JP2007019238A - Substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007019238A JP2007019238A JP2005198777A JP2005198777A JP2007019238A JP 2007019238 A JP2007019238 A JP 2007019238A JP 2005198777 A JP2005198777 A JP 2005198777A JP 2005198777 A JP2005198777 A JP 2005198777A JP 2007019238 A JP2007019238 A JP 2007019238A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- guide
- substrates
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Images
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称する)等に対して、所定の処理を行うための基板処理装置に係り、特に、基板を起立姿勢で保持した状態で処理する技術に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device (hereinafter simply referred to as a substrate), and the like, and in particular, a state in which the substrate is held in an upright position. It is related with the technology processed.
従来、この種の装置として、処理液を貯留する処理槽と、処理槽の内部とその上方とにわたって昇降自在の保持部材を有する基板保持ユニットとを備えた基板処理装置がある(例えば、特許文献1参照)。無垢の保持部材は、基板を当接支持する溝を備えており、基板の下部を当接して起立姿勢で支持する。 Conventionally, as this type of apparatus, there is a substrate processing apparatus provided with a processing tank for storing a processing liquid, and a substrate holding unit having a holding member that can be raised and lowered over and inside the processing tank (for example, Patent Documents). 1). The solid holding member has a groove for abutting and supporting the substrate, and abuts the lower portion of the substrate and supports it in an upright position.
この装置では、基板を処理する際には、保持部材に基板を支持させ、基板保持ユニットが保持部材を処理槽内に下降させ、所定時間だけ処理液中に基板を浸漬させることにより基板に対して処理液による処理を行う。所定時間が経過すると、基板保持ユニットは、保持部材を処理槽の上方へ上昇させて基板に対する処理を終える。
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、無垢の保持部材が、これに保持されている基板の下部への液流を妨げる原因となっており、保持部材の内側、特に基板の下部における周縁部においては液流が遮断され、淀みが生じることになる。したがって、処理液の置換効率が悪くなり、基板面内における処理の均一性が悪化する。また、基板から離脱したパーティクルや不要物は、処理液の淀み部分において滞留することになり、槽外への排出効率が悪化する。したがって、基板の清浄度が低下することがある。
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
That is, in the conventional apparatus, the solid holding member causes the liquid flow to the lower part of the substrate held by the solid holding member, and the liquid flow is generated inside the holding member, particularly at the peripheral portion of the lower part of the substrate. Will be cut off and itching will occur. Therefore, the replacement efficiency of the processing liquid is deteriorated, and the uniformity of processing within the substrate surface is deteriorated. In addition, particles and unnecessary substances that have detached from the substrate stay in the stagnation portion of the processing liquid, and the discharge efficiency to the outside of the tank deteriorates. Therefore, the cleanliness of the substrate may decrease.
また、基板を処理槽内から引き上げつつ、処理液から露出した基板に向けて側方から乾燥気体を供給する、いわゆる引き上げ乾燥を行う場合にも、上記同様に無垢の保持部材が、供給される気体の一部の流れを妨げる原因となっている。したがって、特に、基板の下部にあたる周縁部では乾燥不良が生じ、上記同様に基板面内における処理の均一性が悪化するという問題がある。 Also, in the case of performing so-called pulling drying, in which a dry gas is supplied from the side toward the substrate exposed from the processing liquid while pulling up the substrate from the processing tank, a solid holding member is supplied in the same manner as described above. This is the cause of hindering the partial flow of gas. Therefore, in particular, there is a problem in that drying failure occurs in the peripheral portion corresponding to the lower portion of the substrate, and the uniformity of processing in the substrate surface is deteriorated as described above.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板保持機構のガイドにおける流体の流れを円滑にすることにより、基板の処理の面内均一性を向上させることができるとともに、清浄度高く処理することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and by smoothing the flow of fluid in the guide of the substrate holding mechanism, it is possible to improve the in-plane uniformity of processing of the substrate, An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of processing with high cleanliness.
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、複数枚の基板を処理する基板処理装置において、複数枚の基板を起立姿勢で保持する一対のガイドを有する基板保持機構を備え、前記ガイドは、基板端部と当接する当接溝と、前記当接溝の下側に形成され、かつ前記ガイドの内側と外側との間に連通したスリット状の開口を備えることを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention according to
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、スリット状の開口が基板保持機構のガイドに形成されているので、流体が基板保持機構のガイドを通って基板の下部周縁側に円滑に到達する。したがって、流体が基板の面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができる。その結果、処理液による処理時には、処理液が基板の面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができ、基板から離脱したパーティクルや不要物が基板保持機構のガイドから処理槽内へ流下するので、処理槽外への排出が円滑に行われ、基板を清浄度高く処理することができる。また、引き上げ乾燥時には、供給された乾燥気体が基板保持機構のガイドで妨げられることなく、スリット状の開口を通過して基板の下部周縁部にも到達する。したがって、乾燥気体が基板の全面に行き渡るので、引き上げ乾燥時における処理の面内均一性をも向上させることができ、さらに基板保持機構のガイドも十分に乾燥させることができる。
[Operation / Effect] According to the invention described in
また、請求項2に記載の発明は、複数枚の基板を処理する基板処理装置において、処理液を貯留し、基板を収容する処理槽と、前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方である待機位置との間で昇降自在であり、複数枚の基板を起立姿勢で保持する一対のガイドを有する基板保持機構とを備え、前記ガイドは、基板端部と当接する当接溝と、前記当接溝の下側に形成され、かつ前記ガイドの内側と外側との間に連通したスリット状の開口を備えることを特徴とするものである。 In the substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates, the invention described in claim 2 stores a processing liquid and stores a substrate, a processing position in the processing tank, and an upper side of the processing tank. And a substrate holding mechanism having a pair of guides that hold a plurality of substrates in a standing posture, and the guides have contact grooves that contact the end portions of the substrates, A slit-like opening formed below the contact groove and communicated between the inner side and the outer side of the guide is provided.
[作用・効果]請求項2に記載の発明によれば、基板保持機構を処理位置に移動させ、一対のガイドに支持された基板を処理槽内の処理液に浸漬させる。スリット状の開口が基板保持機構のガイドに形成されているので、処理液が基板保持機構のガイドを通って基板の周縁側に円滑に到達する。したがって、処理液が基板の面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができる。また、基板から離脱したパーティクルや不要物は、開口を通して基板保持機構のガイドから処理槽内へ流下するので、処理槽外への排出が円滑に行われる。したがって、基板を清浄度高く処理することができる。 [Operation and Effect] According to the invention described in claim 2, the substrate holding mechanism is moved to the processing position, and the substrate supported by the pair of guides is immersed in the processing liquid in the processing tank. Since the slit-shaped opening is formed in the guide of the substrate holding mechanism, the processing liquid smoothly reaches the peripheral side of the substrate through the guide of the substrate holding mechanism. Accordingly, since the processing liquid spreads over the entire surface of the substrate, the in-plane uniformity of processing can be improved. In addition, particles and unnecessary substances that have detached from the substrate flow down from the guide of the substrate holding mechanism into the processing tank through the opening, so that they are smoothly discharged out of the processing tank. Therefore, the substrate can be processed with high cleanliness.
また、本発明において、複数枚の基板を起立姿勢で保持する前記基板保持機構と前記処理槽に貯留された処理液に浸漬させた状態で、前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給部をさらに備えることが好ましい(請求項3)。処理槽に処理液供給部から処理液を供給することで、処理槽内の基板を処理することができる。 Further, in the present invention, the processing liquid supply for supplying the processing liquid into the processing tank in a state of being immersed in the processing liquid stored in the processing tank and the substrate holding mechanism that holds a plurality of substrates in a standing posture. It is preferable to further include a section (claim 3). By supplying the treatment liquid from the treatment liquid supply unit to the treatment tank, the substrate in the treatment tank can be processed.
また、本発明において、複数枚の基板を起立姿勢で保持する前記基板保持機構を前記処理位置から前記待機位置へ移動させている際に、前記処理槽内の処理液から露出した複数枚の基板に乾燥気体を供給する気体供給部と、前記気体供給部から供給された気体を排出する気体排出部とをさらに備えることが好ましい(請求項4)。気体供給部から乾燥気体を供給して気体排出部から気体を排出することにより、基板を引き上げつつ乾燥させることができる。 Further, in the present invention, the plurality of substrates exposed from the processing liquid in the processing tank when the substrate holding mechanism that holds the plurality of substrates in a standing posture is moved from the processing position to the standby position. It is preferable to further comprise a gas supply unit that supplies dry gas to the gas and a gas discharge unit that discharges the gas supplied from the gas supply unit. By supplying a dry gas from the gas supply unit and discharging the gas from the gas discharge unit, the substrate can be dried while being pulled up.
また、本発明において、前記ガイドは、複数枚の基板が整列される方向に配置されるベース部材と、前記ベース部材の内側に設けられ、前記ベース部材よりも上端が高く、かつV字状の前記当接溝が形成された当接板とを備え、前記ベース部材は、前記当接溝の下側に前記スリット状の開口となる貫通孔が形成されていることが好ましい(請求項5)。基板は、ベース部材の内側に配設された当接板の当接溝で当接支持されているが、ベース部材には貫通孔が形成されているので、流体がベース部材及び当接部材で妨げられることがない。 In the present invention, the guide is provided in a direction in which a plurality of substrates are aligned, and is provided inside the base member, and has an upper end higher than the base member and is V-shaped. Preferably, the base member is provided with a through-hole serving as the slit-like opening on the lower side of the contact groove. . The substrate is abutted and supported by the abutting groove of the abutting plate disposed on the inner side of the base member. Since the base member has a through-hole, fluid flows between the base member and the abutting member. There is no hindrance.
本発明に係る基板処理装置によれば、スリット状の開口が基板保持機構のガイドに形成されているので、流体が基板の面全体に行き渡り、処理の面内均一性を向上させることができる。したがって、処理液による処理時には、処理液が基板の面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができ、基板から離脱したパーティクルや不要物が基板保持機構のガイドから処理槽内へ流下するので、基板を清浄度高く処理することができる。また、引き上げ乾燥時には、供給された乾燥気体がスリット状の開口を通過して基板の下部周縁部にも到達し、乾燥気体が基板の全面に行き渡るので、引き上げ乾燥時における処理の面内均一性をも向上させることができ、さらに基板保持機構のガイドも十分に乾燥させることができる。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, since the slit-shaped opening is formed in the guide of the substrate holding mechanism, the fluid spreads over the entire surface of the substrate, and the in-plane uniformity of processing can be improved. Therefore, when processing with the processing liquid, the processing liquid spreads over the entire surface of the substrate, so that in-plane uniformity of the processing can be improved, and particles or unnecessary substances detached from the substrate are transferred from the guide of the substrate holding mechanism into the processing tank. Therefore, the substrate can be processed with high cleanliness. In addition, during drying, the supplied dry gas passes through the slit-shaped opening and reaches the lower peripheral edge of the substrate, and the dry gas reaches the entire surface of the substrate. In addition, the guide of the substrate holding mechanism can be sufficiently dried.
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す全体図であり、図2は、基板保持ガイドの縦断面図であり、図3は、基板保持ガイドを拡大した縦断面図であり、図4は、第1当接板の側面図であり、図5は、第2当接板の側面図である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 is an overall view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a substrate holding guide, and FIG. 3 is an enlarged longitudinal sectional view of the substrate holding guide. 4 is a side view of the first contact plate, and FIG. 5 is a side view of the second contact plate.
本実施例における基板処理装置は、例えば、基板Wに対して薬液処理及び洗浄処理並びに乾燥処理を施すための装置であり、処理槽1と、この処理槽1の周囲を覆うチャンバー3とを備えている。チャンバー3は、処理槽1の上方と周囲とに空間を有して覆うものであり、その上部に基板Wを搬入出するための開口5を備えている。処理槽1は、処理液を貯留し、基板Wを浸漬して洗浄処理やエッチング処理などを施すための槽である。
The substrate processing apparatus in the present embodiment is an apparatus for performing, for example, chemical processing, cleaning processing, and drying processing on the substrate W, and includes a
処理槽1は、処理液を貯留するとともに基板Wを収容する内槽7と、外槽9とを備えている。内槽7は、その底面両側に、処理液を供給する注入管11が一対設けられている。外槽9は、内槽7の上部開口の側方を囲うように設けられ、内槽7から溢れた処理液を回収して排出する。内槽7の底部中央には開閉自在であって、処理液を排出する排出口13が形成されている。また、チャンバー3の底部には、処理液や乾燥気体などを外部に排出する排出口15が形成されている。
The
処理槽1の注入管11には、処理液供給管17の一端側が連通接続されている。その他端側には、純水供給源19が連通接続されている。処理液供給管17には、下流側から順に、制御弁21とミキシングバルブ23が取り付けられている。ミキシングバルブ23は、複数種類の薬液供給源に連通した薬液配管が連通接続されており、処理に応じて適宜の薬液を処理液供給配管17に注入する。
One end of a processing
基板保持機構25は、背板27と、基板保持ガイド31とを備えている。背板27は板状部材を備え、図示しない搬送機構に懸垂姿勢で取り付けられているとともに、処理槽1の内壁面に沿って昇降自在である。その下端部正面側には、複数枚の基板Wを起立姿勢で保持するための基板保持ガイド31が長手方向を水平に取り付けられている。基板保持機構25は、図示しない昇降機構により、図1中に実線で示す、内槽7の内部にあたる「処理位置」と、図1中に点線で示す、内槽7の上方かつチャンバー3の内部にあたる「乾燥位置」と、図1中に二点鎖線で示す、チャンバー3の上方にあたる「待機位置」とにわたって移動可能である。
The
チャンバー3は、開口5の下方であって、基板Wの搬入出経路を挟んで対向する側面の位置に、本発明における気体供給部に相当する供給孔33と、気体排出部に相当する排気孔35とを備えている。供給孔33には、ドライエア供給源に連通された供給管37が連通接続されている。この供給管37には、開閉弁39が取り付けられている。開閉弁39が開放された際には、供給孔33から流入したエアが排気孔35を通してチャンバー3から排気される。
The
基板保持ガイド31は、中央ガイド41と、第1側方ガイド43と、第2側方ガイド45とを備え、各々の先端部(図2の手前側)が連結部材47で連結されている。これらのガイドのうち、第1側方ガイド43と第2側方ガイド45は同様の構成であるので、以下においては第2側方ガイド45を例に採って説明する。
The
第2側方ガイド45は、基板Wが整列される方向に配置されたベース部材49と、ベース部材49の右側面に配設された第1当接板51と、ベース部材49の左側面に配設された第2当接板53とを備えている。第1当接板51は、基板Wの周縁及び表裏面に当接して、基板Wの案内及び位置決めをするVの字状の当接溝55が上部に複数個形成されている。各当接溝55の下方には、ベース部材49に形成されている複数個のスリット状の開口56の各位置に応じて、貫通孔であるスリット状の開口57が矩形状に形成されている。第1当接板51は、その上端がベース部材49の上端よりも高く形成され、より外側に位置する第1当接板51の方が第2当接板53よりも上端が高く形成されている。
The
第2当接板53は、第1当接板51と同様に、Vの字状の当接溝59が複数個形成され、各当接溝59の下方には、ベース部材49に形成されている複数個のスリット状の開口56の各位置に応じて貫通孔であるスリット状の開口61が形成されている。これらの第1当接板51と第2当接板53は、取付ネジ63により下端部が一致する高さでベース部材49に固定されている。したがって、それぞれの当接溝55,59のうち、第1当接板51の当接溝55の下縁55aが、第2当接板53の当接溝59の下縁59aよりも高い位置になる。
Similar to the
なお、上述した第1当接板51及び第2当接板53に形成されている開口57,61は、例えば、基板Wが300mm径、厚さが775μmであって、基板Wの整列間隔が5mmである場合、開口幅を1〜3mmの範囲で設定すればよい。
The
中央ガイド41は、上述した第2当接板53とほぼ同形状のものをベース部材49の両側に備えている。但し、スリット状の開口は、ベース部材49及び第2当接板53に形成されていない。
The
上述したように構成されている基板保持ガイド31は、図2〜4中に二点鎖線で示すように、中央ガイド41と、第1側方ガイド43と、第2側方ガイド45とによって基板Wの下縁部分を当接支持し、複数枚の基板Wを起立姿勢で保持する。第1側方ガイド43と、第2側方ガイド45には、上述したようにスリット状の開口56,57,61が形成されているので、基板Wを保持した状態において、側方から基板Wの周縁側が見えるようになっている。
The
次に、上述した構成の基板処理装置による動作について、図6,7を参照して説明する。なお、図6は、処理液の流れを示す模式図であり、図7は、ドライエアの流れを示す模式図である。 Next, the operation of the substrate processing apparatus having the above-described configuration will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a schematic diagram illustrating the flow of the treatment liquid, and FIG. 7 is a schematic diagram illustrating the flow of the dry air.
<純水による洗浄処理>
なお、予め制御弁21が開放されて所定の流量で純水供給源19から純水が供給され、注入管11を介して処理槽1の内槽7に処理液として供給されているものとする。この例では、処理は純水洗浄だけとするが、例えば、ミキシングバルブ23を介して薬液を純水に混合し、薬液を含む処理液による処理(例えば、フッ化水素酸を含む処理液によるエッチング処理)を純水による洗浄処理の前に行うようにしてもよい。
<Cleaning with pure water>
It is assumed that the
基板Wを受け取っている基板保持機構25は、開口5を介して「待機位置」から処理槽1内に下降する。具体的には、基板Wを内槽1内の「処理位置」に下降させ、基板保持機構25はその高さ位置を維持する。基板Wが「処理位置」(図1中の実線で示す位置)に達すると、図示しない蓋部材を閉止してチャンバー3内を閉塞する。そして、この状態を所定時間だけ維持して、基板Wに対して所定の洗浄処理を施す。
The
このとき、注入管11から供給され、内槽7の内部で循環している処理液LQが、第2側方ガイド45のスリット状の開口を通過して、第2側方ガイド45の左側に位置している基板Wの周縁部を通過するとともに、基板Wの周縁全体を通過する。同様に、処理液LQが第1側方ガイド43のスリット状の開口56,57,61を通過して、第1側方ガイド43の右側に位置している基板Wの周縁部を通過するとともに、基板Wの周縁全体を通過する。したがって、処理液LQが基板Wの面全体にわたって円滑に行き渡るので、基板Wの処理の面内均一性を向上させることができる。その結果、処理液による処理時には、処理液が基板Wの面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができ、基板Wから離脱したパーティクルや不要物が基板保持ガイド31から処理槽1内へ流下するので、処理槽1外への排出が円滑に行われ、基板Wを清浄度高く処理することができる。
At this time, the processing liquid LQ supplied from the
所定時間が経過すると、制御弁21を閉止して処理槽1に対する処理液の供給を停止するとともに、排出口13,15を開放する。これにより内槽7に貯留していた処理液が排出され、基板Wに対する洗浄処理が完了する。
When the predetermined time has elapsed, the
<乾燥処理>
上記のように洗浄処理が完了すると、開閉弁39を開放し、供給孔33からドライエアが供給され、排気孔35を通して排出される。そして、基板保持機構25は、「処理位置」から上昇してチャンバー3内の「乾燥位置」(図1中の点線で示す位置)に向かって上昇する。
<Drying process>
When the cleaning process is completed as described above, the on-off
このとき、図7に示すように、側方からのドライエアDAが第2側方ガイド45のスリット状の開口56,57,61を通過して、第2側方ガイド45の左側に位置している基板Wの周縁部を通過するとともに、基板Wの周縁全体を通過する。また、基板Wの中央部を通過したドライエアDAは、第1側方ガイド43のスリット状の開口56,57,61を通過することにより、第1側方ガイド43の右側に位置している基板Wの周縁部を通過して、基板Wの周縁全体を通過する。
At this time, as shown in FIG. 7, the dry air DA from the side passes through the slit-
したがって、供給孔33から供給されたドライエアDAが基板保持ガイド31で妨げられることなく、スリット状の開口56,57,61を通過して基板Wの下部周縁部にも到達する。したがって、ドライエアDAが基板Wの全面に行き渡るので、引き上げ乾燥時における処理の面内均一性をも向上させることができる。さらに、基板Wの側縁を伝って下縁に向かう処理液の液滴が基板保持ガイド31も十分に乾燥させることができる。
Therefore, the dry air DA supplied from the
乾燥処理が完了すると、開口5を開放するとともに、基板保持機構25は、「乾燥位置」から上昇して、チャンバー3の上方の「待機位置」に向かって上昇する。
When the drying process is completed, the
本発明は、上述した実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be modified as follows.
(1)上述した実施例では、第1当接板51等には、矩形状を呈するスリット状の開口57が形成されていたが、図8に示すように構成してもよい。なお、図8は、当接板の変形例を示す側面図である。
すなわち、楕円形状を呈するスリット状の開口61Aを採用してもよい。これにより、開口面積を広くしつつも機械的強度を維持することができる。また、一つの当接溝55あたりに複数個のスリットの状の開口を形成してもよい。
(1) In the above-described embodiment, the
That is, an elliptical slit-shaped
(2)上述した実施例では、基板保持ガイド31である中央ガイド41と、第1側方ガイド43と、第2側方ガイド45とを、それぞれベース部材49と、第1当接板51と、第2当接板53との複数部材で構成しているが、図9に示すように構成してもよい。なお、図9は、基板保持ガイドの変形例を示す縦断面図である。
(2) In the embodiment described above, the
すなわち、基板保持ガイド31Aの中央ガイド41Aと、第1側方ガイド43Aと、第2側方ガイド45Aとの各部材を単一の部材で構成してもよい。そして、第1側方ガイド43A及び第2側方ガイド45Aには、側方から見てVの字状を呈する当接溝65と、側方から見てスリット状を呈する開口67を複数個形成し、中央ガイド41Aには、側方から見てVの字状を呈する当接溝65を複数個形成するようにすればよい。このような構成であっても、上述した実施例と同様の作用効果を奏するとともに、部品点数を削減することができ、部品コスト低減と組み立て工数を低減することができる。
That is, each member of the
(3)上述した実施例及び変形例では、中央ガイド41,41Aには、貫通孔を形成していないが、この部材にも貫通孔を形成して、基板Wの下縁付近における流体の流れを円滑にするようにしてもよい。
(3) In the above-described embodiments and modifications, the
(4)上述した実施例では、チャンバー3を備え、処理槽1から基板Wを引き上げるとともに乾燥処理を行う構成を採用しているが、本発明はこの構成を必須とするものではない。つまり、処理槽1によって処理液による処理だけを行う構成であっても本発明を適用することができる。
(4) In the above-described embodiment, a configuration in which the
(5)上記の説明では、気体供給部がドライエアを供給しているが、例えば、ドライ窒素などの他の気体を供給する構成を採用してもよい。 (5) In the above description, the gas supply unit supplies dry air. However, for example, a configuration of supplying other gas such as dry nitrogen may be adopted.
W … 基板
1 … 処理槽
3 … チャンバー
7 … 内槽
9 … 外槽
11 … 注入管
25 … 基板保持機構
31 … 基板保持ガイド
33 … 供給孔(気体供給部)
35 … 排気孔(気体排出部)
41 … 中央ガイド
43 … 第1側方ガイド
45 … 第2側方ガイド
49 … ベース部材
51 … 第1当接板
53 … 第2当接板
56 … スリット状の開口(貫通孔)
57 … スリット状の開口(貫通孔)
55,59 … 当接溝
61 … スリット状の開口(貫通孔)
W ...
35 ... Exhaust hole (gas exhaust part)
41 ...
57 ... Slit-like opening (through hole)
55, 59 ... Contact
Claims (5)
複数枚の基板を起立姿勢で保持する一対のガイドを有する基板保持機構を備え、
前記ガイドは、基板端部と当接する当接溝と、前記当接溝の下側に形成され、かつ前記ガイドの内側と外側との間に連通したスリット状の開口を備えることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates,
A substrate holding mechanism having a pair of guides for holding a plurality of substrates in a standing posture,
The guide includes a contact groove that contacts a substrate end, and a slit-shaped opening that is formed below the contact groove and communicates between the inside and the outside of the guide. Substrate processing equipment.
処理液を貯留し、基板を収容する処理槽と、
前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方である待機位置との間で昇降自在であり、複数枚の基板を起立姿勢で保持する一対のガイドを有する基板保持機構とを備え、
前記ガイドは、基板端部と当接する当接溝と、前記当接溝の下側に形成され、かつ前記ガイドの内側と外側との間に連通したスリット状の開口を備えることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates,
A processing tank for storing the processing liquid and containing the substrate;
A substrate holding mechanism having a pair of guides capable of moving up and down between a processing position in the processing tank and a standby position above the processing tank, and holding a plurality of substrates in a standing posture;
The guide includes a contact groove that contacts a substrate end, and a slit-shaped opening that is formed below the contact groove and communicates between the inside and the outside of the guide. Substrate processing equipment.
複数枚の基板を起立姿勢で保持する前記基板保持機構と前記処理槽に貯留された処理液に浸漬させた状態で、前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
The substrate holding mechanism that holds a plurality of substrates in a standing posture and a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid into the processing tank in a state of being immersed in the processing liquid stored in the processing tank. A substrate processing apparatus.
複数枚の基板を起立姿勢で保持する前記基板保持機構を前記処理位置から前記待機位置へ移動させている際に、前記処理槽内の処理液から露出した複数枚の基板に乾燥気体を供給する気体供給部と、
前記気体供給部から供給された気体を排出する気体排出部とをさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 2 or Claim 3,
When the substrate holding mechanism that holds a plurality of substrates in an upright position is moved from the processing position to the standby position, dry gas is supplied to the plurality of substrates exposed from the processing liquid in the processing tank. A gas supply unit;
A substrate processing apparatus, further comprising: a gas discharge unit that discharges the gas supplied from the gas supply unit.
前記ガイドは、複数枚の基板が整列される方向に配置されるベース部材と、
前記ベース部材の内側に設けられ、前記ベース部材よりも上端が高く、かつV字状の前記当接溝が形成された当接板とを備え、
前記ベース部材は、前記当接溝の下側に前記スリット状の開口となる貫通孔が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 2 to 4,
The guide includes a base member disposed in a direction in which a plurality of substrates are aligned,
A contact plate provided inside the base member, having a higher upper end than the base member and having the V-shaped contact groove formed thereon;
The substrate processing apparatus, wherein the base member is formed with a through-hole serving as the slit-shaped opening below the contact groove.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005198777A JP2007019238A (en) | 2005-07-07 | 2005-07-07 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005198777A JP2007019238A (en) | 2005-07-07 | 2005-07-07 | Substrate processing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007019238A true JP2007019238A (en) | 2007-01-25 |
Family
ID=37756128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005198777A Abandoned JP2007019238A (en) | 2005-07-07 | 2005-07-07 | Substrate processing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007019238A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012204712A (en) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate holding tool and substrate processing apparatus |
JP2012204713A (en) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate holding tool and substrate processing apparatus |
CN111886675A (en) * | 2018-03-19 | 2020-11-03 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04276644A (en) * | 1991-03-05 | 1992-10-01 | Kakizaki Seisakusho:Kk | Basket for semiconductor wafer use |
JPH07130699A (en) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Apparatus for wafer surface treatment |
JPH0849073A (en) * | 1994-05-31 | 1996-02-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate holder of substrate treating device |
JP2000031108A (en) * | 1998-07-16 | 2000-01-28 | Sony Corp | Device and method for cleaning and drying wafer |
JP2000096266A (en) * | 1998-09-28 | 2000-04-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Surface treating device |
JP2003100685A (en) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Chamber, device, and method for treating substrate |
-
2005
- 2005-07-07 JP JP2005198777A patent/JP2007019238A/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04276644A (en) * | 1991-03-05 | 1992-10-01 | Kakizaki Seisakusho:Kk | Basket for semiconductor wafer use |
JPH07130699A (en) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Apparatus for wafer surface treatment |
JPH0849073A (en) * | 1994-05-31 | 1996-02-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate holder of substrate treating device |
JP2000031108A (en) * | 1998-07-16 | 2000-01-28 | Sony Corp | Device and method for cleaning and drying wafer |
JP2000096266A (en) * | 1998-09-28 | 2000-04-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Surface treating device |
JP2003100685A (en) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Chamber, device, and method for treating substrate |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012204712A (en) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate holding tool and substrate processing apparatus |
JP2012204713A (en) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate holding tool and substrate processing apparatus |
CN111886675A (en) * | 2018-03-19 | 2020-11-03 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus |
CN111886675B (en) * | 2018-03-19 | 2024-03-26 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7023065B2 (en) | Board processing equipment | |
WO2005117081A1 (en) | Liquid treatment system and liquid treatment method | |
TW200535920A (en) | Substrate processing equipment, substrate processing method, recording medium and software | |
JP2013058734A (en) | Purge device and load port device including the same | |
KR101055465B1 (en) | Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus | |
JP7335797B2 (en) | developing device | |
JP4545083B2 (en) | Substrate processing equipment | |
US20060059708A1 (en) | Apparatus for cleaning semiconductor substrates | |
JP5063560B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2007019238A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP4832176B2 (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
KR102635382B1 (en) | Substrate treating apparatus and method thereof | |
CN216597515U (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2000311881A (en) | Wet etching device | |
JP2009141022A (en) | Substrate processing apparatus | |
KR20110071840A (en) | Nozzle unit for cleaning apparatus | |
JP4859703B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JPH06283413A (en) | Treatment device | |
TWI710048B (en) | Substrate processing device | |
JP7170511B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
JP4895861B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JPH11340176A (en) | Dipping type wafer processor | |
JP2008218471A (en) | Substrate processing device | |
KR20060124314A (en) | Bevel etching process apparatus with multi-paths for fume exhaust | |
JP3628879B2 (en) | Substrate cleaning device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20071217 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20091202 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091208 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100121 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100806 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20100903 |