KR20210047140A - 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (A) 인산, (B) 화학식 1로 표시되는 실란 화합물 및 (C) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다.

Description

식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 {AN ETCHANT COMPOSITION AND A PATTERN FORMATION METHOD USING THE SAME}
본 발명은 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
액정 표시(liquid crystal display: LCD) 장치 또는 유기 발광 다이오드(organic light emitting display: OLED) 표시 장치 등과 같은 화상 표시 장치의 백-플레인 기판에는 박막 트랜지스터(thin film transistor: TFT) 및 각종 화소 회로가 배열되며, 도전성 구조물들을 절연시키는 층간 절연막, 게이트 절연막, 비아 절연막 등과 같은 절연막들이 형성된다. 또한, 메모리 소자와 같은 반도체 장치에서도, 예를 들면, 실리콘 혹은 게르마늄 기판 상에 소자 분리막, 층간 절연막, 게이트 절연막 등과 같은 절연막들이 형성되는데, 상기 절연막들은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함하도록 증착되어 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 함께 포함할 수 있다.
상기 절연막을 식각하여 절연 패턴을 형성하는 경우, 특정 막에 대한 선택적 식각이 요구될 수 있으며, 구체적으로는, 산화막 및 질화막을 포함하는 막 또는 산화막 및 질화막을 포함하는 구조에서 질화막을 선택적으로 제거하는 공정(Wet removal of nitride)을 통해 상기 절연 패턴이 제조될 수 있다. 이 때, 산화막에는 손상을 주지 않으면서 질화막을 완전히 제거하는 것을, 질화막 제거 공정(Wet removal of nitride)의 핵심 기술로 볼 수 있다.
일반적으로 질화막 제거 공정에 사용되는 식각액 조성물은, 산화막에는 손상을 주지 않으면서 질화막을 완전히 제거하는 효과를 얻기 위해, 방식 능력을 갖는 첨가제를 이용한다.
대한민국 등록특허 제10-1097277호는 실란 화합물을 포함하는 식각액 조성물에 관한 발명으로, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막에 대해 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하는 기술을 개시하고 있으나, 실리콘 산화막에 대한 방식력이 부족하여, 실리콘 산화막의 식각 속도가 감소됨에 따라 식각 선택비가 저하된다는 문제를 해결하고 있지 못한 실정이다.
대한민국 등록특허 제10-1097277호
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로, 산화막 및 질화막을 포함하는 막 또는 산화막 및 질화막을 포함하는 구조에서 질화막에 대한 식각 선택비 조절이 용이하여 질화막을 선택적으로 식각할 수 있는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 (A) 인산, (B) 화학식 1로 표시되는 실란 화합물 및 (C) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물을 제공한다.
또한 본 발명은 기판 상에 산화막 및 질화막을 형성하는 단계; 및 본 발명에 따른 식각액 조성물을 사용하여 상기 산화막 및 질화막을 선택적으로 식각하는 단계;를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은 산화막 및 질화막을 포함하는 막 또는 산화막 및 질화막을 포함하는 구조에서 질화막에 대한 식각 선택비 조절이 용이하여 질화막을 선택적으로 식각하는 효과를 제공한다.
본 발명은, (A) 인산, (B) 화학식 1로 표시되는 실란 화합물 및 (C) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 산화막 및 질화막을 포함하는 막 또는 산화막 및 질화막을 포함하는 구조에서, 상기 질화막을 선택적으로 식각 할 수 있으며, 더 나아가 원하는 식각 선택비로의 조절이 용이한 것을 특징으로 한다.
구체적인 예를 들어, 상기 산화막은 실리콘 산화막 일 수 있으며, 바람직하게는 SiO2을 포함하고, 상기 질화막은 실리콘 질화막 일 수 있으며, 바람직하게는 SiN을 포함할 수 있다.
본 발명에서, 산화막 및 질화막을 포함하는 막 또는 산화막 및 질화막을 포함하는 구조 중 상기 질화막을 선택적으로 식각한다는 것은, 상기 산화막에 대해서는 방식력을 가져 식각을 억제하나, 상기 질화막에 대해서는 우수한 식각력을 가져 상기 막 또는 상기 구조 중 상기 질화막에 대한 높은 식각 선택비를 나타내는 것을 의미함으로 해석될 수 있다.
구체적으로, 상기 질화막에 대한 높은 식각 선택비를 나타내는 것은, 상기 산화막에 대해서는 방식 효과를 나타내며 상기 질화막에 대해서는 식각 효과를 나타내는 것으로, 동일한 조건(예를 들어, 150℃ 이상의 온도에서 식각액 조성물에 침지할 시)에서 상기 산화막과 상기 질화막을 식각할 때, 상기 산화막은 0.08Å/min 이하, 바람직하게는 0.05Å/min 이하의 식각 속도로 식각하되, 상기 질화막은 132Å/min 이상, 바람직하게는 140Å/min 이상의 식각 속도로 식각하는 것으로 해석될 수 있다. 이에 근거하여 계산된 상기 식각 선택비(실리콘 질화막 식각 속도/실리콘 산화막 식각 속도)는 800 이상인 것이 바람직하며, 1600 이상인 것이 더욱 바람직하고, 2800 이상인 것이 가장 바람직하며, 식각 선택비는 높을수록, 다시 말하면, 상기 산화막의 식각 속도가 0Å/min에 가까워질수록 바람직한 것으로 판단한다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 상기 질화막 제거 공정 중 발생하는, 부반응 산화물의 잔류 및 산화막 손상 불량 문제를 최소화시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 식각액 조성물은 상기 실란 화합물을 포함하여, 물에 대한 용해도가 높고, 이에 따라 식각 후 린스 공정에서 입자 생성 및 잔류 문제가 발생하지 않는다는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 식각액 조성물은 처리매수 증가에도 식각 성능이 유지되어 조성물의 수명을 증가시킬 수 있다.
< 식각액 조성물 >
본 발명의 식각액 조성물은, (A) 인산 및 (B) 실란 화합물을 포함하며, 용제로써 (C) 물을 포함할 수 있다.
(A) 인산
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 인산(phosphoric acid)은 질화막 식각을 위한 주 식각 성분으로서, 산화막 및 질화막을 포함하는 막 또는 산화막 및 질화막을 포함하는 구조에서 질화막을 식각시킬 수 있으며, 또한, 후술되는 실란 화합물이 상기 막 또는 상기 구조가 포함하는 상기 산화막의 식각을 방지하여, 상기 질화막 선택적으로 식각되도록 할 수 있다.
상기 인산의 함량은 조성물 총 중량에 대하여, 60 내지 95 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 80 내지 90 중량%가 더욱 바람직하다. 상기 인산이 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우, 적정 수준의 식각 속도를 제공할 수 있으며, 또한 산화막 및 질화막을 포함하는 막 또는 산화막 및 질화막을 포함하는 구조에서 질화막에 대해 적정 수준의 식각 선택비를 제공할 수 있다.
(B) 화학식 1로 표시되는 실란 화합물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물은 방식제로서, 산화막 및 질화막을 포함하는 막 또는 산화막 및 질화막을 포함하는 구조에서 산화막이 상기 인산에 의해 식각되는 것을 방지하는 데 사용될 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 직접 연결 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬렌기이고,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 치환 또는 비치환된 알킬기, 수소 원자 또는 하기 화학식 2로 표시되는 수용성 알킬기이고,
R5 및 R6은 각각 독립적으로 하이드록시기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기, 아세톡시기, 인산(PO4H2)기, 불소 원자를 제외한 할로겐 원자, 아민기 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 알킬아미노기이고,
n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
R5 및 R6 중 어느 하나 이상이 아민기를 가지는 경우, 상기 아민기를 중심으로 상기 화학식 1의 구조가 2개 이상 반복될 수 있고,
R3 내지 R6 중 적어도 하나 이상은 하이드록시기, 알콕시기, 불소 원자를 제외한 할로겐 원자, 인산(PO4H2)기 또는 아세톡시기를 포함한다.
[화학식 2]
Figure pat00002
화학식 2에 있어서,
R7은 아민기, 요소(urea)기, 탄소수 1 내지 3의 아미노알킬기 또는 하이드록시기이고,
p는 0 내지 5의 정수이다.
[화학식 3]
Figure pat00003
화학식 3에 있어서,
q는 0 내지 5의 정수이다.
바람직하게는, 상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 직접 연결 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬렌기이고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 또는 2의 치환 또는 비치환된 알킬기, 수소 원자 또는 상기 화학식 2로 표시되는 수용성 알킬기이고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 하이드록시기, 탄소수 1 또는 2의 알콕시기, 아세톡시기, 인산(PO4H2)기, 불소 원자를 제외한 할로겐 원자, 아민기 또는 상기 화학식 3으로 표시되는 알킬아미노기이고, n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, R5 및 R6 중 어느 하나 이상이 아민기를 가지는 경우, 상기 아민기를 중심으로 상기 화학식 1의 구조가 2개 이상 반복될 수 있고, R3 내지 R6 중 적어도 하나 이상은 하이드록시기, 알콕시기, 불소 원자를 제외한 할로겐 원자, 인산(PO4H2)기 또는 아세톡시기를 포함한다.
상기 화학식 1에서, R5 및 R6 중 어느 하나 이상이 아민기를 가지는 경우, 상기 아민기를 중심으로 상기 화학식 1의 구조가 2개 이상 반복될 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물은 식각액 조성물 내에서 상기 아민기를 중심으로 2 개의 상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물을 생성할 수 있다. 구체적인 예를 들어, 상기 아민기를 중심으로 상기 화학식 1의 구조가 고리 형태로 반복되는 경우, 상기 화학식 1의 구조는 2개 또는 3개가 반복될 수 있으며, 다른 예를 들어, 상기 아민기를 중심으로 상기 화학식 1의 구조가 사슬 형태로 반복되는 경우, 상기 화학식 1의 구조의 개수는 제한되지 않으나, 바람직하게는 2개 이상 6개 이하가 반복될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물은 말단에 적어도 하나 이상의 하이드록시기, 알콕시기, 불소 원자를 제외한 할로겐 원자, 인산(PO4H2)기 또는 아세톡시기를 포함하는 것이 바람직하며, 하이드록시기, 알콕시기, 또는 아세톡시기를 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물의 말단에 포함되는 알콕시기, 불소 원자를 제외한 할로겐 원자, 인산기 및 아세톡시기는 식각액 조성물 내에서 수분과 반응하여 하이드록시기를 생성할 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물 말단에 위치하는 하이드록시기는, 산화막 및 질화막을 포함하는 막 또는 산화막 및 질화막을 포함하는 구조에서 산화막이 상기 인산에 의해 식각되는 것이 방지할 수 있다.
일 실시예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물은 하기 화학식 2 내지 8로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 바람직하게는 하기 화학식 1-1 내지 1-9로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있고, 더욱 바람직하게는 하기 화학식 1-1 내지 1-8로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있고, 가장 바람직하게는 하기 화학식 1-1 내지 1-6으로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure pat00004
[화학식 1-2]
Figure pat00005
[화학식 1-3]
Figure pat00006
[화학식 1-4]
Figure pat00007
[화학식 1-5]
Figure pat00008
[화학식 1-6]
Figure pat00009
[화학식 1-7]
Figure pat00010
[화학식 1-8]
Figure pat00011
[화학식 1-9]
Figure pat00012
상기 실란 화합물의 함량은 조성물 총 중량에 대하여, 상기 실란 화합물이 포함하는 실리콘 원소의 총 중량이 0.001 내지 0.1 중량%가 되도록 포함되는 것이 바람직하며, 0.0005 내지 0.01 중량%가 더욱 바람직하다. 상기 실란 화합물이 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우, 산화막 및 질화막을 포함하는 막 또는 산화막 및 질화막을 포함하는 구조에서 질화막에 대한 식각 선택비의 조절이 가능하여, 상기 질화막을 선택적으로 식각 할 수 있다.
그러나 상기 실란 화합물이 상기 함량 범위 미만으로 포함되는 경우, 상기 산화막에 대한 방식력이 부족하여 상기 산화막에 대한 식각 억제 효과가 저하될 수 있으며, 상기 함량 범위 초과로 포함되는 경우, 상기 질화막에 대해서도 방식 효과를 나타내어 적정 수준의 식각 속도가 제공되지 않으며, 이에 상기 막 또는 상기 구조에서 상기 질화막에 대한 적정 수준의 식각 선택비가 제공되지 않을 수 있다.
(C) 물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 반도체 공정용 탈이온수일 수 있으며, 바람직하게는 18㏁/㎝ 이상의 상기 탈이온수를 사용할 수 있다.
본 발명에서 물은 잔량으로 포함될 수 있으며, 상기 잔량은, 본 발명의 필수 성분 및 그 외 다른 성분들을 더 포함한 총 조성물의 중량이 100 중량%가 되도록 하는 잔량을 의미한다.
구체적으로, 본 발명은 조성물의 총 중량 대비 4 내지 30 중량%로 포함될 수 있다.
< 패턴 형성 방법 >
또한, 본 발명은, 본 발명에 따른 식각액 조성물을 이용하는 패턴 형성 방법을 제공한다. 본 발명의 패턴 형성 방법은, 본 발명에 따른 식각액 조성물을 사용하는 점을 제외하고는, 공지의 패턴 형성 방법에 따라 패턴을 형성 할 수 있다.
일 예로, 상기 패턴 형성 방법은, 기판 상에 산화막 및 질화막을 형성하는 단계; 및 본 발명에 따른 식각액 조성물을 사용하여 상기 질화막을 선택적으로 식각하는 단계;를 포함한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
실시예 및 비교예에 따른 식각액 조성물의 제조
하기 표 1을 참조하여, 실시예 및 비교예에 따른 식각액 조성물을 제조하였다.
(함량: 중량%)
구분 실란 화합물 인산 85%
수용액
종류 Si 함량
실시예 1 A-1 0.0005 잔량
실시예 2 A-1 0.001
실시예 3 A-1 0.01
실시예 4 A-2 0.01
실시예 5 A-3 0.01
실시예 6 A-4 0.01
실시예 7 A-5 0.01
실시예 8 A-6 0.01
실시예 9 A-7 0.01
실시예 10 A-8 0.01
실시예 11 A-9 0.01
비교예 1 B-1 0.01
비교예 2 B-1 0.015
비교예 3 B-2 0.01
비교예 4 B-2 0.1
비교예 5 B-3 0.01
비교예 6 B-3 0.1
비교예 7 B-4 0.01
비교예 8 B-4 0.015
비교예 9 B-5 0.01
A-1:
Figure pat00013
A-2:
Figure pat00014
A-3:
Figure pat00015
A-4:
Figure pat00016
A-5:
Figure pat00017
A-6:
Figure pat00018
A-7:
Figure pat00019
A-8:
Figure pat00020
A-9:
Figure pat00021
B-1:
Figure pat00022
B-2:
Figure pat00023
B-3:
Figure pat00024
B-4:
Figure pat00025
B-5:
Figure pat00026
시험예
실시예 및 비교예에 따른 식각액 조성물에 대해, 성능 평가를 다음과 같이 실시하였다.
평가 1 : 실리콘 산화막(SiO 2 )에 대한 방식력 측정
실리콘 산화막 기판(1.5cm x 1.5cm)의 두께를 엘립소미터(Ellipsometer)로 측정하여, 두께가 200Å인 것을 확인하였다. 실시예 및 비교예에 따른 식각액 조성물에 상기 실리콘 산화막 기판을 160℃에서 100분 동안 침지하여, 침지 전과 후 기판의 식각량(기판의 두께 감소량)을 비교하고, 실리콘 산화막에 대한 방식력을 아래의 평가 기준으로 평가하여, 하기 표 2에 나타내었다.
<평가 기준>
◎: 4Å 이하
○: 4Å 초과 8Å 이하
△: 8Å 초과 16Å 이하
Ｘ: 16Å 초과
평가 2 : 실리콘 질화막(SiN)의 식각 속도 측정
실리콘 질화막 기판(1.5cm x 1.5cm)의 두께를 엘립소미터(Ellipsometer)로 측정하여, 두께가 5000Å인 것을 확인하였다. 실시예 및 비교예에 따른 식각액 조성물에 상기 실리콘 질화막 기판을 160℃에서 30분 동안 침지하여, 인산 85% 수용액에 상기 실리콘 질화막 기판을 160℃에서 30분 동안 침지하였을 때의 식각 속도(156Å/min) 대비, 식각 속도 감소 수준(%)을 계산하고, 아래의 평가 기준으로 평가하여, 하기 표 2에 나타내었다.
<평가 기준>
◎: 0% 이상 10% 미만 (식각 속도 140.4 Å/min 이상) 감소
○: 10% 이상 15% 미만 (식각 속도 132.6 Å/min 이상 140.4 Å/min 미만) 감소
△: 15% 이상 20% 미만 (식각 속도 124.8 Å/min 이상 132.6 Å/min 미만) 감소
Ｘ: 20% 이상 (식각 속도 124.8 Å/min 미만) 감소
평가 3 : 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막의 식각 선택비 측정
평가 1의 결과로부터 실리콘 산화막의 식각 속도를 산출(계산식: 식각량/100min)하고, 평가 2의 결과에서 식각 속도 측정치를 이용하여, 아래와 같은 계산식으로 선택비를 산출한 뒤, 하기 표 2에 나타내었다.
선택비 = 실리콘 질화막 식각 속도(Å/min) / 실리콘 산화막 식각 속도(Å/min)
◎: 선택비 2800 이상
○: 선택비 1600 이상
△: 선택비 800 이상
Ｘ: 선택비 800 미만
평가 4 : 식각액 조성물의 경시안정성 평가
실시예 및 비교예에 따른 식각액 조성물은 실란 혼합물의 자기반응으로 인하여 현탁 혹은 표면 입자가 생성될 수 있다. 식각액 조성물을 40℃에서 30일간 보관한 뒤 육안으로 조성물 및 조성물 표면을 관찰하여 경시판단을 하기 표 2에 기재하였다.
○: 현탁 또는 입자가 생성됨
Ｘ: 현탁 또는 입자가 생성되지 않음
평가 1 평가 2 평가 3 평가 4
SiO2 식각량 (Å) SiO2 방식력 SiN 식각속도 (Å/min) SiN 식각속도 감소 수준 SiN/SiO2 선택비 경시안정성
실시예 1 5.9 ○ 150.0 ◎ ○ ○
실시예 2 3.2 ◎ 144.1 ◎ ◎ ○
실시예 3 1.1 ◎ 136.9 ○ ◎ ○
실시예 4 1.5 ◎ 137.2 ○ ◎ ○
실시예 5 1.7 ◎ 135.0 ○ ◎ ○
실시예 6 1.0 ◎ 133.9 ○ ◎ ○
실시예 7 2.5 ◎ 134.1 ○ ◎ ○
실시예 8 3.5 ◎ 132.7 ○ ◎ ○
실시예 9 1.2 ◎ 137.0 ○ ◎ ○
실시예 10 1.1 ◎ 136.8 ○ ◎ ○
실시예 11 5.8 ○ 133.5 ○ ○ ○
비교예 1 8.2 △ 128.7 △ △ X
비교예 2 4.6 ○ 121.8 X ○ X
비교예 3 51.4 X 133.1 ○ X ○
비교예 4 7.6 ○ 120.4 X △ ○
비교예 5 44.2 X 135.4 ○ X ○
비교예 6 7.5 ○ 119.2 X △ ○
비교예 7 8.6 △ 128.3 △ △ X
비교예 8 4.4 ○ 123.1 X ○ X
비교예 9 2.1 ◎ 128.4 △ ◎ X
상기 표 2를 참조하면, 실시예에 따른 식각액 조성물을 사용하는 경우, SiO2 방식력과 SiN 식각속도가 우수하여, 식각 선택비 조절이 용이함을 알 수 있다.
반면, 비교예에 따른 식각액 조성물을 사용하는 경우, SiO2 방식력 및/또는 SiN 식각속도가 떨어지며, 식각 선택비가 좋지 않은 것을 알 수 있다.

Claims (8)

  1. (A) 인산, (B) 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물 및 (C) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
    [화학식 1]
    Figure pat00027

    (상기 화학식 1에서,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 직접 연결 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬렌기이고,
    R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 치환 또는 비치환된 알킬기, 수소 원자 또는 하기 화학식 2로 표시되는 수용성 알킬기이고,
    R5 및 R6은 각각 독립적으로 하이드록시기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기, 아세톡시기, 인산(PO4H2)기, 불소 원자를 제외한 할로겐 원자, 아민기 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 알킬아미노기이고,
    n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며,
    R5 및 R6 중 어느 하나 이상이 아민기를 가지는 경우, 상기 아민기를 중심으로 상기 화학식 1의 구조가 2개 이상 반복될 수 있고,
    R3 내지 R6 중 적어도 하나 이상은 하이드록시기, 알콕시기, 불소 원자를 제외한 할로겐 원자, 인산(PO4H2)기 또는 아세톡시기를 포함한다.)
    [화학식 2]
    Figure pat00028

    (화학식 2에 있어서,
    R7은 아민기, 요소(urea)기, 탄소수 1 내지 3의 아미노알킬기 또는 하이드록시기이고,
    p는 0 내지 5의 정수이다.)
    [화학식 3]
    Figure pat00029

    (화학식 3에 있어서,
    q는 0 내지 5의 정수이다.)
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 직접 연결 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬렌기이고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 또는 2의 치환 또는 비치환된 알킬기, 수소 원자 또는 상기 화학식 2로 표시되는 수용성 알킬기이고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 하이드록시기, 탄소수 1 또는 2의 알콕시기, 아세톡시기, 인산(PO4H2)기, 불소 원자를 제외한 할로겐 원자, 아민기 또는 상기 화학식 3으로 표시되는 알킬아미노기이고, n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, R5 및 R6 중 어느 하나 이상이 아민기를 가지는 경우, 상기 아민기를 중심으로 상기 화학식 1의 구조가 2개 이상 반복될 수 있고, R3 내지 R6 중 적어도 하나 이상은 하이드록시기, 알콕시기, 불소 원자를 제외한 할로겐 원자, 인산(PO4H2)기 또는 아세톡시기를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-9로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물:
    [화학식 1-1]
    Figure pat00030

    [화학식 1-2]
    Figure pat00031

    [화학식 1-3]
    Figure pat00032

    [화학식 1-4]
    Figure pat00033

    [화학식 1-5]
    Figure pat00034

    [화학식 1-6]
    Figure pat00035

    [화학식 1-7]
    Figure pat00036

    [화학식 1-8]
    Figure pat00037

    [화학식 1-9]
    Figure pat00038

  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 식각액 조성물은 산화막 및 질화막을 포함하는 막 또는 산화막 및 질화막을 포함하는 구조에서, 상기 질화막을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 산화막은 SiO2을 포함하고,
    상기 질화막은 SiN을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    조성물 총 중량에 대하여,
    상기 인산은 60 내지 95 중량%로 포함하며;
    상기 실란 화합물은, 상기 실란 화합물이 포함하는 실리콘 원소의 총 중량이 0.001 내지 0.1 중량%가 되도록 포함하며; 및
    상기 물은 잔량으로 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
  7. 기판 상에 산화막 및 질화막을 형성하는 단계; 및
    청구항 1 내지 6 중 어느 한 항의 식각액 조성물을 사용하여 상기 질화막을 선택적으로 식각하는 단계;를 포함하는 패턴 형성 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 산화막은 SiO2을 포함하고,
    상기 질화막은 SiN을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
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