KR20210033581A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20210033581A
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김준영
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Abstract

표시 장치는 기판 상에 배치되는 제1 도전선, 기판 상에 배치되어 제1 도전선을 덮고 제1 도전선을 노출하는 접촉 구멍 및 접촉 구멍의 깊이보다 작은 깊이를 가지는 홈을 가지는 제1 절연층, 제1 절연층 상의 홈에 배치되고, 접촉 구멍을 통해 제1 도전선에 연결되는 제2 도전선, 그리고 제1 절연층 상에 배치되어 제2 도전선을 덮는 제2 절연층을 포함할 수 있다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 도전선을 포함하는 표시 장치 및 이러한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 광을 방출하는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode: OLED)를 이용하여 영상을 표시하는 자발광형 표시 장치이다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도, 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 가지므로 차세대 표시 장치로서 주목 받고 있다. 유기 발광 다이오드는 기판 상에 순차적으로 배치되는 화소 전극, 발광층, 및 대향 전극을 포함할 수 있다.
유기 발광 다이오드의 하부에는 신호, 전압 등을 전송하는 도전선이 배치되고, 도전선에 의한 단차에 의해 화소 전극의 일부에 돌출부가 형성될 수 있다. 이와 같이 화소 전극이 평탄하지 않는 경우에, 유기 발광 표시 장치가 영상을 표시하지 않을 때 화소 전극의 돌출부가 시인될 수 있고, 유기 발광 표시 장치가 영상을 표시할 때 시청 방향에 따른 색 편차가 발생할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 시인성이 개선된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 시인성을 개선하기 위한 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치는 기판 상에 배치되는 제1 도전선, 상기 기판 상에 배치되어 상기 제1 도전선을 덮고 상기 제1 도전선을 노출하는 접촉 구멍 및 상기 기판 방향으로 함몰되고 상기 접촉 구멍의 깊이보다 작은 깊이를 가지는 홈을 가지는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상의 상기 홈에 배치되고 상기 접촉 구멍을 통해 상기 제1 도전선에 연결되는 제2 도전선, 그리고 상기 제1 절연층 상에 배치되어 상기 제2 도전선을 덮는 제2 절연층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 홈은 상기 기판 방향으로 함몰되는 둥근 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 도전선은 'U' 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 홈은 상기 기판 방향으로 함몰되는 네모진 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 도전선의 상면은 평탄할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 홈의 최대 깊이는 상기 제2 도전선의 두께와 실질적으로 같을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 도전선은 제1 방향으로 연장되고, 데이터 신호를 전송할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 도전선은 상기 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고, 패드와 상기 제1 도전선을 연결할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 절연층은 유기 절연 물질 및 무기 절연 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 절연층은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제2 절연층 상에 배치되고 상기 제2 도전선과 중첩하는 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층, 그리고 상기 발광층 상에 배치되는 대향 전극을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 전극은 반사 전극이고, 상기 대향 전극은 투과 전극일 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 제1 도전선을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 상기 제1 도전선을 덮는 제1 절연층을 형성하는 단계, 하프톤 마스크를 이용하여 상기 제1 절연층에 상기 제1 도전선을 노출하는 접촉 구멍 및 상기 기판 방향으로 함몰되고 상기 접촉 구멍의 깊이보다 작은 깊이를 가지는 홈을 실질적으로 동시에 형성하는 단계, 상기 제1 절연층 상의 상기 홈에 상기 접촉 구멍을 채우는 제2 도전선을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 절연층 상에 상기 제2 도전선을 덮는 제2 절연층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 절연층은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 홈은 상기 제1 절연층을 등방성 식각하여 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 홈은 상기 기판 방향으로 함몰되는 둥근 형상을 가질 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 제1 도전선을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 상기 제1 도전선을 덮는 제1 절연층을 형성하는 단계, 제1 마스크를 이용하여 상기 제1 절연층에 상기 제1 도전선을 노출하는 접촉 구멍을 형성하는 단계, 제2 마스크를 이용하여 상기 제1 절연층에 상기 기판 방향으로 함몰되고 상기 접촉 구멍의 깊이보다 작은 깊이를 가지는 홈을 형성하는 단계, 상기 제1 절연층 상의 상기 홈에 상기 접촉 구멍을 채우는 제2 도전선을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 절연층 상에 상기 제2 도전선을 덮는 제2 절연층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 절연층은 유기 절연 물질 및 무기 절연 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 홈은 상기 제1 절연층을 이방성 식각하여 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 홈은 상기 기판 방향으로 함몰되는 네모진 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치에 있어서, 제2 도전선이 기판 방향으로 함몰되는 제1 절연층의 홈에 배치되기 때문에, 제2 절연층의 돌출부의 두께가 감소하거나 제2 절연층에 돌출부가 형성되지 않을 수 있고, 이에 따라, 화소 전극의 돌출부의 두께가 감소하거나 화소 전극에 돌출부가 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 표시 장치의 시인성이 개선될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 하프톤 마스크를 이용하여 제1 절연층에 접촉 구멍 및 홈을 실질적으로 동시에 형성함으로써 홈을 형성하기 위한 추가적인 공정을 생략할 수 있다. 또한, 제2 마스크를 이용하여 제1 절연층을 이방성 식각함으로써, 평탄한 상면을 가지는 제2 도전선 및 제2 절연층이 형성되고, 표시 장치의 시인성이 개선될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치에 포함되는 제1 도전선들을 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함되는 제2 도전선들을 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 제2 도전선들을 상세하게 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소 전극들을 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 1의 I-I' 선을 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 1의 II-II' 선을 따른 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 8, 도 9, 도 10, 및 도 11은 도 7의 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 12는 도 1의 II-II' 선을 따른 표시 장치의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 13, 도 14, 도 15, 도 16, 및 도 17은 도 12의 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(DP) 및 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)에는 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있다. 화소들(PX)은 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)을 따라 실질적인 행렬 형태로 배열될 수 있다.
