KR20200052078A - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention provides an apparatus of treating a substrate. According to an embodiment of the present invention, the apparatus of treating a substrate comprises: a process chamber for providing an inner space therein; a treatment container provided in the inner space and having a cup shape with an opened upper part; a support unit located in the treatment container to support a substrate and rotate the same; a nozzle for discharging a treatment liquid onto the substrate supported by the support unit; a moving member for relatively moving the nozzle with respect to the substrate supported by the support unit; an exhaust unit for discharging byproducts generated in the inner space to the outside of the inner space; and an edge pipe unit located at an edge of the substrate to discharge byproducts generated in the edge of the substrate to the outside of the inner space.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing device {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조를 위해 리소그라피, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 도 1은 상기 공정들 중 리소그라피 공정의 플로우 차트를 도시한 것이다. 리소그라피 공정은 웨이퍼 세정(S10), 포토레지스트 도포(S20), 소프트 베이트(S30), 노광(S40), 에지 노광(S50), 현상(S60) 그리고 하드 베이크(S70) 공정을 순차적으로 수행한다.Various processes such as lithography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed to manufacture semiconductor devices and flat panel displays. 1 shows a flow chart of a lithography process among the above processes. The lithography process sequentially performs wafer cleaning (S10), photoresist coating (S20), soft bait (S30), exposure (S40), edge exposure (S50), development (S60), and hard bake (S70) processes.

포토 레지스트 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 에지 노광 공정은 기판의 에지 영역을 노광하는 공정이다.The photoresist coating process is a process of applying a photoresist such as resist on the surface of the substrate. The exposure process is a process of exposing a circuit pattern on a substrate on which a photosensitive film is formed. The edge exposure process is a process of exposing the edge region of the substrate.

포토 리소그래피 공정의 진행시에 기판의 에지에 형성된 포토 레지스터 막은 쉽게 분리되어 이물질로 작용하는 경우가 빈번히 발생하여 칩의 수율을 떨어뜨리는 문제점이 발생한다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 기판의 에지를 노광하여 에지부의 포토 레지스트를 미리 제거하게 된다. In the course of the photolithography process, the photoresist film formed on the edge of the substrate is easily separated and frequently acts as a foreign material, resulting in a problem of decreasing the yield of the chip. To solve this problem, the photoresist of the edge portion is removed in advance by exposing the edge of the substrate.

현상 공정은 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.The developing process is a process of selectively developing the exposed area of the substrate.

에지 노광 공정과 현상 공정은 회전되는 기판 상에 대하여 노광 빔을 비추거나 현상액을 공급하므로, 기판에서 발생한 공정 부산물이 비산되어 공정 챔버 내 오염을 발생시킨다. Since the edge exposure process and the development process illuminate an exposure beam or supply a developer on a rotating substrate, process by-products generated in the substrate are scattered to generate contamination in the process chamber.

도 2는 현상 챔버에서 기판의 회전에 따른 흄의 이동 경로를 나타낸 도면이다. 현상 공정에서 기판의 상면에 대응하는 처리 용기는 개방되어 있고, 처리 용기의 하부로 배기하는 구조에 의해, 일부 공정 부산물이 처리 용기 하부로 배기되지 않고, 기판의 에지에서 튀어 올라 처리 용기 외부로 이탈된다. 기판의 회전 속도가 증가될수록 이탈되는 공정 부산물의 양이 많아진다.2 is a view showing the movement path of the fume according to the rotation of the substrate in the development chamber. In the developing process, the processing container corresponding to the upper surface of the substrate is open, and due to the structure that exhausts to the lower portion of the processing container, some process by-products are not exhausted to the lower portion of the processing container, but are bounced off the edge of the substrate to escape outside the processing container. do. As the rotational speed of the substrate increases, the amount of process by-products deviating increases.

본 발명은 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the processing efficiency of a substrate.

본 발명은 기판의 에지 노광시 비산되는 공정 부산물을 효과적으로 배기할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of effectively evacuating process by-products scattered during edge exposure of a substrate.

본 발명은 기판의 현상 처리시 비산되는 공정 부산물을 효과적으로 배기할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of effectively evacuating process by-products scattered during development processing of a substrate.

본 발명은 동일한 배기량을 사용하더라도 배기 효율이 높은 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having high exhaust efficiency even when the same displacement is used.

본 발명은 기판 처리 설비의 풋프린트를 감소시킬 수 있다.The present invention can reduce the footprint of the substrate processing facility.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited to this, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판을 처리하는 장치는, 내부에 내부 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 내부 공간에 내에 제공되며 상부가 개방된 컵 형상을 가지는 처리 용기와; 상기 처리 용기 내에 위치되어 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 토출하는 노즐과; 상기 노즐을 상기 지지 유닛에 지지된 기판에 대해 상대 이동시키는 이동 부재와; 상기 내부 공간에서 발생된 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 유닛과; 기판의 에지에 위치되어 기판의 에지에서 발생한 부산물을 상기 내부 공간 외부로 배출시키는 에지 파이프 유닛을 포함한다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. In one embodiment, an apparatus for processing a substrate includes: a process chamber providing an interior space therein; A processing container provided in the interior space and having an open cup shape; A support unit positioned in the processing container to support and rotate the substrate; A nozzle that discharges a processing liquid on the substrate supported by the support unit; A moving member for moving the nozzle relative to the substrate supported by the support unit; An exhaust unit that discharges by-products generated in the interior space to the outside of the interior space; And an edge pipe unit located at the edge of the substrate to discharge byproducts generated at the edge of the substrate to the outside of the interior space.

일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 기판의 에지에 위치되는 에지 파이프와; 상기 에지 파이프에 연결되어 상기 에지 파이프 내부의 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 라인을 포함할 수 있다.In one embodiment, the edge pipe unit includes an edge pipe positioned at the edge of the substrate; It may include an exhaust line connected to the edge pipe to discharge by-products inside the edge pipe to the outside of the interior space.

일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프는 원통형으로 제공될 수 있다.In one embodiment, the edge pipe may be provided in a cylindrical shape.

일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프는, 기판의 두께보다 넓은 너비를 갖는 슬릿이 상기 에지 파이프의 길이 방향으로 형성될 수 있다.In one embodiment, the edge pipe, a slit having a width wider than the thickness of the substrate may be formed in the longitudinal direction of the edge pipe.

일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 상기 에지 파이프의 길이 방향 또는 길이 방향에 수직한 방향 중 어느 하나 이상의 방향에 대하여 직선 이동될 수 있다.In one embodiment, the edge pipe unit, the edge pipe may be linearly moved with respect to any one or more of the longitudinal direction or a direction perpendicular to the longitudinal direction.

일 실시 예에 있어서,에지 파이프 유닛의 상기 배기 라인은 상기 배기 유닛과 연결될 수 있다.In one embodiment, the exhaust line of the edge pipe unit may be connected to the exhaust unit.

일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 기판 처리 전 대기 위치에서, 기판 처리 시 공정 위치로 이동 가능하게 제공될 수 있다.In one embodiment, the edge pipe unit may be provided movably from a standby position before substrate processing to a process position when processing the substrate.

일 실시 예에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 기판의 에지에 노광빔을 제공하여 기판의 에지를 노광시키는 에지 노광 유닛을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the substrate processing apparatus may further include an edge exposure unit that exposes the edge of the substrate by providing an exposure beam to the edge of the substrate.

일 실시 예에 있어서, 기판의 현상 처리 전에 기판의 에지를 노광할 수 있다.In one embodiment, the edge of the substrate may be exposed before the substrate is developed.

일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프는, 상기 노광빔의 제공 영역에 대응하여 상기 노광빔이 통과 가능하도록 상기 노광빔의 경로에 대응하는 방향을 따라 슬릿이 형성될 수 있다.In one embodiment, the edge pipe may be formed with a slit along a direction corresponding to the path of the exposure beam so that the exposure beam can pass through in correspondence to a region where the exposure beam is provided.

일 실시 예에 있어서, 상기 처리액은 포지티브 현상액일 수 있다.In one embodiment, the treatment solution may be a positive developer.

본 발명의 다른 실시예에 따른 기판을 처리하는 장치는, 내부에 내부 공간을 제공하는 공정 챔버와; 상기 내부 공간 내에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 상기 내부 공간에서 발생된 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 유닛과; 기판의 에지에 노광빔을 제공하여 기판의 에지를 노광시키는 에지 노광 유닛과; 기판의 에지에 위치되어 기판의 에지에서 발생한 부산물을 배기하는 에지 파이프 유닛을 포함한다.An apparatus for processing a substrate according to another embodiment of the present invention includes a process chamber providing an interior space therein; A support unit for supporting and rotating the substrate within the interior space; An exhaust unit that discharges by-products generated in the interior space to the outside of the interior space; An edge exposure unit that exposes the edge of the substrate by providing an exposure beam to the edge of the substrate; And an edge pipe unit located at the edge of the substrate to exhaust byproducts generated at the edge of the substrate.

일 실시 예에 있어서, 상부가 개방된 컵 형상을 가지며, 그 내부에 상기 지지 유닛이 제공되는 처리 용기를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the upper portion has an open cup shape, and may further include a processing container provided with the support unit therein.

일 실시 예에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 기판의 현상 처리 전에 기판의 에지를 노광하는 것일 수 있다.In one embodiment, the substrate processing apparatus may expose an edge of the substrate before developing the substrate.

일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 기판의 에지에 위치되며 원통형으로 제공되는 에지 파이프와; 상기 에지 파이프에 연결되어 상기 에지 파이프 내부의 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 라인을 포함할 수 있다.In one embodiment, the edge pipe unit, the edge pipe is provided on the edge of the substrate and provided in a cylindrical shape; It may include an exhaust line connected to the edge pipe to discharge by-products inside the edge pipe to the outside of the interior space.

일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프는, 기판의 두께보다 넓은 너비를 갖는 슬릿이 상기 에지 파이프의 길이 방향으로 형성될 수 있다.In one embodiment, the edge pipe, a slit having a width wider than the thickness of the substrate may be formed in the longitudinal direction of the edge pipe.

일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프는, 상기 노광빔의 제공 영역에 대응하여 상기 노광빔이 통과 가능하도록 상기 노광빔의 경로에 대응하는 방향을 따라 슬릿이 형성될 수 있다.In one embodiment, the edge pipe may be formed with a slit along a direction corresponding to the path of the exposure beam so that the exposure beam can pass through in correspondence to a region where the exposure beam is provided.

일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 상기 에지 파이프의 길이 방향 또는 길이 방향에 수직한 방향 중 어느 하나 이상의 방향에 대하여 직선 이동 가능할 수 있다.In one embodiment, the edge pipe unit may be movable in a straight line with respect to any one or more of a direction perpendicular to the longitudinal direction or the longitudinal direction of the edge pipe.

일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛의 상기 배기 라인은 상기 배기 유닛과 연결될 수 있다.In one embodiment, the exhaust line of the edge pipe unit may be connected to the exhaust unit.

일 실시 예에 있어서, 상기 에지 파이프 유닛은, 기판 처리 전 대기 위치에서, 기판 처리 시 공정 위치로 이동 가능하게 제공될 수 있다.In one embodiment, the edge pipe unit may be provided movably from a standby position before substrate processing to a process position when processing the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 처리 효율이 향상된다.According to an embodiment of the present invention, the processing efficiency of the substrate is improved.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 에지 노광시 비산되는 공정 부산물을 효과적으로 배기할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to effectively exhaust process by-products scattered during edge exposure of the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 현상 처리시 비산되는 공정 부산물을 효과적으로 배기할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to effectively exhaust process by-products that are scattered during development processing of the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 동일한 배기량을 사용하더라도 배기 효율이 높다.According to an embodiment of the present invention, the exhaust efficiency is high even if the same displacement is used.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 설비의 풋프린트를 감소시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to reduce the footprint of the substrate processing facility.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 리소그라피 공정의 플로우 차트이다.
도 2는 현상 챔버에서 기판의 회전에 따른 흄의 이동 경로를 나타낸 도면이다.
도 3는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 4은 도 3의 설비를 A-A' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 3의 설비를 B-B' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6는 도 3의 설비를 C-C' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 7은 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 7의 기판 처리 장치의 에지 파이프와 처리되는 기판을 도시한 사시도이다.
도 10은 다른 실시 예에 따른 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 10의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 12는 도 10의 기판 처리 장치의 에지 파이프와 기판을 도시한 사시도이다.
1 is a flow chart of a lithography process.
2 is a view showing the movement path of the fume according to the rotation of the substrate in the development chamber.
3 is a plan view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of the equipment of FIG. 3 viewed from AA '.
5 is a cross-sectional view of the equipment of FIG. 3 viewed from the direction BB '.
6 is a cross-sectional view of the equipment of FIG. 3 viewed from the CC 'direction.
7 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3.
8 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 7.
9 is a perspective view illustrating an edge pipe and a substrate to be processed in the substrate processing apparatus of FIG. 7.
10 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3 according to another embodiment.
11 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 10.
12 is a perspective view illustrating an edge pipe and a substrate of the substrate processing apparatus of FIG. 10.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings has been exaggerated to emphasize a clearer explanation.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않으며, 기판을 액 처리하는 공정이라면 다양하게 적용 가능하다. 또한 본 실시예에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment can be used to perform a development process on a substrate connected to an exposure apparatus. However, the present embodiment is not limited to this, and may be variously applied as long as it is a process for processing a substrate. Also, in this embodiment, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

이하 도 3 내지 도 12을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, the substrate processing facility of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 12.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이고, 도 5는 도 3의 설비를 A-A' 방향에서 바라본 도면이며, 도 5는 도 3의 설비를 B-B' 방향에서 바라본 도면이고, 도 6은 도 3의 설비를 C-C' 방향에서 바라본 도면이다. FIG. 3 is a plan view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a view of the facility of FIG. 3 viewed from the AA 'direction, and FIG. 5 is a view of the facility of FIG. 3 viewed from the BB' direction, FIG. 6 is a view of the installation of Figure 3 viewed from the CC 'direction.

도 3 내지 도 6을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 3 to 6, the substrate processing facility 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, and a second buffer module 500 ), Before and after the exposure processing module 600, and the interface module 700. Load port 100, index module 200, first buffer module 300, application and development module 400, second buffer module 500, pre-exposure processing module 600, and interface module 700 Are sequentially arranged in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( The direction in which 700) is arranged is referred to as a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as a second direction 14, and the first direction 12 and second The direction perpendicular to each of the directions 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, a front open unified pod (FOUP) having a door in the front may be used as the cassette 20.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 3에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassettes 20 on which the substrates W are placed are placed. A plurality of the mounting table 120 is provided, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 3, four mounts 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is generally provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210. The index robot 220 is driven by four axes so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, and the third direction 16. It has a possible structure. The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided in a stretchable and rotatable structure. The support 223 is disposed in the longitudinal direction along the third direction (16). The arm 222 is coupled to the support 223 so as to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rail 230 is provided so that its longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The base 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be able to move linearly along the guide rail 230. In addition, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener that opens and closes the door of the cassette 20.

도 4를 참조하면, 제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. Referring to FIG. 4, the first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped, and is disposed between the index module 200 and the coating and developing module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located in the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially arranged along the third direction 16 from below. The first buffer 320 is positioned at a height corresponding to the application module 401 of the application and development module 400 described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are applied to the application and development module described later ( 400) is positioned at a height corresponding to the developing module 402. The first buffer robot 360 is positioned at a predetermined distance apart in the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 and the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are spaced apart from each other along the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. In the housing 331, the index robot 220, the first buffer robot 360, and the developing unit robot 482 of the developing module 402 described later attach the substrate W to the support 332 in the housing 331. It has an opening (not shown) in a direction in which the index robot 220 is provided, a direction in which the first buffer robot 360 is provided, and a direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be carried in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to the second buffer 330. However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the coating unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable structure, allowing the hand 361 to move along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be able to move linearly in the third direction 16 along the support 363. The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer in the up or down direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is only two-axis driving along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chambers 350 cool the substrates W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. Further, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) that positions the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the index robot 220 and the developing unit robot 482 provided in the developing module 402, which will be described later, can carry in or out the substrate W on the cooling plate 352. The provided direction and the developing part robot 482 has an opening (not shown) in the provided direction. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist onto the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The coating and developing module 400 has a substantially rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 has an application module 401 and a development module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged to be divided into layers between each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling of the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially arranged along the second direction 14. Therefore, the resist coating chamber 410 and the bake chamber 420 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of each is provided in the first direction 12 and the third direction 16. In the drawing, an example in which six resist application chambers 410 are provided is illustrated. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. The drawing shows an example in which six bake chambers 420 are provided. However, unlike this, the bake chamber 420 may be provided in a larger number.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned side by side in the first direction 12 with the first buffer 320 of the first buffer module 300. In the transfer chamber 430, an applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transport chamber 430 has a substantially rectangular shape. The applicator robot 432 includes the bake chambers 420, the resist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first of the second buffer module 500 described later. The substrate W is transferred between the cooling chambers 520. The guide rail 433 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable structure so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is arranged along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 such that it can move linearly in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437, and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 처리 용기(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 처리 용기(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 처리 용기(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. All of the resist coating chambers 410 have the same structure. However, the types of photoresist used in each resist coating chamber 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photo resist on the substrate W. The resist coating chamber 410 has a processing container 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The processing container 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the processing container 411 and supports the substrate W. The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply a photoresist to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 413 has a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 414 for supplying a cleaning solution such as deionized water may be further provided in the resist coating chamber 410 to clean the surface of the substrate W coated with the photoresist.

베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. The baking chamber 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 420 may include a pre-bake process or photoresist that removes organic matter or moisture on the surface of the substrate W by heating the substrate W to a predetermined temperature before applying the photoresist. W) performs a soft bake process or the like performed after coating on the substrate, and performs a cooling process or the like to cool the substrate W after each heating process. The baking chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, the heating plate 422 is provided with heating means 424 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in one bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may have only the cooling plate 421, and other portions may have only the heating plate 422.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 `기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 supplies a developer to obtain a pattern on the substrate W to remove a portion of the photoresist, and a heat treatment such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process. Process. The developing module 402 has a developing chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. The developing chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially arranged along the second direction 14. Therefore, the development chamber 460 and the bake chamber 470 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of each is provided in the first direction 12 and the third direction 16. The drawing shows an example in which six developing chambers 460 are provided. A plurality of bake chambers 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. The drawing shows an example in which six bake chambers 470 are provided. However, unlike this, the bake chamber 470 may be provided in a larger number.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned side by side in the first direction 12 with the second buffer 330 of the first buffer module 300. The developer robot 482 and the guide rail 483 are located in the transfer chamber 480. The transport chamber 480 has a substantially rectangular shape. The developing unit robot 482 includes the bake chambers 470, the developing chambers 460, the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500. The substrate W is transferred between the second cooling chambers 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to move linearly in the first direction 12. The developing unit robot 482 has a hand 484, an arm 485, a support 486, and a support 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable structure so that the hand 484 is movable in the horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is arranged along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it can move linearly in the third direction 16 along the support 486. The support 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The base 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판을 현상 처리하는 장치로 제공된다. 현상 챔버(460)는 처리 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 처리 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 처리 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The developing chambers 460 all have the same structure. However, the types of the developer used in each developing chamber 460 may be different from each other. The developing chamber 460 is provided as an apparatus for developing a substrate. The development chamber 460 has a processing container 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The processing container 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the processing container 461 and supports the substrate W. The support plate 462 is provided rotatably. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The development chamber 460 removes a region irradiated with light among photoresists on the substrate W. At this time, the light-irradiated region of the protective film is also removed. Depending on the type of the photoresist used selectively, only the region of the photoresist and the protective film that is not irradiated can be removed.

본 실시예에는 현상 챔버(460)의 일 실시예로 기판(W)을 액 처리하는 기판 처리 장치(800)가 제공된다. 도 7은 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 정면도이고, 도 8은 도 7의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 9는 도 7의 기판 처리 장치의 에지 파이프 유닛과 처리되는 기판을 도시한 사시도이다. 도 8 및 도 9을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 단일의 기판(W)에 대해 현상 처리 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(800)는 기판 지지 유닛(810), 처리 용기(820), 승강 유닛(840), 액 공급 유닛(850), 에지 파이프 유닛(860), 에지 노광 유닛(890) 그리고 제어기(900)를 포함한다. In this embodiment, a substrate processing apparatus 800 for liquid-processing the substrate W in one embodiment of the developing chamber 460 is provided. FIG. 7 is a front view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3, FIG. 8 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 7, and FIG. 9 is a perspective view showing the edge pipe unit and the substrate to be processed of the substrate processing apparatus of FIG. 7 . 8 and 9, the substrate processing apparatus 800 performs a development processing process on a single substrate W. The substrate processing apparatus 800 includes a substrate support unit 810, a processing container 820, a lifting unit 840, a liquid supply unit 850, an edge pipe unit 860, an edge exposure unit 890, and a controller 900 ).

기판 지지 유닛(810)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(810)은 지지 플레이트(812) 및 회전 구동 부재(813)를 포함한다. 지지 플레이트(812)는 도 5에 도시된 지지 플레이트(463)의 일 실시예이다. 지지 플레이트(812)는 기판을 지지한다. 지지 플레이트(812)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지 플레이트(812)는 기판(W)보다 작은 직경을 가질 수 있다. 지지 플레이트(812)의 지지면에는 흡착홀(816)이 형성되며, 흡착홀(816)에는 음압에 제공된다. 기판(W)은 음압에 의해 지지면에 진공 흡착될 수 있다. The substrate support unit 810 supports and rotates the substrate W. The substrate support unit 810 includes a support plate 812 and a rotation drive member 813. The support plate 812 is an embodiment of the support plate 463 shown in FIG. 5. The support plate 812 supports the substrate. The support plate 812 is provided to have a circular plate shape. The support plate 812 may have a smaller diameter than the substrate W. An adsorption hole 816 is formed on the support surface of the support plate 812, and the adsorption hole 816 is provided with negative pressure. The substrate W may be vacuum adsorbed to the support surface by negative pressure.

회전 구동 부재(813)는 지지 플레이트(812)를 회전시킨다. 회전 구동 부재(813)는 회전축(814) 및 구동기(815)를 포함한다. 회전축(814)은 그 길이 방향이 상하 방향을 향하는 통 형상을 가지도록 제공된다. 회전축(814)은 지지 플레이트(812)의 저면에 결합된다. 구동기(815)는 회전축(814)에 회전력을 전달한다. 회전축(814)은 구동기(815)로부터 제공된 회전력에 의해 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지 플레이트(812)는 회전축(814)과 함께 회전 가능하다. 회전축(814)은 구동기(815)에 의해 그 회전 속도가 조절되어 기판(W)의 회전 속도를 조절 가능하다. 예컨대, 구동기(815)는 모터일 수 있다. The rotation drive member 813 rotates the support plate 812. The rotation drive member 813 includes a rotation shaft 814 and a driver 815. The rotating shaft 814 is provided to have a cylindrical shape with its longitudinal direction pointing up and down. The rotating shaft 814 is coupled to the bottom surface of the support plate 812. The driver 815 transmits rotational force to the rotation shaft 814. The rotation shaft 814 is rotatable about the central axis by the rotational force provided from the driver 815. The support plate 812 is rotatable together with the rotation shaft 814. The rotation shaft 814 is controlled by the rotation speed of the driver 815 to control the rotation speed of the substrate W. For example, the driver 815 may be a motor.

처리 용기(820)는 내부에 현상 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(820)는 도 5에 도시된 처리 용기(461)의 일 실시예이다. 처리 용기(820)는 공정 챔버의 내부 공간에 수용된다. 처리 용기(820)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(820)는 내측 컵(822) 및 외측 컵(826)을 포함한다. 처리 용기(820)는 현상 공정에서 사용된 액을 회수한다.The processing container 820 provides a processing space in which a developing process is performed. The processing container 820 is an embodiment of the processing container 461 shown in FIG. 5. The processing vessel 820 is accommodated in the interior space of the process chamber. The processing container 820 is provided to have a cup shape with an open top. The processing container 820 includes an inner cup 822 and an outer cup 826. The processing container 820 recovers the liquid used in the developing process.

내측 컵(822)은 회전축(814)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(822)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(822)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(810)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(810)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(822)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(822)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(822)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(822)의 상면 외측 영역은 액 공급 유닛(850)으로부터 공급된 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. 외측 컵(826)은 기판 지지 유닛(810) 및 내측 컵(822)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(826)은 바닥벽(826c), 측벽(826d), 그리고 경사벽(826e)을 가진다. 바닥벽(826c)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(826c)에는 회수 라인(826b)이 형성된다. 회수 라인(826b)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(826b)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다.측벽(826d)은 기판 지지 유닛(810)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(826d)은 바닥벽(826c)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(826d)은 바닥벽(826c)으로부터 위로 연장된다. 경사벽(826e)은 측벽(826d)의 상단으로부터 외측 컵(826)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(826e)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(810)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(826e)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(826e)의 상단은 기판 지지 유닛(810)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.The inner cup 822 is provided in a circular plate shape surrounding the rotating shaft 814. The top surface of the inner cup 822 when viewed from the top is provided such that its outer and inner regions are each inclined at different angles. According to one example, the outer region of the inner cup 822 faces the downwardly inclined direction away from the substrate support unit 810, and the inner region faces the upwardly inclined direction away from the substrate support unit 810. Is provided. The point where the outer region and the inner region of the inner cup 822 meet each other is provided to correspond to the side ends of the substrate W in the vertical direction. The area outside the upper surface of the inner cup 822 is provided to be rounded. The area outside the top surface of the inner cup 822 is provided concave down. An area outside the upper surface of the inner cup 822 may be provided as an area through which the processing liquid supplied from the liquid supply unit 850 flows. The outer cup 826 is provided to have a cup shape surrounding the substrate support unit 810 and the inner cup 822. The outer cup 826 has a bottom wall 826c, a side wall 826d, and an inclined wall 826e. The bottom wall 826c is provided to have a circular plate shape having a hollow. A recovery line 826b is formed in the bottom wall 826c. The recovery line 826b recovers the processing liquid supplied on the substrate W. The treatment liquid recovered by the recovery line 826b can be reused by an external liquid regeneration system. The side walls 826d are provided to have a circular cylindrical shape surrounding the substrate support unit 810. The side wall 826d extends in a vertical direction from the side end of the bottom wall 826c. The side wall 826d extends upward from the bottom wall 826c. The inclined wall 826e extends from the top of the side wall 826d in the inner direction of the outer cup 826. The inclined wall 826e is provided to be closer to the substrate support unit 810 as it goes upward. The inclined wall 826e is provided to have a ring shape. The upper end of the inclined wall 826e is positioned higher than the substrate W supported by the substrate support unit 810.

내측 컵(822)은 배기 유닛(830)과 연결된다. 배기 유닛(830)은 배기 포트(831), 배기 라인(832) 그리고 배기 펌프(833)를 포함한다. 배기 포트(831)는 내측 컵(822)의 하부에 제공된다. 상부에서 바라볼 때 배기 포트(831)는 지지 유닛(810)에 지지된 기판에 중첩되도록 제공된다. 배기 포트(831)는 배기 라인(832)과 연결된다. 배기 라인(832)에는 배기 펌프(833)가 설치되어, 처리 공간의 내부를 배기한다.The inner cup 822 is connected to the exhaust unit 830. The exhaust unit 830 includes an exhaust port 831, an exhaust line 832, and an exhaust pump 833. The exhaust port 831 is provided under the inner cup 822. The exhaust port 831 when viewed from the top is provided to overlap the substrate supported by the support unit 810. The exhaust port 831 is connected to the exhaust line 832. An exhaust pump 833 is installed in the exhaust line 832 to exhaust the interior of the processing space.

승강 유닛(840)은 처리 용기(820)와 기판(W) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(840)은 처리 용기(820)를 상하 방향으로 이동시킨다. 승강 유닛(840)은 브라켓(842), 이동축(844), 그리고 구동기(846)를 포함한다. 브라켓(842)은 처리 용기(820)와 이동축(844)을 연결한다. 브라켓(842)은 처리 용기(820)의 측벽(826d)에 고정 설치된다. 이동축(844)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 이동축(844)의 상단은 브라켓(842)에 고정 결합된다. 이동축(844)은 구동기(846)에 의해 상하 방향으로 이동되고, 처리 용기(820)는 이동축(844)과 함께 승강 이동이 가능하다. 예컨대, 구동기(846)는 실린더 또는 모터일 수 있다.The lifting unit 840 adjusts the relative height between the processing container 820 and the substrate W. The lifting unit 840 moves the processing container 820 in the vertical direction. The lifting unit 840 includes a bracket 842, a moving shaft 844, and a driver 846. The bracket 842 connects the processing container 820 and the moving shaft 844. The bracket 842 is fixed to the side wall 826d of the processing container 820. The moving shaft 844 is provided so that its longitudinal direction faces up and down. The upper end of the moving shaft 844 is fixedly coupled to the bracket 842. The moving shaft 844 is moved in the vertical direction by the driver 846, and the processing container 820 can be moved up and down together with the moving shaft 844. For example, the driver 846 can be a cylinder or a motor.

액 공급 유닛(850)은 기판 지지 유닛(810)에 지지된 기판(W) 상에 액을 공급한다. 액 공급 유닛(850)은 제1 공급 부재(870) 및 제2 공급 부재(880)를 포함한다. The liquid supply unit 850 supplies liquid on the substrate W supported by the substrate support unit 810. The liquid supply unit 850 includes a first supply member 870 and a second supply member 880.

제1 공급 부재(870)는 프리 웨팅액 및 처리액을 공급한다. 제1 공급 부재(870)는 제1 노즐 부재(1400) 및 제1 이동 부재(1100)을 포함한다. 제1 이동 부재(1100)는 제1 노즐 부재(1400)를 제1 방향(12)으로 직선 이동시킨다. 제1 이동 부재(1100)는 제1 노즐 부재(1400)를 공정 위치 또는 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 제1 노즐 부재(1400)가 기판(W)과 마주하는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치이다. 제1 이동 부재(1100)는 제1 가이드 레일(1120) 및 제1 아암(1140)을 포함한다. 제1 가이드 레일(1120)은 처리 용기(820)의 일측에 위치된다. 제1 가이드 레일(1120)은 제1 노즐 부재(1400)의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대, 제1 가이드 레일(1120)의 길이 방향은 제1 방향(12)을 향하도록 제공될 수 있다. The first supply member 870 supplies a pre-wetting liquid and a processing liquid. The first supply member 870 includes a first nozzle member 1400 and a first moving member 1100. The first moving member 1100 linearly moves the first nozzle member 1400 in the first direction 12. The first moving member 1100 moves the first nozzle member 1400 to a process position or a standby position. Here, the process position is a position where the first nozzle member 1400 faces the substrate W, and the standby position is a position outside the process position. The first moving member 1100 includes a first guide rail 1120 and a first arm 1140. The first guide rail 1120 is located on one side of the processing container 820. The first guide rail 1120 is provided to have a longitudinal direction parallel to the moving direction of the first nozzle member 1400. For example, the longitudinal direction of the first guide rail 1120 may be provided to face the first direction 12.

제1 아암(1140)은 바 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제1 아암(1140)은 제1 가이드 레일(1120)과 수직한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대. 제1 아암(1140)의 길이 방향은 제2 방향(14)을 향하도록 제공될 수 있다. 제1 아암(1140)의 일단에는 제1 노즐 부재(1400)이 힌지 결합되고, 타단은 브라켓에 의해 제1 가이드 레일(1120)에 연결된다. 제1 아암(1140)과 제1 노즐 부재(1400) 사이에는 힌지축(1490)이 제공된다. 제1 아암(1140) 및 제1 노즐 부재(1400)은 제1 가이드 레일(1120)의 길이 방향을 따라 함께 이동 가능하다. The first arm 1140 is provided to have a bar shape. When viewed from the top, the first arm 1140 is provided to have a longitudinal direction perpendicular to the first guide rail 1120. for example. The longitudinal direction of the first arm 1140 may be provided to face the second direction 14. The first nozzle member 1400 is hinged to one end of the first arm 1140, and the other end is connected to the first guide rail 1120 by a bracket. A hinge shaft 1490 is provided between the first arm 1140 and the first nozzle member 1400. The first arm 1140 and the first nozzle member 1400 are movable together along the longitudinal direction of the first guide rail 1120.

제2 공급 부재(880)는 린스액 및 세정액을 공급한다. 제2 공급 부재(880)는 제2 노즐 부재(1700) 및 제2 이동 부재(1500)을 포함한다. 제2 이동 부재(1500)는 제2 노즐 부재(1700)를 상하 방향 및 이에 수직한 수평 방향으로 이동시킨다. 예컨대, 수평 방향은 제1 방향(12)과 평행한 방향일 수 있다. 제2 이동 부재(1500)는 제2 노즐 부재(1700)를 공정 위치 또는 대기 위치로 동시 이동시킨다. 제2 이동 부재(1500)는 제2 가이드 레일(1520) 및 수직 구동기(1540)를 포함한다. 제2 가이드 레일(1520)은 처리 용기(820)의 일측에 위치된다. 제2 가이드 레일(1520)은 제2 노즐 부재(1700)의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대, 제2 가이드 레일(1520)의 길이 방향은 제1 방향(12)을 향하도록 제공될 수 있다. 제2 가이드 레일(1520)에는 수직 구동기(1540)가 설치된다. 제2 가이드 레일(1520)는 수직 구동기(1540)를 수평 방향으로 이동시키는 수평 구동기(882)로 제공된다. 수직 구동기(1540)는 제2 노즐 부재(1700)를 상하 방향으로 이동시킨다. 예컨대, 수직 구동기(1540)는 실린더 또는 모터일 수 있다. 따라서 제2 노즐 부재(1700)는 수직 구동기(1540)에 의해 상하 방향으로 이동되고, 제2 가이드 레일(1520)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하다. The second supply member 880 supplies a rinse liquid and a cleaning liquid. The second supply member 880 includes a second nozzle member 1700 and a second moving member 1500. The second moving member 1500 moves the second nozzle member 1700 in the vertical direction and in the horizontal direction perpendicular thereto. For example, the horizontal direction may be a direction parallel to the first direction 12. The second moving member 1500 simultaneously moves the second nozzle member 1700 to a process position or a standby position. The second moving member 1500 includes a second guide rail 1520 and a vertical driver 1540. The second guide rail 1520 is located on one side of the processing container 820. The second guide rail 1520 is provided to have a longitudinal direction parallel to the moving direction of the second nozzle member 1700. For example, the longitudinal direction of the second guide rail 1520 may be provided to face the first direction 12. A vertical driver 1540 is installed on the second guide rail 1520. The second guide rail 1520 is provided as a horizontal driver 882 that moves the vertical driver 1540 in the horizontal direction. The vertical actuator 1540 moves the second nozzle member 1700 in the vertical direction. For example, the vertical driver 1540 may be a cylinder or a motor. Therefore, the second nozzle member 1700 is moved in the vertical direction by the vertical driver 1540, and is movable in the horizontal direction by the second guide rail 1520.

제2 노즐 부재(1700)는 제2 아암(1720), 린스 노즐(1740), 그리고 세정 노즐(1760)을 포함한다. 제2 아암(1720)은 바 형상을 가진다. 상부에서 바라볼 때 제2 아암(1720)은 제2 가이드 레일(1520)과 수직한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대. 제2 아암(1720)의 길이 방향은 제2 방향(14)을 향하도록 제공될 수 있다. 제2 아암(1720)의 일단에는 제2 노즐 부재(1700)가 설치되고, 타단은 수직 구동기(1540)에 연결된다. 수직 구동기(1540)는 기판(W)에 대한 세정 노즐(1760)의 상대 높이를 조절한다. The second nozzle member 1700 includes a second arm 1720, a rinse nozzle 1740, and a cleaning nozzle 1760. The second arm 1720 has a bar shape. When viewed from the top, the second arm 1720 is provided to have a longitudinal direction perpendicular to the second guide rail 1520. for example. The longitudinal direction of the second arm 1720 may be provided to face the second direction 14. A second nozzle member 1700 is installed at one end of the second arm 1720, and the other end is connected to the vertical driver 1540. The vertical driver 1540 adjusts the relative height of the cleaning nozzle 1760 with respect to the substrate W.

린스 노즐(1740)은 린스액을 공급하고, 세정 노즐(1760)은 세정액을 공급한다. 린스 노즐(1740)은 린스액을 적하 방식으로 공급하고, 세정 노즐(1760)은 세정액을 미스트 방식으로 공급한다. 상부에서 바라볼 때 린스 노즐(1740) 및 세정 노즐(1760)은 제1 방향과 평행한 방향으로 배열되게 위치될 수 있다. 예컨대, 린스액 및 세정액은 동일한 종류의 액일 수 있다. 린스액 및 세정액은 순수일 수 있다. 기판(W) 상에는 린스액이 1차 공급되고, 이후에 세정액이 2차 공급될 수 있다. 세정액은 린스액에 의해 형성된 액막 상에 공급될 수 있다.The rinse nozzle 1740 supplies a rinse liquid, and the cleaning nozzle 1760 supplies a cleaning liquid. The rinse nozzle 1740 supplies the rinse liquid in a dripping manner, and the cleaning nozzle 1760 supplies the cleaning liquid in a mist manner. When viewed from the top, the rinse nozzle 1740 and the cleaning nozzle 1760 may be positioned to be arranged in a direction parallel to the first direction. For example, the rinse liquid and the washing liquid may be the same kind of liquid. The rinse liquid and cleaning liquid may be pure water. The rinse liquid may be firstly supplied to the substrate W, and then the cleaning liquid may be secondly supplied. The cleaning liquid can be supplied on the liquid film formed by the rinse liquid.

에지 파이프 유닛(860)은 처리 용기(820)의 내부의 처리 공간에 제공된다. 에지 파이프 유닛(860)은 기판(W)의 에지에서 발생한 부산물을 기판 처리 장치(800)의 외부로 배출한다. 에지 파이프 유닛(860)는 에지 파이프(861)과 배기 라인(865)을 포함한다.The edge pipe unit 860 is provided in the processing space inside the processing container 820. The edge pipe unit 860 discharges byproducts generated at the edge of the substrate W to the outside of the substrate processing apparatus 800. The edge pipe unit 860 includes an edge pipe 861 and an exhaust line 865.

에지 파이프(861)는 원통형으로 제공된다. 에지 파이프(861)는 기판(W)의 에지 중 일 영역을 내부 공간(861a)에 가둔다. 에지 파이프(861)에는 기판(W)이 내부 공간(861a)으로 진입할 수 있도록, 기판(W)의 두께보다 넓은 너비를 갖는 슬릿(861b)이 형성된다. 슬릿(861b)은 기판(W)의 위치에 대응되는 위치에 형성된다. 슬릿(861b)은 에지 파이프(861)의 길이 방향을 따라 형성된다.The edge pipe 861 is provided in a cylindrical shape. The edge pipe 861 encloses an area of the edge of the substrate W in the interior space 861a. The edge pipe 861 is formed with a slit 861b having a wider width than the thickness of the substrate W so that the substrate W can enter the interior space 861a. The slit 861b is formed at a position corresponding to the position of the substrate W. The slit 861b is formed along the longitudinal direction of the edge pipe 861.

에지 파이프(861)는 단부에 배기 라인(865)이 연결된다. 배기 라인(865)은 에지 파이프(861)의 내부 공간(861a)에 유입된 부산물을 기판 처리 장치(800)의 외부로 배출한다. 배기 라인(865)은 배기 유닛(830)의 배기 라인(832)에 연결된다. 에지 파이프(861)는 원통 형상으로 제공됨에 따라 처리 용기의 배기 구조와 같은 배기량을 사용하더라도 배기 집중도가 높아 배기 효과가 증대된다.The edge pipe 861 is connected to an exhaust line 865 at its end. The exhaust line 865 discharges by-products flowing into the inner space 861a of the edge pipe 861 to the outside of the substrate processing apparatus 800. The exhaust line 865 is connected to the exhaust line 832 of the exhaust unit 830. Since the edge pipe 861 is provided in a cylindrical shape, even if an exhaust amount such as the exhaust structure of the processing vessel is used, the concentration of exhaust is high, thereby increasing the exhaust effect.

에지 파이프(861)는 그 길이 방향으로 직선 이동이 가능하다. 에지 파이프(861)는 기판(W)이 반입되기 전 처리 용기 외부의 대기 위치에서 위치하다가, 기판이 반입되면 공정 위치로 이동될 수 있다. 도 7 내지 도 9는 에지 파이프(861)가 공정 위치에 위치된 상태를 도시한다. 에지 파이프(861)는 공정 위치에서 공정을 수행한 뒤, 대기 위치로 되돌아 갈 수 있다. 에지 파이프(861)의 전후방 이동시에 진로 방향에 대하여 기판(W)이 방해될 수 있으므로, 슬릿(861c)이 더 형성된다. The edge pipe 861 is linearly movable in the longitudinal direction. The edge pipe 861 is positioned at a waiting position outside the processing vessel before the substrate W is carried in, and may be moved to a process position when the substrate is carried. 7 to 9 show the state where the edge pipe 861 is located in the process position. The edge pipe 861 may perform a process at a process location and then return to a standby location. Since the substrate W may be obstructed with respect to the path direction during the front-rear movement of the edge pipe 861, the slit 861c is further formed.

에지 노광 유닛(890)은 기판(W)의 에지에 노광빔을 제공한다. 에지 노광 유닛은 제3 아암(891)에 지지된다. 제3 아암(891)은 바 형상을 가지도록 제공된다. 제3 아암(891)은 회전 구동기(892)에 연결된다. 제3 아암(891)은 회전 구동기(892)에 의해 축방향에 대하여 회전 구동된다. 제3 아암(891)의 회전 구동에 의해 에지 노광 유닛(890)은 공정 위치에서 대기 위치 사이를 이동한다. 에지 노광 유닛(890)의 공정 위치는 에지 파이프(861) 내부에 위치된 기판(W)의 에지의 상면에 대응되는 위치이다. 에지 노광 유닛(890)는 기판의 에지 영역을 왕복 이동하며 에지 영역에 대한 노광을 수행할 수 있다. 노광이 수행되는 과정에서 기판은 회전된다.The edge exposure unit 890 provides an exposure beam to the edge of the substrate W. The edge exposure unit is supported by the third arm 891. The third arm 891 is provided to have a bar shape. The third arm 891 is connected to a rotation driver 892. The third arm 891 is rotationally driven with respect to the axial direction by a rotation driver 892. The edge exposure unit 890 moves between the process position and the standby position by rotational driving of the third arm 891. The process position of the edge exposure unit 890 is a position corresponding to the upper surface of the edge of the substrate W located inside the edge pipe 861. The edge exposure unit 890 may reciprocate the edge region of the substrate and perform exposure to the edge region. In the course of exposure, the substrate is rotated.

에지 파이프(861)에는 에지 노광 유닛(890)이 제공하는 노광빔의 제공 영역에 대응하여 노광빔이 통과 가능하도록, 노광빔의 경로방향을 따라 슬릿(861d)이 형성된다. 도시된 실시 예에 있어서, 에지 노광 유닛(890)은 회전 구동기(892)의 구동축을 중심으로 회전하기 때문에 슬릿(861d)은 호형상으로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 노광빔의 경로 방향은 에지 파이프(861)의 길이 방향과 수직한 방향일 수 있다.The edge pipe 861 is formed with a slit 861d along the path direction of the exposure beam so that the exposure beam can pass through corresponding to the area of the exposure beam provided by the edge exposure unit 890. In the illustrated embodiment, the slit 861d may be provided in an arc shape because the edge exposure unit 890 rotates around the drive shaft of the rotation driver 892. According to an embodiment, the path direction of the exposure beam may be a direction perpendicular to the longitudinal direction of the edge pipe 861.

일 실시 예에 있어서, 에지 노광 유닛(890)에 의한 에지 노광은 기판(W)의 현상 처리 전에 수행하는 것이다. 에지 노광이 수행되는 과정에서 배기 라인(865)을 통해 발생되는 부산물을 배기한다. 에지 노광이 수행된 직후 기판(W)을 현상 처리 할 수 있다. 현상 처리를 수행하면서 에지 파이프(861)는 공정 위치에 계속하여 위치된다. 현상 과정에서 기판에서 발생되는 부산물을 배기 라인(865)을 통해 배기한다.In one embodiment, the edge exposure by the edge exposure unit 890 is performed before the development process of the substrate W. In the process of performing the edge exposure, by-products generated through the exhaust line 865 are exhausted. The substrate W may be developed immediately after the edge exposure is performed. The edge pipe 861 is continuously positioned at the process position while performing the development process. During the development process, by-products generated in the substrate are exhausted through the exhaust line 865.

일 실시 예에 있어서, 기판(W)에 도포된 포토 레지스트(PR)는 포지티브 감광액이고, 기판(W)에 제공되는 처리액은 포지티브 현상액이다.In one embodiment, the photoresist PR applied to the substrate W is a positive photoresist, and the treatment solution provided to the substrate W is a positive developer.

도 10은 다른 실시 예에 따른 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 11은 도 10의 기판 처리 장치에서 에지 파이프 유닛과 기판을 도시한 평면도이고, 도 12는 도 10의 기판 처리 장치의 에지 파이프 유닛과 기판을 도시한 사시도이다.10 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2 according to another embodiment, FIG. 11 is a plan view showing the edge pipe unit and the substrate in the substrate processing apparatus of FIG. 10, and FIG. 12 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 10 It is a perspective view showing the edge pipe unit and the substrate.

도 7 내지 도 9에서 도시한 실시 예의 에지 파이프(861)는 길이 방향을 따라 이동 가능한 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 실시 예에 따른 에지 파이프(1861)는 길이 방향에 수직한 방향에 대하여 직선 이동 가능하게 제공된다. 에지 파이프(1861)는 처리 용기(820)의 내부에 수용된다. 에지 파이프(1861)는 기판(W)이 반입되기 전 처리 용기(820) 내부의 대기 위치(도 11의 2점 쇄선 도시)에서 위치하다가, 기판(W)이 반입되면 공정 위치로 이동될 수 있다. 에지 파이프(1861)는 공정 위치에서 공정을 수행한 뒤, 대기 위치로 되돌아 갈 수 있다. 에지 파이프(861)의 좌우 이동에 의해 기판(W)의 에지를 에지 파이프(1861)의 내부 공간(1861a)에 위치시키거나 내부 공간(1861a)의 외부에 위치시킬 수 있다. 에지 파이프(1861)에는 기판(W)의 에지를 내부 공간(1861a)으로 진입시키기 위해 슬릿(1861b)가 형성된다. 또한, 에지 파이프(1861)에는 에지 노광 유닛(890)에서 발생시킨 노광빔이 기판(W)으로 제공될 수 있도록 슬릿(1861d)이 형성된다. 에지 파이프(1861)의 일단은 배기 라인(1865)와 연결된다. 배기 라인(1865)은 배기 유닛(830)의 배기 라인(832)과 연결된다. The edge pipe 861 of the embodiment shown in FIGS. 7 to 9 has been described as being movable along the longitudinal direction. However, the edge pipe 1861 according to another embodiment is provided to be movable linearly with respect to a direction perpendicular to the longitudinal direction. The edge pipe 1861 is received inside the processing vessel 820. The edge pipe 1861 is positioned at a waiting position (shown by the two-dot chain line in FIG. 11) inside the processing container 820 before the substrate W is carried in, and then moved to the process position when the substrate W is carried in. . The edge pipe 1861 may perform the process at the process location and then return to the standby location. The edge of the substrate W may be positioned in the inner space 1861a of the edge pipe 1861 or outside the inner space 1861a by the left and right movement of the edge pipe 861. The edge pipe 1861 is formed with a slit 1861b to enter the edge of the substrate W into the interior space 1861a. In addition, a slit 1861d is formed in the edge pipe 1861 so that the exposure beam generated by the edge exposure unit 890 can be provided to the substrate W. One end of the edge pipe 1861 is connected to the exhaust line 1865. The exhaust line 1865 is connected to the exhaust line 832 of the exhaust unit 830.

제어기(900)는 기판 지지 유닛(810), 처리 용기(820), 승강 유닛(840), 액 공급 유닛(850), 에지 파이프 유닛(860), 에지 노광 유닛(890)을 제어한다.The controller 900 controls the substrate support unit 810, the processing container 820, the lifting unit 840, the liquid supply unit 850, the edge pipe unit 860, and the edge exposure unit 890.

제어기(900)는 액 공급 유닛(850)의 제1 공급 부재(870) 및 제2 공급 부재(880)의 노즐이 기판(W)에 대해 상대 이동되도록 제어한다. 제어기(900)는 에지 노광 유닛(890)가 기판의 에지 영역을 노광하기 위하여 노광빔의 조사와 기판에 대한 상대이동이 가능하도록 제어한다. 제어기(900)은 노광빔이 조사될 때 기판(W)이 회전하도록 기판 지지 유닛(810)을 제어한다. 제어기(900)는 기판이 반출입될 때 처리 용기(820)의 승하강을 제어한다. 제어기(900)는 기판이 반출입 될 때 에지 파이프 유닛(860)이 공정 위치와 대기 위치 사이를 이동하도록 제어한다.The controller 900 controls the nozzles of the first supply member 870 and the second supply member 880 of the liquid supply unit 850 to be moved relative to the substrate W. The controller 900 controls the edge exposure unit 890 to irradiate the exposure beam and move relative to the substrate to expose the edge region of the substrate. The controller 900 controls the substrate support unit 810 such that the substrate W rotates when the exposure beam is irradiated. The controller 900 controls the elevation of the processing container 820 when the substrate is carried in and out. The controller 900 controls the edge pipe unit 860 to move between the process position and the standby position when the substrate is brought in and out.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정에 대해 설명한다. 기판(W)을 처리하는 방법은 에지 노광 단계, 프리 웨팅액 공급 단계, 처리액 공급 단계, 그리고 린스액 공급 단계를 포함한다. 에지 노광 단계, 프리 웨팅액 공급 단계, 처리액 공급 단계, 린스액 공급 단계는 순차적으로 진행된다. Next, a process of processing the substrate W using the above-described substrate processing apparatus will be described. The method of processing the substrate W includes an edge exposure step, a pre-wetting liquid supply step, a treatment liquid supply step, and a rinse liquid supply step. The edge exposure step, the pre-wetting liquid supply step, the processing liquid supply step, and the rinse liquid supply step are sequentially performed.

기판(W)이 반입되면, 처리 용기(820)가 상승한다. 이후 에지 파이프(861)는 대기 위치에서 공정 위치로 이동된다. When the substrate W is carried in, the processing container 820 rises. The edge pipe 861 is then moved from the standby position to the process position.

에지 노광 단계는 기판(W)의 에지를 노광하는 단계이다. 에지 노광 유닛(890)는 기판(W)의 에지 영역에 위치되고, 노광빔은 에지 파이프(861)의 슬릿(1861d)을 통과하여 기판(W)의 에지에 도달한다.노광빔은 기판의 에지 영역을 왕복 이동하며 노광한다. 기판(W)의 에지 영역에서 발생한 부산물은 에지 파이프(861)의 내부를 타고 배기 라인(865)를 통해 배출된다.The edge exposure step is a step of exposing the edge of the substrate W. The edge exposure unit 890 is located in the edge region of the substrate W, and the exposure beam passes through the slit 1861d of the edge pipe 861 to reach the edge of the substrate W. The exposure beam reaches the edge of the substrate The area is reciprocated and exposed. By-products generated in the edge region of the substrate W ride through the inside of the edge pipe 861 and are discharged through the exhaust line 865.

프리 웨팅액 공급 단계는 기판(W) 상에 프리 웨팅액을 공급하는 단계이다. 프리 웨팅액은 기판(W)의 중심으로 공급되고, 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)의 전체 영역으로 확산된다. 기판(W)의 표면은 프리 웨팅액에 의해 젖음 상태로 전환된다. 프리 웨팅액 공급 단계에서 에지 파이프(861)는 공정 위치에 위치되어 부산물을 흡입할 수 있다. The pre-wetting liquid supply step is a step of supplying a pre-wetting liquid on the substrate W. The pre-wetting liquid is supplied to the center of the substrate W, and is diffused into the entire area of the substrate W by rotation of the substrate W. The surface of the substrate W is converted into a wet state by a pre-wetting liquid. In the pre-wetting liquid supply step, the edge pipe 861 is located at a process location to suck by-products.

처리액 공급 단계는 기판(W) 상에 처리액을 공급하는 단계이다. 처리액이 중앙 영역에 공급되는 중에 기판(W)은 회전된다.. 이에 따라 처리액은 기판(W) 상의 현상 영역을 현상 처리한다. 처리액은 제1 처리액과 제2 처리액으로 분리 공급될 수 있다. 제1 처리액이 공급되는 경우 기판은 제1 회전 속도로 회전하고, 제2 처리 액이 공급되는 경우 기판은 제2 회전 속도로 회전될 수 있다. 처리액 공급 단계에서 에지 파이프(861)는 공정 위치에 위치되어 부산물을 흡입할 수 있다. The processing liquid supply step is a step of supplying the processing liquid on the substrate W. The substrate W is rotated while the processing liquid is supplied to the central region. Accordingly, the processing liquid develops the developing region on the substrate W. The treatment liquid may be separately supplied to the first treatment liquid and the second treatment liquid. When the first processing liquid is supplied, the substrate is rotated at a first rotational speed, and when the second processing liquid is supplied, the substrate can be rotated at a second rotational speed. In the processing liquid supply step, the edge pipe 861 may be located at a process location to suck by-products.

린스액 공급 단계에는 기판(W) 상에 잔류되는 처리액을 린스 처리하는 단계이다. 린스액 공급 단계에는 기판(W) 상에 린스액이 적하 방식으로 공급된다. 린스액에 의해 처리액막은 제거되고, 린스액의 액막이 형성된다. 린스액 공급 단계에서 에지 파이프(861)는 공정 위치에 위치되어 부산물을 흡입할 수 있다. In the rinse liquid supply step, the treatment liquid remaining on the substrate W is rinsed. In the rinse liquid supply step, the rinse liquid is supplied onto the substrate W in a dropping manner. The treatment liquid film is removed by the rinse liquid, and a liquid film of the rinse liquid is formed. In the rinse liquid supply step, the edge pipe 861 may be located at a process location to suck by-products.

다시 도 3 내지 도 6을 참조하면, 현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. Referring back to FIGS. 3 to 6, the baking chamber 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 470 include a post-baking process for heating the substrate W before the development process is performed, and a hard bake process for heating the substrate W after the development process is performed, and heating after each baking process. A cooling process for cooling the substrate W is performed. The baking chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with cooling means 473 such as cooling water or thermoelectric elements. Alternatively, the heating plate 472 is provided with heating means 474, such as a hot wire or thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only the cooling plate 471, and other portions may have only the heating plate 472.

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. Further, when viewed from the top, the application module 401 and the development module 402 may have the same chamber arrangement.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the coating and developing module 400 and the pre-exposure processing module 600. Further, the second buffer module 500 performs a predetermined process, such as a cooling process or an edge exposure process, on the substrate W. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560. Have The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located in the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a line along the third direction 16. When viewed from the top, the buffer 520 is disposed along the transfer chamber 430 of the application module 401 and the first direction 12. The edge exposure chamber 550 is disposed to be spaced a predetermined distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transports the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. The second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided with a structure similar to the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W on which the process was performed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which the process has been performed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edges to the substrates W on which the cooling process is performed in the first cooling chamber 530. The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transferred to the pre-processing module 601 described below. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the substrates W having been processed in the post-processing module 602 described below are transferred to the developing module 402. The second buffer module 500 may further have a buffer added to a height corresponding to the developing module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then transferred to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. Before and after the exposure processing module 600, when the exposure apparatus 900 performs an immersion exposure process, a process of applying a protective film that protects the photoresist film applied to the substrate W during the immersion exposure may be processed. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using a chemically amplified resist, the pre-exposure processing module 600 may process the bake process after exposure.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged to be divided into layers between each other. According to one example, the pre-processing module 601 is located above the post-processing module 602. The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially arranged along the second direction 14. Therefore, the protective film coating chamber 610 and the baking chamber 620 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film coating chambers 610 are provided, and are disposed along the third direction 16 to form a layer with each other. Optionally, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. A plurality of bake chambers 620 are provided, and are disposed along the third direction 16 to form a layer with each other. Optionally, a plurality of bake chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned side by side in the first direction 12 with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500. The pretreatment robot 632 is located in the transfer chamber 630. The transport chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pre-processing robot 632 is provided between the protective film coating chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500, and the first buffer 720 of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transferred. The pre-processing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided in a stretchable and rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 such that it can move linearly in the third direction 16 along the support 635.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film coating chamber 610 applies a protective film protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the support plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply a protective liquid to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 613 has a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid contains a foamable material. As the protective liquid, a material having a low affinity with photoresist and water may be used. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film coating chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The baking chamber 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The baking chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with cooling means 623 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 622 is provided with heating means 624 such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in one bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may include only the heating plate 622, and other portions may include only the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a transfer chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the bake chamber 670 after exposure are sequentially arranged along the second direction 14. Therefore, the cleaning chamber 660 and the bake chamber 670 after exposure are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided, and may be disposed along the third direction 16 to form layers with each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. After exposure, a plurality of bake chambers 670 are provided, and may be disposed along the third direction 16 to form a layer with each other. Optionally, a plurality of bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16 after exposure.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned side by side in the first direction 12 with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 when viewed from the top. The transport chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post-processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 includes cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, a second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and a second of the interface module 700 described below. The substrate W is transported between the buffers 730. The post-processing robot 682 provided in the post-processing module 602 may be provided with the same structure as the pre-processing robot 632 provided in the pre-processing module 601.

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. 일 실시 에에 의하면, 현상 챔버(800)에 적용된 에지 파이프 유닛(860)은 세정 챔버(660)에 적용될 수 있다. 세정 챔버(660)에 에지 파이프 유닛(860)을 적용하여 동일한 배기 조건에서 배기 효율을 높일 수 있다.The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. Water such as deionized water may be used as the cleaning solution. The cleaning chamber 660 supplies cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotated, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the center region of the substrate W to the edge region. According to an embodiment, the edge pipe unit 860 applied to the developing chamber 800 may be applied to the cleaning chamber 660. The edge pipe unit 860 may be applied to the cleaning chamber 660 to increase the exhaust efficiency under the same exhaust conditions.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.After exposure, the bake chamber 670 heats the substrate W on which the exposure process has been performed using far ultraviolet rays. The post-exposure bake process heats the substrate W to amplify the acid generated in the photoresist by exposure to complete the change in the properties of the photoresist. After exposure, the bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with heating means 674, such as a hot wire or thermoelectric element. After exposure, the bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673, such as cooling water or a thermoelectric element. Also, a baking chamber with only the cooling plate 671 can be further provided.

일 실시 예에 있어서, 현상 챔버(800)에 에지 노광 모듈(890)을 포함하여 에지 노광을 수행하는 경우 에지 노광 챔버(550)는 생략될 수 있다.In one embodiment, when the edge exposure is performed by including the edge exposure module 890 in the developing chamber 800, the edge exposure chamber 550 may be omitted.

일 실시 예에 있어서, 에지 파이프 유닛(860)와 에지 노광 유닛(890)는 에지 노광 챔버(550)에 제공되어 기판의 에지에서 부산물이 비산되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, the edge pipe unit 860 and the edge exposure unit 890 are provided in the edge exposure chamber 550 to prevent scattering of byproducts at the edge of the substrate.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre- and post-exposure processing module 600, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are provided to be completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 are provided with the same size, and may be provided to completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the protective film coating chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided with the same size as each other, so that they can be completely overlapped with each other when viewed from the top. In addition, the bake chamber 620 and the bake chamber 670 after exposure are provided with the same size, and may be provided to completely overlap each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the pre- and post-exposure processing modules 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located in the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance, and are disposed to be stacked with each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the pre-processing module 601, and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the post-processing module 602. When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in line along the first chamber 12 and the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601, and the second buffer 730 is a post-processing module 602 It is positioned to be arranged in a line along the transport chamber 630 and the first direction (12).

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 and the second direction 14. The interface robot 740 transports the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730, and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the pre-processing module 601 before they are moved to the exposure apparatus 900. In addition, the second buffer 730 temporarily stores the substrates W having been processed in the exposure apparatus 900 before they are moved to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed in the housing 721 and are provided spaced apart from each other along the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is provided with an interface robot 740 and a pre-processing robot ( 632) has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to the first buffer 720. However, the housing 731 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the post-processing robot 682 is provided. As described above, only buffers and robots may be provided in the interface module without providing a chamber that performs a predetermined process on the substrate W.

810: 기판 지지 유닛 820: 처리 용기
840: 승강 유닛 850: 액 공급 유닛
860: 에지 파이프 유닛 890: 에지 노광 유닛
900: 제어기
810: substrate support unit 820: processing vessel
840: lifting unit 850: liquid supply unit
860: edge pipe unit 890: edge exposure unit
900: controller

Claims (20)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 내부 공간을 제공하는 공정 챔버와;
상기 내부 공간에 내에 제공되며 상부가 개방된 컵 형상을 가지는 처리 용기와;
상기 처리 용기 내에 위치되어 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 토출하는 노즐과;
상기 노즐을 상기 지지 유닛에 지지된 기판에 대해 상대 이동시키는 이동 부재와;
상기 내부 공간에서 발생된 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 유닛과;
기판의 에지에 위치되어 기판의 에지에서 발생한 부산물을 상기 내부 공간 외부로 배출시키는 에지 파이프 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
In the apparatus for processing a substrate,
A process chamber providing an interior space therein;
A processing container provided in the interior space and having an open cup shape;
A support unit positioned in the processing container to support and rotate the substrate;
A nozzle that discharges a processing liquid on the substrate supported by the support unit;
A moving member for moving the nozzle relative to the substrate supported by the support unit;
An exhaust unit that discharges by-products generated in the interior space to the outside of the interior space;
And an edge pipe unit located at the edge of the substrate to discharge byproducts generated at the edge of the substrate to the outside of the interior space.
제1 항에 있어서,
상기 에지 파이프 유닛은,
기판의 에지에 위치되는 에지 파이프와;
상기 에지 파이프에 연결되어 상기 에지 파이프 내부의 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The edge pipe unit,
An edge pipe located at the edge of the substrate;
And an exhaust line connected to the edge pipe to discharge by-products inside the edge pipe to the outside of the interior space.
제2 항에 있어서,
상기 에지 파이프는 원통형으로 제공되는 기판 처리 장치.
According to claim 2,
The edge pipe is a substrate processing apparatus provided in a cylindrical shape.
제2 항에 있어서,
상기 에지 파이프는, 기판의 두께보다 넓은 너비를 갖는 슬릿이 상기 에지 파이프의 길이 방향으로 형성된 기판 처리 장치.
According to claim 2,
The edge pipe, the substrate processing apparatus having a slit having a width wider than the thickness of the substrate is formed in the longitudinal direction of the edge pipe.
제2 항에 있어서,
상기 에지 파이프 유닛은,
상기 에지 파이프의 길이 방향 또는 길이 방향에 수직한 방향 중 어느 하나 이상의 방향에 대하여 직선 이동 가능한 기판 처리 장치.
According to claim 2,
The edge pipe unit,
A substrate processing apparatus capable of linear movement with respect to at least one of a length direction of the edge pipe or a direction perpendicular to the length direction.
제2 항에 있어서,
에지 파이프 유닛의 상기 배기 라인은 상기 배기 유닛과 연결되는 기판 처리 장치.
According to claim 2,
The exhaust line of the edge pipe unit is a substrate processing apparatus connected to the exhaust unit.
제1 항에 있어서,
상기 에지 파이프 유닛은,
기판 처리 전 대기 위치에서, 기판 처리 시 공정 위치로 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The edge pipe unit,
A substrate processing apparatus provided to be movable from a standby position prior to substrate processing to a processing position during substrate processing.
제1 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는,
기판의 에지에 노광빔을 제공하여 기판의 에지를 노광시키는 에지 노광 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The substrate processing apparatus,
And an edge exposure unit that exposes the edge of the substrate by providing an exposure beam at the edge of the substrate.
제8 항에 있어서,
기판의 현상 처리 전에 기판의 에지를 노광하는 기판 처리 장치.
The method of claim 8,
A substrate processing apparatus that exposes the edges of a substrate before developing the substrate.
제9 항에 있어서,
에지 파이프 유닛은,
기판의 에지에 위치되는 에지 파이프와;
상기 에지 파이프에 연결되어 상기 에지 파이프 내부의 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 라인을 포함하고,
상기 에지 파이프는, 상기 노광빔의 제공 영역에 대응하여 상기 노광빔이 통과 가능하도록 상기 노광빔의 경로에 대응하는 방향을 따라 슬릿이 형성된 기판 처리 장치.
The method of claim 9,
The edge pipe unit,
An edge pipe located at the edge of the substrate;
And an exhaust line connected to the edge pipe to discharge by-products inside the edge pipe to the outside of the interior space,
The edge pipe is a substrate processing apparatus in which a slit is formed along a direction corresponding to a path of the exposure beam so that the exposure beam can pass through corresponding to a region where the exposure beam is provided.
제1 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액은 포지티브 현상액인 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 10,
The processing liquid is a substrate processing apparatus that is a positive developer.
기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 내부 공간을 제공하는 공정 챔버와;
상기 내부 공간 내에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
상기 내부 공간에서 발생된 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 유닛과;
기판의 에지에 노광빔을 제공하여 기판의 에지를 노광시키는 에지 노광 유닛과;
기판의 에지에 위치되어 기판의 에지에서 발생한 부산물을 배기하는 에지 파이프 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
In the apparatus for processing a substrate,
A process chamber providing an interior space therein;
A support unit for supporting and rotating the substrate within the interior space;
An exhaust unit that discharges by-products generated in the interior space to the outside of the interior space;
An edge exposure unit that exposes the edge of the substrate by providing an exposure beam to the edge of the substrate;
A substrate processing apparatus including an edge pipe unit located at the edge of the substrate to exhaust byproducts generated at the edge of the substrate.
제12 항에 있어서,
상부가 개방된 컵 형상을 가지며, 그 내부에 상기 지지 유닛이 제공되는 처리 용기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 12,
A substrate processing apparatus having a cup shape having an open top, and further comprising a processing container provided with the support unit therein.
제12 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는,
기판의 현상 처리 전에 기판의 에지를 노광하는 것인 기판 처리 장치.
The method of claim 12,
The substrate processing apparatus,
A substrate processing apparatus that exposes an edge of a substrate before developing the substrate.
제12 항에 있어서,
상기 에지 파이프 유닛은,
기판의 에지에 위치되며 원통형으로 제공되는 에지 파이프와;
상기 에지 파이프에 연결되어 상기 에지 파이프 내부의 부산물을 상기 내부 공간의 외부로 배출시키는 배기 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 12,
The edge pipe unit,
An edge pipe located at the edge of the substrate and provided in a cylindrical shape;
And an exhaust line connected to the edge pipe to discharge by-products inside the edge pipe to the outside of the interior space.
제15 항에 있어서,
상기 에지 파이프는, 기판의 두께보다 넓은 너비를 갖는 슬릿이 상기 에지 파이프의 길이 방향으로 형성된 기판 처리 장치.
The method of claim 15,
The edge pipe, the substrate processing apparatus having a slit having a width wider than the thickness of the substrate is formed in the longitudinal direction of the edge pipe.
제15 항에 있어서,
상기 에지 파이프는, 상기 노광빔의 제공 영역에 대응하여 상기 노광빔이 통과 가능하도록 상기 노광빔의 경로에 대응하는 방향을 따라 슬릿이 형성되는 기판 처리 장치.
The method of claim 15,
The edge pipe is a substrate processing apparatus in which a slit is formed along a direction corresponding to a path of the exposure beam so that the exposure beam can pass through corresponding to a region where the exposure beam is provided.
제15 항에 있어서,
상기 에지 파이프 유닛은,
상기 에지 파이프의 길이 방향 또는 길이 방향에 수직한 방향 중 어느 하나 이상의 방향에 대하여 직선 이동 가능한 기판 처리 장치.
The method of claim 15,
The edge pipe unit,
A substrate processing apparatus capable of linear movement with respect to at least one of a length direction of the edge pipe or a direction perpendicular to the length direction.
제15 항에 있어서,
상기 에지 파이프 유닛의 상기 배기 라인은 상기 배기 유닛과 연결되는 기판 처리 장치.
The method of claim 15,
The exhaust line of the edge pipe unit is a substrate processing apparatus connected to the exhaust unit.
제12 항에 있어서,
상기 에지 파이프 유닛은,
기판 처리 전 대기 위치에서, 기판 처리 시 공정 위치로 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
The method of claim 12,
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