KR20200110448A - 이온 주입 시스템 - Google Patents

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KR20200110448A
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ion implantation
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KR1020207025768A
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크레이그 알. 채니
아담 엠. 맥로플린
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베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
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Abstract

본 개시는 반도체 제조 시스템의 컴포넌트가 해당 시스템에서 사용하도록 승인되었는지를 결정하기 위한 방법 및 장치를 설명한다. 컴포넌트에 식별 피처를 내장함으로써 해당 컴포넌트가 시스템에서 사용하기에 적격인지 여부를 제어기가 결정하는 것이 가능하다. 승인되지 않은 컴포넌트가 감지되면, 시스템은 사용자에게 경고하거나 특정 실시예에서 시스템 작동을 중단할 수 있다. 이 식별 피처는 식별 피처를 극한의 온도에 노출시키지 않고 식별 피처를 컴포넌트에 내장될 수 있도록 하는 적층 제조 공정을 사용하여 컴포넌트에 내장된다.

Description

적층 제조를 이용한 인터락을 위한 내장 피처
본 개시는 적층 제조(additive manufacturing) 기술 분야이며, 보다 상세하게는 인터락(interlock) 및 내장 식별 피처(embedded identification feature)를 갖는 컴포넌트의 제조에 관한 것이다.
반도체 디바이스는 복수의 서로 다른 컴포넌트를 포함하는 복잡한 반도체 프로세싱 시스템을 사용하여 제조된다. 반도체 수율과 성능은 이들 컴포넌트의 상호 작용과 협업에 의존한다. 예를 들어, 한 컴포넌트가 타겟 사양보다 낮으면, 결과로 생성되는 반도체 디바이스에 악영향을 미칠 수 있다.
결과적으로, 장비 제조업체는 이러한 복잡한 반도체 프로세싱 시스템에 사용할 고품질 컴포넌트를 제공하려고 한다. 그런 다음, 장비 제조업체는 각각의 컴포넌트의 사양에 따라 전체 시스템 성능을 특정한다.
이러한 복잡한 반도체 시스템에 사용되는 일부 컴포넌트는 사용 또는 마모로 인해 마모될 수 있다. 종종, 교체 부품은 타사 공급 업체에서 구할 수 있다. 불행하게도, 이러한 타사 컴포넌트 중 일부는 원래 컴포넌트와 동일한 사양으로 만들어지지 않을 수 있다. 결과적으로, 이러한 열등한 타사 컴포넌트로 인해 성능, 효율 또는 수율이 저하될 수 있다.
불행하게도, 대부분의 반도체 프로세싱 시스템에서는 시스템에 원하는 사양을 충족시키는 컴포넌트만 포함되어 있는지 여부를 확인할 수 없다. 따라서, 컴포넌트가 교체된 후, 시스템이 더 이상 특정된 레벨에서 실행하지 않을 수 있다. 그 결과, 원래 제조업체는 이러한 인식된 품질 또는 성능 이슈를 해결하기 위해 제품 지원 노력을 시작하도록 요청 받을 수 있다.
반도체 제조 시스템에 사용된 컴포넌트가 해당 시스템에 사용에 적격(qualify)이었는지 여부를 확인하는 방법이 있다면 유용할 것이다. 더구나, 이 방법이 컴포넌트에 내장된 일부 식별 피처를 사용하여 수행하면 유리할 것이다.
본 개시는 반도체 제조 시스템의 컴포넌트가 해당 시스템에서 사용하도록 승인되었는지를 결정하기 위한 방법 및 장치를 설명한다. 컴포넌트에 식별 피처를 내장함으로써 해당 컴포넌트가 시스템에서 사용하기에 적격인 지 여부를 제어기가 결정하는 것이 가능하다. 승인되지 않은 컴포넌트가 감지되면, 시스템은 사용자에게 경고하거나 시스템 작동을 변경하거나 특정 실시예에서 시스템 작동을 중단할 수 있다. 이 식별 피처는 식별 피처를 극한의 온도에 노출시키지 않고 식별 피처를 컴포넌트에 내장될 수 있도록 하는 적층 제조 공정(additive manufacturing process)을 사용하여 컴포넌트에 내장된다.
일 실시예에 따른, 이온 주입 시스템이 개시된다. 상기 이온 주입 시스템은 수신기와 통신하는 제어기; 및 공동(cavity) 및 상기 공동 내에 배치된 식별 피처를 갖는 컴포넌트를 포함하고; 상기 제어기는 상기 수신기로 송신되기 전에 상기 식별 피처에 의해 수신되고 수정된 신호를 출력한다. 특정 실시예에서, 상기 신호는 광 신호를 포함하고, 상기 식별 피처는 상기 신호의 주파수, 위상 또는 진폭을 수정한다. 특정 실시예에서, 상기 신호는 아날로그 신호를 포함하고, 상기 식별 피처는 신호의 주파수, 위상 또는 진폭을 수정한다. 특정 실시예에서, 상기 신호는 디지털 신호를 포함하고, 상기 식별 피처는 상기 신호의 주파수, 듀티 사이클(duty cycle) 또는 위상을 수정한다. 특정 실시예에서, 상기 신호는 디지털 신호를 포함하고, 상기 식별 피처는 상기 신호에 고유 식별을 첨부함으로써 상기 신호를 수정한다.
다른 실시예에 따른, 이온 주입 시스템이 개시된다. 상기 이온 주입 시스템은 수신기와 통신하는 제어기; 및 공동(cavity) 및 상기 공동 내에 배치된 식별 피처를 갖는 컴포넌트를 포함하고; 상기 제어기는 상기 수신기로 송신되기 전에 상기 식별 피처에 의해 수신되고 수정된 신호를 출력하고, 상기 제어기는 상기 컴포넌트의 특성을 결정하기 위해 상기 수신기에 의해 수신된 신호를 분석한다. 특정 실시예에서, 상기 이온 주입 시스템은 공동 및 제 2 식별 피처를 갖는 제 2 컴포넌트를 포함하고, 상기 식별 피처로부터 출력된 신호는 상기 수신기에 의해 수신되기 전에 상기 제 2 식별 피처에 의해 수신되고 수정된다. 특정 실시예에서, 상기 특성은 상기 컴포넌트가 상기 이온 주입 시스템에서 작동하도록 승인되었는지 여부를 포함한다. 일부 실시예에서, 상기 제어기는 상기 특성에 기초하여 동작을 수행한다. 상기 동작은 상기 이온 주입 시스템의 적어도 하나의 작동 파라미터의 수정을 포함할 수 있다. 상기 동작은 운영자에게 경고를 작동시키는 것을 포함할 수 있다.
다른 실시예에 따른, 이온 주입 시스템이 개시된다. 이온 주입 시스템은 공동 및 식별 피처를 포함하는 하나 이상의 컴포넌트를 포함하고; 상기 공동은 상기 공동의 내부와 상기 컴포넌트의 외부 사이에 적어도 하나의 통로를 포함하고, 상기 식별 피처는 상기 공동에 배치되고 상기 공동의 상부는 금속 스트립으로 밀봉된다. 특정 실시예에서, 상기 식별 피처는 적어도 하나의 치수에서 상기 통로보다 더 크다. 특정 실시예에서, 상기 이온 주입 시스템은 제 2 식별 피처를 갖는 제 2 컴포넌트를 포함하고, 상기 식별 피처는 상기 제 2 식별 피처와 통신한다. 특정 실시예에서, 상기 식별 피처는 진폭 가변 요소, 주파수 가변 요소 또는 위상 가변 요소를 포함한다. 일부 실시예에서, 상기 공동의 상부는 초음파 적층 제조를 사용하여 밀봉된다.
본 개시의 더 나은 이해를 위해, 같은 요소가 같은 번호로 참조되는 첨부도면에 대한 참조가 이루어진다 :
도 1a-1c는 일 실시예에 따른 내장된 식별 피처를 갖는 컴포넌트의 제조를 도시한다.
도 2a-2c는 제 2 실시예에 따른 내장된 식별 피처를 갖는 컴포넌트의 제조를 도시한다.
도 3은 도 1c에 도시된 컴포넌트를 사용하는 인증 메커니즘의 제 1 실시예를 도시한다.
도 4는 도 1c에 도시된 컴포넌트를 사용하는 인증 메커니즘의 제 2 실시예를 도시한다.
도 5는 도 1c에 도시된 컴포넌트를 사용하는 인증 메커니즘의 제 3 실시예를 도시한다.
도 6은 반도체 제조 시스템을 위한 대표적인 제어 시스템을 도시한다.
도 7은 일 실시예에 따른 식별 피처를 갖는 다수의 컴포넌트를 갖는 시스템을 도시한다.
도 8은 제 2 실시예에 따른 식별 피처를 갖는 다수의 컴포넌트를 갖는 시스템을 도시한다.
도 9는 내장된 식별 피처를 갖는 컴포넌트를 이용하는 이온 주입 시스템을 도시한다.
전술한 바와 같이, 반도체 제조 시스템은 복수의 컴포넌트로 구성될 수 있다. 시스템이 컴포넌트를 식별할 수 있도록 식별 피처가 이러한 컴포넌트 중 일부 또는 전부에 내장될 수 있다. 식별 피처는 컴포넌트를 식별하는 데 사용될 수 있는 임의의 요소일 수 있다. 특정 실시예에서, 컴포넌트는 개스킷, 플랜지 또는 다른 유사한 컴포넌트와 같은 환형 링일 수 있다. 다른 실시예에서, 컴포넌트는 직사각형 형상일 수 있다. 물론 컴포넌트는 다른 형상일 수도 있다.
도 1a-1c는 컴포넌트에 식별 피처를 내장하는데 사용되는 시퀀스를 도시한다. 도 1a는 환형 링 또는 중공 실린더로 형상화된 컴포넌트 (100)를 도시한다. 먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 공동 (110)은 컴포넌트 (100)의 측벽에 감산하여(subtractively) 도입될 수 있다. 이 공동 (110)은 일부 실시예에서 채널 형태일 수 있다. 이 공동 (110)은 연삭, 에칭 또는 임의의 다른 적절한 공정에 의해 만들어질 수 있다. 또한, 공동(110)은 임의의 원하는 폭 및 깊이일 수 있다. 다른 실시예에서, 컴포넌트 (100)는 적층 제조를 사용하여 생성되었을 수 있다. 이 실시예에서, 공동 (110)은 컴포넌트 (100)가 성장될 때 생성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 컴포넌트 (100)는 캐스트(cast) 또는 몰드(mold)를 사용하여 생성될 수 있다. 이 실시예에서, 공동 (110)은 캐스팅 또는 몰딩 공정 동안에 생성될 수 있다. 모든 실시예에서, 공동 (110)을 갖는 컴포넌트 (100)가 생성된다.
공동 (110)을 갖는 컴포넌트 (100)가 생성된 후, 광섬유 케이블과 같은 식별 피처(120)가 공동 (110)에 삽입될 수 있다. 광섬유 케이블이 도시되었지만, 다른 유형의 식별 피처가 삽입될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 식별 피처는 인쇄 회로 기판, 전기 회로, 하나 이상의 발광기, 하나 이상의 센서, 전기 도관 또는 이들 요소의 임의의 조합일 수 있다.
식별 피처 (120)가 공동 (110)에 삽입된 후, 공동 (110)의 상부가 밀봉된다. 이것은 적층 제조 기술을 사용하여 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 컴포넌트(100)는 금속으로 제조될 수 있고 초음파 적층 제조 공정이 채용될 수 있다. 이 공정에서, 금속 스트립 (130)일 수 있는 금속 층이 공동 (110) 위에 배치된다. 금속 스트립 (130)은 일부 실시예에서 공동 (110)의 폭보다 더 넓을 수 있다. 금속 스트립 (130)은 혼(horn)을 향해 초음파를 방출하는 하나 이상의 트랜스듀서를 포함하는 장치를 사용하여 컴포넌트(100) 상에 증착된다. 금속 스트립 (130)은 혼과 접촉하여, 인가되는 압력 뿐만 아니라 초음파를 경험하게 된다. 이러한 초음파는 열을 사용하지 않고 금속 스트립 (130)을 컴포넌트 (100)에 용접하는 역할을 한다. 일부 실시예에서, 복수의 금속 스트립 (130)이 컴포넌트(100)에 용접된다. 따라서, 열 극단(thermal extreme)에 민감한 식별 피처조차도 손상없이 공동 (110)에 내장될 수 있다. 공동 (110)이 금속 스트립 (130)에 의해 덮이는 동안, 통로 (140)가 공동(110)의 적어도 일 단부에 남아 있다. 특정 실시예에서, 통로 (140)는 공동 (110)의 양 단부에 남아 있다. 이러한 방식으로, 광섬유 케이블 또는 전선과 같은 도관이 공동 (110)을 통해 라우팅되고 공동 (110)의 양 단부에서 빠져 나갈 수 있다. 특정 실시예에서, 공동 (110)에 배치된 식별 피처 (120)는 적어도 하나의 치수에서 통로 (140)보다 더 커서 금속 스트립 (130)이 제 위치에 용접되면 식별 피처(120)가 공동 (110)에 삽입되거나 그로부터 제거될 수 없다.
도 1a-1c는 채널과 닮은 공동 (110)에 배치된 식별 피처(120)를 갖는 컴포넌트 (100)를 도시하지만, 다른 실시예도 가능하다. 도 2a-2c는 공동 (160)을 포함하는 직사각형 프리즘 형태의 컴포넌트 (150)를 도시한다. 이 공동(160)은 다양한 방식으로 생성될 수 있다. 예를 들어, 공동 (160)은 연삭, 에칭 또는 다른 적절한 공정과 같은 감산 제조 기술(subtractive manufacturing technique)을 통해 생성될 수 있다. 대안적으로, 컴포넌트 (150)는 몰딩에 의해 제조 될 수 있으며, 몰딩은 공동(160)을 생성하는 돌출부를 포함한다. 다른 실시예에서, 컴포넌트 (150)는 적층 제조를 사용하여 생성되었을 수 있다. 이 실시예에서, 공동 (160)은 컴포넌트 (150)가 성장될 때 생성될 수 있다. 일 실시예에서, 컴포넌트 (150)는 금속으로 제조될 수 있다.
도 2b에서, 식별 피처(170)가 공동 (160)에 배치된다. 식별 피처(120)와 유사하게, 식별 피처(170)는 인쇄 회로 기판, 전기 회로, 하나 이상의 발광기(light emitter), 하나 이상의 센서, 전기 도관 또는 이들 요소의 임의의 조합일 수 있다. 또한, 공동 (160)을 컴포넌트 (150)의 외부 표면에 연결하는 통로 (190)가 도시된다. 이 통로 (190)는 공동 (160)의 대응하는 치수보다 더 작은 적어도 하나의 치수를 가질 수 있다.
도 2c에서, 금속 스트립 (180)은 예컨대, 초음파 적층 제조 (UAM : ultrasonic additive manufacturing)를 사용을 통해, 공동 (160) 위에 용접된다. 전술한 바와 같이, UAM은 열을 사용하지 않고 용접되므로, 식별 피처(170)는 용접 공정에 의해 손상되지 않는다. 또한, 식별 피처 (170)가 통로 (190)보다 적어도 하나의 치수에서 더 큰 경우, 금속 스트립 (180)을 제거하지 않고는 컴포넌트 (150)로부터 식별 피처(170)를 제거하는 것이 가능하지 않다. 공동 (160)은 하나 이상의 통로 (190)를 통해 컴포넌트의 외부와 통신될 수 있다. 예를 들어, 도 2c에 도시된 일 실시예에서, 통로 (190)가 공동 (160)의 대향 측면에 배치된다. 그러나, 다른 실시예에서, 단지 하나의 통로 (190)가 있을 수 있다. 또 다른 실시예에서, 2 개의 통로 (190)가 있을 수 있지만, 이들은 컴포넌트 (150)의 인접한 측면 또는 동일한 측면에 배치될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 2 개 초과의 통로 (190)가 있을 수 있다. 따라서, 통로 (190)의 수 및 위치는 본 개시에 의해 한정되지 않는다.
더구나, 도면은 통로가 단순히 개방된 통로인 것을 도시하지만, 커넥터 또는 다른 인터페이스 컴포넌트가 이러한 통로에 배치되어 인접한 컴포넌트와 식별 피처가 물리적으로 함께 연결될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
따라서, UAM 프로세스는 해당 식별 피처를 컴포넌트의 외부에 연결하는 통로보다 더 큰 식별 피처가 컴포넌트의 내부에 내장되는 것을 허용한다. 예를 들어, 통로보다 더 큰 적어도 하나의 치수를 갖는 인쇄 회로 기판이 컴포넌트에 내장 될 수 있다. 유사하게, 식별 피처는 통로보다 큰 적어도 하나의 치수를 갖는 센서 또는 발광기를 포함 할 수 있다.
이러한 방식으로 복잡한 식별 체계를 허용하는 컴포넌트에 복잡한 식별 피처가 내장될 수 있다. 더구나, 식별 피처 위에 금속 스트립을 용접하는데 UAM을 사용하면 컴포넌트를 복사하거나 위조하려는 사람들에게 방해물 또는 장애물을 제공한다.
컴포넌트에 공동을 생성하고, 해당 공동에 식별 피처를 배치하고, 초음파 적층 제조 공정을 통해 내부의 식별 피처와 공동의 상부를 밀봉하는 능력은 많은 애플리케이션을 갖는다.
도 3-5는 컴포넌트가 반도체 제조 시스템에서 사용하도록 승인되었는지 여부를 결정하기 위해 광섬유 케이블을 통해 송신된 광 빔을 이용하는 다양한 실시예를 도시한다. 각각의 실시예에서, 광원 (200)은 제 1 컴포넌트 (210)에 배치된 광섬유 케이블 (211)로 광을 방출하기 위해 사용된다. 각각의 실시예에서, 센서 (220)는 광 빔이 제 2 컴포넌트 (230)에서 광섬유 케이블 (231)을 빠져 나갈 때 광 빔의 출력을 캡처하는데 사용된다. 이 구성은 단순히 예시의 목적을 위한 것이다. 예를 들어, 센서 (220)는 일부 실시예에서 제 2 컴포넌트 (230)에 배치될 수 있다. 특정 실시예에서, 광원 (200)은 제 1 컴포넌트 (210)에 배치될 수 있다.
도 3-5는 인증 메커니즘이 복수의 상이한 컴포넌트를 포함할 수 있음을 예시하기 위해 3 개의 컴포넌트를 도시한다. 그러나 인증 메커니즘은 임의의 수의 컴포넌트를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 제 1 컴포넌트 및 제 2 컴포넌트 중 하나 또는 둘 모두가 생략될 수 있다. 대안적으로, 인증 메커니즘에 더 많은 컴포넌트가 추가될 수도 있다.
도 3-5의 각각은 제 1 컴포넌트 (210)와 제 2 컴포넌트 (230) 사이에 배치된 제 3 컴포넌트를 도시한다. 특정 실시예에서, 제 1 컴포넌트 (210) 및 제 2 컴포넌트 (230)는 제 3 컴포넌트에 인접하고 제 3 컴포넌트를 샌드위치한다. 각각의 도면에서, 제 3 컴포넌트는 인증 메커니즘의 일부 역할을 하는 식별 피처를 포함한다.
도 3은 인증 메커니즘의 제 1 실시예를 도시한다. 이 실시예에서, 제 1 컴포넌트 (210)와 제 2 컴포넌트 (230) 사이에 배치된 제 3 컴포넌트 (250)는 제 1 컴포넌트 (210)의 광섬유 케이블 (211)과 제 2 컴포넌트(230)의 광섬유 케이블 (231)을 연결하는 도관(conduit) (251)인 식별 피처를 포함한다. 이 도관 (251)은 광섬유 케이블 또는 다른 적절한 도관일 수 있다. 이 실시예에서, 광원 (200)으로부터 방출된 광은 제 1 컴포넌트 (210), 제 2 컴포넌트 (230) 및 제 3 컴포넌트 (250)를 통과한 후 센서 (220)에 의해 수신될 것이다. 센서 (220)가 광을 검출하지 못하면 인증이 실패한다.
도 4는 인증 메커니즘의 제 2 실시예를 도시한다. 이 실시예에서, 제 1 컴포넌트 (210)와 제 2 컴포넌트 (230) 사이에 배치된 제 3 컴포넌트 (260)는 제 1 컴포넌트 (210)의 광섬유 케이블 (211)과 제 2 컴포넌트(230)의 광섬유 케이블 (231)을 배치된 진폭 가변 요소(amplitude varying element) (261)인 식별 피처를 포함한다. 이 진폭 가변 요소 (261)는 광섬유 케이블 (211)로부터 수신된 신호를 감쇠시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 이 진폭 가변 요소 (261)는 광섬유 케이블 (211)로부터 수신된 신호를 증폭시킬 수 있다. 이 실시예에서, 광원 (200)으로부터 방출된 광은 제 1 컴포넌트 (210), 제 2 컴포넌트 (230) 및 제 3 컴포넌트 (260)를 통과한 후 센서 (220)에 의해 수신될 것이다. 센서 (220)가 정의된 광 진폭 변화를 검출하지 못하면 인증이 실패한다. 도 4는 광을 감쇠 또는 증폭하는 단일 컴포넌트 (즉, 제 2 컴포넌트 (230))을 도시하지만, 본 개시는 이 실시예에 한정되지 않는다. 진폭 수정은 다수의 컴포넌트에서 발생할 수 있으며 여러 번 발생할 수 있다. 특정 실시예에서, 각각의 컴포넌트의 감쇠 또는 증폭은 고유하므로 시스템이 필수 식별 피처를 소유하지 않는 컴포넌트를 결정할 수 있다.
도 5는 인증 메커니즘의 제 3 실시예를 도시한다. 이 실시예에서, 제 1 컴포넌트 (210)와 제 2 컴포넌트 (230) 사이에 배치된 제 3 컴포넌트 (270)는 제 1 컴포넌트 (210)의 광섬유 케이블 (211)과 제 2 컴포넌트(230)의 광섬유 케이블 (231)을 배치된 주파수 가변 요소(frequency varying element) (271)인 식별 피처를 포함한다. 이 주파수 가변 요소 (271)는 도 5에 도시된 바와 같이 일정한 광 빔을 일련의 펄스로 변환할 수 있다. 다른 실시예에서, 이 주파수 가변 요소 (271)는 광섬유 케이블 (211)로부터 수신된 시변 신호를 수정할 수 있다. 이 실시예에서, 광원 (200)으로부터 방출된 광은 제 1 컴포넌트 (210), 제 2 컴포넌트 (230) 및 제 3 컴포넌트 (270)를 통과한 후 센서 (220)에 의해 수신될 것이다. 센서 (220)가 정의된 광 주파수에서의 변화를 검출하지 못하면 인증이 실패한다. 도 5는 광 빔의 주파수를 수정하는 단일 컴포넌트 (즉, 제 2 컴포넌트 (230))를 도시하지만, 본 개시는 이 실시예에 한정되지 않는다. 주파수 수정은 다수의 컴포넌트에서 발생할 수 있으며 여러 번 발생할 수 있다.
다른 실시예에서, 식별 피처는 수신 펄스 신호의 위상을 변화시키는 위상 가변 요소(phase varying element)일 수 있다. 특정 실시예에서, 식별은 광 빔의 하나 이상의 특성을 수정할 수 있으며, 여기서 특성은 진폭, 주파수 및 위상을 포함한다.
도 3-5는 광원 (200) 및 센서 (220)를 도시하지만, 다른 디바이스가 이용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 광원 (200) 및 광섬유 케이블 대신에, 인증 메커니즘은 아날로그 전기 신호 및 전기 도관을 이용할 수 있다. 특정 실시예에서, 광원 (200) 및 센서 (220)는 아날로그 전기 컴포넌트로 대체되는 반면, 식별 피처의 기능은 영향을 받지 않는다. 즉, 식별 피처는 아날로그 신호를 전달하거나, 신호의 진폭을 변경하거나, 신호의 주파수를 변경하거나, 신호의 위상을 변경하는데 사용될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 디지털 전기 신호가 컴포넌트 사이에서 전달될 수 있다. 예를 들어, 특정 실시예에서, 디지털 전기 신호는 구형파, 클록 신호, 펄스 트레인(pulse train) 또는 다른 변조된 신호를 포함할 수 있다. 이 실시예에서, 식별 피처는 수신된 디지털 신호의 주파수를 변경할 수 있다. 특정 실시예에서, 식별 피처는 수신된 디지털 신호의 위상을 변경할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 식별 피처는 수신된 디지털 신호를 제 2 컴포넌트로 송신하기 전에 듀티 사이클을 수정할 수 있다.
다른 실시예에서, 식별 피처는 반도체 제조 시스템으로부터의 요청에 응답하여 식별자를 제공할 수 있는 전기 회로 또는 메모리 저장 요소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 식별 요청은 제어기에 의해 송신될 수 있다. 이 요청은 직렬 또는 병렬 인터페이스 상에서 송신될 수 있다. 이에 대한 응답으로, 식별 피처는 고유 식별자를 반환한다. 다른 실시예에서, 디지털 신호는 제 1 컴포넌트로부터 제 3 컴포넌트로 그리고 제 2 컴포넌트로 송신될 수 있다. 각각의 컴포넌트가 착신 신호(incoming signal)를 수신하면, 착신 신호 끝에 고유 식별자를 첨부한다. 이러한 방식으로 시스템의 마지막 컴포넌트가 신호를 제어기로 다시 송신한 후 제어기는 시스템의 모든 컴포넌트 뿐만 아니라 물리적 구성을 식별할 수 있다. 예를 들어, 제어기는 스타터 심볼(starter symbol)를 송신하여 시퀀스를 개시할 수 있다. 제 1 컴포넌트는 스타터 심볼을 수신하고 스타터 심볼의 끝에 제 1 고유 식별자를 첨부할 수 있다. 다음 컴포넌트는 스타터 심볼 및 제 1 고유 식별자를 포함하는 디지털 시퀀스를 수신하고 제 2 고유 식별자를 첨부할 수 있다. 모든 컴포넌트가 디지털 시퀀스를 수신하고 개별 고유 식별자를 첨부할 때까지 이는 계속된다. 그런 다음 제어기는 수신된 디지털 시퀀스를 파서(parse)하여 각각의 컴포넌트와 그것들이 구성된 순서를 식별할 수 있다.
따라서, 특정 실시예에서, 각각의 컴포넌트의 식별 피처는 서로 통신한다. 일부 실시예에서, 식별 피처는 전기 전도체 또는 광섬유 케이블과 같은 케이블을 사용하여 연결된다. 컴포넌트는 특정 실시예에서 함께 데이지 체인(daisy chain)될 수 있다. 일부 실시예에서, 커넥터는 통로에 또는 그 근처에 배치된다. 컴포넌트는 인접한 두 컴포넌트에 배치된 커넥터에 부착되는 도관을 사용하여 연결된다. 다른 실시예에서, 하나의 컴포넌트를 위한 커넥터는 인접한 컴포넌트의 커넥터에 직접 부착된다. 예를 들어, 인접한 컴포넌트는 하나의 컴포넌트가 수형(male) 커넥터를 갖는 반면 인접한 컴포넌트는 암형(female) 커넥터를 사용하도록 구성될 수 있다. 이러한 방식으로 두 컴포넌트를 간단히 함께 눌러 인접한 식별 피처 간의 연결을 수립할 수 있다. 커넥터는 표준 커넥터이거나 맞춤 제작될 수 있다.
도 6은 대표적인 반도체 제조 시스템 (300)을 위한 제어 시스템의 간략화된 다이어그램을 도시한다. 반도체 제조 시스템 (300)은 제 1 컴포넌트 (210), 제 2 컴포넌트 (230) 및 제 3 컴포넌트 (310)와 같은 하나 이상의 컴포넌트를 포함한다. 시스템은 또한 신호 소스 (320)를 포함한다. 신호 소스는 광원, 아날로그 전기 신호 소스 또는 디지털 신호 소스일 수 있다. 시스템은 또한 신호 수신기 (330)를 포함한다. 신호 수신기 (330)는 제어기 (340)와 통신할 수 있다. 제어기 (340)는 저장 요소 (342)와 통신하는 프로세싱 유닛 (341)을 포함할 수 있다. 저장 요소 (342)는 임의의 비 일시적 매체 예컨대, 동적 메모리 (DRAM), 랜덤 액세스 메모리 (RAM), 판독 전용 메모리 (ROM), 전기적 소거 가능 메모리 (EEROM), 플래시 메모리, 자기 매체 또는 광 매체일 수 있다. 다른 유형의 매체가 저장 요소 (342)를 생성하기 위해 또한 사용될 수 있다. 저장 요소 (342)는 프로세싱 유닛 (341)에 의해 실행될 때, 제어기 (340)가 본 출원에 설명된 기능을 수행할 수 있게 하는 명령을 포함한다. 프로세싱 유닛 (341)은 범용 프로세서, 특수 용도 프로세서 또는 임베디드 프로세서와 같은 임의의 적절한 디바이스일 수 있다.
동작시, 제어기 (340)는 신호 소스(320)에 특정 신호를 출력하도록 지시할 수 있다. 해당 신호는 제 1 컴포넌트 (210), 제 3 컴포넌트 (310) 및 제 2 컴포넌트(230)를 통과할 수 있다. 이들 컴포넌트 중 하나 이상은 신호 소스 (320)에 의해 출력되는 신호를 조작하거나 변경할 수 있다. 신호는 궁극적으로 신호 수신기 (330)에 의해 수신된다. 이 수신된 신호는 그런 다음 신호 수신기 (330) 또는 제어기 (340)에 의해 처리되어 그것이 수락 가능한 파라미터 내에 있는지를 결정한다. 제어기 (340)가 수신된 신호가 이러한 기준을 충족한다고 결정하면, 반도체 제조 시스템 (300)은 정상적으로 동작한다. 제어기 (340)가 수신된 신호가 이러한 기준을 충족하지 않는다고 결정하면, 제어기 (340)는 운영자에게 이 사실을 경고할 수 있다. 경고는 디스플레이 디바이스 또는 원격 디바이스와 같은 시각적 메시지의 형태일 수 있다. 대안적으로, 경보가 가청 경보일 수 있다. 다른 실시예들에서, 제어기 (340)가 수신된 신호가 기준을 충족하지 않는다고 결정하면 반도체 제조 시스템 (300)은 제대로 기능하지 않을 수 있다.
도 6은 3 개의 컴포넌트를 통과하는 신호를 도시하지만, 다른 실시예도 가능하다는 것에 유의한다. 예를 들어, 별개의 신호 소스 및 신호 수신기가 인증될 시스템의 각각의 컴포넌트에 대해 사용될 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 식별 피처를 갖는 다수의 컴포넌트를 갖는 시스템을 도시한다. 이 구성에서, 이온 소스 (700), 차폐 부싱(shield bushing) (710), 부싱 (720), 부싱 플랜지 (730) 및 소스 챔버 (740)가 있다. 이러한 컴포넌트는 물리적으로 이 순서대로 배열된다. 이들 컴포넌트 중 하나 이상은 공동 (780)의 상부가 UAM을 사용하여 밀봉되는 공동 (780)에 둘러싸인 식별 피처(760)를 가질 수 있다. 제어기 (750)는 시스템에 신호를 도입하기 위해 사용될 수 있다. 이 제어기 (750)는 저장 요소와 통신하는 프로세싱 유닛을 포함할 수 있다. 저장 요소는 임의의 비 일시적 매체 예컨대, 동적 메모리 (DRAM), 랜덤 액세스 메모리 (RAM), 판독 전용 메모리 (ROM), 전기적 소거 가능 메모리 (EEROM), 플래시 메모리, 자기 매체 또는 광 매체일 수 있다. 다른 유형의 매체가 저장 요소를 생성하기 위해 또한 사용될 수 있다. 저장 요소는 프로세싱 유닛에 의해 실행될 때, 제어기가 본 출원에 설명된 기능을 수행할 수 있게 하는 명령을 포함한다. 프로세싱 유닛은 범용 프로세서, 특수 용도 프로세서 또는 임베디드 프로세서와 같은 임의의 적절한 디바이스일 수 있다. 제어기 (750)는 신호를 송신하는 출력(755)과 통신할 수 있다.
전술한 바와 같이, 이 신호는 광섬유 신호, 아날로그 신호 또는 디지털 신호일 수 있다. 이 신호는 각각의 컴포넌트에 배치된 공동을 통해 컴포넌트간에 송신된다. 전술한 바와 같이, 이들 컴포넌트 중 하나 이상은 컴포넌트를 통해 송신되는 신호를 수정하는 식별 피처(760)를 포함할 수 있다. 광 센서 또는 전기 수신기일 수 있는 수신기 (770)는 다양한 공동에 의해 정의된 경로의 원위 단부에 배치된다. 수신기 (770)는 제어기 (750)와 통신할 수 있다. 제어기 (750)는 그런 다음 수신기 (770)에 의해 수신된 신호를 분석한다. 특정 실시예에서, 제어기 (750)는 수신된 신호를 진폭, 주파수, 듀티 사이클 및 위상 측면에서 예상 신호와 비교한다. 다른 실시예에서, 제어기는 수신된 디지털 신호를 해석하여 그것을 디코딩할 수 있다. 비교 또는 분석의 결과에 기초하여, 제어기 (750)는 하나 이상의 컴포넌트가 시스템에서 사용하도록 승인되지 않았는 지를 결정할 수 있다. 이 결정은 수신된 진폭, 주파수, 듀티 사이클 또는 위상에 기초하여 이루어질 수 있다. 이 분석에 기초하여, 제어기 (750)는 하나 이상의 동작을 취할 수 있다. 하나 이상의 컴포넌트가 시스템에서 사용하도록 승인되지 않은 경우 제어기 (750)는 운영자에게 경고할 수 있다. 제어기 (750)는 또한 비교 또는 분석의 결과에 기초하여 시스템의 작동을 중단할 수 있다.
도 8은 다른 실시예에 따른 식별 피처를 갖는 다수의 컴포넌트를 갖는 시스템을 도시한다. 이 실시예에서, 경로는 동일한 위치에서 시작하고 끝나도록 루프화된다. 예를 들어, 제어기 (750)는 소스 챔버 (740)와 같은 하나의 컴포넌트에 근접한 출력 (755)과 통신할 수 있다. 수신기 (770)는 또한 소스 챔버 (740)에 근접하게 위치된다. 신호는 소스 챔버 (740), 부싱 플랜지 (730), 부싱 (720), 차폐 부싱 (710) 및 이온 소스 (700)를 통해 이동한다. 이온 소스 (700)는 또한 신호를 출력하고, 이 신호는 그런 다음 수신기 (770)에 도달하기 전에 차폐 부싱 (710), 부싱 (720), 부싱 플랜지 (730) 및 소스 챔버 (740)를 통해 이동한다. 이 실시예에서, 각각의 컴포넌트 (이온 소스 (700 제외))는 신호가 컴포넌트를 통해 루프백될 수 있도록 2 개의 공동을 갖는다. 이온 소스 (700)는 U 자형으로 배열될 수 있는 단일 공동을 갖는다.
도 6-8은 제어기가 별도의 컴포넌트인 것을 도시하지만, 다른 실시예도 가능하다. 예를 들어, 제어기는 컴포넌트 중 하나 내의 공동 중 하나 내에 상주할 수 있다.
상기 개시는 각각의 컴포넌트가 시스템이 작동하도록 승인된 시스템을 설명하지만, 다른 실시예도 또한 가능하다. 예를 들어, 제어기 (750)는 비교 또는 분석의 결과에 기초하여 시스템의 하나 이상의 작동 파라미터를 수정할 수 있다.
일 실시예에서, 이온 소스 (700)와 같은 하나의 컴포넌트는 시스템과 함께 채용될 수 있는 복수의 가능한 이온 소스가 있는 교체 가능한 컴포넌트일 수 있다. 비교 또는 분석 결과에 기초하여, 제어기(750)는 어떤 이온 소스 (700)가 설치되었는지를 결정할 수 있다. 이온 소스에 기초하여, 제어기 (750)는 설치된 이온 소스에 따라 바이어스(bias) 및 아크 전류를 변경할 수 있다. 예를 들어, 큰 캐소드 이온 소스가 설치되면, 캐소드가 작동하는데 더 많은 열을 사용할 수 있으므로 바이어스 전류가 증가한다. 작은 캐소드 소스의 경우, 바이어스 전류가 상당히 낮을 수 있으므로 제어기(750)는 설치된 이온 소스 (700)에 따라 이러한 파라미터를 자동으로 조정할 수 있다. 물론, 이 예는 단지 예시일 뿐이며 다른 파라미터도 조정될 수 있다.
즉, 제어기 (750)는 컴포넌트의 특성에 따라 하나 이상의 동작을 수행할 수 있다. 동작은 운영자에게 경고하는 것, 시스템 비활성화 또는 시스템의 적어도 하나의 작동 파라미터를 수정하는 것을 포함할 수 있다. 컴포넌트의 특성은 해당 컴포넌트가 시스템에서 작동하도록 승인되었는지 여부를 포함하거나 컴포넌트의 아이덴티티(identity)를 포함할 수 있다.
도 7-8은 이온 주입 시스템의 일부를 도시하지만, 이온 주입 시스템의 다른 컴포넌트도 식별 피처를 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 도 9는 일 실시예에 따른 이온 주입 시스템을 도시한다. 일 실시예에서, 이온 소스 (910)는 텅스텐 챔버 내에 수용된 간접 가열 캐소드 (IHC : indirectly heated cathode)를 포함할 수 있다. 이 이온 소스 (910)는 더 큰 하우징 (900) 내에 포함될 수 있다. 터보 펌프 (901)는 더 큰 하우징 (900)의 내부를 원하는 압력으로 유지하기 위해 사용될 수 있다. 이온 소스 (910)가 전형적으로 상당한 전압으로 바이어스되기 때문에, 이온 소스 (910)를 더 큰 하우징 (900)으로부터 전기적으로 절연시키는 것이 필요할 수 있다. 이것은 소스 부싱 (915)의 사용을 통해 달성될 수 있다.
이온 소스 (910) 외부에는 이온 소스 (910)에서 생성된 이온을 끌어 당기기 위해 적절하게 바이어스된 하나 이상의 전극으로 구성된 추출 어셈블리 (920)가 있다. 전극은 이러한 이온을 전극으로 끌어 들인 다음 전극을 통과시킨다. 일부 실시예에서, 추출 전극 (921) 및 억제 전극 (922)과 같은 다수의 전극이 있을 수 있다. 이들 전극은 서로 다른 전압에 있을 수 있으므로 서로 전기적으로 절연되어 있다. 이는 추출 어셈블리 (920)를 제 위치에 홀딩하는 절연된 조작기 어셈블리 (925)의 사용을 통해 달성될 수 있다.
추출된 이온 빔 (930)은 그런 다음 질량 분석기 (940)로 진입할 수 있다. 하나 이상의 라이너(liner) (941)가 질량 분석기 (940) 내에 또는 다른 컴포넌트 내에 배치 될 수 있다. 이온 빔은 질량 분석기 (940)의 가이드 튜브 (미도시)를 통과하여 유동한다. 일부 실시예에서, 4 중극자 렌즈 (944) 또는 아인셀(Einsel) 렌즈와 같은 집속 요소가 이온 빔을 집속하기 위해 사용될 수 있다. 분해 개구(resolving aperture) (945)는 원하는 전하/질량 비율을 갖는 이온만을 추출하는 질량 분석기 (940)의 출력에 배치된다. 이제 관심 이온만을 포함하는 분석된 이온 빔 (950)은 그런 다음 기판 지지체 또는 플래튼 (980)에 장착될 수 있는 기판 (990)에 주입된다. 일부 실시예에서, 보정기 자석(corrector magnet) (960) 및 하나 이상의 가속 또는 감속 스테이지 (970)가 분석된 이온 빔 (950)의 속도를 조정하기 위해 채용될 수 있다. 이러한 가속 또는 감속 스테이지 (970)는 프로세스 챔버 (985)에 근접하여 배치될 수 있다. 기판 (990) 및 기판 지지체 또는 플래튼 (980)은 프로세스 챔버 (985)에 배치될 수 있다. 특정 실시예에서, 도즈(dose) 및 패러데이 컵 (995)이 전류를 측정하기 위해 프로세스 챔버 (985)에 배치될 수 있다.
이러한 컴포넌트 중 다수는 공동의 상부가 UAW를 사용하여 밀봉되고 식별 피처를 포함하는 공동이 장착될 수 있다. 이러한 컴포넌트 중 일부는 시스템내 이온 소스 (910), 추출 어셈블리 (920), 플래튼 (980), 터보 펌프 (901), 질량 분석기 (940), 보정기 자석 (960), 가속 또는 감속 스테이지 (970), 분해 개구 (945), 라이너 (941), 도즈 및 패러데이 컵(995) 및 다양한 자석을 포함한다.
본 시스템은 많은 장점이 갖는다. 첫째, 이온 주입시스템에서 작동하도록 승인되지 않은 해당 시스템의 컴포넌트의 존재를 검출하는 것이 유리할 수 있다. 이 능력은 이온 주입 시스템이 오작동하거나 특정된 파라미터에 따라 작동하지 않는 것을 방지할 수 있다. 또한, 컴포넌트의 식별 피처 위에 금속을 용접하기 위해 초음파 적층 제조를 사용하는 것은 이온 주입 시스템에 대한 비인가 교체 부품을 생산하려는 시도에 심각한 유해를 제공한다. 둘째, 이온 주입 시스템을 구성하는 컴포넌트를 결정하는 능력은 제어기가 식별된 컴포넌트를 기반으로 파라미터를 변경하거나 수정할 수 있도록 할 수 있다. 이것은 구성 동안에 인적 오류 가능성을 줄일 수 있다.
본 개시는 본 출원에 설명된 특정 실시예에 의해 범위가 한정되지 않는다. 실제로, 본 출원에 설명된 것들에 추가하여, 본 개시의 다른 다양한 실시예 및 수정예가 전술한 설명 및 첨부한 도면으로부터 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 이러한 다른 실시예 및 수정예는 본 개시의 범위 내에 해당되는 것으로 의도된다. 또한, 비록 특정 목적을 위한 특정 환경에서의 특정한 구현의 맥락에서 본 개시 내용이 설명되었지만, 당업자는 그 이용 가능성이 이에 한정되지 않으며 본 개시는 여러 가지 목적으로 여러 가지 환경에서 유리하게 구현된다는 것을 인식할 것이다. 따라서, 이하에 개시되는 청구항들은 본 출원에서 설명되는 본 발명의 전체 효과와 취지에서 해석되어야 한다.

Claims (15)

  1. 이온 주입 시스템에 있어서,
    수신기와 통신하는 제어기; 및
    공동(cavity) 및 상기 공동 내에 배치된 식별 피처(identification feature)를 갖는 컴포넌트;를 포함하고,
    상기 제어기는 상기 수신기로 송신되기 전에 상기 식별 피처에 의해 수신되고 수정되는 신호를 출력하는, 이온 주입 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 신호는 광 신호 또는 아날로그 신호를 포함하고, 상기 식별 피처는 상기 신호의 주파수, 위상 또는 진폭을 수정하는, 이온 주입 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 신호는 디지털 신호를 포함하고, 상기 식별 피처는 상기 신호의 주파수, 듀티 사이클(duty cycle) 또는 위상을 수정하는, 이온 주입 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 신호는 디지털 신호를 포함하고, 상기 식별 피처는 상기 신호에 고유 식별을 첨부함으로써 상기 신호를 수정하는, 이온 주입 시스템.
  5. 이온 주입 시스템에 있어서,
    수신기와 통신하는 제어기; 및
    공동(cavity) 및 상기 공동 내에 배치된 식별 피처(identification feature)를 갖는 컴포넌트;를 포함하고,
    상기 제어기는 상기 수신기로 송신되기 전에 상기 식별 피처에 의해 수신되고 수정되는 신호를 출력하고, 상기 제어기는 상기 컴포넌트의 특성을 결정하기 위해 상기 수신기에 의해 수신된 신호를 분석하는, 이온 주입 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서, 공동 및 제 2 식별 피처를 갖는 제 2 컴포넌트를 더 포함하고, 상기 식별 피처로부터 출력된 신호는 상기 수신기에 의해 수신되기 전에 상기 제 2 식별 피처에 의해 수신되고 수정되는, 이온 주입 시스템.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 특성은 상기 컴포넌트가 상기 이온 주입 시스템에서 작동하도록 승인되었는지 여부를 포함하는, 이온 주입 시스템.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 제어기는 상기 특성에 기초하여 동작을 수행하는, 이온 주입 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 동작은 이온 주입 시스템의 적어도 하나의 작동 파라미터의 수정을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 동작은 운영자에게 경보를 작동시키는 것을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  11. 이온 주입 시스템에 있어서,
    공동 및 식별 피처를 포함하는 적어도 하나의 컴포넌트를 포함하고,
    상기 공동은 상기 공동의 내부와 상기 컴포넌트의 외부 사이에 적어도 하나의 통로를 포함하고, 상기 식별 피처는 상기 공동에 배치되고 상기 공동의 상부는 금속 스트립(metal strip)으로 밀봉되는, 이온 주입 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 식별 피처는 적어도 하나의 치수에서 상기 통로보다 더 큰, 이온 주입 시스템.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 식별 피처는 진폭 가변 요소, 주파수 가변 요소 또는 위상 가변 요소를 포함하는, 이온 주입 시스템.
  14. 제 11 항에 있어서, 신호 소스를 더 포함하고, 상기 신호 소스는 상기 식별 피처에 의해 수신되는 신호를 출력하는, 이온 주입 시스템.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 공동의 상부는 초음파 적층 제조(ultrasonic additive manufacturing)를 사용하여 밀봉되는, 이온 주입 시스템.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10217654B1 (en) 2018-02-12 2019-02-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Embedded features for interlocks using additive manufacturing
CN112881122A (zh) * 2021-01-15 2021-06-01 北京工业大学 一种3d打印隧道模型应用压电传感器的监测方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4747048A (en) 1986-03-21 1988-05-24 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for preventing performance of a critical operation unless selected control conditions are satisfied
US5013908A (en) 1988-11-28 1991-05-07 Kaman Sciences Corporation Break detection system using optical fibers having unique frequency modulated light
JPH1027568A (ja) * 1996-07-11 1998-01-27 Nissin Electric Co Ltd イオン注入装置
JP4241991B2 (ja) * 1999-03-19 2009-03-18 Ｈｏｙａ株式会社 内視鏡用光源装置
US6455437B1 (en) * 1999-04-07 2002-09-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for monitoring the process state of a semiconductor device fabrication process
JP2004206702A (ja) * 2002-12-12 2004-07-22 Tokyo Electron Ltd パーツ管理システム及び方法、並びにプログラム及び記憶媒体
US6985787B2 (en) * 2002-12-31 2006-01-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monitoring parts in a material processing system
US20050216228A1 (en) * 2004-03-15 2005-09-29 Tokyo Electron Limited Method and system for correcting a fault in a semiconductor manufacturing system
JP4847711B2 (ja) * 2004-04-16 2011-12-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US7239242B2 (en) * 2005-01-26 2007-07-03 Axcelis Technologies, Inc. Parts authentication employing radio frequency identification
US7663125B2 (en) * 2006-06-09 2010-02-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion beam current uniformity monitor, ion implanter and related method
US7622722B2 (en) * 2006-11-08 2009-11-24 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion implantation device with a dual pumping mode and method thereof
CN101536616A (zh) * 2006-11-08 2009-09-16 硅源公司 采用射频四极线性加速器引入用于半导体材料的粒子的设备和方法
US8725667B2 (en) * 2008-03-08 2014-05-13 Tokyo Electron Limited Method and system for detection of tool performance degradation and mismatch
JP5424570B2 (ja) * 2008-04-10 2014-02-26 Ｈｏｙａ株式会社 電子内視鏡用プロセッサ、ビデオスコープ及び電子内視鏡装置
US20110029114A1 (en) * 2009-07-29 2011-02-03 General Electric Company Method, system and computer program product for producing a test article having embedded features for nondestructive evaluation
US8906195B2 (en) * 2009-11-18 2014-12-09 Lam Research Corporation Tuning hardware for plasma ashing apparatus and methods of use thereof
DE112011100851T5 (de) * 2010-03-09 2013-01-17 Cummins Filtration Ip, Inc. Vorrichtung, System und Verfahren für das Erkennen der Anwesenheit von originalen einsatzfähigen Produktkomponenten
US9443733B2 (en) * 2013-11-04 2016-09-13 Marvell World Trade Ltd. Method and apparatus for authenticating a semiconductor die
US9218941B2 (en) 2014-01-15 2015-12-22 Axcelis Technologies, Inc. Ion implantation system and method with variable energy control
US9627186B2 (en) * 2014-08-29 2017-04-18 Lam Research Corporation System, method and apparatus for using optical data to monitor RF generator operations
US9851389B2 (en) * 2014-10-21 2017-12-26 Lam Research Corporation Identifying components associated with a fault in a plasma system
KR101952698B1 (ko) * 2014-10-27 2019-02-28 엔테그리스, 아이엔씨. 이온 주입 방법 및 장치
US9871107B2 (en) * 2015-05-22 2018-01-16 Nxp Usa, Inc. Device with a conductive feature formed over a cavity and method therefor
TWI676357B (zh) * 2015-06-05 2019-11-01 美商蘭姆研究公司 配方組之執行同步系統與方法
DE102016106119B4 (de) * 2016-04-04 2019-03-07 mi2-factory GmbH Energiefilterelement für Ionenimplantationsanlagen für den Einsatz in der Produktion von Wafern
US10217654B1 (en) 2018-02-12 2019-02-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Embedded features for interlocks using additive manufacturing

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