KR20200117972A - 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법 - Google Patents
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Abstract
서브 시스템 (1) 은, 일차 순수 (W) 를 저류하기 위한 서브 탱크 (2) 와, 이 탱크 (2) 에 저류된 일차 순수 (W) 의 공급 라인 (3) 의 기단부에 형성된 펌프 (4) 와, 이 펌프 (4) 의 후단에 형성된 열교환기 (5), 저압 자외선 (UV) 조사 산화 장치 (6), 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 및 미립자 제거막 장치로서의 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치 (8) 를 갖는다. 그리고, UF 막 분리 장치 (8) 의 출구측과 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 출구측에 각각 전환 가능하게 미립자수를 계측하는 수단인 미립자계 (9) 가 형성되어 있다. 이러한 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법에 의하면, 초순수 중의 미립자수를 저감화한 상태로 유지하는 것이 가능하다.
Description
본 발명은, 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법에 관한 것으로, 특히 초순수 중의 미립자수를 저감화한 상태로 유지하는 것이 가능한 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법에 관한 것이다.
전자 산업 분야에서 사용되는 초순수의 제조 장치는 크게 나누어, 공업용수나 수돗물 등 통상의 물로부터 탁질 등을 제거하는 전처리 장치와, 전처리 장치의 처리수를 정제하여 대부분의 불순물을 제거한 순수를 제조하는 일차 순수 장치와, 일차 순수를 더욱 고도로 정제하여 불순물을 거의 완전히 제거한 초순수를 제조하는 이차 순수 장치 (서브 시스템) 로 이루어진다.
이 중, 이차 순수 장치 (서브 시스템) 는, 기본적으로는 유기물을 분해하는 저압 자외선 (UV) 조사 산화 장치, 이온성 불순물을 흡착 제거하는 이온 교환 수지를 충전한 비재생형의 혼상식 이온 교환 장치 및 미립자를 완전히 제거하기 위한 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치를 기본 구성으로서 구비하고, 물의 순도를 한층 더 높여 초순수로 한다. 여기서, 저압 UV 조사 산화 장치에서는, 저압 UV 램프로부터 나오는 파장 185 ㎚ 의 자외선에 의해 TOC 를 유기산 나아가서는 CO2 로까지 분해한다. 분해된 유기산 및 CO2 는 후단의 이온 교환 수지로 제거된다. UF 막 분리 장치에서는, 이온 교환 수지의 유출 입자 등의 미소 입자가 제거된다. 이와 같이 종래에는, 서브 시스템의 말단에 UF 막 등의 미립자 제거막을 설치함으로써, 나노미터 사이즈의 미립자 제거 처리를 실시하고 있었지만, 최근, 반도체 제품의 고성능화, 미세화의 진전에 수반하여, 미립자 관리가 엄격해지고 있어, 예를 들어, 반도체 공장에서는 φ50 ㎚ 이상의 입자가 1 개/㎖ 이하로 관리값이 설정되는 경우도 많다. 이 때문에 서브 시스템의 UF 막 분리 장치의 출구에서 초순수 중의 미립자수를 측정하여, 관리하는 것이 실시되고 있다.
이 서브 시스템의 대표적인 예를 도 5 에 나타낸다. 도 5 에 있어서, 서브 시스템 (21) 은, 일차 순수 (W) 를 저류하기 위한 서브 탱크 (22) 와, 이 탱크 (22) 에 저류된 일차 순수 (W) 의 공급 라인 (23) 의 기단부에 형성된 펌프 (24) 와, 이 펌프 (24) 의 후단에 형성된 열교환기 (25), 저압 UV 조사 산화 장치 (26), 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (27) 및 UF 막 분리 장치 (28) 를 갖는다. 그리고, UF 막 분리 장치 (28) 의 출구측에 오프라인 모니터로서의 미립자계 (PC) (29) 가 형성되어 있다.
상기 서술한 바와 같은 서브 시스템 (21) 의 운전 중에는, 펌프 (24) 를 가동하여, 서브 탱크 (22) 내의 일차 순수 (W) 를 열교환기 (25), 저압 UV 조사 산화 장치 (26), 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (27) 및 UF 막 분리 장치 (28) 로 순차 통수하고, 얻어진 초순수 (W1) 를 유스 포인트 (POU) 에 보낸다. 한편, 유스 포인트 (POU) 에서 사용되지 않은 초순수 (W1) 는 순환 라인 (23A) 을 거쳐 서브 탱크 (22) 에 반송되고, 재차 처리된다.
종래의 도 5 에 나타내는 바와 같은 서브 시스템 (21) 에서는, 초순수 (W1) 중의 미립자수를 UF 막 분리 장치 (28) 의 출구측의 미립자계 (29) 에 의해 관리하는 한편, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (27) 는, 그 출구측의 이온 부하를 도전율계나 비저항계 등에 의해 계측하여, 이것이 소정의 값보다 커지면 정기적으로 교환하고 있었다. 그러나, 이와 같은 관리 방법에 의해서도 초순수 (W1) 중에 미립자가 리크되어, 초순수 (W1) 중의 미립자수를 저감화한 상태로 유지할 수 없는 경우가 있다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 초순수 중의 미립자수를 저감화한 상태로 유지하는 것이 가능한 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 감안하여 본 발명은, 일차 순수 시스템에서 제조한 일차 순수를 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 및 미립자 제거막 장치를 이 순서로 구비한 서브 시스템에서 처리하는 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법으로서, 상기 미립자 제거막 장치의 출구의 초순수 중의 미립자수를 미립자수 계측 수단에 의해 계측함으로써 감시하는 한편, 상기 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수를 미립자수 계측 수단에 의해 계측하여, 상기 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수가 소정의 값을 초과하면 상기 비재생형 혼상식 이온 교환 장치를 교환하는, 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법을 제공한다 (발명 1).
이러한 발명 (발명 1) 에 의하면, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수를 미립자수 계측 수단에 의해 계측하여 관리함으로써, 미립자 제거막 장치의 출구의 초순수 중의 미립자수를 안정적으로 저감화하는 것이 가능해진다. 이것은 이하와 같은 이유에 의한 것으로 추측된다. 즉, 초순수 중의 미립자를 미립자 제거막 장치의 출구측에서만 관리한 경우, 미립자 제거막 장치로부터 미립자가 리크된 시점에서 미립자의 증가를 검지할 수 있는데, 이것으로는 기준값보다 미립자수가 증가한 초순수가 공급되는 것을 미연에 방지할 수 없다. 그래서, 본 발명자들이 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수와 미립자 제거막 장치에서 처리하여 얻어지는 초순수 중의 미립자수의 관련성을 조사한 결과, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수가 증가하면, 미립자 제거막 장치의 출구의 초순수에 미립자가 리크되기 쉬운 것을 알 수 있었다. 따라서, 이 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자의 증가를 관리함과 함께, 미립자 제거막 장치의 출구의 초순수 중의 미립자수를 확인함으로써, 얻어지는 초순수 중의 미립자수를 저감화한 상태로 안정적으로 공급할 수 있다.
상기 발명 (발명 1) 에 있어서는, 상기 서브 시스템이 저압 자외선 (UV) 조사 산화 장치, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 및 상기 미립자 제거막 장치로서의 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치를 이 순서로 구비하는 것이 바람직하다 (발명 2). 또, 상기 발명 (발명 1) 에 있어서는, 상기 서브 시스템이 저압 자외선 (UV) 조사 산화 장치, 촉매 수지 (과산화수소 제거) 장치, 막식 탈기 장치, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 및 상기 미립자 제거막 장치로서의 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치를 이 순서로 구비하는 것이 바람직하다 (발명 3). 또한, 상기 발명 (발명 1) 에 있어서는, 상기 서브 시스템이 저압 자외선 (UV) 조사 산화 장치, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치, 막식 탈기 장치 및 상기 미립자 제거막 장치로서의 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치를 이 순서로 구비하는 것이 바람직하다 (발명 4).
이러한 발명 (발명 2 ∼ 4) 에 의하면, 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치의 전단에 배치된 비재생형 혼상식 이온 교환 장치는, 나트륨이나 염소 등의 이온에 비해 콜로이달 실리카 등의 미립자가 파과 (破過) 되기 쉬워, 이 미립자가 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치의 파단 부분으로부터 유출되어 초순수 중의 미립자수의 증가를 초래하므로, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수를 관리하여 그 미립자수가 소정의 값을 상회하면, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치를 교환하고, 미립자 제거막 장치의 출구의 초순수 중의 미립자수를 확인함으로써, 미립자수가 증가한 초순수가 공급되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
상기 발명 (발명 1 ∼ 4) 에 있어서는, 상기 미립자수 계측 수단이 미립자계이고, 상기 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수와 상기 미립자 제거막 장치의 출구의 초순수 중의 미립자수를 1 대의 미립자계를 전환함으로써 계측하는 것이 바람직하다 (발명 5).
이러한 발명 (발명 5) 에 의하면, 1 대의 미립자계로 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수와 미립자 제거막 장치의 출구의 초순수 중의 미립자수를 계측할 수 있다.
상기 발명 (발명 1 ∼ 4) 에 있어서는, 상기 미립자수 계측 수단이 미립자계이고, 상기 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 출구측 및 상기 미립자 제거막 장치의 출구측에 각각 미립자계를 형성하여, 상기 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수 및 상기 미립자 제거막 장치의 출구의 초순수 중의 미립자수를 각각 계측하는 것이 바람직하다 (발명 6).
이러한 발명 (발명 6) 에 의하면, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수와 미립자 제거막 장치의 출구의 초순수 중의 미립자수를 각각 독립적으로 계측할 수 있다.
본 발명은, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수를 계측하여, 그 미립자수가 소정의 값을 초과하면 비재생형 혼상식 이온 교환 장치를 교환하고, 미립자 제거막 장치의 출구의 초순수 중의 미립자수를 확인함으로써, 미립자수가 증가한 초순수가 공급되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법을 적용 가능한 초순수 제조 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 2 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법을 적용 가능한 초순수 제조 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 3 은, 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법을 적용 가능한 초순수 제조 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 4 는, 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법을 적용 가능한 초순수 제조 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 5 는, 종래의 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법을 적용 가능한 초순수 제조 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 2 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법을 적용 가능한 초순수 제조 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 3 은, 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법을 적용 가능한 초순수 제조 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 4 는, 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법을 적용 가능한 초순수 제조 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 5 는, 종래의 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법을 적용 가능한 초순수 제조 시스템을 나타내는 개략도이다.
이하, 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법에 대해 도 1 을 참조로 하여 상세하게 설명한다.
본 실시형태의 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법을 적용 가능한 서브 시스템은, 전술한 도 5 에 나타내는 것과 기본적으로는 동일한 구성을 갖는다. 즉, 도 1 에 있어서, 서브 시스템 (1) 은, 일차 순수 (W) 를 저류하기 위한 서브 탱크 (2) 와, 이 서브 탱크 (2) 에 저류된 일차 순수 (W) 의 공급 라인 (3) 의 기단부에 형성된 펌프 (4) 와, 이 펌프 (4) 의 후단에 형성된 열교환기 (5), 저압 UV 조사 산화 장치 (6), 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 및 미립자 제거막 장치로서의 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치 (8) 를 갖는다. 그리고, UF 막 분리 장치 (8) 의 출구측과 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 출구측에 각각 전환 가능하게 미립자수를 계측하는 수단인 미립자계 (PC) (9) 가 접속되어 있다. 이 미립자계 (9) 로는, 쿠리타 공업사 제조 「K-LAMIC」(상품명), PMS 사 제조 「UDI-50」(상품명) 등을 사용할 수 있다.
상기 서술한 바와 같은 서브 시스템 (1) 의 운전시에는, 펌프 (4) 를 가동하여 서브 탱크 (2) 내의 일차 순수 (W) 를 열교환기 (5), 저압 UV 조사 산화 장치 (6), 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 에 순차 통수하고, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 처리수 (W2) 를 UF 막 분리 장치 (8) 에 통수하여 초순수 (W1) 를 얻는다. 그리고, 얻어진 초순수 (W1) 를 유스 포인트 (POU) 에 공급한다. 한편, 유스 포인트 (POU) 에서 사용되지 않은 초순수 (W1) 는 순환 라인 (3A) 을 거쳐 서브 탱크 (2) 에 반송되고, 재차 처리된다.
또한, 본 실시형태에 있어서의 초순수 (W1) 로는, 저항률 : 18.1 MΩ·㎝ 이상, 미립자 : 입경 50 ㎚ 이상이고 1000 개/ℓ 이하, 생균 : 1 개/ℓ 이하, TOC (Total Organic Carbon) : 1 ㎍/ℓ 이하, 전체 실리콘 : 0.1 ㎍/ℓ 이하, 금속류 : 1 ng/ℓ 이하, 이온류 : 10 ng/ℓ 이하, 과산화수소 : 30 ㎍/ℓ 이하, 수온 : 25±2 ℃ 인 것이 바람직하다.
다음으로 이와 같은 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법에 대해 설명한다.
[통상시 운전]
상기 서술한 바와 같은 초순수의 제조 공정에 있어서, 미립자계 (9) 를 UF 막 분리 장치 (8) 의 출구측과 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 출구측에 각각 소정의 타이밍으로 적절히 전환함으로써, UF 막 분리 장치 (8) 의 출구측의 초순수 (W1) 의 미립자수와, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 처리수 (W2) 의 미립자수를 측정한다. 그리고, 초순수 (W1) 의 미립자수가 1 개/㎖ 이하이고, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 처리수 (W2) 의 미립자수가 10 개/㎖ 이하이면, 서브 시스템 (1) 의 운전을 계속하여, 초순수 (W1) 를 유스 포인트 (POU) 에 공급한다.
[미립자수 관리 운전]
한편, 오프라인 모니터인 미립자계 (9) 에서 계측된 UF 막 분리 장치 (8) 의 출구측의 초순수 (W1) 의 미립자수가 1 개/㎖ 이하여도, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 처리수 (W2) 의 미립자수가 10 개/㎖ 를 초과하면, 서브 시스템 (1) 의 운전을 일단 정지하고, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 를 교환한다. 이로써 UF 막 분리 장치 (8) 의 출구측의 초순수 (W1) 의 미립자수를 1 개/㎖ 이하로 유지할 수 있어, 미립자수가 기준값을 초과한 초순수 (W1) 가 유스 포인트 (POU) 에 공급되는 것을 미연에 방지할 수 있다. 또한, 이와 같은 관리를 실시해도 UF 막 분리 장치 (8) 의 출구측의 초순수 (W1) 의 미립자수가 1 개/㎖ 를 초과하는 경우에는, UF 막 분리 장치 (8) 에 파단이 발생한 것으로 판단하여, UF 막 분리 장치 (8) 를 교환하거나 하면 된다.
＜작용 기구＞
이와 같은 효과가 얻어지는 것은 이하와 같은 작용 기구에 의한다. 즉, 일반적으로 이온 교환 장치에서는, 용해성 실리카는 매우 제거하기 쉬운 것에 대하여, 콜로이달 실리카는 붕소보다 매우 제거하기 어려운 (파과되기 쉬운) 것이 보고되어 있다 (「UPW Micro 2017, UPW IRDS and SEMI update」Slava Libman 등). 그리고, 이 붕소는, 일차 순수 (W) 중에 포함되어 있는 나트륨 이온 (Na＋), 염소 이온 (Cl-) 혹은 탄산 이온 (HCO3 -) 보다 매우 제거하기 어렵다 (파과되기 쉽다). 즉, 콜로이달 실리카는, 나트륨 이온 (Na＋), 염소 이온 (Cl-), 탄산 이온 (HCO3 -) 보다 훨씬 파과되기 쉬워지게 된다.
그래서, 본 발명자들이 검토한 결과, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 출구측, 즉 UF 막 분리 장치 (8) 의 입구측에 있어서의 미립자수의 증가는, 주로 콜로이달 실리카 입자에서 기인하는 것을 알 수 있었다. 종래, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 는, 그 출구측에 도전율계나 비저항계 등의 이온 부하를 계측하는 수단을 형성하여 이온 부하를 계측하고, 이것이 소정의 값보다 커지면 정기적으로 교환하고 있었지만, 이것으로는 콜로이달 실리카의 미립자는 UF 막 분리 장치 (8) 에 유입되어 버린다. 이에 대하여 본 실시형태와 같이 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 처리수의 미립자수에 시점을 두고 관리함으로써, 미립자가 UF 막 분리 장치 (8) 의 출구에 도달하기 전에 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 를 교환할 수 있기 때문에, UF 막 분리 장치 (8) 의 출구에 있어서의 초순수 (W1) 의 미립자수의 안정화를 도모할 수 있다. 그리고, 초순수 (W1) 의 미립자수가 증가하지 않는 것을 미립자계 (9) 에 의해 계측하여 확인하면 된다.
이상, 본 발명의 제 1 실시형태에 대해 첨부 도면을 참조하여 설명해 왔지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정하지 않고 여러 가지 변경 실시가 가능하다. 예를 들어, 도 2 에 나타내는 바와 같이 UF 막 분리 장치 (8) 의 출구측에 제 1 미립자계 (9A) 를 형성함과 함께 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 출구측에 제 2 미립자계 (9B) 를 형성하여, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 처리수 (W2) 의 미립자수와, UF 막 분리 장치 (8) 의 출구의 초순수 (W1) 의 미립자수를 각각 독립적으로 계측하는 구성으로 해도 된다. 또, 미립자수 계측 수단은, 미립자계 (9) 등은 오프라인 모니터가 아니라, 원심 여과법을 이용한 온라인 모니터로 해도 된다.
또, 서브 시스템 (1) 으로는, 전술한 제 1 및 제 2 실시형태의 것에 한정하지 않고 여러 가지 서브 시스템에 적용 가능하다. 예를 들어, 도 3 에 나타내는 바와 같이 저압 자외선 (UV) 조사 산화 장치 (6) 의 후단에 백금족 금속 등을 담지한 이온 교환 수지를 충전한 촉매 수지 (과산화수소 제거) 장치 (10), 막식 탈기 장치 (11) 를 형성하고, 그 후단에 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 및 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치 (8) 를 이 순서로 구비하는 것에도 바람직하게 적용 가능하다. 또한, 서브 시스템 (1) 으로서, 예를 들어, 도 4 에 나타내는 바와 같이 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 와 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치 (8) 사이에 막식 탈기 장치 (12) 를 형성한 것에도 바람직하게 적용 가능하다. 이 경우, 미립자계 (9) 등의 미립자수 계측 수단은, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 출구측에서 UF 막 분리 장치 (8) 보다 전이면, 막식 탈기 장치 (12) 등의 다른 엘리먼트가 개재하고 있어도 되고, 그 경우, 다른 엘리먼트의 출구측에서 미립자수를 계측해도 되고, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 직후에서 계측해도 된다.
실시예
이하의 구체적 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
[실험예 1]
도 1 에 나타내는 초순수 제조 시스템에 의해, 시수 (市水) 를 원수로 하여 초순수의 제조를 실시하였다. 또한, 서브 시스템 (1) 을 구성하는 저압 UV 조사 산화 장치 (6) 로는 니혼 포토사이언스사 제품을, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 로는 쿠리타 공업사 제조 「KR-FM」을, UF 막 분리 장치 (8) 로는 쿠리타 공업사 제조 「KU-1510-HP-H」를, 미립자계 (9) 로는 쿠리타 공업사 제조 「K-LAMIC」를 각각 사용하였다.
상기 초순수의 제조 시스템에서의 초순수의 제조 공정에 있어서, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 처리수 (W2) 및 UF 막 분리 장치 (8) 의 출구의 초순수 (W1) 의 미립자수를 감시하여, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 처리수 (W2) 의 미립자수가 10 개/㎖ 를 초과하면, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 를 교환하는 작업을 반복한 결과, UF 막 분리 장치 (8) 의 출구의 초순수 (W1) 의 미립자수가 1 개/㎖ 를 초과하는 경우는 없었다. 이것은 UF 막 분리 장치 (8) 에 대한 유입하는 처리수 (W2) 중의 콜로이달 실리카 등에서 기인하는 미립자수를 억제할 수 있기 때문이라고 생각된다.
[비교예 1]
실시예 1 에 있어서, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 의 처리수 (W2) 의 미립자수를 계측하지 않고, 비저항계에 의해 비저항값을 측정하고, 이 비저항값으로부터 이온 부하를 판단하여, 이온 부하가 소정의 값을 초과하면 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 (7) 를 교환하는 작업을 반복한 결과, UF 막 분리 장치 (8) 의 출구의 초순수 (W1) 의 미립자수가 시간의 경과와 함께 1 개/㎖ 를 초과하는 경향을 나타내었다. 이것은 UF 막 분리 장치 (8) 의 시간 경과적 열화에 의해 부분적으로 파단이 발생하여, 콜로이달 실리카가 리크되었기 때문인 것으로 생각된다.
1 : 서브 시스템
2 : 서브 탱크
3 : 공급 라인
3A : 순환 라인
4 : 펌프
5 : 열교환기
6 : 저압 자외선 (UV) 조사 산화 장치
7 : 비재생형 혼상식 이온 교환 장치
8 : 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치 (미립자 제거막 장치)
9, 9A, 9B : 미립자계 (미립자수 계측 수단)
POU : 유스 포인트
W : 일차 순수
W1 : 초순수
W2 : 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수
2 : 서브 탱크
3 : 공급 라인
3A : 순환 라인
4 : 펌프
5 : 열교환기
6 : 저압 자외선 (UV) 조사 산화 장치
7 : 비재생형 혼상식 이온 교환 장치
8 : 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치 (미립자 제거막 장치)
9, 9A, 9B : 미립자계 (미립자수 계측 수단)
POU : 유스 포인트
W : 일차 순수
W1 : 초순수
W2 : 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수
Claims (6)
- 일차 순수 시스템에서 제조한 일차 순수를 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 및 미립자 제거막 장치를 이 순서로 구비한 서브 시스템에서 처리하는 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법으로서,
상기 미립자 제거막 장치의 출구의 초순수 중의 미립자수를 미립자수 계측 수단에 의해 계측함으로써 감시하는 한편,
상기 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수를 미립자수 계측 수단에 의해 계측하여, 상기 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수가 소정의 값을 초과하면 상기 비재생형 혼상식 이온 교환 장치를 교환하는, 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 서브 시스템이 저압 자외선 (UV) 조사 산화 장치, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 및 상기 미립자 제거막 장치로서의 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치를 이 순서로 구비하는, 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 서브 시스템이 저압 자외선 (UV) 조사 산화 장치, 촉매 수지 (과산화수소 제거) 장치, 막식 탈기 장치, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치 및 상기 미립자 제거막 장치로서의 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치를 이 순서로 구비하는, 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 서브 시스템이 저압 자외선 (UV) 조사 산화 장치, 비재생형 혼상식 이온 교환 장치, 막식 탈기 장치 및 상기 미립자 제거막 장치로서의 한외 여과막 (UF 막) 분리 장치를 이 순서로 구비하는, 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 미립자수 계측 수단이 미립자계이고, 상기 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수와 상기 미립자 제거막 장치의 출구의 초순수 중의 미립자수를 1 대의 미립자계를 전환함으로써 계측하는, 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 미립자수 계측 수단이 미립자계이고, 상기 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 출구측 및 상기 미립자 제거막 장치의 출구측에 각각 미립자계를 형성하여, 상기 비재생형 혼상식 이온 교환 장치의 처리수의 미립자수 및 상기 미립자 제거막 장치의 출구의 초순수 중의 미립자수를 각각 계측하는, 초순수 제조 시스템의 미립자 관리 방법.
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