KR20210022750A - 중합체 막에 대한 표면 처리 방법 - Google Patents

중합체 막에 대한 표면 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210022750A
KR20210022750A KR1020217002670A KR20217002670A KR20210022750A KR 20210022750 A KR20210022750 A KR 20210022750A KR 1020217002670 A KR1020217002670 A KR 1020217002670A KR 20217002670 A KR20217002670 A KR 20217002670A KR 20210022750 A KR20210022750 A KR 20210022750A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
surface treatment
polymeric
treatment device
polymer film
polymer
Prior art date
Application number
KR1020217002670A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102416434B1 (ko
Inventor
네일 모리슨
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20210022750A publication Critical patent/KR20210022750A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102416434B1 publication Critical patent/KR102416434B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/10—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by electric discharge treatment
    • B29C59/12—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by electric discharge treatment in an environment other than air
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
    • B29C2059/145—Atmospheric plasma
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
    • B29C2059/147—Low pressure plasma; Glow discharge plasma
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/10—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by electric discharge treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2007/00—Flat articles, e.g. films or sheets
    • B29L2007/008—Wide strips, e.g. films, webs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 개시내용은 중합체 막에 대한 표면 처리 방법 및 포장 재료, 특히 식품 포장의 생산에서의 이 방법에 따라 표면 처리된 중합체 막의 용도에 관한 것이다. 중합체 막에 대한 표면 처리 방법은, 적어도 중합체 막에 관한 정보를 표면 처리 디바이스에 제공하는 단계(102), 표면 처리 디바이스에서, 정보에 기초하여 표면 처리 디바이스에서의 중합체 막의 체류 시간, 및 이온들의 방전 중 적어도 하나를 조정하는 단계(103), 및 중합체 막의 처리된 표면을 얻도록 표면 처리 디바이스에서의 중합체 막의 체류 시간 동안 중합체 막의 표면에 이온들의 방전을 적용하는 단계(104)를 포함한다.

Description

중합체 막에 대한 표면 처리 방법
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 중합체 막에 대한 표면 처리 방법에 관한 것이다. 본 개시내용의 추가 실시예들은 특히 포장 재료, 특히 식품 포장의 생산에서의 표면 처리된 중합체 막의 용도에 관한 것이다.
[0002] 연구 및 개발의 결과로서, 수백 개의 중합체들이 점점 더 증가하는 수의 응용들에 사용됨에 따라, 중합체들은 지난 수십 년 동안 가장 빠르게 성장하는 재료들의 분야가 되었다. 예컨대, 이러한 응용들 중 하나는 다양한 제품들, 특히 식품을 포장하기 위한 중합체 막들의 생산에서의 중합체들의 용도를 포함한다.
[0003] 중합체 막들은 이들의 물리적, 전기적 및 화학적 특성들, 예컨대 열 안정성, 열팽창 계수, 인성(toughness), 유전율, 소산 계수, 용매 흡수 및 화학적 저항성을 기초로, 주어진 응용에 대해 선택된다. 중합체 막들의 모든 표면들이 우수한 접착성을 위해 필요한 물리적 및/또는 화학적 특성들을 갖는 것은 아니지만, 접착 특성들이 중합체 막 선택에 대한 기준이 되는 경우는 거의 없다. 이에 따라, 주어진 응용에 대한 중합체 막은 먼저, 접착 특성들 이외의 다른 특성들에 기초하여 선택된다. 그 후, 중합체 막들의 접착 특성들에 관심이 주어질 수 있으며, 특히 중합체 막들은 (예컨대, 중합체들 또는 금속들로 만들어진) 다른 막들 또는 코팅들과 함께 응용들에 사용될 것이다. 이와 관련하여, 중합체 막의 접착 특성들이 이러한 응용들에 중합체 막이 사용될 수 있게 하는 데 적합하지 않다면, 중합체 막의 표면 처리가 대안일 수 있다. 그러나 중합체 막들의 표면 처리는 최적의 표면 처리 조건들을 찾는 데 필요한 여러 시행 착오 프로세스들로 인해 시간 소모적이다.
[0004] 앞서 말한 내용의 관점에서, 프로세스 파라미터들이 여전히 알려지지 않을 때, 오래 걸리고 비용이 많이 드는 시행 착오 프로세스들을 피하고 중합체 막의 표면 처리를 가속화하는, 중합체 막들의 표면 처리 방법에 대한 필요성이 여전히 존재한다.
[0005] 본 개시내용의 실시예들은 중합체 막에 대한 표면 처리 방법에 관한 것이다. 본 개시내용의 추가 실시예들은 포장 재료, 특히 식품 포장의 생산에서의 표면 처리된 중합체 막의 용도에 관한 것이다. 본 개시내용은 특히, 적어도 중합체 막에 관한 정보를 표면 처리 디바이스에 제공하는 것을 포함하는 표면 처리 방법을 따름으로써 중합체 막들의 접착성을 개선하는 것을 목표로 한다. 특히, 본 개시내용은, 중합체 막에 관한 정보, 이를테면 중합체 막의 재료 밀도를 간단히 제공함으로써 중합체 막의 표면 처리를 위한 최적의 이온 도즈(dose)가 계산될 수 있는 표면 처리 방법을 제공하는 것을 목표로 한다. 또한, 본 개시내용은, 표면 처리 디바이스에서 중합체 막의 체류 시간을 감소시키고 이에 따라, 표면 처리된 중합체 막들의 생산을 가속화하는 것을 목표로 한다.
[0006] 본 개시내용의 추가 양상들, 이점들 및 특징들은 청구항들, 상세한 설명 및 첨부 도면들로부터 명백하다.
[0007] 본 개시내용의 한 양상에 따르면, 중합체 막에 대한 표면 처리 방법이 제공된다. 표면 처리 방법은, 적어도 중합체 막에 관한 정보를 표면 처리 디바이스에 제공하는 단계, 표면 처리 디바이스에서, 정보에 기초하여 표면 처리 디바이스에서의 중합체 막의 체류 시간, 및 하전 입자들의 방전 중 적어도 하나를 조정하는 단계, 및 표면 처리된 중합체 막을 얻도록 표면 처리 디바이스에서의 중합체 막의 체류 시간 동안 중합체 막의 표면에 하전 입자들의 방전을 적용하는 단계를 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 추가 양상에 따르면, 표면 처리된 중합체 막의 용도가 제공된다. 그 용도는 포장 재료, 특히 식품 포장의 생산에서 표면 처리된 중합체 막을 사용하는 것을 포함한다.
