KR20200059979A - 이종접합 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이종접합 태양전지의 수광부에서 진성 비정질 실리콘 층과 불순물 비정질 실리콘 층의 사이에 전도성 중간층을 추가하여 패시베이션 특성과 전기적 특성을 유지하면서 광학적 특성을 개선시킬 수 있는 이종접합 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 이종접합 태양전지에 의하면 진성 비정질 실리콘 층과 불순물 비정질 실리콘 층의 두께가 얇아짐에 따라 결정질 실리콘 기판까지 투과하는 빛의 양이 늘어나 광학적 특성 또한 향상시킬 수 있으며, 전도성 중간층으로 인해 수소 플라즈마 처리공정 없이도 패시베이션 특성을 유지할 수 있어서 이종접합 태양전지 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

이종접합 태양전지 및 그 제조방법 {Hetero-Junction Solar Cell And The Manufacturing Method Thereof}
본 발명은 이종접합 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 이종접합 태양전지의 수광부에서 진성 비정질 실리콘 층과 불순물 비정질 실리콘 층의 사이에 전도성을 갖는 중간층을 추가하여 패시베이션 특성과 전기적 특성을 유지하면서 광학적 특성을 개선시킬 수 있는 이종접합 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 태양이 방출하는 빛 에너지를 반도체 특성을 이용하여 전기 에너지로 변환시키는 장치이다. 태양전지는 기본적으로 p(positive)형 반도체와 n(negative)형 반도체를 접합시킨 p-n 접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole) 및　전자(electron)가 발생하고, 이때 p-n 접합에서 발생한 전기장에 의해서 정공(+)은 p형 반도체 쪽으로 이동하고 전자(-)는 n형 반도체 쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 되므로 전력을 생산할 수 있게 된다.
태양전지는 p-n 접합에 사용되는 p영역과 n영역의 성질에 따라 동종접합(homojunction) 태양전지와 이종접합(heterojunction) 태양전지로 나눌 수 있다. 이 중에서 이종접합 태양전지는 서로 다른 결정구조 또는 서로 다른 물질로 결합되는 구조를 가지며, 일반적인 실리콘 이종접합 태양전지는 결정질 실리콘 기판과 비정질 실리콘층이 결합된 구조를 말한다.
도 1은 종래의 실리콘 이종접합 태양전지의 단면도이다.
도 1을 참고하면, 종래의 실리콘 이종접합 태양전지는 결정질 실리콘 기판(11)의 전면에 비정질 실리콘 층(12), 그 위에 형성된 투명전도 산화막(13), 투명전도 산화막 상부에 형성된 상부전극(14), 결정질 실리콘 기판(11)의 후면에 형성된 후면전계(Back Surface Field)(15) 및 하부전극(16)으로 구성되어 있으며, 전면의 비정질 실리콘 층(12)은 에미터(emitter)로 작용한다.
이러한 실리콘 이종접합 태양전지는 결정질 실리콘 기판(11)과 비정질 실리콘 층(12)의 계면에서 발생하는 결함의 정도에 의해 그 특성이 좌우되는데, 이러한 결함이 생기는 원인은 결정질 실리콘 기판의 표면 결함, 플라즈마 노출에 따른 데미지 및 비정질 실리콘 층에 존재하는 불순물 등을 들 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 n형 결정질 실리콘 기판과 p형 비정질 실리콘 층 사이에 진성 비정질 실리콘 층이 도입되어 있는 HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin film) 구조의 이종접합 태양전지가 제시되었다.
도 2는 종래의 HIT 구조의 이종접합 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이 종래의 HIT 구조의 이종접합 태양전지는, n형 결정질 실리콘 기판(210)의 상부에 패시베이션 특성을 강화하기 위한 진성 비정질 실리콘 층(220)이 형성되고, 그 상부에 p형 비정질 실리콘 층(230)이 형성된다. 또한, p형 비정질 실리콘 층(230)의 상부에는 상부 전극(240)이 형성된다. 필요에 따라 p형 비정질 실리콘 층(230)과 상부 전극(240)의 사이에 투명산화막층(미도시)이 형성될 수 있다.
한편, n형 결정질 실리콘 기판(210)의 하부에는 후면전계 효과를 위해 진성 비정질 실리콘 층(250)과 p형 비정질 실리콘 층(260)이 형성되고 그 하부에 하부전극(270)이 형성된다. 필요에 따라 p형 비정질 실리콘 층(260)과 하부전극(270)의 사이에 투명 산화막층(미도시)이 형성될 수 있다.
이때 전자(electron) 또는 정공(+) 등의 캐리어를 보호하여 우수한 패시베이션 특성을 확보하기 위해서는 진성 비정질 실리콘 층(220)의 경우 두께가 4nm 이상이 되어야 하지만 이때는 광학적 특성이 저하되는 문제가 있다. 반대로, 진성 비정질 실리콘 층(220)의 두께를 4nm 이하로 하는 경우에는 패시베이션 특성이 감소되어 표면 결함 밀도 및 누설전류가 증가하여 임플라이드 개방전압(implied Voc)이 750mV이하로 떨어지게 되어 태양전지의 특성을 저하시키는 문제가 있다. 또한, 임플라이드 개방전압(imp Voc)을 750mV 이상으로 확보하기 위해서는 진성 비정질 실리콘 층(220)에 존재하는 수소에 대한 플라즈마 처리가 수행되어야 하며, 이에 따라 공정 시간이 증가하고 생산성이 감소하는 문제가 있다.
한편, 우수한 전기적 특성을 확보하기 위해서는 결정질 실리콘 기판(210)에서 생성된 캐리어들을 분리 및 이동시키는 역할을 하는 불순물 비정질 실리콘 층(230)의 두께를 5nm 이상으로 하여야 하지만 이러한 경우 광학적 특성이 저하되는 문제가 있다. 반대로 불순물 비정질 실리콘 층(230)의 두께를 5nm 이하로 하는 경우에는 전기전도도가 저하되어 전기적 특성이 크게 감소하는 문제가 있다.
특허문헌 1: 한국공개특허 10-2012-0029136호 (공개일: 2012년 03월 26일)
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 이종접합 태양전지의 수광부에서 진성 비정질 실리콘 층과 불순물 비정질 실리콘 층의 사이에 전도성을 갖는 중간층을 추가하여 패시베이션 특성과 전기적 특성을 유지하면서 광학적 특성을 개선시킬 수 있는 이종접합 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 이종접합 태양전지는, 결정질 실리콘 기판; 상기 결정질 실리콘 기판의 전면에 형성된 제1 진성 비정질 실리콘층; 상기 제1 진성 비정질 실리콘층의 상부에 형성된 전도성 중간층; 상기 전도성 중간층의 상부에 형성된 제1 불순물 비정질 실리콘층; 및 상기 제1 불순물 비정질 실리콘층의 상부에 형성된 상부전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 이종접합 태양전지의 제조방법은, 결정질 실리콘 기판을 준비하는 결정질 실리콘 기판 준비단계; 상기 결정질 실리콘 기판의 전면에 제1 진성 비정질 실리콘층을 형성하는 제1 진성 비정질 실리콘층 형성단계; 상기 제1 진성 비정질 실리콘층의 상부에 전도성 중간층을 형성하는 전도성 중간층 형성단계; 상기 전도성 중간층의 상부에 제1 불순물 비정질 실리콘층을 형성하는 제1 불순물 비정질 실리콘층 형성단계; 및 상기 제1 불순물 비정질 실리콘층의 상부에 상부전극을 형성하는 상부전극 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 이종접합 태양전지에 의하면 이종접합 태양전지의 수광부에서 진성 비정질 실리콘 층과 불순물 비정질 실리콘 층의 사이에 전도성 중간층을 추가하여 패시베이션 특성과 전기적 특성을 향상시킬 수 있으며, 진성 비정질 실리콘 층과 불순물 비정질 실리콘 층의 두께가 얇아짐에 따라 결정질 실리콘 기판까지 투과하는 빛의 양이 늘어나 광학적 특성 또한 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
한편, 전도성 중간층으로 인해 수소 플라즈마 처리공정 없이도 패시베이션 특성을 유지할 수 있어서 이종접합 태양전지 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 실리콘 이종접합 태양전지의 단면도이다.
도 2는 종래의 HIT 구조의 이종접합 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 이종접합 태양전지의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 이종접합 태양전지의 제조방법의 공정 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따른 이종접합 태양전지의 단면도이다.
도 3을 참고하면 본 발명에 따른 이종접합 태양전지는, 결정질 실리콘 기판(310), 상기 결정질 실리콘 기판의 전면에 형성된 제1 진성 비정질 실리콘층(320), 상기 제1 진성 비정질 실리콘층의 상부에 형성된 전도성 중간층(330), 상기 전도성 중간층의 상부에 형성된 제1 불순물 비정질 실리콘층(340) 및 상기 제1 불순물 비정질 실리콘층의 상부에 형성된 상부전극(350)을 포함한다.
즉, 본 발명은 이종접합 태양전지의 수광부에서 제1 진성 비정질 실리콘층(320)과 제1 불순물 비정질 실리콘층(340)의 사이에 전도성을 갖는 중간층을 추가하고, 제1 진성 비정질 실리콘층(320)과 제1 불순물 비정질 실리콘층(340)의 두께를 얇게 함으로써 패시베이션 특성과 전기적 특성을 유지하면서도 광학적 특성을 개선하는 것을 특징으로 한다.
상기 결정질 실리콘 기판(310)은 단결정 또는 다결정 실리콘 기판일 수 있으며, p형 또는 n형 일 수 있다.
상기 제1 진성 비정질 실리콘층(320)은 2.0 내지 4.0nm의 두께를 가지며, 상기 제1 불순물 비정질 실리콘층(340)은 2.0 내지 3.0nm의 두께를 갖는 층이다. 한편, 본 발명에서는 제1 불순물 비정질 실리콘층(340)이 n형 반도체 층인 것으로 설명하지만 제1 불순물 비정질 실리콘층(340)을 p형 반도체 층으로 형성할 수도 있다.
본 발명은 종래와 비교하여 상기 제1 진성 비정질 실리콘층(320)과 상기 제1 불순물 비정질 실리콘층(340)의 사이에 삽입된 전도성 중간층(330)으로 인해 상기 제1 진성 비정질 실리콘층(320)과 상기 제1 불순물 비정질 실리콘층(340)의 두께를 얇게 할 수 있고 이에 따라 결정질 실리콘 기판(310)까지 투과하는 빛의 양이 늘어나서 광학적 특성을 개선할 수 있는 장점이 있다.
상기 전도성 중간층(330)은 1.5 내지 3.0nm의 두께와 1.0 x 104내지 1.0 x 105S/cm의 전기 전도도를 갖는 층으로서, 인(phosphorus)으로 도핑되어 있다.
또한 전도성 중간층(330)은 제1 진성 비정질 실리콘층(320) 보다 상부에 위치하므로 밴드 갭은 제1 진성 비정질 실리콘층(320)의 밴드 갭 보다 더 넓어야 한다.
일반적으로 제1 진성 비정질 실리콘층(320)은 1.78 내지 1.80eV의 밴드갭을 가지며, 본 발명에 따른 전도성 중간층(330)은 1.70 내지 1.85eV의 밴드 갭을 갖는 것이 바람직하다.
상기 전도성 중간층(330)은 제1 진성 비정질 실리콘층(320)과 비교하여 패시베이션 특성은 낮으나 전기 전도성이 훨씬 더 우수하다. 한편, 제1 불순물 비정질 실리콘층(340)과 비교하여서는 전기전도성은 낮으나 패시베이션 성능이 우수한 특성을 갖는다.
즉, 제1 진성 비정질 실리콘층(320)과 제1 불순물 비정질 실리콘층(340)의 사이에 전도성 중간층(330)을 추가함으로써 제1 진성 비정질 실리콘층(320)의 낮은 전기 전도성을 보완하고 제1 불순물 비정질 실리콘층(340)의 낮은 패시베이션 특성을 강화시키게 된다.
한편, 상기 전도성 중간층(330)은 단층으로 형성될 수도 있지만, 상기 제1 진성 비정질 실리콘층(320)의 상부에 형성된 제1 전도성 중간층(331)과 상기 제1 전도성 중간층(331)의 상부에 형성된 제2 전도성 중간층(332)으로 분리하여 형성될 수도 있다.
이와 같이 전도성 중간층(330)을 제1 전도성 중간층(331)과 제2 전도성 중간층(332)으로 분리하는 경우 패시베이션 특성을 더욱 강화시킬 수 있다. 또한, 제1 진성 비정질 실리콘층(320)과 제1 불순물 비정질 실리콘층(340)의 상이한 밴드 갭 준위 차이를 줄여줄 수 있기 때문에 전기적 특성도 더욱 강화시킬 수 있다.
전기적 특성을 더욱 효과적으로 하기 위해서는 제1 전도성 중간층(331)의 전기 전도도를 제1 진성 비정질 실리콘층(320) 보다는 높고 제2 전도성 중간층(332)보다는 낮게 하며, 제2 전도성 중간층(332)의 전기 전도도를 제1 전도성 중간층(331)보다는 높고 제1 불순물 비정질 실리콘층(340) 보다는 낮게 하는 것이 바람직하다.
즉, 상기 제1 불순물 비정질 실리콘층(340), 상기 제2 전도성 중간층(332), 상기 제1 전도성 중간층(331) 및 상기 제1 진성 비정질 실리콘층(320)의 순서로 전기전도도가 높은 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 이종접합 태양전지는, 상기 결정질 실리콘 기판(310)의 후면에 형성된 제2 진성 비정질 실리콘층(360)과, 상기 제2 진성 비정질 실리콘층(360)의 하부에 형성된 제2 불순물 비정질 실리콘층(370) 및 상기 제2 불순물 비정질 실리콘층(360)의 하부에 형성된 하부전극(380)을 더 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 이종접합 태양전지의 제조방법의 공정 흐름도이다.
도 4에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 이종접합 태양전지의 제조방법은 결정질 실리콘 기판 준비단계(S410), 제1 진성 비정질 실리콘층 형성단계(S420), 전도성 중간층 형성단계(S430), 제1 불순물 비정질 실리콘층 형성단계(S440) 및 상부전극 형성단계(S450)를 포함한다.
본 발명에 따른 이종접합 태양전지를 제조하기 위해서는 먼저, 결정질 실리콘 기판을 준비한다(S410). 상기 결정질 실리콘 기판은 단결정 또는 다결정 실리콘 기판일 수 있으며, p형 또는 n형 일 수 있다.
이어서, 상기 결정질 실리콘 기판의 전면에 제1 진성 비정질 실리콘층을 형성하는 공정이 수행된다(S420). 제1 진성 비정질 실리콘층 형성단계(S420)에서는 결정질 실리콘 기판의 전면에 수소(H2)및 실란(SiH4)의 혼합가스를 반응가스로 사용하여 2.0 내지 4.0nm의 두께로 제1 진성 비정질 실리콘층을 증착한다. 이때 수소(H2)가스/실란(SiH4)가스의 유량비는 1 내지 30인 상태에서 공정을 수행하는 것이 바람직하다.
전도성 중간층 형성단계(S430)에서는 반응가스로 수소(H2),실란(SiH4)및 인(PH3)의 혼합가스를 사용하여 제1 진성 비정질 실리콘층의 상부에 1.5 내지 3.0nm의 두께로 전도성 중간층을 형성한다. 이때 수소(H2)가스/실란(SiH4)가스의 유량비는 80 내지 120이고, 전체 반응가스에 대한 인(PH3)의 유량비는 1 내지 10인 상태에서 공정을 수행하는 것이 바람직하다.
전도성 중간층 형성단계(S430)에서 형성되는 전도성 중간층은 전기 전도성 외에 패시베이션 특성도 가져야 한다. 따라서 본 발명은 우수한 전기 전도성과 패시베이션 특성을 갖기 위해 수소(H2)가스/실란(SiH4)가스의 유량비를 후술하는 제1 진성 비정질 실리콘층 형성단계(S420) 및 제1 불순물 비정질 실리콘층 형성단계(S440)에서와 달리 80 내지 120으로 조절한 것에 특징이 있다.
한편, 전도성 중간층 형성단계(S430)에서는 하나의 전도성 중간층을 형성할 수도 있지만 전도성 중간층을 제1 전도성 중간층과 제2 전도성 중간층으로 분리하여 상기 제1 진성 비정질 실리콘층의 상부에 제1 전도성 중간층을 형성하고, 상기 제1 전도성 중간층의 상부에 제2 전도성 중간층을 형성할 수도 있다.
제1 불순물 비정질 실리콘층 형성단계(S440)에서는 반응가스로 수소(H2),실란(SiH4)및 인(PH3)의 혼합가스를 사용하여 전도성 중간층의 상부에 2.0 내지 3.0nm의 두께로 제1 불순물 비정질 실리콘층을 형성한다. 이때 수소(H2)가스/실란(SiH4)가스의 유량비는 1 내지 80이고, 전체 반응가스에 대한 인(PH3)의 유량비는 1 내지 8인 상태에서 공정을 수행하는 것이 바람직하다.
제1 진성 비정질 실리콘층 형성단계(S420)는 진성 챔버(intrinsic chamber)에서 단독으로 진행되고, 전도성 중간층 형성단계(S430) 및 제1 불순물 비정질 실리콘층 형성단계(S440)는 도핑 챔버(doping chamber) 내에서 순차적으로 진행된다.
상부전극 형성단계(S450)에서는 상기 제1 불순물 비정질 실리콘층의 상부에 상부전극을 형성한다.
한편, 도 4에 도시하지는 않았지만 본 발명에 따른 이종접합 태양전지 제조방법에서는, 상기 결정질 실리콘 기판의 후면에 제2 진성 비정질 실리콘층을 형성하는 제2 진성 비정질 실리콘층 형성단계와, 상기 제2 진성 비정질 실리콘층의 하부에 제2 불순물 비정질 실리콘층을 형성하는 제2 불순물 비정질 실리콘층 형성단계 및 상기 제2 불순물 비정질 실리콘층의 하부에 하부전극을 형성하는 하부전극 형성단계를 더 포함할 수 있다.
살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 이종접합 태양전지 및 그 제조방법에 의하면 진성 비정질 실리콘 층과 불순물 비정질 실리콘 층의 두께가 얇아짐에 따라 결정질 실리콘 기판까지 투과하는 빛의 양이 늘어나 광학적 특성 또한 향상시킬 수 있으며, 전도성 중간층으로 인해 수소 플라즈마 처리공정 없이도 패시베이션 특성을 유지할 수 있어서 이종접합 태양전지 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하였지만, 본 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것이 아니라 다음의 청구범위에서 정의하는 본 발명의 기본 개념을 바탕으로 보다 다양한 실시예로 구현될 수 있으며, 이러한 실시예들 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (15)

  1. 이종접합 태양전지에 있어서,
    결정질 실리콘 기판;
    상기 결정질 실리콘 기판의 전면에 형성된 제1 진성 비정질 실리콘층;
    상기 제1 진성 비정질 실리콘층의 상부에 형성된 전도성 중간층;
    상기 전도성 중간층의 상부에 형성된 제1 불순물 비정질 실리콘층; 및
    상기 제1 불순물 비정질 실리콘층의 상부에 형성된 상부전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 전도성 중간층은
    1.5 내지 3.0nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 전도성 중간층은
    인으로 도핑되어 있으며,
    1.0 x 104내지 1.0 x 105S/cm의 전기 전도도를 갖는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 전도성 중간층은
    1.70 내지 1.85eV의 밴드 갭을 갖는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 진성 비정질 실리콘층은 2.0 내지 4.0nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 불순물 비정질 실리콘층은 2.0 내지 3.0nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 전도성 중간층은
    상기 제1 진성 비정질 실리콘층의 상부에 형성된 제1 전도성 중간층; 및
    상기 제1 전도성 중간층의 상부에 형성된 제2 전도성 중간층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 불순물 비정질 실리콘층, 상기 제2 전도성 중간층, 상기 제1 전도성 중간층 및 상기 제1 진성 비정질 실리콘층의 순서로 전기전도도가 높은 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 결정질 실리콘 기판의 후면에 형성된 제2 진성 비정질 실리콘층;
    상기 제2 진성 비정질 실리콘층의 하부에 형성된 제2 불순물 비정질 실리콘층; 및
    상기 제2 불순물 비정질 실리콘층의 하부에 형성된 하부전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 결정질 실리콘 기판은
    단결정 또는 다결정이며, n형 또는 p형인 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지.
  11. 이종접합 태양전지 제조방법에 있어서,
    결정질 실리콘 기판을 준비하는 결정질 실리콘 기판 준비단계;
    상기 결정질 실리콘 기판의 전면에 제1 진성 비정질 실리콘층을 형성하는 제1 진성 비정질 실리콘층 형성단계;
    상기 제1 진성 비정질 실리콘층의 상부에 전도성 중간층을 형성하는 전도성 중간층 형성단계;
    상기 전도성 중간층의 상부에 제1 불순물 비정질 실리콘층을 형성하는 제1 불순물 비정질 실리콘층 형성단계; 및
    상기 제1 불순물 비정질 실리콘층의 상부에 상부전극을 형성하는 상부전극 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지의 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 제1 진성 비정질 실리콘층 형성단계는
    반응가스로 수소(H2)및 실란(SiH4)의 혼합가스를 사용하며
    수소(H2)/실란(SiH4)의 유량비는 1 내지 30인 상태에서 진행되는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지의 제조방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 진성 비정질 실리콘층 형성단계는 진성 챔버에서 단독으로 진행되고,
    상기 전도성 중간층 형성단계 및 상기 제1 불순물 비정질 실리콘층 형성단계는 도핑 챔버에서 차례대로 진행되는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지의 제조방법.
  14. 제 11항에 있어서, 상기 전도성 중간층 형성단계는
    상기 제1 진성 비정질 실리콘층의 상부에 제1 전도성 중간층을 형성하는 제1 전도성 중간층 형성단계; 및
    상기 제1 전도성 중간층의 상부에 제2 전도성 중간층을 형성하는 제2 전도성 중간층 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지의 제조방법.
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 결정질 실리콘 기판의 후면에 제2 진성 비정질 실리콘층을 형성하는 제2 진성 비정질 실리콘층 형성단계;
    상기 제2 진성 비정질 실리콘층의 하부에 제2 불순물 비정질 실리콘층을 형성하는 제2 불순물 비정질 실리콘층 형성단계; 및
    상기 제2 불순물 비정질 실리콘층의 하부에 하부전극을 형성하는 하부전극 형성단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 태양전지의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004296776A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子およびその製造方法
KR20120029136A (ko) 2010-09-16 2012-03-26 고려대학교 산학협력단 이온샤워법을 이용한 실리콘 이종접합 태양전지 제조방법
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