41Aの乾燥を促進してより確実に乾燥することがで
きる。
When the gas injecting means 424 is driven, two pairs of gas supply pipes 424A, 424B and 424A, 42 are injecting dry air from the plurality of gas injecting holes 424C.
While 4B integrally reciprocates between the front end and the rear end in the processing tank main body 421 for several times, the super air after cleaning adhered to both sides of the left and right support rods 41C and 41C of the wafer chuck 41A by dry air. 4 on the left and right while blowing away pure water
The ultra pure water after cleaning adhering to both sides of 1B and 41B is blown away to accelerate the liquid running out of both 41B and 41C, and the wafer chuck 41A is quickly dried. At this time, the gripping groove 41 in which ultrapure water after cleaning tends to accumulate
In combination with the concentrated injection of dry air from the inside of D, the dry air is injected downward from above to promote liquid breakage at this portion, and at the support rod 41D, the air flow flows obliquely downward. The ultrapure water adhering to the lever portion can be made to flow downward to promote liquid breakage, and the wafer chuck 41A can be dried more reliably.

【0038】また、アンローダ側のチャック洗浄・乾燥
処理槽47では、気体噴射手段474で乾燥した後のウ
エハチャック41Aが処理槽本体471を退動する間
に、赤外線ヒータ475、475から照射された赤外線
によってウエハチャック41Aが加熱されてより完全に
ウエハチャック41Aを乾燥させることができる。従っ
て、このように洗浄、乾燥されたウエハチャック41A
で半導体ウエハを把持すれば、洗浄後の超純水を半導体
ウエハに全く付着させることなく次工程へ排出すること
ができる。
Further, in the chuck cleaning / drying processing tank 47 on the unloader side, while the wafer chuck 41A after being dried by the gas injection means 474 is retracted from the processing tank main body 471, it is irradiated with infrared heaters 475, 475. The wafer chuck 41A is heated by the infrared rays, so that the wafer chuck 41A can be more completely dried. Therefore, the wafer chuck 41A thus cleaned and dried
If the semiconductor wafer is gripped with, the ultrapure water after cleaning can be discharged to the next step without adhering to the semiconductor wafer at all.

【0039】以上説明したように本実施例によれば、ウ
エハチャック41Aの内側に液体噴射手段423を配設
し、内側からウエハチャック41Aを洗浄するようにし
たため、液体噴射手段423独自の設置スペースを設け
る必要がなく、チャック洗浄・乾燥処理槽42を省スペ
ース化することができ、また、ウエハチャック41Aの
洗浄に際し、最も汚染され易い把持溝41Dの間近から
超純水を噴射するため、従来より低い噴射圧力(例え
ば、1Kg/cm2G)でウエハチャック41Aを洗浄
でき、超純水の消費量を節約することができる。また、
ウエハチャック41Aに対して超純水を斜め下方に向け
て噴射するため、その噴射流によって洗浄処理液、パー
ティクル等の付着物を下方へ確実に吹き飛ばして洗浄時
間を短縮することができ、しかも洗浄後の超純水の液切
れを促進することができる。
As described above, according to this embodiment, since the liquid ejecting means 423 is arranged inside the wafer chuck 41A and the wafer chuck 41A is cleaned from the inside, the installation space unique to the liquid ejecting means 423 is provided. Since it is not necessary to provide the chuck cleaning / drying treatment tank 42, space can be saved, and when cleaning the wafer chuck 41A, ultrapure water is sprayed from the vicinity of the gripping groove 41D which is most easily polluted. The wafer chuck 41A can be cleaned with a lower jet pressure (for example, 1 Kg / cm 2 G), and the consumption of ultrapure water can be saved. Also,
Since ultrapure water is jetted obliquely downward to the wafer chuck 41A, the jet of the jet can surely blow down the cleaning treatment liquid, adhered matters such as particles, and shorten the cleaning time. It is possible to promote the later running-out of ultrapure water.

【0040】また、本実施例によれば、ウエハチャック
41Aの乾燥に際し、気体噴射手段424の気体噴射孔
424Cから乾燥空気を斜め下降に向けて噴射するよう
にしたため、洗浄後の超純水の水切りを促進し、延いて
は乾燥時間を短縮することができる。また、ウエハチャ
ック41Aの中でも把持溝41Dのように水が溜り易い
部分に乾燥空気を集中的に噴射し、支持棒41Cのよう
に滑らかな表面には少量の乾燥空気を噴射するようにし
たため、従来よりも気体噴射ノズルの数を減少させるこ
とができ、しかも気体噴射孔424Cの数が少ない分だ
け、各気体噴射孔424Cでの噴射圧力が高くなり、要
所に重点的に乾燥空気を噴射して乾燥効率を格段に高め
ることができ、それだけ乾燥時間を短縮することがで
き、また、全体の気体噴射孔424Cの数を少なくする
ことができるため、気体噴射手段424の加工コストを
削減することができる。
Further, according to the present embodiment, when the wafer chuck 41A is dried, the dry air is jetted obliquely downward from the gas jet holes 424C of the gas jetting means 424. Draining can be promoted and the drying time can be shortened. Further, in the wafer chuck 41A, the dry air is intensively jetted to a portion where water is likely to be accumulated, such as the gripping groove 41D, and a small amount of dry air is jetted to a smooth surface like the support rod 41C. The number of gas injection nozzles can be reduced as compared with the conventional one, and the injection pressure at each gas injection hole 424C is increased due to the smaller number of gas injection holes 424C, and dry air is mainly injected to important points. Therefore, the drying efficiency can be remarkably improved, the drying time can be shortened accordingly, and the number of the gas injection holes 424C can be reduced, so that the processing cost of the gas injection unit 424 can be reduced. be able to.

【0041】また、本実施例によれば、アンローダ側の
チャック洗浄・乾燥処理槽47には赤外線ヒータ475
を設けたため、赤外線によってウエハチャック41Aを
完全に乾燥させることができ、このように洗浄、乾燥さ
れたウエハチャック41Aで把持する半導体ウエハに洗
浄後の超純水を全く付着させることがなく、半導体ウエ
ハの電気的特性を損ねる虞がない。
Further, according to this embodiment, an infrared heater 475 is provided in the chuck cleaning / drying processing tank 47 on the unloader side.
Since the wafer chuck 41A can be completely dried by the infrared rays, the ultrapure water after cleaning is not attached to the semiconductor wafer held by the thus cleaned and dried wafer chuck 41A at all, There is no risk of damaging the electrical characteristics of the wafer.

【0042】実施例2.本実施例の洗浄装置10は、チ
ャック洗浄・乾燥処理槽42の気体供給管424B、4
24Bを実施例1と異にする以外は実施例1と同様に構
成されている。そこで、この気体供給管424A、42
4Bについて図7を参照しながら説明する。この気体供
給管424A、424Bは、実施例1で気体噴射孔42
4Cが密集している2箇所の部分に、開口面積の大きな
気体噴射スリット424C'を設けたものである。つま
り、ウエハチャック41Aの内側の気体供給管424A
には、実施例1の場合と同範囲に亘る気体噴射スリット
424C'を1個ずつ設け、また、ウエハチャック41
Aの外側の気体供給管424Bにも実施例1の場合と同
範囲に亘る気体噴射スリット424C'を1個ずつ設け
たものである。その部分には実施例1の場合と同様に気
体噴射孔424Cが設けられている。
Embodiment 2 The cleaning apparatus 10 of this embodiment is composed of the gas supply pipes 424B and 424B of the chuck cleaning / drying treatment tank 42.
The configuration is similar to that of the first embodiment except that 24B is different from that of the first embodiment. Therefore, this gas supply pipe 424A, 42
4B will be described with reference to FIG. The gas supply pipes 424A and 424B are the gas injection holes 42 in the first embodiment.
Gas injection slits 424C ′ having a large opening area are provided at two portions where 4C are densely arranged. That is, the gas supply pipe 424A inside the wafer chuck 41A
The gas chuck slits 424C ′ are provided one by one over the same range as in the first embodiment.
The gas supply pipe 424B on the outer side of A is also provided with one gas injection slit 424C ′ covering the same range as in the first embodiment. A gas injection hole 424C is provided in that portion as in the case of the first embodiment.

【0043】従って本実施例によれば、気体噴射孔の数
を格段に減少させることができ、加工コストを実施例1
に場合よりも削減することができ、しかも実施例1と同
様の洗浄効果を期することができる。
Therefore, according to the present embodiment, the number of gas injection holes can be remarkably reduced, and the processing cost is reduced to that of the first embodiment.
In addition, it is possible to reduce the number of cleanings compared to the case described above, and it is possible to achieve the same cleaning effect as in the first embodiment.

【0044】尚、上記各実施例では半導体ウエハを洗浄
する洗浄装置について説明したが、本発明は、上記各実
施例に何等制限されるものではなく、例えば、LCDガ
ラス基板等の被処理体の洗浄装置等にも適用することが
できる。また、液体噴射手段及び気体噴射手段を構成す
る各部材の材質は塵埃等を発生し難く、耐食性のあるも
のを適宜選択して用いることができる。また、液体噴射
孔及び気体噴射孔の数あるいはその内径も洗浄装置の規
模に応じて適宜選択することができる。
Although the cleaning apparatus for cleaning the semiconductor wafer has been described in each of the above-described embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, an object to be processed such as an LCD glass substrate may be used. It can also be applied to a cleaning device and the like. Further, as the material of each member constituting the liquid ejecting means and the gas ejecting means, it is possible to appropriately select and use a material that does not easily generate dust and the like and has corrosion resistance. Also, the number of liquid injection holes and gas injection holes or their inner diameters can be appropriately selected according to the scale of the cleaning device.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1に
記載の発明によれば、液体噴射手段の液体供給管をウエ
ハチャック等の被処理体搬送用治具の左右の把持部の略
中間に配設し且つ上記液体供給管の左右に液体噴射孔を
設けたため、被処理体搬送用治具を洗浄する際に、被処
理体搬送用治具を効率良く短時間で洗浄できると共に、
洗浄用液体の使用量を削減でき、しかも省スペース化を
図れる洗浄装置を提供することができる。
As described above, according to the invention described in claim 1 of the present invention, the liquid supply pipe of the liquid ejecting means is substantially formed by the left and right gripping portions of the jig for transferring the object to be processed such as a wafer chuck. Since the liquid ejection holes are provided in the middle and on the left and right sides of the liquid supply pipe, when cleaning the object-transporting jig, the object-transporting jig can be efficiently cleaned in a short time, and
It is possible to provide a cleaning device capable of reducing the amount of cleaning liquid used and saving space.

【0046】また、本発明の請求項2に記載に発明によ
れば、洗浄・乾燥処理槽内で静止したウエハチャック等
の被処理体搬送用治具の左右の把持部に沿って気体噴射
手段の気体供給管を往復させながら各把持部及びそれぞ
れの支持部に左右両側から乾燥用気体を噴射させてこれ
らを乾燥させるようにしたため、被処理体搬送用治具を
乾燥する際に、被処理体搬送用治具を効率良く短時間で
乾燥できると共に、乾燥用気体の使用量を削減できる洗
浄装置を提供することができる。
According to the second aspect of the present invention, the gas jetting means is provided along the left and right grips of the jig for conveying the object to be processed such as a wafer chuck which is stationary in the cleaning / drying processing tank. Since the drying gas is sprayed from both the left and right sides to each gripping part and each supporting part while reciprocating the gas supply pipe, the drying process is performed. It is possible to provide a cleaning device capable of efficiently drying a body transport jig in a short time and reducing the amount of drying gas used.

【0047】また、本発明の請求項3に記載に発明によ
れば、請求項1に記載の発明において、液体噴射孔から
洗浄用液体を斜め下方に噴射させるようにしたため、更
に液切れを促進して洗浄時間を短縮できる洗浄装置を提
供することができる。
Further, according to the invention described in claim 3 of the present invention, in the invention described in claim 1, since the cleaning liquid is jetted obliquely downward from the liquid jetting hole, further drainage is promoted. Thus, it is possible to provide a cleaning device that can shorten the cleaning time.

【0048】また、本発明の請求項4に記載に発明によ
れば、請求項2に記載の発明において、気体噴射孔から
乾燥用気体を斜め下方に噴射させるようにしたため、更
に洗浄用液体の液切れを促進して乾燥時間を短縮できる
洗浄装置を提供することができる。
Further, according to the invention described in claim 4 of the present invention, in the invention described in claim 2, since the drying gas is jetted obliquely downward from the gas jet hole, further cleaning liquid is obtained. It is possible to provide a cleaning device that can accelerate liquid shortage and shorten the drying time.

【0049】また、本発明の請求項5に記載に発明によ
れば、請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載の
発明において、被処理体搬送用治具のうち液体の溜り易
い把持部に対向する部分での気体噴射孔の開口面積を大
きくし、その他の部分での開口面積を小さくしたため、
乾燥用気体での乾燥効率を高めて乾燥時間を短縮でき、
しかも気体噴射孔の全体の数を従来より削減できるた
め、各気体噴射孔での噴射圧力が高くなって更に乾燥時
間を短縮できる洗浄装置を提供することができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to fourth aspects, the liquid is easily accumulated in the jig for conveying the object to be processed. Since the opening area of the gas injection hole in the part facing the grip part is made large and the opening area in other parts is made small,
You can shorten the drying time by increasing the drying efficiency with the drying gas,
Moreover, since the total number of gas injection holes can be reduced as compared with the related art, it is possible to provide a cleaning apparatus that can increase the injection pressure at each gas injection hole and further shorten the drying time.

【0050】また、本発明の請求項6に記載に発明によ
れば、請求項1ないし請求項5のいずれか一つに記載の
発明において、洗浄・乾燥処理槽内に上記被処理体搬送
用治具の乾燥を促進するヒータを設けたため、ヒータに
よって被処理体搬送用治具を完全に乾燥させ、この被処
理体搬送用治具で把持される被処理体の電気的信頼性を
損ねる虞がない洗浄装置を提供することができる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to fifth aspects, the cleaning / drying treatment tank is for transporting the object to be treated. Since the heater for accelerating the drying of the jig is provided, the heater for completely transporting the object to be processed is completely dried by the heater, and the electrical reliability of the object to be gripped by the object-to-be-processed object jig may be impaired. It is possible to provide a cleaning device that does not have the above.

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の洗浄装置の一実施例の全体を示す斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an entire embodiment of a cleaning apparatus of the present invention.

【図2】図1に示す洗浄装置のローダ側のチャック洗浄
・乾燥装置の左右方向の断面を示す断面図である。
2 is a cross-sectional view showing a cross section in the left-right direction of a chuck cleaning / drying device on the loader side of the cleaning device shown in FIG.

【図3】図1に示す洗浄装置のローダ側のチャック洗浄
・乾燥装置の前後方向の断面を示す断面図である。
3 is a cross-sectional view showing a cross section in the front-rear direction of a chuck cleaning / drying device on the loader side of the cleaning device shown in FIG.

【図4】図1に示すチャック洗浄・乾燥装置内でのウエ
ハチャックと液体噴射手段の液体供給管との関係を示す
斜視図である。
4 is a perspective view showing a relationship between a wafer chuck and a liquid supply pipe of a liquid ejecting means in the chuck cleaning / drying device shown in FIG.

【図5】図1に示すチャック洗浄・乾燥装置の気体噴射
手段の気体供給管及びその気体噴射孔の要部を示す部分
断面図である。
5 is a partial cross-sectional view showing a gas supply pipe of a gas injection unit of the chuck cleaning / drying apparatus shown in FIG. 1 and a main part of a gas injection hole thereof.

【図6】図1に示す洗浄装置のアンローダ側のチャック
洗浄・乾燥装置を示す左右方向の断面図である。
6 is a left-right cross-sectional view showing a chuck cleaning / drying device on the unloader side of the cleaning device shown in FIG.

【図7】本発明の洗浄装置の他の実施例の要部である気
体噴射手段の気体供給管及びその気体噴射孔の要部を示
す部分断面図である。
FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing a gas supply pipe of a gas injecting means, which is an essential part of another embodiment of the cleaning apparatus of the present invention, and an essential part of a gas injection hole thereof.

【符号の説明】 10 洗浄装置 41A ウエハチャック(被処理体搬送用治具) 41B 把持棒(把持部) 41C 支持棒(支持部) 42 チャック洗浄・乾燥装置 43 薬液処理槽(洗浄処理槽) 47 チャック洗浄・乾燥装置 423 液体噴射手段 423A 液体供給管 423B 液体噴射ノズル(液体噴射孔) 424 気体噴射手段 424A 気体供給管 424B 気体供給管 424C 気体噴射孔 424C' 気体噴射スリット 475 赤外線ヒータ(ヒータ)[Explanation of Codes] 10 Cleaning Device 41A Wafer Chuck (Jig for Transporting Processed Object) 41B Gripping Rod (Gripping Part) 41C Support Rod (Supporting Part) 42 Chuck Cleaning / Drying Device 43 Chemical Treatment Tank (Cleaning Treatment Tank) 47 Chuck cleaning / drying device 423 Liquid ejecting means 423A Liquid supply pipe 423B Liquid ejecting nozzle (liquid ejecting hole) 424 Gas ejecting means 424A Gas supply pipe 424B Gas supplying pipe 424C Gas ejecting hole 424C ′ Gas ejecting slit 475 Infrared heater (heater)

【手続補正3】[Procedure 3]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】全図[Correction target item name] All drawings

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図1】 [Figure 1]

【図2】 [Fig. 2]

【図3】 [Figure 3]

【図4】 [Figure 4]

【図5】 [Figure 5]

【図6】 [Figure 6]

【図7】 [Figure 7]

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の処理液を貯留した洗浄処理槽内に
配設された被処理体保持具との間で洗浄前後の複数の被
処理体を授受する被処理体搬送用治具と、この被処理体
搬送用治具を内部で洗浄、乾燥する洗浄・乾燥処理槽と
を備え、上記被処理体搬送用治具は上記複数の被処理体
を把持する左右の把持部及びそれぞれを水平に支持する
支持部を有し、また、上記洗浄・乾燥処理槽は洗浄用液
体を噴射する液体噴射手段及び乾燥用気体を噴射する気
体噴射手段を有する洗浄装置において、上記液体噴射手
段は、上記左右の把持部の略中間でその前後方向全長に
亘って配設された液体供給管と、この液体供給管の左右
に上記各把持部に対向させてそれぞれ複数ずつ配設され
た液体噴射孔とを有することを特徴とする洗浄装置。
1. A jig for transferring an object to be processed, which transfers a plurality of objects to be processed before and after cleaning to and from an object holder to be processed arranged in a cleaning tank in which a predetermined processing liquid is stored. The cleaning / drying processing tank is provided for cleaning and drying the jig for transferring the object to be processed, and the jig for transferring the object is a left and right gripping part for gripping the plurality of objects to be processed and each of them is horizontal. In the cleaning apparatus, the cleaning / drying treatment tank has a liquid ejecting unit for ejecting a cleaning liquid and a gas ejecting unit for ejecting a drying gas. A liquid supply pipe disposed substantially in the middle of the left and right grips over the entire length in the front-rear direction, and a plurality of liquid ejection holes disposed on the left and right of the liquid supply pipe so as to face the grips. A cleaning device comprising:
【請求項2】 所定の処理液を貯留した洗浄処理槽内に
配設された被処理体保持具との間で洗浄前後の複数の被
処理体を授受する被処理体搬送用治具と、この被処理体
搬送用治具を内部で洗浄、乾燥する洗浄・乾燥処理槽と
を備え、上記被処理体搬送用治具は上記複数の被処理体
を把持する左右の把持部及びそれぞれを水平に支持する
支持部を有し、また、上記洗浄・乾燥処理槽は洗浄用液
体を噴射する液体噴射手段及び乾燥用気体を噴射する気
体噴射手段を有する洗浄装置において、上記気体噴射手
段は、上記各支持部の左右両側にその下端から基部に亘
ってそれぞれ立設された二対の気体供給管と、各気体供
給管の略全長に亘って所定間隔で複数ずつ配設された気
体噴射孔と、これらの気体噴射孔を有する上記各気体供
給管を上記各把持部に沿って一体的に往復移動させる駆
動手段とを有することを特徴とする洗浄装置。
2. An object-to-be-processed jig for transferring a plurality of objects to be processed before and after cleaning to and from the object-to-be-processed holder arranged in a cleaning processing tank that stores a predetermined processing liquid, The cleaning / drying processing tank is provided for cleaning and drying the jig for transferring the object to be processed, and the jig for transferring the object is a left and right gripping part for gripping the plurality of objects to be processed and each of them is horizontal. In the cleaning apparatus, the cleaning / drying treatment tank has a liquid ejecting unit for ejecting a cleaning liquid and a gas ejecting unit for ejecting a drying gas. Two pairs of gas supply pipes, which are respectively erected from the lower end to the base portion on the left and right sides of each support portion, and a plurality of gas injection holes arranged at a predetermined interval over substantially the entire length of each gas supply pipe. , Each of the gas supply pipes having these gas injection holes and each of the gripping parts And a drive means for integrally reciprocating along the cleaning device.
【請求項3】 上記各液体噴射孔を、上記被処理体搬送
用治具に対して上記洗浄用液体を斜め下方に向けて噴射
するように設けたことを特徴とする請求項1または請求
項2に記載の洗浄装置。
3. The liquid ejecting hole is provided so as to eject the cleaning liquid obliquely downward to the jig for conveying the object to be treated. The cleaning device according to 2.
【請求項4】 上記気体噴射孔を、上記被処理体搬送用
治具に対して上記乾燥用気体を斜め下方に向けて噴射す
るように設けたことを特徴とする請求項1ないし請求項
3のいずれか一つに記載の洗浄装置。
4. The gas injecting hole is provided so as to inject the drying gas obliquely downward to the jig for conveying the object to be processed. The cleaning device according to any one of 1.
【請求項5】 上記複数の気体噴射孔のうち、上記把持
部に対向する上記複数の気体噴射孔の全開口面積を大き
く形成すると共に、上記把持部以外の部位に対向する残
りの上記気体噴射孔の全開口面積を小さく形成したこと
を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一つに
記載の洗浄装置。
5. The remaining gas jets, which have a large total opening area of the plurality of gas jet holes facing the grip portion among the plurality of gas jet holes, and which face the portions other than the grip portion. The cleaning device according to any one of claims 1 to 4, wherein the total opening area of the holes is small.
【請求項6】 上記洗浄・乾燥処理槽内に上記被処理体
搬送用治具の乾燥を促進するヒータを設けたことを特徴
とする請求項1ないし請求項5のいずれか一つに記載の
洗浄装置。
6. The heater according to claim 1, wherein a heater for promoting the drying of the jig for conveying the object to be processed is provided in the cleaning / drying processing tank. Cleaning device.
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