KR102343068B1 - 가스 배출 장치 - Google Patents

가스 배출 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102343068B1
KR102343068B1 KR1020210084177A KR20210084177A KR102343068B1 KR 102343068 B1 KR102343068 B1 KR 102343068B1 KR 1020210084177 A KR1020210084177 A KR 1020210084177A KR 20210084177 A KR20210084177 A KR 20210084177A KR 102343068 B1 KR102343068 B1 KR 102343068B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
concentration
sensor
pipe
suction pump
Prior art date
Application number
KR1020210084177A
Other languages
English (en)
Inventor
서명란
Original Assignee
서명란
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서명란 filed Critical 서명란
Priority to KR1020210084177A priority Critical patent/KR102343068B1/ko
Priority to KR1020210183879A priority patent/KR20230001489A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102343068B1 publication Critical patent/KR102343068B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/42—Auxiliary equipment or operation thereof
    • B01D46/44—Auxiliary equipment or operation thereof controlling filtration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치로 가스를 분배하는 밸브 매니폴드 박스의 상기 기판 처리 장치로 가스가 이송되는 배관 내의 가스를 배출시키는 가스 배출 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 배출 장치는, 상기 배관의 상기 밸브 매니폴드 박스 측 단부에 연결되는 연결 라인; 상기 연결 라인을 통해 상기 배관으로 퍼지 가스를 주입하는 퍼지 가스 주입부; 상기 연결 라인을 통해 상기 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 배기부; 및 상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 배기부는, 상기 배관 내의 가스를 흡입하는 흡입 펌프; 및 상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 상기 가스의 농도를 측정하는 가스 농도 측정 부재를 포함하고, 상기 가스 농도 측정 부재는, 서로 측정 농도 범위가 다른 복수개의 센서를 포함하고, 상기 제어부는 상기 연결 라인을 통해 상기 배관으로 퍼지 가스를 주입한 후 상기 배관 내의 가스를 배기하도록 상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어한다.

Description

가스 배출 장치{APPARATUS FOR EXHAUSTING GAS}
본 발명은 가스 배출 장치에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 기판 처리 장치로 가스를 배분하는 밸브 매니폴드 박스(Valve Manifold Box: VMB)의 배관 내에 잔류하는 가스를 배출시키는 가스 배출 장치에 관한 것이다.
도 7은 일반적인 가스 배출 장치(1)를 이용하여 밸브 매니폴드 박스(2)의 배관(3c, 3d) 내에 잔류하는 가스를 배출시키는 모습을 나타낸 도면이다. 도 7을 참조하면, 반도체 웨이퍼 등에 사용되는 기판을 처리하는 기판 처리 장치 중 화학기상증착(CVD) 장치 등의 기판 처리 장치(4)는 수행하는 공정의 종류에 따라 복수 종류의 가스를 이용하여 기판을 처리할 수 있다. 이러한 복수 종류의 가스는 일반적으로 밸브 매니폴드 박스(2)에 의해 종류별로 분배되어 기판 처리 장치(4)로 공급된다.
밸브 매니폴드 박스(2)는 가스 공급을 위해 기판 처리 장치(4)와 연결된 복수개의 배관(3a, 3b, 3c, 3d, 3e)을 포함한다. 다른 종류의 가스는 서로 다른 배관(3a, 3b, 3c, 3d, 3e)을 통해 기판 처리 장치(4)로 공급된다. 또한, 일 종류의 가스 공급에 사용되던 배관(3a, 3b, 3c, 3d, 3e)은 그와는 다른 종류의 가스 공급에는 사용되지 않는다. 따라서, 공정의 개선 등에 의해 기판 처리 장치(4)에서 사용되는 가스의 종류가 변경되는 경우, 기존에 사용되던 배관 중 일부의 배관(3c, 3d)은 사용되지 않은 상태로 방치될 수 있다.
기판 처리 장치(4)에서 사용되는 일부 가스는 독성 또는 상온에서의 가연성을 가진다. 또한, 사용되지 않는 상태의 배관(3c, 3d) 내부에 잔류하는 가스의 종류는 확인이 쉽지 않다. 따라서, 이러한 사용되지 않는 상태의 배관(3c, 3d)을 철거하기 위해서는 배관(3c, 3d) 내에 잔류하는 가스의 배출이 요구된다.
일반적인 가스 배출 장치(1)는 기판 처리 장치(4) 내에서 공정에 사용된 가스를 배기하는 배기관(5)을 통해 배관(3c, 3d) 내에 잔류하는 가스를 배출시킨다. 이 경우, 기판 처리 장치(4)를 통해 배관(3c, 3d) 내의 잔류 가스를 배출시키므로 가스 배출 시 기판 처리 장치(4)의 공정을 중단해야 한다.
일반적으로 기판의 처리 공정을 수행하기 위해서는 온도 등의 기판 처리 장치(4)의 환경적인 조건이 충족되어야 하므로 중단된 기판 처리 장치(4)를 재가동하기 위해서는 이러한 조건을 충족시키기 위한 적지 않은 시간이 요구된다.
본 발명은 상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 것으로써, 본 발명의 목적은 기판 처리 장치 가동 중에 밸브 매니폴드 박스의 배관에 잔류하는 가스를 배출시킬 수 있는 가스 배출 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 기판 처리 장치로 가스를 분배하는 밸브 매니폴드 박스의 상기 기판 처리 장치로 가스가 이송되는 배관 내의 가스를 배출시키는 가스 배출 장치를 제공한다. 일 실시 예에 따르면, 가스 배출 장치는, 상기 배관의 상기 밸브 매니폴드 박스 측 단부에 연결되는 연결 라인; 상기 연결 라인을 통해 상기 배관으로 퍼지 가스를 주입하는 퍼지 가스 주입부; 상기 연결 라인을 통해 상기 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 배기부; 및 상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 배기부는, 상기 배관 내의 가스를 흡입하는 흡입 펌프; 및 상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 상기 가스의 농도를 측정하는 가스 농도 측정 부재를 포함하고, 상기 가스 농도 측정 부재는, 제 1 농도 내지 상기 제 1 농도보다 높은 제 2 농도의 범위를 포함하는 범위의 상기 가스 농도를 측정하는 제 1 센서; 상기 제 2 농도 내지 상기 제 2 농도보다 높은 상기 제 3 농도의 범위를 포함하는 범위의 상기 가스 농도를 측정하는 제 2 센서; 및 상기 제 3 농도 내지 상기 제 3 농도보다 높은 상기 제 4 농도의 범위를 포함하는 범위의 상기 가스 농도를 측정하는 제 3 센서를 포함하고, 상기 제어부는 상기 연결 라인을 통해 상기 배관으로 퍼지 가스를 주입한 후 상기 배관 내의 가스를 배기하도록 상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어한다.
상기 배기부는 상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스를 여과하는 여과 부재를 더 포함하고, 상기 여과 부재는, 상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스의 독성, 부식성 또는 가연성 성분을 흡착하는 흡착제; 상기 흡착제가 수용되는 캐니스터(Canister); 및 상기 캐니스터 내의 상기 캐니스터 내로 가스가 유입되는 유입구 및 상기 캐니스터로부터 가스가 유출되는 유출구의 사이에 제공되는 칸막이 부재;를 포함하고, 상기 유입구 및 상기 유출구는 상기 캐니스터의 서로 마주보는 측벽에 각각 형성되고, 상기 칸막이 부재는, 상기 캐니스터의 상기 유입구가 형성된 측벽 및 상기 캐니스터의 상기 유출구가 형성된 측벽 간에 연결된 측벽 중 일 측벽으로부터 반대 측벽을 향해 상기 반대 측벽으로부터 이격되는 위치까지 연장되는 제 1 칸막이; 및 상기 반대 측벽으로부터 상기 일 측벽을 향해 상기 일 측벽으로부터 이격되는 위치까지 연장되는 제 2 칸막이;를 포함하고, 상기 제 1 칸막이는 상기 제 2 칸막이보다 상기 유출구에 인접하게 위치되고, 상기 제 1 칸막이 및 상기 제 2 칸막이는 서로 이격되게 제공될 수 있다.
상기 배기부는, 상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스에 퍼지 가스를 공급하여 희석시키는 제 1 희석부; 및 상기 퍼지 가스가 상기 제 1 희석부로부터 상기 흡입 펌프를 향해 흐르는 유로의 단면적을 감소 시킴으로써 상기 퍼지 가스의 속도를 증가시켜 내부에서 진공압을 형성하고, 형성된 진공압을 이용해 상기 흡입 펌프에 의해 흡입되는 가스에 상기 흡입 펌프에 의해 흡입되는 방향과 동일한 방향으로 힘을 가하는 진공 발생기를 더 포함할 수 있다.
상기 연결 라인은 서로 다른 상기 배관에 각각 연결되는 복수개의 포트를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 가스 배출 장치는 기판 처리 장치 가동 중에 밸브 매니폴드 박스의 배관에 잔류하는 가스를 배출시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 가스 배출 장치(10)를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 배기부(300)의 상세한 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 가스 배출 장치(10)를 사용하여 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31b, 31c, 31d, 31e) 내의 가스를 배출하는 모습을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 캐니스터(321)의 내부를 예시적으로 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 진공 발생기(370)의 내부를 예시적으로 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 1의 가스 배출 장치(10)를 이용하여 가스를 배출시키는 가스 배출 방법의 일 예를 나타낸 순서도이다.
도 7은 일반적인 가스 배출 장치를 이용하여 밸브 매니폴드 박스의 배관 내에 잔류하는 가스를 배출시키는 모습을 나타낸 도면이다.
이하에서, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로, 본 발명의 실시 예들이 명확하고 상세하게 기재될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 가스 배출 장치(10)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2는 도 1에 도시된 배기부(300)의 상세한 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 3은 도 2의 가스 배출 장치(10)를 사용하여 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31b, 31c, 31d, 31e) 내의 가스를 배출하는 모습을 나타낸 도면이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 가스 배출 장치(10)는 밸브 매니폴드 박스(30)의 기판 처리 장치(20)로 가스가 이송되는 배관(31b, 31c, 31d, 31e) 내의 가스를 배출시킨다. 가스 배출 장치(10)는 연결 라인(100), 퍼지 가스 주입부(200), 배기부(300) 및 제어부(400)를 포함한다.
기판 처리 장치(20)는 복수 종류의 가스를 이용하여, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 장치이다. 예를 들면, 기판 처리 장치(20)는 화학기상증착(CVD) 장치일 수 있다.
밸브 매니폴드 박스(VMB: Valve Manifold Box, 30)는 기판 처리 장치(20)로 가스를 분배한다. 밸브 매니폴드 박스(30)는 기판 처리 장치(20)로 가스가 이송되는 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)을 포함한다. 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)은 복수개로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e) 중 일부(31b, 31c, 31d, 31e)는 사용되지 않을 수 있다. 사용되는 배관(31a)의 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부에는 기판 처리 장치(20)에 공급되는 가스가 저장된 저장 용기(50)들이 연결될 수 있다.
연결 라인(100)은 사용되지 않는 상태인 배관 중 내부 가스 배출이 요구되는 배관(31b, 31c, 31d, 31e)의 양 끝단 중 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부에 연결된다. 도 3에는 사용되지 않는 상태의 배관 모두가 내부 가스 배출이 요구되는 것으로 도시되었으나 이와 달리, 배관 중 일부는 내부 가스 배출이 요구되지 않을 수 있다. 내부 가스 배출이 요구되지 않는 배관에는 연결 라인(100)이 연결되지 않는다. 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)에는 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부를 개폐하는 제 1 단부 밸브(41)와 기판 처리 장치(20) 측 단부를 개폐하는 제 2 단부 밸브(42)가 제공될 수 있다. 연결 라인(100)은 필요에 따라 밸브(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)에 연결 가능한 단수 또는 복수개의 포트를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 라인(100)은 서로 다른 배관(31b, 31c, 31d, 31e)에 각각 연결되는 복수개의 포트를 포함할 수 있다. 따라서, 연결 라인(100)의 포트가 복수개로 제공되는 경우, 가스 배출 장치(10)는 복수개의 배관(31b, 31c, 31d, 31e) 내의 가스를 복수개의 포트를 통해 동시에 배출시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 라인(100)의 포트가 복수개로 제공되는 경우, 포트 중 일부는 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)에 연결되고, 다른 일부는 배관(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)에 연결되지 않을 수 있다. 따라서, 연결 라인(100)의 포트가 복수개로 제공되는 경우, 배출 장치(10)가 포트의 수보다 적은 배관의 가스를 배출시킬 수 있도록, 각 포트마다 밸브가 제공되어, 각각의 밸브를 이용하여 배관에 연결된 포트는 열고, 배관에 연결되지 않은 포트는 닫을 수 있다.
퍼지 가스 주입부(200)는 연결 라인(100)을 통해 배관(31b, 31c, 31d, 31e)으로 퍼지 가스를 주입한다. 퍼지 가스는 비활성 가스로 제공될 수 있다. 예를 들면, 퍼지 가스는 질소(N2) 가스로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입부(200)는 퍼지 가스 주입 라인(210) 및 퍼지 가스 주입 밸브(220)를 포함한다.
일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입 라인(210)은 고압의 질소가 저장된 질소 저장 용기(60) 및 연결 라인(100)에 연결된다.
퍼지 가스 주입 밸브(220)는 퍼지 가스 주입 라인(210)을 개폐한다. 일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입 밸브(220)는 제어부(400)의 제어에 의해 퍼지 가스 주입 라인(210)을 개폐한다.
배기부(300)는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)내의 가스를 외부로 배기한다. 일 실시 예에 따르면, 배기부(300)는 흡입 펌프(310), 여과 부재(320), 가스 농도 측정 부재(330), 알람 부재(340), 제 1 희석부(350), 제 2 희석부(360) 및 진공 발생기(370)를 포함할 수 있다.
흡입 펌프(310)는 배관(31d) 내의 가스를 흡입한다. 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스는 여과 부재(320)로 이송된다. 일 실시 예에 따르면, 흡입 펌프(310)는 로타리 펌프(Rotary pump)와 같은 오일(Oil)을 이용하는 오일 펌프가 아닌, 스크류 펌프(Screw pump) 등의 오일(Oil)을 사용하지 않는 드라이 펌프(Dry pump)로 제공될 수 있다. 따라서, 배관(31b, 31c, 31d, 31e)으로부터 배출되는 가스에 의해 오일이 변질되어 오일을 교환하고 펌프 내부를 청소하는 등의 흡입 펌프(310)를 유지 보수하는 작업을 줄일 수 있다. 또한, 오일 변질에 의해 펌프 수명이 단축되는 것을 방지할 수 있다. 흡입 펌프(310)는 흡입 라인(311)에 의해 연결 라인(100)과 연결될 수 있다. 흡입 라인(311)에는 흡입 라인(311)을 개폐하는 흡입 라인 밸브(312)가 제공될 수 있다. 흡입 라인 밸브(312)는 제어부(400)의 제어에 의해 흡입 라인(311)을 개폐할 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 캐니스터(321)의 내부를 예시적으로 보여주는 단면도이다. 도 2 및 도 4를 참조하면, 여과 부재(320)는 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스를 여과한다. 일 실시 예에 따르면, 여과 부재(320)는 캐니스터(Canister, 321), 흡착제(322), 온도 감지 부재(323) 및 칸막이 부재(324, 325)를 포함할 수 있다. 캐니스터(321)의 내부에는 흡착제(322)가 수용된다. 흡착제(322)는 흡입 펌프(310)에 흡입된 가스의 독성, 부식성 및/또는 가연성 성분을 흡착한다. 본 실시 예에 따르면, 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스는 캐니스터(321) 내부를 통과하며 흡착제(322)에 의해 여과된다.
온도 감지 부재(323)는 흡착제(322)의 온도를 측정한다. 온도 감지 부재(323)는 캐니스터(321)에 설치될 수 있다. 온도 감지 부재(323)는 측정된 흡착제(322)의 온도를 제어부(400)로 전달한다. 여과 부재(320)에 의해 여과된 가스는 배출 라인(380)을 따라 외부로 배출된다. 여과 부재(320)는 탈착 가능하게 제공될 수 있다. 따라서, 수명이 다한 흡착제(322)의 교체가 용이하도록 제공될 수 있다.
칸막이 부재(324, 325)는 캐니스터(321) 내의 유입구 및 유출구의 사이에 제공된다. 가스는 유입구를 통해 캐니스터(321) 내로 유입되고, 유출구를 통해 캐니스터(321)의 외부로 유출된다. 일 실시 예에 따르면, 캐니스터(321)의 유입구 및 유출구는 캐니스터(321)의 서로 마주보는 측벽에 각각 형성될 수 있다. 칸막이 부재(324, 325)는 제 1 칸막이(324) 및 제 2 칸막이(325)를 포함할 수 있다.
제 1 칸막이(324)는 캐니스터(321)의 유입구가 형성된 측벽 및 유출구가 형성된 측벽 간에 연결된 측벽 중 일 측벽으로부터 반대 측벽을 향해 연장된다. 제 1 칸막이(324)는 반대 측벽으로부터 일정 거리로 이격되도록 제공된다.
제 2 칸막이(325)는 반대 측벽으로부터 일 측벽을 향해 연장된다. 제 2 칸막이(325)는 일 측벽으로부터 일정거리로 이격되도록 제공된다.
제 1 칸막이(324)는 제 2 칸막이(325)보다 유출구에 인접하게 위치되고, 제 1 칸막이(324) 및 제 2 칸막이(325)는 서로 이격되게 제공될 수 있다. 캐니스터(321)의 유입구가 형성된 측벽, 제 1 칸막이(324), 제 2 칸막이(325) 및 캐니스터(321)의 유출구가 형성된 측벽은 서로 일정 간격으로 배열되도록 이격될 수 있다. 또한, 제 1 칸막이(324)가 반대 측벽으로부터 이격되는 간격 및 제 2 칸막이(325)가 일 측벽으로부터 이격되는 간격은 캐니스터(321)의 유입구가 형성된 측벽, 제 1 칸막이(324), 제 2 칸막이(325) 및 캐니스터(321)의 유출구가 형성된 측벽이 이격되는 간격과 동일한 간격으로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 유출구는 제 1 칸막이(324)에 대향되는 위치에 형성되고, 유입구는 제 2 칸막이(325)에 대향되는 위치에 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 캐니스터(321) 내에 칸막이 부재(324, 325)가 제공됨으로써, 흡착제(322)가 제공된 캐니스터(321)의 내부를 흐르는 가스의 경로가 길어져 흡착 효율을 증가시킬 수 있다. 따라서, 캐니스터(321) 내의 칸막이의 수가 증가될수록 가스의 경로가 길어져 흡착 효과를 높일 수 있으나, 캐니스터(321) 내의 칸막이의 수가 증가될수록 유입구 및 유출구 간의 차압의 크기가 커져 보다 배관(31b, 31c, 31d, 31e) 내의 가스를 흡입하기 위해 보다 큰 동력이 요구되는 등 가스 배출 장치(10)의 제어가 어려워지는 문제가 발생될 수 있어, 상술한 바와 같이, 캐니스터(321) 내에는 제 1 칸막이(324) 및 제 2 칸막이(325)이 각각 하나씩만 제공되는 것이 바람직하다.
가스 농도 측정 부재(330)는 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 가스의 농도를 측정한다. 가스 농도 측정 부재(330)에서 측정된 가스의 농도 값은 제어부(400)로 전달된다. 일 실시 예에 따르면, 가스 농도 측정 부재(330)는 선택적으로 여과 부재(320)에 유입되기 전의 가스의 농도를 측정하거나, 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 측정하도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 가스 농도 측정 부재(330)는 제 1 센서(331), 제 2 센서(332) 및 제 3 센서(333)를 포함할 수 있다. 제 1 센서(331), 제 2 센서(332) 및 제 3 센서(333)는 서로 다른 범위의 가스 농도를 측정한다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 센서는 제 1 농도 내지 제 2 농도의 범위를 포함하는 범위의 가스 농도를 측정한다. 제 2 센서는 제 2 농도 내지 제 3 농도의 범위를 포함하는 범위의 가스 농도를 측정한다. 그리고, 제 3 센서는 제 3 농도 내지 제 4 농도의 범위를 포함하는 범위의 가스 농도를 측정한다. 제 2 농도는 제 1 농도보다 높은 농도이고, 제 3 농도는 제 2 농도보다 높은 농도이고, 제 4 농도는 제 3 농도보다 높은 농도이다. 예를 들면, 제 1 센서(331)는 0 내지 100ppm 범위의 가스 농도를 측정할 수 있고, 제 2 센서(332)는 100 내지 1000 ppm 범위의 가스 농도를 측정할 수 있으며, 제 3 센서(333)는 1000 내지 10000 ppm 범위의 가스 농도를 측정할 수 있다.
가스 농도 측정 부재(330)는 제 1 센서(331), 제 2 센서(332) 및 제 3 센서(333)가 측정한 가스 농도 데이터를 저장하는 저장부를 더 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 저장부는 제 1 센서(331), 제 2 센서(332) 및 제 3 센서(333)와 유무선 통신이 가능한 데스크탑 PC 또는 스마트폰이나 테블릿 PC와 같은 스마트 기기 등의 전산 장치에 설치된 하드 디스크 또는 USB 메모리 등의 디지털 저장 장치일 수 있다.
또한, 가스 농도 측정 부재(330)는 제 1 센서(331), 제 2 센서(332) 및 제 3 센서(333)가 측정한 가스 농도 데이터를 실시간으로 출력하는 디스플레이부를 더 포함할 수 있다.
종래 가스 배출 장치의 경우 가스 배출이 완료되었는지 여부를 확인하기 위해 0ppm에 가까운 약 0 내지 100ppm의 농도를 측정 가능한 센서 하나만을 포함하였다. 따라서, 종래 가스 배출 장치의 경우, 가스 배출 과정이 제공된 센서의 측정 범위 이상인 상태에서는 작업자가 가스 농도 외의 가스 배출 장치의 각 구성에서의 압력이나 유량을 직접 확인하고, 직접 각각의 벨브 등을 조절하여 가스 배출 장치의 가스 배출 과정을 제어하였다. 그러나, 본 발명의 가스 배출 장치(10)는 상술한 바와 같이, 종래에 비해 큰 범위의 가스 농도를 측정할 수 있어, 가스 배출 과정의 처음부터 가스의 농도를 측정 가능하고, 측정된 농도를 데이터화 하여 저장부에 저장할 수 있어, 추후 가스 배출 장치의 가스 배출 과정을 자동화하는 개발에 저장된 데이터를 활용할 수 있다. 또한, 가스 배출 과정에서의 가스 농도를 처음부터 디스플레이부 등을 통해 확인 가능함으로써, 작업자가 보다 정확하게 가스 배출 장치(10)를 제어할 수 있다.
알람 부재(340)는 알람을 발생시킨다. 일 실시 예에 따르면, 알람 부재(340)는 제어부(400)의 제어에 의해 알람을 발생시킨다. 알람 부재(340)는 소리를 이용하여 작업자가 알람 상황을 인지할 수 있도록 제공될 수 있다. 이와 달리, 알람 부재(340)는 광을 발생시켜 작업자가 알람 상황을 인지할 수 있도록 제공될 수 있다.
제 1 희석부(350)는 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스에 퍼지 가스를 공급하여 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스를 희석시킨다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 희석부(350)는 제 1 희석 라인(351) 및 제 1 희석 라인 밸브(352)를 포함한다.
일 실시 예에 따르면, 제 1 희석 라인(351)은 질소 저장 용기(60) 및 흡입 라인(311)에 연결된다. 제 1 희석 라인(351)은 흡입 라인(311)의 흡입 펌프(310) 및 흡입 라인 밸브(312)의 사이에 연결된다.
제 1 희석 라인 밸브(352)는 제 1 희석 라인(351)을 개폐한다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 희석 라인 밸브(352)는 제어부(400)의 제어에 의해 제 1 희석 라인(351)을 개폐할 수 있다.
제 2 희석부(360)는 여과 부재(320)에 의해 여과된 가스에 퍼지 가스를 공급하여 희석시킨다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 희석부(360)는 제 2 희석 라인(361) 및 제 2 희석 라인 밸브(362)를 포함한다. 제 2 희석부(360)는 필요에 따라 선택적으로 제공된다. 예를 들면, 여과 부재(320)에서 충분한 여과가 수행되는 경우, 제 2 희석부(360)는 제공되지 않을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제 2 희석 라인(361)은 질소 저장 용기(60)와 배출 라인(380)에 연결된다. 제 2 희석 라인(361)은 배출 라인(380)의 여과 부재(320)를 지난 경로 상에 연결될 수 있다.
제 2 희석 라인 밸브(362)는 제 2 희석 라인(361)을 개폐한다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 희석 라인 밸브(362)는 제어부(400)의 제어에 의해 제 2 희석 라인(361)을 개폐할 수 있다.
도 5는 도 2에 도시된 진공 발생기(370)의 내부를 예시적으로 보여주는 단면도이다. 도 2 및 도 5를 참조하면, 진공 발생기(370)는 퍼지 가스가 제 1 희석부로부터 흡입 펌프(310)를 향해 흐르는 유로의 단면적을 감소시킴으로써 퍼지 가스의 속도를 증가시켜 내부에서 진공압을 형성하고, 형성된 진공압을 이용해 흡입 펌프(310)를 향해 흐르는 유로의 단면적을 감소시킴으로써 퍼지 가스의 속도를 증가시켜 내부에서 진공압을 형성한다. 진공 발생기(370)는 내부에서 형성된 진공압을 이용해 흡입 펌프(310)에 의해 흡입되는 가스에 흡입 펌프에 의해 흡입되는 방향과 동일한 방향으로 힘을 가한다.
일 실시 예에 따르면, 제 1 희석 라인(351)은 진공 발생기(370)를 통해 흡입 라인(311)에 연결될 수 있다. 진공 발생기(370)는 일단을 통해 제 1 희석부(350)로부터 퍼지 가스가 공급되고, 타단을 통해 내부의 기체가 흡입 펌프(310)를 향해 배출되는 관 형상으로 제공될 수 있다. 배관(31b, 31c, 31d, 31e)으로부터 흡입된 가스는 진공 발생기(370)의 측벽의 일 위치를 통해 진공 발생기(370)의 내부로 유입될 수 있다. 본 실시 예에 따르면, 진공 발생기(370)의 내부의 일단 및 배관(31b, 31c, 31d, 31e)으로부터 흡입된 가스가 유입되는 측벽의 일 위치의 사이에는 퍼지 가스의 유로를 좁게 만드는 노즐(371)이 제공된다. 따라서, 배관(31b, 31c, 31d, 31e)으로부터 흡입된 가스는 진공 발생기(370)의 내부의 배관(31b, 31c, 31d, 31e)으로부터 흡입된 가스가 유입되는 측벽의 일 위치에 대향되는 영역(372)에서 빨라진 속도에 의해 압력이 떨어지게 된다. 이와 같이 떨어진 압력에 의해 배관(31b, 31c, 31d, 31e)으로부터 흡입된 가스는 측벽의 일위치를 통해 진공 발생기(370)의 내부로 유입되고, 진공 발생기(370)의 내부로 유입된 가스는 퍼지 가스와 함께 진공 발생기(370)의 타단을 통해 흡입 펌프(310)를 향해 배출된다.
상술한 바와 같이, 진공 발생기(370)가 퍼지 가스를 공급하는 동력을 이용해 가스를 흡입하는 힘을 추가적으로 인가할 수 있도록 제공됨으로써, 보다 작은 힘을 가하는 흡입 펌프(310)만으로도 가스를 흡입할 수 있다. 또한, 진공 발생기(370)는 질소 저장 용기(60)의 질소 분사 압력을 이용하는 것으로서 별도의 추가적인 구동기가 요구되지 않을 수 있다.
제어부(400)는 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어한다. 일 실시 예에 따르면, 제어부(400)는 연결 라인(100)을 통해 배관(31d)으로 퍼지 가스를 주입한 후, 배관(31d) 내의 가스를 배기하도록 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어한다. 일 실시 예에 따르면, 제어부(400)는 퍼지 가스 주입 및 배기를 번갈아 복수회 반복하도록 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어할 수 있다. 이와 달리, 제어부(400)는 퍼지 가스 주입 및 배기를 1회만 수행하도록 퍼지 가스 주입부(200) 및 배기부(300)를 제어할 수 있다.
또한, 제어부(400)는 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 상기 농도가 기 설정된 농도값 이상인 경우 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어할 수 있다.
또한, 제어부(400)는 온도 감지 부재(323)에 의해 측정된 흡착제(322)의 온도가 기 설정된 온도값 이상인 경우 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어할 수 있다.
퍼지 가스 주입부(200) 및 제 1 희석부(350)로 질소 저장 용기(60)의 퍼지 가스가 공급되는 라인에는 레귤레이터(500)가 제공될 수 있다. 레귤레이터(500)는 퍼지 가스 주입부(200) 및 제 1 희석부(350)로 공급되는 퍼지 가스의 압력을 조절할 수 있다. 레귤레이터(500)는 제어부(400)에 의해 제어될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 가스 배출 방법을 도 1의 가스 배출 장치(10)를 이용하여 설명한다. 이와 달리, 본 실시 예의 가스 배출 방법은 도 2의 가스 배출 장치(10)와 상이한 구성 및 구조를 가지는 가스 배출 장치(10)에 의해 수행될 수 있다.
도 6은 도 1의 가스 배출 장치를 이용하여 가스를 배출시키는 가스 배출 방법의 일 예를 나타낸 순서도이다. 도 1 내지 3 및 도 6을 참조하면, 가스 배출 방법은 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31b, 31c, 31d, 31e) 내의 가스를 배출하는 방법이다. 일 실시 예에 따르면, 가스 배출 방법은 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)를 포함한다.
퍼지 가스 주입 단계(S10)에서는 배관(31b, 31c, 31d, 31e)의 각각의 제 1 단부 밸브(41)는 열리고, 각각의 제 2 단부 밸브(42)는 닫힌 상태에서, 배관(31b, 31c, 31d, 31e)에 배관(31b, 31c, 31d, 31e)의 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부를 통해 퍼지 가스를 주입한다. 일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입 단계(S10)에서 제어부(400)는 퍼지 가스 주입 라인(210)은 개방하고 흡입 라인(311)은 폐쇄하도록 퍼지 가스 주입 밸브(220) 및 흡입 라인 밸브(312)를 제어한다. 따라서, 질소 저장 용기(60)에 저장된 질소 가스는 연결 라인(100)을 통해 배관(31b, 31c, 31d, 31e)으로 주입되고, 질소 가스의 흡입 펌프(310)로의 유입은 차단된다.
이 후, 본 실시 예의 가스 배출 방법에 의한 가스 배출이 완료되기까지 제 1 단부 밸브(41)는 열린 상태를 유지하고, 제 2 단부 밸브(42)는 닫힌 상태를 유지한다. 퍼지 가스 주입 단계(S10)에서 배관(31b, 31c, 31d, 31e) 내부로 퍼지 가스를 주입함으로써 배기 단계(S20) 전에 가스의 농도를 낮춘다.
배기 단계(S20)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 이후에 수행된다. 배기 단계(S20)에서는 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부를 통해 배관(31b, 31c, 31d, 31e) 내의 가스를 외부로 배기한다. 일 실시 예에 따르면, 배기 단계(S20)는 흡기 단계(S21), 제 1 희석 단계(S22), 여과 단계(S23) 및 제 2 희석 단계(S24)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)는 배관(31b, 31c, 31d, 31e) 내에 잔류하는 가스의 종류 및/또는 예상되는 농도 및 양에 따라 서로 번갈아 복수회 수행되거나 각각 1회 수행될 수 있다. 흡기 단계(S21), 제 1 희석 단계(S22), 여과 단계(S23) 및 제 2 희석 단계(S24)는 흡입 펌프(310)에 의해 흡기되는 가스의 경로에 따른 순서이고, 흡입 펌프(310)가 가동되는 동안 함께 진행된다. 본 실시 예에서 1회 실시는 흡입 펌프(310)가 1회 가동되고 정지되는 동작을 의미하고, 흡입 펌프(310)는 배관(31b, 31c, 31d, 31e)으로부터 일정량의 가스가 배출될 때까지 1회 가동된 후 정지될 수 있다.
흡기 단계(S21)에서는 배관(31b, 31c, 31d, 31e) 내의 가스를 흡입한다. 일 실시 예에 따르면, 흡기 단계(S21)에서 제어부(400)는, 퍼지 가스 주입 라인(210)은 폐쇄하고 흡입 라인(311)은 개방되도록 퍼지 가스 주입 밸브(220) 및 흡입 라인 밸브(312)를 제어하고, 흡입 펌프(310)를 가동시켜 배관(31b, 31c, 31d, 31e) 내의 가스를 흡입한다. 흡입 펌프(310)에 의해 흡입된 가스는 흡입 라인(311)을 지나 여과 부재(320)로 이송된다.
제 1 희석 단계(S22)에서는 흡기 단계(S21)에서 흡기된 가스를 희석한다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 희석 단계(S22)에서 제어부(400)는 제 1 희석 라인(351)을 개방하도록 제 1 희석 라인 밸브(352)를 제어함으로써 질소 저장 용기(60) 내의 질소 가스를 공급하여 흡기된 가스를 희석한다. 제 1 희석 단계(S22)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 초기 일정 횟수까지의 수행시에는 그 이후의 수행시에 비해 흡기된 가스의 농도가 높을 수 있으므로 이를 희석하여 여과 부재(320)에 과부하가 걸리는 것을 방지하기 위해 수행된다. 따라서, 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)가 복수회 수행되는 경우, 제 1 희석 단계(S22)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 최초 수행시부터 일정 수행 횟수동안 수행되고, 이 후에는 수행되지 않을 수 있다.
예를 들면, 제 1 희석 단계(S22)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 최초 수행 및 2회 수행시에는 수행되나 3회 수행시 이후에는 수행되지 않을 수 있다. 이와 달리, 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)가 1회만 수행되는 경우, 제 1 희석 단계(S22)는 배관(31d)내에 잔류하는 가스의 종류 및/또는 예상되는 농도 및 양에 따라 선택적으로 수행 여부가 결정될 수 있다.
제 1 희석 단계(S22)에서는, 제공된 진공 발생기(370)에서 퍼지 가스의 유속 차이로 인한 압력차에 의해 배관(31b, 31c, 31d, 31e)으로부터 가스를 흡입하는 힘이 부가될 수 있다. 따라서, 제 1 희석 단계(S22)가 수행되고 흡기된 가스의 농도가 높은 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 초기 일정 횟수까지 동안 배관(31b, 31c, 31d, 31e)의 가스 배출 속도를 높일 수 있다.
여과 단계(S23)에서는 흡기 단계(S21)에서 흡입된 가스를 여과한다. 일 실시 예에 따르면, 흡기 단계(S21)에서 흡기된 가스는 캐니스터(321)를 지나면서 흡착제(322)에 의해 여과된다.
일 실시 예에 따르면, 여과 단계(S23)에서 온도 감지 부재(323)는 흡착제(322)의 온도를 측정한다. 측정된 흡착제(322)의 온도가 일정 온도값 이상에 도달하는 경우, 제어부(400)는 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어하고, 모든 밸브를 폐쇄되도록 제어하고, 흡입 펌프(310)를 가동 중지 시킬 수 있다. 따라서, 작업자는 흡착제(322)의 과부하에 대해 인식할 수 있고, 흡착제(322)의 과부하에 의한 장치의 손상 및 완전히 여과되지 않은 가스가 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 일 실시 예에 따르면, 가스 농도 측정 부재(330)는 여과 부재(320)에 의해 여과되기 전의 가스의 농도 및/또는 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 측정할 수 있다. 예를 들면, 가스 농도 측정 부재(330)는 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)가 기 설정된 수만큼 수행된 후, 여과 부재(320)에 의해 여과되기 전의 가스의 농도 및/또는 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 측정할 수 있다. 이 경우, 퍼지 가스 주입 단계(S10) 및 배기 단계(S20)의 해당 수행 횟수에서 예측되는 가스 농도에 비해 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 가스 농도가 일정값 이상 높게 측정되는 경우, 제어부(400)는 제어부(400)는 알람을 발생시키도록 알람 부재(340)를 제어하고, 모든 밸브를 폐쇄되도록 제어하고, 흡입 펌프(310)를 가동 중지시킬 수 있다.
따라서, 작업자는 흡착제(322)의 과부하에 대해 인식할 수 있고, 흡착제(322)의 과부하에 의한 장치의 손상 및 완전히 여과되지 않은 가스가 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 여과 부재(320)에 의해 여과되기 전의 가스의 농도 및 여과 부재(320)에 의해 여과된 후의 가스의 농도를 비교하여 흡착제(322)의 성능을 모니터링하여 교체 여부를 판단할 수 있다. 이와 달리, 가스 배출 장치(10)의 외벽 및 캐니스터(321)의 흡착제(322)에 대응되는 일부 영역은 투명한 재질로 제공되어, 작업자는 흡착제(322)의 색을 시각적으로 관찰하여 흡착제(322)의 성능 및 교체 여부를 예측할 수 있다.
제 2 희석 단계(S24)에서는 여과 단계(S23)에서 여과된 가스를 희석한다. 일 실시 예에 따르면, 제 2 희석 단계(S24)에서 제어부(400)는 제 2 희석 라인(361)을 개방하도록 제 2 희석 라인 밸브(362)를 제어함으로써 질소 저장 용기(60) 내의 질소 가스를 공급하여 여과된 가스를 희석한다. 제 2 희석 단계(S24)는 선택적으로 수행된다. 예를 들면, 가스 농도 측정 부재(330)에 의해 측정된 여과 후의 가스의 농도가 일정 값 이하인 경우, 제어부(400)는 제 2 희석 단계(S24)가 수행되지 않도록 제 2 희석 라인 밸브(362)를 제어할 수 있다.
여과 단계(S23)가 완료되거나, 여과 단계(S23) 및 제 2 희석 단계(S24)가 완료된 가스는 배출 라인(380)을 통해 외부로 배출된다. 예를 들면, 배출 라인(380)은 기판 처리 장치(20) 내의 가스가 배기되는 덕트에 연결되고, 여과 단계(S23)가 완료되거나, 여과 단계(S23) 및 제 2 희석 단계(S24)가 완료된 가스는 배출 라인(380)을 통해 상기 덕트로 배출될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 가스 배출 장치 및 방법은 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31b, 31c, 31d, 31e)의 기판 처리 장치(20) 측 단부가 아닌 밸브 매니폴드 박스(30) 측 단부로부터 가스를 배출함으로써 기판 처리 장치(20)의 가동 중에 밸브 매니폴드 박스(30)의 배관(31b, 31c, 31d, 31e)에 잔류하는 가스를 배출할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(20)의 가동 중단으로 인한 생산성 저하를 방지할 수 있고, 기판 처리 장치(20)의 재가동 준비를 위한 비용을 절감할 수 있다.
상술한 내용은 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 실시 예들이다. 본 발명은 상술한 실시 예들 이외에도, 단순하게 설계 변경되거나 용이하게 변경할 수 있는 실시 예들도 포함될 것이다. 또한, 본 발명은 실시 예들을 이용하여 용이하게 변형하여 실시할 수 있는 기술들도 포함될 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술한 실시 예들에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 할 것이다.
10: 가스 제거 장치 20: 기판 처리 장치
30: 밸브 매니폴드 박스 31a, 31b, 31c, 31d, 31e: 배관
100: 연결 라인 200: 퍼지 가스 주입부
300: 배기부 310: 흡입 펌프
320: 여과 부재 321: 캐니스터
324, 325: 칸막이 부재 330: 가스 농도 측정 부재
350: 제 1 희석부 370: 진공 발생기
400: 제어부

Claims (4)

  1. 기판 처리 장치로 가스를 분배하는 밸브 매니폴드 박스(Valve Manifold Box)의 상기 기판 처리 장치로 가스가 이송되는 배관 내의 가스를 배출시키는 장치에 있어서,
    상기 배관의 상기 밸브 매니폴드 박스 측 단부에 연결되는 연결 라인;
    상기 연결 라인을 통해 상기 배관으로 퍼지 가스를 주입하는 퍼지 가스 주입부;
    상기 연결 라인을 통해 상기 배관 내의 가스를 외부로 배기하는 배기부; 및
    상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 배기부는,
    상기 배관 내의 가스를 흡입하는 흡입 펌프;
    상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스가 외부로 배기되기 전에 상기 가스의 농도를 측정하는 가스 농도 측정 부재; 및
    상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스에 퍼지 가스를 공급하여 희석시키는 제 1 희석부를 포함하고,
    상기 가스 농도 측정 부재는,
    제 1 농도 내지 상기 제 1 농도보다 높은 제 2 농도의 범위를 포함하는 범위의 상기 가스 농도를 측정하는 제 1 센서;
    상기 제 2 농도 내지 상기 제 2 농도보다 높은 제 3 농도의 범위를 포함하는 범위의 상기 가스 농도를 측정하는 제 2 센서;
    상기 제 3 농도 내지 상기 제 3 농도보다 높은 제 4 농도의 범위를 포함하는 범위의 상기 가스 농도를 측정하는 제 3 센서;
    상기 제 1 센서, 상기 제 2 센서 및 상기 제 3 센서가 측정한 가스 농도 데이터를 저장하는 저장부; 및
    상기 제 1 센서, 상기 제 2 센서 및 상기 제 3 센서가 측정한 가스 농도 데이터를 실시간으로 출력하는 디스플레이부를 포함하고,
    상기 제어부는 상기 연결 라인을 통해 상기 배관으로 퍼지 가스를 주입한 후 상기 배관 내의 가스를 배기하도록 상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 배기부를 제어하고,
    상기 흡입 펌프는 오일(Oil)을 사용하지 않는 드라이 펌프로 제공되며,
    상기 배기부는 상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스를 여과하는 여과 부재를 더 포함하고,
    상기 여과 부재는,
    상기 흡입 펌프에 의해 흡입된 가스의 독성, 부식성 또는 가연성 성분을 흡착하는 흡착제;
    상기 흡착제가 수용되는 캐니스터(Canister); 및
    상기 캐니스터 내의 상기 캐니스터 내로 가스가 유입되는 유입구 및 상기 캐니스터로부터 가스가 유출되는 유출구의 사이에 제공되는 칸막이 부재;를 포함하고,
    상기 유입구 및 상기 유출구는 상기 캐니스터의 서로 마주보는 측벽에 각각 형성되고,
    상기 칸막이 부재는,
    상기 캐니스터의 상기 유입구가 형성된 측벽 및 상기 캐니스터의 상기 유출구가 형성된 측벽 간에 연결된 측벽 중 일 측벽으로부터 반대 측벽을 향해 상기 반대 측벽으로부터 이격되는 위치까지 연장되는 제 1 칸막이; 및
    상기 반대 측벽으로부터 상기 일 측벽을 향해 상기 일 측벽으로부터 이격되는 위치까지 연장되는 제 2 칸막이;를 포함하고,
    상기 제 1 칸막이는 상기 제 2 칸막이보다 상기 유출구에 인접하게 위치되고, 상기 제 1 칸막이 및 상기 제 2 칸막이는 서로 이격되게 제공되며,
    상기 제 1 칸막이 및 상기 제 2 칸막이는 상기 캐니스터 내에 각각 하나씩 제공되고,
    상기 제 1 센서는 0 내지 100ppm 범위의 가스 농도를 측정할 수 있고,
    상기 제 2 센서는 100 내지 1000 ppm 범위의 가스 농도를 측정할 수 있으며,
    상기 제 3 센서는 1000 내지 10000 ppm 범위의 가스 농도를 측정할 수 있고,
    상기 퍼지 가스 주입부 및 상기 제 1 희석부로 질소 저장 용기의 퍼지 가스가 공급되는 라인에는 레귤 레이터가 제공되는 가스 배출 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기부는, 상기 퍼지 가스가 상기 제 1 희석부로부터 상기 흡입 펌프를 향해 흐르는 유로의 단면적을 감소 시킴으로써 상기 퍼지 가스의 속도를 증가시켜 내부에서 진공압을 형성하고, 형성된 진공압을 이용해 상기 흡입 펌프에 의해 흡입되는 가스에 상기 흡입 펌프에 의해 흡입되는 방향과 동일한 방향으로 힘을 가하는 진공 발생기를 더 포함하는 가스 배출 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 연결 라인은 서로 다른 상기 배관에 각각 연결되는 복수개의 포트를 포함하는 가스 배출 장치.
KR1020210084177A 2021-06-28 2021-06-28 가스 배출 장치 KR102343068B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210084177A KR102343068B1 (ko) 2021-06-28 2021-06-28 가스 배출 장치
KR1020210183879A KR20230001489A (ko) 2021-06-28 2021-12-21 가스 배출 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210084177A KR102343068B1 (ko) 2021-06-28 2021-06-28 가스 배출 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210183879A Division KR20230001489A (ko) 2021-06-28 2021-12-21 가스 배출 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102343068B1 true KR102343068B1 (ko) 2021-12-23

Family

ID=79175860

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210084177A KR102343068B1 (ko) 2021-06-28 2021-06-28 가스 배출 장치
KR1020210183879A KR20230001489A (ko) 2021-06-28 2021-12-21 가스 배출 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210183879A KR20230001489A (ko) 2021-06-28 2021-12-21 가스 배출 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR102343068B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200169985Y1 (ko) * 1995-12-30 2000-03-02 정몽규 차량용캐니스터구조
KR20000055588A (ko) * 1999-02-08 2000-09-05 윤종용 화학 기상 증착용 잔류 가스 배기 장치
JP2008091651A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
KR101974647B1 (ko) * 2019-01-04 2019-05-02 조수민 가스 제거 장치 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200169985Y1 (ko) * 1995-12-30 2000-03-02 정몽규 차량용캐니스터구조
KR20000055588A (ko) * 1999-02-08 2000-09-05 윤종용 화학 기상 증착용 잔류 가스 배기 장치
JP2008091651A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
KR101974647B1 (ko) * 2019-01-04 2019-05-02 조수민 가스 제거 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230001489A (ko) 2023-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6574593B2 (ja) Ｃｖｄリアクタにおける排ガス洗浄装置および方法
KR101974647B1 (ko) 가스 제거 장치 및 방법
KR101033408B1 (ko) 수용 대상물 이송 시스템
EP3104401B1 (en) Purge device and purge method
JP6242393B2 (ja) 処理チャンバを排気するための方法および装置
KR100745372B1 (ko) 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치 및 그 방법
TW201350618A (zh) 真空成膜裝置
US20150090340A1 (en) Processing-liquid supply apparatus and processing-liquid supply method
JP2009095706A (ja) 流体分流供給ユニット及び分流制御プログラム
US10607819B2 (en) Cleaning method and processing apparatus
US20130239889A1 (en) Valve purge assembly for semiconductor manufacturing tools
WO2020062607A1 (zh) 进气系统、原子层沉积设备和方法
KR102343068B1 (ko) 가스 배출 장치
KR20210041340A (ko) 반도체 제조 장치의 배기 시스템 및 배기 방법
TWI671428B (zh) 排氣管無害化方法及成膜裝置
TWI618115B (zh) 基板處理裝置以及清洗腔室的方法
KR20160004752A (ko) 배출가속기 및 이를 구비한 로드 포트
JP2020098854A (ja) 流体制御用ガスボックス
JP2024516979A (ja) 半導体処理システム
KR20200085207A (ko) 가스 제거 장치 및 방법
KR20200123365A (ko) 기판 처리 장치에 연결된 배관의 잔류 가스를 제거하는 방법
JP4543848B2 (ja) 半導体製造装置及びそのメンテナンス方法
KR20200123364A (ko) 잔류 가스 제거부를 포함하는 잔류 가스 제거 시스템 및 그것의 잔류 가스 제거 방법
KR200293094Y1 (ko) 반도체 제조용 가스공급장치
KR101057086B1 (ko) 반도체 공정에서의 잔류 부산물 포집장치

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant