KR20200068579A - 슈퍼스트레이트 및 그 사용 방법 - Google Patents

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Abstract

장치는 슈퍼스트레이트를 포함할 수 있다. 슈퍼스트레이트는 직경을 갖는 본체를 포함할 수 있다. 본체는 투영된 정사각형 내에 끼워질 수 있다. 투영된 정사각형은 본체의 직경과 동일한 길이를 가질 수 있다. 투영된 정사각형 내의 본체는 본체의 외부 에지와 투영된 정사각형 사이에 개방 영역을 생성할 수 있다. 슈퍼스트레이트는 개방 영역 내에서 본체의 외부 에지로부터 연장되는 제1 돌출부를 더 포함할 수 있다.

Description

슈퍼스트레이트 및 그 사용 방법{SUPERSTRATE AND METHODS OF USING THE SAME}
본 개시내용은 기판 처리에 관한 것이며, 더 구체적으로는 반도체 제조에서의 표면의 평탄화에 관한 것이다.
평탄화 기술은 반도체 웨이퍼 상에 전자 디바이스를 제조하는데 유용하다. 이러한 기술은 성형가능 재료를 웨이퍼 상에 퇴적시키기 위한 유체 분배 시스템의 사용을 포함할 수 있다. 슈퍼스트레이트(superstrate)는 분배된 재료가 웨이퍼 상에서 고화되기 전에 분배된 재료를 평탄화 및/또는 패턴화한다.
그러나, 슈퍼스트레이트가 기판 상의 분배 재료로부터 분리될 때 결함이 발생할 수 있다. 평탄화 기술에서의 개선은 전체 웨이퍼 처리를 허용하는 것이 바람직하다.
일 양태에서, 슈퍼스트레이트는 직경을 갖는 본체를 포함할 수 있다. 본체는 투영된 정사각형 내에 끼워질 수 있다. 투영된 정사각형은 본체의 직경과 동일한 길이를 가질 수 있다. 투영된 정사각형 내의 본체는 본체의 외부 에지와 투영된 정사각형 사이에 개방 영역을 생성할 수 있다. 슈퍼스트레이트는 개방 영역 내에서 본체의 외부 에지로부터 연장되는 제1 돌출부를 더 포함할 수 있다.
다른 양태에서, 제1 돌출부는 r√2 - r 이하의 길이(Y)를 가질 수 있으며, r은 본체의 반경이다.
또 다른 양태에서, 제1 돌출부는 기하학적 형상일 수 있다.
다른 양태에서, 개방 영역은 투영된 정사각형의 면적 - 본체의 면적과 동일할 수 있다.
추가 양태에서, 제1 돌출부는 개방 영역의 1/4 이하를 점유할 수 있다.
다른 양태에서, 슈퍼스트레이트는 제2 돌출부를 더 포함할 수 있으며, 제2 돌출부는 제1 돌출부에 의해 점유되지 않은, 개방 영역의 1/4 내에 있을 수 있다.
다른 양태에서, 제2 돌출부는 r√2 - r 이하의 길이(z)를 가질 수 있으며, r은 본체의 반경이다.
또 다른 양태에서, 슈퍼스트레이트는 제3 돌출부를 더 포함할 수 있고, 제3 돌출부는 제1 돌출부 또는 제2 돌출부 중 어느 하나와 제4 돌출부에 의해 점유되지 않은, 개방 영역의 1/4 내에 있을 수 있으며, 제4 돌출부는 제1 돌출부, 제2 돌출부, 또는 제3 돌출부 중 어느 것에 의해서도 점유되지 않은, 개방 영역의 1/4 내에 있을 수 있다.
다른 양태에서, 제3 돌출부는 r√2 - r 이하의 길이(x)를 가질 수 있으며, r은 본체의 반경이다.
추가 양태에서, 제1 돌출부의 길이(Y)는 0보다 클 수 있다.
다른 양태에서, 제4 돌출부는 r√2 - r 이하의 길이(w)를 가지며, r은 본체의 반경이다.
다른 양태에서, 제1 돌출부는 제2 돌출부에 대향한다.
다른 양태에서, 평탄화 층을 형성하는 방법은 성형가능 재료를 기판 상에 퇴적시키는 단계 및 슈퍼스트레이트를 기판과 정렬시키는 단계를 포함할 수 있다. 슈퍼스트레이트는 직경을 갖는 본체를 포함할 수 있다. 본체는 투영된 정사각형 내에 끼워질 수 있다. 투영된 정사각형은 본체의 직경과 동일한 길이를 가질 수 있다. 투영된 정사각형 내의 본체는 본체의 외부 에지와 투영된 정사각형 사이에 개방 영역을 생성할 수 있다. 제1 돌출부는 개방 영역 내에서 본체의 외부 에지로부터 연장될 수 있다. 상기 방법은 메사를 기판과 접촉시키는 단계 및 슈퍼스트레이트와 기판을 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다른 양태에서, 슈퍼스트레이트와 기판을 분리하는 단계는 제1 돌출부에 힘을 가하여 메사와 기판 사이의 균열 전파를 향상시킴으로써 이루어질 수 있다.
또 다른 양태에서, 개방 영역은 투영된 정사각형의 면적 - 본체의 면적과 동일할 수 있다.
추가 양태에서, 제1 돌출부는 0보다 큰 길이(y)를 가질 수 있다.
다른 양태에서, 제1 돌출부는 다수의 파동 또는 곡선을 가질 수 있다.
추가 양태에서, 제1 돌출부는 반원일 수 있다.
또 다른 양태에서, 제1 돌출부는 개방 영역의 1/4 미만의 면적을 가질 수 있다.
다른 양태에서, 물품을 제조하는 방법은 성형가능 재료를 기판 상에 퇴적시키는 단계 및 슈퍼스트레이트를 기판과 정렬하는 단계를 포함할 수 있다. 슈퍼스트레이트는 직경을 갖는 본체를 포함할 수 있다. 본체는 투영된 정사각형 내에 끼워질 수 있다. 투영된 정사각형은 본체의 직경과 동일한 길이를 가질 수 있다. 투영된 정사각형 내의 본체는 본체의 외부 에지와 투영된 정사각형 사이에 개방 영역을 생성할 수 있다. 제1 돌출부는 개방 영역 내에서 본체의 외부 에지로부터 연장될 수 있다. 물품 제조 방법은, 메사를 기판과 접촉시키는 단계, 평면 층을 형성하기 위해 성형가능 재료를 경화시키는 단계, 슈퍼스트레이트와 기판을 분리하는 단계, 평면 층이 형성된 기판을 처리하는 단계, 및 처리된 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 더 포함할 수 있다.
실시형태는 예로서 도시되며 첨부 도면으로 한정되지 않는다.
도 1은 예시적인 리소그래피 시스템의 측면도의 예시를 포함한다.
도 2a는 본 명세서에 설명된 실시형태에 따른 디바이스 슈퍼스트레이트의 평면도의 예시를 포함한다.
도 2b는 도 2a의 실시형태에 따른 기판 및 슈퍼스트레이트의 측면도의 예시를 포함한다.
도 3은 본 명세서에 설명된 실시형태에 따른 디바이스 슈퍼스트레이트의 평면도의 예시를 포함한다.
도 4는 본 명세서에 설명된 실시형태에 따른 디바이스 슈퍼스트레이트의 평면도의 예시를 포함한다.
도 5는 본 명세서에 설명된 실시형태에 따른 디바이스 슈퍼스트레이트의 평면도의 예시를 포함한다.
도 6은 본 개시내용의 방법의 예시를 포함한다.
통상의 기술자는 도면의 요소가 단순성 및 명료성을 위해 도시되고 반드시 비율대로 그려진 것은 아님을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시형태의 이해의 개선을 돕기 위해서, 도면 내의 일부 요소의 치수가 다른 요소에 비해서 과장되었을 수 있다.
이하의 설명은 도면과 함께 본 명세서에 개시된 교시의 이해를 돕기 위해 제공된다. 이하의 설명은 특정 구현예 및 교시의 실시형태에 초점을 맞출 것이다. 이 초점은 교시의 설명을 돕기 위해 제공되며 교시의 범위 또는 적용 가능성에 대한 제한으로 해석되어서는 안 된다.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 통상의 기술자가 일반적으로 이해하는 것과 동일한 의미를 갖는다. 재료, 방법, 및 예는 단지 예시적인 것이며, 제한하려는 것은 아니다. 본 명세서에 설명되지 않은 범위에 대해서는, 특정 재료 및 처리 행위에 관한 많은 세부 사항은 통상적이며, 임프린트 및 리소그래피 분야의 교재 및 다른 출처에서 확인할 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 명세서에 설명된 실시형태에 따른 장치(10)는 평탄화를 위한 준비에서 기판(12) 위의 환경을 제어하는데 사용될 수 있다. 기판(12)은 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 베이스 재료일 수 있지만, 유리, 사파이어, 스피넬 등과 같은 절연 베이스 재료를 포함할 수 있다. 기판(12)은 기판 홀더(14)에 결합될 수 있다. 기판 홀더(14)는 진공 척일 수 있지만, 다른 실시형태에서 기판 홀더(14)는 진공식, 핀-타입, 홈-타입, 정전기식, 전자기식 등을 포함하는 임의의 척일 수 있다. 기판(12) 및 기판 홀더(14)는 스테이지(16)에 의해 더 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 X-, Y-, 또는 Z-방향을 따른 병진 운동 또는 회전 운동을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기판(12), 및 기판 홀더(14)는 또한 기부(도시되지 않음) 상에 위치설정될 수 있다.
슈퍼스트레이트(18)가 기판(12)으로부터 이격되어 있을 수 있다. 슈퍼스트레이트(18)는 제1 측면 및 제2 측면을 갖는 본체를 포함할 수 있고, 하나의 측면은 그로부터 기판(12)을 향해서 연장되는 몰드를 갖는다. 몰드는 때때로 메사라 칭할 수 있다. 일 실시형태에서, 도 1에 도시되는 바와 같이, 슈퍼스트레이트(18)는 몰드 없이 형성될 수 있다. 슈퍼스트레이트(18), 몰드, 또는 이들 모두는 유리계 재료, 실리콘, 스피넬, 용융 실리카, 석영, 실리콘, 유기 폴리머, 실록산 폴리머, 플루오로카본 폴리머, 금속, 경화 사파이어, 다른 유사 재료, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 재료로부터 형성될 수 있다. 유리계 재료는 소다 석회 유리, 보로실리케이트 유리, 알칼리-바륨 실리케이트 유리, 알루미노실리케이트 유리, 석영, 합성 용융 실리카 등을 포함할 수 있다. 슈퍼스트레이트(18)는 퇴적된 산화물, 애노드처리된 알루미나, 유기-실란, 유기실리케이트 재료, 유기 폴리머, 무기 폴리머, 및 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 슈퍼스트레이트(18)의 본체는 30 미크론 내지 2000 미크론 범위의 두께를 가질 수 있다.
슈퍼스트레이트(18) 및 몰드는 단일 부품 구성을 포함할 수 있다. 대안적으로, 슈퍼스트레이트(18) 및 몰드는 함께 결합되는 별개의 구성요소를 포함할 수 있다. 일 실시형태에서, 몰드의 임프린트 표면은 평면 표면을 포함할 수 있다. 다른 실시형태에서, 임프린트 표면은 이격된 오목부 및 돌출부에 의해 형성되는 특징부를 포함할 수 있다. 임프린트 표면은, 기판(12) 상에 형성할 패턴의 기초를 형성하는 임의의 원본 패턴을 형성할 수 있다. 다른 실시형태에서, 임프린트 표면은 블랭크일 수 있고, 즉 임프린트 표면은 어떠한 오목부 또는 돌출부도 갖지 않고, 평면 접촉 표면을 가질 수 있다.
무엇보다도, 슈퍼스트레이트(18)는 기판(12) 상의 성형가능 재료를 평탄화하기 위해 사용될 수 있다. 슈퍼스트레이트(18)는 슈퍼스트레이트 홀더(28)에 결합될 수 있다. 슈퍼스트레이트(18)는 슈퍼스트레이트 홀더(28)에 의해 보유지지되며 그 형상이 슈퍼스트레이트 홀더에 의해 조절될 수 있다. 슈퍼스트레이트 홀더(28)는 처킹 영역 내에 슈퍼스트레이트(18)를 보유지지하도록 구성될 수 있다. 슈퍼스트레이트 홀더(28)는 진공식, 핀-타입, 홈-타입, 정전기식, 전자기식, 또는 다른 유사 홀더 타입으로서 구성될 수 있다. 일 실시형태에서, 슈퍼스트레이트 홀더(28)는 슈퍼스트레이트(18)의 형상을 조절하기 위해 정압 또는 진공을 홀더(28)의 다양한 구역에 가함으로써 슈퍼스트레이트(18)의 형상을 조절하는데 사용될 수 있다. 일 실시형태에서, 슈퍼스트레이트 홀더(28)는 슈퍼스트레이트 홀더(28)의 본체 내에 투명창을 포함할 수 있다. 일 실시형태에서, 슈퍼스트레이트 홀더(28)는, 슈퍼스트레이트 홀더(28) 또는 임프린트 헤드(26)가 X-, Y-, 또는 Z-방향을 따라 슈퍼스트레이트(18)의 병진 운동 또는 회전 운동을 용이하게 할 수 있도록, 임프린트 헤드(26)에 결합될 수 있다. 일 실시형태에서, 슈퍼스트레이트(18)는 기판(12)과 대략 동일한 표면적을 가질 수 있다. 일 실시형태에서, 기판(12) 및 슈퍼스트레이트(18)는 300mm 직경을 가질 수 있다. 일 실시형태에서, 기판(12) 및 슈퍼스트레이트(18)는 300mm 내지 600mm의 직경을 가질 수 있다. 일 실시형태에서, 기판(12) 및 슈퍼스트레이트(18)는 300mm 내지 450mm의 직경을 가질 수 있다. 다른 실시형태에서, 기판(12) 및 슈퍼스트레이트(18)는 450mm 내지 600mm의 직경을 가질 수 있다.
장치(10)는, 성형가능 재료(34)를 기판(12)의 표면 상에 퇴적시키기 위해 사용되는 유체 분배 시스템(32)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 성형가능 재료(34)는 수지와 같은 성형가능 재료를 포함할 수 있다. 성형가능 재료(34)는 액적 분배, 스핀-코팅, 침지 코팅, 화학기상증착(CVD), 물리기상증착(PVD), 박막 퇴적, 후막 퇴적, 또는 이들의 조합과 같은 기술을 이용하여 1개 이상의 층으로 기판(12) 상에 위치설정될 수 있다. 성형가능 재료(34)는 몰드와 기판(12) 사이에 원하는 체적이 형성되기 전 또는 후에 기판(12) 상에 분배될 수 있다. 예를 들어, 성형가능 재료(34)는 자외선, 열 등을 이용하여 경화될 수 있는 단량체 혼합물을 포함할 수 있다.
리소그래피 시스템(10)은 에너지(40)를 경로(42)를 따라 지향시키도록 결합된 에너지 공급원(38)을 더 포함할 수 있다. 임프린트 헤드(26) 및 스테이지(16)는 슈퍼스트레이트(18) 및 기판(12)을 경로(42)와 중첩하여 위치설정하도록 구성될 수 있다. 리소그래피 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(26), 유체 분배 시스템(32), 또는 에너지 공급원(38)과 통신하는 논리 요소(54)에 의해서 통제될 수 있으며, 메모리(56)에 선택적으로 저장되는 컴퓨터 판독가능 프로그램에서 동작할 수 있다. 논리 요소(54)는 프로세서(예를 들어, 마이크로프로세서 또는 마이크로컨트롤러의 중앙 처리 유닛), 필드-프로그램가능 게이트 어레이(FPGA), 주문형 집적 회로(ASIC) 등일 수 있다. 프로세서, FPGA 또는 ASIC는 장치 내에 있을 수 있다. 다른 실시형태(도시되지 않음)에서, 논리 요소는 장치(10)의 외부의 컴퓨터일 수 있으며, 장치(10)에 양방향식으로 결합된다.
도 2a는 본 명세서에 설명된 실시형태에 따른 디바이스 슈퍼스트레이트(200)의 평면도의 예시를 포함한다. 슈퍼스트레이트(200)는 도 1의 슈퍼스트레이트(18)와 유사할 수 있다. 슈퍼스트레이트(200)는 돌출부(214)를 갖는 본체(220)를 포함할 수 있다. 일 실시형태에서, 슈퍼스트레이트(200)는 투영된 정사각형(206) 내에 끼워질 수 있다. 투영된 정사각형(206)은 각 측면이 본체(220)의 직경(204)과 동일한 길이(208)를 가질 수 있다. 다른 실시형태에서, 슈퍼스트레이트(200)는 투영된 직사각형 내에 끼워질 수 있다. 투영된 정사각형(206) 내의 슈퍼스트레이트(200)는 본체(220)의 외부 에지(212)와 투영된 정사각형(206) 사이에 영역(210)을 생성할 수 있다. 일 실시형태에서, 슈퍼스트레이트(200)의 본체(220)가 원형인 경우, 본체(220)는 πr2의 면적과 동일한 면적을 가질 수 있으며, r은 슈퍼스트레이트(200)의 반경이다. 개방 영역(210)은 투영된 정사각형(206)의 외부 에지를 향할 수 있다. 개방 영역(210)은 투영된 정사각형(206)의 4개의 코너에 있을 수 있다. 일 실시형태에서, 개방 영역(210)은 대략 투영된 정사각형(206)의 면적 - 슈퍼스트레이트(200)의 면적이다.
돌출부(214)는 개방 영역(210) 내에서 본체(220)로부터 연장될 수 있다. 일 실시형태에서, 돌출부(214)는 외부 에지(212)로부터 개방 영역(210)의 1/4로 연장될 수 있다. 일 실시형태에서, 돌출부(214) 및 본체(220)는 하나의 연속적인 부품이다. 다른 실시형태에서, 돌출부(214) 및 본체(220)는 별개의 부품이다. 돌출부(214)는 0보다 크고 r√2 - r 이하인 길이(Y)를 가질 수 있으며, r은 본체(220)의 반경이다. 일 실시형태에서, 길이(Y)는 0보다 클 수 있다. 다른 실시형태에서, Y의 길이는 50 미크론 초과일 수 있다. 도 2b에서 볼 수 있는 바와 같이, 돌출부(214)는 본체(220)의 외부 에지(212)를 너머 연장될 수 있다. 일 실시형태에서, 돌출부(214)는 슈퍼스트레이트(200)가 기판(12)으로부터의 분리를 개시하도록 지렛대 작용될 수 있는 영역을 제공한다. 일 실시형태에서, 돌출부(214)는 기판(12)의 외부 에지를 너머 연장될 수 있다. 일 실시형태에서, 돌출부(214)는 본체(220)의 두께와 대략 동일한 두께를 갖는다. 다른 실시형태에서, 돌출부(214)는 본체(220)의 두께보다 작은 두께를 갖는다. 일 실시형태에서, 돌출부(214)는 타원 형상을 가질 수 있다. 다른 실시형태에서, 돌출부(214)는 날카로운 에지를 가질 수 있다. 다른 실시형태에서, 돌출부(214)는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 다른 실시형태에서, 돌출부(214)는 기하학적 형상일 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 돌출부(214)는 2개의 피크가 개방 영역(210) 내로 돌출하는 파동 형상을 가질 수 있다. 다른 실시형태에서, 돌출부(214)는 개방 영역(210)의 1/4을 둘러쌀 수 있다. 하나의 돌출부만이 도시되어 있지만, 더 상세하게 후술되는 바와 같이 더 많은 돌출부가 가능하다. 일 실시형태에서, 본체(220)는 적어도 1개의 돌출부 내지 4개 이하의 돌출부를 포함할 수 있다.
도 3은 본 명세서에 설명된 실시형태에 따른 디바이스 슈퍼스트레이트(300)의 평면도의 예시를 포함한다. 슈퍼스트레이트(300)는 도 1의 슈퍼스트레이트(18)와 유사할 수 있다. 슈퍼스트레이트(300)는 제1 돌출부(314) 및 제2 돌출부(316)를 갖는 본체(320)를 포함할 수 있다. 슈퍼스트레이트(300)는 측면(308)을 갖는 투영된 정사각형(306) 내에 끼워질 수 있다. 일 실시형태에서, 투영된 정사각형(306)의 각각의 측면(308)의 길이는 슈퍼스트레이트(300)의 본체(320)의 직경(304)과 동일할 수 있다. 일 실시형태에서, 제1 돌출부(314)는 제2 돌출부(316)에 대향할 수 있다. 투영된 정사각형(306)은 4개의 사분면(I, II, III, 및 IV)으로 지정될 수 있다. 제1 사분면(I)은 IV 사분면에 대향할 수 있고, 제2 사분면(II)은 III 사분면에 대향할 수 있으며, IV 사분면은 제3 사분면(III) 및 제2 사분면(II)에 접할 수 있다. 일 실시형태에서, 제1 돌출부(314)는 제2 사분면(II) 내에 있을 수 있고, 제2 돌출부(316)는 제3 사분면(III) 내에 있을 수 있다. 다른 실시형태에서, 제1 돌출부(314)는 제2 사분면(II) 내에 있을 수 있으며, 제2 돌출부(314)는 제4 사분면(IV) 내에 있을 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 제1 돌출부(314)는 제2 사분면(II) 내에 있을 수 있고, 제2 돌출부(316)는 제1 사분면(I) 내에 있을 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 제1 돌출부(314)는 4개의 사분면(I, II, III, IV) 중 어느 하나 내에 있을 수 있고, 제2 돌출부(316)는 제1 돌출부(314)에 의해 점유되지 않은 4개의 사분면(I, II, III, IV) 중 어느 하나 내에 있을 수 있다.
투영된 정사각형(306) 내의 슈퍼스트레이트(300)는 본체(320)의 외부 에지(312)와 투영된 정사각형(306) 사이에 개방 영역(310)을 생성할 수 있다. 일 실시형태에서, 개방 영역(310)은 대략 투영된 정사각형(306)의 면적 - 슈퍼스트레이트(300)의 본체(320)의 면적이다. 일 실시형태에서, 제1 돌출부(314)는 개방 영역(310)의 1/4 이하를 점유할 수 있고, 제2 돌출부(316)는 제1 돌출부(314)에 의해 점유되지 않은 개방 영역(310)의 1/4 이하를 점유할 수 있다. 일 실시형태에서, 제1 돌출부(314)와 제2 돌출부(316)는 본체(320)의 외부 에지(312)로부터 연장될 수 있다. 일 실시형태에서, 제1 돌출부(314)와 제2 돌출부(316)는 본체(320)와 함께 하나의 연속적인 부품으로서 기계가공될 수 있다. 다른 실시형태에서, 제1 돌출부(314)와 제2 돌출부(316)는 본체(320)에 부착되는 별개의 부품일 수 있다. 제1 돌출부(314)는 r√2 - r 이하일 수 있는 길이(Y)를 가질 수 있고, r은 본체(320)의 반경이다. 일 실시형태에서, 길이(Y)는 본체(320)의 외부 에지(312)로부터 제1 돌출부(314)의 최외측 에지까지 측정될 수 있다. 제2 돌출부(316)는 r√2 - r 이하일 수 있는 길이(Z)를 가질 수 있고, r은 본체(320)의 반경이다. 일 실시형태에서, 길이(Z)는 본체(320)의 외부 에지(312)로부터 제1 돌출부(316)의 최외측 에지까지 측정될 수 있다. 일 실시형태에서, Y = Z이다. 다른 실시형태에서, Y는 Z와 상이할 수 있다. 예를 들어, Y는 Z보다 클 수 있다. 다른 실시형태에서, Y는 Z보다 작을 수 있다.
도 4는 본 명세서에 설명된 실시형태에 따른 디바이스 슈퍼스트레이트(400)의 평면도의 예시를 포함하다. 슈퍼스트레이트(400)는 도 1의 슈퍼스트레이트대(18)와 유사할 수 있다. 슈퍼스트레이트(400)는 제1 돌출부(414), 제2 돌출부(416) 및 제3 돌출부(418)를 갖는 본체(420)를 포함할 수 있다. 슈퍼스트레이트(400)는 측면(408)을 갖는 투영된 정사각형(406) 내에 끼워질 수 있다. 일 실시형태에서, 투영된 정사각형(406)의 각각의 측면(408)의 길이는 슈퍼스트레이트(400)의 본체(420)의 직경(404)과 동일할 수 있다. 제1 돌출부(414)는 제1 돌출부(314)와 유사할 수 있고, 제2 돌출부(416)는 제2 돌출부(314)와 유사할 수 있다. 제3 돌출부(418)는 r√2 - r 이하일 수 있는 길이(X)를 가질 수 있으며, r은 본체(420)의 반경이다. 일 실시형태에서, Y = X = Z이다. 다른 실시형태에서, X는 Y와 상이할 수 있다. 또 다른 실시형태에서, X는 Z와 상이할 수 있다. 제3 돌출부(418)는 제1 돌출부(414)와 유사한 형상을 가질 수 있다. 다른 실시형태에서, 제3 돌출부(418)는 제1 돌출부(414)와 상이한 형상을 가질 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 제1 돌출부(414), 제2 돌출부(416) 및 제3 돌출부(418)는 모두 동일한 형상을 가질 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 제1 돌출부(414), 제2 돌출부(416), 및 제3 돌출부(418)는 상이한 기하학적 형상을 각각 가질 수 있다. 일 실시형태에서, 제3 돌출부(418)는 제1 돌출부(414) 또는 제2 돌출부(416)에 의해 점유되지 않은 개방 영역(410)의 1/4 이하를 점유할 수 있다.
도 5는 본 명세서에 설명된 실시형태에 따른 디바이스 슈퍼스트레이트(500)의 평면도의 예시를 포함한다. 슈퍼스트레이트대(500)는 도 1의 슈퍼스트레이트(18)와 유사할 수 있다. 슈퍼스트레이트(500)는 제1 돌출부(514), 제2 돌출부(516), 제3 돌출부(518) 및 제4 돌출부(522)를 갖는 본체(520)를 포함할 수 있다. 슈퍼스트레이트(500)는 측면(508)을 갖는 투영된 정사각형(506) 내에 끼워질 수 있다. 일 실시형태에서, 투영된 정사각형(506)의 각각의 측면(508)의 길이는 슈퍼스트레이트(500)의 본체(520)의 직경(504)과 동일할 수 있다. 일 실시형태에서, 제1 돌출부(514)는 제1 돌출부(414)와 유사할 수 있고, 제2 돌출부(516)는 제2 돌출부(414)와 유사할 수 있으며, 제3 돌출부(518)는 제3 돌출부(418)와 유사할 수 있다. 다른 실시형태에서, 제1 돌출부(514), 제2 돌출부(516) 및 제3 돌출부(518)는 상이한 기하학적 형상을 각각 가질 수 있다. 제4 돌출부(522)는 r√2 - r 이하일 수 있는 길이(W)를 가질 수 있고, r은 본체(520)의 반경이다. 일 실시형태에서, Y = X = Z = W이다. 다른 실시형태에서, W는 Y와 상이할 수 있다. 또 다른 실시형태에서, W는 Z와 상이할 수 있다. 또 다른 실시형태에서, W는 X와 상이할 수 있다. 제4 돌출부(522)는 제1 돌출부(514)와 유사한 형상을 가질 수 있다. 다른 실시형태에서, 제4 돌출부(522)는 제1 돌출부(514)와 상이한 형상을 가질 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 제1 돌출부(514), 제2 돌출부(516), 제3 돌출부(518), 및 제4 돌출부(522)는 모두 동일한 형상을 가질 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 제1 돌출부(514), 제2 돌출부(516), 제3 돌출부(518), 및 제4 돌출부(522)는 상이한 기하학적 형상을 각각 가질 수 있다. 일 실시형태에서, 제4 돌출부(522)는 제1 돌출부(514) 또는 제2 돌출부(516) 또는 제3 돌출부(518)에 의해 점유되지 않은 개방 영역(510)의 1/4 이하를 점유할 수 있다.
도 6은 본 개시내용의 방법(600)의 예시를 포함한다. 방법(600)은 장치(10)에서 수행될 수 있다. 동작 610에서, 성형가능 재료(34)는 기판(12) 상에 퇴적될 수 있다. 성형가능 재료(34)는 유체 분배 시스템(32)을 사용하여 퇴적될 수 있다. 동작 620에서, 슈퍼스트레이트(18)는 기판(12)과 정렬될 수 있다. 슈퍼스트레이트(18)는 정렬 마커를 사용하여 정렬될 수 있다. 일 실시형태에서, 위에서 설명된 돌출부는 정렬 마커로서 사용될 수 있다. 슈퍼스트레이트(18)는 슈퍼스트레이트(18)의 중심축이 기판(12)의 중심축과 대략 동일할 수 있도록 기판(12)과 정렬된다. 동작 630에서, 슈퍼스트레이트(18)는 기판(12) 상의 성형가능 재료(34)와 접촉할 수 있다. 임프린트 헤드(26)는 슈퍼스트레이트(18)가 기판(12) 상에 퇴적된 성형가능 재료(34)와 접촉할 때까지 기판(12)을 향해 슈퍼스트레이트(18)를 하강시킬 수 있다. 슈퍼스트레이트(18)는 성형가능 재료(34)를 확산시켜 이것을 슈퍼스트레이트(18)와 기판(12) 사이의 공간에 채울 수 있다. 성형가능 재료(34)는 평탄화 층을 형성하기 위해 경화(예를 들어, 광경화 또는 열적으로)될 수 있다. 평탄화 층이 형성된 후, 동작 640에서, 슈퍼스트레이트(18)는 돌출부를 사용하여 기판(12)으로부터 분리될 수 있다. 일 실시형태에서, 슈퍼스트레이트는 제1 돌출부(214), 제2 돌출부(316), 제3 돌출부(418), 및 제4 돌출부(522)를 포함할 수 있다. 다른 실시형태에서, 슈퍼스트레이트는 1개 내지 4개의 돌출부를 포함할 수 있다. 일 실시형태에서, 2개의 돌출부가 슈퍼스트레이트(18)와 기판(12) 사이의 균열 전파를 향상시키는데 사용될 수 있다. 돌출부(214)는 기판(12) 및 슈퍼스트레이트(18)의 외부 에지를 너머 연장될 수 있다. 따라서, 슈퍼스트레이트(18)와 기판(12) 사이의 분리를 개시하기 위해 적용력, 예를 들어 기계적인 것, 진공 또는 유체 압력 중 어느 하나가 돌출부(214)에 가해질 수 있다. 일 실시형태에서, 피에조 액추에이터가 슈퍼스트레이트(18)와 기판(12) 사이의 박리 또는 균열 전파를 향상시키기 위해 돌출부(214)와 접촉하여 이를 가압하기 위해 사용될 수 있다. 다른 실시형태에서, 유체 압력이 돌출부(214)를 밀어올려 균열 전파를 개시시키기 위해 사용될 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 액추에이터가 돌출부(214) 상에 힘을 가함으로써 슈퍼스트레이트(18)를 상승 또는 잡아당길 수 있다.
적어도 1개의 돌출부(214)를 개방 영역(210) 내에 배치함으로써, 슈퍼스트레이트(18)는 표준 크기의 전방 개방 통합 포드(FOUP)에 탑재될 수 있다. 적어도 1개의 돌출부(214)는 슈퍼스트레이트(18)와 FOUP 사이의 개방 영역 내에 끼워질 수 있다. 일 실시형태에서, 적어도 1개의 돌출부(214)는 제조 및 운반 중에 FOUP 내에 끼워진 상태에서 처리 동안 균열 전파를 향상시킬 수 있다. 슈퍼스트레이트(18)는 변형 또는 특정 변경 없이 제조 캐리어 내에 끼워질 수 있고, 이에 의해 특히 전체 기판 처리 동안 기판과의 분리를 개시하기 위해 사용될 수 있는 슈퍼스트레이트를 위해 특별히 설계되는 장비와 관련된 제조 비용을 절감한다. 일단 분리가 발생하면, 기판(12)은 추가 처리를 거칠 수 있고, 처리된 기판(12)으로부터 물품이 제조될 수 있다.
일 실시형태에서, 물품을 제조하는 방법은 기판(12) 상에 성형가능 재료(34)를 퇴적시키는 단계와, 슈퍼스트레이트(18)를 기판(12) 상의 성형가능 재료(34)와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시형태에서, 슈퍼스트레이트는 직경을 갖는 본체를 포함할 수 있다. 본체는 투영된 정사각형 내에 끼워질 수 있다. 일 실시형태에서, 투영된 정사각형은 본체의 직경과 동일한 길이를 가질 수 있고, 제1 돌출부는 투영된 정사각형 내에서 본체로부터 연장될 수 있다. 물품을 제조하는 방법은 평면 층을 형성하기 위해 성형가능 재료(34)를 경화시키는 단계, 슈퍼스트레이트(18)와 기판(12) 상의 성형가능 재료(34)를 분리하는 단계, 평면 층이 형성된 기판(12)을 처리하는 단계, 및 처리된 기판(12)으로부터 물품을 제조하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일반적인 설명 또는 예에서 상술된 모든 활동이 요구되는 것은 아니며, 특정 활동의 일부가 요구되지 않을 수 있고, 설명된 것에 추가로 하나 이상의 추가 활동이 수행될 수 있는 점에 유의한다. 또한, 활동이 나열되는 순서는 반드시 활동이 수행되는 순서는 아니다.
이점, 다른 장점, 및 문제에 대한 해결책이 특정 실시형태에 관해 상술되었다. 그러나, 이점, 장점, 문제에 대한 해결책, 및 임의의 이점, 장점, 또는 해결책이 발생하게 하거나 더 두드러지게 할 수 있는 임의의 특징(들)은 임의의 또는 모든 청구항의 중요한, 요구되는, 또는 필수적인 특징으로서 해석되어서는 안 된다.
본 명세서에 설명된 실시형태의 상세한 설명 및 도면은 다양한 실시형태의 구조의 일반적인 이해를 제공하도록 의도된다. 상세한 설명 및 도면은 본 명세서에 설명된 구조 및 방법을 사용하는 장치 및 시스템의 모든 요소 및 특징의 철저한 그리고 포괄적인 설명으로서 기능하도록 의도되지 않는다. 개별 실시형태는 또한 단일 실시형태의 조합으로 제공될 수 있고, 반대로, 간략화를 위해, 단일 실시형태의 맥락에서 설명되는 다양한 특징이 또한 개별적으로 또는 임의의 서브조합으로 제공될 수 있다. 또한, 범위로 기술된 값들에 대한 언급은 해당 범위 내의 각각의 그리고 모든 값을 포함한다. 본 명세서를 읽는 것만으로도 많은 다른 실시형태가 당업자에게 명확해질 수 있다. 구조적 치환, 논리적 치환, 또는 다른 변경이 본 개시내용의 범위 내에서 이루어질 수 있도록, 다른 실시형태가 본 개시내용으로부터 사용되고 파생될 수 있다. 따라서, 개시내용은 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 간주될 것이다.

Claims (12)

  1. 슈퍼스트레이트이며,
    직경을 갖는 본체로서, 상기 본체는 투영된 정사각형 내에 끼워지고, 상기 투영된 정사각형은 상기 본체의 상기 직경과 동일한 길이를 갖는, 본체; 및
    상기 투영된 정사각형 내에서 상기 본체로부터 연장되는 제1 돌출부를 포함하는 슈퍼스트레이트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 본체로부터의 상기 제1 돌출부의 길이가 0보다 크고 r√2 - r 이하이며, r은 상기 본체의 반경인 슈퍼스트레이트.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 돌출부는 상기 투영된 정사각형과 상기 본체 사이의 4개의 영역 중 하나에 존재하는 슈퍼스트레이트.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 돌출부는 상기 투영된 정사각형의 면적에서 상기 본체의 면적을 뺀 면적의 1/4 이하를 점유하는 슈퍼스트레이트.
  5. 제1항에 있어서, 상기 투영된 정사각형과 상기 본체 사이의 4개의 영역 중 1개 내의 제2 돌출부를 더 포함하며, 상기 제2 돌출부는 상기 제1 돌출부에 의해 점유되지 않은 영역에 있는 슈퍼스트레이트.
  6. 제1항에 있어서, 메사를 더 포함하는 슈퍼스트레이트.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1 돌출부는 상기 본체의 중심으로부터 상기 제2 돌출부에 대향하는 슈퍼스트레이트.
  8. 평탄화 층 형성 방법이며,
    성형가능 재료를 기판 상에 퇴적시키는 단계;
    슈퍼스트레이트를 상기 기판 상의 상기 성형가능 재료와 접촉시키는 단계; 및
    상기 슈퍼스트레이트와 상기 기판 상의 상기 성형가능 재료를 분리하는 단계를 포함하고,
    상기 슈퍼스트레이트는,
    직경을 갖는 본체로서, 상기 본체는 투영된 정사각형 내에 끼워지고, 상기 투영된 정사각형은 상기 본체의 상기 직경과 동일한 길이를 갖는, 본체; 및
    상기 투영된 정사각형 내에서 상기 본체로부터 연장되는 제1 돌출부를 포함하는, 평탄화 층 형성 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 슈퍼스트레이트와 상기 기판을 분리하는 단계는 상기 제1 돌출부에 힘을 가함으로써 이루어지는, 평탄화 층 형성 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 본체로부터의 상기 제1 돌출부의 길이가 0보다 크고 r√2 - r 이하이며, r은 상기 본체의 반경인, 평탄화 층 형성 방법.
  11. 물품 제조 방법이며,
    성형가능 재료를 기판 상에 퇴적시키는 단계;
    슈퍼스트레이트를 상기 기판 상의 상기 성형가능 재료와 접촉시키는 단계로서, 상기 슈퍼스트레이트는,
    직경을 갖는 본체로서, 상기 본체는 투영된 정사각형 내에 끼워지고, 상기 투영된 정사각형은 상기 본체의 상기 직경과 동일한 길이를 갖는, 본체; 및
    상기 투영된 정사각형 내에서 상기 본체로부터 연장되는 제1 돌출부를 포함하는,
    접촉 단계;
    평면 층을 형성하기 위해 상기 성형가능 재료를 경화시키는 단계;
    상기 슈퍼스트레이트와 상기 기판 상의 상기 성형가능 재료를 분리하는 단계;
    상기 평면 층이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계; 및
    상기 처리된 기판으로부터 상기 물품을 제조하는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 슈퍼스트레이트와 상기 기판을 분리하는 단계는 상기 제1 돌출부에 힘을 가함으로써 이루어지는, 물품 제조 방법.
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