[0009] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관련되며 다음에 설명된다.
도 1은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 중합체 막에 대한 표면 처리 방법의 흐름도를 도시한다.
도 2는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 표면 처리 디바이스의 개략도를 도시한다.
[0010] 이제 본 개시내용의 다양한 실시예들에 대한 상세한 참조가 이루어질 것이며, 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들은 도면들에 예시된다. 도면들의 다음 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개개의 실시예들에 관한 차이점들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명으로 제공되며 본 개시내용의 제한으로 여겨지는 것은 아니다. 또한, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 설명되는 특징들은 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용되어 또 추가 실시예를 야기할 수 있다. 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.
[0011] 일상 생활에서(예컨대, 식품 포장에서) 중합체 막들의 사용이 증가함에 따라, 중합체 막들의 생산의 개선에 대한 관심이 최근 몇 년 동안 타당성을 얻어 왔다.
[0012] 주어진 응용에 대한 중합체 막은 먼저, 접착 특성들 이외의 다른 특성들에 기초하여 선택된다. 그 후, 중합체 막들의 접착 특성들에 관심이 주어질 수 있으며, 특히 중합체 막들은 (예컨대, 중합체들 또는 금속들로 만들어진) 다른 막들 또는 코팅들과 함께 응용들에 사용될 것이다.
[0013] 일부 응용들에서 중합체 막들의 선택에 있어 보조 역할을 하는 접착 특성들에 대한 이유는, 다른 막들 또는 코팅들에 대한 중합체 막들의 접착 특성들을 개선하기 위해 최근 몇 년 동안 개발되어 온 중합체 막들의 표면들을 변형하는 다른 대안들의 존재이다.
[0014] 중합체 막들의 표면들을 변형하는 이러한 대안들의 일례는, 플라즈마 처리 디바이스들에 의한 중합체 막들의 표면 처리이다. 플라즈마는 이온들, 전자들, 그리고 총체적으로 전하 중성을 유지하는 중성 원자들 및/또는 분자들을 포함할 수 있는 이온화된 기상(gas phase) 물질이다. 플라즈마와 전자들 간의 경계 영역들을 제외하고, 플라즈마는 동일한 양의 양전하들과 음전하들을 포함한다. 또한, 플라즈마의 하전 입자들은 외부 전자기장에 집합적으로 반응한다.
[0015] 플라즈마 처리 디바이스들에 의한 중합체 막들의 표면 처리에서, 플라즈마에서 생성된 고에너지(energetic) 입자들(예컨대, 이온들 및/또는 전자들)은 대개는 자유 라디칼 화학 반응을 통해 중합체 막들의 표면과 강하게 상호 작용한다. 일반적으로, 중합체 막들의 표면들에 대한 플라즈마의 네 가지 주요 효과들이 통상적으로 관찰된다. 각각의 효과는 어느 정도까지는 항상 존재하지만, 중합체 막, 프로세스 가스, 플라즈마 처리 디바이스 및 프로세스 파라미터들에 따라 효과들 중 하나가 다른 효과들보다 유리할 수 있다.
[0016] 이에 따라, 네 가지 주요 효과들은: (a) 표면 세정, 즉 중합체 막의 표면으로부터 유기 오염 물질의 제거; (b) 중합체 막의 표면으로부터 재료의 어블레이션(ablation) 또는 에칭― 이는 약한 경계 층을 제거하고 표면적을 증가시킬 수 있음 ―; (c) 표면에 가까운 중합성 분자의 가교(crosslinking) 또는 분지(branching)― 이는 중합체 막의 표면을 응집력 있게 강화할 수 있음 ―; 및 (d) 중합체 막의 표면 화학 구조의 변형― 이는 플라즈마 처리 디바이스 자체에 의한 중합체 막들의 표면 처리 동안, 그리고 중합체 막의 처리된 부분을 공기에 재노출할 때 발생할 수 있는데, 이때 잔류 자유 라디칼들이 대기 중의 산소 또는 수증기와 반응할 수 있음 ―이다.
[0017] 또한, 중합체 막들의 표면 처리 중에, 플라즈마들의 전자들 및 이온들은 확산 또는 재결합을 통해 사라진다. 안정적인 플라즈마를 유지하기 위해서는, 더 많은 전자들 및 이온들을 생성하기 위해 이들의 생성률이 손실률과 균형을 이룰 수 있도록 외부 여기(excitation)가 필요하다. 플라즈마 생성 방법들의 대부분은 전자들에 충분한 에너지를 제공하여 중성 원자들 또는 분자들을 이온들 및 전자들로 분해하는 데 의존한다. 이러한 플라즈마 생성 방법들을 적용하는 일부 플라즈마 소스들은 글로우(glow) 방전, 코로나(corona) 방전, 용량 결합 방전, 유도 결합 방전 및 전자 사이클로트론 공명(ECR: electron cyclotron resonance)이다.
[0018] 특히, 중합체 막들의 접착 특성들을 개선하는 데 사용되는 플라즈마 처리 디바이스들 중 하나는 코로나 처리 디바이스이다. 코로나 처리 디바이스는 저온 코로나 방전 플라즈마를 사용하여 표면의 특성들에 변화들을 준다. 예컨대, 코로나 처리 디바이스는 잉크들 및 접착제들과 같은 코팅들의 개선된 접착성을 가능하게 하기 위해 중합체 막들 및 종이의 표면 에너지를 증가시키도록 설계된다. 그 결과, 표면 처리된 중합체 막들은 개선된 인쇄 및 접착 품질과 라미네이션 강도를 보여준다.
[0019] 코로나 처리 디바이스는 2개의 주요 컴포넌트들: 고주파 발전기 및 고전압 변압기를 포함하는 전원 공급 장치, 및 적어도 전극 및 처리기 그라운드 롤(treater ground roll)을 갖는 플라즈마 소스를 포함하는 처리기 스테이션을 포함할 수 있다. 코로나 처리 디바이스의 전원 공급 장치는 표준 50/60㎐ 유틸리티 전력을 받아 이를 처리기 스테이션에 공급되는 단상의 더 고주파(공칭상 10 내지 30㎑) 전력으로 변환한다. 처리기 스테이션은 재료, 예컨대 중합체 막을 지지하는 접지 전위에서의 롤 및 높은 전위의 한 쌍의 전극들을 통해, 공극을 거쳐 재료의 표면에 이 전력을 인가한다. 처리기 스테이션의 고 전위 전극을 향하는 재료의 면만이 표면 장력의 증가를 보여야 한다.
[0020] 특히, 중합체 막의 표면에 대한 플라즈마의 효과들은 주로 플라즈마 소스 압력, 플라즈마 전력 공급, 프로세스 가스의 타입, 프로세스 가스 흐름, 처리 지속기간(또는 처리 속도) 및 기판 표면으로부터 플라즈마의 거리와 같은 다양한 프로세스 파라미터들을 변화시킴으로써 제어될 수 있다. 따라서 위에서 언급한 효과들 중 여러 개는 이러한 프로세스 파라미터들을 제어함으로써 단일 프로세스 단계에서 달성될 수 있다. 그러나 결정된 중합체 막의 처리에 대한 프로세스 지식을 습득하기 위해 그리고 중합체 막의 표면에 대한 특정 효과를 달성할 최적의 조건들을 찾기 위해서는, 오래 걸리고 비용이 많이 드는 시행 착오 프로세스들이 수행되어야 한다.
[0021] 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따르면, 중합체 막들의 표면 처리가 개선되는데, 특히 중합체 막들은 (예컨대, 중합체들 또는 금속들로 만들어진) 다른 막들 또는 코팅들과 함께 응용들에 사용되며, 따라서 중합체 막들의 특정 접착 특성들이 요구된다.
[0022] 중합체 막의 표면을 처리하기 위한 최적의 조건들을 찾기 위해 오래 걸리고 비용이 많이 드는 시행 착오 프로세스들로 인해, 중합체 막들의 단축된 생산 시간 및 증가된 단순성을 갖는, 중합체 막에 대한 표면 처리 방법이 모색되어 왔다.
[0023] 이에 따라, 본 개시내용은 중합체 막에 대한 표면 처리 방법 및 포장 재료, 특히 식품 포장의 생산에서의 이 방법에 따라 표면 처리된 중합체 막의 용도에 관한 것이다. 중합체 막에 대한 표면 처리 방법은, 적어도 중합체 막에 관한 정보를 표면 처리 디바이스에 제공하는 단계, 표면 처리 디바이스에서, 정보에 기초하여 표면 처리 디바이스에서의 중합체 막의 체류 시간, 및 하전 입자들의 방전 중 적어도 하나를 조정하는 단계, 및 중합체 막의 처리된 표면을 얻도록 표면 처리 디바이스에서의 중합체 막의 체류 시간 동안 중합체 막의 표면에 하전 입자들의 방전을 적용하는 단계를 포함한다.
[0024] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 중합체 막은 전자들 또는 이온들과 같은 하전 입자들로 처리될 수 있다. 전자들은 전자 소스에서 예컨대, 플라즈마, 열 전자 방출 또는 전자들의 전계 방출을 이용하여 생성될 수 있다. 이온들은 본 명세서에 설명되는 바와 같이 이온 소스에서 생성될 수 있다. 더 쉬운 표면 변형에 이온들이 유용할 수 있으므로, 다음에서는 이온들이 참조된다.
[0025] 본 개시내용의 다양한 실시예들이 보다 상세히 설명되기 전에, 본 명세서에서 사용되는 일부 용어들 및 표현들에 관한 일부 양상들이 설명된다.
[0026] "중합성 코팅"이라는 용어는 압출/분산 및 용액 도포와 같은 다수의 상이한 기술들을 사용하여 중합체 막과 같은 기판 또는 재료 상에 도포된 중합성 재료로 이루어진 박막을 의미한다.
[0027] "중합성 막"이라는 용어는 100㎛ 미만, 통상적으로는 50㎛ 미만, 보다 통상적으로는 20㎛의 두께를 갖는 중합체들로 이루어진 한 조각의 재료로서 이해되어야 한다. 또한, 중합성 막은 1m 이상, 통상적으로는 2m 이상의 폭을 가질 수 있다. 롤-투-롤(R2R: roll-to-roll) 프로세스에서의 길이는 수백 미터에서부터 수 킬로미터까지 다양할 수 있다. "표면"이라는 용어는 한 조각의 재료의 외부 범위 또는 영역을 의미한다.
[0028] "플라즈마"라는 용어는 대개, 이온들, 전자들, 중성 종들로 구성되는 부분적으로 이온화된 가스를 설명한다. "플라즈마"라는 용어는 또한 예컨대, 온도를 상승시키고 그리고/또는 특정 주파수들에서 고전압을 인가함으로써 물질에 에너지가 지속적으로 공급될 때 생성되는 양으로 하전된 이온들과 전자들의 혼합물을 의미할 수 있다. "이온들의 방전"이라는 용어는 예컨대, 온도를 상승시키고 그리고/또는 특정 주파수들에서 고전압을 인가함으로써 물질에 에너지가 지속적으로 공급될 때 생성되는 양으로 하전된 이온들의 그룹을 의미한다. "이온들의 방전"이라는 용어는 또한 플라즈마의 일부인 양으로 하전된 이온들의 그룹을 의미한다.
[0029] "전원 공급 장치"라는 용어는 플라즈마 소스에 전류 또는 전압을 공급하는 전기 디바이스로서 이해되어야 한다. "플라즈마 소스"라는 용어는 전기장 또는 전자들과 광자들의 빔을 프로세스 가스에 인가함으로써 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 디바이스의 일부를 의미한다.
[0030] 도 1은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 중합체 막에 대한 표면 처리 방법(100)의 흐름도를 도시한다. 시작(101)에서 시작되는 방법(100)은, 적어도 중합체 막에 관한 정보를 표면 처리 디바이스에 제공하는 단계(102), 표면 처리 디바이스에서, 정보에 기초하여 표면 처리 디바이스에서의 중합체 막의 체류 시간, 및 이온들의 방전 중 적어도 하나를 조정하는 단계(103), 및 표면 처리된 중합체 막을 얻도록 표면 처리 디바이스에서의 중합체 막의 체류 시간 동안 중합체 막의 표면에 이온들의 방전을 적용하는 단계(104)를 포함한다. 방법(100)은 종료(105)에서 끝난다.
[0031] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 중합체 막은 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아크릴레이트 및 폴리실록산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 중합체 막의 표면의 적어도 일부는 중합성 코팅을 포함할 수 있다. 중합성 코팅은 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아크릴레이트 및 폴리실록산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 특히, 폴리올레핀은 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 추가로, 폴리에스테르는 적어도 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 포함할 수 있다. 더욱이, 폴리아크릴레이트는 폴리메타크릴레이트, 폴리(메틸)메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴 및 폴리아크릴아미드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이후, 중합성 코팅은 추가 실시예들에서 언급되지 않을 수 있다. 그러나 본 명세서에서 설명되는 실시예들에서는 중합체 막의 표면의 적어도 일부 상에 중합성 코팅이 제공될 수 있다.
[0032] 또한, 적어도 중합체 막에 관한 정보를 표면 처리 디바이스에 제공하는 단계(102)는 중합체 막의 재료 밀도 및 중합체 막의 표면 원자 밀도 중 적어도 하나를 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다. 더욱이, 적어도 중합체 막에 관한 정보를 표면 처리 디바이스에 제공하는 단계는, 중합성 코팅의 재료 밀도 및 중합성 코팅의 표면 원자 밀도 중 적어도 하나를 제공하는 것을 포함하여 중합성 코팅에 관한 정보를 표면 처리 디바이스에 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0033] 이에 따라, "재료 밀도"라는 용어는 중합체 막 또는 중합성 코팅의 단위 부피당 중합체 막 또는 중합성 코팅에 포함된 중합체의 질량을 의미한다. 본 개시내용에서의 재료 밀도는 ISO 12154:2014에 따른 가스 피크노미터(gas pycnometer)를 사용함으로써 결정될 수 있다. 또한, 중합체의 재료 밀도는 예컨대, 중합체 막 또는 중합성 코팅에 포함된 중합체들 중 적어도 하나에 관한 정보를 포함하는 데이터베이스 또는 데이터 시트에서 확인될 수 있다.
[0034] 더욱이, "표면 원자 밀도"라는 용어는 중합체 막 또는 중합성 코팅의 단위 면적당 중합체 막 또는 중합성 코팅의 표면 상의 중합체의 원자들의 수로서 이해되어야 한다.
[0035] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 표면 처리 방법은 용매 와이핑(wiping) 및/또는 화학 처리의 추가 처리를 포함할 수 있다. 이에 따라, 중합체 막의 표면 상에 용매를 도포하고 와이핑에 의해 중합체 막의 표면으로부터 왁스들, 오일들 및/또는 임의의 다른 저분자 중량 오염물들과 같은 임의의 용질과 함께 용매를 제거함으로써 용매 와이핑이 수행될 수 있다.
[0036] 또한, 중합체 막의 표면으로부터의 임의의 오염물과 그리고/또는 중합체 막과 반응하는 화학 물질을 중합체 막의 표면 상에 도포함으로써 화학 처리가 수행될 수 있다. 화학 처리들의 예들은 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)을 포함하는 중합체 막들의 표면에 대한 에칭제 처리, 폴리에스테르들을 포함하는 중합체 막들의 표면에 가성 소다의 첨가, 및 폴리스티렌을 포함하는 중합체 막들의 표면에 황산의 첨가를 포함할 수 있다.
[0037] 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따르면, 중합체 막 및/또는 중합성 코팅의 표면 원자 밀도가 제공될 수 있다. 제공된 정보에 의해, 그리고 알고리즘에 따라 중합체 막 및 중합성 코팅 중 적어도 하나에 관한 정보에 기초하여 중합체 막 및 중합성 코팅 중 적어도 하나의 표면 원자 밀도를 계산함으로써, 중합체 막의 재료 밀도 및 중합체 막의 표면 원자 밀도 중 적어도 하나 및/또는 중합성 코팅의 재료 밀도 및 중합성 코팅의 표면 원자 밀도 중 적어도 하나가 획득 가능할 수 있다. 이에 따라, 산술 연산들, 예컨대 재료 밀도에 대한 덧셈, 뺄셈, 나눗셈 또는 곱셈을 적용함으로써 본 개시내용에서의 중합체 막 및/또는 중합성 코팅의 표면 원자 밀도가 계산될 수 있다.
[0038] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 표면 처리 디바이스가 조정된다(도 1의 박스(103) 참조). 이 조정은, 정보를 기초로 표면 처리 디바이스에서의 중합체 막의 체류 시간 및 이온들의 방전 중 적어도 하나에 기초하여 이루어질 수 있다. 조정은 중합체 막 및/또는 중합성 코팅 중 적어도 하나의 처리를 위한 이온 도즈를 알고리즘에 따라 계산하는 것을 더 포함할 수 있다. 이 계산은 적어도 방전 전류, 전극 면적 및 체류 시간에 기초할 수 있다. 중합체 막 및 중합성 코팅 중 적어도 하나의 처리를 위한 이온 에너지를 얻기 위한 알고리즘에 의해 추가 계산이 제공될 수 있다. 또 추가로, 조정은 기계 방향으로의 표면 처리 디바이스의 적어도 하나의 치수 및 기계 방향으로의 중합체 막 이송 속도에 기초하여 표면 처리 디바이스에서의 중합체 막의 체류 시간을 계산하는 것, 그리고 프로세스 가스를 선택하는 것을 추가로 또는 대안으로 포함할 수 있다.
[0039] 이에 따라, "방전 전류"라는 용어는 전원 공급 장치에 의해 플라즈마 처리 디바이스의 플라즈마 소스에 제공되는 전류를 의미한다. "전극 면적"이라는 용어는, 플라즈마 소스의 일부이며 플라즈마를 생성하는데 사용되는 전극의 면적을 의미한다. "체류 시간"이라는 용어는 중합체 막이 표면 처리 디바이스에서 소비하는 시간 기간으로서 이해되어야 한다. 특히, "체류 시간"이라는 용어는 표면 처리 디바이스에서 중합체 막 또는 중합성 코팅의 표면 상에 플라즈마가 적용되는 시간 기간을 의미한다.
[0040] 또한, "이온 도즈"라는 용어는 중합체 막 또는 중합성 코팅의 면적당 중합체 막 또는 중합성 코팅에 적용된 플라즈마로부터의 양으로 하전된 이온들의 수를 의미한다. "이온 에너지"라는 용어는 전자의 전위가 1볼트씩 상승할 때 전자에 의해 얻어지는 에너지와 동등한, 플라즈마로부터의 양으로 하전된 이온의 에너지의 양으로서 이해되어야 한다. "기계 방향으로의 표면 처리 디바이스의 치수"라는 용어는 중합체 막이 표면 처리 디바이스로 흐르는, 특히 기판 이동 방향으로의 플라즈마 소스의 선형 확장을 의미한다. "기계 방향으로의 중합체 막 이송 속도"라는 용어는 중합체 막이 표면 처리 디바이스로 흐르는 방향으로 표면 처리 디바이스에서 중합체 막이 수송되는 속도로서 이해되어야 한다.
[0041] 산술 연산들, 예컨대 방전 전류, 전극 면적 및 체류 시간 중 적어도 하나에 대한 덧셈, 뺄셈, 나눗셈 또는 곱셈을 적용함으로써 본 개시내용에서의 중합체 막 및/또는 중합성 코팅에 적용되는 이온 도즈가 계산될 수 있다. 마찬가지로, 본 개시내용의 표면 처리 디바이스에서의 중합체 막의 체류 시간은 산술 연산들, 예컨대 기계 방향으로의 표면 처리 디바이스의 적어도 하나의 치수 및 기계 방향으로의 중합체 막 이송 속도에 대한 덧셈, 뺄셈, 나눗셈 또는 곱셈을 적용하는 알고리즘으로 계산될 수 있다.
[0042] 이에 따라, 중합체 막 및/또는 중합성 코팅 중 적어도 하나의 처리를 위한 이온 도즈는 4 × 1014 내지 6 × 1015 이온들/㎠, 통상적으로는 6 × 1014 내지 4 × 1015 이온들/㎠, 보다 통상적으로는 8 × 1014 내지 2 × 1015 이온들/㎠를 포함한다. 추가로, 중합체 막 및/또는 중합성 코팅 중 적어도 하나의 처리를 위한 이온 에너지는 100eV 내지 9000eV, 통상적으로는 200eV 내지 7000eV, 보다 통상적으로는 400eV 내지 5000eV를 포함한다.
[0043] 표면 처리 디바이스는 플라즈마 처리 디바이스일 수 있다. 플라즈마 처리 디바이스는 적어도 전원 공급 장치 및 처리기 스테이션을 포함할 수 있다. 또한, 처리기 스테이션은 적어도 전극 및 처리기 그라운드 롤을 갖는 적어도 플라즈마 소스를 포함할 수 있다. 더욱이, 전원 공급 장치는 플라즈마 처리 디바이스의 플라즈마 소스에 전류를 제공할 수 있다. 전원 공급 장치는 유니폴라 또는 바이폴라일 수 있다. "유니폴라"라는 용어는 양극과 음극의 2개의 출력 단자들을 갖는 전원 공급 장치를 의미한다. "바이폴라"라는 용어는 양극, 접지 및 음극의 3개의 출력 단자들을 갖는 전원 공급 장치를 의미한다.
[0044] 또한, 전류는 저주파 RF, 고주파 RF, MF, DC 및 AC 중 적어도 하나일 수 있다. "AC" 및 "DC"라는 용어들은 전원 공급 장치로 플라즈마 소스에 인가되는 전류를 의미한다. "AC"라는 용어는 시간과 관련하여 전류 흐름의 방향이 변하는 교류 전류를 의미한다. "DC"라는 용어는 전류가 일정하고 전원 공급 장치에 의한 플라즈마 소스로의 모든 전류 인가 동안 전류 흐름의 방향이 영구적으로 유지되는 직류 전류를 의미한다. "전류"라는 용어는 전도체를 통해 이동하는 전자들의 연속적인 흐름을 의미하며, 전도체의 서로 다르게 하전된 두 단부들에 걸친 전위 차에 의해 생성될 수 있다.
[0045] 더욱이, "무선 주파수"라는 용어는 전원 공급 장치로 플라즈마 소스에 인가되는 전압 또는 전류의 진동 변화를 의미한다. 또한, "무선 주파수"라는 용어는 "AC"라는 용어와 관련된다. "RF"라는 용어는 무선 주파수를 의미하며 100㎑를 초과하고 915㎒ 미만인, 통상적으로는 1㎒를 초과하고 900㎒ 미만인 주파수들과 관련된다. "MF"라는 용어는 중간 주파수를 의미하며 16㎑를 초과하고 100㎑ 미만인, 통상적으로는 20㎑를 초과하고 50㎑ 미만인 주파수들과 관련된다.
[0046] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 플라즈마 처리 디바이스는 전기장을 인가함으로써, 예컨대 DC 또는 AC 전류, 무선 주파수 전류, 마이크로파 방전 또는 전자들 및 광자들의 빔을 프로세스 가스에 인가함으로써 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스를 포함할 수 있다. 플라즈마 처리 디바이스는 글로우 방전, 바이폴라 마그네트론, 용량 결합 방전, 유도 결합 방전, 마이크로파 방전 및 전자 사이클로트론 공명 중 적어도 하나에 의해 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스를 포함할 수 있다.
[0047] 이에 따라, "글로우 방전"이라는 용어는 프로세스 가스를 통한 전류, 통상적으로는 DC 또는 저주파 RF의 통과에 의해 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스를 의미한다. "글로우 방전"이라는 용어는 또한 프로세스 가스를 포함하는 두 전극들 사이에 전압을 인가함으로써 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스를 의미한다. "바이폴라 마그네트론"이라는 용어는 동일한 전원 공급 장치(AC)에 연결된 2개의 마그네트론들을 사용함으로써 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스를 의미하며, 여기서 마그네트론들은 서로 180° 위상 차 펄스화될 수 있어, 각각 캐소드 및 애노드로서 교대로 작용한다. "용량 결합 방전"이라는 용어는 프로세스 가스를 통한 전류, 통상적으로는 고주파 RF, 보다 통상적으로는 13.56㎒의 통과에 의해 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스로서 이해되어야 한다. "유도 결합 방전”이라는 용어는 프로세스 가스를 포함하는 두 전극들 사이에 전압을 인가함으로써 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스를 의미하며, 여기서 전극들은 플라즈마가 형성되는 챔버를 감싸는 코일들일 수 있다.
[0048] 또한, "마이크로파 방전"라는 용어는 석영 윈도우를 통해 프로세스 가스에 마이크로파 방사선을 인가함으로써 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 의미하며, 여기서 플라즈마 소스는 마그네트론을 포함할 수 있다. "전자 사이클로트론 공명"이라는 용어는 송신 라인을 통해 2.45㎓의 주파수를 갖는 마이크로파들을 그리고 0.0875T의 자기장 강도를 가스 프로세스에 인가함으로써 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스를 의미한다.
[0049] 또한, 플라즈마 처리 디바이스는 진공 플라즈마 처리 디바이스 또는 대기압 플라즈마 처리 디바이스일 수 있다. 진공 플라즈마 처리 디바이스는 배치(batch) 프로세스에 사용될 수 있다. 대기압 플라즈마 처리 디바이스는 조립 라인 프로세스에 사용될 수 있다. "진공"이라는 용어는 대기압 미만, 통상적으로는 10torr 미만의 압력들을 의미한다.
[0050] 프로세스 가스는 무기물 또는 유기물일 수 있다. 예로서, 무기 프로세스 가스는 아르곤, 산소, 질소, 헬륨 및 네온 중 적어도 하나, 통상적으로는 아르곤, 산소, 질소, 헬륨 중 적어도 하나, 보다 통상적으로는 아르곤, 산소 및 질소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예시적인 유기 프로세스 가스들은 실란들, 포화 및 불포화 탄화수소들 및 방향족을 포함한다.
[0051] 표면 처리 방법은 중합체 막의 처리된 표면을 분석하는 단계 및/또는 처리된 중합성 코팅을 분석하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 중합체 막의 처리된 표면을 분석하는 단계 및/또는 처리된 중합성 코팅을 분석하는 단계는 ISO 29862:2007에 따른 접착 강도를 측정하기 위한 테이프 시험, 분광 방법들, 이를테면 푸리에 변환 적외선, 자외선 및 X선 광전자 분광법들 중 하나를 사용하는 단계, 및 접촉각 또는 습윤성을 측정하는 단계를 포함할 수 있다.
[0052] 본 개시내용에 따른 표면 처리된 중합체 막은 롤-투-롤 응용들(R2R 응용)에 사용될 수 있다. 예를 들어, 응용들은 포장 재료, 특히 식품 포장의 생산, 터치 패널 응용들, 가요성 전자 디바이스 응용들, 차단 막 응용들, 초고 차단 막 응용들, 및 광학 층 스택들과 같은 광학 층들에 대한 응용들을 포함할 수 있다.
[0053] 도 2는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 표면 처리 디바이스(200)의 개략도를 도시한다.
[0054] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 표면 처리 디바이스(200)는 컴퓨터(201), 제어기 유닛(202), 전원 공급 장치(203) 및 처리기 스테이션(204)을 포함할 수 있다. 또한, 적어도 중합체 막(207)에 관한 정보가 컴퓨터(201)를 통해 표면 처리 디바이스에 제공될 수 있다. 제어기 유닛(202)은 적어도 전원 공급 장치(203)를 제어하는 것이 가능할 수 있다. 표면 처리 디바이스(200)는 플라즈마 처리 디바이스일 수 있다. 플라즈마 처리 디바이스는 플라즈마 소스(205)를 포함할 수 있다. 전원 공급 장치는 플라즈마 소스(205)에 전류를 제공할 수 있다. 중합체 막(207)은 표면 처리 디바이스(200)를 통해 기계 방향(208)으로, 예컨대 롤러들(206)을 통해 안내될 수 있다.
[0055] 전술한 내용은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 기본 범위를 벗어나지 않으면서 본 개시내용의 다른 실시예들 및 추가 실시예들이 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. - 적어도 중합체 막에 관한 정보를 표면 처리 디바이스에 제공하는 단계;
    - 상기 표면 처리 디바이스에서, 상기 정보에 기초하여 상기 표면 처리 디바이스에서의 상기 중합체 막의 체류 시간, 및 하전 입자들의 방전 중 적어도 하나를 조정하는 단계; 및
    - 표면 처리된 중합체 막을 얻도록 상기 표면 처리 디바이스에서의 상기 중합체 막의 체류 시간 동안 상기 중합체 막의 표면에 상기 하전 입자들의 방전을 적용하는 단계를 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 중합체 막의 표면의 적어도 일부는 중합성 코팅을 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 중합성 코팅은 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아크릴레이트 및 폴리실록산 중 적어도 하나를 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 중합체 막에 관한 정보를 표면 처리 디바이스에 제공하는 단계는, 재료 밀도 및 표면 원자 밀도 중 적어도 하나를 제공하는 단계를 더 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    재료 밀도 및 표면 원자 밀도 중 적어도 하나를 제공하는 단계는, 상기 중합체 막의 재료 밀도, 상기 중합체 막의 표면 원자 밀도, 상기 중합성 코팅의 재료 밀도 및 상기 중합성 코팅의 표면 원자 밀도 중 적어도 하나를 제공하는 단계를 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  6. 제4 항 또는 제5 항에 있어서,
    재료 밀도 및 표면 원자 밀도 중 적어도 하나를 제공하는 단계는, 알고리즘에 따라 상기 중합체 막 및 상기 중합성 코팅 중 적어도 하나에 관한 정보에 기초하여 상기 중합체 막 및/또는 상기 중합성 코팅 중 적어도 하나의 표면 원자 밀도를 계산하는 단계를 더 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면 처리 디바이스에서, 상기 정보에 기초하여 상기 표면 처리 디바이스에서의 상기 중합체 막의 체류 시간, 및 하전 입자들의 방전 중 적어도 하나를 조정하는 단계는,
    - 적어도 방전 전류, 전극 면적 및 상기 체류 시간에 기초하여 상기 중합체 막 및/또는 상기 중합성 코팅 중 적어도 하나의 처리를 위한 하전 입자 도즈(dose)를 알고리즘에 따라 계산하는 단계;
    - 상기 중합체 막 및/또는 상기 중합성 코팅 중 적어도 하나의 처리를 위한 하전 입자 에너지를 알고리즘에 따라 계산하는 단계;
    - 기계 방향으로의 상기 표면 처리 디바이스의 적어도 하나의 치수 및 상기 기계 방향으로의 중합체 막 이송 속도에 기초하여 상기 표면 처리 디바이스에서의 상기 중합체 막의 체류 시간을 알고리즘에 따라 계산하는 단계; 및
    - 프로세스 가스를 선택하는 단계
    중 적어도 하나를 더 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  8. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중합체 막은 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아크릴레이트 및 폴리실록산 중 적어도 하나를 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  9. 제3 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폴리올레핀은 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 폴리에스테르는 적어도 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 포함하고, 그리고/또는 상기 폴리아크릴레이트는 폴리메타크릴레이트, 폴리(메틸)메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴 및 폴리아크릴아미드 중 적어도 하나를 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  10. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 중합체 막의 처리된 표면을 분석하는 단계 및/또는 처리된 중합성 코팅을 분석하는 단계를 더 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  11. 제6 항에 있어서,
    상기 프로세스 가스는 무기물이고, 특히 아르곤, 산소, 질소, 헬륨 및 네온 중 적어도 하나, 통상적으로는 아르곤, 산소, 질소, 헬륨 중 적어도 하나, 보다 통상적으로는 아르곤, 산소 및 질소 중 적어도 하나를 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  12. 제1 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면 처리 디바이스는 플라즈마 처리 디바이스의 전자 처리 디바이스이고, 특히 상기 플라즈마 처리 디바이스의 플라즈마 소스는 글로우(glow) 방전, 바이폴라 마그네트론, 용량 결합 방전, 유도 결합 방전, 마이크로파 방전 및 전자 사이클로트론 공명 중 적어도 하나인,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  13. 제7 항에 있어서,
    상기 중합체 막 및/또는 상기 중합성 코팅 중 적어도 하나의 처리를 위한 하전 입자 도즈는 4 × 1014 내지 6 × 1015 하전 입자들/㎠, 통상적으로는 6 × 1014 내지 4 × 1015 하전 입자들/㎠, 보다 통상적으로는 8 × 1014 내지 2 × 1015 하전 입자들/㎠를 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  14. 제7 항에 있어서,
    상기 중합체 막 및/또는 상기 중합성 코팅 중 적어도 하나의 처리를 위한 하전 입자 에너지는 100eV 내지 9000eV, 통상적으로는 200eV 내지 7000eV, 보다 통상적으로는 400eV 내지 5000eV를 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
  15. - 중합체 막 및 중합성 코팅 중 적어도 하나에 관한 정보를 표면 처리 디바이스에 제공하는 단계;
    - 알고리즘에 따라 상기 중합체 막 및/또는 상기 중합성 코팅 중 적어도 하나에 관한 정보에 기초하여 상기 중합체 막 및/또는 상기 중합성 코팅 중 적어도 하나의 표면 원자 밀도를 계산하는 단계;
    - 기계 방향으로의 상기 표면 처리 디바이스의 적어도 하나의 치수 및 상기 기계 방향으로의 중합체 막 이송 속도에 기초하여 상기 표면 처리 디바이스에서의 상기 중합체 막의 체류 시간을 알고리즘에 따라 계산하는 단계;
    - 적어도 방전 전류, 전극 면적 및 상기 체류 시간에 기초하여 상기 중합체 막 및/또는 상기 중합성 코팅 중 적어도 하나의 처리를 위한 하전 입자 도즈를 알고리즘에 따라 계산하는 단계;
    - 상기 표면 처리 디바이스에서, 상기 정보에 기초하여 상기 표면 처리 디바이스에서의 상기 중합체 막의 체류 시간, 및 하전 입자들의 방전 중 적어도 하나를 조정하는 단계; 및
    - 표면 처리된 중합체 막을 얻도록 상기 표면 처리 디바이스에서의 상기 중합체 막의 체류 시간 동안 상기 중합체 막의 표면에 상기 하전 입자들의 방전을 적용하는 단계를 포함하는,
    중합체 막에 대한 표면 처리 방법.
KR1020217002670A 2018-06-28 2018-06-28 중합체 막에 대한 표면 처리 방법 KR102416434B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2018/067433 WO2020001774A1 (en) 2018-06-28 2018-06-28 A surface treatment method for a polymer film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210022750A true KR20210022750A (ko) 2021-03-03
KR102416434B1 KR102416434B1 (ko) 2022-07-01

Family

ID=62846159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217002670A KR102416434B1 (ko) 2018-06-28 2018-06-28 중합체 막에 대한 표면 처리 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20210260813A1 (ko)
EP (1) EP3814099A1 (ko)
JP (1) JP7061206B2 (ko)
KR (1) KR102416434B1 (ko)
CN (1) CN112437718B (ko)
TW (1) TWI816821B (ko)
WO (1) WO2020001774A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI784310B (zh) * 2020-09-02 2022-11-21 國立中興大學 蔬果包裝的主動氣調保鮮膜及其製備方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009051993A2 (en) * 2007-10-15 2009-04-23 Dow Global Technologies Inc. Process for plasma coating a polypropylene object
US20110165382A1 (en) * 2008-06-13 2011-07-07 National Center For Scientific Research "Demokritos" Method for the fabrication of periodic structures on polymers using plasma processes
WO2018064491A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Gen-Probe Incorporated Compositions on plasma-treated surfaces

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3959567A (en) * 1974-09-12 1976-05-25 Surface Activation Corporation Method and apparatus for making laminates
US4743493A (en) * 1986-10-06 1988-05-10 Spire Corporation Ion implantation of plastics
US5389195A (en) * 1991-03-07 1995-02-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Surface modification by accelerated plasma or ions
JPH0834865A (ja) * 1994-07-25 1996-02-06 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミドフィルムの接着性改善方法及び接着性を改善したポリイミドフィルム
CA2205817C (en) * 1996-05-24 2004-04-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. Treatment method in glow-discharge plasma and apparatus thereof
EP1125972A1 (fr) * 2000-02-11 2001-08-22 L'air Liquide Société Anonyme pour l'étude et l'exploitation des procédés Georges Claude Procédé de traitement de surface de subtrats polymères
KR20030064604A (ko) * 2002-01-16 2003-08-02 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 투명 도전성 필름과 그 제조방법 및 그것을 사용한일렉트로루미네센스 발광소자
TW574279B (en) * 2002-10-23 2004-02-01 Nakata Coating Co Ltd Surface treatment apparatus and surface treatment method
KR101134480B1 (ko) * 2009-09-28 2012-04-13 현대자동차주식회사 나노 엠보 패턴 표면을 갖는 플라스틱 및 이의 제조 방법
WO2011062100A1 (ja) 2009-11-19 2011-05-26 コニカミノルタホールディングス株式会社 ガスバリア性フィルム、その製造方法、それを用いた有機光電変換素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102010000983A1 (de) * 2010-01-18 2011-07-21 Joanneum Research Forschungsges. M.B.H. Plasma- bzw. ionengestützes System zur Herstellung haftfester Beschichtungen auf Fluorpolymeren
US9799488B2 (en) * 2010-08-23 2017-10-24 Exogenesis Corporation Method and apparatus for neutral beam processing based on gas cluster ion beam technology
JP5738057B2 (ja) 2011-04-25 2015-06-17 三菱瓦斯化学株式会社 多孔性フィルムの製造方法
US9493680B2 (en) * 2011-05-06 2016-11-15 Tesa Se Double-sided adhesive tape comprising a first outer, pressure-sensitive adhesive side, and a second outer side which can be thermally-activated
FR2978598B1 (fr) * 2011-07-29 2014-04-25 Valeo Vision Installation et procede de traitement d'un objet par des generateurs de plasma
WO2013103355A1 (en) * 2012-01-06 2013-07-11 Tan Daniel Brian Apparatus and method for corona treating film for self opening bags
JP6461983B2 (ja) * 2014-09-16 2019-01-30 株式会社Ｆｕｊｉ プラズマガス照射装置
JP6736269B2 (ja) 2015-07-09 2020-08-05 日東電工株式会社 樹脂フィルム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009051993A2 (en) * 2007-10-15 2009-04-23 Dow Global Technologies Inc. Process for plasma coating a polypropylene object
US20110165382A1 (en) * 2008-06-13 2011-07-07 National Center For Scientific Research "Demokritos" Method for the fabrication of periodic structures on polymers using plasma processes
WO2018064491A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Gen-Probe Incorporated Compositions on plasma-treated surfaces

Also Published As

Publication number Publication date
KR102416434B1 (ko) 2022-07-01
EP3814099A1 (en) 2021-05-05
US20210260813A1 (en) 2021-08-26
JP2021528545A (ja) 2021-10-21
TW202016185A (zh) 2020-05-01
JP7061206B2 (ja) 2022-04-27
CN112437718A (zh) 2021-03-02
WO2020001774A1 (en) 2020-01-02
TWI816821B (zh) 2023-10-01
CN112437718B (zh) 2022-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6724967B2 (ja) プラズマを使った前処理装置を有した蒸着装置
Yang et al. Surface modification of polyethyleneterephthalate by an atmospheric-pressure plasma source
Fanelli Thin film deposition and surface modification with atmospheric pressure dielectric barrier discharges
Ishijima et al. Efficient production of microwave bubble plasma in water for plasma processing in liquid
WO2008044474A1 (fr) Procédé de formation de film transparent électroconducteur
JP2749630B2 (ja) プラズマ表面処理法
JP2001329083A (ja) プラズマ処理を受けさせた材料
KR102416434B1 (ko) 중합체 막에 대한 표면 처리 방법
Zaitsev et al. Nanotexturing of plasma-polymer thin films using argon plasma treatment
Yasuda New insights into aging phenomena from plasma chemistry
WO2008044473A1 (fr) Procédé de formation de film transparent électroconducteur et substrat de film transparent électroconducteur
KR100442309B1 (ko) 필름상 중합체의 연속 표면처리장치 및 연속 표면처리방법
Zhang et al. Modeling and experimental investigation of the plasma uniformity in CF4/O2 capacitively coupled plasmas, operating in single frequency and dual frequency regime
US20230054056A1 (en) Silicon oxide coated polymer films and low pressure pecvd methods for producing the same
US8778080B2 (en) Apparatus for double-plasma graft polymerization at atmospheric pressure
CN114829670B (zh) 氧化硅涂覆的聚合物膜以及用于生产其的低压pecvd方法
Safari et al. Effect of electrical discharge power on mechanical properties of N-DLC films deposited by atmospheric DBD plasma
Barjasteh et al. Physical and chemical properties of low-pressure argon-chlorine dielectric barrier discharge
Buyle et al. Plasma systems for surface treatment
EP3757155B1 (en) Method of increasing the hydrophilicity of a surface of an object of polymer containing fluorine atoms
Elaissi et al. Numerical simulation of an RF asymmetric nonthermal plasma reactor used for plasma polymerisation
Korzec et al. Atmospheric pressure plasma source for wire cleaning
JP5095087B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
Korzec et al. Radio frequency hollow cathode jet: optical emission study
JPH0680807A (ja) ウエブの連続表面処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant