KR20200101751A - Dielectric resin composition for semiconductor device build up - Google Patents

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KR20200101751A
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정우재
이광주
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Abstract

The present invention relates to an insulating resin composition for a semiconductor device build up, having excellent adhesion at an interface with a metal thin film without any separate treatment, and a method for the semiconductor device build up using the same. The insulating resin composition for the semiconductor device build up includes an alkali-soluble resin and a compound represented by chemical formula 1.

Description

반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물 {DIELECTRIC RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE BUILD UP}Insulating resin composition for semiconductor device build-up {DIELECTRIC RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE BUILD UP}

본 발명은 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 별도의 처리 없이도 금속 박막과의 계면에서 접착력이 우수한 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to an insulating resin composition for build-up of a semiconductor device, and more particularly, to an insulating resin composition for build-up of a semiconductor device having excellent adhesion at an interface with a metal thin film without a separate treatment.

최근의 전자 기기는 갈수록 소형화, 경량화, 고성능화되고 있다. 이를 위해, 소형 기기를 중심으로 빌드-업 인쇄 회로 기판(Build-up Printed Circuit Board, Build-up PCB)의 응용분야가 빠르게 확대됨에 따라 다층 인쇄 회로 기판의 사용이 급속히 늘어 가고 있다. Electronic devices in recent years are becoming more compact, lightweight, and high-performance. To this end, as the application field of a build-up printed circuit board (build-up PCB) is rapidly expanding centering on small devices, the use of multilayer printed circuit boards is rapidly increasing.

다층 인쇄 회로 기판은 평면 배선에서부터 입체적인 배선이 가능하며, 특히 산업용 전자 분야에서는 IC(integrated circuit), LSI(large scale integration) 등 기능 소자의 집적도 향상과 함께 전자 기기의 소형화, 경량화, 고성능화, 구조적인 전기적 기능 통합, 조립 시간의 단축 및 원가 절감 등에 유리한 제품이다. Multi-layer printed circuit boards are capable of three-dimensional wiring from flat wiring. In particular, in the industrial electronics field, the integration of functional elements such as IC (integrated circuit) and LSI (large scale integration) is improved, as well as miniaturization, weight reduction, high performance, and structural This product is advantageous for integrating electrical functions, shortening assembly time and reducing cost.

그러나, 인쇄 회로 기판이나 반도체 패키징 재료에 사용되는 회로 배선의 폭이 점차 얇아질수록 절연재료의 조도는 감소되고, 그로 인해 배선과의 접촉 비표면적도 감소되어 절연 재료와는 더 높은 접착성이 요구되고 있다.However, as the width of the circuit wiring used for the printed circuit board or semiconductor packaging material becomes thinner, the roughness of the insulating material decreases, and thus the specific surface area of contact with the wiring decreases, requiring higher adhesion to the insulating material. Has become.

종래 표면 요철을 형성하여 표면적을 넓히는 방법으로 수지와 동박과의 접착성을 높이는 방법이 있지만, 회로 배선의 정밀도가 높아짐에 따라 표면조도로는 한계가 있으며, 플라즈마 처리 등의 표면 처리는 공정이 한 단계 더 추가됨으로 인해, 비용적 부담이 큰 한계가 있었다. Conventionally, there is a method of increasing the adhesion between resin and copper foil by forming surface irregularities to increase the surface area.However, as the precision of circuit wiring increases, the surface roughness is limited, and surface treatment such as plasma treatment is limited in the process. Due to the addition of additional steps, there was a limit to a large cost burden.

이에, 저가의 비용으로 절연층 및 금속 박막층 사이에 우수한 접착력을 가질 수 있는, 새로운 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물의 개발이 요구되고 있다.Accordingly, there is a need for development of an insulating resin composition for building up a new semiconductor device that can have excellent adhesion between the insulating layer and the metal thin film layer at low cost.

본 발명은 별도의 처리 없이도 금속 박막과의 계면에서 접착력이 우수한 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide an insulating resin composition for build-up of a semiconductor device having excellent adhesion at an interface with a metal thin film without any additional treatment.

또한, 본 발명은 상기 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물을 이용하는 반도체 소자의 빌드 업 방법을 제공하기 위한 것이다.Further, the present invention is to provide a method for building up a semiconductor device using the insulating resin composition for building up a semiconductor device.

본 명세서에서는, 알카리 가용성 수지 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물이 제공된다.In the present specification, there is provided an insulating resin composition for building up a semiconductor device, including an alkali-soluble resin and a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서, In Formula 1,

L1은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,L 1 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,

Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 에폭시 작용기가 말단에 결합된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.Ar 1 and Ar 2 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms having an epoxy functional group bonded to the terminal.

또한, 본 명세서에서는, 알카리 가용성 수지; 및 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 절연 수지 조성물을 이용하여, 경화성 수지 절연층을 형성하는 단계;를 포함하는, 반도체 소자의 빌드 업 방법이 제공된다.In addition, in this specification, alkali-soluble resin; And forming a curable resin insulating layer using an insulating resin composition including the compound represented by Formula 1 above. A method for building up a semiconductor device is provided.

이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물 및 반도체 소자의 빌드 업 방법에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, an insulating resin composition for building up a semiconductor device and a method for building up a semiconductor device according to a specific embodiment of the present invention will be described in more detail.

본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 구성 요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 구성 요소, 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present specification are only used to describe exemplary embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present specification, terms such as "comprise", "include" or "have" are intended to designate the presence of implemented features, numbers, steps, components, or a combination thereof, and one or more other features or It is to be understood that the possibility of the presence or addition of numbers, steps, elements, or combinations thereof is not preliminarily excluded.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 예시하고 하기에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 상기 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The present invention will be described in detail below and exemplify specific embodiments, as various changes can be made and various forms can be obtained. However, this is not intended to limit the present invention to a specific form disclosed, it is to be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

발명의 일 구현예에 따르면, 알카리 가용성 수지; 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물이 제공될 수 있다:According to one embodiment of the invention, an alkali-soluble resin; And an insulating resin composition for build-up of a semiconductor device, including a compound represented by the following Formula 1 may be provided:

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 1에서, In Formula 1,

L1은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,L 1 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,

Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 에폭시 작용기가 말단에 결합된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.Ar 1 and Ar 2 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms having an epoxy functional group bonded to the terminal.

본 발명자들은, 반도체 소자의 빌드 업에 사용될 수 있는 성분에 대한 연구를 진행하여, 알카리 가용성 수지 및 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 수지 조성물이 높은 극성을 띄는 화학식 1로 표시된 화합물의 도입으로 인해 분자간 화학적 결합이 높아져서 수지와 금속 박막과의 계면에서 접착력이 향상된다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다.The present inventors conducted research on components that can be used in the build-up of semiconductor devices, and by the introduction of a compound represented by Formula 1 in which an alkali-soluble resin and a resin composition including the compound represented by Formula 1 are highly polar. Therefore, it was confirmed through an experiment that the adhesion between the resin and the metal thin film was improved by increasing the chemical bond between the molecules and the invention was completed.

구체적으로, 상기 화학식 1의 화합물은 분자 내에 에폭시기가 말단에 결합된 작용기를 하나 이상 포함하여, 절연 수지 조성물 내의 다른 수지부분과 반응을 할 수 있으면서, 트리아진 구조로 인해 조성물이 극성을 띄게 되어, 금속 박막과의 계면에서 접착력이 향상되는 효과를 가질 수 있다. Specifically, the compound of Formula 1 includes one or more functional groups in which an epoxy group is bonded to the terminal in the molecule, and can react with other resin moieties in the insulating resin composition, and the composition becomes polar due to the triazine structure, It may have an effect of improving adhesion at the interface with the metal thin film.

상기 알킬기는, 알케인(alkane)으로부터 유래한 1가의 작용기로, 예를 들어, 직쇄형, 분지형 또는 고리형으로서, 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, 펜틸, 헥실 등이 될 수 있으며, 상기 알킬렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.The alkyl group is a monovalent functional group derived from alkane, for example, as a straight chain, branched or cyclic, methyl, ethyl, propyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl, pentyl, Hexyl may be used, and the description of the alkyl group described above may be applied except that the alkylene group is a divalent group.

상술한 바와 같이, 상기 화학식 1에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 에폭시 작용기가 말단에 결합된 탄소수 1 내지 10의 알킬기일 수 있으며, 구체적으로 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 하기 화학식 2일 수 있다:As described above, in Formula 1, Ar 1 and Ar 2 may each independently be hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in which an epoxy functional group is bonded to the terminal, specifically Ar 1 And Ar 2 may each independently represent the following Formula 2:

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 2에서, In Chemical Formula 2,

L2는 단일결합; 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기이고,L 2 is a single bond; Or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms,

n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며,n and m are each independently an integer of 0 to 3,

n + m= 3이고, n + m= 3,

*은 결합지점이다.* Is the point of attachment.

보다 구체적으로, 상기 화학식 2에서 m은 0 또는 1일 수 있으며, 예를 들면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-2로 표시될 수 있다:More specifically, in Formula 2, m may be 0 or 1, for example, Formula 1 may be represented by Formula 1-2 below:

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00004
Figure pat00004

한편, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 알카리 가용성 수지 100중량부 기준으로 3 내지 10 중량부, 또는 4 내지 6 중량부, 또는 4 내지 5 중량부 포함될 수 있는데, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기와 같은 함량으로 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물 내에 포함되는 경우, 수지 조성물이 충분한 극성을 가지게 되어, 금속 밀착력을 높일 수 있다.On the other hand, the compound represented by Formula 1 may be included in 3 to 10 parts by weight, or 4 to 6 parts by weight, or 4 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin, the compound represented by the formula 1 When included in the insulating resin composition for build-up of a semiconductor device in the same amount as, the resin composition has sufficient polarity, and thus metal adhesion can be increased.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 알카리 가용성 수지 100중량부 기준으로 3 중량부 미만인 경우, 수지 조성물 내에 극성이 충분하지 못하여, 수지와 금속 박막 사이의 접착력이 떨어질 우려가 있으며, 10 중량부를 초과하는 경우, 점도가 증가하고, 상온에서 일부 작용기가 활성화되어 반응이 진행될 우려가 있으며, 신뢰성이 떨어질 수 있다.When the compound represented by Formula 1 is less than 3 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin, the polarity is insufficient in the resin composition, and there is a risk that the adhesion between the resin and the metal thin film may decrease, and when it exceeds 10 parts by weight , Viscosity increases, and there is a concern that the reaction may proceed due to activation of some functional groups at room temperature, and reliability may be degraded.

한편, 상기 알카리 가용성 수지는 산성 작용기; 및 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 각각 적어도 1 이상, 또는 2 이상 포함할 수 있다. 상기 산성 작용기의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 카르복시기 또는 페놀기를 포함할 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지는 산성 작용기를 적어도 1 이상, 또는 2 이상으로 포함하여 상기 고분자 수지층이 보다 높은 알카리 현상성을 나타내게 하며, 고분자 수지층의 현상속도를 조절할 수 있다.On the other hand, the alkali-soluble resin is an acidic functional group; And at least one or two or more cyclic imide functional groups substituted with an amino group, respectively. Examples of the acidic functional group are not largely limited, but may include, for example, a carboxyl group or a phenol group. The alkali-soluble resin includes at least one or two or more acidic functional groups so that the polymer resin layer exhibits higher alkali developability, and the developing speed of the polymer resin layer can be controlled.

상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 작용기 구조 내에 아미노기와 고리형 이미드기를 포함하고 있으며, 적어도 1 이상, 또는 2 이상으로 포함될 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지가 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 적어도 1 이상, 또는 2 이상 함유함에 따라, 상기 알카리 가용성 수지는 아미노기에 포함된 활성수소가 다수 존재하는 구조를 가지게 되어, 열경화시 열경화성 바인더와의 반응성이 향상되면서 경화밀도를 높여 내열 신뢰성 및 기계적 성질을 높일 수 있다.The cyclic imide functional group substituted with the amino group includes an amino group and a cyclic imide group in the functional group structure, and may be included in at least one or two or more. As the alkali-soluble resin contains at least one or two or more cyclic imide functional groups substituted with the amino group, the alkali-soluble resin has a structure in which a large number of active hydrogens contained in the amino group are present. As the reactivity with the thermosetting binder is improved, the curing density can be increased, thereby increasing heat resistance reliability and mechanical properties.

또한, 상기 고리형 이미드 작용기가 알카리 가용성 수지 내에 다수 존재하게 됨에 따라, 고리형 이미드 작용기에 포함된 카보닐기와 3차 아민기에 의해 극성이 높아져 상기 알카리 가용성 수지의 계면 접착력을 높일 수 있다. 이에 따라, 상기 알카리 가용성 수지가 함유된 고분자 수지층은 상부에 적층되는 금속층과의 계면 접착력이 높아질 수 있고, 구체적으로, 금속층 상부에 적층된 캐리어필름과 금속층간의 계면 접착력 보다 높은 접착력을 가질 수 있어, 후술하는 바와 같이, 캐리어필름과 금속층간의 물리적 박리가 가능하게 될 수 있다.In addition, as a plurality of cyclic imide functional groups are present in the alkali-soluble resin, the polarity is increased by the carbonyl group and tertiary amine group included in the cyclic imide functional group, thereby increasing the interfacial adhesion of the alkali-soluble resin. Accordingly, the polymer resin layer containing the alkali-soluble resin may increase the interfacial adhesion with the metal layer laminated thereon, and specifically, may have higher adhesion than the interfacial adhesion between the carrier film and the metal layer laminated on the metal layer. Thus, as will be described later, physical peeling between the carrier film and the metal layer may be possible.

보다 구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 하기 화학식 3으로 표시되는 작용기를 포함할 수 있다.More specifically, the cyclic imide functional group substituted with the amino group may include a functional group represented by the following formula (3).

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 3에서, R1은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기 또는 알케닐기이며, *은 결합지점이다.In Formula 3, R 1 is an alkylene group or alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, and * is a bonding point.

상기 알킬렌기는, 알케인(alkane)으로부터 유래한 2가의 작용기로, 예를 들어, 직쇄형, 분지형 또는 고리형으로서, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소부틸렌기, sec-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기 등이 될 수 있다. 상기 알킬렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기의 예로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 등을 들 수 있다.The alkylene group is a divalent functional group derived from alkane, for example, as a straight chain, branched or cyclic, methylene group, ethylene group, propylene group, isobutylene group, sec-butylene group, It may be a tert-butylene group, a pentylene group, a hexylene group, and the like. One or more hydrogen atoms included in the alkylene group may be substituted with other substituents, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 Aryl group of to 12, heteroaryl group of 2 to 12 carbon atoms, arylalkyl group of 6 to 12 carbon atoms, halogen atom, cyano group, amino group, amidino group, nitro group, amide group, carbonyl group, hydroxy group, sulfonyl group, carba A mate group, a C1-C10 alkoxy group, etc. are mentioned.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정되지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substituted" means that other functional groups are bonded in place of the hydrogen atom in the compound, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, the position where the substituent can be substituted, and when two or more are substituted, two or more The substituents may be the same or different from each other.

상기 알케닐기는, 상술한 알킬렌기의 중간이나 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 함유하고 있는 것을 의미하며, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 헥실렌, 아세틸렌 등을 들 수 있다. 상기 알케닐기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 알킬렌기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환 가능하다.The alkenyl group means containing one or more carbon-carbon double bonds in the middle or terminal of the above-described alkylene group, and examples thereof include ethylene, propylene, butylene, hexylene, and acetylene. . At least one hydrogen atom in the alkenyl group may be substituted with the same substituent as in the case of the alkylene group.

바람직하게는 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 하기 화학식 3-2로 표시되는 작용기일 수 있다.Preferably, the cyclic imide functional group substituted with the amino group may be a functional group represented by the following formula 3-2.

[화학식 3-2][Chemical Formula 3-2]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 화학식2에서, *는 결합지점을 의미한다.In Formula 2, * means a bonding point.

상기 알카리 가용성 수지는 상술한 바와 같이, 산성 작용기와 함께 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 포함하며, 구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기의 적어도 하나의 말단에 산성 작용기가 결합할 수 있다. 이때, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기와 산성 작용기는 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 결합할 수 있으며, 예를 들어, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 아미노기의 말단에 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 산성 작용기가 결합할 수 있으며, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 이미드 작용기의 말단에 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 산성 작용기가 결합할 수 있다.As described above, the alkali-soluble resin includes a cyclic imide functional group substituted with an amino group together with an acidic functional group, and specifically, an acidic functional group is bonded to at least one end of the cyclic imide functional group substituted with the amino group can do. At this time, the cyclic imide functional group and the acidic functional group substituted with the amino group may be bonded via a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group, for example, a cyclic group substituted with the amino group An acidic functional group may be bonded to the terminal of the amino group included in the imide functional group through a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group, and already included in the cyclic imide functional group substituted with the amino group The acidic functional group may be bonded to the terminal of the de functional group via a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group.

보다 구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 아미노기의 말단이란, 상기 화학식 3에서 아미노기에 포함된 질소원자를 의미하며, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 이미드 작용기의 말단이란, 상기 화학식 3에서 고리형 이미드 작용기에 포함된 질소원자를 의미할 수 있다.More specifically, the terminal of the amino group included in the cyclic imide functional group substituted with the amino group means a nitrogen atom included in the amino group in Formula 3, and already included in the cyclic imide functional group substituted with the amino group. The terminus of the de functional group may mean a nitrogen atom included in the cyclic imide functional group in Chemical Formula 3.

상기 아릴렌기는, 아렌(arene)으로부터 유래한 2가의 작용기로, 예를 들어, 고리형으로서, 페닐기, 나프틸기 등이 될 수 있다. 상기 아릴렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기의 예로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 등을 들 수 있다.The arylene group is a divalent functional group derived from arene, for example, a cyclic type, and may be a phenyl group, a naphthyl group, or the like. One or more hydrogen atoms included in the arylene group may be substituted with other substituents, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 carbon atoms. Aryl group of to 12, heteroaryl group of 2 to 12 carbon atoms, arylalkyl group of 6 to 12 carbon atoms, halogen atom, cyano group, amino group, amidino group, nitro group, amide group, carbonyl group, hydroxy group, sulfonyl group, carba A mate group, a C1-C10 alkoxy group, etc. are mentioned.

상기 알카리 가용성 수지를 제조하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 고리형 불포화 이미드 화합물; 및 아민 화합물의 반응을 통해 제조될 수 있다. 이때, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물; 및 아민 화합물 중 적어도 하나 이상은 말단에 치환된 산성 작용기를 포함할 수 있다. 즉, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물, 아민 화합물, 또는 이들 2종 화합물 모두의 말단에 산성 작용기가 치환될 수 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다.Examples of the method for producing the alkali-soluble resin are not limited to a large extent, for example, a cyclic unsaturated imide compound; And it may be prepared through the reaction of an amine compound. At this time, the cyclic unsaturated imide compound; And at least one or more of the amine compound may include an acidic functional group substituted at the terminal. That is, an acidic functional group may be substituted at the terminal of the cyclic unsaturated imide compound, the amine compound, or both of these compounds. The contents of the acidic functional group are as described above.

상기 고리형 이미드 화합물은 상술한 고리형 이미드 작용기를 포함한 화합물이며, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물은 고리형 이미드 화합물 내에 불포화 결합, 즉 이중결합 또는 삼중결합을 적어도 1이상 포함한 화합물을 의미한다.The cyclic imide compound is a compound containing the cyclic imide functional group described above, and the cyclic unsaturated imide compound refers to a compound containing at least one or more unsaturated bonds, that is, double bonds or triple bonds in the cyclic imide compound. do.

상기 알카리 가용성 수지는 상기 아민 화합물에 포함된 아미노기와 고리형 불포화 이미드 화합물에 포함된 이중결합 또는 삼중결합의 반응을 통해 제조될 수 있다.The alkali-soluble resin may be prepared through a reaction of an amino group included in the amine compound and a double bond or a triple bond included in the cyclic unsaturated imide compound.

상기 고리형 불포화 이미드 화합물 및 아민 화합물을 반응시키는 중량비율의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물 100 중량부에 대하여, 상기 아민 화합물을 10 내지 80 중량부, 또는 30 내지 60 중량부로 혼합하여 반응시킬 수 있다.Examples of the weight ratio for reacting the cyclic unsaturated imide compound and the amine compound are not largely limited, for example, 10 to 80 parts by weight of the amine compound based on 100 parts by weight of the cyclic unsaturated imide compound, Alternatively, it may be reacted by mixing in 30 to 60 parts by weight.

상기 고리형 불포화 이미드 화합물의 예로는 N-치환 말레이미드 화합물을 들 수 있다. N-치환이란 말레이미드 화합물에 포함된 질소원자에 결합한 수소 원자 대신 작용기가 결합한 것을 의미하며, 상기 N-치환 말레이미드 화합물은 N-치환된 말레이미드 화합물의 개수에 따라 단관능 N-치환 말레이미드 화합물과 다관능 N-치환 말레이미드 화합물로 분류될 수 있다.Examples of the cyclic unsaturated imide compound include an N-substituted maleimide compound. N-substituted means that a functional group is bonded instead of a hydrogen atom bonded to a nitrogen atom contained in the maleimide compound, and the N-substituted maleimide compound is a monofunctional N-substituted maleimide depending on the number of N-substituted maleimide compounds. It can be classified into compounds and polyfunctional N-substituted maleimide compounds.

상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물은 하나의 말레이미드 화합물에 포함된 질소원자에 작용기가 치환된 화합물이며, 상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물은 2이상의 말레이미드 화합물 각각에 포함된 질소원자가 작용기를 매개로 결합한 화합물이다.The monofunctional N-substituted maleimide compound is a compound in which a functional group is substituted with a nitrogen atom contained in one maleimide compound, and the polyfunctional N-substituted maleimide compound has a nitrogen atom contained in each of two or more maleimide compounds. It is a compound bonded through

상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물에서, 상기 말레이미드 화합물에 포함된 질소 원자에 치환되는 작용기는 공지된 다양한 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기를 제한없이 포함할 수 있으며, 상기 질소 원자에 치환되는 작용기는 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기에 산성 작용기가 치환된 작용기를 포함할 수도 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다.In the monofunctional N-substituted maleimide compound, the functional group substituted with the nitrogen atom included in the maleimide compound may include, without limitation, various known aliphatic, alicyclic or aromatic functional groups, and the functional group substituted with the nitrogen atom May include a functional group in which an acidic functional group is substituted with an aliphatic, alicyclic or aromatic functional group. The contents of the acidic functional group are as described above.

상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물의 구체적인 예로는 o-메틸페닐말레이미드, p-하이드록시페닐말레이미드, p-카복시페닐말레이미드, 또는 도데실말레이미드 등을 들 수 있다.Specific examples of the monofunctional N-substituted maleimide compound include o-methylphenylmaleimide, p-hydroxyphenylmaleimide, p-carboxyphenylmaleimide, or dodecylmaleimide.

상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물에서, 2이상의 말레이미드 화합물 각각에 포함된 질소원자간 결합을 매개하는 작용기는 공지된 다양한 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기를 제한없이 포함할 수 있으며, 구체적인 예를 들면, 4,4'-디페닐메탄(diphenylmethane) 작용기 등을 사용할 수 있다. 상기 질소 원자에 치환되는 작용기는 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기에 산성 작용기가 치환된 작용기를 포함할 수도 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다.In the polyfunctional N-substituted maleimide compound, the functional group that mediates the bond between nitrogen atoms contained in each of the two or more maleimide compounds may include, without limitation, various known aliphatic, alicyclic or aromatic functional groups, and specific examples , 4,4'-diphenylmethane functional groups, etc. may be used. The functional group substituted with the nitrogen atom may include a functional group in which an acidic functional group is substituted with an aliphatic, alicyclic or aromatic functional group. The contents of the acidic functional group are as described above.

상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물의 구체적인 예로는 4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드(Daiwakasei사의 BMI-1000, BMI-1100 등), 페닐메탄 비스말레이미드, m-페닐렌메탄 비스말레이미드, 비스페놀 A 디페닐에테르 비스말레이미드, 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드, 4-메틸-1,3-페닐렌 비스말레이미드, 1,6'-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyfunctional N-substituted maleimide compound include 4,4'-diphenylmethane bismaleimide (Daiwakasei's BMI-1000, BMI-1100, etc.), phenylmethane bismaleimide, m-phenylenemethane bismalei Mid, bisphenol A diphenylether bismaleimide, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide, 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide Mid, 1,6'-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane, etc. are mentioned.

상기 아민 화합물은 분자구조내에 아미노기(-NH2)를 적어도 1이상 함유한 1차 아민 화합물을 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 아미노기로 치환된 카복시산 화합물, 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.The amine compound may be a primary amine compound containing at least one amino group (-NH 2 ) in the molecular structure, and more preferably a carboxylic acid compound substituted with an amino group, a polyfunctional amine compound containing two or more amino groups, or Mixtures of these can be used.

상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물에서, 카복시산 화합물은 분자 내에 카르복시산(-COOH) 작용기를 포함한 화합물로서, 카르복시산 작용기와 결합한 탄화수소의 종류에 따라 지방족, 지환족 또는 방향족 카복시산을 모두 포함할 수 있다. 상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물을 통해 상기 알카리 가용성 수지 내에 산성 작In the carboxylic acid compound substituted with the amino group, the carboxylic acid compound is a compound containing a carboxylic acid (-COOH) functional group in the molecule, and may include all aliphatic, alicyclic or aromatic carboxylic acids depending on the type of hydrocarbon bonded to the carboxylic acid functional group. . The acidic action in the alkali-soluble resin through the carboxylic acid compound substituted with the amino group

용기인 카복시산 작용기가 다수 포함되면서, 상기 알카리 가용성 수지의 현상성이 향상될 수 있다.As the container contains a large number of carboxylic acid functional groups, the developability of the alkali-soluble resin may be improved.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며, 상기 카복시산 화합물에 아미노기가 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치라면 한정되지 않으며, 치환되는 아미노기의 개수는 1이상일 수 있다.The term "substituted" means that other functional groups are bonded instead of hydrogen atoms in the compound, and the position at which the amino group is substituted in the carboxylic acid compound is not limited as long as the position where the hydrogen atom is substituted, and the number of amino groups to be substituted is 1 or more. I can.

상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물의 구체적인 예를 들면, 단백질의 원료로 알려진 20여종의 α-아미노산, 4-아미노부탄산, 5-아미노펜탄산, 6-아미노헥산산, 7-아미노헵탄산, 8-아미노옥탄산, 4-아미노벤조산, 4-아미노페닐아세트산, 4-아미노 시클로헥산 카복시산 등을 들 수 있다.Specific examples of the carboxylic acid compound substituted with the amino group include 20 kinds of α-amino acids, 4-aminobutanoic acids, 5-aminopentanoic acids, 6-aminohexanoic acids, 7-aminoheptanoic acids, and 8 known as raw materials for proteins. -Aminooctanoic acid, 4-aminobenzoic acid, 4-aminophenylacetic acid, 4-amino cyclohexane carboxylic acid, etc. are mentioned.

또한, 상기 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물은 분자 내에 2이상의 아미노기(-NH2)를 포함한 화합물로서, 아미노기와 결합한 탄화수소의 종류에 따라 지방족, 지환족 또는 방향족 다관능 아민을 모두 포함할 수 있다. 상기 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물을 통해 상기 알카리 가용성 수지의 가요성, 인성, 동박밀착력 등이 향상될 수 있다.In addition, the polyfunctional amine compound containing two or more amino groups is a compound containing two or more amino groups (-NH 2 ) in the molecule, and may contain all aliphatic, alicyclic or aromatic polyfunctional amines depending on the type of hydrocarbon bonded to the amino group. have. Flexibility, toughness, copper foil adhesion, and the like of the alkali-soluble resin may be improved through the polyfunctional amine compound including two or more amino groups.

상기 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물의 구체적인 예를 들면, 1,3-시클로헥산디아민, 1,4-시클로헥산디아민, 1,3-비스(아미노메틸)-시클로헥산, 1,4-비스(아미노메틸)-시클로헥산, 비스(아미노메틸)-노보넨, 옥타하이드로-4,7-메타노인덴-1(2), 5(6)-디메탄아민, 4,4'-메틸렌비스(시클로헥실아민), 4,4'-메틸렌비스(2-메틸시클로헥실아민), 이소포론디아민, 1,3-페닐렌디아민, 1,4-페닐렌디아민, 2,5-디메틸-1,4-페닐렌디아민, 2,3,5,6,-테트라메틸-1,4-페닐렌디아민, 2,4,5,6-테트라플루오로-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라플루오로-1,4-페닐렌디아민, 4,6-디아미노레조시놀, 2,5-디아미노-1,4-벤젠디티올, 3-아미노벤질아민, 4-아미노벤질아민, m-자일렌디아민, p-자일렌디아민, 1,5-디아미노나프탈렌, 2,7-디아미노플루오렌, 2,6-디아미노안트라퀴논, m-톨리딘, o-톨리딘, 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘 (TMB), o-디아니시딘, 4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린), 3,3'-디아미노벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-벤지딘, 4,4'-디아미노옥타플루오로비페닐, 4,4'-디아미노-p-터페닐, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄, 4,4'-메틸렌비스(2-에틸-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디에틸아닐린), 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-에틸렌디아닐린, 4,4'-디아미노-2,2'-디메틸비벤질, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 2,2'-비스(3-아미노페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-메틸페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-헥사플루오로프로판,α,α'-비스(4-아미노페닐)-1,4-디아이소프로필벤젠, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)-2-프로필]벤젠, 1,1'-비스(4-아미노페닐)-시클로헥산, 9,9'-비스(4-아미노페닐)-플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-클로로페닐)플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-메틸페닐)플루오렌,3,4'-디아미노디페닐에터, 4,4'-디아미노디페닐에터, 1,3-비스(3-아미노페녹시)-벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)-벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)-벤젠, 1,4-비스(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)-벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)-비페닐, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]프로판, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]헥사플루오로프로판, 비스(2-아미노페닐)설파이드, 비스(4-아미노페닐)설파이드, 비스(3-아미노페닐)설폰, 비스(4-아미노페닐)설폰, 비스(3-아미노-4-하이드록시)설폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)-페닐]설폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]설폰, o-톨리딘 설폰, 3,6-디아미노카바졸, 1,3,5-트리스(4-아미노페닐)-벤젠, 1,3-비스(3-아미노프로필)-테트라메틸디실록산, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 2-(3-아미노페닐)-5-아미노벤즈이미다졸, 2-(4-아미노페닐)-5-아미노벤족사졸, 1-(4-아미노페닐)-2,3-디하이드로-1,3,3-트리메틸-1H-인덴-5-아민, 4,6-디아미노레조시놀, 2,3,5,6-피리딘테트라아민, 신에츠 실리콘의 실록산 구조를 포함한 다관능 아민(PAM-E, KF-8010, X-22-161A, X-22-161B, KF-8012, KF-8008, X-22-1660B-3, X-22-9409), 다우코닝의 실록산 구조를 포함한 다관능 아민(Dow Corning 3055), 폴리에테르 구조를 포함한 다관능 아민(Huntsman사, BASF사) 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyfunctional amine compound containing two or more amino groups, 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1,3-bis(aminomethyl)-cyclohexane, 1,4-bis (Aminomethyl)-cyclohexane, bis(aminomethyl)-norbornene, octahydro-4,7-methanoindene-1(2), 5(6)-dimethanamine, 4,4'-methylenebis( Cyclohexylamine), 4,4'-methylenebis(2-methylcyclohexylamine), isophoronediamine, 1,3-phenylenediamine, 1,4-phenylenediamine, 2,5-dimethyl-1,4 -Phenylenediamine, 2,3,5,6,-tetramethyl-1,4-phenylenediamine, 2,4,5,6-tetrafluoro-1,3-phenylenediamine, 2,3,5 ,6-tetrafluoro-1,4-phenylenediamine, 4,6-diaminoresorcinol, 2,5-diamino-1,4-benzenedithiol, 3-aminobenzylamine, 4-aminobenzyl Amine, m-xylenediamine, p-xylenediamine, 1,5-diaminonaphthalene, 2,7-diaminofluorene, 2,6-diaminoanthraquinone, m-tolidine, o-tolidine, 3,3',5,5'-tetramethylbenzidine (TMB), o-dianisidine, 4,4'-methylenebis(2-chloroaniline), 3,3'-diaminobenzidine, 2,2' -Bis(trifluoromethyl)-benzidine, 4,4'-diaminooctafluorobiphenyl, 4,4'-diamino-p-terphenyl, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4 '-Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane, 4,4'-methylenebis(2-ethyl-6 -Methylaniline), 4,4'-methylenebis(2,6-diethylaniline), 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-ethylenedianiline , 4,4'-diamino-2,2'-dimethylbibenzyl, 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 2,2'-bis(3-aminophenyl)- Hexafluoropropane, 2,2'-bis(4-aminophenyl)-hexafluoropropane, 2,2'-bis(3-amino-4-methylphenyl)-hexafluoropropane, 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl)-hexafluoropropane,α,α'-bis(4-aminophenyl)-1,4-diisopropylbenzene, 1,3-bis[2-(4- Aminophenyl )-2-propyl]benzene, 1,1'-bis(4-aminophenyl)-cyclohexane, 9,9'-bis(4-aminophenyl)-fluorene, 9,9'-bis(4-amino -3-chlorophenyl)fluorene, 9,9'-bis(4-amino-3-fluorophenyl)fluorene, 9,9'-bis(4-amino-3-methylphenyl)fluorene,3,4 '-Diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 1,3-bis(3-aminophenoxy)-benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)-benzene , 1,4-bis(4-aminophenoxy)-benzene, 1,4-bis(4-amino-2-trifluoromethylphenoxy)-benzene, 4,4'-bis(4-aminophenoxy) )-Biphenyl, 2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)-phenyl]propane, 2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)-phenyl]hexafluoropropane, Bis(2-aminophenyl)sulfide, bis(4-aminophenyl)sulfide, bis(3-aminophenyl)sulfone, bis(4-aminophenyl)sulfone, bis(3-amino-4-hydroxy)sulfone, bis [4-(3-aminophenoxy)-phenyl]sulfone, bis[4-(4-aminophenoxy)-phenyl]sulfone, o-tolidine sulfone, 3,6-diaminocarbazole, 1,3, 5-tris(4-aminophenyl)-benzene, 1,3-bis(3-aminopropyl)-tetramethyldisiloxane, 4,4'-diaminobenzanilide, 2-(3-aminophenyl)-5- Aminobenzimidazole, 2-(4-aminophenyl)-5-aminobenzoxazole, 1-(4-aminophenyl)-2,3-dihydro-1,3,3-trimethyl-1H-indene-5- Amine, 4,6-diaminoresorcinol, 2,3,5,6-pyridine tetraamine, polyfunctional amines including the siloxane structure of Shin-Etsu silicone (PAM-E, KF-8010, X-22-161A, X -22-161B, KF-8012, KF-8008, X-22-1660B-3, X-22-9409), polyfunctional amines including Dow Corning's siloxane structure (Dow Corning 3055), and polyether structures. Functional amines (Huntsman, BASF), etc. are mentioned.

또한, 상기 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 4로 표시되는 반복단위; 및 하기 화학식 5로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함할 수 있다.In addition, the alkali-soluble resin is a repeating unit represented by the following formula (4); And at least one or more repeating units represented by the following formula (5).

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 화학식 4에서, R2는 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, *는 결합지점을 의미하고,In Formula 4, R 2 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, * denotes a bonding point,

[화학식 5][Formula 5]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식 5에서, R3는 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6내지 20의 아릴렌기이며, R4는 -H, -OH, -NR5R6, 할로겐, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며, 상기 R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기일 수 있고, *는 결합지점을 의미한다.In Formula 5, R 3 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and R 4 is -H, -OH, -NR 5 R 6 , halogen, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, wherein R 5 and R 6 may each independently be hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and * means a bonding point .

바람직하게는 상기 화학식 4에서 R2는 페닐렌이고, 상기 화학식 5에서, R3는 페닐렌이며, R4는 -OH일 수 있다.Preferably, in Formula 4, R 2 may be phenylene, in Formula 5, R 3 may be phenylene, and R 4 may be -OH.

한편, 상기 알카리 가용성 수지는 상기 화학식 4로 표시되는 반복단위; 및 상기 화학식 5로 표시되는 반복단위 이외에 추가로 비닐계 반복단위를 더 포함할 수 있다. 상기 비닐계 반복단위는 분자내에 적어도 1이상의 비닐기를 포함하는 비닐계 단량체의 단독중합체에 포함되는 반복단위로서, 상기 비닐계 단량체의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌, 부타디엔, 스티렌, 아크릴산, 메타아크릴산, 무수말레인산, 또는 말레이미드 등을 들 수 있다.On the other hand, the alkali-soluble resin is a repeating unit represented by the formula (4); And, in addition to the repeating unit represented by Chemical Formula 5, a vinyl repeating unit may be further included. The vinyl-based repeating unit is a repeating unit contained in a homopolymer of a vinyl-based monomer containing at least one vinyl group in the molecule, and examples of the vinyl-based monomer are not limited, for example, ethylene, propylene, isobutylene. , Butadiene, styrene, acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride, maleimide, and the like.

상술한 화학식 4로 표시되는 반복단위; 및 화학식 5로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함하는 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 6으로 표시되는 반복단위를 포함한 중합체, 하기 화학식 7로 표시되는 아민 및 하기 화학식 8로 표시되는 아민의 반응으로 제조될 수 있다.A repeating unit represented by Formula 4 above; And the alkali-soluble resin each comprising at least one or more repeating units represented by Formula 5 is prepared by reaction of a polymer including a repeating unit represented by Formula 6, an amine represented by Formula 7 below, and an amine represented by Formula 8 below. Can be.

[화학식 6][Formula 6]

Figure pat00009
Figure pat00009

[화학식 7][Formula 7]

Figure pat00010
Figure pat00010

[화학식 8][Formula 8]

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 화학식 6 내지 8에서, R2 내지 R4는 상기 화학식4, 5에서 상술한 내용과 동일하며, *는 결합지점을 의미한다.In Formulas 6 to 8, R 2 to R 4 are the same as those described above in Formulas 4 and 5, and * denotes a bonding point.

상기 화학식 6으로 표시되는 반복단위를 포함한 중합체의 구체적인 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, Cray valley사의 SMA, Polyscope사의 Xiran, Solenis사의 Scripset, Kuraray사의 Isobam, Chevron Phillips Chemical사의 Polyanhydride resin, Lindau Chemicals사의 Maldene 등을 들 수 있다.Specific examples of the polymer including the repeating unit represented by Formula 6 are not largely limited, for example, SMA of Cray valley, Xiran of Polyscope, Scripset of Solenis, Isobam of Kuraray, Polyanhydride resin of Chevron Phillips Chemical, Lindau Chemicals. Maldene of the company is mentioned.

또한, 상술한 화학식 4로 표시되는 반복단위; 및 화학식 4로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함하는 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 9로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 10으로 표시되는 화합물의 반응으로 제조될 수 있다.In addition, a repeating unit represented by Chemical Formula 4 described above; And the alkali-soluble resin each including at least one or more repeating units represented by Formula 4 may be prepared by a reaction of a compound represented by Formula 9 below and a compound represented by Formula 10 below.

[화학식 9][Formula 9]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 10][Formula 10]

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 화학식 9 내지 10에서, R2 내지 R4는 상기 화학식4, 5에서 상술한 내용과 동일하다.In Formulas 9 to 10, R 2 to R 4 are the same as those described in Formulas 4 and 5.

또한, 상기 알카리 가용성 수지는 분자 중에 카르복시기 또는 페놀기를 함유하고 있는 공지 관용의 카르복시기 함유 수지 또는 페놀기 함유 수지를 사용할 수 있다. 바람직하게는 상기 카르복시기 함유 수지 또는 상기 카르복시기 함유 수지에 페놀기 함유 수지를 혼합하여 사용할 수 있다.In addition, as the alkali-soluble resin, a conventionally known carboxyl group-containing resin or phenol group-containing resin containing a carboxyl group or a phenol group in the molecule can be used. Preferably, a phenol group-containing resin may be mixed with the carboxy group-containing resin or the carboxy group-containing resin.

상기 카르복시기 함유 수지의 예로는 하기 열거하는 (1) 내지 (7)의 수지를 들 수 있다.Examples of the carboxy group-containing resin include resins (1) to (7) listed below.

(1) 다관능 에폭시 수지에 포화 또는 불포화 모노카르복시기를 반응시킨 후, 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지,(1) a carboxy group-containing resin obtained by reacting a polyfunctional epoxy resin with a saturated or unsaturated monocarboxy group and then reacting a polybasic acid anhydride,

(2) 2관능 에폭시 수지에 2관능 페놀, 및(또는) 디카르복시기를 반응시킨 후 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지,(2) a carboxy group-containing resin obtained by reacting a bifunctional epoxy resin with a bifunctional phenol and/or a dicarboxyl group and then reacting a polybasic acid anhydride,

(3) 다관능 페놀 수지에 분자 내에 1개의 에폭시기를 갖는 화합물을 반응시킨 후 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지,(3) a carboxy group-containing resin obtained by reacting a polyfunctional phenol resin with a compound having one epoxy group in the molecule and then reacting a polybasic acid anhydride,

(4) 분자 내에 2개 이상의 알코올성 수산기를 갖는 화합물에 다염기산 무수물을 반응시켜 이루어지는 카르복시기 함유 수지 (4) Carboxy group-containing resin obtained by reacting a polybasic acid anhydride with a compound having two or more alcoholic hydroxyl groups in the molecule

(5) 디아민(diamine)과 디안하이드라이드(dianhydride)를 반응시킨 폴리아믹산 수지 또는 폴리아믹산 수지의 공중합체 수지(5) Polyamic acid resin obtained by reacting diamine and dianhydride or copolymer resin of polyamic acid resin

(6) 아크릴산을 반응시킨 폴리아크릴산 수지 또는 폴리아크릴산 수지의 공중합체(6) Polyacrylic acid resin reacted with acrylic acid or copolymer of polyacrylic acid resin

(7) 말레산무수물을 반응시킨 폴리말레산무수물 수지 및 폴리말레산무수물 수지 공중합체의 무수물을 약산, 디아민, 이미다졸(imidazole), 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide)로 개환시켜 제조한 수지 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.(7) Polymaleic anhydride resin reacted with maleic anhydride and a resin prepared by ring-opening an anhydride of a polymaleic anhydride resin copolymer with weak acid, diamine, imidazole, dimethyl sulfoxide, etc. Although it can be mentioned, it is not limited to these.

상기 카르복시기 함유 수지의 보다 구체적인 예로는 일본화약의 CCR-1291H, 신아 T&C의 SHA-1216CA60, Lubrizol의 Noverite K-700 또는 이들의 2종 이상의 혼합물 등을 들 수 있다.More specific examples of the carboxy group-containing resin include CCR-1291H from Nippon Explosives, SHA-1216CA60 from Shin-A T&C, Noverite K-700 from Lubrizol, or a mixture of two or more thereof.

상기 페놀기 함유 수지의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀F(BPF) 노볼락 수지 등의 노볼락 수지 또는 4,4'-(1-(4-(2-(4-하이드록시페닐)프로판-2-일)페닐)에탄-1,1-다이일)다이페놀 [4,4'-(1-(4-(2-(4-Hydroxyphenyl)propan-2-yl)phenyl)ethane-1,1-diyl)diphenol]등의 비스페놀 A계 수지를 각각 단독으로 사용하거나 혼합하여 사용할 수 있다.Examples of the phenol group-containing resin are not largely limited, for example, novolac resins such as phenol novolac resin, cresol novolac resin, bisphenol F (BPF) novolac resin, or 4,4'-(1-(4) -(2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl)phenyl)ethane-1,1-diyl)diphenol [4,4'-(1-(4-(2-(4-Hydroxyphenyl)) Bisphenol A resins such as propan-2-yl)phenyl)ethane-1,1-diyl)diphenol] can be used alone or in combination.

한편, 상기 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물은 열경화성 바인더를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the insulating resin composition for build-up of the semiconductor device may further include a thermosetting binder.

상기 열경화성 바인더는 열경화 가능한 작용기, 옥세타닐기, 환상 에테르기, 환상 티오 에테르기, 시아나이드기, 말레이미드기 및 벤족사진기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기 및 에폭시기를 포함할 수 있다. 즉, 상기 열경화성 바인더는 에폭시기를 반드시 포함하며, 에폭시기이외로 옥세타닐기, 환상 에테르기, 환상 티오 에테르기, 시아나이드(cyanide)기, 말레이미드(maleimide)기, 벤족사진(benzoxazine)기 또는 이들의 2종 이상을 혼합하여 포함할 수 있다. 이러한 열경화성 바인더는 열경화에 의해 알카리 가용성 수지 등과 가교 결합을 형성해 절연층의 내열성 또는 기계적 물성을 담보할 수 있다.The thermosetting binder may include at least one functional group selected from the group consisting of a thermosetting functional group, an oxetanyl group, a cyclic ether group, a cyclic thioether group, a cyanide group, a maleimide group, and a benzoxazine group, and an epoxy group. That is, the thermosetting binder necessarily contains an epoxy group, and in addition to the epoxy group, an oxetanyl group, a cyclic ether group, a cyclic thioether group, a cyanide group, a maleimide group, a benzoxazine group, or these It may contain a mixture of two or more. Such a thermosetting binder can secure heat resistance or mechanical properties of the insulating layer by forming a crosslinking bond with an alkali-soluble resin or the like by heat curing.

보다 구체적으로, 상기 열경화성 바인더로는, 분자내에 상술한 작용기를 2이상 포함한 다관능성 수지 화합물을 사용할 수 있다.More specifically, as the thermosetting binder, a polyfunctional resin compound containing two or more of the above-described functional groups in the molecule may be used.

상기 다관능성 수지화합물은 분자 중에 2개 이상의 환상 에테르기 및/또는 환상 티오에테르기(이하, 환상 (티오)에테르기라고 함)를 포함한 수지를 포함할 수 있다. 상기 분자 중에 2개 이상의 환상 (티오)에테르기를 포함한 열경화성 바인더는 분자 중에 3, 4 또는 5원환의 환상 에테르기, 또는 환상 티오에테르기 중 어느 한쪽 또는 2종의 기를 적어도 2개 이상 갖는 화합물을 포함할 수 있다. The polyfunctional resin compound may contain a resin including two or more cyclic ether groups and/or cyclic thioether groups (hereinafter referred to as cyclic (thio) ether groups) in a molecule. The thermosetting binder containing two or more cyclic (thio) ether groups in the molecule includes a compound having at least two or more of either or two groups of a 3, 4 or 5 membered cyclic ether group or a cyclic thioether group in the molecule. can do.

상기 분자 중에 2개 이상의 환상 티오에테르기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 재팬 에폭시 레진사 제조의 비스페놀 A형 에피술피드 수지 YL7000 등을 들 수 있다. Examples of the compound having two or more cyclic thioether groups in the molecule include bisphenol A episulfide resin YL7000 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. and the like.

또한, 상기 다관능성 수지화합물은 분자 중에 적어도 2개 이상의 에폭시기를 포함한 다관능 에폭시 화합물, 분자 중에 적어도 2개 이상의 옥세타닐기를 포함한 다관능 옥세탄 화합물 또는 분자 중에 2개 이상의 티오에테르기를 포함한 에피술피드 수지, 분자 중에 적어도 2개 이상의 시아나이드기를 포함한 다관능 시아네이트 에스테르 화합물, 또는 분자 중에 적어도 2개 이상의 벤족사진기를 포함한 다관능 벤족사진 화합물 등을 포함할 수 있다. In addition, the polyfunctional resin compound is a polyfunctional epoxy compound containing at least two or more epoxy groups in the molecule, a polyfunctional oxetane compound containing at least two or more oxetanyl groups in the molecule, or episulfation containing two or more thioether groups in the molecule. A feed resin, a polyfunctional cyanate ester compound containing at least two or more cyanide groups in the molecule, or a polyfunctional benzoxazine compound containing at least two or more benzoxazine groups in the molecule may be included.

상기 다관능 에폭시 화합물의 구체예로서는, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, N-글리시딜형 에폭시 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지, 킬레이트형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 아미노기 함유 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 페놀릭형 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 헤테로시클릭 에폭시 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지, ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 난연성 부여를 위해, 인 등의 원자가 그 구조 중에 도입된 것을 사용할 수도 있다. 이들 에폭시 수지는 열경화함으로써, 경화 피막의 밀착성, 땜납 내열성, 무전해 도금 내성 등의 특성을 향상시킨다.Specific examples of the polyfunctional epoxy compound include, for example, bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, novolac type epoxy resin. , Phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, N-glycidyl type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, chelate type epoxy resin, gly Oxal type epoxy resin, amino group-containing epoxy resin, rubber modified epoxy resin, dicyclopentadiene phenolic type epoxy resin, diglycidylphthalate resin, heterocyclic epoxy resin, tetraglycidyl xylenoylethane resin, silicone modified epoxy resin and ε-caprolactone-modified epoxy resins. Further, in order to impart flame retardancy, those in which an atom such as phosphorus is introduced into the structure may be used. By thermosetting these epoxy resins, properties such as adhesion of the cured film, solder heat resistance, and electroless plating resistance are improved.

상기 다관능 옥세탄 화합물로서는 비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 1,4-비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트나 이들의 올리고머 또는 공중합체 등의 다관능 옥세탄류 이외에, 옥세탄 알코올과 노볼락 수지, 폴리(p-히드록시스티렌), 카르도형 비스페놀류, 카릭스아렌류, 카릭스레졸신아렌류, 또는 실세스퀴옥산 등의 히드록시기를 갖는 수지와의 에테르화물 등을 들 수 있다. 그 밖의, 옥세탄환을 갖는 불포화 모노머와 알킬(메트)아크릴레이트와의 공중합체 등도 들 수 있다.Examples of the polyfunctional oxetane compound include bis[(3-methyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]ether, bis[(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]ether, 1,4-bis[( 3-methyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]benzene, 1,4-bis[(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]benzene, (3-methyl-3-oxetanyl)methylacrylic Rate, (3-ethyl-3-oxetanyl)methylacrylate, (3-methyl-3-oxetanyl)methylmethacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl)methylmethacrylate or these In addition to polyfunctional oxetanes such as oligomers or copolymers, oxetane alcohol and novolac resins, poly(p-hydroxystyrene), cardo-type bisphenols, carix arenes, carixresolecin arenes, or silses And ether products with resins having a hydroxy group such as quioxane. In addition, a copolymer of an unsaturated monomer having an oxetane ring and an alkyl (meth)acrylate may be mentioned.

상기 다관능 시아네이트 에스테르 화합물의 예로는 비스페놀 A형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 E형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 F형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 S형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 M형 시아네이트 에스테르 수지, 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 페놀노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 크레졸 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 바이페놀형 시아네이트 에스테르 수지나 이들의 올리고머 또는 공중합체 등을 들 수 있다.Examples of the polyfunctional cyanate ester compound include bisphenol A type cyanate ester resin, bisphenol E type cyanate ester resin, bisphenol F type cyanate ester resin, bisphenol S type cyanate ester resin, bisphenol M type cyanate ester resin, Novolac-type cyanate ester resin, phenol novolac-type cyanate ester resin, cresol novolac-type cyanate ester resin, novolac-type cyanate ester resin of bisphenol A, biphenol-type cyanate ester resin or oligomers or copolymers thereof Coalescence, etc. are mentioned.

상기 다관능 말레이미드 화합물의 예로는 4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드(4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 페닐메탄 비스말레이미드(phenylmethane bismaleimide), m-페닐메탄 비스말레이미드(m-phenylmethane bismaleimide), 비스페놀 A 디페닐에터비스말레이미드(bisphenol A diphenyl ether bismaleimide), 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'- 디페닐메탄 비스말레이미드 (3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 4-메틸-1,3- 페닐렌 비스말레이미드(4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide), 1,6'- 비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산(1,6'-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane) 등을 들 수 있다.Examples of the polyfunctional maleimide compound include 4,4'-diphenylmethane bismaleimide, phenylmethane bismaleimide, m-phenylmethane bismaleimide, and m-phenylmethane bismaleimide. phenylmethane bismaleimide), bisphenol A diphenyl ether bismaleimide, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide (3, 3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide, 1,6 '-Bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane (1,6'-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane), and the like.

상기 다관능 벤족사진 화합물의 예로는 비스페놀 A형 벤족사진 수지, 비스페놀 F형 벤족사진 수지, 페놀프탈레인형 벤족사진 수지, 티오디페놀형 벤족사진 수지, 디사이클로 펜타디엔형 벤족사진 수지, 3,3'-(메틸렌-1,4-디페닐렌)비스(3,4-디하이드로-2H-1,3-벤족사진(3,3'-(methylene-1,4-diphenylene)bis(3,4-dihydro-2H-1,3-benzoxazine) 수지 등을 들 수 있다.Examples of the polyfunctional benzoxazine compound include bisphenol A type benzoxazine resin, bisphenol F type benzoxazine resin, phenolphthalein type benzoxazine resin, thiodiphenol type benzoxazine resin, dicyclo pentadiene type benzoxazine resin, 3,3' -(Methylene-1,4-diphenylene)bis(3,4-dihydro-2H-1,3-benzoxazine (3,3'-(methylene-1,4-diphenylene)bis(3,4- dihydro-2H-1,3-benzoxazine) resin, etc. are mentioned.

상기 다관능성 수지화합물의 보다 구체적인 예로는, 국도화학사의 YDCN-500-80P, 론자사의 페놀 노볼락형 시아니이트 에스너 수지 PT-30S, 다이와사의 페닐 메탄형 말레이미드 수지 BMI-2300, 시코쿠사의 P-d형 벤족사진 수지 등을 들 수 있다.More specific examples of the multifunctional resin compound include Kukdo Chemical's YDCN-500-80P, Ronza's phenol novolak-type cyanite Ethner resin PT-30S, Daiwa's phenylmethane-type maleimide resin BMI-2300, and Shikoku's Pd-type benzoxazine resin, etc. are mentioned.

한편, 상기 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물은 열경화 촉매, 무기 필러, 레벨링제, 분산제, 이형제 및 금속 밀착력 증진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the insulating resin composition for build-up of the semiconductor device may further include one or more additives selected from the group consisting of a thermosetting catalyst, an inorganic filler, a leveling agent, a dispersant, a release agent, and a metal adhesion promoter.

상기 열경화성 촉매는 열경화성 바인더의 열경화를 촉진시키는 역할을 한다. 상기 열경화성 촉매로서는, 예를 들면 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 4-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-에틸-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 유도체; 디시안디아미드, 벤질디메틸아민, 4-(디메틸아미노)-N,N-디메틸벤질아민, 4-메톡시-N,N-디메틸벤질아민, 4-메틸-N,N-디메틸벤질아민 등의 아민 화합물; 아디프산 디히드라지드, 세박산 디히드라지드 등의 히드라진 화합물; 트리페닐포스핀 등의 인 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 시판되고 있는 것으로서는, 예를 들면 시코쿠 가세이 고교사 제조의 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4BHZ, 2P4MHZ(모두 이미다졸계 화합물의 상품명), 산아프로사 제조의 U-CAT3503N, UCAT3502T(모두 디메틸아민의 블록이소시아네이트 화합물의 상품명), DBU, DBN, U-CATS A102, U-CAT5002(모두 이환식 아미딘 화합물 및 그의 염) 등을 들 수 있다. 특히 이들에 한정되는 것이 아니고, 에폭시 수지나 옥세탄 화합물의 열경화 촉매, 또는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기와 카르복시기의 반응을 촉진하는 것일 수 있고, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한, 구아나민, 아세토구아나민, 벤조구아나민, 멜라민, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-S-트리아진, 2-비닐-4,6-디아미노-S-트리아진, 2-비닐-4,6-디아미노-S-트리아진-이소사아누르산 부가물, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-S-트리아진-이소사아누르산 부가물 등의 S-트리아진 유도체를 이용할 수도 있고, 바람직하게는 이들 밀착성 부여제로서도 기능하는 화합물을 상기 열경화성 촉매와 병용할 수 있다. The thermosetting catalyst serves to accelerate the thermosetting of the thermosetting binder. Examples of the thermosetting catalyst include imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4-phenylimidazole, Imidazole derivatives such as 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole and 1-(2-cyanoethyl)-2-ethyl-4-methylimidazole; Amines such as dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4-(dimethylamino)-N,N-dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N,N-dimethylbenzylamine, and 4-methyl-N,N-dimethylbenzylamine compound; Hydrazine compounds such as adipic acid dihydrazide and sebacic acid dihydrazide; And phosphorus compounds such as triphenylphosphine. In addition, as commercially available ones, for example, 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4BHZ, 2P4MHZ manufactured by Shikoku Kasei Kogyo (all are brand names of imidazole compounds), U-CAT3503N, UCAT3502T manufactured by San Apro (All of them are trade names of dimethylamine block isocyanate compounds), DBU, DBN, U-CATS A102, and U-CAT5002 (all of them bicyclic amidine compounds and salts thereof), and the like. It is not particularly limited to these, and may be a thermosetting catalyst of an epoxy resin or an oxetane compound, or a reaction between an epoxy group and/or an oxetanyl group and a carboxyl group, and may be used alone or in combination of two or more. . In addition, guanamine, acetoguanamine, benzoguanamine, melamine, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-tri Azine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-triazine-isosaanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine-isosaanuric acid S-triazine derivatives such as adducts can also be used, and preferably, compounds that also function as adhesion-imparting agents can be used in combination with the thermosetting catalyst.

상기 무기 필러의 예로는 실리카, 황산바륨, 티탄산바륨, 탈크, 클레이, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 산화알루미늄, 수산화알루미늄, 마이카 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다.Examples of the inorganic filler include silica, barium sulfate, barium titanate, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, mica, or a mixture of two or more thereof.

상기 이형제의 예로는, 저분자량 폴리프로필렌, 저분자량 폴리에틸렌 등의 폴리알킬렌 왁스, 에스테르 왁스, 카르나우바(carnauba) 왁스, 파라핀 왁스 등을 들 수 있다.Examples of the releasing agent include polyalkylene waxes such as low molecular weight polypropylene and low molecular weight polyethylene, ester wax, carnauba wax, and paraffin wax.

상기 금속 밀착력 증진제는 금속소재의 표면 변질이나 투명성에 문제를 발생시키지 않는 물질, 예를 들어, 실란 커플링제 또는 유기금속 커플링제 등을 사용할 수 있다.The metal adhesion promoter may be a material that does not cause a problem in the surface deterioration or transparency of the metal material, for example, a silane coupling agent or an organometallic coupling agent.

상기 레벨링제는 필름 코팅시 표면의 팝핑이나 크레이터를 제거하는 역할을 하며, 예를 들어 BYK-Chemie GmbH의 BYK-380N, BYK-307, BYK-378, BYK-350 등을 사용할 수 있다.The leveling agent serves to remove popping or craters on the surface during film coating, and for example, BYK-380N, BYK-307, BYK-378, BYK-350, etc. of BYK-Chemie GmbH may be used.

또한, 상기 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물은 광경화성 성질을 부여하기 위하여, 광반응성 불포화기를 포함하는 열경화성 바인더 또는 광반응성 불포화기를 포함하는 알카리 가용성 수지와 광개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 광반응성 불포화기를 포함하는 열경화성 바인더, 광반응성 불포화기를 포함하는 알카리 가용성 수지 및 광개시제의 구체적인 예는 크게 한정되지 않으며, 광경화성 수지 조성물 관련 기술분야에서 사용되는 다양한 화합물을 제한 없이 사용할 수 있다.In addition, the insulating resin composition for build-up of the semiconductor device may further include a thermosetting binder including a photoreactive unsaturated group or an alkali-soluble resin including a photoreactive unsaturated group and a photoinitiator in order to impart photocurable properties. Specific examples of the thermosetting binder containing the photoreactive unsaturated group, the alkali-soluble resin containing the photoreactive unsaturated group, and the photoinitiator are not limited thereto, and various compounds used in the technical field related to the photocurable resin composition may be used without limitation.

상기 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물에 함유된 다른 종류의 접착증진제나 광개시제의 함량은 전체 절연 수지 조성물 중량 대비 5 중량% 이하일 수 있다. 상기 절연 수지 조성물에 함유된 다른 종류의 접착증진제나 광개시제의 함량이 전체 절연 수지 조성물 중량 대비 5 중량% 이하라 함은, 상기 절연 수지 조성물에 함유된 다른 종류의 접착증진제나 광개시제의 함량이 매우 미미하거나, 다른 종류의 접착증진제나 광개시제가 전혀 포함되지 않음을 의미할 수 있다. 이에 따라, 다른 종류의 접착증진제나 광개시제에 의해 발생가능한 절연층이나 도전층과의 계면 탈착성이 감소할 수 있어, 절연층의 접착성 및 내구성이 향상될 수 있다.The content of another type of adhesion promoter or photoinitiator contained in the insulating resin composition for build-up of the semiconductor device may be 5% by weight or less based on the total weight of the insulating resin composition. That the content of other types of adhesion promoters or photoinitiators contained in the insulating resin composition is 5% by weight or less based on the total weight of the insulating resin composition, the content of other types of adhesion promoters or photoinitiators contained in the insulating resin composition is very insignificant or , This may mean that no other types of adhesion promoters or photoinitiators are included. Accordingly, the interfacial desorption property with the insulating layer or the conductive layer, which may be generated by other types of adhesion promoters or photoinitiators, may be reduced, and thus adhesion and durability of the insulating layer may be improved.

한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 알카리 가용성 수지; 및 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 절연 수지 조성물을 이용하여, 경화성 수지 절연층을 형성하는 단계;를 포함하는, 반도체 소자의 빌드 업 방법이 제공될 수 있다.On the other hand, according to another embodiment of the invention, an alkali-soluble resin; And forming a curable resin insulating layer by using an insulating resin composition including the compound represented by Formula 1 above. A method of building up a semiconductor device may be provided.

상기 화학식1에 관한 구체적인 내용은 상기 구현예의 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물에서 상술한 내용을 포함한다. Specific contents of Formula 1 include the contents described above in the insulating resin composition for build-up of the semiconductor device of the embodiment.

반도체 소자를 적층 즉, 빌드 업(Build-Up)할 때에는, 일반적으로 기저층과 상층부, 혹은 하층부와 상층부의 전기적 단절을 위하여, 절연 재료를 이용한 절연층을 형성하고, 각 층 상호 간의 전기적 연결을 위하여 비아 홀(via hole)을 형성한 후, 비아 홀을 통해 각 층 상호 간의 전기적 통로를 제공할 수 있는 금속 박막층, 즉 도전층을 상기 절연층 상에 형성하게 된다. When a semiconductor device is stacked, that is, build-up, in general, for electrical disconnection of the base layer and the upper layer, or the lower and upper layers, an insulating layer using an insulating material is formed, and for electrical connection between the layers. After the via hole is formed, a metal thin film layer, that is, a conductive layer, which can provide an electrical path between each layer through the via hole, is formed on the insulating layer.

그러나 절연 재료와 함께 사용되는 중합 금지제 또는 광 개시제 등은 절연층과 금속 박막층, 즉 도전층의 접착력을 저하시키고, 결국에는 절연층과 금속 박막층의 경계에서, 계면 탈락을 발생시킬 수 있다. However, a polymerization inhibitor or a photoinitiator used together with the insulating material may lower the adhesion between the insulating layer and the metal thin film layer, that is, the conductive layer, and eventually, may cause interfacial dropping at the boundary between the insulating layer and the metal thin film layer.

상술한 일 구현예의 절연 수지 조성물은 다음과 같은 과정을 거쳐 반도체 소자를 빌드 업 하기 위한 조성물로 사용될 수 있다. The insulating resin composition of the above-described embodiment may be used as a composition for building up a semiconductor device through the following process.

먼저, 절연 수지 조성물을 회로가 형성된 기판 상에 도포한 후에, 패턴이 형성될 부분의 절연 수지 조성물에 선택적으로 노광을 진행한다. 이러한 노광을 진행하면, 절연 수지 조성물 내에 포함된 불포화 작용기가 광경화를 일으켜 서로 가교 결합을 형성할 수 있고, 그 결과 노광부에서 광경화에 의한 가교 구조가 형성될 수 있다. First, after the insulating resin composition is applied on a substrate on which a circuit is formed, exposure is selectively performed on the insulating resin composition in the portion where the pattern is to be formed. When such exposure is performed, the unsaturated functional groups contained in the insulating resin composition may cause photocuring to form crosslinks with each other, and as a result, a crosslinked structure may be formed by photocuring in the exposed portion.

이후, 알칼리 현상액을 사용해 현상을 진행하게 되면, 가교 구조가 형성된 노광부의 절연 수지 조성물은 그대로 회로가 형성된 기판 상에 남고, 나머지 비노광부의 절연 수지 조성물은 현상액에 녹아 제거될 수 있다.Thereafter, when development is performed using an alkali developer, the insulating resin composition of the exposed portion in which the crosslinked structure is formed remains on the substrate on which the circuit is formed, and the insulating resin composition of the remaining non-exposed portion may be dissolved in the developer and removed.

그리고 나서, 상기 회로가 형성된 기판 상에 남은 절연 수지 조성물을 열처리하여 열경화를 진행하면, 상기 절연 수지 조성물 내에 포함된 작용기가 열경화성 바인더의 열경화 가능한 작용기와 반응하여 가교 결합을 형성할 수 있고, 그 결과 열경화에 의한 가교 구조가 형성되면서 상기 회로가 형성된 기판 상의 원하는 부분, 즉 패턴이 형성된 경화성 수지 절연층이 형성될 수 있다. Then, when thermally curing the insulating resin composition remaining on the substrate on which the circuit is formed, the functional groups contained in the insulating resin composition react with the thermally curable functional groups of the thermosetting binder to form crosslinks, As a result, a crosslinked structure by thermosetting is formed, and a desired portion on the substrate on which the circuit is formed, that is, a patterned curable resin insulating layer may be formed.

이를 이용하여, ABF 공정 등, 레이저 가공 방식에 비해 더 미세한 패턴을 균일한 형태로 형성할 수 있으며, 제조된 반도체 장치에서 도전층과 절연층 사이에 우수한 접착력을 구현할 수 있게 된다. By using this, it is possible to form a finer pattern in a uniform shape compared to the laser processing method such as the ABF process, and it is possible to implement excellent adhesion between the conductive layer and the insulating layer in the manufactured semiconductor device.

또한, 절연층의 일부만 광경화하여 패턴을 형성하고, 현상한 후, 도전층을 형성하는 공정(Photoimageable dielectric process, PID process)은 기존의 레이저를 통한 가공 방식에 비해 상대적으로 적은 비용으로도 신속하게 대량 생산이 가능하기 때문에, 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.In addition, the process of forming a pattern by photo-curing only a part of the insulating layer, developing, and then forming a conductive layer (Photoimageable dielectric process, PID process) is faster and at a relatively low cost compared to the conventional laser processing method. Since mass production is possible, the efficiency of the process can be improved.

본 발명에 따르면, 별도의 처리 없이도 금속 박막과의 계면에서 접착력이 우수한 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물이 제공될 수 있다.According to the present invention, an insulating resin composition for build-up of a semiconductor device having excellent adhesion at an interface with a metal thin film can be provided without a separate treatment.

또한 본 발명에 따르면, 상기 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물을 이용하는 반도체 소자의 빌드 업 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to the present invention, a method for building up a semiconductor device using the insulating resin composition for building up the semiconductor device may be provided.

발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.The invention will be described in more detail in the following examples. However, the following examples are merely illustrative of the present invention, and the contents of the present invention are not limited by the following examples.

<실시예><Example>

[실시예 1][Example 1]

반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물 제조Manufacturing of insulating resin composition for semiconductor device build-up

산변성 올리고머로서 일본화약의 ZFR-1122를 27중량%, 다관능 아크릴레이트계 모노머로서 다관능 에폭시 아크릴레이트(일본화약의 DPEA-12) 10중량%, 광개시제로서 Darocur TPO(치바스페셜리티케미컬사)를 3중량%, 열경화성 바인더로 YDCN-500-80P(국도화학사) 16중량%, 실란계 커플링제로 2MUSIZ (시코쿠 케미칼사) 2중량%, 열경화 촉매로서 2-페닐이미다졸을 1중량%, 필러로서 UFP-40 (덴카 실리카사)를 30중량%, 첨가제로서 BYK사의 BYK-UV3570을 1중량%, 용제로서 DMF를 10중량%를 사용하여 각 성분을 배합하고 교반한 후 3롤밀 장비로 필러를 분산시켜 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물 제조를 제조하였다.As an acid-modified oligomer, ZFR-1122 of Nippon Explosives was used in 27% by weight, polyfunctional epoxy acrylate (DPEA-12 of Nippon Explosives) was used as a polyfunctional acrylate monomer, 10% by weight, and Darocur TPO (Chiba Specialty Chemical) was used as a photoinitiator. 3% by weight, YDCN-500-80P (Kukdo Chemical) 16% by weight as a thermosetting binder, 2MUSIZ (Shikoku Chemical) 2% by weight as a silane-based coupling agent, 1% by weight of 2-phenylimidazole as a thermosetting catalyst, 30% by weight of UFP-40 (Denka Silica) as a filler, 1% by weight of BYK's BYK-UV3570 as an additive, and 10% by weight of DMF as a solvent. After mixing and stirring each component, a three-roll mill equipment filler Was dispersed to prepare an insulating resin composition for build-up of a semiconductor device.

제조된 수지 조성물을 콤마 코터를 이용하여 캐리어 필름으로 사용되는 PET에 도포한 후, 95℃의 오븐을 8분간 통과시켜 건조시킨 다음, 이형 필름으로서 PE를 적층하여, 아래로부터 캐리어 필름, 알칼리 현상 가능한 광경화 및 열경화성 바인더 수지층, 이형 필름으로 구성되는 경화성 수지 절연층 형성용 드라이 필름을 제조하였다.After applying the prepared resin composition to PET used as a carrier film using a comma coater, it is dried by passing through an oven at 95°C for 8 minutes, and then PE is laminated as a release film. A dry film for forming a curable resin insulating layer composed of a photocurable and thermosetting binder resin layer and a release film was prepared.

[비교예 1][Comparative Example 1]

산변성 올리고머로서 일본화약의 ZAR-2000를 29중량% 사용하고, 실란계 커플링제를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 진행하였다. As the acid-modified oligomer, it was carried out in the same manner as in Example 1, except that 29% by weight of ZAR-2000 of Nippon Explosives was used and no silane-based coupling agent was used.

반도체 소자의 빌드 업Semiconductor device build-up

상기 제조된 드라이 필름의 이형 필름을 벗긴 후, 회로가 형성된 기판 위에 바인더 수지층을 진공라미네이터(메이끼 세이사꾸쇼사 제조 MV LP-500)로 진공 적층한 다음, 패턴 마스크 적용 하에 365nm 파장대의 UV로 150mJ/cm2로 노광한 후, 캐리어 필름을 제거하였다. 이러한 결과물을 교반하고 있는 31℃의 Na2CO3 1w%의 알칼리 용액에 60초간 담근 후, 현상하여 105℃에서 1 시간 동안 가열 경화시킴으로써, 패턴을 형성하였다. After peeling off the release film of the prepared dry film, a binder resin layer was vacuum-laminated on the substrate on which the circuit was formed with a vacuum laminator (MV LP-500 manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.), and then UV in the 365 nm wavelength band under the application of a pattern mask. After exposing to 150mJ/cm 2 , the carrier film was removed. The resulting product was immersed in an alkaline solution of 1w% Na 2 CO 3 at 31° C. being stirred for 60 seconds, developed, and heated and cured at 105° C. for 1 hour to form a pattern.

한편, 상기 회로가 형성된 기판은 두께가 0.1mm, 동박 두께가 12㎛인 LG화학의 동박적층판 LG-T-500GA를 가로 5cm, 세로 5cm의 기판으로 잘라, 화학적 에칭으로 동박 표면에 미세 조도를 형성한 것을 사용하였다.Meanwhile, the substrate on which the circuit is formed is a copper clad laminate LG-T-500GA of LG Chem with a thickness of 0.1 mm and a copper foil thickness of 12 μm, cut into a substrate of 5 cm in width and 5 cm in length, and fine roughness is formed on the copper foil surface by chemical etching. One was used.

상기 제조된 인쇄 회로 기판에, 아래와 표 1같은 조건에서 디스미어 공정을 진행하여, 스미어를 제거하였다.The prepared printed circuit board was subjected to a desmear process under the conditions shown in Table 1 below to remove smear.

공정fair 사용 약품Chemicals used 온도
(℃)
Temperature
(℃)
시간
(min)
time
(min)
SwellingSwelling Securiganth MV SWELLERSecuriganth MV SWELLER 6565 55 NaOH (50w/w%)NaOH (50w/w%) PermanganationPermanganation Securiganth MV ETCH PSecuriganth MV ETCH P 8080 1010 NaOH (50w/w%)NaOH (50w/w%) NeutralizationNeutralization Securiganth MV Reduction ConditionerSecuriganth MV Reduction Conditioner 5050 44 H2SO4 (60w/w%)H 2 SO4 (60w/w%)

이후, 아래 표 2와 같은 조건에서 화학 동 도금을 진행하여, 경화성 수지 절연층 상에 금속 박막층을 형성하여, 반도체 소자를 빌드 업 하였다. 사용 시약은 모두 Atotech사 제품이다.Thereafter, chemical copper plating was performed under the conditions shown in Table 2 below to form a metal thin film layer on the curable resin insulating layer to build up a semiconductor device. All reagents used are from Atotech.

공정fair 사용 약품Chemicals used 온도
(℃)
Temperature
(℃)
시간
(min)
time
(min)
ConditioningConditioning Neoganth MV ConditionerNeoganth MV Conditioner 6060 55 Acid dippingAcid dipping H2SO4 (60w/w%)H 2 SO 4 (60w/w%) RTRT 1One Pre dippingPre dipping Neoganth MV Pre DipNeoganth MV Pre Dip RTRT 1One ActivatingActivating Neoganth MV ActivatorNeoganth MV Activator 4040 55 NaOH (50w/w%)NaOH (50w/w%) ReductionReduction Neoganth MV ReducerNeoganth MV Reducer 33 33 Electroless Copper platingElectroless Copper plating Printoganth MV BASICPrintoganth MV BASIC 1414 1414 Printoganth MV COPPERPrintoganth MV COPPER Printoganth MV Plus STABILIZERPrintoganth MV Plus STABILIZER Printoganth MV STARTERPrintoganth MV STARTER Reduction Solution CopperReduction Solution Copper

화학 동 도금 완료 후, 도금 접착력 측정을 위하여, 아래 표 3의 도금 용액을 이용하여 전기 동 도금을 진행하여, 금속 박막층의 두께를 두껍게 하였다. After completion of the chemical copper plating, in order to measure the plating adhesion, electro-copper plating was performed using the plating solution shown in Table 3 below to increase the thickness of the metal thin film layer.

사용 약품Chemicals used 부피
(liter)
volume
(liter)
중량
(kg)
weight
(kg)
DI waterDI water 8585 8585 CuSO4(5H2O)CuSO 4 (5H 2 O) 2020 H2SO4(49w%, 밀도=1.4g/cm3)H 2 SO 4 (49w%, density=1.4g/cm 3 ) 8.578.57 1212 HCl(37w%, 밀도=1.19g/cm3)HCl (37w%, density = 1.19g/cm 3 ) 0.0120.012 0.0140.014 Cupracid MV BrightenerCupracid MV Brightener 0.150.15 EXPT Cupracid MV2 LevellerEXPT Cupracid MV2 Leveller 22 EXPT Cupracid MV2 CorrectionEXPT Cupracid MV2 Correction 1.81.8

상기 사용 시약은 모두 Atotech사 제품이며, 1A의 전류 조건에서 60분 간 도금을 진행하였다. All of the reagents used were manufactured by Atotech, and plating was performed for 60 minutes under a current condition of 1A.

<실험예><Experimental Example>

접착력 평가Adhesion evaluation

상기 전기 동 도금 이후, 도금된 동박과 경화성 수지 절연층 계면 사이의 접착력을 아래와 같이 측정하였다. After the electrolytic copper plating, the adhesion between the plated copper foil and the interface of the curable resin insulating layer was measured as follows.

실시예에서 도금된 시편을 폭 1cm, 길이 10cm로 절취하여 시편을 얻었다. Stable micro system 사의 Texture Analyzer XT Plus 를 이용하여, 180도 박리 강도를 측정하였다. tension 모드에서 5mm/s의 속도로 560mm를 측정한 후, 전 구간의 평균값을 아래 표 4에 정리하였다. The specimen plated in the examples was cut into a width of 1 cm and a length of 10 cm to obtain a specimen. 180 degree peel strength was measured using the Texture Analyzer XT Plus of Stable micro system. After measuring 560mm at a speed of 5mm/s in tension mode, the average values of all sections are summarized in Table 4 below.

박리 강도 (kgf/cm)Peel strength (kgf/cm) 실시예 1Example 1 0.130.13 비교예 1Comparative Example 1 0.090.09

실험 결과, 본 발명의 실시예 1의 화학식 1의 화합물을 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물로 사용하는 경우, 박리강도에 있어서 약 0.13 kgf/cm로, 비교예의 0.09 kgf/cm 에 비해 약 44%가량 향상된 것을 확인할 수 있었다. As a result of the experiment, when the compound of Formula 1 of Example 1 of the present invention was used as an insulating resin composition for build-up of a semiconductor device, the peel strength was about 0.13 kgf/cm, compared to 0.09 kgf/cm of the comparative example. It could be confirmed that it was improved by %.

이에 따라, 본 발명의 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물은 별도의 처리 없이도 금속 박막과의 계면에서 우수한 접착력을 가지는 것을 알 수 있었다.Accordingly, it was found that the insulating resin composition for build-up of a semiconductor device of the present invention has excellent adhesive strength at the interface with the metal thin film without a separate treatment.

Claims (10)

알카리 가용성 수지; 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00014

상기 화학식 1에서,
L1은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 에폭시 작용기가 말단에 결합된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.
Alkali-soluble resin; And an insulating resin composition for build-up of a semiconductor device comprising a compound represented by the following Formula 1:
[Formula 1]
Figure pat00014

In Formula 1,
L 1 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
Ar 1 and Ar 2 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms having an epoxy functional group bonded to the terminal.
제1항에 있어서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 하기 화학식 2인, 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물:
[화학식 2]
Figure pat00015

상기 화학식 2에서,
L2는 단일결합; 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기이고,
n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며,
n + m= 3이고,
*은 결합지점이다.
The method of claim 1,
Ar 1 and Ar 2 are each independently of the following formula (2), an insulating resin composition for the build-up of a semiconductor device:
[Formula 2]
Figure pat00015

In Chemical Formula 2,
L 2 is a single bond; Or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms,
n and m are each independently an integer of 0 to 3,
n + m= 3,
* Is the point of attachment.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-2로 표시되는, 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물:
[화학식 1-2]
Figure pat00016
.
The method of claim 1,
Formula 1 is an insulating resin composition for build-up of a semiconductor device represented by Formula 1-2 below:
[Formula 1-2]
Figure pat00016
.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 알카리 가용성 수지 100중량부 기준으로 3 내지 10 중량부 포함하는, 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물.
The method of claim 1,
The compound represented by Formula 1 contains 3 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of an alkali-soluble resin, an insulating resin composition for a build-up of a semiconductor device.
제1항에 있어서,
상기 알카리 가용성 수지는 산성 작용기; 및 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 각각 적어도 1 이상 포함하는, 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물.
The method of claim 1,
The alkali-soluble resin is an acidic functional group; And at least one or more cyclic imide functional groups each substituted with an amino group.
제5항에 있어서,
상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 하기 화학식 3으로 표시되는 작용기를 포함하는, 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물:
[화학식 3]
Figure pat00017

상기 화학식 3에서,
R1은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기 또는 알케닐기이며,
*은 결합지점이다.
The method of claim 5,
The cyclic imide functional group substituted with the amino group comprises a functional group represented by the following formula (3), an insulating resin composition for building up a semiconductor device:
[Formula 3]
Figure pat00017

In Chemical Formula 3,
R 1 is an alkylene group or alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms,
* Is the point of attachment.
제1항에 있어서,
열경화성 바인더를 더 포함하는, 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물.
The method of claim 1,
An insulating resin composition for build-up of a semiconductor device, further comprising a thermosetting binder.
제1항에 있어서,
열경화 촉매, 무기 필러, 레벨링제, 분산제, 이형제 및 금속 밀착력 증진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 더 포함하는, 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물.
The method of claim 1,
An insulating resin composition for build-up of a semiconductor device further comprising at least one selected from the group consisting of a thermosetting catalyst, an inorganic filler, a leveling agent, a dispersant, a release agent, and a metal adhesion promoter.
제1항에 있어서,
상기 절연 수지 조성물은, 경화성 수지 절연층 형성에 사용되는, 반도체 소자의 빌드 업 용 절연 수지 조성물.
The method of claim 1,
The insulating resin composition is used for forming a curable resin insulating layer, an insulating resin composition for building up a semiconductor device.
알카리 가용성 수지; 및 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 절연 수지 조성물을 이용하여, 경화성 수지 절연층을 형성하는 단계;를 포함하는, 반도체 소자의 빌드 업 방법.Alkali-soluble resin; And forming a curable resin insulating layer using an insulating resin composition comprising the compound represented by Chemical Formula 1; including, a method for building up a semiconductor device.
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