KR20200085207A - 가스 제거 장치 및 방법 - Google Patents

가스 제거 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200085207A
KR20200085207A KR1020190046385A KR20190046385A KR20200085207A KR 20200085207 A KR20200085207 A KR 20200085207A KR 1020190046385 A KR1020190046385 A KR 1020190046385A KR 20190046385 A KR20190046385 A KR 20190046385A KR 20200085207 A KR20200085207 A KR 20200085207A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
pipe
substrate processing
exhaust
purge gas
Prior art date
Application number
KR1020190046385A
Other languages
English (en)
Inventor
조수민
Original Assignee
주식회사 고도이엔지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 고도이엔지 filed Critical 주식회사 고도이엔지
Priority to KR1020190046385A priority Critical patent/KR20200085207A/ko
Publication of KR20200085207A publication Critical patent/KR20200085207A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치로 가스를 분배하는 밸브 매니폴드 박스의 상기 기판 처리 장치로 가스가 이송되는 배관 내의 가스를 제거하는 가스 제거 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 제거 장치는, 상기 배관의 상기 밸브 매니폴드 박스 측 단부에 연결되는 연결 라인과; 상기 연결 라인을 통해 상기 배관으로 퍼지 가스를 주입하는 퍼지 가스 주입부와; 상기 연결 라인을 통해 상기 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 배기부를 포함한다.

Description

가스 제거 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING GAS}
본 발명은 가스 제거 장치 및 방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 기판 처리 장치로 가스를 배분하는 밸브 매니폴드 박스(Valve Manifold Box: VMB)의 배관 내에 잔류하는 가스를 제거하는 가스 제거 장치 및 방법에 관한 것이다.
도 1은 일반적인 가스 제거 장치(1)를 이용하여 밸브 매니폴드 박스(2)의 배관(3c, 3d) 내에 잔류하는 가스를 제거하는 모습을 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼 등에 사용되는 기판을 처리하는 기판 처리 장치 중 화학기상증착(CVD) 장치 등의 기판 처리 장치(4)는 수행하는 공정의 종류에 따라 복수 종류의 가스를 이용하여 기판을 처리할 수 있다. 이러한 복수 종류의 가스는 일반적으로 밸브 매니폴드 박스(2)에 의해 종류별로 분배되어 기판 처리 장치(4)로 공급된다.
밸브 매니폴드 박스(2)는 가스 공급을 위해 기판 처리 장치(4)와 연결된 복수개의 배관(3a, 3b, 3c, 3d, 3e)을 포함한다. 다른 종류의 가스는 서로 다른 배관(3a, 3b, 3c, 3d, 3e)을 통해 기판 처리 장치(4)로 공급된다. 또한, 일 종류의 가스 공급에 사용되던 배관(3a, 3b, 3c, 3d, 3e)은 그와는 다른 종류의 가스 공급에는 사용되지 않는다. 따라서, 공정의 개선 등에 의해 기판 처리 장치(4)에서 사용되는 가스의 종류가 변경되는 경우, 기존에 사용되던 배관 중 일부의 배관(3c, 3d)은 사용되지 않은 상태로 방치될 수 있다.
기판 처리 장치(4)에서 사용되는 일부 가스는 독성 또는 상온에서의 가연성을 가진다. 또한, 사용되지 않는 상태의 배관(3c, 3d) 내부에 잔류하는 가스의 종류는 확인이 쉽지 않다. 따라서, 이러한 사용되지 않는 상태의 배관(3c, 3d)을 철거하기 위해서는 배관(3c, 3d) 내에 잔류하는 가스의 제거가 요구된다.
일반적인 가스 제거 장치(1)는 기판 처리 장치(4) 내에서 공정에 사용된 가스를 배기하는 배기관(5)을 통해 배관(3c, 3d) 내에 잔류하는 가스를 제거한다. 이 경우, 기판 처리 장치(4)를 통해 배관(3c, 3d) 내의 잔류 가스를 배출시키므로 가스 제거 시 기판 처리 장치(4)의 공정을 중단해야 한다.
일반적으로 기판의 처리 공정을 수행하기 위해서는 온도 등의 기판 처리 장치(4)의 환경적인 조건이 충족되어야 하므로 중단된 기판 처리 장치(4)를 재가동하기 위해서는 이러한 조건을 충족시키기 위한 적지 않은 시간이 요구된다.
본 발명은 상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 것으로써, 본 발명의 목적은 기판 처리 장치 가동 중에 밸브 매니폴드 박스의 배관에 잔류하는 가스를 제거할 수 있는 가스 제거 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 기판 처리 장치로 가스를 분배하는 밸브 매니폴드 박스의 상기 기판 처리 장치로 가스가 이송되는 배관 내의 가스를 제거하는 가스 제거 장치를 제공한다. 일 실시 예에 따르면, 가스 제거 장치는, 상기 배관의 상기 밸브 매니폴드 박스 측 단부에 연결되는 연결 라인과; 상기 연결 라인을 통해 상기 배관으로 퍼지 가스를 주입하는 퍼지 가스 주입부와; 상기 연결 라인을 통해 상기 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 배기부를 포함한다.
상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어하는 제어부를 더 포함하되, 상기 제어부는 상기 연결 라인을 통해 상기 배관으로 퍼지 가스를 주입한 후 상기 배관 내의 가스를 배기하도록 상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어할 수 있다.
상기 배기부는, 상기 배관 내의 가스를 흡입하는 흡입 펌프와; 상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스를 여과하는 여과 부재를 포함할 수 있다.
상기 배기부는, 상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 상기 가스의 농도를 측정하는 가스 농도 측정 부재와; 알람을 발생시키는 알람 부재를 더 포함하되, 상기 제어부는 상기 가스 농도 측정 부재에 의해 측정된 상기 농도가 기 설정된 농도값 이상인 경우 알람을 발생시키도록 알람 부재를 제어할 수 있다.
상기 제어부는 상기 퍼지 가스 주입 및 상기 배기를 번갈아 복수회 반복하도록 상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치로 가스를 분배하는 밸브 매니폴드 박스의 상기 기판 처리 장치로 가스가 이송되는 배관 내의 가스를 제거하는 가스 제거 방법을 제공한다. 일 실시 예에 따르면, 가스 제거 방법은, 상기 배관에 상기 배관의 상기 밸브 매니폴드 박스 측 단부를 통해 퍼지 가스를 주입하는 퍼지 가스 주입 단계와; 이 후, 상기 단부를 통해 상기 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 배기 단계를 포함한다.
상기 배기 단계는, 상기 배관 내의 가스를 흡입하는 흡기 단계와; 상기 흡기 단계에서 흡입된 가스를 여과하는 여과 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 가스 제거 장치 및 방법은 기판 처리 장치 가동 중에 밸브 매니폴드 박스의 배관에 잔류하는 가스를 제거할 수 있다.
도 1은 일반적인 가스 제거 장치를 이용하여 밸브 매니폴드 박스의 배관 내에 잔류하는 가스를 제거하는 모습을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 가스 제거 장치를 사용하여 밸브 매니폴드 박스의 배관 내의 가스를 제거하는 모습을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 방법을 나타낸 순서도이다.
이하에서, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로, 본 발명의 실시 예들이 명확하고 상세하게 기재될 것이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 장치(10)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 3은 도 2의 가스 제거 장치(10)를 사용하여 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31d) 내의 가스를 제거하는 모습을 나타낸 도면이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 가스 제거 장치(10)는 밸브 매니폴드 박스(30)의 기판 처리 장치(20)로 가스가 이송되는 배관(31d) 내의 가스를 제거한다. 가스 제거 장치(10)는 연결 라인(100), 퍼지 가스 주입부(200), 배기부(300) 및 제어부(400)를 포함한다.
기판 처리 장치(20)는 복수 종류의 가스를 이용하여, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 장치이다. 예를 들면, 기판 처리 장치(20)는 화학기상증착(CVD) 장치일 수 있다.
밸브 매니폴드 박스(VMB: Valve Manifold Box, 30)는 기판 처리 장치(20)로 가스를 분배한다. 밸브 매니폴드 박스(30)는 기판 처리 장치(20)로 가스가 이송되는 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)을 포함한다. 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)은 복수개가 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e) 중 일부(31c, 31d)는 사용되지 않는다. 사용되는 배관(31a, 31b, 31e)의 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부에는 기판 처리 장치(20)에 공급되는 가스가 저장된 저장 용기(50)들이 연결될 수 있다.
연결 라인(100)은 사용되지 않는 상태인 배관(31c, 31d) 중 내부 가스 제거가 요구되는 배관(31d)의 양 끝단 중 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부에 연결된다. 배관(31d)에는 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부를 개폐하는 제 1 단부 밸브(41)와 기판 처리 장치(20) 측 단부를 개폐하는 제 2 단부 밸브(42)가 제공될 수 있다.
퍼지 가스 주입부(200)는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)으로 퍼지 가스를 주입한다. 퍼지 가스는 비활성 가스로 제공될 수 있다. 예를 들면, 퍼지 가스는 질소(N2) 가스로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입부(200)는 퍼지 가스 주입 라인(210) 및 퍼지 가스 주입 밸브(220)를 포함한다.
일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입 라인(210)은 고압의 질소가 저장된 질소 저장 용기(60) 및 연결 라인(100)에 연결된다.
퍼지 가스 주입 밸브(220)는 퍼지 가스 주입 라인(210)을 개폐한다. 일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입 밸브(220)는 제어부(400)의 제어에 의해 퍼지 가스 주입 라인(210)을 개폐한다.
배기부(300)는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)내의 가스를 외부로 배기한다. 일 실시 예에 따르면, 배기부(300)는 흡입 펌프(310), 여과 부재(320), 가스 농도 측정 부재(330), 알람 부재(340), 제 1 희석부(350), 제 2 희석부(360) 및 보조 펌프(370)를 포함할 수 있다.
흡입 펌프(310)는 배관(31d) 내의 가스를 흡입한다. 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스는 여과 부재(320)로 이송된다. 일 실시 예에 따르면, 흡입 펌프(310)는 로타리 펌프(Rotary pump)로 제공될 수 있다. 흡입 펌프(310)는 흡입 라인(311)에 의해 연결 라인(100)과 연결될 수 있다. 흡입 라인(311)에는 흡입 라인(311)을 개폐하는 흡입 라인 밸브(312)가 제공될 수 있다. 흡입 라인 밸브(312)는 제어부(400)의 제어에 의해 흡입 라인(311)을 개폐할 수 있다.
여과 부재(320)는 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스를 여과한다. 일 실시 예에 따르면, 여과 부재(320)는 흡착제(322)가 제공되는 캐니스터(Canister, 321)를 포함 수 있다. 흡착제(322)는 흡입 펌프(310)에 흡입된 가스의 독성, 부식성 및/또는 가연성 성분을 흡착한다. 본 실시 예에 따르면, 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스는 캐니스터(321) 내부를 통과하며 흡착제(322)에 의해 여과된다. 캐니스터(321)에는 흡착제(322)의 온도를 측정하는 온도 감지 부재(323)가 제공될 수 있다. 온도 감지 부재(323)는 측정된 흡착제(322)의 온도를 제어부(400)로 전달한다. 여과 부재(320)에 의해 여과된 가스는 배출 라인(380)을 따라 외부로 배출된다. 여과 부재(320)는 탈착 가능하게 제공될 수 있다. 따라서, 수명이 다한 흡착제(322)의 교체가 용이하도록 제공될 수 있다.
가스 농도 측정 부재(330)는 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 가스의 농도를 측정한다. 가스 농도 측정 부재(330)에서 측정된 가스의 농도 값은 제어부(400)로 전달된다. 일 실시 예에 따르면, 가스 농도 측정 부재(330)는 선택적으로 여과 부재(320)에 유입되기 전의 가스의 농도를 측정하거나, 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 측정하도록 제공될 수 있다.
알람 부재(340)는 알람을 발생시킨다. 일 실시 예에 따르면, 알람 부재(340)는 제어부(400)의 제어에 의해 알람을 발생시킨다. 알람 부재(340)는 소리를 이용하여 작업자가 알람 상황을 인지할 수 있도록 제공될 수 있다. 이와 달리, 알람 부재(340)는 광을 발생시켜 작업자가 알람 상황을 인지할 수 있도록 제공될 수 있다.
제 1 희석부(350)는 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스에 퍼지 가스를 공급하여 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스를 희석시킨다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 희석부(350)는 제 1 희석 라인(351) 및 제 1 희석 라인 밸브(352)를 포함한다.
일 실시 예에 따르면, 제 1 희석 라인(351)은 질소 저장 용기(60) 및 흡입 라인(311)에 연결된다. 제 1 희석 라인(351)은 흡입 라인(311)의 흡입 펌프(310) 및 흡입 라인 밸브(312)의 사이에 연결된다.
제 1 희석 라인 밸브(352)는 제 1 희석 라인(351)을 개폐한다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 희석 라인 밸브(352)는 제어부(400)의 제어에 의해 제 1 희석 라인(351)을 개폐할 수 있다.
제 2 희석부(360)는 여과 부재(320)에 의해 여과된 가스에 퍼지 가스를 공급하여 희석시킨다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 희석부(360)는 제 2 희석 라인(361) 및 제 2 희석 라인 밸브(362)를 포함한다. 제 2 희석부(360)는 필요에 따라 선택적으로 제공된다. 예를 들면, 여과 부재(320)에서 충분한 여과가 수행되는 경우, 제 2 희석부(360)는 제공되지 않을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제 2 희석 라인(361)은 질소 저장 용기(60)와 배출 라인(380)에 연결된다. 제 2 희석 라인(361)은 배출 라인(380)의 보조 펌프(370) 및 여과 부재(320)의 사이에 연결된다.
제 2 희석 라인 밸브(362)는 제 2 희석 라인(361)을 개폐한다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 희석 라인 밸브(362)는 제어부(400)의 제어에 의해 제 2 희석 라인(361)을 개폐할 수 있다.
보조 펌프(370)는 배출 라인(380)을 통해 가스가 보다 용이하게 배출되도록 가스를 유동시키는 구동력을 제공한다. 보조 펌프(370)는 배출 라인(380)의 배출구에 인접한 영역에 제공될 수 있다. 보조 펌프(370)는 흡입 펌프(310)의 흡입 용량에 따라 선택적으로 제공되지 않을 수 있다.
제어부(400)는 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어한다. 일 실시 예에 따르면, 제어부(400)는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)으로 퍼지 가스를 주입한 후, 배관(31d) 내의 가스를 배기하도록 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어한다. 일 실시 예에 따르면, 제어부(400)는 퍼지 가스 주입 및 배기를 번갈아 복수회 반복하도록 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어할 수 있다. 이와 달리, 제어부(400)는 퍼지 가스 주입 및 배기를 1회만 수행하도록 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어할 수 있다.
또한, 제어부(400)는 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 상기 농도가 기 설정된 농도값 이상인 경우 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어할 수 있다.
또한, 제어부(400)는 온도 감지 부재(323)에 의해 측정된 흡착제(322)의 온도가 기 설정된 온도값 이상인 경우 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 방법을 도 2의 가스 제거 장치(10)를 이용하여 설명한다. 이와 달리, 본 실시 예의 가스 제거 방법은 도 2의 가스 제거 장치(10)와 상이한 구성 및 구조를 가지는 가스 제거 장치(10)에 의해 수행될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 방법을 나타낸 순서도이다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, 가스 제거 방법은 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31d) 내의 가스를 제거하는 방법이다. 일 실시 예에 따르면, 가스 제거 방법은 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)를 포함한다.
퍼지 가스 주입 단계(S10)에서는 배관(31d)의 제 1 단부 밸브(41)는 열리고, 제 2 단부 밸브(42)는 닫힌 상태에서, 배관(31d)에 배관(31d)의 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부를 통해 퍼지 가스를 주입한다. 일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입 단계(S10)에서 제어부(400)는 퍼지 가스 주입 라인(210)은 개방하고 흡입 라인(311)은 폐쇄하도록 퍼지 가스 주입 밸브(220) 및 흡입 라인 밸브(312)를 제어한다. 따라서, 질소 저장 용기(60)에 저장된 질소 가스는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)으로 주입되고, 질소 가스의 흡입 펌프(310)로의 유입은 차단된다.
이 후, 본 실시 예의 가스 제거 방법에 의한 가스 제거가 완료되기까지 제 1 단부 밸브(41)는 열린 상태를 유지하고, 제 2 단부 밸브(42)는 닫힌 상태를 유지한다. 퍼지 가스 주입 단계(S10)에서 배관(31d) 내부로 퍼지 가스를 주입함으로써 배기 단계(S20) 전에 가스의 농도를 낮춘다.
배기 단계(S20)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 이후에 수행된다. 배기 단계(S20)에서는 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부를 통해 배관(31d) 내의 가스를 외부로 배기한다. 일 실시 예에 따르면, 배기 단계(S20)는 흡기 단계(S21), 제 1 희석 단계(S22), 여과 단계(S23) 및 제 2 희석 단계(S24)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 흡기 단계(S21) 및 배기 단계(S20)는 배관(31d) 내에 잔류하는 가스의 종류 및/또는 예상되는 농도 및 양에 따라 서로 번갈아 복수회 수행되거나 각각 1회 수행될 수 있다.
흡기 단계(S21)에서는 배관(31d) 내의 가스를 흡입한다. 일 실시 예에 따르면, 흡기 단계(S21)에서 제어부(400)는, 퍼지 가스 주입 라인(210)은 폐쇄하고 흡입 라인(311)은 개방되도록 퍼지 가스 주입 밸브(220) 및 흡입 라인 밸브(312)를 제어하고, 흡입 펌프(310)를 가동시켜 배관(31d) 내의 가스를 흡입한다. 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스는 흡입 라인(311)을 지나 여과 부재(320)로 이송된다.
제 1 희석 단계(S22)에서는 흡기 단계(S21)에서 흡기된 가스를 희석한다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 희석 단계(S22)에서 제어부(400)는 제 1 희석 라인(351)을 개방하도록 제 1 희석 라인 밸브(352)를 제어함으로써 질소 저장 용기(60) 내의 질소 가스를 공급하여 흡기된 가스를 희석한다. 제 1 희석 단계(S22)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 초기 일정 횟수까지의 수행시에는 그 이후의 수행시에 비해 흡기된 가스의 농도가 높을 수 있으므로 이를 희석하여 여과 부재(320)에 과부하가 걸리는 것을 방지하기 위해 수행된다. 따라서, 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)가 복수회 수행되는 경우, 제 1 희석 단계(S22)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 최초 수행시부터 일정 수행 횟수동안 수행되고, 이 후에는 수행되지 않을 수 있다.
예를 들면, 제 1 희석 단계(S22)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 최초 수행 및 2회 수행시에는 수행되나 3회 수행시 이후에는 수행되지 않을 수 있다. 이와 달리, 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)가 1회만 수행되는 경우, 제 1 희석 단계(S22)는 배관(31d)내에 잔류하는 가스의 종류 및/또는 예상되는 농도 및 양에 따라 선택적으로 수행 여부가 결정될 수 있다.
여과 단계(S23)에서는 흡기 단계(S21)에서 흡입된 가스를 여과한다. 일 실시 예에 따르면, 흡기 단계(S21)에서 흡기된 가스는 캐니스터(321)를 지나면서 흡착제(322)에 의해 여과된다.
일 실시 예에 따르면, 여과 단계(S23)에서 온도 감지 부재(323)는 흡착제(322)의 온도를 측정한다. 측정된 흡착제(322)의 온도가 일정 온도값 이상에 도달하는 경우, 제어부(400)는 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어하고, 모든 밸브를 폐쇄되도록 제어하고, 흡입 펌프(310) 및 보조 펌프(370)를 가동 중지 시킬 수 있다. 따라서, 작업자는 흡착제(322)의 과부하에 대해 인식할 수 있고, 흡착제(322)의 과부하에 의한 장치의 손상 및 완전히 여과되지 않은 가스가 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 일 실시 예에 따르면, 가스 농도 측정 부재(330)는 여과 부재(320)에 의해 여과 되기 전의 가스의 농도 및/또는 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 측정할 수 있다. 예를 들면, 가스 농도 측정 부재(330)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)가 기 설정된 수만큼 수행된 후, 여과 부재(320)에 의해 여과 되기 전의 가스의 농도 및/또는 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 측정할 수 있다. 이 경우, 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 해당 수행 횟수에서 예측되는 가스 농도에 비해 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 가스 농도가 일정값 이상 높게 측정되는 경우, 제어부(400)는 제어부(400)는 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어하고, 모든 밸브를 폐쇄되도록 제어하고, 흡입 펌프(310) 및 보조 펌프(370)를 가동 중지 시킬 수 있다.
따라서, 작업자는 흡착제(322)의 과부하에 대해 인식할 수 있고, 흡착제(322)의 과부하에 의한 장치의 손상 및 완전히 여과되지 않은 가스가 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 여과 부재(320)에 의해 여과 되기 전의 가스의 농도 및 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 비교하여 흡착제(322)의 성능을 모니터링하여 교체 여부를 판단할 수 있다. 이와 달리, 가스 제거 장치(10)의 외벽 및 캐니스터(321)의 흡착제(322)에 대응되는 일부 영역은 투명한 재질로 제공되어, 작업자는 흡착제(322)의 색을 시각적으로 관찰하여 흡착제(322)의 성능 및 교체 여부를 예측할 수 있다.
제 2 희석 단계(S24)에서는 여과 단계(S23)에서 여과된 가스를 희석한다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 희석 단계(S24)에서 제어부(400)는 제 2 희석 라인(361)을 개방하도록 제 2 희석 라인 밸브(362)를 제어함으로써 질소 저장 용기(60) 내의 질소 가스를 공급하여 여과된 가스를 희석한다. 제 2 희석 단계(S24)는 선택적으로 수행된다. 예를 들면, 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 여과 후의 가스의 농도가 일정 값 이하인 경우, 제어부(400)는 제 2 희석 단계(S24)가 수행되지 않도록 제 2 희석 라인 밸브(362)를 제어할 수 있다.
여과 단계(S23)가 완료되거나, 여과 단계(S23) 및 제 2 희석 단계(S24)가 완료된 가스는 배출 라인(380)을 통해 외부로 배출된다. 예를 들면, 배출 라인(380)은 기판 처리 장치(20) 내의 가스가 배기되는 덕트에 연결되고, 여과 단계(S23)가 완료되거나, 여과 단계(S23) 및 제 2 희석 단계(S24)가 완료된 가스는 배출 라인(380)을 통해 상기 덕트로 배출될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 가스 제거 장치 및 방법은 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31d)의 기판 처리 장치(20) 측 단부가 아닌 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부로부터 가스를 제거함으로써 기판 처리 장치(20)의 가동 중에 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31d)에 잔류하는 가스를 제거할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(20)의 가동 중단으로 인한 생산성 저하를 방지할 수 있고, 기판 처리 장치(20)의 재가동 준비를 위한 비용을 절감할 수 있다.
상술한 내용은 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 실시 예들이다. 본 발명은 상술한 실시 예들 이외에도, 단순하게 설계 변경되거나 용이하게 변경할 수 있는 실시 예들도 포함할 것이다. 또한, 본 발명은 실시 예들을 이용하여 용이하게 변형하여 실시할 수 있는 기술들도 포함될 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술한 실시 예들에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 할 것이다.
10: 가스 제거 장치
20: 기판 처리 장치
30: 밸브 매니폴드 박스
31a, 31b, 31c, 31d, 31e: 배관
100: 연결 라인
200: 퍼지 가스 주입부
300: 배기부
310: 흡입 펌프
320: 여과 부재
400: 제어부

Claims (2)

  1. 기판 처리 장치로 가스를 분배하는 밸브 매니폴드 박스(Valve Manifold Box)의 상기 기판 처리 장치로 가스가 이송되는 배관 내의 가스를 제거하는 장치에 있어서,
    상기 배관의 상기 밸브 매니폴드 박스 측 단부에 연결되는 연결 라인;
    상기 연결 라인을 통해 상기 배관으로 퍼지 가스를 주입하는 퍼지 가스 주입부;
    상기 연결 라인을 통해 상기 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 배기부; 및
    상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어하는 제어부를 포함하되,
    상기 제어부는 상기 연결 라인을 통해 상기 배관으로 퍼지 가스를 주입한 후 상기 배관 내의 가스를 배기하도록 상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어하는 가스 제거 장치.
  2. 기판 처리 장치로 가스를 분배하는 밸브 매니폴드 박스(Valve Manifold Box)의 상기 기판 처리 장치로 가스가 이송되는 배관 내의 가스를 제거하는 방법에 있어서,
    상기 배관에 상기 배관의 상기 밸브 매니폴드 박스 측 단부를 통해 퍼지 가스를 주입하는 퍼지 가스 주입 단계; 및
    이 후, 상기 단부를 통해 상기 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 배기 단계를 포함하되,
    상기 배기 단계는,
    상기 배관 내의 가스를 흡입하는 흡기 단계와;
    상기 흡기 단계에서 흡입된 가스를 여과하는 여과 단계를 포함하는 가스 제거 방법.
KR1020190046385A 2019-04-19 2019-04-19 가스 제거 장치 및 방법 KR20200085207A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190046385A KR20200085207A (ko) 2019-04-19 2019-04-19 가스 제거 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190046385A KR20200085207A (ko) 2019-04-19 2019-04-19 가스 제거 장치 및 방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190001150A Division KR101974647B1 (ko) 2019-01-04 2019-01-04 가스 제거 장치 및 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200085207A true KR20200085207A (ko) 2020-07-14

Family

ID=71526733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190046385A KR20200085207A (ko) 2019-04-19 2019-04-19 가스 제거 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20200085207A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101974647B1 (ko) 가스 제거 장치 및 방법
TWI617368B (zh) 循環基板容器清洗系統及其方法
TWI596689B (zh) Manufacturing method of substrate processing apparatus and semiconductor device and computer-readable recording medium recorded with flow rate monitoring program
TWI642100B (zh) Purification device and purification method
KR101033408B1 (ko) 수용 대상물 이송 시스템
JP5985616B2 (ja) 浄化機能を有する補充可能なアンプル
JP4982320B2 (ja) 基板処理装置
US6345642B1 (en) Method and apparatus for removing processing liquid from a processing liquid path
JP6115291B2 (ja) ロードポート装置及びｅｆｅｍシステム
JP4616798B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の表示方法
TWI374487B (en) Substrate treating apparatus
KR20200085207A (ko) 가스 제거 장치 및 방법
KR20200123365A (ko) 기판 처리 장치에 연결된 배관의 잔류 가스를 제거하는 방법
KR20200123364A (ko) 잔류 가스 제거부를 포함하는 잔류 가스 제거 시스템 및 그것의 잔류 가스 제거 방법
TWI618115B (zh) 基板處理裝置以及清洗腔室的方法
KR102343068B1 (ko) 가스 배출 장치
KR20160004752A (ko) 배출가속기 및 이를 구비한 로드 포트
KR102325324B1 (ko) 잔류 공정가스 배기장치 및 그를 이용한 잔류 공정가스 배기방법
JP5974261B2 (ja) ダイアフラムポンプの運転制御方法
JP2003077897A (ja) 処理装置及びその運転方法
JPWO2012008439A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
JP6653276B2 (ja) プロセス流体のサンプリングシステム
KR20200016465A (ko) 냉각 습식 스크러버
KR100857928B1 (ko) 가스 제거 방법, 가스 제거 시스템 및 플라즈마 처리 장치
JP2001319882A (ja) 真空処理装置および真空処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application