주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)의 적어도 일 측에 배치될 수 있다. 예를 들면, 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)으로부터 제1 방향(DR1)에 위치할 수 있다. 주변 영역(PA)에는 패드부(PP)가 배치될 수 있다. 패드부(PP)는 제2 방향(DR2)으로 주변 영역(PA)의 중심부에 위치할 수 있다. 다시 말해, 패드부(PP)는 제2 방향(DR2)으로 주변 영역(PA)의 주변부에는 위치하지 않을 수 있다. 패드부(PP)에는 복수의 패드들이 배치될 수 있다. 패드부(PP)에는 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)이 연결되고, 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)을 통해 외부 장치로부터 패드들에 신호들이 제공될 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치에 포함되는 제1 도전선들을 나타내는 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(100) 상에는 복수의 제1 도전선들(110)이 배치될 수 있다. 제1 도전선들(110)은 화소들(PX)에 데이터 신호들을 전송할 수 있다. 제1 도전선들(110)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제1 도전선들(110)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열되는 화소 열들에 각각 연결될 수 있다.
제1 도전선들(110) 중 제2 방향(DR2)으로 표시 영역(DA)의 중심부에 위치하는 일부의 제1 도전선들(110a)은 제1 패드들(PD1)에 연결될 수 있다. 제1 패드들(PD1)은 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)에 연결되고, 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)으로부터 제1 패드들(PD1)에 데이터 신호들이 인가될 수 있다. 제1 패드들(PD1)은 제1 도전선들(110)과 동일한 층에 배치되거나 상이한 층에 배치될 수 있다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함되는 제2 도전선들을 나타내는 평면도이다.
도 1, 도 2, 및 도 3을 참조하면, 기판(100) 상에는 제1 도전선들(110)을 덮는 제1 절연층(120)이 배치되고, 제1 절연층(120) 상에는 복수의 제2 도전선들(130)이 배치될 수 있다. 제2 도전선들(130)은 제1 도전선들(110) 중 제2 방향(DR2)으로 표시 영역(DA)의 주변부에 위치하는 일부의 제1 도전선들(110b)과 제2 패드들(PD2)을 연결할 수 있다. 제2 패드들(PD2)은 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)에 연결되고, 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)으로부터 제2 패드들(PD2)에 데이터 신호들이 인가될 수 있다. 제2 패드들(PD2)은 제2 도전선들(130)과 동일한 층에 배치되거나 상이한 층에 배치될 수 있다.
제2 도전선들(130)은 적어도 두 방향들로 연장되어 제1 도전선들(110) 중 제2 방향(DR2)으로 표시 영역(DA)의 주변부에 위치하는 일부의 제1 도전선들(110b)과 제2 패드들(PD2)을 연결할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 도전선들(130)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다.
제1 절연층(120)에는 접촉 구멍들(CH1)이 형성될 수 있다. 제2 도전선들(130)과 제1 도전선들(110) 중 제2 방향(DR2)으로 표시 영역(DA)의 주변부에 위치하는 일부의 제1 도전선들(110b)은 접촉 구멍들(CH1)을 통해 연결될 수 있다.
도 4는 도 3의 제2 도전선들(130)을 상세하게 나타내는 평면도이다. 예를 들면, 도 4는 도 3의 A 영역을 나타낼 수 있다.
도 4를 참조하면, 제2 도전선들(130)은 제1 연장부들(EX1) 및 제2 연장부들(EX2)을 포함할 수 있다. 제1 연장부들(EX1) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제1 연장부들(EX1)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제2 연장부들(EX2) 각각은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 제2 연장부들(EX2)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 서로 교차하는 제1 연장부(EX1) 및 제2 연장부(EX2)는 십자가 형상을 형성할 수 있다.
제1 방향(DR1)으로 인접하는 제1 연장부들(EX1)이 연결되어 제1 방향(DR1)으로 연장되는 세로 배선이 형성되고, 제2 방향(DR2)으로 인접하는 제2 연장부들(EX2)이 연결되어 제2 방향(DR2)으로 연장되는 가로 배선이 형성될 수 있다. 상기 세로 배선과 상기 가로 배선이 연결되어 하나의 제2 도전선(130)이 형성될 수 있다.
서로 교차하여 십자가 형상을 형성하는 제1 연장부(EX1) 및 제2 연장부(EX2)가 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 균일하게 배열됨에 따라, 표시 장치가 영상을 표시하지 않는 경우에 제2 도전선(130)이 시인되더라도 표시 장치의 시인성이 저하되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.
도 5는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소 전극들을 나타내는 평면도이다.
도 1, 도 3, 및 도 5를 참조하면, 제1 절연층(120) 상에는 제2 도전선들(130)을 덮는 제2 절연층(140)이 배치되고, 제2 절연층(140) 상의 표시 영역(DA)에는 복수의 화소 전극들(150)이 배치될 수 있다. 화소 전극들(150)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 실질적인 행렬 형태로 배열될 수 있다. 표시 영역(DA) 내의 화소 전극들(150)이 배치되는 영역에 화소들(PX)이 정의될 수 있다.
도 6은 도 1의 I-I' 선을 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 1의 I-I' 선은 제1 도전선(110) 및 제2 도전선(130)과 교차하지 않을 수 있다.
기판(100) 상에는 버퍼층(101)이 배치될 수 있다. 기판(100)은 유리, 석영, 플라스틱 등을 포함하는 절연성 기판일 수 있다.
버퍼층(101)은 기판(100)을 통해 산소, 수분 등과 같은 불순물들이 기판(100) 상부로 확산되는 것을 차단할 수 있다. 또한, 버퍼층(101)은 기판(100) 상부에 평탄한 상면을 제공할 수 있다. 버퍼층(101)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 선택적으로, 버퍼층(101)은 생략될 수도 있다.
버퍼층(101) 상에는 활성층(102)이 배치될 수 있다. 활성층(102)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 산화물 반도체 등으로 형성될 수 있다. 활성층(102)은 소스 영역, 드레인 영역, 및 소스 영역과 드레인 영역 사이에 배치되는 채널 영역을 포함할 수 있다. 소스 영역 및 드레인 영역은 P타입 또는 N타입 불순물로 도핑될 수 있다.
버퍼층(101) 상에는 활성층(102)을 덮는 게이트 절연층(103)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(103)은 활성층(102)으로부터 활성층(102) 상에 배치되는 게이트 전극(104b)을 절연시킬 수 있다. 게이트 절연층(103)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(103) 상에는 게이트선(104a) 및 게이트 전극(104b)이 배치될 수 있다. 게이트선(104a)은 제1 도전선과 교차하는 제2 방향으로 연장될 수 있다. 게이트선(104a)은 화소에 게이트 신호를 전송할 수 있다. 게이트 전극(104b)은 활성층(102)의 채널 영역에 중첩할 수 있다. 게이트선(104a) 및 게이트 전극(104b)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등과 같은 도전 물질을 포함할 수 있다. 소스 영역, 드레인 영역, 및 채널 영역을 포함하는 활성층(102) 및 게이트 전극(104b)은 트랜지스터(TR)를 형성할 수 있다.
게이트 절연층(103) 상에는 게이트선(104a) 및 게이트 전극(104b)을 덮는 제1 층간 절연층(105)이 배치될 수 있다. 제1 층간 절연층(105)은 게이트 전극(104b)으로부터 게이트 전극(104b) 상에 배치되는 커패시터 전극(106)을 절연시킬 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 층간 절연층(105)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 층간 절연층(105) 상에는 커패시터 전극(106)이 배치될 수 있다. 커패시터 전극(106)은 게이트 전극(104b)에 중첩할 수 있다. 커패시터 전극(106)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등과 같은 도전 물질을 포함할 수 있다. 게이트 전극(104b) 및 커패시터 전극(106)은 커패시터(CAP)를 형성할 수 있다.
제1 층간 절연층(105) 상에는 커패시터 전극(106)을 덮는 제2 층간 절연층(107)이 배치될 수 있다. 제2 층간 절연층(107)은 커패시터 전극(106)으로부터 커패시터 전극(106) 상에 배치되는 소스 전극(108a) 및 드레인 전극(108b)을 절연시킬 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 층간 절연층(107)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제2 층간 절연층(107) 상에는 소스 전극(108a) 및 드레인 전극(108b)이 배치될 수 있다. 소스 전극(108a) 및 드레인 전극(108b)은 활성층(102)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(108a) 및 드레인 전극(108b)은 게이트 절연층(103), 제1 층간 절연층(105), 및 제2 층간 절연층(107)에 형성되는 접촉 구멍들을 통해 활성층(102)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 접촉할 수 있다. 소스 전극(108a) 및 드레인 전극(108b)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 등과 같은 도전 물질을 포함할 수 있다.
제2 층간 절연층(107) 상에는 소스 전극(108a) 및 드레인 전극(108b)을 덮는 제1 절연층(120)이 배치될 수 있다.
제1 절연층(120) 상에는 연결 전극(109)이 배치될 수 있다. 연결 전극(109)은 드레인 전극(108b)에 연결될 수 있다. 예를 들면, 연결 전극(109)은 제1 절연층(120)에 형성되는 접촉 구멍을 통해 드레인 전극(108b)에 접촉할 수 있다. 연결 전극(109)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 등과 같은 도전 물질을 포함할 수 있다.
제1 절연층(120) 상에는 연결 전극(109)을 덮는 제2 절연층(140)이 배치될 수 있다.
제2 절연층(140) 상에는 화소 전극(150)이 배치될 수 있다. 화소 전극(150)은 연결 전극(109)에 연결될 수 있다. 예를 들면, 화소 전극(150)은 제2 절연층(140)에 형성되는 접촉 구멍을 통해 연결 전극(109)에 접촉할 수 있다.
제2 절연층(140) 상에는 화소 전극(150)을 덮는 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 화소 전극(150)의 적어도 일부를 노출하는 화소 개구를 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 화소 개구는 화소 전극(150)의 중앙부를 노출하고, 화소 정의막(PDL)은 화소 전극(150)의 주변부를 덮을 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 폴리이미드(PI) 등과 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
화소 전극(150) 상에는 발광층(160)이 배치될 수 있다. 발광층(160)은 화소 개구에 의해 노출된 화소 전극(150) 상에 배치될 수 있다. 발광층(160)은 유기 발광 물질 및 양자점 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 유기 발광 물질은 저분자 유기 화합물 또는 고분자 유기 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 저분자 유기 화합물은 구리 프탈로사이아닌(copper phthalocyanine), 다이페닐벤지딘(N,N'-diphenylbenzidine), 트리 하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum) 등을 포함할 수 있고, 고분자 유기 화합물은 폴리에틸렌다이옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리페닐렌비닐렌(poly-phenylenevinylene), 폴리플루오렌(polyfluorene) 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물, 및 이들의 조합을 포함하는 코어를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 양자점은 코어 및 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 쉘은 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층의 역할 및 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 충전층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다.
발광층(160) 상에는 대향 전극(170)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 대향 전극(170)은 화소 정의막(PDL) 상에도 배치될 수 있다. 화소 전극(150), 발광층(160), 및 대향 전극(170)은 발광 소자(EL)를 형성할 수 있다.
도 7은 도 1의 II-II' 선을 따른 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이다. 도 1의 II-II' 선은 제1 도전선(110) 및 제2 도전선(130)과 교차할 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 제2 층간 절연층(107) 상에는 제1 도전선(110)이 배치될 수 있다. 제1 도전선(110)은 소스 전극(108a) 및 드레인 전극(108b)과 실질적으로 동일한 층에 배치되고, 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제2 층간 절연층(107) 상에는 제1 도전선(110)을 덮는 제1 절연층(120)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 절연층(120)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층(120)은 포토레지스트 등과 같은 광감성 물질을 포함할 수 있다.
제1 절연층(120)은 접촉 구멍(CH1) 및 홈(GR1)을 가질 수 있다. 접촉 구멍(CH1)은 제1 도전선(110)을 노출할 수 있다. 예를 들면, 접촉 구멍(CH1)은 제1 도전선(110)의 상면의 일부를 노출할 수 있다. 이 경우, 접촉 구멍(CH1)은 제1 도전선(110)의 상면으로부터 제1 절연층(120)의 상면까지의 거리에 상응하는 깊이(D11)를 가질 수 있다.
홈(GR1)은 기판(100) 방향으로 함몰되고, 접촉 구멍(CH1)의 깊이(D11)보다 작은 깊이를 가질 수 있다. 홈(GR1)에 의해 제1 절연층(120)의 상면은 단면상 기판(100) 방향으로 함몰되는 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 홈(GR1)은 기판(100) 방향으로 함몰되는 둥근 형상을 가질 수 있다. 홈(GR1)의 깊이는 홈(GR1)의 주변부로부터 중심부로 갈수록 증가할 수 있다. 이 경우, 홈(GR1)은 중심부에서 최대 깊이(D12)를 가질 수 있다.
제1 절연층(120) 상의 홈(GR1)에는 제2 도전선(130)이 배치될 수 있다. 제2 도전선(130)은 접촉 구멍(CH1)을 통해 제1 도전선(110)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 데이터 신호는 제2 도전선(130)으로부터 제1 도전선(110)으로 전송될 수 있다.
제2 도전선(130)은 단면상 'U' 형상을 가질 수 있다. 제2 도전선(130)은 제1 절연층(120) 상의 홈(GR1)에 배치되고, 제2 도전선(130)은 홈(GR1)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 도전선(130)은 기판(100) 방향으로 함몰되는 둥근 형상을 가지는 홈(GR1)의 프로파일을 따라 단면상 기판(100) 방향으로 구부러지는 'U' 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 홈(GR)의 최대 깊이(D12)는 제2 도전선(130)의 두께와 실질적으로 같을 수 있다. 이 경우, 제2 도전선(130)의 상면의 중심부의 높이와 제1 절연층(120)의 상면의 높이는 실질적으로 같을 수 있다.
제1 절연층(120) 상에는 제2 도전선(130)을 덮는 제2 절연층(140)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 절연층(140)은 폴리이미드(PI) 등을 포함할 수 있다.
제2 절연층(140)의 상면은 하부에 배치되는 제1 절연층(120)의 상면의 프로파일 및 제2 도전선(130)의 상면의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 제2 도전선(130)이 기판(100) 방향으로 함몰되는 제1 절연층(120)의 홈(GR1)에 배치되기 때문에, 제2 절연층(140)의 상면의 돌출부의 두께(D13)는 제2 도전선(130)의 두께보다 작을 수 있다.
제2 절연층(140) 상에는 화소 전극(150)이 배치될 수 있다. 화소 전극(150)은 제2 도전선(130)에 중첩할 수 있다.
화소 전극(150)의 상면은 하부에 배치되는 제2 절연층(140)의 상면의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 화소 전극(150)의 상면에는 제2 절연층(140)의 상면에 형성되는 돌출부에 대응하는 돌출부가 형성될 수 있다.
화소 전극(150) 상에는 발광층(160)이 배치되고, 발광층(160) 상에는 대향 전극(170)이 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 화소 전극(150)은 반사 전극이고, 대향 전극(170)은 투과 전극일 수 있다. 예를 들면, 화소 전극(150)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 등의 금속으로 형성되고 상대적으로 큰 두께를 가지는 적어도 하나의 반사막 및 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide, IZO), 아연 산화물(ZnO), 인듐 산화물(In2O3) 등의 투명 도전성 산화물을 포함하는 적어도 하나의 투과막을 포함할 수 있다. 또한, 대향 전극(170)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 등의 금속으로 형성되고 상대적으로 작은 두께를 가지는 반투과막 또는 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide, IZO), 아연 산화물(ZnO), 인듐 산화물(In2O3) 등의 투명 도전성 산화물을 포함하는 투과막을 포함할 수 있다.
표시 장치가 영상을 표시하지 않는 경우에 화소 전극(150)이 반사 전극이고, 대향 전극(170)이 투과 전극인 발광 소자(EL)의 상부로부터 표시 장치를 바라보는 사용자는 화소 전극(150)의 돌출부를 시인할 수 있다. 그러나 본 발명의 실시예들에 있어서, 제2 도전선(130)이 기판(100) 방향으로 함몰되는 제1 절연층(120)의 홈(GR1)에 배치되기 때문에, 화소 전극(150)의 돌출부의 두께가 감소할 수 있고, 이에 따라, 표시 장치의 시인성이 개선될 수 있다.
도 8, 도 9, 도 10, 및 도 11은 도 7의 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 8을 참조하면, 기판(100) 상에 제1 도전선(110)을 형성하고, 기판(100) 상에 제1 도전선(110)을 덮는 제1 절연층(120)을 형성할 수 있다.
먼저, 제2 층간 절연층(107) 상에 제1 도전선(110)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제2 층간 절연층(107) 상에 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 등과 같은 도전 물질을 스퍼터링 등과 같은 물리 기상 증착을 이용하여 증착함으로써 제1 도전층을 형성하고, 상기 제1 도전층을 식각하여 제1 도전선(110)을 형성할 수 있다.
그 다음, 제2 층간 절연층(107) 상에 제1 도전선(110)을 덮는 제1 절연층(120)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제1 도전선(110)이 형성된 제2 층간 절연층(107) 상에 포토레지스트 등과 같은 유기 절연 물질을 스핀 코팅 등을 이용하여 도포함으로써 제1 절연층(120)을 형성할 수 있다.
도 9를 참조하면, 제1 절연층(120)에 접촉 구멍(CH1) 및 홈(GR1)을 형성할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 접촉 구멍(CH1) 및 홈(GR1)은 하프톤 마스크(HM)를 이용하여 형성될 수 있다. 하프톤 마스크(HM)는 차광부(P1), 투광부(P2), 및 반투광부(P3)를 포함할 수 있다. 차광부(P1)는 광을 차단하고, 투광부(P2)는 광을 투과할 수 있다. 반투광부(P3)는 광의 일부를 차단하고, 광의 다른 일부를 투과할 수 있다. 다시 말해, 반투광부(P3)의 투과율은 차광부(P1)의 투과율보다 크고, 투광부(P2)의 투과율보다 작을 수 있다.
먼저, 제1 절연층(120) 상부에 하프톤 마스크(HM)를 배치할 수 있다. 투광부(P2)는 접촉 구멍(CH1)이 형성되는 영역에 중첩하고, 반투광부(P3)는 홈(GR1)이 형성되는 영역에 중첩할 수 있다. 그 다음, 하프톤 마스크(HM)를 이용하여 제1 절연층(120)을 노광하고, 노광된 제1 절연층(120)을 현상하여 접촉 구멍(CH1) 및 홈(GR1)을 실질적으로 동시에 형성할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 홈(GR1)은 제1 절연층(120)을 등방성 식각하여 형성될 수 있다. 하프톤 마스크(HM)의 반투광부(P3)에 의해 노광된 제1 절연층(120)의 부분이 현상되는 과정에서 등방적으로 식각될 수 있다. 이 경우, 홈(GR1)은 기판(100) 방향으로 함몰되는 둥근 형상을 가질 수 있다.
도 10을 참조하면, 제1 절연층(120) 상의 홈(GR1)에 접촉 구멍(CH1)을 채우는 제2 도전선(130)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층(120) 상에 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 등과 같은 도전 물질을 스퍼터링 등과 같은 물리 기상 증착을 이용하여 증착함으로써 제2 도전층을 형성하고, 상기 제2 도전층을 식각하여 제2 도전선(130)을 형성할 수 있다.
제2 도전선(130)은 기판(100) 방향으로 함몰되는 둥근 형상을 가지는 홈(GR1)에 형성될 수 있고, 이에 따라, 제2 도전선(130)은 단면상 'U' 형상을 가질 수 있다.
도 11을 참조하면, 제1 절연층(120) 상에 제2 도전선(130)을 덮는 제2 절연층(140)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제2 도전선(130)이 형성된 제1 절연층(120) 상에 폴리이미드(PI) 등과 같은 유기 절연 물질을 스핀 코팅 등을 이용하여 도포함으로써 제2 절연층(140)을 형성할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 하프톤 마스크(HM)를 이용하여 제1 절연층(120)에 접촉 구멍(CH1) 및 홈(GR1)을 실질적으로 동시에 형성함으로써, 홈(GR1)을 형성하기 위한 추가적인 공정을 생략할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 제조 비용 및 제조 시간이 절감될 수 있다.
도 12는 도 1의 II-II' 선을 따른 표시 장치의 다른 예를 나타내는 단면도이다. 도 12를 참조하여 설명하는 표시 장치의 다른 예에 있어서, 도 7을 참조하여 설명한 표시 장치의 일 예와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대한 설명은 생략한다.
도 12를 참조하면, 제2 층간 절연층(107) 상에는 제1 도전선(110)이 배치될 수 있다. 제2 층간 절연층(107) 상에는 제1 도전선(110)을 덮는 제1 절연층(1120)이 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 절연층(1120)은 유기 절연 물질 및 무기 절연 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층(1120)은 포토레지스트 등과 같은 광감성 물질 및/또는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다.
제1 절연층(1120)은 접촉 구멍(CH2) 및 홈(GR2)을 가질 수 있다. 접촉 구멍(CH2)은 제1 도전선(110)의 상면으로부터 제1 절연층(1120)의 상면까지의 거리에 상응하는 깊이(D21)를 가질 수 있다.
홈(GR2)은 기판(100) 방향으로 함몰되고, 접촉 구멍(CH2)의 깊이(D21)보다 작은 깊이(D22)를 가질 수 있다. 홈(GR2)에 의해 제1 절연층(1120)의 상면은 단면상 기판(100) 방향으로 함몰되는 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 홈(GR2)은 기판(100) 방향으로 함몰되는 네모진 형상을 가질 수 있다. 홈(GR2)의 깊이(D22)는 홈(GR2)의 주변부로부터 중심부까지 실질적으로 같을 수 있다. 이 경우, 홈(GR2)의 깊이(D22)는 균일할 수 있다.
제1 절연층(1120) 상의 홈(GR2)에는 제2 도전선(1130)이 배치될 수 있다. 제2 도전선(1130)은 접촉 구멍(CH2)을 통해 제1 도전선(110)에 연결될 수 있다.
제2 도전선(1130)의 상면은 평탄할 수 있다. 제2 도전선(1130)은 제1 절연층(1120) 상의 홈(GR2)에 배치되고, 제2 도전선(1130)의 상면은 홈(GR2)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 도전선(1130)은 기판(100) 방향으로 함몰되는 네모진 형상을 가지는 홈(GR2)의 프로파일을 따라 평탄한 상면을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 홈(GR)의 깊이(D22)는 제2 도전선(1130)의 두께와 실질적으로 같을 수 있다. 이 경우, 제2 도전선(1130)의 상면의 높이와 제1 절연층(1120)의 상면의 높이는 실질적으로 같을 수 있다.
제1 절연층(1120) 상에는 제2 도전선(1130)을 덮는 제2 절연층(1140)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(1140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제2 절연층(1140)의 상면은 하부에 배치되는 제1 절연층(1120)의 상면의 프로파일 및 제2 도전선(1130)의 상면의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 제2 도전선(1130)이 기판(100) 방향으로 함몰되는 제1 절연층(1120)의 홈(GR2)에 배치되고, 제2 도전선(1130)의 두께가 홈(GR2)의 깊이(D22)와 실질적으로 같기 때문에, 제2 절연층(1140)의 상면에는 돌출부가 형성되지 않을 수 있다. 다시 말해, 제2 절연층(1140)의 상면은 평탄할 수 있다.
제2 절연층(1140) 상에는 화소 전극(1150)이 배치될 수 있다. 화소 전극(1150)은 제2 도전선(1130)에 중첩할 수 있다.
화소 전극(1150)의 상면은 하부에 배치되는 제2 절연층(1140)의 상면의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 제2 절연층(1140)의 상면이 평탄하기 때문에 화소 전극(1150)의 상면에는 돌출부가 형성되지 않을 수 있다.
도 13, 도 14, 도 15, 도 16, 및 도 17은 도 12의 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 도 13 내지 도 17을 참조하여 설명하는 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 도 8 내지 도 11을 참조하여 설명한 표시 장치의 제조 방법과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대한 설명은 생략한다.
도 13을 참조하면, 기판(100) 상에 제1 도전선(110)을 형성하고, 기판(100) 상에 제1 도전선(110)을 덮는 제1 절연층(1120)을 형성할 수 있다.
먼저, 제2 층간 절연층(107) 상에 제1 도전선(110)을 형성할 수 있다.
그 다음, 제2 층간 절연층(107) 상에 제1 도전선(110)을 덮는 제1 절연층(1120)을 형성할 수 있다. 제1 절연층(1120)이 유기 절연 물질을 포함하는 일 실시예에 있어서, 예를 들면, 제1 도전선(110)이 형성된 제2 층간 절연층(107) 상에 포토레지스트 등과 같은 유기 절연 물질을 스핀 코팅 등을 이용하여 도포함으로써 제1 절연층(1120)을 형성할 수 있다. 제1 절연층(1120)이 무기 절연 물질을 포함하는 다른 실시예에 있어서, 예를 들면, 제1 도전선(110)이 형성된 제2 층간 절연층(107) 상에 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 PECVD 등과 같은 화학 기상 증착을 이용하여 증착함으로써 제1 절연층(1120)을 형성할 수 있다.
도 14를 참조하면, 제1 절연층(1120)에 접촉 구멍(CH2)을 형성할 수 있다. 접촉 구멍(CH2)은 제1 도전선(110)을 노출할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 접촉 구멍(CH2)은 제1 마스크(M1)를 이용하여 형성될 수 있다. 제1 마스크(M1)는 차광부(P1) 및 투광부(P2)를 포함할 수 있다. 차광부(P1)는 광을 차단하고, 투광부(P2)는 광을 투과할 수 있다.
제1 절연층(1120)이 유기 절연 물질을 포함하는 일 실시예에 있어서, 먼저, 제1 절연층(1120) 상부에 제1 마스크(M1)를 배치할 수 있다. 투광부(P2)는 접촉 구멍(CH2)이 형성되는 영역에 중첩할 수 있다. 그 다음, 제1 마스크(M1)를 이용하여 제1 절연층(1120)을 노광하고, 노광된 제1 절연층(1120)을 현상하여 접촉 구멍(CH2)을 형성할 수 있다.
제1 절연층(1120)이 무기 절연 물질을 포함하는 다른 실시예에 있어서, 먼저, 제1 절연층(1120) 상에 제1 포토레지스트층을 형성할 수 있다. 그 다음, 제1 포토레지스트층 상부에 제1 마스크(M1)를 배치할 수 있다. 투광부(P2)는 접촉 구멍(CH2)이 형성되는 영역에 중첩할 수 있다. 그 다음, 제1 마스크(M1)를 이용하여 제1 포토레지스트층을 노광하고, 노광된 제1 포토레지스트층을 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 그 다음, 제1 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 제1 절연층(1120)을 식각하여 접촉 구멍(CH2)을 형성할 수 있다. 그 다음, 제1 포토레지스트 패턴을 스트립(strip)할 수 있다.
도 15를 참조하면, 제1 절연층(1120)에 홈(GR2)을 형성할 수 있다. 홈(GR2)은 기판(100) 방향으로 함몰되고, 접촉 구멍(CH2)의 깊이(D21) 보다 작은 깊이(D22)를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 홈(GR2)은 제2 마스크(M2)를 이용하여 형성될 수 있다. 제2 마스크(M2)는 차광부(P1) 및 투광부(P2)를 포함할 수 있다. 차광부(P1)는 광을 차단하고, 투광부(P2)는 광을 투과할 수 있다.
먼저, 제1 절연층(1120) 상에 제2 포토레지스트층을 형성할 수 있다. 그 다음, 제2 포토레지스트층 상부에 제2 마스크(M2)를 배치할 수 있다. 투광부(P2)는 홈(GR2)이 형성되는 영역에 중첩할 수 있다. 그 다음, 제2 마스크(M2)를 이용하여 제2 포토레지스트층을 노광하고, 노광된 제2 포토레지스트층을 현상하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 그 다음, 제2 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 제1 절연층(1120)을 식각하여 홈(GR2)을 형성할 수 있다. 그 다음, 제2 포토레지스트 패턴을 스트립(strip)할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 홈(GR2)은 제1 절연층(1120)을 이방성 식각하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 제1 절연층(1120)을 건식 식각법으로 식각하는 과정에서 절연층(1120)이 이방적으로 식각될 수 있다. 이 경우, 홈(GR2)은 기판(100) 방향으로 함몰되는 네모진 형상을 가질 수 있다.
도 16을 참조하면, 제1 절연층(1120) 상의 홈(GR2)에 접촉 구멍(CH2)을 채우는 제2 도전선(1130)을 형성할 수 있다.
제2 도전선(1130)은 기판(100) 방향으로 함몰되는 네모진 형상을 가지는 홈(GR2)에 형성될 수 있고, 이에 따라, 제2 도전선(1130)의 상면은 평탄할 수 있다.
도 17을 참조하면, 제1 절연층(1120) 상에 제2 도전선(1130)을 덮는 제2 절연층(1140)을 형성할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 마스크(M2)를 이용하여 제1 절연층(1120)을 이방성 식각하여 기판(100) 방향으로 함몰되는 네모진 형상을 가지는 홈(GR2)을 형성함으로써, 평탄한 상면을 가지는 제2 도전선(1130)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 평탄한 상면을 가지는 제2 절연층(1140)이 형성되고, 표시 장치의 시인성이 개선될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
100: 기판 110: 제1 도전선
120, 1120: 제1 절연층 130, 1130: 제2 도전선
140, 1140: 제2 절연층 150, 1150: 화소 전극
160: 발광층 170: 대향 전극

Claims (20)

  1. 기판 상에 배치되는 제1 도전선;
    상기 기판 상에 배치되어 상기 제1 도전선을 덮고, 상기 제1 도전선을 노출하는 접촉 구멍 및 상기 기판 방향으로 함몰되고 상기 접촉 구멍의 깊이보다 작은 깊이를 가지는 홈을 가지는 제1 절연층;
    상기 제1 절연층 상의 상기 홈에 배치되고, 상기 접촉 구멍을 통해 상기 제1 도전선에 연결되는 제2 도전선; 및
    상기 제1 절연층 상에 배치되어 상기 제2 도전선을 덮는 제2 절연층을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 홈은 상기 기판 방향으로 함몰되는 둥근 형상을 가지는, 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 도전선은 'U' 형상을 가지는, 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 홈은 상기 기판 방향으로 함몰되는 네모진 형상을 가지는, 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 도전선의 상면은 평탄한, 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 홈의 최대 깊이는 상기 제2 도전선의 두께와 실질적으로 같은, 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 도전선은 제1 방향으로 연장되고, 데이터 신호를 전송하는, 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제2 도전선은 상기 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고, 패드와 상기 제1 도전선을 연결하는, 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 절연층은 유기 절연 물질 및 무기 절연 물질 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 절연층은 유기 절연 물질을 포함하는, 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 제2 도전선과 중첩하는 화소 전극;
    상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치되는 대향 전극을 더 포함하는, 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 반사 전극이고, 상기 대향 전극은 투과 전극인, 표시 장치.
  13. 기판 상에 제1 도전선을 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 상기 제1 도전선을 덮는 제1 절연층을 형성하는 단계;
    하프톤 마스크를 이용하여 상기 제1 절연층에 상기 제1 도전선을 노출하는 접촉 구멍 및 상기 기판 방향으로 함몰되고 상기 접촉 구멍의 깊이보다 작은 깊이를 가지는 홈을 실질적으로 동시에 형성하는 단계;
    상기 제1 절연층 상의 상기 홈에 상기 접촉 구멍을 채우는 제2 도전선을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 절연층 상에 상기 제2 도전선을 덮는 제2 절연층을 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 절연층은 유기 절연 물질을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 홈은 상기 제1 절연층을 등방성 식각하여 형성되는, 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 홈은 상기 기판 방향으로 함몰되는 둥근 형상을 가지는, 표시 장치의 제조 방법.
  17. 기판 상에 제1 도전선을 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 상기 제1 도전선을 덮는 제1 절연층을 형성하는 단계;
    제1 마스크를 이용하여 상기 제1 절연층에 상기 제1 도전선을 노출하는 접촉 구멍을 형성하는 단계;
    제2 마스크를 이용하여 상기 제1 절연층에 상기 기판 방향으로 함몰되고 상기 접촉 구멍의 깊이보다 작은 깊이를 가지는 홈을 형성하는 단계;
    상기 제1 절연층 상의 상기 홈에 상기 접촉 구멍을 채우는 제2 도전선을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 절연층 상에 상기 제2 도전선을 덮는 제2 절연층을 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 절연층은 유기 절연 물질 및 무기 절연 물질 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 홈은 상기 제1 절연층을 이방성 식각하여 형성되는, 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 홈은 상기 기판 방향으로 함몰되는 네모진 형상을 가지는, 표시 장치의 제조 방법.
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