KR20200075211A - Apparatus and method for processing substrates - Google Patents

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Abstract

A device (100) capable of improving time efficiency includes a processing device (110); a supply device (120); a washing device (130); and a control device (140). The control device (140) is configured to instruct to switch a switch element (121) of the supply device (120) from a first configuration to a second configuration to change a supply tank of a processing liquid when a first parameter satisfies a first condition. The control device (140) is additionally configured to instruct the washing device (130) to provide a detergent liquid into the processing device (110) to clean the processing device (110) when a second parameter satisfies a second condition.

Description

기판들을 처리하기 위한 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATES}Apparatus and method for processing substrates{APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATES}

본 발명은 반도체 장치들의 제조에 관한 것이며, 보다 상세하게는 기판들을 처리하기 위해 처리 액체를 사용하는 기술들에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to the manufacture of semiconductor devices, and more particularly, to techniques using processing liquids to process substrates.

반도체 장치들의 제조에 있어서, 처리 액체가 기판들을 처리하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 습식 식각 공정에서, 상기 처리 액체는 기판 상에 특정한 패턴을 생성하기 위해 식각제로 사용되는 산성의 액체가 될 수 있다. 상기 처리 액체는 액체 공급 장치의 공급 탱크 내에 저장되며, 필요할 때에 상기 탱크로부터 상기 기판으로 공급된다. 상기 공정의 안정성과 정확성을 유지하기 위해, 상기 탱크가 수동으로 대체되어야 하며, 처리 설비가 때때로 수동으로 세정된다. 그러나 이러한 수동 작업은 시간에서 비효율적이며, 때때로 사람에 의해 야기되는 요소들로 인해 잘못될 수 있다.In the manufacture of semiconductor devices, processing liquids can be used to process substrates. For example, in a wet etching process, the treatment liquid can be an acidic liquid used as an etchant to create a specific pattern on a substrate. The processing liquid is stored in the supply tank of the liquid supply device, and is supplied from the tank to the substrate when necessary. In order to maintain the stability and accuracy of the process, the tank must be replaced manually, and the treatment plant is sometimes manually cleaned. However, these manual tasks are inefficient in time and can sometimes go wrong due to human-caused factors.

이에 따라, 본 발명의 목적은 종래 기술의 문제점들의 적어도 하나를 해결할 수 있는 기판들을 처리하기 위한 방법 및 장치를 제공하는 것이다. 특히, 본 발명의 방법 및 장치는 관련 인적 자원들을 감소시킬 수 있고, 관련된 인적인 부주의가 방지될 수 있는 점에서 유리하다. 본 발명의 방법 및 장치는 또한 자동 과정을 이용하여 시간 효율성을 향상시킬 수 있는 점에서 유리하다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for processing substrates that can solve at least one of the problems of the prior art. In particular, the method and apparatus of the present invention is advantageous in that it can reduce related human resources and prevent related human negligence. The method and apparatus of the present invention is also advantageous in that it is possible to improve time efficiency using an automatic process.

본 발명에 따르면, 기판들을 처리하기 위한 방법은 제어 장치에 의해 수행된다. 상기 방법은 처리 장치의 챔버 내에서 처리되기 위한 적어도 하나의 기판을 계획하는 단계를 포함하고; 처리 액체의 소모와 관련된 제1 파라미터가 제1 조건을 만족할 때, 상기 적어도 하나의 기판을 처리하기 위해 상기 처리 액체를 상기 처리 장치 내로 제공할 수 있는 공급 장치의 스위치 요소가 상기 처리 액체가 상기 공급 장치의 제1 탱크로부터 상기 처리 장치로 제공되게 하는 제1 구성으로부터 상기 처리 액체가 상기 공급 장치의 제2 탱크로부터 상기 처리 장치로 제공되게 하는 제2 구성으로 전환되도록 명령하는 단계를 포함하며; 상기 스위치 요소의 동작과 관련된 제2 파라미터가 제2 조건을 만족할 때, 세정기 장치가 상기 처리 장치를 세정하기 위해 세제 액체를 상기 처리 장치 내로 제공하도록 명령하는 단계를 포함한다.According to the invention, a method for processing substrates is performed by a control device. The method includes planning at least one substrate for processing within a chamber of the processing apparatus; When the first parameter related to the consumption of the processing liquid satisfies the first condition, a switch element of the supplying device capable of providing the processing liquid into the processing device for processing the at least one substrate is supplied by the processing liquid. Instructing to switch from a first configuration to be provided to the processing device from a first tank of the device to a second configuration to be provided to the processing device from a second tank of the supply device; And when a second parameter related to the operation of the switch element satisfies a second condition, instructing a washer device to provide detergent liquid into the treatment device to clean the treatment device.

본 발명에 따르면, 기판들을 처리하기 위한 장치는 처리 장치, 공급 장치, 세정기 장치 및 제어 장치를 포함한다. 상기 처리 장치는 챔버를 포함하고, 상기 챔버 내에 기판을 수용하도록 구성된다. 상기 공급 장치는 상기 기판을 처리하기 위해 처리 액체를 상기 처리 장치 내로 제공하도록 구성된다. 상기 공급 장치는 상기 처리 액체를 저장하기 위한 복수의 탱크들 및 상기 탱크들의 하나가 상기 처리 액체를 상기 처리 장치에 제공하게 하도록 동작할 수 있는 스위치 요소를 포함한다. 상기 세정기 장치는 상기 처리 장치를 세정하기 위해 세제 액체를 상기 처리 장치 내로 제공할 수 있도록 구성된다. 상기 제어 장치는 상기 처리 액체의 소모와 관련된 제1 파라미터가 제1 조건을 만족할 때, 상기 스위치 요소가 상기 복수의 탱크들의 제1 탱크가 상기 처리 액체를 상기 처리 장치로 제공하게 하는 제1 구성으로부터 상기 복수의 탱크들의 제2 탱크가 상기 처리 액체를 상기 처리 장치로 제공하게 하는 제2 구성으로 전환되도록 명령하며, 상기 스위치 요소의 동작과 관련된 제2 파라미터가 제2 조건을 만족할 때, 상기 세정기 장치가 상기 처리 장치 내로 상기 세제 액체를 제공하도록 명령하도록 구성된다.According to the present invention, an apparatus for processing substrates includes a processing apparatus, a supply apparatus, a scrubber apparatus and a control apparatus. The processing device includes a chamber and is configured to receive a substrate in the chamber. The supply device is configured to provide processing liquid into the processing device for processing the substrate. The supply device includes a plurality of tanks for storing the processing liquid and a switch element operable to cause one of the tanks to provide the processing liquid to the processing device. The scrubber apparatus is configured to provide detergent liquid into the treatment apparatus for cleaning the treatment apparatus. The control device is configured from a first configuration in which the switch element causes the first tank of the plurality of tanks to provide the processing liquid to the processing device when a first parameter related to consumption of the processing liquid satisfies a first condition. Instructs the second tank of the plurality of tanks to switch to a second configuration that provides the processing liquid to the processing device, and when the second parameter related to the operation of the switch element satisfies a second condition, the scrubber device Is configured to instruct to provide the detergent liquid into the processing device.

