KR20210031951A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate processing method and substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210031951A KR20210031951A KR1020217004601A KR20217004601A KR20210031951A KR 20210031951 A KR20210031951 A KR 20210031951A KR 1020217004601 A KR1020217004601 A KR 1020217004601A KR 20217004601 A KR20217004601 A KR 20217004601A KR 20210031951 A KR20210031951 A KR 20210031951A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- extreme value
- timing
- determination
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 376
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 331
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 51
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 221
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 99
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 75
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 134
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 130
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 208000000785 Invasive Pulmonary Aspergillosis Diseases 0.000 description 35
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 27
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 26
- 101000854908 Homo sapiens WD repeat-containing protein 11 Proteins 0.000 description 23
- 102100020705 WD repeat-containing protein 11 Human genes 0.000 description 23
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 20
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 17
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 17
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000012706 support-vector machine Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000003066 decision tree Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007562 laser obscuration time method Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/704—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow using marked regions or existing inhomogeneities within the fluid stream, e.g. statistically occurring variations in a fluid parameter
- G01F1/708—Measuring the time taken to traverse a fixed distance
- G01F1/7086—Measuring the time taken to traverse a fixed distance using optical detecting arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
액 처리인 제 1 처리 후, 후속하는 제 2 처리를 개시하는 타이밍을 적절히 결정하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위해서, 제 1 처리액의 공급을 정지시킨 후, 기판의 상면을 카메라에 의해 촬상한다. 카메라에 의해 취득된 촬영 화상의 판정 영역 내에 있어서, 휘도 (광 강도) 의 직경 방향에 있어서의 극치점을 검출함으로써, 간섭 무늬를 검출한다. 검출 대상의 간섭 무늬가 검출된 경우, 타이밍 결정부는, 제 2 처리를 개시하는 타이밍을 결정한다.It is an object of the present invention to provide a technique for appropriately determining the timing of starting the subsequent second processing after the first processing which is a liquid processing. In order to achieve this object, after stopping the supply of the first processing liquid, the upper surface of the substrate is imaged with a camera. An interference fringe is detected by detecting the extreme value point in the radial direction of the luminance (light intensity) in the judgment area of the captured image acquired by the camera. When an interference fringe to be detected is detected, the timing determination unit determines a timing to start the second process.
Description
본 발명은, 기판을 처리하는 기술에 관한 것으로, 특히, 처리액으로 기판을 처리하는 기술에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 기판, 액정 표시 장치 및 유기 EL (Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판, 프린트 기판 등이 포함된다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a technology for processing a substrate, and more particularly, to a technology for processing a substrate with a processing liquid. Substrates to be processed include, for example, FPD (Flat Panel Display) substrates such as semiconductor substrates, liquid crystal displays, and organic EL (Electroluminescence) displays, optical disk substrates, magnetic disk substrates, and magneto-optical disks. Substrates, photomask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, and printed circuit boards are included.
반도체 제조에 있어서는, 먼저 반도체 기판의 표면을 소정의 액체로 처리하는 제 1 처리가 실시된 후에, 반도체 기판에 대해 다른 제 2 처리가 실시되는 경우가 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 표면에 미세한 패턴을 갖는 반도체 기판을 소수화제로 처리함으로써, 미세 패턴의 도괴를 억제하는 것이 기재되어 있다. 보다 상세하게는, 먼저 액체인 PGMEA (프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트) 로 반도체 기판을 처리한 후에, 소수화제로 반도체 기판이 처리된다.In semiconductor manufacturing, a first treatment in which the surface of a semiconductor substrate is treated with a predetermined liquid is first performed, and then another second treatment is sometimes performed on the semiconductor substrate. For example,
또, 특허문헌 2 에는, 고속 회전에 의한 기판 건조시에 레지스트 패턴의 도괴를 억제하는 기술에 대해 개시되어 있다. 구체적으로는, 레지스트 패턴이 형성된 기판에 대해, 먼저 제 1 처리로서 린스액을 공급하는 액 처리가 실시된 후, 제 2 처리로서 기판을 고속 회전시켜 건조시키는 건조 처리가 실시된다. 특허문헌 2 에는, 린스액의 공급이 완료된 후, 기판 중심으로부터 외주를 향한 기판 주면의 건조 영역의 확대에 따라, 기판의 회전 속도를 제어하는 것, 나아가서는, 건조 영역의 경계의 위치 검출을, 간섭 무늬의 변화를 계측하여 실시하는 것이 기재되어 있다.In addition, Patent Document 2 discloses a technique for suppressing collapse of a resist pattern during drying of a substrate by high-speed rotation. Specifically, the substrate on which the resist pattern is formed is first subjected to a liquid treatment in which a rinse liquid is supplied as a first treatment, and then, as a second treatment, a drying treatment in which the substrate is rotated at high speed to dry it. In Patent Document 2, after the supply of the rinse liquid is completed, controlling the rotational speed of the substrate according to the expansion of the drying area on the main surface of the substrate toward the outer circumference from the center of the substrate, furthermore, detecting the position of the boundary of the drying area It is described that the change in the interference fringe is measured and carried out.
일반적으로는, 제 1 처리에서 기판에 공급된 제 1 처리액의 액막의 두께는, 후속하는 제 2 처리에 영향을 줄 가능성이 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 의 경우, 제 1 처리에 있어서 기판에 PGMEA 가 공급되고, 그 공급이 정지되고 나서, 기판에 대해 제 2 처리인 소수화제의 공급이 실시된다. 이 때, 기판의 PGMEA 의 액막이 과잉으로 두꺼운 경우, 소수화제에 대한 치환 효율이 저하된다. 그러나, 특허문헌 1 에서는, 최적인 타이밍으로 소수화제의 공급을 실시하는 기술에 대해서는 전혀 개시되어 있지 않다.In general, the thickness of the liquid film of the first treatment liquid supplied to the substrate in the first treatment may have an influence on the subsequent second treatment. For example, in the case of
또, 특허문헌 2 에서는, 제 2 처리의 건조 처리를 개시하는 제어를 간섭 무늬의 변화를 계측하여 실시한다고 기재되어 있을 뿐으로, 간섭 무늬를 검출하는 기술은 전혀 개시되어 있지 않다. 이 때문에, 인용 문헌 2 에 기초하여, 건조 처리를 개시하는 타이밍을 적절히 결정하는 것은 곤란하다.In addition, in Patent Document 2, it is only described that the control for starting the drying process of the second process is performed by measuring the change of the interference fringe, and a technique for detecting the interference fringe is not disclosed at all. For this reason, it is difficult to appropriately determine the timing to start the drying treatment based on the cited document 2.
그래서, 본 발명은, 액 처리인 제 1 처리 후, 후속하는 제 2 처리를 개시하는 타이밍을 적절히 결정하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a technique for appropriately determining the timing of starting the subsequent second processing after the first processing which is the liquid processing.
상기 과제를 해결하기 위해, 제 1 양태의 기판 처리 방법은, 수평 자세로 회전하는 기판의 상면을 처리액으로 처리하는 기판 처리 방법으로서, (a) 수평 자세로 기판을 유지하는 공정과, (b) 상기 공정 (a) 에 의해 수평 자세로 유지되어 있는 상기 기판을 연직 방향의 회전축선 둘레로 회전시키는 공정과, (c) 상기 공정 (b) 에 의해 회전하는 상기 기판의 상면에 제 1 처리액을 공급하는 공정과, (d) 상기 공정 (c) 의 후, 상기 제 1 처리액의 공급을 정지시키는 공정과, (e) 상기 공정 (d) 의 후, 상기 기판의 상면에 잔류하는 상기 제 1 처리액의 막을 얇게 하는 공정과, (f) 상기 공정 (e) 에 있어서, 상기 기판의 상면을 카메라로 촬영하는 공정과, (g) 상기 공정 (f) 에 의해 취득되는 촬영 화상에 설정된 판정 영역 내에 있어서의, 상기 회전축선과 직교하는 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대 또는 극소가 되는 극치점에 따라, 상기 기판에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정하는 공정과, (h) 상기 공정 (g) 에서 결정된 타이밍에 따라, 상기 기판에 대해 상기 제 2 처리를 실시하는 공정을 포함한다.In order to solve the above problems, the substrate processing method of the first aspect is a substrate processing method in which an upper surface of a substrate rotating in a horizontal position is treated with a processing liquid, comprising: (a) a step of holding the substrate in a horizontal position, and (b ) A step of rotating the substrate held in a horizontal posture by the step (a) around a rotation axis in a vertical direction, and (c) a first treatment liquid on the upper surface of the substrate rotated by the step (b) A step of supplying, (d) a step of stopping the supply of the first processing liquid after the step (c), and (e) the first remaining on the upper surface of the substrate after the step (d). 1 The process of thinning the film of the processing liquid, (f) a process of photographing the upper surface of the substrate with a camera in the above process (e), and (g) a judgment set in the photographed image acquired by the above process (f) A step of determining a timing for performing a second treatment on the substrate according to an extreme value point at which the light intensity in a radial direction perpendicular to the rotation axis in a region becomes maximum or minimum, and (h) the step and performing the second treatment on the substrate according to the timing determined in (g).
제 2 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (h) 에 있어서, 상기 기판의 상면 전체에 상기 제 1 처리액의 막이 잔류하고 있는 동안에, 상기 제 2 처리가 개시된다.The substrate processing method of the second aspect is the substrate processing method of the first aspect, wherein in the step (h), the second processing is started while the film of the first processing liquid remains on the entire upper surface of the substrate. do.
제 3 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 또는 제 2 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 판정 영역이, 상기 촬영 화상에 있어서의 상기 기판의 상기 상면에 설정된다.The substrate processing method of the third aspect is the substrate processing method of the first aspect or the second aspect, wherein the determination area is set on the upper surface of the substrate in the photographed image.
제 4 양태의 기판 처리 방법은, 제 3 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (g) 는, (g1) 상기 판정 영역 내에 있어서 1 개의 극치점이 검출되고 나서 다음의 극치점이 검출될 때까지의 시간에 따라, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함한다.The substrate processing method of the fourth aspect is the substrate processing method of the third aspect, wherein the step (g) is (g1) the time from the detection of one extreme value point in the determination area until the next extreme value point is detected. According to, the process of determining the timing is included.
제 5 양태의 기판 처리 방법은, 제 4 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (g) 는, (g2) 상기 판정 영역 내에 있어서, 제 1 극치점이 검출되고 나서 제 2 극치점이 검출될 때까지의 제 1 시간과, 상기 제 2 극치점이 검출되고 나서 제 3 극치점이 검출될 때까지의 제 2 시간에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함한다.The substrate processing method of the fifth aspect is the substrate processing method of the fourth aspect, wherein the step (g) is in the determination area (g2) from the detection of the first extreme value to the detection of the second extreme value point. And a step of determining the timing based on a first time and a second time from the detection of the second extreme value to the detection of the third extreme value.
제 6 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 내지 제 3 양태 중 어느 하나의 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (g) 는, (g3) 상기 판정 영역에 있어서 검출되는 상기 제 1 극치점과 상기 제 1 극치점으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 2 극치점 사이의 제 1 거리에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함한다.A substrate processing method of a sixth aspect is a substrate processing method of any one of the first to third aspects, wherein the step (g) comprises: (g3) the first extreme value point detected in the determination region and And determining the timing based on the first distance between the second extreme value points that are radially outward from the first extreme value point.
제 7 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 내지 제 3 양태 중 어느 하나의 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 판정 영역은, 제 1 판정 영역과, 당해 제 1 판정 영역으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 2 판정 영역을 포함하고, 상기 (g) 공정은, (g4) 상기 제 1 판정 영역에 있어서 제 1 극치점이 검출되고, 상기 제 2 판정 영역에 있어서 제 2 극치점이 검출되는 것에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함한다.A substrate processing method of a seventh aspect is a substrate processing method of any one of the first to third aspects, wherein the determination region comprises a first determination region and a first determination region radially outward from the first determination region. 2 determination regions are included, and the (g) step is based on (g4) a first extreme value point is detected in the first determination region and a second extreme value point is detected in the second determination region, the timing Including the process of determining.
제 8 양태의 기판 처리 방법은, 제 7 양태의 기판 처리 방법으로서, (i) 상기 공정 (g) 보다 전에, 상기 제 1 판정 영역에 대한 상기 제 2 판정 영역의 직경 방향에 있어서의 상대적인 위치를 변경하는 공정을 추가로 포함한다.The substrate processing method of the eighth aspect is the substrate processing method of the seventh aspect, wherein (i) before the step (g), a relative position in the radial direction of the second determination region with respect to the first determination region is determined. The process of changing is additionally included.
제 9 양태의 기판 처리 방법은, 제 6 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (g) 는, (g5) 상기 제 1 거리와, 상기 판정 영역 내에 있어서, 상기 제 2 극치점과 상기 제 2 극치점으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 3 극치점 사이의 제 2 거리에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함한다.The substrate processing method of the ninth aspect is the substrate processing method of the sixth aspect, wherein the step (g) includes (g5) the first distance and the second extreme value point and the second extreme value in the determination region. And determining the timing based on the second distance between the third extreme value points that are radially outward from the point.
제 10 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 내지 제 9 양태 중 어느 하나의 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (g) 는, (g6) 상기 판정 영역에 있어서, 복수의 극치점 중, 마지막으로 검출 가능한 최종 극치점으로부터 세어 3 개의 상기 극치점을 검출함으로써, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함한다.The substrate processing method of the tenth aspect is the substrate processing method of any one of the first to ninth aspects, wherein the step (g) is (g6) the last of a plurality of extreme value points in the determination region. And a step of determining the timing by counting from the final extreme value points detectable by the method and detecting the three extreme value points.
제 11 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 내지 제 10 양태 중 어느 하나의 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 카메라가 적외선 카메라이다.The substrate processing method of the eleventh aspect is the substrate processing method of any one of the first to tenth aspects, and the camera is an infrared camera.
제 12 양태의 기판 처리 방법은, 제 11 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 공정 (f) 는, (f1) 상기 기판의 상면에 적외선을 조사하는 공정을 포함한다.The substrate processing method of the twelfth aspect is the substrate processing method of the eleventh aspect, wherein the step (f) includes a step of (f1) irradiating an infrared ray on the upper surface of the substrate.
제 13 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 내지 제 12 양태 중 어느 하나의 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 제 2 처리는, 상기 기판의 상면에 상기 제 1 처리액과는 상이한 제 2 처리액을 공급하는 처리이다.The substrate processing method of the thirteenth aspect is a substrate processing method of any one of the first to twelfth aspects, wherein the second processing is a second processing liquid different from the first processing liquid on the upper surface of the substrate. It is a treatment to supply.
제 14 양태의 기판 처리 방법은, 제 1 양태 내지 제 12 양태 중 어느 하나의 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 제 2 처리는, 기판의 회전 속도를 상기 공정 (e) 일 때보다 크게 하여, 상기 기판의 상면에 잔류하는 상기 제 1 처리액을 제거하는 처리이다.The substrate processing method of the fourteenth aspect is a substrate processing method of any one of the first to twelfth aspects, wherein the second treatment makes the rotational speed of the substrate higher than that in the step (e), and the This is a process of removing the first processing liquid remaining on the upper surface of the substrate.
제 15 양태의 기판 처리 장치는, 수평 자세로 회전하는 기판의 상면에 대한 액 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서, 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판인 대상 기판을 연직 방향의 회전축선 둘레로 회전시키는 회전부와, 상기 대상 기판의 상면에 제 1 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 대상 기판의 상면을 촬영하는 카메라와, 상기 카메라에 의해 취득되는 촬영 화상에 설정된 판정 영역 내에 있어서, 상기 회전축선과 직교하는 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대치 또는 극소치가 되는 극치점의 직경 방향 외방을 향한 이동에 따라, 상기 대상 기판에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정하는 타이밍 결정부와, 상기 타이밍 결정부에 의해 결정된 상기 타이밍에 따라, 상기 대상 기판에 제 2 처리를 실시하는 제 2 처리 실행부를 구비한다.A substrate processing apparatus of a fifteenth aspect is a substrate processing apparatus that performs a liquid treatment on an upper surface of a substrate rotating in a horizontal posture, comprising a substrate holding unit that holds a substrate in a horizontal position, and a substrate held by the substrate holding unit. A rotation unit that rotates a target substrate around a rotation axis in a vertical direction, a treatment liquid supply unit that supplies a first treatment liquid to an upper surface of the target substrate, a camera that photographs the upper surface of the target substrate, and is acquired by the camera. In the judgment area set in the photographed image, the second processing is performed on the target substrate in accordance with the movement of the extreme value point in the radial direction orthogonal to the rotation axis to the maximum value or the minimum value toward the radial direction outward. A timing determination unit for determining timing, and a second processing execution unit for performing a second process on the target substrate according to the timing determined by the timing determination unit.
제 16 양태의 기판 처리 장치는, 제 15 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 판정 영역이, 상기 촬영 화상에 있어서의 상기 대상 기판의 상기 상면에 설정된다.The substrate processing apparatus of the sixteenth aspect is the substrate processing apparatus of the fifteenth aspect, wherein the determination region is set on the upper surface of the target substrate in the photographed image.
제 17 양태의 기판 처리 장치는, 제 15 양태 또는 제 16 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 타이밍 결정부는, 상기 촬영 화상으로부터 복수 종류의 특징 벡터를 추출하는 특징 벡터 추출부와, 상기 복수 종류의 특징 벡터에 기초하여, 상기 촬영 화상이 상기 타이밍의 결정의 기준이 되는 화상인지의 여부를 판정하는 화상 판정부를 포함한다.A substrate processing apparatus of a seventeenth aspect is a substrate processing apparatus of a fifteenth or sixteenth aspect, wherein the timing determination unit includes a feature vector extracting unit for extracting a plurality of types of feature vectors from the photographed image, and the plurality of types of features. And an image determination unit that determines whether or not the photographed image is an image used as a criterion for determining the timing, based on the vector.
제 1 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 처리액의 공급이 정지되면, 기판의 회전에 의해 제 1 처리액이 털리는 것에 의해, 액막의 두께가 점차 얇아진다. 이 때, 액막의 두께에 따라, 직경 방향 외방으로 이동하는 간섭 무늬가 발생한다. 이 간섭 무늬는, 광 강도의 극치을 취하는 극치점에 대응한다. 이 때문에, 광 강도의 극치점에 기초하여 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정하는 것에 의해, 제 1 처리액의 액막이 최적인 두께가 되는 타이밍으로 제 2 처리를 개시할 수 있다.According to the substrate processing method of the first aspect, when the supply of the first processing liquid is stopped, the thickness of the liquid film gradually decreases as the first processing liquid is blown off by the rotation of the substrate. At this time, according to the thickness of the liquid film, interference fringes that move outward in the radial direction are generated. This interference fringe corresponds to an extreme value point at which the extreme value of the light intensity is taken. For this reason, by determining the timing at which the second processing is performed based on the extreme value point of the light intensity, the second processing can be started at the timing at which the liquid film of the first processing liquid has an optimum thickness.
제 2 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 처리액이 기판의 상면 전체에 잔류하는 상태에서 제 2 처리가 개시된다. 이 때문에, 국소적으로 기판의 건조가 진행되는 것을 억제할 수 있다.According to the substrate processing method of the second aspect, the second processing is started while the first processing liquid remains on the entire upper surface of the substrate. For this reason, it is possible to suppress the progress of drying of the substrate locally.
제 3 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 촬영 화상 중 기판의 상면에 판정 영역이 설정된다. 이로써, 기판의 상면에 발생하는 간섭 무늬에 대응하는 극치점의 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the substrate processing method of the third aspect, the determination area is set on the upper surface of the substrate in the captured image. Accordingly, it is possible to improve the detection accuracy of the extreme value point corresponding to the interference fringe occurring on the upper surface of the substrate.
제 4 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 판정 영역을 2 개의 극치점이 통과하는 시간의 차로부터, 박막화의 진행 정도를 검출할 수 있다. 이 때문에, 제 2 처리의 개시 타이밍이 결정된다.According to the substrate processing method of the fourth aspect, the degree of progression of thinning can be detected from the difference in time between the two extreme value points passing through the determination region. For this reason, the start timing of the second process is determined.
제 5 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 시간과 제 2 시간을 산출함으로써, 검출 대상인 간섭 무늬가 출현했는지의 여부를 판정할 수 있다.According to the substrate processing method of the fifth aspect, by calculating the first time and the second time, it is possible to determine whether or not an interference fringe as a detection target has appeared.
제 6 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 거리를 산출함으로써, 검출 대상의 간섭 무늬가 출현했는지의 여부를 판정할 수 있다.According to the substrate processing method of the sixth aspect, by calculating the first distance, it is possible to determine whether or not an interference fringe to be detected has appeared.
제 7 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 직경 방향으로 적절한 거리만큼 멀어진 제 1 판정 영역 및 제 2 판정 영역을 설정하고, 이들 판정 영역 내에서 간섭 무늬의 검출을 실시하는 것에 의해, 검사 대상의 간섭 무늬가 출현했는지의 여부를 판정할 수 있다.According to the substrate processing method of the seventh aspect, by setting the first determination region and the second determination region separated by an appropriate distance in the radial direction, and detecting interference fringes within these determination regions, the interference fringes of the inspection object It can be determined whether or not appears.
제 8 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 판정 영역에 대한 제 2 판정 영역의 상대적인 위치를 직경 방향으로 변경할 수 있다. 이로써, 제 2 처리의 타이밍 결정의 지표가 되는 제 1 극치점 및 제 2 극치점을, 예를 들어, 제 1 판정 영역 및 제 2 판정 영역의 각각에서 동시에 검출 가능해진다.According to the substrate processing method of the eighth aspect, the relative position of the second determination region with respect to the first determination region can be changed in the radial direction. Thereby, the first extreme value point and the second extreme value point, which are indexes of timing determination of the second process, can be simultaneously detected in, for example, each of the first determination region and the second determination region.
제 9 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 거리 및 제 2 거리를 취득함으로써, 검출 대상의 간섭 무늬가 출현했는지의 여부를 판정할 수 있다.According to the substrate processing method of the ninth aspect, by acquiring the first distance and the second distance, it is possible to determine whether or not an interference fringe to be detected has appeared.
제 10 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 처리액의 액막의 두께가, 간섭 무늬를 검출할 수 없게 되는 얇기가 되는 것보다 이전의 단계에서, 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정할 수 있다.According to the substrate processing method of the tenth aspect, it is possible to determine the timing at which the second processing is performed in a step before the thickness of the liquid film of the first processing liquid becomes thinner at which interference fringes cannot be detected.
제 11 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 적외선을 검출함으로써, 간섭 무늬에 대응하는 광 강도를 적절히 검출할 수 있다.According to the substrate processing method of the eleventh aspect, by detecting infrared rays, the light intensity corresponding to the interference fringe can be appropriately detected.
제 12 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 적외선을 조사함으로써, 간섭 무늬에 대응하는 광 강도를 적절히 검출할 수 있다.According to the substrate processing method of the twelfth aspect, by irradiating infrared rays, the light intensity corresponding to the interference fringe can be appropriately detected.
제 13 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 처리액이 목표하는 얇기가 된 시점에서, 제 2 처리액을 공급할 수 있다. 이 때문에, 제 1 처리액으로부터 제 2 처리액으로의 치환을 신속히 실시할 수 있기 때문에, 제 2 처리액의 사용량을 저감시킬 수 있다.According to the substrate processing method of the thirteenth aspect, the second processing liquid can be supplied when the first processing liquid becomes a target thinner. For this reason, since the replacement from the first processing liquid to the second processing liquid can be performed quickly, the amount of the second processing liquid used can be reduced.
제 14 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 처리액이 목표하는 얇기가 된 시점에서, 기판의 회전 속도를 크게 한다. 다량으로 남은 제 1 처리액으로 기판의 처리가 불균일해지는 것을 억제할 수 있다.According to the substrate processing method of the fourteenth aspect, the rotational speed of the substrate is increased when the first processing liquid becomes a target thinner. It is possible to suppress uneven processing of the substrate with the first processing liquid remaining in a large amount.
제 15 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 제 1 처리액의 공급이 정지되면, 기판의 회전에 의해 제 1 처리액이 털림으로써, 액막의 두께가 점차 얇아진다. 이 때, 액막의 두께에 따라, 직경 방향 외방으로 이동하는 간섭 무늬가 발생한다. 이 간섭 무늬는, 광 강도의 극치을 취하는 극치점에 대응한다. 이 때문에, 광 강도의 극치점에 기초하여 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정하는 것에 의해, 제 1 처리액의 액막이 최적인 두께가 되는 타이밍으로 제 2 처리를 개시할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the fifteenth aspect, when the supply of the first processing liquid is stopped, the first processing liquid is shaken by the rotation of the substrate, so that the thickness of the liquid film gradually decreases. At this time, according to the thickness of the liquid film, interference fringes that move outward in the radial direction are generated. This interference fringe corresponds to an extreme value point at which the extreme value of the light intensity is taken. For this reason, by determining the timing at which the second processing is performed based on the extreme value point of the light intensity, the second processing can be started at the timing at which the liquid film of the first processing liquid has an optimum thickness.
제 16 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 기판 상에 출현하는 간섭 무늬를 검출할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the sixteenth aspect, an interference fringe appearing on a substrate can be detected.
도 1 은, 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 2 는, 제 1 실시형태의 세정 처리 유닛 (1) 의 개략 평면도이다.
도 3 은, 제 1 실시형태의 세정 처리 유닛 (1) 의 개략 종단면도이다.
도 4 는, 카메라 (70) 와 가동부인 노즐 (30) 의 위치 관계를 나타내는 도면이다.
도 5 는, 카메라 (70) 및 제어부 (9) 의 블록도이다.
도 6 은, 기판 처리 장치 (100) 의 1 개의 세정 처리 유닛 (1) 에 있어서의 기판 처리의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7 은, 제 1 처리에서부터 제 2 처리로 이행하는 동안의 각 타이밍에 있어서의 촬영 화상 (82a, 82b, 82c, 82d) 을 나타내는 도면이다.
도 8 은, 간섭 무늬 (ST) 의 제 1 검출 패턴을 나타내는 도면이다.
도 9 는, 간섭 무늬 (ST) 의 제 2 검출 패턴을 나타내는 도면이다.
도 10 은, 간섭 무늬 (ST) 의 제 3 검출 패턴을 나타내는 도면이다.
도 11 은, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정하는 처리의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 12 는, 간섭 무늬 (ST) 를 검출하는 조건을 설정하기 위한 설정 화면 (SW1) 을 나타내는 도면이다.
도 13 은, 제 2 실시형태의 기판 처리 장치 (100A) 를 나타내는 도면이다.1 is a diagram showing an overall configuration of a
2 is a schematic plan view of the
3 is a schematic longitudinal sectional view of the
4 is a diagram showing the positional relationship between the
5 is a block diagram of the
6 is a diagram showing an example of a flow of substrate processing in one
7 is a diagram showing captured
8 is a diagram showing a first detection pattern of an interference fringe ST.
9 is a diagram showing a second detection pattern of the interference fringe ST.
10 is a diagram showing a third detection pattern of the interference fringe ST.
11 is a diagram showing a flow of processing for determining a second processing start timing.
12 is a diagram showing a setting screen SW1 for setting a condition for detecting an interference fringe ST.
13 is a diagram showing a
이하, 첨부하는 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 이 실시형태에 기재되어 있는 구성 요소는 어디까지나 예시이고, 본 발명의 범위를 그것들에만 한정하는 취지의 것은 아니다. 도면에 있어서는, 이해의 용이를 위해, 필요에 따라 각 부의 치수 및 수가 과장 또는 간략화되어 도시되어 있는 경우가 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, the constituent elements described in this embodiment are examples only, and are not intended to limit the scope of the present invention only to them. In the drawings, for ease of understanding, the dimensions and numbers of each part are exaggerated or simplified as necessary in some cases.
상대적 또는 절대적인 위치 관계를 나타내는 표현 (예를 들어 「일방향으로」 「일방향을 따라」 「평행」 「직교」 「중심」 「동심」 「동축」등) 은, 특별히 언급하지 않는 한, 그 위치 관계를 엄밀하게 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 범위에서 상대적으로 각도 또는 거리에 관해서 변위된 상태도 나타내는 것으로 한다. 동등한 상태인 것을 나타내는 표현 (예를 들어 「동일」 「동등한」 「균질」등) 은, 특별히 언급하지 않는 한, 정량적으로 엄밀하게 동등한 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 차가 존재하는 상태도 나타내는 것으로 한다. 형상을 나타내는 표현 (예를 들어, 「사각 형상」또는 「원통 형상」등) 은, 특별히 언급하지 않는 한, 기하학적으로 엄밀하게 그 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 동일한 정도의 효과가 얻어지는 범위에서, 예를 들어 요철 및 모따기 등을 갖는 형상도 나타내는 것으로 한다. 하나의 구성 요소를 「지니다」 「갖추다」 「구비하다」 「포함한다」또는 「갖는다」라는 표현은, 다른 구성 요소의 존재를 제외하는 배타적 표현은 아니다. 「∼ 의 위」란, 특별히 언급하지 않는 한, 2 개의 요소가 접하고 있는 경우 외에, 2 개의 요소가 떨어져 있는 경우도 포함한다.Expressions representing relative or absolute positional relationships (e.g., ``in one direction'' ``along one direction'' ``parallel'' ``orthogonal'' ``center'' ``concentric'' ``coaxial'', etc.) It is assumed that it is not only expressed strictly, but also a state in which a tolerance or a displaced state with respect to an angle or distance within a range in which a function of the same degree is obtained. Expressions indicating that they are in an equivalent state (for example, ``same'', ``equal'', ``homogeneous'', etc.), unless otherwise stated, not only quantitatively indicate a strictly equivalent state, but also a tolerance or a difference in which functions of the same degree are obtained. It is assumed that the state to be performed is also indicated. Expressions representing shapes (for example, ``rectangular shape'' or ``cylindrical shape'', etc.), unless otherwise noted, not only express the shape strictly geometrically, but also provide an example within the range in which the same degree of effect can be obtained. For example, it is assumed that a shape having irregularities, chamfers, and the like is also shown. The expressions “have”, “have,” “have,” “include,” or “have” one component are not exclusive expressions excluding the existence of other components. Unless otherwise noted, the term "above" includes a case where two elements are in contact, and a case where two elements are separated.
<1. 제 1 실시형태><1. First embodiment>
도 1 은, 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 전체 구성을 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (100) 는, 처리 대상인 기판 (대상 기판이라고도 한다) (W) 을 1 장씩 처리하는 매엽식의 처리 장치이다. 기판 처리 장치 (100) 는, 원형 박판상인 실리콘 기판인 기판 (W) 에 대해, 약액 및 순수 등의 린스액을 사용하여 세정 처리를 실시한 후, 건조 처리를 실시한다. 약액으로는, 예를 들어 SC1 (ammonia-hydrogen peroxide mixture : 암모니아 과산화수소수 혼합액), SC2 (hydrochloric hydrogen peroxide mixed water solution : 염산 과산화수소수 혼합 수용액), DHF 액 (희불산) 등이 사용된다. 이하의 설명에서는, 약액과 린스액을 총칭하여 「처리액」이라고 칭하는 경우가 있다. 또한, 기판 처리 장치 (100) 는, 세정 처리가 아니고, 성막 처리를 위한 포토레지스트액 등의 도포액, 불필요한 막을 제거하기 위한 약액, 또는 에칭을 위한 약액을 공급하여 기판에 대한 습식 처리를 실시하도록 구성되어 있어도 된다. 요컨대, 기판 처리 장치 (100) 는, 예를 들어, 수평 자세로 회전하는 기판 (W) 의 상면에 대한 액 처리를 실시하는 장치이면 된다. 액 처리는, 기판 (W) 에 대한 처리액을 사용한 처리이다.1 is a diagram showing an overall configuration of a
기판 처리 장치 (100) 는, 복수의 세정 처리 유닛 (1), 인덱서 (102) 및 주반송 로봇 (103) 을 구비한다.The
인덱서 (102) 는, 장치 (기판 처리 장치 (100)) 밖에서 수취한 처리 대상인 기판 (W) 을 장치 (기판 처리 장치 (100)) 내에 반송함과 함께, 세정 처리가 완료된 처리 완료된 기판 (W) 을 장치 (기판 처리 장치 (100)) 밖으로 반출한다. 인덱서 (102) 는, 복수의 캐리어 (도시 생략) 를 재치 (載置) 함과 함께 이송 로봇 (도시 생략) 을 구비한다. 캐리어로는, 기판 (W) 을 밀폐 공간에 수납하는 FOUP (Front Opening Unified Pod) 또는 SMIF (Standard Mechanical InterFace) 포드, 혹은, 기판 (W) 을 외기에 노출시키는 OC (Open Cassette) 를 채용해도 된다. 이송 로봇은, 캐리어와 주반송 로봇 (103) 사이에서 기판 (W) 을 이송한다.The
세정 처리 유닛 (1) 은, 1 장의 기판 (W) 에 대해 액 처리 및 건조 처리를 실시한다. 기판 처리 장치 (100) 에는, 12 개의 세정 처리 유닛 (1) 이 배치되어 있다. 구체적으로는, 각각이 연직 방향으로 적층된 3 개의 세정 처리 유닛 (1) 을 포함하는 4 개의 타워가, 주반송 로봇 (103) 의 주위를 둘러싸도록 하여 배치되어 있다. 도 1 에서는, 3 단으로 겹쳐진 세정 처리 유닛 (1) 중 1 개를 개략적으로 나타내고 있다. 또한, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서의 세정 처리 유닛 (1) 의 수량은, 12 개에 한정되는 것이 아니고, 적절히 변경해도 된다.The
주반송 로봇 (103) 은, 세정 처리 유닛 (1) 을 적층한 4 개의 타워의 중앙에 설치되어 있다. 주반송 로봇 (103) 은, 인덱서 (102) 로부터 수취한 처리 대상의 기판 (W) 을 각 세정 처리 유닛 (1) 에 반입한다. 또, 주반송 로봇 (103) 은, 각 세정 처리 유닛 (1) 으로부터 처리 완료된 기판 (W) 을 반출하여 인덱서 (102) 에 전달한다.The
<세정 처리 유닛 (1)><Washing processing unit (1)>
이하, 기판 처리 장치 (100) 에 탑재된 12 개의 세정 처리 유닛 (1) 중 1 개에 대해 설명하지만, 다른 세정 처리 유닛 (1) 에 대해서도, 노즐 (30, 60, 65) 의 배치 관계가 상이한 것 이외에는, 동일한 구성을 갖는다.Hereinafter, one of the 12
도 2 는, 제 1 실시형태의 세정 처리 유닛 (1) 의 개략 평면도이다. 도 3 은, 제 1 실시형태의 세정 처리 유닛 (1) 의 개략 종단면도이다. 도 2 는 스핀 척 (20) 에 기판 (W) 이 유지되어 있지 않은 상태를 나타내고 있고, 도 3 은 스핀 척 (20) 에 기판 (W) 이 유지되어 있는 상태를 나타내고 있다.2 is a schematic plan view of the
세정 처리 유닛 (1) 은, 챔버 (10) 내에, 기판 (W) 을 수평 자세 (기판 (W) 의 표면의 법선이 연직 방향을 따른 자세) 로 유지하는 스핀 척 (20) 과, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 처리액을 공급하기 위한 3 개의 노즐 (처리액 공급부라고도 한다) (30, 60, 65) 과, 스핀 척 (20) 의 주위를 둘러싸는 처리 컵 (40) 과, 스핀 척 (20) 의 상방 공간을 촬상하는 카메라 (70) 를 구비한다. 또, 챔버 (10) 내에 있어서의 처리 컵 (40) 의 주위에는, 챔버 (10) 의 내측 공간을 상하로 나누는 칸막이판 (15) 이 형성되어 있다.The
챔버 (10) 는, 연직 방향을 따름과 함께 사방을 둘러싸는 측벽 (11) 과, 측벽 (11) 의 상측을 폐색하는 천정벽 (12), 측벽 (11) 의 하측을 폐색하는 상벽 (13) 을 구비한다. 측벽 (11), 천정벽 (12) 및 상벽 (床壁) (13) 에 의해 둘러싸인 공간이 기판 (W) 의 처리 공간이 된다. 또, 챔버 (10) 의 측벽 (11) 의 일부에는, 챔버 (10) 내에 대해 주반송 로봇 (103) 이 기판 (W) 을 반출입하기 위한 반출입구 및 그 반출입구 (모두 도시 생략) 를 개폐하는 셔터가 형성되어 있다.The
챔버 (10) 의 천정벽 (12) 에는, 기판 처리 장치 (100) 가 설치되어 있는 클린룸 내의 공기를 더욱 청정화하여 챔버 (10) 내의 처리 공간에 공급하기 위한 팬 필터 유닛 (FFU) (14) 이 장착되어 있다. FFU (14) 는, 클린룸 내의 공기를 도입하여 챔버 (10) 내에 송출하기 위한 팬 및 필터 (예를 들어 HEPA 필터) 를 구비하고 있다. FFU (14) 는, 챔버 (10) 내의 처리 공간에 청정 공기의 다운 플로를 형성한다. FFU (14) 로부터 공급된 청정 공기를 균일하게 분산하기 위해서, 다수의 분사공을 천공 형성한 펀칭 플레이트를 천정벽 (12) 의 바로 아래에 형성하도록 해도 된다.On the
스핀 척 (20) 은, 스핀 베이스 (21), 스핀 모터 (22), 커버 부재 (23) 및 회전축 (24) 을 구비한다. 스핀 베이스 (21) 는, 원판 형상을 가지고 있고, 연직 방향을 따라 연장되는 회전축 (24) 의 상단에 수평 자세로 고정되어 있다. 스핀 모터 (22) 는, 스핀 베이스 (21) 의 하방에 형성되어 있고, 회전축 (24) 을 회전시킨다. 스핀 모터 (22) 는, 회전축 (24) 을 통하여 스핀 베이스 (21) 를 수평면 내에서 회전시킨다. 커버 부재 (23) 는, 스핀 모터 (22) 및 회전축 (24) 의 주위를 둘러싸는 통상을 갖는다.The
원판 형상의 스핀 베이스 (21) 의 외경은, 스핀 척 (20) 에 유지되는 원형의 기판 (W) 의 직경보다 약간 크다. 따라서, 스핀 베이스 (21) 는, 유지해야 할 기판 (W) 의 하면의 전체면과 대향하는 유지면 (21a) 을 갖는다.The outer diameter of the disk-shaped
스핀 베이스 (21) 의 유지면 (21a) 의 주연부에는 복수 (본 실시형태에서는 4 개) 의 척 핀 (26) 이 세워 형성되어 있다. 각 척 핀 (26) 은, 원형의 기판 (W) 의 외주원의 외형에 대응하는 원주 상을 따라 균등한 간격을 두고 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, 4 개의 척 핀 (26) 이 90°간격으로 형성되어 있다. 각 척 핀 (26) 은, 스핀 베이스 (21) 내에 수용된 도시 생략된 링크 기구에 의해 연동하여 구동된다. 스핀 척 (20) 은, 각 척 핀 (26) 의 각각을 기판 (W) 의 외주단에 맞닿게 하여 기판 (W) 을 파지함으로써, 당해 기판 (W) 을 스핀 베이스 (21) 의 상방에서 유지면 (21a) 에 근접한 수평 자세로 유지한다 (도 3 참조). 또, 스핀 척 (20) 은, 각 척 핀 (26) 의 각각을 기판 (W) 의 외주단으로부터 이간시키는 것에 의해, 기판 (W) 의 파지를 해제한다. 각 척 핀 (26) 은, 기판 (W) 을 수평 자세로 유지하는 기판 유지부이다.A plurality of (four in this embodiment) chuck pins 26 are erected and formed at the periphery of the holding
스핀 모터 (22) 를 덮는 커버 부재 (23) 는, 그 하단이 챔버 (10) 의 상벽 (13) 에 고정되고, 상단이 스핀 베이스 (21) 의 바로 아래에까지 도달하고 있다. 커버 부재 (23) 의 상단부에는, 커버 부재 (23) 로부터 외방으로 거의 수평하게 장출되고, 또한 하방으로 굴곡되어 연장되는 플랜지상 부재 (25) 가 형성되어 있다. 복수의 척 핀 (26) 에 의한 파지에 의해 스핀 척 (20) 이 기판 (W) 을 유지한 상태에서, 회전부로서의 스핀 모터 (22) 가 회전축 (24) 을 회전시킴으로써, 기판 (W) 의 중심을 통과하는 연직 방향을 따른 회전축선 (CX) 둘레로 기판 (W) 을 회전시킬 수 있다. 또한, 스핀 모터 (22) 의 구동은 제어부 (9) 에 의해 제어된다. 이하의 설명에서는, 회전축선 (CX) 과 직교하는 수평 방향을 「직경 방향」이라고 한다. 또, 직경 방향에 있어서 회전축선 (CX) 을 향하는 방향을 「직경 방향 내방」이라고 하고, 직경 방향에 있어서 회전축선 (CX) 으로부터 멀어지는 방향을 「직경 방향 외방」이라고 한다.The
노즐 (30) 은, 노즐 아암 (32) 의 선단에 토출 헤드 (31) 를 장착하여 구성되어 있다. 노즐 아암 (32) 의 기단측은 노즐 기대 (33) 에 고정되어 연결되어 있다. 노즐 기대 (33) 는, 노즐 기대 (33) 에 형성된 모터 (332) (노즐 이동부. 도 4 참조) 에 의해 연직 방향을 따른 축의 둘레에서 회동 (回動) 가능하게 되어 있다.The
노즐 기대 (33) 가 회동함으로써, 도 2 중의 화살표 AR34 로 나타내는 바와 같이, 노즐 (30) 은, 스핀 척 (20) 의 상방의 위치와 처리 컵 (40) 보다 외측의 대기 위치 사이에서 수평 방향을 따라 원호상으로 이동된다. 노즐 기대 (33) 의 회동에 의해, 노즐 (30) 은 스핀 베이스 (21) 의 유지면 (21a) 의 상방에서 요동한다. 상세하게는, 스핀 베이스 (21) 보다 상방에 있어서, 수평 방향으로 연장되는 이미 정해진 처리 위치 (TP1) 로 이동한다. 또한, 노즐 (30) 을 처리 위치 (TP1) 로 이동시킨다는 것은, 노즐 (30) 의 선단부의 토출 헤드 (31) 를 처리 위치 (TP1) 로 이동시키는 것과 동일한 의미이다.As the
노즐 (30) 에는, 복수종의 처리액 (적어도 순수를 함유한다) 이 공급되도록 구성되어 있고, 토출 헤드 (31) 로부터 복수종의 처리액을 토출 가능하다. 또한, 노즐 (30) 의 선단에 복수의 토출 헤드 (31) 를 형성하여, 각각으로부터 개별적으로 동일 또는 상이한 처리액이 토출되어도 된다. 노즐 (30) (상세하게는 토출 헤드 (31)) 은, 처리 위치 (TP1) 에서 정지하여, 처리액을 토출한다. 노즐 (30) 로부터 토출된 처리액은, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 착액된다.The
본 실시형태의 세정 처리 유닛 (1) 에는, 상기한 노즐 (30) 에 더하여 추가로 2 개의 노즐 (60, 65) 이 형성되어 있다. 본 실시형태의 노즐 (60, 65) 은, 상기한 노즐 (30) 과 동일하거나 또는 유사한 구성을 구비한다. 즉, 노즐 (60) 은, 노즐 아암 (62) 의 선단에 토출 헤드를 장착하여 구성되고, 노즐 아암 (62) 의 기단측에 연결된 노즐 기대 (63) 에 의해, 화살표 AR64 로 나타내는 바와 같이 스핀 척 (20) 의 상방의 처리 위치와 처리 컵 (40) 보다 외측의 대기 위치 사이에서 원호상으로 이동한다. 노즐 (65) 은, 노즐 아암 (67) 의 선단에 토출 헤드를 장착하여 구성되고, 노즐 아암 (67) 의 기단측에 연결된 노즐 기대 (68) 에 의해, 화살표 AR69 로 나타내는 바와 같이 스핀 척 (20) 의 상방의 처리 위치와 처리 컵 (40) 보다 외측의 대기 위치 사이에서 원호상으로 이동한다.In addition to the
노즐 (60, 65) 에도, 적어도 순수를 함유하는 복수종의 처리액이 공급되도록 구성되고, 노즐 (60, 65) 도, 처리 위치에서 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 처리액을 토출한다. 또한, 노즐 (60, 65) 의 적어도 일방은, 순수 등의 세정액과 가압한 기체를 혼합하여 액적을 생성하고, 그 액적과 기체의 혼합 유체를 기판 (W) 에 분사하는 이류체 노즐이어도 된다. 또, 세정 처리 유닛 (1) 에 형성되는 노즐수는 3 개에 한정되는 것이 아니고, 1 개 이상이면 된다.The
노즐 (30, 60, 65) 의 각각을, 원호상로 이동시키는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 직동 구동부를 형성하는 것에 의해, 노즐을 직선 이동시켜도 된다.It is not essential to move each of the
노즐 (30) 은, 린스액으로서의 순수 (DIW), IPA (Isopropyl Alcohol : 이소프로필알코올), 실릴화제 등의 발수화제, DHF (Dilute HF : 불산과 순수의 혼합액) 등, 각종 처리액의 공급원에 접속되어 있고, 노즐 (30) 의 선단의 토출 헤드 (31) 로부터, 각종 처리액을 따로 따로 토출할 수 있는 것으로 한다. 또한, 노즐 (30) 의 선단에 복수의 토출 헤드 (31) 를 형성하여, 각 토출 헤드 (31) 가 상이한 종류의 처리액을 토출해도 된다. 또, 노즐 (60, 65) 이, 상기 각종 처리액 중 일부를 토출해도 된다.The
회전축 (24) 의 내측을 삽입 통과하도록 하여 연직 방향을 따라 하면 처리액 노즐 (28) 이 형성되어 있다. 하면 처리액 노즐 (28) 의 상단 개구는, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 하면 중앙에 대향하는 위치에 형성되어 있다. 하면 처리액 노즐 (28) 에도 복수종의 처리액이 공급되도록 구성되어 있다. 하면 처리액 노즐 (28) 로부터 토출된 처리액은 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 하면에 착액된다.A
스핀 척 (20) 을 둘러싸는 처리 컵 (40) 은, 서로 독립적으로 승강 가능한 내측컵 (41), 중간컵 (42) 및 외측컵 (43) 을 구비하고 있다. 내측컵 (41) 은, 스핀 척 (20) 의 주위를 둘러싸고, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 중심을 통과하는 회전축선 (CX) 에 대해 거의 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 이 내측컵 (41) 은, 평면에서 보아 원환상의 바닥부 (44) 와, 바닥부 (44) 의 내주 가장자리로부터 상방으로 세워지는 원통상의 내벽부 (45) 와, 바닥부 (44) 의 외주 가장자리로부터 상방으로 세워지는 원통상의 외벽부 (46) 와, 내벽부 (45) 와 외벽부 (46) 사이에서부터 세워져, 상단부가 매끄러운 원호를 그리면서 중심측 (스핀 척 (20) 에 유지되는 기판 (W) 의 회전축선 (CX) 에 가까워지는 방향) 상방을 향하여 경사지게 연장되는 제 1 안내부 (47) 와, 제 1 안내부 (47) 와 외벽부 (46) 사이에서부터 상방으로 세워지는 원통상의 중벽부 (48) 를 일체적으로 구비하고 있다.The
내벽부 (45) 는, 내측컵 (41) 이 가장 상승한 상태에서, 커버 부재 (23) 와 플랜지상 부재 (25) 사이에 적당한 간극을 유지하여 수용된다. 중벽부 (48) 는, 내측컵 (41) 과 중간컵 (42) 이 가장 근접한 상태에서, 중간컵 (42) 의 후술하는 제 2 안내부 (52) 와, 처리액 분리벽 (53) 사이에 적당한 간극을 유지하여 수용된다.The
제 1 안내부 (47) 는, 매끄러운 원호를 그리면서 중심측 (기판 (W) 의 회전축선 (CX) 에 가까워지는 방향) 상방을 향하여 경사지게 연장되는 상단부 (47b) 를 갖는다. 또, 내벽부 (45) 와 제 1 안내부 (47) 사이는, 사용이 완료된 처리액을 모아 폐기하기 위한 폐기 홈 (49) 으로 되어 있다. 제 1 안내부 (47) 와 중벽부 (48) 사이는, 사용이 완료된 처리액을 모아 회수하기 위한 원환상의 내측 회수 홈 (50) 으로 되어 있다. 또한, 중벽부 (48) 와 외벽부 (46) 사이는, 내측 회수 홈 (50) 과는 종류가 상이한 처리액을 모아 회수하기 위한 원환상의 외측 회수 홈 (51) 으로 되어 있다.The
폐기 홈 (49) 에는, 이 폐기 홈 (49) 에 모아진 처리액을 배출함과 함께, 폐기 홈 (49) 내를 강제적으로 배기하기 위한 도시 생략된 배기액 기구가 접속되어 있다. 배기액 기구는, 예를 들어, 폐기 홈 (49) 의 둘레 방향을 따라 등간격으로 4 개 형성되어 있다. 또, 내측 회수 홈 (50) 및 외측 회수 홈 (51) 에는, 내측 회수 홈 (50) 및 외측 회수 홈 (51) 에 각각 모아진 처리액을 기판 처리 장치 (100) 의 외부에 형성된 회수 탱크에 회수하기 위한 회수 기구 (모두 도시 생략) 가 접속되어 있다. 또한, 내측 회수 홈 (50) 및 외측 회수 홈 (51) 의 바닥부는, 수평 방향에 대해 미소 각도만큼 경사져 있고, 그 가장 낮아지는 위치에 회수 기구가 접속되어 있다. 이로써, 내측 회수 홈 (50) 및 외측 회수 홈 (51) 에 흘러든 처리액이 원활하게 회수된다.An exhaust liquid mechanism (not shown) is connected to the
중간컵 (42) 은, 스핀 척 (20) 의 주위를 둘러싸고, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 중심을 통과하는 회전축선 (CX) 에 대해 거의 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 이 중간컵 (42) 은, 제 2 안내부 (52) 와, 이 제 2 안내부 (52) 에 연결된 원통상의 처리액 분리벽 (53) 을 갖는다.The
제 2 안내부 (52) 는, 내측컵 (41) 의 제 1 안내부 (47) 의 외측에 있어서, 제 1 안내부 (47) 의 하단부와 동축 원통상인 하단부 (52a) 와, 하단부 (52a) 의 상단으로부터 매끄러운 원호를 그리면서 중심측 (기판 (W) 의 회전축선 (CX) 에 가까워지는 방향) 상방을 향하여 경사지게 연장되는 상단부 (52b) 와, 상단부 (52b) 의 선단부를 하방으로 되접어 꺾어 형성되는 되접어 꺾음부 (52c) 를 갖는다. 하단부 (52a) 는, 내측컵 (41) 과 중간컵 (42) 이 가장 근접한 상태에서, 제 1 안내부 (47) 와 중벽부 (48) 사이에 적당한 간극을 유지하여 내측 회수 홈 (50) 내에 수용된다. 또, 상단부 (52b) 는, 내측컵 (41) 의 제 1 안내부 (47) 의 상단부 (47b) 와 상하 방향으로 겹쳐지도록 형성되고, 내측컵 (41) 과 중간컵 (42) 이 가장 근접한 상태에서, 제 1 안내부 (47) 의 상단부 (47b) 에 대해 극히 미소한 간격을 유지하여 근접한다. 되접어 꺾음부 (52c) 는, 내측컵 (41) 과 중간컵 (42) 이 가장 근접한 상태에서, 되접어 꺾음부 (52c) 가 제 1 안내부 (47) 의 상단부 (47b) 의 선단과 수평 방향으로 겹쳐진다.The
제 2 안내부 (52) 의 상단부 (52b) 는, 하방일수록 두께가 두꺼워지도록 형성되어 있다. 처리액 분리벽 (53) 은, 상단부 (52b) 의 하단 외주 가장자리부로부터 하방으로 연장되도록 형성된 원통 형상을 갖는다. 처리액 분리벽 (53) 은, 내측컵 (41) 과 중간컵 (42) 이 가장 근접한 상태에서, 중벽부 (48) 와 외측컵 (43) 사이에 적당한 간극을 유지하여 외측 회수 홈 (51) 내에 수용된다.The
외측컵 (43) 은, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 중심을 통과하는 회전축선 (CX) 에 대해 거의 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 외측컵 (43) 은, 중간컵 (42) 의 제 2 안내부 (52) 의 외측에 있어서, 스핀 척 (20) 을 둘러싼다. 이 외측컵 (43) 은, 제 3 안내부로서의 기능을 갖는다. 외측컵 (43) 은, 제 2 안내부 (52) 의 하단부 (52a) 와 동축 원통상을 이루는 하단부 (43a) 와, 하단부 (43a) 의 상단으로부터 매끄러운 원호를 그리면서 중심측 (기판 (W) 의 회전축선 (CX) 에 가까워지는 방향) 상방을 향하여 경사지게 연장되는 상단부 (43b) 와, 상단부 (43b) 의 선단부를 하방으로 되접어 꺾어 형성되는 되접어 꺾음부 (43c) 를 갖는다.The outer cup 43 has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis CX passing through the center of the substrate W held by the
하단부 (43a) 는, 내측컵 (41) 과 외측컵 (43) 이 가장 근접한 상태에서, 중간컵 (42) 의 처리액 분리벽 (53) 과 내측컵 (41) 의 외벽부 (46) 사이에 적당한 간극을 유지하여 외측 회수 홈 (51) 내에 수용된다. 상단부 (43b) 는, 중간컵 (42) 의 제 2 안내부 (52) 와 상하 방향으로 겹쳐지도록 형성되고, 중간컵 (42) 과 외측컵 (43) 이 가장 근접한 상태에서, 제 2 안내부 (52) 의 상단부 (52b) 에 대해 극히 미소한 간격을 유지하여 근접한다. 중간컵 (42) 과 외측컵 (43) 이 가장 근접한 상태에서, 되접어 꺾음부 (43c) 가 제 2 안내부 (52) 의 되접어 꺾음부 (52c) 와 수평 방향으로 겹쳐진다.The
내측컵 (41), 중간컵 (42) 및 외측컵 (43) 은 서로 독립적으로 승강 가능하게 되어 있다. 즉, 내측컵 (41), 중간컵 (42) 및 외측컵 (43) 의 각각에는 개별적으로 승강 기구 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 그것에 의해 내측컵 (41), 중간컵 (42) 및 외측컵 (43) 은 별개 독립적으로 승강된다. 이와 같은 승강 기구로는, 예를 들어 볼 나사 기구 또는 에어 실린더 등의 공지된 여러 가지의 기구를 채용할 수 있다.The inner cup 41, the
칸막이판 (15) 은, 처리 컵 (40) 의 주위에 있어서 챔버 (10) 의 내측 공간을 상하로 나누도록 형성되어 있다. 칸막이판 (15) 은, 처리 컵 (40) 을 둘러싸는 1 장의 판상 부재여도 되고, 복수의 판상 부재를 맞대어 붙인 것이어도 된다. 또, 칸막이판 (15) 에는, 두께 방향으로 관통하는 관통공 및/또는 절결이 형성되어 있어도 되고, 본 실시형태에서는 노즐 (30, 60, 65) 의 노즐 기대 (33, 63, 68) 를 지지하기 위한 지지축을 통과시키기 위한 관통 구멍이 형성되어 있다.The
칸막이판 (15) 의 외주단은 챔버 (10) 의 측벽 (11) 에 연결되어 있다. 또, 칸막이판 (15) 의 처리 컵 (40) 을 둘러싸는 단 가장자리부는 외측컵 (43) 의 외경보다 큰 직경의 원형상이 되도록 형성되어 있다. 따라서, 칸막이판 (15) 이 외측컵 (43) 의 승강의 장해가 되는 경우는 없다.The outer circumferential end of the
또, 챔버 (10) 의 측벽 (11) 의 일부로서, 상벽 (13) 의 근방에는 배기 덕트 (18) 가 형성되어 있다. 배기 덕트 (18) 는 도시 생략된 배기 기구에 연통 접속되어 있다. 팬 필터 유닛 (14) 으로부터 공급되어 챔버 (10) 내를 유하한 청정 공기 중, 처리 컵 (40) 과 칸막이판 (15) 사이를 통과한 공기는 배기 덕트 (18) 로부터 장치 밖으로 배출된다.In addition, an
도 4 는, 카메라 (70) 와 가동부인 노즐 (30) 의 위치 관계를 나타내는 도면이다. 카메라 (70) 는, 연직 방향에 있어서 기판 (W) 보다 연직 방향 상측에 형성되어 있다. 카메라 (70) 는, 예를 들어 고체 촬상 소자의 하나인 CCD 와, 전자 셔터와, 렌즈 등의 광학계를 구비한다. 카메라 (70) 의 촬상 방향 (즉, 촬상 광학계의 광축 방향) 은, 기판 (W) 의 상면을 촬상하기 위해, 기판 (W) 상면의 회전 중심 (또는 그 근방) 을 향해 하방을 향하여 경사지게 설정되어 있다. 카메라 (70) 는, 스핀 척 (20) 에 의해 유지된 기판 (W) 의 상면 전체를 그 시야에 포함한다. 예를 들어, 수평 방향에 대해서는, 도 2 에 있어서 파선으로 둘러싸인 범위가 카메라 (70) 의 시야에 포함된다. 바꾸어 말하면, 도 2 의 2 개의 파선은, 카메라 (70) 의 시야의 외측 가장자리를 나타내고 있다.4 is a diagram showing the positional relationship between the
카메라 (70) 는, 그 촬상 시야에 적어도 처리 위치 (TP1) 에 있어서의 노즐 (30) 의 선단이 포함되도록, 요컨대 토출 헤드 (31) 의 근방이 포함되는 위치에 설치되어 있다. 본 실시형태에서는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 처리 위치 (TP1) 에 있어서의 노즐 (30) 을 전방 상방으로부터 촬상하는 위치에 카메라 (70) 가 설치된다. 따라서, 카메라 (70) 는, 처리 위치 (TP1) 에 있어서의 노즐 (30) 의 선단을 포함하는 촬상 영역을 촬상할 수 있다. 마찬가지로, 카메라 (70) 는, 노즐 (60, 65) 이, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 에 대해 처리를 실시할 때의 처리 위치에 있을 때의, 각 선단을 포함하는 촬상 영역을 촬상한다. 카메라 (70) 가 도 2 및 도 4 에 나타내는 위치에 설치되어 있는 경우에는, 노즐 (30, 60) 은 카메라 (70) 의 촬상 시야 내에서 횡방향으로 이동하기 때문에, 각 처리 위치의 각 노즐 (30, 60) 의 선단을 적절히 촬상할 수 있지만, 노즐 (65) 에 대해서는 카메라 (70) 의 시야 내에서 안길이 방향으로 이동하기 때문에, 그 처리 위치 근방에서의 이동을 적절히 촬상할 수 없을 우려도 있다. 이 경우, 카메라 (70) 와는 별도로 노즐 (65) 을 촬상하는 카메라를 설치해도 된다.The
노즐 (30) 은, 노즐 기대 (33) 의 구동에 의해, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상방의 처리 위치 (TP1) (도 4 에 있어서 파선으로 나타나는 위치) 와 처리 컵 (40) 보다 외측의 대기 위치 (도 4 의 실선 위치) 사이에서 왕복 이동된다. 처리 위치 (TP1) 는, 노즐 (30) 이 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 처리액을 토출하여 세정 처리를 실시하는 위치이다. 처리 위치 (TP1) 는, 스핀 척 (20) 에 유지된 기판 (W) 에 있어서의 중심 (회전축 (CX)) 가까이의 위치이다. 대기 위치는, 노즐 (30) 이 세정 처리를 실시하지 않을 때에 처리액의 토출을 정지시켜 대기하는 위치이다. 대기 위치는, 스핀 베이스 (21) 의 상방으로부터 벗어난 위치로서, 수평면 내에 있어서 처리 컵 (40) 의 외측의 위치이다. 대기 위치에는, 노즐 (30) 의 토출 헤드 (31) 를 수용하는 대기 포드가 형성되어 있어도 된다.The
또한, 처리 위치 (TP1) 는, 기판 (W) 의 가장자리부 가까이의 위치 등 임의의 위치여도 되고, 나아가서는, 처리 위치 (TP1) 는, 기판 (W) 으로부터 벗어난 위치 (즉, 기판 (W) 과 연직 방향으로 겹쳐지지 않는 상태의 위치) 여도 된다. 후자의 경우, 노즐 (30) 로부터 토출된 처리액을, 기판 (W) 의 외방으로부터 기판 (W) 의 상면에 비산시키면 된다. 또, 노즐 (30) 을 처리 위치 (TP1) 에 정지시킨 상태에서, 노즐 (30) 로부터 처리액을 토출시키는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 노즐 (30) 로부터 처리액을 토출시키면서, 처리 위치 (TP1) 를 일방단으로 하고, 기판 (W) 의 상방에 있어서 수평 방향으로 연장되는 이미 정해진 처리 구간 내에서, 노즐 (30) 을 이동시켜도 된다.In addition, the processing position TP1 may be an arbitrary position, such as a position near the edge of the substrate W, and further, the processing position TP1 is a position away from the substrate W (that is, the substrate W). And the position in a state that does not overlap in the vertical direction) may be used. In the latter case, the processing liquid discharged from the
도 3 에 나타내는 바와 같이, 챔버 (10) 내로서 칸막이판 (15) 보다 상방의 위치에, 조명부 (71) 가 형성되어 있다. 조명부 (71) 는, 예를 들어 LED 램프를 광원으로서 포함한다. 조명부 (71) 는, 카메라 (70) 가 챔버 (10) 내를 촬상하기 위해서 필요해지는 조명광을 처리 공간에 공급한다. 챔버 (10) 내가 암실인 경우, 카메라 (70) 가 촬상을 실시할 때에 조명부 (71) 가 노즐 (30, 60, 65) 에 광을 조사하도록, 제어부 (9) 가 조명부 (71) 를 제어해도 된다. 조명부 (71) 는, 조명광으로서 가시광을 조사한다. 단, 조명광은, 가시광에 한정되는 것은 아니다. 조사광으로서, 예를 들어, 파장이 대략 0.7 마이크로미터 (㎛) 내지 1 밀리미터 (㎜) 인 적외선, 보다 바람직하게는 파장이 대략 0.7 ㎛ 내지 2.5 ㎛ 인 근적외선을 채용할 수 있다. 이 경우, 카메라 (70) 로서, 적외선 (보다 바람직하게는, 근적외선) 을 검출하는 적외선 센서를 구비한 적외선 카메라를 채용할 수 있다. 적외선을 검출함으로써, 간섭 무늬의 검출을 바람직하게 실시할 수 있다.As shown in FIG. 3, in the
도 5 는, 카메라 (70) 및 제어부 (9) 의 블록도이다. 기판 처리 장치 (100) 에 형성된 제어부 (9) 의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 동일하다. 즉, 제어부 (9) 는, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 읽기 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 읽고 쓰기가 자유로운 메모리인 RAM 및 제어용 소프트웨어 (프로그램) 및 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하고 있다. 제어부 (9) 의 CPU 가 소정의 처리 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리 장치 (100) 의 각 요소의 동작이 제어부 (9) 에 의해 제어되어, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서의 처리가 진행된다.5 is a block diagram of the
도 5 에 나타내는 판정 영역 설정부 (91) 및 타이밍 결정부 (92) 는, 제어부 (9) 의 CPU 가 제어용 소프트웨어에 따라서 동작함으로써 실현되는 기능이다.The determination
판정 영역 설정부 (91) 는, 카메라 (70) 에 의해 취득된 촬영 화상 (82) 상에 판정 영역 (DR) 을 설정한다. 판정 영역 (DR) 의 크기, 위치 및 수 등은, 미리 정해져 있어도 되고, 오퍼레이터의 지정에 기초하여 설정되어도 된다.The determination
타이밍 결정부 (92) 는, 액체로 기판 (W) 을 처리하는 앞선 처리 (제 1 처리) 후, 기판 (W) 의 상면에 출현하는 간섭 무늬 (ST) 를 검출함으로써, 후속하는 처리 (제 2 처리) 를 개시하는 시간 (이하, 「 제 2 처리 개시 타이밍」이라고도 칭한다) 을 결정한다. 제 1 처리는, 회전하는 기판 (W) 의 상면에 제 1 처리액을 공급하는 처리이다. 후술하는 바와 같이, 타이밍 결정부 (92) 는, 촬영 화상 (82) 에 설정된 판정 영역 (DR) 내에 있어서, 각 간섭 무늬 (ST) 를 검출한다. 또, 후술하는 바와 같이, 판정 영역 (DR) 에 있어서의 간섭 무늬 (ST) 의 검출은, 타이밍 결정부 (92) 가 구비하는 극치점 검출부 (921) 가 휘도치의 극치점을 검출함으로써 실시된다.The
제어부 (9) 는, 상기한 RAM 또는 자기 디크스를 포함하는 기억부 (96) 를 구비하고 있다. 기억부 (96) 는, 카메라 (70) 에 의해 얻어진 화상 데이터 및 오퍼레이터의 입력치 등을 기억한다.The
제어부 (9) 에는, 표시부 (97) 및 입력부 (98) 가 접속되어 있다. 표시부 (97) 는, 제어부 (9) 로부터의 화상 신호에 따라 각종 정보를 표시한다. 입력부 (98) 는, 제어부 (9) 에 접속된 키보드 및 마우스 등의 입력 디바이스로 구성되어 있고, 조작자가 제어부 (9) 에 대해 실시하는 입력 조작을 접수한다.A
<동작 설명><Description of operation>
도 6 은, 기판 처리 장치 (100) 의 1 개의 세정 처리 유닛 (1) 에 있어서의 기판 처리의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다. 이하에 설명하는 각 공정은, 특별히 언급하지 않는 한, 제어부 (9) 의 제어 하에서 실시되는 것으로 한다.6 is a diagram showing an example of a flow of substrate processing in one
먼저, 노즐 (30) 이 퇴피 위치에 있는 상태에서, 주반송 로봇 (103) 이 인덱서 (102) 로부터 수취한 처리 대상인 기판 (W) 을 어느 1 개의 세정 처리 유닛 (1) 의 챔버 (10) 내에 반입한다 (스텝 S10). 챔버 (10) 내에 반입된 기판은, 스핀 베이스 (21) 의 각 척 핀 (26) 에 재치된다. 그리고, 각 척 핀 (26) 이 닫히는 것에 의해, 기판 (W) 을 수평 자세로 유지한다. 기판 (W) 이 반입되면, 스핀 모터 (22) 에 의해 기판 (W) 의 회전이 개시된다.First, in a state in which the
계속해서, 노즐 (30) 이, 처리 위치 (TP1) 로 이동함과 함께, 각종 처리액을 기판 (W) 에 공급함으로써, 기판 (W) 에 대한 액 처리를 실시한다. 여기서는, 먼저, 노즐 (30) 로부터 기판 (W) 의 상면에 불산을 공급하는 불산 처리가 실행된다 (스텝 S11). 기판 (W) 의 상면에 공급된 불산은, 기판 (W) 의 회전에 의해 기판 (W) 의 외측 가장자리부로 확산되고, 기판 (W) 의 전체에서 불산 처리가 진행된다. 불산이 기판 (W) 에 공급되는 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 이 기간 중의 기판 (W) 의 회전 속도는, 예를 들어 800 rpm (revolution per minute : 회전수/분) 이다.Subsequently, the
노즐 (30) 로부터의 불산의 토출이 정지된 후, 노즐 (30) 로부터 기판 (W) 의 상면에 린스액 (DIW) 을 공급하는 린스액 처리가 실행된다 (스텝 S12). 린스액 처리시에는, 노즐 (30) 로부터 회전하는 기판 (W) 의 상면에 린스액이 연속적으로 공급된다. 기판 (W) 의 상면에 공급된 린스액은, 기판 (W) 의 회전에 의해 기판 (W) 의 외측 가장자리부로 확산된다. 그리고, 기판 (W) 의 상면에 잔존하고 있던 불산과 함께 기판 (W) 의 외측 가장자리부로부터 직경 방향 외방으로 털린다. 기판 (W) 으로부터 털린 불산 및 린스액이 처리 컵 (40) 에서 받아들여져 적절히 폐기된다. 린스액이 기판 (W) 에 공급되는 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (W) 의 회전 속도는, 예를 들어 1200 rpm 이다.After the discharging of hydrofluoric acid from the
노즐 (30) 로부터의 린스액의 토출이 정지된 후, 노즐 (30) 로부터 기판 (W) 의 상면에 IPA 를 공급하는 IPA 처리가 실행된다 (스텝 S13). IPA 처리시에는, IPA 처리에서는, 노즐 (30) 로부터 회전하는 기판 (W) 의 상면에 IPA 가 연속적으로 공급된다. 상면에 공급된 IPA 는, 기판 (W) 의 회전에 의해 기판 (W) 의 외측 가장자리부로 확산되고, 상면 (기판 (W) 의 상면) 의 전체에서 린스액 (DIW) 이 IPA 로 치환된다. 또, DIW 로부터 IPA 로의 치환을 촉진시킬 목적에서 기판 (W) 에 대해 도시 생략된 가열 기구에서 가열 처리가 실시되어도 된다. IPA 가 공급되는 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (W) 의 회전 속도는, 예를 들어 300 rpm 이다.After discharge of the rinse liquid from the
노즐 (30) 로부터의 IPA 의 토출이 정지된 후, 노즐 (30) 로부터 기판 (W) 의 상면에 발수화제를 공급하는 발수화 처리가 실행된다 (스텝 S14). 이 때, 기판 (W) 의 상면에 공급된 발수화제는, 기판 (W) 의 회전에 의해 기판 (W) 의 외측 가장자리부로 확산되어, 상면 (기판 (W) 의 상면) 의 전체에서 IPA 가 발수화제로 치환됨과 함께, 상면 (기판 (W) 의 상면) 을 발수성으로 개질하는 발수화 처리가 진행된다. 발수화제가 공급되는 기간은, 예를 들어 30 초간이다. 또, 이 기간 중의 기판 (W) 의 회전 속도는, 예를 들어 500 rpm 이다.After the discharge of IPA from the
노즐 (30) 로부터의 발수화제의 토출이 정지된 후, 스텝 S13 과 동일한 IPA 처리가 실시된다 (스텝 S15). 이 IPA 처리에 의해, 기판 (W) 의 상면에 잔존한 발수화제가 IPA 처리액으로 치환된다.After the discharge of the water repellent agent from the
노즐 (30) 로부터의 IPA 의 토출이 정지된 후, 노즐 (30) 이 처리 위치 (TP1) 로부터 퇴피 위치를 향하여 이동된다. 그리고, 스핀 드라이 처리가 실행된다 (스텝 S16). 스핀 드라이 처리에서는, 스핀 모터 (22) 가, 스텝 S11 로부터 스텝 S15 의 각 액 처리시보다 큰 회전 속도로 기판 (W) 을 회전시킨다. 이 때의 회전 속도는, 예를 들어 1500 rpm 이다. 스핀 드라이 처리에 의해, 기판 (W) 에 부착된 각종의 액체는, 외주부 (기판 (W) 의 외주부) 로부터 직경 방향 외방으로 비산되고, 처리 컵 (40) 의 내벽에서 받아들여져 적절히 폐액된다. 바꾸어 말하면, 스핀 드라이 처리에서는, 기판 (W) 의 회전 속도를, IPA 처리시보다 크게 하여, 기판 (W) 의 상면에 잔류하는 처리액으로서의 IPA 가 제거된다.After the discharge of IPA from the
스핀 드라이 처리가 종료되면, 각 척 핀 (26) 에 의한 기판 (W) 의 유지가 해제됨과 함께, 주반송 로봇 (103) 이 기판 (W) 을 챔버 (10) 로부터 반출한다 (스텝 S17).When the spin drying process is completed, the holding of the substrate W by each
이와 같이, 세정 처리 유닛 (1) 에 의한 처리는, 기판 (W) 에 대해 액 처리를 실시하는 액 처리 공정 (스텝 S11 내지 스텝 S15) 과, 기판 (W) 을 건조시키는 건조 처리를 실시하는 건조 처리 공정 (스텝 S16) 을 포함한다.As described above, the treatment by the
상기 설명에서는, 모든 액 처리가 노즐 (30) 로부터 토출되는 것으로서 설명했지만, 일부의 처리액은 노즐 (60, 65) 로부터 토출되어도 된다. 이 경우, 적절한 타이밍으로 노즐 (60, 65) 을 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동시킴과 함께, 각 노즐 (60, 65) 로부터 기판 (W) 의 상면에 각종 처리액을 토출시키면 된다.In the above description, all of the liquid treatments are described as being discharged from the
<제 2 처리 개시 타이밍의 결정 처리에 대해><About the determination process of the second process start timing>
기판 처리 장치 (100) 에서는, 액체를 사용하는 액 처리 (제 1 처리) 가 완료된 후, 다음 처리 (제 2 처리) 가 개시되기 전에, 타이밍 결정부 (92) 가 그 다음 처리를 개시하는 타이밍을 결정한다. 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 스텝 S13 의 IPA 처리 (제 1 처리) 에 있어서의 노즐 (30) 로부터의 IPA 의 토출이 정지된 후, 다음 처리인 발수화 처리 (제 2 처리) 에 있어서의 노즐 (30) 로부터의 발수화제의 토출이 개시되는 제 2 처리 개시 타이밍을 결정한다. 타이밍 결정부 (92) 는, 상기 서술한 바와 같이, 타이밍 결정부 (92) 는, 간섭 무늬 (ST) 의 검출에 따라 다음 처리를 실행하는 타이밍을 결정한다. 여기서, 기판 (W) 의 상면에 출현하는 간섭 무늬 (ST) 에 대해 설명한다.In the
도 7 은, 제 1 처리에서부터 제 2 처리로 이행하는 동안의 각 타이밍에 있어서의 촬영 화상 (82a, 82b, 82c, 82d) 을 나타내는 도면이다. 촬영 화상 (82a) 은, 제 1 처리에 있어서 노즐 (30) 로부터 처리액이 기판 (W) 의 상면에 공급되어 있는 상태를 나타내고 있다. 회전하는 기판 (W) 의 상면에 노즐 (30) 등으로부터 처리액이 공급되면, 처리액이 기판 (W) 의 상면을 직경 방향 외방을 향하여 이동하고, 기판 (W) 의 외측 가장자리부로부터 직경 방향 외방으로 낙하 또는 털린다. 이 때, 기판 (W) 에 대해 공급되는 처리액의 양과, 기판 (W) 의 회전에 의해 외방으로 털리는 양이 밸런스가 취해짐으로써, 기판 (W) 의 상면에, 처리액의 막인 액막 (W1) 이 형성된다.7 is a diagram showing captured
촬영 화상 (82b) 은, 노즐 (30) 로부터의 처리액의 공급이 정지되고 나서 소정의 시간이 경과했을 때의 기판의 W 상면 상태를 나타내고 있다. 액막 (W1) 이 형성된 상태에서, 처리액의 공급이 정지되면, 기판 (W) 의 표면의 처리액이 직경 방향 외방으로 비산함으로써, 액막 (W1) (기판 (W) 의 상면에 잔류하는 제 1 처리액의 막) 이 점차 얇아진다. 막 두께가 얇아지는 과정에 있어서, 기판 (W) 의 상면에서 반사되는 광과, 액막 (W1) 의 표면에서 반사되는 광이 간섭한다. 그러면, 이들 2 개의 광의 위상이 일치한 부분은 밝은 띠영역으로서, 이들 2 개의 광의 위상이 반대가 된 부분은 어두운 띠영역으로서 각각 출현한다. 촬영 화상 (82b) 에 나타나는 바와 같이, 밝은 띠영역 및 어두운 띠영역이 직경 방향 (기판 (W) 의 직경 방향) 으로 교대로 나타나는 것에 의해, 명암의 무늬 모양이 관찰된다. 여기서는, 1 개의 어두운 띠영역을 간섭 무늬 (ST) 로 한다. 단, 밝은 띠영역을 간섭 무늬로서 인식해도 된다.The photographed
기판 (W) 이 회전함으로써, 중앙부의 처리액은 외측 가장자리부를 향하여 이동한다. 이 때문에, 액막 (W1) 이 얇아지는 과정에서는, 각 간섭 무늬 (ST) 는, 기판 (W) 상에 있어서 원환 띠상 (루프상) 으로 나타남과 함께, 직경 방향 외방으로 확산되면서 이동한다. 또한, 간섭 무늬 (ST) 는, 완전한 원환상으로 나타난다고는 할 수 없다.As the substrate W rotates, the processing liquid in the central portion moves toward the outer edge portion. For this reason, in the process of thinning the liquid film W1, each interference fringe ST appears on the substrate W in an annular band shape (loop shape) and moves while being diffused outward in the radial direction. In addition, it cannot be said that the interference fringe ST appears in a complete annular shape.
촬영 화상 (82c) 은, 촬영 화상 (82b) 에 나타내는 상태로부터 시간이 더욱 경과했을 때의 기판 (W) 의 상면 상태를 나타내고 있다. 시간의 경과에 의해, 직경 방향 (기판 (W) 의 직경 방향) 으로 인접하는 간섭 무늬 (ST) 간의 간격이 점차 커진다. 촬영 화상 (82c) 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 기판 (W) 상에 동시에 나타나는 간섭 무늬 (ST) 의 수가 3 개 정도가 되면, 기판 (W) 이 최소 한도에 가까운 두께의 액막 (W1) 으로 덮인 상태가 된다. 이와 같은 무늬 모양의 상태를 다음 처리의 개시의 기준으로 하는 경우, 이 무늬 모양을 구성하는 각 간섭 무늬 (ST) 중 적어도 1 개를 검출 대상으로 하는 것에 의해, 제 2 처리 개시 타이밍을 적절히 결정할 수 있다.The photographed
촬영 화상 (82d) 은, 촬영 화상 (82c) 에 나타내는 상태로부터 더욱 시간이 경과했을 때의 기판 (W) 의 상면 상태를 나타내고 있다. 촬영 화상 (82d) 에서는, 마지막 간섭 무늬 (STL) 가 기판 (W) 상에 출현하고 있다. 간섭 무늬 (STL) 보다 내측의 영역은, 액체 성분이 없는 건조 영역이 부분적으로 발생하고 있을 가능성이 있다.The photographed
여기서, 제 1 처리 후에 실시되는 제 2 처리가 제 2 처리액을 사용한 액 처리인 경우를 상정한다. 제 2 처리액은, 제 1 처리에 있어서의 제 1 처리액과는 상이한 처리액이며, 제 2 처리에서는, 제 2 처리액이 기판 (W) 의 상면에 공급된다. 이 경우, 촬영 화상 (82a, 82b) 과 같이 제 1 처리액의 액막 (W1) 이 두꺼운 상태에서 제 2 처리액이 공급되면, 제 1 처리액으로부터 제 2 처리액으로의 치환에 시간이 걸릴 가능성이 있다. 또, 촬영 화상 (82d) 과 같이 건조 영역이 부분적으로 발생하고 있는 상태에서 제 2 처리액이 공급되면, 제 2 처리액에 노출되는 시간이 기판 (W) 의 위치마다 상이한 것에 의해, 제 2 처리에 편차가 생길 가능성이 있다.Here, it is assumed that the second treatment performed after the first treatment is a liquid treatment using the second treatment liquid. The second processing liquid is a processing liquid different from the first processing liquid in the first processing, and in the second processing, the second processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate W. In this case, if the second processing liquid is supplied in a state where the liquid film W1 of the first processing liquid is thick as in the photographed
또, 제 2 처리가 스핀 드라이 처리 등의 건조 처리인 경우, 촬영 화상 (82d) 과 같이 건조 영역이 부분적으로 발생하면, 제 1 처리액이 국소적으로 소량으로 존재하는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 고속 회전으로 이행해도 터는 데에 시간이 걸릴 가능성이 있다. 이 때문에, 촬영 화상 (82d) 의 상태 (즉, 마지막 간섭 무늬 (STL) 가 출현한 상태) 이전에 고속 회전을 시작하는 편이 바람직한 경우가 있다. 이것과는 대조적으로, 촬영 화상 (82a, 82b) 과 같이 제 1 처리액의 액막 (W1) 이 두꺼운 상태에서 고속 회전으로 이행한 경우, 제 1 처리액의 직경 방향 외방으로의 이동에 치우침이 발생하거나, 털린 처리액이 처리 컵 (40) 등에 충돌하여 챔버 (10) 내가 오염되거나 할 가능성이 있다. 이 때문에, 액막 (W1) 의 두께를 가능한 한 얇게 하고 나서, 고속 회전을 개시하는 것이 바람직한 경우도 생각할 수 있다.In addition, when the second treatment is a drying treatment such as a spin drying treatment, when a dry region is partially generated as in the photographed
타이밍 결정부 (92) 가 검출 대상으로 하는 간섭 무늬 (ST) 를, 제 1 처리 및 제 2 처리의 각각의 처리 내용에 따라 미리 적절히 설정함으로써, 타이밍 결정부 (92) 가 제 2 처리 개시 타이밍을 적절히 결정할 수 있다. 다음으로, 간섭 무늬 (ST) 의 검출 패턴에 대해 설명한다.By appropriately setting the interference fringe ST as a detection target by the
<제 1 검출 패턴><1st detection pattern>
도 8 은, 간섭 무늬 (ST) 의 제 1 검출 패턴을 나타내는 도면이다. 제 1 검출 패턴은, 판정 영역 설정부 (91) 가, 촬영 화상 (82) 상에 있어서, 1 개의 판정 영역 (DR11) 을 설정하는 양태이다. 판정 영역 (DR11) 은, 촬영 화상 (82) 상에 있어서, 액막 (W1) 이 형성되는 기판 (W) 의 상면에 설정된다. 판정 영역 (DR11) 의 수직 방향의 위치는, 촬영 화상 (82) 에 있어서 기판 (W) 의 중심과 일치하고 있다. 간섭 무늬 (ST) 가 직경 방향 외방으로 이동하는 것에 의해, 판정 영역 (DR11) 내에서는 촬영 화상 (82) 의 수평 방향으로 간섭 무늬 (ST) 가 통과한다. 요컨대, 판정 영역 (DR11) 내에 있어서, 간섭 무늬 (ST) 가 직경 방향 외방을 향하여 이동한다.8 is a diagram showing a first detection pattern of an interference fringe ST. The first detection pattern is an aspect in which the determination
도 8 에 나타내는 바와 같이, 판정 영역 (DR11) 은, 검출 대상인 1 개의 간섭 무늬 (ST) 하고만 겹쳐치는 것이 가능한 정도의 크기로 설정되어 있다. 예를 들어, 판정 영역 (DR11) 의 직경 방향 (기판 (W) 의 직경 방향) 의 폭 (촬영 화상 (82) 상에서는 수평 방향의 폭) 은, 인접하는 간섭 무늬 (ST) 간의 직경 방향 (기판 (W) 의 직경 방향) 의 간격보다 작다. 또한, 간섭 무늬 (ST) 간의 간격은, 액막 (W1) 의 두께에 따라 변동한다. 예를 들어, 도 7 의 촬영 화상 (82b) 에 나타내는 바와 같이 액막 (W1) 이 두꺼운 상태에서는 간섭 무늬 (ST) 간의 간격이 상대적으로 작고, 촬영 화상 (82c) 에 나타내는 바와 같이 액막 (W1) 이 얇은 상태에서는 간섭 무늬 (ST) 간의 간격은 상대적으로 크다. 판정 영역 (DR11) 의 크기는, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 출현할 때의 간섭 무늬 (ST) 간의 폭에 따라 설정되면 된다.As shown in FIG. 8, the determination area DR11 is set to a size such that it is possible to overlap only with one interference fringe ST as a detection target. For example, the width in the radial direction (the radial direction of the substrate W) of the determination region DR11 (the width in the horizontal direction on the captured image 82) is the radial direction between the adjacent interference fringes ST (the substrate ( W) is smaller than the spacing in the radial direction). In addition, the interval between the interference fringes ST fluctuates according to the thickness of the liquid film W1. For example, in the state where the liquid film W1 is thick as shown in the captured
여기서는, 광 강도가 주위에 대해 상대적으로 약한 영역을 간섭 무늬 (ST) 로 하고 있다. 이 때문에, 판정 영역 (DR11) 을 통과할 때, 판정 영역 (DR11) 내의 수평 방향에 있어서의 광 강도를 나타내는 휘도는, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 직경 방향 내방측으로부터 외방측에 걸쳐 점차 작아지고 나서 다시 커진다. 그리고, 휘도가 극소치가 되는 지점 (위치) 이, 간섭 무늬 (ST) 의 거의 중심의 지점 (위치) 에 대응하고 있다. 이 때문에, 극치점 검출부 (921) 가 판정 영역 (DR11) 에 있어서 휘도의 극소치 (기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 광 강도의 극소치) 를 취하는 극치점을 검출함으로써, 판정 영역 (DR11) 에 있어서의 간섭 무늬 (ST) 의 통과를 검출할 수 있다.Here, the region in which the light intensity is relatively weak with respect to the periphery is set as the interference fringe ST. Therefore, when passing through the determination region DR11, the luminance indicating the light intensity in the horizontal direction in the determination region DR11 gradually decreases from the inner side to the outer side in the radial direction, as shown in FIG. 8. Then it grows again. And the point (position) at which the luminance becomes the minimum value corresponds to the point (position) of the substantially center of the interference fringe ST. For this reason, the extreme value
또한, 밝은 부분 (촬영 화상 (82) 상에서 광 강도가 상대적으로 큰 영역) 을 간섭 무늬로서 인식하는 경우, 밝은 (즉, 광 강도가 큰) 띠상 영역이, 직경 방향 외방으로 이동한다. 이 경우, 극치점 검출부 (921) 가 직경 방향 (기판 (W) 의 직경 방향) 에 있어서의 광 강도 (휘도) 의 극대치가 되는 극치점을 검출함으로써, 판정 영역 (DR11) 내에 있어서 밝은 부분인 간섭 무늬를 검출해도 된다.Further, when a bright portion (a region having a relatively large light intensity on the captured image 82) is recognized as an interference fringe, a bright (that is, a large light intensity) band-shaped region moves outward in the radial direction. In this case, the extreme value
제 1 검출 패턴의 경우, 타이밍 결정부 (92) 는, n 번째 (n 은 자연수) 의 간섭 무늬 (ST) (제 1 극치점) 가 검출되는 제 1 검출 시간과, n+1 번째 이후에 발생한 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 가 검출되는 제 2 검출 시간의 차인 검출 시간차를 산출한다. 여기서, 제 2 검출 시간은, n+1 번째의 간섭 무늬 (ST) 가 검출되는 시간이어도 되고, n+2 번째의 이후에 발생한 간섭 무늬 (ST) 가 검출되는 시간이어도 된다. 액막 (W1) 의 두께에 따라 간섭 무늬 (ST) 간의 간격이 변동되기 때문에, 검출 시간차는 액막 (W1) 의 두께에 대응하고 있는 것으로 생각된다. 예를 들어, 액막 (W1) 의 두께가 작아질수록, 검출 시간차가 커진다. 그래서, 예를 들어, 제 2 처리의 개시에 최적인 액막 (W1) 의 두께에 대응하는 최적 검출 시간차를 실험적으로 결정해 두면 된다. 그리고, 타이밍 결정부 (92) 가, 실제로 검출된 검출 시간차가 최적 검출 시간이 된 경우에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출되었다고 판단하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정해도 된다. 바꾸어 말하면, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 가, 판정 영역 (DR11) 내에 있어서 1 개의 극치점이 검출되고 나서 다음의 극치점이 검출될 때까지의 시간으로서의 검출 시간차에 따라, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정해도 된다. 이와 같이 하여, 타이밍 결정부 (92) 는, 예를 들어, 판정 영역 (DR11) 내에 있어서, 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대치 또는 극소치가 되는 극치점의 직경 방향 외방을 향한 이동에 따라, 기판 (W) 에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍으로서의 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다.In the case of the first detection pattern, the
또, 판정 영역 (DR11) 내에서 3 개 이상의 간섭 무늬 (ST) 의 각 검출 시간에 기초하여, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출되었는지의 여부가 판정되어도 된다. 예를 들어, 1 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 1 극치점) 및 2 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 의 제 1 검출 시간차와, 2 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 및 3 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 3 극치점) 의 제 2 검출 시간차를 산출한다. 여기서는, 예를 들어, 제 1 검출 시간차는, 1 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 1 극치점) 가 검출된 제 1 검출 시간과 2 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 가 검출된 제 2 검출 시간의 차이다. 제 2 검출 시간차는, 2 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 가 검출된 제 2 검출 시간과 3 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 3 극치점) 가 검출된 제 3 검출 시간의 차이다. 그리고, 제 1 검출 시간차와 제 2 검출 시간차의 비교에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍이 결정되어도 된다. 보다 구체적으로는, 제 1 검출 시간차와 제 2 검출 시간차의 차가, 이미 정해진 값이 되었을 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출되었다고 판정하고, 그 시간을 기준으로 제 2 처리 개시 타이밍이 결정되면 된다. 바꾸어 말하면, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 가, 판정 영역 (DR11) 내에 있어서, 1 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 1 극치점) 가 검출되고 나서 2 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 가 검출될 때까지의 제 1 시간으로서의 제 1 검출 시간차와, 2 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 2 극치점) 가 검출되고 나서 3 번째의 간섭 무늬 (ST) (제 3 극치점) 가 검출될 때까지의 제 2 시간으로서의 제 2 검출 시간차에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍이 결정되어도 된다. 또한, 여기서는, 1 번째에서부터 3 번째의 간섭 무늬 (ST) 는, 마지막으로 검출 가능한 최종 극치점에 대응하는 마지막 간섭 무늬 (STL) 로부터 세어 3 개의 극치점에 대응하는 양태를 생각할 수 있다.Further, based on each detection time of three or more interference fringes ST in the determination area DR11, it may be determined whether or not the interference fringes ST to be detected have been detected. For example, the first detection time difference between the first interference fringe ST (first extreme value point) and the second interference fringe ST (second extreme value point), and the second interference fringe ST (second 2 extreme value points) and the second detection time difference of the third interference fringe ST (third extreme value point) are calculated. Here, for example, the first detection time difference is the first detection time when the first interference fringe (ST) (first extreme value point) is detected and the second interference fringe (ST) (second extreme value point) is detected. Is the difference between the second detection time. The second detection time difference is between the second detection time at which the second interference fringe ST (second extreme value point) is detected and the third detection time at which the third interference fringe ST (third extreme value point) is detected. to be dumped. Then, the second processing start timing may be determined based on the comparison of the first detection time difference and the second detection time difference. More specifically, when the difference between the first detection time difference and the second detection time difference reaches a predetermined value, it is determined that the interference fringe (ST) of the detection target is detected, and the second processing start timing is determined based on that time. Just do it. In other words, for example, after the
상기 서술한 바와 같이, 액막 (W1) 이 점차 얇아짐에 따라, 즉 마지막 간섭 무늬 (STL) 의 출현 시간에 가까워짐에 따라, 간섭 무늬 (ST) 간의 간격이 점차 커져 간다. 이 때문에, 제 1 검출 패턴의 경우, 판정 영역 (DR11) 에 있어서 1 개의 간섭 무늬 (ST) 가 통과하고 나서 다음의 간섭 무늬 (ST) 가 통과하기까지 취득되는 프레임 수가 점차 증대하기 때문에, 검출 시간차의 측정 정밀도가 향상된다. 따라서, 액막 (W1) 이 얇아질수록, 타이밍 결정부 (92) 는, 검출 시간차가 목적하는 막 두께에 대응하는지를 적절히 판정할 수 있다.As described above, as the liquid film W1 gradually becomes thinner, that is, as it approaches the appearance time of the last interference fringe STL, the interval between the interference fringes ST gradually increases. Therefore, in the case of the first detection pattern, since the number of frames acquired from passing one interference fringe ST in the determination area DR11 until the next interference fringe ST passes, gradually increases, the detection time difference The measurement accuracy of is improved. Therefore, as the liquid film W1 becomes thinner, the
또한, 액막 (W1) 이 얇은 상태에서 발생하는 간섭 무늬 (ST) (예를 들어, 도 7 에 나타내는 촬영 화상 (82d) 에 있어서의 마지막으로 출현하는 간섭 무늬 (STL) 등) 는, 액면의 흔들림 등의 노이즈에 의해 클리어하게 검출할 수 없을 우려가 있다. 그래서, 가능한 한 클리어하게 검출 가능한 간섭 무늬 (ST) 를 검출 대상으로 하는 것이 바람직하다. 또, 그 선명한 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 시간에 소정의 지연 시간을 가산한 시간을, 제 2 처리 개시 타이밍으로 하면 된다. 이로써, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 를 양호한 정밀도로 검출할 수 있음과 함께, 액막 (W1) 이 바람직한 두께가 되고 나서 제 2 처리를 개시할 수 있다.In addition, interference fringes ST (e.g., interference fringes (STL) appearing last in the photographed
<제 2 검출 패턴><2nd detection pattern>
도 9 는, 간섭 무늬 (ST) 의 제 2 검출 패턴을 나타내는 도면이다. 제 2 검출 패턴은, 판정 영역 설정부 (91) 가, 복수의 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 을 설정하는 것이다. 바꾸어 말하면, 제 1 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR21) 과, 당해 판정 영역 (DR21) 으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 2 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR22) 과, 당해 판정 영역 (DR22) 으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 3 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR23) 이 설정된다. 도 9 에 나타내는 예에서는, 직경 방향 내방으로부터 직경 방향 외방을 향하여, 순서대로 3 개의 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 이 설정되어 있다. 또한, 판정 영역 (DR) 의 수는, 3 개에 한정되는 것이 아니고, 2 개 혹은 4 개 이상이어도 된다.9 is a diagram showing a second detection pattern of the interference fringe ST. In the second detection pattern, the determination
각 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 은, 촬영 화상 (82) 의 수평 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 의 수직 방향의 위치는, 촬영 화상 (82) 에 있어서 기판 (W) 의 중심과 일치하고 있다. 간섭 무늬 (ST) 는, 직경 방향 외방으로 이동하는 것에 의해, 판정 영역 (DR21), 판정 영역 (DR22), 판정 영역 (DR23) 의 순서로 각 판정 영역을 통과한다.Each of the determination areas DR21, DR22, and DR23 is arranged at intervals in the horizontal direction of the captured
각 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 은, 도 8 의 판정 영역 (DR11) 과 마찬가지로, 동시에 복수의 간섭 무늬 (ST) 를 포함하지 않는 정도의 크기로 설정되어 있다. 예를 들어, 각 판정 영역 (DR) 의 수평 폭은, 인접하는 간섭 무늬 (ST) 간의 직경 방향의 간격보다 작다.Each of the determination areas DR21, DR22, and DR23 is set to a size such that it does not include a plurality of interference fringes ST at the same time, similarly to the determination area DR11 in FIG. 8. For example, the horizontal width of each determination region DR is smaller than the interval in the radial direction between adjacent interference fringes ST.
판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 이 배치되는 간격은, 검출해야 할 복수의 간섭 무늬 (ST) 의 간격에 맞추어 설정되면 된다. 구체적으로는, 기판 (W) 의 상면에 있어서 검출 대상인 간섭 무늬 (ST) 의 수, 및 각 간섭 무늬 (ST) 의 간격에 따라 설정되어도 된다.The interval at which the determination regions DR21, DR22, and DR23 are arranged may be set in accordance with the intervals of the plurality of interference fringes ST to be detected. Specifically, it may be set according to the number of interference fringes ST as detection targets on the upper surface of the substrate W and the interval between each interference fringe ST.
예를 들어, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 검출 대상이, 도시되는 간격으로 출현하는 3 개의 간섭 무늬 (ST) (간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3)) 인 경우, 당해 3 개의 간섭 무늬 (ST) 의 간격에 맞추어 3 개의 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 이 배치된다. 여기서는, 예를 들어, 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서, 간섭 무늬 (ST1) 와 당해 간섭 무늬 (ST1) 로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 간섭 무늬 (ST2) 의 거리가 제 1 거리가 되고, 간섭 무늬 (ST2) 와 당해 간섭 무늬 (ST2) 로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 간섭 무늬 (ST3) 의 거리가 제 2 거리가 되는 양태를 생각할 수 있다. 이로써, 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 에 있어서, 동시에 검출 대상인 3 개의 간섭 무늬 (ST) 를 동시에 검출할 수 있다. 즉, 극치점 검출부 (921) 가 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 의 전부에 있어서 극소치를 취하는 극치점을 검출했을 때에, 검출 대상의 각 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 것으로 타이밍 결정부 (92) 가 판정하면 된다. 또한, 예를 들어, 판정 영역 (DR) 의 수가, 2 개인 경우에는, 극치점 검출부 (921) 는, 제 1 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR21) 에 있어서 제 1 극치점으로서의 극치점을 검출하고, 제 2 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR22) 에 있어서 제 2 극치점으로서의 극치점을 검출했을 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST1, ST2) 가 검출된 것으로 타이밍 결정부 (92) 가 판정하는 양태를 생각할 수 있다. 이 양태에서는, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 1 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR21) 에 있어서 제 1 극치점이 검출되고, 제 2 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR22) 에 있어서 제 2 극치점이 검출되는 것에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다. 바꾸어 말하면, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 제 1 극치점과 제 2 극치점의 제 1 거리에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다.For example, as shown in FIG. 9, when the detection target is three interference fringes ST (interference fringes ST1, ST2, ST3) appearing at intervals shown, the three interference fringes ST Three judgment areas DR21, DR22, and DR23 are arranged according to the interval of. Here, for example, in the radial direction of the substrate W, the distance between the interference fringe ST1 and the interference fringe ST2 radially outward from the interference fringe ST1 becomes the first distance, and the interference fringe An aspect in which the distance between (ST2) and the interference fringe ST3 distant radially outward from the interference fringe ST2 becomes the second distance can be considered. Thereby, in the determination areas DR21, DR22, DR23, three interference fringes ST as detection targets can be simultaneously detected. That is, when the extreme value
각 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 의 위치는, 오퍼레이터가 임의로 설정할 수 있도록 해도 된다. 이 경우, 예를 들어 검출 대상의 각 간섭 무늬 (ST) 가 출현한 상태의 촬영 화상 (82) 을 미리 취득해 두고, 그 촬영 화상 (82) 상에서 오퍼레이터가 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 을 나타내는 프레임을 각 간섭 무늬 (ST) 의 위치로 이동시키면 된다. 이로써, 검출 대상의 각 간섭 무늬 (ST) 를 동시에 검출 가능해지는 각 위치에 각 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 을 설정할 수 있다.The position of each determination area DR21, DR22, DR23 may be set arbitrarily by an operator. In this case, for example, a captured
특히, 마지막 간섭 무늬 (STL) 로부터 세어 3 개의 간섭 무늬 (ST) 를, 검출 대상의 3 개의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 로 해도 된다. 즉, 마지막 간섭 무늬 (STL) 를, 검출 대상인 가장 내측의 간섭 무늬 (ST1) 로 하고, 마지막 간섭 무늬 (STL) 의 직전에 발생하는 2 개의 검출 무늬 (ST) 를 검출 대상의 간섭 무늬 (ST2, ST3) 로 해도 된다. 이 경우, 액막 (W1) 이, 간섭 무늬 (ST) 가 검출 불가능해지는 얇기가 되는 것보다 이전의 단계에서, 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정할 수 있다. 마지막 간섭 무늬 (STL) 는, 마지막으로 검출 가능한 최종 극치점에 대응한다. 바꾸어 말하면, 여기서는, 예를 들어, 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 에 있어서, 복수의 극치점 중, 최종 극치점으로부터 세어 3 개의 극치점을 검출함으로써, 마지막 간섭 무늬 (STL) 및 이 마지막 간섭 무늬 (STL) 의 직전에 발생하는 2 개의 검출 무늬 (ST) 를 3 개의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 로서 검출하고, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다. 이와 같이 하여, 타이밍 결정부 (92) 는, 예를 들어, 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 내에 있어서, 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대치 또는 극소치가 되는 극치점의 직경 방향 외방을 향한 이동에 따라, 기판 (W) 에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍으로서의 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다.In particular, the three interference fringes ST counted from the last interference fringes STL may be used as the three interference fringes ST1, ST2, and ST3 to be detected. That is, the last interference fringe (STL) is the innermost interference fringe (ST1) to be detected, and the two detection fringes (ST) occurring immediately before the last interference fringe (STL) are the interference fringes (ST2) to be detected, ST3) may be used. In this case, the timing at which the second processing is performed can be determined at a stage prior to the liquid film W1 becoming thinner at which the interference fringe ST becomes undetectable. The last interference fringe (STL) corresponds to the last detectable final extreme value point. In other words, here, for example, in the determination regions DR21, DR22, DR23, counting from the final extreme value point among a plurality of extreme value points and detecting three extreme value points, the last interference fringe (STL) and the last interference The two detection fringes ST occurring immediately before the fringe STL are detected as the three interference fringes ST1, ST2, and ST3, and the second processing start timing can be determined. In this way, the
<제 3 검출 패턴><3rd detection pattern>
도 10 은, 간섭 무늬 (ST) 의 제 3 검출 패턴을 나타내는 도면이다. 제 3 검출 패턴은, 판정 영역 설정부 (91) 가, 촬영 화상 (82) 상에 1 개의 판정 영역 (RD31) 을 설정하는 것이다. 판정 영역 (RD31) 은, 직경 방향 (기판 (W) 의 직경 방향) 으로 연장되는 형상 (여기서는, 촬영 화상 (82) 에 있어서의 수평 방향으로 연장되는 사각 형상) 이다. 판정 영역 (RD31) 은, 검출 대상인 복수의 간섭 무늬 (ST) 와 동시에 겹쳐치는 것이 가능한 크기로 설정되어 있다.10 is a diagram showing a third detection pattern of the interference fringe ST. The third detection pattern is that the determination
제 3 검출 패턴에서는, 극치점 검출부 (921) 는, 판정 영역 (DR31) 에 있어서, 극치인 극소치를 취하는 극치점을 검출한다. 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR31) 내에 있어서 극소치를 취하는 극치점을 특정함으로써, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 를 검출한다. 구체적으로는, 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR31) 내에 있어서 산출되는 극치점간 거리에 기초하여, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 를 검출한다. 극치점간 거리는, 판정 영역 (DR31) 내에서 휘도가 극소치가 되는 지점 (위치) 사이의 거리를 말한다. 극치점간 거리는, 예를 들어, 제 1 극치점과 당해 제 1 극치점으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 2 극치점 사이의 거리 (제 1 거리) 를 포함한다. 극치점간 거리는, 예를 들어, 제 2 극치점과 당해 제 2 극치점으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 3 극치점 사이의 거리 (제 2 거리라고도 한다) 를 포함하고 있어도 된다. 도 10 에 나타내는 예에서는, 검출 대상이 3 개의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 이다. 이 경우, 이들 3 개의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 의 각 간격에 상당하는 거리 (L1, L2) 를 미리 설정해 두고, 타이밍 결정부 (92) 가, 판정 영역 (DR31) 내에서 검출된 각 극치점간 거리가 L1, L2 에 대응하는지의 여부를 판정하면 된다. 판정 영역 (DR31) 내에 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 존재하는 경우, 각 극치점간 거리가 L1, L2 에 대응 하는 것으로 판정됨으로써, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 검출된다.In the third detection pattern, the extreme value
또한, 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR31) 내에 있어서 검출되는 극치점의 수에 기초하여, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 를 검출해도 된다. 도 10 에 나타내는 예에서는, 검출 대상이 3 개의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 이다. 이 때문에, 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR31) 내에서 3 개의 극치점이 검출된 경우에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 검출된 것으로 판정하면 된다.Further, the
극치점간 거리 (L1, L2) 의 비교에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍이 결정되어도 된다. 예를 들어, 극치점간 거리 (L1, L2) 의 차가, 이미 정해진 값이 되었을 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 검출된 것으로 판정되어도 된다. 바꾸어 말하면, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 1 거리로서의 극치점간 거리 (L1) 가 이미 정해진 거리가 되고, 제 2 거리로서의 극치점간 거리 (L2) 가 이미 정해진 거리가 되었을 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 검출된 것으로 판정해도 된다. 이 때, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 1 거리와 제 2 거리에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정하는 것이 가능해진다. 또한, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 1 거리로서의 극치점간 거리 (L1) 가 이미 정해진 거리가 되었을 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST1, ST2) 가 검출된 것으로 판정해도 된다. 이 경우에는, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 1 거리로서의 극치점간 거리 (L1) 에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정하는 것이 가능해진다. 또, 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 2 거리로서의 극치점간 거리 (L2) 가 이미 정해진 거리가 되었을 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST2, ST3) 가 검출된 것으로 판정해도 된다. 이 때, 타이밍 결정부 (92) 는, 제 2 거리로서의 극치점간 거리 (L2) 에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정하는 것이 가능해진다. 이와 같이 하여, 타이밍 결정부 (92) 는, 예를 들어, 판정 영역 (DR31) 내에 있어서, 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대치 또는 극소치가 되는 극치점에 따라, 기판 (W) 에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍으로서의 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다. 다른 관점에서 말하면, 타이밍 결정부 (92) 는, 예를 들어, 판정 영역 (DR31) 내에 있어서, 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대치 또는 극소치가 되는 극치점의 직경 방향 외방을 향한 이동에 따라, 기판 (W) 에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍으로서의 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다.The second processing start timing may be determined based on the comparison of the distances L1 and L2 between extreme value points. For example, when the difference in the distances L1 and L2 between extreme value points becomes a predetermined value, it may be determined that the interference fringes ST1, ST2, and ST3 to be detected have been detected. In other words, for example, when the distance L1 between extreme value points as the first distance becomes a predetermined distance, and the distance L2 between extreme value points as the second distance becomes a predetermined distance, It may be determined that the interference fringes ST1, ST2, and ST3 to be detected have been detected. At this time, the
도 11 은, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정하는 처리의 흐름을 나타내는 도면이다. 도 11 에 나타내는 흐름은, IPA 처리 (도 6 : 스텝 S13) 를 제 1 처리, 발수화 처리 (도 6 : 스텝 S14) 를 제 2 처리로 하여, 제 2 처리 개시 타이밍 (발수화제의 토출을 개시하는 타이밍) 을 결정하는 처리의 흐름을 나타내고 있다.11 is a diagram showing a flow of processing for determining a second processing start timing. The flow shown in FIG. 11 is the IPA process (FIG. 6: step S13) as the first process, the water repellent treatment (FIG. 6: step S14) as the second process, and the second process start timing (discharge of the water repellent is started. The flow of processing to determine the timing) is shown.
IPA 처리 (도 6 : 스텝 S13) 에 있어서, 기판 (W) 의 상면에 노즐 (30) 로부터 IPA 가 공급된다 (스텝 S21). 이 동안, 카메라 (70) 가 연속 촬영을 실시한다 (스텝 S22). 연속 촬상이란, 카메라가 촬상 영역을 일정 간격으로 연속하여 촬상하는 것을 말하고, 예를 들어 33 밀리 세컨드 간격으로 연속 촬상을 실시하면 된다. 이 연속 촬영에 의해, 기판 (W) 의 상면 상태를 화상화한 촬영 화상 (82) 이 취득된다.In the IPA process (FIG. 6: Step S13), IPA is supplied from the
연속 촬상이 개시되면, 판정 영역 설정부 (91) 가 취득된 촬영 화상 (82) 에 대해 판정 영역 (DR) 을 설정한다 (스텝 S23). 스텝 S23 에 있어서 설정되는 판정 영역 (DR) 은, 검출 대상인 간섭 무늬 (ST) 의 검출 패턴에 따라 상이하다. 예를 들어, 도 8 에 있어서 설명한 제 1 검출 패턴의 경우, 1 개의 판정 영역 (DR11) 이 촬영 화상 (82) 에 대해 설정된다. 또, 예를 들어, 도 9 에 있어서 설명한 제 2 검출 패턴의 경우, 촬영 화상 (82) 에 대해 판정 영역 (DR) 을 설정하는 공정에는, 제 1 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR21) 에 대한 제 2 판정 영역으로서의 판정 영역 (DR22) 의 기판 (W) 의 직경 방향에 있어서의 상대적인 위치를 변경하는 공정이 포함될 수 있다.When continuous imaging is started, the determination
또한, IPA 가 토출되어 있는 동안에, 연속 촬상이 개시되는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 기판 (W) 이 챔버 (10) 에 반입된 시점으로부터 반출될 때까지의 동안, 연속 촬상이 실시되어도 된다.In addition, it is not essential that continuous imaging is started while IPA is being ejected. For example, continuous imaging may be performed from the time when the substrate W is carried in to the
판정 영역 (DR) 이 설정되면, 노즐 (30) 로부터 기판 (W) 에 대한 IPA 의 공급이 정지된다 (스텝 S24). 이 시점에서, IPA 처리 (도 6 : 스텝 S13) 가 완료된다. 상기 서술한 바와 같이, IPA 의 공급이 정지되면, 기판 (W) 상의 IPA 는 원심력에 의해 직경 방향 외방으로 털린다. 이로써, 액막 (W1) 이 점차 얇아져 가고, 간섭 무늬 (ST) 가 출현하기 시작한다.When the determination area DR is set, the supply of IPA from the
극치점 검출부 (921) 는, 판정 영역 (DR) 에 있어서, 직경 방향에 있어서의 휘도의 극소치를 취하는 극치점을 검출한다 (스텝 S25). 이로써, 판정 영역 (DR) 과 겹쳐지는 간섭 무늬 (ST) 가 극소치를 취하는 극치점으로서 검출된다.The extreme value
극치점 검출부 (921) 에 의한 극소치의 검출 결과에 기초하여, 타이밍 결정부 (92) 가, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출되었는지의 여부를 판정한다 (스텝 S26). 이 판정의 구체적인 내용은, 간섭 무늬 (ST) 의 검출 패턴에 따라 상이하다. 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출되어 있지 않은 것으로 판정된 경우 (스텝 S26 에 있어서 NO), 스텝 S25 로 되돌아와, 극소치의 검출이 계속해서 실시된다.Based on the detection result of the minimum value by the extreme value
예를 들어, 도 8 에 나타내는 제 1 검출 패턴의 경우, 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR11) 에 있어서 검출되는 간섭 무늬 (ST) 간의 검출 시간차가 미리 설정된 최적 검출 시간차에 대응할 때에, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 것으로 판정한다. 또, 도 9 에 나타내는 제 2 검출 패턴의 경우, 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 에 있어서 동시에 간섭 무늬 (ST) 가 검출되었을 때에, 검출 대상인 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 검출된 것으로 판정한다. 또, 도 10 에 나타내는 제 3 검출 패턴의 경우, 타이밍 결정부 (92) 는, 판정 영역 (DR31) 에 있어서, 극소치가 검출된 지점 (위치) 간의 극치점간 거리가 미리 설정된 거리 (L1, L2) 에 대응할 때에, 검출 대상인 간섭 무늬 (ST1, ST2, ST3) 가 검출된 것으로 판정한다.For example, in the case of the first detection pattern shown in FIG. 8, when the detection time difference between the interference fringes ST detected in the determination region DR11 corresponds to a preset optimal detection time difference, It is determined that the interference fringe ST of the object to be detected has been detected. In addition, in the case of the second detection pattern shown in FIG. 9, when the interference fringe ST is simultaneously detected in the determination areas DR21, DR22, DR23, the interference fringes ST1, which are detection targets, are ST2, ST3) is determined to be detected. In the case of the third detection pattern shown in Fig. 10, the
도 11 로 되돌아와서, 타이밍 결정부 (92) 가 검사 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 것으로 판정된 경우 (스텝 S26 에 있어서 YES), 타이밍 결정부 (92) 는 제 2 처리 개시 타이밍을 결정한다 (스텝 S27). 타이밍 결정부 (92) 는, 검출 대상인 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 검출 완료 시간 (검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 에 대응하는 극소치가 검출된 시간) 에 따라, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정한다. 예를 들어, 타이밍 결정부 (92) 는, 검출 완료 시간으로부터 미리 정해진 지연 시간을 가산해서 구해지는 시간을 제 2 처리 개시 타이밍으로 한다.Returning to Fig. 11, when the
스텝 S27 에 있어서 제 2 처리 개시 타이밍이 결정되면, 그 제 2 처리 개시 타이밍으로 노즐 (30) 로부터 기판 (W) 의 상면으로의 발수화제의 토출이 개시된다 (스텝 S28). 이로써, 발수화 처리 (도 6 : 스텝 S14) 가 개시된다. 제어부 (9) 는, 스텝 S28 에 있어서, 타이밍 결정부 (92) 에 의해 결정된 타이밍에 따라서, 다음 처리로서 노즐 (30) 로부터 발수화제를 토출시킨다. 즉, 제어부 (9) 는, 제 2 처리 개시 타이밍에 따라 다음 처리인 발수화 처리를 실행한다. 이 때문에, 제어부 (9), 노즐 (30) 및 노즐 (30) 에 발수화제를 공급하는 기구는, 제 2 처리 실행부의 일례가 될 수 있다. 제 2 처리 실행부는, 처리 대상인 기판 (W) 에 대해 제 2 처리를 실시하는 부분이며, 타이밍 결정부 (92) 에 의해 결정된 타이밍에 따라, 기판 (W) 에 제 2 처리를 실시할 수 있다.When the second processing start timing is determined in step S27, the discharge of the water repellent agent from the
스텝 S27 에 있어서, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정하기 위해서 검출 완료 시간으로부터 가산되는 지연 시간의 길이는, 사전의 실험적인 기판 처리로 결정되어도 된다. 구체적으로는, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 후, 상이한 지연 시간으로 발수화 처리를 개시하고, 그 결과 얻어지는 기판 (W) 의 소수화 상황을 평가한다. 이 평가 결과에 기초하여, 최적인 지연 시간이 결정되어도 된다.In step S27, the length of the delay time added from the detection completion time may be determined by experimental substrate processing in advance in order to determine the second processing start timing. Specifically, after the interference fringe ST of the detection object is detected, the water repellent treatment is started with a different delay time, and the resulting hydrophobic state of the substrate W is evaluated. Based on this evaluation result, the optimum delay time may be determined.
또한, 스텝 S27 에 있어서, 제 2 처리 개시 타이밍을, 검출 완료 시간으로부터 이미 정해진 지연 시간을 가산한 시간으로 하는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 제 2 처리 개시 타이밍을, 검출 완료 시간으로 해도 된다. 이 경우, 스텝 S26 에 있어서, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 검출된 것으로 판정되면, 즉시, 발수화제의 토출이 개시된다.In addition, in step S27, it is not essential to set the second processing start timing to a time obtained by adding a predetermined delay time from the detection completion time. For example, the second processing start timing may be the detection completion time. In this case, when it is determined in step S26 that the interference fringe ST of the detection object has been detected, the discharge of the water repellent agent is immediately started.
도 11 에서는, 제 1 처리가 IPA 처리이고, 제 2 처리가 발수화 처리인 경우에 있어서의, 제 2 처리 개시 타이밍의 결정 처리이지만, 제 1 처리와 제 2 처리의 조합은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제 1 처리가 발수화 처리 후의 IPA 처리 (도 6 : 스텝 S15) 이고, 제 2 처리가 스핀 드라이 처리 (도 6 : 스텝 S16) 인 경우에도 제 2 처리 개시 타이밍의 결정 처리를 적용하는 것이 가능하다. 이 경우, 타이밍 결정부 (92) 가 결정된 제 2 처리 개시 타이밍에 따라서, 제어부 (9) 가 스핀 척 (20) 의 스핀 모터 (22) 를 제어함으로써, 기판 (W) 의 회전 속도를 300 rpm 에서 1500 rpm 까지 상승시킨다. 즉, 제어부 (9) 는, 제 2 처리 개시 타이밍에 따라 제 2 처리인 스핀 드라이 처리를 실행한다. 이 때문에, 제어부 (9) 및 스핀 모터 (22) 는, 제 2 처리 실행부가 될 수 있다. 이와 같은 경우에는, 예를 들어, 제 2 처리로서의 스핀 드라이 처리는, 기판 (W) 의 회전 속도를, 제 1 처리로서의 IPA 처리일 때보다 크게 하여, 기판 (W) 의 상면에 잔류하는 제 1 처리액으로서의 IPA 를 제거하는 처리가 된다.In FIG. 11, although the first process is the IPA process and the second process is the water-repellent process, the second process start timing is determined, but the combination of the first process and the second process is limited to this. no. For example, even when the first process is the IPA process after the water-repellent treatment (Fig. 6: Step S15) and the second process is the spin dry process (Fig. 6: Step S16), the second process start timing determination process is applied. It is possible to do. In this case, the
<효과><Effect>
기판 처리 장치 (100) 에 의하면, 액 처리인 제 1 처리가 실시된 기판 (W) 에 대해, 제 2 처리를 적절한 타이밍으로 실행할 수 있다.According to the
제 2 처리가 액 처리인 경우 (예를 들어, 제 1 처리가 IPA 처리 (도 6 : 스텝 S13) 이고, 제 2 처리가 발수화 처리 (도 6 : 스텝 S14) 인 경우), 제 1 처리액의 막 (액막 (W1) 의 막) 을 가능한 한 얇게 하고 나서 제 2 처리액을 공급할 수 있다. 이 경우, 기판 (W) 상의 제 1 처리액의 양을 줄일 수 있기 때문에, 제 1 처리액으로부터 제 2 처리액으로의 치환을 촉진시킬 수 있다. 이로써, 제 2 처리의 처리 시간을 단축할 수 있다. 또, 제 2 처리액의 사용량을 저감시킬 수 있기 때문에, 기판 처리의 비용을 경감시킬 수 있다.When the second treatment is a liquid treatment (e.g., the first treatment is an IPA treatment (Fig. 6: step S13), and the second treatment is a water repellent treatment (Fig. 6: step S14)), the first treatment liquid After making the film of (film of the liquid film W1) as thin as possible, the second processing liquid can be supplied. In this case, since the amount of the first processing liquid on the substrate W can be reduced, the substitution of the first processing liquid to the second processing liquid can be promoted. Thereby, the processing time of the second processing can be shortened. In addition, since the amount of the second processing liquid used can be reduced, the cost of processing the substrate can be reduced.
제 2 처리가 건조 처리인 경우 (예를 들어, 제 1 처리가 IPA 처리 (도 6 : 스텝 S15) 이고, 제 2 처리가 스핀 드라이 처리 (도 6 : 스텝 S16) 인 경우), 기판 처리 장치 (100) 에 의하면, 제 1 처리액의 막 두께가 적절한 상태에서, 건조 처리로 이행할 수 있다. 이 때문에, 액막의 과잉된 부풀어오름을 억제할 수 있다. 이로써, 기판 표면을 균일하게 처리할 수 있다.When the second process is a drying process (e.g., when the first process is an IPA process (Fig. 6: step S15), and the second process is a spin dry process (Fig. 6: step S16)), the substrate processing apparatus ( According to 100), it is possible to transfer to the drying treatment in a state where the film thickness of the first treatment liquid is appropriate. For this reason, excessive swelling of the liquid film can be suppressed. Thereby, the surface of the substrate can be treated uniformly.
<간섭 무늬 (ST) 를 검출하기 위한 조건 설정에 대해><About setting conditions for detecting interference fringes (ST)>
도 12 는, 간섭 무늬 (ST) 를 검출하는 조건을 설정하기 위한 설정 화면 (SW1) 을 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (100) 에서는, 표시부 (97) 에 표시되는 처리 프로그램 작성 화면 (도시 생략) 에 있어서, 오퍼레이터가 각 세정 처리 유닛 (1) 에 있어서 실행시키는 처리 내용을 결정하는 처리가 실시된다. 설정 화면 (SW1) 은, 이 처리 프로그램 작성 화면으로부터 이행하여 표시되는 화면이다.12 is a diagram showing a setting screen SW1 for setting a condition for detecting an interference fringe ST. In the
설정 화면 (SW1) 은, 표시부 (97) 의 화면 전체 또는 그 일부에 표시된 윈도우로서 표시된다. 오퍼레이터가 설정 화면 (SW1) 상에서 소정의 조작을 실시하면, 판정 영역 설정부 (91) 는 그 조작 입력에 따라, 판정 영역 (DR) 의 조건을 설정한다. 판정 영역 설정부 (91) 는, 도 11 에 나타내는 스텝 S23 에 있어서, 그 설정한 조건에 합치하는 판정 영역 (DR) 을, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 를 검출하기 위한 촬영 화상 (82) 상에 설정한다.The setting screen SW1 is displayed as a window displayed on the entire screen of the
설정 화면 (SW1) 에는, 각종 정보를 표시하는 표시 영역 (DA1, DA2, DA3, DA4, DA5, DA6) 이 정의되어 있다. 표시 영역 (DA1) 에는, 제 1 처리 및 제 2 처리의 내용이 표시된다. 표시 영역 (DA1) 에는, 지정된 처리의 내용으로서, 예를 들어, 처리액의 종류, 처리액의 토출량, 처리액의 토출 시간, 및 처리액 토출시의 기판 (W) 의 회전수 등의 처리 조건의 각 파라미터가 표시된다. 또한, 표시 영역 (DA1) 에 있어서, 오퍼레이터의 입력 조작에 기초하여, 각 파라미터의 변경이 접수되어도 된다. 표시 영역 (DA1) 에서, 오퍼레이터가, 제 1 처리 또는 제 2 처리의 처리 내용을 설정하면, 이 제 2 처리 개시 타이밍이 결정된다. 표시 영역 (DA1) 에는, 후술하는 표시 영역 (DA2, DA3) 에 있어서 선택되는 검출 패턴 및 위치 패턴을 나타내는 영역이 정의되어 있다.In the setting screen SW1, display areas DA1, DA2, DA3, DA4, DA5, and DA6 that display various types of information are defined. In the display area DA1, the contents of the first process and the second process are displayed. In the display area DA1, as the contents of the designated processing, for example, processing conditions such as the type of the processing liquid, the discharge amount of the processing liquid, the discharge time of the processing liquid, and the number of rotations of the substrate W when the processing liquid is discharged. Each parameter of is displayed. Moreover, in the display area DA1, the change of each parameter may be accepted based on the input operation of an operator. In the display area DA1, when the operator sets the processing contents of the first processing or the second processing, this second processing start timing is determined. In the display area DA1, an area indicating a detection pattern and a position pattern selected in the display areas DA2 and DA3 described later is defined.
제 1 처리 및 제 2 처리가 설정되면, 그들의 처리 조건에 기초하여, 타이밍 결정부 (92) 가 검출 대상인 간섭 무늬 (ST) 를 자동적으로 결정한다. 이 결정 처리를 위한 사전 준비로서, 제 1 처리에 대하여 상이한 조건마다, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 미리 특정되면 된다. 이 경우, 처리액, 토출량, 회전수의 각 조건을 변경하여 제 1 처리를 실시한 각 경우에 대해, 제 2 처리의 바람직한 개시 타이밍이 결정되고, 그 개시 타이밍에 대응한 간섭 무늬 (ST) 가 결정되면 된다.When the first processing and the second processing are set, based on their processing conditions, the
표시 영역 (DA2) 에는, 검출 패턴을 선택하기 위한 각 버튼 (BT11, BT12, BT13, BT14) 이 표시된다. 각 버튼 (BT11, BT12, BT13) 은, 간섭 무늬 (ST) 의 검출 패턴을 상기 서술한 제 1 내지 제 3 검출 패턴 (도 8 내지 도 10 참조) 중 어느 것으로 설정하기 위한 조작부이다. 오퍼레이터가 버튼 (BT11, BT12, BT13) 중 어느 것을 조작함으로써, 대응하는 검출 패턴이 선택된다. 여기서는, 버튼 (BT11) 이 조작됨으로써, 제 1 검출 패턴이 선택되어 있고, 그 선택 결과를 나타내는 표시가, 표시 영역 (DA1) 에 표시되어 있다. 버튼 (BT14) 은, 검출 패턴을 자동적으로 설정하기 위한 조작부이다. 버튼 (BT14) 이 조작되면, 제 1 내지 제 3 검출 패턴 중 어느 것이 자동적으로 선택된다.In the display area DA2, buttons BT11, BT12, BT13, BT14 for selecting a detection pattern are displayed. Each button BT11, BT12, BT13 is an operation unit for setting the detection pattern of the interference fringe ST to any of the first to third detection patterns (see Figs. 8 to 10) described above. When the operator operates any of the buttons BT11, BT12, BT13, the corresponding detection pattern is selected. Here, by operating the button BT11, the first detection pattern is selected, and a display indicating the selection result is displayed on the display area DA1. The button BT14 is an operation unit for automatically setting a detection pattern. When the button BT14 is operated, any of the first to third detection patterns is automatically selected.
표시 영역 (DA3) 에는, 판정 영역 (DR) 의 위치 패턴을 선택하기 위한 각 버튼 (BT21, BT22, BT23, BT24) 이 표시된다. 오퍼레이터가 버튼 (BT21, BT22, BT23, BT24) 중 어느 것을 조작하면, 조작된 버튼에 따라 판정 영역 (DR) 의 위치 패턴이 설정된다. 버튼 (BT21, BT22, BT23) 에 할당되는 내용은, 표시 영역 (DA2) 에 있어서 선택된 검출 패턴마다 미리 설정되면 된다. 예를 들어, 제 1 검출 패턴의 경우, 1 개의 판정 영역 (DR11) 이 배치되는 위치 (예를 들어 직경 방향의 위치) 를, 버튼 (BT21, BT22, BT23) 사이에서 상이하게 하면 된다. 제 2 검출 패턴의 경우, 각 판정 영역 (DR21, DR22, DR23) 사이의 직경 방향에 있어서의 간격을, 버튼 (BT21, BT22, BT23) 사이에서 상이하게 하면 된다.In the display area DA3, each button BT21, BT22, BT23, BT24 for selecting the position pattern of the determination area DR is displayed. When the operator operates any of the buttons BT21, BT22, BT23, BT24, the position pattern of the determination area DR is set according to the operated button. The contents assigned to the buttons BT21, BT22, BT23 may be set in advance for each detection pattern selected in the display area DA2. For example, in the case of the first detection pattern, the position (for example, the position in the radial direction) at which one determination region DR11 is arranged may be made different between the buttons BT21, BT22, and BT23. In the case of the second detection pattern, the interval in the radial direction between the determination regions DR21, DR22, and DR23 may be made different between the buttons BT21, BT22, and BT23.
버튼 (BT24) 이 조작된 경우, 판정 영역 설정부 (91) 는, 자동적으로 판정 영역 (DR) 의 위치를 설정한다. 예를 들어, 판정 영역 설정부 (91) 는, 초기치로서 미리 정해진 위치에 판정 영역 (DR) 을 설정해도 되고, 혹은, 소정의 판단 기준에 기초하여 판정 영역 (DR) 의 위치를 설정해도 된다. 후자의 경우, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 에 따라, 그 간섭 무늬 (ST) 의 검출에 적합한 위치에 판정 영역을 설정하면 된다.When the button BT24 is operated, the determination
표시 영역 (DA4) 에는, 처리 대상의 기판 (W) 의 종류를 선택하기 위한 각 버튼 (BT31, BT32, BT33) 이 표시된다. 기판 (W) 의 종류는, 예를 들어, 기판 (W) 의 크기, 기판 (W) 의 상면에 있어서의 회로 패턴 등의 구조물의 유무, 기판 (W) 의 상면의 물에 대한 친화성 (소수성/친수성) 등, 간섭 무늬 (ST) 의 출현에 영향을 주는 각 상태에 대응하고 있는 것이 바람직하다.In the display area DA4, each button BT31, BT32, BT33 for selecting the type of the substrate W to be processed is displayed. The type of the substrate W is, for example, the size of the substrate W, the presence or absence of a structure such as a circuit pattern on the upper surface of the substrate W, and the affinity for water on the upper surface of the substrate W (hydrophobicity /Hydrophilicity), etc. It is preferable to correspond to each state that affects the appearance of the interference fringe ST.
표시 영역 (DA5) 에는, 촬영 화상 (82) 이 표시된다. 이 촬영 화상 (82) 은, 과거의 카메라 (70) 의 촬상에 의해 얻어진 촬영 화상이어도 되고, 혹은, 리얼타임의 카메라 (70) 의 촬상에 의해 얻어지는 촬영 화상이어도 된다. 촬영 화상 (82) 상에는, 바람직하게는, 표시 영역 (DA2, DA3) 에 있어서 선택된 검출 패턴 및 위치 패턴에 따라, 판정 영역 (DR) 을 나타내는 사각 형상의 프레임이 표시된다. 예를 들어, 제 1 검출 패턴이 선택된 경우에는 1 개의 판정 영역 (DR11) 이 표시되면 된다.In the display area DA5, a captured
촬영 화상 (82) 상에 있어서, 판정 영역 (DR) 의 위치를 변경하는 조작이 접수되어도 된다. 예를 들어, 드래그 조작이 접수되는 것에 의해, 판정 영역 (DR) 이 이동 후의 위치로 변경되어도 된다. 판정 영역 (DR) 의 이동 조작은, 직경 방향에 대응하는 일 방향 (여기서는, 촬영 화상 (82) 의 수평 방향) 으로만 변경되도록 해도 된다. 이 경우, 간섭 무늬 (ST) 의 이동 방향 (직경 방향 외방) 에 맞추어 판정 영역 (DR) 의 위치를 변경할 수 있기 때문에, 판정 영역 (DR) 을 용이하게 설정할 수 있다.On the captured
과거의 촬상에 의해 얻어진 촬영 화상 (82) 을 표시하는 경우, 표시 영역 (DA1) 에서 지정된 제 1 처리에서부터 제 2 처리로 이행할 때의 촬영 화상 (82) 으로서, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 가 출현하고 있는 촬영 화상 (82) (예를 들어, 도 7 에 나타내는 촬영 화상 (82b, 82c)) 을 채용할 수 있다. 이 경우, 오퍼레이터는, 간섭 무늬 (ST) 를 육안으로 보면서 판정 영역 (DR) 의 프레임을 이동시킬 수 있기 때문에, 판정 영역 (DR) 을 적절한 위치로 설정할 수 있다. 또, 표시 영역 (DA5) 에 있어서, 연속 촬상에 의해 얻어진 일련의 촬영 화상 (82) 을 연속 재생함으로써, 동영상 표시를 실시해도 된다. 이 경우, 재생 또는 정지 등의 표시를 제어하는 각종 버튼을 준비하여, 오퍼레이터에 의한 표시 제어가 접수되어도 된다. 이로써, 오퍼레이터는, 간섭 무늬 (ST) 가 출현하는 모습을 확인하면서, 판정 영역 (DR) 의 조건을 적절히 설정할 수 있다.In the case of displaying the captured
표시 영역 (DA6) 은, 목표 막 두께의 입력을 접수하는 영역이다. 목표 막 두께는, 제 2 처리를 개시할 때의 기준이 되는 제 1 처리액의 액막 (W1) 의 두께이다. 목표 막 두께가 입력되면, 타이밍 결정부 (92) 는, 그 목표 막 두께에 대응할 때에 출현하는 간섭 무늬 (ST) 를 특정한다. 이 특정 처리를 위해, 사전 준비로서, 제 1 처리에 있어서의 노즐 (30) 로부터의 처리액의 토출 정지 후에 있어서, 액막 (W1) 의 두께가 측정된다. 각 간섭 무늬 (ST) 가 출현할 때의 각 출현 시간과, 액막 (W1) 의 두께의 관계가 특정되면 된다. 이 경우, 처리액, 토출량, 회전수의 각 조건을 변경하여 제 1 처리를 실시한 각 경우에 대해, 각 간섭 무늬 (ST) 의 출현 타이밍에 대응하는 액막 (W1) 의 두께가 결정되면 된다. 또한, 두께가 측정되는 기판 (W) 의 위치는, 기판 (W) 의 중심, 외측 가장자리, 또는, 이것들의 중간의 위치 중 어느 곳이어도 된다.The display area DA6 is an area that accepts input of the target film thickness. The target film thickness is the thickness of the liquid film W1 of the first treatment liquid that becomes a reference when starting the second treatment. When the target film thickness is input, the
표시 영역 (DA6) 에 있어서 목표 막 두께가 입력된 경우, 표시 영역 (DA2, DA3) 에 있어서, 그 목표 막 두께에 대응하는 간섭 무늬 (ST) 에 따라, 그 간섭 무늬 (ST) 에 따른 검출 패턴, 및 위치 패턴의 후보가 축소되어 표시되어도 된다. 이 경우, 사전에 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 마다 검출 패턴 및 위치 패턴을 결정해 두면 된다.When the target film thickness is input in the display area DA6, in the display areas DA2 and DA3, the detection pattern according to the interference fringe ST according to the interference fringe ST corresponding to the target film thickness , And the candidates of the position pattern may be reduced and displayed. In this case, a detection pattern and a position pattern may be determined in advance for each interference fringe (ST) to be detected.
또, 제 1 처리에 있어서의 회전수 또는 토출 시간의 조건에 따라서는, 입력된 목표 막 두께에 도달하지 않는 것에 의해, 검출 대상의 간섭 무늬 (ST) 를 특정할 수 없는 경우가 있다. 이와 같은 경우에는, 설정 화면 (SW1) 위 등에 있어서 「검지 불능, 스텝 시간을 길게 해 주세요」등의 표시를 실시해도 된다. 이로써, 오퍼레이터에 대해 처리 조건의 변경을 재촉할 수 있다.In addition, depending on the conditions of the number of rotations or the discharge time in the first process, the interference fringe ST of the detection object may not be specified because the input target film thickness is not reached. In such a case, a display such as "Disable detection and lengthen the step time" may be performed on the setting screen SW1 or the like. Thereby, it is possible to prompt the operator to change the processing conditions.
<2. 제 2실시형태><2. Second Embodiment>
다음으로, 제 2 실시형태에 대해 설명한다. 이후의 설명에 있어서, 앞서 설명한 요소와 동일하거나 또는 유사한 기능을 갖는 요소에 대해서는, 동일한 부호 또는 알파벳 문자를 추가한 부호를 부여하고, 상세한 설명을 생략하는 경우가 있다.Next, a second embodiment will be described. In the following description, elements having the same or similar functions as those described above are given the same reference numerals or symbols added with alphabetic characters, and detailed descriptions may be omitted.
도 13 은, 제 2 실시형태의 기판 처리 장치 (100A) 를 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치 (100A) 의 제어부 (9A) 는, 타이밍 결정부 (92A) 를 구비하고 있다. 타이밍 결정부 (92A) 는, 특징 벡터 추출부 (922) 및 분류기 (K2) 를 구비하고 있다.13 is a diagram showing a
특징 벡터 추출부 (922) 는, 스텝 S22 의 연속 촬상에 의해 취득된 일련의 촬영 화상 (82) 의 각각으로부터, 복수 종류의 특징량의 배열인 특징 벡터를 추출한다. 특징량의 항목은, 예를 들어, 그레이 스케일에서의 화소치 또는 휘도의 총합, 화소치 또는 휘도의 표준 편차 등이다.The feature
분류기 (K2) 는, 특징 벡터 추출부 (922) 에 의해 추출된 특징 벡터에 기초하여, 촬영 화상 (82) 을, 제 2 처리 개시 타이밍의 결정의 기준이 되는 화상인 것을 나타내는 제 1 클래스와, 제 2 처리 개시 타이밍의 결정의 기준은 되지 않는 화상인 것을 나타내는 제 2 클래스 사이에서 분류한다.The classifier K2 includes a first class indicating that the captured
타이밍 결정부 (92A) 는, 일련의 촬영 화상 (82) 을 분류기 (K2) 에 의해 분류한다. 제 1 클래스로 분류되는 촬영 화상 (82) 이 출현한 경우에, 타이밍 결정부 (92A) 는, 그 촬영 화상 (82) 이 취득된 시간에 따라, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정한다. 즉, 분류기 (K2) 는, 복수 종류의 특징 벡터에 기초하여, 촬영 화상이 제 2 처리 개시 타이밍의 결정의 기준이 되는 화상인지의 여부를 판정하는 화상 판정부의 일례이다.The timing determination unit 92A classifies the series of captured
도 13 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (9A) 에는, 통신부 (99) 가 접속되어 있다. 통신부 (99) 는, 제어부 (9A) 가 서버 (8) 와 데이터 통신을 실시하기 위해서 형성된다. 기판 처리 장치 (100A), 통신부 (99) 및 서버 (8) 는, 기판 처리 시스템을 구성하고 있다. 분류기 (K2) 는, 서버 (8) 가 기계 학습에 의해 생성한 것으로서, 서버 (8) 로부터 제어부 (9A) 에 통신부 (99) 를 통하여 제공된다.As shown in Fig. 13, the
서버 (8) 는, 기계 학습부 (80) 를 구비하고 있다. 기계 학습부 (80) 는, 기계 학습에 의해 분류기 (K2) 를 생성한다. 기계 학습으로는, 뉴럴 네트워크 (neural network), 결정목, 서포트 벡터 머신 (SVM), 판별 분석 등의 공지된 수법을 채용할 수 있다.The
기계 학습부 (80) 의 기계 학습에 사용되는 교사 데이터로는, 예를 들어, 카메라 (70) 에 의해 얻어지는 촬영 화상 (82) (또는 그 특징 벡터) 의 각각에 클래스를 교시한 것을 이용할 수 있다. 카메라 (70) 에 의해 취득된 촬영 화상 (82) 은, 기판 처리 장치 (100A) 로부터 통신부 (99) 를 통하여 서버 (8) 에 제공할 수 있다.As the teacher data used for machine learning of the
예를 들어, 도 7 에 나타내는 촬영 화상 (82a, 82c, 82d) 을 교사 데이터로 하는 경우, 제 2 처리 개시 타이밍의 기준이 되는 촬영 화상 (82) 이, 촬영 화상 (82c) (즉, 기판 (W) 상에 출현하는 간섭 무늬 (ST) 의 수가 3 개인 상태) 일 때에는, 당해 촬영 화상 (82c) 에 대해서는 제 2 처리 개시 타이밍의 기준인 것을 나타내는 제 1 클래스를 교시한다. 그리고, 촬영 화상 (82a, 82b, 82d) 에 대해서는 제 2 처리 개시 타이밍의 기준은 아닌 것을 나타내는 제 2 클래스를 교시하면 된다. 이와 같은 각 교사 데이터를 다수 준비하여, 기계 학습부 (80) 에 학습시키는 것에 의해, 기계 학습부 (80) 가 특징 벡터에 기초하여 촬영 화상 (82) 을 제 1 클래스 및 제 2 클래스 사이에서 분류하는 분류기 (K2) 를 생성한다.For example, in the case where the captured
분류기 (K2) 는, 기판 (W) 의 종류 (예를 들어, 기판 (W) 의 크기, 기판 (W) 의 상면에 있어서의 회로 패턴 등의 구조물의 유무, 기판 (W) 의 상면의 물에 대한 친화성 (소수성/친수성)) 마다, 혹은, 제 1 처리의 상이한 조건 (처리액의 종류, 토출량, 토출 시간) 마다, 복수 종류의 분류기 (K2) 가 생성되면 된다. 이 경우, 기판 (W) 의 종류마다, 혹은, 제 1 처리의 상이한 조건마다 교사 데이터를 준비하여, 기계 학습이 실시되면 된다.The classifier K2, the type of the substrate W (e.g., the size of the substrate W, the presence or absence of a structure such as a circuit pattern on the upper surface of the substrate W, the water on the upper surface of the substrate W). For each affinity (hydrophobicity/hydrophilicity)) or for different conditions of the first treatment (type of treatment liquid, discharge amount, discharge time), a plurality of types of classifiers K2 may be generated. In this case, the teacher data may be prepared for each type of the substrate W or for each different condition of the first processing, and machine learning may be performed.
서버 (8) 에 대해 복수대의 기판 처리 장치 (100A) 가 통신 가능하게 접속 됨으로써, 서버 (8) 로부터 각 기판 처리 장치 (100A) 에 분류기 (K2) 가 제공되어도 된다.By connecting the plurality of
분류기 (K2) 가 서버 (8) 로부터 제공되는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 분류기 (K2) 가, 광학 미디어, 플래시 메모리 등의 기억 매체를 통하여, 제어부 (9A) 에 제공되어도 된다. 또, 기판 처리 장치 (100A) 가 기계 학습부 (80) 를 구비하는 것에 의해, 기판 처리 장치 (100A) 에 있어서 분류기 (K2) 가 생성되어도 된다.It is not essential that the classifier K2 is provided from the
기판 처리 장치 (100A) 에 있어서, 제 2 처리 개시 타이밍의 결정 처리는, 도 11 에 나타내는 스텝 S24 (IPA 의 공급 정지) 의 후, 타이밍 결정부 (92A) 가, 카메라 (70) 에 의해 취득되는 일련의 촬영 화상 (82) 을 분류기 (K2) 가 클래스 분류함으로써, 제 2 처리 개시 타이밍의 기준이 되는 촬영 화상 (82) 을 검출한다. 그리고, 타이밍 결정부 (92A) 는, 그 촬영 화상 (82) 이 검출된 검출 시간, 혹은, 그 검출 시간으로부터 이미 정해진 지연 시간을 가산한 시간을, 제 2 처리 개시 타이밍으로 한다.In the
본 실시형태에서는, 분류기 (K2) 는 촬영 화상 (82) 의 전체에 기초하여 클래스 분류를 실시한다. 이 때문에, 촬영 화상 (82) 의 전체가 판정 영역이 된다. 또, 상기 서술한 바와 같이, 분류기 (K2) 는, 간섭 무늬 (ST) 의 출현 상태에 따라 클래스가 교시된 촬영 화상 (82) 을 교사 데이터로 하여 기계 학습에 의해 생성된다. 이 때문에, 타이밍 결정부 (92A) 는, 판정 영역 내에 있어서의 직경 방향 외방으로 이동하는 간섭 무늬 (ST) (촬영 화상 (82) 상에서는 광 강도에 관한 극치점) 에 따라, 제 2 처리의 개시 타이밍을 결정하게 된다.In the present embodiment, the classifier K2 classifies the class based on the entire captured
본 실시형태에 있어서도, 제 1 처리액의 액막 (W1) 의 두께에 따라 출현하는 간섭 무늬 (ST) 에 기초하여, 제 2 처리 개시 타이밍을 결정할 수 있다. 따라서, 제 2 처리가 액 처리인 경우에는, 액막 (W1) 을 가능한 한 얇게 하고 나서 제 2 처리를 개시함으로써 제 1 처리액으로부터 제 2 처리액으로의 치환을 촉진시킬 수 있기 때문에, 제 2 처리액의 공급량 및 공급 시간을 짧게 할 수 있다. 또, 제 2 처리가 건조 처리인 경우에도, 제 1 처리액의 액막 (W1) 이 최적인 두께일 때에, 건조 처리를 개시할 수 있다.Also in this embodiment, the second processing start timing can be determined based on the interference fringes ST appearing in accordance with the thickness of the liquid film W1 of the first processing liquid. Therefore, in the case where the second treatment is a liquid treatment, the second treatment can be accelerated by making the liquid film W1 as thin as possible and then starting the second treatment, thereby promoting the substitution of the first treatment liquid to the second treatment liquid. The supply amount and supply time of the liquid can be shortened. Further, even when the second treatment is a drying treatment, the drying treatment can be started when the liquid film W1 of the first treatment liquid has an optimum thickness.
또한, 촬영 화상 (82) 의 전체를 교사 데이터로 하는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 촬영 화상 (82) 으로부터 판정 영역 (DR) 내의 화상 부분만을, 교사 데이터로서 이용할 수 있다. 이 경우, 화상 사이즈를 작게 할 수 있기 때문에, 각종 연산 처리량을 저감시킬 수 있다.In addition, it is not essential to use the entire captured
이 발명은 상세하게 설명되었지만, 상기한 설명은, 모든 국면에 있어서, 예시로서, 이 발명이 그것에 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 이 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 상정될 수 있는 것으로 해석된다. 상기 각 실시형태 및 각 변형예에서 설명한 각 구성은, 서로 모순되지 않는 한, 조합, 또는 생략 가능하다.Although this invention has been described in detail, the above description is, in all aspects, by way of example, and this invention is not limited thereto. It is construed that a myriad of modifications that are not illustrated can be conceived without departing from the scope of this invention. Each configuration described in each of the above embodiments and each modification can be combined or omitted unless contradictory to each other.
100, 100A : 기판 처리 장치
1 : 세정 처리 유닛
8 : 서버
9, 9A : 제어부
10 : 챔버
20 : 스핀 척
21 : 스핀 베이스
22 : 스핀 모터
24 : 회전축
26 : 척 핀
30, 60, 65 : 노즐
31 : 토출 헤드
70 : 카메라
71 : 조명부
80 : 기계 학습부
82, 82a, 82b, 82c, 82d : 촬영 화상
91 : 판정 영역 설정부
92, 92A : 타이밍 결정부
96 : 기억부
97 : 표시부
98 : 입력부
99 : 통신부
921 : 극치점 검출부
922 : 특징 벡터 추출부
CX : 회전축선
DR, DR11, DR21, DR22, DR23, DR31 : 판정 영역
K2 : 분류기 (화상 판정부)
ST, ST1, ST2, ST3, STL : 간섭 무늬
W : 기판
W1 : (제 1 처리액의) 액막100, 100A: substrate processing equipment
1: washing treatment unit
8: server
9, 9A: control unit
10: chamber
20: spin chuck
21: spin base
22: spin motor
24: rotating shaft
26: chuck pin
30, 60, 65: nozzle
31: discharge head
70: camera
71: lighting unit
80: Machine Learning Department
82, 82a, 82b, 82c, 82d: photographed image
91: judgment area setting unit
92, 92A: Timing determination unit
96: memory
97: display
98: input
99: Communication Department
921: extreme value point detection unit
922: feature vector extraction unit
CX: axis of rotation
DR, DR11, DR21, DR22, DR23, DR31: Judgment area
K2: Classifier (image judgment unit)
ST, ST1, ST2, ST3, STL: interference fringes
W: substrate
W1: liquid film (of the first treatment liquid)
Claims (17)
(a) 수평 자세로 기판을 유지하는 공정과,
(b) 상기 공정 (a) 에 의해 수평 자세로 유지되어 있는 상기 기판을 연직 방향의 회전축선 둘레로 회전시키는 공정과,
(c) 상기 공정 (b) 에 의해 회전하는 상기 기판의 상면에 제 1 처리액을 공급하는 공정과,
(d) 상기 공정 (c) 의 후, 상기 제 1 처리액의 공급을 정지시키는 공정과,
(e) 상기 공정 (d) 의 후, 상기 기판의 상면에 잔류하는 상기 제 1 처리액의 막을 얇게 하는 공정과,
(f) 상기 공정 (e) 에 있어서, 상기 기판의 상면을 카메라로 촬영하는 공정과,
(g) 상기 공정 (f) 에 의해 취득되는 촬영 화상에 설정된 판정 영역 내에 있어서의, 상기 회전축선과 직교하는 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대 또는 극소가 되는 극치점에 따라, 상기 기판에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정하는 공정과,
(h) 상기 공정 (g) 에서 결정된 타이밍에 따라, 상기 기판에 대해 상기 제 2 처리를 실시하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.As a substrate processing method for treating an upper surface of a substrate rotating in a horizontal posture with a processing liquid,
(a) the process of holding the substrate in a horizontal position, and
(b) a step of rotating the substrate held in a horizontal posture by the step (a) around a rotation axis in a vertical direction, and
(c) a step of supplying a first processing liquid to the upper surface of the substrate rotated by the step (b), and
(d) after the step (c), the step of stopping the supply of the first treatment liquid,
(e) a step of thinning the film of the first processing liquid remaining on the upper surface of the substrate after the step (d), and
(f) in the step (e), the step of photographing the upper surface of the substrate with a camera,
(g) In accordance with the extreme value point at which the light intensity in the radial direction orthogonal to the rotation axis in the determination area set in the captured image acquired by the step (f) becomes maximum or minimum, 2 The process of determining the timing of processing, and
(h) a step of performing the second treatment on the substrate according to the timing determined in the step (g).
상기 공정 (h) 에 있어서, 상기 기판의 상면 전체에 상기 제 1 처리액의 막이 잔류하고 있는 동안에, 상기 제 2 처리가 개시되는, 기판 처리 방법.The method of claim 1,
In the step (h), the second processing is started while the film of the first processing liquid remains on the entire upper surface of the substrate.
상기 판정 영역이, 상기 촬영 화상에 있어서의 상기 기판의 상기 상면에 설정되는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1 or 2,
The substrate processing method, wherein the determination area is set on the upper surface of the substrate in the photographed image.
상기 공정 (g) 는,
(g1) 상기 판정 영역 내에 있어서 1 개의 극치점이 검출되고 나서 다음의 극치점이 검출될 때까지의 시간에 따라, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 3,
The step (g) is,
(g1) A method of processing a substrate comprising a step of determining the timing in accordance with a time from the detection of one extreme value point to the detection of the next extreme value point in the determination area.
상기 공정 (g) 는,
(g2) 상기 판정 영역 내에 있어서, 제 1 극치점이 검출되고 나서 제 2 극치점이 검출될 때까지의 제 1 시간과, 상기 제 2 극치점이 검출되고 나서 제 3 극치점이 검출될 때까지의 제 2 시간에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 4,
The step (g) is,
(g2) In the determination area, a first time from the detection of the first extreme value point until the second extreme value point is detected, and a second time from the detection of the second extreme value point until the third extreme value point is detected. Based on, determining the timing of the substrate processing method.
상기 공정 (g) 는,
(g3) 상기 판정 영역에 있어서 검출되는 제 1 극치점과 당해 제 1 극치점으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 2 극치점 사이의 제 1 거리에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
The step (g) is,
(g3) a step of determining the timing based on a first distance between a first extreme value point detected in the determination region and a second extreme value point radially outward from the first extreme value point. Processing method.
상기 판정 영역은, 제 1 판정 영역과, 당해 제 1 판정 영역으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 2 판정 영역을 포함하고,
상기 (g) 공정은,
(g4) 상기 제 1 판정 영역에 있어서 제 1 극치점이 검출되고, 상기 제 2 판정 영역에 있어서 제 2 극치점이 검출되는 것에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
The determination region includes a first determination region and a second determination region radially outward from the first determination region, and
The step (g),
(g4) A substrate processing method comprising a step of determining the timing based on the detection of a first extreme value point in the first determination region and detection of a second extreme value point in the second determination region.
(i) 상기 공정 (g) 보다 전에, 상기 제 1 판정 영역에 대한 상기 제 2 판정 영역의 직경 방향에 있어서의 상대적인 위치를 변경하는 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 7,
(i) Prior to the step (g), the substrate processing method further includes a step of changing a relative position in the radial direction of the second determination region with respect to the first determination region.
상기 공정 (g) 는,
(g5) 상기 제 1 거리와, 상기 판정 영역 내에 있어서, 상기 제 2 극치점과 상기 제 2 극치점으로부터 직경 방향 외방으로 멀어진 제 3 극치점 사이의 제 2 거리에 기초하여, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 6,
The step (g) is,
(g5) determining the timing based on the first distance and a second distance between the second extreme value point and a third extreme value point radially outward from the second extreme value point in the determination area A method of treating a substrate, including a process.
상기 공정 (g) 는,
(g6) 상기 판정 영역에 있어서, 복수의 극치점 중, 마지막으로 검출 가능한 최종 극치점으로부터 세어 3 개의 상기 극치점을 검출함으로써, 상기 타이밍을 결정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 9,
The step (g) is,
(g6) a step of determining the timing by counting from a last detectable final extreme value point among a plurality of extreme value points and detecting the three extreme value points in the determination area.
상기 카메라가 적외선 카메라인, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 10,
The substrate processing method, wherein the camera is an infrared camera.
상기 공정 (f) 는,
(f1) 상기 기판의 상면에 적외선을 조사하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 11,
The step (f) is,
(f1) A substrate processing method comprising the step of irradiating infrared rays onto the upper surface of the substrate.
상기 제 2 처리는, 상기 기판의 상면에 상기 제 1 처리액과는 상이한 제 2 처리액을 공급하는 처리인, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 12,
The second processing is a processing of supplying a second processing liquid different from the first processing liquid to an upper surface of the substrate.
상기 제 2 처리는, 기판의 회전 속도를 상기 공정 (e) 일 때보다 크게 하여, 상기 기판의 상면에 잔류하는 상기 제 1 처리액을 제거하는 처리인, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 12,
The second processing is a processing of removing the first processing liquid remaining on the upper surface of the substrate by increasing the rotational speed of the substrate than in the step (e).
기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부에 유지된 기판인 대상 기판을 연직 방향의 회전축선 둘레로 회전시키는 회전부와,
상기 대상 기판의 상면에 제 1 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
상기 대상 기판의 상면을 촬영하는 카메라와,
상기 카메라에 의해 취득되는 촬영 화상에 설정된 판정 영역 내에 있어서, 상기 회전축선과 직교하는 직경 방향에 있어서의 광 강도가 극대치 또는 극소치가 되는 극치점의 직경 방향 외방을 향한 이동에 따라, 상기 대상 기판에 대한 제 2 처리를 실시하는 타이밍을 결정하는 타이밍 결정부와,
상기 타이밍 결정부에 의해 결정된 상기 타이밍에 따라, 상기 대상 기판에 제 2 처리를 실시하는 제 2 처리 실행부를 구비하는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus that performs liquid treatment on an upper surface of a substrate rotating in a horizontal posture,
A substrate holding unit that holds the substrate in a horizontal position,
A rotation unit that rotates a target substrate, which is a substrate held in the substrate holding unit, around a rotation axis in a vertical direction,
A processing liquid supply unit for supplying a first processing liquid to the upper surface of the target substrate,
A camera for photographing an upper surface of the target substrate,
With respect to the target substrate as the light intensity in the radial direction orthogonal to the rotation axis moves toward the outer side in the radial direction of the extreme value point that becomes the maximum value or the minimum value in the judgment area set in the photographed image acquired by the camera. A timing determination unit that determines a timing to perform the second processing;
A substrate processing apparatus comprising: a second processing execution unit that performs a second processing on the target substrate according to the timing determined by the timing determination unit.
상기 판정 영역이, 상기 촬영 화상에 있어서의 상기 대상 기판의 상기 상면에 설정되는, 기판 처리 장치.The method of claim 15,
The substrate processing apparatus, wherein the determination area is set on the upper surface of the target substrate in the photographed image.
상기 타이밍 결정부는,
상기 촬영 화상으로부터 복수 종류의 특징 벡터를 추출하는 특징 벡터 추출부와,
상기 복수 종류의 특징 벡터에 기초하여, 상기 촬영 화상이 상기 타이밍의 결정의 기준이 되는 화상인지의 여부를 판정하는 화상 판정부를 포함하는, 기판 처리 장치.The method of claim 15 or 16,
The timing determination unit,
A feature vector extracting unit for extracting a plurality of types of feature vectors from the captured image;
And an image determination unit that determines whether or not the photographed image is an image used as a criterion for determining the timing, based on the plurality of types of feature vectors.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018163331A JP7202106B2 (en) | 2018-08-31 | 2018-08-31 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JPJP-P-2018-163331 | 2018-08-31 | ||
PCT/JP2019/029061 WO2020044883A1 (en) | 2018-08-31 | 2019-07-24 | Substrate processing method and substrate processing device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210031951A true KR20210031951A (en) | 2021-03-23 |
KR102530718B1 KR102530718B1 (en) | 2023-05-09 |
Family
ID=69643471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217004601A KR102530718B1 (en) | 2018-08-31 | 2019-07-24 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7202106B2 (en) |
KR (1) | KR102530718B1 (en) |
CN (1) | CN112640056A (en) |
TW (1) | TWI743523B (en) |
WO (1) | WO2020044883A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023189656A1 (en) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 倉敷紡績株式会社 | Substrate processing status monitoring device and substrate processing status monitoring method |
JP2023184112A (en) * | 2022-06-17 | 2023-12-28 | 株式会社Screenホールディングス | Monitoring method and manufacturing equipment |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02233174A (en) * | 1989-03-06 | 1990-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | Coating apparatus |
JP2004335542A (en) | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Toshiba Corp | Method of cleaning and drying substrate |
JP2008091752A (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Sokudo:Kk | Method and apparatus of development for substrate |
JP2010062259A (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2010114414A (en) | 2008-06-16 | 2010-05-20 | Toshiba Corp | Method of treating surface of semiconductor substrate |
JP2017069354A (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing device and substrate processing method |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0669021B2 (en) * | 1985-07-26 | 1994-08-31 | 株式会社ニコン | Projection optics |
JP3568360B2 (en) * | 1997-05-30 | 2004-09-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Processing liquid supply device |
JP3673237B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-07-20 | 株式会社東芝 | Solid film forming method |
TWI223107B (en) * | 2003-04-01 | 2004-11-01 | Hunatech Co Ltd | Light guiding panel formed with minute recesses, backlight unit using the same, and method and apparatus for manufacturing light guiding panel |
TWI290614B (en) * | 2006-04-21 | 2007-12-01 | Advance Design Technology Inc | A measuring apparatus for the thin film thickness using interference technology of laser |
JP2009262161A (en) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Olympus Corp | Correcting apparatus, correcting method, control device, and program |
CN101593667B (en) * | 2008-05-26 | 2011-03-23 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | Method for improving consistency of thickness of dielectric layers deposited on different substrates |
JP5305792B2 (en) * | 2008-08-29 | 2013-10-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP5290837B2 (en) * | 2009-03-31 | 2013-09-18 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP5858817B2 (en) * | 2012-02-16 | 2016-02-10 | 株式会社Screenホールディングス | Teacher data creation method, image classification method, and image classification apparatus |
JP6203098B2 (en) * | 2013-03-29 | 2017-09-27 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR101514671B1 (en) * | 2014-11-10 | 2015-04-23 | (주) 일하하이텍 | Member of processing thin film and apparatus of processing substrate having the same |
JP6547650B2 (en) * | 2016-02-05 | 2019-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium |
JP6785092B2 (en) * | 2016-08-19 | 2020-11-18 | 株式会社Screenホールディングス | Displacement detection device, displacement detection method and substrate processing device |
-
2018
- 2018-08-31 JP JP2018163331A patent/JP7202106B2/en active Active
-
2019
- 2019-07-24 CN CN201980055836.2A patent/CN112640056A/en active Pending
- 2019-07-24 WO PCT/JP2019/029061 patent/WO2020044883A1/en active Application Filing
- 2019-07-24 KR KR1020217004601A patent/KR102530718B1/en active IP Right Grant
- 2019-07-26 TW TW108126450A patent/TWI743523B/en active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02233174A (en) * | 1989-03-06 | 1990-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | Coating apparatus |
JP2004335542A (en) | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Toshiba Corp | Method of cleaning and drying substrate |
JP2008091752A (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Sokudo:Kk | Method and apparatus of development for substrate |
JP2010114414A (en) | 2008-06-16 | 2010-05-20 | Toshiba Corp | Method of treating surface of semiconductor substrate |
JP2010062259A (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2017069354A (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing device and substrate processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202023692A (en) | 2020-07-01 |
WO2020044883A1 (en) | 2020-03-05 |
JP7202106B2 (en) | 2023-01-11 |
JP2020035961A (en) | 2020-03-05 |
KR102530718B1 (en) | 2023-05-09 |
TWI743523B (en) | 2021-10-21 |
CN112640056A (en) | 2021-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6423672B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR102448443B1 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system | |
US10651064B2 (en) | Substrate treatment device and substrate treatment method | |
JP7443163B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR102557072B1 (en) | Movable part position detection method, substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system | |
KR102239956B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR102530718B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2011174757A (en) | Defect inspection method, program, computer storage medium, and defect inspection device | |
KR102554161B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
WO2020137803A1 (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
TWI749604B (en) | Substrate treatment apparatus | |
JP2021044467A (en) | Detection device and detection method | |
KR102507583B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US20230283909A1 (en) | Monitoring method in substrate processing apparatus and substrate processing apparatus | |
JP2022118052A (en) | Method for detecting position of movable part, substrate processing method, substrate processing device, and substrate processing system | |
KR20230012578A (en) | Setting method of setting information used for substrate processing monitoring, monitoring method of substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |