KR102038106B1 - Method for manufacturing insulating film and multilayered printed circuit board - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 보다 빠르면서도 간단한 방법으로 제조가 가능하여 공정의 효율성이 향상될 수 있으며, 절연층의 물리적 손상을 방지할 수 있고, 두께 조절이 용이한 절연층 제조방법 및 상기 절연층 제조방법으로부터 얻어지는 절연층을 이용한 다층인쇄회로기판 제조방법에 관한 것이다.The present invention can be manufactured in a faster and simpler method to improve the efficiency of the process, to prevent physical damage of the insulating layer, and to control the thickness of the insulating layer manufacturing method and the insulating layer manufacturing method A method for manufacturing a multilayer printed circuit board using an insulating layer obtained.

Description

절연층 제조방법 및 다층인쇄회로기판 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING FILM AND MULTILAYERED PRINTED CIRCUIT BOARD}Insulation layer manufacturing method and multilayer printed circuit board manufacturing method {METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING FILM AND MULTILAYERED PRINTED CIRCUIT BOARD}

본 발명은 절연층 제조방법 및 다층인쇄회로기판 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 보다 빠르면서도 간단한 방법으로 제조가 가능하여 공정의 효율성이 향상될 수 있으며, 절연층의 물리적 손상을 방지할 수 있고, 두께 조절이 용이한 절연층 제조방법 및 상기 절연층 제조방법으로부터 얻어지는 절연층을 이용한 다층인쇄회로기판 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an insulating layer and a method for manufacturing a multilayer printed circuit board. More specifically, it is possible to manufacture in a faster and simpler method can improve the efficiency of the process, to prevent physical damage of the insulating layer, easy to control the thickness of the insulating layer manufacturing method and the insulating layer manufacturing method The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer printed circuit board using an insulating layer obtained from the same.

최근의 전자기기는 갈수록 소형화, 경량화, 고기능화되고 있다. 이를 위해, 소형 기기를 중심으로 빌드-업 PCB(Build-up Printed Circuit Board)의 응용분야가 빠르게 확대됨에 따라 다층인쇄 회로기판의 사용이 급속히 늘어 가고 있다. Recently, electronic devices have become smaller, lighter and more functional. To this end, as the application field of build-up printed circuit boards (PCBs) is rapidly expanding around small devices, the use of multilayer printed circuit boards is rapidly increasing.

다층 인쇄회로기판은 평면적 배선부터 입체적인 배선이 가능하며, 특히 산업용 전자 분야에서는 IC(integrated circuit), LSI(large scale integration) 등 기능소자의 집적도 향상과 함께 전자 기기의 소형화, 경량화, 고기능화, 구조적인 전기적 기능통합, 조립시간 단축 및 원가절감 등에 유리한 제품이다. Multi-layer printed circuit boards can be made from planar wiring to three-dimensional wiring. Especially in the industrial electronics field, the integration of functional devices such as integrated circuit (IC) and large scale integration (LSI) is improved, along with the miniaturization, light weight, high functionality, and structure of electronic devices. It is an advantageous product for electrical function integration, assembly time reduction and cost reduction.

이러한 응용영역에 사용되는 빌드-업 PCB는 반드시 각 층간의 연결이 요구되었고, 이를 위하여 다층 인쇄회로기판의 층간 전기적 연결 통로에 해당되는 비아홀(via hole)을 형성하는 방식을 사용해 왔으나, 비아홀의 지름을 줄이는데 한계가 있어 고밀도화를 달성하기 어려운 한계가 있었다.The build-up PCB used in these application areas required the connection between layers, and for this purpose, a via hole corresponding to the interlayer electrical connection passage of the multilayer printed circuit board has been used, but the diameter of the via hole is used. There is a limit in reducing the density, which makes it difficult to achieve high density.

이에, 비아홀 보다 작은 지름을 갖는 미세 돌기를 이용하여 다층 인쇄회로기판의 층간 전기적 연결 통로로 활용하는 방안이 제안되었다. 그러나, 기존에 사용되는 방식은 단일 회로 상에 금속 성분의 미세 돌기를 형성한 후, 절연층으로 미세 돌기를 덮고, 미세 돌기가 표면에 노출될 때까지 절연층을 물리적으로 제거하는 방식이 대부분이었고, 이에 따라, 물리적인 제거 과정에서 절연층이 쉽게 깨지거나, 원하는 두께를 용이하게 맞추기 어려운 한계가 있었다.Accordingly, a method of using a small protrusion having a diameter smaller than the via hole as an electrical connection passage between layers of a multilayer printed circuit board has been proposed. However, the conventional method is to form the fine protrusions of the metal component on a single circuit, then cover the fine protrusions with an insulating layer, and physically remove the insulating layer until the fine protrusions are exposed to the surface. Accordingly, there is a limit in that the insulating layer is easily broken in the physical removal process, or it is difficult to easily match the desired thickness.

본 발명은 보다 빠르면서도 간단한 방법으로 제조가 가능하여 공정의 효율성이 향상될 수 있으며, 절연층의 물리적 손상을 방지할 수 있고, 두께 조절이 용이한 절연층 제조방법을 제공하기 위한 것이다. The present invention is to provide a method for manufacturing an insulating layer that can be manufactured in a faster and simpler method to improve the efficiency of the process, to prevent physical damage of the insulating layer, and to easily control the thickness.

또한, 본 발명은 상기 절연층 제조방법으로부터 얻어지는 절연층을 이용한 다층인쇄회로기판 제조방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer printed circuit board using the insulating layer obtained from the insulating layer manufacturing method.

본 명세서에서는, 표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선을 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더를 포함한 고분자 수지층으로 밀봉하는 단계; 상기 고분자 수지층을 1차 경화시키는 단계; 상기 경화된 고분자 수지층 표면을 알카리 수용액으로 식각하여 금속 돌기를 노출시키는 단계; 및 상기 금속 돌기가 노출된 상태에서, 고분자 수지층을 2차 경화시키는 단계를 포함하는, 절연층 제조방법이 제공된다. In the present specification, the step of sealing the conductor wiring formed with a metal projection on the surface with a polymer resin layer containing an alkali-soluble resin and a thermosetting binder; Primary curing the polymer resin layer; Etching the surface of the cured polymer resin layer with an aqueous alkali solution to expose metal protrusions; And second curing the polymer resin layer in the exposed state of the metal protrusions.

본 명세서에서는 또한, 상기 절연층 제조방법에 의해 제조된 절연층 상에 금속 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는, 다층인쇄회로기판 제조방법이 제공된다. In the present specification, there is also provided a method of manufacturing a multilayer printed circuit board, the method including forming a metal pattern layer on the insulating layer manufactured by the insulating layer manufacturing method.

이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 절연층 제조방법 및 다층인쇄회로기판 제조방법에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, an insulating layer manufacturing method and a multilayer printed circuit board manufacturing method according to a specific embodiment of the present invention will be described in detail.

발명의 일 구현예에 따르면, 표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선을 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더를 포함한 고분자 수지층으로 밀봉하는 단계; 상기 고분자 수지층을 1차 경화시키는 단계; 상기 경화된 고분자 수지층 표면을 알카리 수용액으로 식각하여 금속 돌기를 노출시키는 단계; 및 상기 금속 돌기가 노출된 상태에서, 고분자 수지층을 2차 경화시키는 단계를 포함하는, 절연층 제조방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the invention, the step of sealing the conductor wiring formed with metal projections on the surface with a polymer resin layer containing an alkali-soluble resin and a thermosetting binder; Primary curing the polymer resin layer; Etching the surface of the cured polymer resin layer with an aqueous alkali solution to expose metal protrusions; And in the state where the metal protrusions are exposed, comprising the step of secondary curing the polymer resin layer, an insulating layer manufacturing method can be provided.

본 발명자들은, 상기 일 구현예의 절연층 제조방법을 이용하게 되면, 고분자 수지층에 의해 밀봉된 금속 돌기를 알카리 수용액에 의한 화학적 식각을 통해 노출시킴으로써, 절연층의 물리적 손상을 방지할 수 있고, 절연층 두께를 용이하게 원하는 범위로 조절할 수 있을 뿐 아니라, 보다 빠른 시간 내에 보다 용이한 공정을 통해 절연층을 제조할 수 있어 공정의 효율성이 향상됨을 실험을 통해 확인하고 발명을 완성하였다.The present inventors, when using the method of manufacturing the insulating layer of the embodiment, by exposing the metal protrusions sealed by the polymer resin layer through chemical etching with an aqueous alkali solution, it is possible to prevent physical damage of the insulating layer, insulation Not only can the layer thickness be easily adjusted to a desired range, but also an insulating layer can be manufactured through an easier process in a faster time, and the experiment has confirmed that the efficiency of the process is improved and the invention has been completed.

특히, 상기 일 구현예의 절연층 제조방법에서는 특정의 알카리 수용액에 의하여 적정 수준의 안정적인 식각이 진행될 수 있는 신규한 성분의 고분자 수지를 적용하여 절연층 표면으로 용이하게 금속 돌기를 노출시킬 수 있어, 노출된 금속 돌기를 통해 용이하게 다층회로기판을 제조할 수 있는 장점이 있다.In particular, in the method of manufacturing the insulating layer of the embodiment, by applying a polymer resin of a novel component capable of proceeding an appropriate level of stable etching by a specific alkaline aqueous solution, the metal protrusions may be easily exposed to the surface of the insulating layer. There is an advantage that can easily manufacture a multilayer circuit board through the metal projection.

보다 구체적으로, 상기 일 구현예의 절연층 제조방법은 표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선을 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더를 포함한 고분자 수지층으로 밀봉하는 단계; 상기 고분자 수지층을 1차 경화시키는 단계; 상기 경화된 고분자 수지층 표면을 알카리 수용액으로 식각하여 금속 돌기를 노출시키는 단계; 및 상기 금속 돌기가 노출된 상태에서, 고분자 수지층을 2차 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.More specifically, the insulating layer manufacturing method of the embodiment comprises the steps of sealing the conductor wiring formed with metal projections on the surface with a polymer resin layer including an alkali-soluble resin and a thermosetting binder; Primary curing the polymer resin layer; Etching the surface of the cured polymer resin layer with an aqueous alkali solution to expose metal protrusions; And second curing the polymer resin layer in a state in which the metal protrusions are exposed.

먼저, 표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선을 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더를 포함한 고분자 수지층으로 밀봉하는 단계에서, 상기 도체 배선은 표면에 금속 돌기가 형성될 수 있다. 상기 도체 배선 표면에 금속 돌기를 형성하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 감광성 수지층 패턴의 개구부에 대한 도금 공정 또는 접착제를 이용한 접착 공정 등을 사용할 수 있다.First, in the step of sealing the conductor wiring having a metal protrusion on the surface with a polymer resin layer including an alkali-soluble resin and a thermosetting binder, the conductor wiring may be formed with a metal protrusion on the surface. Examples of the method of forming the metal projection on the surface of the conductor wiring are not particularly limited, and for example, a plating process for the opening of the photosensitive resin layer pattern or an adhesion process using an adhesive may be used.

상기 감광성 수지층 패턴의 개구부에 대한 도금 공정의 구체적인 예를 들면, 도체 배선 상에 감광성 수지층을 적층하는 단계; 상기 감광성 수지층에 패턴을 형성하는 단계; 및 전기 도금하는 단계를 포함한 금속 돌기 형성방법을 사용할 수 있다.A specific example of a plating process for the opening of the photosensitive resin layer pattern, for example, laminating a photosensitive resin layer on a conductor wiring; Forming a pattern on the photosensitive resin layer; And a metal protrusion forming method including electroplating.

보다 구체적으로 상기 감광성 수지층은 감광성 및 알카리 가용성을 나타낼 수 있다. 이에 따라, 상기 감광성 수지층에 빛을 조사하는 노광공정에 의해 분자구조의 변형이 진행될 수 있으며, 알카리성의 현상액을 접촉시키는 현상공정에 의해 수지층의 식각 또는 제거가 가능할 수 있다.More specifically, the photosensitive resin layer may exhibit photosensitive and alkali solubility. Accordingly, deformation of the molecular structure may proceed by an exposure step of irradiating light to the photosensitive resin layer, and the resin layer may be etched or removed by a developing step of contacting an alkaline developer.

따라서, 상기 감광성 수지층에 대하여 선택적으로 일부분을 노광시킨 다음, 알카리 현상하게 되면, 노광된 부분은 현상되지 않고, 노광되지 않은 부분만 선택적으로 식각, 제거될 수 있다. 이와 같이, 노광에 의해 알카리 현상되지 않고 그대로 남아있는 감광성 수지층의 일부분을 감광성 수지 패턴이라 한다.Accordingly, when a portion of the photosensitive resin layer is selectively exposed and then alkali developed, the exposed portion may not be developed, and only the unexposed portion may be selectively etched and removed. In this manner, a part of the photosensitive resin layer that remains as it is without alkali development by exposure is referred to as a photosensitive resin pattern.

즉, 상기 감광성 수지층을 노광하는 방법의 예를 들면, 상기 감광성 수지층상에 소정의 패턴의 형성된 포토 마스크를 접촉하고 자외선을 조사하거나, 마스크에 포함된 소정의 패턴을 프로젝션 대물렌즈를 통해 이미징한 다음 자외선을 조사하거나, 레이저 다이오드(Laser Diode)를 광원으로 사용하여 직접 이미징한 다음 자외선을 조사하는 등의 방식 등을 통해 선택적으로 노광할 수 있다. 이 때, 자외선 조사 조건의 예로는 5 mJ/㎠ 내지 600 mJ/㎠의 광량으로 조사하는 것을 들 수 있다. That is, for example, a method of exposing the photosensitive resin layer may include contacting a photomask formed with a predetermined pattern on the photosensitive resin layer and irradiating ultraviolet rays, or imaging a predetermined pattern included in the mask through a projection objective lens. Next, ultraviolet rays may be selectively exposed using a method such as directly irradiating ultraviolet rays or irradiating ultraviolet rays using a laser diode as a light source. At this time, examples of ultraviolet irradiation conditions include irradiation with a light amount of 5 mJ / cm 2 to 600 mJ / cm 2.

또한, 상기 감광성 수지층에 대한 노광 이후 알카리 현상하는 방법의 예로는 알카리 현상액을 처리하는 방법을 들 수 있다. 상기 알카리 현상액의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 암모니아, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 아민류 등의 알카리 수용액의 농도와 온도를 조절하여 사용할 수 있으며, 상품으로 판매하는 알카리 현상액도 사용 가능하다. 상기 알카리 현상액의 구체적인 사용량은 크게 제한되지 않으나, 상기 감광성 수지 패턴을 손상하지 않는 농도와 온도로 조절이 필요하며, 예를 들어, 25 ℃ 내지 35 ℃의 탄산나트륨 0.5 % 내지 3 % 수용액을 사용할 수 있다.In addition, an example of a method of developing alkali after exposure to the photosensitive resin layer may include a method of treating an alkali developer. Examples of the alkali developer are not particularly limited, but, for example, concentrations and temperatures of alkaline aqueous solutions such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, ammonia, tetramethylammonium hydroxide, and amines It can be used to adjust the alkali developer sold as a product. Although the specific amount of the alkaline developer is not particularly limited, it is necessary to adjust the concentration and the temperature so as not to damage the photosensitive resin pattern. For example, an aqueous solution of 0.5% to 3% sodium carbonate at 25 ° C to 35 ° C may be used. .

한편, 상기 전기 도금 단계에서, 도금 방법의 예로는 건식증착공정 또는 습식증착공정을 들 수 있으며, 구체적인 상기 건식증착공정의 예로는 진공증착, 이온 플레이팅, 스퍼터링 방법 등을 들 수 있다. Meanwhile, in the electroplating step, examples of the plating method may include a dry deposition process or a wet deposition process, and specific examples of the dry deposition process may include vacuum deposition, ion plating, and sputtering methods.

한편, 구체적인 습식증착공정의 예로는, 다양한 금속의 무전해 도금 등이 있으며, 무전해 구리 도금이 일반적이고, 증착 이전 또는 이후에 조화처리공정을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, examples of specific wet deposition processes include electroless plating of various metals, electroless copper plating is common, and may further include a roughening process before or after deposition.

상기 조화처리 공정에도 조건에 따라 건식 및 습식방법이 있으며, 상기 건식 방법의 예로는 진공, 상압, 기체별 플라즈마 처리, 기체별 Excimer UV처리 등을 들 수 있고, 상기 습식방법의 예로는, 디스미어 처리를 사용할 수 있다. 이러한 조화처리 공정을 통해, 상기 금속 박막의 표면조도를 높여 금속박막 상에 증착되는 금속과의 밀착력을 향상시킬 수 있다.The roughening process also includes dry and wet methods depending on conditions. Examples of the dry method include vacuum, atmospheric pressure, plasma treatment by gas, and gas treatment by Excimer UV. Examples of the wet method include desmear. Processing can be used. Through such a roughening process, the surface roughness of the metal thin film may be increased to improve adhesion to the metal deposited on the metal thin film.

또한, 금속 돌기만을 남겨두기 위하여, 전기 도금하는 단계 이후에, 감광성 수지층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 감광성 수지 패턴 제거시에는, 하부의 도체 배선과 금속 돌기는 되도록 제거하지 않으면서, 감광성 수지층만을 제거할 수 있는 방법을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, in order to leave only the metal protrusions, after the electroplating, the method may further include removing the photosensitive resin layer. When removing the said photosensitive resin pattern, it is preferable to use the method which can remove only the photosensitive resin layer, without removing the lower conductor wiring and metal protrusion as much as possible.

상기 감광성 수지 패턴의 박리방법의 구체적인 예를 들면, 포토레지스트 박리액을 처리하거나, 디스미어(desmear) 공정 또는 플라즈마 에칭 등을 진행할 수 있으며, 상기의 방법을 혼용할 수도 있다.As a specific example of the peeling method of the photosensitive resin pattern, the photoresist stripping liquid may be treated, a desmear process or plasma etching may be performed, and the above methods may be used in combination.

한편, 상기 접착제를 이용한 접착 공정의 구체적인 예를 들면, micc와 같은 수동 소자나 반도체 칩과 같은 능동 소자 표면에 금속 돌기를 형성한 다음, 형성된 금속 돌기의 반대편을 절연 접착제 등을 이용하여 도체 배선 표면에 접착하는 방법을 사용할 수 있다. 이때, 상기 수동 소자 또는 능동 소자 표면에 금속 돌기를 형성하는 방법은 상술한 감광성 수지층 패턴의 개구부에 대한 도금 공정의 방법을 그대로 사용할 수 있다. 예를 들어, 수동 소자 또는 능동 소자 표면에 감광성 수지층 패턴을 형성한 다음, 패턴의 개구분에 금속을 도금하는 방법을 사용할 수 있다.On the other hand, a specific example of the bonding process using the adhesive, for example, to form a metal projection on the surface of the passive element such as micc or active element such as a semiconductor chip, and then the surface of the conductor wiring using the insulating adhesive or the like on the opposite side of the formed metal projection Can be used. At this time, the method of forming the metal projection on the surface of the passive element or the active element can be used as the method of the plating step for the opening of the photosensitive resin layer pattern described above. For example, the method of forming a photosensitive resin layer pattern on the surface of a passive element or an active element, and then plating metal on the opening part of a pattern can be used.

상기 고분자 수지층의 두께는 1 ㎛ 내지 500 ㎛, 또는 3 ㎛ 내지 500 ㎛, 또는 3 ㎛ 내지 200 ㎛, 또는 1 ㎛ 내지 60 ㎛, 또는 5 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있고, 상기 금속 돌기는 1 ㎛ 내지 20 ㎛의 높이 및 5 ㎛ 내지 30 ㎛의 단면 직경을 가질 수 있다. 상기 단면 직경이란 상기 금속 돌기의 높이 방향에 수직한 방향으로 상기 금속 돌기를 자른 단면의 직경, 또는 최대 직경을 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 돌기의 형상으로는 원기둥, 원뿔대, 다각기둥, 다각뿔대, 역원뿔대 또는 역다각뿔대 등을 들 수 있다. 상기 금속 돌기에 포함된 금속 성분의 예 또한 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 구리, 알루미늄 등의 전도성 금속을 사용할 수 있다.The polymer resin layer may have a thickness of 1 μm to 500 μm, or 3 μm to 500 μm, or 3 μm to 200 μm, or 1 μm to 60 μm, or 5 μm to 30 μm, and the metal protrusion may be 1 μm. It may have a height of 20 to 20 ㎛ and a cross-sectional diameter of 5 to 30 ㎛. The cross-sectional diameter may mean a diameter of a cross section of the metal protrusion cut in a direction perpendicular to the height direction of the metal protrusion, or a maximum diameter. For example, the shape of the metal protrusions may include a cylinder, a truncated cone, a polygonal pillar, a polygonal truncated cone, an inverted truncated cone or an inverted polygonal truncated cone. Examples of the metal component included in the metal protrusions are also not particularly limited, and for example, a conductive metal such as copper or aluminum may be used.

상기 표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선은 고분자 수지층으로 밀봉될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 도체 배선은 하부에 회로기판, 시트, 다층 프린트 배선판 등의 반도체 재료를 포함한 기재 상에 형성된 상태로 존재할 수 있다. 이처럼 기재 상에 도체 배선이 존재하는 상태에서, 기재상에 고분자 수지층을 형성하는 방법을 통해 상기 도체 배선이 밀봉될 수 있다.The conductor wiring formed with the metal protrusions on the surface may be sealed with the polymer resin layer. More specifically, the conductor wiring may be present in a state formed on a substrate including a semiconductor material such as a circuit board, a sheet, a multilayer printed wiring board, and the like. In such a state that the conductor wiring is present on the substrate, the conductor wiring can be sealed by a method of forming a polymer resin layer on the substrate.

고분자 수지층을 기재상에 형성하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 상기 고분자 수지층을 형성하기 위한 고분자 수지 조성물을 기재상에 직접 코팅하거나, 캐리어 필름 상에 고분자 수지 조성물을 도포하여 고분자 수지층을 형성한 다음, 기재와 고분자 수지층을 라미네이트 하는 방법 등을 사용할 수 있다.Although the example of the method of forming a polymer resin layer on a base material is not restrict | limited, For example, the polymer resin composition for forming the said polymer resin layer is directly coated on a base material, or a polymer resin composition is apply | coated on a carrier film. To form a polymer resin layer, and then a method of laminating the substrate and the polymer resin layer may be used.

상기 표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선이 고분자 수지층으로 밀봉됨에 따라, 상기 도체 배선은, 하부에 형성된 기재와 접촉하는 부분 및 금속 돌기와 접촉하는 부분를 제외한 모든 표면이 고분자 수지층과 접촉할 수 있다. 또한, 상기 도체 배선 표면에 형성된 금속 돌기의 모든 표면 또한 고분자 수지층에 의해 밀봉되어 고분자 수지층과 접촉할 수 있다.As the conductor wiring having the metal protrusions formed on the surface is sealed with the polymer resin layer, all the surfaces of the conductor wiring may contact the polymer resin layer except for the portion in contact with the substrate formed below and the portion in contact with the metal protrusion. In addition, all surfaces of the metal protrusions formed on the surface of the conductor wiring may also be sealed by the polymer resin layer to be in contact with the polymer resin layer.

상기 고분자 수지층은 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더를 포함한 고분자 수지 조성물의 건조를 통해 형성된 필름을 의미한다. 상기 고분자 수지층은 알카리 가용성 수지 100 중량부에 대해 열경화성 바인더 1 중량부 내지 150 중량부, 또는 10 중량부 내지 100 중량부, 또는 20 중량부 내지 50 중량부를 포함할 수 있다. 상기 열경화성 바인더의 함량이 지나치게 많으면 상기 고분자 수지층의 현상성이 떨어지고, 강도가 저하될 수 있다. 반대로, 열경화성 바인더의 함량이 지나치게 낮아지면, 상기 고분자 수지층이 과도하게 현상될 뿐 아니라, 코팅 시 균일성이 떨어질 수 있다.The polymer resin layer means a film formed through drying of a polymer resin composition including an alkali-soluble resin and a thermosetting binder. The polymer resin layer may include 1 part by weight to 150 parts by weight, or 10 parts by weight to 100 parts by weight, or 20 parts by weight to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the thermosetting binder is excessively high, the developability of the polymer resin layer may be lowered, and the strength may be lowered. On the contrary, when the content of the thermosetting binder is too low, not only the polymer resin layer is excessively developed, but also uniformity may be reduced during coating.

상기 열경화성 바인더는 열경화 가능한 작용기, 옥세타닐기, 환상 에테르기, 환상 티오 에테르기, 시아나이드기, 말레이미드기 및 벤족사진기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기 및 에폭시기를 포함할 수 있다. 즉, 상기 열경화성 바인더는 에폭시기를 반드시 포함하며, 에폭시기이외로 옥세타닐기, 환상 에테르기, 환상 티오 에테르기, 시아나이드(cyanide)기, 말레이미드(maleimide)기, 벤족사진(benzoxazine)기 또는 이들의 2종 이상을 혼합하여 포함할 수 있다. 이러한 열경화성 바인더는 열경화에 의해 알카리 가용성 수지 등과 가교 결합을 형성해 절연층의 내열성 또는 기계적 물성을 담보할 수 있다.The thermosetting binder may include one or more functional groups and epoxy groups selected from the group consisting of thermosetting functional groups, oxetanyl groups, cyclic ether groups, cyclic thio ether groups, cyanide groups, maleimide groups and benzoxazine groups. That is, the thermosetting binder necessarily includes an epoxy group, and in addition to the epoxy group, an oxetanyl group, a cyclic ether group, a cyclic thio ether group, a cyanide group, a maleimide group, a benzoxazine group or these It may contain two or more kinds of. Such a thermosetting binder may form a crosslinking bond with an alkali-soluble resin or the like by thermosetting to secure heat resistance or mechanical properties of the insulating layer.

보다 구체적으로, 상기 열경화성 바인더로는, 분자내에 상술한 작용기를 2이상 포함한 다관능성 수지 화합물을 사용할 수 있다.More specifically, as the thermosetting binder, a polyfunctional resin compound containing two or more functional groups described above in a molecule can be used.

상기 다관능성 수지화합물은 분자 중에 2개 이상의 환상 에테르기 및/또는 환상 티오에테르기(이하, 환상 (티오)에테르기라고 함)를 포함한 수지를 포함할 수 있다. The polyfunctional resin compound may include a resin containing two or more cyclic ether groups and / or cyclic thioether groups (hereinafter referred to as cyclic (thio) ether groups) in a molecule.

상기 분자 중에 2개 이상의 환상 (티오)에테르기를 포함한 열경화성 바인더는 분자 중에 3, 4 또는 5원환의 환상 에테르기, 또는 환상 티오에테르기 중 어느 한쪽 또는 2종의 기를 적어도 2개 이상 갖는 화합물을 포함할 수 있다. The thermosetting binder including two or more cyclic (thio) ether groups in the molecule includes a compound having at least two or more of three, four or five membered cyclic ether groups, or cyclic thioether groups in the molecule. can do.

상기 분자 중에 2개 이상의 환상 티오에테르기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 재팬 에폭시 레진사 제조의 비스페놀 A형 에피술피드 수지 YL7000 등을 들 수 있다. As a compound which has two or more cyclic thioether group in the said molecule | numerator, bisphenol A episulfide resin YL7000 by the Japan epoxy resin company, etc. are mentioned, for example.

또한, 상기 다관능성 수지화합물은 분자 중에 적어도 2개 이상의 에폭시기를 포함한 다관능 에폭시 화합물, 분자 중에 적어도 2개 이상의 옥세타닐기를 포함한 다관능 옥세탄 화합물 또는 분자 중에 2개 이상의 티오에테르기를 포함한 에피술피드 수지, 분자 중에 적어도 2개 이상의 시아나이드기를 포함한 다관능 시아네이트 에스테르 화합물, 또는 분자 중에 적어도 2개 이상의 벤족사진기를 포함한 다관능 벤족사진 화합물 등을 포함할 수 있다. In addition, the polyfunctional resin compound may be a polyfunctional epoxy compound containing at least two or more epoxy groups in a molecule, a polyfunctional oxetane compound including at least two or more oxetanyl groups in a molecule, or an episulfate containing two or more thioether groups in a molecule A feed resin, a polyfunctional cyanate ester compound containing at least two or more cyanide groups in a molecule, or a multifunctional benzoxazine compound containing at least two or more benzoxazine groups in a molecule.

상기 다관능 에폭시 화합물의 구체예로서는, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, N-글리시딜형 에폭시 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지, 킬레이트형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 아미노기 함유 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 페놀릭형 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 헤테로시클릭 에폭시 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지, ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 난연성 부여를 위해, 인 등의 원자가 그 구조 중에 도입된 것을 사용할 수도 있다. 이들 에폭시 수지는 열경화함으로써, 경화 피막의 밀착성, 땜납 내열성, 무전해 도금 내성 등의 특성을 향상시킨다.As a specific example of the said polyfunctional epoxy compound, bisphenol-A epoxy resin, hydrogenated bisphenol-A epoxy resin, brominated bisphenol-A epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol S-type epoxy resin, novolak-type epoxy resin, for example , Phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, N-glycidyl type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, chelate type epoxy resin, glyc Oxal type epoxy resin, amino group containing epoxy resin, rubber modified epoxy resin, dicyclopentadiene phenolic epoxy resin, diglycidyl phthalate resin, heterocyclic epoxy resin, tetraglycidyl xylenoyl ethane resin, silicone modified epoxy resin and (epsilon) -caprolactone modified epoxy resins. In addition, in order to impart flame retardancy, those in which atoms such as phosphorus are introduced into the structure may be used. By thermosetting these epoxy resins, characteristics, such as adhesiveness of a cured film, solder heat resistance, and electroless plating resistance, are improved.

상기 다관능 옥세탄 화합물로서는 비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 1,4-비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트나 이들의 올리고머 또는 공중합체 등의 다관능 옥세탄류 이외에, 옥세탄 알코올과 노볼락 수지, 폴리(p-히드록시스티렌), 카르도형 비스페놀류, 카릭스아렌류, 카릭스레졸신아렌류, 또는 실세스퀴옥산 등의 히드록시기를 갖는 수지와의 에테르화물 등을 들 수 있다. 그 밖의, 옥세탄환을 갖는 불포화 모노머와 알킬(메트)아크릴레이트와의 공중합체 등도 들 수 있다.Examples of the polyfunctional oxetane compound include bis [(3-methyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, 1,4-bis [( 3-methyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, (3-methyl-3-oxetanyl) methylacrylic Latex, (3-ethyl-3-oxetanyl) methyl acrylate, (3-methyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate or these In addition to polyfunctional oxetanes such as oligomers and copolymers, oxetane alcohols and novolac resins, poly (p-hydroxystyrenes), cardo-type bisphenols, charixarenes, carlixresolecinarenes, or silses And etherates with resins having hydroxy groups such as quoxane. In addition, the copolymer etc. of the unsaturated monomer which has an oxetane ring, and an alkyl (meth) acrylate are mentioned.

상기 다관능 시아네이트 에스테르 화합물의 예로는 비스페놀 A형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 E형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 F형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 S형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 M형 시아네이트 에스테르 수지, 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 페놀노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 크레졸 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 바이페놀형 시아네이트 에스테르 수지나 이들의 올리고머 또는 공중합체 등을 들 수 있다.Examples of the multifunctional cyanate ester compound include bisphenol A type cyanate ester resin, bisphenol E type cyanate ester resin, bisphenol F type cyanate ester resin, bisphenol S type cyanate ester resin, bisphenol M type cyanate ester resin, Novolac cyanate ester resins, phenol novolac cyanate ester resins, cresol novolac cyanate ester resins, novolac cyanate ester resins of bisphenol A, biphenol cyanate ester resins or oligomers or air thereof Coalescence, etc. are mentioned.

상기 다관능 말레이미드 화합물의 예로는 4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드(4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 페닐메탄 비스말레이미드(phenylmethane bismaleimide), m-페닐메탄 비스말레이미드(m-phenylmethane bismaleimide), 비스페놀 A 디페닐에터비스말레이미드(bisphenol A diphenyl ether bismaleimide), 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'- 디페닐메탄 비스말레이미드 (3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 4-메틸-1,3- 페닐렌 비스말레이미드(4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide), 1,6'- 비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산(1,6'-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane) 등을 들 수 있다.Examples of the multifunctional maleimide compound include 4,4'-diphenylmethane bismaleimide, phenylmethane bismaleimide, and m-phenylmethane bismaleimide (m- phenylmethane bismaleimide, bisphenol A diphenyl ether bismaleimide, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide (3, 3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide, 1,6 '-Bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane (1,6'-bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane) and the like.

상기 다관능 벤족사진 화합물의 예로는 비스페놀 A형 벤족사진 수지, 비스페놀 F형 벤족사진 수지, 페놀프탈레인형 벤족사진 수지, 티오디페놀형 벤족사진 수지, 디사이클로 펜타디엔형 벤족사진 수지, 3,3'-(메틸렌-1,4-디페닐렌)비스(3,4-디하이드로-2H-1,3-벤족사진(3,3'-(methylene-1,4-diphenylene)bis(3,4-dihydro-2H-1,3-benzoxazine) 수지 등을 들 수 있다.Examples of the multifunctional benzoxazine compounds include bisphenol A benzoxazine resins, bisphenol F benzoxazine resins, phenolphthalein benzoxazine resins, thiodiphenol type benzoxazine resins, dicyclopentadiene benzoxazine resins, and 3,3 '. -(Methylene-1,4-diphenylene) bis (3,4-dihydro-2H-1,3-benzoxazine (3,3 '-(methylene-1,4-diphenylene) bis (3,4- dihydro-2H-1,3-benzoxazine) resin and the like.

상기 다관능성 수지화합물의 보다 구체적인 예로는, 국도화학사의 YDCN-500-80P, 론자사의 페놀 노볼락형 시아니이트 에스터 수지 PT-30S, 다이와사의 페닐 메탄형 말레이미드 수지 BMI-2300, 시코쿠사의 P-d형 벤족사진 수지 등을 들 수 있다.More specific examples of the multifunctional resin compound include YDCN-500-80P manufactured by Kukdo Chemical Co., Ltd., phenol novolac type cyanide ester resin PT-30S manufactured by Lonza, phenylmethane type maleimide resin BMI-2300 manufactured by Daiwa Corporation, and Pd of Shikoku Corporation. Type benzoxazine resin etc. are mentioned.

한편, 상기 알카리 가용성 수지는 산성 작용기; 및 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 각각 적어도 2 이상 포함할 수 있다. 상기 산성 작용기의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 카르복시기 또는 페놀기를 포함할 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지는 산성 작용기를 적어도 2이상으로 포함하여 상기 고분자 수지층이 보다 높은 알카리 현상성을 나타내게 하며, 고분자 수지층의 현상속도를 조절할 수 있다. On the other hand, the alkali soluble resin is an acidic functional group; And at least two cyclic imide functional groups each substituted with an amino group. Examples of the acidic functional group are not particularly limited, but may include, for example, a carboxyl group or a phenol group. The alkali-soluble resin may include at least two acidic functional groups to allow the polymer resin layer to exhibit higher alkali developability and control the development speed of the polymer resin layer.

상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 작용기 구조 내에 아미노기와 고리형 이미드기를 포함하고 있으며, 적어도 2이상으로 포함될 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지가 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 적어도 2이상 함유함에 따라, 상기 알카리 가용성 수지는 아미노기에 포함된 활성수소가 다수 존재하는 구조를 가지게 되어, 경화시 열경화성 바인더와의 반응성이 향상되면서 경화밀도를 높여 내열 신뢰성 및 기계적 성질을 높일 수 있다. The cyclic imide functional group substituted with the amino group includes an amino group and a cyclic imide group in the functional group structure, and may be included in at least two or more groups. As the alkali-soluble resin contains at least two or more cyclic imide functional groups substituted with the amino group, the alkali-soluble resin has a structure in which a large number of active hydrogens contained in the amino group are present, thereby reacting with the thermosetting binder during curing. As this improves, the curing density can be increased to increase heat resistance reliability and mechanical properties.

또한, 상기 고리형 이미드 작용기가 알카리 가용성 수지 내에 다수 존재하게 됨에 따라, 고리형 이미드 작용기에 포함된 카보닐기와 3차 아민기에 의해 극성이 높아져 상기 알카리 가용성 수지의 계면 접착력을 높일 수 있다. 이에 따라, 상기 알카리 가용성 수지가 함유된 고분자 수지층은 상부에 적층되는 금속층과의 계면 접착력이 높아질 수 있다.In addition, as the cyclic imide functional group is present in a large number in the alkali-soluble resin, the polarity is increased by the carbonyl group and the tertiary amine group included in the cyclic imide functional group, thereby increasing the interfacial adhesion of the alkali-soluble resin. Accordingly, the polymer resin layer containing the alkali-soluble resin may increase the interfacial adhesion with the metal layer stacked thereon.

보다 구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 하기 화학식1로 표시되는 작용기를 포함할 수 있다.More specifically, the cyclic imide functional group substituted with the amino group may include a functional group represented by Formula 1 below.

[화학식1][Formula 1]

Figure 112017103742188-pat00001
Figure 112017103742188-pat00001

상기 화학식1에서, R1은 탄소수 1 내지 10, 또는 1 내지 5, 또는 1 내지 3의 알킬렌기 또는 알케닐기이며, "*"는 결합지점을 의미한다. 상기 알킬렌기는, 알케인(alkane)으로부터 유래한 2가의 작용기로, 예를 들어, 직쇄형, 분지형 또는 고리형으로서, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소부틸렌기, sec-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기 등이 될 수 있다. 상기 알킬렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기의 예로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 등을 들 수 있다.In Chemical Formula 1, R 1 is an alkylene group or an alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, or 1 to 5 carbon atoms, or 1 to 3 carbon atoms, and “*” means a bonding point. The alkylene group is a divalent functional group derived from alkane, and is, for example, a straight chain, branched or cyclic group, such as methylene group, ethylene group, propylene group, isobutylene group, sec-butylene group, tert-butylene group, pentylene group, hexylene group and the like. One or more hydrogen atoms included in the alkylene group may be substituted with another substituent, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 carbon atoms Aryl groups of 12 to 12, heteroaryl groups of 2 to 12 carbon atoms, arylalkyl groups of 6 to 12 carbon atoms, halogen atoms, cyano groups, amino groups, amidino groups, nitro groups, amide groups, carbonyl groups, hydroxy groups, sulfonyl groups, carba A mate group, a C1-C10 alkoxy group, etc. are mentioned.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정되지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substituted" means that another functional group is bonded instead of a hydrogen atom in the compound, and the position to be substituted is not limited to a position where the hydrogen atom is substituted, that is, a position where a substituent may be substituted, and when two or more are substituted, two or more The substituents may be the same or different from one another.

상기 알케닐기는, 상술한 알킬렌기의 중간이나 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 함유하고 있는 것을 의미하며, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 헥실렌, 아세틸렌 등을 들 수 있다. 상기 알케닐기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 알킬렌기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환 가능하다.The alkenyl group means that one or more carbon-carbon double bonds are contained in the middle or terminal of the alkylene group described above, and examples thereof include ethylene, propylene, butylene, hexylene, and acetylene. . At least one hydrogen atom of the alkenyl group may be substituted with the same substituent as in the alkylene group.

바람직하게는 상기 아미노기로 치환된 고리형이미드 작용기는 하기 화학식2로 표시되는 작용기일 수 있다.Preferably, the cyclic imide functional group substituted with the amino group may be a functional group represented by the following formula (2).

[화학식2][Formula 2]

Figure 112017103742188-pat00002
Figure 112017103742188-pat00002

상기 화학식2에서, "*"는 결합지점을 의미한다.In Formula 2, "*" means a bonding point.

상기 알카리 가용성 수지는 상술한 바와 같이, 산성 작용기와 함께 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 포함하며, 구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기의 적어도 하나의 말단에 산성 작용기가 결합할 수 있다. 이때, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기와 산성 작용기는 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 결합할 수 있으며, 예를 들어, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 아미노기의 말단에 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 산성 작용기가 결합할 수 있으며, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 이미드 작용기의 말단에 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 산성 작용기가 결합할 수 있다.As described above, the alkali-soluble resin includes a cyclic imide functional group substituted with an amino group together with an acidic functional group, and specifically, an acidic functional group is bonded to at least one end of the cyclic imide functional group substituted with the amino group. can do. In this case, the cyclic imide functional group and the acidic functional group substituted with the amino group may be bonded through a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group, for example, a cyclic substituted with the amino group. An acidic functional group may be bonded to a terminal of an amino group included in an imide functional group through a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group, and is already contained in the cyclic imide functional group substituted with the amino group. The acidic functional group may be bonded to the terminal of the functional group via a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group.

보다 구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 아미노기의 말단이란, 상기 화학식1에서 아미노기에 포함된 질소원자를 의미하며, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 이미드 작용기의 말단이란, 상기 화학식1에서 고리형 이미드 작용기에 포함된 질소원자를 의미할 수 있다.More specifically, the terminal of the amino group included in the cyclic imide functional group substituted with the amino group means a nitrogen atom included in the amino group in Formula 1, and is already contained in the cyclic imide functional group substituted with the amino group. The terminal of the de-functional group may mean a nitrogen atom included in the cyclic imide functional group in Chemical Formula 1.

상기 알킬렌기는, 알케인(alkane)으로부터 유래한 2가의 작용기로, 예를 들어, 직쇄형, 분지형 또는 고리형으로서, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소부틸렌기, sec-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기 등이 될 수 있다. 상기 알킬렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기의 예로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 등을 들 수 있다.The alkylene group is a divalent functional group derived from an alkane, and is, for example, a linear, branched or cyclic group, such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isobutylene group, a sec-butylene group, tert-butylene group, pentylene group, hexylene group and the like. One or more hydrogen atoms included in the alkylene group may be substituted with another substituent, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 carbon atoms Aryl group of 12 to 12 carbon atoms, heteroaryl group of 2 to 12 carbon atoms, arylalkyl group of 6 to 12 carbon atoms, halogen atom, cyano group, amino group, amidino group, nitro group, amide group, carbonyl group, hydroxy group, sulfonyl group, carba A mate group, a C1-C10 alkoxy group, etc. are mentioned.

상기 아릴렌기는, 아렌(arene)으로부터 유래한 2가의 작용기로, 예를 들어, 고리형으로서, 페닐기, 나프틸기 등이 될 수 있다. 상기 아릴렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기의 예로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 등을 들 수 있다.The arylene group is a divalent functional group derived from arene, and may be, for example, a phenyl group or a naphthyl group as a cyclic type. One or more hydrogen atoms included in the arylene group may be substituted with another substituent, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 carbon atoms Aryl group of 12 to 12 carbon atoms, heteroaryl group of 2 to 12 carbon atoms, arylalkyl group of 6 to 12 carbon atoms, halogen atom, cyano group, amino group, amidino group, nitro group, amide group, carbonyl group, hydroxy group, sulfonyl group, carba A mate group, a C1-C10 alkoxy group, etc. are mentioned.

상기 알카리 가용성 수지를 제조하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 고리형 불포화 이미드 화합물; 및 아민 화합물의 반응을 통해 제조될 수 있다. 이때, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물; 및 아민 화합물 중 적어도 하나 이상은 말단에 치환된 산성 작용기를 포함할 수 있다. 즉, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물, 아민 화합물, 또는 이들 2종 화합물 모두의 말단에 산성 작용기가 치환될 수 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다.Examples of the method for producing the alkali-soluble resin are not particularly limited, for example, a cyclic unsaturated imide compound; And amine compounds. At this time, the cyclic unsaturated imide compound; And at least one of the amine compounds may include an acidic functional group substituted at the terminal. That is, an acidic functional group may be substituted at the terminal of the cyclic unsaturated imide compound, the amine compound, or both of these two compounds. Details of the acidic functional group are as described above.

상기 고리형 이미드 화합물은 상술한 고리형 이미드 작용기를 포함한 화합물이며, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물은 고리형 이미드 화합물 내에 불포화 결합, 즉 이중결합 또는 삼중결합을 적어도 1이상 포함한 화합물을 의미한다. The cyclic imide compound is a compound including the cyclic imide functional group described above, and the cyclic unsaturated imide compound means a compound including at least one unsaturated bond, ie, a double bond or a triple bond, in the cyclic imide compound. do.

상기 알카리 가용성 수지는 상기 아민 화합물에 포함된 아미노기와 고리형 불포화 이미드 화합물에 포함된 이중결합 또는 삼중결합의 반응을 통해 제조될 수 있다.The alkali soluble resin may be prepared through a reaction of an amino group included in the amine compound and a double bond or triple bond included in a cyclic unsaturated imide compound.

상기 고리형 불포화 이미드 화합물 및 아민 화합물을 반응시키는 중량비율의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물 100 중량부에 대하여, 상기 아민 화합물을 10 중량부 내지 80 중량부, 또는 30 중량부 내지 60 중량부로 혼합하여 반응시킬 수 있다.Examples of the weight ratio for reacting the cyclic unsaturated imide compound and the amine compound are not particularly limited. For example, 10 parts by weight to 80 parts by weight of the amine compound based on 100 parts by weight of the cyclic unsaturated imide compound. Part, or 30 to 60 parts by weight can be mixed and reacted.

상기 고리형 불포화 이미드 화합물의 예로는 N-치환 말레이미드 화합물을 들 수 있다. N-치환이란 말레이미드 화합물에 포함된 질소원자에 결합한 수소 원자 대신 작용기가 결합한 것을 의미하며, 상기 N-치환 말레이미드 화합물은 N-치환된 말레이미드 화합물의 개수에 따라 단관능 N-치환 말레이미드 화합물과 다관능 N-치환 말레이미드 화합물로 분류될 수 있다.Examples of the cyclic unsaturated imide compound include N-substituted maleimide compounds. N-substituted means that a functional group is bonded to a hydrogen atom bonded to a nitrogen atom included in the maleimide compound, wherein the N-substituted maleimide compound is monofunctional N-substituted maleimide according to the number of N-substituted maleimide compounds Compounds and polyfunctional N-substituted maleimide compounds.

상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물은 하나의 말레이미드 화합물에 포함된 질소원자에 작용기가 치환된 화합물이며, 상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물은 2이상의 말레이미드 화합물 각각에 포함된 질소원자가 작용기를 매개로 결합한 화합물이다.The monofunctional N-substituted maleimide compound is a compound in which a functional group is substituted for a nitrogen atom included in one maleimide compound, and the polyfunctional N-substituted maleimide compound is a nitrogen atom contained in each of two or more maleimide compounds. Compounds bound via

상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물에서, 상기 말레이미드 화합물에 포함된 질소 원자에 치환되는 작용기는 공지된 다양한 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기를 제한없이 포함할 수 있으며, 상기 질소 원자에 치환되는 작용기는 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기에 산성 작용기가 치환된 작용기를 포함할 수도 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다.In the monofunctional N-substituted maleimide compound, a functional group substituted with the nitrogen atom included in the maleimide compound may include various known aliphatic, alicyclic or aromatic functional groups, and a functional group substituted with the nitrogen atom. May include a functional group in which an acidic functional group is substituted with an aliphatic, alicyclic or aromatic functional group. Details of the acidic functional group are as described above.

상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물의 구체적인 예로는 o-메틸페닐말레이미드, p-하이드록시페닐말레이미드, p-카복시페닐말레이미드, 또는 도데실말레이미드 등을 들 수 있다.Specific examples of the monofunctional N-substituted maleimide compound include o-methylphenylmaleimide, p-hydroxyphenylmaleimide, p-carboxyphenylmaleimide, dodecylmaleimide, and the like.

상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물에서, 2이상의 말레이미드 화합물 각각에 포함된 질소원자간 결합을 매개하는 작용기는 공지된 다양한 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기를 제한없이 포함할 수 있으며, 구체적인 예를 들면, 4,4'-디페닐메탄(diphenylmethane) 작용기 등을 사용할 수 있다. 상기 질소 원자에 치환되는 작용기는 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기에 산성 작용기가 치환된 작용기를 포함할 수도 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다. In the multifunctional N-substituted maleimide compound, the functional group that mediates the bond between nitrogen atoms included in each of two or more maleimide compounds may include various known aliphatic, alicyclic or aromatic functional groups, and specific examples thereof. , 4,4'-diphenylmethane functional group and the like can be used. The functional group substituted with the nitrogen atom may include a functional group in which an acidic functional group is substituted with an aliphatic, alicyclic or aromatic functional group. Details of the acidic functional group are as described above.

상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물의 구체적인 예로는 4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드(Daiwakasei사의 BMI-1000, BMI-1100 등), 페닐메탄 비스말레이미드, m-페닐렌메탄 비스말레이미드, 비스페놀 A 디페닐에테르 비스말레이미드, 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드, 4-메틸-1,3-페닐렌 비스말레이미드, 1,6'-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyfunctional N-substituted maleimide compound include 4,4'-diphenylmethane bismaleimide (BMI-1000, BMI-1100, etc. of Daiwakasei), phenylmethane bismaleimide, m-phenylene methane bismaleim Mead, bisphenol A diphenylether bismaleimide, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide, 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide Mid, 1,6'-bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane etc. are mentioned.

상기 아민 화합물은 분자구조내에 아미노기(-NH2)를 적어도 1이상 함유한 1차 아민 화합물을 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 아미노기로 치환된 카복시산 화합물, 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. The amine compound may be a primary amine compound containing at least one amino group (-NH 2 ) in the molecular structure, more preferably a carboxylic acid compound substituted with an amino group, a polyfunctional amine compound including two or more amino groups or Mixtures of these can be used.

상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물에서, 카복시산 화합물은 분자 내에 카르복시산(-COOH) 작용기를 포함한 화합물로서, 카르복시산 작용기와 결합한 탄화수소의 종류에 따라 지방족, 지환족 또는 방향족 카복시산을 모두 포함할 수 있다. 상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물을 통해 상기 알카리 가용성 수지 내에 산성 작용기인 카복시산 작용기가 다수 포함되면서, 상기 알카리 가용성 수지의 현상성이 향상될 수 있다.In the carboxylic acid compound substituted with the amino group, the carboxylic acid compound is a compound containing a carboxylic acid (-COOH) functional group in a molecule, and may include all aliphatic, alicyclic or aromatic carboxylic acids depending on the type of hydrocarbon bonded to the carboxylic acid functional group. . As the carboxylic acid compound substituted with the amino group includes a plurality of carboxylic acid functional groups which are acidic functional groups in the alkali soluble resin, developability of the alkali soluble resin may be improved.

구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물과 고리형 불포화 이미드 화합물의 반응을 통해 제조된 알카리 가용성 수지는 KOH 적정에 의해 구해지는 산가(acid value)가 50 mgKOH/g 내지 250 mgKOH/g, 또는 70 mgKOH/g 내지 200 mgKOH/g일 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지의 산가를 측정하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 다음과 같은 방법을 사용할 수 있다. 베이스 용매(base solution)로서 0.1 N의 농도의 KOH 용액(용매: 메탄올)을 준비하고, 표지자(indicator)로는 알파-나프톨벤제인(alpha-naphtholbenzein)(pH: 0.8 ~ 8.2 yellow, 10.0 blue green)을 준비하였다. 이어서, 시료인 알카리 가용성 수지 약 1 내지 2 g을 채취하여 디메틸포름알데히드(DMF) 용매 50 g에 녹인 후에 표지자를 첨가한 후에 베이스 용매로 적정하였다. 적정 완료 시점에서 사용된 베이스 용매의 양으로 산가(acid value)를 mg KOH/g의 단위로 구하였다.Specifically, the alkali-soluble resin prepared by the reaction of the carboxylic acid compound substituted with the amino group with the cyclic unsaturated imide compound has an acid value obtained by KOH titration of 50 mgKOH / g to 250 mgKOH / g, Or 70 mgKOH / g to 200 mgKOH / g. Although the example of the method of measuring the acid value of the said alkali-soluble resin is not restrict | limited very much, For example, the following method can be used. Prepare a KOH solution (solvent: methanol) at a concentration of 0.1 N as a base solvent, and alpha-naphtholbenzein (pH: 0.8 to 8.2 yellow, 10.0 blue green) as an indicator. Was prepared. Subsequently, about 1 to 2 g of an alkali soluble resin as a sample was taken, dissolved in 50 g of dimethylformaldehyde (DMF) solvent, and then added with a marker, followed by titration with a base solvent. The acid value was determined in mg KOH / g by the amount of the base solvent used at the time of completion of the titration.

상기 알카리 가용성 수지의 산가가 50 mgKOH/g 미만으로 지나치게 감소할 경우, 상기 알카리 가용성 수지의 현상성이 낮아져 현상 공정을 진행하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 알카리 가용성 수지의 산가가 250 mgKOH/g 초과로 지나치게 증가할 경우, 극성 증대로 인해 다른 수지와의 상분리가 발생할 수 있다. When the acid value of the alkali-soluble resin is excessively reduced to less than 50 mgKOH / g, the developability of the alkali-soluble resin is low, it may be difficult to proceed with the development process. In addition, when the acid value of the alkali-soluble resin is excessively increased to more than 250 mgKOH / g, phase separation with other resin may occur due to increased polarity.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며, 상기 카복시산 화합물에 아미노기가 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치라면 한정되지 않으며, 치환되는 아미노기의 개수는 1이상일 수 있다.The term "substituted" means that another functional group is bonded instead of a hydrogen atom in the compound, and the position at which the amino group is substituted in the carboxylic acid compound is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, and the number of amino groups to be substituted is one or more. Can be.

상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물의 구체적인 예를 들면, 단백질의 원료로 알려진 20여종의 α-아미노산, 4-아미노부탄산, 5-아미노펜탄산, 6-아미노헥산산, 7-아미노헵탄산, 8-아미노옥탄산, 4-아미노벤조산, 4-아미노페닐아세트산, 4-아미노 시클로헥산 카복시산 등을 들 수 있다.Specific examples of the carboxylic acid compound substituted with the amino group include 20 kinds of α-amino acid, 4-aminobutanoic acid, 5-aminopentanoic acid, 6-aminohexanoic acid, 7-aminoheptanoic acid, 8, which are known as raw materials for proteins. -Aminooctanoic acid, 4-aminobenzoic acid, 4-aminophenylacetic acid, 4-amino cyclohexane carboxylic acid, etc. are mentioned.

또한, 상기 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물은 분자 내에 2이상의 아미노기(-NH2)를 포함한 화합물로서, 아미노기와 결합한 탄화수소의 종류에 따라 지방족, 지환족 또는 방향족 다관능 아민을 모두 포함할 수 있다. 상기 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물을 통해 상기 알카리 가용성 수지의 가요성, 인성, 동박밀착력 등이 향상될 수 있다.In addition, the polyfunctional amine compound including two or more amino groups is a compound containing two or more amino groups (-NH 2 ) in the molecule, and may include all aliphatic, alicyclic or aromatic polyfunctional amines depending on the type of hydrocarbon bonded to the amino group. have. Through the polyfunctional amine compound including two or more amino groups, flexibility, toughness, copper adhesion, etc. of the alkali-soluble resin may be improved.

상기 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물의 구체적인 예를 들면, 1,3-시클로헥산디아민, 1,4-시클로헥산디아민, 1,3-비스(아미노메틸)-시클로헥산, 1,4-비스(아미노메틸)-시클로헥산, 비스(아미노메틸)-노보넨, 옥타하이드로-4,7-메타노인덴-1(2), 5(6)-디메탄아민, 4,4'-메틸렌비스(시클로헥실아민), 4,4'-메틸렌비스(2-메틸시클로헥실아민), 이소포론디아민, 1,3-페닐렌디아민, 1,4-페닐렌디아민, 2,5-디메틸-1,4-페닐렌디아민, 2,3,5,6,-테트라메틸-1,4-페닐렌디아민, 2,4,5,6-테트라플루오로-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라플루오로-1,4-페닐렌디아민, 4,6-디아미노레조시놀, 2,5-디아미노-1,4-벤젠디티올, 3-아미노벤질아민, 4-아미노벤질아민, m-자일렌디아민, p-자일렌디아민, 1,5-디아미노나프탈렌, 2,7-디아미노플루오렌, 2,6-디아미노안트라퀴논, m-톨리딘, o-톨리딘, 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘 (TMB), o-디아니시딘, 4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린), 3,3'-디아미노벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-벤지딘, 4,4'-디아미노옥타플루오로비페닐, 4,4'-디아미노-p-터페닐, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄, 4,4'-메틸렌비스(2-에틸-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디에틸아닐린), 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-에틸렌디아닐린, 4,4'-디아미노-2,2'-디메틸비벤질, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 2,2'-비스(3-아미노페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-메틸페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-헥사플루오로프로판, α,α'-비스(4-아미노페닐)-1,4-디아이소프로필벤젠, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)-2-프로필]벤젠, 1,1'-비스(4-아미노페닐)-시클로헥산, 9,9'-비스(4-아미노페닐)-플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-클로로페닐)플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-메틸페닐)플루오렌,3,4'-디아미노디페닐에터, 4,4'-디아미노디페닐에터, 1,3-비스(3-아미노페녹시)-벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)-벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)-벤젠, 1,4-비스(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)-벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)-비페닐, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]프로판, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]헥사플루오로프로판, 비스(2-아미노페닐)설파이드, 비스(4-아미노페닐)설파이드, 비스(3-아미노페닐)설폰, 비스(4-아미노페닐)설폰, 비스(3-아미노-4-하이드록시)설폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)-페닐]설폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]설폰, o-톨리딘 설폰, 3,6-디아미노카바졸, 1,3,5-트리스(4-아미노페닐)-벤젠, 1,3-비스(3-아미노프로필)-테트라메틸디실록산, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 2-(3-아미노페닐)-5-아미노벤즈이미다졸, 2-(4-아미노페닐)-5-아미노벤족사졸, 1-(4-아미노페닐)-2,3-디하이드로-1,3,3-트리메틸-1H-인덴-5-아민, 4,6-디아미노레조시놀, 2,3,5,6-피리딘테트라아민, 신에츠 실리콘의 실록산 구조를 포함한 다관능 아민(PAM-E, KF-8010, X-22-161A, X-22-161B, KF-8012, KF-8008, X-22-1660B-3, X-22-9409), 다우코닝의 실록산 구조를 포함한 다관능 아민(Dow Corning 3055), 폴리에테르 구조를 포함한 다관능 아민(Huntsman사, BASF사) 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyfunctional amine compound containing two or more amino groups include 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1,3-bis (aminomethyl) -cyclohexane, and 1,4-bis (Aminomethyl) -cyclohexane, bis (aminomethyl) -norbornene, octahydro-4,7-methanoindene-1 (2), 5 (6) -dimethanamine, 4,4'-methylenebis ( Cyclohexylamine), 4,4'-methylenebis (2-methylcyclohexylamine), isophoronediamine, 1,3-phenylenediamine, 1,4-phenylenediamine, 2,5-dimethyl-1,4 -Phenylenediamine, 2,3,5,6, -tetramethyl-1,4-phenylenediamine, 2,4,5,6-tetrafluoro-1,3-phenylenediamine, 2,3,5 , 6-tetrafluoro-1,4-phenylenediamine, 4,6-diaminoresosinol, 2,5-diamino-1,4-benzenedithiol, 3-aminobenzylamine, 4-aminobenzyl Amines, m-xylenediamine, p-xylenediamine, 1,5-diaminonaphthalene, 2,7-diaminofluorene, 2,6-diaminoanthraquinone, m-tolidine, o-tolidine, 3 , 3 ', 5,5'-tetramethylbenzidine (TMB), o-diazinidine, 4,4'-methylenebis (2-chloroaniline), 3,3'-diaminobenzidine, 2,2'- Bis (trifluoromethyl) -benzidine, 4,4'-diaminooctafluorobiphenyl, 4,4'-diamino-p-terphenyl, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4 ' -Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane, 4,4'-methylenebis (2-ethyl-6- Methylaniline), 4,4'-methylenebis (2,6-diethylaniline), 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-ethylenedianiline, 4,4'-diamino-2,2'-dimethylbibenzyl, 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2'-bis (3-aminophenyl) -hexa Fluoropropane, 2,2'-bis (4-aminophenyl) -hexafluoropropane, 2,2'-bis (3-amino-4-methylphenyl) -hexafluoropropane, 2,2'-bis ( 3-amino-4-hydroxyphenyl) -hexafluoropropane, α, α'-bis (4-aminophenyl) -1,4 Diisopropylbenzene, 1,3-bis [2- (4-aminophenyl) -2-propyl] benzene, 1,1'-bis (4-aminophenyl) -cyclohexane, 9,9'-bis ( 4-aminophenyl) -fluorene, 9,9'-bis (4-amino-3-chlorophenyl) fluorene, 9,9'-bis (4-amino-3-fluorophenyl) fluorene, 9, 9'-bis (4-amino-3-methylphenyl) fluorene, 3,4'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminodiphenylether, 1,3-bis (3-aminophenoxy C) -benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) -benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) -benzene, 1,4-bis (4-amino-2-trifluoro Methylphenoxy) -benzene, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) -biphenyl, 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) -phenyl] propane, 2,2'- Bis [4- (4-aminophenoxy) -phenyl] hexafluoropropane, bis (2-aminophenyl) sulfide, bis (4-aminophenyl) sulfide, bis (3-aminophenyl) sulfone, bis (4- Aminophenyl) sulfone, bis (3-amino-4-hydroxy) sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) -phen ] Sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) -phenyl] sulfone, o-tolidine sulfone, 3,6-diaminocarbazole, 1,3,5-tris (4-aminophenyl) -benzene, 1,3-bis (3-aminopropyl) -tetramethyldisiloxane, 4,4'-diaminobenzanilide, 2- (3-aminophenyl) -5-aminobenzimidazole, 2- (4-aminophenyl ) -5-aminobenzoxazole, 1- (4-aminophenyl) -2,3-dihydro-1,3,3-trimethyl-1H-inden-5-amine, 4,6-diaminoresosinol, 2,3,5,6-pyridinetetraamine, polyfunctional amines including siloxane structure of Shin-Etsu Silicone (PAM-E, KF-8010, X-22-161A, X-22-161B, KF-8012, KF-8008 , X-22-1660B-3, X-22-9409), polyfunctional amines including Dow Corning siloxane structure (Dow Corning 3055), polyfunctional amines including polyether structure (Huntsman, BASF), etc. Can be.

또한, 상기 알카리 가용성 수지는 하기 화학식3으로 표시되는 반복단위; 및 하기 화학식4로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함할 수 있다.In addition, the alkali-soluble resin is a repeating unit represented by the following formula (3); And at least one repeating unit represented by Formula 4 below.

[화학식3][Formula 3]

Figure 112017103742188-pat00003
Figure 112017103742188-pat00003

상기 화학식3에서, R2는 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, "*"는 결합지점을 의미하고,In Formula 3, R 2 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and “*” means a bonding point,

[화학식4][Formula 4]

Figure 112017103742188-pat00004
Figure 112017103742188-pat00004

상기 화학식4에서, R3는 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, R4는 -H, -OH, -NR5R6, 할로겐, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며, 상기 R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기일 수 있고, "*"는 결합지점을 의미한다.In Formula 4, R 3 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and R 4 is —H, —OH, or —NR 5 R 6 , a halogen, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, wherein R 5 and R 6 may each independently be hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and "*" represents a point of attachment. it means.

바람직하게는 상기 화학식3에서 R2는 페닐렌이고, 상기 화학식4에서, R3는 페닐렌이며, R4는 -OH일 수 있다.Preferably, in Formula 3, R 2 is phenylene, in Formula 4, R 3 is phenylene, and R 4 may be -OH.

한편, 상기 알카리 가용성 수지는 상기 화학식3으로 표시되는 반복단위; 및 상기 화학식4로 표시되는 반복단위 이외에 추가로 비닐계 반복단위를 더 포함할 수 있다. 상기 비닐계 반복단위는 분자내에 적어도 1이상의 비닐기를 포함하는 비닐계 단량체의 단독중합체에 포함되는 반복단위로서, 상기 비닐계 단량체의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌, 부타디엔, 스티렌, 아크릴산, 메타아크릴산, 무수말레인산, 또는 말레이미드 등을 들 수 있다.On the other hand, the alkali-soluble resin is a repeating unit represented by the formula (3); And in addition to the repeating unit represented by Formula 4 may further include a vinyl-based repeating unit. The vinyl repeating unit is a repeating unit included in a homopolymer of a vinyl monomer including at least one vinyl group in a molecule, and examples of the vinyl monomer are not particularly limited. For example, ethylene, propylene, isobutylene , Butadiene, styrene, acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride, maleimide and the like.

상술한 화학식3으로 표시되는 반복단위; 및 화학식3으로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함하는 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 5로 표시되는 반복단위를 포함한 중합체, 하기 화학식 6으로 표시되는 아민, 및 하기 화학식 7로 표시되는 아민의 반응으로 제조될 수 있다.A repeating unit represented by Formula 3 above; And an alkali-soluble resin each containing at least one or more repeating units represented by Formula 3 may include a polymer including a repeating unit represented by Formula 5 below, an amine represented by Formula 6 below, and an amine represented by Formula 7 below: Can be prepared.

[화학식5][Formula 5]

Figure 112017103742188-pat00005
Figure 112017103742188-pat00005

[화학식6][Formula 6]

Figure 112017103742188-pat00006
Figure 112017103742188-pat00006

[화학식7][Formula 7]

Figure 112017103742188-pat00007
Figure 112017103742188-pat00007

상기 화학식 5 내지 7에서, R2 내지 R4는 상기 화학식3, 4에서 상술한 내용과 동일하며, "*"는 결합지점을 의미한다.In Chemical Formulas 5 to 7, R 2 to R 4 are the same as described above in Chemical Formulas 3 and 4, and "*" means a bonding point.

상기 화학식 5로 표시되는 반복단위를 포함한 중합체의 구체적인 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, Cray valley사의 SMA, Polyscope사의 Xiran, Solenis사의 Scripset, Kuraray사의 Isobam, Chevron Phillips Chemical사의 Polyanhydride resin, Lindau Chemicals사의 Maldene 등을 들 수 있다. Specific examples of the polymer including the repeating unit represented by Formula 5 are not particularly limited, but for example, Cray valley SMA, Polyscope Xiran, Solenis Scripset, Kuraray Isobam, Chevron Phillips Chemical Polyanhydride resin, Lindau Chemicals Maldene etc. of the company can be mentioned.

또한, 상술한 화학식3으로 표시되는 반복단위; 및 화학식3으로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함하는 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 8로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 9로 표시되는 화합물의 반응으로 제조될 수 있다.In addition, the repeating unit represented by the above formula (3); And alkali-soluble resins each including at least one or more repeating units represented by Formula 3 may be prepared by the reaction of a compound represented by Formula 8 and a compound represented by Formula 9.

[화학식8][Formula 8]

Figure 112017103742188-pat00008
Figure 112017103742188-pat00008

[화학식9][Formula 9]

Figure 112017103742188-pat00009
Figure 112017103742188-pat00009

상기 화학식 8 내지 9에서, R2 내지 R4는 상기 화학식3, 4에서 상술한 내용과 동일하다.In Chemical Formulas 8 to 9, R 2 to R 4 are the same as described above in Chemical Formulas 3 and 4.

또한, 상기 알카리 가용성 수지는 분자 중에 카르복시기 또는 페놀기를 함유하고 있는 공지 관용의 카르복시기 함유 수지 또는 페놀기 함유 수지를 사용할 수 있다. 바람직하게는 상기 카르복시기 함유 수지 또는 상기 카르복시기 함유 수지에 페놀기 함유 수지를 혼합하여 사용할 수 있다.In addition, the said alkali-soluble resin can use the well-known conventional carboxyl group-containing resin or phenol group containing resin which contains a carboxyl group or a phenol group in a molecule | numerator. Preferably, a phenol group containing resin can be mixed and used for the said carboxyl group-containing resin or the said carboxyl group-containing resin.

상기 카르복시기 함유 수지의 예로는 하기 열거하는 (1) 내지 (7)의 수지를 들 수 있다.As an example of the said carboxyl group-containing resin, resin of (1)-(7) enumerated below is mentioned.

(1) 다관능 에폭시 수지에 포화 또는 불포화 모노카르복시기를 반응시킨 후, 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지,(1) carboxyl group-containing resin obtained by making a polyfunctional epoxy resin react with saturated or unsaturated monocarboxyl group, and then making polybasic acid anhydride react,

(2) 2관능 에폭시 수지에 2관능 페놀, 및(또는) 디카르복시기를 반응시킨 후 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지,(2) a carboxyl group-containing resin obtained by reacting a bifunctional phenol and / or a dicarboxyl group with a bifunctional epoxy resin, followed by reacting a polybasic anhydride,

(3) 다관능 페놀 수지에 분자 내에 1개의 에폭시기를 갖는 화합물을 반응시킨 후 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지,(3) carboxyl group-containing resin obtained by making a polyfunctional phenol resin react with the compound which has one epoxy group in a molecule | numerator, and then reacting polybasic acid anhydride,

(4) 분자 내에 2개 이상의 알코올성 수산기를 갖는 화합물에 다염기산 무수물을 반응시켜 이루어지는 카르복시기 함유 수지 (4) Carboxyl group-containing resin formed by making polybasic acid anhydride react with the compound which has two or more alcoholic hydroxyl groups in a molecule | numerator.

(5) 디아민(diamine)과 디안하이드라이드(dianhydride)를 반응시킨 폴리아믹산 수지 또는 폴리아믹산 수지의 공중합체 수지(5) Polyamic acid resin or copolymer resin of polyamic acid resin which reacted diamine and dianhydride

(6) 아크릴산을 반응시킨 폴리아크릴산 수지 또는 폴리아크릴산 수지의 공중합체(6) polyacrylic acid resin or copolymer of polyacrylic acid resin reacted with acrylic acid

(7) 말레산무수물을 반응시킨 폴리말레산무수물 수지 및 폴리말레산무수물 수지 공중합체의 무수물을 약산, 디아민, 이미다졸(imidazole), 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide)로 개환시켜 제조한 수지 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.(7) resins prepared by ring opening anhydrides of polymaleic anhydride resins and polymaleic anhydride resin copolymers reacted with maleic anhydride with weak acids, diamines, imidazoles, and dimethyl sulfoxides; Although it is mentioned, it is not limited to these.

상기 카르복시기 함유 수지의 보다 구체적인 예로는 일본화약의 CCR-1291H, 신아 T&C의 SHA-1216CA60, Lubrizol의 Noverite K-700 또는 이들의 2종 이상의 혼합물 등을 들 수 있다.More specific examples of the carboxyl group-containing resin include CCR-1291H from Nippon Kayaku Co., SHA-1216CA60 from Shina T & C, Noverite K-700 from Lubrizol, or a mixture of two or more thereof.

상기 페놀기 함유 수지의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀F(BPF) 노볼락 수지 등의 노볼락 수지 또는 4,4'-(1-(4-(2-(4-하이드록시페닐)프로판-2-일)페닐)에탄-1,1-다이일)다이페놀 [4,4'-(1-(4-(2-(4-Hydroxyphenyl)propan-2-yl)phenyl)ethane-1,1-diyl)diphenol]등의 비스페놀 A계 수지를 각각 단독으로 사용하거나 혼합하여 사용할 수 있다.Although the example of the said phenol group containing resin is not restrict | limited greatly, For example, novolak resins, such as a phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol F (BPF) novolak resin, or 4,4 '-(1- (4 -(2- (4-hydroxyphenyl) propan-2-yl) phenyl) ethane-1,1-diyl) diphenol [4,4 '-(1- (4- (2- (4-Hydroxyphenyl) bisphenol A resins such as propan-2-yl) phenyl) ethane-1,1-diyl) diphenol] may be used alone or in combination.

상기 고분자 수지층은 열경화 촉매, 무기 필러, 레벨링제, 분산제, 이형제 및 금속 밀착력 증진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.The polymer resin layer may further include at least one additive selected from the group consisting of a thermosetting catalyst, an inorganic filler, a leveling agent, a dispersant, a mold release agent, and a metal adhesion promoter.

상기 열경화성 촉매는 열경화성 바인더의 열경화를 촉진시키는 역할을 한다. 상기 열경화성 촉매로서는, 예를 들면 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 4-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-에틸-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 유도체; 디시안디아미드, 벤질디메틸아민, 4-(디메틸아미노)-N,N-디메틸벤질아민, 4-메톡시-N,N-디메틸벤질아민, 4-메틸-N,N-디메틸벤질아민 등의 아민 화합물; 아디프산 디히드라지드, 세박산 디히드라지드 등의 히드라진 화합물; 트리페닐포스핀 등의 인 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 시판되고 있는 것으로서는, 예를 들면 시코쿠 가세이 고교사 제조의 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4BHZ, 2P4MHZ(모두 이미다졸계 화합물의 상품명), 산아프로사 제조의 U-CAT3503N, UCAT3502T(모두 디메틸아민의 블록이소시아네이트 화합물의 상품명), DBU, DBN, U-CATS A102, U-CAT5002(모두 이환식 아미딘 화합물 및 그의 염) 등을 들 수 있다. 특히 이들에 한정되는 것이 아니고, 에폭시 수지나 옥세탄 화합물의 열경화 촉매, 또는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기와 카르복시기의 반응을 촉진하는 것일 수 있고, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한, 구아나민, 아세토구아나민, 벤조구아나민, 멜라민, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-S-트리아진, 2-비닐-4,6-디아미노-S-트리아진, 2-비닐-4,6-디아미노-S-트리아진-이소사아누르산 부가물, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-S-트리아진-이소사아누르산 부가물 등의 S-트리아진 유도체를 이용할 수도 있고, 바람직하게는 이들 밀착성 부여제로서도 기능하는 화합물을 상기 열경화성 촉매와 병용할 수 있다. The thermosetting catalyst serves to promote thermosetting of the thermosetting binder. As said thermosetting catalyst, for example, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4-phenylimidazole, Imidazole derivatives such as 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole and 1- (2-cyanoethyl) -2-ethyl-4-methylimidazole; Amines such as dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4- (dimethylamino) -N, N-dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N, N-dimethylbenzylamine, 4-methyl-N, N-dimethylbenzylamine compound; Hydrazine compounds such as adipic dihydrazide and sebacic acid dihydrazide; Phosphorus compounds, such as a triphenylphosphine, etc. are mentioned. Moreover, as what is marketed, 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4BHZ, 2P4MHZ (all are brand names of an imidazole compound) by the Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., U-CAT3503N and UCAT3502T by San Apro Corporation (All are brand names of block isocyanate compounds of dimethylamine), DBU, DBN, U-CATS A102, U-CAT5002 (both bicyclic amidine compounds and salts thereof), and the like. It is not specifically limited to these, It may be the thing which accelerates reaction of the thermosetting catalyst of an epoxy resin or an oxetane compound, or an epoxy group and / or an oxetanyl group, and a carboxyl group, It can also be used individually or in mixture of 2 or more types. . Also, guanamine, acetoguanamine, benzoguanamine, melamine, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-tri Azine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-triazine-isosaururic acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine-isosaanuric acid S-triazine derivatives, such as an adduct, can also be used, Preferably, the compound which also functions as these adhesive imparting agents can be used together with the said thermosetting catalyst.

상기 무기 필러의 예로는 실리카, 황산바륨, 티탄산바륨, 탈크, 클레이, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 산화알루미늄, 수산화알루미늄, 마이카 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다.Examples of the inorganic filler include silica, barium sulfate, barium titanate, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, mica or a mixture of two or more thereof.

상기 무기필러의 함량의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 상기 고분자 수지층의 높은 강성을 달성하기 위해, 고분자 수지층 내 포함된 모든 수지 성분 100 중량부에 대하여, 상기 무기필러를 100 중량부 이상, 또는 100 중량부 내지 600 중량부, 또는 100 중량부 내지 500 중량부로 첨가할 수 있다.Examples of the content of the inorganic filler are not particularly limited, but in order to achieve high rigidity of the polymer resin layer, the inorganic filler may be 100 parts by weight or more, based on 100 parts by weight of all the resin components included in the polymer resin layer, or 100 parts by weight to 600 parts by weight, or 100 parts by weight to 500 parts by weight may be added.

상기 이형제의 예로는, 저분자량 폴리프로필렌, 저분자량 폴리에틸렌 등의 폴리알킬렌 왁스, 에스테르 왁스, 카르나우바(carnauba) 왁스, 파라핀 왁스 등을 들 수 있다.Examples of the release agent include polyalkylene waxes such as low molecular weight polypropylene and low molecular weight polyethylene, ester wax, carnauba wax, paraffin wax and the like.

상기 금속 밀착력 증진제는 금속소재의 표면 변질이나 투명성에 문제를 발생시키지 않는 물질, 예를 들어, 실란 커플링제 또는 유기금속 커플링제 등을 사용할 수 있다.The metal adhesion promoter may be a material that does not cause problems in surface alteration or transparency of the metal material, for example, a silane coupling agent or an organometallic coupling agent.

상기 레벨링제는 필름 코팅시 표면의 팝핑이나 크레이터를 제거하는 역할을 하며, 예를 들어 BYK-Chemie GmbH의 BYK-380N, BYK-307, BYK-378, BYK-350 등을 사용할 수 있다.The leveling agent serves to remove the popping or crater of the surface when the film coating, for example, BYK-380N, BYK-307, BYK-307, BYK-378, BYK-350 of BYK-Chemie GmbH may be used.

또한, 상기 고분자 수지층은 상분리를 유발할 수 있는 분자량 5000 g/mol이상인 수지 또는 엘라스토머를 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 고분자 수지층의 경화물의 조화처리가 가능할 수 있다. 상기 분자량 5000 g/mol 이상의 수지 또는 엘라스토머의 분자량 측정방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 의미한다. 상기 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 측정하는 과정에서는, 통상적으로 알려진 분석 장치와 시차 굴절 검출기(Refractive Index Detector) 등의 검출기 및 분석용 컬럼을 사용할 수 있으며, 통상적으로 적용되는 온도 조건, 용매, flow rate를 적용할 수 있다. 상기 측정 조건의 구체적인 예로, 30의 온도, 클로로포름 용매(Chloroform) 및 1 mL/min의 flow rate를 들 수 있다.In addition, the polymer resin layer may further include a resin or elastomer having a molecular weight of 5000 g / mol or more that can cause phase separation. Accordingly, the roughening treatment of the cured product of the polymer resin layer may be possible. Examples of the molecular weight measuring method of the resin or the elastomer having a molecular weight of 5000 g / mol or more are not particularly limited, and for example, the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the GPC method is meant. In the process of measuring the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the GPC method, it is possible to use a detector and an analytical column, such as a conventionally known analytical device, a differential index detector, and the like. Conditions, solvents and flow rates can be applied. Specific examples of the measurement conditions include a temperature of 30, a chloroform solvent and a flow rate of 1 mL / min.

또한, 상기 고분자 수지층은 상기 고분자 수지층에 광경화성 성질을 부여하기 위하여, 광반응성 불포화기를 포함하는 열경화성 바인더 또는 광반응성 불포화기를 포함하는 알카리 가용성 수지와 광개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 광반응성 불포화기를 포함하는 열경화성 바인더, 광반응성 불포화기를 포함하는 알카리 가용성 수지 및 광개시제의 구체적인 예는 크게 한정되지 않으며, 광경화성 수지 조성물 관련 기술분야에서 사용되는 다양한 화합물을 제한 없이 사용할 수 있다.In addition, the polymer resin layer may further include an alkali-soluble resin including a thermosetting binder or a photoreactive unsaturated group and a photoinitiator in order to impart photocurable properties to the polymer resin layer. Specific examples of the thermosetting binder including the photoreactive unsaturated group, the alkali-soluble resin including the photoreactive unsaturated group and the photoinitiator are not particularly limited, and various compounds used in the art related to the photocurable resin composition may be used without limitation.

상기 고분자 수지층에 함유된 광개시제의 함량이 전체 고분자 수지층 중량 대비 0.01 중량% 이하일 수 있다. 상기 고분자 수지층에 함유된 광개시제의 함량이 전체 고분자 수지층 중량 대비 0.01 중량% 이하라 함은, 상기 고분자 수지층에 함유된 광개시제의 함량이 매우 미미하거나, 광개시제가 전혀 포함되지 않음을 의미할 수 있다. 이에 따라, 광개시제에 의해 발생가능한 절연층이나 도전층과의 계면 탈착성이 감소할 수 있어, 절연층의 접착성 및 내구성이 향상될 수 있다.The content of the photoinitiator contained in the polymer resin layer may be 0.01% by weight or less based on the total weight of the polymer resin layer. When the content of the photoinitiator contained in the polymer resin layer is less than 0.01% by weight based on the total weight of the polymer resin layer, the content of the photoinitiator contained in the polymer resin layer may be very insignificant or may not include any photoinitiator. . Accordingly, the interface detachability with the insulating layer or the conductive layer which can be generated by the photoinitiator can be reduced, and the adhesion and durability of the insulating layer can be improved.

또한, 상기 일 구현예의 절연층 제조방법은 상기 고분자 수지층을 1차 경화시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 고분자 수지층을 경화하는 단계에서, 구체적인 경화방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 열경화 또는 광경화 방법을 모두 제한없이 사용할 수 있다.In addition, the insulating layer manufacturing method of the embodiment may include the step of first curing the polymer resin layer. In the step of curing the polymer resin layer, examples of the specific curing method is not particularly limited, and any thermosetting or photocuring method may be used without limitation.

상기 1차 경화단계를 통해, 상기 고분자 수지층 내에서 에스터 결합을 포함하는 주쇄가 형성될 수 있다. 상기 에스터 결합의 예를 들면, 아크릴산이 에스터 결합되어 있는 아크릴 수지를 통해 광경화하거나, 카복시산과 에폭시의 반응으로 에스터 결합이 형성되도록 열경화하는 방법을 들 수 있다.Through the first curing step, a main chain including an ester bond may be formed in the polymer resin layer. As an example of the said ester bond, the method of photocuring through acrylic resin in which acrylic acid is ester-bonded, or thermosetting so that ester bond may be formed by reaction of carboxylic acid and an epoxy is mentioned.

이때 구체적인 열경화 조건이 한정되는 것은 아니며, 후술하는 고분자 수지층의 식각 방법에 따라 바람직한 조건을 조절하여 진행할 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트 박리액을 처리하여 고분자 수지층을 식각하는 경우, 상기 고분자 수지층의 1차 경화 단계는 50 ℃ 내지 150 ℃의 온도에서 0.1 시간 내지 2시간 동안 진행할 수 있다. 상기 고분자 수지층의 열경화 온도가 지나치게 낮거나, 열경화 시간이 짧게되면 박리액에 의해 고분자 수지층이 과도하게 손상받을 수 있고, 상기 고분자 수지층의 열경화 온도가 높거나, 열경화 시간이 길어지게되면 박리액에 의한 고분자 수지층의 식각이 진행되기 어려울 수 있다.At this time, specific thermosetting conditions are not limited, and may be performed by adjusting preferred conditions according to the etching method of the polymer resin layer described later. For example, when the photoresist stripper is treated to etch the polymer resin layer, the first curing step of the polymer resin layer may be performed at a temperature of 50 ° C. to 150 ° C. for 0.1 hour to 2 hours. When the thermosetting temperature of the polymer resin layer is too low or the thermosetting time is short, the polymer resin layer may be excessively damaged by the stripping solution, the thermosetting temperature of the polymer resin layer is high, or the thermosetting time is high. If it becomes longer, the etching of the polymer resin layer by the stripping solution may be difficult to proceed.

또한, 상기 일 구현예의 절연층 제조방법은 상기 경화된 고분자 수지층 표면을 알카리 수용액으로 식각하여 금속 돌기를 노출시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 경화된 고분자 수지층 표면을 알카리 수용액으로 식각하여 금속 돌기를 노출시킴에 따라, 상기 노출된 금속 돌기를 통해 경화된 고분자 수지층 내부에 밀봉된 도체 배선과 전기적 신호를 연결할 수 있다.In addition, the insulating layer manufacturing method of the embodiment may include the step of etching the surface of the cured polymer resin layer with an aqueous alkali solution to expose the metal projections. As the surface of the cured polymer resin layer is etched with an aqueous alkali solution to expose the metal protrusions, electrical signals may be connected to the conductor wiring sealed inside the cured polymer resin layer through the exposed metal protrusions.

상술한 금속 돌기의 노출은 알카리 수용액에 의한 식각을 통해 진행될 수 있다. 상기 알카리 수용액은 10 ℃ 내지 100 ℃, 또는 25 ℃ 내지 60 ℃ 온도 및 1% 내지 10%, 또는 1% 내지 5%의 농도를 가질 수 있으며, 보다 구체적으로는 포토레지스트 박리액을 사용할 수 있다. 상기 알카리 수용액은 상기 1차경화를 통해 에스터 결합을 포함한 주쇄가 형성된 고분자 수지층 내에서 에스터 결합을 끊어냄으로서 고분자 수지층을 식각 제거할 수 있다. 이때, 상기 알카리 수용액의 농도 및 온도를 조절함으로써, 알카리 수용액에 의한 고분자 수지층의 식각 속도를 제어할 수 있고, 상술한 범위 내에서 적정 수준의 식각 속도를 유지하여 공정 효율성을 확보하면서도 용이하게 고분자 수지층의 두께를 조절할 수 있다.The exposure of the metal protrusions described above may be performed through etching with an aqueous alkali solution. The alkaline aqueous solution may have a temperature of 10 ° C to 100 ° C, or 25 ° C to 60 ° C and a concentration of 1% to 10%, or 1% to 5%, and more specifically, a photoresist stripping solution may be used. The alkaline aqueous solution may etch away the polymer resin layer by breaking the ester bond in the polymer resin layer in which the main chain including the ester bond is formed through the primary curing. At this time, by controlling the concentration and temperature of the alkaline aqueous solution, it is possible to control the etching rate of the polymer resin layer by the alkaline aqueous solution, while maintaining the etching rate of the appropriate level within the above range to ensure the process efficiency easily polymer The thickness of the resin layer can be adjusted.

상기 알카리 수용액은 수산화칼륨, 수산화나트륨 등의 금속 수산화물의 수용액을 사용할 수 있으며, Atotech사의 Resistrip 제품군, 오알켐사의 ORC-731, ORC-723K, ORC-740, SLF-6000 등 상용으로 판매하는 제품도 사용이 가능하다.The alkaline aqueous solution may be an aqueous solution of a metal hydroxide such as potassium hydroxide and sodium hydroxide, and may also be used for commercially available products such as Atotech's Resistrip product group, Oalchem's ORC-731, ORC-723K, ORC-740, and SLF-6000. This is possible.

상기 알카리 수용액에 의한 식각은 상기 경화된 고분자 수지층 표면에서부터 진행될 수 있다. 상기 경화된 고분자 수지층 표면은 표면에 금속돌기가 형성된 도체 배선을 밀봉하고 있는 고분자 수지층이 공기중과 접촉하는 면적을 의미하며, 상기 경화된 고분자 수지층 표면에서부터 표면에 금속돌기가 형성된 도체 배선을 밀봉하는 고분자 수지층 내부로 식각이 진행됨에 따라, 금속돌기가 노출될 수 있다.Etching by the alkaline aqueous solution may proceed from the surface of the cured polymer resin layer. The cured polymer resin layer surface refers to an area in which the polymer resin layer sealing the conductor wiring with metal protrusions on the surface is in contact with air, and the conductor wiring with metal protrusions formed on the surface from the cured polymer resin layer surface. As the etching proceeds into the polymer resin layer sealing the metal protrusions, the metal protrusions may be exposed.

상기 알카리 수용액에 의한 식각이 상기 경화된 고분자 수지층 표면에서부터 진행되기 위하여, 상기 알카리 수용액은 상기 경화된 고분자 수지층 표면에 접촉될 수 있다. 이 때, 고분자 수지층의 물리적 손상 없이 균일한 제거로 두께 균일성을 확보하기 위하여, 상기 알카리 수용액은 스프레이를 통한 분사 등의 방법을 통해 고분자 수지층 표면으로 접촉시킬 수 있다.In order for the etching by the aqueous alkali solution to proceed from the surface of the cured polymer resin layer, the alkali aqueous solution may contact the surface of the cured polymer resin layer. In this case, in order to ensure thickness uniformity by uniform removal without physical damage to the polymer resin layer, the alkaline aqueous solution may be contacted to the surface of the polymer resin layer through a method such as spraying through a spray.

또한, 상기 일 구현예의 절연층 제조방법은 상기 금속 돌기가 노출된 상태에서, 고분자 수지층을 2차 경화시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 2차 경화단계를 통해, 상기 2차 경화단계를 통해 최종 제조되는 절연층의 화학적 내저항성이 향상될 수 있다.In addition, the insulating layer manufacturing method of the embodiment may include the step of second curing the polymer resin layer in a state in which the metal projection is exposed. Through the secondary curing step, the chemical resistance of the insulating layer finally manufactured through the secondary curing step can be improved.

이때 구체적인 경화 조건이 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 상기 고분자 수지층의 2차 경화 단계는 150 ℃ 내지 250 ℃ 의 온도에서 0.1 시간 내지 2시간 동안 진행할 수 있다.At this time, specific curing conditions are not limited, and for example, the secondary curing step of the polymer resin layer may be performed at a temperature of 150 ° C. to 250 ° C. for 0.1 hour to 2 hours.

한편, 상기 금속 돌기가 노출된 상태에서, 고분자 수지층을 2차 경화시키는 단계 이후에, 필요에 따라, 도체 배선 하부에 형성된 기재를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 도체 배선은 하부에 회로기판, 시트, 다층 프린트 배선판 등의 반도체 재료를 포함한 기재 상에 형성된 상태로 존재할 수 있다. 보다 미세한 구조의 다층 회로기판 형성을 위하여, 필요에 따라, 도체 배선 하부의 기재를 제거할 수 있으며, 상기 기재는 고분자 수지층과 접착 혹은 점착된 상태로 존재하여, 물리적으로 박리하여 제거될 수 있다.On the other hand, after the second step of curing the polymer resin layer in a state where the metal protrusions are exposed, if necessary, further comprising the step of removing the substrate formed under the conductor wiring. As described above, the conductor wiring may be present in a state formed on a substrate including a semiconductor material such as a circuit board, a sheet, a multilayer printed wiring board, and the like. In order to form a multilayer circuit board having a finer structure, the substrate under the conductor wiring may be removed, if necessary, and the substrate may be in an adhesive or adhered state with the polymer resin layer and may be physically peeled off. .

한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 일 구현예에서 제조된 절연층 상에 패턴이 형성된 금속 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 다층인쇄회로기판 제조방법이 제공될 수 있다. Meanwhile, according to another embodiment of the present invention, a method of manufacturing a multilayer printed circuit board including forming a metal pattern layer having a pattern formed on the insulating layer manufactured in the above embodiment may be provided.

본 발명자들은 상기 일 구현예에서 제조된 절연층은 내부에 표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선을 포함하며, 상기 금속돌기가 절연층 외부로 노출되어, 상기 절연층 상에 금속 패턴층을 새로 적층할 경우, 상기 금속 패턴층이 금속 돌기를 통해 절연층 내부의 도체 배선과 전기적 신호를 주고받을 수 있다는 것을 확인하고 발명을 완성하였다. The inventors of the present invention provide the insulating layer manufactured in the above embodiment includes a conductor wiring having metal protrusions formed on a surface thereof, and the metal protrusions are exposed to the outside of the insulating layer to newly stack the metal pattern layer on the insulating layer. In this case, it was confirmed that the metal pattern layer can exchange electrical signals with the conductor wiring inside the insulating layer through the metal protrusions, and completed the invention.

상기 절연층은 다층인쇄회로기판의 층간 절연재료로 사용될 수 있으며, 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더의 경화물, 구체적으로 열경화물 또는 광경화물을 포함할 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더에 관한 내용은 상기 일구현예에서 상술한 내용을 포함한다. The insulating layer may be used as an interlayer insulating material of a multilayer printed circuit board, and may include a cured product of an alkali-soluble resin and a thermosetting binder, specifically, a thermosetting or photocuring material. The content of the alkali-soluble resin and the thermosetting binder includes the content described above in the embodiment.

보다 구체적인 상기 절연층 상에 금속 패턴층을 형성하는 단계의 예를 들면, 상기 절연층 상에 금속박막을 형성하는 단계; 상기 금속박막 상에 패턴이 형성된 감광성 수지층을 형성하는 단계; 상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막 상에 금속을 증착시키는 단계; 및 상기 감광성 수지층을 제거하고, 노출된 금속박막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.For example, forming a metal pattern layer on the more insulating layer, forming a metal thin film on the insulating layer; Forming a photosensitive resin layer having a pattern formed on the metal thin film; Depositing a metal on the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern; And removing the photosensitive resin layer and removing the exposed metal thin film.

상기 절연층 상에 금속박막을 형성하는 단계에서, 금속 박막의 형성방법의 예로는 건식증착공정 또는 습식증착공정을 들 수 있으며, 구체적인 상기 건식증착공정의 예로는 진공증착, 이온 플레이팅, 스퍼터링 방법 등을 들 수 있다. In the forming of the metal thin film on the insulating layer, examples of the metal thin film forming method may include a dry deposition process or a wet deposition process. Examples of the specific dry deposition process include vacuum deposition, ion plating, and sputtering methods. Etc. can be mentioned.

한편, 구체적인 상기 습식증착공정의 예로는, 다양한 금속의 무전해 도금 등이 있으며, 무전해 구리 도금이 일반적이고, 증착 이전 또는 이후에 조화처리공정을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, specific wet deposition processes include electroless plating of various metals, and electroless copper plating is common, and may further include a roughening process before or after deposition.

상기 조화처리 공정에도 조건에 따라 건식 및 습식방법이 있으며, 상기 건식 방법의 예로는 진공, 상압, 기체별 플라즈마 처리, 기체별 Excimer UV처리 등을 들 수 있고, 상기 습식방법의 예로는, 디스미어 처리를 사용할 수 있다. 이러한 조화처리 공정을 통해, 상기 금속 박막의 표면조도를 높여 금속박막 상에 증착되는 금속과의 밀착력을 향상시킬 수 있다.The roughening process also includes dry and wet methods depending on conditions. Examples of the dry method include vacuum, atmospheric pressure, plasma treatment by gas, and gas treatment by Excimer UV. Examples of the wet method include desmear. Processing can be used. Through such a roughening process, the surface roughness of the metal thin film may be increased to improve adhesion to the metal deposited on the metal thin film.

또한, 상기 절연층 상에 금속박막을 형성하는 단계는 상기 금속 박막을 증착하기 전에 상기 절연층 상에 표면처리층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이를 통해, 상기 금속박막과 절연층간의 접착력이 향상될 수 있다.The forming of the metal thin film on the insulating layer may further include forming a surface treatment layer on the insulating layer before depositing the metal thin film. Through this, the adhesion between the metal thin film and the insulating layer can be improved.

구체적으로 상기 절연층 상에 표면처리층을 형성하는 방법의 일례를 들면, 이온보조 반응법, 이온빔 처리법, 플라즈마 처리법 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다. 플라즈마 처리법은 상압 플라즈마 처리법, DC 플라즈마 처리법, RF 플라즈마 처리법 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 표면 처리 공정의 결과, 상기 절연층의 표면에 반응성 작용기를 포함하는 표면 처리 층이 형성될 수 있다. 상기 절연층 상에 표면처리층을 형성하는 방법의 또다른 예로는, 상기 절연층 표면에 50㎚ 내지 300㎚ 두께의 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 금속을 증착하는 방법을 들 수 있다. Specifically, as an example of a method of forming a surface treatment layer on the insulating layer, at least one of an ion assist reaction method, an ion beam treatment method, and a plasma treatment method may be used. The plasma treatment method may include any one of an atmospheric pressure plasma treatment method, a DC plasma treatment method, and an RF plasma treatment method. As a result of the surface treatment process, a surface treatment layer including a reactive functional group may be formed on the surface of the insulating layer. As another example of a method for forming a surface treatment layer on the insulating layer, a method of depositing 50 nm to 300 nm of chromium (Cr) and titanium (Ti) metal on the surface of the insulating layer may be used.

한편, 상기 금속박막 상에 패턴이 형성된 감광성 수지층을 형성하는 단계는 상기 금속박막 상에 형성된 감광성 수지층을 노광 및 현상하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 감광성 수지층과 노광 및 현상에 대한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 포함할 수 있다.Meanwhile, the forming of the photosensitive resin layer having the pattern formed on the metal thin film may include exposing and developing the photosensitive resin layer formed on the metal thin film. Information on the photosensitive resin layer and the exposure and development may include the above-described details in the embodiment.

특히, 상기 금속박막 상에 형성되는 패턴은, 패턴에 포함된 개구부가 상기 절연층 외부로 노출된 금속 돌기와 서로 맞닿을 수 있도록 형성하는 것이 바람직하다. 상기 패턴에 포함된 개구부는, 상기 감광성 수지층의 노광 및 현상을 통해 제거된 부분을 의미하며, 후술하는 금속 증착을 통해 금속이 증착되어 상기 금속 패턴층을 형성하는 부분에 해당한다. 따라서, 상기 패턴에 포함된 개구부가 상기 절연층 외부로 노출된 금속 돌기와 서로 맞닿을 수 있도록 형성되어야, 금속 패턴층이 금속 돌기와 접촉하면서 절연층 내부의 도체 배선과 전기적 신호를 주고받을 수 있다.In particular, the pattern formed on the metal thin film is preferably formed so that the openings included in the pattern may contact the metal protrusions exposed to the outside of the insulating layer. The opening included in the pattern means a portion removed through exposure and development of the photosensitive resin layer, and corresponds to a portion where metal is deposited through metal deposition to be described later to form the metal pattern layer. Therefore, the openings included in the pattern should be formed to be in contact with the metal protrusions exposed to the outside of the insulating layer, so that the metal pattern layer may contact the metal protrusions to exchange electrical signals with the conductor wiring inside the insulating layer.

상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막 상에 금속을 증착시키는 단계에서, 상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막이란, 표면에서 감광성 수지층과 접촉하지 않고 있는 금속박막 부분을 의미한다. 상기 증착되는 금속은 구리를 사용할 수 있고, 상기 증착 방법의 예는 크게 한정되지 않으며, 공지된 다양한 물리적 또는 화학적 증착방법을 제한없이 사용할 수 있으며, 범용되는 일례로는 전해 구리 도금 방법을 사용할 수 있다.In the step of depositing a metal on the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern, the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern means a metal thin film portion that is not in contact with the photosensitive resin layer on the surface. The metal to be deposited may be copper, and examples of the deposition method are not particularly limited, and various known physical or chemical deposition methods may be used without limitation, and one example of the metal may be an electrolytic copper plating method. .

이 때, 상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막 상에 증착되는 금속이 상술한 금속 패턴층을 형성할 수 있으며, 보다 구체적으로, 상기 금속 패턴층은 금속 돌기를 매개로 도체 배선과 연결되도록 형성될 수 있다. 이를 통해, 상기 금속 패턴층은 절연층 내부에 포함된 도체 배선과 전기적 신호를 주고 받을 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 금속 돌기의 일 말단은 도체 배선과 접촉하며, 상기 금속 돌기의 다른 일 말단은 상기 금속 패턴층과 접촉하여 전기적으로 상기 도체 배선과 금속 패턴층을 연결할 수 있다.At this time, the metal deposited on the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern may form the above-described metal pattern layer, more specifically, the metal pattern layer is connected to the conductor wiring through the metal projection. Can be formed. Through this, the metal pattern layer may transmit and receive electrical signals with the conductor wiring included in the insulating layer. More specifically, one end of the metal protrusion may contact the conductor wire, and the other end of the metal protrusion may contact the metal pattern layer to electrically connect the conductor wire and the metal pattern layer.

상기 감광성 수지층을 제거하고, 노출된 금속박막을 제거하는 단계에서, 상기 감광성 수지층의 제거방법의 예로는 포토레지스트 박리액을 사용할 수 있으며, 상기 감광성 수지층의 제거로 인해 노출되는 금속박막의 제거방법의 예로는 에칭액을 사용할 수 있다.In the step of removing the photosensitive resin layer and removing the exposed metal thin film, an example of a method of removing the photosensitive resin layer may include a photoresist stripping solution, and the metal thin film may be exposed due to the removal of the photosensitive resin layer. An etching solution can be used as an example of the removal method.

상기 다층인쇄회로기판 제조방법에 의해 제조된 다층인쇄회로기판은 다시 빌드업 재료로서 사용될 수 있으며, 예를 들어, 상기 다층인쇄회로기판 상에 상기 일 구현예의 절연층 제조방법에 따라 절연층을 형성하는 제1공정과, 상기 절연층 상에 상기 다른 구현예의 다층인쇄회로기판 제조방법에 따라 금속 기판을 형성하는 제2공정을 반복하여 진행할 수 있다. The multilayer printed circuit board manufactured by the multilayer printed circuit board manufacturing method may be used again as a buildup material. For example, an insulating layer is formed on the multilayer printed circuit board according to the method of manufacturing the insulating layer of the embodiment. The first step and the second step of forming a metal substrate on the insulating layer according to the method of manufacturing a multilayer printed circuit board of another embodiment may be repeated.

이에 따라, 상기 다층인쇄회로기판 제조방법에 의해 제조되는 다층인쇄회로기판에 포함된 적층된 층 수 또한 크게 한정되지 않으며, 사용 목적, 용도에 따라 예를 들어 1층 이상, 또는 1층 내지 20층을 가질 수 있다.Accordingly, the number of stacked layers included in the multilayer printed circuit board manufactured by the multilayer printed circuit board manufacturing method is also not particularly limited, and for example, one or more layers, or one to twenty layers, depending on the purpose of use and use. Can have

본 발명에 따르면, 보다 빠르면서도 간단한 방법으로 제조가 가능하여 공정의 효율성이 향상될 수 있으며, 절연층의 물리적 손상을 방지할 수 있고, 두께 조절이 용이한 절연층 제조방법 및 상기 절연층 제조방법으로부터 얻어지는 절연층을 이용한 다층인쇄회로기판 제조방법이 제공될 수 있다.According to the present invention, it is possible to manufacture in a faster and simpler method to improve the efficiency of the process, to prevent physical damage of the insulating layer, and to easily control the thickness of the insulating layer manufacturing method and the insulating layer manufacturing method A method for manufacturing a multilayer printed circuit board using an insulating layer obtained from the same can be provided.

발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.The invention is explained in more detail in the following examples. However, the following examples are merely to illustrate the invention, but the content of the present invention is not limited by the following examples.

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제조예1Preparation Example 1

제조 온도계, 교반 장치, 환류냉각관, 수분정량기가 장착된 가열 및 냉각 가능한 용적 2리터의 반응 용기에 용매로 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide, DMF) 632g, N-치환 말레이미드 화합물로 BMI-1100(Daiwakasei사 제조) 358g, 아민 화합물로 4-아미노페닐아세트산 151g을 혼합하고, 85 ℃에서 24시간 동안 교반하여, 고형분 함량 50%의 알카리 가용성 수지 용액을 제조하였다.632 g of dimethylformamide (DMF) as a solvent in a heated and cooled volume 2 liter reaction vessel equipped with a manufacturing thermometer, a stirring device, a reflux condenser, a water quantifier, and a N-substituted maleimide compound, BMI-1100 (Daiwakasei 358 g), 151 g of 4-aminophenylacetic acid was mixed with an amine compound, and stirred at 85 ° C. for 24 hours to prepare an alkali-soluble resin solution having a solid content of 50%.

제조예2Preparation Example 2

제조 온도계, 교반 장치, 환류냉각관, 수분정량기가 장착된 가열 및 냉각 가능한 용적 2리터의 반응 용기에 용매로 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide, DMF) 632g, N-치환 말레이미드 화합물로 p-카복시페닐말레이미드 434g, 아민 화합물로 4,4'-디아미노디페닐메탄 198g을 혼합하고, 85 ℃에서 24시간 동안 교반하여, 고형분 함량 50%의 알카리 가용성 수지 용액을 제조하였다.632 g of dimethylformamide (DMF) as a solvent in a heated and cooled volume 2 liter reaction vessel equipped with a production thermometer, a stirring device, a reflux condenser, a moisture meter, and a N-substituted maleimide compound. 434 g of mid and 198 g of 4,4'-diaminodiphenylmethane were mixed with an amine compound, and stirred at 85 ° C. for 24 hours to prepare an alkali soluble resin solution having a solid content of 50%.

제조예3Preparation Example 3

제조 온도계, 교반 장치, 환류냉각관, 수분정량기가 장착된 가열 및 냉각 가능한 용적 2리터의 반응 용기에 용매로 디메틸아세트아마이드(Dimethylacetamide, DMAc) 543g을 넣고, Cray Valley사의 SMA1000 350g, 4-아미노벤조익산(4-aminobenzoic acid, PABA) 144g, 4-아미노페놀(4-aminophenol, PAP) 49g을 투입 후 혼합하였다. 질소분위기하에서 반응기의 온도를 80 ℃로 하고, 24시간 지속하여 산무수물과 아닐린 유도체가 반응하여 아믹산을 형성하도록 한 후, 반응기의 온도를 150 ℃로 하고 24시간 지속하여 이미드화 반응을 진행하여, 고형분 50%의 알카리 가용성 수지 용액을 제조하였다.543 g of dimethylacetamide (DMAc) was added as a solvent to a 2-liter, heated and coolable reaction vessel equipped with a manufacturing thermometer, a stirring device, a reflux condenser, and a water quantifier, and 350 ml of CMA Valley SMA1000, 4-aminobenzo Iksan (4-aminobenzoic acid, PABA) 144g, 4-aminophenol (4-aminophenol, PAP) 49g was added and mixed. Under nitrogen atmosphere, the temperature of the reactor was set at 80 ° C., and the acid anhydride and the aniline derivative reacted to form amic acid for 24 hours. The temperature of the reactor was set at 150 ° C. and the reaction was continued for 24 hours to proceed with imidization reaction. , An alkaline soluble resin solution having a solid content of 50% was prepared.

제조예4Preparation Example 4

제조 온도계, 교반 장치, 환류냉각관, 수분정량기가 장착된 가열 및 냉각 가능한 용적 2리터의 반응 용기에 용매로 메틸에틸케톤(Methylethylketone, MEK) 516g을 넣고, p-카복시페닐말레이미드(p-carboxyphenylmaleimide) 228g, p-하이드록시페닐말레이미드(p-hydroxyphenylmaleimide) 85g, 스티렌(styrene) 203g, 아조비스이소부티로나이트릴(AIBN) 0.12g을 투입 후 혼합하였다. 질소분위기하에서 반응기의 온도를 70 ℃로 서서히 높인 후, 24시간 지속하여 고형분 50%의 알카리 가용성 수지 용액을 제조하였다.516 g of methylethylketone (MEK) was added to a 2-liter reaction vessel equipped with a manufacturing thermometer, a stirring device, a reflux condenser, a water quantifier, and a p-carboxyphenylmaleimide as a solvent. ) 228g, p-hydroxyphenylmaleimide (85g), styrene (203g), azobisisobutyronitrile (AIBN) 0.12g was added and mixed. After slowly raising the temperature of the reactor to 70 ° C. under a nitrogen atmosphere, an alkali-soluble resin solution having a solid content of 50% was prepared by continuing for 24 hours.

<< 실시예Example : : 절연층Insulation layer 및 다층인쇄회로기판의 제조> And Fabrication of Multilayer Printed Circuit Boards>

실시예1Example 1

(1) 절연층의 제조(1) Preparation of Insulation Layer

상기 제조예1에서 합성한 알카리 가용성 수지 16g, 열경화성 바인더로 MY-510(Huntsman 제조) 5g, 무기 필러로 SC2050 MTO(고형분70%, Adamatech 제조) 35g를 혼합한 고분자 수지 조성물을 25 ㎛ 두께의 무처리 PET 필름에 도포하고 건조시켜 18 ㎛ 두께의 고분자 수지층을 제조하였다. The polymer resin composition of 16 g of the alkali-soluble resin synthesized in Preparation Example 1, 5 g of MY-510 (manufactured by Huntsman) as a thermosetting binder, and 35 g of SC2050 MTO (70% solids, manufactured by Adamatech) as an inorganic filler was used. It was applied to the treated PET film and dried to prepare an 18 탆 thick polymer resin layer.

그리고. 극박 동박이 접착되어 있는 동박적층판(LG-500GA VB/VB, LG화학) 상에 드라이 필름(RY-5319, 히타치 화성)을 라미네이트 하여 패턴을 형성하고 전기도금을 하여 MSAP 공법으로 회로를 형성하였다. 이후, 상기 회로 상에 드라이 필름(RY-5319, 히타치 화성)을 라미네이트 하여 패턴을 형성하고 전기 도금을 하여 높이 15㎛, 지름 20 ㎛의 구리범프를 형성하였다.And. Dry film (RY-5319, Hitachi Chemical) was laminated on a copper foil laminated plate (LG-500GA VB / VB, LG Chemical) to which ultra-thin copper foil was bonded to form a pattern, and electroplated to form a circuit by the MSAP method. Thereafter, a dry film (RY-5319, Hitachi Chemical) was laminated on the circuit to form a pattern, and electroplating to form a copper bump having a height of 15 μm and a diameter of 20 μm.

이후, 상기 동박적층판상에 고분자 수지층을 85에서 진공 라미네이트하여 회로와 구리범프를 밀봉시키고, 고분자 수지층으로부터 PET 필름을 제거하였다. 상기 라미네이트된 고분자 수지층을 100℃의 온도에서 1시간 동안 1차 열경화시킨 다음, 50 ℃ 온도의 3% 수산화 나트륨 레지스트 박리액을 고분자 수지층의 표면에 스프레이 분사하여, 고분자 수지층의 표면으로부터 약 3㎛ 깊이만큼 제거하여 구리범프를 표면위로 노출시키고 수세 및 건조시켰다. 이때, 상기 구리범프를 노출시키는 공정은 연속공정으로 1판넬당 10초 내지 60초간 진행되었다.Thereafter, the polymer resin layer was vacuum laminated on the copper-clad laminate at 85 to seal the circuit and the copper bumps, and the PET film was removed from the polymer resin layer. The laminated polymer resin layer was first thermally cured at a temperature of 100 ° C. for 1 hour, and then spray-sprayed 3% sodium hydroxide resist stripping solution at a temperature of 50 ° C. onto the surface of the polymer resin layer to remove the polymer resin layer from the surface of the polymer resin layer. The copper bumps were exposed to the surface, washed with water and dried by removing about 3 μm deep. At this time, the process of exposing the copper bumps was performed for 10 seconds to 60 seconds per panel in a continuous process.

그리고, 구리범프가 표면에 노출된 고분자 수지층을 200 ℃의 온도에서 1시간 동안 열경화시켜 절연층을 제조하였다.In addition, the insulating layer was manufactured by thermally curing the polymer resin layer having the copper bumps exposed on the surface at a temperature of 200 ° C. for 1 hour.

(2) 다층인쇄회로기판의 제조(2) Manufacture of multilayer printed circuit board

상기 절연층 상에 무전해 구리도금을 이용하여 구리박막을 증착시키고, 100 ℃ 온도에서 30분간 가열하여 무전해 구리도금과의 밀착력을 향상시킨 다음, 드라이 필름(RY-5319, 히타치 화성)을 라미네이트 하여 패턴을 형성하고 전기도금을 하여 SAP 공법으로 회로를 형성하였다. 그리고, 상기 절연층으로부터 동박적층판 및 극박동박을 분리 제거하여 다층인쇄회로기판을 완성하였다.A copper thin film was deposited on the insulating layer using an electroless copper plating, heated at 100 ° C. for 30 minutes to improve adhesion to the electroless copper plating, and then dried a dry film (RY-5319, Hitachi Chemical). To form a pattern and electroplating to form a circuit by the SAP method. Then, the copper foil laminated plate and the ultrathin copper foil were separated and removed from the insulating layer to complete the multilayer printed circuit board.

실시예2Example 2

상기 실시예1의 절연층 제조 단계에서 제조예1에서 합성한 알카리 가용성 수지 대신에 제조예2에서 합성한 알카리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예1과 동일한 방법으로 절연층 및 다층인쇄회로기판을 제조하였다.The insulating layer and the multilayer printed circuit in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin synthesized in Preparation Example 2 was used instead of the alkali-soluble resin synthesized in Preparation Example 1 in the insulating layer manufacturing step of Example 1. The substrate was prepared.

실시예3Example 3

상기 실시예1의 절연층 제조 단계에서 제조예1에서 합성한 알카리 가용성 수지 대신에 제조예3에서 합성한 알카리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예1과 동일한 방법으로 절연층 및 다층인쇄회로기판을 제조하였다.The insulating layer and the multilayer printed circuit in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin synthesized in Preparation Example 3 was used instead of the alkali-soluble resin synthesized in Preparation Example 1 in the insulating layer manufacturing step of Example 1. The substrate was prepared.

실시예4Example 4

상기 실시예1의 절연층 제조 단계에서 제조예1에서 합성한 알카리 가용성 수지 대신에 제조예4에서 합성한 알카리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예1과 동일한 방법으로 절연층 및 다층인쇄회로기판을 제조하였다.The insulating layer and the multilayer printed circuit in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin synthesized in Preparation Example 4 was used instead of the alkali-soluble resin synthesized in Preparation Example 1 in the insulating layer manufacturing step of Example 1. The substrate was prepared.

<< 비교예Comparative example : : 절연층Insulation layer 및 다층인쇄회로기판의 제조> And Fabrication of Multilayer Printed Circuit Boards>

비교예1Comparative Example 1

(1) 절연층의 제조(1) Preparation of Insulation Layer

상기 제조예1의 고분자 수지층 대신 100 ㎛ 두께의 몰딩 시트(LE-T17B, 아지노모토)를 사용하여, 120℃에서 진공 라미네이트하고, 170 ℃ 온도에서 1시간 동안 열경화시킨 후, 상기 열경화된 고분자 수지층 표면을 그라인딩 머신으로 그라인딩하여 구리범프를 노출시킨 것을 제외하고는, 상기 실시예1과 동일한 방법으로 절연층을 제조하였다. Using a 100 μm thick molding sheet (LE-T17B, Ajinomoto) instead of the polymer resin layer of Preparation Example 1, vacuum laminated at 120 ℃, and thermally cured at 170 ℃ temperature for 1 hour, the thermosetting polymer An insulating layer was prepared in the same manner as in Example 1, except that the surface of the resin layer was ground with a grinding machine to expose copper bumps.

이때, 상기 구리범프를 노출시키는 공정은 배치공정으로 1판넬당 10분 내지 20분간 진행되어, 실시예에 비해 오랜 시간이 소요되는 것을 확인할 수 있었다.At this time, the process of exposing the copper bump was carried out for 10 minutes to 20 minutes per panel in a batch process, it was confirmed that takes a longer time than the embodiment.

(2) 다층인쇄회로기판의 제조(2) Manufacture of multilayer printed circuit board

상기 비교예1에서 얻어진 절연층에 대하여, 실시예1과 동일한 방법으로 다층인쇄회로기판을 제조하였다. A multilayer printed circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1 with respect to the insulating layer obtained in Comparative Example 1.

비교예2Comparative Example 2

상기 라미네이트된 고분자 수지층을 100℃의 온도에서 1시간 동안 1차 열경화시킨 다음, 50 ℃ 온도의 3% 수산화 나트륨 레지스트 박리액을 고분자 수지층의 표면에 스프레이 분사하는 대신, 고분자 수지층을 200 ℃의 온도에서 1시간 동안 열경화시킨 다음 통상적인 방법에 따라 스웰러(Atotech, Sweller-p, 40%), 에칭(KMnO4 9%, NaOH, 6%) 및 중화(H2SO4, 9%) 순서로 디스미어 처리하여 고분자 수지층의 표면으로부터 약 3㎛ 깊이만큼 제거하여 구리범프를 표면위로 노출시킨 것을 제외하고, 상기 실시예1과 동일하게 절연층 및 다층인쇄회로기판을 제조하였다.The laminated polymer resin layer was first thermally cured at a temperature of 100 ° C. for 1 hour, and then, instead of spraying a 3% sodium hydroxide resist stripping solution at a temperature of 50 ° C. onto the surface of the polymer resin layer, the polymer resin layer was 200 Heat cured at a temperature of 1 ° C. for 1 hour and then sweller (Atotech, Sweller-p, 40%), etching (KMnO 4 9%, NaOH, 6%) and neutralization (H 2 SO 4 , 9) according to conventional methods. %) Was prepared in the same manner as in Example 1 except that the copper bump was exposed on the surface by removing the desmear by about 3㎛ depth from the surface of the polymer resin layer in order to prepare an insulating layer and a multilayer printed circuit board.

이때, 상기 구리범프를 노출시키는 디스미어 공정은 연속배치 공정으로 에칭단계에서만 1판넬당 5분 내지 10분간 진행되어, 실시예에 비해 오랜 시간이 소요되며, 과망간산칼륨과 같은 유해한 화학물질이 투입되어야 할 뿐만 아니라, 고분자 수지층의 두께 조절이 어렵다는 한계가 있다는 것을 확인할 수 있었다.In this case, the desmear process exposing the copper bumps is a continuous batch process, which proceeds 5 minutes to 10 minutes per panel only in an etching step, and takes a longer time than the embodiment, and harmful chemicals such as potassium permanganate should be added. In addition, it was confirmed that there is a limit that it is difficult to control the thickness of the polymer resin layer.

비교예3Comparative Example 3

상기 제조예1에서 합성한 알카리 가용성 수지 16g, 열경화성 바인더로 MY-510(Huntsman 제조) 5g, 무기 필러로 SC2050 MTO(Adamatech 제조) 35g를 혼합한 고분자 수지 조성물을 25 ㎛ 두께의 무처리 PET 필름에 도포하고 건조시켜 18 ㎛ 두께의 고분자 수지층을 제조하였다. The polymer resin composition of 16 g of the alkali-soluble resin synthesized in Preparation Example 1, 5 g of MY-510 (manufactured by Huntsman) as a thermosetting binder, and 35 g of SC2050 MTO (manufactured by Adamatech) as an inorganic filler was added to an untreated PET film having a thickness of 25 μm. It was applied and dried to prepare a polymer resin layer having a thickness of 18 μm.

그리고. 극박 동박이 접착되어 있는 동박적층판(LG-500GA VB/VB, LG화학) 상에 드라이 필름(RY-5319, 히타치 화성)을 라미네이트 하여 패턴을 형성하고 전기도금을 하여 MSAP 공법으로 회로를 형성하였다. 이후, 상기 회로 상에 드라이 필름(RY-5319, 히타치 화성)을 라미네이트 하여 패턴을 형성하고 전기 도금을 하여 높이 15㎛, 지름 20 ㎛의 구리범프를 형성하였다.And. Dry film (RY-5319, Hitachi Chemical) was laminated on a copper foil laminated plate (LG-500GA VB / VB, LG Chemical) to which ultra-thin copper foil was bonded to form a pattern, and electroplated to form a circuit by the MSAP method. Thereafter, a dry film (RY-5319, Hitachi Chemical) was laminated on the circuit to form a pattern, and electroplating to form a copper bump having a height of 15 μm and a diameter of 20 μm.

이후, 상기 동박적층판상에 고분자 수지층을 85에서 진공 라미네이트하여 회로와 구리범프를 밀봉시키고, 고분자 수지층으로부터 PET 필름을 제거하였다. 이후, 상기 라미네이트된 고분자 수지층을 100℃의 온도에서 1시간 동안 1차 열경화시키는 공정을 생략하고, 상기 라미네이트된 고분자 수지층을 곧바로 50 ℃ 온도의 3% 수산화 나트륨 레지스트 박리액을 고분자 수지층의 표면에 스프레이 분사하였다.Thereafter, the polymer resin layer was vacuum laminated on the copper-clad laminate at 85 to seal the circuit and the copper bumps, and the PET film was removed from the polymer resin layer. Thereafter, the step of performing the first thermal curing of the laminated polymer resin layer at a temperature of 100 ° C. for 1 hour is omitted, and the 3% sodium hydroxide resist stripping solution of 50 ° C. is directly added to the laminated polymer resin layer of the polymer resin layer. Spray sprayed on the surface.

이때 상기 비교예3의 경우, 수산화 나트륨 레지스트 박리액이 분사되고나서 10초 이내에 고분자 수지층이 모두 제거되어, 구리범프 및 하부의 회로까지 드러나는 기술적 한계가 확인되었다. At this time, in the case of Comparative Example 3, all of the polymer resin layers were removed within 10 seconds after the sodium hydroxide resist stripping solution was injected, and the technical limitations of the copper bumps and the lower circuits were confirmed.

즉, 상기 비교예 3과 같이 박리액 분사 이전에 고분자 수지층에 대한 경화단계를 진행하지 않는 경우, 고분자 수지층이 제거되는 정도를 제어하기가 어려워, 구리범프의 일부만을 고분자 수지층 표면에 노출시키기에 적합하지 않음을 확인하였다.That is, when the curing step for the polymer resin layer is not performed before spraying the release liquid as in Comparative Example 3, it is difficult to control the degree to which the polymer resin layer is removed, so that only a part of the copper bump is exposed to the polymer resin layer surface. It was found not to be suitable.

<< 실험예Experimental Example :  : 실시예Example  And 비교예에서In the comparative example 얻어진  Obtained 절연층Insulation layer 및 다층인쇄회로기판의 물성 측정> Measurement of Physical Properties of Multilayer Printed Circuit Boards>

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 절연층의 물성을 하기 방법으로 측정하였으며, 그 결과를 표1에 나타내었다.The physical properties of the insulating layer obtained in the Examples and Comparative Examples were measured by the following method, the results are shown in Table 1.

1. One. 흡습에To moisture absorption 의한 금속 밀착력 Metal adhesion

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 다층인쇄회로기판에 대하여 135 ℃, 85% 흡습상태에서 48시간 방치시킨 후, IPC-TM-650 기준에 따라 금속의 박리강도를 측정하여, 이로부터 금속 밀착력을 구하였다.After leaving the multilayer printed circuit board obtained in the above Examples and Comparative Examples for 48 hours at 135 ° C. and 85% moisture absorption, the peel strength of the metal was measured according to the IPC-TM-650 standard, and the metal adhesion strength was determined from the obtained PCB. It was.

2. 2. HASTHAST (( HighlyHighly AcceleratedAccelerated TempTemp &  & HumidityHumidity StressStress TestTest ) 내성Resistance

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 다층인쇄회로기판에 대하여 JESD22-A101기준에 따라 HAST내성을 확인하였다. 구체적으로 폭, 간격, 두께가 각각 50㎛, 50㎛, 12㎛인 시편회로기판에 대하여, 3V의 전압을 인가하고, 168시간 동안 방치한 이후, 다음 기준 하에 시편회로기판의 외관상 이상 유무를 확인하였다. The HAST resistance of the multilayer printed circuit boards obtained in the above Examples and Comparative Examples was confirmed according to JESD22-A101 standard. Specifically, after applying a voltage of 3V to the specimen circuit board having a width, an interval, and a thickness of 50 μm, 50 μm, and 12 μm, respectively, and leaving it for 168 hours, the sample circuit board was inspected under the following criteria. It was.

OK: 피막 외관에 이상이 관찰되지 않음OK: No abnormality observed in the appearance of the coating

NG: 피막에 수포 또는 벗겨짐이 관찰됨 NG: blisters or peelings are observed on the film

실시예 및 비교예의 실험예 결과Experimental Example Results of Examples and Comparative Examples 구분division 금속 밀착력(kgf/㎝)Metal adhesion (kgf / cm) HAST 특성 (㎛)HAST characteristic (㎛) 실시예1Example 1 0.30.3 OKOK 실시예2Example 2 0.30.3 OKOK 실시예3Example 3 0.30.3 OKOK 실시예4Example 4 0.30.3 OKOK 비교예1Comparative Example 1 0.30.3 OKOK 비교예2Comparative Example 2 0.30.3 OKOK 비교예3Comparative Example 3 -- --

Claims (19)

표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선을 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더를 포함한 고분자 수지층으로 밀봉하는 단계;
상기 고분자 수지층을 1차 경화시키는 단계;
상기 경화된 고분자 수지층 표면을 알카리 수용액으로 식각하여 금속 돌기를 노출시키는 단계; 및
상기 금속 돌기가 노출된 상태에서, 고분자 수지층을 2차 경화시키는 단계를 포함하고,
1) 상기 알카리 가용성 수지는 산성 작용기; 및 아미노기로 치환된 고리형이미드 작용기를 각각 적어도 2 이상 포함하거나,
2) 상기 알카리 가용성 수지는 하기 화학식3으로 표시되는 반복단위; 및 하기 화학식4로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함하는, 절연층 제조방법:
[화학식3]
Figure 112019057441601-pat00018

상기 화학식3에서, R2는 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, "*"는 결합지점을 의미하고,
[화학식4]
Figure 112019057441601-pat00019

상기 화학식4에서, R3는 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며,
R4는 -H, -OH, -NR5R6, 할로겐, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며,
상기 R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기일 수 있고,
"*"는 결합지점을 의미한다.
Sealing the conductor wiring having metal projections on the surface with a polymer resin layer including an alkali-soluble resin and a thermosetting binder;
Primary curing the polymer resin layer;
Etching the surface of the cured polymer resin layer with an aqueous alkali solution to expose metal protrusions; And
In the state where the metal projections are exposed, comprising the step of secondary curing the polymer resin layer,
1) The alkali soluble resin is an acidic functional group; And at least two cyclic imide functional groups each substituted with an amino group, or
2) the alkali-soluble resin is a repeating unit represented by the following formula (3); And at least one or more repeating units represented by the following formula (4):
[Formula 3]
Figure 112019057441601-pat00018

In Formula 3, R 2 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and “*” means a bonding point,
[Formula 4]
Figure 112019057441601-pat00019

In Formula 4, R 3 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms,
R 4 is —H, —OH, —NR 5 R 6 , halogen, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
R 5 and R 6 may be each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms,
"*" Means joining point.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 하기 화학식1로 표시되는 작용기를 포함하는, 절연층 제조방법:
[화학식1]
Figure 112019057441601-pat00010

상기 화학식1에서, R1은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기 또는 알케닐기이며, "*"는 결합지점을 의미한다.
The method of claim 1,
The cyclic imide functional group substituted with the amino group comprises a functional group represented by the following formula (1), a method for producing an insulating layer:
[Formula 1]
Figure 112019057441601-pat00010

In Formula 1, R 1 is an alkylene group or alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, and "*" means a point of attachment.
제1항에 있어서,
상기 알카리 가용성 수지는 KOH 적정에 의해 구해지는 산가(acid value)가 50 mgKOH/g 내지 250 mgKOH/g인, 절연층 제조방법.
The method of claim 1,
The alkali-soluble resin has an acid value (50 mgKOH / g to 250 mgKOH / g) obtained by KOH titration, insulating layer manufacturing method.
제1항에 있어서,
1) 상기 알카리 가용성 수지는 고리형 불포화 이미드 화합물; 및 아민 화합물의 반응을 통해 제조되며, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물과 아민 화합물 중 적어도 하나 이상은 말단에 치환된 산성 작용기를 포함하는, 절연층 제조방법.
The method of claim 1,
1) The alkali soluble resin is a cyclic unsaturated imide compound; And an amine compound, wherein at least one or more of the cyclic unsaturated imide compound and the amine compound include an acidic functional group substituted at an end thereof.
제5항에 있어서,
상기 아민 화합물은 아미노기로 치환된 카복시산 화합물 및 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 절연층 제조방법.
The method of claim 5,
The amine compound comprises at least one member selected from the group consisting of a carboxylic acid compound substituted with an amino group and a polyfunctional amine compound containing two or more amino groups, insulating layer manufacturing method.
삭제delete 제1항에 있어서,
2) 상기 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 5로 표시되는 반복단위를 포함한 중합체, 하기 화학식 6으로 표시되는 아민, 및 하기 화학식 7로 표시되는 아민의 반응으로 제조되는, 절연층 제조방법:
[화학식5]
Figure 112019057441601-pat00013

[화학식6]
Figure 112019057441601-pat00014

[화학식7]
Figure 112019057441601-pat00015

상기 화학식 5 내지 7에서, R2 내지 R4는 청구항 제1항에서 정의한 바와 같고, "*"는 결합지점을 의미한다.
The method of claim 1,
2) The alkali-soluble resin is prepared by the reaction of a polymer comprising a repeating unit represented by the following formula (5), an amine represented by the formula (6), and an amine represented by the formula (7):
[Formula 5]
Figure 112019057441601-pat00013

[Formula 6]
Figure 112019057441601-pat00014

[Formula 7]
Figure 112019057441601-pat00015

In Chemical Formulas 5 to 7, R 2 to R 4 are as defined in claim 1, and "*" means a point of attachment.
제1항에 있어서,
2) 상기 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 8로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 9로 표시되는 화합물의 반응으로 제조되는, 절연층 제조방법:
[화학식8]
Figure 112019057441601-pat00016

[화학식9]
Figure 112019057441601-pat00017

상기 화학식 8 내지 9에서, R2 내지 R4는 청구항 제1항에서 정의한 바와 같다.
The method of claim 1,
2) The alkali-soluble resin is prepared by the reaction of a compound represented by the following formula (8) and a compound represented by the formula (9), an insulating layer manufacturing method
[Formula 8]
Figure 112019057441601-pat00016

[Formula 9]
Figure 112019057441601-pat00017

In Chemical Formulas 8 to 9, R 2 to R 4 are as defined in claim 1.
제1항에 있어서,
상기 고분자 수지층은 알카리 가용성 수지 100 중량부에 대해 열경화성 바인더 1 중량부 내지 150 중량부를 포함하는, 절연층 제조방법.
The method of claim 1,
The polymer resin layer comprises 1 part by weight to 150 parts by weight of the thermosetting binder with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin, insulating layer manufacturing method.
제1항에 있어서,
상기 열경화성 바인더는 옥세타닐기, 환상 에테르기, 환상 티오 에테르기, 시아나이드기, 말레이미드기 및 벤족사진기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기 및 에폭시기를 포함하는, 절연층 제조방법.
The method of claim 1,
The thermosetting binder includes at least one functional group and an epoxy group selected from the group consisting of oxetanyl group, cyclic ether group, cyclic thio ether group, cyanide group, maleimide group and benzoxazine group.
제1항에 있어서,
상기 알카리 수용액은 10 ℃ 내지 100 ℃ 온도 및 1% 내지 10%의 농도를 갖는, 절연층 제조방법.
The method of claim 1,
The alkaline aqueous solution has a temperature of 10 ° C to 100 ° C and a concentration of 1% to 10%, insulation layer manufacturing method.
제1항에 있어서,
상기 1차 경화는 50 ℃ 내지 150 ℃ 온도에서 0.1 시간 내지 2시간 동안 진행하는, 절연층 제조방법.
The method of claim 1,
The primary curing is carried out at a temperature of 50 ℃ to 150 ℃ for 0.1 hour to 2 hours, the insulating layer manufacturing method.
제1항에 있어서,
상기 2차 경화는 150 ℃ 내지 250 ℃ 온도에서 0.1 시간 내지 2시간 동안 진행하는, 절연층 제조방법.
The method of claim 1,
The secondary curing is carried out at 150 ℃ to 250 ℃ temperature for 0.1 hour to 2 hours, the insulating layer manufacturing method.
제1항에 있어서,
상기 고분자 수지층은 열경화 촉매, 무기 필러, 레벨링제, 분산제, 이형제 및 금속 밀착력 증진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 더 포함하는, 절연층 제조방법.
The method of claim 1,
The polymer resin layer further comprises at least one selected from the group consisting of a thermosetting catalyst, an inorganic filler, a leveling agent, a dispersant, a mold release agent and a metal adhesion promoter, insulating layer manufacturing method.
제1항에 의해 제조된 절연층 상에 금속 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는, 다층인쇄회로기판 제조방법.
A method for manufacturing a multilayer printed circuit board, comprising the step of forming a metal pattern layer on the insulating layer prepared by claim 1.
제16항에 있어서,
상기 절연층은 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더의 경화물을 포함하는, 다층인쇄회로기판 제조방법.
The method of claim 16,
The insulating layer comprises a cured product of an alkali-soluble resin and a thermosetting binder, a multilayer printed circuit board manufacturing method.
제17항에 있어서,
상기 절연층 상에 금속 패턴층을 형성하는 단계는,
상기 절연층 상에 금속박막을 형성하는 단계;
상기 금속박막 상에 패턴이 형성된 감광성 수지층을 형성하는 단계; 및
상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막 상에 금속을 증착시키는 단계; 및
상기 감광성 수지층을 제거하고, 노출된 금속박막을 제거하는 단계를 포함하는, 다층인쇄회로기판 제조방법.
The method of claim 17,
Forming a metal pattern layer on the insulating layer,
Forming a metal thin film on the insulating layer;
Forming a photosensitive resin layer having a pattern formed on the metal thin film; And
Depositing a metal on the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern; And
Removing the photosensitive resin layer and removing the exposed metal thin film.
제16항에 있어서,
상기 금속 패턴층은 금속 돌기를 매개로 도체 배선과 연결되는, 다층인쇄회로기판 제조방법.
The method of claim 16,
The metal pattern layer is connected to the conductor wiring via a metal projection, multilayer printed circuit board manufacturing method.
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