KR20210014128A - 디가스 챔버 리프트후프 - Google Patents

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KR20210014128A
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다니엘 알라니즈
토마스 월튼
마이클 데일리
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팹웍스 솔루션스 인코포레이티드
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Abstract

본 발명은 웨이퍼를 들어올려 옮기기 위한 핑거들이 달린 리프트후프 어셈블리에 관한 것으로, 리프트후프는 중심 구멍을 갖는 프레임과, 다수의 웨이퍼 지지부를 포함한다. 다수의 웨이퍼 지지부 각각은 프레임에 부착되는 베이스와, 이 베이스로부터 중심 구멍을 향해 뻗으면서 베이스에 부착되는 핑거를 갖는다. 다수의핑거 각각은 웨이퍼를 얹어두기 위한 돌기(범프)와, 스토퍼를 갖는다. 스토퍼는 돌기에서 떨어져 있고, 중심 구멍을 향한 비평면 표면을 가지며, 스토퍼와 돌기 사이에 최단거리를 형성하는 지점이 스토퍼에 있다.

Description

디가스 챔버 리프트후프
본 발명은 로보틱 리프트 어셈블리에 관한 것으로, 구체적으로는 웨이퍼를 들어올려 옮기기 위한 핑거들이 달린 리프트후프 어셈블리에 관한 것이다.
당 분야에 알려진 디가스 챔버는 반도체 제조 설비에 일반적인 툴로서, 진공 탈기공정에서 (일반적으로 열사이클과 함께) 진공을 이용해 반도체 웨이퍼에 갇힌 가스를 제거하는데 사용된다.
US6,1892,376(Shin)에 소개된 기존의 디가스 챔버를 도 1~3에 도시한다. 디가스 챔버(11)는 가열된 기판지지부(15)가 들어있는 진공챔버(13)를 포함한다. 진공챔버(13)를 건조기체 공급원(19)에 연결하는 가스입구(17)와, 진공챔버(13)를 가스펌프(23)에 연결하는 가스출구(21)가 있다.
웨이퍼(25)는 기판지지부(15) 위에 배치되고, 웨이퍼 밑에 다수의 핀(27)이 위치하여 웨이퍼(25) 뒷면에서의 가스유동을 촉진하고 웨이퍼와 기판지지부 사이의 접촉을 줄여, 접촉에 의해 생기는 입자의 발생을 낮춘다. 핀(27)은 도 2와 같이 위치하는 것이 최적이다.
기판지지부(15)에 웨이퍼를 쉽게 위치시키고 제거하기 위해, 웨이퍼 리프트후프(29)를 이용한다. 이런 리프트후프의 동작은 당 분야에 공지되어 있다. 웨이퍼 리프트후프(29)에 달린 3개의 핑거(29a~c)는 웨이퍼 밑면으로 뻗는다. 입자발생을 최소화하려는 이런 구성은 3개의 핑거(29a~c) 위의 영역에 대한 웨이퍼 접촉을 제한한다. 구체적으로, 핑거(29a~c)는 웨이퍼 리프트후프(29)보다 위로 돌출하고, 0.030~0.050 인치 정도의 수평거리 안쪽으로 들어간 웨이퍼 안착부(30)를 갖는다.
웨이어(25) 밑면에서 뻗는 핑거(29a~c)에 달린 측면부(31a~c) 각각은 웨이퍼(25)의 에지를 따라 뻗는다. 측면부들은 접촉에서 생기는 입자 발생을 줄이도록 구성되어, 웨이퍼(25)를 웨이퍼 핸들러(도시 안됨)에 설치하거나 제거할 때 웨이퍼(25)의 에지와의 접촉을 피하도록 경사져 있다. 마찬가지로, 웨이퍼 안착부(30)와 웨이퍼(25) 배면 사이의 접촉을 줄이기 위해, 핑거(29a~c)의 하부 경사부(33)는 10도 이상의 각도로 웨이퍼 안착부(30)에서 기울어져 있다. 따라서, 웨이퍼(25)가 웨이퍼 안착부(30)를 타고 내려갈 경우, 웨이퍼(25)가 하부경사부(33)에 걸려 웨이퍼의 추락을 방지한다. 즉, 웨이퍼 리프트후프(29)가 하강하여 핑거(29a~C)의 수평부가 기판지지부(15)의 표면의 홈에 적절히 위치한 뒤에도, 핑거(29a~c)의 측면부(33)가 웨이퍼를 캡처할 수 있다. 이런 배열은 웨이퍼가 중심에서 벗어나는 것을 방지하거나 기판지지부(15)에 안착하지 못하는 것을 방지하기 위한 것이다.
발명의 요약
본 발명은 (a) 중심 구멍을 갖는 프레임; (b) 프레임에 부착되는 베이스와, 이 베이스로부터 중심 구멍을 향해 뻗으면서 베이스에 부착되는 핑거를 갖고, 프레임에 배치되는 다수의 웨이퍼 지지부; (c) 핑거에 배치되는 돌기; 및 (d) 돌기에서 떨어져 핑거에 배치되고, 중심 구멍을 향한 비평면 표면을 갖는 스토퍼를 포함하고, 스토퍼와 돌기 사이에 최단거리를 형성하는 지점을 스토퍼가 갖는 리프트후프를 제공한다.
또, 본 발명은 (a) 중심 구멍을 갖는 프레임을 제공하는 단계; (b) 프레임에 압력을 가하면서 프레임을 열처리하는 단계; 및 (c) 프레임에 다수의 웨이퍼 지지부를 착탈 가능하게 부착하는 단계를 포함하고, 웨이퍼 지지부 각각이 (a) 프레임에 착탈 가능하게 부착되는 베이스, (b) 상기 베이스에 부착되고 베이스로부터 상기 중심 구멍을 향해 뻗는 핑거, (c) 상기 핑거에 배치되는 돌기, 및 (d) 상기 돌기에서 떨어져 핑거에 배치되는 스토퍼를 포함하는 리프트후프의 제조방법도 제공한다.
본 발명은 또한, 디가스 챔버과 엔드이펙터 블레이드를 정렬하는 방법에 있어서: (a) 키결합 구멍이 형성된 엔드이펙터 블레이드를 제공하는 단계; (b) 리프트후프와 히터받침대를 갖는 디가스 챔버를 제공하는 단계로서, 히터받침대는 중앙에 위치한 구멍을 갖춘 평탄면을 갖고, 리프트후프는 중심 구멍을 갖는 프레임과, 프레임에 배치되는 다수의 웨이퍼 지지부를 포함하고, 웨이퍼 지지부 각각은 프레임에 부착되는 베이스와, 베이스로부터 중심 구멍을 향해 뻗으면서 베이스에 부착되는 핑거와, 핑거에 배치되는 돌기를 포함하는 단계; (c) 중심 구멍을 갖춘 중앙 허브로부터, 아암 말단부에 말단 구멍이 형성된 다수의 아암이 뻗어있는 고정체를 제공하는 단계; (d) 상기 말단 구멍 각각이 핑거 각각의 돌기에 맞물리도록, 그리고 상기 고정체의 중심 구멍이 히터받침대의 중앙에 위치한 구멍과 동축으로 정렬되도록 고정체를 리프트후프 위에 두는 단계; 및 (e) 상기 허브의 중심 구멍에 삽입된 핀이 엔드이펙터 블레이드의 키결합 구멍을 통해 히터받침대의 중앙에 위치한 구멍에 끼워질 때까지 엔드이펙터의 위치를 조작하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.
