KR20210047650A - Method for manufacturing insulating film and multilayered printed circuit board - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing an insulating layer and a method for manufacturing a multilayer printed circuit board, and more specifically, to a method for manufacturing an insulating layer and a method for manufacturing a multilayer printed circuit board, which improves the adhesion between the insulating layer and a metal substrate by treating the surface of a cured polymer resin layer with a surface treatment solution, implements a uniform and fine pattern while improving efficiency in terms of cost and productivity, and secures excellent mechanical properties.

Description

절연층 제조방법 및 다층인쇄회로기판 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING FILM AND MULTILAYERED PRINTED CIRCUIT BOARD}Insulation layer manufacturing method and multilayer printed circuit board manufacturing method {METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING FILM AND MULTILAYERED PRINTED CIRCUIT BOARD}

본 발명은 절연층 제조방법 및 다층인쇄회로기판 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 고분자 수지층이 경화된 표면을 표면처리 용액으로 처리하여 상기 절연층과 금속 기판의 접착력을 향상시키며, 비용과 생산성 면에서 효율성이 향상되면서, 균일하고 미세한 패턴을 구현할 수 있으며, 우수한 기계적 물성을 확보할 수 있는 절연층 제조방법 및 다층인쇄회로기판 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an insulating layer and a method for manufacturing a multilayer printed circuit board. Specifically, the surface on which the polymer resin layer is cured is treated with a surface treatment solution to improve the adhesion between the insulating layer and the metal substrate, and in terms of cost and productivity. The present invention relates to a method for manufacturing an insulating layer and a method for manufacturing a multilayer printed circuit board, which can implement a uniform and fine pattern, and secure excellent mechanical properties while improving efficiency in

최근의 전자기기는 갈수록 소형화, 경량화, 고기능화되고 있다. 이를 위해, 소형 기기를 중심으로 빌드-업 PCB(Build-up Printed Circuit Board)의 응용분야가 빠르게 확대됨에 따라 다층인쇄 회로기판의 사용이 급속히 늘어 가고 있다.Recently, electronic devices are becoming more compact, lighter, and highly functional. To this end, as the application field of a build-up printed circuit board (PCB) is rapidly expanding centering on small devices, the use of multilayer printed circuit boards is rapidly increasing.

다층 인쇄회로기판은 평면적 배선부터 입체적인 배선이 가능하며, 특히 산업용 전자 분야에서는 IC(integrated circuit), LSI(large scale integration) 등 기능소자의 집적도 향상과 함께 전자 기기의 소형화, 경량화, 고기능화, 구조적인 전기적 기능통합, 조립시간 단축 및 원가절감 등에 유리한 제품이다.Multilayer printed circuit boards are capable of three-dimensional wiring from flat to three-dimensional, especially in the field of industrial electronics, with improved integration of functional devices such as IC (integrated circuit) and LSI (large scale integration), and miniaturization, weight reduction, high functionality, and structural This product is advantageous for electrical function integration, assembly time reduction, and cost reduction.

이러한 응용영역에 사용되는 빌드-업 PCB는 반드시 각 층간의 연결을 위하여 비아홀(via hole)을 형성하게 되는데, 비아홀이란, 다층 인쇄회로기판의 층간 전기적 연결 통로에 해당되는 것으로 기존에는 기계 드릴(Mechanical Drill)로 가공하였으나, 회로의 미세화로 인하여 홀의 직경이 작아지면서 기계 드릴 가공에 따른 가공 비의 증가와 미세홀 가공의 한계로 인해 레이저를 이용한 가공방식이 대안으로 나타나게 되었다.The build-up PCB used in this application area must form a via hole for connection between each layer, and the via hole corresponds to the electrical connection path between layers of a multilayer printed circuit board. Drill), but as the diameter of the hole became smaller due to the miniaturization of the circuit, the machining method using a laser appeared as an alternative due to the increase in machining cost and the limitation of fine hole machining due to mechanical drilling.

그러나, 레이저를 이용한 가공방식의 경우, CO2 또는 YAG 레이저 드릴을 사용하고 있으나, 레이저 드릴에 의해 비아홀의 크기가 결정되기 때문에, 예를 들어, CO2 레이저 드릴의 경우, 40 ㎛ 이하의 직경을 갖는 비아홀을 제조하기 어려운 한계가 있다. 또한, 다수의 비아홀을 형성해야 하는 경우, 비용적 부담이 큰 한계도 가지고 있다.However, in the case of a processing method using a laser, a CO 2 or YAG laser drill is used, but since the size of the via hole is determined by the laser drill, for example, in the case of a CO 2 laser drill, a diameter of 40 μm or less is used. There is a limit in which it is difficult to manufacture a via hole. In addition, when it is necessary to form a plurality of via holes, there is also a limitation in that the cost burden is large.

이에, 상술한 레이저 가공기술을 대신하여, 감광성 절연재료를 이용해 저비용으로 미세한 직경을 갖는 비아홀을 형성하는 방법이 제안되었다. 구체적으로, 상기 감광성 절연재료로는 감광성을 이용하여 미세한 개구 패턴을 형성할 수 있는 솔더레지스트라 불리는 감광성 절연 필름을 들 수 있다.Accordingly, instead of the above-described laser processing technology, a method of forming a via hole having a fine diameter at low cost using a photosensitive insulating material has been proposed. Specifically, the photosensitive insulating material may be a photosensitive insulating film called a solder resist capable of forming a fine opening pattern using photosensitivity.

이러한 감광성 절연재료나 솔더레지스트는 패턴 형성을 위해 탄산나트륨 현상액을 사용하는 경우와 다른 현상액을 사용하는 경우로 나뉠 수 있다. 다른 현상액을 이용하는 경우, 감광성 절연재료나 솔더 레지스트는 환경적, 비용적인 이유로 인해 실제 공정상에서 적용이 어려운 한계가 있다.Such a photosensitive insulating material or solder resist can be divided into a case of using a sodium carbonate developer for pattern formation and a case of using a different developer. In the case of using a different developer, the photosensitive insulating material or solder resist has a limitation in being difficult to apply in an actual process due to environmental and cost reasons.

반면, 탄산나트륨 현상액을 사용할 경우 환경 친화적인 장점이 있다. 이 경우, 감광성을 부여하기 위해 다수의 카르복시산과 아크릴레이트기를 포함한 산변성 아크릴레이트 수지를 사용하고 있는데, 대부분의 아크릴레이트기와 카르복시기는 에스테르 결합으로 연결되기 때문에, 원하는 모양으로 중합하기 위해 중합금지제 등을 포함하게 되며, 자외선 조사에 의해 라디칼 반응을 일으키기 위해 광개시제 등을 또한 포함하게 된다.On the other hand, the use of sodium carbonate developer has the advantage of being environmentally friendly. In this case, an acid-modified acrylate resin including a number of carboxylic acids and acrylate groups is used to impart photosensitivity.Since most acrylate groups and carboxyl groups are linked by ester bonds, polymerization inhibitors, etc. It includes, and also includes a photoinitiator or the like to cause a radical reaction by irradiation with ultraviolet rays.

그러나, 상기 중합금지제 또는 광개시제 등은 고온조건에서 수지 밖으로 확산되면서, 반도체 패키지 공정중이나 완료 후에 절연층이나 도전층과의 계면 탈착을 발생시킬 수 있다. 또한, 수지 내의 에스테르 결합은 높은 습도에서 가수분해반응을 일으키고 수지의 가교 밀도를 감소시켜 수지의 흡습율을 상승시키는 원인이 되며, 이와 같이 흡습율이 높을 경우, 중합금지제 또는 광개시제 등이 고온 조건에서 수지 밖으로 환산되어 반도체 패키지 공정중이나 완료된 후에 절연층이나 도전층과 계면 탈착을 발생시킬 수 있으며, HAST 특성도 나빠지는 한계가 있었다.However, the polymerization inhibitor or the photoinitiator may be diffused out of the resin under high temperature conditions, and interfacial desorption with the insulating layer or the conductive layer may occur during or after completion of the semiconductor package process. In addition, ester bonds in the resin cause hydrolysis reaction at high humidity and reduce the crosslinking density of the resin to increase the moisture absorption rate of the resin.If the moisture absorption rate is high, polymerization inhibitors or photoinitiators are used under high temperature conditions. In terms of the outside of the resin, interfacial desorption with the insulating layer or the conductive layer may occur during or after the semiconductor package process is completed, and there is a limit in that the HAST characteristics are also deteriorated.

한편, 전자기기의 소형화에 따라 인쇄회로기판도 소형화로 두께가 점차 얇아지고 있으며, 얇은 두께의 기판으로도 작업하기 위해 기판에 사용되는 절연재료에도 높은 강성이 요구되고 있다.On the other hand, with the miniaturization of electronic devices, printed circuit boards are gradually becoming thinner due to miniaturization, and high rigidity is also required for insulating materials used for substrates to work with thin-walled boards.

감광성 절연재료나 솔더레지스트의 강성을 향상시키기 위해서는 수지 내 무기필러의 비율을 증가시켜야 하나, 불투명한 무기필러의 경우에는 광을 통과시키지 않는 문제가 있고, 투명한 무기필러의 경우에도 광을 산란시켜 감광성을 이용한 개구패턴의 형성을 어렵게 하는 한계가 있었다.In order to improve the rigidity of photosensitive insulating materials or solder resists, the ratio of inorganic fillers in the resin must be increased, but there is a problem that light does not pass through the opaque inorganic fillers, and even in the case of transparent inorganic fillers, light is scattered and photosensitive. There is a limit to making it difficult to form an opening pattern using

이에, 절연층이나 도전층, 즉 금속 기판과의 계면 탈착을 방지하면서, 저가의 비용으로 균일하고 미세한 패턴을 구현할 수 있으며, 강성이 뛰어난 절연층 제조방법의 개발이 요구되고 있다.Accordingly, there is a need to develop a method for manufacturing an insulating layer having excellent rigidity, which can implement a uniform and fine pattern at low cost while preventing interfacial desorption with an insulating layer or a conductive layer, that is, a metal substrate.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 절연층과 금속 기판의 접착력을 향상시키는 절연층 제조방법 및 다층인쇄회로기판 제조방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method for manufacturing an insulating layer and a method for manufacturing a multilayer printed circuit board that improves adhesion between an insulating layer and a metal substrate.

다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시예는 도체 배선 상에 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더를 포함한 고분자 수지층을 구비하는 단계; 상기 고분자 수지층 상에 감광성 수지층을 구비하는 단계; 상기 감광성 수지층을 노광 및 알카리 현상하여 감광성 수지 패턴을 구비하면서 동시에 상기 감광성 수지 패턴에 의해 노출된 고분자 수지층도 알카리 현상하는 단계; 상기 알카리 현상 이후, 상기 고분자 수지층을 열경화하는 단계; 상기 감광성 수지 패턴을 박리하는 단계; 및 상기 열경화된 고분자 수지층을 표면처리 용액으로 표면처리하는 단계;를 포함하는 절연층 제조방법을 제공한다.An embodiment of the present invention comprises the steps of providing a polymer resin layer including an alkali-soluble resin and a thermosetting binder on the conductor wiring; Providing a photosensitive resin layer on the polymer resin layer; Exposing and alkali developing the photosensitive resin layer to provide a photosensitive resin pattern and at the same time alkali developing the polymer resin layer exposed by the photosensitive resin pattern; After the alkali development, thermosetting the polymer resin layer; Peeling the photosensitive resin pattern; And surface-treating the heat-cured polymer resin layer with a surface treatment solution.

본 발명의 다른 일 실시예는 절연층 제조방법에 의하여 제조된 절연층 상에 패턴이 구비된 금속 기판을 구비하는 단계를 포함하는 다층인쇄회로기판 제조방법을 제공한다.Another embodiment of the present invention provides a method for manufacturing a multilayer printed circuit board including the step of providing a metal substrate having a pattern on an insulating layer manufactured by a method for manufacturing an insulating layer.

본 발명의 일 실시상태에 따른 절연층 제조방법은 비용과 생산성 면에서 효율성이 향상되면서, 균일하고 미세한 패턴을 구현할 수 있으며, 우수한 기계적 물성을 확보할 수 있다.In the method of manufacturing an insulating layer according to an exemplary embodiment of the present invention, while efficiency is improved in terms of cost and productivity, a uniform and fine pattern can be implemented, and excellent mechanical properties can be secured.

본 발명의 다른 일 실시상태에 따른 다층인쇄회로기판 제조방법은 고분자 수지층이 경화된 표면을 표면처리 용액으로 처리하여 상기 절연층과 금속 기판의 접착력을 향상시킬 수 있다.In the method of manufacturing a multilayer printed circuit board according to another exemplary embodiment of the present invention, the surface on which the polymer resin layer is cured is treated with a surface treatment solution to improve adhesion between the insulating layer and the metal substrate.

본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본원 명세서 및 첨부된 도면으로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시상태에 따른 절연층 제조공정을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 실시상태에 따른 다층인쇄회로기판 제조공정을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 실시예 1 및 2와 비교예 1 내지 4의 다층인쇄회로기판의 정면사진이다.
1 schematically shows an insulating layer manufacturing process according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 schematically shows a process of manufacturing a multilayer printed circuit board according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a front photograph of a multilayer printed circuit board of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4;

본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에서 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In the present specification, when a member is said to be positioned "on" another member, this includes not only the case where the certain member is in contact with the other member, but also the case where another member exists between the two members.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 보다 구체적으로, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10 또는 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. Specifically, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. More specifically, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms or the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n -Pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cycloheptylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2 -Dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 구체적으로, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30 또는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but is preferably 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. Specifically, the number of carbon atoms of the aryl group is 6 to 30 or 6 to 20. The aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but the monocyclic aryl group is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.

이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 일 실시상태는 도체 배선 상에 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더를 포함한 고분자 수지층을 구비하는 단계; 상기 고분자 수지층 상에 감광성 수지층을 구비하는 단계; 상기 감광성 수지층을 노광 및 알카리 현상하여 감광성 수지 패턴을 구비하면서 동시에 상기 감광성 수지 패턴에 의해 노출된 고분자 수지층도 알카리 현상하는 단계; 상기 알카리 현상 이후, 상기 고분자 수지층을 열경화하는 단계; 상기 감광성 수지 패턴을 박리하는 단계; 및 상기 열경화된 고분자 수지층을 표면처리 용액으로 표면처리하는 단계;를 포함하는 절연층 제조방법을 제공한다.An exemplary embodiment of the present invention comprises the steps of providing a polymer resin layer including an alkali-soluble resin and a thermosetting binder on the conductor wiring; Providing a photosensitive resin layer on the polymer resin layer; Exposing and alkali developing the photosensitive resin layer to provide a photosensitive resin pattern and at the same time alkali developing the polymer resin layer exposed by the photosensitive resin pattern; After the alkali development, thermosetting the polymer resin layer; Peeling the photosensitive resin pattern; And surface-treating the heat-cured polymer resin layer with a surface treatment solution.

본 발명의 일 실시상태에 따른 절연층 제조방법은 비용과 생산성 면에서 효율성이 향상되면서, 균일하고 미세한 패턴을 구현할 수 있으며, 우수한 기계적 물성을 확보할 수 있다.In the method of manufacturing an insulating layer according to an exemplary embodiment of the present invention, while efficiency is improved in terms of cost and productivity, a uniform and fine pattern can be implemented, and excellent mechanical properties can be secured.

구체적으로 상기 열경화된 고분자 수지층을 표면처리 용액으로 표면처리하는 단계는 상기 고분자 수지층에 표면조도를 증가시킬 수 있으며, 이를 통하여 상기 표면 처리된 고분자 수지층을 포함하는 절연층의 표면조도 또한 증가할 수 있다.Specifically, the step of surface-treating the heat-cured polymer resin layer with a surface treatment solution may increase the surface roughness of the polymer resin layer, through which the surface roughness of the insulating layer including the surface-treated polymer resin layer is also Can increase.

나아가, 후술할 상기 절연층 상에 금속 기판이 도금이나 스퍼터링으로 구비되는 경우 상기 절연층과 금속 기판 사이의 접착력이 향상되고, 이로부터 구현되는 다층인쇄회로기판의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Further, when a metal substrate is provided on the insulating layer by plating or sputtering, which will be described later, adhesion between the insulating layer and the metal substrate may be improved, and reliability of a multilayer printed circuit board implemented therefrom may be improved.

본 발명의 일 실시상태는 도체 배선 상에 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더를 포함한 고분자 수지층을 구비하는 단계를 포함한다. An exemplary embodiment of the present invention includes the step of providing a polymer resin layer including an alkali-soluble resin and a thermosetting binder on the conductor wiring.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 수지층은 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더를 포함한 고분자 수지 조성물의 건조를 통해 형성된 필름일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the polymer resin layer may be a film formed by drying a polymer resin composition including an alkali-soluble resin and a thermosetting binder.

본 발명의 일 실시상태는 상기 고분자 수지층은 단독으로 존재하거나 회로기판, 시트, 다층 프린트 배선판 등의 반도체 재료를 포함한 기재 상에 형성된 상태로 존재할 수 있으며, 상기 고분자 수지층을 기재상에 형성하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 상기 고분자 수지 조성물을 기재상에 직접 코팅하거나, 캐리어 필름 상에 고분자 수지 조성물을 도포한 상태에서, 코팅을 진행한 다음 캐리어 필름을 제거하는 방법 등을 사용할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the polymer resin layer may exist alone or may exist in a state formed on a substrate including a semiconductor material such as a circuit board, a sheet, and a multilayer printed wiring board, wherein the polymer resin layer is formed on the substrate. Although the example of the method is not largely limited, for example, a method of directly coating the polymer resin composition on a substrate or in a state in which the polymer resin composition is applied on a carrier film, and then removing the carrier film after coating. Can be used.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 수지층은 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더를 포함한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the polymer resin layer includes an alkali-soluble resin and a thermosetting binder.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 수지층은 알카리 가용성 수지 100 중량부에 대해 열경화성 바인더를 1 중량부 내지 150 중량부, 또는 10 중량부 내지 100 중량부, 또는 20 중량부 내지 50 중량부로 포함할 수 있다. 상기 열경화성 바인더의 함량이 지나치게 많으면 상기 고분자 수지층의 현상성이 떨어지고, 강도가 저하될 수 있다. 반대로, 열경화성 바인더의 함량이 지나치게 낮아지면, 상기 고분자 수지층이 과도하게 현상될 뿐 아니라, 코팅 시 균일성이 떨어질 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the polymer resin layer comprises 1 part by weight to 150 parts by weight, or 10 parts by weight to 100 parts by weight, or 20 parts by weight to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. Can include. If the content of the thermosetting binder is too high, developability of the polymer resin layer may decrease and strength may decrease. Conversely, if the content of the thermosetting binder is too low, not only the polymer resin layer is excessively developed, but also the uniformity during coating may be deteriorated.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열경화성 바인더는 열경화 가능한 작용기, 옥세타닐기, 환상 에테르기, 환상 티오 에테르기, 시아나이드기, 말레이미드기 및 벤조옥사진기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기 및 에폭시기를 포함할 수 있다. 즉, 상기 열경화성 바인더는 에폭시기를 반드시 포함하며, 에폭시기 이외로 옥세타닐기, 환상 에테르기, 환상 티오 에테르기, 시아나이드(cyanide)기, 말레이미드(maleimide)기, 벤조옥사진(benzoxazine)기 또는 이들의 2종 이상을 혼합하여 포함할 수 있다. 이러한 열경화성 바인더는 열경화에 의해 알카리 가용성 수지 등과 가교 결합을 형성해 절연층의 내열성 또는 기계적 물성을 담보할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 열경화성 바인더로는, 분자 내에 상술한 작용기를 2 이상 포함한 다관능성 수지 화합물을 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the thermosetting binder is at least one selected from the group consisting of a thermosetting functional group, an oxetanyl group, a cyclic ether group, a cyclic thioether group, a cyanide group, a maleimide group, and a benzoxazine group. It may contain functional groups and epoxy groups. That is, the thermosetting binder necessarily contains an epoxy group, and in addition to the epoxy group, an oxetanyl group, a cyclic ether group, a cyclic thioether group, a cyanide group, a maleimide group, a benzoxazine group, or Two or more of these may be mixed and included. Such a thermosetting binder can secure heat resistance or mechanical properties of the insulating layer by forming a crosslinking bond with an alkali-soluble resin or the like by heat curing. More specifically, as the thermosetting binder, a polyfunctional resin compound including two or more of the above-described functional groups in a molecule may be used.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다관능성 수지화합물은 분자 중에 2개 이상의 환상 에테르기 및/또는 환상 티오에테르기(이하, 환상 (티오)에테르기라고 함)를 포함한 수지를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the multifunctional resin compound may include a resin including two or more cyclic ether groups and/or cyclic thioether groups (hereinafter referred to as cyclic (thio) ether groups) in a molecule. .

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 분자 중에 2개 이상의 환상 (티오)에테르기를 포함한 열경화성 바인더는 분자 중에 3, 4 또는 5원환의 환상 에테르기, 또는 환상 티오에테르기 중 어느 한쪽 또는 2종의 기를 적어도 2개 이상 갖는 화합물을 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the thermosetting binder including two or more cyclic (thio) ether groups in the molecule is a 3, 4 or 5 membered cyclic ether group, or any one or two of cyclic thioether groups in the molecule. It may include a compound having at least two or more groups.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 분자 중에 2개 이상의 환상 티오에테르기를 갖는 화합물로은 재팬 에폭시 레진사 제조의 비스페놀 A형 에피술피드 수지 YL7000일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the compound having two or more cyclic thioether groups in the molecule may be a bisphenol A-type episulfide resin YL7000 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다관능성 수지화합물은 분자 중에 적어도 2개 이상의 에폭시기를 포함한 다관능 에폭시 화합물, 분자 중에 적어도 2개 이상의 옥세타닐기를 포함한 다관능 옥세탄 화합물 또는 분자 중에 2개 이상의 티오에테르기를 포함한 에피술피드 수지, 분자 중에 적어도 2개 이상의 시아나이드기를 포함한 다관능 시아네이트 에스테르 화합물, 또는 분자 중에 적어도 2개 이상의 벤조옥사진기를 포함한 다관능 벤조옥사진 화합물 등을 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the polyfunctional resin compound is a polyfunctional epoxy compound containing at least two or more epoxy groups in a molecule, a polyfunctional oxetane compound containing at least two or more oxetanyl groups in a molecule, or two in a molecule Episulfide resin containing the above thioether group, a polyfunctional cyanate ester compound containing at least two or more cyanide groups in the molecule, or a polyfunctional benzoxazine compound containing at least two or more benzoxazine groups in the molecule may be included. have.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다관능 에폭시 화합물은 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, N-글리시딜형 에폭시 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지, 킬레이트형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 아미노기 함유 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 페놀릭형 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 헤테로시클릭 에폭시 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지, ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지일 수 있다. 또한, 난연성 부여를 위해, 인 등의 원자가 그 구조 중에 도입된 것을 사용할 수도 있다. 상기 에폭시 수지는 열경화함으로써, 경화 피막의 밀착성, 땜납 내열성, 무전해 도금 내성 등의 특성을 향상시킨다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the multifunctional epoxy compound is a bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, novolac. Type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, N-glycidyl type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, chelate type epoxy Resin, glyoxal type epoxy resin, amino group-containing epoxy resin, rubber modified epoxy resin, dicyclopentadiene phenolic type epoxy resin, diglycidylphthalate resin, heterocyclic epoxy resin, tetraglycidyl xylenoylethane resin, silicone It may be a modified epoxy resin or an ε-caprolactone modified epoxy resin. Further, in order to impart flame retardancy, one in which an atom such as phosphorus is introduced into the structure may be used. By thermosetting the epoxy resin, properties such as adhesion, solder heat resistance, and electroless plating resistance of the cured film are improved.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다관능 옥세탄 화합물은 비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 1,4-비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트나 이들의 올리고머 또는 공중합체 등의 다관능 옥세탄류 이외에, 옥세탄 알코올과 노볼락 수지, 폴리(p-히드록시스티렌), 카르도형 비스페놀류, 카릭스아렌류, 카릭스레졸신아렌류, 또는 실세스퀴옥산 등의 히드록시기를 갖는 수지와의 에테르화물일 수 있으며, 옥세탄환을 갖는 불포화 모노머와 알킬(메트)아크릴레이트와의 공중합체일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the multifunctional oxetane compound is bis[(3-methyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]ether, bis[(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)methyl] Ether, 1,4-bis[(3-methyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]benzene, 1,4-bis[(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]benzene, (3-methyl -3-Oxetanyl)methylacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl)methylacrylate, (3-methyl-3-oxetanyl)methylmethacrylate, (3-ethyl-3-oxe In addition to polyfunctional oxetanes such as cetanyl) methyl methacrylate and oligomers or copolymers thereof, oxetane alcohol and novolac resin, poly(p-hydroxystyrene), cardo-type bisphenols, carix arenes, It may be an ether product of a resin having a hydroxy group such as carixresolecin arenes or silsesquioxane, and may be a copolymer of an unsaturated monomer having an oxetane ring and an alkyl (meth)acrylate.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다관능 시아네이트 에스테르 화합물은 비스페놀 A형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 E형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 F형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 S형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 M형 시아네이트 에스테르 수지, 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 페놀노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 크레졸 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 바이페놀형 시아네이트 에스테르 수지나 이들의 올리고머 또는 공중합체일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the polyfunctional cyanate ester compound is a bisphenol A type cyanate ester resin, a bisphenol E type cyanate ester resin, a bisphenol F type cyanate ester resin, a bisphenol S type cyanate ester resin, a bisphenol. M type cyanate ester resin, novolak type cyanate ester resin, phenol novolak type cyanate ester resin, cresol novolak type cyanate ester resin, novolac type cyanate ester resin of bisphenol A, biphenol type cyanate ester It may be a resin or an oligomer or copolymer thereof.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다관능 말레이미드 화합물의 예로는 4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드(4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 페닐메탄 비스말레이미드(phenylmethane bismaleimide), m-페닐메탄 비스말레이미드(mphenylmethane bismaleimide), 비스페놀 A 디페닐에터비스말레이미드(bisphenol A diphenyl ether bismaleimide), 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드 (3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 4-메틸-1,3-페닐렌 비스말레이미드(4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide), 1,6'-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산(1,6'-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane)일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, examples of the multifunctional maleimide compound include 4,4'-diphenylmethane bismaleimide, phenylmethane bismaleimide, m -Phenylmethane bismaleimide, bisphenol A diphenyl ether bismaleimide, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenyl Methane bismaleimide (3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide (4-methyl-1,3- phenylene bismaleimide), 1,6'-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane (1,6'-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane).

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다관능 벤족사진 화합물은 비스페놀 A형 벤족사진 수지, 비스페놀 F형 벤족사진 수지, 페놀프탈레인형 벤족사진 수지, 티오디페놀형 벤족사진 수지, 디사이클로 펜타디엔형 벤족사진 수지, 3,3'-(메틸렌-1,4-디페닐렌)비스(3,4-디하이드로-2H-1,3-벤족사진(3,3'-(methylene-1,4-diphenylene)bis(3,4-dihydro-2H-1,3-benzoxazine) 수지일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the multifunctional benzoxazine compound is a bisphenol A-type benzoxazine resin, a bisphenol F-type benzoxazine resin, a phenolphthalein-type benzoxazine resin, a thiodiphenol-type benzoxazine resin, a dicyclo pentadiene-type benzoxazine. Photo resin, 3,3'-(methylene-1,4-diphenylene)bis(3,4-dihydro-2H-1,3-benzoxazine (3,3'-(methylene-1,4-diphenylene)) )bis(3,4-dihydro-2H-1,3-benzoxazine) resin.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다관능성 수지화합물은 국도화학사의 YDCN-500-80P, 론자사의 페놀 노볼락형 시아니이트 에스너 수지 PT-30S, 다이와사의 페닐 메탄형 말레이미드 수지 BMI-2300, 시코쿠사의 P-d형 벤조옥사진 수지일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the multifunctional resin compound is YDCN-500-80P from Kukdo Chemicals, phenol novolac-type cyanite Esner resin PT-30S from Ronza, and phenylmethane-type maleimide resin BMI- from Daiwa. 2300, it may be a Pd-type benzoxazine resin from Shikoku.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알카리 가용성 수지는 산성 작용기; 및 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 각각 적어도 1 이상, 또는 2 이상 포함할 수 있다. 상기 산성 작용기는 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 카르복시기 또는 페놀기를 포함할 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지는 산성 작용기를 적어도 1 이상, 또는 2 이상으로 포함하여 상기 고분자 수지층이 보다 높은 알카리 현상성이 구현되며, 고분자 수지층의 현상속도를 조절할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the alkali-soluble resin is an acidic functional group; And at least one or two or more cyclic imide functional groups substituted with an amino group, respectively. The acidic functional group is not limited, but may include, for example, a carboxyl group or a phenol group. The alkali-soluble resin includes at least one or two or more acidic functional groups, so that the polymer resin layer has higher alkali developability, and the developing speed of the polymer resin layer can be controlled.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 작용기 구조 내에 아미노기와 고리형 이미드기를 포함하고 있으며, 적어도 1 이상, 또는 2 이상으로 포함될 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지가 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 적어도 1 이상, 또는 2 이상 함유함에 따라, 상기 알카리 가용성 수지는 아미노기에 포함된 활성수소가 다수 존재하는 구조를 가지게 되어, 열경화시 열경화성 바인더와의 반응성이 향상되면서 경화밀도를 높여 내열 신뢰성 및 기계적 성질을 높일 수 있다. 또한, 상기 고리형 이미드 작용기가 알카리 가용성 수지 내에 다수 존재하게 됨에 따라, 고리형 이미드 작용기에 포함된 카보닐기와 3차 아민기에 의해 극성이 높아져 상기 알카리 가용성 수지의 계면 접착력을 높일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the cyclic imide functional group substituted with the amino group includes an amino group and a cyclic imide group in the functional group structure, and may be included in at least one or more or two or more. As the alkali-soluble resin contains at least one or two or more cyclic imide functional groups substituted with the amino group, the alkali-soluble resin has a structure in which a large number of active hydrogens contained in the amino group are present. As the reactivity with the thermosetting binder is improved, the curing density can be increased, thereby increasing heat resistance reliability and mechanical properties. In addition, as a plurality of cyclic imide functional groups are present in the alkali-soluble resin, the polarity is increased by the carbonyl group and tertiary amine group included in the cyclic imide functional group, thereby increasing the interfacial adhesion of the alkali-soluble resin.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 하기 화학식 2로 표시되는 작용기를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the cyclic imide functional group substituted with the amino group may include a functional group represented by the following formula (2).

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 2에서, R1은 탄소수 1 내지 10, 또는 1 내지 5, 또는 1 내지 3의 알킬렌기 또는 알케닐기이며, "*"는 결합지점을 의미한다. 상기 알킬렌기는, 알케인(alkane)으로부터 유래한 2 가의 작용기로, 예를 들어, 직쇄형, 분지형 또는 고리형으로서, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소부틸렌기, sec-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기 등이 될 수 있다. 상기 알킬렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기의 예로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 등을 들 수 있다.In Formula 2, R 1 is an alkylene group or alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, or 1 to 5, or 1 to 3, and "*" means a bonding point. The alkylene group is a divalent functional group derived from alkane, for example, as a straight chain, branched or cyclic, methylene group, ethylene group, propylene group, isobutylene group, sec-butylene group, It may be a tert-butylene group, a pentylene group, a hexylene group, and the like. One or more hydrogen atoms included in the alkylene group may be substituted with other substituents, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 Aryl group of to 12, heteroaryl group of 2 to 12 carbon atoms, arylalkyl group of 6 to 12 carbon atoms, halogen atom, cyano group, amino group, amidino group, nitro group, amide group, carbonyl group, hydroxy group, sulfonyl group, carba A mate group, a C1-C10 alkoxy group, etc. are mentioned.

본 발명에 있어서, 상기 "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정되지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In the present invention, the term "substitution" means that other functional groups are bonded instead of a hydrogen atom in the compound, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent can be substituted, and two or more substitutions If so, two or more substituents may be the same or different from each other.

본 발명에 있어서, 상기 알케닐기는, 상술한 알킬렌기의 중간이나 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 함유하고 있는 것을 의미하며, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 헥실렌, 아세틸렌 등을 들 수 있다. 상기 알케닐기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 알킬렌기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환 가능하다.In the present invention, the alkenyl group means containing one or more carbon-carbon double bonds in the middle or terminal of the alkylene group described above, for example, ethylene, propylene, butylene, hexylene, acetylene. And the like. At least one hydrogen atom in the alkenyl group may be substituted with the same substituent as in the case of the alkylene group.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 아미노기로 치환된 고리형이미드 작용기는 하기 화학식 3으로 표시되는 작용기일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the cyclic imide functional group substituted with the amino group may be a functional group represented by the following formula (3).

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 3에서, "*"는 결합지점을 의미한다.In Formula 3, "*" means a bonding point.

상기 알카리 가용성 수지는 상술한 바와 같이, 산성 작용기와 함께 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 포함하며, 구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기의 적어도 하나의 말단에 산성 작용기가 결합할 수 있다. 이때, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기와 산성 작용기는 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 결합할 수 있으며, 예를 들어, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 아미노기의 말단에 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 산성 작용기가 결합할 수 있으며, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 이미드 작용기의 말단에 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 산성 작용기가 결합할 수 있다.As described above, the alkali-soluble resin includes a cyclic imide functional group substituted with an amino group together with an acidic functional group, and specifically, an acidic functional group is bonded to at least one end of the cyclic imide functional group substituted with the amino group can do. At this time, the cyclic imide functional group substituted with the amino group and the acidic functional group may be bonded via a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group, for example, a cyclic type substituted with the amino group An acidic functional group may be bonded to the terminal of the amino group included in the imide functional group via a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group, and already included in the cyclic imide functional group substituted with the amino group. The acidic functional group may be bonded to the terminal of the de functional group via a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 아미노기의 말단이란, 상기 화학식 2에서 아미노기에 포함된 질소원자를 의미하며, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 이미드 작용기의 말단이란, 상기 화학식 2에서 고리형 이미드 작용기에 포함된 질소원자를 의미할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the terminal of the amino group included in the cyclic imide functional group substituted with the amino group means a nitrogen atom included in the amino group in Formula 2, and a cyclic imide substituted with the amino group The terminal of the imide functional group included in the functional group may mean a nitrogen atom included in the cyclic imide functional group in Formula 2.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬렌기는, 알케인(alkane)으로부터 유래한 2 가의 작용기로, 직쇄형, 분지형 또는 고리형으로서, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소부틸렌기, sec-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기 등이 될 수 있다. 상기 알킬렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the alkylene group is a divalent functional group derived from alkane, a straight chain, branched or cyclic, methylene group, ethylene group, propylene group, isobutylene group, It may be a sec-butylene group, a tert-butylene group, a pentylene group, a hexylene group, and the like. One or more hydrogen atoms included in the alkylene group may be substituted with other substituents, and the substituent is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 to 12 carbon atoms. Aryl group, C2-C12 heteroaryl group, C6-C12 arylalkyl group, halogen atom, cyano group, amino group, amidino group, nitro group, amide group, carbonyl group, hydroxy group, sulfonyl group, carbamate group , It may be an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴렌기는, 아렌(arene)으로부터 유래한 2 가의 작용기로, 고리형으로서, 페닐기, 나프틸기 등이 될 수 있다. 상기 아릴렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the arylene group is a divalent functional group derived from arene, and may be a cyclic group, such as a phenyl group or a naphthyl group. One or more hydrogen atoms included in the arylene group may be substituted with other substituents, and the substituent is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 to 12 carbon atoms. Aryl group, C2-C12 heteroaryl group, C6-C12 arylalkyl group, halogen atom, cyano group, amino group, amidino group, nitro group, amide group, carbonyl group, hydroxy group, sulfonyl group, carbamate group , It may be an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알카리 가용성 수지를 제조하는 방법은 한정되는 것은 아니나, 고리형 불포화 이미드 화합물; 및 아민 화합물;의 반응을 통해 제조될 수 있다. 이때, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물; 및 아민 화합물; 중 적어도 하나 이상은 말단에 치환된 산성 작용기를 포함할 수 있다. 즉, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물, 아민 화합물, 또는 이들 2종 화합물 모두의 말단에 산성 작용기가 치환될 수 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a method of preparing the alkali-soluble resin is not limited, but a cyclic unsaturated imide compound; And it can be prepared through the reaction of an amine compound. At this time, the cyclic unsaturated imide compound; And amine compounds; At least one of them may include an acidic functional group substituted at the terminal. That is, an acidic functional group may be substituted at the terminal of the cyclic unsaturated imide compound, the amine compound, or both of these compounds. The contents of the acidic functional group are as described above.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고리형 이미드 화합물은 상술한 고리형 이미드 작용기를 포함한 화합물이며, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물은 고리형 이미드 화합물 내에 불포화 결합, 즉 이중결합 또는 삼중결합을 적어도 1이상 포함한 화합물을 의미한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the cyclic imide compound is a compound containing the aforementioned cyclic imide functional group, and the cyclic unsaturated imide compound is an unsaturated bond, that is, a double bond or a triple bond in the cyclic imide compound. It means a compound containing at least one bond.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알카리 가용성 수지는 상기 아민 화합물에 포함된 아미노기와 고리형 불포화 이미드 화합물에 포함된 이중결합 또는 삼중결합의 반응을 통해 제조될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the alkali-soluble resin may be prepared through a reaction of an amino group included in the amine compound and a double bond or a triple bond included in the cyclic unsaturated imide compound.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물 및 아민 화합물을 반응시키는 중량비율은 크게 한정되는 것은 아니지만, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물 100 중량부에 대하여, 상기 아민 화합물을 10 내지 80 중량부, 또는 30 내지 60 중량부로 혼합하여 반응시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the weight ratio of reacting the cyclic unsaturated imide compound and the amine compound is not largely limited, but based on 100 parts by weight of the cyclic unsaturated imide compound, the amine compound is 10 to It may be reacted by mixing in an amount of 80 parts by weight, or 30 to 60 parts by weight.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물은 N-치환 말레이미드 화합물일 수 있다. N-치환이란 말레이미드 화합물에 포함된 질소원자에 결합한 수소 원자 대신 작용기가 결합한 것을 의미하며, 상기 N-치환 말레이미드 화합물은 N-치환된 말레이미드 화합물의 개수에 따라 단관능 N-치환 말레이미드 화합물과 다관능 N-치환 말레이미드 화합물로 분류될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the cyclic unsaturated imide compound may be an N-substituted maleimide compound. N-substituted means that a functional group is bonded instead of a hydrogen atom bonded to a nitrogen atom contained in a maleimide compound, and the N-substituted maleimide compound is a monofunctional N-substituted maleimide depending on the number of N-substituted maleimide compounds. Compounds and polyfunctional N-substituted maleimide compounds can be classified.

본 발명에 있어서, 상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물은 하나의 말레이미드 화합물에 포함된 질소원자에 작용기가 치환된 화합물이며, 상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물은 2이상의 말레이미드 화합물 각각에 포함된 질소원자가 작용기를 매개로 결합한 화합물을 의미한다.In the present invention, the monofunctional N-substituted maleimide compound is a compound in which a functional group is substituted with a nitrogen atom included in one maleimide compound, and the polyfunctional N-substituted maleimide compound is in each of two or more maleimide compounds. It refers to a compound in which the nitrogen atom contained is bonded through a functional group.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물에서, 상기 말레이미드 화합물에 포함된 질소 원자에 치환되는 작용기는 공지된 다양한 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기를 제한없이 포함할 수 있으며, 상기 질소 원자에 치환되는 작용기는 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기에 산성 작용기가 치환된 작용기를 포함할 수도 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다.According to an exemplary embodiment of the present invention, in the monofunctional N-substituted maleimide compound, the functional group substituted for the nitrogen atom included in the maleimide compound may include, without limitation, various known aliphatic, alicyclic or aromatic functional groups. In addition, the functional group substituted with the nitrogen atom may include a functional group in which an acidic functional group is substituted with an aliphatic, alicyclic or aromatic functional group. The contents of the acidic functional group are as described above.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물은 o-메틸페닐말레이미드, p-하이드록시페닐말레이미드, p-카복시페닐말레이미드, 또는 도데실말레이미드일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the monofunctional N-substituted maleimide compound may be o-methylphenylmaleimide, p-hydroxyphenylmaleimide, p-carboxyphenylmaleimide, or dodecylmaleimide.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물에서, 2이상의 말레이미드 화합물 각각에 포함된 질소원자간 결합을 매개하는 작용기는 공지된 다양한 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기를 제한없이 포함할 수 있으며, 구체적으로, 4,4'-디페닐메탄(diphenylmethane) 작용기를 사용할 수 있다. 상기 질소 원자에 치환되는 작용기는 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기에 산성 작용기가 치환된 작용기를 포함할 수도 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다.According to an exemplary embodiment of the present invention, in the multifunctional N-substituted maleimide compound, the functional group that mediates the bond between nitrogen atoms contained in each of the two or more maleimide compounds is not limited to various known aliphatic, alicyclic, or aromatic functional groups. It may include, and specifically, a 4,4'-diphenylmethane functional group may be used. The functional group substituted with the nitrogen atom may include a functional group in which an acidic functional group is substituted with an aliphatic, alicyclic or aromatic functional group. The contents of the acidic functional group are as described above.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물은 4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드(Daiwakasei사의 BMI-1000, BMI-1100 등), 페닐메탄 비스말레이미드, m-페닐렌메탄 비스말레이미드, 비스페놀 A 디페닐에테르 비스말레이미드, 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드, 4-메틸-1,3-페닐렌 비스말레이미드, 1,6'-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the polyfunctional N-substituted maleimide compound is 4,4'-diphenylmethane bismaleimide (Daiwakasei's BMI-1000, BMI-1100, etc.), phenylmethane bismaleimide, m -Phenylenemethane bismaleimide, bisphenol A diphenylether bismaleimide, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide, 4-methyl-1, 3-phenylene bismaleimide, 1,6'-bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 아민 화합물은 분자구조 내에 아미노기(-NH2)를 적어도 1이상 함유한 1차 아민 화합물을 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 아미노기로 치환된 카복시산 화합물, 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the amine compound may be a primary amine compound containing at least one amino group (-NH 2 ) in the molecular structure, and more preferably a carboxylic acid compound substituted with an amino group, 2 Polyfunctional amine compounds containing the above amino groups or mixtures thereof can be used.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물에서, 카복시산 화합물은 분자 내에 카르복시산(-COOH) 작용기를 포함한 화합물로서, 카르복시산 작용기와 결합한 탄화수소의 종류에 따라 지방족, 지환족 또는 방향족 카복시산을 모두 포함할 수 있다. 상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물을 통해 상기 알카리 가용성 수지 내에 산성 작용기인 카복시산 작용기가 다수 포함되면서, 상기 알카리 가용성 수지의 현상성이 향상될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, in the carboxylic acid compound substituted with the amino group, the carboxylic acid compound is a compound containing a carboxylic acid (-COOH) functional group in the molecule, and depending on the type of hydrocarbon bonded to the carboxylic acid functional group, aliphatic, alicyclic or It may contain all aromatic carboxylic acids. Through the carboxylic acid compound substituted with the amino group, a plurality of carboxylic acid functional groups, which are acidic functional groups, are included in the alkali-soluble resin, so that the developability of the alkali-soluble resin may be improved.

본 발명에 있어서, 상기 카복시산 화합물에 아미노기가 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치라면 한정되지 않으며, 치환되는 아미노기의 개수는 1이상일 수 있다.In the present invention, the position at which the amino group is substituted in the carboxylic acid compound is not limited as long as the position at which a hydrogen atom is substituted, and the number of substituted amino groups may be 1 or more.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물은 단백질의 원료로 알려진 20여종의 α-아미노산, 4-아미노부탄산, 5-아미노펜탄산, 6-아미노헥산산, 7-아미노헵탄산, 8-아미노옥탄산, 4-아미노벤조산, 4-아미노페닐아세트산, 4-아미노 시클로헥산 카복시산일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the amino group-substituted carboxylic acid compound is 20 kinds of α-amino acids, 4-aminobutanoic acid, 5-aminopentanoic acid, 6-aminohexanoic acid, and 7-amino, which are known as raw materials for proteins. Heptanoic acid, 8-aminooctanoic acid, 4-aminobenzoic acid, 4-aminophenylacetic acid, 4-amino cyclohexane carboxylic acid.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물은 분자 내에 2이상의 아미노기(-NH2)를 포함한 화합물로서, 아미노기와 결합한 탄화수소의 종류에 따라 지방족, 지환족 또는 방향족 다관능 아민을 모두 포함할 수 있다. 상기 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물을 통해 상기 알카리 가용성 수지의 가요성, 인성, 동박밀착력 등이 향상될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the polyfunctional amine compound containing two or more amino groups is a compound containing two or more amino groups (-NH 2 ) in a molecule, and is aliphatic, alicyclic or aromatic depending on the type of hydrocarbon bonded to the amino group. It may contain all functional amines. Flexibility, toughness, copper foil adhesion, and the like of the alkali-soluble resin may be improved through the polyfunctional amine compound including two or more amino groups.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물은 1,3-시클로헥산디아민, 1,4-시클로헥산디아민, 1,3-비스(아미노메틸)-시클로헥산, 1,4-비스(아미노메틸)-시클로헥산, 비스(아미노메틸)-노보넨, 옥타하이드로-4,7-메타노인덴-1(2), 5(6)-디메탄아민, 4,4'-메틸렌비스(시클로헥실아민), 4,4'-메틸렌비스(2-메틸시클로헥실아민), 이소포론디아민, 1,3-페닐렌디아민, 1,4-페닐렌디아민, 2,5-디메틸-1,4-페닐렌디아민, 2,3,5,6,-테트라메틸-1,4-페닐렌디아민, 2,4,5,6-테트라플루오로-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라플루오로-1,4-페닐렌디아민, 4,6-디아미노레조시놀, 2,5-디아미노-1,4-벤젠디티올, 3-아미노벤질아민, 4-아미노벤질아민, m-자일렌디아민, p-자일렌디아민, 1,5-디아미노나프탈렌, 2,7-디아미노플루오렌, 2,6-디아미노안트라퀴논, m-톨리딘, o-톨리딘, 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘 (TMB), o-디아니시딘, 4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린), 3,3'-디아미노벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-벤지딘, 4,4'-디아미노옥타플루오로비페닐, 4,4'-디아미노-p-터페닐, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄, 4,4'-메틸렌비스(2-에틸-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디에틸아닐린), 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-에틸렌디아닐린, 4,4'-디아미노-2,2'-디메틸비벤질, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 2,2'-비스(3-아미노페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-메틸페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-헥사플루오로프로판,α,α'-비스(4-아미노페닐)-1,4-디아이소프로필벤젠, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)-2-프로필]벤젠, 1,1'-비스(4-아미노페닐)-시클로헥산, 9,9'-비스(4-아미노페닐)-플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-클로로페닐)플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-메틸페닐)플루오렌,3,4'-디아미노디페닐에터, 4,4'-디아미노디페닐에터, 1,3-비스(3-아미노페녹시)-벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)-벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)-벤젠, 1,4-비스(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)-벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)-비페닐, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]프로판, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]헥사플루오로프로판, 비스(2-아미노페닐)설파이드, 비스(4-아미노페닐)설파이드, 비스(3-아미노페닐)설폰, 비스(4-아미노페닐)설폰, 비스(3-아미노-4-하이드록시)설폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)-페닐]설폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]설폰, o-톨리딘 설폰, 3,6-디아미노카바졸, 1,3,5-트리스(4-아미노페닐)-벤젠, 1,3-비스(3-아미노프로필)-테트라메틸디실록산, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 2-(3-아미노페닐)-5-아미노벤즈이미다졸, 2-(4-아미노페닐)-5-아미노벤족사졸, 1-(4-아미노페닐)-2,3-디하이드로-1,3,3-트리메틸-1H-인덴-5-아민, 4,6-디아미노레조시놀, 2,3,5,6-피리딘테트라아민, 신에츠 실리콘의 실록산 구조를 포함한 다관능 아민(PAM-E, KF-8010, X-22-161A, X-22-161B, KF-8012, KF-8008, X-22-1660B-3, X-22-9409), 다우코닝의 실록산 구조를 포함한 다관능 아민(Dow Corning 3055), 폴리에테르 구조를 포함한 다관능 아민(Huntsman사, BASF사)일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the polyfunctional amine compound including two or more amino groups is 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1,3-bis(aminomethyl)-cyclohexane, 1 ,4-bis(aminomethyl)-cyclohexane, bis(aminomethyl)-norbornene, octahydro-4,7-methanoindene-1(2), 5(6)-dimethanamine, 4,4' -Methylenebis(cyclohexylamine), 4,4'-methylenebis(2-methylcyclohexylamine), isophoronediamine, 1,3-phenylenediamine, 1,4-phenylenediamine, 2,5-dimethyl -1,4-phenylenediamine, 2,3,5,6,-tetramethyl-1,4-phenylenediamine, 2,4,5,6-tetrafluoro-1,3-phenylenediamine, 2 ,3,5,6-tetrafluoro-1,4-phenylenediamine, 4,6-diaminoresorcinol, 2,5-diamino-1,4-benzenedithiol, 3-aminobenzylamine, 4-aminobenzylamine, m-xylenediamine, p-xylenediamine, 1,5-diaminonaphthalene, 2,7-diaminofluorene, 2,6-diaminoanthraquinone, m-tolidine, o -Tolidine, 3,3',5,5'-tetramethylbenzidine (TMB), o-dianisidine, 4,4'-methylenebis(2-chloroaniline), 3,3'-diaminobenzidine, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-benzidine, 4,4'-diaminooctafluorobiphenyl, 4,4'-diamino-p-terphenyl, 3,3'-diaminodiphenylmethane , 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane, 4,4'-methylenebis (2 -Ethyl-6-methylaniline), 4,4'-methylenebis(2,6-diethylaniline), 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4' -Ethylenedianiline, 4,4'-diamino-2,2'-dimethylbibenzyl, 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 2,2'-bis(3- Aminophenyl)-hexafluoropropane, 2,2'-bis(4-aminophenyl)-hexafluoropropane, 2,2'-bis(3-amino-4-methylphenyl)-hexafluoropropane, 2, 2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-hexafluoropropane,α,α'-bis(4-aminophenyl)-1,4-diisopropylbenzene, 1,3-bis[2 -( 4-aminophenyl)-2-propyl]benzene, 1,1'-bis(4-aminophenyl)-cyclohexane, 9,9'-bis(4-aminophenyl)-fluorene, 9,9'-bis (4-amino-3-chlorophenyl)fluorene, 9,9'-bis(4-amino-3-fluorophenyl)fluorene, 9,9'-bis(4-amino-3-methylphenyl)fluorene ,3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 1,3-bis(3-aminophenoxy)-benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy Si)-benzene, 1,4-bis(4-aminophenoxy)-benzene, 1,4-bis(4-amino-2-trifluoromethylphenoxy)-benzene, 4,4'-bis(4 -Aminophenoxy)-biphenyl, 2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)-phenyl]propane, 2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)-phenyl]hexa Fluoropropane, bis(2-aminophenyl)sulfide, bis(4-aminophenyl)sulfide, bis(3-aminophenyl)sulfone, bis(4-aminophenyl)sulfone, bis(3-amino-4-hydroxyl) )Sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)-phenyl]sulfone, bis[4-(4-aminophenoxy)-phenyl]sulfone, o-tolidine sulfone, 3,6-diaminocarbazole, 1,3,5-tris(4-aminophenyl)-benzene, 1,3-bis(3-aminopropyl)-tetramethyldisiloxane, 4,4'-diaminobenzanilide, 2-(3-aminophenyl )-5-aminobenzimidazole, 2-(4-aminophenyl)-5-aminobenzoxazole, 1-(4-aminophenyl)-2,3-dihydro-1,3,3-trimethyl-1H- Polyfunctional amines including inden-5-amine, 4,6-diaminoresorcinol, 2,3,5,6-pyridine tetraamine, and the siloxane structure of Shin-Etsu silicone (PAM-E, KF-8010, X-22 -161A, X-22-161B, KF-8012, KF-8008, X-22-1660B-3, X-22-9409), polyfunctional amines containing Dow Corning's siloxane structure (Dow Corning 3055), polyethers It may be a polyfunctional amine containing a structure (Huntsman, BASF).

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 4로 표시되는 반복단위; 및 하기 화학식 5로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the alkali-soluble resin is a repeating unit represented by the following formula (4); And at least one or more repeating units represented by the following Chemical Formula 5, respectively.

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 4에서, R2는 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, "*"는 결합지점을 의미하고,In Formula 4, R 2 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and "*" means a bonding point,

[화학식 5][Formula 5]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 5에서, R3는 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, R4는 -H, -OH, -NR5R6, 할로겐, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며, 상기 R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기일 수 있고, "*"는 결합지점을 의미한다. 바람직하게는 상기 화학식 4에서 R2는 페닐렌이고, 상기 화학식 5에서, R3는 페닐렌이며, R4는 -OH일 수 있다.In Formula 5, R 3 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and R 4 is -H, -OH, -NR 5 R 6 , halogen, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and R 5 and R 6 may each independently be hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and "*" indicates a bonding point it means. Preferably, in Formula 4, R 2 may be phenylene, in Formula 5, R 3 may be phenylene, and R 4 may be -OH.

한편, 상기 알카리 가용성 수지는 상기 화학식 4로 표시되는 반복단위; 및 상기 화학식 5로 표시되는 반복단위 이외에 추가로 비닐계 반복단위를 더 포함할 수 있다. 상기 비닐계 반복단위는 분자내에 적어도 1이상의 비닐기를 포함하는 비닐계 단량체의 단독중합체에 포함되는 반복단위로서, 상기 비닐계 단량체의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌, 부타디엔, 스티렌, 아크릴산, 메타아크릴산, 무수말레 인산, 또는 말레이미드 등을 들 수 있다.On the other hand, the alkali-soluble resin is a repeating unit represented by the formula (4); And it may further include a vinyl-based repeating unit in addition to the repeating unit represented by the formula (5). The vinyl-based repeating unit is a repeating unit contained in a homopolymer of a vinyl-based monomer containing at least one vinyl group in a molecule, and examples of the vinyl-based monomer are not limited, for example, ethylene, propylene, isobutylene. , Butadiene, styrene, acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride, or maleimide.

상술한 화학식 4로 표시되는 반복단위; 및 화학식 4로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함하는 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 6으로 표시되는 반복단위를 포함한 중합체, 하기 화학식 7로 표시되는 아민, 및 하기 화학식 8로 표시되는 아민의 반응으로 제조될 수 있다.A repeating unit represented by Formula 4 above; And the alkali-soluble resin each containing at least one or more repeating units represented by Formula 4 is a reaction of a polymer including a repeating unit represented by Formula 6 below, an amine represented by Formula 7 below, and an amine represented by Formula 8 below. Can be manufactured.

[화학식 6][Formula 6]

Figure pat00005
Figure pat00005

[화학식 7][Formula 7]

Figure pat00006
Figure pat00006

[화학식 8][Formula 8]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 화학식 6 내지 8에서, R2 내지 R4는 상기 화학식 4 및 5에서 상술한 내용과 동일하며, "*"는 결합지점을 의미한다.In Formulas 6 to 8, R 2 to R 4 are the same as those described above in Formulas 4 and 5, and "*" means a bonding point.

상기 화학식 6으로 표시되는 반복단위를 포함한 중합체는 한정되는 것은 아니나, Cray valley사의 SMA, Polyscope사의 Xiran, Solenis사의 Scripset, Kuraray사의 Isobam, Chevron Phillips Chemical사의 Polyanhydride resin, Lindau Chemicals사의 Maldene일 수 있다.The polymer including the repeating unit represented by Formula 6 is not limited, but may be SMA of Cray valley, Xiran of Polyscope, Scripset of Solenis, Isobam of Kuraray, Polyanhydride resin of Chevron Phillips Chemical, Maldene of Lindau Chemicals.

또한, 상술한 화학식 4로 표시되는 반복단위; 및 화학식 4로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함하는 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 9로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 10으로 표시되는 화합물의 반응으로 제조될 수 있다.In addition, the repeating unit represented by the above-described formula 4; And the alkali-soluble resin each including at least one or more repeating units represented by Formula 4 may be prepared by a reaction of a compound represented by Formula 9 below and a compound represented by Formula 10 below.

[화학식 9][Formula 9]

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 10][Formula 10]

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 8 내지 9에서, R2 내지 R4는 상기 화학식 4 및 5에서 상술한 내용과 동일하다.In Formulas 8 to 9, R 2 to R 4 are the same as those described above in Formulas 4 and 5.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알카리 가용성 수지는 분자 중에 카르복시기 또는 페놀기를 함유하고 있는 공지 관용의 카르복시기 함유 수지 또는 페놀기 함유 수지를 사용할 수 있다. 바람직하게는 상기 카르복시기 함유 수지 또는 상기 카르복시기 함유 수지에 페놀기 함유 수지를 혼합하여 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the alkali-soluble resin may be a conventionally known carboxy group-containing resin or phenol group-containing resin containing a carboxyl group or a phenol group in the molecule. Preferably, a phenol group-containing resin may be mixed with the carboxy group-containing resin or the carboxy group-containing resin.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 카르복시기 함유 수지는 하기 열거하는 (1) 내지 (7)의 수지를 들 수 있다. (1) 다관능 에폭시 수지에 포화 또는 불포화 모노카르복시기를 반응시킨 후, 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지, (2) 2관능 에폭시 수지에 2관능 페놀, 및(또는) 디카르복시기를 반응시킨 후 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지, (3) 다관능 페놀 수지에 분자 내에 1개의 에폭시기를 갖는 화합물을 반응시킨 후 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지, (4) 분자 내에 2개 이상의 알코올성 수산기를 갖는 화합물에 다염기산 무수물을 반응시켜 이루어지는 카르복시기 함유 수지, (5) 디아민(diamine)과 디안하이드라이드(dianhydride)를 반응시킨 폴리아믹산 수지 또는 폴리아믹산 수지의 공중합체 수지, (6) 아크릴산을 반응시킨 폴리아크릴산 수지 또는 폴리아크릴산 수지의 공중합체 또는 (7) 말레산무수물을 반응시킨 폴리말레산무수물 수지 및 폴리말레산무수물 수지 공중합체의 무수물을 약산, 디아민, 이미다졸(imidazole), 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide)로 개환시켜 제조한 수지일 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the carboxy group-containing resin includes the resins (1) to (7) listed below. (1) After reacting a polyfunctional epoxy resin with a saturated or unsaturated monocarboxy group, a resin containing a carboxyl group obtained by reacting a polybasic acid anhydride, (2) after reacting a bifunctional epoxy resin with a difunctional phenol and/or a dicarboxy group Carboxy group-containing resin obtained by reacting a polybasic acid anhydride, (3) a carboxy group-containing resin obtained by reacting a polyfunctional phenolic resin with a compound having one epoxy group in the molecule and then reacting a polybasic acid anhydride, (4) two or more alcoholic hydroxyl groups in the molecule Carboxy group-containing resin obtained by reacting a polybasic acid anhydride with a compound having (5) a polyamic acid resin obtained by reacting diamine and dianhydride or a copolymer resin of a polyamic acid resin, (6) acrylic acid Polyacrylic acid resin or copolymer of polyacrylic acid resin or (7) polymaleic anhydride resin reacted with maleic anhydride and anhydride of polymaleic anhydride resin copolymer are weak acid, diamine, imidazole, dimethyl sulfoxide ( dimethyl sulfoxide) may be a resin prepared by ring opening, but is not limited thereto.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 카르복시기 함유 수지는 일본화약의 CCR-1291H, 신아 T&C의 SHA-1216CA60, Lubrizol의 Noverite K-700 또는 이들의 2종 이상의 혼합물일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the carboxy group-containing resin may be CCR-1291H of Japanese Explosives, SHA-1216CA60 of Shina T&C, Noverite K-700 of Lubrizol, or a mixture of two or more thereof.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 페놀기 함유 수지는 한정되는 것은 아니나, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀F(BPF) 노볼락 수지의 노볼락 수지 또는 4,4'-(1-(4-(2-(4-하이드록시페닐)프로판-2-일)페닐)에탄-1,1-다이일)다이페놀 [4,4'-(1-(4-(2-(4-Hydroxyphenyl)propan-2-yl)phenyl)ethane-1,1-diyl)diphenol]의 비스페놀 A계 수지를 각각 단독으로 사용하거나 혼합하여 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the phenol group-containing resin is not limited, but a phenol novolak resin, a cresol novolac resin, a bisphenol F (BPF) novolak resin of a novolak resin, or 4,4'-(1 -(4-(2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl)phenyl)ethane-1,1-diyl)diphenol [4,4'-(1-(4-(2-(4) Bisphenol A resin of -Hydroxyphenyl)propan-2-yl)phenyl)ethane-1,1-diyl)diphenol] may be used alone or in combination.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알카리 가용성 수지는 KOH 적정에 의해 구해지는 산가(acid value)가 50 mgKOH/ g 내지 250 mgKOH/g, 또는 70 mgKOH/g 내지 200 mgKOH/g일 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지의 산가를 측정하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 다음과 같은 방법을 사용할 수 있다. 베이스 용매(base solution)로서 0.1 N의 농도의 KOH 용액(용매: 메탄올)을 준비하고, 표지자(indicator)로는 알파-나프톨벤제인(alphanaphtholbenzein)(pH: 0.8 ~ 8.2 yellow, 10.0 blue green)을 준비하였다. 이어서, 시료인 알카리 가용성 수지 약 1 내지 2 g을 채취하여 디메틸포름알데히드(DMF) 용매 50 g에 녹인 후에 표지자를 첨가한 후에 베이스 용매로 적정하였다. 적정 완료 시점에서 사용된 베이스 용매의 양으로 산가(acid value)를 mg KOH/g의 단위로 구하였다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the alkali-soluble resin may have an acid value calculated by KOH titration of 50 mgKOH/g to 250 mgKOH/g, or 70 mgKOH/g to 200 mgKOH/g. Although an example of a method of measuring the acid value of the alkali-soluble resin is not largely limited, for example, the following method may be used. A 0.1 N KOH solution (solvent: methanol) was prepared as a base solution, and alpha-naphtholbenzein (pH: 0.8 ~ 8.2 yellow, 10.0 blue green) was prepared as an indicator. I did. Then, about 1 to 2 g of an alkali-soluble resin as a sample was taken and dissolved in 50 g of a dimethylformaldehyde (DMF) solvent, and then a marker was added, followed by titration with a base solvent. The acid value was calculated in units of mg KOH/g as the amount of the base solvent used at the time of completion of the titration.

상기 알카리 가용성 수지의 산가가 50 mgKOH/g 미만으로 지나치게 감소할 경우, 상기 알카리 가용성 수지의 현상성이 낮아져 현상 공정을 진행하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 알카리 가용성 수지의 산가가 250 mgKOH/g 초과로 지나치게 증가할 경우, 극성 증대로 인해 다른 수지와의 상분리가 발생할 수 있다.When the acid value of the alkali-soluble resin is excessively reduced to less than 50 mgKOH/g, the developability of the alkali-soluble resin is lowered, and it may be difficult to proceed with the developing process. In addition, when the acid value of the alkali-soluble resin is excessively increased to more than 250 mgKOH/g, phase separation with other resins may occur due to increased polarity.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 수지층은 열경화 촉매, 무기 필러, 레벨링제, 분산제, 이형제 및 금속 밀착력 증진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the polymer resin layer may further include one or more additives selected from the group consisting of a thermosetting catalyst, an inorganic filler, a leveling agent, a dispersant, a release agent, and a metal adhesion promoter.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열경화성 촉매로서는, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 4-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-에틸-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 유도체; 디시안디아미드, 벤질디메틸아민, 4-(디메틸아미노)-N,N-디메틸벤질아민, 4-메톡시-N,N-디메틸벤질아민, 4-메틸-N,N-디메틸벤질아민 등의 아민 화합물; 아디프산 디히드라지드, 세박산 디히드라지드 등의 히드라진 화합물; 트리페닐포스핀의 인 화합물일 수 있다. 구체적으로, 시코쿠 가세이 고교사 제조의 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4BHZ, 2P4MHZ(모두 이미다졸계 화합물의 상품명), 산아프로사 제조의 U-CAT3503N, UCAT3502T(모두 디메틸아민의 블록이소시아네이트 화합물의 상품명), DBU, DBN, U-CATS A102, U-CAT5002(모두 이환식 아미딘 화합물 및 그의 염) 일 수 있다. 특히 이들에 한정되는 것이 아니고, 에폭시 수지나 옥세탄 화합물의 열경화 촉매, 또는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기와 카르복시기의 반응을 촉진하는 것일 수 있고, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한, 구아나민, 아세토구아나민, 벤조구아나민, 멜라민, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-S-트리아진, 2-비닐-4,6-디아미노-S-트리아진, 2-비닐-4,6-디아미노-S-트리아진-이소사아누르산 부가물, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-S-트리아진-이소사아누르산 부가물 등의 S-트리아진 유도체를 이용할 수도 있고, 바람직하게는 이들 밀착성 부여제로서도 기능하는 화합물을 상기 열경화성 촉매와 병용할 수 있다. 상술한 열경화성 촉매를 사용함으로써 열경화성 바인더의 열경화를 촉진시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, as the thermosetting catalyst, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4 Imidazole derivatives such as phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1-(2-cyanoethyl)-2-ethyl-4-methylimidazole; Amines such as dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4-(dimethylamino)-N,N-dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N,N-dimethylbenzylamine, and 4-methyl-N,N-dimethylbenzylamine compound; Hydrazine compounds such as adipic acid dihydrazide and sebacic acid dihydrazide; It may be a phosphorus compound of triphenylphosphine. Specifically, 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4BHZ, 2P4MHZ manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. (Trade name of), DBU, DBN, U-CATS A102, U-CAT5002 (all bicyclic amidine compounds and salts thereof). It is not particularly limited to these, and may be a thermosetting catalyst of an epoxy resin or an oxetane compound, or a reaction between an epoxy group and/or an oxetanyl group and a carboxyl group, and may be used alone or in combination of two or more. . In addition, guanamine, acetoguanamine, benzoguanamine, melamine, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-tri Azine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-triazine-isosaanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine-isosaanuric acid S-triazine derivatives such as adducts can also be used, and preferably, compounds that also function as adhesion-imparting agents can be used in combination with the thermosetting catalyst. By using the above-described thermosetting catalyst, it is possible to accelerate the thermosetting of the thermosetting binder.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 무기 필러는 실리카, 황산바륨, 티탄산바륨, 탈크, 클레이, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 산화알루미늄, 수산화알루미늄, 마이카 또는 이들의 2종 이상의 혼합물일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the inorganic filler may be silica, barium sulfate, barium titanate, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, mica, or a mixture of two or more thereof.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 무기필러의 함량의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 상기 고분자 수지층의 높은 강성을 달성하기 위해, 고분자 수지층 내 포함된 모든 수지 성분 100 중량부에 대하여, 상기 무기필러를 100 중량부 이상, 또는 100 중량부 내지 600 중량부, 또는 150 중량부 내지 500 중량부, 또는 200 중량부 내지 500 중량부로 첨가할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, examples of the content of the inorganic filler are not largely limited, but in order to achieve high rigidity of the polymer resin layer, based on 100 parts by weight of all resin components contained in the polymer resin layer, the The inorganic filler may be added in an amount of 100 parts by weight or more, or 100 parts by weight to 600 parts by weight, or 150 parts by weight to 500 parts by weight, or 200 parts by weight to 500 parts by weight.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 이형제는, 저분자량 폴리프로필렌, 저분자량 폴리에틸렌의 폴리알킬렌 왁스, 에스테르 왁스, 카르나우바(carnauba) 왁스, 파라핀 왁스일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the release agent may be a low molecular weight polypropylene, a low molecular weight polyethylene polyalkylene wax, an ester wax, a carnauba wax, or a paraffin wax.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 밀착력 증진제는 금속소재의 표면 변질이나 투명성에 문제를 발생시키지 않는 물질일 수 있다. 구체적으로, 실란 커플링제 또는 유기금속 커플링제를 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the metal adhesion promoter may be a material that does not cause a problem in surface deterioration or transparency of the metal material. Specifically, a silane coupling agent or an organometallic coupling agent may be used.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 레벨링제는 BYK-Chemie GmbH의 BYK-380N, BYK-307, BYK-378, BYK-350일 수 있으며, 상기 레벨링제를 이용함으로써, 필름 코팅시 표면의 팝핑이나 크레이터를 제거할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the leveling agent may be BYK-380N, BYK-307, BYK-378, BYK-350 of BYK-Chemie GmbH. By using the leveling agent, the surface is popped during film coating. Or craters can be removed.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 수지층은 상분리를 유발할 수 있는 중량평균분자량 5000이상인 수지 또는 엘라스토머를 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 고분자 수지층의 경화물의 조화처리가 가능할 수 있다. 상기 중량평균분자량 5000 이상의 수지 또는 엘라스토머의 분자량 측정방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 의미한다. 상기 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량을 측정하는 과정에서는, 통상적으로 알려진 분석 장치와 시차 굴절 검출기(Refractive Index Detector) 등의 검출기 및 분석용 컬럼을 사용할 수 있으며, 통상적으로 적용되는 온도 조건, 용매, flow rate를 적용할 수 있다. 상기 측정 조건의 구체적인 예로, 30의 온도, 클로로포름 용매(Chloroform) 및 1 mL/min의 flow rate를 들 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the polymer resin layer may further include a resin or elastomer having a weight average molecular weight of 5000 or more capable of causing phase separation. Accordingly, a roughening treatment of the cured product of the polymer resin layer may be possible. The example of the method for measuring the molecular weight of the resin or elastomer having a weight average molecular weight of 5000 or more is not limited, for example, it refers to a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by the GPC method. In the process of measuring the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by the GPC method, a commonly known analysis device, a detector such as a Refractive Index Detector, and a column for analysis can be used, and the temperature normally applied Conditions, solvents, and flow rates can be applied. Specific examples of the measurement conditions include a temperature of 30, a chloroform solvent, and a flow rate of 1 mL/min.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 수지층은 상기 고분자 수지층에 광경화성 성질을 부여하기 위하여, 광반응성 불포화기를 포함하는 열경화성 바인더 또는 광반응성 불포화기를 포함하는 알카리 가용성 수지와 광개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 광반응성 불포화기를 포함하는 열경화성 바인더, 광반응성 불포화기를 포함하는 알카리 가용성 수지 및 광개시제의 구체적인 예는 크게 한정되지 않으며, 광경화성 수지 조성물 관련 기술분야에서 사용되는 다양한 화합물을 제한 없이 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the polymer resin layer further comprises a thermosetting binder comprising a photoreactive unsaturated group or an alkali-soluble resin comprising a photoreactive unsaturated group and a photoinitiator in order to impart photocurable properties to the polymer resin layer. can do. Specific examples of the thermosetting binder including the photoreactive unsaturated group, the alkali-soluble resin including the photoreactive unsaturated group, and the photoinitiator are not limited thereto, and various compounds used in the technical field related to the photocurable resin composition may be used without limitation.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 수지층에 함유된 광개시제의 함량이 전체 고분자 수지층 중량 대비 0.01 중량% 이하일 수 있다. 상기 고분자 수지층에 함유된 광개시제의 함량이 전체 고분자 수지층 중량 대비 0.01 중량% 이하라 함은, 상기 고분자 수지층에 함유된 광개시제의 함량이 매우 미미하거나, 광개시제가 전혀 포함되지 않음을 의미할 수 있다. 이에 따라, 광개시제에 의해 발생가능한 절연층이나 도전층과의 계면 탈착성이 감소할 수 있어, 절연층의 접착성 및 내구성이 향상될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the content of the photoinitiator contained in the polymer resin layer may be 0.01% by weight or less based on the total weight of the polymer resin layer. When the content of the photoinitiator contained in the polymer resin layer is 0.01% by weight or less based on the total weight of the polymer resin layer, it may mean that the content of the photoinitiator contained in the polymer resin layer is very insignificant or no photoinitiator is included. . Accordingly, the interfacial desorption property with the insulating layer or the conductive layer that may be generated by the photoinitiator may be reduced, and thus the adhesion and durability of the insulating layer may be improved.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 고분자 수지층 상에 감광성 수지층을 구비하는 단계를 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, comprising the step of providing a photosensitive resin layer on the polymer resin layer.

상기 감광성 수지층은 빛의 작용에 의해 분자구조에 변화가 일어나고 물성 변화가 발생하는 고분자를 포함하며, 감광성 드라이필름 레지스트(DFR), 또는 액상 레지스트일 수 있다.The photosensitive resin layer includes a polymer in which a molecular structure is changed and physical properties are changed by the action of light, and may be a photosensitive dry film resist (DFR) or a liquid resist.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 감광성 수지층은 감광성 및 알카리 가용성을 나타낼 수 있다. 이에 따라, 상기 감광성 수지층에 빛을 조사하는 노광공정에 의해 분자구조의 변형이 진행될 수 있으며, 알카리성의 현상액을 접촉시키는 현상공정에 의해 수지층의 식각 또는 제거가 가능할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the photosensitive resin layer may exhibit photosensitivity and alkali solubility. Accordingly, the molecular structure may be modified by an exposure process of irradiating light onto the photosensitive resin layer, and the resin layer may be etched or removed by a developing process of contacting an alkaline developer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 감광성 수지층을 고분자 수지층상에 형성하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 감광성 드라이 필름 레지스트와 같은 필름형태의 감광성 수지를 고분자 수지층 상에 적층시키는 방법 또는 스프레이나 딥핑 방법으로 감광성 수지 조성물을 고분자 수지층 상에 코팅하고, 압착하는 방법 등을 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, an example of a method of forming the photosensitive resin layer on the polymer resin layer is not largely limited, but a method of laminating a film-type photosensitive resin such as a photosensitive dry film resist on the polymer resin layer, or A method of coating the photosensitive resin composition on the polymer resin layer by spraying or dipping and compressing it may be used.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 수지층의 두께는 1 ㎛ 내지 500 ㎛, 또는 3 ㎛ 내지 500 ㎛, 또는 3 ㎛ 내지 200 ㎛, 또는 1 ㎛ 내지 60 ㎛, 또는 5 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있고, 상기 고분자 수지층 상에 형성된 감광성 수지층의 두께는 1 ㎛ 내지 500 ㎛, 또는 3 ㎛ 내지 500 ㎛, 또는 3 ㎛ 내지 200 ㎛, 또는 1 ㎛ 내지 60 ㎛, 또는 5 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있다. 상기 감광성 수지층의 두께가 지나치게 증가할 경우, 상기 고분자 수지층의 해상도가 감소할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the thickness of the polymer resin layer is 1 μm to 500 μm, or 3 μm to 500 μm, or 3 μm to 200 μm, or 1 μm to 60 μm, or 5 μm to 30 μm. And the thickness of the photosensitive resin layer formed on the polymer resin layer is 1 µm to 500 µm, or 3 µm to 500 µm, or 3 µm to 200 µm, or 1 µm to 60 µm, or 5 µm to 30 µm I can. When the thickness of the photosensitive resin layer is excessively increased, the resolution of the polymer resin layer may decrease.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 감광성 수지층을 노광 및 알카리 현상하여 감광성 수지 패턴을 구비하면서 동시에 상기 감광성 수지 패턴에 의해 노출된 고분자 수지층도 알카리 현상하는 단계를 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the photosensitive resin layer is exposed to light and alkali developed to provide a photosensitive resin pattern, and at the same time, the polymer resin layer exposed by the photosensitive resin pattern is also alkali developed.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 감광성 수지층은 감광성 및 알카리 가용성을 나타낼 수 있다. 이에 따라, 상기 감광성 수지층에 빛을 조사하는 노광공정에 의해 분자구조의 변형이 진행될 수 있으며, 알카리성의 현상액을 접촉시키는 현상공정에 의해 수지층의 식각 또는 제거가 가능할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the photosensitive resin layer may exhibit photosensitivity and alkali solubility. Accordingly, the molecular structure may be modified by an exposure process of irradiating light onto the photosensitive resin layer, and the resin layer may be etched or removed by a developing process of contacting an alkaline developer.

따라서, 상기 감광성 수지층에 대하여 선택적으로 일부분을 노광시킨 다음, 알카리 현상하게 되면, 노광된 부분은 현상되지 않고, 노광되지 않은 부분만 선택적으로 식각, 제거될 수 있다. 이와 같이, 노광에 의해 알카리 현상되지 않고 그대로 남아있는 감광성 수지층의 일부분을 감광성 수지 패턴이라 한다.Accordingly, when a portion of the photosensitive resin layer is selectively exposed and then alkali developed, the exposed portion is not developed, and only the unexposed portion may be selectively etched and removed. In this way, a part of the photosensitive resin layer that is not alkali developed by exposure and remains as it is is referred to as a photosensitive resin pattern.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 감광성 수지층을 노광하는 방법은 상기 감광성 수지층상에 소정의 패턴의 형성된 포토 마스크를 접촉하고 자외선을 조사하거나, 마스크에 포함된 소정의 패턴을 프로젝션 대물렌즈를 통해 이미징한 다음 자외선을 조사하거나, 레이저 다이오드(Laser Diode)를 광원으로 사용하여 직접 이미징한 다음 자외선을 조사하는 등의 방식 등을 통해 선택적으로 노광할 수 있다. 이 때, 자외선 조사 조건의 예로는 5mJ/㎠ 내지600mJ/㎠의 광량으로 조사하는 것을 들 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the method of exposing the photosensitive resin layer includes contacting a photomask having a predetermined pattern on the photosensitive resin layer and irradiating ultraviolet rays, or using a projection objective lens to apply a predetermined pattern included in the mask. After imaging through, ultraviolet rays may be irradiated, or a laser diode may be used as a light source to directly image and then ultraviolet rays may be irradiated. At this time, as an example of the ultraviolet irradiation conditions, irradiation with a light amount of 5 mJ/cm 2 to 600 mJ/cm 2 is mentioned.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 감광성 수지층에 대한 노광 이후 알카리 현상하는 방법은 알카리 현상액을 처리하는 방법일 수 있다. 상기 알카리 현상액의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 암모니아, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 아민류 등의 알카리 수용액의 농도와 온도를 조절하여 사용할 수 있으며, 상품으로 판매하는 알카리 현상액도 사용 가능하다. 상기 알카리 현상액의 구체적인 사용량은 크게 제한되지 않으나, 상기 감광성 수지 패턴을 손상하지 않는 농도와 온도로 조절이 필요하며, 예를 들어, 25 내지 35 의 탄산나트륨 0.5 내지 3% 수용액을 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the method of developing alkali after exposure to the photosensitive resin layer may be a method of treating an alkali developer. Examples of the alkali developer are not largely limited, but the concentration and temperature of an alkali aqueous solution such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, ammonia, tetramethylammonium hydroxide, amines, etc. It can be used, and alkaline developer sold as a product can also be used. The specific amount of the alkali developer is not limited, but it needs to be adjusted to a concentration and temperature that does not damage the photosensitive resin pattern. For example, a 0.5 to 3% aqueous solution of sodium carbonate of 25 to 35 may be used.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 감광성 수지 패턴이 제거되는 비율이 전체 감광성 수지 패턴 중량 대비 0.01 중량% 이하일 수 있다. 상기 감광성 수지 패턴이 제거되는 비율이 전체 감광성 수지 패턴 중량 대비 0.01 중량% 이하라 함은, 상기 감광성 수지 패턴이 제거되는 비율 매우 미미하거나, 감광성 수지 패턴이 전혀 제거되지 않음을 의미할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the ratio at which the photosensitive resin pattern is removed may be 0.01% by weight or less based on the total weight of the photosensitive resin pattern. When the ratio at which the photosensitive resin pattern is removed is 0.01% by weight or less based on the total weight of the photosensitive resin pattern, it may mean that the ratio at which the photosensitive resin pattern is removed is very insignificant or the photosensitive resin pattern is not removed at all.

이에 따라 상기 절연층 제조방법은 감광성 수지층을 노광 및 알카리 현상하여 감광성 수지 패턴을 형성함과 동시에 상기 감광성 수지 패턴에 의해 노출된 고분자 수지층을 알카리 현상할 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 감광성 수지층은 감광성을 이용하여 미세하고 균일한 패턴이 형성될 수 있으며, 상기 감광성 수지층에 형성된 패턴을 통해 노출된 일부의 고분자 수지층 표면만이 알카리 현상액과 선택적으로 접촉하는 과정을 통하여 종래의 레이저를 통한 식각 공정을 대체하면서도 이와 동등 수준 이상의 정밀도 및 보다 높은 공정 경제성을 확보할 수 있다.Accordingly, in the method of manufacturing the insulating layer, the photosensitive resin layer may be exposed and alkali developed to form a photosensitive resin pattern, and the polymer resin layer exposed by the photosensitive resin pattern may be alkali developed. As described above, the photosensitive resin layer may have a fine and uniform pattern using photosensitivity, and only a portion of the surface of the polymer resin layer exposed through the pattern formed on the photosensitive resin layer is selectively contacted with the alkali developer. Through this process, while replacing the conventional etching process using a laser, it is possible to secure an equal or higher level of precision and higher process economy.

즉, 상기 감광성 수지 패턴에 의해 노출된 고분자 수지층을 알카리 현상하는 단계에서, 상기 감광성 수지 패턴은 알카리 현상액에 의해 제거되지 않는 특성상, 그대로 남아 레지스트 마스크로 사용되며, 감광성 수지 패턴의 개구부를 통해 알카리 현상액이 감광성 수지층 하부에 위치한 고분자 수지층에 접촉할 수 있다. 이 때, 상기 고분자 수지층은 알카리 가용성 수지를 포함함에 따라, 알카리 현상액에 의해 용해되는 알카리 가용성을 가지고 있으므로, 상기 고분자 수지층에서 알카리 현상액이 접촉한 부위는 용해되어 제거될 수 있다.That is, in the step of alkali developing the polymer resin layer exposed by the photosensitive resin pattern, the photosensitive resin pattern remains as it is and is used as a resist mask due to the nature of not being removed by an alkali developer, and alkali through the opening of the photosensitive resin pattern. The developer may contact the polymer resin layer located under the photosensitive resin layer. In this case, since the polymer resin layer contains an alkali-soluble resin, it has alkali solubility that is dissolved by an alkali developer, and thus a portion of the polymer resin layer in contact with the alkali developer may be dissolved and removed.

따라서, 상기 감광성 수지 패턴에 의해 노출된 고분자 수지층이란, 표면이 감광성 수지 패턴과 접촉하지 않고 있는 고분자 수지층 부분을 의미하며, 상기 감광성 수지 패턴에 의해 노출된 고분자 수지층을 알카리 현상하는 단계는 감광성 수지 패턴 형성시 사용된 알카리 현상액이 감광성 수지 패턴을 통과하여 하부의 고분자 수지층과 접촉하는 단계를 포함할 수 있다.Therefore, the polymer resin layer exposed by the photosensitive resin pattern means a portion of the polymer resin layer whose surface is not in contact with the photosensitive resin pattern, and the step of alkali developing the polymer resin layer exposed by the photosensitive resin pattern The alkali developer used to form the photosensitive resin pattern may include the step of passing through the photosensitive resin pattern and contacting the lower polymer resin layer.

상기 감광성 수지 패턴에 의해 노출된 고분자 수지층을 알카리 현상하는 단계에 의해, 하기 도 1과 같이 상기 고분자 수지층에는 감광성 수지 패턴과 동일한 형태의 고분자 수지 패턴이 형성될 수 있다. 도 1은 본 발명의 실시상태에 따른 절연층 제조공정을 개략적으로 나타낸 것이다. 감광성 수지 패턴과 같이, 알카리 현상되지 않고 그대로 남아있는 고분자 수지층의 일부분을 고분자 수지 패턴이라 할 수 있다.By alkali developing the polymer resin layer exposed by the photosensitive resin pattern, a polymer resin pattern having the same shape as the photosensitive resin pattern may be formed on the polymer resin layer as shown in FIG. 1 below. 1 schematically shows an insulating layer manufacturing process according to an exemplary embodiment of the present invention. Like the photosensitive resin pattern, a part of the polymer resin layer that is not alkali developed and remains as it is may be referred to as a polymer resin pattern.

이와 같이, 감광성 수지층의 현상을 통한 패턴 형성과 고분자 수지층의 현상을 통한 패턴 형성이 하나의 알카리 현상액에 동시에 진행됨에 따라, 신속하게 대량생산이 가능하기 때문에, 공정의 효율성을 향상시킬 수 있으며, 감광성 수지층에 형성된 미세 패턴과 동일한 형태의 미세 패턴을 고분자 수지층에 화학적인 방법으로 용이하게 도입할 수 있다.In this way, as the pattern formation through the development of the photosensitive resin layer and the pattern formation through the development of the polymer resin layer are simultaneously carried out in one alkali developer, mass production is possible quickly, so that the efficiency of the process can be improved. , A fine pattern having the same shape as the fine pattern formed on the photosensitive resin layer can be easily introduced into the polymer resin layer by a chemical method.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 감광성 수지층을 노광 및 알카리 현상하여 감광성 수지 패턴을 형성하면서 동시에 상기 감광성 수지 패턴에 의해 노출된 고분자 수지층도 알카리 현상하는 단계 이후에, 상기 감광성 수지 패턴에 의해 노출된 고분자 수지층 전체 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 85 중량%, 또는 0.1 중량% 내지 50 중량%, 또는 0.1 중량% 내지 10 중량%가 잔류할 수 있다. 이는 고분자 수지층에 포함된 알카리 가용성 수지가 알카리 현상액에 의해 제거되었으나, 알카리 현상성이 거의 없는 열경화성 바인더 또는 무기필러 등이 제거되지 않고 잔류하기 때문으로 보인다.According to an exemplary embodiment of the present invention, after the step of forming a photosensitive resin pattern by exposing the photosensitive resin layer to light and developing alkali and developing an alkali developing the polymer resin layer exposed by the photosensitive resin pattern at the same time, the photosensitive resin pattern 0.1 wt% to 85 wt%, or 0.1 wt% to 50 wt%, or 0.1 wt% to 10 wt% based on the total weight of the polymer resin layer exposed by the resin layer may remain. This seems to be because the alkali-soluble resin contained in the polymer resin layer was removed by an alkali developer, but a thermosetting binder or inorganic filler having little alkali developability was not removed and remained.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 무기 필러와 열경화성 바인더가 잔류되는 정도를 조절하기 위해, 알카리 가용성 수지 대비 열경화성 바인더 및 무기필러의 중량비율, 무기필러 표면의 산성 작용기 비율 등을 조절할 수 있으며, 바람직하게는 알카리 가용성 수지 100 중량부 대비 열경화성 바인더를 20 중량부 내지 100중량부, 무기필러를 100 중량부 내지 600 중량부로 첨가할 수 있고, 무기필러 표면의 산가(acid value)는 0 mgKOH/g 내지 5 mgKOH/g, 또는 0.01 mgKOH/g 내지 5 mgKOH/g 일 수 있다. 상기 산가에 관한 내용은 상기 알카리 가용성 수지의 산가를 측정하는 방법과 동일하다.According to an exemplary embodiment of the present invention, in order to control the degree to which the inorganic filler and the thermosetting binder remain, the weight ratio of the thermosetting binder and the inorganic filler to the alkali-soluble resin, the acidic functional group ratio on the surface of the inorganic filler, etc. can be adjusted, Preferably, 20 to 100 parts by weight of a thermosetting binder and 100 to 600 parts by weight of an inorganic filler may be added relative to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin, and the acid value of the surface of the inorganic filler is 0 mgKOH/g To 5 mgKOH/g, or 0.01 mgKOH/g to 5 mgKOH/g. The content of the acid value is the same as the method of measuring the acid value of the alkali-soluble resin.

이처럼, 상기 감광성 수지 패턴에 의해 노출된 고분자 수지층을 알카리 현상하는 공정에서, 일부의 고분자 수지층이 현상되지 않고 잔류하게 됨에 따라, 이어지는 감광성 수지 패턴의 제거 공정시, 목표하는 고분자 수지 패턴이 제거되는 대신, 잔류하는 고분자 수지층이 제거되면서, 고분자 수지 패턴의 제거에 따른 비아홀 확장을 방지할 수 있다.In this way, in the process of alkali developing the polymer resin layer exposed by the photosensitive resin pattern, some of the polymer resin layers remain undeveloped, and thus, in the subsequent removal process of the photosensitive resin pattern, the target polymer resin pattern is removed. Instead, while the remaining polymer resin layer is removed, expansion of via holes due to removal of the polymer resin pattern can be prevented.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 알카리 현상 이후, 상기 고분자 수지층을 열경화하는 단계를 포함한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, after the alkali development, it includes the step of thermally curing the polymer resin layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 절연층 제조방법은 상기 알카리 현상 이후, 상기 고분자 수지층을 열경화하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 고분자 수지층을 열경화하는 단계를 포함함에 따라 이후의 감광성 수지 패턴 박리 공정시 고분자 수지층의 손상을 최소화할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the method of manufacturing the insulating layer may include the step of thermally curing the polymer resin layer after the alkali development. By including the step of thermally curing the polymer resin layer, damage to the polymer resin layer may be minimized during the subsequent photosensitive resin pattern peeling process.

이때 구체적인 열경화 조건이 한정되는 것은 아니며, 감광성 수지 패턴의 박리방법에 따라 바람직한 조건을 조절하여 진행할 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트 박리액을 처리하여 감광성 수지 패턴을 박리하는 경우, 상기 고분자 수지층을 열경화하는 단계는 60 내지 150 ℃의 온도에서 5 분 내지 2시간 동안 진행할 수 있다. 상기 고분자 수지층의 열경화 온도가 지나치게 낮거나, 열경화 시간이 짧게되면 박리액에 의해 고분자 수지 패턴이 손상받을 수 있고, 상기 고분자 수지층의 열경화 온도가 높거나, 열경화 시간이 길어지게 되면 박리액에 의한 감광성 수지 패턴 제거가 어려울 수 있다. At this time, the specific thermosetting conditions are not limited, and preferable conditions may be adjusted according to the peeling method of the photosensitive resin pattern. For example, when the photoresist stripper is treated to peel the photosensitive resin pattern, the step of thermally curing the polymer resin layer may be performed at a temperature of 60 to 150° C. for 5 minutes to 2 hours. If the heat curing temperature of the polymer resin layer is too low or the heat curing time is short, the polymer resin pattern may be damaged by the stripper, and the heat curing temperature of the polymer resin layer is high, or the heat curing time is prolonged. If so, it may be difficult to remove the photosensitive resin pattern by the stripper.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 디스미어(desmear)공정을 통하여 레지스트 마스크를 박리하는 경우, 상기 고분자 수지층을 열경화하는 단계는 150 내지 230 ℃의 온도에서 1시간 내지 4시간 동안 진행할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, when the resist mask is peeled through a desmear process, the step of thermally curing the polymer resin layer may be performed at a temperature of 150 to 230° C. for 1 to 4 hours. .

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 감광성 수지 패턴을 박리하는 단계를 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, it includes the step of peeling the photosensitive resin pattern.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 절연층 제조방법은 상기 열경화 이후, 감광성 수지 패턴을 박리하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 감광성 수지 패턴 제거시, 하부의 고분자 수지층은 되도록 제거하지 않으면서, 감광성 수지층만을 제거할 수 있는 방법을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 개구 패턴의 형태를 조절하거나 개구 패턴 바닥면에 남을 수 있는 고분자 수지층의 잔사를 제거하기 위해 고분자 수지층 일부가 제거될 수도 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the method of manufacturing the insulating layer may include peeling the photosensitive resin pattern after the thermosetting. When removing the photosensitive resin pattern, it is preferable to use a method capable of removing only the photosensitive resin layer while not removing the lower polymer resin layer as much as possible. In addition, a part of the polymer resin layer may be removed to adjust the shape of the opening pattern or to remove residues of the polymer resin layer that may remain on the bottom surface of the opening pattern.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 감광성 수지 패턴을 박리하는 단계에서 고분자 수지층이 제거되는 비율이 전체 고분자 수지층 중량 대비 10 중량%이하, 또는 1 중량%이하, 또는 0.01 중량% 이하일 수 있다. 상기 고분자 수지층이 제거되는 비율이 전체 고분자 수지층 중량 대비 0.01 중량% 이하라 함은, 상기 고분자 수지층이 제거되는 비율 매우 미미하거나, 고분자 수지층이 전혀 제거되지 않음을 의미할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a ratio of removing the polymer resin layer in the step of peeling the photosensitive resin pattern may be 10% by weight or less, or 1% by weight or less, or 0.01% by weight or less based on the total weight of the polymer resin layer. . When the ratio at which the polymer resin layer is removed is 0.01% by weight or less based on the total weight of the polymer resin layer, it may mean that the ratio at which the polymer resin layer is removed is very insignificant or that the polymer resin layer is not removed at all.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 감광성 수지 패턴의 박리방법의 구체적인 예를 들면, 포토레지스트 박리액을 처리하거나, 디스미어(desmear) 공정 또는 플라즈마 에칭 등을 진행할 수 있으며, 상기의 방법을 혼용할 수도 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a specific example of a method of removing the photosensitive resin pattern, a photoresist stripper, may be treated, a desmear process or plasma etching may be performed, and the above methods may be used in combination. You may.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 포토레지스트 박리액을 이용한 박리방법은 한정되는 것은 아니나, 수산화칼륨, 수산화나트륨 등의 알카리 수용액의 농도와 온도를 조절하여 사용할 수 있으며, Atotech사의 Resistrip 제품군, 오알켐사의 ORC-731, ORC-723K, ORC-740, SLF-6000 등 상용으로 판매하는 제품도 사용이 가능하다. 상기 포토레지스트 박리액의 구체적인 사용량은 크게 제한되지 않으나, 하부의 고분자 수지층 패턴을 손상하지 않는 농도와 온도로 조절이 필요하며, 25 ℃ 내지 60 ℃의 수산화나트륨 1 내지 5% 수용액을 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a peeling method using a photoresist stripper is not limited, but the concentration and temperature of an alkaline aqueous solution such as potassium hydroxide and sodium hydroxide can be adjusted to be used. Commercially available products such as ORC-731, ORC-723K, ORC-740, and SLF-6000 can also be used. The specific amount of the photoresist stripper is not limited, but it needs to be adjusted to a concentration and temperature that does not damage the lower polymer resin layer pattern, and an aqueous solution of 1 to 5% sodium hydroxide at 25°C to 60°C may be used. .

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 디스미어 공정을 이용한 박리방법은 한정되는 것은 아니며, Atotech사의 디스미어 공정약품으로 Securiganth E, Securiganth HP, Securiganth BLG, Securiganth MV SWELLER, Securiganth SAP SWELLER의 스웰러 약품, Securiganth P 500, Securiganth MV ETCH P, Securiganth SAP ETCH P의 과망간산약품, Securiganth E Reduction Cleaner, Securiganth HP Reduction Cleaner, Securiganth BLG Reduction Cleaner, Securiganth MV Reduction Cleaner, Securiganth SAP Reduction Cleaner의 환원제 약품이나, 오알켐사의 디스미어 공정 약품으로 ORC-310A, ORC-315A, ORC-315H, ORC-312의 스웰러 약품, ORC-340B 등의 과망간산 약품, ORC-370, ORC-372의 환원제 약품 같은 상용 판매 제품을 각 공정조건에 맞게 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the peeling method using the desmear process is not limited, and a sweller chemical of Securiganth E, Securiganth HP, Securiganth BLG, Securiganth MV SWELLER, Securiganth SAP SWELLER as Atotech's desmear process chemicals, Securiganth P 500, Securiganth MV ETCH P, Securiganth SAP ETCH P permanganate, Securiganth E Reduction Cleaner, Securiganth HP Reduction Cleaner, Securiganth BLG Reduction Cleaner, Securiganth MV Reduction Cleaner, Securiganth SAP Reduction Cleaner As process chemicals, commercially available products such as ORC-310A, ORC-315A, ORC-315H, Sweller chemicals of ORC-312, permanganate chemicals such as ORC-340B, and reducing agents of ORC-370 and ORC-372 are used in each process condition You can use it accordingly.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열경화된 고분자 수지층을 표면처리 용액으로 표면처리하는 단계를 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, it includes the step of surface-treating the heat-cured polymer resin layer with a surface treatment solution.

상술한 것과 같이 상기 열경화된 고분자 수지층의 표면을 표면처리 용액으로 처리함으로써, 상기 열경화된 고분자 수지층의 표면조도를 향상시킬 수 있다. 나아가, 상기 열경화된 고분자 수지층에 의하여 구비되는 절연층의 표면조도를 향상시킬 수 있다. 나아가, 상기 절연층 상에 구비되는 전기 기판과의 접착력이 향상될 수 있다.As described above, by treating the surface of the thermosetting polymer resin layer with a surface treatment solution, it is possible to improve the surface roughness of the thermosetting polymer resin layer. Further, it is possible to improve the surface roughness of the insulating layer provided by the thermosetting polymer resin layer. Furthermore, adhesion to the electric substrate provided on the insulating layer may be improved.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 표면처리 용액은 아민계 염기성 용액인 것일 수 있다. 상기 표면처리 용액이 아민계 염기성 용액으로 선택됨으로써, 상기 열경화된 고분자 수지층의 표면처리 효율을 향상시킬 수 있으며, 이로 인하여 단시간 내에 표면조도를 향상시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the surface treatment solution may be an amine-based basic solution. When the surface treatment solution is selected as an amine-based basic solution, it is possible to improve the surface treatment efficiency of the heat-cured polymer resin layer, thereby improving the surface roughness within a short time.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 표면처리 용액은 하기 화학식 1을 포함하는 용액인 것일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the surface treatment solution may be a solution containing the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

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상기 화학식 1에서 X1 및 X2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 3의 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 히드록시알킬기 또는 탄소수 1 내지 3의 아미노알킬기이며, X1과 X2는 N 또는 O를 추가로 포함할 수 있는 환을 형성할 수 있다.In Formula 1, X 1 and X 2 are each independently an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or an aminoalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and X 1 and X 2 are additionally N or O It may form a ring that may contain.

상기 화학식 1의 표면처리 용액을 선택함으로써, 표면처리 효율을 향상시킬 수 있으며, 상기 경화된 고분자 수지층의 표면에 조도를 향상시킬 수 있다.By selecting the surface treatment solution of Formula 1, surface treatment efficiency may be improved, and roughness on the surface of the cured polymer resin layer may be improved.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 표면처리하는 단계는 0분 초과 3분 미만 동안 표면처리 용액에 침지하는 것일 수 있다. 구체적으로 상기 표면처리하는 단계는 0.5분 이상 2.5분 이하, 1분 이상 2분 이하 또는 1.5분 이상 2.0분 이하일 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the surface treatment may be immersed in the surface treatment solution for more than 0 minutes and less than 3 minutes. Specifically, the surface treatment may be 0.5 minutes or more and 2.5 minutes or less, 1 minute or more and 2 minutes or less, or 1.5 minutes or more and 2.0 minutes or less.

나아가, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 표면처리하는 단계는 25 ℃ 이상 90 ℃ 이하로 처리되는 것일 수 있다. 구체적으로 상기 표면처리하는 단계의 온도는 30 ℃ 이상 85 ℃ 이하, 35 ℃ 이상 80 ℃ 이하, 40 ℃ 이상 75 ℃ 이하일 수 있다. Furthermore, according to an exemplary embodiment of the present invention, the surface treatment may be performed at 25° C. or more and 90° C. or less. Specifically, the temperature of the surface treatment step may be 30° C. or more and 85° C. or less, 35° C. or more and 80° C. or less, and 40° C. or more and 75° C. or less.

상술한 범위 내에서 상기 표면처리하는 단계의 온도와 시간을 조절함으로써, 상기 표면처리 속도를 향상시키는 동시에 상기 경화된 고분자 수지층에 적절한 표면조도를 구현할 수 있다.By controlling the temperature and time of the surface treatment step within the above-described range, it is possible to improve the surface treatment speed and implement an appropriate surface roughness to the cured polymer resin layer.

본 발명의 다른 일 실시상태는 상기 절연층 제조방법에 의하여 제조된 절연층 상에 패턴이 구비된 금속 기판을 구비하는 단계를 포함하는 다층인쇄회로기판 제조방법을 제공한다.Another exemplary embodiment of the present invention provides a method for manufacturing a multilayer printed circuit board including the step of providing a metal substrate having a pattern on an insulating layer manufactured by the method for manufacturing an insulating layer.

본 발명의 다른 일 실시상태에 따르면, 상기 다층인쇄회로기판 제조방법은 고분자 수지층이 경화된 표면을 표면처리 용액으로 처리하여 상기 절연층과 금속 기판의 접착력을 향상시킬 수 있다.According to another exemplary embodiment of the present invention, the method of manufacturing a multilayer printed circuit board may improve adhesion between the insulating layer and the metal substrate by treating the surface on which the polymer resin layer is cured with a surface treatment solution.

구체적으로, 상기 절연층 제조방법에 의하여 제조된 절연층은 표면조도가 향상되며, 상기 절연층 상에 금속 기판을 구비하므로 상기 거칠기가 향상된 절연층 사이에 상기 금속 기판이 위치하여 접촉력이 증가하며, 상기 절연층과 금속 기판 사이의 접촉면적이 증가함에 따라 표면 간의 인력으로 인하여 접착력이 향상될 수 있다.Specifically, the insulating layer manufactured by the method of manufacturing the insulating layer has improved surface roughness, and since a metal substrate is provided on the insulating layer, the metal substrate is positioned between the insulating layers with improved roughness to increase contact force, As the contact area between the insulating layer and the metal substrate increases, adhesive strength may be improved due to attractive force between the surfaces.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 절연층은 다층인쇄회로기판의 층간 절연재료로 사용될 수 있으며, 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더의 열경화물을 포함할 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더에 관한 내용은 상술한 바와 같다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the insulating layer may be used as an interlayer insulating material of a multilayer printed circuit board, and may include a thermosetting product of an alkali-soluble resin and a thermosetting binder. The contents of the alkali-soluble resin and the thermosetting binder are as described above.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 절연층 상에 패턴이 형성된 금속 기판을 구비하는 단계는, 당업계에서 Semi Additive Process(SAP) 라고 알려진 미세회로 패턴형성 공정으로서, 상기 SAP 공정은 절연층 상에 아무것도 없는 상태에서 미세회로 패턴을 구비하는 경우를 의미할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the step of providing a metal substrate on which a pattern is formed on the insulating layer is a microcircuit pattern forming process known as a Semi Additive Process (SAP) in the art, and the SAP process is performed on the insulating layer. It may mean a case in which a microcircuit pattern is provided in a state where there is nothing in the device.

도 2는 본 발명의 일 실시상태에 따른 다층인쇄회로기판 제조공정을 개략적으로 나타낸 것이다. 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 도 2와 같이 상기 절연층 상에 패턴이 구비된 금속 기판을 구비하는 단계는, 상기 절연층 상에 금속박막을 구비하는 단계; 상기 금속박막 상에 패턴이 구비된 감광성 수지층을 구비하는 단계; 상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막 상에 금속을 증착시키는 단계; 및 상기 감광성 수지층을 제거하고, 노출된 금속박막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.2 schematically shows a process of manufacturing a multilayer printed circuit board according to an exemplary embodiment of the present invention. According to an exemplary embodiment of the present invention, the step of providing a metal substrate having a pattern on the insulating layer as shown in FIG. 2 includes: providing a metal thin film on the insulating layer; Providing a photosensitive resin layer provided with a pattern on the metal thin film; Depositing a metal on the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern; And removing the photosensitive resin layer and removing the exposed metal thin film.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 절연층 상에 금속박막을 형성하는 단계에서, 금속 박막의 형성방법의 예로는 건식증착공정 또는 습식증착공정을 들 수 있으며, 구체적으로 상기 건식증착공정은 진공증착, 이온 플레이팅, 스퍼터링 방법 등일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, in the step of forming the metal thin film on the insulating layer, examples of the method of forming the metal thin film include a dry deposition process or a wet deposition process, and specifically, the dry deposition process is vacuum It may be a vapor deposition, ion plating, sputtering method, or the like.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 습식증착공정은, 다양한 금속의 무전해 도금 등이 있으며, 무전해 구리 도금이 일반적이고, 증착 이전 또는 이후에 조화처리공정을 더 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the wet deposition process includes electroless plating of various metals, etc., electroless copper plating is generally used, and a roughening process may be further included before or after deposition.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 조화처리 공정에도 조건에 따라 건식 및 습식방법이 있으며, 상기 건식 방법의 예로는 진공, 상압, 기체별 플라즈마 처리, 기체별 Excimer UV처리 등을 들 수 있고, 상기 습식방법의 예로는, 디스미어 처리를 사용할 수 있다. 이러한 조화처리 공정을 통해, 상기 금속 박막의 표면조도를 높여 금속박막 상에 증착되는 금속과의 밀착력을 향상시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, there are dry and wet methods according to conditions in the roughening treatment process, and examples of the dry method include vacuum, atmospheric pressure, plasma treatment for each gas, and Excimer UV treatment for each gas, As an example of the wet method, a desmear treatment may be used. Through this roughening process, it is possible to increase the surface roughness of the metal thin film to improve adhesion to the metal deposited on the metal thin film.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속박막 상에 패턴이 형성된 감광성 수지층을 형성하는 단계는 상기 금속박막 상에 형성된 감광성 수지층을 노광 및 현상하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 감광성 수지층과 노광 및 현상에 대한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the forming of the photosensitive resin layer on which the pattern is formed on the metal thin film may include exposing and developing the photosensitive resin layer formed on the metal thin film. The content of the photosensitive resin layer, exposure, and development may include the content described above in the embodiment.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막 상에 금속을 증착시키는 단계에서, 상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막이란, 표면에서 감광성 수지층과 접촉하지 않고 있는 금속박막 부분을 의미한다. 상기 증착되는 금속은 구리를 사용할 수 있고, 상기 증착 방법은 한정되지 않으며, 공지된 다양한 물리적 또는 화학적 증착방법을 제한없이 사용할 수 있으며, 구체적으로 전해 구리 도금 방법을 사용하는 것이 바람직하다.According to an exemplary embodiment of the present invention, in the step of depositing a metal on the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern, the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern means that the surface does not contact the photosensitive resin layer. It refers to the part of the metal thin film that is not present. Copper may be used as the deposited metal, and the deposition method is not limited, and various known physical or chemical deposition methods may be used without limitation, and it is particularly preferable to use an electrolytic copper plating method.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 감광성 수지층을 제거하고, 노출된 금속박막을 제거하는 단계에서, 상기 감광성 수지층의 제거방법의 예로는 포토레지스트 박리액을 사용할 수 있으며, 상기 감광성 수지층의 제거로 인해 노출되는 금속박막의 제거방법의 예로는 에칭액을 사용할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, in the step of removing the photosensitive resin layer and removing the exposed metal thin film, a photoresist stripper may be used as an example of a method of removing the photosensitive resin layer, and the photosensitive resin layer An etchant may be used as an example of a method of removing the metal thin film exposed due to the removal of.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다층인쇄회로기판 제조방법에 의해 제조된 다층인쇄회로기판은 다시 빌드업 재료로서 사용될 수 있으며, 예를 들어, 상기 다층인쇄회로기판 상에 상기 일 실시상태의 절연층 제조방법에 따라 절연층을 형성하는 제1공정과, 상기 절연층 상에 상기 다른 실시상태의 다층인쇄회로기판 제조방법에 따라 금속 기판을 형성하는 제2공정을 반복하여 진행할 수 있다. 이에 따라, 상기 다층인쇄회로기판 제조방법에 의해 제조되는 다층인쇄회로기판에 포함된 적층된 층 수 또한 크게 한정되지 않으며, 사용 목적, 용도에 따라 예를 들어 1층 이상, 또는 1층 내지 20층을 가질 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the multilayer printed circuit board manufactured by the multilayer printed circuit board manufacturing method may be used again as a build-up material, for example, on the multilayer printed circuit board, A first process of forming an insulating layer according to the method of manufacturing an insulating layer and a second process of forming a metal substrate on the insulating layer according to the method of manufacturing a multilayer printed circuit board of another exemplary embodiment may be repeated. Accordingly, the number of laminated layers included in the multilayer printed circuit board manufactured by the multilayer printed circuit board manufacturing method is not limited also, and depending on the purpose and purpose of use, for example, one or more layers, or 1 to 20 layers Can have.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be described in detail in order to describe the present invention in detail. However, the embodiments according to the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention is not construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more completely describe the present invention to those of ordinary skill in the art.

실시예Example 1 One

<< 알카리Alkali 가용성 수지 제조> Soluble Resin Manufacturing>

제조 온도계, 교반 장치, 환류냉각관, 수분정량기가 장착된 가열 및 냉각 가능한 용적 2리터의 반응 용기에 용매로 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide, DMF) 632g, N-치환 말레이미드 화합물로 BMI-1100(Daiwakasei사 제조) 358g, 아민 화합물로 4-아미노페닐아세트산 151g을 혼합하고, 85 ℃에서 24시간 동안 교반하여, 고형분 함량 50%의 알카리 가용성 수지 용액을 제조하였다.632 g of dimethylformamide (DMF) as a solvent and BMI-1100 (Daiwakasei) as a solvent in a reaction vessel with a volume of 2 liters capable of heating and cooling equipped with a manufacturing thermometer, agitating device, reflux cooling tube, and a moisture meter. Co., Ltd.) 358 g and 151 g of 4-aminophenylacetic acid as an amine compound were mixed and stirred at 85° C. for 24 hours to prepare an alkali-soluble resin solution having a solid content of 50%.

<< 절연층Insulating layer 제조> Manufacturing>

하기 도 1의 내용을 참조하면, 상기 합성한 알카리 가용성 수지 16g, 열경화성 바인더로 MY-510(Huntsman 제조) 5g, 무기 필러로 SC2050 MTO(고형분70%, Adamatech 제조) 35g를 혼합한 고분자 수지 조성물을 PET 필름에 도포하고 건조시켜 15 ㎛ 두께의 고분자 수지층(1)을 제조하였다. 그리고. 구리회선(2)이 동박적층판(3)에 형성된 회로기판상에 상기 고분자 수지층(1)을 85 ℃에서 진공 라미네이트하고, 상기 PET 필름을 제거하였다. 상기 고분자 수지층(1)위에 15 ㎛ 두께의 감광성 드라이필름 레지스트 KL1015(코오롱인더스트리 제조)(4)를 110 ℃에서 라미네이트하였다.1, a polymer resin composition in which 16 g of the synthesized alkali-soluble resin, 5 g of MY-510 (manufactured by Huntsman) as a thermosetting binder, and 35 g of SC2050 MTO (solid content 70%, manufactured by Adamatech) were mixed as an inorganic filler. It was applied to a PET film and dried to prepare a 15 µm-thick polymer resin layer (1). And. The polymer resin layer (1) was vacuum-laminated at 85° C. on a circuit board in which the copper wire (2) was formed on the copper clad laminate (3), and the PET film was removed. A 15 μm-thick photosensitive dry film resist KL1015 (manufactured by Kolon Industries) 4 was laminated on the polymer resin layer 1 at 110°C.

상기 감광성 드라이필름 레지스트(4) 상에 직경이 30㎛인 원형의 네가티브형 포토마스크를 접촉시키고, 자외선을 조사(25mJ/㎠의 광량)한 다음, 30 ℃ 1% 탄산나트륨 현상액을 통해 상기 드라이필름 레지스트(4)와 고분자 수지층(1)을 차례로 현상하였다.A circular negative photomask having a diameter of 30 µm is contacted on the photosensitive dry film resist 4, irradiated with ultraviolet rays (amount of light of 25 mJ/cm 2 ), and then the dry film resist through a 1% sodium carbonate developer at 30° C. (4) and the polymer resin layer (1) were sequentially developed.

이 때, 상기 패턴이 형성된 감광성 드라이필름 레지스트(4)가 상기 고분자 수지층(1)의 보호층으로 작용하여, 고분자 수지층(1)에도 감광성 드라이필름 레지스트(4)와 동일한 패턴이 형성되면서, 비아홀(5)을 형성하였다. 이때, 상기 비아홀(5) 내부에는 고분자 수지층(1)에서 유래한 흰색 잔사가 남아있었다.At this time, the photosensitive dry film resist 4 on which the pattern is formed acts as a protective layer of the polymer resin layer 1, so that the same pattern as the photosensitive dry film resist 4 is formed in the polymer resin layer 1, A via hole 5 was formed. At this time, a white residue derived from the polymer resin layer 1 remained inside the via hole 5.

이후, 100의 온도에서 1시간 동안 열경화시킨 다음, 50 ℃온도의 3% 수산화 나트륨 레지스트 박리액을 사용하여 잔사와 감광성 드라이필름 레지스트(4)을 제거하고, 200 ℃의 온도에서 1시간 동안 열경화시키는 과정을 더 진행하였다.Thereafter, after heat curing at a temperature of 100 for 1 hour, the residue and the photosensitive dry film resist 4 were removed using a 3% sodium hydroxide resist stripper at a temperature of 50° C., and then thermoset at a temperature of 200° C. for 1 hour. The process of making it more advanced.

상기 박리 후 열경화된 고분자 수지층의 표면을 아민계 염기성 용액인 Amine Alkali(YMT사, DR58)로, 50 ℃에서 1분 동안 침지하여 표면처리를 진행하였다.After the peeling, the surface of the heat-cured polymer resin layer was immersed in an amine-based basic solution, Amine Alkali (YMT, DR58), at 50° C. for 1 minute to perform surface treatment.

<다층인쇄회로기판 제조><Manufacturing of multilayer printed circuit boards>

하기 도 2의 내용을 참조하면, 상기 제조된 절연층(7) 상면과 비아홀(5) 측면에 아르곤과 산소의 혼합 가스를 증착장비로 공급하면서 스퍼터링법을 통해 구리(Cu) 금속을 300㎚로 증착하여 시드층(seed layer)(8)을 형성하였다.Referring to FIG. 2, a mixed gas of argon and oxygen is supplied to the deposition equipment on the upper surface of the insulating layer 7 and the side of the via hole 5, while the copper (Cu) metal is converted to 300 nm through a sputtering method. Deposited to form a seed layer (8).

이후, 상기 시드층(8) 상에 감광성 수지층을 노광 및 현상하여 감광성 수지 패턴(9)을 형성하였다. 그리고, 전해도금을 통해 상기 시드층(8) 상에 구리로 이루어진 금속기판(10)을 20㎛ 두께로 형성하였다. 다음으로, 감광성 수지 박리액을 사용하여 상기 감광성 수지 패턴(9)을 제거하고, 이로 인해 노출된 시드층(8)을 에칭을 통해 제거하여 다층인쇄회로기판을 제조하였다.Thereafter, the photosensitive resin pattern 9 was formed by exposing and developing the photosensitive resin layer on the seed layer 8. Then, a metal substrate 10 made of copper was formed on the seed layer 8 through electroplating to a thickness of 20 μm. Next, the photosensitive resin pattern 9 was removed using a photosensitive resin stripper, and the seed layer 8 exposed thereto was removed through etching to prepare a multilayer printed circuit board.

실시예Example 2 2

상기 실시예 1에서 표면처리를 2분간 진행한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 다층인쇄회로기판을 제조하였다.A multilayer printed circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the surface treatment was performed for 2 minutes in Example 1.

비교예Comparative example 1 One

상기 실시예 1에서 농도 5%의 수산화나트륨 용액으로 표면처리를 2분간 진행한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 다층인쇄회로기판을 제조하였다.In Example 1, a multilayer printed circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the surface treatment was performed for 2 minutes with a sodium hydroxide solution having a concentration of 5%.

비교예Comparative example 2 2

상기 실시예 1에서 표면처리를 3분간 진행한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 다층인쇄회로기판을 제조하였다.A multilayer printed circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the surface treatment was performed for 3 minutes in Example 1.

비교예Comparative example 3 3

상기 실시예 1에서 표면처리를 4분간 진행한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 다층인쇄회로기판을 제조하였다.A multilayer printed circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the surface treatment was performed for 4 minutes in Example 1.

비교예Comparative example 4 4

상기 실시예 1에서 표면처리를 5분간 진행한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 다층인쇄회로기판을 제조하였다.A multilayer printed circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the surface treatment was performed for 5 minutes in Example 1.

실험예Experimental example 1 One

상기 실시예 1 및 2 와 비교예 1 내지 4의 다층인쇄회로기판을 IPC-TM-650 기준에 따라 금속의 박리강도를 측정하여, 이로부터 금속 접착력을 구하였다.The peel strength of the metal was measured for the multilayer printed circuit boards of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4 according to the IPC-TM-650 standard, and metal adhesion was obtained therefrom.

구분division 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 금속 접착력
(kgf/cm)
Metal adhesion
(kgf/cm)
0.280.28 0.310.31 0.170.17 0.160.16 0.160.16 0.180.18

상기 실시예 1은 표면처리를 아민계 염기성 용액을 이용하여 1분간 진행하고, 상기 실시예 2는 2분간 진행하였다. 상기 표 1과 같이 실시예 1 및 2는 절연층과 금속 기판 사이의 접착력이 향상된 것을 확인하였다. In Example 1, the surface treatment was performed for 1 minute using an amine-based basic solution, and Example 2 was performed for 2 minutes. As shown in Table 1, in Examples 1 and 2, it was confirmed that the adhesion between the insulating layer and the metal substrate was improved.

이에 비하여, 표 1을 참고하면, 비교예 1은 표면처리용액으로 수산화나트륨 용액을 사용함으로써, 금속 기판과의 접착력이 급격히 저하되는 것을 확인하였다. 도 3은 실시예 1 및 2와 비교예 1 내지 4의 다층인쇄회로기판의 정면사진이다. 도 3을 참고하면 비교예 1은 표면처리 용액으로 수산화나트륨 용액을 사용함에 따라, 표면처리가 효율적으로 진행되지 않아, 상기 금속 기판의 표면 색상이 달라지는 것을 확인하였다. In contrast, referring to Table 1, it was confirmed that in Comparative Example 1, by using sodium hydroxide solution as the surface treatment solution, the adhesion to the metal substrate was rapidly decreased. 3 is a front photograph of a multilayer printed circuit board of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4; Referring to FIG. 3, it was confirmed that in Comparative Example 1, as the sodium hydroxide solution was used as the surface treatment solution, the surface treatment did not proceed efficiently, and the surface color of the metal substrate was changed.

또한, 비교예 2는 표면처리를 3분 간 진행함으로써, 표면처리 시간이 과도하여 금속 기판과의 접착력이 급격히 저하되는 것을 확인하였다.In addition, in Comparative Example 2, by performing the surface treatment for 3 minutes, it was confirmed that the surface treatment time was excessive and the adhesion to the metal substrate was rapidly decreased.

나아가, 비교예 3 및 4는 표면처리를 4분 이상 진행함으로써, 금속 기판과의 접착력이 급격히 저하되는 것을 확인하였으며, 표면처리 시간이 길어 과도하게 표면이 조면화됨으로써, 상기 도 3과 같이 상기 금속 기판의 표면 색상이 달라지는 것을 확인하였다. Further, in Comparative Examples 3 and 4, it was confirmed that the adhesion to the metal substrate was rapidly decreased by performing the surface treatment for 4 minutes or more, and the surface was excessively roughened due to a long surface treatment time, as shown in FIG. It was confirmed that the surface color of the substrate was changed.

1: 고분자 수지층
2: 구리회선
3: 동박적층판
4: 감광성 드라이필름 레지스트(DFR)
5: 비아홀
6: 금속층
7: 절연층
8: 시드층
9: 감광성 수지 패턴
10: 금속기판
a: 표면처리 용액
<1> 내지<6>: 공정의 진행 순서
1: polymer resin layer
2: copper line
3: Copper clad laminate
4: Photosensitive dry film resist (DFR)
5: Via hole
6: metal layer
7: insulating layer
8: seed layer
9: photosensitive resin pattern
10: metal substrate
a: surface treatment solution
<1> to <6>: procedure of the process

Claims (15)

도체 배선 상에 알카리 가용성 수지 및 열경화성 바인더를 포함한 고분자 수지층을 구비하는 단계;
상기 고분자 수지층 상에 감광성 수지층을 구비하는 단계;
상기 감광성 수지층을 노광 및 알카리 현상하여 감광성 수지 패턴을 구비하면서 동시에 상기 감광성 수지 패턴에 의해 노출된 고분자 수지층도 알카리 현상하는 단계;
상기 알카리 현상 이후, 상기 고분자 수지층을 열경화하는 단계;
상기 감광성 수지 패턴을 박리하는 단계; 및
상기 열경화된 고분자 수지층을 표면처리 용액으로 표면처리하는 단계;를 포함하는 절연층 제조방법.
Providing a polymer resin layer including an alkali-soluble resin and a thermosetting binder on the conductor wiring;
Providing a photosensitive resin layer on the polymer resin layer;
Exposing and alkali developing the photosensitive resin layer to provide a photosensitive resin pattern and at the same time alkali developing the polymer resin layer exposed by the photosensitive resin pattern;
After the alkali development, thermosetting the polymer resin layer;
Peeling the photosensitive resin pattern; And
Insulating layer manufacturing method comprising; surface-treating the heat-cured polymer resin layer with a surface treatment solution.
청구항 1에 있어서,
상기 표면처리 용액은 아민계 염기성 용액인 것인 절연층 제조방법.
The method according to claim 1,
The method of manufacturing an insulating layer, wherein the surface treatment solution is an amine-based basic solution.
청구항 1에 있어서,
상기 표면처리 용액은 하기 화학식 1을 포함하는 용액인 것인 절연층 제조방법;
[화학식 1]
Figure pat00011

상기 화학식 1에서 X1 및 X2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 3의 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 히드록시알킬기, 또는 탄소수 1 내지 3의 아미노알킬기이며, X1과 X2는 N 또는 O를 추가로 포함할 수 있는 환을 형성할 수 있다.
The method according to claim 1,
The surface treatment solution is an insulating layer manufacturing method that is a solution containing the following formula (1);
[Formula 1]
Figure pat00011

In Formula 1, X 1 and X 2 are each independently an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or an aminoalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and X 1 and X 2 are N or O added. It can form a ring that can be included with.
청구항 1에 있어서,
상기 표면처리하는 단계는,
0분 초과 3분 미만 동안 표면처리 용액에 침지하는 것인 절연층 제조방법.
The method according to claim 1,
The step of surface treatment,
An insulating layer manufacturing method that is immersed in the surface treatment solution for more than 0 minutes and less than 3 minutes.
청구항 1에 있어서,
상기 표면처리하는 단계는,
25 ℃ 이상 90 ℃ 이하로 처리되는 것인 절연층 제조방법.
The method according to claim 1,
The step of surface treatment,
An insulating layer manufacturing method that is treated at 25° C. or more and 90° C. or less.
청구항 1에 있어서,
상기 알카리 가용성 수지는 산성 작용기; 및 아미노기로 치환된 고리형이미드 작용기;를 각각 적어도 1 이상 포함하는 절연층 제조방법.
The method according to claim 1,
The alkali-soluble resin is an acidic functional group; And a cyclic imide functional group substituted with an amino group;
청구항 6에 있어서,
상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 하기 화학식 2로 표시되는 작용기를 포함하는 절연층 제조방법:
[화학식 2]
Figure pat00012

상기 화학식 2에서, R1은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기 또는 알케닐기이며, "*"는 결합지점을 의미한다.
The method of claim 6,
The method of manufacturing an insulating layer containing a functional group represented by the following formula (2):
[Formula 2]
Figure pat00012

In Formula 2, R 1 is an alkylene group or alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, and "*" means a bonding point.
청구항 6에 있어서,
상기 알카리 가용성 수지는 고리형 불포화 이미드 화합물; 및 아민 화합물;의 반응을 통해 제조되며, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물과 아민 화합물 중 적어도 하나 이상은 말단에 치환된 산성 작용기를 포함하는 절연층 제조방법.
The method of claim 6,
The alkali-soluble resin is a cyclic unsaturated imide compound; And an amine compound; wherein at least one of the cyclic unsaturated imide compound and the amine compound includes an acidic functional group substituted at the terminal.
청구항 8에 있어서,
상기 아민 화합물은 아미노기로 치환된 카복시산 화합물 및 2 이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 절연층 제조방법.
The method of claim 8,
The amine compound is an insulating layer manufacturing method comprising at least one selected from the group consisting of a carboxylic acid compound substituted with an amino group and a polyfunctional amine compound including two or more amino groups.
청구항 1에 있어서,
상기 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 4로 표시되는 반복단위; 및 하기 화학식 5로 표시되는 반복단위;를 각각 적어도 1 이상 포함하는 절연층 제조방법:
[화학식 4]
Figure pat00013

상기 화학식 4에서, R2는 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, "*"는 결합지점을 의미하고,
[화학식 5]
Figure pat00014

상기 화학식 5에서, R3는 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며,
R4는 -H, -OH, -NR5R6, 할로겐, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며,
상기 R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기일 수 있고,
"*"는 결합지점을 의미한다.
The method according to claim 1,
The alkali-soluble resin is a repeating unit represented by the following formula (4); And a repeating unit represented by the following formula (5); an insulating layer manufacturing method comprising at least one each:
[Formula 4]
Figure pat00013

In Formula 4, R 2 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and "*" means a bonding point,
[Formula 5]
Figure pat00014

In Formula 5, R 3 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms,
R 4 is -H, -OH, -NR 5 R 6 , halogen, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
The R 5 and R 6 may each independently be hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms,
"*" means the point of attachment.
청구항 10에 있어서,
상기 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 6으로 표시되는 반복단위를 포함한 중합체, 하기 화학식 7로 표시되는 아민, 및 하기 화학식 8로 표시되는 아민의 반응으로 제조되는 절연층 제조방법:
[화학식6]
Figure pat00015

[화학식7]
Figure pat00016

[화학식8]
Figure pat00017

상기 화학식 6 내지 8에서, R2 내지 R4는 상기 청구항 10에서 정의한 바와 같고, "*"는 결합지점을 의미한다.
The method of claim 10,
The alkali-soluble resin is a method for producing an insulating layer prepared by reaction of a polymer including a repeating unit represented by the following formula 6, an amine represented by the following formula 7, and an amine represented by the following formula 8
[Formula 6]
Figure pat00015

[Formula 7]
Figure pat00016

[Formula 8]
Figure pat00017

In Formulas 6 to 8, R 2 to R 4 are as defined in claim 10, and "*" means a bonding point.
청구항 10에 있어서,
상기 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 9로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 10으로 표시되는 화합물의 반응으로 제조되는 절연층 제조방법:
[화학식 9]
Figure pat00018

[화학식 10]
Figure pat00019

상기 화학식 9 및 10에서, R2 내지 R4는 청구항 10에서 정의한 바와 같다.
The method of claim 10,
The alkali-soluble resin is an insulating layer manufacturing method prepared by reaction of a compound represented by the following formula (9) and a compound represented by the following formula (10):
[Formula 9]
Figure pat00018

[Formula 10]
Figure pat00019

In Formulas 9 and 10, R 2 to R 4 are as defined in claim 10.
청구항 1에 있어서,
상기 고분자 수지층은 알카리 가용성 수지 100 중량부에 대해 열경화성 바인더 1 중량부 내지 150 중량부를 포함하는 절연층 제조방법.
The method according to claim 1,
The polymer resin layer is an insulating layer manufacturing method comprising 1 part by weight to 150 parts by weight of a thermosetting binder based on 100 parts by weight of an alkali-soluble resin.
청구항 1 내지 13 중 어느 한 항에 의해 제조된 절연층 상에 패턴이 구비된 금속 기판을 구비하는 단계를 포함하는 다층인쇄회로기판 제조방법.A method of manufacturing a multilayer printed circuit board comprising the step of providing a metal substrate with a pattern on the insulating layer manufactured according to any one of claims 1 to 13. 청구항 14에 있어서,
상기 절연층 상에 패턴이 구비된 금속 기판을 구비하는 단계는,
상기 절연층 상에 금속박막을 구비하는 단계;
상기 금속박막 상에 패턴이 형성된 감광성 수지층을 구비하는 단계; 및
상기 감광성 수지층 패턴에 의해 노출된 금속박막 상에 금속을 증착시키는 단계; 및
상기 감광성 수지층을 제거하고, 노출된 금속박막을 제거하는 단계를 포함하는 다층인쇄회로기판 제조방법.
The method of claim 14,
The step of providing a metal substrate with a pattern on the insulating layer,
Providing a metal thin film on the insulating layer;
Providing a photosensitive resin layer in which a pattern is formed on the metal thin film; And
Depositing a metal on the metal thin film exposed by the photosensitive resin layer pattern; And
A method of manufacturing a multilayer printed circuit board comprising removing the photosensitive resin layer and removing the exposed metal thin film.
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