KR20210038408A

KR20210038408A - 광 필터 및 이 광 필터를 포함하는 적외선 이미지 센싱 시스템

Info

Publication number: KR20210038408A
Application number: KR1020207015408A
Authority: KR
Inventors: 쎄 첸; 웨이홍 딩; 니안공 시아오; 질리 첸
Original assignee: 신양 써니 옵틱스 컴퍼니., 리미티드.
Priority date: 2018-08-06
Filing date: 2019-03-12
Publication date: 2021-04-07
Also published as: CN108897085A; JP2020534585A; US20200393601A1; JP6979730B2; WO2020029579A1; EP3671294A4; US11828961B2; EP3671294A1; CN108897085B

Abstract

본 출원은 광 필터 및 동일한 광 필터를 포함한 적외선 이미지 센싱 시스템에 관한 것이며, 상기 광 필터는 유리기판과 상기 유리기판의 서로 반대되는 두 표면에 코팅된 IR 박막층과 AR 박막층을 포함하고, 상기 IR 박막층은 제1 굴절률 소재층, 제2 굴절률 소재층 및 제3 굴절률 소재층을 포함한다; 상기 제3 굴절률 소재층의 굴절률은 상기 제1 굴절률 소재층의 굴절률보다 크고, 상기 제2 굴절률 소재층의 굴절률은 상기 제3 굴절률 소재층의 굴절률보다 크다. 본 출원의 광 필터는 근적외선의 증투효과가 좋아 안면인식, 손짓인식의 정확도가 높은 편이다. 또한 본 출원 광 필터의 박막층 두께가 더 얇아져 광 필터 박막층의 접착력을 효과적으로 개선해 줄 수 있다.

Description

광 필터 및 이 광 필터를 포함하는 적외선 이미지 센싱 시스템

본 출원은 2018년 8월 6일자로 출원된 CN 201810884048.4의 우선권 및 그 이익을 주장하며, 발명의 명칭은 "광 필터 및 동일한 광 필터가 포함된 적외선 이미지 센싱 시스템"이다. 상기 식별된 출원의 전체 개시 내용은 본원에 참조로 포함된다.

본 출원은 광학 센서 기술분야 관한 것이며 구체적으로 일종의 광 필터와 동일한 광 필터가 포함된 적외선 이미지 센싱 시스템에 관한 것이다.

과학 기술이 발전하면서 스마트폰, 차량용 레이저 레이더, 보안 접근 통제, 스마트홈, 가상현실/증강현실/혼합현실, 3D 체감형 게임, 3D 촬영 및 디스플레이 등 단말장치에서 안면 장치와 손짓인식 등 기능이 점차 접목되고 있다.

안면과 손짓을 인식할 때 필요한 근적외선 협대역 광 필터는 통과대역에서 근적외선을 증투시키고 환경속의 가시광선을 차단하는 작용을 한다. 근적외선 협대역 광 필터는 보통 IR 대역통과 박막구조와 장파 통과 AR 박막구조라는 두 개의 박막구조로 형성된다. 하지만 종래 기술은 근적외선에 대한 광 필터의 증투 효과와 가시광선 차단 효과가 낮고, 박막구조의 박막층 두께가 조금 두꺼워서 박막층의 접착력이 약하다. 이로인해 안면 광 필터를 안면인식과 손짓인식 등 장치에 장착한 후 이미지 형성 효과가 떨어지고 인식의 정확도도 높지 않다.

본 출원의 목적은 일종의 광 필터 및 동일한 광 필터가 포함된 적외선 이미지 센싱 시스템을 제공함으로써 광 필터의 낮은 근적외선 증투 효과와 박막층의 접착력 문제를 해결하기 위함이다.

이를 위해 본 출원은 유리기판과 상기 유리기판의 반대되는 두 표면에 코팅된 IR 박막층과 AR 박막층으로 형성된 일종의 광 필터를 제공한다.

상기 IR 박막층은 제1 굴절률 소재층, 제2 굴절률 소재층 및 제3 굴절률 소재층을 포함한다.

상기 제3 굴절률 소재층의 굴절률은 상기 제1 굴절률 소재층의 굴절률보다 크고, 상기 제2 굴절률 소재층의 굴절률은 상기 제3 굴절률 소재층의 굴절률보다 크다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 상기 AR 막박층은 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층 또는 제1 굴절률 소재층, 제2 굴절률 소재층 및 제3 굴절률 소재층을 포함한다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 상기 유리기판에서 멀어지는 방향의 상기 IR 박막층의 제일 바깥층과 상기 AR 박막층의 제일 바깥층은 제1 굴절률 소재층이다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 상기 유리기판에서 멀어지는 방향으로 상기 IR 박막층 구조는 M, (LH)*n, L의 순서로 구성되고, 이 중 M은 제3 굴절률 소재층, L은 제1 굴절률 소재층, H는 제2 굴절률 소재층을 가리키며, (LH)*n은 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 n번 적층하는 것을 나타내고 n은 정수 1보다 크거나 같다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 상기 유리기판에서 멀어지는 방향으로 상기 IR 박막층 구조는 (LH)*s, L, M, (LH)*p, L의 순서로 구성되고, 이 중 M은 제3 굴절률 소재층, L은 제1 굴절률 소재층, H는 제2 굴절률 소재층을 가리키며, (LH)*s는 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 s번 적층하는 것을 나타내고 s는 정수 0보다 크거나 같다. (LH)*p는 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 p번 적층하는 것을 나타내고 p는 정수 1보다 크거나 같다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 유리기판에서 멀어지는 방향으로 상기 AR 박막층의 구조는 (LH)*q, L의 순서로 구성되고, 이 중 L은 제1 굴절률 소재층, H는 제2 굴절률 소재층을 가리키며, (LH)*q는 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 q번 적층하는 것이고 q는 정수 1보다 크거나 같다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 유리기판에서 멀어지는 방향으로 상기 AR 박막층의 구조는 M, (LH)*k, L의 순서로 구성되고, 이 중 M은 제3 굴절률 소재층, L은 제1 굴절률 소재층, H는 제2 굴절률 소재층을 가리키며, (LH)*k는 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 k번 적층하는 것이고 k는 정수 1보다 크거나 같다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 유리기판에서 멀어지는 방향으로 상기 AR 박막층의 구조는 (LH)*i, L, M, (LH)*f, L의 순서로 구성되고, 이 중 M은 제3 굴절률 소재층, L은 제1 굴절률 소재층, H는 제2 굴절률 소재층을 가리키며, (LH)*i는 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 i번 적층하는 것이고 i는 정수 0보다 크거나 같다. (LH)*f는 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 f번 적층하는 것이고 f는 정수 1보다 크거나 같다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 상기 제2 굴절률 소재층의 물리적 두께와 상기 제1 굴절률 소재층의 물리적 두께의 충족 관계식은 0.05≤D_L/D_H≤20이고, 상기 제3 굴절률 소재층의 물리적 두께와 상기 제2 굴절률 소재층의 물리적 두께의 충족 관계식은 0.02≤D_M/D_H≤50이다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 상기 IR 박막층의 제2 굴절률 소재층은 수소화규소층으로 800nm-1200nm 파장 범위 내 굴절률이 3.5보다 크고, 소광계수는 0.002보다 작다;

