KR20220075118A - Micro LED repair method using Laser Induced Breakdown Spectroscopy and system using the same - Google Patents

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KR20220075118A KR1020200162924A KR20200162924A KR20220075118A KR 20220075118 A KR20220075118 A KR 20220075118A KR 1020200162924 A KR1020200162924 A KR 1020200162924A KR 20200162924 A KR20200162924 A KR 20200162924A KR 20220075118 A KR20220075118 A KR 20220075118A
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Abstract

본 발명은 (a) 기판(100)에 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 전사되고, 상기 기판(100)과 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 각각 접합되는 단계;(b) 상기 (a)단계에서 접합된 LED 픽셀(P) 중 어느 하나 이상의 불량 픽셀(P’)이 기설정된 방법으로 판단되는 단계;(c) 제어부(200)는 상기 (b)단계에서 판단된 상기 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하도록 식각부(300)를 제어하고, 분광분석부(400)는 상기 식각부(300)에서 레이저를 조사하면 상기 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질에 대해 기설정된 방식으로 분광 분석을 수행하고, 상기 분광분석부(400)는 상기 물질을 분석한 이미지를 상기 제어부(200)로 전송하는 단계;(d) 상기 제어부(200)는 상기 이미지 중에서 금속 물질(M2)이 검출되면, 상기 식각부(300)가 상기 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하도록 제어하는 단계; 및 (e) 흡착부(500)는 상기 기판(100)과 상기 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되면, 상기 불량 픽셀(P’)을 상기 기판(100)으로부터 분리하는 단계; 를 포함하는, 방법을 제공한다.The present invention relates to the steps of (a) transferring one or more LED pixels (P) to a substrate (100), and bonding the substrate (100) and one or more LED pixels (P) to each other; (b) in the step (a) Determining at least one defective pixel (P') among the bonded LED pixels (P) by a predetermined method; (c) the control unit 200 controls the defective pixel (P') determined in the step (b). The etching unit 300 is controlled to irradiate the laser, and the spectroscopic analysis unit 400 performs spectroscopic analysis on the material emitted from the defective pixel P' in a predetermined manner when the etcher 300 irradiates the laser. and transmitting, by the spectroscopic analysis unit 400, the analyzed image of the material to the control unit 200; (d) when the control unit 200 detects a metal material (M2) in the image, controlling the etcher 300 to stop irradiating the laser to the defective pixel (P'); and (e) the adsorption unit 500 separating the bad pixel P' from the substrate 100 when the bonding between the substrate 100 and the bad pixel P' is separated; It provides a method comprising:

Description

LIBS를 이용한 마이크로 LED 리페어 방법과 이를 이용한 시스템{Micro LED repair method using Laser Induced Breakdown Spectroscopy and system using the same}Micro LED repair method using LIBS and a system using the same

본 발명은 LIBS를 이용한 마이크로 LED 리페어 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a micro LED repair system using LIBS.

LED 기판은 다수의 픽셀형 LED를 기판에 전사하고 접합하는 과정을 통해 제조된다. 이 때, 다수의 픽셀형 LED를 기판에 전사하고 접합하는 과정에서 불량 픽셀이 발생할 수 있다.The LED substrate is manufactured through the process of transferring and bonding a plurality of pixel-type LEDs to the substrate. In this case, defective pixels may occur in the process of transferring and bonding a plurality of pixel-type LEDs to the substrate.

종래에는, 발생된 불량 픽셀을 확인하여, 불량 픽셀에 레이저를 이용하여 식각하고 분리한 후, 불량 픽셀이 발생된 위치에 새로운 픽셀을 다시 접합하는 과정을 거쳐 LED 기판을 제조하였다. 다만, 불량 픽셀에 레이저를 이용하여 식각하는 과정에서 레이저의 식각 정도를 정확히 확인할 수 있는 방법이 제한적이며, 불량 픽셀에 레이저를 식각하는 과정에서 불량 픽셀과 접합된 기판이 손상되는 문제점이 발생하였다. Conventionally, the generated bad pixels are checked, etched using a laser to the bad pixels, separated, and then a new pixel is reattached to the location where the bad pixels are generated to manufacture an LED substrate. However, in the process of using the laser to etch the bad pixels, there is a limited method for accurately checking the etch rate of the laser, and in the process of laser etching the bad pixels, the bad pixels and the bonded substrate are damaged.

예를 들어, 한국등록특허공보 제10-1051072호는 실시간 투과율 측정 시스템에 관한 것으로, 포토마스크의 레이저 리페어 시스템을 이용한 리페어 공정 중에 실시간으로 투과율을 측정할 수 있는 장비를 제공하여 리페어의 신뢰성 및 재현성을 향상시키나, 레이저의 식각 정도를 정밀하게 측정하는 것에 대한 인식은 없으며, 기판의 손상 없이 불량 픽셀을 제거하는 것에 대한 인식은 없다.For example, Korean Patent Publication No. 10-1051072 relates to a real-time transmittance measurement system, and provides equipment that can measure transmittance in real time during a repair process using a laser repair system for a photomask, thereby providing reliability and reproducibility of repair However, there is no awareness of precisely measuring the etching degree of the laser, and there is no awareness of removing defective pixels without damaging the substrate.

또한, 예를 들어, 한국등록특허공보 제10-1890934호는 픽셀형 LED 공정에 관한 것으로, 마이크로 LED의 전사 및 본딩 과정에서 불량 픽셀이 발생하는 경우, 불량 픽셀이 발생한 부분을 열이나 레이저를 이용하여 선택적으로 제거하나, 레이저의 식각 정도를 정밀하게 측정하는 것에 대한 인식은 없으며, 기판의 손상 없이 불량 픽셀을 제거하는 것에 대한 인식은 없다.Also, for example, Korean Patent Publication No. 10-1890934 relates to a pixel-type LED process. However, there is no recognition of precisely measuring the etching degree of the laser, and there is no recognition of removing defective pixels without damaging the substrate.

(특허문헌 1) 한국등록특허공보 제10-1051072호(Patent Document 1) Korean Patent Publication No. 10-1051072

(특허문헌 2) 한국등록특허공보 제10-1890934호(Patent Document 2) Korean Patent Publication No. 10-1890934

(특허문헌 3) 미국등록특허공보 제9583401호(Patent Document 3) US Patent Publication No. 9583401

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것이다. The present invention has been devised to solve the above problems.

구체적으로, 본 발명은 불량 픽셀을 식각 시, LIBS를 이용하여 정확하고 기판의 손상 없이 불량 픽셀과 기판과의 접합을 분리하기 위함이다.Specifically, the present invention is to separate the junction between the bad pixel and the substrate accurately and without damage to the substrate by using the LIBS when the bad pixel is etched.

또한, 본 발명은 제어부가 불량 픽셀을 식각하는 과정을 학습하여, 불량 픽셀을 식각하는 과정을 자동화하기 위함이다.In addition, the present invention is to automate the process of etching the bad pixel by learning the process of the controller etching the bad pixel.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예는, (a) 기판(100)에 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 전사되고, 상기 기판(100)과 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 각각 접합되는 단계;(b) 상기 (a)단계에서 접합된 LED 픽셀(P) 중 어느 하나 이상의 불량 픽셀(P’)이 기설정된 방법으로 판단되는 단계;(c) 제어부(200)는 상기 (b)단계에서 판단된 상기 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하도록 식각부(300)를 제어하고, 분광분석부(400)는 상기 식각부(300)에서 레이저를 조사하면 상기 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질에 대해 기설정된 방식으로 분광 분석을 수행하고, 상기 분광분석부(400)는 상기 물질을 분석한 이미지를 상기 제어부(200)로 전송하는 단계;(d) 상기 제어부(200)는 상기 이미지 중에서 금속 물질(M2)이 검출되면, 상기 식각부(300)가 상기 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하도록 제어하는 단계; 및 (e) 흡착부(500)는 상기 기판(100)과 상기 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되면, 상기 불량 픽셀(P’)을 상기 기판(100)으로부터 분리하는 단계; 를 포함하는, 방법을 제공한다.In one embodiment of the present invention for solving the above problems, (a) one or more LED pixels P are transferred to a substrate 100, and the substrate 100 and one or more LED pixels P are each bonding; (b) determining one or more defective pixels P' among the LED pixels P bonded in step (a) by a predetermined method; (c) the control unit 200 controls the (b) ) controls the etching unit 300 to irradiate the laser to the defective pixel P' determined in step, and the spectroscopic analysis unit 400 irradiates the laser from the etching unit 300 to the defective pixel P'. ) performing spectroscopic analysis on the material emitted in a predetermined manner, and transmitting, by the spectroscopic analysis unit 400, an image analyzed for the material to the control unit 200; (d) the control unit 200 controlling the etching unit 300 to stop irradiating the laser to the defective pixel P' when the metal material M2 is detected in the image; and (e) separating the bad pixel P' from the substrate 100 when the junction of the substrate 100 and the bad pixel P' is separated by the adsorption unit 500; It provides a method comprising:

일 실시예는, 상기 (d)단계는, (d1) 상기 제어부(200)는 상기 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하면, 상기 식각부(300)가 상기 (b)단계에서 판단된 다른 불량 픽셀(P’)에 대해 레이저를 조사하도록 제어하도록 제어하는 단계; 를 더 포함하고, 상기 (e)단계 이후, (f) 상기 제어부(200)는 상기 (c)단계의 상기 식각부(300)에서 조사되는 레이저의 세기에 대한 정보를 전송받고, 상기 제어부(200)는 상기 분광분석부(400)에서 전송된 이미지, 상기 식각부(300)에서 조사되는 레이저의 세기 및 상기 식각부(300)의 위치를 학습하는 단계; 를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, in step (d), (d1) when the control unit 200 stops laser irradiation to the defective pixel P', the etcher 300 determines in step (b) controlling to irradiate a laser to another defective pixel (P'); Further comprising, after the step (e), (f) the control unit 200 receives information about the intensity of the laser irradiated from the etching unit 300 of the step (c), and the control unit 200 ) is a step of learning the image transmitted from the spectroscopic analysis unit 400, the intensity of the laser irradiated from the etching unit 300, and the position of the etching unit 300; may further include.

일 실시예는, 상기 (e)단계 이후, (g) 상기 (e)단계에서 분리된 불량 픽셀(P’)의 위치에 새로운 LED 픽셀(P)이 전사되는 단계; 및 (h) 상기 제어부(200)는 상기 (g)단계에서 전사된 새로운 LED 픽셀(P)이 불량 픽셀(P’)인지 판단하는 단계; 를 포함할 수 있다.In one embodiment, after the step (e), (g) transferring a new LED pixel (P) to the position of the defective pixel (P') separated in the step (e); and (h) determining whether the new LED pixel (P) transferred in step (g) is a bad pixel (P') by the control unit 200; may include

일 실시예는, 상기 (d1)단계는, 상기 제어부(200)는 상기 이미지가 GaAs(Gallium Arsenide) peak를 가시하면, 상기 금속 물질(M2)이 검출되는 것으로 판단하는 단계;를 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the step (d1) may further include, by the controller 200, determining that the metal material M2 is detected when the image shows a GaAs (Gallium Arsenide) peak. have.

일 실시예는, 상기 (d)단계는, 상기 제어부(200)는 상기 기판(100)과 상기 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되도록 상기 식각부(300)에서 레이저를 조사하도록 제어하는 단계; 를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, in the step (d), the controller 200 controls the etcher 300 to irradiate the laser so that the junction between the substrate 100 and the defective pixel P' is separated. ; may further include.

일 실시예는, 상기 (c)단계는, 상기 분광분석부(400)가 상기 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질을 실시간으로 분석하는 단계; 를 포함할 수 있다.In one embodiment, the step (c) may include: analyzing, by the spectroscopic analysis unit 400, a material emitted from the defective pixel P' in real time; may include

일 실시예는, 상기 (b)단계는, 상기 제어부(200)가 상기 (a)단계에서 전사된 LED의 픽셀(P) 중 불량 픽셀(P’)을 PL(Photoluminescence)/EL(Electroluminescence) 방법으로 판단하는 단계;를 포함할 수 있다.In one embodiment, in the step (b), the control unit 200 converts the bad pixel (P') of the pixels (P) of the LED transferred in the step (a) to a PL (Photoluminescence)/EL (Electroluminescence) method It may include;

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예는, 상기 방법이 적용되는 리페어 시스템을 제공한다.Another embodiment of the present invention for solving the above problems provides a repair system to which the method is applied.

본 발명에 따라, 다음과 같은 효과가 달성된다. According to the present invention, the following effects are achieved.

본 발명은 불량 픽셀을 식각 시, LIBS를 이용하여 효율적으로 불량 픽셀과 기판과의 접합을 분리할 수 있다.According to the present invention, when the bad pixel is etched, the junction between the bad pixel and the substrate can be efficiently separated by using the LIBS.

또한, 본 발명은 불량 픽셀을 식각할 때 실시간으로 모니터링할 수 있는 바, 기판의 손상 없이 불량 픽셀과 기판과의 접합을 분리할 수 있다.In addition, since the present invention can monitor the bad pixels in real time when the bad pixels are etched, the bonding between the bad pixels and the substrate can be separated without damaging the substrate.

또한, 본 발명은 제어부가 불량 픽셀을 식각하는 과정을 학습하여, 불량 픽셀을 식각하는 과정이 자동화될 수 있다.In addition, according to the present invention, the controller learns the process of etching the bad pixel, so that the process of etching the bad pixel can be automated.

도 1은 본 발명에 따른 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 2은 본 발명에 따른 기판과 픽셀을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5 및 6은 본 발명에 따라 분광분석부에서 금속물질이 발견되는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 방법이 적용되는 시스템을 설명하기 위한 사진이다.1 is a schematic diagram for explaining a method according to the present invention.
2 is a view for explaining a substrate and a pixel according to the present invention.
3 is a view for explaining a method according to the present invention.
4 is a flowchart illustrating a method according to the present invention.
5 and 6 are diagrams for explaining that a metal material is found in the spectroscopic analysis unit according to the present invention.
7 is a photograph for explaining a system to which the method according to the present invention is applied.

몇몇 경우, 본 발명의 개념이 모호해지는 것을 피하기 위하여 공지의 구조 및 장치는 생략되거나, 각 구조 및 장치의 핵심기능을 중심으로 한 블록도 형식으로 도시될 수 있다.In some cases, well-known structures and devices may be omitted or shown in block diagram form focusing on core functions of each structure and device in order to avoid obscuring the concept of the present invention.

또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In addition, in describing the embodiments of the present invention, if it is determined that a detailed description of a well-known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the terms to be described later are terms defined in consideration of functions in an embodiment of the present invention, which may vary according to intentions or customs of users and operators. Therefore, the definition should be made based on the content throughout this specification.

이하, "접합"이란, LED 가공공정에서 수행되는 본딩(bonding)을 의미하며, 본 발명에서 기판(100)과 LED 픽셀(P)이 접합된다는 것은 기판(100)과 LED 기판(P)이 전기적으로 결합되는 것을 의미한다.Hereinafter, "bonding" means bonding performed in the LED processing process, and in the present invention, bonding the substrate 100 and the LED pixel P means that the substrate 100 and the LED substrate P are electrically means to be combined with

본 발명에 따른 방법은 기판(100), 제어부(200), 식각부(300), 분광분석부(400) 및 흡착부(500)를 포함한다.The method according to the present invention includes a substrate 100 , a control unit 200 , an etching unit 300 , a spectroscopic analysis unit 400 , and an adsorption unit 500 .

도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명에 따른 방법을 수행하는 구성요소를 간략히 설명한다. 1 and 2, the components for performing the method according to the present invention will be briefly described.

기판(100)은 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 전사되어, 접합되는 판이다.The substrate 100 is a plate to which one or more LED pixels P are transferred and bonded.

이 때, 기판(100)에는 LED 픽셀(P)이 다수 개 전사될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.In this case, a plurality of LED pixels P may be transferred to the substrate 100 , but the present invention is not limited thereto.

기판(100)에 전사되는 LED 픽셀(P)은 이후 불량 픽셀(P’)인지 여부를 판단하는 과정을 거쳐, LED 모듈이 생성될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.The LED pixel P transferred to the substrate 100 is then subjected to a process of determining whether the pixel P' is a bad pixel, and an LED module can be generated. A detailed description thereof will be given later.

이 때, 기판(100)에 전사되는 LED 픽셀(P)의 개수 및 형상은 도시된 바에 제한되는 것은 아니다.At this time, the number and shape of the LED pixels P transferred to the substrate 100 are not limited to the illustrated bar.

기판(100)은 상면으로 소자(110)가 위치되어, LED 픽셀(P)에 위치되는 소자와 전기적으로 연결될 수 있고, LED 픽셀(P)은 소자(110)의 극과 위치가 고려하여 전사되어, 접합될 수 있다.The device 110 is positioned on the upper surface of the substrate 100 and may be electrically connected to the device positioned in the LED pixel P, and the LED pixel P is transferred in consideration of the pole and position of the device 110 . , can be joined.

제어부(200)는 전사된 LED의 픽셀(P) 중 불량 픽셀(P’)을 기설정된 방법으로 판단할 수 있다.The controller 200 may determine the defective pixel P' among the transferred pixels P of the LED by a preset method.

이 때, 기설정된 방법은 PL(Photoluminescence)/EL(Electroluminescence)일 수 있으나, 불량 픽셀(P’)을 판단하는 방법은 이에 제한되는 것은 아니다.In this case, the preset method may be PL (Photoluminescence)/EL (Electroluminescence), but the method for determining the bad pixel P' is not limited thereto.

이 때, 제어부(200)는 PL(Photoluminescence)/EL(Electroluminescence)을 수행할 수 있는 장치를 포함할 수 있고, 본 발명에 따른 식각부(300), 분광분석부(400) 및 흡착부(500)를 제어할 수 있다.In this case, the control unit 200 may include a device capable of performing PL (Photoluminescence)/EL (Electroluminescence), and the etching unit 300 , the spectroscopic analysis unit 400 and the adsorption unit 500 according to the present invention. ) can be controlled.

또한, 제어부(200)는 분광분석부(400)에서 송부되는 이미지에서 분석되는 물질에 따라 식각부(300)의 레이저의 조사 세기 및 위치를 제어할 수 있다.In addition, the controller 200 may control the irradiation intensity and position of the laser of the etcher 300 according to the material analyzed in the image transmitted from the spectroscopic analyzer 400 .

식각부(300)는 레이저를 조사할 수 있는 장치로, 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하도록 제어될 수 있다.The etcher 300 is a device capable of irradiating a laser, and may be controlled to irradiate the laser to the defective pixel P′.

또한, 식각부(300)의 레이저의 조사 세기 및 위치는 제어부(200)에 의해 제어될 수 있다. 이에 대하여 자세한 설명은 후술한다.In addition, the laser irradiation intensity and position of the etcher 300 may be controlled by the controller 200 . A detailed description of this will be provided later.

이 때, 식각부(300)는 레이저를 조사하는 레이저 광원(310)과 조사된 레이저를 반사하여 불량 픽셀(P’)로 조준하는 레이저 반사판(320)을 포함할 수 있다.In this case, the etcher 300 may include a laser light source 310 that irradiates a laser and a laser reflector 320 that reflects the irradiated laser and aims at the defective pixel P'.

이 때, 식각부(300)는 도시된 형상, 크기 및 개수에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 식각부(300)는 두 개 이상으로 위치되어 각각의 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사할 수도 있다.At this time, the etching unit 300 is not limited to the illustrated shape, size, and number. For example, two or more etchers 300 may be positioned to irradiate a laser to each of the defective pixels P′.

식각부(300)에서 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하면 불량 픽셀(P’)이 식각되고, 불량 픽셀(P’)로 레이저를 조사하여 발생되는 플라즈마를 후술하는 분광분석부(400)에서 분석한다.When the etching unit 300 irradiates a laser to the bad pixel P', the bad pixel P' is etched, and a spectroscopic analysis unit 400 to describe plasma generated by irradiating the laser to the bad pixel P' is described later. analyzed in

분광분석부(400)는 식각부(300)가 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하여 발생되는 플라즈마가 입사되면, 플라즈마를 분석하여 해당 플라즈마가 포함하고 있는 물질을 분석한다.When the plasma generated by the etcher 300 irradiating a laser to the defective pixel P' is incident, the spectroscopic analysis unit 400 analyzes the plasma and analyzes the material contained in the plasma.

이 때, 분광분석부(400)는 도시된 형상에 제한되는 것은 아니다.At this time, the spectroscopic analysis unit 400 is not limited to the illustrated shape.

흡착부(500)는 기판(100)과 불량 픽셀(P’)의 접합이 끊어지면, 불량 픽셀(P’)을 기판(100)으로부터 분리하기 위하여 사용된다.The adsorption unit 500 is used to separate the bad pixel P' from the substrate 100 when the bonding between the substrate 100 and the bad pixel P' is broken.

흡착부(500)는 기판(100)의 손상 없이 불량 픽셀(P’)을 제거할 수 있다.The adsorption unit 500 may remove the defective pixel P′ without damaging the substrate 100 .

이 때, 흡착부(500)는 진공 흡착기일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.At this time, the adsorption unit 500 may be a vacuum adsorber, but is not limited thereto.

이 때, 흡착부(500)는 도시된 형상과 크기에 제한되는 것은 아니다.At this time, the adsorption unit 500 is not limited to the illustrated shape and size.

도 3 내지 도 6을 참조하여, 본 발명에 따른 방법을 설명한다. 3 to 6, a method according to the present invention will be described.

기판(100)에 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 전사되고, 기판(100)과 하나 이상의LED 픽셀(P)이 각각 접합된다.One or more LED pixels P are transferred to the substrate 100 , and the substrate 100 and one or more LED pixels P are bonded to each other.

이 때, LED 픽셀(P)이 기판(100)과 접합되면, 기판(100)과 전기적으로 연결됨을 의미한다.At this time, when the LED pixel P is bonded to the substrate 100 , it means that it is electrically connected to the substrate 100 .

접합된 LED의 픽셀(P) 중 어느 하나 이상의 불량 픽셀(P’)을 기설정된 방법으로 판단될 수 있다.One or more defective pixels P′ among the pixels P of the bonded LED may be determined by a predetermined method.

이 때, 제어부(200)가 접합된 LED의 픽셀(P) 중 어느 하나 이상의 불량 픽셀(P’)을 기설정된 방법으로 판단될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.In this case, the control unit 200 may determine one or more defective pixels P′ among the pixels P of the bonded LED by a predetermined method, but is not limited thereto.

이 때, 접합된 LED의 픽셀(P) 중 불량 픽셀(P’)을 판단하는 방법으로, PL(Photoluminescence)/EL(Electroluminescence) 중 어느 하나의 방법으로 불량 픽셀(P’)인지 여부가 판단될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.At this time, as a method of determining the defective pixel (P') among the pixels (P) of the bonded LED, it is determined whether the defective pixel (P') is by any one of PL (Photoluminescence)/EL (Electroluminescence). may be, but is not limited thereto.

제어부(200)는 식각부(300)가 판단된 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하도록 제어한다. 즉, 제어부(200)는 불량 픽셀(P’)을 기판(100)으로부터 분리하기 위해, 불량 픽셀(P’)과 기판(100) 사이의 전기적인 연결인 접합을 분리한다.The controller 200 controls the etcher 300 to irradiate the laser to the determined defective pixel P′. That is, the controller 200 separates the junction, which is an electrical connection between the bad pixel P′ and the substrate 100 , in order to separate the bad pixel P′ from the substrate 100 .

식각부(300)가 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하면, 불량 픽셀(P’)에서 물질이 방출된다.When the etcher 300 irradiates a laser to the bad pixel P', a material is emitted from the bad pixel P'.

분광분석부(400)는 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질에 대한 분석을 수행하고, 분광분석부(400)는 물질을 분석한 이미지를 제어부(200)로 전송한다.The spectroscopic analysis unit 400 analyzes the material emitted from the defective pixel P', and the spectroscopic analysis unit 400 transmits the analyzed material to the control unit 200 .

이 때, 분광분석부(400)은 실시간으로 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질을 분석할 수 있다.In this case, the spectroscopic analysis unit 400 may analyze the material emitted from the bad pixel P' in real time.

이 때, 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질은 초기에는 LED 물질(M1)이 방출되며, 이후 레이저를 계속하여 조사하면 금속 물질(M2)이 방출된다.In this case, the LED material M1 is initially emitted as the material emitted from the bad pixel P', and then, when the laser is continuously irradiated, the metal material M2 is emitted.

제어부(200)는 이미지 중에서 금속 물질(M2)이 분석되면 기판(100)과 불량 픽셀(P’)의 접합을 분리하도록 식각부(300)를 제어한다.When the metal material M2 in the image is analyzed, the controller 200 controls the etcher 300 to separate the bonding between the substrate 100 and the defective pixel P′.

제어부(200)는 이미지가 GaAs(Gallium Arsenide) peak을 가시하면, 식각부(300)가 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하도록 제어한다.When the image shows a GaAs (Gallium Arsenide) peak, the controller 200 controls the etcher 300 to stop irradiating the laser to the bad pixel P′.

이 때, 이미지가 GaAs peak을 가시한다는 것은, 플라즈마가 금속 물질(M2)을 함유하고 있다는 것이고, 이 때의 금속 물질(M2)은 불량 픽셀(P’) 또는 불량 픽셀(P’)과 기판(100) 사이의 접합 부분 중 어느 부위에서 노출된 물질일 수 있다. 불량 픽셀(P’) 또는 불량 픽셀(P’)과 기판(100) 사이의 접합 부분에서 금속 물질(M2)이 검출되는 경우에는, 불량 픽셀(P’)과 기판(100) 사이의 접합이 끊긴 것을 의미한다.At this time, if the image shows the GaAs peak, it means that the plasma contains a metal material (M2), and the metal material (M2) at this time is a bad pixel (P') or a bad pixel (P') and a substrate ( 100) may be an exposed material at any of the junctions between them. When the metal material M2 is detected at the junction between the bad pixel P' or the bad pixel P' and the substrate 100, the junction between the bad pixel P' and the substrate 100 is broken. means that

이에 따라, 본 발명에서는 제어부(200)와 분광분석부(400)를 이용하여, GaAs peak을 가시되면 레이저의 조사를 중단할 수 있는 바, 레이저가 과도하게 조사되는 것을 방지할 수 있어 기판(100)의 손상을 방지할 수 있다.Accordingly, in the present invention, by using the control unit 200 and the spectroscopic analysis unit 400, when the GaAs peak is visible, the laser irradiation can be stopped, and the laser can be prevented from being excessively irradiated, so that the substrate 100 ) to prevent damage.

도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 분광분석부(400)에서 금속 물질(M2)이 검출되는 것을 설명하기 위한 도면이다.5 and 6 are diagrams for explaining that the metal material M2 is detected by the spectroscopic analyzer 400 according to the present invention.

도 5는 LED 픽셀(P)에 레이저를 조사함에 따른 광학 이미지를 도시한다. 이 때, 조사된 레이저는 파장 343nm로 수행되었다.5 shows an optical image as a result of irradiating a laser to the LED pixel (P). At this time, the irradiated laser was performed with a wavelength of 343 nm.

도 5(a)는 LED 픽셀(P)에 레이저를 조사하기 전의 광학 이미지를 도시하고, 도 5(b)는 레이저를 1회 조사한 후의 광학 이미지, 도 5(c)는 레이저를 2회 조사한 후의 광학 이미지를 도시한다.Figure 5 (a) shows the optical image before irradiating the laser to the LED pixel (P), Figure 5 (b) is the optical image after irradiating the laser once, Figure 5 (c) is after irradiating the laser twice The optical image is shown.

도 6은 LED 픽셀(P)에 레이저를 1회 내지 8회 조사했을 때, 분광분석부(400)에서 레이저 조사에 따른 물질을 분석한 그래프를 도시한다.FIG. 6 shows a graph in which the spectroscopic analyzer 400 analyzes the material according to the laser irradiation when the LED pixel P is irradiated with a laser 1 to 8 times.

도 6(b)는 도 6(a)의 plot 박스 부위를 확대한 그래프로, 1회 및 2회 레이저를 조사할 때에는 GaAs peak이 보이지 않으나, 3회부터는 GaAs peak이 보인다. 이에 따라, 레이저를 3회 조사할 경우, 메탈 패턴을 뚫고 GaAs 층까지 식각되는 것을 알 수 있다.6(b) is an enlarged graph of the plot box of FIG. 6(a). When irradiating the laser once and twice, the GaAs peak is not seen, but the GaAs peak is visible from the third time. Accordingly, when the laser is irradiated three times, it can be seen that the GaAs layer is etched through the metal pattern.

제어부(200)는 식각부(300)가 다른 불량 픽셀(P’)에 대해 레이저를 조사하도록 제어하도록 제어한다.The controller 200 controls the etcher 300 to irradiate the laser to other defective pixels P′.

분광분석부(400)로부터 다른 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질에 대한 이미지를 전송받아, 이미지가 GaAs peak를 가시하는지 여부를 기준으로 레이저 조사 중단 여부를 결정한다.An image of a material emitted from another defective pixel P' is received from the spectroscopic analysis unit 400, and it is determined whether or not to stop laser irradiation based on whether the image shows a GaAs peak.

흡착부(500)는 기판(100)과 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되면, 불량 픽셀(P’)을 기판(100)으로부터 분리한다.When the junction of the substrate 100 and the bad pixel P' is separated, the adsorption unit 500 separates the bad pixel P' from the substrate 100 .

즉, 본 발명은 기판(100)과 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리된 후, 불량 픽셀(P’)을 기판(100)으로부터 분리하는 바, 기판(100)의 손상을 방지할 수 있다.That is, according to the present invention, after the bonding between the substrate 100 and the bad pixel P' is separated, the bad pixel P' is separated from the substrate 100, thereby preventing damage to the substrate 100. .

이 때, 제어부(200)는 기판(100)과 불량 픽셀(P’)이 접합이 분리되면, 흡착부(500)가 불량 픽셀(P’)을 기판(100)으로부터 분리하도록 제어할 수 있다.At this time, when the bonding between the substrate 100 and the bad pixel P′ is separated, the controller 200 may control the adsorption unit 500 to separate the bad pixel P′ from the substrate 100 .

이후, 분리된 불량 픽셀(P’)의 위치에 새로운 픽셀(P)이 전사된다.Thereafter, a new pixel P is transferred to the location of the separated bad pixel P′.

제어부(200)는 전사된 새로운 픽셀(P)이 불량 픽셀(P’)인지 판단하고, 상기의 과정을 반복하여 수행하여 새로운 픽셀(P)이 불량 픽셀(P’)인 경우 새로운 픽셀(P)을 기판(100)으로부터 다시 분리할 수 있다.The control unit 200 determines whether the transferred new pixel P is a bad pixel P', and repeats the above process so that if the new pixel P is a bad pixel P', a new pixel P can be separated from the substrate 100 again.

또한, 제어부(200)는 식각부(300)에서 조사되는 레이저의 세기에 대한 정보를 전송받고, 제어부(200)는 조사되는 레이저의 세기와 분광분석부(400)에서 전송된 이미지를 학습한다.In addition, the controller 200 receives information on the intensity of the laser irradiated from the etcher 300 , and the controller 200 learns the intensity of the irradiated laser and the image transmitted from the spectroscopic analyzer 400 .

이 때, 제어부(200)는 조사되는 레이저의 파라미터를 더 학습할 수 있고, 레이저의 파라미터는 펄스폭(Pulse width), 레이저 파장(Laser wavelength), 레이저 에너지(Laser energy), 파장 윈도우(Wavelength window), ICCD grating, 게이트 딜레이(Gate delay) 및 게이트 폭(Gate width)을 포함한다. In this case, the controller 200 may further learn the parameters of the laser to be irradiated, and the parameters of the laser are a pulse width, a laser wavelength, a laser energy, and a wavelength window. ), ICCD grating, gate delay, and gate width.

이에 따라, 본 발명에서는 제어부(200)가 분광분석부(400)에서 전송된 이미지, 식각부(300)의 파라미터 및 위치를 학습할 수 있음에 따라, 제어부(200)는 이후 기판(100)이 불량 픽셀(P’)을 포함하면, 미리 학습된 이미지와 이 때의 식각부(300)의 파라미터 및 위치로, 어느 시점까지 식각부(300)에서 레이저를 조사해야 되는지 최적으로 판단할 수 있다. 이에 따라, 기판(100)의 손상 없이 효율적으로 불량 픽셀(P’)과 기판(100)과의 접합을 분리할 수 있다.Accordingly, in the present invention, as the control unit 200 can learn the image transmitted from the spectroscopic analysis unit 400 , parameters and positions of the etcher 300 , the control unit 200 controls the substrate 100 afterward. When the bad pixel P' is included, it is possible to optimally determine to which point the etcher 300 should irradiate the laser with the pre-learned image and the parameters and positions of the etcher 300 at this time. Accordingly, the bonding between the bad pixel P′ and the substrate 100 can be separated efficiently without damage to the substrate 100 .

도 7은 본 발명에 따른 방법이 수행되는 시스템을 예시적으로 설명하기 위한 도면으로, 본 발명에 따른 방법이 수행되는 시스템의 사진을 예시적으로 나타낸 도면이다.7 is a view for exemplarily explaining a system in which the method according to the present invention is performed, and is a view exemplarily showing a picture of the system in which the method according to the present invention is performed.

도 7(b)의 박스 부위를 확대한 도면이다.It is an enlarged view of the box part of FIG. 7(b).

도 7(a) 및 도 7(b)를 참조하면, 본 발명에 따른 방법이 수행되는 시스템은, 기판(100), 제어부(200), 식각부(300), 분광분석부(400), 흡착부(500)를 포함하며, 도 7에서 식각부(300)는 레이저 광원(310)과 레이저 반사부(320)가 도시되며, 도 7에서는 시료(S)에 레이저를 조사하는 것으로 도시된다.7 (a) and 7 (b), the system in which the method according to the present invention is performed, the substrate 100, the control unit 200, the etching unit 300, the spectroscopic analysis unit 400, adsorption It includes a part 500 , and in FIG. 7 , a laser light source 310 and a laser reflection part 320 are shown in the etching part 300 , and in FIG. 7 , the sample S is irradiated with a laser.

이 때, 시료(S)는 기판(100)과 기판(100) 위에 위치된 픽셀(P)을 포함할 수 있다.In this case, the sample S may include the substrate 100 and the pixel P positioned on the substrate 100 .

이상, 본 명세서에는 본 발명을 당업자가 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 도면에 도시한 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당업자라면 본 발명의 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.In the above, the present specification has been described with reference to the embodiments shown in the drawings so that those skilled in the art can easily understand and reproduce the present invention, but these are merely exemplary, and those skilled in the art can make various modifications and equivalent other modifications from the embodiments of the present invention. It will be appreciated that embodiments are possible. Therefore, the protection scope of the present invention should be defined by the claims.

100: 기판
110: 소자
200: 제어부
300: 식각부
310: 레이저 광원
320: 레이저 반사판
400: 분광분석부
500: 흡착부
M1: LED 물질
M2: 금속 물질
P: LED 픽셀
S: 샘플100: substrate
110: element
200: control unit
300: etching unit
310: laser light source
320: laser reflector
400: spectroscopic analysis unit
500: adsorption unit
M1: LED material
M2: metallic material
P: LED pixel
S: sample

Claims (8)

(a) 기판(100)에 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 전사되고, 상기 기판(100)과 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 각각 접합되는 단계;
(b) 상기 (a)단계에서 접합된 LED 픽셀(P) 중 어느 하나 이상의 불량 픽셀(P’)이 기설정된 방법으로 판단되는 단계;
(c) 제어부(200)는 상기 (b)단계에서 판단된 상기 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하도록 식각부(300)를 제어하고, 분광분석부(400)는 상기 식각부(300)에서 레이저를 조사하면 상기 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질에 대해 기설정된 방식으로 분광 분석을 수행하고, 상기 분광분석부(400)는 상기 물질을 분석한 이미지를 상기 제어부(200)로 전송하는 단계;
(d) 상기 제어부(200)는 상기 이미지 중에서 금속 물질(M2)이 검출되면, 상기 식각부(300)가 상기 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하도록 제어하는 단계; 및
(e) 흡착부(500)는 상기 기판(100)과 상기 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되면, 상기 불량 픽셀(P’)을 상기 기판(100)으로부터 분리하는 단계; 를 포함하는,
방법.
(a) transferring one or more LED pixels (P) to a substrate (100), and bonding the substrate (100) and one or more LED pixels (P) to each other;
(b) determining by a predetermined method any one or more defective pixels (P') among the LED pixels (P) bonded in step (a);
(c) the control unit 200 controls the etching unit 300 to irradiate the laser to the defective pixel P' determined in step (b), and the spectroscopic analysis unit 400 includes the etching unit 300 When irradiated with a laser, spectroscopic analysis is performed on the material emitted from the defective pixel P' in a preset manner, and the spectroscopic analysis unit 400 transmits the analyzed image of the material to the control unit 200 to do;
(d) when the metal material M2 is detected in the image, the control unit 200 controlling the etching unit 300 to stop irradiating the laser to the defective pixel P'; and
(e) separating the bad pixel (P') from the substrate (100) by the adsorption unit (500) when the bonding between the substrate (100) and the bad pixel (P') is separated; containing,
Way.
 제1항에 있어서,
상기 (d)단계는,
(d1) 상기 제어부(200)는 상기 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하면, 상기 식각부(300)가 상기 (b)단계에서 판단된 다른 불량 픽셀(P’)에 대해 레이저를 조사하도록 제어하도록 제어하는 단계; 를 더 포함하고,
상기 (e)단계 이후,
(f) 상기 제어부(200)는 상기 (c)단계의 상기 식각부(300)에서 조사되는 레이저의 세기에 대한 정보를 전송받고, 상기 제어부(200)는 상기 분광분석부(400)에서 전송된 이미지, 상기 식각부(300)에서 조사되는 레이저의 세기 및 상기 식각부(300)의 위치를 학습하는 단계; 를 더 포함하는,
방법.
According to claim 1,
Step (d) is,
(d1) When the control unit 200 stops irradiating the laser to the defective pixel P', the etcher 300 applies the laser to the other defective pixel P' determined in step (b). controlling to control to irradiate; further comprising,
After step (e),
(f) the control unit 200 receives information on the intensity of the laser irradiated from the etching unit 300 in step (c), and the control unit 200 receives the information transmitted from the spectroscopic analysis unit 400 learning the image, the intensity of the laser irradiated from the etcher 300 and the position of the etcher 300 ; further comprising,
Way.
 제1항에 있어서,
상기 (e)단계 이후,
(g) 상기 (e)단계에서 분리된 불량 픽셀(P’)의 위치에 새로운 LED 픽셀(P)이 전사되는 단계; 및
(h) 상기 제어부(200)는 상기 (g)단계에서 전사된 새로운 LED 픽셀(P)이 불량 픽셀(P’)인지 판단하는 단계; 를 포함하는,
방법.
According to claim 1,
After step (e),
(g) transferring a new LED pixel (P) to the position of the defective pixel (P') separated in step (e); and
(h) determining, by the controller 200, whether the new LED pixel P transferred in step (g) is a bad pixel P'; containing,
Way.
 제2항에 있어서,
상기 (d1)단계는,
상기 제어부(200)는 상기 이미지가 GaAs(Gallium Arsenide) peak를 가시하면, 상기 금속 물질(M2)이 검출되는 것으로 판단하는 단계;를 더 포함하는,
방법.
3. The method of claim 2,
The step (d1) is,
The control unit 200 determines that the metal material (M2) is detected when the image shows a GaAs (Gallium Arsenide) peak; further comprising,
Way.
 제1항에 있어서,
상기 (d)단계는,
상기 제어부(200)는 상기 기판(100)과 상기 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되도록 상기 식각부(300)에서 레이저를 조사하도록 제어하는 단계; 를 더 포함하는,
방법.
According to claim 1,
Step (d) is,
controlling, by the controller 200, to irradiate the laser from the etching unit 300 so that the junction of the substrate 100 and the defective pixel P' is separated; further comprising,
Way.
 제1항에 있어서,
상기 (c)단계는,
상기 분광분석부(400)가 상기 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질을 실시간으로 분석하는 단계; 를 포함하는,
방법.
According to claim 1,
Step (c) is,
analyzing, by the spectroscopy unit 400, the material emitted from the defective pixel P' in real time; containing,
Way.
 제1항에 있어서,
상기 (b)단계는,
상기 제어부(200)가 상기 (a)단계에서 전사된 LED의 픽셀(P) 중 불량 픽셀(P’)을 PL(Photoluminescence)/EL(Electroluminescence) 방법으로 판단하는 단계;를 포함하는 ,
방법.
According to claim 1,
Step (b) is,
Determining, by the control unit 200, a bad pixel (P') among the pixels (P) of the LED transferred in the step (a) by a PL (Photoluminescence)/EL (Electroluminescence) method; including,
Way.
 제1항에 따른 방법이 적용되는 리페어 시스템.
A repair system to which the method according to claim 1 is applied.
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