KR20210005208A - Cmos 센서 상의 초음파 트랜스듀서를 위한 압력 포트 - Google Patents

Cmos 센서 상의 초음파 트랜스듀서를 위한 압력 포트 Download PDF

Info

Publication number
KR20210005208A
KR20210005208A KR1020207034403A KR20207034403A KR20210005208A KR 20210005208 A KR20210005208 A KR 20210005208A KR 1020207034403 A KR1020207034403 A KR 1020207034403A KR 20207034403 A KR20207034403 A KR 20207034403A KR 20210005208 A KR20210005208 A KR 20210005208A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ultrasonic transducer
pressure
ultrasonic
pressure ports
cavities
Prior art date
Application number
KR1020207034403A
Other languages
English (en)
Inventor
키쓰 쥐 파이프
지앙웨이 리우
정욱 양
조셉 러츠키
Original Assignee
버터플라이 네트워크, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 버터플라이 네트워크, 인크. filed Critical 버터플라이 네트워크, 인크.
Publication of KR20210005208A publication Critical patent/KR20210005208A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/0292—Electrostatic transducers, e.g. electret-type
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
    • A61B8/12—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves in body cavities or body tracts, e.g. by using catheters
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
    • A61B8/44—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device
    • A61B8/4444—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device related to the probe
    • A61B8/4455—Features of the external shape of the probe, e.g. ergonomic aspects
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
    • A61B8/44—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device
    • A61B8/4483—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device characterised by features of the ultrasound transducer
    • A61B8/4494—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device characterised by features of the ultrasound transducer characterised by the arrangement of the transducer elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/0207—Driving circuits
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
    • B06B1/0607—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
    • B06B1/0622—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/24—Probes
    • G01N29/2406—Electrostatic or capacitive probes, e.g. electret or cMUT-probes
    • H01L41/0926—
    • H01L41/0973—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2047—Membrane type
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B2201/00—Indexing scheme associated with B06B1/0207 for details covered by B06B1/0207 but not provided for in any of its subgroups
    • B06B2201/20—Application to multi-element transducer

Abstract

압력 포트들을 갖는 미세가공된 초음파 트랜스듀서들이 설명된다. 미세가공된 초음파 트랜스듀서들은 캐비티 위에서 진동하도록 구성된 가요성 멤브레인들을 포함할 수 있다. 캐비티는, 일부 경우들에, 멤브레인 자체에 의해 밀봉될 수 있다. 압력 포트는 캐비티에 대한 접근, 따라서 캐비티 압력의 제어를 제공할 수 있다. 일부 실시예들에서, 초음파 트랜스듀서들 중 적어도 일부를 위한 압력 포트들을 갖는, 미세가공된 초음파 트랜스듀서들의 어레이를 포함하는 초음파 디바이스가 제공된다. 압력 포트들은 어레이에 걸쳐 압력을 제어하는 데 사용될 수 있다.

Description

CMOS 센서 상의 초음파 트랜스듀서를 위한 압력 포트
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 대리인 사건 번호 B1348.70080US00에 따라 2018년 5월 3일자로 출원되고, 발명의 명칭이 "PRESSURE PORT FOR ULTRASONIC TRANSDUCER ON CMOS SENSOR"인 미국 특허 출원 제62/666,556호의 35 U.S.C. § 119(e)에 따른 이익을 주장하며, 이 미국 특허 출원은 이로써 참조에 의해 그 전체가 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 대리인 사건 번호 B1348.70080US01에 따라 2018년 7월 10일자로 출원되고, 발명의 명칭이 "PRESSURE PORT FOR ULTRASONIC TRANSDUCER ON CMOS SENSOR"인 미국 특허 출원 제62/696,305호의 35 U.S.C. § 119(e)에 따른 이익을 주장하며, 이 미국 특허 출원은 이로써 참조에 의해 그 전체가 본 명세서에 포함된다.
기술 분야
본 출원은 미세가공된 초음파 트랜스듀서에 관한 것이다.
일부 미세가공된 초음파 트랜스듀서는 기판 위에 매달린 유연한 멤브레인을 포함한다. 기판, 캐비티, 및 멤브레인의 조합이 가변 커패시터를 형성하도록, 기판의 일부와 멤브레인 사이에 캐비티가 위치된다. 작동되면, 멤브레인이 초음파 신호를 생성할 수 있다. 초음파 신호를 수신하는 것에 응답하여, 멤브레인이 진동하여, 출력 전기 신호를 결과할 수 있다.
미세가공된 초음파 트랜스듀서를 위한 압력 포트가 설명되어 있다.
본 출원의 다양한 양태 및 실시예가 이하의 도면을 참조하여 설명될 것이다. 도면이 반드시 일정한 축척으로 그려져 있는 것은 아님이 이해되어야 한다. 다수의 도면에서 나타나는 항목들은 이들이 나타나는 모든 도면에서 동일한 참조 번호로 표시된다.
도 1은 미세가공된 초음파 트랜스듀서의 캐비티들에 접근하기 위한 압력 포트들을 포함하는 미세가공된 초음파 트랜스듀서들의 어레이의 사시도이다.
도 2는 도 1의 구조체의 캐비티 층의 개략 평면도이다.
도 3은 캐비티들 및 채널들을 포함하는 도 1의 디바이스의 층을 예시한다.
도 4는 각자의 압력 포트들을 갖는 초음파 트랜스듀서들의 어레이를 갖는 도 1의 대안을 예시한다.
도 5는 도 4의 구조체의 캐비티 층의 개략 평면도이다.
도 6은 캐비티들 및 압력 포트들의 부분들을 포함하는 도 4의 캐비티 층을 예시한다.
도 7은 초음파 트랜스듀서당 2개의 압력 포트를 포함하는 초음파 트랜스듀서들 및 압력 포트들의 대안의 어레이를 예시한다.
도 8은 초음파 트랜스듀서당 2개의 압력 포트를 포함하는 초음파 트랜스듀서들 및 압력 포트들의 대안의 어레이를 예시한다.
도 9는 초음파 트랜스듀서들 사이에 압력 포트들이 공유되는 초음파 트랜스듀서들 및 압력 포트들의 대안의 어레이를 예시한다.
도 10은 도 9의 디바이스에서 사용될 수 있는 유형의 압력 포트의 단면도이다.
도 11은 압력 포트를 갖는 미세가공된 초음파 트랜스듀서의 비제한적인 예의 단면도이다.
도 12는 일부 실시예에 따른, 압력 포트를 갖는 초음파 트랜스듀서를 형성하기 위한 제조 프로세스의 플로차트이다.
본 출원의 양태는 압력 포트를 포함하는 미세가공된 초음파 트랜스듀서(MUT)를 제공한다. MUT는, 예를 들어, 상부 측면과 하부 측면이, 제각기, 멤브레인과 기판에 의해 밀봉되는, 밀봉된 캐비티를 포함할 수 있다. 압력 포트는 밀봉된 캐비티에 대한 접근 구멍을 나타낼 수 있다. 압력 포트는 MUT의 제조 동안 밀봉된 캐비티 내의 압력을 제어하는 기능을 할 수 있다. 일단 캐비티 또는 캐비티들의 압력이 원하는대로 설정되면, 압력 포트가 밀봉될 수 있다.
MUT를 위한 압력 포트를 포함시키는 것은 다양한 이점을 제공할 수 있다. 압력 포트는 MUT의 밀봉된 캐비티의 압력을 제어할 수 있게 한다. 일부 초음파 디바이스는 수백, 수천, 또는 수십만 개의 MUT와 같은, 많은 수의 MUT를 포함한다. 그러한 초음파 디바이스의 동작은 MUT의 영역에 걸쳐 실질적으로 동일하거나 균일한 압력을 갖는 것으로부터 (예를 들면, 댐핑을 최소화함으로써) 정확도 및 다이내믹 레인지 면에서 이득을 볼 수 있다. 따라서, 초음파 디바이스의 개별 MUT 또는 MUT 서브그룹을 위한 압력 포트들을 제공하는 것은 감지 영역에 걸쳐 더 균일한 압력을 달성하는 것을 용이하게 할 수 있다. 압력 포트들은 다수의 MUT를 포함하는 감지 영역에 걸쳐 캐비티 압력의 균등화를 가능하게 할 수 있다. 압력 포트들은 제조 동안 사용될 수 있으며, 캐비티들이 압력 면에서 균등화된 후에 밀봉된다.
초음파 트랜스듀서 압력 포트들의 다양한 특성들이 본 출원의 양태에 따라 선택될 수 있다. 일부 양태에 따르면, 각각의 초음파 트랜스듀서는 하나 이상의 각자의 압력 포트를 가질 수 있다. 대안의 양태에 따르면, 압력 포트는 2개 이상의 초음파 트랜스듀서에 의해 공유될 수 있다. 본 출원의 양태에 따르면, 초음파 트랜스듀서들의 어레이는 어레이에 대해 서로 동일한 각도로 배향된 각자의 압력 포트들을 포함할 수 있다. 대안의 양태에 따르면, 초음파 트랜스듀서들의 어레이는 각자의 압력 포트들을 포함할 수 있으며, 여기서 2개 이상의 압력 포트가 어레이에 대해 상이한 각도들로 배향된다. 초음파 트랜스듀서들의 어레이에 제공되는 압력 포트들의 개수는 초음파 트랜스듀서들의 개수보다 더 적거나, 동일하거나, 또는 더 클 수 있다. 추가 변형들이 가능하다.
위에서 설명된 양태 및 실시예는 물론, 추가 양태 및 실시예가 아래에서 추가로 설명된다. 이러한 양태 및/또는 실시예는 개별적으로, 모두 함께, 또는 둘 이상의 임의의 조합으로 사용될 수 있는데, 그 이유는 본 출원이 이 점에서 제한되지 않기 때문이다.
본 출원의 일 양태에 따르면, 초음파 트랜스듀서들의 어레이를 위한 압력 포트들이 제공된다. 일부 실시예에서, 초음파 트랜스듀서들은 상호연결 채널에 의해 서로 연결되는 밀봉된 캐비티들을 포함하고, 복수의 압력 포트들은 초음파 트랜스듀서들의 어레이에 의해 공유된다. 도 1은 비제한적인 예이고, 미세가공된 초음파 트랜스듀서의 캐비티들에 접근하기 위한 압력 포트들을 포함하는 미세가공된 초음파 트랜스듀서들의 어레이의 사시도이다. 초음파 디바이스(100)는 멤브레인(104), 절연 층(106) 및 캐비티들(108)에 의해 형성된 9개의 MUT(102)의 어레이를 포함한다. 압력 포트들(110)이 제공되고, 채널들(112)은 캐비티들(108)을 상호연결시킨다. 일부 실시예에서, 절연 층(106)은 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS) 웨이퍼의 일부일 수 있고, 캐비티들(108)은 CMOS 웨이퍼의 절연 층(106)에 형성될 수 있다.
압력 포트들(110)은 임의의 적합한 위치를 가질 수 있다. 예시된 비제한적인 예에서, 이들은 어레이의 주변부에 배치되고, 이 비제한적인 예에서, 어레이의 주변부의 2개의 대향 측면에 배치된다. 압력 포트들이, 도시된 바와 같이, 어레이의 주변부에 배치될 때, 어레이 내부의 캐비티들의 캐비티 압력에 대한 제어는, 공기 채널일 수 있는, 채널들(112)의 존재로 인해 여전히 달성될 수 있다. 그렇지만, 대안의 구성들이 가능하다. 예를 들어, 다른 실시예에서 도시된 바와 같이 각각의 개별 캐비티에 대해 압력 포트가 제공될 수 있다. 대안적으로, 도시된 것보다 더 적은 압력 포트들이 제공될 수 있으며, 어레이에 걸쳐 캐비티 압력의 제어를 가능하게 하기 위해 추가 채널들(112)이 제공된다.
배치 및 크기를 포함한, 압력 포트들(110)의 다양한 특성들이 언급될 수 있다. 도시된 비제한적인 예에서, 압력 포트들(110)은 어레이의 2개의 대향 측면에 배치된다. 이 비제한적인 예에서, 2개의 압력 포트는 주어진 열에 있는 초음파 트랜스듀서들을 양분하는 라인에 배치된다. 그렇지만, 압력 포트들의 대안의 배치가 가능하다. 압력 포트들은 임의의 적합한 치수를 가질 수 있고, 임의의 적합한 방식으로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 압력 포트들은 초음파 트랜스듀서들의 성능에 부정적인 영향을 미치지 않도록 충분히 작다. 또한, 일단 캐비티들(108)의 압력이 원하는 값으로 설정되면 압력 포트들이 밀봉될 수 있도록 압력 포트들은 충분히 작을 수 있다. 예를 들어, 압력 포트들은 대략 0.1 미크론 내지 20 미크론 - 해당 범위 내의 임의의 값 또는 값 범위를 포함함 - 의 직경을 가질 수 있다. 압력 포트들은 임의의 적합한 방식으로, 예컨대, 금속 재료로 밀봉될 수 있다. 예를 들어, 압력 포트들을 밀봉하기 위해 알루미늄이 스퍼터링될 수 있다.
압력 포트들은 MUT(들)의 제조 동안 생성되어 사용될 수 있다. 일부 실시예에서, 밀봉된 캐비티들은 웨이퍼 본딩 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 웨이퍼 본딩 기술은 웨이퍼 또는 MUT들의 어레이에 걸쳐 균일한 캐비티 압력을 달성하는 데 부적절할 수 있다. 또한, 웨이퍼 본딩을 위해 존재하는 화학 물질들이 MUT들의 어레이의 특정 캐비티들을 불균등하게 점유하거나 그에 남아 있을 수 있다. 캐비티들이 (예를 들어, 웨이퍼 본딩에 의해) 밀봉된 후에, 압력 포트들이 개방될 수 있다. 밀봉된 캐비티들의 압력들은 이어서 웨이퍼를 원하는 제어된 압력에 노출시킴으로써 균등화될 수 있거나 또는 실질적으로 동일하게 될 수 있다. 또한, 원하는 화학 물질들(예를 들면, 아르곤)이 압력 포트들을 통해 캐비티들에 유입될 수 있다. 후속하여, 압력 포트들이 밀봉될 수 있다.
따라서, 본 발명자들은 복수의 MUT들의 밀봉된 캐비티들의 압력 및/또는 화학적 함량의 제어가 압력 포트를 사용하여 개선될 수 있음을 인식하였다. 압력 포트는 밀봉된 캐비티들을 형성하는 데 사용되는 웨이퍼 본딩 프로세스보다 이러한 파라미터들에 대한 더 큰 제어를 제공할 수 있다.
도 2는 도 1의 초음파 디바이스(100)의 캐비티 층의 평면도를 예시한다. 도시된 바와 같이, 채널들(112)에 의해 상호연결된 9개의 캐비티가 포함된다. 다시 말하지만, 채널들(112)은 인접한 캐비티들에서의 압력이 균일한 레벨로 설정될 수 있게 하는 공기 채널들일 수 있다. 채널들(112)은 0.1 미크론 내지 20 미크론 - 해당 범위 내의 임의의 값 또는 값 범위를 포함함 - 과 같은, 이러한 목적에 적합한 임의의 치수를 가질 수 있다.
도 1 및 도 2의 초음파 디바이스는 비제한적인 예이다. 도시된 미세가공된 초음파 트랜스듀서들의 개수, 형상, 치수, 및 배치는 모두 변수들이다. 예를 들어, 도 2는 원형 캐비티들을 예시하지만, 다각형, 정사각형, 또는 임의의 다른 적합한 형상과 같은, 다른 형상들이 가능하다. 도시된 압력 포트들의 배치 및 개수가 또한 특정 애플리케이션에 대해 선택될 수 있다.
도 3은 캐비티들 및 채널들을 포함하는 도 1의 디바이스의 캐비티 층의 사시도를 예시한다. 이 도면에서, 초음파 디바이스(100)의 멤브레인 층은 생략되어 있다. 캐비티들(108), 채널들(112), 및 압력 포트들(110)의 일부는, 예를 들어, 에칭에 의해 형성될 수 있다. 후속하여, 멤브레인(104)은 멤브레인 층을 생성함으로써 캐비티들(108)을 밀봉하도록 형성될 수 있다. 압력 포트들(110)의 수직 부분은 이어서 멤브레인(104)을 통해 에칭되어 초음파 디바이스(100)를 형성할 수 있다.
이전에 설명된 바와 같이, 초음파 트랜스듀서들의 어레이에 제공되는 압력 포트들의 개수 및 배치는 도 1에 도시된 것과 상이할 수 있다. 본 출원의 양태에 따르면, 초음파 트랜스듀서들의 어레이는 각자의 압력 포트들을 갖는 캐비티들의 어레이를 포함한다. 도 4는 도 1의 대안을 나타내고 각자의 압력 포트들을 갖는 초음파 트랜스듀서들의 어레이를 갖는 예를 예시한다. 초음파 디바이스(400)는 캐비티들(108), 멤브레인(104), 및 절연 층(106)을 포함한다. 이 비제한적인 실시예에서 각각의 캐비티(108)에 대해 하나의 압력 포트가 제공된다. 추가적으로, 캐비티들이 채널들(112)에 의해 상호연결되지 않는다. 또한, 이 비제한적인 예에서, 압력 포트들 모두가 캐비티들에 대해 공통 각도로 배향되고 모두가 캐비티 어레이의 주변에 배치되지는 않음을 알 수 있다.
도 5는 도 4의 구조체의 캐비티 층의 개략 평면도이다. 도시된 바와 같이, 캐비티들(108)은 캐비티들과 평면 내에 있는 부분 및 캐비티들에 수직인 부분(캐비티들과 평면 내에 있는 부분의 단부에 있는 원으로 표현됨) 둘 모두를 포함하는 압력 포트들(110)을 포함한다.
도 6은 캐비티들(108) 및 압력 포트들(110)을 포함하는 도 4의 캐비티 층을 예시한다. 이 뷰에서, 캐비티들과 평면 내에 있는 압력 포트들의 부분이 예시되어 있다. 캐비티들(108)에 수직으로 위쪽으로 연장되는 압력 포트들의 부분이 도 6의 일부가 아닌 멤브레인(104)을 통해 연장되기 때문에, 해당 부분은 도시되지 않는다. 캐비티들(108) 및 캐비티들(108)과 평면 내에 있는 압력 포트들(110)의 부분들은 임의의 적합한 방식으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 절연 층(106)을 에칭하기 위한 임의의 적합한 기술이 캐비티들(108) 및 압력 포트들(110)의 평면내 부분들을 형성하는 데 사용될 수 있다. 도 4의 초음파 디바이스(400)는 멤브레인(104)을 형성하고 압력 포트들(110)의 수직 부분들을 에칭함으로써 도 6의 구조체로부터 형성될 수 있다.
이전에 설명된 바와 같이, 초음파 트랜스듀서들의 어레이에 대해 압력 포트들의 다양한 구성들이 사용될 수 있다. 도 1 및 도 4는 2개의 비제한적인 예를 예시한다. 도 7은 추가 대안을 예시한다. 도 7의 비제한적인 예에서, 각각의 캐비티에 대해 2개의 압력 포트가 제공된다. 캐비티당 하나 초과의 압력 포트를 제공하는 것은, 물 또는 다른 요소들과 같은, 바람직하지 않은 요소들을 캐비티로부터 제거하는 것을 더 쉽도록 만들 수 있다. 캐비티당 하나 초과의 포트를 갖는 것은 또한 캐비티에 대한 원하는 압력을 달성하는 것을 용이하게 할 수 있다. 초음파 디바이스(700)에서, 압력 포트들은, 단부에 개구부들(702)을 갖는, 채널들 또는 연장부들에 의해 표현된다. 압력 포트들(110)이 고도 방향에 대해 각도 θ로 배향되어 있음을 알 수 있다. 해당 각도는 5도 내지 40도, 또는 임의의 다른 적합한 수일 수 있다. 금속 라인들(704 및 706)이 또한 도 7에 도시되어 있다. 금속 라인들(704)은 방위각 방향으로 뻗어 있는 반면, 금속 라인들(706)은 고도 방향으로 뻗어 있다. 금속 라인들(704 및 706)은 초음파 트랜스듀서들로/로부터 신호들을 제공하기 위한 전도성 트레이스들을 나타낼 수 있다. 일부 실시예에서, 모든 압력 포트들이 방위각 또는 고도 방향으로만 배향된 금속 라인들에서 종단되도록 하는 것이 바람직할 수 있으며, 따라서 압력 포트들을 각도 θ로 경사지게 하는 것은 그러한 구성을 용이하게 할 수 있다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 도 7에서의 모든 압력 포트들은 방위각 방향으로 배향된 금속 라인들에서 종단된다. 금속 라인들의 금속은 압력 포트들의 단부들을 밀봉할 수 있다. 예를 들어, 금속 라인들을 형성하기 위해 알루미늄을 스퍼터링하는 것은 압력 포트들을 밀봉할 수 있다.
도 8은 초음파 트랜스듀서당 2개의 압력 포트를 포함하는 초음파 트랜스듀서들 및 압력 포트들의 대안의 어레이를 예시한다. 예시된 초음파 디바이스(800)는 이웃하는 캐비티들에 대한 압력 포트들이 서로 상이하게 배향된다는 점에서 도 7의 것과 상이하다. 이 예에서, 주어진 캐비티에 대한 압력 포트들이 방위각 방향을 따라 배향될 때, 바로 이웃한 캐비티들에 대한 압력 포트들은 고도 방향을 따라 배향되고, 그 반대의 경우도 마찬가지이다.
도 9는 초음파 트랜스듀서들 사이에 압력 포트들이 공유되는 초음파 트랜스듀서들 및 압력 포트들의 대안의 어레이를 예시한다. 초음파 디바이스(900)는 캐비티들(108), 금속 라인들(904 및 906), 채널들(110) 및 접근 구멍들(902)을 포함한다. 압력 포트들은 채널들(110)과 접근 구멍들(902)의 조합을 나타낼 수 있다. 접근 구멍들은, 개구부들(902)로서 도 9에 도시된 바와 같이, 수직으로, 예를 들어, 캐비티들(108)에 수직으로 연장될 수 있다. 채널들(110)은 도시된 바와 같이 이웃하는 캐비티들(108)을 상호연결시킬 수 있다. 이 예에서, 동일한 수의 압력 포트들 및 캐비티들이 제공되고 압력 포트들은 어레이의 주변부에 배치되지 않고 어레이 내부에서 접근 가능하다.
도 10은 도 9의 디바이스에서 사용될 수 있는 유형의 압력 포트의 단면도(10)이다. 압력 포트는 폭 X1을 갖는 902로 표현된 수직 부분과, 폭 X2를 갖는 평면내 부분 또는 채널을 포함한다. X1의 값은 초음파 트랜스듀서의 동작에 부정적인 영향을 미치지 않도록, 그리고 또한 용이한 충전(filling)을 가능하게 하기 위해 충분히 작도록 선택될 수 있다. 일부 실시예에서, X1은, 0.1 미크론 내지 20 미크론과 같은, 압력 포트 및 접근 구멍 치수와 관련하여 본 명세서에서 이전에 설명된 값 중 임의의 것을 취할 수 있다. X2의 값도 마찬가지로 임의의 그러한 값을 취할 수 있다. 예시된 예에서, X1은 X2보다 작다.
일부 실시예에서, 멤브레인(104)은 상이한 재료 조성들을 갖는 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다. 멤브레인(104)은 SOI(silicon on insulator) 웨이퍼로 형성될 수 있다. SOI 웨이퍼는 매립 산화물(BOX) 층(104a), 단결정 층(104b), 및 열 산화물 층(104c)을 포함하지만 이에 제한되지 않는 여러 층을 포함할 수 있다. SOI 웨이퍼는 화학적 기계적 폴리싱(CMP)과 같은 임의의 적합한 기술에 의해 웨이퍼 본딩 이후에 제거되는 핸들링 웨이퍼(handling wafer)를 추가로 포함할 수 있다. BOX 층(104a)은, 0.5 내지 2 미크론 두께 또는 임의의 다른 적합한 값과 같은, 임의의 적합한 두께일 수 있다. 단결정 층(104b)은 단결정 Si 또는 임의의 적합한 단결정 재료일 수 있다. 단결정 층(104b)은 또한, 4 내지 10 미크론 두께를 포함하여, MUT들의 동작을 가능하게 하는 임의의 적합한 두께일 수 있다. 열 산화물 층(104c)은, 100 내지 300 nm 두께와 같은, 임의의 적합한 두께일 수 있다.
도 11은 캐비티(108) 및 압력 포트(110)를 갖는 MUT(1100)의 비제한적인 예의 단면도이다. 도시된 바와 같이, 압력 포트는 밀봉될 수 있으며, 따라서 예시된 디바이스는 캐비티 압력이 원하는 값으로 설정된 후의 디바이스의 상태를 나타낼 수 있다. 그 시점에서, 압력 포트는 시간의 함수로서 밀봉된 캐비티 내의 실질적으로 일정한 압력을 제공하기 위해 밀봉부(1102)로 밀봉될 수 있다.
MUT(1100)와 같은 MUT의 제조 프로세스는 도 12의 프로세스(1200)에 의해 설명된다. 먼저, 동작(1202)에서, 캐비티들(108), 압력 포트들(110), 및/또는 채널들(112)과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는 피처들이 절연 층(106)에 형성된다. 캐비티들(108), 압력 포트들(110), 및/또는 채널(112)은 반응성 이온 에칭(RIE), 깊은 반응성 이온 에칭(DRIE), 이온 밀링, 플라즈마 에칭, 또는 임의의 다른 적절한 방법을 포함하는 임의의 적절한 에칭 프로세스에 의해 형성될 수 있다. 절연 층(106)은 캐비티들이 CMOS 웨이퍼의 다른 요소들에 전기적으로 결합되도록 더 큰 CMOS 웨이퍼의 일부일 수 있다.
동작(1204)에서, 피처들을 갖는 절연 층(106)은 이전에 논의된 유형의 SOI 웨이퍼일 수 있는 멤브레인 웨이퍼에 웨이퍼 본딩될 수 있다. 웨이퍼 본딩 프로세스는 저온 웨이퍼 본딩 프로세스일 수 있다. 웨이퍼 본딩 프로세스는 포스트 프로세스(post-process) 어닐링 단계를 또한 포함할 수 있다. 어닐링 동안, 캐비티들(108) 내부의 압력을 제어하는 것을 돕기 위해 게터링(gettering) 재료들이 존재할 수 있다. 예를 들어, 게터링 재료들은 Ti, TiN, SrO, 및/또는 Zr-Al을 포함할 수 있다. 동작(1206)에서, 멤브레인 웨이퍼의 핸들링 웨이퍼가 연마될 수 있어, 캐비티들(108) 위의 멤브레인(104)이 굴곡될 수 있게 한다. 핸들링 웨이퍼는 화학적 기계적 폴리싱을 포함한 임의의 적합한 방식으로 연마될 수 있다.
동작(1208)에서, 개구부들(902)과 같은 개구부들이 형성되어 압력 포트들(110)을 개방시켜, 캐비티들(108)의 압력이 균등화될 수 있게 한다. 개구부들은 RIE 및/또는 DRIE와 같은 임의의 적합한 에칭 프로세스를 사용하여 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, RIE는 먼저 BOX 층(104a)을 통해 에칭하는 데 사용된다. 이어서, DRIE는 단결정 층(104b)을 에칭하는 데 사용되며, RIE는 열 산화물 층(104c)을 통해 에칭하는 데 또다시 사용된다. 압력 포트들(110)이 진공 하에서 개방되기 때문에, 웨이퍼 본딩 및/또는 어닐링 프로세스로부터의 임의의 아웃개싱된 재료들이 동작(1208) 동안 빠져나가고, 캐비티들(108)의 압력은 진공 챔버의 압력과 균등화된다.
동작(1210)에서, 캐비티들(108)이 동작에 적합한 압력으로 유지될 수 있도록 압력 포트들(110)이 밀봉된다. 압력 포트들(110)은 임의의 적합한 재료에 의해 또는 스퍼터링 프로세스와 같은, 그러나 이에 제한되지 않는 임의의 적합한 프로세스에 의해 밀봉될 수 있다. 압력 포트들(110)은 다수의 재료들로 형성된 다층 구조체에 의해 밀봉될 수 있다. 예시적인 재료들은 Al, Cu, Al/Cu 합금들, 및 TiN을 임의의 적합한 조합으로 포함한다.
본 명세서에서 설명된 미세가공된 초음파 트랜스듀서들은 다양한 유형들일 수 있다. 일부 실시예에서, 이들은 용량성 미세가공된 초음파 트랜스듀서(CMUT)일 수 있다. 그러한 상황에서, 이들은 웨이퍼 본딩 또는 희생 방출(sacrificial release) 방법에 의해 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 미세가공된 초음파 트랜스듀서들은 압전 미세가공된 초음파 트랜스듀서(PMUT)이다.
다양한 유형의 초음파 디바이스들은 본 명세서에서 설명된 유형들의 압력 포트들을 갖는 MUT들을 구현할 수 있다. 일부 실시예에서, 핸드헬드 초음파 프로브는 압력 포트들을 갖는 MUT들을 포함하는 초음파 온 칩(ultrasound-on-a-chip)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 초음파 패치가 이 기술을 구현할 수 있다. 정제(pill)가 또한 이 기술을 활용할 수 있다. 따라서, 본 출원의 양태는 압력 포트들을 갖는 MUT들을 포함하는 그러한 초음파 디바이스들을 제공한다.
따라서 본 출원의 기술의 여러 양태 및 실시예를 설명하였지만, 다양한 변경들, 수정들, 및 개선들이 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 용이하게 안출될 것임이 이해되어야 한다. 그러한 변경들, 수정들, 및 개선들은 본 출원에서 설명된 기술의 사상 및 범위 내에 있는 것으로 의도된다. 따라서, 전술한 실시예들이 단지 예로서 제시되어 있다는 것과, 첨부된 청구항들 및 그의 균등물들의 범위 내에서, 발명 실시예들이 구체적으로 설명된 것과 다른 방식으로 실시될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
설명된 바와 같이, 일부 양태는 하나 이상의 방법으로서 구현될 수 있다. 이 방법(들)의 일부로서 수행되는 동작들은 임의의 적당한 방식으로 정렬될 수 있다. 그에 따라, 동작들이 예시된 것과 상이한 순서로 수행되는 실시예들이 구성될 수 있으며, 이 실시예들은 일부 동작들을, 비록 예시적인 실시예들에서 순차적인 동작들로서 도시되어 있더라도, 동시에 수행하는 것을 포함할 수 있다.
본 명세서에서 정의되고 사용되는 바와 같은, 모든 정의들은 사전 정의(dictionary definition), 참고로 포함된 문서들에서의 정의, 및/또는 정의된 용어들의 통상적인 의미보다 우선하는 것으로 이해되어야 한다.
문구 "및/또는"은, 명세서에서 그리고 청구범위에서 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 그와 같이 등위 접속된(conjoined) 요소들, 즉 일부 경우에서 결합적으로(conjunctively) 존재하고 다른 경우에서 택일적으로(disjunctively) 존재하는 요소들 중 "어느 하나 또는 둘 다"를 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 명세서에 그리고 청구범위에 사용되는 바와 같이, 하나 이상의 요소의 목록에 대한 언급에서의 문구 "적어도 하나"는 요소들의 목록 내의 요소들 중 임의의 하나 이상의 요소 중에서 선택된 적어도 하나의 요소를 의미하는 것으로 이해되어야 하지만, 요소들의 목록 내에 구체적으로 열거된 각기의 요소 중 적어도 하나를 반드시 포함하는 것은 아니며 요소들의 목록 내의 요소들의 임의의 조합들을 배제하지 않는다.
본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 수치 맥락에서 사용된 용어 "내지"는 달리 지시되지 않는 한 포함적(inclusive)인 것이다. 예를 들어, "A 내지 B"는 달리 명시되지 않는 한 A와 B를 포함한다.
용어 "대략" 및 "약"은 일부 실시예에서 목표 값의 ± 20% 이내, 일부 실시예에서 목표 값의 ± 10% 이내, 일부 실시예에서 목표 값의 ± 5% 이내, 그리고 또한 일부 실시예에서 목표 값의 ± 2% 이내를 의미하기 위해 사용될 수 있다. 용어 "대략" 및 "약"은 목표 값을 포함할 수 있다.

Claims (20)

  1. 초음파 디바이스로서,
    기판 및 멤브레인을 포함하는 초음파 트랜스듀서 - 상기 기판 및 상기 멤브레인은 밀봉된 캐비티가 이들 사이에 있도록 배치됨 -; 및
    상기 멤브레인을 관통하고 상기 밀봉된 캐비티에 대한 접근을 제공하도록 구성된 접근 구멍
    을 포함하는, 초음파 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 집적 회로를 포함하는 집적 회로 기판과 본딩되는, 초음파 디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판은 집적 회로를 포함하는, 초음파 디바이스.
  4. 제1항에 있어서, 상기 접근 구멍은 한쪽 단부에서 밀봉되어 있는, 초음파 디바이스.
  5. 제4항에 있어서, 상기 접근 구멍은 한쪽 단부에서 금속으로 밀봉되어 있는, 초음파 디바이스.
  6. 제4항에 있어서, 상기 접근 구멍은 실질적으로 고체 재료가 없는, 초음파 디바이스.
  7. 제4항에 있어서, 상기 접근 구멍은 보이드를 포함하는, 초음파 디바이스.
  8. 제7항에 있어서, 상기 보이드는 가스로 충전되어 있는, 초음파 디바이스.
  9. 제1항에 있어서, 상기 접근 구멍은 상기 밀봉된 캐비티의 장축에 실질적으로 수직으로 프로젝팅하는(project), 초음파 디바이스.
  10. 제1항에 있어서, 상기 접근 구멍은 만곡부(turn)를 포함하는, 초음파 디바이스.
  11. 제10항에 있어서, 상기 접근 구멍은 90도 만곡부를 포함하는, 초음파 디바이스.
  12. 제1항에 있어서, 상기 접근 구멍은 굴곡부(bend)를 포함하는, 초음파 디바이스.
  13. 미세가공된 초음파 트랜스듀서로서,
    밀봉된 캐비티; 및
    상기 밀봉된 캐비티의 압력을 제어하도록 구성된 압력 포트
    를 포함하는, 미세가공된 초음파 트랜스듀서.
  14. 제13항에 있어서, 상기 압력 포트는 평면내 부분 및 실질적으로 수직인 부분을 포함하는, 미세가공된 초음파 트랜스듀서.
  15. 제13항에 있어서, 상기 실질적으로 수직인 부분은 상기 평면내 부분보다 더 얇은, 미세가공된 초음파 트랜스듀서.
  16. 제13항에 있어서, 상기 압력 포트는 상기 밀봉된 캐비티를 포함한 2개의 캐비티를 상호연결시키는 채널의 일부인, 미세가공된 초음파 트랜스듀서.
  17. 제13항에 있어서, 상기 압력 포트는 90도 굴곡부를 포함하는, 미세가공된 초음파 트랜스듀서.
  18. 제13항에 있어서, 상기 압력 포트는 금속에 의해 밀봉되는, 미세가공된 초음파 트랜스듀서.
  19. 제13항에 있어서, 상기 미세가공된 초음파 트랜스듀서는 용량성 미세가공된 초음파 트랜스듀서 및 압전 미세가공된 초음파 트랜스듀서 중 적어도 하나를 포함하는, 미세가공된 초음파 트랜스듀서.
  20. 제13항에 있어서, 상기 미세가공된 초음파 트랜스듀서는 핸드헬드 초음파 프로브에 배치되는, 미세가공된 초음파 트랜스듀서.

KR1020207034403A 2018-05-03 2019-05-02 Cmos 센서 상의 초음파 트랜스듀서를 위한 압력 포트 KR20210005208A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862666556P 2018-05-03 2018-05-03
US62/666,556 2018-05-03
US201862696305P 2018-07-10 2018-07-10
US62/696,305 2018-07-10
PCT/US2019/030388 WO2019213388A1 (en) 2018-05-03 2019-05-02 Pressure port for ultrasonic transducer on cmos sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210005208A true KR20210005208A (ko) 2021-01-13

Family

ID=68384340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207034403A KR20210005208A (ko) 2018-05-03 2019-05-02 Cmos 센서 상의 초음파 트랜스듀서를 위한 압력 포트

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20190336099A1 (ko)
EP (1) EP3788798B1 (ko)
JP (1) JP2021522734A (ko)
KR (1) KR20210005208A (ko)
CN (1) CN112075090B (ko)
AU (1) AU2019263404A1 (ko)
CA (1) CA3098911A1 (ko)
TW (1) TW202000137A (ko)
WO (1) WO2019213388A1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016106153A1 (en) * 2014-12-21 2016-06-30 Chirp Microsystems, Inc. Piezoelectric micromachined ultrasonic transducers with low stress sensitivity and methods of fabrication
KR20210070302A (ko) 2018-09-28 2021-06-14 버터플라이 네트워크, 인크. 초음파 변환기 공동내의 게터링 재료를 위한 제조 기술 및 구조
AU2019379545A1 (en) 2018-11-13 2021-05-27 Butterfly Network, Inc. Getter technology for micromachined ultrasonic transducer cavities
CA3119753A1 (en) 2018-11-15 2020-05-22 Butterfly Network, Inc. Anti-stiction bottom cavity surface for micromachined ultrasonic transducer devices
WO2020163595A1 (en) 2019-02-07 2020-08-13 Butterfly Network, Inc Bi-layer metal electrode for micromachined ultrasonic transducer devices
CN115367696A (zh) 2019-02-25 2022-11-22 蝴蝶网络有限公司 微加工超声换能器器件的自适应腔体厚度控制
US11484911B2 (en) 2019-04-12 2022-11-01 Bfly Operations, Inc. Bottom electrode via structures for micromachined ultrasonic transducer devices
US11501562B2 (en) 2019-04-30 2022-11-15 Bfly Operations, Inc. Ultrasound face scanning and identification apparatuses and methods
FR3097091B1 (fr) * 2019-06-07 2021-07-23 Commissariat Energie Atomique dispositif pourvu d’une pluralité de résonateurs présentant collectivement un facteur de qualité amélioré
US11684951B2 (en) 2019-08-08 2023-06-27 Bfly Operations, Inc. Micromachined ultrasonic transducer devices having truncated circle shaped cavities
TWI742603B (zh) 2020-04-09 2021-10-11 伊諾司生技股份有限公司 一種具有空腔的感測器
US11815492B2 (en) 2020-04-16 2023-11-14 Bfly Operations, Inc. Methods and circuitry for built-in self-testing of circuitry and/or transducers in ultrasound devices
US20210403321A1 (en) * 2020-06-30 2021-12-30 Butterfly Network, Inc. Formation of self-assembled monolayer for ultrasonic transducers

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01296122A (ja) * 1988-05-24 1989-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧力センサ
US4996627A (en) * 1989-01-30 1991-02-26 Dresser Industries, Inc. High sensitivity miniature pressure transducer
US5894452A (en) * 1994-10-21 1999-04-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Microfabricated ultrasonic immersion transducer
US5982709A (en) * 1998-03-31 1999-11-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Acoustic transducers and method of microfabrication
WO2005120130A1 (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Olympus Corporation 静電容量型超音波振動子とその製造方法、静電容量型超音波プローブ
US6891711B1 (en) * 2004-04-08 2005-05-10 Kulite Semiconductor Products, Inc. Ultra-miniature, high temperature, capacitive inductive pressure transducer
WO2005114820A2 (en) * 2004-05-14 2005-12-01 The University Of Georgia Research Foundation, Inc. Implantable ultrasonic transducer systems and methods
US8454513B2 (en) * 2004-12-30 2013-06-04 Stc.Unm Micro-machined medical devices, methods of fabricating microdevices, and methods of medical diagnosis, imaging, stimulation, and treatment
GB0605576D0 (en) * 2006-03-20 2006-04-26 Oligon Ltd MEMS device
US7616077B1 (en) * 2007-03-22 2009-11-10 Sandia Corporation Microelectromechanical resonator and method for fabrication
EP2662153A1 (en) * 2009-03-26 2013-11-13 Norwegian University of Science and Technology (NTNU) CMUT Array
JP5529577B2 (ja) * 2010-02-14 2014-06-25 キヤノン株式会社 電気機械変換装置及びその作製方法
WO2012048424A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-19 Micralyne Inc. Soi-based cmut device with buried electrodes
JP5901566B2 (ja) * 2013-04-18 2016-04-13 キヤノン株式会社 トランスデューサ、トランスデューサの製造方法、及び被検体情報取得装置
AU2014293274B2 (en) * 2013-07-23 2018-11-01 Butterfly Network, Inc. Interconnectable ultrasound transducer probes and related methods and apparatus
JP2015103821A (ja) * 2013-11-20 2015-06-04 キヤノン株式会社 静電容量型トランスデューサ及びその作製方法
WO2015112453A1 (en) * 2014-01-24 2015-07-30 The Regents Of The University Of California Medical devices comprising curved piezoelectric transducers
TWI708368B (zh) * 2014-04-18 2020-10-21 美商蝴蝶網路公司 在互補式金屬氧化物半導體晶圓中的超音波轉換器及相關設備和方法
KR20170029497A (ko) * 2014-07-08 2017-03-15 퀄컴 인코포레이티드 압전 초음파 트랜스듀서 및 프로세스
US9821340B2 (en) * 2014-07-28 2017-11-21 Kolo Medical Ltd. High displacement ultrasonic transducer
US10139479B2 (en) 2014-10-15 2018-11-27 Qualcomm Incorporated Superpixel array of piezoelectric ultrasonic transducers for 2-D beamforming
WO2016106153A1 (en) * 2014-12-21 2016-06-30 Chirp Microsystems, Inc. Piezoelectric micromachined ultrasonic transducers with low stress sensitivity and methods of fabrication
US10497748B2 (en) * 2015-10-14 2019-12-03 Qualcomm Incorporated Integrated piezoelectric micromechanical ultrasonic transducer pixel and array

Also Published As

Publication number Publication date
EP3788798A1 (en) 2021-03-10
US20190336099A1 (en) 2019-11-07
EP3788798C0 (en) 2023-07-05
CN112075090A (zh) 2020-12-11
TW202000137A (zh) 2020-01-01
CA3098911A1 (en) 2019-11-07
EP3788798A4 (en) 2022-01-19
AU2019263404A1 (en) 2020-11-19
CN112075090B (zh) 2022-10-14
WO2019213388A1 (en) 2019-11-07
EP3788798B1 (en) 2023-07-05
JP2021522734A (ja) 2021-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210005208A (ko) Cmos 센서 상의 초음파 트랜스듀서를 위한 압력 포트
EP3132470B1 (en) Ultrasonic transducers in complementary metal oxide semiconductor (cmos) wafers and related apparatus and methods
US7545075B2 (en) Capacitive micromachined ultrasonic transducer array with through-substrate electrical connection and method of fabricating same
US20180178251A1 (en) Piezoelectric micro-machined ultrasonic transducer (pmut) and method for manufacturing the pmut
US20060116585A1 (en) Electrostatic membranes for sensors, ultrasonic transducers incorporating such membranes, and manufacturing methods therefor
JP6440290B2 (ja) 亀裂抵抗性膜構造を有する微小電気機械システムデバイスおよびその作製方法
US20110062535A1 (en) Mems transducers
CN106744642A (zh) 收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头及制备方法
CN110798788A (zh) 一种mems结构及其形成方法
JP6016947B2 (ja) ユニモルフ型超音波探触子およびその製造方法
Helin et al. Poly-SiGe-based CMUT array with high acoustical pressure
US9530692B2 (en) Method of forming through wiring
WO2013089648A1 (en) Capacitive micromachined ultrasonic transducer arrangement and method of fabricating the same
CN113483926B (zh) 一种爆炸场mems压阻式压力传感器
US20210403321A1 (en) Formation of self-assembled monolayer for ultrasonic transducers
CN210609703U (zh) 一种mems结构
CN114335320A (zh) 压电微机械超声波换能器及其制作方法
TW202213824A (zh) 壓電微機械超聲波換能器及其製作方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal