KR20210092100A - Insulation composition and method for manufacturing insulating film using the same, method for manufacturing multilayered printed circuit board - Google Patents

Insulation composition and method for manufacturing insulating film using the same, method for manufacturing multilayered printed circuit board Download PDF

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Abstract

The present invention relates to an insulating composition capable of forming an insulating layer having excellent adhesion to conductor wiring, a method for manufacturing an insulating film using the same, and a method for manufacturing a multilayered printed circuit board. The insulating composition comprises an imidazole-silane compound containing a carboxyl group represented by a chemical formula 1; an alkali-soluble resin; and a thermosetting binder.

Description

절연 조성물 및 이를 이용한 절연층 제조방법, 다층인쇄회로기판 제조방법{INSULATION COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING FILM USING THE SAME, METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYERED PRINTED CIRCUIT BOARD}Insulation composition and insulating layer manufacturing method using same, multilayer printed circuit board manufacturing method

본 발명은 절연 조성물 및 이를 이용한 절연층 제조방법, 다층인쇄회로기판 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an insulating composition, a method for manufacturing an insulating layer using the same, and a method for manufacturing a multilayer printed circuit board.

최근의 전자기기는 갈수록 소형화, 경량화, 고기능화되고 있다. 이를 위해, 소형 기기를 중심으로 빌드-업 PCB(Build-up Printed Circuit Board)의 응용분야가 빠르게 확대됨에 따라 다층인쇄회로기판의 사용이 급속히 늘어 가고 있다.Recently, electronic devices are becoming smaller, lighter, and more functional. To this end, as the application field of the build-up printed circuit board (Build-up Printed Circuit Board) is rapidly expanding centering on small devices, the use of the multilayer printed circuit board is rapidly increasing.

다층인쇄회로기판은 평면적 배선부터 입체적인 배선이 가능하며, 특히 산업용 전자 분야에서는 IC(integrated circuit), LSI(large scale integration) 등 기능소자의 집적도 향상과 함께 전자 기기의 소형화, 경량화, 고기능화, 구조적인 전기적 기능통합, 조립시간 단축 및 원가절감 등에 유리한 제품이다.Multilayer printed circuit boards are capable of three-dimensional wiring from flat wiring. In particular, in the field of industrial electronics, integration of functional devices such as IC (integrated circuit) and LSI (large scale integration) has been improved, and electronic devices are miniaturized, lightweight, highly functional, and structurally structured. It is an advantageous product for electrical function integration, shortening of assembly time and cost reduction.

이러한 응용영역에 사용되는 빌드-업 방식은 절연층 상에 도전층을 형성하고 있으며, 다층인쇄회로기판의 품질 향상을 위하여 도전층을 구성하는 도체 배선에 대한 밀착력이 우수한 절연층이 요구되고 있다.The build-up method used in this application area forms a conductive layer on an insulating layer, and an insulating layer with excellent adhesion to the conductor wiring constituting the conductive layer is required to improve the quality of the multilayer printed circuit board.

본 발명은 도체 배선에 대한 밀착력이 우수한 절연층을 형성할 수 있는 절연 조성물, 이를 이용한 절연층 제조방법, 다층인쇄회로기판 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an insulating composition capable of forming an insulating layer having excellent adhesion to a conductor wiring, a method for manufacturing an insulating layer using the same, and a method for manufacturing a multilayer printed circuit board.

다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시상태는, 하기 화학식 1로 표시되는 카복실기를 함유하는 이미다졸-실란 화합물; 알칼리 가용성 수지; 및 열경화성 바인더;를 포함하는 절연 조성물을 제공한다.An exemplary embodiment of the present invention is an imidazole-silane compound containing a carboxyl group represented by the following formula (1); alkali-soluble resin; and a thermosetting binder; provides an insulating composition comprising.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서, R1은 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,In Formula 1, R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,

X는 탄소수 2 내지 6의 알킬렌기이고, 이때, 하나 이상의 -CH2-기는 독립적으로 -O-로 치환될 수 있고, X is an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, wherein at least one -CH 2 - group may be independently substituted with -O-,

R2는 탄소수 1 내지 3의 알콕시기이고,R 2 is an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms,

R3은 니트로기, 또는 카복실기다.R 3 is a nitro group or a carboxyl group.

또한, 본 발명의 일 실시상태는, 표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선 상에, 상기 절연 조성물을 도포하는 단계; 상기 절연 조성물을 1차 경화시켜 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막의 표면을 알칼리 수용액으로 식각하여 금속 돌기를 노출시키는 단계; 및 상기 금속 돌기를 노출하는 상기 절연막을 2차 경화시키는 단계를 포함하는 절연층 제조방법을 제공한다.In addition, one embodiment of the present invention, the step of applying the insulating composition on the conductor wiring having a metal protrusion formed on the surface; forming an insulating film by first curing the insulating composition; exposing the metal protrusions by etching the surface of the insulating film with an aqueous alkali solution; and secondary curing of the insulating film exposing the metal protrusion.

또한, 본 발명의 일 실시상태는, 상기 절연층 제조방법에 의해 제조된 절연층 상에 금속 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 다층인쇄회로기판 제조방법을 제공한다.In addition, an exemplary embodiment of the present invention provides a method for manufacturing a multilayer printed circuit board comprising the step of forming a metal pattern layer on the insulating layer manufactured by the insulating layer manufacturing method.

본 발명의 일 실시상태에 따른 절연 조성물은 도체 배선에 대한 밀착력이 우수한 절연층을 구현할 수 있다.The insulating composition according to an exemplary embodiment of the present invention may implement an insulating layer having excellent adhesion to the conductor wiring.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 제조 공정의 효율성이 우수하며 절연층의 물리적 손상을 방지할 수 있는 절연층 제조방법과 다층인쇄회로기판 제조방법을 제공할 수 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing an insulating layer and a method for manufacturing a multilayer printed circuit board that is excellent in the efficiency of the manufacturing process and can prevent physical damage to the insulating layer.

본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본원 명세서 및 첨부된 도면으로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and accompanying drawings.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.Throughout this specification, when a part "includes" a certain element, it means that other elements may be further included, rather than excluding other elements, unless otherwise stated.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is said to be “on” another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member is present between the two members.

본원 명세서 전체에서, 단위 "중량부"는 각 성분간의 중량의 비율을 의미할 수 있다.Throughout this specification, the unit “part by weight” may mean a ratio of weight between each component.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

본 발명의 일 실시상태는, 하기 화학식 1로 표시되는 카복실기를 함유하는 이미다졸-실란 화합물, 알칼리 가용성 수지, 및 열경화성 바인더를 포함하는 절연 조성물을 제공한다.An exemplary embodiment of the present invention provides an insulating composition comprising an imidazole-silane compound containing a carboxyl group represented by the following Chemical Formula 1, an alkali-soluble resin, and a thermosetting binder.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 1에서, R1은 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, X는 탄소수 2 내지 6의 알킬렌기이고, 이때, 하나 이상의 -CH2-기는 독립적으로 -O-로 치환될 수 있고, R2는 탄소수 1 내지 3의 알콕시기이고, R3은 니트로기, 또는 카복실기다.In Formula 1, R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X is an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, in this case, one or more —CH 2 —groups may be independently substituted with —O—, and , R 2 is an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, R 3 is a nitro group or a carboxyl group.

본 발명의 일 실시상태에 따른 절연 조성물의 경화물은 도체 배선에 대한 밀착력이 우수한 절연층을 구현할 수 있다. 또한, 상기 절연 조성물은 알칼리 수용액에 의한 화학적 식각이 용이하게 제조할 수 있다.The cured product of the insulating composition according to an exemplary embodiment of the present invention may implement an insulating layer having excellent adhesion to the conductor wiring. In addition, the insulating composition can be easily prepared by chemical etching with an aqueous alkali solution.

상기 절연 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물을 포함함으로써, 상온 안정성이 확보된 도체 배선에 대한 밀착력이 우수한 절연층을 구현할 수 있다. 구체적으로, 상기 화학식 1에서 이미다졸 작용기가 카복실기에 의하여 블록(block)된 구조를 가짐으로써, 상기 절연 조성물로 절연층을 제조하여 보관하는 과정에서 상기 카복실기 함유 이마다졸-실란 화합물의 이마다졸 작용기가 알카리 가용성 수지와 열경화성 바인더와 사이에 부반응이 진행되는 것을 억제할 수 있다.Since the insulating composition includes the imidazole-silane compound containing a carboxyl group represented by Chemical Formula 1, it is possible to implement an insulating layer having excellent adhesion to a conductor wiring having room temperature stability. Specifically, since the imidazole functional group in Formula 1 has a structure in which the carboxyl group is blocked by a carboxyl group, the imidazole functional group of the carboxyl group-containing imidazole-silane compound during the preparation and storage of the insulating layer with the insulating composition It is possible to suppress the progress of a side reaction between the alkali-soluble resin and the thermosetting binder.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물은, 하기 화학식 2로 표시되는 이미다졸 단량체, 하기 화학식 3으로 표시되는 실란, 하기 화학식 4로 표시되는 프탈산 무수물을 포함하는 혼합물의 반응 생성물일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the carboxyl group-containing imidazole-silane compound is a mixture comprising an imidazole monomer represented by the following formula (2), a silane represented by the following formula (3), and phthalic anhydride represented by the following formula (4) may be a reaction product of

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 2에서, R1은 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.In Formula 2, R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 3에서, X는 탄소수 2 내지 6의 알킬렌기이다. 이때, X의 하나 이상의 -CH2-기는 독립적으로 -O-로 치환될 수 있다.In Formula 3, X is an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms. In this case, one or more -CH 2 -groups of X may be independently substituted with -O-.

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 4에서, R3은 니트로기, 또는 카복실기이다.In Formula 4, R 3 is a nitro group or a carboxyl group.

즉, 상기 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물은, 상기 화학식 2로 표시되는 이미다졸로부터 유래된 단위, 상기 화학식 3으로 표시되는 실란으로부터 유래된 단위, 상기 화학식 4로 표시되는 프탈산 무수물 로부터 유래된 단위를 포함할 수 있다.That is, the carboxyl group-containing imidazole-silane compound is a unit derived from imidazole represented by Formula 2, a unit derived from silane represented by Formula 3, and a unit derived from phthalic anhydride represented by Formula 4 may include.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 실란은 적어도 에폭시기를 함유할 수 있다. 상기 이미다졸에 의한 상기 실란의 에폭시기 고리 열림 반응이 진행되어, 이미다졸-실란 화합물이 형성될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the silane may contain at least an epoxy group. An epoxy group ring opening reaction of the silane by the imidazole may proceed to form an imidazole-silane compound.

상기 실란은 적어도 하기 화학식 3-1로 표시되는 반응물을 포함할 수 있다.The silane may include at least a reactant represented by the following Chemical Formula 3-1.

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure pat00006
Figure pat00006

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 혼합물에서 상기 실란의 함량은 상기 이미다졸 100 중량부에 대하여 250 중량부 이상 350 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 실란의 함량은 상기 이미다졸 100 중량부에 대하여, 270 중량부 이상 330 중량부 이하, 285 중량부 이상 300 중량부 이하, 250 중량부 이상 300 중량부 이하, 320 중량부 이상 350 중량부 이하, 또는 275 중량부 이상 320 중량부 이하일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the silane in the mixture may be 250 parts by weight or more and 350 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the imidazole. Specifically, the content of the silane is based on 100 parts by weight of the imidazole, 270 parts by weight or more and 330 parts by weight or less, 285 parts by weight or more and 300 parts by weight or less, 250 parts by weight or more and 300 parts by weight or less, 320 parts by weight or more and 350 parts by weight or more. parts by weight or less, or 275 parts by weight or more and 320 parts by weight or less.

상기 혼합물에서 상기 이미다졸과 상기 실란의 함량을 전술한 범위로 조절함으로써, 상기 화학식 1의 주쇄에 해당되는 이미다졸-실란 화합물을 안정적으로 형성할 수 있다.By adjusting the contents of the imidazole and the silane in the mixture to the above-described ranges, the imidazole-silane compound corresponding to the main chain of Formula 1 may be stably formed.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 이미다졸과 상기 실란의 에폭시기 고리 열림 반응이 진행되어 이미다졸-실란 화합물이 형성되고, 이어서 프탈산 무수물의 고리 열림 반응이 진행되어 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물이 형성될 수 있다. 이때, 이미다졸-실란 화합물에 포함되는 카복실기는 상기 프탈산 무수물의 고리 열림 반응에 의해서 형성된 작용기이다.According to an exemplary embodiment of the present invention, an epoxy group ring-opening reaction of the imidazole and the silane proceeds to form an imidazole-silane compound, and then a ring-opening reaction of phthalic anhydride proceeds to a carboxyl group-containing imidazole-silane compound can be formed. In this case, the carboxyl group included in the imidazole-silane compound is a functional group formed by the ring opening reaction of the phthalic anhydride.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 프탈산 무수물의 벤젠 고리의 수소 원자 중 적어도 하나는 니트로기, 또는 카복실기로 치환될 수 있다. 상기 프탈산 무수물의 벤젠 고리의 수소 원자 중 적어도 하나가 니트로기, 또는 카복실기로 치환됨으로써, 상기 프탈산 무수물의 고리 열림 반응이 보다 용이하게 수행될 수 있다. 또한, 제조된 상기 카복실기 함유 이미다졸-실란의 pKa를 효과적으로 낮출 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, at least one of the hydrogen atoms of the benzene ring of the phthalic anhydride may be substituted with a nitro group or a carboxyl group. At least one of the hydrogen atoms of the benzene ring of the phthalic anhydride is substituted with a nitro group or a carboxyl group, so that the ring opening reaction of the phthalic anhydride may be more easily performed. In addition, it is possible to effectively lower the pKa of the prepared imidazole-silane containing a carboxyl group.

상기 프탈산 무수물은 하기 화학식 4-1 내지 화학식 4-3으로 표시되는 반응물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The phthalic anhydride may include at least one of the reactants represented by the following Chemical Formulas 4-1 to 4-3.

[화학식 4-1][Formula 4-1]

Figure pat00007
Figure pat00007

[화학식 4-2][Formula 4-2]

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 4-3][Formula 4-3]

Figure pat00009
Figure pat00009

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 혼합물에서 상기 프탈산 무수물의 함량은 상기 이미다졸 100 중량부에 대하여 150 중량부 이상 300 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 프탈산 무수물의 함량은 상기 이미다졸 100 중량부에 대하여, 160 중량부 이상 280 중량부 이하, 165 중량부 이상 250 중량부 이하, 170 중량부 이상 235 중량부 이하, 150 중량부 이상 200 중량부 이하, 215 중량부 이상 250 중량부 이하, 또는 175 중량부 이상 240 중량부 이하일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the phthalic anhydride in the mixture may be 150 parts by weight or more and 300 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the imidazole. Specifically, the content of the phthalic anhydride is based on 100 parts by weight of the imidazole, 160 parts by weight or more and 280 parts by weight or less, 165 parts by weight or more and 250 parts by weight or less, 170 parts by weight or more and 235 parts by weight or less, 150 parts by weight or more and 200 parts by weight or more. It may be no more than 215 parts by weight and no more than 250 parts by weight, or 175 parts by weight or more and 240 parts by weight or less.

상기 혼합물에서 상기 프탈산 무수물과 상기 이미다졸의 함량을 전술한 범위로 조절함으로써, 프탈산 무수물로부터 유래된 카복실기가 이미다졸 작용기를 블록하는 구조를 가지는 상기 화학식 1의 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물을 효과적으로 형성할 수 있다.By adjusting the content of the phthalic anhydride and the imidazole in the mixture to the above-mentioned range, the carboxyl group-containing imidazole-silane compound of Formula 1 having a structure in which a carboxyl group derived from phthalic anhydride blocks an imidazole functional group effectively can be formed

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물은 하기 화합물 1 내지 화합물 3으로 표시되는 상기 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the carboxyl group-containing imidazole-silane compound may include at least one of the carboxyl group-containing imidazole-silane compounds represented by Compounds 1 to 3 below.

[화합물 1][Compound 1]

Figure pat00010
Figure pat00010

[화합물 2][Compound 2]

Figure pat00011
Figure pat00011

[화합물 3][Compound 3]

Figure pat00012
Figure pat00012

상기 화합물 1은 2-메틸 이미다졸, 상기 화학식 3-1로 표시되는 실란 , 상기 화학식 4-1로 표시되는 프탈산 무수물을 반응시켜 제조된 것일 수 있다. 또한, 상기 화합물 2는 2-메틸 이미다졸, 상기 화학식 3-1로 표시되는 실란, 상기 화학식 4-2로 표시되는 프탈산 무수물을 반응시켜 제조된 것일 수 있다. 또한, 상기 화합물 3은 2-메틸 이미다졸, 상기 화학식 3-1로 표시되는 실란, 상기 화학식 4-3으로 표시되는 프탈산 무수물을 반응시켜 제조된 것일 수 있다.Compound 1 may be prepared by reacting 2-methyl imidazole, silane represented by Formula 3-1, and phthalic anhydride represented by Formula 4-1. In addition, Compound 2 may be prepared by reacting 2-methyl imidazole, silane represented by Formula 3-1, and phthalic anhydride represented by Formula 4-2. In addition, Compound 3 may be prepared by reacting 2-methyl imidazole, silane represented by Formula 3-1, and phthalic anhydride represented by Formula 4-3.

상기 화합물 1 내지 화합물 3 중 적어도 하나를 포함하는 알칼리 가용성 수지를 포함하는 절연 조성물을 이용하여, 도체 배선에 대한 밀착성이 우수한 절연층을 제공할 수 있다.An insulating layer having excellent adhesion to a conductor wiring may be provided by using an insulating composition including an alkali-soluble resin including at least one of Compounds 1 to 3.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물의 pKa는 1.5 이상 3.5 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물의 pKa는 1.6 이상 3.3 이하, 1.7 이상 3.1 이하, 1.5 이상 2.7 이하, 또는 2.5 이상 3.5 이하일 수 있다. 이때, 상기 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물의 pKa는 상기 프탈산 무수물 의 고리 열림 반응에 의하여 형성된 카복실기의 pKa를 의미할 수 있다. 상기 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물의 pKa가 전술한 범위 내인 경우, 상기 카복실기에 의하여 이미다졸 작용기가 블록되는 효과를 보다 향상시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the pKa of the carboxyl group-containing imidazole-silane compound may be 1.5 or more and 3.5 or less. Specifically, the pKa of the carboxyl group-containing imidazole-silane compound may be 1.6 or more and 3.3 or less, 1.7 or more and 3.1 or less, 1.5 or more and 2.7 or less, or 2.5 or more and 3.5 or less. In this case, the pKa of the carboxyl group-containing imidazole-silane compound may mean the pKa of the carboxyl group formed by the ring opening reaction of the phthalic anhydride. When the pKa of the carboxyl group-containing imidazole-silane compound is within the above range, the effect of blocking the imidazole functional group by the carboxyl group may be further improved.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알카리 가용성 수지는 산성 작용기; 및 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 각각 적어도 1 이상, 또는 2 이상 포함할 수 있다. 상기 산성 작용기의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 카르복시기 또는 페놀기를 포함할 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지는 산성 작용기를 적어도 1 이상, 또는 2 이상으로 포함하여 상기 고분자 수지층이 보다 높은 알카리 현상성을 나타내게 하며, 고분자 수지층의 현상속도를 조절할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the alkali-soluble resin has an acidic functional group; and at least 1 or more, or 2 or more, respectively, of a cyclic imide functional group substituted with an amino group. Examples of the acidic functional group are not particularly limited, but may include, for example, a carboxy group or a phenol group. The alkali-soluble resin includes at least one or more acidic functional groups, or two or more, so that the polymer resin layer exhibits higher alkali developability, and the development rate of the polymer resin layer can be controlled.

상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 작용기 구조 내에 아미노기와 고리형 이미드기를 포함하고 있으며, 적어도 1 이상, 또는 2 이상으로 포함될 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지가 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 적어도 1 이상, 또는 2 이상 함유함에 따라, 상기 알카리 가용성 수지는 아미노기에 포함된 활성수소가 다수 존재하는 구조를 가지게 되어, 열경화시 열경화성 바인더와의 반응성이 향상되면서 경화밀도를 높여 내열 신뢰성 및 기계적 성질을 높일 수 있다. The cyclic imide functional group substituted with the amino group includes an amino group and a cyclic imide group in the functional group structure, and may be included in at least one or more, or two or more. As the alkali-soluble resin contains at least one or more, or two or more cyclic imide functional groups substituted with the amino group, the alkali-soluble resin has a structure in which a plurality of active hydrogens included in the amino group are present, and upon thermal curing As the reactivity with the thermosetting binder is improved, the curing density can be increased to increase the heat resistance reliability and mechanical properties.

또한, 상기 고리형 이미드 작용기가 알카리 가용성 수지 내에 다수 존재하게 됨에 따라, 고리형 이미드 작용기에 포함된 카보닐기와 3차 아민기에 의해 극성이 높아져 상기 알카리 가용성 수지의 계면 접착력을 높일 수 있다. 이에 따라, 상기 알카리 가용성 수지가 함유된 고분자 수지층은 상부에 적층되는 금속층과의 계면 접착력이 높아질 수 있고, 구체적으로, 금속층 상부에 적층된 캐리어필름과 금속층간의 계면 접착력 보다 높은 접착력을 가질 수 있어, 후술하는 바와 같이, 캐리어필름과 금속층간의 물리적 박리가 가능하게 될 수 있다.In addition, as a plurality of the cyclic imide functional group is present in the alkali-soluble resin, the polarity is increased by the carbonyl group and the tertiary amine group included in the cyclic imide functional group, thereby increasing the interfacial adhesion of the alkali-soluble resin. Accordingly, the polymer resin layer containing the alkali-soluble resin may have a higher interfacial adhesion with the metal layer laminated thereon, and specifically, have higher adhesion than the interfacial adhesion between the carrier film and the metal layer laminated on the metal layer. Therefore, as will be described later, physical peeling between the carrier film and the metal layer may be possible.

보다 구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 하기 화학식5로 표시되는 작용기를 포함할 수 있다.More specifically, the cyclic imide functional group substituted with the amino group may include a functional group represented by the following Chemical Formula 5.

[화학식 5][Formula 5]

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 화학식 5에서, R4는 탄소수 1 내지 10, 또는 1 내지 5, 또는 1 내지 3의 알킬렌기 또는 알케닐기이며, "*"는 결합지점을 의미한다. 상기 알킬렌기는, 알케인(alkane)으로부터 유래한 2가의 작용기로, 예를 들어, 직쇄형, 분지형 또는 고리형으로서, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소부틸렌기, sec-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기 등이 될 수 있다. 상기 알킬렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기의 예로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 등을 들 수 있다.In Formula 5, R 4 is an alkylene or alkenyl group having 1 to 10, or 1 to 5, or 1 to 3 carbon atoms, and “*” means a bonding point. The alkylene group is a divalent functional group derived from an alkane, for example, a straight-chain, branched or cyclic, methylene group, ethylene group, propylene group, isobutylene group, sec-butylene group, It may be a tert-butylene group, a pentylene group, a hexylene group, or the like. One or more hydrogen atoms included in the alkylene group may be substituted with other substituents, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 carbon atoms. A to 12 aryl group, a C2 to C12 heteroaryl group, an arylalkyl group having 6 to 12 carbon atoms, a halogen atom, a cyano group, an amino group, an amidino group, a nitro group, an amide group, a carbonyl group, a hydroxyl group, a sulfonyl group, a carba A mate group, a C1-C10 alkoxy group, etc. are mentioned.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정되지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substituted" means that other functional groups are bonded instead of hydrogen atoms in the compound, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, the position where the substituent is substituted, is not limited, and when substituted by two or more, two or more The substituents may be the same as or different from each other.

상기 알케닐기는, 상술한 알킬렌기의 중간이나 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 함유하고 있는 것을 의미하며, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 헥실렌, 아세틸렌 등을 들 수 있다. 상기 알케닐기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 알킬렌기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환 가능하다.The alkenyl group means one containing at least one carbon-carbon double bond in the middle or at the terminal of the above-described alkylene group, and examples include ethylene, propylene, butylene, hexylene, acetylene, and the like. . One or more hydrogen atoms in the alkenyl group may be substituted with the same substituents as in the case of the alkylene group.

바람직하게는 상기 아미노기로 치환된 고리형이미드 작용기는 하기 화학식 6으로 표시되는 작용기일 수 있다.Preferably, the cyclic imide functional group substituted with the amino group may be a functional group represented by the following formula (6).

[화학식 6][Formula 6]

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 화학식 6에서, "*"는 결합지점을 의미한다.In Formula 6, "*" means a bonding point.

상기 알카리 가용성 수지는 상술한 바와 같이, 산성 작용기와 함께 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 포함하며, 구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기의 적어도 하나의 말단에 산성 작용기가 결합할 수 있다. 이때, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기와 산성 작용기는 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 결합할 수 있으며, 예를 들어, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 아미노기의 말단에 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 산성 작용기가 결합할 수 있으며, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 이미드 작용기의 말단에 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 산성 작용기가 결합할 수 있다.As described above, the alkali-soluble resin includes a cyclic imide functional group substituted with an amino group together with an acidic functional group, and specifically, an acidic functional group is bonded to at least one terminal of the cyclic imide functional group substituted with an amino group. can do. In this case, the cyclic imide functional group substituted with the amino group and the acidic functional group may be bonded via a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group, for example, the cyclic imide functional group substituted with the amino group An acidic functional group may be bonded to the terminal of the amino group included in the imide functional group through a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group, and the amino group included in the cyclic imide functional group substituted with the amino group may be bonded to the terminal. An acidic functional group may be bonded to the terminal of the functional group via a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group.

보다 구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 아미노기의 말단이란, 상기 화학식 5에서 아미노기에 포함된 질소원자를 의미하며, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 이미드 작용기의 말단이란, 상기 화학식 5에서 고리형 이미드 작용기에 포함된 질소원자를 의미할 수 있다.More specifically, the terminus of the amino group included in the cyclic imide functional group substituted with the amino group means a nitrogen atom included in the amino group in Formula 5, and the amino group included in the cyclic imide functional group substituted with the amino group The terminus of the de functional group may mean a nitrogen atom included in the cyclic imide functional group in Formula 5 above.

상기 알킬렌기는, 알케인(alkane)으로부터 유래한 2가의 작용기로, 예를 들어, 직쇄형, 분지형 또는 고리형으로서, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소부틸렌기, sec-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기 등이 될 수 있다. 상기 알킬렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기의 예로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 등을 들 수 있다.The alkylene group is a divalent functional group derived from an alkane, for example, a straight-chain, branched or cyclic, methylene group, ethylene group, propylene group, isobutylene group, sec-butylene group, It may be a tert-butylene group, a pentylene group, a hexylene group, or the like. One or more hydrogen atoms included in the alkylene group may be substituted with other substituents, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 carbon atoms. A to 12 aryl group, a C2 to C12 heteroaryl group, an arylalkyl group having 6 to 12 carbon atoms, a halogen atom, a cyano group, an amino group, an amidino group, a nitro group, an amide group, a carbonyl group, a hydroxyl group, a sulfonyl group, a carba A mate group, a C1-C10 alkoxy group, etc. are mentioned.

상기 아릴렌기는, 아렌(arene)으로부터 유래한 2가의 작용기로, 예를 들어, 고리형으로서, 페닐기, 나프틸기 등이 될 수 있다. 상기 아릴렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기의 예로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 등을 들 수 있다.The arylene group is a divalent functional group derived from arene, for example, a cyclic group, and may be a phenyl group, a naphthyl group, or the like. One or more hydrogen atoms included in the arylene group may be substituted with other substituents, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 carbon atoms. A to 12 aryl group, a C2 to C12 heteroaryl group, an arylalkyl group having 6 to 12 carbon atoms, a halogen atom, a cyano group, an amino group, an amidino group, a nitro group, an amide group, a carbonyl group, a hydroxyl group, a sulfonyl group, a carba A mate group, a C1-C10 alkoxy group, etc. are mentioned.

상기 알카리 가용성 수지를 제조하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 고리형 불포화 이미드 화합물; 및 아민 화합물의 반응을 통해 제조될 수 있다. 이때, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물; 및 아민 화합물 중 적어도 하나 이상은 말단에 치환된 산성 작용기를 포함할 수 있다. 즉, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물, 아민 화합물, 또는 이들 2종 화합물 모두의 말단에 산성 작용기가 치환될 수 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다.Examples of the method for preparing the alkali-soluble resin are not particularly limited, but for example, a cyclic unsaturated imide compound; And it can be prepared through the reaction of an amine compound. In this case, the cyclic unsaturated imide compound; And at least one of the amine compound may include an acidic functional group substituted at the terminal. That is, an acidic functional group may be substituted at the terminal of the cyclic unsaturated imide compound, the amine compound, or both of these compounds. The content of the acidic functional group is the same as described above.

상기 고리형 이미드 화합물은 상술한 고리형 이미드 작용기를 포함한 화합물이며, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물은 고리형 이미드 화합물 내에 불포화 결합, 즉 이중결합 또는 삼중결합을 적어도 1이상 포함한 화합물을 의미한다. The cyclic imide compound is a compound including the above-described cyclic imide functional group, and the cyclic unsaturated imide compound refers to a compound containing at least one unsaturated bond, that is, a double bond or a triple bond in the cyclic imide compound. do.

상기 알카리 가용성 수지는 상기 아민 화합물에 포함된 아미노기와 고리형 불포화 이미드 화합물에 포함된 이중결합 또는 삼중결합의 반응을 통해 제조될 수 있다.The alkali-soluble resin may be prepared through a reaction of an amino group included in the amine compound with a double bond or a triple bond included in the cyclic unsaturated imide compound.

상기 고리형 불포화 이미드 화합물 및 아민 화합물을 반응시키는 중량비율의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물 100 중량부에 대하여, 상기 아민 화합물을 10 내지 80 중량부, 또는 30 내지 60 중량부로 혼합하여 반응시킬 수 있다.Examples of the weight ratio for reacting the cyclic unsaturated imide compound and the amine compound are not particularly limited, but for example, based on 100 parts by weight of the cyclic unsaturated imide compound, 10 to 80 parts by weight of the amine compound; Or 30 to 60 parts by weight may be mixed and reacted.

상기 고리형 불포화 이미드 화합물의 예로는 N-치환 말레이미드 화합물을 들 수 있다. N-치환이란 말레이미드 화합물에 포함된 질소원자에 결합한 수소 원자 대신 작용기가 결합한 것을 의미하며, 상기 N-치환 말레이미드 화합물은 N-치환된 말레이미드 화합물의 개수에 따라 단관능 N-치환 말레이미드 화합물과 다관능 N-치환 말레이미드 화합물로 분류될 수 있다.Examples of the cyclic unsaturated imide compound include N-substituted maleimide compounds. N-substituted means that a functional group is bonded instead of a hydrogen atom bonded to a nitrogen atom included in the maleimide compound, and the N-substituted maleimide compound is a monofunctional N-substituted maleimide according to the number of N-substituted maleimide compounds. compounds and polyfunctional N-substituted maleimide compounds.

상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물은 하나의 말레이미드 화합물에 포함된 질소원자에 작용기가 치환된 화합물이며, 상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물은 2이상의 말레이미드 화합물 각각에 포함된 질소원자가 작용기를 매개로 결합한 화합물이다.The monofunctional N-substituted maleimide compound is a compound in which a functional group is substituted for a nitrogen atom included in one maleimide compound, and the polyfunctional N-substituted maleimide compound includes a nitrogen atom included in each of two or more maleimide compounds. It is a compound bound by a medium.

상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물에서, 상기 말레이미드 화합물에 포함된 질소 원자에 치환되는 작용기는 공지된 다양한 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기를 제한없이 포함할 수 있으며, 상기 질소 원자에 치환되는 작용기는 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기에 산성 작용기가 치환된 작용기를 포함할 수도 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다.In the monofunctional N-substituted maleimide compound, the functional group substituted for the nitrogen atom included in the maleimide compound may include, without limitation, various known aliphatic, alicyclic or aromatic functional groups, and the functional group substituted for the nitrogen atom may include a functional group in which an acidic functional group is substituted with an aliphatic, alicyclic or aromatic functional group. The content of the acidic functional group is the same as described above.

상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물의 구체적인 예로는 o-메틸페닐말레이미드, p-하이드록시페닐말레이미드, p-카복시페닐말레이미드, 또는 도데실말레이미드 등을 들 수 있다.Specific examples of the monofunctional N-substituted maleimide compound include o-methylphenylmaleimide, p-hydroxyphenylmaleimide, p-carboxyphenylmaleimide, or dodecylmaleimide.

상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물에서, 2이상의 말레이미드 화합물 각각에 포함된 질소원자간 결합을 매개하는 작용기는 공지된 다양한 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기를 제한없이 포함할 수 있으며, 구체적인 예를 들면, 4,4'-디페닐메탄(diphenylmethane) 작용기 등을 사용할 수 있다. 상기 질소 원자에 치환되는 작용기는 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기에 산성 작용기가 치환된 작용기를 포함할 수도 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다. In the polyfunctional N-substituted maleimide compound, the functional group mediating the bond between nitrogen atoms included in each of the two or more maleimide compounds may include various well-known aliphatic, alicyclic or aromatic functional groups without limitation, specific examples include , 4,4'-diphenylmethane functional group, etc. may be used. The functional group substituted for the nitrogen atom may include a functional group in which an acidic functional group is substituted with an aliphatic, alicyclic or aromatic functional group. The content of the acidic functional group is the same as described above.

상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물의 구체적인 예로는 4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드(Daiwakasei사의 BMI-1000, BMI-1100 등), 페닐메탄 비스말레이미드, m-페닐렌메탄 비스말레이미드, 비스페놀 A 디페닐에테르 비스말레이미드, 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드, 4-메틸-1,3-페닐렌 비스말레이미드, 1,6'-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyfunctional N-substituted maleimide compound include 4,4'-diphenylmethane bismaleimide (BMI-1000, BMI-1100, etc., manufactured by Daiwakasei), phenylmethane bismaleimide, and m-phenylenemethane bismaleimide. Mead, bisphenol A diphenylether bismaleimide, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide, 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide imide, 1,6'-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane, and the like.

상기 아민 화합물은 분자구조내에 아미노기(-NH2)를 적어도 1이상 함유한 1차 아민 화합물을 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 아미노기로 치환된 카복시산 화합물, 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. The amine compound may be a primary amine compound containing at least one amino group (-NH 2 ) in its molecular structure, and more preferably a carboxylic acid compound substituted with an amino group, a polyfunctional amine compound containing two or more amino groups, or Mixtures thereof may be used.

상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물에서, 카복시산 화합물은 분자 내에 카르복시산(-COOH) 작용기를 포함한 화합물로서, 카르복시산 작용기와 결합한 탄화수소의 종류에 따라 지방족, 지환족 또는 방향족 카복시산을 모두 포함할 수 있다. 상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물을 통해 상기 알카리 가용성 수지 내에 산성 작용기인 카복시산 작용기가 다수 포함되면서, 상기 알카리 가용성 수지의 현상성이 향상될 수 있다.In the carboxylic acid compound substituted with the amino group, the carboxylic acid compound is a compound containing a carboxylic acid (-COOH) functional group in a molecule, and may include all of aliphatic, alicyclic or aromatic carboxylic acids depending on the type of hydrocarbon bound to the carboxylic acid functional group. . As a plurality of carboxylic acid functional groups are included in the alkali-soluble resin through the carboxylic acid compound substituted with the amino group, the developability of the alkali-soluble resin may be improved.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며, 상기 카복시산 화합물에 아미노기가 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치라면 한정되지 않으며, 치환되는 아미노기의 개수는 1 이상일 수 있다.The term "substitution" means that another functional group is bonded instead of a hydrogen atom in the compound, and the position at which the amino group is substituted in the carboxylic acid compound is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, and the number of substituted amino groups is 1 or more. can

상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물의 구체적인 예를 들면, 단백질의 원료로 알려진 20여종의 α-아미노산, 4-아미노부탄산, 5-아미노펜탄산, 6-아미노헥산산, 7-아미노헵탄산, 8-아미노옥탄산, 4-아미노벤조산, 4-아미노페닐아세트산, 4-아미노 시클로헥산 카복시산 등을 들 수 있다.Specific examples of the carboxylic acid compound substituted with the amino group include 20 kinds of α-amino acids, 4-aminobutanoic acid, 5-aminopentanoic acid, 6-aminohexanoic acid, 7-aminoheptanoic acid, 8 -aminooctanoic acid, 4-aminobenzoic acid, 4-aminophenylacetic acid, 4-amino cyclohexane carboxylic acid, etc. are mentioned.

또한, 상기 2 이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물은 분자 내에 2 이상의 아미노기(-NH2)를 포함한 화합물로서, 아미노기와 결합한 탄화수소의 종류에 따라 지방족, 지환족 또는 방향족 다관능 아민을 모두 포함할 수 있다. 상기 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물을 통해 상기 알카리 가용성 수지의 가요성, 인성, 동박밀착력 등이 향상될 수 있다.In addition, the polyfunctional amine compound including two or more amino groups is a compound containing two or more amino groups (-NH 2 ) in a molecule, and may include all of aliphatic, alicyclic or aromatic polyfunctional amines depending on the type of hydrocarbon bonded to the amino group. there is. Flexibility, toughness, copper foil adhesion, etc. of the alkali-soluble resin may be improved through the polyfunctional amine compound including two or more amino groups.

상기 2 이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물의 구체적인 예를 들면, 1,3-시클로헥산디아민, 1,4-시클로헥산디아민, 1,3-비스(아미노메틸)-시클로헥산, 1,4-비스(아미노메틸)-시클로헥산, 비스(아미노메틸)-노보넨, 옥타하이드로-4,7-메타노인덴-1(2), 5(6)-디메탄아민, 4,4'-메틸렌비스(시클로헥실아민), 4,4'-메틸렌비스(2-메틸시클로헥실아민), 이소포론디아민, 1,3-페닐렌디아민, 1,4-페닐렌디아민, 2,5-디메틸-1,4-페닐렌디아민, 2,3,5,6,-테트라메틸-1,4-페닐렌디아민, 2,4,5,6-테트라플루오로-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라플루오로-1,4-페닐렌디아민, 4,6-디아미노레조시놀, 2,5-디아미노-1,4-벤젠디티올, 3-아미노벤질아민, 4-아미노벤질아민, m-자일렌디아민, p-자일렌디아민, 1,5-디아미노나프탈렌, 2,7-디아미노플루오렌, 2,6-디아미노안트라퀴논, m-톨리딘, o-톨리딘, 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘 (TMB), o-디아니시딘, 4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린), 3,3'-디아미노벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-벤지딘, 4,4'-디아미노옥타플루오로비페닐, 4,4'-디아미노-p-터페닐, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄, 4,4'-메틸렌비스(2-에틸-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디에틸아닐린), 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-에틸렌디아닐린, 4,4'-디아미노-2,2'-디메틸비벤질, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 2,2'-비스(3-아미노페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-메틸페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-헥사플루오로프로판,α, α'-비스(4-아미노페닐)-1,4-디아이소프로필벤젠, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)-2-프로필]벤젠, 1,1'-비스(4-아미노페닐)-시클로헥산, 9,9'-비스(4-아미노페닐)-플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-클로로페닐)플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-메틸페닐)플루오렌,3,4'-디아미노디페닐에터, 4,4'-디아미노디페닐에터, 1,3-비스(3-아미노페녹시)-벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)-벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)-벤젠, 1,4-비스(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)-벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)-비페닐, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]프로판, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]헥사플루오로프로판, 비스(2-아미노페닐)설파이드, 비스(4-아미노페닐)설파이드, 비스(3-아미노페닐)설폰, 비스(4-아미노페닐)설폰, 비스(3-아미노-4-하이드록시)설폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)-페닐]설폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]설폰, o-톨리딘 설폰, 3,6-디아미노카바졸, 1,3,5-트리스(4-아미노페닐)-벤젠, 1,3-비스(3-아미노프로필)-테트라메틸디실록산, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 2-(3-아미노페닐)-5-아미노벤즈이미다졸, 2-(4-아미노페닐)-5-아미노벤족사졸, 1-(4-아미노페닐)-2,3-디하이드로-1,3,3-트리메틸-1H-인덴-5-아민, 4,6-디아미노레조시놀, 2,3,5,6-피리딘테트라아민, 신에츠 실리콘의 실록산 구조를 포함한 다관능 아민(PAM-E, KF-8010, X-22-161A, X-22-161B, KF-8012, KF-8008, X-22-1660B-3, X-22-9409), 다우코닝의 실록산 구조를 포함한 다관능 아민(Dow Corning 3055), 폴리에테르 구조를 포함한 다관능 아민(Huntsman사, BASF사) 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyfunctional amine compound containing two or more amino groups include 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1,3-bis(aminomethyl)-cyclohexane, 1,4-bis (aminomethyl)-cyclohexane, bis(aminomethyl)-norbornene, octahydro-4,7-methanoindene-1(2), 5(6)-dimethanamine, 4,4'-methylenebis( Cyclohexylamine), 4,4'-methylenebis(2-methylcyclohexylamine), isophoronediamine, 1,3-phenylenediamine, 1,4-phenylenediamine, 2,5-dimethyl-1,4 -Phenylenediamine, 2,3,5,6,-tetramethyl-1,4-phenylenediamine, 2,4,5,6-tetrafluoro-1,3-phenylenediamine, 2,3,5 ,6-Tetrafluoro-1,4-phenylenediamine, 4,6-diaminoresorcinol, 2,5-diamino-1,4-benzenedithiol, 3-aminobenzylamine, 4-aminobenzyl Amine, m-xylenediamine, p-xylenediamine, 1,5-diaminonaphthalene, 2,7-diaminofluorene, 2,6-diaminoanthraquinone, m-tolidine, o-tolidine, 3,3',5,5'-tetramethylbenzidine (TMB), o-dianisidine, 4,4'-methylenebis(2-chloroaniline), 3,3'-diaminobenzidine, 2,2' -bis(trifluoromethyl)-benzidine, 4,4'-diaminooctafluorobiphenyl, 4,4'-diamino-p-terphenyl, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4 '-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane, 4,4'-methylenebis(2-ethyl-6) -Methylaniline), 4,4'-methylenebis(2,6-diethylaniline), 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-ethylenedianiline , 4,4'-diamino-2,2'-dimethylbibenzyl, 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 2,2'-bis(3-aminophenyl)- Hexafluoropropane, 2,2'-bis(4-aminophenyl)-hexafluoropropane, 2,2'-bis(3-amino-4-methylphenyl)-hexafluoropropane, 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl)-hexafluoropropane, α, α′-bis(4-aminophenyl)-1,4-diisopropylbenzene, 1,3-bis[2-(4- amino Phenyl)-2-propyl]benzene, 1,1'-bis(4-aminophenyl)-cyclohexane, 9,9'-bis(4-aminophenyl)-fluorene, 9,9'-bis(4- Amino-3-chlorophenyl) fluorene, 9,9'-bis (4-amino-3-fluorophenyl) fluorene, 9,9'-bis (4-amino-3-methylphenyl) fluorene, 3, 4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 1,3-bis(3-aminophenoxy)-benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)- Benzene, 1,4-bis(4-aminophenoxy)-benzene, 1,4-bis(4-amino-2-trifluoromethylphenoxy)-benzene, 4,4'-bis(4-aminophenoxy) Si)-biphenyl, 2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)-phenyl]propane, 2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)-phenyl]hexafluoropropane , bis(2-aminophenyl)sulfide, bis(4-aminophenyl)sulfide, bis(3-aminophenyl)sulfone, bis(4-aminophenyl)sulfone, bis(3-amino-4-hydroxy)sulfone, Bis[4-(3-aminophenoxy)-phenyl]sulfone, bis[4-(4-aminophenoxy)-phenyl]sulfone, o-tolidine sulfone, 3,6-diaminocarbazole, 1,3 ,5-tris(4-aminophenyl)-benzene, 1,3-bis(3-aminopropyl)-tetramethyldisiloxane, 4,4'-diaminobenzanilide, 2-(3-aminophenyl)-5 -Aminobenzimidazole, 2-(4-aminophenyl)-5-aminobenzoxazole, 1-(4-aminophenyl)-2,3-dihydro-1,3,3-trimethyl-1H-indene-5 -amine, 4,6-diaminoresorcinol, 2,3,5,6-pyridinetetraamine, polyfunctional amine including the siloxane structure of Shin-Etsu Silicone (PAM-E, KF-8010, X-22-161A, X-22-161B, KF-8012, KF-8008, X-22-1660B-3, X-22-9409), polyfunctional amine containing Dow Corning siloxane structure (Dow Corning 3055), polyether structure containing polyfunctional amines (manufactured by Huntsman, BASF) and the like.

또한, 상기 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 7으로 표시되는 반복단위; 및 하기 화학식 8로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함할 수 있다.In addition, the alkali-soluble resin may include a repeating unit represented by the following Chemical Formula 7; and at least one repeating unit represented by the following Chemical Formula 8, respectively.

[화학식 7][Formula 7]

Figure pat00015
Figure pat00015

상기 화학식 7에서, R5는 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, "*"는 결합지점을 의미하고,In Formula 7, R 5 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, "*" means a bonding point,

[화학식 8][Formula 8]

Figure pat00016
Figure pat00016

상기 화학식 8에서, R6은 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, R7은 -H, -OH, -NR8R9, 할로겐, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며, 상기 R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기일 수 있고, "*"는 결합지점을 의미한다.In Formula 8, R 6 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and R 7 is -H, -OH, -NR 8 R 9 , halogen, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, wherein R 8 and R 9 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, "*" is a bonding point it means.

바람직하게는 상기 화학식 7에서 R5는 페닐렌이고, 상기 화학식 8에서, R6은 페닐렌이며, R7은 -OH일 수 있다.Preferably, in Formula 7, R 5 may be phenylene, in Formula 8, R 6 may be phenylene, and R 7 may be —OH.

한편, 상기 알카리 가용성 수지는 상기 화학식 7로 표시되는 반복단위; 및 상기 화학식 8로 표시되는 반복단위 이외에 추가로 비닐계 반복단위를 더 포함할 수 있다. 상기 비닐계 반복단위는 분자내에 적어도 1이상의 비닐기를 포함하는 비닐계 단량체의 단독중합체에 포함되는 반복단위로서, 상기 비닐계 단량체의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌, 부타디엔, 스티렌, 아크릴산, 메타아크릴산, 무수말레인산, 또는 말레이미드 등을 들 수 있다.On the other hand, the alkali-soluble resin may include a repeating unit represented by Chemical Formula 7; And it may further include a vinyl-based repeating unit in addition to the repeating unit represented by the formula (8). The vinyl-based repeating unit is a repeating unit included in a homopolymer of a vinyl-based monomer including at least one vinyl group in a molecule, and examples of the vinyl-based monomer are not particularly limited, for example, ethylene, propylene, isobutylene. , butadiene, styrene, acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride, or maleimide.

상술한 화학식 7로 표시되는 반복단위; 및 화학식 8로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함하는 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 9로 표시되는 반복단위를 포함한 중합체, 하기 화학식 10으로 표시되는 아민, 및 하기 화학식 11로 표시되는 아민의 반응으로 제조될 수 있다.a repeating unit represented by the above-described Chemical Formula 7; And the alkali-soluble resin each comprising at least one repeating unit represented by the formula (8) is a polymer including a repeating unit represented by the following formula (9), an amine represented by the following formula (10), and an amine represented by the following formula (11) can be manufactured.

[화학식 9][Formula 9]

Figure pat00017
Figure pat00017

[화학식 10][Formula 10]

Figure pat00018
Figure pat00018

[화학식 11] [Formula 11]

Figure pat00019
Figure pat00019

상기 화학식 9 내지 11에서, R5 내지 R7은 상기 화학식 7, 8에서 상술한 내용과 동일하며, "*"는 결합지점을 의미한다.In Formulas 9 to 11, R 5 to R 7 are the same as described above in Formulas 7 and 8, and “*” means a bonding point.

상기 화학식 9로 표시되는 반복단위를 포함한 중합체의 구체적인 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, Cray valley사의 SMA, Polyscope사의 Xiran, Solenis사의 Scripset, Kuraray사의 Isobam, Chevron Phillips Chemical사의 Polyanhydride resin, Lindau Chemicals사의 Maldene 등을 들 수 있다. Specific examples of the polymer including the repeating unit represented by Formula 9 are not particularly limited, but for example, SMA of Cray valley, Xiran of Polyscope, Scripset of Solenis, Isobam of Kuraray, Polyanhydride resin of Chevron Phillips Chemical, Lindau Chemicals Maldene, Inc., etc. are mentioned.

또한, 상술한 화학식 7로 표시되는 반복단위; 및 화학식 8로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함하는 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 12로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 13으로 표시되는 화합물의 반응으로 제조될 수 있다.In addition, the repeating unit represented by the above formula (7); And the alkali-soluble resin each comprising at least one repeating unit represented by Formula 8 may be prepared by reacting a compound represented by Formula 12 with a compound represented by Formula 13 below.

[화학식 12][Formula 12]

Figure pat00020
Figure pat00020

[화학식 13] [Formula 13]

Figure pat00021
Figure pat00021

상기 화학식 12 및 13에서, R5 내지 R7은 상기 화학식 7, 8에서 상술한 내용과 동일하다.In Formulas 12 and 13, R 5 to R 7 are the same as described above in Formulas 7 and 8.

또한, 상기 알카리 가용성 수지는 분자 중에 카르복시기 또는 페놀기를 함유하고 있는 공지 관용의 카르복시기 함유 수지 또는 페놀기 함유 수지를 사용할 수 있다. 바람직하게는 상기 카르복시기 함유 수지 또는 상기 카르복시기 함유 수지에 페놀기 함유 수지를 혼합하여 사용할 수 있다.In addition, as the alkali-soluble resin, a known and usual carboxy group-containing resin or phenol group-containing resin containing a carboxy group or a phenol group in the molecule may be used. Preferably, the carboxyl group-containing resin or the carboxyl group-containing resin may be mixed with a phenol group-containing resin.

상기 카르복시기 함유 수지의 예로는 하기 열거하는 (1) 내지 (7)의 수지를 들 수 있다.Examples of the carboxyl group-containing resin include the resins of (1) to (7) listed below.

(1) 다관능 에폭시 수지에 포화 또는 불포화 모노카르복시기를 반응시킨 후, 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지,(1) a carboxyl group-containing resin obtained by reacting a polyfunctional epoxy resin with a saturated or unsaturated monocarboxyl group and then reacting a polybasic acid anhydride;

(2) 2관능 에폭시 수지에 2관능 페놀, 및(또는) 디카르복시기를 반응시킨 후 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지,(2) a carboxyl group-containing resin obtained by reacting a bifunctional epoxy resin with a difunctional phenol and/or a dicarboxyl group and then reacting a polybasic acid anhydride;

(3) 다관능 페놀 수지에 분자 내에 1개의 에폭시기를 갖는 화합물을 반응시킨 후 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지,(3) a carboxyl group-containing resin obtained by reacting a polyfunctional phenol resin with a compound having one epoxy group in a molecule and then reacting a polybasic acid anhydride;

(4) 분자 내에 2개 이상의 알코올성 수산기를 갖는 화합물에 다염기산 무수물을 반응시켜 이루어지는 카르복시기 함유 수지 (4) Carboxylic group-containing resin formed by reacting a polybasic acid anhydride with a compound having two or more alcoholic hydroxyl groups in the molecule

(5) 디아민(diamine)과 디안하이드라이드(dianhydride)를 반응시킨 폴리아믹산 수지 또는 폴리아믹산 수지의 공중합체 수지(5) Polyamic acid resin or copolymer resin of polyamic acid resin in which diamine and dianhydride are reacted

(6) 아크릴산을 반응시킨 폴리아크릴산 수지 또는 폴리아크릴산 수지의 공중합체(6) Polyacrylic acid resin or copolymer of polyacrylic acid resin reacted with acrylic acid

(7) 말레산무수물을 반응시킨 폴리말레산무수물 수지 및 폴리말레산무수물 수지 공중합체의 무수물을 약산, 디아민, 이미다졸(imidazole), 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide)로 개환시켜 제조한 수지 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.(7) A resin prepared by ring-opening an anhydride of a polymaleic anhydride resin and a polymaleic anhydride resin copolymer reacted with maleic anhydride with a weak acid, diamine, imidazole, or dimethyl sulfoxide; However, it is not limited to these.

상기 카르복시기 함유 수지의 보다 구체적인 예로는 일본화약의 CCR-1291H, 신아 T&C의 SHA-1216CA60, Lubrizol의 Noverite K-700 또는 이들의 2종 이상의 혼합물 등을 들 수 있다.More specific examples of the carboxyl group-containing resin include CCR-1291H from Nippon Kayaku, SHA-1216CA60 from Shin-A T&C, Noverite K-700 from Lubrizol, or a mixture of two or more thereof.

상기 페놀기 함유 수지의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀F(BPF) 노볼락 수지 등의 노볼락 수지 또는 4,4'-(1-(4-(2-(4-하이드록시페닐)프로판-2-일)페닐)에탄-1,1-다이일)다이페놀 [4,4'-(1-(4-(2-(4-Hydroxyphenyl)propan-2-yl)phenyl)ethane-1,1-diyl)diphenol]등의 비스페놀 A계 수지를 각각 단독으로 사용하거나 혼합하여 사용할 수 있다.Examples of the phenol group-containing resin are not particularly limited, but for example, novolak resins such as phenol novolac resin, cresol novolak resin, bisphenol F (BPF) novolak resin, or 4,4'-(1-(4) -(2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl)phenyl)ethane-1,1-diyl)diphenol [4,4'-(1-(4-(2-(4-Hydroxyphenyl) propan-2-yl)phenyl)ethane-1,1-diyl)diphenol] can be used alone or mixed.

상기 알카리 가용성 수지는 KOH 적정에 의해 구해지는 산가(acid value)가 50 mgKOH/g 내지 250 mgKOH/g, 또는 70 mgKOH/g 내지 200 mgKOH/g일 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지의 산가를 측정하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 다음과 같은 방법을 사용할 수 있다. 베이스 용매(base solution)로서 0.1 N의 농도의 KOH 용액(용매: 메탄올)을 준비하고, 표지자(indicator)로는 알파-나프톨벤제인(alpha-naphtholbenzein)(pH: 0.8 ~ 8.2 yellow, 10.0 blue green)을 준비하였다. 이어서, 시료인 알카리 가용성 수지 약 1 내지 2 g을 채취하여 디메틸포름알데히드(DMF) 용매 50 g에 녹인 후에 표지자를 첨가한 후에 베이스 용매로 적정하였다. 적정 완료 시점에서 사용된 베이스 용매의 양으로 산가(acid value)를 mg KOH/g의 단위로 구하였다.The alkali-soluble resin may have an acid value obtained by KOH titration of 50 mgKOH/g to 250 mgKOH/g, or 70 mgKOH/g to 200 mgKOH/g. Examples of the method for measuring the acid value of the alkali-soluble resin are not particularly limited, but, for example, the following method may be used. Prepare a KOH solution (solvent: methanol) having a concentration of 0.1 N as a base solution, and alpha-naphtholbenzein (pH: 0.8 ~ 8.2 yellow, 10.0 blue green) as an indicator was prepared. Then, about 1 to 2 g of the alkali-soluble resin as a sample was taken, dissolved in 50 g of a dimethylformaldehyde (DMF) solvent, a marker was added, and then titrated with a base solvent. At the completion of the titration, the acid value was calculated as the amount of the base solvent used in units of mg KOH/g.

상기 알카리 가용성 수지의 산가가 50 mgKOH/g 미만으로 지나치게 감소할 경우, 상기 알카리 가용성 수지의 현상성이 낮아져 현상 공정을 진행하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 알카리 가용성 수지의 산가가 250 mgKOH/g 초과로 지나치게 증가할 경우, 극성 증대로 인해 다른 수지와의 상분리가 발생할 수 있다. When the acid value of the alkali-soluble resin is excessively reduced to less than 50 mgKOH/g, the developability of the alkali-soluble resin may be lowered, and thus it may be difficult to proceed with the development process. In addition, when the acid value of the alkali-soluble resin is excessively increased to more than 250 mgKOH/g, phase separation from other resins may occur due to increased polarity.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열경화성 바인더는 열경화 가능한 작용기, 옥세타닐기, 환상 에테르기, 환상 티오 에테르기, 시아나이드기, 말레이미드기 및 벤족 사진기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기 및 에폭시기를 포함할 수 있다. 즉, 상기 열경화성 바인더는 에폭시기를 반드시 포함하며, 에폭시기이외로 옥세타닐기, 환상 에테르기, 환상 티오 에테르기, 시아나이드(cyanide)기, 말레이미드(maleimide)기, 벤족사진(benzoxazine)기 또는 이들의 2종 이상을 혼합하여 포함할 수 있다. 이러한 열경화성 바인더는 열경화에 의해 알칼리 가용성 수지 등과 가교 결합을 형성해 절연층의 내열성 또는 기계적 물성을 담보할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the thermosetting binder is at least one functional group selected from the group consisting of a thermosetting functional group, an oxetanyl group, a cyclic ether group, a cyclic thioether group, a cyanide group, a maleimide group, and a benzo group. and an epoxy group. That is, the thermosetting binder necessarily includes an epoxy group, and in addition to the epoxy group, an oxetanyl group, a cyclic ether group, a cyclic thioether group, a cyanide group, a maleimide group, a benzoxazine group, or these groups It may include a mixture of two or more of. Such a thermosetting binder may form a cross-link with an alkali-soluble resin or the like by thermosetting to ensure heat resistance or mechanical properties of the insulating layer.

보다 구체적으로, 상기 열경화성 바인더로는, 분자 내에 전술한 작용기를 2 이상 포함한 다관능성 수지 화합물을 사용할 수 있다. 상기 다관능성 수지 화합물은 분자 중에 2개 이상의 환상 에테르기 및/또는 환상 티오에테르기(이하, 환상 (티오)에테르기라고 함)를 포함한 수지를 포함할 수 있다.More specifically, as the thermosetting binder, a polyfunctional resin compound including two or more of the above-described functional groups in a molecule may be used. The polyfunctional resin compound may include a resin including two or more cyclic ether groups and/or cyclic thioether groups (hereinafter, referred to as cyclic (thio)ether groups) in the molecule.

상기 분자 중에 2개 이상의 환상 (티오)에테르기를 포함한 열경화성 바인더는 분자 중에 3, 4 또는 5원환의 환상 에테르기, 또는 환상 티오에테르기 중 어느 한쪽 또는 2종의 기를 적어도 2개 이상 갖는 화합물을 포함할 수 있다.The thermosetting binder containing two or more cyclic (thio) ether groups in the molecule contains a compound having at least two or more groups of any one or two types of cyclic ether groups of 3, 4, or 5-membered rings or cyclic thioether groups in the molecule can do.

상기 분자 중에 2개 이상의 환상 티오에테르기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 재팬 에폭시 레진사 제조의 비스페놀 A형 에피술피드 수지 YL7000 등을 들 수 있다.As a compound which has two or more cyclic thioether groups in the said molecule|numerator, the bisphenol A episulfide resin YL7000 by the Japan Epoxy Resins company etc. are mentioned, for example.

또한, 상기 다관능성 수지화합물은 분자 중에 적어도 2개 이상의 에폭시기를 포함한 다관능 에폭시 화합물, 분자 중에 적어도 2개 이상의 옥세타닐기를 포함한 다관능 옥세탄 화합물 또는 분자 중에 2개 이상의 티오에테르기를 포함한 에피술피드 수지, 분자 중에 적어도 2개 이상의 시아나이드기를 포함한 다관능 시아네이트 에스테르 화합물, 또는 분자 중에 적어도 2개 이상의 벤족사진기를 포함한 다관능 벤족사진 화합물 등을 포함할 수 있다.In addition, the polyfunctional resin compound is a polyfunctional epoxy compound containing at least two or more epoxy groups in the molecule, a polyfunctional oxetane compound containing at least two or more oxetanyl groups in the molecule, or episul containing two or more thioether groups in the molecule It may include a feed resin, a polyfunctional cyanate ester compound containing at least two or more cyanide groups in a molecule, or a polyfunctional benzoxazine compound containing at least two or more benzoxazine groups in a molecule.

상기 다관능 에폭시 화합물의 구체예로서는, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, N-글리시딜형 에폭시 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지, 킬레이트형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 아미노기 함유 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 페놀릭형 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 헤테로시클릭 에폭시 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지, ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 난연성 부여를 위해, 인 등의 원자가 그 구조 중에 도입된 것을 사용할 수도 있다. 이들 에폭시 수지는 열경화함으로써, 경화 피막의 밀착성, 땜납 내열성, 무전해 도금 내성 등의 특성을 향상시킬 수 있다.Specific examples of the polyfunctional epoxy compound include bisphenol A epoxy resin, hydrogenated bisphenol A epoxy resin, brominated bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, novolak epoxy resin , Phenol novolac type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, N-glycidyl type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, chelate type epoxy resin, gly Oxal-type epoxy resin, amino group-containing epoxy resin, rubber-modified epoxy resin, dicyclopentadiene phenolic-type epoxy resin, diglycidyl phthalate resin, heterocyclic epoxy resin, tetraglycidyl xylenoylethane resin, silicone-modified epoxy resin , ε-caprolactone-modified epoxy resin and the like. In addition, for imparting flame retardancy, one in which atoms such as phosphorus are introduced into the structure may be used. By thermosetting these epoxy resins, characteristics, such as adhesiveness of a cured film, solder heat resistance, and electroless-plating resistance, can be improved.

상기 다관능 옥세탄 화합물로서는 비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 1,4-비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트나 이들의 올리고머 또는 공중합체 등의 다관능 옥세탄류 이외에, 옥세탄 알코올과 노볼락 수지, 폴리(p-히드록시스티렌), 카르도형 비스페놀류, 카릭스아렌류, 카릭스레졸신아렌류, 또는 실세스퀴옥산 등의 히드록시기를 갖는 수지와의 에테르화물 등을 들 수 있다. 그 밖의, 옥세탄환을 갖는 불포화 모노머와 알킬(메트)아크릴레이트와의 공중합체 등도 들 수 있다.Examples of the polyfunctional oxetane compound include bis[(3-methyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]ether, bis[(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]ether, and 1,4-bis[( 3-methyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]benzene, 1,4-bis[(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]benzene, (3-methyl-3-oxetanyl)methylacryl Late, (3-ethyl-3-oxetanyl)methyl acrylate, (3-methyl-3-oxetanyl)methyl methacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl)methyl methacrylate, or these In addition to polyfunctional oxetanes such as oligomers or copolymers of The etherified product with resin which has hydroxyl groups, such as quioxane, etc. are mentioned. In addition, the copolymer etc. of the unsaturated monomer which have an oxetane ring, and alkyl (meth)acrylate are mentioned.

상기 다관능 시아네이트 에스테르 화합물의 예로는 비스페놀 A형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 E형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 F형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 S형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 M형 시아네이트 에스테르 수지, 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 페놀노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 크레졸 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 바이페놀형 시아네이트 에스테르 수지나 이들의 올리고머 또는 공중합체 등을 들 수 있다.Examples of the polyfunctional cyanate ester compound include bisphenol A-type cyanate ester resin, bisphenol E-type cyanate ester resin, bisphenol F-type cyanate ester resin, bisphenol S-type cyanate ester resin, bisphenol M-type cyanate ester resin, Novolac-type cyanate ester resin, phenol novolak-type cyanate ester resin, cresol novolak-type cyanate ester resin, bisphenol A novolak-type cyanate ester resin, biphenol-type cyanate ester resin, oligomers or copolymers thereof synthesis; and the like.

상기 다관능 말레이미드 화합물의 예로는 4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드(4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 페닐메탄 비스말레이미드(phenylmethane bismaleimide), m-페닐메탄 비스말레이미드(mphenylmethane bismaleimide), 비스페놀 A 디페닐에터비스말레이미드(bisphenol A diphenyl ether bismaleimide), 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'- 디페닐메탄 비스말레이미드 (3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 4-메틸-1,3- 페닐렌 비스말레이미드(4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide), 1,6'- 비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산(1,6'-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane) 등을 들 수 있다.Examples of the polyfunctional maleimide compound include 4,4'-diphenylmethane bismaleimide, phenylmethane bismaleimide, and m-phenylmethane bismaleimide. ), bisphenol A diphenyl ether bismaleimide, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide (3,3' -dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide (4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide), 1,6'- Bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane (1,6'-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane) etc. are mentioned.

상기 다관능 벤족사진 화합물의 예로는 비스페놀 A형 벤족사진 수지, 비스페놀 F형 벤족사진 수지, 페놀프탈레인형 벤족사진 수지, 티오디페놀형 벤족사진 수지, 디사이클로 펜타디엔형 벤족사진 수지, 3,3'-(메틸렌-1,4-디페닐렌)비스(3,4-디하이드로-2H-1,3-벤족사진(3,3'-(methylene-1,4-diphenylene)bis(3,4-dihydro-2H-1,3-benzoxazine) 수지 등을 들 수 있다.Examples of the polyfunctional benzoxazine compound include bisphenol A type benzoxazine resin, bisphenol F type benzoxazine resin, phenolphthalein type benzoxazine resin, thiodiphenol type benzoxazine resin, dicyclopentadiene type benzoxazine resin, 3,3' -(methylene-1,4-diphenylene)bis(3,4-dihydro-2H-1,3-benzoxazine (3,3'-(methylene-1,4-diphenylene)bis(3,4-) dihydro-2H-1,3-benzoxazine) resin and the like.

상기 다관능성 수지화합물의 보다 구체적인 예로는, 국도화학사의 YDCN-500-80P, 론자사의 페놀 노볼락형 시아니이트 에스터 수지 PT-30S, 다이와사의 페닐 메탄형 말레이미드 수지 BMI-2300, 시코쿠사의 P-d형 벤족사진 수지 등을 들 수 있다.More specific examples of the polyfunctional resin compound include YDCN-500-80P of Kukdo Chemical, PT-30S of phenol novolac-type cyanite ester resin of Lonza, BMI-2300 of phenylmethane-type maleimide resin of Daiwa, Pd of Shikoku. A type benzoxazine resin etc. are mentioned.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 절연 조성물에서 상기 열경화성 바인더의 함량은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 이상 150 중량부 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 열경화성 바인더의 함량은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여, 10 중량부 이상 100 중량부 이하, 20 중량부 이상 50 중량부 이하, 1 중량부 이상 35 중량부 이하, 40 중량부 이상 90 중량부 이하, 또는 120 중량부 이상 150 중량부 이하일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the thermosetting binder in the insulating composition may be 1 part by weight or more and 150 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. Specifically, the content of the thermosetting binder is based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin, 10 parts by weight or more and 100 parts by weight or less, 20 parts by weight or more and 50 parts by weight or less, 1 part by weight or more and 35 parts by weight or more, 40 parts by weight or more. 90 parts by weight or less, or 120 parts by weight or more and 150 parts by weight or less.

상기 알칼리 가용성 수지와 상기 열경화성 바인더의 함량을 전술한 범위로 조절함으로써, 절연층의 현상성과 강도가 저하되는 것을 방지할 수 있고, 절연 조성물의 열경화 균일성을 보다 향상시킬 수 있다.By adjusting the content of the alkali-soluble resin and the thermosetting binder to the above-mentioned ranges, it is possible to prevent deterioration of the developability and strength of the insulating layer, and it is possible to further improve the thermosetting uniformity of the insulating composition.

본 발명의 일 실시상태는, 상기 절연 조성물을 이용한 절연층 제조방법을 제공한다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따른 절연층 제조방법은, 표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선 상에, 상기 절연 조성물을 도포하는 단계, 상기 절연 조성물을 1차 경화시켜 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막의 표면을 알칼리 수용액으로 식각하여 금속 돌기를 노출시키는 단계, 및 상기 금속 돌기를 노출하는 상기 절연막을 2차 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.An exemplary embodiment of the present invention provides a method for manufacturing an insulating layer using the insulating composition. Specifically, the method for manufacturing an insulating layer according to an exemplary embodiment of the present invention includes the steps of: applying the insulating composition on a conductor wiring having a metal protrusion formed on the surface; forming an insulating film by first curing the insulating composition; The method may include exposing the metal protrusions by etching the surface of the insulating layer with an aqueous alkali solution, and secondary curing of the insulating layer exposing the metal protrusions.

본 발명의 일 실시상태에 따른 절연층 제조방법은 상기 절연 조성물을 이용함으로써, 도체 배선에 대한 밀착력이 우수한 절연층을 용이하게 형성할 수 있다.In the method for manufacturing an insulating layer according to an exemplary embodiment of the present invention, an insulating layer having excellent adhesion to a conductor wiring can be easily formed by using the insulating composition.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선을 준비할 수 있다. 도체 배선 표면에 금속 돌기를 형성하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 감광성 수지층 패턴의 개구부에 대한 도금 공정 또는 접착제를 이용한 접착 공정 등을 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, it is possible to prepare a conductor wiring having a metal protrusion formed on the surface. Examples of the method for forming the metal protrusions on the surface of the conductor wiring are not particularly limited, and for example, a plating process for the opening of the photosensitive resin layer pattern or an adhesion process using an adhesive may be used.

상기 감광성 수지층 패턴의 개구부에 대한 도금 공정의 구체적인 예를 들면, 도체 배선 상에 감광성 수지층을 적층하는 단계, 상기 감광성 수지층에 패턴을 형성하는 단계, 및 전기 도금하는 단계를 포함한 금속 돌기 형성 방법을 사용할 수 있다.As a specific example of the plating process for the opening of the photosensitive resin layer pattern, forming a metal protrusion including laminating a photosensitive resin layer on a conductor wiring, forming a pattern on the photosensitive resin layer, and electroplating method can be used.

보다 구체적으로 상기 감광성 수지층은 감광성 및 알칼리 가용성을 나타낼 수 있다. 이에 따라, 상기 감광성 수지층에 빛을 조사하는 노광 공정에 의해 분자구조의 변형이 진행될 수 있으며, 알칼리성의 현상액을 접촉시키는 현상공정에 의해 수지층의 식각 또는 제거가 가능할 수 있다.More specifically, the photosensitive resin layer may exhibit photosensitivity and alkali solubility. Accordingly, the molecular structure may be modified by the exposure process of irradiating light to the photosensitive resin layer, and the resin layer may be etched or removed by the developing process of contacting an alkaline developer.

따라서, 상기 감광성 수지층에 대하여 선택적으로 일부분을 노광시킨 다음, 알칼리 현상하게 되면, 노광된 부분은 현상되지 않고, 노광되지 않은 부분만 선택적으로 식각, 제거될 수 있다. 이와 같이, 노광에 의해 알칼리 현상되지 않고 그대로 남아있는 감광성 수지층의 일부분을 감광성 수지 패턴이라 한다.Accordingly, when a portion of the photosensitive resin layer is selectively exposed and then alkali-developed, the exposed portion is not developed, and only the unexposed portion may be selectively etched and removed. As described above, the portion of the photosensitive resin layer that remains intact without being alkali-developed by exposure is referred to as a photosensitive resin pattern.

즉, 상기 감광성 수지층을 노광하는 방법의 예를 들면, 상기 감광성 수지층 상에 소정의 패턴의 형성된 포토 마스크를 접촉하고 자외선을 조사하거나, 마스크에 포함된 소정의 패턴을 프로젝션 대물렌즈를 통해 이미징한 다음 자외선을 조사하거나, 레이저 다이오드(Laser Diode)를 광원으로 사용하여 직접 이미징한 다음 자외선을 조사하는 등의 방식 등을 통해 선택적으로 노광할 수 있다. 이 때, 자외선 조사 조건의 예로는 5 mJ/cm2 내지 600mJ/cm2의 광량으로 조사하는 것을 들 수 있다.That is, as an example of a method of exposing the photosensitive resin layer, a photomask formed in a predetermined pattern on the photosensitive resin layer is contacted and irradiated with ultraviolet rays, or a predetermined pattern included in the mask is imaged through a projection objective lens. Then, it can be selectively exposed through a method such as irradiating ultraviolet rays or directly imaging using a laser diode as a light source and then irradiating ultraviolet rays. At this time, examples of the ultraviolet irradiation condition include irradiation with a light quantity of 5 mJ/cm 2 to 600 mJ/cm 2 .

또한, 상기 감광성 수지층에 대한 노광 이후 알칼리 현상하는 방법의 예로는 알칼리 현상액을 처리하는 방법을 들 수 있다. 상기 알칼리 현상액의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 암모니아, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 아민류 등의 알칼리 수용액의 농도와 온도를 조절하여 사용할 수 있으며, 상품으로 판매하는 알칼리 현상액도 사용 가능하다. 상기 알칼리 현상액의 구체적인 사용량은 크게 제한되지 않으나, 상기 감광성 수지 패턴을 손상하지 않는 농도와 온도로 조절이 필요하며, 예를 들어, 25 ℃ 내지 35 ℃의 탄산나트륨 0.5 % 내지 3 % 수용액을 사용할 수 있다.In addition, an example of a method of performing alkali development after exposure to the photosensitive resin layer may include a method of treating an alkali developer. Examples of the alkali developer are not particularly limited, but for example, the concentration and temperature of an aqueous alkali solution such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, ammonia, tetramethylammonium hydroxide, amines, etc. can be used by adjusting the temperature, and alkali developer sold as a commercial product can also be used. The specific amount of the alkali developer is not particularly limited, but it is necessary to adjust the concentration and temperature not to damage the photosensitive resin pattern, for example, 0.5% to 3% sodium carbonate aqueous solution at 25 ° C. to 35 ° C. can be used. .

한편, 상기 전기 도금 단계에서, 도금 방법의 예로는 건식증착공정 또는 습식증착공정을 들 수 있으며, 구체적인 상기 건식증착공정의 예로는 진공증착, 이온 플레이팅, 스퍼터링 방법 등을 들 수 있다. 한편, 구체적인 습식증착공정의 예로는, 다양한 금속의 무전해 도금 등이 있으며, 무전해 구리 도금이 일반적이고, 증착 이전 또는 이후에 조화처리공정을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, in the electroplating step, examples of the plating method include a dry deposition process or a wet deposition process, and specific examples of the dry deposition process include vacuum deposition, ion plating, sputtering, and the like. Meanwhile, specific examples of the wet deposition process include electroless plating of various metals, and electroless copper plating is common, and may further include a roughening process before or after deposition.

상기 조화처리 공정에도 조건에 따라 건식 및 습식방법이 있으며, 상기 건식 방법의 예로는 진공, 상압, 기체별 플라즈마 처리, 기체별 Excimer UV 처리 등을 들 수 있고, 상기 습식방법의 예로는, 디스미어 처리를 사용할 수 있다. 이러한 조화처리 공정을 통해, 상기 금속 박막의 표면조도를 높여 금속박막 상에 증착되는 금속과의 밀착력을 향상시킬 수 있다.In the roughening process, there are dry and wet methods depending on conditions. Examples of the dry method include vacuum, atmospheric pressure, plasma treatment for each gas, Excimer UV treatment for each gas, and the like, and examples of the wet method include desmear. processing can be used. Through this roughening process, it is possible to increase the surface roughness of the metal thin film to improve adhesion to the metal deposited on the metal thin film.

또한, 금속 돌기만을 남겨두기 위하여, 전기 도금하는 단계 이후에, 감광성 수지층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 감광성 수지 패턴 제거시에는, 하부의 도체 배선과 금속 돌기는 되도록 제거하지 않으면서, 감광성 수지층만을 제거할 수 있는 방법을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, in order to leave only the metal protrusion, after the electroplating step, the step of removing the photosensitive resin layer may be further included. When removing the photosensitive resin pattern, it is preferable to use a method capable of removing only the photosensitive resin layer without removing the lower conductor wiring and metal protrusion as much as possible.

상기 감광성 수지 패턴의 박리방법의 구체적인 예를 들면, 포토레지스트 박리액을 처리하거나, 디스미어(desmear) 공정 또는 플라즈마 에칭 등을 진행할 수 있으며, 상기의 방법을 혼용할 수도 있다.As a specific example of the method for stripping the photosensitive resin pattern, a photoresist stripper may be treated, a desmear process or plasma etching may be performed, and the above methods may be mixed.

한편, 상기 접착제를 이용한 접착 공정의 구체적인 예를 들면, micc와 같은 수동 소자나 반도체 칩과 같은 능동 소자 표면에 금속 돌기를 형성한 다음, 형성된 금속 돌기의 반대편을 절연 접착제 등을 이용하여 도체 배선 표면에 접착하는 방법을 사용할 수 있다. 이때, 상기 수동 소자 또는 능동 소자 표면에 금속 돌기를 형성하는 방법은 상술한 감광성 수지층 패턴의 개구부에 대한 도금 공정의 방법을 그대로 사용할 수 있다. 예를 들어, 수동 소자 또는 능동 소자 표면에 감광성 수지층 패턴을 형성한 다음, 패턴의 개구분에 금속을 도금하는 방법을 사용할 수 있다.On the other hand, as a specific example of the bonding process using the adhesive, a metal protrusion is formed on the surface of a passive device such as micc or an active device such as a semiconductor chip, and then the opposite side of the formed metal protrusion is applied to the surface of the conductor wiring using an insulating adhesive. Adhesive method can be used. In this case, as the method of forming the metal protrusion on the surface of the passive element or the active element, the method of the plating process for the opening of the photosensitive resin layer pattern described above may be used as it is. For example, a method may be used in which a photosensitive resin layer pattern is formed on the surface of a passive element or an active element, and then metal is plated on the opening portion of the pattern.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 돌기는 1 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하의 높이, 및 5 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하의 단면 직경을 가질 수 있다. 상기 단면 직경이란 상기 금속 돌기의 높이 방향에 수직한 방향으로 상기 금속 돌기를 자른 단면의 직경, 또는 최대 직경을 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 돌기의 형상으로는 원기둥, 원뿔대, 다각기둥, 다각뿔대, 역원뿔대 또는 역다각뿔대 등을 들 수 있다. 상기 금속 돌기에 포함된 금속 성분의 예 또한 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 구리, 알루미늄 등의 전도성 금속을 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the metal protrusion may have a height of 1 μm or more and 20 μm or less, and a cross-sectional diameter of 5 μm or more and 30 μm or less. The cross-sectional diameter may mean a diameter or a maximum diameter of a cross-section in which the metal projection is cut in a direction perpendicular to the height direction of the metal projection. For example, the shape of the metal protrusion may include a cylinder, a truncated cone, a polygonal prism, a polygonal truncated pyramid, an inverted truncated cone, or an inverted polygonal truncated cone. Examples of the metal component included in the metal protrusion are also not particularly limited, and for example, a conductive metal such as copper or aluminum may be used.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선 상에 상기 절연 조성물을 도포하여, 표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선을 밀봉할 수 있다. 절연 조성물은 1 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하, 3 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하, 3 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하, 1 ㎛ 이상 60 ㎛ 이하, 또는 5 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하의 두께로 도포될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the insulating composition may be applied on the conductor wiring having the metal protrusion formed on the surface, thereby sealing the conductor wiring having the metal protrusion formed on the surface. The insulating composition may be applied to a thickness of 1 μm or more and 500 μm or less, 3 μm or more and 500 μm or less, 3 μm or more and 200 μm or less, 1 μm or more and 60 μm or less, or 5 μm or more and 30 μm or less.

상기 도체 배선은 하부에 회로기판, 시트, 다층 프린트 배선판 등의 반도체 재료를 포함한 기재 상에 형성된 상태로 존재할 수 있다. 이처럼 기재 상에 도체 배선이 존재하는 상태에서, 기재 상에 상기 절연 조성물을 도포하는 방법을 통해 상기 도체 배선이 밀봉될 수 있다. 한편, 캐리어 필름 상에 절연 조성물을 도포하고 건조하여 수지층을 형성한 다음, 기재와 수지층을 라미네이트 하는 방법을 통해 상기 도체 배선을 밀봉할 수도 있다.The conductor wiring may exist in a state formed on a substrate including a semiconductor material such as a circuit board, a sheet, and a multilayer printed wiring board underneath. As such, in a state in which the conductor wiring is present on the substrate, the conductor wiring may be sealed through a method of applying the insulating composition on the substrate. Meanwhile, the conductor wiring may be sealed by applying an insulating composition on a carrier film, drying the insulating composition to form a resin layer, and then laminating the substrate and the resin layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 절연 조성물을 1차 경화시켜 절연막을 형성할 수 있다. 절연 조성물을 1차 경화하는 단계를 통해, 상기 열경화성 바인더와 상기 알칼리 가용성 수지를 가교 결합시킬 수 있다. 상기 열경화성 바인더와 상기 알칼리 가용성 수지가 가교 결합됨으로써, 상기 절연막의 내열성, 기계적 물성 등을 확보할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, an insulating film may be formed by first curing the insulating composition. Through the step of first curing the insulating composition, the thermosetting binder and the alkali-soluble resin may be cross-linked. By crosslinking the thermosetting binder and the alkali-soluble resin, heat resistance and mechanical properties of the insulating film may be secured.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 1차 경화는 50 ℃ 이상 150 ℃ 이하의 온도에서, 0.1 시간 이상 2 시간 이하의 시간 동안 진행될 수 있다. 상기 1차 경화를 수행하는 온도 및 시간을 전술한 범위로 조절함으로써, 상기 열경화성 바인더와 상기 알칼리 가용성 수지의 가교 결합을 보다 안정적으로 수행할 수 있다. 또한, 형성되는 절연막이 과도하게 손상되는 것을 방지할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the primary curing may be performed at a temperature of 50° C. or more and 150° C. or less, for 0.1 hours or more and 2 hours or less. By controlling the temperature and time for performing the primary curing in the above-described ranges, crosslinking of the thermosetting binder and the alkali-soluble resin may be more stably performed. In addition, it is possible to prevent excessive damage to the formed insulating film.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 절연막의 표면을 알칼리 수용액으로 식각하여 상기 금속 돌기를 노출시킬 수 있다. 상기 절연막에 의해 밀봉된 금속 돌기를 알칼리 수용액에 의한 화학적 식각을 통해 노출시킴으로써, 절연층의 물리적 손상을 방지할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the metal protrusion may be exposed by etching the surface of the insulating layer with an aqueous alkali solution. By exposing the metal protrusions sealed by the insulating layer through chemical etching with an aqueous alkali solution, physical damage to the insulating layer can be prevented.

상기 절연막의 표면을 알칼리 수용액으로 식각하여 금속 돌기를 노출시킴에 따라, 상기 노출된 금속 돌기를 통해 절연막 내부에 밀봉된 도체 배선과 전기적 신호를 연결할 수 있다.As the surface of the insulating layer is etched with an aqueous alkali solution to expose the metal protrusions, an electrical signal may be connected to the conductor wiring sealed inside the insulating layer through the exposed metal protrusions.

알칼리 수용액을 이용하여 상기 금속 돌기를 노출시킬 수 있다. 상기 알칼리 수용액은 10 ℃ 내지 100 ℃ 또는 25 ℃ 내지 60 ℃온도, 및 1% 내지 10%, 또는 1% 내지 5%의 농도를 가질 수 있으며, 보다 구체적으로는 포토레지스트 박리액을 사용할 수 있다. 상기 알칼리 수용액에 의하여, 상기 1차 경화를 통해 형성된 절연막 내의 고분자 매트릭스의 결합이 끊어져, 절연막이 식각 제거될 수 있다.The metal protrusion may be exposed using an aqueous alkali solution. The aqueous alkali solution may have a temperature of 10 ℃ to 100 ℃ or 25 ℃ to 60 ℃, and a concentration of 1% to 10%, or 1% to 5%, more specifically, a photoresist stripper may be used. By the aqueous alkali solution, the bonding of the polymer matrix in the insulating film formed through the primary curing may be broken, and the insulating film may be removed by etching.

이때, 상기 알칼리 수용액의 농도 및 온도를 조절함으로써, 알칼리 수용액에 의한 절연막의 식각 속도를 제어할 수 있고, 상술한 범위 내에서 적정 수준의 식각 속도를 유지하여 공정 효율성을 확보하면서도 용이하게 절연막의 두께를 조절할 수 있다.At this time, by adjusting the concentration and temperature of the aqueous alkali solution, the etching rate of the insulating film by the aqueous alkali solution can be controlled, and the thickness of the insulating film can be easily maintained while maintaining the etching rate at an appropriate level within the above-described range to secure process efficiency. can be adjusted.

상기 알칼리 수용액은 수산화칼륨, 수산화나트륨 등의 금속 수산화물의 수용액을 사용할 수 있으며, Atotech 社의 Resistrip 제품군, 오알켐 社의 ORC-731, ORC-723K, ORC-740, SLF-6000 등 상용으로 판매하는 제품도 사용이 가능하다.As the aqueous alkali solution, aqueous solutions of metal hydroxides such as potassium hydroxide and sodium hydroxide can be used, and commercially sold products such as Resistrip products from Atotech, ORC-731, ORC-723K, ORC-740, SLF-6000 from ORChem, etc. can also be used

상기 알칼리 수용액에 의한 식각은 상기 절연막의 표면에서부터 진행될 수 있다. 상기 절연막의 표면은, 표면에 금속돌기가 형성된 도체 배선을 밀봉하고 있는 절연막이 공기와 접촉하는 면적을 의미하며, 상기 절연막 표면에서부터 내부로 식각이 진행됨에 따라, 금속돌기가 노출될 수 있다.The etching by the aqueous alkali solution may proceed from the surface of the insulating layer. The surface of the insulating film means an area in which the insulating film sealing the conductor wiring having the metal protrusion formed on the surface contacts the air, and as etching proceeds from the surface of the insulating film to the inside, the metal protrusion may be exposed.

상기 알칼리 수용액에 의한 식각이 상기 절연막의 표면에서부터 진행되기 위하여, 상기 알칼리 수용액은 상기 절연막의 표면에 접촉될 수 있다. 이 때, 절연막의 물리적 손상 없이 균일한 제거로 두께 균일성을 확보하기 위하여, 상기 알칼리 수용액은 스프레이를 통한 분사 등의 방법을 통해 절연막의 표면으로 접촉시킬 수 있다.In order for the etching by the aqueous alkali solution to proceed from the surface of the insulating layer, the aqueous alkali solution may be in contact with the surface of the insulating layer. At this time, in order to secure thickness uniformity through uniform removal without physical damage to the insulating film, the aqueous alkali solution may be brought into contact with the surface of the insulating film by spraying or the like.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 돌기를 노출하는 상기 절연막을 2차 경화시켜 절연층을 형성할 수 있다. 상기 절연막을 2차 경화함으로써, 알칼리 수용액에 의하여 끊어진 절연막 내의 고분자 매트릭스의 결합을 수복할 수 있으며, 최종적으로 화학 저항성이 우수한 절연층을 형성할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the insulating layer may be formed by secondary curing of the insulating film exposing the metal protrusion. By secondary curing the insulating film, the bonding of the polymer matrix in the insulating film broken by the aqueous alkali solution can be repaired, and finally, an insulating layer having excellent chemical resistance can be formed.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 2차 경화는 150 ℃ 이상 250 ℃ 이하의 온도에서, 0.1 시간 이상 10 시간 이하의 시간 동안 진행될 수 있다. 상기 2차 경화를 수행하는 온도 및 시간을 전술한 범위로 조절함으로써, 도체 배선에 대한 밀착력이 우수한 절연층을 용이하게 형성할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the secondary curing may be performed at a temperature of 150° C. or more and 250° C. or less, for 0.1 hours or more and 10 hours or less. By controlling the temperature and time for performing the secondary curing within the above-described ranges, the insulating layer having excellent adhesion to the conductor wiring can be easily formed.

한편, 상기 2차 경화 단계 이후에, 필요에 따라, 도체 배선 하부에 형성된 기재를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 도체 배선은 하부에 회로기판, 시트, 다층 프린트 배선판 등의 반도체 재료를 포함한 기재 상에 형성된 상태로 존재할 수 있다. 보다 미세한 구조의 다층 회로기판 형성을 위하여, 필요에 따라, 도체 배선 하부의 기재를 제거할 수 있다.Meanwhile, after the secondary curing step, if necessary, the method may further include removing the substrate formed under the conductor wiring. As described above, the conductor wiring may exist in a state formed on a substrate including a semiconductor material such as a circuit board, a sheet, and a multilayer printed wiring board underneath. In order to form a multilayer circuit board having a finer structure, the substrate under the conductor wiring may be removed, if necessary.

본 발명의 일 실시상태는, 상기 절연층 제조방법에 의해 제조된 절연층 상에 금속 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 다층인쇄회로기판 제조방법을 제공한다.An exemplary embodiment of the present invention provides a method for manufacturing a multilayer printed circuit board comprising the step of forming a metal pattern layer on the insulating layer manufactured by the insulating layer manufacturing method.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 절연층의 내부에는 도체 배선이 포함되고, 상기 도체 배선의 표면에 형성된 금속 돌기가 절연층 외부로 노출되어, 상기 절연층 상에 금속 패턴층을 새로 적층할 경우, 상기 금속 패턴층이 금속 돌기를 통해 절연층 내부의 도체 배선과 전기적 신호를 주고받을 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a conductor wiring is included in the insulating layer, and a metal protrusion formed on the surface of the conductor wiring is exposed to the outside of the insulating layer, and a metal pattern layer is newly laminated on the insulating layer. In this case, the metal pattern layer may transmit and receive electrical signals to and from the conductor wiring inside the insulating layer through the metal protrusions.

상기 절연층은 다층인쇄회로기판의 층간 절연재료로 사용될 수 있으며, 상기 알칼리 가용성 수지 및 열경화성 바인더를 포함하는 절연 조성물의 경화물, 구체적으로 열경화물 또는 광경화물을 포함할 수 있다. The insulating layer may be used as an interlayer insulating material of the multilayer printed circuit board, and may include a cured product, specifically a thermosetting product or a photocuring material, of an insulating composition including the alkali-soluble resin and the thermosetting binder.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 절연층 상에 금속 패턴층을 형성하는 단계는, 상기 절연층 상에 금속박막을 형성하는 단계, 상기 금속박막 상에 패턴이 형성된 감광성 수지층을 형성하는 단계, 상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막 상에 금속을 증착시키는 단계, 및 상기 감광성 수지층을 제거하고, 노출된 금속박막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the forming of the metal pattern layer on the insulating layer includes forming a metal thin film on the insulating layer, forming a photosensitive resin layer having a pattern on the metal thin film. , depositing a metal on the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern, and removing the photosensitive resin layer, and removing the exposed metal thin film.

상기 절연층 상에 금속박막을 형성하는 단계에서, 금속 박막의 형성방법의 예로는 건식증착공정 또는 습식증착공정을 들 수 있으며, 구체적인 상기 건식증착공정의 예로는 진공증착, 이온 플레이팅, 스퍼터링 방법 등을 들 수 있다.In the step of forming the metal thin film on the insulating layer, examples of the method for forming the metal thin film include a dry deposition process or a wet deposition process, and specific examples of the dry deposition process include vacuum deposition, ion plating, and sputtering. and the like.

한편, 구체적인 상기 습식증착공정의 예로는, 다양한 금속의 무전해 도금 등이 있으며, 무전해 구리 도금이 일반적이고, 증착 이전 또는 이후에 조화처리공정을 더 포함할 수 있다. 상기 조화처리 공정에도 조건에 따라 건식 및 습식 방법이 있으며, 상기 건식 방법의 예로는 진공, 상압, 기체별 플라즈마 처리, 기체별 Excimer UV처리 등을 들 수 있고, 상기 습식 방법의 예로는, 디스미어 처리를 사용할 수 있다. 이러한 조화처리 공정을 통해, 상기 금속 박막의 표면조도를 높여 금속박막 상에 증착되는 금속과의 밀착력을 향상시킬 수 있다.Meanwhile, specific examples of the wet deposition process include electroless plating of various metals, and electroless copper plating is common, and may further include a roughening process before or after deposition. In the roughening process, there are dry and wet methods depending on conditions. Examples of the dry method include vacuum, atmospheric pressure, plasma treatment for each gas, Excimer UV treatment for each gas, and the like, and examples of the wet method include desmear. processing can be used. Through this roughening process, it is possible to increase the surface roughness of the metal thin film to improve adhesion to the metal deposited on the metal thin film.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 절연층 상에 금속박막을 형성하는 단계는, 상기 금속 박막을 증착하기 전에 상기 절연층 상에 표면처리층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이를 통해, 상기 금속박막과 절연층간의 접착력이 향상될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the forming of the metal thin film on the insulating layer may further include forming a surface treatment layer on the insulating layer before depositing the metal thin film. Through this, the adhesive force between the metal thin film and the insulating layer may be improved.

구체적으로 상기 절연층 상에 표면처리층을 형성하는 방법의 일례를 들면, 이온보조 반응법, 이온빔 처리법, 플라즈마 처리법 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다. 플라즈마 처리법은 상압 플라즈마 처리법, DC 플라즈마 처리법, RF 플라즈마 처리법 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 표면 처리 공정의 결과, 상기 절연층의 표면에 반응성 작용기를 포함하는 표면 처리 층이 형성될 수 있다. 상기 절연층 상에 표면처리층을 형성하는 방법의 또 다른 예로는, 상기 절연층 표면에 50㎚ 내지 300㎚ 두께의 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 금속을 증착하는 방법을 들 수 있다.Specifically, as an example of a method of forming the surface treatment layer on the insulating layer, at least one of an ion-assisted reaction method, an ion beam treatment method, and a plasma treatment method may be used. The plasma processing method may include any one of an atmospheric pressure plasma processing method, a DC plasma processing method, and an RF plasma processing method. As a result of the surface treatment process, a surface treatment layer including a reactive functional group may be formed on the surface of the insulating layer. Another example of the method of forming the surface treatment layer on the insulating layer may include a method of depositing a chromium (Cr) or titanium (Ti) metal having a thickness of 50 nm to 300 nm on the surface of the insulating layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속박막 상에 패턴이 형성된 감광성 수지층을 형성하는 단계는 상기 금속박막 상에 형성된 감광성 수지층을 노광 및 현상하는 단계를 포함할 수 있다. 전술한 감광성 수지층의 노광 및 현상에 대한 내용과 동일할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the step of forming the photosensitive resin layer having a pattern formed thereon on the metal thin film may include exposing and developing the photosensitive resin layer formed on the metal thin film. It may be the same as the contents of the above-described exposure and development of the photosensitive resin layer.

특히, 상기 금속박막 상에 형성되는 패턴은, 패턴에 포함된 개구부가 상기 절연층 외부로 노출된 금속 돌기와 서로 맞닿을 수 있도록 형성하는 것이 바람직하다. 상기 패턴에 포함된 개구부는, 상기 감광성 수지층의 노광 및 현상을 통해 제거된 부분을 의미하며, 후술하는 금속 증착을 통해 금속이 증착되어 상기 금속 패턴층을 형성하는 부분에 해당한다. 따라서, 상기 패턴에 포함된 개구부가 상기 절연층 외부로 노출된 금속 돌기와 서로 맞닿을 수 있도록 형성되어야, 금속 패턴층이 금속 돌기와 접촉하면서 절연층 내부의 도체 배선과 전기적 신호를 주고받을 수 있다.In particular, the pattern formed on the metal thin film is preferably formed so that the opening included in the pattern can be in contact with the metal protrusion exposed to the outside of the insulating layer. The opening included in the pattern means a portion removed through exposure and development of the photosensitive resin layer, and corresponds to a portion in which a metal is deposited through metal deposition to form the metal pattern layer, which will be described later. Accordingly, the openings included in the pattern should be formed so as to be in contact with the metal protrusions exposed outside the insulating layer, so that the metal pattern layer contacts the metal protrusions to transmit and receive electrical signals with the conductor wiring inside the insulating layer.

상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막 상에 금속을 증착시키는 단계에서, 상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막이란, 표면에서 감광성 수지층과 접촉하지 않고 있는 금속박막 부분을 의미한다. 상기 증착되는 금속은 구리를 사용할 수 있고, 상기 증착 방법의 예는 크게 한정되지 않으며, 공지된 다양한 물리적 또는 화학적 증착방법을 제한없이 사용할 수 있으며, 범용되는 일례로는 전해 구리 도금 방법을 사용할 수 있다.In the step of depositing a metal on the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern, the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern means a metal thin film portion that is not in contact with the photosensitive resin layer on the surface. Copper may be used as the deposited metal, and examples of the deposition method are not particularly limited, and various known physical or chemical deposition methods may be used without limitation, and as a general example, an electrolytic copper plating method may be used. .

이 때, 상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막 상에 증착되는 금속이 상술한 금속 패턴층을 형성할 수 있으며, 보다 구체적으로, 상기 금속 패턴층은 금속 돌기를 매개로 도체 배선과 연결되도록 형성될 수 있다. 이를 통해, 상기 금속 패턴층은 절연층 내부에 포함된 도체 배선과 전기적 신호를 주고받을 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 금속 돌기의 일 말단은 도체 배선과 접촉하며, 상기 금속 돌기의 다른 일 말단은 상기 금속 패턴층과 접촉하여 전기적으로 상기 도체 배선과 금속 패턴층을 연결할 수 있다.At this time, the metal deposited on the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern may form the above-described metal pattern layer, and more specifically, the metal pattern layer is connected to the conductor wiring through the metal protrusion. can be formed. Through this, the metal pattern layer may transmit and receive electrical signals to and from the conductor wiring included in the insulating layer. More specifically, one end of the metal protrusion may contact the conductor wiring, and the other end of the metal protrusion may contact the metal pattern layer to electrically connect the conductor wiring and the metal pattern layer.

상기 감광성 수지층을 제거하고, 노출된 금속박막을 제거하는 단계에서, 상기 감광성 수지층의 제거방법의 예로는 포토레지스트 박리액을 사용할 수 있으며, 상기 감광성 수지층의 제거로 인해 노출되는 금속박막의 제거방법의 예로는 에칭액을 사용할 수 있다.In the step of removing the photosensitive resin layer and removing the exposed metal thin film, a photoresist stripper may be used as an example of a method for removing the photosensitive resin layer, and the metal thin film exposed due to the removal of the photosensitive resin layer An etching solution may be used as an example of the removal method.

상기 다층인쇄회로기판 제조방법에 의해 제조된 다층인쇄회로기판은 다시 빌드업 재료로서 사용될 수 있으며, 예를 들어, 상기 다층인쇄회로기판 상에 상기 일 구현예의 절연층 제조방법에 따라 절연층을 형성하는 제1공정과, 상기 절연층 상에 상기 다른 구현예의 다층인쇄회로기판 제조방법에 따라 금속 기판을 형성하는 제2공정을 반복하여 진행할 수 있다.The multilayer printed circuit board manufactured by the method of manufacturing the multilayer printed circuit board can be used again as a build-up material, for example, an insulating layer is formed on the multilayer printed circuit board according to the method of manufacturing the insulating layer of the embodiment The first process of forming a metal substrate on the insulating layer and the second process of forming a metal substrate on the insulating layer according to the method for manufacturing a multilayer printed circuit board of another embodiment may be repeated.

이에 따라, 상기 다층인쇄회로기판 제조방법에 의해 제조되는 다층인쇄회로기판에 포함된 적층된 층 수 또한 크게 한정되지 않으며, 사용 목적, 용도에 따라 예를 들어 1층 이상, 또는 1층 내지 20층을 가질 수 있다.Accordingly, the number of stacked layers included in the multilayer printed circuit board manufactured by the method for manufacturing the multilayer printed circuit board is also not significantly limited, and for example, one or more layers, or 1 to 20 layers, depending on the purpose and purpose of use. can have

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be given to describe the present invention in detail. However, the embodiments according to the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not to be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art.

알칼리 가용성 수지 및 절연 조성물의 제조Preparation of alkali-soluble resin and insulating composition

알카리alkali 가용성 수지의 제조 Preparation of Soluble Resins

제조예manufacturing example

제조 온도계, 교반 장치, 환류냉각관, 수분정량기가 장착된 가열 및 냉각 가능한 용적 2리터의 반응 용기에 용매로 디메틸아세트아마이드(Dimethylacetamide, DMAc) 543g을 넣고, Cray Valley사의 SMA1000 350g, 4-아미노벤조익산(4-aminobenzoic acid, PABA) 144g, 4-아미노페놀(4-aminophenol, PAP) 49g을 투입 후 혼합하였다. 질소분위기하에서 반응기의 온도를 80 ℃로 하고, 24시간 지속하여 산무수물과 아닐린 유도체가 반응하여 아믹산을 형성하도록 한 후, 반응기의 온도를 150 ℃로 하고 24시간 지속하여 이미드화 반응을 진행하여, 고형분 50%의 알카리 가용성 수지 용액을 제조하였다.543 g of dimethylacetamide (DMAc) as a solvent was placed in a reaction vessel with a heating and cooling volume of 2 liters equipped with a thermometer, stirring device, reflux condenser, and moisture meter, 350 g of Cray Valley’s SMA1000, 4-aminobenzo Ik acid (4-aminobenzoic acid, PABA) 144g, 4-aminophenol (4-aminophenol, PAP) 49g was added and mixed. In a nitrogen atmosphere, the temperature of the reactor was set to 80 ° C, and the acid anhydride and the aniline derivative reacted for 24 hours to form amic acid. Then, the temperature of the reactor was set to 150 ° C. and the imidization reaction was continued for 24 hours. , an alkali-soluble resin solution having a solid content of 50% was prepared.

제1 절연 조성물first insulating composition

1L 반응기에 이미다졸로 2-메틸 이미다졸(2-methyl imidazole) 82g, 실란 로 KBM-403 236g, 용매로 DMAc 466g을 넣고 교반하며, 90 ℃로 승온 후에 6 시간 동안 유지하며 반응물을 얻었다.In a 1L reactor, 82 g of 2-methyl imidazole as imidazole, 236 g of KBM-403 as silane, and 466 g of DMAc as solvent were added and stirred, and the temperature was raised to 90 ° C. and maintained for 6 hours to obtain a reactant.

이후, 반응물에 프탈산 무수물(phthalic anhydride) 148g을 추가로 넣고, 90 ℃에서 6 시간 동안 유지하여, 하기 화합물 1의 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물을 제조하였다.Then, 148 g of phthalic anhydride was further added to the reactant, and the mixture was maintained at 90° C. for 6 hours to prepare an imidazole-silane compound containing a carboxyl group of Compound 1.

[화합물 1][Compound 1]

Figure pat00022
Figure pat00022

제조된 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물의 pKa는 약 3.07이었다.The prepared carboxyl group-containing imidazole-silane compound had a pKa of about 3.07.

이후, 제조예에서 제조된 알칼리 가용성 수지 16g, 제조된 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물 1 1g, 열경화성 바인더로 MY-510(Huntsman 제조) 5g, 무기 필러로 SC2050 MTO(고형분70%, Adamatech 제조) 35g를 혼합하여 제1 절연 조성물을 제조하였다.Then, 16 g of the alkali-soluble resin prepared in Preparation Example, 1 g of the prepared imidazole-silane compound containing a carboxyl group, 5 g of MY-510 (manufactured by Huntsman) as a thermosetting binder, SC2050 MTO (70% solid content, manufactured by Adamatech) as an inorganic filler 35 g was mixed to prepare a first insulating composition.

제2 절연 조성물second insulating composition

1L 반응기에 이미다졸로 2-메틸 이미다졸(2-methyl imidazole) 82g, 실란으로 KBM-403 236g, 용매로 DMAc 466g을 넣고 교반하며, 90 ℃로 승온 후에 6 시간 동안 유지하며 반응물을 얻었다. In a 1L reactor, 82 g of 2-methyl imidazole as imidazole, 236 g of KBM-403 as silane, and 466 g of DMAc as solvent were added and stirred, and the temperature was raised to 90 ° C. and maintained for 6 hours to obtain a reactant.

이후, 반응물에 프탈산 무수물로 트라이멜리트산 무수물(trimellitic anhydride) 192g을 추가로 넣고, 90 ℃에서 6 시간 동안 유지하여 하기 화합물 2의 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물을 제조하였다.Thereafter, 192 g of trimellitic anhydride as phthalic anhydride was further added to the reaction product, and the mixture was maintained at 90° C. for 6 hours to prepare an imidazole-silane compound containing a carboxyl group of Compound 2.

[화합물 2][Compound 2]

Figure pat00023
Figure pat00023

제조된 카복실기 함유 이미다졸-실란화합물의 pKa는 약 2.65, 3.61이었다.The pKa of the prepared imidazole-silane compound containing a carboxyl group was about 2.65 and 3.61.

이후, 상기 제1 절연 조성물을 제조한 방법과 동일한 방법으로 제2 절연 조성물을 제조하였다.Thereafter, a second insulation composition was prepared in the same manner as the method for preparing the first insulation composition.

제3 절연 조성물Third Insulation Composition

1L 반응기에 이미다졸로 2-메틸 이미다졸(2-methyl imidazole) 82g, 실란으로 KBM-403 236g, 용매로 DMAc 466g을 넣고 교반하며, 90 ℃로 승온 후에 6 시간 동안 유지하며 반응물을 얻었다.In a 1L reactor, 82 g of 2-methyl imidazole as imidazole, 236 g of KBM-403 as silane, and 466 g of DMAc as solvent were added and stirred, and the temperature was raised to 90 ° C. and maintained for 6 hours to obtain a reactant.

이후, 반응물에 프탈산 무수물로 3-니트로 프탈산 무수물(3-nitrophthalic anhydride) 193g을 추가로 넣고, 90 ℃에서 6 시간 동안 유지하여 하기 화합물 3의 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물을 제조하였다.Thereafter, 193 g of 3-nitrophthalic anhydride as phthalic anhydride was further added to the reaction product, and the mixture was maintained at 90° C. for 6 hours to prepare an imidazole-silane compound containing a carboxyl group of Compound 3.

[화합물 3][Compound 3]

Figure pat00024
Figure pat00024

제조된 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물의 pKa는 약 1.76이었다.The prepared carboxyl group-containing imidazole-silane compound had a pKa of about 1.76.

이후, 상기 제1 절연 조성물을 제조한 방법과 동일한 방법으로 제3 절연 조성물을 제조하였다.Thereafter, a third insulation composition was prepared in the same manner as the method for preparing the first insulation composition.

제4 절연 조성물Fourth Insulation Composition

1L 반응기에 이미다졸로 2-메틸 이미다졸(2-methyl imidazole) 82g, 실란으로 KBM-403 236g, 용매로 DMAc 318g을 넣고 교반하며, 90 ℃로 승온 후에 6 시간 동안 유지하여 이미다졸-실란 화합물을 제조하였다.In a 1L reactor, 82 g of 2-methyl imidazole as imidazole, 236 g of KBM-403 as silane, and 318 g of DMAc as solvent were put and stirred, and the temperature was raised to 90 ° C. and maintained for 6 hours to imidazole-silane compound. was prepared.

이후, 상기 제1 절연 조성물을 제조한 방법과 동일한 방법으로 제4 절연 조성물을 제조하였다.Thereafter, a fourth insulation composition was prepared in the same manner as the method for preparing the first insulation composition.

절연층insulating layer 제조 manufacturing

실시예Example 1 One

상기에서 제조된 제1 절연 조성물을 25 ㎛ 두께의 무처리 PET 필름에 도포하고 건조시켜 18 ㎛ 두께의 수지층을 제조하였다.The first insulating composition prepared above was applied to an untreated PET film having a thickness of 25 µm and dried to prepare a resin layer having a thickness of 18 µm.

실시예Example 2 2

상기 실시예 1에서 제1 절연 조성물 대신 제2 절연 조성물을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 절연층을 제조하였다.An insulating layer was prepared in the same manner as in Example 1, except that the second insulating composition was used instead of the first insulating composition in Example 1.

실시예Example 3 3

상기 실시예 1에서 제1 절연 조성물 대신 제3 절연 조성물을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 절연층을 제조하였다.An insulating layer was prepared in the same manner as in Example 1, except that the third insulating composition was used instead of the first insulating composition in Example 1.

비교예comparative example 1 One

상기 실시예 1에서 제1 절연 조성물 대신 제4 절연 조성물을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 절연층을 제조하였다.An insulating layer was prepared in the same manner as in Example 1, except that the fourth insulating composition was used instead of the first insulating composition in Example 1.

비교예comparative example 2 2

상기 실시예 1에서 제1 절연 조성물의 이미다졸-실란 화합물을 배제한 절연물 조성을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 절연층을 제조하였다.An insulating layer was prepared in the same manner as in Example 1, except that an insulating material composition excluding the imidazole-silane compound of the first insulating composition was used in Example 1.

다층인쇄회로기판의 제조Manufacturing of multilayer printed circuit boards

극박 동박이 접착되어 있는 동박적층판(LG-500GA VB/VB, LG화학) 상에 드라이 필름(RY-5319, 히타치 화성)을 라미네이트 하여 패턴을 형성하고 전기도금을 하여 MSAP 공법으로 회로를 형성하였다. 이후, 상기 회로상에 드라이 필름(RY-5319, 히타치 화성)을 라미네이트 하여 패턴을 형성하고 전기 도금을 하여 높이 15㎛, 지름 20 ㎛의 구리범프를 형성하였다.A dry film (RY-5319, Hitachi Chemical) was laminated on a copper clad laminate (LG-500GA VB/VB, LG Chem) to which an ultra-thin copper foil was adhered, to form a pattern, and electroplating to form a circuit using the MSAP method. Thereafter, a dry film (RY-5319, Hitachi Chemical) was laminated on the circuit to form a pattern, and electroplating was performed to form copper bumps with a height of 15 μm and a diameter of 20 μm.

이후, 상기 동박적층판상에 상기 실시예 1 내지 3과 비교예 1 및 2의 절연층 각각을 진공 라미네이트하여 회로와 구리범프를 밀봉시키고, 절연층으로부터 PET 필름을 제거하였다. 상기 라미네이트된 수지층을 100℃의 온도에서 1시간 동안 1차 열경화하여 절연막을 형성하였다. 이후, 50 ℃온도의 3% 수산화 나트륨 레지스트 박리액을 절연막의 표면에 스프레이 분사하여, 절연막의 표면으로부터 약 3㎛ 깊이만큼 제거하여 구리범프를 표면위로 노출시키고 수세 및 건조시켰다. 이때, 상기 구리범프를 노출시키는 공정은 연속공정으로 1판넬당 10초 내지 60초간 진행되었다.Then, each of the insulating layers of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 were vacuum laminated on the copper clad laminate to seal the circuit and the copper bump, and the PET film was removed from the insulating layer. The laminated resin layer was first thermally cured at a temperature of 100° C. for 1 hour to form an insulating film. Thereafter, a 3% sodium hydroxide resist stripper at a temperature of 50° C. was sprayed onto the surface of the insulating film, removed to a depth of about 3 μm from the surface of the insulating film, the copper bumps were exposed on the surface, and washed and dried. At this time, the process of exposing the copper bumps was performed for 10 to 60 seconds per panel as a continuous process.

그리고, 구리범프가 표면에 노출된 절연막을 200 ℃의 온도에서 1시간 동안 2차 열경화시켜 절연층을 제조하였다.Then, an insulating layer was prepared by secondary thermal curing of the insulating film on which the copper bumps were exposed at a temperature of 200° C. for 1 hour.

상기 절연층 상에 무전해 구리도금을 이용하여 구리박막을 증착시키고, 100 ℃온도에서 30분간 가열하여 무전해 구리도금과의 밀착력을 향상시킨 다음, 드라이 필름(RY-5319, 히타치 화성)을 라미네이트 하여 패턴을 형성하고 전기도금을 하여 SAP 공법으로 회로를 형성하였다. 그리고, 상기 절연층으로부터 동박적층판 및 극박동박을 분리 제거하여 다층인쇄회로기판을 완성하였다.A copper thin film is deposited on the insulating layer using electroless copper plating, heated at 100 ° C for 30 minutes to improve adhesion with electroless copper plating, and then a dry film (RY-5319, Hitachi Chemical Co., Ltd.) is laminated. Then, a pattern was formed and a circuit was formed by the SAP method by electroplating. Then, the copper clad laminate and the ultra-thin foil were separated and removed from the insulating layer to complete a multilayer printed circuit board.

실험예Experimental example 1: 상온안정성 평가 실험 1: Room temperature stability evaluation experiment

상기 실시예 1 내지 3과 비교예 1 및 2의 절연층을 제조한 다음, 상온 25℃에서 일주일간 방치한 후 이후 다층인쇄회로기판 제조하였다.The insulating layers of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 were prepared, and then left at room temperature of 25° C. for one week, and then multilayer printed circuit boards were manufactured.

실시예 1 내지 3 및 비교예 2는 다층인쇄회로기판을 제조하였지만, 상온에서 큰 변화가 없었지만, 비교예 1은 동박적층판상에 절연층을 진공 라미네이트하였으나, 방치기간 동안 알카리 가용성 수지와 열경화성 바인더간의 반응으로 인해 회로와 구리범프를 밀봉시키지 못하고 분리되는 문제가 발생하였다.Examples 1 to 3 and Comparative Example 2 produced multilayer printed circuit boards, but there was no significant change at room temperature. In Comparative Example 1, an insulating layer was vacuum laminated on a copper clad laminate. Due to the reaction, there was a problem that the circuit and the copper bump could not be sealed and separated.

실험예Experimental example 2: 동박 밀착력 측정 실험 2: Copper foil adhesion measurement experiment

동박적층판(LG-500GA VB/VB, LG화학)상의 동박을 모두 제거하고, 제1 절연 조성물을 이용하여 제조한 절연층을 진공 라미네이트하여, 절연층으로부터 PET 필름을 제거하였다. 상기 라미네이트된 수지층을 100℃의 온도에서 1시간 동안 1차 열경화하여 절연막을 형성하였다. 이후, 50 ℃온도의 3% 수산화 나트륨 레지스트 박리액을 절연막의 표면에 스프레이 분사하여, 절연막의 표면으로부터 약 3㎛ 깊이만큼 제거하고 수세 및 건조시켰다. 이때, 상기 절연막 제거 공정은 연속공정으로 1판넬당 10초 내지 60초간 진행되었다.All of the copper foil on the copper clad laminate (LG-500GA VB/VB, LG Chem) was removed, and the insulating layer prepared using the first insulating composition was vacuum laminated to remove the PET film from the insulating layer. The laminated resin layer was first thermally cured at a temperature of 100° C. for 1 hour to form an insulating film. Thereafter, a 3% sodium hydroxide resist stripper at a temperature of 50° C. was sprayed onto the surface of the insulating film, removed to a depth of about 3 μm from the surface of the insulating film, washed with water and dried. At this time, the insulating film removal process was performed as a continuous process for 10 to 60 seconds per panel.

그리고, 200 ℃의 온도에서 1시간 동안 2차 열경화시켜 절연층을 제조하였다.Then, the insulating layer was prepared by secondary heat curing at a temperature of 200° C. for 1 hour.

상기 절연층 상에 무전해 구리도금을 이용하여 구리박막을 증착시키고, 100 ℃온도에서 30분간 가열하여 무전해 구리도금과의 밀착력을 향상시킨 다음 전기도금을 하여 두께 25㎛ 동박을 제조하여 동박 밀착력 평가 샘플을 제작하였다. 각각 제 2, 3, 4 절연 조성물도 동일하게 제작하였다.A copper thin film was deposited on the insulating layer using electroless copper plating, heated at 100 ° C. for 30 minutes to improve adhesion with electroless copper plating, and then electroplating to manufacture a 25 μm thick copper foil. Evaluation samples were prepared. The second, third, and fourth insulating compositions were prepared in the same manner, respectively.

IPC-TM-650 기준에 따라 동박 밀착력 평가샘플의 밀착력을 비교한 결과, 실시예 1 내지 3 및 비교예 1은 동박밀착력이 0.3 kgf/cm 이상 확보하였으나, 비교예 2는 0.3 kgf/cm 이상 확보하지 못했다.As a result of comparing the adhesion of the copper foil adhesion evaluation samples according to the IPC-TM-650 standard, Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 secured copper foil adhesion of 0.3 kgf/cm or more, but Comparative Example 2 secured 0.3 kgf/cm or more couldn't

Claims (14)

하기 화학식 1로 표시되는 카복실기를 함유하는 이미다졸-실란 화합물; 알칼리 가용성 수지; 및 열경화성 바인더;를 포함하는 절연 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00025

상기 화학식 1에서, R1은 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,
X는 탄소수 2 내지 6의 알킬렌기이고, 이때, 하나 이상의 -CH2-기는 독립적으로 -O-로 치환될 수 있고,
R2는 탄소수 1 내지 3의 알콕시기이고,
R3은 니트로기, 또는 카복실기다.
an imidazole-silane compound containing a carboxyl group represented by the following formula (1); alkali-soluble resin; and a thermosetting binder; an insulating composition comprising:
[Formula 1]
Figure pat00025

In Formula 1, R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
X is an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, wherein at least one -CH 2 - group may be independently substituted with -O-,
R 2 is an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms,
R 3 is a nitro group or a carboxyl group.
청구항 1에 있어서,
상기 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물은,
하기 화학식 2로 표시되는 이미다졸;
하기 화학식 3으로 표시되는 실란; 및
하기 화학식 4로 표시되는 프탈산 무수물을 포함하는 혼합물의 반응 생성물인 절연 조성물:
[화학식 2]
Figure pat00026

[화학식 3]
Figure pat00027

[화학식 4]
Figure pat00028

상기 화학식 1에서, R1은 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,
상기 화학식 2에서, X는 탄소수 2 내지 6의 알킬렌기이고, 이때, 하나 이상의 -CH2-기는 독립적으로 -O-로 치환될 수 있고, R2는 탄소수 1 내지 3의 알콕시기이고,
상기 화학식 3에서, R3은 니트로기, 또는 카복실기이다.
The method according to claim 1,
The carboxyl group-containing imidazole-silane compound,
imidazole represented by the following formula (2);
silane represented by the following formula (3); and
An insulating composition which is a reaction product of a mixture containing phthalic anhydride represented by the following formula (4):
[Formula 2]
Figure pat00026

[Formula 3]
Figure pat00027

[Formula 4]
Figure pat00028

In Formula 1, R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
In Formula 2, X is an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, in this case, one or more -CH 2 -groups may be independently substituted with -O-, R 2 is an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms,
In Formula 3, R 3 is a nitro group or a carboxyl group.
청구항 2에 있어서,
상기 실란의 함량은 상기 이미다졸 100 중량부에 대하여 250 중량부 이상 350 중량부 이하인 절연 조성물.
3. The method according to claim 2,
The content of the silane is 250 parts by weight or more and 350 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the imidazole insulation composition.
청구항 2에 있어서,
상기 프탈산 무수물의 함량은 상기 이미다졸 100 중량부에 대하여 150 중량부 이상 300 중량부 이하인 절연 조성물.
3. The method according to claim 2,
The content of the phthalic anhydride is 150 parts by weight or more and 300 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the imidazole.
청구항 1에 있어서,
상기 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물은,
하기 화합물 1 내지 화합물 3으로 표시되는 상기 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 절연 조성물:
[화합물 1]
Figure pat00029

[화합물 2]
Figure pat00030

[화합물 3]
Figure pat00031
.
The method according to claim 1,
The carboxyl group-containing imidazole-silane compound,
An insulating composition comprising at least one of the carboxyl group-containing imidazole-silane compounds represented by the following compounds 1 to 3:
[Compound 1]
Figure pat00029

[Compound 2]
Figure pat00030

[Compound 3]
Figure pat00031
.
청구항 1에 있어서,
상기 카복실기 함유 이미다졸-실란 화합물의 pKa는 1.5 이상 3.5 이하인 절연 조성물.
The method according to claim 1,
The pKa of the carboxyl group-containing imidazole-silane compound is 1.5 or more and 3.5 or less.
청구항 1에 있어서,
상기 열경화성 바인더의 함량은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 이상 150 중량부 이하인 절연 조성물.
The method according to claim 1,
The content of the thermosetting binder is 1 part by weight or more and 150 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.
청구항 1에 있어서,
상기 열경화성 바인더는 옥세타닐기, 환상 에테르기, 환상 티오 에테르기, 시아나이드기, 말레이미드기 및 벤족 사진기 중 1종 이상의 작용기 및 에폭시기를 포함하는 절연 조성물.
The method according to claim 1,
The thermosetting binder is an insulating composition comprising at least one functional group of an oxetanyl group, a cyclic ether group, a cyclic thioether group, a cyanide group, a maleimide group, and a benzo group and an epoxy group.
표면에 금속 돌기가 형성된 도체 배선 상에, 청구항 1에 따른 절연 조성물을 도포하는 단계;
상기 절연 조성물을 1차 경화시켜 절연막을 형성하는 단계;
상기 절연막의 표면을 알칼리 수용액으로 식각하여 상기 금속 돌기를 노출시키는 단계; 및
상기 금속 돌기를 노출하는 상기 절연막을 2차 경화시키는 단계를 포함하는 절연층 제조방법.
applying the insulating composition according to claim 1 on the conductor wiring having the metal protrusion formed on the surface;
forming an insulating film by first curing the insulating composition;
exposing the metal protrusions by etching the surface of the insulating layer with an aqueous alkali solution; and
and secondary curing of the insulating film exposing the metal protrusion.
청구항 9에 있어서,
상기 1차 경화는 50 ℃ 이상 150 ℃ 이하의 온도에서, 0.1 시간 이상 2 시간 이하의 시간 동안 진행되는 절연층 제조방법.
10. The method of claim 9,
The primary curing is at a temperature of 50 ℃ or more and 150 ℃ or less, and the insulating layer manufacturing method is carried out for 0.1 hours or more and 2 hours or less.
청구항 9에 있어서,
상기 2차 경화는 150 ℃ 이상 250 ℃ 이하의 온도에서, 0.1 시간 이상 10 시간 이하의 시간 동안 진행되는 절연층 제조방법.
10. The method of claim 9,
The secondary curing is carried out at a temperature of 150 ℃ or more and 250 ℃ or less, for 0.1 hours or more and 10 hours or less.
청구항 9에 의해 제조된 절연층 상에 금속 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 다층인쇄회로기판 제조방법.
A method of manufacturing a multilayer printed circuit board comprising forming a metal pattern layer on the insulating layer manufactured according to claim 9 .
청구항 12에 있어서,
상기 절연층 상에 금속 패턴층을 형성하는 단계는,
상기 절연층 상에 금속박막을 형성하는 단계;
상기 금속박막 상에 패턴이 형성된 감광성 수지층을 형성하는 단계;
상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막 상에 금속을 증착시키는 단계; 및
상기 감광성 수지층을 제거하고, 노출된 금속박막을 제거하는 단계를 포함하는 다층인쇄회로기판 제조방법.
13. The method of claim 12,
The step of forming a metal pattern layer on the insulating layer,
forming a metal thin film on the insulating layer;
forming a photosensitive resin layer having a pattern formed thereon on the metal thin film;
depositing a metal on the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern; and
and removing the photosensitive resin layer and removing the exposed metal thin film.
청구항 12에 있어서,
상기 금속 패턴층은 금속 돌기를 매개로 도체 배선과 연결되는 다층인쇄회로기판 제조방법.
13. The method of claim 12,
The method of manufacturing a multilayer printed circuit board in which the metal pattern layer is connected to a conductor wiring through a metal protrusion.
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