KR20210017302A

KR20210017302A - Apparatus for treating substrate and method for teating substrate

Info

Publication number: KR20210017302A
Application number: KR1020190096343A
Authority: KR
Inventors: 박황수
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2019-08-07
Filing date: 2019-08-07
Publication date: 2021-02-17
Also published as: KR102277546B1

Abstract

Provided is a substrate processing device which can shorten processing time. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing device comprises: a processing container having a processing space therein; a substrate support unit supporting a substrate in the processing space; and a liquid supply unit supplying a processing liquid to the substrate supported by the substrate support unit, wherein the processing container is formed with a coating layer to which the liquid is applied to a surface.

Description

A substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus cleaning method TECHNICAL FIELD [APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TEATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 세정하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a method of cleaning the substrate processing apparatus.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, the photographic process sequentially performs coating, exposure, and development steps. The coating process is a process of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process of exposing a circuit pattern on a substrate on which a photosensitive film is formed. In the developing process, the exposed area of the substrate is selectively developed.

일반적으로 도포 공정 및 현상 공정은 기판을 액 처리하는 공정으로, 기판 상에 처리액을 공급하는 공정이 수행된다. 기판의 액 처리 공정은 처리 용기에서 수행되며, 사용된 처리액은 처리 용기를 통해 회수된다. In general, the coating process and the developing process are processes of liquid processing a substrate, and a process of supplying a processing liquid onto the substrate is performed. The liquid treatment process of the substrate is performed in a treatment container, and the used treatment liquid is recovered through the treatment container.

도 1은 도포 공정에 사용되는 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 액 처리 장치는 처리 용기(2) 내에는 기판(W)이 위치되며, 기판(W) 상에 감광액(X)을 공급한다. 감광액(X)은 점성을 가지는 액으로, 다량이 회수 경로에 부착된다. 처리 용기(2)의 회수 경로에 부착된 감광액들(X)은 주변 장치를 오염시킬 수 있으며, 작업자에게 악영향을 끼칠 수 있다. 이에 따라 감광액들(X)이 잔류되는 처리 용기는 주기적인 세정을 필요로 한다. 1 is a cross-sectional view showing a general liquid treatment apparatus used in a coating process. Referring to FIG. 1, in the liquid processing apparatus, a substrate W is positioned in a processing container 2 and a photosensitive liquid X is supplied onto the substrate W. The photoresist (X) is a viscous liquid, and a large amount adheres to the recovery path. The photosensitive liquids X attached to the recovery path of the processing container 2 may contaminate peripheral devices and may adversely affect the operator. Accordingly, the processing container in which the photosensitive liquids X remain, requires periodic cleaning.

도 2는 도 1의 장치에서 처리 용기를 세정 처리하는 과정을 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 처리 용기(2)의 세정 공정으로는, 기판 대신 세정 지그(1)를 준비하고, 세정 지그(1)의 상부 및 하부에서 세정 지그(1)을 향해 세정액(Y)을 공급한다. 세정액(Y)은 세정 지그(1)으로부터 비산되어 회수 경로로 회수되며, 잔류 감광액을 세정 처리한다. 그러나, 세정 지그(1)는 세정 지그(1)를 챔버 내로 도입하기 위한 별도의 시간과 구성이 필요하다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a process of cleaning a processing container in the apparatus of FIG. 1. Referring to FIG. 2, in the cleaning process of the processing container 2, a cleaning jig 1 is prepared instead of a substrate, and a cleaning liquid Y is supplied from the top and bottom of the cleaning jig 1 toward the cleaning jig 1 Supply. The cleaning liquid Y is scattered from the cleaning jig 1 and recovered in a recovery path, and the residual photosensitive liquid is cleaned. However, the cleaning jig 1 requires a separate time and configuration for introducing the cleaning jig 1 into the chamber.

본 발명은 처리 용기에 잔류된 액을 세정 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus cleaning method capable of cleaning a liquid remaining in a processing container.

또한, 본 발명은 처리 장치의 세정에 의한 처리 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법을 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus cleaning method capable of shortening the processing time by cleaning the processing apparatus.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 상기 처리 용기는, 표면에 액체가 적용된 코팅층이 형성된다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. In an embodiment, a substrate processing apparatus includes: a processing container having a processing space therein; A substrate support unit supporting a substrate in the processing space; And a liquid supply unit for supplying a processing liquid onto a substrate supported by the substrate support unit, wherein a coating layer to which a liquid is applied is formed on a surface of the processing container.

일 실시 예에 있어서, 상기 코팅층은, 복수개의 포스트가 형성된 표면을 포함하고, 상기 액체는 상기 포스트의 사이의 공간에 점유되도록 제공될 수 있다.In an embodiment, the coating layer may include a surface on which a plurality of posts are formed, and the liquid may be provided to occupy a space between the posts.

일 실시 예에 있어서, 상기 포스트는 나노스케일로 제공될 수 있다.In an embodiment, the post may be provided in nanoscale.

일 실시 예에 있어서, 상기 처리 용기는, 상부가 개방된 컵 형상의 외측 컵과; 상기 외측 컵의 내측에 제공되고 상부가 개방된 컵 형상을 갖는 내측 컵을 포함할 수 있다.In an embodiment, the processing container includes: an outer cup having an open top cup shape; It may include an inner cup provided on the inner side of the outer cup and having an open top cup shape.

일 실시 예에 있어서, 상기 처리 용기에 잔류된 처리액을 제거하는 블로잉 유닛을 더 포함하되, 상기 블로잉 유닛은, 공급관과; 상기 공급관과 연결되고, 상기 외측 컵의 내측 최상단을 둘러 제공되는 분배관을 포함하고, 상기 분배관은 상기 외측 컵의 내부 표면에 비활성 기체를 공급할 수 있다.In one embodiment, further comprising a blowing unit for removing the processing liquid remaining in the processing container, the blowing unit, the supply pipe; And a distribution pipe connected to the supply pipe and provided around an inner uppermost end of the outer cup, and the distribution pipe may supply an inert gas to the inner surface of the outer cup.

일 실시 예에 있어서, 상기 처리 용기에 잔류된 처리액을 제거하는 블로잉 유닛을 더 포함하되, 상기 블로잉 유닛은, 공급관과; 상기 공급관과 연결되고, 상기 내측 컵의 최상단을 둘러 제공되는 분배관을 포함하고, 상기 분배관은 상기 내측 컵의 외부 표면에 비활성 기체를 공급할 수 있따.In one embodiment, further comprising a blowing unit for removing the processing liquid remaining in the processing container, the blowing unit, the supply pipe; And a distribution pipe connected to the supply pipe and provided around an uppermost end of the inner cup, and the distribution pipe may supply an inert gas to the outer surface of the inner cup.

일 실시 예에 있어서, 상기 분배관에 의한 상기 비활성 기체는 기판이 처리 중인 상태에서 공급될 수 있다.In an embodiment, the inert gas by the distribution pipe may be supplied while the substrate is being processed.

일 실시 예에 있어서, 상기 분배관에 의한 상기 비활성 기체는 하나의 기판이 처리되고, 다른 하나의 기판이 공급되기 전 어느 시점에 공급될 수 있다.In an embodiment, the inert gas by the distribution pipe may be supplied at any point in time before one substrate is processed and the other substrate is supplied.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 방법은, 상기 기판을 액 처리하는 액 처리 단계와; 상기 처리 용기를 세정 처리하는 용기 세정 단계를 포함하되, 상기 처리 용기는, 액체가 적용된 코팅층이 형성되고, 상기 용기 세정 단계는, 상기 처리 용기의 표면에 비활성 기체를 공급한다.The present invention provides a method of processing a substrate. In an embodiment, a method of processing a substrate comprises: a liquid processing step of processing the substrate; And a container cleaning step of cleaning the treatment container, wherein a coating layer to which a liquid is applied is formed in the treatment container, and the container cleaning step supplies an inert gas to the surface of the treatment container.

일 실시 예에 있어서, 상기 코팅층은, 복수개의 포스트가 형성된 표면을 포함하고, 상기 액체는 상기 포스트의 사이의 공간에 점유되도록 제공되는 것일 수 있다.In one embodiment, the coating layer may include a surface on which a plurality of posts are formed, and the liquid may be provided to occupy a space between the posts.

일 실시 예에 있어서, 상기 용기 세정 단계는 상기 액 처리 단계가 진행 중인 상태에서 동시에 진행될 수 있다.In one embodiment, the container cleaning step may be performed simultaneously while the liquid treatment step is in progress.

일 실시 예에 있어서, 상기 용기 세정 단계는, 하나의 기판에 대한 상기 액 처리 이후, 다른 하나의 기판이 공급되기 전 어느 시점에 진행될 수 있다.In one embodiment, the container cleaning step may be performed at any point after the liquid is processed on one substrate and before the other substrate is supplied.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 처리 용기에 잔류된 액을 세정 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the liquid remaining in the processing container may be cleaned.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 처리 장치의 세정에 의한 처리 시간을 단축할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to shorten the processing time by cleaning the processing device.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 도포 공정에 사용되는 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 장치에서 처리 용기를 세정 처리하는 과정을 보여주는 단면도이다.
도 3은 기판 처리 장치(1)를 상부에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 5은 도 3의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 3의 처리 유닛의 단면을 보여주는 도면이다.
도 7는 도 6에 도시된 처리 용기의 단면 사시도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 외측 컵(521) 또는 내측 컵(522)의 표면의 코팅을 도시한 단면도이다.
도 9는 외측 컵(521) 또는 내측 컵(522)의 코팅 면의 평면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치를 이용하여 장치를 세정하는 방법을 나타낸 도면이다. 1 is a cross-sectional view showing a general liquid treatment apparatus used in a coating process.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a process of cleaning a processing container in the apparatus of FIG. 1.
3 is a view of the substrate processing apparatus 1 viewed from above.
4 is a view of the substrate processing apparatus 1 of FIG. 3 as viewed from the AA direction.
5 is a view of the substrate processing apparatus 1 of FIG. 3 as viewed from the BB direction.
6 is a view showing a cross section of the processing unit of FIG. 3.
7 is a cross-sectional perspective view of the processing container shown in FIG. 6.
8 is a cross-sectional view illustrating a coating of a surface of an outer cup 521 or an inner cup 522 according to an exemplary embodiment.
9 is a plan view of the coated surface of the outer cup 521 or the inner cup 522.
10 is a diagram illustrating a method of cleaning a device using a device according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely describe the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 기판 처리 장치는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정을 수행하는 데 사용된다.The substrate processing apparatus of this embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the substrate processing apparatus of this embodiment is used to perform a coating process and a developing process on a substrate.

도3 내지 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3은 기판 처리 장치(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 3의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 5은 도 3의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.3 to 5 are views schematically showing a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention. 3 is a view of the substrate processing apparatus 1 viewed from the top, FIG. 4 is a view of the substrate processing apparatus 1 of FIG. 3 viewed from the AA direction, and FIG. 5 is a view of the substrate processing apparatus 1 of FIG. It is a view viewed from the direction.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 공정 처리부(400), 인터페이스 모듈(700) 그리고 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 처리부(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.3 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a buffer module 300, a process processing unit 400, an interface module 700, and a purge module 800. ). The load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the processing unit 400, and the interface module 700 are sequentially arranged in a row in one direction. The purge module 800 may be provided in the interface module 700. Unlike this, the purge module 800 may be provided at various locations such as a location to which the exposure apparatus at the rear end of the interface module 700 is connected or a side of the interface module 700.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제1 버퍼 모듈(300), 처리부(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2방향(14)과 각각 수직한 방향을 제3방향(16)이라 한다.Hereinafter, the direction in which the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the processing unit 400, and the interface module 700 are disposed is referred to as the first direction 12, and viewed from the top. When viewed, a direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14, and a direction perpendicular to the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. The cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open integrated pod (FOUP) having a door in the front may be used.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공된다. 재치대들(120)은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 4에서는 4개의 재치대(120)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나, 재치대(120)는 공정과 필요에 따라, 이와는 다른 개수로 제공될 수 있다.The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed. A plurality of mounting table 120 is provided. The mounting tables 120 are arranged in a row along the second direction 14. In FIG. 4, an example in which four mounting tables 120 are provided is shown. However, the mounting table 120 may be provided in a different number according to the process and needs.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the buffer module 300.

인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제1방향(12), 제2방향(14) 그리고 제3방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 제공된다.The index module 200 includes a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is generally provided in the shape of a cuboid with an empty inside, and is disposed between the load port 100 and the buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the buffer module 300 to be described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210. The index robot 220 is provided so that a hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16.

인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index robot 220 includes a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixedly installed on the arm 222. The arm 222 is provided in a stretchable structure and a rotatable structure. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. Support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rail 230 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be able to move linearly along the guide rail 230. Further, although not shown, a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 is further provided on the frame 210.

버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제1 버퍼(320), 제2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제1 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공된다. 프레임(310)은 인덱스 모듈(200)과 처리부(400) 사이에 배치된다. 제1 버퍼(320), 제2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제2 버퍼(330), 그리고 제1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제3방향(16)을 따라 배치된다. 제1 버퍼(320)는 후술하는 처리부(400)의 제1 도포부(401)과 대응되는 높이에 위치된다. 제2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 처리부(400)의 제2 도포부(402)와 대응되는 높이에 제공된다. 제1 버퍼 로봇(360)은 제2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제1 버퍼(320)와 제2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.The buffer module 300 includes a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped. The frame 310 is disposed between the index module 200 and the processing unit 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located in the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from below. The first buffer 320 is located at a height corresponding to the first coating unit 401 of the processing unit 400 to be described later. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are provided at a height corresponding to the second coating unit 402 of the processing unit 400 to be described later. The first buffer robot 360 is positioned to be spaced apart a predetermined distance from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 and the second direction 14.

제1 버퍼(320)와 제2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 제1 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 제1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제1 버퍼(320)는 제2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 제1 도포부(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed in the housing 331 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. One substrate W is placed on each of the supports 332. The housing 331 includes a direction and a direction in which the index robot 220 is provided so that the index robot 220 and the first buffer robot 360 can carry the substrate W into or out of the support 332 in the housing 331. 1 The buffer robot 360 has an opening (not shown) in the direction provided. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the applicator robot 432 positioned in the first applicator 401 is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided to the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided to the first buffer 320.

제1 버퍼 로봇(360)은 제1 버퍼(320)와 제2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제2방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다.The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 includes a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixedly installed on the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable structure so that the hand 361 is movable along the second direction 14.

아암(362)은 지지대(363)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제2 방향(14) 및 제3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 363. The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer in the upper or lower direction than this. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is driven only by two axes along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 제2 도포부(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 복수개의 도어가 제공될 수 있다.Each of the cooling chambers 350 cools the substrate W. The cooling chamber 350 includes a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods, such as cooling using cooling water or cooling using a thermoelectric element, may be used. In addition, a lift pin assembly for positioning the substrate W on the cooling plate 352 may be provided in the cooling chamber 350. The housing 351 is a direction in which the index robot 220 is provided so that the developing unit robot provided on the index robot 220 and the second application unit 402 can carry in or take out the substrate W on the cooling plate 352. The developing section robot has an opening in the direction provided. In addition, a plurality of doors for opening and closing the above-described opening may be provided in the cooling chamber 350.

제1 도포부(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 제1 도포부(401)은 처리 유닛(500), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 처리 유닛(500), 반송 챔버(430) 그리고 베이크 챔버(420)는 제2방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 처리 유닛(500)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제2방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 처리 유닛(500)는 복수 개가 제공되며, 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 처리 유닛(500)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The first coating unit 401 includes a process of applying a photoresist, such as a photoresist, to the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling the substrate W before and after the resist coating process. The first applicator 401 has a processing unit 500, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The processing unit 500, the transfer chamber 430, and the bake chamber 420 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the processing unit 500 and the bake chamber 420 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of processing units 500 are provided, and a plurality of processing units 500 are provided in the first direction 12 and the third direction 16 respectively. In the figure, an example in which six processing units 500 are provided is shown. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six bake chambers 420 are provided is shown. However, unlike this, the number of bake chambers 420 may be provided.

반송 챔버(430)는 제1 버퍼 모듈(300)의 제1 버퍼(320)와 제1 향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 하나 이상의 베이크 챔버(420), 하나 이상의 처리 유닛(500), 제1 버퍼 모듈(300)의 제1 버퍼(320) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제1방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 and the first direction 12. In the transfer chamber 430, an application unit robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 transfers the substrate W between one or more bake chambers 420, one or more processing units 500, and the first buffer 320 of the first buffer module 300. The guide rail 433 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixedly installed on the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable structure to allow the hand 434 to move in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be able to move linearly in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the support 437, and the support 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 하나 이상의 베이크 챔버(420)는 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 하나 이상의 베이크 챔버(420) 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.The bake chamber 420 heats the substrate W. For example, one or more bake chambers 420 heat the substrate W to a predetermined temperature before applying the photoresist to remove organic matter or moisture from the surface of the substrate W, or a photoresist substrate. A soft bake process or the like performed after coating on (W) is performed, and a cooling process of cooling the substrate W after each heating process is performed. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element. Further, the heating plate 422 is provided with a heating means 424 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in one bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the one or more bake chambers 420 may include only the cooling plate 421 and some may include only the heating plate 422.

제2 도포부(402)는 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 제2 도포부(402)는 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 포함한다.The second coating unit 402 supplies a developer to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist, and heating and cooling performed on the substrate W before and after the development process. It includes a heat treatment process. The second application unit 402 includes a developing chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480.

현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제2방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제2방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.The developing chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the developing chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16.

반송 챔버(480)는 제1 버퍼 모듈(300)의 제2 버퍼(330)와 제1방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 하나 이상의 베이크 챔버(470), 하나 이상의 현상 챔버(460), 그리고 제1 버퍼 모듈(300)의 제2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제1방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned parallel to the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, a developing unit robot 482 and a guide rail 483 are positioned. The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing unit robot 482 connects the substrate W between one or more bake chambers 470, one or more developing chambers 460, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. Transfer. The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing unit robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing unit robot 482 has a hand 484, an arm 485, a support 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixedly installed on the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable structure to allow the hand 484 to move in the horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 486. The support 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

복수개의 현상 챔버(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 복수개의 보호막의 영역 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.All of the plurality of developing chambers 460 have the same structure. However, the types of developing solutions used in each developing chamber 460 may be different from each other. The developing chamber 460 removes a light-irradiated region of the photoresist on the image. At this time, the region irradiated with light in the protective film is also removed. Depending on the type of photoresist that is selectively used, only the regions of the photoresist and the plurality of protective layers that are not irradiated with light may be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.The developing chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located within the housing 461 and supports. The support plate 462 is provided rotatably. The nozzle 463 supplies the developer to the image placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tubular shape and can supply a developer to the center of. Optionally, the nozzle 463 has a length corresponding to the diameter of, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 464 for supplying a cleaning solution such as deionized water may be further provided in the developing chamber 460 to clean the surface to which the developer is supplied.

베이크 챔버(470)는 기판을 열처리한다. 예컨대, 하나 이상의 베이크 챔버(470)는 현상 공정이 수행되기 전에 기판을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 하나 이상의 베이크 챔버(470) 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. 선택적으로 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다.The bake chamber 470 heats the substrate. For example, one or more bake chambers 470 may include a post bake process for heating the substrate before the development process is performed, a hard bake process for heating the substrate after the development process is performed, and cooling the heated wafer after each bake process. Perform a cooling process and the like. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with cooling means 473 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element is provided on the heating plate 472. Some of the one or more bake chambers 470 may have only the cooling plate 471 and some of the bake chambers 470 may have only the heating plate 472. Optionally, the cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively.

상술한 바와 같이 처리부(400)에서 제1 도포부(401)과 제2 도포부(402)는 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 제1 도포부(401)과 제2 도포부(402)는 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.As described above, in the processing unit 400, the first coating unit 401 and the second coating unit 402 are provided to be separated from each other. In addition, when viewed from the top, the first coating unit 401 and the second coating unit 402 may have the same chamber arrangement.

인터페이스 모듈(700)은 기판을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제1 버퍼(720), 제2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 제1 버퍼(720), 제2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제1 버퍼(720)와 제2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되게 배치된다. 제1 버퍼(720)는 제2 버퍼(730)보다 높게 배치된다.The interface module 700 transfers the substrate. The interface module 700 includes a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located in the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are disposed to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730.

인터페이스 로봇(740)은 제1 버퍼(720) 및 제2 버퍼(730)와 제2방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제1 버퍼(720), 제2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900)간에 기판을 운반한다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 transports a substrate between the first buffer 720, the second buffer 730, and the exposure apparatus 900.

제1 버퍼(720)는 공정이 수행된 하나 이상의 기판이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 상기 기판을 일시적으로 보관한다. 그리고 제2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 하나 이상의 기판이 이동되기 전에 기판을 일시적으로 보관한다. 제1 버퍼(720)는 하우징(721)과 하나 이상의 복수의 지지대(722)을 가진다. 하나 이상의 지지대(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제2 버퍼(730)는 제1 버퍼(720)와 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 하나 이상의 버퍼 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores one or more substrates on which the process has been performed before being moved to the exposure apparatus 900. In addition, the second buffer 730 temporarily stores the substrate before the at least one substrate on which the process is completed is moved in the exposure apparatus 900. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. One or more supports 722 are disposed in the housing 721 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. One tooth is placed on each support 722. The housing 721 is provided with an interface robot 740 and a pretreatment robot 632 so that the interface robot 740 and the pretreatment robot 632 can carry in or out of the support 722 into the housing 721. Has an opening in the direction. The second buffer 730 has a structure similar to that of the first buffer 720. As described above, only one or more buffers and robots may be provided to the interface module without providing a chamber for performing a predetermined process on the wafer.

퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 배치될 수 있다. 구체적으로, 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 로봇(740)을 중심으로 제1 버퍼(720)와 마주보는 위치에 배치될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다. 퍼지 모듈(800)은 노광 전후 처리 모듈(600)에서 포토레지스트의 보호를 위한 보호막이 도포된 웨이퍼에 대해 가스 퍼지 공정과 린스 공정을 수행한다.The purge module 800 may be disposed within the interface module 700. Specifically, the purge module 800 may be disposed at a position facing the first buffer 720 around the interface robot 740. Unlike this, the purge module 800 may be provided at various locations such as a location to which the exposure apparatus 900 at the rear end of the interface module 700 is connected or a side of the interface module 700. The purge module 800 performs a gas purge process and a rinse process on a wafer to which a protective film for protecting photoresist is applied in the pre-exposure processing module 600.

하나 이상의 처리 유닛(500)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 처리 유닛(500)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다.All of the one or more processing units 500 have the same structure. However, the types of photoresist used in each processing unit 500 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photo resist.

도 6은 도 3의 처리 유닛의 단면을 보여주는 도면이고, 도 7는 도 6에 도시된 처리 용기의 단면 사시도이다. 도 6 및 도 7를 참조하면, 처리 유닛(500)은 챔버(510), 처리 용기(520), 지지 유닛(530), 액 공급 유닛(550), 기류 제공 유닛(560), 그리고 배기 수단(580)을 포함할 수 있다.6 is a cross-sectional view of the processing unit of FIG. 3, and FIG. 7 is a cross-sectional perspective view of the processing container illustrated in FIG. 6. 6 and 7, the processing unit 500 includes a chamber 510, a processing container 520, a support unit 530, a liquid supply unit 550, an airflow providing unit 560, and an exhaust means ( 580).

챔버(510)는 내부에 공간을 가진다. 챔버(510)는 상부에서 바라 볼 때, 직사각형의 형상으로 제공된다. 챔버(510)는 직육면체 형상으로 제공된다. 챔버(510)의 일측에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구는 기판(W)이 유입 또는 유출되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치될 수 있다. 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행 시 개구를 차단하여 챔버(510)의 내부 공간을 밀폐한다.The chamber 510 has a space therein. The chamber 510 is provided in a rectangular shape when viewed from the top. The chamber 510 is provided in a rectangular parallelepiped shape. An opening (not shown) may be formed at one side of the chamber 510. The opening functions as an inlet through which the substrate W flows in or out. A door (not shown) may be installed in the opening. The door opens and closes the opening. The door seals the inner space of the chamber 510 by blocking the opening during the substrate processing process.

처리 용기(520)은 챔버(510)의 내부 공간에 위치된다. 처리 용기(520)은 내부에 처리 공간(501)을 제공한다. 처리 용기(520)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 처리 용기(520)은 내측 컵(521) 및 외측 컵(522)을 포함한다.The processing vessel 520 is located in the inner space of the chamber 510. The processing container 520 provides a processing space 501 therein. The processing container 520 has a cup shape with an open top. The processing container 520 includes an inner cup 521 and an outer cup 522.

내측 컵(521)은 지지 유닛(530)을 감싸는 형상으로 제공된다. 내측 컵(521)은 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(521)은 내측 배기구(515)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(521)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다.The inner cup 521 is provided in a shape surrounding the support unit 530. The inner cup 521 is provided in a circular plate shape. When viewed from the top, the inner cup 521 is positioned to overlap the inner exhaust port 515. When viewed from above, the upper surface of the inner cup 521 is provided so that the outer and inner regions are inclined at different angles from each other.

일 예에 의하면, 내측 컵(521)의 외측 영역은 지지 유닛(530)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(521)의 내측 영역은 지지 유닛(530)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다.According to an example, the outer region of the inner cup 521 is provided to face in a downwardly inclined direction as the distance from the support unit 530 increases. The inner region of the inner cup 521 is provided to face an upward inclined direction as the distance from the support unit 530 increases.

내측 컵(521)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(521)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(521)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(521)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다.A point where the outer region and the inner region of the inner cup 521 meet each other is provided to correspond to the side end of the substrate W in the vertical direction. An area outside the upper surface of the inner cup 521 is provided to be rounded. A region outside the upper surface of the inner cup 521 is provided concave downward. An area outside the upper surface of the inner cup 521 may be provided as an area through which the treatment liquid flows.

외측 컵(522)은 지지 유닛(530) 및 내측 컵(521)을 감싸도록 제공된다. 외측 컵(852)은 컵 형상을 가진다. 외측 컵(522)은 바닥벽(524), 측벽(525) 그리고 경사벽(527)을 가진다.The outer cup 522 is provided to surround the support unit 530 and the inner cup 521. The outer cup 852 has a cup shape. The outer cup 522 has a bottom wall 524, a side wall 525 and an inclined wall 527.

바닥벽(524)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가진다. 바닥벽(524)에는 회수 라인(529)이 형성된다. 회수 라인(529)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(529)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(525)은 지지 유닛(530)을 감싸는 원형의 통 형상을 가진다. 측벽(525)은 바닥벽(524)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(525)은 바닥벽(524)으로부터 상부로 연장된다.The bottom wall 524 has a circular plate shape having a hollow. A recovery line 529 is formed on the bottom wall 524. The recovery line 529 recovers the processing liquid supplied on the substrate W. The treated liquid recovered by the recovery line 529 can be reused by an external liquid recovery system. The side wall 525 has a circular cylindrical shape surrounding the support unit 530. The side wall 525 extends in a vertical direction from the side end of the bottom wall 524. The side wall 525 extends upward from the bottom wall 524.

경사벽(527)은 측벽(525)의 상단으로부터 외측 컵(522)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(527)은 위로 갈수록 지지 유닛(530)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(527)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(527)의 상단은 지지 유닛(530)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.The inclined wall 527 extends from the upper end of the side wall 525 in the inner direction of the outer cup 522. The inclined wall 527 is provided to be closer to the support unit 530 as it goes upward. The inclined wall 527 is provided to have a ring shape. The upper end of the inclined wall 527 is positioned higher than the substrate W supported by the support unit 530.

지지 유닛(530)은 처리 용기(520)의 처리 공간에 위치한다. 지지 유닛(530)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(530)은 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 지지 유닛(530)은 스핀척(531), 회전축(533), 그리고 구동기(535)를 포함한다.The support unit 530 is located in the processing space of the processing container 520. The support unit 530 supports the substrate W. The support unit 530 may rotate the substrate W. The support unit 530 includes a spin chuck 531, a rotation shaft 533, and a driver 535.

스핀척(531)은 을 지지하는 기판 지지 부재로 제공된다. 스핀척(531)은 원형의 판 형상을 가진다. 스핀척(531)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(531)은 기판(W)보다 작은 직경을 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 스핀척(531)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(531)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(531)은 기판(W)을 하부에 제공되는 척핀을 통해서 척킹 또는 언척킹 할 수 있다.The spin chuck 531 is provided as a substrate supporting member supporting. The spin chuck 531 has a circular plate shape. The substrate W is in contact with the upper surface of the spin chuck 531. The spin chuck 531 may have a diameter smaller than that of the substrate W. According to an example, the spin chuck 531 may chuck the substrate W by vacuum suctioning the substrate W. Optionally, the spin chuck 531 may be provided as an electrostatic chuck that supports the substrate W using static electricity. In addition, the spin chuck 531 may chuck or unchuck the substrate W through a chuck pin provided below.

회전축(533) 및 구동기(535)는 스핀척(531)을 회전시킨다. 회전축(533)은 스핀척(531)의 아래에서 스핀척(531)을 지지한다. 회전축(533)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(533)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(535)는 회전축(533)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(535)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.The rotation shaft 533 and the driver 535 rotate the spin chuck 531. The rotation shaft 533 supports the spin chuck 531 under the spin chuck 531. The rotation shaft 533 is provided so that its longitudinal direction faces up and down. The rotation shaft 533 is provided to be rotatable around its central axis. The driver 535 provides a driving force to rotate the rotation shaft 533. For example, the driver 535 may be a motor capable of varying the rotation speed of the rotation shaft.

액 공급 유닛(550)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(550)은 노즐(555)을 포함한다.The liquid supply unit 550 supplies a processing liquid onto the substrate W. The liquid supply unit 550 includes a nozzle 555.

노즐(555)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 처리액은 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 노즐(555)은 노즐암(553) 내부에 제공되는 공급관(미도시됨)과 연결된다. 노즐(555)는 공급관으로부터 처리액을 공급받아 기판상에 처리액을 공급한다.The nozzle 555 supplies the processing liquid onto the substrate W. For example, the treatment liquid may be a photoresist such as a photoresist. The nozzle 555 is connected to a supply pipe (not shown) provided inside the nozzle arm 553. The nozzle 555 receives the processing liquid from the supply pipe and supplies the processing liquid onto the substrate.

노즐(555)은 기판(W)의 중앙 위치에 처리액을 공급한다. 노즐(555)은 그 토출구가 수직한 아래방향을 향하도록 제공된다. 여기서 중앙 위치는 처리액의 공급 위치가 기판(W)의 중심에 대응되는 위치이다.The nozzle 555 supplies the processing liquid to the central position of the substrate W. The nozzle 555 is provided so that its discharge port faces vertically downward. Here, the central position is a position where the processing liquid is supplied to the center of the substrate W.

기류 제공 유닛(560)은 하우징(510)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(560)은 기류 공급 라인(562), 팬(564), 그리고 필터(566)를 포함한다. 기류 공급 라인(562)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(562)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(566)는 기류 공급 라인(562)으로부터 제공되는 에어를 필터(566)링 한다. 필터(566)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(564)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(564)은 하우징(510)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(564)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(562)으로부터 팬(564)에 에어가 공급되면, 팬(564)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The airflow providing unit 560 forms a downward airflow in the inner space of the housing 510. The airflow providing unit 560 includes an airflow supply line 562, a fan 564, and a filter 566. The airflow supply line 562 is connected to the housing 810. The airflow supply line 562 supplies external air to the housing 810. The filter 566 filters 566 air provided from the airflow supply line 562. The filter 566 removes impurities contained in air. The fan 564 is installed on the upper surface of the housing 810. The fan 564 is located in a central area on the upper surface of the housing 510. The fan 564 forms a downward airflow in the inner space of the housing 810. When air is supplied to the fan 564 from the airflow supply line 562, the fan 564 supplies air in a downward direction.

배기 수단(580)은 하나 이상의 배기관(582)을 포함한다. 배기관(582)은 처리 용기(520)의 바닥벽(524)에 설치된다. 배기관(582)들은 포토레지스트 물질의 도포 과정에서 발생되는 기체 상태의 오염물질(이하 흄이라고 함)을 처리 용기(520) 외부로 배기시키는 통로로 이용된다. 배기관(582)은 처리 용기의 중심을 기준으로 서로 대향되게 배치된다.Exhaust means 580 comprises one or more exhaust pipes 582. The exhaust pipe 582 is installed on the bottom wall 524 of the processing container 520. The exhaust pipes 582 are used as passages for exhausting gaseous pollutants (hereinafter referred to as fumes) generated in the process of applying the photoresist material to the outside of the processing container 520. The exhaust pipes 582 are disposed to face each other with respect to the center of the processing container.

배기관(582)는 배기 분기관(미도시)와 연결될 수 있다. 배기 분기관(미도시)에는 배기관들의 각 하단과 연결되어 배기관들을 통해 배기되는 기체상태의 오염물질이 모여지며, 이는 메인 배기 라인(미도시)으로 배기될 수 있다. The exhaust pipe 582 may be connected to an exhaust branch pipe (not shown). The exhaust branch pipe (not shown) collects gaseous pollutants that are connected to the lower ends of the exhaust pipes and exhausted through the exhaust pipes, which can be exhausted to the main exhaust line (not shown).

블로잉 유닛(590)은 처리 용기(520)의 표면에 바람을 공급한다. 일 예에 있어서 블로잉 유닛(590)은 제1 공급관(591), 제2 공급관(596)과, 제1 분배관(592), 제2 분배관(597)을 포함한다. The blowing unit 590 supplies wind to the surface of the processing container 520. In one example, the blowing unit 590 includes a first supply pipe 591, a second supply pipe 596, a first distribution pipe 592, and a second distribution pipe 597.

제1 분배관(592)은 제1 공급관(591)에 연결되고, 내측 컵(522)의 경사부(527)의 내측 최상단부에 결합될 수 있다. 일 예로 제1 분배관(592)은 내측 컵(522)의 경사부(527)의 상단부 돌기로서 기능할 수 있다. 일 예로 제1 분배관(592)는 외측 컵(521)의 최상단부를 둘러 제공될 수 있다. 제1 공급관(591)은 공급원(미도시)에 연결되어 비활성 기체를 공급할 수 있다. 일 예에 의하면, 제1 공급관(591)은 외측 컵의 내부 표면에 비활성 기체를 공급한다. 비활성 기체는 에어 또는 N2 또는 Ar일 수 있다.The first distribution pipe 592 may be connected to the first supply pipe 591 and may be coupled to an inner uppermost end of the inclined portion 527 of the inner cup 522. For example, the first distribution pipe 592 may function as an upper end protrusion of the inclined portion 527 of the inner cup 522. For example, the first distribution pipe 592 may be provided around the uppermost end of the outer cup 521. The first supply pipe 591 may be connected to a supply source (not shown) to supply an inert gas. According to an example, the first supply pipe 591 supplies an inert gas to the inner surface of the outer cup. The inert gas can be air or N2 or Ar.

제2 분배관(597)은 제2 공급관(596)에 연결되고, 내측 컵(522)의 최상단부에 결합될 수 있다. 일 예로, 제2 분배관(597)은 내측 컵(522)에서 기판의 주연에 인접하게 제공되는 돌출부로서 제공되어 포토 레지스트의 흐름과 기류의 흐름을 조절하는 구성으로 기능할 수 있다. 제2 공급관(596)은 공급원(미도시)에 연결되어 비활성 기체를 공급할 수 있다. 일 예에 의하면, 제2 공급관(596)은 내측 컵의 외부 표면에 비활성 기체를 공급한다. 비활성 기체는 에어 또는 N2 또는 Ar일 수 있다.The second distribution pipe 597 is connected to the second supply pipe 596 and may be coupled to the uppermost end of the inner cup 522. For example, the second distribution pipe 597 may be provided as a protrusion provided adjacent to the periphery of the substrate in the inner cup 522, and may function as a configuration for controlling the flow of photoresist and air flow. The second supply pipe 596 may be connected to a supply source (not shown) to supply an inert gas. According to an example, the second supply pipe 596 supplies an inert gas to the outer surface of the inner cup. The inert gas can be air or N2 or Ar.

공급된 비활성 기체는 제1 공급관(591) 또는 제2 공급관(596)으로부터 공급되어 내측 컵(522) 또는 외측 컵(521)의 표면을 블로잉 할 수 있다. 일 예에 있어서 처리 용기(520)은 포토 레지스트에 의해 오염되어 있는 상태이다. 포토 레지스트가 경화되기 전에 블로잉을 하여 포토 레지스트를 처리 용기 벽에서 제거할 수 있다. The supplied inert gas may be supplied from the first supply pipe 591 or the second supply pipe 596 to blow the surface of the inner cup 522 or the outer cup 521. In one example, the processing vessel 520 is contaminated by photoresist. The photoresist can be removed from the wall of the processing vessel by blowing before the photoresist cures.

도 8은 일 실시 예에 따른 외측 컵(521) 또는 내측 컵(522)의 표면의 코팅을 도시한 단면도이다. 도 9는 외측 컵(521) 또는 내측 컵(522)의 코팅 면의 평면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a coating of a surface of an outer cup 521 or an inner cup 522 according to an exemplary embodiment. 9 is a plan view of the coated surface of the outer cup 521 or the inner cup 522.

도 8 및 도 9를 참조하여 설명하면, 외측 컵(521) 또는 내측 컵(522)의 표면 (1010)은 복수개의 포스트(1011)을 갖는다. 일 실시 예에서, 포스트(1011)는 나노스케일로 제공된다. 일 실시 예로 포스트(1011)는 약 100um 미만, 약 10um 미만, 약 1um미만 또는 약 100nm 미만의 폭(a), 너비(b) 또는 높이(h)를 가질 수 있다. 포스트(1011)는 사각기둥을 갖도록 도시하였으나, 원기둥, 원뿔, 사각뿔, 반구형등 어떤 형태이든 적용될 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 포스트(1011)는 리소그래피, 자기 조립 및 증착과 같은 기계적 및 또는 화학적 방법을 포함하는 임의의 종래의 방법을 사용하여 표면에 도입 될 수 있다.Referring to FIGS. 8 and 9, the surface 1010 of the outer cup 521 or the inner cup 522 has a plurality of posts 1011. In one embodiment, the posts 1011 are provided in nanoscale. For example, the post 1011 may have a width (a), a width (b), or a height (h) of less than about 100 um, less than about 10 um, less than about 1 um, or less than about 100 nm. The post 1011 is illustrated to have a square column, but any shape such as a cylinder, a cone, a square pyramid, and a hemispherical shape may be applied. In one embodiment, the post 1011 may be introduced to the surface using any conventional method, including mechanical and or chemical methods such as lithography, self-assembly and deposition.

포스트(1011)의 사이의 공간(c)은 액체(1020)에 의해 점유된다. 액체(1020)는 포스트(1011)의 최상단부와 같거나, 포스트(1011)의 최상단부보다 높게 제공된다.The space c between the posts 1011 is occupied by the liquid 1020. The liquid 1020 is provided equal to the top end of the post 1011 or higher than the top end of the post 1011.

일 예에 있어서, 액체(1020)는 소수성으로 제공된다. 일 예에 있어서, 표면(1010) 및 포스트(1011)은 임의의 소수성을 갖는 물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 표면(1010) 및 포스트(1011)는 세라믹, 중합체 재료, 불소 재료, 금속 간 화합물 및 복합 재료가 포함될 수 있다. In one example, liquid 1020 is provided hydrophobic. In one example, the surface 1010 and the post 1011 may be provided with any hydrophobic material. For example, the surfaces 1010 and posts 1011 may include ceramics, polymeric materials, fluorine materials, intermetallic compounds, and composite materials.

액체(1020)는 원하는 소수성 특성을 제공 할 수 있는 임의의 유형의 액체 일 수 있다. 일 예에 있어서, 액체(1020)는 표면(1010)으로부터 액체(1020)의 증발을 최소화하기 위해, 낮은 증기압(예를 들어, 0.1 mmHg 미만, 0.001 mmHg 미만, 0.00001 mmHg 미만 또는 0.000001 mmHg 미만)을 갖는 것으로 제공될 수 있다. Liquid 1020 can be any type of liquid capable of providing the desired hydrophobic properties. In one example, liquid 1020 has a low vapor pressure (e.g., less than 0.1 mmHg, less than 0.001 mmHg, less than 0.00001 mmHg, or less than 0.000001 mmHg) to minimize evaporation of the liquid 1020 from the surface 1010. It can be provided as having.

액체(1020)는 고체에 액체를 도포하는 임의의 종래 기술을 사용하여 표면(1010)에 도입 될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 액체(1020)를 도포하기 위해 딥 코팅, 블레이드 코팅 또는 롤러 코팅과 같은 코팅 공정이 사용될 수 있다.Liquid 1020 can be introduced to surface 1010 using any conventional technique of applying liquid to a solid. According to an embodiment, a coating process such as dip coating, blade coating, or roller coating may be used to apply the liquid 1020.

액체(1020)가 적용된 표면은 원자적으로 부드럽고 저표면에너지를 가짐에 따라, 초발수성 또는 초발유성을 띈다. The surface to which the liquid 1020 is applied is atomically smooth and has low surface energy, thus exhibiting super water repellency or super oil repellency.

도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치를 이용하여 장치를 세정하는 방법을 나타낸 도면이다. 10 is a diagram illustrating a method of cleaning a device using a device according to an embodiment of the present invention.

일 실시 예에 따르면, 본 발명은 기판을 액 처리하는 액 처리 단계와, 처리 용기를 세정 처리하는 용기 세정 단계를 포함한다. 용기 세정 단계는, 액처리 단계가 진행 중인 상태에서 동시에 진행될 수 있다. 또는, 하나의 기판에 대한 상기 액처리 단계와 기판이 언로딩 단계 이후, 다른 하나의 기판이 공급되기 전 어느 시점에 진행될 수 있다.According to an embodiment, the present invention includes a liquid treatment step of liquid treatment of a substrate, and a container cleaning step of cleaning treatment of a processing container. The container cleaning step may be performed simultaneously while the liquid treatment step is in progress. Alternatively, after the liquid treatment step of one substrate and the unloading step of the substrate, it may be performed at any point before the other substrate is supplied.

용기 세정 단계에서, 제1 공급관(591)과 제2 공급관(596)을 통해 비활성 기체가 공급되고, 비활성 기체는 제1 분배관(592)과 제2 분배관(597)을 통해 분배되면서 처리 용기(520)의 표면을 처리한다. 일 예에 있어서, 처리되는 표면은 외측 컵(521)의 내측 표면과, 내측 컵(522)의 외측 표면이다. In the container cleaning step, an inert gas is supplied through the first supply pipe 591 and the second supply pipe 596, and the inert gas is distributed through the first distribution pipe 592 and the second distribution pipe 597, Treat the surface of 520. In one example, the surfaces to be treated are the inner surface of the outer cup 521 and the outer surface of the inner cup 522.

처리 용기(520)의 표면은 상술한 실시 예에 따라 코팅된 표면이므로, 용기에 대해 소정의 접착력을 가짐에 따라, 약액의 리바운드로 인한 장치 전체를 오염시키지 않으면서도, 포토 레지스트가 처리 용기(520)의 에 부착되지 않고 블로잉만으로 충분히 제거될 수 있다. Since the surface of the processing container 520 is a surface coated according to the above-described embodiment, as it has a predetermined adhesive force to the container, the photoresist is applied to the processing container 520 without contaminating the entire device due to rebound of the chemical solution. ), and can be removed sufficiently by blowing only.

본 발명의 처리 방법은, 하강기류에 의할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 기류 제공 유닛(560)에 의해 형성된 강한 하강 기류에 의해 제거될 수 있다. The treatment method of the present invention can be based on a descending air current. According to an embodiment, it may be removed by a strong downward airflow formed by the airflow providing unit 560.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

1: 기판 처리 장치 500: 처리 유닛
510: 챔버 520: 처리 용기
530: 지지 유닛 550: 액 공급 유닛
560: 기류 제공 유닛 590 : 블로잉 유닛1: substrate processing apparatus 500: processing unit
510: chamber 520: processing vessel
530: support unit 550: liquid supply unit
560: air flow providing unit 590: blowing unit

Claims

In the apparatus for processing a substrate,
A processing container having a processing space therein;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
A liquid supply unit for supplying a processing liquid onto a substrate supported by the substrate support unit,
The processing container,
A substrate processing apparatus in which a coating layer to which a liquid is applied is formed on the surface.

The method of claim 1,
The coating layer,
It includes a surface on which a plurality of posts are formed,
The substrate processing apparatus is provided so that the liquid is occupied in the space between the posts.

The method of claim 2,
The post is a substrate processing apparatus provided in a nanoscale.

The method of claim 1,
The processing container,
A cup-shaped outer cup with an open top;
A substrate processing apparatus comprising an inner cup provided on the inner side of the outer cup and having an open top cup shape.

The method of claim 4,
Further comprising a blowing unit for removing the processing liquid remaining in the processing container,
The blowing unit,
Supply pipe;
And a distribution pipe connected to the supply pipe and provided around an inner uppermost end of the outer cup, wherein the distribution pipe supplies an inert gas to the inner surface of the outer cup.

The method of claim 4,
Further comprising a blowing unit for removing the processing liquid remaining in the processing container,
The blowing unit,
Supply pipe;
And a distribution pipe connected to the supply pipe and provided around an uppermost end of the inner cup,
The distribution pipe supplies an inert gas to the outer surface of the inner cup.

The method according to claim 5 or 6,
The substrate processing apparatus wherein the inert gas by the distribution pipe is supplied while the substrate is being processed.

The method according to claim 5 or 6,
The inert gas by the distribution pipe is supplied at some point before one substrate is processed and the other substrate is supplied.

In the method of cleaning a substrate processing apparatus,
A liquid processing step of liquid processing the substrate;
Including a container cleaning step of cleaning the processing container,
The processing container,
A coating layer to which the liquid is applied is formed,
The container cleaning step,
A substrate processing apparatus cleaning method, wherein an inert gas is supplied to the surface of the processing container.

The method of claim 9,
The coating layer,
It includes a surface on which a plurality of posts are formed,
The substrate processing apparatus cleaning method wherein the liquid is provided so as to occupy the space between the posts.

The method of claim 10,
The post is a substrate processing apparatus cleaning method provided in a nanoscale.

The method of claim 9,
The container cleaning step is performed at the same time while the liquid treatment step is in progress.

The method of claim 9,
The container cleaning step,
A method of cleaning a substrate processing apparatus performed at a certain point after the liquid treatment on one substrate and before the other substrate is supplied.