본 발명의 실시예들에 따르면, 탱크-변경 공정, 챔버-세정 공장 및 시험 공정이 모두 기계 장치들에 의해 자동적으로 계획되고 수행될 수 있으며, 관련 인적 자원들이 절감될 수 있고, 관련된 인적 부주의가 방지될 수 있는 한편, 이러한 자동 과정이 시간 효율을 향상시킬 수 있다.According to embodiments of the present invention, the tank-changing process, the chamber-cleaning plant and the testing process can all be automatically planned and carried out by mechanical devices, the related human resources can be saved, and the related human carelessness While this can be prevented, this automatic process can improve time efficiency.

본 발명의 다른 특징들 및 기타 이점들은 첨부된 도면들을 참조하여 다음의 실시예들의 상세한 설명을 통해 보다 명확해질 것이며, 첨부된 도면들에 있어서,
도 1은 실시예에 따른 기판들을 처리하기 위한 장치를 예시적으로 도시하는 개략적인 도면이며,
도 2는 실시예에 따른 기판들을 처리하기 위한 방법을 예시적으로 도시하는 흐름도이다.Other features and other advantages of the present invention will become more apparent through the detailed description of the following embodiments with reference to the accompanying drawings, in the accompanying drawings,
1 is a schematic diagram illustrating an apparatus for processing substrates according to an embodiment,
2 is a flowchart exemplarily showing a method for processing substrates according to an embodiment.

본 발명을 상세하기 설명하기 전에, 적절하게 고려될 때에 참조 부호들이나 참조 부호들의 마지막 부분들이 선택적으로 유사한 특성들을 가질 수 있는 대응되거나 유사한 요소들을 나타내도록 도면들에서 반복되는 점에 유의해야 한다.Before describing the present invention in detail, it should be noted that reference numerals or final parts of reference numerals are repeated in the drawings to indicate corresponding or similar elements that may optionally have similar characteristics when properly considered.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 기판들을 처리하기 위한 장치(100)가 예시적으로 도시된다. 상기 장치(100)는 기판들에 대해 습식 식각 공정(예를 들면, 식각, 세정 및/또는 건조 동작들을 포함함)을 수행하도록 동작할 수 있다. 예시된 장치(100)는 처리 장치(110), 공급 장치(120), 세정기(cleaner) 장치(130), 그리고 상기 처리 장치(110), 상기 공급 장치(120) 및 상기 세정기 장치(130)에 전기적으로 연결된 제어 장치(140)를 포함한다.Referring to FIG. 1, an apparatus 100 for processing substrates according to an embodiment of the present invention is illustratively illustrated. The apparatus 100 may be operable to perform a wet etch process on substrates (eg, including etching, cleaning, and/or drying operations). The illustrated device 100 includes a processing device 110, a supply device 120, a cleaner device 130, and the processing device 110, the supply device 120, and the cleaner device 130. And an electrically connected control device 140.

일 실시예에 따르면, 상기 처리 장치(110)는 챔버를 포함하며, 상기 챔버 내에 적어도 하나의 처리되는 기판(150)을 수용하도록 구성된다. 일부 실시예들에 따르면, 상기 기판(들)(150)에 대해 수행되는 처리는 단일 기판 습식 처리, 다중 기판 습식 처리, 단면 웨이퍼의 솔더 볼(들) 아래의 금속 식각을 위한 처리, 박막 웨이퍼 지지/스트리핑을 위한 처리, 부착/스트리핑을 위한 처리, 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼 재생을 위한 처리, 실리콘 웨이퍼 재생을 위한 처리 등과 관련될 수 있다. 간략화를 위해, 도 1에는 하나의 기판(150)만이 예시된다. 일 실시예에서, 하나의 기판(150)만이 한 번에 상기 챔버 내에 수용될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에 따르면, 상기 기판(150)은 캐리어 보드, 웨이퍼, 칩 등의 형태가 될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 상기 기판(150)은 둥근 형상, 정사각형 형상, 직사각형 형상 등이 될 수 있다.According to one embodiment, the processing device 110 includes a chamber and is configured to receive at least one processed substrate 150 in the chamber. According to some embodiments, the processing performed on the substrate(s) 150 includes single substrate wet processing, multiple substrate wet processing, processing for metal etching under solder ball(s) of a single-sided wafer, thin film wafer support It may be related to processing for stripping, processing for attaching/stripping, processing for silicon carbide (SiC) wafer recycling, processing for silicon wafer recycling, and the like. For simplicity, only one substrate 150 is illustrated in FIG. 1. In one embodiment, only one substrate 150 may be accommodated in the chamber at a time, but the present invention is not limited thereto. According to some embodiments, the substrate 150 may be in the form of a carrier board, wafer, chip, or the like. According to some embodiments, the substrate 150 may have a round shape, a square shape, a rectangular shape, or the like.

일 실시예에 따르면, 상기 공급 장치(120)는 처리 액체의 저장을 위한 복수의 처리-액체 탱크들(122)(예를 들어, 도시된 바와 같이 제1 탱크(122-1) 및 제2 탱크(122-2)를 구비하는 두 개의 처리-액체 탱크들이지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다), 그리고 상기 처리-액체 탱크들(122)의 하나가 상기 처리 장치(110)와 유체 연통되게 하며, 상기 처리 액체를 상기 처리 장치(110)의 챔버로 제공하게 하도록 동작할 수 있는 스위치 요소(121)를 포함한다. 상기 스위치 요소(121)는 상기 처리 장치(110)에 연결되는 제1 파이프라인을 포함하여, 상기 공급 장치(120)가 상기 처리-액체 탱크들(122) 내에 저장된 상기 처리 액체를 상기 제1 파이프라인을 통해 상기 처리 장치(110) 내로 공급할 수 있다. 상기 스위치 요소(121)는 한 번에 상기 처리-액체 탱크들(122)의 하나만이 상기 처리 액체를 상기 처리 장치(110)에 공급하게 하도록 구성된다. 상기 처리 액체는 상기 기판(150)에 대해 특정한 공정(예를 들어, 식각)을 수행하기 위하여 상기 처리 장치(110) 내의 챔버 내의 상기 기판(150)에 인가된다. 일 실시예에서, 상기 스위치 요소(121)는 복수의 밸브들 및 상기 처리-액체 탱크들(122)에 연결된 제2 파이프라인들을 더 포함하여, 상기 스위치 요소(121)가 상기 처리 액체의 소스로서 이들 중의 하나를 선택하도록 상기 처리-액체 탱크들(122) 중/사이에서 전환될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 공급 장치(120)는 보중 액체(즉, 새로운/사용되지 않은 처리 액체)를 저장하고, 상기 처리-액체 탱크들(122)을 보충하기 위해 제3 파이프라인을 통해 상기 처리-액체 탱크들(122)에 연결되는 보충 장치(replenishment device)(도시되지 않음)를 더 포함한다. 다른 실시예에서, 상기 공급 장치(120)는 또한 온도 제어기 및 상기 처리-액체 탱크들(122) 내에 저장된 상기 처리 액체를 제어하기 위해 상기 처리-액체 탱크들(122)에 연결되는 순환 파이프라인을 포함한다.According to one embodiment, the supply device 120 comprises a plurality of treatment-liquid tanks 122 for storage of treatment liquid (eg, first tank 122-1 and second tank as shown) Two treatment-liquid tanks having (122-2), but the present invention is not limited to this), and one of the treatment-liquid tanks 122 is in fluid communication with the treatment device 110 And a switch element 121 operable to provide the processing liquid to the chamber of the processing device 110. The switch element 121 includes a first pipeline that is connected to the processing device 110 such that the supply device 120 receives the processing liquid stored in the processing-liquid tanks 122 from the first pipe. It can be supplied into the processing apparatus 110 through a line. The switch element 121 is configured to cause only one of the treatment-liquid tanks 122 at a time to supply the treatment liquid to the treatment device 110. The processing liquid is applied to the substrate 150 in a chamber in the processing apparatus 110 to perform a specific process (eg, etching) on the substrate 150. In one embodiment, the switch element 121 further comprises a plurality of valves and second pipelines connected to the treatment-liquid tanks 122 such that the switch element 121 is a source of the treatment liquid. It can be switched among/between the treatment-liquid tanks 122 to select one of them. In one embodiment, the feeder 120 stores the replenishment liquid (ie, fresh/unused treatment liquid) and the treatment through a third pipeline to replenish the treatment-liquid tanks 122 -It further includes a replenishment device (not shown) connected to the liquid tanks 122. In another embodiment, the supply device 120 also has a temperature controller and a circulation pipeline connected to the treatment-liquid tanks 122 to control the treatment liquid stored in the treatment-liquid tanks 122. Includes.

일 실시예에 따르면, 상기 세정기 장치(130)는 세제 액체를 저장하기 위한 세제 탱크(131)를 포함하고, 제4 파이프라인을 통해 상기 처리 장치(110)에 연결되어, 상기 세정기 장치(130)는 상기 처리 장치(110)를 세정하기 위해 상기 제4 파이프라인을 통해 상기 세제 액체를 상기 처리 장치(110) 내로 제공할 수 있다. 상기 세정기 장치(130) 또한 제5 파이프라인을 통해 상기 처리-액체 탱크들(122)에 연결될 수 있어, 상기 세정기 장치(130)가 상기 처리-액체 탱크들(122)을 세정하기 위해 상기 제5 파이프라인을 통해 상기 세제 액체를 상기 처리-액체 탱크들(122) 내로 제공할 수 있다.According to one embodiment, the scrubber device 130 includes a detergent tank 131 for storing detergent liquid, and is connected to the treatment device 110 through a fourth pipeline, so that the scrubber device 130 May provide the detergent liquid into the processing device 110 through the fourth pipeline to clean the processing device 110. The scrubber device 130 may also be connected to the treatment-liquid tanks 122 via a fifth pipeline so that the scrubber device 130 cleans the treatment-liquid tanks 122 The detergent liquid may be provided into the treatment-liquid tanks 122 through a pipeline.

일 실시예에 따르면, 상기 제어 장치(140)는 서로 전기적으로 연결되는 입력 모듈(141) 및 프로세서(142)를 포함한다. 상기 프로세서(142)는 상기 입력 모듈(141)을 통해 상기 장치(100) 의 사용자로부터 제어 정보를 수신하며, 이에 따라 수신된 상기 제어 정보를 기초로 하여 상기 처리 장치(110), 상기 공급 장치(120) 및 상기 세정기 장치(130)의 동작을 자동적으로 제어하도록 구성된다. 상기 제어 정보는, 이에 한정되는 것은 아니지만, 수많은 기판들의 적어도 하나, 시간의 길이, 시점, 사용된 처리 액체의 양, 수많은 스위치 동작들 또는 수많은 테스트들을 포함할 수 있다. 상기 프로세서(142)는 또한 각각의 상기 처리-액체 탱크들(122)이 상기 제어 정보에 기초하여 상기 처리 액체를 제공하는 때를 자동적으로 제어하도록 구성된다.According to one embodiment, the control device 140 includes an input module 141 and a processor 142 that are electrically connected to each other. The processor 142 receives control information from a user of the device 100 through the input module 141, and based on the received control information, the processing device 110 and the supply device ( 120) and the operation of the scrubber device 130 is automatically controlled. The control information may include, but is not limited to, at least one of numerous substrates, length of time, timing, amount of processing liquid used, numerous switch operations or numerous tests. The processor 142 is also configured to automatically control when each of the treatment-liquid tanks 122 provides the treatment liquid based on the control information.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판들을 처리하기 위한 방법을 예시적으로 도시하는 흐름도이다. 상기 방법은 도 1에 예시한 장치(100)에 의해 구현될 수 있으며, 이하에서 도 1의 장치(100)를 참조하여 설명될 것이다.2 is a flowchart exemplarily showing a method for processing substrates according to an embodiment of the present invention. The method may be implemented by the device 100 illustrated in FIG. 1, and will be described below with reference to the device 100 of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 다음의 설명에서, 상기 과정의 개시에서, 상기 공급 장치(120)의 스위치 요소(121)가 상기 처리 액체가 제1 탱크(122-1)로부터 상기 처리 장치(110)로 제공되게 하는 제1 구성으로 구성되는 것으로 상정한다(이제, 상기 처리 액체를 상기 처리 장치(110)에 제공하는 것을 담당하는 상기 처리-액체 탱크(122)는 상기 제1 탱크(122-1)이다).Referring to FIG. 2, in the following description, at the start of the process, the switch element 121 of the supply device 120 causes the processing liquid to flow from the first tank 122-1 to the processing device 110. It is assumed that it is configured as a first configuration to be provided (Now, the treatment-liquid tank 122 responsible for providing the treatment liquid to the treatment apparatus 110 is the first tank 122-1. ).

단계 205에서, 상기 장치(100)의 제어 장치(140)는 상기 처리 장치(110)의 챔버 내에서 처리되기 위한 복수의 기판들의 배치의 적어도 일부를 계획한다. 일부 실시예에 따르면, 상기 기판들의 배치의 적어도 일부는 상기 기판들의 배치의 적어도 하나의 기판 또는 상기 전체 배치가 될 수 있다. 복수의 기판들이 계획될 때, 이들 기판들은 하나씩 또는 그룹들로 상기 챔버 내에서 처리될 수 있다.In step 205, the control device 140 of the device 100 plans at least a portion of the arrangement of a plurality of substrates for processing within the chamber of the processing device 110. According to some embodiments, at least a portion of the arrangement of substrates may be at least one substrate of the arrangement of substrates or the entire arrangement. When multiple substrates are planned, these substrates can be processed in the chamber one by one or in groups.

단계 210에서, 상기 제어 장치(140)는 탱크-변경 공정이 수행되는 지를 결정한다. 그럴 경우, 상기 과정은 단계 215로 진행된다. 그렇지 않으면, 상기 과정은 상기 기판들의 배치의 다른 부분들 또는 복수의 기판들의 다른 배치의 적어도 일부를 계획하기 위해 단계 205로 돌아갈 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 결정은 상기 처리 액체의 소모와 관련된 제1 파라미터가 단계 205에서 계획된 상기 기판(들)의 적어도 하나에 대한 제1 조건을 만족하는 지를 결정함에 의해 이루어질 수 있다. 상기 제1 파라미터는, 예를 들면, 상기 스위치 요소(121)가 가장 최근에 구성되거나 상기 처리 액체가 상기 제1 탱크(122-1)로부터 제공되게 하는 상기 제1 구성으로의 전환으로 인한 상기 처리 장치(110) 내에서 처리된 많은 기판들의 하나, 상기 스위치 요소(121)가 가장 최근에 구성되거나 상기 제1 구성으로의 상기 스위치 요소(121)의 전환으로 인한 상기 제1 탱크(122-1)로부터 상기 처리 장치(110)로 제공되는 상기 처리 액체의 전체 양, 상기 스위치 요소(121)가 가장 최근에 구성되거나 상기 제1 구성으로의 전환으로 인한 경과된 시간, 상기 스위치 요소(121)가 가장 최근에 구성되거나 상기 처리 액체가 상기 제1 탱크(122-1)로부터 상기 처리 장치(110)로의 제공으로 인한 누적 시간, 그리고 상기 스위치 요소(121)가 가장 최근에 구성되거나 상기 처리 액체가 상기 제1 구성으로의 전환으로 인한 임의의 이들의 결합이 될 수 있다 또한, 상기 제1 조건은, 예를 들면, 상기 사용자에 의해 입력되는 상기 제어 정보를 기초로 하여 미리 결정되는 적어도 하나의 문턱 값이 될 수 있다. 더욱이, 상기 제1 파라미터는 또한 시간이 될 수 있으며, 이 경우에 상기 제1 조건은 소정의 시점이 될 수 있다.In step 210, the control device 140 determines whether a tank-change process is performed. If so, the process proceeds to step 215. Otherwise, the process may return to step 205 to plan at least a portion of other portions of the plurality of substrates or other portions of the arrangement of substrates. According to some embodiments, the determination may be made by determining whether a first parameter related to consumption of the processing liquid satisfies a first condition for at least one of the substrate(s) planned in step 205. The first parameter is, for example, the processing due to the switch element 121 being most recently configured or switching to the first configuration allowing the processing liquid to be provided from the first tank 122-1. One of many substrates processed in the device 110, the first tank 122-1 due to which the switch element 121 is most recently configured or due to the switch element 121 being switched to the first configuration. The total amount of the processing liquid provided to the processing device 110 from, the switch element 121 is most recently configured or the elapsed time due to switching to the first configuration, the switch element 121 is the most Cumulative time due to the recently configured or the processing liquid being provided from the first tank 122-1 to the processing device 110, and the switch element 121 being most recently configured or the processing liquid being the It can be any combination of these due to switching to one configuration. In addition, the first condition may include, for example, at least one threshold value that is predetermined based on the control information input by the user. Can be. Moreover, the first parameter may also be a time, in which case the first condition may be a predetermined time point.

단계 215에서, 상기 제어 장치(140)는 상기 스위치 요소(121)가 상기 처리 액체가 상기 제1 탱크(122-1)로부터 제공되게 하는 상기 제1 구성으로부터 상기 처리 액체가 상기 제2 탱크(122-2)로부터 제공되게 하는 제2 구성까지 전환되게 명령하는 것을 포함하여, 상기 처리-액체를 상기 제1 탱크(122-1)로부터 상기 처리 장치(110)로 공급하도록 허용된(즉, 공급을 담당하는) 상기 처리-액체 탱크를 다른 탱크(예를 들어, 상기 제2 탱크(122-2))로 변경하기 위해 상기 공급 장치(120)가 상기 탱크-변경 공정을 수행하는 것을 명령하고 계획한다. 상기 처리-액체 탱크들(122)의 변경은, 예를 들면, 상기 처리-액체 탱크들(122)에 대해 배치되는 밸브들의 구성의 변경을 통해 구현될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 탱크-변경 공정은 단계 205에게 계획된 각각의 상기 기판(들)이 처리되면 한 번 수행된다. 그러나 다른 실시예에서, 상기 탱크-변경 공정은 상기 기판들의 전체 배치가 처리되었을 때에만 수행된다. 이 경우, 단계 215에서 상기 탱크-변경 공정을 계획하기 전에, 상기 제어 장치(140)는 상기 탱크-변경 공정을 이전에 상기 처리 장치(110) 내에서 상기 기판들의 배치의 각각의 처리되지 않은 기판(들)이 처리되는 것(필요할 경우)을 계획한다.In step 215, the control device 140 includes the processing liquid from the first configuration such that the switch element 121 provides the processing liquid from the first tank 122-1 to the second tank 122. -2) is allowed to be supplied to the processing device 110 from the first tank 122-1 (i.e., supply) In charge) order and plan the supply device 120 to perform the tank-change process to change the treatment-liquid tank to another tank (eg, the second tank 122-2) . The change of the treatment-liquid tanks 122 can be implemented, for example, through a change in the configuration of the valves arranged relative to the treatment-liquid tanks 122. In one embodiment, the tank-modifying process is performed once once each of the substrate(s) planned for step 205 is processed. However, in other embodiments, the tank-modifying process is performed only when the entire batch of substrates has been processed. In this case, before planning the tank-changing process in step 215, the control device 140 prioritizes the tank-changing process to each unprocessed substrate of the batch of substrates within the processing device 110. Plan what(s) will be processed (if necessary).

여기서 사용되고 대체되는 상기 처리-액체 탱크(122)가 앞서의 예에 한정되는 것은 아닌 점에 유의하여야 한다. 상술한 과정의 일 예에서, 상기 제1 및 제2 탱크들(122-1, 122-2)은 서로 교환될 수 있다. 다시 말하면, 일 예에서 상기 탱크-변경 공정은 상기 제2 탱크(122-2)로부터 상기 제1 탱크(122-1)까지 상기 액체 제공 탱크를 전환하기 위해 상기 제2 탱크(122-2)가 상기 처리 액체를 상기 처리 장치(110)의 챔버로 처음에 제공하고 있는 경우에 일어날 수 있다.It should be noted that the treatment-liquid tank 122 used and replaced herein is not limited to the previous example. In one example of the above-described process, the first and second tanks 122-1 and 122-2 may be exchanged with each other. In other words, in one example, the tank-changing process is performed by the second tank 122-2 to switch the liquid providing tank from the second tank 122-2 to the first tank 122-1. It may occur when the processing liquid is initially provided to the chamber of the processing apparatus 110.

단계 220에서, 상기 제어 장치(140)는 챔버-세정 공정이 수행되는 지를 결정한다. 그럴 경우, 상기 과정은 단계 225로 진행된다. 그렇지 않으면, 상기 과정은 단계 230으로 진행된다. 일 실시예에 따르면, 결정은 상기 스위치 요소(121)의 동작과 관련된 제2 파라미터가 제2 조건들 만족하는 지를 결정함에 의해 이루어질 수 있다. 상기 제2 파라미터는, 예를 들면, 상기 스위치 요소(121)가 전환되었단 수많은 횟수들이 될 수 있고, 상기 제2 조건은, 예를 들면, 상기 사용자에 의해 입력되는 상기 제어 정보를 기초로 하여 미리 결정된 문턱 값이 될 수 있다.In step 220, the control device 140 determines whether a chamber-cleaning process is performed. If so, the process proceeds to step 225. Otherwise, the process proceeds to step 230. According to one embodiment, the determination may be made by determining whether a second parameter related to the operation of the switch element 121 satisfies second conditions. The second parameter may be, for example, a number of times that the switch element 121 has been switched, and the second condition may be determined in advance based on, for example, the control information input by the user. It may be a determined threshold value.

단계 225에서, 상기 제어 장치(140)는 상기 세정기 장치(130)가 상기 처리 장치(110)의 세정을 위해 세제 액체를 상기 처리 장치(110) 내로 공급하게 명령하는 것을 포함하여 상기 세정기 장치(130) 및 상기 처리 장치(110)가 상기 챔버-세정 공정을 수행하는 것을 명령하고 계획한다.In step 225, the control device 140 includes the cleaning device 130, including the cleaning device 130 for supplying detergent liquid into the processing device 110 for cleaning of the processing device 110 ) And the processing device 110 command and plan to perform the chamber-cleaning process.

단계 230에서, 상기 제어 장치(140)는 시험 공정이 수행될 것인 지를 결정한다. 그럴 경우, 상기 과정은 단계 235로 진행된다. 그렇지 않을 경우, 상기 과정은 상기 기판들의 배치의 다른 부분이나 복수의 기판들의 다른 배치의 적어도 일부를 계획하기 위해 단계 205로 돌아갈 수 있다. 이러한 시험 공정은 상기 처리 액체를 제공하는 상기 처리-액체 탱크(122)가 변경되었던 후에 상기 처리 장치(110)가 정확하게 동작할 수 있는 점을 보장하기 위해 수행된다. 일 실시예에 따르면, 결정은 상기 시험 공정과 관련된 제3 파라미터에 기초하여 이루어질 수 있다. 제한적이지 않은 예로서, 상기 제3 파라미터는 플래그(flag)가 될 수 있고, 상기 결정은 상기 플래그가 특정한 값(들)으로 설정되는 지에 기초하여 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제어 장치(140)는 상기 제3 파라미터의 값을 설정 및/또는 변경할 수 있다. 예를 들면, 상기 제어 장치(140)는 상기 제3 파라미터가 상기 시험 공정이 수행되었어야 하는 것을 나타내는 제1 값, 또는 상기 시험 공정이 수행되지 않았어야 하는 것을 나타내는 제2 값으로 미리 설정할 수 있으며, 예를 들면, 이후에 상기 사용자에 의해 입력되는 상기 제어 정보에 기초하여 상기 제3 파라미터의 값을 변경할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제3 파라미터는 상기 시험 공정이 수행되었어야 하는 것을 나타내는 상기 제1 값으로 설정되며, 상기 제어 장치(140)는 상기 스위치 요소(121)의 전환 동작들의 소정의 숫자(예를 들면, 다섯) 후에 상기 제3 파라미터를 상기 시험 공정이 수행되지 않았어야 하는 것을 나타내는 상기 제2 값으로 설정할 것이다. 또한, 상기 제어 장치(140)는 상기 스위치 요소(121)의 전환 동작들의 소정의 숫자(예를 들면, 다섯) 후에 또는 소정의 시점에서 상기 제3 파라미터를 상기 제1 값으로 재설정할 수 있다.In step 230, the control device 140 determines if a test process will be performed. If so, the process proceeds to step 235. Otherwise, the process may return to step 205 to plan another portion of the placement of the substrates or at least a portion of another placement of the plurality of substrates. This test process is performed to ensure that the treatment device 110 can operate correctly after the treatment-liquid tank 122 providing the treatment liquid has been changed. According to one embodiment, the determination can be made based on a third parameter associated with the test process. As a non-limiting example, the third parameter may be a flag, and the determination may be made based on whether the flag is set to a specific value(s). In one embodiment, the control device 140 may set and/or change the value of the third parameter. For example, the control device 140 may preset the third parameter to a first value indicating that the test process should have been performed, or a second value indicating that the test process should not have been performed, For example, the value of the third parameter may be changed based on the control information input by the user later. In one embodiment, the third parameter is set to the first value indicating that the test process should have been performed, and the control device 140 has a predetermined number of switching operations of the switch element 121 (eg For example, after 5), the third parameter will be set to the second value indicating that the test process should not have been performed. In addition, the control device 140 may reset the third parameter to the first value after a predetermined number (eg, five) of switching operations of the switch element 121 or at a predetermined time.

단계 235에서, 상기 제어 장치(140)는 상기 처리 장치(110) 및 상기 공급 장치(120)가 상기 시험 공정을 수행하는 것을 명령하고 계획한다. 일 실시예에서, 상기 시험 공정이 수행되는 적어도 하나의 시험 기판이 상기 처리 장치(110)의 챔버 내에서 상기 공급 장치(120)로부터의 상기 처리 액체로 처리될 수 있다. 예를 들면, 상기 스위치 요소(121)가 상기 처리 액체가 상기 제2 탱크(122-2)로부터 제공되게 하는 상기 제2 구성으로 전환되는 경우, 적어도 하나의 시험 기판이 상기 처리 장치(110)의 챔버 내에서 상기 제2 탱크(122-2)로부터의 상기 처리 액체로 처리될 수 있다. 상기 시험 공정의 완료 후, 상기 과정은 상기 기판들의 배치의 다른 부분 또는 복수의 기판들의 다른 배치의 적어도 일부를 계획하기 위해 단계 205로 돌아갈 수 있다.In step 235, the control device 140 commands and plans that the processing device 110 and the supply device 120 perform the test process. In one embodiment, at least one test substrate on which the test process is performed may be treated with the processing liquid from the supply device 120 in the chamber of the processing device 110. For example, when the switch element 121 is switched to the second configuration that causes the processing liquid to be provided from the second tank 122-2, at least one test substrate of the processing device 110 is It can be treated with the processing liquid from the second tank 122-2 in the chamber. After completion of the test process, the process may return to step 205 to plan another portion of the placement of the substrates or at least a portion of another placement of the plurality of substrates.

도 2에 도시한 방법에서, 상기 탱크-변경 공정, 챔버-세정 공정 및 시험 공정이 모두 기계 장치들에 의해 자동적으로 계획되고 수행되는 점이 주목할 가치가 있다. 이에 따라, 관련 인적 자원들이 절감될 수 있고, 관련된 인적 부주의가 방지될 수 있다. 한편, 이러한 자동 과정은 시간 효율을 향상시킨다.It is worth noting that in the method shown in FIG. 2, the tank-change process, the chamber-clean process and the test process are all automatically planned and performed by mechanical devices. Accordingly, related human resources can be reduced and related human negligence can be prevented. Meanwhile, this automatic process improves time efficiency.

해당 기술 분야의 숙련자는 단계들 215-230이 도 2에 도시된 순서로 정확하게 수행될 필요성이 없는 점을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들면, 단계 220이 단계 210 이후 및 단계 225 이전에 수행되는 한은 임의의 시간에 수행될 수 있으며, 단계 230이 단계 210 이후 및 단계 235 이전에 수행되는 한은 임의의 시간에 수행될 수 있다.Those skilled in the art will understand that steps 215-230 need not be performed accurately in the order shown in FIG. 2. For example, as long as step 220 is performed after step 210 and before step 225, it can be performed at any time, and as long as step 230 is performed after step 210 and before step 235, it can be performed at any time.

상기 방법에 대해 다른 변형예들도 구현될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에서, 탱크-세정 공정이 수행되는 지를 결정하기 위한 단계가 상기 탱크-변경 공정이 수행되는 단계 210에서 결정된 후에 상기 제어 장치(140)에 의해 수행될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 결정은 상기 탱크-세정 공정이, 예를 들면, 플래그인 제4 파라미터가 특정 값으로 설정되는 지를 기초로 하여 수행될 수 있는 지에 관한 것이다. 상기 탱크-세정 공정이 수행되는 것으로 결정되는 경우, 상기 제어 장치(140)는 상기 처리 액체를 상기 처리 장치(110)로 제공하게 허용된 상기 처리-액체 탱크(122)를 상기 제1 탱크(122-1)로부터 상기 제2 탱크(122-2)로 변경하는 단계 215의 상기 탱크-변경 공정의 완료 후에, 상기 세정기 장치(130) 및 상기 제1 탱크(122-1)가 상기 탱크-세정 공정을 상기 제1 탱크(122-1)로 향해 수행하도록 명령하고 계획할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 상기 제어 장치(140)는 상기 탱크-세정 공정이 시간 효율을 위해 다른 공정과 나란하게(예를 들어 동시에) 수행되게 계획할 수 있다. 예를 들면, 상기 제어 장치(140)는 시간을 절감하기 위하여, 상기 세정기 장치(130) 및 상기 제1 탱크(122-1)에 의해 수행되는 상기 탱크-세정 공정이 상기 세정기 장치(130) 및 상기 처리 장치(110)에 의해 수행되는 상기 챔버-세정 공정, 또는 상기 공급 장치(120) 및 상기 처리 장치(110)에 의해 수행되는 상기 시험 공정, 혹은 상기 제2 탱크(122-2)로부터의 상기 처리 액체로 적어도 하나의 기판(150)에 대해 상기 처리 장치(110)에 의해 수행되는 공정과 나란하게 수행되도록 계획할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 탱크-세정 공정에서, 상기 처리 액체는 상기 제1 탱크(122-1)로부터 배출되며, 이후에 상기 세정기 장치(130)가 상기 제1 탱크(122-1)의 세정을 위해 상기 세제 액체를 상기 제1 탱크(122-1) 내로 제공한다. 일 실시예에서, 상기 탱크-세정 공정의 완료 후, 상기 제어 장치(140)는 상기 공급 장치(120)의 보충 장치가 상기 보충 액체(즉, 새로운/사용되지 않은 처리 액체)를 이제 세정된 제1 탱크(122-1) 내로 공급하도록 명령할 수 있으며, 이후에 상기 공급 장치(120)의 상기 온도 제어기 및 상기 순환 파이프라인을 이용하여 상기 제1 탱크(122-1) 내의 상기 처리 액체의 온도를 소정의 범위 내로 유지한다.Other variations of the method can also be implemented. For example, in one embodiment, a step for determining whether a tank-cleaning process is performed may be performed by the control device 140 after it is determined at step 210 where the tank-changing process is performed. According to one embodiment, the determination relates to whether the tank-cleaning process can be performed based on whether the fourth parameter, for example, a flag is set to a specific value. When it is determined that the tank-cleaning process is performed, the control device 140 provides the processing-liquid tank 122, which is allowed to provide the processing liquid to the processing device 110, in the first tank 122 After the completion of the tank-changing process of step 215 from -1) to the second tank 122-2, the scrubber device 130 and the first tank 122-1 are subjected to the tank-cleaning process. Can be ordered and planned to be performed toward the first tank 122-1. According to some embodiments, the control device 140 may schedule the tank-cleaning process to be performed side-by-side (eg simultaneously) with other processes for time efficiency. For example, in order to save time, the control device 140 may include the scrubber device 130 and the tank-cleaning process performed by the scrubber device 130 and the first tank 122-1. The chamber-cleaning process performed by the processing device 110, or the test process performed by the supply device 120 and the processing device 110, or from the second tank 122-2 The processing liquid may be planned to be performed in parallel with a process performed by the processing apparatus 110 for at least one substrate 150. According to one embodiment, in the tank-cleaning process, the treatment liquid is discharged from the first tank 122-1, after which the scrubber device 130 cleans the first tank 122-1. For this, the detergent liquid is provided into the first tank 122-1. In one embodiment, after completion of the tank-cleaning process, the control device 140 is configured so that the replenishment device of the feeder 120 is now cleaning the replenishment liquid (ie, new/unused treatment liquid). It is possible to command to supply into one tank 122-1, and thereafter using the temperature controller of the supply device 120 and the circulation pipeline to temperature the processing liquid in the first tank 122-1. Is kept within a predetermined range.

앞서의 설명에서, 설명의 목적을 위해 많은 특정 세부 사항들이 상기 실시예(들)의 완전한 이해를 제공하도록 설시되었다. 그러나 해당 기술 분야의 숙련자에게는 하나 또는 그 이상의 다른 실시예들이 이들 특정 세부 사항들의 일부 없이 실시될 수 있는 점이 명백해질 것이다. 또한, 본 명세서에 걸쳐 "하나의 실시예", "일 실시예", 서수 등으로 나타낸 실시예에 대한 언급은 특정한 특징, 구조 또는 특성이 본 발명의 실시에 포함될 수 있는 것을 의미한다. 또한, 발명의 상세한 설명에서 다양한 특징들이 때때로 단일 실시예, 도면, 또는 그 설명에서 본 발명을 간략화하고, 다양한 본 발명의 측면들의 이해에 기여하기 위한 목적으로 함께 그룹으로 되며, 하나의 실시예로부터의 하나 또는 그 이상의 특징들이나 특정 세부 사항들이 본 발명의 실시에서 적절한 경우에 다른 실시예로부터의 하나 또는 그 이상의 특징들이나 특정 세부 사항들과 함께 실시될 수 있는 점이 이해되어야 할 것이다.In the preceding description, for purposes of explanation, many specific details have been set forth to provide a thorough understanding of the embodiment(s) above. However, it will be apparent to one skilled in the art that one or more other embodiments may be practiced without some of these specific details. In addition, reference to the embodiments expressed as "one embodiment", "one embodiment", ordinal number, etc. throughout this specification means that specific features, structures, or characteristics may be included in the practice of the present invention. In addition, various features in the detailed description of the invention are sometimes grouped together for the purpose of simplifying the invention in a single embodiment, a drawing, or a description thereof and contributing to the understanding of various aspects of the invention, from one embodiment It should be understood that one or more features or specific details of can be practiced with one or more features or specific details from other embodiments where appropriate in the practice of the present invention.

본 발명을 예시적인 실시예로 간주되는 경우와 함께 설명하였지만, 본 발명이 개시된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 모든 변형들 및 균등한 배치들을 포괄하도록 가장 넓은 해석의 사상과 범주 내에 포함되는 다양한 배치들을 포함하도록 의도된 점이 이해될 것이다. Although the present invention has been described in conjunction with cases considered to be exemplary embodiments, the present invention is not limited to the disclosed embodiments, and various arrangements are included within the broadest spirit and scope of interpretation to cover all variations and equivalent arrangements. It will be understood that it is intended to include.

110：처리 장치 120：공급 장치
121：스위치 요소 122-1：제1 탱크
122-2：제2 탱크 130：세정기 장치
131：세제 탱크 140：제어 장치
141：입력 모듈 142：프로세서
150：기판110: processing unit 120: supply unit
121: switch element 122-1: first tank
122-2: Second tank 130: Washing machine
131: detergent tank 140: control unit
141: Input module 142: Processor
150: Substrate

Claims (11)

기판들을 처리하기 위한 방법에 있어서,
처리 장치(110)의 챔버 내에서 처리되기 위한 적어도 하나의 기판(150)을 계획하는 단계를 포함하고;
처리 액체의 소모와 관련된 제1 파라미터가 제1 조건을 만족할 때, 상기 적어도 하나의 기판(150)을 처리하기 위해 상기 처리 액체를 상기 처리 장치(110) 내로 제공할 수 있는 공급 장치(120)의 스위치 요소(121)가 상기 처리 액체가 상기 공급 장치(120)의 제1 탱크(122-1)로부터 상기 처리 장치(110)로 제공되게 하는 제1 구성으로부터 상기 처리 액체가 상기 공급 장치(120)의 제2 탱크(122-2)로부터 상기 처리 장치(110)로 제공되게 하는 제2 구성으로 전환되도록 명령하는 단계를 포함하며;
상기 스위치 요소(121)의 동작과 관련된 제2 파라미터가 제2 조건을 만족할 때, 세정기 장치(130)가 상기 처리 장치(110)를 세정하기 위해 세제 액체를 상기 처리 장치(110) 내로 제공하도록 명령하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.A method for processing substrates,
Planning at least one substrate 150 for processing within the chamber of the processing apparatus 110;
When a first parameter related to consumption of processing liquid satisfies a first condition, a supply device 120 capable of providing the processing liquid into the processing device 110 to process the at least one substrate 150 The processing liquid is supplied to the supply device 120 from a first configuration in which a switch element 121 causes the processing liquid to be provided from the first tank 122-1 of the supply device 120 to the processing device 110. And instructing to switch from the second tank 122-2 to a second configuration that is provided to the processing device 110;
When a second parameter related to the operation of the switch element 121 satisfies a second condition, a cleaner device 130 is instructed to provide detergent liquid into the processing device 110 to clean the processing device 110. Method comprising the steps of. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 파라미터는 상기 제1 구성으로의 상기 스위치 요소(121)의 가장 최근의 전환으로 인한 상기 처리 장치(110) 내에서 처리된 많은 기판들(150)의 하나, 상기 제1 구성으로의 상기 스위치 요소(121)의 가장 최근의 전환으로 인한 경과된 시간, 상기 제1 구성으로의 상기 스위치 요소(121)의 가장 최근의 전환으로 인한 상기 제1 탱크(122-1)로부터 상기 처리 장치(110)로 제공되는 상기 처리 액체의 전체 양, 상기 제1 구성으로의 상기 스위치 요소(121)의 가장 최근의 전환으로 인한 상기 제1 탱크(122-1)로부터 상기 처리 장치(110)로 제공되는 상기 처리 액체의 누적 시간, 그리고 이들의 결합이며;
상기 제1 조건은 적어도 하나의 소정의 문턱 값인 것을 특징으로 하는 방법.According to claim 1,
The first parameter is one of the many substrates 150 processed in the processing apparatus 110 due to the most recent transition of the switch element 121 to the first configuration, and the first configuration to the first configuration. The elapsed time due to the most recent changeover of the switch element 121, the processing device 110 from the first tank 122-1 due to the most recent changeover of the switch element 121 to the first configuration ), the total amount of the processing liquid provided, the first tank 122-1 from the first tank 122-1 due to the most recent switchover of the switch element 121 to the first configuration. Cumulative time of treatment liquid, and combinations thereof;
And wherein the first condition is at least one predetermined threshold value. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 파라미터 시간이며, 상기 제1 조건은 소정의 시점인 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1, wherein the first parameter time, and the first condition is a predetermined time point. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 파라미터는 상기 스위치 요소(121)가 전환된 횟수이고, 상기 제2 조건은 소정의 문턱 값인 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1, wherein the second parameter is the number of times the switch element (121) has been switched, and the second condition is a predetermined threshold value. 제 1 항에 있어서,
상기 스위치 요소(121)가 상기 제2 구성으로 전환된 후에 상기 처리 액체가 상기 제1 탱크(122-1) 대신에 상기 제2 탱크(122-2)로부터 제공되게 하는 단계 및 상기 처리 장치(110) 내로의 상기 세제 액체의 상기 세정기 장치(130)에 의한 제공과 나란하게 상기 세정기 장치(130)가 상기 제1 탱크(122-1)를 세정하기 위해 상기 세제 액체를 제1 탱크(122-1) 내로 제공하도록 명령하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.According to claim 1,
Allowing the processing liquid to be provided from the second tank 122-2 instead of the first tank 122-1 after the switch element 121 is switched to the second configuration and the processing device 110 ) In parallel with the provision of the detergent liquid by the scrubber device 130, the scrubber device 130 cleans the detergent liquid into the first tank 122-1 to clean the first tank 122-1. ). 제 1 항에 있어서,
상기 스위치 요소(121)가 상기 제2 구성으로 전환된 후에 상기 처리 액체가 상기 제1 탱크(122-1) 대신에 상기 제2 탱크(122-2)로부터 제공되게 하는 단계 및 상기 적어도 하나의 기판(105)을 처리하기 위해 상기 처리 장치(110)의 챔버 내로의 상기 처리 액체의 상기 제2 탱크(122-2)에 의한 제공과 나란하게 상기 세정기 장치(130)가 상기 제1 탱크(122-1)를 세정하기 위해 상기 세제 액체를 제1 탱크(122-1) 내로 제공하도록 명령하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.According to claim 1,
Allowing the processing liquid to be provided from the second tank 122-2 instead of the first tank 122-1 after the switch element 121 is switched to the second configuration and the at least one substrate In order to process 105, the scrubber device 130 is coupled to the first tank 122- in parallel with the provision of the processing liquid by the second tank 122-2 into the chamber of the processing device 110. 1) further comprising instructing to provide said detergent liquid into a first tank (122-1) for cleaning. 제 1 항에 있어서,
상기 스위치 요소(121)가 상기 제2 구성으로 전환된 후에 시험 공정과 관련된 제3 파라미터에 기초하여 상기 시험 공정이 수행되는 지를 결정하는 단계;
상기 시험 공정이 수행되는 것으로 결정될 때, 상기 처리 장치(110) 및 상기 공급 장치(120)가 시험 기판이 상기 처리 장치(110)의 챔버 내에서 처리되는 상기 시험 공정을 수행할 것을 명령하는 단계 및 상기 시험 공정이 완료된 후, 상기 처리 장치(110)의 챔버 내에서 처리되는 적어도 하나의 다른 기판(150)을 계획하는 단계; 및
상기 시험 공정이 수행되지 않는 것으로 결정될 때, 상기 처리 장치(110)의 챔버 내에서 처리되는 적어도 하나의 다른 기판(150)을 계획하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.According to claim 1,
Determining whether the test process is performed based on a third parameter related to a test process after the switch element 121 is switched to the second configuration;
When it is determined that the test process is performed, instructing the processing device 110 and the supply device 120 to perform the test process in which a test substrate is processed in a chamber of the processing device 110, and After the test process is completed, planning at least one other substrate 150 to be processed in the chamber of the processing apparatus 110; And
And when it is determined that the test process is not to be performed, further comprising planning at least one other substrate 150 to be processed in the chamber of the processing apparatus 110. 제 7 항에 있어서,
상기 시험 공정이 수행되는 것으로 결정될 때, 상기 스위치 요소(121)가 상기 처리 액체가 상기 제1 탱크(122-1)로부터 대신에 상기 제2 탱크(122-2)로부터 제공되게 하는 상기 제2 구성으로 전환된 후에 상기 세정기 장치(130)가 상기 시험 공정과 나란하게 상기 제1 탱크(122-1)를 세정하기 위해 상기 세제 액체를 상기 제1 탱크(122-1) 내로 제공하도록 명령하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 7,
When it is determined that the test process is performed, the second configuration in which the switch element 121 causes the processing liquid to be provided from the second tank 122-2 instead of from the first tank 122-1. Instructing the washer device 130 to provide the detergent liquid into the first tank 122-1 to clean the first tank 122-1 in parallel with the test process after being switched to Method characterized in that it further comprises. 기판들(150)을 처리하기 위한 장치(100)에 있어서,
챔버를 포함하고, 상기 챔버 내에 기판(150)을 수용하도록 구성되는 처리 장치(110)를 구비하며;
상기 기판(150)을 처리하기 위해 처리 액체를 상기 처리 장치(110) 내로 제공하도록 구성되는 공급 장치(120)를 구비하며, 상기 공급 장치(120)는 상기 처리 액체를 저장하기 위한 복수의 탱크들(122) 및 상기 탱크들(122)의 하나가 상기 처리 액체를 상기 처리 장치(110)에 제공하게 하도록 동작할 수 있는 스위치 요소(121)를 포함하며;
상기 처리 장치(110)를 세정하기 위해 세제 액체를 상기 처리 장치(110) 내로 제공할 수 있도록 구성되는 세정기 장치(130)를 구비하고;
제어 장치(140)를 구비하며, 상기 제어 장치(140)는,
상기 처리 액체의 소모와 관련된 제1 파라미터가 제1 조건을 만족할 때, 상기 스위치 요소(121)가 상기 복수의 탱크들(122)의 제1 탱크(122-1)가 상기 처리 액체를 상기 처리 장치(110)로 제공하게 하는 제1 구성으로부터 상기 복수의 탱크들(122)의 제2 탱크(122-2)가 상기 처리 액체를 상기 처리 장치(110)로 제공하게 하는 제2 구성으로 전환되도록 명령하며,
상기 스위치 요소(121)의 동작과 관련된 제2 파라미터가 제2 조건을 만족할 때, 상기 세정기 장치(130)가 상기 처리 장치(110) 내로 상기 세제 액체를 제공하도록 명령하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 장치(100).In the apparatus 100 for processing the substrates 150,
A processing apparatus 110 including a chamber and configured to receive a substrate 150 in the chamber;
And a supply device 120 configured to provide processing liquid into the processing device 110 to process the substrate 150, wherein the supply device 120 includes a plurality of tanks for storing the processing liquid. 122 and a switch element 121 operable to cause one of the tanks 122 to provide the processing liquid to the processing device 110;
A cleaner device 130 configured to provide detergent liquid into the processing device 110 to clean the processing device 110;
A control device 140 is provided, and the control device 140 includes:
When the first parameter related to the consumption of the processing liquid satisfies the first condition, the switch element 121 causes the first tank 122-1 of the plurality of tanks 122 to receive the processing liquid from the processing device Command to switch from a first configuration to provide 110 to a second configuration to allow the second tank 122-2 of the plurality of tanks 122 to provide the processing liquid to the processing device 110 And
A device configured to instruct the scrubber device 130 to provide the detergent liquid into the processing device 110 when a second parameter related to the operation of the switch element 121 satisfies a second condition. (100). 제 9 항에 있어서,
상기 제1 파라미터는 상기 제1 구성으로의 상기 스위치 요소(121)의 가장 최근의 전환으로 인한 상기 처리 장치(110) 내에서 처리된 많은 기판들(150)의 하나, 상기 제1 구성으로의 상기 스위치 요소(121)의 가장 최근의 전환으로 인한 경과된 시간, 상기 제1 구성으로의 상기 스위치 요소(121)의 가장 최근의 전환으로 인한 상기 제1 탱크(122-1)로부터 상기 처리 장치(110)로 제공되는 상기 처리 액체의 전체 양, 상기 제1 구성으로의 상기 스위치 요소(121)의 가장 최근의 전환으로 인한 상기 제1 탱크(122-1)로부터 상기 처리 장치(110)로 제공되는 상기 처리 액체의 누적 시간, 그리고 이들의 결합이며;
상기 제1 조건은 적어도 하나의 소정의 문턱 값이고;
상기 제2 파라미터는 상기 스위치 요소 (121)가 전환된 횟수이며;
상기 제2 조건은 다른 소정의 문턱 값인 것을 특징으로 하는 장치(100).The method of claim 9,
The first parameter is one of the many substrates 150 processed in the processing apparatus 110 due to the most recent transition of the switch element 121 to the first configuration, and the first configuration to the first configuration. The elapsed time due to the most recent changeover of the switch element 121, the processing device 110 from the first tank 122-1 due to the most recent changeover of the switch element 121 to the first configuration ), the total amount of the processing liquid provided, the first tank 122-1 from the first tank 122-1 due to the most recent switchover of the switch element 121 to the first configuration. Cumulative time of treatment liquid, and combinations thereof;
The first condition is at least one predetermined threshold value;
The second parameter is the number of times the switch element 121 has been switched;
The second condition is a device 100, characterized in that the other predetermined threshold value. 제 9 항에 있어서,
상기 제1 파라미터는 시간이고;
상기 제1 조건의 소정의 시점이며;
상기 제2 파라미터는 상기 스위치 요소 (121)가 전환된 횟수이고;
상기 제2 조건은 소정의 문턱 값인 것을 특징으로 하는 장치(100).The method of claim 9,
The first parameter is time;
Is a predetermined time point of the first condition;
The second parameter is the number of times the switch element 121 has been switched;
The second condition is a device 100, characterized in that a predetermined threshold value.
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