JP4832176B2

JP4832176B2 - Liquid processing apparatus and liquid processing method

Info

Publication number: JP4832176B2
Application number: JP2006167970A
Authority: JP
Inventors: 規宏伊藤; 宏光難波; 和久松本
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2006-06-16
Filing date: 2006-06-16
Publication date: 2011-12-07
Anticipated expiration: 2026-06-16
Also published as: JP2007335758A

Description

本発明は、例えば半導体ウエハ等の基板に対して所定の液処理を行う液処理装置および液処理方法に関する。 The present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method for performing predetermined liquid processing on a substrate such as a semiconductor wafer.

半導体デバイスの製造プロセスやフラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）の製造プロセスにおいては、被処理基板である半導体ウエハやガラス基板に処理液を供給して液処理を行うプロセスが多用されている。このようなプロセスとしては、例えば、基板に付着したパーティクルやコンタミネーション等を除去する洗浄処理、フォトリソグラフィ工程におけるフォトレジスト液や現像液の塗布処理等を挙げることができる。 In a semiconductor device manufacturing process and a flat panel display (FPD) manufacturing process, a process of supplying a processing liquid to a semiconductor wafer or a glass substrate, which is a substrate to be processed, and performing liquid processing is frequently used. As such a process, for example, a cleaning process for removing particles or contamination attached to the substrate, a coating process of a photoresist solution or a developing solution in a photolithography process, and the like can be given.

このような液処理装置としては、半導体ウエハ等の基板をスピンチャックに保持し、基板を回転させた状態でウエハの表面または表裏面に処理液を供給してウエハの表面または表裏面に液膜を形成して処理を行う枚葉式のものが知られている。 As such a liquid processing apparatus, a substrate such as a semiconductor wafer is held on a spin chuck, a processing liquid is supplied to the front surface or front and back surfaces of the wafer while the substrate is rotated, and a liquid film is applied to the front or back surface of the wafer. A single-wafer type is known in which processing is performed by forming a film.

この種の装置では、通常、処理液は基板の中心に供給され、基板を回転させることにより処理液を外方に広げて液膜を形成し、処理液を離脱させることが一般的に行われている。そして、基板の外方へ振り切られた処理液を下方へ導くように基板の外側を囲繞する液受けカップ等の部材を設け、基板から振り切られた処理液をこの液受けカップからその下方の排液カップへと導き、速やかに排出するようにしている。 In this type of apparatus, the processing liquid is usually supplied to the center of the substrate, and by rotating the substrate, the processing liquid is spread outward to form a liquid film, and the processing liquid is generally released. ing. Then, a member such as a liquid receiving cup surrounding the outside of the substrate is provided so as to guide the processing liquid shaken out of the substrate downward, and the processing liquid shaken off from the substrate is discharged from the liquid receiving cup below. It is led to the liquid cup and discharged quickly.

また、上記のように基板を水平支持した状態で回転させる方式の液処理装置では、回転中に基板の位置ずれが生じると、基板の破損等を引き起こす原因になる。そこで、基板を回転可能に保持する基板保持体に基板を確実に固定して一体的に回転させるために、基板の外縁を規制してこれを保持する保持部材（チャック）を配備することが行なわれている（例えば、特許文献１）。
特開２００２−３６８０６６号公報（図７など） Further, in the liquid processing apparatus that rotates while the substrate is horizontally supported as described above, if the substrate is displaced during rotation, it may cause damage to the substrate. Therefore, in order to securely fix the substrate to the substrate holding body that rotatably holds the substrate and rotate the substrate integrally, a holding member (chuck) that regulates and holds the outer edge of the substrate is provided. (For example, Patent Document 1).
JP 2002-368066 A (FIG. 7 etc.)

上記特許文献１に記載された液処理装置において、保持部材は、基板保持体の裏面側に突出するように数カ所に装着され、その表面側で基板の周縁を支持する構成になっている。このような保持部材を有する基板保持体を回転させた場合、基板保持体の下方に突出した保持部材によって、基板保持体の下方空間に気流が生じる。このような気流が発生すると、排液カップ内に集められた処理液の流れがこの気流により乱され、処理液のスムーズな排出が妨げられるとともに、ミストやパーティクルを発生させて基板を汚染させる原因にもなる。
また、前記保持部材の装着部位を介して基板保持体の裏面側に処理液が廻り込むことがある。このように基板保持体の裏面側に漏出した処理液も、ミストやパーティクルの原因になることから、排液カップによって確実に受け止め、排液できることが必要である。 In the liquid processing apparatus described in Patent Document 1, the holding member is mounted at several locations so as to protrude to the back side of the substrate holder, and is configured to support the peripheral edge of the substrate on the front side. When the substrate holder having such a holding member is rotated, an air flow is generated in the lower space of the substrate holder by the holding member protruding below the substrate holder. When such an air flow is generated, the flow of the processing liquid collected in the drain cup is disturbed by the air flow, preventing smooth discharge of the processing liquid and causing mist and particles to contaminate the substrate. It also becomes.
Further, the processing liquid may go around to the back side of the substrate holder through the mounting portion of the holding member. Since the processing liquid leaked to the back side of the substrate holder in this manner also causes mist and particles, it is necessary to be surely received and drained by the drain cup.

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、排液カップに集められた処理液を速やかに排出できるとともに、基板保持体の裏面側に漏出した処理液についても確実に集液できる液処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and is capable of quickly discharging the processing liquid collected in the drainage cup and also capable of reliably collecting the processing liquid leaked to the back side of the substrate holder. An object is to provide a processing apparatus.

上記課題を解決するため、本発明の第１の観点は、基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持体と、前記基板保持体に保持された基板を囲繞するように環状をなし、回転する基板から振り切られた処理液を受け止める液受けカップと、前記基板保持体を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する液供給機構と、前記液受けカップに対応した環状をなし、前記液受けカップから排出された処理液を受け止める第１の処理液受け部および前記第１の処理液受け部よりも内側に設けられ、前記基板保持体の裏面に漏出した処理液を受け止める第２の処理液受け部を有する排液カップと、を具備することを特徴とする、液処理装置を提供する。 In order to solve the above problems, a first aspect of the present invention is to form a ring so as to surround a substrate holding body that can hold the substrate horizontally and rotate together with the substrate, and the substrate held by the substrate holding body. A liquid receiving cup for receiving the processing liquid shaken off from the rotating substrate; a rotating mechanism for rotating the substrate holder; a liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the substrate; and an annular shape corresponding to the liquid receiving cup. A first processing liquid receiving portion that receives the processing liquid discharged from the liquid receiving cup and a first processing liquid receiving portion that is provided inside the first processing liquid receiving portion and that receives the processing liquid leaked to the back surface of the substrate holder. And a draining cup having two processing liquid receiving portions. A liquid processing apparatus is provided.

上記第１の観点において、前記第２の処理液受け部から前記第１の処理液受け部へ処理液を排出する連通口を有することが好ましい。また、前記第１の処理液受け部の底部および前記第２の処理液受け部の底部は、それぞれ外側から内側に向かって上昇するように傾斜していることが好ましい。また、前記基板保持体は、その下面側に配置されるとともに、開口を介して該基板保持体の上面側に突出した保持部によって基板を保持する保持部材を有しており、前記第２の処理液受け部は、前記開口を介して前記基板保持体の裏面に漏出した処理液を受け止めるものであってもよい。この場合、前記第１の処理液受け部と前記第２の処理液受け部との間には仕切り壁が設けられ、該仕切り壁は、前記基板保持体の回転中心からみて前記保持部材よりも径方向外側に位置することが好ましい。 In the first aspect, it is preferable to have a communication port for discharging the processing liquid from the second processing liquid receiving part to the first processing liquid receiving part. Moreover, it is preferable that the bottom part of the first processing liquid receiving part and the bottom part of the second processing liquid receiving part are inclined so as to rise from the outside toward the inside. The substrate holder has a holding member that is disposed on the lower surface side thereof and holds the substrate by a holding portion that protrudes to the upper surface side of the substrate holder through the opening. The processing liquid receiving part may receive the processing liquid leaked to the back surface of the substrate holder through the opening. In this case, a partition wall is provided between the first processing liquid receiving portion and the second processing liquid receiving portion, and the partition wall is more than the holding member when viewed from the rotation center of the substrate holder. It is preferable to be located radially outside.

また、上記第１の観点において、前記第１の処理液受け部は、第１の環状凹部として形成され、前記第２の処理液受け部は、前記第１の環状凹部よりも内側に設けられた第２の環状凹部として形成されていてもよい。この場合、前記第２の環状凹部から前記第１の環状凹部へ処理液を排出する連通口を有することが好ましい。また、前記第２の環状凹部は、前記第１の環状凹部より深さが浅く形成されていることが好ましい。また、前記第１の環状凹部の底部および前記第２の環状凹部の底部は、それぞれ外側から内側に向かって上昇するように傾斜していることが好ましい。また、前記基板保持体は、その下面側に配置されるとともに、開口を介して該基板保持体の上面側に突出した保持部によって基板を保持する保持部材を有しており、前記第２の処理液受け部は、前記開口を介して前記基板保持体の裏面に漏出した処理液を受け止めるものであってもよい。この場合、前記第１の環状凹部と前記第２の環状凹部との間には仕切り壁が設けられ、該仕切り壁は、前記基板保持体の回転中心からみて前記保持部材よりも径方向外側に位置することが好ましい。 In the first aspect, the first processing liquid receiving portion is formed as a first annular recess, and the second processing liquid receiving portion is provided on the inner side of the first annular recess. Alternatively, it may be formed as a second annular recess. In this case, it is preferable to have a communication port for discharging the processing liquid from the second annular recess to the first annular recess. In addition, it is preferable that the second annular recess is formed to be shallower than the first annular recess. The bottom of the first annular recess and the bottom of the second annular recess are preferably inclined so as to rise from the outside toward the inside. The substrate holder has a holding member that is disposed on the lower surface side thereof and holds the substrate by a holding portion that protrudes to the upper surface side of the substrate holder through the opening. The processing liquid receiving part may receive the processing liquid leaked to the back surface of the substrate holder through the opening. In this case, a partition wall is provided between the first annular recess and the second annular recess, and the partition wall is more radially outward than the holding member when viewed from the center of rotation of the substrate holder. Preferably it is located.

また、上記第１の観点において、前記排液カップの外側に前記排液カップを囲繞するように設けられ、前記液受けカップおよびその周囲からの主に気体成分を取り入れて排気する排気カップをさらに具備することが好ましい。 Further, in the first aspect, an exhaust cup that is provided outside the drain cup so as to surround the drain cup, and that exhausts mainly by taking in gas components from the liquid receiver cup and its surroundings. It is preferable to comprise.

本発明の第２の観点は、基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持体と、前記基板保持体に保持された基板を囲繞するように環状をなし、回転する基板から振り切られた処理液を受け止める液受けカップと、前記基板保持体を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する液供給機構と、前記液受けカップに対応した環状をなし、処理液を排出する排液口を有し、前記液受けカップから排出された処理液を受け止める排液カップと、を有する液処理装置を用いた液処理方法であって、前記排液カップに設けられた第１の処理液受け部により前記液受けカップから排出された処理液を受け止め、前記排液カップにおいて前記第１の処理液受け部よりも内側に設けられた第２の処理液受け部により前記基板保持体の裏面に漏出した処理液を受け止め、前記排液口に処理液を導くことを特徴とする、液処理方法を提供する。 According to a second aspect of the present invention, the substrate is held horizontally and rotated together with the substrate, and a ring is formed so as to surround the substrate held by the substrate holder. A liquid receiving cup for receiving the processed liquid, a rotating mechanism for rotating the substrate holder, a liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the substrate, and an annular shape corresponding to the liquid receiving cup, for discharging the processing liquid. It has a liquid inlet, a liquid processing method and drainage cup, using a liquid processing apparatus having receiving the pre-Symbol liquid receiving process liquid discharged from the cup, the first provided in the drain cup The substrate holding body is received by the second processing liquid receiving part provided inside the first processing liquid receiving part in the draining cup by receiving the processing liquid discharged from the liquid receiving cup by the processing liquid receiving part. Leaked on the back of Receiving a physical solution, characterized in that directing the processing liquid to said drain port to provide a liquid processing method.

本発明によれば、基板を水平に保持して回転させる方式の液処理装置において、排液カップに、液受けカップから排出された処理液を受け止める第１の処理液受け部と、前記第１の処理液受け部よりも内側に設けられ、前記基板保持体の裏面に漏出した処理液を受け止める第２の処理液受け部とを設けたので、液受けカップから第１の処理液受け部へ導かれた処理液が気流によって撹乱されることを抑制しながら、第２の処理液受け部において、基板保持体の裏面に漏出した処理液を確実に受け止めることができる。従って、処理液を排液カップから速やかに排出することができる。 According to the present invention, in the liquid processing apparatus of the type that holds and rotates the substrate horizontally, the first processing liquid receiving portion that receives the processing liquid discharged from the liquid receiving cup in the draining cup, and the first And a second processing liquid receiving portion that receives the processing liquid leaked on the back surface of the substrate holder, and is provided from the liquid receiving cup to the first processing liquid receiving portion. The processing liquid leaked to the back surface of the substrate holder can be reliably received in the second processing liquid receiving portion while suppressing the guided processing liquid from being disturbed by the airflow. Therefore, the processing liquid can be quickly discharged from the drain cup.

以下、添付図面を参照しつつ本発明の実施形態について詳細に説明する。ここでは、本発明を半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）の表裏面洗浄を行う液処理装置に適用した場合について示す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, a case where the present invention is applied to a liquid processing apparatus that performs front and back surface cleaning of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) will be described.

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る液処理装置の概略構成を示す断面図、図２はその平面図、図３は排気・排液部を拡大して示す断面図である。この液処理装置１００は、ベースプレート１と、被処理基板であるウエハＷを回転可能に保持するウエハ保持部２と、このウエハ保持部２を回転させる回転モータ３と、ウエハ保持部２に保持されたウエハＷを囲繞するように設けられ、ウエハ保持部２とともに回転する回転カップ４と、ウエハＷの表面に処理液を供給する表面処理液供給ノズル５と、ウエハＷの裏面に処理液を供給する裏面処理液供給ノズル６と、回転カップ４の周縁部に設けられた排気・排液部７とを有している。また、排気・排液部７の周囲およびウエハＷの上方を覆うようにケーシング８が設けられている。ケーシング８の上部にはファン・フィルター・ユニット（ＦＦＵ）９が設けられており、ウエハ保持部２に保持されたウエハＷに清浄空気のダウンフローが供給されるようになっている。 <First Embodiment>
FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a liquid processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view thereof, and FIG. 3 is an enlarged sectional view showing an exhaust / drainage part. The liquid processing apparatus 100 is held by a base plate 1, a wafer holder 2 that rotatably holds a wafer W that is a substrate to be processed, a rotation motor 3 that rotates the wafer holder 2, and the wafer holder 2. A rotating cup 4 that is provided so as to surround the wafer W and rotates together with the wafer holding unit 2, a surface treatment liquid supply nozzle 5 that supplies a treatment liquid to the surface of the wafer W, and a treatment liquid to the back surface of the wafer W The back surface treatment liquid supply nozzle 6 and the exhaust / drainage part 7 provided at the peripheral edge of the rotary cup 4 are provided. A casing 8 is provided so as to cover the periphery of the exhaust / drainage unit 7 and the upper portion of the wafer W. A fan filter unit (FFU) 9 is provided on the upper portion of the casing 8 so that a downflow of clean air is supplied to the wafer W held by the wafer holder 2.

ウエハ保持部２は、水平に設けられた円板状をなす回転プレート１１と、その裏面の中心部に接続され、下方鉛直に延びる円筒状の回転軸１２とを有している。回転プレート１１の中心部には、回転軸１２内の孔１２ａに連通する円形の孔１１ａが形成されている。そして、裏面処理液供給ノズル６を備えた昇降部材１３が孔１２ａおよび孔１１ａ内を昇降可能に設けられている。回転プレート１１には、ウエハＷの外縁を保持する保持部材１４が設けられており、図２に示すように、これらは３つ等間隔で配置されている。この保持部材１４は、ウエハＷが回転プレート１１から少し浮いた状態で水平にウエハＷを保持するようになっている。この保持部材１４はウエハＷの端面を保持可能な保持部１４ａと、保持部１４ａから回転プレート裏面側中心方向に延材する着脱部１４ｂと、保持部１４ａを垂直面内で回動させる回転軸１４ｃと、この回転軸１４ｃを含む支点部１４ｄを有し、着脱部１４ｂの先端部を図示しないシリンダ機構により上方に押し上げることにより、保持部１４ａが外側に回動してウエハＷの保持が解除される。保持部材１４は、図示しないバネ部材により保持部１４ａがウエハＷを保持する方向に付勢されており、シリンダ機構を作動させない場合には保持部材１４によりウエハＷが保持された状態となる。 The wafer holding unit 2 includes a horizontally-rotating rotating plate 11 having a disk shape and a cylindrical rotating shaft 12 connected to the center of the back surface and extending vertically downward. A circular hole 11 a that communicates with the hole 12 a in the rotating shaft 12 is formed at the center of the rotating plate 11. And the raising / lowering member 13 provided with the back surface process liquid supply nozzle 6 is provided so that raising / lowering is possible in the hole 12a and the hole 11a. The rotating plate 11 is provided with holding members 14 for holding the outer edge of the wafer W, and as shown in FIG. 2, three of them are arranged at equal intervals. The holding member 14 is configured to hold the wafer W horizontally with the wafer W slightly floating from the rotating plate 11. The holding member 14 includes a holding portion 14a capable of holding the end surface of the wafer W, an attaching / detaching portion 14b extending from the holding portion 14a toward the center of the back surface of the rotating plate, and a rotating shaft for rotating the holding portion 14a in a vertical plane. 14c and a fulcrum part 14d including the rotating shaft 14c, and the holding part 14a is rotated outward by pushing up the tip of the attaching / detaching part 14b by a cylinder mechanism (not shown) to release the holding of the wafer W. Is done. The holding member 14 is urged in a direction in which the holding portion 14a holds the wafer W by a spring member (not shown), and the wafer W is held by the holding member 14 when the cylinder mechanism is not operated.

回転軸１２は、２つのベアリング１５ａを有する軸受け部材１５を介してベースプレート１に回転可能に支持されている。回転軸１２の下端部にはプーリー１６が嵌め込まれており、プーリー１６にはベルト１７が巻き掛けられている。ベルト１７はモータ３の軸に取り付けられたプーリー１８にも巻き掛けられている。そして、モータ３を回転させることによりプーリー１８、ベルト１７およびプーリー１６を介して回転軸１２を回転するようになっている。 The rotating shaft 12 is rotatably supported by the base plate 1 via a bearing member 15 having two bearings 15a. A pulley 16 is fitted into the lower end of the rotating shaft 12, and a belt 17 is wound around the pulley 16. The belt 17 is also wound around a pulley 18 attached to the shaft of the motor 3. The rotating shaft 12 is rotated via the pulley 18, the belt 17 and the pulley 16 by rotating the motor 3.

軸受け部材１５の直上には回転軸１２の外周に沿って環状をなすパージガス供給ポート１９が設けられている。このパージガス供給ポート１９へは軸受け部材１５の外壁内に鉛直方向に沿って設けられたパージガス流路２０が接続されており、このパージガス流路２０には、軸受け部材１５のベースプレート１の下方位置に対応する部分においてパージガス配管２１が接続されている。そして、図示しないパージガス供給源からパージガス配管２１、パージガス流路２０を経てパージガス供給ポート１９へパージガスとして例えばＮ_２ガスが供給される。このパージガスはパージガス供給ポート１９から回転軸１２の上方側および下方側へ流れる。 A purge gas supply port 19 having an annular shape along the outer periphery of the rotary shaft 12 is provided immediately above the bearing member 15. The purge gas supply port 19 is connected to a purge gas flow path 20 provided along the vertical direction in the outer wall of the bearing member 15, and the purge gas flow path 20 is located at a position below the base plate 1 of the bearing member 15. A purge gas pipe 21 is connected to the corresponding part. Then, for example, N ₂ gas is supplied as a purge gas from a purge gas supply source (not shown) to the purge gas supply port 19 through the purge gas pipe 21 and the purge gas flow path 20. This purge gas flows from the purge gas supply port 19 to the upper side and the lower side of the rotating shaft 12.

パージガス供給ポート１９から上方に導入されたパージガスは、隔壁６５により区画される回転軸１２周囲の空間Ｓ１に放出され、この空間Ｓ１を陽圧にする。これにより、各種処理液の成分によってケミカル雰囲気となっている隔壁６５より外側の空間Ｓ２から飛散したミストや処理液が、腐食しやすい金属製材質の回転軸１２の上部に付着することを避け、回転軸１２の腐食を防止している。
一方、パージガス供給ポート１９から下方に導入されたパージガスは、軸受け部材１５内の上下のベアリング１５ａ，１５ｂの周囲を通過して装置外部へ排出される。これにより、ベアリング１５ａおよび１５ｂの摩耗により生じたパーティクルを装置外部へ運び出することができる。よって、ベアリング１５ａ，１５ｂからのパーティクルがウエハＷへ到達することを抑制することが可能となっている。 The purge gas introduced upward from the purge gas supply port 19 is discharged into the space S1 around the rotation shaft 12 defined by the partition wall 65, and this space S1 is set to a positive pressure. Thereby, it is avoided that the mist and the processing liquid splashed from the space S2 outside the partition wall 65 which is a chemical atmosphere due to various processing liquid components adhere to the upper part of the rotating shaft 12 made of a metal material which is easily corroded, Corrosion of the rotating shaft 12 is prevented.
On the other hand, the purge gas introduced downward from the purge gas supply port 19 passes around the upper and lower bearings 15a and 15b in the bearing member 15 and is discharged to the outside of the apparatus. Thereby, particles generated by the wear of the bearings 15a and 15b can be carried out of the apparatus. Therefore, it is possible to suppress particles from the bearings 15a and 15b from reaching the wafer W.

表面処理液供給ノズル５は、ノズルアーム２２に保持されており、図示しない液供給チューブから処理液が供給され、その内部に設けられたノズル孔５ａを介して処理液を吐出するようになっている。吐出する処理液としては、洗浄用の薬液、純水等のリンス液、ＩＰＡのような乾燥溶媒等を挙げることができ、１種または２種以上の処理液を吐出可能となっている。ノズルアーム２２は、図２に示すように軸２３を中心として回動可能に設けられており、図示しない駆動機構により、ウエハＷ中心上および外周上の吐出位置とウエハＷの外方の退避位置との間で移動可能となっている。なお、ノズルアーム２２は上下動可能に設けられており、退避位置と吐出位置で回動するときには上昇した状態となり、表面処理液供給ノズル５から処理液を吐出する際には、下降した状態となる。 The surface treatment liquid supply nozzle 5 is held by a nozzle arm 22 so that the treatment liquid is supplied from a liquid supply tube (not shown) and discharges the treatment liquid through a nozzle hole 5a provided therein. Yes. Examples of the processing liquid to be discharged include cleaning chemicals, rinsing liquids such as pure water, and dry solvents such as IPA. One type or two or more types of processing liquids can be discharged. As shown in FIG. 2, the nozzle arm 22 is provided so as to be rotatable about a shaft 23, and a discharge position on the center and outer periphery of the wafer W and a retreat position outside the wafer W by a driving mechanism (not shown). It is possible to move between. The nozzle arm 22 is provided so as to be movable up and down. When the nozzle arm 22 rotates between the retreat position and the discharge position, the nozzle arm 22 is in a raised state, and when the treatment liquid is discharged from the surface treatment liquid supply nozzle 5, the nozzle arm 22 is in a lowered state. Become.

裏面処理液供給ノズル６は昇降部材１３の中心に設けられており、その内部に長手方向に沿って延びるノズル孔６ａが形成されている。そして、図示しない処理液チューブを介してノズル孔６ａの下端から所定の処理液が供給され、その処理液がノズル孔６ａを介してウエハＷの裏面に吐出されるようになっている。吐出する処理液としては、上記表面処理液供給ノズル５と同様、洗浄用の薬液、純水等のリンス液、ＩＰＡのような乾燥溶媒等を挙げることができ、１種または２種以上の処理液を吐出可能となっている。昇降部材１３の上端部にはウエハＷを支持するウエハ支持台２４を有している。ウエハ支持台２４の上面には、ウエハＷを支持するための３本のウエハ支持ピン２５（２本のみ図示）を有している。そして、裏面処理液供給ノズル６の下端には接続部材２６を介してシリンダ機構２７が接続されており、このシリンダ機構２７によって昇降部材１３を昇降させることによりウエハＷを昇降させてウエハＷのローディングおよびアンローディングが行われる。 The back surface treatment liquid supply nozzle 6 is provided at the center of the elevating member 13, and a nozzle hole 6a extending along the longitudinal direction is formed therein. A predetermined processing liquid is supplied from the lower end of the nozzle hole 6a through a processing liquid tube (not shown), and the processing liquid is discharged to the back surface of the wafer W through the nozzle hole 6a. Examples of the processing liquid to be discharged include cleaning chemicals, rinsing liquids such as pure water, dry solvents such as IPA, and the like, as with the surface processing liquid supply nozzle 5. The liquid can be discharged. A wafer support 24 for supporting the wafer W is provided at the upper end of the elevating member 13. On the upper surface of the wafer support 24, there are three wafer support pins 25 (only two are shown) for supporting the wafer W. A cylinder mechanism 27 is connected to the lower end of the back surface treatment liquid supply nozzle 6 via a connection member 26. The wafer mechanism W is moved up and down by the cylinder mechanism 27 so that the wafer W is loaded. And unloading is performed.

回転カップ４は、図３に示すように、回転プレート１１の端部上方から内側斜め上方に延びる円環状の庇部３１と、庇部３１の外端部から垂直下方へ延びる筒状の外側壁部３２を有している。外側壁部３２と回転プレート１１との間には円環状の隙間３３が形成されており、この隙間３３からウエハＷが回転プレート１１および回転カップ４とともに回転されて飛散した処理液（ミスト）が下方に導かれる。 As shown in FIG. 3, the rotating cup 4 includes an annular flange 31 that extends obliquely upward and inward from the upper end of the rotating plate 11, and a cylindrical outer wall that extends vertically downward from the outer end of the flange 31. A portion 32 is provided. An annular gap 33 is formed between the outer wall portion 32 and the rotating plate 11, and the processing liquid (mist) in which the wafer W is rotated together with the rotating plate 11 and the rotating cup 4 and scattered from the gap 33. Guided downward.

庇部３１と回転プレート１１との間にはウエハＷとほぼ同じ高さの位置に板状をなす案内部材３５が介在されている。図４に示すように、庇部３１と案内部材３５との間、案内部材３５と回転プレート１１との間には、それぞれ処理液を通過させる複数の開口３６および３７を形成するための複数のスペーサ部材３８および３９が周方向に沿って配置されている。庇部３１と、案内部材３５と、回転プレート１１と、これらの間のスペーサ部材３８，３９とは、ねじ４０によりねじ止めされている。 A plate-shaped guide member 35 is interposed between the flange portion 31 and the rotating plate 11 at a position substantially the same height as the wafer W. As shown in FIG. 4, a plurality of openings 36 and 37 for allowing the processing liquid to pass therethrough are formed between the collar portion 31 and the guide member 35 and between the guide member 35 and the rotating plate 11, respectively. Spacer members 38 and 39 are arranged along the circumferential direction. The flange 31, the guide member 35, the rotating plate 11, and the spacer members 38 and 39 between them are screwed with screws 40.

案内部材３５は、その表裏面がウエハＷの表裏面と略連続するように設けられている。そして、モータ３によりウエハ保持部材２および回転カップ４をウエハＷとともに回転させて表面処理液供給ノズル５からウエハＷ表面の中心に処理液を供給した際には、処理液は遠心力でウエハＷの表面を広がり、ウエハＷの周縁から振り切られる。このウエハＷ表面から振り切られた処理液は、略連続して設けられた案内部材３５の表面に案内されて開口３６から外方へ排出され、庇部３１および外側壁部３２によって下方へ導かれる。また、同様にウエハ保持部材２および回転カップ４をウエハＷとともに回転させて裏面処理液供給ノズル６からウエハＷの裏面の中心に処理液を供給した際には、処理液は遠心力でウエハＷの裏面を広がり、ウエハＷの周縁から振り切られる。このウエハＷ裏面から振り切られた処理液は、ウエハＷの裏面と略連続して設けられた案内部材３５の裏面に案内されて開口３７から外方へ排出され、庇部３１および外側壁部３２によって下方へ導かれる。このときスペーサ部材３８、３９および外側壁部３２に到達した処理液には遠心力が作用しているから、これらがミストとなって内側へ戻ることが阻止される。 The guide member 35 is provided such that the front and back surfaces thereof are substantially continuous with the front and back surfaces of the wafer W. Then, when the processing liquid is supplied from the surface processing liquid supply nozzle 5 to the center of the surface of the wafer W by rotating the wafer holding member 2 and the rotating cup 4 together with the wafer W by the motor 3, the processing liquid is centrifuged by the centrifugal force. Is spread out from the periphery of the wafer W. The processing liquid shaken off from the surface of the wafer W is guided to the surface of the guide member 35 provided substantially continuously, discharged outward from the opening 36, and guided downward by the flange portion 31 and the outer wall portion 32. . Similarly, when the processing liquid is supplied to the center of the back surface of the wafer W from the back surface processing liquid supply nozzle 6 by rotating the wafer holding member 2 and the rotating cup 4 together with the wafer W, the processing liquid is centrifugally applied to the wafer W. Is spread from the periphery of the wafer W. The processing liquid spun off from the back surface of the wafer W is guided to the back surface of the guide member 35 provided substantially continuously with the back surface of the wafer W and discharged outward from the opening 37, and the flange portion 31 and the outer wall portion 32. Is led downwards. At this time, since the centrifugal force acts on the processing liquid that has reached the spacer members 38 and 39 and the outer wall portion 32, they are prevented from returning to the inside as mist.

また、案内部材３５はこのようにウエハＷ表面および裏面から振り切られた処理液を案内するので、ウエハＷの周縁から脱離した処理液が乱流化し難く、処理液をミスト化させずに回転カップ４外へ導くことができる。なお、図２に示すように、案内部材３５には、保持部材１４に対応する位置に、保持部材１４を避けるように切り欠き部４１が設けられている。 Further, since the guide member 35 guides the processing liquid shaken off from the front surface and the back surface of the wafer W in this way, the processing liquid detached from the peripheral edge of the wafer W is not easily turbulent and rotates without causing the processing liquid to be misted. It can be led out of the cup 4. As shown in FIG. 2, the guide member 35 is provided with a notch 41 at a position corresponding to the holding member 14 so as to avoid the holding member 14.

排気・排液部７は、主に回転プレート１１と回転カップ４に囲繞された空間から排出される気体および液体を回収するためのものであり、図３の拡大図にも示すように、回転カップ４から排出された処理液を受ける環状をなす排液カップ５１と、排液カップ５１の外側に、排液カップ５１を囲繞するように設けられた環状をなす排気カップ５２とを備えている。 The exhaust / drainage part 7 is mainly for recovering gas and liquid discharged from the space surrounded by the rotary plate 11 and the rotary cup 4, and as shown in the enlarged view of FIG. An annular drain cup 51 that receives the processing liquid discharged from the cup 4 and an annular exhaust cup 52 that is provided outside the drain cup 51 so as to surround the drain cup 51 are provided. .

図１および図３に示すように、排液カップ５１は、回転カップ４の外側に、外側壁部３２に近接して垂直に設けられた垂直壁５３と、垂直壁５３の下端から内側に向かって延びる底部５４とを有している。垂直壁５３の上端は回転カップ４の外側壁部３２の上方まで延びており、庇部３１に沿って湾曲している。これにより排液カップ５１内のミストがウエハＷ側へ逆流することを防止するようになっている。
環状をなす排液カップ５１の底部５４は、その外側から内側（つまりウエハＷの回転中心側）に向かって上昇するように傾斜し、その内側端は保持部材１４の保持部１４ａよりも内側（回転中心側）に対応する位置まで達している。 As shown in FIG. 1 and FIG. 3, the drainage cup 51 has a vertical wall 53 that is vertically provided near the outer wall portion 32 on the outer side of the rotating cup 4, and the inner side from the lower end of the vertical wall 53. And a bottom 54 extending in the direction. The upper end of the vertical wall 53 extends to above the outer wall portion 32 of the rotating cup 4 and is curved along the flange portion 31. This prevents the mist in the drain cup 51 from flowing back to the wafer W side.
The bottom portion 54 of the drainage cup 51 having an annular shape is inclined so as to rise from the outer side toward the inner side (that is, the rotation center side of the wafer W), and the inner end thereof is inside the holding portion 14a of the holding member 14 ( It reaches the position corresponding to the rotation center side).

また、排液カップ５１の内部の保持部材１４の外側位置には、底部５４から回転プレート１１の下面近傍まで延び、その周方向に沿って環状（円筒状）に設けられた遮蔽壁５５を有している。この遮蔽壁５５は、回転プレート１１下方の空間Ｓ２に発生した気流が排液カップ５１の外側方向（回転軸１２とは反対の方向）へ向けて進行することを妨げる作用を有している。そして、排液カップ５１は、この遮蔽壁５５によって、隙間３３から排出される処理液を受ける第１の処理液受け部である主液受け部５６と、保持部材１４の保持部１４ａ近傍部分から滴下される処理液を受ける第２の処理液受け部である副液受け部５７に分割されている。つまり、遮蔽壁５５は、処理液を受ける処理液受け部を二つに区分する仕切り壁（隔壁）としての機能も持っている。 Further, a shielding wall 55 provided in an annular shape (cylindrical shape) along the circumferential direction extends from the bottom 54 to the vicinity of the lower surface of the rotating plate 11 at a position outside the holding member 14 inside the drainage cup 51. is doing. The shielding wall 55 has an effect of preventing the airflow generated in the space S2 below the rotating plate 11 from traveling toward the outside of the drain cup 51 (the direction opposite to the rotating shaft 12). Then, the drainage cup 51 is separated from the main liquid receiving part 56 which is the first processing liquid receiving part for receiving the processing liquid discharged from the gap 33 by the shielding wall 55 and from the vicinity of the holding part 14 a of the holding member 14. It is divided into a secondary liquid receiving part 57 which is a second processing liquid receiving part for receiving the dropped processing liquid. That is, the shielding wall 55 also has a function as a partition wall (partition wall) that divides the processing liquid receiving portion that receives the processing liquid into two.

保持部材１４の保持部１４ａは、回転軸１４ｃを回動中心として回動することによりウエハＷを保持もしくは保持を解除できるように構成されているため、回転プレート１１には、保持部１４ａを挿入するための開口１１ｂが設けられている。この回転プレート１１の開口１１ｂを介して処理液が回転プレート１１の裏面側（下面）に廻り込み、下方に滴下した場合には、副液受け部５７によって受けることができる。
また、遮蔽壁５５には、副液受け部５７から主液受け部５６に処理液を導くための連通口である孔５８が形成されている。 Since the holding portion 14a of the holding member 14 is configured to hold or release the wafer W by rotating about the rotation shaft 14c, the holding portion 14a is inserted into the rotating plate 11. An opening 11b is provided for this purpose. When the processing liquid reaches the back side (lower surface) of the rotating plate 11 through the opening 11 b of the rotating plate 11 and drops downward, it can be received by the sub liquid receiving portion 57.
The shielding wall 55 is formed with a hole 58 that is a communication port for guiding the processing liquid from the secondary liquid receiving part 57 to the main liquid receiving part 56.

排液カップ５１の底部５４の最外側部分には１箇所の排液口６０が設けられており、排液口６０には排液管６１が接続されている。排液管６１には排液切り替え部および吸引機構（いずれも図示せず）が設けられており、処理液の種類に応じて分別して回収または廃棄されるようになっている。なお、排液口６０は例えば処理液の種類に応じて複数箇所に設けられていてもよい。 One drainage port 60 is provided in the outermost part of the bottom 54 of the drainage cup 51, and a drainage pipe 61 is connected to the drainage port 60. The drainage pipe 61 is provided with a drainage switching unit and a suction mechanism (both not shown), and are collected or discarded separately according to the type of processing liquid. In addition, the drain port 60 may be provided in multiple places according to the kind of process liquid, for example.

排気カップ５２は、排液カップ５１の垂直壁５３の外側部分に垂直に設けられた外側壁６４と、保持部材１４の内側部分に垂直にかつその上端が回転プレート１１に近接するように設けられた隔壁６５と、ベースプレート１上に設けられた底壁６６と、外側壁６４から上方へ湾曲するとともに、回転カップ４の上方を覆うように設けられた上側壁６７とを有している。前記のように、隔壁６５はその内側の回転軸１２周囲の空間Ｓ１とその外側の空間Ｓ２の雰囲気を分ける壁である。そして、排気カップ５２は、その上側壁６７と回転カップ４の庇部３１との間の環状をなす導入口６８から回転カップ４内およびその周囲の主にガス成分を取り込んで排気するようになっている。また、排気カップ５２の下部には、図１に示すように、排気口７０が設けられており、排気口７０には排気管７１が接続されている。排気管７１の下流側には図示しない吸引機構が設けられており、回転カップ４の周囲を排気することが可能となっている。排気口７０は複数設けられており、処理液の種類に応じて切り替えて使用することが可能となっている。 The exhaust cup 52 is provided so that the outer wall 64 provided perpendicular to the outer portion of the vertical wall 53 of the drain cup 51 and the inner portion of the holding member 14 are perpendicular to the upper end of the holding member 14. The partition wall 65, the bottom wall 66 provided on the base plate 1, and the upper side wall 67 that curves upward from the outer wall 64 and covers the upper side of the rotating cup 4. As described above, the partition wall 65 is a wall that separates the atmosphere of the space S1 around the inner rotary shaft 12 and the outer space S2. The exhaust cup 52 takes in and exhausts mainly gas components in and around the rotary cup 4 from an annular inlet 68 formed between the upper side wall 67 and the flange 31 of the rotary cup 4. ing. As shown in FIG. 1, an exhaust port 70 is provided below the exhaust cup 52, and an exhaust pipe 71 is connected to the exhaust port 70. A suction mechanism (not shown) is provided on the downstream side of the exhaust pipe 71 so that the periphery of the rotary cup 4 can be exhausted. A plurality of exhaust ports 70 are provided, and can be switched and used in accordance with the type of treatment liquid.

このように、処理液が回転カップ４を介して排液カップ５１に導かれ、気体成分は導入口６８から排気カップ５２に導かれ、かつ排液カップ５１からの排液と排気カップ５２からの排気が独立して行われるようになっているので、排液と排気を分離した状態で導くことが可能となる。また、排液カップ５１からミストが漏出しても排気カップ５２がその周囲を囲繞しているので速やかに排気口７０を介して排出され、ミストが外部に漏出することが確実に防止される。 Thus, the processing liquid is guided to the drainage cup 51 through the rotating cup 4, the gas component is guided from the introduction port 68 to the exhaust cup 52, and the drainage liquid from the drainage cup 51 and the exhaust cup 52 Since the exhaust is performed independently, it is possible to guide the drainage and the exhaust in a separated state. Further, even if mist leaks from the drain cup 51, the exhaust cup 52 surrounds the periphery thereof, so that it is quickly discharged through the exhaust port 70, and the mist is reliably prevented from leaking outside.

前記のように、排液カップ５１の底部５４は、その外側から内側（回転中心側）に向かって上昇するように傾斜して形成されているため、主液受け部５６の内底面５４ａおよび副液受け部５７の内底面５４ｂもそれぞれ外側から内側（回転中心側）に向かって上昇するように傾斜している。そして、副液受け部５７は、主液受け部５６に比べて浅底に形成されている。これは、主液受け部５６と副液受け部５７で受ける処理液量の大小関係と対応している。すなわち、回転プレート１１の開口１１ｂを介して裏面側（下面）に廻り込む処理液は主液受け部５６で受ける処理液の量に比べて少ないため、副液受け部５７の容積に比べて主液受け部５６の容積を大きくすることが好ましい。 As described above, since the bottom portion 54 of the drainage cup 51 is formed so as to rise from the outside toward the inside (rotation center side), the inner bottom surface 54a and the sub-portion of the main liquid receiving portion 56 are formed. The inner bottom surface 54b of the liquid receiving portion 57 is also inclined so as to rise from the outside toward the inside (rotation center side). The secondary liquid receiving part 57 is formed shallower than the main liquid receiving part 56. This corresponds to the magnitude relationship between the amount of processing liquid received by the main liquid receiving part 56 and the sub liquid receiving part 57. That is, the amount of processing liquid that goes around to the back side (lower surface) through the opening 11 b of the rotating plate 11 is smaller than the amount of processing liquid received by the main liquid receiving portion 56, and therefore the main volume compared to the volume of the sub liquid receiving portion 57. It is preferable to increase the volume of the liquid receiving portion 56.

また、遮蔽壁５５は、回転プレート１１が回転した際に、保持部材１４の回転プレート１１の下方に突出した部分によって形成された気流（例えば、旋回流）がミストを随伴してウエハＷ側に到達することを阻止する役割を有している。
すなわち、保持部材１４は、保持部１４ａの反対端である着脱部１４ｂに向かうに従い、回転プレート１１の裏面側の中心方向に向けて下方に突起しているため、回転プレート１１を回転させた状態で保持部材１４が羽根のような役割をして回転プレート１１の下方空間に気流を形成する。このような気流が発生すると、排気カップ５２内で排気口７０へ向かう一方向の排気の流れを乱してしまう。その結果、排気中に含まれるミストを拡散させ、ウエハＷの表面にウォーターマークやパーティクルを発生させる原因となる。そこで本実施形態では、保持部材１４を囲むように筒状の遮蔽壁５５を配備することにより、回転プレート１１の回転に伴う保持部材１４の周回運動によって発生した気流が外周方向へ向かうことを妨げ、正常な排気の流れを乱すことがないようにしている。 Further, when the rotating plate 11 rotates, the shielding wall 55 has an airflow (for example, a swirling flow) formed by a portion protruding below the rotating plate 11 of the holding member 14 on the wafer W side accompanied with mist. It has a role to prevent it from reaching.
That is, since the holding member 14 protrudes downward toward the center of the back surface side of the rotating plate 11 toward the attaching / detaching portion 14b which is the opposite end of the holding portion 14a, the rotating plate 11 is rotated. Thus, the holding member 14 functions like a blade to form an air flow in the lower space of the rotating plate 11. When such an air flow is generated, the flow of exhaust in one direction toward the exhaust port 70 in the exhaust cup 52 is disturbed. As a result, the mist contained in the exhaust gas is diffused, causing water marks and particles to be generated on the surface of the wafer W. Therefore, in the present embodiment, by arranging the cylindrical shielding wall 55 so as to surround the holding member 14, the airflow generated by the circular motion of the holding member 14 accompanying the rotation of the rotating plate 11 is prevented from moving in the outer circumferential direction. The normal exhaust flow is not disturbed.

また、回転プレート１１の開口１１ｂを介して裏面側（下面）に廻り込む処理液を確実に回収するためには、回転プレート１１の外周側から、処理液が回転支持手段の裏面側に漏出する部位である回転プレート１１の開口１１ｂの下方位置に至る範囲を排液カップ５１によってカバーする必要がある。この目的のために、排液カップ５１の処理液受け部（凹部）を内側に向けて拡大した場合、回転プレート１１の裏面側に突出して装着された保持部材１４が回転する際に回転プレート１１の下方の空間に発生させる気流により、排液カップ５１の凹部内に集められた処理液の流れを乱し、ミストを発生させる原因となる。 Further, in order to reliably recover the processing liquid that goes to the back side (lower surface) through the opening 11b of the rotating plate 11, the processing liquid leaks from the outer peripheral side of the rotating plate 11 to the back side of the rotation support means. It is necessary to cover the range reaching the position below the opening 11 b of the rotating plate 11, which is a part, with the drainage cup 51. For this purpose, when the treatment liquid receiving portion (concave portion) of the drainage cup 51 is enlarged inward, the rotating plate 11 is rotated when the holding member 14 that protrudes and is mounted on the back surface side of the rotating plate 11 rotates. The airflow generated in the space below the turbulence disturbs the flow of the processing liquid collected in the recess of the drainage cup 51 and causes mist to be generated.

このようなことから、本実施形態の排液カップ５１では、遮蔽壁５５によって排液カップ５１の処理液受け部を主液受け部５６および副液受け部５７に二分割し、前記気流が排液カップ５１の主液受け部５６内を流れる処理液の流れを乱すことを抑制し、ミストの発生を防止するとともに正常な排液の流れを維持できるようにした。また、遮蔽壁５５により二分割された排液カップ５１の主液受け部５６と副液受け部５７は、図１および図３に示されるように、いずれも断面視略Ｖ字型をした溝（環状の凹部）であり、その溝の最下端に排液口６０および連通口である孔５８が形成されているので、処理液を速やかに排液口６０へ運ぶことができる。
さらに、遮蔽壁５５は、前記気流を遮蔽する機能を持つことから、気流が排気経路に達して排気カップ５２内での正常な排気流を乱すことも防止できる。 For this reason, in the drainage cup 51 of the present embodiment, the treatment liquid receiving part of the drainage cup 51 is divided into the main liquid receiving part 56 and the sub liquid receiving part 57 by the shielding wall 55, and the airflow is discharged. Disturbance of the flow of the processing liquid flowing in the main liquid receiving portion 56 of the liquid cup 51 is suppressed, so that generation of mist can be prevented and a normal flow of drainage can be maintained. Further, as shown in FIGS. 1 and 3, the main liquid receiving part 56 and the sub liquid receiving part 57 of the drainage cup 51 divided into two by the shielding wall 55 are grooves each having a substantially V-shaped cross-sectional view. Since the drainage port 60 and the hole 58 which is the communication port are formed at the lowermost end of the groove, the processing liquid can be quickly conveyed to the drainage port 60.
Further, since the shielding wall 55 has a function of shielding the airflow, it is possible to prevent the airflow from reaching the exhaust path and disturbing the normal exhaust flow in the exhaust cup 52.

以上のように、遮蔽壁５５を設けたことにより、保持部材１４の回転により発生した気流が排気カップ５２内での排気に与える影響と、排液カップ５１内での排液に与える影響を同時に緩和することができる。従って、液処理装置１００における排気および排液の効率を高め、ミストの発生やパーティクル汚染が少なく、信頼性の高い液処理装置を提供できる。 As described above, by providing the shielding wall 55, the influence of the airflow generated by the rotation of the holding member 14 on the exhaust in the exhaust cup 52 and the influence on the drainage in the drainage cup 51 are simultaneously performed. Can be relaxed. Therefore, it is possible to improve the efficiency of exhaust and drainage in the liquid processing apparatus 100, and to provide a highly reliable liquid processing apparatus with less mist generation and particle contamination.

次に、以上のように構成される液処理装置１００の動作について図５を参照して説明する。まず、図５の（ａ）に示すように、昇降部材１３を上昇させた状態で、図示しない搬送アームからウエハ支持台２４の支持ピン２５上にウエハＷを受け渡す。次いで、図５の（ｂ）に示すように、昇降部材１３を、ウエハＷを保持部材１４により保持可能な位置まで下降させ、保持部材１４によりウエハＷをチャッキングする。そして、図５の（ｃ）に示すように、表面処理液供給ノズル５を退避位置からウエハＷの中心上の吐出位置に移動させる。 Next, the operation of the liquid processing apparatus 100 configured as described above will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 5A, the wafer W is transferred from the transfer arm (not shown) onto the support pins 25 of the wafer support 24 in a state where the elevating member 13 is raised. Next, as shown in FIG. 5B, the elevating member 13 is lowered to a position where the wafer W can be held by the holding member 14, and the wafer W is chucked by the holding member 14. Then, as shown in FIG. 5C, the surface treatment liquid supply nozzle 5 is moved from the retracted position to the ejection position on the center of the wafer W.

この状態で、図５の（ｄ）に示すように、モータ３により回転プレート１１を回転カップ４およびウエハＷとともに回転させながら、表面処理液供給ノズル５および裏面処理液供給ノズル６から所定の処理液を供給して洗浄処理を行う。 In this state, as shown in FIG. 5D, a predetermined process is performed from the surface treatment liquid supply nozzle 5 and the back surface treatment liquid supply nozzle 6 while the rotating plate 11 is rotated together with the rotation cup 4 and the wafer W by the motor 3. The liquid is supplied to perform the cleaning process.

この洗浄処理においては、ウエハＷの表面および裏面の中心に処理液が供給され、その洗浄液が遠心力によりウエハＷの外側に広がり、ウエハＷの周縁から振り切られる。この場合に、ウエハＷの外側を囲繞するように設けられているカップがウエハＷとともに回転する回転カップ４であるから、ウエハＷから振り切られた処理液が回転カップ４に当たった際に処理液に遠心力が作用し、固定カップの場合のような飛び散り（ミスト化）は発生し難い。そして回転カップ４に達した処理液は下方に導かれ、隙間３３から排液カップ５１の主液受け部５６に排出される。一方、回転プレート１１の保持部材１４の取り付け位置には、保持部１４ａを挿入する開口１１ｂが設けられているため、その部分から排液カップ５１の副液受け部５７に処理液が滴下される。 In this cleaning process, a processing liquid is supplied to the center of the front and back surfaces of the wafer W, and the cleaning liquid spreads outside the wafer W by centrifugal force and is shaken off from the periphery of the wafer W. In this case, since the cup provided so as to surround the outside of the wafer W is the rotating cup 4 that rotates together with the wafer W, when the processing liquid shaken off from the wafer W hits the rotating cup 4, the processing liquid Centrifugal force acts on the surface, and scattering (misting) unlike the case of the fixed cup hardly occurs. Then, the processing liquid that has reached the rotating cup 4 is guided downward, and is discharged from the gap 33 to the main liquid receiving portion 56 of the draining cup 51. On the other hand, since the opening 11b into which the holding portion 14a is inserted is provided at the attachment position of the holding member 14 of the rotating plate 11, the processing liquid is dripped from the portion into the sub liquid receiving portion 57 of the drain cup 51. .

ウエハＷの洗浄の際に回転カップ４から排出される処理液は、回転しながら環状の隙間３３から排出されるため、それを受ける排液カップ５１は環状なものとならざるを得ない。 Since the processing liquid discharged from the rotating cup 4 during the cleaning of the wafer W is discharged from the annular gap 33 while rotating, the draining cup 51 that receives the processing liquid must be annular.

このように、環状の排液カップ５１から短時間で処理液を排出することができることから、複数種の処理液を使用する場合に、排出先を切り替えるタイミングを見極めるのが容易となり、また、処理液を切り替える際に２種類の処理液が混ざった状態で排出されてしまうことを防止することができる。 As described above, since the processing liquid can be discharged from the annular drain cup 51 in a short time, it is easy to determine the timing for switching the discharge destination when using a plurality of types of processing liquids. It is possible to prevent the two types of processing liquids from being discharged in a mixed state when the liquids are switched.

この場合に、排液カップ５１の底部５４（つまり、主液受け部５６の内底面５４ａおよび副液受け部５７の内底面５４ｂ）は外側から内側へ向かって上昇するように傾斜しているので、主液受け部５６および副液受け部５７に排出された処理液が速やかに外側部分に流れ、液残りを発生し難くすることができる。また、気流を遮蔽する機能を持つ遮蔽壁５５によって、回転プレート１１の回転時に主として保持部材１４により発生する気流をブロックし、気流が排液カップ５１内の処理液の流れを乱すことがないようにしている。さらに、遮蔽壁５５を設けることによって、気流が排気経路に達して排気カップ５２内の正常な排気を乱すことを防ぎ、ミストやパーティクルの拡散を抑制できる。 In this case, the bottom portion 54 of the drainage cup 51 (that is, the inner bottom surface 54a of the main liquid receiving portion 56 and the inner bottom surface 54b of the sub liquid receiving portion 57) is inclined so as to rise from the outside toward the inside. In addition, the processing liquid discharged to the main liquid receiving part 56 and the sub liquid receiving part 57 can quickly flow to the outer part, and it is possible to make it difficult to generate liquid residue. Further, the shielding wall 55 having a function of shielding the airflow blocks the airflow generated mainly by the holding member 14 when the rotating plate 11 rotates, so that the airflow does not disturb the flow of the processing liquid in the draining cup 51. I have to. Furthermore, by providing the shielding wall 55, it is possible to prevent airflow from reaching the exhaust path and disturbing normal exhaust in the exhaust cup 52, and to suppress diffusion of mist and particles.

＜第２実施形態＞
次に図６〜図８を参照しながら本発明の第２実施形態に係る液処理装置について説明する。
図６は、本発明の第２実施形態に係る液処理装置１０１の概略構成を示す断面図である。この液処理装置１０１の基本的構成は、図１の第１実施形態にかかる液処理装置１００と同様であるため、以下では相違点のみを説明し、同様の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
第１実施形態の液処理装置１００では、遮蔽壁５５を排液カップ５１の底部５４から立設することによって、処理液受け部を主液受け部５６および副液受け部５７に二分割した。これに対し、本実施形態の液処理装置１０１では、回転プレート１１から下方に向けて円筒状の遮蔽壁５５ａを設ける構成とした。遮蔽壁５５ａは、回転プレート１１の開口１１ａよりも外周側の近傍に設けられており、その高さは、排液カップ５１ａの底部５４ｃの直近に達するように構成されている。従って、排液カップ５１ａは、第１実施形態のような遮蔽壁５５（図１）を有していない。 Second Embodiment
Next, a liquid processing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a liquid processing apparatus 101 according to the second embodiment of the present invention. Since the basic configuration of the liquid processing apparatus 101 is the same as that of the liquid processing apparatus 100 according to the first embodiment of FIG. 1, only differences will be described below, and the same reference numerals are given to the same configurations. The description is omitted.
In the liquid processing apparatus 100 of the first embodiment, the processing liquid receiving part is divided into the main liquid receiving part 56 and the sub liquid receiving part 57 by standing the shielding wall 55 from the bottom part 54 of the draining cup 51. On the other hand, in the liquid processing apparatus 101 of this embodiment, it was set as the structure which provides the cylindrical shielding wall 55a toward the downward direction from the rotating plate 11. FIG. The shielding wall 55a is provided in the vicinity of the outer peripheral side of the opening 11a of the rotating plate 11, and the height thereof is configured to reach the vicinity of the bottom 54c of the draining cup 51a. Therefore, the drainage cup 51a does not have the shielding wall 55 (FIG. 1) as in the first embodiment.

遮蔽壁５５ａの機能は、第１実施形態における遮蔽壁５５と略同様である。すなわち、遮蔽壁５５ａは、空間Ｓ２において発生した気流を遮蔽する機能を有しており、前記気流が排気経路に達して排気カップ５２内での正常な排気流を乱すことを防止できる。また、遮蔽壁５５ａによって、排液カップ５１ａの処理液受け部を主液受け部５６ａおよび副液受け部５７ａに二分割できるので、空間Ｓ２において保持部材１４の周回運動により発生した気流が排液カップ５１の主液受け部５６ａ内を流れる処理液の流れを乱すことを抑制し、ミストの発生を防止するとともに正常な排液の流れを維持するように作用する。本実施形態では、遮蔽壁５５ａにより二分割された排液カップ５１ａの主液受け部５６ａと副液受け部５７ａは、遮蔽壁５５ａの下端と排液カップ５１ａの底部５４ｃとの隙間において連通していることから、副液受け部５７ａに滴下した処理液は、内側（ウエハＷの回転中心側）から外周側へ向けて傾斜した底部５４ｃの内底部を速やかに流下して主液受け部５６ａに導かれる。そして、処理液は、断面視略Ｖ字型をした溝（環状の凹部）である主液受け部５６ａの最下端に形成された排液口６０へ速やかに運ばれる。 The function of the shielding wall 55a is substantially the same as that of the shielding wall 55 in the first embodiment. That is, the shielding wall 55a has a function of shielding the airflow generated in the space S2, and can prevent the airflow from reaching the exhaust path and disturbing the normal exhaust flow in the exhaust cup 52. Further, since the treatment liquid receiving part of the drainage cup 51a can be divided into two parts by the shielding wall 55a into the main liquid receiving part 56a and the secondary liquid receiving part 57a, the air flow generated by the revolving motion of the holding member 14 in the space S2 is drained. It suppresses disturbing the flow of the processing liquid flowing in the main liquid receiving portion 56a of the cup 51, and prevents the generation of mist and maintains the normal flow of drainage. In the present embodiment, the main liquid receiving part 56a and the secondary liquid receiving part 57a of the drainage cup 51a divided into two by the shielding wall 55a communicate with each other in the gap between the lower end of the shielding wall 55a and the bottom part 54c of the drainage cup 51a. Therefore, the processing liquid dropped on the secondary liquid receiving part 57a quickly flows down the inner bottom part of the bottom part 54c inclined from the inner side (the rotation center side of the wafer W) toward the outer peripheral side, and the main liquid receiving part 56a. Led to. Then, the processing liquid is quickly conveyed to the drainage port 60 formed at the lowermost end of the main liquid receiving portion 56a, which is a groove (annular recess) having a substantially V shape in cross section.

また、本実施形態の液処理装置１０１では、回転プレート１１の下面に、気流抑制手段としての弧状の凸部１１ｃを設けている。図７は回転プレート１１下面を示す斜視図であり、図８は、凸部１１ｃを含む回転プレート１１の要部断面図である。凸部１１ｃは、保持部材１４の装着部位Ｐを両側から挟むように複数個（本実施形態では３つ）設けられている。回転プレート１１を回転させると旋回流などの気流が空間Ｓ２に発生する理由は、前記のように、比較的大型の部材である保持部材１４が回転プレート１１の下方に突出した状態で周回運動する際に攪拌翼として働くためである。従って、回転プレート１１の下面において、保持部材１４と同じ円軌道を移動できる位置に凸部１１ｃを突出形成することにより、保持部材１４による攪拌機能を弱め、気流の発生自体を少なくすることができる。このような気流抑制効果を得るため、凸部１１ｃの高さｈは、保持部材１４の支点部１４ｄと同じもしくはそれ以上とすることが好ましい。なお、凸部１１ｃは、中空でも中実でもよく、また、回転プレート１１と一体に形成されていてもよいし、別部材を回転プレート１１の下面に接合したものであってもよい。 Moreover, in the liquid processing apparatus 101 of this embodiment, the arc-shaped convex part 11c as an airflow suppression means is provided in the lower surface of the rotation plate 11. FIG. FIG. 7 is a perspective view showing the lower surface of the rotating plate 11, and FIG. 8 is a cross-sectional view of the main part of the rotating plate 11 including the convex portion 11c. A plurality of protrusions 11c (three in this embodiment) are provided so as to sandwich the mounting portion P of the holding member 14 from both sides. The reason why an air flow such as a swirl flow is generated in the space S <b> 2 when the rotating plate 11 is rotated is that the holding member 14, which is a relatively large member, circulates in a state of protruding below the rotating plate 11 as described above. This is because it works as a stirring blade. Therefore, by forming the protruding portion 11c so as to project on the lower surface of the rotating plate 11 at a position where it can move on the same circular orbit as the holding member 14, the stirring function by the holding member 14 can be weakened and the generation of airflow itself can be reduced. . In order to obtain such an airflow suppression effect, the height h of the convex portion 11c is preferably the same as or higher than the fulcrum portion 14d of the holding member 14. The convex portion 11 c may be hollow or solid, may be formed integrally with the rotating plate 11, or may be formed by joining another member to the lower surface of the rotating plate 11.

以上のように、遮蔽壁５５ａを回転カップ１１の側に設けることによっても、保持部材１４の回転により空間Ｓ２で発生した気流が排気カップ５２内での排気に与える影響と、排液カップ５１ａ内での排液に与える影響を同時に緩和することができる。また、遮蔽壁５５ａを配備したことに加え、回転プレート１１の下面に、保持部材１４による攪拌機能を弱める気流抑制手段（凸部１１ｃ）を設けたことにより、気流の強さを減衰させ得る。従って、液処理装置１０１における排気および排液の効率を高め、ミストの発生やパーティクル汚染が少なく、信頼性の高い液処理装置を提供できる。
なお、本実施形態の気流抑制手段（凸部１１ｃ）を、第１実施形態の液処理装置１００に適用することも可能である。 As described above, by providing the shielding wall 55a on the rotating cup 11 side, the influence of the airflow generated in the space S2 by the rotation of the holding member 14 on the exhaust in the exhaust cup 52 and the inside of the drain cup 51a At the same time, the effect on drainage can be reduced. In addition to the provision of the shielding wall 55a, the airflow intensity can be attenuated by providing the lower surface of the rotating plate 11 with the airflow suppressing means (convex portion 11c) that weakens the stirring function of the holding member 14. Therefore, it is possible to increase the efficiency of exhaust and drainage in the liquid processing apparatus 101, and to provide a highly reliable liquid processing apparatus with less mist generation and particle contamination.
In addition, it is also possible to apply the airflow suppression means (convex part 11c) of this embodiment to the liquid processing apparatus 100 of 1st Embodiment.

＜第３実施形態＞
次に、図９は本発明の第３実施形態に係る液処理装置１０２の概略構成を示す断面図である。この液処理装置１０２の基本的構成は、図１の第１実施形態にかかる液処理装置１００と同様であるため、以下では相違点のみを説明し、同様の構成には同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態にかかる液処理装置１０２では、遮蔽壁５５に加えて、その内側（回転軸１２側）下方に、第２の遮蔽壁７３を設けた。第２の遮蔽壁７３は、ベースプレート１上に設けられた底壁６６から立設された円筒状の壁である。この第２の遮蔽壁７３は、保持部材１４の下方位置に形成され、その上端が保持部材１４に近接する高さで形成されている。そして、第２の遮蔽壁７３は、回転プレート１１の回転時に保持部材１４の周回運動により空間Ｓ２内に発生した気流が、排液カップ５１や、その周囲の排気経路へ向かうことを妨げる作用を有している。このような気流遮蔽効果を高める上で、遮蔽板７３と保持部材１４との間隔は、円軌道を描いて移動する保持部材１４に接触しない範囲で出来るだけ少ないことが好ましい。 <Third Embodiment>
Next, FIG. 9 is a sectional view showing a schematic configuration of a liquid processing apparatus 102 according to the third embodiment of the present invention. Since the basic configuration of the liquid processing apparatus 102 is the same as that of the liquid processing apparatus 100 according to the first embodiment of FIG. 1, only differences will be described below, and the same reference numerals are given to the same configurations. The description is omitted. In the liquid processing apparatus 102 according to the present embodiment, in addition to the shielding wall 55, a second shielding wall 73 is provided below the inner side (rotating shaft 12 side). The second shielding wall 73 is a cylindrical wall erected from a bottom wall 66 provided on the base plate 1. The second shielding wall 73 is formed at a position below the holding member 14, and an upper end thereof is formed at a height close to the holding member 14. The second shielding wall 73 acts to prevent the airflow generated in the space S2 due to the revolving motion of the holding member 14 during the rotation of the rotating plate 11 from moving toward the drainage cup 51 and the surrounding exhaust path. Have. In order to enhance such an airflow shielding effect, it is preferable that the distance between the shielding plate 73 and the holding member 14 is as small as possible in a range not contacting the holding member 14 that moves along a circular orbit.

また、第２の遮蔽壁７３により、空間Ｓ２で発生した気流が排液カップ５１の下方から排気口７０へ回りこむことを防止できる。空間Ｓ２で発生した気流が直接排気口７０へ進行すると、排気カップ５２の上側壁６７と回転カップ４の庇部３１との間の導入口６８から取り込まれたガス成分が、排気口７０へと向かう排気の流れを乱してしまう。その結果、排気中のミストが拡散してウエハＷに付着しウォーターマークやパーティクル汚染を引き起こす原因となる。第２の遮蔽壁７３を設けることにより、上記のような気流の影響を排除して正常な排気を行なうことができる。
さらに、保持部材１４の近傍には、保持部材１４の着脱部１４ｂを押し上げるために図示しないシリンダ機構が配備されていることから、第２の遮蔽壁７３を設けることにより、排液カップ５１から処理液やミストが飛散してシリンダ機構に付着し、腐食の原因になることを防止できる。 Further, the second shielding wall 73 can prevent the airflow generated in the space S <b> 2 from flowing into the exhaust port 70 from below the drain cup 51. When the airflow generated in the space S <b> 2 travels directly to the exhaust port 70, the gas component taken in from the introduction port 68 between the upper wall 67 of the exhaust cup 52 and the flange 31 of the rotating cup 4 enters the exhaust port 70. Disturbing the flow of exhaust going. As a result, the mist in the exhaust gas diffuses and adheres to the wafer W, causing watermarks and particle contamination. By providing the second shielding wall 73, normal exhaust can be performed while eliminating the influence of the airflow as described above.
Further, since a cylinder mechanism (not shown) is provided in the vicinity of the holding member 14 to push up the attaching / detaching portion 14b of the holding member 14, a treatment is performed from the drain cup 51 by providing the second shielding wall 73. It is possible to prevent liquid and mist from splashing and adhering to the cylinder mechanism and causing corrosion.

このように、本実施形態の液処理装置１０２では、遮蔽壁５５に加えて、第２の遮蔽壁７３を設けた二重遮蔽構造を採用したので、空間Ｓ２で発生した気流が排気カップ５２内での排気に与える影響と、排液カップ５１内での排液に与える影響を同時に緩和することができる。従って、液処理装置１０２における排気および排液の効率を高め、ミストの発生やパーティクル汚染が少なく、信頼性の高い液処理装置を提供できる。なお、第３実施形態の液処理装置１０２における第２の遮蔽壁７３は、第２実施形態の液処理装置１０１にも配設することができる。 Thus, in the liquid processing apparatus 102 of this embodiment, since the double shielding structure provided with the second shielding wall 73 in addition to the shielding wall 55 is adopted, the air flow generated in the space S2 is generated in the exhaust cup 52. It is possible to simultaneously reduce the influence exerted on the exhaust in the drainage and the influence exerted on the drainage in the drainage cup 51. Accordingly, it is possible to improve the efficiency of exhaust and drainage in the liquid processing apparatus 102, and to provide a highly reliable liquid processing apparatus with less mist generation and particle contamination. In addition, the 2nd shielding wall 73 in the liquid processing apparatus 102 of 3rd Embodiment can also be arrange | positioned also in the liquid processing apparatus 101 of 2nd Embodiment.

なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記の各実施形態では、ウエハの表裏面洗浄を行う液処理装置を例にとって示したが、本発明はこれに限らず、表面または裏面の一方の洗浄処理を行う液処理装置であってもよく、また、液処理については洗浄処理に限らず、レジスト液塗布処理やその後の現像処理等、他の液処理であっても構わない。
また、上記の各実施形態では、回転プレート１１と同期して回転する回転カップ４を備えた構成としたが、回転プレート１１に保持されたウエハＷを囲繞する液受けカップとしては、回転しないものでも使用できる。
また、上記実施形態では被処理基板として半導体ウエハを用いた場合について示したが、液晶表示装置（ＬＣＤ）用のガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板等、他の基板に適用可能であることは言うまでもない。 The present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment. For example, in each of the above embodiments, a liquid processing apparatus that performs front and back surface cleaning of a wafer has been described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and is a liquid processing apparatus that performs cleaning processing on one of the front and back surfaces. In addition, the liquid process is not limited to the cleaning process, and other liquid processes such as a resist liquid coating process and a subsequent development process may be used.
In each of the above embodiments, the rotating cup 4 that rotates in synchronization with the rotating plate 11 is provided. However, the liquid receiving cup that surrounds the wafer W held on the rotating plate 11 does not rotate. But you can use it.
In the above embodiment, the case where a semiconductor wafer is used as the substrate to be processed has been described. However, other substrates such as a flat panel display (FPD) substrate represented by a glass substrate for a liquid crystal display device (LCD) are used. Needless to say, it is applicable.

本発明は、半導体ウエハに付着したパーティクルやコンタミネーションを除去するための洗浄装置に有効である。 The present invention is effective for a cleaning apparatus for removing particles and contamination adhering to a semiconductor wafer.

本発明の第１実施形態に係る液処理装置の概略構成を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a liquid processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態に係る液処理装置を一部切り欠いて示す概略平面図。1 is a schematic plan view showing a liquid processing apparatus according to a first embodiment of the present invention with a part cut away. 図１の液処理装置の排気・排液部を拡大して示す断面図。Sectional drawing which expands and shows the exhaust_gas | exhaustion part of the liquid processing apparatus of FIG. 図１の液処理装置の回転カップおよび案内部材の取り付け状態を説明するための図。The figure for demonstrating the attachment state of the rotating cup and guide member of the liquid processing apparatus of FIG. 本発明の一実施形態に係る液処理装置の処理動作を説明するための図。The figure for demonstrating the processing operation of the liquid processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態に係る液処理装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the liquid processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 第２実施形態に用いられる回転プレートの下面の構造を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the lower surface of the rotating plate used for 2nd Embodiment. 第２実施形態に用いられる回転プレートの要部断面図。Sectional drawing of the principal part of the rotating plate used for 2nd Embodiment. 本発明の第３実施形態に係る液処理装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the liquid processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

Explanation of symbols

１；ベースプレート
２；ウエハ保持部
３；回転モータ
４；回転カップ
５；表面処理液供給ノズル
６；裏面処理液供給ノズル
７；排気・排液部
８；ケーシング
９；ＦＦＵ
１１；回転プレート
１２；回転軸
１３；昇降部材
１４；保持部材
３１；庇部
３２；外側壁部
３３；隙間
３５；案内部材
５１；排液カップ
５２；排気カップ
５３；垂直壁
５４；底部
５５；遮蔽壁
５６；主液受け部（第１の液受け部）
５７；副液受け部（第２の液受け部）
６０；排液口
６５；隔壁
１００，１０１，１０２；液処理装置
Ｗ；ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Base plate 2; Wafer holding part 3; Rotating motor 4; Rotating cup 5; Surface treatment liquid supply nozzle 6; Back surface treatment liquid supply nozzle 7; Exhaust / drainage part 8; Casing 9;
11; Rotating plate 12; Rotating shaft 13; Elevating member 14; Holding member 31; Gutter 32; Outer wall portion 33; Clearance 35; Guide member 51; Drainage cup 52; Exhaust cup 53; Vertical wall 54; Shielding wall 56; main liquid receiving part (first liquid receiving part)
57; Secondary liquid receiving part (second liquid receiving part)
60; drainage port 65; partition walls 100, 101, 102; liquid processing apparatus W; wafer

Claims

A substrate holder that holds the substrate horizontally and can rotate with the substrate;
A ring-shaped so as to surround the substrate held by the substrate holder, a liquid receiving cup for receiving the processing liquid shaken off from the rotating substrate;
A rotation mechanism for rotating the substrate holder;
A liquid supply mechanism for supplying a processing liquid to the substrate;
An annular shape corresponding to the liquid receiving cup, a first processing liquid receiving portion for receiving the processing liquid discharged from the liquid receiving cup, and a substrate processing body provided inside the first processing liquid receiving portion, A drainage cup having a second processing liquid receiving portion for receiving the processing liquid leaked to the back surface of
A liquid processing apparatus comprising:

The liquid processing apparatus according to claim 1, further comprising a communication port through which the processing liquid is discharged from the second processing liquid receiving unit to the first processing liquid receiving unit.

The bottom of the first processing liquid receiving part and the bottom of the second processing liquid receiving part are inclined so as to rise from the outside toward the inside, respectively. 2. The liquid processing apparatus according to 2.

The substrate holding body has a holding member that is disposed on the lower surface side thereof and holds the substrate by a holding portion that protrudes to the upper surface side of the substrate holding body through an opening, and the second processing liquid 4. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the receiving part receives the processing liquid leaked to the back surface of the substrate holder via the opening. 5.

A partition wall is provided between the first processing liquid receiving part and the second processing liquid receiving part, and the partition wall is radially outer than the holding member when viewed from the rotation center of the substrate holder. The liquid processing apparatus according to claim 4, wherein the liquid processing apparatus is located in the position.

The first processing liquid receiving portion is formed as a first annular recess, and the second processing liquid receiving portion is formed as a second annular recess provided inside the first annular recess. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein:

The liquid processing apparatus according to claim 6, further comprising a communication port that discharges the processing liquid from the second annular recess to the first annular recess.

The liquid processing apparatus according to claim 6 or 7, wherein the second annular recess is formed to be shallower than the first annular recess.

The bottom portion of the first annular recess and the bottom portion of the second annular recess are inclined so as to rise from the outside toward the inside, respectively. The liquid processing apparatus according to item 1.

The substrate holding body has a holding member that is disposed on the lower surface side thereof and holds the substrate by a holding portion that protrudes to the upper surface side of the substrate holding body through an opening, and the second processing liquid 10. The liquid processing apparatus according to claim 6, wherein the receiving portion receives a processing liquid leaked to a back surface of the substrate holder through the opening. 11.

A partition wall is provided between the first annular recess and the second annular recess, and the partition wall is located radially outside the holding member when viewed from the rotation center of the substrate holder. The liquid processing apparatus according to any one of claims 6 to 10, wherein

An exhaust cup is provided outside the drain cup so as to surround the drain cup, and further includes an exhaust cup for taking in and exhausting mainly gas components from the liquid receiving cup and its surroundings. The liquid processing apparatus of any one of Claims 1-11.

A substrate holder that holds the substrate horizontally and can be rotated together with the substrate; and a liquid receiving cup that is annular so as to surround the substrate held by the substrate holder and receives the processing liquid shaken off from the rotating substrate. a rotation mechanism for rotating the substrate holder, and supplies liquid supply mechanism the processing liquid to a substrate, an annular corresponding to the liquid receiving cup, have a drainage port for discharging the treatment liquid, pre SL solution A liquid processing method using a liquid processing apparatus having a draining cup for receiving the processing liquid discharged from the receiving cup,
A processing liquid discharged from the liquid receiving cup is received by a first processing liquid receiving part provided in the draining cup, and a first is provided inside the first processing liquid receiving part in the draining cup. A liquid processing method, wherein the processing liquid leaked to the back surface of the substrate holding body is received by the processing liquid receiving portion of 2, and the processing liquid is guided to the drain port.