KR20200095036A - 회로기판 및 이를 포함하는 안테나 모듈 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 회로기판은, 제 1 절연층; 상기 제 1 절연층의 상면 상에 배치되는 회로 패턴; 상기 제 1 절연층의 상면 상에 배치되는 제 2 절연층; 상기 제 1 절연층의 하면 상에 배치되는 제 1 보호층; 및 상기 제 2 절연층의 상면 상에 배치되는 제 2 보호층을 포함하고, 상기 제 1 절연층의 하면 및 상기 제 2 절연층의 상면에는 접착 부재에 의해 본딩되는 제 1 커넥터 및 제 2 커넥터가 각각 배치되고, 상기 접착 부재의 멜팅 온도는, 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 제 1, 2 보호층의 최대 유리전이온도보다 크고, 상기 접착 부재의 멜팅 온도는, 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 제 1, 2 보호층의 최저 멜팅온도보다 작다.
Description
실시예는 회로기판 및 이를 포함하는 안테나 모듈에 관한 것이다.
최근 들어 무선 데이터 트래픽 수요를 충족시키기 위해, 개선된 5G(5th generation) 통신 시스템 또는 pre-5G 통신 시스템을 개발하기 위한 노력이 이루어지고 있다.
높은 데이터 전송률을 달성하기 위해, 5G 통신 시스템은 초고주파(mmWave) 대역(sub 6기가(6GHz), 28기가 28GHz, 38기가 38GHz 또는 그 이상 주파수)를 사용한다. 이러한 높은 주파수 대역은 파장의 길이로 인하여 mmWave로 불린다.
초고주파 대역에서의 전파의 경로손실 완화 및 전파의 전달 거리를 증가시키기 위해, 5G 통신 시스템에서는 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO), 어레이 안테나(array antenna) 등의 집척화 기술들이 개발되고 있다.
이러한 주파수 대역들에서 파장의 수백 개의 활성 안테나로 이루어질 수 있는 점을 고려하면, 안테나 시스템이 상대적으로 커질 수 있다
이것은 활성 안테나 시스템을 이루는 여러 개의 기판들 즉, 안테나 기판, 안테나 급전 기판, 송수신기(transceiver) 기판, 그리고 기저대역(baseband) 기판이 하나의 소형장치(one compactunit)로 집적되어야 한다는 것을 의미한다.
한편, 이러한 안테나는 핸드폰 등의 전자 장치에 적용될 수 있으면, 다른 부품들이 차지하는 공간에 의해 적어도 일 영역이 벤딩되어 배치될 수 있다.
이러한 안테나 고온에서 지그 등을 이용하여 3d 포밍(forming)에 의해 벤딩시킬 수 있다.
이때, 공정은 안테나를 구성하는 회로기판의 각 층의 유리전이온도 이상의 온도에서 진행되나, 이때, 각 층마다 상이한 물질을 포함하기에 각 층마다 유리전이온도가 상이하여 적절한 공정 온도를 선택하기 어렵고, 유리전이온도의 차이에 의해 벤딩시 뒤틀림이 발생할 수 있는 문제점이 있다.
또한, 벤딩 후 불균일한 표면 상에 커넥터를 실장함에 따라 커넥터를 실장하는 공정 중 불량이 발생하는 문제점이 있다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 새로운 구조의 회로기판이 요구된다.
실시예는 용이하게 벤딩시킬 수 있고, 커넥터 실장 효율을 향상시킬 수 있는 회로기판 및 이를 포함하는 안테나 모듈을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 회로기판은, 제 1 절연층; 상기 제 1 절연층의 상면 상에 배치되는 회로 패턴; 상기 제 1 절연층의 상면 상에 배치되는 제 2 절연층; 상기 제 1 절연층의 하면 상에 배치되는 제 1 보호층; 및 상기 제 2 절연층의 상면 상에 배치되는 제 2 보호층을 포함하고, 상기 제 1 절연층의 하면 및 상기 제 2 절연층의 상면에는 접착 부재에 의해 본딩되는 제 1 커넥터 및 제 2 커넥터가 각각 배치되고, 상기 접착 부재의 멜팅 온도는, 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 제 1, 2 보호층의 최대 유리전이온도보다 크고, 상기 접착 부재의 멜팅 온도는, 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 제 1, 2 보호층의 최저 멜팅온도보다 작다.
다른 실시예에 따른 회로기판은, 제 1 절연층; 상기 제 1 절연층의 상면 상에 배치되는 회로 패턴; 상기 제 1 절연층 상면 상에 배치되는 접착층; 상기 접착층의 상면 상에 배치되는 제 2 절연층; 상기 제 1 절연층의 하면 상에 배치되는 제 1 보호층; 및 상기 제 2 절연층의 상면 상에 배치되는 제 2 보호층을 포함하고, 상기 제 1 절연층의 하면 및 상기 제 2 절연층의 상면에는 접착 부재에 의해 본딩되는 제 1 커넥터 및 제 2 커넥터가 각각 배치되고, 상기 접착 부재의 멜팅 온도는, 상기 제 1, 2 절연층, 상기 제 1, 2 보호층 및 상기 접착층의 최대 유리전이온도보다 크고, 상기 접착 부재의 멜팅 온도는, 상기 제 1, 2 절연층, 상기 제 1, 2 보호층 및 상기 접착층의 최저 멜팅온도보다 작다.
실시예에 따른 회로기판은 회로기판을 구성하는 절연층, 보호층 및 접착층의 유리전이온도, 멜팅온도 및 각층의 두께를 제어할 수 있다. 이에 따라, 절연층, 보호층 및 접착층의 유리전이온도를 접착 부재가 용융되는 접착 부재의 멜팅 온도보다 작고, 절연층, 보호층 및 접착층의 멜팅온도를 접착 부재가 용융되는 접착 부재의 멜팅 온도보다 크게 하여 회로기판의 열성형과 함께 상기 접착 부재를 이용한 커넥터의 접착 즉, 실장을 동일 공정에 의해 진행할 수 있다.
따라서, 2개의 공정을 하나의 공정으로 진행할 수 있으므로, 공정 효율을 향상시킬 수 있고, 커넥터를 회로기판의 벤딩과 동시에 실장할 수 있으므로, 벤딩 후 불안정한 회로기판 상에 별도로 실장하는 것에 비해 커넥터를 안정적으로 실장할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 회로기판이 적용되는 이동식 단말기를 도시한 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 회로 기판의 적층구조를 설명하기 위한 단면도를 도시한 도면이다.
도 3은 실시예에 따른 회로 기판의 하부 절연층 하면의 상면도를 도시한 도면이다.
도 4는 실시예에 따른 회로 기판의 상부 절연층 상면의 상면도를 도시한 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 회로기판의 하부 절연층 상면의 상면도를 도시한 도면이다.
도 6은 도 3 및 도 4의 A-A’영역을 절단한 단면도를 도시한 도면이다.
도 7은 도 3 및 도 4의 B-B’영역을 절단한 단면도를 도시한 도면이다.
도 8은 실시예에 따른 회로기판이 벤딩되는 것을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 회로 기판의 적층구조를 설명하기 위한 단면도를 도시한 도면이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 회로기판이 벤딩되는 것을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 회로 기판의 적층구조를 설명하기 위한 단면도를 도시한 도면이다.
도 3은 실시예에 따른 회로 기판의 하부 절연층 하면의 상면도를 도시한 도면이다.
도 4는 실시예에 따른 회로 기판의 상부 절연층 상면의 상면도를 도시한 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 회로기판의 하부 절연층 상면의 상면도를 도시한 도면이다.
도 6은 도 3 및 도 4의 A-A’영역을 절단한 단면도를 도시한 도면이다.
도 7은 도 3 및 도 4의 B-B’영역을 절단한 단면도를 도시한 도면이다.
도 8은 실시예에 따른 회로기판이 벤딩되는 것을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 회로 기판의 적층구조를 설명하기 위한 단면도를 도시한 도면이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 회로기판이 벤딩되는 것을 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한개이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함 할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다.
그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다.
또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다.
또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하, 도면들을 참조하여, 실시예에 따른 회로기판을 설명한다.
도 1은 실시예에 따른 회로기판이 적용되는 이동식 단말기를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 상기 이동식 단말기는 메인 안테나(2100), 서브 안테나(2200), 배터리(3000) 및 메인보드 기판(4000)을 포함할 수 있다.
상기 회로기판(1000)은 상기 메인 안테나(2100) 및 상기 서브 안테나(2200)와 연결될 수 있다.
상기 메인 안테나(2100) 및 상기 서브 안테나(2200)는 안테나 역할을 하는 칩이 실장되는 각각의 회로기판을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 회로기판(1000)을 통해 상기 메인 안테나(2100)는 상기 메인보드(4000)와 연결되고, 상기 서브 안테나(2200)는 상기 메인보드(4000)와 연결될 수 있다. 즉, 실시예에 따른 회로기판(1000)은 상기 메인 안테나(2100) 및 상기 서브 안테나(2200)를 상기 메인보드(4000)와 연결하는 배선일 수 있다.
이를 위해, 상기 회로기판(1000)은 플렉서블할 수 있다. 즉, 상기 회로기판(1000)은 플렉서블 인쇄회로기판(FPCB)일 수 있다.
상기 회로기판(1000)의 일단 및 타단에는 커넥터(1100)가 형성될 수 있다. 상기 커넥터(1100)를 통해 상기 회로기판(1000)은 각각 상기 메인 안테나(2100), 상기 서브 안테나(2200) 및 상기 메인보드(4000)와 연결될 수 있다.
자세하게, 상기 커넥터(1100)를 통해 이하에서 설명하는 상기 회로기판의 회로 패턴의 회로 패턴과 상기 메인 안테나(2100), 상기 서브 안테나(2200) 및 상기 메인보드(4000)와 각각 연결되어, 상기 메인 안테나(2100), 상기 서브 안테나(2200) 및 상기 메인보드(4000)는 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 실시예에 따른 회로기판(1000)은 상기 메인 안테나(2100), 상기 서브 안테나(2200)와 일체로 형성될 수 있다. 즉, 상기 메인 안테나(2100), 상기 서브 안테나(2200)의 회로기판과 실시예에 따른 회로기판(1000)은 일체로 형성될 수 있다. 즉, 실시예에 따른 회로기판(1000)은 상기 메인 안테나(2100), 상기 서브 안테나(2200)의 회로기판에서 연장되는 연장부일 수 있다.
즉, 이하에서 설명하는 실시예는 배선 역할의 회로기판(1000) 및 상기 회로기판(1000)을 포함하고, 상기 회로기판과 상기 메인 안테나(2100) 및 상기 서브 안테나(2200)의 회로기판이 일체로 형성되는 일체형 안테나 모듈에 대한 것이다.
도 2 내지 도 8을 참조하면, 실시예에 따른 회로기판(1000)은 절연층, 회로 패턴, 그라운드 패턴, 커넥터 및 보호층을 포함할 수 있다.
상기 절연층은 제 1 절연층(110) 및 제 2 절연층(120)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)은 배선을 변경할 수 있는 전기 회로가 편성되어 있는 기판으로, 절연층의 표면에 회로 패턴(200)을 형성할 수 있는 절연 재료로 만들어진 프린트, 배선판 및 절연기판을 모두 포함할 수 있다.
상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)은 리지드(rigid)하거나 또는 플렉서블(flexible)할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 절연층은 소다라임유리(soda lime glass) 또는 알루미노실리케이트유리 등의 화학 강화/반강화유리를 포함하거나, 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 프로필렌 글리콜(propylene glycol, PPG) 폴리 카보네이트(PC) 등의 강화 혹은 연성 플라스틱을 포함하거나 사파이어를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)은 광등방성 필름을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)은 COC(Cyclic Olefin Copolymer), COP(Cyclic Olefin Polymer), 광등방 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 광등방 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)은 부분적으로 곡면을 가지면서 휘어질 수 있다. 즉, 절연층은 부분적으로는 평면을 가지고, 부분적으로는 곡면을 가지면서 휘어질 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)의 끝단이 곡면을 가지면서 휘어지거나 랜덤한 곡률을 포함한 표면을 가지며 휘어지거나 구부러질 수 있다.
또한, 상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)은 유연한 특성을 가지는 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 또한, 상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)은 커브드(curved) 또는 벤디드(bended) 기판일 수 있다. 이때, 절연층은, 회로 설계를 근거로 회로부품을 접속하는 전기배선을 배선 도형으로 표현하며, 절연물 상에 전기도체를 재현할 수 있다. 또한, 전기 부품을 탑재하고 이들을 회로적으로 연결하는 배선을 형성할 수 있으며, 부품의 전기적 연결기능 외의 부품들을 기계적으로 고정시켜줄 수 있다.
또한, 상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)은 저유전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층은 액정고분자물질(liquid crystal polymer) 또는 불소계 수지를 포함할 수 있다.
상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)이 액정고분자물질(liquid crystal polymer) 또는 불소계 수지 등의 저유전 물질을 포함함에 따라, 소재의 유전율에 따른 신호의 손실을 감소시킬 수 있어, 회로기판이 고주파 신호를 전달하는 목적으로 사용될 때, 유전율 감소에 의해 회로기판의 신호 전달 특성을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)의 두께는 약 12㎛ 내지 약 75㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 절연층의 두께는 약 12㎛ 내지 25㎛일 수 있다.
상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 1 절연층(120)의 두께는 이하에서 설명하는 회로기판의 벤딩을 위해 고려된 두께이다.
상기 회로 패턴은 절연층 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 도 2 및 도 5를 참조하면, 상기 회로 패턴(200)은 상기 하부 절연층(110) 상에 배치될 수 있다.
도면에서는, 상기 제 1 절연층(110) 상에 상기 회로 패턴(200)이 배치되고, 상기 회로 패턴(200)이 배치된 상기 제 1 절연층(110) 상에 상기 제 2 절연층(120)이 배치되는 것을 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 절연층은 순차적으로 적층되는 복수의 절연층들을 포함하고, 상기 회로 패턴은 상기 복수의 절연층들 상에 각각 배치되는 복수의 다층 회로 패턴을 포함할 수도 있다.
이하에서는, 상기 제 1 절연층(110) 상에 상기 회로 패턴(200)이 배치되고, 상기 회로 패턴(200) 상에 상기 제 2 절연층(120)이 배치되는 실시예를 중심으로 설명한다.
도 5를 참조하면, 상기 회로 패턴(200)은 전송 패턴(210) 및 더미 패턴(220)을 포함할 수 있다. 상기 전송 패턴(210)은 전기적 신호를 전달하는 전송 배선일 수 있고, 상기 더미 패턴(220)은 이하에서 설명하는 상부 그라운드 패턴 및 하부 그라운드 패턴을 전기적으로 연결하는 연결 배선일 수 있다.
상기 회로 패턴(200)은 전기 전도성이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. 이를 위해, 상기 회로 패턴(200)은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu) 및 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질로 형성될 수 있다. 또한 상기 회로 패턴(200)은 본딩력이 우수한 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu), 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 페이스트 또는 솔더 페이스트로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 회로 패턴(200)은 전기전도성이 높으면서 가격이 비교적 저렴한 구리(Cu)로 형성될 수 있다.
상기 회로 패턴(200)은 통상적인 회로기판의 제조 공정인 어디티브 공법(Additive process), 서브트렉티브 공법(Subtractive Process), MSAP(Modified Semi Additive Process) 및 SAP(Semi Additive Process) 공법 등으로 가능하며 여기에서는 상세한 설명은 생략한다.
한편, 상기 절연층에는 적어도 하나의 비아(V)가 형성된다. 자세하게, 상기 비아(V)는 상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120) 중 적어도 하나의 절연층을 관통하며 형성된다. 상기 비아(V)는 상기 복수의 절연층들 중 어느 하나의 절연층만을 관통할 수 있으며, 이와는 다르게 상기 복수의 절연층들 중 적어도 2개의 절연층을 공통으로 관통하며 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 비아(V)는 서로 다른 절연층의 표면에 배치되어 있는 회로 패턴 및/또는 그라운드 패턴을 상호 전기적으로 연결한다.
상기 비아(V)는 상기 복수의 절연층들 중 적어도 하나의 절연층을 관통하는 관통 홀 내부를 전도성 물질(CM)로 충진하여 형성할 수 있다.
상기 관통 홀은 기계, 레이저 및 화학 가공 중 어느 하나의 가공 방식에 의해 형성될 수 있다. 상기 관통 홀이 기계 가공에 의해 형성되는 경우에는 밀링(Milling), 드릴(Drill) 및 라우팅(Routing) 등의 방식을 사용할 수 있고, 레이저 가공에 의해 형성되는 경우에는 UV나 CO2 레이저 방식을 사용할 수 있으며, 화학 가공에 의해 형성되는 경우에는 아미노실란, 케톤류 등을 포함하는 약품을 이용하여 상기 절연층(100)을 개방할 수 있다.
한편, 상기 레이저에 의한 가공은 광학 에너지를 표면에 집중시켜 재료의 일부를 녹이고 증발시켜, 원하는 형태를 취하는 절단 방법으로, 컴퓨터 프로그램에 의한 복잡한 형성도 쉽게 가공할 수 있고, 다른 방법으로는 절단하기 어려운 복합 재료도 가공할 수 있다.
또한, 상기 레이저에 의한 가공은 절단 직경이 최소 0.005㎜까지 가능하며, 가공 가능한 두께 범위로 넓은 장점이 있다.
상기 레이저 가공 드릴로, YAG(Yttrium Aluminum Garnet)레이저나 CO2 레이저나 자외선(UV) 레이저를 이용하는 것이 바람직하다. YAG 레이저는 동박층 및 절연층 모두를 가공할 수 있는 레이저이고, CO2 레이저는 절연층만 가공할 수 있는 레이저이다.
상기 관통 홀이 형성되면, 상기 관통 홀 내부를 전도성 물질로 충진하여 상기 비아(V)를 형성한다. 상기 비아(V)를 형성하는 금속 물질은 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd) 중에서 선택되는 어느 하나의 물질일 수 있으며, 상기 전도성 물질 충진은 무전해 도금, 전해 도금, 스크린 인쇄(Screen Printing), 스퍼터링(Sputtering), 증발법(Evaporation), 잉크젯팅 및 디스펜싱 중 어느 하나 또는 이들의 조합된 방식을 이용할 수 있다.
한편, 상기 회로 패턴(200)의 두께는 약 10㎛ 내지 약 20㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 회로 패턴(200)의 두께는 약 11㎛ 내지 15㎛일 수 있다.
상기 회로 패턴(200)의 두께는 이하에서 설명하는 회로기판의 벤딩을 위해 고려된 두께이다.
상기 그라운드 패턴은 상기 절연층의 상부 및 하부에 배치될 수 있다. 자세하게, 도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기 그라운드 패턴은 상기 제 1 절연층(110)의 하부 상에 배치되는 제 1 그라운드 패턴(310) 및 상기 제 2 절연층(120)의 상부 상에 배치되는 제 2 그라운드 패턴(320)을 포함할 수 있다.
상기 그라운드 패턴의 두께는 약 20㎛ 내지 약 30㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 그라운드 패턴의 두께는 약 23㎛ 내지 29㎛일 수 있다.
상기 그라운드 패턴의 두께는 이하에서 설명하는 회로 패턴의 벤딩을 위해 고려된 두께이다.
상기 제 1 그라운드 패턴(310) 및 상기 제 2 그라운드 패턴(320)은 앞서 설명한 상기 회로 패턴과 동일 또는 유사한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 그라운드 패턴(310) 및 상기 제 2 그라운드 패턴(320)은 상기 회로 패턴과 동일 또는 유사한 공정에 의해 형성될 수 있다.
상기 커넥터(1100)는 상기 절연층의 상부 및 하부에 배치될 수 있다. 자세하게, 도 2 내지 도 6을 참조하면, 상기 커넥터(1100)는 상기 제 1 절연층(110)의 하부 상에 배치되는 제 1 커넥터(1110) 및 상기 제 2 절연층(120)의 상부 상에 배치되는 제 2 커넥터(1120)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 커넥터(1110) 및 상기 제 2 커넥터(1120)는 각각 상기 제 1 절연층(110)의 하부 상에 및 상기 제 2 절연층(120)의 상부 상에 배치되는 패드부와 연결될 수 있다.
자세하게, 상기 제 1 절연층(110)의 하부 상에는 제 1 패드부(351)가 배치되고, 상기 제 1 커넥터(1110)는 상기 제 1 패드부(351) 상에 배치되어 상기 하부 커넥터(1110)의 제 1 단자부(1110a)와 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 2 절연층(120)의 상부 상에는 제 2 패드부(352)가 배치되고, 상기 제 2 커넥터(1120)는 상기 제 2 패드부(352) 상에 배치되어 제 2 커넥터(1120)의 제 1 단자부(1120a)와 연결될 수 있다.
또한, 상기 제 1 커넥터(1110)는 상기 제 1 그라운드 패턴(310)과 연결되는 제 2 단자부(1110b)에 의해 상기 제 1 그라운드 패턴(310)과 연결되고, 상기 제 2 커넥터(1120)는 상기 제 2 그라운드 패턴(320)과 연결되는 제 2 단자부(1120b)에 의해 상기 제 2 그라운드 패턴(310)과 연결될 수 있다.
즉, 상기 패드부들과 상기 그라운드 패턴들은 서로 절연되면서 상기 제 1 및 제 2 커넥터는 상기 패드부 및 상기 그라운드 패턴들과 연결될 수 있다.
상기 제 1 패드부(351) 및 상기 제 2 패드부(352)는 앞서 설명한 상기 그라운드 패턴과 동일 또는 유사한 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 패드부(351) 및 상기 제 2 패드부(352)는 상기 그라운드 패턴과 동시에 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 패드부(351)는 상기 제 1 그라운드 패턴을 패터닝할 때, 패드부 영역의 그라운드 패턴을 함께 패터닝함으로써 형성될 수 있고, 상기 제 2 패드부(352)는 상기 제 2 그라운드 패턴을 패터닝할 때, 패드부 영역의 그라운드 패턴을 함께 패터닝함으로써 형성될 수 있다.
상기 제 1 커넥터(1110)와 상기 제 2 커넥터(1120)는 앞서 설명한 상기 비아를 통해 연결될 수 있다.
자세하게, 도 6을 참조하면, 상기 제 1 커넥터(1110) 즉, 상기 제 1 패드부(351)와 대응되는 영역의 상기 제 1 절연층(110) 영역에는 상기 제 1 절연층(110)을 관통하는 비아(V)가 형성되고, 상기 비아(V) 및 상기 비아(V) 내부에 충진된 전도성 물질(CM)에 의해 상기 제 1 패드부(351)와 상기 회로 패턴의 전송 패턴(210)이 연결될 수 있다.
또한, 상기 제 2 커넥터(1120) 즉, 상기 제 2 패드부(352)와 대응되는 영역의 상기 제 2 절연층(121) 영역에는 상기 제 2 절연층(120)을 관통하는 비아(V)가 형성되고, 상기 비아(V) 및 상기 비아(V) 내부에 충진된 전도성 물질(CM)에 의해 상기 제 2 패드부(352)와 상기 회로 패턴의 상기 전송 패턴(210)이 연결될 수 있다.
이에 따라, 상기 제 1 커넥터(1110) 및 상기 제 2 커넥터(1120)는 상기 비아 및 전도성 물질을 통해 동일한 전송 패턴과 연결됨으로써, 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 제 1 그라운드 패턴(310) 및 상기 제 2 그라운드 패턴(320)은 앞서 설명한 상기 비아를 통해 연결될 수 있다.
자세하게, 도 7을 참조하면, 상기 제 1 그라운드 패턴(310)과 대응되는 영역의 상기 제 1 절연층(110) 일 영역에는 상기 제 1 절연층(110)을 관통하는 비아(V)가 형성되고, 상기 비아(V) 및 상기 비아(V) 내부에 충진된 전도성 물질 상기 회로 패턴에 의해 상기 제 1 그라운드 패턴(310)과 상기 회로 패턴의 상기 더미 패턴(220)이 연결될 수 있다.
또한, 상기 제 2 그라운드 패턴(320)과 대응되는 영역의 상기 제 2 절연층(120) 일 영역에는 상기 제 2 절연층(120)을 관통하는 비아(V)가 형성되고, 상기 비아(V) 및 상기 비아(V) 내부에 충진된 전도성 물질 상기 회로 패턴에 의해 상기 제 2 그라운드 패턴(320)과 상기 회로 패턴의 상기 더미 패턴(220)이 연결될 수 있다.
이에 따라, 상기 제 1 그라운드 패턴(310) 및 상기 제 2 그라운드 패턴(320)은 상기 비아 및 전도성 물질을 통해 동일한 더미 패턴과 연결됨으로써 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 보호층은 상기 제 1 절연부(110)의 상부 및 상기 제 2 절연층(120)의 하부 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 보호층은 상기 제 1 절연부(110)의 상부에 배치되는 제 1 보호층(410) 및 상기 제 2 절연부(120)의 하부에 배치되는 제 2 보호층(420)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 보호층(110)은 최상부의 절연층의 표면을 보호하기 위해 배치되고, 상기 제 2 보호층(120)은 최하부의 절연층의 표면을 보보하기 위해 배치될 수 있다,
상기 제 1 보호층(110) 및 상기 제 2 보호층(120)은 상기 회로 패턴(200)의 일부분을 노출하며 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 보호층(110) 및 상기 제 2 보호층(120)은 각각 상기 제 1 커넥터(1110) 및 제 2 커넥터(1120)가 배치되는 영역 즉, 단자부 영역을 노출하며 배치될 수 있다.
상기 제 1 보호층(110) 및 상기 제 2 보호층(120)은 폴리이미드(PI), 에폭시 수지 또는 아크릴 수지 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 폴리이미드 필름의 하부에 에폭시 수지 또는 아크릴 수지가 접착된 다층 물질일 수 있다.
한편, 상기 제 1 커넥터(1110) 및 상기 제 2 커텍터(1120)의 단자부들은 접착 부재를 통해 상기 패드부 및 그라운드 전극과 접착될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 커넥터(1110) 및 상기 제 2 커텍터(1120)의 단자부들은 전도성을 가지는 접착 부재 통해 상기 패드부 및 그라운드 전극과 접착될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 커넥터(1110) 및 상기 제 2 커텍터(1120)의 단자부들은 납땜(soldering) 공정을 통해 상기 패드부 및 그라운드 전극과 서로 접착될 수 있다. 즉, 상기 제 1 커넥터(1110) 및 상기 제 2 커텍터(1120)의 단자부들은 주석-납 합금의 솔더링 물질을 포함하는 접착 부재를 통해 상기 패드부 및 그라운드 전극과 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 도 8과 같이 실시예에 따른 회로기판의 적어도 일 영역은 일 방향으로 벤딩될 수 있다. 자세하게, 상기 회로기판은 커넥터를 통해 연결되는 다른 부재와의 연결을 위해 적어도 일 방향으로 벤딩되어 형성될 수 있다.
또한, 실시예에 따른 회로기판은 커넥터의 실장과 벤딩을 동시에 진행할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 회로기판은 상기 회로기판 상에 커넥터를 접착하는 접착 부재를 형성하고, 상기 회로기판을 성형하는 지그를 형성한 후, 일정한 온도로 가열함으로써, 커넥터의 실장과 회로기판의 성형을 동시에 진행할 수 있다.
이를 위해, 상기 접착 부재의 멜팅온도는, 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 1, 2 보호층의 유리전이온도 및 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 1, 2 보호층의 멜팅온도를 제어할 수 있다.
자세하게, 상기 접착 부재의 멜팅온도는, 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 1, 2 보호층의 최대 유리전이온도보다 크고, 상기 접착 부재의 멜팅온도는, 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 1, 2 보호층의 최저 멜팅온도보다 작을 수 있다.
즉, 상기 접착 부재, 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 1, 2 보호층은 하기 수식 1을 만족할 수 있다.
수식 1
상기 제 1, 2 절연층 및 상기 1, 2 보호층의 최대 유리전이온도(Tg) < 상기 접착 부재의 멜팅온도(Tm) < 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 1, 2 보호층의 최저 멜팅 온도(Tm)
즉, 상기 커넥터들의 단자부들과 상기 패드부 및 그라운드 전극을 접착하는 상기 접착 부재가 융융되는 접착 부재의 멜팅온도(Tm)는 상기 제 1 절연층(110), 상기 제 2 절연층(120), 상기 제 1 보호층(410) 및 상기 제 2 보호층(420)의 최대 유리전이온도(Tg)보다 크므로, 상기 커넥터를 실장하면서, 동시에 상기 회로기판을 성형할 수 있다.
또한, 상기 커넥터들의 단자부들과 상기 패드부 및 그라운드 전극이 접착하는 상기 접착 부재가 융융되는 상기 접착 부재의 멜팅 온도(Tm)는 상기 제 1 절연층(110), 상기 제 2 절연층(120), 상기 제 1 보호층(410) 및 상기 제 2 보호층(420)의 최저 멜팅온도(Tm)보다 작으므로, 상기 커넥터를 실장할 때, 상기 제 1 절연층(110), 상기 제 2 절연층(120), 상기 제 1 보호층(410) 및 상기 제 2 보호층(420)이 용융되는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 상기 접착 부재의 멜팅온도(Tm)는 상기 접착 부재가 용용되는 온도로서 약 260℃ 내지 약 281℃일 수 있다. 즉, 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 1, 2 보호층의 최대 유리전이온도(Tg)는 281℃ 미만일 수 있고, 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 1, 2 보호층의 최저 멜팅 온도(Tm)는 260도를 초과할 수 있다.
즉, 상기 접착 부재가 용융되는 상기 접착 부재의 멜팅온도(Tm)는 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 1, 2 보호층의 최대 유리전이온도(Tg)와 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 1, 2 보호층의 최저 멜팅 온도(Tm) 사이에서 형성되므로, 회로기판 상에 커넥터를 실장하는 것과 동시에 회로기판을 열성형할 수 있다.
따라서, 커넥터의 실장과 회로기판의 성형을 동시에 진행할 수 있으므로, 커넥터를 성형전 즉, 벤딩 전 회로기판 상에 안정적으로 실장할 수 있어, 벤딩 후 불안정한 형상의 회로기판 상에 실장하는 것에 비해 커넥터를 안정적으로 실장할 수 있다.
한편, 상기 절연층 및 상기 보호층의 두께는 일정한 비율로 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)을 포함하는 절연층의 총 두께(T1)는 상기 제 1 보호층(410) 및 상기 제 2 보호층(420)을 포함하는 보호층의 총 두께(T2)는 일정한 비율로 형성될 수 있다.
자세하게, 상기 보호층의 총 두께(T2)는 상기 절연층의 총 두께(T1)보다 작고, 이때, 상기 보호층의 총 두께(T2)는 상기 절연층의 총 두께(T1)의 0.18배 내지 0.26배일 수 있다.
또한, 상기 수식 1을 만족하는 상기 절연층 및 상기 보호층의 최대 유리전이온도는 수식 2를 만족할 수 있다.
수식 2
절연층 및 보호층의 최대 유리전이온도 = 89.29X2 - 263.6X + 325.1
(여기서 X=T2/T1)
자세하게, 상기 절연층 및 상기 보호층은 서로 다른 물질을 포함할 수 있으며, 상기 절연층 및 상기 보호층은 서로 다른 물질을 포함함에 따라, 상기 절연층과 상기 보호층은 서로 다른 유리전이온도 및 멜팅 온도를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 절연층과 상기 보호층은 서로 다른 유리전이온도, 멜팅온도 및 두께를 가지므로, 각 층들의 두께 차이에 따라, 회로기판의 열성형 온도가 달라질 수 있다.
따라서, 상기 절연층과 상기 보호층의 두께 비율을 제어함으로써, 상기 절연층과 상기 보호층의 유리전이온도를 앞서 설명한 상기 접착 부재의 멜팅온도(Tm) 미만으로, 상기 절연층과 상기 보호층의 멜팅온도를 앞서 설명한 상기 접착 부재의 멜팅온도(Tm)보다 크게 제어할 수 있다.
즉, 실시예에 따른 회로기판은 회로기판을 구성하는 절연층, 보호층의 유리전이온도, 멜팅온도 및 각층의 두께를 제어할 수 있다. 이에 따라, 절연층 및 보호층의 유리전이온도를 접착 부재가 용융되는 접착 부재의 멜팅 온도보다 작고, 절연층 및 보호층의 멜팅이온도를 접착 부재가 용융되는 접착 부재의 멜팅 온도보다 크게 하여 회로기판의 열성형과 함께 상기 접착 부재를 이용한 커넥터의 접착 즉, 실장을 동일 공정에 의해 진행할 수 있다.
따라서, 2개의 공정을 하나의 공정으로 진행할 수 있으므로, 공정 효율을 향상시킬 수 있고, 커넥터를 회로기판의 벤딩과 동시에 실장할 수 있으므로, 벤딩 후 불안정한 회로기판 상에 별도로 실장하는 것에 비해 커넥터를 안정적으로 실장할 수 있다.
이하, 도 9 및 도 10을 참조하여, 다른 실시예에 따른 회로기판을 설명한다. 다른 실시예에 따른 회로기판에 대한 설명에서는 앞서 설명한 실시예에 따른 회로기판과 동일 또는 유사한 설명에 대해서는 설명을 생략하며 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여한다.
도 9를 참조하면, 다른 실시예에 따른 회로기판은 앞서 설명한 실시예에 따른 회로기판과 다르게 접착층을 더 포함할 수 있다.
자세하게, 도 9를 참조하면, 다른 실시예에 따른 회로기판(1000)은 절연층, 접착층, 회로 패턴, 그라운드 패턴, 커넥터 및 보호층을 포함할 수 있다.
자세하게, 다른 실시예에 따른 회로기판은 제 1 절연층(110) 상에 회로패턴(200)이 배치되고, 상기 회로패턴(200) 상에 접착층(500)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착층(500) 상에 제 2 절연층(120)이 배치되고, 상기 제 1 절연층(110)의 하부에는 제 1 그라운드 패턴(310) 및 제 1 보호층(410)이 배치되고, 상기 제 2 절연층(120)의 상부에는 제 2 그라운드 패턴(320) 및 제 2 보호층(420)이 배치될 수 있다.
즉, 다른 실시예에 따른 회로기판은 앞서 설명한 실시예에 따른 회로기판과 다르게 상기 제 1 절연층 및 상기 제 2 절연층이 접착 특성을 가지고 있지 않기에, 상기 제 1 절연층과 상기 제 2 절연층을 접착하기 위해 별도의 접착층이 형성될 수 있다.
상기 접착층(500)은 수지물질을 포함할 수 있으며, 일례로, 상기 접착층은 에폭시 수지 또는 아크릴 수지를 포함할 수 있다.
한편, 도 10과 같이 다른 실시예에 따른 회로기판의 적어도 일 영역은 일 방향으로 벤딩될 수 있다. 자세하게, 상기 회로기판은 커넥터를 통해 연결되는 다른 부재와의 연결을 위해 적어도 일 방향으로 벤딩되어 형성될 수 있다.
자세하게, 상기 회로기판은 커넥터의 실장과 벤딩을 동시에 진행할 수 있다. 즉, 상기 회로기판 상에 커넥터를 접착하는 접착 부재를 형성하고, 상기 회로기판을 성형하는 지그를 형성한 후, 일정한 온도로 가열함으로써, 커넥터의 실장과 회로기판의 성형을 동시에 진행할 수 있다.
이를 위해, 상기 접착 부재의 멜팅온도는, 상기 제 1, 2 절연층, 상기 1, 2 보호층 및 접착층의 최대 유리전이온도보다 크고, 상기 접착 부재의 멜팅온도는, 상기 제 1, 2 절연층, 상기 1, 2 보호층 및 상기 보호층의 최저 멜팅온도보다 작을 수 있다.
즉, 상기 접착 부재, 상기 제 1, 2 절연층, 상기 1, 2 보호층 및 상기 접착층은 하기 수식 3을 만족할 수 있다.
수식 3
상기 제 1, 2 절연층, 상기 1, 2 보호층 및 상기 접착층의 최대 유리전이온도(Tg) < 상기 접착 부재의 멜팅온도(Tm) < 상기 제 1, 2 절연층, 상기 1, 2 보호층 및 상기 접착층의 최저 멜팅 온도(Tm)
즉, 상기 커넥터들의 단자부들과 상기 패드부 및 그라운드 전극이 접착되는 상기 접착 부재가 융융하는 상기 접착 부재의 멜팅 온도(Tm)는 상기 제 1 절연층(110), 상기 제 2 절연층(120), 상기 제 1 보호층(410), 상기 제 2 보호층(420) 및 상기 접착층(500)의 최대 유리전이온도(Tg)보다 크므로, 상기 커넥터를 실장하면서, 상기 회로기판을 성형할 수 있다.
또한, 상기 커넥터들의 단자부들과 상기 패드부 및 그라운드 전극이 접착되는 상기 접착 부재가 융융하는 상기 접착 부재의 멜팅 온도(Tm)는 상기 제 1 절연층(110), 상기 제 2 절연층(120), 상기 제 1 보호층(410), 상기 제 2 보호층(420) 및 상기 접착층(500)의 최저 멜팅 온도(Tm)보다 작으므로, 상기 커넥터를 실장할 때, 상기 제 1 절연층(110), 상기 제 2 절연층(120), 상기 제 1 보호층(410), 상기 제 2 보호층(420) 및 상기 접착층(500)이 용융되는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 상기 접착 부재의 멜팅온도(Tm)는 상기 접착 부재가 용용되는 온도로서 약 260℃ 내지 281℃일 수 있다. 즉, 상기 제 1, 2 절연층, 상기 1, 2 보호층 및 상기 접착층의 최대 유리전이온도(Tg)는 281℃ 미만일 수 있고, 상기 제 1, 2 절연층, 상기 1, 2 보호층 및 상기 접착층의 최저 멜팅 온도(Tm)는 260도를 초과할 수 있다.
즉, 상기 접착 부재가 용융되는 상기 접착 부재의 멜팅온도(Tm)는 상기 제 1, 2 절연층, 상기 1, 2 보호층 및 상기 접착층의 최대 유리전이온도(Tg)와 상기 제 1, 2 절연층, 상기 1, 2 보호층 및 상기 접착층의 최저 멜팅 온도(Tm) 사이에서 형성되므로, 회로기판 상에 커넥터를 실장하는 것과 동시에 회로기판을 열성형할 수 있다.
따라서, 커넥터의 실장과 회로기판의 성형을 동시에 진행할 수 있으므로, 커넥터를 성형전 즉, 벤딩 전 회로기판 상에 안정적으로 실장할 수 있어, 벤딩 후 불안정한 형상의 회로기판 상에 실장하는 것에 비해 커넥터를 안정적으로 실장할 수 있다.
한편, 상기 절연층, 상기 보호층 및 상기 접착층의 두께는 일정한 비율로 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 절연층(110) 및 상기 제 2 절연층(120)을 포함하는 층의 총 두께(T1)는 상기 제 1 보호층(410), 상기 제 2 보호층(420) 및 상기 접착층(500)을 포함하는 층의 총 두께(T3)와 일정한 비율로 형성될 수 있다.
자세하게, 상기 층의 총 두께(T3)는 상기 절연층의 총 두께(T1)보다 작고, 이때, 상기 층의 총 두께(T3)는 상기 절연층의 총 두께(T1)의 0.18배 내지 0.26배일 수 있다.
또한, 상기 수식 3을 만족하는 상기 절연층, 상기 보호층 및 상기 접착층의 최대 유리전이온도는 수식 4를 만족할 수 있다.
수식 4
절연층, 보호층 및 접착층의 최대 유리전이온도 = 89.29X2 - 263.6X + 325.1
(여기서 X=T3/T1)
자세하게, 상기 절연층, 상기 보호층 및 상기 접착층은 서로 다른 물질을 포함할 수 있으며, 상기 절연층, 상기 보호층 및 상기 접착층은 서로 다른 물질을 포함함에 따라, 상기 절연층, 상기 보호층 및 상기 접착층은 서로 다른 유리전이온도 및 멜팅 온도를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 절연층, 상기 보호층 및 상기 접착층은 서로 다른 유리전이온도, 멜팅온도 및 두께를 가지므로, 각 층들의 두께 차이에 따라, 회로기판의 열성형 가능 온도가 달라질 수 있다.
따라서, 상기 절연층, 상기 보호층 및 상기 접착층의 두께 비율을 제어함으로써, 상기 절연층, 상기 보호층 및 상기 접착층의 유리전이온도를 앞서 설명한 상기 접착 부재의 멜팅온도(Tm) 미만으로, 상기 절연층과 상기 보호층의 멜팅온도를 앞서 설명한 상기 접착 부재의 멜팅온도(Tm)보다 크게 제어할 수 있다.
한편, 앞서 설명한 실시예들에 대한 설명에서는 접착 부재를 통해 커넥터를 실장하는 것을 도시하였으나, 실시예들에 따른 회로기판은 커넥터 이외에 접착 부재를 통해 패드부와 접착되는 칩 등의 부품을 실장하는 경우도 포함됨은 물론이다. 즉, 실시예들에 따른 회로기판은 접착 부재를 통해 실장되는 회로 부품의 예를 모두 포함할 수 있다.
즉, 실시예에 따른 회로기판은 회로기판을 구성하는 절연층, 보호층 및 접착층의 유리전이온도, 멜팅온도 및 각층의 두께를 제어할 수 있다. 이에 따라, 절연층, 보호층 및 접착층의 유리전이온도를 접착 부재가 용융되는 접착 부재의 멜팅 온도보다 작고, 절연층, 보호층 및 접착층의 멜팅온도를 접착 부재가 용융되는 접착 부재의 멜팅 온도보다 크게 하여 회로기판의 열성형과 함께 상기 접착 부재를 이용한 커넥터의 접착 즉, 실장을 동일 공정에 의해 진행할 수 있다.
따라서, 2개의 공정을 하나의 공정으로 진행할 수 있으므로, 공정 효율을 향상시킬 수 있고, 커넥터를 회로기판의 벤딩과 동시에 실장할 수 있으므로, 벤딩 후 불안정한 회로기판 상에 별도로 실장하는 것에 비해 커넥터를 안정적으로 실장할 수 있다.
이하, 실시예들 및 비교예들을 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 실시예는 본 발명을 좀더 상세하게 설명하기 위하여 예시로 제시한 것에 불과하다. 따라서 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실험예
1
도 1에서 커넥터를 제외한 구성들을 형성하여 회로기판을 형성하였다.
이어서, 상기 회로기판의 하부 및 상부에 지그를 배치하고, 일정한 열을 인가하여 회로기판을 벤딩하였다.
이때, 절연층의 총 두께 및 보호층의 총 두께에 따른 회로기판의 벤딩 가능 온도를 측정하였다.
실험예
2
도 9에서 커넥터를 제외한 구성들을 형성하여 회로기판을 형성하였다.
이어서, 상기 회로기판의 하부 및 상부에 지그를 배치하고, 일정한 열을 인가하여 회로기판을 벤딩하였다.
이때, 절연층의 총 두께, 보호층 및 접착층의 총 두께에 따른 회로기판의 벤딩 가능 공정온도를 측정하였다.
| 보호층의 총 두께 또는 보호층 및 접착층의 총 두께 (㎛, a) |
절연층의 총 두께 (㎛, b) |
a/b | 공정온도(℃) | |
| 실시예1 | 9 | 50 | 0.18 | 280.5 |
| 실시예2 | 10 | 50 | 0.2 | 276.0 |
| 실시예3 | 11 | 50 | 0.22 | 271.4 |
| 실시예4 | 12 | 50 | 0.24 | 267.0 |
| 실시예5 | 13 | 50 | 0.26 | 262.6 |
| 비교예1 | 1 | 50 | 0.02 | 319.9 |
| 비교예2 | 2 | 50 | 0.04 | 314.7 |
| 비교예3 | 3 | 50 | 0.06 | 309.6 |
| 비교예4 | 4 | 50 | 0.08 | 304.6 |
| 비교예5 | 5 | 50 | 0.1 | 299.6 |
| 비교예6 | 6 | 50 | 0.12 | 294.8 |
| 비교예7 | 7 | 50 | 0.14 | 289.9 |
| 비교예8 | 8 | 50 | 0.16 | 285.2 |
| 비교예9 | 14 | 50 | 0.28 | 258.3 |
| 비교예10 | 15 | 50 | 0.3 | 254.1 |
| 비교예11 | 16 | 50 | 0.32 | 249.9 |
| 비교예12 | 17 | 50 | 0.34 | 245.8 |
| 비교예13 | 18 | 50 | 0.36 | 241.8 |
| 비교예14 | 19 | 50 | 0.38 | 237.8 |
| 비교예15 | 20 | 50 | 0.4 | 233.9 |
| 비교예16 | 30 | 50 | 0.6 | 199.1 |
| 비교예17 | 50 | 50 | 1 | 150.8 |
| 비교예18 | 70 | 50 | 1.4 | 131.1 |
표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 6에 따른 회로기판의 공정온도는 260℃ 내지 281℃ 사이에 형성되는 것을 알 수 있다.
즉, 실시예들에 따른 회로기판은 접착 부재의 멜팅 온도 이하의 공정 온도에서 회로기판을 열성형하여 벤딩이 가능한 것을 알 수 있다. 따라서, 접착 부재의 멜팅에 따른 커넥터의 실장과 함께 회로기판의 열성형에 따른 벤딩을 동시에 할 수 있는 것을 알 수 있다.
반면에, 비교예 1 내지 비교예 18에 따른 회로기판의 공정 온도는 260℃ 미만이고, 281℃ 초과하는 것을 알 수 있다.
즉, 실시예들에 따른 회로기판은 접착 부재의 멜팅 온도 범위를 초과하는 영역에서 회로기판을 열성형이 가능하므로, 접착 부재의 멜팅에 따른 커넥터의 실장과 함께 회로기판의 열성형에 따른 벤딩을 동시에 할 수 없는 것을 알 수 있다.
즉, 공정 온도가 260℃ 미만인 경우, 접착 부재의 멜팅 온도 미만이므로, 커넥터를 실장할 수 없고, 공정 온도가 281℃를 초과하는 경우, 회로기판의 층들이 녹을 수 있기에 열성형에 따른 벤딩을 진행할 수 없다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (10)
- 제 1 절연층;
상기 제 1 절연층의 상면 상에 배치되는 회로 패턴;
상기 제 1 절연층의 상면 상에 배치되는 제 2 절연층;
상기 제 1 절연층의 하면 상에 배치되는 제 1 보호층; 및
상기 제 2 절연층의 상면 상에 배치되는 제 2 보호층을 포함하고,
상기 제 1 절연층의 하면 및 상기 제 2 절연층의 상면에는 접착 부재에 의해 본딩되는 제 1 커넥터 및 제 2 커넥터가 각각 배치되고,
상기 접착 부재의 멜팅 온도는, 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 제 1, 2 보호층의 최대 유리전이온도보다 크고,
상기 접착 부재의 멜팅 온도는, 상기 제 1, 2 절연층 및 상기 제 1, 2 보호층의 최저 멜팅온도보다 작은 회로기판. - 제 1항에 있어서,
상기 접착 부재의 멜팅 온도는 260℃ 내지 280℃인 회로기판. - 제 1항에 있어서,
상기 제 1 보호층 및 상기 제 2 보호층을 포함하는 보호층의 총 두께는, 상기 제 1 절연층 및 상기 제 2 절연층을 포함하는 절연층의 총 두께의 0.18배 내지 0.26배인 회로기판. - 제 1항에 있어서,
상기 절연층 및 상기 보호층의 최대 유리전이온도는 하기 수식 2를 만족할 수 있다.
수식 2
89.29X2 - 263.6X + 325.1
(여기서 X=보호층의 총 두께/절연층의 총 두께) - 제 1항에 있어서,
상기 제 1 절연층의 하면 상에 배치되는 제 1 그라운드 패턴 및 상기 제 2 절연층의 상면 상에 배치되는 제 2 그라운드 패턴을 더 포함하는 회로기판. - 제 1 절연층;
상기 제 1 절연층의 상면 상에 배치되는 회로 패턴;
상기 제 1 절연층 상면 상에 배치되는 접착층
상기 접착층의 상면 상에 배치되는 제 2 절연층;
상기 제 1 절연층의 하면 상에 배치되는 제 1 보호층; 및
상기 제 2 절연층의 상면 상에 배치되는 제 2 보호층을 포함하고,
상기 제 1 절연층의 하면 및 상기 제 2 절연층의 상면에는 접착 부재에 의해 본딩되는 제 1 커넥터 및 제 2 커넥터가 각각 배치되고,
상기 접착 부재의 멜팅 온도는, 상기 제 1, 2 절연층, 상기 제 1, 2 보호층 및 상기 접착층의 최대 유리전이온도보다 크고,
상기 접착 부재의 멜팅 온도는, 상기 제 1, 2 절연층, 상기 제 1, 2 보호층 및 상기 접착층의 최저 멜팅온도보다 작은 회로기판. - 제 6항에 있어서,
상기 접착 부재의 멜팅 온도는 260℃ 내지 280℃인 회로기판. - 제 6항에 있어서,
상기 제 1 보호층, 상기 제 2 보호층 및 상기 접착층을 포함하는 층의 총 두께는, 상기 제 1 절연층 및 상기 제 2 절연층을 포함하는 절연층의 총 두께의 0.18배 내지 0.26배인 회로기판. - 제 6항에 있어서,
상기 절연층, 상기 보호층 및 상기 접착층의 최대 유리전이온도는 하기 수식 4를 만족할 수 있다.
수식 4
89.29X2 - 263.6X + 325.1
(여기서 X=보호층 및 접착층의 총 두께/절연층의 총 두께) - 안테나 기판; 및
상기 안테나 기판에서 연장하는 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 회로기판을 포함하고,
상기 안테나 기판과 상기 회로기판은 일체로 형성되는 안테나 모듈.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190012621A KR102667824B1 (ko) | 2019-01-31 | 회로기판 및 이를 포함하는 안테나 모듈 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190012621A KR102667824B1 (ko) | 2019-01-31 | 회로기판 및 이를 포함하는 안테나 모듈 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200095036A true KR20200095036A (ko) | 2020-08-10 |
| KR102667824B1 KR102667824B1 (ko) | 2024-05-22 |
Family
ID=
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