KR20180002101A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 액 처리하는 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 기판을 처리한 액을 회수하는 처리 용기, 그리고 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 황산을 포함하는 제1액을 공급하는 제1노즐 부재 및 유기 용제를 포함하는 제2액을 공급하는 제2노즐 부재를 포함하고, 상기 제어기는 기판을 액 처리하는 중에 상기 제1노즐 부재로부터 제1액이 토출되는 동안에 상기 제2노즐 부재로부터 제2액이 미토출되도록 상기 제2노즐 부재에 인터락을 발생시키고, 상기 제2노즐 부재로부터 제2액이 토출되는 동안에 상기 제1노즐 부재로부터 제2액이 미토출되도록 상기 제1노즐 부재에 인터락을 발생시킨다. 이로 인해 제1액 및 제2액이 혼합되는 것을 방지할 수 있다.The present invention provides an apparatus and a method for liquid-treating a substrate. An apparatus for treating a substrate includes a substrate holding unit for holding the substrate, a liquid supply unit for supplying the liquid to the substrate supported by the substrate holding unit, a processing vessel surrounding the substrate holding unit, And a controller for controlling the liquid supply unit, wherein the liquid supply unit includes a first nozzle member for supplying a first liquid containing sulfuric acid and a second nozzle member for supplying a second liquid containing organic solvent And the controller generates an interlock in the second nozzle member so that the second liquid is not ejected from the second nozzle member while the first liquid is being ejected from the first nozzle member during liquid processing of the substrate, An interlock is generated in the first nozzle member so that the second liquid is not ejected from the first nozzle member while the second liquid is ejected from the second nozzle member. As a result, the first liquid and the second liquid can be prevented from being mixed.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for liquid-treating a substrate.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 세정 공정은 기판 상에 잔류된 파티클을 제거하는 공정으로, 각각의 공정 전후 단계에서 진행된다.To fabricate semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate. Among these, the cleaning process is a process of removing particles remaining on the substrate, and proceeds in the stages before and after each process.

일반적으로 기판의 세정 공정은 기판 상에 케미칼 및 유기 용제를 각각 공급하여 이물을 제거하는 공정이다. 세정 공정에 사용되는 케미칼은 산성의 액으로 제공되고, 유기 용제는 염기성의 액으로 제공된다. 케미칼과 유기 용제는 서로 반응하여 다량의 퓸이 발생되며, 폭발의 위험이 있다. 이에 따라 도 1과 같이, 케미칼 공정은 케미칼 챔버(2)에서 진행되고, 용제 치환 공정은 케미칼 챔버(2)와 상이한 건조 챔버(4)에서 진행된다. In general, a cleaning process of a substrate is a process of supplying a chemical and an organic solvent onto a substrate to remove foreign matter. The chemical used in the cleaning process is provided as an acidic liquid, and the organic solvent is provided as a basic liquid. The chemical and organic solvents react with each other and generate a large amount of fumes, which may cause explosion. 1, the chemical process proceeds in the chemical chamber 2, and the solvent replacement process proceeds in the drying chamber 4, which is different from the chemical chamber 2.

이로 인해 용제 치환 공정을 수행하기 위해서는 기판을 케미칼 챔버(2)에서 건조 챔버(4)로 반송해야 한다. 그러나 기판을 반송하는 과정은 기판을 로딩 및 언로딩 하는 등 많은 시간이 소요된다. 또한 기판은 반송되는 중에 그 표면이 자연 건조되는 것을 방지하기 위해, 기판을 젖음 상태로 유지시켜야 하나, 반송 과정 중에는 기판의 일부가 건조되어 공정 불량이 발생될 수 있다.Therefore, in order to perform the solvent replacement process, the substrate must be returned from the chemical chamber 2 to the drying chamber 4. However, the process of transporting the substrate requires much time, such as loading and unloading the substrate. Also, in order to prevent the surface of the substrate from being dried naturally while being transported, the substrate must be maintained in a wet state, but a part of the substrate may be dried during the transportation process, resulting in a process failure.

본 발명은 단일 챔버 내에서 기판의 케미칼 처리 공정 및 용제 치환 공정을 수행할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to an apparatus and method for performing a chemical treatment process and a solvent replacement process of a substrate in a single chamber.

또한 본 발명은 기판을 신속하게 세정 처리할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.The present invention also provides an apparatus and method for rapidly cleaning a substrate.

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 액 처리하는 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 기판을 처리한 액을 회수하는 처리 용기, 그리고 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 황산을 포함하는 제1액을 공급하는 제1노즐 부재 및 유기 용제를 포함하는 제2액을 공급하는 제2노즐 부재를 포함하고, 상기 제어기는 기판을 액 처리하는 중에 상기 제1노즐 부재로부터 제1액이 토출되는 동안에 상기 제2노즐 부재로부터 제2액이 미토출되도록 상기 제2노즐 부재에 인터락을 발생시키고, 상기 제2노즐 부재로부터 제2액이 토출되는 동안에 상기 제1노즐 부재로부터 제2액이 미토출되도록 상기 제1노즐 부재에 인터락을 발생시킨다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and a method for liquid-treating a substrate. An apparatus for treating a substrate includes a substrate holding unit for holding the substrate, a liquid supply unit for supplying the liquid to the substrate supported by the substrate holding unit, a processing vessel surrounding the substrate holding unit, And a controller for controlling the liquid supply unit, wherein the liquid supply unit includes a first nozzle member for supplying a first liquid containing sulfuric acid and a second nozzle member for supplying a second liquid containing organic solvent And the controller generates an interlock in the second nozzle member so that the second liquid is not ejected from the second nozzle member while the first liquid is being ejected from the first nozzle member during liquid processing of the substrate, An interlock is generated in the first nozzle member so that the second liquid is not ejected from the first nozzle member while the second liquid is ejected from the second nozzle member.

상기 장치는 상기 처리 용기와 상기 기판 지지 유닛 간에 상대 높이가 조절하며 상기 제어기에 의해 제어되는 승강 유닛을 더 포함하되, 상기 처리 용기는 제1액이 유입되는 제1유입구를 가지며, 제1액을 회수하는 제1회수통 및 상기 제1유입구와 상이한 높이에 위치되고 제2액이 유입되는 제2유입구를 가지며, 제2액을 회수하는 제2회수통을 포함하고, 상기 제어기는 상기 처리 용기와 상기 기판 지지 유닛 간 상대 높이에 따라 상기 제1노즐 부재 및 상기 제2노즐 부재 중 하나에 인터락을 발생시킬 수 있다. 상기 제어기는 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판이 상기 제1유입구에 마주보도록 위치되면 상기 제2노즐 부재에 인터락을 발생시키고, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판이 상기 제2유입구에 마주보도록 위치되면 상기 제1노즐 부재에 인터락이 발생되도록 상기 승강 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다. 상기 장치는 상기 처리 용기와 상기 기판 지지 유닛 간 상대 위치를 측정하는 센서를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 센서로부터 전달되는 위치 정보를 근거로 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판이 상기 제1유입구에 마주보도록 위치되면 상기 제2노즐 부재에 인터락을 발생시키고, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판이 상기 제2유입구에 마주보도록 위치되면 상기 제1노즐 부재에 인터락이 발생되도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다. The apparatus further includes a lift unit that adjusts a relative height between the processing vessel and the substrate supporting unit and is controlled by the controller, the processing vessel having a first inlet through which the first liquid flows, And a second recovery tube for recovering a second liquid, the second recovery tube having a first recovery tank for recovery and a second inlet positioned at a different height from the first inlet and for introducing a second solution, And interlocking can be generated in one of the first nozzle member and the second nozzle member according to a relative height between the substrate supporting units. Wherein the controller causes interlocking of the second nozzle member when the substrate supported by the substrate support unit is positioned to face the first inlet, and wherein the substrate supported by the substrate support unit is positioned so as to face the second inlet The control unit controls the elevation unit and the liquid supply unit so that an interlock is generated in the first nozzle member. The apparatus further includes a sensor for measuring a relative position between the processing container and the substrate supporting unit, wherein the controller controls the substrate supported on the substrate supporting unit based on the positional information transmitted from the sensor to the first inlet The liquid supply unit is controlled so as to generate an interlock in the first nozzle member when the substrate supported by the substrate support unit is positioned to face the second inlet, can do.

상기 장치는 상기 처리 용기의 일측에 위치되며, 상기 제1노즐 부재 및 상기 제2노즐 부재가 대기 가능한 홈 포트를 더 포함하고, 상기 제1노즐 부재 및 상기 제2노즐 부재 각각은 상기 기판 지지 유닛과 마주보는 공정 위치 및 상기 홈 포트에 대기되는 대기 위치로 이동 가능하되, 상기 대기 위치에 위치되는 상기 제1노즐 부재 및 상기 제2노즐 부재에 대해서는 인터락이 해제될 수 있다. Wherein the apparatus further comprises a home port positioned on one side of the processing vessel and capable of being put on standby by the first nozzle member and the second nozzle member and wherein each of the first nozzle member and the second nozzle member comprises: And the first nozzle member and the second nozzle member positioned at the standby position can be released from the interlocked state.

기판을 액 처리하는 방법은 상기 기판 상에 황산을 포함하는 제1액을 공급하는 제1액 공급 단계 및 상기 기판 상에 유기 용제를 포함하는 제2액을 공급하는 제2액 공급 단계를 포함하되, 상기 제1액이 토출되는 중에는 상기 제2액의 토출을 인터락하고, 상기 제2액이 토출되는 중에는 상기 제1액의 토출을 인터락한다.A method of liquid-treating a substrate includes a first liquid supplying step of supplying a first liquid containing sulfuric acid onto the substrate and a second liquid supplying step of supplying a second liquid containing organic solvent onto the substrate Interlocks the discharge of the second liquid while the first liquid is being discharged, and interrupts the discharge of the first liquid while the second liquid is being discharged.

상기 유기 용제는 이소프로필알코올(IPA)을 포함하는 액으로 제공될 수 있다. 상기 기판을 처리한 상기 제1액은 처리 용기에 제공되는 제1유입구를 통해 회수되고, 상기 기판을 처리한 상기 제2액은 상기 처리 용기에서 상기 제1유입구와 상이한 높이에 제공되는 제2유입구를 통해 상기 제1액과 분리 회수되되, 상기 기판이 상기 제1유입구에 마주보게 위치되면 상기 제2액의 토출을 인터락하고, 상기 기판이 상기 제2유입구에 마주보게 위치되면 상기 제1액의 토출을 인터락할 수 있다. The organic solvent may be provided in a liquid containing isopropyl alcohol (IPA). Wherein the first liquid having been treated with the substrate is recovered through a first inlet provided in the processing vessel and the second liquid having been treated with the substrate has a second inlet provided at a different height from the first inlet in the processing vessel, Wherein the substrate is interposed between the first liquid and the second liquid. When the substrate is positioned facing the first inlet, the liquid is interlocked with the discharge of the second liquid. When the substrate is positioned facing the second inlet, Can interleave the discharge of the ink.

상기 제1액을 토출하는 제1노즐은 상기 제1액 공급 단계를 제외하고 상기 처리 용기의 일측에 위치되는 홈 포트에 대기되며, 상기 제2액을 토출하는 제2노즐은 상기 제2액 공급 단계를 제외하고 상기 홈 포트에 대기되되, 상기 홈 포트에 대기되는 상기 제1노즐 및 상기 제2노즐에 대해서는 인터락이 해제될 수 있다.Wherein the first nozzle for discharging the first liquid is queued in a home port located at one side of the processing vessel except for the first liquid supplying step, The interlock may be released for the first nozzle and the second nozzle that are queued in the home port but are waiting for the home port.

본 발명의 실시예에 의하면, 제1액 처리 공정 및 제2액 처리 공정은 단일 챔버 내에서 진행된다. 이로 인해 기판을 신속하게 세정 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first liquid treatment process and the second liquid treatment process proceed in a single chamber. As a result, the substrate can be quickly cleaned.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제1액 및 제2액 중 하나가 토출되는 중에는 다른 하나의 토출이 인터락된다. 이로 인해 제1액 및 제2액이 혼합되는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, while one of the first liquid and the second liquid is being discharged, the other discharge is interlocked. As a result, the first liquid and the second liquid can be prevented from being mixed.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판과 회수통들 간에 상대 위치에 따라 제1액 및 제2액 중 하나를 인터락한다. 이로 인해 제1액 및 제2액이 혼합 회수되는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, one of the first liquid and the second liquid is interlocked according to the relative position between the substrate and the collection bins. As a result, mixing and recovery of the first liquid and the second liquid can be prevented.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 홈 포트에 대기되는 노즐 부재에 대해서는 인터락이 해제된다. 이로 인해 노즐의 예비 토출이 인터락되는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the interlocking of the nozzle member waiting in the home port is released. Thus, it is possible to prevent the preliminary discharge of the nozzles from interlocking.

도 1은 일반적인 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 5 내지 도 8은 도 3의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 9는 도 6의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a plan view showing a general substrate processing facility.
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
FIG. 4 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3. FIG.
5 to 8 are views illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG.
9 is a cross-sectional view showing another embodiment of Fig.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 실시예에는 제1액 및 제2액을 이용하여 기판을 세정 처리하는 공정을 일 예로 설명한다. 그러나 본 실시예는 세정 공정에 한정되지 않고, 식각 공정, 애싱 공정 및 현상 공정 등과 같이, 2 이상의 액을 이용하여 기판을 처리하는 공정이라면 다양하게 적용 가능하다. In this embodiment, a process of cleaning the substrate by using the first liquid and the second liquid is described as an example. However, the present embodiment is not limited to the cleaning process, and can be applied variously as long as it is a process for processing a substrate using two or more liquids, such as an etching process, an ashing process, and a developing process.

이하, 도 2 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2 to FIG.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a process processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. In the load port 120, a carrier 18 in which a substrate W is housed is seated. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the process module 20 and the like. The carrier 18 is provided with a plurality of slots (not shown) for accommodating the substrates W horizontally with respect to the paper surface. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버들(260)이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버들(260)이 제공된다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260 are provided at one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B. Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ In the buffer unit 220, a slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced along the third direction 16 from each other. The buffer unit 220 is opened on the side facing the transfer frame 140 and on the side facing the transfer chamber 240.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 18 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 18 and another portion of the index arms 144c from the carrier 18 to the processing module 20, ). ≪ / RTI > This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암들(244c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버들(260)은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치들(300)은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The process chamber 260 is provided with a substrate processing apparatus 300 that performs a cleaning process on the substrate W. The substrate processing apparatus 300 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. The process chambers 260 may be divided into a plurality of groups so that the substrate processing apparatuses 300 in the process chambers 260 belonging to the same group are identical to one another, The structures of the processing apparatus 300 may be provided differently from each other.

도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 기판 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 홈 포트, 액 공급 유닛(370), 그리고 제어기(450)를 포함한다. 3 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. FIG. 4 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3. FIG. 3 and 4, the substrate processing apparatus 300 includes a processing vessel 320, a substrate supporting unit 340, a lift unit 360, a groove port, a liquid supply unit 370, and a controller 450. [ .

처리 용기(320)는 내부에 처리 공간을 가지며, 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(320)은 제1회수통(322), 중간 회수통(324), 그리고 제2회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 제1회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간 회수통(324)은 제1회수통(322)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되며, 제2회수통(326)은 중간 회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제1회수통(322)의 내측 공간(322a)은 액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 중간 회수통(324)과 제1회수통(322)의 사이 공간(324a)은 중간 회수통(324)으로 액이 유입되는 중간 유입구(324a)로서 기능한다. 중간 회수통(324)과 제2회수통(326)의 사이 공간(326a)은 제2회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,324a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,324,326)의 저면 아래에는 회수관(322b,324b,326b)이 연결된다. The processing vessel 320 has a processing space therein and has a cylindrical shape with an open top. The processing vessel 320 has a first recovery vessel 322, an intermediate recovery vessel 324, and a second collection vessel 326. Each of the recovery cylinders 322, 324, and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The first recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support unit 340 and the intermediate recovery cylinder 324 is provided in an annular ring shape surrounding the first recovery cylinder 322, The recovery bottle 326 is provided in the shape of an annular ring surrounding the intermediate recovery bottle 324. The inner space 322a of the first collection tube 322 functions as a first inlet 322a through which the liquid flows. The space 324a between the intermediate recovery cylinder 324 and the first recovery cylinder 322 functions as an intermediate inflow opening 324a through which the liquid flows into the intermediate recovery cylinder 324. [ The space 326a between the intermediate recovery cylinder 324 and the second recovery cylinder 326 functions as a second inlet 326a through which the process liquid flows into the second recovery cylinder 326. [ According to one example, each of the inlets 322a, 324a, 326a may be positioned at different heights. Recovery pipes 322b, 324b, and 326b are connected to the bottoms of the recovery cylinders 322, 324, and 326, respectively.

기판 지지 유닛(340)은 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(340)은 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 원형으로 제공되는 상부면 및 하부면을 가진다. 몸체(342)의 하부면은 그 상부면에 비해 작은 직경을 가진다. 몸체(342)의 상부면 및 하부면은 그 중심축이 서로 일치하도록 위치된다. 몸체(342)의 하부면에는 구동부(349)에 의해 회전 가능한 지지축(348)이 고정결합된다.The substrate support unit 340 supports the substrate W. The substrate support unit 340 rotates the substrate W during the process. The substrate support unit 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface and a bottom surface provided in a circular shape. The lower surface of the body 342 has a smaller diameter than the upper surface thereof. The upper and lower surfaces of the body 342 are positioned such that their central axes coincide with each other. A support shaft 348 rotatable by a driving unit 349 is fixedly coupled to a lower surface of the body 342.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 344 support the rear edge of the substrate W such that the substrate W is spaced from the upper surface of the body 342 by a predetermined distance.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W such that the substrate W is not laterally displaced in place when the substrate W is rotated. The chuck pin 346 is provided to allow linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. The chuck pin 346 is positioned in the standby position and the chuck pin 346 is positioned in the supporting position when the substrate W is being processed with respect to the substrate W. [ At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)과 기판 지지 유닛(340) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 기판 지지 유닛(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 처리 용기(320)는 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 로딩되거나, 언로딩될 때 기판 지지 유닛(340)이 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 처리 용기(320)는 그 높이가 고정되고, 기판 지지 유닛(340)의 몸체(342)가 상하 방향으로 이동될 수 있다.The lift unit 360 adjusts the relative height between the processing container 320 and the substrate supporting unit 340. The elevating unit 360 moves the processing vessel 320 linearly in the vertical direction. The relative height of the processing vessel 320 to the substrate supporting unit 340 is changed as the processing vessel 320 is moved up and down. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the processing container 320 and a moving shaft 364 which is moved upward and downward by a driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The processing vessel 320 is lowered such that the substrate supporting unit 340 protrudes to the upper portion of the processing vessel 320 when the substrate W is loaded into or unloaded from the substrate supporting unit 340. When the process is performed, the height of the process container 320 is adjusted so that the process liquid may flow into the predetermined collection container 360 according to the type of the process liquid supplied to the substrate W. Alternatively, the height of the processing vessel 320 may be fixed, and the body 342 of the substrate supporting unit 340 may be moved up and down.

홈 포트(400)는 액 공급 유닛(370)의 노즐들(374)이 대기하는 공간을 제공한다. 홈 포트(400)는 제1대기 포트(410) 및 제2대기 포트(420)를 포함한다. 제1대기 포트(410)에는 제1노즐 부재(370a)가 대기되고, 제2대기 포트(420)에는 제2노즐 부재(370b) 및 린스 노즐 부재(370c)가 대기된다. 제1대기 포트(410) 및 제2대기 포트(420) 각각은 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 제1대기 포트(410)는 처리 용기(320)의 일측에 위치되고, 제2대기 포트(420)는 처리 용기(320)의 타측에 위치된다. 제1대기 포트(410)에는 제1노즐 부재(370a)로부터 토출되는 제1액이 수용되는 제1수용 공간이 형성된다. 제2대기 포트(420)에는 제2노즐 부재(370b)로부터 토출되는 제2액이 수용되는 제2수용 공간이 형성된다. The groove port 400 provides a space for the nozzles 374 of the liquid supply unit 370 to stand by. The home port 400 includes a first standby port 410 and a second standby port 420. The first nozzle member 370a is in the first standby port 410 and the second nozzle member 370b and the rinse nozzle member 370c are in the second standby port 420. [ Each of the first standby port 410 and the second standby port 420 is provided in a cylindrical shape having an open top. The first standby port 410 is located at one side of the processing vessel 320 and the second standby port 420 is located at the other side of the processing vessel 320. A first accommodation space is formed in the first standby port 410 to receive the first liquid discharged from the first nozzle member 370a. A second accommodation space is formed in the second standby port 420 to receive the second liquid discharged from the second nozzle member 370b.

액 공급 유닛(370)은 기판(W) 상에 다양한 종류의 액을 공급한다. 액 공급 유닛(370)은 제1노즐 부재(370a), 제2노즐 부재(370b), 그리고 린스 노즐 부재(370c)를 포함한다. 제1노즐 부재(370a)는 제1액을 공급하고, 제2노즐 부재(370b)는 제2액을 공급하며, 린스 노즐 부재(370c)는 린스액을 공급한다. 일 예에 의하면, 제1액은 황산(H2SO4)을 포함하는 강산의 케미칼일 수 있다. 제2액은 유기 용제를 포함하는 염기성 액일 수 있다. 유기 용제는 이소프로필 알코올(IPA)일 수 있다. 린스액은 순수(H2O)일 수 있다.The liquid supply unit 370 supplies various kinds of liquid onto the substrate W. The liquid supply unit 370 includes a first nozzle member 370a, a second nozzle member 370b, and a rinse nozzle member 370c. The first nozzle member 370a supplies the first liquid, the second nozzle member 370b supplies the second liquid, and the rinse nozzle member 370c supplies the rinse liquid. According to one example, the first liquid may be a strong acid chemical comprising sulfuric acid (H 2 SO 4 ). The second liquid may be a basic liquid containing an organic solvent. The organic solvent may be isopropyl alcohol (IPA). The rinse liquid may be pure (H 2 O).

제1노즐 부재(370a)는 제1노즐 이동 부재(371) 및 제1노즐(374a)을 포함한다. 제1노즐 이동 부재(371)는 제1노즐(374a)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 제1노즐(374a)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 제1노즐(374a)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 일 예에 의하면, 대기 위치는 제1노즐(374a)이 제1대기 포트(410)에 대기되는 위치일 수 있다. 제1노즐 이동 부재(371)는 회전축(376), 구동기(378), 그리고 지지 아암(372)을 포함한다. 회전축(376)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 회전축(376)은 그 길이방향이 제3방향(16)을 향하는 로드 형상을 가진다. 회전축(376)은 구동기(378)에 의해 회전 가능하다. 회전축(376)은 구동기(378)로부터 제공되는 구동력에 의해 그 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지 아암(372)은 제1노즐(374a)과 회전축(376)을 연결한다. 회전축(376)이 회전됨에 따라 지지 아암(372) 및 제1노즐(374a)은 회전축(376)의 중심축을 중심으로 회전된다. The first nozzle member 370a includes a first nozzle moving member 371 and a first nozzle 374a. The first nozzle moving member 371 moves the first nozzle 374a to the process position and the standby position. Where the process position is the position where the first nozzle 374a faces the substrate W supported by the substrate support unit 340 and the standby position is the position where the first nozzle 374a is out of the process position. According to one example, the standby position may be a position at which the first nozzle 374a is waiting at the first standby port 410. [ The first nozzle moving member 371 includes a rotary shaft 376, a driver 378, and a support arm 372. The rotary shaft 376 is located on one side of the processing vessel 320. The rotary shaft 376 has a rod shape whose longitudinal direction faces the third direction 16. The rotary shaft 376 is rotatable by a driver 378. The rotary shaft 376 is rotatable about its central axis by a driving force provided from a driver 378. [ The support arm 372 connects the first nozzle 374a and the rotation shaft 376. [ As the rotation shaft 376 rotates, the support arm 372 and the first nozzle 374a are rotated about the central axis of the rotation shaft 376. [

지지 아암(372)은 회전축(376)과 수직한 길이방향을 향하는 로드 형상으로 제공된다. 지지 아암(372)의 일단은 회전축(376)의 상단에 고정 결합된다. 지지 아암(372)은 회전축(376)과 결합된 일단을 중심으로 회전 가능하다. 지지 아암(372)의 타단에는 제1노즐(374a)이 결합된다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 제1노즐(374a)이 이동되는 경로는 기판(W)의 중심을 지나도록 제공될 수 있다. 따라서 제1노즐(374a)은 회전축(376) 및 지지 아암(372)이 회전됨에 따라 공정 위치와 대기 위치로 이동 가능하다. The support arm 372 is provided in the shape of a rod oriented in the longitudinal direction perpendicular to the rotation axis 376. [ One end of the support arm 372 is fixedly coupled to the upper end of the rotation shaft 376. The support arm 372 is rotatable about one end coupled with the rotation shaft 376. A first nozzle 374a is coupled to the other end of the support arm 372. [ According to one example, the path through which the first nozzle 374a is moved as viewed from above may be provided to pass through the center of the substrate W. [ Accordingly, the first nozzle 374a is movable to the process position and the standby position as the rotation shaft 376 and the support arm 372 are rotated.

제2노즐 부재(370b)는 제2노즐 이동 부재 및 제2노즐(374b)을 포함한다. 제2노즐 이동 부재는 제2노즐(374b)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 제2노즐(374b)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 제2노즐(374b)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 일 예에 의하면, 대기 위치는 제2노즐(374b)이 제2대기 포트(420)에 대기되는 위치일 수 있다. 제2노즐 이동 부재는 제1노즐 이동 부재(371)와 동일한 형상을 가지므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. The second nozzle member 370b includes a second nozzle moving member and a second nozzle 374b. And the second nozzle moving member moves the second nozzle 374b to the process position and the standby position. Where the process position is the position where the second nozzle 374b is opposed to the substrate W supported by the substrate support unit 340 and the standby position is the position where the second nozzle 374b is out of the process position. According to one example, the standby position may be a position at which the second nozzle 374b is placed in the second standby port 420. [ Since the second nozzle moving member has the same shape as the first nozzle moving member 371, detailed description thereof will be omitted.

린스 노즐 부재(370c)는 린스 노즐 이동 부재 및 린스 노즐(374c)을 포함한다. 린스 노즐 부재(370c)는 린스 노즐(374c)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 린스 노즐(374c)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 린스 노즐(374c)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 일 예에 의하면, 대기 위치는 린스 노즐(374c)이 제2대기 포트(420)에 대기되는 위치일 수 있다. 린스 노즐 이동 부재는 제1노즐 이동 부재(371)와 동일한 형상을 가지므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. The rinse nozzle member 370c includes a rinse nozzle moving member and a rinse nozzle 374c. The rinse nozzle member 370c moves the rinse nozzle 374c to the process position and the standby position. Where the process position is the position where the rinse nozzle 374c is opposed to the substrate W supported on the substrate support unit 340 and the standby position is the position where the rinse nozzle 374c is out of the process position. According to one example, the standby position may be a position where the rinse nozzle 374c is placed in the second standby port 420. [ Since the rinse nozzle moving member has the same shape as the first nozzle moving member 371, detailed description thereof will be omitted.

제어기(450)는 승강 유닛(360) 및 액 공급 유닛(370)을 제어한다. 제어기(450)는 기판(W) 상에 제1액을 공급하는 제1액 공급 단계 및 기판(W) 상에 제2액을 공급하는 제2액 공급 단계가 순차적으로 이루어지도록 각 유닛을 제어한다. 제어기(450)는 제1액 공급 단계에서 기판(W)이 제1유입구(322a)에 대응되고, 제2액 공급 단계에서 기판(W)이 제2유입구(326a)에 대응되도록 승강 유닛(360)을 제어한다. The controller 450 controls the lift unit 360 and the liquid supply unit 370. The controller 450 controls each unit so that the first liquid supplying step for supplying the first liquid onto the substrate W and the second liquid supplying step for supplying the second liquid on the substrate W are sequentially performed . The controller 450 controls the lift unit 360 so that the substrate W corresponds to the first inlet 322a in the first liquid supply step and the substrate W corresponds to the second inlet 326a in the second liquid supply step ).

일 예에 의하면, 제어기(450)는 제1액이 토출되는 동안에 제2액이 미토출되도록 제2노즐 부재(370b)를 인터락시키고, 제2액이 토출되는 동안에 제1액이 미토출되도록 제1노즐 부재(370a)를 인터락시킬 수 있다. 이에 따라 제1액 및 제2액이 혼합되는 것을 방지할 수 있다.According to one example, the controller 450 interlocks the second nozzle member 370b so that the second liquid is not ejected while the first liquid is ejected, so that the first liquid is not ejected while the second liquid is ejected The first nozzle member 370a can be interlocked. Thus, mixing of the first liquid and the second liquid can be prevented.

또한 제어기(450)는 처리 용기(320)의 제1유입구(322a)가 기판(W)에 대응되게 위치되면 제2액이 미토출되도록 제2노즐 부재(370b)를 인터락시키고, 처리 용기(320)의 제2유입구(326a)가 기판(W)에 대응되게 위치되면 제1액이 미토출되도록 제1노즐 부재(370a)를 인터락시킬 수 있다. 이에 따라 제1액이 제2회수통으로 회수되거나, 제2액이 제1회수통으로 회수되는 것을 방지할 수 있다.The controller 450 interlocks the second nozzle member 370b so that the second liquid is not ejected when the first inlet 322a of the processing container 320 is positioned correspondingly to the substrate W, The first nozzle member 370a may be interlocked such that the first liquid is not ejected when the second inlet 326a of the first nozzle member 320 is positioned correspondingly to the substrate W. [ As a result, the first liquid can be recovered in the second recovery tank or the second liquid can be prevented from being recovered in the first recovery tank.

또한 제어기(450)는 제1노즐 부재(370a) 및 제2노즐 부재(370b) 중 대기 위치에 위치되는 노즐 부재에 대해서는 인터락을 해제할 수 있다. 이로 인해 예비 토출을 수행해야하는 노즐 부재에 대해 인터락이 발생되는 것을 방지할 수 있다.Further, the controller 450 can release the interlocking of the nozzle member located at the standby position among the first nozzle member 370a and the second nozzle member 370b. Therefore, it is possible to prevent interlocking from occurring with respect to the nozzle member to be preliminarily ejected.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명한다. 도 5 내지 도 8은 도 3의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다. 기판(W)을 처리하는 과정으로는 제1액 공급 단계, 린스 처리 단계, 그리고 제2공급 단계가 순차적으로 진행된다. Next, a process of processing the substrate W using the above-described substrate processing apparatus will be described. 5 to 8 are views illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. In the process of processing the substrate W, the first liquid supplying step, the rinsing step, and the second supplying step are sequentially performed.

도 5 및 도 6과 같이 제1액공급 단계가 진행되면, 기판(W)은 기판 지지 유닛(340)에 의해 회전되고, 처리 용기(320)는 기판(W)이 제1유입구(322a)에 마주보도록 승강 이동된다. 제1노즐(374a)은 공정 위치로 이동되어 제1액을 토출한다. 제1액이 토출되는 중에는 제2액의 토출이 인터락된다. 기판(W)을 처리한 제1액은 제1유입구(322a)를 통해 제1회수통(322)으로 회수된다. 제1공급 단계가 완료되면, 린스 처리 단계가 진행된다.5 and 6, the substrate W is rotated by the substrate holding unit 340 and the processing vessel 320 is moved to a position where the substrate W is transferred to the first inlet 322a And is moved up and down to face each other. The first nozzle 374a is moved to the process position to discharge the first liquid. While the first liquid is being discharged, the discharge of the second liquid is interlocked. The first liquid having been processed on the substrate W is recovered in the first recovery tube 322 through the first inlet 322a. When the first supplying step is completed, the rinsing step is performed.

린스 처리 단계가 진행되면, 제1노즐은 제1액의 토출을 중지하고, 대기 위치로 이동된다. 린스 노즐(374c)은 공정 위치로 이동된다. 린스 처리 단계에는 기판과 처리 용기 간에 상대 위치가 제1액 공급 단계와 동일하게 유지된다. 린스 노즐(374c)은 기판(W) 상에 린스액을 공급하여 잔류되는 제1액을 린스 처리한다. 선택적으로, 린스 처리 단계가 진행되는 중에는 처리 용기(320)와 기판(W) 간에 상대 위치가 조절될 수 있다. 처리 용기(320)는 기판(W)이 제1유입구(322a)에서 제2유입구(326a)를 마주보도록 이동될 수 있다. 린스 처리 단계가 완료되면, 제2액 공급 단계가 진행된다.When the rinsing step is performed, the first nozzle stops discharging the first liquid, and is moved to the standby position. The rinse nozzle 374c is moved to the process position. In the rinsing step, the relative position between the substrate and the processing container is kept the same as the first liquid supplying step. The rinse nozzle 374c supplies a rinsing liquid onto the substrate W to rinse the remaining first liquid. Alternatively, the relative position between the processing container 320 and the substrate W may be adjusted during the rinsing process step. The processing vessel 320 can be moved so that the substrate W faces the second inlet 326a at the first inlet 322a. When the rinse processing step is completed, the second liquid supply step proceeds.

도 7 및 도 8과 같이 제2액 공급 단계가 진행되면, 린스 노즐(374c)은 린스액의 토출을 중지하고, 처리 용기(320)는 기판(W)이 제2유입구(326a)에 마주보도록 승강 이동된다. 제2노즐(374b)은 공정 위치로 이동되어 제2액을 토출한다. 제2액이 토출되는 중에는 제1액의 토출이 인터락된다. 기판(W)을 처리한 제2액은 제2유입구(326a)를 통해 제2회수통(326)으로 회수된다. 7 and 8, the rinsing nozzle 374c stops dispensing the rinsing liquid and the processing container 320 is moved so that the substrate W faces the second inlet 326a And is moved up and down. And the second nozzle 374b is moved to the process position to discharge the second liquid. While the second liquid is being discharged, the discharge of the first liquid is interlocked. The second liquid treated with the substrate W is recovered into the second recovery cylinder 326 through the second inlet 326a.

제1액 공급 단계가 진행되기 전에는 제1노즐(374a)의 제1예비 토출 단계가 진행되고, 제2액 공급 단계가 진행되기 전에는 제2노즐(374b)의 제2예비 토출 단계가 진행된다. 이러한 예비 토출 단계들은 각 노즐(374a,374b) 내에 유입되는 기포를 제거하는 단계로써, 액이 토출되는 중에 헌팅되는 것을 방지할 수 있다. 제1예비 토출 단계에는 제1노즐(374a)이 제1대기 포트(410)에서 제1액을 토출하고, 제2예비 토출 단계에는 제2노즐(374b)이 제2대기 포트(420)에서 제2액을 토출한다. 제2예비 토출 단계는 제1액 공급 단계와 제2액 공급 단계 사이, 또는 제1액 공급 단계가 진행되는 중에 수행될 수 있다. 이 때 제2노즐(374b)은 대기 위치에 위치되므로 제2노즐(374b)에 대한 인터락은 해제된다.The first preliminary ejection step of the first nozzle 374a proceeds before the first liquid supply step proceeds and the second preliminary ejection step of the second nozzle 374b proceeds before the second liquid supply step proceeds. These preliminary ejection steps are steps for removing bubbles introduced into the respective nozzles 374a and 374b, thereby preventing the liquid from hunting while being ejected. In the first preliminary ejection step, the first nozzle 374a ejects the first liquid from the first standby port 410 and the second nozzle 374b is ejected from the second air port 420 in the second preliminary ejection phase. 2 liquid is discharged. The second preliminary ejection step may be performed between the first liquid supply step and the second liquid supply step, or while the first liquid supply step is in progress. At this time, since the second nozzle 374b is located at the standby position, the interlock with respect to the second nozzle 374b is released.

본 발명의 실시예는 제1액 및 제2액 중 하나가 토출되는 중에 다른 하나의 토출을 인터락한다. 이로 인해 제1액 및 제2액이 혼합되어 퓸(Fume)이 발생되어 기판(W) 및 주변 장치가 오염되는 것을 방지할 수 있다. The embodiment of the present invention interlocks the other discharge while one of the first liquid and the second liquid is being discharged. Accordingly, the first liquid and the second liquid are mixed to generate a fume, thereby preventing the substrate W and the peripheral device from being contaminated.

상술한 실시예에는 제1회수통(322), 중간 회수통(324), 그리고 제2회수통(326) 간에 간격이 고정 되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 9와 같이, 중간 회수통(324)과 제2회수통(326) 간에 사이 공간인 제2유입구(326a)는 개폐될 수 있다. 이에 따라 제1액 공급 단계가 진행되는 중에는 제2유입구(326a)가 차단되고, 제2액 공급 단계에는 제2유입구(326a)가 개방될 수 있다.In the above-described embodiment, the interval between the first recovery tank 322, the intermediate recovery tank 324, and the second collection tank 326 is fixed. However, as shown in FIG. 9, the second inlet 326a, which is the space between the intermediate recovery bottle 324 and the second collection box 326, can be opened or closed. Accordingly, the second inlet 326a may be blocked while the first liquid supply step is in progress, and the second inlet 326a may be opened in the second liquid supply step.

또한 상술한 기판 처리 장치(300)와 달리, 처리 용기(320)와 기판 지지 유닛(340) 간에 상대 위치를 측정 센서(미도시)가 더 제공될 수 있다. 센서는 처리 용기(320)의 위치를 측정하여 기판(W)과 처리 용기(320) 간에 상대 위치를 포함하는 위치 정보를 제어기(450)에 전달할 수 있다. 제어기(450)는 전달된 위치 정보를 근거로 제1액 및 제2액 중 하나에 인터락을 발생시킬 수 있다. 예컨대, 제어기(450)는 기판(W)이 상기 제1유입구(322a)에 마주보도록 위치되면 제2노즐 부재(370b)에 인터락을 발생시키고, 기판(W)이 제2유입구(326a)에 마주보도록 위치되면 제1노즐 부재(370a)에 인터락이 발생시킬 수 있다. 센서는 승강 유닛(360)의 이동축(364)에 설치되는 레벨 센서일 수 있다. 또한 센서는 처리 용기(320) 및 기판 지지 유닛(340)을 동시에 촬상 가능한 카메라일 수 있다.Unlike the above-described substrate processing apparatus 300, a measurement sensor (not shown) can be further provided for positioning the processing vessel 320 and the substrate supporting unit 340 at a relative position. The sensor can measure the position of the processing vessel 320 and communicate position information including the relative position between the substrate W and the processing vessel 320 to the controller 450. The controller 450 may generate an interlock on one of the first liquid and the second liquid based on the transmitted position information. For example, the controller 450 generates an interlock in the second nozzle member 370b when the substrate W is positioned to face the first inlet 322a, and the substrate W contacts the second inlet 326a The first nozzle member 370a can be interlocked. The sensor may be a level sensor installed on the moving shaft 364 of the lifting unit 360. Further, the sensor may be a camera capable of imaging the processing container 320 and the substrate supporting unit 340 at the same time.

320: 처리 용기 322: 제1회수통
326: 제2회수통 370: 액 공급 유닛
370a: 제1노즐 부재 370b: 제2노즐 부재
400: 홈 포트320: processing vessel 322: first recovery tank
326: Second recovery tank 370: Liquid supply unit
370a: first nozzle member 370b: second nozzle member
400: home port

Claims (9)

기판을 액 처리하는 장치에 있어서,
기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 기판을 처리한 액을 회수하는 처리 용기와;
상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 액 공급 유닛은,
황산을 포함하는 제1액을 공급하는 제1노즐 부재와;
유기 용제를 포함하는 제2액을 공급하는 제2노즐 부재를 포함하고,
상기 제어기는 기판을 액 처리하는 중에 상기 제1노즐 부재로부터 제1액이 토출되는 동안에 상기 제2노즐 부재로부터 제2액이 미토출되도록 상기 제2노즐 부재에 인터락을 발생시키고, 상기 제2노즐 부재로부터 제2액이 토출되는 동안에 상기 제1노즐 부재로부터 제2액이 미토출되도록 상기 제1노즐 부재에 인터락을 발생시키는 기판 처리 장치.An apparatus for liquid-processing a substrate,
A substrate supporting unit for supporting the substrate;
A liquid supply unit for supplying liquid to the substrate supported by the substrate supporting unit;
A processing vessel surrounding the substrate support unit to recover a liquid that has been processed into a substrate;
And a controller for controlling the liquid supply unit,
The liquid supply unit includes:
A first nozzle member for supplying a first liquid containing sulfuric acid;
And a second nozzle member for supplying a second liquid containing an organic solvent,
Wherein the controller generates an interlock in the second nozzle member so that a second liquid is not ejected from the second nozzle member while the first liquid is being ejected from the first nozzle member during liquid processing of the substrate, And interlocks with the first nozzle member such that the second liquid is not ejected from the first nozzle member while the second liquid is ejected from the nozzle member. 제1항에 있어서,
상기 장치는 상기 처리 용기와 상기 기판 지지 유닛 간에 상대 높이가 조절하며 상기 제어기에 의해 제어되는 승강 유닛을 더 포함하되,
상기 처리 용기는,
제1액이 유입되는 제1유입구를 가지며, 제1액을 회수하는 제1회수통과;
상기 제1유입구와 상이한 높이에 위치되고 제2액이 유입되는 제2유입구를 가지며, 제2액을 회수하는 제2회수통을 포함하고,
상기 제어기는 상기 처리 용기와 상기 기판 지지 유닛 간 상대 높이에 따라 상기 제1노즐 부재 및 상기 제2노즐 부재 중 하나에 인터락을 발생시키는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The apparatus further includes a lift unit that adjusts a relative height between the processing vessel and the substrate supporting unit and is controlled by the controller,
Wherein the processing vessel includes:
A first recovery passage having a first inlet through which the first liquid flows, the first recovery passage for recovering the first liquid;
And a second recovery tube located at a different height from the first inlet and having a second inlet through which the second liquid flows,
Wherein the controller generates an interlock in one of the first nozzle member and the second nozzle member according to a relative height between the processing container and the substrate supporting unit. 제2항에 있어서,
상기 제어기는 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판이 상기 제1유입구에 마주보도록 위치되면 상기 제2노즐 부재에 인터락을 발생시키고, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판이 상기 제2유입구에 마주보도록 위치되면 상기 제1노즐 부재에 인터락이 발생되도록 상기 승강 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the controller causes interlocking of the second nozzle member when the substrate supported by the substrate support unit is positioned to face the first inlet, and wherein the substrate supported by the substrate support unit is positioned so as to face the second inlet The control unit controls the elevating unit and the liquid supply unit such that an interlock is generated in the first nozzle member. 제2항에 있어서,
상기 장치는 상기 처리 용기와 상기 기판 지지 유닛 간 상대 위치를 측정하는 센서를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 센서로부터 전달되는 위치 정보를 근거로 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판이 상기 제1유입구에 마주보도록 위치되면 상기 제2노즐 부재에 인터락을 발생시키고, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판이 상기 제2유입구에 마주보도록 위치되면 상기 제1노즐 부재에 인터락이 발생되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치,3. The method of claim 2,
The apparatus further includes a sensor for measuring a relative position between the processing container and the substrate supporting unit,
Wherein the controller generates an interlock in the second nozzle member when the substrate supported on the substrate support unit is positioned to face the first inlet based on the positional information transmitted from the sensor, A substrate processing apparatus for controlling the liquid supply unit so as to generate an interlock in the first nozzle member when the substrate is positioned to face the second inlet, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는 상기 처리 용기의 일측에 위치되며, 상기 제1노즐 부재 및 상기 제2노즐 부재가 대기 가능한 홈 포트를 더 포함하고,
상기 제1노즐 부재 및 상기 제2노즐 부재 각각은 상기 기판 지지 유닛과 마주보는 공정 위치 및 상기 홈 포트에 대기되는 대기 위치로 이동 가능하되,
상기 대기 위치에 위치되는 상기 제1노즐 부재 및 상기 제2노즐 부재에 대해서는 인터락이 해제되는 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The apparatus further comprises a home port which is located at one side of the processing vessel and in which the first nozzle member and the second nozzle member are ready,
Wherein each of the first nozzle member and the second nozzle member is movable to a process position facing the substrate supporting unit and a standby position waiting in the home port,
Wherein the interlocking is released for the first nozzle member and the second nozzle member located at the standby position. 기판을 액 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판 상에 황산을 포함하는 제1액을 공급하는 제1액 공급 단계와;
상기 기판 상에 유기 용제를 포함하는 제2액을 공급하는 제2액 공급 단계를 포함하되,
상기 제1액이 토출되는 중에는 상기 제2액의 토출을 인터락하고,
상기 제2액이 토출되는 중에는 상기 제1액의 토출을 인터락하는 기판 처리 방법.A method for liquid processing a substrate,
A first liquid supplying step of supplying a first liquid containing sulfuric acid onto the substrate;
And a second liquid supplying step of supplying a second liquid containing organic solvent onto the substrate,
Interlocking the discharge of the second liquid while the first liquid is being discharged,
And the discharge of the first liquid is interlocked while the second liquid is being discharged. 제6항에 있어서,
상기 유기 용제는 이소프로필알코올(IPA)을 포함하는 액으로 제공되는 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
Wherein the organic solvent is provided in a liquid containing isopropyl alcohol (IPA). 제7항에 있어서,
상기 기판을 처리한 상기 제1액은 처리 용기에 제공되는 제1유입구를 통해 회수되고,
상기 기판을 처리한 상기 제2액은 상기 처리 용기에서 상기 제1유입구와 상이한 높이에 제공되는 제2유입구를 통해 상기 제1액과 분리 회수되되,
상기 기판이 상기 제1유입구에 마주보게 위치되면 상기 제2액의 토출을 인터락하고,
상기 기판이 상기 제2유입구에 마주보게 위치되면 상기 제1액의 토출을 인터락하는 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
The first liquid treated with the substrate is recovered through a first inlet provided in the processing vessel,
The second liquid having been processed into the substrate is separated and recovered from the first liquid through a second inlet provided at a different height from the first inlet in the processing vessel,
Interlocking the discharge of the second liquid when the substrate is positioned facing the first inlet,
And interrupting the ejection of the first liquid when the substrate is positioned facing the second inlet. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1액을 토출하는 제1노즐은 상기 제1액 공급 단계를 제외하고 상기 처리 용기의 일측에 위치되는 홈 포트에 대기되며,
상기 제2액을 토출하는 제2노즐은 상기 제2액 공급 단계를 제외하고 상기 홈 포트에 대기되되,
상기 홈 포트에 대기되는 상기 제1노즐 및 상기 제2노즐에 대해서는 인터락이 해제되는 기판 처리 방법.

9. The method according to any one of claims 6 to 8,
The first nozzle for discharging the first liquid is queued in a home port located at one side of the processing vessel except for the first liquid supplying step,
The second nozzle for discharging the second liquid is queued in the home port except for the second liquid supply step,
And interlocking is released with respect to the first nozzle and the second nozzle waiting in the home port.

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