KR20210043808A - 반도체 자재 몰딩 시스템 - Google Patents

반도체 자재 몰딩 시스템 Download PDF

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KR20210043808A KR1020190126584A KR20190126584A KR20210043808A KR 20210043808 A KR20210043808 A KR 20210043808A KR 1020190126584 A KR1020190126584 A KR 1020190126584A KR 20190126584 A KR20190126584 A KR 20190126584A KR 20210043808 A KR20210043808 A KR 20210043808A
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Abstract

본 발명은 반도체 자재 몰딩 공정을 위한 예열 과정에서 온도 변화에 민감한 반도체 자재의 급격한 온도 변화에 따른 손상 또는 변형을 방지 또는 최소화할 수 있는 반도체 자재 몰딩 시스템에 관한 것이다.

Description

반도체 자재 몰딩 시스템{SEMICONDUCTOR DEVICE MOLDING SYSTEM}
본 발명은 반도체 자재 몰딩 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 반도체 자재 몰딩 공정을 위한 예열 과정에서 온도 변화에 민감한 반도체 자재의 급격한 온도 변화에 따른 손상 또는 변형을 방지할 수 있도록 반도체 자재의 예열온도를 제어할 수 있는 반도체 자재 몰딩 시스템에 관한 것이다.
반도체 자재는, 리드프레임이나 인쇄회로기판 등의 부재 표면에 반도체칩 등의 반도체 소자를 본딩하고, 리드프레임의 리드나 인쇄회로기판의 패드를 상기 반도체칩과 전기적으로 연결시켜 반도체 자재를 구성한 후, 반도체 자재의 반도체 소자 영역 등을 수지재질의 고온 고압에서 용융된 몰딩재로 덮어 밀봉하는 몰딩공정을 통해 완성된다.
이러한 몰딩공정은 몰딩대상 반도체 자재와 몰딩재가 지속적으로 공급되며 자재 몰딩을 위한 금형 내에서 몰딩 공정이 수행된다. 고온 고압의 몰딩 공정시 반도체 자재와 몰딩재의 밀착도 향상 및 성형 품질 향상을 위해 금형에 반도체 자재와 몰딩재를 공급한 후 소정시간 동안 금형에서 반도체 자재와 몰딩재를 예열한 후 몰딩 공정을 수행하게 된다.
이때, 금형에서 반도체 자재와 몰딩재를 소정시간 예열하는 동안 몰딩을 수행할 수 없어 대기해야 하므로 몰딩시간이 길어지는 문제가 있다.
따라서, 몰딩시간 단축을 위해 반도체 자재를 금형에 공급하기 전에 반도체 자재를 미리 소정 온도로 예열하는 예열 공정이 수행될 수 있다.
그러나 최근들어 온도 변화에 민감한 반도체 소자 등이 개발되었고, 이러한 온도 변화에 민감한 반도체 자재의 경우 예열 공정에서 급격한 온도 변화시 반도체 소자 등의 특성 변화 또는 손상을 초래하므로 예열 공정에서 적극적으로 온도 변화율(시간당 온도 상승률)을 제어할 필요가 있다. 따라서, 온도 변화에 민감한 반도체 자재의 몰딩시에 급격한 온도 변화를 방지하기 위하여 반도체 자재가 예열 온도까지 도달할 때까지 시간당 온도 상승률을 제어하면서 예열 공정을 수행하는 것이 필요하다.
또한, 반도체 자재의 시간당 온도 상승율을 제어하면서 예열 공정이 수행되는 경우 공정 지연 요소가 될 수 있으므로, 급격한 온도 변화를 방지하도록 시간당 온도 상승량을 제어하면서 반도체 자재의 예열 공정이 수행되면서도 반도체 자재들이 반도체 몰딩 공정으로 원활하게 공급될 필요가 크다.
본 발명은 반도체 자재 몰딩 공정을 위한 예열 과정에서 온도 변화에 민감한 반도체 자재의 급격한 온도 변화에 따른 손상 또는 변형을 방지 또는 최소화할 수 있는 반도체 자재 몰딩 시스템을 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
또한, 본 발명은 반도체 자재의 시간당 온도 상승율을 제어하면서 예열 공정을 수행함과 동시에 예열 공정시 지연을 방지하고, 신속하게 몰딩 공정으로 예열된 반도체 자재를 공급하여 생산성 저하를 개선할 수 있는 반도체 자재 몰딩 시스템을 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 몰딩대상 반도체 자재가 적층된 매거진으로부터 순차적으로 각각의 반도체 자재를 공급하는 자재 공급부; 상기 자재 공급부에서 공급된 상기 반도체 자재가 거치되며, 상기 반도체 자재를 기설정된 제1 온도까지 예열하는 하나 이상의 자재 예열부; 상기 자재 예열부에서 상기 제1 온도로 예열된 반도체 자재가 거치되며, 상기 반도체 자재를 상기 제1 온도보다 높은 기설정된 제2 온도까지 미리 결정된 시간당 온도 상승률로 히팅하는 하나 이상의 자재 히팅부; 상기 자재 공급부에서 공급되는 반도체 자재를 상기 자재 예열부에 전달하거나, 상기 자재 예열부에서 예열된 반도체 자재를 상기 자재 히팅부에 전달하는 자재 공급픽커; 상기 반도체 자재의 몰딩을 위하여 몰딩재를 공급하는 몰딩재 공급부; 및 상기 자재 히팅부에서 상기 제2 온도로 히팅된 한 쌍의 반도체 자재를 상기 몰딩재 공급부에서 공급된 몰딩재로 몰딩하는 자재 몰딩부;를 포함하는 반도체 자재 몰딩시스템을 제공할 수 있다.
또한, 상기 자재 예열부, 상기 자재 히팅부 및 상기 자재 몰딩부는, 각각 한 쌍의 반도체 자재가 거치되는 안착부를 상부에 구비하며, 상기 자재 공급픽커는 상기 반도체 자재를 각각 픽업하는 한 쌍의 픽업부를 구비할 수 있다.
그리고, 상기 자재 히팅부는, 상기 자재 예열부로부터 예열된 반도체 자재를 상부에 거치한 상태에서 Y축 방향으로 이동 가능하게 구비되는 히팅 테이블; 상기 히팅 테이블의 Y축 방향 이동 경로의 상부에 장착되어, 하방으로 복사열을 제공하며, 승하강 가능하게 구비되는 발열수단; 및 상기 히팅 테이블의 상부에서 히팅되는 반도체 자재의 온도를 측정하는 온도센서를 구비할 수 있다.
여기서, 상기 발열수단은 상기 히팅 테이블에 거치된 반도체 자재의 시간당 온도 상승률을 일정하게 유지하도록 히팅 테이블의 상부에서 상기 온도센서에서 측정되는 상기 반도체 자재의 온도에 따라 승하강 높이를 제어할 수 있다.
또한, 상기 발열수단은, 상기 온도센서에 의해 측정된 상기 반도체 자재의 온도가 기설정된 시간당 온도 상승률 이하일 경우에 하강하여 상기 반도체 자재와의 이격거리를 좁히고, 상기 온도센서에 의해 측정된 상기 반도체 자재의 온도가 기설정된 시간당 온도 상승률을 초과할 경우에 상승하여 상기 반도체 자재와의 이격거리를 넓힐 수 있다.
이 경우, 상기 자재 예열부는 상기 반도체 자재의 특성 변화를 초래하지 않는 온도로 기설정된 제1 온도까지 상기 반도체 자재를 예열하고, 상기 자재 히팅부는 미리 결정된 시간당 온도 상승률로 일정하게 유지되어 기설정된 제2온도까지 상기 반도체 자재를 히팅할 수 있다.
또한, 상기 발열수단은 할로겐 히터이며, 하나 이상 구비될 수 있다.
그리고, 상기 자재 예열부 및 상기 자재 히팅부는 상기 반도체 자재를 소정 온도로 히팅하는 히터를 내부에 각각 구비하고, 상기 자재 히팅부의 히터 온도가 상기 자재 예열부의 히터 온도보다 높게 설정될 수 있다.
여기서, 상기 히터는 카트리지 히터 또는 열선일 수 있다.
또한, 상기 자재 공급픽커는 상기 자재 예열부 및 상기 자재 히팅부의 상부에 상기 반도체 자재가 전달되도록 X축 및 Y축 방향으로 이동 가능하고, 상기 자재 공급부에서 공급되는 상기 반도체 자재의 공급 방향 또는 상기 반도체 자재의 전달 방향에 따라 회전 가능하게 구비될 수 있다.
이 경우, 상기 반도체 자재는 상기 자재 공급부를 통해 지정된 자재 전달위치로 순차적으로 공급되며, 상기 자재 공급픽커는 상기 자재 예열부 및 상기 자재 히팅부의 상부에 한 쌍의 반도체 자재가 전달되도록 X축 및 Y축 방향으로 이동 가능하고, 상기 자재 전달위치로 공급되는 반도체 자재를 순차적으로 각각 픽업하는 한 쌍의 픽업부를 구비하며, 상기 자재 공급픽커의 한 쌍의 픽업부 중에서 하나의 픽업부가 상기 자재 전달위치에 공급되는 하나의 반도체 자재를 픽업하고, 상기 자재 공급픽커를 180° 회전한 상태에서 나머지 하나의 픽업부로 상기 자재 전달위치에 공급되는 다른 하나의 반도체 자재를 픽업하여, 한 쌍의 반도체 자재가 서로 대칭된 상태로 나란히 상기 자재 예열부 및 상기 자재 히팅부에 전달될 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템에 의하면, 본 발명은 반도체 자재 몰딩 공정을 위한 예열 과정에서 온도 변화에 민감한 반도체 자재의 시간당 온도 상승률을 제어한 상태로 예열할 수 있으므로 급격한 온도 변화에 따른 손상 또는 변형을 방지 또는 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템에 의하면, 반도체 자재의 예열 공정에 있어서 자재 예열부와 자재 히팅부로 예열 단계를 세분화하여 반도체 자재를 설정온도까지 올리는 시간을 단축하고, 자재 예열부와 자재 히팅부로 복수개의 반도체 자재를 공급할 수 있으므로 자재 예열 공정으로 원활하게 반도체 자재를 공급할 수 있는 효과가 있다.
또한, 반도체 자재 예열부에서 자재의 온도를 자재 특성에 영향을 주지 않는 온도까지 소정 시간 동안 미리 예열함으로써 자재가 설정온도에 도달하는데 소요되는 히팅 시간을 단축할 수 있으며, 히팅부에서 예열된 반도체 자재의 초당 상승되는 온도가 최대 온도 상승률을 초과하지 않도록 켈빈 제어함으로써 기설정된 온도로 안정적으로 히팅할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템에 의하면, 반도체 자재가 설정온도에 도달하는데 소요되는 히팅 시간을 단축함으로써, 프레스의 몰딩 대기 시간을 줄일 수 있고 이에 따라 반도체 자재 몰딩 시스템의 생산성 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템의 평면도를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템의 자재 예열부 및 자재 히팅부의 측면도를 도시한다.
도 3은 도 2에 도시된 자재 히팅부의 다른 방향 측면도를 도시한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)의 평면도를 도시한다.
본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)은 몰딩대상 반도체 자재가 적층된 매거진으로부터 순차적으로 각각의 반도체 자재를 공급하는 자재 공급부(100); 상기 자재 공급부(200)에서 공급된 몰딩대상 반도체 자재가 거치되며, 상기 반도체 자재를 기설정된 제1 온도(T1)까지 예열하는 적어도 하나의 자재 예열부(310); 상기 자재 예열부(310)에서 제1 온도까지 예열된 반도체 자재가 거치되며, 상기 반도체 자재를 상기 제1 온도(T1)보다 높은 기설정된 제2 온도(T2)까지 미리 결정된 시간당 온도 상승률(K/sec)로 히팅하는 적어도 하나의 자재 히팅부(320); 자재 공급부에서 공급되는 반도체 자재를 자재 예열부에 전달하거나, 자재 예열부에서 예열된 반도체 자재를 자재 히팅부에 전달하는 자재 공급픽커(170); 반도체 자재의 몰딩을 위하여 몰딩재를 공급하는 몰딩재 공급부(200); 및 상기 자재 히팅부(320)에서 제2온도로 히팅된 한 쌍의 반도체 자재를 상기 몰딩재 공급부에서 공급된 몰딩재로 몰딩하는 자재 몰딩부(400)를 포함하여 구성될 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템은 상기 자재 몰딩부(400)에서 몰딩 완료된 한 쌍의 반도체 자재를 개별화하고, 컬을 제거하는 자재 디컬부(500); 및, 상기 자재 디컬부(500)에서 개별화된 반도체 자재를 순차적으로 반출하는 자재 반출부(600);를 더 포함하여 구성될 수 있다.
도 1에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)은 X-Y 평면 상에 설치되는 것으로 가정하고, 각각의 자재 공급부(100), 자재 예열부(310), 자재 히팅부(320), 자재 몰딩부(400), 자재 디컬부(500) 및 자재 반출부(600)가 순차적으로 배치되는 방향을 설명의 편의상 X축 방향으로 가정한다.
여기서, 자재 공급부(100), 자재 예열부(310), 자재 히팅부(320), 자재 몰딩부(400), 자재 디컬부(500) 및 자재 반출부(600)는 X축 방향으로 순차적으로 배치되고, 상기 몰딩재 공급부(200)는 상기 자재 공급부(100)의 일측에 나란히 배치될 수 있으며, 일례로 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 몰딩재 공급부(200)는 자재 공급부(100)와 인접하게 Y축 방향으로 배치될 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다.
본 발명에서 몰딩대상 반도체 자재는 제품의 외관 규격 등이 동일할 수도 있지만, 종류, 재질, 외관 규격 등이 서로 다른 리드프레임이나 인쇄회로기판이 적용될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)은 필요에 따라 서로 다른 종류의 반도체 자재의 몰딩이 가능하도록 구성되고, 몰딩에 사용되는 몰딩재 역시 한 종류로 제한되지 않는다. 즉, 상기 몰딩재는 고객의 요구에 맞추어 다양하게 구성될 수 있는 것으로서, 최종적으로 요구되는 성형물의 강도가 높을 경우, 고강도의 물리적 특성을 갖는 EMC를 적용할 수 있고, 성형물의 형상이 복잡하거나 성형물 내부의 반도체 칩과 와이어가 조밀하거나 성형물 두께가 매우 얇은 경우, 용융시 흐름성이 좋은 물리적 특성을 갖는 EMC가 적용될 수도 있다.
본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)을 구성하는 자재 공급부(100)에 대하여 먼저 설명한다.
자재 공급부(100)는 반도체 자재가 적층된 카세트 매거진(CM)으로부터 순차적으로 각각의 반도체 자재를 공급할 수 있다. 이때 카세트 매거진은 한 개 이상 구비될 수 있으며, 복수개로 구비되는 경우에는 몰딩대상 반도체 자재 공급을 위한 복수 개의 카세트 매거진을 각각 Y축 방향 및 Z축 방향으로 독립 이송이 가능하며, 어느 하나의 카세트 매거진으로부터 반도체 자재가 순차적으로 X축 방향으로 공급할 수 있다.
상기 자재 공급부(100)에서 순차적으로 공급되는 몰딩대상 반도체 자재는 푸셔(p)에 의하여 X축 방향으로 미리 결정된 거리만큼 추진된 후 그립퍼(미도시)에 의하여 일정 거리 견인되도록 구성될 수 있으며, 푸셔에 의해 추진된 반도체 자재는 자재 공급부에 구비된 인렛 레일 등을 통해 지정된 자재 전달위치로 순차적으로 공급될 수 있다.
상기 푸셔에 의하여 추진되고 그립퍼 등에 의하여 견인된 몰딩대상 반도체 자재는 Z축을 중심으로 θ방향으로 회전이 가능하고 X축 방향으로 이송이 가능하며 한번에 2개의 반도체 자재를 이송하되, 순차적으로 하나씩 픽업가능한 자재 공급픽커(170)에 의하여 회전된 후 자재 예열부(310)에 거치된다.
자재 공급픽커는 자재 전달위치에 공급된 반도체 자재를 픽업하여 자재 예열부에 전달할 수 있도록 X축 및 Y축 방향으로 이동 가능하게 구비된다.
또한, 자재 공급픽커는 자재 공급부에서 공급되는 반도체 자재의 공급 방향 또는 반도체 자재의 전달 방향에 따라 회전 가능하게 구비된다.
본 발명의 자재 공급픽커(170)는 자재 공급부에서 공급된 반도체 자재를 자재 예열부에 거치시키는 것 외에도 자재 예열부에서 예열 완료된 반도체 자재를 자재 히팅부에 거치시키는 기능을 수행한다.
즉, 자재 공급픽커는 공급부에서 공급되는 반도체 자재를 자재 예열부에 전달하거나, 자재 예열부에서 제1 온도로 예열된 반도체 자재를 자재 히팅부에 전달할 수 있으며, X축 및 Y축 방향으로 이동 가능하며, 회전 가능하게 구성될 수 있다.
상기 자재 공급부(100)에서 공급되는 반도체 자재는 이송방향으로 길이가 긴 형태일 수 있으므로, 시스템 전체의 길이를 최소화하기 위해서 이를 회전시켜 예열, 히팅, 몰딩 및 디컬 공정 등을 수행하는 것이 바람직하므로 자재 공급부(100)에서 공급된 반도체 자재를 상기 자재 공급픽커(170)로 픽업 및 회전시킨 후속 공정을 수행하도록 구성될 수 있다.
예를 들어, 본 발명의 도 1을 참고하면 반도체 자재를 공급하는 자재 공급부는 X축 방향으로 공급되고, 반도체 자재가 자재 예열부와 자재 히팅부에 거치되는 방향은 Y축 방향이므로 자재 공급픽커가 90° 회전하여 자재 예열부와 자재 히팅부의 방향으로 반도체 자재를 거치시킬 수 있다.
본 발명의 몰딩 시스템은 자재 예열부, 자재 히팅부, 자재 몰딩부의 상부에 각각 한 쌍의 반도체 자재가 거치되는 안착부를 구비할 수 있다.
자재 공급픽커 또한 반도체 자재를 각각 픽업하는 한 쌍의 픽업부를 구비할 수 있다.
따라서, 자재 공급부에서 공급되는 반도체 자재가 동일한 방향으로 적층되어 있는 경우에 몰딩시 게이트를 통해 몰딩재가 양측의 반도체 자재에 전달될 수 있도록 반도체 자재가 몰딩재를 기준으로 좌우에 서로 대칭되게 나란히 구비시키기 위하여 자재 예열부와 자재 히팅부에 거치시키는 2개의 반도체 자재 중에 하나의 반도체 자재의 방향을 전환시킬 필요가 있다.
즉, 자재 공급픽커가 자재 공급부에서 공급되는 반도체 자재를 하나 픽업한 후에 자재 공급픽커를 180° 회전시켜 반도체 자재의 방향 전환시킨 후 나머지 반도체 자재를 픽업한 후 자재 예열부와 자재 히팅부의 방향으로 90° 회전한 후 반도체 자재를 자재 예열부와 자재 히팅부의 상부에 거치시킬 수 있다.
보다 자세하게 설명하면, 자재 공급부를 통해 반도체 자재가 지정된 자재 전달위치로 순차적으로 공급되면, 자재 공급픽커의 한 쌍의 픽업부 중에서 어느 하나의 픽업부가 자재 전달위치에 공급되는 하나의 반도체 자재를 픽업하고, 자재 공급픽커를 180° 회전한 상태에서 나머지 하나의 픽업부로 자재 전달위치에 공급되는 다른 하나의 반도체 자재를 픽업하여 한 쌍의 반도체 자재가 서로 대칭된 상태로 나란히 자재 예열부 및 자재 히팅부에 전달될 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)은 몰딩 공정이 수행되기 전에 자재 예열부 및 자재 히팅부에서 반도체 자재를 단계적으로 예열하는 예열 공정을 수행할 수 있다.
몰딩대상 반도체 자재를 예열하는 이유는 자재와 몰딩재의 밀착도를 향상시키고, 고온 고압의 몰딩 과정에서 반도체 자재의 변형 방지 및 몰딩시간 단축을 위하여 미리 결정된 온도까지 반도체 자재를 예열하는 것이다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)은 반도체 자재를 예열하기 위한 예열 공정에서 반도체 자재에 구비된 반도체 소자의 보호를 위하여 온도가 급격히 상승되는 것을 방지하기 위하여 반도체 소자의 특성 변화를 초래하지 않는 온도(제 1온 도)까지 자재 예열하는 1단계와, 반도체 소자의 특성 변화를 초래하는 온도(제1 온도)부터 자재의 시간당 온도 상승률을 제어하면서 몰딩 목표 온도인 기설정된 온도(제2 온도)까지 히팅하는 자재 히팅단계의 2단계로 분할 구성할 수 있다.
즉, 자재 예열공정을 자재의 온도 제어가 불필요한 온도까지 상승시키는 자재 예열부(310)와 온도 제어를 수행하면서 자재의 온도를 상승시키는 자재 히팅부(320)로 이원화하고, 자재 예열부(310)는 자재 공급부에서 공급된 반도체 자재를 기설정된 제1 온도(T1)까지 예열하고, 자재 히팅부(320)에서는 급격한 온도 변화시 반도체 반도체 자재에 구비된 반도체 소자의 보호를 위하여 목표 예열 온도인 제2 온도(T2)(제2 온도>제1 온도)까지 점진적으로 상승 온도를 제어하면서 예열하는 방법을 사용한다.
여기에서 반도체 자재의 종류 및 특성에 따라 제1 온도와 제2 온도 및 예열 시간 등은 변화될 수 있다.
구체적으로, 상기 자재 히팅부(320)는 반도체 자재를 상기 제2 온도(T2)까지 미리 결정된 시간당 온도 상승률(K/sec), 예를 들면, 1.4 K/sec 등의 초당 온도 상승률이 초과되지 않도록 예열하는 방법을 적용한다. 상기 자재 예열부(310)와 자재 히팅부(320)의 예열 방법에 대해서는 도 2 및 도 3을 참조하여 후술한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 자재 예열부(310) 및 자재 히팅부(320)는 각각 복수 개가 구비될 수 있으며, 도 1에 도시된 실시예는 2개의 자재 예열부(310a, 310b) 및 2개의 자재 히팅부(320a, 320b)가 구비될 수 있으며 그 수는 증감될 수 있으며, 자재 예열부는 자재 히팅부의 수와 대응되게 구비될 수 있을 것이다.
한편, 각각의 자재 예열부(310a, 310b) 및 자재 히팅부(320a, 320b)는 각각 2개의 몰딩대상 반도체 자재가 자재 예열 테이블 또는 히팅 테이블에 이격된 상태로 평행하게 거치되어 예열 또는 히팅될 수 있다.
본 발명의 자재 예열부와 자재 히팅부는 각각 상부에 한 쌍의 반도체 자재가 거치되는 테이블(예열 테이블, 히팅 테이블)을 구비하며, 테이블의 내부에는 반도체 자재를 소정 온도까지 히팅하는 히터가 장착된다. 히터는 카트리지 히터 또는 열선 등을 사용할 수 있다
자재 예열 테이블은 고정된 테이블에 장착되어 자재 공급픽커에 의해 전달된 반도체 자재를 제1 온도까지 예열하고, 자재 히팅 테이블은 Y축 방향으로 이동 가능하게 장착되어 자재 공급픽커에 의해 자재 예열 테이블로부터 전달된다.
본 발명의 자재 히팅부는 자재 예열부에 의해 제1 온도까지 예열된 반도체 자재를 상부에 거치한 상태에서 Y축 방향으로 이동 가능하게 구비되는 히팅 테이블과, 히팅 테이블의 Y축 이동 경로의 상부에 장착되어, 하방으로 복사열을 제공하며 승하강 가능하게 구비되는 발열수단(360)과, 히팅 테이블의 상부에서 히팅되는 반도체 자재의 온도를 측정하는 온도센서(367)를 구비한다. 자재 히팅부는 발열 수단의 하부로 이동한 상태에서 점진적으로 반도체 자재의 시간당 온도 상승률이 일정하게 유지되도록 제어할 수 있다.
자재 예열부와 자재 히팅부에는 한 쌍의 몰딩대상 반도체 자재가 이격된 상태로 평행하게 거치되면 공정 효율을 향상시킬 수 있고, 후술하는 온로딩 픽커(700)에 의하여 픽업된 후 한 쌍의 반도체 자재 사이에 몰딩재가 함께 픽업되어 후술하는 자재 몰딩부(400)에서 트랜스퍼 방식으로 용융된 몰딩재가 반도체 자재에 전달이 되어 몰딩이 수행될 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 각각의 테이블에 2개의 반도체 자재가 거치되는 것으로 기재되었지만, 이의 개수는 제한되지 않으며, 좌우 대칭되는 형태로 2개, 4개, 6개…의 반도체 자재가 거치될 수도 있다.
자재 히팅부에서 목표 예열 온도인 제2 온도까지 히팅된 반도체 자재는 온로딩 픽커(700)에 의해 픽업된다. 즉, 자재 히팅부는 Y축 방향으로 이동하여 온로딩 픽커의 픽업 위치로 이동한다. 온로딩 픽커는 예열된 한 쌍의 반도체 자재를 픽업하고, 몰딩재 공급부로 이동하여 몰딩재를 공급받은 후 자재 몰딩부(400)로 이동한다. 따라서, 온로딩픽커와, 자재 몰딩부 역시 모두 한 쌍의 반도체 자재가 이격된 상태로 함께 픽업 또는 거치될 수 있도록 구성된다.
따라서, 온로딩 픽커(700)는 상기 자재 예열부(310) 및 자재 히팅부(320)에서 단계적으로 예열된 한 쌍의 반도체 자재 및 상기 몰딩재 공급부(200)를 구성하는 몰딩재 수집유닛(270)에서 수집된 몰딩재를 순차적으로 픽업하여, 상기 자재 몰딩부(400)로 이송하기 위하여, X축 방향 및 Y축 방향으로 이송이 가능하게 구성될 수 있다.
상기 온로딩 픽커(700)는 X축 방향 및 Y축 방향으로 이송이 가능하므로 상기 자재 히팅부(320) 및 상기 몰딩재 공급부(200) 상부로 이송되어 각각 히팅된 자재 및 몰딩재를 픽업할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)은 상기 자재 공급부(100), 자재 예열부(310), 자재 히팅부(320), 자재 몰딩부(400) 등이 X축 방향으로 일렬로 배치되고, 상기 몰딩재 공급부(200)는 상기 자재 공급부(100)와 인접하게 Y축 방향으로 배치되고 몰딩재는 몰딩재 수집유닛(270)에 의하여 수집된 후 온로딩 픽커(700)에 의해 자재 몰딩부로 전달된다.
그리고, 본 발명에 따른 자재 공급부(100)에서 공급되는 몰딩대상 반도체 자재의 종류와 무관하게 단계별 몰딩대상 반도체 자재의 이송 경로 및 몰딩재 공급부(200)에서 수집된 몰딩재의 이송 경로의 차이가 없으므로, 몰딩대상 반도체 자재의 종류가 변경되거나 그에 따라 몰딩재가 변경되더라도 온로딩 픽커(700)의 이송 궤적의 차이가 최소화될 수 있다.
그러므로, 상기 온로딩 픽커(700)는 몰딩대상 반도체 자재 및 몰딩재의 종류와 무관하게 도 1에 도시된 자재 히팅부(320), 몰딩재 수집유닛(270) 및 자재 몰딩부(400) 사이만을 왕복하며 몰딩대상 자재와 몰딩재를 이송하면 되므로, 이송 궤적을 최소화할 수 있어 몰딩 공정의 효율을 극대화할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)은 상기 자재 예열부(310) 및 자재 히팅부(320)에서 단계적으로 예열된 한 쌍의 반도체 자재 및 상기 몰딩재 공급부(200)를 구성하는 몰딩재 수집유닛(270)에서 수집된 몰딩재를 한 쌍의 반도체 자재 사이에 배치되도록 순차적으로 픽업하여, 상기 자재 몰딩부(400)로 이송하여 각각의 자재 몰딩부(400)의 하부 금형에 반도체 자재 및 몰딩재가 함께 거치된 후 몰딩공정이 수행될 수 있다.
따라서, 상기 자재 몰딩부(400)에서 몰딩재가 녹아 한 쌍의 반도체 자재 측으로 양방향으로 스며드는 방법으로 몰딩(트랜스퍼 몰딩)이 수행되어 반도체 자재와 몰딩재는 반도체 패키지로 일체화될 수 있다.
상기 자재 몰딩부(400)의 개수는 4개(400a, 400b, 400c, 400d)가 구비된 것으로 도시되었으나 그 수는 증감될 수 있다. 참고로, 몰딩부는 금형과 프레스를 포함하여 이루어지는데, 금형은 서로 결합되어 몰딩재를 고온고압으로 용융시켜서 사출시키는 상판과 하판으로 이루어진다. 프레스는 금형과 상판 및 하판을 결합시키도록 상하방향으로 가압하도록 구성될 수 있다.
이때 프레스의 상판과 하판을 다른 종류의 상판과 하판으로 교체하여 사용할 수 있도록 착탈 가능하게 구비된다. 따라서, 오더에 따라 동일한 자재만을 취급하던지, 2종 이상의 자재를 취급할 수 있도록 교체하여 사용 가능하다.
상기 자재 몰딩부(400)에서 몰딩된 한 쌍의 반도체 자재는 온로딩 픽커(700)와 마찬가지로 X-Y 평면 상의 미리 결정된 위치로 이송이 가능한 오프로딩 픽커(800)에 의해 픽업되어 자재 디컬부(500)로 이송될 수 있다.
상기 자재 디컬부(500)에서는 몰딩 과정에서 용융된 몰딩재에 의해 일체화된 반도체 자재를 개별화하고 용융된 몰딩재가 굳어 형성된 게이트(gate)를 제거하는 과정을 수행하기 위하여 구비될 수 있다.
상기 자재 디컬부(500)에서 게이트를 제거하고 개별화된 한 쌍의 반도체 자재는 상기 자재 디컬부(500)에 구비된 회전픽커(570)에 의하여 서로 대칭된 상태로 몰딩 완료된 반도체 자재가 동일한 방향으로 반출될 수 있도록, 반도체 자재의 길이방향이 X축 방향이 되도록 회전된 뒤 개별화된 반도체 자재를 X축 방향으로 이송하기 위한 자재 반출부(600)의 이송유닛(610) 상에 거치되고 컬(carl) 제거를 위한 클리닝을 수행한 후 자재 반출부(600)로 이송되며, 이송 과정에서 하방 비전유닛(691)에 의한 촬상 검사로 몰딩 공정의 양부가 판단될 수 있다.
또한, 상기 하방 비전유닛(691)에 의하여 촬상 검사된 반도체 자재는 반도체 자재를 픽업하며 Y축 이송유닛(630)에 장착된 반출 픽커(620)에 의하여 픽업되어 Y축 방향 이송 과정에서 상방 비전유닛(696)으로 자재 하면 검사를 수행한 후 자재 반출부(600)를 구성하는 반출 레일(650) 상에 거치된 후 푸셔(P)에 의하여 자재 반출부(600)를 구성하는 패키지 반출장치(601)를 통해 반출된 후 반출용 카세트 매거진(cm)에 수용된 상태로 카세트 매거진 보관장치(602)에 보관될 수 있다.
상기 패키지 반출장치(601) 및 카세트 매거진 보관장치(602)의 구조와 작동방법은 자재 공급부(100)를 구성하는 자재 공급장치(101) 및 카세트 매거진 보관장치(102)의 구조와 작동방법이 동일하다.
이와 같은 방법으로 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)은 몰딩 공정 전에 수행되는 자재 예열 공정을 온도 범위에 따라 2단계의 예열, 히팅 공정으로 분리하고 몰딩 대상 반도체 자재에 구비된 반도체 소자의 시간당 온도 상승률을 동일하게 제어하면서 반도체 자재의 온도를 상승시킴으로써, 열손상을 예방하여 몰딩된 반도체 자재의 불량을 최소화하며, 온로딩 픽커(700) 또는 오프로딩 픽커(800)의 이송 궤적을 최소화하여 몰딩 공정을 효율적으로 수행할 수 있으며, 불필요한 자재의 이송과정을 최소화하도록 시스템을 구성하여 시스템의 크기를 최소화할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)의 자재 예열부(310) 및 자재 히팅부(320)를 통한 온도 범위에 따른 순차적 예열 공정에 대하여 검토한다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템의 자재 예열부(310) 및 자재 히팅부(320)의 측면도를 도시한다.
자재 예열부(310) 및 자재 히팅부(320)는 도 1의 평면도를 기준으로 Y축 방향으로 상하로 배치될 수 있다.
상기 자재 예열부는 히터가 내부에 장착된 예열 테이블(301)을 구비하며, 상기 예열 테이블(301)의 상부에 반도체 자재를 거치하여 반도체 자재를 열전도 방식으로 예열할 수 있다.
반면, 상기 자재 히팅부(320)는 하방으로 복사열을 제공하는 발열수단 및 상기 발열수단 하부로 이송 가능한 히팅 테이블(306)을 구비하며, 상기 자재 예열부(310)에서 예열된 반도체 자재(SP)는 상기 자재 히팅부(320)를 구성하는 히팅 테이블(306)에 거치되어 상기 발열수단 하부로 이송된 상태에서 상기 발열수단에서 제공되는 복사열과 히팅 테이블 상에 거치된 반도체 자재를 열전도 방식으로 히팅될 수 있다.
즉, 온도 변화에 민감한 반도체 소자가 배치되는 자재의 상부는 복사열을 통해 가열되고 자재의 상부보다 온도 변화에 덜 민감한 자재의 하부는 열전도 방식으로 히팅하여 과도한 온도 상승에 의해 반도체 소자에 영향을 미치는 것을 방지한다.
상기 자재 예열부(310)에서 예열된 반도체 자재(SP)는 온로딩 픽커(700)에 의해 픽업되어 상기 자재 히팅부(320)를 구성하는 히팅 테이블(306)의 상부에 거치될 수 있고, 상기 히팅 테이블(306)은 Y축 방향으로 이송 가능한 테이블 이송유닛(330)에 거치되어 상기 자재 히팅부(320)를 구성하는 발열수단의 하부로 이송될 수 있다.
본 발명의 발열수단은 히팅 테이블의 Y축 방향 이동 경로의 상부에 장착되어, 하방으로 복사열을 제공하며 승하강 가능하게 구비될 수 있으며, 히팅 테이블에 거치된 반도체 자재의 시간당 온도 상승률을 일정하게 유지하도록 히팅 테이블의 상부에서 온도 센서로 측정되는 반도체 자재의 온도에 따라 승하강 높이를 제어할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 몰딩 시스템(1000)은 예열 공정에서 급격한 온도 상승에 의하여 반도체 자재의 반도체 소자의 손상을 방지하는 기설정된 제1 온도(T1)까지 열전도 방식으로 반도체 자재를 예열하고, 목표 온도인 제2 온도(T2)까지는 시간당 온도 상승률(K/sec)을 제어하며 예열하는 방식으로 몰딩 대상 반도체 자재를 히팅한다.
즉, 본 발명에 따른 반도체 몰딩 시스템(1000)은 자재 공급부(100)에서 공급된 몰딩대상 반도체 자재 한 쌍이 거치되어 반도체 자재의 특성 변화를 초래하지 않는 기설정된 제1 온도(T1)까지 예열되는 적어도 하나의 자재 예열부(310) 및 상기 자재 예열부(310)에서 예열된 후 상기 제1 온도(T1)보다 높은 기설정된 제2 온도(T2)까지 미리 결정된 시간당 온도 상승률(K/sec)로 일정하게 유지되면서 예열되는 적어도 하나의 자재 히팅부(320)를 구비한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 자재 예열부(310)는 히터가 내장된 예열 테이블(301)의 상부에 반도체 자재를 거치하여 반도체 자재의 특성 변화를 초래하지 않는 기설정된 제1 온도(T1)까지 반도체 자재를 열전도 방식으로 직접 예열한다. 즉, 반도체 자재가 거치되는 예열 테이블(301)은 자체적으로 열선 히터 또는 카트리지 히터(히터봉) 등이 매립되는 형태로 내장되어, 상부에 거치된 반도체 자재를 직접 열전도 방식으로 가열하여 예열할 수 있다.
자재 예열부에서 반도체 자재의 예열 온도는 기설정된 제1 온도(T1)까지 예열될 수 있다.
자재 예열부의 경우 반도체 자재의 특성 변화를 초래하지 않는 온도 범위로 설정되어 있으므로, 온도 변화에 민감한 자재의 경우에도 자재 예열부에 반도체 자재가 예열되는 동안 자재의 특성에 영향을 주지 않는다. 또한 기설정된 제 1온도는 실험에 의해 반도체 자재에 열을 가했을 때 미리 결정된 시간당 온도 상승률 이내로 상승되는 최대 온도 범위로 설정될 수도 있다.
한편, 자재 예열부(310)에서 예열이 완료된 반도체 자재는 온로딩 픽커 등에 의하여 자재 히팅부에 거치된다. 본 발명의 자재 히팅부는 히팅 테이블(306)과, 발열수단(361)과, 온도센서(367)를 포함한다. 히팅 테이블(306)은 자재 예열부로부터 예열된 반도체 자재를 상부에 거치한 상태에서 Y축 방향으로 이동 가능하게 구비된다. 발열수단(361)은 히팅 테이블의 Y축 방향 이동 경로의 상부에 장착되어, 하방으로 복사열을 제공하며, 승하강 가능하게 구비된다. 온도센서(367)는 히팅 테이블의 상부에서 히팅되는 반도체 자재의 온도를 측정한다.
본 발명의 히팅 테이블(306)은 자재 예열 테이블(301)과 마찬가지로, 반도체 자재를 소정 온도로 히팅하는 히터, 예를 들면 카트리지 히터 또는 열선을 내부에 구비하며, 히터의 온도는 예열 테이블에 구비된 히터의 온도보다 높게 설정된다. 참고로, 히팅 테이블에 거치되는 반도체 자재는 기판면이 히팅 테이블의 상면과 직접 접촉하고, 회로, 소자가 형성된 면은 발열수단의 승강 높이를 제어하는 방식으로 반도체 자재의 시간당 상승 온도를 제어하면서 히팅함으로써 미리 결정된 시간당 온도 상승률로 히팅할 수 있다.
또한, 본 발명의 히팅 테이블은 테이블 이송유닛(330)에 의하여 복사열을 제공하는 발열수단(361)의 하부로 이송될 수 있다. 히팅 테이블(306)은 상기 자재 히팅부(320)를 구성하는 발열수단의 하부로 이송되어 상기 발열수단에서 제공되는 복사열로 예열될 수 있다.
즉, 상기 자재 히팅부(320)는 점진적 온도 상승 방법으로 반도체 자재를 미리 결정된 시간당 온도 상승률로 히팅하기 위하여 자재 예열부(310)와 달리 복사열로 반도체 자재를 히팅한다.
도 3을 참조하여 자재 히팅부(320)에 대하여 상세하게 설명한다.
도 3은 도 2에 도시된 자재 히팅부(320)의 다른 방향 측면도를 도시한다.
상기 자재 히팅부(320)의 발열수단은 적어도 하나의 할로겐 히터(362)일 수 있다.
할로겐 히터는 진공 상태의 전구 안에 할로겐 물질을 주입시켜 텅스텐의 증발을 억제하여 발광하게 하는 램프를 이용하는 히터이며, 할로겐 히터는 백열전구 히터 등에 비해 더 높은 온도에도 필라멘트가 견딜 수 있고, 이로 인해 더 밝고 환한 빛을 내면서도 백열전구 히터에 비해 수명이 2~3배 더 길고 안정적으로 빛과 열을 발산하는 특징을 갖는다. 이와 같은 할로겐 히터는 크기가 작고 발열량이 충분하여 발열수단으로 사용될 수도 있다.
본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)는 상기 자재 히팅부(320)에 거치된 반도체 자재를 상기 제2 온도(T2)까지 미리 결정된 시간당 온도 상승률(K/sec)로 일정하게 예열하기 위하여 히팅 테이블에 거치된 반도체 자재의 온도를 온도센서로 측정하면서 히팅되는 반도체 자재의 시간당 온도 상승률을 동일하게 유지하면서 예열 목표 온도인 제2 온도(T2)까지 점진적으로 예열시킬 수 있다.
본 발명의 자재 히팅부는 발열수단을 통해 반도체 자재의 히팅 온도를 제어할 수 있다. 즉, 발열수단은 히팅 테이블에 거치된 반도체 자재의 시간당 온도 상승률을 일정하게 유지하기 위해 히팅 테이블의 상부에서 온도센서에서 측정되는 반도체 자재의 온도에 따라 발열수단의 승하강 높이를 제어할 수 있다.
즉, 본 발명의, 발열수단은 온도센서에 의해 측정된 반도체 자재의 온도가 기설정된 시간당 온도 상승률 이하일 경우에 하강하여 반도체 자재와의 이격거리를 좁히고, 온도센서에 의해 측정된 반도체 자재의 온도가 기설정된 시간당 온도 상승률을 초과할 경우에 상승하여 반도체 자재와의 이격거리를 넓히는 방식으로 반도체 자재의 시간당 온도 상승률을 제어함으로써 예열 목표 온도까지 반도체 자재를 히팅할 수 있게 된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 자재 히팅부(320)는 발열수단으로서의 할로겐 히터(361), 상기 할로겐 히터(361)가 장착되는 장착판(363), 상기 장착판(363)을 승강시키기 위한 승강유닛(365), 상기 제2 예열 테이블(306) 상에서 예열되는 반도체 자재의 온도를 측정하는 온도센서(367)를 구비할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제2 예열 테이블(306)에 2개의 반도체 자재가 나란히 배치되므로 할로겐 히터 역시 반도체 자재 상부에 위치하도록 2개가 이격되어 또는 2열로 구비될 수 있다. 그리고, 할로겐 히터(361)에서 발광된 빛이 반도체 자재 방향으로 집중될 수 있도록 각각의 할로겐 히터(361) 외측에 반사판(362) 등이 설치될 수 있다.
상기 자재 예열부(310)에서 제1 온도(T1)까지 예열된 반도체 패키지는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 자재 히팅 테이블(306)이 발열 수단의 하부로 이송된 상태에서 할로겐 히터(361)에서 제공된 빛 에너지에 의하여 예열 목표 온도인 제2 온도(T2)까지 예열될 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)을 구성하는 자재 히팅부(320)는 반도체 자재의 온도가 점진적으로 상승 또는 미리 결정된 온도 상승률(K/sec)로 예열되도록 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)의 제어부는 할로겐 히터(361)가 히팅 테이블(306)에 거치된 반도체 자재를 가열하도록 작동되는 상태에서, 상기 온도센서(367)를 통해 히팅 테이블(306) 상에 거치되어 가열되는 반도체 자재의 온도를 모니터링하며, 미리 결정된 시간에 따른 온도 상승률(K/sec)을 만족하도록 승강유닛(362)을 제어하여 발열 수단의 높낮이(위치) 또는 하강 속도 등을 제어할 수 있다.
즉, 상기 제어부는 히팅 테이블(306)에 거치되어 복사열로 예열되는 반도체 자재의 온도가 미리 결정된 시간에 따른 온도 상승률(K/sec)에 따라 일정하게 증가되도록 승강유닛(362)을 구동시켜 할로겐 히터(361)가 장착된 장착판(363)을 승강유닛을 구동하여 하강시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 몰딩 시스템(1000)의 제어부는 상기 온도센서(367)에 의하여 측정된 반도체 자재의 온도의 상승률이 미리 결정된 범위보다 큰 경우에는 장착판의 하강을 일정시간 정지시키거나 오히려 상승되도록 구동할 수도 있고, 필요에 따라 할로겐 히터를 잠시 소등 또는 출력을 조절하도록 제어하는 방법도 사용될 수 있다.
이와 같은 방법으로, 본 발명은 반도체 자재 몰딩 공정을 위한 예열 과정에서 온도 변화에 민감한 반도체 자재의 급격한 온도 변화에 따른 손상 또는 변형을 방지 또는 최소화하면서도, 시스템 구성의 배치를 최적화하고 대기시간을 최소화할 수 있는 반도체 자재 몰딩 시스템을 제공할 수 있다.
본 명세서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
1000 : 반도체 자재 몰딩 시스템
100 : 자재 공급부
170: 자재 공급픽커
200 : 몰딩재 공급부
301: 예열 테이블
306: 히팅 테이블
310 : 자재 예열부
320 : 자재 히팅부
360: 발열 수단
400 : 자재 몰딩부
500 : 자재 디컬부
600 : 자재 반출부

Claims (11)

  1. 몰딩대상 반도체 자재가 적층된 매거진으로부터 순차적으로 각각의 반도체 자재를 공급하는 자재 공급부;
    상기 자재 공급부에서 공급된 상기 반도체 자재가 거치되며, 상기 반도체 자재를 기설정된 제1 온도까지 예열하는 하나 이상의 자재 예열부;
    상기 자재 예열부에서 상기 제1 온도로 예열된 반도체 자재가 거치되며, 상기 반도체 자재를 상기 제1 온도보다 높은 기설정된 제2 온도까지 미리 결정된 시간당 온도 상승률로 히팅하는 하나 이상의 자재 히팅부;
    상기 자재 공급부에서 공급되는 반도체 자재를 상기 자재 예열부에 전달하거나, 상기 자재 예열부에서 예열된 반도체 자재를 상기 자재 히팅부에 전달하는 자재 공급픽커;
    상기 반도체 자재의 몰딩을 위하여 몰딩재를 공급하는 몰딩재 공급부; 및
    상기 자재 히팅부에서 상기 제2 온도로 히팅된 한 쌍의 반도체 자재를 상기 몰딩재 공급부에서 공급된 몰딩재로 몰딩하는 자재 몰딩부;를 포함하는 반도체 자재 몰딩시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 자재 예열부, 상기 자재 히팅부 및 상기 자재 몰딩부는,
    각각 한 쌍의 반도체 자재가 거치되는 안착부를 상부에 구비하며,
    상기 자재 공급픽커는 상기 반도체 자재를 각각 픽업하는 한 쌍의 픽업부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 몰딩시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 자재 히팅부는,
    상기 자재 예열부로부터 예열된 반도체 자재를 상부에 거치한 상태에서 Y축 방향으로 이동 가능하게 구비되는 히팅 테이블;
    상기 히팅 테이블의 Y축 방향 이동 경로의 상부에 장착되어, 하방으로 복사열을 제공하며, 승하강 가능하게 구비되는 발열수단; 및
    상기 히팅 테이블의 상부에서 히팅되는 반도체 자재의 온도를 측정하는 온도센서를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 몰딩시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 발열수단은 상기 히팅 테이블에 거치된 반도체 자재의 시간당 온도 상승률을 일정하게 유지하도록 히팅 테이블의 상부에서 상기 온도센서에서 측정되는 상기 반도체 자재의 온도에 따라 승하강 높이를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 몰딩시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 발열수단은,
    상기 온도센서에 의해 측정된 상기 반도체 자재의 온도가 기설정된 시간당 온도 상승률 이하일 경우에 하강하여 상기 반도체 자재와의 이격거리를 좁히고, 상기 온도센서에 의해 측정된 상기 반도체 자재의 온도가 기설정된 시간당 온도 상승률을 초과할 경우에 상승하여 상기 반도체 자재와의 이격거리를 넓히는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 몰딩시스템.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 발열수단은 할로겐 히터이며, 하나 이상 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 몰딩시스템.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 자재 예열부는 상기 반도체 자재의 특성 변화를 초래하지 않는 온도로 기설정된 제1 온도까지 상기 반도체 자재를 예열하고,
    상기 자재 히팅부는 미리 결정된 시간당 온도 상승률로 일정하게 유지되어 기설정된 제2온도까지 상기 반도체 자재를 히팅하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 몰딩시스템.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 자재 예열부 및 상기 자재 히팅부는 상기 반도체 자재를 소정 온도로 히팅하는 히터를 내부에 각각 구비하고,
    상기 자재 히팅부의 히터 온도가 상기 자재 예열부의 히터 온도보다 높게 설정된 것을 특징으로 하는 반도체 자재 몰딩시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 히터는 카트리지 히터 또는 열선인 것을 특징으로 하는 반도체 자재 몰딩시스템.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 자재 공급픽커는 상기 자재 예열부 및 상기 자재 히팅부의 상부에 상기 반도체 자재가 전달되도록 X축 및 Y축 방향으로 이동 가능하고,
    상기 자재 공급부에서 공급되는 상기 반도체 자재의 공급 방향 또는 상기 반도체 자재의 전달 방향에 따라 회전 가능하게 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 몰딩시스템.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 자재는 상기 자재 공급부를 통해 지정된 자재 전달위치로 순차적으로 공급되며,
    상기 자재 공급픽커는 상기 자재 예열부 및 상기 자재 히팅부의 상부에 한 쌍의 반도체 자재가 전달되도록 X축 및 Y축 방향으로 이동 가능하고, 상기 자재 전달위치로 공급되는 반도체 자재를 순차적으로 각각 픽업하는 한 쌍의 픽업부를 구비하며,
    상기 자재 공급픽커의 한 쌍의 픽업부 중에서 하나의 픽업부가 상기 자재 전달위치에 공급되는 하나의 반도체 자재를 픽업하고, 상기 자재 공급픽커를 180° 회전한 상태에서 나머지 하나의 픽업부로 상기 자재 전달위치에 공급되는 다른 하나의 반도체 자재를 픽업하여, 한 쌍의 반도체 자재가 서로 대칭된 상태로 나란히 상기 자재 예열부 및 상기 자재 히팅부에 전달되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 몰딩시스템.
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