KR20210036842A - 용접 프로세스 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 전도체가 워크피스 상에 용접되는 용접 프로세스에 관한 것이다. 전도체는 제1 금속을 포함하고, 워크피스는 제2 금속을 포함한다. 첫 번째로, 전도체의 절연부가 미리 결정된 길이에 걸쳐 제거된다. 후속적으로, 전도체의 스트리핑된 영역에 비드가 형성된다. 후속적으로, 전도체가 워크피스 상에 눌려지고, 누름은, 전도체와 워크피스 사이의 용접 영역에서 기계적 접촉을 생성하는 효과를 갖는다. 이 경우, 용접 영역은 비드의 영역에 배열된다. 마지막으로, 전도체는 용접 영역에서 레이저 용접에 의해 워크피스 상에 용접된다.

Description

용접 프로세스{WELDING PROCESS}

본 발명은 용접 프로세스, 및 워크피스 상의 전도체의 배열체에 관한 것이다.

전도체들을 워크피스에 용접하는 것은 종래 기술로부터 알려져 있다. 이 경우, 전도체는 하나 이상의 코어들을 가지며, 하나 이상의 코어들은 절연 재료로 인클로징되는 것이 규정될 수 있다. 전도체를 워크피스에 용접하기 위해, 전도체는 일 영역에서 전도체의 절연부(insulation)가 스트리핑되는데, 즉, 절연 재료가 제거된다. 후속적으로, 전도체의 스트리핑된 영역은, 예컨대 누르기(holding-down) 디바이스들에 의해 워크피스 상에 압착된다. 다중-코어 전도체의 경우, 이 목적을 위해, 서로 절연된 다수의 전도성 영역들이 워크피스에 배열되는 것이 흔한 경우일 수 있다. 전도체를 워크피스 상에 압착한 후에, 전도체의 적어도 하나의 코어는 워크피스 또는 워크피스의 적어도 하나의 전도성 영역과 기계적 접촉을 하며, 그에 따라, 레이저 용접 프로세스에 의해 워크피스에 용접될 수 있다.

전도체가, 절연 재료의 결과로 워크피스로부터 거리를 두고 있기 때문에, 전도체의 눌려짐은, 특정한 힘을 들여 전도체의 코어 또는 코어들이 워크피스에 대해 압착되는 방식으로 발생해야 한다. 이를 위해 누르기 디바이스들이 구비되어야 하며, 이러한 이유로, 누르기 디바이스들은 또한, 전도체의 스트리핑된 영역에서만 사용될 수 있다.

본 발명에 의해 해결되는 하나의 문제점은 개선된 용접 프로세스를 제공하는 것이다. 본 발명에 의해 해결되는 다른 문제점은 워크피스 상에 전도체의 상응하게 용접된 배열체를 제공하는 것이다.

이러한 문제점들은, 독립항들의, 워크피스 상에 전도체를 용접하기 위한 프로세스 및 워크피스 상의 전도체의 배열체에 의해 해결된다. 유리한 구성들은 종속항들에 명시된다.

전도체를 워크피스 상에 용접하기 위한 프로세스에서, 전도체는 제1 금속을 포함하고, 워크피스는 제2 금속을 포함한다. 전도체를 워크피스에 용접하기 위해, 다음의 단계들이 수행된다. 첫 번째로, 전도체의 절연부가 미리 결정된 길이에 걸쳐 제거된다. 후속적으로, 전도체의 스트리핑된(stripped) 영역에 비드(bead)가 생성된다. 이 경우, 전도체의 스트리핑된 영역은 절연부가 제거된 전도체의 영역일 수 있다.

후속적으로, 전도체가 워크피스 상에 눌려지고, 누름은, 전도체와 워크피스 사이의 용접 영역에서 기계적 접촉을 생성하는 효과를 갖는다. 이 경우, 용접 영역은 비드의 영역에 배열된다. 후속적으로, 워크피스 상에서 전도체의 레이저 용접이 용접 영역에서 발생한다.

따라서, 본 발명은, 전도체의 필요한 변형이 누름이 발생할 때뿐만 아니라 비드를 형성하는 동안 이미 발생함으로써, 전도체에서 생성된 비드에 의해 전도체와 워크피스 사이의 거리를 감소시키는 중심 아이디어에 기반하며, 비드는 전도체의 스트리핑된 영역에 배열된다. 이 경우, 비드는, 비드로 인해 워크피스의 방향으로 전도체의 볼록성(convexity)이 생성되고, 그리고 결과적으로 전도체와 워크피스 사이의 거리가 감소되는 방식으로 구성될 수 있다. 비드에 추가하여 발생하는, 전도체의 추가의 변형이, 전도체를 누르는 동안 발생하는 것이 규정될 수 있다. 특히, 제로 갭(zero gap)이 생성되면, 즉, 전도체가 워크피스와 직접 접촉하게 놓이면, 용접 프로세스가 개선될 수 있다.

프로세스의 일 실시예에서, 워크피스는 다수의 전도성 영역들을 포함한다. 전도체는 다중-코어 전도체의 일부이며, 용접 프로세스 동안 다중-코어 전도체의 코어들 모두 상에서 절연부가 제거되고, 다중-코어 전도체의 코어들 모두의 경우에서 비드가 형성된다. 후속적인 레이저 용접 프로세스에서, 코어들은, 차례로 전도성 영역에 각각 용접된다.

이는, 예컨대 배터리 생산에 사용되는 것과 같이, 다중-코어 전도체를 워크피스의 전도성 영역들에 용접하기 위한 효율적인 프로세스를 가능하게 한다.

프로세스의 일 실시예에서, 레이저 용접 후에, 전도체는 레이저 용접에 의해 추가의 용접 영역에서 워크피스에 용접된다. 따라서, 전도체, 또는 다중-코어 전도체의 경우에 각각의 코어는, 더 안전한 용접된 연결부를 제공하기 위해, 용접 영역 및 추가의 용접 영역에서 워크피스에 각각 용접된다.

프로세스의 일 실시예에서, 비드의 형성은, 누름 동안, 전도체가 초기에 용접 영역과 접촉하게 놓이고 그리고 추가의 용접 영역과 접촉하게 놓이지 않는 방식으로 발생한다. 용접 영역에서의 레이저 용접 동안의 전도체의 열팽창은, 전도체가 후속적으로 추가의 용접 영역과 접촉하게 놓이고, 그리고 마찬가지로 그 추가의 용접 영역에서 워크피스에 용접될 수 있는 방식으로, 전도체가 변형되는 효과를 갖는다. 이는, 예컨대, 비드로 인해 전도체가 추가의 용접 영역보다 용접 영역에서 워크피스에 더 가깝게 배열되는 방식으로 비드가 구성됨으로써 발생할 수 있으며; 전도체는 특히 추가의 용접 영역이 아닌 용접 영역에서 워크피스와 접촉한다.

결과적으로, 레이저 용접 동안의 전도체의 열팽창은 마찬가지로, 훨씬 더 유리하게 전도체가 워크피스와 접촉하게 놓이는 전체적인 효과를 달성하는 데 사용될 수 있다.

프로세스의 일 실시예에서, 전도체는 직사각형 단면을 갖는 평평한 전도체이다. 그러한 전도체는 특히, 설명된 용접 프로세스에 매우 적합하다.

일 실시예에서, 누르기는 전도체의 스트리핑된 영역에서 발생한다. 이는, 예컨대 누르기 디바이스에 의해 발생할 수 있으며, 누르기 디바이스는 용접 영역에서 전도체와 접촉하고 그리고 전도체를 워크피스 상에 누른다. 대안적으로, 누르기는, 예컨대 스트리핑된 영역에 충돌하는 기류(air stream)에 의해 또한 발생할 수 있다.

프로세스의 일 실시예에서, 누르기는 스트리핑된 영역 외부에서 발생한다. 이는 마찬가지로, 예컨대 누르기 디바이스 또는 기류에 의해 발생할 수 있다. 예컨대, 전도체의 스트리핑된 영역에서 누르기 디바이스를 사용하고, 전도체의 비-스트리핑된 영역에서 누르기 디바이스를 사용하는 것이 또한 규정될 수 있다. 전도체가, 스트리핑된 영역 외부에서 눌려지는 경우, 결과적으로, 스트리핑된 영역은 크기가 감소될 수 있다.

프로세스의 일 실시예에서, 용접 영역에서의 레이저 용접은 다수의 용접 지점들에 의해 발생한다. 추가의 용접 영역에서의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다. 레이저 용접의 경우, 일반적으로 용접 위치에 (예컨대, 나선형으로) 다수의 용접 지점들을 설정하는 것이 일반적이다. 비드는, 설명된 용접 프로세스에서 이것이 매우 효율적으로 수행되는 것을 가능하게 하는데, 왜냐하면, 예컨대 용접 영역 근처에 어떤 누르기 디바이스들도 필요하지 않기 때문이다.

프로세스의 일 실시예에서, 비드의 깊이는 절연부의 두께와 실질적으로 일치한다. 특히, 비드의 깊이는 절연부의 두께와 일치한다. 결과적으로, 전도체는, (다르게는, 전도체가 워크피스 상의 절연부와 접촉하게 놓여 있을 때) 용접 영역에서 워크피스와 접촉하고, 이에 의해 개시된 전도체의 변위가 워크피스를 향하는 방식으로 비드가 구성된다. 이 구성은 특히, 기류에 의해 전도체를 누르는 것 또는 절연부 상에서 전도체를 누르는 것에 매우 적합하다.

프로세스의 일 실시예에서, 비드의 형성은 낙하 단조(drop forging)에 의해 발생한다. 이 경우, 전도체는, 적어도 2개의 몰드들을 포함하는 공구에 배치되며, 비드는 단조 동작에 의해 전도체에 생성된다. 이는 비드의 간단하고 효율적인 생산 프로세스를 가능하게 하며, 낙하 단조에 사용되는 공구로 인해 단조 결과의 양호한 재현성이 가능하다.

프로세스의 일 실시예에서, 제1 금속은 알루미늄 또는 구리를 포함하거나 알루미늄 또는 구리로 구성된다. 프로세스의 일 실시예에서, 제2 금속은 알루미늄을 포함하거나, 또는 제1 금속은 알루미늄이다. 특히, 이러한 언급된 재료들은 제안된 레이저 용접 프로세스의 사용에 매우 적합하다. 에너지 및/또는 전력 및/또는 파장이, 용접될 금속들을 함께 용접하기에 적합한 방출을 촉진할 수 있는 임의의 광원이 레이저 용접 프로세스에서 레이저로서 사용될 수 있다. 그러한 적합한 레이저 용접 프로세스들은 종래 기술로부터 알려져 있다.

본 발명은 또한, 워크피스 상의 전도체의 배열체를 포함하며, 전도체는 제1 금속을 포함하고 워크피스는 제2 금속을 포함한다. 전도체와 워크피스는 용접 영역에서 용접되고, 전도체는 용접 영역에서 그 전도체의 절연부가 스트리핑되며 비드를 포함한다. 워크피스에 용접된 전도체의 그러한 배열체는 본 발명에 따른 용접 프로세스에 의해 용이하게 생성될 수 있다. 비드는, 본 발명에 따른 용접 프로세스가 사용되었다는 명확한 표시이다.

배열체의 일 실시예에서, 비드의 깊이는 용접 영역 외부에 존재하는 전도체의 절연부의 두께와 실질적으로 일치한다. 이는, 배열체의 특히 간단한 생산을 가능하게 한다.

본 발명에 의해 해결되는 문제점, 해결책의 기술적 구현, 및 본 발명의 장점들은 예시적인 실시예들로부터 명백하며, 예시적인 실시예들은 도면들의 도움으로 아래에서 설명될 것이며, 도면들의 도식화된 표현에서:
도 1은 용접 프로세스의 시작점에서의 전도체를 도시하고;
도 2는 절연부의 스트리핑 후의 전도체를 도시하고;
도 3은 공구에 배치된 후의 전도체를 도시하고;
도 4는 비드의 형성 후의 전도체를 도시하고;
도 5는 누르기 후의 그리고 용접 동작 동안의 전도체를 도시하고;
도 6은 스트리핑된 다중-코어 전도체를 도시하고;
도 7은 비드들을 갖는 스트리핑된 다중-코어 전도체를 도시하고;
도 8은 용접 후의 다중-코어 전도체를 도시하고;
도 9는 추가의 눌려진 전도체를 도시하고; 그리고
도 10은 용접 동작 동안의 눌려진 전도체를 도시한다.

도 1은 전도체(1)를 관통하는 단면을 도시한다. 이 경우의 전도체(1)는 제1 금속(2)을 포함한다. 절연부(5)는, 절연부(5)가 제1 금속(2)을 절연하는 방식으로 전도체(1)의 제1 금속(2)에 부착되었다.

도 2는 전도체(1)의 절연부(5)가 미리 결정된 길이(6)에 걸쳐 제거된 후의 전도체(1)를 도시한다. 미리 결정된 길이(6)에 걸친 절연부(5)의 제거는 전도체(1)의 제1 금속(2)의 일부가 노출되는 효과를 갖는다.

이 노출된 영역은 또한, 스트리핑된 영역(7)으로 지칭될 수 있다.

도 3은 성형 공구(8) 내에 배치된 후의 도 1 및 도 2로부터의 전도체(1)를 도시한다. 이 경우, 성형 공구(8)는 하부 부분(9) 및 상부 부분(10)을 포함한다. 성형 공구(8)는, 성형 공구(8)의 상부 부분(10)이 하부 부분(9)을 향해 이동함으로써, 전도체(1)의 스트리핑된 영역(7)에 비드를 형성하는 목적에 맞다.

도 4는, 일단 성형 공구(8)의 상부 부분(10)이 성형 공구(8)의 하부 부분(9)을 향해 이동되고 비드(11)가 전도체(1)에 생성된, 전도체(1)를 도시한다. 이는, 예컨대 상부 부분(10)을 하부 부분(9) 상에 압착함으로써 발생한다. 일 예시적 실시예에서, 비드(11)의 형성은 낙하 단조에 의해 발생하며, 그때, 성형 공구(8)는 낙하 단조 공구이다.

비드(11) 때문에, 전도체(1)는 스트리핑된 영역(7)에서 전도체(1)의 포지션이 변위된다. 이 경우, 비드(11)의 깊이(12)가 절연부(5)의 두께(13)와 실질적으로 일치하는 것이 규정될 수 있다. 여기서 도시되지 않은 대안적인 예시적 실시예들에서, 비드(11)의 깊이(12)는 절연부(5)의 두께(13)와 일치하지 않는다.

도 5는, 전도체(1)가 성형 공구(8)로부터 제거된 후의, 도 4로부터의 전도체(1)를 도시한다. 전도체(1)는 누르기 디바이스들(14)에 의해 워크피스(3) 상에 눌려진다. 이 경우, 워크피스(3)는 제2 금속(4)을 포함한다. 용접 영역(15)에서, 전도체(1)의 제1 금속(2)은 레이저 방사(16)에 의해 워크피스(3)의 제2 금속(4)에 용접된다. 비드(11)는, 누르기 디바이스들(14)이, 종래 기술로부터 알려진 용접 프로세스들의 경우보다 전도체(1)에 더 작은 힘을 가해야 한다는 효과를 갖는데, 왜냐하면, 비드(11) 때문에, 전도체(1)의 제1 금속(2)은 이미 워크피스(3)의 제2 금속(4)과 실질적으로 접촉하게 놓여 있기 때문인데, 즉, 실질적으로 제로 갭(zero gap)을 형성하기 때문이다. 이는 특히 용접 영역(15)에 적용된다.

전도체(1)와 워크피스(3)는 전도체(1)와 워크피스(3)의 배열체(21)를 형성하며, 전도체(1)는 제1 금속(2)을 포함하고, 워크피스(3)는 제2 금속(4)을 포함하고, 전도체(1)와 워크피스(3)는 용접 영역(15)에서 용접되고, 전도체(1)는 용접 영역(15)에서 전도체(1)의 절연부가 스트리핑되고 비드(11)를 포함한다.

이 경우, 도 4와 유사하게, 비드(11)의 깊이(12)가 전도체(1)의 스트리핑된 영역(7) 외부의 절연부(5)의 두께(13)와 실질적으로 일치한다는 것이 규정될 수 있다.

도 6은 다중-코어 전도체(1)를 평면도로 도시한다. 절연부(5)에서, 3개의 코어들(17)이 각각 스트리핑되었으며, 코어들(17)의 스트리핑으로 인해 코어들(17)의 제1 금속(2)이 보인다. 단면에서, 이는 도 2의 표현에 대응할 수 있고, 코어들(17)은 하나가 다른 하나 뒤에 놓이는 식으로 배열되며, 따라서 단지 하나만이 보인다.

도 7은, 일단 비드(11)가 각각의 코어(17)에 형성된, 도 6의 전도체(1)를 도시한다. 이는, 성형 공구(8)에 의해, 예컨대 낙하 단조에 의해, 도 3 및 도 4에서 설명된 프로세스와 유사하게 발생할 수 있다.

도 8은, 도 7로부터의 전도체(1)가 워크피스(3) 상에 배치된 후의 전도체(1)를 평면도로 도시한다. 도시되지 않은 누르기 디바이스들에 의해, 전도체(1)는 도 5와 유사한 방식으로 워크피스(3) 상에 눌려질 수 있다. 이 경우, 워크피스(3)는 3개의 전도성 영역들(19)을 포함하며, 각각의 코어(17)에는 전도성 영역(19)이 할당된다. 코어들(17)의 비드들(11) 때문에, 도 5와 유사하게, 코어들(17)이 전도성 영역들(19)과 접촉하게 놓인다는 것이 규정될 수 있다. 각각의 코어(17)는 용접 영역(15)을 포함하며, 용접 영역(15)에서 전도체(1) 또는 전도체(1)의 코어(17)는 레이저 방사(16)에 의해 도 5와 유사한 방식으로 워크피스(3) 또는 워크피스(3)의 전도성 영역(19)에 용접된다. 게다가, 코어들(17)은 추가의 용접 영역(18)을 각각 포함하고, 추가의 용접 영역(18)은 마찬가지로, 스트리핑된 영역(7)의 비드(11)의 영역에 마찬가지로 배열되고, 추가의 용접 영역(18)에서 코어들(17)은 마찬가지로 전도성 영역들(19)에 용접될 수 있다.

추가의 용접 영역(18)에서 워크피스(3)에 도 5로부터의 전도체(1)를 추가적으로 용접하는 것이 유사하게 또한 고려가능하다.

이 경우에 또한, 전도체(1)와 워크피스(3)는 워크피스(3) 상에 전도체(1)의 배열체(21)를 형성하고, 여기서 전도체(1)는 워크피스(3)에 용접된다. 특히, 전도체(1)의 각각의 코어(17)는 워크피스(3)의 전도성 영역(19)에 용접된다. 워크피스(3)의 전도성 영역들(19)이 서로에 대해 절연되는 경우, 그에 따라 예컨대 배터리의 다양한 접촉들이 제공될 수 있다.

도 9는 누르기 디바이스들(14)에 의해 워크피스(3) 상에 눌려진 추가의 전도체(1)를 관통하는 단면을 도시한다. 도 5와 대조적으로, 도 9의 전도체(1)는 절연부(5)의 영역에서, 즉, 비드(11) 또는 스트리핑된 영역(7) 외부에서 누르기 디바이스들(14)에 의해 눌려진다. 이는, 이미 설명된 바와 같이, 특히 비드(11)의 깊이(12)가 절연부(5)의 두께(13)와 일치할 때마다 가능한데, 왜냐하면, 그럼에도 불구하고 전도체(1)의 제1 금속(2)과 워크피스(3)의 제2 금속(4) 사이의 기계적 접촉이 가능하기 때문이다. 따라서, 전도체(1)의 제1 금속(2)은 레이저 방사(16)에 의해, 용접 영역(15)에서 워크피스(3)의 제2 금속(4)에 용접될 수 있다. 예컨대, 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 다수의 코어들(17)이 제공되는 경우, 코어들(17) 각각은 이 프로세스에 의해 워크피스(3)의 대응하는 전도성 영역(19)에 용접될 수 있다.

추가의 용접 영역(18)에서, 비드(11)는, 전도체(1)의 제1 금속(2)과 워크피스(3)의 제2 금속(4) 사이에 거리(20)가 있는 방식으로 구성된다. 레이저 방사(16)에 노출되는 동안, 레이저 방사(16) 때문에 제1 금속(2)이 가열되면, 제1 금속(2)은 팽창된다.

도 10은, 제1 금속(2)이 용접 영역(15)에서 제2 금속(4)에 용접되고 그리고 제1 금속(2)에 작용하는 레이저 방사(16) 때문에 제1 금속(2)이 팽창된 후의, 도 9로부터의 전도체(1) 및 워크피스(3)를 도시한다. 그때, 그 팽창은, 전도체(1)의 제1 금속(2)이 또한 추가의 용접 영역(18)에서 워크피스(3)와 접촉되게 놓이고, 그리고 마찬가지로 레이저 방사(16)에 의해 그 추가의 용접 영역(18)에서 워크피스(3)에 용접될 수 있는 효과를 갖는다. 전도체(1)와 워크피스(3)는, 이미 위에서 설명된 바와 같이 다시 한 번 배열체(21)를 형성한다.

전도체(1)가 직사각형 단면을 갖는 평평한 전도체를 포함하는 것이 규정될 수 있다. 특히, 코어들(17)은 직사각형 단면을 갖는 평평한 전도체들일 수 있으며, 이에 의해, 워크피스(3) 상에 놓인 코어들(17) 또는 전도체(1)의 접촉이 개선된다.

도 5에서, 비드(11)의 스트리핑된 영역(7)에서 누르기 디바이스들(14)에 의한 전도체(1)의 누르기가 도시되어 있다. 도 9 및 도 10에서, 누르기 디바이스들(14)은, 절연부(5) 상에서 누르기가 발생하는 방식으로 배열된다. 또한, 누르기 디바이스들(14) 중 하나가 비드(11)의 영역 또는 스트리핑된 영역(7)에서 전도체(1)를 누르는 한편, 다른 누르기 디바이스(14)가 절연부(5)의 영역에서 전도체(1)를 누르는 것의 조합이 또한 고려가능하다. 게다가, 대안적으로, 더 적은 또는 더 많은 누르기 디바이스들(14), 예컨대 단지 하나의 누르기 디바이스 또는 3개의 누르기 디바이스들을 제공하는 것이 마찬가지로 고려가능하다. 누르기 디바이스들(14) 대신에, 기류가 또한 사용될 수 있으며, 기류에 의해 전도체(1)가 워크피스(3) 상에 압착된다.

용접 영역(15) 또는 추가의 용접 영역(18)에서, 제1 금속(2)은 각각의 경우에서 다수의 용접 지점들에 의해, 즉, 레이저 방사(16)에 대한 개개의 다중 노출에 의해 제2 금속(4)과 함께 용접되는 것이 규정될 수 있다. 용접 지점들은, 예컨대 십자 또는 나선의 형태로 배열될 수 있다. 이 경우, 레이저 방사(16)는 제1 금속(2)과 제2 금속(4)을 용접하기에 적합한 임의의 레이저 방사일 수 있다.

이 경우, 전도체(1)의 제1 금속(2) 및 또한 전도체(1)의 코어들(17)의 단면은 1 밀리미터 또는 0.2 밀리미터일 수 있다. 이는, 도 1 내지 도 5 또는 도 9 및 도 10의 표현에서, 0.2 밀리미터의 제1 금속(2)의 두께가 표현되고, 도 6 내지 도 8로부터의 코어들(17)은 1 밀리미터의 코어들(17)의 폭으로 표현된다는 것을 의미한다.

절연부(5)의 두께(13)는 0.1 내지 0.5 밀리미터, 예컨대 0.3 밀리미터일 수 있다. 그때, 비드(11)의 깊이(12)는 마찬가지로 이 범위에 있을 수 있고, 예컨대 0.3 밀리미터일 수 있다.

제1 금속(2)은 구리 또는 알루미늄을 포함하거나, 구리 또는 알루미늄이거나, 또는 언급된 금속들의 레이저-용접가능 합금을 포함한다는 것이 규정될 수 있다. 제2 금속(4)은 알루미늄, 또는 알루미늄을 갖는 레이저-용접가능 합금을 포함할 수 있다.

본 발명이 바람직한 예시적인 실시예들에 의해 더 구체적으로 설명되고 상세하게 예시되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예들에 의해 제한되지 않는다. 본 발명의 보호 범위를 벗어남이 없이, 본 발명으로부터 그리고 본 발명의 설명으로부터 다른 변형들이 유도될 수 있다.

Claims (12)

1. 전도체(1)를 워크피스(3) 상에 용접하기 위한 프로세스로서,
   상기 전도체(1)는 제1 금속(2)을 포함하고 그리고 상기 워크피스(3)는 제2 금속(4)을 포함하며,
   상기 프로세스는,
   미리 결정된 길이(6)에 걸쳐 상기 전도체(1)의 절연부(insulation)(5)를 제거하는 단계;
   상기 전도체(1)의 스트리핑된(stripped) 영역(7)에 비드(bead)를 형성하는 단계;
   상기 전도체(1)를 상기 워크피스(3) 상에 누르는(holding down) 단계 ― 상기 누르는 단계는 상기 전도체(1)와 상기 워크피스(3) 사이의 용접 영역(15)에서 기계적 접촉을 생성하는 효과를 가지며, 상기 용접 영역(15)은 상기 비드의 영역에 배열됨 ―;
   상기 용접 영역(15)에서 상기 전도체(1)를 상기 워크피스(3) 상에 레이저 용접하는 단계를 갖는,
   전도체를 워크피스 상에 용접하기 위한 프로세스.
2. 제1 항에 있어서,
   상기 워크피스(3)는 다수의 전도성 영역들(19)을 포함하고, 그리고 상기 전도체(1)는 다중-코어 전도체(1)의 일부이며, 절연부(5)는 상기 다중-코어 전도체(1)의 코어들(17) 모두 상에서 각각 제거되고, 상기 다중-코어 전도체(1)의 코어들(17) 모두의 경우에서 비드가 형성되고, 상기 코어들(17) 모두는 눌려지고, 그리고 코어(17)는 전도성 영역(19)에 각각 용접되는,
   전도체를 워크피스 상에 용접하기 위한 프로세스.
3. 제1 또는 제2 항에 있어서,
   상기 레이저 용접 단계 후에, 상기 전도체(1)는 레이저 용접에 의해 추가의 용접 영역(18)에서 상기 워크피스(3)에 용접되는,
   전도체를 워크피스 상에 용접하기 위한 프로세스.
4. 제3 항에 있어서,
   상기 비드 형성 단계는, 상기 전도체(1)가 초기에 상기 용접 영역(15)과 접촉하게 놓이고 그리고 상기 추가의 용접 영역(18)과 접촉하게 놓이지 않는 방식으로 발생하며,
   상기 용접 영역(15)에서의 상기 레이저 용접 동안의 열팽창은, 상기 전도체(1)가 후속적으로 상기 추가의 용접 영역(18)과 접촉하게 놓이는 방식으로 상기 전도체(1)가 변형되는 효과를 갖는,
   전도체를 워크피스 상에 용접하기 위한 프로세스.
5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 비드의 깊이는 상기 절연부(5)의 두께(13)와 실질적으로 일치하는,
   전도체를 워크피스 상에 용접하기 위한 프로세스.
6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 전도체(1)는 직사각형 단면을 갖는 평평한 전도체인,
   전도체를 워크피스 상에 용접하기 위한 프로세스.
7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 누르기 단계는 상기 전도체(1)의 스트리핑된 영역(7)에서 발생하는,
   전도체를 워크피스 상에 용접하기 위한 프로세스.
8. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 누르기 단계는 상기 전도체(1)의 스트리핑된 영역(7) 외부에서 발생하는,
   전도체를 워크피스 상에 용접하기 위한 프로세스.
9. 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 용접 영역(15)에서의 레이저 용접은 다수의 용접 지점들에 의해 발생하는,
   전도체를 워크피스 상에 용접하기 위한 프로세스.
10. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비드의 형성은 낙하 단조(drop forging)에 의해 발생하는,
    전도체를 워크피스 상에 용접하기 위한 프로세스.
11. 워크피스(3) 상의 전도체(1)의 배열체(21)로서,
    상기 전도체(1)는 제1 금속(2)을 포함하고 그리고 상기 워크피스(3)는 제2 금속(4)을 포함하며,
    상기 전도체(1)와 상기 워크피스(3)는 용접 영역(15)에서 용접되고,
    상기 전도체(1)는 상기 용접 영역(15)에서 상기 전도체(1)의 절연부가 스트리핑되고, 그리고
    상기 전도체(1)는 상기 용접 영역(15)에 비드를 포함하는,
    워크피스 상의 전도체의 배열체.
12. 제11 항에 있어서,
    상기 비드의 깊이는 상기 용접 영역(15) 외부에 존재하는 상기 전도체(1)의 절연부(5)의 두께(13)와 실질적으로 일치하는,
    워크피스 상의 전도체의 배열체.

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