KR20200133877A - 포토 레지스트 제거 장치 및 반도체 소자 제조 장치 - Google Patents

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KR20200133877A
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이현정
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조용진
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Abstract

본 발명에 따르면, 반도체 소자 제조 장치는 용액을 토출하도록 구성된 슬릿을 갖는 노즐; 및 상기 노즐의 외부에 제공된 제1 자외선 조사 유닛을 포함하고, 상기 제1 자외선 조사 유닛은 상기 노즐과 함께 수평 이동하도록 구성될 수 있다. 상기 슬릿은 상기 노즐의 하면 상에 제공될 수 있다.

Description

포토 레지스트 제거 장치 및 반도체 소자 제조 장치{Apparatus of removing photoresist and Apparatus of manufacturing semiconductor device}
본 발명은 반도체 소자 제조 장치 및 이를 사용한 반도체 소자 제조 방법, 보다 구체적으로 포토 레지스트 패턴 제거에 사용되는 장치 및 이를 사용한 포토 레지스트 패턴 제거 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정에서 포토 리소그라피 기술을 활용한 막의 패터닝 공정이 널리 사용되고 있다. 포토 레지스트 패턴을 사용하여 막이 패터닝된 후, 상기 포토 레지스트 패턴이 제거될 수 있다. 반도체 소자가 대면적으로 제조되므로, 기판 상의 위치에 따라 포토 레지스트 패턴의 제거 속도가 달라지는 문제가 발생할 수 있다. 황산과 같은 산성 물질을 사용하여 포토 레지스트 패턴을 제거하는 경우, 폐수가 발생할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 빠른 제거 속도로 포토 레지스트 패턴을 제거하는 방법 및 이에 사용되는 반도체 소자 제조 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명은 포토 레지스트 제거 장치 및 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 반도체 소자 제조 장치는 용액을 토출하도록 구성된 슬릿을 갖는 노즐; 및 상기 노즐의 외부에 제공된 제1 자외선 조사 유닛을 포함하고, 상기 제1 자외선 조사 유닛은 상기 노즐과 함께 수평 이동하도록 구성될 수 있다. 상기 슬릿은 상기 노즐의 하면 상에 제공될 수 있다.
본 발명에 따르면, 포토 레지스트 제거 장치는 수평적으로 왕복 운동하도록 구성된 암; 상기 암에 결합되고, 하면 상에 용액을 토출하도록 구성된 슬릿을 갖는 노즐; 및 상기 암에 결합되고, 상기 노즐의 외부에 제공된 제1 자외선 조사 유닛을 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 반도체 소자 제조 장치는 하면 상에 슬릿을 갖는 노즐; 상기 노즐의 외부에 제공된 제1 자외선 조사 유닛; 지지 플레이트; 및 상기 지지 플레이트 내에 제공되고, 상기 지지 플레이트의 상기 상면 상에 유체를 공급하도록 구성된 제1 유체 공급부를 포함하고, 상기 노즐의 상기 하면 및 상기 제1 자외선 조사 유닛은 상기 지지 플레이트의 상면과 이격 배치될 수 있다.
본 발명에 따르면, 반도체 소자 제조 방법은 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 지지 플레이트 상에 로딩하는 것, 및 상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 것을 포함하되, 상기 기판을 로딩하는 것은 슬릿을 갖는 노즐 및 제1 자외선 조사 유닛을 상기 기판의 상면과 이격 배치시키는 것을 포함하고, 상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 것은: 상기 노즐의 상기 슬릿으로부터 용액을 상기 포토 레지스트 패턴 상에 토출하는 것; 및 상기 제1 자외선 조사 유닛을 사용하여 상기 토출된 용액 상에 자외선을 조사하는 것을 포함하고, 상기 자외선이 조사되는 동안, 상기 제1 자외선 조사 유닛은 수평적으로 왕복 운동할 수 있다.
본 발명에 따르면, 포토 레지스트 패턴의 단위 시간당 제거량이 증가될 수 있다. 포토 레지스트 패턴은 기판 상의 위치에 제약되지 않고 균일하게 제거될 수 있다.
도 1a는 실시예들에 따른 반도체 소자 제조 장치를 도시한 사시도이다.
도 1b는 실시예들에 따른 기판이 로딩된 반도체 소자 제조 장치를 도시한 평면도이다.
도 1c는 실시예들에 따른 기판이 로딩된 반도체 소자 제조 장치를 도시한 평면도이다.
도 2a는 실시예들에 따른 노즐, 제1 자외선 조사 유닛, 및 암을 설명하기 위한 사시도이다.
도 2b는 실시예들에 따른 배관이 연결된 노즐을 도시한 사시도이다.
도 3a는 실시예들에 따른 노즐 및 제1 자외선 조사 유닛을 설명하기 위한 평면도로, 도 1b의 Ⅰ영역을 확대 도시한 도면이다.
도 3b는 실시예들에 따른 연결부를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3c는 실시예들에 따른 노즐을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 실시예들에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5a 내지 도 5c는 실시예들에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6a는 일 예에 따른 상부막 형성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6b는 실시예들에 따른 상부막 형성을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 실시예들에 따른 반도체 소자 제조 장치 및 이를 사용한 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8a는 실시예들에 따른 반도체 소자 제조 장치 및 이를 사용한 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 8b는 도 8a의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 자른 단면이다.
도 8c는 도 8a의 Ⅴ-Ⅴ'선을 따라 자른 단면이다.
본 명세서에서, 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다. 이하, 본 발명의 개념에 따른 반도체 소자 제조 장치 및 이를 사용한 반도체 소자 제조 방법을 설명한다.
도 1a는 실시예들에 따른 반도체 소자 제조 장치를 도시한 사시도이다. 도 1b는 실시예들에 따른 기판이 로딩된 상태의 반도체 소자 제조 장치를 도시한 평면도이다. 도 1c는 도 1b의 반도체 소자 제조 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 도 2a는 실시예들에 따른 노즐, 제1 자외선 조사 유닛, 및 암을 설명하기 위한 사시도이다. 도 2b는 실시예들에 따른 배관들이 연결된 노즐을 도시한 사시도이다.
도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 및 도 2b를 참조하면, 반도체 소자 제조 장치는 지지 유닛(100), 노즐(200), 제1 자외선 조사 유닛(300), 및 암(400)을 포함할 수 있다. 반도체 소자 제조 장치는 연결부(500)를 더 포함할 수 있고, 상기 연결부(500)는 제1 연결부(510) 및 제2 연결부(520)를 포함할 수 있다. 반도체 소자 제조 장치를 준비하는 것은 지지 유닛(100)을 준비하는 것, 도 2a의 노즐(200) 및 제1 자외선 조사 유닛(300)이 결합된 암(400)을 준비하는 것, 및 도 2b와 같이 배관들(290)을 노즐(200)에 연결하는 것을 포함할 수 있다.
반도체 소자 제조 장치는 포토 레지스트 물질과 같은 유기물 제거에 사용될 수 있다. 일 예로, 반도체 소자 제조 장치는 포토 레지스트 제거 장치일 수 있다. 이하, 반도체 소자 제조 장치를 사용한 포토 레지스트 패턴의 제거에 대해 설명하나, 본 발명의 반도체 소자 제조 장치의 사용이 이에 한정되는 것은 아니다.
지지 유닛(100)은 지지 플레이트(110), 지지 핀들(130), 회전 구동기(150), 및 지지 로드(155)를 포함할 수 있다. 도 1b 및 도 1c와 같이 지지 플레이트(110)는 기판(800)을 지지하도록 구성될 수 있다. 즉, 기판(800)은 지지 플레이트(110) 상에 로딩될 수 있다. 기판(800)은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 기판(800)은 평면적 관점에서 센터 영역(R1) 및 엣지 영역(R2)을 가질 수 있다. 기판(800)의 엣지 영역(R2)은 센터 영역(R1)을 둘러쌀 수 있다. 기판(800)의 엣지 영역(R2)은 센터 영역(R1)보다 기판(800)의 측면에 인접할 수 있다. 지지 플레이트(110)는 평면적 관점에서 센터 영역 및 엣지 영역을 가질 수 있다. 기판(800)의 센터 영역(R1)은 지지 플레이트(110)의 센터 영역에 대응되고, 기판(800)의 엣지 영역(R2)은 지지 플레이트(110)의 엣지 영역에 제공될 수 있다. 예를 들어, 지지 플레이트(110)의 엣지 영역은 센터 영역을 둘러쌀 수 있다. 지지 플레이트(110)의 엣지 영역은 센터 영역보다 지지 플레이트(110)의 외측벽에 인접할 수 있다.
지지 핀들(130)은 지지 플레이트(110)의 상면(110a) 상에 배치될 수 있다. 지지 핀들(130)은 지지 플레이트(110)의 엣지 영역 상에 제공될 수 있다. 지지 핀들(130)은 서로 이격 배치될 수 있다. 기판(800)은 지지 핀들(130) 상에 배치되고, 고정될 수 있다. 지지 핀들(130)은 절연성 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
회전 구동기(150)는 지지 플레이트(110)의 하면 상에 제공될 수 있다. 회전 구동기(150)는 일 예로, 모터를 포함할 수 있다. 회전 구동기(150)는 지지 로드(155)를 통해 지지 플레이트(110)와 연결될 수 있다. 반도체 소자 제조 장치 동작 시, 지지 플레이트(110)는 회전 구동기(150)로부터 동력을 전달받아, 회전축(미도시)를 기준으로 회전할 수 있다. 상기 회전축은 지지 플레이트(110)의 상면(110a)과 수직할 수 있다. 지지 플레이트(110)가 회전함에 따라, 기판(800)이 지지 플레이트(110)와 함께 회전할 수 있다.
도 1a와 같이 내부 홀(140)이 회전 구동기(150), 지지 로드(155), 및 지지 플레이트(110)를 관통하며 제공될 수 있다. 내부 홀(140)은 지지 플레이트(110)의 센터 영역에 제공될 수 있다. 제1 유체 공급부(111) 및 제2 유체 공급부(113)가 내부 홀(140) 내에 제공될 수 있다. 내부 홀(140)은 제1 유체 공급부(111) 및 제2 유체 공급부(113)의 통로로 기능할 수 있다. 제1 유체 공급부(111)의 일부 및 제2 유체 공급부(113)의 일부는 지지 플레이트(110)의 상면(110a) 상에 노출될 수 있다. 제1 유체 공급부(111) 및 제2 유체 공급부(113)는 지지 플레이트(110)의 상면(110a) 상에 유체를 공급할 수 있다.
암 구동기(410)가 지지 유닛(100)의 일측에 배치될 수 있다. 암 구동기(410)는 모터를 포함할 수 있다. 암(400)은 암 구동기(410)와 연결되며, 지지 유닛(100)과 이격 배치될 수 있다. 암(400)의 일 부분은 지지 플레이트(110)의 상면(110a) 상에서 지지 플레이트(110)의 상면(110a)과 수직적으로 이격 배치될 수 있다. 암 구동기(410)의 동력에 의해 암(400)은 도 1b 및 도 1c와 같이 기판(800)의 상면 상에서 수평 이동하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 암(400)은 암 구동기(410)를 중심축으로 하여 수평 이동할 수 있다. 암(400)의 수평 이동은 왕복 운동 또는 회전 운동일 수 있다. 본 명세서에서, “기판(800)의 상면 상에서 수평 이동한다”는 것은 기판(800)의 상면과 이격되며 기판(800)의 상면과 평행하게 이동하는 것을 포함할 수 있다. 더불어, 기판(800)의 상면 상에서 수평 이동한다는 것은 지지 플레이트(110)의 상면(110a) 상에서 수평 이동한다는 것을 의미할 수 있다. 지지 플레이트(110)의 상면(110a)은 기판(800)의 상면과 실질적으로 평행할 수 있다.
일 예로, 지지 플레이트(110)가 고정되어 있다고 가정했을 때, 암(400)은 제1 엣지 위치 및 제2 엣지 위치 사이를 수평적으로 왕복 운동할 수 있다. 제1 엣지 위치는 지지 플레이트(110)의 센터 영역의 일 측의 엣지 영역에 해당하고, 제2 엣지 위치는 센터 영역(R1)의 타 측의 엣지 영역에 해당할 수 있다. 다른 예로, 암(400)은 제1 엣지 위치 및 지지 플레이트(110)의 센터 영역 사이를 수평적으로 왕복 이동하고, 제2 엣지 위치로 이동하지 않을 수 있다. 이하, 노즐(200), 제1 자외선 조사 유닛(300), 암(400), 및 연결부(500)에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
도 3a는 실시예들에 따른 노즐 및 제1 자외선 조사 유닛을 설명하기 위한 평면도로, 도 1b의 Ⅰ영역을 확대 도시한 도면이다.
도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 도 2b, 및 도 3a를 참조하면, 노즐(200)은 홀(215), 디스펜서 룸(213), 및 슬릿(211)을 가질 수 있다. 도 2a와 같이 홀(215)은 노즐(200)의 상부 내에 제공될 수 있다. 홀(215)은 노즐(200)의 상면을 관통할 수 있다. 노즐(200)의 상면은 하면(200b)과 대향될 수 있다. 홀들(215)은 복수 개로 제공될 수 있다. 홀들(215)은 평면적 관점에서 서로 이격될 수 있다. 도 2b와 같이 배관들(290)이 홀들(215)과 각각 연결될 수 있다. 배관들(290)은 용액을 홀들(215)로 공급할 수 있다. 용액은 오존 및 물을 포함할 수 있다. 용액은 포토 레지스트 제거 용액일 수 있다.
디스펜서 룸(213)은 노즐(200)의 내부에 제공되며, 복수의 홀들(215)과 연결될 수 있다. 배관들(290)로부터 공급된 용액은 홀들(215)을 통해 디스펜서 룸(213)에 제공될 수 있다. 슬릿(211)은 노즐(200)의 하면(200b) 상에 제공될 수 있다. 이 때, 슬릿(211)은 디스펜서 룸(213)과 연결되며, 용액을 토출하도록 구성될 수 있다.
실시예들에 따르면, 용액이 서로 이격된 복수의 홀들(215)을 통해 슬릿(211)으로 전달되므로, 용액이 슬릿(211)의 전 영역으로부터 균일하게 토출될 수 있다. 예를 들어, 슬릿(211)의 전 영역으로부터 용액이 실질적으로 동일한 압력으로 토출될 수 있다.
노즐(200)은 석영(quartz)을 포함할 수 있다. 석영은 오존에 대해 강한 내부식성을 가질 수 있다. 이에 따라, 용액이 오존을 포함하더라도, 노즐(200)은 부식되지 않을 수 있다. 용액이 슬릿(211)을 통과할 때, 비교적 강한 압력이 노즐(200)에 가해질 수 있다. 석영은 높은 강도를 가져, 반도체 소자 제조 장치의 동작 과정에서 용액의 토출 압력으로 인한 노즐(200)의 손상이 방지될 수 있다.
도 3a와 같이, 노즐(200)의 길이는 노즐(200)의 너비보다 더 클 수 있다. 슬릿(211)의 길이(L1)는 슬릿(211)의 너비(W1)보다 더 클 수 있다. 예를 들어, 슬릿(211)의 길이(L1)는 10mm 내지 160mm이고, 슬릿(211)의 너비(W1)는 예를 들어, 0.1mm 내지 10mm일 수 있다. 슬릿(211)의 길이(L1)는 각각의 홀들(215)의 길이들(L2)보다 클 수 있다. 슬릿(211)의 너비(W1)는 각각의 홀들(215)의 너비들(W2)보다 작을 수 있다. 홀들(215)의 길이들(L2)은 대응되는 홀들(215)의 너비들(W2)과 실질적으로 동일할 수 있다. 노즐(200)의 길이, 슬릿(211)의 길이(L1), 및 홀들(215)의 길이들(L2)은 평면적 관점에서 암(400)의 장축 방향과 나란한 방향에서 측정된 값일 수 있다. 어떤 구성 요소의 너비는 평면적 관점에서 길이와 수직한 방향에서 측정된 값일 수 있다.
도 2a와 같이 노즐(200)은 제1 연결부(510)를 통해 암(400)에 결합될 수 있다. 제1 연결부(510)는 노즐(200) 및 암(400) 사이에 제공되어, 노즐(200) 및 암(400)과 결합될 수 있다. 제1 연결부(510)는 예를 들어, 브라켓(bracket)을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 어떤 구성 요소와 연결/결합된다는 것은 상기 구성 요소와 직접적인 연결/결합 및 다른 구성요소를 통한 간접적인 연결/결합을 포함할 수 있다.
노즐(200)은 암(400)과 함께 수평 이동할 수 있다. 예를 들어, 노즐(200)은 도 1b와 같이 지지 플레이트(110)의 센터 영역과 중첩되는 제1 영역 및 도 1c와 같이 상기 지지 플레이트(110)의 엣지 영역과 중첩되는 제2 영역 사이를 수평적으로 왕복 운동하도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 기판(800)의 센터 영역(R1)의 상면 및 엣지 영역(R2)의 상면 상에 용액을 토출할 수 있다. 기판(800)의 상면 상에 용액을 토출/공급한다는 것은 기판(800)의 상면 상에 형성된 구성 요소(예를 들어, 후술할 포토 레지스트 패턴(820)) 상에 용액을 토출/공급하는 것을 포함할 수 있다.
제1 자외선 조사 유닛(300)이 도 1a와 같이 지지 플레이트(110)의 상면(110a) 상에 제공되며, 지지 플레이트(110)의 상면(110a)과 이격 배치될 수 있다. 제1 자외선 조사 유닛(300)이 노즐(200)의 외부에 제공될 수 있다. 제1 자외선 조사 유닛(300)은 자외선 램프와 같은 광원을 포함할 수 있다. 제1 자외선 조사 유닛(300)은 “U자 형상의 단면을 가질 수 있다. 제1 자외선 조사 유닛(300)의 형상은 이에 제한되지 않고 다양하게 변형될 수 있다. 일 예로, 제1 자외선 조사 유닛(300)은 원통형 또는 바 형상을 가질 수 있다. 제2 연결부(520)가 제1 자외선 조사 유닛(300) 및 암(400) 사이에 제공되어, 제1 자외선 조사 유닛(300) 및 암(400)과 결합될 수 있다. 제1 자외선 조사 유닛(300)은 제2 연결부(520)를 통해 암(400)에 연결될 수 있다. 제2 연결부(520)는 일 예로, 브라켓을 포함할 수 있다.
도 1b 및 도 1c와 같이 제1 자외선 조사 유닛(300)은 암(400) 및 노즐(200)과 함께 수평 이동할 수 있다. 예를 들어, 제1 자외선 조사 유닛(300)은 평면적 관점에서 제1 위치 및 제2 위치 사이를 수평적으로 왕복 운동하도록 구성될 수 있다. 이 때, 제1 위치는 도 1b와 같이 평면적 관점에서 제1 자외선 조사 유닛(300)의 적어도 일부가 지지 플레이트(110)의 센터 영역과 중첩되는 위치일 수 있고, 제2 위치는 도 1c에 도시된 바 같이 제1 위치보다 지지 플레이트(110)의 엣지 영역과 인접한 위치일 수 있다. 이에 따라, 제1 자외선 조사 유닛(300)은 기판(800)의 센터 영역(R1)의 상면 및 엣지 영역(R2)의 상면상에 자외선을 조사할 수 있다. 이 때, 제1 자외선 조사 유닛(300)은 기판(800)의 센터 영역(R1)과 엣지 영역(R2)의 사이의 영역의 상면 상에 자외선을 더 조사할 수 있다. 자외선은 10nm 내지 400nm의 파장을 가질 수 있다. 보다 구체적으로 상기 자외선은 10nm 내지 280nm의 파장을 가질 수 있다. 기판(800)의 상면 상에 자외선을 조사한다는 것은 기판(800)의 상면 상에 형성된 구성 요소(예를 들어, 후술할 포토 레지스트 패턴(820)) 상에 자외선을 조사하는 것을 포함할 수 있다.
도 3b는 실시예들에 따른 연결부를 설명하기 위한 평면도로, 도 1b의 Ⅰ영역을 확대 도시한 도면에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 3b를 참조하면, 제2 연결부(520)는 제1 연결부(510)와 인접하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 연결부들(510, 520) 각각은 노즐(200) 및 제1 자외선 조사 유닛(300) 사이에 배치될 수 있다.
제1 연결부(510) 및 제2 연결부(520)는 일체형으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 하나의 브라켓 구조체가 연결부(500)로 사용되고, 상기 연결부(500)는 노즐(200), 제1 자외선 조사 유닛(300), 및 암(400)과 결합할 수 있다. 이 경우, 상기 브라켓 구조체의 일부는 제1 연결부(510)로 지칭되고, 상기 브라켓 구조체의 다른 일부는 제2 연결부(520)로 지칭될 수 있다. 제1 연결부(510)는 제2 연결부(520)와 경계면 없이 연결될 수 있다. 노즐(200), 제1 자외선 조사 유닛(300), 및 암(400)은 앞서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다.
도 3c는 실시예들에 따른 노즐을 설명하기 위한 평면도로, 도 1b의 Ⅰ영역을 확대 도시한 도면에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 3c를 참조하면, 노즐(200)은 홀(215), 디스펜서 룸(213), 및 슬릿(211)을 가질 수 있다. 다만, 도 3a와 달리, 슬릿(211)은 비교적 작은 길이(L1)를 갖고, 노즐(200)은 단수개의 홀(215)을 가질 수 있다. 슬릿(211)의 길이(L1)는 너비(W1)보다 클 수 있다. 홀(215)의 길이(L2)는 홀(215)의 너비(W2)와 실질적으로 동일할 수 있다. 슬릿(211)의 길이(L1)는 홀(215)의 길이(L2)보다 클 수 있다. 슬릿(211)의 너비(W1)는 홀(215)의 너비(W2)보다 작을 수 있다. 홀(215)의 개수는 도 3a 내지 도 3c에 제약되지 않고, 슬릿(211)의 길이(L1)에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 이하, 도 3c를 제외한 도면에 있어서, 편의를 위해 복수의 홀들(215)에 관하여 기술한다.
이하, 실시예들에 따른 반도체 소자 제조 장치를 사용한 반도체 소자 제조 방법을 보다 상세하게 설명한다.
도 4는 실시예들에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 5a 내지 도 5c는 실시예들에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로, 포토 레지스트 제거 공정을 설명하기 위한 도면들이다. 도 5a는 도 1b의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 도 5b는 도 1b의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 도 5c는 도 1b의 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 자른 단면에 대응된다. 이하의 설명에서, 도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 도 2b, 및 도 3a를 함께 참조한다.
도 4, 도 5a, 도 5b, 및 도 5c를 참조하면, 반도체 소자 제조 방법은 반도체 소자 제조 장치를 사용한 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 공정을 포함할 수 있다. 반도체 소자 제조 방법은 반도체 소자 제조 장치를 준비하는 것(S100), 포토 레지스트 패턴(820)이 형성된 기판(800)을 지지 플레이트(110) 상에 로딩하는 것(S200), 포토 레지스트 패턴(820)을 제거하는 것(S300), 및 기판(800)을 언로딩하는 것(S400)을 포함할 수 있다.
반도체 소자 제조 장치가 준비될 수 있다.(S100) 반도체 소자 제조 장치를 준비하는 것(S100)은 앞서 설명한 바와 같이 지지 유닛(100)을 준비하는 것, 도 2a의 노즐(200) 및 제1 자외선 조사 유닛(300)이 결합된 암(400)을 준비하는 것, 및 도 2b와 같이 배관들(290)을 노즐(200)에 연결하는 것을 포함할 수 있다.기판(800)은 지지 플레이트(110) 상에 로딩될 수 있다.(S200) 상기 기판(800)은 하부막(810) 및 포토 레지스트 패턴(820)이 형성된 기판일 수 있다. 하부막(810) 및 포토 레지스트 패턴(820)은 기판(800)의 상면(800a) 상에 적층될 수 있다. 도시되지 않았으나, 기판(800) 및 하부막(810) 사이에 적어도 하나의 층이 더 개재될 수 있다. 하부막(810)은 포토 레지스트 패턴(820)을 사용하여 패터닝된 막일 수 있다. 포토 레지스트 패턴(820)은 유기물을 포함하는 막일 수 있고, 상기 유기물은 탄소-탄소 결합을 가질 수 있다.
기판(800)을 지지 플레이트(110) 상에 로딩하는 것(S200)은 노즐(200) 및 제1 자외선 조사 유닛(300)을 기판(800)의 상면(800a)과 이격 배치시키는 것을 더 포함할 수 있다.
포토 레지스트 패턴(820)이 제거될 수 있다.(S300) 포토 레지스트 패턴(820)을 제거하는 것(S300)은 노즐(200)의 슬릿(211)로부터 용액(900)을 기판(800) 상에 토출하는 것(S310), 토출된 용액(900)에 자외선을 조사하는 것(S320), 및 기판(800)의 하면 상에 유체(700)를 분사하여 기판(800)을 가열하는 것(S330)을 포함할 수 있다. 용액(900)을 기판(800) 상에 토출하는 것(S310), 토출된 용액(900)에 자외선을 조사하는 것(S320), 및 기판(800)을 가열하는 것(S330)은 기판(800)을 로딩하는 것(S200) 이후 수행될 수 있다.
노즐(200)은 용액(900)을 기판(800)의 상면(800a) 상에 공급할 수 있다. 즉, 노즐(200)의 슬릿(211)로부터 용액(900)을 기판(800) 상에 토출할 수 있다.(S310) 상기 용액(900)은 오존이 용해된 물을 포함할 수 있다. 오존은 불안정하여, 라디칼들을 형성할 수 있다. 라디칼들은 높은 반응성을 가져, 하기 반응식 1과 같이 포토 레지스트 패턴(820)을 구성하는 물질의 공유 결합을 끊을 수 있다. 예를 들어, 라디칼들은 상기 포토 레지스트 패턴(820)의 탄소-탄소 결합을 끊을 수 있다. 이에 따라, 포토 레지스트 패턴(820)이 제거될 수 있다.
[반응식 1]
Figure pat00001
반응식 1에서 RH는 포토 레지스트 패턴(820)을 구성하는 유기물일 수 있다. R은 탄소수 1 내지 100,000,000 사이의 치환 또는 비치환된 탄화수소를 포함할 수 있다. 상기 라디칼들은 하부막(810)과 반응하지 않거나 또는 하부막(810)에 대해 매우 낮은 반응성을 가질 수 있다. 이에 따라, 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 공정이 완료된 후, 하부막(810)은 남아 있을 수 있다.
산성 물질을 사용하여 포토 레지스트 패턴(820)을 제거하는 경우, 폐수가 발생할 수 있다. 상기 산성 물질은 황산을 포함할 수 있다. 실시예들에 따르면, 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 공정에서 남은 라디칼들은 서로 반응하여 자발적으로 소멸될 수 있다. 이에 따라, 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 공정에서 폐수의 발생이 방지/감소될 수 있다.
슬릿(211) 및 디스펜서 룸(213)이 생략되고, 용액(900)이 노즐(200)의 홀(215)로부터 직접 토출되는 경우, 용액(900)은 기판(800)의 특정 영역(예를 들어 센터 영역(R1))에 집중적으로 제공될 수 있다. 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도는 포토 레지스트 패턴(820)의 위치에 따라 다를 수 있다. 예를 들어, 기판(800)의 엣지 영역(R2) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도는 기판(800)의 센터 영역(R1) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도보다 느릴 수 있다. 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 공정이 완료된 후, 기판(800)의 엣지 영역(R2) 상에 포토 레지스트 패턴(820)이 남아 있을 수 있다.
실시예들에 따르면, 용액(900)은 노즐(200)의 슬릿(211)으로부터 토출되고, 도 5b와 같이 슬릿(211)은 비교적 긴 길이(L1)를 가질 수 있다. 슬릿(211)은 기판(800)의 센터 영역(R1) 및 엣지 영역(R2)과 오버랩될 수 있다. 용액(900)은 기판(800)의 센터 영역(R1) 상의 포토 레지스트 패턴(820) 및 엣지 영역(R2) 상의 포토 레지스트 패턴(820) 상에 공급될 수 있다. 기판(800)의 엣지 영역(R2) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도는 기판(800)의 센터 영역(R1) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도와 동일 또는 유사할 수 있다.
슬릿(211)의 길이(L1)가 10mm보다 작은 경우, 용액(900)이 과도하게 높은 압력으로 토출될 수 있다. 높은 압력 조건에서 라디칼들은 서로 반응하여 자발적으로 분해될 수 있다. 토출된 용액(900)은 낮은 라디칼 함량비를 가질 수 있다. 따라서, 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도가 감소될 수 있다. 슬릿(211)의 길이(L1)가 160mm보다 큰 경우, 도 1b 및 도 1c의 노즐(200)의 수평 이동 과정에서 슬릿(211)이 기판(800)의 외부에 제공될 수 있다. 용액(900)이 기판(800)의 외부로 토출되어, 공정 효율이 감소할 수 있다. 실시예들에 따르면, 슬릿(211)은 10mm 내지 160nm의 길이(L1)를 가져, 포토 레지스트 패턴(820)이 빠른 속도 및 높은 효율로 제거될 수 있다.
슬릿(211)의 너비(W1)가 도 5a와 같이 0.1mm보다 작은 경우, 용액(900)이 과도하게 높은 압력으로 토출될 수 있다. 슬릿(211)의 너비(W1)가 1mm보다 큰 경우, 용액(900)은 과도하게 낮은 압력으로 토출되어, 공정 효율이 감소할 수 있다. 실시예들에 따르면, 슬릿(211)이 0.1mm 내지 1mm의 너비(W1)를 가질 수 있다.
실시예들에 따르면, 도 5b와 같이 홀들(215) 중에서 적어도 하나는 기판(800)의 엣지 영역(R2)과 중첩되고, 홀들(215) 중에서 적어도 다른 하나는 기판(800)의 센터 영역(R1)과 중첩될 수 있다. 용액(900)이 서로 이격된 복수의 홀들(215)을 통해 슬릿(211)으로 전달되므로, 슬릿(211)이 긴 길이(L1)를 가지더라도, 용액(900)이 슬릿(211)의 전 영역으로부터 균일하게 토출될 수 있다. 예를 들어, 슬릿(211)의 전 영역으로부터 용액(900)이 실질적으로 동일한 압력으로 토출될 수 있다. 이에 따라, 기판(800)의 엣지 영역(R2) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도는 기판(800)의 센터 영역(R1) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도와 보다 유사해질 수 있다.
포토 레지스트 패턴(820)의 제거 공정에서, 기판(800)은 지지 플레이트(110)와 함께 회전할 수 있다. 기판(800)의 회전에 의해 용액(900)이 기판(800)의 센터 영역(R1) 및 엣지 영역(R2)에 균일하게 분배될 수 있다.
도 1b, 도 1c, 및 도 5b와 같이 포토 레지스트 패턴(820) 제거 공정 동안, 노즐(200)은 암(400)에 의해 기판(800)의 상면(800a) 상에서 수평 이동할 수 있다. 이에 따라, 용액(900)은 기판(800)의 센터 영역(R1)의 상면(800a) 및 엣지 영역(R2)의 상면(800a) 상에 분산되어 토출될 수 있다. 기판(800)의 엣지 영역(R2) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도 및 기판(800)의 센터 영역(R1) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도 차이가 보다 감소할 수 있다.
제1 자외선 조사 유닛(300)의 발광면(300b)은 제1 자외선 조사 유닛(300)의 하면 및 측면을 포함할 수 있다. 도 5a와 같이, 제1 자외선 조사 유닛(300)의 발광면(300b)은 기판(800)의 상면(800a) 및 노즐(200)의 하면(200b) 사이의 갭 영역을 향할 수 있다. 제1 자외선 조사 유닛(300)은 토출된 용액(900)에 자외선을 조사할 수 있다(S220). 예를 들어, 용액(900)이 노즐(200)의 슬릿(211)으로부터 토출되어 포토 레지스트 패턴(820) 상에 도달하는 동안, 제1 자외선 조사 유닛(300)은 상기 토출된 용액(900)에 자외선을 조사할 수 있다. 오존은 자외선의 조사에 의해 하기 반응식 2와 같이 라디칼들의 형성을 촉진할 수 있다. 따라서, 포토 레지스트 패턴(820)이 보다 빠르고 용이하게 제거될 수 있다. 반응식 2에서 hv는 자외선을 의미할 수 있다.
[반응식 2]
Figure pat00002
용액(900)이 슬릿(211)으로부터 토출되기 이전에 자외선이 용액(900)에 조사되는 경우, 생성된 라디칼들은 토출될 때의 압력으로 인해 분해될 수 있다. 이에 따라, 포토 레지스트 패턴(820) 상에 공급되는 용액(900)은 낮은 라디칼 함유량을 가져, 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도가 감소할 수 있다. 실시예들에 따르면, 제1 자외선 조사 유닛(300)은 노즐(200)의 외부에 배치되므로, 용액(900)이 슬릿(211)으로부터 토출된 후, 자외선이 조사될 수 있다. 높은 라디칼 함유량의 용액(900)이 포토 레지스트 패턴(820) 상에 공급될 수 있다. 따라서, 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도가 향상할 수 있다.
제1 자외선 조사 유닛(300)의 발광면(300b)은 기판(800)의 상면(800a)을 향할 수 있다. 자외선은 포토 레지스트 패턴(820) 상의 용액(900)에 더 조사되어, 라디칼들이 상기 포토 레지스트 패턴(820) 상의 용액(900)으로부터 더욱 빠르게 형성될 수 있다. 이에 따라, 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 공정 속도 및 공정 효율이 향상될 수 있다.
도 1b, 도 1c, 및 도 5c와 같이 자외선이 조사되는 동안, 제1 자외선 조사 유닛(300)은 암(400)과 함께 수평 이동할 수 있다, 이에 따라, 자외선은 기판(800)의 센터 영역(R1) 및 엣지 영역(R2) 상에 조사될 수 있다. 기판(800)의 엣지 영역(R2) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도 및 기판(800)의 센터 영역(R1) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도 차이가 보다 감소할 수 있다.
유체(700)가 기판(800)의 하면 상에 분사되어, 기판(800)을 가열할 수 있다.(S230) 도 5a와 같이 포토 레지스트 패턴(820) 제거 공정 동안, 제1 유체 공급부(111)는 유체(700)를 지지 플레이트(110)의 상면(110a) 및 기판(800)의 하면 사이의 갭 영역에 분사할 수 있다. 제1 유체 공급부(111)의 배출부(111Z)는 지지 플레이트(110)의 센터 영역 상에 배치될 수 있다. 제1 유체 공급부(111)의 배출부(111Z)는 지지 플레이트(110)의 상면(110a)과 실질적으로 수직한 방향과 나란하게 연장될 수 있다. 유체(700)는 탈이온수와 같은 물일 수 있다. 유체(700)는 대략 65℃ 내지 100℃ 미만의 온도로 분사될 수 있다. 유체(700)는 기판(800)과 물리적으로 접촉할 수 있다. 일 예로, 제1 유체 공급부(111)에서 분사된 유체(700)는 기판(800)의 제1 부분의 하면과 접촉할 수 있고, 제1 부분은 센터 영역(R1)에 해당할 수 있다. 이에 따라, 열이 기판(800)을 통해 포토 레지스트 패턴(820) 및 용액(900)으로 전달될 수 있다. 포토 레지스트 패턴(820) 제거 공정 온도가 높아져, 단위 시간 당 포토 레지스트 패턴(820)의 제거량이 증가될 수 있다. 즉, 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도가 향상될 수 있다. 유체(700)가 65℃ 미만의 온도로 분사되면, 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도가 충분히 증가되지 않을 수 있다.
제1 기체 공급부(121)가 제1 유체 공급부(111)와 인접하여 배치될 수 있다. 제1 기체 공급부(121)의 배출부는 기판(800)의 상면(800a) 상에 노출되며, 제1 유체 공급부(111)의 배출부(111Z)와 인접하여 배치될 수 있다. 제1 유체 공급부(111)로부터 유체(700)가 분사되는 동안, 제1 기체 공급부(121)는 비활성 기체를 유체(700)를 향하여 분사할 수 있다. 상기 비활성 기체에 의해 유체(700)가 제1 유체 공급부(111) 내로 재유입되는 현상이 방지될 수 있다. 질소가 비활성 기체로 사용될 수 있다.
제2 유체 공급부(113)는 지지 플레이트(110)의 상면(110a) 및 기판(800)의 하면 사이의 갭 영역에 유체(700)를 분사할 수 있다. 상기 유체(700)는 탈이온수와 같은 물을 포함할 수 있고, 대략 65℃ 내지 100℃ 미만의 온도로 분사될 수 있다. 제2 유체 공급부(113)에 의해 유체(700)가 더 분사되므로, 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도가 더욱 향상될 수 있다.
제2 유체 공급부(113)는 제1 유체 공급부(111)와 이격되며, 제1 유체 공급부(111)보다 지지 플레이트(110)의 엣지 영역에 더 인접할 수 있다. 제2 유체 공급부(113)의 배출부(113Z)는 지지 플레이트(110)의 상면(110a) 상에 노출될 수 있다. 제2 유체 공급부(113)의 배출부(113Z)는 제1 유체 공급부(111)의 배출부(111Z)보다 지지 플레이트(110)의 엣지 영역에 더 인접하여 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 유체 공급부(113)의 배출부(113Z) 및 지지 플레이트(110)의 외측벽(110c) 사이의 최소 거리는 제1 유체 공급부(111)의 배출부(111Z) 및 상기 지지 플레이트(110)의 상기 외측벽(110c) 사이의 최소 거리보다 더 작을 수 있다.
제2 유체 공급부(113)의 배출부(113Z)는 지지 플레이트(110)의 상면(110a)에 대해 경사진 방향으로 연장될 수 있다. 제2 유체 공급부(113)의 배출부(113Z)는 상기 제1 유체 공급부(111)의 배출부(111Z)로부터 멀어지도록 틸트될 수 있다. 일 예로, 제2 유체 공급부(113)의 배출부(113Z)는 기판(800)의 엣지 영역(R2) 또는 지지 플레이트(110)의 엣지 영역을 향해 틸트될 수 있다. 이에 따라, 제2 유체 공급부(113)는 유체(700)를 기판(800)의 제2 부분의 하면과 접촉시킬 수 있다. 제2 부분은 기판(800)의 센터 영역(R1)보다 기판(800)의 측면에 인접할 수 있고, 엣지 영역(R2) 또는 엣지 영역(R2)에 인접한 영역에 해당할 수 있다. 상기 유체(700)는 기판(800)의 엣지 영역(R2)으로 열을 공급할 수 있다. 기판(800)의 엣지 영역(R2) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도가 증가될 수 있다. 복수의 제2 유체 공급부들(113)이 서로 이격되어 제공될 수 있다. 이에 따라, 포토 레지스트 패턴(820)은 기판(800) 상의 위치에 제약되지 않고 균일하게 제거될 수 있다. 도시되지 않았으나, 지지 플레이트(110)의 외측벽(110c) 상에 드레인부가 제공되어, 반응하고 남은 유체(700)를 배출할 수 있다. 도시된 바와 달리, 단수의 제2 유체 공급부(113)가 제공될 수 있다. 또 다른 예로, 제2 유체 공급부(113)는 제공되지 않을 수 있다.
제2 유체 공급부(113)로부터 유체(700)가 분사되는 동안, 제2 기체 공급부(123)는 비활성 기체를 상기 유체(700)를 향하여 분사할 수 있다. 상기 비활성 기체에 의해 분사된 유체(700)가 제2 유체 공급부들(113) 내로 재유입되는 현상이 방지되고, 드레인부로 용이하게 흐를 수 있다. 제2 기체 공급부(123)는 제2 유체 공급부(113)와 쌍으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 기체 공급부(123)의 개수는 제2 유체 공급부(113)의 개수와 동일하고, 제2 기체 공급부(123)는 제2 유체 공급부(113)와 인접하여 배치될 수 있다.
포토 레지스트 패턴(820)을 제거하는 것(S300)이 완료되면, 세정 공정이 기판(800)의 상에 더 수행될 수 있다. 세정 공정은 증류수를 기판(100) 상에 공급하여 잔여물을 제거하는 것 및 상기 증류수를 건조시키는 것을 포함할 수 있다. 상기 잔여물은 남은 용액(900) 및 제거된 포토 레지스트 패턴(820)의 찌꺼기 물질을 포함할 수 있다. 증류수를 건조시키는 것은 질소와 같은 비활성 기체를 사용하여 수행될 수 있다, 앞서 설명한 포토 레지스트 패턴(820)을 제거하는 것(S300) 동안, 기판(800)은 분당 제1 회전수로 회전할 수 있고, 증류수를 건조시키는 동안 기판(800)의 분당 제2 회전수로 회전할 수 있다. 제2 회전수는 제1 회전수보다 클 수 있다. 예를 들어, 분당 제1 회전수는 100rpm 내지 1000rpm 이고, 분당 제2 회전수는 1100rpm 내지 2000rpm일 수 있다.
이후, 기판(800)이 지지 플레이트(110)로부터 언로딩될 수 있다.(S400)
도 6a는 일 예에 따른 상부막 형성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a를 참조하면, 포토 레지스트 제거 공정이 수행될 수 있다. 앞서 설명한 바와 달리. 포토 레지스트 제거 공정 동안, 용액(900)은 노즐(200)의 홀(215)을 통해 용액(900)이 직접 토출될 수 있다. 즉, 노즐(200)은 슬릿(211) 및 디스펜서 룸(213)을 가지지 않을 수 있다. 노즐(200)은 수평 운동하지 않고, 제1 자외선 조사 유닛(300)은 생략될 수 있다. 이에 따라, 포토 레지스트 패턴(820)은 느린 속도로 제거되고, 기판(800) 상의 위치에 따라 불균일하게 제거될 수 있다. 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 공정이 완료된 후, 기판(800)의 엣지 영역(R2) 상에 포토 레지스트 패턴(820)이 남아 있을 수 있다. 상부막(830)이 하부막(810) 상에 형성되어, 포토 레지스트 패턴(820)을 덮을 수 있다. 포로 레지스트 패턴은 상부막(830)과 하부막(810) 사이에 남아 있을 수 있다. 상기 포토 레지스트 패턴(820)은 공정상 의도하지 않은 불순물로 작용할 수 있다.
도 6b는 실시예들에 따른 상부막 형성을 설명하기 위한 도면이다. 도 6a 및 도 6b의 설명에서 도 5a 내지 도 5c를 함께 참조한다.
도 6b를 참조하면, 포토 레지스트 제거 공정은 앞서 도 5a 내지 도 5c에서 설명한 방법에 의해 수행될 수 있다. 실시예들에 따르면, 포토 레지스트 패턴(820)은 빠르게 제거될 수 있다. 기판(800)의 엣지 영역(R2) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도는 기판(800)의 센터 영역(R1) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도와 실질적으로 동일할 수 있다. 포토 레지스트 제거 공정이 완료된 후, 포토 레지스트 패턴(820)은 남아 있지 않을 수 있다. 상부막(830)은 하부막(810) 상에 형성되어, 하부막(810)을 덮을 수 있다. 상부 막과 하부막(810) 사이에 포토 레지스트 패턴(820)이 개재되지 않을 수 있다. 상부막(830)의 형성은 도 4에서 설명한 기판(800)을 언로딩하는 것(S400) 이후 수행될 수 있다. 실시예들의 반도체 소자의 제조 방법에 따르면, 향상된 신뢰성의 반도체 소자가 제조될 수 있다.
도 7은 실시예들에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 참조하면, 반도체 소자 제조 장치는 지지 유닛(100), 노즐(200), 제1 자외선 조사 유닛(300), 및 암(400)을 포함할 수 있다. 지지 유닛(100), 노즐(200), 제1 자외선 조사 유닛(300), 및 암(400)은 앞서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 다만, 제2 유체 공급부(113)는 지지 플레이트(110)의 엣지 영역 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 유체 공급부(113)는 평면적 관점에서 지지 플레이트(110)의 중심축보다 지지 플레이트(110)의 외측벽(110c)에 더 인접할 수 있다. 제2 유체 공급부(113)는 기판(800)의 엣지 영역(R2)과 수직적으로 중첩될 수 있다. 유체(700)가 제2 유체 공급부(113)의 배출부(113Z)로부터 기판(800)의 엣지 영역(R2)의 하면 상으로 분사될 수 있다. 제2 유체 공급부(113)는 복수로 제공될 수 있다. 제1 유체 공급부(111) 및 제2 유체 공급부들(113)에 의해 기판(800)의 엣지 영역(R2) 및 센터 영역(R1)의 온도는 서로 균일하게 균일하게 증가될 수 있다. 포토 레지스트 패턴(820)이 기판(800) 상의 위치에 제약되지 않고 균일하게 제거될 수 있다.
도 8a는 실시예들에 따른 반도체 소자 제조 장치 및 이를 사용한 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이다. 도 8b는 도 8a의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 자른 단면이다. 도 8c는 도 8a의 Ⅴ-Ⅴ'선을 따라 자른 단면이다.
도 4, 도 8a 내지 도 8c를 참조하면, 반도체 소자 제조 장치는 지지 유닛(100), 노즐(200), 제1 자외선 조사 유닛(300), 및 암(400)에 더하여, 제2 자외선 조사 유닛(320) 및 홀딩 암(430)을 포함할 수 있다. 홀딩 암(430)은 지지 유닛(100)과 이격 배치될 수 있다. 홀딩 암(430)의 적어도 일부분은 지지 플레이트(110)의 상면(110a) 상에 배치되며, 지지 플레이트(110)의 상면(110a)과 이격될 수 있다.
제2 자외선 조사 유닛(320)은 노즐(200), 제1 자외선 조사 유닛(300), 및 암(400)과 이격될 수 있다. 제2 자외선 조사 유닛(320)이 지지 플레이트(110)의 상면(110a) 상에 제공되며, 지지 플레이트(110)의 상면(110a)과 이격 배치될 수 있다. 연결 구조체(530)가 제2 자외선 조사 유닛(320) 및 홀딩 암(430) 사이에 제공되어, 제2 자외선 조사 유닛(320) 및 홀딩 암(430)과 결합될 수 있다. 제2 자외선 조사 유닛(320)은 연결 구조체(530)를 통해 홀딩 암(430)에 연결될 수 있다. 연결 구조체(530)는 일 예로, 브라켓을 포함할 수 있다. 홀딩 암(430)은 제2 자외선 조사 유닛(320)을 고정된 위치에 제공할 수 있다. 제2 자외선 조사 유닛(320)의 발광면(320b)은 제2 자외선 조사 유닛(320)의 하면일 수 있다. 제2 자외선 조사 유닛(320)은 자외선을 기판(800)의 엣지 영역(R2) 상에 조사할 수 있다. 제2 자외선 조사 유닛(320)이 제공되므로, 기판(800)의 엣지 영역(R2) 상의 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 속도가 더욱 증가될 수 있다. 일 예로, 제2 자외선 조사 유닛(320)은 포토 레지스트 패턴(820)의 제거 공정 동안 수평 이동하지 않을 수 있다. 제2 자외선 조사 유닛(320)은 자외선 램프를 포함하고, “U자 형상의 단면을 가질 수 있다. 도 4에서 설명한 자외선을 조사하는 것(S320)은 제1 자외선 조사 유닛(310) 및 제2 자외선 조사 유닛(320)을 사용하여 자외선을 조사하는 것을 포함할 수 있다.
지지 유닛(100), 노즐(200), 제1 자외선 조사 유닛(300), 및 암(400)은 앞서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다.
이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 용액을 토출하도록 구성된 슬릿을 갖는 노즐, 상기 슬릿은 상기 노즐의 하면 상에 제공되고; 및
    상기 노즐의 외부에 제공된 제1 자외선 조사 유닛을 포함하고,
    상기 제1 자외선 조사 유닛은 상기 노즐과 함께 수평 이동하도록 구성된 반도체 소자 제조 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 노즐 및 상기 제1 자외선 조사 유닛과 연결된 암(arm)을 더 포함하되,
    상기 암은 상기 제1 자외선 조사 유닛 및 상기 노즐을 수평 이동시키도록 구성된 반도체 소자 제조 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    기판을 지지하기 위한 지지 플레이트를 더 포함하고,
    상기 제1 자외선 조사 유닛은:
    평면적 관점에서 상기 지지 플레이트의 센터 영역과 중첩되는 제1 위치; 및
    상기 제1 위치보다 상기 지지 플레이트의 엣지 영역에 인접한 제2 위치 사이를 수평적으로 왕복 운동하도록 구성된 반도체 소자 제조 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 노즐은:
    상기 노즐의 상면을 관통하는 주입 홀; 및
    상기 홀 및 상기 슬릿 사이에 제공되고, 상기 주입 홀 및 상기 슬릿과 연결되는 디스펜서 룸을 포함하는 반도체 소자 제조 장치.
  5. 수평적으로 왕복 운동하도록 구성된 암;
    상기 암에 결합되고, 하면 상에 용액을 토출하도록 구성된 슬릿을 갖는 노즐; 및
    상기 암에 결합되고, 상기 노즐의 외부에 제공된 제1 자외선 조사 유닛을 포함하는 포토 레지스트 제거 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 노즐 및 상기 제1 자외선 조사 유닛과 이격된 제2 자외선 조사 유닛을 더 포함하고,
    상기 제2 자외선 조사 유닛은 평면적 관점에서 지지 플레이트의 엣지 영역의 상면과 중첩되는 포토 레지스트 제거 장치.
  7. 하면 상에 슬릿을 갖는 노즐;
    상기 노즐의 외부에 제공된 제1 자외선 조사 유닛;
    지지 플레이트; 및
    상기 지지 플레이트 내에 제공되고, 유체를 분사하도록 구성된 제1 유체 공급부를 포함하고,
    상기 제1 유체 공급부의 배출부는 상기 지지 플레이트의 상면 상에 노출되고,
    상기 노즐의 상기 하면 및 상기 제1 자외선 조사 유닛은 상기 지지 플레이트의 상면과 이격 배치된 반도체 소자 제조 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 지지 플레이트 내에 제공되고, 유체를 분사하도록 구성된 배출부를 갖는 제2 유체 공급부를 더 포함하고,
    상기 제2 유체 공급부의 상기 배출부는 상기 지지 플레이트의 상면 상에 노출되고, 상기 제1 유체 공급부로부터 멀어지도록 틸트된 반도체 소자 제조 장치.
  9. 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 지지 플레이트 상에 로딩하는 것, 및
    상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 것을 포함하되,
    상기 기판을 로딩하는 것은 슬릿을 갖는 노즐 및 제1 자외선 조사 유닛을 상기 기판의 상면과 이격 배치시키는 것을 포함하고,
    상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 것은:
    상기 노즐의 상기 슬릿으로부터 용액을 상기 포토 레지스트 패턴 상에 토출하는 것; 및
    상기 제1 자외선 조사 유닛을 사용하여 상기 토출된 용액 상에 자외선을 조사하는 것을 포함하고,
    상기 자외선이 조사되는 동안, 상기 제1 자외선 조사 유닛은 수평적으로 왕복 운동하는 반도체 소자 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 것은:
    상기 기판의 하면 상에 유체를 분사하여, 상기 기판을 가열하는 것을 더 포함하고, 상기 유체는 상기 기판의 상기 하면과 접촉하는 반도체 소자 제조 방법.
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