KR20210010186A

KR20210010186A - 노즐형 제전장치

Info

Publication number: KR20210010186A
Application number: KR1020190087775A
Authority: KR
Inventors: 유용훈; 최영철; 이건용
Original assignee: 코어인사이트 (주)
Priority date: 2019-07-19
Filing date: 2019-07-19
Publication date: 2021-01-27

Abstract

본 발명은 제전장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 노즐의 조립이 용이한 제전장치에 관한 것이다. 본 발명은 제전대상물을 향해서 이온을 분사하는 적어도 하나의 노즐을 구비하는 제전장치로서, 일면에 적어도 하나의 노즐 설치부가 형성된 하우징으로서, 상기 노즐 설치부에는 결합홈과 이 결합홈의 중심을 그 중심으로 하는 원의 원주를 따라서 각을 이루며 형성되는 N(N은 4 이상임) 개의 곡선형 회전 안내홈들이 형성된 하우징과; 직류 고전압 발생장치와; 상기 하우징의 내부에 설치되며, 상기 직류 고전압 발생장치와 연결된 단자들이 구비하며, 상기 결합홈에 대응하는 위치에 관통구멍이 형성된 회로기판과; 상기 회로기판으로부터 상기 하우징의 하면을 향해 연장되며, 상기 회로기판의 관통구멍을 중심으로 각을 이루며 배치되며, 상기 회로기판의 단자들과 연결된 단자들을 구비하는 서브 회로기판들과; 상기 서브 회로기판에 설치되며, 일단부는 상기 서브 회로기판의 단자들과 각각 연결되는 스프링 장착형 커넥터들을 포함하는 노즐형 제전장치를 제공한다.

Description

노즐형 제전장치{Air Assist Ionization System}

본 발명은 제전장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 노즐의 조립이 용이한 노즐형 제전장치에 관한 것이다.

액정 표시 장치 등의 표시 패널을 위한 투명 절연 기판상의 각종 막 형성 공정, 패터닝 공정, 반송 공정에서는, 정전기에 의해 투명 절연 기판이 대전될 수 있다. 이러한 대전은 글라스 기판에 형성된 박막 트랜지스터 등의 디바이스의 손상을 초래하여, 제품의 신뢰성 저하나 수율 저하의 원인이 될 수 있다. 이 같은 현상은, 현재 초미세화하는 반도체 웨이퍼 공정에서도 불량 및 수율 저하의 원인으로 확인되고 있다.

그 대책으로서, 방전침에 직류 고전압 또는 교류 고전압을 인가하여, 코로나 방전을 발생시키는 제전장치가 사용된다. 코로나 방전이 발생하면, 공기 중의 산소 및 질소가 이온화되어 이온이 발생한다. 코로나 방전에 의해서 발생한 플러스 또는 마이너스의 이온을 대전된 투명 절연 기판, 반도체 웨이퍼와 같은 제전대상물에 분사하면, 제전대상물의 극성과 동일한 극성의 이온은 밀려나게 되고, 다른 극성의 이온은 제전대상물을 중화시킨다.

그런데 교류 고전압을 인가하는 방식의 제전장치를 사용할 경우, 방전침에 인가되는 전압의 극성이 변화할 때마다 진폭이 큰 스위칭 전압에 의해서 제전대상물에 유도 대전 현상이 일어나게 된다. 이때, 제전대상물 위에 형성된 디바이스의 단자 사이에 스위칭 전압이 걸리게 되면, 정전기 방전(Electrostatic Discharge: ESD)에 의해 디바이스가 파손될 수 있다는 문제가 있다.

직류 고전압을 인가하는 방식의 제전장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 제전장치(1)의 양 끝단을 지나는 제전대상물(w)이 플러스 또는 마이너스로 대전될 수 있다는 문제가 있다. 직류 타입의 제전장치(1)는 고압의 플러스 또는 마이너스 직류 전압이 인가되는 방전침이 설치된 노즐(2)을 교대로 배치한 것으로서, 중심부의 아래를 지나는 제전대상물(w)은 인접하는 서로 다른 극성의 방전침에 의해서 발생한 서로 다른 극성의 이온에 의해서 중화된다. 이온은 가스공급장치(3)를 통해서 공급된 가스와 함께 제전대상물(w)을 향해서 분사된다.

그런데 이러한 직류 고전압을 인가하는 방식의 제전장치의 양 끝단에서는 한쪽 극성의 이온이 주로 발생하므로, 양 끝단을 지나는 제전대상물(w)은 극성을 띠게 된다. 이와 같이, 대전된 제전대상물(w)에는 반대 극성의 파티클이 흡착될 수 있으며, 대전된 제전대상물(w)이 제전대상물(w)의 반송 또는 처리를 위한 컨베이어 롤러, 공정용 테이블 등과 같은 다른 물질과 접촉하게 되면 방전이 일어나면서 제전대상물(w)에 형성된 디바이스가 파손될 수 있다는 문제가 있다.

이러한 문제점을 해결하기 위해서 등록특허 10-1967104에는 각각의 노즐이 가스가 분사되는 가스 분사구와, 상기 가스 분사구의 중심의 둘레에 배치되는 N(N은 4 이상임) 개의 방전침들을 포함하며, 상기 방전침들에는 상기 가스 분사구의 중심을 지나는 대각선상에 배치되는 한 쌍의 방전침들은 서로 같은 극성을 가지며, 인접하는 전극들은 서로 다른 극성을 가지도록 직류 전압이 인가되며, 상기 방전침들은 상기 가스 분사구의 중심을 회전중심으로 하여 720/N° 회전에 대해서 불변체이며, 360/N° 회전에 대해서 가변체인 것을 특징으로 하는 제전장치가 개시되어 있다. 등록특허 10-1967104에 개시된 제전장치는 위치별로 편차가 작으며, 시간에 따른 변화가 작은 안정적인 제전 특성을 갖는다는 장점이 있다.

그런데 등록특허 10-1967104에 개시된 제전장치의 노즐에는 적어도 4개의 방전침이 설치되므로, 기존과 같이 노즐을 제전장치에 끼워넣는 정밀도가 낮은 조립 방식으로 노즐을 제전장치에 설치하면, 방전침들 모두를 인쇄회로기판의 고전압 단자들과 정확하게 접촉시키기가 어렵다는 문제가 있었다. 정확하게 접촉되지 않으면, 방전침과 PCB 단자 사이에 아크가 발생할 수 있다. 또한, 정확하게 접촉시키기 위해서, 노즐의 분리와 조립을 반복하면, 방전침이 파손될 수도 있었다.

또한, 노즐을 제전장치에 끼워넣을 때에는 방전침들을 PCB의 단자들과 정확하게 접촉시켜야 할 뿐 아니라, 노즐의 가스 분사구와 가스관도 정확하게 밀착시켜야 하기 때문에 조립이 더욱 어려웠다.

등록특허 10-0955456 등록특허 10-0834466 등록특허 10-1967104

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 위치별로 편차가 작으며, 시간에 따른 변화가 작은 안정적인 제전 성능을 가지면서도 노즐의 조립이 용이한 제전장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 제전대상물을 향해서 이온을 분사하는 적어도 하나의 노즐을 구비하는 제전장치로서, 일면에 적어도 하나의 노즐 설치부가 형성된 하우징으로서, 상기 노즐 설치부에는 결합홈과 이 결합홈의 중심을 그 중심으로 하는 원의 원주를 따라서 각을 이루며 형성되는 N(N은 4 이상임) 개의 곡선형 회전 안내홈들이 형성된 하우징과; 직류 고전압 발생장치와; 상기 하우징의 내부에 설치되며, 상기 직류 고전압 발생장치와 연결된 단자들이 구비하며, 상기 결합홈에 대응하는 위치에 관통구멍이 형성된 회로기판과; 상기 회로기판으로부터 상기 하우징의 하면을 향해 연장되며, 상기 회로기판의 관통구멍을 중심으로 각을 이루며 배치되며, 상기 회로기판의 단자들과 연결된 단자들을 구비하는 서브 회로기판들과; 상기 서브 회로기판에 설치되며, 일단부는 상기 서브 회로기판의 단자들과 각각 연결되는 스프링 장착형 커넥터들을 포함하는 노즐형 제전장치를 제공한다.

여기서 상기 노즐은, 상기 노즐 설치부에 분리 가능하도록 설치되며, 상기 결합홈에 끼워지는 원통형의 돌기부를 구비하는 노즐 하우징과, 상기 노즐 하우징에 상기 돌기부를 중심으로 각을 이루며 설치되는 N 개의 방전침들을 포함한다.

그리고 상기 노즐의 돌기부를 상기 결합홈에 끼우고, 상기 방전침들을 상기 회전 안내홈들에 끼운 후, 상기 노즐을 회전시키면, 상기 방전침들이 상기 회전 안내홈들을 따라서 회전하다가 상기 스프링 장착형 커넥터들에 접촉된다.

또한, 본 발명은 상기 노즐 하우징에 설치되며, 상기 방전침으로부터 상기 방전침의 반경방향 외측으로 떨어져서 설치되며, 상기 노즐을 회전시켰을 때 사기 방전침이 진행하는 경로를 기준으로 상기 방전침에 앞서서 설치되며, 상기 방전침의 진행 경로와 나란한 방향을 향하도록 설치되는 스토퍼를 더 포함하는 노즐형 제전장치를 제공한다.

본 발명에 따른 제전장치는 위치별로 편차가 작으며, 시간에 따른 변화가 작은 안정적인 제전 특성을 가지면서도 노즐의 조립이 용이하다.

도 1은 종래의 직류 고전압 인가 방식의 제전장치의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 제전장치의 개념도이다.
도 3은 도 2에 도시된 제전장치의 사시도이다.
도 4는 도 2에 도시된 제전장치의 저면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 제전장치의 단면도이다.
도 6은 노즐이 제거된 제전장치의 하면을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 4에 도시된 회로기판의 일부를 나타낸 사시도이다.
도 8과 9는 도 2에 도시된 노즐의 사시도이다.
도 10은 방전침이 스프링 장착형 커넥터와 접촉하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 방전침들의 다른 배치방법들을 나타낸 도면이다.

이하, 첨부된 도면을 첨부하여 본 발명에 따른 노즐형 제전장치의 일실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태들로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 더욱 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 제전장치의 개념도이며, 도 3은 도 2에 도시된 제전장치의 사시도이며, 도 4는 도 2에 도시된 제전장치의 저면도이다.

제전장치(100)는 반도체 웨이퍼나 투명 절연 기판 등의 제전대상물(w)의 처리 공정에서, 대전된 제전대상물(w)의 제전에 사용된다.

도 2에 도시된 바와 같이, 제전장치(100)는 코로나 방전을 통해서 양이온과 음이온을 발생시킨 후 이온들을 가스 공급장치(3)로부터 제전장치(100)로 공급된 공기 등의 가스에 실어서 제전대상물(w)을 향해서 이동시킨다. 제전대상물(w)이 양으로 대전된 경우에는 음이온에 의해서 중화되고, 양이온은 밀려난다. 반대로 음으로 대전된 경우에는 양이온에 의해서 중화되고, 음이온은 밀려난다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에서는 하나의 노즐(20)에서 양이온과 음이온이 함께 고르게 분사되기 때문에 제전대상물(w)의 좌측과 우측 끝 부분에 한쪽 극성의 이온이 쌓이지 않는다.

도 2 내지 4에 도시된 바와 같이, 제전장치(100)는 가늘고 긴바 형태의 하우징(10)과 하우징(10)의 하단에 결합된 복수의 노즐(20)들을 포함한다. 하우징(10)의 세로 방향의 단면은 대체로 사각형 형태이다. 노즐(20)들은 하우징(10)의 길이 방향을 따라서 등 간격으로 배치된다.

도 5는 도 2에 도시된 제전장치의 단면도이다.

도 5에 도시된 바와 같이, 하우징(10)의 내부에는 가스 공급장치(3)와 연결된 주 가스관(30)이 하우징(10)의 길이방향을 따라서 길게 설치된다. 그리고 주 가스관(30)에는 각각의 노즐(20)에 가스를 공급하기 위한 분기 가스관(35)들이 연결된다. 분기 가스관(35)은 주 가스관(30)에 나사 결합할 수 있다. 분기 가스관(35)의 타단은 하우징(10)의 하면을 통과하여 아래로 연장된다. 주 가스관(30)과 분기 가스관(35)은 금속이나, ABS와 같은 플라스틱 재질로 이루어질 수 있다.

또한, 하우징(10)에는 직류 고전압 발생장치(40)와 회로기판(50)이 설치된다. 회로기판(50)은 하우징(10)의 하면과 나란하게 설치된다. 회로기판(50)의 단자들은 직류 고전압 발생장치(40)와 연결되어 있다. 직류 고전압 발생장치(40)는 코로나 방전을 위한 직류 형태의 고전압을 발생시킨다.

도 6은 노즐이 제거된 제전장치의 하면을 나타낸 도면이다.

도 6에 도시된 바와 같이, 하우징(10)의 하면에는 결합홈(11)과 네 개의 곡선형 회전 안내홈(15)이 형성되어 있다. 결합홈(11)과 회전 안내홈(15)은 하우징(10)의 하면을 관통하도록 형성된다. 회전 안내홈(15)은 결합홈(11)의 중심을 중심으로 하는 원의 원주를 따라서 형성된다. 회전 안내홈(15)은 결합홈(11)의 중심을 중심으로 각을 이루며 배치된다. 본 실시예에서는 90도 간격으로 배치된다. 따라서 네 개의 회전 안내홈(15)들이 단속적으로 결합홈(11)을 둘러싸고 있는 형태가 된다. 결합홈(11)의 중심에는 분기 가스관(35)이 끼워진다. 이때, 결합홈(11)의 내면과 분기 가스관(35)의 외면 사이에는 틈이 생긴다. 결합홈(11)은 중심의 원형부(12)와 원형부(12)의 둘레에 연결된 한 쌍의 결합편 삽입부(13)로 구성된다.

도 7은 도 5에 도시된 회로기판의 일부를 나타낸 사시도이다.

도 5와 7에 도시된 바와 같이, 회로기판(50)에는 분기 가스관(35)이 통과하는 관통구멍(51)이 형성되어 있다. 그리고 관통구멍(51)의 둘레에는 90° 간격으로 각을 이루며 서브 회로기판(55)들이 설치되어 있다. 서브 회로기판(55)들은 회로기판(50)의 표면에 직교하는 방향으로 설치된다. 서브 회로기판(55)에는 단자(미도시)가 형성되며, 서브 회로기판(55)의 단자는 직류 고전압 발생장치(40)와 연결되어 있는 회로기판(50)의 단자(미도시)와 전기적으로 연결된다. 서브 회로기판(55)의 단자와 회로기판(50)의 단자는 납땜을 통해서 연결될 수 있다.

서브 회로기판(55)에는 서브 회로기판(55)과 직교하며, 회로기판(50)의 표면과 나란한 방향으로 스프링 장착형 커넥터(57, spring loaded connector)가 설치된다. 스프링 장착형 커넥터(57)로는 배럴과 배럴 안에 배치되는 스프링 및 플런저를 포함하는 일반적인 포고 핀, 스탬핑 공정을 통해서 금속 판재를 가공하여 스프링과 플런저를 일체로 형성하는 일체성 스프링 포고 핀 등 다양한 구조의 커넥터가 사용될 수 있다. 스프링 장착형 커넥터(57)는 서브 회로기판(55)의 단자와 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 스프링 장착형 커넥터(57)의 일단부를 서브 회로기판(55)의 단자에 형성된 홈에 끼운 후 단자와 스프링 장착형 커넥터(57)의 일단부를 납땜으로 연결할 수 있다.

도 8과 9는 도 2에 도시된 노즐의 사시도이다. 도 5, 8 및 9에 도시된 바와 같이, 노즐(20)은 노즐 하우징(21)과 방전침(25)들을 포함한다.

노즐 하우징(21)의 중심부에는 분기 가스관(35)과 연통되는 가스 분사구(22)가 형성된다. 그리고 가스 분사구(22)의 둘레에는 분기 가스관(35)이 끼워지는 원통형의 돌기부(23)가 형성된다. 돌기부(23)는 노즐 하우징(21)의 상면(하우징(10)의 하면을 향하는 면)에 형성된다. 그리고 돌기부(23)의 끝단에는 돌기부(23)의 반경방향 외측으로 돌출된 한 쌍의 걸림편(24)이 서로 마주보도록 형성된다.

또한, 노즐 하우징(21)의 모서리 부분에는 방전침(25)에서의 코로나 방전에 의해서 발생한 이온이 배출되는 이온 배출구(26)가 형성된다. 그리고 이온 배출구(26)의 둘레에는 방전침(25)이 설치되는 원통형의 방전침 설치부(27)가 형성된다. 방전침 설치부(27)의 끝단에는 스토퍼(28)가 설치된다. 스토퍼(28)는 방전침(25)으로부터 방전침(28)의 반경방향 외측으로 떨어져서 설치된다. 스토퍼(28)는 노즐(20)을 가스분사구(22)를 중심으로 회전시켰을 때 방전침(25)이 진행하는 경로를 기준으로 방전침(25)에 앞서서 설치된다. 스토퍼(28)는 방전침(25)의 진행 경로와 나란한 방향을 향하도록 설치된다.

방전침 설치부(27)에 설치된 방전침(25)의 첨단부는 노즐 하우징(21)의 외부로 노출되지 않는다.

또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 노즐 하우징(21)의 하면(제전대상물(w)을 향하는 면)에는 오목홈부(29)가 형성되어 있다. 가스 분사구(22)와 이온 배출구(26)들은 오목홈부(29)에 형성되어 있다. 따라서 오목홈부(29)의 외곽선은 가스 분사구(22)와 이온 배출구(26)들을 감싸는 형태가 된다. 오목홈부(29)는 방전침 설치부(27)들에서 가스 분사구(22)로 향할수록 깊어지도록 경사져 있다.

도 8 및 9에 도시된 바와 같이, 노즐 하우징(21)의 가로 방향 단면은 대체로 정사각형으로서, 노즐 하우징(21)의 네 개의 모서리 각각에는 방전침(25)이 하나씩 설치된다. 방전침(25)들은 코로나 방전에 의해서 양이온을 생성하는 두 개의 양의 방전침(25)들과 음이온을 생성하는 두 개의 음의 방전침(25)들을 포함한다. 방전침(25)들은 날카로운 첨단부가 아래를 향하도록 방전침 설치부(27)들에 설치된다. 방전침(25)들은 가스 분사구(22)의 중심을 지나는 대각선상의 한 쌍의 방전침(25)들은 서로 같은 극성을 가지며, 최단 거리로 인접하는 방전침(25)들은 서로 다른 극성을 가지도록 배치된다. 본 실시예에서는 네 개의 방전침(25)들이 정사각형의 네 개의 모서리에 배치되며, 서로 대각선 방향에 있는 두 개의 방전침(25)들은 극성이 동일하며, 하나의 방전침(25)에 인접하는 두 개의 방전침(25)들은 그 방전침(25)과 극성이 다르다.

방전침(25)들은 가스 분사구(22)의 중심을 회전중심으로 하여 720/N° 회전에 대해서 불변체이다. 그리고 가스 분사구(22)의 중심을 회전중심으로 하여 360/N° 회전에 대해서 가변체이다. 여기서 N은 방전침(25)들의 갯수다. 즉, 본 실시예에서 방전침(25)들은 180° 회전에 대해서 불변체이며, 90° 회전에 대해서는 가변체이다. 방전침(25)들이 180° 회전에 대해서 불변체라는 것은 가스 분사구(22)를 중심으로 방전침(25)들을 180° 회전할 경우에 방전침(25)들의 배치형태와 극성이 바뀌지 않는다는 것을 의미한다. 방전침(25)들이 90° 회전에 대해서는 가변체라는 것은 가스 분사구(22)를 중심으로 방전침(25)들을 90° 회전할 경우에 방전침(25)들의 극성이 바뀐다는 것이다. 본 실시예에서 방전침(25)들을 가스 분사구(22)의 중심을 회전중심으로 하여 90° 회전할 경우에 방전침(25)들의 배치형태는 변하지 않지만 극성이 바뀐다.

본 발명은 이와 같은 방식으로 작은 노즐(20)에 네 개 이상의 방전침(25)들을 대칭으로 배치함으로써, 하나의 노즐(20)에서 배출되는 이온들의 위치별 분포가 매우 균일하다.

또한, 도시하지 않았으나, 제전장치(100)에는 기준 전극이 설치된다. 기준 전극은 코로나 방전시에 방전침(25)들의 반대 전극 역할을 한다. 기준 전극은 노즐 하우징(21)의 둘레나 노즐 하우징(21)의 내부에 방전침(25) 근처에 설치될 수 있다.

이하에서는 상술한 제전장치에서 노즐(20)을 하우징(10)에 결합하는 방법에 대해서 설명한다.

먼저, 노즐(20)의 돌기부(23)와 결합편(24)이 결합홈(11)의 원형부(12)와 결합편 삽입부(13)에 각각 끼워지고, 동시에 방전침(25)들은 대응하는 회전 안내홈(15)에 끼워지도록 노즐(20)을 하우징(10)의 하면에 밀착시킨다.

그러면, 분기 가스관(35)이 돌기부(23)의 안쪽에 끼워진다. 그리고 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 방전침(25)의 단부는 스프링 장착형 커넥터(57)로부터 분리된 상태로 회로기판(50)의 표면 근처에 배치된다.

이러한 상태에서 노즐(20)을 시계방향으로 회전시키면, 결합편(24)이 회전하면서, 결합편 삽입부(13)를 벗어난다. 결합편 삽입부(13)를 벗어난 결합편(24)은 하우징(10)의 하면에 걸린다. 따라서 노즐(20)을 다시 반시계방향으로 회전시키지 않으며, 노즐(20)이 하우징(10)으로부터 분리되지 않는다.

또한, 노즐(20)을 시계방향으로 회전시키면, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 방전침(25)은 회전 안내홈(15)을 따라서 이동하여, 방전침(25)이 스프링 장착형 커넥터(57)와 접속한다. 스토퍼(28)에 의해서 노즐(20)의 회전 각도가 제한되므로, 방전침(25)들은 회전 안내홈(15)의 내면에 접촉하지 않는다. 스토퍼(28)는 회전 안내홈(15)의 끝부분의 폭이 좁아진 부분(16)에 끼워진다.

스프링 장착형 커넥터(57)는 서브 회로기판(55) 및 회로기판(50)을 통해서 직류 고전압 발생장치(40)와 연결되므로, 방전침(25)에 직류 고전압이 인가될 수 있다.

도 11은 방전침들의 다른 배치방법들을 나타낸 도면이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 방전침들은 정팔각형, 정십이각형의 모서리에 각각 배치될 수도 있다. 그리고 이때에는 회전 안내홈과 서브 회로기판의 갯수 및 인접하는 회전 안내홈들과 서브 회로기판들 사이의 간격도 방전침들의 갯수에 따라서 조절된다.

이상에서 설명된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.

w: 제전대상물
10: 하우징
11: 결합홈
15: 회전 안내홈
20: 노즐
21: 노즐 하우징
22: 가스 분사구
23: 돌기부
24: 걸림편
25: 방전침
26: 이온 배출구
27: 방전침 설치부
28: 스토퍼
29: 오목홈부
30: 주 가스관
35: 분기 가스관
40: 직류 고전압 발생장치
50: 회로기판
55: 서브 회로기판
57: 스프링 장착형 커넥터

Claims

제전대상물을 향해서 이온을 분사하는 적어도 하나의 노즐을 구비하는 제전장치로서,
일면에 적어도 하나의 노즐 설치부가 형성된 하우징으로서, 상기 노즐 설치부에는 결합홈과 이 결합홈의 중심을 그 중심으로 하는 원의 원주를 따라서 각을 이루며 형성되는 N(N은 4 이상임) 개의 곡선형 회전 안내홈들이 형성된 하우징과,
직류 고전압 발생장치와,
상기 하우징의 내부에 설치되며, 상기 직류 고전압 발생장치와 연결된 단자들이 구비하며, 상기 결합홈에 대응하는 위치에 관통구멍이 형성된 회로기판과,
상기 회로기판으로부터 상기 하우징의 하면을 향해 연장되며, 상기 회로기판의 관통구멍을 중심으로 각을 이루며 배치되며, 상기 회로기판의 단자들과 연결된 단자들을 구비하는 서브 회로기판들과,
상기 서브 회로기판에 설치되며, 일단부는 상기 서브 회로기판의 단자들과 각각 연결되는 스프링 장착형 커넥터들을 포함하며,
상기 노즐은,
상기 노즐 설치부에 분리 가능하도록 설치되며,
상기 결합홈에 끼워지는 원통형의 돌기부를 구비하는 노즐 하우징과,
상기 노즐 하우징에 상기 돌기부를 중심으로 각을 이루며 설치되는 N 개의 방전침들을 포함하며,
상기 노즐의 돌기부를 상기 결합홈에 끼우고, 상기 방전침들을 상기 회전 안내홈들에 끼운 후, 상기 노즐을 회전시키면, 상기 방전침들이 상기 회전 안내홈들을 따라서 회전하다가 상기 스프링 장착형 커넥터들에 접촉되는 것을 특징으로 하는 노즐형 제전장치.
제1항에 있어서,
가스 공급장치와 연결된 주 가스관과,
상기 주 가스관으로부터 분기되며, 상기 회로기판의 관통구멍을 통과하여 상기 돌기부의 내부에 끼워지는 분기 가스관을 포함하는 노즐형 제전장치.
제1항에 있어서,
상기 노즐 하우징에 설치되며, 상기 방전침으로부터 상기 방전침의 반경방향 외측으로 떨어져서 설치되며, 상기 노즐을 회전시켰을 때 사기 방전침이 진행하는 경로를 기준으로 상기 방전침에 앞서서 설치되며, 상기 방전침의 진행 경로와 나란한 방향을 향하도록 설치되는 스토퍼를 더 포함하는 노즐형 제전장치.
제1항에 있어서,
상기 방전침들에는 상기 돌기부의 중심을 지나는 대각선상에 배치되는 한 쌍의 방전침들은 서로 같은 극성을 가지며, 인접하는 전극들은 서로 다른 극성을 가지도록 직류 전압이 인가되며,
상기 방전침들은 상기 돌기부의 중심을 회전중심으로 하여 720/N° 회전에 대해서 불변체이며, 360/N° 회전에 대해서 가변체인 것을 특징으로 하는 노즐형 제전장치.