KR20200101330A - Ehmt2 저해제로서의 아민-치환된 헤테로사이클릭 화합물, 이의 염, 및 이들의 합성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 개시는 아민-치환된 헤테로사이클릭 화합물에 관한 것이다. 본 개시는 또한 이들 화합물을 함유하는 약학적 조성물 및 본원에 개시된 아민-치환된 헤테로사이클릭 화합물 또는 이의 약학적 조성물을 이를 필요로 하는 대상체에게 투여함으로써 장애(예를 들어, 암)를 치료하는 방법에 관한 것이다. 본 개시는 또한 연구 또는 다른 비치료적 목적을 위한 이러한 화합물의 용도에 관한 것이다.
Description
관련 출원
본 출원은 2017년 10월 18일에 출원된 미국 출원 번호 제62/573,917호의 이익 및 그에 대한 우선권을 주장하며, 이의 전체 내용은 본원에 참조로 편입된다.
단백질 리신 잔기의 메틸화는 진핵 세포에서 중요한 신호 전달 메카니즘이며, 히스톤 리신의 메틸화 상태는 후성 유전자 조절의 맥락에서 다수의 단백질 및 단백질 복합체에 의해 인식되는 신호를 암호화한다.
히스톤 메틸화는 히스톤 메틸트랜스페라제(HMTs)에 의해 촉매되며, HMTs는 다양한 인간 질병에 관련되어 있다. HMTs는 유전자 발현을 활성화 또는 억제하는 역할을 할 수 있고, 일정 HMTs(예를 들어, 진정염색질 히스톤-리신 N-메틸트랜스페라제 2 또는 EHMT2, G9a라고도 함)는 종양 억제제 단백질과 같은 많은 비히스톤 단백질을 메틸화시킬 수 있다(예를 들어, 문헌[Liu et al., Journal of Medicinal Chemistry 56:8931-8942, 2013 및 Krivega et al., Blood 126(5):665-672, 2015] 참고).
2개의 관련된 HMT인 EHMT1 및 EHMT2는 겸상 적혈구 빈혈(예를 들어, 문헌[Renneville et al., Blood 126(16): 1930-1939, 2015 참고) 및 증식성 장애(예를 들어, 암), 및 다른 혈액 장애와 같은 질병 및 장애에서 과발현되거나 역할을 한다.
일 양태에서, 본 개시는 특히
이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 및 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염으로 구성된 그룹으로부터 선택된 화합물을 제공한다.
일부 양태에서, 본 개시는 하나 이상의 약학적으로 허용되는 담체 및 하나 이상의 본 개시의 화합물을 포함하는 약학적 조성물을 특징으로 한다.
일부 양태에서, 본 개시는 하나 이상의 HMTs(예를 들어, EHMT1 및/또는 EHMT2)를 저해하는 방법을 특징으로 한다. 방법은 치료적 유효량의 본 개시의 화합물 또는 이의 호변이성질체, 또는 화합물 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염을 이를 필요로 하는 대상체에게 투여하는 단계를 포함한다. 일부 구현예에서, 대상체는 하나 이상의 HMTs(예를 들어, EHMT1 및/또는 EHMT2)의 활성과 관련된 하나 이상의 장애를 가지며, 그에 따라 하나 이상의 HMTs(예를 들어, EHMT1 및/또는 EHMT2)의 저해로부터 혜택을 받는다. 일부 구현예에서, 대상체는 EHMT-매개 장애를 갖는다. 일부 구현예에서, 대상체는 EHMT1 및 EHMT2 중 하나 또는 둘 모두의 활성에 의해 적어도 부분적으로 매개되는 질병, 장애, 또는 상태를 갖는다.
일부 양태에서, 본 개시는 EHMT-매개 장애를 예방 또는 치료하는 방법을 특징으로 한다. 방법은 치료적 유효량의 본 개시의 화합물 또는 이의 호변이성질체, 또는 화합물 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염을 이를 필요로 하는 대상체에게 투여하는 단계를 포함한다. EHMT-매개 장애는 적어도 부분적으로 EHMT1 또는 EHMT2 또는 둘 모두의 활성에 의해 매개되는 질병, 장애, 또는 상태이다. 일부 구현예에서, EHMT-매개 장애는 혈액 질병 또는 장애이다. 일부 구현예에서, EHMT-매개 장애는 증식성 장애(예를 들어, 백혈병, 간세포 암종, 전립선 암종 및 폐암과 같은 암), 중독(예를 들어, 코카인 중독) 및 정신 지체로부터 선택된다.
일부 구현예에서, EHMT-매개 질병 또는 장애는 하나 이상의 HMT(예를 들어, EHMT1 및/또는 EHMT2)에 의한 유전자 침묵과 관련된 장애를 포함한다. 일부 구현예에서, EHMT-매개 질병 또는 장애는 EHMT2에 의한 유전자 침묵과 관련된 혈액 질병 또는 장애이다.
일부 구현예에서, 방법은 하나 이상의 HMTs(예를 들어, EHMT1 및/또는 EHMT2)에 의한 유전자 침묵과 관련된 질병 또는 장애를 갖는 대상체에게, 치료적 유효량의 하나 이상의 본 개시의 화합물을 투여하는 단계를 포함하며, 여기서 화합물(들)은 하나 이상의 HMTs(예를 들어, EHMT1 및/또는 EHMT2)의 히스톤 메틸트랜스페라제 활성을 저해함으로써 질병 또는 장애를 치료한다.
일부 구현예에서, 혈액 질병 또는 장애는 겸상 적혈구 빈혈 및 베타-탈라세미아로 구성된 그룹으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 혈액 질병 또는 장애는 혈액 암이다.
일부 구현예에서, 혈액 암은 급성 골수성 백혈병(AML) 또는 만성 림프구성 백혈병(CLL)이다.
일부 구현예에서, 방법은 이를 필요로 하는 대상체로부터의 혈액 세포를 포함하는 샘플에서 하나 이상의 HMTs(예를 들어, EHMT1 및/또는 EHMT2)에 의한 히스톤 메틸화 정도를 검출하기 위한 검정을 수행하는 단계를 추가로 포함한다. 일부 구현예에서, 히스톤 기질에서 H3-K9의 메틸화를 검출하기 위한 검정을 수행하는 것은 표지된 메틸기의 혼입을 측정하는 것을 포함한다. 일부 구현예에서, 표지된 메틸기는 동위원소로 표지된 메틸기이다. 일부 구현예에서, 히스톤 기질에서 H3-K9의 메틸화를 검출하기 위한 검정을 수행하는 것은 히스톤 기질을 디메틸화된 H3-K9에 특이적으로 결합하는 항체와 접촉시키는 것을 포함한다.
달리 언급되지 않는 한, 치료 방법의 임의의 기재는 본원에 기재된 치료 또는 예방을 제공하기 위한 화합물의 사용뿐만 아니라 이러한 상태를 치료 또는 예방하는 약제를 제조하기 위한 화합물의 사용을 포함한다. 치료는 설치류 및 기타 질병 모델을 포함하는 인간 또는 비인간 동물의 치료를 포함한다. 본원에 기재된 방법은 EHMT-매개 장애를 치료 또는 예방하기 위한 적합한 후보를 확인하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 개시는 또한 EHMT1 또는 EHMT2 또는 둘 모두의 저해제를 확인하는 방법을 제공한다.
일부 양태에서, 본 개시는 H3-K9의 디메틸화된 H3-K9로의 전환을 저해하는 방법을 특징으로 한다. 방법은 돌연변이 EHMT, 야생형 EHMT 또는 둘 모두를 H3-K9을 포함하는 히스톤 기질 및 유효량의 본 개시의 화합물과 접촉시키는 단계를 포함하며, 여기서 화합물은 EHMT의 히스톤 메틸트랜스페라제 활성을 저해함으로써, H3-K9의 디메틸화된 H3-K9로의 전환을 저해한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 EHMT1 및 EHMT2 중 하나 또는 둘 모두를 저해하는 데 사용하기 위한 본원에 개시된 화합물을 특징으로 한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 EHMT-매개 장애를 예방 또는 치료하는 데 사용하기 위한 본원에 개시된 화합물을 특징으로 한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 혈액 장애를 예방 또는 치료하는 데 사용하기 위한 본원에 개시된 화합물을 특징으로 한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 암을 예방 또는 치료하는 데 사용하기 위한 본원에 개시된 화합물을 특징으로 한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 EHMT1 및 EHMT2 중 하나 또는 둘 모두를 저해하기 위한 약제의 제조에서의 본 개시의 화합물의 용도를 특징으로 한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 EHMT-매개 장애를 예방 또는 치료하기 위한 약제의 제조에서의 본 개시의 화합물의 용도를 특징으로 한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 혈액 장애를 예방 또는 치료하기 위한 약제의 제조에서의 본 개시의 화합물의 용도를 특징으로 한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 암을 예방 또는 치료하기 위한 약제의 제조에서의 본 개시의 화합물의 용도를 특징으로 한다.
추가로, 본원에 기재된 화합물 또는 방법은 연구(예를 들어, 후성 유전학 효소 연구) 및 다른 비-치료 목적을 위해 사용될 수 있다.
일부 구현예에서, 본 개시의 화합물은 키나제에 대해 유의한 저해 활성을 나타내지 않는다. 유의한 키나제 저해의 부재는 하나 이상의 관심 키나제에 대한 IC50 값을 측정함으로써 결정될 수 있으며, 여기서 특정 기준 값보다 큰 IC50 값은 주어진 키나제에 대해 저해 활성이 낮거나 없음을 나타낸다. 예를 들어, 일부 구현예에서, 본 개시의 화합물은 약 100 nM 이상, 1 μM 이상, 10 μM 이상, 100 μM 이상, 또는 1000 μM 이상의 효소 저해 IC50 값으로 키나제를 저해한다.
일부 구현예에서, 하나 이상의 본 개시의 화합물은 약 1 mM 이상의 효소 저해 IC50 값으로 키나제를 저해한다.
일부 구현예에서, 하나 이상의 본 개시의 화합물은 1 μM 이상, 2 μM 이상, 5 μM 이상, 또는 10 μM 이상의 효소 저해 IC50 값으로 키나제를 저해하며, 여기서 키나제는 다음 중 하나 이상이다: AbI, AurA, CHK1, MAP4K, IRAK4, JAK3, EphA2, FGFR3, KDR, Lck, MARK1, MNK2, PKCb2, SIK, 및 Src.
달리 정의되지 않는 한, 본원에서 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 개시가 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 명세서에서, 단수 형태는 문맥이 명확히 달리 지시하지 않는 한 복수 또한 포함한다. 본원에 기재된 것들과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 개시의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료는 하기에 기재된다. 본원에 언급된 모든 간행물, 특허 출원, 특허 및 기타 참고 문헌은 참조로서 편입된다. 본원에 인용된 참고 문헌은 청구된 발명에 대한 선행 기술인 것으로 인정되지 않는다. 상충되는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서가 지배할 것이다. 추가적으로, 재료, 방법 및 실시예는 단지 예시적이며 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 본원에 개시된 화합물의 화학 구조 및 명칭 간에 상충되는 경우, 화학 구조가 지배할 것이다.
명세서의 다른 특징 및 이점은 다음의 상세한 설명 및 청구 범위로부터 명백해질 것이다.
본 개시는 신규한 아민-치환된 헤테로사이클릭 화합물, 화합물을 제조하기 위한 합성 방법, 이들을 함유하는 약학적 조성물 및 화합물의 다양한 용도를 제공한다.
일 양태에서, 본 개시는
이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 및 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염으로 구성된 그룹으로부터 선택된 화합물을 제공한다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물, 이의 약학적으로 허용되는 염, 및 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염으로부터 선택된다.
[표 1]
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물 중 임의의 하나의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 표 1에 열거된 화합물 중 임의의 하나의 결정질 형태)은 무수물(예를 들어, 표 1에 열거된 화합물 중 임의의 하나의 무수물)이다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 약학적으로 허용되는 염으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 약학적으로 허용되는 염 중 임의의 하나의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 표 1에 열거된 화합물의 약학적으로 허용되는 염 중 임의의 하나의 결정질 형태)은 무수물(예를 들어, 표 1에 열거된 화합물의 약학적으로 허용되는 염 중 임의의 하나의 무수물)이다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 하이드로클로라이드 염, 설페이트 염, 글리콜레이트 염, 아디페이트 염, 숙시네이트 염, 옥살레이트 염, 포스페이트 염, 푸마레이트 염, 히푸레이트 염, 젠티세이트 염, 및 벤조에이트 염으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 하이드로클로라이드 염으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 하이드로클로라이드 염 중 임의의 하나의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 설페이트 염으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 설페이트 염 중 임의의 하나의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 글리콜레이트 염으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 글리콜레이트 염 중 임의의 하나의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 아디페이트 염으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 아디페이트 염 중 임의의 하나의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 숙시네이트 염으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 숙시네이트 염 중 임의의 하나의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 옥살레이트 염으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 옥살레이트 염 중 임의의 하나의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 포스페이트 염으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 포스페이트 염 중 임의의 하나의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 푸마레이트 염으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 푸마레이트 염 중 임의의 하나의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 히푸레이트 염으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 히푸레이트 염 중 임의의 하나의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 젠티세이트 염으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 젠티세이트 염 중 임의의 하나의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 벤조에이트 염으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 화합물은 표 1에 열거된 화합물의 벤조에이트 염 중 임의의 하나의 결정질 형태이다.
화합물 1
일부 구현예에서, 화합물은 
(화합물 1), 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1이다.
일부 구현예에서, 화합물은 
(화합물 1R), 
(화합물 1S), 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1R 또는 화합물 1S이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1R, 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1R이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1R의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 1R의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1R의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1R의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 1R의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염, 설페이트 염, 글리콜레이트 염, 아디페이트 염, 숙시네이트 염, 옥살레이트 염, 포스페이트 염, 푸마레이트 염, 히푸레이트 염, 젠티세이트 염, 또는 벤조에이트 염이다.
화합물 1R 유리 염기 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1R이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1R의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 65℃ 내지 약 105℃, 약 70℃ 내지 약 100℃, 약 75℃ 내지 약 95℃, 약 84℃ 내지 약 90℃, 또는 약 86℃ 내지 약 88℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 180℃ 내지 약 220℃, 약 185℃ 내지 약 215℃, 약 190℃ 내지 약 210℃, 약 195℃ 내지 약 205℃, 또는 약 198℃ 내지 약 200℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 86.9℃ 및/또는 약 199.1℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 결정질 형태)은 변조 시차 주사 열량계(mDSC) 분석에서 약 190℃ 내지 약 230℃, 약 195℃ 내지 약 225℃, 약 200℃ 내지 약 220℃, 약 204℃ 내지 약 212℃, 약 206℃ 내지 약 210℃, 또는 약 207℃ 내지 약 209℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 결정질 형태)은 변조 시차 주사 열량계(mDSC) 분석에서 약 208℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 1R 유리 염기 타입 B
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1R이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1R의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 11.8±0.2, 14.2±0.2, 18.21±0.2, 19.2±0.2, 25.7±0.2, 26.4±0.2, 및 29.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 11.8±0.1, 14.2±0.1, 18.21±0.1, 19.2±0.1, 25.7±0.1, 26.4±0.1, 및 29.3±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.6, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.6, 약 14.0 내지 약 14.4, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.6, 약 14.0 내지 약 14.4, 약 18.0 내지 약 18.4, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.6, 약 14.0 내지 약 14.4, 약 18.0 내지 약 18.4, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.6, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 14.0 내지 약 14.4, 약 18.0 내지 약 18.4, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.6, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 14.0 내지 약 14.4, 약 18.0 내지 약 18.4, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 25.5 내지 약 25.9, 약 26.2 내지 약 26.6, 및 약 29.1 내지 약 29.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.3 내지 약 6.5, 약 11.7 내지 약 11.9, 약 14.1 내지 약 14.3, 약 18.1 내지 약 18.3, 약 19.1 내지 약 19.3, 약 25.6 내지 약 25.8, 약 26.3 내지 약 26.5, 및 약 29.2 내지 약 29.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.39, 약 11.80, 약 14.20, 약 18.21, 약 19.15, 약 25.67, 약 26.41, 및 약 29.31 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 200℃ 내지 약 240℃, 약 205℃ 내지 약 235℃, 약 210℃ 내지 약 230℃, 약 215℃ 내지 약 227℃, 약 219℃ 내지 약 225℃, 또는 약 221℃ 내지 약 223℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 222.1℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 1R 하이드로클로라이드 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.2±0.2, 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 17.7±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.2±0.1, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 17.7±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.8 내지 약 8.2 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.8 내지 약 8.2, 약 8.6 내지 약 9.0, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.8 내지 약 8.2, 약 8.6 내지 약 9.0, 약, 약 12.2 내지 약 12.6, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.0 내지 약 6.4, 약 7.8 내지 약 8.2, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 12.2 내지 약 12.6, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.0 내지 약 6.4, 약 7.0 내지 약 7.4, 약 7.8 내지 약 8.2, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 12.2 내지 약 12.6, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.0 내지 약 6.4, 약 7.0 내지 약 7.4, 약 7.8 내지 약 8.2, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 12.2 내지 약 12.6, 약 13.0 내지 약 13.4, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.0 내지 약 6.4, 약 7.0 내지 약 7.4, 약 7.8 내지 약 8.2, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 12.2 내지 약 12.6, 약 13.0 내지 약 13.4, 약 17.4 내지 약 17.8, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.3, 약 7.1 내지 약 7.3, 약 7.9 내지 약 8.1, 약 8.7 내지 약 8.9, 약 12.3 내지 약 12.5, 약 13.1 내지 약 13.3, 약 17.5 내지 약 17.7, 및 약 26.1 내지 약 26.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.19, 약 7.22, 약 8.00, 약 8.83, 약 12.42, 약 13.26, 약 17.65, 및 약 26.20 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 50℃ 내지 약 90℃, 약 60℃ 내지 약 80℃, 약 65℃ 내지 약 78℃, 약 70℃ 내지 약 75℃, 또는 약 72℃ 내지 약 74℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 230℃ 내지 약 270℃, 약 235℃ 내지 약 265℃, 약 240℃ 내지 약 260℃, 약 245℃ 내지 약 255℃, 또는 약 249℃ 내지 약 251℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 72.7℃ 및/또는 약 249.6℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1S, 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1S이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1S의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1S의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1S의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 1S의 하이드로클로라이드 염, 설페이트 염, 글리콜레이트 염, 아디페이트 염, 숙시네이트 염, 옥살레이트 염, 포스페이트 염, 푸마레이트 염, 히푸레이트 염, 젠티세이트 염, 또는 벤조에이트 염이다.
화합물 2
일부 구현예에서, 화합물은 
(화합물 2), 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 2이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 2의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 2의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 2의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 2의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 2의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 2의 하이드로클로라이드 염, 설페이트 염, 글리콜레이트 염, 아디페이트 염, 숙시네이트 염, 옥살레이트 염, 포스페이트 염, 푸마레이트 염, 히푸레이트 염, 젠티세이트 염, 또는 벤조에이트 염이다.
화합물 2 유리 염기 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 2이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 2의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.0±0.2, 9.6±0.2, 12.6±0.2, 15.7±0.2, 16.0±0.2, 18.6±0.2, 19.2±0.2, 19.6±0.2, 23.2±0.2, 및 30.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.0±0.1, 9.6±0.1, 12.6±0.1, 15.7±0.1, 16.0±0.1, 18.6±0.1, 19.2±0.1, 19.6±0.1, 23.2±0.1, 및 30.0±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.8 내지 약 8.2, 약 12.4 내지 약 12.8, 및 약 19.4 내지 약 19.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.8 내지 약 8.2, 약 12.4 내지 약 12.8, 약 15.5 내지 약 15.9, 및 약 19.4 내지 약 19.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.8 내지 약 8.2, 약 9.4 내지 약 9.8, 약 12.4 내지 약 12.8, 약 15.5 내지 약 15.9, 및 약 19.4 내지 약 19.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.8 내지 약 8.2, 약 9.4 내지 약 9.8, 약 12.4 내지 약 12.8, 약 15.5 내지 약 15.9, 약 19.0 내지 약 19.4, 및 약 19.4 내지 약 19.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.8 내지 약 8.2, 약 9.4 내지 약 9.8, 약 12.4 내지 약 12.8, 약 15.5 내지 약 15.9, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 19.4 내지 약 19.8, 및 약 29.8 내지 약 30.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.8 내지 약 8.2, 약 9.4 내지 약 9.8, 약 12.4 내지 약 12.8, 약 15.5 내지 약 15.9, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 19.4 내지 약 19.8, 약 23.0 내지 약 23.4, 및 약 29.8 내지 약 30.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.8 내지 약 8.2, 약 9.4 내지 약 9.8, 약 12.4 내지 약 12.8, 약 15.5 내지 약 15.9, 약 15.8 내지 약 16.2, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 19.4 내지 약 19.8, 약 23.0 내지 약 23.4, 및 약 29.8 내지 약 30.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.8 내지 약 8.2, 약 9.4 내지 약 9.8, 약 12.4 내지 약 12.8, 약 15.5 내지 약 15.9, 약 15.8 내지 약 16.2, 약 18.4 내지 약 18.8, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 19.4 내지 약 19.8, 약 23.0 내지 약 23.4, 및 약 29.8 내지 약 30.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.9 내지 약 8.1, 약 9.5 내지 약 9.7, 약 12.5 내지 약 12.7, 약 15.6 내지 약 15.8, 약 15.9 내지 약 16.1, 약 18.5 내지 약 18.7, 약 19.1 내지 약 19.3, 약 19.5 내지 약 19.7, 약 23.1 내지 약 23.3, 및 약 29.9 내지 약 30.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.98, 약 9.56, 약 12.59, 약 15.68, 약 15.97, 약 18.62, 약 19.18, 약 19.57, 약 23.19, 및 약 30.04 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 160℃ 내지 약 200℃, 약 165℃ 내지 약 195℃, 약 170℃ 내지 약 190℃, 약 175℃ 내지 약 185℃, 약 177℃ 내지 약 183℃, 또는 약 179℃ 내지 약 181℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 180.4℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 2 하이드로클로라이드 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 2의 하이드로클로라이드 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 8.3±0.2, 9.9±0.2, 16.7±0.2, 17.5±0.2, 20.3±0.2, 25.1±0.2, 및 27.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 8.3±0.1, 9.9±0.1, 16.7±0.1, 17.5±0.1, 20.3±0.1, 25.1±0.1, 및 27.0±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.4 및 약 17.3 내지 약 17.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.4, 약 9.7 내지 약 10.1, 및 17.3 내지 약 17.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.4, 약 9.7 내지 약 10.1, 약 17.3 내지 약 17.7, 및 약 20.1 내지 약 20.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.4, 약 8.1 내지 약 8.5, 약 9.7 내지 약 10.1, 약 17.3 내지 약 17.7, 및 약 20.1 내지 약 20.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.4, 약 8.1 내지 약 8.5, 약 9.7 내지 약 10.1, 약 16.5 내지 약 16.9, 약 17.3 내지 약 17.7, 및 약 20.1 내지 약 20.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.4, 약 8.1 내지 약 8.5, 약 9.7 내지 약 10.1, 약 16.5 내지 약 16.9, 약 17.3 내지 약 17.7, 약 20.1 내지 약 20.5, 및 약 26.8 내지 약 27.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.4, 약 8.1 내지 약 8.5, 약 9.7 내지 10.1, 약 16.5 내지 약 16.9, 약 17.3 내지 약 17.7, 약 20.1 내지 약 20.5, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.8 내지 약 27.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.2 내지 약 5.3, 약 8.2 내지 약 8.4, 약 9.8 내지 약 10.0, 약 16.6 내지 약 16.8, 약 17.4 내지 약 17.6, 약 20.2 내지 약 20.4, 약 25.0 내지 약 25.2, 및 약 26.9 내지 약 27.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.29, 약 8.32, 약 9.87, 약 16.67, 약 17.51, 약 20.30, 약 25.10, 및 약 27.04 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
화합물 3
일부 구현예에서, 화합물은 
(화합물 3), 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 3의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 3의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 하이드로클로라이드 염, 설페이트 염, 글리콜레이트 염, 아디페이트 염, 숙시네이트 염, 옥살레이트 염, 포스페이트 염, 푸마레이트 염, 히푸레이트 염, 젠티세이트 염, 또는 벤조에이트 염이다.
화합물 3 유리 염기 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 8.3±0.2, 12.4±0.2, 14.7±0.2, 15.9±0.2, 17.3±0.2, 23.1±0.2, 25.6±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 8.3±0.1, 12.4±0.1, 14.7±0.1, 15.9±0.1, 17.3±0.1, 23.1±0.1, 25.6±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.4, 약 25.5 내지 약 25.7, 및 약 32.6 내지 약 32.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.4, 약 14.6 내지 약 14.8, 약 25.5 내지 약 25.7, 및 약 32.6 내지 약 32.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.4, 약 8.33 내지 약 8.35, 약 14.6 내지 약 14.8, 약 25.5 내지 약 25.7, 및 약 32.6 내지 약 32.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.4, 약 8.33 내지 약 8.35, 약 14.6 내지 약 14.8, 약 15.8 내지 약 16.0, 약 25.5 내지 약 25.7, 및 약 32.6 내지 약 32.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.4, 약 8.33 내지 약 8.35, 약 12.3 내지 약 12.5, 약 14.6 내지 약 14.8, 약 15.8 내지 약 16.0, 약 25.5 내지 약 25.7, 및 약 32.6 내지 약 32.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.4, 약 8.33 내지 약 8.35, 약 12.3 내지 약 12.5, 약 14.6 내지 약 14.8, 약 15.8 내지 약 16.0, 약 23.0 내지 약 23.2, 약 25.5 내지 약 25.7, 및 약 32.6 내지 약 32.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.4, 약 8.33 내지 약 8.35, 약 12.3 내지 약 12.5, 약 14.6 내지 약 14.8, 약 15.8 내지 약 16.0, 약 17.2 내지 약 17.4, 약 23.0 내지 약 23.2, 약 25.5 내지 약 25.7, 및 약 32.6 내지 약 32.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.27, 약 8.34, 약 12.41, 약 14.73, 약 15.94, 약 17.28, 약 23.07, 약 25.64, 및 약 32.74 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 70℃ 내지 약 110℃, 약 75℃ 내지 약 105℃, 약 80℃ 내지 약 100℃, 약 90℃ 내지 약 96℃, 또는 약 92℃ 내지 약 94℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 130℃ 내지 약 170℃, 약 135℃ 내지 약 165℃, 약 140℃ 내지 약 160℃, 약 148℃ 내지 약 155℃, 또는 약 150℃ 내지 약 153℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 93.2℃ 및/또는 약 151.6℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 하이드로클로라이드 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 16.3±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 26.3±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 16.3±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 26.3±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 및 약 25.4 내지 약 25.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 25.4 내지 약 25.8, 약 26.1 내지 약 26.5, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 16.1 내지 약 16.5, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 25.4 내지 약 25.8, 약 26.1 내지 약 26.5, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 16.1 내지 약 16.5, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 25.4 내지 약 25.8, 약 26.1 내지 약 26.5, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.7 내지 약 6.9, 약 8.9 내지 약 9.1, 약 11.7 내지 약 11.9, 약 16.2 내지 약 16.4, 약 25.0 내지 약 25.2, 약 25.5 내지 약 25.7, 약 26.2 내지 약 26.4, 및 약 27.5 내지 약 27.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.82, 약 9.00, 약 11.80, 약 16.30, 약 25.05, 약 25.56, 약 26.33 및 약 27.61 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 75℃ 내지 약 115℃, 약 80℃ 내지 약 100℃, 약 85℃ 내지 약 105℃, 약 90℃ 내지 약 100℃, 또는 약 95℃ 내지 약 96℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 95.5℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 B
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 하이드로클로라이드 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.8±0.2, 12.3±0.2, 16.9±0.2, 22.3±0.2, 23.1±0.2, 23.6±0.2, 25.3±0.2, 27.5±0.2, 28.1±0.2, 및 30.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 11.8±0.1, 12.3±0.1, 16.9±0.1, 22.3±0.1, 23.1±0.1, 23.6±0.1, 25.3±0.1, 27.5±0.1, 28.1±0.1, 및 30.1±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.7 내지 약 17.0, 및 약 25.1 내지 약 25.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.7 내지 약 17.0, 약 25.1 내지 약 25.5, 및 약 27.3 내지 약 27.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.7 내지 약 17.0, 약 22.1 내지 약 22.5, 약 25.1 내지 약 25.5, 및 약 27.3 내지 약 27.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.5 내지 약 11.9, 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.7 내지 약 17.0, 약 22.1 내지 약 22.5, 약 25.1 내지 약 25.5, 및 약 27.3 내지 약 27.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.5 내지 약 11.9, 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.7 내지 약 17.0, 약 22.1 내지 약 22.5, 약 25.1 내지 약 25.5, 약 27.3 내지 약 27.7, 및 약 29.8 내지 약 30.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.5 내지 약 11.9, 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.7 내지 약 17.0, 약 22.1 내지 약 22.5, 약 23.4 내지 약 23.8, 약 25.1 내지 약 25.5, 약 27.3 내지 약 27.7, 및 약 29.8 내지 약 30.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.5 내지 약 11.9, 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.7 내지 약 17.0, 약 22.1 내지 약 22.5, 약 23.4 내지 약 23.8, 약 25.1 내지 약 25.5, 약 27.3 내지 약 27.7, 약 27.9 내지 약 28.3, 및 약 29.8 내지 약 30.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.5 내지 약 11.9, 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.7 내지 약 17.0, 약 22.1 내지 약 22.5, 약 22.9 내지 약 23.3, 약 23.4 내지 약 23.8, 약 25.1 내지 약 25.5, 약 27.3 내지 약 27.7, 약 27.9 내지 약 28.3, 및 약 29.8 내지 약 30.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 11.6 내지 약 11.8, 약 12.2 내지 약 12.4, 약 16.8 내지 약 16.9, 약 22.2 내지 약 22.4, 약 23.0 내지 약 23.2, 약 23.5 내지 약 23.7, 약 25.2 내지 약 25.4, 약 27.4 내지 약 27.6, 약 28.0 내지 약 28.2, 및 약 29.9 내지 약 30.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 11.75, 약 12.30, 약 16.85, 약 22.33, 약 23.06, 약 23.57, 약 25.33, 약 27.50, 약 28.05, 및 약 30.06 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 235℃ 내지 약 275℃, 약 240℃ 내지 약 270℃, 약 245℃ 내지 약 265℃, 약 250℃ 내지 약 260℃, 또는 약 255℃ 내지 약 257℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 256℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 3 설페이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 설페이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 10.9±0.2, 14.6±0.2, 18.3±0.2, 19.6±0.2, 20.9±0.2, 22.5±0.2, 24.2±0.2, 25.6±0.2, 및 28.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 10.9±0.1, 14.6±0.1, 18.3±0.1, 19.6±0.1, 20.9±0.1, 22.5±0.1, 24.2±0.1, 25.6±0.1, 및 28.0±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.0 내지 약 5.4, 약 14.4 내지 약 14.8, 및 약 25.4 내지 약 25.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.0 내지 약 5.4, 약 14.4 내지 약 14.8, 약 20.7 내지 약 21.0, 및 약 25.4 내지 약 25.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.0 내지 약 5.4, 약 10.7 내지 약 11.0, 약 14.4 내지 약 14.8, 약 20.7 내지 약 21.0, 및 약 25.4 내지 약 25.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.0 내지 약 5.4, 약 10.7 내지 약 11.0, 약 14.4 내지 약 14.8, 약 18.1 내지 약 18.4, 약 20.7 내지 약 21.0, 및 약 25.4 내지 약 25.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.0 내지 약 5.4, 약 10.7 내지 약 11.0, 약 14.4 내지 약 14.8, 약 18.1 내지 약 18.4, 약 20.7 내지 약 21.0, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 27.8 내지 약 28.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.0 내지 약 5.4, 약 10.7 내지 약 11.0, 약 14.4 내지 약 14.8, 약 18.1 내지 약 18.4, 약 19.4 내지 약 19.8, 약 20.7 내지 약 21.0, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 27.8 내지 약 28.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.0 내지 약 5.4, 약 10.7 내지 약 11.0, 약 14.4 내지 약 14.8, 약 18.1 내지 약 18.4, 약 19.4 내지 약 19.8, 약 20.7 내지 약 21.0, 약 24.0 내지 약 24.4, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 27.8 내지 약 28.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.0 내지 약 5.4, 약 10.7 내지 약 11.0, 약 14.4 내지 약 14.8, 약 18.1 내지 약 18.4, 약 19.4 내지 약 19.8, 약 20.7 내지 약 21.0, 약 22.3 내지 약 22.7, 약 24.0 내지 약 24.4, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 27.8 내지 약 28.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.3, 약 10.8 내지 약 10.9, 약 14.5 내지 약 14.7, 약 18.2 내지 약 18.3, 약 19.5 내지 약 19.7, 약 20.8 내지 약 20.9, 약 22.4 내지 약 22.6, 약 24.1 내지 약 24.3, 약 25.5 내지 약 25.7, 및 약 27.9 내지 약 28.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.22, 약 10.85, 약 14.60, 약 18.25, 약 19.63, 약 20.88, 약 22.52, 약 24.24, 약 25.58, 및 약 27.97 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 150℃ 내지 약 190℃, 약 155℃ 내지 약 185℃, 약 160℃ 내지 약 180℃, 약 165℃ 내지 약 175℃, 또는 약 170℃ 내지 약 172℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 200℃ 내지 약 235℃, 약 205℃ 내지 약 230℃, 약 210℃ 내지 약 225℃, 약 215℃ 내지 약 220℃, 또는 약 217℃ 내지 약 218℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 205℃ 내지 약 245℃, 약 210℃ 내지 약 240℃, 약 215℃ 내지 약 235℃, 약 220℃ 내지 약 230℃, 또는 약 225℃ 내지 약 227℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 255℃ 내지 약 295℃, 약 260℃ 내지 약 290℃, 약 265℃ 내지 약 285℃, 약 270℃ 내지 약 280℃, 또는 약 275℃ 내지 약 276℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 170.9℃, 약 217.3℃, 약 226.4℃, 및/또는 약 275.3℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 3 글리콜레이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 글리콜레이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 13.2±0.2, 16.3±0.2, 20.4±0.2, 23.6±0.2, 25.0±0.2, 25.5±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 13.2±0.1, 16.3±0.1, 20.4±0.1, 23.6±0.1, 25.0±0.1, 25.5±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 및 약 24.8 내지 약 25.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.6 내지 약 12.0, 및 약 24.8 내지 약 25.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 24.8 내지 약 25.2, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 24.8 내지 약 25.2, 약 25.3 내지 약 25.7, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.6 내지 12.0, 약 16.1 내지 약 16.5, 약 24.8 내지 약 25.2, 약 25.3 내지 약 25.7, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 16.1 내지 약 16.5, 약 23.4 내지 약 23.8, 약 24.8 내지 약 25.2, 약 25.3 내지 약 25.7, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 16.1 내지 약 16.5, 약 23.4 내지 약 23.8, 약 24.8 내지 약 25.2, 약 25.3 내지 약 25.7, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 16.1 내지 약 16.5, 약 20.2 내지 약 20.6, 약 23.4 내지 약 23.8, 약 24.8 내지 약 25.2, 약 25.3 내지 약 25.7, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 16.1 내지 약 16.5, 약 20.2 내지 약 20.6, 약 23.4 내지 약 23.8, 약 24.8 내지 약 25.2, 약 25.3 내지 약 25.7, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.7 내지 약 6.9, 약 8.9 내지 약 9.1, 약 11.7 내지 약 11.9, 약 13.0 내지 약 13.2, 약 16.2 내지 약 16.4, 약 20.3 내지 약 20.5, 약 23.5 내지 약 23.7, 약 24.9 내지 약 25.1, 약 25.4 내지 약 25.6, 및 약 27.5 내지 약 27.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.81, 약 9.00, 약 11.77, 약 13.15, 약 16.28, 약 20.44, 약 23.63, 약 25.02, 약 25.52, 및 약 27.59 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 80℃ 내지 약 115℃, 약 85℃ 내지 약 110℃, 약 90℃ 내지 약 105℃, 약 95℃ 내지 약 100℃, 또는 약 97℃ 내지 약 98℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 90℃ 내지 약 130℃, 약 95℃ 내지 약 125℃, 약 100℃ 내지 약 120℃, 약 105℃ 내지 약 115℃, 또는 약 111℃ 내지 약 112℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 165℃ 내지 약 205℃, 약 170℃ 내지 약 200℃, 약 175℃ 내지 약 195℃, 약 180℃ 내지 약 190℃, 또는 약 184℃ 내지 약 185℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 235℃ 내지 약 275℃, 약 240℃ 내지 약 270℃, 약 245℃ 내지 약 265℃, 약 250℃ 내지 약 260℃, 또는 약 254℃ 내지 약 255℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 97.4℃, 약 111.5℃, 약 184.7℃, 및/또는 약 254.4℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 85℃ 내지 약 125℃, 약 90℃ 내지 약 120℃, 약 95℃ 내지 약 115℃, 약 100℃ 내지 약 110℃, 또는 약 103℃ 내지 약 105℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 115℃ 내지 약 150℃, 약 120℃ 내지 약 145℃, 약 125℃ 내지 약 140℃, 약 130℃ 내지 약 135℃, 또는 약 132℃ 내지 약 133℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 210℃ 내지 약 250℃, 약 215℃ 내지 약 245℃, 약 220℃ 내지 약 240℃, 약 225℃ 내지 약 235℃, 또는 약 231℃ 내지 약 233℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 결정질 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 103.9℃, 약 132.6℃, 및/또는 약 231.9℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 3 숙시네이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 숙시네이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 7.6±0.2, 9.0±0.2, 11.8±0.2, 14.8±0.2, 22.1±0.2, 23.3±0.2, 25.7±0.2, 27.3±0.2, 및 32.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 7.6±0.1, 9.0±0.1, 11.8±0.1, 14.8±0.1, 22.1±0.1, 23.3±0.1, 25.7±0.1, 27.3±0.1, 및 32.7±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 7.4 내지 약 7.8, 및 약 25.5 내지 약 25.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 7.4 내지 약 7.8, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 32.5 내지 약 32.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 7.4 내지 약 7.8, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 32.5 내지 약 32.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 7.4 내지 약 7.8, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 23.1 내지 약 23.5, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 32.5 내지 약 32.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 7.4 내지 약 7.8, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 23.1 내지 약 23.5, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 32.5 내지 약 32.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 7.4 내지 약 7.8, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 23.1 내지 약 23.5, 약 25.5 내지 약 25.9, 약 27.1 내지 약 27.5, 및 약 32.5 내지 약 32.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 7.4 내지 약 7.8, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 14.6 내지 약 15.0, 약 23.1 내지 약 23.5, 약 25.5 내지 약 25.9, 약 27.1 내지 약 27.5, 및 약 32.5 내지 약 32.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 7.4 내지 약 7.8, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 14.6 내지 약 15.0, 약 21.9 내지 약 22.2, 약 23.1 내지 약 23.5, 약 25.5 내지 약 25.9, 약 27.1 내지 약 27.5, 및 약 32.5 내지 약 32.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.7 내지 약 6.9, 약 7.5 내지 약 7.7, 약 8.9 내지 약 9.1, 약 11.7 내지 약 11.9, 약 14.7 내지 약 14.9, 약 22.0 내지 약 22.1, 약 23.2 내지 약 23.4, 약 25.6 내지 약 25.8, 약 27.2 내지 약 27.4, 및 약 32.6 내지 약 32.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.84, 약 7.56, 약 8.98, 약 11.77, 약 14.79, 약 22.05, 약 23.31, 약 25.69, 약 27.32, 및 약 32.74 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 75℃ 내지 약 110℃, 약 80℃ 내지 약 105℃, 약 85℃ 내지 약 100℃, 약 90℃ 내지 약 95℃, 또는 약 92℃ 내지 약 93℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 165℃ 내지 약 200℃, 약 170℃ 내지 약 195℃, 약 175℃ 내지 약 190℃, 약 180℃ 내지 약 185℃, 또는 약 182℃ 내지 약 183℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 92.4℃ 및/또는 약 182.2℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 4
일부 구현예에서, 화합물은 
(화합물 4), 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4이다.
일부 구현예에서, 화합물은 
(화합물 4R), 
(화합물 4S), 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R 또는 화합물 4S이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R, 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 4R이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 4R의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 4R의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염, 설페이트 염, 글리콜레이트 염, 아디페이트 염, 숙시네이트 염, 옥살레이트 염, 포스페이트 염, 푸마레이트 염, 히푸레이트 염, 젠티세이트 염, 또는 벤조에이트 염이다.
화합물 4R 유리 염기 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 4R이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 7.2±0.2, 9.9±0.2, 13.3±0.2, 15.7±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 7.2±0.1, 9.9±0.1, 13.3±0.1, 15.7±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 7.2±0.2, 9.9±0.2, 13.3±0.2, 15.7±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 7.2±0.1, 9.9±0.1, 13.3±0.1, 15.7±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 7.2±0.2, 9.9±0.2, 13.3±0.2, 15.7±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 7.2±0.1, 9.9±0.1, 13.3±0.1, 15.7±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 7.2±0.2, 9.9±0.2, 13.3±0.2, 15.7±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 7.2±0.1, 9.9±0.1, 13.3±0.1, 15.7±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 7.2±0.2, 9.9±0.2, 13.3±0.2, 15.7±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 7.2±0.1, 9.9±0.1, 13.3±0.1, 15.7±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 7.2±0.2, 9.9±0.2, 13.3±0.2, 15.7±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 7.2±0.1, 9.9±0.1, 13.3±0.1, 15.7±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 7.2±0.2, 9.9±0.2, 13.3±0.2, 15.7±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 7.2±0.1, 9.9±0.1, 13.3±0.1, 15.7±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 7.2±0.2, 9.9±0.2, 13.3±0.2, 15.7±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 7.2±0.1, 9.9±0.1, 13.3±0.1, 15.7±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 7.2±0.2, 9.9±0.2, 13.3±0.2, 15.7±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 7.2±0.1, 9.9±0.1, 13.3±0.1, 15.7±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 7.2±0.2, 9.9±0.2, 13.3±0.2, 15.7±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 7.2±0.1, 9.9±0.1, 13.3±0.1, 15.7±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.4±0.2, 7.2±0.2, 9.9±0.2, 13.3±0.2, 15.7±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.4±0.1, 7.2±0.1, 9.9±0.1, 13.3±0.1, 15.7±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.6, 약 7.0 내지 약 7.4, 및 약 25.9 내지 약 26.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.6, 약 7.0 내지 약 7.4, 약 13.1 내지 약 13.5, 및 약 25.9 내지 약 26.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.6, 약 7.0 내지 약 7.4, 약 13.1 내지 약 13.5, 약 15.5 내지 약 15.9, 및 약 25.9 내지 약 26.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.6, 약 7.0 내지 약 7.4, 약 9.7 내지 약 10.1, 약 13.1 내지 약 13.5, 약 15.5 내지 약 15.9, 및 약 25.9 내지 약 26.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.3 내지 약 6.5, 약 7.1 내지 약 7.3, 약 9.8 내지 약 10.0, 약 13.2 내지 약 13.4, 약 15.6 내지 약 15.8, 및 약 26.0 내지 약 26.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.40, 약 7.17, 약 9.86, 약 13.31, 약 15.71, 및 약 26.10 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 60℃ 내지 약 100℃, 약 65℃ 내지 약 95℃, 약 70℃ 내지 약 90℃, 약 74℃ 내지 약 82℃, 또는 약 77℃ 내지 약 79℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 210℃ 내지 약 250℃, 약 215℃ 내지 약 245℃, 약 220℃ 내지 약 240℃, 약 225℃ 내지 약 233℃, 또는 약 228℃ 내지 약 230℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 77.8℃ 및/또는 약 229.2℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 변조 시차 주사 열량계(mDSC) 분석에서 약 200℃ 내지 약 240℃, 약 205℃ 내지 약 235℃, 약 210℃ 내지 약 230℃, 약 215℃ 내지 약 225℃, 또는 약 218℃ 내지 약 220℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 변조 시차 주사 열량계(mDSC) 분석에서 약 219.2℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 4R 유리 염기 타입 B
일부 구현예에서, 화합물은 4R이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.7±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.7±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.5 내지 약 6.9, 및 약 9.0 내지 약 9.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.5 내지 약 6.9, 약 9.0 내지 약 9.4, 및 약 12.9 내지 약 13.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.5 내지 약 6.9, 약 9.0 내지 약 9.4, 약 12.9 내지 약 13.3, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.5 내지 약 6.9, 약 9.0 내지 약 9.4, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 19.9 내지 약 20.3, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.5 내지 약 6.9, 약 9.0 내지 약 9.4, 약 12.5 내지 약 12.9, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 19.9 내지 약 20.3, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.5 내지 약 6.9, 약 9.0 내지 약 9.4, 약 12.5 내지 약 12.9, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 19.9 내지 약 20.3, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.5 내지 약 6.9, 약 9.0 내지 약 9.4, 약 12.5 내지 약 12.9, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 19.9 내지 약 20.3, 약 21.8 내지 약 22.2, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.5 내지 약 6.9, 약 9.0 내지 약 9.4, 약 12.5 내지 약 12.9, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 19.9 내지 약 20.3, 약 21.8 내지 약 22.2, 약 26.0 내지 약 26.4, 및 약 26.9 내지 약 27.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.4, 약 6.6 내지 약 6.8, 약 9.1 내지 약 9.3, 약 12.6 내지 약 12.8, 약 13.0 내지 약 13.2, 약 14.3 내지 약 14.5, 약 20.0 내지 약 20.2, 약 21.9 내지 약 22.1, 약 26.1 내지 약 26.3, 및 약 27.0 내지 약 27.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.31, 약 6.73, 약 9.24, 약 12.66, 약 13.13, 약 14.37, 약 20.08, 약 22.0, 약 26.15 및 약 27.05 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 60℃ 내지 약 100℃, 약 65℃ 내지 약 95℃, 약 70℃ 내지 약 90℃, 약 74℃ 내지 약 82℃, 또는 약 77℃ 내지 약 79℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 185℃ 내지 약 225℃, 약 190℃ 내지 약 220℃, 약 195℃ 내지 약 215℃, 약 200℃ 내지 약 210℃, 또는 약 203℃ 내지 약 206℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 77.5℃ 및/또는 약 204.6℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 4R 유리 염기 타입 C
일부 구현예에서, 화합물은 4R이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.3±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.3±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.3±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.3±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.3±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.3±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.3±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.3±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.3±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.3±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.3±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.3±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.3±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.3±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.3±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.3±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.3±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.3±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.3±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.3±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.3±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.3±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.3±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.3±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.3±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.3±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.1 내지 약 7.5, 약 13.1 내지 약 13.5, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.1 내지 약 7.5, 약 9.6 내지 약 10.0, 약 13.1 내지 약 13.5, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.1 내지 약 7.5, 약 7.8 내지 약 8.2, 약 9.6 내지 약 10.0, 약 13.1 내지 약 13.5, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.1 내지 약 7.5, 약 7.8 내지 약 8.2, 약 9.6 내지 약 10.0, 약 12.2 내지 약 12.6, 약 13.1 내지 약 13.5, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.1 내지 약 7.5, 약 7.8 내지 약 8.2, 약 8.7 내지 약 9.1, 약 9.6 내지 약 10.0, 약 12.2 내지 약 12.6, 약 13.1 내지 약 13.5, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.2 내지 약 7.4, 약 7.9 내지 약 8.1, 약 8.8 내지 약 9.0, 약 9.7 내지 약 9.9, 약 12.3 내지 약 12.5, 약 13.2 내지 약 13.4, 및 약 26.1 내지 약 26.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.26, 약 7.96, 약 8.80, 약 9.82, 약 12.40, 약 13.31 및 약 26.18 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 230℃ 내지 약 270℃, 약 235℃ 내지 약 265℃, 약 240℃ 내지 약 260℃, 약 245℃ 내지 약 255℃, 또는 약 247℃ 내지 약 249℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 248.0℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 11.8±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 19.4±0.2, 25.5±0.2, 26.3±0.2, 및 29.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 11.8±0.1, 14.5±0.1, 15.5±0.1, 19.4±0.1, 25.5±0.1, 26.3±0.1, 및 29.4±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 14.3 내지 약 14.7, 및 약 25.3 내지 약 25.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 14.3 내지 약 14.7, 및 약 25.3 내지 약 25.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 14.3 내지 약 14.7, 약 25.3 내지 약 25.7, 및 약 26.1 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 14.3 내지 약 14.7, 약 25.3 내지 약 25.7, 및 약 26.1 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 14.3 내지 약 14.7, 약 15.3 내지 약 15.7, 약 25.3 내지 약 25.7, 및 약 26.1 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 14.3 내지 약 14.7, 약 15.3 내지 약 15.7, 약 25.3 내지 약 25.7, 약 26.1 내지 약 26.5, 및 약 29.2 내지 약 29.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 11.6 내지 약 12.0, 약 14.3 내지 약 14.7, 약 15.3 내지 약 15.7, 약 19.2 내지 약 19.6, 약 25.3 내지 약 25.7, 약 26.1 내지 약 26.5, 및 약 29.2 내지 약 29.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.4, 약 11.7 내지 약 11.9, 약 14.4 내지 약 14.6, 약 15.4 내지 약 15.6, 약 19.3 내지 약 19.5, 약 25.4 내지 약 25.6, 약 26.2 내지 약 26.4, 및 약 29.3 내지 약 29.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.34, 약 11.80, 약 14.50, 약 15.51, 약 19.36, 약 25.50, 약 26.28, 및 약 29.38 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 55℃ 내지 약 95℃, 약 60℃ 내지 약 90℃, 약 65℃ 내지 약 85℃, 약 70℃ 내지 약 80℃, 또는 약 75℃ 내지 약 76℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 180℃ 내지 약 220℃, 약 185℃ 내지 약 215℃, 약 190℃ 내지 약 210℃, 약 195℃ 내지 약 205℃, 또는 약 198℃ 내지 약 199℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 75.7℃ 및/또는 약 198.7℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 B
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.2±0.2, 8.0±0.2, 8.8±0.2, 9.8±0.2, 12.4±0.2, 13.3±0.2, 14.4±0.2, 17.6±0.2, 및 26.2±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.2±0.1, 8.0±0.1, 8.8±0.1, 9.8±0.1, 12.4±0.1, 13.3±0.1, 14.4±0.1, 17.6±0.1, 및 26.2±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.0 내지 약 7.4, 약 12.2 내지 약 12.6, 및 약 13.1 내지 약 13.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.0 내지 약 7.4, 약 9.6 내지 약 10.0, 약 12.2 내지 약 12.6, 및 약 13.1 내지 약 13.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.0 내지 약 7.4, 약 7.8 내지 약 8.2, 약 9.6 내지 약 10.0, 약 12.2 내지 약 12.6, 및 약 13.1 내지 약 13.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.0 내지 약 7.4, 약 7.8 내지 약 8.2, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 9.6 내지 약 10.0, 약 12.2 내지 약 12.6, 및 약 13.1 내지 약 13.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.0 내지 약 7.4, 약 7.8 내지 약 8.2, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 9.6 내지 약 10.0, 약 12.2 내지 약 12.6, 약 13.1 내지 약 13.5, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.0 내지 약 7.4, 약 7.8 내지 약 8.2, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 9.6 내지 약 10.0, 약 12.2 내지 약 12.6, 약 13.1 내지 약 13.5, 약 17.4 내지 약 17.8, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.0 내지 약 7.4, 약 7.8 내지 약 8.2, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 9.6 내지 약 10.0, 약 12.2 내지 약 12.6, 약 13.1 내지 약 13.5, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 17.4 내지 약 17.8, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.1 내지 약 7.3, 약 7.9 내지 약 8.1, 약 8.7 내지 약 8.9, 약 9.7 내지 약 9.9, 약 12.3 내지 약 12.5, 약 13.2 내지 약 13.4, 약 14.3 내지 약 14.5, 약 17.5 내지 약 17.7, 및 약 26.1 내지 약 26.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.20, 약 7.95, 약 8.77, 약 9.78, 약 12.37, 약 13.26, 약 14.41, 약 17.60, 및 약 26.22 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 80℃ 내지 약 120℃, 약 85℃ 내지 약 115℃, 약 90℃ 내지 약 110℃, 약 95℃ 내지 약 105℃, 또는 약 99℃ 내지 약 101℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 220℃ 내지 약 260℃, 약 225℃ 내지 약 255℃, 약 230℃ 내지 약 250℃, 약 235℃ 내지 약 245℃, 또는 약 239℃ 내지 약 240℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 100℃ 및/또는 약 239.2℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 4R 숙시네이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 숙시네이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.3±0.2, 6.8±0.2, 9.2±0.2, 12.7±0.2, 13.1±0.2, 14.4±0.2, 20.1±0.2, 22.0±0.2, 26.2±0.2, 및 27.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.3±0.1, 6.8±0.1, 9.2±0.1, 12.7±0.1, 13.1±0.1, 14.4±0.1, 20.1±0.1, 22.0±0.1, 26.2±0.1, 및 27.1±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.6 내지 약 7.0, 및 약 9.0 내지 약 9.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.6 내지 약 7.0, 약 9.0 내지 약 9.4, 및 약 12.9 내지 약 13.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.6 내지 약 7.0, 약 9.0 내지 약 9.4, 약 12.9 내지 약 13.3, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.6 내지 약 7.0, 약 9.0 내지 약 9.4, 약 12.5 내지 약 12.9, 약 12.9 내지 약 13.3, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.6 내지 약 7.0, 약 9.0 내지 약 9.4, 약 12.5 내지 약 12.9, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 19.9 내지 약 20.3, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.6 내지 약 7.0, 약 9.0 내지 약 9.4, 약 12.5 내지 약 12.9, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 19.9 내지 약 20.3, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.6 내지 약 7.0, 약 9.0 내지 약 9.4, 약 12.5 내지 약 12.9, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 19.9 내지 약 20.3, 약 21.8 내지 약 22.2, 및 약 26.0 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.1 내지 약 6.5, 약 6.6 내지 약 7.0, 약 9.0 내지 약 9.4, 약 12.5 내지 약 12.9, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 19.9 내지 약 20.3, 약 21.8 내지 약 22.2, 약 26.0 내지 약 26.4, 및 약 26.9 내지 약 27.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.2 내지 약 6.4, 약 6.7 내지 약 6.9, 약 9.1 내지 약 9.3, 약 12.6 내지 약 12.8, 약 13.0 내지 약 13.2, 약 14.3 내지 약 14.5, 약 20.0 내지 약 20.2, 약 21.9 내지 약 22.1, 약 26.1 내지 약 26.3, 및 약 27.0 내지 약 27.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.31, 약 6.79, 약 9.24, 약 12.66, 약 13.13, 약 14.37, 약 20.08, 약 22.00, 약 26.15, 및 약 27.05 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 70℃ 내지 약 110℃, 약 75℃ 내지 약 105℃, 약 80℃ 내지 약 100℃, 약 85℃ 내지 약 95℃, 또는 약 88℃ 내지 약 89℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 125℃ 내지 약 165℃, 약 130℃ 내지 약 160℃, 약 135℃ 내지 약 155℃, 약 140℃ 내지 약 150℃, 또는 약 146℃ 내지 약 148℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 175℃ 내지 약 215℃, 약 180℃ 내지 약 210℃, 약 185℃ 내지 약 205℃, 약 190℃ 내지 약 200℃, 또는 약 193℃ 내지 약 194℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 210℃ 내지 약 250℃, 약 215℃ 내지 약 245℃, 약 220℃ 내지 약 240℃, 약 225℃ 내지 약 235℃, 또는 약 231℃ 내지 약 233℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 88.7℃, 약 147.0℃, 약 193.6℃, 및/또는 약 232.0℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4S, 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4S이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4S의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4S의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4S의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4S의 하이드로클로라이드 염, 설페이트 염, 글리콜레이트 염, 아디페이트 염, 숙시네이트 염, 옥살레이트 염, 포스페이트 염, 푸마레이트 염, 히푸레이트 염, 젠티세이트 염, 또는 벤조에이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4S의 하이드로클로라이드 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4S의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 숙시네이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태이다.
화합물 5
일부 구현예에서, 화합물은 
(화합물 5), 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5이다.
일부 구현예에서, 화합물은 
(화합물 5R), 
(화합물 5S), 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R 또는 화합물 5S이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R, 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 5R의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 5R의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 하이드로클로라이드 염, 설페이트 염, 글리콜레이트 염, 아디페이트 염, 숙시네이트 염, 옥살레이트 염, 포스페이트 염, 푸마레이트 염, 히푸레이트 염, 젠티세이트 염, 또는 벤조에이트 염이다.
화합물 5R 유리 염기 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 12.8±0.2, 13.4±0.2, 14.6±0.2, 17.6±0.2, 20.9±0.2, 및 23.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 12.8±0.1, 13.4±0.1, 14.6±0.1, 17.6±0.1, 20.9±0.1, 및 23.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 12.8±0.2, 13.4±0.2, 14.6±0.2, 17.6±0.2, 20.9±0.2, 및 23.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 12.8±0.1, 13.4±0.1, 14.6±0.1, 17.6±0.1, 20.9±0.1, 및 23.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 12.8±0.2, 13.4±0.2, 14.6±0.2, 17.6±0.2, 20.9±0.2, 및 23.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 12.8±0.1, 13.4±0.1, 14.6±0.1, 17.6±0.1, 20.9±0.1, 및 23.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 12.8±0.2, 13.4±0.2, 14.6±0.2, 17.6±0.2, 20.9±0.2, 및 23.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 12.8±0.1, 13.4±0.1, 14.6±0.1, 17.6±0.1, 20.9±0.1, 및 23.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 12.8±0.2, 13.4±0.2, 14.6±0.2, 17.6±0.2, 20.9±0.2, 및 23.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 12.8±0.1, 13.4±0.1, 14.6±0.1, 17.6±0.1, 20.9±0.1, 및 23.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 12.8±0.2, 13.4±0.2, 14.6±0.2, 17.6±0.2, 20.9±0.2, 및 23.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 12.8±0.1, 13.4±0.1, 14.6±0.1, 17.6±0.1, 20.9±0.1, 및 23.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 12.8±0.2, 13.4±0.2, 14.6±0.2, 17.6±0.2, 20.9±0.2, 및 23.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 12.8±0.1, 13.4±0.1, 14.6±0.1, 17.6±0.1, 20.9±0.1, 및 23.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 12.8±0.2, 13.4±0.2, 14.6±0.2, 17.6±0.2, 20.9±0.2, 및 23.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 12.8±0.1, 13.4±0.1, 14.6±0.1, 17.6±0.1, 20.9±0.1, 및 23.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 12.8±0.2, 13.4±0.2, 14.6±0.2, 17.6±0.2, 20.9±0.2, 및 23.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 12.8±0.1, 13.4±0.1, 14.6±0.1, 17.6±0.1, 20.9±0.1, 및 23.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 12.8±0.2, 13.4±0.2, 14.6±0.2, 17.6±0.2, 20.9±0.2, 및 23.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 12.8±0.1, 13.4±0.1, 14.6±0.1, 17.6±0.1, 20.9±0.1, 및 23.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 12.8±0.2, 13.4±0.2, 14.6±0.2, 17.6±0.2, 20.9±0.2, 및 23.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 12.8±0.1, 13.4±0.1, 14.6±0.1, 17.6±0.1, 20.9±0.1, 및 23.9±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.6 내지 약 13.0, 약 13.1 내지 약 13.6, 및 약 20.7 내지 약 30.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.6 내지 약 13.0, 약 13.1 내지 약 13.6, 약 17.4 내지 약 17.8, 및 약 20.7 내지 약 30.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.6 내지 약 13.0, 약 13.1 내지 약 13.6, 약 17.4 내지 약 17.8, 약 20.7 내지 약 30.1, 및 약 23.8 내지 약 24.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.6 내지 약 13.0, 약 13.1 내지 약 13.6, 약 14.4 내지 약 14.8, 약 17.4 내지 약 17.8, 약 20.7 내지 약 30.1, 및 약 23.8 내지 약 24.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.7 내지 약 12.9, 약 13.3 내지 약 13.5, 약 14.5 내지 약 14.7, 약 17.5 내지 약 17.7, 약 20.8 내지 약 30.0, 및 약 23.7 내지 약 24.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.81, 약 13.39, 약 14.57, 약 17.55, 약 20.85, 및 약 23.91 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 90℃ 내지 약 130℃, 약 95℃ 내지 약 125℃, 약 100℃ 내지 약 120℃, 약 105℃ 내지 약 115℃, 또는 약 109℃ 내지 약 112℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 120℃ 내지 약 160℃, 약 125℃ 내지 약 155℃, 약 130℃ 내지 약 150℃, 약 135℃ 내지 약 145℃, 또는 약 140℃ 내지 약 142℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 110.5℃ 및/또는 약 141.0℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 5R 유리 염기 타입 B
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.2±0.2, 12.5±0.2, 14.0±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 및 24.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.2±0.1, 12.5±0.1, 14.0±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 19.3±0.1, 및 24.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.2±0.2, 12.5±0.2, 14.0±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 및 24.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.2±0.1, 12.5±0.1, 14.0±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 19.3±0.1, 및 24.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.2±0.2, 12.5±0.2, 14.0±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 및 24.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.2±0.1, 12.5±0.1, 14.0±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 19.3±0.1, 및 24.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.2±0.2, 12.5±0.2, 14.0±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 및 24.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.2±0.1, 12.5±0.1, 14.0±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 19.3±0.1, 및 24.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.2±0.2, 12.5±0.2, 14.0±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 및 24.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.2±0.1, 12.5±0.1, 14.0±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 19.3±0.1, 및 24.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.2±0.2, 12.5±0.2, 14.0±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 및 24.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.2±0.1, 12.5±0.1, 14.0±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 19.3±0.1, 및 24.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.2±0.2, 12.5±0.2, 14.0±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 및 24.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.2±0.1, 12.5±0.1, 14.0±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 19.3±0.1, 및 24.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.2±0.2, 12.5±0.2, 14.0±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 및 24.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.2±0.1, 12.5±0.1, 14.0±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 19.3±0.1, 및 24.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.2±0.2, 12.5±0.2, 14.0±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 및 24.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.2±0.1, 12.5±0.1, 14.0±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 19.3±0.1, 및 24.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.2±0.2, 12.5±0.2, 14.0±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 및 24.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.2±0.1, 12.5±0.1, 14.0±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 19.3±0.1, 및 24.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.2±0.2, 12.5±0.2, 14.0±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 및 24.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.2±0.1, 12.5±0.1, 14.0±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 19.3±0.1, 및 24.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.2±0.2, 12.5±0.2, 14.0±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 및 24.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.2±0.1, 12.5±0.1, 14.0±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 19.3±0.1, 및 24.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.2±0.2, 12.5±0.2, 14.0±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 19.3±0.2, 및 24.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.2±0.1, 12.5±0.1, 14.0±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 19.3±0.1, 및 24.6±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 13.8 내지 약 14.2, 약 17.6 내지 약 18.0, 및 약 18.6 내지 약 19.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.3 내지 약 12.7, 약 13.8 내지 약 14.2, 약 17.6 내지 약 18.0, 및 약 18.6 내지 약 19.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.3 내지 약 12.7, 약 13.8 내지 약 14.2, 약 17.6 내지 약 18.0, 약 18.6 내지 약 19.0, 및 약 19.1 내지 약 19.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.3 내지 약 12.7, 약 13.8 내지 약 14.2, 약 17.6 내지 약 18.0, 약 18.6 내지 약 19.0, 약 19.1 내지 약 19.5, 및 약 24.4 내지 약 24.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 10.0 내지 약 10.4, 약 12.3 내지 약 12.7, 약 13.8 내지 약 14.2, 약 17.6 내지 약 18.0, 약 18.6 내지 약 19.0, 약 19.1 내지 약 19.5, 및 약 24.4 내지 약 24.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 10.1 내지 약 10.3, 약 12.4 내지 약 12.6, 약 13.9 내지 약 14.1, 약 17.7 내지 약 17.9, 약 18.7 내지 약 18.9, 약 19.2 내지 약 19.4, 및 약 24.5 내지 약 24.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 10.17, 약 12.49, 약 13.97, 약 17.75, 약 18.82, 약 19.34, 및 약 24.56 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 120℃ 내지 약 160℃, 약 125℃ 내지 약 155℃, 약 130℃ 내지 약 150℃, 약 135℃ 내지 약 145℃, 또는 약 138℃ 내지 약 141℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 139.5℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 5R 유리 염기 타입 C
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.5±0.2, 12.9±0.2, 13.6±0.2, 15.4±0.2, 16.0±0.2, 18.1±0.2, 21.3±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 및 24.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.5±0.1, 12.9±0.1, 13.6±0.1, 15.4±0.1, 16.0±0.1, 18.1±0.1, 21.3±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 및 24.8±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 8.3 내지 약 8.7, 약 12.7 내지 약 13.1, 및 약 21.4 내지 약 21.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 8.3 내지 약 8.7, 약 12.7 내지 약 13.1, 약 13.4 내지 약 13.8, 및 약 21.4 내지 약 21.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 8.3 내지 약 8.7, 약 12.7 내지 약 13.1, 약 13.4 내지 약 13.8, 약 15.2 내지 약 15.6, 및 약 21.4 내지 약 21.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 8.3 내지 약 8.7, 약 12.7 내지 약 13.1, 약 13.4 내지 약 13.8, 약 15.2 내지 약 15.6, 약 17.9 내지 약 18.3, 및 약 21.4 내지 약 21.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 8.3 내지 약 8.7, 약 12.7 내지 약 13.1, 약 13.4 내지 약 13.8, 약 15.2 내지 약 15.6, 약 17.9 내지 약 18.3, 약 21.1 내지 약 21.5, 및 약 21.4 내지 약 21.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 8.3 내지 약 8.7, 약 12.7 내지 약 13.1, 약 13.4 내지 약 13.8, 약 15.2 내지 약 15.6, 약 15.8 내지 약 16.2, 약 17.9 내지 약 18.3, 약 21.1 내지 약 21.5, 및 약 21.4 내지 약 21.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 8.3 내지 약 8.7, 약 12.7 내지 약 13.1, 약 13.4 내지 약 13.8, 약 15.2 내지 약 15.6, 약 15.8 내지 약 16.2, 약 17.9 내지 약 18.3, 약 21.1 내지 약 21.5, 약 21.4 내지 약 21.8, 및 약 22.7 내지 약 23.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 8.3 내지 약 8.7, 약 12.7 내지 약 13.1, 약 13.4 내지 약 13.8, 약 15.2 내지 약 15.6, 약 15.8 내지 약 16.2, 약 17.9 내지 약 18.3, 약 21.1 내지 약 21.5, 약 21.4 내지 약 21.8, 약 22.7 내지 약 23.1, 및 약 24.6 내지 약 25.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 8.4 내지 약 8.6, 약 12.8 내지 약 13.0, 약 13.5 내지 약 13.7, 약 15.3 내지 약 15.5, 약 15.9 내지 약 16.1, 약 18.0 내지 약 18.2, 약 21.2 내지 약 21.4, 약 21.5 내지 약 21.7, 약 22.8 내지 약 23.0, 및 약 24.7 내지 약 24.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 8.48, 약 12.86, 약 13.55, 약 15.41, 약 16.01, 약 18.14, 약 21.32, 약 21.63, 약 22.87, 및 약 24.84 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
화합물 5R 설페이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 설페이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 8.7±0.2, 14.0±0.2, 16.4±0.2, 23.5±0.2, 25.3±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 8.7±0.1, 14.0±0.1, 16.4±0.1, 23.5±0.1, 25.3±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 8.7±0.2, 14.0±0.2, 16.4±0.2, 23.5±0.2, 25.3±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 8.7±0.1, 14.0±0.1, 16.4±0.1, 23.5±0.1, 25.3±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 8.7±0.2, 14.0±0.2, 16.4±0.2, 23.5±0.2, 25.3±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 8.7±0.1, 14.0±0.1, 16.4±0.1, 23.5±0.1, 25.3±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 8.7±0.2, 14.0±0.2, 16.4±0.2, 23.5±0.2, 25.3±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 8.7±0.1, 14.0±0.1, 16.4±0.1, 23.5±0.1, 25.3±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 8.7±0.2, 14.0±0.2, 16.4±0.2, 23.5±0.2, 25.3±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 8.7±0.1, 14.0±0.1, 16.4±0.1, 23.5±0.1, 25.3±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 8.7±0.2, 14.0±0.2, 16.4±0.2, 23.5±0.2, 25.3±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 8.7±0.1, 14.0±0.1, 16.4±0.1, 23.5±0.1, 25.3±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 8.7±0.2, 14.0±0.2, 16.4±0.2, 23.5±0.2, 25.3±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 8.7±0.1, 14.0±0.1, 16.4±0.1, 23.5±0.1, 25.3±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 8.7±0.2, 14.0±0.2, 16.4±0.2, 23.5±0.2, 25.3±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 8.7±0.1, 14.0±0.1, 16.4±0.1, 23.5±0.1, 25.3±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 8.7±0.2, 14.0±0.2, 16.4±0.2, 23.5±0.2, 25.3±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 8.7±0.1, 14.0±0.1, 16.4±0.1, 23.5±0.1, 25.3±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 8.7±0.2, 14.0±0.2, 16.4±0.2, 23.5±0.2, 25.3±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 8.7±0.1, 14.0±0.1, 16.4±0.1, 23.5±0.1, 25.3±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 8.7±0.2, 14.0±0.2, 16.4±0.2, 23.5±0.2, 25.3±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 8.7±0.1, 14.0±0.1, 16.4±0.1, 23.5±0.1, 25.3±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 8.7±0.2, 14.0±0.2, 16.4±0.2, 23.5±0.2, 25.3±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 8.7±0.1, 14.0±0.1, 16.4±0.1, 23.5±0.1, 25.3±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 8.7±0.2, 14.0±0.2, 16.4±0.2, 23.5±0.2, 25.3±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 8.7±0.1, 14.0±0.1, 16.4±0.1, 23.5±0.1, 25.3±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 약 8.5 내지 약 8.9, 약 13.8 내지 약 14.2, 및 약 16.2 내지 약 16.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 약 8.5 내지 약 8.9, 약 13.8 내지 약 14.2, 약 16.2 내지 약 16.6, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 약 8.5 내지 약 8.9, 약 13.8 내지 약 14.2, 약 16.2 내지 약 16.6, 약 25.1 내지 약 25.5, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.5 내지 약 8.9, 약 13.8 내지 약 14.2, 약 16.2 내지 약 16.6, 약 25.1 내지 약 25.5, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 약 6.6 내지 약 7.0, 약 8.5 내지 약 8.9, 약 13.8 내지 약 14.2, 약 16.2 내지 약 16.6, 약 23.3 내지 약 23.7, 약 25.1 내지 약 25.5, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 약 6.7 내지 약 6.9, 약 8.6 내지 약 8.8, 약 13.9 내지 약 14.1, 약 16.3 내지 약 16.5, 약 23.4 내지 약 23.6, 약 25.2 내지 약 25.4, 및 약 26.4 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태)은 약 6.77, 약 8.65, 약 13.95, 약 16.42, 약 23.49, 약 25.29, 및 약 26.50 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
화합물 5R 글리콜레이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 글리콜레이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 14.1±0.2, 17.8±0.2, 18.9±0.2, 24.7±0.2, 25.7±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 14.1±0.1, 17.8±0.1, 18.9±0.1, 24.7±0.1, 25.7±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 14.1±0.2, 17.8±0.2, 18.9±0.2, 24.7±0.2, 25.7±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 14.1±0.1, 17.8±0.1, 18.9±0.1, 24.7±0.1, 25.7±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 14.1±0.2, 17.8±0.2, 18.9±0.2, 24.7±0.2, 25.7±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 14.1±0.1, 17.8±0.1, 18.9±0.1, 24.7±0.1, 25.7±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 14.1±0.2, 17.8±0.2, 18.9±0.2, 24.7±0.2, 25.7±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 14.1±0.1, 17.8±0.1, 18.9±0.1, 24.7±0.1, 25.7±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 14.1±0.2, 17.8±0.2, 18.9±0.2, 24.7±0.2, 25.7±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 14.1±0.1, 17.8±0.1, 18.9±0.1, 24.7±0.1, 25.7±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 14.1±0.2, 17.8±0.2, 18.9±0.2, 24.7±0.2, 25.7±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 14.1±0.1, 17.8±0.1, 18.9±0.1, 24.7±0.1, 25.7±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 14.1±0.2, 17.8±0.2, 18.9±0.2, 24.7±0.2, 25.7±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 14.1±0.1, 17.8±0.1, 18.9±0.1, 24.7±0.1, 25.7±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 14.1±0.2, 17.8±0.2, 18.9±0.2, 24.7±0.2, 25.7±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 14.1±0.1, 17.8±0.1, 18.9±0.1, 24.7±0.1, 25.7±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 14.1±0.2, 17.8±0.2, 18.9±0.2, 24.7±0.2, 25.7±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 14.1±0.1, 17.8±0.1, 18.9±0.1, 24.7±0.1, 25.7±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 14.1±0.2, 17.8±0.2, 18.9±0.2, 24.7±0.2, 25.7±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 14.1±0.1, 17.8±0.1, 18.9±0.1, 24.7±0.1, 25.7±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 14.1±0.2, 17.8±0.2, 18.9±0.2, 24.7±0.2, 25.7±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 14.1±0.1, 17.8±0.1, 18.9±0.1, 24.7±0.1, 25.7±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 14.1±0.2, 17.8±0.2, 18.9±0.2, 24.7±0.2, 25.7±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 14.1±0.1, 17.8±0.1, 18.9±0.1, 24.7±0.1, 25.7±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 14.1±0.2, 17.8±0.2, 18.9±0.2, 24.7±0.2, 25.7±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 14.1±0.1, 17.8±0.1, 18.9±0.1, 24.7±0.1, 25.7±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.3 내지 약 6.7, 약 17.6 내지 약 18.0, 및 약 18.7 내지 약 19.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.3 내지 약 6.7, 약 17.6 내지 약 18.0, 약 18.7 내지 약 19.1, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.3 내지 약 6.7, 약 17.6 내지 약 18.0, 약 18.7 내지 약 19.1, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.3 내지 약 6.7, 약 17.6 내지 약 18.0, 약 18.7 내지 약 19.1, 약 24.5 내지 약 24.9, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.3 내지 약 6.7, 약 13.9 내지 약 14.3, 약 17.6 내지 약 18.0, 약 18.7 내지 약 19.1, 약 24.5 내지 약 24.9, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.4 내지 약 6.6, 약 14.0 내지 약 14.2, 약 17.7 내지 약 17.9, 약 18.8 내지 약 19.0, 약 24.6 내지 약 24.8, 약 25.6 내지 약 25.8, 및 약 26.4 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.52, 약 14.06, 약 17.83, 약 18.94, 약 24.69, 약 25.67, 및 약 26.49 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
화합물 5R 푸마레이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 푸마레이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 7.7±0.2, 11.3±0.2, 11.9±0.2, 15.4±0.2, 18.4±0.2, 25.8±0.2, 및 26.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 7.7±0.1, 11.3±0.1, 11.9±0.1, 15.4±0.1, 18.4±0.1, 25.8±0.1, 및 26.5±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.7 내지 약 6.1, 약 7.5 내지 약 7.9, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.7 내지 약 6.1, 약 7.5 내지 약 7.9, 약 15.2 내지 약 15.6, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.7 내지 약 6.1, 약 7.5 내지 약 7.9, 약 15.2 내지 약 15.6, 약 25.6 내지 약 26.0, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.7 내지 약 6.1, 약 7.5 내지 약 7.9, 약 15.2 내지 약 15.6, 약 18.2 내지 약 18.6, 약 25.6 내지 약 26.0, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.7 내지 약 6.1, 약 7.5 내지 약 7.9, 약 11.7 내지 약 12.1, 약 15.2 내지 약 15.6, 약 18.2 내지 약 18.6, 약 25.6 내지 약 26.0, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.7 내지 약 6.1, 약 7.5 내지 약 7.9, 약 11.1 내지 약 11.5, 약 11.7 내지 약 12.1, 약 15.2 내지 약 15.6, 약 18.2 내지 약 18.6, 약 25.6 내지 약 26.0, 및 약 26.3 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.8 내지 약 6.0, 약 7.6 내지 약 7.8, 약 11.2 내지 약 11.4, 약 11.8 내지 약 12.0, 약 15.3 내지 약 15.5, 약 18.3 내지 약 18.5, 약 25.7 내지 약 25.9, 및 약 26.4 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.94, 약 7.66, 약 11.31, 약 11.88, 약 15.40, 약 18.41, 약 25.84, 및 약 26.47 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
화합물 5R 히푸레이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 히푸레이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 9.7±0.2, 11.0±0.2, 13.0±0.2, 19.4±0.2, 23.6±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 9.7±0.1, 11.0±0.1, 13.0±0.1, 19.4±0.1, 23.6±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 9.7±0.2, 11.0±0.2, 13.0±0.2, 19.4±0.2, 23.6±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 9.7±0.1, 11.0±0.1, 13.0±0.1, 19.4±0.1, 23.6±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 9.7±0.2, 11.0±0.2, 13.0±0.2, 19.4±0.2, 23.6±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 9.7±0.1, 11.0±0.1, 13.0±0.1, 19.4±0.1, 23.6±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 9.7±0.2, 11.0±0.2, 13.0±0.2, 19.4±0.2, 23.6±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 9.7±0.1, 11.0±0.1, 13.0±0.1, 19.4±0.1, 23.6±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 9.7±0.2, 11.0±0.2, 13.0±0.2, 19.4±0.2, 23.6±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 9.7±0.1, 11.0±0.1, 13.0±0.1, 19.4±0.1, 23.6±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 9.7±0.2, 11.0±0.2, 13.0±0.2, 19.4±0.2, 23.6±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 9.7±0.1, 11.0±0.1, 13.0±0.1, 19.4±0.1, 23.6±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 9.7±0.2, 11.0±0.2, 13.0±0.2, 19.4±0.2, 23.6±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 9.7±0.1, 11.0±0.1, 13.0±0.1, 19.4±0.1, 23.6±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 9.7±0.2, 11.0±0.2, 13.0±0.2, 19.4±0.2, 23.6±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 9.7±0.1, 11.0±0.1, 13.0±0.1, 19.4±0.1, 23.6±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 9.7±0.2, 11.0±0.2, 13.0±0.2, 19.4±0.2, 23.6±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 9.7±0.1, 11.0±0.1, 13.0±0.1, 19.4±0.1, 23.6±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 9.7±0.2, 11.0±0.2, 13.0±0.2, 19.4±0.2, 23.6±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 9.7±0.1, 11.0±0.1, 13.0±0.1, 19.4±0.1, 23.6±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 9.7±0.2, 11.0±0.2, 13.0±0.2, 19.4±0.2, 23.6±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 9.7±0.1, 11.0±0.1, 13.0±0.1, 19.4±0.1, 23.6±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 9.7±0.2, 11.0±0.2, 13.0±0.2, 19.4±0.2, 23.6±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 9.7±0.1, 11.0±0.1, 13.0±0.1, 19.4±0.1, 23.6±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.5±0.2, 9.7±0.2, 11.0±0.2, 13.0±0.2, 19.4±0.2, 23.6±0.2, 및 26.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.5±0.1, 9.7±0.1, 11.0±0.1, 13.0±0.1, 19.4±0.1, 23.6±0.1, 및 26.1±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.3 내지 약 6.7, 약 12.8 내지 약 13.2, 및 약 25.9 내지 약 26.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.3 내지 약 6.7, 약 12.8 내지 약 13.2, 약 19.2 내지 약 19.6, 및 약 25.9 내지 약 26.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.3 내지 약 6.7, 약 12.8 내지 약 13.2, 약 19.2 내지 약 19.6, 약 23.4 내지 약 23.8, 및 약 25.9 내지 약 26.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.3 내지 약 6.7, 약 9.5 내지 약 9.9, 약 12.8 내지 약 13.2, 약 19.2 내지 약 19.6, 약 23.4 내지 약 23.8, 및 약 25.9 내지 약 26.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.3 내지 약 6.7, 약 9.5 내지 약 9.9, 약 10.8 내지 약 11.2, 약 12.8 내지 약 13.2, 약 19.2 내지 약 19.6, 약 23.4 내지 약 23.8, 및 약 25.9 내지 약 26.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.4 내지 약 6.6, 약 9.6 내지 약 9.8, 약 10.9 내지 약 11.1, 약 12.9 내지 약 13.1, 약 19.3 내지 약 19.5, 약 23.5 내지 약 23.7, 및 약 26.0 내지 약 26.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.49, 약 9.70, 약 10.98, 약 12.96, 약 19.44, 약 23.62, 및 약 26.07 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
화합물 5R 아디페이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 아디페이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 10.7±0.2, 13.1±0.2, 17.8±0.2, 18.8±0.2, 21.6±0.2, 22.9±0.2, 24.6±0.2, 및 25.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 10.7±0.1, 13.1±0.1, 17.8±0.1, 18.8±0.1, 21.6±0.1, 22.9±0.1, 24.6±0.1, 및 25.5±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 21.4 내지 약 21.8, 약 22.7 내지 약 23.1, 및 약 25.3 내지 약 25.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.9 내지 약 13.3, 약 21.4 내지 약 21.8, 약 22.7 내지 약 23.1, 및 약 25.3 내지 약 25.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.9 내지 약 13.3, 약 17.6 내지 약 18.0, 약 21.4 내지 약 21.8, 약 22.7 내지 약 23.1, 및 약 25.3 내지 약 25.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 10.5 내지 약 10.9, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 17.6 내지 약 18.0, 약 21.4 내지 약 21.8, 약 22.7 내지 약 23.1, 및 약 25.3 내지 약 25.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 10.5 내지 약 10.9, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 17.6 내지 약 18.0, 약 18.6 내지 약 19.0, 약 21.4 내지 약 21.8, 약 22.7 내지 약 23.1, 및 약 25.3 내지 약 25.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 10.5 내지 약 10.9, 약 12.9 내지 약 13.3, 약 17.6 내지 약 18.0, 약 18.6 내지 약 19.0, 약 21.4 내지 약 21.8, 약 22.7 내지 약 23.1, 약 24.4 내지 약 24.8, 및 약 25.3 내지 약 25.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 10.6 내지 약 10.8, 약 13.0 내지 약 13.2, 약 17.7 내지 약 17.9, 약 18.7 내지 약 18.9, 약 21.5 내지 약 21.7, 약 22.8 내지 약 23.0, 약 24.5 내지 약 24.7, 및 약 25.4 내지 약 25.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 10.66, 약 13.06, 약 17.78, 약 18.84, 약 21.55, 약 22.89, 약 24.55, 및 약 25.45 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
화합물 5R 젠티세이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 젠티세이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 7.7±0.2, 8.8±0.2, 9.3±0.2, 15.0±0.2, 16.2±0.2, 17.2±0.2, 21.2±0.2, 및 25.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 7.7±0.1, 8.8±0.1, 9.3±0.1, 15.0±0.1, 16.2±0.1, 17.2±0.1, 21.2±0.1, 및 25.3±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 9.1 내지 약 9.5, 및 약 25.1 내지 약 25.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 9.1 내지 약 9.5, 및 약 25.1 내지 약 25.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 7.5 내지 약 7.9, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 9.1 내지 약 9.5, 및 약 25.1 내지 약 25.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 7.5 내지 약 7.9, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 9.1 내지 약 9.5, 약 16.0 내지 약 16.4, 및 약 25.1 내지 약 25.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 7.5 내지 약 7.9, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 9.1 내지 약 9.5, 약 16.0 내지 약 16.4, 약 17.0 내지 약 17.4, 및 약 25.1 내지 약 25.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 7.5 내지 약 7.9, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 9.1 내지 약 9.5, 약 14.8 내지 약 15.2, 약 16.0 내지 약 16.4, 약 17.0 내지 약 17.4, 및 약 25.1 내지 약 25.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 7.5 내지 약 7.9, 약 8.6 내지 약 9.0, 약 9.1 내지 약 9.5, 약 14.8 내지 약 15.2, 약 16.0 내지 약 16.4, 약 17.0 내지 약 17.4, 약 21.1 내지 약 21.5, 및 약 25.1 내지 약 25.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.2 내지 약 5.4, 약 7.6 내지 약 7.8, 약 8.7 내지 약 8.9, 약 9.2 내지 약 9.4, 약 14.9 내지 약 15.1, 약 16.1 내지 약 16.3, 약 17.1 내지 약 17.3, 약 21.2 내지 약 21.4, 및 약 25.2 내지 약 25.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.25, 약 7.66, 약 8.84, 약 9.34, 약 14.97, 약 16.22, 약 17.15, 약 21.25, 및 약 25.26 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
화합물 5R 젠티세이트 염 타입 E
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 젠티세이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.0±0.2, 9.1±0.2, 15.0±0.2, 17.7±0.2, 18.4±0.2, 20.7±0.2, 23.8±0.2, 25.8±0.2, 및 26.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.0±0.1, 9.1±0.1, 15.0±0.1, 17.7±0.1, 18.4±0.1, 20.7±0.1, 23.8±0.1, 25.8±0.1, 및 26.6±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.8 내지 약 6.2, 약 14.8 내지 약 15.2, 및 약 18.2 내지 약 18.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.8 내지 약 6.2, 약 8.9 내지 약 9.3, 약 14.8 내지 약 15.2, 및 약 18.2 내지 약 18.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.8 내지 약 6.2, 약 8.9 내지 약 9.3, 약 14.8 내지 약 15.2, 약 18.2 내지 약 18.6, 및 약 20.5 내지 약 20.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.8 내지 약 6.2, 약 8.9 내지 약 9.3, 약 14.8 내지 약 15.2, 약 18.2 내지 약 18.6, 약 20.5 내지 약 20.9, 및 약 26.4 내지 약 26.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.8 내지 약 6.2, 약 8.9 내지 약 9.3, 약 14.8 내지 약 15.2, 약 17.5 내지 약 17.9, 약 18.2 내지 약 18.6, 약 20.5 내지 약 20.9, 및 약 26.4 내지 약 26.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.8 내지 약 6.2, 약 8.9 내지 약 9.3, 약 14.8 내지 약 15.2, 약 17.5 내지 약 17.9, 약 18.2 내지 약 18.6, 약 20.5 내지 약 20.9, 약 25.6 내지 약 26.0, 및 약 26.4 내지 약 26.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.8 내지 약 6.2, 약 8.9 내지 약 9.3, 약 14.8 내지 약 15.2, 약 17.5 내지 약 17.9, 약 18.2 내지 약 18.6, 약 20.5 내지 약 20.9, 약 23.6 내지 약 24.0, 약 25.6 내지 약 26.0, 및 약 26.4 내지 약 26.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.9 내지 약 6.1, 약 9.0 내지 약 9.2, 약 14.9 내지 약 15.1, 약 17.6 내지 약 17.8, 약 18.3 내지 약 18.5, 약 20.6 내지 약 20.8, 약 23.7 내지 약 23.9, 약 25.7 내지 약 25.9, 및 약 26.5 내지 약 26.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.01, 약 9.13, 약 15.02, 약 17.74, 약 18.41, 약 20.72, 약 23.77, 약 25.84, 및 약 26.62 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 160℃ 내지 약 200℃, 약 165℃ 내지 약 195℃, 약 170℃ 내지 약 190℃, 약 174℃ 내지 약 185℃, 또는 약 178℃ 내지 약 180℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 179℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 5R 벤조에이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 벤조에이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.2±0.2, 9.7±0.2, 15.5±0.2, 18.3±0.2, 19.0±0.2, 21.3±0.2, 22.9±0.2, 23.7±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.2±0.1, 9.7±0.1, 15.5±0.1, 18.3±0.1, 19.0±0.1, 21.3±0.1, 22.9±0.1, 23.7±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 15.3 내지 약 15.7, 및 약 26.7 내지 약 27.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 15.3 내지 약 15.7, 약 18.8 내지 약 19.2, 및 약 26.7 내지 약 27.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 15.3 내지 약 15.7, 약 18.8 내지 약 19.2, 약 21.1 내지 약 21.5, 및 약 26.7 내지 약 27.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 9.5 내지 약 9.9, 약 15.3 내지 약 15.7, 약 18.8 내지 약 19.2, 약 21.1 내지 약 21.5, 및 약 26.7 내지 약 27.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 9.5 내지 약 9.9, 약 15.3 내지 약 15.7, 약 18.8 내지 약 19.2, 약 21.1 내지 약 21.5, 약 22.7 내지 약 23.1, 및 약 26.7 내지 약 27.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 9.5 내지 약 9.9, 약 15.3 내지 약 15.7, 약 18.8 내지 약 19.2, 약 21.1 내지 약 21.5, 약 22.7 내지 약 23.1, 약 23.5 내지 약 23.9, 및 약 26.7 내지 약 27.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.5, 약 9.5 내지 약 9.9, 약 15.3 내지 약 15.7, 약 18.1 내지 약 18.5, 약 18.8 내지 약 19.2, 약 21.1 내지 약 21.5, 약 22.7 내지 약 23.1, 약 23.5 내지 약 23.9, 및 약 26.7 내지 약 27.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.2 내지 약 5.4, 약 9.6 내지 약 9.8, 약 15.4 내지 약 15.6, 약 18.2 내지 약 18.4, 약 18.9 내지 약 19.1, 약 21.2 내지 약 21.4, 약 22.8 내지 약 23.0, 약 23.6 내지 약 23.8, 및 약 26.8 내지 약 27.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.28, 약 9.66, 약 15.51, 약 18.25, 약 19.03, 약 21.27, 약 22.91, 약 23.73, 및 약 26.93 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
화합물 5R 벤조에이트 염 타입 B
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 벤조에이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.9±0.2, 10.1±0.2, 11.7±0.2, 17.2±0.2, 24.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.9±0.1, 10.1±0.1, 11.7±0.1, 17.2±0.1, 24.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.9±0.2, 10.1±0.2, 11.7±0.2, 17.2±0.2, 24.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.9±0.1, 10.1±0.1, 11.7±0.1, 17.2±0.1, 24.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.9±0.2, 10.1±0.2, 11.7±0.2, 17.2±0.2, 24.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.9±0.1, 10.1±0.1, 11.7±0.1, 17.2±0.1, 24.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.9±0.2, 10.1±0.2, 11.7±0.2, 17.2±0.2, 24.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.9±0.1, 10.1±0.1, 11.7±0.1, 17.2±0.1, 24.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.9±0.2, 10.1±0.2, 11.7±0.2, 17.2±0.2, 24.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.9±0.1, 10.1±0.1, 11.7±0.1, 17.2±0.1, 24.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.9±0.2, 10.1±0.2, 11.7±0.2, 17.2±0.2, 24.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.9±0.1, 10.1±0.1, 11.7±0.1, 17.2±0.1, 24.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.9±0.2, 10.1±0.2, 11.7±0.2, 17.2±0.2, 24.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.9±0.1, 10.1±0.1, 11.7±0.1, 17.2±0.1, 24.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.9±0.2, 10.1±0.2, 11.7±0.2, 17.2±0.2, 24.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.9±0.1, 10.1±0.1, 11.7±0.1, 17.2±0.1, 24.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.9±0.2, 10.1±0.2, 11.7±0.2, 17.2±0.2, 24.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.9±0.1, 10.1±0.1, 11.7±0.1, 17.2±0.1, 24.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.9±0.2, 10.1±0.2, 11.7±0.2, 17.2±0.2, 24.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.9±0.1, 10.1±0.1, 11.7±0.1, 17.2±0.1, 24.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 7.9±0.2, 10.1±0.2, 11.7±0.2, 17.2±0.2, 24.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 7.9±0.1, 10.1±0.1, 11.7±0.1, 17.2±0.1, 24.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 17.0 내지 약 17.4, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 24.9 내지 약 25.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.7 내지 약 8.1, 약 17.0 내지 약 17.4, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 24.9 내지 약 25.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.7 내지 약 8.1, 약 11.5 내지 약 11.9, 약 17.0 내지 약 17.4, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 24.9 내지 약 25.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.7 내지 약 8.1, 약 9.9 내지 약 10.3, 약 11.5 내지 약 11.9, 약 17.0 내지 약 17.4, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 24.9 내지 약 25.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.8 내지 약 8.0, 약 10.0 내지 약 10.2, 약 11.6 내지 약 11.8, 약 17.1 내지 약 17.3, 약 24.3 내지 약 24.5, 및 약 25.0 내지 약 25.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.90, 약 10.08, 약 11.71, 약 17.19, 약 24.44, 및 약 25.13 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
화합물 5R 벤조에이트 염 타입 C
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 벤조에이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.5±0.2, 11.1±0.2, 14.3±0.2, 15.9±0.2, 16.7±0.2, 17.0±0.2, 17.5±0.2, 19.1±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.5±0.1, 11.1±0.1, 14.3±0.1, 15.9±0.1, 16.7±0.1, 17.0±0.1, 17.5±0.1, 19.1±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.3 내지 약 5.7, 약 10.9 내지 약 11.3, 및 약 24.2 내지 약 24.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.3 내지 약 5.7, 약 10.9 내지 약 11.3, 약 14.1 내지 약 14.5, 및 약 24.2 내지 약 24.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.3 내지 약 5.7, 약 10.9 내지 약 11.3, 약 14.1 내지 약 14.5, 약 15.7 내지 약 16.1, 및 약 24.2 내지 약 24.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.3 내지 약 5.7, 약 10.9 내지 약 11.3, 약 14.1 내지 약 14.5, 약 15.7 내지 약 16.1, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 24.7 내지 약 25.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.3 내지 약 5.7, 약 10.9 내지 약 11.3, 약 14.1 내지 약 14.5, 약 15.7 내지 약 16.1, 약 18.9 내지 약 19.3, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 24.7 내지 약 25.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.3 내지 약 5.7, 약 10.9 내지 약 11.3, 약 14.1 내지 약 14.5, 약 15.7 내지 약 16.1, 약 17.3 내지 약 17.7, 약 18.9 내지 약 19.3, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 24.7 내지 약 25.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.3 내지 약 5.7, 약 10.9 내지 약 11.3, 약 14.1 내지 약 14.5, 약 15.7 내지 약 16.1, 약 16.8 내지 약 17.2, 약 17.3 내지 약 17.7, 약 18.9 내지 약 19.3, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 24.7 내지 약 25.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.3 내지 약 5.7, 약 10.9 내지 약 11.3, 약 14.1 내지 약 14.5, 약 15.7 내지 약 16.1, 약 16.5 내지 약 16.9, 약 16.8 내지 약 17.2, 약 17.3 내지 약 17.7, 약 18.9 내지 약 19.3, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 24.7 내지 약 25.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.4 내지 약 5.6, 약 11.0 내지 약 11.2, 약 14.2 내지 약 14.4, 약 15.8 내지 약 16.0, 약 16.6 내지 약 16.8, 약 16.9 내지 약 17.1, 약 17.4 내지 약 17.6, 약 19.0 내지 약 19.2, 약 24.3 내지 약 24.5, 및 약 24.8 내지 약 25.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.51, 약 11.10, 약 14.33, 약 15.93, 약 16.74, 약 17.04, 약 17.45, 약 19.14, 약 24.44, 및 약 24.86 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
화합물 5R 벤조에이트 염 타입 E
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 벤조에이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 6.2±0.2, 12.6±0.2, 15.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 6.2±0.1, 12.6±0.1, 15.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 6.2±0.2, 12.6±0.2, 15.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 6.2±0.1, 12.6±0.1, 15.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 6.2±0.2, 12.6±0.2, 15.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 6.2±0.1, 12.6±0.1, 15.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 6.2±0.2, 12.6±0.2, 15.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 6.2±0.1, 12.6±0.1, 15.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 6.2±0.2, 12.6±0.2, 15.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 6.2±0.1, 12.6±0.1, 15.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 6.2±0.2, 12.6±0.2, 15.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 6.2±0.1, 12.6±0.1, 15.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 6.2±0.2, 12.6±0.2, 15.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 6.2±0.1, 12.6±0.1, 15.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 6.2±0.2, 12.6±0.2, 15.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 6.2±0.1, 12.6±0.1, 15.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 6.2±0.2, 12.6±0.2, 15.4±0.2, 및 25.1±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 6.2±0.1, 12.6±0.1, 15.4±0.1, 및 25.1±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.5 내지 약 5.9, 약 6.1 내지 약 6.5, 및 약 24.9 내지 약 25.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.5 내지 약 5.9, 약 6.1 내지 약 6.5, 약 12.4 내지 약 12.8, 및 약 24.9 내지 약 25.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.5 내지 약 5.9, 약 6.1 내지 약 6.5, 약 12.4 내지 약 12.8, 약 15.2 내지 약 15.6, 및 약 24.9 내지 약 25.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.6 내지 약 5.8, 약 6.2 내지 약 6.4, 약 12.5 내지 약 12.7, 약 15.3 내지 약 15.5, 및 약 25.0 내지 약 25.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.69, 약 6.25, 약 12.57, 약 15.36, 및 약 25.11 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
화합물 5R 벤조에이트 염 타입 F
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 벤조에이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.1±0.2, 12.3±0.2, 16.3±0.2, 18.3±0.2, 21.2±0.2, 22.2±0.2, 23.1±0.2, 24.4±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.1±0.1, 12.3±0.1, 16.3±0.1, 18.3±0.1, 21.2±0.1, 22.2±0.1, 23.1±0.1, 24.4±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.9 내지 약 6.3, 약 12.1 내지 약 12.5, 및 약 24.2 내지 약 24.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.9 내지 약 6.3, 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.1 내지 약 16.5, 및 약 24.2 내지 약 24.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.9 내지 약 6.3, 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.1 내지 약 16.5, 약 18.1 내지 약 18.5, 및 약 24.2 내지 약 24.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.9 내지 약 6.3, 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.1 내지 약 16.5, 약 18.1 내지 약 18.5, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 26.1 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.9 내지 약 6.3, 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.1 내지 약 16.5, 약 18.1 내지 약 18.5, 약 21.0 내지 약 21.4, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 26.1 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.9 내지 약 6.3, 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.1 내지 약 16.5, 약 18.1 내지 약 18.5, 약 21.0 내지 약 21.4, 약 22.9 내지 약 23.3, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 26.1 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.9 내지 약 6.3, 약 12.1 내지 약 12.5, 약 16.1 내지 약 16.5, 약 18.1 내지 약 18.5, 약 21.0 내지 약 21.4, 약 22.0 내지 약 22.4, 약 22.9 내지 약 23.3, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 26.1 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.0 내지 약 6.2, 약 12.2 내지 약 12.4, 약 16.2 내지 약 16.4, 약 18.2 내지 약 18.4, 약 21.1 내지 약 21.3, 약 22.1 내지 약 22.3, 약 23.0 내지 약 23.2, 약 24.3 내지 약 24.5, 및 약 26.2 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.08, 약 12.29, 약 16.27, 약 18.34, 약 21.22, 약 22.16, 약 23.10, 약 24.41, 및 약 26.25 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5S, 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5S이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5S의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5S의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5S의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5S의 하이드로클로라이드 염, 설페이트 염, 글리콜레이트 염, 아디페이트 염, 숙시네이트 염, 옥살레이트 염, 포스페이트 염, 푸마레이트 염, 히푸레이트 염, 젠티세이트 염, 또는 벤조에이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5S의 하이드로클로라이드 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 5S의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태이다.
화합물 6
일부 구현예에서, 화합물은 
(화합물 6), 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 6의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 6의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6의 하이드로클로라이드 염, 설페이트 염, 글리콜레이트 염, 아디페이트 염, 숙시네이트 염, 옥살레이트 염, 포스페이트 염, 푸마레이트 염, 히푸레이트 염, 젠티세이트 염, 또는 벤조에이트 염이다.
화합물 6 유리 염기 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 9.7±0.2, 10.5±0.2, 13.5±0.2, 15.3±0.2, 18.1±0.2, 24.3±0.2, 및 25.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 9.7±0.1, 10.5±0.1, 13.5±0.1, 15.3±0.1, 18.1±0.1, 24.3±0.1, 및 25.8±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.3 내지 약 4.7, 약 13.3 내지 약 13.7, 및 약 25.6 내지 약 26.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.3 내지 약 4.7, 약 10.3 내지 약 10.7, 약 13.3 내지 약 13.7, 및 약 25.6 내지 약 26.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.3 내지 약 4.7, 약 9.5 내지 약 9.9, 약 10.3 내지 약 10.7, 약 13.3 내지 약 13.7, 및 약 25.6 내지 약 26.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.3 내지 약 4.7, 약 9.5 내지 약 9.9, 약 10.3 내지 약 10.7, 약 13.3 내지 약 13.7, 약 17.9 내지 약 18.3, 및 약 25.6 내지 약 26.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.3 내지 약 4.7, 약 9.5 내지 약 9.9, 약 10.3 내지 약 10.7, 약 13.3 내지 약 13.7, 약 15.1 내지 약 15.5, 약 17.9 내지 약 18.3, 및 약 25.6 내지 약 26.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.3 내지 약 4.7, 약 9.5 내지 약 9.9, 약 10.3 내지 약 10.7, 약 13.3 내지 약 13.7, 약 15.1 내지 약 15.5, 약 17.9 내지 약 18.3, 약 24.1 내지 약 24.5, 및 약 25.6 내지 약 26.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.4 내지 약 4.6, 약 9.6 내지 약 9.8, 약 10.4 내지 약 10.6, 약 13.4 내지 약 13.6, 약 15.2 내지 약 15.4, 약 18.0 내지 약 18.2, 약 24.2 내지 약 24.4, 및 약 25.7 내지 약 25.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 4R의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.50, 약 9.67, 약 10.47, 약 13.49, 약 15.31, 약 18.05, 약 24.33, 및 약 25.77 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 175℃ 내지 약 215℃, 약 180℃ 내지 약 210℃, 약 185℃ 내지 약 205℃, 약 190℃ 내지 약 200℃, 또는 약 192℃ 내지 약 195℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 200℃ 내지 약 240℃, 약 205℃ 내지 약 235℃, 약 210℃ 내지 약 230℃, 약 214℃ 내지 약 225℃, 또는 약 216℃ 내지 약 219℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 193.6℃ 및/또는 약 217.6℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 6 하이드로클로라이드 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6의 하이드로클로라이드 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 9.9±0.2, 10.8±0.2, 11.5±0.2, 19.7±0.2, 21.5±0.2, 24.1±0.2, 25.1±0.2, 27.1±0.2, 및 27.6±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 9.9±0.1, 10.8±0.1, 11.5±0.1, 19.7±0.1, 21.5±0.1, 24.1±0.1, 25.1±0.1, 27.1±0.1, 및 27.6±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 9.7 내지 약 10.1, 약 10.6 내지 약 11.0, 및 약 24.9 내지 약 25.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 9.7 내지 약 10.1, 약 10.6 내지 약 11.0, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 9.7 내지 약 10.1, 약 10.6 내지 약 11.0, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 26.9 내지 약 27.3, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 9.7 내지 약 10.1, 약 10.6 내지 약 11.0, 약 11.3 내지 약 11.7, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 26.9 내지 약 27.3, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 9.7 내지 약 10.1, 약 10.6 내지 약 11.0, 약 11.3 내지 약 11.7, 약 23.9 내지 약 24.3, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 26.9 내지 약 27.3, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.0 내지 약 5.4, 약 9.7 내지 약 10.1, 약 10.6 내지 약 11.0, 약 11.3 내지 약 11.7, 약 23.9 내지 약 24.3, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 26.9 내지 약 27.3, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.0 내지 약 5.4, 약 9.7 내지 약 10.1, 약 10.6 내지 약 11.0, 약 11.3 내지 약 11.7, 약 21.3 내지 약 21.7, 약 23.9 내지 약 24.3, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 26.9 내지 약 27.3, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.0 내지 약 5.4, 약 9.7 내지 약 10.1, 약 10.6 내지 약 11.0, 약 11.3 내지 약 11.7, 약 19.5 내지 약 19.9, 약 21.3 내지 약 21.7, 약 23.9 내지 약 24.3, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 26.9 내지 약 27.3, 및 약 27.4 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.1 내지 약 5.3, 약 9.8 내지 약 10.0, 약 10.7 내지 약 10.9, 약 11.4 내지 약 11.6, 약 19.6 내지 약 19.8, 약 21.4 내지 약 21.6, 약 24.0 내지 약 24.2, 약 25.0 내지 약 25.2, 약 27.0 내지 약 27.2, 및 약 27.5 내지 약 27.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.24, 약 9.85, 약 10.75, 약 11.48, 약 19.67, 약 21.48, 약 24.09, 약 25.12, 약 27.05, 및 약 27.62 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 140℃ 내지 약 180℃, 약 145℃ 내지 약 175℃, 약 150℃ 내지 약 170℃, 약 155℃ 내지 약 165℃, 또는 약 159℃ 내지 약 160℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 190℃ 내지 약 230℃, 195℃ 내지 약 225℃, 약 200℃ 내지 약 220℃, 약 205℃ 내지 약 215℃, 또는 약 207℃ 내지 약 208℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 195℃ 내지 약 235℃, 약 200℃ 내지 약 230℃, 약 205℃ 내지 약 225℃, 약 210℃ 내지 약 220℃, 또는 약 216℃ 내지 약 218℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 260℃ 내지 약 300℃, 약 265℃ 내지 약 295℃, 약 270℃ 내지 약 290℃, 약 275℃ 내지 약 285℃, 또는 약 277℃ 내지 약 279℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 159.5℃, 약 207.3℃, 약 216.9℃, 및/또는 약 278.1℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 6 글리콜레이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6의 글리콜레이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.7±0.2, 7.0±0.2, 10.3±0.2, 15.1±0.2, 16.1±0.2, 21.6±0.2, 25.8±0.2, 및 27.7±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.7±0.1, 7.0±0.1, 10.3±0.1, 15.1±0.1, 16.1±0.1, 21.6±0.1, 25.8±0.1, 및 27.7±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.5 내지 약 5.9, 약 6.8 내지 약 7.2, 및 약 25.6 내지 약 26.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.5 내지 약 5.9, 약 6.8 내지 약 7.2, 약 25.6 내지 약 26.0, 약 27.5 내지 약 27.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.5 내지 약 5.9, 약 6.8 내지 약 7.2, 약 10.1 내지 약 10.5, 약 25.6 내지 약 26.0, 약 27.5 내지 약 27.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.5 내지 약 5.9, 약 6.8 내지 약 7.2, 약 10.1 내지 약 10.5, 약 21.4 내지 약 21.8, 약 25.6 내지 약 26.0, 및 약 27.5 내지 약 27.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.5 내지 약 5.9, 약 6.8 내지 약 7.2, 약 10.1 내지 약 10.5, 약 14.9 내지 약 15.3, 약 21.4 내지 약 21.8, 약 25.6 내지 약 26.0, 및 약 27.5 내지 약 27.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.5 내지 약 5.9, 약 6.8 내지 약 7.2, 약 10.1 내지 약 10.5, 약 14.9 내지 약 15.3, 약 15.9 내지 약 16.3, 약 21.4 내지 약 21.8, 약 25.6 내지 약 26.0, 및 약 27.5 내지 약 27.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.6 내지 약 5.8, 약 6.9 내지 약 7.1, 약 10.2 내지 약 10.4, 약 15.0 내지 약 15.2, 약 16.0 내지 약 16.2, 약 21.5 내지 약 21.7, 약 25.7 내지 약 25.9, 및 약 27.6 내지 약 27.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.71, 약 7.04, 약 10.25, 약 15.12, 약 16.07, 약 21.64, 약 25.79, 및 약 27.68 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
화합물 6 아디페이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6의 아디페이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.8±0.2, 7.8±0.2, 10.5±0.2, 11.3±0.2, 14.4±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 및 26.3±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.8±0.1, 7.8±0.1, 10.5±0.1, 11.3±0.1, 14.4±0.1, 24.6±0.1, 25.6±0.1, 및 26.3±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.6 내지 약 8.0, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 26.1 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.6 내지 약 8.0, 약 11.1 내지 약 11.5, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 26.1 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.6 내지 약 8.0, 약 10.3 내지 약 10.7, 약 11.1 내지 약 11.5, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 26.1 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 7.6 내지 약 8.0, 약 10.3 내지 약 10.7, 약 11.1 내지 약 11.5, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 26.1 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.6 내지 약 6.0, 약 7.6 내지 약 8.0, 약 10.3 내지 약 10.7, 약 11.1 내지 약 11.5, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 26.1 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.6 내지 약 6.0, 약 7.6 내지 약 8.0, 약 10.3 내지 약 10.7, 약 11.1 내지 약 11.5, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 24.4 내지 약 24.8, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 26.1 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.7 내지 약 5.9, 약 7.7 내지 약 7.9, 약 10.4 내지 약 10.6, 약 11.2 내지 약 11.4, 약 14.3 내지 약 14.5, 약 24.5 내지 약 24.7, 약 25.5 내지 약 25.7, 및 약 26.2 내지 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.82, 약 7.76, 약 10.51, 약 11.26, 약 14.35, 약 24.63, 약 25.59, 및 약 26.28 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 75℃ 내지 약 115℃, 약 80℃ 내지 약 110℃, 약 85℃ 내지 약 105℃, 약 90℃ 내지 약 100℃, 또는 약 96℃ 내지 약 97℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 150℃ 내지 약 190℃, 약 155℃ 내지 약 185℃, 약 160℃ 내지 약 180℃, 약 165℃ 내지 약 175℃, 또는 약 171℃ 내지 약 173℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 175℃ 내지 약 215℃, 약 180℃ 내지 약 210℃, 약 185℃ 내지 약 205℃, 약 190℃ 내지 약 200℃, 또는 약 194℃ 내지 약 196℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 96.5℃, 약 172.2℃, 및/또는 약 195.2℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 6 아디페이트 염 타입 B
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6의 아디페이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.3±0.2, 6.0±0.2, 8.1±0.2, 11.6±0.2, 11.9±0.2, 14.7±0.2, 21.6±0.2, 24.0±0.2, 25.5±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.3±0.1, 6.0±0.1, 8.1±0.1, 11.6±0.1, 11.9±0.1, 14.7±0.1, 21.6±0.1, 24.0±0.1, 25.5±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 8.0 내지 약 8.2, 약 11.5 내지 약 11.7, 및 약 25.4 내지 약 25.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 8.0 내지 약 8.2, 약 11.5 내지 약 11.7, 약 11.8 내지 약 12.0, 및 약 25.4 내지 약 25.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.9 내지 약 6.1, 약 8.0 내지 약 8.2, 약 11.5 내지 약 11.7, 약 11.8 내지 약 12.0, 및 약 25.4 내지 약 25.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.2 내지 약 5.3, 약 5.9 내지 약 6.1, 약 8.0 내지 약 8.2, 약 11.5 내지 약 11.7, 약 11.8 내지 약 12.0, 및 약 25.4 내지 약 25.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.2 내지 약 5.3, 약 5.9 내지 약 6.1, 약 8.0 내지 약 8.2, 약 11.5 내지 약 11.7, 약 11.8 내지 약 12.0, 약 23.9 내지 약 24.1, 및 약 25.4 내지 약 25.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.2 내지 약 5.3, 약 5.9 내지 약 6.1, 약 8.0 내지 약 8.2, 약 11.5 내지 약 11.7, 약 11.8 내지 약 12.0, 약 23.9 내지 약 24.1, 약 25.4 내지 약 25.6, 및 약 26.3 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.2 내지 약 5.3, 약 5.9 내지 약 6.1, 약 8.0 내지 약 8.2, 약 11.5 내지 약 11.7, 약 11.8 내지 약 12.0, 약 14.6 내지 약 14.8, 약 23.9 내지 약 24.1, 약 25.4 내지 약 25.6, 및 약 26.3 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.2 내지 약 5.3, 약 5.9 내지 약 6.1, 약 8.0 내지 약 8.2, 약 11.5 내지 약 11.7, 약 11.8 내지 약 12.0, 약 14.6 내지 약 14.8, 약 21.5 내지 약 21.7, 약 23.9 내지 약 24.1, 약 25.4 내지 약 25.6, 및 약 26.3 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.28, 약 5.96, 약 8.11, 약 11.59, 약 11.91, 약 14.73, 약 21.58, 약 24.00, 약 25.53, 및 약 26.36 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 140℃ 내지 약 180℃, 약 145℃ 내지 약 175℃, 약 150℃ 내지 약 170℃, 약 155℃ 내지 약 165℃, 또는 약 159℃ 내지 약 160℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 170℃ 내지 약 210℃, 약 175℃ 내지 약 205℃, 약 180℃ 내지 약 200℃, 약 185℃ 내지 약 195℃, 또는 약 191℃ 내지 약 193℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 159.5℃ 및/또는 약 191.9℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 7
일부 구현예에서, 화합물은 
(화합물 7), 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 7의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 약학적으로 허용되는 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물 7의 약학적으로 허용되는 염의 결정질 형태는 무수물이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 하이드로클로라이드 염, 설페이트 염, 글리콜레이트 염, 아디페이트 염, 숙시네이트 염, 옥살레이트 염, 포스페이트 염, 푸마레이트 염, 히푸레이트 염, 젠티세이트 염, 또는 벤조에이트 염이다.
화합물 7 하이드로클로라이드 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 하이드로클로라이드 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 6.8±0.2, 9.4±0.2, 12.1±0.2, 14.5±0.2, 15.0±0.2, 18.7±0.2, 24.2±0.2, 25.1±0.2, 25.6±0.2, 및 26.8±0.2 ˚2θ(예를 들어, 6.8±0.1, 9.4±0.1, 12.1±0.1, 14.5±0.1, 15.0±0.1, 18.7±0.1, 24.2±0.1, 25.1±0.1, 25.6±0.1, 및 26.8±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.6 내지 약 27.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 14.3 내지 약 14.7, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.6 내지 약 27.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 14.3 내지 약 14.7, 약 14.8 내지 약 15.2, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.6 내지 약 27.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 14.3 내지 약 14.7, 약 14.8 내지 약 15.2, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 26.6 내지 약 27.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 14.3 내지 약 14.7, 약 14.8 내지 약 15.2, 약 24.0 내지 약 24.4, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 26.6 내지 약 27.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 11.9 내지 약 12.3, 약 14.3 내지 약 14.7, 약 14.8 내지 약 15.2, 약 24.0 내지 약 24.4, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 26.6 내지 약 27.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 11.9 내지 약 12.3, 약 14.3 내지 약 14.7, 약 14.8 내지 약 15.2, 약 18.5 내지 약 18.9, 약 24.0 내지 약 24.4, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 26.6 내지 약 27.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.6 내지 약 7.0, 약 9.2 내지 약 9.6, 약 11.9 내지 약 12.3, 약 14.3 내지 약 14.7, 약 14.8 내지 약 15.2, 약 18.5 내지 약 18.9, 약 24.0 내지 약 24.4, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 25.4 내지 약 25.8, 및 약 26.6 내지 약 27.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.7 내지 약 6.9, 약 9.3 내지 약 9.5, 약 12.0 내지 약 12.2, 약 14.4 내지 약 14.6, 약 14.9 내지 약 15.1, 약 18.6 내지 약 18.8, 약 24.1 내지 약 24.3, 약 25.0 내지 약 25.2, 약 25.5 내지 약 25.7, 및 약 26.7 내지 약 26.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 6.8, 약 9.4, 약 12.1, 약 14.5, 약 15.0, 약 18.7, 약 24.2, 약 25.1, 약 25.6, 및 약 26.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 55℃ 내지 약 95℃, 약 60℃ 내지 약 90℃, 약 65℃ 내지 약 85℃, 약 70℃ 내지 약 80℃, 또는 약 76℃ 내지 약 78℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 110℃ 내지 약 150℃, 약 115℃ 내지 약 145℃, 약 120℃ 내지 약 140℃, 약 125℃ 내지 약 135℃, 또는 약 127℃ 내지 약 129℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 150℃ 내지 약 190℃, 약 155℃ 내지 약 185℃, 약 160℃ 내지 약 180℃, 약 165℃ 내지 약 175℃, 또는 약 169℃ 내지 약 171℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 190℃ 내지 약 230℃, 약 195℃ 내지 약 225℃, 약 200℃ 내지 약 220℃, 약 205℃ 내지 약 215℃, 또는 약 209℃ 내지 약 211℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 210℃ 내지 약 250℃, 약 215℃ 내지 약 245℃, 약 220℃ 내지 약 240℃, 약 225℃ 내지 약 235℃, 또는 약 231℃ 내지 약 233℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 77.3℃, 약 128.2℃, 약 170.2℃, 약 210.6℃, 및/또는 약 231.7℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 7 하이드로클로라이드 염 타입 B
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 하이드로클로라이드 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 8.3±0.2, 10.0±0.2, 11.7±0.2, 21.9±0.2, 25.1±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 8.3±0.1, 10.0±0.1, 11.7±0.1, 21.9±0.1, 25.1±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 8.3±0.2, 10.0±0.2, 11.7±0.2, 21.9±0.2, 25.1±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 8.3±0.1, 10.0±0.1, 11.7±0.1, 21.9±0.1, 25.1±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 8.3±0.2, 10.0±0.2, 11.7±0.2, 21.9±0.2, 25.1±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 8.3±0.1, 10.0±0.1, 11.7±0.1, 21.9±0.1, 25.1±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 8.3±0.2, 10.0±0.2, 11.7±0.2, 21.9±0.2, 25.1±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 8.3±0.1, 10.0±0.1, 11.7±0.1, 21.9±0.1, 25.1±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 8.3±0.2, 10.0±0.2, 11.7±0.2, 21.9±0.2, 25.1±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 8.3±0.1, 10.0±0.1, 11.7±0.1, 21.9±0.1, 25.1±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 8.3±0.2, 10.0±0.2, 11.7±0.2, 21.9±0.2, 25.1±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 8.3±0.1, 10.0±0.1, 11.7±0.1, 21.9±0.1, 25.1±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 8.3±0.2, 10.0±0.2, 11.7±0.2, 21.9±0.2, 25.1±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 8.3±0.1, 10.0±0.1, 11.7±0.1, 21.9±0.1, 25.1±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 8.3±0.2, 10.0±0.2, 11.7±0.2, 21.9±0.2, 25.1±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 8.3±0.1, 10.0±0.1, 11.7±0.1, 21.9±0.1, 25.1±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 8.3±0.2, 10.0±0.2, 11.7±0.2, 21.9±0.2, 25.1±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 8.3±0.1, 10.0±0.1, 11.7±0.1, 21.9±0.1, 25.1±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 8.3±0.2, 10.0±0.2, 11.7±0.2, 21.9±0.2, 25.1±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 8.3±0.1, 10.0±0.1, 11.7±0.1, 21.9±0.1, 25.1±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 8.3±0.2, 10.0±0.2, 11.7±0.2, 21.9±0.2, 25.1±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 8.3±0.1, 10.0±0.1, 11.7±0.1, 21.9±0.1, 25.1±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 8.3±0.2, 10.0±0.2, 11.7±0.2, 21.9±0.2, 25.1±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 8.3±0.1, 10.0±0.1, 11.7±0.1, 21.9±0.1, 25.1±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 5.9±0.2, 8.3±0.2, 10.0±0.2, 11.7±0.2, 21.9±0.2, 25.1±0.2, 및 26.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 5.9±0.1, 8.3±0.1, 10.0±0.1, 11.7±0.1, 21.9±0.1, 25.1±0.1, 및 26.9±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 8.1 내지 약 8.5, 약 9.8 내지 약 10.2, 및 약 24.9 내지 약 25.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.7 내지 약 6.1, 약 8.1 내지 약 8.5, 약 9.8 내지 약 10.2, 및 약 24.9 내지 약 25.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.7 내지 약 6.1, 약 8.1 내지 약 8.5, 약 9.8 내지 약 10.2, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.7 내지 약 27.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.7 내지 약 6.1, 약 8.1 내지 약 8.5, 약 9.8 내지 약 10.2, 약 21.7 내지 약 22.1, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.7 내지 약 27.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.7 내지 약 6.1, 약 8.1 내지 약 8.5, 약 9.8 내지 약 10.2, 약 11.5 내지 약 11.9, 약 21.7 내지 약 22.1, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.7 내지 약 27.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.8 내지 약 6.0, 약 8.2 내지 약 8.4, 약 9.9 내지 약 10.1, 약 11.6 내지 약 11.8, 약 21.8 내지 약 22.0, 약 25.0 내지 약 25.2, 및 약 26.8 내지 약 27.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 5.9, 약 8.3, 약 10.0, 약 11.7, 약 21.9, 약 25.1, 및 약 26.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 70℃ 내지 약 110℃, 약 75℃ 내지 약 105℃, 약 80℃ 내지 약 100℃, 약 85℃ 내지 약 95℃, 또는 약 87℃ 내지 약 89℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 100℃ 내지 약 140℃, 약 105℃ 내지 약 135℃, 약 110℃ 내지 약 130℃, 약 115℃ 내지 약 125℃, 또는 약 118℃ 내지 약 120℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 190℃ 내지 약 230℃, 약 195℃ 내지 약 225℃, 약 200℃ 내지 약 220℃, 약 205℃ 내지 약 215℃, 또는 약 208℃ 내지 약 210℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 87.8℃, 약 118.6℃, 및/또는 약 208.7℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 7 옥살레이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 옥살레이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 8.7±0.2, 9.1±0.2, 9.7±0.2, 13.8±0.2, 24.9±0.2, 및 25.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 8.7±0.1, 9.1±0.1, 9.7±0.1, 13.8±0.1, 24.9±0.1, 및 25.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 8.7±0.2, 9.1±0.2, 9.7±0.2, 13.8±0.2, 24.9±0.2, 및 25.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 8.7±0.1, 9.1±0.1, 9.7±0.1, 13.8±0.1, 24.9±0.1, 및 25.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 8.7±0.2, 9.1±0.2, 9.7±0.2, 13.8±0.2, 24.9±0.2, 및 25.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 8.7±0.1, 9.1±0.1, 9.7±0.1, 13.8±0.1, 24.9±0.1, 및 25.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 8.7±0.2, 9.1±0.2, 9.7±0.2, 13.8±0.2, 24.9±0.2, 및 25.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 8.7±0.1, 9.1±0.1, 9.7±0.1, 13.8±0.1, 24.9±0.1, 및 25.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 8.7±0.2, 9.1±0.2, 9.7±0.2, 13.8±0.2, 24.9±0.2, 및 25.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 8.7±0.1, 9.1±0.1, 9.7±0.1, 13.8±0.1, 24.9±0.1, 및 25.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 8.7±0.2, 9.1±0.2, 9.7±0.2, 13.8±0.2, 24.9±0.2, 및 25.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 8.7±0.1, 9.1±0.1, 9.7±0.1, 13.8±0.1, 24.9±0.1, 및 25.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 8.7±0.2, 9.1±0.2, 9.7±0.2, 13.8±0.2, 24.9±0.2, 및 25.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 8.7±0.1, 9.1±0.1, 9.7±0.1, 13.8±0.1, 24.9±0.1, 및 25.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 8.7±0.2, 9.1±0.2, 9.7±0.2, 13.8±0.2, 24.9±0.2, 및 25.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 8.7±0.1, 9.1±0.1, 9.7±0.1, 13.8±0.1, 24.9±0.1, 및 25.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 8.7±0.2, 9.1±0.2, 9.7±0.2, 13.8±0.2, 24.9±0.2, 및 25.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 8.7±0.1, 9.1±0.1, 9.7±0.1, 13.8±0.1, 24.9±0.1, 및 25.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 8.7±0.2, 9.1±0.2, 9.7±0.2, 13.8±0.2, 24.9±0.2, 및 25.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 8.7±0.1, 9.1±0.1, 9.7±0.1, 13.8±0.1, 24.9±0.1, 및 25.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 8.7±0.2, 9.1±0.2, 9.7±0.2, 13.8±0.2, 24.9±0.2, 및 25.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 8.7±0.1, 9.1±0.1, 9.7±0.1, 13.8±0.1, 24.9±0.1, 및 25.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 8.7±0.2, 9.1±0.2, 9.7±0.2, 13.8±0.2, 24.9±0.2, 및 25.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 8.7±0.1, 9.1±0.1, 9.7±0.1, 13.8±0.1, 24.9±0.1, 및 25.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.5±0.2, 8.7±0.2, 9.1±0.2, 9.7±0.2, 13.8±0.2, 24.9±0.2, 및 25.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.5±0.1, 8.7±0.1, 9.1±0.1, 9.7±0.1, 13.8±0.1, 24.9±0.1, 및 25.4±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.3 내지 약 4.7, 약 8.5 내지 약 8.9, 및 약 8.9 내지 약 9.3 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.3 내지 약 4.7, 약 8.5 내지 약 8.9, 약 8.9 내지 약 9.3, 및 약 13.6 내지 약 13.8 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.3 내지 약 4.7, 약 8.5 내지 약 8.9, 약 8.9 내지 약 9.3, 약 13.6 내지 약 13.8, 및 약 25.2 내지 약 25.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.3 내지 약 4.7, 약 8.5 내지 약 8.9, 약 8.9 내지 약 9.3, 약 9.4 내지 약 9.9, 약 13.6 내지 약 13.8, 및 약 25.2 내지 약 25.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.3 내지 약 4.7, 약 8.5 내지 약 8.9, 약 8.9 내지 약 9.3, 약 9.4 내지 약 9.9, 약 13.6 내지 약 13.8, 약 24.7 내지 약 25.1, 및 약 25.2 내지 약 25.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.4 내지 약 4.6, 약 8.6 내지 약 8.8, 약 9.0 내지 약 9.2, 약 9.6 내지 약 9.8, 약 13.7 내지 약 13.9, 약 24.8 내지 약 25.0, 및 약 25.3 내지 약 25.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.5, 약 8.7, 약 9.1, 약 9.7, 약 13.8, 약 24.9, 및 약 25.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 125℃ 내지 약 165℃, 약 130℃ 내지 약 160℃, 약 135℃ 내지 약 155℃, 약 140℃ 내지 약 150℃, 또는 약 143℃ 내지 약 145℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 190℃ 내지 약 230℃, 약 195℃ 내지 약 225℃, 약 200℃ 내지 약 220℃, 약 205℃ 내지 약 215℃, 또는 약 210℃ 내지 약 212℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 190℃ 내지 약 230℃, 약 195℃ 내지 약 225℃, 약 200℃ 내지 약 220℃, 약 205℃ 내지 약 215℃, 또는 약 208℃ 내지 약 210℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 144.2℃, 약 211.2℃, 및/또는 약 208.7℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 7 설페이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 설페이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 10개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 10개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.1±0.2, 15.8±0.2, 17.9±0.2, 18.0±0.2, 18.9±0.2, 19.2±0.2, 19.7±0.2, 23.8±0.2, 25.1±0.2, 25.7±0.2, 및 26.4±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.1±0.1, 15.8±0.1, 17.9±0.1, 18.0±0.1, 18.9±0.1, 19.2±0.1, 19.7±0.1, 23.8±0.1, 25.1±0.1, 25.7±0.1, 및 26.4±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 15.6 내지 약 16.0, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 15.6 내지 약 16.0, 약 17.7 내지 약 18.1, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 15.6 내지 약 16.0, 약 17.7 내지 약 18.1, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 15.6 내지 약 16.0, 약 17.7 내지 약 18.1, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 19.5 내지 약 19.9, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 15.6 내지 약 16.0, 약 17.7 내지 약 18.1, 약 17.8 내지 약 18.2, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 19.5 내지 약 19.9, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 15.6 내지 약 16.0, 약 17.7 내지 약 18.1, 약 17.8 내지 약 18.2, 약 18.7 내지 약 19.1, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 19.5 내지 약 19.9, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 15.6 내지 약 16.0, 약 17.7 내지 약 18.1, 약 17.8 내지 약 18.2, 약 18.7 내지 약 19.1, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 19.5 내지 약 19.9, 약 23.6 내지 약 24.0, 약 24.9 내지 약 25.3, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 15.6 내지 약 16.0, 약 17.7 내지 약 18.1, 약 17.8 내지 약 18.2, 약 18.7 내지 약 19.1, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 19.5 내지 약 19.9, 약 23.6 내지 약 24.0, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 12.9 내지 약 13.3, 약 15.6 내지 약 16.0, 약 17.7 내지 약 18.1, 약 17.8 내지 약 18.2, 약 18.7 내지 약 19.1, 약 19.0 내지 약 19.4, 약 19.5 내지 약 19.9, 약 23.6 내지 약 24.0, 약 24.9 내지 약 25.3, 약 25.5 내지 약 25.9, 및 약 26.2 내지 약 26.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 13.0 내지 약 13.2, 약 15.7 내지 약 15.9, 약 17.8 내지 약 18.0, 약 17.9 내지 약 18.1, 약 18.8 내지 약 19.0, 약 19.1 내지 약 19.3, 약 19.6 내지 약 19.8, 약 23.7 내지 약 23.9, 약 25.0 내지 약 25.2, 약 25.6 내지 약 25.8, 및 약 26.3 내지 약 26.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 13.1, 약 15.8, 약 17.9, 약 18.0, 약 18.9, 약 19.2, 약 19.7, 약 23.8, 약 25.1, 약 25.7, 및 약 26.4 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 95℃ 내지 약 135℃, 약 100℃ 내지 약 130℃, 약 105℃ 내지 약 125℃, 약 110℃ 내지 약 120℃, 또는 약 113℃ 내지 약 115℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 130℃ 내지 약 170℃, 약 135℃ 내지 약 165℃, 약 140℃ 내지 약 160℃, 약 145℃ 내지 약 155℃, 또는 약 151℃ 내지 약 153℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 165℃ 내지 약 205℃, 약 170℃ 내지 약 200℃, 약 175℃ 내지 약 195℃, 약 180℃ 내지 약 190℃, 또는 약 184℃ 내지 약 186℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 113.4℃, 약 152.1℃, 및/또는 약 185.3℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 7 포스페이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 포스페이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.8±0.2, 14.4±0.2, 15.3±0.2, 16.8±0.2, 24.1±0.2, 및 25.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.8±0.1, 14.4±0.1, 15.3±0.1, 16.8±0.1, 24.1±0.1, 및 25.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.8±0.2, 14.4±0.2, 15.3±0.2, 16.8±0.2, 24.1±0.2, 및 25.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.8±0.1, 14.4±0.1, 15.3±0.1, 16.8±0.1, 24.1±0.1, 및 25.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.8±0.2, 14.4±0.2, 15.3±0.2, 16.8±0.2, 24.1±0.2, 및 25.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.8±0.1, 14.4±0.1, 15.3±0.1, 16.8±0.1, 24.1±0.1, 및 25.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.8±0.2, 14.4±0.2, 15.3±0.2, 16.8±0.2, 24.1±0.2, 및 25.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.8±0.1, 14.4±0.1, 15.3±0.1, 16.8±0.1, 24.1±0.1, 및 25.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.8±0.2, 14.4±0.2, 15.3±0.2, 16.8±0.2, 24.1±0.2, 및 25.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.8±0.1, 14.4±0.1, 15.3±0.1, 16.8±0.1, 24.1±0.1, 및 25.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.8±0.2, 14.4±0.2, 15.3±0.2, 16.8±0.2, 24.1±0.2, 및 25.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.8±0.1, 14.4±0.1, 15.3±0.1, 16.8±0.1, 24.1±0.1, 및 25.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.8±0.2, 14.4±0.2, 15.3±0.2, 16.8±0.2, 24.1±0.2, 및 25.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.8±0.1, 14.4±0.1, 15.3±0.1, 16.8±0.1, 24.1±0.1, 및 25.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.8±0.2, 14.4±0.2, 15.3±0.2, 16.8±0.2, 24.1±0.2, 및 25.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.8±0.1, 14.4±0.1, 15.3±0.1, 16.8±0.1, 24.1±0.1, 및 25.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.8±0.2, 14.4±0.2, 15.3±0.2, 16.8±0.2, 24.1±0.2, 및 25.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.8±0.1, 14.4±0.1, 15.3±0.1, 16.8±0.1, 24.1±0.1, 및 25.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.8±0.2, 14.4±0.2, 15.3±0.2, 16.8±0.2, 24.1±0.2, 및 25.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.8±0.1, 14.4±0.1, 15.3±0.1, 16.8±0.1, 24.1±0.1, 및 25.0±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 13.8±0.2, 14.4±0.2, 15.3±0.2, 16.8±0.2, 24.1±0.2, 및 25.0±0.2 ˚2θ(예를 들어, 13.8±0.1, 14.4±0.1, 15.3±0.1, 16.8±0.1, 24.1±0.1, 및 25.0±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 약 14.2 내지 약 14.6, 약 23.9 내지 약 24.3, 및 약 24.8 내지 약 25.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 약 13.6 내지 약 14.0, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 23.9 내지 약 24.3, 및 약 24.8 내지 약 25.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 약 13.6 내지 약 14.0, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 15.1 내지 약 15.5, 약 23.9 내지 약 24.3, 및 약 24.8 내지 약 25.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 약 13.6 내지 약 14.0, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 15.1 내지 약 15.5, 약 16.6 내지 약 17.0, 약 23.9 내지 약 24.3, 및 약 24.8 내지 약 25.2 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 약 13.7 내지 약 13.9, 약 14.3 내지 약 14.5, 약 15.2 내지 약 15.4, 약 16.7 내지 약 16.9, 약 24.0 내지 약 24.2, 및 약 24.9 내지 약 25.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 약 13.8, 약 14.4, 약 15.3, 약 16.8, 약 24.1, 및 약 25.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 55℃ 내지 약 95℃, 약 60℃ 내지 약 90℃, 약 65℃ 내지 약 85℃, 약 70℃ 내지 약 80℃, 또는 약 76℃ 내지 약 78℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 90℃ 내지 약 130℃, 약 95℃ 내지 약 125℃, 약 100℃ 내지 약 120℃, 약 105℃ 내지 약 115℃, 또는 약 109℃ 내지 약 111℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 120℃ 내지 약 160℃, 약 125℃ 내지 약 155℃, 약 130℃ 내지 약 150℃, 약 135℃ 내지 약 145℃, 또는 약 139℃ 내지 약 141℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 165℃ 내지 약 205℃, 약 170℃ 내지 약 200℃, 약 175℃ 내지 약 195℃, 약 180℃ 내지 약 190℃, 또는 약 183℃ 내지 약 185℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 190℃ 내지 약 230℃, 약 195℃ 내지 약 225℃, 약 200℃ 내지 약 220℃, 약 205℃ 내지 약 215℃, 또는 약 209℃ 내지 약 211℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 76.7℃, 약 110.0℃, 약 140.3℃, 약 183.8℃, 및/또는 약 209.4℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 7 푸마레이트 염 타입 A
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 푸마레이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 8.2±0.2, 9.0±0.2, 11.6±0.2, 14.4±0.2, 16.6±0.2, 20.7±0.2, 21.1±0.2, 22.2±0.2, 및 24.5±0.2 ˚2θ(예를 들어, 8.2±0.1, 9.0±0.1, 11.6±0.1, 14.4±0.1, 16.6±0.1, 20.7±0.1, 21.1±0.1, 22.2±0.1, 및 24.5±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 약 11.4 내지 약 11.8, 약 20.9 내지 약 21.3, 및 약 24.3 내지 약 24.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 약 11.4 내지 약 11.8, 약 16.4 내지 약 16.8, 약 20.9 내지 약 21.3, 및 약 24.3 내지 약 24.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 약 11.4 내지 약 11.8, 약 16.4 내지 약 16.8, 약 20.9 내지 약 21.3, 약 22.0 내지 약 22.4, 및 약 24.3 내지 약 24.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 약 11.4 내지 약 11.8, 약 16.4 내지 약 16.8, 약 20.5 내지 약 20.9, 약 20.9 내지 약 21.3, 약 22.0 내지 약 22.4, 및 약 24.3 내지 약 24.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.4 내지 약 11.8, 약 16.4 내지 약 16.8, 약 20.5 내지 약 20.9, 약 20.9 내지 약 21.3, 약 22.0 내지 약 22.4, 및 약 24.3 내지 약 24.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 약 8.0 내지 약 8.4, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.4 내지 약 11.8, 약 16.4 내지 약 16.8, 약 20.5 내지 약 20.9, 약 20.9 내지 약 21.3, 약 22.0 내지 약 22.4, 및 약 24.3 내지 약 24.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 약 8.0 내지 약 8.4, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.4 내지 약 11.8, 약 14.2 내지 약 14.6, 약 16.4 내지 약 16.8, 약 20.5 내지 약 20.9, 약 20.9 내지 약 21.3, 약 22.0 내지 약 22.4, 및 약 24.3 내지 약 24.7 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 약 8.1 내지 약 8.3, 약 8.9 내지 약 9.1, 약 11.5 내지 약 11.7, 약 14.3 내지 약 14.5, 약 16.5 내지 약 16.7, 약 20.6 내지 약 20.8, 약 21.0 내지 약 21.2, 약 22.1 내지 약 22.3, 및 약 24.4 내지 약 24.6 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 약 8.2, 약 9.0, 약 11.6, 약 14.4, 약 16.6, 약 20.7, 약 21.1, 약 22.2, 및 약 24.5 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 210℃ 내지 약 250℃, 약 215℃ 내지 약 245℃, 약 220℃ 내지 약 240℃, 약 225℃ 내지 약 235℃, 또는 약 230℃ 내지 약 232℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 231.0℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 7 푸마레이트 염 타입 B
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 푸마레이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 8개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 9개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 4.4±0.2, 7.5±0.2, 9.0±0.2, 11.7±0.2, 14.5±0.2, 16.7±0.2, 21.3±0.2, 22.2±0.2, 24.7±0.2, 및 25.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 4.4±0.1, 7.5±0.1, 9.0±0.1, 11.7±0.1, 14.5±0.1, 16.7±0.1, 21.3±0.1, 22.2±0.1, 24.7±0.1, 및 25.9±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.2 내지 약 4.6, 약 7.3 내지 약 7.7, 및 약 11.5 내지 약 11.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.2 내지 약 4.6, 약 7.3 내지 약 7.7, 약 11.5 내지 약 11.9, 및 약 24.5 내지 약 24.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.2 내지 약 4.6, 약 7.3 내지 약 7.7, 약 11.5 내지 약 11.9, 약 21.1 내지 약 21.5, 및 약 24.5 내지 약 24.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.2 내지 약 4.6, 약 7.3 내지 약 7.7, 약 11.5 내지 약 11.9, 약 16.5 내지 약 16.9, 약 21.1 내지 약 21.5, 및 약 24.5 내지 약 24.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.2 내지 약 4.6, 약 7.3 내지 약 7.7, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.5 내지 약 11.9, 약 16.5 내지 약 16.9, 약 21.1 내지 약 21.5, 및 약 24.5 내지 약 24.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.2 내지 약 4.6, 약 7.3 내지 약 7.7, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.5 내지 약 11.9, 약 16.5 내지 약 16.9, 약 21.1 내지 약 21.5, 약 24.5 내지 약 24.9, 및 약 25.7 내지 약 26.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.2 내지 약 4.6, 약 7.3 내지 약 7.7, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.5 내지 약 11.9, 약 16.5 내지 약 16.9, 약 21.1 내지 약 21.5, 약 22.0 내지 약 22.4, 약 24.5 내지 약 24.9, 및 약 25.7 내지 약 26.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.2 내지 약 4.6, 약 7.3 내지 약 7.7, 약 8.8 내지 약 9.2, 약 11.5 내지 약 11.9, 약 14.3 내지 약 14.7, 약 16.5 내지 약 16.9, 약 21.1 내지 약 21.5, 약 22.0 내지 약 22.4, 약 24.5 내지 약 24.9, 및 약 25.7 내지 약 26.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.3 내지 약 4.5, 약 7.4 내지 약 7.6, 약 8.9 내지 약 9.1, 약 11.6 내지 약 11.8, 약 14.4 내지 약 14.6, 약 16.6 내지 약 16.8, 약 21.2 내지 약 21.4, 약 22.1 내지 약 22.3, 약 24.6 내지 약 24.8, 및 약 25.8 내지 약 26.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 4.4, 약 7.5, 약 9.0, 약 11.7, 약 14.5, 약 16.7, 약 21.3, 약 22.2, 약 24.7, 및 약 25.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 45℃ 내지 약 85℃, 약 50℃ 내지 약 80℃, 약 55℃ 내지 약 75℃, 약 60℃ 내지 약 70℃, 또는 약 65℃ 내지 약 67℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 105℃ 내지 약 145℃, 약 110℃ 내지 약 140℃, 약 115℃ 내지 약 135℃, 약 120℃ 내지 약 130℃, 또는 약 125℃ 내지 약 127℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 66.3℃ 및/또는 약 125.9℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
화합물 7 푸마레이트 염 타입 C
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 푸마레이트 염이다.
일부 구현예에서, 화합물은 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태이다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 적어도 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 하나의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 2개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 3개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 4개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 5개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 6개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)로부터 선택된 7개의 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 9.7±0.2, 12.2±0.2, 12.8±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 22.5±0.2, 24.4±0.2, 및 24.9±0.2 ˚2θ(예를 들어, 9.7±0.1, 12.2±0.1, 12.8±0.1, 13.6±0.1, 14.0±0.1, 22.5±0.1, 24.4±0.1, 및 24.9±0.1 ˚2θ)에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 9.5 내지 약 9.9, 약 13.4 내지 약 13.8, 및 약 24.7 내지 약 25.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 9.5 내지 약 9.9, 약 12.0 내지 약 12.4, 약 13.4 내지 약 13.8, 및 약 24.7 내지 약 25.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 9.5 내지 약 9.9, 약 12.0 내지 약 12.4, 약 13.4 내지 약 13.8, 약 13.8 내지 약 14.2, 및 약 24.7 내지 약 25.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 9.5 내지 약 9.9, 약 12.0 내지 약 12.4, 약 12.6 내지 약 13.0, 약 13.4 내지 약 13.8, 약 13.8 내지 약 14.2, 및 약 24.7 내지 약 25.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 9.5 내지 약 9.9, 약 12.0 내지 약 12.4, 약 12.6 내지 약 13.0, 약 13.4 내지 약 13.8, 약 13.8 내지 약 14.2, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 24.7 내지 약 25.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 9.5 내지 약 9.9, 약 12.0 내지 약 12.4, 약 12.6 내지 약 13.0, 약 13.4 내지 약 13.8, 약 13.8 내지 약 14.2, 약 22.3 내지 약 22.7, 약 24.2 내지 약 24.6, 및 약 24.7 내지 약 25.1 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 9.6 내지 약 9.8, 약 12.1 내지 약 12.3, 약 12.7 내지 약 12.9, 약 13.5 내지 약 13.7, 약 13.9 내지 약 14.1, 약 22.4 내지 약 22.6, 약 24.3 내지 약 24.5, 및 약 24.8 내지 약 25.0 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 Cu Kα 방사선을 사용한 약 9.7, 약 12.2, 약 12.8, 약 13.6, 약 14.0, 약 22.5, 약 24.4, 및 약 24.9 ˚2θ에서 피크를 갖는 XRPD 패턴을 특징으로 한다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 190℃ 내지 약 230℃, 약 195℃ 내지 약 225℃, 약 200℃ 내지 약 220℃, 약 205℃ 내지 약 215℃, 또는 약 210℃ 내지 약 212℃에서 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 화합물(예를 들어, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태)은 시차 주사 열량계(DSC) 분석에서 약 211.5℃의 흡열 피크 최고 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 하나 이상의 본 개시의 화합물은 EHMT1의 선택적 저해제이다. 일부 구현예에서, 하나 이상의 본 개시의 화합물은 EHMT2의 선택적 저해제이다. 일부 구현예에서, 하나 이상의 본 개시의 화합물은 EHMT1 및 EHMT2의 저해제이다.
일부 양태에서, 본 개시는 본 개시의 화합물 및 약학적으로 허용되는 담체를 포함하는 약학적 조성물을 제공한다.
일부 양태에서, 본 개시는 하나 이상의 HMTs를 저해하는(예를 들어, EHMT1 및 EHMT2 중 하나 또는 둘 모두를 저해하는) 방법을 제공하며, 이 방법은 이를 필요로 하는 대상체에게 치료적 유효량의 본 개시의 화합물을 투여하는 단계를 포함한다.
일부 구현예에서, 대상체는 EHMT-매개 장애(예를 들어, EHMT1-매개 장애, EHMT2-매개 장애, 또는 EHMT1/2-매개 장애)를 갖는다. 일부 구현예에서, 대상체는 혈액 장애, 예를 들어 빈혈 또는 탈라세미아, 예를 들어 겸상 적혈구 빈혈을 갖는다. 일부 구현예에서, 대상체는 암을 갖는다.
일부 양태에서, 본 개시는 (예를 들어, 메틸트랜스페라제 효소, 예를 들어, EHMT1 및/또는 EHMT2의 저해를 통해) 혈액 장애를 예방 또는 치료하는 방법을 제공하며, 이 방법은 이를 필요로 하는 대상체에게 치료적 유효량의 본원에 제공된 화합물을 투여하는 단계를 포함한다. 일부 구현예에서, 혈액 장애는 겸상 적혈구 빈혈 또는 β-탈라세미아이다. 일부 구현예에서, 혈액 장애는 암, 예를 들어, 혈액 암, 예컨대 백혈병 또는 림프종이다.
일부 양태에서, 본 개시는 (예를 들어, EHMT1 및 EHMT2로부터 선택된 메틸트랜스페라제 효소의 저해를 통해) 암을 예방 또는 치료하는 방법을 제공하며, 이 방법은 이를 필요로 하는 대상체에게 치료적 유효량의 본 개시의 화합물을 투여하는 단계를 포함한다. 일부 구현예에서, 암은 림프종, 백혈병, 흑색종, 유방암, 난소암, 간세포 암종, 전립선 암종, 폐암, 뇌암, 또는 혈액 암이다. 일부 구현예에서, 암은 흑색종이다. 일부 구현예에서, 혈액 암은 급성 골수성 백혈병(AML) 또는 만성 림프구성 백혈병(CLL)이다. 일부 구현예에서, 림프종은 미만성 대 B-세포 림프종, 여포성 림프종, 버킷 림프종 또는 비호지킨 림프종이다. 일부 구현예에서, 암은 만성 골수성 백혈병(CML), 급성 골수성 백혈병(A mL), 급성 림프구성 백혈병(ALL), 혼합 계통 백혈병(mixed lineage leukemia, MLL), 또는 골수이형성 증후군(MDS)이다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 EHMT1 및 EHMT2 중 하나 또는 둘 모두를 저해하는 데 사용하기 위한 하나 이상의 본원에 기재된 화합물을 제공한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 EHMT-매개 장애를 예방 또는 치료하는 데 사용하기 위한 하나 이상의 본원에 기재된 화합물을 제공한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 혈액 장애를 예방 또는 치료하는 데 사용하기 위한 하나 이상의 본원에 기재된 화합물을 제공한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 암을 예방 또는 치료하는 데 사용하기 위한 하나 이상의 본원에 기재된 화합물을 제공한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 EHMT1 및 EHMT2 중 하나 또는 둘 모두를 저해하기 위한 약제의 제조에서의 하나 이상의 본원에 기재된 화합물의 용도를 제공한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 EHMT-매개 장애를 예방 또는 치료하기 위한 약제의 제조에서의 하나 이상의 본원에 기재된 화합물의 용도를 제공한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 혈액 장애를 예방 또는 치료하기 위한 약제의 제조에서의 하나 이상의 본원에 기재된 화합물의 용도를 제공한다.
일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 암을 예방 또는 치료하기 위한 약제의 제조에서의 하나 이상의 본원에 기재된 화합물의 용도를 제공한다.
일부 양태에서, 본 개시는 하나 이상의 본원에 기재된 화합물을 제조하는 방법을 제공한다. 일부 구현예에서, 방법은 반응식 1 내지 10 중 하나 이상에서의 하나 이상의 단계를 포함한다. 일부 구현예에서, 하나 이상의 화합물은 약 100 nM 이상, 1 μM 이상, 10 μM 이상, 100 μM 이상, 또는 1000 μM 이상의 효소 저해 IC50 값으로 키나제를 저해한다. 일부 구현예에서, 하나 이상의 화합물은 약 1 mM 이상의 효소 저해 IC50 값으로 키나제를 저해한다. 일부 구현예에서, 하나 이상의 화합물은 1 μM 이상, 2 μM 이상, 5 μM 이상, 또는 10 μM 이상의 효소 저해 IC50 값으로 키나제를 저해하며, 여기서 키나제는 다음 중 하나 이상이다: AbI, AurA, CHK1, MAP4K, IRAK4, JAK3, EphA2, FGFR3, KDR, Lck, MARK1, MNK2, PKCb2, SIK, 및 Src.
일부 구현예에서, 하나 이상의 질소를 함유하는 본 개시의 화합물은 본 개시의 다른 화합물을 제공하기 위해 산화제(예를 들어, 3-클로로페록시벤조산(mCPBA) 및/또는 과산화수소)로 처리함으로써 N-옥사이드로 전환될 수 있다. 따라서, 모든 나타나고 청구된 질소-함유 화합물은, 원자가 및 구조에 의해 허용되는 경우, 나타난 화합물 및 이의 N-옥사이드 유도체(N→O 또는 N+-O-로 표시될 수 있음)를 모두 포함하는 것으로 고려된다. 또한, 다른 경우, 본 개시의 화합물에서 질소는 N-하이드록시 또는 N-알콕시 화합물로 전환될 수 있다. 예를 들어, N-하이드록시 화합물은 mCPBA와 같은 산화제에 의한 모 아민의 산화에 의해 제조될 수 있다. 모든 나타나고 청구된 질소-함유 화합물은, 원자가 및 구조에 의해 허용되는 경우, 나타난 화합물 및 이의 N-하이드록시(즉, N-OH) 및 N-알콕시(즉, N-OR, 여기서 R은 치환된 또는 비치환된 C1-C6 알킬, C1-C6 알케닐, C1-C6 알키닐, 3 내지 14-원 카르보사이클 또는 3 내지 14-원 헤테로사이클) 유도체 둘 모두를 포함하는 것으로 또한 고려된다.
본 명세서에서, 화합물의 구조는 일부 경우에 편의상 일정 이성질체를 표시하지만, 본 개시는 기하 이성질체, 비대칭 탄소에 기반한 광학 이성질체, 입체이성질체 및 호변이성질체 등과 같은 모든 이성질체를 포함한다. 추가적으로, 구조로 표시되는 화합물에 대해 결정 다형체가 존재할 수 있다. 임의의 결정 형태, 결정 형태 혼합물, 또는 이의 무수물 또는 수화물이 본 개시의 범위에 포함되는 것이 주목된다.
"이성질체"는 동일한 분자식을 갖지만 이의 원자의 결합 순서 또는 공간에서의 원자의 배치가 상이한 화합물을 의미한다. 공간에서의 원자의 배치가 상이한 이성질체는 "입체이성질체"로 불린다. 서로의 거울상이 아닌 입체이성질체는 "부분입체이성질체"로 불리며, 서로의 겹쳐질 수 없는 거울상인 입체이성질체는 "거울상 이성질체" 또는 때때로 광학 이성질체로 불린다. 반대 키랄성의 개별 거울상 이성질체 형태를 동일 양 함유하는 혼합물은 "라세믹 혼합물"로 불린다.
4개의 동일하지 않은 치환기에 결합된 탄소 원자는 "키랄 중심"으로 불린다.
"키랄 이성질체"는 적어도 하나의 키랄 중심을 갖는 화합물을 의미한다. 1개보다 많은 키랄 중심을 갖는 화합물은 개별 부분입체이성질체 또는 "부분입체이성질체 혼합물"로 불리는 부분입체이성질체의 혼합물로서 존재할 수 있다. 하나의 키랄 중심이 존재하는 경우, 입체이성질체는 그 키랄 중심의 절대적 배치(R 또는 S)를 특징으로 할 수 있다. 절대적 배치는 키랄 중심에 부착된 치환기의 공간 내 배치를 지칭한다. 고려 중인 키랄 중심에 부착된 치환기는 문헌[Suquence Rule of Cahn, Ingold and Prelog. (Cahn et al., Angew. Chem. Inter. Edit. 1966, 5, 385; errata 511; Cahn et al., Angew. Chem. 1966, 78, 413; Cahn and Ingold, J. Chem. Soc. 1951 (London), 612; Cahn et al., Experientia 1956, 12, 81; Cahn, J. Chem. Educ. 1964, 41, 116)]에 따라 등급이 매겨진다.
"기하 이성질체"는 이중 결합 또는 사이클로알킬 링커(예를 들어, 1,3-사이클로부틸)에 대한 부자유 회전 덕분에 존재하는 부분입체이성질체를 의미한다. 이들 배치는 Cahn-Ingold-Prelog 규칙에 따라 기가 분자 내 이중 결합의 동일 또는 반대 쪽에 있음을 표시하는 접두사 시스(cis) 및 트랜스(trans), 또는 Z 및 E에 의해 명칭이 구별된다.
본 개시의 화합물은 상이한 키랄 이성질체 또는 기하 이성질체로 묘사될 수 있음이 이해되어야 한다. 화합물이 키랄 이성질체 또는 기하 이성질체 형태를 갖는 경우, 모든 이성질체 형태는 본 개시의 범위에 포함되는 것으로 의도되며, 화합물의 명명은 어떠한 이성질체 형태도 배제하지 않음이 또한 이해되어야 하고, 모든 이성질체가 동일한 수준의 활성을 가질 수 있는 것이 아님이 이해된다.
또한, 본 개시에서 논의된 구조 및 다른 화합물은 이의 모든 아트로프 이성질체를 포함하고, 모든 아트로프 이성질체가 동일한 수준의 활성을 가질 수 있는 것은 아님이 이해된다. "아트로프 이성질체"는 두 이성질체의 원자가 공간에서 다르게 배치된 일종의 입체이성질체이다. 아트로프 이성질체는 중심 결합에 대한 큰 기의 회전의 방해에 의해 야기되는 제한된 회전 덕분에 존재한다. 이러한 아트로프 이성질체는 전형적으로 혼합물로서 존재하지만, 크로마토그래피 기술의 최근 발전의 결과로서, 선택된 경우에 두 아트로프 이성질체의 혼합물을 분리하는 것이 가능해졌다.
"호변이성질체"는 평형 상태에 존재하며 하나의 이성질체 형태로부터 또다른 것으로 쉽게 전환되는 둘 이상의 구조 이성질체 중 하나이다. 이 전환은 인접한 공액 이중 결합의 변경을 동반하는 수소 원자의 포르말(formal) 이동을 야기한다. 호변이성질체는 용액에서 호변이성체 세트의 혼합물로서 존재한다. 호변이성질화가 가능한 용액에서, 호변이성질체의 화학 평형에 도달할 것이다. 호변이성질체의 정확한 비율은 온도, 용매 및 pH를 포함하는 여러 인자에 기반한다. 호변이성질화에 의해 상호전환될 수 있는 호변이성질체의 개념을 호변이성이라고 한다.
가능한 다양한 유형의 호변이성 중 2 가지가 통상적으로 관찰된다. 케토-에놀 호변이성에서 전자 및 수소 원자의 동시 이동이 일어난다. 고리-사슬 호변이성은 당 사슬 분자 내의 알데히드기(-CHO)가 동일 분자 내의 하이드록시기(-OH) 중 하나와 반응한 결과로서 발생하여 포도당에 의해 보여지는 사이클릭(고리-모양) 형태를 제공한다.
통상적인 호변이성질체 쌍은: 케톤-에놀, 아미드-니트릴, 락탐-락팀, 헤테로사이클릭 고리에서의 아미드-이미드산 호변이성(예를 들어, 구아닌, 티민 및 시토신과 같은 핵 염기에서), 이민-엔아민 및 엔아민-엔아민이다. 락탐-락팀 호변이성의 예는 하기에 나타나는 바와 같다.
본 개시의 화합물은 상이한 호변이성질체로 묘사될 수 있음이 이해되어야 한다. 또한, 화합물이 호변이성질체 형태를 갖는 경우, 모든 호변이성질체 형태는 본 개시의 범위에 포함되는 것으로 의도되며, 화합물의 명명은 어떠한 호변이성질체 형태도 배제하지 않음이 또한 이해되어야 한다. 일정 호변이성질체가 다른 것보다 더 높은 수준의 활성을 가질 수 있음이 이해될 것이다.
용어 "결정 다형체", "다형체" 또는 "결정 형태"는 화합물(또는 이의 염 또는 용매화물)이 상이한 결정 패킹 배치로 결정화할 수 있는 결정 구조를 의미하며, 이들 모두는 동일한 원소 조성을 갖는다. 상이한 결정 형태는 보통 상이한 X-선 회절 패턴, 적외선 스펙트럼, 녹는점, 밀도 경도, 결정 형태, 광학적 및 전기적 특성, 안정성 및 용해도를 갖는다. 재결정화 용매, 결정화 속도, 저장 온도, 및 다른 인자가 하나의 결정 형태로 하여금 지배적이도록 야기할 수 있다. 화합물의 결정 다형체는 상이한 조건 하에서의 결정화에 의해 제조될 수 있다.
본원에 사용된 용어 "XRPD"는 x-선 분말 회절을 지칭한다. 일부 구현예에서, x-선 분말 회절은 Cu Kα 방사선을 사용하여 수득된다. 일부 구현예에서, x-선 분말 회절은 결정된 2θ 각을 갖는 하나 이상의 피크를 갖는다.
일부 구현예에서, 본원에 사용된 문구 "화합물 A의 결정질 형태 A"는 화합물 A의 유리 염기의 결정질 형태를 지칭한다. 일부 구현예에서, 화합물 A의 유리 염기는 무수물이다.
일부 구현예에서, 본원에 사용된 문구 "화합물 X의 Y 염의 결정질 형태"는 화합물 A와 음이온 X 사이에 형성된 염의 결정질 형태를 지칭한다. 일부 구현예에서, 화합물 A와 음이온 X 사이에 형성된 염은 무수물이다. 일부 구현예에서, 염에서 화합물 A와 음이온 X의 비는 약 1:1, 약 1:2, 약 1:3, 또는 약 1:4이다.
본원에 기재된 화합물은 화합물 자체뿐만 아니라, 적용 가능한 경우, 이의 약학적으로 허용되는 염, 및 이의 용매화물을 포함한다.
예를 들어, "약학적으로 허용되는 염"은 음이온과 본 개시의 화합물 사이에서 형성될 수 있다. 일부 구현예에서, 염은 음이온 및 본 개시의 화합물 상의 양으로 하전된 기(예를 들어, 아미노) 사이에서 형성된다. 적합한 음이온으로는 아디페이트, 글리콜레이트, 숙시네이트, 클로라이드, 브로마이드, 요오다이드, 설페이트, 바이설페이트, 설파메이트, 니트레이트, 포스페이트, 옥살레이트, 시트레이트, 메탄설포네이트, 트리플루오로아세테이트, 글루타메이트, 글루쿠로네이트, 글루타레이트, 말레이트, 말레에이트, 숙시네이트, 푸마레이트, 타르트레이트, 토실레이트, 살리실레이트, 락테이트, 나프탈렌설포네이트, 히푸레이트, 젠티세이트, 벤조에이트, 및 아세테이트(예를 들어, 트리플루오로아세테이트)가 포함된다. 일부 구현예에서, 약학적으로 허용되는 염은 하이드로클로라이드 염, 설페이트 염, 글리콜레이트 염, 아디페이트 염, 숙시네이트 염, 옥살레이트 염, 포스페이트 염, 푸마레이트 염, 히푸레이트 염, 젠티세이트 염, 또는 벤조에이트 염이다. 용어 "약학적으로 허용되는 음이온"은 약학적으로 허용되는 염을 형성하기에 적합한 음이온을 지칭한다.
마찬가지로, 염은 양이온 및 치환된 벤젠 화합물 상의 음으로 하전된 기(예를 들어, 카르복실레이트) 사이에서 또한 형성될 수 있다. 적절한 양이온으로는 소듐 이온, 포타슘 이온, 마그네슘 이온, 칼슘 이온, 및 테트라메틸암모늄 이온과 같은 암모늄 양이온이 포함된다. 치환된 벤젠 화합물은 또한 4 차 질소 원자를 함유하는 염을 포함한다.
추가적으로, 본 개시의 화합물, 예를 들어, 화합물의 염은 수화된 또는 비수화된(무수물) 형태 또는 다른 용매 분자와의 용매화물로 존재할 수 있다. 수화물의 비제한적인 예로는 일수화물, 이수화물 등이 포함된다. 용매화물의 비제한적인 예로는 에탄올 용매화물, 아세톤 용매화물 등이 포함된다.
"용매화물"은 화학량론적 또는 비화학량론적 양의 용매를 함유하는 용매 부가 형태를 의미한다. 일부 화합물은 결정질 고체 상태에서 고정된 몰비의 용매 분자를 트랩하여 용매화물을 형성하는 경향을 갖는다. 용매가 물인 경우, 형성된 용매화물은 수화물이고; 용매가 알코올인 경우, 형성된 용매화물은 알코올레이트이다. 수화물은 물이 분자 상태를 H2O로 유지하는, 하나 이상의 물 분자와 하나의 물질 분자의 조합에 의해 형성된다.
본원에서 사용된 용어 "유사체"는 구조적으로 다른 것과 유사하나 조성에서 약간 상이한 화학적 화합물을 지칭한다(하나의 원자를 상이한 원소의 원자로 대체 또는 특정 작용기의 존재, 또는 하나의 작용기를 또다른 작용기로 대체에서와 같이). 따라서, 유사체는 참조 화합물에 대해 기능 및 외관에 있어서는 유사하거나 비슷하지만, 구조 또는 기원에 있어서는 그렇지 않은 화합물이다.
본원에서 정의된 용어 "유도체"는 공통의 코어 구조를 가지며, 본원에 기재된 다양한 기로 치환된 화합물을 지칭한다.
용어 "바이오이소스테르(bioisostere)"는 원자 또는 원자 그룹을 또다른, 대체로 유사한, 원자 또는 원자 그룹으로 교환하는 것으로부터 생성되는 화합물을 지칭한다. 바이오이소스테릭 대체의 목적은 모 화합물에 유사한 생물학적 특성을 갖는 새로운 화합물을 창조하는 것이다. 바이오이소스테르 대체는 물리 화학적 또는 위상학적 기반일 수 있다. 카르복실산 바이오이소스테르의 예로는 아실 설폰이미드, 테트라졸, 설포네이트 및 포스포네이트가 포함되나 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 문헌[Patani and LaVoie, Chem. Rev. 96, 3147-3176, 1996] 참고.
본 개시는 본 화합물에 존재하는 원자의 모든 동위원소를 포함하는 것으로 의도된다. 동위원소는 동일한 원자 번호를 갖지만 상이한 질량수를 갖는 원자를 포함한다. 일반적인 예로 제한없이, 수소의 동위원소는 삼중 수소 및 중수소를 포함하고, 탄소의 동위원소는 C-13 및 C-14를 포함한다. 예를 들어, 본 개시의 일부 구현예는, 하나 이상의 수소가 중수소 또는 삼중 수소로 치환된 본원에 제공된 구조의 화합물을 포함한다.
본원에 사용된 표현 "A, B, 또는 C 중 하나 이상", "하나 이상의 A, B, 또는 C", "A, B, 및 C 중 하나 이상", "하나 이상의 A, B, 및 C", "A, B, 및 C로 구성된 그룹으로부터 선택되는", "A, B, 및 C로부터 선택되는" 등은 상호 교환적으로 사용되며, 달리 명시되지 않는 한, 모두 A, B, 및/또는 C로 구성된 그룹으로부터의 선택, 즉, 하나 이상의 A, 하나 이상의 B, 하나 이상의 C, 또는 이의 임의의 조합을 지칭한다.
본원에 사용된 용어 "약"은 명시된 값의 10%, 9%, 8%, 7%, 6%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, 0.5%, 0.1%, 0.05%, 또는 0.01% 편차 내의 범위를 지칭한다. 일부 구현예에서 및 XRPD 패턴과 관련하여, 용어 "약"은 명시된 값 +/- 0.5, +/- 0.4, +/- 0.3, +/- 0.2, 또는 +/- 0.1 2θ 도(degree)를 지칭한다. 일부 구현예에서 및 온도와 관련하여, 용어 "약"은 명시된 값 +/- 20℃, +/- 15℃, +/- 10℃, +/- 8℃, +/-6℃, +/- 5℃, +/- 4℃, +/- 3℃, +/- 2℃, +/- 1℃, 또는 +/- 0.5℃를 지칭한다.
본 개시는 본원에 기재된 화합물의 합성 방법을 제공한다. 본 개시는 또한 실시예에 나타낸 반응식 1 내지 9 중 임의의 하나에 따른 본 개시의 다양한 개시된 화합물의 합성을 위한 상세한 방법을 제공한다.
상세한 설명 전체에 걸쳐, 조성물이 특정 성분을 갖거나, 포함하거나(including), 포함하는 것으로 기재되는 경우, 조성물은 또한 열거된 성분으로 본질적으로 구성되거나 이로 구성되는 것으로 고려된다. 유사하게, 방법 또는 공정이 특정 공정 단계를 갖거나, 포함하거나, 또는 포함하는 것으로 기재되는 경우, 공정은 또한 열거된 처리 단계로 본질적으로 구성되거나 이로 구성된다. 또한, 단계의 순서 또는 일정 동작을 수행하기 위한 순서는 발명이 작동되는 한 중요하지 않음이 이해되어야 한다. 더욱이, 둘 이상의 단계 또는 동작이 동시에 수행될 수 있다.
본 개시의 합성 공정은 매우 다양한 작용기를 허용할 수 있으므로, 다양한 치환된 출발 물질이 사용될 수 있다. 일정 경우에는 화합물을 이의 약학적으로 허용되는 염으로 추가로 전환시키는 것이 바람직할 수 있으나, 공정은 일반적으로 전체 공정의 말단에서 또는 말단 부근에서 원하는 최종 화합물을 제공한다.
본 개시의 화합물은 상업적으로 이용 가능한 출발 물질, 문헌에 공지된 화합물, 또는 용이하게 제조된 중간체를 이용하여 당업자에게 공지되거나, 본원의 교시에 비추어 당업자에게 명백할 표준 합성 방법 및 절차를 사용함으로써 다양한 방법으로 제조될 수 있다. 유기 분자 및 작용기 변형 및 조작의 준비를 위한 표준 합성 방법 및 절차는 관련 과학 문헌 또는 분야의 표준 교과서에서 얻을 수 있다. 임의의 하나 또는 몇몇 출처에 한정되는 것은 아니지만, 본원에 참조로서 편입된 문헌[Smith, M. B., March, J., March's Advanced Organic Chemistry: Reactions, Mechanisms, and Structure, 5th edition, John Wiley & Sons: New York, 2001; Greene, T.W., Wuts, P.G. M., Protective Groups in Organic Synthesis, 3rd edition, John Wiley & Sons: New York, 1999; R. Larock, Comprehensive Organic Transformations, VCH Publishers (1989); L. Fieser and M. Fieser, Fieser and Fieser's Reagents for Organic Synthesis, John Wiley and Sons (1994); and L. Paquette, ed., Encyclopedia of Reagents for Organic Synthesis, John Wiley and Sons (1995)]과 같은 대표적 문서는 당업자에게 공지된 유기 합성에 대한 유용하고 알려진 참고 교과서이다. 합성 방법에 대한 다음의 기재는 본 개시의 화합물의 제조를 위한 일반적인 절차를 예시하기 위해 만들어졌지만, 이에 한정되지 않는다.
본 개시의 화합물은 당업자에게 익숙한 다양한 방법에 의해 편리하게 제조될 수 있다. 본 개시의 화합물은 상업적으로 이용 가능한 출발 물질 또는 문헌 절차를 사용하여 제조될 수 있는 출발 물질로부터 하기 반응식 1 내지 9에 예시된 절차에 따라 제조될 수 있다.
본원에 기재된 반응 순서 및 합성 반응식 중에 보호기의 도입 및 제거와 같은 일정 단계의 순서가 변경될 수 있다는 것을 당업자는 주목할 것이다.
일정 기가 보호기의 사용을 통한 반응 조건으로부터의 보호를 필요로 할 수 있음을 당업자는 인식할 것이다. 보호기는 또한 분자 내의 유사한 작용기를 구별하는 데 사용될 수 있다. 보호기의 목록 및 이들 기를 도입 및 제거하는 방법은 문헌[Greene, T.W., Wuts, P.G. M., Protective Groups in Organic Synthesis, 3rd edition, John Wiley & Sons: New York, 1999]에서 찾을 수 있다.
바람직한 보호기로는 다음이 포함되나 이에 한정되지 않는다:
하이드록실 모이어티를 위해: TBS, 벤질, THP, Ac
카르복실산을 위해: 벤질 에스테르, 메틸 에스테르, 에틸 에스테르, 알릴 에스테르
아민을 위해: Cbz, BOC, DMB
디올을 위해: Ac(x2) TBS(x2), 또는 아세토나이드와 함께 취해진 경우
티올을 위해: Ac
벤즈이미다졸을 위해: SEM, 벤질, PMB, DMB
알데히드를 위해: 디메톡시 아세탈 또는 디에틸 아세틸과 같은 디-알킬 아세탈.
본원에 기재된 반응식에서, 다수 입체이성질체가 생산될 수 있다. 구체적인 입체이성질체가 표시되지 않는 경우, 이는 반응으로부터 생산될 수 있는 모든 가능한 입체이성질체를 의미하는 것으로 이해된다. 당업자는 반응이 하나의 이성질체를 우선적으로 제공하도록 최적화될 수 있거나, 새로운 반응식이 단일 이성질체를 생산하도록 고안될 수 있음을 인식할 것이다. 혼합물이 생산되는 경우, 예비 박층 크로마토그래피, 예비 HPLC, 예비 키랄 HPLC 또는 예비 SFC와 같은 기술이 이성질체를 분리하기 위하여 사용될 수 있다.
다음의 약어가 명세서 전체에 걸쳐 사용되며, 하기에서 정의된다:
ACN
아세토니트릴
Ac
아세틸
AcOH
아세트산
AlCl3
알루미늄 클로라이드
BINAP
(2,2'-비스(디페닐포스피노)-1,1'-바이나프틸)
t-BuOK
포타슘 t-부톡사이드
tBuONa 또는 t-BuONa
소듐 t-부톡사이드
br
넓은
BOC
tert-부톡시 카르보닐
Cbz
벤질옥시 카르보닐
CDCl3CHCl3
클로로포름
CH2Cl2
디클로로메탄
CH3CN
아세토니트릴
CsCO3
세슘 카르보네이트
CH3NO3
니트로메탄
d
이중선
dd
이중선의 이중선
dq
사중선의 이중선
DCE
1,2 디클로로에탄
DCM
디클로로메탄
Δ
열
δ
화학적 이동
DIEA
N,N-디이소프로필에틸아민(휘니그(Hunig) 염기)
DMB
2,4 디메톡시 벤질
DMF
N,N-디메틸포름아미드
DMSO
디메틸 설폭사이드
DMSO-d6
듀테로화된 디메틸 설폭사이드
EA 또는 EtOAc
에틸 아세테이트
ES
전기분무
Et3N
트리에틸아민
equiv
당량
g
그램
h
시간
H2O
물
HCl
염화수소 또는 염산
HPLC
고성능 액체 크로마토그래피
Hz
헤르츠
IPA
이소프로필 알코올
i-PrOH
이소프로필 알코올
J
NMR 커플링 상수
K2CO3
포타슘 카르보네이트
HI
포타슘 요오다이드
KCN
포타슘 시아나이드
LCMS 또는 LC-MS
액체 크로마토그래피 질량 분광
M
몰농도
m
다중선
mg
밀리그램
MHz
메가헤르츠
mL
밀리리터
mm
밀리미터
mmol
밀리몰
mol
몰
[M+1]
분자 이온 +1 질량 단위
m/z
질량/전하 비
m-CPBA
메타-클로로페르벤조산
MeCN
아세토니트릴
MeOH
메탄올
MeI
메틸 요오다이드
min
분
μm
미크론
MsCl
메실 클로라이드
MW
마이크로파 조사
N
노르말
Na2SO4
소듐 설페이트
NH3
암모니아
NaBH(AcO)3
소듐 트리아세톡시보로하이드라이드
NaI
소듐 요오다이드
Na2SO4
소듐 설페이트
NH4Cl
암모늄 클로라이드
NH4HCO3
암모늄 바이카르보네이트
nm
나노미터
NMP
N-메틸피롤리디논
NMR
핵 자기 공명
Pd(OAc)2
팔라듐(II) 아세테이트
Pd/C
탄소 상 팔라듐
Pd2(dba)3
트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0)
PMB
파라 메톡시벤질
ppm
백만분율
POCl3
포스포릴 클로라이드
prep-HPLC
예비 고성능 액체 크로마토그래피
PTSA
파라-톨루엔설폰산
p-TsOH
파라-톨루엔설폰산
RT
머무름 시간
rt
실온
s
단일선
t
삼중선
t-BuXPhos
2-디-tert-부틸포스피노-2',4',6'-트리이소프로필바이페닐
TEA
트리에틸아민
TFA
트리플루오로아세트산
TfO
트리플레이트
THP
테트라하이드로피란
TsOH
토스산
UV
자외선
당업자는 상기 반응식에서 많은 단계의 순서가 서로 바뀔 수 있음을 인식할 것이다.
본 개시의 화합물은 KMT1C(리신 메틸트랜스페라제 1C) 또는 EHMT2(진정염색질 히스톤 메틸트랜스페라제 2)로도 알려진 G9a, 또는 이의 돌연변이의 히스톤 메틸트랜스페라제 활성을 저해하고, 따라서, 본 개시의 일 양태에서, 본원에 개시된 일정 화합물은 EHMT2가 역할을 하는 일정 상태, 질병, 및 장애를 치료하거나 예방하기 위한 후보자이다. 본 개시는 히스톤 또는 다른 단백질의 메틸화 상태를 조절함으로써 그 추이가 영향을 받을 수 있는 상태 및 질병을 치료하는 방법을 제공하며, 여기서 상기 메틸화 상태는 적어도 부분적으로 EHMT2의 활성에 의해 매개된다. 히스톤의 메틸화 상태의 조절은 차례로 메틸화에 의해 활성화되는 표적 유전자, 및/또는 메틸화에 의해 억제되는 표적 유전자의 발현 수준에 영향을 줄 수 있다. 방법은 이러한 치료를 필요로 하는 대상체에게 치료적 유효량의 본 개시의 화합물, 또는 이의 약학적으로 허용되는 염, 다형체, 용매화물 또는 입체이성질체를 투여하는 것을 포함한다.
달리 언급되지 않는 한, 치료 방법의 임의의 기재는 본원에 기재된 치료 또는 예방을 제공하기 위한 화합물의 사용뿐만 아니라 이러한 상태를 치료 또는 예방하는 약제를 제조하기 위한 화합물의 사용을 포함한다. 치료는 설치류 및 기타 질병 모델을 포함하는 인간 또는 비인간 동물의 치료를 포함한다.
여전히 일부 양태에서, 본 개시는 이를 필요로 하는 대상체에서 히스톤 H3(H3K9) 상의 리신 9의 디메틸화를 촉매하는 EHMT2의 활성을 조절하는 방법을 제공한다. 일부 구현예에서, 방법은 H3K9 메틸트랜스페라제 활성을 적어도 10%, 적어도 20%, 적어도 30%, 적어도 40%, 적어도 50%, 적어도 60%, 적어도 70%, 적어도 80%, 적어도 90%, 적어도 95%, 적어도 98%, 또는 적어도 99% 저해하는 데 효과적인 양의 본원에 제공된 화합물과 EHMT2 단백질을 접촉시키는 단계를 포함한다. 일부 구현예에서, 접촉은 생체내에서 이루어진다. 일부 구현예에서, 이를 필요로 하는 대상체에게 치료적 유효량의 본원에 기재된 화합물을 투여하는 단계를 포함하는 방법이 제공되며, 여기서 화합물은 EHMT2의 히스톤 메틸트랜스페라제 활성을 저해한다. 일부 구현예에서, 대상체는 EHMT2-매개 질병을 갖는다. 일부 구현예에서, 대상체는 암을 갖는다. 일부 구현예에서, 대상체는 혈액 장애를 갖는다. 일부 구현예에서, 혈액 장애는 빈혈이다. 일부 구현예에서, 혈액 장애는 겸상 적혈구 빈혈이다. 일부 구현예에서, 혈액 장애는 혈액 암이다. 일부 구현예에서, 대상체는 EHMT2의 돌연변이 형태를 발현한다.
일부 구현예에서, 대상체는 EHMT2-매개 암을 갖는다. 일부 구현예에서, 암은 백혈병, 전립선 암종, 간세포 암종, 또는 폐암이다.
일부 구현예에서, 본원에 개시된 화합물은 EHMT2-매개 질병, 예를 들어, EHMT2-매개 암 또는 혈액 장애의 치료에 유용하다. 일부 구현예에서, 암은 혈액 암이다. 일부 구현예에서, 혈액 장애는 빈혈, 예를 들어, 겸상 적혈구 빈혈이다.
일부 구현예에서, 암은 뇌 및 중추 신경계(CNS) 암, 두경부암, 신장암, 난소암, 췌장암, 백혈병, 폐암, 림프종, 골수종, 육종, 유방암, 및 전립선암이다. 일부 구현예에서, 이를 필요로 하는 대상체는 뇌 및 CNS 암, 신장암, 난소암, 췌장암, 백혈병, 림프종, 골수종 및/또는 육종을 가졌던, 가지고 있는 또는 발병하기 쉬운 것이다. 예시적인 뇌 및 중추 CNS 암으로는 수모세포종, 희돌기교종, 비정형 기형/간상 종양, 맥락막총 암종, 맥락막총 유두종, 뇌실막종, 교모세포종, 수막종, 신경교 종양, 핍지교성상세포종, 희돌기교종, 및 송과체모세포종이 포함된다. 예시적인 난소암으로는 난소 투명 세포 선암종, 난소 자궁내막유사 선암종, 및 난소 장액 선암종이 포함된다. 예시적인 췌장암으로는 췌장 관 선암종 및 췌장 내분비 종양이 포함된다. 예시적인 육종으로는 연골육종, 연조직의 투명 세포 육종, 유잉(ewing) 육종, 위장 기질 종양, 골육종, 횡문근육종 및 달리 명시되지 않은(NOS) 육종이 포함된다. 일부 구현예에서, 본 개시의 화합물에 의해 치료되는 암은 비 NHL 암이다.
일부 구현예에서, 암은 급성 골수성 백혈병(AML) 또는 만성 림프구성 백혈병(CLL), 수모세포종, 희돌기교종, 난소 투명 세포 선암종, 난소 자궁내막유사 선암종, 난소 장액 선암종, 췌장 관 선암종, 췌장 내분비 종양, 악성 간상 종양, 성상세포종, 비정형 기형/간상 종양, 맥락막총 암종, 맥락막총 유두종, 뇌실막종, 교모세포종, 수막종, 신경교 종양, 핍지교성상세포종, 희돌기교종, 송과체모세포종, 암육종, 척색종, 고환외 생식세포 종양, 신장외 간상 종양, 슈반세포종, 피부 편평상피 세포 암종, 연골육종, 연조직의 투명 세포 육종, 유잉 육종, 위장 기질 종양, 골육종, 횡문근육종, 또는 달리 명시되지 않은(NOS) 육종이다. 일부 구현예에서, 암은 급성 골수성 백혈병(AML), 만성 림프구성 백혈병(CLL), 수모세포종, 난소 투명 세포 선암종, 난소 자궁내막유사 선암종, 췌장 관 선암종, 악성 간상 종양, 비정형 기형/간상 종양, 맥락막총 암종, 맥락막총 유두종, 교모세포종, 수막종, 송과체모세포종, 암육종, 신장외 간상 종양, 슈반세포종, 피부 편평상피 세포 암종, 연골육종, 유잉 육종, 상피모양 육종, 신장 수질 암종, 미만성 대 B-세포 림프종, 여포성 림프종 및/또는 NOS 육종이다.
일부 구현예에서, 암은 림프종, 백혈병 또는 흑색종이다. 일부 구현예에서, 암은 림프종, 예를 들어 여포성 림프종, 미만성 대 B-세포 림프종(DLBCL), 버킷 림프종, 또는 비호지킨 림프종이다. 일부 구현예에서, 림프종은 비호지킨 림프종(NHL), 여포성 림프종 또는 미만성 대 B-세포 림프종이다. 일부 구현예에서, 백혈병은 만성 골수성 백혈병(CML), 급성 골수성 백혈병, 급성 림프구성 백혈병 또는 혼합 계통 백혈병이다.
일부 구현예에서, EHMT2-매개 장애는 혈액 장애이다.
본원에 제공된 화합물은 EHMT2 또는 이의 돌연변이의 히스톤 메틸트랜스페라제 활성을 저해하고, 따라서 본 개시는 히스톤 또는 다른 단백질의 메틸화 상태를 조절함으로써 그 추이가 영향을 받을 수 있는 상태 및 질병을 치료하는 방법을 또한 제공하며, 여기서 상기 메틸화 상태는 적어도 부분적으로 EHMT2의 활성에 의해 매개된다. 히스톤의 메틸화 상태의 조절은 차례로 메틸화에 의해 활성화되는 표적 유전자, 및/또는 메틸화에 의해 억제되는 표적 유전자의 발현 수준에 영향을 줄 수 있다. 방법은 치료적 유효량의 본 개시의 화합물을 이러한 치료를 필요로 하는 대상체에게 투여하는 단계를 포함한다.
본원에 사용된 "대상체"는 "이를 필요로 하는 대상체"와 상호교환 가능하며, 이들 둘 모두는 EHMT2-매개 단백질 메틸화가 역할을 하는 장애를 갖는 대상체 또는 대체적인 집단에 비해 이러한 장애를 발병할 증가된 위험을 갖는 대상체를 지칭한다. 일부 구현예에서, 대상체는 인간이다. 일부 구현예에서, 대상체는 비인간 포유동물이다. 일부 구현예에서, 대상체는 포유동물이다. 일부 구현예에서, 대상체는 영장류, 마우스, 래트, 개, 고양이, 소, 말, 염소, 낙타, 양 또는 돼지이다. 대상체는 새 또는 가금류가 될 수도 있다. 이를 필요로 하는 대상체는 이전에 암 또는 전암 상태를 갖는 것으로 진단되거나 확인된 것일 수 있다. 이를 필요로 하는 대상체는 또한 암 또는 전암 상태를 갖는(예를 들어, 앓고 있는) 것일 수 있다. 일부 구현예에서, 이를 필요로 하는 대상체는 대체적인 집단에 비해 이러한 장애를 발병할 증가된 위험을 갖는 것일 수 있다(즉, 대체적인 집단에 비해 이러한 장애가 발생하기 쉬운 대상체). 이를 필요로 하는 대상체는 전암 상태를 가질 수 있다. 이를 필요로 하는 대상체는 난치성 또는 내성 암(즉, 치료에 반응하지 않거나 치료에 아직 반응하지 않았던 암)을 가질 수 있다. 대상체는 치료 시작시 내성이 있거나 치료 중 내성이 있게 될 수 있다. 일부 구현예에서, 이를 필요로 하는 대상체는 가장 최근의 치료법에서 차도 후 암 재발을 갖는다. 일부 구현예에서, 이를 필요로 하는 대상체는 암 치료를 위한 모든 공지된 효과적인 치료법을 받고 실패하였다. 일부 구현예에서, 이를 필요로 하는 대상체는 적어도 하나의 이전 치료를 받았다. 바람직한 구현예에서, 대상체는 암 또는 암 상태를 갖는다. 일부 구현예에서, 암은 백혈병, 전립선 암종, 간세포 암종 및 폐암이다.
본원에서 사용된 "후보 화합물"은 화합물이 연구자 또는 임상의에 의해 탐구되는 세포, 조직, 시스템, 동물 또는 인간에서 원하는 생물학적 또는 의학적 반응을 유도할 가능성이 있는지 결정하기 위해, 하나 이상의 시험관내 또는 생체내 생물학적 검정에서 시험되었거나 시험될, 본 개시의 화합물, 또는 이의 약학적으로 허용되는 염, 다형체 또는 용매화물을 지칭한다. 후보 화합물은 본 개시의 화합물, 또는 이의 약학적으로 허용되는 염, 다형체 또는 용매화물이다. 생물학적 또는 의학적 반응은 암의 치료일 수 있다. 생물학적 또는 의학적 반응은 세포 증식성 장애의 치료 또는 예방일 수 있다. 생물학적 반응 또는 효과는 시험관내 또는 동물 모델에서 일어나는 세포 증식 또는 성장의 변화뿐만 아니라 시험관내에서 관찰 가능한 다른 생물학적 변화를 또한 포함할 수 있다. 시험관내 또는 생체내 생물학적 검정에는 효소 활성 분석, 전기 영동 이동성 이동 분석, 리포터 유전자 분석, 시험관내 세포 생존능 분석 및 본원에 기재된 분석이 포함될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 사용될 수 있는 시험관내 생물학적 검정은 (1) 히스톤 기질(예를 들어, 단리된 히스톤 샘플 또는 인간 히스톤 H3 잔기 1-15를 대표하는 단리된 히스톤 펩티드)을 재조합 EHMT2 효소와 혼합하는 단계; (2) 본 개시의 화합물을 이 혼합물에 첨가하는 단계; (3) 비 방사성이고 3H-표지된 S-아데노실 메티오닌(SAM)을 첨가하여 반응을 개시하는 단계; (4) 과량의 비 방사성 SAM을 첨가하여 반응을 중지시키는 단계; (4) 편입되지 않은 유리 3H-SAM을 세정하는 단계; 및 (5) 당업계에 공지된 임의의 방법(예를 들어, PerkinElmer TopCount 플레이트 판독기)에 의해 3H-표지된 히스톤 기질의 양을 검출하는 단계를 포함한다.
예를 들어, 사용될 수 있는 시험관내 연구는 (1) 본 개시의 화합물로 암 세포(예를 들어, 유방암 세포)를 처리하는 단계; (2) 설정된 시간 동안 세포를 배양하는 단계; (3) 세포를 고정시키는 단계; (4) 디메틸화된 히스톤 기질에 결합하는 1 차 항체로 세포를 처리하는 단계; (5) 세포를 2 차 항체(예를 들어, 적외선 염료에 접합된 항체)로 처리하는 단계; (6) 당업계에 공지된 임의의 방법(예를 들어, Licor Odyssey 적외선 스캐너)에 의해 결합된 항체의 양을 검출하는 단계를 포함한다.
본원에서 사용된 "치료하는" 또는 "치료"는 질병, 상태 또는 장애를 방지의 목적을 위한 환자의 관리 및 돌봄을 기술하고, 질병, 상태 또는 장애의 증상 또는 합병증을 경감시키거나 질병, 상태 또는 장애를 제거하기 위한 본 개시의 화합물, 또는 이의 약학적으로 허용되는 염, 다형체 또는 이의 용매화물의 투여를 포함한다. 용어 "치료"는 시험관내 세포 또는 동물 모델의 처리를 또한 포함할 수 있다.
본 개시의 화합물, 또는 이의 약학적으로 허용되는 염, 다형체 또는 용매화물은 관련 질병, 상태 또는 장애를 예방하는 데 또한 사용될 수 있거나, 이러한 목적을 위한 적합한 후보를 동정하는 데 사용될 수 있다. 본원에서 사용된 "예방하는", "예방" 또는 "로부터 보호"는 이러한 질병, 상태 또는 장애의 증상 또는 합병증의 발병을 감소시키거나 제거하는 것을 기술한다.
당업자는 본원에서 논의된 공지된 기술 또는 동등한 기술의 상세한 설명을 위한 일반적인 참고 문서를 참조할 수 있다. 이들 문서로는 문헌[Ausubel et al., Current Protocols in Molecular Biology, John Wiley and Sons, Inc. (2005); Sambrook et al., Molecular Cloning, A Laboratory Manual (3rd edition), Cold Spring Harbor Press, Cold Spring Harbor, New York (2000); Coligan et al., Current Protocols in Immunology, John Wiley & Sons, N.Y.; Enna et al., Current Protocols in Pharmacology, John Wiley & Sons, N.Y.; Fingl et al., The Pharmacological Basis of Therapeutics (1975), Remington's Pharmaceutical Sciences, Mack Publishing Co., Easton, PA, 18th edition (1990)]이 포함된다. 이들 문서는 물론 본 개시의 일 양태를 만들거나 사용하는 데 또한 참조될 수 있다.
본원에서 사용된 "병용 요법" 또는 "병행 요법"은 본 개시의 화합물, 또는 이의 약학적으로 허용되는 염, 다형체 또는 용매화물, 및 적어도 제2 제제를 이들 치료제의 공동 작용으로부터 유익한 효과를 제공하기 위해 의도되는 특정 치료 요법의 일부로서 투여하는 것을 포함한다. 병용의 유익한 효과는 치료제의 조합으로 인한 약물동력학 또는 약력학적 공동 작용을 포함하나 이에 한정되지 않는다.
본 개시는 적어도 하나의 약학적으로 허용되는 부형제 또는 담체와 조합하여 본원에 기재된 화합물을 포함하는 약학적 조성물을 또한 제공한다.
"약학적 조성물"은 대상체에게 투여하기에 적합한 형태로 본 개시의 화합물을 함유하는 제형이다. 일부 구현예에서, 약학적 조성물은 벌크 또는 단위 투여량 형태이다. 단위 투여량 형태는 예를 들어, 캡슐, IV 백, 정제, 에어로졸 흡입기상의 단일 펌프 또는 바이알을 포함하는 다양한 형태 중 임의의 것이다. 단위 투여량의 조성물 중의 활성 성분(예를 들어, 개시된 화합물 또는 이의 염, 수화물, 용매화물 또는 이성질체의 제형)의 양은 유효량이며, 수반되는 구체적인 치료에 따라 달라진다. 당업자는 때때로 환자의 연령 및 상태에 따라 투여량에 일상적인 변형을 할 필요가 있음을 이해할 것이다. 투여량은 또한 투여 경로에 의존할 것이다. 경구, 폐, 직장, 비경구, 경피, 피하, 정맥내, 근육내, 복강내, 흡입, 버칼, 설하, 흉강내, 척추강내, 비내 등을 포함하여 다양한 경로가 고려된다. 본 개시의 화합물의 국소 또는 경피 투여를 위한 투여량 형태로는 분말, 스프레이, 연고, 페이스트, 크림, 로션, 겔, 용액, 패치 및 흡입제가 포함된다. 일부 구현예에서, 활성 화합물은 요구되는 약학적으로 허용되는 담체, 및 임의의 보존제, 완충제 또는 추진제와 멸균 조건 하에서 혼합된다.
본원에서 사용된 문구 "약학적으로 허용되는"은 건전한 의학적 판단의 범위 내에서, 과도한 독성, 자극, 알레르기 반응, 또는 다른 문제 또는 합병증없이, 인간 및 동물의 조직과 접촉하여 사용하기에 적합하고, 합리적인 이익/위험 비율에 상응하는 화합물, 음이온, 양이온, 물질, 조성물, 담체, 및/또는 투여량 형태를 지칭한다.
"약학적으로 허용되는 부형제"는 일반적으로 안전하고, 비-독성이며, 생물학적으로나 또는 달리 바람직하지 않지 않은 약학적 조성물을 제조하는 데 유용한 부형제를 의미하며, 인간 약학적 용도뿐만 아니라 수의학적 용도를 위해 허용되는 부형제를 포함한다. 명세서 및 청구 범위에서 사용된 "약학적으로 허용되는 부형제"는 하나 또는 하나보다 많은 이러한 부형제 둘 모두를 포함한다.
본 개시의 약학적 조성물은 의도된 투여 경로와 양립할 수 있도록 제형화된다. 투여 경로의 예로는 비경구, 예를 들어, 정맥내, 피내, 피하, 경구(예를 들어, 흡입), 경피(국소) 및 경점막 투여가 포함된다. 비경구, 피내, 또는 피하 적용에 사용되는 용액 또는 현탁액은 다음 성분을 포함할 수 있다: 주사용수, 식염수, 고정유, 폴리에틸렌 글리콜, 글리세린, 프로필렌 글리콜 또는 다른 합성 용매와 같은 멸균 희석제; 벤질 알코올 또는 메틸 파라벤과 같은 항균제; 아스코르브산 또는 소듐 바이설파이트와 같은 산화방지제; 에틸렌디아민테트라아세트산과 같은 킬레이트제; 아세테이트, 시트레이트 또는 포스페이트와 같은 완충액, 및 소듐 클로라이드 또는 덱스트로스와 같은 장성 조절제. pH는 염산 또는 소듐 하이드록사이드와 같은 산 또는 염기로 조절될 수 있다. 비경구 조제물은 유리 또는 플라스틱으로 만들어진 앰풀, 일회용 주사기 또는 다중 투여량 바이알에 넣을 수 있다.
본 개시의 화합물 또는 약학적 조성물은 약물의 투여, 예를 들어, 화학 요법 치료를 위해 현재 사용되는 잘 알려진 방법 중 많은 것으로 대상체로 투여될 수 있다. 예를 들어, 암의 치료를 위해, 본 개시의 화합물은 종양 내에 직접 주사되거나, 혈류 또는 체강 내로 주입되거나, 경구로 취해지거나 패치로 피부를 통해 적용될 수 있다. 선택된 투여량은 효과적인 치료를 구성하기에 충분해야 하지만 허용되지 않는 부작용을 일으킬 정도로 높지는 않아야 한다. 환자의 질병 상태(예를 들어, 암, 전암 등) 및 건강의 상황은 바람직하게는 치료 중 및 치료 후 합리적인 기간 동안 면밀히 모니터링되어야한다.
본원에 사용된 용어 "치료적 유효량"은 확인된 질병 또는 상태를 치료, 개선 또는 예방하거나, 검출 가능한 치료 또는 저해 효과를 나타내는 약학적 제제의 양을 지칭한다. 효과는 당업계에 공지된 임의의 검정 방법에 의해 검출될 수 있다. 대상체를 위한 정확한 유효량은 대상체의 체중, 크기 및 건강; 상태의 성질 및 정도; 및 투여를 위해 선택된 치료제 또는 치료제의 조합에 의존할 것이다. 주어진 상황에 대한 치료적 유효량은 임상의의 기술 및 판단 범위 내에 있는 일상적인 실험에 의해 결정될 수 있다. 바람직한 양태에서, 치료될 질병 또는 상태는 암이다. 일부 양태에서, 치료될 질병 또는 상태는 세포 증식성 장애이다.
임의의 화합물에 대해, 치료적 유효량은 처음에, 예를 들어 종양 세포의, 세포 배양 검정에서, 또는 동물 모델, 일반적으로 래트, 마우스, 토끼, 개 또는 돼지에서 평가될 수 있다. 동물 모델은 또한 적절한 농도 범위 및 투여 경로를 결정하는 데 사용될 수 있다. 이러한 정보는 그 후 인간에서의 유용한 투여량 및 투여 경로를 결정하는 데 사용될 수 있다. 치료/예방 효능 및 독성은 세포 배양 또는 실험 동물에서 표준 약학적 절차, 예를 들어 ED50(집단의 50%에서 치료적으로 유효한 투여량) 및 LD50(집단의 50%에 치사인 투여량)에 의해 결정될 수 있다. 독성과 치료 효과 사이의 투여량 비율은 치료 지표이며 비율, LD50/ED50로 표현될 수 있다. 큰 치료 지표를 나타내는 약학적 조성물이 바람직하다. 투여량은 사용된 투여 형태, 환자의 민감성 및 투여 경로에 따라 이 범위 내에서 변할 수 있다.
투여량 및 투여는 충분한 수준의 활성제(들)를 제공하거나 원하는 효과를 유지하도록 조정된다. 고려될 수 있는 인자로는 질병 상태의 심각도, 대상체의 일반적인 건강, 대상체의 연령, 체중 및 성별, 식이, 투여 시간 및 빈도, 약물 조합, 반응 민감성, 및 치료에 대한 내성/반응이 포함된다. 장시간 작용하는 약학적 조성물은 구체적인 제형의 반감기 및 제거율에 따라 3 내지 4일마다, 매주 또는 2주에 1회 투여될 수 있다.
본 개시의 활성 화합물을 함유하는 약학적 조성물은 일반적으로 알려진 방식으로, 예를 들어 통상적인 혼합, 용해, 과립화, 당의정 제조, 분말화, 유화, 캡슐화, 포착 또는 동결 건조 공정에 의해 제조될 수 있다. 약학적 조성물은 활성 화합물을 약학적으로 사용될 수 있는 조제물로 가공하는 것을 용이하게 하는 부형제 및/또는 보조제를 포함하는 하나 이상의 약학적으로 허용되는 담체를 사용하여 통상적인 방식으로 제형화될 수 있다. 물론, 적절한 제형은 선택된 투여 경로에 의존한다.
주사 가능 용도에 적합한 약학적 조성물은 멸균된 수성 용액(수용성인 경우) 또는 분산액 및 멸균 주사 가능 용액 또는 분산액의 즉석 제조를 위한 멸균 분말을 포함한다. 정맥내 투여를 위해, 적합한 담체는 생리 식염수, 정균수, Cremophor ELTM(BASF, Parsippany, NJ) 또는 인산 완충 식염수(PBS)를 포함한다. 모든 경우에서, 조성물은 멸균되어야 하고 용이한 주사가능성이 존재할 정도로 유동적이어야 한다. 이는 제조 및 저장 조건 하에서 안정해야 하며 박테리아 및 균류와 같은 미생물의 오염 작용에 대해 보존되어야 한다. 담체는, 예를 들어 물, 에탄올, 폴리올(예를 들어, 글리세롤, 프로필렌 글리콜 및 액체 폴리에틸렌 글리콜 등) 및 이의 적합한 혼합물을 함유하는 용매 또는 분산 매질일 수 있다. 적절한 유동성은, 예를 들어 레시틴과 같은 코팅의 사용에 의해, 분산의 경우에 요구되는 입자 크기의 유지에 의해 및 계면활성제의 사용에 의해 유지될 수 있다. 미생물 작용의 방지는, 예를 들어, 파라벤, 클로로부탄올, 페놀, 아스코르브산, 티메로살 등의 다양한 항균 및 항진균제에 의해 달성될 수 있다. 많은 경우에서, 등장성제, 예를 들어, 당류, 만니톨 및 소르비톨과 같은 폴리알코올, 및 소듐 클로라이드를 조성물에 포함시키는 것이 바람직할 것이다. 주사 가능한 조성물의 지속성 흡수는 조성물에 흡수를 지연시키는 제제, 예를 들어 알루미눔 모노스테아레이트 및 젤라틴을 포함시킴으로써 초래될 수 있다.
멸균 주사 가능 용액은 필요한 양의 활성 화합물을 상기 열거된 성분 중 하나 또는 조합과 함께 적절한 용매에 포함시키고, 필요에 따라, 이어서 여과 멸균함으로써 제조될 수 있다. 일반적으로, 분산액은 활성 화합물을 염기성 분산 매질 및 상기 열거된 것들 중 필요한 다른 성분을 함유하는 멸균 비히클 내로 포함시킴으로써 제조된다. 멸균 주사 가능 용액의 제조를 위한 멸균 분말의 경우, 제조 방법은 활성 성분 + 이의 이전 멸균-여과된 용액으로부터의 임의의 추가의 원하는 성분의 분말을 생산하는 진공 건조 및 동결-건조이다.
경구 조성물은 일반적으로 불활성 희석제 또는 식용 가능한 약학적으로 허용되는 담체를 포함한다. 이들은 젤라틴 캡슐에 넣거나 정제로 압축될 수 있다. 경구 치료적 투여의 목적을 위해, 활성 화합물은 부형제와 혼입될 수 있고 정제, 트로키제 또는 캡슐의 형태로 사용될 수 있다. 경구 조성물은 또한 구강 세정제로서의 사용을 위해 유체 담체를 사용하여 제조될 수 있으며, 여기서 유체 담체 내의 화합물은 경구로 적용되고 휘둘러서 뱉거나 삼켜진다. 약학적으로 양립 가능한 결합제, 및/또는 보조제 물질은 조성물의 일부로서 포함될 수 있다. 정제, 환제, 캡슐제, 트로키제 등은 다음의 성분, 또는 유사한 성질의 화합물 중 임의의 것을 함유할 수 있다: 미정질 셀룰로스, 검 트라가칸트 또는 젤라틴과 같은 결합제; 전분 또는 락토스와 같은 부형제, 알긴산, 프리모겔(Primogel) 또는 옥수수 전분과 같은 붕해제; 마그네슘 스테아레이트 또는 스테로테스(Sterotes)와 같은 활택제; 콜로이드성 이산화규소와 같은 유동화제; 수크로스 또는 사카린과 같은 감미제; 또는 페퍼민트, 메틸 살리실레이트 또는 오렌지 향료와 같은 향미제.
흡입에 의한 투여를 위해, 화합물은 적절한 추진제, 예를 들어 이산화탄소와 같은 기체를 함유하는 가압 용기 또는 디스펜서, 또는 분무기로부터 에어로졸 스프레이 형태로 전달된다.
전신 투여는 또한 경점막 또는 경피 수단에 의할 수 있다. 경점막 또는 경피 투여를 위해, 침투되는 장벽에 적절한 침투제가 제형에 사용된다. 이러한 침투제는 당업계에 일반적으로 알려져 있으며, 예를 들어, 경점막 투여를 위해, 세제, 담즙산 염, 및 푸시딘산 유도체를 포함한다. 경점막 투여는 비강 스프레이 또는 좌제의 사용을 통해 수행될 수 있다. 경피 투여를 위해, 활성 화합물은 당업계에 일반적으로 알려진 연고, 연고(salves), 겔, 또는 크림으로 제형화된다.
활성 화합물은 임플란트 및 마이크로캡슐화 전달 시스템을 포함하는, 제어 방출 제형과 같이, 신체로부터의 신속한 제거로부터 화합물을 보호할 약학적으로 허용되는 담체와 함께 제조될 수 있다. 에틸렌 비닐 아세테이트, 폴리안하이드라이드, 폴리글리콜산, 콜라겐, 폴리오르토에스테르 및 폴리락트산과 같이, 생분해성, 생체적합성 폴리머가 사용될 수 있다. 이러한 제형의 제조 방법은 당업자에게 명백할 것이다. 물질은 또한 기업[Alza Corporation and Nova Pharmaceuticals, Inc.]으로부터 상업적으로 입수할 수 있다. (바이러스성 항원에 대한 단일클론 항체를 이용해 감염된 세포로 표적화된 리포좀을 포함하는) 리포좀성 현탁액이 또한 약학적으로 허용되는 담체로 사용될 수 있다. 이들은 당업자에게 공지된 방법에 따라, 예를 들어, 미국 특허 제4,522,811호에 기재된 바와 같이 제조될 수 있다.
투여의 용이성 및 투여량의 균일성을 위해 투여량 단위 형태로 경구 또는 비경구 조성물을 제형화하는 것이 특히 유리하다. 본원에서 사용된 투여량 단위 형태는 치료될 대상체에 대한 단일 투여량으로 적합한 물리적으로 분리된 단위; 요구되는 약학적 담체와 관련하여 원하는 치료 효과를 생산하도록 계산된 소정량의 활성 화합물을 함유하는 각 단위를 지칭한다. 명세서의 투여량 단위 형태에 대한 상술은 활성 화합물의 독특한 특성 및 달성될 구체적인 치료 효과에 의해 결정되고 직접적으로 의존한다.
치료적 적용에서, 명세서에 따라 사용되는 약학적 조성물의 투여량은 제제, 받는 환자의 연령, 체중 및 임상 상태, 및, 선택되는 투여량에 영향을 미치는 다른 인자들 중, 치료법을 시행하는 임상의 또는 의사의 경험 및 판단에 따라 다르다. 일반적으로, 투여량은 종양의 성장을 늦추고, 바람직하게는 퇴행시키고, 또한 바람직하게는 암의 완전한 퇴행을 야기하기에 충분해야 한다. 투여량은 1일 약 0.01 mg/kg 내지 1일 약 5000 mg/kg의 범위일 수 있다. 바람직한 양태에서, 투여량은 1일 약 1 mg/kg 내지 1일 약 1000 mg/kg의 범위일 수 있다. 일 양태에서, 투여량은 단일, 분할 또는 연속 투여량으로(투여량은 환자의 체중 kg, 체표면적 m2, 및 연령 년에 대해 조정될 수 있음), 약 0.1 mg/일 내지 약 50 g/일; 약 0.1 mg/일 내지 약 25 g/일; 약 0.1 mg/일 내지 약 10 g/일; 약 0.1 mg 내지 약 3 g/일; 또는 약 0.1 mg 내지 약 1 g/일의 범위에 있을 것이다. 약학적 제제의 유효량은 임상의 또는 다른 자격있는 관찰자에 의해 주목되는 객관적으로 식별가능한 개선을 제공하는 것이다. 예를 들어, 환자의 종양의 퇴행은 종양의 직경을 참고로 하여 측정될 수 있다. 종양의 직경에서의 감소는 퇴행을 나타낸다. 퇴행은 또한 치료가 중단된 후 종양이 재발하지 않는 것에 의해 나타난다. 본원에서 사용된 용어 "투여량 효과적인 방식"은 대상체 또는 세포에서 원하는 생물학적 효과를 생산하는 활성 화합물의 양을 지칭한다.
약학적 조성물은 투여를 위한 지침과 함께 용기, 팩 또는 디스펜서에 포함될 수 있다.
본 개시의 화합물은 추가로 염을 형성할 수 있다. 이들 형태의 모두는 또한 청구된 개시의 범위 내로 고려된다.
본원에서 사용된, "약학적으로 허용되는 염"은 본 개시의 화합물의 유도체로서, 모 화합물이 이의 산 또는 염기 염을 제조하는 것에 의해 변형된 것을 지칭한다. 약학적으로 허용되는 염의 예로는 아민, 알칼리와 같은 염기성 잔기의 무기 또는 유기산 염 또는 카르복실산 등과 같은 산성 잔기의 유기 염이 포함되나 이에 한정되지 않는다. 약학적으로 허용되는 염은 예를 들어 비 독성 무기 또는 유기산으로부터 형성된 모 화합물의 통상적인 비 독성 염 또는 4 차 암모늄 염을 포함한다. 예를 들어, 이러한 통상적인 비 독성 염으로는 2-아세톡시벤조익, 2-하이드록시에탄 설포닉, 아세틱, 아스코르빅, 벤젠 설포닉, 벤조익, 바이카르보닉, 카르보닉, 시트릭, 에데틱, 에탄 디설포닉, 1,2-에탄 설포닉, 푸마릭, 글루코헵토닉, 글루코닉, 글루타믹, 글리콜릭, 글리콜리아르사닐릭, 헥실레소르시닉, 하이드라바믹, 하이드로브로믹, 하이드로클로릭, 하이드로요오딕, 하이드록시말레익, 하이드록시나프토익, 이세티오닉, 락틱, 락토비오닉, 라우릴 설포닉, 말레익, 말릭, 만델릭, 메탄 설포닉, 나프실릭, 니트릭, 옥살릭, 파모익, 판토테닉, 페닐아세틱, 포스포릭, 폴리갈락투로닉, 프로피오닉, 살리실릭, 스테아릭, 수바세틱, 숙시닉, 설파믹, 설파닐릭, 설푸릭, 탄닉, 타르타릭, 톨루엔 설포닉, 및 통상적으로 존재하는 아민 산, 예를 들어, 글리신, 알라닌, 페닐알라닌, 아르기닌 등으로부터 선택되는 무기 및 유기산에서 유래된 것들이 포함되나 이에 한정되지 않는다.
약학적으로 허용되는 염의 다른 예로는 헥사노산, 사이클로펜탄 프로피온산, 피루브산, 말론산, 3-(4-하이드록시벤조일)벤조산, 신남산, 4-클로로벤젠설폰산, 2-나프탈렌설폰산, 4-톨루엔설폰산, 캄포르설폰산, 4-메틸바이사이클로-[2.2.2]-옥트-2-엔-1-카르복실산, 3-페닐프로피온산, 트리메틸아세트산, 3 차 부틸아세트산, 뮤콘산 등이 포함된다. 본 개시는 또한 모 화합물에 존재하는 산성 양성자가 금속 이온, 예를 들어 알칼리 금속 이온, 알칼리 토류 이온, 또는 알루미눔 이온으로 대체; 또는 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 트로메타민, N-메틸글루카민 등과 같은 유기 염기와 배위되는 경우 형성되는 염을 포함한다. 염 형태에서, 화합물 대 염의 양이온 또는 음이온의 비는 1:1, 또는 1:1 외의 임의의 비, 예를 들어 3:1, 2:1, 1:2, 또는 1:3일 수 있음이 이해된다.
약학적으로 허용되는 염에 대한 모든 언급은 동일한 염의, 본원에서 정의된, 용매 부가 형태(용매화물) 또는 결정 형태(다형체)를 포함함이 이해되어야 한다.
본 개시의 화합물은 또한 에스테르, 예를 들어 약학적으로 허용되는 에스테르로서 제조될 수 있다. 예를 들어, 화합물 내의 카르복실산 작용기는 이의 상응하는 에스테르, 예를 들어 메틸, 에틸 또는 다른 에스테르로 전환될 수 있다. 또한, 화합물 내의 알코올기는 이의 상응하는 에스테르, 예를 들어 아세테이트, 프로피오네이트 또는 다른 에스테르로 전환될 수 있다.
화합물, 또는 이의 약학적으로 허용되는 염은 경구, 비내, 경피, 폐, 흡입, 버칼, 설하, 복강내, 피하, 근육내, 정맥내, 직장내, 흉강내, 척추강내 및/또는 비경구로 투여될 수 있다. 일부 구현예에서, 화합물은 경구 투여된다. 당업자는 일정 투여 경로의 이점을 인식할 것이다.
화합물을 사용하는 투여량 요법은 환자의 유형, 종, 연령, 체중, 성 및 의학적 상태; 치료될 상태의 중증도; 투여 경로; 환자의 신장 및 간 기능; 및 사용된 구체적인 화합물 또는 이의 염을 포함하는 다양한 인자에 따라 선택된다. 통상적으로 숙련된 의사 또는 수의사는 상태의 진행을 방지, 대응 또는 저지하는 데 요구되는 약물의 유효량을 용이하게 결정 및 처방할 수 있다.
개시된 명세서의 화합물의 제형 및 투여를 위한 적합한 기술은 문헌[Remington: the Science and Practice of Pharmacy, 19th edition, Mack Publishing Co., Easton, PA (1995)]에서 찾을 수 있다. 일부 구현예에서, 본원에 기재된 화합물, 및 이의 약학적으로 허용되는 염은 약학적으로 허용되는 담체 또는 희석제와 조합하여 약학적 조제물에 사용된다. 적합한 약학적으로 허용되는 담체로는 불활성 고체 충진제 또는 희석제 및 멸균 수성 또는 유기 용액이 포함된다. 화합물은 본원에 기재된 범위의 원하는 투여량을 제공하기에 충분한 양으로 이러한 약학적 조성물 중에 존재할 것이다.
본원에서 사용된 모든 백분율 및 비율은, 달리 명시되지 않는 한, 중량 기준이다. 본 개시의 다른 특징 및 이점은 상이한 예로부터 명백하다. 제공된 예는 본 개시를 실시하는 데 유용한 상이한 요소 및 방법을 예시한다. 예는 청구된 명세서를 한정하지 않는다. 본 개시에 기초하여 당업자는 본 개시를 실시하는 데 유용한 다른 요소 및 방법을 식별하고 사용할 수 있다.
본원에 기재된 합성 반응식에서, 화합물은 단순화를 위해 하나의 구체적인 배치로 도시될 수 있다. 이러한 구체적인 배치는 하나 또는 또다른 이성질체, 호변이성질체, 구조이성질체 또는 입체이성질체로 명세서를 한정하는 것으로서 해석되지 않아야 하며, 이성질체, 호변이성질체, 구조이성질체 또는 입체이성질체의 혼합물을 배제하지 않아야 하지만; 주어진 이성질체, 호변이성질체, 구조이성질체 또는 입체이성질체는 또다른 이성질체, 호변이성질체, 구조이성질체 또는 입체이성질체보다 높은 수준의 활성을 가질 수 있음이 이해될 것이다.
상기 기재된 방법에 의해 설계, 선택 및/또는 최적화된 화합물은, 일단 생산되면, 화합물이 생물학적 활성을 갖는지 여부를 결정하기 위해 당업자에게 공지된 다양한 검정을 사용하여 특징 확인될 수 있다. 예를 들어, 분자는 예측된 활성, 결합 활성 및/또는 결합 특이성을 갖는지 여부를 결정하기 위해, 하기에 기재된 분석을 포함하나 이에 한정되지 않는 통상적인 검정에 의해 특징 확인될 수 있다.
또한, 이러한 검정을 사용하여 분석 속도를 높이기 위하여 고-처리량 스크리닝을 사용할 수 있다. 결과적으로, 당업계에 공지된 기술을 사용하여, 활성에 대하여 본원에 기재된 분자를 신속하게 스크리닝하는 것이 가능할 수 있다. 고-처리량 스크리닝을 수행하기 위한 일반적인 방법은, 예를 들어, 문헌[Devlin(1998) High Throughput Screening, Marcel Dekker; 및 미국 특허 제5,763,263호]에 기재되어 있다. 고-처리량 검정은 하기 기재된 것들을 포함하나 이에 한정되지 않는 하나 이상의 상이한 분석 기술을 사용할 수 있다.
도 1a는 화합물 1R 유리 염기 타입 A의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 1b는 화합물 1R 유리 염기 타입 B의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 2a는 화합물 2 유리 염기 타입 A의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 2b는 DVS 전후의 화합물 2 유리 염기 타입 A의 XRPD 패턴 오버레이 (overlay)를 도시한다.
도 3은 화합물 3 유리 염기 타입 A의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 4a는 화합물 4R 유리 염기 타입 A의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 4b는 화합물 4R 유리 염기 타입 B의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 5a는 화합물 5R 유리 염기 타입 A의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 5b는 화합물 5R 유리 염기 타입 A의 XRPD, 및 130℃까지 가열한 후의 화합물(유리 염기 타입 B)의 XRPD를 도시한다.
도 5c는 화합물 5R 유리 염기 타입 B의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 5d는 DVS 전후의 화합물 5R 유리 염기 타입 B의 XRPD 오버레이를 도시한다.
도 6은 화합물 6 유리 염기 타입 A의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 1b는 화합물 1R 유리 염기 타입 B의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 2a는 화합물 2 유리 염기 타입 A의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 2b는 DVS 전후의 화합물 2 유리 염기 타입 A의 XRPD 패턴 오버레이 (overlay)를 도시한다.
도 3은 화합물 3 유리 염기 타입 A의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 4a는 화합물 4R 유리 염기 타입 A의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 4b는 화합물 4R 유리 염기 타입 B의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 5a는 화합물 5R 유리 염기 타입 A의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 5b는 화합물 5R 유리 염기 타입 A의 XRPD, 및 130℃까지 가열한 후의 화합물(유리 염기 타입 B)의 XRPD를 도시한다.
도 5c는 화합물 5R 유리 염기 타입 B의 XRPD 패턴을 도시한다.
도 5d는 DVS 전후의 화합물 5R 유리 염기 타입 B의 XRPD 오버레이를 도시한다.
도 6은 화합물 6 유리 염기 타입 A의 XRPD 패턴을 도시한다.
본원에 인용된 모든 간행물 및 특허 문헌은, 이러한 간행물 또는 문헌 각각이 구체적이고 개별적으로 본원에 참조로서 편입되는 것으로 표시된 것처럼 본원에 참조로서 편입된다. 간행물 및 특허 문헌의 인용은 어느 것도 관련 선행 기술이라는 인정으로 의도되지 않으며, 그 내용 또는 일자에 대한 어떠한 인정도 구성하지 않는다. 본 발명이 지금은 글로 표현된 설명에 의해 기재되었으나, 당업자는 본 발명이 다양한 구현예에서 실시될 수 있고 전술한 설명 및 하기 실시예는 예시의 목적을 위한 것이며 뒤따를 청구 범위의 한정이 아니라는 것을 인식할 것이다.
실시예 1:
화합물 1R((R)-N2-(6-메톡시-5-((1-메틸피롤리딘-3-일)메톡시)피리딘-3-일)-N4,6-디메틸피리미딘-2,4-디아민)의 합성.
반응식 1
단계 1 및 단계 2. 디옥산(10.4 L, 8 v), 1(1.3 kg, 1.0 당량), KOAc(1.65kg, 3.0 당량), 및 B2Pin2(1.7 kg, 1.2 당량)를 20 L 반응기에 투입하였다. 질소를 용액 내로 버블링하여 20 내지 30℃에서 1시간 동안 과량의 산소를 제거하였다. Pd(dppf)Cl2(125.6 g, 0.03 당량)를 질소 하에 반응기에 넣어 혼합물 내로 넣었다. 혼합물을 80 내지 90℃까지 가열하였다. HPLC가 반응이 완료되었음을 나타낼 때까지 반응 혼합물을 3시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 20 내지 30℃까지 냉각한 후 여과하였다. 여과된 케이크를 디옥산(2.6 L, 2 v)으로 세척하였다. 여과된 용액을 합치고, 농축한 후, 20 L 반응기로 옮겼다. H2O2(3.25 L, 2.5 v)를 20 내지 50℃에서 첨가하고, 온도를 23℃에서 50℃까지 증가시켰다. HPLC가 반응이 완료되었음을 나타낼 때까지 반응 혼합물을 30분 내지 60분 동안 교반하였다. H2O(6.5 L, 5 v)를 혼합물에 첨가하고, 혼합물을 DCM(13.0 L, 10 v)으로 2회 추출하였다. 유기상을 수집하고 15% 염수(6.5 L, 5 v)로 2회 세척한 후, 15% Na2CO3(6.5 L, 5 L)으로 2회 추출하였다. 수성상을 수집하고, pH 값을 3 M HCl로 10 내지 11에서 4 내지 5로 조정하였다. 이어서 수성상을 EA(13.0 L, 10.0 v)로 2회 추출하였다. 유기상을 수집하고 거의 건조 상태로 농축하고, 헵탄(6.5 L, 5.0 v)을 20 내지 30℃에서 1시간 동안 슬러리에 첨가하였다. 슬러리를 여과하고, 여과된 케이크를 헵탄(650 ml, 0.5 v)으로 세척하고, 오븐에서 하룻밤 동안 30 내지 40℃에서 건조하여, 650.2 g의 생성물을 갈색 고체로 수득하였다(순도: 99.6%, 수율: 67.8%).
단계 3. DMF(9.0 L, 10.0 v), Cs2CO3(3.5 kg, 2.0 당량), 3(900 g, 1.0 당량), 및 4(1.5 kg, 1.0 당량)를 20 L 반응기에 투입하였다. 혼합물을 80 내지 85℃까지 가열한 후, HPLC가 2.0% 미만의 화합물 3를 나타낼 때까지 6시간 동안 교반하였다(이때 1.6%가 관찰되었음). 혼합물을 20 내지 30℃까지 냉각한 후 여과하였다. 여과된 케이크를 EA(18.0 L, 20.0 v)로 세척하였다. 여과된 용액을 합치고 15% 염수(4.5 L, 5.0 v)로 3회 세척하였다. 유기상을 진공 하에서 농축 건조하여, 생성물을 갈색 고체로 수득하였다(1808.0 g, 순도: 97.8%, 수율: 94.6%).
단계 4. 5(900.0 g, 1.0 당량), EtOAc(9.0 L, 10.0 v), 및 Pd/C(수화, 10% Pd 로딩, 45.0 g, 5% w/w)를 20L 압력 탱크 반응기에 투입하였다. 반응기를 배기시키고 질소로 3회 플러싱하였다. HPLC용 샘플이 반응이 완료되었음을 나타날 때까지 20 내지 30℃에서 5 내지 10 기압의 수소로 플러싱함으로써 16시간 동안 반응 혼합물을 교반하였다. 반응기를 배기시키고 질소로 3회 플러싱하였다. 혼합물을 규조토를 통해 여과하고, 케이크를 EtOAc(900 mL, 1.0 v)로 세척하였다. 여과된 용액을 합치고 30 내지 40℃에서 진공 하에서 농축 건조하여, 생성물을 짙은 갈색 오일로 수득하였다(1640.0 g, 순도: 98.2%).
단계 5. 6(794.4 g, 1.0 당량), IPA(8.0 L, 5.0 v), 및 TFA(980.0 g, 2.0 당량)를 50 L 반응기에 투입하였다. 반응 혼합물을 30분 동안 실온에서 교반하였다. IPA(13.0 L, 8.0 v) 중 화합물 7(1630.0 g, 1.0 당량)의 용액을 반응기에 투입하였다. 혼합물을 75 내지 85℃까지 가열하고, HPLC가 반응이 완료되었음을 나타낼 때까지 75 내지 85℃에서 1 내지 2시간 동안 교반하였다. 혼합물을 15 내지 25℃까지 냉각하고, 15 내지 25℃에서 2시간 동안 교반하였다. 이어서, 혼합물을 여과하고, 여과된 케이크를 헵탄(1.6 L, 1.0 v)으로 세척하고 35 내지 45℃에서 16시간 동안 오븐에서 건조하여, 생성물을 연갈색 고체로 수득하였다(2006.0 g, 순도: 95.7%).
단계 6. 8(2000.0 g, 1.0 당량), DCM(20.0 L, 10.0 v) 및 TFA(3509.0 g, 10.0 당량)를 50 L 반응기에 투입하였다. HPLC가 반응이 완료되었음을 나타낼 때까지(출발 물질이 관찰되지 않을 때까지) 반응 혼합물을 20 내지 30℃에서 16시간 동안 교반하였다. 이어서, 반응 혼합물을 거의 건조 상태로 농축시켰다(연갈색 오일). MeOH(4.0 L, 2.0 v)를 혼합물에 첨가하고, 혼합물을 1 내지 2시간 동안 교반하였다. 혼합물을 여과하고, 여과된 케이크를 MeOH(10.0 L, 5.0 v) 및 H2O(4.0 L, 2.0 v)와 함께 50 L 반응기에 첨가하였다. 혼합물의 pH 값을 10% NaOH 용액으로 11 내지 12로 조정하였다. 생성된 혼합물을 DCM(16.0 L, 8.0 v)으로 2회 추출하였다. 유기상을 합치고, Na2SO4(2.0 kg)으로 건조하고, 여과하였다. 여과된 용액을 농축 건조하여, 생성물을 1.1 kg의 연분홍색 고체로 수득하였다.(순도: 98.8%, 수율: 90.2%).
단계 7. 9(1.0 kg, 1.0 당량), MeOH(10.0 L, 10.0 v), 및 (HCHO)n(104.6 g, 1.2 당량)을 20L 반응기에 투입하였다. NaBH4(165.0 g, 1.5 당량)를 30℃ 미만의 온도에서 혼합물에 첨가하였다. 혼합물의 샘플을 HPLC를 위해 취하였고, 이는 출발 물질의 3.0%가 남아 있음을 나타냈다. NaHB4(33.0 g, 0.3 당량)을 30℃ 미만의 온도에서 혼합물에 추가로 첨가하였다. 혼합물의 샘플을 HPLC을 위해 취하였고, 이는 다시 출발 물질의 3.0%가 남아 있음을 나타냈다. 반응을 2시간 초과 동안 수성 NH4Cl(8.0 L, 8.0 v)로 켄칭하였다. 혼합물의 pH 값을 10% NaOH 수용액으로 9 내지 10으로 조정한 후, 혼합물을 1시간 동안 교반하였다. 혼합물을 EA(10.0 L, 10.0 v)로 2회 추출하였다. 유기상을 합치고, 진공 하에서 농축 건조하였다. EA: MeOH: TEA(50:1:0.005 내지 10:1:0.005)를 사용한 크로마토그래피로 미정제 생성물을 정제하여, 750.0 g의 화합물 1R의 유리 염기를 황색 고체로 수득하였다(순도: 98.9%).
유리 염기 타입 A. 화합물 1R 유리 염기 타입 A는 XRPD에 의해 결정성이 낮은 것으로 밝혀졌다. TGA 곡선은 100℃까지 7.9%의 중량 손실을 나타냈다. DSC 곡선은 86.9℃ 부근에서의 넓은 흡열 및 154.5℃에서의 가능한 발열에 이어 199.1℃에서의 다른 흡열(피크)을 디스플레이하였다. 샘플은 용매화물/수화물일 가능성이 있다. DSC 곡선에서 관찰된 가역적 열 흐름은 208.0℃ 부근에서의 가능한 용융 흡열(피크)을 디스플레이하였다. 복굴절 막대형 결정 및 무정형 물질이 PLM 하에서 화합물 1R 유리 염기 타입 A에 대해 관찰되었다.
유리 염기 타입 B. 화합물 1R 유리 염기 타입 B는 EtOAc 중 화합물 1R 유리 염기 타입 A의 슬러리에 의해 수득하였다. 샘플은 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다. 주요 XRPD 회절 피크가 표 2-1에 제시되어 있다. TGA는 150℃까지 4.4%의 중량 손실을 나타냈다. DSC 곡선은 다수의 흡열 및 발열을 나타냈다. 아세톤 중 타입 A의 슬러리에 의해 화합물 1R 유리 염기 타입 B의 100 mg으로의 스케일 업 (scale up)을 성공적으로 달성하였다. 화합물 1R 유리 염기 타입 B 스케일 업 배치 (batch)는 초기 히트(hit)와 유사한 XRPD 패턴을 나타냈다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 PLM 하에서 화합물 1R 유리 염기 타입 B 스케일 업 샘플에 대해 관찰되었다.
[표 2-1] 화합물 1R 유리 염기 타입 B의 주요 XRPD 회절 피크
단계 7 계속. 화합물 1R의 순수한 유리 염기(700.0 g, 1.0 당량) 및 MeOH(5.6 L, 8.0 v)를 10 L 반응기에 투입하였다. 혼합물이 용해될 때까지 혼합물을 15 내지 30분 동안 교반하였다. 형성된 용액을 여과하고, 여과된 고체를 MeOH(1.4 L, 2.0 v)로 세척하였다. 여과된 용액을 합치고, 20 L 반응기로 옮긴 후, 0 내지 10℃까지 냉각하였다. HCl 및 EA의 혼합물(2.0 M/L, 2.44 L)을 0 내지 10℃에서 약 1시간 동안 적가하였다. 이어서, 생성된 혼합물을 0 내지 10℃에서 MeOH(3.5 L, 5.0 v)로 희석하고, 0 내지 10℃에서 1시간 동안 교반하고, 여과하였다. 여과된 케이크를 EA(5.6 L, 8.0 v)로 실온에서 1시간 동안 슬러리화한 후, 여과하였다. 여과된 케이크를 EA(1.4 L, 2.0 v)로 세척하고 60℃에서 24시간 동안 진공 하에서 건조하여, 640.0 g의 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염을 미색 고체로 수득하였다(순도: 99.1%).
하이드로클로라이드 염 타입 A. 화합물 1R 하이드로클로라이드 염 타입 A는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다. 주요 XRPD 회절 피크가 표 2-2에 제시되어 있다. TGA 곡선은 100℃까지 3.9%의 중량 손실을 보여 주었다. DSC 곡선은 약 72.7℃ 부근에서의 넓은 흡열 및 분해를 동반하는 249.6℃에서의 가능한 용융 흡열(피크)을 디스플레이하였다. 샘플은 용매화물/수화물일 가능성이 있다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 PLM 하에서 화합물 1R 하이드로클로라이드 염 타입 A에 대해 관찰되었다. 하이드로클로라이드 염 타입 A의 DVS는 25℃/80% RH에서 약 8%의 수분 흡수를 보였고, 이는 하이드로클로라이드 염 타입 A이 흡습성임을 나타낸다. DVS 전후에 하이드로클로라이드 염 타입 A에 대해 XRPD 패턴의 변화는 관찰되지 않았다.
[표 2-2] 화합물 1R 하이드로클로라이드 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
중간체의 제조
단계 8. DCM(10.4 L, 8 v), 10(1300 g, 1.0 당량), 및 TEA(848.3 g, 1.3 당량)를 20 L 반응기에 투입하였다. 혼합물을 0 내지 5℃까지 냉각하였다. DCM(2.6 L, 2 v) 중 MsCl(812.4 g, 1.1eq.)의 용액을 혼합물에 적가하였다. 온도는 3℃에서 7℃로 증가하는 것으로 관찰되었다. 반응이 완료될 때까지(LCMS에 의해 나타남) 혼합물을 5 내지 25℃에서 1시간 동안 교반하였다. 반응을 물(65 ml, 0.5 당량)로 켄칭하고, 생성된 혼합물을 거의 건조 상태로 농축시켰다. EA(13.0 L, 10 v)를 혼합물에 첨가하였다. 이어서, 혼합물을 여과하고, 여과된 케이크를 EA(1.3 L, 1 v)로 세척하였다. 유기상을 합치고, 15% w/w 염수(6.5 L, 5 v)로 3회 세척한 후, 약 1 v로 농축시켰다. n-헵탄(13 L, 10 v)을 혼합물에 첨가하고, 혼합물을 20 내지 30℃에서 2시간 동안 교반하였다. 혼합물을 여과했다. 여과된 케이크를 n-헵탄(0.65 L, 0.5 v)으로 세척한 후, 25 내지 35℃에서 16시간 동안 건조하여, 1550g의 생성물을 순도(98.1%), 수율(84.2%)을 갖는 백색 고체로 수득하였다.
단계 9. 아세토니트릴(12.0 L, 12 v) 및 2,4-디클로로-6-메틸피리미딘(1.0 kg, 1.0 당량)을 20L 반응기에 투입하였다. 혼합물을 0 내지 5℃까지 냉각하고, K2CO3(2.5 kg, 3.0 당량) 및 CH3NH2.HCl(497.0 g, 1.2 당량)을 혼합물에 투입하였다. 혼합물을 실온에서 하룻밤(약 16시간) 동안 교반하였다. LCMS 분석을 위해 샘플을 취하였고, 이는 나머지 출발 물질이 0.5% 미만임을 나타냈다. 반응 혼합물을 여과하고, 여과된 케이크를 EA(500 mL, 0.5 v)로 세척하였다. 여과된 용액을 합치고 약 2 내지 3 v로 농축한 후 EA(10.0 L, 10 v)로 희석하였다. 생성된 용액을 반염수 (half brine)(5v)로 2회 세척하였다. 유기상을 수집하고 (3개의 다른 배치와 합쳐서) 거의 건조 상태로 농축시켰다. 생성된 케이크를 TBME(46.4 L, 8.0 v)에 투입하고, 이성질체가 1.0% 미만이 될 때까지 혼합물을 45 내지 50℃에서 약 8시간 동안 슬러리화하였다. 혼합물을 약 30℃까지 냉각한 후 여과하였다. 여과된 케이크를 TBME(5.8 L, 0.1 v)로 세척한 후 30 내지 40℃에서 16시간 동안 건조하여, 2.4 kg의 생성물을 미색 고체로 수득하였다(순도: 99.8%, 수율: 42.9%).
실시예 2:
화합물 1S((S)-N2-(6-메톡시-5-((1-메틸피롤리딘-3-일)메톡시)피리딘-3-일)-N4,6-디메틸피리미딘-2,4-디아민)의 합성.
반응식 2
상기 도시된 반응식 2에 따라 화합물 1R을 합성하였다.
실시예 3: 화합물 2(6-메톡시-N-메틸-7-(3-(피롤리딘-1-일)프로폭시)-4-(테트라하이드로-2H-피란-4-일)퀴놀린-2-아민)의 합성.
반응식 3
단계 1. 20-L 4구 둥근 바닥 플라스크에 2-메톡시-5-니트로페놀(1090 g, 6.44 mol, 1.00 당량), 1,3-디클로로프로판(867 g, 1.20 당량), 포타슘 카르보네이트(1780 g, 12.88 mol, 2.00 당량), N,N-디메틸포름아미드(10 L)를 넣었다. 혼합물을 80℃에서 교반하였다. TLC가 물질이 완전히 소비되었음을 나타내었을 때, 실온으로 회복시켰다. 이어서, 포타슘 카르보네이트(1780 g, 12.88 mol, 2.00 당량), 피롤리딘(915 g, 2.00 당량)을 첨가하였다. 생성된 용액을 80℃에서 2시간 동안 교반하였다. 생성된 용액을 10 L의 물로 희석하였다. 생성된 용액을 3x10 L의 에틸 아세테이트로 추출하고, 유기층을 합쳤다. 생성된 혼합물을 3x3 L의 포화 수성 소듐 클로라이드로 세척하였다. 혼합물을 무수 소듐 설페이트로 건조하였다. 잔류물을 에틸 아세테이트(100%)를 이용하여 실리카 겔 컬럼 상에 적용하였다. 생성된 고체를 PE에서 하룻밤 동안 교반하였다. 고체를 여과에 의해 수집하였다. 이로부터 850 g(47%)의 1-[3-(2-메톡시-5-니트로페녹시)프로필]피롤리딘이 황색 고체로 생성되었다. LC-MS: (ES, m/z): 281 [M+1].
단계 2. 수소의 불활성 분위기로 불순물 제거되고(purged) 유지된 3-L 3구 둥근 바닥 플라스크에 1-[3-(2-메톡시-5-니트로페녹시)프로필]피롤리딘(250 g, 891.84 mmol, 1.00 당량), 메탄올(1.5 L), 팔라듐 탄소(50 g)를 넣었다. 생성된 용액을 실온에서 2시간 동안 교반하였다. 3개의 배치를 병렬로 취하였다. 고체를 여과해내었다. 생성된 혼합물을 진공 하에서 농축시켰다. 이로부터 640 g의 4-메톡시-3-[3-(피롤리딘-1-일)프로폭시]아닐린을 적색 오일로서 수득하였다. LC-MS: (ES, m/z): 251 [M+1].
단계 3. 5000-mL 둥근 바닥 플라스크에 4-메톡시-3-[3-(피롤리딘-1-일)프로폭시]아닐린(640 g, 2.56 mol, 1.00 당량), 2,2-디메틸-5-[(옥산-4-일)카르보닐]-1,3-디옥산-4,6-디온(786 g, 3.07 mol, 1.20 당량), 톨루엔(5 L)을 넣었다. 생성된 용액을 100℃에서 2시간 동안 교반하였다. 생성된 용액을 3 L의 염화수소(2 M)로 희석하고, 수성층을 합쳤다. 용액의 pH 값을 소듐 바이카르보네이트로 8로 조정하였다. 생성된 용액을 3x3 L의 디클로로메탄으로 추출하고, 유기층을 합치고, 무수 소듐 설페이트로 건조하고, 진공 하에서 농축시켰다. 이로부터 470 g(45%)의 N-[4-메톡시-3-[3-(피롤리딘-1-일)프로폭시]페닐]-3-(옥산-4-일)-3-옥소프로판아미드를 황색 고체로 생성되었다. LC-MS: (ES, m/z): 405 [M+1].
단계 4. 5-L 플라스틱 비이커에 N-[4-메톡시-3-[3-(피롤리딘-1-일)프로폭시]페닐]-3-(옥산-4-일)-3-옥소프로판아미드(470 g, 1.16 mol, 1.00 당량), 진한 H2SO4(2L)를 넣었다. 생성된 용액을 수욕조에서 50℃에서 1시간 동안 교반하였다. 생성된 용액을 얼음에 부었다. 용액의 pH 값을 소듐 하이드록사이드로 9로 조정하였다. 생성된 용액을 3x3 L의 디클로로메탄으로 추출하고, 유기층을 합치고, 무수 소듐 설페이트로 건조하고, 진공 하에서 농축시켰다. 이로부터 320 g(71%)의 6-메톡시-4-(옥산-4-일)-7-[3-(피롤리딘-1-일)프로폭시]퀴놀린-2-올을 황색 고체로 수득하였다. LC-MS: (ES, m/z): 387 [M+1].
단계 5. 3-L 4구 둥근 바닥 플라스크에 6-메톡시-4-(옥산-4-일)-7-[3-(피롤리딘-1-일)프로폭시]퀴놀린-2-올(320 g, 827.98 mmol, 1.00 당량), POCl3(1 L)를 넣었다. 생성된 용액을 오일 욕조에서 100℃에서 2시간 동안 교반하였다. 생성된 혼합물을 진공 하에서 농축시켰다. 나머지 포스포러스 옥시클로라이드를 얼음에 부었다. 용액의 pH 값을 소듐 바이카르보네이트로 8로 조정하였다. 생성된 용액을 3x2 L의 디클로로메탄으로 추출하고, 유기층을 합치고, 무수 소듐 설페이트로 건조하였다. 이로부터 250 g(75%)의 2-클로로-6-메톡시-4-(옥산-4-일)-7-[3-(피롤리딘-1-일)프로폭시]퀴놀린이 황색 고체로 생성되었다. LC-MS: (ES, m/z): 405 [M+1].
단계 6. 2-L 압력 탱크 반응기에 2-클로로-6-메톡시-4-(옥산-4-일)-7-[3-(피롤리딘-1-일)프로폭시]퀴놀린(250 g, 617.39 mmol, 1.00 당량), 에탄올(500 mL), 물 중 NH2Me(300 mL)를 넣었다. 생성된 용액을 120℃에서 3일 동안 교반하였다. 생성된 혼합물을 진공 하에서 농축시켰다. 생성된 용액을 2 L의 물로 희석하였다. 생성된 용액을 3x2 L의 디클로로메탄으로 추출하고, 유기층을 합치고, 무수 소듐 설페이트로 건조하고, 진공 하에서 농축시켰다. 생성된 고체를 메탄올에서 1시간 동안 교반하였다. 고체를 여과에 의해 수집하였다. 이로부터 130g(53%)의 화합물 2의 유리 염기가 회색 고체로 생성되었다. LC-MS: (ES, m/z): 400 [M+1].
유리 염기 타입 A. 화합물 2는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌고, 화합물 2 유리 염기 타입 A로서 할당되었다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 3-1에 제시되어 있다. TGA 결과는 100℃까지 0.2% 및 200℃까지 1.2%의 중량 손실을 보여 주고, DSC 곡선은 179.2℃(시작 온도)에서의 용융 흡열을 디스플레이하였다. 복굴절성 막대형 결정이 PLM 하에서 타입 A에 대해 관찰되었다. 타입 A 샘플의 DVS는 에러! 참조 출처를 찾을 수 없음.(Error! Reference source not found.)에 의해 입증된 바와 같이 0 내지 80% RH에서 대략 1.0%의 수분 흡수를 보여 주었으며, 이는 타입 A가 약간 흡습성임을 나타낸다. XRPD 오버레이에 나타난 바와 같이 DVS 시험 후 형태 변화는 관찰되지 않았다.
[표 3-1] 화합물 2 유리 염기 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
단계 7. 3-L 둥근 바닥 플라스크에 6-메톡시-N-메틸-4-(옥산-4-일)-7-[3-(피롤리딘-1-일)프로폭시]퀴놀린-2-아민(130 g, 325.39 mmol, 1.00 당량), 메탄올(200 mL), 염화수소/Et2O(500 mL)를 넣었다. 생성된 용액을 실온에서 20분 동안 교반하였다. 고체를 여과에 의해 수집하였다. 고체를 감압 하의 오븐에서 건조하였다. 이로부터 122 g(79%)의 화합물 2의 디하이드로클로라이드 염을 미색(off-white) 고체로 생성되었다. LC-MS: (ES, m/z): 400 [M+1]. 1H NMR (400 MHz, 듀테리움 옥사이드(Deuterium Oxide)) δ 7.16 (s, 1H), 7.10 (s, 1H), 6.62 (s, 1H), 4.20 (t, J = 5.7 Hz, 2H), 4.03 (dd, J = 11.7, 3.8 Hz, 2H), 3.87 (s, 3H), 3.71 - 3.60 (m, 4H), 3.42 - 3.27 (m, 3H), 3.11 - 2.96 (m, 5H), 2.25 (p, J = 6.1 Hz, 2H), 2.16 - 2.02 (m, 2H), 1.97 (ddd, J = 13.3, 8.6, 4.6 Hz, 2H), 1.78 (d, J = 13.4 Hz, 2H), 1.76 - 1.68 (m, 1H), 1.66 (dd, J = 12.8, 4.1 Hz, 1H).
하이드로클로라이드 염 타입 A. 화합물 2 하이드로클로라이드 염 타입 A는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 3-2에 제시되어 있다. TGA 결과는 100℃까지 3.8%의 중량 손실을 보여 주고, 가능한 분해를 동반하는139.9℃(시작)에서의 흡열을 보여 준다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 PLM 하에서 하이드로클로라이드 염 타입 A에 대해 관찰되었다.
[표 3-2] 화합물 2 하이드로클로라이드 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
중간체의 합성
단계 8. 10-L 4구 둥근 바닥 플라스크에 옥산-4-카르복실산(500 g, 3.84 mol, 1.00 당량), 디클로로메탄(4 L), 2,2-디메틸-1,3-디옥산-4,6-디온(609 g, 4.23 mol, 1.10 당량), 4-디메틸아미노피리딘(704 g, 5.76 mol, 1.50 당량)을 넣었다. 이어서, 0℃에서 교반하면서 디클로로메탄(1000 mL) 중의 DCC(800 g, 3.88 mol, 1.01 당량)의 용액을 적가하였다. 생성된 용액을 실온에서 14시간 동안 교반하였다. 고체를 여과해내었다. 생성된 용액을 3x2L 2 M 염산으로 세척하였다. 이어서, 3x2 L의 포화 소듐 클로라이드 수용액으로 세척하였다. 생성된 용액을 무수 소듐 설페이트로 건조하고, 진공 하에서 농축시켰다. 이로부터 900 g(91%)의 2,2-디메틸-5-[(옥산-4-일)카르보닐]-1,3-디옥산-4,6- 디온이 황색 고체로 생성되었다.
LC-MS: (ES, m/z): 255 [M-1].
실시예 4: 화합물 3(N2-(4-메톡시-3-(((2-(피롤리딘-1-일)에틸)아미노)-메틸)페닐)-N4,6-디메틸피리미딘-2,4-디아민)의 합성
반응식 4
단계 1: 20 L 둥근 바닥 플라스크에 2-하이드록시-5-니트로벤즈알데히드(1.6 kg, 1.0 당량) 및 DMF(8.0 L, 5.0 v/w)를 투입하였다. K2CO3(2.6 kg, 2.0 당량)를 혼합물에 첨가하고, 이어서 15 내지 35℃에서 CH3I(1.5 kg, 1.1 당량)를 적가하였다. 반응물을 40 내지 50℃까지 가열하였다. 2-하이드록시-5-니트로벤즈알데히드가 5.0% 미만으로 존재할 때까지 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다. 물(16 L, 10 v/w)을 혼합물에 첨가하였다. 반응물을 20±5℃에서 12시간 동안 교반하였다. 반응물을 여과하고, 필터 케이크를 물(3.2 L, 2.0 v/w)로 2회 세척하였다. 필터 케이크를 수집하고, 40 내지 50℃에서 진공 하에서 건조하였다. 이로부터 미색 생성물(1.52 kg, 순도: 99.7%, 수율: 87.4%)이 생성되었다.
단계 2: 단계 1의 생성물 및 MeOH를 50 L 반응 케틀(reaction kettle)에 투입하였다. 2-(피롤리딘-1-일)에탄-1-아민 및 3(960 g, 1.0 당량)을 20 내지 25℃에서 반응 매스(reaction mass)에 첨가하였다. 반응 혼합물을 1시간 동안 교반하고, 20 내지 25℃에서 NaB(OAc)3(5.3 kg, 3.0 당량)로 천천히 채웠다. 반응물을 20 내지 25℃에서 2시간 동안 교반하였다. 2가 3% 미만으로 존재할 때까지 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다. 10% NaOH(aq.)를 15 내지 20℃에서 반응물에 투입하고, 혼합물을 30분 동안 교반하였다. 용액의 pH 값을 8 내지 9로 조정하였다. 반응 혼합물을 35 내지 40℃에서 약 10 v로 진공 하에서 농축시켰다. 생성된 용액을 DCM(9.0 L, 6.0 v/w)으로 1회 추출하고, 유기층을 수집하였다. HCl(3 N)(aq)을 15 내지 20℃에서 유기층에 첨가하고 30분 동안 교반하였다. 반응물은 5 내지 6의 pH에 도달했다. 혼합물을 분리하고, 수성층을 수집하였다. 수성층을 DCM(6.0 L, 4.0 v/w)으로 1회 세척하였다. 수성층에 DCM(7.5 L, 5.0 v/w)을 첨가하고, 수성층의 pH를 소듐 카르보네이트로 pH 8 내지 9로 조정하였다. 혼합물을 분리하고, 유기층을 수집하였다. 수성층을 DCM(4.5 L, 3.0 v/w)으로 1회 추출하고, 유기층을 수집하였다. 유기층을 합치고, 35 내지 40℃에서 약 3 내지 4 v로 진공 하에서 농축시켰다. 생성된 용액을 PE(7.5 L, 5.0 v/w)로 채우고 약 3 내지 4 v로 농축시켰다. 용액을 25±5℃에서 2시간 동안 교반하였다. 반응물을 여과하고, 필터 케이크를 PE(2.3 L, 1.5 v/w)로 2회 세척하였다. 필터 케이크를 40 내지 50℃에서 진공 하에서 건조하여, 황색 고체 생성물을 수득하였다(1.6 kg, 순도: 98.8%, 수율: 67.4%).
단계 3. 4(1.6 kg, 1.0 당량) 및 DCM(16.0 L, 10 v/w)을 50 L 반응용 반응기에 투입하였다. TEA(1.2 kg, 2.0 당량)를 20 내지 25℃에서 반응 매스에 첨가하였다. Boc2O(1.4 kg, 1.0 당량)를 15 내지 25℃에서 혼합물에 적가하였다. 반응물을 20 내지 25℃에서 16시간 동안 교반하였다. 4가 3% 미만으로 존재할 때까지 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다. 반응 혼합물을 물(10.0 L, 6.0 v/w)로 세척하고, 유기층을 수집하였다. 유기층을 20% 수성 NaCl(6.5 L, 4.0 v/w)로 세척하고, 유기층을 수집하였다. 유기층을 35 내지 40℃에서 약 3 내지 4 v로 진공 하에서 농축시켰다. n-헵탄을 용액에 첨가하고(8.0 L, 5.0 v/w) 약 3 내지 4 v로 농축시켰다. 용액을 25±5℃에서 3시간 동안 교반하였다. 용액을 여과하고 필터 케이크를 3.2 L n-헵탄으로 세척하였다. 필터 케이크를 40 내지 50℃에서 진공 하에서 건조하여, 생성물을 황색 고체로 수득하였다(2.0 kg, 순도: 98.6%, 수율: 88.0%).
단계 4: 20 L 반응 오토 클레이브에 5(800 g, 1.0 당량) 및 MeOH(8.0 L, 10 v/w)를 투입하였다. Pd/C(40.0 g, 5.0%)를 20 내지 25℃에서 N2 하에서 10 내지 15 atm의 일정한 H2에서 반응 매스에 첨가하였다. 반응물을 20 내지 25℃에서 16시간 동안 교반하였다. 5가 2% 미만으로 존재할 때까지 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다. 반응 혼합물을 여과하고, 필터 케이크를 MeOH(0.8 L, 1.0 v/w)로 2회 세척하였다. 필터 용액을 35 내지 40℃에서 진공 하에서 농축 건조하였다. 생성물을 황색 오일로 수득하였다(725.0 g, 순도: 98.5%, 수율: 96.9%).
단계 5. 20 L 반응용 반응기에 6(670.0 g, 1.0 당량) 및 IPA(670 ml, 10 v/w)를 투입하였다. 7(302.0 g, 1.0 당량)를 20 내지 25℃에서 반응 매스에 첨가하였다. IPA(4M) 중의 HCl(956 ml, 2.0 당량)을 20 내지 25℃에서 반응 매스에 첨가하였다. 반응 혼합물을 80 내지 85℃까지 가열하고, 동일한 온도에서 12시간 동안 교반하였다. 6가 3% 미만으로 존재할 때까지 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다. 반응물을 30 내지 40℃까지 냉각하고, 동일한 온도에서 IPA(4M/L)(717 ml, 1.5 당량) 중 HCl로 채웠다. 반응물을 30 내지 40℃에서 4시간 동안 교반하였다. 반응물을 여과하고, 필터 케이크를 EtOAc(1.0 L, 1.5 v/w)로 2회 세척하였다. 필터 케이크를 50 내지 60℃에서 진공 하에서 건조하여, 미색 고체 생성물을 수득하였다(741 g, 순도: 100% 수율: 80.3%).
유리 염기 타입 A. 전형적인 합성 절차로부터의 화합물 3 유리 염기 타입 A는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다. 주요 XRPD 회절 피크가 표 4-1에 제시되어 있다 에러! 출처를 찾을 수 없음. TGA 결과는 130℃까지 4.4%의 중량 손실을 보여 주었다. DSC 곡선은 아마도 중량 손실과 관련된 93.2℃에서의 넓은 흡열(피크) 및 151.6℃에서의 가능한 용융 흡열(피크)에 이어 분해를 보여 주었다. 복굴절성 불규칙 형상 결정이 PLM 하에서 화합물 3 유리 염기 타입 A에 대해 관찰되었다. 화합물 3 유리 염기 타입 A 샘플의 DVS는 0% 내지 80% RH에서 대략 12.9% 수분 흡수를 보였으며, 이는 화합물 3 유리 염기 타입 A가 흡습성임을 나타낸다. XRPD에 나타난 바와 같이 DVS 시험 후 형태 변화는 관찰되지 않았다.
[표 4-1] 화합물 3 유리 염기 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
하이드로클로라이드 염 타입 A. 합성 배치로부터의 화합물 3 하이드로클로라이드 염은 XRPD에 의해 결정성인 것으로 밝혀졌고, 화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 A로서 할당되었다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 4-2에 제시되어 있다. TGA 결과는 100%까지 8.8%의 중량 손실을 보여 준다. DSC 곡선은 95.5℃에서의 넓은 탈용매/탈수 흡열에 이은 용융-결정화-용융 전이 가능성을 보여 주며, 이는 화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 A가 용매화물/수화물일 가능성이 있음을 나타낸다.
[표 4-2] 화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
하이드로클로라이드 염 타입 B 및 C. 화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 A의 샘플을 210℃까지 가열하고 25℃까지 냉각하였고, 생성된 고체는 무수물일 가능성이 가장 높은 상이한 XRPD 패턴을 나타내었으며, 화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 B로서 할당되었다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 4-3에 제시되어 있다. DSC 곡선은 256.0℃에서의 하나의 가능한 용융 흡열(피크)을 디스플레이하였다. 화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 B는 무수물인 것으로 간주된다. 화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 B 샘플의 DVS는 25℃/80% RH에서 15.3%의 수분 흡수를 보이며, 이는 화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 B가 흡습성임을 나타낸다. DVS 전후에 화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 B에 대해 XRPD 패턴의 변화가 관찰되었다. DVS 후의 화합물 3 하이드로클로라이드 염은 DVS 후의 화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 A의 샘플과 동일한 패턴을 보였으며, 이는 화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 C로 분류되는 새로운 수화물 형태가 존재함을 시사한다.
[표 4-3] 화합물 3 하이드로클로라이드 염 타입 B의 주요 XRPD 회절 피크
설페이트 염 타입 A. 대략 100 mg의 출발 물질을 사용하여 화합물 3 유리 염기 타입 A를 사용하여 수동 염 스크리닝을 수행하고, 15 μL의 진한 황산을 아세톤 중에서 1:1의 몰비로 20-mL 유리 바이알에서 혼합하였다. 생성된 혼합물을 RT에서 4일 동안 자기 교반하였다. 생성된 고체를 단리하고, 40℃에서 4시간 동안 건조하였다. XRPD에 의한 분석은 화합물이 매우 결정질임을 디스플레이하였고, 이는 화합물 3 설페이트 염 타입 A로서 지정되었다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 4-4에 제시되어 있다. TGA 결과는 100℃까지 0.68% 및 200℃까지 8.19%의 중량 손실을 보여 주고, DSC 곡선은 170.9℃ 및 217.3C에서의 2개의 흡열(피크)에 이은 226.4℃에서의 가능한 용융(피크) 및 275.3℃에서의 흡열을 보여 준다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 설페이트 염에 대해 관찰되었다. 1H-NMR 결과는 설페이트 염의 NMR 스펙트럼이 유리 염기와 유사함을 보여 주었다. DVS 결과는 25℃/80% RH에서 20.5%의 수분 흡수를 보여 주며, 이는 화합물 3 설페이트 염 타입 A가 흡습성이 높음을 나타낸다. 대략 2θ = 7°에서의 추가 피크를 제외하고는, DVS 후의 화합물 3 설페이트 염 타입 A에 대해 유의한 형태 변화가 관찰되지 않았다.
[표 4-4] 화합물 3 설페이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
글리콜레이트 염 타입 A 및 B. 화합물 3 글리콜레이트 염 타입 A는 아세톤 중의 유리 염기 및 반대 이온의 슬러리로부터 수득되었다. XRPD 패턴은 그것이 결정성임을 시사한다. 주요 XRPD 회절 피크가 표 4-5에 제시되어 있다. TGA 결과는 100℃까지 10.6%의 중량 손실을 보여 준다. DSC 곡선은 97.4℃ 및 111.5℃에서의 2개의 흡열(피크)에 이은 184.7℃에서의 가능한 고체-고체 상 전이 또는 재결정 및 254.4℃에서의 용융(피크)을 보여 주며, 이는 잠재적인 용매화물/수화물을 나타낸다.
[표 4-5] 화합물 3 글리콜레이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
글리콜레이트 염의 스케일 업 배치는 약 100 mg의 유리 염기 및 글리콜 산을 대략 1:1의 API: 산 형성제 비로 20.0-mL 유리 바이알에 배합해 넣음으로써 제조하였다. 바이알에 2 mL의 아세톤을 첨가한 후, 현탁액을 RT에서 2일 동안 교반하였다. 염을 원심 분리에 의해 단리하고, 40℃에서 4시간 동안 진공 건조하였다. 이 물질의 XRPD 패턴은 화합물 3 글리콜레이트 염 타입 A와 상이한 것으로 나타났고, 화합물 3 글리콜레이트 염 타입 B로서 할당되었다. 복굴절성 입자가 화합물 3 글리콜레이트 염 타입 B에 대해 관찰되었다. TGA 결과는 100℃까지 6.4% 및 150℃까지 11.1%의 중량 손실을 보여 준다. DSC 곡선은 103.9℃에서의 하나의 흡열(피크)에 이은 132.6℃에서의 가능한 발열 및 231.9℃에서의 흡열(피크)을 보여 준다. 약 3.9 ppm의 글리콜레이트에서의 메틸렌 양성자의 분석에 의해 나타난 1H-NMR 결과는 API: 산 형성제의 몰비가 1:1임을 시사하였다. 화합물 3 글리콜레이트 염 타입 B의 DVS는 0% 내지 80% RH에서 약 45.3%의 수분 흡수를 나타냈다. 화합물 3 글리콜레이트 염은 DVS 실험 후 흡습용해(deliquescence)를 나타냈다.
숙시네이트 염 타입 A. 화합물 3 숙시네이트 타입 A는 아세톤 또는 EtOAc 중의 유리 염기 및 반대 이온의 슬러리로부터 수득되었다. XRPD 패턴은 그것이 결정성임을 시사한다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 4-6에 제시되어 있다. TGA 결과는 100℃까지 6.7%의 중량 손실을 보여 준다. DSC 곡선은 92.4℃ 및 182.2℃에서의 2개의 흡열(피크)을 보여 준다. 첫 번째 흡열은 용매 손실과 관련될 가능성이 있으며, 이는 수화물/용매화물을 시사한다.
[표 4-6] 화합물 3 숙시네이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
실시예 5: 화합물 4R((R)-1-(2-메톡시-5-((4-메틸-6-(메틸아미노)-피리미딘-2-일)아미노)페녹시)-3-(피롤리딘-1-일)프로판-2-올)의 합성.
반응식 5
단계 1: 20 L 반응기에 IPA(7.2 L, 8 v)를 투입하였다. 2-클로로-N,6-디메틸피리미딘-4-아민(895.0, 1.0 당량) 및 5-아미노-2-메톡시페놀(2)(720.0, 1.0 당량)을 질소 하에서 반응기에 첨가하였다. TFA(1180.0 g, 2.0 당량)를 적가하고, 반응 혼합물을 수소 하에서 80℃에서 3시간 동안 교반하였다. 2가 ≤1%로 존재할 때까지 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다. 반응물을 0 내지 10℃까지 냉각하였다. 반응 혼합물을 여과하고, 필터 케이크를 사전 냉각된 IPA(1.35 L, 1.5v)로 세척하였다. 필터 케이크를 건조하여, 3을 회색 고체로 수득하였다(1.5 kg, 순도: 99.7%, 수율: 77.4%).
단계 2. 5 L 4구 둥근 바닥 플라스크를 질소 하에서 DMF(1.75 L, 5v)로 채웠다. 3(350.0 g, 1.0 당량)을 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 이어서 Cs2CO3(914.7 g, 3.0 당량)를 첨가하였다. 4(363.6 g, 1.5 당량)를 반응 혼합물에 첨가하였다. 반응 혼합물을 20 내지 30℃에서 수소 하에서 4시간 동안 교반하였다. INTB-1이 ≤4%로 존재할 때까지 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다. 물(500 mL, 5v)을 혼합물에 첨가하고, 용액을 0.5시간 동안 교반하였다. 생성물을 EA(500 mL, 5 v)로 4회 추출하고, 유기상을 합쳤다. 유기상을 염수(500 mL, 5 v)로 3회 세척하였다. 유기상을 4 내지 5 v로 농축시켰다. 생성된 용액을 EtOH(500 mL, 5 v)로 채우고, 용액을 4 내지 5 v로 농축시켰다. 둥근 바닥 플라스크를 EtOH(500 mL, 5 v)로 채우고, 미정제 생성물을 다음 단계로 진행하였다.
단계 3. 단계 2의 미정제 용액을 5 L 반응기에 투입하였다. 피롤리딘(265.8 g, 4.0 당량)을 20 내지 30℃에서 적가하였다. 반응물을 4시간 동안 교반하였다. 5가 ≤2%로 존재할 때까지 반응을 모니터링하였다. 반응 혼합물을 3 내지 4 v로 농축시켰다. 이어서, 생성된 용액을 DCM(1750 mL, 5v)으로 채우고 3 내지 4 v로 농축시켰다. 이어서, 유기 상을 물(1750 mL, 5v)로 세척하였다. 수성상을 DCM(1050 mL, 3v)으로 추출하였다. 유기상을 합치고, Na2SO4로 건조하였다. 이어서, 유기상을 3 내지 4 v로 농축시켰다. 이어서, 생성된 용액을 ACN(1750 mL, 5v)로 채우고 3 내지 4 v로 농축시켰다. 반응 혼합물을 25 내지 30℃에서 3시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 여과하고, 필터 케이크를 ACN(350 mL, 1 v)으로 세척하였다. MeOH(1400 mL, 2v)를 다른 반응기에 첨가하였다. 필터 케이크를 반응기에 투입하고 70℃에서 가열하였다. 생성된 반응 혼합물을 약 1시간 동안 교반하였다. 반응물을 40℃까지 냉각하고 ACN(1400 mL, 2 v)으로 채웠다. 반응물을 0 내지 10℃까지 계속 냉각하고 약 2시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 여과하고, 필터 케이크를 ACN(700 mL, 1 v)으로 세척하였다. 필터 케이크를 오븐에서 40℃에서 16시간 동안 건조하여, 연갈색 고체로서 537.0 g의 최종 생성물(순도: 99.0%, ee: 99.2%) 및 120.0 g(순도: 98.8%)을 수득하였다.
유리 염기 타입 A. 화합물 4R 유리 염기 타입 A는 XRPD에 의해 결정성이 낮은 XRPD 패턴을 나타냈다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 5-1에 제시되어 있다. TGA 곡선은 100℃ 전에 6.8% 중량 손실을 보여 주었다. DSC 곡선은 77.8℃ 부근에서의 넓은 흡열에 이은 229.2℃에서의 흡열 및 240.7℃에서의 가능한 발열을 디스플레이하였으며, 이는 유리 염기 타입 A가 용매화물/수화물일 가능성이 있음을 나타낸다. mDSC 곡선의 가역적 열 흐름은 219.2℃ 부근에서의 가능한 용융 흡열(피크)을 디스플레이하였다. 뚜렷한 형태는 나타나지 않았지만, PLM 하에서 유리 염기 타입 A에 대해 복굴절이 관찰되었다.
[표 5-1] 화합물 4R 유리 염기 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
유리 염기 타입 B. 화합물 4R 유리 염기 타입 B는 아세톤 중의 유리 염기 타입 A의 슬러리로부터 생성하였다. 샘플은 XRPD에 의해 결정성인 것으로 밝혀졌고, 유리 염기 타입 B로 지정되었다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 5-2에 제시되어 있다. TGA 결과는 100℃까지 2%의 중량 손실을 보여준다. DSC 곡선은 77.5℃에서의 넓은 흡열 및 204.6℃(피크)에서의 가능한 용융 흡열을 보여주며, 이는 용매화물/수화물 형태일 가능성이 있음을 시사한다.
[표 5-2] 화합물 4R 유리 염기 타입 B의 주요 XRPD 회절 피크
유리 염기 타입 C. 아세톤 중의 타입 A의 100 mg 슬러리는 유리 염기 타입 B와 상이한 새로운 XRPD 패턴을 생성하였고, 화합물 4R 유리 염기 타입 C로 지정되었다. 화합물 4R 유리 염기 타입 C의 주요 XRPD 회절 피크는 표 5-3에 제시되어 있다. 화합물 4R 유리 염기 타입 C의 TGA 결과는 140℃까지 4.4%의 중량 손실을 보여준다. DSC 곡선은 104.8℃에서의 넓은 흡열 및 248.0℃(피크)에서의 가능한 용융 흡열을 보여주며, 용매화물/수화물일 가능성이 있다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 PLM 하에서 스케일 업 화합물 4R 유리 염기 타입 C 샘플에 대해 관찰되었다. 화합물 4R 유리 염기 타입 C 샘플의 DVS는 0% 내지 80% RH에서 대략 8.7%의 수분 흡수를 보여주었으며, 이는 화합물 4R 유리 염기 타입 C가 흡습성임을 나타낸다. XRPD 오버레이에 나타난 바와 같이 DVS 시험 후 화합물 4R 유리 염기 타입 C에 대해 형태 변화는 관찰되지 않았다.
[표 5-3] 화합물 4R 유리 염기 타입 C의 주요 XRPD 회절 피크
단계 5. 20 L 반응기를 MeOH(5300 mL, 10 v)로 채웠다. 6(530.0 g, 1.0 당량)을 반응기에 투입하였다. 반응 혼합물을 45℃까지 가온하고, 고체가 용해될 때까지 약 1시간 동안 교반하였다. 혼합물을 0 내지 10℃까지 냉각하였다. HCl/EA(3.0 당량, 1.0 mol/L)를 0 내지 10℃에서 적가하였다. 반응물을 0 내지 10℃에서 1시간 동안 교반하였다. MTBE(7950 mL, 15v)를 용액에 첨가하였다. 반응물을 0 내지 10℃에서 2시간 동안 교반하였다. 반응물을 여과하고, 필터 케이크를 MTBE(1590 mL, 3 v)로 세척하였다. 필터 케이크를 40 내지 45℃에서 오븐에서 40시간 동안 건조하여, 615.0 g의 최종 생성물을 미색 고체로 수득하였다(순도: 99.0%, ee: 99.1%).
하이드로클로라이드 염 타입 A. 화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 A는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 5-2에 제시되어 있다. TGA 곡선은 100℃ 전에 7.8%의 중량 손실을 보여주었다. DSC 곡선은 75.7℃ 부근에서의 넓은 흡열에 이은 198.7℃(피크 온도)에서의 가능한 용융 흡열을 디스플레이하였다. 샘플은 용매화물/수화물일 가능성이 있다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 PLM 하에서 화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 A에 대해 관찰되었다. 화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 A 샘플의 DVS는 25℃에서 50% RH 내지 80% RH에서 약 4%의 수분 흡수를 보여주었으며, 이는 화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 A이 흡습성임을 나타낸다. XRPD에 의해 나타난 바와 같이, DVS 전후에 화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 A에 대해 XRPD 패턴의 변화가 관찰되었다.
[표 5-2] 화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
하이드로클로라이드 염 타입 B. 100 mg으로의 화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 B는, 약 100 mg의 화합물 4R 유리 염기 타입 A를 20.0-mL 유리 바이알 내로 칭량해 넣고 2 mL의 아세톤을 42 μL의 진한 염산과 함께 제2 바이알에 첨가함으로써 아세톤 중에서 성공적으로 달성되었다. 희석된 산 용액을 대략 1:1의 API: 산 형성제의 비로 제1 바이알 내로 넣었다. 현탁액을 RT에서 2일 동안 교반한 후, 원심 분리에 의해 고체를 단리하고, 40℃에서 4시간 동안 진공 건조하였다. 화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 B 배치는 결정질인 샘플과 일치하는 XRPD 패턴을 나타냈다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 5-3에 제시되어 있다. TGA 결과는 150℃까지 3.4%의 중량 손실을 보여준다. DSC 곡선은 중량 손실에 상응하는 약 100℃에서의 넓은 흡열에 더하여 239.2℃(피크)에서의 가능한 용융 흡열을 보여준다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 PLM 하에서 화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 B에 대해 관찰되었다. 화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 B 샘플의 DVS는 0% 내지 80% RH에서 약 17.4%의 수분 흡수를 보여주었으며, 이는 화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 B가 매우 흡습성임을 나타낸다. XRPD 오버레이에 나타난 바와 같이 DVS 시험 후 형태 변화는 관찰되지 않았다.
[표 5-3] 화합물 4R 하이드로클로라이드 염 타입 B의 주요 XRPD 회절 피크
숙시네이트 염 타입 A. 화합물 4R 숙시네이트 염 타입 A는 약 100 mg의 화합물 4R 유리 염기 타입 A 및 61 mg의 산을 대략 1:1의 API: 산 형성제의 비로 20.0-mL 유리 바이알 내로 칭량해 넣음으로써 100 mg 규모로 성공적으로 제조하였다. 2 mL의 아세톤을 바이알에 첨가하고, 현탁액을 RT에서 2일 동안 교반하였다. 염을 원심 분리에 의해 단리하고, 40℃에서 4시간 동안 진공 건조하였다. 스케일 업 배치는 결정질 고체와 일치하는 XRPD를 나타냈다. 숙시네이트 염 히트의 주요 XRPD 회절 피크는 표 5-4에 제시되어 있다. TGA 결과는 120℃까지 2.0%의 중량 손실을 보여준다. DSC 곡선은 88.7℃, 147.0℃, 193.6℃(피크)에서의 다중 흡열에 이은 232.0℃(피크)에서의 발열 피크를 보여준다. 복굴절성 입자가 숙시네이트 염에 대해 관찰되었다. 숙시네이트 염의 DVS는 0% 내지 80% RH에서 대략 9.6%의 수분 흡수를 보여주었으며, 이는 숙시네이트 염이 흡습성임을 나타낸다. DVS 시험 후 형태 변화는 관찰되지 않았다.
[표 5-4] 화합물 4R 숙시네이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
중간체의 합성
단계 4: 5 L 4구 둥근 바닥 플라스크를 질소 하에서 DCM(2 L, 10v)로 채웠다. 용액을 -20 내지 -30℃까지 냉각하였다. TEA(409.5 g, 1.5 당량)를 질소 하에서 반응물에 첨가하였다. DCM(2 L, 10v)과 3-니트로벤젠-1-설포닐 클로라이드 (200.0 g, 1.0 당량)의 용액을 적가하였다. 반응물을 -10 내지 -20℃에서 수소 하에서 1시간 동안 교반하였다. 3-NsCl이 ≤2%로 존재할 때까지 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다. 반응 혼합물을 여과하고 DCM(400 mL, 2v)으로 세척하였다. 여액을 수집하고 물(1 L, 5 v)로 2회 세척하였다. 유기상을 수집하고 3 내지 4 v/w로 농축시켰다. 이어서, 용액을 MTBE(1 L, 5v)로 채우고 3 내지 4 v로 농축시켰다. i-PrOH(200 mL, 1 v) 및 물(3 L, 15v)을 용액에 첨가하고 3시간 동안 교반하였다. 혼합물을 여과하고, 필터 케이크를 물(400 ml, 2v)로 세척하였다. 필터 케이크를 40℃의 오븐에서 16시간 동안 건조하여, 520.0 g의 생성물을 미색 고체로 수득하였다 (순도: 97.8%, 수율: 72.7%).
실시예 6: 화합물 4S((S)-1-(2-메톡시-5-((4-메틸-6-(메틸아미노)-피리미딘-2-일)아미노)페녹시)-3-(피롤리딘-1-일)프로판-2-올)의 합성.
반응식 6
상기 도시된 반응식 6에 따라 화합물 4S를 합성하였다.
실시예 7: 화합물 5R((R)-1-(아제티딘-1-일)-3-(2-메톡시-5-((4-메틸-6-(메틸아미노)피리미딘-2-일)아미노)페녹시)프로판)-2-올)의 합성.
반응식 7
단계 1. 50 L 플라스크를 2,4-디클로로-6-메틸피리미딘(2.0 kg, 1.0 당량) 및 아세토니트릴(40.0 L, 20.0 v/w)로 채웠다. 무수 K2CO3 분말(5.1 kg, 3.0 당량)을 50 L 반응기에 첨가하였다. 혼합물을 0 내지 5℃까지 냉각하였다. 메탄아민 하이드로클로라이드(992.4 g, 1.2 당량)를 0 내지 5℃에서 혼합물에 첨가하였다. 반응 혼합물을 0 내지 25℃에서 적어도 12시간 동안 교반하였다. 2,4-디클로로-6-메틸피리미딘이 1.0% 미만으로 존재할 때까지 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다. 이어서, 반응물을 추가 2 kg의 물질의 배치와 합쳤다. 반응물을 여과하고, 유기상을 30 내지 40℃에서 2 내지 3 v로 진공 하에서 농축시켰다. 필터 케이크를 DCM (20.0 L, 5.0 v/w)으로 세척하였다. DCM(44.0 L, 11.0 v/w)을 여액에 첨가하였다. DCM 유기상을 15% 염수(20.0 L, 5.0 v/w)로 세척하였다. 유기상을 30 내지 40℃에서 3 내지 4 v로 진공 하에서 농축시켰다. 톨루엔(20.0 L, 5.0 v/w)을 용액에 첨가하고, 혼합물을 약 5 v/w로 농축시켰다. 톨루엔(20.0 L, 5.0 v/w)을 용액에 첨가하고, 혼합물을 약 8 v로 농축시켰다. 톨루엔(16.0 L, 4.0 v/w, 총 12 v/w)을 50 L 반응기에 투입하였다. 반응 혼합물을 60 내지 65℃까지 가열하고, 혼합물이 완전히 용해될 때까지 교반하였다. 용액을 3시간에 걸쳐 35℃까지 냉각하였고, 고체는 약 36℃에서 침전되었다. 혼합물을 35 내지 38℃에서 약 3시간 동안 교반하였다. 용액을 약 2시간에 걸쳐 28 내지 33℃까지 냉각하였다. 혼합물을 28 내지 33℃에서 약 2시간 동안 교반하였다. 반응물을 여과하고, 필터 케이크를 톨루엔(12 L, 3.0 v/w)으로 세척하였다. 미정제 필터 케이크를 다른 2 kg의 배치와 합쳤다. 반응기를 질소 분위기 하에서 MTBE(19.4 L, 6.0 v/w)로 채웠다. 미정제 2(3.24 kg, 1.0 당량)를 반응기에 첨가하였다. 반응 혼합물을 50 내지 55℃까지 가열하고, 16시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 10 내지 15℃의 평균 시간당 냉각으로 10 내지 15℃까지 천천히 냉각하였다. 반응물을 10 내지 15℃에서 유지하고 적어도 4시간 동안 교반하였다. 반응물을 여과하고, 필터 케이크를 MTBE(3.2 L, 1.0 v/w)로 2회 세척하였다. LOD가 1.0% 이하가 될 때까지 필터 케이크를 50 내지 55℃에서 16시간 동안 진공 하에서 건조하였다. 생성물을 미색 고체(3.0 kg)로 수득하였다(순도: 99.9%, 수율: 38.8%).
단계 2. 5000 ml 반응기에 ACN(3000 ml, 10 v/w) 및 2(300.0 g, 1.0 당량)를 투입하였다. 3(264.9 g, 1.0 당량)을 반응기에 첨가하였다. 반응물을 70 내지 75℃까지 가열하였다. 반응 혼합물을 70 내지 75℃에서 16시간 동안 교반하였다. 3이 ≤1%로 존재할 때까지 반응을 모니터링하였다. 반응물을 10 내지 15℃까지 냉각하고 약 2시간 동안 교반하였다. 반응물을 여과하고, 필터 케이크를 ACN(450 ml, 1.5 v/w)으로 2회 세척하였다. LOD가 1.0% 미만이 될 때까지 필터 케이크를 40 내지 45℃에서 적어도 16시간 동안 진공 하에서 오븐에서 건조하였다. 생성물을 연갈색 고형물로 수득하였다(480 g, 순도: 98.3%, 수율: 93.5%, LOD = 0.89%. Q-NMR = 101%).
단계 3 및 4. 5 L 반응기를 ACN(1.6 L, 8 v/w)으로 채웠다. 4(200 g, 1.0 당량)를 반응물에 첨가한 후, Cs2CO3(549.1 g, 2.5 당량)을 첨가하였다. 반응물을 0.5시간 동안 교반하였다. 5(192.2 g, 1.1 당량)를 반응물에 첨가하였다. 반응물을 30 내지 35℃까지 가열하고 4시간 동안 교반하였다. 4가 ≤1.5%로 존재할 때까지 반응을 모니터링하였다. 반응 혼합물을 여과하고, 필터 케이크를 ACN(300 ml, 1.5 v/w)으로 2회 세척하였다. 활성탄(160g, 0.8w/w)을 첨가하고, 반응 혼합물을 15 내지 20℃에서 16시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 여과하고, 필터 케이크를 ACN(160 ml, 0.8 v/w)으로 2회 세척하였다. 아제티딘(130.6 g, 4.0 당량)을 첨가하고, 반응 혼합물을 30 내지 40℃까지 가열하였다. 반응물을 16시간 동안 교반하였다. 6이 ≤1.5%로 존재할 때까지 반응을 모니터링하였다. 반응 혼합물을 4 내지 6 v로 농축시켰다. 반응물을 먼저 15 내지 20℃까지 냉각하고, 이어서 0 내지 5℃까지 냉각하였다. 반응물을 여과하고, 필터 케이크를 ACN(75 ml, 0.5 v/w)으로 2회 세척하였다. 필터 케이크를 35 내지 45℃에서 적어도 16시간 동안 진공 하에서 오븐에서 건조하여, 미정제 생성물 173.2 g을 연갈색 고체로 수득하였다(순도: 96.1%, ee: 99.1%, HPLC에 의한 검정: 94.0%).
유리 염기 타입 A. 화합물 5R 유리 염기는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌고, 유리 염기 타입 A로 지정되었다(표 6-1). TGA 곡선은 150℃ 전에 1.4%의 중량 손실을 보여주었고, DSC 곡선은 104.3℃(시작)에서의 탈용매화 흡열에 이은 115.7(피크)에서의 결정화 발열 및 137.9℃(시작)에서의 제2 용융 흡열을 디스플레이하였다. 복굴절성 불규칙 형상 결정이 PLM 하에서 타입 A에 대해 관찰되었다. 유리 염기 타입 B는 타입 A를 130℃까지 가열한 후 RT까지 냉각시킴으로써 제조하였다.
[표 6-1] 화합물 5R 유리 염기 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
유리 염기 타입 B. 화합물 5R 유리 염기 타입 B는 RT에서 다양한 용매(물, EtOAc 및 아세톤) 중의 타입 A의 슬러리를 통해 또는 타입 A를 130℃까지 가열하고 RT까지 냉각함으로써 수득할 수 있다. 화합물 5R 유리 염기 타입 B는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다(표 6-2). 100 mg로의 타입 B의 스케일 업은 아세톤 중의 타입 A의 슬러리에 의해 성공적으로 달성되었다. 타입 B 배치의 스케일 업은 초기 히트와 동일한 XRPD를 나타냈다. TGA 곡선은 150℃ 전에 0.3%의 중량 손실을 보여주었고, DSC 곡선은 138.0℃(시작)에서의 하나의 용융 흡열을 디스플레이하였다.
[표 6-2] 화합물 5R 유리 염기 타입 B의 주요 XRPD 회절 피크
유리 염기 타입 C. 화합물 5R 유리 염기 타입 C는 MeOH-H2O와 EtOH-H2O의 혼합물로부터 화합물 5R의 결정화를 통해 수득할 수 있다. 화합물 5R 유리 염기 타입 C의 주요 XRPD 회절 피크는 표 6-3에 제시되어 있다.
[표 6-3] 화합물 5R 유리 염기 타입 C의 주요 XRPD 회절 피크
화합물 5R의 결정질 염의 제조. 염 스크리닝을 위한 출발 물질로서 화합물 5R 유리 염기 타입 A를 사용하였다. 수동 염 스크리닝은 2 가지 용매 시스템에서 11개의 약학적으로 허용되는 반대 이온을 사용하여 22 가지 조건 하에서 수행하였다. 약 20 mg의 출발 물질 및 상응하는 반대 이온을 1:1의 몰비로 각각의 2-mL 유리 바이알 내로 혼합하여 넣었다. 대조군 실험은 반대 이온없이 동일한 용매에서 수행하였다. 이어서, 0.3 mL의 상응하는 용매를 첨가하여 현탁액 또는 투명한 용액을 형성하였다. 생성된 혼합물을 RT에서 4일 동안 자기 교반하였다. 결정성을 결정하기 위해 단리된 고체를 XRPD에 의해 분석하였다. 표 6-4에서, 중량 손실 값은 TGA 평가에 의해 결정되었고, 열적 이벤트 피크는 DSC 연구로부터 도출된다.
[표 6-4]
설페이트 염 타입 A. 화합물 5R 설페이트 염 타입 A는 아세톤 또는 EtOAc 중의 유리 염기와 반대 이온의 슬러리로부터 수득하였다. 디스플레이된 XRPD 패턴은 그것이 결정성임을 시사한다. 화합물 5R 설페이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크는 표 6-5에 열거되어 있다.
[표 6-5] 화합물 5R 설페이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크.
글리콜레이트 염 타입 A. 화합물 5R 글리콜레이트 염 타입 A는 아세톤 또는 EtOAc 중의 유리 염기와 반대 이온의 슬러리로부터 수득하였다. 디스플레이된 XRPD 패턴은 그것이 결정질임을 시사한다. 화합물 5R 글리콜 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크는 표 6-6에 열거되어 있다.
[표 6-6] 화합물 5R 글리콜레이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크.
푸마레이트 염 타입 A. 화합물 5R 푸마레이트 염 타입 A는 아세톤 또는 EtOAc 중의 유리 염기와 반대 이온의 슬러리로부터 수득하였다. 디스플레이된 XRPD 패턴은 그것이 결정질임을 시사한다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 6-7에 열거되어 있다. 화합물 5R 푸마레이트 염 타입 A 스케일-업은 대략 1:1의 API: 산의 비로 약 100 mg의 유리 염기와 31 mg의 푸마르산을 20.0-mL 유리 바이알 내로 칭량해 넣음으로써 성공적으로 제조하였다. 바이알에 2 mL의 아세톤을 첨가하고, RT에서 2일 동안 현탁액을 교반하였다. 원심 분리에 의해 고체를 단리하고, 40℃에서 4시간 동안 진공 건조하였다. 스케일 업 배치는 초기 히트와 동일한 XRPD 패턴을 나타냈다. 복굴절성 입자가 화합물 5R 푸마레이트 염 타입 A에 대해 관찰되었다. 1H-NMR 결과는 6.6 ppm에서 푸마레이트의 알케닐 양성자를 나타냈으며, 이는 API: 산 형성제의 몰비가 1:1임을 시사한다. DVS 결과는 25℃/80% RH에서 7.6%의 수분 흡수를 보여주며, 이는 화합물 5R 푸마레이트 염 타입 A가 흡습성을 나타낸다. DVS 후 푸마레이트 염에 대한 유의한 형태 변화는 관찰되지 않았다.
[표 6-7] 화합물 5R 푸마레이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
히푸레이트 염 타입 A. 화합물 5R 히푸레이트 염 타입 A는 아세톤 및 EtOAc 중의 유리 염기와 반대 이온의 슬러리로부터 수득하였다. 디스플레이된 XRPD 패턴은 그것이 결정질임을 시사한다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 6-8에 열거되어 있다. 화합물 5R 히푸레이트 염 타입 A 스케일-업은 대략 1:1의 API: 산의 비로 20.0-mL 유리 바이알에 약 100 mg의 유리 염기 및 48 mg의 히푸르산을 칭량하여 넣음으로써 성공적으로 제조하였다. 바이알에 2 mL의 아세톤을 첨가하고, RT에서 2일 동안 현탁액을 교반하였다. 원심 분리에 의해 고체를 단리하고 40℃에서 4시간 동안 진공 건조하였다. 스케일 업 배치는 초기 히트와 동일한 XRPD 패턴을 나타냈다. 복굴절 입자가 히푸레이트 염에 대해 관찰되었다. 1H-NMR 결과는 7.8 및 7.5 ppm에서 페닐 양성자를 나타냈으며, 이는 API: 산 형성제의 몰비가 1:1임을 시사한다. DVS 결과는 25℃/80% RH에서 2.6%의 수분 흡수를 보여주며, 이는 화합물 5R 히푸레이트 염 타입 A가 흡습성임을 나타낸다. DVS 후 히푸레이트 염에 대해 유의한 형태 변화는 관찰되지 않았다.
[표 6-8] 화합물 5R 히푸레이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크.
아디페이트 염 타입 A. 화합물 5R 아디페이트 염 타입 A는 다양한 아세톤 및 EtOAc 중의 유리 염기와 반대 이온의 슬러리로부터 수득하였다. XRPD 패턴이 디스플레이되며, 이는 그것이 결정질임을 시사한다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 6-9에 열거되어 있다.
[표 6-9] 화합물 5R 아디페이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크.
젠티세이트 염 타입 A. 40 mg의 화합물 5R을 40 부피의 메탄올 중에서 1:1 또는 1:2 몰 당량의 젠티스산과 배합하였다. 실온에서 2시간 동안 교반한 후, 용매를 천천히 증발시키고 여과한 후 결정질 물질을 단리하였다. XRPD는 결정질 물질을 시사하였으며, 이는 화합물 5R 젠티세이트 염 타입 A로 지정되었다. 화합물 5R 젠티세이트 염 타입 A의 주요 XRPD 피크는 표 6-10에 열거되어 있다.
[표 6-10] 화합물 5R 젠티세이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
젠티세이트 염 타입 E. 40 mg의 화합물 5R을 40 부피의 THF/물(75:25, % v/v) 중에서 1:3 몰 당량의 젠티스산과 합쳤다. 실온에서 2시간 동안 교반한 후, 용매를 천천히 증발시키고 여과한 후 결정질 물질을 단리하였다. XRPD는 결정질 물질을 시사하였으며, 이는 화합물 5R 젠티세이트 염 타입 E로 지정되었다. 지정된 화합물 5R 젠티세이트 염 타입 A의 주요 XRPD 피크는 표 6-11에 열거되어 있다. TGA 결과는 RT와 150℃ 사이에서 0.4%의 중량 손실을 보여준다. DSC 곡선은 179℃에서 발생하는 용융/분해를 보여준다. 1HNMR은 디젠티세이트 염을 시사한다. 40℃/75% RH에서 응력을 가한 후 형태 변화는 관찰되지 않았다.
[표 6-11] 화합물 5R 젠티세이트 염 타입 E의 주요 XRPD 회절 피크.
벤조에이트 염 타입 A. 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 A는 MeOH 및 MTBE를 사용하여 소규모로 제조하였다. 유리 염기의 메탄올성 용액이 MeOH 중의 벤조산의 저장 용액(stock solution)과 합쳐질 때 염이 침전되었다. 수율은 약 54%였다. 상층액에 MTBE 역용매(anti-solvent)를 첨가함으로써 추가 침전이 달성되었다. 고체의 XRPD 분석은 물질이 결정질임을 나타냈다. 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 A의 XRPD 데이터로부터의 주요 피크는 표 6-12에 제시되어 있다. 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 A는 또한 MeOH를 사용하여 그램 규모로 제조하였다. 유리 염기의 메탄올성 용액이 MeOH 중의 벤조산 저장 용액과 합쳐질 때 염이 침전되었다. 수율은 약 75%였다. 물질을 진공 하에서 건조하였다.
[표 6-12] 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크.
벤조에이트 염 타입 B. 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 B 물질은 HFIPA 증발 실험으로부터 4회 제조하였다. 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 B의 XRPD 패턴은 표 6-13에 나열된 주요 XRPD 피크를 갖는 무질서한 결정질 고체를 나타낸다.
[표 6-13] 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 B의 주요 XRPD 회절 피크
벤조에이트 염 타입 C. 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 C는 증발 및 증기 확산 실험으로부터 다양한 역용매와 함께 용매로서 HFIPA를 사용하여 5회 제조하였다. XRPD 패턴은 물질이 결정질임을 나타낸다. 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 C의 주요 XRPD 피크는 표 6-14에 열거되어 있다.
[표 6-14] 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 C의 주요 XRPD 회절 피크.
벤조에이트 염 타입 E. 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 E는 동결 건조 실험으로부터 디옥산/물(1:1)을 사용하여 제조하였다. 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 E의 XRPD 패턴은 표 6-15에 나타낸 주요 XRPD 피크를 갖는 결정질 형태를 나타낸다.
[표 6-15] 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 E의 주요 XRPD 회절 피크.
벤조에이트 염 타입 F. 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 F는 3회 제조하였는데, 염 형성 실험으로부터 THF/물(1:3)을 사용하여 2회 제조하고 동결 건조로부터 1회 제조하였다. 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 F의 XRPD는 결정질 형태를 나타내고, 주요 XRPD 피크는 표 6-16에 열거되어 있다.
[표 6-16] 화합물 5R 벤조에이트 염 타입 F의 주요 XRPD 회절 피크.
중간체의 합성
단계 5. 1000 ml 4구 반응기를 DCM(250 ml, 5 v/w), 7(50 g, 1.0 당량)로 채웠다. 혼합물을 0±5℃까지 냉각하고, TEA(102 g, 1.5 당량)로 채웠다. DCM(250 ml, 5 v/w)과 8(165 g, 1.1 당량)의 용액을 0±5℃에서 1000 ml 반응기에 적가하였다. 반응물을 2시간 동안 교반하고, 1H-NMR에 의해 분석하였다. 반응 혼합물을 여과하고, 필터 케이크를 DCM(50 ml, 1 v/w)으로 2회 세척하였다. 물(250 ml, 5 v/w)을 반응물에 첨가하고, 혼합물을 분리하였다. 유기상을 수집하였다. 유기상을 물(250 ml, 5 v/w)로 세척하였다. 수성상을 합치고 DCM(75 ml, 1.5 v/w)으로 추출하였다. 유기상을 분리하고 2 내지 3 v로 농축시켰다. 생성된 용액을 MTBE(250 ml, 5 v/w)로 채우고 2 내지 3 v로 2회 농축시켰다. MTBE(400 ml, 8 v/w)를 첨가하고, 혼합물을 0 내지 10℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응물을 여과하고, 필터 케이크를 MTBE(100 ml, 2 v/w)로 2회 세척하였다. 필터 케이크를 35 내지 40℃의 오븐에서 16시간 동안 건조하여, 147.3g의 생성물을 연황색 고체로 수득하였다(순도: 98.3%, 수율: 82.8%).
단계 6. 5000 ml 수소화 반응기를 MeOH(6.0 L, 7.5 v/w) 및 9(800.0 g, 1.0 당량)로 채웠다. DCM(6.0 L, 7.5 v/w)을 반응기에 첨가한 후, 습식 Pd/C(40.0 g, 5.0% w/w)를 첨가하였다. 반응기를 20 내지 30℃에서 5 내지 10 atm에서 수소로 채웠다. 수소를 20 내지 30℃에서 20 atm에서 2회 추가로 첨가하였다. 반응물을 20 내지 30℃에서 6시간 동안 교반하였다. 9가 ≤1%로 존재할 때까지 반응을 모니터링하였다. 반응물을 여과하고, 필터 케이크를 MeOH(400 ml, 0.5 v/w)로 2회 세척하였다. 유기상을 0.5 내지 1 v로 농축시켰다. DCM(4.0 L, 5 v/w)을 생성된 용액에 첨가하고, 혼합물을 1 내지 2 v로 2회 농축시켰다. 샘플을 GC에 의해 분석하였다. 반응 혼합물을 15 내지 25℃에서 1시간 동안 교반하였다. 반응물을 여과하고, 필터 케이크를 DCM(400 ml, 0.5 v/w)으로 2회 세척하였다. 필터 케이크를 35 내지 40℃에서 적어도 12시간 동안 진공 하에서 오븐에서 건조하여, 488.5 g의 갈색 고체를 수득하였다(순도: 99.5%, 수율: 74.2%, Q-NMR: 98.2%).
실시예 8: 화합물 5S((S)-1-(아제티딘-1-일)-3-(2-메톡시-5-((4-메틸-6-(메틸아미노)피리미딘-2-일)아미노)페녹시)프로판-2-올)의 합성.
반응식 8
상기 도시된 반응식 8에 따라 화합물 5S를 합성하였다.
실시예 9: 화합물 6(N2-(4-메톡시-3-(4-((메틸아미노)메틸)-1H-피라졸-1-일)페닐)-N4,6-디메틸피리미딘-2,4-디아민)의 합성.
반응식 9
단계 1. Fe(490 g, 8.78 mol, 3.5 당량) 및 NH4Cl(684 g, 12.8 mol, 5.1 당량)를 N2 분위기 하에서 플라스크(20 L) 중의 EtOH(10 L, 14 부피) 및 물(4.2 L, 6 부피)에 투입하였다. 혼합물을 70 내지 80℃까지 가열하였다. 니트로아렌(1)(700 g, 2.51 mol, 1.0 당량)을 혼합물에 일부분씩 첨가하였다(기체가 방출되었음). 혼합물을 70 내지 80℃에서 1시간 동안 교반하였다. 1이 완전히 소비될 때까지 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다. 혼합물을 실온까지 냉각하고 규조토(210 g, 0.3 w/w)의 도움으로 여과하였다. 필터 케이크를 EtOH(300 mL x4)로 세척하였다. 여액을 합치고, 대부분의 EtOH를 증류에 의해 제거하였다. 잔류물에 EtOAc(7.0 L, 10.0 부피) 및 물(3.5 L, 5.0 부피)을 첨가하였다. 혼합물을 30분 동안 교반하고, 유기층을 분리하였다. 수성층을 EtOAc(7.0 L, 10.0 부피)로 추출하고, 유기층을 분리하였다. 유기층을 합치고 무수 Na2SO4(250 g)로 건조하였다. 혼합물을 여과하고, 필터 케이크를 EtOAc(500 mL)로 세척하였다. 필터 용액을 합치고 농축 건조하였다. 암갈색 고체로서의 609 g의 아닐린(2)을 95% 단리 수율로 98.1A% HPLC 순도로 수득하였다.
단계 2: 피리미딘(7b)(1.0 kg, 7.9 mol, 1.0 당량) 및 POCl3(8.0 L, 8.0 부피)를 N2 분위기 하에서 플라스크(20 L)에 투입하였다. 혼합물을 교반하고 90 내지 100℃까지 가열하였다. 반응 혼합물은 2시간 후 투명한 용액으로 변하였다. 반응을 90 내지 100℃에서 약 8시간 동안 진행시켰다. 7b가 0.1% 미만으로 소비될 때까지 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다. (HPLC는 7b가 완전히 소비되었고; 7a는 97.0A%였고, 불순물(7a-1)은 2.3A%임을 나타냈음). 반응물을 워크업(workup)을 위해 반응 용액의 추가 배치와 합쳤다. 반응 혼합물을 농축시켜서, 대부분의 POCl3를 제거하였다. 잔류물에 DCM(10.0 L, 10.0 부피)을 첨가하였다. 생성된 용액을 <40℃에서 25% 수성 K2CO3에 천천히 적가하였다. 수성층의 pH는 3 내지 4였다. 유기상을 분리하고, 수성상을 DCM(10.0 L, 10.0 부피)으로 추출하였다. 합쳐진 유기상을 무수 Na2SO4(약 200 g)로 건조하였다. 혼합물을 여과하고, 필터 케이크를 DCM(500 mL x 2)으로 세척하였다. 여액을 감압 하에서 40℃에서 증발 건조하였다. 고체를 40℃에서 건조하여, 90% 단리 수율로 99.4% HPLC 순도로 황색 7a(2.1 kg)를 수득하였다.
단계 3: 클로로피리미딘(7a)(2.1 kg, 13.1 mol, 1. 0 당량), Na2CO3(3.6 kg, 34.1 mol, 2.6 당량) 및 EtOH(40 L, 20.0 부피)를 N2 분위기 하에서 플라스크(60 L)에 투입하였다. 혼합물을 -5 내지 0℃까지 냉각하였다. MeNH2.HCl(972 g, 14.4 mol, 1.1 당량)을 혼합물에 첨가하였다. 혼합물을 -5 내지 0℃에서 45시간 동안 교반하였다. 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다. 고체를 여과하고, 필터 케이크를 EtOH(500 mL x4)로 세척하였다. 여액을 합치고 농축 건조하였다. 2.2kg의 미정제 7을 70% HPLC로 수득하였다. 미정제 7을 PhMe에 첨가하고, 현탁액을 실온에서 2시간 동안 교반하였다. 반응물을 여과하고, 필터 케이크를 PhMe(500 mL)로 세척하였다. 필터 케이크를 60℃에서 3시간 동안 고진공 하에서 건조하였다. 황색 고체로서의 800 그램의 7을 7a에 기초하여 40% 보정 수율로 98.1A% HPLC 순도로 수득하였다.
단계 4: IPA(6 L, 10 부피) 중의 아닐린(2)(609 g, 2.44 mol, 1.0 당량)과 클로로피리미딘(7)(385 g, 2.44 mol, 1.0 당량)의 용액에 N2 분위기 하에서 TFA(278 g, 2.44 mol, 1.0 당량)를 첨가하였다. 용액을 80 내지 85℃에서 4시간 동안 가열하였고, 이는 서서히 현탁액으로 변하였다. 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다 (HPLC는 반응하지 않은 2 및 7이 0.6A% 및 0.9A%임을 나타냈음). 현탁액을 증발시켜서 대부분의 IPA를 제거하였다. EtOAc(3.6 L, 6.0 부피)를 잔류물에 첨가하고 30분 동안 실온에서 슬러리화하였다. 반응 혼합물을 여과하고, 필터 케이크를 EtOAc(500 mL)로 세척하였다. 필터 케이크를 EtOAc(12 L, 20.0 부피) 및 물(3 L, 5.0 부피)에 첨가하였다. 포화 수성 NaHCO3(3 L, 5.0 부피)를 첨가하여, 수성상의 pH 값을 7 내지 8로 조정하였다. 혼합물을 30분 동안 교반하고, 유기층을 분리하였다. 수성층을 EtOAc(6 L, 10.0 부피)로 추출하고, 유기층을 분리하였다. 합쳐진 유기층을 무수 Na2SO4(500g)로 건조하였다. 혼합물을 여과하고, 필터 케이크를 EtOAc(500 mL)로 세척하였다. 여액을 증발 건조하였다. 암갈색 고체로서의 814 g의 3을 97A% HPLC 순도로 90% 수율로 수득하였다.
단계 5: 에스테르(4c)(695 g, 4.96 mol, 1.0 당량)를 N2 분위기 하에서 물(3.5 L, 5 부피) 중 40 wt% MeNH2에 첨가하였다. 현탁액을 3 내지 4시간 동안 50 내지 55℃까지 가열하고 서서히 용해시켰다. 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다 (HPLC는 4c가 HPLC에 의해 완전히 소비됨을 나타냈음). 65℃에서 증류에 의해 물을 제거하였다. PhMe(3.5 L x 2)를 고체에 첨가하고, 65℃에서 증류에 의해 물을 제거하였다. 620 g의 4d를 양 수율(quantity yield)로 97A% HPLC 순도로 미색 고체로 수득하였다.
단계 6: 아미드(4d)(620g, 4.95 mol, 1.0 당량)를 N2 분위기 하에서 DME(12 L, 20부피)에 첨가하였다. 현탁액을 -10℃까지 냉각하였다. LAH(471 g, 12.39 mol, 2.5 당량)를 -10 내지 10℃에서 일부분씩 현탁액에 첨가하였다. 혼합물을 14 내지 18시간 동안 교반하면서 82℃까지 가열하였다. 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다 (HPLC는 4d가 14.4A%로 유지됨을 나타냈음). 현탁액을 25 내지 40℃까지 냉각하였다. 현탁액을 -10 내지 40℃에서 20 wt% 수성 NaOH(7.5 L, 12 부피)에 첨가하였다. 유기층을 분리하고, 수성층을 DME(6 L, 10 부피)로 추출하였다. 유기층(수성 NaOH를 함유함)를 합치고 추가 정제없이 다음 단계에서 바로 사용하였다.
단계 7: Boc2O(864 g, 3.96 mol, 0.8 당량)를 25 내지 30℃에서 단계 6의 합쳐진 유기층(DME 및 수성 NaOH를 함유함)에 첨가하였다. 용액을 1 내지 2시간 동안 교반하였다. 반응을 모니터링하였다. 혼합물을 EtOAc(10 L x 2)로 추출하였다. 유기층을 합치고 무수 Na2SO4(1 kg)로 건조하였다. 혼합물을 여과하고, 필터 케이크를 EtOAc(1 L)로 세척하였다. 여액을 합치고 증류에 의해 농축시켰다. 잔류물을 PE/EtOAc(v/v: 10/1) 및 MeOH를 이용하는 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하였다. 반고체로서의 430 g의 4를 41% 단리 수율로 94.5A% HPLC 순도로 수득하였다.
단계 8. 아릴 요오다이드(3)(250 g, 0.675 mol, 1.0 당량), 피라졸(4)(171 g, 0.81 mol, 1.2 당량), K2CO3(186.6 g, 1.35 mol, 2.0 당량)를 MeCN(3.5 L, 15 부피)에 첨가하였다. 혼합물을 Ar로 4회 다시 채웠다. Ar을 25 내지 30℃에서 2시간 동안 혼합물에 버블링시켰다. CuI(25.7 g, 0.135 mol, 0.2 당량) 및 리간드(6-1)(76.8 g, 0.54 mol, 0.8 당량)를 혼합물에 신속하게 첨가하였다. 혼합물을 아르곤으로 4회 다시 채웠다. 반응물을 14 내지 20시간 동안 교반하면서 80 내지 85℃까지 가열하였다. 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다(HPLC는 3이 완전히 소비됨을 나타냈음). 반응물을 실온까지 냉각하였다. 혼합물을 규조토를 통해 여과하고, 필터 케이크를 EtOAc(1 L x 2)로 세척하였다. 필터 용액을 Boc-5의 다른 3개의 배치와 합치고 농축시켜서 용매를 제거하였다. 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(n-헵탄/EtOAc; v/v: 5 내지 1/1)로 정제하였다. 744 g의 Boc-5를 69% 단리 수율로 99.2A% HPLC 순도로 생성하였다.
단계 9. Boc-5(269 g, 0.59 mol, 1.0 당량)에 25 내지 30℃에서 MeOH(2.7 L, 10 부피)에 첨가하였다(269 g의 Boc-5를 사용하는 다른 배치가 병렬로 수행되었음). MeOH 중 10 M HCl(350 mL, 3.56 mol, 6.0 당량)을 30분에 걸쳐 25 내지 30℃에서 용액에 첨가하였다. 용액을 25℃ 내지 30℃에서 2시간 동안 교반하였고, 고체가 서서히 침전되었다. 반응을 HPLC에 의해 모니터링하였다(반응하지 않은 Boc-5는 HPLC에 의해 1.5A%였음). EtOAc(11 L, 40 부피)를 25℃ 내지 30℃에서 1시간 동안 현탁액에 적가하였다. 현탁액을 0 내지 5℃까지 냉각하고, 0 내지 5℃에서 1시간 동안 교반하였다. 혼합물을 다른 배치와 합치고 여과하였다. 케이크를 EtOAc(1 L x 2)로 세척하였다. 습윤 생성물을 60℃에서 6 내지 8시간 동안 고진공(10 내지 20 mmHg) 하에서 건조하였다. 475 g의 화합물 6의 하이드로클로라이드 염을 93% 단리 수율로 99.5A% HPLC 순도로 2개의 배치로부터 수득하였다.
유리 염기 타입 A. 화합물 6 유리 염기 타입 A는 20-mL 유리 바이알에서 2 mL의 아세톤 중에 100 mg의 무정형 유리 염기를 현탁시키고 RT에서 800 RPM으로 3일 동안 교반함으로써 제조하였다. 원심 분리 및 건조를 통해 고체 유리 염기 타입 A를 현탁액으로부터 단리하였다. 샘플은 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌고, 주요 XRPD 회절 피크는 표 7-1에 제시되어 있다. TGA 결과는 200℃까지 0.24%의 중량 손실을 보여준다. DSC 곡선은 용융으로 인한 217.8℃(피크)에서의 흡열을 보여주었다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 PLM 하에서 유리 염기 타입 A에 대해 관찰되었다. 타입 A 샘플의 DVS는 0% 내지 80% RH에서 약 4.4%의 수분 흡수를 보여주었으며, 이는 타입 A가 흡습성임을 나타낸다. XRPD에 의해 나타난 바와 같이 DVS 시험 후 형태 변화는 관찰되지 않았다.
[표 7-1] 화합물 6 유리 염기 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
하이드로클로라이드 염 타입 A. 화합물 6 하이드로클로라이드 염 타입 A는 XRPD에 의해 결정질 패턴을 나타냈다. 화합물 6 하이드로클로라이드 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크는 표 7-2에 제시되어 있다. TGA 결과는 최대 150℃까지 8.7%의 중량 손실을 보여준다. DSC 곡선은 159.5℃에서의 넓은 흡열(탈용매화/탈수 가능성)에 이은 207.3℃에서의 흡열 및 216.9℃에서의 가능한 재결정화 발열 및 분해를 동반한 278.1℃(피크)에서의 제2 흡열을 보여준다. 복굴절성 불규칙한 형상의 결정이 PLM 하에서 화합물 6 하이드로클로라이드 염 타입 A에 대해 관찰되었다. 화합물 6 하이드로클로라이드 염 타입 A의 DVS는 0% 내지 80% RH에서 약 19.4%의 수분 흡수를 보여주었으며, 이는 화합물 6 하이드로클로라이드 염 타입 A가 매우 흡습성임을 나타낸다. DVS 후 화합물 6 하이드로클로라이드 염 타입 A에 대해 형태 변화가 관찰되었다.
[표 7-2] 화합물 6 하이드로클로라이드 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
글리콜레이트 염 타입 A. 화합물 6 글리콜레이트 염 타입 A는 EtOAc 또는 아세톤 중의 유리 염기와 반대 이온의 슬러리로부터 수득하였다. XRPD 패턴은 그것이 결정질임을 시사한다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 7-3에 제시되어 있다. 화합물 6 글리콜레이트 염 타입 A의 샘플은 높은 흡습성으로 인해 주위 조건 하에서 습윤 고체인 것으로 보였으며, 그에 따라 TGA/DSC에 의해 시험되지 않았다.
[표 7-3] 화합물 6 글리콜레이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
아디페이트 염 타입 A. 화합물 6 아디페이트 염 타입 A는 아세톤 중의 유리 염기와 반대 이온의 슬러리로부터 수득하였다. 디스플레이된 XRPD 패턴은 그것이 결정질임을 시사하였고, 주요 XRPD 회절 피크는 표 7-4에 제시되어 있다. TGA 결과는 120℃까지 8.6%의 중량 손실을 보여준다. DSC 곡선은 96.5℃에서의 하나의 넓은 흡열(탈용매화/탈수 가능성)에 이은 172.2℃에서의 가능한 재결정화 발열 및 195.2℃(피크)에서의 가능한 용융을 보여주며, 이는 잠재적 용매화물/수화물을 나타낸다.
[표 7-4] 화합물 6 아디페이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크
아디페이트 염 타입 B. 화합물 6 아디페이트 염 타입 A의 시도된 스케일-업 중에, 염 생성물은 화합물 6 아디페이트 염 타입 A 샘플과는 다른 XRPD 패턴을 나타냈고, 화합물 6 아디페이트 염 타입 B로 지정되었다. 사용된 절차는 약 100 mg의 유리 염기 화합물 6 및 상응하는 아디프산을 대략 1:1의 API: 산 형성제의 비로 20.0-mL 유리 바이알에 칭량하여 넣을 것을 필요로 하였다. 이어서, 2 mL의 아세톤을 바이알에 첨가하고, 현탁액을 RT에서 2일 동안 교반하였다. 원심 분리에 의해 고체를 단리하고 40℃에서 4시간 동안 진공 건조하였다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 7-5에 제시되어 있다. 복굴절성 입자가 화합물 6 아디페이트 염 타입 B에 대해 관찰되었다. TGA 결과는 150℃까지 0.7%의 중량 손실을 보여준다. DSC 곡선은 159.5 및 191.9℃(피크)에서의 2개의 흡열을 보여준다. 화합물 6 아디페이트 염 타입 B의 DVS는 0% 내지 80% RH에서 약 8.8%의 수분 흡수를 보여주었으며, 이는 아디페이트 염이 흡습성임을 나타낸다. DVS 전후에 아디페이트 염의 XRPD 오버레이에 의해 입증된 바와 같이 DVS 후 화합물 6 아디페이트 염 타입 B로부터 화합물 6 아디페이트 염 타입 A 로의 형태 변화가 관찰되었다. 약 3.8 ppm에서의 API의 메톡실기와 약 1.5 ppm에서의 아디페이트의 메틸렌 양성자의 통합에 의해 나타난 1H-NMR 결과는 API: 산 형성제의 몰 비가 2:1임을 시사하였다.
[표 7-5] 화합물 6 아디페이트 염 타입 B의 주요 XRPD 회절 피크
실시예 10: 화합물 7(N2-(2-플루오로-4-메톡시-3-(4-((메틸아미노)메틸)-1H-피라졸-1-일)페닐)-N4,6-디메틸피리미딘-2,4-디아민 하이드로클로라이드)의 합성.
반응식 10
단계 1. N-(3-브로모-2-플루오로-6-메톡시페닐)-N-(tert-부톡시)카르보닐](tert-부톡시)카르보하이드라지드의 합성: 테트라하이드로푸란(10L) 중의 1-브로모-2-플루오로-4-메톡시벤젠(1000g, 4.88 mol, 1.00 당량)의 용액에 질소 하에서 -78℃에서 LDA(2561mL, 1.05 당량)를 적가하였다. 생성된 용액을 -70℃에서 1시간 동안 교반하였다. 이어서, 상기 용액에 (Z)-N-[(tert-부톡시)카르보닐]이미노(tert-부톡시)포름아미드(1122 g, 4.87 mol, 1.00 당량)를 첨가하였다. 생성된 용액을 -78℃에서 1시간 동안 교반하였다. 이어서, 200 mL의 메탄올을 첨가하여 반응을 켄칭시켰다. 생성된 혼합물을 진공 하에서 농축시키고, EA(6 L)에 용해시키고, 물(2L)로 2회 세척하고, 유기층을 진공 하에서 농축시켰다. 이로부터 1400 g (66%)의 표제 화합물이 백색 고체로 생성되었다.
단계 2: (3-브로모-2-플루오로-6-메톡시페닐)하이드라진의 합성: 에탄올(10 L) 중의 N-(3-브로모-2-플루오로-6-메톡시페닐)-N-(tert-부톡시)카르보닐](tert-부톡시)카르보하이드라지드(1400 g, 3.22 mol, 1.00 당량)의 용액에 염화수소(3000 mL)를 첨가하였다. 생성된 용액을 실온에서 2시간 동안 교반하였다. 생성된 혼합물을 진공 하에서 농축시켰다. 이로부터 958 g(미정제)의 표제 화합물이 백색 고체로 생성되었다.
단계 3: 에틸 1-(3-브로모-2-플루오로-6-메톡시페닐)-1H-피라졸-4-카르복실레이트의 합성: 에탄올(10 L) 중의 (3-브로모-2-플루오로-6-메톡시페닐)하이드라진 (958 g, 4.08 mol, 1.00 당량)의 용액에 에틸 2-포르밀-3-옥소프로파노에이트(558 g, 3.87 mol, 0.95 당량)를 첨가하였다. 생성된 용액을 실온에서 2시간 동안 교반하였다. 생성된 혼합물을 진공 하에서 농축시켰다. 잔류물을 PE(5000 mL)와 함께 0.5시간 동안 교반하였다. 고체를 여과에 의해 수집하였다. 이로부터 958 g의 표제 화합물이 백색 고체로 생성되었다.
단계 4: [[1-(3-브로모-2-플루오로-6-메톡시페닐)-1H-피라졸-4-일]메탄올의 합성: 질소 하에서 0℃에서 디클로로메탄(8000 mL) 중의 에틸 1-(3-브로모-2-플루오로-6-메톡시페닐)-1H-피라졸-4-카르복실레이트(950 g, 2.77 mol, 1.00 당량)의 용액에 DIBAL-H(4167 mL, 3.00 당량, 2 mol/L)를 적가하였다. 생성된 용액을 실온에서 2시간 동안 교반하였다. 이어서, 물 3000 mL를 첨가하여 반응을 켄칭시켰다. 생성된 용액을 3x3000 mL의 에틸 아세테이트로 추출하고, 유기층을 합치고, 무수 소듐 설페이트로 건조하고, 진공 하에서 농축시켰다. 이로부터 494 g(55%)의 표제 화합물이 황색 고체로 생성되었다.
단계 5: 1-(3-브로모-2-플루오로-6-메톡시페닐)-1H-피라졸-4-카르브알데히드의 합성: 에틸 아세테이트(12 L) 중의 [1-(3-브로모-2-플루오로-6-메톡시페닐)-1H-피라졸-4-일]메탄올(470 g, 1.56 mol, 1.00 당량)의 용액에 디옥소망간(2045 g, 23.52 mol, 15.00 당량)을 첨가하였다. 생성된 용액을 실온에서 하룻밤 동안 교반하였다. 고체를 여과해내었다. 생성된 혼합물을 진공 하에서 농축시켰다. 이로부터 379 g(81%)의 표제 화합물이 갈색 고체로 생성되었다.
단계 6: 1-(2-플루오로-6-메톡시-3-[[4-메틸-6-(메틸아미노)피리미딘-2-일]아미노]페닐)-1H-피라졸-4-카르브알데히드의 합성: 디옥산(4000 mL) 중의 1-(3-브로모-2-플루오로-6-메톡시페닐)-1H-피라졸-4-카르브알데히드(379 g, 1.27 mol, 1.00 당량)의 용액에 N-4,6-디메틸피리미딘-2,4-디아민(177 g, 1.28 mol, 1.00 당량), K3PO4(404 g, 1.91 mol, 1.50 당량) 및 브레트포스 Pd(38 g, 41.94 mmol, 0.03 당량)를 첨가하였다. 생성된 용액을 오일 욕조에서 100℃에서 16시간 동안 교반하였다. 생성된 혼합물을 진공 하에서 농축시켰다. 생성된 혼합물을 3 x 1000 mL의 EA 및 물로 세척하였다. 유기층을 분리하고 농축시켰다. 잔류물을 에틸 아세테이트/헥산(2/1)을 이용하는 실리카 겔 컬럼 상에 적용하였다. 이로부터 298 g(66%)의 표제 화합물이 갈색 고체로 생성되었다.
단계 7: N2-(2-플루오로-4-메톡시-3-(4-((메틸아미노)메틸)-1H-피라졸-1-일)페닐)-N4,6-디메틸피리미딘-2,4-디아민 하이드로클로라이드의 합성: THF(2000 mL) 중의 1-(2-플루오로-6-메톡시-3-[[4-메틸-6-(메틸아미노)피리미딘-2-일]아미노]페닐)-1H-피라졸-4-카르브알데히드(218 g, 611.74 mmol, 1.00 당량)의 용액에 메틸아민 하이드로클로라이드(1530 mL, 5.00 당량)를 첨가하고, 생성된 용액을 1시간 동안 교반하고, 이어서 NaBH(OAc)3(389 g, 1.36 mol, 3.00 당량)를 첨가하였다. 생성된 용액을 실온에서 2시간 동안 교반하였다. 생성된 혼합물을 진공 하에서 농축시켰다. 잔류물을 클로로포름/메탄올(10/1)을 이용하는 실리카 겔 컬럼에 적용하고, 생성된 고체를 메탄올(100 mL)에 용해시키고, HCl(50 mL)을 첨가하고, 고체를 여과에 의해 수집하였다. 이로부터 79.2 g(61%)의 표제 화합물이 생성되었다. 분석 데이터: LC-MS: (ES, m/z): [M+1] = 372; 1H NMR (300 MHz, 메탄올-d 4): δ 8.12 (d, J = 4.1 Hz , 1H), 7.96 (s, 1H), 7.82 (dt, 1H), 7.16 (dd, 1H), 6.28 - 6.05 (m, 1H), 4.25 (s, 2H), 3.88 (d, 3H), 2.95 (d, 3H), 2.76 (s, 3H), 2.47 - 2.23 (m, 3H).
하이드로클로라이드 염 타입 A. 화합물 7 하이드로클로라이드 염 타입 A는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 8-1에 제시되어 있다. TGA 곡선은 180℃까지 6.5%의 중량 손실을 보여주었다. DSC 곡선은 약 77.3℃, 128.2, 170.2℃, 및 210.6℃ 부근에서의 흡열 및 231.7℃(피크)에서의 가능한 용융 흡열을 디스플레이하였다. 샘플은 용매화물/수화물일 가능성이 있다. 복굴절성 침상 결정이 PLM 하에서 화합물 7 하이드로클로라이드 염 타입 A에 대해 관찰되었다.
[표 8-1] 화합물 7 하이드로클로라이드 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크.
하이드로클로라이드 염 타입 B. 화합물 7 하이드로클로라이드 염 타입 B는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 8-2에 제시되어 있다. TGA 곡선은 180℃까지 8.5%의 중량 손실을 보여주었다. DSC 곡선은 87.8℃ 부근에서의 흡열, 118.6℃에서 다른 흡열 및 208.7℃(피크)에서의 가능한 용융 흡열을 디스플레이하였다. 샘플은 용매화물/수화물일 가능성이 있다. 복굴절성 침상 결정이 PLM 하에서 화합물 7 하이드로클로라이드 염 타입 B에 대해 관찰되었다.
[표 8-2] 화합물 7 하이드로클로라이드 염 타입 B의 주요 XRPD 회절 피크.
옥살레이트 염 타입 A(1:2). 29.6 mg의 화합물 7 유리 염기 및 1.62 mL의 0.1 mol/L 옥살산 메탄올 용액을 실온에서 교반하면서 4 mL 바이알에 첨가하였다. 이어서, 용액을 증발시켜서 건조하고, 1 mL의 MTBE를 첨가하고, 하룻밤 동안 교반하고, 생성물을 여과에 의해 수집하였다. 화합물 7 옥살레이트 염 타입 A는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 8-3에 제시되어 있다. TGA 곡선은 150℃까지 3.86%의 중량 손실을 보여주었다. DSC 곡선은 144.18℃ 부근에서의 흡열, 211.24℃에서의 다른 흡열 및 208.7℃(피크)에서의 가능한 용융 흡열을 디스플레이하였다. 샘플은 용매화물/수화물일 가능성이 있다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 PLM 하에서 화합물 7 옥살레이트 염 타입 A에 대해 관찰되었다.
[표 8-3] 화합물 7 옥살레이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크.
설페이트 염 타입 A(1:2). 29.8 mg의 화합물 7 유리 염기 및 1.62 mL의 0.1 mol/L의 H2SO4 메탄올 용액을 실온에서 교반하면서 4 mL 바이알에 첨가하였다. 이어서, 용액을 증발시켜서 건조하고, 1 mL의 MTBE를 첨가하고, 하룻밤 동안 교반하고, 생성물을 여과에 의해 수집하였다. 화합물 7 설페이트 염 타입 A는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 8-4에 제시되어 있다. TGA 곡선은 150℃까지 2.05%의 중량 손실을 보여주었다. DSC 곡선은 약 113.35℃ 및 152.06℃ 부근에서의 흡열 및 185.31℃(피크)에서의 가능한 용융 흡열을 디스플레이하였다. 샘플은 용매화물/수화물일 가능성이 있다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 PLM 하에서 HCl 염 타입 B에 대해 관찰되었다.
[표 8-4] 화합물 7 설페이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크.
포스페이트 염 타입 A(1:2). 30.08 mg의 화합물 7 유리 염기 및 1.62 mL의 0.1 mol/L H3PO4 메탄올 용액을 실온에서 교반하면서 4 mL 바이알에 첨가하였다. 이어서, 용액을 증발시켜서 건조하고, 1 mL의 MTBE를 첨가하고, 하룻밤 동안 교반하고, 생성물을 여과에 의해 수집하였다. 화합물 7 포스페이트 염 타입 A는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 8-5에 제시되어 있다. TGA 곡선은 150℃까지 3.44%의 중량 손실을 보여주었다. DSC 곡선은 약 76.7℃ 부근에서의 넓은 흡열, 109.97℃, 140.25℃ 및 183.80℃에서의 다른 넓은 흡열 및 209.41℃(피크)에서의 가능한 용융 흡열을 디스플레이하였다. 샘플은 용매화물/수화물일 가능성이 있다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 PLM 하에서 화합물 7 포스페이트 염 타입 A에 대해 관찰되었다.
[표 8-5] 화합물 7 포스페이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크.
푸마레이트 염 타입 A(1:2). 29.5 mg의 화합물 7 유리 염기 및 1.62 mL의 0.1 mol/L 푸마르산 메탄올 용액을 실온에서 교반하면서 4 mL 바이알에 첨가하였다. 이어서, 용액을 증발시켜서 건조하고, 1 mL의 MTBE를 첨가하고, 하룻밤 동안 교반하고, 생성물을 여과에 의해 수집하였다. 화합물 7 푸마레이트 염 타입 A는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 8-6에 제시되어 있다. TGA 곡선은 150℃까지 0.35%의 중량 손실을 보여주었다. DSC 곡선은 230.99℃(피크)에서의 가능한 용융 흡열을 디스플레이하였다. 샘플은 낮은 흡습성이 갖는다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 PLM 하에서 화합물 7 푸마레이트 염 타입 A에 대해 관찰되었다.
[표 8-6] 화합물 7 푸마레이트 염 타입 A의 주요 XRPD 회절 피크.
푸마레이트 염 타입 B(1:1). 30.17 mg의 화합물 7 유리 염기 및 0.81 mL의 0.1 mol/L 푸마르산 메탄올 용액을 실온에서 교반하면서 4 mL 바이알에 첨가하였다. 이어서, 용액을 증발시켜서 건조하고, 1 mL의 MTBE를 첨가하고, 하룻밤 동안 교반하고, 생성물을 여과에 의해 수집하였다. 화합물 7 푸마레이트 염 타입 B는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 8-7에 제시되어 있다. TGA 곡선은 150℃까지 4.96%의 중량 손실을 보여주었다. DSC 곡선은 약 66.28℃ 부근에서의 넓은 흡열, 및 125.87℃에서의 다른 흡열을 디스플레이하였다. 샘플은 용매화물/수화물일 가능성이 있다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 PLM 하에서 화합물 7 푸마레이트 염 타입 B에 대해 관찰되었다.
[표 8-7] 화합물 7 푸마레이트 염 타입 B의 주요 XRPD 회절 피크.
푸마레이트 염 타입 C(1:1.5). 화합물 7 푸마레이트 염 타입 C는 XRPD에 의해 결정질인 것으로 밝혀졌다. 주요 XRPD 회절 피크는 표 8-8에 제시되어 있다. TGA 곡선은 150℃까지 0.58%의 중량 손실을 보여주었다. DSC 곡선은 211.52℃(피크)에서의 가능한 용융 흡열을 디스플레이하였다. 샘플은 낮은 흡습성을 가지며, 화합물 7의 푸마레이트 염 타입 C 샘플의 DVS는 0% 내지 80% RH에서 대략 1.9%의 수분 흡수를 보여주었다. 복굴절성 불규칙 형상의 결정이 PLM 하에서 화합물 7 푸마레이트 염 타입 C에 대해 관찰되었다.
[표 8-8] 화합물 7 푸마레이트 염 타입 C의 주요 XRPD 회절 피크.
중간체의 합성
단계 8: N-4,6-디메틸피리미딘-2,4-디아민의 합성: NMP(6000 mL) 중의 4-클로로-6-메틸피리미딘-2-아민(600 g, 4.18 mol, 1.00 당량)의 용액에 포타슘 카르보네이트(1158 g, 8.38 mol, 2.00 당량) 및 메틸아민 하이드로클로라이드(843 g, 12.49 mol, 3.00 당량)를 첨가하였다. 생성된 용액을 폐쇄된 반응기에서 120℃에서 36시간 동안 교반하였다. 생성된 혼합물을 진공 하에서 농축시키고, 1 x 1000 mL의 물로 세척하였다. 고체를 여과에 의해 수집하였다. 이로부터 211 g(37%)의 표제 화합물이 백색 고체로 생성되었다.
실시예 11: 생물활성 검정
재료 및 설비
Viva에서 합성된 재조합 정제된 인간 EHMT2 913-1193(55 μM)을 모든 실험에 사용하였다. 바이오틴 붙여진 히스톤 펩티드는 Biopeptide에서 합성되었고 95% 초과의 순도로 HPLC-정제되었다. 스트렙타비딘 플래시플레이트 및 밀봉제는 PerkinElmer에서 구입했으며 384 웰 V-바닥 폴리프로필렌 플레이트는 Greiner에서 구입하였다. 3H-표지된 S-아데노실메티오닌(3H-SAM)은 American Radiolabeled Chemicals로부터 80 Ci/mmol의 비 활성을 갖는 것으로 입수하였다. 표지되지 않은 SAM 및 S-아데노실호모시스테인(SAH)은 American Radiolabeled Chemicals 및 Sigma-Aldrich에서 각각 입수하였다. 플래시플레이트를 0.1% Tween으로 Biotek ELx-405에서 세척하였다. TopCount 마이크로플레이트 판독기(PerkinElmer) 상에서 384-웰 플래시플레이트 및 96-웰 필터 바인딩 플레이트를 판독하였다. 화합물 연속 희석을 Freedom EVO(Tecan)에서 수행하고 Thermo Scientific Matrix PlateMate (Thermo Scientific)를 사용하여 검정 플레이트에 점을 찍었다. 시약 칵테일은 Multidrop Combi(Thermo Scientific)로 첨가하였다.
MDA-MB-231 세포주는 ATCC(Manassas, VA, USA)에서 구입하였다. RPMI/글루타맥스 배지, 페니실린-스트렙토마이신, 열 불활성화된 우태아 혈청, 및 D-PBS는 Life Technologies(Grand Island, NY, USA)에서 구입하였다. Odyssey 블로킹 완충액, 800CW 염소 항-마우스 IgG(H+L) 항체, 및 Licor Odyssey 적외선 스캐너는 Licor Biosciences, Lincoln, NE, USA에서 구입하였다. H3K9me2 마우스 단일클론 항체(Cat# 1220)는 Abcam(Cambridge, MA, USA)에서 구입하였다. 16% 파라포름알데히드는 Electron Microscopy Sciences, Hatfield, PA, USA)에서 구입하였다. MDA-MB-231 세포는 완전한 성장 배지(10% v/v 열 불활성화된 우태아 혈청이 보충된 RPMI)에서 유지하였으며 5% CO2 하에서 37℃에서 배양하였다. UNC0638은 Sigma-Aldrich(St. Louis, MO, USA)에서 구입하였다.
히스톤 펩티드 기질 상에서의 EHMT2 효소 검정을 위한 일반 절차.
2.5 mM에서 시작하여, DMSO에서 연속 3 배 희석을 사용하여(화합물의 최종 최고 농도는 50 μM이고 DMSO는 2%였음) Freedom EVO(Tecan) 상에서 시험 화합물의 10-포인트 곡선을 만들었다. Thermo Scientific Matrix PlateMate(Thermo Scientific)를 사용하여 폴리프로필렌 384-웰 V-바닥 플레이트(Greiner)에 저해제 희석 계열의 1 μL 분액을 점 찍었다. 100% 저해 대조군은 1 mM 최종 농도의 생산물 저해제인 S-아데노실호모시스테인(SAH, Sigma-Aldrich)으로 구성되었다. 화합물을 1X 검정 완충액(20 mM Bicine[pH 7.5], 0.002% Tween 20, 0.005% 우피 젤라틴 및 1 mM TCEP) 중 0.031 nM EHMT2(재조합 정제된 인간 EHMT2 913-1193, Viva)의 웰당 40 μL로 30분 동안 인큐베이션 하였다. 검정 완충액, 3H-SAM(3H- 표지된 S-아데노실메티오닌, American Radiolabeled Chemicals, 80 Ci/mmol의 비 활성), 표지되지 않은 SAM(American Radiolabeled Chemicals), 및 C-말단 바이오틴(C-말단 아미드-캡핑된 리신에 첨부되고, Biopeptide에서 합성되고 95%보다 높은 순도로 HPLC-정제됨) 함유한 히스톤 H3 잔기 1-15를 나타내는 펩티드를 포함하는 기질 혼합물의 웰당 10 μL을 첨가하여 반응을 개시하였다(두 기질 모두 그들의 각각의 Km 값에서 최종 반응 혼합물에 존재함, "균형 상태"로 지칭되는 분석 포맷). 반응을 실온에서 60분 동안 인큐베이션하고 400 μM의 표지되지 않은 SAM의 웰당 10 μL로 켄칭시킨 후 384-웰 스트렙타비딘 플래시플레이트(PerkinElmer)에 옮기고 60분 후 0.1% Tween으로 Biotek ELx-405 웰 세척기에서 세척하였다. TopCount 마이크로플레이트 리더(PerkinElmer) 상에서 384-웰 플래시플레이트를 판독하였다.
MDA-MB-231 HEK9me2 인-셀 웨스턴(in-cell Western) 검정을 위한 일반 절차.
화합물(100 nL)을 384-웰 세포 플레이트에 직접 첨가하였다. MDA-MB-231 세포(ATCC)를 웰당 50 μL로 Poly-D-리신 코팅된 384-웰 세포 배양 플레이트에 웰당 3,000 세포의 농도로 검정 배지(10% v/v 열 불활성화된 우태아 혈청 및 1% 페니실린/스트렙토마이신이 보충된 RPMI/글루타맥스, Life Technologies)내에 접종하였다. 플레이트를 37℃, 5% CO2에서 48시간 동안 인큐베이션 하였다(BD Biosciences 356697). 플레이트를 실온에서 30분 동안 인큐베이션한 후 37℃, 5% CO2에서 추가 48시간 동안 인큐베이션 하였다. 인큐베이션 후, PBS 중 8% 파라포름알데히드 (Electron Microscopy Sciences)의 웰당 50 μL를 플레이트에 첨가하고 실온에서 20분 동안 인큐베이션 하였다. 플레이트를 Biotek 406 플레이트 세척기로 옮기고 웰당 100 μL의 세척 완충액(0.3% Triton X-100(v/v)을 함유하는 1X PBS)으로 2회 세척하였다. 다음으로, 웰당 60 μL의 Odyssey 블로킹 완충액(Licor Biosciences)을 각각의 플레이트에 첨가하고 실온에서 1시간 동안 인큐베이션 하였다. 블로킹 완충액을 제거하고 0.1% Tween 20(v/v)을 갖는 Odyssey 완충액에 1:800 희석된 20 μL의 단일클론 1차 항체 α-H3K9me2(Abcam)를 첨가하고 플레이트를 4℃에서 하룻밤동안(16시간) 인큐베이션 하였다. 플레이트를 웰당 100 μL의 세척 완충액으로 5회 세척하였다. 다음으로 웰당 20 μL의 2차 항체를 첨가하고(0.1% Tween 20(v/v)을 갖는 Odyssey 완충액에 1:500 800 CW 당나귀 항-마우스 IgG(H+L) 항체(Licor Biosciences), 1:1000 DRAQ5(Cell Signaling Technology)) 실온에서 1시간 동안 인큐베이션 하였다. 플레이트를 웰당 100 μL 세척 완충액으로 5회 세척한 후 웰당 100 μL의 물로 2회 세척하였다. 플레이트를 실온에서 건조하도록 둔 후 700 nm 및 800 nm 파장에서 통합된 강도를 측정하는 Licor Odyssey 적외선 스캐너(Licor Biosciences) 상에서 이미징 하였다. 700 및 800 채널을 모두 스캔하였다.
% 저해 계산.
먼저, 
로 각각의 웰에 대한 비율을 결정하였다.
각각의 플레이트는 대조군 화합물 UNC0638로 처리된 최대 저해를 위한 14개의 대조군 웰(백그라운드 웰)뿐만 아니라 DMSO만 처리한 14개의 대조군 웰(최소 저해)을 포함하였다.
각각의 웰에 대한 비율 값의 평균을 계산하여 플레이트 내의 각각의 시험 웰에 대한 저해 퍼센트를 결정하는 데 사용하였다. 대조군 화합물을 1 μM에서 시작하여 총 10개의 시험 농도에 대해 DMSO에서 3 배 연속 희석하였다. 저해 퍼센트는 다음으로 계산하였다: 저해 퍼센트=100-
화합물 농도당 3개의 웰을 사용하여 IC50 곡선을 생성하였다. IC50은 투여량 반응 곡선으로부터 보간된 측정된 메틸화가 50% 저해되는 화합물의 농도이다. IC50 값은 다음 식으로 비-선형 회귀(가변 기울기-4 파라미터 피팅 모델)를 사용하여 계산하였다:
본 발명은 이의 사상 또는 본질적인 특성을 벗어나지 않고 다른 특정 형태로 구현될 수 있다. 따라서, 전술한 구현예는 본원에 기재된 발명을 한정하는 것이라기 보다는 예시적인 것이라는 것이 모든 점에서 고려되어야 한다. 따라서, 본 발명의 범위는 전술한 설명에 의해서 보다는 첨부된 청구범위에 의해 표시되며, 청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에 들어오는 모든 변경이 이 안에 포괄되는 것으로 의도된다.
Claims (98)
-
이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 및 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염으로부터 선택되는 화합물. - 제1항에 있어서, 하기 화합물, 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 및 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염으로부터 선택되는, 화합물:
.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,(화합물 1), 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
(화합물 1R),
(화합물 1S),
이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염인, 화합물. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 1R, 이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 1R인, 화합물.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 1R의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 1R의 약학적 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 1R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
(화합물 2),
이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염인, 화합물. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 2인, 화합물.
- 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 2의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 2의 약학적 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 2의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 또는 제3항에 있어서,
(화합물 3),
이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염인, 화합물. - 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 3인, 화합물.
- 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 3의 결정질 형태 3인, 화합물.
- 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 3의 약학적 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 3의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 3의 설페이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 3의 설페이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 3의 글리콜레이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 3의 글리콜레이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 3의 숙시네이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 3의 숙시네이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
(화합물 4),
이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염인, 화합물. - 제1항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,
(화합물 4R),
(화합물 4S),
이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염인, 화합물. - 제1항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 4R인, 화합물.
- 제1항 내지 제31항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 4R의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 4R의 약학적 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제34항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 4R의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 4R의 숙시네이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제36항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 4R의 숙시네이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
(화합물 5),
이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염인, 화합물. - 제1항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서,
(화합물 5R),
(화합물 5S),
이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염인, 화합물. - 제1항 내지 제39항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R인, 화합물.
- 제1항 내지 제40항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 약학적 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 설페이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제43항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 설페이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제44항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 글리콜레이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제45항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 글리콜레이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제46항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 푸마레이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제47항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 푸마레이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제48항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 히푸레이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제49항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 히푸레이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제50항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 아디페이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제51항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 아디페이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제52항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 젠티세이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제53항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 젠티세이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제54항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 벤조에이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제55항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 5R의 벤조에이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
(화합물 6),
이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염인, 화합물. - 제1항 내지 제57항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 6의 약학적 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제58항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제59항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 6의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제60항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 6의 글리콜레이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제61항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 6의 글리콜레이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제62항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 6의 아디페이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제63항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 6의 아디페이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
(화합물 7),
이의 호변이성질체, 이의 약학적으로 허용되는 염, 또는 호변이성질체의 약학적으로 허용되는 염인, 화합물. - 제1항 내지 제65항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 7의 약학적 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제66항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제67항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 7의 하이드로클로라이드 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제68항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 7의 옥살레이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제69항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 7의 옥살레이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제70항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 7의 설페이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제71항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 7의 설페이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제72항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 7의 포스페이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제73항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 7의 포스페이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제74항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 7의 푸마레이트 염인, 화합물.
- 제1항 내지 제75항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물 7의 푸마레이트 염의 결정질 형태인, 화합물.
- 제1항 내지 제76항 중 어느 한 항의 화합물 및 약학적으로 허용되는 담체를 포함하는, 약학적 조성물.
- EHMT1 및 EHMT2 중 하나 또는 둘 모두를 저해하는 방법으로서, 치료적 유효량의 제1항 내지 제76항 중 어느 한 항의 화합물을 이를 필요로 하는 대상체에게 투여하는 단계를 포함하는, 방법.
- 제49항에 있어서, 상기 대상체는 EHMT-매개 장애를 갖는 것인, 방법.
- 제49항에 있어서, 상기 대상체는 혈액 장애를 갖는 것인, 방법.
- 제49항에 있어서, 상기 대상체는 암을 갖는 것인, 방법.
- 혈액 장애를 예방 또는 치료하는 방법으로서, 치료적 유효량의 제1항 내지 제76항 중 어느 한 항의 화합물을 이를 필요로 하는 대상체에게 투여하는 단계를 포함하는, 방법.
- 제54항에 있어서, 상기 혈액 장애는 겸상 적혈구 빈혈 또는 β-탈라세미아인, 방법.
- 제54항에 있어서, 상기 혈액 장애는 혈액 암인, 방법.
- 암을 예방 또는 치료하는 방법으로, 치료적 유효량의 제1항 내지 제76항 중 어느 한 항의 화합물을 이를 필요로 하는 대상체에게 투여하는 단계를 포함하는, 방법.
- 제56항에 있어서, 상기 암은 림프종, 백혈병, 흑색종, 유방암, 난소암, 간세포 암종, 전립선 암종, 폐암, 뇌암, 또는 혈액 암인, 방법.
- 제56항에 있어서, 상기 암은 흑색종인, 방법.
- 제57항에 있어서, 상기 혈액 암은 급성 골수성 백혈병(AML) 또는 만성 림프구성 백혈병(CLL)인, 방법.
- 제57항에 있어서, 상기 림프종은 미만성 대 B-세포 림프종, 여포성 림프종, 버킷 림프종 또는 비호지킨 림프종인, 방법.
- 제56항에 있어서, 상기 암은 만성 골수성 백혈병(CML), 급성 골수성 백혈병 (AML), 급성 림프구성 백혈병(ALL), 혼합 계통 백혈병(MLL), 또는 골수이형성 증후군(MDS) 인, 방법.
- 제1항 내지 제76항 중 어느 한 항에 있어서, EHMT1 및 EHMT2 중 하나 또는 둘 모두를 저해하는 것을 필요로 하는 대상체에서 EHMT1 및 EHMT2 중 하나 또는 둘 모두를 저해하는 데 사용하기 위한, 화합물.
- 제1항 내지 제76항 중 어느 한 항에 있어서, EHMT-매개 장애를 예방 또는 치료하는 것을 필요로 하는 대상체에서 EHMT-매개 장애를 예방 또는 치료하는 데 사용하기 위한, 화합물.
- 제1항 내지 제76항 중 어느 한 항에 있어서, 혈액 장애를 예방 또는 치료하는 것을 필요로 하는 대상체에서 혈액 장애를 예방 또는 치료하는 데 사용하기 위한, 화합물.
- 제1항 내지 제76항 중 어느 한 항에 있어서, 암을 예방 또는 치료하는 것을 필요로 하는 대상체에서 암을 예방 또는 치료하는 데 사용하기 위한, 화합물.
- EHMT1 및 EHMT2 중 하나 또는 둘 모두를 저해하는 것을 필요로 하는 대상체에서 EHMT1 및 EHMT2 중 하나 또는 둘 모두를 저해하기 위한 약제의 제조에 있어서의 제1항 내지 제76항 중 어느 한 항의 화합물의 용도.
- EHMT-매개 장애를 예방 또는 치료하는 것을 필요로 하는 대상체에서 EHMT-매개 장애를 예방 또는 치료하기 위한 약제의 제조에 있어서의 제1항 내지 제76항 중 어느 한 항의 화합물의 용도.
- 혈액 장애를 예방 또는 치료하는 것을 필요로 하는 대상체에서 혈액 장애를 예방 또는 치료하기 위한 약제의 제조에 있어서의 제1항 내지 제76항 중 어느 한 항의 화합물의 용도.
- 암을 예방 또는 치료하는 것을 필요로 하는 대상체에서 암을 예방 또는 치료하기 위한 약제의 제조에 있어서의 제1항 내지 제76항 중 어느 한 항의 화합물의 용도.
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