KR20210052075A - Method for manufacturing insulating film and method for manufacturing multilayered printed circuit board - Google Patents

Method for manufacturing insulating film and method for manufacturing multilayered printed circuit board Download PDF

Info

Publication number
KR20210052075A
KR20210052075A KR1020190138160A KR20190138160A KR20210052075A KR 20210052075 A KR20210052075 A KR 20210052075A KR 1020190138160 A KR1020190138160 A KR 1020190138160A KR 20190138160 A KR20190138160 A KR 20190138160A KR 20210052075 A KR20210052075 A KR 20210052075A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
layer
resin layer
polymer resin
inorganic filler
Prior art date
Application number
KR1020190138160A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정우재
조은별
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020190138160A priority Critical patent/KR20210052075A/en
Publication of KR20210052075A publication Critical patent/KR20210052075A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/381Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013Fillers, pigments or reinforcing additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/04Oxygen-containing compounds
    • C08K5/09Carboxylic acids; Metal salts thereof; Anhydrides thereof
    • C08K5/095Carboxylic acids containing halogens
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/54Silicon-containing compounds
    • C08K5/541Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C08K5/5435Silicon-containing compounds containing oxygen containing oxygen in a ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/002Etching of the substrate by chemical or physical means by liquid chemical etching
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0023Etching of the substrate by chemical or physical means by exposure and development of a photosensitive insulating layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/09Treatments involving charged particles
    • H05K2203/095Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

The present invention provides an insulating layer with excellent adhesion to a metal pattern layer, a method for manufacturing the insulating layer with high roughness, and a method for manufacturing a multilayered printed circuit board using the same. The method for manufacturing the insulating layer can manufacture the insulating layer having uniform and high surface roughness by roughening a polymer resin layer containing a surface-treated inorganic filler with an alkaline solution, and the insulating layer of the present invention is manufactured by the method of the present invention to have the uniform and high surface roughness, thereby having excellent adhesion to the metal pattern layer. The method for manufacturing the multilayered printed circuit board can manufacture the multilayered printed circuit board in which the metal pattern layer is stably adhered to the insulating layer having the high surface roughness.

Description

절연층 제조 방법 및 다층 인쇄 회로기판 제조 방법 {METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYERED PRINTED CIRCUIT BOARD}Insulation layer manufacturing method and multilayer printed circuit board manufacturing method {METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYERED PRINTED CIRCUIT BOARD}

본 발명은 절연층 제조 방법 및 다층 인쇄 회로기판 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 조도가 높은 절연층 제조 방법 및 이를 이용한 다층 인쇄 회로기판 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an insulating layer and a method for manufacturing a multilayer printed circuit board. Specifically, it relates to a method of manufacturing an insulating layer having high illuminance and a method of manufacturing a multilayer printed circuit board using the same.

최근의 전자기기는 갈수록 소형화, 경량화, 고기능화되고 있다. 이러한 최근의 전자기기분야의 수요를 충족하기 위해서, 반도체 소자가 전자기기 내부로 장착되어야할 필요가 생겼고, 최근 반도체 소자의 소형화, 집적도 수준이 향상되면서 현실화 되는 추세이다.Recently, electronic devices are becoming more compact, lighter, and highly functional. In order to meet the demands of such a recent electronic device field, it is necessary to mount a semiconductor device inside the electronic device, and it is a trend that is realized as the miniaturization and integration level of semiconductor devices are recently improved.

반도체 소자가 전자기기 내부에서 전기적 신호를 전달받기 위해서는 전기배선이 필수적이며, 이때 안정적인 전기신호 전달을 위해 반도체 소자 및 전기배선에 대한 절연이 요구된다.In order for a semiconductor device to receive an electrical signal inside an electronic device, electrical wiring is essential, and in this case, insulation for the semiconductor device and electrical wiring is required for stable electrical signal transmission.

이처럼 반도체 소자의 전기배선 연결뿐 아니라, 이들간의 절연층 형성을 위해, 빌드-업 방식의 반도체 패키징 공정이 사용되고 있으며, 이러한 반도체 패키징 공정은 기능소자의 집적도 향상과 함께 전자 기기의 소형화, 경량화, 고기능화, 구조적인 전기적 기능통합, 조립시간 단축 및 원가절감 등에 유리한 장점이 있다.In this way, to connect the electrical wiring of semiconductor devices as well as to form an insulating layer therebetween, a build-up semiconductor packaging process is used, and this semiconductor packaging process improves the integration of functional devices and reduces the size, weight, and high functionality of electronic devices. It has advantages such as structural electrical function integration, assembly time reduction and cost reduction.

빌드-업 방식의 반도체 패키징 공정에서, 절연층 상에 미세 회로를 형성하기 위해서는 빌드업 절연층과 도전층, 즉 회로가 형성된 층 사이의 밀착력이 중요하다. 따라서 일반적으로 절연층 형성 후 디스미어 공정과 같은 조화 처리가 수반되었다. In the build-up semiconductor packaging process, in order to form a fine circuit on the insulating layer, adhesion between the build-up insulating layer and the conductive layer, that is, the layer on which the circuit is formed is important. Therefore, generally, a roughening treatment such as a desmear process was accompanied after the formation of the insulating layer.

그러나 최근 무기필러인 구형 실리카의 비중이 높아지고, 기판은 가벼워지며, 얇아지는 추세인 바, 기존의 디스미어 공정으로 조화 처리 하는 경우 균일한 조도의 형성이 어려워지고, 절연층 상에 형성되는 도전층, 회로층과 같은 금속 패턴층과 절연층의 밀착력이 감소하는 문제가 발생하였다. However, recently, the specific gravity of spherical silica, which is an inorganic filler, is increasing, and the substrate is becoming lighter and thinner.When the roughening treatment is performed with the existing desmear process, it becomes difficult to form a uniform roughness, and a conductive layer formed on the insulating layer. , There has been a problem that the adhesion between the metal pattern layer such as the circuit layer and the insulating layer decreases.

이에 절연층과 금속 패턴층의 밀착력 향상을 위해 균일한 조도를 형성할 수 있는 조화 처리 공정의 개발이 필요한 실정이다.Accordingly, in order to improve the adhesion between the insulating layer and the metal pattern layer, it is necessary to develop a roughening treatment process capable of forming a uniform roughness.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 금속 패턴층과의 밀착력이 우수하고 조도가 높은 절연층을 제조하는 방법을 제공하고, 이를 이용한 다층 인쇄 회로기판의 제조방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method of manufacturing an insulating layer having excellent adhesion with a metal pattern layer and having high roughness, and to provide a method of manufacturing a multilayer printed circuit board using the same.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 상에 알칼리 가용성 수지, 열경화성 바인더 및 표면 처리된 무기 필러를 포함하는 고분자 수지층을 형성하는 단계; 상기 고분자 수지층 상에 패턴층을 형성하는 단계; 상기 패턴층이 형성된 고분자 수지층을 현상하고 경화시키는 단계; 상기 경화된 고분자 수지층으로부터 패턴층을 제거하여 패터닝된 고분자 수지층을 형성하는 단계; 및 상기 패터닝된 고분자 수지층 표면을 알칼리성 용액으로 조화 처리하는 단계;를 포함하는 절연층 제조 방법이 제공된다. According to an aspect of the present invention, forming a polymer resin layer comprising an alkali-soluble resin, a thermosetting binder, and a surface-treated inorganic filler on a substrate; Forming a pattern layer on the polymer resin layer; Developing and curing the polymer resin layer on which the pattern layer is formed; Forming a patterned polymer resin layer by removing the pattern layer from the cured polymer resin layer; And roughening the surface of the patterned polymer resin layer with an alkaline solution.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 본 발명의 일 구현예에 의해 제조된 절연층 상에 금속 패턴층을 형성하는 단계;를 포함하는, 다층 인쇄 회로기판 제조 방법이 제공된다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multilayer printed circuit board comprising; forming a metal pattern layer on the insulating layer manufactured according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 구현예에 따른 절연층 제조 방법을 통해, 무기 필러를 표면에서 탈착시키는 방법으로 표면 조도를 형성함으로써, 표면 조도가 높고 균일하여 금속 패턴층이 형성되었을 때 밀착력이 우수한 절연층을 제조할 수 있으며, 표면 처리된 무기 필러를 사용함으로써 절연층의 내구성이 우수할 수 있다. Through the method of manufacturing the insulating layer according to an embodiment of the present invention, by forming the surface roughness by detaching the inorganic filler from the surface, the surface roughness is high and uniform, thereby producing an insulating layer having excellent adhesion when a metal pattern layer is formed. It can be done, and the durability of the insulating layer can be excellent by using the surface-treated inorganic filler.

본 발명의 또 다른 구현예에 따른 다층 인쇄 회로기판의 제조방법은 본 발명의 일 구현예에 따른 절연층 상에 금속 패턴층을 형성시키는 단계를 포함함으로써, 표면 조도가 높은 절연층 상에 금속 패턴층이 견고하게 밀착될 수 있다. A method of manufacturing a multilayer printed circuit board according to another embodiment of the present invention comprises the step of forming a metal pattern layer on the insulating layer according to an embodiment of the present invention, thereby forming a metal pattern on the insulating layer having a high surface roughness. The layer can be firmly adhered.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 절연층 제조 방법의 개략도이다.
도 2는 실시예 1 또는 비교예 1의 절연층 표면 SEM 사진이다.
도 3은 실시예 1 또는 비교예 1의 절연층 상부 표면 조도 이미지이다.
1 is a schematic diagram of a method of manufacturing an insulating layer according to an embodiment of the present invention.
2 is a SEM photograph of the surface of the insulating layer of Example 1 or Comparative Example 1. FIG.
3 is an image of an upper surface roughness of an insulating layer of Example 1 or Comparative Example 1. FIG.

본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary.

이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 일 구현예에 따른 절연층 제조 방법은 기판 상에 알칼리 가용성 수지, 열경화성 바인더 및 표면 처리된 무기 필러를 포함하는 고분자 수지층을 형성하는 단계; 상기 고분자 수지층 상에 패턴층을 형성하는 단계; 상기 패턴층이 형성된 고분자 수지층을 현상하고 경화시키는 단계; 상기 경화된 고분자 수지층으로부터 패턴층을 제거하여 패터닝된 고분자 수지층을 형성하는 단계; 및 상기 패터닝된 고분자 수지층 표면을 알칼리성 용액으로 조화 처리하는 단계;를 포함한다. The insulating layer manufacturing method according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming a polymer resin layer including an alkali-soluble resin, a thermosetting binder, and a surface-treated inorganic filler on a substrate; Forming a pattern layer on the polymer resin layer; Developing and curing the polymer resin layer on which the pattern layer is formed; Forming a patterned polymer resin layer by removing the pattern layer from the cured polymer resin layer; And roughening the surface of the patterned polymer resin layer with an alkaline solution.

도 1에 본 발명의 일 구현예에 따른 절연층 제조 방법의 개략도를 나타내었다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 절연층 제조 방법은. 기판(100) 상에 고분자 수지층(200)을 형성하는 단계(1); 고분자 수지층(200) 상에 패턴층(300)을 형성하는 단계(2); 고분자 수지층(200)을 현상(3-1)하고, 경화(3-2)시키는 단계; 패턴층(300)을 제거하는 단계(4); 및 조화 처리하는 단계(5);를 포함한다.1 shows a schematic diagram of a method of manufacturing an insulating layer according to an embodiment of the present invention. 1, a method of manufacturing an insulating layer according to an embodiment of the present invention. Forming a polymer resin layer 200 on the substrate 100 (1); Forming a pattern layer 300 on the polymer resin layer 200 (2); Developing (3-1) and curing (3-2) the polymer resin layer 200; Removing the pattern layer 300 (4); And a step of performing a harmonic process (5).

이하, 각 단계에 대하여 구체적으로 설명한다. Hereinafter, each step will be described in detail.

(1) 기판 상에 알칼리 가용성 수지, 열경화성 바인더 및 이형성 코팅된 무기 필러를 포함하는 고분자 수지층을 형성하는 단계(1) forming a polymer resin layer including an alkali-soluble resin, a thermosetting binder, and a releasable coated inorganic filler on a substrate

본 발명의 일 구현예에 따르면, 우선 기판 상에 절연층의 기초가 되는 고분자 수지층을 형성한다. According to one embodiment of the present invention, first, a polymer resin layer, which is the basis of the insulating layer, is formed on a substrate.

상기 기판은 동박적층판과 같은 회로기판, 시트, 다층 프린트 배선판, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 재료일 수 있고, 상기 고분자 수지층의 두께는 1 ㎛ 내지 500 ㎛, 또는 3 ㎛ 내지 500 ㎛, 또는 3 ㎛ 내지 200 ㎛, 또는 1 ㎛ 내지 60 ㎛, 또는 5 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있다.The substrate may be a circuit board such as a copper clad laminate, a sheet, a multilayer printed wiring board, a semiconductor material such as a silicon wafer, and the thickness of the polymer resin layer is 1 µm to 500 µm, or 3 µm to 500 µm, or 3 µm to It may be 200 μm, or 1 μm to 60 μm, or 5 μm to 30 μm.

상기 고분자 수지층은 알칼리 가용성 수지, 열경화성 바인더 및 이형성 코팅된 무기 필러를 포함할 수 있고, 구체적으로는 알칼리 가용성 수지, 열경화성 바인더 및 이형성 코팅된 무기 필러를 포함하는 고분자 수지 조성물을 제조한 후에 이를 이용하여 고분자 수지층을 형성할 수 있다. The polymer resin layer may include an alkali-soluble resin, a thermosetting binder, and a releasable coated inorganic filler, and specifically, an alkali-soluble resin, a thermosetting binder, and a polymer resin composition including a releasable coated inorganic filler are prepared and used. Thus, a polymer resin layer can be formed.

상기 고분자 수지층을 형성하는 방법은 한정되지 않으나, 예를 들어 기판 상에 고분자 수지 조성물을 직접 도포하고 건조 또는 경화하거나, 별도의 캐리어 필름 상에 고분자 수지 조성물을 도포하고 건조 또는 경화한 상태에서 기판 상에 라미네이트 한 다음 캐리어 필름을 제거하는 방법 등을 사용하여 고분자 수지층을 형성할 수 있다. 바람직하게는 상기 기판상에 접착층을 형성한 다음 고분자 수지 조성물을 접착층 상에 직접 코팅하거나, 캐리어 필름 상에 고분자 수지 조성물을 도포하여 고분자 수지층을 형성한 다음, 기판 상의 접착층과 고분자 수지층을 라미네이트 하는 방법, 또는 캐리어 필름 상에 고분자 수지 조성물을 도포하여 고분자 수지층을 형성한 다음, 고분자 수지층에 접착층을 형성하고 기판과 접착층을 라미네이트 하는 방법 등을 사용할 수 있다.The method of forming the polymer resin layer is not limited, but for example, a polymer resin composition is directly applied on a substrate and dried or cured, or a polymer resin composition is applied on a separate carrier film and dried or cured. The polymer resin layer can be formed by laminating on the top and then removing the carrier film. Preferably, after forming an adhesive layer on the substrate, a polymer resin composition is directly coated on the adhesive layer, or a polymer resin layer is formed by coating the polymer resin composition on a carrier film, and then the adhesive layer and the polymer resin layer on the substrate are laminated. A method of forming a polymer resin layer by coating a polymer resin composition on a carrier film, and then forming an adhesive layer on the polymer resin layer and laminating a substrate and an adhesive layer, or the like may be used.

상기 접착층의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 반도체 소자, 전기전자소재 분야에서 널리 알려진 다양한 접착층을 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들어, 디본딩형 임시 고정 접착제(Debondable Temporary Adhesive) 또는 다이본딩필름(Die Attach Film, DAF)를 사용할 수 있다. The example of the adhesive layer is not limited to a large extent, and various adhesive layers widely known in the field of semiconductor devices and electrical and electronic materials can be used without limitation, for example, a debondable temporary adhesive or a die bonding film. Attach Film, DAF) can be used.

알카리 가용성 수지Alkali soluble resin

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 알카리 가용성 수지는 산성 작용기; 및 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 각각 적어도 1 이상, 또는 2 이상 포함할 수 있다. 상기 산성 작용기의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 카르복시기 또는 페놀기를 포함할 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지는 산성 작용기를 적어도 2이상으로 포함하여 상기 고분자 수지층이 보다 높은 알카리 현상성을 나타내게 하며, 고분자 수지층의 현상속도를 조절할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the alkali-soluble resin is an acidic functional group; And at least one or two or more cyclic imide functional groups substituted with an amino group, respectively. Examples of the acidic functional group are not largely limited, but may include, for example, a carboxyl group or a phenol group. The alkali-soluble resin includes at least two or more acidic functional groups, so that the polymer resin layer exhibits higher alkali developability, and the developing speed of the polymer resin layer can be controlled.

상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 작용기 구조 내에 아미노기와 고리형 이미드기를 포함하고 있으며, 적어도 2이상으로 포함될 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지가 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 적어도 2이상 함유함에 따라, 상기 알카리 가용성 수지는 아미노기에 포함된 활성수소가 다수 존재하는 구조를 가지게 되어, 열경화시 열경화성 바인더와의 반응성이 향상되면서 경화밀도를 높여 내열 신뢰성 및 기계적 성질을 높일 수 있다.The cyclic imide functional group substituted with the amino group includes an amino group and a cyclic imide group in the functional group structure, and may be included in at least two or more. As the alkali-soluble resin contains at least two or more cyclic imide functional groups substituted with the amino group, the alkali-soluble resin has a structure in which a large number of active hydrogens contained in the amino group are present, and thus, it is combined with a thermosetting binder during thermal curing. As the reactivity is improved, the curing density can be increased to increase heat resistance reliability and mechanical properties.

또한, 상기 고리형 이미드 작용기가 알카리 가용성 수지 내에 다수 존재하게 됨에 따라, 고리형 이미드 작용기에 포함된 카보닐기와 3차 아민기에 의해 극성이 높아져 상기 알카리 가용성 수지의 계면 접착력을 높일 수 있다. 이에 따라, 상기 알카리 가용성 수지가 함유된 고분자 수지층은 상부에 적층되는 금속층과의 계면 접착력이 높아질 수 있고, 구체적으로, 금속층 상부에 적층된 캐리어필름과 금속층간의 계면 접착력 보다 높은 접착력을 가질 수 있어, 후술하는 바와 같이, 캐리어필름과 금속층간의 물리적 박리가 가능하게 될 수 있다. In addition, as a plurality of cyclic imide functional groups are present in the alkali-soluble resin, the polarity is increased by the carbonyl group and tertiary amine group included in the cyclic imide functional group, thereby increasing the interfacial adhesion of the alkali-soluble resin. Accordingly, the polymer resin layer containing the alkali-soluble resin may increase the interfacial adhesion with the metal layer laminated thereon, and specifically, may have higher adhesion than the interfacial adhesion between the carrier film and the metal layer laminated on the metal layer. Thus, as described later, physical peeling between the carrier film and the metal layer may be possible.

보다 구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기는 하기 화학식1로 표시되는 작용기를 포함할 수 있다. More specifically, the cyclic imide functional group substituted with the amino group may include a functional group represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식1에서, R1은 탄소수 1 내지 10, 또는 1 내지 5, 또는 1 내지 3의 알킬렌기 또는 알케닐기이며, "*" 는 결합지점을 의미한다. 상기 알킬렌기는, 알케인(alkane)으로부터 유래한 2가의 작용기로, 예를 들어, 직쇄형, 분지형 또는 고리형으로서, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소부틸렌기, sec-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기 등이 될 수 있다. 상기 알킬렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기의 예로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 등을 들 수 있다.In Formula 1, R1 is an alkylene group or alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, or 1 to 5, or 1 to 3, and "*" means a bonding point. The alkylene group is a divalent functional group derived from alkane, for example, as a straight chain, branched or cyclic, methylene group, ethylene group, propylene group, isobutylene group, sec-butylene group, It may be a tert-butylene group, a pentylene group, a hexylene group, and the like. One or more hydrogen atoms included in the alkylene group may be substituted with other substituents, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 Aryl group of to 12, heteroaryl group of 2 to 12 carbon atoms, arylalkyl group of 6 to 12 carbon atoms, halogen atom, cyano group, amino group, amidino group, nitro group, amide group, carbonyl group, hydroxy group, sulfonyl group, carba A mate group, a C1-C10 alkoxy group, etc. are mentioned.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정되지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substituted" means that other functional groups are bonded in place of a hydrogen atom in the compound, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, the position where the substituent can be substituted, and when two or more are substituted, two or more The substituents may be the same or different from each other.

상기 알케닐기는, 상술한 알킬렌기의 중간이나 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 함유하고 있는 것을 의미하며, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 헥실렌, 아세틸렌 등을 들 수 있다. 상기 알케닐기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 알킬렌기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환 가능하다.The alkenyl group means containing one or more carbon-carbon double bonds in the middle or terminal of the above-described alkylene group, and examples thereof include ethylene, propylene, butylene, hexylene, and acetylene. . At least one hydrogen atom in the alkenyl group may be substituted with the same substituent as in the case of the alkylene group.

바람직하게는 상기 아미노기로 치환된 고리형이미드 작용기는 하기 화학식2로 표시되는 작용기일 수 있다.Preferably, the cyclic imide functional group substituted with the amino group may be a functional group represented by the following formula (2).

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 2에서, "*"는 결합지점을 의미한다.In Formula 2, "*" means a bonding point.

상기 알카리 가용성 수지는 상술한 바와 같이, 산성 작용기와 함께 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기를 포함하며, 구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기의 적어도 하나의 말단에 산성 작용기가 결합할 수 있다. 이때, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기와 산성 작용기는 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 결합할 수 있으며, 예를 들어, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 아미노기의 말단에 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 산성 작용기가 결합할 수 있으며, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 이미드 작용기의 말단에 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 매개로 산성 작용기가 결합할 수 있다.As described above, the alkali-soluble resin includes a cyclic imide functional group substituted with an amino group together with an acidic functional group, and specifically, an acidic functional group is bonded to at least one end of the cyclic imide functional group substituted with the amino group can do. At this time, the cyclic imide functional group substituted with the amino group and the acidic functional group may be bonded via a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group, for example, a cyclic type substituted with the amino group An acidic functional group may be bonded to the terminal of the amino group included in the imide functional group via a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group, and already included in the cyclic imide functional group substituted with the amino group. The acidic functional group may be bonded to the terminal of the de functional group via a substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group.

보다 구체적으로, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 아미노기의 말단이란, 상기 화학식 1 에서 아미노기에 포함된 질소원자를 의미하며, 상기 아미노기로 치환된 고리형 이미드 작용기에 포함된 이미드 작용기의 말단이란, 상기 화학식1에서 고리형 이미드 작용기에 포함된 질소원자를 의미할 수 있다.More specifically, the terminal of the amino group included in the cyclic imide functional group substituted with the amino group means a nitrogen atom included in the amino group in Formula 1, and already included in the cyclic imide functional group substituted with the amino group. The terminal of the de functional group may mean a nitrogen atom included in the cyclic imide functional group in Formula 1 above.

상기 알킬렌기는, 알케인(alkane)으로부터 유래한 2가의 작용기로, 예를 들어, 직쇄형, 분지형 또는 고리형으로서, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소부틸렌기, sec-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기 등이 될 수 있다. 상기 알킬렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기의 예로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 등을 들 수 있다.The alkylene group is a divalent functional group derived from alkane, for example, as a straight chain, branched or cyclic, methylene group, ethylene group, propylene group, isobutylene group, sec-butylene group, It may be a tert-butylene group, a pentylene group, a hexylene group, and the like. One or more hydrogen atoms included in the alkylene group may be substituted with other substituents, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 Aryl group of to 12, heteroaryl group of 2 to 12 carbon atoms, arylalkyl group of 6 to 12 carbon atoms, halogen atom, cyano group, amino group, amidino group, nitro group, amide group, carbonyl group, hydroxy group, sulfonyl group, carba A mate group, a C1-C10 alkoxy group, etc. are mentioned.

상기 아릴렌기는, 아렌(arene)으로부터 유래한 2가의 작용기로, 예를 들어, 고리형으로서, 페닐기, 나프틸기 등이 될 수 있다. 상기 아릴렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 다른 치환기로 치환될 수 있고, 상기 치환기의 예로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 12의 아릴알킬기, 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 니트로기, 아마이드기, 카보닐기, 히드록시기, 술포닐기, 카바메이트기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 등을 들 수 있다.The arylene group is a divalent functional group derived from arene, for example, a cyclic type, and may be a phenyl group, a naphthyl group, or the like. One or more hydrogen atoms included in the arylene group may be substituted with other substituents, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms, and 6 carbon atoms. Aryl group of to 12, heteroaryl group of 2 to 12 carbon atoms, arylalkyl group of 6 to 12 carbon atoms, halogen atom, cyano group, amino group, amidino group, nitro group, amide group, carbonyl group, hydroxy group, sulfonyl group, carba A mate group, a C1-C10 alkoxy group, etc. are mentioned.

상기 알카리 가용성 수지를 제조하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 고리형 불포화 이미드 화합물; 및 아민 화합물의 반응을 통해 제조될 수 있다. 이때, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물; 및 아민 화합물 중 적어도 하나 이상은 말단에 치환된 산성 작용기를 포함할 수 있다. 즉, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물, 아민 화합물, 또는 이들 2종 화합물 모두의 말단에 산성 작용기가 치환될 수 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다.Examples of the method for producing the alkali-soluble resin are not limited to a large extent, for example, a cyclic unsaturated imide compound; And it may be prepared through the reaction of an amine compound. At this time, the cyclic unsaturated imide compound; And at least one or more of the amine compound may include an acidic functional group substituted at the terminal. That is, an acidic functional group may be substituted at the terminal of the cyclic unsaturated imide compound, the amine compound, or both of these compounds. The contents of the acidic functional group are as described above.

상기 고리형 이미드 화합물은 상술한 고리형 이미드 작용기를 포함한 화합물이며, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물은 고리형 이미드 화합물 내에 불포화 결합, 즉 이중결합 또는 삼중결합을 적어도 1이상 포함한 화합물을 의미한다.The cyclic imide compound is a compound containing the aforementioned cyclic imide functional group, and the cyclic unsaturated imide compound refers to a compound containing at least one or more unsaturated bonds, that is, double bonds or triple bonds in the cyclic imide compound. do.

상기 알카리 가용성 수지는 상기 아민 화합물에 포함된 아미노기와 고리형 불포화 이미드 화합물에 포함된 이중결합 또는 삼중결합의 반응을 통해 제조될 수 있다.The alkali-soluble resin may be prepared through a reaction of an amino group included in the amine compound and a double bond or a triple bond included in the cyclic unsaturated imide compound.

상기 고리형 불포화 이미드 화합물 및 아민 화합물을 반응시키는 중량비율의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 상기 고리형 불포화 이미드 화합물 100 중량부에 대하여, 상기 아민 화합물을 10 내지 80 중량부, 또는 30 내지 60 중량부로 혼합하여 반응시킬 수 있다. Examples of the weight ratio for reacting the cyclic unsaturated imide compound and the amine compound are not largely limited, for example, 10 to 80 parts by weight of the amine compound based on 100 parts by weight of the cyclic unsaturated imide compound, Alternatively, it may be reacted by mixing in 30 to 60 parts by weight.

상기 고리형 불포화 이미드 화합물의 예로는 N-치환 말레이미드 화합물을 들 수 있다. N-치환이란 말레이미드 화합물에 포함된 질소원자에 결합한 수소 원자 대신 작용기가 결합한 것을 의미하며, 상기 N-치환 말레이미드 화합물은 N-치환된 말레이미드 화합물의 개수에 따라 단관능 N-치환 말레이미드 화합물과 다관능 N-치환 말레이미드 화합물로 분류될 수 있다.Examples of the cyclic unsaturated imide compound include an N-substituted maleimide compound. N-substituted means that a functional group is bonded instead of a hydrogen atom bonded to a nitrogen atom contained in a maleimide compound, and the N-substituted maleimide compound is a monofunctional N-substituted maleimide depending on the number of N-substituted maleimide compounds. Compounds and polyfunctional N-substituted maleimide compounds can be classified.

상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물은 하나의 말레이미드 화합물에 포함된 질소원자에 작용기가 치환된 화합물이며, 상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물은 2이상의 말레이미드 화합물 각각에 포함된 질소원자가 작용기를 매개로 결합한 화합물이다.The monofunctional N-substituted maleimide compound is a compound in which a functional group is substituted with a nitrogen atom included in one maleimide compound, and the polyfunctional N-substituted maleimide compound has a nitrogen atom contained in each of two or more maleimide compounds. It is a compound bonded by means of.

상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물에서, 상기 말레이미드 화합물에 포함된 질소 원자에 치환되는 작용기는 공지된 다양한 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기를 제한없이 포함할 수 있으며, 상기 질소 원자에 치환되는 작용기는 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기에 산성 작용기가 치환된 작용기를 포함할 수도 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다.In the monofunctional N-substituted maleimide compound, the functional group substituted with the nitrogen atom included in the maleimide compound may include, without limitation, various known aliphatic, alicyclic or aromatic functional groups, and the functional group substituted with the nitrogen atom May include a functional group in which an acidic functional group is substituted with an aliphatic, alicyclic or aromatic functional group. The contents of the acidic functional group are as described above.

상기 단관능 N-치환 말레이미드 화합물의 구체적인 예로는 o-메틸페닐말레이미드, p-하이드록시페닐말레이미드, p-카복시페닐말레이미드, 또는 도데실말레이미드 등을 들 수 있다.Specific examples of the monofunctional N-substituted maleimide compound include o-methylphenylmaleimide, p-hydroxyphenylmaleimide, p-carboxyphenylmaleimide, or dodecylmaleimide.

상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물에서, 2이상의 말레이미드 화합물 각각에 포함된 질소원자간 결합을 매개하는 작용기는 공지된 다양한 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기를 제한없이 포함할 수 있으며, 구체적인 예를 들면, 4,4'-디페닐메탄(diphenylmethane) 작용기 등을 사용할 수 있다. 상기 질소 원자에 치환되는 작용기는 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기에 산성 작용기가 치환된 작용기를 포함할 수도 있다. 상기 산성 작용기에 대한 내용은 상술한 바와 같다.In the polyfunctional N-substituted maleimide compound, the functional group that mediates the bond between nitrogen atoms included in each of the two or more maleimide compounds may include, without limitation, various known aliphatic, alicyclic or aromatic functional groups, and specific examples , 4,4'-diphenylmethane functional groups, etc. may be used. The functional group substituted with the nitrogen atom may include a functional group in which an acidic functional group is substituted with an aliphatic, alicyclic or aromatic functional group. The contents of the acidic functional group are as described above.

상기 다관능 N-치환 말레이미드 화합물의 구체적인 예로는 4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드(Daiwakasei사의 BMI-1000, BMI-1100 등), 페닐메탄 비스말레이미드, m-페닐렌메탄 비스말레이미드, 비스페놀 A 디페닐에테르 비스말레이미드, 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드, 4-메틸-1,3-페닐렌 비스말레이미드, 1,6'-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyfunctional N-substituted maleimide compound include 4,4'-diphenylmethane bismaleimide (Daiwakasei's BMI-1000, BMI-1100, etc.), phenylmethane bismaleimide, m-phenylenemethane bismalei Mid, bisphenol A diphenyl ether bismaleimide, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide, 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide Mid, 1,6'-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane, etc. are mentioned.

상기 아민 화합물은 분자구조내에 아미노기(-NH2)를 적어도 1이상 함유한 1차 아민 화합물을 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 아미노기로 치환된 카복시산 화합물, 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.The amine compound may be a primary amine compound containing at least one amino group (-NH2) in the molecular structure, more preferably a carboxylic acid compound substituted with an amino group, a polyfunctional amine compound containing two or more amino groups, or these Mixtures of can be used.

상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물에서, 카복시산 화합물은 분자 내에 카르복시산(-COOH) 작용기를 포함한 화합물로서, 카르복시산 작용기와 결합한 탄화수소의 종류에 따라 지방족, 지환족 또는 방향족 카복시산을 모두 포함할 수 있다. 상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물을 통해 상기 알카리 가용성 수지 내에 산성 작용기인 카복시산 작용기가 다수 포함되면서, 상기 알카리 가용성 수지의 현상성이 향상될 수 있다.In the carboxylic acid compound substituted with the amino group, the carboxylic acid compound is a compound containing a carboxylic acid (-COOH) functional group in the molecule, and may include all aliphatic, alicyclic, or aromatic carboxylic acids depending on the type of hydrocarbon bonded to the carboxylic acid functional group. . Through the carboxylic acid compound substituted with the amino group, a plurality of carboxylic acid functional groups, which are acidic functional groups, are included in the alkali-soluble resin, so that the developability of the alkali-soluble resin may be improved.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며, 상기 카복시산 화합물에 아미노기가 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치라면 한정되지 않으며, 치환되는 아미노기의 개수는 1이상일 수 있다.The term "substituted" means that other functional groups are bonded instead of hydrogen atoms in the compound, and the position at which the amino group is substituted in the carboxylic acid compound is not limited as long as the position where the hydrogen atom is substituted, and the number of amino groups to be substituted is 1 or more. I can.

상기 아미노기로 치환된 카복시산 화합물의 구체적인 예를 들면, 단백질의 원료로 알려진 20여종의 α-아미노산, 4-아미노부탄산, 5-아미노펜탄산, 6-아미노헥산산, 7-아미노헵탄산, 8-아미노옥탄산, 4-아미노벤조산, 4-아미노페닐아세트산, 4-아미노 시클로헥산 카복시산 등을 들 수 있다. Specific examples of the amino group-substituted carboxylic acid compounds include 20 kinds of α-amino acids, 4-aminobutanoic acids, 5-aminopentanoic acids, 6-aminohexanoic acids, 7-aminoheptanoic acids, and 8 known as raw materials for proteins. -Aminooctanoic acid, 4-aminobenzoic acid, 4-aminophenylacetic acid, 4-amino cyclohexane carboxylic acid, etc. are mentioned.

또한, 상기 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물은 분자 내에 2이상의 아미노기(-NH2)를 포함한 화합물로서, 아미노기와 결합한 탄화수소의 종류에 따라 지방족, 지환족 또는 방향족 다관능 아민을 모두 포함할 수 있다. 상기 2이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물을 통해 상기 알카리 가용성 수지의 가요성, 인성, 동박밀착력 등이 향상될 수 있다.In addition, the polyfunctional amine compound containing two or more amino groups is a compound containing two or more amino groups (-NH2) in a molecule, and may include all aliphatic, alicyclic, or aromatic polyfunctional amines depending on the type of hydrocarbon bonded to the amino group. . Flexibility, toughness, copper foil adhesion, and the like of the alkali-soluble resin may be improved through the polyfunctional amine compound including two or more amino groups.

상기 2 이상의 아미노기를 포함한 다관능 아민 화합물의 구체적인 예를 들면, 1,3-시클로헥산디아민, 1,4-시클로헥산디아민, 1,3-비스(아미노메틸)-시클로헥산, 1,4-비스(아미노메틸)-시클로헥산, 비스(아미노메틸)-노보넨, 옥타하이드로-4,7-메타노인덴-1(2), 5(6)-디메탄아민, 4,4'-메틸렌비스(시클로헥실아민), 4,4'-메틸렌비스(2-메틸시클로헥실아민), 이소포론디아민, 1,3-페닐렌디아민, 1,4-페닐렌디아민, 2,5-디메틸-1,4-페닐렌디아민, 2,3,5,6,-테트라메틸-1,4-페닐렌디아민, 2,4,5,6-테트라플루오로-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라플루오로-1,4-페닐렌디아민, 4,6-디아미노레조시놀, 2,5-디아미노-1,4-벤젠디티올, 3-아미노벤질아민, 4-아미노벤질아민, m-자일렌디아민, p-자일렌디아민, 1,5-디아미노나프탈렌, 2,7-디아미노플루오렌, 2,6-디아미노안트라퀴논, m-톨리딘, o-톨리딘, 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘 (TMB), o-디아니시딘, 4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린), 3,3'-디아미노벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-벤지딘, 4,4'-디아미노옥타플루오로비페닐, 4,4'-디아미노-p-터페닐, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄, 4,4'-메틸렌비스(2-에틸-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디에틸아닐린), 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-에틸렌디아닐린, 4,4'-디아미노-2,2'-디메틸비벤질, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 2,2'-비스(3-아미노페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-메틸페닐)-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-헥사플루오로프로판,α,α'-비스(4-아미노페닐)-1,4-디아이소프로필벤젠, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)-2-프로필]벤젠, 1,1'-비스(4-아미노페닐)-시클로헥산, 9,9'-비스(4-아미노페닐)-플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-클로로페닐)플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9'-비스(4-아미노-3-메틸페닐)플루오렌,3,4'-디아미노디페닐에터, 4,4'-디아미노디페닐에터, 1,3-비스(3-아미노페녹시)-벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)-벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)-벤젠, 1,4-비스(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)-벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)-비페닐, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]프로판, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]헥사플루오로프로판, 비스(2-아미노페닐)설파이드, 비스(4-아미노페닐)설파이드, 비스(3-아미노페닐)설폰, 비스(4-아미노페닐)설폰, 비스(3-아미노-4-하이드록시)설폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)-페닐]설폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]설폰, o-톨리딘 설폰, 3,6-디아미노카바졸, 1,3,5-트리스(4-아미노페닐)-벤젠, 1,3-비스(3-아미노프로필)-테트라메틸디실록산, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 2-(3-아미노페닐)-5-아미노벤즈이미다졸, 2-(4-아미노페닐)-5-아미노벤족사졸, 1-(4-아미노페닐)-2,3-디하이드로-1,3,3-트리메틸-1H-인덴-5-아민, 4,6-디아미노레조시놀, 2,3,5,6-피리딘테트라아민, 신에츠 실리콘의 실록산 구조를 포함한 다관능 아민(PAM-E, KF-8010, X-22-161A, X-22-161B, KF-8012, KF-8008, X-22-1660B-3, X-22-9409), 다우코닝의 실록산 구조를 포함한 다관능 아민(Dow Corning 3055), 폴리에테르 구조를 포함한 다관능 아민(Huntsman사, BASF사) 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyfunctional amine compound containing two or more amino groups, 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1,3-bis(aminomethyl)-cyclohexane, 1,4-bis (Aminomethyl)-cyclohexane, bis(aminomethyl)-norbornene, octahydro-4,7-methanoindene-1(2), 5(6)-dimethanamine, 4,4'-methylenebis( Cyclohexylamine), 4,4'-methylenebis(2-methylcyclohexylamine), isophoronediamine, 1,3-phenylenediamine, 1,4-phenylenediamine, 2,5-dimethyl-1,4 -Phenylenediamine, 2,3,5,6,-tetramethyl-1,4-phenylenediamine, 2,4,5,6-tetrafluoro-1,3-phenylenediamine, 2,3,5 ,6-tetrafluoro-1,4-phenylenediamine, 4,6-diaminoresorcinol, 2,5-diamino-1,4-benzenedithiol, 3-aminobenzylamine, 4-aminobenzyl Amine, m-xylenediamine, p-xylenediamine, 1,5-diaminonaphthalene, 2,7-diaminofluorene, 2,6-diaminoanthraquinone, m-tolidine, o-tolidine, 3,3',5,5'-tetramethylbenzidine (TMB), o-dianisidine, 4,4'-methylenebis(2-chloroaniline), 3,3'-diaminobenzidine, 2,2' -Bis(trifluoromethyl)-benzidine, 4,4'-diaminooctafluorobiphenyl, 4,4'-diamino-p-terphenyl, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4 '-Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane, 4,4'-methylenebis(2-ethyl-6 -Methylaniline), 4,4'-methylenebis(2,6-diethylaniline), 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-ethylenedianiline , 4,4'-diamino-2,2'-dimethylbibenzyl, 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 2,2'-bis(3-aminophenyl)- Hexafluoropropane, 2,2'-bis(4-aminophenyl)-hexafluoropropane, 2,2'-bis(3-amino-4-methylphenyl)-hexafluoropropane, 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl)-hexafluoropropane,α,α'-bis(4-aminophenyl)-1,4-diisopropylbenzene, 1,3-bis[2-(4- Aminofe Nyl)-2-propyl]benzene, 1,1'-bis(4-aminophenyl)-cyclohexane, 9,9'-bis(4-aminophenyl)-fluorene, 9,9'-bis(4- Amino-3-chlorophenyl)fluorene, 9,9'-bis(4-amino-3-fluorophenyl)fluorene, 9,9'-bis(4-amino-3-methylphenyl)fluorene,3, 4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 1,3-bis(3-aminophenoxy)-benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)- Benzene, 1,4-bis(4-aminophenoxy)-benzene, 1,4-bis(4-amino-2-trifluoromethylphenoxy)-benzene, 4,4'-bis(4-aminophenoxy) Si)-biphenyl, 2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)-phenyl]propane, 2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)-phenyl]hexafluoropropane , Bis(2-aminophenyl)sulfide, bis(4-aminophenyl)sulfide, bis(3-aminophenyl)sulfone, bis(4-aminophenyl)sulfone, bis(3-amino-4-hydroxy)sulfone, Bis[4-(3-aminophenoxy)-phenyl]sulfone, bis[4-(4-aminophenoxy)-phenyl]sulfone, o-tolidine sulfone, 3,6-diaminocarbazole, 1,3 ,5-tris(4-aminophenyl)-benzene, 1,3-bis(3-aminopropyl)-tetramethyldisiloxane, 4,4'-diaminobenzanilide, 2-(3-aminophenyl)-5 -Aminobenzimidazole, 2-(4-aminophenyl)-5-aminobenzoxazole, 1-(4-aminophenyl)-2,3-dihydro-1,3,3-trimethyl-1H-indene-5 -Amine, 4,6-diaminoresorcinol, 2,3,5,6-pyridine tetraamine, a polyfunctional amine containing a siloxane structure of Shin-Etsu silicone (PAM-E, KF-8010, X-22-161A, X-22-161B, KF-8012, KF-8008, X-22-1660B-3, X-22-9409), polyfunctional amines including Dow Corning's siloxane structure (Dow Corning 3055), including polyether structures Polyfunctional amines (Huntsman company, BASF company), etc. are mentioned.

또한, 상기 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 3으로 표시되는 반복단위; 및 하기 화학식 4로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함할 수 있다.In addition, the alkali-soluble resin is a repeating unit represented by the following formula (3); And at least one or more repeating units represented by the following Chemical Formula 4, respectively.

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 3에서, R2는 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, "*"는 결합지점을 의미하고,In Formula 3, R2 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and "*" means a bonding point,

[화학식4][Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 4에서, R3는 직접결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, R4는 -H, -OH, -NR5R6, 할로겐, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며, 상기 R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기일 수 있고, "*"는 결합지점을 의미한다.In Formula 4, R3 is a direct bond, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and R4 is -H, -OH, -NR5R6, halogen, or An alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and R5 and R6 may each independently be hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and "*" means a bonding point.

바람직하게는 상기 화학식 3에서 R2는 페닐렌이고, 상기 화학식 4에서, R3는 페닐렌이며, R4는 -OH일 수 있다.Preferably, in Formula 3, R2 is phenylene, in Formula 4, R3 is phenylene, and R4 may be -OH.

한편, 상기 알카리 가용성 수지는 상기 화학식3으로 표시되는 반복단위; 및 상기 화학식 4로 표시되는 반복단위 이외에 추가로 비닐계 반복단위를 더 포함할 수 있다. 상기 비닐계 반복단위는 분자내에 적어도 1이상의 비닐기를 포함하는 비닐계 단량체의 단독중합체에 포함되는 반복단위로서, 상기 비닐계 단량체의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌, 부타디엔, 스티렌, 아크릴산, 메타아크릴산, 무수말레인산, 또는 말레이미드 등을 들 수 있다.On the other hand, the alkali-soluble resin is a repeating unit represented by the formula (3); And it may further include a vinyl-based repeating unit in addition to the repeating unit represented by the formula (4). The vinyl-based repeating unit is a repeating unit contained in a homopolymer of a vinyl-based monomer containing at least one vinyl group in a molecule, and examples of the vinyl-based monomer are not limited, for example, ethylene, propylene, isobutylene. , Butadiene, styrene, acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride, or maleimide.

상술한 화학식3으로 표시되는 반복단위; 및 화학식3으로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함하는 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 5로 표시되는 반복단위를 포함한 중합체, 하기 화학식 6으로 표시되는 아민, 및 하기 화학식 7로 표시되는 아민의 반응으로 제조될 수 있다.A repeating unit represented by Formula 3 above; And the alkali-soluble resin each containing at least one or more repeating units represented by Formula 3 is a reaction of a polymer including a repeating unit represented by Formula 5, an amine represented by Formula 6, and an amine represented by Formula 7 below. Can be manufactured.

[화학식 5][Formula 5]

Figure pat00005
Figure pat00005

[화학식 6][Formula 6]

Figure pat00006
Figure pat00006

[화학식 7][Formula 7]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 화학식 5 내지 7에서, R2 내지 R4는 상기 화학식3, 4에서 상술한 내용과 동일하며, "*"는 결합지점을 의미한다.In Formulas 5 to 7, R2 to R4 are the same as those described above in Formulas 3 and 4, and "*" means a bonding point.

상기 화학식 5로 표시되는 반복단위를 포함한 중합체의 구체적인 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, Cray valley사의 SMA, Polyscope사의 Xiran, Solenis사의 Scripset, Kuraray사의 Isobam, Chevron Phillips Chemical사의 Polyanhydride resin, Lindau Chemicals사의 Maldene 등을 들 수 있다.Specific examples of the polymer including the repeating unit represented by Chemical Formula 5 are not largely limited, for example, SMA of Cray valley, Xiran of Polyscope, Scripset of Solenis, Isobam of Kuraray, Polyanhydride resin of Chevron Phillips Chemical, Lindau Chemicals. Maldene of the company, etc. are mentioned.

또한, 상술한 화학식 3으로 표시되는 반복단위; 및 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 각각 적어도 1 이상 포함하는 알카리 가용성 수지는 하기 화학식 8로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 9로 표시되는 화합물의 반응으로 제조될 수 있다.In addition, the repeating unit represented by the above-described formula (3); And the alkali-soluble resin each including at least one or more repeating units represented by Formula 3 may be prepared by a reaction of a compound represented by Formula 8 below and a compound represented by Formula 9.

[화학식 8][Formula 8]

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 9][Formula 9]

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 8 내지 9에서, R2 내지 R4는 상기 화학식3, 4에서 상술한 내용과 동일하다.In Formulas 8 to 9, R2 to R4 are the same as those described above in Formulas 3 and 4.

또한, 상기 알카리 가용성 수지는 분자 중에 카르복시기 또는 페놀기를 함유하고 있는 공지 관용의 카르복시기 함유 수지 또는 페놀기 함유 수지를 사용할 수 있다. 바람직하게는 상기 카르복시기 함유 수지 또는 상기 카르복시기 함유 수지에 페놀기 함유 수지를 혼합하여 사용할 수 있다.In addition, as the alkali-soluble resin, a conventionally known carboxyl group-containing resin or phenol group-containing resin containing a carboxyl group or a phenol group in the molecule can be used. Preferably, a phenol group-containing resin may be mixed with the carboxy group-containing resin or the carboxy group-containing resin.

상기 카르복시기 함유 수지는 하기 열거하는 (1) 내지 (7)의 수지 중 어느 하나일 수 있다. The carboxy group-containing resin may be any one of the resins (1) to (7) listed below.

(1) 다관능 에폭시 수지에 포화 또는 불포화 모노카르복시기를 반응시킨 후, 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지,(1) a carboxy group-containing resin obtained by reacting a polyfunctional epoxy resin with a saturated or unsaturated monocarboxyl group, and then reacting a polybasic acid anhydride,

(2) 2관능 에폭시 수지에 2관능 페놀, 및(또는) 디카르복시기를 반응시킨 후 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지,(2) a carboxy group-containing resin obtained by reacting a bifunctional epoxy resin with a bifunctional phenol and/or a dicarboxyl group and then reacting a polybasic acid anhydride,

(3) 다관능 페놀 수지에 분자 내에 1개의 에폭시기를 갖는 화합물을 반응시킨 후 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지,(3) a carboxyl group-containing resin obtained by reacting a polyfunctional phenol resin with a compound having one epoxy group in the molecule and then reacting a polybasic acid anhydride,

(4) 분자 내에 2개 이상의 알코올성 수산기를 갖는 화합물에 다염기산 무수물을 반응시켜 이루어지는 카르복시기 함유 수지(4) Carboxy group-containing resin obtained by reacting a polybasic acid anhydride with a compound having two or more alcoholic hydroxyl groups in the molecule

(5) 디아민(diamine)과 디안하이드라이드(dianhydride)를 반응시킨 폴리아믹산 수지 또는 폴리아믹산 수지의 공중합체 수지(5) A polyamic acid resin obtained by reacting diamine and dianhydride or a copolymer resin of a polyamic acid resin

(6) 아크릴산을 반응시킨 폴리아크릴산 수지 또는 폴리아크릴산 수지의 공중합체(6) Polyacrylic acid resin reacted with acrylic acid or copolymer of polyacrylic acid resin

(7) 말레산무수물을 반응시킨 폴리말레산무수물 수지 및 폴리말레산무수물 수지 공중합체의 무수물을 약산, 디아민, 이미다졸(imidazole), 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide)로 개환시켜 제조한 수지 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.(7) Polymaleic anhydride resin reacted with maleic anhydride and a resin prepared by ring-opening the anhydride of the polymaleic anhydride resin copolymer with weak acid, diamine, imidazole, dimethyl sulfoxide, etc. Although it can be mentioned, it is not limited to these.

상기 카르복시기 함유 수지의 보다 구체적인 예로는 일본화약의 CCR-1291H, 신아 T&C의 SHA-1216CA60, Lubrizol의 Noverite K-700 또는 이들의 2종 이상의 혼합물 등을 들 수 있다.More specific examples of the carboxy group-containing resin include CCR-1291H from Nippon Explosives, SHA-1216CA60 from Shin-A T&C, Noverite K-700 from Lubrizol, or a mixture of two or more thereof.

상기 페놀기 함유 수지의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀F(BPF) 노볼락 수지 등의 노볼락 수지 또는 4,4'-(1-(4-(2-(4-하이드록시페닐)프로판-2-일)페닐)에탄-1,1-다이일)다이페놀 [4,4'-(1-(4-(2-(4-Hydroxyphenyl)propan-2-yl)phenyl)ethane-1,1-diyl)diphenol]등의 비스페놀 A계 수지를 각각 단독으로 사용하거나 혼합하여 사용할 수 있다.Examples of the phenol group-containing resin are not largely limited, for example, novolac resins such as phenol novolac resin, cresol novolac resin, bisphenol F (BPF) novolac resin, or 4,4'-(1-(4) -(2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl)phenyl)ethane-1,1-diyl)diphenol [4,4'-(1-(4-(2-(4-Hydroxyphenyl)) Bisphenol A resins such as propan-2-yl)phenyl)ethane-1,1-diyl)diphenol] can be used alone or in combination.

상기 알카리 가용성 수지는 KOH 적정에 의해 구해지는 산가(acid value)가 50 mgKOH/g 내지 250 mgKOH/g, 또는 70 mgKOH/g 내지 200 mgKOH/g일 수 있다. 상기 알카리 가용성 수지의 산가를 측정하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 다음과 같은 방법을 사용할 수 있다. 베이스 용매(base solution)로서 0.1 N의 농도의 KOH 용액(용매: 메탄올)을 준비하고, 표지자(indicator)로는 알파-나프톨벤제인(alphanaphtholbenzein)(pH: 0.8 ~ 8.2 yellow, 10.0 blue green)을 준비하였다. 이어서, 시료인 알카리 가용성 수지 약 1 내지 2 g을 채취하여 디메틸포름알데히드(DMF) 용매 50 g에 녹인 후에 표지자를 첨가한 후에 베이스 용매로 적정하였다. 적정 완료 시점에서 사용된 베이스 용매의 양으로 산가(acid value)를 mg KOH/g의 단위로 구하였다.The alkali-soluble resin may have an acid value of 50 mgKOH/g to 250 mgKOH/g, or 70 mgKOH/g to 200 mgKOH/g by KOH titration. Although an example of a method of measuring the acid value of the alkali-soluble resin is not largely limited, for example, the following method may be used. A 0.1 N KOH solution (solvent: methanol) was prepared as a base solution, and alpha-naphtholbenzein (pH: 0.8 ~ 8.2 yellow, 10.0 blue green) was prepared as an indicator. I did. Then, about 1 to 2 g of an alkali-soluble resin as a sample was taken and dissolved in 50 g of a dimethylformaldehyde (DMF) solvent, and then a marker was added, followed by titration with a base solvent. The acid value was calculated in units of mg KOH/g as the amount of the base solvent used at the time of completion of the titration.

상기 알카리 가용성 수지의 산가가 50 mgKOH/g 미만으로 지나치게 감소할 경우, 상기 알카리 가용성 수지의 현상성이 낮아져 현상 공정을 진행하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 알카리 가용성 수지의 산가가 250 mgKOH/g 초과로 지나치게 증가할 경우, 극성 증대로 인해 다른 수지와의 상분리가 발생할 수 있다.When the acid value of the alkali-soluble resin is excessively reduced to less than 50 mgKOH/g, the developability of the alkali-soluble resin is lowered, and it may be difficult to proceed with the developing process. In addition, when the acid value of the alkali-soluble resin is excessively increased to more than 250 mgKOH/g, phase separation with other resins may occur due to increased polarity.

열경화성 바인더Thermosetting binder

상기 열경화성 바인더는 열경화 가능한 작용기, 옥세타닐기, 환상 에테르기, 환상 티오 에테르기, 시아나이드기, 말레이미드기 및 벤족사진기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기 및 에폭시기를 포함할 수 있다. 즉, 상기 열경화성 바인더는 에폭시기를 반드시 포함하며, 에폭시기 외에 옥세타닐기, 환상 에테르기, 환상 티오 에테르기, 시아나이드(cyanide)기, 말레이미드(maleimide)기, 벤족사진(benzoxazine)기 또는 이들의 2종 이상을 혼합하여 포함할 수 있다. 이러한 열경화성 바인더는 열경화를 통해 알카리 가용성 수지 등과 가교 결합을 형성해 절연층의 내열성 또는 기계적 물성을 담보할 수 있다.The thermosetting binder may include at least one functional group selected from the group consisting of a thermosetting functional group, an oxetanyl group, a cyclic ether group, a cyclic thioether group, a cyanide group, a maleimide group, and a benzoxazine group, and an epoxy group. That is, the thermosetting binder necessarily contains an epoxy group, and in addition to the epoxy group, an oxetanyl group, a cyclic ether group, a cyclic thioether group, a cyanide group, a maleimide group, a benzoxazine group, or their It may contain a mixture of two or more. Such a thermosetting binder can secure heat resistance or mechanical properties of the insulating layer by forming a crosslinking bond with an alkali-soluble resin or the like through heat curing.

보다 구체적으로, 상기 열경화성 바인더로는, 분자내에 상술한 작용기를 2이상 포함한 다관능성 수지 화합물을 사용할 수 있다.More specifically, as the thermosetting binder, a polyfunctional resin compound containing two or more of the above-described functional groups in the molecule may be used.

상기 다관능성 수지화합물은 분자 중에 2개 이상의 환상 에테르기 및/또는 환상 티오에테르기(이하, 환상 (티오)에테르기라고 함)를 포함한 수지를 포함할 수 있다.The polyfunctional resin compound may include a resin including two or more cyclic ether groups and/or cyclic thioether groups (hereinafter referred to as cyclic (thio) ether groups) in a molecule.

상기 분자 중에 2개 이상의 환상 (티오)에테르기를 포함한 열경화성 바인더는 분자 중에 3, 4 또는 5원환의 환상 에테르기, 또는 환상 티오에테르기 중 어느 한쪽 또는 2종의 기를 적어도 2개 이상 갖는 화합물을 포함할 수 있다.The thermosetting binder containing two or more cyclic (thio) ether groups in the molecule includes a compound having at least two or more of one or two groups of 3, 4 or 5 membered cyclic ether groups, or cyclic thioether groups in the molecule. can do.

상기 분자 중에 2개 이상의 환상 티오에테르기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 재팬 에폭시 레진사 제조의 비스페놀 A형 에피술피드 수지 YL7000 등을 들 수 있다.Examples of the compound having two or more cyclic thioether groups in the molecule include bisphenol A episulfide resin YL7000 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. and the like.

또한, 상기 다관능성 수지화합물은 분자 중에 적어도 2개 이상의 에폭시기를 포함한 다관능 에폭시 화합물, 분자 중에 적어도 2개 이상의 옥세타닐기를 포함한 다관능 옥세탄 화합물 또는 분자 중에 2개 이상의 티오에테르 기를 포함한 에피술피드 수지, 분자 중에 적어도 2개 이상의 시아나이드기를 포함한 다관능 시아네이트 에스테르 화합물, 또는 분자 중에 적어도 2개 이상의 벤족사진기를 포함한 다관능 벤족사진 화합물 등을 포함할 수 있다.In addition, the polyfunctional resin compound is a polyfunctional epoxy compound containing at least two or more epoxy groups in the molecule, a polyfunctional oxetane compound containing at least two or more oxetanyl groups in the molecule, or episulfation containing two or more thioether groups in the molecule. A feed resin, a polyfunctional cyanate ester compound containing at least two or more cyanide groups in the molecule, or a polyfunctional benzoxazine compound containing at least two or more benzoxazine groups in the molecule may be included.

상기 다관능 에폭시 화합물의 구체예로서는, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, N-글리시딜형 에폭시 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지, 킬레이트형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 아미노기 함유 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 페놀릭형 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 헤테로시클릭 에폭시 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지, ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 난연성 부여를 위해, 인 등의 원자가 그 구조 중에 도입된 것을 사용할 수도 있다. 이들 에폭시 수지는 열경화함으로써, 경화 피막의 밀착성, 땜납 내열성, 무전해 도금 내성 등의 특성을 향상시킨다.Specific examples of the polyfunctional epoxy compound include, for example, bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, novolac type epoxy resin. , Phenol novolak type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, N-glycidyl type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, chelate type epoxy resin, gly Oxal type epoxy resin, amino group-containing epoxy resin, rubber modified epoxy resin, dicyclopentadiene phenolic type epoxy resin, diglycidylphthalate resin, heterocyclic epoxy resin, tetraglycidyl xylenoylethane resin, silicone modified epoxy resin and ε-caprolactone-modified epoxy resins. Further, in order to impart flame retardancy, one in which an atom such as phosphorus is introduced into the structure may be used. By thermosetting these epoxy resins, properties such as adhesion of the cured film, solder heat resistance, and electroless plating resistance are improved.

상기 다관능 옥세탄 화합물로서는 비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 1,4-비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트나 이들의 올리고머 또는 공중합체 등의 다관능 옥세탄류 이외에, 옥세탄 알코올과 노볼락 수지, 폴리(p-히드록시스티렌), 카르도형 비스페놀류, 카릭스아렌류, 카릭스레졸신아렌류, 또는 실세스퀴옥산 등의 히드록시기를 갖는 수지와의 에테르화물 등을 들 수 있다. 그 밖의, 옥세탄환을 갖는 불포화 모노머와 알킬(메트)아크릴레이트와의 공중합체 등도 들 수 있다.Examples of the polyfunctional oxetane compound include bis[(3-methyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]ether, bis[(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]ether, 1,4-bis[( 3-methyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]benzene, 1,4-bis[(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]benzene, (3-methyl-3-oxetanyl)methylacrylic Rate, (3-ethyl-3-oxetanyl)methylacrylate, (3-methyl-3-oxetanyl)methylmethacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl)methylmethacrylate or these In addition to polyfunctional oxetanes such as oligomers or copolymers, oxetane alcohol and novolac resins, poly(p-hydroxystyrene), cardo-type bisphenols, carixarenes, carixresolecin arenes, or silses And ether products with resins having a hydroxy group such as quioxane. In addition, a copolymer of an unsaturated monomer having an oxetane ring and an alkyl (meth)acrylate may be mentioned.

상기 다관능 시아네이트 에스테르 화합물의 예로는 비스페놀 A형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 E형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 F형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 S형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 M형 시아네이트 에스테르 수지, 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 페놀노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 크레졸 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 시아네이트 에스테르 수지, 바이페놀형 시아네이트 에스테르 수지나 이들의 올리고머 또는 공중합체 등을 들 수 있다. Examples of the polyfunctional cyanate ester compound include bisphenol A type cyanate ester resin, bisphenol E type cyanate ester resin, bisphenol F type cyanate ester resin, bisphenol S type cyanate ester resin, bisphenol M type cyanate ester resin, Novolac-type cyanate ester resin, phenol novolac-type cyanate ester resin, cresol novolac-type cyanate ester resin, novolac-type cyanate ester resin of bisphenol A, biphenol-type cyanate ester resin or oligomers or copolymers thereof Coalescence, etc. are mentioned.

상기 다관능 말레이미드 화합물의 예로는 4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드(4,4'-diphenylmethanebismaleimide), 페닐메탄 비스말레이미드(phenylmethane bismaleimide), m-페닐메탄 비스말레이미드(mphenylmethane bismaleimide), 비스페놀 A 디페닐에터비스말레이미드(bisphenol A diphenyl ether bismaleimide), 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'- 디페닐메탄 비스말레이미드 (3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 4-메틸-1,3- 페닐렌 비스말레이미드(4-methyl-1,3-phenylenebismaleimide), 1,6'- 비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산(1,6'-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane) 등을 들 수 있다.Examples of the multifunctional maleimide compound include 4,4'-diphenylmethane bismaleimide, phenylmethane bismaleimide, and m-phenylmethane bismaleimide. , Bisphenol A diphenyl ether bismaleimide, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'- diphenylmethane bismaleimide (3,3'- dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide), 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide, 1,6'- bismaleimide Mid-(2,2,4-trimethyl)hexane (1,6'-bismaleimide-(2,2,4-trimethyl)hexane) and the like.

상기 다관능 벤족사진 화합물의 예로는 비스페놀 A형 벤족사진 수지, 비스페놀 F형 벤족사진 수지, 페놀프탈레인형 벤족사진 수지, 티오디페놀형 벤족사진 수지, 디사이클로 펜타디엔형 벤족사진 수지, 3,3'-(메틸렌-1,4-디페닐렌)비스(3,4-디하이드로-2H-1,3-벤족사진(3,3'-(methylene-1,4-diphenylene)bis(3,4-dihydro-2H-1,3-benzoxazine) 수지 등을 들 수 있다.Examples of the polyfunctional benzoxazine compound include bisphenol A-type benzoxazine resin, bisphenol F-type benzoxazine resin, phenolphthalein-type benzoxazine resin, thiodiphenol-type benzoxazine resin, dicyclo pentadiene-type benzoxazine resin, 3,3' -(Methylene-1,4-diphenylene)bis(3,4-dihydro-2H-1,3-benzoxazine (3,3'-(methylene-1,4-diphenylene)bis(3,4- dihydro-2H-1,3-benzoxazine) resin, etc. are mentioned.

상기 다관능성 수지화합물의 보다 구체적인 예로는, 국도화학사의 YDCN-500-80P, 론자사의 페놀 노볼락형 시아네이트 에스너 수지 PT-30S, 다이와사의 페닐 메탄형 말레이미드 수지 BMI-2300, 시코쿠사의 P-d형 벤족사진 수지 등을 들 수 있다.More specific examples of the polyfunctional resin compound include Kukdo Chemical's YDCN-500-80P, Ronza's phenol novolak-type cyanate Ethner resin PT-30S, Daiwa's phenylmethane-type maleimide resin BMI-2300, and Shikoku's Pd Type benzoxazine resin, etc. are mentioned.

상기 고분자 수지층은 알카리 가용성 수지 100 중량부에 대해 열경화성 바인더 1 중량부 내지 150 중량부, 또는 10 중량부 내지 100 중량부, 또는 20 중량부 내지 50 중량부를 포함할 수 있다. 상기 열경화성 바인더의 함량이 지나치게 많으면 상기 고분자 수지층의 현상성이 떨어지고, 강도가 저하될 수 있다. 반대로, 열경화성 바인더의 함량이 지나치게 낮아지면, 상기 고분자 수지층이 과도하게 현상될 뿐 아니라, 코팅시 균일성이 떨어질 수 있다.The polymer resin layer may include 1 part by weight to 150 parts by weight, or 10 parts by weight to 100 parts by weight, or 20 parts by weight to 50 parts by weight of the thermosetting binder based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. If the content of the thermosetting binder is too high, developability of the polymer resin layer may decrease and strength may decrease. Conversely, if the content of the thermosetting binder is too low, not only the polymer resin layer is excessively developed, but also the uniformity during coating may be deteriorated.

이형성 코팅된 무기 필러Releasable coated inorganic filler

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 표면 처리된 무기 필러는 무기 필러 및 에폭시 실란계 화합물을 혼합하여 무기 필러 표면을 실란 개질시키는 단계; 및 상기 실란 개질된 무기 필러를 산화제와 혼합하여 상기 실란 개질된 무기 필러 표면을 이형 처리하는 단계;를 통해 제조되는 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the surface-treated inorganic filler comprises: silane-modifying the surface of the inorganic filler by mixing an inorganic filler and an epoxy silane-based compound; And releasing the surface of the silane-modified inorganic filler by mixing the silane-modified inorganic filler with an oxidizing agent.

상기 무기 필러 및 에폭시 실란계 화합물을 10분 내지 60분 동안 교반하여 혼합함으로써, 상기 무기 필러의 표면이 실란으로 개질될 수 있다. 구체적으로, 에폭시 실란계 화합물이 무기 필러의 표면에 화학 반응하여 결합함으로서 무기 필러의 표면이 실란 개질되는 것일 수 있다. By mixing the inorganic filler and the epoxy silane compound by stirring for 10 to 60 minutes, the surface of the inorganic filler may be modified with silane. Specifically, the surface of the inorganic filler may be silane-modified by bonding the epoxy silane-based compound to the surface of the inorganic filler by chemical reaction.

상기 실란 코팅된 무기 필러를 산화제와 10 분 내지 60 분 동안 교반하여 혼합함으로써, 산화제가 상기 실란 개질된 무기 필러 표면을 이형 처리할 수 있다. 구체적으로, 상기 산화제는 실란 개질된 무기 필러의 실란과 반응하여 표면을 이형 처리할 수 있고, 이형성을 갖도록 표면 처리된 무기 필러를 얻을 수 있다. By mixing the silane-coated inorganic filler with an oxidizing agent by stirring for 10 to 60 minutes, the oxidizing agent may perform a release treatment on the surface of the silane-modified inorganic filler. Specifically, the oxidizing agent may react with the silane of the silane-modified inorganic filler to perform a release treatment on the surface, and a surface-treated inorganic filler may be obtained to have a release property.

상기 표면 처리된 무기 필러는, 표면 일부는 이형성이 높고, 또 다른 표면 일부는 절연층에 포함되어 있는 알칼리 가용성 수지와의 결합력이 높아 절연층의 내구성은 우수하게 유지하면서도, 절연층 상부 표면에서는 쉽게 탈착되어 높은 조도를 형성할 수 있다.The surface-treated inorganic filler has a high releasability on a part of the surface and a high bonding strength with the alkali-soluble resin contained in the insulating layer, so that the durability of the insulating layer is excellent, while being easily used on the upper surface of the insulating layer. Desorption can form high illuminance.

표면 처리된 무기 필러는 고분자 수지층이 염기성 용액으로 조화 처리되는 과정에서, 고분자 수지층 상부 표면으로부터 탈착될 수 있고, 고분자 수지층의 표면 조도의 깊이는 상기 이형성 코팅된 무기 필러의 직경에 비례하기 때문에 균일하게 조도를 형성할 수 있으며, 목적에 따라 다양한 직경의 무기 필러를 사용함으로써 필요한 정도의 조도를 달성할 수 있다. The surface-treated inorganic filler can be detached from the upper surface of the polymer resin layer in the process of roughening the polymer resin layer with a basic solution, and the depth of the surface roughness of the polymer resin layer is proportional to the diameter of the releasable coated inorganic filler. Therefore, it is possible to uniformly form the roughness, and by using inorganic fillers of various diameters according to the purpose, it is possible to achieve a required degree of roughness.

상기 무기 필러는 실리카, 황산바륨, 티탄산바륨, 탈크, 클레이, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 산화알루미늄, 수산화알루미늄 및 마이카 중 1종 이상일 수 있고, 바람직하게는 실리카일 수 있다. The inorganic filler may be one or more of silica, barium sulfate, barium titanate, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, and mica, and preferably silica.

상기 에폭시 실란계 화합물은 상기 무기 필러 100 중량부에 대하여 0.3 내지 3 중량부로 상기 무기 필러와 혼합되는 것일 수 있다. 상기 함량 범위 내로 에폭시 실란계 화합물을 무기 필러와 혼합하는 경우, 상기 알칼리 가용성 수지와 필러의 가교를 통한 기계적 물성이 향상되는 효과가 있을 수 있다. The epoxy silane-based compound may be mixed with the inorganic filler in an amount of 0.3 to 3 parts by weight based on 100 parts by weight of the inorganic filler. When the epoxy silane-based compound is mixed with the inorganic filler within the above content range, there may be an effect of improving mechanical properties through crosslinking of the alkali-soluble resin and the filler.

상기 에폭시 실란계 화합물은 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-[2,3-에폭시프로폭시프로필]메틸디메톡시실란, 3-[2,3-에폭시프로폭시프로필메틸디에톡시실란, 2-[3,4-에폭시시클로헥실]에틸메틸디메톡시실란 및 2-[3,4-에폭시시클로헥실]에틸트리메톡시실란 중 1종 이상일 수 있다. The epoxy silane compound is 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3-[2,3-epoxypropoxypropyl]methyldimethoxysilane, 3-[2, It may be one or more of 3-epoxypropoxypropylmethyldiethoxysilane, 2-[3,4-epoxycyclohexyl]ethylmethyldimethoxysilane, and 2-[3,4-epoxycyclohexyl]ethyltrimethoxysilane. .

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 산화제는 상기 무기 필러 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1.5 중량부로 혼합될 수 있다. 상기 함량 범위 내로 산화제를 실란 코팅된 무기 필러와 혼합하는 경우, 이형 처리뿐 아니라 산화제와 결합하지 않은 잔존 에폭시 실란계 화합물의 경우 수지와의 반응하여 기계적 물성이 향상되는 효과가 있을 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the oxidizing agent may be mixed in an amount of 0.1 to 1.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the inorganic filler. When the oxidizing agent is mixed with the silane-coated inorganic filler within the above content range, not only the release treatment, but also the remaining epoxy silane-based compound not combined with the oxidizing agent may react with the resin, thereby improving mechanical properties.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 산화제는 불소계 유기산 및 상기 불소계 유기산의 무수물 중 1종 이상을 포함할 수 있고, 구체적으로는 상기 불소계 유기산은 트리플루오로아세트산, 3,3,3-트리플루오로프로판산, 4,4,4-트리플루오로부티르산, 2,2,3,3-테트라플루오로-3-(트리플루오로페톡시)프로피온산, 3-(트리플루오로메틸)벤조인산, 4-(트리플루오로메틸)벤조인산, (3,3,3-트리플루오로-2-메톡시-2-페닐프로파노일)3,3,3-트리플루오로-2-메톡시-2-페닐프로판산, 벤조익트리플루오로아세트산, 아스피린 트리플루오로아세트산, 2-시아노아세틱 트리플루오로아세트산, 페닐아세틱 트리플루오로아세트산, 부타-2,3-디에노익 트리플루오로아세트산 및 아크릴릭-트리플루오로아세트산과 같은 불소계 유기산들 중 1종 이상을 포함할 수 있으며, 상기 산화제는 이러한 불소계 유기산들 및 불소계 유기산들 각각의 무수물들 중 1종 이상을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the oxidizing agent may include at least one of a fluorine-based organic acid and an anhydride of the fluorine-based organic acid, and specifically, the fluorine-based organic acid is trifluoroacetic acid, 3,3,3-trifluoro Ropeanoic acid, 4,4,4-trifluorobutyric acid, 2,2,3,3-tetrafluoro-3-(trifluoroethoxy)propionic acid, 3-(trifluoromethyl)benzoic acid, 4 -(Trifluoromethyl)benzoic acid, (3,3,3-trifluoro-2-methoxy-2-phenylpropanoyl)3,3,3-trifluoro-2-methoxy-2- Phenylpropanoic acid, benzoic trifluoroacetic acid, aspirin trifluoroacetic acid, 2-cyanoacetic trifluoroacetic acid, phenylacetic trifluoroacetic acid, buta-2,3-dienoic trifluoroacetic acid and acrylic- One or more of fluorine-based organic acids such as trifluoroacetic acid may be included, and the oxidizing agent may include one or more of these fluorine-based organic acids and anhydrides of each of the fluorine-based organic acids.

기타 첨가제Other additives

상기 고분자 수지층은 열경화 촉매, 레벨링제, 분산제, 이형제 및 금속 밀착력 증진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.The polymer resin layer may further include one or more additives selected from the group consisting of a thermosetting catalyst, a leveling agent, a dispersant, a release agent, and a metal adhesion promoter.

상기 열경화성 촉매는 열경화성 바인더의 열경화를 촉진시키는 역할을 한다. 상기 열경화성 촉매로서는, 예를 들면 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 4-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-에틸-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 유도체; 디시안디아미드, 벤질디메틸아민, 4-(디메틸아미노)-N,N-디메틸벤질아민, 4-메톡시-N,N-디메틸벤질아민, 4-메틸-N,N-디메틸벤질아민 등의 아민 화합물; 아디프산 디히드라지드, 세박산 디히드라지드 등의 히드라진 화합물; 트리페닐포스핀 등의 인 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 시판되고 있는 것으로서는, 예를 들면 시코쿠 가세이 고교사 제조의 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4BHZ, 2P4MHZ(모두 이미다졸계 화합물의 상품명), 산아프로사 제조의 U-CAT3503N, UCAT3502T(모두 디메틸아민의 블록이소시아네이트 화합물의 상품명), DBU, DBN, U-CAT A102, U-CAT5002(모두 이환식 아미딘 화합물 및 그의 염) 등을 들 수 있다. 특히 이들에 한정되는 것이 아니고, 에폭시 수지나 옥세탄 화합물의 열경화 촉매, 또는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기와 카르복시기의 반응을 촉진하는 것일 수 있고, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한, 구아나민, 아세토구아나민, 벤조구아나민, 멜라민, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-S-트리아진, 2-비닐-4,6-디아미노-S-트리아진, 2-비닐-4,6-디아미노-S-트리아진-이소사아누르산 부가물, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-S-트리아진-이소사아누르산 부가물 등의 S-트리아진 유도체를 이용할 수도 있고, 바람직하게는 이들 밀착성 부여제로서도 기능하는 화합물을 상기 열경화성 촉매와 병용할 수 있다.The thermosetting catalyst serves to accelerate the thermosetting of the thermosetting binder. Examples of the thermosetting catalyst include imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4-phenylimidazole, Imidazole derivatives such as 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole and 1-(2-cyanoethyl)-2-ethyl-4-methylimidazole; Amines such as dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4-(dimethylamino)-N,N-dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N,N-dimethylbenzylamine, and 4-methyl-N,N-dimethylbenzylamine compound; Hydrazine compounds such as adipic acid dihydrazide and sebacic acid dihydrazide; And phosphorus compounds such as triphenylphosphine. In addition, as commercially available ones, for example, 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4BHZ, 2P4MHZ manufactured by Shikoku Kasei Kogyo (all are brand names of imidazole compounds), U-CAT3503N, UCAT3502T manufactured by San Apro (All are trade names of dimethylamine block isocyanate compounds), DBU, DBN, U-CAT A102, U-CAT5002 (all bicyclic amidine compounds and salts thereof), and the like. It is not particularly limited to these, and may be a thermosetting catalyst of an epoxy resin or an oxetane compound, or a reaction between an epoxy group and/or an oxetanyl group and a carboxyl group, and may be used alone or in combination of two or more . In addition, guanamine, acetoguanamine, benzoguanamine, melamine, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-tri Azine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-triazine-isosaanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine-isosaanuric acid S-triazine derivatives such as adducts can also be used, and preferably, compounds that also function as adhesion-imparting agents can be used in combination with the thermosetting catalyst.

상기 이형제의 예로는, 저분자량 폴리프로필렌, 저분자량 폴리에틸렌 등의 폴리알킬렌 왁스, 에스테르 왁스, 카르나우바(carnauba) 왁스, 파라핀 왁스 등을 들 수 있다.Examples of the releasing agent include polyalkylene waxes such as low molecular weight polypropylene and low molecular weight polyethylene, ester wax, carnauba wax, and paraffin wax.

상기 금속 밀착력 증진제는 금속소재의 표면 변질이나 투명성에 문제를 발생시키지 않는 물질, 예를 들어, 실란커플링제 또는 유기금속 커플링제 등을 사용할 수 있다.The metal adhesion promoter may be a material that does not cause a problem in the surface deterioration or transparency of the metal material, for example, a silane coupling agent or an organometallic coupling agent.

상기 레벨링제는 필름 코팅시 표면의 팝핑이나 크레이터를 제거하는 역할을 하며, 예를 들어 BYK-Chemie GmbH의 BYK-380N, BYK-307, BYK-378, BYK-350 등을 사용할 수 있다.The leveling agent serves to remove popping or craters on the surface during film coating, and for example, BYK-380N, BYK-307, BYK-378, BYK-350, etc. of BYK-Chemie GmbH may be used.

또한, 상기 고분자 수지층은 상분리를 유발할 수 있는 분자량 5000 g/mol이상인 수지 또는 엘라스토머를 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 고분자 수지층의 경화물의 조화처리가 가능할 수 있다. 상기 분자량 5000 g/mol 이상의 수지 또는 엘라스토머의 분자량 측정방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 의미한다. 상기 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 측정하는 과정에서는, 통상적으로 알려진 분석 장치와 시차 굴절 검출기(Refractive Index Detector) 등의 검출기 및 분석용 컬럼을 사용할 수 있으며, 통상적으로 적용되는 온도 조건, 용매, 흐름률(flow rate)를 적용할 수 있다. 상기 측정 조건의 구체적인 예로, 30의 온도, 클로로포름 용매(Chloroform) 및 1 mL/min의 흐름률를 들 수 있다.In addition, the polymer resin layer may further include a resin or elastomer having a molecular weight of 5000 g/mol or more capable of causing phase separation. Accordingly, a roughening treatment of the cured product of the polymer resin layer may be possible. An example of a method for measuring the molecular weight of the resin or elastomer having a molecular weight of 5000 g/mol or more is not limited, for example, it means a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by the GPC method. In the process of measuring the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by the GPC method, a commonly known analysis device, a detector such as a Refractive Index Detector, and a column for analysis may be used. Conditions, solvents, and flow rates can be applied. Specific examples of the measurement conditions include a temperature of 30, a chloroform solvent, and a flow rate of 1 mL/min.

또한, 상기 고분자 수지층은 상기 고분자 수지층에 광경화성 성질을 부여하기 위하여, 광반응성 불포화기를 포함하는 열경화성 바인더 또는 광반응성 불포화기를 포함하는 알카리 가용성 수지와 광개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 광반응성 불포화기를 포함하는 열경화성 바인더, 광반응성 불포화기를 포함하는 알카리 가용성 수지 및 광개시제의 구체적인 예는 크게 한정되지 않으며, 광경화성 수지 조성물 관련 기술분야에서 사용되는 다양한 화합물을 제한 없이 사용할 수 있다.In addition, the polymer resin layer may further include a thermosetting binder including a photoreactive unsaturated group or an alkali-soluble resin including a photoreactive unsaturated group and a photoinitiator in order to impart photocurable properties to the polymer resin layer. Specific examples of the thermosetting binder including the photoreactive unsaturated group, the alkali-soluble resin including the photoreactive unsaturated group, and the photoinitiator are not limited thereto, and various compounds used in the technical field related to the photocurable resin composition may be used without limitation.

상기 고분자 수지층에 함유된 광개시제의 함량이 전체 고분자 수지층 중량 대비 0.01 중량% 이하일 수 있다. 상기 고분자 수지층에 함유된 광개시제의 함량이 전체 고분자 수지층 중량 대비 0.01 중량% 이하라 함은, 상기 고분자 수지층에 함유된 광개시제의 함량이 매우 미미하거나, 광개시제가 전혀 포함되지 않음을 의미할 수 있다. 이에 따라, 광개시제에 의해 발생가능한 절연층이나 도전층과의 계면 탈착성이 감소할 수 있어, 절연층의 접착성 및 내구성이 향상될 수 있다.The content of the photoinitiator contained in the polymer resin layer may be 0.01% by weight or less based on the total weight of the polymer resin layer. When the content of the photoinitiator contained in the polymer resin layer is 0.01% by weight or less based on the total weight of the polymer resin layer, it may mean that the content of the photoinitiator contained in the polymer resin layer is very insignificant or no photoinitiator is included. . Accordingly, the interfacial desorption property with the insulating layer or the conductive layer that may be generated by the photoinitiator may be reduced, and thus the adhesion and durability of the insulating layer may be improved.

(2) 고분자 수지층 상에 패턴층을 형성하는 단계(2) forming a pattern layer on the polymer resin layer

본 발명의 일 구현예에 따르면, 기판 상에 형성된 고분자 수지층 상에 패턴층을 형성한다. According to one embodiment of the present invention, a pattern layer is formed on the polymer resin layer formed on the substrate.

“패턴층”이란, 고분자 수지층 상에 위치하고, 고분자 수지층 중 일부 영역은 그대로 노출시키고 일부 영역은 노출되지 않게 함으로써, 노출된 영역의 현상으로 고분자 수지층 상에 패턴을 형성시킬 수 있는 것을 의미한다. 즉, 패턴층은 고분자 수지층 중 일부 영역은 현상될 수 있도록 노출시키고, 일부 영역은 현상으로부터 보호하여 패턴층의 패턴을 고분자 수지층에 그대로 전사할 수 있는 레지스트 마스크의 기능을 한다. The term “pattern layer” means that a pattern can be formed on the polymer resin layer by developing the exposed area by exposing some areas of the polymer resin layer as they are and not exposing some areas of the polymer resin layer. do. That is, the pattern layer functions as a resist mask capable of transferring a pattern of the pattern layer onto the polymer resin layer by exposing some areas of the polymer resin layer to be developed and protecting some areas from development.

상기 패턴층을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 일 예로 감광성 수지층을 이용하여 패턴층을 형성할 수 있다. The method of forming the pattern layer is not particularly limited, and as an example, the pattern layer may be formed using a photosensitive resin layer.

상기 고분자 수지층 상에 패턴층을 형성하는 단계는, 상기 고분자 수지층 상에 감광성 수지층을 형성하는 단계; 및 상기 감광성 수지층을 노광하고, 노광하지 않은 영역의 감광성 수지층을 알칼리 현상하여 패턴층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. The forming of the pattern layer on the polymer resin layer may include forming a photosensitive resin layer on the polymer resin layer; And forming a pattern layer by exposing the photosensitive resin layer to light and alkali developing the photosensitive resin layer in an unexposed region.

상기 감광성 수지층을 고분자 수지층 상에 형성하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 감광성 드라이 필름 레지스트와 같은 필름형태의 감광성 수지를 고분자 수지층 상에 적층시키는 방법 또는 스프레이나 딥핑 방법으로 감광성 수지 조성물을 고분자 수지층 상에 코팅하고, 압착하는 방법 등을 사용할 수 있다.An example of a method of forming the photosensitive resin layer on the polymer resin layer is not limited, for example, a method of laminating a photosensitive resin in the form of a film such as a photosensitive dry film resist on the polymer resin layer, or a spray or dipping method As a result, a photosensitive resin composition may be coated on the polymer resin layer and then pressed.

상기 감광성 수지층은 빛의 작용에 의해 분자구조에 변화가 일어나고 물성 변화가 발생하는 고분자를 포함하며, 감광성 드라이필름 레지스트(DFR) 또는 액상 레지스트 등이 사용될 수 있다. 상기 감광성 수지층은 감광성 및 알카리 가용성을 나타낼 수 있다. 이에 따라, 상기 감광성 수지층에 빛을 조사하는 노광공정에 의해 분자구조의 변형이 진행될 수 있으며, 알카리성의 현상액을 접촉시키는 현상공정에 의해 수지층의 식각 또는 제거가 가능할 수 있다.The photosensitive resin layer includes a polymer in which a molecular structure is changed and physical properties are changed by an action of light, and a photosensitive dry film resist (DFR) or a liquid resist may be used. The photosensitive resin layer may exhibit photosensitivity and alkali solubility. Accordingly, the molecular structure may be modified by an exposure process of irradiating light onto the photosensitive resin layer, and the resin layer may be etched or removed by a developing process of contacting an alkaline developer.

따라서, 상기 감광성 수지층에 대하여 선택적으로 일부분을 노광시킨 다음, 알카리 현상하게 되면, 노광된 부분은 현상되지 않고, 노광되지 않은 부분만 선택적으로 식각, 제거될 수 있다. 이와 같이, 노광에 의해 알카리 현상되지 않고 그대로 남아있는 감광성 수지층의 일부분이 상기 패턴층일 수 있다.Accordingly, when a portion of the photosensitive resin layer is selectively exposed and then alkali developed, the exposed portion is not developed, and only the unexposed portion may be selectively etched and removed. In this way, a part of the photosensitive resin layer that is not alkali developed by exposure and remains as it may be the pattern layer.

즉, 상기 감광성 수지층을 노광하는 방법의 예를 들면, 상기 감광성 수지층상에 소정의 패턴의 형성된 포토 마스크를 접촉하고 자외선을 조사하거나, 마스크에 포함된 소정의 패턴을 프로젝션 대물렌즈를 통해 이미징한 다음 자외선을 조사하거나, 레이저 다이오드(Laser Diode)를 광원으로 사용하여 직접 이미징한 다음 자외선을 조사하는 등의 방식 등을 통해 감광성 수지층을 선택적으로 노광할 수 있다. 이 때, 자외선은 5mJ/㎠ 내지 600mJ/㎠의 광량 조건으로 조사되는 것일 수 있다.That is, as an example of a method of exposing the photosensitive resin layer, a photomask having a predetermined pattern formed on the photosensitive resin layer is contacted and irradiated with ultraviolet rays, or a predetermined pattern included in the mask is imaged through a projection objective lens. Then, the photosensitive resin layer may be selectively exposed through a method such as irradiating ultraviolet rays or performing direct imaging using a laser diode as a light source and then irradiating ultraviolet rays. In this case, the ultraviolet rays may be irradiated under a light quantity condition of 5mJ/cm2 to 600mJ/cm2.

또한, 상기 감광성 수지층에 대한 노광 이후 알카리 현상하는 방법의 예로는 알카리 현상액을 처리하는 방법을 들 수 있다. 상기 알카리 현상액의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 암모니아, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 아민류 등의 알카리 수용액의 농도와 온도를 조절하여 사용할 수 있으며, 상품으로 판매하는 알카리 현상액도 사용 가능하다. 상기 알카리 현상액의 구체적인 사용량은 크게 제한되지 않으나, 상기 패턴층을 손상하지 않는 농도와 온도로 조절이 필요하며, 예를 들어, 25 내지 35 의 탄산나트륨 0.5 내지 3% 수용액을 사용할 수 있다. In addition, an example of a method of developing alkali after exposure to the photosensitive resin layer includes a method of treating an alkali developer. Examples of the alkali developer are not largely limited, but, for example, the concentration and temperature of an aqueous alkali solution such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, ammonia, tetramethylammonium hydroxide, amines, etc. It can be used by adjusting and an alkali developer sold as a product can also be used. A specific amount of the alkali developer is not limited, but it needs to be adjusted to a concentration and temperature that does not damage the pattern layer. For example, an aqueous solution of 0.5 to 3% sodium carbonate of 25 to 35 may be used.

상기 고분자 수지층 상에 형성된 패턴층의 두께는 1 ㎛ 내지 500 ㎛, 또는 3 ㎛ 내지 500 ㎛, 또는 3 ㎛ 내지 200 ㎛, 또는 1 ㎛ 내지 60 ㎛, 또는 5 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있다. 상기 패턴층의 두께가 지나치게 증가할 경우, 상기 고분자 수지층의 해상도가 감소할 수 있다.The thickness of the pattern layer formed on the polymer resin layer may be 1 µm to 500 µm, or 3 µm to 500 µm, or 3 µm to 200 µm, or 1 µm to 60 µm, or 5 µm to 30 µm. When the thickness of the pattern layer is excessively increased, the resolution of the polymer resin layer may decrease.

(3) 고분자 수지층을 현상하고 경화시키는 단계(3) developing and curing the polymer resin layer

본 발명의 일 구현예에 따르면, 패턴층이 형성된 고분자 수지층을 현상하고 경화시킨다. 구체적으로, 패턴층에 의해 일부 영역이 노출된 고분자 수지층에 대하여 현상하여 고분자 수지층 상에 패턴을 형성한 후에, 고분자 수지층을 열경화 또는 광경화시킨다. According to an embodiment of the present invention, the polymer resin layer on which the pattern layer is formed is developed and cured. Specifically, after developing the polymer resin layer in which a partial region is exposed by the pattern layer to form a pattern on the polymer resin layer, the polymer resin layer is thermally cured or photocured.

즉, 상기 패턴층에 의해 노출된 고분자 수지층을 현상하는 단계에서, 상기 패턴층은 현상액에 의해 제거되지 않는 특성상, 그대로 남아 레지스트 마스크로 사용되며, 패턴층의 개구부를 통해 알카리 현상액이 감광성 수지층 하부에 위치한 고분자 수지층에 접촉할 수 있다. 이 때, 상기 고분자 수지층은 알카리 가용성 수지를 포함함에 따라, 알카리 현상액에 의해 용해되는 알카리 가용성을 가지고 있으므로, 상기 고분자 수지층에서 현상액이 접촉한 부위는 용해되어 제거될 수 있다.That is, in the step of developing the polymer resin layer exposed by the pattern layer, the pattern layer remains as it is used as a resist mask due to the characteristic that it is not removed by a developer, and an alkali developer is used as a photosensitive resin layer through the opening of the pattern layer. It can contact the polymer resin layer located at the bottom. In this case, since the polymer resin layer contains an alkali-soluble resin, it has alkali solubility that is dissolved by an alkali developer, and thus a portion of the polymer resin layer in contact with the developer may be dissolved and removed.

따라서, 상기 패턴층 의해 노출된 고분자 수지층이란, 표면이 패턴층과 접촉하지 않는 고분자 수지층 부분을 의미하며, 상기 패턴층에 의해 노출된 고분자 수지층을 알카리 현상하는 단계는 알카리 현상액이 패턴층을 통과하여 하부의 고분자 수지층과 접촉하는 단계를 포함할 수 있다.Accordingly, the polymer resin layer exposed by the pattern layer refers to a portion of the polymer resin layer whose surface does not contact the pattern layer, and the step of alkali developing the polymer resin layer exposed by the pattern layer includes an alkali developer. It may include the step of passing through and contacting the lower polymer resin layer.

상기 현상하는 단계에 의해, 고분자 수지층에는 패턴층의 패턴과 동일한 형태로 고분자 수지층이 패터닝될 수 있다.By the developing step, the polymer resin layer may be patterned in the same form as the pattern of the pattern layer on the polymer resin layer.

상기와 같이 고분자 수지층을 현상한 후에, 경화시킬 수 있고, 구체적으로는 열경화 또는 광경화 시킬 수 있다. 상기 고분자 수지층을 경화하는 단계를 포함함에 따라 이후의 패턴층 제거시 고분자 수지층의 손상을 최소화할 수 있다.After developing the polymer resin layer as described above, it may be cured, specifically, thermal curing or photocuring. By including the step of curing the polymer resin layer, it is possible to minimize damage to the polymer resin layer during subsequent removal of the pattern layer.

상기 고분자 수지층의 경화단계를 통해, 상기 고분자 수지 블록 내에서 에스터 결합을 포함하는 주쇄가 형성될 수 있다. 상기 에스터 결합의 예를 들면, 아크릴산이 에스터 결합되어 있는 아크릴 수지를 통해 광경화하거나, 카복시산과 에폭시의 반응으로 에스터 결합이 형성되도록 열경화하는 방법을 들 수 있다.Through the curing step of the polymer resin layer, a main chain including an ester bond may be formed in the polymer resin block. Examples of the ester bond include a method of photocuring through an acrylic resin in which acrylic acid is ester bonded, or thermosetting so that an ester bond is formed by a reaction of a carboxylic acid and an epoxy.

이때 구체적인 열경화 조건이 한정되는 것은 아니며, 패턴층의 제거 방법에 따라 바람직한 조건을 조절하여 진행할 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트 박리액을 처리하여 패턴층을 제거하는 경우, 상기 고분자 수지층을 열경화하는 단계는 60 내지 150 ℃의 온도에서 5 분 내지 2시간 동안 진행할 수 있다. 상기 고분자 수지층의 열경화 온도가 지나치게 낮거나, 열경화 시간이 짧게 되면 박리액에 의해 고분자 수지층이 손상될 수 있고, 상기 고분자 수지층의 열경화 온도가 높거나, 열경화 시간이 길어지게 되면 박리액에 의한 패턴층의 제거가 어려울 수 있고, 고분자 수지층에서 과도한 휨 현상이 발생할 수 있다.At this time, the specific thermal curing conditions are not limited, and preferable conditions may be adjusted according to the method of removing the pattern layer. For example, when removing the pattern layer by treating the photoresist stripper, the step of thermally curing the polymer resin layer may be performed at a temperature of 60 to 150° C. for 5 minutes to 2 hours. If the heat curing temperature of the polymer resin layer is too low or the heat curing time is short, the polymer resin layer may be damaged by the stripper, and the heat curing temperature of the polymer resin layer is high, or the heat curing time is prolonged. If so, it may be difficult to remove the pattern layer by the stripper, and excessive warpage may occur in the polymer resin layer.

또 다른 예로, 디스미어(desmear)공정을 통하여 패턴층을 제거하는 경우, 상기 고분자 수지층을 열경화하는 단계는 150 내지 230 ℃의 온도에서 1시간 내지 4시간 동안 진행할 수 있다.As another example, when the pattern layer is removed through a desmear process, the step of thermally curing the polymer resin layer may be performed at a temperature of 150 to 230° C. for 1 to 4 hours.

(4) 패턴층을 제거하는 단계(4) Step of removing the pattern layer

본 발명의 일 구현예에 따르면, 경화된 고분자 수지층으로부터 패턴층을 제거하여 패터닝된 고분자 수지층을 형성한다. According to one embodiment of the present invention, a patterned polymer resin layer is formed by removing the pattern layer from the cured polymer resin layer.

상기 패턴층 제거시, 하부의 고분자 수지층은 되도록 제거하지 않으면서, 패턴층만을 제거할 수 있는 방법을 사용하는 것이 바람직하다. When removing the pattern layer, it is preferable to use a method capable of removing only the pattern layer while not removing the lower polymer resin layer as much as possible.

상기 패턴층의 제거는 포토레지스트 박리액 처리, 디스미어 공정 및 플라즈마 에칭 중 어느 하나의 방법으로 수행되는 것일 수 있고, 상기의 방법을 혼용할 수도 있다. The removal of the pattern layer may be performed by any one of a photoresist stripper treatment, a desmear process, and a plasma etching method, or the above methods may be used in combination.

포토레지스트 박리액을 이용한 처리 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 수산화칼륨, 수산화나트륨 등의 알카리 수용액의 농도와 온도를 조절하여 사용할 수 있으며, Atotech사의 Resistrip 제품군, 오알켐사의 ORC-731, ORC-723K, ORC-740, SLF-6000 등 상용으로 판매하는 제품도 사용이 가능하다. 상기 포토레지스트 박리액의 구체적인 사용량은 크게 제한되지 않으나, 하부의 고분자 수지층 패턴을 손상하지 않는 농도와 온도로 조절이 필요하며, 예를 들어, 25 내지 60 의 수산화나트륨 1 내지 5% 수용액을 사용할 수 있다.Although the example of the treatment method using the photoresist stripper is not limited, for example, it can be used by controlling the concentration and temperature of an alkaline aqueous solution such as potassium hydroxide and sodium hydroxide, and Atotech's Resistrip product line, Oalchem's ORC-731 , ORC-723K, ORC-740, SLF-6000, and other commercially available products can also be used. The specific amount of the photoresist stripper is not limited, but it needs to be adjusted to a concentration and temperature that does not damage the lower polymer resin layer pattern.For example, 1 to 5% sodium hydroxide aqueous solution of 25 to 60 is used. I can.

디스미어 공정을 이용한 박리방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, Atotech사의 디스미어 공정 약품으로 Securiganth E, Securiganth HP, Securiganth BLG, Securiganth MV SWELLER, Securiganth SAP SWELLER 등의 스웰러 약품, Securiganth P 500, Securiganth MV ETCH P, Securiganth SAP ETCH P등의 과망간산 약품, Securiganth E Reduction Cleaner, Securiganth HP Reduction Cleaner, Securiganth BLG Reduction Cleaner, Securiganth MV Reduction Cleaner, Securiganth SAP Reduction Cleaner 등의 환원제 약품이나, 오알켐사의 디스미어 공정 약품으로 ORC-310A, ORC-315A, ORC-315H, ORC-312 등의 스웰러 약품, ORC-340B 등의 과망간산 약품, ORC-370, ORC-372 등의 환원제 약품 같은 상용 판매 제품을 각 공정조건에 맞게 사용할 수 있다.An example of a peeling method using the desmear process is not limited, for example, Securiganth E, Securiganth HP, Securiganth BLG, Securiganth MV SWELLER, Securiganth SAP SWELLER, Securiganth P Permanganate chemicals such as 500, Securiganth MV ETCH P, Securiganth SAP ETCH P, Securiganth E Reduction Cleaner, Securiganth HP Reduction Cleaner, Securiganth BLG Reduction Cleaner, Securiganth MV Reduction Cleaner, Securiganth SAP Reduction Cleaner, etc. As process chemicals, commercially available products such as sweller drugs such as ORC-310A, ORC-315A, ORC-315H, ORC-312, permanganate drugs such as ORC-340B, and reducing agent drugs such as ORC-370 and ORC-372 are used for each process. It can be used according to the conditions.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면 상기 패턴층을 제거하는 단계 이후에 패터닝된 고분자 수지층을 경화시키는 단계를 더 포함할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, after the step of removing the pattern layer, the step of curing the patterned polymer resin layer may be further included.

앞서 고분자 수지층의 경화가 1차 경화라면, 상기와 같이 패턴층의 제거 단계 이후의 패터닝된 고분자 수지층에 대해 2차 경화를 진행할 수 있다. 이를 통해, 최종 제조되는 절연층의 화학적 내저항성이 향상될 수 있다. If the curing of the polymer resin layer is the first curing, as described above, secondary curing may be performed on the patterned polymer resin layer after the removing step of the pattern layer as described above. Through this, the chemical resistance of the finally manufactured insulating layer may be improved.

구체적인 경화방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 열경화 또는 광경화 방법을 모두 제한없이 사용할 수 있고, 150 ℃ 내지 250 ℃ 온도에서 0.1 시간 내지 10시간 동안 경화되는 것일 수 있다. Specific examples of the curing method are not largely limited, and both thermal curing or photocuring methods may be used without limitation, and may be cured at a temperature of 150° C. to 250° C. for 0.1 to 10 hours.

(5) 조화 처리하는 단계(5) Harmonization processing step

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 패터닝된 고분자 수지층 표면을 알칼리성 용액으로 조화 처리한다. According to one embodiment of the present invention, the patterned surface of the polymer resin layer is roughened with an alkaline solution.

종래에는 디스미어 처리, 진공 플라즈마 처리 등으로 조화처리하여 표면 조도를 형성하였으나, 최근 기판의 경박단소화로 무기 필러인 구형 실리카의 상대적 비중이 높아지면서 조화 처리를 수행하더라도 조도가 형성되지 아니하고, 조도가 형성되더라도 균일하지 못하여 이후에 금속 패턴층 등과 밀착력이 현저히 감소하였다.Conventionally, surface roughness was formed by roughening treatment by desmear treatment, vacuum plasma treatment, etc., but the relative specific gravity of spherical silica, which is an inorganic filler, is increased due to the recent light and thinner reduction of the substrate, so even if the roughening treatment is performed, the roughness is not formed. Even if is formed, it was not uniform, and the adhesion to the metal pattern layer and the like was remarkably reduced afterwards.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 알칼리성 용액으로 조화 처리하는 경우, 이형성 코팅된 무기 필러는 패터닝된 고분자 수지층 상부 표면으로부터 탈착될 수 있다. 이에 따라 패터닝된 고분자 수지층 표면에 요철이 형성될 수 있으며, 고분자 수지층의 표면 조도의 깊이는 상기 이형성 코팅된 무기 필러의 직경에 비례하기 때문에 균일한 조도를 얻을 수 있다. According to one embodiment of the present invention, in the case of roughening treatment with the alkaline solution, the releasable coated inorganic filler may be detached from the upper surface of the patterned polymer resin layer. Accordingly, irregularities may be formed on the surface of the patterned polymer resin layer, and since the depth of the surface roughness of the polymer resin layer is proportional to the diameter of the releasable coated inorganic filler, uniform roughness can be obtained.

상기 이형성 코팅된 무기 필러는, 무기 필러 표면에 이형성 코팅이 형성되어 있는 것이므로 알칼리성 용액으로 처리됨에 따라 패터닝된 고분자 수지층으로부터 쉽게 제거될 수 있다. Since the releasable coating is formed on the surface of the inorganic filler, the releasable-coated inorganic filler can be easily removed from the patterned polymer resin layer by being treated with an alkaline solution.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 알칼리성 용액은 pH 9 내지 pH 13 또는 pH 10 내지 pH 13 일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the alkaline solution may have a pH of 9 to pH 13 or a pH of 10 to pH 13.

상기 알칼리성 용액은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 암모니아, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 아민류 등의 수용액의 농도와 온도를 조절하여 사용할 수 있으며 상용으로 판매하는 DFR 박리 용액을 적용할 수 있다. 상용제품으로는 오알캠의 ORC-730, ORC-725, SLF-6000, SLF-7000, YMT의 DR-56, DR-78, DR-79, DR-11, DR-10, DR-50, QDR-20, DR-12, 화백엔지니어링의 ST-201 등을 사용할 수 있으며, 상기 열거한 제품에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 알칼리성 용액은 3% 내지 5%의 수산화나트륨 수용액일 수 있다. The alkaline solution can be used by adjusting the concentration and temperature of aqueous solutions such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, ammonia, tetramethylammonium hydroxide, and amines. Solutions can be applied. Commercial products include ORC-730, ORC-725, SLF-6000, SLF-7000 from ORcam, DR-56, DR-78, DR-79, DR-11, DR-10, DR-50, QDR from YMT. -20, DR-12, Hwabaek Engineering's ST-201, etc. can be used, but are not limited to the products listed above. For example, the alkaline solution may be a 3% to 5% sodium hydroxide aqueous solution.

상기 패터닝된 고분자 수지층 표면에 알칼리성 용액으로 조화 처리하여 균일한 조도를 형성하는 경우, 이후에 다층인쇄회로기판 등에 응용됨에 있어 금속층과의 밀착력이 향상될 수 있다. When uniform roughness is formed on the surface of the patterned polymer resin layer by roughening treatment with an alkaline solution, adhesion with the metal layer may be improved when it is subsequently applied to a multilayer printed circuit board or the like.

절연층Insulating layer

본 발명의 다른 구현예에 따른 절연층은, 기판 상에 위치하고, 본 발명의 일 구현예에 따른 방법으로 제조될 수 있다. The insulating layer according to another embodiment of the present invention is positioned on a substrate and may be manufactured by a method according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 구현예에 따른 절연층은 알칼리성 용액으로 조화 처리하여, 이형성 코팅된 무기 필러를 표면에서 탈착함으로써 균일한 조도가 형성된 것으로, 이후에 다층인쇄회로기판 등에 응용됨에 있어 금속층과의 밀착력이 우수할 수 있다. The insulating layer according to an embodiment of the present invention is roughened with an alkaline solution to form a uniform roughness by desorption of the releasable coated inorganic filler from the surface, and since it is applied to a multilayer printed circuit board, adhesion to the metal layer is improved. It can be excellent.

상기 절연층은 다층인쇄회로기판 등의 층간 절연재료로 사용될 수 있으며, 알카리 가용성 수지, 열경화성 바인더 및 이형 처리된 무기 필러를 포함하는 고분자 수지 조성물의 경화물을 포함할 수 있고, 상기 알카리 가용성 수지, 열경화성 바인더 및 이형 처리된 무기 필러에 대한 내용은 전술한 바와 같다. The insulating layer may be used as an interlayer insulating material such as a multilayer printed circuit board, and may include a cured product of a polymer resin composition including an alkali-soluble resin, a thermosetting binder, and a release-treated inorganic filler, and the alkali-soluble resin, Details of the thermosetting binder and the release-treated inorganic filler are as described above.

다층 인쇄 회로기판 제조 방법Multilayer printed circuit board manufacturing method

본 발명의 또 다른 구현예에 따른 다층 인쇄 회로기판 제조 방법은 본 발명의 일 구현예에 따른 방법에 의해 제조된 절연층 상에 금속 패턴층을 형성하는 단계;를 포함한다. A method of manufacturing a multilayer printed circuit board according to another embodiment of the present invention includes forming a metal pattern layer on the insulating layer manufactured by the method according to an embodiment of the present invention.

“금속 패턴층”이란, 패터닝된 금속층을 의미할 수 있다. 상기 금속 패턴층을 형성하는 단계는, 상기 절연층 상에 금속박막을 형성하는 단계; 상기 금속박막 상에 패턴층을 형성하는 단계; 상기 패턴층에 의해 노출된 금속박막 상에 금속을 증착시키는 단계; 및 상기 패턴층을 제거하고, 상기 패턴층 제거에 의해 노출된 금속박막을 제거하는 단계;를 포함할 수 있다.The “metal pattern layer” may mean a patterned metal layer. The forming of the metal pattern layer may include forming a metal thin film on the insulating layer; Forming a pattern layer on the metal thin film; Depositing a metal on the metal thin film exposed by the pattern layer; And removing the pattern layer and removing the metal thin film exposed by removing the pattern layer.

본 발명의 일 구현예에 따른 방법으로 제조된 절연층이 일정한 개구 패턴을 포함함에 따라, 상기 절연층 상에 금속 패턴층을 새로 적층하는 과정에서, 상기 개구 패턴 내부가 금속으로 채워짐에 따라, 절연층을 기준으로 상부와 하부에 위치한 금속 기판이 서로 연결되어 다층인쇄회로기판을 제조할 수 있다는 것을 확인하고 발명을 완성하였다.As the insulating layer manufactured by the method according to the embodiment of the present invention includes a certain opening pattern, in the process of newly laminating a metal pattern layer on the insulating layer, the inside of the opening pattern is filled with metal, so that insulation Based on the layer, it was confirmed that metal substrates located at the upper and lower portions were connected to each other to manufacture a multilayer printed circuit board, and the invention was completed.

상기 금속박막을 형성하는 단계 전에 상기 절연층 상에 표면처리층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이를 통해, 상기 금속 패턴층과 절연층간의 접착력이 더욱 향상될 수 있다.It may further include forming a surface treatment layer on the insulating layer before the step of forming the metal thin film. Through this, adhesion between the metal pattern layer and the insulating layer may be further improved.

구체적으로 상기 절연층 상에 표면처리층을 형성하는 방법의 일례를 들면, 이온보조 반응법, 이온빔 처리법, 플라즈마 처리법 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다. 플라즈마 처리법은 상압 플라즈마 처리법, DC 플라즈마 처리법, RF 플라즈마 처리법 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 표면 처리 공정의 결과, 상기 절연층의 표면에 반응성 작용기를 포함하는 표면 처리 층이 형성될 수 있다. 상기 절연층 상에 표면처리층을 형성하는 방법의 또다른 예로는, 상기 절연층 표면에 50㎚ 내지 300㎚ 두께의 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 금속을 증착하는 방법을 들 수 있다.Specifically, as an example of a method of forming a surface treatment layer on the insulating layer, at least one of an ion assist reaction method, an ion beam treatment method, and a plasma treatment method may be used. The plasma treatment method may include any one of an atmospheric pressure plasma treatment method, a DC plasma treatment method, and an RF plasma treatment method. As a result of the surface treatment process, a surface treatment layer including a reactive functional group may be formed on the surface of the insulating layer. Another example of a method of forming a surface treatment layer on the insulating layer may be a method of depositing a chromium (Cr) or titanium (Ti) metal having a thickness of 50 nm to 300 nm on the surface of the insulating layer.

상기 절연층 상에 금속박막을 형성하는 단계에서, 금속 박막의 형성방법의 예로는 건식증착공정 또는 습식증착공정을 들 수 있으며, 구체적인 상기 건식증착공정의 예로는 진공증착, 이온 플레이팅, 스퍼터링 방법 등을 들 수 있다.In the step of forming the metal thin film on the insulating layer, examples of the method of forming the metal thin film include a dry deposition process or a wet deposition process, and examples of the dry deposition process include vacuum deposition, ion plating, and sputtering. And the like.

한편, 구체적인 상기 습식증착공정의 예로는, 다양한 금속의 무전해 도금 등이 있으며, 무전해 구리 도금이 일반적이다. On the other hand, specific examples of the wet deposition process include electroless plating of various metals, and electroless copper plating is common.

상기 금속박막 상에 패턴층을 형성하는 단계에 있어, 패턴층의 형성에 대한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 포함할 수 있다. In the step of forming the pattern layer on the metal thin film, the information on the formation of the pattern layer may include the details described above in the exemplary embodiment.

상기 패턴층에 의해 노출된 금속박막 상에 금속을 증착시키는 단계에서, 상기 패턴층에 의해 노출된 금속박막이란, 표면에서 패턴층과 접촉하지 않고 있는 금속박막 부분을 의미한다. 상기 증착되는 금속은 구리를 사용할 수 있고, 상기 증착 방법의 예는 크게 한정되지 않으며, 공지된 다양한 물리적 또는 화학적 증착방법을 제한없이 사용할 수 있으며, 범용되는 일례로는 전해 구리 도금 방법을 사용할 수 있다.In the step of depositing a metal on the metal thin film exposed by the pattern layer, the metal thin film exposed by the pattern layer refers to a portion of the metal thin film on the surface that is not in contact with the pattern layer. Copper may be used as the deposited metal, and examples of the deposition method are not largely limited, and various known physical or chemical vapor deposition methods may be used without limitation, and an electrolytic copper plating method may be used as a general-purpose example. .

상기 패턴층을 제거하고, 상기 패턴층 제거에 의해 노출된 금속 박막을 제거하는 단계에서, 상기 패턴층 제거에 의해 노출된 금속 박막이란 표면에서 패턴층과 접촉하고 있던 금속박막 부분을 의미한다. 상기 패턴층 제거에 대한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 포함할 수 있다. In the step of removing the pattern layer and removing the metal thin film exposed by removing the pattern layer, the metal thin film exposed by removing the pattern layer refers to a portion of the metal thin film that has been in contact with the pattern layer on the surface. The content of the pattern layer removal may include the content described above in the embodiment.

상기 다층인쇄회로기판 제조방법에 의해 제조된 다층인쇄회로기판은 다시 빌드업 재료로서 사용될 수 있으며, 예를 들어, 상기 다층인쇄회로기판 상에 상기 일 구현예의 절연층 제조방법에 따라 절연층을 형성하는 제1공정과, 상기 절연층 상에 상기 다른 구현예의 다층인쇄회로기판 제조방법에 따라 금속 기판을 형성하는 제2공정을 반복하여 진행할 수 있다.The multilayer printed circuit board manufactured by the multilayer printed circuit board manufacturing method may be used again as a build-up material, and for example, an insulating layer is formed on the multilayer printed circuit board according to the insulating layer manufacturing method of the embodiment. A first process of forming a metal substrate on the insulating layer and a second process of forming a metal substrate on the insulating layer according to the method of manufacturing a multilayer printed circuit board according to the other embodiment may be repeated.

이에 따라, 상기 다층인쇄회로기판 제조방법에 의해 제조되는 다층인쇄회로기판에 포함된 적층된 층 수 또한 크게 한정되지 않으며, 사용 목적, 용도에 따라 예를 들어 1층 이상, 또는 1층 내지 20층을 가질 수 있다.Accordingly, the number of laminated layers included in the multilayer printed circuit board manufactured by the multilayer printed circuit board manufacturing method is not limited also, and depending on the purpose and purpose of use, for example, one or more layers, or 1 to 20 layers Can have.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 구현예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 구현예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 구현예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 구현예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, in order to describe the present invention in detail, it will be described in detail with reference to embodiments. However, embodiments according to the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention is not construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present specification are provided to more completely describe the present invention to those of ordinary skill in the art.

제조예 1_알칼리 가용성 수지 제조Preparation Example 1_ Preparation of alkali-soluble resin

제조 온도계, 교반 장치, 환류냉각관, 수분정량기가 장착된 가열 및 냉각 가능한 용적 2리터의 반응 용기에 용매로 디메틸아세트아마이드(Dimethylacetamide, DMAc) 543g을 넣고, Cray Valley사의 SMA1000 350g, 4-아미노벤조익산(4-aminobenzoic acid, PABA) 144g, 4-아미노페놀(4-aminophenol, PAP) 49g을 투입 후 혼합하였다. 질소 분위기하에서 반응기의 온도를 80 ℃로 하고, 24시간 지속하여 산무수물과 아닐린 유도체가 반응하여 아믹산을 형성하도록 한 후, 반응기의 온도를 150 ℃로 하고 24시간 지속하여 이미드화 반응을 진행하여, 고형분 50%의 알카리 가용성 수지 용액을 제조하였다.543 g of dimethylacetamide (DMAc) as a solvent was added to a reaction vessel with a volume of 2 liters capable of heating and cooling equipped with a thermometer, agitating device, a reflux cooling tube, and a moisture meter, and 350 g of SMA1000 from Cray Valley, 4-aminobenzo. Ik acid (4-aminobenzoic acid, PABA) 144g, 4-aminophenol (4-aminophenol, PAP) 49g was added and mixed. In a nitrogen atmosphere, the temperature of the reactor was set to 80° C., and the acid anhydride and the aniline derivative reacted to form amic acid for 24 hours. Then, the temperature of the reactor was set to 150° C. and the imidation reaction was continued for 24 hours. , To prepare an alkali-soluble resin solution of 50% solid content.

제조예 2_표면 처리된 무기 필러 제조Preparation Example 2 Manufacture of surface-treated inorganic filler

실리카 무기 필러로 Denka 社의 표면처리가 되지 않은 SFP-120MC 실리카 70 g 및 용제로 메틸에틸케톤 40 g 및 KBM-403(3-글리시독시프로필 트리메톡시실란, >99%) 0.7 g을 2시간 동안 교반하여 혼합하고 실리카 무기 필러 표면을 실란 개질하였다. 70 g of SFP-120MC silica without Denka's surface treatment as an inorganic silica filler, 40 g of methyl ethyl ketone and 0.7 g of KBM-403 (3-glycidoxypropyl trimethoxysilane, >99%) as a solvent. The mixture was stirred for a period of time, and the surface of the inorganic silica filler was silane-modified.

상기 실란 개질된 실리카 무기 필러에 산화제로 트리플루오로아세트산 무수물 0.3 g을 첨가하고 페이스트 믹서로 30분간 교반하여 혼합하고 표면 처리된 실리카 무기 필러를 제조하였다. To the silane-modified inorganic silica filler, 0.3 g of trifluoroacetic anhydride was added as an oxidizing agent, stirred for 30 minutes with a paste mixer, and mixed to prepare a surface-treated silica inorganic filler.

실시예 1Example 1

기판으로 5 cm * 5 cm 규격의 구리 기판을 준비하였다. 알칼리 가용성 수지로 제조예 1의 알카리 가용성 수지 100 중량부, 열경화성 바인더로 MY-510(Huntsman 제조) 30 중량부, 제조예 2의 표면 처리된 실리카 무기 필러 200 중량부 및 용제로 DMAC 20 중량부를 포함하는 혼합물을 제조하였다. 상기 혼합물을 PET 필름 상에 도포하고 건조시켜 15 μm 두께의 고분자 수지층을 제조하였다. A copper substrate of 5 cm * 5 cm standard was prepared as a substrate. 100 parts by weight of the alkali-soluble resin of Preparation Example 1 as an alkali-soluble resin, 30 parts by weight of MY-510 (manufactured by Huntsman) as a thermosetting binder, 200 parts by weight of the surface-treated silica inorganic filler of Preparation Example 2, and DMAC 20 as a solvent A mixture containing parts by weight was prepared. The mixture was applied on a PET film and dried to prepare a 15 μm thick polymer resin layer.

제조한 고분자 수지층을 구리회선이 동박적층판 상에 형성된 회로기판 상에 상기 고분자 수지층을 85 ℃에서 진공 라미네이트하고, 상기 PET 필름을 제거하였다. 상기 고분자 수지층 상에 15 ㎛ 두께의 감광성 드라이필름 레지스트 KL1015(코오롱인더스트리 제조)를 110 ℃에서 라미네이트하였다.The polymer resin layer was vacuum-laminated at 85° C. on a circuit board in which a copper line was formed on a copper clad laminate, and the PET film was removed. A 15 μm-thick photosensitive dry film resist KL1015 (manufactured by Kolon Industries) was laminated at 110°C on the polymer resin layer.

상기 감광성 드라이필름 레지스트 상에 직경이 30㎛인 원형의 네가티브형 포토마스크를 접촉시키고, 자외선을 조사(25mJ/㎠의 광량)한 다음, 30 ℃ 1% 탄산나트륨 현상액을 통해 상기 드라이필름 레지스트와 고분자 수지층을 차례로 현상하였다. 이 때, 상기 패턴이 형성된 감광성 드라이필름 레지스트가 상기 고분자 수지층의 보호층으로 작용하여, 고분자 수지층에도 감광성 드라이필름 레지스트와 동일한 패턴이 형성되었다. 이후, 115 ℃의 온도에서 1시간 동안 열경화시킨 다음, 50 ℃ 온도의 3% 수산화 나트륨 레지스트 박리액을 사용하여 잔사와 감광성 드라이필름 레지스트을 제거 및 조화 처리하는 과정을 완료하였다. 최종으로, 200 ℃의 온도에서 1시간 동안 열경화시킨 후, 절연층을 제조하였다. A circular negative photomask having a diameter of 30 µm is contacted on the photosensitive dry film resist, irradiated with ultraviolet rays (amount of light of 25 mJ/cm 2 ), and then the dry film resist and the polymer are numbered through a 1% sodium carbonate developer at 30°C. The strata were developed one after the other. At this time, the photosensitive dry film resist on which the pattern was formed acts as a protective layer of the polymer resin layer, so that the same pattern as the photosensitive dry film resist was formed in the polymer resin layer. Thereafter, after heat curing at a temperature of 115° C. for 1 hour, the residue and the photosensitive dry film resist were removed and roughened using a 3% sodium hydroxide resist stripper at a temperature of 50° C. to complete the process. Finally, after heat curing at a temperature of 200° C. for 1 hour, an insulating layer was prepared.

비교예 1Comparative Example 1

제조예 2의 표면 처리된 실리카 무기 필러 대신, Denka 社의 표면처리가 되지 않은 SFP-120MC 실리카를 실란 개질 후 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 조건으로 절연층을 제조하였다. In place of the surface-treated silica inorganic filler of Preparation Example 2, an insulating layer was prepared under the same conditions as in Example 1, except that SFP-120MC silica, which was not surface-treated by Denka, was used after silane modification.

SEM 분석SEM analysis

실시예 1 및 비교예 1에서 제조한 절연층의 상부 표면을 주사전자현미경(SEM, Hitachi, S-4800)으로 5000 배율 촬영하여 표면을 관찰하였다. The upper surface of the insulating layer prepared in Example 1 and Comparative Example 1 was photographed with a scanning electron microscope (SEM, Hitachi, S-4800) at 5000 magnification to observe the surface.

도 2a는 실시예 1의 절연층 표면을, 도 2b는 비교예 1의 절연층 표면을 촬영한 SEM 사진을 나타내었다. 2A is a SEM photograph of the surface of the insulating layer of Example 1, and FIG. 2B is a SEM photograph of the surface of the insulating layer of Comparative Example 1.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 실시예 1에서 제조한 절연층의 경우 이형성 코팅된 무기 필러가 탈착된 것을 확인할 수 있다. 반면에 별도로 표면 코팅되지 않은 무기 필러를 사용한 비교예 1의 절연층의 경우, 무기 필러가 표면에 그대로 부착되어 있는 것을 확인할 수 있다. 2A and 2B, in the case of the insulating layer prepared in Example 1, it can be seen that the releasable coated inorganic filler is detached. On the other hand, in the case of the insulating layer of Comparative Example 1 using an inorganic filler that is not separately coated on the surface, it can be confirmed that the inorganic filler is attached to the surface as it is.

즉, 알칼리성 용액으로 조화 처리 하더라도, 종래 기술에 따라 제조되는 절연층의 경우 표면 조도가 거의 향상되지 않는 것을 확인할 수 있고, 본 발명의 일 실시예에 따라 이형성 코팅된 무기 필러를 사용하는 경우, 알칼리성 용액으로 조화 처리시 이형성 코팅된 무기 필러가 다량 탈착되어 절연층 표면의 조도가 월등히 향상되는 것을 확인할 수 있다. That is, even if it is roughened with an alkaline solution, it can be confirmed that the surface roughness is hardly improved in the case of the insulating layer manufactured according to the prior art. It can be seen that the roughness of the surface of the insulating layer is remarkably improved by desorption of a large amount of the releasable coated inorganic filler when the solution is roughened.

조도 분석Illuminance analysis

실시예 1 및 비교예 1에서 제조한 절연층의 상부 표면을 비접촉 표면 형상 측정 장비인 나노시스템社의 NVM-4151 기기로 표면조도 이미지를 촬영하였다. Surface roughness images were photographed on the upper surface of the insulating layer prepared in Example 1 and Comparative Example 1 with an NVM-4151 device of Nanosystems, which is a non-contact surface shape measuring device.

도 3a 및 도 3b는 실시예 1 및 비교예 1에서 제조한 절연층의 상부 표면 조도 이미지이다. 3A and 3B are top surface roughness images of insulating layers prepared in Example 1 and Comparative Example 1. FIG.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 실시예 1에서 제조한 절연층 상부 표면이 비교예 1에서 제조한 절연층의 상부 표면보다 조도가 높은 것을 확인할 수 있다. 즉, 표면 처리한 무기 필러를 사용하고 알칼리 용액으로 절연층 표면으로부터 표면 처리한 무기 필러를 탈착시켜 높은 조도를 형성할 수 있다. 또한, 절연층의 상부 표면에 형성되는 조도는 무기 필러의 직경에 비례하기 때문에, 목적하는 바에 따라 다양한 직경의 무기 필러를 사용함으로써 절연층의 표면 조도를 손쉽게 조절할 수 있다.3A and 3B, it can be seen that the upper surface of the insulating layer prepared in Example 1 has a higher roughness than the upper surface of the insulating layer prepared in Comparative Example 1. That is, a high roughness can be formed by using the surface-treated inorganic filler and removing the surface-treated inorganic filler from the surface of the insulating layer with an alkaline solution. In addition, since the roughness formed on the upper surface of the insulating layer is proportional to the diameter of the inorganic filler, it is possible to easily adjust the surface roughness of the insulating layer by using inorganic fillers of various diameters as desired.

100: 기판
200, 201, 202, 203: 고분자 수지층
300: 패턴층
100: substrate
200, 201, 202, 203: polymer resin layer
300: pattern layer

Claims (14)

기판 상에 알칼리 가용성 수지, 열경화성 바인더 및 표면 처리된 무기 필러를 포함하는 고분자 수지층을 형성하는 단계;
상기 고분자 수지층 상에 패턴층을 형성하는 단계;
상기 패턴층이 형성된 고분자 수지층을 현상하고 경화시키는 단계;
상기 경화된 고분자 수지층으로부터 패턴층을 제거하여 패터닝된 고분자 수지층을 형성하는 단계; 및
상기 패터닝된 고분자 수지층 표면을 알칼리성 용액으로 조화 처리하는 단계;를 포함하는 절연층 제조 방법.
Forming a polymer resin layer including an alkali-soluble resin, a thermosetting binder, and a surface-treated inorganic filler on a substrate;
Forming a pattern layer on the polymer resin layer;
Developing and curing the polymer resin layer on which the pattern layer is formed;
Forming a patterned polymer resin layer by removing the pattern layer from the cured polymer resin layer; And
Insulating layer manufacturing method comprising; roughening the surface of the patterned polymer resin layer with an alkaline solution.
제1항에 있어서,
상기 표면 처리된 무기 필러는,
무기 필러 및 에폭시 실란계 화합물을 혼합하여 무기 필러 표면을 실란 개질시키는 단계; 및 상기 실란 개질된 무기 필러를 산화제와 혼합하여 상기 실란 개질된 무기 필러 표면을 이형 처리하는 단계;를 통해 제조되는 것인, 절연층 제조 방법.
The method of claim 1,
The surface-treated inorganic filler,
Silane-modifying the surface of the inorganic filler by mixing the inorganic filler and the epoxy silane compound; And releasing the surface of the silane-modified inorganic filler by mixing the silane-modified inorganic filler with an oxidizing agent.
제2항에 있어서,
상기 무기 필러는 실리카, 황산바륨, 티탄산바륨, 탈크, 클레이, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 산화알루미늄, 수산화알루미늄 및 마이카 중 1종 이상인 절연층 제조 방법
The method of claim 2,
The inorganic filler is one or more of silica, barium sulfate, barium titanate, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, and mica.
제2항에 있어서,
상기 에폭시 실란계 화합물은 상기 무기 필러 100 중량부에 대하여 0.3 내지 3 중량부로 상기 무기 필러와 혼합되는 것인 절연층 제조 방법.
The method of claim 2,
The method of manufacturing an insulating layer, wherein the epoxy silane-based compound is mixed with the inorganic filler in an amount of 0.3 to 3 parts by weight based on 100 parts by weight of the inorganic filler.
제2항에 있어서,
상기 에폭시 실란계 화합물은 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-[2,3-에폭시프로폭시프로필]메틸디메톡시실란, 3-[2,3-에폭시프로폭시프로필메틸디에톡시실란, 2-[3,4-에폭시시클로헥실]에틸메틸디메톡시실란 및 2-[3,4-에폭시시클로헥실]에틸트리메톡시실란 중 1종 이상인 절연층 제조방법.
The method of claim 2,
The epoxy silane compound is 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3-[2,3-epoxypropoxypropyl]methyldimethoxysilane, 3-[2, Insulation layer comprising at least one of 3-epoxypropoxypropylmethyldiethoxysilane, 2-[3,4-epoxycyclohexyl]ethylmethyldimethoxysilane, and 2-[3,4-epoxycyclohexyl]ethyltrimethoxysilane Manufacturing method.
제2항에 있어서,
상기 산화제는 불소계 유기산 및 상기 불소계 유기산의 무수물 중 1종 이상을 포함하는 절연층 제조방법.
The method of claim 2,
The oxidizing agent is a method of manufacturing an insulating layer comprising at least one of a fluorine-based organic acid and an anhydride of the fluorine-based organic acid.
제6항에 있어서,
상기 불소계 유기산은 트리플루오로아세트산, 3,3,3-트리플루오로프로판산, 4,4,4-트리플루오로부티르산, 2,2,3,3-테트라플루오로-3-(트리플루오로페톡시)프로피온산, 3-(트리플루오로메틸)벤조인산, 4-(트리플루오로메틸)벤조인산, (3,3,3-트리플루오로-2-메톡시-2-페닐프로파노일)3,3,3-트리플루오로-2-메톡시-2-페닐프로판산, 벤조익트리플루오로아세트산, 아스피린 트리플루오로아세트산, 2-시아노아세틱 트리플루오로아세트산, 페닐아세틱 트리플루오로아세트산, 부타-2,3-디에노익 트리플루오로아세트산 및 아크릴릭-트리플루오로아세트산 중 1종 이상을 포함하는 절연층 제조 방법.
The method of claim 6,
The fluorine-based organic acid is trifluoroacetic acid, 3,3,3-trifluoropropanoic acid, 4,4,4-trifluorobutyric acid, 2,2,3,3-tetrafluoro-3- (trifluoro Fethoxy) propionic acid, 3-(trifluoromethyl)benzoic acid, 4-(trifluoromethyl)benzoic acid, (3,3,3-trifluoro-2-methoxy-2-phenylpropanoyl) 3,3,3-trifluoro-2-methoxy-2-phenylpropanoic acid, benzoic trifluoroacetic acid, aspirin trifluoroacetic acid, 2-cyanoacetic trifluoroacetic acid, phenylacetic trifluoro A method for producing an insulating layer comprising at least one of acetic acid, buta-2,3-dienoic trifluoroacetic acid and acrylic-trifluoroacetic acid.
제2항에 있어서,
상기 산화제는 상기 무기 필러 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1.5 중량부로 혼합되는 것인 절연층 제조 방법.
The method of claim 2,
The method of manufacturing an insulating layer in which the oxidizing agent is mixed in an amount of 0.1 to 1.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the inorganic filler.
제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지는 1 이상의 산성 작용기; 및 1 이상의 아미노기로 치환된 고리형이미드 작용기를 포함하는, 절연층 제조 방법.
The method of claim 1,
The alkali-soluble resin may include at least one acidic functional group; And a cyclic imide functional group substituted with one or more amino groups.
제1항에 있어서,
상기 열경화성 바인더는 옥세타닐기, 환상 에테르기, 환상 티오 에테르기, 시아나이드기, 말레이미드기 및 벤족사진기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기; 및 에폭시기;를 포함하는, 절연층 제조 방법.
The method of claim 1,
The thermosetting binder includes at least one functional group selected from the group consisting of an oxetanyl group, a cyclic ether group, a cyclic thioether group, a cyanide group, a maleimide group, and a benzoxazine group; And an epoxy group; containing, the insulating layer manufacturing method.
제1항에 있어서,
상기 고분자 수지층 상에 패턴층을 형성하는 단계는,
상기 고분자 수지층 상에 감광성 수지층을 형성하는 단계; 및
상기 감광성 수지층을 노광하고, 노광하지 않은 영역의 감광성 수지층을 알칼리 현상하여 패턴층을 형성하는 단계;를 포함하는 것인 절연층 제조 방법.
The method of claim 1,
Forming the pattern layer on the polymer resin layer,
Forming a photosensitive resin layer on the polymer resin layer; And
And forming a pattern layer by exposing the photosensitive resin layer to light and alkali developing the photosensitive resin layer in an unexposed region.
제1항에 있어서,
상기 제거는 포토레지스트 박리액 처리, 디스미어 공정 및 플라즈마 에칭 중 어느 하나의 방법으로 수행되는 것인, 절연층 제조방법.
The method of claim 1,
The removal is performed by any one of a photoresist stripper treatment, a desmear process, and plasma etching.
제1항에 있어서,
상기 알칼리성 용액은 pH 9 내지 pH 13인, 절연층 제조 방법.
The method of claim 1,
The alkaline solution is pH 9 to pH 13, the insulating layer manufacturing method.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 절연층 상에 금속 패턴층을 형성하는 단계;를 포함하는, 다층 인쇄 회로기판 제조 방법.

Forming a metal pattern layer on the insulating layer manufactured by the method according to any one of claims 1 to 13; Containing, a method for manufacturing a multilayer printed circuit board.

KR1020190138160A 2019-10-31 2019-10-31 Method for manufacturing insulating film and method for manufacturing multilayered printed circuit board KR20210052075A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190138160A KR20210052075A (en) 2019-10-31 2019-10-31 Method for manufacturing insulating film and method for manufacturing multilayered printed circuit board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190138160A KR20210052075A (en) 2019-10-31 2019-10-31 Method for manufacturing insulating film and method for manufacturing multilayered printed circuit board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210052075A true KR20210052075A (en) 2021-05-10

Family

ID=75918204

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190138160A KR20210052075A (en) 2019-10-31 2019-10-31 Method for manufacturing insulating film and method for manufacturing multilayered printed circuit board

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20210052075A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102040224B1 (en) Method for manufacturing insulating film and multilayered printed circuit board
JP6600088B2 (en) Insulating layer manufacturing method and multilayer printed circuit board manufacturing method
JP6779364B2 (en) Insulation layer manufacturing method and semiconductor package manufacturing method
KR20210052075A (en) Method for manufacturing insulating film and method for manufacturing multilayered printed circuit board
JP7325891B2 (en) Insulating layer for multi-layer printed circuit board, multi-layer printed circuit board including the same, and manufacturing method thereof
JP6664473B2 (en) Method for manufacturing insulating layer and method for manufacturing multilayer printed circuit board
JP6732047B2 (en) Method for manufacturing insulating layer and method for manufacturing multilayer printed circuit board
KR20210048984A (en) Insulating film for multilayered printed circuit board, multilayered printed circuit board comprising the same and method for manufacturing the same
WO2018030761A1 (en) Insulating layer production method and multilayered printed circuit board production method
KR20210092100A (en) Insulation composition and method for manufacturing insulating film using the same, method for manufacturing multilayered printed circuit board
KR20210047650A (en) Method for manufacturing insulating film and multilayered printed circuit board
WO2018088754A1 (en) Insulating layer manufacturing method and multi-layered printed circuit board manufacturing method
WO2018080125A1 (en) Insulation layer manufacturing method and multilayer printed circuit board manufacturing method
KR20200101751A (en) Dielectric resin composition for semiconductor device build up

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal