KR20200099610A - Substrate processing equipment - Google Patents

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KR20200099610A
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마사히로 기무라
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Abstract

리프터에 지지된 기판 (W) 의 하방과, 처리조 (1) 의 바닥면 사이에 슬릿판 (31) 을 구비하고 있다. 21 개의 슬릿 (33) 은, 중앙 영역 (ARC) 의 폭 (WD1) 보다 제 1 외측 영역 (AR1) 및 제 2 외측 영역 (AR2) 에 있어서의 폭 (WD2, WD3) 이 크게 되어 있다. 따라서, 1 쌍의 분출관 (7) 으로부터 공급되고, 중앙 영역 (ARC) 에서 기판 (W) 면을 따라 상승하는 처리액의 강한 액류는, 슬릿판 (31) 을 통과하여 기판 (W) 측으로 상승할 때에, 그 기세가 약해진다. 따라서, 기판 (W) 면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 완화할 수 있고, 기판 (W) 면 내에 있어서 속도차가 적은 정류를 형성할 수 있다.A slit plate 31 is provided between the lower side of the substrate W supported by the lifter and the bottom surface of the processing tank 1. The 21 slits 33 have the widths WD2 and WD3 in the first outer region AR1 and the second outer region AR2 larger than the width WD1 of the central region ARC. Accordingly, the strong liquid flow of the treatment liquid supplied from the pair of ejection pipes 7 and rising along the substrate W surface in the central region ARC passes through the slit plate 31 and rises toward the substrate W side. When you do, the momentum weakens. Therefore, the difference in the flow of the processing liquid in the vicinity of the substrate W surface can be alleviated, and a rectification with a small difference in speed can be formed in the substrate W surface.

Figure P1020207022192
Figure P1020207022192

Description

기판 처리 장치Substrate processing equipment

본 발명은, 반도체 웨이퍼, 액정 디스플레이용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 유기 EL 용 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스플레이용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 태양 전지용 기판 등의 각종 기판 (이하, 간단히 기판으로 칭한다) 에 대하여, 처리액에 의해 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention is a semiconductor wafer, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, an organic EL substrate, a FED (Field Emission Display) substrate, an optical display substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask The present invention relates to a substrate processing apparatus that processes various substrates (hereinafter, simply referred to as substrates), such as a substrate and a substrate for solar cells, with a processing liquid.

종래, 이 종류의 장치로서, 처리액을 저류하고, 복수 장의 기판을 수용하여 처리를 실시하는 처리조와, 처리조 내의 바닥부에 배치된 액류 분산 부재를 구비하고, 처리액에 기판을 침지시켜 처리를 실시하는 것이 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).Conventionally, as a device of this type, a processing tank storing a processing liquid and receiving a plurality of substrates to perform processing, and a liquid distribution member disposed at the bottom of the processing tank are provided, and the substrate is immersed in the processing liquid for processing. There is a thing to do (for example, see Patent Document 1).

이 장치가 구비하고 있는 액류 분산 부재는, 처리조 내에 있어서의 처리액의 흐름을, 처리조의 중앙을 향하는 바닥면측의 흐름과, 처리조의 중앙을 향하는 기울어진 상방으로의 흐름으로 분산시킨다. 이로써, 기판면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 완화할 수 있기 때문에, 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.The liquid flow dispersing member provided in this apparatus disperses the flow of the treatment liquid in the treatment tank into a flow on the bottom surface side toward the center of the treatment tank and an inclined upward flow toward the center of the treatment tank. Thereby, since the difference in the flow of the processing liquid in the vicinity of the substrate surface can be alleviated, the in-plane uniformity of the processing can be improved.

일본 공개특허공보 2017-130483호 (도 1 및 도 2)Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-130483 (Fig. 1 and Fig. 2)

그러나, 이와 같은 구성을 갖는 종래예의 경우에는, 다음과 같은 문제가 있다.However, in the case of the conventional example having such a configuration, there are the following problems.

즉, 종래의 장치는, 액류 분산 부재에 의해 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있지만, 최근에는, 추가적인 면내 균일성의 향상을 목표로 하여, 기판면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 더욱 완화하는 것이 요망되고 있다. 요컨대, 기판면 내에 있어서의 속도차가 적은 정류 (整流) 를 형성하는 기술이 요망되고 있다.That is, in the conventional apparatus, the in-plane uniformity of the treatment can be improved by the liquid flow dispersing member, but in recent years, with the aim of further improving the in-plane uniformity, the difference in flow of the processing liquid near the substrate surface is further reduced It is desired to alleviate. In short, there is a demand for a technique for forming a rectifying flow having a small difference in speed within the substrate surface.

본 발명은, 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 기판면 내에 있어서 속도차가 적은 정류를 형성할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of forming a rectification with a small difference in speed within a substrate surface.

본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다.In order to achieve such an object, the present invention takes the following configuration.

즉, 청구항 1 에 기재된 발명은, 복수 장의 기판을 처리조에 저류된 처리액에 침지시켜 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리조 내에서 복수 장의 기판을 소정의 배열 방향으로 지지하는 리프터와, 상기 처리조의 하부로서, 상기 기판의 배열 방향에서 보아 양측에 각각 배치되고, 상기 처리조의 바닥면을 따른 방향, 또한, 상기 처리조의 중앙을 향하는 방향으로 처리액을 공급하는 1 쌍의 분출관과, 상기 리프터에 지지된 기판의 하방과, 상기 처리조의 바닥면 사이에 배치되고, 상기 복수 장의 기판의 배열 방향으로 장축이 향해진 슬릿이 복수 개 형성되고, 상기 복수 개의 슬릿이 서로 평행한 위치 관계로 형성된 슬릿판을 구비하고, 상기 슬릿판을 상기 기판의 배열 방향에서 본 경우에, 상기 처리조의 중앙 영역과, 상기 중앙 영역보다 상기 1 쌍의 분출관측에 해당하는 외측 영역의 2 개의 영역에 있어서의 상기 복수 개의 슬릿은, 상기 중앙 영역에 있어서의 슬릿의 폭보다 상기 외측 영역에 있어서의 슬릿의 폭 쪽이 큰 것을 특징으로 하는 것이다.That is, the invention according to claim 1 is a substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates by immersing them in a processing liquid stored in a processing tank, wherein the lifter supports a plurality of substrates in a predetermined arrangement direction in the processing tank; As a lower portion of the treatment tank, a pair of ejection pipes each disposed on both sides as viewed from the arrangement direction of the substrate, and supplying the treatment liquid in a direction along the bottom surface of the treatment tank and toward the center of the treatment tank, and the A plurality of slits are formed under the substrate supported by the lifter and between the bottom surface of the treatment tank and directed to the long axis in the arrangement direction of the plurality of substrates, and the plurality of slits are formed in a positional relationship parallel to each other. When the slit plate is provided, and when the slit plate is viewed from the arrangement direction of the substrate, the central region of the treatment tank and the two regions of the outer region corresponding to the pair of ejection observations than the central region. The plurality of slits is characterized in that the width of the slit in the outer region is larger than the width of the slit in the central region.

[작용·효과] 청구항 1 에 기재된 발명에 의하면, 리프터에 지지된 기판의 하방과, 처리조의 바닥면 사이에 슬릿판을 구비하고 있다. 이 슬릿판에 형성된 복수 개의 슬릿은, 기판의 배열 방향에서 본 중앙 영역보다 외측 영역에 있어서의 폭이 크게 되어 있다. 따라서, 1 쌍의 분출관으로부터 공급되어, 중앙 영역에서 기판면을 따라 상승하는 처리액의 강한 액류는, 슬릿판을 통과하여 기판측으로 상승할 때에, 그 기세가 약해진다. 또, 강한 액류가 상승하는 중앙 영역보다 처리액의 액류가 약한 외측 영역에서는 슬릿의 폭이 크게 되어 있으므로, 처리액의 액류의 기세가 그다지 약해지지 않는다. 따라서, 기판면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 완화할 수 있어, 기판면 내에 있어서 속도차가 적은 정류를 형성할 수 있다.[Action/Effect] According to the invention according to claim 1, a slit plate is provided between the lower side of the substrate supported by the lifter and the bottom surface of the treatment tank. The plurality of slits formed in this slit plate has a larger width in the outer region than the central region viewed from the substrate arrangement direction. Accordingly, the strong liquid flow of the processing liquid supplied from the pair of ejection pipes and rising along the substrate surface in the central region becomes weaker when it passes through the slit plate and rises toward the substrate side. In addition, in the outer region where the liquid flow of the treatment liquid is weaker than the central region where the strong liquid flow rises, the width of the slit is increased, so that the momentum of the liquid flow of the treatment liquid does not weaken much. Accordingly, the difference in the flow of the processing liquid in the vicinity of the substrate surface can be alleviated, and a rectification with a small difference in speed can be formed in the substrate surface.

또, 본 발명에 있어서, 상기 슬릿판을 상기 기판의 배열 방향에서 본 경우에, 상기 외측 영역은, 상기 중앙 영역보다 상기 1 쌍의 분출관측에 해당하는 제 1 외측 영역과, 상기 중앙 영역과 상기 제 1 외측 영역 사이에 해당하는 제 2 외측 영역으로 구분되고, 상기 복수 개의 슬릿은, 상기 중앙 영역, 상기 제 2 외측 영역, 상기 제 1 외측 영역의 순으로 폭이 커져 가는 것이 바람직하다 (청구항 2).Further, in the present invention, when the slit plate is viewed from the arrangement direction of the substrate, the outer region includes a first outer region corresponding to the pair of ejection observations than the central region, the central region and the It is divided into a second outer region corresponding between the first outer regions, and the plurality of slits preferably increase in width in the order of the central region, the second outer region, and the first outer region (Claim 2 ).

중앙 영역으로부터 제 2 외측 영역, 제 1 외측 영역의 순으로 슬릿의 폭이 커져 가므로, 처리액의 액류의 기세에 따라 세세하게 차이를 완화할 수 있다. 따라서, 기판면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 더욱 완화할 수 있어, 기판면 내에 있어서 속도차가 적은 정류를 형성할 수 있다.Since the width of the slit increases in the order of the second outer region and the first outer region from the center region, the difference can be subtly reduced according to the momentum of the liquid flow of the treatment liquid. Accordingly, the difference in the flow of the processing liquid in the vicinity of the substrate surface can be further reduced, and a rectification with a small difference in speed can be formed in the substrate surface.

또, 청구항 3 에 기재된 발명은, 복수 장의 기판을 처리조에 저류된 처리액에 침지시켜 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리조 내에서 복수 장의 기판을 소정의 배열 방향으로 지지하는 리프터와, 상기 처리조의 하부로서, 상기 기판의 배열 방향에서 보아 양측에 각각 배치되고, 상기 처리조의 바닥면을 따른 방향, 또한, 상기 처리조의 중앙을 향하는 방향으로 처리액을 공급하는 1 쌍의 분출관과, 상기 리프터에 지지된 기판의 하방과, 상기 처리조의 바닥면 사이에 배치되고, 상기 복수 장의 기판의 배열 방향으로 장축이 향해진 슬릿이 복수 개 형성되고, 상기 복수 개의 슬릿이 서로 평행한 위치 관계로 형성된 슬릿판과, 상기 슬릿판에 형성되고, 상기 슬릿의 장축을 따라 장변이 배치된 판상 부재를 복수 개 구비하고, 상기 복수 개의 판상 부재가 서로 평행한 위치 관계로 상기 처리조의 바닥면측을 향하여 세워져 형성된 루버를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 것이다.In addition, the invention according to claim 3 is a substrate processing apparatus that processes a plurality of substrates by immersing them in a processing liquid stored in a processing tank, wherein the lifter supports a plurality of substrates in a predetermined arrangement direction in the processing tank; As a lower portion of the treatment tank, a pair of ejection pipes each disposed on both sides as viewed from the arrangement direction of the substrate, and supplying the treatment liquid in a direction along the bottom surface of the treatment tank and toward the center of the treatment tank, and the A plurality of slits are formed under the substrate supported by the lifter and between the bottom surface of the treatment tank and directed to the long axis in the arrangement direction of the plurality of substrates, and the plurality of slits are formed in a positional relationship parallel to each other. A slit plate and a plurality of plate-like members formed on the slit plate and having a long side disposed along the long axis of the slit are formed, and the plurality of plate-like members are erected toward the bottom surface side of the treatment tank in a parallel positional relationship It is characterized by having a louver.

[작용·효과] 청구항 3 에 기재된 발명에 의하면, 리프터에 지지된 기판의 하방과, 처리조의 바닥면 사이에 슬릿판을 구비하고 있다. 또한 슬릿판에는, 바닥면을 향하여 세워져 형성된 루버가 형성되어 있다. 1 쌍의 분출관으로부터 공급된 처리액은, 루버에 의해 그 기세가 약해지고, 중앙 영역에서 기판면을 따라 상승하는 처리액의 강한 액류는, 슬릿판을 통과하여 기판측으로 상승할 때에, 더욱 그 기세가 약해진다. 따라서, 기판면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 완화할 수 있어, 기판면 내에 있어서 속도차가 적은 정류를 형성할 수 있다.[Operation/Effect] According to the invention according to claim 3, a slit plate is provided between the lower side of the substrate supported by the lifter and the bottom surface of the treatment tank. Further, the slit plate is formed with a louver that is erected and formed toward the bottom surface. The momentum of the treatment liquid supplied from the pair of ejection pipes is weakened by the louver, and the strong liquid flow of the treatment liquid rising along the substrate surface in the central region passes through the slit plate and rises to the substrate side, the momentum further. Becomes weaker. Accordingly, the difference in the flow of the processing liquid in the vicinity of the substrate surface can be alleviated, and a rectification with a small difference in speed can be formed in the substrate surface.

또, 본 발명에 있어서, 상기 복수 개의 판상 부재는, 그 하단면과 상기 처리조의 바닥면의 거리가, 상기 루버를 상기 기판의 배열 방향에서 본 경우에, 상기 1 쌍의 분출관측으로부터 상기 처리조의 중앙을 향하여 순서대로 짧아져 있는 것이 바람직하다 (청구항 4).Further, in the present invention, in the case where the distance between the bottom surface of the plurality of plate-like members and the bottom surface of the processing tank is, when the louver is viewed from the arrangement direction of the substrate, from the side of the pair of ejection observations, It is preferable that they are shortened in order toward the center (claim 4).

복수 개의 판상 부재의 하단면과 처리조의 바닥면의 거리는, 액류가 서로 충돌하는 중앙일수록 짧아져 있으므로, 처리액의 액류의 기세에 따라 세세하게 차이를 완화할 수 있다. 따라서, 기판면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 더욱 완화할 수 있어, 기판면 내에 있어서 속도차가 적은 정류를 형성할 수 있다.Since the distance between the lower end surfaces of the plurality of plate-like members and the bottom surface of the treatment tank is shorter as the center where the liquid flows collide with each other, the difference can be finely reduced according to the momentum of the liquid flow of the treatment liquid. Accordingly, the difference in the flow of the processing liquid in the vicinity of the substrate surface can be further reduced, and a rectification with a small difference in speed can be formed in the substrate surface.

또, 청구항 5 에 기재된 발명은, 복수 장의 기판을 처리조에 저류된 처리액에 침지시켜 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리조 내에서 복수 장의 기판을 소정의 배열 방향으로 지지하는 리프터와, 상기 처리조의 하부로서, 상기 기판의 배열 방향에서 보아 양측에 각각 배치되고, 상기 처리조의 바닥면을 따른 방향, 또한, 상기 처리조의 중앙을 향하는 방향으로 처리액을 공급하는 1 쌍의 분출관과, 상기 리프터에 지지된 기판의 하방과, 상기 처리조의 바닥면 사이에 배치되고, 상기 복수 장의 기판의 배열 방향으로 장변이 배치된 판상 부재를 복수 개 구비하고, 상기 복수 개의 판상 부재가 서로 평행한 위치 관계로 상기 처리조의 바닥면측을 향하여 세워져 형성된 루버를 구비하고, 상기 복수 개의 판상 부재는, 그 하단면과 상기 처리조의 바닥면의 거리가, 상기 루버를 상기 기판의 배열 방향에서 본 경우에, 상기 1 쌍의 분출관측으로부터 상기 처리조의 중앙을 향하여 순서대로 짧아져 있는 것을 특징으로 하는 것이다.In addition, the invention according to claim 5 is a substrate processing apparatus for processing by immersing a plurality of substrates in a processing liquid stored in a processing tank, wherein the lifter supports a plurality of substrates in a predetermined arrangement direction in the processing tank; As a lower portion of the treatment tank, a pair of ejection pipes each disposed on both sides as viewed from the arrangement direction of the substrate, and supplying the treatment liquid in a direction along the bottom surface of the treatment tank and toward the center of the treatment tank, and the A plurality of plate-like members disposed under the substrate supported by the lifter and between the bottom surface of the processing tank and having long sides in the arrangement direction of the plurality of substrates are provided, and the plurality of plate-like members are parallel to each other And a louver erected toward a bottom surface side of the processing tank, wherein the plurality of plate-like members have a distance between the bottom surface and the bottom surface of the processing tank when the louver is viewed from the arrangement direction of the substrate. It is characterized in that it is shortened in order from the pair of ejection observations toward the center of the treatment tank.

[작용·효과] 청구항 5 에 기재된 발명에 의하면, 리프터에 지지된 기판의 하방과, 처리조의 바닥면 사이에 루버를 구비하고 있다. 루버가 구비한 복수 개의 판상 부재는, 그 하단면과 처리조의 바닥면의 거리가, 기판의 배열 방향에서 본 경우에, 1 쌍의 분출관측으로부터 처리조의 중앙을 향하여 순서대로 짧아져 있다. 따라서, 1 쌍의 분출관으로부터 공급된 처리액은, 루버에 의해 그 기세가 약해지므로, 중앙 영역에서 기판면을 따라 상승하는 액류는 기세가 약해진다. 따라서, 기판면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 완화할 수 있어, 기판면 내에 있어서 속도차가 적은 정류를 형성할 수 있다.[Action/Effect] According to the invention according to claim 5, a louver is provided between the lower side of the substrate supported by the lifter and the bottom surface of the treatment tank. In the plurality of plate-like members provided by the louver, the distance between the lower end surface and the bottom surface of the treatment tank is shortened in order from the pair of ejection observations toward the center of the treatment tank when viewed from the arrangement direction of the substrate. Accordingly, the momentum of the processing liquid supplied from the pair of ejection pipes is weakened by the louver, and the liquid flow rising along the substrate surface in the central region is weakened. Accordingly, the difference in the flow of the processing liquid in the vicinity of the substrate surface can be alleviated, and a rectification with a small difference in speed can be formed in the substrate surface.

또, 본 발명에 있어서, 상기 리프터는, 기판의 하측 가장자리 중앙부를 유지하는 중앙부 유지부와, 상기 기판의 배열 방향에서 보아 양측의 하측 가장자리를 유지하는 1 쌍의 측부 유지부를 구비하고, 상기 복수 개의 판상 부재는, 상기 기판의 배열 방향에서 보아 상기 중앙부 유지부와, 상기 측부 유지부 사이에 배치되어 있는 것이 바람직하다 (청구항 6).In the present invention, the lifter includes a central portion holding portion for holding a central portion of the lower edge of the substrate, and a pair of side holding portions for holding the lower edge of both sides as viewed from the arrangement direction of the substrate, and the plurality of It is preferable that the plate-like member is disposed between the central portion holding portion and the side portion holding portion as viewed from the arrangement direction of the substrate (claim 6).

중앙부 유지부의 위치에 루버의 복수 개의 판상 부재를 배치하면, 처리액은 어느 정도 이미 분산되어 있으므로, 처리액의 흐름의 기세를 약하게 하는 효과가 낮아진다. 한편, 측부 유지부보다 1 쌍의 분출관에 가까운 위치에 루버의 복수 개의 판상 부재를 배치하면, 처리액이 판상 부재와 측부 유지부에 의해 차단되게 되어, 처리액의 흐름이 매우 나빠진다. 따라서, 복수 개의 판상 부재를 중앙부 유지부와 측부 유지부 사이에 배치함으로써, 바람직하게 처리액의 액류를 약하게 할 수 있다.When a plurality of plate-like members of the louver are disposed at the position of the central portion holding portion, the treatment liquid is already dispersed to some extent, and the effect of weakening the momentum of the flow of the treatment liquid is lowered. On the other hand, if a plurality of plate-like members of the louver are disposed at positions closer to the pair of ejection pipes than the side holding portions, the processing liquid is blocked by the plate-like members and the side holding portions, and the flow of the processing liquid is very bad. Therefore, by disposing a plurality of plate-like members between the central portion holding portion and the side portion holding portion, it is possible to preferably weaken the liquid flow of the processing liquid.

또, 본 발명에 있어서, 상기 1 쌍의 분출관은, 상기 처리조의 바닥면 중앙보다 앞의 공급 위치에 처리액을 공급하는 것이 바람직하다 (청구항 7).Further, in the present invention, it is preferable that the pair of ejection pipes supply the processing liquid to a supply position in front of the center of the bottom surface of the processing tank (claim 7).

처리액의 액류가 처리조의 바닥면에서 반사되어 분산되므로, 처리액의 액류가 중앙 부근에 집중하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 중앙 부근에서 기판면을 따라 상승하는 처리액의 강한 액류를 약하게 할 수 있다.Since the liquid flow of the treatment liquid is reflected and dispersed from the bottom surface of the treatment tank, it is possible to suppress concentration of the liquid flow of the treatment liquid near the center. Accordingly, it is possible to weaken the strong liquid flow of the processing liquid rising along the substrate surface near the center.

본 발명에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 리프터에 지지된 기판의 하방과, 처리조의 바닥면 사이에 슬릿판을 구비하고 있다. 이 슬릿판에 형성된 복수 개의 슬릿은, 기판의 배열 방향에서 본 중앙 영역보다 외측 영역에 있어서의 폭이 크게 되어 있다. 따라서, 1 쌍의 분출관으로부터 공급되어, 중앙 영역에서 기판면을 따라 상승하는 처리액의 강한 액류는, 슬릿판을 통과하여 기판측으로 상승할 때에, 그 기세가 약해진다. 또, 강한 액류가 상승하는 중앙 영역보다 처리액의 액류가 약한 외측 영역에서는 슬릿의 폭이 크게 되어 있으므로, 처리액의 액류의 기세가 그다지 약해지지 않는다. 따라서, 기판면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 완화할 수 있어, 기판면 내에 있어서 속도차가 적은 정류를 형성할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the present invention, a slit plate is provided between the lower side of the substrate supported by the lifter and the bottom surface of the processing tank. The plurality of slits formed in this slit plate has a larger width in the outer region than the central region viewed from the substrate arrangement direction. Accordingly, the strong liquid flow of the processing liquid supplied from the pair of ejection pipes and rising along the substrate surface in the central region decreases when the processing liquid passes through the slit plate and rises toward the substrate side. Further, in the outer region where the liquid flow of the treatment liquid is weaker than the central region where the strong liquid flow rises, the width of the slit is made larger, so that the momentum of the liquid flow of the treatment liquid does not weaken much. Accordingly, the difference in the flow of the processing liquid in the vicinity of the substrate surface can be alleviated, and a rectification with a small difference in speed can be formed in the substrate surface.

도 1 은 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
도 2 는 리프터와 슬릿판을 나타내는 사시도이다.
도 3 은 슬릿판의 종단면도이다.
도 4 는 실시예 2 에 관련된 기판 처리 장치의 슬릿판과 루버의 종단면도이다.
도 5 는 실시예 3 에 관한 기판 처리 장치의 루버의 종단면도이다.
도 6 은 실시예 1 에 있어서의 처리액의 흐름을 나타낸 시뮬레이션 결과이다.
도 7 은 실시예 2 에 있어서의 처리액의 흐름을 나타낸 시뮬레이션 결과이다.
도 8 은 실시예 3 에 있어서의 처리액의 흐름을 나타낸 시뮬레이션 결과이다.
도 9 는 종래예에 있어서의 처리액의 흐름을 나타낸 시뮬레이션 결과이다.1 is a block diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment.
2 is a perspective view showing a lifter and a slit plate.
3 is a longitudinal sectional view of a slit plate.
4 is a longitudinal sectional view of a slit plate and a louver of the substrate processing apparatus according to the second embodiment.
5 is a longitudinal sectional view of a louver of the substrate processing apparatus according to the third embodiment.
6 is a simulation result showing the flow of the processing liquid in Example 1. FIG.
7 is a simulation result showing the flow of the processing liquid in Example 2.
8 is a simulation result showing the flow of the processing liquid in Example 3. FIG.
9 is a simulation result showing the flow of a treatment liquid in a conventional example.

본 발명의 각 실시양태에 대해 이하에 설명한다.Each embodiment of the present invention is described below.

실시예 1Example 1

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 1 에 대해 설명한다.Hereinafter, Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1 은, 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이고, 도 2 는, 리프터와 슬릿판을 나타내는 사시도이고, 도 3 은, 슬릿판의 종단면도이다.1 is a block diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to Example 1, FIG. 2 is a perspective view showing a lifter and a slit plate, and FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a slit plate.

실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치는, 복수 장의 기판 (W) 을 일괄하여 처리액에 의해 처리 가능한 배치식의 장치이다. 이 기판 처리 장치는, 처리조 (1) 와, 오버플로조 (3) 와, 리프터 (5) 를 구비하고 있다.The substrate processing apparatus according to Example 1 is a batch type apparatus capable of collectively processing a plurality of substrates W with a processing liquid. This substrate processing apparatus is provided with a processing tank 1, an overflow tank 3, and a lifter 5.

처리조 (1) 는, 처리액을 저류하고, 복수 장의 기판 (W) 을 평행한 상태로 하고, 또한 소정의 배열 방향으로 배열한 상태로 수용하여 복수 장의 기판 (W) 에 대해 동시에 처리를 실시한다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (1) 의 바닥부는, 기판 (W) 의 배열 방향에서 보면, 바닥부의 중앙이 낮은 골짜기가 된 형상을 갖는다. 처리액을 공급하는 1 쌍의 분출관 (7) 은, 처리조 (1) 의 하부에 해당하는 바닥부측으로서, 기판 (W) 의 배열 방향에서 보아 양측 (도 1 의 좌우 방향) 에 각각 배치되어 있다. 1 쌍의 분출관 (7) 은, 처리조 (1) 의 바닥면을 따른 방향으로서, 처리조 (1) 의 중앙을 향하는 방향으로 처리액을 공급한다. 구체적으로는, 1 쌍의 분출관 (7) 은, 처리조 (1) 의 바닥면 중앙보다 앞의 공급 위치 (SP) 를 향하여 각각 처리액을 공급한다. 이로써, 처리액의 액류가 처리조 (1) 의 바닥면에서 반사되어 분산되므로, 처리액의 액류가 중앙 부근에 집중되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 중앙 부근에서 기판 (W) 면을 따라 상승하는 처리액의 강한 액류를 약간 약하게 할 수 있다.The processing tank 1 stores the processing liquid, puts a plurality of substrates W in a parallel state, and accommodates them in a state arranged in a predetermined arrangement direction, and simultaneously processes a plurality of substrates W. do. As shown in FIG. 1, the bottom portion of the processing tank 1 has a shape in which the center of the bottom portion becomes a low valley when viewed from the arrangement direction of the substrates W. A pair of ejection pipes 7 for supplying the treatment liquid are disposed on both sides (left and right directions in Fig. 1) as viewed from the arrangement direction of the substrate W, as the bottom side corresponding to the lower portion of the treatment tank 1 have. The pair of ejection pipes 7 is a direction along the bottom surface of the treatment tank 1 and supplies the treatment liquid in a direction toward the center of the treatment tank 1. Specifically, the pair of ejection pipes 7 respectively supply the processing liquid toward the supply position SP in front of the center of the bottom surface of the processing tank 1. Thereby, since the liquid flow of the treatment liquid is reflected and dispersed from the bottom surface of the treatment tank 1, it is possible to suppress concentration of the liquid flow of the treatment liquid near the center. Accordingly, it is possible to slightly weaken the strong liquid flow of the processing liquid rising along the surface of the substrate W near the center.

오버플로조 (3) 는, 처리조 (1) 의 상측 가장자리의 주위에 배치되어 있다. 오버플로조 (3) 는, 처리조 (1) 의 상측 가장자리를 넘어 흘러넘친 처리액을 회수한다. 오버플로조 (3) 는, 처리조 (1) 의 1 쌍의 분출관 (7) 과 순환 배관 (9) 에 의해 연통 접속되어 있다. 순환 배관 (9) 은, 오버플로조 (3) 측으로부터 처리조 (1) 측을 향하여, 펌프 (11) 와, 인라인 히터 (13) 와, 필터 (15) 를 구비하고 있다. 펌프 (11) 는, 오버플로조 (3) 에 저류하는 처리액을 순환 배관 (9) 으로 빨아들여, 처리액을 1 쌍의 분출관 (7) 측으로 압송한다. 인라인 히터 (13) 는, 순환 배관 (9) 을 유통하는 처리액을 처리 온도로 온도 조절한다. 예를 들어, 처리액이, 기판 (W) 에 피착되어 있는 질화막 (SiN) 을 에칭하는 인산을 포함하는 것인 경우, 처리 온도는, 예를 들어, 160 ℃ 이다. 필터 (15) 는, 순환 배관 (9) 을 유통하는 처리액에 포함되어 있는 파티클을 여과하여 제거한다.The overflow tank 3 is disposed around the upper edge of the processing tank 1. The overflow tank 3 recovers the processing liquid which has overflowed beyond the upper edge of the processing tank 1. The overflow tank 3 is connected in communication with a pair of ejection pipes 7 of the treatment tank 1 and a circulation pipe 9. The circulation pipe 9 is provided with a pump 11, an inline heater 13, and a filter 15 from the overflow tank 3 side toward the treatment tank 1 side. The pump 11 sucks up the processing liquid stored in the overflow tank 3 through the circulation pipe 9 and pressurizes the processing liquid to the pair of jet pipes 7. The inline heater 13 temperature-controls the processing liquid flowing through the circulation pipe 9 to a processing temperature. For example, when the processing liquid contains phosphoric acid for etching the nitride film (SiN) deposited on the substrate W, the processing temperature is, for example, 160°C. The filter 15 filters and removes particles contained in the treatment liquid flowing through the circulation pipe 9.

공급관 (17) 은, 처리조 (1) 의 내벽을 따라 연장되어, 처리조 (1) 의 바닥면을 향하여 일단측의 개구부가 향해져 배치되어 있다. 공급관 (17) 은, 그 타탄측이 처리액 공급원 (19) 에 연통 접속되어 있다. 공급관 (17) 에는, 개폐 밸브 (21) 가 형성되어 있다. 개폐 밸브 (21) 는, 처리액 공급원 (19) 으로부터 공급관 (17) 에 대한 처리액의 유통을 제어한다. 처리액 공급원 (19) 은, 처리액을 저류하고 있고, 개폐 밸브 (21) 가 개방됨으로써, 상온의 처리액을 공급관 (17) 에 공급한다.The supply pipe 17 extends along the inner wall of the treatment tank 1 and is arranged with an opening at one end facing toward the bottom surface of the treatment tank 1. The supply pipe 17 is connected in communication with the processing liquid supply source 19 on the tartan side. The supply pipe 17 is provided with an on-off valve 21. The on-off valve 21 controls the circulation of the processing liquid from the processing liquid supply source 19 to the supply pipe 17. The processing liquid supply source 19 stores the processing liquid and supplies the processing liquid at room temperature to the supply pipe 17 by opening the on-off valve 21.

리프터 (5) 는, 처리조 (1) 의 내부에 상당하고, 도 1 에 나타내는 「처리 위치」와, 처리조 (1) 의 상방에 상당하고, 도 1 에서는 도시 생략한 「대기 위치」에 걸쳐서 승강 이동한다. 리프터 (5) 는, 배판 (背板) (23) 과, 중앙부 유지부 (25) 와, 1 쌍의 측부 유지부 (27) 를 갖는다. 배판 (23) 은, 처리조 (1) 의 내벽을 따른 판상의 부재이다. 중앙부 유지부 (25) 와 1 쌍의 측부 유지부 (27) 는, 도 1 의 지면 안쪽 전측 방향에 배판 (23) 의 하부로부터 연장되어 형성되어 있다. 이들은 복수 장의 기판 (W) 을 평행하게 배열한 상태로, 도 1 의 지면 안쪽 전측 방향이 되는 소정의 배열 방향에서 유지한다. 1 쌍의 측부 유지부 (27) 는, 중앙부 유지부 (25) 를 사이에 두고 배치되고, 기립 자세의 기판 (W) 의 좌우측의 하측 가장자리에 맞닿아 지지한다.The lifter 5 corresponds to the inside of the treatment tank 1, corresponds to the "treatment position" shown in FIG. 1 and the upper part of the treatment tank 1, and spans the "standby position" not shown in FIG. Go up and down. The lifter 5 has a back plate 23, a central portion holding portion 25, and a pair of side holding portions 27. The back plate 23 is a plate-shaped member along the inner wall of the processing tank 1. The central part holding part 25 and the pair of side part holding parts 27 are formed extending from the lower part of the back plate 23 in the direction in front of the paper in FIG. 1. These are held in a state in which a plurality of substrates W are arranged in parallel, in a predetermined arrangement direction that becomes the front-side direction in the paper in FIG. 1. The pair of side holding portions 27 is disposed with the central portion holding portion 25 interposed therebetween, and abuts against the lower edges of the left and right sides of the substrate W in a standing posture to support it.

도 3 에 나타내는 바와 같이, 리프터 (5) 에 지지된 기판 (W) 의 하방과 처리조 (1) 의 바닥면 사이에는, 슬릿판 (31) 이 배치되어 있다. 슬릿판 (31) 은, 박판상의 외관을 나타내고, 상하로 관통한 가늘고 긴 형상의 개구, 요컨대, 복수 개의 슬릿 (33) 이 형성되어 있다. 슬릿판 (31) 은, 처리조 (1) 의 전후의 내벽에 장착되어 있다. 또, 높이 위치로는, 슬릿판 (31) 은, 처리 위치에 있는 리프터 (5) 의 중앙부 유지부 (25) 의 하단면보다 하방에, 그 상면이 위치하도록 배치되어 있다. 이로써, 슬릿판 (31) 을 통과한 처리액이 중앙부 유지부 (25) 에 의해 방해받지 않도록 되어 있다. 본 실시예에서는, 일례로서, 슬릿판 (31) 에 21 개의 슬릿 (33) 을 형성하고 있다. 각 슬릿 (33) 은, 장축이 기판 (W) 의 배열 방향으로 향하여져 복수 개 형성되고, 서로 평행한 위치 관계로 형성되어 있다.As shown in FIG. 3, a slit plate 31 is disposed between the lower side of the substrate W supported by the lifter 5 and the bottom surface of the processing tank 1. The slit plate 31 exhibits a thin plate-like appearance, and has an elongated opening penetrating vertically, that is, a plurality of slits 33. The slit plate 31 is attached to the inner wall before and after the treatment tank 1. Moreover, in the height position, the slit plate 31 is arrange|positioned so that the upper surface may be located below the lower end surface of the central part holding part 25 of the lifter 5 in a processing position. Thereby, the processing liquid which has passed through the slit plate 31 is not disturbed by the central part holding part 25. In this embodiment, as an example, 21 slits 33 are formed in the slit plate 31. Each slit 33 is formed in plural with its long axis facing in the arrangement direction of the substrate W, and is formed in a positional relationship parallel to each other.

여기서, 기판 (W) 의 배열 방향 (도 1 및 도 3 의 지면 안쪽 전측 방향) 에서 본 경우에 슬릿판 (31) 을 3 개의 영역으로 구분한다. 예를 들어, 중앙 영역 (ARC) 과, 제 1 외측 영역 (AR1) 과, 제 2 외측 영역 (AR2) 으로 구분한다. 중앙 영역 (ARC) 은, 중심을 포함하는 밖으로의 확대를 가지는 영역이다. 제 1 외측 영역 (AR1) 은, 1 쌍의 분출관 (78) 측에 해당하는 외측의 영역이다. 제 2 외측 영역 (AR2) 은, 중앙 영역 (ARC) 과 제 1 외측 영역 (AR1) 사이의 영역이다.Here, the slit plate 31 is divided into three regions when viewed from the arrangement direction of the substrate W (inner front direction of the paper in FIGS. 1 and 3 ). For example, it is divided into a central area ARC, a first outer area AR1, and a second outer area AR2. The central area ARC is an area having an outward expansion including the center. The first outer region AR1 is an outer region corresponding to the pair of ejection pipes 78 side. The second outer area AR2 is an area between the center area ARC and the first outer area AR1.

각 슬릿 (33) 중, 중앙 영역 (ARC) 에 위치하는 7 개의 슬릿 (33) 은, 폭 (WD1) 이 되도록 형성되어 있다. 제 1 외측 영역 (AR1) 에 위치하는 4 개의 슬릿 (33) 은, 폭 (WD2) 으로 형성되어 있다. 제 2 외측 영역 (AR2) 에 위치하는 2 개의 슬릿 (33) 은, 폭 (WD3) 으로 형성되어 있다. 이들 폭 (WD1 ∼ WD3) 의 대소 관계는, WD1 ＜ WD3 ＜ WD2 로 되어 있다. 요컨대, WD1 의 폭이 가장 좁고, WD3, WD2 의 순으로 커져가도록 각 슬릿 (33) 이 설정되어 있다.Of each of the slits 33, the seven slits 33 located in the central region ARC are formed so as to have a width WD1. Four slits 33 located in the first outer region AR1 are formed with a width WD2. The two slits 33 located in the second outer region AR2 are formed with a width WD3. The magnitude relationship between these widths (WD1 to WD3) is WD1 < WD3 < WD2. In short, each slit 33 is set so that the width of WD1 is the narrowest and increases in the order of WD3 and WD2.

또한, 상기 서술한 슬릿판 (31) 은, 판상 부재에 복수 개의 작은 구멍을 형성한 펀칭 보드와는 상이하고, 가공하는 것이 용이하다고 하는 이점이 있다.Further, the above-described slit plate 31 is different from a punching board in which a plurality of small holes are formed in a plate-like member, and has an advantage of being easy to process.

여기서 도 1 로 돌아오면, 제어부 (61) 는, 도시되지 않은 CPU 나 메모리를 내장하고 있다. 제어부 (61) 는, 리프터 (5) 의 승강 동작, 펌프 (11) 의 온오프 동작, 인라인 히터 (13) 의 온도 조절 동작, 개폐 밸브 (21) 의 개폐 동작 등을 통괄하여 제어한다.Returning to Fig. 1 here, the control unit 61 incorporates a CPU or memory, not shown. The control unit 61 collectively controls the lifting operation of the lifter 5, the on/off operation of the pump 11, the temperature adjustment operation of the inline heater 13, the opening/closing operation of the on-off valve 21, and the like.

이와 같이 구성된 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 리프터 (5) 에 지지된 기판 (W) 의 하방과, 처리조 (1) 의 바닥면 사이에 슬릿판 (31) 을 구비하고 있다. 이 슬릿판 (31) 에 형성된 21 개의 슬릿 (33) 은, 기판 (W) 의 배열 방향에서 본 중앙 영역 (ARC) 의 폭 (WD1) 보다 제 1 외측 영역 (AR1) 및 제 2 외측 영역 (AR2) 에 있어서의 폭 (WD2, WD3) 이 크게 되어 있다. 따라서, 1 쌍의 분출관 (7) 으로부터 공급되고, 중앙 영역 (ARC) 에서 기판 (W) 면을 따라 상승하는 처리액의 강한 액류는, 슬릿판 (31) 을 통과하여 기판 (W) 측으로 상승할 때에, 그 기세가 약해진다. 또, 강한 액류가 상승하는 중앙 영역 (ARC) 보다 처리액의 액류가 약한 제 1 외측 영역 (AR1) 및 제 2 외측 영역 (AR2) 에서는 슬릿 (33) 의 폭 (WD2, WD3) 이 폭 (WD1) 보다 크게 되어 있으므로, 처리액의 액류의 기세가 그다지 약해지지 않는다. 따라서, 기판 (W) 면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 완화할 수 있어, 기판 (W) 면 내에 있어서 속도차가 적은 정류를 형성할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to Example 1 configured as described above, the slit plate 31 is provided between the lower side of the substrate W supported by the lifter 5 and the bottom surface of the processing tank 1. The 21 slits 33 formed in the slit plate 31 are the first outer region AR1 and the second outer region AR2 than the width WD1 of the central region ARC viewed from the array direction of the substrate W. ) In the width (WD2, WD3) is increased. Accordingly, the strong liquid flow of the treatment liquid supplied from the pair of ejection pipes 7 and rising along the substrate W surface in the central region ARC passes through the slit plate 31 and rises toward the substrate W side. When you do, the momentum weakens. Further, in the first outer region AR1 and the second outer region AR2 in which the liquid flow of the treatment liquid is weaker than the central region ARC in which the strong liquid flow rises, the widths WD2 and WD3 of the slit 33 are the width WD1 ), the momentum of the liquid flow of the treatment liquid is not weakened. Therefore, the difference in the flow of the processing liquid in the vicinity of the substrate W surface can be alleviated, and a rectification with a small difference in speed can be formed in the substrate W surface.

또, 중앙 영역 (ARC) 으로부터 제 2 외측 영역 (AR2), 제 1 외측 영역 (AR1) 의 순으로 슬릿의 폭을 크게 하고 있으므로, 처리액의 액류의 기세에 따라 세세하게 차이를 완화할 수 있다. 따라서, 기판 (W) 면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 더욱 완화할 수 있어, 기판 (W) 면 내에 있어서 속도차가 적은 정류를 형성할 수 있다.In addition, since the width of the slit is increased in the order of the second outer region AR2 and the first outer region AR1 from the center region ARC, the difference can be subtly reduced according to the momentum of the liquid flow of the treatment liquid. Accordingly, the difference in the flow of the processing liquid in the vicinity of the substrate (W) surface can be further reduced, and a rectification with a small difference in speed can be formed in the substrate (W) surface.

실시예 2Example 2

다음으로, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 2 에 대해 설명한다. 도 4 는, 실시예 2 에 관련된 기판 처리 장치의 슬릿판과 루버의 종단면도이다.Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 4 is a longitudinal sectional view of a slit plate and a louver of the substrate processing apparatus according to the second embodiment.

또한, 이하의 설명에 있어서는, 상기 서술한 실시예 1 과의 상이점에 대해서만 설명하고, 공통되는 구성에 대해서는 동부호를 붙임으로써 설명을 생략한다.In the following description, only differences from the above-described embodiment 1 will be described, and descriptions of common configurations will be omitted by attaching an eastern sign.

본 실시예 2 에 관련된 기판 처리 장치는, 리프터 (5) 에 지지된 기판 (W) 의 하방과 처리조 (1) 의 바닥면 사이에 슬릿판 (71) 및 루버 (73) 가 배치되어 있다. 슬릿판 (71) 은, 상기 서술한 실시예 1 과 마찬가지로, 박판상의 외관을 나타내고, 상하로 관통한 복수 개의 슬릿 (75) 을 형성하고 있다. 본 실시예에서는, 일례로서, 슬릿판 (71) 에 21 개의 슬릿 (75) 이 형성되어 있다. 단, 본 실시예에 있어서의 슬릿 (75) 은, 기판 (W) 의 배열 방향에서 보아 어느 영역에 있어서의 것도 전부 동일한 폭을 구비하고 있다.In the substrate processing apparatus according to the second embodiment, a slit plate 71 and a louver 73 are disposed below the substrate W supported by the lifter 5 and between the bottom surface of the processing tank 1. The slit plate 71 has a thin plate-like appearance and forms a plurality of slits 75 penetrating vertically, similarly to the first embodiment described above. In this embodiment, as an example, 21 slits 75 are formed in the slit plate 71. However, the slits 75 in the present embodiment all have the same width as viewed from the arrangement direction of the substrate W.

루버 (73) 는, 슬릿판 (71) 에 형성되어 있다. 구체적으로는, 루버 (73) 는, 복수 개의 판상 부재 (77) 로 구성되어 있다. 여기에서는, 일례로서 6 개의 판상 부재 (77) 로 구성되어 있다. 6 개의 판상 부재 (77) 는, 슬릿 (75) 의 장축을 따라 장변이 배치되고, 또한, 6 개의 판상 부재 (77) 가 서로 평행한 위치 관계로 처리조 (1) 의 바닥면측을 향하여 세워져 형성되어 있다. 각 판상 부재 (77) 는, 서로의 사이에 3 개의 슬릿 (75) 을 두고 형성되어 있다.The louver 73 is formed in the slit plate 71. Specifically, the louver 73 is constituted by a plurality of plate-like members 77. Here, as an example, it is comprised by six plate-shaped members 77. The six plate-like members 77 are formed with a long side disposed along the long axis of the slit 75, and the six plate-like members 77 are erected toward the bottom surface side of the treatment tank 1 in a positional relationship parallel to each other. Has been. Each plate member 77 is formed with three slits 75 between each other.

또한 6 개의 판상 부재 (77) 는, 각 하단면과 처리조 (1) 의 바닥면의 거리가, 루버 (73) 를 기판 (W) 의 배열 방향에서 본 경우에, 1 쌍의 분출관 (7) 측으로부터 처리조 (1) 의 중앙을 향하여 순서대로 짧아져 있다. 환언하면, 루버 (73) 를 구성하는 6 개의 판상 부재 (77) 는, 외측에서 중앙을 향함에 따라, 슬릿판 (71) 으로부터의 길이가 길게 되어 있다.In addition, when the distance between each lower end surface and the bottom surface of the processing tank 1 of the six plate members 77 is, when the louver 73 is viewed from the arrangement direction of the substrate W, a pair of ejection pipes 7 It is shortened in order from the) side toward the center of the treatment tank 1. In other words, the six plate-like members 77 constituting the louver 73 are elongated from the slit plate 71 from the outside toward the center.

이와 같이 구성된 실시예 2 에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 리프터 (5) 에 지지된 기판 (W) 의 하방과, 처리조 (1) 의 바닥면 사이에 슬릿판 (71) 을 구비하고 있다. 또한 슬릿판 (71) 에는, 바닥면을 향하여 세워져 형성된 루버 (73) 가 형성되어 있다. 1 쌍의 분출관 (7) 으로부터 공급된 처리액은, 루버 (73) 에 의해 그 기세가 약해지고, 중앙 영역에서 기판 (W) 면을 따라 상승하는 처리액의 강한 액류는, 슬릿판 (71) 을 통과하여 기판 (W) 측으로 상승할 때에, 더욱 그 기세가 약해진다. 따라서, 기판 (W) 면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 완화할 수 있어, 기판 (W) 면 내에 있어서 속도차가 적은 정류를 형성할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to Example 2 configured as described above, the slit plate 71 is provided between the bottom of the substrate W supported by the lifter 5 and the bottom surface of the processing tank 1. Further, the slit plate 71 is formed with a louver 73 that is erected and formed toward the bottom surface. The momentum of the processing liquid supplied from the pair of ejection pipes 7 is weakened by the louver 73, and the strong liquid flow of the processing liquid rising along the surface of the substrate W in the central region is the slit plate 71 When passing through and rising to the substrate W side, the momentum further weakens. Therefore, the difference in the flow of the processing liquid in the vicinity of the substrate W surface can be alleviated, and a rectification with a small difference in speed can be formed in the substrate W surface.

또, 6 개의 판상 부재 (77) 의 하단면과 처리조 (1) 의 바닥면의 거리는, 액류가 서로 충돌하는 중앙일수록 짧아지므로, 처리액의 액류의 기세에 따라 세세하게 차이를 완화할 수 있다. 따라서, 기판 (W) 면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 더욱 완화할 수 있어, 기판 (W) 면 내에 있어서 속도차가 적은 정류를 형성할 수 있다.Further, since the distance between the lower end surfaces of the six plate-like members 77 and the bottom surface of the treatment tank 1 becomes shorter as the center of the liquid flows collide with each other, the difference can be subtly reduced depending on the momentum of the liquid flow of the treatment liquid. Accordingly, the difference in the flow of the processing liquid in the vicinity of the substrate (W) surface can be further reduced, and a rectification with a small difference in speed can be formed in the substrate (W) surface.

실시예 3Example 3

다음으로, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 3 에 대해 설명한다. 도 5 는, 실시예 3 이 관계되는 기판 처리 장치의 루버의 종단면도이다.Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 5 is a longitudinal sectional view of a louver of the substrate processing apparatus according to the third embodiment.

또한, 이하의 설명에 있어서는, 상기 서술한 실시예 1 과의 상이점에 대해서만 설명하고, 공통되는 구성에 대해서는 동부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다.In the following description, only differences from the above-described embodiment 1 will be described, and detailed descriptions will be omitted by attaching an eastern sign for a common configuration.

본 실시예 2 에 관련된 기판 처리 장치는, 리프터 (5) 로 지지된 기판 (W) 의 하방과 처리조 (1) 의 바닥면 사이에 루버 (81) 를 구비하고 있다. 루버 (81) 는, 복수 장의 판상 부재 (83) 로 구성되어 있고, 처리조 (1) 의 전후의 내측면에 고정되어 있다. 각 루버 (81) 는, 서로 평행한 위치 관계로 처리조 (1) 의 바닥면측을 향하여 세워져 형성되어 있다. 이 본 실시예에서는, 예를 들어, 4 개의 판상 부재 (83) 로 루버 (81) 가 구성되어 있다.The substrate processing apparatus according to the second embodiment includes a louver 81 between the lower side of the substrate W supported by the lifter 5 and the bottom surface of the processing tank 1. The louver 81 is constituted by a plurality of plate-like members 83, and is fixed to the inner surface of the treatment tank 1 before and after. Each louver 81 is erected and formed toward the bottom surface side of the treatment tank 1 in a positional relationship parallel to each other. In this embodiment, for example, the louver 81 is constituted by four plate-like members 83.

또, 각 판상 부재 (83) 는, 그 하단면과 처리조 (1) 의 바닥면의 거리가, 루버 (81) 를 기판 (W) 의 배열 방향에서 본 경우에, 1 쌍의 분출관 (7) 측으로부터 처리조 (1) 의 중앙을 향하여 순서대로 짧아져 있다. 환언하면, 루버 (81) 를 구성하는 4 개의 판상 부재 (83) 는, 외측에서 중앙을 향함에 따라서, 하단면이 처리조 (1) 의 바닥면에 가까워지도록 배치되어 있다.In addition, in the case where the distance between the lower end surface of each plate member 83 and the bottom surface of the processing tank 1 is when the louver 81 is viewed from the arrangement direction of the substrate W, a pair of ejection pipes 7 It is shortened in order from the) side toward the center of the treatment tank 1. In other words, the four plate-like members 83 constituting the louver 81 are disposed so that the lower end faces close to the bottom face of the treatment tank 1 as they face the center from the outside.

또한, 각 판상 부재 (83) 는, 평면에서 봤을 때, 및 기판 (W) 의 배열 방향에서 보아, 중앙부 유지부 (25) 와, 측부 유지부 (27) 사이에 배치되어 있다. 중앙부 유지부 (25) 의 위치에 루버 (73) 의 4 개의 판상 부재 중 어느 것을 배치하면, 처리액은 어느 정도 이미 분산되어 있으므로, 처리액의 흐름의 기세를 약하게 하는 효과가 낮아진다. 한편, 측부 유지부 (27) 보다 1 쌍의 분출관 (7) 에 가까운 위치에 루버 (73) 의 4 개의 판상 부재 (77) 중 어느 것을 배치하면, 처리액이 판상 부재 (77) 와 측부 유지부 (27) 로 차단되게 되어, 처리액의 흐름이 매우 나빠진다. 따라서, 4 개의 판상 부재 (77) 를 각각 2 개씩 중앙부 유지부 (25) 와 측부 유지부 (27) 사이에 배치함으로써, 바람직하게 처리액의 액류를 약하게 할 수 있다.Moreover, each plate member 83 is arrange|positioned between the central part holding|maintenance part 25 and the side part holding|maintenance part 27 when viewed in a plan view and in the arrangement direction of the board|substrate W. If any of the four plate-like members of the louver 73 are disposed at the position of the central portion holding portion 25, the treatment liquid is already dispersed to some extent, and the effect of weakening the momentum of the flow of the treatment liquid is lowered. On the other hand, if any of the four plate-like members 77 of the louver 73 is disposed at a position closer to the pair of ejection pipes 7 than the side holding part 27, the treatment liquid is held with the plate-like member 77 It is blocked by the part 27, and the flow of the processing liquid becomes very bad. Therefore, by arranging two of the four plate-like members 77 between the central part holding part 25 and the side part holding part 27, respectively, it is possible to preferably weaken the liquid flow of the treatment liquid.

이와 같이 구성된 실시예 3 에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 리프터 (5) 에 지지된 기판 (W) 의 하방과, 처리조 (1) 의 바닥면 사이에 루버 (81) 를 구비하고 있다. 루버 (81) 가 구비하고 있는 4 개의 판상 부재 (83) 는, 그 하단면과 처리조 (1) 의 바닥면의 거리가, 기판 (W) 의 배열 방향에서 본 경우에, 1 쌍의 분출관 (7) 측으로부터 처리조 (1) 의 중앙을 향하여 순서대로 짧아져 있다. 따라서, 1 쌍의 분출관 (7) 으로부터의 처리액의 유량을 감소시키지 않고, 1 쌍의 분출관 (7) 으로부터 공급된 처리액은, 루버 (81) 에 의해 그 기세가 약해지므로, 중앙 영역에서 기판 (W) 면을 따라 상승하는 액류는 기세가 약해진다. 따라서, 기판 (W) 면 부근에 있어서의 처리액의 흐름의 차이를 완화할 수 있어, 기판 (W) 면 내에 있어서 속도차가 적은 정류를 형성할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to Example 3 configured as described above, a louver 81 is provided between the bottom surface of the processing tank 1 and under the substrate W supported by the lifter 5. When the distance between the bottom surface of the louver 81 and the bottom surface of the processing tank 1 is viewed from the direction in which the substrate W is arranged, a pair of ejection pipes It is shortened in order from the (7) side toward the center of the treatment tank 1. Therefore, without reducing the flow rate of the processing liquid from the pair of ejection pipes 7, the processing liquid supplied from the pair of ejection pipes 7 is weakened by the louver 81, so that the central region In the liquid flow rising along the surface of the substrate (W), the momentum is weakened. Therefore, the difference in the flow of the processing liquid in the vicinity of the substrate W surface can be alleviated, and a rectification with a small difference in speed can be formed in the substrate W surface.

＜처리액의 흐름의 평가＞<Evaluation of flow of treatment liquid>

여기서, 도 6 ∼ 도 9 를 참조하고, 상기 서술한 실시예 1 ∼ 3 과 종래예에 대한 처리액의 흐름을 평가한다. 또한, 도 6 은, 실시예 1 에 있어서의 처리액의 흐름을 나타낸 시뮬레이션 결과이고, 도 7 은, 실시예 2 에 있어서의 처리액의 흐름을 나타낸 시뮬레이션 결과이고, 도 8 은, 실시예 3 에 있어서의 처리액의 흐름을 나타낸 시뮬레이션 결과이다. 또, 도 9 는, 종래예에 있어서의 처리액의 흐름을 나타낸 시뮬레이션 결과이다. 단, 여기서 말하는 종래예는, 액류 분산 부재를 바닥면에 구비하고 있지 않다.Here, with reference to Figs. 6 to 9, the flows of the processing liquids for the above-described Examples 1 to 3 and the conventional examples are evaluated. 6 is a simulation result showing the flow of the processing liquid in Example 1, FIG. 7 is a simulation result showing the flow of the processing liquid in Example 2, and FIG. 8 is a It is a simulation result showing the flow of the processing liquid in the process. 9 is a simulation result showing the flow of the processing liquid in the conventional example. However, in the conventional example mentioned here, the liquid flow dispersion member is not provided on the bottom surface.

그레이 스케일의 도면에서는 알기 어렵지만, 이들 도 6 ∼ 도 9 에 있어서 기판 (W) 을 나타내는 원형상의 영역에 흰 영역이 적을수록 기판 (W) 면 내에 있어서 속도차가 적은 정류로 되어 있는 것을 나타낸다. 또, 기판 (W) 을 나타내는 원형상의 영역 내에 시선 (矢線) 에 의한 소용돌이가 적은 편이 바람직하다.Although it is difficult to understand from a gray scale drawing, in these Figs. 6 to 9, the smaller the white area in the circular area representing the substrate W, the less the difference in speed in the surface of the substrate W is rectified. Moreover, it is preferable that there are few eddies due to the line of sight in the circular region representing the substrate W.

이들 도 6 ∼ 도 9 를 비교하면, 각 실시예 1 ∼ 3 은, 종래예보다 기판 (W) 면 내에 있어서 속도차가 적은 정류가 얻어지고 있는 것을 알 수 있다. 종래예에서는, 기판 (W) 의 좌우의 하부에 있어서 큰 소용돌이가 생겨 속도차를 일으키고 있다. 실시예 2 는, 기판 (W) 의 좌우의 둘레 가장자리부에 있어서 실시예 1 과 비교하여 유속이 빨라져 있어, 실시예 1 보다 떨어져 있다. 실시예 3 은, 기판 (W) 의 중앙 하부에서 실시예 1, 2 보다 유속이 빨라져 있어, 실시예 1, 2 보다 떨어져 있다.Comparing these Figs. 6 to 9, it can be seen that, in Examples 1 to 3, rectification having a smaller speed difference in the substrate W surface than in the conventional example is obtained. In the conventional example, a large eddy is generated in the left and right lower portions of the substrate W, causing a speed difference. In Example 2, the flow velocity was faster than in Example 1 at the left and right peripheral edges of the substrate W, and thus, the flow rate was separated from Example 1. In Example 3, the flow velocity was faster than in Examples 1 and 2 in the lower center of the substrate W, and thus, the flow rate was separated from Examples 1 and 2.

본 발명은, 상기 실시형태에 한정되지 않고, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.

(1) 상기 서술한 각 실시예 1 ∼ 3 에서는, 처리액으로서 인산을 포함하는 것을 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 처리액이 인산을 포함하는 것에 한정되지 않는다.(1) In each of Examples 1 to 3 described above, an example was given that phosphoric acid was included as the treatment liquid, but the present invention is not limited to the treatment liquid containing phosphoric acid.

(2) 상기 서술한 각 실시예 1 ∼ 3 에서는, 처리조 (1) 의 주위에 오버플로조 (3) 를 구비하고 있는데 본 발명은 이와 같은 형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 처리조 (1) 를 둘러싸는 챔버를 구비하고, 처리조 (1) 로부터 흘러넘친 처리액을 챔버의 바닥부에서 회수하는 구성이어도 된다.(2) In each of Examples 1 to 3 described above, the overflow tank 3 is provided around the treatment tank 1, but the present invention is not limited to such an aspect. For example, there may be a configuration in which a chamber surrounding the treatment tank 1 is provided, and the treatment liquid overflowing from the treatment tank 1 is recovered at the bottom of the chamber.

(3) 상기 서술한 각 실시예 1 ∼ 3 에서는, 순환 배관 (9) 을 구비하고, 처리조 (1) 와 오버플로조 (3) 로 처리액을 순환시키는 구성이지만, 본 발명은 이와 같은 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 처리조 (1) 로부터 흘러넘친 처리액을 그대로 배출하는 방식이어도 된다.(3) In each of the above-described Examples 1 to 3, a circulation pipe 9 is provided, and the treatment liquid is circulated in the treatment tank 1 and the overflow tank 3, but the present invention has such a structure. Is not limited to For example, a method of discharging the treatment liquid overflowing from the treatment tank 1 as it is.

(4) 상기 서술한 각 실시예 1, 2 에서는, 슬릿 (33) 을 21 개 형성하고 있는데, 본 발명은 이 개수에 한정되지 않는다. 예를 들어, 슬릿 (33) 의 개수를 20 개 이하나 22 개 이상으로 해도 된다.(4) In each of Examples 1 and 2 described above, 21 slits 33 are formed, but the present invention is not limited to this number. For example, the number of slits 33 may be 20 or less or 22 or more.

(5) 상기 서술한 실시예 1 에서는, 슬릿 (33) 의 폭을 처리조 (1) 의 편측의 영역을 3 개로 나누어 구분하여, 각각에서 상이한 폭의 슬릿 (33) 으로 했지만, 본 발명은 이 형태에 한정되지 않는다. 요컨대, 4 이상으로 구분해도 되고, 구분한 영역마다 1 쌍의 분출관 (7) 으로부터 중앙을 향하여 폭이 작아지도록 형성하면 된다. 또, 구분하지 않고, 1 쌍의 분출관 (7) 으로부터 중앙을 향하여 형성되어 있는 슬릿 (33) 의 전부가 상이한 폭, 요컨대, 순차 슬릿 (33) 의 폭이 좁아지도록 구성해도 된다.(5) In the above-described Example 1, the width of the slit 33 was divided into three regions on one side of the treatment tank 1 and divided into three slits 33 having different widths. It is not limited to the form. In short, it may be divided into 4 or more, and may be formed so that the width decreases toward the center from the pair of ejection pipes 7 for each divided region. In addition, the width of all of the slits 33 formed from the pair of ejection pipes 7 toward the center may be different, namely, sequentially, so that the width of the slits 33 may be narrowed.

(6) 상기 서술한 실시예 2 에서는, 6 개의 판상 부재 (77) 로 루버 (73) 를 구성했지만, 2 개 이상의 판상 부재 (77) 로 루버 (73) 를 구성하도록 하여도 된다.(6) In the second embodiment described above, the louver 73 is constituted by six plate-like members 77, but the louver 73 may be constituted by two or more plate-like members 77.

(7) 상기 서술한 실시예 3 에서는, 4 개의 판상 부재 (83) 로 루버 (81) 를 구성하고 있는데, 본 발명은 6 개 이상의 판상 부재 (83) 로 루버 (81) 를 구성해도 된다.(7) In Example 3 described above, the louver 81 is constituted by four plate-like members 83, but the present invention may constitute the louver 81 by six or more plate-like members 83.

산업상 이용가능성Industrial availability

이상과 같이, 본 발명은, 각종 기판에 대하여, 처리액에 의해 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 적합하다.As described above, the present invention is suitable for a substrate processing apparatus in which various substrates are treated with a processing liquid.

W : 기판
1 : 처리조
3 : 오버플로조
5 : 리프터
7 : 분출관
SP : 공급 위치
9 : 순환 배관
25 : 중앙부 유지부
27 : 측부 유지부
31, 71 : 슬릿판
33, 75 : 슬릿
ARC : 중앙 영역
ARC1 : 제 1 외측 영역
ARC2 : 제 2 외측 영역
WD1 ∼ WD3 : 폭
61 : 제어부
73, 81 : 루버
77, 83 : 판상 부재 W: substrate
1: treatment tank
3: overflow jaw
5: lifter
7: ejection pipe
SP: supply position
9: circulation piping
25: central part holding part
27: side holding part
31, 71: slit plate
33, 75: slit
ARC: Central area
ARC1: first outer area
ARC2: 2nd outer area
WD1 ∼ WD3: Width
61: control unit
73, 81: louver
77, 83: plate-like member

Claims (7)

복수 장의 기판을 처리조에 저류된 처리액에 침지시켜 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 처리조 내에서 복수 장의 기판을 소정의 배열 방향으로 지지하는 리프터와,
상기 처리조의 하부로서, 상기 기판의 배열 방향에서 보아 양측에 각각 배치되고, 상기 처리조의 바닥면을 따른 방향, 또한, 상기 처리조의 중앙을 향하는 방향으로 처리액을 공급하는 1 쌍의 분출관과,
상기 리프터에 지지된 기판의 하방과, 상기 처리조의 바닥면 사이에 배치되고, 상기 복수 장의 기판의 배열 방향으로 장축이 향해진 슬릿이 복수 개 형성되고, 상기 복수 개의 슬릿이 서로 평행한 위치 관계로 형성된 슬릿판을 구비하고,
상기 슬릿판을 상기 기판의 배열 방향에서 본 경우에, 상기 처리조의 중앙 영역과, 상기 중앙 영역보다 상기 1 쌍의 분출관측에 해당하는 외측 영역의 2 개의 영역에 있어서의 상기 복수 개의 슬릿은, 상기 중앙 영역에 있어서의 슬릿의 폭보다 상기 외측 영역에 있어서의 슬릿의 폭 쪽이 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for processing by immersing a plurality of substrates in a processing liquid stored in a processing tank,
A lifter for supporting a plurality of substrates in a predetermined arrangement direction in the processing tank,
A pair of ejection pipes disposed at both sides of the treatment tank as viewed from the arrangement direction of the substrate, and supplying the treatment liquid in a direction along the bottom surface of the treatment tank and toward the center of the treatment tank;
A plurality of slits are formed below the substrate supported by the lifter and between the bottom surface of the processing tank and directed to the long axis in the arrangement direction of the plurality of substrates, and the plurality of slits are positioned in parallel with each other. It has a formed slit plate,
When the slit plate is viewed from the arrangement direction of the substrate, the plurality of slits in two regions of a central region of the treatment tank and an outer region corresponding to the one pair of ejection observation sides than the central region, the A substrate processing apparatus, wherein the width of the slit in the outer region is larger than the width of the slit in the central region. 제 1 항에 있어서,
상기 슬릿판을 상기 기판의 배열 방향에서 본 경우에, 상기 외측 영역은, 상기 중앙 영역보다 상기 1 쌍의 분출관측에 해당하는 제 1 외측 영역과, 상기 중앙 영역과 상기 제 1 외측 영역 사이에 해당하는 제 2 외측 영역으로 구분되고,
상기 복수 개의 슬릿은, 상기 중앙 영역, 상기 제 2 외측 영역, 상기 제 1 외측 영역의 순으로 폭이 커져 가는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
When the slit plate is viewed from the arrangement direction of the substrate, the outer region corresponds to a first outer region corresponding to the pair of ejection observations than the central region, and between the central region and the first outer region. Is divided into a second outer region,
The plurality of slits increase in width in the order of the central region, the second outer region, and the first outer region. 복수 장의 기판을 처리조에 저류된 처리액에 침지시켜 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 처리조 내에서 복수 장의 기판을 소정의 배열 방향으로 지지하는 리프터와,
상기 처리조의 하부로서, 상기 기판의 배열 방향에서 보아 양측에 각각 배치되고, 상기 처리조의 바닥면을 따른 방향, 또한, 상기 처리조의 중앙을 향하는 방향으로 처리액을 공급하는 1 쌍의 분출관과,
상기 리프터에 지지된 기판의 하방과, 상기 처리조의 바닥면 사이에 배치되고, 상기 복수 장의 기판의 배열 방향으로 장축이 향해진 슬릿이 복수 개 형성되고, 상기 복수 개의 슬릿이 서로 평행한 위치 관계로 형성된 슬릿판과,
상기 슬릿판에 형성되고, 상기 슬릿의 장축을 따라 장변이 배치된 판상 부재를 복수 개 구비하고, 상기 복수 개의 판상 부재가 서로 평행한 위치 관계로 상기 처리조의 바닥면측을 향하여 세워져 형성된 루버를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for processing by immersing a plurality of substrates in a processing liquid stored in a processing tank,
A lifter for supporting a plurality of substrates in a predetermined arrangement direction in the processing tank,
A pair of ejection pipes disposed at both sides of the treatment tank as viewed from the arrangement direction of the substrate, and supplying the treatment liquid in a direction along the bottom surface of the treatment tank and toward the center of the treatment tank;
A plurality of slits are formed below the substrate supported by the lifter and between the bottom surface of the processing tank and directed to the long axis in the arrangement direction of the plurality of substrates, and the plurality of slits are positioned in parallel with each other. The formed slit plate,
A plurality of plate-like members formed on the slit plate and having a long side disposed along a long axis of the slit are provided, and a louver is formed in which the plurality of plate-like members are erected toward the bottom side of the treatment tank in a positional relationship parallel to each other, A substrate processing apparatus, characterized in that there is. 제 3 항에 있어서,
상기 복수 개의 판상 부재는, 그 하단면과 상기 처리조의 바닥면의 거리가, 상기 루버를 상기 기판의 배열 방향에서 본 경우에, 상기 1 쌍의 분출관측으로부터 상기 처리조의 중앙을 향하여 순서대로 짧아져 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
In the plurality of plate-like members, the distance between the lower end surface and the bottom surface of the treatment tank is sequentially shortened from the side of the pair of ejection observations toward the center of the treatment tank when the louver is viewed from the arrangement direction of the substrate. A substrate processing apparatus, characterized in that there is. 복수 장의 기판을 처리조에 저류된 처리액에 침지시켜 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 처리조 내에서 복수 장의 기판을 소정의 배열 방향으로 지지하는 리프터와,
상기 처리조의 하부로서, 상기 기판의 배열 방향에서 보아 양측에 각각 배치되고, 상기 처리조의 바닥면을 따른 방향, 또한, 상기 처리조의 중앙을 향하는 방향으로 처리액을 공급하는 1 쌍의 분출관과,
상기 리프터에 지지된 기판의 하방과, 상기 처리조의 바닥면 사이에 배치되고, 상기 복수 장의 기판의 배열 방향으로 장변이 배치된 판상 부재를 복수 개 구비하고, 상기 복수 개의 판상 부재가 서로 평행한 위치 관계로 상기 처리조의 바닥면측을 향하여 세워져 형성된 루버를 구비하고,
상기 복수 개의 판상 부재는, 그 하단면과 상기 처리조의 바닥면의 거리가, 상기 루버를 상기 기판의 배열 방향에서 본 경우에, 상기 1 쌍의 분출관측으로부터 상기 처리조의 중앙을 향하여 순서대로 짧아져 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for processing by immersing a plurality of substrates in a processing liquid stored in a processing tank,
A lifter for supporting a plurality of substrates in a predetermined arrangement direction in the processing tank,
A pair of ejection pipes disposed at both sides of the treatment tank as viewed from the arrangement direction of the substrate, and supplying the treatment liquid in a direction along the bottom surface of the treatment tank and toward the center of the treatment tank;
A plurality of plate-like members disposed below the substrate supported by the lifter and between the bottom surface of the processing tank and having long sides disposed in the arrangement direction of the plurality of substrates, wherein the plurality of plate-like members are parallel to each other It has a louver erected and formed toward the bottom surface side of the treatment tank in relation,
In the plurality of plate-like members, the distance between the lower end surface and the bottom surface of the treatment tank is sequentially shortened from the side of the pair of ejection observations toward the center of the treatment tank when the louver is viewed from the arrangement direction of the substrate. A substrate processing apparatus, characterized in that there is. 제 5 항에 있어서,
상기 리프터는, 기판의 하측 가장자리 중앙부를 유지하는 중앙부 유지부와, 상기 기판의 배열 방향에서 보아 양측의 하측 가장자리를 유지하는 1 쌍의 측부 유지부를 구비하고,
상기 복수 개의 판상 부재는, 상기 기판의 배열 방향에서 보아 상기 중앙부 유지부와, 상기 측부 유지부 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The lifter includes a central portion holding portion for holding a central portion of the lower edge of the substrate, and a pair of side holding portions for holding the lower edge of both sides as viewed from the arrangement direction of the substrate,
The plurality of plate-like members are disposed between the central portion holding portion and the side portion holding portion as viewed from the arrangement direction of the substrate. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1 쌍의 분출관은, 상기 처리조의 바닥면 중앙보다 앞의 공급 위치에 처리액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 6,
The said one pair of ejection pipes supplies a processing liquid to a supply position in front of the center of the bottom surface of the said processing tank.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0480040U (en) * 1990-11-26 1992-07-13
KR0143751B1 (en) * 1993-12-08 1998-08-17 이시다 아키라 Immersion type apparatus for processing substrates
JP3343033B2 (en) * 1996-06-28 2002-11-11 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP2017130483A (en) 2016-01-18 2017-07-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61125136A (en) * 1984-11-22 1986-06-12 Hitachi Ltd Treatment tank
JPH0310253A (en) * 1989-06-07 1991-01-17 Fujitsu Ltd Method for processing photomask
JP2970894B2 (en) * 1993-04-07 1999-11-02 東京エレクトロン株式会社 Cleaning equipment
JPH0817782A (en) * 1994-06-28 1996-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment device
JPH08195431A (en) * 1995-01-12 1996-07-30 Tokyo Electron Ltd Substrate holding implement and cleaning apparatus
JPH10303167A (en) * 1997-04-28 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating device
JP2000012497A (en) * 1998-06-22 2000-01-14 Toho Kasei Kk Processed object processor
JP2000070886A (en) * 1998-09-03 2000-03-07 Toho Kasei Kk Substrate processing device
JP2002134467A (en) 2000-10-26 2002-05-10 Daikin Ind Ltd Substrate processing apparatus
JP2007019238A (en) * 2005-07-07 2007-01-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
JP4781253B2 (en) * 2006-12-22 2011-09-28 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4767204B2 (en) * 2007-03-26 2011-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2009231579A (en) * 2008-03-24 2009-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Board treatment device and board treatment method
JP5394784B2 (en) * 2009-03-24 2014-01-22 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate cleaning device
JP6287750B2 (en) * 2013-12-27 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing equipment
JP2017117926A (en) * 2015-12-24 2017-06-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0480040U (en) * 1990-11-26 1992-07-13
KR0143751B1 (en) * 1993-12-08 1998-08-17 이시다 아키라 Immersion type apparatus for processing substrates
JP3343033B2 (en) * 1996-06-28 2002-11-11 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP2017130483A (en) 2016-01-18 2017-07-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus

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