KR20200117814A - Method for transferring LED structure - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a method for transferring an LED structure. According to one embodiment of the present invention, provided is a method for transferring an LED structure. The method comprises: a first LED chip forming step of forming a plurality of first LED chips on a growth substrate; a defective chip detection step of detecting a defective LED chip in the plurality of LED chips on the growth substrate and obtaining position information of the defective LED chip; a defective chip removal step of removing the defective LED chip detected from the growth substrate; a first LED chip transfer step of transferring, to a transfer substrate, the plurality of first LED chips on the growth substrate, from which the defective LED chip was removed; and a second LED chip supplementing step of supplementing a second LED chip to an empty region on the transfer substrate corresponding to a defective chip removal region from which the defective LED chip is removed on the growth substrate. According to the present invention, the method for transferring an LED structure is capable of transferring a large quantity of LED chips regardless of the size of a chip during an LED chip transfer process.

Description

LED 구조체 전사 방법{Method for transferring LED structure}LED structure transfer method{Method for transferring LED structure}

본 개시는 LED 구조체 전사 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method of transferring an LED structure.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 개시에 대한 배경정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The content described in this section merely provides background information on the present disclosure and does not constitute prior art.

LED(Light Emitting Diode)는 친환경적이고, 기존의 일반 조명기구에 비해 에너지 절약 효과가 우수하며, 수명이 긴 장점이 있다. LED (Light Emitting Diode) is eco-friendly, has superior energy saving effect compared to conventional lighting equipment, and has a long lifespan.

최근 LED는 저전력 구동 플렉서블 디스플레이, 인체 모니터링을 위한 부착형 정보표시소자, 생체반응 및 DNA 센싱, 광유전학 유효검증을 위한 바이오 융합 분야, 전도성 섬유와 LED 광원이 결합한 Photonics Textile 분야 등 넓은 영역에 대한 활용 가능성이 있는 것으로 인식되고 있다.Recently, LEDs are used in a wide range of areas such as low-power driving flexible displays, attached information display devices for human body monitoring, bio-reaction and DNA sensing, bio-fusion fields for validating optogenetics, and photonics textile fields that combine conductive fibers and LED light sources. It is recognized as possible.

한편, 마이크로 LED는 기존의 약 0.3 내지 2 mm의 칩 크기를 가진 LED에 비해, 칩의 크기가 약 100um 이하로 극소화된 초소형 LED를 의미한다.On the other hand, micro LED refers to an ultra-small LED whose chip size is less than about 100 μm compared to the conventional LED having a chip size of about 0.3 to 2 mm.

마이크로 LED는 작은 사이즈로 인해 특히 개인용 디스플레이에서 개별 픽셀로 사용이 가능하다는 장점이 있어 강력한 차세대 디스플레이로 부상하고 있다.Micro LED is emerging as a powerful next-generation display because it can be used as individual pixels, especially in personal displays due to its small size.

한편, LED 공정 중에서도 특히 마이크로 LED 제조 공정에 있어서, 마이크로 LED의 크기가 기존의 LED 크기에 비해 소형화 됨으로 인해 새로운 기술적 과제들이 대두되고 있다. 그 중 가장 문제되는 것은 초소형화된 마이크로 LED 칩을 전사 기판에 안정적으로 전사하는 문제이다.On the other hand, among the LED processes, especially in the micro LED manufacturing process, new technical challenges are emerging due to the miniaturization of the micro LED compared to the existing LED size. Among them, the most problematic is the problem of stably transferring the micro LED chip to the transfer substrate.

현재 LED 공정에서 LED 칩을 전사기판에 전사하기 위한 종래의 방식은 Electrostatic transfer, Elastomer stamp transfer, fluidic self assembly 공정 및 Laser pick-up 기술 등이 있다.Conventional methods for transferring the LED chip to the transfer substrate in the current LED process include electrostatic transfer, elastomer stamp transfer, fluidic self assembly process, and laser pick-up technology.

그러나 이와 같은 종래 기술 중, Electrostatic transfer 방식은 정전 척(E.S.C.)에 기인한 칩 손상의 우려가 있고, Elastomer stamp transfer 방식은 LED 칩 전사 과정에서 불량 칩과 양품 칩을 구분할 수 없어 불량 칩도 전사기판에 전사되는 문제가 있다.However, among these conventional technologies, the electrostatic transfer method has a concern of chip damage due to the electrostatic chuck (ESC), and the elastomer stamp transfer method cannot distinguish between a defective chip and a good chip during the LED chip transfer process. There is a problem of being transferred to.

또한, fluidic self assembly 공정은 아직 LED 칩의 전사 위치 정확성에 대한 검증이 더 필요한 상황이며, Laser pick-up 기술은 그 공정이 복잡하다.In addition, the fluidic self-assembly process still requires more verification of the accuracy of the transfer position of the LED chip, and the laser pick-up technology is complex.

이에, 본 발명은 LED 전사 과정에서 칩의 크기와 상관없이 고속으로 대량의LED 칩을 전사할 수 있으며, 전사기판에 불량 칩을 제외한 양품 칩을 선택적으로 전사할 수 있는 LED 구조체 전사 방법을 제공하는 데 주된 목적이 있다.Accordingly, the present invention provides an LED structure transfer method capable of transferring a large amount of LED chips at high speed regardless of the chip size during the LED transfer process, and selectively transferring good chips excluding defective chips to a transfer substrate. It has a main purpose.

또한, 본 발명은 LED 전사 과정에서 칩의 손상 및 칩의 전사 위치에 대한 오차를 최소화할 수 있는 LED구조체 전사 방법을 제공하는 데 주된 목적이 있다.In addition, the present invention has a main object to provide a method for transferring an LED structure capable of minimizing the error of the chip damage and the transfer position of the chip during the LED transfer process.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 성장기판 상에 복수의 제1 LED 칩을 형성하는 제1 LED 칩 형성단계, 상기 성장기판 상의 상기 복수의 제1 LED 칩 중에서 불량 LED칩을 검출하고 상기 불량 LED칩의 위치 정보를 획득하는 불량칩 검출단계, 상기 성장기판 상에서 검출된 상기 불량 LED칩을 제거하는 불량칩 제거단계, 상기 불량 LED칩이 제거된 상기 성장기판 상의 복수의 상기 제1 LED칩을 전사기판으로 전사하는 제1 LED칩 전사단계 및, 상기 성장기판 중 상기 불량 LED칩이 제거된 불량칩 제거영역에 대응하는 상기 전사기판 상의 공백영역에 제2 LED칩을 보충하는 제2 LED칩 보충단계를 포함하는 LED 구조체 전사 방법을 제공한다.According to an embodiment of the present invention, a first LED chip forming step of forming a plurality of first LED chips on a growth substrate, detecting a defective LED chip among the plurality of first LED chips on the growth substrate, and the defective LED A defective chip detection step of acquiring the location information of the chip, a defective chip removal step of removing the defective LED chip detected on the growth substrate, and a plurality of the first LED chips on the growth substrate from which the defective LED chip has been removed are transferred A first LED chip transfer step of transferring to a substrate, and a second LED chip supplement step of supplementing a second LED chip to a blank area on the transfer substrate corresponding to a defective chip removal area from which the defective LED chip has been removed from the growth substrate It provides an LED structure transfer method comprising a.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 각 과정을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 제1 LED칩 형성단계에서 복수의 제1 LED칩이 성장기판 상에 형성된 상태를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 불량칩 검출단계에서 성장기판 상의 불량 LED칩을 검출한 상태를 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 불량칩 제거단계에서 성장기판 상의 불량 LED칩을 제거하는 과정을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 제1 LED칩 전사단계에서 성장기판 상의 복수의 제1 LED칩을 전사기판 상으로 전사하는 과정을 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 제2 LED칩 보충단계의 각 과정을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 제2 LED칩 보충단계에서 제2 LED칩을 전사기판 상에 전사하는 과정을 도시한 것이다.1 is a flow chart for explaining each process of the LED structure transfer method according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a state in which a plurality of first LED chips are formed on a growth substrate in a first LED chip forming step of a method for transferring an LED structure according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing a state in which a defective LED chip on a growth substrate is detected in a defective chip detection step of a method for transferring an LED structure according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating a process of removing a defective LED chip on a growth substrate in a defective chip removing step of a method for transferring an LED structure according to an embodiment of the present invention.
5 illustrates a process of transferring a plurality of first LED chips on a growth substrate onto a transfer substrate in a first LED chip transfer step of a method for transferring an LED structure according to an embodiment of the present invention.
6 is a flow chart for explaining each process of the second LED chip supplement step of the LED structure transfer method according to an embodiment of the present invention.
7 is a diagram illustrating a process of transferring a second LED chip onto a transfer substrate in a second LED chip supplement step of the method for transferring an LED structure according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail through exemplary drawings. In adding reference numerals to constituent elements in each drawing, it should be noted that the same constituent elements are given the same reference numerals as much as possible even though they are indicated on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.

본 발명에 따른 실시예의 구성요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, i), ii), a), b) 등의 부호를 사용할 수 있다. 이러한 부호는 그 구성요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 부호에 의해 해당 구성요소의 본질 또는 차례나 순서 등이 한정되지 않는다. 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 '포함' 또는 '구비'한다고 할 때, 이는 명시적으로 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In describing the components of the embodiment according to the present invention, reference numerals such as first, second, i), ii), a), b) may be used. These codes are only for distinguishing the constituent elements from other constituent elements, and the nature, order, or order of the constituent elements are not limited by the symbols. In the specification, when a part'includes' or'includes' a certain element, it means that other elements may be further included rather than excluding other elements unless explicitly stated to the contrary. .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 각 과정을 설명하기 위한 순서도이다.1 is a flow chart for explaining each process of the LED structure transfer method according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법은 제1 LED칩 형성단계(S1), 불량칩 검출단계(S2), 불량칩 제거단계(S3), 제1 LED칩 전사단계(S4) 및 제2 LED칩 보충단계(S5)를 포함한다.1, the LED structure transfer method according to an embodiment of the present invention includes a first LED chip formation step (S1), a defective chip detection step (S2), a defective chip removal step (S3), and a first LED chip transfer. It includes a step (S4) and a second LED chip supplement step (S5).

한편, 본 명세서에서 제1 LED칩(20; 도 2 참조)은 제1 LED칩 형성단계(S1)에서 성장기판(10; 도 2 참조) 상에 형성된 LED칩으로 정의한다. 또한, 제2 LED칩(50; 도 7 참조)은 제2 LED칩 보충단계(S5)에서 보충기판(40; 도 7 참조) 상에 형성된LED칩을 의미하는 것으로 정의한다.Meanwhile, in the present specification, the first LED chip 20 (see FIG. 2) is defined as an LED chip formed on the growth substrate 10 (see FIG. 2) in the first LED chip forming step S1. In addition, the second LED chip 50 (see FIG. 7) is defined to mean an LED chip formed on the supplementary substrate 40 (see FIG. 7) in the second LED chip supplement step (S5).

제1 LED칩 형성단계(S1)에서는 성장기판(10) 상에 복수의 제1 LED칩(20)을 형성한다. 이때 기판 상에 배치된 복수의 제1 LED칩(20)은 대부분 양질의 LED칩일 것이나, 품질이 우수하지 못한 불량 LED칩(20b; 도 3 참조)도 포함할 수 있다. In the first LED chip forming step (S1), a plurality of first LED chips 20 are formed on the growth substrate 10. At this time, the plurality of first LED chips 20 disposed on the substrate will mostly be high quality LED chips, but may also include defective LED chips 20b (refer to FIG. 3) of poor quality.

불량칩 검출단계(S2)에서는 성장기판(10) 상에 배치된 복수의 제1 LED칩(20) 중 불량 LED칩(20b)을 검출하고, 기판 상의 불량 LED칩(20b)의 위치 정보를 획득한다. In the defective chip detection step (S2), a defective LED chip 20b is detected among the plurality of first LED chips 20 disposed on the growth substrate 10, and position information of the defective LED chip 20b on the substrate is obtained. do.

불량칩 제거단계(S3)에서는 성장기판(10) 상에 배치된 제1 LED칩(20) 중 불량 LED칩(20b)을 성장기판(10)으로부터 제거한다. 이때 예를 들어 불량 LED칩(20b)의 제거는 불량칩 검출단계(S2)에서 얻어진 불량 LED칩(20b)의 성장기판(10) 상의 위치에 대한 정보를 기초로 수행될 수 있다.In the defective chip removal step (S3), the defective LED chip 20b among the first LED chips 20 disposed on the growth substrate 10 is removed from the growth substrate 10. At this time, for example, the removal of the defective LED chip 20b may be performed based on information on the location of the defective LED chip 20b obtained in the defective chip detection step S2 on the growth substrate 10.

또한, 이때 성장기판(10) 상에서의 불량 LED칩(20b) 제거는 예를 들어 LLO(Laser Lift Off) 방식에 의해 선택적으로 성장기판(10) 상의 불량 LED칩(20b)을 제거하는 방식일 수 있다. 구체적으로, 성장기판(10)의 일면 상에서 불량 LED칩(20b)이 배치된 위치에 대응하는 성장기판(10)의 타면 영역에 레이저를 선택적으로 조사함으로써 성장기판(10) 상에서 불량 LED칩(20b)을 분리할 수 있다.In addition, at this time, the removal of the defective LED chip 20b on the growth substrate 10 may be a method of selectively removing the defective LED chip 20b on the growth substrate 10 by, for example, a laser lift off (LLO) method. have. Specifically, the defective LED chip 20b on the growth substrate 10 by selectively irradiating a laser on the other surface area of the growth substrate 10 corresponding to the position where the defective LED chip 20b is disposed on one surface of the growth substrate 10 ) Can be separated.

제1 LED칩 전사단계(S4)에서는 성장기판(10)으로부터 전사기판(30)으로 제1 LED칩(20)을 전사한다. 이때 성장기판(10) 상에 배치된 제1 LED칩(20) 중 불량 LED칩(20b)은 불량칩 제거단계(S3)에서 제거된 상태이므로, 성장기판(10)으로부터 전사기판(30)으로 양질의 제1 LED칩(20)만 전사될 수 있다.In the first LED chip transfer step (S4), the first LED chip 20 is transferred from the growth substrate 10 to the transfer substrate 30. At this time, the defective LED chip 20b among the first LED chips 20 disposed on the growth substrate 10 is removed in the defective chip removal step (S3), so that from the growth substrate 10 to the transfer substrate 30 Only the first good quality LED chip 20 can be transferred.

이때 제1 LED칩(20)의 전사는 불량칩 제거단계(S3)와 유사하게, LLO 방식에 의해 수행될 수 있다. 다만, 이때 LLO 수행 시 성장기판(10)으로의 레이저 조사는 불량칩 제거단계(S3)와는 달리 성장기판(10) 전체에 대해 수행하더라도 무방하다. 이는 제1 LED칩 전사단계(S4)에서는 LED칩의 선택적 분리가 필요한 것은 아니기 때문이다.In this case, the transfer of the first LED chip 20 may be performed by the LLO method, similar to the defective chip removing step S3. However, at this time, when performing LLO, laser irradiation to the growth substrate 10 may be performed on the entire growth substrate 10 unlike the defective chip removal step (S3). This is because it is not necessary to selectively separate the LED chip in the first LED chip transfer step (S4).

한편, 이때 성장기판(10) 상에는 불량 LED칩(20b)이 제거된 상태에서 전사기판(30)으로의 제1 LED칩(20)의 전사가 수행되므로, 전사기판(30) 중 성장기판(10) 상에서 불량칩 제거영역(D1; 도 4 참조)에 대응하는 전사기판(30) 상의 공백영역(D2; 도 5 참조)에는 제1 LED 칩이 전사되지 않은 상태가 된다.Meanwhile, since the first LED chip 20 is transferred to the transfer substrate 30 while the defective LED chip 20b is removed from the growth substrate 10, the growth substrate 10 among the transfer substrate 30 ), the first LED chip is not transferred to the blank area D 2 (see FIG. 5) on the transfer substrate 30 corresponding to the defective chip removal area D 1 (see FIG. 4 ).

제2 LED칩 보충단계(S5)에서는 별도로 일면 상에 보충용 제2 LED칩(50)이 형성된 보충기판(40)으로부터 전사기판(30) 상의 공백영역(D2)으로 제2 LED칩(50)을 전사한다. In the second LED chip supplement step (S5), the second LED chip 50 from the supplementary substrate 40 on which the second LED chip 50 for supplementation is separately formed on one side to the blank area D 2 on the transfer substrate 30 Is transcribed.

이 경우, 보충기판(40) 상에서 전사기판(30) 상의 공백영역(D2)에 대응되는 영역에 배치된 보충용 제2 LED칩(50)만을 선택적인 LLO 방식에 의해 전사기판(30) 상의 공백영역(D2)으로 전사할 수 있다.In this case, only the supplemental second LED chip 50 disposed in the region corresponding to the empty region D 2 on the transfer substrate 30 on the supplementary substrate 40 is blank on the transfer substrate 30 by a selective LLO method. It can be transferred to the region D 2 .

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 제1 LED칩 형성단계(S1)에서 복수의 제1 LED칩(20)이 성장기판(10) 상에 형성된 상태를 도시한 것이다.2 is a diagram illustrating a state in which a plurality of first LED chips 20 are formed on the growth substrate 10 in the first LED chip forming step S1 of the LED structure transfer method according to an embodiment of the present invention.

구체적으로, 도 2a는 제1 LED칩 형성단계(S1)에서 복수의 제1 LED칩(20)이 성장기판(10) 상에 형성된 영역을 일부 도시한 측단면도이며, 도 2b는 제1 LED칩 형성단계(S1)에서 복수의 제1 LED칩(20)이 성장기판(10) 상에 형성된 상태를 도시한 평면도이다.Specifically, FIG. 2A is a side cross-sectional view partially showing a region in which a plurality of first LED chips 20 are formed on the growth substrate 10 in the first LED chip formation step S1, and FIG. 2B is a first LED chip A plan view showing a state in which a plurality of first LED chips 20 are formed on the growth substrate 10 in the forming step S1.

제1 LED칩 형성단계(S1)에서는 일반적인 LED 칩 제작을 위한 증착 공정, 에칭 공정 및 전극(24) 배치 등을 통해 도 2에 도시된 바와 같이 성장기판(10) 상에 복수의 제1 LED칩(20)을 형성한다.In the first LED chip formation step (S1), a plurality of first LED chips on the growth substrate 10 as shown in FIG. 2 through a deposition process, an etching process, and electrode 24 arrangement for general LED chip manufacturing. Form 20.

이때 에칭 공정에서 각각의 제1 LED칩(20)의 경계 영역에 대한 에칭은 성장기판(10)이 외부로 노출되도록 에칭될 수 있으며, 이로 인해 각각의 제1 LED칩(20)은 서로 개별적으로 형성될 수 있다.At this time, the etching of the boundary region of each of the first LED chips 20 in the etching process may be etched so that the growth substrate 10 is exposed to the outside, whereby each of the first LED chips 20 is individually Can be formed.

한편, 도 2a에는 제1 LED칩(20)이 성장기판(10) 상에 제1 반도체층(21), MQW(Multi Quantum Wells)층(22) 및 제2 반도체층(23)이 차례로 증착되고, 각각 제1 반도체층(21) 및 제2 반도체층(23) 상에 제1전극(24) 및 제2전극(24)이 배치된 측면형 LED 타입(Lateral LED type)이 도시되었다. Meanwhile, in FIG. 2A, a first semiconductor layer 21, a MQW (Multi Quantum Wells) layer 22, and a second semiconductor layer 23 are sequentially deposited on the growth substrate 10 on the first LED chip 20. , A lateral LED type in which the first electrode 24 and the second electrode 24 are disposed on the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 23, respectively, is illustrated.

다만 제1 LED칩(20)은 도 2a에 도시된 것와 다른 구조를 가져도 무방하며, 예를 들어 제1 LED칩(20)은 수직형 LED 타입(Vertical LED type)일수도 있다.However, the first LED chip 20 may have a structure different from that shown in FIG. 2A, and for example, the first LED chip 20 may be of a vertical LED type (Vertical LED type).

또한, 이때 예시적으로 제1 LED칩(20)의 제1 반도체층(21) 및 제2 반도체층(23)은 각각 n-GaN 층 및 p-GaN층일 수 있으며, 성장기판(10)은 SiO2로 제조된 사파이어 층일 수 있으나, 이와 다른 물질로 각 반도체층 또는 성장기판(10)이 제조되는 것도 가능하다.In addition, at this time, by way of example, the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 23 of the first LED chip 20 may be n-GaN layers and p-GaN layers, respectively, and the growth substrate 10 is SiO Although it may be a sapphire layer made of 2 , each semiconductor layer or growth substrate 10 may be made of a different material.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 불량칩 검출단계(S2)에서 성장기판(10) 상의 불량 LED칩(20b)을 검출한 상태를 도시한 평면도이다.3 is a plan view showing a state in which the defective LED chip 20b on the growth substrate 10 is detected in the defective chip detection step S2 of the LED structure transfer method according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 불량칩 검출단계(S2)에서는 제1 LED칩 형성단계(S1)에서 형성된 성장기판(10) 상의 복수의 제1 LED칩(20) 중 불량 LED칩(20b)을 검출한다. Referring to FIG. 3, in the defective chip detection step (S2), a defective LED chip 20b is detected among the plurality of first LED chips 20 on the growth substrate 10 formed in the first LED chip forming step (S1). .

이때 불량 LED칩(20b)의 검출은 예를 들어 일반적으로 수행되는 전기적 혹은 광학적 펌핑에 기반한 발진 검사 등를 통해 수행될 수 있다.In this case, the detection of the defective LED chip 20b may be performed through, for example, a generally performed electric or optical pumping-based oscillation test.

또한, 이때 제1 LED칩(20) 중에서 불량 LED칩(20b)을 판정하는 기준은 필요에 따라 임의적으로 설정할 수 있으며, LED칩의 동작 가부, LED칩의 밝기 정도 등 그 기준은 상황에 따라 적절히 설정될 수 있다.In addition, at this time, the criterion for determining the defective LED chip 20b among the first LED chips 20 can be arbitrarily set as necessary, and the criteria such as whether or not the LED chip is operated and the level of brightness of the LED chip are appropriately determined according to the situation. Can be set.

또한, 이때 성장기판(10) 상의 불량 LED칩(20b) 위치정보는 저장되어 불량칩 제거단계(S3) 및 제2 LED칩 보충단계(S5)에서 각각 활용될 수 있다. In addition, at this time, the location information of the defective LED chip 20b on the growth substrate 10 may be stored and used in the defective chip removal step S3 and the second LED chip supplement step S5, respectively.

구체적으로, 불량칩 제거단계(S3)에서 불량 LED칩(20b)을 제거하기 위한 LLO 공정시 불량 LED칩(20b) 위치정보를 참조하여 성장기판(10) 상에서 양품 LED칩(20a)이 아닌 불량 LED칩(20b)이 배치된 영역에만 레이저를 조사함으로써 선택적으로 불량 LED칩(20b)만을 성장기판(10) 상에서 제거할 수 있다.Specifically, in the LLO process to remove the defective LED chip 20b in the defective chip removal step (S3), referring to the location information of the defective LED chip 20b, the defect is not a good LED chip 20a on the growth substrate 10 Only the defective LED chip 20b can be selectively removed from the growth substrate 10 by irradiating the laser only in the area where the LED chip 20b is disposed.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 불량칩 제거단계(S3)에서 성장기판(10) 상의 불량 LED칩(20b)을 제거하는 과정을 도시한 것이다.4 is a diagram illustrating a process of removing the defective LED chip 20b on the growth substrate 10 in the defective chip removing step S3 of the LED structure transfer method according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 불량칩 제거단계(S3)에서는 성장기판(10) 상에 배치된 복수의 제1 LED칩(20) 중에서 불량 LED칩(20b)을 제거한다. Referring to FIG. 4, in the defective chip removing step (S3), the defective LED chip 20b is removed from among the plurality of first LED chips 20 disposed on the growth substrate 10.

이때 불량 LED칩(20b)의 제거는 LLO 방식에 의해 수행될 수 있다. 또한, 이때 LLO 공정을 수행함에 있어서 도 4a에 도시된 바와 같이 레이저는 성장기판(10) 상의 영역 중 불량 LED칩(20b)이 배치된 영역에만 선택적으로 조사된다. At this time, the removal of the defective LED chip 20b may be performed by the LLO method. In addition, in performing the LLO process at this time, the laser is selectively irradiated only to the region on the growth substrate 10 in which the defective LED chip 20b is disposed, as shown in FIG. 4A.

한편, 이때 불량 LED칩(20b)이 배치된 영역에만 선별적으로 레이저를 조사함에 있어서, 불량칩 검출단계(S2)에서 얻은 불량 LED칩(20b) 위치정보에 기초하여 레이저의 선택적 조사 및 불량 LED칩(20b)의 성장기판(10)으로부터의 선택적 제거가 가능할 수 있다. On the other hand, at this time, in selectively irradiating the laser only in the area where the defective LED chip 20b is disposed, the selective irradiation of the laser and the defective LED based on the location information of the defective LED chip 20b obtained in the defective chip detection step S2 Selective removal of the chip 20b from the growth substrate 10 may be possible.

이와 같이 성장기판(10) 상의 제1 LED칩(20) 중 불량 LED칩(20b)만을 선별적으로 제거함으로써, 도 4b 및 도 4c에 도시된 바와 같이 성장기판(10) 상에는 다수의 제1 LED칩(20)이 배치된 영역 사이에 불량 LED칩(20b)이 제거된 불량칩 제거영역(D1)이 형성된다.As described above, by selectively removing only the defective LED chip 20b among the first LED chips 20 on the growth substrate 10, a plurality of first LEDs on the growth substrate 10 as shown in FIGS. 4B and 4C A defective chip removal area D 1 from which the defective LED chip 20b is removed is formed between the areas where the chip 20 is disposed.

이와 같이 불량칩 제거단계(S3)에서 불량 LED칩(20b)만을 선택적으로 성장기판(10)으로부터 제거하는 선택적 LLO 공정을 수행함으로써 추후 제1 LED칩 전사단계(S4)에서 양질의 제1 LED칩(20)만을 전사기판(30)에 전사되도록 할 수 있다. In this way, the first LED chip of good quality in the first LED chip transfer step (S4) is performed by performing a selective LLO process in which only the defective LED chip 20b is selectively removed from the growth substrate 10 in the defective chip removal step (S3). Only (20) can be transferred to the transfer substrate (30).

또한, 이로 인해 제조될 디스플레이 장치가 전체적으로 불량 LED칩(20b)을 포함하지 않고 양질로 제조될 수 있다.In addition, due to this, the display device to be manufactured can be manufactured with good quality without including the defective LED chip 20b as a whole.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 제1 LED칩 전사단계(S4)에서 성장기판(10) 상의 복수의 제1 LED칩(20)을 전사기판(30) 상으로 전사하는 과정을 도시한 것이다.5 is a first LED chip transfer step (S4) of the LED structure transfer method according to an embodiment of the present invention to transfer a plurality of first LED chips 20 on the growth substrate 10 onto the transfer substrate 30 It shows the process of doing.

도 5a를 참조하면, 성장기판(10) 상의 제1 LED칩(20)은 LLO 공정을 통해 전사기판(30) 상으로 전사하는 LLO 전사과정을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5A, the first LED chip 20 on the growth substrate 10 may include an LLO transfer process of transferring onto the transfer substrate 30 through an LLO process.

이때, 제1 LED칩(20)이 전사기판(30) 상에 용이하게 접착되도록 하기 위해, LLO 공정 수행 전에 전사기판(30) 상에 접착물질을 도포할 수 있다. In this case, in order for the first LED chip 20 to be easily adhered to the transfer substrate 30, an adhesive material may be applied on the transfer substrate 30 before performing the LLO process.

이때 접착물질은 예를 들어 가열에 의해 접착성의 정도가 변화하는 물질일 수 있으며, 이와 같은 특성으로 인해 제1 LED칩(20)을 전사기판(30)에 접착 시 접착물질에 열을 가함으로써 제1 LED칩(20)과 전사기판(30) 간의 접착력을 조절할 수 있다.At this time, the adhesive material may be, for example, a material whose degree of adhesion is changed by heating, and due to such characteristics, when the first LED chip 20 is adhered to the transfer substrate 30, heat is applied to the adhesive material. 1 The adhesive force between the LED chip 20 and the transfer substrate 30 can be adjusted.

한편, 제1 LED칩 전사단계(S4)에의 LLO 공정에서는 성장기판(10)에 대한 레이저 조사가 선택적으로 이루어질 필요가 없다. 즉, 제1 LED칩 전사단계(S4)에서는 성장기판(10) 중 제1 LED칩(20)이 배치된 면의 타면 전체에 대해 레이저를 조사하여 다수의 제1 LED칩(20)을 전사기판(30)으로 전사할 수 있다.On the other hand, in the LLO process in the first LED chip transfer step (S4), there is no need to selectively irradiate the laser to the growth substrate 10. That is, in the first LED chip transfer step (S4), a plurality of the first LED chips 20 are transferred to the transfer substrate by irradiating a laser on the entire other surface of the surface on which the first LED chip 20 is disposed among the growth substrate 10. Can be transferred to (30).

이와 같이 성장기판(10) 상의 다수의 제1 LED칩(20)을 일회적 공정에 의해 대량으로 전사기판(30)에 전사함으로써 공정 시간 단축 등 공정의 간편화가 가능할 수 있다.As described above, by transferring a large number of the first LED chips 20 on the growth substrate 10 to the transfer substrate 30 in a one-time process, it is possible to simplify the process such as shortening the process time.

한편, 이와 같이 제1 LED칩 전사단계(S4)에서는 성장기판(10) 상의 제1 LED칩(20) 배치영역 및 불량칩 제거영역(D1)을 구분하지 않고 성장기판(10) 상에 레이저를 조사하므로, 전사기판(30) 중 성장기판(10)의 불량칩 제거영역(D1)에 대응되는 영역인 공백영역(D2)에 성장기판(10)을 투과한 레이저가 조사될 가능성이 있다.On the other hand, in the first LED chip transfer step (S4) as described above, the laser on the growth substrate 10 is not separated from the first LED chip 20 placement area and the defective chip removal area D 1 on the growth substrate 10. Because of irradiation, there is a possibility that the laser penetrating the growth substrate 10 is irradiated to the blank area (D 2 ) corresponding to the defective chip removal area (D 1 ) of the growth substrate 10 of the transfer substrate 30. have.

이와 같이 전사기판(30) 상의 공백영역(D2)에 조사된 레이저는 공백영역(D2)의 표면을 손상시킬 수 있으며, 이와 같은 표면 손상은 추후 제2 LED칩 보충단계(S5)에서 제2 LED칩(50)이 전사기판(30)의 공백영역(D2) 상으로의 용이한 접착을 저하시킬 수 있다.In this way, the laser irradiated to the blank area (D 2 ) on the transfer substrate 30 may damage the surface of the blank area (D 2 ), and such surface damage is removed later in the second LED chip supplement step (S5). 2 The LED chip 50 may reduce the easy adhesion of the transfer substrate 30 onto the blank area D 2 .

이와 같은 이유로, 제1 LED칩 전사단계(S4)에서 성장기판(10) 중 불량칩 제거영역(D1)을 통한 전사기판(30) 상의 공백영역(D2)에 대한 레이저의 조사를 방지할 필요가 있다.For this reason, in the first LED chip transfer step (S4), irradiation of the laser to the blank area (D 2 ) on the transfer substrate 30 through the defective chip removal area (D 1 ) of the growth substrate 10 can be prevented. There is a need.

이를 위해, 도 5a에 도시된 바와 같이 성장기판(10) 상의 불량칩 제거영역(D1)의 표면을 가공함으로써 LLO공정시 성장기판(10)을 투과한 레이저의 난반사를 유도하여 레이저에 의한 공백영역(D2) 상의 전사기판(30) 손상을 방지할 수 있다.To this end, by processing the surface of the defective chip removal area D 1 on the growth substrate 10 as shown in FIG. 5A, it induces diffuse reflection of the laser that has passed through the growth substrate 10 during the LLO process, resulting in blank space by the laser Damage to the transfer substrate 30 on the region D 2 can be prevented.

또한, 이와 유사한 목적을 위해, 성장기판(10) 상의 불량칩 제거영역(D1)을 미도시된 별도의 차폐막에 의해 차폐함으로써 레이저의 전사기판(30)의 공백영역(D2) 상으로의 도달을 방지할 수도 있다.In addition, for similar purposes, by shielding the defective chip removal region D 1 on the growth substrate 10 by a separate shielding film, which is not shown, the laser onto the blank region D 2 of the transfer substrate 30 You can also prevent it from reaching.

제1 LED칩 전사단계(S4)가 완료되면 도 5b 및 도 5c에 도시된 바와 같이 전사기판(30) 상에 제1 LED칩(20)들이 전사된다.When the first LED chip transfer step S4 is completed, the first LED chips 20 are transferred onto the transfer substrate 30 as shown in FIGS. 5B and 5C.

이때 제1 LED칩 전사단계(S4)에서 성장기판(10) 상의 불량 LED칩(20b)이 제거된 상태에서 전사기판(30)으로의 LED칩 전사가 수행되었으므로, 전사기판(30) 상에는 제1 LED칩(20)이 배치된 영역과 제1 LED칩(20)이 전사되지 않은 공백영역(D2)이 공존하게 된다.At this time, since the LED chip transfer to the transfer substrate 30 was performed while the defective LED chip 20b on the growth substrate 10 was removed in the first LED chip transfer step S4, the first LED chip was transferred onto the transfer substrate 30. The area where the LED chip 20 is disposed and the blank area D 2 to which the first LED chip 20 is not transferred coexist.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 제2 LED칩 보충단계(S5)의 각 과정을 설명하기 위한 순서도이며, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 제2 LED칩 보충단계(S5)에서 제2 LED칩(50)을 전사기판(30) 상에 전사하는 과정을 도시한 것이다.6 is a flow chart for explaining each process of the second LED chip supplement step (S5) of the LED structure transfer method according to an embodiment of the present invention, Figure 7 is an LED structure transfer method according to an embodiment of the present invention It shows a process of transferring the second LED chip 50 onto the transfer substrate 30 in the second LED chip supplement step (S5).

도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법의 제2 LED칩 보충단계(S5)는 보충기판 형성과정(S51) 및 제2 LED칩 전사과정(S52)을 포함한다. 또한, 제1 LED칩(20) 및 제2 LED칩(50)을 전사기판(30) 상에 압착 및 접착하는 가압접착과정(S53)을 포함할 수 있다.6, the second LED chip supplement step (S5) of the LED structure transfer method according to an embodiment of the present invention includes a supplementary substrate forming process (S51) and a second LED chip transfer process (S52). In addition, it may include a pressure bonding process (S53) of pressing and bonding the first LED chip 20 and the second LED chip 50 on the transfer substrate 30.

보충기판 형성과정(S51)에서는 기판 상에 보충용 제2 LED칩(50)이 형성된 보충기판(40)을 형성한다. In the supplementary substrate forming process (S51), the supplementary substrate 40 on which the second LED chip 50 for supplementation is formed is formed on the substrate.

한편, 보충기판(40) 상에 제2 LED칩(50)을 형성하는 과정은 제1 LED칩 형성단계(S1)에서 성장기판(10) 상에 제1 LED칩(20)을 형성하는 과정과 유사한, 일반적인 LED 칩 제조 공정에 의한 것일 수 있다.On the other hand, the process of forming the second LED chip 50 on the supplementary substrate 40 includes the process of forming the first LED chip 20 on the growth substrate 10 in the first LED chip forming step (S1). It may be due to a similar, general LED chip manufacturing process.

즉, 보충기판 형성과정(S51)에서도 일반적인 LED 칩 제작을 위한 증착 공정, 에칭 공정 및 전극(24) 배치 등을 통해 도 7a에 도시된 바와 같이 보충기판(40) 상에 복수의 제2 LED칩(50)을 형성한다.That is, in the supplementary substrate formation process (S51), a plurality of second LED chips on the supplementary substrate 40 as shown in FIG. 7A through a deposition process, an etching process, and electrode 24 arrangement for general LED chip manufacturing. Form 50.

이때 제2 LED칩(50)의 종류 및 구조는 제1 LED칩(20)의 종류 및 구조와 동일한 것일 수 있다. 예를 들어 제1 LED칩(20)이 측면형 LED 구조(Lateral type)인 경우 제2 LED칩(50)도 측면형 LED 구조이고, 제1 LED칩(20)이 수직형 LED 구조(Vertical type)인 경우 제2 LED칩(50)도 수직형 LED 구조를 가질 수 있다.At this time, the type and structure of the second LED chip 50 may be the same as the type and structure of the first LED chip 20. For example, when the first LED chip 20 is a side type LED structure (Lateral type), the second LED chip 50 is also a side type LED structure, and the first LED chip 20 is a vertical type LED structure (Vertical type). ), the second LED chip 50 may also have a vertical LED structure.

또한, 제2 LED칩(50)은 제1 LED칩(20)을 대체하여 전사기판(30) 상의 공백영역(D2)에 배치되기 위한 것인 점에서 제2 LED칩(50)도 제1 LED칩(20)과 유사한 크기를 가지는 것이 바람직하다.In addition, in that the second LED chip 50 is to be disposed in the blank area D 2 on the transfer substrate 30 by replacing the first LED chip 20, the second LED chip 50 is also the first It is desirable to have a size similar to that of the LED chip 20.

제2 LED칩 전사과정(S52)에서는 보충기판(40)으로부터 전사기판(30)으로 제2 LED칩(50)을 전사한다. 이때 제2 LED칩(50)의 전사는 예를 들어 LLO 방식에 의해 수행될 수 있다.In the second LED chip transfer process (S52), the second LED chip 50 is transferred from the supplementary substrate 40 to the transfer substrate 30. At this time, the transfer of the second LED chip 50 may be performed by, for example, an LLO method.

또한, 도 7b에 도시된 바와 같이 제2 LED칩 전사과정(S52)에서 전사기판(30)으로의 LED칩 전사는 보충기판(40)에 형성된 다수의 제2 LED칩(50) 중 일부에 대해서만 선택적으로 수행될 수 있다.In addition, the transfer of the LED chip to the transfer substrate 30 in the second LED chip transfer process (S52) as shown in FIG. 7B is performed only for some of the plurality of second LED chips 50 formed on the supplementary substrate 40. Can be performed selectively.

이때, 먼저 전사기판(30)의 공백영역(D2)으로 전사될 보충기판(40) 상의 제2 LED칩(50)의 상면과 전사기판(30)의 공백영역(D2)이 서로 마주하게 위치시킨다. 이후, 전사기판(30) 상의 공백영역(D2)에 대응되게 위치한 보충기판(40) 상의 제2 LED칩(50)을 해당 영역에 대한 국소적인 레이저 조사를 통해 전사기판(30) 상의 공백영역(D2)으로 전사한다.At this time, first, the upper surface of the second LED chip 50 on the supplementary substrate 40 to be transferred to the blank area D 2 of the transfer substrate 30 and the blank area D 2 of the transfer substrate 30 face each other. Position. Thereafter, the second LED chip 50 on the supplemental substrate 40 positioned to correspond to the blank area D 2 on the transfer substrate 30 is applied to the blank area on the transfer substrate 30 through local laser irradiation to the corresponding area. Transfer to (D 2 ).

한편, 제2 LED칩 전사과정(S52)에서 제2 LED칩(50)의 전사 전에 전사기판(30) 상의 공백영역(D2) 상에 접착물질을 도포할 수 있다. Meanwhile, in the second LED chip transfer process (S52), before the transfer of the second LED chip 50, an adhesive material may be applied on the blank area D 2 on the transfer substrate 30.

이때 접착물질은 예를 들어 가열에 의해 접착성의 정도가 변화하는 물질일 수 있으며, 이와 같은 특성으로 인해 제2 LED칩(50)을 전사기판(30)에 접착 시 접착물질에 열을 가함으로써 제2 LED칩(50)과 전사기판(30) 간의 접착력을 조절할 수 있다.At this time, the adhesive material may be, for example, a material whose degree of adhesion is changed by heating, and due to such characteristics, when the second LED chip 50 is adhered to the transfer substrate 30, heat is applied to the adhesive material. 2 It is possible to adjust the adhesive force between the LED chip 50 and the transfer substrate 30.

제2 LED칩(50)과 전사기판(30)의 접착 과정에서, 별도의 가압부재를 이용해 제2 LED칩(50)을 전사기판(30) 방향으로 가압하여 제2 LED칩(50)이 전사기판(30) 상에 더 견고하게 접착되도록 하는 가압접착과정(S53)을 추가적으로 수행할 수 있다.In the bonding process of the second LED chip 50 and the transfer substrate 30, the second LED chip 50 is transferred by pressing the second LED chip 50 toward the transfer substrate 30 using a separate pressing member. A pressure bonding process (S53) to more firmly adhere to the substrate 30 may be additionally performed.

한편, 이때 가압접착과정(S53)은 제2 LED칩 전사과정(S52) 전에 수행될 수 있으나, 제2 LED칩 전사과정(S52) 수행 후 접착물질을 가열하면서 제2 LED칩(50)과 전사기판(30) 간, 또는 제1 LED칩(20) 및 제2 LED칩(50)과 전사기판(30) 간을 가압 접착할 수도 있다.On the other hand, at this time, the pressure bonding process (S53) may be performed before the second LED chip transfer process (S52), but after the second LED chip transfer process (S52) is performed, the second LED chip 50 and the second LED chip 50 are transferred while heating the adhesive material. Between the substrates 30, or between the first LED chip 20 and the second LED chip 50 and the transfer substrate 30 may be bonded by pressure.

이때 가압부재는 예를 들어 보충기판(40)에 대응되는 면적을 가진 폴리이미드 재질의 판재일 수 있다.In this case, the pressing member may be, for example, a plate made of polyimide having an area corresponding to the supplementary substrate 40.

한편, 제2 LED칩 전사과정(S52)에서 제2 LED칩(50)을 전사기판(30)으로 전사함에 있어, 미도시된 가이딩 부재를 이용해 제2 LED칩(50)이 정확히 목표 위치로 전사되도록 할 수 있다. Meanwhile, in transferring the second LED chip 50 to the transfer substrate 30 in the second LED chip transfer process (S52), the second LED chip 50 is accurately moved to the target position using a guiding member not shown. Can be transferred.

이때 가이딩 부재는 예를 들어 전사기판(30) 상의 공백영역(D2)을 둘러싼 콘 형태로 배치되어 제2 LED칩(50)의 이동 경로를 가이딩하는 구조일 수 있으나, 이와 다른 구성이어도 무방하다.At this time, the guiding member may be arranged in a cone shape surrounding the blank area D 2 on the transfer substrate 30 to guide the movement path of the second LED chip 50, but may have a different configuration. It's okay.

도 7c 및 도 7d를 참조하면, 제1 LED칩 전사단계(S4)를 거친 후 불량 LED칩(20b)이 전사되지 않아 전사기판(30) 상에 발생한 공백영역(D2)에 제2 LED칩(50)이 전사된 것을 알 수 있다.7C and 7D, after the first LED chip transfer step (S4), the defective LED chip 20b is not transferred and the second LED chip is placed in the blank area D 2 generated on the transfer substrate 30. It can be seen that (50) was transferred.

이때 전사기판(30) 상에 배치된 제1 LED칩(20) 및 제2 LED칩(50)은 모두 양질의 성능을 가진 LED칩에 해당한다. At this time, both the first LED chip 20 and the second LED chip 50 disposed on the transfer substrate 30 correspond to LED chips having high quality performance.

따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법을 통해 LED 구조체를 전사하는 경우 최종적으로 제조되는 전사기판(30) 상에 불량 LED칩(20b)이 포함되는 것을 방지할 수 있어, 양질의 디스플레이 장치를 제조할 수 있음을 알 수 있다.Therefore, when the LED structure is transferred through the LED structure transfer method according to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent the inclusion of the defective LED chip 20b on the transfer substrate 30 that is finally manufactured, so that a high quality display It can be seen that the device can be manufactured.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 구조체 전사 방법은 각각의 전사 과정에서 개별 LED칩에 역학적인 접촉이 없이 전사를 수행할 수 있다. 이로 인해 전사 과정에서 LED칩에 가해지는 데미지로 인한 손상을 최소화할 수 있으며, 불필요한 접촉으로 인해 LED칩이 지정된 위치에서 이탈하는 상황을 방지할 수 있다.In addition, the LED structure transfer method according to an embodiment of the present invention can perform transfer without mechanical contact with individual LED chips during each transfer process. This can minimize damage caused by damage to the LED chip during the transfer process, and prevent the LED chip from deviating from the designated position due to unnecessary contact.

이상의 설명은 본 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 본 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present embodiment, and those of ordinary skill in the technical field to which the present embodiment belongs will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present embodiment. Accordingly, the present exemplary embodiments are not intended to limit the technical idea of the present exemplary embodiment, but are illustrative, and the scope of the technical idea of the present exemplary embodiment is not limited by these exemplary embodiments. The scope of protection of this embodiment should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present embodiment.

10: 성장기판
20: 제1 LED칩
30: 전사기판
40: 보충기판
50: 제2 LED칩10: growth substrate
20: first LED chip
30: transfer board
40: supplementary substrate
50: second LED chip

Claims (9)

성장기판 상에 복수의 제1 LED 칩을 형성하는 제1 LED 칩 형성단계;
상기 성장기판 상의 상기 복수의 제1 LED 칩 중에서 불량 LED칩을 검출하고 상기 불량 LED칩의 위치 정보를 획득하는 불량칩 검출단계;
상기 성장기판 상에서 검출된 상기 불량 LED칩을 제거하는 불량칩 제거단계;
상기 불량 LED칩이 제거된 상기 성장기판 상의 복수의 상기 제1 LED칩을 전사기판으로 전사하는 제1 LED칩 전사단계; 및,
상기 성장기판 중 상기 불량 LED칩이 제거된 불량칩 제거영역에 대응하는 상기 전사기판 상의 공백영역에 제2 LED칩을 보충하는 제2 LED칩 보충단계를 포함하는 LED 구조체 전사 방법.A first LED chip forming step of forming a plurality of first LED chips on the growth substrate;
A defective chip detection step of detecting a defective LED chip among the plurality of first LED chips on the growth substrate and obtaining location information of the defective LED chip;
A defective chip removing step of removing the defective LED chip detected on the growth substrate;
A first LED chip transfer step of transferring the plurality of first LED chips on the growth substrate from which the defective LED chips are removed to a transfer substrate; And,
An LED structure transfer method comprising a second LED chip supplement step of supplementing a second LED chip in a blank area on the transfer substrate corresponding to a defective chip removal area from which the defective LED chip has been removed among the growth substrate. 제1항에 있어서,
상기 제1 LED칩 및 제2 LED칩은 마이크로 LED 칩인 것을 특징으로 하는 LED 구조체 전사 방법.The method of claim 1,
The LED structure transfer method, characterized in that the first LED chip and the second LED chip is a micro LED chip. 제1항에 있어서,
상기 불량칩 제거단계는 상기 불량칩 검출단계에서 검출된 상기 불량 LED칩의 위치에 대응되는 상기 성장기판 상의 영역에 선택적으로 레이저를 조사하는 LLO(Laser Lift-Off) 공정을 통해 상기 불량 LED 칩을 상기 성장기판으로부터 제거하는 것을 특징으로 하는 LED 구조체 전사 방법.The method of claim 1,
In the defective chip removal step, the defective LED chip is removed through a laser lift-off (LLO) process in which a laser is selectively irradiated to a region on the growth substrate corresponding to the position of the defective LED chip detected in the defective chip detection step. LED structure transfer method, characterized in that to remove from the growth substrate. 제1항에 있어서,
상기 제1 LED칩 전사단계는 상기 제1 LED 칩을 LLO(Laser Lift Off) 공정에 의해 상기 성장기판으로부터 상기 전사기판 상으로 전사하는 LLO 전사과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 구조체 전사 방법.The method of claim 1,
The first LED chip transfer step includes an LLO transfer process of transferring the first LED chip from the growth substrate onto the transfer substrate by a laser lift off (LLO) process. 제4항에 있어서,
상기 제1LED칩 전사단계는
상기 LLO 전사과정에서 상기 전사기판 상의 상기 공백영역의 레이저에 의한 손상을 방지하기 위해 상기 성장기판 상에서 상기 불량칩 제거영역을 가공하는 것을 특징으로 하는 LED 구조체 전사 방법.The method of claim 4,
The first LED chip transfer step
And processing the defective chip removal region on the growth substrate to prevent laser damage to the blank region on the transfer substrate during the LLO transfer process. 제1항에 있어서,
상기 제2 LED칩 보충단계는
일면 상에 복수의 상기 제2 LED칩이 형성된 보충기판을 형성하는 보충기판 형성과정; 및,
상기 보충기판으로부터 상기 전사기판 상의 상기 공백영역에 선택적으로 상기 제2 LED칩을 전사하는 제2 LED칩 전사과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 구조체 전사 방법.The method of claim 1,
The second LED chip supplement step
A supplementary substrate forming process of forming a supplementary substrate on which a plurality of the second LED chips are formed on one surface; And,
And a second LED chip transfer process of selectively transferring the second LED chip from the supplementary substrate to the blank area on the transfer substrate. 제6항에 있어서,
상기 제2 LED칩 전사과정은 상기 보충기판 중 상기 전사기판 상의 상기 공백영역에 대응되는 영역에 레이저를 조사하여 상기 제2 LED칩을 상기 전사기판으로 전사하는 LLO(Laser Lift Off) 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 LED 구조체 전사 방법.The method of claim 6,
The second LED chip transfer process is performed by an LLO (Laser Lift Off) process in which the second LED chip is transferred to the transfer substrate by irradiating a laser to an area corresponding to the blank area on the transfer substrate of the supplementary substrate. LED structure transfer method, characterized in that the. 제6항에 있어서,
상기 제2 LED칩 보충단계는
상기 제1 LED칩 및 제2 LED칩을 상기 전사기판 방향으로 가압하여 상기 제1 LED칩 및 제2 LED칩을 상기 전사기판과 접착시키는 가압접착과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 구조체 전사 방법.The method of claim 6,
The second LED chip supplement step
The first LED chip and the second LED chip is pressed in the direction of the transfer substrate, further comprising a pressure bonding process of bonding the first LED chip and the second LED chip to the transfer substrate. . 제6항에 있어서,
상기 제2 LED칩 전사과정에서는 상기 공백영역에 인접하게 상기 제2 LED칩의 이동을 가이딩하도록 구성된 가이딩 부재를 배치하고, 상기 가이딩 부재에 의해 상기 제2 LED칩이 가이딩되어 상기 공백영역으로 전사되는 것을 특징으로 하는 LED 구조체 전사 방법.The method of claim 6,
In the second LED chip transfer process, a guiding member configured to guide the movement of the second LED chip is disposed adjacent to the blank area, and the second LED chip is guided by the guiding member to guide the blank area. LED structure transfer method, characterized in that transferred to the area.
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