KR20210031951A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing method and substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20210031951A
KR20210031951A KR1020217004601A KR20217004601A KR20210031951A KR 20210031951 A KR20210031951 A KR 20210031951A KR 1020217004601 A KR1020217004601 A KR 1020217004601A KR 20217004601 A KR20217004601 A KR 20217004601A KR 20210031951 A KR20210031951 A KR 20210031951A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
extreme value
timing
determination
Prior art date
Application number
KR1020217004601A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102530718B1 (en
Inventor
히데지 나오하라
히로시 아베
미츠카즈 다카하시
히로아키 가쿠마
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20210031951A publication Critical patent/KR20210031951A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102530718B1 publication Critical patent/KR102530718B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/704Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow using marked regions or existing inhomogeneities within the fluid stream, e.g. statistically occurring variations in a fluid parameter
    • G01F1/708Measuring the time taken to traverse a fixed distance
    • G01F1/7086Measuring the time taken to traverse a fixed distance using optical detecting arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

액 처리인 제 1 처리 후, 후속하는 제 2 처리를 개시하는 타이밍을 적절히 결정하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위해서, 제 1 처리액의 공급을 정지시킨 후, 기판의 상면을 카메라에 의해 촬상한다. 카메라에 의해 취득된 촬영 화상의 판정 영역 내에 있어서, 휘도 (광 강도) 의 직경 방향에 있어서의 극치점을 검출함으로써, 간섭 무늬를 검출한다. 검출 대상의 간섭 무늬가 검출된 경우, 타이밍 결정부는, 제 2 처리를 개시하는 타이밍을 결정한다.It is an object of the present invention to provide a technique for appropriately determining the timing of starting the subsequent second processing after the first processing which is a liquid processing. In order to achieve this object, after stopping the supply of the first processing liquid, the upper surface of the substrate is imaged with a camera. An interference fringe is detected by detecting the extreme value point in the radial direction of the luminance (light intensity) in the judgment area of the captured image acquired by the camera. When an interference fringe to be detected is detected, the timing determination unit determines a timing to start the second process.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치Substrate processing method and substrate processing apparatus

본 발명은, 기판을 처리하는 기술에 관한 것으로, 특히, 처리액으로 기판을 처리하는 기술에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 기판, 액정 표시 장치 및 유기 EL (Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판, 프린트 기판 등이 포함된다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a technology for processing a substrate, and more particularly, to a technology for processing a substrate with a processing liquid. Substrates to be processed include, for example, FPD (Flat Panel Display) substrates such as semiconductor substrates, liquid crystal displays, and organic EL (Electroluminescence) displays, optical disk substrates, magnetic disk substrates, and magneto-optical disks. Substrates, photomask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, and printed circuit boards are included.

반도체 제조에 있어서는, 먼저 반도체 기판의 표면을 소정의 액체로 처리하는 제 1 처리가 실시된 후에, 반도체 기판에 대해 다른 제 2 처리가 실시되는 경우가 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 표면에 미세한 패턴을 갖는 반도체 기판을 소수화제로 처리함으로써, 미세 패턴의 도괴를 억제하는 것이 기재되어 있다. 보다 상세하게는, 먼저 액체인 PGMEA (프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트) 로 반도체 기판을 처리한 후에, 소수화제로 반도체 기판이 처리된다.In semiconductor manufacturing, a first treatment in which the surface of a semiconductor substrate is treated with a predetermined liquid is first performed, and then another second treatment is sometimes performed on the semiconductor substrate. For example, Patent Document 1 describes that a semiconductor substrate having a fine pattern on its surface is treated with a hydrophobic agent to suppress collapse of a fine pattern. More specifically, first, the semiconductor substrate is treated with a liquid PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate), and then the semiconductor substrate is treated with a hydrophobic agent.

또, 특허문헌 2 에는, 고속 회전에 의한 기판 건조시에 레지스트 패턴의 도괴를 억제하는 기술에 대해 개시되어 있다. 구체적으로는, 레지스트 패턴이 형성된 기판에 대해, 먼저 제 1 처리로서 린스액을 공급하는 액 처리가 실시된 후, 제 2 처리로서 기판을 고속 회전시켜 건조시키는 건조 처리가 실시된다. 특허문헌 2 에는, 린스액의 공급이 완료된 후, 기판 중심으로부터 외주를 향한 기판 주면의 건조 영역의 확대에 따라, 기판의 회전 속도를 제어하는 것, 나아가서는, 건조 영역의 경계의 위치 검출을, 간섭 무늬의 변화를 계측하여 실시하는 것이 기재되어 있다.In addition, Patent Document 2 discloses a technique for suppressing collapse of a resist pattern during drying of a substrate by high-speed rotation. Specifically, the substrate on which the resist pattern is formed is first subjected to a liquid treatment in which a rinse liquid is supplied as a first treatment, and then, as a second treatment, a drying treatment in which the substrate is rotated at high speed to dry it. In Patent Document 2, after the supply of the rinse liquid is completed, controlling the rotational speed of the substrate according to the expansion of the drying area on the main surface of the substrate toward the outer circumference from the center of the substrate, furthermore, detecting the position of the boundary of the drying area It is described that the change in the interference fringe is measured and carried out.

일본 공개특허공보 2010-114414호Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2010-114414 일본 공개특허공보 2004-335542호Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2004-335542

일반적으로는, 제 1 처리에서 기판에 공급된 제 1 처리액의 액막의 두께는, 후속하는 제 2 처리에 영향을 줄 가능성이 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 의 경우, 제 1 처리에 있어서 기판에 PGMEA 가 공급되고, 그 공급이 정지되고 나서, 기판에 대해 제 2 처리인 소수화제의 공급이 실시된다. 이 때, 기판의 PGMEA 의 액막이 과잉으로 두꺼운 경우, 소수화제에 대한 치환 효율이 저하된다. 그러나, 특허문헌 1 에서는, 최적인 타이밍으로 소수화제의 공급을 실시하는 기술에 대해서는 전혀 개시되어 있지 않다.In general, the thickness of the liquid film of the first treatment liquid supplied to the substrate in the first treatment may have an influence on the subsequent second treatment. For example, in the case of Patent Document 1, PGMEA is supplied to the substrate in the first treatment, and the supply is stopped, and then the hydrophobic agent, which is the second treatment, is supplied to the substrate. At this time, when the liquid film of PGMEA on the substrate is excessively thick, the substitution efficiency for the hydrophobic agent decreases. However, in Patent Literature 1, a technique for supplying a hydrophobic agent at an optimum timing is not disclosed at all.

또, 특허문헌 2 에서는, 제 2 처리의 건조 처리를 개시하는 제어를 간섭 무늬의 변화를 계측하여 실시한다고 기재되어 있을 뿐으로, 간섭 무늬를 검출하는 기술은 전혀 개시되어 있지 않다. 이 때문에, 인용 문헌 2 에 기초하여, 건조 처리를 개시하는 타이밍을 적절히 결정하는 것은 곤란하다.In addition, in Patent Document 2, it is only described that the control for starting the drying process of the second process is performed by measuring the change of the interference fringe, and a technique for detecting the interference fringe is not disclosed at all. For this reason, it is difficult to appropriately determine the timing to start the drying treatment based on the cited document 2.

그래서, 본 발명은, 액 처리인 제 1 처리 후, 후속하는 제 2 처리를 개시하는 타이밍을 적절히 결정하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a technique for appropriately determining the timing of starting the subsequent second processing after the first processing which is the liquid processing.

상기 과제를 해결하기 위해, 제 1 양태의 기판 처리 방법은, 수평 자세로 회전하는 기판의 상면을 처리액으로 처리하는 기판 처리 방법으로서, (a) 수평 자세로 기판을 유지하는 공정과, (b) 상기 공정 (a) 에 의해 수평 자세로 유지되어 있는 상기 기판을 연직 방향의 회전축선 둘레로 회전시키는 공정과, (c) 상기 공정 (b) 에 의해 회전하는 상기 기판의 상면에 제 1 처리액을 공급하는 공정과, (d) 상기 공정 (c) 의 후, 상기 제 1 처리액의 공급을 정지시키는 공정과, (e) 상기 공정 (d) 의 후, 상기 기판의 상면에 잔류하는 상기 제 1 처리액의 막을 얇게 하는 공정과, (f) 상기 공정 (e) 에 있어서, 상기 기판의 상면을 카메라로 촬영하는 공정과, (g) 상기 공정 (f) 에 의해 취득되는 촬영 화상에 설정된 판정 영역 내에 있어서의, 상기 회전축선과 직교하는 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대 또는 극소가 되는 극치점에 따라, 상기 기판에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정하는 공정과, (h) 상기 공정 (g) 에서 결정된 타이밍에 따라, 상기 기판에 대해 상기 제 2 처리를 실시하는 공정을 포함한다.In order to solve the above problems, the substrate processing method of the first aspect is a substrate processing method in which an upper surface of a substrate rotating in a horizontal position is treated with a processing liquid, comprising: (a) a step of holding the substrate in a horizontal position, and (b ) A step of rotating the substrate held in a horizontal posture by the step (a) around a rotation axis in a vertical direction, and (c) a first treatment liquid on the upper surface of the substrate rotated by the step (b) A step of supplying, (d) a step of stopping the supply of the first processing liquid after the step (c), and (e) the first remaining on the upper surface of the substrate after the step (d). 1 The process of thinning the film of the processing liquid, (f) a process of photographing the upper surface of the substrate with a camera in the above process (e), and (g) a judgment set in the photographed image acquired by the above process (f) A step of determining a timing for performing a second treatment on the substrate according to an extreme value point at which the light intensity in a radial direction perpendicular to the rotation axis in a region becomes maximum or minimum, and (h) the step and performing the second treatment on the substrate according to the timing determined in (g).

제 2 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (h) 에 있어서, 상기 기판의 상면 전체에 상기 제 1 처리액의 막이 잔류하고 있는 동안에, 상기 제 2 처리가 개시된다.The substrate processing method of the second aspect is the substrate processing method of the first aspect, wherein in the step (h), the second processing is started while the film of the first processing liquid remains on the entire upper surface of the substrate. do.

제 3 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 또는 제 2 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 판정 영역이, 상기 촬영 화상에 있어서의 상기 기판의 상기 상면에 설정된다.The substrate processing method of the third aspect is the substrate processing method of the first aspect or the second aspect, wherein the determination area is set on the upper surface of the substrate in the photographed image.

제 4 양태의 기판 처리 방법은, 제 3 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (g) 는, (g1) 상기 판정 영역 내에 있어서 1 개의 극치점이 검출되고 나서 다음의 극치점이 검출될 때까지의 시간에 따라, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함한다.The substrate processing method of the fourth aspect is the substrate processing method of the third aspect, wherein the step (g) is (g1) the time from the detection of one extreme value point in the determination area until the next extreme value point is detected. According to, the process of determining the timing is included.

제 5 양태의 기판 처리 방법은, 제 4 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (g) 는, (g2) 상기 판정 영역 내에 있어서, 제 1 극치점이 검출되고 나서 제 2 극치점이 검출될 때까지의 제 1 시간과, 상기 제 2 극치점이 검출되고 나서 제 3 극치점이 검출될 때까지의 제 2 시간에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함한다.The substrate processing method of the fifth aspect is the substrate processing method of the fourth aspect, wherein the step (g) is in the determination area (g2) from the detection of the first extreme value to the detection of the second extreme value point. And a step of determining the timing based on a first time and a second time from the detection of the second extreme value to the detection of the third extreme value.

제 6 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 내지 제 3 양태 중 어느 하나의 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (g) 는, (g3) 상기 판정 영역에 있어서 검출되는 상기 제 1 극치점과 상기 제 1 극치점으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 2 극치점 사이의 제 1 거리에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함한다.A substrate processing method of a sixth aspect is a substrate processing method of any one of the first to third aspects, wherein the step (g) comprises: (g3) the first extreme value point detected in the determination region and And determining the timing based on the first distance between the second extreme value points that are radially outward from the first extreme value point.

제 7 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 내지 제 3 양태 중 어느 하나의 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 판정 영역은, 제 1 판정 영역과, 당해 제 1 판정 영역으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 2 판정 영역을 포함하고, 상기 (g) 공정은, (g4) 상기 제 1 판정 영역에 있어서 제 1 극치점이 검출되고, 상기 제 2 판정 영역에 있어서 제 2 극치점이 검출되는 것에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함한다.A substrate processing method of a seventh aspect is a substrate processing method of any one of the first to third aspects, wherein the determination region comprises a first determination region and a first determination region radially outward from the first determination region. 2 determination regions are included, and the (g) step is based on (g4) a first extreme value point is detected in the first determination region and a second extreme value point is detected in the second determination region, the timing Including the process of determining.

제 8 양태의 기판 처리 방법은, 제 7 양태의 기판 처리 방법으로서, (i) 상기 공정 (g) 보다 전에, 상기 제 1 판정 영역에 대한 상기 제 2 판정 영역의 직경 방향에 있어서의 상대적인 위치를 변경하는 공정을 추가로 포함한다.The substrate processing method of the eighth aspect is the substrate processing method of the seventh aspect, wherein (i) before the step (g), a relative position in the radial direction of the second determination region with respect to the first determination region is determined. The process of changing is additionally included.

제 9 양태의 기판 처리 방법은, 제 6 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (g) 는, (g5) 상기 제 1 거리와, 상기 판정 영역 내에 있어서, 상기 제 2 극치점과 상기 제 2 극치점으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 3 극치점 사이의 제 2 거리에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함한다.The substrate processing method of the ninth aspect is the substrate processing method of the sixth aspect, wherein the step (g) includes (g5) the first distance and the second extreme value point and the second extreme value in the determination region. And determining the timing based on the second distance between the third extreme value points that are radially outward from the point.

제 10 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 내지 제 9 양태 중 어느 하나의 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (g) 는, (g6) 상기 판정 영역에 있어서, 복수의 극치점 중, 마지막으로 검출 가능한 최종 극치점으로부터 세어 3 개의 상기 극치점을 검출함으로써, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함한다.The substrate processing method of the tenth aspect is the substrate processing method of any one of the first to ninth aspects, wherein the step (g) is (g6) the last of a plurality of extreme value points in the determination region. And a step of determining the timing by counting from the final extreme value points detectable by the method and detecting the three extreme value points.

제 11 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 내지 제 10 양태 중 어느 하나의 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 카메라가 적외선 카메라이다.The substrate processing method of the eleventh aspect is the substrate processing method of any one of the first to tenth aspects, and the camera is an infrared camera.

제 12 양태의 기판 처리 방법은, 제 11 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (f) 는, (f1) 상기 기판의 상면에 적외선을 조사하는 공정을 포함한다.The substrate processing method of the twelfth aspect is the substrate processing method of the eleventh aspect, wherein the step (f) includes a step of (f1) irradiating an infrared ray on the upper surface of the substrate.

제 13 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 내지 제 12 양태 중 어느 하나의 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 제 2 처리는, 상기 기판의 상면에 상기 제 1 처리액과는 상이한 제 2 처리액을 공급하는 처리이다.The substrate processing method of the thirteenth aspect is a substrate processing method of any one of the first to twelfth aspects, wherein the second processing is a second processing liquid different from the first processing liquid on the upper surface of the substrate. It is a treatment to supply.

제 14 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 내지 제 12 양태 중 어느 하나의 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 제 2 처리는, 기판의 회전 속도를 상기 공정 (e) 일 때보다 크게 하여, 상기 기판의 상면에 잔류하는 상기 제 1 처리액을 제거하는 처리이다.The substrate processing method of the fourteenth aspect is a substrate processing method of any one of the first to twelfth aspects, wherein the second treatment makes the rotational speed of the substrate higher than that in the step (e), and the This is a process of removing the first processing liquid remaining on the upper surface of the substrate.

제 15 양태의 기판 처리 장치는, 수평 자세로 회전하는 기판의 상면에 대한 액 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서, 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판인 대상 기판을 연직 방향의 회전축선 둘레로 회전시키는 회전부와, 상기 대상 기판의 상면에 제 1 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 대상 기판의 상면을 촬영하는 카메라와, 상기 카메라에 의해 취득되는 촬영 화상에 설정된 판정 영역 내에 있어서, 상기 회전축선과 직교하는 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대치 또는 극소치가 되는 극치점의 직경 방향 외방을 향한 이동에 따라, 상기 대상 기판에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정하는 타이밍 결정부와, 상기 타이밍 결정부에 의해 결정된 상기 타이밍에 따라, 상기 대상 기판에 제 2 처리를 실시하는 제 2 처리 실행부를 구비한다.A substrate processing apparatus of a fifteenth aspect is a substrate processing apparatus that performs a liquid treatment on an upper surface of a substrate rotating in a horizontal posture, comprising a substrate holding unit that holds a substrate in a horizontal position, and a substrate held by the substrate holding unit. A rotation unit that rotates a target substrate around a rotation axis in a vertical direction, a treatment liquid supply unit that supplies a first treatment liquid to an upper surface of the target substrate, a camera that photographs the upper surface of the target substrate, and is acquired by the camera. In the judgment area set in the photographed image, the second processing is performed on the target substrate in accordance with the movement of the extreme value point in the radial direction orthogonal to the rotation axis to the maximum value or the minimum value toward the radial direction outward. A timing determination unit for determining timing, and a second processing execution unit for performing a second process on the target substrate according to the timing determined by the timing determination unit.

제 16 양태의 기판 처리 장치는, 제 15 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 판정 영역이, 상기 촬영 화상에 있어서의 상기 대상 기판의 상기 상면에 설정된다.The substrate processing apparatus of the sixteenth aspect is the substrate processing apparatus of the fifteenth aspect, wherein the determination region is set on the upper surface of the target substrate in the photographed image.

제 17 양태의 기판 처리 장치는, 제 15 양태 또는 제 16 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 타이밍 결정부는, 상기 촬영 화상으로부터 복수 종류의 특징 벡터를 추출하는 특징 벡터 추출부와, 상기 복수 종류의 특징 벡터에 기초하여, 상기 촬영 화상이 상기 타이밍의 결정의 기준이 되는 화상인지의 여부를 판정하는 화상 판정부를 포함한다.A substrate processing apparatus of a seventeenth aspect is a substrate processing apparatus of a fifteenth or sixteenth aspect, wherein the timing determination unit includes a feature vector extracting unit for extracting a plurality of types of feature vectors from the photographed image, and the plurality of types of features. And an image determination unit that determines whether or not the photographed image is an image used as a criterion for determining the timing, based on the vector.

제 1 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 처리액의 공급이 정지되면, 기판의 회전에 의해 제 1 처리액이 털리는 것에 의해, 액막의 두께가 점차 얇아진다. 이 때, 액막의 두께에 따라, 직경 방향 외방으로 이동하는 간섭 무늬가 발생한다. 이 간섭 무늬는, 광 강도의 극치을 취하는 극치점에 대응한다. 이 때문에, 광 강도의 극치점에 기초하여 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정하는 것에 의해, 제 1 처리액의 액막이 최적인 두께가 되는 타이밍으로 제 2 처리를 개시할 수 있다.According to the substrate processing method of the first aspect, when the supply of the first processing liquid is stopped, the thickness of the liquid film gradually decreases as the first processing liquid is blown off by the rotation of the substrate. At this time, according to the thickness of the liquid film, interference fringes that move outward in the radial direction are generated. This interference fringe corresponds to an extreme value point at which the extreme value of the light intensity is taken. For this reason, by determining the timing at which the second processing is performed based on the extreme value point of the light intensity, the second processing can be started at the timing at which the liquid film of the first processing liquid has an optimum thickness.

제 2 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 처리액이 기판의 상면 전체에 잔류하는 상태에서 제 2 처리가 개시된다. 이 때문에, 국소적으로 기판의 건조가 진행되는 것을 억제할 수 있다.According to the substrate processing method of the second aspect, the second processing is started while the first processing liquid remains on the entire upper surface of the substrate. For this reason, it is possible to suppress the progress of drying of the substrate locally.

제 3 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 촬영 화상 중 기판의 상면에 판정 영역이 설정된다. 이로써, 기판의 상면에 발생하는 간섭 무늬에 대응하는 극치점의 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the substrate processing method of the third aspect, the determination area is set on the upper surface of the substrate in the captured image. Accordingly, it is possible to improve the detection accuracy of the extreme value point corresponding to the interference fringe occurring on the upper surface of the substrate.

제 4 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 판정 영역을 2 개의 극치점이 통과하는 시간의 차로부터, 박막화의 진행 정도를 검출할 수 있다. 이 때문에, 제 2 처리의 개시 타이밍이 결정된다.According to the substrate processing method of the fourth aspect, the degree of progression of thinning can be detected from the difference in time between the two extreme value points passing through the determination region. For this reason, the start timing of the second process is determined.

제 5 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 시간과 제 2 시간을 산출함으로써, 검출 대상인 간섭 무늬가 출현했는지의 여부를 판정할 수 있다.According to the substrate processing method of the fifth aspect, by calculating the first time and the second time, it is possible to determine whether or not an interference fringe as a detection target has appeared.

제 6 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 거리를 산출함으로써, 검출 대상의 간섭 무늬가 출현했는지의 여부를 판정할 수 있다.According to the substrate processing method of the sixth aspect, by calculating the first distance, it is possible to determine whether or not an interference fringe to be detected has appeared.

제 7 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 직경 방향으로 적절한 거리만큼 멀어진 제 1 판정 영역 및 제 2 판정 영역을 설정하고, 이들 판정 영역 내에서 간섭 무늬의 검출을 실시하는 것에 의해, 검사 대상의 간섭 무늬가 출현했는지의 여부를 판정할 수 있다.According to the substrate processing method of the seventh aspect, by setting the first determination region and the second determination region separated by an appropriate distance in the radial direction, and detecting interference fringes within these determination regions, the interference fringes of the inspection object It can be determined whether or not appears.

제 8 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 판정 영역에 대한 제 2 판정 영역의 상대적인 위치를 직경 방향으로 변경할 수 있다. 이로써, 제 2 처리의 타이밍 결정의 지표가 되는 제 1 극치점 및 제 2 극치점을, 예를 들어, 제 1 판정 영역 및 제 2 판정 영역의 각각에서 동시에 검출 가능해진다.According to the substrate processing method of the eighth aspect, the relative position of the second determination region with respect to the first determination region can be changed in the radial direction. Thereby, the first extreme value point and the second extreme value point, which are indexes of timing determination of the second process, can be simultaneously detected in, for example, each of the first determination region and the second determination region.

제 9 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 거리 및 제 2 거리를 취득함으로써, 검출 대상의 간섭 무늬가 출현했는지의 여부를 판정할 수 있다.According to the substrate processing method of the ninth aspect, by acquiring the first distance and the second distance, it is possible to determine whether or not an interference fringe to be detected has appeared.

제 10 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 처리액의 액막의 두께가, 간섭 무늬를 검출할 수 없게 되는 얇기가 되는 것보다 이전의 단계에서, 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정할 수 있다.According to the substrate processing method of the tenth aspect, it is possible to determine the timing at which the second processing is performed in a step before the thickness of the liquid film of the first processing liquid becomes thinner at which interference fringes cannot be detected.

제 11 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 적외선을 검출함으로써, 간섭 무늬에 대응하는 광 강도를 적절히 검출할 수 있다.According to the substrate processing method of the eleventh aspect, by detecting infrared rays, the light intensity corresponding to the interference fringe can be appropriately detected.

제 12 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 적외선을 조사함으로써, 간섭 무늬에 대응하는 광 강도를 적절히 검출할 수 있다.According to the substrate processing method of the twelfth aspect, by irradiating infrared rays, the light intensity corresponding to the interference fringe can be appropriately detected.

제 13 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 처리액이 목표하는 얇기가 된 시점에서, 제 2 처리액을 공급할 수 있다. 이 때문에, 제 1 처리액으로부터 제 2 처리액으로의 치환을 신속히 실시할 수 있기 때문에, 제 2 처리액의 사용량을 저감시킬 수 있다.According to the substrate processing method of the thirteenth aspect, the second processing liquid can be supplied when the first processing liquid becomes a target thinner. For this reason, since the replacement from the first processing liquid to the second processing liquid can be performed quickly, the amount of the second processing liquid used can be reduced.

제 14 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 처리액이 목표하는 얇기가 된 시점에서, 기판의 회전 속도를 크게 한다. 다량으로 남은 제 1 처리액으로 기판의 처리가 불균일해지는 것을 억제할 수 있다.According to the substrate processing method of the fourteenth aspect, the rotational speed of the substrate is increased when the first processing liquid becomes a target thinner. It is possible to suppress uneven processing of the substrate with the first processing liquid remaining in a large amount.

제 15 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 제 1 처리액의 공급이 정지되면, 기판의 회전에 의해 제 1 처리액이 털림으로써, 액막의 두께가 점차 얇아진다. 이 때, 액막의 두께에 따라, 직경 방향 외방으로 이동하는 간섭 무늬가 발생한다. 이 간섭 무늬는, 광 강도의 극치을 취하는 극치점에 대응한다. 이 때문에, 광 강도의 극치점에 기초하여 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정하는 것에 의해, 제 1 처리액의 액막이 최적인 두께가 되는 타이밍으로 제 2 처리를 개시할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the fifteenth aspect, when the supply of the first processing liquid is stopped, the first processing liquid is shaken by the rotation of the substrate, so that the thickness of the liquid film gradually decreases. At this time, according to the thickness of the liquid film, interference fringes that move outward in the radial direction are generated. This interference fringe corresponds to an extreme value point at which the extreme value of the light intensity is taken. For this reason, by determining the timing at which the second processing is performed based on the extreme value point of the light intensity, the second processing can be started at the timing at which the liquid film of the first processing liquid has an optimum thickness.

제 16 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 기판 상에 출현하는 간섭 무늬를 검출할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the sixteenth aspect, an interference fringe appearing on a substrate can be detected.

도 1 은, 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 2 는, 제 1 실시형태의 세정 처리 유닛 (1) 의 개략 평면도이다.
도 3 은, 제 1 실시형태의 세정 처리 유닛 (1) 의 개략 종단면도이다.
도 4 는, 카메라 (70) 와 가동부인 노즐 (30) 의 위치 관계를 나타내는 도면이다.
도 5 는, 카메라 (70) 및 제어부 (9) 의 블록도이다.
도 6 은, 기판 처리 장치 (100) 의 1 개의 세정 처리 유닛 (1) 에 있어서의 기판 처리의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7 은, 제 1 처리에서부터 제 2 처리로 이행하는 동안의 각 타이밍에 있어서의 촬영 화상 (82a, 82b, 82c, 82d) 을 나타내는 도면이다.
도 8 은, 간섭 무늬 (ST) 의 제 1 검출 패턴을 나타내는 도면이다.
도 9 는, 간섭 무늬 (ST) 의 제 2 검출 패턴을 나타내는 도면이다.
도 10 은, 간섭 무늬 (ST) 의 제 3 검출 패턴을 나타내는 도면이다.
도 11 은, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정하는 처리의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 12 는, 간섭 무늬 (ST) 를 검출하는 조건을 설정하기 위한 설정 화면 (SW1) 을 나타내는 도면이다.
도 13 은, 제 2 실시형태의 기판 처리 장치 (100A) 를 나타내는 도면이다.
1 is a diagram showing an overall configuration of a substrate processing apparatus 100 according to a first embodiment.
2 is a schematic plan view of the cleaning processing unit 1 according to the first embodiment.
3 is a schematic longitudinal sectional view of the cleaning processing unit 1 according to the first embodiment.
4 is a diagram showing the positional relationship between the camera 70 and the nozzle 30 as a movable part.
5 is a block diagram of the camera 70 and the control unit 9.
6 is a diagram showing an example of a flow of substrate processing in one cleaning processing unit 1 of the substrate processing apparatus 100.
7 is a diagram showing captured images 82a, 82b, 82c, and 82d at each timing during a transition from a first process to a second process.
8 is a diagram showing a first detection pattern of an interference fringe ST.
9 is a diagram showing a second detection pattern of the interference fringe ST.
10 is a diagram showing a third detection pattern of the interference fringe ST.
11 is a diagram showing a flow of processing for determining a second processing start timing.
12 is a diagram showing a setting screen SW1 for setting a condition for detecting an interference fringe ST.
13 is a diagram showing a substrate processing apparatus 100A according to a second embodiment.

이하, 첨부하는 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 이 실시형태에 기재되어 있는 구성 요소는 어디까지나 예시이고, 본 발명의 범위를 그것들에만 한정하는 취지의 것은 아니다. 도면에 있어서는, 이해의 용이를 위해, 필요에 따라 각 부의 치수 및 수가 과장 또는 간략화되어 도시되어 있는 경우가 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, the constituent elements described in this embodiment are examples only, and are not intended to limit the scope of the present invention only to them. In the drawings, for ease of understanding, the dimensions and numbers of each part are exaggerated or simplified as necessary in some cases.

상대적 또는 절대적인 위치 관계를 나타내는 표현 (예를 들어 「일방향으로」 「일방향을 따라」 「평행」 「직교」 「중심」 「동심」 「동축」등) 은, 특별히 언급하지 않는 한, 그 위치 관계를 엄밀하게 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 범위에서 상대적으로 각도 또는 거리에 관해서 변위된 상태도 나타내는 것으로 한다. 동등한 상태인 것을 나타내는 표현 (예를 들어 「동일」 「동등한」 「균질」등) 은, 특별히 언급하지 않는 한, 정량적으로 엄밀하게 동등한 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 차가 존재하는 상태도 나타내는 것으로 한다. 형상을 나타내는 표현 (예를 들어, 「사각 형상」또는 「원통 형상」등) 은, 특별히 언급하지 않는 한, 기하학적으로 엄밀하게 그 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 동일한 정도의 효과가 얻어지는 범위에서, 예를 들어 요철 및 모따기 등을 갖는 형상도 나타내는 것으로 한다. 하나의 구성 요소를 「지니다」 「갖추다」 「구비하다」 「포함한다」또는 「갖는다」라는 표현은, 다른 구성 요소의 존재를 제외하는 배타적 표현은 아니다. 「∼ 의 위」란, 특별히 언급하지 않는 한, 2 개의 요소가 접하고 있는 경우 외에, 2 개의 요소가 떨어져 있는 경우도 포함한다.Expressions representing relative or absolute positional relationships (e.g., ``in one direction'' ``along one direction'' ``parallel'' ``orthogonal'' ``center'' ``concentric'' ``coaxial'', etc.) It is assumed that it is not only expressed strictly, but also a state in which a tolerance or a displaced state with respect to an angle or distance within a range in which a function of the same degree is obtained. Expressions indicating that they are in an equivalent state (for example, ``same'', ``equal'', ``homogeneous'', etc.), unless otherwise stated, not only quantitatively indicate a strictly equivalent state, but also a tolerance or a difference in which functions of the same degree are obtained. It is assumed that the state to be performed is also indicated. Expressions representing shapes (for example, ``rectangular shape'' or ``cylindrical shape'', etc.), unless otherwise noted, not only express the shape strictly geometrically, but also provide an example within the range in which the same degree of effect can be obtained. For example, it is assumed that a shape having irregularities, chamfers, and the like is also shown. The expressions “have”, “have,” “have,” “include,” or “have” one component are not exclusive expressions excluding the existence of other components. Unless otherwise noted, the term "above" includes a case where two elements are in contact, and a case where two elements are separated.

<1. 제 1 실시형태><1. First embodiment>

도 1 은, 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 전체 구성을 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (100) 는, 처리 대상인 기판 (대상 기판이라고도 한다) (W) 을 1 장씩 처리하는 매엽식의 처리 장치이다. 기판 처리 장치 (100) 는, 원형 박판상인 실리콘 기판인 기판 (W) 에 대해, 약액 및 순수 등의 린스액을 사용하여 세정 처리를 실시한 후, 건조 처리를 실시한다. 약액으로는, 예를 들어 SC1 (ammonia-hydrogen peroxide mixture : 암모니아 과산화수소수 혼합액), SC2 (hydrochloric hydrogen peroxide mixed water solution : 염산 과산화수소수 혼합 수용액), DHF 액 (희불산) 등이 사용된다. 이하의 설명에서는, 약액과 린스액을 총칭하여 「처리액」이라고 칭하는 경우가 있다. 또한, 기판 처리 장치 (100) 는, 세정 처리가 아니고, 성막 처리를 위한 포토레지스트액 등의 도포액, 불필요한 막을 제거하기 위한 약액, 또는 에칭을 위한 약액을 공급하여 기판에 대한 습식 처리를 실시하도록 구성되어 있어도 된다. 요컨대, 기판 처리 장치 (100) 는, 예를 들어, 수평 자세로 회전하는 기판 (W) 의 상면에 대한 액 처리를 실시하는 장치이면 된다. 액 처리는, 기판 (W) 에 대한 처리액을 사용한 처리이다.1 is a diagram showing an overall configuration of a substrate processing apparatus 100 according to a first embodiment. The substrate processing apparatus 100 is a single wafer type processing apparatus that processes a substrate (also referred to as a target substrate) W as a processing target one by one. The substrate processing apparatus 100 performs a drying treatment after performing a cleaning treatment using a rinse liquid such as a chemical liquid and pure water with respect to the substrate W which is a circular thin-plate-shaped silicon substrate. As the chemical liquid, for example, SC1 (ammonia-hydrogen peroxide mixture), SC2 (hydrochloric hydrogen peroxide mixed water solution: hydrochloric hydrogen peroxide mixed water solution), DHF liquid (dilute hydrofluoric acid), and the like are used. In the following description, the chemical liquid and the rinse liquid are collectively referred to as "treatment liquid" in some cases. In addition, the substrate processing apparatus 100 supplies a coating liquid such as a photoresist liquid for film formation treatment, a chemical liquid for removing unnecessary films, or a chemical liquid for etching, not a cleaning treatment, to perform a wet treatment on the substrate. It may be configured. In short, the substrate processing apparatus 100 may be, for example, an apparatus that performs a liquid treatment on the upper surface of the substrate W rotating in a horizontal posture. The liquid treatment is a treatment using a treatment liquid for the substrate W.

기판 처리 장치 (100) 는, 복수의 세정 처리 유닛 (1), 인덱서 (102) 및 주반송 로봇 (103) 을 구비한다.The substrate processing apparatus 100 includes a plurality of cleaning processing units 1, an indexer 102, and a main transfer robot 103.

인덱서 (102) 는, 장치 (기판 처리 장치 (100)) 밖에서 수취한 처리 대상인 기판 (W) 을 장치 (기판 처리 장치 (100)) 내에 반송함과 함께, 세정 처리가 완료된 처리 완료된 기판 (W) 을 장치 (기판 처리 장치 (100)) 밖으로 반출한다. 인덱서 (102) 는, 복수의 캐리어 (도시 생략) 를 재치 (載置) 함과 함께 이송 로봇 (도시 생략) 을 구비한다. 캐리어로는, 기판 (W) 을 밀폐 공간에 수납하는 FOUP (Front Opening Unified Pod) 또는 SMIF (Standard Mechanical InterFace) 포드, 혹은, 기판 (W) 을 외기에 노출시키는 OC (Open Cassette) 를 채용해도 된다. 이송 로봇은, 캐리어와 주반송 로봇 (103) 사이에서 기판 (W) 을 이송한다.The indexer 102 conveys the substrate W to be processed received from the outside of the apparatus (substrate processing apparatus 100) into the apparatus (substrate processing apparatus 100), and the processed substrate W on which the cleaning process has been completed. Out of the apparatus (substrate processing apparatus 100). The indexer 102 is equipped with a transfer robot (not shown) while placing a plurality of carriers (not shown). As a carrier, a FOUP (Front Opening Unified Pod) or SMIF (Standard Mechanical InterFace) pod that accommodates the substrate W in an enclosed space, or an OC (Open Cassette) that exposes the substrate W to outside air may be employed. . The transfer robot transfers the substrate W between the carrier and the main transfer robot 103.

세정 처리 유닛 (1) 은, 1 장의 기판 (W) 에 대해 액 처리 및 건조 처리를 실시한다. 기판 처리 장치 (100) 에는, 12 개의 세정 처리 유닛 (1) 이 배치되어 있다. 구체적으로는, 각각이 연직 방향으로 적층된 3 개의 세정 처리 유닛 (1) 을 포함하는 4 개의 타워가, 주반송 로봇 (103) 의 주위를 둘러싸도록 하여 배치되어 있다. 도 1 에서는, 3 단으로 겹쳐진 세정 처리 유닛 (1) 중 1 개를 개략적으로 나타내고 있다. 또한, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서의 세정 처리 유닛 (1) 의 수량은, 12 개에 한정되는 것이 아니고, 적절히 변경해도 된다.The cleaning processing unit 1 performs liquid processing and drying processing on one substrate W. Twelve cleaning processing units 1 are disposed in the substrate processing apparatus 100. Specifically, four towers including three cleaning processing units 1 each stacked in a vertical direction are arranged so as to surround the main transport robot 103. In FIG. 1, one of the washing processing units 1 overlapped in three stages is schematically shown. In addition, the number of cleaning processing units 1 in the substrate processing apparatus 100 is not limited to 12, and may be appropriately changed.

주반송 로봇 (103) 은, 세정 처리 유닛 (1) 을 적층한 4 개의 타워의 중앙에 설치되어 있다. 주반송 로봇 (103) 은, 인덱서 (102) 로부터 수취한 처리 대상의 기판 (W) 을 각 세정 처리 유닛 (1) 에 반입한다. 또, 주반송 로봇 (103) 은, 각 세정 처리 유닛 (1) 으로부터 처리 완료된 기판 (W) 을 반출하여 인덱서 (102) 에 전달한다.The main transfer robot 103 is installed in the center of the four towers in which the washing processing units 1 are stacked. The main transfer robot 103 carries the substrate W to be processed received from the indexer 102 into each cleaning processing unit 1. Moreover, the main conveyance robot 103 carries out the processed substrate W from each cleaning processing unit 1, and delivers it to the indexer 102.

<세정 처리 유닛 (1)><Washing processing unit (1)>

이하, 기판 처리 장치 (100) 에 탑재된 12 개의 세정 처리 유닛 (1) 중 1 개에 대해 설명하지만, 다른 세정 처리 유닛 (1) 에 대해서도, 노즐 (30, 60, 65) 의 배치 관계가 상이한 것 이외에는, 동일한 구성을 갖는다.Hereinafter, one of the 12 cleaning processing units 1 mounted on the substrate processing apparatus 100 will be described, but the arrangement relationship of the nozzles 30, 60, 65 is different for the other cleaning processing units 1 as well. Other than that, it has the same configuration.

도 2 는, 제 1 실시형태의 세정 처리 유닛 (1) 의 개략 평면도이다. 도 3 은, 제 1 실시형태의 세정 처리 유닛 (1) 의 개략 종단면도이다. 도 2 는 스핀 척 (20) 에 기판 (W) 이 유지되어 있지 않은 상태를 나타내고 있고, 도 3 은 스핀 척 (20) 에 기판 (W) 이 유지되어 있는 상태를 나타내고 있다.2 is a schematic plan view of the cleaning processing unit 1 according to the first embodiment. 3 is a schematic longitudinal sectional view of the cleaning processing unit 1 according to the first embodiment. FIG. 2 shows a state in which the substrate W is not held by the spin chuck 20, and FIG. 3 shows a state in which the substrate W is held by the spin chuck 20.

세정 처리 유닛 (1) 은, 챔버 (10) 내에, 기판 (W) 을 수평 자세 (기판 (W) 의 표면의 법선이 연직 방향을 따른 자세) 로 유지하는 스핀 척 (20) 과, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 처리액을 공급하기 위한 3 개의 노즐 (처리액 공급부라고도 한다) (30, 60, 65) 과, 스핀 척 (20) 의 주위를 둘러싸는 처리 컵 (40) 과, 스핀 척 (20) 의 상방 공간을 촬상하는 카메라 (70) 를 구비한다. 또, 챔버 (10) 내에 있어서의 처리 컵 (40) 의 주위에는, 챔버 (10) 의 내측 공간을 상하로 나누는 칸막이판 (15) 이 형성되어 있다.The cleaning processing unit 1 includes a spin chuck 20 that holds the substrate W in a horizontal posture (a posture in which the surface normal of the substrate W follows a vertical direction) in the chamber 10, and a spin chuck ( 20) three nozzles (also referred to as treatment liquid supply units) 30, 60, 65 for supplying the treatment liquid to the upper surface of the substrate W held on the substrate W, and a treatment cup surrounding the spin chuck 20 ( 40) and a camera 70 for imaging the space above the spin chuck 20. Further, around the processing cup 40 in the chamber 10, a partition plate 15 is formed that divides the inner space of the chamber 10 vertically.

챔버 (10) 는, 연직 방향을 따름과 함께 사방을 둘러싸는 측벽 (11) 과, 측벽 (11) 의 상측을 폐색하는 천정벽 (12), 측벽 (11) 의 하측을 폐색하는 상벽 (13) 을 구비한다. 측벽 (11), 천정벽 (12) 및 상벽 (床壁) (13) 에 의해 둘러싸인 공간이 기판 (W) 의 처리 공간이 된다. 또, 챔버 (10) 의 측벽 (11) 의 일부에는, 챔버 (10) 내에 대해 주반송 로봇 (103) 이 기판 (W) 을 반출입하기 위한 반출입구 및 그 반출입구 (모두 도시 생략) 를 개폐하는 셔터가 형성되어 있다.The chamber 10 includes a side wall 11 that surrounds all four sides while following a vertical direction, a ceiling wall 12 that closes the upper side of the side wall 11, and an upper wall 13 that closes the lower side of the side wall 11 It is equipped with. The space surrounded by the side wall 11, the ceiling wall 12, and the upper wall 13 becomes a processing space of the substrate W. In addition, in a part of the side wall 11 of the chamber 10, the main transport robot 103 opens and closes a carry-in port for carrying the substrate W into and out of the chamber 10 and its carrying-in port (both not shown). Shutters are formed.

챔버 (10) 의 천정벽 (12) 에는, 기판 처리 장치 (100) 가 설치되어 있는 클린룸 내의 공기를 더욱 청정화하여 챔버 (10) 내의 처리 공간에 공급하기 위한 팬 필터 유닛 (FFU) (14) 이 장착되어 있다. FFU (14) 는, 클린룸 내의 공기를 도입하여 챔버 (10) 내에 송출하기 위한 팬 및 필터 (예를 들어 HEPA 필터) 를 구비하고 있다. FFU (14) 는, 챔버 (10) 내의 처리 공간에 청정 공기의 다운 플로를 형성한다. FFU (14) 로부터 공급된 청정 공기를 균일하게 분산하기 위해서, 다수의 분사공을 천공 형성한 펀칭 플레이트를 천정벽 (12) 의 바로 아래에 형성하도록 해도 된다.On the ceiling wall 12 of the chamber 10, a fan filter unit (FFU) 14 for further purifying the air in the clean room in which the substrate processing apparatus 100 is installed and supplying it to the processing space in the chamber 10 It is equipped. The FFU 14 is provided with a fan and a filter (for example, a HEPA filter) for introducing air in the clean room and sending it out into the chamber 10. The FFU 14 forms a downflow of clean air in the processing space in the chamber 10. In order to uniformly disperse the clean air supplied from the FFU 14, a punching plate in which a number of injection holes are perforated may be formed just below the ceiling wall 12.

스핀 척 (20) 은, 스핀 베이스 (21), 스핀 모터 (22), 커버 부재 (23) 및 회전축 (24) 을 구비한다. 스핀 베이스 (21) 는, 원판 형상을 가지고 있고, 연직 방향을 따라 연장되는 회전축 (24) 의 상단에 수평 자세로 고정되어 있다. 스핀 모터 (22) 는, 스핀 베이스 (21) 의 하방에 형성되어 있고, 회전축 (24) 을 회전시킨다. 스핀 모터 (22) 는, 회전축 (24) 을 통하여 스핀 베이스 (21) 를 수평면 내에서 회전시킨다. 커버 부재 (23) 는, 스핀 모터 (22) 및 회전축 (24) 의 주위를 둘러싸는 통상을 갖는다.The spin chuck 20 includes a spin base 21, a spin motor 22, a cover member 23, and a rotation shaft 24. The spin base 21 has a disk shape and is fixed in a horizontal posture to an upper end of a rotation shaft 24 extending along the vertical direction. The spin motor 22 is formed below the spin base 21 and rotates the rotation shaft 24. The spin motor 22 rotates the spin base 21 in a horizontal plane via the rotation shaft 24. The cover member 23 has a normal surrounding the spin motor 22 and the rotation shaft 24.

원판 형상의 스핀 베이스 (21) 의 외경은, 스핀 척 (20) 에 유지되는 원형의 기판 (W) 의 직경보다 약간 크다. 따라서, 스핀 베이스 (21) 는, 유지해야 할 기판 (W) 의 하면의 전체면과 대향하는 유지면 (21a) 을 갖는다.The outer diameter of the disk-shaped spin base 21 is slightly larger than the diameter of the circular substrate W held by the spin chuck 20. Accordingly, the spin base 21 has a holding surface 21a facing the entire lower surface of the lower surface of the substrate W to be held.

스핀 베이스 (21) 의 유지면 (21a) 의 주연부에는 복수 (본 실시형태에서는 4 개) 의 척 핀 (26) 이 세워 형성되어 있다. 각 척 핀 (26) 은, 원형의 기판 (W) 의 외주원의 외형에 대응하는 원주 상을 따라 균등한 간격을 두고 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, 4 개의 척 핀 (26) 이 90°간격으로 형성되어 있다. 각 척 핀 (26) 은, 스핀 베이스 (21) 내에 수용된 도시 생략된 링크 기구에 의해 연동하여 구동된다. 스핀 척 (20) 은, 각 척 핀 (26) 의 각각을 기판 (W) 의 외주단에 맞닿게 하여 기판 (W) 을 파지함으로써, 당해 기판 (W) 을 스핀 베이스 (21) 의 상방에서 유지면 (21a) 에 근접한 수평 자세로 유지한다 (도 3 참조). 또, 스핀 척 (20) 은, 각 척 핀 (26) 의 각각을 기판 (W) 의 외주단으로부터 이간시키는 것에 의해, 기판 (W) 의 파지를 해제한다. 각 척 핀 (26) 은, 기판 (W) 을 수평 자세로 유지하는 기판 유지부이다.A plurality of (four in this embodiment) chuck pins 26 are erected and formed at the periphery of the holding surface 21a of the spin base 21. Each chuck pin 26 is arranged at equal intervals along the circumferential shape corresponding to the outer shape of the outer circumference of the circular substrate W. In this embodiment, four chuck pins 26 are formed at intervals of 90°. Each chuck pin 26 is driven interlockingly by a link mechanism (not shown) accommodated in the spin base 21. The spin chuck 20 holds the substrate W above the spin base 21 by bringing each of the chuck pins 26 into contact with the outer circumferential end of the substrate W and holding the substrate W. It is kept in a horizontal posture close to the surface 21a (see Fig. 3). Further, the spin chuck 20 releases the holding of the substrate W by separating each of the chuck pins 26 from the outer circumferential end of the substrate W. Each chuck pin 26 is a substrate holding portion that holds the substrate W in a horizontal posture.

스핀 모터 (22) 를 덮는 커버 부재 (23) 는, 그 하단이 챔버 (10) 의 상벽 (13) 에 고정되고, 상단이 스핀 베이스 (21) 의 바로 아래에까지 도달하고 있다. 커버 부재 (23) 의 상단부에는, 커버 부재 (23) 로부터 외방으로 거의 수평하게 장출되고, 또한 하방으로 굴곡되어 연장되는 플랜지상 부재 (25) 가 형성되어 있다. 복수의 척 핀 (26) 에 의한 파지에 의해 스핀 척 (20) 이 기판 (W) 을 유지한 상태에서, 회전부로서의 스핀 모터 (22) 가 회전축 (24) 을 회전시킴으로써, 기판 (W) 의 중심을 통과하는 연직 방향을 따른 회전축선 (CX) 둘레로 기판 (W) 을 회전시킬 수 있다. 또한, 스핀 모터 (22) 의 구동은 제어부 (9) 에 의해 제어된다. 이하의 설명에서는, 회전축선 (CX) 과 직교하는 수평 방향을 「직경 방향」이라고 한다. 또, 직경 방향에 있어서 회전축선 (CX) 을 향하는 방향을 「직경 방향 내방」이라고 하고, 직경 방향에 있어서 회전축선 (CX) 으로부터 멀어지는 방향을 「직경 방향 외방」이라고 한다.The cover member 23 covering the spin motor 22 has its lower end fixed to the upper wall 13 of the chamber 10, and its upper end reaches just below the spin base 21. At the upper end of the cover member 23, a flange-like member 25 extending outwardly substantially horizontally from the cover member 23 and bent downward and extending is formed. With the spin chuck 20 holding the substrate W by gripping by the plurality of chuck pins 26, the spin motor 22 as a rotating part rotates the rotation shaft 24, thereby causing the center of the substrate W The substrate W may be rotated around the rotation axis CX along the vertical direction passing through. Further, the drive of the spin motor 22 is controlled by the control unit 9. In the following description, the horizontal direction orthogonal to the rotation axis CX is referred to as a "diameter direction". In addition, the direction toward the rotation axis CX in the radial direction is referred to as "inside the radial direction", and the direction away from the rotation axis CX in the radial direction is referred to as "outside the radial direction".

노즐 (30) 은, 노즐 아암 (32) 의 선단에 토출 헤드 (31) 를 장착하여 구성되어 있다. 노즐 아암 (32) 의 기단측은 노즐 기대 (33) 에 고정되어 연결되어 있다. 노즐 기대 (33) 는, 노즐 기대 (33) 에 형성된 모터 (332) (노즐 이동부. 도 4 참조) 에 의해 연직 방향을 따른 축의 둘레에서 회동 (回動) 가능하게 되어 있다.The nozzle 30 is configured by attaching the discharge head 31 to the tip end of the nozzle arm 32. The base end side of the nozzle arm 32 is fixed to and connected to the nozzle base 33. The nozzle base 33 is rotatable around an axis along the vertical direction by a motor 332 (nozzle moving part, see Fig. 4) formed in the nozzle base 33.

노즐 기대 (33) 가 회동함으로써, 도 2 중의 화살표 AR34 로 나타내는 바와 같이, 노즐 (30) 은, 스핀 척 (20) 의 상방의 위치와 처리 컵 (40) 보다 외측의 대기 위치 사이에서 수평 방향을 따라 원호상으로 이동된다. 노즐 기대 (33) 의 회동에 의해, 노즐 (30) 은 스핀 베이스 (21) 의 유지면 (21a) 의 상방에서 요동한다. 상세하게는, 스핀 베이스 (21) 보다 상방에 있어서, 수평 방향으로 연장되는 이미 정해진 처리 위치 (TP1) 로 이동한다. 또한, 노즐 (30) 을 처리 위치 (TP1) 로 이동시킨다는 것은, 노즐 (30) 의 선단부의 토출 헤드 (31) 를 처리 위치 (TP1) 로 이동시키는 것과 동일한 의미이다.As the nozzle base 33 rotates, as indicated by arrow AR34 in FIG. 2, the nozzle 30 moves the horizontal direction between the position above the spin chuck 20 and the stand-by position outside the processing cup 40. It moves along an arc. Due to the rotation of the nozzle base 33, the nozzle 30 swings above the holding surface 21a of the spin base 21. Specifically, above the spin base 21, it moves to a predetermined processing position TP1 extending in the horizontal direction. In addition, moving the nozzle 30 to the processing position TP1 has the same meaning as moving the discharge head 31 at the tip end of the nozzle 30 to the processing position TP1.

노즐 (30) 에는, 복수종의 처리액 (적어도 순수를 함유한다) 이 공급되도록 구성되어 있고, 토출 헤드 (31) 로부터 복수종의 처리액을 토출 가능하다. 또한, 노즐 (30) 의 선단에 복수의 토출 헤드 (31) 를 형성하여, 각각으로부터 개별적으로 동일 또는 상이한 처리액이 토출되어도 된다. 노즐 (30) (상세하게는 토출 헤드 (31)) 은, 처리 위치 (TP1) 에서 정지하여, 처리액을 토출한다. 노즐 (30) 로부터 토출된 처리액은, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 착액된다.The nozzle 30 is configured to be supplied with a plurality of types of processing liquids (at least containing pure water), and a plurality of types of processing liquids can be discharged from the discharge head 31. Further, a plurality of discharge heads 31 may be formed at the tip end of the nozzle 30, and the same or different treatment liquids may be discharged individually from each of them. The nozzle 30 (in detail, the discharge head 31) stops at the processing position TP1 and discharges the processing liquid. The processing liquid discharged from the nozzle 30 is deposited on the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20.

본 실시형태의 세정 처리 유닛 (1) 에는, 상기한 노즐 (30) 에 더하여 추가로 2 개의 노즐 (60, 65) 이 형성되어 있다. 본 실시형태의 노즐 (60, 65) 은, 상기한 노즐 (30) 과 동일하거나 또는 유사한 구성을 구비한다. 즉, 노즐 (60) 은, 노즐 아암 (62) 의 선단에 토출 헤드를 장착하여 구성되고, 노즐 아암 (62) 의 기단측에 연결된 노즐 기대 (63) 에 의해, 화살표 AR64 로 나타내는 바와 같이 스핀 척 (20) 의 상방의 처리 위치와 처리 컵 (40) 보다 외측의 대기 위치 사이에서 원호상으로 이동한다. 노즐 (65) 은, 노즐 아암 (67) 의 선단에 토출 헤드를 장착하여 구성되고, 노즐 아암 (67) 의 기단측에 연결된 노즐 기대 (68) 에 의해, 화살표 AR69 로 나타내는 바와 같이 스핀 척 (20) 의 상방의 처리 위치와 처리 컵 (40) 보다 외측의 대기 위치 사이에서 원호상으로 이동한다.In addition to the nozzle 30 described above, two nozzles 60 and 65 are formed in the cleaning processing unit 1 of the present embodiment. The nozzles 60 and 65 of the present embodiment have the same or similar configuration as the nozzle 30 described above. That is, the nozzle 60 is configured by attaching a discharge head to the tip end of the nozzle arm 62, and by the nozzle base 63 connected to the proximal end side of the nozzle arm 62, the spin chuck as indicated by arrow AR64 It moves in an arc shape between the processing position above (20) and the standby position outside the processing cup 40. The nozzle 65 is configured by attaching a discharge head to the tip end of the nozzle arm 67, and by a nozzle base 68 connected to the proximal end side of the nozzle arm 67, the spin chuck 20 is shown by an arrow AR69. ), it moves in an arc shape between the processing position above the processing cup 40 and the standby position outside the processing cup 40.

노즐 (60, 65) 에도, 적어도 순수를 함유하는 복수종의 처리액이 공급되도록 구성되고, 노즐 (60, 65) 도, 처리 위치에서 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 처리액을 토출한다. 또한, 노즐 (60, 65) 의 적어도 일방은, 순수 등의 세정액과 가압한 기체를 혼합하여 액적을 생성하고, 그 액적과 기체의 혼합 유체를 기판 (W) 에 분사하는 이류체 노즐이어도 된다. 또, 세정 처리 유닛 (1) 에 형성되는 노즐수는 3 개에 한정되는 것이 아니고, 1 개 이상이면 된다.The nozzles 60 and 65 are also configured to be supplied with a plurality of types of processing liquids containing at least pure water, and the nozzles 60 and 65 are also on the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20 at the processing position. Discharge the treatment liquid. Further, at least one of the nozzles 60 and 65 may be a two-fluid nozzle that generates droplets by mixing a cleaning liquid such as pure water and a pressurized gas, and injects a mixed fluid of the droplet and gas onto the substrate W. In addition, the number of nozzles formed in the cleaning processing unit 1 is not limited to three, but may be one or more.

노즐 (30, 60, 65) 의 각각을, 원호상로 이동시키는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 직동 구동부를 형성하는 것에 의해, 노즐을 직선 이동시켜도 된다.It is not essential to move each of the nozzles 30, 60, 65 in an arc shape. For example, you may linearly move a nozzle by providing a direct drive|driving part.

노즐 (30) 은, 린스액으로서의 순수 (DIW), IPA (Isopropyl Alcohol : 이소프로필알코올), 실릴화제 등의 발수화제, DHF (Dilute HF : 불산과 순수의 혼합액) 등, 각종 처리액의 공급원에 접속되어 있고, 노즐 (30) 의 선단의 토출 헤드 (31) 로부터, 각종 처리액을 따로 따로 토출할 수 있는 것으로 한다. 또한, 노즐 (30) 의 선단에 복수의 토출 헤드 (31) 를 형성하여, 각 토출 헤드 (31) 가 상이한 종류의 처리액을 토출해도 된다. 또, 노즐 (60, 65) 이, 상기 각종 처리액 중 일부를 토출해도 된다.The nozzle 30 is used as a source of various treatment liquids, such as pure water (DIW) as a rinse liquid, water repellent such as IPA (Isopropyl Alcohol: isopropyl alcohol), a silylating agent, and DHF (Dilute HF: a mixture of hydrofluoric acid and pure water). It is connected, and it is assumed that various treatment liquids can be separately discharged from the discharge head 31 at the tip end of the nozzle 30. Further, a plurality of discharge heads 31 may be formed at the tip end of the nozzle 30 so that the respective discharge heads 31 discharge different types of processing liquids. Moreover, the nozzles 60 and 65 may discharge part of the said various processing liquids.

회전축 (24) 의 내측을 삽입 통과하도록 하여 연직 방향을 따라 하면 처리액 노즐 (28) 이 형성되어 있다. 하면 처리액 노즐 (28) 의 상단 개구는, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 하면 중앙에 대향하는 위치에 형성되어 있다. 하면 처리액 노즐 (28) 에도 복수종의 처리액이 공급되도록 구성되어 있다. 하면 처리액 노즐 (28) 로부터 토출된 처리액은 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 하면에 착액된다.A treatment liquid nozzle 28 is formed along the vertical direction with the inner side of the rotating shaft 24 inserted therethrough. The upper end opening of the lower surface treatment liquid nozzle 28 is formed at a position opposite to the center of the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 20. The lower surface treatment liquid nozzle 28 is also configured to supply a plurality of treatment liquids. The processing liquid discharged from the lower surface treatment liquid nozzle 28 is deposited on the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 20.

스핀 척 (20) 을 둘러싸는 처리 컵 (40) 은, 서로 독립적으로 승강 가능한 내측컵 (41), 중간컵 (42) 및 외측컵 (43) 을 구비하고 있다. 내측컵 (41) 은, 스핀 척 (20) 의 주위를 둘러싸고, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 중심을 통과하는 회전축선 (CX) 에 대해 거의 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 이 내측컵 (41) 은, 평면에서 보아 원환상의 바닥부 (44) 와, 바닥부 (44) 의 내주 가장자리로부터 상방으로 세워지는 원통상의 내벽부 (45) 와, 바닥부 (44) 의 외주 가장자리로부터 상방으로 세워지는 원통상의 외벽부 (46) 와, 내벽부 (45) 와 외벽부 (46) 사이에서부터 세워져, 상단부가 매끄러운 원호를 그리면서 중심측 (스핀 척 (20) 에 유지되는 기판 (W) 의 회전축선 (CX) 에 가까워지는 방향) 상방을 향하여 경사지게 연장되는 제 1 안내부 (47) 와, 제 1 안내부 (47) 와 외벽부 (46) 사이에서부터 상방으로 세워지는 원통상의 중벽부 (48) 를 일체적으로 구비하고 있다.The processing cup 40 surrounding the spin chuck 20 is provided with an inner cup 41, an intermediate cup 42, and an outer cup 43 that can be moved up and down independently of each other. The inner cup 41 has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to a rotation axis CX that surrounds the spin chuck 20 and passes through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. This inner cup 41 includes an annular bottom portion 44, a cylindrical inner wall portion 45 erected upward from the inner peripheral edge of the bottom portion 44, and the bottom portion 44 in plan view. It is erected from between the cylindrical outer wall portion 46 and the inner wall portion 45 and the outer wall portion 46 erected upward from the outer peripheral edge, and the upper end portion is held on the center side (spin chuck 20) while drawing a smooth arc. A first guide portion 47 extending obliquely upward) and a circle erected upward from between the first guide portion 47 and the outer wall portion 46 An ordinary heavy wall portion 48 is provided integrally.

내벽부 (45) 는, 내측컵 (41) 이 가장 상승한 상태에서, 커버 부재 (23) 와 플랜지상 부재 (25) 사이에 적당한 간극을 유지하여 수용된다. 중벽부 (48) 는, 내측컵 (41) 과 중간컵 (42) 이 가장 근접한 상태에서, 중간컵 (42) 의 후술하는 제 2 안내부 (52) 와, 처리액 분리벽 (53) 사이에 적당한 간극을 유지하여 수용된다.The inner wall portion 45 is accommodated by maintaining an appropriate gap between the cover member 23 and the flange-like member 25 in a state in which the inner cup 41 is most raised. The middle wall portion 48 is between the second guide portion 52 to be described later of the middle cup 42 and the treatment liquid separation wall 53 in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other. It is accommodated by maintaining a suitable gap.

제 1 안내부 (47) 는, 매끄러운 원호를 그리면서 중심측 (기판 (W) 의 회전축선 (CX) 에 가까워지는 방향) 상방을 향하여 경사지게 연장되는 상단부 (47b) 를 갖는다. 또, 내벽부 (45) 와 제 1 안내부 (47) 사이는, 사용이 완료된 처리액을 모아 폐기하기 위한 폐기 홈 (49) 으로 되어 있다. 제 1 안내부 (47) 와 중벽부 (48) 사이는, 사용이 완료된 처리액을 모아 회수하기 위한 원환상의 내측 회수 홈 (50) 으로 되어 있다. 또한, 중벽부 (48) 와 외벽부 (46) 사이는, 내측 회수 홈 (50) 과는 종류가 상이한 처리액을 모아 회수하기 위한 원환상의 외측 회수 홈 (51) 으로 되어 있다.The first guide portion 47 has an upper end portion 47b that obliquely extends upwardly toward the center side (direction closer to the rotation axis CX of the substrate W) while drawing a smooth arc. Further, between the inner wall portion 45 and the first guide portion 47, a waste groove 49 for collecting and discarding the used treatment liquid is formed. Between the first guide portion 47 and the heavy wall portion 48 is an annular inner recovery groove 50 for collecting and recovering the used treatment liquid. Further, between the middle wall portion 48 and the outer wall portion 46, an annular outer recovery groove 51 for collecting and recovering a processing liquid having a different type from the inner recovery groove 50 is formed.

폐기 홈 (49) 에는, 이 폐기 홈 (49) 에 모아진 처리액을 배출함과 함께, 폐기 홈 (49) 내를 강제적으로 배기하기 위한 도시 생략된 배기액 기구가 접속되어 있다. 배기액 기구는, 예를 들어, 폐기 홈 (49) 의 둘레 방향을 따라 등간격으로 4 개 형성되어 있다. 또, 내측 회수 홈 (50) 및 외측 회수 홈 (51) 에는, 내측 회수 홈 (50) 및 외측 회수 홈 (51) 에 각각 모아진 처리액을 기판 처리 장치 (100) 의 외부에 형성된 회수 탱크에 회수하기 위한 회수 기구 (모두 도시 생략) 가 접속되어 있다. 또한, 내측 회수 홈 (50) 및 외측 회수 홈 (51) 의 바닥부는, 수평 방향에 대해 미소 각도만큼 경사져 있고, 그 가장 낮아지는 위치에 회수 기구가 접속되어 있다. 이로써, 내측 회수 홈 (50) 및 외측 회수 홈 (51) 에 흘러든 처리액이 원활하게 회수된다.An exhaust liquid mechanism (not shown) is connected to the waste groove 49 for discharging the treatment liquid collected in the waste groove 49 and forcibly exhausting the inside of the waste groove 49. Four exhaust liquid mechanisms are formed at equal intervals along the circumferential direction of the waste groove 49, for example. In addition, in the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51, the treatment liquid collected in the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51, respectively, is recovered in a recovery tank formed outside the substrate processing apparatus 100. A recovery mechanism (all not shown) for the following is connected. Further, the bottom portions of the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51 are inclined by a small angle with respect to the horizontal direction, and a recovery mechanism is connected to the lowest position. Thereby, the processing liquid flowing into the inner recovery groove 50 and the outer recovery groove 51 is recovered smoothly.

중간컵 (42) 은, 스핀 척 (20) 의 주위를 둘러싸고, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 중심을 통과하는 회전축선 (CX) 에 대해 거의 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 이 중간컵 (42) 은, 제 2 안내부 (52) 와, 이 제 2 안내부 (52) 에 연결된 원통상의 처리액 분리벽 (53) 을 갖는다.The intermediate cup 42 has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to a rotation axis CX that surrounds the spin chuck 20 and passes through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. This intermediate cup 42 has a second guide portion 52 and a cylindrical treatment liquid separation wall 53 connected to the second guide portion 52.

제 2 안내부 (52) 는, 내측컵 (41) 의 제 1 안내부 (47) 의 외측에 있어서, 제 1 안내부 (47) 의 하단부와 동축 원통상인 하단부 (52a) 와, 하단부 (52a) 의 상단으로부터 매끄러운 원호를 그리면서 중심측 (기판 (W) 의 회전축선 (CX) 에 가까워지는 방향) 상방을 향하여 경사지게 연장되는 상단부 (52b) 와, 상단부 (52b) 의 선단부를 하방으로 되접어 꺾어 형성되는 되접어 꺾음부 (52c) 를 갖는다. 하단부 (52a) 는, 내측컵 (41) 과 중간컵 (42) 이 가장 근접한 상태에서, 제 1 안내부 (47) 와 중벽부 (48) 사이에 적당한 간극을 유지하여 내측 회수 홈 (50) 내에 수용된다. 또, 상단부 (52b) 는, 내측컵 (41) 의 제 1 안내부 (47) 의 상단부 (47b) 와 상하 방향으로 겹쳐지도록 형성되고, 내측컵 (41) 과 중간컵 (42) 이 가장 근접한 상태에서, 제 1 안내부 (47) 의 상단부 (47b) 에 대해 극히 미소한 간격을 유지하여 근접한다. 되접어 꺾음부 (52c) 는, 내측컵 (41) 과 중간컵 (42) 이 가장 근접한 상태에서, 되접어 꺾음부 (52c) 가 제 1 안내부 (47) 의 상단부 (47b) 의 선단과 수평 방향으로 겹쳐진다.The second guide portion 52, on the outside of the first guide portion 47 of the inner cup 41, has a lower end portion 52a coaxially cylindrical with the lower end portion of the first guide portion 47, and a lower end portion 52a. ) While drawing a smooth arc from the upper end of the center side (direction closer to the rotation axis (CX) of the substrate (W)), the upper end portion 52b extending obliquely upward and the tip end of the upper end portion 52b are folded downward. It has a folding part 52c formed by folding. The lower end portion 52a maintains an appropriate gap between the first guide portion 47 and the middle wall portion 48 in the state in which the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other, and is in the inner recovery groove 50. Is accepted. In addition, the upper end portion 52b is formed so as to overlap the upper end portion 47b of the first guide portion 47 of the inner cup 41 in the vertical direction, and the inner cup 41 and the intermediate cup 42 are closest to each other. In this, the first guide portion 47 is brought close to the upper end portion 47b by maintaining an extremely minute interval. The folded back portion 52c is in a state in which the inner cup 41 and the intermediate cup 42 are closest to each other, and the folded back portion 52c is horizontal with the tip end of the upper end portion 47b of the first guide portion 47 Overlap in the direction.

제 2 안내부 (52) 의 상단부 (52b) 는, 하방일수록 두께가 두꺼워지도록 형성되어 있다. 처리액 분리벽 (53) 은, 상단부 (52b) 의 하단 외주 가장자리부로부터 하방으로 연장되도록 형성된 원통 형상을 갖는다. 처리액 분리벽 (53) 은, 내측컵 (41) 과 중간컵 (42) 이 가장 근접한 상태에서, 중벽부 (48) 와 외측컵 (43) 사이에 적당한 간극을 유지하여 외측 회수 홈 (51) 내에 수용된다.The upper end part 52b of the 2nd guide part 52 is formed so that the thickness may become thicker as it goes downward. The treatment liquid separation wall 53 has a cylindrical shape formed so as to extend downward from the lower outer peripheral edge portion of the upper end portion 52b. The treatment liquid separation wall 53 maintains an appropriate gap between the middle wall portion 48 and the outer cup 43 in a state in which the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other, and the outer recovery groove 51 Are accommodated within.

외측컵 (43) 은, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 중심을 통과하는 회전축선 (CX) 에 대해 거의 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 외측컵 (43) 은, 중간컵 (42) 의 제 2 안내부 (52) 의 외측에 있어서, 스핀 척 (20) 을 둘러싼다. 이 외측컵 (43) 은, 제 3 안내부로서의 기능을 갖는다. 외측컵 (43) 은, 제 2 안내부 (52) 의 하단부 (52a) 와 동축 원통상을 이루는 하단부 (43a) 와, 하단부 (43a) 의 상단으로부터 매끄러운 원호를 그리면서 중심측 (기판 (W) 의 회전축선 (CX) 에 가까워지는 방향) 상방을 향하여 경사지게 연장되는 상단부 (43b) 와, 상단부 (43b) 의 선단부를 하방으로 되접어 꺾어 형성되는 되접어 꺾음부 (43c) 를 갖는다.The outer cup 43 has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis CX passing through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. The outer cup 43 surrounds the spin chuck 20 on the outside of the second guide portion 52 of the intermediate cup 42. This outer cup 43 has a function as a third guide. The outer cup 43 is at the center side (substrate W) while drawing a smooth arc from the upper end of the lower end portion 43a and the lower end portion 43a coaxially with the lower end portion 52a of the second guide portion 52 It has an upper end portion 43b extending obliquely upward) and a foldable portion 43c formed by bending the tip end portion of the upper end portion 43b downward.

하단부 (43a) 는, 내측컵 (41) 과 외측컵 (43) 이 가장 근접한 상태에서, 중간컵 (42) 의 처리액 분리벽 (53) 과 내측컵 (41) 의 외벽부 (46) 사이에 적당한 간극을 유지하여 외측 회수 홈 (51) 내에 수용된다. 상단부 (43b) 는, 중간컵 (42) 의 제 2 안내부 (52) 와 상하 방향으로 겹쳐지도록 형성되고, 중간컵 (42) 과 외측컵 (43) 이 가장 근접한 상태에서, 제 2 안내부 (52) 의 상단부 (52b) 에 대해 극히 미소한 간격을 유지하여 근접한다. 중간컵 (42) 과 외측컵 (43) 이 가장 근접한 상태에서, 되접어 꺾음부 (43c) 가 제 2 안내부 (52) 의 되접어 꺾음부 (52c) 와 수평 방향으로 겹쳐진다.The lower end portion 43a is between the treatment liquid separation wall 53 of the intermediate cup 42 and the outer wall portion 46 of the inner cup 41 in a state where the inner cup 41 and the outer cup 43 are closest to each other. It is accommodated in the outer recovery groove 51 by maintaining an appropriate gap. The upper end portion 43b is formed so as to overlap the second guide portion 52 of the intermediate cup 42 in the vertical direction, and in a state where the intermediate cup 42 and the outer cup 43 are closest to each other, the second guide portion ( 52) to the upper end portion 52b by maintaining an extremely minute distance. In the state in which the intermediate cup 42 and the outer cup 43 are closest to each other, the fold-back portion 43c overlaps the fold-back portion 52c of the second guide portion 52 in the horizontal direction.

내측컵 (41), 중간컵 (42) 및 외측컵 (43) 은 서로 독립적으로 승강 가능하게 되어 있다. 즉, 내측컵 (41), 중간컵 (42) 및 외측컵 (43) 의 각각에는 개별적으로 승강 기구 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 그것에 의해 내측컵 (41), 중간컵 (42) 및 외측컵 (43) 은 별개 독립적으로 승강된다. 이와 같은 승강 기구로는, 예를 들어 볼 나사 기구 또는 에어 실린더 등의 공지된 여러 가지의 기구를 채용할 수 있다.The inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup 43 can be moved up and down independently of each other. That is, each of the inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup 43 is individually provided with an elevating mechanism (not shown), whereby the inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup The cup 43 is individually raised and lowered independently. As such an elevating mechanism, various known mechanisms such as a ball screw mechanism or an air cylinder can be employed.

칸막이판 (15) 은, 처리 컵 (40) 의 주위에 있어서 챔버 (10) 의 내측 공간을 상하로 나누도록 형성되어 있다. 칸막이판 (15) 은, 처리 컵 (40) 을 둘러싸는 1 장의 판상 부재여도 되고, 복수의 판상 부재를 맞대어 붙인 것이어도 된다. 또, 칸막이판 (15) 에는, 두께 방향으로 관통하는 관통공 및/또는 절결이 형성되어 있어도 되고, 본 실시형태에서는 노즐 (30, 60, 65) 의 노즐 기대 (33, 63, 68) 를 지지하기 위한 지지축을 통과시키기 위한 관통 구멍이 형성되어 있다.The partition plate 15 is formed so as to divide the inner space of the chamber 10 vertically around the processing cup 40. The partition plate 15 may be a single plate-like member surrounding the processing cup 40, or a plurality of plate-like members are bonded to each other. Further, the partition plate 15 may be provided with a through hole and/or a notch penetrating in the thickness direction, and in this embodiment, the nozzle bases 33, 63, 68 of the nozzles 30, 60, 65 are supported. A through hole for passing through the support shaft is formed.

칸막이판 (15) 의 외주단은 챔버 (10) 의 측벽 (11) 에 연결되어 있다. 또, 칸막이판 (15) 의 처리 컵 (40) 을 둘러싸는 단 가장자리부는 외측컵 (43) 의 외경보다 큰 직경의 원형상이 되도록 형성되어 있다. 따라서, 칸막이판 (15) 이 외측컵 (43) 의 승강의 장해가 되는 경우는 없다.The outer circumferential end of the partition plate 15 is connected to the side wall 11 of the chamber 10. Further, the end edge portion surrounding the processing cup 40 of the partition plate 15 is formed to have a circular shape having a larger diameter than the outer diameter of the outer cup 43. Therefore, there is no case that the partition plate 15 becomes an obstacle to the lifting of the outer cup 43.

또, 챔버 (10) 의 측벽 (11) 의 일부로서, 상벽 (13) 의 근방에는 배기 덕트 (18) 가 형성되어 있다. 배기 덕트 (18) 는 도시 생략된 배기 기구에 연통 접속되어 있다. 팬 필터 유닛 (14) 으로부터 공급되어 챔버 (10) 내를 유하한 청정 공기 중, 처리 컵 (40) 과 칸막이판 (15) 사이를 통과한 공기는 배기 덕트 (18) 로부터 장치 밖으로 배출된다.In addition, an exhaust duct 18 is formed in the vicinity of the upper wall 13 as a part of the side wall 11 of the chamber 10. The exhaust duct 18 is connected in communication with an exhaust mechanism not shown. Among the clean air supplied from the fan filter unit 14 and flowing through the chamber 10, the air that has passed between the treatment cup 40 and the partition plate 15 is discharged from the exhaust duct 18 to the outside of the apparatus.

도 4 는, 카메라 (70) 와 가동부인 노즐 (30) 의 위치 관계를 나타내는 도면이다. 카메라 (70) 는, 연직 방향에 있어서 기판 (W) 보다 연직 방향 상측에 형성되어 있다. 카메라 (70) 는, 예를 들어 고체 촬상 소자의 하나인 CCD 와, 전자 셔터와, 렌즈 등의 광학계를 구비한다. 카메라 (70) 의 촬상 방향 (즉, 촬상 광학계의 광축 방향) 은, 기판 (W) 의 상면을 촬상하기 위해, 기판 (W) 상면의 회전 중심 (또는 그 근방) 을 향해 하방을 향하여 경사지게 설정되어 있다. 카메라 (70) 는, 스핀 척 (20) 에 의해 유지된 기판 (W) 의 상면 전체를 그 시야에 포함한다. 예를 들어, 수평 방향에 대해서는, 도 2 에 있어서 파선으로 둘러싸인 범위가 카메라 (70) 의 시야에 포함된다. 바꾸어 말하면, 도 2 의 2 개의 파선은, 카메라 (70) 의 시야의 외측 가장자리를 나타내고 있다.4 is a diagram showing the positional relationship between the camera 70 and the nozzle 30 as a movable part. The camera 70 is formed above the substrate W in the vertical direction in the vertical direction. The camera 70 includes, for example, a CCD, which is one of solid-state imaging elements, an electronic shutter, and an optical system such as a lens. The imaging direction of the camera 70 (i.e., the optical axis direction of the imaging optical system) is set to be inclined downward toward the rotation center of the upper surface of the substrate W (or the vicinity thereof) in order to image the upper surface of the substrate W. have. The camera 70 includes the entire upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20 in its field of view. For example, in the horizontal direction, a range surrounded by a broken line in FIG. 2 is included in the field of view of the camera 70. In other words, the two broken lines in FIG. 2 indicate the outer edges of the field of view of the camera 70.

카메라 (70) 는, 그 촬상 시야에 적어도 처리 위치 (TP1) 에 있어서의 노즐 (30) 의 선단이 포함되도록, 요컨대 토출 헤드 (31) 의 근방이 포함되는 위치에 설치되어 있다. 본 실시형태에서는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 처리 위치 (TP1) 에 있어서의 노즐 (30) 을 전방 상방으로부터 촬상하는 위치에 카메라 (70) 가 설치된다. 따라서, 카메라 (70) 는, 처리 위치 (TP1) 에 있어서의 노즐 (30) 의 선단을 포함하는 촬상 영역을 촬상할 수 있다. 마찬가지로, 카메라 (70) 는, 노즐 (60, 65) 이, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 에 대해 처리를 실시할 때의 처리 위치에 있을 때의, 각 선단을 포함하는 촬상 영역을 촬상한다. 카메라 (70) 가 도 2 및 도 4 에 나타내는 위치에 설치되어 있는 경우에는, 노즐 (30, 60) 은 카메라 (70) 의 촬상 시야 내에서 횡방향으로 이동하기 때문에, 각 처리 위치의 각 노즐 (30, 60) 의 선단을 적절히 촬상할 수 있지만, 노즐 (65) 에 대해서는 카메라 (70) 의 시야 내에서 안길이 방향으로 이동하기 때문에, 그 처리 위치 근방에서의 이동을 적절히 촬상할 수 없을 우려도 있다. 이 경우, 카메라 (70) 와는 별도로 노즐 (65) 을 촬상하는 카메라를 설치해도 된다.The camera 70 is provided in a position including the vicinity of the discharge head 31 so that at least the tip end of the nozzle 30 at the processing position TP1 is included in the imaging field of view. In this embodiment, as shown in FIG. 4, the camera 70 is provided at a position where the nozzle 30 in the processing position TP1 is imaged from the front upper side. Therefore, the camera 70 can image the imaging area including the tip end of the nozzle 30 in the processing position TP1. Similarly, the camera 70 is an imaging area including each tip when the nozzles 60 and 65 are in the processing position when processing the substrate W held by the spin chuck 20 Take an image. When the camera 70 is installed in the position shown in Figs. 2 and 4, the nozzles 30 and 60 move laterally within the imaging field of the camera 70, so each nozzle at each processing position ( Although the tip of the 30, 60) can be appropriately imaged, the nozzle 65 moves in the depth direction within the field of view of the camera 70, so there is also a possibility that the movement in the vicinity of the processing position cannot be properly imaged. have. In this case, a camera for imaging the nozzle 65 may be provided separately from the camera 70.

노즐 (30) 은, 노즐 기대 (33) 의 구동에 의해, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상방의 처리 위치 (TP1) (도 4 에 있어서 파선으로 나타나는 위치) 와 처리 컵 (40) 보다 외측의 대기 위치 (도 4 의 실선 위치) 사이에서 왕복 이동된다. 처리 위치 (TP1) 는, 노즐 (30) 이 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 처리액을 토출하여 세정 처리를 실시하는 위치이다. 처리 위치 (TP1) 는, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 에 있어서의 중심 (회전축 (CX)) 가까이의 위치이다. 대기 위치는, 노즐 (30) 이 세정 처리를 실시하지 않을 때에 처리액의 토출을 정지시켜 대기하는 위치이다. 대기 위치는, 스핀 베이스 (21) 의 상방으로부터 벗어난 위치로서, 수평면 내에 있어서 처리 컵 (40) 의 외측의 위치이다. 대기 위치에는, 노즐 (30) 의 토출 헤드 (31) 를 수용하는 대기 포드가 형성되어 있어도 된다.The nozzle 30 is a processing position TP1 (a position indicated by a broken line in Fig. 4) above the substrate W held by the spin chuck 20 by driving the nozzle base 33 and a processing cup ( 40) It reciprocates between the outside standby position (the solid line position in FIG. 4). The processing position TP1 is a position in which the nozzle 30 discharges a processing liquid onto the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20 to perform a cleaning treatment. The processing position TP1 is a position near the center (rotation axis CX) in the substrate W held by the spin chuck 20. The standby position is a position at which the nozzle 30 stops discharging of the processing liquid and waits when not performing the cleaning treatment. The standby position is a position deviated from the upper side of the spin base 21 and is a position outside the processing cup 40 in a horizontal plane. At the standby position, a standby pod for accommodating the discharge head 31 of the nozzle 30 may be formed.

또한, 처리 위치 (TP1) 는, 기판 (W) 의 가장자리부 가까이의 위치 등 임의의 위치여도 되고, 나아가서는, 처리 위치 (TP1) 는, 기판 (W) 으로부터 벗어난 위치 (즉, 기판 (W) 과 연직 방향으로 겹쳐지지 않는 상태의 위치) 여도 된다. 후자의 경우, 노즐 (30) 로부터 토출된 처리액을, 기판 (W) 의 외방으로부터 기판 (W) 의 상면에 비산시키면 된다. 또, 노즐 (30) 을 처리 위치 (TP1) 에 정지시킨 상태에서, 노즐 (30) 로부터 처리액을 토출시키는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 노즐 (30) 로부터 처리액을 토출시키면서, 처리 위치 (TP1) 를 일방단으로 하고, 기판 (W) 의 상방에 있어서 수평 방향으로 연장되는 이미 정해진 처리 구간 내에서, 노즐 (30) 을 이동시켜도 된다.In addition, the processing position TP1 may be an arbitrary position, such as a position near the edge of the substrate W, and further, the processing position TP1 is a position away from the substrate W (that is, the substrate W). And the position in a state that does not overlap in the vertical direction) may be used. In the latter case, the processing liquid discharged from the nozzle 30 may be scattered on the upper surface of the substrate W from the outside of the substrate W. In addition, it is not essential to discharge the processing liquid from the nozzle 30 in the state where the nozzle 30 is stopped at the processing position TP1. For example, while discharging the processing liquid from the nozzle 30, the processing position TP1 is set at one end, and in a predetermined processing section extending in the horizontal direction above the substrate W, the nozzle 30 You may move it.

도 3 에 나타내는 바와 같이, 챔버 (10) 내로서 칸막이판 (15) 보다 상방의 위치에, 조명부 (71) 가 형성되어 있다. 조명부 (71) 는, 예를 들어 LED 램프를 광원으로서 포함한다. 조명부 (71) 는, 카메라 (70) 가 챔버 (10) 내를 촬상하기 위해서 필요해지는 조명광을 처리 공간에 공급한다. 챔버 (10) 내가 암실인 경우, 카메라 (70) 가 촬상을 실시할 때에 조명부 (71) 가 노즐 (30, 60, 65) 에 광을 조사하도록, 제어부 (9) 가 조명부 (71) 를 제어해도 된다. 조명부 (71) 는, 조명광으로서 가시광을 조사한다. 단, 조명광은, 가시광에 한정되는 것은 아니다. 조사광으로서, 예를 들어, 파장이 대략 0.7 마이크로미터 (㎛) 내지 1 밀리미터 (㎜) 인 적외선, 보다 바람직하게는 파장이 대략 0.7 ㎛ 내지 2.5 ㎛ 인 근적외선을 채용할 수 있다. 이 경우, 카메라 (70) 로서, 적외선 (보다 바람직하게는, 근적외선) 을 검출하는 적외선 센서를 구비한 적외선 카메라를 채용할 수 있다. 적외선을 검출함으로써, 간섭 무늬의 검출을 바람직하게 실시할 수 있다.As shown in FIG. 3, in the chamber 10, the illumination part 71 is formed in the position above the partition plate 15. As shown in FIG. The lighting unit 71 includes, for example, an LED lamp as a light source. The illumination unit 71 supplies illumination light required for the camera 70 to image the interior of the chamber 10 to the processing space. When the chamber 10 is a dark room, the control unit 9 controls the illumination unit 71 so that the illumination unit 71 irradiates light to the nozzles 30, 60, 65 when the camera 70 performs imaging. do. The illumination unit 71 irradiates visible light as illumination light. However, illumination light is not limited to visible light. As the irradiation light, for example, infrared rays having a wavelength of about 0.7 micrometers (µm) to 1 millimeter (mm), more preferably near infrared rays having a wavelength of about 0.7 µm to 2.5 µm may be employed. In this case, as the camera 70, an infrared camera equipped with an infrared sensor that detects infrared rays (more preferably, near infrared rays) can be employed. By detecting infrared rays, the interference fringes can be preferably detected.

도 5 는, 카메라 (70) 및 제어부 (9) 의 블록도이다. 기판 처리 장치 (100) 에 형성된 제어부 (9) 의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 동일하다. 즉, 제어부 (9) 는, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 읽기 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 읽고 쓰기가 자유로운 메모리인 RAM 및 제어용 소프트웨어 (프로그램) 및 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하고 있다. 제어부 (9) 의 CPU 가 소정의 처리 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리 장치 (100) 의 각 요소의 동작이 제어부 (9) 에 의해 제어되어, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서의 처리가 진행된다.5 is a block diagram of the camera 70 and the control unit 9. The configuration as hardware of the control unit 9 formed in the substrate processing apparatus 100 is the same as that of a general computer. That is, the control unit 9 includes a CPU that performs various arithmetic processing, a ROM that is a read-only memory that stores basic programs, a RAM that is a memory that is free to read and write to store various information, and control software (program) and data. It is equipped with a magnetic disk to be memorized. When the CPU of the control unit 9 executes a predetermined processing program, the operation of each element of the substrate processing apparatus 100 is controlled by the control unit 9, and the processing in the substrate processing apparatus 100 proceeds.

도 5 에 나타내는 판정 영역 설정부 (91) 및 타이밍 결정부 (92) 는, 제어부 (9) 의 CPU 가 제어용 소프트웨어에 따라서 동작함으로써 실현되는 기능이다.The determination area setting unit 91 and the timing determination unit 92 shown in Fig. 5 are functions realized by the CPU of the control unit 9 operating according to the control software.

판정 영역 설정부 (91) 는, 카메라 (70) 에 의해 취득된 촬영 화상 (82) 상에 판정 영역 (DR) 을 설정한다. 판정 영역 (DR) 의 크기, 위치 및 수 등은, 미리 정해져 있어도 되고, 오퍼레이터의 지정에 기초하여 설정되어도 된다.The determination area setting unit 91 sets the determination area DR on the captured image 82 acquired by the camera 70. The size, position, number, etc. of the determination area DR may be determined in advance or may be set based on the operator's designation.

타이밍 결정부 (92) 는, 액체로 기판 (W) 을 처리하는 앞선 처리 (제 1 처리) 후, 기판 (W) 의 상면에 출현하는 간섭 무늬 (ST) 를 검출함으로써, 후속하는 처리 (제 2 처리) 를 개시하는 시간 (이하, 「 제 2 처리 개시 타이밍」이라고도 칭한다) 을 결정한다. 제 1 처리는, 회전하는 기판 (W) 의 상면에 제 1 처리액을 공급하는 처리이다. 후술하는 바와 같이, 타이밍 결정부 (92) 는, 촬영 화상 (82) 에 설정된 판정 영역 (DR) 내에 있어서, 각 간섭 무늬 (ST) 를 검출한다. 또, 후술하는 바와 같이, 판정 영역 (DR) 에 있어서의 간섭 무늬 (ST) 의 검출은, 타이밍 결정부 (92) 가 구비하는 극치점 검출부 (921) 가 휘도치의 극치점을 검출함으로써 실시된다.The timing determination unit 92 detects the interference fringes ST appearing on the upper surface of the substrate W after the preceding processing (first processing) of processing the substrate W with a liquid, thereby performing a subsequent processing (second processing). The time to start the process (hereinafter, also referred to as "second process start timing") is determined. The first processing is a processing of supplying the first processing liquid to the upper surface of the rotating substrate W. As described later, the timing determination unit 92 detects each interference fringe ST in the determination area DR set in the captured image 82. In addition, as described later, the detection of the interference fringe ST in the determination region DR is performed by the extreme value point detection unit 921 provided in the timing determination unit 92 detecting the extreme value point of the luminance value.

제어부 (9) 는, 상기한 RAM 또는 자기 디크스를 포함하는 기억부 (96) 를 구비하고 있다. 기억부 (96) 는, 카메라 (70) 에 의해 얻어진 화상 데이터 및 오퍼레이터의 입력치 등을 기억한다.The control unit 9 includes a storage unit 96 including the above-described RAM or magnetic disk. The storage unit 96 stores image data obtained by the camera 70 and an operator's input value.

제어부 (9) 에는, 표시부 (97) 및 입력부 (98) 가 접속되어 있다. 표시부 (97) 는, 제어부 (9) 로부터의 화상 신호에 따라 각종 정보를 표시한다. 입력부 (98) 는, 제어부 (9) 에 접속된 키보드 및 마우스 등의 입력 디바이스로 구성되어 있고, 조작자가 제어부 (9) 에 대해 실시하는 입력 조작을 접수한다.A display unit 97 and an input unit 98 are connected to the control unit 9. The display unit 97 displays various types of information in accordance with an image signal from the control unit 9. The input unit 98 is composed of an input device such as a keyboard and a mouse connected to the control unit 9, and accepts an input operation performed by an operator to the control unit 9.

<동작 설명><Description of operation>

도 6 은, 기판 처리 장치 (100) 의 1 개의 세정 처리 유닛 (1) 에 있어서의 기판 처리의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다. 이하에 설명하는 각 공정은, 특별히 언급하지 않는 한, 제어부 (9) 의 제어 하에서 실시되는 것으로 한다.6 is a diagram showing an example of a flow of substrate processing in one cleaning processing unit 1 of the substrate processing apparatus 100. Each step described below is assumed to be performed under the control of the control unit 9 unless otherwise noted.

먼저, 노즐 (30) 이 퇴피 위치에 있는 상태에서, 주반송 로봇 (103) 이 인덱서 (102) 로부터 수취한 처리 대상인 기판 (W) 을 어느 1 개의 세정 처리 유닛 (1) 의 챔버 (10) 내에 반입한다 (스텝 S10). 챔버 (10) 내에 반입된 기판은, 스핀 베이스 (21) 의 각 척 핀 (26) 에 재치된다. 그리고, 각 척 핀 (26) 이 닫히는 것에 의해, 기판 (W) 을 수평 자세로 유지한다. 기판 (W) 이 반입되면, 스핀 모터 (22) 에 의해 기판 (W) 의 회전이 개시된다.First, in a state in which the nozzle 30 is in the retracted position, the substrate W as the processing target received from the indexer 102 by the main transfer robot 103 is placed in the chamber 10 of any one cleaning processing unit 1. It is carried in (step S10). The substrate carried into the chamber 10 is placed on each chuck pin 26 of the spin base 21. And, by closing each chuck pin 26, the board|substrate W is held in a horizontal posture. When the substrate W is carried in, rotation of the substrate W is started by the spin motor 22.

계속해서, 노즐 (30) 이, 처리 위치 (TP1) 로 이동함과 함께, 각종 처리액을 기판 (W) 에 공급함으로써, 기판 (W) 에 대한 액 처리를 실시한다. 여기서는, 먼저, 노즐 (30) 로부터 기판 (W) 의 상면에 불산을 공급하는 불산 처리가 실행된다 (스텝 S11). 기판 (W) 의 상면에 공급된 불산은, 기판 (W) 의 회전에 의해 기판 (W) 의 외측 가장자리부로 확산되고, 기판 (W) 의 전체에서 불산 처리가 진행된다. 불산이 기판 (W) 에 공급되는 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 이 기간 중의 기판 (W) 의 회전 속도는, 예를 들어 800 rpm (revolution per minute : 회전수/분) 이다.Subsequently, the nozzle 30 moves to the processing position TP1 and supplies various processing liquids to the substrate W to perform liquid treatment on the substrate W. Here, first, a hydrofluoric acid treatment of supplying hydrofluoric acid from the nozzle 30 to the upper surface of the substrate W is executed (step S11). The hydrofluoric acid supplied to the upper surface of the substrate W diffuses to the outer edge of the substrate W by the rotation of the substrate W, and the hydrofluoric acid treatment proceeds over the entire substrate W. The period during which hydrofluoric acid is supplied to the substrate W is, for example, 30 seconds. The rotational speed of the substrate W during this period is, for example, 800 rpm (revolution per minute: rotational speed/minute).

노즐 (30) 로부터의 불산의 토출이 정지된 후, 노즐 (30) 로부터 기판 (W) 의 상면에 린스액 (DIW) 을 공급하는 린스액 처리가 실행된다 (스텝 S12). 린스액 처리시에는, 노즐 (30) 로부터 회전하는 기판 (W) 의 상면에 린스액이 연속적으로 공급된다. 기판 (W) 의 상면에 공급된 린스액은, 기판 (W) 의 회전에 의해 기판 (W) 의 외측 가장자리부로 확산된다. 그리고, 기판 (W) 의 상면에 잔존하고 있던 불산과 함께 기판 (W) 의 외측 가장자리부로부터 직경 방향 외방으로 털린다. 기판 (W) 으로부터 털린 불산 및 린스액이 처리 컵 (40) 에서 받아들여져 적절히 폐기된다. 린스액이 기판 (W) 에 공급되는 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (W) 의 회전 속도는, 예를 들어 1200 rpm 이다.After the discharging of hydrofluoric acid from the nozzle 30 is stopped, a rinse liquid process of supplying the rinse liquid DIW from the nozzle 30 to the upper surface of the substrate W is executed (step S12). During the rinse liquid treatment, the rinse liquid is continuously supplied from the nozzle 30 to the upper surface of the rotating substrate W. The rinse liquid supplied to the upper surface of the substrate W is diffused to the outer edge of the substrate W by the rotation of the substrate W. Then, along with the hydrofluoric acid remaining on the upper surface of the substrate W, it is shaken outward in the radial direction from the outer edge portion of the substrate W. The hydrofluoric acid and rinse liquid shaken off from the substrate W are taken up in the treatment cup 40 and disposed of appropriately. The period during which the rinse liquid is supplied to the substrate W is, for example, 30 seconds. In addition, the rotational speed of the substrate W during this period is, for example, 1200 rpm.

노즐 (30) 로부터의 린스액의 토출이 정지된 후, 노즐 (30) 로부터 기판 (W) 의 상면에 IPA 를 공급하는 IPA 처리가 실행된다 (스텝 S13). IPA 처리시에는, IPA 처리에서는, 노즐 (30) 로부터 회전하는 기판 (W) 의 상면에 IPA 가 연속적으로 공급된다. 상면에 공급된 IPA 는, 기판 (W) 의 회전에 의해 기판 (W) 의 외측 가장자리부로 확산되고, 상면 (기판 (W) 의 상면) 의 전체에서 린스액 (DIW) 이 IPA 로 치환된다. 또, DIW 로부터 IPA 로의 치환을 촉진시킬 목적에서 기판 (W) 에 대해 도시 생략된 가열 기구에서 가열 처리가 실시되어도 된다. IPA 가 공급되는 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (W) 의 회전 속도는, 예를 들어 300 rpm 이다.After discharge of the rinse liquid from the nozzle 30 is stopped, the IPA process of supplying IPA from the nozzle 30 to the upper surface of the substrate W is executed (step S13). In IPA processing, in IPA processing, IPA is continuously supplied from the nozzle 30 to the upper surface of the rotating substrate W. The IPA supplied to the upper surface diffuses to the outer edge of the substrate W by the rotation of the substrate W, and the rinse liquid DIW is replaced with IPA over the entire upper surface (the upper surface of the substrate W). Further, for the purpose of promoting the substitution from DIW to IPA, the substrate W may be subjected to a heat treatment with a heating mechanism not shown. The period during which the IPA is supplied is, for example, 30 seconds. In addition, the rotational speed of the substrate W during this period is, for example, 300 rpm.

노즐 (30) 로부터의 IPA 의 토출이 정지된 후, 노즐 (30) 로부터 기판 (W) 의 상면에 발수화제를 공급하는 발수화 처리가 실행된다 (스텝 S14). 이 때, 기판 (W) 의 상면에 공급된 발수화제는, 기판 (W) 의 회전에 의해 기판 (W) 의 외측 가장자리부로 확산되어, 상면 (기판 (W) 의 상면) 의 전체에서 IPA 가 발수화제로 치환됨과 함께, 상면 (기판 (W) 의 상면) 을 발수성으로 개질하는 발수화 처리가 진행된다. 발수화제가 공급되는 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (W) 의 회전 속도는, 예를 들어 500 rpm 이다.After the discharge of IPA from the nozzle 30 is stopped, a water repellent treatment is performed in which a water repellent is supplied from the nozzle 30 to the upper surface of the substrate W (step S14). At this time, the water repellent supplied to the upper surface of the substrate W diffuses to the outer edge of the substrate W by the rotation of the substrate W, and IPA is water-repellent throughout the upper surface (the upper surface of the substrate W). While being replaced with a topic, a water-repellent treatment for modifying the upper surface (the upper surface of the substrate W) to be water-repellent proceeds. The period in which the water repellent is supplied is, for example, 30 seconds. In addition, the rotational speed of the substrate W during this period is, for example, 500 rpm.

노즐 (30) 로부터의 발수화제의 토출이 정지된 후, 스텝 S13 과 동일한 IPA 처리가 실시된다 (스텝 S15). 이 IPA 처리에 의해, 기판 (W) 의 상면에 잔존한 발수화제가 IPA 처리액으로 치환된다.After the discharge of the water repellent agent from the nozzle 30 is stopped, the same IPA process as in step S13 is performed (step S15). By this IPA treatment, the water repellent remaining on the upper surface of the substrate W is replaced with the IPA treatment liquid.

노즐 (30) 로부터의 IPA 의 토출이 정지된 후, 노즐 (30) 이 처리 위치 (TP1) 로부터 퇴피 위치를 향하여 이동된다. 그리고, 스핀 드라이 처리가 실행된다 (스텝 S16). 스핀 드라이 처리에서는, 스핀 모터 (22) 가, 스텝 S11 로부터 스텝 S15 의 각 액 처리시보다 큰 회전 속도로 기판 (W) 을 회전시킨다. 이 때의 회전 속도는, 예를 들어 1500 rpm 이다. 스핀 드라이 처리에 의해, 기판 (W) 에 부착된 각종의 액체는, 외주부 (기판 (W) 의 외주부) 로부터 직경 방향 외방으로 비산되고, 처리 컵 (40) 의 내벽에서 받아들여져 적절히 폐액된다. 바꾸어 말하면, 스핀 드라이 처리에서는, 기판 (W) 의 회전 속도를, IPA 처리시보다 크게 하여, 기판 (W) 의 상면에 잔류하는 처리액으로서의 IPA 가 제거된다.After the discharge of IPA from the nozzle 30 is stopped, the nozzle 30 is moved from the processing position TP1 toward the retreat position. Then, the spin drying process is executed (step S16). In the spin-drying process, the spin motor 22 rotates the substrate W at a rotational speed greater than that in each liquid process from step S11 to step S15. The rotational speed at this time is, for example, 1500 rpm. Various liquids adhering to the substrate W by the spin-drying process are scattered outward in the radial direction from the outer peripheral portion (the outer peripheral portion of the substrate W), are taken in from the inner wall of the processing cup 40, and are appropriately waste liquid. In other words, in the spin drying process, the rotational speed of the substrate W is made larger than that during the IPA process, so that IPA as a processing liquid remaining on the upper surface of the substrate W is removed.

스핀 드라이 처리가 종료되면, 각 척 핀 (26) 에 의한 기판 (W) 의 유지가 해제됨과 함께, 주반송 로봇 (103) 이 기판 (W) 을 챔버 (10) 로부터 반출한다 (스텝 S17).When the spin drying process is completed, the holding of the substrate W by each chuck pin 26 is released, and the main transfer robot 103 carries the substrate W out of the chamber 10 (step S17).

이와 같이, 세정 처리 유닛 (1) 에 의한 처리는, 기판 (W) 에 대해 액 처리를 실시하는 액 처리 공정 (스텝 S11 내지 스텝 S15) 과, 기판 (W) 을 건조시키는 건조 처리를 실시하는 건조 처리 공정 (스텝 S16) 을 포함한다.As described above, the treatment by the cleaning processing unit 1 is a liquid treatment step (step S11 to step S15) for performing a liquid treatment on the substrate W, and a drying treatment for drying the substrate W. It includes a processing process (step S16).

상기 설명에서는, 모든 액 처리가 노즐 (30) 로부터 토출되는 것으로서 설명했지만, 일부의 처리액은 노즐 (60, 65) 로부터 토출되어도 된다. 이 경우, 적절한 타이밍으로 노즐 (60, 65) 을 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동시킴과 함께, 각 노즐 (60, 65) 로부터 기판 (W) 의 상면에 각종 처리액을 토출시키면 된다.In the above description, all of the liquid treatments are described as being discharged from the nozzle 30, but some treatment liquids may be discharged from the nozzles 60 and 65. In this case, while moving the nozzles 60 and 65 from the retreat position to the processing position at an appropriate timing, various processing liquids may be discharged from the respective nozzles 60 and 65 to the upper surface of the substrate W.

<제 2 처리 개시 타이밍의 결정 처리에 대해><About the determination process of the second process start timing>

기판 처리 장치 (100) 에서는, 액체를 사용하는 액 처리 (제 1 처리) 가 완료된 후, 다음 처리 (제 2 처리) 가 개시되기 전에, 타이밍 결정부 (92) 가 그 다음 처리를 개시하는 타이밍을 결정한다. 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 스텝 S13 의 IPA 처리 (제 1 처리) 에 있어서의 노즐 (30) 로부터의 IPA 의 토출이 정지된 후, 다음 처리인 발수화 처리 (제 2 처리) 에 있어서의 노즐 (30) 로부터의 발수화제의 토출이 개시되는 제 2 처리 개시 타이밍을 결정한다. 타이밍 결정부 (92) 는, 상기 서술한 바와 같이, 타이밍 결정부 (92) 는, 간섭 무늬 (ST) 의 검출에 따라 다음 처리를 실행하는 타이밍을 결정한다. 여기서, 기판 (W) 의 상면에 출현하는 간섭 무늬 (ST) 에 대해 설명한다.In the substrate processing apparatus 100, after the liquid treatment using the liquid (first treatment) is completed, and before the next treatment (second treatment) starts, the timing at which the timing determination unit 92 starts the next treatment is determined. Decide. For example, after the discharge of IPA from the nozzle 30 in the IPA process (first process) of step S13 is stopped, the timing determination unit 92 is the next process, water repellent treatment (second process). The second processing start timing at which the discharge of the water repellent agent from the nozzle 30 is started is determined. The timing determination unit 92, as described above, determines the timing at which the timing determination unit 92 executes the next processing in accordance with the detection of the interference fringe ST. Here, the interference fringes ST appearing on the upper surface of the substrate W will be described.

도 7 은, 제 1 처리에서부터 제 2 처리로 이행하는 동안의 각 타이밍에 있어서의 촬영 화상 (82a, 82b, 82c, 82d) 을 나타내는 도면이다. 촬영 화상 (82a) 은, 제 1 처리에 있어서 노즐 (30) 로부터 처리액이 기판 (W) 의 상면에 공급되어 있는 상태를 나타내고 있다. 회전하는 기판 (W) 의 상면에 노즐 (30) 등으로부터 처리액이 공급되면, 처리액이 기판 (W) 의 상면을 직경 방향 외방을 향하여 이동하고, 기판 (W) 의 외측 가장자리부로부터 직경 방향 외방으로 낙하 또는 털린다. 이 때, 기판 (W) 에 대해 공급되는 처리액의 양과, 기판 (W) 의 회전에 의해 외방으로 털리는 양이 밸런스가 취해짐으로써, 기판 (W) 의 상면에, 처리액의 막인 액막 (W1) 이 형성된다.7 is a diagram showing captured images 82a, 82b, 82c, and 82d at each timing during a transition from a first process to a second process. The photographed image 82a shows a state in which the processing liquid is supplied from the nozzle 30 to the upper surface of the substrate W in the first processing. When the processing liquid is supplied from the nozzle 30 or the like to the upper surface of the rotating substrate W, the processing liquid moves the upper surface of the substrate W in a radial direction outward, and from the outer edge of the substrate W in the radial direction Fall or shake outward. At this time, the amount of the processing liquid supplied to the substrate W is balanced with the amount of the processing liquid supplied to the substrate W and the amount that is shaken outward by the rotation of the substrate W. W1) is formed.

촬영 화상 (82b) 은, 노즐 (30) 로부터의 처리액의 공급이 정지되고 나서 소정의 시간이 경과했을 때의 기판의 W 상면 상태를 나타내고 있다. 액막 (W1) 이 형성된 상태에서, 처리액의 공급이 정지되면, 기판 (W) 의 표면의 처리액이 직경 방향 외방으로 비산함으로써, 액막 (W1) (기판 (W) 의 상면에 잔류하는 제 1 처리액의 막) 이 점차 얇아진다. 막 두께가 얇아지는 과정에 있어서, 기판 (W) 의 상면에서 반사되는 광과, 액막 (W1) 의 표면에서 반사되는 광이 간섭한다. 그러면, 이들 2 개의 광의 위상이 일치한 부분은 밝은 띠영역으로서, 이들 2 개의 광의 위상이 반대가 된 부분은 어두운 띠영역으로서 각각 출현한다. 촬영 화상 (82b) 에 나타나는 바와 같이, 밝은 띠영역 및 어두운 띠영역이 직경 방향 (기판 (W) 의 직경 방향) 으로 교대로 나타나는 것에 의해, 명암의 무늬 모양이 관찰된다. 여기서는, 1 개의 어두운 띠영역을 간섭 무늬 (ST) 로 한다. 단, 밝은 띠영역을 간섭 무늬로서 인식해도 된다.The photographed image 82b shows the state of the W upper surface of the substrate when a predetermined time has elapsed after the supply of the processing liquid from the nozzle 30 is stopped. In the state where the liquid film W1 is formed, when the supply of the treatment liquid is stopped, the treatment liquid on the surface of the substrate W scatters outward in the radial direction, so that the liquid film W1 (the first remaining on the upper surface of the substrate W) is The film of the treatment liquid) gradually becomes thinner. In the process of decreasing the film thickness, the light reflected from the upper surface of the substrate W and the light reflected from the surface of the liquid film W1 interfere. Then, the portions in which the phases of the two lights are coincident are bright band regions, and the portions in which the phases of the two lights are opposite appear as dark band regions, respectively. As shown in the photographed image 82b, bright and dark band regions alternately appear in the radial direction (diameter direction of the substrate W), whereby a pattern of light and dark is observed. Here, one dark band region is referred to as the interference fringe ST. However, a bright band region may be recognized as an interference fringe.

기판 (W) 이 회전함으로써, 중앙부의 처리액은 외측 가장자리부를 향하여 이동한다. 이 때문에, 액막 (W1) 이 얇아지는 과정에서는, 각 간섭 무늬 (ST) 는, 기판 (W) 상에 있어서 원환 띠상 (루프상) 으로 나타남과 함께, 직경 방향 외방으로 확산되면서 이동한다. 또한, 간섭 무늬 (ST) 는, 완전한 원환상으로 나타난다고는 할 수 없다.As the substrate W rotates, the processing liquid in the central portion moves toward the outer edge portion. For this reason, in the process of thinning the liquid film W1, each interference fringe ST appears on the substrate W in an annular band shape (loop shape) and moves while being diffused outward in the radial direction. In addition, it cannot be said that the interference fringe ST appears in a complete annular shape.

촬영 화상 (82c) 은, 촬영 화상 (82b) 에 나타내는 상태로부터 시간이 더욱 경과했을 때의 기판 (W) 의 상면 상태를 나타내고 있다. 시간의 경과에 의해, 직경 방향 (기판 (W) 의 직경 방향) 으로 인접하는 간섭 무늬 (ST) 간의 간격이 점차 커진다. 촬영 화상 (82c) 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 기판 (W) 상에 동시에 나타나는 간섭 무늬 (ST) 의 수가 3 개 정도가 되면, 기판 (W) 이 최소 한도에 가까운 두께의 액막 (W1) 으로 덮인 상태가 된다. 이와 같은 무늬 모양의 상태를 다음 처리의 개시의 기준으로 하는 경우, 이 무늬 모양을 구성하는 각 간섭 무늬 (ST) 중 적어도 1 개를 검출 대상으로 하는 것에 의해, 제 2 처리 개시 타이밍을 적절히 결정할 수 있다.The photographed image 82c represents the state of the upper surface of the substrate W when time has further elapsed from the state shown in the photographed image 82b. With the passage of time, the interval between the adjacent interference fringes ST in the radial direction (the radial direction of the substrate W) gradually increases. As shown in the photographed image 82c, for example, when the number of interference fringes ST appearing simultaneously on the substrate W is about 3, the substrate W becomes a liquid film W1 having a thickness close to the minimum limit. It becomes covered. When such a patterned state is used as a reference for the start of the next process, the second processing start timing can be appropriately determined by using at least one of the interference fringes (ST) constituting the patterned pattern as a detection target. have.

촬영 화상 (82d) 은, 촬영 화상 (82c) 에 나타내는 상태로부터 더욱 시간이 경과했을 때의 기판 (W) 의 상면 상태를 나타내고 있다. 촬영 화상 (82d) 에서는, 마지막 간섭 무늬 (STL) 가 기판 (W) 상에 출현하고 있다. 간섭 무늬 (STL) 보다 내측의 영역은, 액체 성분이 없는 건조 영역이 부분적으로 발생하고 있을 가능성이 있다.The photographed image 82d represents the state of the upper surface of the substrate W when a further time elapses from the state shown in the photographed image 82c. In the photographed image 82d, the last interference fringe STL appears on the substrate W. In the area inside the interference fringe (STL), there is a possibility that a dry area without a liquid component is partially generated.

여기서, 제 1 처리 후에 실시되는 제 2 처리가 제 2 처리액을 사용한 액 처리인 경우를 상정한다. 제 2 처리액은, 제 1 처리에 있어서의 제 1 처리액과는 상이한 처리액이며, 제 2 처리에서는, 제 2 처리액이 기판 (W) 의 상면에 공급된다. 이 경우, 촬영 화상 (82a, 82b) 과 같이 제 1 처리액의 액막 (W1) 이 두꺼운 상태에서 제 2 처리액이 공급되면, 제 1 처리액으로부터 제 2 처리액으로의 치환에 시간이 걸릴 가능성이 있다. 또, 촬영 화상 (82d) 과 같이 건조 영역이 부분적으로 발생하고 있는 상태에서 제 2 처리액이 공급되면, 제 2 처리액에 노출되는 시간이 기판 (W) 의 위치마다 상이한 것에 의해, 제 2 처리에 편차가 생길 가능성이 있다.Here, it is assumed that the second treatment performed after the first treatment is a liquid treatment using the second treatment liquid. The second processing liquid is a processing liquid different from the first processing liquid in the first processing, and in the second processing, the second processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate W. In this case, if the second processing liquid is supplied in a state where the liquid film W1 of the first processing liquid is thick as in the photographed images 82a, 82b, it may take time to replace the first processing liquid with the second processing liquid. There is this. In addition, when the second processing liquid is supplied in a state in which the dry area is partially generated as in the photographed image 82d, the time exposed to the second processing liquid is different for each position of the substrate W, so that the second processing There is a possibility that a deviation may occur.

또, 제 2 처리가 스핀 드라이 처리 등의 건조 처리인 경우, 촬영 화상 (82d) 과 같이 건조 영역이 부분적으로 발생하면, 제 1 처리액이 국소적으로 소량으로 존재하는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 고속 회전으로 이행해도 터는 데에 시간이 걸릴 가능성이 있다. 이 때문에, 촬영 화상 (82d) 의 상태 (즉, 마지막 간섭 무늬 (STL) 가 출현한 상태) 이전에 고속 회전을 시작하는 편이 바람직한 경우가 있다. 이것과는 대조적으로, 촬영 화상 (82a, 82b) 과 같이 제 1 처리액의 액막 (W1) 이 두꺼운 상태에서 고속 회전으로 이행한 경우, 제 1 처리액의 직경 방향 외방으로의 이동에 치우침이 발생하거나, 털린 처리액이 처리 컵 (40) 등에 충돌하여 챔버 (10) 내가 오염되거나 할 가능성이 있다. 이 때문에, 액막 (W1) 의 두께를 가능한 한 얇게 하고 나서, 고속 회전을 개시하는 것이 바람직한 경우도 생각할 수 있다.In addition, when the second treatment is a drying treatment such as a spin drying treatment, when a dry region is partially generated as in the photographed image 82d, the first treatment liquid may be locally present in a small amount. In such a case, there is a possibility that it may take time to turn off even if it shifts to high-speed rotation. For this reason, it may be preferable to start high-speed rotation before the state of the captured image 82d (that is, the state in which the last interference fringe STL appears). In contrast to this, when the liquid film W1 of the first treatment liquid is thick, as in the photographed images 82a, 82b, and shifts to high-speed rotation, a bias occurs in the movement of the first treatment liquid outward in the radial direction. Otherwise, there is a possibility that the inside of the chamber 10 may be contaminated by the shaken treatment liquid colliding with the treatment cup 40 or the like. For this reason, a case where it is preferable to start high-speed rotation after making the thickness of the liquid film W1 as thin as possible is also conceivable.

타이밍 결정부 (92) 가 검출 대상으로 하는 간섭 무늬 (ST) 를, 제 1 처리 및 제 2 처리의 각각의 처리 내용에 따라 미리 적절히 설정함으로써, 타이밍 결정부 (92) 가 제 2 처리 개시 타이밍을 적절히 결정할 수 있다. 다음으로, 간섭 무늬 (ST) 의 검출 패턴에 대해 설명한다.By appropriately setting the interference fringe ST as a detection target by the timing determination unit 92 in advance according to the processing contents of each of the first processing and the second processing, the timing determination unit 92 sets the timing of starting the second processing. You can decide appropriately. Next, the detection pattern of the interference fringe ST will be described.

<제 1 검출 패턴><1st detection pattern>

도 8 은, 간섭 무늬 (ST) 의 제 1 검출 패턴을 나타내는 도면이다. 제 1 검출 패턴은, 판정 영역 설정부 (91) 가, 촬영 화상 (82) 상에 있어서, 1 개의 판정 영역 (DR11) 을 설정하는 양태이다. 판정 영역 (DR11) 은, 촬영 화상 (82) 상에 있어서, 액막 (W1) 이 형성되는 기판 (W) 의 상면에 설정된다. 판정 영역 (DR11) 의 수직 방향의 위치는, 촬영 화상 (82) 에 있어서 기판 (W) 의 중심과 일치하고 있다. 간섭 무늬 (ST) 가 직경 방향 외방으로 이동하는 것에 의해, 판정 영역 (DR11) 내에서는 촬영 화상 (82) 의 수평 방향으로 간섭 무늬 (ST) 가 통과한다. 요컨대, 판정 영역 (DR11) 내에 있어서, 간섭 무늬 (ST) 가 직경 방향 외방을 향하여 이동한다.8 is a diagram showing a first detection pattern of an interference fringe ST. The first detection pattern is an aspect in which the determination region setting unit 91 sets one determination region DR11 on the captured image 82. The determination area DR11 is set on the upper surface of the substrate W on which the liquid film W1 is formed on the captured image 82. The position of the determination area DR11 in the vertical direction coincides with the center of the substrate W in the captured image 82. As the interference fringe ST moves outward in the radial direction, the interference fringe ST passes in the horizontal direction of the captured image 82 in the determination area DR11. In short, in the determination area DR11, the interference fringe ST moves outward in the radial direction.

도 8 에 나타내는 바와 같이, 판정 영역 (DR11) 은, 검출 대상인 1 개의 간섭 무늬 (ST) 하고만 겹쳐치는 것이 가능한 정도의 크기로 설정되어 있다. 예를 들어, 판정 영역 (DR11) 의 직경 방향 (기판 (W) 의 직경 방향) 의 폭 (촬영 화상 (82) 상에서는 수평 방향의 폭) 은, 인접하는 간섭 무늬 (ST) 간의 직경 방향 (기판 (W) 의 직경 방향) 의 간격보다 작다. 또한, 간섭 무늬 (ST) 간의 간격은, 액막 (W1) 의 두께에 따라 변동한다. 예를 들어, 도 7 의 촬영 화상 (82b) 에 나타내는 바와 같이 액막 (W1) 이 두꺼운 상태에서는 간섭 무늬 (ST) 간의 간격이 상대적으로 작고, 촬영 화상 (82c) 에 나타내는 바와 같이 액막 (W1) 이 얇은 상태에서는 간섭 무늬 (ST) 간의 간격은 상대적으로 크다. 판정 영역 (DR11) 의 크기는, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 출현할 때의 간섭 무늬 (ST) 간의 폭에 따라 설정되면 된다.As shown in FIG. 8, the determination area DR11 is set to a size such that it is possible to overlap only with one interference fringe ST as a detection target. For example, the width in the radial direction (the radial direction of the substrate W) of the determination region DR11 (the width in the horizontal direction on the captured image 82) is the radial direction between the adjacent interference fringes ST (the substrate ( W) is smaller than the spacing in the radial direction). In addition, the interval between the interference fringes ST fluctuates according to the thickness of the liquid film W1. For example, in the state where the liquid film W1 is thick as shown in the captured image 82b of FIG. 7, the gap between the interference fringes ST is relatively small, and as shown in the captured image 82c, the liquid film W1 is In the thin state, the spacing between the interference fringes ST is relatively large. The size of the determination area DR11 may be set according to the width between the interference fringes ST when the interference fringes ST to be detected appear.

여기서는, 광 강도가 주위에 대해 상대적으로 약한 영역을 간섭 무늬 (ST) 로 하고 있다. 이 때문에, 판정 영역 (DR11) 을 통과할 때, 판정 영역 (DR11) 내의 수평 방향에 있어서의 광 강도를 나타내는 휘도는, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 직경 방향 내방측으로부터 외방측에 걸쳐 점차 작아지고 나서 다시 커진다. 그리고, 휘도가 극소치가 되는 지점 (위치) 이, 간섭 무늬 (ST) 의 거의 중심의 지점 (위치) 에 대응하고 있다. 이 때문에, 극치점 검출부 (921) 가 판정 영역 (DR11) 에 있어서 휘도의 극소치 (기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 광 강도의 극소치) 를 취하는 극치점을 검출함으로써, 판정 영역 (DR11) 에 있어서의 간섭 무늬 (ST) 의 통과를 검출할 수 있다.Here, the region in which the light intensity is relatively weak with respect to the periphery is set as the interference fringe ST. Therefore, when passing through the determination region DR11, the luminance indicating the light intensity in the horizontal direction in the determination region DR11 gradually decreases from the inner side to the outer side in the radial direction, as shown in FIG. 8. Then it grows again. And the point (position) at which the luminance becomes the minimum value corresponds to the point (position) of the substantially center of the interference fringe ST. For this reason, the extreme value point detection unit 921 detects the extreme value point taking the minimum value of the luminance (the minimum value of the light intensity in the radial direction of the substrate W) in the judgment area DR11. The passage of the interference fringe ST can be detected.

또한, 밝은 부분 (촬영 화상 (82) 상에서 광 강도가 상대적으로 큰 영역) 을 간섭 무늬로서 인식하는 경우, 밝은 (즉, 광 강도가 큰) 띠상 영역이, 직경 방향 외방으로 이동한다. 이 경우, 극치점 검출부 (921) 가 직경 방향 (기판 (W) 의 직경 방향) 에 있어서의 광 강도 (휘도) 의 극대치가 되는 극치점을 검출함으로써, 판정 영역 (DR11) 내에 있어서 밝은 부분인 간섭 무늬를 검출해도 된다.Further, when a bright portion (a region having a relatively large light intensity on the captured image 82) is recognized as an interference fringe, a bright (that is, a large light intensity) band-shaped region moves outward in the radial direction. In this case, the extreme value point detection unit 921 detects the extreme value point that becomes the maximum value of the light intensity (luminance) in the radial direction (diameter direction of the substrate W), thereby detecting the bright part in the determination region DR11. You may detect a pattern.

제 1 검출 패턴의 경우, 타이밍 결정부 (92) 는, n 번째 (n 은 자연수) 의 간섭 무늬 (ST) (제 1 극치점) 가 검출되는 제 1 검출 시간과, n+1 번째 이후에 발생한 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 가 검출되는 제 2 검출 시간의 차인 검출 시간차를 산출한다. 여기서, 제 2 검출 시간은, n+1 번째의 간섭 무늬 (ST) 가 검출되는 시간이어도 되고, n+2 번째의 이후에 발생한 간섭 무늬 (ST) 가 검출되는 시간이어도 된다. 액막 (W1) 의 두께에 따라 간섭 무늬 (ST) 간의 간격이 변동되기 때문에, 검출 시간차는 액막 (W1) 의 두께에 대응하고 있는 것으로 생각된다. 예를 들어, 액막 (W1) 의 두께가 작아질수록, 검출 시간차가 커진다. 그래서, 예를 들어, 제 2 처리의 개시에 최적인 액막 (W1) 의 두께에 대응하는 최적 검출 시간차를 실험적으로 결정해 두면 된다. 그리고, 타이밍 결정부 (92) 가, 실제로 검출된 검출 시간차가 최적 검출 시간이 된 경우에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출되었다고 판단하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정해도 된다. 바꾸어 말하면, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 가, 판정 영역 (DR11) 내에 있어서 1 개의 극치점이 검출되고 나서 다음의 극치점이 검출될 때까지의 시간으로서의 검출 시간차에 따라, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정해도 된다. 이와 같이 하여, 타이밍 결정부 (92) 는, 예를 들어, 판정 영역 (DR11) 내에 있어서, 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대치 또는 극소치가 되는 극치점의 직경 방향 외방을 향한 이동에 따라, 기판 (W) 에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍으로서의 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다.In the case of the first detection pattern, the timing determination unit 92 includes a first detection time when an n-th (n is a natural number) interference fringe ST (first extreme value point) is detected, and an interference fringe generated after the n+1 th (ST) The detection time difference, which is the difference between the second detection time at which the (second extreme value point) is detected, is calculated. Here, the second detection time may be a time when the n+1 th interference fringe ST is detected, or may be a time when the n+2 th interference fringe ST is detected. Since the interval between the interference fringes ST varies according to the thickness of the liquid film W1, it is considered that the detection time difference corresponds to the thickness of the liquid film W1. For example, as the thickness of the liquid film W1 decreases, the detection time difference increases. So, for example, it is sufficient to experimentally determine the optimum detection time difference corresponding to the thickness of the liquid film W1 that is optimal for the start of the second process. Then, when the detection time difference actually detected becomes the optimum detection time, the timing determining unit 92 may determine that the interference fringe ST of the detection object has been detected, and determine the second processing start timing. In other words, for example, according to the detection time difference as the time from which one extreme value point is detected in the determination area DR11 until the next extreme value point is detected, the second processing start timing You may decide. In this way, the timing determination unit 92, for example, in the determination region DR11, the light intensity in the radial direction of the substrate W is directed to the outer side in the radial direction of the extreme value point at which the maximum value or the minimum value becomes the maximum value. According to the movement, the timing of starting the second processing as the timing of performing the second processing on the substrate W can be determined.

또, 판정 영역 (DR11) 내에서 3 개 이상의 간섭 무늬 (ST) 의 각 검출 시간에 기초하여, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출되었는지의 여부가 판정되어도 된다. 예를 들어, 1 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 1 극치점) 및 2 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 의 제 1 검출 시간차와, 2 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 및 3 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 3 극치점) 의 제 2 검출 시간차를 산출한다. 여기서는, 예를 들어, 제 1 검출 시간차는, 1 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 1 극치점) 가 검출된 제 1 검출 시간과 2 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 가 검출된 제 2 검출 시간의 차이다. 제 2 검출 시간차는, 2 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 가 검출된 제 2 검출 시간과 3 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 3 극치점) 가 검출된 제 3 검출 시간의 차이다. 그리고, 제 1 검출 시간차와 제 2 검출 시간차의 비교에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍이 결정되어도 된다. 보다 구체적으로는, 제 1 검출 시간차와 제 2 검출 시간차의 차가, 이미 정해진 값이 되었을 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출되었다고 판정하고, 그 시간을 기준으로 제 2 처리 개시 타이밍이 결정되면 된다. 바꾸어 말하면, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 가, 판정 영역 (DR11) 내에 있어서, 1 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 1 극치점) 가 검출되고 나서 2 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 가 검출될 때까지의 제 1 시간으로서의 제 1 검출 시간차와, 2 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 가 검출되고 나서 3 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 3 극치점) 가 검출될 때까지의 제 2 시간으로서의 제 2 검출 시간차에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍이 결정되어도 된다. 또한, 여기서는, 1 번째에서부터 3 번째의 간섭 무늬 (ST) 는, 마지막으로 검출 가능한 최종 극치점에 대응하는 마지막 간섭 무늬 (STL) 로부터 세어 3 개의 극치점에 대응하는 양태를 생각할 수 있다.Further, based on each detection time of three or more interference fringes ST in the determination area DR11, it may be determined whether or not the interference fringes ST to be detected have been detected. For example, the first detection time difference between the first interference fringe ST (first extreme value point) and the second interference fringe ST (second extreme value point), and the second interference fringe ST (second 2 extreme value points) and the second detection time difference of the third interference fringe ST (third extreme value point) are calculated. Here, for example, the first detection time difference is the first detection time when the first interference fringe (ST) (first extreme value point) is detected and the second interference fringe (ST) (second extreme value point) is detected. Is the difference between the second detection time. The second detection time difference is between the second detection time at which the second interference fringe ST (second extreme value point) is detected and the third detection time at which the third interference fringe ST (third extreme value point) is detected. to be dumped. Then, the second processing start timing may be determined based on the comparison of the first detection time difference and the second detection time difference. More specifically, when the difference between the first detection time difference and the second detection time difference reaches a predetermined value, it is determined that the interference fringe (ST) of the detection target is detected, and the second processing start timing is determined based on that time. Just do it. In other words, for example, after the timing determination unit 92 detects the first interference fringe ST (first extreme value point) in the determination area DR11, the second interference fringe ST ( The first detection time difference as the first time until the second extreme value point is detected, and the third interference fringe ST (third The second processing start timing may be determined based on the second detection time difference as the second time until the extreme value point) is detected. Incidentally, here, the first to third interference fringes ST are counted from the last interference fringes STL corresponding to the last detectable final extreme value points, and an aspect corresponding to the three extreme value points can be considered.

상기 서술한 바와 같이, 액막 (W1) 이 점차 얇아짐에 따라, 즉 마지막 간섭 무늬 (STL) 의 출현 시간에 가까워짐에 따라, 간섭 무늬 (ST) 간의 간격이 점차 커져 간다. 이 때문에, 제 1 검출 패턴의 경우, 판정 영역 (DR11) 에 있어서 1 개의 간섭 무늬 (ST) 가 통과하고 나서 다음의 간섭 무늬 (ST) 가 통과하기까지 취득되는 프레임 수가 점차 증대하기 때문에, 검출 시간차의 측정 정밀도가 향상된다. 따라서, 액막 (W1) 이 얇아질수록, 타이밍 결정부 (92) 는, 검출 시간차가 목적하는 막 두께에 대응하는지를 적절히 판정할 수 있다.As described above, as the liquid film W1 gradually becomes thinner, that is, as it approaches the appearance time of the last interference fringe STL, the interval between the interference fringes ST gradually increases. Therefore, in the case of the first detection pattern, since the number of frames acquired from passing one interference fringe ST in the determination area DR11 until the next interference fringe ST passes, gradually increases, the detection time difference The measurement accuracy of is improved. Therefore, as the liquid film W1 becomes thinner, the timing determination unit 92 can appropriately determine whether the detection time difference corresponds to the desired film thickness.

또한, 액막 (W1) 이 얇은 상태에서 발생하는 간섭 무늬 (ST) (예를 들어, 도 7 에 나타내는 촬영 화상 (82d) 에 있어서의 마지막으로 출현하는 간섭 무늬 (STL) 등) 는, 액면의 흔들림 등의 노이즈에 의해 클리어하게 검출할 수 없을 우려가 있다. 그래서, 가능한 한 클리어하게 검출 가능한 간섭 무늬 (ST) 를 검출 대상으로 하는 것이 바람직하다. 또, 그 선명한 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 시간에 소정의 지연 시간을 가산한 시간을, 제 2 처리 개시 타이밍으로 하면 된다. 이로써, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 를 양호한 정밀도로 검출할 수 있음과 함께, 액막 (W1) 이 바람직한 두께가 되고 나서 제 2 처리를 개시할 수 있다.In addition, interference fringes ST (e.g., interference fringes (STL) appearing last in the photographed image 82d shown in FIG. 7) occurring in a thin state of the liquid film W1 are shaken in the liquid surface. There is a fear that clear detection may not be possible due to noise such as. Therefore, it is desirable to make the interference fringe ST detectable as clear as possible as a detection object. Further, the time obtained by adding a predetermined delay time to the time when the clear interference fringe ST is detected may be used as the second processing start timing. Thereby, while the interference fringe ST of a detection object can be detected with high precision, the 2nd process can be started after the liquid film W1 becomes a preferable thickness.

<제 2 검출 패턴><2nd detection pattern>

도 9 는, 간섭 무늬 (ST) 의 제 2 검출 패턴을 나타내는 도면이다. 제 2 검출 패턴은, 판정 영역 설정부 (91) 가, 복수의 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 을 설정하는 것이다. 바꾸어 말하면, 제 1 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR21) 과, 당해 판정 영역 (DR21) 으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 2 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR22) 과, 당해 판정 영역 (DR22) 으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 3 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR23) 이 설정된다. 도 9 에 나타내는 예에서는, 직경 방향 내방으로부터 직경 방향 외방을 향하여, 순서대로 3 개의 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 이 설정되어 있다. 또한, 판정 영역 (DR) 의 수는, 3 개에 한정되는 것이 아니고, 2 개 혹은 4 개 이상이어도 된다.9 is a diagram showing a second detection pattern of the interference fringe ST. In the second detection pattern, the determination region setting unit 91 sets a plurality of determination regions DR21, DR22, and DR23. In other words, the determination region DR21 as the first determination region, the determination region DR22 as the second determination region radially outward from the determination region DR21, and the determination region DR22 radially outward from the determination region DR22. The judgment area DR23 as the distant third judgment area is set. In the example shown in FIG. 9, three determination areas DR21, DR22, and DR23 are set in order from the inside in the radial direction to the outside in the radial direction. In addition, the number of determination regions DR is not limited to three, but may be two or four or more.

각 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 은, 촬영 화상 (82) 의 수평 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 의 수직 방향의 위치는, 촬영 화상 (82) 에 있어서 기판 (W) 의 중심과 일치하고 있다. 간섭 무늬 (ST) 는, 직경 방향 외방으로 이동하는 것에 의해, 판정 영역 (DR21), 판정 영역 (DR22), 판정 영역 (DR23) 의 순서로 각 판정 영역을 통과한다.Each of the determination areas DR21, DR22, and DR23 is arranged at intervals in the horizontal direction of the captured image 82. The position of the determination regions DR21, DR22, and DR23 in the vertical direction coincides with the center of the substrate W in the captured image 82. The interference fringe ST passes through each of the determination regions in the order of the determination region DR21, the determination region DR22, and the determination region DR23 by moving radially outward.

각 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 은, 도 8 의 판정 영역 (DR11) 과 마찬가지로, 동시에 복수의 간섭 무늬 (ST) 를 포함하지 않는 정도의 크기로 설정되어 있다. 예를 들어, 각 판정 영역 (DR) 의 수평 폭은, 인접하는 간섭 무늬 (ST) 간의 직경 방향의 간격보다 작다.Each of the determination areas DR21, DR22, and DR23 is set to a size such that it does not include a plurality of interference fringes ST at the same time, similarly to the determination area DR11 in FIG. 8. For example, the horizontal width of each determination region DR is smaller than the interval in the radial direction between adjacent interference fringes ST.

판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 이 배치되는 간격은, 검출해야 할 복수의 간섭 무늬 (ST) 의 간격에 맞추어 설정되면 된다. 구체적으로는, 기판 (W) 의 상면에 있어서 검출 대상인 간섭 무늬 (ST) 의 수, 및 각 간섭 무늬 (ST) 의 간격에 따라 설정되어도 된다.The interval at which the determination regions DR21, DR22, and DR23 are arranged may be set in accordance with the intervals of the plurality of interference fringes ST to be detected. Specifically, it may be set according to the number of interference fringes ST as detection targets on the upper surface of the substrate W and the interval between each interference fringe ST.

예를 들어, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 검출 대상이, 도시되는 간격으로 출현하는 3 개의 간섭 무늬 (ST) (간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3)) 인 경우, 당해 3 개의 간섭 무늬 (ST) 의 간격에 맞추어 3 개의 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 이 배치된다. 여기서는, 예를 들어, 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서, 간섭 무늬 (ST1) 와 당해 간섭 무늬 (ST1) 로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 간섭 무늬 (ST2) 의 거리가 제 1 거리가 되고, 간섭 무늬 (ST2) 와 당해 간섭 무늬 (ST2) 로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 간섭 무늬 (ST3) 의 거리가 제 2 거리가 되는 양태를 생각할 수 있다. 이로써, 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 에 있어서, 동시에 검출 대상인 3 개의 간섭 무늬 (ST) 를 동시에 검출할 수 있다. 즉, 극치점 검출부 (921) 가 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 의 전부에 있어서 극소치를 취하는 극치점을 검출했을 때에, 검출 대상의 각 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 것으로 타이밍 결정부 (92) 가 판정하면 된다. 또한, 예를 들어, 판정 영역 (DR) 의 수가, 2 개인 경우에는, 극치점 검출부 (921) 는, 제 1 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR21) 에 있어서 제 1 극치점으로서의 극치점을 검출하고, 제 2 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR22) 에 있어서 제 2 극치점으로서의 극치점을 검출했을 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST1, ST2) 가 검출된 것으로 타이밍 결정부 (92) 가 판정하는 양태를 생각할 수 있다. 이 양태에서는, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 1 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR21) 에 있어서 제 1 극치점이 검출되고, 제 2 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR22) 에 있어서 제 2 극치점이 검출되는 것에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다. 바꾸어 말하면, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 제 1 극치점과 제 2 극치점의 제 1 거리에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다.For example, as shown in FIG. 9, when the detection target is three interference fringes ST (interference fringes ST1, ST2, ST3) appearing at intervals shown, the three interference fringes ST Three judgment areas DR21, DR22, and DR23 are arranged according to the interval of. Here, for example, in the radial direction of the substrate W, the distance between the interference fringe ST1 and the interference fringe ST2 radially outward from the interference fringe ST1 becomes the first distance, and the interference fringe An aspect in which the distance between (ST2) and the interference fringe ST3 distant radially outward from the interference fringe ST2 becomes the second distance can be considered. Thereby, in the determination areas DR21, DR22, DR23, three interference fringes ST as detection targets can be simultaneously detected. That is, when the extreme value point detection unit 921 detects the extreme value point taking the minimum value in all of the determination areas DR21, DR22, and DR23, the timing determination unit 92 indicates that each interference fringe ST to be detected has been detected. ) Decides. Further, for example, when the number of determination regions DR is two, the extreme value point detection unit 921 detects the extreme value point as the first extreme value point in the determination region DR21 as the first determination region, When the extreme value point as the second extreme value point is detected in the determination area DR22 as the second determination area, the timing determination unit 92 determines that the interference fringes ST1 and ST2 to be detected are detected. I can. In this aspect, for example, the timing determination unit 92 detects the first extreme value point in the determination region DR21 as the first determination region, and the second extreme value in the determination region DR22 as the second determination region. Based on the detection of the point, it is possible to determine the second processing start timing. In other words, for example, the timing determination unit 92 can determine the second processing start timing based on the first distance between the first extreme value point and the second extreme value point in the radial direction of the substrate W. have.

각 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 의 위치는, 오퍼레이터가 임의로 설정할 수 있도록 해도 된다. 이 경우, 예를 들어 검출 대상의 각 간섭 무늬 (ST) 가 출현한 상태의 촬영 화상 (82) 을 미리 취득해 두고, 그 촬영 화상 (82) 상에서 오퍼레이터가 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 을 나타내는 프레임을 각 간섭 무늬 (ST) 의 위치로 이동시키면 된다. 이로써, 검출 대상의 각 간섭 무늬 (ST) 를 동시에 검출 가능해지는 각 위치에 각 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 을 설정할 수 있다.The position of each determination area DR21, DR22, DR23 may be set arbitrarily by an operator. In this case, for example, a captured image 82 in a state in which each interference fringe ST of the detection target appears, and on the captured image 82, the operator selects the determination areas DR21, DR22, DR23. It is sufficient to move the indicated frame to the position of each interference fringe ST. Thereby, each of the determination areas DR21, DR22, and DR23 can be set at each position at which the respective interference fringes ST of the detection target can be simultaneously detected.

특히, 마지막 간섭 무늬 (STL) 로부터 세어 3 개의 간섭 무늬 (ST) 를, 검출 대상의 3 개의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 로 해도 된다. 즉, 마지막 간섭 무늬 (STL) 를, 검출 대상인 가장 내측의 간섭 무늬 (ST1) 로 하고, 마지막 간섭 무늬 (STL) 의 직전에 발생하는 2 개의 검출 무늬 (ST) 를 검출 대상의 간섭 무늬 (ST2, ST3) 로 해도 된다. 이 경우, 액막 (W1) 이, 간섭 무늬 (ST) 가 검출 불가능해지는 얇기가 되는 것보다 이전의 단계에서, 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정할 수 있다. 마지막 간섭 무늬 (STL) 는, 마지막으로 검출 가능한 최종 극치점에 대응한다. 바꾸어 말하면, 여기서는, 예를 들어, 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 에 있어서, 복수의 극치점 중, 최종 극치점으로부터 세어 3 개의 극치점을 검출함으로써, 마지막 간섭 무늬 (STL) 및 이 마지막 간섭 무늬 (STL) 의 직전에 발생하는 2 개의 검출 무늬 (ST) 를 3 개의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 로서 검출하고, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다. 이와 같이 하여, 타이밍 결정부 (92) 는, 예를 들어, 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 내에 있어서, 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대치 또는 극소치가 되는 극치점의 직경 방향 외방을 향한 이동에 따라, 기판 (W) 에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍으로서의 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다.In particular, the three interference fringes ST counted from the last interference fringes STL may be used as the three interference fringes ST1, ST2, and ST3 to be detected. That is, the last interference fringe (STL) is the innermost interference fringe (ST1) to be detected, and the two detection fringes (ST) occurring immediately before the last interference fringe (STL) are the interference fringes (ST2) to be detected, ST3) may be used. In this case, the timing at which the second processing is performed can be determined at a stage prior to the liquid film W1 becoming thinner at which the interference fringe ST becomes undetectable. The last interference fringe (STL) corresponds to the last detectable final extreme value point. In other words, here, for example, in the determination regions DR21, DR22, DR23, counting from the final extreme value point among a plurality of extreme value points and detecting three extreme value points, the last interference fringe (STL) and the last interference The two detection fringes ST occurring immediately before the fringe STL are detected as the three interference fringes ST1, ST2, and ST3, and the second processing start timing can be determined. In this way, the timing determination unit 92 is, for example, the diameter of the extreme value point at which the light intensity in the radial direction of the substrate W becomes a maximum value or a minimum value in the determination regions DR21, DR22, DR23 In accordance with the movement toward the outward direction, it is possible to determine the timing of starting the second processing as the timing of performing the second processing on the substrate W.

<제 3 검출 패턴><3rd detection pattern>

도 10 은, 간섭 무늬 (ST) 의 제 3 검출 패턴을 나타내는 도면이다. 제 3 검출 패턴은, 판정 영역 설정부 (91) 가, 촬영 화상 (82) 상에 1 개의 판정 영역 (RD31) 을 설정하는 것이다. 판정 영역 (RD31) 은, 직경 방향 (기판 (W) 의 직경 방향) 으로 연장되는 형상 (여기서는, 촬영 화상 (82) 에 있어서의 수평 방향으로 연장되는 사각 형상) 이다. 판정 영역 (RD31) 은, 검출 대상인 복수의 간섭 무늬 (ST) 와 동시에 겹쳐치는 것이 가능한 크기로 설정되어 있다.10 is a diagram showing a third detection pattern of the interference fringe ST. The third detection pattern is that the determination region setting unit 91 sets one determination region RD31 on the captured image 82. The determination area RD31 is a shape extending in the radial direction (the radial direction of the substrate W) (here, a rectangular shape extending in the horizontal direction in the captured image 82). The determination area RD31 is set to a size capable of simultaneously overlapping with a plurality of interference fringes ST as detection targets.

제 3 검출 패턴에서는, 극치점 검출부 (921) 는, 판정 영역 (DR31) 에 있어서, 극치인 극소치를 취하는 극치점을 검출한다. 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR31) 내에 있어서 극소치를 취하는 극치점을 특정함으로써, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 를 검출한다. 구체적으로는, 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR31) 내에 있어서 산출되는 극치점간 거리에 기초하여, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 를 검출한다. 극치점간 거리는, 판정 영역 (DR31) 내에서 휘도가 극소치가 되는 지점 (위치) 사이의 거리를 말한다. 극치점간 거리는, 예를 들어, 제 1 극치점과 당해 제 1 극치점으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 2 극치점 사이의 거리 (제 1 거리) 를 포함한다. 극치점간 거리는, 예를 들어, 제 2 극치점과 당해 제 2 극치점으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 3 극치점 사이의 거리 (제 2 거리라고도 한다) 를 포함하고 있어도 된다. 도 10 에 나타내는 예에서는, 검출 대상이 3 개의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 이다. 이 경우, 이들 3 개의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 의 각 간격에 상당하는 거리 (L1, L2) 를 미리 설정해 두고, 타이밍 결정부 (92) 가, 판정 영역 (DR31) 내에서 검출된 각 극치점간 거리가 L1, L2 에 대응하는지의 여부를 판정하면 된다. 판정 영역 (DR31) 내에 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 존재하는 경우, 각 극치점간 거리가 L1, L2 에 대응 하는 것으로 판정됨으로써, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 검출된다.In the third detection pattern, the extreme value point detection unit 921 detects an extreme value point taking a minimum value that is an extreme value in the determination area DR31. The timing determination unit 92 detects the interference fringe ST of the detection target by specifying the extreme value point at which the minimum value is taken in the determination area DR31. Specifically, the timing determination unit 92 detects the interference fringe ST of the detection target based on the distance between extreme value points calculated in the determination region DR31. The distance between extreme value points refers to a distance between points (positions) at which luminance becomes a minimum value in the determination area DR31. The distance between extreme value points includes, for example, a distance (first distance) between a first extreme value point and a second extreme value point radially outward from the first extreme value point. The distance between extreme value points may include, for example, a distance (also referred to as a second distance) between a second extreme value point and a third extreme value point that is radially outward from the second extreme value point. In the example shown in Fig. 10, the detection targets are three interference fringes ST1, ST2, and ST3. In this case, the distances L1 and L2 corresponding to the intervals of the three interference fringes ST1, ST2, and ST3 are set in advance, and the timing determination unit 92 determines each detected in the determination region DR31. It is sufficient to determine whether or not the distance between extreme value points corresponds to L1 and L2. When interference fringes ST1, ST2, and ST3 exist in the determination area DR31, it is determined that the distance between the extreme value points corresponds to L1 and L2, thereby detecting the interference fringes ST1, ST2, and ST3 to be detected. .

또한, 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR31) 내에 있어서 검출되는 극치점의 수에 기초하여, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 를 검출해도 된다. 도 10 에 나타내는 예에서는, 검출 대상이 3 개의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 이다. 이 때문에, 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR31) 내에서 3 개의 극치점이 검출된 경우에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 검출된 것으로 판정하면 된다.Further, the timing determination unit 92 may detect the interference fringe ST as a detection target based on the number of extreme value points detected in the determination area DR31. In the example shown in Fig. 10, the detection targets are three interference fringes ST1, ST2, and ST3. For this reason, when the three extreme value points are detected in the determination area DR31, the timing determination unit 92 may determine that the interference fringes ST1, ST2, and ST3 to be detected have been detected.

극치점간 거리 (L1, L2) 의 비교에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍이 결정되어도 된다. 예를 들어, 극치점간 거리 (L1, L2) 의 차가, 이미 정해진 값이 되었을 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 검출된 것으로 판정되어도 된다. 바꾸어 말하면, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 1 거리로서의 극치점간 거리 (L1) 가 이미 정해진 거리가 되고, 제 2 거리로서의 극치점간 거리 (L2) 가 이미 정해진 거리가 되었을 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 검출된 것으로 판정해도 된다. 이 때, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 1 거리와 제 2 거리에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정하는 것이 가능해진다. 또한, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 1 거리로서의 극치점간 거리 (L1) 가 이미 정해진 거리가 되었을 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST1, ST2) 가 검출된 것으로 판정해도 된다. 이 경우에는, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 1 거리로서의 극치점간 거리 (L1) 에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정하는 것이 가능해진다. 또, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 2 거리로서의 극치점간 거리 (L2) 가 이미 정해진 거리가 되었을 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST2, ST3) 가 검출된 것으로 판정해도 된다. 이 때, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 2 거리로서의 극치점간 거리 (L2) 에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정하는 것이 가능해진다. 이와 같이 하여, 타이밍 결정부 (92) 는, 예를 들어, 판정 영역 (DR31) 내에 있어서, 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대치 또는 극소치가 되는 극치점에 따라, 기판 (W) 에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍으로서의 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다. 다른 관점에서 말하면, 타이밍 결정부 (92) 는, 예를 들어, 판정 영역 (DR31) 내에 있어서, 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대치 또는 극소치가 되는 극치점의 직경 방향 외방을 향한 이동에 따라, 기판 (W) 에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍으로서의 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다.The second processing start timing may be determined based on the comparison of the distances L1 and L2 between extreme value points. For example, when the difference in the distances L1 and L2 between extreme value points becomes a predetermined value, it may be determined that the interference fringes ST1, ST2, and ST3 to be detected have been detected. In other words, for example, when the distance L1 between extreme value points as the first distance becomes a predetermined distance, and the distance L2 between extreme value points as the second distance becomes a predetermined distance, It may be determined that the interference fringes ST1, ST2, and ST3 to be detected have been detected. At this time, the timing determination unit 92 can determine the second processing start timing based on the first distance and the second distance. Further, for example, the timing determination unit 92 may determine that the interference fringes ST1 and ST2 to be detected have been detected when the distance L1 between extreme value points as the first distance becomes a predetermined distance. In this case, the timing determination unit 92 can determine the second processing start timing based on the distance L1 between extreme value points as the first distance. Further, for example, the timing determination unit 92 may determine that the interference fringes ST2 and ST3 to be detected have been detected when the distance L2 between extreme value points as the second distance becomes a predetermined distance. At this time, the timing determination unit 92 can determine the second processing start timing based on the distance L2 between extreme values as the second distance. In this way, the timing determination unit 92, for example, in the determination region DR31, according to the extreme value point at which the light intensity in the radial direction of the substrate W becomes a maximum value or a minimum value, the substrate W It is possible to determine the second processing start timing as the timing for performing the second processing for ). In other words, the timing determination unit 92 is, for example, in the determination region DR31, the outer radial direction of the extreme value point at which the light intensity in the radial direction of the substrate W becomes a maximum value or a minimum value. In accordance with the movement toward the substrate W, the timing of starting the second processing as the timing of performing the second processing on the substrate W can be determined.

도 11 은, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정하는 처리의 흐름을 나타내는 도면이다. 도 11 에 나타내는 흐름은, IPA 처리 (도 6 : 스텝 S13) 를 제 1 처리, 발수화 처리 (도 6 : 스텝 S14) 를 제 2 처리로 하여, 제 2 처리 개시 타이밍 (발수화제의 토출을 개시하는 타이밍) 을 결정하는 처리의 흐름을 나타내고 있다.11 is a diagram showing a flow of processing for determining a second processing start timing. The flow shown in FIG. 11 is the IPA process (FIG. 6: step S13) as the first process, the water repellent treatment (FIG. 6: step S14) as the second process, and the second process start timing (discharge of the water repellent is started. The flow of processing to determine the timing) is shown.

IPA 처리 (도 6 : 스텝 S13) 에 있어서, 기판 (W) 의 상면에 노즐 (30) 로부터 IPA 가 공급된다 (스텝 S21). 이 동안, 카메라 (70) 가 연속 촬영을 실시한다 (스텝 S22). 연속 촬상이란, 카메라가 촬상 영역을 일정 간격으로 연속하여 촬상하는 것을 말하고, 예를 들어 33 밀리 세컨드 간격으로 연속 촬상을 실시하면 된다. 이 연속 촬영에 의해, 기판 (W) 의 상면 상태를 화상화한 촬영 화상 (82) 이 취득된다.In the IPA process (FIG. 6: Step S13), IPA is supplied from the nozzle 30 to the upper surface of the substrate W (Step S21). During this time, the camera 70 continuously photographs (step S22). Continuous imaging means that the camera continuously captures an imaging area at regular intervals, and for example, continuous imaging may be performed at 33 millisecond intervals. The photographed image 82 obtained by imaging the state of the upper surface of the substrate W is obtained by this continuous photographing.

연속 촬상이 개시되면, 판정 영역 설정부 (91) 가 취득된 촬영 화상 (82) 에 대해 판정 영역 (DR) 을 설정한다 (스텝 S23). 스텝 S23 에 있어서 설정되는 판정 영역 (DR) 은, 검출 대상인 간섭 무늬 (ST) 의 검출 패턴에 따라 상이하다. 예를 들어, 도 8 에 있어서 설명한 제 1 검출 패턴의 경우, 1 개의 판정 영역 (DR11) 이 촬영 화상 (82) 에 대해 설정된다. 또, 예를 들어, 도 9 에 있어서 설명한 제 2 검출 패턴의 경우, 촬영 화상 (82) 에 대해 판정 영역 (DR) 을 설정하는 공정에는, 제 1 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR21) 에 대한 제 2 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR22) 의 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 상대적인 위치를 변경하는 공정이 포함될 수 있다.When continuous imaging is started, the determination region setting unit 91 sets the determination region DR for the acquired captured image 82 (step S23). The determination area DR set in step S23 differs according to the detection pattern of the interference fringe ST as a detection target. For example, in the case of the first detection pattern described in FIG. 8, one determination area DR11 is set for the captured image 82. In addition, for example, in the case of the second detection pattern described in FIG. 9, in the step of setting the determination region DR for the captured image 82, the second determination region DR21 as the first determination region is A process of changing the relative position of the determination region DR22 as the determination region in the radial direction of the substrate W may be included.

또한, IPA 가 토출되어 있는 동안에, 연속 촬상이 개시되는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 기판 (W) 이 챔버 (10) 에 반입된 시점으로부터 반출될 때까지의 동안, 연속 촬상이 실시되어도 된다.In addition, it is not essential that continuous imaging is started while IPA is being ejected. For example, continuous imaging may be performed from the time when the substrate W is carried in to the chamber 10 until it is carried out.

판정 영역 (DR) 이 설정되면, 노즐 (30) 로부터 기판 (W) 에 대한 IPA 의 공급이 정지된다 (스텝 S24). 이 시점에서, IPA 처리 (도 6 : 스텝 S13) 가 완료된다. 상기 서술한 바와 같이, IPA 의 공급이 정지되면, 기판 (W) 상의 IPA 는 원심력에 의해 직경 방향 외방으로 털린다. 이로써, 액막 (W1) 이 점차 얇아져 가고, 간섭 무늬 (ST) 가 출현하기 시작한다.When the determination area DR is set, the supply of IPA from the nozzle 30 to the substrate W is stopped (step S24). At this point in time, the IPA process (Fig. 6: step S13) is completed. As described above, when the supply of IPA is stopped, the IPA on the substrate W is shaken outward in the radial direction by the centrifugal force. Thereby, the liquid film W1 gradually becomes thinner, and the interference fringe ST starts to appear.

극치점 검출부 (921) 는, 판정 영역 (DR) 에 있어서, 직경 방향에 있어서의 휘도의 극소치를 취하는 극치점을 검출한다 (스텝 S25). 이로써, 판정 영역 (DR) 과 겹쳐지는 간섭 무늬 (ST) 가 극소치를 취하는 극치점으로서 검출된다.The extreme value point detection unit 921 detects an extreme value point taking the minimum value of the luminance in the radial direction in the determination region DR (step S25). Thereby, the interference fringe ST overlapping with the determination area DR is detected as an extreme value point taking a minimum value.

극치점 검출부 (921) 에 의한 극소치의 검출 결과에 기초하여, 타이밍 결정부 (92) 가, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출되었는지의 여부를 판정한다 (스텝 S26). 이 판정의 구체적인 내용은, 간섭 무늬 (ST) 의 검출 패턴에 따라 상이하다. 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출되어 있지 않은 것으로 판정된 경우 (스텝 S26 에 있어서 NO), 스텝 S25 로 되돌아와, 극소치의 검출이 계속해서 실시된다.Based on the detection result of the minimum value by the extreme value point detection unit 921, the timing determination unit 92 determines whether or not the interference fringe ST to be detected has been detected (step S26). The specific content of this determination differs depending on the detection pattern of the interference fringe ST. When it is determined that the interference fringe ST to be detected has not been detected (NO in step S26), the process returns to step S25, and the detection of the minimum value is continued.

예를 들어, 도 8 에 나타내는 제 1 검출 패턴의 경우, 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR11) 에 있어서 검출되는 간섭 무늬 (ST) 간의 검출 시간차가 미리 설정된 최적 검출 시간차에 대응할 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 것으로 판정한다. 또, 도 9 에 나타내는 제 2 검출 패턴의 경우, 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 에 있어서 동시에 간섭 무늬 (ST) 가 검출되었을 때에, 검출 대상인 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 검출된 것으로 판정한다. 또, 도 10 에 나타내는 제 3 검출 패턴의 경우, 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR31) 에 있어서, 극소치가 검출된 지점 (위치) 간의 극치점간 거리가 미리 설정된 거리 (L1, L2) 에 대응할 때에, 검출 대상인 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 검출된 것으로 판정한다.For example, in the case of the first detection pattern shown in FIG. 8, when the detection time difference between the interference fringes ST detected in the determination region DR11 corresponds to a preset optimal detection time difference, It is determined that the interference fringe ST of the object to be detected has been detected. In addition, in the case of the second detection pattern shown in FIG. 9, when the interference fringe ST is simultaneously detected in the determination areas DR21, DR22, DR23, the interference fringes ST1, which are detection targets, are ST2, ST3) is determined to be detected. In the case of the third detection pattern shown in Fig. 10, the timing determination unit 92 is the distance L1, L2 in which the distance between the extreme value points between the points (positions) where the minimum value is detected in the determination area DR31 is set in advance. When corresponding to, it is determined that the interference fringes ST1, ST2, and ST3 as detection targets have been detected.

도 11 로 되돌아와서, 타이밍 결정부 (92) 가 검사 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 것으로 판정된 경우 (스텝 S26 에 있어서 YES), 타이밍 결정부 (92) 는 제 2 처리 개시 타이밍을 결정한다 (스텝 S27). 타이밍 결정부 (92) 는, 검출 대상인 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 검출 완료 시간 (검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 에 대응하는 극소치가 검출된 시간) 에 따라, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정한다. 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 검출 완료 시간으로부터 미리 정해진 지연 시간을 가산해서 구해지는 시간을 제 2 처리 개시 타이밍으로 한다.Returning to Fig. 11, when the timing determination unit 92 determines that the interference fringe ST of the inspection object has been detected (YES in step S26), the timing determination unit 92 determines the second processing start timing. It does (step S27). The timing determination unit 92 determines the second processing start timing according to the detection completion time at which the detection target interference fringe ST is detected (the time at which the minimum value corresponding to the detection target interference fringe ST is detected). . For example, the timing determination unit 92 sets the time obtained by adding a predetermined delay time from the detection completion time as the second processing start timing.

스텝 S27 에 있어서 제 2 처리 개시 타이밍이 결정되면, 그 제 2 처리 개시 타이밍으로 노즐 (30) 로부터 기판 (W) 의 상면으로의 발수화제의 토출이 개시된다 (스텝 S28). 이로써, 발수화 처리 (도 6 : 스텝 S14) 가 개시된다. 제어부 (9) 는, 스텝 S28 에 있어서, 타이밍 결정부 (92) 에 의해 결정된 타이밍에 따라서, 다음 처리로서 노즐 (30) 로부터 발수화제를 토출시킨다. 즉, 제어부 (9) 는, 제 2 처리 개시 타이밍에 따라 다음 처리인 발수화 처리를 실행한다. 이 때문에, 제어부 (9), 노즐 (30) 및 노즐 (30) 에 발수화제를 공급하는 기구는, 제 2 처리 실행부의 일례가 될 수 있다. 제 2 처리 실행부는, 처리 대상인 기판 (W) 에 대해 제 2 처리를 실시하는 부분이며, 타이밍 결정부 (92) 에 의해 결정된 타이밍에 따라, 기판 (W) 에 제 2 처리를 실시할 수 있다.When the second processing start timing is determined in step S27, the discharge of the water repellent agent from the nozzle 30 to the upper surface of the substrate W is started at the second processing start timing (step S28). Thereby, the water-repellent treatment (FIG. 6: Step S14) is started. The control unit 9 discharges the water repellent from the nozzle 30 as a next process in accordance with the timing determined by the timing determination unit 92 in step S28. That is, the control unit 9 executes the next processing, the water repellency processing, in accordance with the timing of starting the second processing. For this reason, the mechanism for supplying the water repellent to the control unit 9, the nozzle 30, and the nozzle 30 can be an example of the second processing execution unit. The second processing execution unit is a portion that performs a second processing on the substrate W as a processing target, and can perform the second processing on the substrate W according to the timing determined by the timing determination unit 92.

스텝 S27 에 있어서, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정하기 위해서 검출 완료 시간으로부터 가산되는 지연 시간의 길이는, 사전의 실험적인 기판 처리로 결정되어도 된다. 구체적으로는, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 후, 상이한 지연 시간으로 발수화 처리를 개시하고, 그 결과 얻어지는 기판 (W) 의 소수화 상황을 평가한다. 이 평가 결과에 기초하여, 최적인 지연 시간이 결정되어도 된다.In step S27, the length of the delay time added from the detection completion time may be determined by experimental substrate processing in advance in order to determine the second processing start timing. Specifically, after the interference fringe ST of the detection object is detected, the water repellent treatment is started with a different delay time, and the resulting hydrophobic state of the substrate W is evaluated. Based on this evaluation result, the optimum delay time may be determined.

또한, 스텝 S27 에 있어서, 제 2 처리 개시 타이밍을, 검출 완료 시간으로부터 이미 정해진 지연 시간을 가산한 시간으로 하는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 제 2 처리 개시 타이밍을, 검출 완료 시간으로 해도 된다. 이 경우, 스텝 S26 에 있어서, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 것으로 판정되면, 즉시, 발수화제의 토출이 개시된다.In addition, in step S27, it is not essential to set the second processing start timing to a time obtained by adding a predetermined delay time from the detection completion time. For example, the second processing start timing may be the detection completion time. In this case, when it is determined in step S26 that the interference fringe ST of the detection object has been detected, the discharge of the water repellent agent is immediately started.

도 11 에서는, 제 1 처리가 IPA 처리이고, 제 2 처리가 발수화 처리인 경우에 있어서의, 제 2 처리 개시 타이밍의 결정 처리이지만, 제 1 처리와 제 2 처리의 조합은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제 1 처리가 발수화 처리 후의 IPA 처리 (도 6 : 스텝 S15) 이고, 제 2 처리가 스핀 드라이 처리 (도 6 : 스텝 S16) 인 경우에도 제 2 처리 개시 타이밍의 결정 처리를 적용하는 것이 가능하다. 이 경우, 타이밍 결정부 (92) 가 결정된 제 2 처리 개시 타이밍에 따라서, 제어부 (9) 가 스핀 척 (20) 의 스핀 모터 (22) 를 제어함으로써, 기판 (W) 의 회전 속도를 300 rpm 에서 1500 rpm 까지 상승시킨다. 즉, 제어부 (9) 는, 제 2 처리 개시 타이밍에 따라 제 2 처리인 스핀 드라이 처리를 실행한다. 이 때문에, 제어부 (9) 및 스핀 모터 (22) 는, 제 2 처리 실행부가 될 수 있다. 이와 같은 경우에는, 예를 들어, 제 2 처리로서의 스핀 드라이 처리는, 기판 (W) 의 회전 속도를, 제 1 처리로서의 IPA 처리일 때보다 크게 하여, 기판 (W) 의 상면에 잔류하는 제 1 처리액으로서의 IPA 를 제거하는 처리가 된다.In FIG. 11, although the first process is the IPA process and the second process is the water-repellent process, the second process start timing is determined, but the combination of the first process and the second process is limited to this. no. For example, even when the first process is the IPA process after the water-repellent treatment (Fig. 6: Step S15) and the second process is the spin dry process (Fig. 6: Step S16), the second process start timing determination process is applied. It is possible to do. In this case, the control unit 9 controls the spin motor 22 of the spin chuck 20 in accordance with the determined second processing start timing by the timing determining unit 92, thereby reducing the rotational speed of the substrate W at 300 rpm. Raise to 1500 rpm. That is, the control unit 9 executes the second process, the spin dry process, in accordance with the second process start timing. For this reason, the control part 9 and the spin motor 22 can become a 2nd processing execution part. In such a case, for example, in the spin drying treatment as the second treatment, the rotational speed of the substrate W is made larger than that in the IPA treatment as the first treatment, and the first remaining on the upper surface of the substrate W It becomes a process of removing IPA as a treatment liquid.

<효과><Effect>

기판 처리 장치 (100) 에 의하면, 액 처리인 제 1 처리가 실시된 기판 (W) 에 대해, 제 2 처리를 적절한 타이밍으로 실행할 수 있다.According to the substrate processing apparatus 100, the second processing can be performed at an appropriate timing with respect to the substrate W on which the first processing, which is a liquid processing, has been performed.

제 2 처리가 액 처리인 경우 (예를 들어, 제 1 처리가 IPA 처리 (도 6 : 스텝 S13) 이고, 제 2 처리가 발수화 처리 (도 6 : 스텝 S14) 인 경우), 제 1 처리액의 막 (액막 (W1) 의 막) 을 가능한 한 얇게 하고 나서 제 2 처리액을 공급할 수 있다. 이 경우, 기판 (W) 상의 제 1 처리액의 양을 줄일 수 있기 때문에, 제 1 처리액으로부터 제 2 처리액으로의 치환을 촉진시킬 수 있다. 이로써, 제 2 처리의 처리 시간을 단축할 수 있다. 또, 제 2 처리액의 사용량을 저감시킬 수 있기 때문에, 기판 처리의 비용을 경감시킬 수 있다.When the second treatment is a liquid treatment (e.g., the first treatment is an IPA treatment (Fig. 6: step S13), and the second treatment is a water repellent treatment (Fig. 6: step S14)), the first treatment liquid After making the film of (film of the liquid film W1) as thin as possible, the second processing liquid can be supplied. In this case, since the amount of the first processing liquid on the substrate W can be reduced, the substitution of the first processing liquid to the second processing liquid can be promoted. Thereby, the processing time of the second processing can be shortened. In addition, since the amount of the second processing liquid used can be reduced, the cost of processing the substrate can be reduced.

제 2 처리가 건조 처리인 경우 (예를 들어, 제 1 처리가 IPA 처리 (도 6 : 스텝 S15) 이고, 제 2 처리가 스핀 드라이 처리 (도 6 : 스텝 S16) 인 경우), 기판 처리 장치 (100) 에 의하면, 제 1 처리액의 막 두께가 적절한 상태에서, 건조 처리로 이행할 수 있다. 이 때문에, 액막의 과잉된 부풀어오름을 억제할 수 있다. 이로써, 기판 표면을 균일하게 처리할 수 있다.When the second process is a drying process (e.g., when the first process is an IPA process (Fig. 6: step S15), and the second process is a spin dry process (Fig. 6: step S16)), the substrate processing apparatus ( According to 100), it is possible to transfer to the drying treatment in a state where the film thickness of the first treatment liquid is appropriate. For this reason, excessive swelling of the liquid film can be suppressed. Thereby, the surface of the substrate can be treated uniformly.

<간섭 무늬 (ST) 를 검출하기 위한 조건 설정에 대해><About setting conditions for detecting interference fringes (ST)>

도 12 는, 간섭 무늬 (ST) 를 검출하는 조건을 설정하기 위한 설정 화면 (SW1) 을 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (100) 에서는, 표시부 (97) 에 표시되는 처리 프로그램 작성 화면 (도시 생략) 에 있어서, 오퍼레이터가 각 세정 처리 유닛 (1) 에 있어서 실행시키는 처리 내용을 결정하는 처리가 실시된다. 설정 화면 (SW1) 은, 이 처리 프로그램 작성 화면으로부터 이행하여 표시되는 화면이다.12 is a diagram showing a setting screen SW1 for setting a condition for detecting an interference fringe ST. In the substrate processing apparatus 100, on a processing program creation screen (not shown) displayed on the display unit 97, a process for determining the content of the processing to be executed by the operator in each cleaning processing unit 1 is performed. The setting screen SW1 is a screen displayed by shifting from this processing program creation screen.

설정 화면 (SW1) 은, 표시부 (97) 의 화면 전체 또는 그 일부에 표시된 윈도우로서 표시된다. 오퍼레이터가 설정 화면 (SW1) 상에서 소정의 조작을 실시하면, 판정 영역 설정부 (91) 는 그 조작 입력에 따라, 판정 영역 (DR) 의 조건을 설정한다. 판정 영역 설정부 (91) 는, 도 11 에 나타내는 스텝 S23 에 있어서, 그 설정한 조건에 합치하는 판정 영역 (DR) 을, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 를 검출하기 위한 촬영 화상 (82) 상에 설정한다.The setting screen SW1 is displayed as a window displayed on the entire screen of the display unit 97 or a part thereof. When the operator performs a predetermined operation on the setting screen SW1, the determination area setting unit 91 sets the conditions of the determination area DR according to the operation input. In step S23 shown in FIG. 11, the determination area setting unit 91 selects the determination area DR that matches the set condition on the captured image 82 for detecting the interference fringe ST to be detected. To set.

설정 화면 (SW1) 에는, 각종 정보를 표시하는 표시 영역 (DA1, DA2, DA3, DA4, DA5, DA6) 이 정의되어 있다. 표시 영역 (DA1) 에는, 제 1 처리 및 제 2 처리의 내용이 표시된다. 표시 영역 (DA1) 에는, 지정된 처리의 내용으로서, 예를 들어, 처리액의 종류, 처리액의 토출량, 처리액의 토출 시간, 및 처리액 토출시의 기판 (W) 의 회전수 등의 처리 조건의 각 파라미터가 표시된다. 또한, 표시 영역 (DA1) 에 있어서, 오퍼레이터의 입력 조작에 기초하여, 각 파라미터의 변경이 접수되어도 된다. 표시 영역 (DA1) 에서, 오퍼레이터가, 제 1 처리 또는 제 2 처리의 처리 내용을 설정하면, 이 제 2 처리 개시 타이밍이 결정된다. 표시 영역 (DA1) 에는, 후술하는 표시 영역 (DA2, DA3) 에 있어서 선택되는 검출 패턴 및 위치 패턴을 나타내는 영역이 정의되어 있다.In the setting screen SW1, display areas DA1, DA2, DA3, DA4, DA5, and DA6 that display various types of information are defined. In the display area DA1, the contents of the first process and the second process are displayed. In the display area DA1, as the contents of the designated processing, for example, processing conditions such as the type of the processing liquid, the discharge amount of the processing liquid, the discharge time of the processing liquid, and the number of rotations of the substrate W when the processing liquid is discharged. Each parameter of is displayed. Moreover, in the display area DA1, the change of each parameter may be accepted based on the input operation of an operator. In the display area DA1, when the operator sets the processing contents of the first processing or the second processing, this second processing start timing is determined. In the display area DA1, an area indicating a detection pattern and a position pattern selected in the display areas DA2 and DA3 described later is defined.

제 1 처리 및 제 2 처리가 설정되면, 그들의 처리 조건에 기초하여, 타이밍 결정부 (92) 가 검출 대상인 간섭 무늬 (ST) 를 자동적으로 결정한다. 이 결정 처리를 위한 사전 준비로서, 제 1 처리에 대하여 상이한 조건마다, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 미리 특정되면 된다. 이 경우, 처리액, 토출량, 회전수의 각 조건을 변경하여 제 1 처리를 실시한 각 경우에 대해, 제 2 처리의 바람직한 개시 타이밍이 결정되고, 그 개시 타이밍에 대응한 간섭 무늬 (ST) 가 결정되면 된다.When the first processing and the second processing are set, based on their processing conditions, the timing determining unit 92 automatically determines the interference fringe ST as a detection target. As a preliminary preparation for this determination process, the interference fringe ST to be detected may be specified in advance for each condition different from the first process. In this case, for each case in which the first treatment is performed by changing each condition of the treatment liquid, discharge amount, and rotation speed, the preferred start timing of the second treatment is determined, and the interference fringe (ST) corresponding to the start timing is determined Just do it.

표시 영역 (DA2) 에는, 검출 패턴을 선택하기 위한 각 버튼 (BT11, BT12, BT13, BT14) 이 표시된다. 각 버튼 (BT11, BT12, BT13) 은, 간섭 무늬 (ST) 의 검출 패턴을 상기 서술한 제 1 내지 제 3 검출 패턴 (도 8 내지 도 10 참조) 중 어느 것으로 설정하기 위한 조작부이다. 오퍼레이터가 버튼 (BT11, BT12, BT13) 중 어느 것을 조작함으로써, 대응하는 검출 패턴이 선택된다. 여기서는, 버튼 (BT11) 이 조작됨으로써, 제 1 검출 패턴이 선택되어 있고, 그 선택 결과를 나타내는 표시가, 표시 영역 (DA1) 에 표시되어 있다. 버튼 (BT14) 은, 검출 패턴을 자동적으로 설정하기 위한 조작부이다. 버튼 (BT14) 이 조작되면, 제 1 내지 제 3 검출 패턴 중 어느 것이 자동적으로 선택된다.In the display area DA2, buttons BT11, BT12, BT13, BT14 for selecting a detection pattern are displayed. Each button BT11, BT12, BT13 is an operation unit for setting the detection pattern of the interference fringe ST to any of the first to third detection patterns (see Figs. 8 to 10) described above. When the operator operates any of the buttons BT11, BT12, BT13, the corresponding detection pattern is selected. Here, by operating the button BT11, the first detection pattern is selected, and a display indicating the selection result is displayed on the display area DA1. The button BT14 is an operation unit for automatically setting a detection pattern. When the button BT14 is operated, any of the first to third detection patterns is automatically selected.

표시 영역 (DA3) 에는, 판정 영역 (DR) 의 위치 패턴을 선택하기 위한 각 버튼 (BT21, BT22, BT23, BT24) 이 표시된다. 오퍼레이터가 버튼 (BT21, BT22, BT23, BT24) 중 어느 것을 조작하면, 조작된 버튼에 따라 판정 영역 (DR) 의 위치 패턴이 설정된다. 버튼 (BT21, BT22, BT23) 에 할당되는 내용은, 표시 영역 (DA2) 에 있어서 선택된 검출 패턴마다 미리 설정되면 된다. 예를 들어, 제 1 검출 패턴의 경우, 1 개의 판정 영역 (DR11) 이 배치되는 위치 (예를 들어 직경 방향의 위치) 를, 버튼 (BT21, BT22, BT23) 사이에서 상이하게 하면 된다. 제 2 검출 패턴의 경우, 각 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 사이의 직경 방향에 있어서의 간격을, 버튼 (BT21, BT22, BT23) 사이에서 상이하게 하면 된다.In the display area DA3, each button BT21, BT22, BT23, BT24 for selecting the position pattern of the determination area DR is displayed. When the operator operates any of the buttons BT21, BT22, BT23, BT24, the position pattern of the determination area DR is set according to the operated button. The contents assigned to the buttons BT21, BT22, BT23 may be set in advance for each detection pattern selected in the display area DA2. For example, in the case of the first detection pattern, the position (for example, the position in the radial direction) at which one determination region DR11 is arranged may be made different between the buttons BT21, BT22, and BT23. In the case of the second detection pattern, the interval in the radial direction between the determination regions DR21, DR22, and DR23 may be made different between the buttons BT21, BT22, and BT23.

버튼 (BT24) 이 조작된 경우, 판정 영역 설정부 (91) 는, 자동적으로 판정 영역 (DR) 의 위치를 설정한다. 예를 들어, 판정 영역 설정부 (91) 는, 초기치로서 미리 정해진 위치에 판정 영역 (DR) 을 설정해도 되고, 혹은, 소정의 판단 기준에 기초하여 판정 영역 (DR) 의 위치를 설정해도 된다. 후자의 경우, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 에 따라, 그 간섭 무늬 (ST) 의 검출에 적합한 위치에 판정 영역을 설정하면 된다.When the button BT24 is operated, the determination area setting unit 91 automatically sets the position of the determination area DR. For example, the determination region setting unit 91 may set the determination region DR at a predetermined position as an initial value, or may set the position of the determination region DR based on a predetermined determination criterion. In the latter case, in accordance with the interference fringe ST of the object to be detected, the determination area may be set at a position suitable for detection of the interference fringe ST.

표시 영역 (DA4) 에는, 처리 대상의 기판 (W) 의 종류를 선택하기 위한 각 버튼 (BT31, BT32, BT33) 이 표시된다. 기판 (W) 의 종류는, 예를 들어, 기판 (W) 의 크기, 기판 (W) 의 상면에 있어서의 회로 패턴 등의 구조물의 유무, 기판 (W) 의 상면의 물에 대한 친화성 (소수성/친수성) 등, 간섭 무늬 (ST) 의 출현에 영향을 주는 각 상태에 대응하고 있는 것이 바람직하다.In the display area DA4, each button BT31, BT32, BT33 for selecting the type of the substrate W to be processed is displayed. The type of the substrate W is, for example, the size of the substrate W, the presence or absence of a structure such as a circuit pattern on the upper surface of the substrate W, and the affinity for water on the upper surface of the substrate W (hydrophobicity /Hydrophilicity), etc. It is preferable to correspond to each state that affects the appearance of the interference fringe ST.

표시 영역 (DA5) 에는, 촬영 화상 (82) 이 표시된다. 이 촬영 화상 (82) 은, 과거의 카메라 (70) 의 촬상에 의해 얻어진 촬영 화상이어도 되고, 혹은, 리얼타임의 카메라 (70) 의 촬상에 의해 얻어지는 촬영 화상이어도 된다. 촬영 화상 (82) 상에는, 바람직하게는, 표시 영역 (DA2, DA3) 에 있어서 선택된 검출 패턴 및 위치 패턴에 따라, 판정 영역 (DR) 을 나타내는 사각 형상의 프레임이 표시된다. 예를 들어, 제 1 검출 패턴이 선택된 경우에는 1 개의 판정 영역 (DR11) 이 표시되면 된다.In the display area DA5, a captured image 82 is displayed. The photographed image 82 may be a photographed image obtained by photographing by the camera 70 in the past, or may be a photographed image obtained by photographing by the camera 70 in real time. On the captured image 82, a rectangular frame representing the determination area DR is preferably displayed in accordance with the detection pattern and the position pattern selected in the display areas DA2 and DA3. For example, when the first detection pattern is selected, one determination area DR11 may be displayed.

촬영 화상 (82) 상에 있어서, 판정 영역 (DR) 의 위치를 변경하는 조작이 접수되어도 된다. 예를 들어, 드래그 조작이 접수되는 것에 의해, 판정 영역 (DR) 이 이동 후의 위치로 변경되어도 된다. 판정 영역 (DR) 의 이동 조작은, 직경 방향에 대응하는 일 방향 (여기서는, 촬영 화상 (82) 의 수평 방향) 으로만 변경되도록 해도 된다. 이 경우, 간섭 무늬 (ST) 의 이동 방향 (직경 방향 외방) 에 맞추어 판정 영역 (DR) 의 위치를 변경할 수 있기 때문에, 판정 영역 (DR) 을 용이하게 설정할 수 있다.On the captured image 82, an operation of changing the position of the determination area DR may be accepted. For example, when the drag operation is accepted, the determination area DR may be changed to the position after the movement. The movement operation of the determination area DR may be changed only in one direction corresponding to the radial direction (here, the horizontal direction of the captured image 82). In this case, since the position of the determination region DR can be changed according to the movement direction (outside the radial direction) of the interference fringe ST, the determination region DR can be easily set.

과거의 촬상에 의해 얻어진 촬영 화상 (82) 을 표시하는 경우, 표시 영역 (DA1) 에서 지정된 제 1 처리에서부터 제 2 처리로 이행할 때의 촬영 화상 (82) 으로서, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 출현하고 있는 촬영 화상 (82) (예를 들어, 도 7 에 나타내는 촬영 화상 (82b, 82c)) 을 채용할 수 있다. 이 경우, 오퍼레이터는, 간섭 무늬 (ST) 를 육안으로 보면서 판정 영역 (DR) 의 프레임을 이동시킬 수 있기 때문에, 판정 영역 (DR) 을 적절한 위치로 설정할 수 있다. 또, 표시 영역 (DA5) 에 있어서, 연속 촬상에 의해 얻어진 일련의 촬영 화상 (82) 을 연속 재생함으로써, 동영상 표시를 실시해도 된다. 이 경우, 재생 또는 정지 등의 표시를 제어하는 각종 버튼을 준비하여, 오퍼레이터에 의한 표시 제어가 접수되어도 된다. 이로써, 오퍼레이터는, 간섭 무늬 (ST) 가 출현하는 모습을 확인하면서, 판정 영역 (DR) 의 조건을 적절히 설정할 수 있다.In the case of displaying the captured image 82 obtained by past imaging, as the captured image 82 at the time of transition from the first processing designated in the display area DA1 to the second processing, the detection target interference fringe ST A photographed image 82 in which is appearing (for example, the photographed images 82b and 82c shown in FIG. 7) can be adopted. In this case, since the operator can move the frame of the judgment area DR while visually viewing the interference fringe ST, the judgment area DR can be set to an appropriate position. Further, in the display area DA5, a moving picture may be displayed by continuously reproducing a series of captured images 82 obtained by continuous imaging. In this case, various buttons for controlling display such as play or stop may be prepared, and display control by the operator may be accepted. Thereby, the operator can appropriately set the conditions of the determination area DR while confirming the appearance of the interference fringe ST.

표시 영역 (DA6) 은, 목표 막 두께의 입력을 접수하는 영역이다. 목표 막 두께는, 제 2 처리를 개시할 때의 기준이 되는 제 1 처리액의 액막 (W1) 의 두께이다. 목표 막 두께가 입력되면, 타이밍 결정부 (92) 는, 그 목표 막 두께에 대응할 때에 출현하는 간섭 무늬 (ST) 를 특정한다. 이 특정 처리를 위해, 사전 준비로서, 제 1 처리에 있어서의 노즐 (30) 로부터의 처리액의 토출 정지 후에 있어서, 액막 (W1) 의 두께가 측정된다. 각 간섭 무늬 (ST) 가 출현할 때의 각 출현 시간과, 액막 (W1) 의 두께의 관계가 특정되면 된다. 이 경우, 처리액, 토출량, 회전수의 각 조건을 변경하여 제 1 처리를 실시한 각 경우에 대해, 각 간섭 무늬 (ST) 의 출현 타이밍에 대응하는 액막 (W1) 의 두께가 결정되면 된다. 또한, 두께가 측정되는 기판 (W) 의 위치는, 기판 (W) 의 중심, 외측 가장자리, 또는, 이것들의 중간의 위치 중 어느 곳이어도 된다.The display area DA6 is an area that accepts input of the target film thickness. The target film thickness is the thickness of the liquid film W1 of the first treatment liquid that becomes a reference when starting the second treatment. When the target film thickness is input, the timing determining unit 92 specifies the interference fringe ST that appears when corresponding to the target film thickness. For this specific treatment, as a preliminary preparation, after stopping the discharge of the treatment liquid from the nozzle 30 in the first treatment, the thickness of the liquid film W1 is measured. The relationship between each appearance time when each interference fringe ST appears and the thickness of the liquid film W1 may be specified. In this case, the thickness of the liquid film W1 corresponding to the appearance timing of each interference fringe ST may be determined for each case in which the first treatment is performed by changing the conditions of the treatment liquid, the discharge amount, and the number of rotations. In addition, the position of the substrate W at which the thickness is measured may be any of the center of the substrate W, the outer edge, or an intermediate position thereof.

표시 영역 (DA6) 에 있어서 목표 막 두께가 입력된 경우, 표시 영역 (DA2, DA3) 에 있어서, 그 목표 막 두께에 대응하는 간섭 무늬 (ST) 에 따라, 그 간섭 무늬 (ST) 에 따른 검출 패턴, 및 위치 패턴의 후보가 축소되어 표시되어도 된다. 이 경우, 사전에 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 마다 검출 패턴 및 위치 패턴을 결정해 두면 된다.When the target film thickness is input in the display area DA6, in the display areas DA2 and DA3, the detection pattern according to the interference fringe ST according to the interference fringe ST corresponding to the target film thickness , And the candidates of the position pattern may be reduced and displayed. In this case, a detection pattern and a position pattern may be determined in advance for each interference fringe (ST) to be detected.

또, 제 1 처리에 있어서의 회전수 또는 토출 시간의 조건에 따라서는, 입력된 목표 막 두께에 도달하지 않는 것에 의해, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 를 특정할 수 없는 경우가 있다. 이와 같은 경우에는, 설정 화면 (SW1) 위 등에 있어서 「검지 불능, 스텝 시간을 길게 해 주세요」등의 표시를 실시해도 된다. 이로써, 오퍼레이터에 대해 처리 조건의 변경을 재촉할 수 있다.In addition, depending on the conditions of the number of rotations or the discharge time in the first process, the interference fringe ST of the detection object may not be specified because the input target film thickness is not reached. In such a case, a display such as "Disable detection and lengthen the step time" may be performed on the setting screen SW1 or the like. Thereby, it is possible to prompt the operator to change the processing conditions.

<2. 제 2실시형태><2. Second Embodiment>

다음으로, 제 2 실시형태에 대해 설명한다. 이후의 설명에 있어서, 앞서 설명한 요소와 동일하거나 또는 유사한 기능을 갖는 요소에 대해서는, 동일한 부호 또는 알파벳 문자를 추가한 부호를 부여하고, 상세한 설명을 생략하는 경우가 있다.Next, a second embodiment will be described. In the following description, elements having the same or similar functions as those described above are given the same reference numerals or symbols added with alphabetic characters, and detailed descriptions may be omitted.

도 13 은, 제 2 실시형태의 기판 처리 장치 (100A) 를 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (100A) 의 제어부 (9A) 는, 타이밍 결정부 (92A) 를 구비하고 있다. 타이밍 결정부 (92A) 는, 특징 벡터 추출부 (922) 및 분류기 (K2) 를 구비하고 있다.13 is a diagram showing a substrate processing apparatus 100A according to a second embodiment. The control unit 9A of the substrate processing apparatus 100A includes a timing determination unit 92A. The timing determination unit 92A includes a feature vector extraction unit 922 and a classifier K2.

특징 벡터 추출부 (922) 는, 스텝 S22 의 연속 촬상에 의해 취득된 일련의 촬영 화상 (82) 의 각각으로부터, 복수 종류의 특징량의 배열인 특징 벡터를 추출한다. 특징량의 항목은, 예를 들어, 그레이 스케일에서의 화소치 또는 휘도의 총합, 화소치 또는 휘도의 표준 편차 등이다.The feature vector extraction unit 922 extracts a feature vector, which is an array of plural types of feature quantities, from each of the series of captured images 82 acquired by continuous imaging in step S22. The item of the feature quantity is, for example, a pixel value in a gray scale or the sum of luminance, a standard deviation of a pixel value or luminance, and the like.

분류기 (K2) 는, 특징 벡터 추출부 (922) 에 의해 추출된 특징 벡터에 기초하여, 촬영 화상 (82) 을, 제 2 처리 개시 타이밍의 결정의 기준이 되는 화상인 것을 나타내는 제 1 클래스와, 제 2 처리 개시 타이밍의 결정의 기준은 되지 않는 화상인 것을 나타내는 제 2 클래스 사이에서 분류한다.The classifier K2 includes a first class indicating that the captured image 82 is an image that is a criterion for determination of the second processing start timing, based on the feature vector extracted by the feature vector extraction unit 922; It is classified among the second classes indicating that the images are not used as a criterion for determining the second processing start timing.

타이밍 결정부 (92A) 는, 일련의 촬영 화상 (82) 을 분류기 (K2) 에 의해 분류한다. 제 1 클래스로 분류되는 촬영 화상 (82) 이 출현한 경우에, 타이밍 결정부 (92A) 는, 그 촬영 화상 (82) 이 취득된 시간에 따라, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정한다. 즉, 분류기 (K2) 는, 복수 종류의 특징 벡터에 기초하여, 촬영 화상이 제 2 처리 개시 타이밍의 결정의 기준이 되는 화상인지의 여부를 판정하는 화상 판정부의 일례이다.The timing determination unit 92A classifies the series of captured images 82 by the classifier K2. When the captured image 82 classified in the first class appears, the timing determining unit 92A determines the second processing start timing according to the time at which the captured image 82 was acquired. That is, the classifier K2 is an example of an image determination unit that determines whether or not the captured image is an image that is a criterion for determining the second processing start timing, based on a plurality of types of feature vectors.

도 13 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (9A) 에는, 통신부 (99) 가 접속되어 있다. 통신부 (99) 는, 제어부 (9A) 가 서버 (8) 와 데이터 통신을 실시하기 위해서 형성된다. 기판 처리 장치 (100A), 통신부 (99) 및 서버 (8) 는, 기판 처리 시스템을 구성하고 있다. 분류기 (K2) 는, 서버 (8) 가 기계 학습에 의해 생성한 것으로서, 서버 (8) 로부터 제어부 (9A) 에 통신부 (99) 를 통하여 제공된다.As shown in Fig. 13, the communication unit 99 is connected to the control unit 9A. The communication unit 99 is formed so that the control unit 9A performs data communication with the server 8. The substrate processing apparatus 100A, the communication unit 99, and the server 8 constitute a substrate processing system. The classifier K2 is generated by the server 8 by machine learning, and is provided from the server 8 to the control unit 9A through the communication unit 99.

서버 (8) 는, 기계 학습부 (80) 를 구비하고 있다. 기계 학습부 (80) 는, 기계 학습에 의해 분류기 (K2) 를 생성한다. 기계 학습으로는, 뉴럴 네트워크 (neural network), 결정목, 서포트 벡터 머신 (SVM), 판별 분석 등의 공지된 수법을 채용할 수 있다.The server 8 includes a machine learning unit 80. The machine learning unit 80 generates the classifier K2 by machine learning. For machine learning, known techniques such as a neural network, a decision tree, a support vector machine (SVM), and discriminant analysis can be employed.

기계 학습부 (80) 의 기계 학습에 사용되는 교사 데이터로는, 예를 들어, 카메라 (70) 에 의해 얻어지는 촬영 화상 (82) (또는 그 특징 벡터) 의 각각에 클래스를 교시한 것을 이용할 수 있다. 카메라 (70) 에 의해 취득된 촬영 화상 (82) 은, 기판 처리 장치 (100A) 로부터 통신부 (99) 를 통하여 서버 (8) 에 제공할 수 있다.As the teacher data used for machine learning of the machine learning unit 80, for example, a class taught to each of the captured image 82 (or its feature vector) obtained by the camera 70 can be used. . The captured image 82 acquired by the camera 70 can be provided to the server 8 via the communication unit 99 from the substrate processing apparatus 100A.

예를 들어, 도 7 에 나타내는 촬영 화상 (82a, 82c, 82d) 을 교사 데이터로 하는 경우, 제 2 처리 개시 타이밍의 기준이 되는 촬영 화상 (82) 이, 촬영 화상 (82c) (즉, 기판 (W) 상에 출현하는 간섭 무늬 (ST) 의 수가 3 개인 상태) 일 때에는, 당해 촬영 화상 (82c) 에 대해서는 제 2 처리 개시 타이밍의 기준인 것을 나타내는 제 1 클래스를 교시한다. 그리고, 촬영 화상 (82a, 82b, 82d) 에 대해서는 제 2 처리 개시 타이밍의 기준은 아닌 것을 나타내는 제 2 클래스를 교시하면 된다. 이와 같은 각 교사 데이터를 다수 준비하여, 기계 학습부 (80) 에 학습시키는 것에 의해, 기계 학습부 (80) 가 특징 벡터에 기초하여 촬영 화상 (82) 을 제 1 클래스 및 제 2 클래스 사이에서 분류하는 분류기 (K2) 를 생성한다.For example, in the case where the captured images 82a, 82c, 82d shown in Fig. 7 are used as teacher data, the captured image 82 serving as the reference for the second processing start timing is the captured image 82c (that is, the substrate ( When the number of interference fringes ST appearing on W) is three), a first class indicating that the second processing start timing is a reference for the photographed image 82c is taught. In addition, for the captured images 82a, 82b, 82d, a second class indicating that the second processing start timing is not a reference may be taught. By preparing a large number of such teacher data and having the machine learning unit 80 learn it, the machine learning unit 80 classifies the captured image 82 between the first class and the second class based on the feature vector. It creates a classifier (K2).

분류기 (K2) 는, 기판 (W) 의 종류 (예를 들어, 기판 (W) 의 크기, 기판 (W) 의 상면에 있어서의 회로 패턴 등의 구조물의 유무, 기판 (W) 의 상면의 물에 대한 친화성 (소수성/친수성)) 마다, 혹은, 제 1 처리의 상이한 조건 (처리액의 종류, 토출량, 토출 시간) 마다, 복수 종류의 분류기 (K2) 가 생성되면 된다. 이 경우, 기판 (W) 의 종류마다, 혹은, 제 1 처리의 상이한 조건마다 교사 데이터를 준비하여, 기계 학습이 실시되면 된다.The classifier K2, the type of the substrate W (e.g., the size of the substrate W, the presence or absence of a structure such as a circuit pattern on the upper surface of the substrate W, the water on the upper surface of the substrate W). For each affinity (hydrophobicity/hydrophilicity)) or for different conditions of the first treatment (type of treatment liquid, discharge amount, discharge time), a plurality of types of classifiers K2 may be generated. In this case, the teacher data may be prepared for each type of the substrate W or for each different condition of the first processing, and machine learning may be performed.

서버 (8) 에 대해 복수대의 기판 처리 장치 (100A) 가 통신 가능하게 접속 됨으로써, 서버 (8) 로부터 각 기판 처리 장치 (100A) 에 분류기 (K2) 가 제공되어도 된다.By connecting the plurality of substrate processing apparatuses 100A to the server 8 so that communication is possible, the classifier K2 may be provided from the server 8 to each of the substrate processing apparatuses 100A.

분류기 (K2) 가 서버 (8) 로부터 제공되는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 분류기 (K2) 가, 광학 미디어, 플래시 메모리 등의 기억 매체를 통하여, 제어부 (9A) 에 제공되어도 된다. 또, 기판 처리 장치 (100A) 가 기계 학습부 (80) 를 구비하는 것에 의해, 기판 처리 장치 (100A) 에 있어서 분류기 (K2) 가 생성되어도 된다.It is not essential that the classifier K2 is provided from the server 8. For example, the classifier K2 may be provided to the control unit 9A through a storage medium such as an optical medium and a flash memory. Moreover, since the substrate processing apparatus 100A includes the machine learning unit 80, the classifier K2 may be generated in the substrate processing apparatus 100A.

기판 처리 장치 (100A) 에 있어서, 제 2 처리 개시 타이밍의 결정 처리는, 도 11 에 나타내는 스텝 S24 (IPA 의 공급 정지) 의 후, 타이밍 결정부 (92A) 가, 카메라 (70) 에 의해 취득되는 일련의 촬영 화상 (82) 을 분류기 (K2) 가 클래스 분류함으로써, 제 2 처리 개시 타이밍의 기준이 되는 촬영 화상 (82) 을 검출한다. 그리고, 타이밍 결정부 (92A) 는, 그 촬영 화상 (82) 이 검출된 검출 시간, 혹은, 그 검출 시간으로부터 이미 정해진 지연 시간을 가산한 시간을, 제 2 처리 개시 타이밍으로 한다.In the substrate processing apparatus 100A, the determination processing of the second processing start timing is performed by the timing determination unit 92A obtained by the camera 70 after step S24 (IPA supply stop) shown in FIG. 11. The classifier K2 classifies the series of captured images 82 to detect the captured image 82 serving as a reference for the second processing start timing. Then, the timing determination unit 92A sets the detection time at which the captured image 82 is detected, or a time obtained by adding a predetermined delay time from the detection time, as the second processing start timing.

본 실시형태에서는, 분류기 (K2) 는 촬영 화상 (82) 의 전체에 기초하여 클래스 분류를 실시한다. 이 때문에, 촬영 화상 (82) 의 전체가 판정 영역이 된다. 또, 상기 서술한 바와 같이, 분류기 (K2) 는, 간섭 무늬 (ST) 의 출현 상태에 따라 클래스가 교시된 촬영 화상 (82) 을 교사 데이터로 하여 기계 학습에 의해 생성된다. 이 때문에, 타이밍 결정부 (92A) 는, 판정 영역 내에 있어서의 직경 방향 외방으로 이동하는 간섭 무늬 (ST) (촬영 화상 (82) 상에서는 광 강도에 관한 극치점) 에 따라, 제 2 처리의 개시 타이밍을 결정하게 된다.In the present embodiment, the classifier K2 classifies the class based on the entire captured image 82. For this reason, the whole of the captured image 82 becomes a judgment area. In addition, as described above, the classifier K2 is generated by machine learning using the captured image 82 taught by the class according to the appearance state of the interference fringe ST as teacher data. For this reason, the timing determination unit 92A is the start timing of the second processing according to the interference fringe ST (extreme point related to the light intensity on the captured image 82) moving radially outward in the determination area. To decide.

본 실시형태에 있어서도, 제 1 처리액의 액막 (W1) 의 두께에 따라 출현하는 간섭 무늬 (ST) 에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다. 따라서, 제 2 처리가 액 처리인 경우에는, 액막 (W1) 을 가능한 한 얇게 하고 나서 제 2 처리를 개시함으로써 제 1 처리액으로부터 제 2 처리액으로의 치환을 촉진시킬 수 있기 때문에, 제 2 처리액의 공급량 및 공급 시간을 짧게 할 수 있다. 또, 제 2 처리가 건조 처리인 경우에도, 제 1 처리액의 액막 (W1) 이 최적인 두께일 때에, 건조 처리를 개시할 수 있다.Also in this embodiment, the second processing start timing can be determined based on the interference fringes ST appearing in accordance with the thickness of the liquid film W1 of the first processing liquid. Therefore, in the case where the second treatment is a liquid treatment, the second treatment can be accelerated by making the liquid film W1 as thin as possible and then starting the second treatment, thereby promoting the substitution of the first treatment liquid to the second treatment liquid. The supply amount and supply time of the liquid can be shortened. Further, even when the second treatment is a drying treatment, the drying treatment can be started when the liquid film W1 of the first treatment liquid has an optimum thickness.

또한, 촬영 화상 (82) 의 전체를 교사 데이터로 하는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 촬영 화상 (82) 으로부터 판정 영역 (DR) 내의 화상 부분만을, 교사 데이터로서 이용할 수 있다. 이 경우, 화상 사이즈를 작게 할 수 있기 때문에, 각종 연산 처리량을 저감시킬 수 있다.In addition, it is not essential to use the entire captured image 82 as teacher data. For example, only the image part in the judgment area DR from the captured image 82 can be used as teacher data. In this case, since the image size can be made small, the amount of various calculation processing can be reduced.

이 발명은 상세하게 설명되었지만, 상기한 설명은, 모든 국면에 있어서, 예시로서, 이 발명이 그것에 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 이 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 상정될 수 있는 것으로 해석된다. 상기 각 실시형태 및 각 변형예에서 설명한 각 구성은, 서로 모순되지 않는 한, 조합, 또는 생략 가능하다.Although this invention has been described in detail, the above description is, in all aspects, by way of example, and this invention is not limited thereto. It is construed that a myriad of modifications that are not illustrated can be conceived without departing from the scope of this invention. Each configuration described in each of the above embodiments and each modification can be combined or omitted unless contradictory to each other.

100, 100A : 기판 처리 장치
1 : 세정 처리 유닛
8 : 서버
9, 9A : 제어부
10 : 챔버
20 : 스핀 척
21 : 스핀 베이스
22 : 스핀 모터
24 : 회전축
26 : 척 핀
30, 60, 65 : 노즐
31 : 토출 헤드
70 : 카메라
71 : 조명부
80 : 기계 학습부
82, 82a, 82b, 82c, 82d : 촬영 화상
91 : 판정 영역 설정부
92, 92A : 타이밍 결정부
96 : 기억부
97 : 표시부
98 : 입력부
99 : 통신부
921 : 극치점 검출부
922 : 특징 벡터 추출부
CX : 회전축선
DR, DR11, DR21, DR22, DR23, DR31 : 판정 영역
K2 : 분류기 (화상 판정부)
ST, ST1, ST2, ST3, STL : 간섭 무늬
W : 기판
W1 : (제 1 처리액의) 액막
100, 100A: substrate processing equipment
1: washing treatment unit
8: server
9, 9A: control unit
10: chamber
20: spin chuck
21: spin base
22: spin motor
24: rotating shaft
26: chuck pin
30, 60, 65: nozzle
31: discharge head
70: camera
71: lighting unit
80: Machine Learning Department
82, 82a, 82b, 82c, 82d: photographed image
91: judgment area setting unit
92, 92A: Timing determination unit
96: memory
97: display
98: input
99: Communication Department
921: extreme value point detection unit
922: feature vector extraction unit
CX: axis of rotation
DR, DR11, DR21, DR22, DR23, DR31: Judgment area
K2: Classifier (image judgment unit)
ST, ST1, ST2, ST3, STL: interference fringes
W: substrate
W1: liquid film (of the first treatment liquid)

Claims (17)

수평 자세로 회전하는 기판의 상면을 처리액으로 처리하는 기판 처리 방법으로서,
(a) 수평 자세로 기판을 유지하는 공정과,
(b) 상기 공정 (a) 에 의해 수평 자세로 유지되어 있는 상기 기판을 연직 방향의 회전축선 둘레로 회전시키는 공정과,
(c) 상기 공정 (b) 에 의해 회전하는 상기 기판의 상면에 제 1 처리액을 공급하는 공정과,
(d) 상기 공정 (c) 의 후, 상기 제 1 처리액의 공급을 정지시키는 공정과,
(e) 상기 공정 (d) 의 후, 상기 기판의 상면에 잔류하는 상기 제 1 처리액의 막을 얇게 하는 공정과,
(f) 상기 공정 (e) 에 있어서, 상기 기판의 상면을 카메라로 촬영하는 공정과,
(g) 상기 공정 (f) 에 의해 취득되는 촬영 화상에 설정된 판정 영역 내에 있어서의, 상기 회전축선과 직교하는 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대 또는 극소가 되는 극치점에 따라, 상기 기판에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정하는 공정과,
(h) 상기 공정 (g) 에서 결정된 타이밍에 따라, 상기 기판에 대해 상기 제 2 처리를 실시하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
As a substrate processing method for treating an upper surface of a substrate rotating in a horizontal posture with a processing liquid,
(a) the process of holding the substrate in a horizontal position, and
(b) a step of rotating the substrate held in a horizontal posture by the step (a) around a rotation axis in a vertical direction, and
(c) a step of supplying a first processing liquid to the upper surface of the substrate rotated by the step (b), and
(d) after the step (c), the step of stopping the supply of the first treatment liquid,
(e) a step of thinning the film of the first processing liquid remaining on the upper surface of the substrate after the step (d), and
(f) in the step (e), the step of photographing the upper surface of the substrate with a camera,
(g) In accordance with the extreme value point at which the light intensity in the radial direction orthogonal to the rotation axis in the determination area set in the captured image acquired by the step (f) becomes maximum or minimum, 2 The process of determining the timing of processing, and
(h) a step of performing the second treatment on the substrate according to the timing determined in the step (g).
제 1 항에 있어서,
상기 공정 (h) 에 있어서, 상기 기판의 상면 전체에 상기 제 1 처리액의 막이 잔류하고 있는 동안에, 상기 제 2 처리가 개시되는, 기판 처리 방법.
The method of claim 1,
In the step (h), the second processing is started while the film of the first processing liquid remains on the entire upper surface of the substrate.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 판정 영역이, 상기 촬영 화상에 있어서의 상기 기판의 상기 상면에 설정되는, 기판 처리 방법.
The method according to claim 1 or 2,
The substrate processing method, wherein the determination area is set on the upper surface of the substrate in the photographed image.
제 3 항에 있어서,
상기 공정 (g) 는,
(g1) 상기 판정 영역 내에 있어서 1 개의 극치점이 검출되고 나서 다음의 극치점이 검출될 때까지의 시간에 따라, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
The method of claim 3,
The step (g) is,
(g1) A method of processing a substrate comprising a step of determining the timing in accordance with a time from the detection of one extreme value point to the detection of the next extreme value point in the determination area.
제 4 항에 있어서,
상기 공정 (g) 는,
(g2) 상기 판정 영역 내에 있어서, 제 1 극치점이 검출되고 나서 제 2 극치점이 검출될 때까지의 제 1 시간과, 상기 제 2 극치점이 검출되고 나서 제 3 극치점이 검출될 때까지의 제 2 시간에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
The method of claim 4,
The step (g) is,
(g2) In the determination area, a first time from the detection of the first extreme value point until the second extreme value point is detected, and a second time from the detection of the second extreme value point until the third extreme value point is detected. Based on, determining the timing of the substrate processing method.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공정 (g) 는,
(g3) 상기 판정 영역에 있어서 검출되는 제 1 극치점과 당해 제 1 극치점으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 2 극치점 사이의 제 1 거리에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The step (g) is,
(g3) a step of determining the timing based on a first distance between a first extreme value point detected in the determination region and a second extreme value point radially outward from the first extreme value point. Processing method.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 판정 영역은, 제 1 판정 영역과, 당해 제 1 판정 영역으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 2 판정 영역을 포함하고,
상기 (g) 공정은,
(g4) 상기 제 1 판정 영역에 있어서 제 1 극치점이 검출되고, 상기 제 2 판정 영역에 있어서 제 2 극치점이 검출되는 것에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The determination region includes a first determination region and a second determination region radially outward from the first determination region, and
The step (g),
(g4) A substrate processing method comprising a step of determining the timing based on the detection of a first extreme value point in the first determination region and detection of a second extreme value point in the second determination region.
제 7 항에 있어서,
(i) 상기 공정 (g) 보다 전에, 상기 제 1 판정 영역에 대한 상기 제 2 판정 영역의 직경 방향에 있어서의 상대적인 위치를 변경하는 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.
The method of claim 7,
(i) Prior to the step (g), the substrate processing method further includes a step of changing a relative position in the radial direction of the second determination region with respect to the first determination region.
제 6 항에 있어서,
상기 공정 (g) 는,
(g5) 상기 제 1 거리와, 상기 판정 영역 내에 있어서, 상기 제 2 극치점과 상기 제 2 극치점으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 3 극치점 사이의 제 2 거리에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
The method of claim 6,
The step (g) is,
(g5) determining the timing based on the first distance and a second distance between the second extreme value point and a third extreme value point radially outward from the second extreme value point in the determination area A method of treating a substrate, including a process.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공정 (g) 는,
(g6) 상기 판정 영역에 있어서, 복수의 극치점 중, 마지막으로 검출 가능한 최종 극치점으로부터 세어 3 개의 상기 극치점을 검출함으로써, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
The method according to any one of claims 1 to 9,
The step (g) is,
(g6) a step of determining the timing by counting from a last detectable final extreme value point among a plurality of extreme value points and detecting the three extreme value points in the determination area.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 카메라가 적외선 카메라인, 기판 처리 방법.
The method according to any one of claims 1 to 10,
The substrate processing method, wherein the camera is an infrared camera.
제 11 항에 있어서,
상기 공정 (f) 는,
(f1) 상기 기판의 상면에 적외선을 조사하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
The method of claim 11,
The step (f) is,
(f1) A substrate processing method comprising the step of irradiating infrared rays onto the upper surface of the substrate.
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 처리는, 상기 기판의 상면에 상기 제 1 처리액과는 상이한 제 2 처리액을 공급하는 처리인, 기판 처리 방법.
The method according to any one of claims 1 to 12,
The second processing is a processing of supplying a second processing liquid different from the first processing liquid to an upper surface of the substrate.
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 처리는, 기판의 회전 속도를 상기 공정 (e) 일 때보다 크게 하여, 상기 기판의 상면에 잔류하는 상기 제 1 처리액을 제거하는 처리인, 기판 처리 방법.
The method according to any one of claims 1 to 12,
The second processing is a processing of removing the first processing liquid remaining on the upper surface of the substrate by increasing the rotational speed of the substrate than in the step (e).
수평 자세로 회전하는 기판의 상면에 대한 액 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서,
기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부에 유지된 기판인 대상 기판을 연직 방향의 회전축선 둘레로 회전시키는 회전부와,
상기 대상 기판의 상면에 제 1 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
상기 대상 기판의 상면을 촬영하는 카메라와,
상기 카메라에 의해 취득되는 촬영 화상에 설정된 판정 영역 내에 있어서, 상기 회전축선과 직교하는 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대치 또는 극소치가 되는 극치점의 직경 방향 외방을 향한 이동에 따라, 상기 대상 기판에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정하는 타이밍 결정부와,
상기 타이밍 결정부에 의해 결정된 상기 타이밍에 따라, 상기 대상 기판에 제 2 처리를 실시하는 제 2 처리 실행부를 구비하는, 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus that performs liquid treatment on an upper surface of a substrate rotating in a horizontal posture,
A substrate holding unit that holds the substrate in a horizontal position,
A rotation unit that rotates a target substrate, which is a substrate held in the substrate holding unit, around a rotation axis in a vertical direction,
A processing liquid supply unit for supplying a first processing liquid to the upper surface of the target substrate,
A camera for photographing an upper surface of the target substrate,
With respect to the target substrate as the light intensity in the radial direction orthogonal to the rotation axis moves toward the outer side in the radial direction of the extreme value point that becomes the maximum value or the minimum value in the judgment area set in the photographed image acquired by the camera. A timing determination unit that determines a timing to perform the second processing;
A substrate processing apparatus comprising: a second processing execution unit that performs a second processing on the target substrate according to the timing determined by the timing determination unit.
제 15 항에 있어서,
상기 판정 영역이, 상기 촬영 화상에 있어서의 상기 대상 기판의 상기 상면에 설정되는, 기판 처리 장치.
The method of claim 15,
The substrate processing apparatus, wherein the determination area is set on the upper surface of the target substrate in the photographed image.
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
상기 타이밍 결정부는,
상기 촬영 화상으로부터 복수 종류의 특징 벡터를 추출하는 특징 벡터 추출부와,
상기 복수 종류의 특징 벡터에 기초하여, 상기 촬영 화상이 상기 타이밍의 결정의 기준이 되는 화상인지의 여부를 판정하는 화상 판정부를 포함하는, 기판 처리 장치.
The method of claim 15 or 16,
The timing determination unit,
A feature vector extracting unit for extracting a plurality of types of feature vectors from the captured image;
And an image determination unit that determines whether or not the photographed image is an image used as a criterion for determining the timing, based on the plurality of types of feature vectors.
KR1020217004601A 2018-08-31 2019-07-24 Substrate processing method and substrate processing apparatus KR102530718B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018163331A JP7202106B2 (en) 2018-08-31 2018-08-31 Substrate processing method and substrate processing apparatus
JPJP-P-2018-163331 2018-08-31
PCT/JP2019/029061 WO2020044883A1 (en) 2018-08-31 2019-07-24 Substrate processing method and substrate processing device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210031951A true KR20210031951A (en) 2021-03-23
KR102530718B1 KR102530718B1 (en) 2023-05-09

Family

ID=69643471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217004601A KR102530718B1 (en) 2018-08-31 2019-07-24 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7202106B2 (en)
KR (1) KR102530718B1 (en)
CN (1) CN112640056A (en)
TW (1) TWI743523B (en)
WO (1) WO2020044883A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023189656A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-05 倉敷紡績株式会社 Substrate processing status monitoring device and substrate processing status monitoring method
JP2023184112A (en) * 2022-06-17 2023-12-28 株式会社Screenホールディングス Monitoring method and manufacturing equipment

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02233174A (en) * 1989-03-06 1990-09-14 Mitsubishi Electric Corp Coating apparatus
JP2004335542A (en) 2003-04-30 2004-11-25 Toshiba Corp Method of cleaning and drying substrate
JP2008091752A (en) * 2006-10-04 2008-04-17 Sokudo:Kk Method and apparatus of development for substrate
JP2010062259A (en) * 2008-09-02 2010-03-18 Shibaura Mechatronics Corp Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2010114414A (en) 2008-06-16 2010-05-20 Toshiba Corp Method of treating surface of semiconductor substrate
JP2017069354A (en) * 2015-09-29 2017-04-06 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing device and substrate processing method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0669021B2 (en) * 1985-07-26 1994-08-31 株式会社ニコン Projection optics
JP3568360B2 (en) * 1997-05-30 2004-09-22 大日本スクリーン製造株式会社 Processing liquid supply device
JP3673237B2 (en) * 2002-04-02 2005-07-20 株式会社東芝 Solid film forming method
TWI223107B (en) * 2003-04-01 2004-11-01 Hunatech Co Ltd Light guiding panel formed with minute recesses, backlight unit using the same, and method and apparatus for manufacturing light guiding panel
TWI290614B (en) * 2006-04-21 2007-12-01 Advance Design Technology Inc A measuring apparatus for the thin film thickness using interference technology of laser
JP2009262161A (en) * 2008-04-22 2009-11-12 Olympus Corp Correcting apparatus, correcting method, control device, and program
CN101593667B (en) * 2008-05-26 2011-03-23 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 Method for improving consistency of thickness of dielectric layers deposited on different substrates
JP5305792B2 (en) * 2008-08-29 2013-10-02 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5290837B2 (en) * 2009-03-31 2013-09-18 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5858817B2 (en) * 2012-02-16 2016-02-10 株式会社Screenホールディングス Teacher data creation method, image classification method, and image classification apparatus
JP6203098B2 (en) * 2013-03-29 2017-09-27 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101514671B1 (en) * 2014-11-10 2015-04-23 (주) 일하하이텍 Member of processing thin film and apparatus of processing substrate having the same
JP6547650B2 (en) * 2016-02-05 2019-07-24 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
JP6785092B2 (en) * 2016-08-19 2020-11-18 株式会社Screenホールディングス Displacement detection device, displacement detection method and substrate processing device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02233174A (en) * 1989-03-06 1990-09-14 Mitsubishi Electric Corp Coating apparatus
JP2004335542A (en) 2003-04-30 2004-11-25 Toshiba Corp Method of cleaning and drying substrate
JP2008091752A (en) * 2006-10-04 2008-04-17 Sokudo:Kk Method and apparatus of development for substrate
JP2010114414A (en) 2008-06-16 2010-05-20 Toshiba Corp Method of treating surface of semiconductor substrate
JP2010062259A (en) * 2008-09-02 2010-03-18 Shibaura Mechatronics Corp Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2017069354A (en) * 2015-09-29 2017-04-06 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing device and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
TW202023692A (en) 2020-07-01
WO2020044883A1 (en) 2020-03-05
JP7202106B2 (en) 2023-01-11
JP2020035961A (en) 2020-03-05
KR102530718B1 (en) 2023-05-09
TWI743523B (en) 2021-10-21
CN112640056A (en) 2021-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6423672B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102448443B1 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system
US10651064B2 (en) Substrate treatment device and substrate treatment method
JP7443163B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102557072B1 (en) Movable part position detection method, substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system
KR102239956B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102530718B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2011174757A (en) Defect inspection method, program, computer storage medium, and defect inspection device
KR102554161B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2020137803A1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
TWI749604B (en) Substrate treatment apparatus
JP2021044467A (en) Detection device and detection method
KR102507583B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20230283909A1 (en) Monitoring method in substrate processing apparatus and substrate processing apparatus
JP2022118052A (en) Method for detecting position of movable part, substrate processing method, substrate processing device, and substrate processing system
KR20230012578A (en) Setting method of setting information used for substrate processing monitoring, monitoring method of substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant