KR20200075227A - 고해상도 하이브리드 방사선 디텍터 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 80
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 50
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 claims description 6
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- WDLKCZWOZDDFSP-UHFFFAOYSA-L cesium sodium diiodide Chemical compound [Na+].[I-].[I-].[Cs+] WDLKCZWOZDDFSP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 235000015096 spirit Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
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- G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
- G01T1/023—Scintillation dose-rate meters
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- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/811—Of specified metal oxide composition, e.g. conducting or semiconducting compositions such as ITO, ZnOx
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Abstract
본 발명은 고해상도 하이브리드 방사선 디텍터에 관한 것이다. 본 발명의 하이브리드 방사선 디텍터는, 직접 및 간접 디지털 방사선 검출 방식을 합성한 고해상도 하이브리드 방사선 디텍터로서, 섬광체와 광전도체를 혼합하는 적층형의 하이브리드 구조가 아닌 단일층으로 고해상도를 실현하는 하이브리드 방사선 디텍터를 제공한다.
Description
본 발명은 X-선 등 방사선을 검출하는 디텍터에 관한 것으로서, 직접 및 간접 디지털 방사선 검출 방식을 합성한 고해상도 하이브리드 방사선 디텍터에 관한 것이다.
간접 방식 디지털 방사선 검출 장치는 X-선 등 방사선을 흡수하여 가시광선을 발생하는 섬광체, 및 발생한 가시광선을 전기적 신호로 읽기 위한 포토다이오드(PD)를 포함하는 비정질 실리콘 TFT(Amorphous Silicon Thin Film Transistor, a-Si TFT), CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 및 CCD(Charge Coupled Device) 등의 이미지 센서로 구성된다. 간접 방식의 디텍터에 사용되는 섬광체는 수십 내지 수백 μm의 두께를 가지는 Gd2O2S(Tb), Gd2O2S(Eu) 물질 등 다양한 분말형 섬광체(powdered phosphor)가 시도되고 있으며, 또한, 빛의 퍼짐을 줄여 공간 분해능을 향상시키기 위한 섬광체로서 물리적 기상증착장비(physical vapor deposition, PVD)를 통하여 바늘기둥형태(columnar or needle shape)의 미세구조형 섬광체(structured phosphor)가 시도되고 있다. 바늘기둥형태의 미세구조를 가지는 섬광체를 사용할지라도, 여전히 빛의 퍼짐이 존재하기 때문에 좀 더 완전하게 빛의 산란을 방지하기 위한 방법이 요구되고 있다. 또한 실리콘 웨이퍼의 RIE(deep reactive ion etching) 공정이나 글래스 위의 절연체에 대한 PDP(Plasma Display Panel) 격벽 구조 공정 등을 통하여 픽셀 구조체를 먼저 제작하고, 이후 격벽으로 구분된 픽셀들의 홈들에 섬광물질 분말을 페이스트와 섞어 채우거나 분말을 녹여 고화시킴으로써 픽셀 구조형 섬광체를 이용하여 선명한 영상화질을 구현하는 연구가 존재한다.
직접방식 디지털 방사선 디텍터는 입사하는 X-선 등 방사선을 가시광으로 전환 없이 바로 전하(전자-정공)를 발생시키는 광전도체(PCL: Photo Conductive Layer), 및 발생한 전하를 전기적 신호로 읽기 위한 TFT(thin film transistor)를 포함한 이미지 센서로 구성되어있다. 직접방식 디지털 방사선 디텍터는 원자번호가 낮은 물질을 사용하기 때문에 X-선 흡수도가 낮아 광전 효율이 많이 떨어지는 문제가 있으며, 또한 마이크로 입자에 의해서 발생된 전하의 이동도 많이 떨어지기 때문에 잔상의 문제점을 가지고 있으며, 전하 수집효율 저하 등, 동영상을 구현하는데 많은 어려움이 존재한다.
관련 문헌으로서 한국등록특허 제10-1839690호, 제10-1839696호, 미국특허 US 8,637,831 B2 등이 참조될 수 있다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 직접 및 간접 디지털 방사선 검출 방식을 합성한 고해상도 하이브리드 방사선 디텍터로서, 섬광체와 광전도체를 혼합하는 적층형의 하이브리드 구조가 아닌 단일층으로 고해상도를 실현하는 하이브리드 방사선 디텍터를 제공하는 데 있다.
먼저, 본 발명의 특징을 요약하면, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면에 따른 방사선 디텍터의 복합체 구조물은, 페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체와 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체가 혼합되어 형성된 섬광체 및 광전도체의 복합체 구조물을 포함하고, 하나의 구조물에서, 상기 화합물 섬광체는 조사되는 방사선에 의하여 가시광을 생성하고, 상기 화합물 광전도체는 상기 방사선 또는 상기 가시광에 의하여 전도성을 증가시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 일면에 따른 방사선 디텍터는, 어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는 이미지 센서; 및 상기 이미지 센서의 상부에 부착되며, 페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체와 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체가 혼합되어 형성된 섬광체 및 광전도체의 복합체 구조물을 포함하고, 스택 없이 하나로 이루어진 상기 복합체 구조물은, 상기 화합물 섬광체는 조사되는 방사선에 의하여 가시광을 생성하고, 상기 화합물 광전도체는 상기 방사선 또는 상기 가시광에 의하여 전도성을 증가시킴으로써, 상기 이미지 센서는, 각 픽셀에서의 상기 방사선에 따른 전기적 신호를 독출하기 위한 것을 특징으로 한다.
상기 방사선 디텍터는, 플렉서블 기판 상에 상기 이미지 센서와 상기 복합체 구조물을 형성한, 커브드 또는 플렉서블 형태의 연성 디텍터 형태로 제조될 수 있다.
상기 페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체는, CsPbBr3, CsPbCl3, 또는 CsPbI3 중 한 가지 이상을 포함하는 CsPbX3를 포함할 수 있다.
상기 복합체 구조물은, NaI(Tl)(탈륨을 첨가한 요오드화 나트륨), CsI(Tl)(탈륨을 첨가한 요오드화 세슘), CsI(Na)(나트륨을 첨가한 요오드화 세슘), BGO, CdWO4, CaF2(Eu), Gd2O2S(Tb), 또는 Gd2O2S(Eu) 중 한가지 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체는, MAPbBr3을 포함하는 MAPbX3를 포함할 수 있다.
상기 페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체와 상기 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체의 분말 사이즈가 10 ~ 1000nm로 제조되어 이용될 수 있다.
상기 복합체 구조물 상에 형성된 금속 전극을 더 포함하고, 상기 이미지 센서의 각 필셀 전극과 상기 금속 전극 간의, 상기 방사선에 따른 전류 흐름에 의한 상기 전기적 신호를 독출하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 본 발명의 또 다른 일면에 따른 방사선 디텍터의 복합체 구조물 제작 방법은, 1차원 또는 2차원 어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는 이미지 센서 상에, 복합체 구조물을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복합체 구조물을 형성하는 단계는, 페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체와 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체의 혼합물을 페이스트 상태로 제조하는 단계; 및 상기 이미지 센서 상에, 상기 페이스트 상태의 혼합물을 도포하는 단계를 포함한다.
상기 페이스트 상태의 혼합물을 도포하는 단계는, 스크린 프린팅법 또는 스프레이 코팅법을 포함한다.
본 발명에 따른 직접 및 간접 디지털 방사선 검출 방식을 합성한 고해상도 하이브리드 방사선 디텍터는, 간접방식의 새로운 페로브스카이트 섬광체 소재와 직접방식의 페로브스카이트 광전도체를 둘다 활용하여 적층형의 하이브리드 구조가 아닌 단일층으로 고해상도를 실현함으로써, 민감도를 크게 향상시킬 수 있다.
본 발명은 페로브스카이트 화합물 구조의 섬광체 및 광전도체로서 나노 입자를 이용함으로써 광전 효율을 크게 향상시킬 수 있고, 충진 밀도를 높일 수 있게 되며, 섬광체와 광전도체 두 물질에서 광전효과를 이용하기 때문에 신호의 효율을 크게 증가시킬 수 있다. 또한 기존의 유기 광전도체 아닌 무기물 광전도체를 이용함으로써 장시간 방사선 노출에 대한 피폭 손상(damage)도 줄일 수 있다.
이와 같이 본 발명은 직접 방식 및 간접방식의 디텍터의 장점만 결합하여 방사선 피폭량을 줄일 수 있고 영상의 해상도를 향상시킬 수 있으며, 나아가 저온공정을 통해 저가로 대면적 플렉스블한 X-선 영상센서의 제작을 가능하게 한다. 또한, 기존의 적층형에 비교하여 공정 절차가 간단해지고 공정 비용이 훨씬 줄어든다는 이점이 있다.
또한, 본 발명은 픽셀 구조체에 섬광체/광전도체 물질을 페이스트 상태로 코팅을 할 수 있기 때문에 충진 밀도를 크게 향상시킬 수 있으며, 또한 픽셀 구조체를 이용하여 공간해상도를 더욱 크게 향상시킬 수 있다.
그리고, 페로브스카이트 화합물 섬광체에 흡수되지 못하는 X-선 등 방사선이 옆에 있는 페로브스카이트 광전도체에 추가적으로 흡수될 수 있기 때문에 방사선의 손실없이 영상의 신호 효율을 크게 향상시킬 수 있다. 페로브스카이트 화합물을 이용할 경우 기존의 경성(rigid) X-선 디텍터가 아닌 커브드(curved) 또는 플렉서블(flexible) 형태의 연성 X-선 디텍터를 개발할 수 있고, 기존의 공정 온도는 높아서 flexible 기판에 적용할 수 없었지만 본 공정의 경우 저온 공정이기 때문에 저가로 유연한 X-선 디텍터를 제공할 수 있게 된다. 기존 섬광체, 광전도체는 마이크로 입자를 가지지만, 본 발명의 페로브스카이트 화합물과 같은 신규 물질은 대부분 수십 나노 크기를 가지기 때문에 충진밀도에 의한 X-선 흡수도 향상, 가시광선 산란선 억제, 전하 이동도 향상, 픽셀 구조체에 삽입의 용이성 등 많은 장점이 존재한다.
본 발명에 관한 이해를 돕기 위해 상세한 설명의 일부로 포함되는 첨부도면은, 본 발명에 대한 실시예를 제공하고 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 복합체 구조물을 갖는 하이브리드 방사선 디텍터를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 이미지 센서와 복합체 구조물의 구조를 좀 더 자세히 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 복합체 구조물의 전자-정공 발생과 이미지 센서의 신호 독출의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 복합체 구조물을 갖는 하이브리드 방사선 디텍터를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 이미지 센서와 복합체 구조물의 구조를 좀 더 자세히 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 복합체 구조물의 전자-정공 발생과 이미지 센서의 신호 독출의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 대해서 자세히 설명한다. 이때, 각각의 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타낸다. 또한, 이미 공지된 기능 및/또는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 이하에 개시된 내용은, 다양한 실시 예에 따른 동작을 이해하는데 필요한 부분을 중점적으로 설명하며, 그 설명의 요지를 흐릴 수 있는 요소들에 대한 설명은 생략한다. 또한 도면의 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시될 수 있다. 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니며, 따라서 각각의 도면에 그려진 구성요소들의 상대적인 크기나 간격에 의해 여기에 기재되는 내용들이 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서, 본 발명과 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 상세한 설명에서 사용되는 용어는 단지 본 발명의 실시 예들을 기술하기 위한 것이며, 결코 제한적이어서는 안 된다. 명확하게 달리 사용되지 않는 한, 단수 형태의 표현은 복수 형태의 의미를 포함한다. 본 설명에서, "포함" 또는 "구비"와 같은 표현은 어떤 특성들, 숫자들, 단계들, 동작들, 요소들, 이들의 일부 또는 조합을 가리키기 위한 것이며, 기술된 것 이외에 하나 또는 그 이상의 다른 특성, 숫자, 단계, 동작, 요소, 이들의 일부 또는 조합의 존재 또는 가능성을 배제하도록 해석되어서는 안 된다.
또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 복합체 구조물(120)을 갖는 하이브리드 방사선 디텍터(100)를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 하이브리드 방사선 디텍터(100)는, 이미지 센서(110) 및 복합체 구조물(120)를 포함한다.
이미지 센서(110)는 1차원 또는 2차원 어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 포함하며, 하이브리드 방사선 디텍터(100)는, 이미지 센서(110) 상에 복합체 구조물(120)을 형성함으로써, 제작될 수 있다.
본 발명에서, 복합체 구조물(120)은, 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물 섬광체와 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체의 혼합물을 소정의 점성을 갖도록 페이스트 상태로 제조한 후, 이미지 센서(110) 상에 상기 페이스트 상태의 혼합물을 도포함으로써, 이미지 센서(110) 상에 형성될 수 있다.
페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체와 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체의 분말 사이즈는, 나노 사이즈, 예를 들어, 직경 10 ~ 1000nm로 제조된 후, 그 혼합물을 소정의 점도를 갖도록 페이스트 상태로 만든 후, 저온 저비용의 스크린 프린팅법 또는 스프레이 코팅법 등을 이용해, 이미지 센서(110) 상에 프린팅 또는 코팅되어 복합체 구조물(120)이 형성될 수 있다.
본 발명의 복합체 구조물(120)은, 2 가지 이상의 구조물의 적층(stack) 구조가 아닌 하나의 구조물로 이루어져, 섬광체와 광전도체의 두가지 기능을 동시에 수행한다. 상기 화합물 섬광체는 조사되는 방사선에 의하여 가시광을 생성하고, 상기 화합물 광전도체는 상기 방사선 또는 상기 가시광에 의하여 전자-정공을 발생하여 전도성을 증가시키게 된다.
이미지 센서(110)는 각 픽셀에서의 조사된 상기 방사선에 대응되는 전기적 신호를 독출한다.
이와 같이 본 발명의 하이브리드 방사선 디텍터(100)는, 직접 및 간접 디지털 방사선 검출 방식을 합성하여 고해상도 영상구현이 가능하다. 즉, 간접방식의 새로운 페로브스카이트 섬광체 소재와 직접방식의 페로브스카이트 광전도체를 둘다 활용하여 적층형의 하이브리드 구조가 아닌 단일층으로 고해상도를 실현함으로써, 민감도를 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 페로브스카이트 화합물 구조의 섬광체 및 광전도체로서 나노 입자를 이용함으로써 광전 효율을 크게 향상시킬 수 있고, 충진 밀도를 높일 수 있게 되며, 섬광체와 광전도체 두 물질에서 광전효과를 이용하기 때문에 신호의 효율을 크게 증가시킬 수 있다. 또한 기존의 유기 광전도체 아닌 무기물 광전도체를 이용함으로써 장시간 방사선 노출에 대한 피폭 손상(damage)도 줄일 수 있다.
이와 같이 본 발명은 직접 방식 및 간접방식의 디텍터 장점만 결합하여 방사선 피폭량을 줄일 수 있고 영상의 해상도를 향상시킬 수 있으며, 나아가 저온공정을 통해 저가로 대면적 플렉스블한 X-선 영상센서의 제작을 가능하게 한다. 즉, 본 발명의 하이브리드 방사선 디텍터(100)는, 플렉서블 기판(도 2의 111 참조) 상에 상기 이미지 센서(110)와 상기 복합체 구조물(120)을 형성하여, 커브드 또는 플렉서블 형태의 연성 디텍터로서 활용될 수 있다. 또한, 본 발명은 기존의 적층형에 비교하여 공정 절차가 간단해지고 공정 비용이 훨씬 줄어든다는 이점이 있다. 또한, 본 발명은 픽셀 구조체에 섬광체/광전도체 물질을 페이스트 상태로 코팅을 할 수 있기 때문에 충진 밀도를 크게 향상시킬 수 있으며, 또한 픽셀 구조체를 이용하여 공간해상도를 더욱 크게 향상시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 이미지 센서(110)와 복합체 구조물(120)의 구조를 좀 더 자세히 나타낸 도면이다.
이미지 센서(110)는 1차원 또는 2차원 어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 포함하며, 이를 위하여 기판(111)(플렉서블 기판 가능함) 위에 이미지 센서(110)의 각 픽셀 센서에 대응되도록 1차원 또는 2차원 어레이 형태로 형성된 픽셀별 투명도전막 패턴(도 3의 115 참조)과 TFT(Thin Film Transistor)를 포함하는 회로 어레이(112)를 포함한다.
회로 어레이(112)의 투명도전막 패턴(115) 위에 형성된 복합체 구조물(120)은 이미지 센서(110) 상에 위와 같이 스크린 프린팅법 또는 스프레이 코팅법 등 저온 공정으로 형성된다. 복합체 구조물(120) 상에는 공통 신호 인가를 위한 금속 전극(130)이 형성된다. 금속 전극(130)은, Al 등 X-선, 감마선 등의 방사선이 투과될 수 있는 금속 박막이 100~10,000nm 두께로 형성될 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 금속 전극(130) 위에는 제품 보호를 위한 수지계 절연막, 글래스(유리) 등 방사선이 투과될 수 있는 하나 이상의 층이 더 형성될 수 있다.
회로 어레이(112)의 TFT는 금속, 실리콘, 유리, 수지계 플라스틱 등의 기판(111) 상에 비정질 실리콘을 활성층으로 사용하여 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조로 형성된다. 금속 전극(130) 위에서 조사되는 방사선에 따른 복합체 구조물(120)에서의 전자-정공에 의한 전류 흐름을 형성하기 위하여 회로 어레이(112)의 각 TFT는 각 픽셀의 투명도전막 패턴(도 3의 115 참조)과 연결되어 있다. 회로 어레이(112)는, 방사선에 의한 투명도전막 패턴(115)과 금속 전극(130) 간의 전류 흐름에 의한 대응되는 전기적 신호를 독출할 수 있게 된다. 투명도전막 패턴(115)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등 투명하면서 전기 전도성을 갖는 물질로 이루어진 박막이다.
복합체 구조물(120)의 페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체는, CsPbBr3, CsPbCl3, 또는 CsPbI3 중 한 가지 이상을 포함하는 CsPbX3를 포함할 수 있다. 이와 같은 화합물 섬광체 물질은 나노 사이즈, 예를 들어, 직경 10 ~ 1000nm의 분말 형태로 제조된 후 혼합된다. 예를 들어, 이와 같은 무기화합물 형태의 화합물 섬광체 물질은 수십 나노 크기로 제작하면 발광효율이 기존 섬광체 대비 많이 증가하며, 또한 입자 사이즈가 작기 때문에 가시광선의 산란도 상당히 줄어드는 효과가 있다. 또한, 입자 크기가 나노 사이즈이기 때문에, 구조체 안에 충진 밀도를 높일 수 있다.
이외에도 복합체 구조물(120)은 원자번호와 밀도가 높은 성분을 포함하는 일반적인 섬광체 물질인, NaI(Tl)(탈륨을 첨가한 요오드화 나트륨), CsI(Tl)(탈륨을 첨가한 요오드화 세슘), CsI(Na)(나트륨을 첨가한 요오드화 세슘), BGO, CdWO4, CaF2(Eu), Gd2O2S(Tb), 또는 Gd2O2S(Eu) 중 한가지 이상을, 나노 또는 마이크로 사이즈, 예를 들어, 직경 100 ~ 100,000nm로 분말 형태로 더 혼합한 형태일 수도 있다.
또한, 복합체 구조물(120)의 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체는, MAPbBr3을 포함하는 MAPbX3를 포함할 수 있다. 이와 같은 화합물 광전도체 물질은 나노 사이즈, 예를 들어, 직경 10 ~ 1000nm의 분말 형태로 제조된 후 혼합된다. 예를 들어, 이와 같은 무기화합물 형태의 화합물 광전도체 물질은 전자의 이동도를 높일 수 있다.
복합체 구조물(120)의 섬광체 물질(122)은, X-선 등 방사선을 받아 가시광선을 방출할 수 있다. 가시광선의 파장은 광전도체 물질(124)과 양자 효율(quantum efficiency)이 양호하도록 설계되는 것이 바람직하다. 복합체 구조물(120)의 광전도체 물질(124)은, 위와 같이 다양한 물질 또는 그 혼합물로 이루어질 수 있으며, X-선, 감마선 등의 방사선이나, 가시광 등 빛을 받으면 전자-정공을 발생하여 전도도가 증가되는 특성을 갖는다.
도 3은 본 발명의 복합체 구조물(120)의 전자-정공 발생과 이미지 센서(110)의 신호 독출의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 복합체 구조물(120)의 위와 같은 섬광체 물질들(122)은 각각 X-선 등 방사선을 받아 가시광으로 변환할 수 있으며, 복합체 구조물(120)의 위와 같은 광전도체 물질(124)은, X-선, 감마선 등의 방사선이나, 가시광 등 빛을 받으면 전자-정공을 발생하여 전도도가 증가되는 특성을 갖는다. 이를 이용하여 독출(readout) 회로, 즉, 이미지 센서(110)의 회로 어레이(112)를 이용해 복합체 구조물(120)에서 발생된 전자-정공에 대응하는 전기적 신호를 독출하게 된다.
예를 들어, 하이브리드 방사선 검출 장치(100)는 환자의 암이나 기타 환부의 상태를 진단하기 위하여 X-선, 감마선 등 방사선을 환부에 조사하고 해당 영상을 획득하기 위한 방사선 촬영 장치에 이용될 수 있다. X-선, 감마선 등의 방사선이 복합체 구조물(120)로 입사되면 섬광체 물질들(122)에서 가시광으로 변환되고 광전도체 물질(124)은 전자-정공을 발생함으로써 이미지 센서(110)로 전달될 수 있다.
일정 밴드갭(Eg)을 갖는 섬광체 물질(122)에 입사된 X-선 등 방사선은 섬광 물질을 여기시켜서 가전자대의 전자를 여기자(exciton) 밴드를 거쳐 전도대로 올리며, 전도대의 전자가 트랩이나 활성화 센터(activation center)를 거쳐 낮은 에너지 상태로 내려올 때 200~600nm 파장대의 가시광을 방출시킬 수 있게 된다.
복합체 구조물(120)의 섬광체 물들(122)로부터 출사되는 빛은 광전도체 물질들(124)으로 조사되며, 광전도체 물질들(124)에서는 이와 같은 빛을 받아 전자-정공을 발생한다. 광전도체 물질들(124)은 입사된 X-선 등 방사선으로부터 직접 전자-정공을 발생할 수도 있다.
회로 어레이(112)는 각 픽셀에서 광전도체 물질들(124)로부터 발생된 전자-정공에 대응하는 전기적 신호를 독출하게 된다. 예를 들어, 금속 전극(130)과 회로 어레이(112)의 각 TFT의 한 전극(예를 들어, 소스/드레인 전극)에 연결된 투명도전막 패턴(115) 사이에는 일정 전압이 인가되어, 예를 들어, 광전도체 물질들(124)의 정공은 금속 전극(130)으로 이동하고, 광전도체 물질들(124)의 전자는 회로 어레이(112)의 각 픽셀의 투명도전막 패턴(115)으로 끌려오게 됨으로써, 회로 어레이(112)는 각 픽셀에서 방사선에 대응된 전기적 신호를 독출할 수 있다. 즉, 이미지 센서(110)는 방사선에 의한 복합체 구조물(120)의 반응에 대응되는 소정의 화상 신호를 출력할 수 있게 된다.
예를 들어, 이미지 센서(110)와 복합체 구조물(120)이 2차원 어레이 형태로 구성된 경우에, 복합체 구조물(120)로 방사선이 조사될 때, 행 단위(경우에 따라, 복수행 단위 가능)로 스캔하여 각 행의 이미지 센서(110)의 복수의 픽셀 센서가 각각 해당 행의 복합체 구조물(120)의 방사선 반응량에 대응된 전기적 신호를 독출할 수 있다.
이와 같은 TFT를 이용한 전기적 스위칭 독출(electrical switching readout) 방식의 픽셀화된 섬광체를 이용한 본 발명의 일실시예에 따른 하이브리드 방사선 디텍터(100)에서는, 입사되는 X-선 등 방사선이 복합체 구조물(120)에 흡수되어 가시광과 전자-정공을 연속적으로 발생하여, 간접방식과 직접방식의 장점을 둘 다 활용할 수 있도록 함으로써, 이에 따라 높은 민감도를 가지고, 잔상(image lag) 또는 고스트(ghost) 현상을 최소화하여 저잡음의 영상을 획득할 수 있다.
이외에도, 예를 들어, 각 픽셀의 투명도전막 패턴(115)과 금속 전극(130) 사이에 애벌런치(avalanche) 현상이 발생할 정도의 일정 수준의 전압 크기를 인가하는 경우에는, 광전도체 물질들(124)에서 발생하는 전하(전자-정공) 중 가속된 전자는 기하 급수적인 전자-정공의 발생을 증폭시킬 수 있고, 이와 같은 애벌런치 현상으로 회로 어레이(112)를 통해 각 픽셀에서 방사선에 대응된 높은 전기적 신호를 독출함으로써, 증폭된 높은 이득(gain)의 영상 신호에 따라 저선량의 방사선으로도 선명한 영상을 획득할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 복합체 구조물(120)을 갖는 하이브리드 방사선 디텍터(100)는, 간접방식의 새로운 페로브스카이트 섬광체 소재와 직접방식의 페로브스카이트 광전도체를 둘다 활용하여 적층형의 하이브리드 구조가 아닌 단일층으로 고해상도를 실현함으로써, 민감도를 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 페로브스카이트 화합물 구조의 섬광체 및 광전도체로서 나노 입자를 이용함으로써 광전 효율을 크게 향상시킬 수 있고, 충진 밀도를 높일 수 있게 되며, 섬광체와 광전도체 두 물질에서 광전효과를 이용하기 때문에 신호의 효율을 크게 증가시킬 수 있다. 또한 기존의 유기 광전도체 아닌 무기물 광전도체를 이용함으로써 장시간 방사선 노출에 대한 피폭 손상(damage)도 줄일 수 있다.
또한, 본 발명의 하이브리드 방사선 디텍터(100)는, 페로브스카이트 화합물 섬광체에 흡수되지 못하는 X-선 등 방사선이 옆에 있는 페로브스카이트 광전도체에 추가적으로 흡수될 수 있기 때문에 방사선의 손실 없이 영상의 신호 효율을 크게 향상시킬 수 있다. 페로브스카이트 화합물을 이용할 경우 기존의 경성(rigid) X-선 디텍터가 아닌 커브드(curved) 또는 플렉서블(flexible) 형태의 연성 X-선 디텍터를 개발할 수 있고, 기존의 공정 온도는 높아서 flexible 기판에 적용할 수 없었지만 본 공정의 경우 저온 공정이기 때문에 저가로 유연한 X-선 디텍터를 제공할 수 있게 된다. 기존 섬광체, 광전도체는 마이크로 입자를 가지지만, 본 발명의 페로브스카이트 화합물과 같은 신규 물질은 대부분 수십 나노 크기를 가지기 때문에 충진밀도에 의한 X-선 흡수도 향상, 가시광선 산란선 억제, 전하 이동도 향상, 픽셀 구조체에 삽입의 용이성 등 많은 장점이 존재한다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이미지 센서(110)
회로 어레이(112)
투명도전막 패턴(115)
복합체 구조물(120)
금속 전극(130)
회로 어레이(112)
투명도전막 패턴(115)
복합체 구조물(120)
금속 전극(130)
Claims (10)
- 페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체와 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체가 혼합되어 형성된 섬광체 및 광전도체의 복합체 구조물을 포함하고,
하나의 구조물에서, 상기 화합물 섬광체는 조사되는 방사선에 의하여 가시광을 생성하고, 상기 화합물 광전도체는 상기 방사선 또는 상기 가시광에 의하여 전도성을 증가시키는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터의 복합체 구조물. - 어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는 이미지 센서; 및
상기 이미지 센서의 상부에 부착되며, 페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체와 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체가 혼합되어 형성된 섬광체 및 광전도체의 복합체 구조물을 포함하고,
스택 없이 하나로 이루어진 상기 복합체 구조물은, 상기 화합물 섬광체는 조사되는 방사선에 의하여 가시광을 생성하고, 상기 화합물 광전도체는 상기 방사선 또는 상기 가시광에 의하여 전도성을 증가시킴으로써,
상기 이미지 센서는, 각 픽셀에서의 상기 방사선에 따른 전기적 신호를 독출하기 위한 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터. - 제2항에 있어서,
상기 방사선 디텍터는,
플렉서블 기판 상에 상기 이미지 센서와 상기 복합체 구조물을 형성한, 커브드 또는 플렉서블 형태의 연성 디텍터를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터. - 제2항에 있어서,
상기 페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체는,
CsPbBr3, CsPbCl3, 또는 CsPbI3 중 한 가지 이상을 포함하는 CsPbX3를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터. - 제2항에 있어서,
상기 복합체 구조물은,
NaI(Tl)(탈륨을 첨가한 요오드화 나트륨), CsI(Tl)(탈륨을 첨가한 요오드화 세슘), CsI(Na)(나트륨을 첨가한 요오드화 세슘), BGO, CdWO4, CaF2(Eu), Gd2O2S(Tb), 또는 Gd2O2S(Eu) 중 한가지 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터. - 제2항에 있어서,
상기 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체는,
MAPbBr3을 포함하는 MAPbX3를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터. - 제2항에 있어서,
상기 페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체와 상기 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체의 분말 사이즈가 10 ~ 1000nm로 제조되어 이용된 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터. - 제2항에 있어서,
상기 복합체 구조물 상에 형성된 금속 전극을 더 포함하고,
상기 이미지 센서의 각 필셀 전극과 상기 금속 전극 간의, 상기 방사선에 따른 전류 흐름에 의한 상기 전기적 신호를 독출하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터. - 1차원 또는 2차원 어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는 이미지 센서 상에, 복합체 구조물을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 복합체 구조물을 형성하는 단계는,
페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체와 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체의 혼합물을 페이스트 상태로 제조하는 단계; 및
상기 이미지 센서 상에, 상기 페이스트 상태의 혼합물을 도포하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터의 복합체 구조물 제작 방법. - 제9항에 있어서,
상기 페이스트 상태의 혼합물을 도포하는 단계는,
스크린 프린팅법 또는 스프레이 코팅법을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터의 복합체 구조물 제작 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180163680A KR102669620B1 (ko) | 2018-12-18 | 고해상도 하이브리드 방사선 디텍터 |
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| KR20200075227A true KR20200075227A (ko) | 2020-06-26 |
| KR102669620B1 KR102669620B1 (ko) | 2024-05-28 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112852414A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-05-28 | 中山大学 | 一种钙钛矿复合闪烁体及其制备方法和应用 |
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| CN115390354A (zh) * | 2022-07-13 | 2022-11-25 | 福州大学 | 一种钙钛矿光锥耦合x射线相机及其成像方法 |
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