KR20200089625A - 탐측 장치와 그 동작 방법 - Google Patents

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Abstract

본 개시는 탐측 장치와 그 동작 방법을 제공한다.
상기 탐측 장치는 척과 프로브 카드를 포함하며, 상기 척은 테스트 대상 소자를 지지하도록 배치되고, 상기 프로브 카드는 상기 척 상에 배치된다.
상기 프로브 카드는 하나의 입구와 하나의 출구를 가지고, 상기 입구는 상기 프로브 카드 내로 기체를 전달하도록 배치되며, 상기 출구는 미리 설정된 온도에서 상기 기체를 상기 프로브 카드로부터 상기 척으로 공급하도록 배치된다.
상기 동작방법은 척을 마련하는 단계, 상기 척 상에 테스트 대상 소자를 배치하는 단계, 상기 테스트 대상 소자 상에 프로브 카드를 배치하는 단계, 및 미리 설정된 온도에서 상기 프로브 카드로부터 상기 테스트 대상 소자로 기체를 공급하는 단계를 포함한다.

Description

탐측 장치와 그 동작 방법{PROBING DEVICE AND METHOD FOR OPERATING THE SAME}
본 출원은 2019년 1월 16일 출원된 미국 가출원 제 62/793, 060호 및 2019년 7월 16일 미국에 정식 출원된 제 16/513,401호의 우선권 및 이익을 주장하며, 해당 미국 가출원 및 미국 정식 출원의 내용의 전문은 본문에 인용 방식으로 포함된다.
본 개시는 탐측 장치, 특히 반도체 소자 테스트에 사용되는 탐측 장치에 관한 것이다.
또한, 본 개시는 테스트 장비의 동작 방법, 특히 탐측 장치의 동작 방법에 관한 것이다.
제조 후, 예컨대 다수 개의 결정립(grain)을 가지는 웨이퍼의 반도체 테스트 대상 소자(semiconductor device under test, DUT)는 탐측 장치에 의하여 테스트된다.
그러나, 제조 기간에 예기치 않게 잔여물(residues), 오염물(contaminants), 또는 절삭분(chipping)이 발생하여 반도체 소자 상에 떨어질 수 있다.
이러한 바람직하지 않은 물질은 반도체 소자 테스트에 불리한 영향을 미칠 수 있다.
또한, 반도체 소자에 대한 테스트는 미리 설정된 온도에서 진행되어야 한다.
그러나, 제조 후, 반도체 소자에 대한 테스트가 신속하게 진행될 수 있으므로, 이로 인하여 반도체 소자에 대한 테스트가 미리 설정된 온도에서 진행되지 못할 수 있다.
그러므로, 반도체 소자 테스트의 정확도가 저하될 수 있다.
이에 따라, 탐측 장치 구조에 대한 개선이 지속적으로 요구되고 있다.
앞서 기재된 '선행기술'에 대한 설명은 단지 배경기술을 제공하기 위한 것이며, 앞서 기재된 '선행기술'이 본 개시의 목적을 나타내는 것을 인정하기 위함이 아니고, 본 개시를 구성하지 않는 선행기술과 앞서 기재된 '선행기술'에 대한 어떠한 설명도 본 사건의 일부로 간주되어서는 아니된다.
본 개시의 일 실시예는 탐측 장치를 제공한다.
상기 탐측 장치는 테스트 대상 소자를 지탱하도록 배치되는 척, 및 상기 척 상에 배치되는 프로브 카드를 포함한다.
상기 프로브 카드는 기체를 상기 프로브 카드 내로 전달하도록 배치되는 입구, 및 미리 설정된 온도에서 상기 기체를 상기 프로브 카드로부터 상기 척으로 공급하도록 배치되는 출구를 포함한다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 프로브 카드는 상기 출구로부터 공급되는 상기 기체의 온도를 조정하도록 배치되는 온도 제어기를 포함한다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 미리 설정된 온도는 - 60℃ 내지 300℃의 범위 내이다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 출구와 상기 테스트 대상 소자 사이의 거리는 약 10mm 이하이다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 기체는 청결한 건조 기체(clean dry air) 또는 질소 가스(nitrogen gas)이다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 출구는 상기 테스트 소자의 중심을 향해 지향된다(oriented).
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 출구는 다수 개의 서브 출구를 더 가지며, 상기 서브 출구의 지향은 조정 가능하다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 탐측 장치는 상기 프로브 카드와 전기적으로 연결되는 제어기를 더 포함하며, 상기 제어기는 상기 프로브 카드가 측정한 상기 온도가 상기 미리 설정된 온도와 일치하는지를 판단하도록 배치된다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 탐측 장치는 챔버를 더 포함하며, 상기 척과 상기 테스트 대상 소자 및 상기 프로브 카드는 상기 챔버 내에 배치된다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 테스트 대상 소자는 반도체 소자이다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 테스트 대상 소자는 웨이퍼이다.
본 개시의 또 다른 실시예는 동작 방법을 제공한다.
상기 동작 방법은 척, 상기 척 상에 배치되는 테스트 대상 소자 및 상기 테스트 대상 소자 상에 배치되는 프로브 카드를 마련하는 단계; 및 미리 설정된 온도에서 상기 프로브 카드로부터 상기 테스트 대상 소자로 기체를 불어 공급하는 단계를 포함한다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 동작 방법은 상기 프로브 카드 내의 기체의 온도를 상기 미리 설정된 온도로 조정하는 것을 더 포함한다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 동작 방법은 상기 기체를 상기 프로브 카드 내로 전달하는 것을 더 포함한다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 동작 방법은 상기 기체를 공급하는 동안이나 공급한 후, 상기 테스트 대상 소자의 적어도 일부의 온도를 변경하는 것을 더 포함한다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 기체를 불어 공급함으로써, 불필요한 물질을 상기 테스트 대상 소자 또는 프로브 카드로부터 제거한다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 미리 설정된 온도는 - 60℃ 내지 300℃의 범위 내이다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 미리 설정된 온도는 실온이다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 기체는 미리 설정된 속도로 공급된다.
본 개시의 일부 실시예에서, 상기 기체는 상기 테스트 대상 소자의 중심을 향해 공급된다.
앞서 이미 본 개시의 기술적 특징과 이점을 광범위하게 기술하였으므로, 이하에서는 보다 자세한 이해를 위하여 본 개시를 상세히 설명한다.
본 개시의 청구항을 구성하는 기타 기술적 특징 및 이점을 이하에서 기술한다.
본 개시의 기술적 분야에서 통상적 지식을 갖춘 자라면, 이하에 공개된 개념 및 특징적인 실시예들을 이용하여 다른 구조 또는 프로세스를 수정 또는 설계함으로써 본 개시와 동일한 목적을 쉽게 달성할 수 있음을 이해할 것이다..
본 개시의 기술적 분야에서 통상적 지식을 갖춘 자라면, 이와 동등한 구성이 첨부된 특허청구범위에 의하여 정해진 본 개시의 사상 및 범위를 벗어날 수 없음을 이해할 것이다.
본 출원에 개시된 내용을 보다 완전하게 이해하기 위하여 실시방식 및 특허청구범위와 함께 도면을 참조하며, 도면에서 동일한 부재번호는 동일한 부재를 가리킨다.
도 1은 본 개시에 따른 일부 실시예의 탐측 장치의 단면도이다.
도 2는 본 개시에 따른 일부 실시예의 프로브 카드의 개략적인 하부 단면도이다.
도 3은 본 개시의 일부 실시예에 따른 탐측 장치의 단면도이다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른 탐측 장치의 동작 방법을 나타내는 흐름도이다.
본 개시의 이하 설명은 본 개시의 실시예를 설명하기 위하여 명세서에 포함되고 명세서의 일부분을 구성하는 도면과 함께 제시되지만, 본 개시는 해당 실시예에 제한되지 않는다.
또한, 이하의 실시예를 적당히 조합함으로써 또다른 실시예를 완성할 수 있다.
'일 실시예', '실시예', '예시적인 실시예', '기타 실시예', '또 다른 실시예' 등은 본 개시가 설명하는 실시예가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 포함할 수 있음을 의미하지만, 모든 실시예가 이러한 특정한 특징, 구조, 또는 특성을 포함해야만 한다는 의미는 아니다.
또한, '실시예에서'라는 문구의 반복적 사용은 반드시 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니나, 동일한 실시예를 지칭할 수도 있다.
본 개시의 완전한 이해를 위하여, 이하의 설명에서는 상세한 단계 및 구조를 제공한다.
본 개시의 구현이 통상적인 기술을 갖춘 자들의 주지의 특정 세부 사항을 제한하지 않을 것임은 물론이다.
그 밖에, 본 개시를 불필요하게 제한하지 않도록, 주지의 구조와 단계에 대해서는 자세한 설명을 생략한다.
본 개시의 바람직한 실시예에 대한 설명은 이하와 같다.
그러나, 상세한 설명 이외에도, 본 개시는 기타 실시예에서도 광범위하게 실시될 수 있다.
본 개시의 범위는 상세한 설명의 내용이 아닌 특허청구범위에 의해 제한된다.
본 개시는 테스트 대상 소자(예: 웨이퍼)를 가열 또는 냉각할 수 있고 상기 테스트 대상 소자로부터 불필요한 물질(unwanted material)을 제거할 수 있는 탐측 장치를 제공한다.
도 1은 본 개시의 일부 실시예에 따른 탐측 장치(200)의 개략적인 단면도이다.
탐측 장치(200)는 테스트 대상 소자(DUT)(22)를 지탱하도록 배치되는 척(chuck)(21), 및 척(21) 상에 배치되는 프로브 카드(23)를 포함한다. 프로브 카드(23)는 입구(231)와 출구(232)를 가지며, 입구(231)는 기체를 프로브 카드(23) 내로 전달하도록 배치되고, 출구(232)는 미리 설정된 온도에서 상기 기체를 프로브 카드(23)로부터 척(21)을 향해 공급하도록 배치된다. 미리 설정된 온도에서 출구(232)로부터 공급된 상기 기체는 예를 들면 대류(convection)와 같은 비접촉 방식으로 테스트 대상 소자(22)의 온도를 변경할 수 있다.
자세하게는, 상기 기체는 미리 설정된 온도에서 입구(231)로 전달되며, 출구(232)로부터 테스트 대상 소자(22)를 통해 공급되어 테스트 대상 소자(22)의 적어도 일부분의 온도를 변경하며, 테스트 대상 소자(22) 상의 불필요한 물질 또한 제거할 수 있다.
일부 실시예에서, 테스트 대상 소자(22)는 반도체 소자이다.
일부 실시예에서, 테스트 대상 소자(22)는 웨이퍼(wafer)이다.
웨이퍼 테스트는 일반적으로 실온, 고온(즉 실온보다 높은 온도) 또는 저온(즉 실온보다 낮은 온도)에서 실행된다.
웨이퍼 테스트를 실시하기 전, 테스트 대상 소자(22)에 대한 가열 또는 냉각이 필요할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 기체는 출구(232)로부터 테스트 대상 소자(22)를 향하여 공급되어 테스트 대상 소자(22)의 온도를 증가시킨다(테스트 대상 소자(22) 의 가열).
일부 실시예에서, 상기 기체는 출구(232)로부터 테스트 대상 소자(22)를 향해 공급되어 테스트 대상 소자(22)의 온도를 저하시킨다(테스트 대상 소자(22)의 냉각).
일반적으로, 출구(232)가 테스트 대상 소자(22)에 근접할수록, 상기 기체는 보다 효과적으로 테스트 대상 소자(22)를 가열 또는 냉각할 수 있으며, 테스트 대상 소자(22)의 적어도 일부분의 온도를 보다 효과적으로 증가 또는 감소시킬 수 있다.
일부 실시예에서, 탐측 장치(200)는 챔버(24)를 더 포함한다. 척(21), 테스트 대상 소자(22) 및 프로브 카드(23)는 모두 챔버(24) 내에 배치된다.
주의해야 할 점은, 출구(232)로부터 테스트 대상 소자(22)까지의 최소 거리는 명백히 챔버(24)의 둘레 벽부터 테스트 대상 소자(22)까지의 최소 거리보다 작다는 것이다.
즉, 테스트 대상 소자(22)의 적어도 일부분의 온도를 미리 설정된 온도로 변경할 때, 프로브 카드(22)의 출구(232)로부터 제공되는 기체는 챔버(24)의 둘레 벽으로부터 제공되는 기체보다 더욱 효율적이다.
또한, 테스트 대상 소자(22) 상의 먼지, 오염물 및 모든 종류의 부산물(by-products) 등 불필요한 물질이 테스트 대상 소자(22)로부터 제거된다.
일부 실시예에서, 출구(232)와 테스트 대상 소자(22) 사이에는 거리가 존재한다.
거리(D)는 상이한 변수에 따라 결정되며, 예를 들면, 그 변수는 출구(232)의 수량, 기체의 공급 속도(blowing speed), 테스트 대상 소자(22)의 크기, 테스트 대상 소자(22)의 설계 규칙 및 본 분야의 통상적 기술자들이 주지하는 그 밖의 변수를 포함한다.
일부 실시예에서, 출구(232)와 테스트 대상 소자(22) 사이의 거리(D)는 대략 10mm 이하이다.
분명하고 간결한 설명을 위하여, 도 1은 프로브 카드(23) 내의 두 개의 출구(232)와 두 개의 입구(231)만을 도시하였으나, 상기 기술 분야에서 통상의 지식을 갖춘 자는 하나 또는 다수의 출구(232)와 입구(231)가 있을 수 있음을 이해할 것이다. 일부 실시예에서, 프로브 카드(232)는 복수 개의 출구(232)를 가진다. 일부 실시예에서, 프로브 카드(23)는 입구(231)를 가지며, 상기 기체는 입구(231)를 경유하여 프로브 카드(23)에 진입하고, 상기 출구(232)로부터 공급된다.
일부 실시예에서, 입구(231)는 각각 서로 대응하는 출구(232)와 연결된다.
일부 실시예에서, 출구(232)는 테스트 대상 소자(22) 전체의 온도를 조정 가능하게 하는 수단으로서 배치된다.
일부 실시예에서, 출구(232)는 테스트 대상 소자(22)의 전체 중 특정 부분의 온도만을 조정 가능하게 하는 수단으로서 배치된다.
일부 실시예에서, 출구(232)는 테스트 대상 소자(22)의 중심을 향해 지향된다.
일부 실시예에서, 출구(232)는 테스트 대상 소자(22)의 둘레를 향해 지향된다.
일부 실시예에서, 각 출구(232)는 테스트 대상 소자(22)의 상이한 부분을 향해 지향될 수 있다.
도 2는 프로브 카드(23)의 저면도이다.
프로브 카드(23)는 원형, 타원형, 직사각형, 정사각형, 또는 테스트 대상 소자와 대응되는 기타 필요한 형상일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
도 2에 도시된 바와 같이, 일부 실시예에서, 프로브 카드(23)의 바닥면에는 중심 영역(235)과 주변 영역(236)이 있다. 중심 영역은 원형의 형상을 가질 수 있으며, 주변 영역(236)은 중심 영역(235)을 둘러싸는 고리 형상을 가질 수 있다.
일부 실시예에서, 이러한 출구(232)는 프로브 카드(23)의 원주(circumference)를 따라 배치된다.
일부 실시예에서, 이러한 출구(232)는 프로브 카드(232)의 바닥면의 중심 영역(235)에 배치된다.
일부 실시예에서, 이러한 출구는 프로브 카드(232)의 바닥면의 주변 영역(236)에 배치된다.
일부 실시예에서, 이러한 출구(232)는 서로 동일한 구조를 가진다.
각 출구(232)는 동일한 형상 및 동일한 폭을 가지나, 본 개시는 이에 제한되지 않는다.
예를 들어, 모든 출구(232)는 원형이며 서로 동일한 직경을 가질 수 있다.
일부 실시예에서, 두 개의 서로 인접한 출구(232) 사이의 거리는 앞뒤로 일치하지만, 본 개시는 이에 제한되지 않는다.
도 1을 참고하면, 일부 실시예에서, 각 출구(232)와 테스트 대상 소자(22) 사이의 거리(D)는 필요에 따라 서로 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
일부 실시예에서, 프로브 카드(23)는 출구(232)와 서로 대응되는 입구(231)를 연결하도록 배치되는 파이프(pipe)를 더 포함한다. 일부 실시예에서, 파이프(233)는 프로브 카드(23) 내에 배치된다.
일부 실시예에서, 파이프(233)를 배치하는 것은 프로브 카드(23)의 설정(setting)에 부합한다.
일부 실시예에서, 프로브 카드(23)는 상기 기체가 출구(232)로부터 공급되는 온도를 조절하도록 배치되는 온도 제어기(234)를 더 포함한다.
일부 실시예에서, 온도 제어기(234)와 프로브 카드(23)는 일체로 형성되며 입구(231), 출구(232) 및/또는 파이프(233)에 가까이 위치한다.
일부 실시예에서, 미리 설정된 온도는 -60℃ 내지 300℃의 범위 내이다.
주위 온도(ambient temperature)의 테스트에 있어서, 일부 실시예에서, 미리 설정된 온도는 15℃ 내지 40℃의 범위 내이다.
일부 실시예에서, 상기 기체는 클린 드라이 에어(clean dry air), 질소 가스(nitrogen gas), 아르곤(argon) 또는 임의의 기타 적합한 기체이다.
일부 실시예에서, 질소 가스의 순도는 대략 99%이다.
일부 실시예에서, 프로브 카드(23)는 별도의 장치를 통하여 가스 튜브(gas tube), 압력 조절기(pressure regulators), 밸브(valves), 질량 유량 제어기(mass flow controllers) 등의 가스 공급기(gas supply)(미도시) 또는 기타 유량 제어기, 다기관(manifolds), 및/또는 조절기(regulators)에 연결될 수 있다.
일부 실시예에서, 기체 공급기(gas supply)는 프로브 카드(23)와 일체로 형성된다.
일부 실시예에서, 탐측 장치는 프로브 카드(23)에 연결된 테스트 모듈(test module)(25)을 더 포함한다. 테스트 모듈(25)은 프로브 카드(23)가 탐측한 신호를 처리하고 프로브 카드(23)의 위치 및 테스트 대상 소자(22)의 위치를 조정하도록 배치된다.
도 3는 본 개시의 또 다른 탐측 장치(300)에 따른 구조도이다.
일부 실시예에서, 탐측 장치(300)는 테스트 대상 소자(22)를 지지하도록 배치되는 척(21), 챔버(24) 및 테스트 모듈(25)을 가지며, 그 구조는 상기에 기술되거나 또는 도 2에 도시된 구조와 유사하다.
일부 실시예에서, 프로브 카드(23)는 입구(231)와 출구(232)를 가지며, 그 중 출구(232)는 복수 개의 서브 출구(sub-outlets)(237)를 더 가진다. 일부 실시예에서, 상기 서브 출구(237)의 지향(orientations)은 조절 가능하다.
일부 실시예에서, 프로브 카드(23)의 바닥면에 대한 각 서브 출구(237)의 각도는 θ이다.
따라서, 상기 서브 출구(237)로부터 공급되는 상기 기체는 대체적으로 테스트 대상 소자(22)의 원하는 부분을 향해 지향되어 테스트 대상 소자(22)의 적어도 일부의 온도를 조절할 수 있고, 테스트 대상 소자(22) 상의 불필요한 물질을 완전히 제거할 수 있다.
일부 실시예에서, 각도θ는 0° 내지 90° 범위 내이다.
본 개시에서는 탐측 장치의 동작 방법을 제공한다.
일부 실시예에서, 상기 동작 방법으로써 반도체 소자와 같은 테스트 대상 소자에 테스트를 실시한다.
해당 동작 방법은 여러 가지의 동작을 포함하며, 이에 대한 설명 및 도시는 이러한 동작 순서에 대한 제한을 의미하지 않는다.
도 4는 상기 탐측 장치의 동작 방법(400)의 일 실시예를 나타낸 흐름도이다.
상기 동작 방법은 동작(41, 42)을 포함한다. 일부 실시예에서, 동작(41, 42)은 상기와 같은 또는 도 1 내지 도 3에서 도시한 탐측 장치(200 또는 300)의 동작에 의하여 구현된다.
상기 동작 방법은 척(21), 척(21) 상에 배치되는 테스트 대상 소자(22) 및 테스트 대상 소자(22) 상에 배치되는 프로브 카드(23)를 마련하는 동작(41)으로써 시작된다. 프로브 카드(23)는 기체를 프로브 카드(23) 내로 전달하는 입구(231), 및 미리 설정된 온도에서 프로브 카드(23)로부터 척(21)을 향해 상기 기체를 공급하도록 배치되는 출구(232)를 가진다. 일부 실시예에서, 테스트 대상 소자(22)는 반도체 소자이다.
일부 실시예에서, 테스트 대상 소자는 웨이퍼이다.
동작(42)에서, 기체는 미리 설정된 온도에서 프로브 카드(23)로부터 테스트 대상 소자(22)를 향하여 공급된다. 일부 실시예에서, 상기 동작 방법이 끼치는 영향은 상기 기체가 공급될 때 테스트 대상 소자(22) 상의 불필요한 물질을 제거하고 테스트 대상 소자(22)의 적어도 일부의 온도를 변경시킬 수 있는 것이다.
일부 실시예에서, 상기 불필요한 물질은 먼지, 오염물, 또는 그 밖의 테스트 대상 소자(22) 상의 부산물을 포함한다.
일부 실시예에서, 상기 동작 방법은 프로브 카드(23) 내의 상기 기체의 온도를 미리 설정된 온도로 조절하는 것을 더 포함한다.
일부 실시예에서, 상기 기체의 온도는 온도 제어기(234)에 의하여 조절된다.
일부 실시예에서, 상기 동작 방법은 상기 기체를 공급할 때 테스트 대상 소자(22)의 적어도 일부분의 온도를 변경하는 것을 포함한다.
일부 실시예에서, 미리 설정된 온도는 -60℃ 내지 300℃의 범위 내이다.
일부 실시예에서, 미리 설정된 온도는 실온이다.
일부 실시예에서, 실온은 15℃ 내지 40℃의 범위 내이다.
일부 실시예에서, 상기 동작 방법은 상기 프로브 카드(23)로부터 상기 기체를 공급할 때 상기 기체를 프로브 카드(23) 내로 전달하는 것을 더 포함한다.
일부 실시예에서, 상기 기체는 미리 설정된 속도로 공급된다.
상기 기체의 미리 설정된 속도는 테스트 대상 소자(22)의 적어도 일부분의 온도를 효과적으로 변경할 수 있으며, 테스트 대상 소자(22)로부터 불필요한 물질을 제거할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 기체는 테스트 대상 소자(22)의 원하는 부분으로 공급된다.
일부 실시예에서, 상기 기체는 테스트 대상 소자(22)의 중심을 향하여 공급된다.
이에 따르면, 본 개시는 탐측 장치 및 동작 방법을 제공한다.
상기 탐측 장치는 테스트 대상 소자를 지지하도록 배치되는 척과 상기 척 상에 배치되는 프로브 카드를 포함한다.
상기 프로브 카드는 기체를 상기 프로브 카드 내로 전달하도록 배치되는 입구, 및 미리 설정된 온도에서 상기 기체를 상기 프로브 카드로부터 상기 척을 향하여 공급하도록 배치되는 출구를 포함한다.
따라서, 상기 프로브 카드의 상기 출구로부터 공급되는 상기 기체는 테스트 대상 소자로부터 불필요한 물질을 제거할 수 있으며, 테스트 대상 소자의 적어도 일부의 온도를 효과적으로 변경할 수 있다.
본 개시 및 그 이점에 대하여 상세히 기술하였으나, 특허청구범위에 의하여 정의되는 본 개시의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변경, 대체 및 치환이 가능함은 물론이다.
예를 들어, 상이한 방법으로 상기의 다양한 방법을 실시할 수 있으며, 기타 공정 또는 그 조합으로 상기의 다양한 공정을 대체할 수 있다.
또한, 본 출원 사건의 범위는 명세서에 기술된 공정, 기계, 제조, 물질 조성물, 수단, 방법 및 단계의 특정 실시예에 제한되지 않는다.
상기 기술 분야의 기술자들은 본 개시에 공개된 내용으로부터, 본 개시에 따라 본문에 기재된 것과 대응되는 실시예를 사용하여 이와 동일한 기능을 가지거나 실질적으로 동일한 효과를 가지는 기존 또는 미래에 개발되는 공정, 기계, 제조, 물질 조성물, 수단, 방법, 또는 단계를 구현할 수 있음을 이해할 수 있다.
따라서, 이러한 공정, 기계, 제조, 물질 조성물, 수단, 방법, 또는 단계는 본 출원의 특허청구범위에 포함된다.
200: 탐측 장치
21 척
22 테스트 대상 소자
23 프로브 카드
231: 입구
231: 출구
233 파이프
234: 온도 제어기
235: 중심 영역
236: 주변 영역
237: 서브 출구
24: 챔버
25: 테스트 모듈
300: 탐측 장치
400: 동작 방법
41: 동작
42: 동작
D: 거리
θ: 각도

Claims (20)

  1. 탐측 장치로서,
    테스트 대상 소자를 지지하도록 배치되는 척; 및
    상기 척 상에 배치되는 프로브 카드를 포함하며;
    상기 프로브 카드는 출구와 입구를 포함하고, 상기 입구는 기체를 상기 프로브 카드로 전달하도록 배치되며, 상기 출구는 미리 설정된 온도에서 상기 기체를 상기 프로브 카드로부터 상기 척을 향하여 공급하도록 배치되는 탐측 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 프로브 카드는 상기 출구로부터 공급되는 상기 가스의 온도를 조정하도록 배치되는 온도 제어기를 더 포함하는 탐측 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 미리 설정된 온도는 -60℃내지 -300℃의 범위 내인 탐측 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 출구와 상기 테스트 대상 소자 간의 거리는 10mm 이하인 탐측 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기체는 클린 드라이 에어 (clean dry air) 또는 질소 기체인 탐측 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 출구는 상기 테스트 대상 소자의 중심을 향해 지향되는 탐측 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 출구는 다수 개의 서브 출구를 가지고, 상기 서브 출구의 지향은 조절 가능한 탐측 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 프로브 카드와 전기적으로 연결되는 제어기를 더 포함하며, 상기 제어기는 상기 프로브 카드에 의해 측정되는 상기 온도가 상기 미리 설정된 온도와 일치하는지 결정하도록 배치되는 탐측 장치.
  9. 제1항에 있어서, 챔버를 더 포함하며, 상기 척, 상기 테스트 대상 소자 및 상기 프로브 카드는 상기 챔버 내에 배치되는 탐측 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 테스트 대상 소자는 반도체 소자인 탐측 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 테스트 대상 소자는 웨이퍼인 탐측 장치.
  12. 탐측 장치의 동작 방법으로서,
    척, 상기 척 상에 배치되는 테스트 대상 소자 및 상기 테스트 소자 상에 배치되는 프로브 카드를 마련하는 단계; 및
    미리 설정된 온도에서 상기 프로브 카드로부터 상기 테스트 소자를 향하여 기체를 공급하는 동작 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 프로브 카드 내의 기체의 온도를 상기 미리 설정된 온도까지 조절하는 것을 더 포함하는 동작 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 기체를 상기 프로브 카드로 전달하는 것을 더 포함하는 동작 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 기체의 공급 기간 또는 그 후에, 상기 테스트 대상 소자의 적어도 일부분의 온도를 변경하는 동작 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 기체의 공급을 통하여 불필요한 물질을 상기 테스트 대상 소자 또는 상기 프로브 카드로부터 제거하는 동작 방법.
  17. 제12항에 있어서, 상기 미리 설정된 온도는 -60℃ 내지 300℃의 범위 내인 동작 방법.
  18. 제12항에 있어서, 상기 미리 설정된 온도는 실온인 동작 방법.
  19. 제12항에 있어서, 상기 기체는 미리 정해진 속도로 공급되는 동작 방법.
  20. 제12항에 있어서, 상기 기체는 상기 테스트 대상 소자의 중심을 향해 공급되는 동작 방법.

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