도 1은 종래의 디가스 장치의 측면도;
도 2는 도 1의 디가스 장치의 웨이퍼 리프트후프의 부분확대도;
도 3은 도 1의 디가스 장치의 기판지지부의 평면도;
도 4는 본 발명의 디가스 챔버의 사시도;
도 5는 종래의 디가스 탬버 리프트후프와 비교한 본 발명의 디가스 챔버 리프트후프의 웨이퍼 캡처 영역을 나타낸 도면;
도 6A는 본 발명의 웨이퍼 캡처 영역의 사시도;
도 6B는 종래의 웨이퍼 컵처 아암의 사시도;
도 7은 종래의 디가스 리프트후프의 열변형을 보여주는 도면;
도 8은 종래의 디가스 챔버 리프트후프와 본 발명의 디가스 챔버 리프트후프의 여러 요소들에서의 열적 수직 변형을 비교한 그래프;
도 9A는 본 발명의 리프트후프 핑거 벽 디자인의 사시도;
도 9B는 종래의 리프트후프 핑거 벽 디자인의 사시도;
도 10은 히터, 엔드이펙터, 리프트후프를 정렬하기 위한 고정체의 사시도;
도 11은 히터, 엔드이펙터, 리프트후프를 정렬하기 위한 도 10의 고정체의 용도를 보여주는 사시도;
도 12~16은 본 발명의 디가스 챔버 리프트후프의 웨이퍼 지지부의 제1 실시예의 사시도들;
도 17~21은 본 발명의 디가스 챔버 리프트후프의 웨이퍼 지지부의 제2 실시예의 사시도들;
도 22는 웨이퍼 지지부가 제거된 도 4의 디가스 챔버 리프트후프의 평면도;
도 23은 도 22의 리프트후프의 저면도;
도 24~25는 도 22의 리프트후프의 사시도.
도 1~3의 장치는 바람직한 특징도 있지만 단점도 많다. 이런 단점들의 상당 부분은 리프트 후프 때문이다.
예를 들어 리프트 후프의 3개의 리프트핑거로 만들어진 웨이퍼 캡처존은 아주 타이트하다. 300mm 웨이퍼의 경우, 웨이퍼 캡처존은 웨이퍼 자체보다 0.63mm 정도밖에 크지 않다. 이런 제한된 웨이퍼 캡처존은 리프트후프에서의 열로 인한 비틀림으로 인해 더 줄어드는 것으로 밝혀졌다.
또, 도 1~3의 장치는 입자 발생을 최소화하도록 설계되었지만, 실제로는 입자 발생의 원인이 될 수 있는 있는 여러 특징을 갖는 것으로 밝혀졌다. 예를 들어, 장치의 핑거들의 내향 벽에 웨이퍼 가장자리와 접촉하는 평면들이 있다. 마찬가지로, 웨이퍼를 올려놓은 범프들이 핑거에 달려 있다. 그러나 이들 표면은 모두 비교적 거칠어, 입자 발생을 가소화한다.
끝으로, 리프트후프의 정렬을 위한 표준 작동 절차(SOP)가 기술자의 시력에 의존한다. 이는 웨이퍼의 위치가 자주 잘못되고 리프트후프의 핑거 벽면과 웨이퍼 사이에 빈번한 접촉을 일으켜 더 많은 입자 발생을 초래하는 것으로 밝혀졌다.
전술한 단점의 일부나 전부는 본 발명에 의해 극복할 수 있다고 밝혀졌다. 본 발명의 장치와 방법들을 도면을 참고해 설명한다.
도 4는 본 발명의 리프트 후프의 일례를 보여준다. 리프트 후프(101)의 프레임(103)에 중앙 개구부(105)가 있고, 이 개구부는 원형인 것이 바람직하다. 중앙 개구부의 원주부인 프레임에 다수의 웨이퍼 지지부(107)가 배치된다.
웨이퍼 지지부(107)가 도 12~16에 자세히 도시되어 있다. 웨이퍼 지지부(107) 각각에 중앙 개구부(105)를 향해 핑거(123)가 돌출된 베이스(121)가 있다(도 4 참조). 베이스(121)는 하나 이상의 나사나 다른 적절한 체결구에 의해 프레임(103)에 착탈 가능하게 부착된다(도 4 참조). 웨이퍼를 지지하는 핑거(123)의 말단부에 (반구형 등의) 돌기(125)가 있다. 돌기(125)와 간격을 두고 각 핑거(127)에 스토퍼(127)가 있다.
웨이퍼 지지부(107)의 스토퍼(127)에 접촉면(131)이 있고, 이 접촉면은 평면이 아닌 것이 좋다. 도시된 실시예에서는 접촉면(131)이 베벨면이거나 다면체 형태이지만, 둥그스름할 수도 있다. 그러나, 스토퍼와 돌기 사이에 최단거리 d를 이루는 지점이나 장소가 접촉면(131)에 있어서(도 15 참조), 접촉면이 웨이퍼 접촉면 역할을 하도록 하는 것이 좋은데, 이런 지점이나 장소는 일반적으로 돌기(125)에 접하면서 스토퍼(127)의 접촉면(131)과 교차하는 평면에 놓인다. 이런 종류의 접촉면(131)을 이용하면 웨이퍼가 스토퍼(127)에 접촉하는 접촉면적이 줄어 입자발생이 줄어든다고 본다.
도 17~21은 도 12~16의 웨이퍼 지지부(107)를 대체할 수 있는 웨이퍼 지지부(207)를 보여준다. 도 12~16의 웨이퍼 지지부(107)와 마찬가지로, 도 17~21의 웨이퍼 지지부(207)의 베이스(221)에 핑거(223)가 돌출되어 있다. 각 핑거(223)의 돌기(225)가 웨이퍼를 지지한다. 단, 도 12~16의 웨이퍼 지지부(107)의 반구형 돌기와 달리, 웨이퍼 지지부(207)의 돌기(225)는 능선 형태를 취한다. 각 핑거(223)의 스토퍼(227)는 돌기(225)에서 떨어져 있다. 웨이퍼 지지부(207)의 스토퍼(227)에 있는 접촉면(231)은 평면이 아닌 것이 좋다. 여기서는 접촉면(231)이 베벨형이거나 다면체 형태이지만, 둥그스름한 모양일 수도 있다.
도 6, 9는 도 12-16의 웨이퍼 지지부(107)(도 6A, 9A 참조)와 종래의 웨이퍼 지지부(57)(도 9A, 9B 참조)를 비교한 것이다. 도 9B의 웨이퍼 지지부(57)는 도 2와 유사하지만 약간 다른 버전이다. 도 9에서 알 수 있듯이, 도 4의 리프트 후프(101)에 있는 스토퍼(127)의 접촉면(131)과 돌기(125)의 간격은 종래의 리프트후프(51)의 돌기(65)와 스토퍼(67)의 간격보다 크다.
도 5에서 보듯이, 이런 간격 차이는 리프트후프의 웨이퍼 캡처영역에 중요한 영향을 미친다. 따라서, 도 9B의 리프트후프(51)는 직경 약 300.63mm(이 직경은 웨이퍼 직경 300±0.2mm에 아주 가까움)인 웨이퍼 캡처영역(104)을 깆지만, 도 9A의 리프트후프(101)는 약 304.10의 직경을 갖는 웨이퍼 캡처영역(102)을 가져, 리프트후프에 대해 6배 이상의 방사상 유격을 갖는다. 도 9A의 리프트후프(101)에서의 웨이퍼 캡처영역의 증가는 스토퍼(127)와 웨이퍼 사이의 접촉을 크게 감소시켜, 원활한 웨이퍼 핸드오프 및 케어프리 웨이퍼 핸들링이 가능하면서도 입자발생을 줄인다는 것이 밝혀졌다.
도 9B의 웨이퍼 지지부(57)의 스토퍼(67)가 평면 접촉면(71)을 갖는 반면, 도 9A의 웨이퍼 지지부(107)의 스토퍼(127)는 비평면 접촉면(131)을 갖는다. 이런 비평면 접촉면은 둥그스름하거나 베벨형이거나 다면형이지만, 스토퍼와 돌기 사이에 최단거리를 형성하는 지점을 갖는 것이 좋다. 비평면 접촉면의 이용은 웨이퍼가 스토퍼(127)와 접촉할 경우의 접촉면적을 줄여 입자발생을 줄인다고 믿어진다.
도9A의 웨이퍼 지지부(107)의 돌기(125)의 표면과 스토퍼(127)의 비평면 접촉면(131)은 매끄러운 것이 바람직한데, ASME B46.1로 측정한 표면거칠기는 20~40 Ra, 바람직하게는 25~35 Ra, 더 바람직하게는 32Ra 정도이다. 이는 (상당히 더 거친) 도 9B의 지지부(57)의 표면과는 대조적이다. 이런 표면거칠기의 차이로 인해 입자발생을 더 줄일 수 있다고 본다.
도 7~8은 이런 종류의 리프트후프의 장점과 그 제조 방법을 보여준다. 리프트후프는 탈기챔버에서 사용되기 때문에 정상 사용중에 상당한 열경사를 겪지만, 제조과정에서는 이런 열경사의 영향에 대비하지 않는다. 그 결과, 도 7과 같이, 기존의 리프트후프는 가열사이클 동안 상당한 변형을 하는 것이 자주 관찰된다(리프트후프의 원상태는 파단선으로 표시되었다). 이때문에 도 7과 같은 리프트후프의 변형이 생기고, 이런 현상을 포테이토 치핑(potato-chipping)이라 한다. 이런 열변형은 웨이퍼 캡처구역을 크게 줄여, 웨이퍼 핸들링과 핸드-오프 조작중에 웨이퍼의 배치 정밀도에 악영향을 미쳐, 웨이퍼 접촉과 입자발생에 기여한다.
리프트후프를 압력을 가한채 어닐링과 같은 열처리를 하면 이런 열변형이 크게 감소되거나 없어짐이 밝혀졌다. 이런 작업은 공압 클램프로 (웨이퍼 지지부가 제거된) 리프트후프를 조인 다음 1회 이상의 적당한 열사이클에 노출시켜 이루어질 수 있다. 이런 열사이클은 일반적인 탈기공정에서 리프트후프가 겪는 열(200~450℃)과 비슷하거나 더 높은 것이 좋다. 이 과정은 웨이퍼 지지부를 제거함으로써 촉진된다. 반면에, OEM 장치에서는 웨이퍼 지지부들이 리프트후프에 용접되어 있어, OEM 장치를 열처리해도, 영구 고정된 웨이퍼 지지부가 이 과정을 방해한다. 또, 웨이퍼 지지부를 열처리한 후에 용접하면, 용접작업중에 생기는 구성 금속합금들의 재결정화 때문에 열처리의 장점들의 일부나 전부가 상실될 수 있다.
도 8에서 보듯이, 이런 열처리 과정은 리프트후프에서의 열변형을 크게 낮춘다고 밝혀졌다. 따라서, OEM 리프트후프와 이상 설명한 열처리를 한 리프트후프에 대한 열변형 측정치를 그래프에서 알 수 있다. 그래프에서 보듯이, 리프트후프상의 모든 지점에서 상당한 개선이 이루어졌고, 열변형의 전반적으로 76% 감소된 것을 알 수 있었다.
기존의 리프트후프 장치에 생기는 다른 문제는 얼라인먼트에 관한 것이다. 사용중에, 엔드이펙터가 디가스 챔버 안에서 웨이퍼 핸드오프 작업에 사용된다. 적절한 웨이퍼 핸드오프와 균일한 웨이퍼 처리를 위해, 엔드이펙터 블레이드가 웨이퍼를 디가스 챔버 중앙에 놓는 것이 중요하다. 이를 위해서는 웨이퍼 블레이드와 히터와 리프트후프의 기하학적 중심들을 정렬해야 한다. 현재, 이런 정렬(얼라인먼트)는 엔드이펙터 블레이드를 히터와 정렬시키는 핀을 사용해 이루어지는 것이 보통이다. 구체적으로, 핀이 엔드이펙터 블레이드의 중심에 있는 제1 구멍을 통해 히터의 중심에 있는 제2 구멍 안으로 들어간다. 그러나, 리프트후프와 엔드이펙터 블레이드 및 히터의 정렬이 작업자의 눈으로 이루어져, 반복성이 부족하다. 리프트후프가 웨이퍼 지지부를 갖춘 복잡한 3차원 장치이기 때문에 상황이 복잡하다.
이런 문제는 도 11의 특수한 고정체로 극복할 수 있다. 이 고정체(401)는 중심부(405)에서 방사상으로 뻗는 다수의 아암들(403)을 갖는다. 각각의 아암(403) 끝 부분에 구멍(406)이 있고, 중심부(405)에 중심 구멍(407)이 있다.
엔드에펙터 블레이드(411)를 디가스 챔버 히터받침대(413) 및 리프트후프(415)와 정렬하고자 할 때, 고정체(401)를 리프트후프(415) 위에 두고 고정체의 아암들(403)의 구멍을 웨이퍼 지지부의 돌기에 정렬한다(도 9A 참조). 디가스 챔버 히터받침대(413)에 엔드이펙터 블레이드(411)를 정렬하도록 OEM 장비에서 사용되는 종류의 핀(421)을 중심 구멍(407)과, 엔드이펙터 블레이드(411)의 구멍(423) 및 히터받침대(413)의 구멍(도시 안됨)에 끼운다. 이런 식으로 고정체를 이용해 히터와 엔드이펙터와 리프트후프를 1회의 작업으로 동시에 정렬한다.

Claims (53)

  1. 중심 구멍을 갖는 프레임;
    상기 프레임에 부착되는 베이스와, 이 베이스로부터 중심 구멍을 향해 뻗으면서 베이스에 부착되는 핑거를 갖고, 상기 프레임에 배치되는 다수의 웨이퍼 지지부;
    상기 핑거에 배치되는 돌기; 및
    상기 돌기에서 떨어져 핑거에 배치되고, 중심 구멍을 향한 비평면 표면을 갖는 스토퍼;를 포함하고,
    스토퍼와 돌기 사이에 최단거리를 형성하는 지점을 상기 스토퍼가 갖는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 핑거가 중심 구멍 위로 뻗는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  3. 제1항에 있어서, 상기 중심 구멍이 원형인 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  4. 제3항에 있어서, 상기 중심 구멍이 원주부를 갖고, 상기 돌기와 스토퍼가 이 원주부를 포함한 직각 실린더 안에 배치되는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  5. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지부 각각이 프레임에 착탈 가능하게 부착되는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  6. 제1항에 있어서, 상기 리프트후프가 평면을 갖춘 림을 구비하고, 상기 웨이퍼 지지부 각각이 상기 평면에 착탈 가능하게 부착되는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  7. 제1항에 있어서, 상기 스토퍼가 베벨형인 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  8. 제1항에 있어서, 상기 스토퍼의 비평면 표면이 다면체 표면이고, 다면체 표면의 제1 면이 제2 면과 제3 면 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 면이 제2 면과 제3 면에 인접한 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  10. 제1항에 있어서, 상기 비평면 표면이 둥그스름한 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  11. 제1항에 있어서, 상기 비평면 표면이 반원통형인 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  12. 제1항에 있어서, 상기 핑거 각각의 기단부가 베이스에 부착되고 핑거 각각의 말단부는 상기 기단부에서 떨어져 있으며, 상기 돌기가 말단부에 배치되는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  13. 제12항에 있어서, 상기 돌기가 반구형 돌기인 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  14. 제12항에 있어서, 상기 돌기가 핑거의 종축선에 평행한 축선을 갖는 능선형들기인 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  15. 제1항에 있어서, 상기 스토퍼가 다면체 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  16. 제1항에 있어서, 히터와 받침대를 갖춘 반도체 처리실의 히터에 착탈 가능하게 부착되는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  17. 제16항에 있어서, 다수의 나사식 체결구로 상기 히터에 착탈 가능하게 부착되는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  18. 제1항에 있어서, 상기핑거가 나사식 체결구로 베이스에 장착되는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  19. 제1항에 있어서, 직경이 301mm보다 큰 웨이퍼 캡처영역을 제공하는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  20. 제1항에 있어서, 직경이 303mm보다 큰 웨이퍼 캡처영역을 제공하는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  21. 제1항에 있어서, 직경이 304mm보다 큰 웨이퍼 캡처영역을 제공하는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  22. 제1항에 있어서, 반도체 웨이퍼의 직경보다 1mm 이상 큰 직경을 갖는 웨이퍼 캡처영역을 제공하는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  23. 제1항에 있어서, 반도체 웨이퍼의 직경보다 3mm 이상 큰 직경을 갖는 웨이퍼 캡처영역을 제공하는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  24. 제1항에 있어서, 반도체 웨이퍼의 직경보다 4mm 이상 큰 직경을 갖는 웨이퍼 캡처영역을 제공하는 것을 특징으로 하는 리프트후프.
  25. 중심 구멍을 갖는 프레임을 제공하는 단계;
    프레임에 압력을 가하면서 프레임을 열처리하는 단계; 및
    프레임에 다수의 웨이퍼 지지부를 착탈 가능하게 부착하는 단계;를 포함하고,
    상기 웨이퍼 지지부 각각이 (a) 프레임에 착탈 가능하게 부착되는 베이스, (b) 상기 베이스에 부착되고 베이스로부터 상기 중심 구멍을 향해 뻗는 핑거, (c) 상기 핑거에 배치되는 돌기, 및 (d) 상기 돌기에서 떨어져 핑거에 배치되는 스토퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트후프의 제조방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 리프트후프가 탈기공정에 사용되고, 프레임을 열처리할 때 탈기공정에 사용되는 열사이클을 포함하는 열사이클로 프레임을 열처리하는 것을 특징으로 하는 리프트후프의 제조방법.
  27. 제25항에 있어서, 프레임에 압력을 가하면서 프레임을 열처리할 때 클램프 세트로 프레임에 압력을 가하면서 프레임에 열사이클을 적용하는 것을 특징으로 하는 리프트후프의 제조방법.
  28. 제25항에 있어서, 상기 스토퍼가 중심 구멍을 향한 비평면 표면을 갖고, 스토퍼와 돌기 사이의 최단거리를 형성하는 지점이 상기 비평면 표면에 있는 것을 특징으로 하는 리프트후프의 제조방법.
  29. 디가스 챔버과 엔드이펙터 블레이드를 정렬하는 방법에 있어서:
    키결합 구멍이 형성된 엔드이펙터 블레이드를 제공하는 단계;
    리프트후프와 히터받침대를 갖는 디가스 챔버를 제공하는 단계로서, 히터받침대는 중앙에 위치한 구멍을 갖춘 평탄면을 갖고, 리프트후프는 중심 구멍을 갖는 프레임과, 프레임에 배치되는 다수의 웨이퍼 지지부를 포함하고, 웨이퍼 지지부 각각은 프레임에 부착되는 베이스와, 베이스로부터 중심 구멍을 향해 뻗으면서 베이스에 부착되는 핑거와, 핑거에 배치되는 돌기를 포함하는 단계;
    중심 구멍을 갖춘 중앙 허브로부터, 아암 말단부에 말단 구멍이 형성된 다수의 아암이 뻗어있는 고정체를 제공하는 단계;
    상기 말단 구멍 각각이 핑거 각각의 돌기에 맞물리도록, 그리고 상기 고정체의 중심 구멍이 히터받침대의 중앙에 위치한 구멍과 동축으로 정렬되도록 고정체를 리프트후프 위에 두는 단계; 및
    상기 허브의 중심 구멍에 삽입된 핀이 엔드이펙터 블레이드의 키결합 구멍을 통해 히터받침대의 중앙에 위치한 구멍에 끼워질 때까지 엔드이펙터의 위치를 조작하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 히터받침대의 평탄면이 기하학적 중심을 갖고, 상기 중앙에 위치한 구멍이 평탄면의 기하학적 중심에 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제29항에 있어서, 상기 핑거가 상기 중심 구멍 위로 뻗는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제29항에 있어서, 상기 중심 구멍이 원형인 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제29항에 있어서, 상기 중심 구멍이 주변부를 갖고, 이 주변부를 포함한 직립 실린더 안에 돌기와 스토퍼가 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제29항에 있어서, 위이퍼 지지부 각각이 프레임에 착탈 가능하게 부착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제29항에 있어서, 상기 리프트후프가 평면을 가진 림을 구비하고, 상기 웨이퍼 지지부 각각이 상기 평면에 착탈 가능하게 부착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제29항에 있어서, 상기 스토퍼가 베벨형인 것을 특징으로 하는 방법.
  37. 제29항에 있어서, 상기 스토퍼의 비평면 표면이 다면체 표면이고, 이런 다면체 표면의 제1 면이 제2 면과 제3 면 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 방법.
  38. 제37항에 있어서, 상기 제1 면이 제2 면과 제3 면에 인접한 것을 특징으로 하는 방법.
  39. 제29항에 있어서, 상기 스토퍼의 비평면 표면이 둥그스름한 것을 특징으로 하는 방법.
  40. 제29항에 있어서, 상기 스토퍼의 비평면 표면이 반원통형인 것을 특징으로 하는 방법.
  41. 제29항에 있어서, 상기 핑거 각각의 기단부가 베이스에 부착되고 핑거 각각의 말단부는 상기 기단부에서 떨어져 있으며, 상기 돌기가 말단부에 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  42. 제41항에 있어서, 상기 돌기가 반구형 돌기인 것을 특징으로 하는 방법.
  43. 제41항에 있어서, 상기 돌기가 핑거의 종축선에 평행한 축선을 갖는 능선형들기인 것을 특징으로 하는 방법.
  44. 제29항에 있어서, 상기 스토퍼가 다면체 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  45. 제29항에 있어서, 상기 리프트후프가 히터에 착탈 가능하게 부착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  46. 제45항에 있어서, 상기 리프트후프가 다수의 나사식 체결구로 상기 히터에 착탈 가능하게 부착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  47. 제29항에 있어서, 상기 핑거가 나사식 체결구로 베이스에 장착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  48. 제29항에 있어서, 상기 리프트후프가 직경이 301mm보다 큰 웨이퍼 캡처 영역을 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
  49. 제29항에 있어서, 상기 리프트후프가 직경이 303mm보다 큰 웨이퍼 캡처 영역을 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
  50. 제29항에 있어서, 상기 리프트후프가 직경이 304mm보다 큰 웨이퍼 캡처 영역을 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
  51. 제29항에 있어서, 디가스 챔버를 이용해 반도체 웨이퍼를 처리하는 단계를 더 포함하고, 상기 리프트후프가 웨이퍼의 직경보다 1mm 이상 큰 직경을 갖는 웨이퍼 캡처 영역을 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
  52. 제51항에 있어서, 상기 리프트후프가 웨이퍼 직경보다 3mm 이상 큰 직경을 갖는 웨이퍼 캡처 영역을 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
  53. 제51항에 있어서, 상기 리프트후프가 웨이퍼 직경보다 4mm 이상 큰 직경을 갖는 웨이퍼 캡처 영역을 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
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