상기 제2 굴절률 소재층은 850nm에서 굴절률이 3.6보다 크고, 940nm에서 굴절률이 3.55보다 크다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 상기 수소화규소층은 스퍼터링 반응으로 소재층을 코팅한 것으로 스퍼터링 온도 범위는 섭씨 80도-300도, 수소 유량은 10 sccm -50sccm, 스퍼터링 속도는 0.1nm/s-1nm/s이다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 800nm -1200nm 파장 범위 안에서 상기 중간 굴절률 소재층의 굴절률은 4보다 작고, 상기 저 굴절률 소재층의 굴절률은 3보다 작다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 상기 IR 박막층은 800-1200nm 파장 범위 안에서 통과대역 파장구간 1개, 차단 파장구간 2개 및 과도 파장구간 2개를 형성하고, 상기 2개의 과도 파장구간은 상기 통과대역 파장구간의 양 측에 각각 위치하며, 상기 2개의 차단 파장구간은 2개의 과도 파장구간의 바깥측에 각각 위치한다.

상기 통과대역 파장구간의 폭은 400nm보다 작고 투과율은 90%보다 크고;

상기 과도 파장구간의 투과율은 0.1%-90%이며;

상기 차단 파장구간의 투과율은 0.1%보다 작다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 상기 AR 박막층은 350nm-1200nm 파장 범위 안에서 통과대역 파장구간 1개, 차단 파장구간 1개 및 과도 파장구간 1개를 형성하고, 350nm에서 1200nm 방향으로 상기 차단 파장구간, 상기 과도 파장구간 및 상기 통과대역 파장구간 순서로 배치된다.

상기 통과대역 파장구간의 투과율은 90%보다 크고;

상기 과도 파장구간의 투과율은 0.1%-90%이며;

상기 차단 파장구간의 투과율은 0.1%보다 작다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 상기 광 필터의 반치전폭은 120nm보다 작고, 상기 IR 박막층과 상기 AR 박막층의 총 두께는 9.8μm 보다 작다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 입사각이 0°에서 30°로 변할 때 상기 광 필터 통과대역의 중심 파장 이동량은 20nm보다 작다.

상술한 목적을 이루기 위해서 본 출원은 광원 유닛과 수신 유닛을 포함하고, 상기 광 필터가 있는 적외선 이미지 센싱 시스템을 제공한다.

상기 광원 유닛은 IR 방출 광원과 제1 렌즈 조립체를 포함하고;

상기 수신 유닛은 제2 렌즈 조립체, 광 필터 및 적외선 이미지 센서를 포함한다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 상기 방식에 따라 배치한 IR 박막층과 AR 박막층은 근적외선의 높은 투과율을 효과적으로 보장하고, 각도에 따른 광 필터 통과대역 중심 파장 이동량을 20nm이하로 제어할 수 있다. 또한 IR 박막층과 AR 박막층에 제3 굴절률 소재층 M을 상기 배치형식에 따라 배치하였기 때문에 광 필터의 총 박막층 두께를 효과적으로 낮추고 박막층의 접착력을 높여 줄 수 있다.

본 출원의 일 측면에 있어서, 본 출원의 광 필터를 포함한 적외선 이미지 센싱 시스템을 제공하는 것은 본 출원의 광 필터를 설치했을 때, 촬영 시 근적외선의 증투와 기타 파장구간의 빛을 차단함으로써 안면인식과 손짓인식의 최종 정확도를 높일 수 있기 때문이다.

도 1은 본 출원의 일종의 실시방안에 따른 IR 박막층 구조도를 개략적으로 나타낸다.
도 2는 본 출원의 일종의 실시방안에 따른 AR 박막층 구조도를 개략적으로 나타낸다.
도 3은 실시예 1의 IR 박막층 광 파장 투과율 그래프를 개략적으로 나타낸다.
도 4는 실시예 1의 AR 박막층 광 파장 투과율 그래프를 개략적으로 나타낸다.
도 5는 실시예 2의 IR 박막층 광 파장 투과율 그래프를 개략적으로 나타낸다.
도 6은 실시예 2의 AR 박막층 광 파장 투과율 그래프를 개략적으로 나타낸다.
도 7은 실시예 3의 IR 박막층 광 파장 투과율 그래프를 개략적으로 나타낸다.
도 8은 실시예 3의 AR 박막층 광 파장 투과율 그래프를 개략적으로 나타낸다.
도 9는 본 출원의 광 필터를 포함한 적외선 이미지 센싱 시스템의 구조도를 개략적으로 나타낸다.
도면의 각 부호에 대한 설명은 다음과 같다.
1: 유리기판; 2: IR 박막층; 3: AR 박막층; L: 저 굴절률 소재층; M: 중간 굴절률 소재층; H: 고 굴절률 소재층; 4: 광원 유닛; 41: IR 광원; 42: 제1 렌즈 조립체; 5: 수신 유닛; 51: 제2 렌즈 조립체; 52: 광 필터; 53: 적외선 이미지 센서; 6: 얼굴/손

본 출원 실시방안 또는 종래 기술의 기술방안을 더 명확하게 설명하기 위해 실시방안 중 필요한 도면에 대해서 후문에서 간단하게 소개하고자 한다. 후문 설명에 나오는 도면은 본 출원의 일부 실시방안에 불과할 뿐이고, 해당 기술분야의 통상의 지식을 가진 기술자의 경우 창조적 노력을 하지 않는 전제하에 제시된 일부 도면을 바탕으로 기타 도면을 획득할 수 있다고 이해하여야 할 것이다.

본 출원의 실시방안 설명에 있어서, '세로', '가로', '위', '아래', '앞', '뒤', '좌', '우', '수직', '수평', '상부', '하부', '안', '밖'의 용어가 가리키는 방향과 위치관계는 관련 도면에 나타낸 방향 또는 위치관계를 기반으로 하며, 이는 본 출원을 간단명료하게 설명하기 위함이지 지칭하는 장치 또는 부품이 반드시 특정 방향에 있어야 하고, 특정 방향으로 만들어지고 조작되어야 함을 의미하거나 암시하는 것이 아니다. 따라서 상술한 용어를 본 발명을 제한한다는 의미로 이해하여서는 안된다.

후문에서는 도면과 구체적 실시방안을 통해 본 출원을 상세하게 설명하되 반복하여 서술하지 않겠다. 다만 이를 본 출원의 실시방안이 아래의 실시방안에 국한된다고 이해되어서는 안된다.

도 1은 본 출원의 일종의 실시방안에 따른 IR 박막층의 구조도를 개략적으로 나타낸다. 도 2는 본 출원의 일종의 실시방안에 따른 AR 박막층의 구조도를 개략적으로 나타낸다. 도 1과 도 2를 보면, 본 출원의 광 필터는 유리기판(1), IR 박막층(2) 및 AR 박막층(3)을 포함한다. 본 출원의 유리기판(1)은 D263T 또는 AF32를 쓸 수 있고, IR 박막층(2)은 적외선 차단 박막층이며 AR 박막층(3)은 반사 감소막, 즉 증투막으로 특정 범위 내 파장에 대해 증투효과를 낼 수 있다. IR 박막층(2)와 AR 박막층(3)은 유리기판(1)의 서로 반대되는 두 표면에 각각 코팅된다. 본 실시방안에서 IR 박막층(2)은 유리기판(1)의 윗면에 코팅되고 AR 박막층(3)은 유리기판(1)의 아랫면에 코팅된다.

도 1과 같이, 본 실시방안에서 본 출원의 광 필터 IR 박막층(2)은 제1 굴절률 소재층(L), 제3 굴절률 소재층(M), 제2 굴절률 소재층(H)을 포함한다. 본 실시방안에서 IR 박막층(2)은 4개의 소재층으로 구성되는데, 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로 각각 제3 굴절률 소재층(M), 제1 굴절률 소재층(L), 제2 굴절률 소재층(H) 및 제1 굴절률 소재층(L)이다. 이 구조는 M, (LH), L로 표시할 수 있고, 이는 본 실시방안에서 IR 박막층(2)이 총 3개층으로 구성됨을 나타내는데 각각 유리기판(1) 윗면에 코팅된 제3 굴절률 소재층(M), 제일 바깥층의 제1 굴절률 소재층(L) 및 제3 굴절률 소재층(M)과 제일 바깥층의 제1 굴절률 소재층(L) 사이의 중간 소재층이며, 본 실시방안에서 중간 소재층은 제1 굴절률 소재층(L), 제2 굴절률 소재층(H)의 순서로 구성된다. 본 출원의 IR 박막층(2)의 중간 소재층은 복수의 제1 굴절률 소재층(L)과 제2 굴절률 소재층(H)을 교대로 적층할 수 있다. 즉, 본 출원의 IR 박막층(2)의 구조는 M, (LH)*n, L로 표시할 수 있고, 이는 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로 IR 박막층(2)이 제3 굴절률 소재층(M), 중간 소재층 및 제1 굴절률 소재층(L)으로 구성되며, 중간 소재층은 제1 굴절률 소재층(L)과 제2 굴절률 소재층(H)을 교대로 n번 적층한 구조이고 n은 정수 1보다 크거나 같다.

또한 본 발명의 IR 박막층(2)은 상술한 실시방안의 구조 외에 다른 실시방안도 있을 수 있다. 본 출원의 IR 박막층(2)의 두번째 실시방안에서 IR 박막층(2) 구조는 (LH)*s, L, M, (LH)*p, L로, 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로 IR 박막층(2)은 총 5개층으로 구성된다. 제1층 구조는 제1 굴절률 소재층(L)과 제2 굴절률 소재층(H)을 교대로 s번 적층한 것으로 s는 정수 0보다 크거나 같다. 제2층은 제1 굴절률 소재층(L), 제3층은 제3 굴절률 소재층(M), 제4층 구조는 제1 굴절률 소재층(L)과 제2 굴절률 소재층(H)을 교대로 p번 적층한 것으로 p는 정수 1보다 크거나 같고, 제5층은 제일 바깥층인 제1 굴절률 소재층(L)이다.

본 출원의 IR 박막층(2)은 제3 굴절률 소재층(M), 제1 굴절률 소재층(L) 및 제2 굴절률 소재층(H)을 포함하고, 상술한 실시방안을 바탕으로 배치하여 박막층의 접착력을 효과적으로 높임으로써 근적외선 투과율 곡선 특성을 개선하였다.

도 2를 보면, 본 출원의 AR 박막층(3)이 유리기판(1)의 아랫면에 코팅되어 있고, 본 실시방안에서 AR 박막층(3)은 저 굴절률 소재층(L)과 고 굴절률 소재층(H)을 포함한다. 구체적으로 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로 AR 박막층(3)은 제1 굴절률 소재층(L), 제2 굴절률 소재층(H) 및 제1 굴절률 소재층(L) 순서로 구성된다. 본 실시방안에서 AR 박막층(3) 구조를 (LH), L로 나타낼 수 있고, 이는 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로 AR 박막층(3)은 총 2개층으로 구성됨을 나타낸다. 순서대로 제1 굴절률 소재층(L)과 제2 굴절률 소재층(H)이 교대로 코팅되어 형성한 제1 구조층과 제일 바깥층인 제1 굴절률 소재층(L)이다. 또한 본 출원의 AR 박막층(3)에서 제1 구조층의 제1 굴절률 소재층(L)과 제2 굴절률 소재층(H)는 여러 번 교차될 수 있다. 즉, AR 박막층(3) 구조를 (LH)*q, L로 표시할 수 있고, (LH)*q는 제1 굴절률 소재층(L)과 제2 굴절률 소재층(H)를 교대로 q번 적층함을 의미하고 q는 1보다 크거나 같은 정수를 취할 수 있다.

본 출원의 AR 박막층(3)의 두번째 실시방안에 따르면, AR 박막층(3) 구조는 M, (LH)*k, L이고, 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로 AR 박막층(3)은 제3 굴절률 소재층(M), 중간 소재층 및 제1 굴절률 소재층(L)의 순서로 구성되며, 중간 소재층은 제1 굴절률 소재층(L)과 제2 굴절률 소재층(H)을 교대로 k번 적층한 것이고 k는 정수 1보다 크거나 같다.

그리고 본 출원의 AR 박막층(3)이 제1 굴절률 소재층, 제2 굴절률 소재층 및 제3 굴절률 소재층으로 구성될 때, AR 박막층(3)은 (LH)*i, L, M, (LH)*f, L의 구조도 가능하다. 즉 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로 AR 박막층(3)은 총 5개층으로 구성되고, 제1층 구조는 제1 굴절률 소재층(L)과 제2 굴절률 소재층(H)을 교대로 i번 적층한 것이고 i는 정수 0보다 크거나 같다. 제2층은 제1 굴절률 소재층(L), 제3층은 제3 굴절률 소재층(M)이다. 제4층 구조는 제1 굴절률 소재층(L)과 제2 굴절률 소재층(H)을 교대로 f번 적층한 것이고 f는 정수 1보다 크거나 같으며, 제5층은 제일 바깥층인 제1 굴절률 소재층(L)이다.

본 출원의 광 필터에 포함된 IR 박막층(2)과 AR 박막층(3)은 상기 실시방안 중 임의의 하나를 선택할 수 있다. 즉, 본 출원의 IR 박막층(2)은 두가지 실시방안을 가지고 있고, AR 박막층(3)은 세가지 실시방안을 가지고 있다. 본 출원 광 필터를 제작할 때 IR 박막층(2)과 AR 박막층(3)의 실시방안은 자유로운 조합이 가능하다. 단, 어느 실시방안이든 IR 박막층(2)의 제일 바깥층과 AR 박막층(3)의 제일 바깥층은 모두 저 굴절률 소재층이어야 한다는 점을 주의하여야 한다.

본 출원의 광 필터에서 IR 박막층(2) 중 고 굴절률 소재층(H)은 수소화규소층이고, 수소화규소층은 스퍼터링 반응 방식으로 코팅한 것으로, 코팅 시 온도범위를 80℃-300℃, 수소유량을 10sccm -50sccm, 스퍼터링 속도를 0.1nm/s-1nm/s 범위로 제어함으로써, 본 출원의 제2 굴절률 소재층(H)이 800nm -1200nm 범위 안에서 굴절률이 3보다 크고 소광계수가 0.002보다 작으며, 850nm에서 굴절률이 3.6보다 크고 960nm에서 굴절률이 3.55보다 크도록 하고, 나아가 본 출원의 광 필터 통과대역 중심 파장의 이동량을 조절하는데 도움이 되게 하였다. 본 출원의 AR 박막층(3) 중 제2 굴절률 소재층(H)은 수소화규소층을 쓸 수도 있고 다른 소재를 써도되며, 제2 굴절률 소재층의 굴절률이 제3 굴절률 소재층과 제1 굴절률소재층의 굴절률보다 크기만 하면 된다.

IR 박막층(2)과 AR 박막층(3)의 제3 굴절률 소재층(M)에 사용되는 소재는 Sb₂S₃, Nb₂O₅, Ta₂O₅, TiO₂, Al₂O₃, ZrO₂, Pr₆O₁₁, La₂O₃, Si₂N, SiN, Si₂N₃, Si₃N₄ 중 하나 또는 복수일 수 있다. IR 박막층(2)와 AR 박막층(3) 중 제1 굴절률 소재층(L)에 사용되는 소재는 SiO₂, Nb₂O₅, Ta₂O₅, TiO₂, Al₂O₃, ZrO₂, Pr₆O₁₁, La₂O₃, Si₂N, SiN, Si₂N₃, Si₃N₄중 하나 또는 복수일 수 있다. 800nm -1200nm 파장범위 안에서 제3 굴절률 소재층(M)의 굴절률 범위는 4보다 작고, 제1 굴절률 소재층(L)의 굴절률은 3보다 작다. 제3 굴절률 소재층(M)의 굴절률은 제1 굴절률 소재층(L)의 굴절률 보다 커야한다. 즉, 제1 굴절률 소재층(L)에 상술한 소재 중 어느 한 종류를 선택하여 사용한 후, 제3 굴절률 소재층(M)의 소재를 선택하여 사용함으로써, 제3 굴절률 소재층에 사용한 소재의 굴절률이 제1 굴절률 소재층(L)에서 사용한 소재의 굴절률보다 커야한다. 제3 굴절률 소재층(M)과 제1 굴절률 소재층(L)을 코팅할 때 스퍼터링 반응 설비를 통해 코팅할 수 있고, 진공 증착 설비를 통해 코팅할 수도 있다.

후문에서는 구체적인 실시예를 통해 본 출원의 광 필터에 대해서 상세하게 설명하고자 한다.

실시예 1

본 실시방안에서 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로 광 필터 IR 박막층(2)의 구조는 M, (LH)*n, L이고, 그 중 제2 굴절률 소재층(H), 제3 굴절률 소재층(M) 및 제1 굴절률 소재층(L)의 광학 두께는 각각 기준파장의 4분의1이고, 제2 굴절률 소재층(H)의 물리적 두께와 제1 굴절률 소재층(L)의 물리적 두께 사이의 충족 관계식은 0.05≤D_L/D_H≤20이며, 제3 굴절률 소재층(M)의 물리적 두께와 제2 굴절률 소재층(H)의 물리적 두께의 충족 관계식은 0.02≤D_M/D_H≤50이다. n=11이면 IR 박막층(2)의 총 두께는 3.41μm이다. 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로 AR 박막층(3) 구조는 (LH)*q, L이고，q=12이다. 제2 굴절률 소재층(H)의 물리적 두께와 저 굴절률 소재층(L)의 물리적 두께 사이의 충족 관계식은 0.05≤D_L/D_H≤20이고, 제3 굴절률 소재층(M)의 물리적 두께와 제2 굴절률 소재층(H)의 물리적 두께의 충족 관계식은 0.02≤D_M/D_H≤50이다.

즉, 본 실시방안에서 IR 박막층(2)은 총 24개의 소재층, AR 박막층(3)은 총 25개 소재층으로 구성된다. 본 실시방안에서 제2 굴절률 소재층(H)은 수소화규소, 제3 굴절률 소재층(M)은 알루미나, 제1 굴절률 소재층(L)은 이산화규소를 사용하였다.

공식을 이용하여,

방정식에 대입하여 나온 박막층 파라미터는 다음의 표와 같다.

여기서 OT_i는 제i 박막층의 광학 두께, OT₀는 4분의1 설계파장 크기의 광학 두께, pi는 원주율, f는 변조지수, 크기는 0에서 1사이이다.

표 1은 IR 박막층(2) 각 소재층의 파라미터표이다.

	1	2	3	4	5
소재	AL₂O₃	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H
두께(nm)	191.86	264.2	240.21	122.81	162.65
	6	7	8	9	10
소재	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂
두께(nm)	120.7	69.34	117.64	201	20
	11	12	13	14	15
소재	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H
두께(nm)	115.85	106.32	216.82	115.94	242.38
	16	17	18	19	20
소재	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂
두께(nm)	20	161.74	74.8	80.36	134.89
	21	22	23	24
소재	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂
두께(nm)	261.68	72.69	242.21	71.01

표 2는 AR 박막층(3) 각 소재층의 파라미터표이다.

	1	2	3	4	5
소재	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂
두께(nm)	118.99	144.41	121.91	40.98	99.76
	6	7	8	9	10
소재	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H
두께(nm)	38.13	108.77	46.76	96.72	40
	11	12	13	14	15
소재	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂
두께(nm)	21	105	114.2	162.36	134.9
	16	17	18	19	20
소재	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H
두께(nm)	20	20	20	86.73	41.24
	21	22	23	24	25
소재	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂
두께(nm)	117.94	60.05	45.65	53.89	139.6

도 3을 보면 실시예 1의 각 조건별 파라미터를 참고하여 본 출원의 광 필터를 설치하였고, 파장 범위 800nm-1200nm 내에서 본 출원의 IR 박막층(2)은 통과대역 파장구간 1개, 차단 파장구간 2개, 과도 파장구간 2개를 형성한다. 즉, 800nm에서 1200nm의 방향으로 IR 박막층(2)은 순서대로 차단 파장구간, 과도 파장구간, 통과대역 파장구간, 과도 파장구간 및 차단 파장구간을 형성한다. 통과대역 파장구간은 광선이 통과되는 구간, 차단 파장구간은 광선이 통과하지 못하는 구간이고, 과도 파장구간은 차단 파장구간과 통과대역 파장구간 사이에 위치한다. 도면과 같이 통과대역 파장구간의 폭은 400nm보다 작고 투과율은 90%보다 크며, 과도 파장구간의 투과율은 0.1%-90%, 차단 파장구간의 투과율은 0.1%보다 작다.

도 4를 보면 실시예의 각 조건별 파라미터를 참고하여 설치한 본 출원 광 필터의 AR 박막층(3)은 파장 범위 350nm-1200nm에서 AR 박막층(3)은 통과대역 파장구간 1개, 차단 파장구간 1개 및 과도 파장구간 1개를 형성한다. 즉, 350nm에서 1200nm의 방향으로 AR 박막층(3)은 순서대로 차단 파장구간, 과도 파장구간, 통과대역 파장구간을 형성한다. 도 4와 같이 통과대역 파장구간의 광선 투과율은 90%보다 크고 과도 파장구간의 투과율은 0.1%-90%, 차단 파장구간의 투과율은 0.1%보다 작다.

실시예 1의 각 파라미터를 참고하여 설치한 본 출원의 광 필터는 본 출원 광 필터의 반치전폭을 120nm보다 작게, IR 박막층(2)과 AR 박막층의 총 두께가 9.8μm보다 작게, 입사각이 0°에서 30°로 변할 때 광 필터 통과대역의 중심파장 이동량이 20nm보다 작게 해줄 수 있다.

실시예 2

본 실시방안에서 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로 광 필터 IR 박막층(2)의 구조는 (LH)*s, L, M, (LH)*p, L이고, 이 중 제2 굴절률 소재층(H), 제3 굴절률 소재층(M) 및 제1 굴절률 소재층(L)의 광학 두께는 각각 기준파장의 4분의1이다. 제2 굴절률 소재층(H)의 물리적 두께와 제1 굴절률 소재층(L)의 물리적 두께간의 충족 관계식은 0.05≤D_L/D_H≤20, 제3 굴절률 소재층(M)의 물리적 두께와 제2 굴절률 소재층(H)의 물리적 두께 충족 관계식은 0.02≤D_M/D_H≤50이다. s=5, p=6이면, IR 박막층(2)의 총 두께는 3.2μm이다. 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로 AR 박막층(3)의 구조는 (LH)*q, L이고，q=12이다. 제2 굴절률 소재층(H)의 물리적 두께와 제1 굴절률 소재층(L)의 물리적 두께 사이의 충족 관계식은 0.05≤D_L/D_H≤20이고, 제3 굴절률 소재층(M)의 물리적 두께와 제2 굴절률 소재층(H)의 물리적 두께 충족 관계식은 0.02≤D_M/D_H≤50이다.

즉, 본 실시방안에서 IR 박막층(2)은 총 25개 소재층, AR 박막층(3)도 총 25개의 소재층으로 구성된다. 본 실시방안에서 IR 박막층(2)의 제2 굴절률 소재층(H)에는 수소화규소를 사용했고, 제3 굴절률 소재층(M)에는 알루미나, 제1 굴절률 소재층(L)에는 이산화규소를 사용하였다. AR 박막층(3)의 제2 굴절률 소재층은 Nb₂O₅, 제1 굴절률 소재층에는 이산화규소를 사용하였다.

공식을 사용하여

방정식에 대입하여 나온 박막층 파라미터표는 다음과 같다.

표 3은 IR 박막층(2) 각 소재층의 파라미터표이다.

	1	2	3	4	5
소재	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂
두께(nm)	216.82	241.04	157.35	258.55	110.97
	6	7	8	9	10
소재	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H
두께(nm)	72.68	110.1	281.69	31.92	105.95
	11	12	13	14	15
소재	SiO₂	AL₂O₃	SiO₂	Si:H	SiO₂
두께(nm)	115.24	269.55	20	229.1	85.05
	16	17	18	19	20
소재	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H
두께(nm)	244.25	20	163.62	80.54	70.93
	21	22	23	24	25
소재	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂
두께(nm)	141.73	265.31	72.69	235.3	92.66

표 4는 AR 박막층(3) 각 소재층의 파라미터표이다.

	1	2	3	4	5
소재	SiO₂	Nb₂O₅	SiO₂	Nb₂O₅	SiO₂
두께(nm)	177.36	29.01	86.24	34.26	137.61
	6	7	8	9	10
소재	Nb₂O₅	SiO₂	Nb₂O₅	SiO₂	Nb₂O₅
두께(nm)	42.57	105.57	32.63	124.57	39.38
	11	12	13	14	15
소재	SiO₂	Nb₂O₅	SiO₂	Nb₂O₅	SiO₂
두께(nm)	127.56	36.38	121.12	36.38	123.16
	16	17	18	19	20
소재	Nb₂O₅	SiO₂	Nb₂O₅	SiO₂	Nb₂O₅
두께(nm)	31.7	132.74	44.2	128.03	27.69
	21	22	23	24	25
소재	SiO₂	Nb₂O₅	SiO₂	Nb₂O₅	SiO₂
두께(nm)	110.12	44.01	131.96	36.76	76.98

도 5를 보면 실시예 2의 각 조건별 파라미터를 참고하여 본 출원의 광 필터를 설치하고, 파장범위 800nm-1200nm 내에서 본 출원의 IR 박막층(2)은 통과대역 파장구간 1개, 차단 파장구간 2개 및 과도 파장구간 2개를 형성한다. 즉 800nm에서 1200nm의 방향으로 IR 박막층(2)은 차단 파장구간, 과도 파장구간, 통과대역 파장구간, 과도 파장구간 및 차단 파장구간 순서로 구성된다. 통과대역 파장구간은 광선이 통과되는 구간, 차단 파장구간은 광선이 통과하지 못하는 구간이고, 과도 파장구간은 차단 파장구간과 통과대역 파장구간 사이에 위치한다. 도면과 같이 통과대역 파장구간의 폭은 400nm보다 작고, 투과율은 90%보다 크며, 과도 파장구간의 투과율은 0.1%-90%이고 차단 파장구간의 투과율은 0.1%보다 작다.

도 6을 보면 실시예 2의 각 조건별 파라미터를 참고하여 설치한 본 출원 광 필터의 AR 박막층(3)은 파장범위 350nm-1200nm에서, AR 박막층(3)은 통과대역 파장구간 1개, 차단 파장구간 1개 및 과도 파장구간 1개를 형성한다. 즉, 350nm에서 1200nm의 방향으로 AR 박막층(3)은 차단 파장구간, 과도 파장구간, 통과대역 파장구간의 순서로 구성된다. 도 6과 같이, 통과대역 파장구간의 광선 투과율은 90%보다 크고, 과도 파장구간의 투과율은 0.1%-90%, 차단 파장구간의 투과율은 0.1%보다 작다.

실시예 2의 각 파라미터를 참고하여 설치한 본 출원의 광 필터 또한 본 출원 광 필터의 반치전폭을 120nm보다 작게, IR 박막층(2) 및 AR 박막층의 총 두께를 9.8μm보다 작게, 입사각이 0°에서 30°로 변할 때 광 필터 통과대역의 중심파장 이동량을 20nm보다 작도록 해줄 수 있다.

실시예 3

본 실시방안에서 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로 광 필터의 IR 박막층(2)의 구조는 M, (LH)*n, L이고, 이 중 제2 굴절률 소재층(H), 제3 굴절률 소재층(M) 및 제1 굴절률 소재층(L)의 광학 두께는 각각 기준파장의 4분의1이다. 제2 굴절률 소개층(H)의 물리적 두께와 제1 굴절률 소재층(L)의 물리적 두께 간의 충족 관계식은 0.05≤D_L/D_H≤20이고, 제3 굴절률 소재층(M)의 물리적 두께와 제2 굴절률 소재층(H)의 물리적 두께 충족 관계식은 0.02≤D_M/D_H≤50이다. n=11이면 IR 박막층(2)의 총 두께는 4.64μm이다. 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로 AR 박막층(3)의 구조는 (LH)*q, L이고，q=12이다. 제2 굴절률 소재층(H)의 물리적 두께와 제1 굴절률 소재층(L)의 물리적 두께 간의 충족 관계식은 0.05≤D_L/D_H≤20이다. 제3 굴절률 소재층(M)의 물리적 두께와 제2 굴절률 소재층(H)의 물리적 두께 충족 관계식은 0.02≤D_M/D_H≤50이다.

즉, 본 실시방안에서 IR 박막층(2)은 총 24개 소재층을, AR 박막층(3)은 총 25개 소개층으로 구성된다. 본 실시방안에서 IR 박막층(2) 중 제2 굴절률 소재층(H)에는 수소화규소를, 제3 굴절률 소재층(M)에는 Nb₂O₅를, 제1 굴절률 소재층(L)에는 이산화규소를 사용하였다. AR 박막층(3)에서 제2 굴절률 소재층(H)에는 수소화규소를, 제1 굴절률 소재층(L)에는 이산화규소를 사용하였다.

공식을 이용하여,

방정식에 대입하여 나온 박막층 파라미터표는 다음과 같다.

표 5는 IR 박막층(2) 각 소재층의 파라미터표이다.

	1	2	3	4	5
소재	Nb₂O₅	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H
두께(nm)	69.22	92.9	289.82	110.55	150.69
	6	7	8	9	10
소재	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂
두께(nm)	180.07	249	47.65	274.33	140.68
	11	12	13	14	15
소재	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H
두께(nm)	285	168.38	450	135.93	231
	16	17	18	19	20
소재	SiO₂	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂
두께(nm)	64.56	268.44	88.3	380	128.53
	21	22	23	24
소재	Si:H	SiO₂	Si:H	SiO₂
두께(nm)	210	65	311	243.3

표 6은 AR 박막층(3) 각 소재층의 파라미터표이다.

도 7을 보면 실시예 3의 각 조건별 파라미터를 참고하여 본 출원의 광 필터를 설치하고, 파장범위 800nm-1200nm 내에서 본 출원의 IR 박막층(2)은 통과대역 파장구간 1개, 차단 파장구간 2개 및 과도 파장구간 2개를 형성한다. 즉, 800nm에서 1200nm의 방향으로 IR 박막층(2)은 차단 파장구간, 과도 파장구간, 통과대역 파장구간, 과도 파장구간 및 차단 파장구간의 순서로 구성된다. 통과대역 파장구간은 광선이 통과되는 구간, 차단 파장구간은 광선이 통과하지 못하는 구간이고, 과도 파장구간은 차단 파장구간과 통과대역 파장구간 사이에 위치한다. 도면과 같이 통과대역 파장구간의 폭은 400nm보다 작고, 투과율은 90%보다 크며, 과도 파장구간의 투과율은 0.1%-90%이고 차단 파장구간의 투과율은 0.1%보다 작다.

도 8을 보면, 실시예 3의 각 조건별 파라미터를 참고하여 설치한 본 출원의 광 필터 AR 박막층(3)은 파장구간 350nm-1200nm에서 통과대역 파장구간 1개, 차단 파장구간 1개 및 과도 파장구간 1개를 형성한다. 즉, 350nm에서 1200nm의 방향으로 AR 박막층(3)은 차단 파장구간, 과도 파장구간, 통과대역 파장구간의 순서로 구성된다. 도 8과 같이 통과대역 파장구간의 광선 투과율은 90%보다 크고, 과도 파장구간의 투과율은 0.1%-90%, 차단 파장구간의 투과율은 0.1%보다 작다.

실시예 3의 각 파라미터를 참고하여 설치한 본 출원의 광 필터 또한 본 출원 광 필터의 반치전폭을 120nm보다 작게, IR 박막층(2) 및 AR 박막층의 총 두께를 9.8μm보다 작게, 입사각이 0°에서 30°로 변할 때 광 필터 통과대역의 중심파장 이동량을 20nm보다 작도록 해줄 수 있다.

본 출원의 광 필터에 상기 방안대로 IR 박막층(2)과 AR 박막층(3)을 설치했을 때 근적외선의 높은 투과율 보장할 뿐만 아니라 각도에 따른 광 필터 통과대역 중심파장의 이동량을 20nm 이하로 제어할 수도 있다. 또한 IR 박막층(2)과 AR 박막층(3)에 제3 굴절률 소재층(M)을 상기 배치형식대로 배치하였기 때문에 본 출원 광 필터의 총 박막층 두께를 효과적으로 낮추었고 박막층의 접착력도 개선할 수 있었다.

본 출원은 본 출원 광 필터를 포함한 적외선 이미지 센싱 시스템도 제공한다. 도 9는 본 출원 광 필터를 포함한 적외선 센싱 시스템의 구조도를 개략적으로 나타낸다. 도 9를 보면, 본 출원의 적외선 이미지 센싱 시스템은 광원 유닛(4)과 수신 유닛(5)을 포함한다. 본 실시방안에서 광원 유닛(4)은 IR 방출 광원(41)과 제1 렌즈 조립체(42)를 포함한다. 수신 유닛(5)은 제2 렌즈 조립체(51)와 본 출원의 광 필터 및 적외선 이미지 센서(53)를 포함한다. 본 실시방안에서 IR 광원(41)은 VCSEL(수직 캐비티 표면 광방출 레이저), LD 또는 LED일 수 있고, 제1 렌즈 조립체(42)는 근적외선 조준 렌즈와 광학적 회절 부품을 포함한다. 제2 렌즈 조립체(51)는 보통의 광학 렌즈를 쓸 수 있다. 본 출원의 적외선 이미지 센싱 시스템의 작동흐름은 다음과 같다.

IR 광원(41)을 키면 제1 렌즈 조립체(42)에 조준된 후 얼굴/손(6)을 향해 광선을 방출하고, 제2 렌즈 조립체(51)가 이미지를 촬영하여 적외선 이미지 센서(53)에 의한 연산으로 3D 이미지를 생성함으로써 안면인식 또는 손짓인식을 한다. 본 출원의 광 필터(52)가 있기 때문에 촬영 시 근적외선을 증투시키고, 기타 파장구간의 빛을 차단해줌으로써 안면인식, 손짓인식의 최종 정확도를 높일 수 있다.

상기 방안은 본 출원의 하나의 방안일 뿐이며 본 출원을 국한하는 것이 아니다. 해당 분야의 기술자에게 있어서 본 출원은 다양한 수정과 변화가 가능하다. 본 출원의 정신과 원칙의 큰 틀안에서 수정, 균등의 대체물, 개선 등은 모두 본 출원의 보호범위에 속해야 한다.

Claims

광 필터에 있어서,
유리기판(1)과 상기 유리기판의 반대되는 양 표면에 코팅된 IR 박막층(2)과 AR 박막층(3)을 포함하며,
상기 IR 박막층(2)은 제1 굴절률 소재층, 제2 굴절률 소재층, 및 제3 굴절률 소재층을 포함하고, 상기 제3 굴절률 소재층의 굴절률은 상기 제1 굴절률 소재층의 굴절률보다 크고, 상기 제2 굴절률 소재층의 굴절률은 상기 제3 굴절률 소재층의 굴절률보다 큰 것인, 광 필터.
제1항에 있어서,
상기 AR 박막층(3)은, 제1 굴절률 소재층, 및 제2 굴절률 소재층을 포함하거나 또는 제1 굴절률 소재층, 제2 굴절률 소재층, 및 제3 굴절률 소재층을 포함하는 것인, 광 필터.
제1항에 있어서,
상기 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로, 상기 IR 박막층(2)의 제일 바깥층과 상기 AR 박막층(3)의 제일 바깥층은 모두 제1 굴절률 소재층인 것인, 광 필터.
제3항에 있어서,
상기 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로, 상기 IR 박막층(2) 구조는 M, (LH)*n, L 순서로 구성되고, M은 제3 굴절률 소재층, L은 제1 굴절률 소재층, H는 제2 굴절률 소재층이며, (LH)*n은 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 n번 적층한 것을 나타내고, n은 1보다 크거나 같은 정수인 것인, 광 필터.
제3항에 있어서,
상기 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로, 상기 IR 박막층(2)의 구조는 (LH)*s, L, M, (LH)*p, L 순서로 구성되고, M은 제3 굴절률 소재층, L은 제1 굴절률 소재층, H는 제2 굴절률 소재층이며, (LH)*s는 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 s번 적층한 것을 나타내고, s는 정수 0보다 크거나 같으며, (LH)*p는 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 p번 적층한 것을 나타내고, p는 1보다 크거나 같은 정수인 것인, 광 필터.
제2항에 있어서,
상기 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로, 상기 AR 박막층(3) 구조는 (LH)*q, L 순서로 구성되고, L은 제1 굴절률 소재층, H는 제2 굴절률 소재층이며, (LH)*q는 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 q번 적층한 것을 나타내고, q는 1보다 크거나 같은 정수인 것인, 광 필터.
제2항에 있어서,
상기 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로, 상기 AR 박막층(3) 구조는 M, (LH)*k, L 순서로 구성되고, M은 제3 굴절률 소재층, L은 저 굴절률 소재층, H는 제2 굴절률 소재층이며, (LH)*k는 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 k번 적층한 것을 나타내고, k는 1보다 크거나 같은 정수인 것인, 광 필터.
제2항에 있어서,
상기 유리기판(1)에서 멀어지는 방향으로, 상기 AR 박막층(3) 구조는 (LH)*i, L, M, (LH)*f, L 순서로 구성되고, M은 제3 굴절률 소재층, L은 제1 굴절률 소재층, H는 제2 굴절률 소재층이며, (LH)*i는 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 i번 적층한 것을 나타내고, i는 0보다 크거나 같은 정수이고, (LH)*f는 제1 굴절률 소재층과 제2 굴절률 소재층을 교대로 f번 적층한 것을 나타내고, f는 1보다 크거나 같은 정수인 것인, 광 필터.
제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 굴절률 소재층의 물리적 두께와 상기 제1 굴절률 소재층의 물리적 두께 충족 관계식은 0.05≤D_L/D_H≤20;
상기 제3 굴절률 소재층의 물리적 두께와 상기 제2 굴절률 소재층의 물리적 두께 충족 관계식은 0.02≤D_M/D_H≤50 인 것인, 광 필터.
제1항에 있어서,
상기 IR 박막층(2)의 제2 굴절률 소재층은 수소화규소층이고, 800nm 내지 1200nm 파장범위내의 굴절률은 3보다 크고, 소광계수는 0.002보다 작고;
상기 제2 굴절률 소재층은 850nm에서 굴절률이 3.6보다 크고, 940nm에서 굴절률이 3.55보다 큰 것인, 광 필터.
제10항에 있어서,
상기 수소화규소층은 스퍼터링 반응으로 소재층을 코팅한 것으로, 스퍼터링 온도범위는 섭씨80도 내지 섭씨 300도, 수소유량은 10sccm 내지 50sccm, 스퍼터링 속도는 0.1nm/s 내지 1nm/s 인 것인, 광 필터.
제1항에 있어서,
800nm 내지 1200nm 파장범위 내에서, 상기 제3 굴절률 소재층의 굴절률은 4보다 작고, 상기 제1 굴절률 소재층의 굴절률은 3보다 작은 것인, 광 필터.
제1항에 있어서,
800nm 내지 1200nm 파장범위 내에서, 상기 IR 박막층(2)은 통과대역 파장구간 1개, 차단 파장구간 2개, 및 과도 파장구간 2개를 형성하고, 상기 과도 파장구간 2개는 각각 상기 통과대역 파장구간의 양 측에 위치하며, 상기 차단 파장구간 2개는 각각 과도 파장구간의 바깥측에 위치하고;
상기 통과대역 파장구간의 폭은 400nm보다 작고, 투과율은 90%보다 크고;
상기 과도 파장구간의 투과율은 0.1% 내지 90%이며;
상기 차단 파장구간의 투과율은 0.1%보다 작은 것인, 광 필터.
제1항에 있어서,
350nm 내지 1200nm 파장범위 내에서, 상기 AR 박막층(3)은 통과대역 파장구간 1개, 차단 파장구간 1개, 및 과도 파장구간 1개를 형성하고, 350nm에서 1200nm의 방향으로 상기 차단 파장구간, 상기 과도 파장구간, 및 상기 통과대역 파장구간 순서로 배치되며;
상기 통과대역 파장구간의 투과율은 90%보다 크고;
상기 과도 파장구간의 투과율은 0.1% 내지 90%이며;
상기 차단 파장구간의 투과율은 0.1%보다 작은 것인, 광 필터.
제1항에 있어서,
상기 광 필터의 반치전폭은 120nm보다 작고, 상기 IR 박막층(2)와 상기 AR 박막층(3)의 총 두께는 9.8μm보다 작은 것인, 광 필터.
제1항에 있어서,
입사각이 0°에서 30°로 바뀔 때 상기 광 필터 통과대역의 중심파장 이동량이 20nm보다 작은 것인, 광 필터.
제1항 내지 제16항 중 어느 한 항의 광 필터를 포함하고 있는 적외선 이미지 센싱 시스템으로서,
광원 유닛(4)과 수신 유닛(5)를 포함하고,
상기 광원 유닛(4)은 IR 방출 광원(41)과 제1 렌즈 조립체(42)를 포함하고,
상기 수신 유닛(5)은 제2 렌즈 조립체(51), 광 필터(52), 및 적외선 이미지 센서(53)를 포함하는 것인, 적외선 이미지 센싱 시스템.