KR100777790B1 - Particle cleaner - Google Patents

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Abstract

A particle remover is provided to prevent expansion and contraction of a wafer by injecting gas having constant temperature onto a backside of a wafer. An injection nozzle unit(110) is installed at one of an inside of a track unit, a transfer unit, an alignment unit, and an exposure unit in order to inject gas. A gas supply unit(120) supplies the gas to be injected onto a backside of a wafer. A controller(130) controls the rotation of the injection nozzle unit during a predetermined period according to an input signal. A driving motor(140) generates power to rotate the injection nozzle unit. A power transmission unit(150) transmits the power of the driving motor in order to rotate the injection nozzle unit. A temperature controller maintains the temperature of the gas before the gas is injected through the injection nozzle unit.

Description

파티클 제거장치{Particle Cleaner}Particle Cleaner

도 1 은 일반적인 노광장치를 설명하기 위한 공정도를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a process diagram for explaining a general exposure apparatus.

도 2 는 도 1의 이송부를 도시한 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view illustrating the transfer unit of FIG. 1. FIG.

도 3 은 본 발명의 일실시예에 따른 파티클 제거장치의 사시도이다.3 is a perspective view of a particle removing device according to an embodiment of the present invention.

도 4 는 본 발명의 일실시예에 따른 파티클 제거장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a particle removing device according to an embodiment of the present invention.

도 5 는 본 발명의 일실시예에 따른 파티클 제거장치의 측면도이다.5 is a side view of a particle removing device according to an embodiment of the present invention.

도 6 은 본 발명의 일실시예에 따른 파티클 제거장치의 온도조절 컨트롤러를나타낸 공정도이다.Figure 6 is a process diagram showing a temperature control controller of the particle removing apparatus according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

110 : 분사노즐부 111 : 회전링110: injection nozzle portion 111: rotary ring

112 : 분사노즐바아 113 : 분사구112: injection nozzle bar 113: injection hole

120 : 기체공급부 130 : 컨트롤러120: gas supply unit 130: controller

140 : 구동모터 150 : 동력전달수단140: drive motor 150: power transmission means

본 발명은 파티클 제거장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조장 치인 트랙장치 내부 및 노광장치 내부 또한 노광장치로 전달하기 위한 공정 중 대기 기간을 가지고 있는 공정에 적용하여 웨이퍼 배면의 파티클을 제거하여 이후에 진행될 공정에서 웨이퍼 배면의 초점불량과 노광척의 오염을 억제할 수 있는 노광장비의 파티클 제거장치에 관한 것이며, 노광 전 웨이퍼의 온도를 일정하게 유지하여 웨이퍼 팽창 및 수축에 의한 초점 불량 현상 발생을 방지하기 위한 파티클 제거장치에 관한 것이다.The present invention relates to a particle removing device, and more particularly, to remove particles from the back surface of a wafer by applying to a process having a waiting period during the process for transferring the inside of the track device and the exposure device, which are also semiconductor manufacturing devices, to the exposure device. The present invention relates to an apparatus for removing particles of an exposure apparatus that can suppress focal defects on the back surface of a wafer and contamination of an exposure chuck in a process to be performed, and prevents a defect in focus caused by wafer expansion and contraction by maintaining a constant temperature of the wafer before exposure. It relates to a particle removing device for.

일반적으로, 반도체 소자(semiconductor device)는 웨이퍼(wafer)상에 원하는 복수의 막질을 입체적으로 적층하여 형성하게 된다. 이때, 웨이퍼상에 원하는 형상의 막질을 형성하거나, 웨이퍼상에 형성된 막질을 선택적으로 제거하기 위한 마스크(mask)를 웨이퍼상에 형성하게 되는데, 통상적으로 포토레지스트 (photoresist)를 이용한 포토마스크(photo mask)를 주로 사용하며, 이와 같은 포토마스크를 형성하고 제거하는 공정을 사진공정(lithography step)이라 한다.In general, a semiconductor device is formed by three-dimensionally stacking a plurality of desired films on a wafer. At this time, a film having a desired shape is formed on the wafer, or a mask for selectively removing the film formed on the wafer is formed on the wafer. A photo mask using a photoresist is typically used. ), And the process of forming and removing such photomask is called a lithography step.

통상적인 포토레지스트를 이용한 사진공정은 포토레지스트를 웨이퍼상에 도포하는 코팅공정(coating step)으로부터 시작하여, 노광(exposing), 현상(developing), 경화(curing) 및 에싱공정(ashing step)순으로 진행된다.Conventional photoresist photolithography begins with a coating step of applying the photoresist onto the wafer, followed by exposure, developing, curing and ashing steps. Proceed.

이때, 노광장치는 레티클(reticle)상에 크롬(Cr)으로 새겨진 반도체회로를 빛을 이용하여 포토마스크가 형성된 웨이퍼위에 감광시키는 공정을 진행한다.In this case, the exposure apparatus performs a process of exposing a semiconductor circuit engraved with chromium (Cr) on a reticle onto a wafer on which a photomask is formed using light.

일반적인 노광장치는 도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이 트랙장치, 공급용 웨이퍼(10) 및 수납용 웨이퍼(90)와, 이송부1(80) 및 이송부2(20)와, 정렬부(40)와, 노광부(60)를 포함하며, 정렬부(40) 및 노광부(60)와 이송부1(80) 및 이송부2(20) 사이에서 웨이퍼(12)를 이송하는 노광장비로드(30), 노광장비언로드(70) 및 샌드핸드암(SEND HAND ARM, 50)을 더 포함한다. As shown in FIGS. 1 and 2, a general exposure apparatus includes a track apparatus, a supply wafer 10, and a storage wafer 90, a transfer unit 1, a transfer unit 2, a transfer unit 2, and an alignment unit 40. And an exposure unit 60, and an exposure apparatus rod 30 for transferring the wafer 12 between the alignment unit 40 and the exposure unit 60, and the transfer unit 1 80 and the transfer unit 2 20. The apparatus further includes an unload 70 and a sand hand arm 50.

한편, 도1에 도시한 각 구성요소들 사이에 표시된 화살표는 웨이퍼(12)가 이동하는 방향을 가리킨다.On the other hand, arrows indicated between the components shown in FIG. 1 indicate the direction in which the wafer 12 moves.

이송부1(80) 및 이송부2(20)는 공급용 웨이퍼(10)에 수납된 웨이퍼(12)를 정렬부(40)쪽으로 이송하거나, 또는 노광공정이 완료된 웨이퍼(12)를 수납용 웨이퍼(90)로 이송하는 이송수단이다.The transfer unit 1 80 and the transfer unit 2 20 transfer the wafer 12 accommodated in the supply wafer 10 to the alignment unit 40, or transfer the wafer 12 having the exposure process completed to the storage wafer 90. ) Is a conveying means to convey.

정렬부(40)는 웨이퍼(12)를 노광부(60)로 이송하기 전에 웨이퍼(12)를 정렬하는 부분으로, 웨이퍼(12)가 정렬척(prealignment chuck)에 탑재된 상태에서 마크센서(mark sensor) 또는 에지센서(edge sensor)를 이용하여 전자는 웨이퍼(12) 윗면에 새겨진 정렬마크(prealignment mark)를 사용하고 후자는 웨이퍼(12)의 프랫존(flatzone)을 찾아 웨이퍼(12)를 정렬하게 된다.The alignment unit 40 is a portion for aligning the wafer 12 before the wafer 12 is transferred to the exposure unit 60, and the mark sensor in the state where the wafer 12 is mounted on the alignment chuck. Using a sensor or edge sensor, the former uses an alignment mark engraved on top of the wafer 12, and the latter aligns the wafer 12 by finding a flatzone of the wafer 12. Done.

노광부(60)는 정렬공정이 완료된 웨이퍼(12)에 대한 노광공정이 이루어지는 부분이다. 이때, 샌드핸드암(50)은 정렬공정이 완료된 웨이퍼(12)를 노광부(60)로 이송하고, 동시에 로드(30)가 이송부2(20)의 웨이퍼(12)를 정렬부(40)로 이송하고The exposure part 60 is a part in which the exposure process with respect to the wafer 12 in which the alignment process is completed is performed. At this time, the sand hand arm 50 transfers the wafer 12 having completed the alignment process to the exposure unit 60, and at the same time, the rod 30 moves the wafer 12 of the transfer unit 2 20 to the alignment unit 40. Transport

노광부(60)의 웨이퍼(12)를 언로드(70)가 이송부1(80)로 이송한다.The unload 70 transfers the wafer 12 of the exposure unit 60 to the transfer unit 1 80.

그리고 이송부1(80)로 이송된 웨이퍼(12)는 수납용 웨이퍼(90)에 수납된다.The wafer 12 transferred to the transfer unit 1 80 is stored in the storage wafer 90.

한편, 노광을 위해 노광부(60)의 노광척에 탑재된 웨이퍼(12)는 일정한 평탄도(flatness)와 레벨(level)을 유지해야 하는데, 이유는 초점을 정확히 맞추기 위해서이다.On the other hand, the wafer 12 mounted on the exposure chuck of the exposure unit 60 for the exposure must maintain a constant flatness and level, in order to focus accurately.

하지만, 정렬공정 전에 진행된 다른 반도체 제조공정을 통과한 웨이퍼의 배면에는 다양한 종류의 파티클들(particles)이 묻은 채로 도달하게 된다. 이때 노광을 하게 되면 웨이퍼 배면의 파티클들에 의하여 초점불량(local defocus)현상이 발생되며 또한 노광부의 노광척 상부에 탑재된 오염된 웨이퍼는 빠져 나갈때 웨이퍼 배면의 파티클들이 그대로 노광척 위에 남아 그 다음 웨이퍼의 레벨에 영향을 미치게 되어 국지적 초점불량(local defocus)현상을 발생시킬 수 있다. However, various kinds of particles arrive on the back surface of the wafer which has passed through other semiconductor manufacturing processes performed before the alignment process. At this time, exposure causes local defocus due to the particles on the back of the wafer, and when the contaminated wafer mounted on the exposure chuck on the exposure part exits, the particles on the back of the wafer remain on the exposure chuck as the next wafer. This can affect the level of the system, resulting in local defocus.

국지적 초점불량은 최적의 초점거리가 이루어지지 않은 상태에서 노광이 이루어질 경우에 발생하게 된다.Local focal defects occur when exposure occurs without an optimal focal length.

국지적 초점불량이 야기된 부분의 반도체칩은 반도체로서 제구실을 할 수 없게 된다.The semiconductor chip in the portion where the local focus defect is caused cannot be used as a semiconductor.

또한, 웨이퍼는 열에 의해 팽창과 수축이 되는 현상이 발생되는데 이 또한 초점불량 현상이 발생하게 된다.In addition, a phenomenon in which the wafer expands and contracts due to heat is generated, but also a focal defect occurs.

현재는 국지적 초점불량의 발생을 확인하는 방법은, 현상공정까지 마친후에 진행되는 정밀검사(inspection)단계에서 확인하여, 그 정보를 노광공정으로 피드백(feedback)하면 작업자가 진공 세정기(vacuum cleaner)로 노광척을 세정하고 있는 실정이다. 통상적인 세정 후 몇 장의 웨이퍼에 대한 노광공정이 진행된 이후에 국지적 초점불량이 재발되는지는 샘플을 확인 후 공정을 진행하고 있는 실정이다. 하지만, 샘플링으로 국지적 초점불량의 발생을 원천적으로 억제할 수는 없어 억제할 수 있는 기술이 필요한 실정이다. At present, the method of confirming the occurrence of local focal defect is confirmed in the inspection stage, which is carried out after the development process, and the information is fed back to the exposure process, and the operator uses a vacuum cleaner. The exposure chuck is being cleaned. After the normal cleaning, the number of wafers after the exposure process proceeds to determine whether the local focal relapse is the situation that the process after confirming the sample. However, sampling cannot prevent the occurrence of local focal defects at the source. Therefore, a technology that can suppress the situation is needed.

따라서, 본 발명은 상기 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로,Accordingly, the present invention has been made to solve the above conventional problems,

본 발명의 목적은 일정 온도의 기체를 웨이퍼의 배면에 분사하여 배면의 파티클들을 제거하며 동시에 웨이퍼의 팽창과 수축을 방지하는데 있다.An object of the present invention is to spray a gas of a constant temperature on the back of the wafer to remove the particles on the back and at the same time to prevent the expansion and contraction of the wafer.

본 발명의 다른 목적은 분사노즐부를 회전시키는데 있다.Another object of the present invention is to rotate the injection nozzle unit.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 파티클 제거장치는,Particle removal apparatus of the present invention for achieving the above object,

트랙장치와;A track device;

이송부와;A transfer unit;

정렬부와;An alignment unit;

노광부와;An exposure unit;

웨이퍼를 정렬하기 위해 잡아주는 진공흡입부를 포함하여 구성하는 노광장치에 있어서,An exposure apparatus comprising a vacuum suction unit for holding a wafer to align,

트랙장치 내부, 이송부, 정렬부, 노광부의 작업 공정중 어느 한 곳에 장착되어 기체를 분사하는 분사노즐부(110)와;An injection nozzle unit 110 mounted at any one of a work process inside the track device, a transfer unit, an alignment unit, and an exposure unit to inject a gas;

상기 분사노즐부를 통해 웨이퍼의 배면에 분사하는 기체를 공급하는 기체공급부(120)와;A gas supply unit 120 supplying a gas to be sprayed onto the rear surface of the wafer through the injection nozzle unit;

입력 신호를 받아 정해진 시간 동안 상기 분사노즐부가 회전 동작하는 것을 제어하는 컨트롤러(130);를 포함하여 구성하는 것을 특징으로 한다.And a controller 130 which receives the input signal and controls the injection nozzle unit to rotate for a predetermined time.

또한, 상기 분사노즐부를 회전시키키 위해 동력을 발생시키는 구동모터(140)와;In addition, a drive motor 140 for generating power to rotate the injection nozzle unit;

상기 구동모터에서 발생된 동력을 전달하여 상기 분사노즐부를 회전시키는 동력전달수단(150);을 더 포함하여 구성하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that the configuration further comprises a; power transmission means for transmitting the power generated by the drive motor to rotate the injection nozzle unit (150).

또한, 웨이퍼의 온도를 일정하게 유지하기 위하여 상기 분사노즐부를 통하여 기체가 분사되기 전에 기체의 온도를 일정하게 유지하여 공급하는 온도조절컨트롤러를 더 포함하여 구성하는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to maintain a constant temperature of the wafer is characterized in that it further comprises a temperature control controller for maintaining and supplying a constant temperature of the gas before the gas is injected through the injection nozzle unit.

상기 분사노즐부(110)는,The injection nozzle unit 110,

구동모터로부터 동력을 받아 일정한 각도로 회전하는 회전링(111)과,Rotating ring 111 is rotated at a predetermined angle by receiving power from the drive motor,

상기 회전링의 외주면상에 일정간격으로 연결되어 구성되는 분사노즐바아(112),Injection nozzle bar 112 is configured to be connected at a predetermined interval on the outer peripheral surface of the rotary ring,

상기 회전링과 분사노즐바아에 기체공급부와 연통되어 형성되는 분사구(113)로 구성되는 것을 특징으로 한다.The rotary ring and the injection nozzle bar is characterized in that consisting of the injection port 113 is formed in communication with the gas supply.

상기 기체공급부(120)는,The gas supply unit 120,

공급되는 기체로서 질소 혹은 이산화탄소를 사용하는 것을 특징으로 한다.It is characterized by using nitrogen or carbon dioxide as the gas to be supplied.

상기 기체공급부는,The gas supply unit,

공급되는 기체로서 공기와 이온을 혼합한 것을 사용하는 것을 특징으로 한다.It is characterized by using a mixture of air and ions as a gas to be supplied.

상기 기체공급부는,The gas supply unit,

상기 공기와 이온을 혼합해주는 혼합룸이 구비되는 것을 특징으로 한다.Characterized in that the mixing room for mixing the air and ions.

상기 분사구는,The injection hole,

노즐바아의 일단부에서부터 연장부까지 90° ~ 60°의 범위내에서Within the range of 90 ° to 60 ° from one end of the nozzle bar to the extension

점차 기울어지게 형성되는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it is formed to be gradually inclined.

상기 분사노즐부는,The injection nozzle unit,

정렬부에 설치되는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it is installed in the alignment unit.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명인 파티클 제거장치의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention particle removal apparatus.

도 3 은 본 발명의 일실시예에 따른 파티클 제거장치의 사시도이다.3 is a perspective view of a particle removing device according to an embodiment of the present invention.

도 4 는 본 발명의 일실시예에 따른 파티클 제거장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a particle removing device according to an embodiment of the present invention.

도 5 는 본 발명의 일실시예에 따른 파티클 제거장치의 측면도이다.5 is a side view of a particle removing device according to an embodiment of the present invention.

도 6 은 본 발명의 일실시예에 따른 파티클 제거장치의 온도조절 컨트롤러를나타낸 공정도이다.Figure 6 is a process diagram showing a temperature control controller of the particle removing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명인 파티클 제거장치는,As shown in Figure 3 to 4, the particle removal device of the present invention,

트랙장치와;A track device;

이송부와;A transfer unit;

정렬부와;An alignment unit;

노광부와;An exposure unit;

웨이퍼를 정렬하기 위해 잡아주는 진공흡입부를 포함하여 구성하는 노광장치에 있어서,An exposure apparatus comprising a vacuum suction unit for holding a wafer to align,

트랙장치 내부, 이송부, 정렬부, 노광부의 작업 공정중 어느 한 곳에 장착되어 기체를 분사하는 분사노즐부(110)와;An injection nozzle unit 110 mounted at any one of a work process inside the track device, a transfer unit, an alignment unit, and an exposure unit to inject a gas;

상기 분사노즐부를 통해 웨이퍼의 배면에 분사하는 기체를 공급하는 기체공 급부(120)와;A gas supply unit 120 supplying a gas to be sprayed onto the back surface of the wafer through the injection nozzle unit;

입력 신호를 받아 정해진 시간 동안 상기 분사노즐부가 회전 동작하는 것을 제어하는 컨트롤러(130);를 포함하여 구성된다.And a controller 130 which receives an input signal and controls the injection nozzle unit to rotate for a predetermined time.

본 발명의 부가적인 양상에 따라 상기 분사노즐부를 회전시키키 위해 동력을 발생시키는 구동모터와;A drive motor for generating power to rotate the injection nozzle unit according to an additional aspect of the present invention;

상기 구동모터에서 발생된 동력을 전달하여 상기 분사노즐부를 회전시키는 동력전달수단;을 더 포함하여 구성하는 것을 특징으로 한다.And a power transmission means for transmitting the power generated by the drive motor to rotate the injection nozzle unit.

또한, 본 발명의 다른 부가적인 양상에 따라 웨이퍼의 온도를 일정하게 유지하기 위하여 상기 분사노즐부를 통하여 기체가 분사되기 전에 기체의 온도를 일정하게 유지하여 공급하는 온도조절컨트롤러를 더 포함하여 구성하는 것을 특징으로 한다.In addition, according to another aspect of the present invention further comprises a temperature control controller for maintaining a constant temperature of the gas before the gas is injected through the injection nozzle in order to maintain a constant temperature of the wafer It features.

상기 분사노즐부는,The injection nozzle unit,

구동모터로부터 동력을 받아 일정한 각도로 회전하는 회전링과,A rotary ring that rotates at a constant angle by receiving power from the drive motor,

상기 회전링의 외주면상에 일정간격으로 연결되어 구성되는 분사노즐바아,Injection nozzle bar is configured to be connected at regular intervals on the outer peripheral surface of the rotary ring,

상기 회전링과 분사노즐바아에 기체공급부와 연통되어 형성되는 분사구로 구성되는 것을 특징으로 한다.The rotary ring and the injection nozzle bar is characterized in that it is composed of a spray port formed in communication with the gas supply.

상기 기체공급부에 공급되는 기체로 바람직하게는 불활성 기체를 사용하며, 특히 질소 혹은 이산화탄소를 사용하게 된다.As the gas supplied to the gas supply unit, an inert gas is preferably used, and in particular, nitrogen or carbon dioxide is used.

또한, 상기 기체공급부는,In addition, the gas supply unit,

공급되는 기체로서 공기와 이온을 혼합한 것을 사용하는 것을 특징으로 하 며, 공기와 이온을 혼합해주는 혼합룸이 구비되는 것을 특징으로 한다.Characterized by using a mixture of air and ions as a gas to be supplied, characterized in that the mixing room for mixing the air and ions is provided.

상기 분사노즐부는,The injection nozzle unit,

정렬부에 설치되는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it is installed in the alignment unit.

본 발명에서 파티클 제거장치는 도1에 도시한 공정 중 트랙장치 내부, 노광장치 내부, 또한 이송부2(20)에서 노광부(60) 사이에서 대기 기간을 가지고 있는 어느 한 공정에 적용하여 웨이퍼 배면의 파티클을 제거 및 웨이퍼 온도를 일정하게 유지하기 위한 것이며, 바람직하게는 파티클 제거장치의 구성요소인 분사노즐부를 정렬부(40)에 설치하여 제거 공정을 진행하게 된다. In the present invention, the particle removing apparatus is applied to any process having a waiting period in the track apparatus, the exposure apparatus, and the transfer section 2 to the exposure section 60 in the process shown in FIG. Particle removal and wafer temperature are kept constant. Preferably, the injection nozzle unit, which is a component of the particle removal device, is installed in the alignment unit 40 to perform the removal process.

대기 기간은 예를 들어 약 4 ~ 6초 동안 머무르는 시간을 대기 기간으로 정의하면 이 시간대를 이용하면 기존의 노광 공정의 흐름에 영향을 주지 않기 때문이다.The waiting period is defined as the waiting period, for example, the time remaining for about 4 to 6 seconds, because using this time period does not affect the flow of the existing exposure process.

또한, 분사노즐부를 정렬부(40)에 설치하여 제거 공정을 진행하는게 바람직한 이유는 노광부 측면에서 보면 정렬부가 미세 이물질에 노출될 위험이 훨씬 적기 때문이다.In addition, the reason why it is preferable to proceed with the removal process by installing the injection nozzle unit in the alignment unit 40 is because the risk that the alignment unit is exposed to fine foreign matter from the exposure unit side.

예를 들어 현재 노광장치로 널리 이용하고 있는 니콘의 노광장치들은 노광장치 내부에 정렬부 공간이 있으므로 분사노즐부를 설치하여 파티클 제거 및 웨이퍼 온도를 일정하게 유지하는데 효율적으로 진행할 수 있게 된다.For example, since Nikon's exposure apparatuses, which are widely used as exposure apparatuses, have an alignment space inside the exposure apparatus, an injection nozzle unit may be installed to efficiently remove particles and maintain a constant wafer temperature.

종래에는 척의 온도를 측정하는 것에 불과하였지만, 본 발명의 장치를 이용할 경우에는 파티클 제거와 동시에 웨이퍼의 온도를 관리할 수 있는 장점 또한 가지게 된다.In the past, the temperature of the chuck was only measured, but the apparatus of the present invention also has the advantage of controlling the temperature of the wafer at the same time as particle removal.

도 3 내지 도 4에 도시한 대로 파티클 제거장치는 분사노즐부와, 기체공급부와, 컨트롤러;를 포함하여 구성된다.3 to 4, the particle removing device includes a spray nozzle unit, a gas supply unit, and a controller.

또한, 효율적인 파티클 제거를 위해 상기 분사노즐부를 회전시키키 위해 동력을 발생시키는 구동모터와, 동력전달수단;을 더 포함하여 구성하며, 웨이퍼의 온도를 일정하게 유지하기 위하여 상기 분사노즐부를 통하여 기체가 분사되기 전에 기체의 온도를 일정하게 유지하여 공급토록 하는 온도조절컨트롤러를 포함하여 구성한다.In addition, the drive motor for generating power to rotate the injection nozzle for efficient particle removal, and a power transmission means; further comprises a gas through the injection nozzle to maintain a constant temperature of the wafer It is configured to include a temperature control controller to maintain a constant temperature of the gas before the injection.

상기 분사노즐부는, 파티클 제거효과를 극대화시키기 위해서 회전을 시켜주어야 하는데 이를 위해서 아래와 같은 구성을 하게 된다.The injection nozzle unit should be rotated in order to maximize the particle removal effect.

즉, 구동모터로부터 동력을 받아 일정한 각도로 회전하는 회전링과,That is, the rotary ring is rotated at a predetermined angle by receiving power from the drive motor,

상기 회전링의 외주면상에 일정간격으로 연결되어 구성되는 분사노즐바아,Injection nozzle bar is configured to be connected at regular intervals on the outer peripheral surface of the rotary ring,

상기 회전링과 분사노즐바아에 기체공급부와 연통되어 형성되는 분사구로 구성된다.The rotary ring and the injection nozzle bar is composed of a spray hole formed in communication with the gas supply.

이를 구체적으로 설명하자면, 대기 기간을 가지고 있는 공정 중 어느 한 곳에 회전링이 형성되고, 회전링의 외주면상에는 웨이퍼의 배면으로 기체를 분사하는 복수개의 분사노즐바아가 원형배열로 형성되고, 회전링의 어느 일측면상에는 회전링을 회전시켜주는 분사노즐부를 회전시키기 위해 동력을 발생시키는 구동모터가 장착되며, 구동모터에서 발생된 동력을 전달하여 상기 분사노즐부를 회전시키는 동력전달수단을 구성하게 된다. 상기한 동력전달수단은 바람직하게는 타임 벨트를 사용할 수 있다.Specifically, the rotary ring is formed at any one of the processes having an atmospheric period, and a plurality of injection nozzle bars for injecting gas to the back of the wafer are formed in a circular array on the outer circumferential surface of the rotary ring. On one side is a drive motor for generating power to rotate the injection nozzle portion for rotating the rotary ring, it is configured to transfer the power generated by the drive motor to configure the power transmission means for rotating the injection nozzle. The power transmission means may preferably use a time belt.

구동모터는 DC전원을 인가받아 회전되는데, 회전링이 지정된 시간 안에 일정한 각도만큼 회전하도록 한다.The drive motor is rotated by applying DC power, which causes the rotation ring to rotate by a certain angle within a specified time.

상기 회전링의 외주면상에 일정간격으로 연결되어 구성되는 분사노즐바아에 On the injection nozzle bar is configured to be connected at regular intervals on the outer peripheral surface of the rotary ring

형성되는 분사구는 분사각도가 낮아지게 형성된다. 다시 말해, 도 5에 도시한 바와 같이, 노즐바아의 일단에서부터 연장부까지의 분사각도는 수평방향을 기준으로 90° ~ 60°의 범위내에서 점차 낮아지게 형성되는 것이다.The injection hole formed is formed to lower the injection angle. In other words, as shown in Figure 5, the spray angle from one end of the nozzle bar to the extension portion is formed to be gradually lowered in the range of 90 ° ~ 60 ° relative to the horizontal direction.

상기 기체공급부를 통해 공급되는 기체는 바람직하게는 불활성 기체를 사용하게 되며, 특히 질소 혹은 이산화탄소를 사용하게 되며, 또한 공기와 이온을 혼합룸을 통해 혼합하여 사용하게 된다. 공기와 이온을 혼합한 기체를 사용하기 위해서는 바람직하게 기체공급부는 공기발생부(미도시)와, 이온발생부(미도시)와, 혼합룸으로 구성되어진다.The gas supplied through the gas supply unit preferably uses an inert gas, in particular nitrogen or carbon dioxide, and also mixes air and ions through a mixing room. In order to use a gas mixed with air and ions, the gas supply unit preferably comprises an air generating unit (not shown), an ion generating unit (not shown), and a mixing room.

상기와 같이, 공기와 이온을 혼합하는 이유는 웨이퍼 배면에 유착되어 있는 파티클은 정전기 성격의 전기적 극성을 갖고 있기 때문에 전기적 극성을 중성화시키는 이온과 중성화된 파티클을 제거할 수 있도록 공기를 혼합하여 웨이퍼 배면에 분사하는 것이다. As described above, the reason why the air and ions are mixed is that the particles adhered to the back of the wafer have an electrostatic electrical polarity, so that the air is mixed to remove ions and neutralized particles that neutralize the electrical polarity. To spray on.

컨트롤러는 상기 분사노즐부 및 기체공급부의 공기발생부 및 이온발생부의 작동스위치(미도시)를 통해 출력를 인가받으면 제어 신호를 타이머부(미도시)에서 수신하여 정해진 시간 동안 타이머부가 작동하여 상기 분사노즐부가 동작을 수행하게 된다. 이때, 분사노즐부의 동작 및 공기발생부와 이온발생부가 동시에 동작하여 기체가 분사되는 것이다.When the controller receives an output through an operation switch (not shown) of the air generating unit and the ion generating unit of the injection nozzle unit and the gas supply unit, the controller receives a control signal from a timer unit (not shown) to operate the timer unit for a predetermined time. Perform the additional operation. At this time, the operation of the injection nozzle unit and the air generating unit and the ion generating unit at the same time is a gas is injected.

이상에서와 같은 내용의 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시된 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. Those skilled in the art to which the present invention pertains as described above may understand that the present invention may be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, the above-described embodiments are to be understood as illustrative in all respects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구 범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the invention is indicated by the following claims rather than the above description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the invention. do.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 파티클 제거장치는, As described above, the particle removal device of the present invention,

일정 온도의 기체를 웨이퍼의 배면에 분사하여 배면의 파티클들을 제거하며 동시에 웨이퍼의 팽창과 수축을 방지하는 효과가 있다.By spraying a gas of a constant temperature on the back of the wafer to remove the particles on the back and at the same time there is an effect of preventing the expansion and contraction of the wafer.

Claims (9)

삭제delete 삭제delete 트랙장치와;A track device; 이송부와;A transfer unit; 정렬부와;An alignment unit; 노광부와;An exposure unit; 웨이퍼를 정렬하기 위해 잡아주는 진공흡입부를 포함하여 구성하는 노광장치에 있어서,An exposure apparatus comprising a vacuum suction unit for holding a wafer to align, 트랙장치 내부, 이송부, 정렬부, 노광부의 작업 공정중 어느 한 곳에 장착되어 기체를 분사하는 분사노즐부(110)와;An injection nozzle unit 110 mounted at any one of a work process inside the track device, a transfer unit, an alignment unit, and an exposure unit to inject a gas; 상기 분사노즐부를 통해 웨이퍼의 배면에 분사하는 기체를 공급하는 기체공급부(120)와;A gas supply unit 120 supplying a gas to be sprayed onto the rear surface of the wafer through the injection nozzle unit; 입력 신호를 받아 정해진 시간 동안 상기 분사노즐부가 회전 동작하는 것을 제어하는 컨트롤러(130)와;A controller 130 which receives an input signal and controls the injection nozzle unit to rotate for a predetermined time; 상기 분사노즐부를 회전시키기 위해 동력을 발생시키는 구동모터(140)와;A drive motor 140 generating power to rotate the injection nozzle unit; 상기 구동모터에서 발생된 동력을 전달하여 상기 분사노즐부를 회전시키는 동력전달수단(150)과;Power transmission means (150) for transmitting the power generated by the drive motor to rotate the injection nozzle; 웨이퍼의 온도를 일정하게 유지하기 위하여 상기 분사노즐부를 통하여 기체가 분사되기 전에 기체의 온도를 일정하게 유지하여 공급하는 온도조절컨트롤러를 포함하여 구성하는 것을 특징으로 하는 파티클 제거장치.Particle removal apparatus comprising a temperature control controller for maintaining a constant temperature of the gas before the gas is injected through the injection nozzle to maintain a constant temperature of the wafer. 트랙장치와;A track device; 이송부와;A transfer unit; 정렬부와;An alignment unit; 노광부와;An exposure unit; 웨이퍼를 정렬하기 위해 잡아주는 진공흡입부를 포함하여 구성하는 노광장치에 있어서,An exposure apparatus comprising a vacuum suction unit for holding a wafer to align, 트랙장치 내부, 이송부, 정렬부, 노광부의 작업 공정중 어느 한 곳에 장착되어 기체를 분사하는 분사노즐부(110)와;An injection nozzle unit 110 mounted at any one of a work process inside the track device, a transfer unit, an alignment unit, and an exposure unit to inject a gas; 상기 분사노즐부를 통해 웨이퍼의 배면에 분사하는 기체를 공급하는 기체공급부(120)와;A gas supply unit 120 supplying a gas to be sprayed onto the rear surface of the wafer through the injection nozzle unit; 입력 신호를 받아 정해진 시간 동안 상기 분사노즐부가 회전 동작하는 것을 제어하는 컨트롤러(130)와;A controller 130 which receives an input signal and controls the injection nozzle unit to rotate for a predetermined time; 상기 분사노즐부를 회전시키기 위해 동력을 발생시키는 구동모터(140)와;A drive motor 140 generating power to rotate the injection nozzle unit; 상기 구동모터에서 발생된 동력을 전달하여 상기 분사노즐부를 회전시키는 동력전달수단(150);을 포함하여 구성하되, It comprises a; power transmission means for transmitting the power generated in the drive motor to rotate the injection nozzle unit; 상기 분사노즐부(110)는,The injection nozzle unit 110, 구동모터로부터 동력을 받아 일정한 각도로 회전하는 회전링(111)과,Rotating ring 111 is rotated at a predetermined angle by receiving power from the drive motor, 상기 회전링의 외주면상에 일정간격으로 연결되어 구성되는 분사노즐바아(112)와,Injection nozzle bar 112 and configured to be connected at a predetermined interval on the outer peripheral surface of the rotary ring, 상기 회전링과 분사노즐바아에 기체공급부와 연통되어 형성되는 분사구(113)로 구성되는 것을 특징으로 하는 파티클 제거장치.Particle removal device, characterized in that consisting of the injection port 113 is formed in communication with the gas supply portion in the rotary ring and the injection nozzle bar. 트랙장치와;A track device; 이송부와;A transfer unit; 정렬부와;An alignment unit; 노광부와;An exposure unit; 웨이퍼를 정렬하기 위해 잡아주는 진공흡입부를 포함하여 구성하는 노광장치에 있어서,An exposure apparatus comprising a vacuum suction unit for holding a wafer to align, 트랙장치 내부, 이송부, 정렬부, 노광부의 작업 공정중 어느 한 곳에 장착되어 기체를 분사하는 분사노즐부(110)와;An injection nozzle unit 110 mounted at any one of a work process inside the track device, a transfer unit, an alignment unit, and an exposure unit to inject a gas; 상기 분사노즐부를 통해 웨이퍼의 배면에 분사하는 기체를 공급하는 기체공급부(120)와;A gas supply unit 120 supplying a gas to be sprayed onto the rear surface of the wafer through the injection nozzle unit; 입력 신호를 받아 정해진 시간 동안 상기 분사노즐부가 회전 동작하는 것을 제어하는 컨트롤러(130);를 포함하여 구성하되,And a controller 130 that receives the input signal and controls the injection nozzle unit to rotate for a predetermined time. 상기 기체공급부(120)는,The gas supply unit 120, 공급되는 기체로서 질소 혹은 이산화탄소를 사용하는 것을 특징으로 하는 파티클 제거장치.Particle removal device characterized in that using nitrogen or carbon dioxide as the gas supplied. 트랙장치와;A track device; 이송부와;A transfer unit; 정렬부와;An alignment unit; 노광부와;An exposure unit; 웨이퍼를 정렬하기 위해 잡아주는 진공흡입부를 포함하여 구성하는 노광장치에 있어서,An exposure apparatus comprising a vacuum suction unit for holding a wafer to align, 트랙장치 내부, 이송부, 정렬부, 노광부의 작업 공정중 어느 한 곳에 장착되어 기체를 분사하는 분사노즐부(110)와;An injection nozzle unit 110 mounted at any one of a work process inside the track device, a transfer unit, an alignment unit, and an exposure unit to inject a gas; 상기 분사노즐부를 통해 웨이퍼의 배면에 분사하는 기체를 공급하는 기체공급부(120)와;A gas supply unit 120 supplying a gas to be sprayed onto the rear surface of the wafer through the injection nozzle unit; 입력 신호를 받아 정해진 시간 동안 상기 분사노즐부가 회전 동작하는 것을 제어하는 컨트롤러(130);를 포함하여 구성하되,And a controller 130 that receives the input signal and controls the injection nozzle unit to rotate for a predetermined time. 상기 기체공급부는,The gas supply unit, 공급되는 기체로서 공기와 이온을 혼합한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 파티클 제거장치.Particle removal apparatus characterized by using a mixture of air and ions as a gas supplied. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 기체공급부는,The gas supply unit, 공기와 이온을 혼합해주는 혼합룸이 구비되는 것을 특징으로 하는 파티클 제거장치.Particle removal device characterized in that the mixing room is provided with a mixture of air and ions. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 분사구는,The injection hole, 노즐바아의 일단부에서부터 연장부까지 90° ~ 60°의 범위내에서Within the range of 90 ° to 60 ° from one end of the nozzle bar to the extension 점차 기울어지게 형성되는 것을 특징으로 하는 파티클 제거장치.Particle removal device, characterized in that formed gradually inclined. 트랙장치와;A track device; 이송부와;A transfer unit; 정렬부와;An alignment unit; 노광부와;An exposure unit; 웨이퍼를 정렬하기 위해 잡아주는 진공흡입부를 포함하여 구성하는 노광장치에 있어서,An exposure apparatus comprising a vacuum suction unit for holding a wafer to align, 트랙장치 내부, 이송부, 정렬부, 노광부의 작업 공정중 어느 한 곳에 장착되어 기체를 분사하는 분사노즐부(110)와;An injection nozzle unit 110 mounted at any one of a work process inside the track device, a transfer unit, an alignment unit, and an exposure unit to inject a gas; 상기 분사노즐부를 통해 웨이퍼의 배면에 분사하는 기체를 공급하는 기체공급부(120)와;A gas supply unit 120 supplying a gas to be sprayed onto the rear surface of the wafer through the injection nozzle unit; 입력 신호를 받아 정해진 시간 동안 상기 분사노즐부가 회전 동작하는 것을 제어하는 컨트롤러(130);를 포함하여 구성하되,And a controller 130 that receives the input signal and controls the injection nozzle unit to rotate for a predetermined time. 상기 분사노즐부는,The injection nozzle unit, 정렬부에 설치되는 것을 특징으로 하는 파티클 제거장치.Particle removal device, characterized in that installed in the alignment unit.
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