KR20200141767A - 전자장치 - Google Patents

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KR20200141767A
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권주혁
변재환
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Abstract

본 발명의 실시예는 전자장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 발광영역 및 비 발광영역을 포함하는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역 외각에 배치된 넌 액티브 영역을 포함하는 기판, 기판 상에 배치된 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 유기층, 유기층 상에 배치된 제1 층 및 상제1 층 상에 배치된 제2 층을 포함하는 제2 전극 및 제2 전극 상에 배치된 봉지층을 포함하고, 액티브 영역에서, 제2 전극의 제1 층은 유기층의 상면의 일부를 노출하는 적어도 1 개의 제1 홀을 포함할 수 있다. 이를 통해, 시간이 경과하여도 이물에 의한 암점의 개수가 증가하지 않거나, 암점의 개수가 저감될 수 있는 전자장치를 제공할 수 있다.

Description

전자장치{ELECTRONIC DEVICE}
본 발명의 실시예들은 전자장치에 관한 것이다.
최근까지 영상을 표시하기 위한 장치로 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel), 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 다양한 디스플레이 장치가 개발되었고, 스마트폰, 노트북, TV, 태블릿 PC 등 다양한 제품을 만들기 위해서 이러한 디스플레이 장치가 사용되고 있다.
또한, 조명 장치로는 LED를 이용한 조명 장치, 유기발광소자를 이용한 조명 장치 등이 사용되고 있다.
이 중, 유기발광소자를 이용하는 전자장치의 경우, 제조 과정에서 이물이 유입되어, 유기발광소자의 불량이 유발될 수 있다.
일반적으로, 유기층은 증착 공정에 의해 애노드 상에 형성되는데, 유기층의 내부 또는 유기층의 상면에 이물이 존재하는 경우, 이물이 유기발광소자의 애노드와 캐소드의 쇼트(short)를 유발할 수 있고, 유기발광소자에 공급되는 전류는 애노드와 캐소드의 접촉부분을 통해 누설될 수 있다.
따라서, 전자장치의 일부 영역은 유기발광소자가 제대로 발광하지 못하고 암점화 될 수 있다. 암점화된 영역이 증가함에 따라 전자장치의 생산 수율 또한 낮아 질 수 있다.
본 발명의 실시예들의 목적은, 시간이 경과하여도 이물에 의한 암점의 개수가 증가하지 않거나, 암점의 개수가 저감될 수 있는 전자장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시예들의 다른 목적은, 수분이나 산소가 차폐되지 않은 공간에서도 에이징 공정을 수행하여, 암점 불량을 리페어 할 수 있는 전자장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 전자장치는, 발광영역 및 비 발광영역을 포함하는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역 외각에 배치된 넌 액티브 영역을 포함하는 기판, 기판 상에 배치된 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 유기층, 유기층 상에 배치된 제1 층 및 상제1 층 상에 배치된 제2 층을 포함하는 제2 전극 및 제2 전극 상에 배치된 봉지층을 포함하고, 액티브 영역에서, 제2 전극의 제1 층은 유기층의 상면의 일부를 노출하는 적어도 1 개의 제1 홀을 포함할 수 있다.
제1 전극은 투명도전물질을 포함하고, 제2 전극의 상기 제1 층 및 제2 층은 반사성 금속을 포함할 수 있다.
제2 층의 반사성 금속의 산화력은 제1 층의 반사성 금속의 산화력보다 클 수 있다.
제2 전극의 제2 층은 제1 홀과 중첩된 제2 홀을 포함하고, 제2 전극의 제2 층의 상면에는 제2 홀의 입구로부터 연장된 적어도 1개의 제1 돌출부가 구비될 수 있다.
제2 전극의 제2 층은, 제1 홀을 둘러싸는 제1 층의 표면 및 제1 홀에 의해 노출된 유기층의 표면에 미 배치될 수 있다.
봉지층은 제1 및 제2 홀 내에 미 배치될 수 있다.
봉지층은 제1 및 제2 홀 내의 일부 또는 전부에 배치될 수도 있다.
제2 전극의 제2 층의 제2 홀을 둘러싸는 제2 층의 표면은 금속 산화물을 포함할 수 있다.
제2 전극의 제1 층의 상면에는 제1 홀의 입구로부터 연장된 적어도 1개의 제2 돌출부가 구비될 수 있다.
제2 돌출부는 제2 전극의 제2 층에 구비된 적어도 1개의 제1 돌출부와 중첩될 수 있다.
제2 전극의 제2 층은, 제2 전극의 제1 및 제2 홀이 미 배치된 영역에 배치된 제1 층의 상면에 배치된 제1 부분, 제1 부분에서 연장되고 제1 홀을 둘러싸는 제1 층의 측면에 배치된 제2 부분 및 제2 부분에서 연장되고 유기층의 상면에 배치된 제3 부분을 포함할 수 있다.
제2 전극의 제2 층은 제1 홀의 일부를 채울 수 있다.
제2 전극의 제2 층 상에 배치된 제3 층을 더 포함하고, 제2 전극의 제3 층은 제1 층의 반사성 금속과 대응되는 반사성 금속을 포함할 수 있다.
제3 층의 두께는 제1 층의 두께보다 얇을 수 있다.
제2 전극의 제3 층은 제1 홀 및 제2 홀과 중첩된 제3 홀을 포함하고, 제2 전극의 제3 층의 상면에는 제3 홀의 입구로부터 연장된 적어도 1개의 제3 돌출부가 구비될 수 있다.
제3 층의 채우기 밀도(packing density)는 제1 층의 채우기 밀도보다 낮을 수 있다.
제2 전극의 제1 층과 제2 층 사이에 제1 계면층이 배치되고, 제2 전극의 제2 층과 제3 층 사이에 제2 계면층이 배치되며, 제1 계면의 두께는 제2 계면의 두께보다 얇을 수 있다.
제1 계면층은 제1 층의 반사성 금속과 제2 층의 반사성 금속의 합금을 포함하고, 제2 계면층은 제2 층의 반사성 금속과 제3 층의 반사성 금속의 합금을 포함할 수 있다.
제1 전극 하부에 배치된 다수의 보조 전극 및 제1 전극과 유기층 사이에 배치되되, 제1 전극의 일부 및 보조 전극과 중첩된 절연막을 포함하고, 제1 전극은 보조 전극과 미 중첩된 영역에서 적어도 하나의 오픈 영역을 포함하고, 절연막은 상기 오픈 영역을 덮도록 배치될 수 있다.
제1 전극 하부에 배치된 오버코트층, 오버코트층 상에 배치되되, 제1 전극의 상면의 일부와 중첩된 뱅크 및 오버코트층 하부에 배치된 박막 트랜지스터를 포함하고, 제1 전극은 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 시간이 경과하여도 이물에 의한 암점의 개수가 증가하지 않거나, 암점의 개수가 저감될 수 있는 전자장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 수분이나 산소가 차폐되지 않은 공간에서도 에이징 공정을 수행하여, 암점 불량을 리페어 할 수 있는 전자장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자장치의 개략적인 구조를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 제2 전극의 제2 층에 구비된 제1 돌출부의 형상을 도시한 도면이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자 및 봉지층의 배치관계를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자장치의 개략적인 구조를 도시한 도면이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자장치의 개략적인 구조를 도시한 도면이다.
도 7은 도 1의 전자장치에서 진행되는 P-aging 공정을 도시한 도면이다.
도 8은 도 4의 전자장치에서 진행되는 P-aging 공정을 도시한 도면이다.
도 9는 도 5의 전자장치에서 진행되는 P-aging 공정을 도시한 도면이다.
도 10은 도 1의 구조가 적용된 조명장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 11은 도 1의 구조가 적용된 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 12는 유기발광소자의 제2 전극이 단일층으로 이루어지고, 제2 전극이 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자의 제2 전극의 제1 층의 반사성 금속과 대응되는 반사성 금속을 포함하는 구조일 때, 경과시간에 따른 암점의 크기를 나타낸 그래프이다.
도 13은 전자장치의 구조가 본 발명의 도 1의 구조를 포함할 때, 경과시간에 따른 암점의 크기를 나타낸 그래프이다.
도 14는 전자장치의 구조가 본 발명의 도 5의 구조를 포함할 때, 경과시간에 따른 암점의 크기를 나타낸 그래프이다.
도 15는 도 12 및 도 13에서 측정된 암점의 크기를 이미지로 나타낸 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
또한, 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에서의 구성 요소들을 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에서의 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것일 뿐이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성 요소일 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에서의 특징들(구성들)이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 또는 분리 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예는 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.
이하에서는, 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자장치의 개략적인 구조를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)는 기판(110), 유기발광소자(OLED) 및 봉지층(150)을 포함할 수 있다. 유기발광소자(OLED)는 제1 전극(120), 유기층(130) 및 제2 전극(140)을 포함할 수 있다.
도 1에는 도시하지 않았으나, 기판(110)은 발광영역(EA) 및 비 발광영역을 포함하는 액티브 영역(AA)과 액티브 영역 외각에 배치된 넌 액티브 영역을 포함할 수 있다. 넌 액티브 영역에는 다수의 패드 전극이 배치될 수 있다.
예를 들면, 액티브 영역(AA) 내에 배치된 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(120) 또는 제2 전극(140)과 동일층에 위치하고 동일물질로 이루어진 패드 전극이 넌 액티브 영역에 배치될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
액티브 영역(AA)에서, 기판(110) 상에는 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(120)이 배치될 수 있다. 도 1에서는 제1 전극(120)이 단일층인 구성을 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다중층으로 이루어질 수도 있다.
제1 전극(120) 상에는 유기발광소자(OLED)의 유기층(130)이 배치될 수 있다. 유기층(130)은 발광층을 포함할 수 있다. 도 1에서는 유기층(130)이 단일층인 구성을 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다중층으로 이루어질 수 있다. 또한, 유기층(130)은 두 층 이상의 발광층을 포함할 수도 있다.
유기층(130) 상에는 제2 전극(140)이 배치될 수 있다.
제1 전극(120)은 유기발광소자(OLED)의 애노드 전극이고, 제2 전극(140)은 유기발광소자(OLED)의 캐소드 전극일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(140)은 유기층(130) 상에 배치된 제1 층(141) 및 제1 층(141) 상에 배치된 제2 층(142)을 포함할 수 있다.
유기발광소자(OLED)의 제1 전극(120)은 투명도전물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(120)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 등과 같은 물질을 포함할 수 있다.
제2 전극(140)은 반사성 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 철(Fe), 칼슘(Ca), 나트륨(Na), 칼륨(K), 타이타늄(Ti), 인듐(In), 이트륨(Y), 리튬(Li), 가돌리늄(Gd), 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 구리(Gu), 주석(Sn) 및 납(Pb) 중에서 적어도 1종의 반사성 금속이 선택될 수 있다.
제2 전극(140)의 제2 층(142)에 포함된 반사성 금속의 산화력은 제1 층(141)에 포함된 반사성 금속의 산화력보다 클 수 있다. 다시 말해, 제2 전극(140)의 제2 층(142)에 포함된 반사성 금속의 전자친화력은 제1 층(141)에 포함된 반사성 금속의 전자친화력보다 우수할 수 있다.
제2 전극(140)의 제2 층(142)에 포함된 반사성 금속의 반사율은 제1 층(141)에 포함된 반사성 금속의 반사율보다 클 수 있다.
제2 전극(140)의 제2 층(142)에 포함된 반사성 금속의 열팽창계수는 제1 층(141)에 포함된 반사성 금속의 열팽창 계수와 같거나 클 수 있다.
제2 전극(140)의 제2 층(142)에 포함된 반사성 금속은 제1 층(141)에 포함된 반사성 금속과 접착력이 우수한 반사성 금속일 수 있다.
예를 들면, 제2 전극(140)의 제2 층(142)은 알루미늄(Al)을 포함하고, 제2 전극(140)의 제1 층(141)은 은(Ag)쿠을 포함할 수 있다.
이로써, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치는 하부발광 방식의 전자장치를 구현할 수 있다.
한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 기판(110)의 배면에는 광추출층이 더 배치될 수 있다. 광추출층은 유기발광소자(OLED)로부터 발광된 광이 기판(100) 외부로 추출되는 양을 증가시킬 수 있는 역할을 할 수 있다.
한편, 발광영역(EA)에서 제2 전극(140)은 유기발광소자(OLED)의 유기층(130)의 상면의 일부를 노출하는 홀을 구비할 수 있다.
구체적으로, 제2 전극(140)의 제1 층(141)은, 제1 층(141)의 하면과 접하는 유기층(130)의 상면의 일부를 노출하는 제1 홀(H1)을 구비할 수 있다.
예를 들어, 유기층(130)이 다중층으로 이루어지고, 다중층의 유기층(130)에서 최상층에 위치한 구성이 전자주입층이라고 가정할 때, 제1 층(141)의 제1 홀(H1)은 전자주입층의 상면의 일부를 노출할 수 있다. 여기서, 최상층은 기판(110)으로부터 가장 멀리 위치된 다중층의 유기층(130) 중 하나의 층을 의미할 수 있다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 전극(140)의 제2 층(142)의 상면에는 제2 홀(H1)의 입구로부터 연장된 제1 돌출부(160)가 구비될 수 있다.
제2 층(141)의 제1 돌출부(160)는 도 2에 구체적으로 도시되어 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 제2 전극의 제2 층에 구비된 제1 돌출부의 형상을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 제2 전극(140)의 제2 층(142)은 적어도 하나의 제2 홀(H2)을 구비할 수 있다. 그리고, 제2 홀(H2)의 입구로부터 연장된 적어도 1 개의 제1 돌출부(160)가 구비될 수 있다. 제1 돌출부(160)는 제2 전극(140)의 제2 층(142)과 동일물질로 이루어질 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제1 돌출부(160)는 기판(110)으로부터 멀어지는 방향으로 돌출될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1 돌출부(160)는 기판(110)과 가까워지는 방향으로 돌출될 수도 있다.
한편, 제2 홀(H2)은 도 2에 도시된 바와 같이 유기층(130)의 상면의 일부를 노출할 수 있다.
제2 전극(140)의 제2 홀(H2)은 유기발광소자(OLED)의 불량을 방지하기 위해 수행하는 펄스 에이징(Pulse aging; 이하, P-aging이라 함)을 통해 구비될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에서는 제2 전극(140)의 제1 층(141)이 은(Ag)을 포함할 수 있다. 은(Ag)을 포함하는 제1 층(141)은 유기층(130)으로부터 발생된 광을 기판(110) 방향으로 반사시키는 역할을 할 수 있으며, 이러한 제2 전극(140)의 제1 층(141)은 반사 효율이 매우 높을 수 있다.
유기발광소자(OLED)를 제조하는 공정에서는 이물이 유입될 수 있고, 이러한 이물은 유기발광소자(OLED)의 불량을 야기할 수 있다. 예를 들어, 유기층(130) 상에 이물이 존재하는 경우, 이물이 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(120)과 제2 전극(140)을 전기적으로 연결하는 통로 역할을 하여 제1 전극(120)과 제2 전극(140)의 쇼트(short)가 발생하고, 유기발광소자(OLED)에 공급되는 전류는 쇼트가 발생된 부분에서 누설될 수 있다. 이에, 발광영역 전체에 암점(dark spot)이 발생하여 전자장치의 수율이 낮아질 수 있다.
이러한 경우, 이물이 위한 영역에서 제2 전극(140)을 국부적으로 산화시켜 소자를 리페어할 수 있으나, 은(Ag)을 포함하는 캐소드 전극을 사용할 때, 은(Ag)의 낮은 산화력 특성으로 인해 국부적으로 산화를 시키는 것이 어렵다.
이에, 본 발명에 따른 실시예에서는, 제2 전극(140)이 은(Ag)을 포함하는 제1 층(141) 상에 산화력이 높은 금속을 포함하는 제2 층(142)을 배치함으로써, 이물이 위치하는 영역에서만 제2 전극(140)의 국부적인 산화를 가능하게 할 수 있다.
상술한 P-aging은 유기발광소자(OLED)의 전극에 고집속 전류에 의한 국부적인 stress(에이징 전압 또는 펄스 전압)를 인가하여, 쇼트(short) 위험성이 높은 영역을 미리 폭발 및 제거하는 과정 의미한다.
예를 들면, 도 1의 유기층(130)과 제2 전극(140) 사이에 이물이 존재할 경우, 제2 전극(140)과 제1 전극(120)에 가해진 에이징 전압 또는 펄스 전압에 의해서 이물이 존재하는 영역에 열이 발생하여 제2 전극(140)의 국부적 폭발이 일어나 제2 전극(140)의 일부가 제거될 수 있다.
P-aging 공정이 적용된 영역에서는, 제2 전극(140) 일부의 폭발 또는 제거로 인해, 제2 전극(140)의 제1 층(141)의 제1 홀(H1)과 제2 층(142)의 제2 홀(H2)이 존재할 수 있다.
제2 전극(140)의 제1 층(141)의 제1 홀(H1)과 제2 층(142)의 제2 홀(H2)은 이물과 중첩된 영역에 구비될 수 있다. 그리고, 제2 전극(140)의 제1 및 제2 홀(H1, H2)의 직경은 이물의 직경과 대응되거나 이물의 직경보다 클 수 있다.
제2 전극(140)의 제1 층(141)의 제1 홀(H1)과 제2 층(142)의 제2 홀(H1)은 액티브 영역(AA) 내에서 적어도 1개 존재할 수 있다.
한편, 도1 에서는 제1 홀(H1)과 제2 홀(H2)의 직경이 대응되는 구성이 도시되었으나, 제1 홀(H1)과 제2 홀(H2)의 직경은 상이할 수도 있다. 본 발명의 실시예에서는 제1 홀(H1)의 일부 또는 전부가 제2 홀(H2)의 일부 또는 전부와 중첩되는 구성이면 충분하다.
본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)에서, 제2 전극(140)의 제2 층(142)에 포함된 반사성 금속은 제1 층(141)에 포함된 반사성 금속과 접착력이 우수한 반사성 금속이고, 제1 층(141)에 포함된 반사성 금속과 열팽창 계수가 같거나 큰 반사성 금속이므로, P-aging 공정을 진행하여도, 제2 전극(140)의 제2 층(142)이 제1 층(141)으로부터 분리되지 않을 수 있다.
P-aging 공정은 이물이 존재하는 영역에서 제2 전극(140)의 일부를 폭발 또는 제거하는 동시에 제2 전극(140)의 일부를 산화시킬 수 있다.
이물이 존재하는 영역에 에이징 전압 또는 펄스 전압을 인가할 때, 산화력이 큰 반사성 금속을 포함하는 제2 전극(140)의 제2 층(142)은 이물이 존재하는 영역과 대응되는 영역에서 산화될 수 있다.
예를 들면, 제2 전극(140)의 제2 층(142)의 제2 홀(H2)을 둘러싸는 제2 전극(140)의 측면에 금속 산화물이 구비될 수 있다. 경우에 따라서는, 제2 층(142)과 일체로 구비된 제1 돌출부(160) 표면에도 금속 산화물이 구비될 수 있다.
제2 전극(140)의 제2 층(142)에 포함된 반사성 금속은 제1 층(141)에 포함된 반사성 금속보다 산화력이 크므로, 제2 전극(140)에서 제2 층(142)의 산화가 용이하게 일어날 수 있다.
이와 같이, 제2 전극(140)의 제2 층(142)에서 금속 산화물이 구비된 영역은 전류가 흐르지 못하는 상태가 될 수 있다. 이로써, 이물에 의한 제1 및 제2 전극(120, 140)의 쇼트(short)를 방지할 수 있다.
특히, 제1 돌출부(160)가 기판(110)과 가까워지는 방향, 즉, 유기층(130)과 가까워지는 방향으로 돌출될 경우, 제1 돌출부(160) 표면에 구비된 금속 산화물은 제1 돌출부(160)와 유기층(130) 상에 배치된 이물이 접촉하여 쇼트가 일어나는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 유기발광소자(OLED) 내에 이물이 존재하더라도, 유기발광소자(OLED)가 정상적으로 작동하게 되므로, 이물에 의해 암점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
즉, 유기층(130) 상에 이물이 존재하더라도, 이물이 배치된 영역과 대응되는 영역에서 제1 전극(120)과 제2 전극(140)이 전기적으로 분리되므로, 유기발광소자(0LED)가 정상 작동하게 된다.
다른 측면으로, 액티브 영역(AA) 내에서 유기발광소자(OLED) 내에 이물이 존재하는 영역도 발광영역(EA)에 포함될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)는 산화력이 큰 제2 전극(140)의 제2 층(142)을 제1 층(141) 상에 배치함으로써, P-aging 공정을 통해, 제2 전극(140)의 일부 영역만을 산화시킬 수 있다.
예를 들어, 산화력이 낮은 제2 전극(140)의 제1 층(141)만 유기층(130) 상에 배치될 경우, 이물이 배치된 영역만을 산화시키는 것이 어려울 수 있다. 또한, 제2 전극(140)의 제2 층(142)에 포함된 반사성 금속의 반사율은 제1 층(141)에 포함된 반사성 금속의 반사율보다 크므로, 제2 전극(140)의 제2 층(142)만 존재할 경우, 광의 반사율이 떨어질 수 있다.
한편, 도 1에는 도시하지 않았으나, 이물이 배치되지 않은 발광영역(EA)에서는 평탄한 유기층(130) 상에 평탄한 제2 전극(140)의 제1 층(141) 및 제2 층(142)이 배치될 수 있다. 이 경우, 발광영역(EA) 내에서는 제2 전극(140)의 제1 층(141)은 제1 홀(H1)을 구비하지 않고, 제2 층(142)은 제2 홀(H2)을 구비하지 않을 수 있다.
이러한 제2 전극(140) 상에는 봉지층(150)이 배치될 수 있다.
봉지층(150)은 유기발광소자(OLED)에 수분 또는 이물이 침투하는 것을 방지하는 봉지 수단으로서 역할 할 수 있다.
봉지층(150)은 제2 전극(140)의 제2 층(142) 상면에 배치되고, 제1 층(141)의 제1 홀(H1) 및 제2 층(142)의 제2 홀(H2) 내에 미 배치될 수 있다. 이 경우, 봉지층(150)은 제2 전극(140)의 제2 층(142)의 상면에 부착되는 필름 타입 또는 점착제 타입의 봉지층(150)일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 도 1에는 봉지층(150)이 단일층인 구성을 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다중층으로 이루어질 수도 있다.
본 발명의 실시예에 따른 봉지층의 구조를 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 검토하면 다음과 같다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자 및 봉지층의 배치관계를 도시한 도면이다.
후술하는 설명에서는 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 내용(구성, 효과 등)은 생략할 수 있다.
먼저, 도 3a를 참조하면, 봉지층(350)은 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(140) 외곽에 배치될 수 있다. 이 때, 봉지층(350)은 제2 전극(140)의 제1 층(141)의 제1 홀(H1)과 제2 층(142)의 제2 홀(H2) 내부에 미 배치될 수 있다.
또한, 봉지층(350)은 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(120) 및 유기층(130)의 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이러한 봉지층(350)은 액티브 영역(AA)뿐만 아니라 넌 액티브 영역(NA)까지 배치될 수 있다.
이러한 봉지층(350)은 필름 타입 또는 점착제 타입일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
봉지층(350) 상에는 흡습제 등이 포함된 봉지 부재(360)가 배치될 수 있다.
또한, 봉지 부재(360) 상에는 접착층(361) 및 금속 필름(362)이 배치될 수 있다.
봉지 부재(360), 접착층(361) 및 금속 필름(362)은 유기발광소자(OLED)에 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
다만, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)에서, 수분 및 이물의 침투를 막기 위한 구성들의 적층 구조 및 종류가 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 실시예에 따른 전자장치(100)에서 봉지층(350), 봉지 부재(360), 접착층(361) 및 금속 필름(362)을 거쳐 제2 전극(140)에 도달하더라도, 제2 전극(140)의 제2 층(142)에 포함된 반사성 금속의 산화력이 제1 층(141)의 산화력보다 높고 전자친화력이 우수하므로, 수분 및 이물이 침투하지 못하고 제2 전극(140)의 제2 층(142)에 흡착되어 유기층(130)에 도달하지 못하게 된다.
예를 들면, 수분 및 이물이 제2 전극(140)에 구비된 제1 및 제2 홀(H1, H2)에 도달할 경우, 수분 및 이물은 제2 전극(140)의 제2 층(142)의 제2 홀(H2)의 입구 또는 제2 홀(H2)을 둘러싸는 제2 층(142)의 측면에 흡착되어 유기층(130)에 도달하지 못할 수 있다.
제2 전극(140)의 제2 층(142)의 두께(T2)는 제1 층(141)의 두께(T1)보다 얇을 수 있다. 예를 들면, 제1 층(141)의 두께(T1)에 대한 제2 층(142)의 두께(T2)(제2 층의 두께: 제1 층의 두께)는 1:5 내지 1:20일 수 있다.
제2 전극(140)의 제1 층(141)의 두께(T1)가 제2 층(142)의 두께(T2)의 5배 미만일 경우, 제2 전극(140)의 반사율이 낮아질 수 있다. 또한, 제2 전극(140)의 제1 층(141)의 두께(T1)가 제2 층(142)의 두께(T2)의 20배를 초과할 경우, 제2 층(141)의 수분 흡착도가 떨어져 유기발광소자(OLED)에 수분이 침투할 수 있는 가능성이 커질 수 있다.
한편, 도 3b에 도시된 바와 같이, 유기물 또는 무기물로 이루어진 봉지층(351)은 제2 전극(140)의 제1 및 제2 홀(H1, H2)을 채우도록 배치될 수도 있다.
봉지층(351)은 제2 전극(140)을 보호하는 역할을 하는 캐핑층으로 명명될 수도 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이 경우, 제2 전극(140)의 제1 및 제2 홀(H1, H2)을 통해 수분 및 이물이 침투될 확률을 낮출 수 있다.
봉지층(351)은 증착 방식 또는 코팅 방식 등으로 형성될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도 3c에 도시된 바와 같이, 유기물 또는 무기물로 이루어진 제1 봉지층(352)은 제2 전극(140)의 제1 및 제2 홀(H1, H2)의 일부를 채우도록 배치될 수 있다.
예를 들면, 제1 봉지층(352)은 제1 홀(H1)을 둘러싸는 제1 층(141)의 측면 및 제1 및 제2 홀(H1, H2)에 의해 노출된 유기층(130)의 상면에 배치되고, 제2 홀(H1)을 둘러싸는 제2 층(142)의 측면에 배치되며, 제2 전극(140)의 제2 층(142)의 상면 및 외곽을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
이러한 제1 봉지층(352)은 증착 방식 또는 코팅 방식 등으로 형성될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 봉지층(352) 상에는 제2 봉지층(354)이 배치될 수 있다.
제2 봉지층(354)은 제2 전극(140)의 제1 및 제2 홀(H1, H2)의 나머지 일부를 채우지 않도록 배치될 수 있다.
이 경우, 제2 봉지층(354)은 필름 타입 또는 점착제 타입일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 도 3d에 도시된 바와 같이, 도 3c의 구조에서, 제2 봉지층(353)이 은 제2 전극(140)의 제1 및 제2 홀(H1, H2)의 나머지 일부를 채우도록 배치될 수 있다.
즉, 제2 전극(140)의 제1 및 제2 홀(H1, H2) 내에는 제1 봉지층(352) 및 제2 봉지층(353)이 배치될 수 있다. 제2 전극(140)의 제1 및 제2 홀(H1, H2) 내부에서는 제1 봉지층(352)이 제2 봉지층(353)의 외곽을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
이와 같이, 다수의 구성들이 유기발광소자(OLED) 상에 배치됨으로써, 수분 및 이물이 유기발광소자(OLED)에 침투하는 것을 방지할 수 있다. 특히, 도 3d에서와 같이, 제2 전극(140)의 제1 및 제2 홀(H1, H2) 내에 제1 및 제2 봉지층(354)이 배치됨으로써, 제2 전극(140)의 제1 및 제2 홀(H1, H2)을 통해 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 도 3d에서, 제1 봉지층(352)은 무기막이고, 제2 봉지층(353)은 유기막이며, 제2 봉지층(353)과 접착 부재인 봉지 부재(360) 사이에 적어도 한 층의 봉지층을 더 포함할 수도 있다. 여기서, 제2 봉지층(353)과 봉지 부재(360) 사이에 배치된 봉지층은 무기막일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 봉지층(도 3c 및 도 3d의 제1 및 제2 봉지층 포함), 봉지 부재, 접착층 및 금속 필름 등은 제2 전극(140)의 제1 및 제2 홀(H1, H2)과 다양한 배치관계를 가질 수 있으며, 도 3a 내지 도 3d에 도시된 구조는 본 발명의 실시예들에 각각 적용될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치의 구조는 도 1에 한정되지 않는다.
도 4를 참조하여, 다른 실시예에 따른 전자장치의 구조를 검토하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자장치의 개략적인 구조를 도시한 도면이다.
후술하는 설명에서는 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 내용(구성, 효과 등)은 생략할 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자장치(100)는 기판(110), 버퍼층(470), 유기발광소자(OLED) 및 봉지층(150)을 포함할 수 있다.
유기발광소자(OLED)는 제1 전극(120), 유기층(130) 및 제2 전극(440)을 포함할 수 있다. 제2 전극(440)은 유기층(130) 상에 배치된 제1 층(441) 및 제1 층(441) 상에 배치된 제2 층(442)을 포함할 수 있다.
제2 전극(440)의 제1 층(441)은 발광영역(EA)에 배치된 유기층(130)의 상면의 일부를 노출하는 홀을 구비할 수 있다.
구체적으로, 제2 전극(440)의 제1 층(441)은 발광영역(EA)에서 유기층(130)의 상면의 일부를 노출하는 제1 홀(H1)을 포함할 수 있다.
유기층(130)은 발광영역(EA)에서 제2 전극(440)의 제1 층(441)의 제1 홀(H1)에 의해 상면의 일부가 노출되는 구조를 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 제2 전극(440)의 제1 층(441)의 상면에는 제1 홀(H1)의 입구로부터 연장된 적어도 1개의 제2 돌출부(460)가 구비될 수 있다.
제2 전극(440)의 제2 층(442)은, 제2 층(442) 하부에 배치된 구성들의 모폴로지(morphology)를 따르는 형태로 구비될 수 있다.
이에, 제2 전극(440)의 제2 층(442)은 제1 층(441)의 제1 홀(H1) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.
구체적으로, 제2 층(442)은 제1 및 제2 홀(H1, H2)이 미 배치된 영역에 존재하는 제1 층(441)의 상면에 배치된 제1 부분(442a), 제1 부분(442a)에서 연장되고 제1 홀(H1)을 둘러싸는 제1 층(441)의 측면에 배치된 제2 부분(442b) 및 제2 부분(442b)에서 연장되고 유기층(130)의 상면에 배치된 제3 부분(442c)을 포함할 수 있다.
그리고, 제2 층(442)의 제1 부분(442a)은 제1 층(441)의 제2 돌출부(460)와 중첩된 제1 돌출부(160)를 포함할 수 있다.
한편, 도 4에서는 제1 돌출부(160) 및 제2 돌출부(460)가 기판(110)과 멀어지는 방향으로 돌출된 형상이 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 돌출부(160) 및 제2 돌출부(260)는 기판(110)과 가까워지는 방향으로 돌출될 수도 있다.
제2 전극(240)의 제2 층(442)의 제3 부분(442c)은 제1 및 제2 홀(H1, H2)에 의해 노출된 유기층(130)의 상면을 막는 역할을 할 수 있다. 이에, 유기층(130)에 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
제2 전극(440)의 제2 층(442) 상에는 봉지층(150)이 배치될 수 있다.
도 4에서는 봉지층(150)이 제1 및 제2 홀(H1, H2) 내부에 미 배치되는 구성이 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 3a 내지 도 3d에 도시된 봉지층(도 3c 및 도 3d의 제1 및 제2 봉지층 포함), 봉지 부재, 접착층 및 금속 필름의 구성이 도 4의 제2 전극(440)의 제2 층(442) 상에도 적용될 수 있다.
이어서, 도 5 및 도 6을 참조하여 또 다른 실시예에 따른 전자장치의 구조를 검토하면 다음과 같다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자장치의 개략적인 구조를 도시한 도면이다.
후술하는 설명에서는 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 내용(구성, 효과 등)은 생략할 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자장치(100)의 유기발광소자(OLED)는 제1 전극(120), 유기층(130) 및 제2 전극(540)을 포함할 수 있다.
제2 전극(540)은 유기층(130) 상에 배치된 제1 층(541), 제1 층(541) 상에 배치된 제2 층(542) 및 제2 층(542) 상에 배치된 제3 층(543)을 포함할 수 있다.
제2 전극(540)의 제3 층(543)은 제2 전극(540)의 제1 층(541)과 대응되는 반사성 금속을 포함하고, 제2 전극(540)의 제2 층(542)과는 상이한 반사성 금속을 포함할 수 있다.
예를 들면, 제2 전극(540)의 제2 층(542)은 알루미늄(Al)을 포함하고, 제2 전극(540)의 제1 층(541) 및 제3 층(543)은 은(Ag)쿠을 포함할 수 있다.
제2 전극(540)의 제1 층(541), 제2 층(542) 및 제3 층(543) 각각은 발광영역(EA)에 배치된 유기층(130)의 상면의 일부를 노출하는 홀을 구비할 수 있다.
구체적으로, 제2 전극(540)의 제1 층(541)은 발광영역(EA)에서 유기층(130)의 상면의 일부를 노출하는 제1 홀(H1)을 포함하고, 제2 전극(540)의 제2 층(542)은 제1 홀(H1)의 일부 또는 전부와 중첩되는 제2 홀(H2)을 포함하며, 제2 전극(540)의 제3 층(543)은 제1 및 제2 홀(H1, H2)의 일부 또는 전부와 중첩되는 제3 홀(H3)을 포함할 수 있다.
유기층(130)은 발광영역(EA)에서 제2 전극(540)의 제1 층(541)의 제1 홀(H1), 제2 층(542)의 제2 홀(H2) 및 제3 층(543)의 제3 홀(H3)이 중첩된 영역에서 제2 전극(540)에 구비된 제1 내지 제3 홀(H1, H2, H3)에 의해 상면의 일부가 노출될 수 있다.
한편, 제2 전극(540)의 제2 층(542)의 제2 홀(H2)을 둘러싸는 제2 전극(540)의 측면에는 P-aging 공정에 의해 구비된 금속 산화물이 존재할 수 있다.
그리고, 제2 전극(540)의 제3 층(543)의 두께(T3)는 제2 전극(540)의 제1 층(541)의 두께(T1)보다 얇을 수 있다. 또한, 제2 전극(540)의 제3 층(543)의 두께(T3)는 제2 전극(540)의 제2 층(542)의 두께(T2)와 대응되거나 얇을 수 있다.
이와 같이, 제2 전극(540)의 제3 층(543)의 두께(T3)가 제2 전극(540)의 제1 층(541)의 두께(T1)보다 얇고, 제2 층(542)의 두께(T2)와 대응되거나 얇게 구비됨으로써, 제3 홀(H3)을 통해 유입되는 수분 및 이물이 제2 전극(540)의 제2 층(542)에 용이하게 흡착될 수 있다.
제2 전극(540)의 제2 층(542)에 포함된 반사성 금속의 산화력이 제3 층(543)의 산화력보다 높고 전자친화력이 우수하므로, 제3 홀(H3)을 통해 침투된 수분 및 이물은 제2 전극(540)의 제2 층(542)에 흡착되어 유기층(130)에 도달하지 못하게 된다.
본 실시예에 따른 제2 전극(540)의 제3 층(543)의 상면에는 제3 홀(H3)의 입구로부터 연장된 적어도 1개의 제3 돌출부(560)가 구비될 수 있다.
제3 돌출부(560)는 P-aging 공정에 의해 형성될 수 있으며, 제3 돌출부(560)는 전자친화력이 낮은 제3 층(543)의 반사성 금속과 대응되는 반사성 금속을 포함하므로, 제3 돌출부(560)에는 금속 산화물이 구비되지 않을 수 있다
도 5에서는 제3 돌출부(560) 가 기판(110)과 멀어지는 방향으로 돌출된 형상이 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제3 돌출부(560) 는 기판(110)과 가까워지는 방향으로 돌출될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(640)의 제1 층(541)과 제2 층(542) 사이에 제1 계면층(641)이 배치되고, 제2 전극(640)의 제2 층(542)과 제3 층(543) 사이에 제2 계면층(642)이 배치될 수 있다.
유기발광소자(OLED)를 포함하는 전자장치(100)를 장시간 사용할 경우, 제2 전극(540)의 제2 층(542)의 반사성 금속이 제1 층(541)으로 확산될 수 있다. 이에, 제2 전극(540)의 제1 층(541)과 제2 층(542) 사이에 제1 층(541)의 반사성 금속과 제2 층(542)의 반사성 금속의 합금이 포함된 제1 계면층(641)이 구비될 수 있다.
제1 계면층(641)은 제1 층(541)에 포함된 반사성 금속에 비해 반사율이 낮은 제2 층(542)의 반사성 물질이 포함되므로, 제1 계면층(641)의 반사율은 제1 층(541)의 반사율에 비해 낮을 수 있다.
제2 전극(640)의 제1 층(541)에 비해 반사율이 낮은 제1 계면층(641)이 발광층을 포함하는 유기층(130)과 가깝게 배치될수록 제2 전극(640)이 발광층으로부터 발광된 광을 반사시키는 기능이 저하될 수 있다.
이를 방지하기 위해, 본 발명의 실시예에서는 제2 전극(540)의 제3 층(543)의 채우기 밀도(packing density)를 제2 전극(540)의 제1 층(541)의 채우기 밀도보다 낮을 수 있다.
제2 전극(640)의 제1 층(541)과 제3 층(543) 사이에 배치된 제2 층(542)의 반사성 금속은 제1 층(541) 및 제3 층(543)으로 확산될 수 있다. 그리고, 제2 전극(640)의 제1 층(541)과 제2 층(542) 사이에 제1 계면층(641)이 구비될 수 있고, 제2 전극(640)의 제2 층(542)과 제3 층(543) 사이에 제2 계면층(642)이 구비될 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 제2 전극(540)의 제3 층(543)의 채우기 밀도가 제1 층(541)의 채우기 밀도보다 낮으므로, 제3 층(543)으로 확산되는 제2 층(542)의 반사성 금속의 양이 제1 층(541)으로 확산되는 제2 층(542)의 반사성 금속의 양보다 많을 수 있다.
이에, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 계면층(641)의 두께(T4)는 제2 계면층(T5)의 두께보다 얇을 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예는 제2 전극(640)의 제2 층(542) 상에 제1 층(541)과 대응되는 물질을 포함하는 제3 층(543)을 배치함으로써, 제2 층(542)의 물질이 제1 층(541)으로 확산되는 속도를 현저히 늦출 수 있는 효과가 있다. 이에, 유기발광소자(OLED)를 포함하는 전자장치(100)를 장시간 이용하더라도, 제2 전극(640)의 높은 반사율이 유지되어 발광층으로부터 발광된 광이 기판(110) 외부로 추출되는 양의 줄어드는 현상을 방지할 수 있다.
이어도 도 7 내지 도 9를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치에서 진행되는 P-aging 공정을 구체적으로 검토하면 다음과 같다.
도 7은 도 1의 전자장치에서 진행되는 P-aging 공정을 도시한 도면이다. 도 8은 도 4의 전자장치에서 진행되는 P-aging 공정을 도시한 도면이다. 도 9는 도 5의 전자장치에서 진행되는 P-aging 공정을 도시한 도면이다.
후술하는 설명에서는 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 내용(구성, 효과 등)은 생략할 수 있다.
먼저, 도 7을 참조하면, 기판(110) 상에 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(120)이 배치되고, 제1 전극(120) 상에는 발광층을 포함하는 유기층(130)이 배치될 수 있다.
그러나, 이 과정에서 유기층(130) 상면 또는 유기층(130) 내부에 이물(700)이 침투할 수 있다.
유기발광소자(OLED) 내에 존재하는 이물(700)은 발광영역에서 소자가 제대로 발광하지 못하게 만들기 때문에, 본 발명의 실시예에서는 P-aging 공정을 통해 이물(700)이 존재하는 영역에서 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(140)을 폭발시켜 제거한다.
구체적으로, 유기층(130)의 상면 또는 유기층(130)의 내부에 이물(700)이 있는 상태에서 유기층(130) 상에는 제2 전극(140)의 제1 층 물질(141a)이 배치될 수 있다.
제2 전극(140)의 제1 층 물질(141a) 상에는 제2 전극의 제2 층 물질(142a)이 배치된 수 있다.
제1 전극(120), 유기층(130) 및 제2 전극(140)의 제1 층 물질(141a)과 제2 층 물질(142a)은 진공 상태에서 증착 공정으로 형성될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이 후, 제2 전극(140)과 제1 전극(120)에 에이징 전압 또는 펄스 전압을 가한다.
제2 전극(140)과 제1 전극(120)에 가해진 에이징 전압 또는 펄스 전압에 의해 이물(700)이 구비된 영역과 대응되는 영역에서 국부적인 열이 발생하여 제2 전극(140)의 폭발이 일어나 제2 전극(140)의 제1 층 물질(141a)과 제2 층 물질(142a)의 일부가 제거됨으로써, 제1 홀(H1)을 구비하는 제2 전극(140)의 제1 층(141) 및 제2 홀(H2)을 구비하는 제2 전극(140)의 제2 층(142)이 형성될 수 있다.
이러한 P-aging 공정은 상압, 상온에서 진행될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(140)의 일부가 제거된 영역은 이물(700)이 배치된 영역과 대응되는 영역일 수 있다.
이 때, 제2 전극(140)의 일부가 제거된 영역은 제2 전극(140)의 제1 층(141)의 제1 홀(H1) 및 제2 층(142)의 제2 홀(H2)과 대응될 수 있다.
제2 전극(140)의 제1 층(141)의 제1 홀(H1)과 제2 층(142)의 제2 홀(H2)은 이물과 중첩된 영역에 구비될 수 있다. 그리고, 제2 전극(140)의 제1 및 제2 홀(H1, H2)의 직경은 이물의 직경과 대응되거나 이물의 직경보다 클 수 있다.
제2 전극(140)의 제2 층(142)은 제2 홀(H2)의 입구로부터 연장된 적어도 1 개의 제1 돌출부(160)가 구비할 수 있다.
제1 돌출부(160)와 제2 층(142)의 제2 홀(H2)을 둘러싸는 제2 층(142)의 측면은 P-aging 공정에 의한 열이 집중되는 영역일 수 있다. 이러한 제1 돌출부(160)는 전자친화력이 높은 물질로 이루어진 제2 전극(140)의 제2 층(142)과 대응되는 물질로 이루어지므로, 열이 가해질 때, 제1 돌출부(160)와 제2 층(142)의 제2 홀(H2)이 산화될 수 있다.
이에, 제1 돌출부(160)와 제2 층(142)의 제2 홀(H2)을 둘러싸는 제2 층(142)의 측면에는 금속 산화물이 존재할 수 있다.
이러한 제2 전극(140) 상에는 상압, 상온에서 봉지층(150)이 배치될 수 있다.
도 8을 참조하면, 기판(110) 상에 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(120)이 배치되고, 제1 전극(120) 상에는 발광층을 포함하는 유기층(130)이 배치될 수 있다.
그러나, 이 과정에서 유기층(130) 상면 또는 유기층(130) 내부에 이물(700)이 침투할 수 있다.
유기층(130)의 상면 또는 유기층(130)의 내부에 이물(700)이 있는 상태에서, 유기층(130) 상에는 제2 전극(440)의 제1 층 물질(441a)이 배치된다.
제1 전극(120), 유기층(130) 및 제2 전극(440)의 제1 층 물질(441a)은 진공 상태에서 증착 공정으로 형성될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이후, 제2 전극(440)의 제1 층 물질(441a)과 제1 전극(120)에 에이징 전압 또는 펄스 전압을 가한다.
제2 전극(440)의 제1 층 물질(441a)과 제1 전극(120)에 가해진 에이징 전압 또는 펄스 전압에 의해 이물(700)이 구비된 영역과 대응되는 영역에서 국부적인 열이 발생하여 제2 전극(440)의 제1 층 물질(441a)의 폭발이 일어나 제2 전극(140)의 제1 층 물질(441a)의 일부가 제거될 수 있다.
이러한 P-aging 공정은 상압, 상온에서 진행될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이로 인해, 이물(700)이 구비된 영역과 대응되는 영역에 제1 홀(H1)을 갖는 제2 전극(440)의 제1 층(441)이 마련될 수 있다.
또한, P-aging 공정으로 인해, 제2 전극(440)의 제1 층(441)은 제1 홀(H1)의 입구로부터 연장된 적어도 1개의 제2 돌출부(460)를 구비할 수 있다.
한편, 제2 전극(440)의 제1 층 물질(441a)은 전자친화도가 낮은 물질이므로, P-aging에 의해 열이 가해지더라도 산화되지 않을 수 있다.
이러한, 제2 전극(440)의 제1 층(441) 상에는 제2 전극(440)의 제2 층(442)이 배치될 수 있다. 제2 전극(440)의 제2 층(442)은 진공 상태에서 증착 공정으로 형성될 수 있다.
제2 전극(440)의 제2 층(442)은, 제2 층(442) 하부에 배치된 구성들의 모폴로지(morphology)를 따르는 형태로 구비될 수 있다.
구체적으로, 제2 전극(440)의 제2 층(442)은, 제1 및 제2 홀(H1, H2)이 미 배치된 영역에 존재하는 제1 층(441)의 상면에 배치된 제1 부분(442a), 제1 부분(442a)에서 연장되고 제1 홀(H1)의 측면을 둘러싸도록 배치된 제2 부분(442b) 및 제2 부분(442b)에서 연장되고 유기층(130)의 상면에 배치된 제3 부분(442c)을 포함할 수 있다. 즉, 제2 전극(440)의 제2 층(442)은 제1 홀(H1)의 일부를 채우도록 배치될 수 있다.
그리고, 제2 층(442)의 제1 부분(442a)은 제1 층(441)의 제2 돌출부(460)와 중첩된 제1 돌출부(160)를 포함할 수 있다.
한편, 제2 층(442)은 전자친화도가 높은 물질을 포함하므로, 열이 가해지면 산화될 수 있다. 구체적으로, 제2 층(442)의 제1 돌출부(160)와 제2 층(142)의 제2 홀(H2)을 둘러싸는 제2 층(142)의 측면은 P-aging 공정 중 국부적으로 열이 발생하는 부분이므로 산화될 수 있다.
이러한 제2 전극(140) 상에는 상압, 상온에서 봉지층(150)이 배치될 수 있다.
도 9를 참조하면, 발광층을 포함하는 유기층(130)이 배치하는 과정에서 유기층(130) 상면 또는 유기층(130) 내부에 이물(700)이 침투할 수 있다.
유기층(130)의 상면 또는 유기층(130)의 내부에 이물(700)이 있는 상태에서, 유기층(130) 상에는 제2 전극(540)의 제1 층 물질(541a), 제2 층 물질(542a) 및 제3 층 물질(543a)이 배치된다.
제1 전극(120), 유기층(130), 제2 전극(540)의 제1 층 물질(541a), 제2 층 물질(542a) 및 제3 층 물질(543a)은 진공 상태에서 증착 공정으로 형성될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이 후, 상압, 상온 상태에서 P-aging 공정을 수행하면, 이물(700)이 구비된 영역과 대응되는 영역에서 국부적인 열이 발생하여 제2 전극(540)의 폭발이 일어나 제2 전극(540)의 제1 내지 제3 층 물질(541a, 542a, 543a) 의 일부가 제거됨으로써, 제1 홀(H1)을 구비하는 제2 전극(540)의 제1 층(541), 제2 홀(H2)을 구비하는 제2 전극(540)의 제2 층(542) 및 제3 홀(H3)을 구비하는 제2 전극(540)의 제3 층(543)이 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 제2 전극(540)의 제1 내지 제3 층 물질(541a, 542a, 543a) 증착 후 P-aging 공정이 적용되므로, 제2 전극(540)의 제3 층(543)에만 적어도 1개의 제3 돌출부(560)가 구비될 수 있다.
한편, 제2 전극(540)의 제2 층(542)은 전자친화도가 높은 물질을 포함하므로, 열이 가해지면 산화될 수 있다. 구체적으로, 제2 층(542)의 제2 홀(H2)을 둘러싸는 제2 층(142)의 측면은 P-aging 공정 중 국부적으로 열이 발생하는 부분이므로 산화될 수 있다.
또한, 제2 전극(540)의 제3 층 물질(543a)은 전자친화도가 낮은 물질이므로, P-aging에 의해 열이 가해지더라도 산화되지 않을 수 있다. 즉, 제3 층(543)의 제3 돌출부(560)는 P-aging 공정에 의한 산화가 일어나지 않을 수 있다.
이러한 제2 전극(140) 상에는 상압, 상온에서 봉지층(150)이 배치될 수 있다.
이러한 도 1 내지 도 6에 도시된 유기발광소자(OLED) 및 봉지층(도 3c 및 도 3d의 제1 및 제2 봉지층 포함), 봉지 부재, 접착층 및 금속 필름 등은 조명 장치 및 유기발광 표시장치 등에 적용될 수 있다.
도 10은 도 1의 구조가 적용된 조명장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 조명 장치(1000)의 기판(110) 상에는 버퍼층(470)이 배치될 수 있다.
버퍼층(470) 상에는 보조 전극(1025)이 배치될 수 있다. 도 10에서는 보조 전극(1100)이 단일층인 구성을 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다중층일 수도 있다. 이러한 보조 전극(1025)은 전도성이 높은 불투명한 금속을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
보조 전극(1025) 상에는 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(1020)이 배치될 수 있다.
제1 전극(1020)은 보조 전극(1025)과 컨택될 수 있다.
한편, 도 10에는 도시하지 않았으나, 액티브 영역(AA)의 외곽에 존재하는 넌 액티브 영역에는, 액티브 영역(AA)에 배치된 보조 전극(1025)과 연결된 전극이 더 배치될 수 있다.
넌 액티브 영역에 배치된 전극은 액티브 영역(AA)에 배치된 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(1020)과 전기적으로 연결되어, 넌 액티브 영역을 통해 액티브 영역(AA)에 전압이 인가될 수 있는 구조를 가질 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
액티브 영역(AA)에 배치된 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(1020)의 전기저항은 보조 전극(1025)의 전기저항보다 높을 수 있다. 여기서, 보조 전극(1025)은 보조 전극(1100)은 알루미늄(Al), 금(Au), 구리(Cu), 티타늄)(Ti), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 또는 이들의 합금 중 어느 하나이고, 제1 전극(1020)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 전극(1020)은 투명 도전 물질로 형성되어 발광되는 광을 투과한다는 장점을 가지지만, 불투명 금속에 비해 전기저항이 매우 높다는 단점이 있다.
따라서, 대면적의 조명 장치(1000)를 제작하는 경우, 투명 도전물질의 큰 저항으로 인해 넓은 조명영역으로 인가되는 전류의 분포가 고르지 않게 되며, 이러한 불균일한 전류분포는 대면적 조명 장치(1000)의 균일한 휘도의 발광을 불가능하게 한다.
본 발명에서는, 액티브 영역(AA) 전체에 걸쳐 보조 전극(1025)을 배치함으로써, 액티브 영역(AA)에 배치된 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(1020)에 균일한 전류가 인가되도록 하여 대면적의 조명 장치(1000)의 액티브 영역(AA)의 위치마다 휘도가 균일한 효과를 얻을 수 있다.
유기발광소자(OLED)의 제1 전극(1020) 상에는 보조 전극(1025)과 중첩되는 절연막(1026)이 배치될 수 있다.
제1 전극(1020)은 보조 전극(1025)과 미 중첩된 영역에서 오픈영역(OPN)을 구비할 수 있다. 그리고, 오픈영역(OPN)에 절연막(1026)이 배치될 수 있다.
절연막(1026)은 보조 전극(1025)을 둘러싸도록 형성되어 보조 전극(1025)에 의한 단차를 감소시킴으로써, 이후 형성되는 구성들이 단선되지 않고 안정적으로 형성되도록 할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 조명 장치(1000)는 액티브 영역(AA)은 발광영역(EA)과 비 발광영역(NEA)을 포함할 수 있다. 절연막(1026)과 중첩되는 영역은 비 발광영역(NEA)에 해당하고, 절연막(1026)과 미 중첩된 영역은 발광영역(EA)일 수 있다.
액티브 영역(AA)에서, 절연막(1026)이 배치된 기판(110) 상에는 유기층(1030)이 배치될 수 있다. 유기층(1030)은 절연막(1026)을 덮으면서 배치될 수 있다.
그리고, 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(1040)은 유기층(1030)을 덮으면서 배치될 수 있다.
제2 전극(1040)은 유기층(1030) 상에 배치된 제1 층(1041)과 제1 층(1041) 상에 배치된 제2 층(1042)을 포함할 수 있다.
제2 전극(1040)의 제1 및 제2 층(1041, 1042) 각각은 액티브 영역(AA) 내의 발광영역(EA)에서 유기층(1030)의 상면을 노출하는 제1 및 제2 홀(H1, H2)을 포함할 수 있다.
그리고, 제2 전극(1040)의 제2 층(1042)에는 제2 홀(H2)의 입구로부터 연장된 적어도 1 개의 제1 돌출부(1060)가 구비될 수 있다.
도 10에 도시된 제2 전극(1040)의 제1 층(1041)은 도 1에 도시된 제2 전극(140)의 제1 층(141)과 대응될 수 있다. 그리고, 도 10에 도시된 제2 전극(1040)의 제2 층(1041)은 도 1에 도시된 제2 전극(140)의 제2 층(142)과 대응될 수 있다.
이러한 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(1040) 상에는 봉지층(1050)이 배치될 수 있다.
한편, 도 10에는 도 1의 제2 전극(140)의 구조와 대응되는 구조가 도시되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 10의 조명 장치(1000)에 도 4, 도 5 및 도 6에 도시된 제2 전극(440, 540, 640)의 구조가 적용될 수도 있다.
또한, 도 10에는 도 1의 봉지층(150)의 구조와 대응되는 구조가 도시되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 3a 내지 도 3d에 도시된 봉지층(도 3c 및 도 3d의 제1 및 제2 봉지층 포함), 봉지 부재, 접착층 및 금속 필름 등이 적층된 구조가 적용될 수도 있다.
도 11은 도 1의 구조가 적용된 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치(1100)의 기판(110) 상에는 버퍼층(470)이 배치될 수 있다.
버퍼층(470) 상에는 박막 트랜지스터의 액티브층(1101)이 배치될 수 있다. 액티브층(1101)은 채널영역, 소스영역 및 드레인영역을 포함할 수 있다.
액티브층(1101) 상에는 게이트 절연막(1102)이 배치될 수 있다.
게이트 절연막(1102) 상에는 게이트 전극(1103)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(1103)은 액티브층(1101)의 채널영역과 중첩되도록 배치될 수 있다.
게이트 전극(1103) 상에는 층간절연막(1104)이 배치될 수 있다.
층간절연막(1104) 상에는 소스전극(1105) 및 드레인 전극(1106)이 배치될 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 도 11의 1105가 드레인 전극이고, 1106이 소스전극일 수도 있다. 소스전극(1105)과 드레인전극(1106) 각각은 층간절연막(1104)에 구비된 컨택홀을 통해 액티브층(1101)과 접촉될 수 있다.
소스전극(1105) 및 드레인전극(1106)이 배치된 기판(1101) 상에는 보호층(1107)이 배치될 수 있다.
보호층(1107) 상에는 오버코트층(1108)이 배치될 수 있다.
오버코트층(1108) 상에는 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(1120)이 배치될 수 있다.
그리고, 오버코트층(1108) 상에는 제1 전극(1120)의 상면의 일부를 노출하는 뱅크(1126)가 배치될 수 있다.
유기발광 표시장치(1100)는 액티브 영역(AA)과 액티브 영역(AA)의 외곽에 배치된 넌 액티브 영역을 포함할 수 있다.
액티브 영역(AA)은 발광영역(EA)과 비 발광영역(NEA)을 포함할 수 있으며, 뱅크(1126)가 배치된 영역은 유기발광 표시장치(1100)의 비 발광영역(NEA)일 수 있다. 그리고, 뱅크(1126)가 미 배치된 영역은 유기발광 표시장치(1100)의 발광영역(EA)일 수 있다.
뱅크(1126) 및 뱅크(1126)로 인해 노출된 제1 전극(1120)의 상면에는 유기발광소자(OLED)의 유기층(1130)이 배치될 수 있다.
도 11에서는 유기층(1130)이 뱅크(1126) 및 뱅크(1126)로 인해 노출된 제1 전극(1120)의 상면에 배치되는 구성을 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유기층(1130)은 뱅크(1126)로 인해 노출된 제1 전극(1120)의 상면에만 배치될 수도 있다.
유기층(1130) 상에는 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(1140)이 배치될 수 있다.
제2 전극(1140)은 유기층(1130) 상에 배치된 제1 층(1141)과 제1 층(1141) 상에 배치된 제2 층(1142)을 포함할 수 있다.
제2 전극(1140)의 제1 및 제2 층(1141, 1142) 각각은 액티브 영역(AA) 내의 발광영역(EA)에서 유기층(1130)의 상면을 노출하는 제1 및 제2 홀(H1, H2)을 포함할 수 있다.
그리고, 제2 전극(1140)의 제2 층(1142)에는 제2 홀(H2)의 입구로부터 연장된 적어도 1 개의 제1 돌출부(1160)가 구비될 수 있다.
도 11에 도시된 제2 전극(1140)의 제1 층(1141)은 도 1에 도시된 제2 전극(140)의 제1 층(141)과 대응될 수 있다. 그리고, 도 11에 도시된 제2 전극(1140)의 제2 층(1141)은 도 1에 도시된 제2 전극(140)의 제2 층(142)과 대응될 수 있다.
이러한 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(1140) 상에는 봉지층(1150)이 배치될 수 있다.
한편, 도 11에는 도 1의 제2 전극(140)의 구조와 대응되는 구조가 도시되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 10의 유기발광 표시장치(1100)에 도 4, 도 5 및 도 6에 도시된 제2 전극(440, 540, 640)의 구조가 적용될 수도 있다.
또한, 도 11에는 도 1의 봉지층(150)의 구조와 대응되는 구조가 도시되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 3a 내지 도 3d에 도시된 봉지층(도 3c 및 도 3d의 제1 및 제2 봉지층 포함), 봉지 부재, 접착층 및 금속 필름 등이 적층된 구조가 적용될 수도 있다.
이어서, 도 12 내지 도 15를 참조하여 비교예의 구조를 갖는 전자장치와 본 발명의 실시예에 따른 전자장치에서 경과시간에 따른 암점의 크기를 비교하면 다음과 같다.
도 12는 유기발광소자의 제2 전극이 단일층으로 이루어지고, 제2 전극이 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자의 제2 전극의 제1 층의 반사성 금속과 대응되는 반사성 금속을 포함하는 구조일 때, 경과시간에 따른 암점의 크기를 나타낸 그래프이다.
도 12의 비교예 1 내지 비교예 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자의 제2 전극의 제1 층의 반사성 금속과 대응되는 반사성 금속을 포함하는 단일층의 제2 전극을 포함하는 구조를 포함할 수 있다.
비교예 1 내지 비교예 3의 유기발광소자의 제1 전극 및 제2 전극에 에이징 전압 또는 펄스 전압을 가하여 이물이 있는 영역에서 제2 전극의 일부를 제거 시킨 후, 유기발광소자에 봉지층을 배치한 구조이다.
이때, P-aging 공정은 상압, 상온에서 이루어졌다.
도 12에 도시된 바와 같이, 비교예 1 내지 비교예 3은 시간이 지남에 따라 암점의 크기가 지속적으로 증가하는 것을 알 수 있다.
이는 도 15의 이미지를 통해서도 알 수 있다.
도 15는 도 12 및 도 13에서 측정된 암점의 크기를 이미지로 나타낸 도면이다.
도 15를 참조하면, 비교예 1에 따른 전자장치에서 P-aging 공정 후, 유기발광소자 상에 봉지층을 배치함에도 불구하고 시간이 경과할수록 암점의 크기가 커지는 것을 알 수 있다.
도 13은 전자장치의 구조가 본 발명의 도 1의 구조를 포함할 때, 경과시간에 따른 암점의 크기를 나타낸 그래프이다.
도 13의 실시예 1 내지 실시예 5는 도 1의 구조를 포함할 수 있다.
실시예 1 내지 실시예 5는 유기발광소자의 제1 전극 및 제2 전극에 에이징 전압 또는 펄스 전압을 가하여 이물이 있는 영역에서 제2 전극의 일부를 제거 시킨 후, 유기발광소자에 봉지층을 배치한 구조이다. 여기서 제2 전극은 2중층 구조이고, 유기층의 상면의 일부를 노출하는 제1 및 제2 홀을 구비하는 구조일 수 있다.
이때, P-aging 공정은 상압, 상온에서 이루어졌다.
도 13에 도시된 바와 같이, 실시예 1 내지 실시예 5는 시간이 지남에도 암점의 크기가 거의 커지지 않거나, 암점의 크기가 줄어드는 것을 알 수 있다.
또한, 도 15를 참조하면, 실시예 5에 따른 전자장치에서 P-aging 공정 후, 유기발광소자 상에 봉지층을 배치한 구조에에서 시간이 경과할수록 암점의 크기가 작아지는 것을 알 수 있다.
도 14는 전자장치의 구조가 본 발명의 도 5의 구조를 포함할 때, 경과시간에 따른 암점의 크기를 나타낸 그래프이다.
도 14의 실시예 6 내지 실시예 8은 도 5의 구조를 포함할 수 있다.
실시예 6 내지 실시예 8은 유기발광소자의 제1 전극 및 제2 전극에 에이징 전압 또는 펄스 전압을 가하여 이물이 있는 영역에서 제2 전극의 일부를 제거 시킨 후, 유기발광소자에 봉지층을 배치한 구조이다. 여기서 제2 전극은 3중층 구조이고, 유기층의 상면의 일부를 노출하는 제1 내지 제2 홀을 구비하는 구조일 수 있다.
이때, P-aging 공정은 상압, 상온에서 이루어졌다.
도 14에 도시된 바와 같이, 실시예 6 내지 실시예 8은 시간이 지남에도 암점의 크기가 거의 커지지 않는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전자장치는 유기발광소자(OLED)의 유기층 내부 또는 유기층 상면에 이물이 존재하더라도, 제2 전극이 제1 전극과 전기적으로 분리되어 암점화 불량이 발생되지 않을 수 있다.
이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 전자장치
110: 기판
120: 제1 전극
130: 유기층
140: 제2 전극
141: 제1 층
142: 제2 층
150: 봉지층
160: 제1 돌출부

Claims (21)

  1. 발광영역 및 비 발광영역을 포함하는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역 외각에 배치된 넌 액티브 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 유기층;
    상기 유기층 상에 배치된 제1 층 및 상기 제1 층 상에 배치된 제2 층을 포함하는 제2 전극; 및
    상기 제2 전극 상에 배치된 봉지층을 포함하고,
    상기 액티브 영역에서, 상기 제2 전극의 제1 층은 상기 유기층의 상면의 일부를 노출하는 적어도 1 개의 제1 홀을 포함하는 전자장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명도전물질을 포함하고,
    상기 제2 전극의 상기 제1 층 및 제2 층은 반사성 금속을 포함하는 전자장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 층의 반사성 금속의 산화력은 상기 제1 층의 반사성 금속의 산화력보다 큰 전자장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제2 전극의 제1 층은 은(Ag)을 포함하고,
    상기 제2 전극의 제2 층은 알루미늄(Al)을 포함하는 전자장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극의 상기 제2 층은 상기 제1 홀과 중첩된 제2 홀을 포함하고,
    상기 제2 전극의 상기 제2 층의 상면에는 상기 제2 홀의 입구로부터 연장된 적어도 1개의 제1 돌출부가 구비된 전자장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 전극의 상기 제2 층은,
    상기 제1 홀을 둘러싸는 제1 층의 표면 및 상기 제1 홀에 의해 노출된 유기층의 표면에 미 배치된 전자장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 봉지층은 상기 제1 및 제2 홀 내에 미 배치된 전자장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 봉지층은 제1 및 제2 홀 내의 일부 또는 전부에 배치된 전자장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제2 홀을 둘러싸는 제2 층의 표면은 금속 산화물을 포함하는 전자장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극의 상기 제1 층의 상면에는 상기 제1 홀의 입구로부터 연장된 적어도 1개의 제2 돌출부가 구비된 전자장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 돌출부는 상기 제2 전극의 상기 제2 층에 구비된 적어도 1개의 제1 돌출부와 중첩된 전자장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제2 전극의 상기 제2 층은,
    상기 제2 전극의 상기 제1 및 제2 홀이 미 배치된 영역에 배치된 제1 층의 상면에 배치된 제1 부분;
    상기 제1 부분에서 연장되고 상기 제1 홀을 둘러싸는 상기 제1 층의 측면에 배치된 제2 부분; 및
    상기 제2 부분에서 연장되고 유기층의 상면에 배치된 제3 부분을 포함하는 전자장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2 전극의 상기 제2 층은 상기 제1 홀의 일부를 채우는 전자장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극의 상기 제2 층 상에 배치된 제3 층을 더 포함하고,
    상기 제2 전극의 상기 제3 층은 상기 제1 층의 반사성 금속과 대응되는 반사성 금속을 포함하는 전자장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제3 층의 두께는 상기 제1 층의 두께보다 얇은 전자장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제2 전극의 상기 제3 층은 상기 제1 홀 및 제2 홀과 중첩된 제3 홀을 포함하고,
    상기 제2 전극의 상기 제3 층의 상면에는 상기 제3 홀의 입구로부터 연장된 적어도 1개의 제3 돌출부가 구비된 전자장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 제3 층의 채우기 밀도(packing density)는 상기 제1 층의 채우기 밀도보다 낮은 전자장치.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 제2 전극의 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 제1 계면층이 배치되고,
    상기 제2 전극의 상기 제2 층과 상기 제3 층 사이에 제2 계면층이 배치되며,
    상기 제1 계면의 두께는 상기 제2 계면의 두께보다 얇은 전자장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 계면층은 상기 제1 층의 반사성 금속과 상기 제2 층의 반사성 금속의 합금을 포함하고,
    상기 제2 계면층은 상기 제2 층의 반사성 금속과 상기 제3 층의 반사성 금속의 합금을 포함하는 전자장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극 하부에 배치된 다수의 보조 전극; 및
    상기 제1 전극과 상기 유기층 사이에 배치되되, 상기 제1 전극의 일부 및 상기 보조 전극과 중첩된 절연막을 포함하고,
    상기 제1 전극은 보조 전극과 미 중첩된 영역에서 적어도 하나의 오픈 영역을 포함하고,
    상기 절연막은 상기 오픈 영역을 덮도록 배치된 전자장치.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극 하부에 배치된 오버코트층;
    상기 오버코트층 상에 배치되되, 상기 제1 전극의 상면의 일부와 중첩된 뱅크; 및
    상기 오버코트층 하부에 배치된 박막 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 전극은 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 전자장치.
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