KR20210016207A - 프리즘을 이용한 레이저 빔 균질화기 및 이를 포함하는 레이저 열처리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 빔 균질화기의 사시도이다.
도 3은 도 2의 레이저 빔 균질화기를 이용하여 형성된 성분들의 강도 패턴을 도시한 모식도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 열처리 장치를 개략적으로 도시하는 모식도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 열처리 장치의 광학계를 개략적으로 도시하는 모식도이다.
도 6a는 입력빔의 강도 분포 패턴을 보여주는 이미지이다.
도 6b는 실시예 1의 제1 프리즘을 통과한 출력빔의 강도 분포 패턴을 보여주는 이미지이다.
도 6c는 실시예 1의 제1 프리즘과 제2 프리즘을 통과한 출력빔의 강도 분포 패턴을 보여주는 이미지이다.
도 7a는 도 6a의 입력빔의 단면 강도 분포 그래프이다.
도 7b는 도 6c의 출력빔의 단면 강도 분포 그래프이다.
Claims (20)
- 입력된 레이저 빔의 진행 방향을 변경하는 프리즘을 포함하고,
상기 프리즘은,
상기 입력된 레이저 빔을, 상기 레이저 빔의 진행 방향과 수직한 방향으로 진행하는 반사 성분과, 상기 프리즘 내부로 들어오는 굴절 성분으로 분리하는 분리면; 및
상기 굴절 성분을 내부에서 반사하는 적어도 둘 이상의 내부 반사면을 포함하고,
상기 반사 성분으로 정의되는 제1 성분과, 상기 내부 반사면에서 반사된 후 상기 분리면을 통해 방출되어 상기 제1 성분의 경로를 따르며 상기 제1 성분의 강도 패턴과 비교하여 제1 축에 대하여 반전된 강도 패턴을 갖는 제2 성분을 포함하는 레이저 빔을 출력하는, 레이저 빔 균질화기. - 제1항에 있어서, 상기 굴절 성분은 p 편광 성분을 포함하고, 상기 반사 성분은 s 편광 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 빔 균질화기.
- 제1항에 있어서, 상기 굴절 성분은 s 편광 성분을 포함하고, 상기 반사 성분은 p 편광 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 빔 균질화기.
- 제1항에 있어서, 상기 출력된 레이저 빔은, 상기 입력된 레이저 빔과 동일한 크기, 발산 및 레이저 빔 퀄리티 팩터를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 빔 균질화기.
- 제5항에 있어서, 상기 분리면에 대한 상기 레이저 빔의 입사각은 45도인 것을 특징으로 하는 레이저 빔 균질화기.
- 제1항에 있어서, 상기 프리즘은, 상기 분리면에 결합되며 금속 산화물의 다층 구조를 갖는 코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 빔 균질화기.
- 제1항에 있어서, 상기 코팅층은 33% 내지 34%의 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 빔 균질화기.
- 제1항에 있어서, 상기 프리즘은,
상기 제1 성분과 상기 제2 성분을 포함하는 제1 출력 레이저 빔을 출력하는 제1 프리즘; 및
상기 제1 프리즘의 연장축과 수직하는 연장축을 가지며, 상기 제1 출력 레이저 빔을 제2 출력 레이저 빔으로 변환하는 제2 프리즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 빔 균질화기. - 제9항에 있어서, 상기 제2 프리즘은, 상기 제1 출력 레이저 빔의 성분들을 반사 및 굴절하여, 상기 제1 성분의 강도 패턴과 비교하여 상기 제1 축과 수직한 제2 축에 대하여 반전된 강도 패턴을 갖는 제3 성분 및 상기 제2 성분의 강도 패턴과 비교하여 상기 제2 축에 대하여 반전된 강도 패턴을 갖는 제4 성분을 생성하는 것을 특징으로 하는 레이저 빔 균질화기.
- 제1항에 있어서, 상기 레이저 빔은 엑시머 레이저 빔, YAG 레이저 빔, 유리 레이저 빔, YVO4레이저 빔 및 Ar 레이저 빔으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 빔 균질화기.
- 레이저 빔을 생성하는 광원; 및
상기 레이저 빔의 성질을 변환하여 대상 기판에 레이저 빔을 조사하는 광학계를 포함하고,
상기 광학계는 프리즘을 포함하는 제1 균질화부를 포함하고,
상기 프리즘은,
입력된 레이저 빔을, 상기 레이저 빔의 진행 방향과 수직한 방향으로 진행하는 반사 성분과, 상기 프리즘 내부로 들어오는 굴절 성분으로 분리하는 분리면; 및
상기 굴절 성분을 내부에서 반사하는 적어도 둘 이상의 내부 반사면을 포함하고,
상기 반사 성분으로 정의되는 제1 성분과, 상기 내부 반사면에서 반사된 후 상기 분리면을 통해 방출되어 상기 제1 성분의 경로를 따르며 상기 제1 성분의 강도 패턴과 비교하여 제1 축에 대하여 반전된 강도 패턴을 갖는 제2 성분을 포함하는 레이저 빔을 출력하는, 레이저 열처리 장치. - 제12항에 있어서, 상기 대상 기판은 비정질 실리콘 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열처리 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 광학계는,
상기 제1 균질화부에 의해 균질화된 레이저 빔을 확장하는 빔 확장부; 및
상기 빔 확장부에 의해 확장된 레이저 빔을 균질화하며, 렌즈릿 어레이를 포함하는 제2 균질화부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열처리 장치. - 제15항에 있어서, 상기 분리면에 대한 상기 레이저 빔의 입사각은 45도인 것을 특징으로 하는 레이저 열처리 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 프리즘은, 상기 분리면에 결합되며 금속 산화물의 다층 구조를 갖는 코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열처리 장치.
- 제17항에 있어서, 상기 코팅층은 33% 내지 34%의 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 열처리 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 프리즘은,
상기 제1 성분과 상기 제2 성분을 포함하는 제1 출력 레이저 빔을 출력하는 제1 프리즘; 및
상기 제1 프리즘의 연장축과 수직하는 연장축을 가지며, 상기 제1 출력 레이저 빔을 제2 출력 레이저 빔으로 변환하는 제2 프리즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열처리 장치. - 제19항에 있어서, 상기 제2 프리즘은, 상기 제1 출력 레이저 빔의 성분들을 반사 및 굴절하여, 상기 제1 성분의 강도 패턴과 비교하여 상기 제1 축과 수직한 제2 축에 대하여 반전된 강도 패턴을 갖는 제3 성분 및 상기 제2 성분의 강도 패턴과 비교하여 상기 제2 축에 대하여 반전된 강도 패턴을 갖는 제4 성분을 생성하는 것을 특징으로 하는 레이저 열처리 장치.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09159964A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Sony Corp | 半導体露光装置用の照明装置 |
JP2014194496A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Funai Electric Co Ltd | 光学素子及びプロジェクタ |
KR20160017363A (ko) * | 2014-08-05 | 2016-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 장치 |
KR20160105610A (ko) * | 2015-02-27 | 2016-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 광학계 및 이를 포함하는 레이저 어닐링 장치 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5153773A (en) * | 1989-06-08 | 1992-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination device including amplitude-division and beam movements |
US20050286599A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Rafac Robert J | Method and apparatus for gas discharge laser output light coherency reduction |
CN103259191B (zh) * | 2012-02-21 | 2016-08-10 | 中国计量科学研究院 | 法布里-珀罗腔及外腔半导体激光器 |
DE102017208580A1 (de) * | 2017-05-22 | 2018-06-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Baugruppe zur Wellenlängenfilterung elektromagnetischer Strahlung in einem optischen System |
-
2019
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-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09159964A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Sony Corp | 半導体露光装置用の照明装置 |
JP2014194496A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Funai Electric Co Ltd | 光学素子及びプロジェクタ |
KR20160017363A (ko) * | 2014-08-05 | 2016-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 장치 |
KR20160105610A (ko) * | 2015-02-27 | 2016-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 광학계 및 이를 포함하는 레이저 어닐링 장치 |
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