JP2007019238A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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英明 松原
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve in-plane uniformity of processing and to process with high cleanliness by making a fluid smoothly flow in a substrate holding guide. <P>SOLUTION: A processing liquid LQ passes through slit-like apertures 56, 57 and 61 of a second lateral guide 45, passes a periphery of a substrate W located on the left of the guide 45, and also passes the entire periphery of the substrate W. Therefore, the processing liquid LQ spreads entirely over a surface of the substrate W, thereby improving in-plane uniformity of the processing. Since, as a result, the processing liquid spreads entirely over the surface of the substrate W during the processing by the processing liquid, in-plane uniformity of the processing can be improved. Particles and unnecessary substances releasing from the substrate W flow down from the substrate holding guide 31 into a processing reservoir, thereby smoothly discharging them out of the processing reservoir for processing the substrate W with high cleanliness. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称する)等に対して、所定の処理を行うための基板処理装置に係り、特に、基板を起立姿勢で保持した状態で処理する技術に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device (hereinafter simply referred to as a substrate), and the like, and in particular, a state in which the substrate is held in an upright position. It is related with the technology processed.

従来、この種の装置として、処理液を貯留する処理槽と、処理槽の内部とその上方とにわたって昇降自在の保持部材を有する基板保持ユニットとを備えた基板処理装置がある(例えば、特許文献1参照)。無垢の保持部材は、基板を当接支持する溝を備えており、基板の下部を当接して起立姿勢で支持する。   Conventionally, as this type of apparatus, there is a substrate processing apparatus provided with a processing tank for storing a processing liquid, and a substrate holding unit having a holding member that can be raised and lowered over and inside the processing tank (for example, Patent Documents). 1). The solid holding member has a groove for abutting and supporting the substrate, and abuts the lower portion of the substrate and supports it in an upright position.

この装置では、基板を処理する際には、保持部材に基板を支持させ、基板保持ユニットが保持部材を処理槽内に下降させ、所定時間だけ処理液中に基板を浸漬させることにより基板に対して処理液による処理を行う。所定時間が経過すると、基板保持ユニットは、保持部材を処理槽の上方へ上昇させて基板に対する処理を終える。
特開平10−294353号公報(図4)
In this apparatus, when a substrate is processed, the substrate is supported by the holding member, and the substrate holding unit lowers the holding member into the processing tank and immerses the substrate in the processing liquid for a predetermined time. Treatment with the treatment solution. When the predetermined time elapses, the substrate holding unit raises the holding member above the processing tank and finishes the processing on the substrate.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-294353 (FIG. 4)

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、無垢の保持部材が、これに保持されている基板の下部への液流を妨げる原因となっており、保持部材の内側、特に基板の下部における周縁部においては液流が遮断され、淀みが生じることになる。したがって、処理液の置換効率が悪くなり、基板面内における処理の均一性が悪化する。また、基板から離脱したパーティクルや不要物は、処理液の淀み部分において滞留することになり、槽外への排出効率が悪化する。したがって、基板の清浄度が低下することがある。
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
That is, in the conventional apparatus, the solid holding member causes the liquid flow to the lower part of the substrate held by the solid holding member, and the liquid flow is generated inside the holding member, particularly at the peripheral portion of the lower part of the substrate. Will be cut off and itching will occur. Therefore, the replacement efficiency of the processing liquid is deteriorated, and the uniformity of processing within the substrate surface is deteriorated. In addition, particles and unnecessary substances that have detached from the substrate stay in the stagnation portion of the processing liquid, and the discharge efficiency to the outside of the tank deteriorates. Therefore, the cleanliness of the substrate may decrease.

また、基板を処理槽内から引き上げつつ、処理液から露出した基板に向けて側方から乾燥気体を供給する、いわゆる引き上げ乾燥を行う場合にも、上記同様に無垢の保持部材が、供給される気体の一部の流れを妨げる原因となっている。したがって、特に、基板の下部にあたる周縁部では乾燥不良が生じ、上記同様に基板面内における処理の均一性が悪化するという問題がある。   Also, in the case of performing so-called pulling drying, in which a dry gas is supplied from the side toward the substrate exposed from the processing liquid while pulling up the substrate from the processing tank, a solid holding member is supplied in the same manner as described above. This is the cause of hindering the partial flow of gas. Therefore, in particular, there is a problem in that drying failure occurs in the peripheral portion corresponding to the lower portion of the substrate, and the uniformity of processing in the substrate surface is deteriorated as described above.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板保持機構のガイドにおける流体の流れを円滑にすることにより、基板の処理の面内均一性を向上させることができるとともに、清浄度高く処理することができる基板処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and by smoothing the flow of fluid in the guide of the substrate holding mechanism, it is possible to improve the in-plane uniformity of processing of the substrate, An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of processing with high cleanliness.

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、複数枚の基板を処理する基板処理装置において、複数枚の基板を起立姿勢で保持する一対のガイドを有する基板保持機構を備え、前記ガイドは、基板端部と当接する当接溝と、前記当接溝の下側に形成され、かつ前記ガイドの内側と外側との間に連通したスリット状の開口を備えることを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention according to claim 1 is a substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates, and includes a substrate holding mechanism having a pair of guides for holding the plurality of substrates in an upright posture, And a slit formed in a lower side of the contact groove and communicated between the inner side and the outer side of the guide.

[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、スリット状の開口が基板保持機構のガイドに形成されているので、流体が基板保持機構のガイドを通って基板の下部周縁側に円滑に到達する。したがって、流体が基板の面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができる。その結果、処理液による処理時には、処理液が基板の面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができ、基板から離脱したパーティクルや不要物が基板保持機構のガイドから処理槽内へ流下するので、処理槽外への排出が円滑に行われ、基板を清浄度高く処理することができる。また、引き上げ乾燥時には、供給された乾燥気体が基板保持機構のガイドで妨げられることなく、スリット状の開口を通過して基板の下部周縁部にも到達する。したがって、乾燥気体が基板の全面に行き渡るので、引き上げ乾燥時における処理の面内均一性をも向上させることができ、さらに基板保持機構のガイドも十分に乾燥させることができる。   [Operation / Effect] According to the invention described in claim 1, since the slit-like opening is formed in the guide of the substrate holding mechanism, the fluid passes smoothly through the guide of the substrate holding mechanism toward the lower peripheral side of the substrate. To reach. Therefore, since the fluid spreads over the entire surface of the substrate, the in-plane uniformity of processing can be improved. As a result, during processing with the processing liquid, since the processing liquid spreads over the entire surface of the substrate, it is possible to improve the in-plane uniformity of the processing, and particles and unnecessary substances that have detached from the substrate are removed from the guide of the substrate holding mechanism to the processing tank. Since it flows down inward, discharge | emission out of a processing tank is performed smoothly and it can process a board | substrate with high cleanliness. Further, at the time of pulling and drying, the supplied dry gas passes through the slit-shaped opening and reaches the lower peripheral edge of the substrate without being hindered by the guide of the substrate holding mechanism. Accordingly, since the dry gas is distributed over the entire surface of the substrate, the in-plane uniformity of the processing during the pulling drying can be improved, and the guide of the substrate holding mechanism can be sufficiently dried.

また、請求項2に記載の発明は、複数枚の基板を処理する基板処理装置において、処理液を貯留し、基板を収容する処理槽と、前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方である待機位置との間で昇降自在であり、複数枚の基板を起立姿勢で保持する一対のガイドを有する基板保持機構とを備え、前記ガイドは、基板端部と当接する当接溝と、前記当接溝の下側に形成され、かつ前記ガイドの内側と外側との間に連通したスリット状の開口を備えることを特徴とするものである。   In the substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates, the invention described in claim 2 stores a processing liquid and stores a substrate, a processing position in the processing tank, and an upper side of the processing tank. And a substrate holding mechanism having a pair of guides that hold a plurality of substrates in a standing posture, and the guides have contact grooves that contact the end portions of the substrates, A slit-like opening formed below the contact groove and communicated between the inner side and the outer side of the guide is provided.

[作用・効果]請求項2に記載の発明によれば、基板保持機構を処理位置に移動させ、一対のガイドに支持された基板を処理槽内の処理液に浸漬させる。スリット状の開口が基板保持機構のガイドに形成されているので、処理液が基板保持機構のガイドを通って基板の周縁側に円滑に到達する。したがって、処理液が基板の面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができる。また、基板から離脱したパーティクルや不要物は、開口を通して基板保持機構のガイドから処理槽内へ流下するので、処理槽外への排出が円滑に行われる。したがって、基板を清浄度高く処理することができる。   [Operation and Effect] According to the invention described in claim 2, the substrate holding mechanism is moved to the processing position, and the substrate supported by the pair of guides is immersed in the processing liquid in the processing tank. Since the slit-shaped opening is formed in the guide of the substrate holding mechanism, the processing liquid smoothly reaches the peripheral side of the substrate through the guide of the substrate holding mechanism. Accordingly, since the processing liquid spreads over the entire surface of the substrate, the in-plane uniformity of processing can be improved. In addition, particles and unnecessary substances that have detached from the substrate flow down from the guide of the substrate holding mechanism into the processing tank through the opening, so that they are smoothly discharged out of the processing tank. Therefore, the substrate can be processed with high cleanliness.

また、本発明において、複数枚の基板を起立姿勢で保持する前記基板保持機構と前記処理槽に貯留された処理液に浸漬させた状態で、前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給部をさらに備えることが好ましい(請求項3)。処理槽に処理液供給部から処理液を供給することで、処理槽内の基板を処理することができる。   Further, in the present invention, the processing liquid supply for supplying the processing liquid into the processing tank in a state of being immersed in the processing liquid stored in the processing tank and the substrate holding mechanism that holds a plurality of substrates in a standing posture. It is preferable to further include a section (claim 3). By supplying the treatment liquid from the treatment liquid supply unit to the treatment tank, the substrate in the treatment tank can be processed.

また、本発明において、複数枚の基板を起立姿勢で保持する前記基板保持機構を前記処理位置から前記待機位置へ移動させている際に、前記処理槽内の処理液から露出した複数枚の基板に乾燥気体を供給する気体供給部と、前記気体供給部から供給された気体を排出する気体排出部とをさらに備えることが好ましい(請求項4)。気体供給部から乾燥気体を供給して気体排出部から気体を排出することにより、基板を引き上げつつ乾燥させることができる。   Further, in the present invention, the plurality of substrates exposed from the processing liquid in the processing tank when the substrate holding mechanism that holds the plurality of substrates in a standing posture is moved from the processing position to the standby position. It is preferable to further comprise a gas supply unit that supplies dry gas to the gas and a gas discharge unit that discharges the gas supplied from the gas supply unit. By supplying a dry gas from the gas supply unit and discharging the gas from the gas discharge unit, the substrate can be dried while being pulled up.

また、本発明において、前記ガイドは、複数枚の基板が整列される方向に配置されるベース部材と、前記ベース部材の内側に設けられ、前記ベース部材よりも上端が高く、かつV字状の前記当接溝が形成された当接板とを備え、前記ベース部材は、前記当接溝の下側に前記スリット状の開口となる貫通孔が形成されていることが好ましい(請求項5)。基板は、ベース部材の内側に配設された当接板の当接溝で当接支持されているが、ベース部材には貫通孔が形成されているので、流体がベース部材及び当接部材で妨げられることがない。   In the present invention, the guide is provided in a direction in which a plurality of substrates are aligned, and is provided inside the base member, and has an upper end higher than the base member and is V-shaped. Preferably, the base member is provided with a through-hole serving as the slit-like opening on the lower side of the contact groove. . The substrate is abutted and supported by the abutting groove of the abutting plate disposed on the inner side of the base member. Since the base member has a through-hole, fluid flows between the base member and the abutting member. There is no hindrance.

本発明に係る基板処理装置によれば、スリット状の開口が基板保持機構のガイドに形成されているので、流体が基板の面全体に行き渡り、処理の面内均一性を向上させることができる。したがって、処理液による処理時には、処理液が基板の面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができ、基板から離脱したパーティクルや不要物が基板保持機構のガイドから処理槽内へ流下するので、基板を清浄度高く処理することができる。また、引き上げ乾燥時には、供給された乾燥気体がスリット状の開口を通過して基板の下部周縁部にも到達し、乾燥気体が基板の全面に行き渡るので、引き上げ乾燥時における処理の面内均一性をも向上させることができ、さらに基板保持機構のガイドも十分に乾燥させることができる。   According to the substrate processing apparatus of the present invention, since the slit-shaped opening is formed in the guide of the substrate holding mechanism, the fluid spreads over the entire surface of the substrate, and the in-plane uniformity of processing can be improved. Therefore, when processing with the processing liquid, the processing liquid spreads over the entire surface of the substrate, so that in-plane uniformity of the processing can be improved, and particles or unnecessary substances detached from the substrate are transferred from the guide of the substrate holding mechanism into the processing tank. Therefore, the substrate can be processed with high cleanliness. In addition, during drying, the supplied dry gas passes through the slit-shaped opening and reaches the lower peripheral edge of the substrate, and the dry gas reaches the entire surface of the substrate. In addition, the guide of the substrate holding mechanism can be sufficiently dried.

以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す全体図であり、図2は、基板保持ガイドの縦断面図であり、図3は、基板保持ガイドを拡大した縦断面図であり、図4は、第1当接板の側面図であり、図5は、第2当接板の側面図である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 is an overall view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a substrate holding guide, and FIG. 3 is an enlarged longitudinal sectional view of the substrate holding guide. 4 is a side view of the first contact plate, and FIG. 5 is a side view of the second contact plate.

本実施例における基板処理装置は、例えば、基板Wに対して薬液処理及び洗浄処理並びに乾燥処理を施すための装置であり、処理槽1と、この処理槽1の周囲を覆うチャンバー3とを備えている。チャンバー3は、処理槽1の上方と周囲とに空間を有して覆うものであり、その上部に基板Wを搬入出するための開口5を備えている。処理槽1は、処理液を貯留し、基板Wを浸漬して洗浄処理やエッチング処理などを施すための槽である。   The substrate processing apparatus in the present embodiment is an apparatus for performing, for example, chemical processing, cleaning processing, and drying processing on the substrate W, and includes a processing tank 1 and a chamber 3 that covers the periphery of the processing tank 1. ing. The chamber 3 covers and covers the space above and around the processing tank 1, and has an opening 5 for loading and unloading the substrate W thereon. The processing tank 1 is a tank for storing a processing liquid and immersing the substrate W to perform a cleaning process or an etching process.

処理槽1は、処理液を貯留するとともに基板Wを収容する内槽7と、外槽9とを備えている。内槽7は、その底面両側に、処理液を供給する注入管11が一対設けられている。外槽9は、内槽7の上部開口の側方を囲うように設けられ、内槽7から溢れた処理液を回収して排出する。内槽7の底部中央には開閉自在であって、処理液を排出する排出口13が形成されている。また、チャンバー3の底部には、処理液や乾燥気体などを外部に排出する排出口15が形成されている。   The processing tank 1 includes an inner tank 7 that stores the processing liquid and accommodates the substrate W, and an outer tank 9. The inner tank 7 is provided with a pair of injection pipes 11 for supplying a processing liquid on both sides of the bottom surface. The outer tank 9 is provided so as to surround the side of the upper opening of the inner tank 7, and collects and discharges the processing liquid overflowing from the inner tank 7. At the center of the bottom of the inner tank 7, a discharge port 13 that can be opened and closed and discharges the processing liquid is formed. A discharge port 15 is formed at the bottom of the chamber 3 to discharge the processing liquid, dry gas, and the like to the outside.

処理槽1の注入管11には、処理液供給管17の一端側が連通接続されている。その他端側には、純水供給源19が連通接続されている。処理液供給管17には、下流側から順に、制御弁21とミキシングバルブ23が取り付けられている。ミキシングバルブ23は、複数種類の薬液供給源に連通した薬液配管が連通接続されており、処理に応じて適宜の薬液を処理液供給配管17に注入する。   One end of a processing liquid supply pipe 17 is connected to the injection pipe 11 of the processing tank 1 in communication. A pure water supply source 19 is connected in communication with the other end. A control valve 21 and a mixing valve 23 are attached to the processing liquid supply pipe 17 in order from the downstream side. The mixing valve 23 is connected to a chemical liquid pipe communicating with a plurality of types of chemical liquid supply sources, and injects an appropriate chemical liquid into the processing liquid supply pipe 17 according to processing.

基板保持機構25は、背板27と、基板保持ガイド31とを備えている。背板27は板状部材を備え、図示しない搬送機構に懸垂姿勢で取り付けられているとともに、処理槽1の内壁面に沿って昇降自在である。その下端部正面側には、複数枚の基板Wを起立姿勢で保持するための基板保持ガイド31が長手方向を水平に取り付けられている。基板保持機構25は、図示しない昇降機構により、図1中に実線で示す、内槽7の内部にあたる「処理位置」と、図1中に点線で示す、内槽7の上方かつチャンバー3の内部にあたる「乾燥位置」と、図1中に二点鎖線で示す、チャンバー3の上方にあたる「待機位置」とにわたって移動可能である。   The substrate holding mechanism 25 includes a back plate 27 and a substrate holding guide 31. The back plate 27 includes a plate-like member, is attached to a transfer mechanism (not shown) in a suspended posture, and can be raised and lowered along the inner wall surface of the processing tank 1. A substrate holding guide 31 for holding a plurality of substrates W in a standing posture is attached horizontally on the front side of the lower end portion in the longitudinal direction. The substrate holding mechanism 25 is moved up and down the inner tank 7 and inside the chamber 3 by a lifting mechanism (not shown), indicated by a solid line in FIG. It can be moved over a “drying position” corresponding to this position and a “standby position” corresponding to the upper side of the chamber 3 indicated by a two-dot chain line in FIG.

チャンバー3は、開口5の下方であって、基板Wの搬入出経路を挟んで対向する側面の位置に、本発明における気体供給部に相当する供給孔33と、気体排出部に相当する排気孔35とを備えている。供給孔33には、ドライエア供給源に連通された供給管37が連通接続されている。この供給管37には、開閉弁39が取り付けられている。開閉弁39が開放された際には、供給孔33から流入したエアが排気孔35を通してチャンバー3から排気される。   The chamber 3 is located below the opening 5 on the side surface facing the substrate W loading / unloading path, at a supply hole 33 corresponding to the gas supply part in the present invention, and an exhaust hole corresponding to the gas discharge part. 35. A supply pipe 37 communicated with a dry air supply source is connected to the supply hole 33. An open / close valve 39 is attached to the supply pipe 37. When the on-off valve 39 is opened, the air flowing from the supply hole 33 is exhausted from the chamber 3 through the exhaust hole 35.

基板保持ガイド31は、中央ガイド41と、第1側方ガイド43と、第2側方ガイド45とを備え、各々の先端部(図2の手前側)が連結部材47で連結されている。これらのガイドのうち、第1側方ガイド43と第2側方ガイド45は同様の構成であるので、以下においては第2側方ガイド45を例に採って説明する。   The substrate holding guide 31 includes a center guide 41, a first side guide 43, and a second side guide 45, and the distal end portions (the front side in FIG. 2) are connected by a connecting member 47. Among these guides, the first side guide 43 and the second side guide 45 have the same configuration, and therefore the second side guide 45 will be described below as an example.

第2側方ガイド45は、基板Wが整列される方向に配置されたベース部材49と、ベース部材49の右側面に配設された第1当接板51と、ベース部材49の左側面に配設された第2当接板53とを備えている。第1当接板51は、基板Wの周縁及び表裏面に当接して、基板Wの案内及び位置決めをするVの字状の当接溝55が上部に複数個形成されている。各当接溝55の下方には、ベース部材49に形成されている複数個のスリット状の開口56の各位置に応じて、貫通孔であるスリット状の開口57が矩形状に形成されている。第1当接板51は、その上端がベース部材49の上端よりも高く形成され、より外側に位置する第1当接板51の方が第2当接板53よりも上端が高く形成されている。   The second side guide 45 includes a base member 49 disposed in the direction in which the substrates W are aligned, a first contact plate 51 disposed on the right side surface of the base member 49, and a left side surface of the base member 49. And a second contact plate 53 provided. A plurality of V-shaped contact grooves 55 for guiding and positioning the substrate W are formed in the upper portion of the first contact plate 51 in contact with the periphery and front and back surfaces of the substrate W. Below each contact groove 55, a slit-like opening 57, which is a through hole, is formed in a rectangular shape according to each position of the plurality of slit-like openings 56 formed in the base member 49. . The first contact plate 51 has an upper end formed higher than the upper end of the base member 49, and the first contact plate 51 located on the outer side is formed higher than the second contact plate 53. Yes.

第2当接板53は、第1当接板51と同様に、Vの字状の当接溝59が複数個形成され、各当接溝59の下方には、ベース部材49に形成されている複数個のスリット状の開口56の各位置に応じて貫通孔であるスリット状の開口61が形成されている。これらの第1当接板51と第2当接板53は、取付ネジ63により下端部が一致する高さでベース部材49に固定されている。したがって、それぞれの当接溝55,59のうち、第1当接板51の当接溝55の下縁55aが、第2当接板53の当接溝59の下縁59aよりも高い位置になる。   Similar to the first contact plate 51, the second contact plate 53 has a plurality of V-shaped contact grooves 59, and a base member 49 is formed below each contact groove 59. A slit-shaped opening 61 that is a through hole is formed in accordance with each position of the plurality of slit-shaped openings 56. The first contact plate 51 and the second contact plate 53 are fixed to the base member 49 by a mounting screw 63 at a height at which the lower end portions coincide. Therefore, of the respective contact grooves 55 and 59, the lower edge 55 a of the contact groove 55 of the first contact plate 51 is positioned higher than the lower edge 59 a of the contact groove 59 of the second contact plate 53. Become.

なお、上述した第1当接板51及び第2当接板53に形成されている開口57,61は、例えば、基板Wが300mm径、厚さが775μmであって、基板Wの整列間隔が5mmである場合、開口幅を1〜3mmの範囲で設定すればよい。   The openings 57 and 61 formed in the first contact plate 51 and the second contact plate 53 described above are, for example, a substrate W having a diameter of 300 mm and a thickness of 775 μm. In the case of 5 mm, the opening width may be set in the range of 1 to 3 mm.

中央ガイド41は、上述した第2当接板53とほぼ同形状のものをベース部材49の両側に備えている。但し、スリット状の開口は、ベース部材49及び第2当接板53に形成されていない。   The center guide 41 is provided on both sides of the base member 49 with substantially the same shape as the second contact plate 53 described above. However, the slit-shaped opening is not formed in the base member 49 and the second contact plate 53.

上述したように構成されている基板保持ガイド31は、図2〜4中に二点鎖線で示すように、中央ガイド41と、第1側方ガイド43と、第2側方ガイド45とによって基板Wの下縁部分を当接支持し、複数枚の基板Wを起立姿勢で保持する。第1側方ガイド43と、第2側方ガイド45には、上述したようにスリット状の開口56,57,61が形成されているので、基板Wを保持した状態において、側方から基板Wの周縁側が見えるようになっている。   The substrate holding guide 31 configured as described above includes a central guide 41, a first side guide 43, and a second side guide 45, as shown by a two-dot chain line in FIGS. The lower edge portion of W is abutted and supported, and a plurality of substrates W are held in a standing posture. Since the first side guide 43 and the second side guide 45 are formed with the slit-shaped openings 56, 57, and 61 as described above, the substrate W from the side is held in a state where the substrate W is held. The peripheral side of can be seen.

次に、上述した構成の基板処理装置による動作について、図6,7を参照して説明する。なお、図6は、処理液の流れを示す模式図であり、図7は、ドライエアの流れを示す模式図である。   Next, the operation of the substrate processing apparatus having the above-described configuration will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a schematic diagram illustrating the flow of the treatment liquid, and FIG. 7 is a schematic diagram illustrating the flow of the dry air.

<純水による洗浄処理>
なお、予め制御弁21が開放されて所定の流量で純水供給源19から純水が供給され、注入管11を介して処理槽1の内槽7に処理液として供給されているものとする。この例では、処理は純水洗浄だけとするが、例えば、ミキシングバルブ23を介して薬液を純水に混合し、薬液を含む処理液による処理(例えば、フッ化水素酸を含む処理液によるエッチング処理)を純水による洗浄処理の前に行うようにしてもよい。
<Cleaning with pure water>
It is assumed that the control valve 21 is opened in advance, pure water is supplied from the pure water supply source 19 at a predetermined flow rate, and is supplied as the processing liquid to the inner tank 7 of the processing tank 1 through the injection pipe 11. . In this example, the treatment is only pure water cleaning. For example, the chemical solution is mixed with pure water via the mixing valve 23, and the treatment with the treatment solution containing the chemical solution (for example, the etching with the treatment solution containing hydrofluoric acid) is performed. The treatment) may be performed before the cleaning treatment with pure water.

基板Wを受け取っている基板保持機構25は、開口5を介して「待機位置」から処理槽1内に下降する。具体的には、基板Wを内槽1内の「処理位置」に下降させ、基板保持機構25はその高さ位置を維持する。基板Wが「処理位置」(図1中の実線で示す位置)に達すると、図示しない蓋部材を閉止してチャンバー3内を閉塞する。そして、この状態を所定時間だけ維持して、基板Wに対して所定の洗浄処理を施す。   The substrate holding mechanism 25 receiving the substrate W descends from the “standby position” into the processing tank 1 through the opening 5. Specifically, the substrate W is lowered to the “processing position” in the inner tank 1, and the substrate holding mechanism 25 maintains its height position. When the substrate W reaches the “processing position” (the position indicated by the solid line in FIG. 1), the lid member (not shown) is closed to close the chamber 3. Then, this state is maintained for a predetermined time, and a predetermined cleaning process is performed on the substrate W.

このとき、注入管11から供給され、内槽7の内部で循環している処理液LQが、第2側方ガイド45のスリット状の開口を通過して、第2側方ガイド45の左側に位置している基板Wの周縁部を通過するとともに、基板Wの周縁全体を通過する。同様に、処理液LQが第1側方ガイド43のスリット状の開口56,57,61を通過して、第1側方ガイド43の右側に位置している基板Wの周縁部を通過するとともに、基板Wの周縁全体を通過する。したがって、処理液LQが基板Wの面全体にわたって円滑に行き渡るので、基板Wの処理の面内均一性を向上させることができる。その結果、処理液による処理時には、処理液が基板Wの面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができ、基板Wから離脱したパーティクルや不要物が基板保持ガイド31から処理槽1内へ流下するので、処理槽1外への排出が円滑に行われ、基板Wを清浄度高く処理することができる。   At this time, the processing liquid LQ supplied from the injection pipe 11 and circulating inside the inner tank 7 passes through the slit-shaped opening of the second side guide 45 and is on the left side of the second side guide 45. It passes through the peripheral edge of the substrate W that is positioned and passes through the entire peripheral edge of the substrate W. Similarly, the processing liquid LQ passes through the slit-like openings 56, 57, 61 of the first side guide 43 and passes through the peripheral edge of the substrate W located on the right side of the first side guide 43. , Passing through the entire periphery of the substrate W. Accordingly, since the processing liquid LQ spreads smoothly over the entire surface of the substrate W, the in-plane uniformity of processing of the substrate W can be improved. As a result, since the processing liquid spreads over the entire surface of the substrate W during the processing with the processing liquid, the in-plane uniformity of the processing can be improved, and particles and unnecessary substances detached from the substrate W are processed from the substrate holding guide 31. Since it flows down into the tank 1, the discharge to the outside of the processing tank 1 is performed smoothly, and the substrate W can be processed with a high degree of cleanliness.

所定時間が経過すると、制御弁21を閉止して処理槽1に対する処理液の供給を停止するとともに、排出口13,15を開放する。これにより内槽7に貯留していた処理液が排出され、基板Wに対する洗浄処理が完了する。   When the predetermined time has elapsed, the control valve 21 is closed to stop the supply of the processing liquid to the processing tank 1 and the discharge ports 13 and 15 are opened. Thereby, the processing liquid stored in the inner tank 7 is discharged, and the cleaning process for the substrate W is completed.

<乾燥処理>
上記のように洗浄処理が完了すると、開閉弁39を開放し、供給孔33からドライエアが供給され、排気孔35を通して排出される。そして、基板保持機構25は、「処理位置」から上昇してチャンバー3内の「乾燥位置」(図1中の点線で示す位置)に向かって上昇する。
<Drying process>
When the cleaning process is completed as described above, the on-off valve 39 is opened, dry air is supplied from the supply hole 33, and is discharged through the exhaust hole 35. Then, the substrate holding mechanism 25 rises from the “processing position” and rises toward the “drying position” (position indicated by the dotted line in FIG. 1) in the chamber 3.

このとき、図7に示すように、側方からのドライエアDAが第2側方ガイド45のスリット状の開口56,57,61を通過して、第2側方ガイド45の左側に位置している基板Wの周縁部を通過するとともに、基板Wの周縁全体を通過する。また、基板Wの中央部を通過したドライエアDAは、第1側方ガイド43のスリット状の開口56,57,61を通過することにより、第1側方ガイド43の右側に位置している基板Wの周縁部を通過して、基板Wの周縁全体を通過する。   At this time, as shown in FIG. 7, the dry air DA from the side passes through the slit-like openings 56, 57, 61 of the second side guide 45 and is positioned on the left side of the second side guide 45. It passes through the peripheral edge of the substrate W and passes through the entire peripheral edge of the substrate W. Further, the dry air DA that has passed through the central portion of the substrate W passes through the slit-like openings 56, 57, 61 of the first side guide 43, thereby being positioned on the right side of the first side guide 43. It passes through the periphery of W and passes through the entire periphery of substrate W.

したがって、供給孔33から供給されたドライエアDAが基板保持ガイド31で妨げられることなく、スリット状の開口56,57,61を通過して基板Wの下部周縁部にも到達する。したがって、ドライエアDAが基板Wの全面に行き渡るので、引き上げ乾燥時における処理の面内均一性をも向上させることができる。さらに、基板Wの側縁を伝って下縁に向かう処理液の液滴が基板保持ガイド31も十分に乾燥させることができる。   Therefore, the dry air DA supplied from the supply hole 33 passes through the slit-like openings 56, 57, 61 and reaches the lower peripheral edge of the substrate W without being blocked by the substrate holding guide 31. Accordingly, since the dry air DA is spread over the entire surface of the substrate W, the in-plane uniformity of processing during the pulling and drying can be improved. Further, the treatment liquid droplets traveling along the side edge of the substrate W toward the lower edge can sufficiently dry the substrate holding guide 31.

乾燥処理が完了すると、開口5を開放するとともに、基板保持機構25は、「乾燥位置」から上昇して、チャンバー3の上方の「待機位置」に向かって上昇する。   When the drying process is completed, the opening 5 is opened and the substrate holding mechanism 25 rises from the “drying position” and rises toward the “standby position” above the chamber 3.

本発明は、上述した実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。   The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be modified as follows.

(1)上述した実施例では、第1当接板51等には、矩形状を呈するスリット状の開口57が形成されていたが、図8に示すように構成してもよい。なお、図8は、当接板の変形例を示す側面図である。
すなわち、楕円形状を呈するスリット状の開口61Aを採用してもよい。これにより、開口面積を広くしつつも機械的強度を維持することができる。また、一つの当接溝55あたりに複数個のスリットの状の開口を形成してもよい。
(1) In the above-described embodiment, the first contact plate 51 and the like are provided with the slit-like opening 57 having a rectangular shape, but may be configured as shown in FIG. FIG. 8 is a side view showing a modification of the contact plate.
That is, an elliptical slit-shaped opening 61A may be employed. Thereby, it is possible to maintain the mechanical strength while increasing the opening area. Further, a plurality of slit-shaped openings may be formed around one contact groove 55.

(2)上述した実施例では、基板保持ガイド31である中央ガイド41と、第1側方ガイド43と、第2側方ガイド45とを、それぞれベース部材49と、第1当接板51と、第2当接板53との複数部材で構成しているが、図9に示すように構成してもよい。なお、図9は、基板保持ガイドの変形例を示す縦断面図である。   (2) In the embodiment described above, the center guide 41, which is the substrate holding guide 31, the first side guide 43, and the second side guide 45, the base member 49, and the first contact plate 51, respectively. The second contact plate 53 and the second contact plate 53 may be configured as shown in FIG. FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing a modified example of the substrate holding guide.

すなわち、基板保持ガイド31Aの中央ガイド41Aと、第1側方ガイド43Aと、第2側方ガイド45Aとの各部材を単一の部材で構成してもよい。そして、第1側方ガイド43A及び第2側方ガイド45Aには、側方から見てVの字状を呈する当接溝65と、側方から見てスリット状を呈する開口67を複数個形成し、中央ガイド41Aには、側方から見てVの字状を呈する当接溝65を複数個形成するようにすればよい。このような構成であっても、上述した実施例と同様の作用効果を奏するとともに、部品点数を削減することができ、部品コスト低減と組み立て工数を低減することができる。   That is, each member of the center guide 41A, the first side guide 43A, and the second side guide 45A of the substrate holding guide 31A may be configured as a single member. The first side guide 43A and the second side guide 45A are formed with a plurality of contact grooves 65 having a V shape when viewed from the side and a plurality of openings 67 having a slit shape when viewed from the side. The central guide 41A may be formed with a plurality of contact grooves 65 having a V shape when viewed from the side. Even if it is such a structure, while having the same effect as the Example mentioned above, a number of parts can be reduced and a part cost reduction and assembly man-hour can be reduced.

(3)上述した実施例及び変形例では、中央ガイド41,41Aには、貫通孔を形成していないが、この部材にも貫通孔を形成して、基板Wの下縁付近における流体の流れを円滑にするようにしてもよい。   (3) In the above-described embodiments and modifications, the central guides 41 and 41A are not formed with through holes, but this member is also formed with through holes so that the fluid flows near the lower edge of the substrate W. You may make it smooth.

(4)上述した実施例では、チャンバー3を備え、処理槽1から基板Wを引き上げるとともに乾燥処理を行う構成を採用しているが、本発明はこの構成を必須とするものではない。つまり、処理槽1によって処理液による処理だけを行う構成であっても本発明を適用することができる。   (4) In the above-described embodiment, a configuration in which the chamber 3 is provided and the substrate W is pulled up from the processing tank 1 and the drying process is performed is adopted, but the present invention does not necessarily require this configuration. That is, the present invention can be applied even when the processing tank 1 is configured to perform only the processing with the processing liquid.

(5)上記の説明では、気体供給部がドライエアを供給しているが、例えば、ドライ窒素などの他の気体を供給する構成を採用してもよい。   (5) In the above description, the gas supply unit supplies dry air. However, for example, a configuration of supplying other gas such as dry nitrogen may be adopted.

実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す全体図である。1 is an overall view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment. 基板保持ガイドの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of a board | substrate holding guide. 基板保持ガイドを拡大した縦断面図である。It is the longitudinal cross-sectional view which expanded the board | substrate holding guide. 第2当接板の側面図である。It is a side view of a 2nd contact plate. 第2当接板の側面図である。It is a side view of a 2nd contact plate. 処理液の流れを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the flow of a process liquid. ドライエアの流れを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the flow of dry air. 当接板の変形例を示す側面図である。It is a side view which shows the modification of a contact plate. 基板保持ガイドの変形例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the modification of a board | substrate holding guide.

符号の説明Explanation of symbols

W … 基板
1 … 処理槽
3 … チャンバー
7 … 内槽
9 … 外槽
11 … 注入管
25 … 基板保持機構
31 … 基板保持ガイド
33 … 供給孔(気体供給部)
35 … 排気孔(気体排出部)
41 … 中央ガイド
43 … 第1側方ガイド
45 … 第2側方ガイド
49 … ベース部材
51 … 第1当接板
53 … 第2当接板
56 … スリット状の開口(貫通孔)
57 … スリット状の開口(貫通孔)
55,59 … 当接溝
61 … スリット状の開口(貫通孔)
W ... Substrate 1 ... Processing tank 3 ... Chamber 7 ... Inner tank 9 ... Outer tank 11 ... Injection pipe 25 ... Substrate holding mechanism 31 ... Substrate holding guide 33 ... Supply hole (gas supply part)
35 ... Exhaust hole (gas exhaust part)
41 ... Center guide 43 ... 1st side guide 45 ... 2nd side guide 49 ... Base member 51 ... 1st contact plate 53 ... 2nd contact plate 56 ... Slit-like opening (through-hole)
57 ... Slit-like opening (through hole)
55, 59 ... Contact groove 61 ... Slit-like opening (through hole)

Claims (5)

複数枚の基板を処理する基板処理装置において、
複数枚の基板を起立姿勢で保持する一対のガイドを有する基板保持機構を備え、
前記ガイドは、基板端部と当接する当接溝と、前記当接溝の下側に形成され、かつ前記ガイドの内側と外側との間に連通したスリット状の開口を備えることを特徴とする基板処理装置。
In a substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates,
A substrate holding mechanism having a pair of guides for holding a plurality of substrates in a standing posture,
The guide includes a contact groove that contacts a substrate end, and a slit-shaped opening that is formed below the contact groove and communicates between the inside and the outside of the guide. Substrate processing equipment.
複数枚の基板を処理する基板処理装置において、
処理液を貯留し、基板を収容する処理槽と、
前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方である待機位置との間で昇降自在であり、複数枚の基板を起立姿勢で保持する一対のガイドを有する基板保持機構とを備え、
前記ガイドは、基板端部と当接する当接溝と、前記当接溝の下側に形成され、かつ前記ガイドの内側と外側との間に連通したスリット状の開口を備えることを特徴とする基板処理装置。
In a substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates,
A processing tank for storing the processing liquid and containing the substrate;
A substrate holding mechanism having a pair of guides capable of moving up and down between a processing position in the processing tank and a standby position above the processing tank, and holding a plurality of substrates in a standing posture;
The guide includes a contact groove that contacts a substrate end, and a slit-shaped opening that is formed below the contact groove and communicates between the inside and the outside of the guide. Substrate processing equipment.
請求項2に記載の基板処理装置において、
複数枚の基板を起立姿勢で保持する前記基板保持機構と前記処理槽に貯留された処理液に浸漬させた状態で、前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 2,
The substrate holding mechanism that holds a plurality of substrates in a standing posture and a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid into the processing tank in a state of being immersed in the processing liquid stored in the processing tank. A substrate processing apparatus.
請求項2または請求項3に記載の基板処理装置において、
複数枚の基板を起立姿勢で保持する前記基板保持機構を前記処理位置から前記待機位置へ移動させている際に、前記処理槽内の処理液から露出した複数枚の基板に乾燥気体を供給する気体供給部と、
前記気体供給部から供給された気体を排出する気体排出部とをさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus of Claim 2 or Claim 3,
When the substrate holding mechanism that holds a plurality of substrates in an upright position is moved from the processing position to the standby position, dry gas is supplied to the plurality of substrates exposed from the processing liquid in the processing tank. A gas supply unit;
A substrate processing apparatus, further comprising: a gas discharge unit that discharges the gas supplied from the gas supply unit.
請求項2から4のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記ガイドは、複数枚の基板が整列される方向に配置されるベース部材と、
前記ベース部材の内側に設けられ、前記ベース部材よりも上端が高く、かつV字状の前記当接溝が形成された当接板とを備え、
前記ベース部材は、前記当接溝の下側に前記スリット状の開口となる貫通孔が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 2 to 4,
The guide includes a base member disposed in a direction in which a plurality of substrates are aligned,
A contact plate provided inside the base member, having a higher upper end than the base member and having the V-shaped contact groove formed thereon;
The substrate processing apparatus, wherein the base member is formed with a through-hole serving as the slit-shaped opening below the contact groove.
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