KR20200141063A - 방향족 아민에 의한 에폭시 수지의 경화를 위한 가속화제 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 (a) 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물; 및 (b) 삼불화붕소 아민 착물 또는 삼불화붕소 페놀 착물을 포함하는, 방향족 아민에 의한 에폭시 수지의 경화를 위한 가속화제 조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명은 (i) 경화제로서의 방향족 아민; 및 (ii) 가속화제 조성물, 또는 대안적으로, 방향족 아민에 의한 삼불화붕소 아민 착물의 동일반응계 형성을 위한 (1) 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물과 (2) 순수한 삼불화붕소 또는 삼불화붕소 에테레이트의 혼합물을 포함하는, 에폭시 수지의 경화를 위한 경화 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 조성물의 용도, 및 이러한 조성물을 사용하여 얻어질 수 있는 경화된 수지 제품에 관한 것이다.
Description
본 발명은 방향족 아민에 의한 에폭시 수지의 경화를 위한 가속화제 조성물(accelerator composition)에 관한 것이다.
아민은 에폭시 수지의 경화(curing) 또는 경질화(hardening)에 널리 사용된다. 대부분의 경우 지방족 아민이 사용되어 경화 시간은 수 초 내지 수 분의 범위가 된다. 그러나, 특정 상황에서는 방향족 아민을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 그러나, 방향족 아민에 의한 에폭시 수지의 경화는 지방족 아민에 비해 매우 느리다. 어떠한 가속화제도 없이, 예를 들면 120℃의 방향족 아민에 의해 에폭시 수지가 경화하는 것은 수 시간 범위이다.
따라서, 방향족 아민에 의한 에폭시 수지의 경화를 가속하기 위한 가속화제 또는 촉매가 개발되고 있다.
WO 2016/081546 A1에는 전이 금속 착물 및 염을 포함하는 에폭시 수지의 경화를 위한 가속화제 조성물이 개시되어 있다.
US 2,909,494에는 삼불화붕소 착물의 용도가 개시되어 있고 US 3,201,360에는 이러한 목적을 위한 금속 카복실레이트의 용도가 개시되어 있다. 그러나, 이러한 촉매를 사용해도, 일반적인 경화 시간은 30 내지 60분 범위이다.
본 발명의 목적은, 실질적으로 더 빠른 경화 시간을 초래하는, 방향족 아민에 의한 에폭시 수지의 경화 속도를 가속하기 위한 신규 촉매를 개발하는 것이다.
본원에서 달리 정의되지 않는 한, 본 발명과 관련하여 사용된 기술 용어는 당업자에 의해 통상 이해되는 의미를 갖는다. 또한, 문맥상 달리 요구되지 않는 한, 단수형 용어는 복수를 포함하고 복수형 용어는 단수를 포함한다.
본 명세서에 언급된 모든 특허, 공개된 특허 출원 및 비-특허 문헌은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자의 기술 수준을 나타낸다. 본 출원의 임의의 부분에서 인용된 모든 특허, 공개된 특허 출원 및 비-특허 문헌은, 각각의 개별 특허 또는 공개가 인용에 의해 포함되는 것으로 구체적이고 개별적으로 나타내어지는 것과 동일한 정도로 그리고 본 개시 내용과 모순되지 않는 정도로 그 전문이 본원에 인용에 의해 명시적으로 포함된다.
본원에 개시된 모든 조성물 및/또는 방법은 본 발명의 견지에서 과도한 실험없이 제조 및 실행될 수 있다. 본 발명의 조성물 및 방법이 바람직한 양태들의 관점에서 설명되었지만, 조성물 및/또는 방법 및 본 발명의 개념, 정신 및 범주를 벗어나지 않으면서 본원에 기재된 방법 중 단계 또는 일련의 단계에 변형이 적용될 수 있음은 당업자에게 명백할 것이다. 당업자에게 명백한 이러한 모든 유사한 대체 및 수정은 본 발명의 정신, 범주 및 개념 내에 있는 것으로 간주된다.
본 발명에 따라 사용되는 하기 용어들은 달리 지시되지 않는 한 다음과 같은 의미를 갖는 것으로 이해될 것이다.
관사("a" 또는 "an")의 사용은, 용어 "포함하는", "포함하여", "갖는" 또는 "함유하는"(또는 이들 용어의 변형)과 함께 사용될 때, "하나"를 의미할 수 있지만, 또한 "하나 이상", "적어도 하나" 및 "하나 또는 그 이상"의 의미와 일치한다.
용어 "또는"의 사용은, 단독으로 대안을 지칭하는 것으로 명확하게 지시되지 않는 한 그리고 대안이 상호 배타적인 경우가 아닌 한, "및/또는"을 의미하는 것으로 사용된다.
본 발명에 걸쳐, 용어 "약"은 값이, 정량화 장치, 메커니즘 또는 방법에 있어서의 고유 오차 분산, 또는 측정될 대상(들) 사이에 존재하는 고유 오차 분산을 포함함을 나타내는데 사용된다. 예를 들면, 용어 "약"이 사용될 때, 이에 대해 언급된 지정된 값은 ±10%, 또는 ±9%, 또는 ±8%, 또는 ±7%, 또는 ±6%, 또는 ±5%, 또는 ±4%, 또는 ±3%, 또는 ±2%, 또는 ±1%, 또는 이들 사이의 하나 이상의 분수로 가변적일 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.
"적어도 하나"의 사용은 1, 2, 3, 4, 5, 10, 15, 20, 30, 40, 50, 100 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는 하나 또는 그 이상의 임의의 양을 포함하는 것으로 이해될 것이다. 용어 "적어도 하나"는 이것이 지칭하는 용어에 따라 100 또는 1000 또는 그 이상으로 확장될 수 있다. 또한, 100/1000의 양은 하한 또는 상한이 또한 만족스러운 결과를 생성할 수 있으므로, 한도로서 간주되지 않는다.
본원에서 사용된 용어 "포함하는"(및 "comprise" 및 "comprises"와 같은 "포함하는"의 임의의 형태), "갖는"(및 "have" 및 "has"와 같은 "갖는"의 임의의 형태), "포함하는"(및 "includes" 및 "include"와 같은 "포함하는"의 임의의 형태) 또는 "함유하는"(및 "contains" 및 "contain"과 같은 "함유하는"의 임의의 형태)은 포괄적이거나 개방적이며, 인용되지 않은 추가의 구성요소 또는 방법 단계를 배제하지 않는다.
본원에서 사용된 "또는 이들의 조합" 및 "및 이들의 조합"은 이들 용어에 앞서 열거된 항목들의 모든 순열 및 조합을 지칭한다. 예를 들면, "A, B, C, 또는 이들의 조합"은 A, B, C, AB, AC, BC, 또는 ABC 중 적어도 하나를 포함하도록 의도되며, 특정 상황에서 순서가 중요한 경우, BA, CA, CB, CBA, BCA, ACB, BAC, 또는 CAB 중 어도 하나를 포함하도록 의도된다. 이러한 예에 이어서, BB, AAA, CC, AABB, AACC, ABCCCC, CBBAAA, CABBB 등과 같은 하나 이상의 항목들 또는 용어들의 반복을 포함하는 조합이 명시적으로 포함된다. 당업자는 통상적으로 문맥상 달리 명백하지 않은 한, 임의의 조합으로 항목 또는 용어의 개수에 제한이 없음을 이해할 것이다. 동일한 관점에서, 용어 "또는 이들의 조합" 및 "및 이들의 조합"은, "로부터 선택된" 또는 "로 이루어진 군으로부터 선택된"이라는 문구와 함께 사용될 때, 그에 앞서 열거된 항목들의 모든 순열 및 조합을 지칭한다.
"일양태에서", "양태에서", "일양태에 따라" 등의 문구는 일반적으로 해당 문구에 이어지는 특성, 구조 또는 특징이 본 발명의 적어도 하나의 양태에 포함되며 본 발명의 하나 이상의 양태에 포함될 수 있음을 의미한다. 이러한 문구는 한정되지 않으며 반드시 동일한 양태를 지칭하는 것은 아니라는 점이 중요하다. 예를 들면, 청구범위에서, 청구된 양태들 중 임의의 것이 임의의 조합으로 사용될 수 있다.
본원에서 사용된 "카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물"은 (i) 적어도 하나의 금속 양이온 및 (ii) 금속 양이온에 결합된 카복실레이트 리간드를 포함하는 착물을 의미한다. 본원에서 사용된 카복실레이트 리간드는 금속 양이온에 결합된 카복실레이트 이온이며, 이는 옥토에이트, 네오데카노에이트, 및 나프테네이트와 같은 유기 산으로부터 유도된다. "활성 금속 카복실레이트"는 "카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물"과 관련하여 본원에서 상호교환적으로 사용된다. 예를 들면, "아연 카복실레이트"는 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물을 지칭하며, 이때 아연은 금속 양이온이다. 아연 카복실레이트의 비제한적인 예로는 아연 옥토에이트가 있다.
상기 목적은 방향족 아민에 의한 에폭시 수지의 경화를 가속하기 위해 가속화제 조성물을 사용함으로써 해결되며, 가속화제 조성물은
(a) 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물; 및
(b) 삼불화붕소 아민 착물 또는 삼불화붕소 페놀 착물
을 포함한다.
바람직하게는, 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물의 금속 양이온은 아연, 주석 및 크롬으로부터 선택된다.
바람직하게는, 카복실레이트 리간드는 옥토에이트, 네오데카노에이트 및 나프테네이트로부터 선택된다.
바람직한 양태에서, 삼불화붕소 아민 착물의 아민은 에틸아민, 모노이소프로필아민, N-메틸사이클로헥실아민, 피페리딘 및 2,4-디메틸아닐린으로부터 선택된다.
바람직한 양태에서, 삼불화붕소 페놀 착물의 페놀은 페놀, 2-메틸페놀, 3-메틸페놀 및 4-메틸페놀로부터 선택된다.
바람직한 양태에서, (a):(b)의 화학양론적 비(stoichiometric ratio)는 1:50 내지 50:1 범위이며, 여기서 "(a)"는 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물을 지칭하고 "(b)"는 삼불화붕소 아민 착물 또는 삼불화붕소 페놀 착물을 지칭한다.
보다 바람직한 양태에서, (a):(b)의 화학양론적 비는 약 1:10 내지 10:1, 가장 바람직하게는 1:3 내지 3:1이며, 여기서 "(a)"는 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물을 지칭하고 "(b)"는 삼불화붕소 아민 착물 또는 삼불화붕소 페놀 착물을 지칭한다.
또한 본 발명은
(i) 경화제로서의 방향족 아민; 및
(ii) 본원에 기재된 가속화제 조성물, 또는 대안적으로, 방향족 아민에 의한 삼불화붕소 아민 착물의 동일반응계 형성(in-situ formation)을 위한 (1) 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물과 (2) 순수한 삼불화붕소 또는 삼불화붕소 에테레이트(etherate)의 혼합물
을 포함하는, 에폭시 수지의 경화를 위한 경화 조성물에 관한 것이다.
성분 (ii)의 대안을 위해, 충분한 양의 순수한 삼불화붕소 또는 삼불화붕소 에테레이트는, 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물 대 삼불화붕소 아민 착물 또는 삼불화붕소 페놀 착물의 화학양론적 비가 1:50 내지 50:1, 바람직하게는 1:10 내지 10:1, 보다 바람직하게는 1:3 내지 3:1가 되도록, 방향족 아민과 혼합된다.
또한 본 발명은
(i) 에폭시 수지;
(ii) 경화제로서의 방향족 아민; 및
(iii) 본원에 기재된 가속화제 조성물, 또는 대안적으로, 방향족 아민에 의한 삼불화붕소 아민 착물의 동일반응계 형성을 위한 (1) 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물과 (2) 순수한 삼불화붕소 또는 삼불화붕소 에테레이트의 혼합물
을 포함하는 경화성 에폭시 조성물에 관한 것이다.
일양태에서, 방향족 아민은 디에틸톨루엔 디아민, 4,4'-메틸렌비스(2-에틸아닐린), 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐-설폰, 3,3'-디아미노페닐설폰, 1,2-, 1,3- 및 1,4-벤젠디아민, 비스(4-아미노페닐)메탄, 1,3-자일렌디아민, 1,2-디아미노-3,5-디메틸벤젠, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸비페닐, 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디메틸아닐린), 1,3-비스(m-아미노페녹시)벤젠, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 3,3'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐설파이드, 1,4-비스(p-아미노페녹시)벤젠, 1,3-프로판디올-비스(4-아미노벤조에이트) 및 이들의 혼합물로부터 선택된다. 그러나, 임의의 기타 방향족 아민이 적합하다.
일양태에서, 에폭시 수지에 대해 첨가되는 가속화제 조성물의 양은 에폭시 수지 100부당 가속화제 조성물 0.01 내지 15부, 가장 바람직하게는 에폭시 수지 100부당 가속화제 조성물 0.1 내지 5부 범위이다.
또 다른 양태에서, 경화성 에폭시 조성물은, 예를 들면, 강인화제, 유동 개질제, 또는 접착 개질제를 포함하는 하나 이상의 추가의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 (i) 에폭시 수지; (ii) 방향족 아민; 및 (iii) 본원에 기재된 가속화제 조성물, 또는 대안적으로, 방향족 아민에 의한 삼불화붕소 아민 착물의 동일반응계 형성을 위한 (1) 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물과 (2) 순수한 삼불화붕소 또는 삼불화붕소 에테레이트의 혼합물을 혼합함을 포함하는, 경화성 에폭시 조성물의 제조 방법에 관한 것이다.
또한 본 발명은 (i) 방향족 아민; 및 (ii) 본원에 기재된 가속화제 조성물, 또는 대안적으로, 방향족 아민에 의한 삼불화붕소 아민 착물의 동일반응계 형성을 위한 (1) 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물과 (2) 순수한 삼불화붕소 또는 삼불화붕소 에테레이트의 혼합물을 혼합함을 포함하는, 경화 조성물의 제조 방법에 관한 것이다.
또한 본 발명은 경화성 에폭시 조성물을 실질적으로 경화시키기에 충분한 시간, 온도 및 압력에서 경화성 에폭시 조성물을 경화시키는 단계를 포함하는, 경화된 수지 제품의 제조 방법에 관한 것이다.
또한 본 발명은 경화성 에폭시 조성물을 실질적으로 경화시키기에 충분한 시간 및 온도에서 경화성 에폭시 조성물을 경화시키는 본원에 기재된 방법으로 수득되는 경화된 수지 제품에 관한 것이다.
또한 본 발명은, 에폭시 수지를 방향족 아민에 의해 경화시키기 위한 본원에 기재된 가속화제 조성물의 용도, 또는 에폭시 수지를 경화시키기 위한 본원에 기재된 경화 조성물의 용도에 관한 것이다.
본 발명에 따른 용도의 일양태에서, 방향족 아민은 디에틸톨루엔 디아민, 4,4'-메틸렌비스(2-에틸아닐린), 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐-설폰, 3,3'-디아미노페닐설폰, 1,2-, 1,3- 및 1,4-벤젠디아민, 비스(4-아미노페닐)메탄, 1,3-자일렌디아민, 1,2-디아미노-3,5-디메틸벤젠, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸비페닐, 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디메틸아닐린), 1,3-비스(m-아미노페녹시)벤젠, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 3,3'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐설파이드, 1,4-비스(p-아미노페녹시)벤젠, 1,3-프로판디올-비스(4-아미노벤조에이트) 및 이들의 혼합물로부터 선택된다. 그러나, 임의의 기타 방향족 아민이 적합하다.
바람직하게는, 에폭시 수지에 대해 첨가되는 가속화제 조성물의 양은 수지 100부당 0.01 내지 15부, 수지 100부당 가장 바람직하게는 0.1 내지 5부 범위이다.
마지막으로, 본 발명은 본원에 기재된 용도로부터 수득된 경화된 수지 제품에 관한 것이다.
놀랍게도, 방향족 아민에 의한 에폭시 수지의 경화를 가속하기 위한 2개의 공지된 촉매들의 혼합물은, 단일 촉매들을 조합하여 예상되는 경화 시간에 비해 실질적으로 더 빠른 경화 시간, 즉 뚜렷한 상승 효과(synergistic effect)를 가져온다.
이러한 신규한 가속화제 조성물에 의해, 방향족 아민, 특히 디에틸 톨루엔 디아민이, 보다 수익성 있게 하는 짧은 경화 주기 시간에 대한 요구가 지난 몇 년간 크게 증가하고 있는 산업을 위한 것으로 더욱 적합하게 된다.
신규한 가속화제 조성물이, 방향족 경화제 디에틸톨루엔 디아민(DETDA)에 의한 표준 비스페놀-A-디글리시딜에테르(BADGE)의 경화에 대해 시험되었다. 다수의 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물과 삼불화붕소 착물을 다양한 화학양론 및 중량 비로 함유하는 가속화제 조성물을 시험하였다.
본원에 기재된 가속화제 또는 경화 조성물은 임의의 적절한 에폭시 수지와 함께 사용될 수 있다. 에폭시 수지는 적어도 2개의 에폭사이드 기를 함유하는 단량체성, 올리고머성 또는 중합체성 화합물일 수 있다. 또한, 에폭시 수지는 지방족, 지환족, 방향족, 환식, 복소환식 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 또한, 에폭시 수지는 포화 또는 불포화될 수 있고 치환되거나 치환되지 않을 수 있다. 본 발명의 가속화제 또는 경화 조성물로 경화시키기에 적합한 에폭시 수지 목록은 문헌[Lee, H. and Neville, K. "Handbook of Epoxy Resins", McGraw-Hill Book Company, New York, 1967, Chapter 2, pages 257-307]에서 찾을 수 있다.
유용한 에폭시 수지의 몇 가지 비제한적인 예로는 에피할로하이드린(epihalohydrin)과 폴리글리콜의 반응으로부터 제조된 지방족 에폭사이드, 예컨대 트리메틸프로판 에폭사이드; 디글리시딜-1,2-사이클로헥산 디카복실레이트, 비스페놀-A-디글리시딜에테르, 비스페놀-F-디글리시딜에테르; 레조르시놀 디글리시딜에테르; 파라-아미노페놀의 트리글리시딜에테르, 할로겐-함유 에폭시 수지, 예컨대 테트라브로모비스페놀-A의 디글리시딜에테르; 에폭시화 페놀 노볼락, 에폭시화 비스페놀-A 노볼락, 및 옥사졸리돈-개질된 에폭시 수지; 에폭시-말단화 폴리옥사졸리돈; 및 이들의 혼합물이 있다.
방향족 아민은 에폭시 수지의 경화(또는 경질화)에 적합한 임의의 화합물일 수 있다. 비제한적인 예로는 디에틸톨루엔 디아민(DETDA), 4,4'-메틸렌비스(2-에틸아닐린)(디에틸 DDM), 4,4'-디아미노디페닐메탄(DDM) 및 4,4'-디아미노디페닐설폰(DDS)이 포함된다.
본원에 기재된 가속화제 조성물은 경화에 대한 예상치 못한 상승적인 가속화 효과를 나타낸다. 신규한 가속화제 조성물은 공지된 시스템에 비해 약 3배 더 빠르게 경화된다. 또한, 130℃에서의 등온 경화 후 유리 전이 온도(Tg) 승온(build-up)은 훨씬 빠르며(130℃에서 10분 동안 대략 30 내지 50℃ 더 높으며), 이는 더 빠른 탈형성(demoldability)을 초래하여 경화 주기를 짧게 하는 중요한 특징이다.
세부사항은 아래의 실시예에서 볼 수 있다.
실시예
표준 BADGE (비스페놀 A 디글리시딜 에테르) 수지(Huntsman Corp. 또는 이의 계열사로부터 입수 가능한 Araldite® GY 250)를 130℃에서 등온 경화시킨 다음, 디에틸톨루엔 디아민(Lonza로부터의 Lonzacure® DETDA 80)를 등몰 비로 사용하여(100중량부의 Araldite® GY 250, 24.1중량부의 Lonzacure® DETDA 80) 동적 주사 열량측정(DSC)을 수행하였다. 아연 옥토에이트(Alfa Aesar), 삼불화붕소 에틸아민 착물(Sigma Aldrich) 및 본 발명에 따른 다양한 혼합물을 가속화제 화학종으로서 조사하였다.
아연, 주석 및 크롬 카복실레이트와 삼불화붕소 에틸아민 착물의 혼합물은 경화 속도 및 Tg 승온에 있어서의 상당한 상승적인 촉매 효과를 나타낸다.
주석 옥토에이트 또는 촉매 로딩(loading)의 증가로 경화 속도가 증가한다. 지나치게 높은 주석 옥토에이트 또는 촉매 로딩으로 최종 Tg가 낮아질 수 있다. 그 결과, 높은 최종 Tg와 함께 빠른 경화 속도를 갖기 위한 주석 옥토에이트와 삼불화붕소 에틸아민 착물의 최적의 촉매 로딩 및 몰 비(즉, 0.005 내지 0.015mol 및 몰 비 0.5 내지 2.0)가 존재한다. 그러나, 주로 반응 속도가 중요한 경우에는 다른 제형이 더 흥미로울 수 있다.
삼불화붕소 착물과 주석 옥토에이트의 모든 혼합물은 경화 속도 및 Tg 승온에 있어서의 상당한 상승적인 촉매 효과를 나타낸다.
전술된 주제는 예시적이며 제한적이지 않은 것으로 간주되어야 하고, 첨부된 청구 범위는 본 발명의 진정한 범주에 속하는 이러한 모든 수정, 개선 및 기타 양태를 포함하도록 의도된다. 따라서, 법률이 허용하는 최대 범위에서, 본 발명의 범주는 하기 청구 범위 및 이의 균등물의 가장 넓은 허용 가능한 해석에 의해 결정되어야 하며, 전술된 상세한 설명에 의해 제한되거나 한정되지 않아야 한다.
Claims (18)
- 방향족 아민에 의한 에폭시 수지의 경화를 위한 가속화제 조성물로서,
(a) 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물; 및
(b) 삼불화붕소 아민 착물 또는 삼불화붕소 페놀 착물
을 포함하는, 가속화제 조성물. - 제1항에 있어서, 상기 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물의 상기 금속 양이온은 아연, 주석 및 크롬으로부터 선택되는, 가속화제 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 카복실레이트 리간드는 옥토에이트, 네오데카노에이트 및 나프테네이트로부터 선택되는, 가속화제 조성물.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 삼불화붕소 아민 착물의 아민은 에틸아민, 모노이소프로필아민, N-메틸사이클로헥실아민, 피페리딘 및 2,4-디메틸아닐린으로부터 선택되는, 가속화제 조성물.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 삼불화붕소 페놀 착물의 페놀은 페놀, 2-메틸페놀, 3-메틸페놀 및 4-메틸페놀로부터 선택되는, 가속화제 조성물.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, (a):(b)의 화학양론적 비는 1:50 내지 50:1 범위인, 가속화제 조성물.
- 제6항에 있어서, (a):(b)의 화학양론적 비는 1:10 내지 10:1 범위인, 가속화제 조성물.
- 제7항에 있어서, (a):(b)의 화학양론적 비는 1:3 내지 3:1 범위인, 가속화제 조성물.
- 에폭시 수지를 경화시키기 위한 경화 조성물로서,
(i) 경화제로서의 방향족 아민; 및
(ii) 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 가속화제 조성물, 또는 대안적으로, 상기 방향족 아민에 의한 삼불화붕소 아민 착물의 동일반응계 형성을 위한 (1) 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물과 (2) 순수한 삼불화붕소 또는 삼불화붕소 에테레이트(etherate)의 혼합물
을 포함하는, 에폭시 수지를 경화시키기 위한 경화 조성물. - 경화성 에폭시 조성물로서,
(i) 에폭시 수지;
(ii) 경화제로서의 방향족 아민; 및
(iii) 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 가속화제 조성물
을 포함하는, 경화성 에폭시 조성물. - 제10항에 있어서, 상기 에폭시 수지에 대해 첨가되는 상기 가속화제 조성물의 양은 상기 에폭시 수지 100부당 상기 가속화제 조성물 0.01 내지 15부 범위인, 경화성 에폭시 조성물.
- 경화성 에폭시 조성물의 제조 방법으로서, (i) 에폭시 수지; (ii) 방향족 아민; 및 (iii) 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 가속화제 조성물, 또는 대안적으로, 상기 방향족 아민에 의한 삼불화붕소 아민 착물의 동일반응계 형성을 위한 (1) 카복실레이트 리간드를 갖는 금속 착물과 (2) 순수한 삼불화붕소 또는 삼불화붕소 에테레이트(etherate)의 혼합물을 혼합함을 포함하는, 경화성 에폭시 조성물의 제조 방법.
- 제10항에 따른 경화성 에폭시 조성물을 상기 경화성 에폭시 조성물을 실질적으로 경화시키기에 충분한 시간 및 온도에서 경화시키는 단계를 포함하는, 경화된 수지 제품의 제조 방법.
- 제13항의 방법에 의해 수득된 경화성 수지 제품.
- 에폭시 수지를 방향족 아민에 의해 경화시키기 위한 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 가속화제 조성물, 또는 에폭시 수지를 경화시키기 위한 제9항에 따른 경화 조성물의 용도.
- 제15항에 있어서, 상기 방향족 아민은 디에틸톨루엔 디아민, 4,4'-메틸렌비스(2-에틸아닐린), 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노페닐설폰, 1,2-, 1,3- 및 1,4-벤젠디아민, 비스(4-아미노페닐)메탄, 1,3-자일렌디아민, 1,2-디아미노-3,5-디메틸벤젠, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸비페닐, 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디메틸아닐린), 1,3-비스(m-아미노페녹시)벤젠, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 3,3'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐설파이드, 1,4-비스(p-아미노페녹시)벤젠, 1,3-프로판디올-비스(4-아미노벤조에이트) 및 이들의 혼합물로부터 선택되는, 용도.
- 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 에폭시 수지에 대해 첨가되는 상기 가속화제 조성물의 양은 상기 수지 100부당 0.01 내지 15부 범위인, 용도.
- 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 용도로부터 수득될 수 있는 경화된 수지 제품.
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