KR20200044950A - Polyimide precursor resin composition - Google Patents

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Abstract

하기 식 (1) :

Figure pct00031

{식 중, R1 은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 2 가의 유기기를 나타내고, R2 는, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 4 가의 유기기를 나타내고, n 은 양의 정수이다.} 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체와, 용매를 포함하는 수지 조성물로서, 상기 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 110,000 ∼ 250,000 이고, 상기 수지 조성물의 고형분 함유량이 10 ∼ 25 질량% 인, 수지 조성물이 제공된다.Equation (1) below:
Figure pct00031

{In the formula, R 1 represents a divalent organic group each independently if there are plural, R 2 represents a tetravalent organic group each if it is plural, and n is a positive integer. As a resin composition containing a mid precursor and a solvent, a resin composition is provided in which the weight average molecular weight of the polyimide precursor is 110,000 to 250,000, and the solid content of the resin composition is 10 to 25 mass%.

Description

폴리이미드 전구체 수지 조성물Polyimide precursor resin composition

본 발명은, 폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물, 및 폴리이미드 필름에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 플렉시블 디바이스 (예를 들어 플렉시블 디스플레이) 및 적층체 그리고 이들의 제조 방법에도 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition containing a polyimide precursor, and a polyimide film. The present invention also relates to flexible devices (eg flexible displays) and laminates and methods of making them.

폴리이미드 수지는, 불용, 불융의 초내열성 수지이고, 내열 특성 (예를 들어 내열산화성), 내방사선성, 내저온성, 내약품성 등이 우수한 특성을 가지고 있다. 이 때문에, 폴리이미드 수지는, 전자 재료를 포함하는 광범위한 분야에서 사용되고 있다. 전자 재료 분야에 있어서의 폴리이미드 수지의 적용예로는, 예를 들어 절연 코팅재, 절연막, 반도체, 박막 트랜지스터 액정 디스플레이 (TFT-LCD) 의 전극 보호막 등을 들 수 있다. 최근에는, 디스플레이 재료의 분야에 있어서 종래 사용되고 있던 유리 기판 대신에, 그 가벼움, 유연성을 이용한 플렉시블 기판의 채용이 검토되고 있다.The polyimide resin is an insoluble and infusible super heat resistant resin, and has excellent properties such as heat resistance (for example, heat oxidation resistance), radiation resistance, low temperature resistance, and chemical resistance. For this reason, polyimide resins are used in a wide range of fields including electronic materials. Examples of the application of the polyimide resin in the field of electronic materials include, for example, insulating coating materials, insulating films, semiconductors, electrode protective films of thin film transistor liquid crystal displays (TFT-LCDs), and the like. In recent years, in the field of display materials, adoption of a flexible substrate utilizing its lightness and flexibility has been considered instead of a glass substrate conventionally used.

예를 들어 특허문헌 1 에는, 비스(디아미노디페닐)술폰 (이하, DAS 라고도 한다) 으로부터 중합되고, 실록산 단위를 갖는 수지 전구체 (중량 평균 분자량 3 만 ∼ 9 만) 가 기재되고, 당해 전구체를 경화하여 얻어지는 폴리이미드는, 유리 등의 지지체와의 사이에 발생하는 잔류 응력이 낮고, 내약품성이 우수하고, 큐어 공정시의 산소 농도에 의한 황색도 (YI) 값 및 전광선 투과율에 대한 영향이 작은 것이 기재되어 있다. 또, 특허문헌 2 에는, 특정한 흡광도의 폴리이미드 전구체와, 특정한 흡광도의 알콕시실란 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물이 기재되고, 당해 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 수지가, 지지체와의 충분한 접착성과, 레이저 박리 등에 의한 박리성을 양립시키는 것이 기재되어 있다.For example, Patent Document 1 describes a resin precursor (weight average molecular weight of 30,000 to 90,000) polymerized from bis (diaminodiphenyl) sulfone (hereinafter also referred to as DAS) and having a siloxane unit, The polyimide obtained by curing has low residual stress generated between a support such as glass, has excellent chemical resistance, and has a small effect on the yellowness (YI) value and total light transmittance due to oxygen concentration during the curing process. It is described. In addition, Patent Document 2 describes a resin composition characterized by containing a polyimide precursor having a specific absorbance and an alkoxysilane compound having a specific absorbance, and the resin obtained by curing the resin composition has sufficient adhesiveness with a support. , It is described that the peelability by laser peeling is compatible.

국제 공개 제2014/148441호International Publication No. 2014/148441 국제 공개 제2016/167296호International Publication No. 2016/167296

플렉시블 기판에 투명 폴리이미드 수지를 적용하고자 하는 경우, 유리 등의 기판 상에, 폴리이미드 전구체를 함유하는 수지 조성물을 도포하여 도막을 형성하고, 이어서 이것을 가열 건조시키고, 추가로 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드막으로 하고, 필요에 따라 그 막 상에 디바이스를 형성한 후, 그 막을 지지체인 유리 기판 등으로부터 박리하여 목적물을 얻는다.When a transparent polyimide resin is to be applied to a flexible substrate, a resin composition containing a polyimide precursor is coated on a substrate such as glass to form a coating film, followed by heating and drying, and further imidizing the polyimide precursor. Then, a polyimide film was formed, and if necessary, a device was formed on the film, and then the film was peeled off from a glass substrate or the like as a support to obtain a target product.

최근, 플렉시블 기판의 용도인 디스플레이 등의 대형화에 수반하여, 폴리이미드 전구체를 포함하는 조성물을 유리 등의 기판에 도포하는 경우, 슬릿 코터를 사용하는 경우가 있다. 슬릿 코터로 조성물을 도포하여 도막을 형성하는 경우, 도막에 대한 영향을 미치는 파라미터로서, 코터 갭 (유리 기판과 슬릿 노즐의 거리를 규정하는 설정치) 이 있는데, 코터 갭이 작으면, 유리 기판의 평탄성이 나쁜 경우에 노즐이 기판에 접촉하여, 슬릿 노즐이 파손될 가능성이 있다. 특히 최근의 디스플레이 등의 대형화 등에 수반하여, 이 코터 갭을 충분히 크게 하는 것이 필요해졌다.In recent years, when a composition containing a polyimide precursor is applied to a substrate such as glass, along with the enlargement of a display, which is a use of a flexible substrate, a slit coater may be used. When a coating film is formed by applying a composition with a slit coater, there is a coater gap (a setting value that defines a distance between the glass substrate and the slit nozzle) as a parameter that affects the coating film. If the coater gap is small, the flatness of the glass substrate In this bad case, there is a possibility that the nozzle contacts the substrate and the slit nozzle is broken. In particular, with the recent enlargement of displays and the like, it is necessary to make this coater gap sufficiently large.

또, 폴리이미드막을 플렉시블 디스플레이 등의 화면의 재료로서 사용하는 경우에는, 가시광의 파장이 약 380 ㎚ 내지 약 700 ㎚ 인 점에서, 양호한 광학 성능을 얻기 위해서는, 특히 높은 막두께 균일성이 요구된다.Moreover, when a polyimide film is used as a material for a screen such as a flexible display, since the wavelength of visible light is about 380 nm to about 700 nm, particularly high film thickness uniformity is required to obtain good optical performance.

본 발명자들이 상기 특허문헌 1 및 2 에 기재된 것과 동일한 분자량 및 골격을 갖는 폴리이미드 전구체를 사용하여, 슬릿 코트의 코팅 평가를 실시한 결과, 상기 특성이 불충분한 것을 알아냈다. 따라서 본 발명의 일 양태는, 슬릿 코트의 코팅 특성이 우수함과 함께, 플렉시블 기판 등의 용도에 요구되는, 기계 특성 및 광학 특성도 우수한, 폴리이미드 전구체 함유 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.As a result of coating evaluation of the slit coat using the polyimide precursors having the same molecular weight and skeleton as those described in Patent Documents 1 and 2, the present inventors found that the above properties were insufficient. Accordingly, one aspect of the present invention is to provide a polyimide precursor-containing resin composition having excellent coating properties of a slit coat and excellent mechanical and optical properties required for applications such as flexible substrates.

본 발명자들은, 예의 검토를 실시한 결과, 특정한 구조를 갖는 폴리이미드 전구체를 사용하는 것이, 슬릿 코트에 있어서의 양호한 코팅 특성, 그리고 양호한 기계 특성 및 광학 특성의 실현을 가져오는 것을 알아냈다.As a result of intensive examination, the present inventors have found that the use of a polyimide precursor having a specific structure results in good coating properties in a slit coat, and realization of good mechanical and optical properties.

즉, 본 발명은 하기의 양태를 포함한다.That is, the present invention includes the following aspects.

[1] 하기 식 (1) : [1] The following formula (1):

[화학식 1][Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

{식 중, R1 은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 2 가의 유기기를 나타내고, R2 는, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 4 가의 유기기를 나타내고, n 은 양의 정수이다.} 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체와, 용매를 포함하는 수지 조성물로서,{In the formula, R 1 represents a divalent organic group each independently if there are plural, R 2 represents a tetravalent organic group each if it is plural, and n is a positive integer. As a resin composition containing a mid precursor and a solvent,

상기 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 110,000 ∼ 250,000 이고,The weight average molecular weight of the polyimide precursor is 110,000 to 250,000,

상기 수지 조성물의 고형분 함유량이 10 ∼ 25 질량% 인, 수지 조성물.The resin composition whose solid content of the said resin composition is 10-25 mass%.

[2] 상기 수지 조성물의 점도를 온조기 부착 점도계로 23 ℃ 에서 측정했을 때의, 하기 식으로 나타내는 전단 속도 의존성 (TI) 이, 0.9 ∼ 1.1 인, 상기 양태 1 에 기재된 수지 조성물.[2] The resin composition according to the above aspect 1, wherein the shear rate dependency (TI) represented by the following formula when the viscosity of the resin composition is measured at 23 ° C with a viscometer with a temperature controller is 0.9 to 1.1.

TI = ηa/ηbTI = ηa / ηb

{식 중, ηa (mPa·s) 는 수지 조성물의 측정 회전 속도 a (rpm) 에 있어서의 점도이고, ηb (mPa·s) 는 수지 조성물의 측정 회전 속도 b (rpm) 에 있어서의 점도이고, 단 a * 10 = b 이다.}{In the formula, ηa (mPa · s) is the viscosity at the measured rotational speed a (rpm) of the resin composition, ηb (mPa · s) is the viscosity at the measured rotational speed b (rpm) of the resin composition, However, a * 10 = b.}

[3] 상기 수지 조성물은, 슬릿 코트용의 수지 조성물인, 상기 양태 1 또는 2 에 기재된 수지 조성물.[3] The resin composition according to the aspect 1 or 2, wherein the resin composition is a resin composition for slit coat.

[4] 상기 식 (1) 중의 R1 의 적어도 1 개가, 하기 식 (2) : [4] At least one of R 1 in the formula (1) is represented by the following formula (2):

[화학식 2][Formula 2]

Figure pct00002
Figure pct00002

로 나타내는 기인, 상기 양태 1 ∼ 3 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.The resin composition as described in any one of said aspect 1-3, which is a group represented by.

[5] 상기 폴리이미드 전구체가, 하기 식 (3) : [5] The polyimide precursor is represented by the following formula (3):

[화학식 3][Formula 3]

Figure pct00003
Figure pct00003

{식 중, R3 및 R4 의 각각은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족 탄화수소기, 또는 탄소수 6 ∼ 10 의 1 가의 방향족기를 나타내고, 그리고 m 은, 1 ∼ 200 의 정수이다.} 으로 나타내는 구조를 갖는, 상기 양태 1 ∼ 4 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.{In the formula, each of R 3 and R 4 , when plural, each independently represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200 The resin composition according to any one of the above aspects 1 to 4, having a structure represented by}.

[6] 상기 폴리이미드 전구체가, 피로멜리트산 2 무수물을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체인, 상기 양태 1 ∼ 5 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[6] The resin composition according to any one of the above aspects 1 to 5, wherein the polyimide precursor is a copolymer of dicarboxylic acid and tetracarboxylic dianhydride containing pyromellitic dianhydride.

[7] 상기 폴리이미드 전구체가, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체인, 상기 양태 1 ∼ 6 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[7] Any one of the above aspects 1 to 6, wherein the polyimide precursor is a copolymer of diamine and tetracarboxylic dianhydride containing 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride. The resin composition described in.

[8] 상기 폴리이미드 전구체가, 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체이고, 상기 테트라카르복실산 2 무수물이, 피로멜리트산 2 무수물 및 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물을, 상기 피로멜리트산 2 무수물과 상기 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물의 몰비 20 : 80 ∼ 80 : 20 으로 포함하는, 상기 양태 1 ∼ 7 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[8] The polyimide precursor is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride and diamine, and the tetracarboxylic dianhydride is pyromellitic dianhydride and 3,3 ', 4,4'-biphenyltetra The above aspect 1 to 1, wherein the carboxylic acid 2 anhydride contains the pyromellitic acid 2 anhydride and the 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid 2 anhydride in a molar ratio of 20:80 to 80:20. The resin composition according to any one of 7.

[9] 상기 폴리이미드 전구체가, 테트라카르복실산 2 무수물과, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 및 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개 이상의 디아민의 공중합체인, 상기 양태 1 ∼ 8 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[9] The polyimide precursor is tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 2,2'-bis (trifluoromethyl ) A resin composition according to any one of the above aspects 1 to 8, which is a copolymer of at least one diamine selected from the group consisting of benzidine and 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene.

[10] 상기 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 160,000 ∼ 220,000 인, 상기 양태 1 ∼ 9 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[10] The resin composition according to any one of the above aspects 1 to 9, wherein the weight average molecular weight of the polyimide precursor is 160,000 to 220,000.

[11] 상기 수지 조성물은, 플렉시블 디바이스용의 수지 조성물인, 상기 양태 1 ∼ 10 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[11] The resin composition according to any one of the above aspects 1 to 10, wherein the resin composition is a resin composition for a flexible device.

[12] 상기 수지 조성물은, 플렉시블 디스플레이용의 수지 조성물인, 상기 양태 1 ∼ 11 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[12] The resin composition according to any one of the above aspects 1 to 11, wherein the resin composition is a resin composition for a flexible display.

[13] 상기 양태 1 ∼ 12 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물인 폴리이미드 필름.[13] A polyimide film that is a cured product of the resin composition according to any one of embodiments 1 to 12 above.

[14] 막두께 10 ㎛ 환산으로의 두께 방향 리타데이션 (Rth) 이 300 이하이고, 및/또는, 막두께 10 ㎛ 환산으로의 황색도 (YI) 가 20 이하인, 상기 양태 13 에 기재된 폴리이미드 필름.[14] The polyimide film according to aspect 13, wherein the thickness direction retardation (Rth) in terms of the film thickness of 10 μm is 300 or less, and / or the yellowness (YI) in terms of the film thickness of 10 μm is 20 or less. .

[15] 상기 양태 13 또는 14 에 기재된 폴리이미드 필름을 포함하는 플렉시블 디바이스.[15] A flexible device comprising the polyimide film according to aspect 13 or 14 above.

[16] 상기 양태 13 또는 14 에 기재된 폴리이미드 필름을 포함하는 플렉시블 디스플레이.[16] A flexible display comprising the polyimide film according to aspect 13 or 14 above.

[17] 상기 폴리이미드 필름은, 상기 플렉시블 디스플레이를 외부로부터 관찰했을 때에 시인되는 지점에 배치되어 있는, 상기 양태 16 에 기재된 플렉시블 디스플레이.[17] The flexible display according to the aspect 16, wherein the polyimide film is disposed at a point visually observed when the flexible display is observed from the outside.

[18] 지지체의 표면 상에, 상기 양태 1 ∼ 12 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 도포하는 도포 공정과,[18] a coating step of applying the resin composition according to any one of the above aspects 1 to 12 on the surface of the support;

상기 수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,A film forming process of heating the resin composition to form a polyimide film,

상기 폴리이미드 필름을 상기 지지체로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는, 폴리이미드 필름의 제조 방법.A method for producing a polyimide film comprising a peeling step of peeling the polyimide film from the support.

[19] 상기 도포 공정은, 상기 수지 조성물을 슬릿 코트하는 것을 포함하는, 상기 양태 18 에 기재된 폴리이미드 필름의 제조 방법.[19] The method for producing a polyimide film according to aspect 18, wherein the coating step includes slit coating the resin composition.

[20] 상기 식 (1) 중의 R1 의 적어도 1 개가, 하기 식 (2) : [20] At least one of R 1 in the formula (1) is represented by the following formula (2):

[화학식 4][Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

로 나타내는 기인, 상기 양태 19 에 기재된 폴리이미드 필름의 제조 방법.The polyimide film production method according to the aspect 19, which is a group represented by.

[21] 상기 폴리이미드 전구체가, 하기 식 (3) : [21] The polyimide precursor is represented by the following formula (3):

[화학식 5][Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

{식 중, R3 및 R4 의 각각은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족 탄화수소기, 또는 탄소수 6 ∼ 10 의 1 가의 방향족기를 나타내고, 그리고 m 은, 1 ∼ 200 의 정수이다.} 으로 나타내는 구조를 갖는, 상기 양태 19 또는 20 에 기재된 폴리이미드 필름의 제조 방법.{In the formula, each of R 3 and R 4 , when plural, each independently represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200 The method for producing a polyimide film according to the aspect 19 or 20, which has a structure represented by}.

[22] 상기 박리 공정에 앞서, 상기 지지체측으로부터 상기 폴리이미드 필름에 레이저를 조사하는 조사 공정을 추가로 포함하는, 상기 양태 18 ∼ 21 중 어느 하나에 기재된 폴리이미드 필름의 제조 방법.[22] The method for producing a polyimide film according to any one of the aspects 18 to 21, further comprising an irradiation step of irradiating a laser to the polyimide film from the support side prior to the peeling step.

[23] 지지체의 표면 상에, 상기 양태 1 ∼ 12 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 도포하는 도포 공정과,[23] a coating step of applying the resin composition according to any one of the above aspects 1 to 12 on the surface of the support;

상기 수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,A film forming process of heating the resin composition to form a polyimide film,

상기 폴리이미드 필름 상에 소자를 형성하는 소자 형성 공정과,An element forming process for forming an element on the polyimide film,

상기 소자가 형성된 상기 폴리이미드 필름을 상기 지지체로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는 디스플레이의 제조 방법.A method of manufacturing a display comprising a peeling step of peeling the polyimide film on which the device is formed from the support.

[24] 상기 도포 공정은, 상기 수지 조성물을 슬릿 코트하는 것을 포함하는, 상기 양태 23 에 기재된 디스플레이의 제조 방법.[24] The method for producing a display according to aspect 23, wherein the coating step includes slit coating the resin composition.

[25] 상기 디스플레이를 외부로부터 관찰했을 때에 시인되는 지점에 상기 폴리이미드 필름을 배치하는, 상기 양태 23 또는 24 에 기재된 디스플레이의 제조 방법.[25] The method for producing a display according to the aspect 23 or 24, wherein the polyimide film is disposed at a point visually observed when the display is viewed from the outside.

본 발명의 일 양태에 의하면, 슬릿 코트에 있어서의 코팅 특성이 우수함과 함께, 플렉시블 기판 등의 용도에 요구되는 기계 특성 및 광학 특성도 우수한 폴리이미드 전구체 함유 수지 조성물을 제공하는 것이 가능해진다.According to one aspect of the present invention, it is possible to provide a polyimide precursor-containing resin composition having excellent coating properties in a slit coat and excellent mechanical and optical properties required for applications such as flexible substrates.

도 1 은, 본 발명의 일 양태로 제공되는 디스플레이의 예로서의 톱 이미션형의 플렉시블 유기 EL 디스플레이의 폴리이미드 기판보다 상부의 구조를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a structure above the polyimide substrate of a top emission type flexible organic EL display as an example of a display provided in one aspect of the present invention.

이하, 본 발명의 예시의 실시형태 (이하, 「실시형태」라고 약기한다.) 에 대하여, 상세히 설명한다. 또한, 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되지 않고, 그 요지의 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있다. 또, 본 개시에서 기재하는 특성치는, 특별한 기재가 없는 한, [실시예] 의 항에 있어서 기재하는 방법 또는 이것과 동등한 것이 당업자에게 이해되는 방법으로 측정되는 값인 것을 의도한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention (hereinafter abbreviated as "embodiments") will be described in detail. In addition, this invention is not limited to the following embodiment, It can be implemented by carrying out various modifications within the range of the summary. The characteristic values described in the present disclosure are intended to be values measured in a manner understood by those skilled in the art or the methods described in the section of [Example] or equivalents thereof unless otherwise specified.

본 실시형태는,This embodiment,

하기 식 (1) : Equation (1) below:

[화학식 6][Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

{식 중, R1 은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 2 가의 유기기를 나타내고, R2 는, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 4 가의 유기기를 나타내고, n 은 양의 정수이다.}{In the formula, R 1 each independently represents a divalent organic group when there are plural, R 2 each independently represents a tetravalent organic group when plural, and n is a positive integer.}

로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물을 제공한다. 일 양태에 있어서, 당해 수지 조성물은, 당해 폴리이미드 전구체와 용매를 포함한다.It provides a resin composition comprising a polyimide precursor having a structure represented by. In one aspect, the resin composition includes the polyimide precursor and a solvent.

바람직한 양태에 있어서는, 식 (1) 중의 R1 의 적어도 1 개가, 하기 식 (2) : In a preferred aspect, at least one of R 1 in formula (1) is represented by the following formula (2):

[화학식 7][Formula 7]

Figure pct00007
Figure pct00007

로 나타내는 기이다.It is a group represented by.

식 (1) 중의 R1 의 적어도 1 개가 식 (2) 로 나타내는 구조인 것은, 폴리이미드 전구체의 경화물인 폴리이미드의 양호한 광학 특성 (특히 Rth) 및 내열성에 기여한다. 일 양태에 있어서, 식 (1) 중의 n 개의 R1 의 전부가 식 (2) 로 나타내는 구조를 갖는다. 또, 일 양태에 있어서, 식 (1) 중의 n 개의 R1 중 식 (2) 로 나타내는 구조의 비율은, 0 % 이상, 또는 10 % 이상, 또는 20 % 이상이어도 되고, 100 % 이하, 또는 90 % 이하여도 된다.When at least one of R 1 in formula (1) is a structure represented by formula (2), it contributes to good optical properties (particularly Rth) and heat resistance of polyimide, which is a cured product of the polyimide precursor. In one aspect, all of n n R 1 in Formula (1) has a structure represented by Formula (2). Moreover, in one aspect, the ratio of the structure represented by Formula (2) among n R 1 in Formula (1) may be 0% or more, or 10% or more, or 20% or more, and 100% or less, or 90 % Or less.

본 실시형태는 또한, 상기 식 (1) 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물로서, 당해 수지 조성물의 경화물인 폴리이미드가, 두께 방향 리타데이션 (Rth) 300 이하 및/또는 황색도 (YI) 20 이하를 갖는, 수지 조성물도 제공한다. 상기의 낮은 두께 방향 리타데이션 (Rth) 은 폴리이미드가 저복굴절성인 것을 나타내고 있고, 또한 상기의 낮은 황색도 (YI) 는, 폴리이미드가 양호한 색조를 갖는 (즉 거의 무색인 것) 인 것을 나타내고 있다.This embodiment is also a resin composition comprising a polyimide precursor having a structure represented by the formula (1), wherein the cured polyimide of the resin composition has a thickness direction retardation (Rth) of 300 or less and / or yellowness. (YI) A resin composition having 20 or less is also provided. The low thickness direction retardation (Rth) indicates that the polyimide is low birefringent, and the low yellowness (YI) above indicates that the polyimide has a good color tone (ie, almost colorless). .

본 실시형태의 수지 조성물은, 우수한 슬릿 코트 성능을 가짐과 함께, 우수한 기계 특성 및 광학 특성을 갖는 폴리이미드 필름을 부여하는 점에서, 바람직하게는 플렉시블 디바이스용 (예를 들어 플렉시블 기판용), 특히 바람직하게는 플렉시블 디스플레이용으로서 유용하다.The resin composition of the present embodiment has excellent slit coat performance and provides a polyimide film having excellent mechanical and optical properties, and is preferably for a flexible device (for example, for a flexible substrate). It is preferably useful for flexible displays.

(폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량)(Weight average molecular weight of polyimide precursor)

일 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은 110,000 이상 250,000 이하이다. 본 발명자는, 본 실시형태의 수지 조성물을 슬릿 코트에 사용할 때, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 코팅 성능에 크게 영향을 주는 것을 알아내고, 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 110,000 이상인 경우에는, 수지 조성물의 고형분 함유량을 조정하여 양호한 슬릿 코트를 실현할 수 있고, 한편, 중량 평균 분자량이 250,000 이하인 폴리이미드 전구체는 제조 용이한 것을 알아냈다. 즉, 본 실시형태에 있어서, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은, 코팅 성능의 관점에서 110,000 이상이고, 제조 용이성의 면에서 250,000 이하이다.In one embodiment, the weight average molecular weight of the polyimide precursor is 110,000 or more and 250,000 or less. The inventor found out that when the resin composition of the present embodiment is used for a slit coat, the weight average molecular weight of the polyimide precursor greatly affects the coating performance, and repeated examinations. As a result, when the weight average molecular weight of the polyimide precursor was 110,000 or more, it was found that the solid content of the resin composition was adjusted to realize good slit coat, while the polyimide precursor having a weight average molecular weight of 250,000 or less was easy to manufacture. . That is, in the present embodiment, the weight average molecular weight of the polyimide precursor is 110,000 or more from the viewpoint of coating performance, and 250,000 or less in terms of ease of manufacture.

폴리이미드 전구체의 바람직한 중량 평균 분자량은, 원하는 용도, 폴리이미드 전구체의 종류, 수지 조성물의 고형분 함유량, 수지 조성물이 포함할 수 있는 용매의 종류 등에 따라 상이해도 된다.The preferable weight average molecular weight of the polyimide precursor may be different depending on the desired application, the type of the polyimide precursor, the solid content of the resin composition, and the type of solvent the resin composition may contain.

예를 들어, 중량 평균 분자량의 하한의 바람직한 예는,For example, a preferable example of the lower limit of the weight average molecular weight,

Figure pct00008
Figure pct00008

Figure pct00009
Figure pct00009

또, 중량 평균 분자량의 상한의 바람직한 예는,Moreover, a preferable example of the upper limit of the weight average molecular weight is,

Figure pct00010
Figure pct00010

Figure pct00011
Figure pct00011

예를 들어, 폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물의 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름 (본 개시에서 큐어막이라고도 한다.)) 의 신도 및 황색도 (YI) 의 관점에서는, 중량 평균 분자량 120,000 이상이 바람직하고, 130,000 이상이 더욱 바람직하고, 160,000 이상이 특히 바람직하다. 또, 당해 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 헤이즈의 관점에서는, 220,000 이하가 바람직하고, 200,000 이하가 보다 바람직하다. 바람직한 일 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은, 160,000 이상 220,000 이하이다.For example, from the viewpoint of elongation and yellowness (YI) of a cured product of a resin composition containing a polyimide precursor (for example, a polyimide film (also referred to as a cure film in the present disclosure)), the weight average molecular weight is 120,000 or more. This is preferable, 130,000 or more is more preferable, and 160,000 or more is particularly preferable. Moreover, from the viewpoint of the haze of the cured product (for example, a polyimide film), 220,000 or less is preferable, and 200,000 or less is more preferable. In one preferred aspect, the weight average molecular weight of the polyimide precursor is 160,000 or more and 220,000 or less.

(폴리이미드 필름의 두께 방향 리타데이션 (Rth))(Polyimide film thickness direction retardation (Rth))

폴리이미드 전구체의 경화물 (즉 이미드화물) 로서 폴리이미드 필름을 제작했을 때, 당해 폴리이미드 필름의 막두께 10 ㎛ 에서의 두께 방향 리타데이션 (Rth) 은, 폴리이미드 전구체의 모노머 골격에 따라 상이하지만, 동일한 모노머 골격이면, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 클수록 Rth 가 작은 경향이 있다. 폴리머 골격으로는, DAS 를 사용하면 Rth 가 작아지는 경향이 있다. 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량과 폴리이미드 필름의 Rth 의 상기 관계의 메커니즘은 불명확하지만, 폴리이미드 필름의 분자의 배향, 및 결정도가 관계하는 것으로 생각된다.When a polyimide film is produced as a cured product of polyimide precursor (i.e., an imide), the thickness direction retardation (Rth) at a film thickness of 10 µm of the polyimide film varies depending on the monomer skeleton of the polyimide precursor. However, if the same monomer skeleton, the larger the weight average molecular weight of the polyimide precursor, the smaller the Rth tends to be. As the polymer backbone, when DAS is used, Rth tends to be small. Although the mechanism of the above relationship between the weight average molecular weight of the polyimide precursor and Rth of the polyimide film is unclear, it is believed that the orientation and crystallinity of the molecules of the polyimide film are related.

특정 양태에 있어서, Rth 는, 저복굴절성의 폴리이미드 필름을 얻는 관점에서, 300 ㎚ 이하이다. 특히 폴리이미드 필름을 표시 재료로서 사용하는 경우, Rth 로는, 200 ㎚ 이하가 바람직하고, 100 ㎚ 이하가 보다 바람직하고, 80 ㎚ 이하가 보다 바람직하고, 50 ㎚ 이하가 보다 바람직하고, 30 ㎚ 가 특히 바람직하다. Rth 가 300 ㎚ 이하이면, 이미지 화상을 정확하게 포착하는 것이 용이하고, 특히, Rth 가 200 ㎚ 이하이면, 화상의 색재현성이 양호하다.In a specific aspect, Rth is 300 nm or less from the viewpoint of obtaining a low-birefringent polyimide film. In particular, when a polyimide film is used as a display material, as Rth, 200 nm or less is preferable, 100 nm or less is more preferable, 80 nm or less is more preferable, 50 nm or less is more preferable, and 30 nm is particularly desirable. When Rth is 300 nm or less, it is easy to accurately capture an image image. Particularly, when Rth is 200 nm or less, color reproducibility of the image is good.

일 양태에 있어서, 폴리이미드 필름은, 막두께 10 ㎛ 환산으로의 두께 방향 리타데이션 (Rth) 이 300 ㎚ 이하이고, 및/또는, 막두께 10 ㎛ 환산으로의 황색도 (YI) 가 20 이하이다. 일 양태에 있어서, 폴리이미드 필름은, 막두께 10 ㎛ 환산으로의 두께 방향 리타데이션 (Rth) 이 300 ㎚ 이하이고, 및, 막두께 10 ㎛ 환산으로의 황색도 (YI) 가 20 이하이다.In one aspect, the polyimide film has a thickness direction retardation (Rth) in terms of 10 μm film thickness of 300 nm or less, and / or a yellowness (YI) in terms of 10 μm film thickness of 20 μm or less. . In one aspect, in the polyimide film, the thickness direction retardation (Rth) in terms of 10 µm film thickness is 300 nm or less, and the yellowness (YI) in terms of 10 µm film thickness is 20 or less.

(폴리이미드 필름의 황색도 (YI))(Yellow degree of polyimide film (YI))

특정 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체의 경화물 (즉 이미드화물) 로서 폴리이미드 필름을 제작했을 때, 당해 폴리이미드 필름의 막두께 10 ㎛ 에 있어서의 황색도 (YI) 는, 양호한 광학 특성을 얻는 관점에서, 20 이하이고, 바람직하게는 18 이하, 보다 바람직하게는 16 이하, 더욱 바람직하게는 14 이하, 더욱 바람직하게는 13 이하, 더욱 바람직하게는 10 이하, 특히 바람직하게는 7 이하이다. 당해 폴리이미드 필름의 막두께 10 ㎛ 에서의 YI 는, 폴리이미드 전구체의 모노머 골격에 따라 상이하지만, 동일한 모노머 골격이면, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 클수록 YI 가 작은 경향이 있다.In a specific aspect, when a polyimide film is produced as a cured product (i.e., an imide) of a polyimide precursor, the yellowness (YI) at a film thickness of 10 µm of the polyimide film obtains good optical properties. From a viewpoint, it is 20 or less, Preferably it is 18 or less, More preferably, it is 16 or less, More preferably, it is 14 or less, More preferably, it is 13 or less, More preferably, it is 10 or less, Especially preferably, it is 7 or less. Although the YI at the film thickness of 10 µm of the polyimide film differs depending on the monomer skeleton of the polyimide precursor, if the same monomer skeleton, the larger the weight average molecular weight of the polyimide precursor, the smaller the YI tends to be.

(폴리이미드 필름의 그 밖의 바람직한 특성)(Other desirable properties of polyimide film)

폴리이미드 전구체의 경화물 (즉 이미드화물) 로서 폴리이미드 필름을 유리 기판과 같은 무기 지지 기판 상에 제작했을 때, 당해 폴리이미드 필름의 막두께 10 ㎛ 에 있어서의 유리 기판과의 사이에 발생하는 잔류 응력은, 예를 들어 디스플레이 용도에 있어서의 제조상, 폴리이미드 부착의 유리 기판의 휨량 저감의 관점에서, 바람직하게는 25 ㎫ 이하, 보다 바람직하게는 23 ㎫ 이하, 더욱 바람직하게는 20 ㎫ 이하, 더욱 바람직하게는 18 ㎫ 이하, 특히 바람직하게는 16 ㎫ 이하이다.When a polyimide film is produced on an inorganic support substrate such as a glass substrate as a cured product (i.e., an imide) of a polyimide precursor, the polyimide film is formed between the glass substrate at a thickness of 10 µm. Residual stress is preferably 25 MPa or less, more preferably 23 MPa or less, even more preferably 20 MPa or less, from the viewpoint of reducing the amount of warpage of the glass substrate with polyimide, for example, in display applications. It is more preferably 18 MPa or less, and particularly preferably 16 MPa or less.

또, 당해 폴리이미드 필름의 막두께 10 ㎛ 에 있어서의 인장 신도가 15 % 이상인 것이 바람직하다. 인장 신도는, 플렉시블 디스플레이의 역학 강도의 관점에서 보다 바람직하게는 20 % 이상이고, 더욱 바람직하게는 25 % 이상이고, 더욱 바람직하게는 30 % 이상이고, 더욱 바람직하게는 35 % 이상이고, 특히 바람직하게는 40 % 이상이다. 당해 폴리이미드 필름의 인장 신도는, 폴리이미드 전구체의 모노머 골격에 따라 상이하지만, 동일한 모노머 골격이면, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 클수록 인장 신도가 큰 경향이 있다.Moreover, it is preferable that the tensile elongation in the film thickness of 10 micrometers of the said polyimide film is 15% or more. The tensile elongation is more preferably 20% or more, more preferably 25% or more, still more preferably 30% or more, still more preferably 35% or more, particularly preferably from the viewpoint of the dynamic strength of the flexible display. It is 40% or more. The tensile elongation of the polyimide film differs depending on the monomer skeleton of the polyimide precursor, but if it is the same monomer skeleton, the larger the weight average molecular weight of the polyimide precursor, the higher the tensile elongation.

폴리이미드 필름의 유리 전이 온도 Tg 는, 폴리이미드 상에 질화규소와 같은 무기막을 CVD 공정으로 제작할 때의 프로세스 온도가 보다 높아지는 관점에서, 360 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 400 ℃ 이상이 보다 바람직하고, 470 ℃ 이상이 더욱 바람직하다.The glass transition temperature Tg of the polyimide film is preferably 360 ° C. or higher, more preferably 400 ° C. or higher, and more preferably 400 ° C. or higher, from the viewpoint of a higher process temperature when producing an inorganic film such as silicon nitride on the polyimide by a CVD process. The above is more preferable.

폴리이미드 필름은 막두께가 균일한 것이 바람직하다. 특히 폴리이미드 필름을 플렉시블 디스플레이 등의 화면의 재료로서 사용하는 경우에는, 가시광의 파장이 약 380 ㎚ 내지 약 700 ㎚ 이기 때문에 양호한 디스플레이 성능을 얻는 관점 및, 디스플레이의 제조 공정의 관점에서, 특히 높은 막두께 균일성이 요구된다. 폴리이미드 필름의 막두께 균일성 (막두께의 복수 점의 표준 편차) 은 10 ㎛ 이하가 바람직하고, 8 ㎛ 이하가 바람직하고, 5 ㎛ 이하가 바람직하고, 3 ㎛ 이하가 바람직하고, 2 ㎛ 이하가 바람직하고, 1 ㎛ 이하가 특히 바람직하고, 500 ㎚ 이하가 특히 바람직하고, 300 ㎚ 이하가 특히 바람직하다. 막두께 균일성은 작을수록 바람직하지만, 디스플레이 제조의 수율 향상의 관점에서, 예를 들어 50 ㎚ 이상, 또는 100 ㎚ 이상이어도 된다. 또한 상기 막두께 균일성은, 예를 들어 본 개시의 [실시예] 의 항에 기재된 방법으로 측정되는 복수 점의 막두께로부터 계산되는 3σ 의 값을 의미한다.It is preferable that the polyimide film has a uniform film thickness. In particular, when a polyimide film is used as a material for a screen such as a flexible display, since the wavelength of visible light is about 380 nm to about 700 nm, it is a particularly high film from the viewpoint of obtaining good display performance and from the viewpoint of the manufacturing process of the display. Thickness uniformity is required. The film thickness uniformity of the polyimide film (standard deviation of multiple points in the film thickness) is preferably 10 μm or less, preferably 8 μm or less, preferably 5 μm or less, preferably 3 μm or less, and 2 μm or less Is preferred, 1 μm or less is particularly preferred, 500 nm or less is particularly preferred, and 300 nm or less is particularly preferred. The smaller the film thickness uniformity is, the more preferable it is, from the viewpoint of improving the yield of display production, for example, may be 50 nm or more, or 100 nm or more. In addition, the said film thickness uniformity means the value of 3σ calculated from the film thickness of several points measured by the method of the term of the [Example] of this indication, for example.

(수지 조성물의 전단 속도 의존성)(Depending on the shear rate of the resin composition)

본 실시형태의 수지 조성물의 전단 속도 의존성 (TI) (이하, 간단히 TI 라고도 한다.) 은, 바람직하게는 0.9 이상 1.1 이하이다. 본 개시에서, TI 는, 수지 조성물의 점도를 23 ℃ 에서 온조기 부착 점도계 (토키 산업사 제조 TVE-35H) 로 측정했을 때에, 측정 회전수 a (rpm) 에 있어서의 점도 ηa (mPa·s) 와, 측정 회전수 b (rpm) 에 있어서의 점도 ηb (mPa·s) (단, a * 10 = b 이다) 로부터, 하기 식 : The shear rate dependence (TI) (hereinafter, simply referred to as TI) of the resin composition of the present embodiment is preferably 0.9 or more and 1.1 or less. In the present disclosure, TI measured the viscosity of the resin composition at 23 ° C with a viscometer with a thermostat (TVE-35H manufactured by Toki Sangyo), and the viscosity ηa (mPa · s) at the measured rotational speed a (rpm). , From the viscosity ηb (mPa · s) at the measured rotational speed b (rpm) (however, a * 10 = b), the following formula:

TI = ηa/ηbTI = ηa / ηb

에 따라 구해지는 값이다. 측정 조건의 상세한 것은 실시예 중의 기재에서 설명한다.It is a value obtained according to. The details of the measurement conditions are described in the description in Examples.

전단 속도 의존성 (TI) 은, 바람직하게는, 0.9 이상, 또는 0.95 이상, 또는 1.0 이상이고, 바람직하게는, 1.1 이하, 또는 1.05 이하, 또는 1.0 이하이다. TI 가 이 범위이면, 수지 조성물은 뉴턴 유체라고 하며, 수지 조성물을 슬릿 코트한 경우의 막두께 균일성이 양호하기 때문에 바람직하다. 막두께 균일성이 양호한 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 폴리이미드 필름은, 양호한 막두께 균일성을 갖기 때문에, 플렉시블 디스플레이 등의 화면의 재료로서 바람직하게 사용할 수 있다.The shear rate dependence (TI) is preferably 0.9 or more, or 0.95 or more, or 1.0 or more, and preferably 1.1 or less, or 1.05 or less, or 1.0 or less. When TI is in this range, the resin composition is referred to as Newtonian fluid, and is preferable because the film thickness uniformity when the resin composition is slit coated is good. The polyimide film obtained by curing a resin composition having good film thickness uniformity has good film thickness uniformity, and therefore can be preferably used as a material for a screen such as a flexible display.

수지 조성물의 전단 속도 의존성이 0.9 이상 1.1 이하인 경우에 막두께 균일성이 양호해지는 상세한 이유는 불명확하지만, 이하와 같이 생각된다.The detailed reason why the film thickness uniformity becomes good when the shear rate dependence of the resin composition is 0.9 or more and 1.1 or less is unclear, but is considered as follows.

슬릿 코트에 있어서는, 도포 개시 직후의 수지 조성물에 부여되는 전단 속도가 작고, 도포를 계속했을 때의 수지 조성물에 부여되는 전단 속도가 크다. 전단 속도 의존성이 작은 (구체적으로는 TI 가 0.9 이상 1.1 이하) 경우, 도포 개시 직후와 도포를 계속했을 때의 수지 조성물의 점도의 차가 작기 때문에, 도포 방향 (MD (Machine direction)) 의 막두께 편차가 작다 (즉 도포 방향의 막두께 균일성이 양호하다). 또, 슬릿 코트 노즐이, 폭 방향 (TD (Transverse direction)) 의 어느 일단만으로부터 수지 조성물을 주입하는 사양인 경우, 슬릿 코트시에, 주입구 부근에서는 수지 조성물의 전단 속도가 크지만, 주입구와 반대측 (즉 노즐의 데드 로크측) 에서는, 수지 조성물의 전단 속도가 작아진다. 이와 같은 경우에도, 전단 속도 의존성이 작음 (구체적으로는 TI 가 0.9 이상 1.1 이하) 으로써, 폭 방향의 막두께 편차를 작게 할 수 있다. 이와 같이, 전단 속도 의존성이 작은 (구체적으로는 TI 가 0.9 이상 1.1 이하) 것은, 전단에 의한 점도에 대한 영향을 저감시켜, MD 및 TD 어느 쪽에 있어서도 막두께 편차가 작다 (즉 막두께 균일성이 양호하다) 라고 하는 이점을 부여한다.In the slit coat, the shear rate applied to the resin composition immediately after the start of application is small, and the shear rate applied to the resin composition when application is continued. When the shear rate dependence is small (specifically, TI is 0.9 or more and 1.1 or less), since the difference in viscosity of the resin composition immediately after the start of coating and when the coating is continued is small, the film thickness variation in the MD (Machine direction) Is small (that is, the film thickness uniformity in the coating direction is good). Moreover, when the slit coat nozzle is a specification in which the resin composition is injected from only one end in the transverse direction (TD), the shear rate of the resin composition is large in the vicinity of the injection port during slit coating, but opposite to the injection port. In the (ie, the deadlock side of the nozzle), the shear rate of the resin composition becomes small. Even in such a case, since the shear rate dependence is small (specifically, TI is 0.9 or more and 1.1 or less), it is possible to reduce the film thickness variation in the width direction. Thus, a small shear rate dependence (specifically, TI is 0.9 or more and 1.1 or less) reduces the influence on the viscosity due to shear, and thus the film thickness variation is small in both MD and TD (ie, film thickness uniformity) It is good).

수지 조성물의 전단 속도 의존성은, 수지 조성물의 합성 방법과 상관이 있다고 생각된다.It is considered that the shear rate dependence of the resin composition is correlated with the method for synthesizing the resin composition.

예를 들어, 반응 용기에, 산 2 무수물, 디아민, 및 구조에 의해 산 2 무수물 또는 디아민일 수 있는 실리콘 오일의 모두를 첨가하고 가열하여 반응하고 있는 경우와, 그 디아민에, 용매에 용해시킨 그 산 2 무수물과, 용매에 용해시킨 그 실리콘 오일을, 실온에서 시간을 들여 소량씩 적하하고, 조금씩 반응시키는 경우를 비교하면, 전자의 경우, 모노머 (즉 산 2 무수물, 디아민 및 실리콘 오일) 중, 보다 반응성이 높은 것 (산성 또는 염기성이 높은 것, 입체 장해가 작은 것 등) 부터 반응하고, 폴리이미드 전구체는 블록 폴리머가 되기 쉬운 경향이 있다. 한편, 후자의 경우, 산 2 무수물 및 실리콘 오일을 용매에 용해시키고, 소량씩 적하하고 있기 때문에, 각 모노머가 반응성 등에 관계없이 반응할 수 있고, 폴리이미드 전구체는 랜덤 폴리머가 되기 쉬운 경향이 있다. 이와 같이 상기의 전자와 후자에서는, 생성물의 폴리머 구성이 상이하다고 생각된다. 그리고 블록 폴리머 (전자) 의 경우, 폴리머 중에서 특정한 모노머가 모여 있기 때문에, 폴리머 사슬 사이에서 분자 간 상호 작용이 발생하기 쉬워지거나, 폴리머의 유연성이 저해되기 때문에 폴리머 사슬끼리에서 스택하기 쉬워진다고 생각된다. 결과적으로, 수지 조성물의 전단 속도 의존성이 커진다고 생각된다. 한편, 후자의 경우에는, 각 모노머가 순서적으로 결합하고 있고, 분자 간 상호 작용 등이 발생하기 어렵기 때문에, 전단 속도 의존성이 작다고 생각된다.For example, when the reaction vessel is reacted by adding acid 2 anhydride, diamine, and silicone oil, which may be acid 2 anhydride or diamine by structure, and reacting by heating, the diamine dissolved in a solvent When comparing the case where the acid 2 anhydride and the silicone oil dissolved in a solvent are dripped little by little over a period of time at room temperature, and reacted little by little, in the former case, among the monomers (ie, acid 2 anhydride, diamine and silicone oil), It reacts from a more reactive one (higher acidity or basicity, smaller steric hindrance, etc.), and the polyimide precursor tends to become a block polymer. On the other hand, in the latter case, since acid 2 anhydride and silicone oil are dissolved in a solvent and added in small portions, each monomer can react regardless of reactivity or the like, and the polyimide precursor tends to be a random polymer. Thus, in the former and the latter, it is considered that the polymer structure of the product is different. In the case of block polymers (electrons), since specific monomers are clustered among polymers, it is thought that intermolecular interactions are likely to occur between polymer chains, or because polymer flexibility is impaired, stacking between polymer chains is likely to occur. As a result, it is thought that the shear rate dependence of the resin composition becomes large. On the other hand, in the latter case, it is considered that the dependence on the shear rate is small because each monomer is bound in sequence and interaction between molecules is unlikely to occur.

또, 전자의 경우, 모노머를 모두 첨가하여 가열하고 있기 때문에, 특히 일부의 산 2 무수물은, 폴리머 사슬과 반응하기 전에, 열에 의해 산 2 무수물기가 개환한다고 생각된다. 산 2 무수물기가 개환하여 디카르복실기가 되면, 산 2 무수물기에 비해 반응성이 낮아지기 때문에, 폴리이미드 전구체의 분자량이 작아진다고 생각된다. 한편, 후자의 경우, 산 2 무수물을 용매에 용해시키고, 실온에서 소량씩 적하하기 때문에, 산 2 무수물기가 개환하지 않고 폴리머 사슬과 반응하는 것이 가능해져, 분자량이 커진다고 생각된다.Moreover, in the former case, since all monomers are added and heated, it is considered that, in particular, some acid 2 anhydride groups are opened by heat before reacting with the polymer chain. When the acid 2 anhydride group is opened and becomes a dicarboxyl group, the reactivity is lower than that of the acid 2 anhydride group, and it is considered that the molecular weight of the polyimide precursor is reduced. On the other hand, in the latter case, since the acid 2 anhydride is dissolved in a solvent and added dropwise at room temperature, it is considered that the acid 2 anhydride group can react with the polymer chain without ring opening, and the molecular weight is considered to be large.

(수지 조성물의 슬릿 코트 특성)(Slit coat properties of resin composition)

폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물의 슬릿 노즐에 의한 코트 특성 (슬릿 코트 특성) 은, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량 및 수지 조성물의 고형분 함유량과 상관이 있다. 폴리이미드 전구체가 저분자량인 경우, 및/또는 수지 조성물이 저고형분 함유량인 경우에는, 노즐로부터의 액누설이 발생하기 쉽고, 한편, 폴리이미드 전구체가 고분자량인 경우, 및/또는 수지 조성물이 고고형분 함유량인 경우에는, 노즐 선단에서 바니시의 막힘이 발생하기 쉽다. 따라서, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은, 고형분 함유량을 제어함으로써 원하는 슬릿 코트 특성이 얻어지는 범위로 제어하는 것이 바람직하다.The coat characteristic (slit coat characteristic) of the resin composition containing the polyimide precursor by the slit nozzle correlates with the weight average molecular weight of the polyimide precursor and the solid content of the resin composition. When the polyimide precursor has a low molecular weight, and / or when the resin composition has a low solid content, liquid leakage is likely to occur from the nozzle, while the polyimide precursor has a high molecular weight, and / or the resin composition has a high In the case of solid content, clogging of the varnish tends to occur at the tip of the nozzle. Therefore, it is preferable to control the weight average molecular weight of the polyimide precursor to a range in which desired slit coat properties are obtained by controlling the solid content.

(도막의 에지 특성)(Edge characteristics of coating film)

폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물을 슬릿 코트하여 건조 도막을 형성할 때, 폴리이미드 전구체가 저분자량인 경우, 및/또는 수지 조성물이 저고형분 함유량인 경우에는, 에지의 처짐이 발생하기 쉽고, 한편, 폴리이미드 전구체가 고분자량인 경우, 및/또는 수지 조성물이 고고형분 함유량인 경우에는, 에지 비드 (즉 에지의 융기) 가 발생하기 쉽다. 따라서, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은, 고형분 함유량을 제어함으로써 원하는 에지 특성이 얻어지는 범위로 제어하는 것이 바람직하다.When the resin composition containing the polyimide precursor is slit-coated to form a dry coating film, when the polyimide precursor has a low molecular weight, and / or the resin composition has a low solid content, edge sagging is likely to occur. , When the polyimide precursor has a high molecular weight, and / or when the resin composition has a high solid content, edge beads (ie, edge ridges) are likely to occur. Therefore, it is preferable to control the weight average molecular weight of the polyimide precursor to a range in which desired edge characteristics are obtained by controlling the solid content.

일 양태에 있어서, 수지 조성물의 고형분 함유량은, 10 질량% ∼ 25 질량% 이다. 수지 조성물을 슬릿 코트할 때의 설정 가능한 코트 갭 (즉, 슬릿 코트 노즐 선단과 기판의 갭) 은, 수지 조성물의 고형분 함유량과 상관하고, 수지 조성물에 포함되는 고형분의 종류가 동일하면, 수지 조성물의 고형분 함유량이 작을수록 코트 갭을 크게 할 수 있는 경향이 있다. 양호한 코팅의 관점에서 코트 갭은 큰 편이 바람직하고, 예를 들어, 코트 갭이 50 ㎛ 이상이면, 기판 사이즈가 비교적 큰 경우에도 슬릿 노즐과 기판의 충돌을 회피할 수 있다. 수지 조성물의 고형분 함유량이 10 질량% ∼ 25 질량% 인 경우, 폴리이미드 전구체의 종류 및 분자량을 선택하여 목적의 코트 갭을 실현할 수 있다. 수지 조성물의 바람직한 고형분 함유량은, 원하는 용도, 폴리이미드 전구체의 종류 및 분자량, 수지 조성물이 포함할 수 있는 용매의 종류 등에 따라 상이해도 된다.In one aspect, the solid content of the resin composition is 10 mass% to 25 mass%. The settable coat gap (i.e., the gap between the tip of the slit coat nozzle and the substrate) when slit-coating the resin composition correlates with the solid content of the resin composition, and if the kind of solid content contained in the resin composition is the same, the The smaller the solid content, the larger the coat gap tends to be. From the viewpoint of good coating, it is preferable that the coat gap is large, and for example, if the coat gap is 50 µm or more, collision between the slit nozzle and the substrate can be avoided even when the substrate size is relatively large. When the solid content of the resin composition is 10% by mass to 25% by mass, the desired coat gap can be realized by selecting the type and molecular weight of the polyimide precursor. The preferable solid content of the resin composition may be different depending on the desired use, the type and molecular weight of the polyimide precursor, and the type of solvent the resin composition may contain.

고형분 함유량의 하한의 바람직한 예는, 11 질량%, 12 질량%, 13 질량%, 14 질량%, 15 질량%, 16 질량%, 17 질량%, 18 질량%, 19 질량%, 20 질량%, 21 질량%, 22 질량%, 23 질량%, 또는 24 질량% 이다.Preferable examples of the lower limit of the solid content are 11 mass%, 12 mass%, 13 mass%, 14 mass%, 15 mass%, 16 mass%, 17 mass%, 18 mass%, 19 mass%, 20 mass%, 21 Mass%, 22 mass%, 23 mass%, or 24 mass%.

고형분 함유량의 상한의 바람직한 예는, 24 질량%, 23 질량%, 22 질량%, 21 질량%, 20 질량%, 19 질량%, 18 질량%, 17 질량%, 16 질량%, 15 질량%, 14 질량%, 13 질량%, 12 질량%, 또는 11 질량% 이다.Preferable examples of the upper limit of the solid content are 24 mass%, 23 mass%, 22 mass%, 21 mass%, 20 mass%, 19 mass%, 18 mass%, 17 mass%, 16 mass%, 15 mass%, 14 It is mass%, 13 mass%, 12 mass%, or 11 mass%.

바람직한 일 양태에 있어서, 고형분 농도는, 10 ∼ 20 질량% 이고, 10 ∼ 15 질량% 가 더욱 바람직하다.In a preferable aspect, the solid content concentration is 10 to 20 mass%, and more preferably 10 to 15 mass%.

바람직한 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체는, 식 (3) : In a preferred embodiment, the polyimide precursor is represented by formula (3):

[화학식 8][Formula 8]

Figure pct00012
Figure pct00012

{식 중, R3 및 R4 의 각각은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족 탄화수소기, 또는 탄소수 6 ∼ 10 의 1 가의 방향족기를 나타내고, 그리고 m 은, 1 ∼ 200 의 정수이다.} 으로 나타내는 구조를 갖는다.{In the formula, each of R 3 and R 4 , when plural, each independently represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200 It is an integer of}.

R3 및 R4 가 탄소수 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 6 ∼ 10 의 1 가의 방향족기인 것은, 지지체와의 사이에 발생하는 잔류 응력 및 Rth 를 저감시킬 수 있는 폴리이미드를 얻는 관점에서 유리하다. R3 및 R4 의 바람직한 구조로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 페닐기 등을 들 수 있다.When R 3 and R 4 are a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, from the viewpoint of obtaining a polyimide capable of reducing residual stress and Rth generated between the supports, It is advantageous. Preferable structures of R 3 and R 4 include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group and phenyl group.

m 은, 지지체와의 사이에 발생하는 잔류 응력 및 Rth 를 저감시킬 수 있는 폴리이미드를 얻는 관점에서, 1 ∼ 200 이고, 바람직하게는, 1 이상, 또는 3 이상, 또는 5 이상, 바람직하게는, 200 이하, 또는 180 이하, 또는 160 이하이다.m is 1 to 200, preferably 1 or more, or 3 or more, or 5 or more, preferably from the viewpoint of obtaining a polyimide capable of reducing residual stress and Rth generated between the supports 200 or less, or 180 or less, or 160 or less.

폴리이미드 전구체는 식 (3) 의 구조를 분자 중의 어느 부위에 가져도 되지만, 실록산 모노머의 종류, 비용의 관점에서, 식 (3) 의 구조는 디아민 성분 유래인 것이 바람직하다. 폴리이미드 전구체 전체 질량에서 차지하는, 식 (3) 으로 나타내는 구조 부위의 비율은, 지지체와의 사이에 발생하는 잔류 응력 및 Rth 를 저감시키는 관점에서, 바람직하게는 5 질량% 이상, 보다 바람직하게는 6 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 7 질량% 이상이고, 얻어지는 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 투명성, 및 내열성의 관점에서, 바람직하게는 40 질량% 이하, 보다 바람직하게는 30 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 25 질량% 이하이다.The polyimide precursor may have the structure of formula (3) at any site in the molecule, but it is preferable that the structure of formula (3) is derived from the diamine component from the viewpoint of the type and cost of the siloxane monomer. The proportion of the structural site represented by the formula (3), which occupies the total mass of the polyimide precursor, is preferably 5 mass% or more, more preferably 6 from the viewpoint of reducing residual stress and Rth generated between the support body It is mass% or more, more preferably 7 mass% or more, and from the viewpoint of transparency and heat resistance of the resulting cured product (for example, polyimide film), preferably 40 mass% or less, more preferably 30 mass% or less , More preferably 25% by mass or less.

전형적인 양태에 있어서, 상기 식 (1) 로 나타내는 구조의 폴리이미드 전구체는, R1 기를 포함하는 디아민 성분과, R2 기를 포함하는 산 2 무수물 성분의 중합물이다.In a typical embodiment, the polyimide precursor having a structure represented by the formula (1) is a polymer of a diamine component containing an R 1 group and an acid 2 anhydride component containing an R 2 group.

R2 기를 포함하는 산 2 무수물로는, 피로멜리트산 2 무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 무수물, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-시클로헥센-1,2디카르복실산 무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카르복실산 2 무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2 무수물, 메틸렌-4,4'-디프탈산 2 무수물, 1,1-에틸리덴-4,4'-디프탈산 2 무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-디프탈산 2 무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-디프탈산 2 무수물, 1,3-트리메틸렌-4,4'-디프탈산 2 무수물, 1,4-테트라메틸렌-4,4'-디프탈산 2 무수물, 1,5-펜타메틸렌-4,4'-디프탈산 2 무수물, 4,4'-옥시디프탈산 2 무수물, p-페닐렌비스(트리멜리테이트산 무수물), 티오-4,4'-디프탈산 2 무수물, 술포닐-4,4'-디프탈산 2 무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 2 무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 2 무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 2 무수물, 1,3-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 2 무수물, 1,4-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 2 무수물, 비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 2 무수물, 비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 2 무수물, 2,2-비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 2 무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 2 무수물, 비스(3,4-디카르복시페녹시)디메틸실란 2 무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 2 무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,7,8-페난트렌테트라카르복실산 2 무수물 등을 예시할 수 있다.As the acid 2 anhydride containing the R 2 group, pyromellitic acid 2 anhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid 2 anhydride, 2,2', 3,3'-biphenyltetracar Carboxylic acid anhydride, 4,4 '-(hexafluoroisopropylidene) diphthalic anhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3-methyl-cyclohexene-1,2 Dicarboxylic acid anhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic acid anhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid anhydride, 2,2', 3,3 ' -Benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, methylene-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, 1,1-ethylidene-4 , 4'-Diphthalic acid 2 anhydride, 2,2-propylidene-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, 1,2-ethylene-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, 1,3-trimethylene-4 , 4'-Diphthalic acid 2 anhydride, 1,4-tetramethylene-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, 1,5-pentamethylene-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, 4,4'-oxydi Phthalic anhydride, p-phenylene ratio (Trimellitate anhydride), thio-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, sulfonyl-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) benzene 2 anhydride , 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) benzene 2 anhydride, 1,4-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) benzene 2 anhydride, 1,3-bis [2- (3, 4-dicarboxyphenyl) -2-propyl] benzene 2 anhydride, 1,4-bis [2- (3,4-dicarboxyphenyl) -2-propyl] benzene 2 anhydride, bis [3- (3,4- Dicarboxyphenoxy) phenyl] methane 2 anhydride, bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] methane 2 anhydride, 2,2-bis [3- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl ] Propane 2 anhydride, 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane 2 anhydride, bis (3,4-dicarboxyphenoxy) dimethylsilane 2 anhydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane 2 anhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid anhydride, 1,4,5,8-naphthalene Tetracarboxylic acid anhydride, 1,2,5,6-na Tallentetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,7,8-phenane Trentetracarboxylic dianhydride etc. can be illustrated.

그 중에서도, 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 및 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA) 은, 폴리이미드 전구체의 소정의 중량 평균 분자량의 범위 내에서 수지 조성물의 고형분 함유량을 제어한 경우에, 양호한 슬릿 코트 성능, 그리고, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 양호한 기계 특성, 광학 특성, 및 높은 유리 전이 온도가 용이하게 얻어지는 관점에서 바람직하다. 일 양태에 있어서, 식 (1) 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체는, 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체이다. 일 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체는, 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체이다. 또한 일 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체는, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체이다.Especially, pyromellitic dianhydride (PMDA) and biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) are preferable when the solid content of the resin composition is controlled within the range of the predetermined weight average molecular weight of the polyimide precursor. Slit coat performance and good mechanical properties, optical properties, and high glass transition temperature of a cured product (for example, a polyimide film) are preferred from the viewpoint of being easily obtained. In one aspect, the polyimide precursor having a structure represented by formula (1) is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride and diamine. In one aspect, the polyimide precursor is a copolymer of dicarboxylic acid and tetracarboxylic dianhydride containing pyromellitic dianhydride (PMDA). In one aspect, the polyimide precursor is a copolymer of dicarboxylic acid and tetracarboxylic dianhydride containing 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride.

특정 양태에 있어서, 전체 산 2 무수물 중의, 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 및 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA) 의 합계 함유량은, 양호한 슬릿 코트 성능, 그리고, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 양호한 두께 방향 리타데이션 (Rth), 황색도 (YI), 유리 전이 온도 Tg, 및 신도를 얻는 관점에서, 바람직하게는 60 몰% 이상, 보다 바람직하게는 80 몰% 이상, 특히 바람직하게는 100 몰% 이다.In a specific embodiment, the total content of pyromellitic dianhydride (PMDA) and biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) in the total acid 2 anhydride has good slit coat performance and a cured product (eg poly From the viewpoint of obtaining good thickness direction retardation (Rth), yellowness (YI), glass transition temperature Tg, and elongation of the mid film), preferably 60 mol% or more, more preferably 80 mol% or more, particularly preferably It is 100 mol%.

특정 양태에 있어서, 전체 산 2 무수물 중의, 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 의 함유량은, 양호한 슬릿 코트 성능, 그리고, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 양호한 유리 전이 온도 Tg 를 얻는 관점에서, 0 몰% 이상이 바람직하고, 10 몰% 이상이 바람직하고, 20 몰% 이상이 바람직하고, 100 몰% 이하가 바람직하고, 90 몰% 이하가 바람직하다.In a specific aspect, the content of pyromellitic acid 2 anhydride (PMDA) in the total acid 2 anhydride is from the viewpoint of obtaining good slit coat performance and good glass transition temperature Tg of the cured product (for example, polyimide film). , 0 mol% or more is preferable, 10 mol% or more is preferable, 20 mol% or more is preferable, 100 mol% or less is preferable, and 90 mol% or less is preferable.

특정 양태에 있어서, 전체 산 2 무수물 중의, 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA) 의 함유량은, 양호한 슬릿 코트 성능, 그리고, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 양호한, 두께 방향 리타데이션 (Rth), 황색도 (YI), 및 신도를 얻는 관점에서, 0 몰% 이상이 바람직하고, 10 몰% 이상이 바람직하고, 20 몰% 이상이 바람직하고, 100 몰% 이하가 바람직하고, 90 몰% 이하가 바람직하다.In a specific aspect, the content of biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) in the total acid 2 anhydride has good slit coat performance, and good retardation in the thickness direction of the cured product (for example, a polyimide film). From the viewpoint of obtaining (Rth), yellowness (YI), and elongation, 0 mol% or more is preferable, 10 mol% or more is preferable, 20 mol% or more is preferable, 100 mol% or less is preferable, 90 Molar% or less is preferred.

특정 양태에 있어서, 산 2 무수물 중의, 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) : 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA) 의 함유 비율은, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 양호한 두께 방향 리타데이션 (Rth), 황색도 (YI) 와 유리 전이 온도로 대표되는 내열성을 양립시키는 관점에서, 20 : 80 ∼ 80 : 20 이 바람직하고, 30 : 70 ∼ 70 : 30 이 보다 바람직하다. 특정 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체는, 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체이고, 그 테트라카르복실산 2 무수물이, 피로멜리트산 2 무수물 및 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물을, 피로멜리트산 2 무수물 : 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물의 몰비 20 : 80 ∼ 80 : 20, 보다 바람직하게는 30 : 70 ∼ 70 : 30 으로 포함한다.In a specific embodiment, the content ratio of pyromellitic acid anhydride (PMDA) to biphenyltetracarboxylic acid anhydride (BPDA) in acid 2 anhydride is a good thickness direction of the cured product (for example, a polyimide film). From the viewpoint of achieving the heat resistance represented by the partition (Rth), the yellowness (YI) and the glass transition temperature, 20:80 to 80:20 is preferable, and 30:70 to 70:30 is more preferable. In a specific aspect, the polyimide precursor is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride and diamine, and the tetracarboxylic dianhydride is pyromellitic dianhydride and 3,3 ', 4,4'-biphenyl The molar ratio of tetracarboxylic dianhydride to pyromellitic dianhydride: 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride 20: 80 to 80: 20, more preferably 30: 70 to 70: 30.

식 (1) 에 있어서의 R1 기를 포함하는 디아민으로는, 디아미노디페닐술폰 (예를 들어 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰), p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,3'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노비페닐, 3,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 4,4-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 1,4-비스(3-아미노프로필디메틸실릴)벤젠 등을 들 수 있다.As the diamine containing the R 1 group in formula (1), diaminodiphenylsulfone (for example, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone), p- Phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfide, 4,4 ' -Diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3 ' -Diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis (4-aminophenoxy ) Benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4- Bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) Si) phenyl] ether, 1,4-bis (4-aminophen ) Benzene, 1,3-bis (4-aminophenyl) benzene, 9,10-bis (4-aminophenyl) anthracene, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (4- Aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 1 And 4-bis (3-aminopropyldimethylsilyl) benzene.

식 (1) 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체를 형성하기 위해 사용하는 디아민은, 디아미노디페닐술폰 (예를 들어, 4,4'-디아미노디페닐술폰 및/또는 3,3'-디아미노디페닐술폰) 을 포함하는 것이 바람직하다.The diamine used to form the polyimide precursor having the structure represented by formula (1) is diaminodiphenylsulfone (for example, 4,4'-diaminodiphenylsulfone and / or 3,3'-dia It is preferred to include minodiphenylsulfone).

전체 디아민 중의 디아미노디페닐술폰의 함유량은, 50 몰% 이상이 바람직하고, 70 몰% 이상이 보다 바람직하고, 90 몰% 이상이 더욱 바람직하고, 95 몰% 이상이어도 된다. 디아미노디페닐술폰의 양이 많을수록, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 황색도 (YI), 유리 전이 온도 Tg, 두께 방향 리타데이션 Rth 의 관점에서 바람직하다. 디아미노디페닐술폰으로는, 4,4'-디아미노디페닐술폰이, 황색도 (YI) 가 낮은 관점에서 특히 바람직하다.The content of diaminodiphenylsulfone in all diamines is preferably 50 mol% or more, more preferably 70 mol% or more, still more preferably 90 mol% or more, and may be 95 mol% or more. The larger the amount of diaminodiphenylsulfone, the more preferable it is from the viewpoints of yellowness (YI) of the cured product (for example, polyimide film), glass transition temperature Tg, and thickness direction retardation Rth. As diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone is particularly preferable from the viewpoint of low yellowness (YI).

바람직한 양태에 있어서, 디아미노디페닐술폰과 공중합하는 상대의 디아민으로는, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 내열성, 및 황색도 (YI) 의 관점에서, 바람직하게는 디아미드비페닐류, 보다 바람직하게는 디아미노비스(트리플루오로메틸)비페닐 (TFMB) 을 포함한다. 전체 디아민 중의 디아미노비스(트리플루오로메틸)비페닐 (TFMB) 의 함유량은, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 황색도 (YI) 의 관점에서, 바람직하게는 20 몰% 이상, 보다 바람직하게는 30 몰% 이상이고, 디아민이 디아미노디페닐술폰 등의 다른 유리한 성분을 함유할 수 있도록 하는 관점에서, 바람직하게는 80 몰% 이하, 보다 바람직하게는 70 몰% 이하이다.In a preferred aspect, the diamine of the counterpart copolymerized with diaminodiphenylsulfone is preferably a diamide biphenyl from the viewpoints of heat resistance of the cured product (for example, polyimide film) and yellowness (YI). , More preferably diaminobis (trifluoromethyl) biphenyl (TFMB). The content of diaminobis (trifluoromethyl) biphenyl (TFMB) in all diamines is preferably 20 mol% or more, from the viewpoint of yellowness (YI) of the cured product (for example, polyimide film). It is preferably 30 mol% or more, and preferably 80 mol% or less, more preferably 70 mol% or less, from the viewpoint of allowing diamine to contain other advantageous components such as diaminodiphenylsulfone.

바람직한 양태에 있어서, 디아민은, 규소 함유 디아민을 포함한다. 보다 바람직한 양태에 있어서, 디아민은, 전술한 식 (3) 으로 나타내는 구조를 포함하는 규소 함유 디아민을 포함한다. 규소 함유 디아민으로는, 예를 들어, 하기 식 (3a) : In a preferred aspect, the diamine includes silicon-containing diamine. In a more preferable aspect, the diamine contains silicon-containing diamine containing a structure represented by the formula (3) described above. As the silicon-containing diamine, for example, the following formula (3a):

[화학식 9][Formula 9]

Figure pct00013
Figure pct00013

{식 중, R5 는 2 가의 탄화수소기를 나타내고, 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 복수의 R3 및 R4 의 각각은, 식 (3) 에서 정의한 것과 동일하고, 그리고 l 은 1 ∼ 200 의 정수를 나타낸다.} 로 나타내는 디아미노(폴리)실록산을 바람직하게 사용할 수 있다.{In the formula, R 5 represents a divalent hydrocarbon group, each may be the same or different, and each of the plurality of R 3 and R 4 is the same as defined in Formula (3), and l is an integer from 1 to 200 Diamino (poly) siloxane represented by} can be preferably used.

상기 일반식 (3a) 중의 R5 의 바람직한 구조로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 페닐렌기 등을 들 수 있다. 또, 식 (3a) 중의 R3 및 R4 의 바람직한 구조로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 페닐기 등을 들 수 있다.As a preferable structure of R <5> in said general formula (3a), a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a phenylene group, etc. are mentioned. In addition, as R 3, and a preferred structure of R 4 in the formula (3a) is a methyl group, it may be mentioned an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a phenyl group and the like.

상기 식 (3a) 로 나타내는 화합물의, 수 평균 분자량은, 얻어지는 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 과 지지체 사이에 발생하는 잔류 응력의 저감의 관점에서, 바람직하게는 500 이상, 보다 바람직하게는 1,000 이상, 더욱 바람직하게는 2,000 이상이고, 얻어지는 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 투명성 (특히 저 HAZE) 의 관점에서, 바람직하게는 12,000 이하, 보다 바람직하게는 10,000 이하, 더욱 바람직하게는 8,000 이하이다.The number average molecular weight of the compound represented by the formula (3a) is preferably 500 or more, more preferably from the viewpoint of reducing the residual stress generated between the obtained cured product (for example, polyimide film) and the support. 1,000 or more, more preferably 2,000 or more, from the viewpoint of transparency (especially low HAZE) of the resulting cured product (for example, polyimide film), preferably 12,000 or less, more preferably 10,000 or less, further preferably 8,000 or less.

상기 식 (3a) 로 나타내는 화합물로는, 구체적으로는, 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일 (신에츠 화학사 제조 : X22-1660B-3 (수 평균 분자량 4400), X22-9409 (수 평균 분자량 1300)), 양말단 아미노 변성 디메틸실리콘 (신에츠 화학사 제조 : X22-161A (수 평균 분자량 1600), X22-161B (수 평균 분자량 3000), KF8012 (수 평균 분자량 4400), 도레이 다우코닝 제조 : BY16-835U (수 평균 분자량 900) 칫소사 제조 : 사이라프레인 FM3311 (수 평균 분자량 1000)) 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일이, 내약품성 향상, Tg 의 향상의 관점에서 바람직하다.As the compound represented by the formula (3a), specifically, sock-end amine-modified methylphenylsilicone oil (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .: X22-1660B-3 (number average molecular weight 4400), X22-9409 (number average molecular weight 1300)), Socks short amino-modified dimethylsilicone (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .: X22-161A (number average molecular weight 1600), X22-161B (number average molecular weight 3000), KF8012 (number average molecular weight 4400), manufactured by Toray Dow Corning: BY16-835U (number average Molecular weight 900) manufactured by Chisso Corporation: Cyrapin FM3311 (number average molecular weight 1000)). Of these, the sock-end amine-modified methylphenylsilicone oil is preferred from the viewpoint of improving chemical resistance and improving Tg.

규소 함유 디아민의 공중합 비율은, 전체 폴리이미드 전구체의 질량에 대하여, 0.5 ∼ 30 질량% 의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0 질량% ∼ 25 질량%, 더욱 바람직하게는 1.5 질량% ∼ 20 질량% 이다. 0.5 질량% 이상인 경우, 지지체와의 사이에 발생하는 응력의 저하 효과가 양호하다. 또한 30 질량% 이하인 경우, 얻어지는 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 투명성 (특히 저 HAZE) 이 양호하고, 높은 전광선 투과율의 실현 및 Tg 의 저하 방지의 면에서 바람직하다.The copolymerization ratio of the silicon-containing diamine is preferably in the range of 0.5 to 30 mass%, more preferably 1.0 to 25 mass%, still more preferably 1.5 to 20 mass%, relative to the mass of the total polyimide precursor. % to be. When it is 0.5 mass% or more, the effect of reducing the stress generated between the supports is good. Moreover, when it is 30 mass% or less, transparency (especially low HAZE) of the hardened | cured material obtained (for example, polyimide film) is favorable, and it is preferable from the viewpoint of realizing high total light transmittance and preventing Tg from falling.

본 실시양태에 있어서의 폴리이미드 전구체를 형성하기 위한 산 성분으로는, 그 성능을 저해하지 않는 범위에서, 산 2 무수물 (예를 들어 상기에서 예시한 테트라카르복실산 2 무수물) 에 더하여, 디카르복실산을 사용해도 된다. 즉, 본 개시의 폴리이미드 전구체는 폴리아미드이미드 전구체여도 된다. 이와 같은 폴리이미드 전구체로부터 얻어지는 필름은, 기계 신도, 유리 전이 온도 Tg, 황색도 (YI) 등의 여러 성능이 양호할 수 있다. 사용하는 디카르복실산으로는, 방향 고리를 갖는 디카르복실산 및 지환식 디카르복실산을 들 수 있다. 특히 탄소수가 8 ∼ 36 인 방향족 디카르복실산, 및 탄소수가 6 ∼ 34 인 지환식 디카르복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 화합물인 것이 바람직하다. 여기서 말하는 탄소수에는, 카르복실기에 포함되는 탄소의 수도 포함한다. 이들 중, 방향 고리를 갖는 디카르복실산이 바람직하다.As an acid component for forming the polyimide precursor in the present embodiment, in addition to the acid 2 anhydride (for example, the tetracarboxylic dianhydride exemplified above), in the range that does not impair its performance, dicar You may use carboxylic acid. That is, the polyimide precursor of the present disclosure may be a polyamideimide precursor. The film obtained from such a polyimide precursor may have various performances such as mechanical elongation, glass transition temperature Tg, and yellowness (YI). Examples of the dicarboxylic acid to be used include dicarboxylic acids having an aromatic ring and alicyclic dicarboxylic acids. It is particularly preferable that it is at least one compound selected from the group consisting of an aromatic dicarboxylic acid having 8 to 36 carbon atoms and an alicyclic dicarboxylic acid having 6 to 34 carbon atoms. The number of carbons referred to herein includes the number of carbons contained in the carboxyl group. Of these, dicarboxylic acids having aromatic rings are preferred.

구체적으로는, 예를 들어 이소프탈산, 테레프탈산, 4,4'-비페닐디카르복실산, 3,4'-비페닐디카르복실산, 3,3'-비페닐디카르복실산, 1,4-나프탈렌디카르복실산, 2,3-나프탈렌디카르복실산, 1,5-나프탈렌디카르복실산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 4,4'-술포닐비스벤조산, 3,4'-술포닐비스벤조산, 3,3'-술포닐비스벤조산, 4,4'-옥시비스벤조산, 3,4'-옥시비스벤조산, 3,3'-옥시비스벤조산, 2,2-비스(4-카르복시페닐)프로판, 2,2-비스(3-카르복시페닐)프로판, 2,2'-디메틸-4,4'-비페닐디카르복실산, 3,3'-디메틸-4,4'-비페닐디카르복실산, 2,2'-디메틸-3,3'-비페닐디카르복실산, 9,9-비스(4-(4-카르복시페녹시)페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-(3-카르복시페녹시)페닐)플루오렌, 4,4'-비스(4-카르복시페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-카르복시페녹시)비페닐, 3,4'-비스(4-카르복시페녹시)비페닐, 3,4'-비스(3-카르복시페녹시)비페닐, 3,3'-비스(4-카르복시페녹시)비페닐, 3,3'-비스(3-카르복시페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-카르복시페녹시)-p-터페닐, 4,4'-비스(4-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,4'-비스(4-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,3'-비스(4-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,4'-비스(4-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,3'-비스(4-카르복시페녹시)-m-터페닐, 4,4'-비스(3-카르복시페녹시)-p-터페닐, 4,4'-비스(3-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,4'-비스(3-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,3'-비스(3-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,4'-비스(3-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,3'-비스(3-카르복시페녹시)-m-터페닐, 1,1-시클로부탄디카르복실산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, 1,2-시클로헥산디카르복실산, 4,4'-벤조페논디카르복실산, 1,3-페닐렌이아세트산, 1,4-페닐렌이아세트산 등 ; 및 국제 공개 제2005/068535호 팜플렛에 기재된 5-아미노이소프탈산 유도체 등을 들 수 있다. 이들 디카르복실산을 폴리머에 실제로 공중합시키는 경우에는, 염화티오닐 등으로부터 유도되는 산 클로라이드체, 활성 에스테르체 등의 형태로 사용해도 된다.Specifically, for example, isophthalic acid, terephthalic acid, 4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,3'-biphenyldicarboxylic acid, 1, 4-naphthalenedicarboxylic acid, 2,3-naphthalenedicarboxylic acid, 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 4,4'-sulfonylbisbenzoic acid, 3, 4'-sulfonylbisbenzoic acid, 3,3'-sulfonylbisbenzoic acid, 4,4'-oxybisbenzoic acid, 3,4'-oxybisbenzoic acid, 3,3'-oxybisbenzoic acid, 2,2-bis (4-carboxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-carboxyphenyl) propane, 2,2'-dimethyl-4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,3'-dimethyl-4,4 '-Biphenyldicarboxylic acid, 2,2'-dimethyl-3,3'-biphenyldicarboxylic acid, 9,9-bis (4- (4-carboxyphenoxy) phenyl) fluorene, 9, 9-bis (4- (3-carboxyphenoxy) phenyl) fluorene, 4,4'-bis (4-carboxyphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (3-carboxyphenoxy) biphenyl, 3,4'-bis (4-carboxyphenoxy) biphenyl, 3,4'-bis (3-car Leboxoxyphenoxy) biphenyl, 3,3'-bis (4-carboxyphenoxy) biphenyl, 3,3'-bis (3-carboxyphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-carboxy Phenoxy) -p-terphenyl, 4,4'-bis (4-carboxyphenoxy) -m-terphenyl, 3,4'-bis (4-carboxyphenoxy) -p-terphenyl, 3,3 '-Bis (4-carboxyphenoxy) -p-terphenyl, 3,4'-bis (4-carboxyphenoxy) -m-terphenyl, 3,3'-bis (4-carboxyphenoxy) -m -Terphenyl, 4,4'-bis (3-carboxyphenoxy) -p-terphenyl, 4,4'-bis (3-carboxyphenoxy) -m-terphenyl, 3,4'-bis (3 -Carboxyphenoxy) -p-terphenyl, 3,3'-bis (3-carboxyphenoxy) -p-terphenyl, 3,4'-bis (3-carboxyphenoxy) -m-terphenyl, 3 , 3'-bis (3-carboxyphenoxy) -m-terphenyl, 1,1-cyclobutanedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid , 4,4'-benzophenone dicarboxylic acid, 1,3-phenylene diacetic acid, 1,4-phenylene diacetic acid, etc .; And 5-aminoisophthalic acid derivatives described in the international publication 2005/068535 pamphlet. When these dicarboxylic acids are actually copolymerized with the polymer, they may be used in the form of acid chlorides derived from thionyl chloride or the like, and active esters.

바람직한 양태에 있어서는, 폴리이미드 전구체가, 테트라카르복실산 2 무수물과, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 및 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개 이상의 디아민의 공중합체이다.In a preferred embodiment, the polyimide precursor is tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 2,2'-bis (trifluoro It is a copolymer of at least one diamine selected from the group consisting of methyl) benzidine and 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene.

특히 바람직한 폴리이미드 전구체로는 하기를 들 수 있다.The following are mentioned as a particularly preferable polyimide precursor.

(1) 산 2 무수물 성분이 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 및 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS) 인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 130,000, 고형분 함유량 12 ∼ 25 질량%)(1) Polycondensates of material components wherein the acid 2 anhydride component is pyromellitic acid 2 anhydride (PMDA) and biphenyltetracarboxylic acid anhydride (BPDA), and the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS) (more preferably Is, weight average molecular weight 110,000 to 130,000, solid content 12 to 25 mass%)

(2) 산 2 무수물 성분이 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 및 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS) 및 규소 함유 디아민인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 210,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(2) Polycondensates of material components wherein the acid 2 anhydride component is pyromellitic acid 2 anhydride (PMDA) and biphenyltetracarboxylic acid anhydride (BPDA), the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS) and silicon-containing diamine. (More preferably, weight average molecular weight 110,000 to 210,000, solid content 10 to 25 mass%)

(3) 산 2 무수물 성분이 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 및 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS), 디아미노비스(트리플루오로메틸)비페닐 (TFMB) 및 규소 함유 디아민인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 250,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(3) Acid 2 anhydride component pyromellitic acid 2 anhydride (PMDA) and biphenyltetracarboxylic acid anhydride (BPDA), diamine component diaminodiphenylsulfone (DAS), diaminobis (trifluoromethyl) Biphenyl (TFMB) and a polycondensate of a material component that is a silicon-containing diamine (more preferably, weight average molecular weight 110,000 to 250,000, solid content 10 to 25 mass%)

(4) 산 2 무수물 성분이 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS) 인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 140,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(4) Polycondensate of a material component in which the acid 2 anhydride component is pyromellitic acid 2 anhydride (PMDA) and the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS) (more preferably, a weight average molecular weight of 110,000 to 140,000, solid content 10 ∼ 25 mass%)

(5) 산 2 무수물 성분이 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS) 및 규소 함유 디아민인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 230,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(5) Polycondensates of material components wherein the acid 2 anhydride component is pyromellitic acid 2 anhydride (PMDA), the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS) and silicon-containing diamine (more preferably, a weight average molecular weight of 110,000 to 230,000 , Solid content 10 to 25 mass%)

(6) 산 2 무수물 성분이 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS), 디아미노비스(트리플루오로메틸)비페닐 (TFMB) 및 규소 함유 디아민인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 250,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(6) Material components wherein the acid 2 anhydride component is pyromellitic acid 2 anhydride (PMDA), the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS), diaminobis (trifluoromethyl) biphenyl (TFMB) and silicon-containing diamine Polycondensate (more preferably, weight average molecular weight 110,000 to 250,000, solid content 10 to 25 mass%)

(7) 산 2 무수물 성분이 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS) 인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 120,000, 고형분 함유량 20 ∼ 25 질량%)(7) A polycondensate of a material component in which the acid 2 anhydride component is biphenyltetracarboxylic acid 2 anhydride (BPDA) and the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS) (more preferably, a weight average molecular weight of 110,000 to 120,000, Solid content 20-25 mass%)

(8) 산 2 무수물 성분이 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS) 및 규소 함유 디아민인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 160,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(8) Polycondensates of material components wherein the acid 2 anhydride component is biphenyltetracarboxylic acid anhydride (BPDA), the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS), and silicon-containing diamine (more preferably, a weight average molecular weight 110,000 to 160,000, solid content 10 to 25 mass%)

(9) 산 2 무수물 성분이 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS), 디아미노비스(트리플루오로메틸)비페닐 (TFMB) 및 규소 함유 디아민인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 240,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(9) The acid 2 anhydride component is biphenyltetracarboxylic acid 2 anhydride (BPDA), the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS), diaminobis (trifluoromethyl) biphenyl (TFMB) and silicon-containing diamine Polycondensate of phosphorus material component (more preferably, weight average molecular weight 110,000 to 240,000, solid content 10 to 25 mass%)

상기 (1) ∼ (9) 의 중축합물의 재료 성분에 있어서, 규소 함유 디아민은, 바람직하게는 전술한 식 (3a) 로 나타내는 디아미노(폴리)실록산 (바람직하게는 수 평균 분자량 500 ∼ 12,000 의 것) 이고, 보다 바람직하게는 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일이다.In the material component of the polycondensate of the above (1) to (9), the silicon-containing diamine is preferably a diamino (poly) siloxane represented by the formula (3a) described above (preferably having a number average molecular weight of 500 to 12,000). Is), more preferably, a sock-end amine-modified methylphenylsilicone oil.

[폴리이미드 전구체의 제조][Preparation of polyimide precursor]

본 실시형태의 폴리이미드 전구체는, 산 2 무수물 성분과 디아민 성분을 포함하는 중축합 성분을 중축합 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 바람직한 양태에 있어서, 중축합 성분은, 산 2 무수물 성분과 디아민 성분으로 이루어진다. 중축합 반응은, 적당한 용매 중에서 실시하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 용매에 소정량의 디아민 성분을 용해시킨 후, 얻어진 디아민 용액에, 산 2 무수물을 소정량 첨가하고, 교반하는 방법을 들 수 있다.The polyimide precursor of the present embodiment can be synthesized by subjecting a polycondensation component comprising an acid 2 anhydride component and a diamine component to a polycondensation reaction. In a preferable aspect, a polycondensation component consists of an acid 2 anhydride component and a diamine component. It is preferable to perform polycondensation reaction in a suitable solvent. Specifically, for example, after dissolving a predetermined amount of diamine component in a solvent, a predetermined amount of acid 2 anhydride is added to the obtained diamine solution and stirred.

폴리이미드 전구체를 합성할 때의 산 2 무수물 성분과 디아민 성분의 몰비는, 폴리이미드 전구체 수지의 고분자량화, 수지 조성물의 슬릿 코팅 특성의 관점에서, 산 2 무수물 : 디아민 = 100 : 90 ∼ 100 : 110 (산 2 무수물 1 몰부에 대하여 디아민 0.90 ∼ 1.10 몰부) 의 범위로 하는 것이 바람직하고, 100 : 95 ∼ 100 : 105 (산 2 무수물 1 몰부에 대하여 디아민 0.95 ∼ 1.05 몰부) 의 범위로 하는 것이 더욱 바람직하다.The molar ratio of the acid 2 anhydride component to the diamine component when synthesizing the polyimide precursor is from the viewpoint of high molecular weight polyimide precursor resin and slit coating properties of the resin composition, acid 2 anhydride: diamine = 100: 90 to 100: It is preferable to be in the range of 110 (0.90 to 1.10 mol parts of diamine with respect to 1 mol part of acid anhydride), more preferably in the range of 100: 95 to 100: 105 (0.95 to 1.05 mol parts of diamine with respect to 1 mol part of acid 2 anhydride). desirable.

폴리이미드 전구체의 분자량은, 산 2 무수물 성분과 디아민 성분의 종류, 산 2 무수물 성분과 디아민 성분의 비의 조정, 말단 봉지제의 첨가, 반응 조건의 조정 등에 의해 컨트롤하는 것이 가능하다. 산 2 무수물 성분과 디아민 성분의 비가 1 : 1 에 가까울수록, 및 말단 봉지제의 사용량이 적을수록, 폴리이미드 전구체를 고분자량화할 수 있다. 산 2 무수물 성분 및 디아민 성분으로서 고순도품을 사용하는 것이 추천된다. 그 순도로는, 각각, 98 질량% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 99 질량% 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 99.5 질량% 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또, 산 2 무수물 성분 및 디아민 성분에 있어서의 수분 함량을 저감시킴으로써, 고순도화할 수도 있다. 복수 종류의 산 2 무수물 성분 또는 디아민 성분을 병용하는 경우에는, 산 2 무수물 성분 또는 디아민 성분의 전체로서 상기의 순도를 가지고 있으면 충분하지만, 사용하는 전종류의 산 2 무수물 성분 및 디아민 성분이, 각각 상기의 순도를 가지고 있는 것이 바람직하다.The molecular weight of the polyimide precursor can be controlled by adjusting the type of the acid 2 anhydride component and the diamine component, adjusting the ratio of the acid 2 anhydride component and the diamine component, adding a terminal sealant, and adjusting the reaction conditions. The closer the ratio of the acid 2 anhydride component to the diamine component is close to 1: 1, and the less the amount of the terminal blocker is used, the higher the polyimide precursor can be. It is recommended to use high purity products as acid 2 anhydride component and diamine component. The purity is preferably 98% by mass or more, more preferably 99% by mass or more, and even more preferably 99.5% by mass or more. Moreover, it can also make high purity by reducing the water content in an acid 2 anhydride component and a diamine component. In the case where a plurality of types of acid 2 anhydride components or diamine components are used in combination, it is sufficient to have the above-mentioned purity as a whole of acid 2 anhydride components or diamine components, but all kinds of acid 2 anhydride components and diamine components used are It is desirable to have the above purity.

반응의 용매로는, 산 2 무수물 성분 및 디아민 성분, 그리고 발생한 폴리이미드 전구체를 용해시킬 수 있고, 고분자량의 중합체가 얻어지는 용매이면 특별히 제한은 되지 않는다. 이와 같은 용매의 구체예로는, 예를 들어, 비프로톤성 용매, 페놀계 용매, 에테르 및 글리콜계 용매 등을 들 수 있다. 이들의 구체예로는, 상기 비프로톤성 용매로서 예를 들어, N,N-디메틸포름아미드 (DMF), N,N-디메틸아세트아미드 (DMAc), N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), N-메틸카프로락탐, 1,3-디메틸이미다졸리디논, 테트라메틸우레아, 하기 일반식 (4) : As a solvent for the reaction, an acid 2 anhydride component, a diamine component, and a generated polyimide precursor can be dissolved, and a solvent having a high molecular weight polymer is not particularly limited. Specific examples of such a solvent include aprotic solvents, phenolic solvents, ether and glycol solvents, and the like. As specific examples of these, as the aprotic solvent, for example, N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMAc), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) ), N-methylcaprolactam, 1,3-dimethylimidazolidinone, tetramethylurea, the following general formula (4):

[화학식 10][Formula 10]

Figure pct00014
Figure pct00014

식 중, R12 = 메틸기로 나타내는 에크아미드 M100 (상품명 : 이데미츠 흥산사 제조), 및, R12 = n-부틸기로 나타내는 에크아미드 B100 (상품명 : 이데미츠 흥산사 제조) 등의 아미드계 용매 ; γ-부티로락톤, γ-발레로락톤 등의 락톤계 용매 ; 헥사메틸포스포릭아미드, 헥사메틸포스핀트리아미드 등의 함인계 아미드계 용매 ; 디메틸술폰, 디메틸술폭시드, 술포란 등의 함황계 용매 ; 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논 등의 케톤계 용매 ; 피콜린, 피리딘 등의 3 급 아민계 용매 ; 아세트산(2-메톡시-1-메틸에틸) 등의 에스테르계 용매 등을 : 상기 페놀계 용매로서 예를 들어, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-자일레놀, 2,4-자일레놀, 2,5-자일레놀, 2,6-자일레놀, 3,4-자일레놀, 3,5-자일레놀 등을 : 상기 에테르 및 글리콜계 용매로서 예를 들어, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 1,2-비스(2-메톡시에톡시)에탄, 비스[2-(2-메톡시에톡시)에틸]에테르, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산 등을, 각각 들 수 있다. 이들 용매는, 단독으로 또는 2 종류 이상 혼합하여 사용해도 된다.In the formula, R 12 = amide solvents such as acamide M100 represented by a methyl group (trade name: manufactured by Idemitsu Heungsan Co.), and R 12 = ecamide B100 represented by n-butyl group (trade name: manufactured by Idemitsu Heungsan Co., Ltd.); lactone solvents such as γ-butyrolactone and γ-valerolactone; Phosphorus-based amide solvents such as hexamethylphosphoricamide and hexamethylphosphine triamide; Sulfur-containing solvents such as dimethyl sulfone, dimethyl sulfoxide and sulfolane; Ketone solvents such as cyclohexanone and methylcyclohexanone; Tertiary amine solvents such as picoline and pyridine; Ester-based solvents such as acetic acid (2-methoxy-1-methylethyl): Examples of the phenol-based solvent include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, and 2,3-xylenol. , 2,4-Xylenol, 2,5-Xylenol, 2,6-Xylenol, 3,4-Xylenol, 3,5-Xylenol and the like: as the ether and glycol solvent For example, 1,2-dimethoxyethane, bis (2-methoxyethyl) ether, 1,2-bis (2-methoxyethoxy) ethane, bis [2- (2-methoxyethoxy) ethyl ] Ether, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, etc. are mentioned, respectively. You may use these solvents individually or in mixture of 2 or more types.

폴리이미드 전구체의 합성에 사용되는 용매의 상압에 있어서의 비점은, 60 ∼ 300 ℃ 가 바람직하고, 140 ∼ 280 ℃ 가 보다 바람직하고, 170 ∼ 270 ℃ 가 특히 바람직하다. 용매의 비점이 300 ℃ 보다 높으면, 건조 공정이 장시간 필요해진다. 한편으로 용매의 비점이 60 ℃ 보다 낮으면, 건조 공정 중에, 수지막의 표면에 있어서의 거침의 발생, 수지막 중으로의 기포의 혼입 등이 일어나, 균일한 필름이 얻어지지 않는 경우가 있다. 특히, 비점이 170 ∼ 270 ℃ 이고, 및/또는 20 ℃ 에 있어서의 증기압이 250 Pa 이하인 용매를 사용하는 것이, 용해성 및 도공시 에지 크레이터링의 관점에서 바람직하다. 보다 구체적으로는, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), γ-부티로락톤 (GBL), 및 상기 일반식 (4) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상이 바람직하다.The boiling point at normal pressure of the solvent used for the synthesis of the polyimide precursor is preferably 60 to 300 ° C, more preferably 140 to 280 ° C, and particularly preferably 170 to 270 ° C. If the boiling point of the solvent is higher than 300 ° C, a drying process is required for a long time. On the other hand, if the boiling point of the solvent is lower than 60 ° C., during the drying step, roughness on the surface of the resin film, mixing of bubbles into the resin film, etc. may occur, and a uniform film may not be obtained. In particular, it is preferable from the viewpoint of solubility and edge cratering during coating to use a solvent having a boiling point of 170 to 270 ° C and / or a vapor pressure of 250 Pa or less at 20 ° C. More specifically, one or more selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), γ-butyrolactone (GBL), and the compound represented by the general formula (4) is preferable.

용매 중의 수분 함량은, 양호한 중축합 반응의 진행의 관점에서, 예를 들어 3,000 질량 ppm 이하인 것이 바람직하다. 또, 본 실시양태에 있어서의 수지 조성물 중, 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은, 5 질량% 미만인 것이 바람직하다. 수지 조성물 중에 분자량 1,000 미만의 분자가 존재하는 것은, 합성시에 사용하는 용매나 원료 (산 2 무수물, 디아민) 의 수분량이 관여하고 있기 때문이라고 생각된다. 즉, 일부의 산 2 무수물 모노머의 산 무수물기가 수분에 의해 가수 분해하여 카르복실기가 되고, 고분자량화하지 않고 저분자 상태로 잔존하는 것에 의한다고 생각된다. 따라서, 상기의 중축합 반응에 사용하는 용매의 수분량은 적을수록 바람직하다. 용매의 수분량은, 3,000 질량 ppm 이하로 하는 것이 바람직하고, 1,000 질량 ppm 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 동일하게, 원료에 포함되는 수분량에 대해서도, 3,000 질량 ppm 이하로 하는 것이 바람직하고, 1,000 질량 ppm 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the water content in the solvent is, for example, 3,000 ppm by mass or less from the viewpoint of the progress of a good polycondensation reaction. Moreover, it is preferable that content of the molecule | numerator of molecular weight less than 1,000 in resin composition in this embodiment is less than 5 mass%. It is considered that the presence of a molecule having a molecular weight of less than 1,000 in the resin composition is due to the fact that the amount of water in the solvent or raw material (acid 2 anhydride, diamine) used in synthesis is involved. That is, it is considered that the acid anhydride group of some of the acid anhydride monomers is hydrolyzed by moisture to become a carboxyl group, and remains in a low molecular state without high molecular weight. Therefore, the smaller the water content of the solvent used in the polycondensation reaction, the more preferable. The water content of the solvent is preferably 3,000 mass ppm or less, and more preferably 1,000 mass ppm or less. Similarly, the amount of water contained in the raw material is also preferably 3,000 ppm by mass or less, and more preferably 1,000 ppm by mass or less.

용매의 수분량은, 사용하는 용매의 그레이드 (탈수 그레이드, 범용 그레이드 등), 용매 용기 (병, 18 L 캔, 캐니스터캔 등), 용매의 보관 상태 (희가스 봉입의 유무 등), 개봉으로부터 사용까지의 시간 (개봉 후 바로 사용하는지, 개봉 후 시간 경과한 후에 사용하는지 등) 등이 관여한다고 생각된다. 또, 합성 전의 반응기의 희가스 치환, 합성 중의 희가스 유통의 유무 등도 관여한다고 생각된다. 따라서, 폴리이미드 전구체의 합성시에는, 원료로서 고순도품을 사용하고, 수분량이 적은 용매를 사용함과 함께, 반응 전 및 반응 중에 계 내에 환경으로부터의 수분이 혼입하지 않는 조치를 강구하는 것이 추천된다.The amount of water in the solvent is the grade of the solvent used (dehydration grade, general purpose grade, etc.), solvent container (bottle, 18 L can, canister can, etc.), storage condition of the solvent (with or without rare gas encapsulation), from opening to use. It is considered that the time (whether it is used immediately after opening, whether it is used after a lapse of time after opening, etc.) is involved. In addition, it is considered that the replacement of the rare gas in the reactor before synthesis and the presence or absence of the distribution of the rare gas during synthesis are also involved. Therefore, when synthesizing the polyimide precursor, it is recommended to use a high-purity product as a raw material, use a solvent with a small amount of moisture, and take measures to prevent moisture from entering the system from entering the system before and during the reaction.

용매 중에 각 중축합 성분을 용해시킬 때에는, 필요에 따라 가열해도 된다. 중합도가 높은 폴리이미드 전구체가 얻어진다는 관점에서, 폴리이미드 전구체 합성시의 바람직한 반응 온도로는, 0 ℃ ∼ 120 ℃, 또는 40 ℃ ∼ 100 ℃, 또는 60 ∼ 100 ℃ 를 예시할 수 있고, 바람직한 중합 시간으로는, 1 ∼ 100 시간, 또는 2 ∼ 10 시간을 예시할 수 있다. 중합 시간을 1 시간 이상으로 함으로써 균일한 중합도의 폴리이미드 전구체가 되고, 100 시간 이하로 함으로써 중합도가 높은 폴리이미드 전구체를 얻을 수 있다.When dissolving each polycondensation component in a solvent, you may heat as needed. From the viewpoint of obtaining a polyimide precursor having a high degree of polymerization, preferred reaction temperature for synthesizing the polyimide precursor is 0 ° C to 120 ° C, or 40 ° C to 100 ° C, or 60 to 100 ° C, and preferred polymerization As time, 1 to 100 hours, or 2 to 10 hours can be illustrated. By setting the polymerization time to 1 hour or more, a polyimide precursor having a uniform polymerization degree is obtained, and by setting it to 100 hours or less, a polyimide precursor having a high polymerization degree can be obtained.

본 실시형태의 수지 조성물은, 식 (1) 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체와, 다른 추가의 폴리이미드 전구체의 조합이어도 되지만, 추가의 폴리이미드 전구체의 질량 비율은, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 황색도 (YI) 및 전광선 투과율의 산소 의존성의 저감의 관점에서, 수지 조성물 중의 폴리이미드 전구체의 총량에 대하여, 30 질량% 이하인 것이 바람직하고, 10 질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.The resin composition of the present embodiment may be a combination of a polyimide precursor having a structure represented by formula (1) and another additional polyimide precursor, but the mass ratio of the additional polyimide precursor is a cured product (for example, polyimide). From the viewpoint of reducing the yellowness (YI) of the mid film) and the oxygen dependence of the total light transmittance, the total amount of the polyimide precursor in the resin composition is preferably 30% by mass or less, more preferably 10% by mass or less.

본 실시형태의 바람직한 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체는, 그 일부가 이미드화되어 있어도 된다. 부분 이미드화된 폴리이미드 전구체에 의하면, 수지 조성물의 실온 보관시의 점도 안정성을 향상시킬 수 있다. 이 경우의 이미드화율은, 수지 조성물 중에서의 폴리이미드 전구체의 용해성과 용액의 보존 안정성의 밸런스를 취하는 관점에서, 바람직하게는 5 % 이상, 보다 바람직하게는 8 % 이상이고, 바람직하게는 80 % 이하, 보다 바람직하게는 70 % 이하, 더욱 바람직하게는 50 % 이하이다. 이 부분 이미드화는, 폴리이미드 전구체를 가열하여 탈수 폐환함으로써 얻어진다. 이 가열은, 바람직하게는 120 ∼ 200 ℃, 보다 바람직하게는 150 ∼ 180 ℃ 의 온도에 있어서, 바람직하게는 15 분 ∼ 20 시간, 보다 바람직하게는 30 분 ∼ 10 시간 실시할 수 있다. 또, 상기 서술한 반응에 의해 얻어진 폴리아미드산에, N,N-디메틸포름아미드디메틸아세탈 또는 N,N-디메틸포름아미드디에틸아세탈을 첨가하고 가열하여, 카르복실산의 일부 또는 전부를 에스테르화한 후에, 본 실시형태에 있어서의 폴리이미드 전구체로서 사용함으로써, 실온 보관시의 점도 안정성이 향상된 수지 조성물을 얻을 수도 있다. 이들 에스테르 변성 폴리아미드산은, 그 밖에, 상기 서술한 산 2 무수물 성분을, 산 무수물기에 대하여 1 당량의 1 가의 알코올, 및 염화티오닐, 디시클로헥실카르보디이미드 등의 탈수 축합제와 순차적으로 반응시킨 후, 디아민 성분과 축합 반응시키는 방법에 의해서도 얻을 수 있다.In a preferable aspect of this embodiment, a part of the polyimide precursor may be imidized. According to the partially imidized polyimide precursor, the viscosity stability at the time of storage of the resin composition at room temperature can be improved. The imidation rate in this case is preferably 5% or more, more preferably 8% or more, and preferably 80% from the viewpoint of balancing the solubility of the polyimide precursor in the resin composition and storage stability of the solution. Hereinafter, it is more preferably 70% or less, and still more preferably 50% or less. This partial imidization is obtained by heating the polyimide precursor and dehydrating the ring. The heating is preferably carried out at a temperature of 120 to 200 ° C, more preferably 150 to 180 ° C, preferably 15 minutes to 20 hours, more preferably 30 minutes to 10 hours. Further, N, N-dimethylformamidedimethylacetal or N, N-dimethylformamidediethylacetal is added to the polyamic acid obtained by the reaction described above and heated to esterify a part or all of the carboxylic acid. After that, by using as the polyimide precursor in the present embodiment, a resin composition with improved viscosity stability at room temperature can also be obtained. In addition to these ester-modified polyamic acids, the above-mentioned acid 2 anhydride component is sequentially reacted with an equivalent of a monohydric alcohol with respect to the acid anhydride group and a dehydration condensing agent such as thionyl chloride and dicyclohexylcarbodiimide. It can also be obtained by a condensation reaction with a diamine component after being prepared.

일 양태에 있어서, 수지 조성물은 용매를 포함한다. 용매로는, 폴리이미드 전구체의 용해성이 양호하며, 또한 수지 조성물의 용액 점도를 적절히 제어할 수 있는 것이 바람직하고, 상기 폴리이미드 전구체의 반응 용매를, 조성물의 용매로서 사용할 수 있다. 그 중에서도, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), γ-부티로락톤 (GBL), 상기 일반식 (4) 로 나타내는 화합물 등이 바람직하다. 용매 조성의 구체예로는, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP) 단독, 또는 N-메틸-2-피롤리돈 (NMP) 과 γ-부티로락톤 (GBL) 의 혼합 용매 (예를 들어, NMP : GBL (질량비) = 10 : 90 ∼ 90 : 10) 등을 들 수 있다.In one aspect, the resin composition includes a solvent. As a solvent, it is preferable that the solubility of the polyimide precursor is good, and that the solution viscosity of the resin composition can be appropriately controlled, and the reaction solvent of the polyimide precursor can be used as a solvent of the composition. Especially, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), γ-butyrolactone (GBL), the compound represented by the said general formula (4), etc. are preferable. As a specific example of the solvent composition, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) alone or a mixed solvent of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and γ-butyrolactone (GBL) (eg For example, NMP: GBL (mass ratio) = 10: 90-90: 10) etc. are mentioned.

[추가의 성분][Additional ingredients]

본 실시형태의 수지 조성물은, (a) 폴리이미드 전구체, 및 (b) 용매에 더하여 추가의 성분을 포함해도 된다. 추가의 성분으로는, (c) 계면 활성제, (d) 알콕시실란 화합물 등을 들 수 있다.The resin composition of this embodiment may contain further components in addition to (a) a polyimide precursor and (b) a solvent. (C) surfactant, (d) alkoxysilane compound, etc. are mentioned as an additional component.

((c) 계면 활성제)((c) surfactant)

본 실시형태의 수지 조성물에, 계면 활성제를 첨가함으로써, 그 수지 조성물의 도포성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, 도공막에 있어서의 줄무늬의 발생을 방지할 수 있다.By adding surfactant to the resin composition of this embodiment, the coating property of the resin composition can be improved. Specifically, generation of streaks in the coated film can be prevented.

이와 같은 계면 활성제는, 예를 들어, 실리콘계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제, 이들 이외의 비이온 계면 활성제 등을 들 수 있다. 이들의 예로는, 실리콘계 계면 활성제로서 예를 들어, 오르가노실록산 폴리머 KF-640, 642, 643, KP341, X-70-092, X-70-093 (이상, 상품명, 신에츠 화학 공업사 제조), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (이상, 상품명, 도레이·다우코닝·실리콘사 제조), SILWET L-77, L-7001, FZ-2105, FZ-2120, FZ-2154, FZ-2164, FZ-2166, L-7604 (이상, 상품명, 니혼 유니카사 제조), DBE-814, DBE-224, DBE-621, CMS-626, CMS-222, KF-352A, KF-354L, KF-355A, KF-6020, DBE-821, DBE-712 (Gelest), BYK-307, BYK-310, BYK-378, BYK-333 (이상, 상품명, 빅케미·재팬 제조), 그라놀 (상품명, 쿄에이샤 화학사 제조) 등을 ; 불소계 계면 활성제로서 예를 들어, 메가팍 F171, F173, R-08 (다이닛폰 잉크 화학 공업 주식회사 제조, 상품명), 플로라드 FC4430, FC4432 (스미토모 쓰리엠 주식회사, 상품명) 등을 ; 이들 이외의 비이온 계면 활성제로서 예를 들어, 폴리옥시에틸렌우라릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르 등을, 각각 들 수 있다.Examples of such surfactants include silicone-based surfactants, fluorine-based surfactants, and nonionic surfactants other than these. Examples of these are silicone-based surfactants, for example, organosiloxane polymers KF-640, 642, 643, KP341, X-70-092, X-70-093 (above, trade names, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), SH -28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (above, trade names, manufactured by Toray, Dow Corning and Silicon), SILWET L-77, L-7001, FZ-2105, FZ-2120, FZ-2154, FZ-2164, FZ-2166, L-7604 (above, trade names, manufactured by Nihon Unika), DBE-814, DBE-224, DBE-621, CMS-626, CMS-222, KF-352A, KF-354L, KF-355A, KF-6020, DBE-821, DBE-712 (Gelest), BYK-307, BYK-310, BYK-378, BYK-333 (above, trade name , Big Chemical, Japan), Granol (trade name, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.); Examples of the fluorine-based surfactant include Megapak F171, F173, R-08 (manufactured by Dainippon Ink Chemical Industry Co., Ltd.), Florad FC4430, FC4432 (Sumitomo 3M Co., Ltd.); Examples of nonionic surfactants other than these include polyoxyethylene uraryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether, and the like.

이들 계면 활성제 중에서도, 수지 조성물의 도공성 (줄무늬 억제) 의 관점에서, 실리콘계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제가 바람직하고, 큐어 공정시의 산소 농도에 의한 황색도 (YI) 값 및 전광선 투과율에 대한 영향의 관점에서, 실리콘계 계면 활성제가 바람직하다. (c) 계면 활성제를 사용하는 경우, 그 배합량은, 수지 조성물 중의 (a) 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여, 0.001 ∼ 5 질량부가 바람직하고, 0.01 ∼ 3 질량부가 보다 바람직하다.Among these surfactants, silicone surfactants and fluorine surfactants are preferred from the viewpoint of coatability (stripes suppression) of the resin composition, and the effect on the yellowness (YI) value and total light transmittance by oxygen concentration during the curing process is preferred. From the viewpoint, silicone-based surfactants are preferred. (c) When a surfactant is used, the blending amount is preferably 0.001 to 5 parts by mass, more preferably 0.01 to 3 parts by mass relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (a) in the resin composition.

(d) 알콕시실란 화합물(d) alkoxysilane compounds

본 실시형태에 관련된 수지 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드 필름을 플렉시블 기판 등에 사용하는 경우, 제조 프로세스에 있어서의 지지체와 폴리이미드 필름의 양호한 밀착성을 얻는 관점에서, 그 수지 조성물은, (a) 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여, 알콕시실란 화합물을 0.01 ∼ 20 질량부 함유할 수 있다. 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대한 알콕시실란 화합물의 함유량이 0.01 질량부 이상임으로써, 지지체와 폴리이미드 필름 사이에 양호한 밀착성을 얻을 수 있다. 또한 알콕시실란 화합물의 함유량이 20 질량부 이하인 것이, 수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서 바람직하다. 알콕시실란 화합물의 함유량은, 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여, 0.02 ∼ 15 질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.05 ∼ 10 질량부인 것이 더욱 바람직하고, 0.1 ∼ 8 질량부인 것이 특히 바람직하다.When the polyimide film obtained from the resin composition according to the present embodiment is used for a flexible substrate or the like, from the viewpoint of obtaining good adhesion between the support and the polyimide film in the manufacturing process, the resin composition is (a) polyimide precursor 100 The alkoxysilane compound may be contained in an amount of 0.01 to 20 parts by mass based on parts by mass. When the content of the alkoxysilane compound to 100 parts by mass of the polyimide precursor is 0.01 parts by mass or more, good adhesion between the support and the polyimide film can be obtained. Moreover, it is preferable from a viewpoint of storage stability of a resin composition that content of an alkoxysilane compound is 20 mass parts or less. The content of the alkoxysilane compound is more preferably 0.02 to 15 parts by mass, more preferably 0.05 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 8 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor.

또, 본 실시형태에 관련된 수지 조성물의 첨가제로서 알콕시실란 화합물을 사용함으로써, 상기의 밀착성의 향상에 더하여, 수지 조성물의 도공성 (줄무늬 불균일 억제) 의 향상, 및, 얻어지는 경화막의 황색도 (YI) 값의 큐어시 산소 농도 의존성의 저감도 가능하다.In addition, by using the alkoxysilane compound as an additive to the resin composition according to the present embodiment, in addition to the above-mentioned adhesion improvement, the coating property of the resin composition (suppression of unevenness of stripes) and the yellowness of the resulting cured film (YI) It is also possible to reduce the dependence of oxygen concentration upon curing of the value.

알콕시실란 화합물로는, 예를 들어, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 비스(2-하이드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리프로폭시실란, γ-아미노프로필트리부톡시실란, γ-아미노에틸트리에톡시실란, γ-아미노에틸트리프로폭시실란, γ-아미노에틸트리부톡시실란, γ-아미노부틸트리에톡시실란, γ-아미노부틸트리메톡시실란, γ-아미노부틸트리프로폭시실란, γ-아미노부틸트리부톡시실란, 페닐실란트리올, 트리메톡시페닐실란, 트리메톡시(p-톨릴)실란, 디페닐실란디올, 디메톡시디페닐실란, 디에톡시디페닐실란, 디메톡시디-p-톨릴실란, 트리페닐실란올 및 하기 구조의 각각으로 나타내는 알콕시실란 화합물 등을 들 수 있고, 이들로부터 선택되는 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.Examples of the alkoxysilane compound include 3-ureidopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ -Aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltripropoxysilane, γ-aminopropyltributoxysilane, γ-aminoethyltriethoxysilane, γ-aminoethyltripropoxysilane, γ-aminoethyltribu Methoxysilane, γ-aminobutyltriethoxysilane, γ-aminobutyltrimethoxysilane, γ-aminobutyltripropoxysilane, γ-aminobutyltributoxysilane, phenylsilanetriol, trimethoxyphenylsilane, Trimethoxy (p-tolyl) silane, diphenylsilanediol, dimethoxydiphenylsilane, diethoxydiphenylsilane, dimethoxydi-p-tolylsilane, triphenylsilanol, and alkoxysilane compounds represented by the following structures And the like, and one selected from these It is preferred to use a phase.

[화학식 11][Formula 11]

Figure pct00015
Figure pct00015

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 이하의 방법에 의할 수 있다.The manufacturing method of the resin composition in this embodiment is not specifically limited, For example, it can be based on the following method.

(a) 폴리이미드 전구체를 합성했을 때에 사용한 용매와, (b) 수지 조성물에 함유시키는 용매가 동일한 경우에는, 합성한 폴리이미드 전구체 용액을 그대로 수지 조성물로 할 수 있다. 또, 필요에 따라, 실온 (25 ℃) ∼ 80 ℃ 의 온도 범위에서, (a) 폴리이미드 전구체에 (b) 용매, 및 추가의 성분의 1 종 이상을 첨가하고, 교반 혼합한 후에, 수지 조성물로서 사용해도 된다. 이 교반 혼합에는, 교반 날개를 구비한 쓰리원 모터 (신토 화학 주식회사 제조), 자전 공전 믹서 등의 적절한 장치를 사용할 수 있다. 또한 필요에 따라 40 ∼ 100 ℃ 의 열을 가해도 된다.When the solvent used when (a) the polyimide precursor is synthesized and the solvent contained in the resin composition (b) are the same, the synthesized polyimide precursor solution can be used as the resin composition. Moreover, as needed, in the temperature range of room temperature (25 degreeC)-80 degreeC, after adding (a) 1 type or more of a solvent and additional components to a polyimide precursor, and stirring and mixing, resin composition You may use it as For this stirring and mixing, an appropriate device such as a three-one motor (manufactured by Shinto Chemical Co., Ltd.) equipped with a stirring blade, or a rotating revolution mixer can be used. Moreover, you may apply heat of 40-100 degreeC as needed.

한편, (a) 폴리이미드 전구체를 합성했을 때에 사용한 용매와, (b) 수지 조성물에 함유시키는 용매가 상이한 경우에는, 합성한 폴리이미드 전구체 용액 중의 용매를, 예를 들어 재침전, 용매 증류 제거 등의 적절한 방법에 의해 제거하여 (a) 폴리이미드 전구체를 단리한 후에, 실온 ∼ 80 ℃ 의 온도 범위에서, (b) 용매, 및 필요에 따라 추가의 성분을 첨가하고, 교반 혼합함으로써, 수지 조성물을 조제해도 된다.On the other hand, when the solvent used when (a) the polyimide precursor is synthesized and the solvent contained in the resin composition (b) are different, the solvent in the synthesized polyimide precursor solution, for example, reprecipitation, solvent distillation removal, etc. After removing by a suitable method of (a) isolating the polyimide precursor, the resin composition is prepared by adding (b) a solvent and, if necessary, additional components in a temperature range of room temperature to 80 ° C. and stirring and mixing. You may prepare.

상기 서술한 바와 같이 수지 조성물을 조제한 후, 그 조성물을 예를 들어 130 ∼ 200 ℃ 에 있어서 예를 들어 5 분 ∼ 2 시간 가열함으로써, 폴리머가 석출을 일으키지 않는 정도로 폴리이미드 전구체의 일부를 탈수 이미드화해도 된다. 여기서, 가열 온도 및 가열 시간을 컨트롤함으로써, 이미드화율을 제어할 수 있다. 전술한 바와 같이, 부분 이미드화된 폴리이미드 전구체에 의하면, 수지 조성물의 실온 보관시의 점도 안정성을 향상시킬 수 있다.After preparing the resin composition as described above, a part of the polyimide precursor is dehydrated imide to the extent that the polymer does not cause precipitation by heating the composition at, for example, 130 to 200 ° C for 5 minutes to 2 hours. You may be angry. Here, the imidation rate can be controlled by controlling the heating temperature and the heating time. As described above, according to the partially imidized polyimide precursor, viscosity stability during storage of the resin composition at room temperature can be improved.

수지 조성물의 용액 점도는, 슬릿 코트 성능의 관점에 있어서는, 500 ∼ 100,000 mPa·s 가 바람직하고, 1,000 ∼ 50,000 mPa·s 가 보다 바람직하고, 3,000 ∼ 20,000 mPa·s 가 특히 바람직하다. 구체적으로는, 슬릿 노즐로부터 액누설되기 어려운 점에서, 바람직하게는 500 mPa·s 이상, 보다 바람직하게는 1,000 mPa·s 이상, 더욱 바람직하게는 3,000 mPa·s 이상이다. 또, 슬릿 노즐이 막히기 어려운 점에서, 바람직하게는 100,000 mPa·s 이하, 보다 바람직하게는 50,000 mPa·s 이하, 더욱 바람직하게는 20,000 mPa·s 이하이다. 또, 합성시의 점도의 관점에서는, 수지 조성물의 용액 점도가 200,000 mPa·s 보다 높으면, 합성시의 교반이 곤란해진다는 문제가 발생할 우려가 있다. 단, 합성할 때에, 용액이 고점도로 되었다고 해도, 반응 종료 후에 용매를 첨가하고 교반함으로써, 취급성이 좋은 점도의 수지 조성물을 얻는 것이 가능하다. 본 개시에 있어서의 수지 조성물의 용액 점도는, E 형 점도계 (예를 들어 VISCONICEHD, 토키 산업 제조) 를 사용하여, 23 ℃ 에서 측정되는 값이다.From the viewpoint of slit coat performance, the solution viscosity of the resin composition is preferably 500 to 100,000 mPa · s, more preferably 1,000 to 50,000 mPa · s, and particularly preferably 3,000 to 20,000 mPa · s. Specifically, it is preferably 500 mPa · s or more, more preferably 1,000 mPa · s or more, and still more preferably 3,000 mPa · s or more, because it is difficult to leak liquid from the slit nozzle. Moreover, from the point that a slit nozzle is difficult to block, it is preferably 100,000 mPa · s or less, more preferably 50,000 mPa · s or less, still more preferably 20,000 mPa · s or less. Moreover, from the viewpoint of the viscosity at the time of synthesis, if the solution viscosity of the resin composition is higher than 200,000 mPa · s, there is a concern that the problem of agitation during synthesis becomes difficult. However, even when the solution has a high viscosity at the time of synthesis, it is possible to obtain a resin composition having a good handleability by adding a solvent and stirring after completion of the reaction. The solution viscosity of the resin composition in the present disclosure is a value measured at 23 ° C using an E-type viscometer (for example, VISCONICEHD, manufactured by Toki Sangyo).

본 실시형태에 관련된 수지 조성물의 수분량은, 3,000 질량 ppm 이하인 것이 바람직하다. 수지 조성물의 수분량은, 그 수지 조성물을 보존할 때의 점도 안정성의 관점에서, 2,500 질량 ppm 이하가 바람직하고, 2,000 질량 ppm 이하가 바람직하고, 1,500 질량 ppm 이하가 바람직하고, 1,000 질량 ppm 이하인 것이 보다 바람직하고, 500 질량 ppm 이하인 것이 더욱 바람직하고, 300 질량 ppm 이하가 바람직하고, 100 질량 ppm 이하가 바람직하다.It is preferable that the moisture content of the resin composition which concerns on this embodiment is 3,000 mass ppm or less. The moisture content of the resin composition is preferably 2,500 mass ppm or less, preferably 2,000 mass ppm or less, preferably 1,500 mass ppm or less, and more preferably 1,000 mass ppm or less from the viewpoint of viscosity stability when the resin composition is stored. It is preferable, it is more preferable that it is 500 mass ppm or less, 300 mass ppm or less is preferable, and 100 mass ppm or less is preferable.

<폴리이미드 필름의 제조 방법><Method for producing polyimide film>

본 실시형태는,This embodiment,

지지체의 표면 상에, 본 실시형태의 수지 조성물을 도포하는 도포 공정과,A coating step of applying the resin composition of the present embodiment on the surface of the support;

수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,A film forming process of heating the resin composition to form a polyimide film,

폴리이미드 필름을 지지체로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 폴리이미드 필름의 제조 방법을 제공한다.It provides a method for producing a polyimide film, characterized in that it comprises a peeling step of peeling the polyimide film from the support.

[도포 공정][Application process]

도포 공정에 있어서, 지지체의 표면 상에 수지 조성물을 도포한다. 지지체는, 그 후의 막 형성 공정 (가열 공정) 의 가열 온도에 있어서의 내열성을 갖고, 또한, 박리 공정에 있어서의 박리성이 양호하면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 유리 (예를 들어, 무알칼리 유리) 기판 ; 실리콘 웨이퍼 ; PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), OPP (연신 폴리프로필렌), 폴리에틸렌글리콜테레프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술폰, 폴리페닐렌술파이드 등의 수지 기판 ; 스테인리스, 알루미나, 구리, 니켈 등의 금속 기판 등이 사용된다.In the application step, a resin composition is applied on the surface of the support. The support is not particularly limited as long as it has heat resistance at a heating temperature in the subsequent film forming step (heating step) and has good peelability in the peeling step. For example, a glass (eg, alkali-free glass) substrate; Silicon wafers; PET (polyethylene terephthalate), OPP (stretched polypropylene), polyethylene glycol terephthalate, polyethylene glycol naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyamideimide, polyetherimide, polyetheretherketone, polyethersulfone, polyphenylene Resin substrates such as sulfone and polyphenylene sulfide; Metal substrates such as stainless steel, alumina, copper, and nickel are used.

박막상의 폴리이미드 성형체를 형성하는 경우에는, 예를 들어, 유리 기판, 실리콘 웨이퍼 등이 바람직하고, 후막상의 폴리이미드 성형체 (예를 들어 후막 필름, 시트 등) 를 형성하는 경우에는, 예를 들어, PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), OPP (연신 폴리프로필렌) 등으로 이루어지는 지지체가 바람직하다.In the case of forming a thin-film polyimide molded body, for example, a glass substrate, a silicon wafer, etc. are preferable, and when forming a thick-film polyimide molded body (for example, a thick film, sheet, etc.), for example , PET (polyethylene terephthalate), OPP (stretched polypropylene) and the like.

도포 방법으로는, 일반적으로는, 닥터 블레이드 나이프 코터, 에어 나이프 코터, 롤 코터, 로터리 코터, 플로우 코터, 다이 코터, 바 코터 등의 도포 방법, 스핀 코트, 스프레이 코트, 딥 코트 등의 도포 방법 ; 스크린 인쇄 및 그라비아 인쇄 등으로 대표되는 인쇄 기술 등을 들 수 있지만, 본 실시형태의 수지 조성물은, 특히, 슬릿 코트 (즉 슬릿 코터로의 도포) 에 유용하다. 도포 두께는, 원하는 폴리이미드 필름의 두께와 수지 조성물 중의 폴리이미드 전구체의 함유량에 따라 적절히 조정되어야 하는 것이지만, 바람직하게는 1 ∼ 1,000 ㎛ 정도이다. 도포 공정은, 실온에 있어서의 실시로 충분하지만, 점도를 낮춰 작업성을 좋게 하는 목적으로, 수지 조성물을 예를 들어 40 ∼ 80 ℃ 의 범위에서 가온하여 실시해도 된다.As a coating method, generally, a coating method, such as a doctor blade knife coater, an air knife coater, a roll coater, a rotary coater, a flow coater, a die coater, a bar coater, a spin coat, a spray coat, a dip coat, etc .; Although printing techniques, such as screen printing and gravure printing, etc. are mentioned, the resin composition of this embodiment is especially useful for a slit coat (namely, application | coating with a slit coater). The coating thickness should be appropriately adjusted depending on the desired thickness of the polyimide film and the content of the polyimide precursor in the resin composition, but is preferably about 1 to 1,000 μm. Although the coating process is sufficient at room temperature, for the purpose of lowering the viscosity and improving workability, the resin composition may be heated, for example, in a range of 40 to 80 ° C.

[임의의 건조 공정][Random drying process]

도포 공정에 계속해서, 건조 공정을 실시해도 되고, 건조 공정을 생략하고 직접 다음의 막 형성 공정 (가열 공정) 으로 진행해도 된다. 상기 건조 공정은, 수지 조성물 중의 유기 용제 제거의 목적으로 실시된다. 건조 공정을 실시하는 경우, 예를 들어, 핫 플레이트, 박스형 건조기, 컨베이어형 건조기 등의 적절한 장치를 이용할 수 있다. 건조 공정은, 80 ∼ 200 ℃ 에서 실시하는 것이 바람직하고, 100 ∼ 150 ℃ 에서 실시하는 것이 보다 바람직하다. 건조 공정의 실시 시간은, 1 분 ∼ 10 시간으로 하는 것이 바람직하고, 3 분 ∼ 1 시간으로 하는 것이 보다 바람직하다. 상기와 같이 하여, 지지체 상에 폴리이미드 전구체를 함유하는 도막이 형성된다.After the coating step, a drying step may be performed, or the drying step may be omitted and the film formation step (heating step) may be directly performed. The said drying process is performed for the purpose of removing the organic solvent in a resin composition. When performing a drying process, suitable apparatus, such as a hot plate, a box dryer, and a conveyor dryer, can be used, for example. It is preferable to perform a drying process at 80-200 degreeC, and it is more preferable to carry out at 100-150 degreeC. The drying time is preferably 1 minute to 10 hours, and more preferably 3 minutes to 1 hour. As described above, a coating film containing a polyimide precursor is formed on the support.

[막 형성 공정][Film formation process]

계속해서, 막 형성 공정 (가열 공정) 을 실시한다. 가열 공정은, 상기의 건조 공정에서 도막 중에 잔류한 유기 용제의 제거를 실시함과 함께, 도막 중의 폴리이미드 전구체의 이미드화 반응을 진행시켜, 폴리이미드 필름을 얻는 공정이다. 이 가열 공정은, 예를 들어, 이너트 가스 오븐, 핫 플레이트, 박스형 건조기, 컨베이어형 건조기 등의 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 이 공정은 상기 건조 공정과 동시에 실시해도 되고, 양공정을 축차적으로 실시해도 된다.Subsequently, a film forming process (heating process) is performed. The heating step is a step of obtaining an polyimide film by performing an imidization reaction of the polyimide precursor in the coating film while removing the organic solvent remaining in the coating film in the drying step described above. This heating process can be performed, for example, using an apparatus such as an inert gas oven, a hot plate, a box dryer, or a conveyor dryer. This step may be carried out simultaneously with the drying step, or both steps may be performed sequentially.

가열 공정은, 공기 분위기하에서 실시해도 되지만, 안전성과, 얻어지는 폴리이미드 필름의 양호한 투명성, 낮은 두께 방향 리타데이션 (Rth) 및 낮은 황색도 (YI) 를 얻는 관점에서, 불활성 가스 분위기하에서 실시하는 것이 추천된다. 불활성 가스로는, 예를 들어, 질소, 아르곤 등을 들 수 있다. 가열 온도는, 폴리이미드 전구체의 종류, 및 수지 조성물 중의 용매의 종류에 따라 적절히 설정되어도 되지만, 250 ℃ ∼ 550 ℃ 가 바람직하고, 300 ∼ 450 ℃ 가 보다 바람직하다. 250 ℃ 이상이면 이미드화가 양호하게 진행되고, 550 ℃ 이하이면 얻어지는 폴리이미드 필름의 투명성의 저하, 내열성의 악화 등의 문제를 회피할 수 있다. 가열 시간은, 0.1 ∼ 10 시간 정도로 하는 것이 바람직하다.Although the heating step may be performed under an air atmosphere, it is recommended to perform under an inert gas atmosphere from the viewpoint of safety and good transparency of the resulting polyimide film, low thickness direction retardation (Rth), and low yellowness (YI). do. As an inert gas, nitrogen, argon, etc. are mentioned, for example. Although the heating temperature may be appropriately set depending on the type of the polyimide precursor and the type of the solvent in the resin composition, 250 ° C to 550 ° C is preferable, and 300 to 450 ° C is more preferable. If the temperature is 250 ° C or higher, imidization proceeds satisfactorily, and if it is 550 ° C or lower, problems such as deterioration in transparency and deterioration in heat resistance of the resulting polyimide film can be avoided. It is preferable to set heating time to about 0.1 to 10 hours.

본 실시형태에서는, 상기의 가열 공정에 있어서의 주위 분위기의 산소 농도는, 얻어지는 폴리이미드 필름의 투명성 및 황색도 (YI) 값의 관점에서, 2,000 질량 ppm 이하가 바람직하고, 100 질량 ppm 이하가 보다 바람직하고, 10 질량 ppm 이하가 더욱 바람직하다. 산소 농도가 2,000 질량 ppm 이하의 분위기 중에서 가열을 실시함으로써, 얻어지는 폴리이미드 필름의 황색도 (YI) 값을 30 이하로 할 수 있다.In the present embodiment, the oxygen concentration of the ambient atmosphere in the heating step is preferably 2,000 mass ppm or less, and more preferably 100 mass ppm or less, from the viewpoint of the transparency and yellowness (YI) value of the polyimide film obtained. It is preferable, and 10 mass ppm or less is more preferable. By heating in an atmosphere having an oxygen concentration of 2,000 mass ppm or less, the yellowness (YI) value of the resulting polyimide film can be made 30 or less.

[박리 공정][Peeling process]

이어서, 박리 공정에서는, 지지체 상의 폴리이미드 필름을, 예를 들어 실온 ∼ 50 ℃ 정도까지 냉각한 후에 박리한다. 이 박리 공정으로는, 예를 들어 하기의 (1) ∼ (4) 의 양태를 들 수 있다.Subsequently, in the peeling step, the polyimide film on the support is peeled after cooling to room temperature to about 50 ° C, for example. As this peeling process, the following aspect (1)-(4) is mentioned, for example.

(1) 상기 방법에 의해, 폴리이미드 필름/지지체를 포함하는 구성체를 제작한 후, 그 구조체의 지지체측으로부터 레이저를 조사하여, 지지체와 폴리이미드 필름의 계면을 어블레이션 가공함으로써, 폴리이미드 수지를 박리하는 방법. 레이저의 종류로는, 고체 (YAG) 레이저, 가스 (UV 엑시머) 레이저 등을 들 수 있다. 파장 308 ㎚ 등의 스펙트럼을 사용하는 것이 바람직하다 (일본 공표특허공보 2007-512568, 일본 공표특허공보 2012-511173 등을 참조).(1) A polyimide resin is produced by producing a structure comprising a polyimide film / support by the above method, and then irradiating a laser from the support side of the structure to ablation the interface between the support and the polyimide film. How to peel. As a type of laser, a solid (YAG) laser, a gas (UV excimer) laser, etc. are mentioned. It is preferable to use a spectrum having a wavelength of 308 nm or the like (see Japanese Patent Publication No. 2007-512568, Japanese Patent Publication No. 2012-511173, etc.).

(2) 지지체에 수지 조성물을 도공하기 전에, 지지체에 박리층을 형성하고, 그 후 폴리이미드 필름/박리층/지지체를 포함하는 구성체를 얻고, 폴리이미드 필름을 박리하는 방법. 박리층으로는, 파릴렌 (등록상표, 니혼 파릴렌 합동회사 제조), 산화텅스텐을 사용하는 방법 ; 식물유계, 실리콘계, 불소계, 알키드계 등의 이형제를 사용하는 방법 등을 들 수 있다 (일본 공개특허공보 2010-67957, 일본 공개특허공보 2013-179306 등을 참조).(2) A method of forming a release layer on the support before applying the resin composition to the support, and then obtaining a construct comprising a polyimide film / peeling layer / support and peeling the polyimide film. As the release layer, a method using parylene (registered trademark, manufactured by Nippon Parylene Co., Ltd.) and tungsten oxide; And a method of using a release agent such as vegetable oil-based, silicone-based, fluorine-based, alkyd-based, and the like (see Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-67957, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-179306, etc.).

이 방법 (2) 와 상기 (1) 의 레이저 조사를 병용해도 된다.You may use together the laser irradiation of this method (2) and said (1).

(3) 지지체로서 에칭 가능한 금속 기판을 사용하여, 폴리이미드 필름/지지체를 포함하는 구성체를 얻은 후, 에천트로 금속을 에칭함으로써, 폴리이미드 필름을 얻는 방법. 금속으로는, 예를 들어, 구리 (구체예로는, 미츠이 금속 광업 주식회사 제조의 전해 동박 「DFF」), 알루미늄 등을 사용할 수 있다. 에천트로는, 구리에 대해서는 염화 제 2 철 등을, 알루미늄에 대해서는 희염산 등을 사용할 수 있다.(3) A method of obtaining a polyimide film by etching a metal with an etchant after obtaining a construct comprising a polyimide film / support using a metal substrate that can be etched as a support. As a metal, copper (for example, Mitsui Metal Mining Co., Ltd. electrolytic copper foil "DFF"), aluminum, etc. can be used, for example. As the etchant, ferric chloride or the like can be used for copper, and dilute hydrochloric acid or the like can be used for aluminum.

(4) 상기 방법에 의해, 폴리이미드 필름/지지체를 포함하는 구성체를 얻은 후, 폴리이미드 필름 표면에 점착 필름을 첩부하고, 지지체로부터 점착 필름/폴리이미드 필름을 분리하고, 그 후 점착 필름으로부터 폴리이미드 필름을 분리하는 방법.(4) After obtaining a construct comprising a polyimide film / support by the above method, a pressure-sensitive adhesive film is attached to the surface of the polyimide film, the pressure-sensitive adhesive film / polyimide film is separated from the support, and thereafter the polyimide from the pressure-sensitive adhesive film How to separate the mid film.

이들 박리 방법 중에서도, 얻어지는 폴리이미드 필름의 표리의 굴절률차, 황색도 (YI) 값, 및 신도의 관점에서, 방법 (1) 또는 (2) 가 적절하고, 얻어지는 폴리이미드 필름의 표리의 굴절률차의 관점에서 방법 (1), 즉, 박리 공정에 앞서, 지지체측으로부터 레이저를 조사하는 조사 공정을 실시하는 것이 보다 적절하다.Among these peeling methods, from the viewpoints of the difference in refractive index between the front and back of the polyimide film obtained, the yellowness (YI) value, and elongation, the method (1) or (2) is appropriate, and the difference in refractive index between the front and back of the resulting polyimide film is obtained. From the viewpoint, it is more appropriate to perform the irradiation step of irradiating the laser from the support side before the method (1), that is, the separation step.

또한, 방법 (3) 에 있어서, 지지체로서 구리를 사용한 경우에는, 얻어지는 폴리이미드 필름의 황색도 (YI) 값이 커지고, 신도가 작아지는 경향이 보인다. 이것은, 구리 이온의 영향이라고 생각된다.In addition, in the method (3), when copper is used as the support, the yellowness (YI) value of the resulting polyimide film is increased, and the elongation tends to be small. This is considered to be the influence of copper ions.

상기의 방법에 의해 얻어지는 폴리이미드 필름의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 1 ∼ 200 ㎛ 의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛ 이다.The thickness of the polyimide film obtained by the above method is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 200 μm, more preferably 5 to 100 μm.

<폴리이미드 필름의 용도><Use of polyimide film>

본 실시형태에 관련된 폴리이미드 전구체로부터 얻어지는 폴리이미드 필름은, 예를 들어, 반도체 절연막, TFT-LCD 절연막, 전극 보호막 등으로서 적용할 수 있는 것 외에, 플렉시블 디바이스의 제조에 있어서, 특히 TFT 기판이나 컬러 필터 기판, 터치 패널 기판으로서 바람직하게 이용할 수 있다. 여기서, 본 실시형태에 관련된 폴리이미드 필름을 적용 가능한 플렉시블 디바이스로는, 예를 들어, 플렉시블 디스플레이용 TFT 디바이스, 플렉시블 태양 전지, 플렉시블 터치 패널, 플렉시블 조명, 플렉시블 배터리, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 컬러 필터, 스마트폰 전용 표면 커버 렌즈 등을 들 수 있다.The polyimide film obtained from the polyimide precursor according to the present embodiment can be applied, for example, as a semiconductor insulating film, a TFT-LCD insulating film, an electrode protective film, or the like, particularly in the production of a flexible device, particularly a TFT substrate or a color. It can be preferably used as a filter substrate or a touch panel substrate. Here, as a flexible device to which the polyimide film according to the present embodiment can be applied, for example, a TFT device for a flexible display, a flexible solar cell, a flexible touch panel, flexible lighting, a flexible battery, a flexible printed circuit board, a flexible color filter, And a surface cover lens for smartphones.

폴리이미드 필름을 사용한 플렉시블 기판 상에 TFT 를 형성하는 공정은, 전형적으로는, 150 ∼ 650 ℃ 의 넓은 범위의 온도에서 실시된다. 구체적으로는 아모르퍼스 실리콘을 사용한 TFT 디바이스를 제작하는 경우에는, 일반적으로 250 ℃ ∼ 350 ℃ 의 프로세스 온도가 필요해지고, 본 실시형태의 폴리이미드 필름은 그 온도에 견딜 수 있을 필요가 있기 때문에, 구체적으로는 프로세스 온도 이상의 유리 전이 온도, 열 분해 개시 온도를 갖는 폴리머 구조를 적절히 선택할 필요가 있다.The process of forming a TFT on a flexible substrate using a polyimide film is typically performed at a temperature in a wide range of 150 to 650 ° C. Specifically, when manufacturing a TFT device using amorphous silicon, a process temperature of 250 ° C to 350 ° C is generally required, and the polyimide film of the present embodiment needs to be able to withstand the temperature. It is necessary to appropriately select a polymer structure having a glass transition temperature equal to or higher than the process temperature and a thermal decomposition initiation temperature.

금속 산화물 반도체 (IGZO 등) 를 사용한 TFT 디바이스를 제작하는 경우에는, 일반적으로 320 ℃ ∼ 400 ℃ 의 프로세스 온도가 필요해지고, 본 실시형태의 폴리이미드 필름은 그 온도에 견딜 수 있을 필요가 있기 때문에, TFT 제작 프로세스 최고 온도 이상의 유리 전이 온도, 열 분해 개시 온도를 갖는 폴리머 구조를 적절히 선택할 필요가 있다.In the case of manufacturing a TFT device using a metal oxide semiconductor (IGZO, etc.), a process temperature of 320 ° C to 400 ° C is generally required, and the polyimide film of this embodiment needs to be able to withstand the temperature. It is necessary to appropriately select a polymer structure having a glass transition temperature or a thermal decomposition initiation temperature equal to or higher than the TFT manufacturing process maximum temperature.

저온 폴리실리콘 (LTPS) 을 사용한 TFT 디바이스를 제작하는 경우에는, 일반적으로 380 ℃ ∼ 520 ℃ 의 프로세스 온도가 필요해지고, 본 실시형태의 폴리이미드 필름은 그 온도에 견딜 수 있을 필요가 있기 때문에, TFT 제작 프로세스 최고 온도 이상의 유리 전이 온도, 열 분해 개시 온도를 적절히 선택할 필요가 있다.In the case of manufacturing a TFT device using low-temperature polysilicon (LTPS), a process temperature of 380 ° C to 520 ° C is generally required, and the polyimide film of this embodiment needs to be able to withstand that temperature. It is necessary to appropriately select the glass transition temperature or the thermal decomposition initiation temperature that is higher than or equal to the maximum manufacturing process temperature.

한편으로, 이들 열 이력에 의해, 폴리이미드 필름의 광학 특성 (특히, 광선 투과율, 리타데이션 특성 및 황색도) 은 고온 프로세스에 노출될수록 저하되는 경향이 있다. 그러나, 본 실시형태의 폴리이미드 전구체로부터 얻어지는 폴리이미드는, 열 이력을 거쳐도 양호한 광학 특성을 갖는다.On the one hand, by these thermal histories, the optical properties (especially light transmittance, retardation properties and yellowness) of the polyimide film tend to decrease as exposed to high temperature processes. However, the polyimide obtained from the polyimide precursor of the present embodiment has good optical properties even through a thermal history.

이하에, 본 실시형태의 수지 조성물 및 폴리이미드 필름의 용도예로서, 디스플레이 및 적층체 그리고 이들의 제조 방법에 대하여 설명한다.Below, as a use example of the resin composition of this embodiment and a polyimide film, a display, a laminated body, and its manufacturing method are demonstrated.

[디스플레이 및 그 제조 방법][Display and its manufacturing method]

본 실시형태는, 본 실시형태의 수지 조성물의 경화물인 폴리이미드 필름을 포함하는 플렉시블 디바이스도 제공한다. 그 플렉시블 디바이스의 적합예는 플렉시블 디스플레이이다. 일 양태에 있어서, 폴리이미드 필름은, 광학 특성 (예를 들어 Rth 및/또는 황색도) 이 우수하다. 따라서, 바람직한 양태에 있어서, 폴리이미드 필름은, 디스플레이를 외부로부터 관찰했을 때에 시인되는 지점 (구체적으로는, 플렉시블 디스플레이의 화면 부분) 에 배치되어 있다.The present embodiment also provides a flexible device comprising a polyimide film that is a cured product of the resin composition of the present embodiment. A suitable example of the flexible device is a flexible display. In one aspect, the polyimide film has excellent optical properties (eg Rth and / or yellowness). Therefore, in a preferred aspect, the polyimide film is disposed at a point (specifically, a screen portion of the flexible display) viewed when the display is viewed from the outside.

본 실시형태는,This embodiment,

유리 기판 등의 지지체의 표면 상에, 본 실시형태의 수지 조성물을 도포 (바람직하게는 슬릿 코트) 하는 도포 공정과,A coating step of applying (preferably a slit coat) the resin composition of the present embodiment on the surface of a support such as a glass substrate,

수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,A film forming process of heating the resin composition to form a polyimide film,

폴리이미드 필름 상에 소자를 형성하는 소자 형성 공정과,A device forming process for forming a device on a polyimide film,

소자가 형성된 폴리이미드 필름을 지지체로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는 디스플레이의 제조 방법도 제공한다.A method of manufacturing a display including a peeling step of peeling a polyimide film on which a device is formed from a support is also provided.

[플렉시블 유기 EL 디스플레이의 제조 방법][Method of manufacturing flexible organic EL display]

도 1 은, 본 발명의 일 양태로 제공되는 디스플레이의 예로서의 톱 이미션형의 플렉시블 유기 EL 디스플레이의 폴리이미드 기판보다 상부의 구조를 나타내는 도면이다. 도 1 의 유기 EL 구조부 (25) 를 설명하면, 예를 들어, 적색광을 발광하는 유기 EL 소자 (250a), 녹색광을 발광하는 유기 EL 소자 (250b) 및 청색광을 발광하는 유기 EL 소자 (250c) 가 1 단위로서, 매트릭스상으로 배열되어 있고, 격벽 (뱅크) (251) 에 의해, 각 유기 EL 소자의 발광 영역이 획정되어 있다. 각 유기 EL 소자는, 하부 전극 (양극) (252), 정공 수송층 (253), 발광층 (254), 상부 전극 (음극) (255) 으로 구성되어 있다. 또, 질화규소 (SiN) 나 산화규소 (SiO) 로 이루어지는 CVD 복층막 (멀티 배리어 레이어) 을 나타내는 하부층 (2a) 상에는, 유기 EL 소자를 구동하기 위한 TFT (256) (저온 폴리실리콘 (LTPS), 금속 산화물 반도체 (IGZO 등) 로부터 선택된다), 컨택트홀 (257) 을 구비한 층간 절연막 (258), 및 하부 전극 (259) 이 복수 형성되어 있다. 유기 EL 소자는 봉지 기판 (2b) 으로 봉입되어 있고, 각 유기 EL 소자와 봉지 기판 (2b) 사이에 중공부 (261) 가 형성되어 있다.1 is a view showing a structure above the polyimide substrate of a top emission type flexible organic EL display as an example of a display provided in one aspect of the present invention. Referring to the organic EL structure portion 25 of Fig. 1, for example, an organic EL element 250a that emits red light, an organic EL element 250b that emits green light, and an organic EL element 250c that emits blue light are described. As one unit, they are arranged in a matrix, and the light-emitting regions of each organic EL element are defined by the partition walls (banks) 251. Each organic EL element is composed of a lower electrode (anode) 252, a hole transport layer 253, a light emitting layer 254, and an upper electrode (cathode) 255. Further, on the lower layer 2a showing a CVD multilayer film (multi-barrier layer) made of silicon nitride (SiN) or silicon oxide (SiO), a TFT 256 for driving an organic EL element (low temperature polysilicon (LTPS), metal A plurality of oxide semiconductors (selected from IGZO or the like), an interlayer insulating film 258 having a contact hole 257, and a lower electrode 259 are formed. The organic EL element is sealed with a sealing substrate 2b, and a hollow portion 261 is formed between each organic EL element and the sealing substrate 2b.

플렉시블 유기 EL 디스플레이 제조 공정에는, 유리 기판 지지체 상에 폴리이미드 필름을 제작하고, 그 상부에 상기 도 1 에 나타내는 유기 EL 기판을 제조하는 공정, 봉지 기판 제조 공정, 양기판을 첩합하는 조립 공정, 및, 유리 기판 지지체로부터 폴리이미드 필름 상에 제작된 유기 EL 디스플레이를 박리하는 박리 공정이 포함된다.In the flexible organic EL display manufacturing process, a polyimide film is produced on a glass substrate support, and the organic EL substrate shown in FIG. 1 is formed thereon, an encapsulation substrate manufacturing process, an assembly process for bonding both substrates, and , A peeling step of peeling the organic EL display produced on the polyimide film from the glass substrate support is included.

유기 EL 기판 제조 공정, 봉지 기판 제조 공정, 및 조립 공정은, 주지의 제조 공정을 적용할 수 있다. 이하에서는 그 일례를 들지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 또, 박리 공정은, 상기 서술한 폴리이미드 필름의 박리 공정과 동일해도 된다.A well-known manufacturing process can be applied to the organic EL substrate manufacturing process, the sealing substrate manufacturing process, and the assembly process. Below, although an example is given, it is not limited to this. Moreover, the peeling process may be the same as the peeling process of the polyimide film mentioned above.

도 1 을 참조하여, 예를 들어, 먼저, 상기 서술한 방법에 의해 유리 기판 지지체 상에 본 개시의 폴리이미드 필름을 제작하고, 그 상부에 CVD 법 또는 스퍼터법에 의해 질화규소 (SiN) 와 산화규소 (SiO) 의 복층 구조로 이루어지는 멀티 배리어 레이어 (도 1 중의 하부 기판 (2a)) 를 제작하고, 그 상부에 TFT 를 구동하기 위한 메탈 배선층을, 포토레지스트 등을 사용하여 제작한다. 그 상부에 CVD 법을 사용하여 SiO 등의 액티브 버퍼층을 제작하고, 그 상부에 금속 산화물 반도체 (IGZO), 저온 폴리실리콘 (LTPS) 등의 TFT 디바이스 (도 1 중의 TFT (256)) 를 제작한다. 플렉시블 디스플레이용 TFT 기판을 제작 후, 감광성 아크릴 수지 등으로 컨택트홀 (257) 을 구비한 층간 절연막 (258) 을 형성한다. 스퍼터법 등으로 ITO 막을 성막하고, TFT 와 쌍을 이루도록 하부 전극 (259) 을 형성한다.Referring to FIG. 1, for example, first, a polyimide film of the present disclosure is produced on a glass substrate support by the above-described method, and silicon nitride (SiN) and silicon oxide are deposited thereon by CVD or sputtering. A multi-barrier layer (a lower substrate 2a in Fig. 1) made of a (SiO) multi-layer structure is produced, and a metal wiring layer for driving a TFT thereon is produced using a photoresist or the like. An active buffer layer such as SiO is fabricated on the upper portion using a CVD method, and a TFT device such as a metal oxide semiconductor (IGZO) or low-temperature polysilicon (LTPS) (TFT 256 in FIG. 1) is fabricated on the active buffer layer. After manufacturing the TFT substrate for the flexible display, an interlayer insulating film 258 having a contact hole 257 is formed of a photosensitive acrylic resin or the like. An ITO film is formed by a sputtering method or the like, and a lower electrode 259 is formed so as to be paired with a TFT.

다음으로, 감광성 폴리이미드 등으로 격벽 (뱅크) (251) 을 형성한 후, 격벽으로 구획된 각 공간 내에, 정공 수송층 (253), 발광층 (254) 을 형성한다. 또, 발광층 (254) 및 격벽 (뱅크) (251) 을 덮도록 상부 전극 (음극) (255) 을 형성한다. 그 후, 파인 메탈 마스크 등을 마스크로 하여, 적색광을 발광하는 유기 EL 재료 (도 1 중의, 적색광을 발광하는 유기 EL 소자 (250a) 에 대응), 녹색광을 발광하는 유기 EL 재료 (도 1 중의, 녹색광을 발광하는 유기 EL 소자 (250b) 에 대응) 및 청색광을 발광하는 유기 EL 재료 (도 1 중의, 청색광을 발광하는 유기 EL 소자 (250c) 에 대응) 를 공지된 방법으로 증착함으로써, 유기 EL 기판이 제작되고, 봉지 필름 등 (도 1 중의 봉지 기판 (2b)) 으로 봉지 후, 유리 기판 지지체로부터 폴리이미드 기판보다 상부의 디바이스를 레이저 박리 등의 공지된 박리 방법으로 박리함으로써 톱 이미션 타입의 플렉시블 유기 EL 디스플레이가 제작된다. 본 실시형태의 폴리이미드를 사용한 경우에는, 시스루형의 플렉시블 유기 EL 디스플레이가 제작된다. 또, 공지된 방법으로 보텀 이미션 타입의 플렉시블 유기 EL 디스플레이를 제작해도 된다.Next, after forming a partition wall (bank) 251 with a photosensitive polyimide or the like, a hole transport layer 253 and a light emitting layer 254 are formed in each space partitioned by the partition wall. Further, an upper electrode (cathode) 255 is formed to cover the light emitting layer 254 and the partition wall (bank) 251. Thereafter, using a fine metal mask or the like as a mask, an organic EL material emitting red light (corresponding to the organic EL element 250a emitting red light in FIG. 1), an organic EL material emitting green light (in FIG. 1, The organic EL substrate is obtained by depositing a green light emitting organic EL element 250b and an organic EL material emitting blue light (corresponding to the organic EL element 250c emitting blue light in FIG. 1) by a known method. This is produced, and after sealing with a sealing film or the like (the sealing substrate 2b in FIG. 1), the device above the polyimide substrate is peeled from the glass substrate support by a known peeling method such as laser peeling, and the top emission type is flexible. An organic EL display is produced. When the polyimide of the present embodiment is used, a see-through flexible organic EL display is produced. Further, a bottom emission type flexible organic EL display may be produced by a known method.

[플렉시블 액정 디스플레이의 제조 방법][Method of manufacturing flexible liquid crystal display]

본 실시형태의 폴리이미드 필름을 사용하여 플렉시블 액정 디스플레이를 제작할 수 있다. 구체적인 제작 방법으로는, 상기 서술한 방법으로 유리 기판 지지체 상에 본 발명으로 이루어지는 폴리이미드 필름을 제작하고, 상기 서술한 방법을 사용하여, 예를 들어 아모르퍼스 실리콘, 금속 산화물 반도체 (IGZO 등), 또는 저온 폴리실리콘으로 이루어지는 TFT 기판을 제작한다. 별도로, 본 실시형태의, 도포 공정 및 막 형성 공정에 따라, 유리 기판 지지체 상에 폴리이미드 필름을 제작하고, 공지된 방법에 따라 컬러 레지스트 등을 사용하여, 폴리이미드 필름을 구비한 컬러 필터 유리 기판 (CF 기판) 을 제작한다. TFT 기판 및 CF 기판의 일방에, 스크린 인쇄에 의해, 열 경화성 에폭시 수지 등으로 구성된 시일 재료를, 액정 주입구의 부분을 결여한 프레임상 패턴으로 도포하고, 타방의 기판에, 액정층의 두께에 상당하는 직경을 갖고, 플라스틱 또는 실리카로 구성된 구상의 스페이서를 산포한다.A flexible liquid crystal display can be produced using the polyimide film of this embodiment. As a specific manufacturing method, a polyimide film made of the present invention is produced on a glass substrate support by the method described above, and for example, amorphous silicon, metal oxide semiconductor (IGZO, etc.), using the method described above, Alternatively, a TFT substrate made of low-temperature polysilicon is produced. Separately, according to the coating process and the film forming process of the present embodiment, a polyimide film is produced on a glass substrate support, and a color filter glass substrate provided with a polyimide film is prepared using a color resist or the like according to a known method. (CF substrate) is produced. On one of the TFT substrate and the CF substrate, by screen printing, a seal material composed of a thermosetting epoxy resin or the like is applied in a frame-like pattern lacking a portion of the liquid crystal injection port, and corresponds to the thickness of the liquid crystal layer on the other substrate. A spherical spacer composed of plastic or silica is dispersed.

이어서, TFT 기판과 CF 기판을 첩합하고, 시일 재료를 경화시킨다.Subsequently, the TFT substrate and the CF substrate are bonded, and the seal material is cured.

마지막으로, TFT 기판 및 CF 기판 그리고 시일 재료로 둘러싸이는 공간에, 감압법에 의해 액정 재료를 주입한 후, 액정 주입구에 열 경화 수지를 도포하고, 가열에 의해 액정 재료를 봉지함으로써 액정층을 형성한다. 마지막으로, CF 측의 유리 기판과 TFT 측의 유리 기판을 레이저 박리법 등으로 폴리이미드 필름과 유리 기판의 계면에서 박리함으로써 플렉시블 액정 디스플레이를 제작할 수 있다.Finally, after the liquid crystal material is injected into the space surrounded by the TFT substrate, the CF substrate, and the seal material by a decompression method, a thermosetting resin is applied to the liquid crystal injection port, and the liquid crystal material is sealed by heating to form a liquid crystal layer. do. Finally, a flexible liquid crystal display can be produced by peeling the glass substrate on the CF side and the glass substrate on the TFT side at the interface between the polyimide film and the glass substrate by a laser peeling method or the like.

[적층체의 제조 방법][Manufacturing Method of Laminate]

본 실시형태는,This embodiment,

지지체의 표면 상에, 본 실시형태의 수지 조성물을 도포하는 도포 공정과,A coating step of applying the resin composition of the present embodiment on the surface of the support;

수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,A film forming process of heating the resin composition to form a polyimide film,

폴리이미드 필름 상에 소자를 형성하는 소자 형성 공정을 포함하는 적층체의 제조 방법도 제공한다.Also provided is a method of manufacturing a laminate comprising a device forming process for forming a device on a polyimide film.

적층체에 있어서의 소자로는, 상기의 플렉시블 디바이스 (예를 들어 플렉시블 디스플레이) 로서 예시한 것을 들 수 있다. 지지체로는 예를 들어 유리 기판을 사용한다. 도포 공정 및 막 형성 공정의 바람직한 구체적 순서는, 전술한 폴리이미드 필름의 제조 방법에 관하여 전술한 것과 동일하다. 또한 소자 형성 공정에 있어서는, 지지체 상에 형성된, 플렉시블 기판으로서의 폴리이미드 필름 상에, 상기의 소자를 형성한다. 그 후, 임의로 박리 공정에 있어서 폴리이미드 필름 및 소자를 지지체로부터 박리해도 된다.What was illustrated as said flexible device (for example, flexible display) as an element in a laminated body is mentioned. As a support, a glass substrate is used, for example. Preferred specific steps of the coating process and the film forming process are the same as those described above with respect to the method for producing the polyimide film described above. In addition, in the element forming step, the element is formed on a polyimide film as a flexible substrate formed on a support. Thereafter, in the peeling step, the polyimide film and the element may be peeled off from the support.

실시예Example

이하, 본 발명에 대하여, 실시예에 기초하여 더욱 상세히 서술하지만, 이들은 설명을 위해 기술되는 것으로서, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 실시예 및 비교예에 있어서의 각종 평가는 다음과 같이 실시하였다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on Examples, but these are described for explanation, and the scope of the present invention is not limited to the following Examples. Various evaluations in Examples and Comparative Examples were carried out as follows.

<중량 평균 분자량><Weight average molecular weight>

중량 평균 분자량 (Mw) 및 수 평균 분자량 (Mn) 은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 로, 하기의 조건에 의해 측정하였다.The weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.

용매로서, NMP (와코 순약 공업사 제조, 고속 액체 크로마토그래프용, 측정 직전에 24.8 mmol/L 의 브롬화리튬 1 수화물 (와코 순약 공업사 제조, 순도 99.5 %) 및 63.2 mmol/L 의 인산 (와코 순약 공업사 제조, 고속 액체 크로마토그래프용) 을 첨가하여 용해시킨 것) 를 사용하였다. 중량 평균 분자량을 산출하기 위한 검량선은, 스탠다드 폴리스티렌 (토소사 제조) 을 사용하여 제작하였다.As a solvent, NMP (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, for high-speed liquid chromatography, 24.8 mmol / L lithium bromide monohydrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, purity 99.5%) and 63.2 mmol / L phosphoric acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) just before measurement , For high-speed liquid chromatography). The calibration curve for calculating the weight average molecular weight was prepared using standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation).

칼럼 : Shodex KD-806M (쇼와 전공사 제조)Column: Shodex KD-806M (manufactured by Showa Electric Works)

유속 : 1.0 ㎖/분Flow rate: 1.0 ml / min

칼럼 온도 : 40 ℃Column temperature: 40 ℃

펌프 : PU-2080Plus (JASCO 사 제조)Pump: PU-2080Plus (manufactured by JASCO)

검출기 : RI-2031Plus (RI : 시차 굴절계, JASCO 사 제조) 및 UV-2075Plus (UV-VIS : 자외 가시 흡광계, JASCO 사 제조)Detector: RI-2031Plus (RI: differential refractometer, manufactured by JASCO) and UV-2075Plus (UV-VIS: ultraviolet visible absorbometer, manufactured by JASCO)

<전단 속도 의존성 (TI) 평가><Evaluation of shear rate dependence (TI)>

실시예 및 비교예에 있어서 조제한 수지 조성물의 점도를, 23 ℃ 에 있어서, 온조기 부착 점도계 (토키 산업사 제조 TVE-35H) 를 사용하여, 측정 대상인 수지 조성물의 점도가 측정 가능한 회전 속도 및 콘 로터를 사용하여 측정하고, 전단 속도 의존성 평가를 실시하였다.The viscosity of the resin composition prepared in Examples and Comparative Examples was measured at 23 ° C using a viscometer with a temperature controller (TVE-35H manufactured by Toki Sangyo) to measure the rotational speed and cone rotor at which the viscosity of the resin composition to be measured can be measured. Measurement was carried out, and shear rate dependence was evaluated.

구체적으로는, 측정 회전수 a (rpm) 에 있어서의 점도 ηa (mPa·s) 와, 측정 회전수 b (rpm) 에 있어서의 점도 ηb (mPa·s) 를 측정하고 (여기서 a * 10 = b 이다), 하기 식으로 나타내는 TI 를 구하였다.Specifically, the viscosity ηa (mPa · s) at the measured rotational speed a (rpm) and the viscosity ηb (mPa · s) at the measured rotational speed b (rpm) are measured (where a * 10 = b Is), TI represented by the following formula was obtained.

TI = ηa/ηbTI = ηa / ηb

측정 가능한 회전 속도의 구체예는, 예를 들어, 0.5, 1, 2.5, 5, 10, 20, 50, 100 rpm 이다.Specific examples of the measurable rotational speed are, for example, 0.5, 1, 2.5, 5, 10, 20, 50, 100 rpm.

측정 가능한 콘 로터의 구체예는, 예를 들어, 1°34' (콘 로터의 각도) × R24 (콘 로터의 직경), 1°34' × R12, 0.8° × R24, 0.8° × R12, 3° × R24, 3° × R12, 3° × R17.65, 3° × R14, 3° × R12, 3° × R9.7 이다.Specific examples of the measurable cone rotor are, for example, 1 ° 34 '(angle of the cone rotor) × R24 (diameter of the cone rotor), 1 ° 34' × R12, 0.8 ° × R24, 0.8 ° × R12, 3 ° × R24, 3 ° × R12, 3 ° × R17.65, 3 ° × R14, 3 ° × R12, 3 ° × R9.7.

<코팅 평가><Coating evaluation>

실시예 및 비교예에 있어서 조제한 수지 조성물을, 슬릿 코터 (SCREEN 파인테크 솔루션즈 (주) 제조) 를 사용하여 300 ㎜ * 300 ㎜ 의 유리 기판에 295 ㎜ * 295 ㎜ 의 도포 면적으로 도포하고, 코팅 평가를 실시하였다.The resin composition prepared in Examples and Comparative Examples was applied to a 300 mm * 300 mm glass substrate using a slit coater (manufactured by SCREEN Finetech Solutions Co., Ltd.) with an application area of 295 mm * 295 mm, and coating evaluation. Was conducted.

(슬릿 노즐 평가)(Slit nozzle evaluation)

실시예 및 비교예에 있어서 조제한 수지 조성물 (바니시) 을, 슬릿 코터의 노즐에 충전하고, 하기 기준으로 평가하고, 표에 기재하였다.The resin composition (varnish) prepared in Examples and Comparative Examples was filled into a nozzle of a slit coater, evaluated based on the following criteria, and listed in the table.

노즐로부터 바니시의 토출을 개시하고, 토출을 정지한 후, 바니시가 슬릿 노즐로부터 흘러 떨어진다 : 액누설The discharge of the varnish from the nozzle starts, and after the discharge is stopped, the varnish flows out of the slit nozzle: liquid leakage

노즐로부터 바니시가 토출되지 않는다 : 막힘No varnish is ejected from the nozzle: clogged

액누설, 막힘 없이 코트할 수 있다 : 문제 없음Can coat without leaking or clogging: no problem

(코트 갭)(Coat gap)

실시예 및 비교예에 있어서 조제한 수지 조성물 (바니시) 을, 이미드화 (산소 농도 10 질량 ppm 이하에 있어서, 100 ℃ 에서 1 시간 가열 후, 400 ℃ 에서 30 분간 가열) 한 후의 막두께가 10 ㎛ 가 되도록 유리 기판 상에 코트 (도포 속도 100 ㎜/sec) 하였다. 그 때의 슬릿 코터의 코트 갭 설정치를 표에 기재하였다.The film thickness after imidization (heating at 100 ° C for 1 hour and heating at 400 ° C for 30 minutes) after imidizing the resin composition (varnish) prepared in Examples and Comparative Examples was 10 μm. It was coated on a glass substrate (coating speed of 100 mm / sec) as much as possible. The coat gap setting value of the slit coater at that time is shown in the table.

(에지 평가)(Edge evaluation)

실시예 및 비교예에 있어서 조제한 수지 조성물을 유리 기판에 코트하고, 건조로로 이동하여 100 ℃ 에서 1 시간 가열한 후, 도막의 에지부를, 광학 현미경을 사용하여 10 배로 관찰하고, 하기 기준으로 평가하였다.The resin composition prepared in Examples and Comparative Examples was coated on a glass substrate, transferred to a drying furnace, heated at 100 ° C. for 1 hour, and then the edge portion of the coating film was observed 10 times using an optical microscope and evaluated according to the following criteria. .

또, 촉침식 단차계 (P-15 : KLA Tencor 제조) 를 사용하여, 도포막의 에지 비드 (에지부의 융기) 를 측정하고, 하기 기준으로 평가하였다.Moreover, the edge bead (elevation of the edge part) of the coating film was measured using the stylus step difference meter (P-15: manufactured by KLA Tencor), and evaluated based on the following criteria.

에지 부분의 현미경 관찰에서 0.5 ㎜ 이상의 폭의 액 흘러내림이 관찰된다 : 처짐In the microscopic observation of the edge portion, a liquid flow of width of 0.5 mm or more was observed: sag

에지 부분의 막두께 측정에서 비드의 두께가 도포 막두께의 30 % 이상이다 : 비드The bead thickness is 30% or more of the applied film thickness in the film thickness measurement of the edge portion: the bead

처짐, 에지 이상이 모두 없다 : 문제 없음No sagging, no edge abnormality: no problem

(슬릿 코트 가부)(Slit coat availability)

상기 (슬릿 노즐 평가), (코트 갭), (에지 평가) 에 대하여, 하기 기준으로 평가하고, 표에 기재하였다.The (slit nozzle evaluation), (coat gap), and (edge evaluation) were evaluated according to the following criteria, and listed in the table.

각 실시예 및 비교예의 소정의 중량 평균 분자량의 폴리이미드 전구체를 사용한 조성물에 있어서, 7 ∼ 28 질량% 의 범위의 적어도 어느 고형분 함유량으로, 하기 모든 평가 결과를 만족시킨다 : 가In the composition using the polyimide precursor of the predetermined weight average molecular weight of each Example and the comparative example, all the following evaluation results are satisfy | filled with content of at least one solid content in the range of 7-28 mass%:

각 실시예 및 비교예의 소정의 중합 평균 분자량의 폴리이미드 전구체를 사용한 조성물에 있어서, 고형분 함유량 7 ∼ 28 질량% 의 범위에서는, 하기 모든 평가 결과를 만족시키는 경우가 없다 : 불가In the composition using the polyimide precursor having a predetermined polymerization average molecular weight in each of Examples and Comparative Examples, in the range of 7 to 28% by mass of the solid content, all of the following evaluation results are not satisfied:

슬릿 노즐 평가 : 문제 없음Slit nozzle evaluation: no problem

코트 갭 : 50 ㎛ 이상Coat gap: 50 μm or more

에지 평가 : 문제 없음Edge evaluation: no problem

<경화막 막두께 균일성 (표준 편차)><Film thickness uniformity (standard deviation)>

상기 <코팅 평가> (코트 갭) 에 있어서 유리 기판 상에 제작한 실시예 및 비교예에 관련된 폴리이미드 필름 (즉, 300 ㎜ * 300 ㎜ 의 유리 기판에 295 ㎜ * 295 ㎜ 로 형성한 폴리이미드 필름) 을 사용하였다. 폴리이미드 필름이 형성된 유리 기판을 사용하여, 도포면의 중심으로부터, MD (즉 슬릿 코트 방향) 및 TD (MD 에 대하여 직각의 방향) 각각의 단면 (端面) 을 향하여, 20 ㎜ 간격의 위치의 막두께를 측정하였다 (따라서, 가장 끝은, 단면 (端面) 으로부터 7.5 ㎜ 의 위치가 된다.) (MD 15 점, TD 15 점으로 합계 30 점). 막두께의 측정은, 접촉식 단차계를 사용하였다. 그 결과로부터, 폴리이미드 필름의 막두께 균일성 (30 점의 막두께의 표준 편차) 을 계산하고, 하기 기준으로 평가하였다.In the <coating evaluation> (coat gap), a polyimide film formed on a glass substrate of 295 mm * 295 mm on a glass substrate of 300 mm * 300 mm according to Examples and Comparative Examples prepared on a glass substrate ) Was used. Using a glass substrate on which a polyimide film was formed, a film thickness at a position of 20 mm apart from the center of the application surface toward the end faces of each of MD (i.e., slit coat direction) and TD (direction perpendicular to MD). Was measured (therefore, the tip is a position of 7.5 mm from the end face) (15 points for MD and 30 points for TD). For the measurement of the film thickness, a contact step difference meter was used. From the results, the film thickness uniformity (standard deviation of the film thickness of 30 points) of the polyimide film was calculated and evaluated based on the following criteria.

양 : 면내 막두께 균일성 (3 시그마) 이 1.0 ㎛ 이하Amount: In-plane film thickness uniformity (3 sigma) is 1.0 μm or less

가 : 면내 막두께 균일성 (3 시그마) 이 1.0 ㎛ 초과 2.0 ㎛ 이하A: In-plane film thickness uniformity (3 sigma) greater than 1.0 μm and less than 2.0 μm

불량 : 면내 막두께 균일성 (3 시그마) 이 2.0 ㎛ 초과Poor: In-plane film thickness uniformity (3 sigma) exceeds 2.0 μm

<경화막 신도>< Curable film Shinto >

실시예 및 비교예에 있어서 조제한 수지 조성물을, 표면에 알루미늄 증착층을 형성한 6 인치 실리콘 웨이퍼 기판에, 경화 후 막두께가 10 ㎛ 가 되도록 스핀 코트하고, 100 ℃ 에서 6 분간 프리베이크하였다. 그 후, 종형 큐어 노 (코요 린드버그사 제조, 형식명 VF-2000B) 를 사용하고, 고 (庫) 내의 산소 농도가 10 질량 ppm 이하가 되도록 조정하고, 400 ℃ 에서 30 분간의 가열 경화 처리를 실시하여, 폴리이미드 필름이 형성된 웨이퍼를 제작하였다. 다음으로, 다이싱 소 (주식회사 디스코 제조 DAD 3350) 를 사용하여 그 웨이퍼의 폴리이미드 필름에 3 ㎜ 폭의 절개 자국을 넣은 후, 희염산 수용액에 하룻밤 침지하고 필름편을 박리하고, 건조시켰다. 이것을, 길이 50 ㎜ 로 커트하고, 샘플로 하였다.The resin composition prepared in Examples and Comparative Examples was spin-coated on a 6-inch silicon wafer substrate having an aluminum vapor-deposited layer formed on its surface so that the film thickness after curing was 10 µm, and pre-baked at 100 ° C. for 6 minutes. Thereafter, a vertical curing furnace (manufactured by Koyo Lindberg, model name VF-2000B) was used, the oxygen concentration in the high was adjusted to be 10 mass ppm or less, and heat curing treatment was performed at 400 ° C for 30 minutes. Thus, a wafer on which a polyimide film was formed was produced. Next, a dicing saw (DAD 3350 manufactured by Disco Co., Ltd.) was used to insert a 3 mm-wide incision mark on the polyimide film of the wafer, immersed in a dilute hydrochloric acid aqueous solution overnight, the film piece was peeled off, and dried. This was cut to a length of 50 mm and used as a sample.

상기의 샘플에 대하여, TENSILON (오리엔테크사 제조 UTM-II-20) 을 사용하여, 시험 속도 40 ㎜/min, 초기 하중 0.5 fs 로 신도를 측정하였다. 하기 기준으로 평가하고, 표에 기재하였다.For the above sample, elongation was measured at a test speed of 40 mm / min and an initial load of 0.5 fs using TENSILON (UTM-II-20 manufactured by Orien Tech). It evaluated by the following criteria, and was described in the table.

우 : 40 % 이상Right: 40% or more

양 : 20 % 이상, 40 % 미만Amount: 20% or more, less than 40%

가 : 20 % 미만A: Less than 20%

<경화막 헤이즈 (Haze)><Hardened Film Haze>

상기 <코팅 평가> (코트 갭) 에 있어서 유리 기판 상에 제작한 실시예 및 비교예에 관련된 폴리이미드 필름을 사용하였다.In <coating evaluation> (coat gap), polyimide films related to Examples and Comparative Examples prepared on a glass substrate were used.

얻어진 샘플에 대하여, 스가 시험기사 제조 SC-3H 형 헤이즈미터를 사용하여 JIS K7105 투명도 시험법에 준거하여 헤이즈 (막두께 10 ㎛ 환산) 의 측정을 실시하였다. 측정 결과는 하기 기준으로 평가하고, 표에 기재하였다.About the obtained sample, the haze (film thickness 10 micrometer conversion) was measured according to the JIS K7105 transparency test method using the SC-3H hazemeter manufactured by Suga Test Instruments. The measurement results were evaluated based on the following criteria, and are listed in the table.

우 : 헤이즈가 0.5 이하Right: Haze is 0.5 or less

양 : 헤이즈가 0.5 보다 크고 1.5 이하Amount: Haze is greater than 0.5 and less than 1.5

가 : 헤이즈가 1.5 보다 크다A: Haze is greater than 1.5

<경화막 황색도 (YI))><Yellowness of cured film (YI)>

상기 <코팅 평가> (코트 갭) 에 있어서 유리 기판 상에 제작한 실시예 및 비교예에 관련된 폴리이미드 필름을 사용하였다. 얻어진 샘플에 대하여, 닛폰 전색 공업 (주) 제조 (분광 광도계 : SE600) 으로 D65 광원을 사용하여 황색도 (YI) 값 (막두께 10 ㎛ 환산) 을 측정하였다. 결과를 표에 기재하였다.In <coating evaluation> (coat gap), polyimide films related to Examples and Comparative Examples prepared on a glass substrate were used. About the obtained sample, the yellowness (YI) value (film thickness conversion of 10 micrometers) was measured using the D65 light source by Nippon Color Industries Co., Ltd. (spectrophotometer: SE600). The results are listed in the table.

<경화막 Rth (리타데이션, 두께 방향 리타데이션)><Cured film Rth (retardation, thickness direction retardation)>

상기 <코팅 평가> (코트 갭) 에 있어서 유리 기판 상에 제작한 실시예 및 비교예에 관련된 폴리이미드 필름을 사용하였다. 얻어진 샘플에 대하여, 위상차 복굴절 측정 장치 (오지 계측 기기사 제조, KOBRA-WR) 를 사용하여, Rth (막두께 10 ㎛ 환산) 를 측정하였다. 측정 광의 파장은 589 ㎚ 로 하였다. 결과를 표에 기재하였다.In <coating evaluation> (coat gap), polyimide films related to Examples and Comparative Examples prepared on a glass substrate were used. About the obtained sample, Rth (film thickness 10 micrometer conversion) was measured using the phase difference birefringence measuring apparatus (KOBRA-WR manufactured by Oji Scientific Instruments). The wavelength of the measured light was 589 nm. The results are listed in the table.

<비교예 1-1><Comparative Example 1-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서 NMP (812 g) 를 첨가하고, 디아민으로서 4,4'-DAS (4,4'-디아미노디페닐술폰) (14.2 g), TFMB (12.2 g), 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일 (10.56 g) 을 교반하면서 첨가하고, 계속해서 산 2 무수물로서 PMDA (15.3 g), BPDA (8.8 g) 를 첨가하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 98)). 다음으로, 오일 배스를 사용하여 80 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반한 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 기재한다) 을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고 (설정 -20 ℃, 이하 동일.) 에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.To a 3 L separable flask with a stirring rod, NMP (812 g) was added while introducing nitrogen gas, and 4,4'-DAS (4,4'-diaminodiphenylsulfone) (14.2 g) as diamine, TFMB (12.2 g), sockdan amine-modified methylphenylsilicone oil (10.56 g) was added with stirring, followed by addition of PMDA (15.3 g) and BPDA (8.8 g) as acid 2 anhydride (molar ratio of acid 2 anhydride, diamine) (100: 98)). Next, using an oil bath, the temperature was raised to 80 ° C and stirred for 4 hours, and then the oil bath was removed and returned to room temperature to obtain an NMP solution of transparent polyamic acid (hereinafter also referred to as varnish). The obtained varnish was stored in a freezer (set at -20 ° C, hereinafter the same.) And used for thawing when evaluating.

<비교예 1-2 ∼ 1-6><Comparative Examples 1-2 to 1-6>

NMP 량을 변경하여 표 1 의 고형분 함유량으로 한 것을 제외하고 비교예 1-1 과 동일하게 실시하였다.It was carried out in the same manner as in Comparative Example 1-1, except that the amount of NMP was changed to a solid content of Table 1.

<실시예 1-1><Example 1-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서, 디아민으로서 4,4'-DAS (15.3 g) 및 TFMB (12.4 g), 그리고 이들 디아민의 전체 질량의 2 배의 질량의 중합 용매 (NMP) 를 첨가하였다.4,4'-DAS (15.3 g) and TFMB (12.4 g) as diamine while introducing nitrogen gas into a 3 L separable flask with a stirring rod, and a polymerization solvent of twice the mass of the total mass of these diamines ( NMP).

다음으로 상기 세퍼러블 플라스크에 적하 깔때기를 세트하고, 그 적하 깔때기에 질소 가스를 도입하면서 산 2 무수물로서 PMDA (15.3 g) 및 BPDA (8.8 g), 그리고 이들 산 2 무수물의 2 배의 질량의 중합 용매 (NMP) 를 첨가하였다. 그리고, 실온에서 소형의 교반 날개로 교반하였다.Next, a dropping funnel was set in the separable flask, and PMDA (15.3 g) and BPDA (8.8 g) as acid 2 anhydrides and polymerization of twice the mass of these acid 2 anhydrides were introduced while introducing nitrogen gas into the dropping funnel. Solvent (NMP) was added. Then, the mixture was stirred with a small stirring blade at room temperature.

계속해서 상기 세퍼러블 플라스크에 다른 적하 깔때기를 세트하고, 그 적하 깔때기에 질소 가스를 도입하면서, 디아민으로서 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일 X-22-1660B-3 (10.56 g) 및 당해 실리콘 오일의 2 배의 질량의 중합 용매 (NMP) 를 첨가하였다. 그리고, 실온에서 소형의 교반 날개로 교반하였다.Subsequently, another dropping funnel was set in the separable flask, and nitrogen gas was introduced into the dropping funnel, so as to diamine, sonic-end amine-modified methylphenylsilicone oil X-22-1660B-3 (10.56 g) and 2 of the silicone oil. A pear mass of polymerization solvent (NMP) was added. Then, the mixture was stirred with a small stirring blade at room temperature.

그리고, 세퍼러블 플라스크 내의 디아민 용액을 교반하면서, 실온에서, 상기 적하 깔때기의 소형의 교반 날개를 교반한 채로, 동시에 산 2 무수물 용액과 실리콘 오일의 적하를 개시하였다. 적하는 모두 저속으로 실시하고, 30 분 이상에 걸쳐 적하하였다. 적하 후, 세정 용매 (NMP) 로 세정하고, 잔존물을 적하하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 99)).Then, while stirring the diamine solution in the separable flask, the dropping of the acid 2 anhydride solution and silicone oil was simultaneously started while stirring the small stirring blade of the dropping funnel at room temperature. All the dropping was performed at a low speed, and dropping was performed over 30 minutes. After dropping, it was washed with a washing solvent (NMP), and the residue was added dropwise (molar ratio of acid 2 anhydride and diamine (100: 99)).

그 후, 추가 용매 (NMP) 를 첨가하여, 최종적으로 표 1 의 고형분 함유량이 되도록 하였다. 계속해서 실온에서 30 분 교반하고, 계속해서 오일 배스를 사용하여 70 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반하였다. 그 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 기재한다) 을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고 (설정 -20 ℃, 이하 동일.) 에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.Thereafter, an additional solvent (NMP) was added to finally achieve a solid content of Table 1. Then, the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes, then heated to 70 ° C using an oil bath and stirred for 4 hours. Thereafter, the oil bath was removed and returned to room temperature to obtain an NMP solution of transparent polyamic acid (hereinafter also referred to as varnish). The obtained varnish was stored in a freezer (set at -20 ° C, hereinafter the same.) And used for thawing when evaluating.

<실시예 1-2 ∼ 1-17, 2-1 ∼ 2-14, 3-1 ∼ 3-16, 4-1 ∼ 4-12><Examples 1-2 to 1-17, 2-1 to 2-14, 3-1 to 3-16, 4-1 to 4-12>

산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 1 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이 하고, 이에 따라 중합 용매의 사용량을 변경하고 (즉 산 2 무수물 또는 디아민의 질량의 2 배의 양이 되도록 조정하고), 추가로 실시예 1-5 ∼ 1-8, 2-5 ∼ 2-14, 3-3 ∼ 3-16, 4-5 ∼ 4-12 에 대해서는 「70 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반」을 「40 ℃ 로 승온하고 12 시간 교반」으로 변경하고, 실시예 1-9, 2-9, 3-9, 4-9 에 대해서는 「추가 용매 (NMP)」를 「추가 용매 (NMP 및 GBL) (첨가 후의 NMP/GBL 이 100/100 (w/w) 이 되도록 조정)」으로 변경한 것 외에는, 실시예 1-1 과 동일하게 하였다. 표 1 ∼ 4 에 나타내는 고형분량은 상기 추가 용매의 양을 변경함으로써 표에 나타내는 값으로 조정하였다. 또한 실시예 1-16, 2-12, 2-13, 3-14, 3-15, 4-10, 4-11 에 있어서 「12 시간 교반」한 후 추가로 반응 시간을 연장한 것의 중량 평균 분자량을 측정한 결과, 12 시간 교반 후와 비교하여 커지는 경우는 없었다.The combination of acid 2 anhydride and diamine is as shown in Tables 1 to 4, and accordingly, the amount of the polymerization solvent used is changed (i.e., adjusted to an amount twice the mass of the acid 2 anhydride or diamine), and further carried out. For Examples 1-5 to 1-8, 2-5 to 2-14, 3-3 to 3-16, and 4-5 to 4-12, "heated to 70 ° C and stirred for 4 hours" was heated to "40 ° C" And stirred for 12 hours. ”For Examples 1-9, 2-9, 3-9, and 4-9,“ additional solvent (NMP) ”was added to“ additional solvent (NMP and GBL) (NMP / GBL after addition) It was made similar to Example 1-1 except having changed to 100/100 (adjusted so that it may be 100 / w (w / w)). The amount of solids shown in Tables 1 to 4 was adjusted to the value shown in the table by changing the amount of the additional solvent. In addition, in Example 1-16, 2-12, 2-13, 3-14, 3-15, 4-10, and 4-11, the weight average molecular weight of the thing which further extended the reaction time after "12 hours stirring" As a result of measuring, there was no case that it became large compared with that after stirring for 12 hours.

<비교예 2-1 ∼ 2-6, 3-1 ∼ 3-6, 4-1 ∼ 4-7><Comparative Examples 2-1 to 2-6, 3-1 to 3-6, 4-1 to 4-7>

비교예 2-1, 3-1, 4-1 은, 비교예 1-1 의 NMP 량을 745 g (비교예 2-1), 799 g (비교예 3-1), 850 g (비교예 4-1) 으로 각각 변경하고, 산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 2 에 나타내는 바와 같이 한 것을 제외하고 비교예 1-1 과 동일하게 실시하였다. 또, NMP 량을 변경하여 표 2 ∼ 4 의 고형분 함유량으로 한 것을 제외하고, 비교예 2-2 ∼ 2-6 은 비교예 2-1 과, 비교예 3-2 ∼ 3-6 은 비교예 3-1 과, 비교예 4-2 ∼ 4-7 은 비교예 4-1 과, 각각 동일하게 실시하였다.In Comparative Examples 2-1, 3-1, and 4-1, the NMP amount of Comparative Example 1-1 was 745 g (Comparative Example 2-1), 799 g (Comparative Example 3-1), and 850 g (Comparative Example 4). Each was changed to -1), and it was carried out in the same manner as in Comparative Example 1-1, except that the combination of acid 2 anhydride and diamine was shown in Table 2. In addition, Comparative Examples 2-2 to 2-6 are Comparative Examples 2-1 and Comparative Examples 3-2 to 3-6 are Comparative Examples 3, except that the amount of NMP is changed to have a solid content of Tables 2 to 4, respectively. -1 and Comparative Examples 4-2 to 4-7 were conducted in the same manner as Comparative Example 4-1.

<비교예 5-1><Comparative Example 5-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서 NMP (620 g) 를 첨가하고, 디아민으로서 4,4'-DAS (24.8 g) 를 교반하면서 첨가하고, 계속해서 산 2 무수물로서 PMDA (21.8 g) 를 첨가하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 100)). 다음으로, 오일 배스를 사용하여 80 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반한 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 기재한다) 을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.To a 3 L separable flask with a stirring rod, NMP (620 g) was added while introducing nitrogen gas, 4,4'-DAS (24.8 g) was added as diamine while stirring, and PMDA (as an acid 2 anhydride was subsequently added). 21.8 g) was added (molar ratio of acid 2 anhydride and diamine (100: 100)). Next, using an oil bath, the temperature was raised to 80 ° C and stirred for 4 hours, and then the oil bath was removed and returned to room temperature to obtain an NMP solution of transparent polyamic acid (hereinafter also referred to as varnish). The obtained varnish was stored in a freezer, and used for thawing when evaluating.

<비교예 5-2 ∼ 5-6><Comparative Examples 5-2 to 5-6>

NMP 량을 변경하여 표 5 의 고형분 함유량으로 한 것을 제외하고 비교예 5-1 과 동일하게 실시하였다.It was carried out in the same manner as in Comparative Example 5-1, except that the amount of NMP was changed to a solid content of Table 5.

<실시예 5-1><Example 5-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서 디아민으로서 4,4'-DAS (24.3 g) 와, 디아민의 전체 질량의 2 배의 질량의 NMP 를 첨가하였다.To a 3 L separable flask with a stirring rod, 4,4'-DAS (24.3 g) as diamine and NMP twice as large as the total mass of diamine were added while introducing nitrogen gas.

다음으로 상기 세퍼러블 플라스크에 적하 깔때기를 세트하고, 그 적하 깔때기에 질소 가스를 도입하면서 산 2 무수물로서 PMDA (10.9 g), BPDA (14.7 g) 와 이들 산 2 무수물의 2 배의 질량의 NMP 를 첨가하였다. 그리고, 실온에서 소형의 교반 날개로 교반하였다.Next, a dropping funnel was set in the separable flask, and nitrogen gas was introduced into the dropping funnel, and PMDA (10.9 g), BPDA (14.7 g) as acid 2 anhydride and NMP of twice the mass of these acid 2 anhydrides were added. Was added. Then, the mixture was stirred with a small stirring blade at room temperature.

그리고, 세퍼러블 플라스크 내의 디아민 용액을 교반하면서, 실온에서, 상기 적하 깔때기의 소형의 교반 날개를 교반한 채로, 산 2 무수물 용액의 적하를 개시하였다. 적하는 저속으로 실시하고, 30 분 이상에 걸쳐 적하하였다. 적하 후, 세정 용매 (NMP) 로 세정하고, 잔존물을 적하하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 98)).Then, while stirring the diamine solution in the separable flask, the dropping of the acid 2 anhydride solution was started at room temperature while stirring the small stirring blade of the dropping funnel. Dropping was performed at a low speed, and dropping was performed over 30 minutes. After dropping, it was washed with a washing solvent (NMP), and the residue was added dropwise (molar ratio of acid 2 anhydride and diamine (100: 98)).

그 후, 추가 용매 (NMP) 를 첨가하여, 최종적으로 표 5 의 고형분 함유량이 되도록 하였다. 계속해서 실온에서 30 분 교반하고, 계속해서 오일 배스를 사용하여 70 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반하였다. 그 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 기재한다) 을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고 (설정 -20 ℃, 이하 동일.) 에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.Thereafter, an additional solvent (NMP) was added to finally achieve a solid content of Table 5. Then, the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes, then heated to 70 ° C using an oil bath and stirred for 4 hours. Thereafter, the oil bath was removed and returned to room temperature to obtain an NMP solution of transparent polyamic acid (hereinafter also referred to as varnish). The obtained varnish was stored in a freezer (set at -20 ° C, hereinafter the same.) And used for thawing when evaluating.

<실시예 5-2 ∼ 5-9, 6-1 ∼ 6-9, 7-1 ∼ 7-4, 8-1, 8-2><Examples 5-2 to 5-9, 6-1 to 6-9, 7-1 to 7-4, 8-1, 8-2>

산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 5 ∼ 9 에 나타내는 바와 같이 하고, 이에 따라 중합 용매의 사용량을 변경하고 (즉 산 2 무수물 또는 디아민의 질량의 2 배의 양이 되도록 조정하고), 추가로 실시예 5-3 ∼ 5-9, 6-5 ∼ 6-9, 7-4, 8-1, 8-2 에 대해서는 상기 「70 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반」을 「40 ℃ 로 승온하고 12 시간 교반」으로 변경하고, 실시예 5-7, 6-4, 7-4 에 대해서는 「추가 용매 (NMP)」를 「추가 용매 (NMP 및 GBL) (첨가 후의 NMP/GBL 이 100/100 (w/w) 이 되도록 조정)」으로 변경한 것 외에는, 실시예 5-1 과 동일하게 하였다. 표 5 ∼ 9 에 나타내는 고형분량은 상기 추가 용매의 양을 변경함으로써 표에 나타내는 값으로 조정하였다. 또한 실시예 5-8, 5-9, 6-6 ∼ 6-9 에 있어서 「12 시간 교반」한 후 추가로 반응 시간을 연장한 것의 중량 평균 분자량을 측정한 결과, 12 시간 교반 후와 비교하여 커지는 경우는 없었다.The combination of acid 2 anhydride and diamine is as shown in Tables 5 to 9, and accordingly, the amount of the polymerization solvent used is changed (i.e., adjusted to an amount twice the mass of the acid 2 anhydride or diamine), and further carried out. For Examples 5-3 to 5-9, 6-5 to 6-9, 7-4, 8-1, and 8-2, the above "heating to 70 ° C and stirring for 4 hours" was "heating to 40 ° C for 12 hours" Stirring, and for Examples 5-7, 6-4, and 7-4, "Additional solvent (NMP)" was added to "Additional solvent (NMP and GBL) (NMP / GBL after addition was 100/100 (w / w), and the same as in Example 5-1. The amount of solids shown in Tables 5 to 9 was adjusted to the value shown in the table by changing the amount of the additional solvent. In addition, in Examples 5-8, 5-9, and 6-6 to 6-9, the weight average molecular weight of the extended reaction time after "12 hours of stirring" was measured, and compared with that after 12 hours of stirring. It never grew.

<비교예 6-1 ∼ 6-6, 7-1 ∼ 7-8, 8-1 ∼ 8-2><Comparative Examples 6-1 to 6-6, 7-1 to 7-8, 8-1 to 8-2>

비교예 6-1, 7-1, 8-1 ∼ 8-2 는, 비교예 5-1 의 NMP 량을 664 g (비교예 6-1), 718 g (비교예 7-1), 401 g (비교예 8-1), 344 g (비교예 8-2) 으로 각각 변경하고, 산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 6 ∼ 8 에 나타내는 바와 같이 한 것을 제외하고 비교예 5-1 과 동일하게 실시하였다. 비교예 6-2 ∼ 6-6 은 NMP 량을 변경하여 표 6 의 고형분 함유량으로 한 것을 제외하고 비교예 6-1 과 동일하게 실시하고, 비교예 7-2 ∼ 7-6 은 NMP 량을 변경하여 표 7 의 고형분 함유량으로 한 것을 제외하고 비교예 7-1 과 동일하게 실시하였다. 비교예 7-7, 7-8 은, NMP 량을 718 g 으로부터 215 g (비교예 7-7), 163 g (비교예 7-8) 으로 각각 변경하고, 산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 7 에 나타내는 바와 같이 하고, 「4 시간 교반」을 「3 시간 교반」으로 변경한 것을 제외하고 비교예 7-1 과 동일하게 실시하였다.In Comparative Examples 6-1, 7-1, and 8-1 to 8-2, the amount of NMP in Comparative Example 5-1 was 664 g (Comparative Example 6-1), 718 g (Comparative Example 7-1), and 401 g. (Comparative Example 8-1), and changed to 344 g (Comparative Example 8-2), respectively, and the composition of acid 2 anhydride and diamine was as in Comparative Examples 5-1, except that as shown in Tables 6-8. It was carried out. Comparative Examples 6-2 to 6-6 were carried out in the same manner as in Comparative Example 6-1, except that the amount of NMP was changed to change the amount of NMP, and Comparative Examples 7-2 to 7-6 changed the amount of NMP. Then, it was carried out in the same manner as in Comparative Example 7-1 except that the solid content of Table 7 was used. In Comparative Examples 7-7 and 7-8, the amount of NMP was changed from 718 g to 215 g (Comparative Example 7-7) and 163 g (Comparative Example 7-8), respectively, and the combination of acid 2 anhydride and diamine is shown. It carried out similarly to the comparative example 7-1 except having changed as shown in 7, and changing "4 hours stirring" to "3 hours stirring".

<비교예 9-1><Comparative Example 9-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서 NMP (495 g) 를 첨가하고, 디아민으로서 TFMB (30.9 g) 를 교반하면서 첨가하고, 계속해서 산 2 무수물로서 BPAF (9,9-비스(3,4-디카르복시페닐)플루오렌 2 무수물) (45.8 g), 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일을 X-22-1660B-3 (10.56 g) 을 첨가하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 99)). 다음으로, 오일 배스를 사용하여 80 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반한 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 기재한다) 을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.To a 3 L separable flask with a stirring rod, NMP (495 g) was added while introducing nitrogen gas, TFMB (30.9 g) was added as a diamine while stirring, and BPAF (9,9-bis) was subsequently added as acid 2 anhydride. (3,4-dicarboxyphenyl) fluorene 2 anhydride) (45.8 g), sock-end amine-modified methylphenylsilicone oil was added X-22-1660B-3 (10.56 g) (molar ratio of acid 2 anhydride, diamine ( 100: 99)). Next, using an oil bath, the temperature was raised to 80 ° C and stirred for 4 hours, and then the oil bath was removed and returned to room temperature to obtain an NMP solution of transparent polyamic acid (hereinafter also referred to as varnish). The obtained varnish was stored in a freezer, and used for thawing when evaluating.

<비교예 9-2 ∼ 9-3><Comparative Examples 9-2 to 9-3>

NMP 량을 495 g 으로부터 438 g (비교예 9-2), 374 g (비교예 9-3) 으로 각각 변경하고, 산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 9 에 나타내는 바와 같이 한 것을 제외하고, 비교예 9-1 과 동일하게 실시하였다.The amount of NMP was changed from 495 g to 438 g (Comparative Example 9-2) and 374 g (Comparative Example 9-3), respectively, except that the combination of acid 2 anhydride and diamine was shown in Table 9, and compared. It carried out similarly to Example 9-1.

<실시예 9-1><Example 9-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서 디아민으로서 TFMB (31.3 g) 와, 디아민의 전체 질량의 2 배의 질량의 NMP (63 g) 를 첨가하였다.To a 3 L separable flask with a stirring rod, TFMB (31.3 g) as diamine and NMP (63 g) twice as large as the total mass of diamine were added while introducing nitrogen gas.

다음으로 상기 세퍼러블 플라스크에 적하 깔때기를 세트하고, 그 적하 깔때기에 질소 가스를 도입하면서 산 2 무수물로서 BPAF (45.8 g) 와 이 산 2 무수물의 2 배의 질량의 NMP (92 g) 를 첨가하였다. 그리고, 실온에서 소형의 교반 날개로 교반하였다.Next, a dropping funnel was set in the separable flask, and nitrogen gas was introduced into the dropping funnel, and BPAF (45.8 g) as an acid 2 anhydride and NMP (92 g) of twice the mass of this acid 2 anhydride were added. . Then, the mixture was stirred with a small stirring blade at room temperature.

계속해서 상기 세퍼러블 플라스크에 다른 적하 깔때기를 세트하고, 그 적하 깔때기에 질소 가스를 도입하면서, 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일 X-22-1660B-3 (10.56 g) 과 당해 실리콘 오일의 2 배의 질량의 NMP (21 g) 를 첨가하였다. 그리고, 실온에서 소형의 교반 날개로 교반하였다.Subsequently, another dropping funnel was set in the separable flask, and nitrogen gas was introduced into the dropping funnel, so as to double the amine-modified methylphenylsilicone oil X-22-1660B-3 (10.56 g) and the silicone oil. Mass of NMP (21 g) was added. Then, the mixture was stirred with a small stirring blade at room temperature.

그리고, 세퍼러블 플라스크 내의 디아민 용액을 교반하면서, 실온에서, 상기 적하 깔때기의 소형의 교반 날개를 교반한 채로, 산 2 무수물 용액의 적하를 개시하였다. 적하는 저속으로 실시하고, 30 분 이상에 걸쳐 적하하였다. 적하 후, 세정 용매 (NMP) 로 세정하고, 잔존물을 적하하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 100)).Then, while stirring the diamine solution in the separable flask, the dropping of the acid 2 anhydride solution was started at room temperature while stirring the small stirring blade of the dropping funnel. Dropping was performed at a low speed, and dropping was performed over 30 minutes. After dropping, it was washed with a washing solvent (NMP), and the residue was added dropwise (molar ratio of acid 2 anhydride and diamine (100: 100)).

그 후, 추가 용매 (NMP) 를 첨가하여, 최종적으로 표 9 의 고형분 함유량이 되도록 하였다.Thereafter, an additional solvent (NMP) was added to finally achieve a solid content of Table 9.

계속해서 실온에서 30 분 교반하고, 계속해서 오일 배스를 사용하여 40 ℃ 로 승온하고 12 시간 교반하였다. 그 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 기재한다) 을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고 (설정 -20 ℃, 이하 동일.) 에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.Then, the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes, then heated to 40 ° C using an oil bath and stirred for 12 hours. Thereafter, the oil bath was removed and returned to room temperature to obtain an NMP solution of transparent polyamic acid (hereinafter also referred to as varnish). The obtained varnish was stored in a freezer (set at -20 ° C, hereinafter the same.) And used for thawing when evaluating.

<실시예 9-2, 9-3><Examples 9-2 and 9-3>

산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 9 에 나타내는 바와 같이 하고, 이에 따라 중합 용매의 사용량을 변경 (즉 산 2 무수물 또는 디아민의 질량의 2 배의 양이 되도록 조정) 한 것 외에는 실시예 9-1 과 동일하게 실시하였다. 표 9 에 나타내는 고형분량은 상기 추가 용매의 양을 변경함으로써 표에 나타내는 값으로 조정하였다.Example 9-1 except that the compounding of the acid 2 anhydride and diamine was as shown in Table 9, and the amount of the polymerization solvent was changed accordingly (i.e., adjusted to an amount twice the mass of the acid 2 anhydride or diamine). It was carried out in the same manner as. The solid content shown in Table 9 was adjusted to the value shown in the table by changing the amount of the additional solvent.

<실시예 10-1><Example 10-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서 NMP (246 g) 를 첨가하고, 디아민으로서 4,4'-DAS (14.4 g), TFMB (12.4 g), 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일 (10.56 g) 을 교반하면서 첨가하고, 계속해서 산 2 무수물로서 PMDA (15.3 g), BPDA (8.8 g) 를 첨가하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 99)). 다음으로, 오일 배스를 사용하여 70 ℃ 로 승온하고 8 시간 교반한 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고 (설정 -20 ℃, 이하 동일.) 에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.To a 3 L separable flask with a stirring rod, NMP (246 g) was added while introducing nitrogen gas, and 4,4'-DAS (14.4 g), TFMB (12.4 g) as diamine, amine-modified methylphenylsilicone oil (10.56 g) was added with stirring, followed by addition of PMDA (15.3 g) and BPDA (8.8 g) as acid 2 anhydride (molar ratio of acid 2 anhydride and diamine (100: 99)). Next, using an oil bath, the temperature was raised to 70 ° C. and stirred for 8 hours, then the oil bath was removed and returned to room temperature to obtain a clear polyamic acid NMP solution. The obtained varnish was stored in a freezer (set at -20 ° C, hereinafter the same.) And used for thawing when evaluating.

<실시예 10-2 ∼ 10-5><Examples 10-2 to 10-5>

NMP 량을 246 g 으로부터 225 g (실시예 10-2), 242 g (실시예 10-3), 185 g (실시예 10-4), 201 g (실시예 10-5) 으로 각각 변경하고, 산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 10 에 나타내는 바와 같이 한 것을 제외하고, 실시예 10-1 과 동일하게 실시하였다.The amount of NMP was changed from 246 g to 225 g (Example 10-2), 242 g (Example 10-3), 185 g (Example 10-4), and 201 g (Example 10-5), respectively. It was carried out in the same manner as in Example 10-1, except that the combination of acid 2 anhydride and diamine was as shown in Table 10.

평가의 결과를 표 10 에 나타낸다.Table 10 shows the results of the evaluation.

Figure pct00016
Figure pct00016

Figure pct00017
Figure pct00017

Figure pct00018
Figure pct00018

Figure pct00019
Figure pct00019

Figure pct00020
Figure pct00020

Figure pct00021
Figure pct00021

Figure pct00022
Figure pct00022

Figure pct00023
Figure pct00023

Figure pct00024
Figure pct00024

Figure pct00025
Figure pct00025

산업상 이용가능성Industrial availability

본 개시의 수지 조성물은, 플렉시블 디바이스 (예를 들어 플렉시블 기판), 특히 플렉시블 디스플레이 등의 용도에 바람직하게 적용할 수 있다. 예를 들어, 본 개시의 수지 조성물은, 액정 디스플레이, 유기 일렉트로루미네선스 디스플레이, 필드 이미션 디스플레이, 전자 페이퍼 등의 표시 장치의 투명 기판을 형성하기 위해 바람직하게 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 본 개시의 수지 조성물은, 박막 트랜지스터 (TFT) 의 기판, 컬러 필터의 기판, 투명 도전막 (ITO, IndiumTinOxide) 의 기판 등을 형성하기 위해 사용할 수 있다.The resin composition of the present disclosure can be preferably applied to applications such as flexible devices (eg, flexible substrates), particularly flexible displays. For example, the resin composition of the present disclosure can be preferably used to form a transparent substrate of a display device such as a liquid crystal display, an organic electroluminescence display, a field emission display, or electronic paper. More specifically, the resin composition of the present disclosure can be used to form a substrate of a thin film transistor (TFT), a substrate of a color filter, a substrate of a transparent conductive film (ITO, IndiumTinOxide), or the like.

2a : 하부 기판
2b : 봉지 기판
25 : 유기 EL 구조부
250a : 적색광을 발광하는 유기 EL 소자
250b : 녹색광을 발광하는 유기 EL 소자
250c : 청색광을 발광하는 유기 EL 소자
251 : 격벽 (뱅크)
252 : 하부 전극 (양극)
253 : 정공 수송층
254 : 발광층
255 : 상부 전극 (음극)
256 : TFT
257 : 컨택트홀
258 : 층간 절연막
259 : 하부 전극
261 : 중공부
2a: lower substrate
2b: sealing substrate
25: organic EL structure
250a: Organic EL device emitting red light
250b: organic EL device emitting green light
250c: Organic EL device emitting blue light
251: bulkhead (bank)
252: lower electrode (anode)
253: hole transport layer
254: light emitting layer
255: upper electrode (cathode)
256: TFT
257: contact hole
258: interlayer insulating film
259: lower electrode
261: Hollow Department

Claims (25)

하기 식 (1) :
Figure pct00026

{식 중, R1 은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 2 가의 유기기를 나타내고, R2 는, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 4 가의 유기기를 나타내고, n 은 양의 정수이다.} 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체와, 용매를 포함하는 수지 조성물로서,
상기 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 110,000 ∼ 250,000 이고,
상기 수지 조성물의 고형분 함유량이 10 ∼ 25 질량% 인, 수지 조성물.
Equation (1) below:
Figure pct00026

{In the formula, R 1 represents a divalent organic group each independently if there are plural, R 2 represents a tetravalent organic group each if it is plural, and n is a positive integer. As a resin composition containing a mid precursor and a solvent,
The weight average molecular weight of the polyimide precursor is 110,000 to 250,000,
The resin composition whose solid content of the said resin composition is 10-25 mass%.
제 1 항에 있어서,
상기 수지 조성물의 점도를 온조기 부착 점도계로 23 ℃ 에서 측정했을 때의, 하기 식으로 나타내는 전단 속도 의존성 (TI) 이, 0.9 ∼ 1.1 인, 수지 조성물.
TI = ηa/ηb
{식 중, ηa (mPa·s) 는 수지 조성물의 측정 회전 속도 a (rpm) 에 있어서의 점도이고, ηb (mPa·s) 는 수지 조성물의 측정 회전 속도 b (rpm) 에 있어서의 점도이고, 단 a * 10 = b 이다.}
According to claim 1,
A resin composition having a shear rate dependency (TI) represented by the following formula when the viscosity of the resin composition is measured at 23 ° C. using a viscometer with a temperature controller, 0.9 to 1.1.
TI = ηa / ηb
{In the formula, ηa (mPa · s) is the viscosity at the measured rotational speed a (rpm) of the resin composition, ηb (mPa · s) is the viscosity at the measured rotational speed b (rpm) of the resin composition, However, a * 10 = b.}
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 수지 조성물은, 슬릿 코트용의 수지 조성물인, 수지 조성물.
The method of claim 1 or 2,
The resin composition is a resin composition for a slit coat.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 식 (1) 중의 R1 의 적어도 1 개가, 하기 식 (2) :
Figure pct00027

로 나타내는 기인, 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
At least one of R 1 in the formula (1) is represented by the following formula (2):
Figure pct00027

The resin composition.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가, 하기 식 (3) :
Figure pct00028

{식 중, R3 및 R4 의 각각은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족 탄화수소기, 또는 탄소수 6 ∼ 10 의 1 가의 방향족기를 나타내고, 그리고 m 은, 1 ∼ 200 의 정수이다.} 으로 나타내는 구조를 갖는, 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 4,
The polyimide precursor is represented by the following formula (3):
Figure pct00028

{In the formula, each of R 3 and R 4 , when plural, each independently represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200 A resin composition having a structure represented by}.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가, 피로멜리트산 2 무수물을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체인, 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 5,
The resin composition, wherein the polyimide precursor is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride and diamine containing pyromellitic dianhydride.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체인, 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 6,
The resin composition, wherein the polyimide precursor is a copolymer of diamine and tetracarboxylic dianhydride containing 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가, 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체이고, 상기 테트라카르복실산 2 무수물이, 피로멜리트산 2 무수물 및 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물을, 상기 피로멜리트산 2 무수물과 상기 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물의 몰비 20 : 80 ∼ 80 : 20 으로 포함하는, 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 7,
The polyimide precursor is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride and diamine, and the tetracarboxylic dianhydride is pyromellitic dianhydride and 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid A resin composition comprising 2 anhydrides in a molar ratio of 20:80 to 80:20 of the pyromellitic acid 2 anhydride and the 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid 2 anhydride.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가, 테트라카르복실산 2 무수물과, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 및 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개 이상의 디아민의 공중합체인, 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 8,
The polyimide precursor is tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine, and A resin composition, which is a copolymer of one or more diamines selected from the group consisting of 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 160,000 ∼ 220,000 인, 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 9,
The resin composition having a weight average molecular weight of the polyimide precursor is 160,000 to 220,000.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지 조성물은, 플렉시블 디바이스용의 수지 조성물인, 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 10,
The resin composition is a resin composition for a flexible device.
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지 조성물은, 플렉시블 디스플레이용의 수지 조성물인, 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 11,
The resin composition is a resin composition for a flexible display.
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물인 폴리이미드 필름.The polyimide film which is a hardened | cured material of the resin composition in any one of Claims 1-12. 제 13 항에 있어서,
막두께 10 ㎛ 환산으로의 두께 방향 리타데이션 (Rth) 이 300 이하이고, 및/또는, 막두께 10 ㎛ 환산으로의 황색도 (YI) 가 20 이하인, 폴리이미드 필름.
The method of claim 13,
A polyimide film in which the thickness direction retardation (Rth) in terms of a film thickness of 10 µm is 300 or less, and / or the yellowness (YI) in terms of a film thickness of 10 µm is 20 or less.
제 13 항 또는 제 14 항에 기재된 폴리이미드 필름을 포함하는 플렉시블 디바이스.A flexible device comprising the polyimide film according to claim 13 or 14. 제 13 항 또는 제 14 항에 기재된 폴리이미드 필름을 포함하는 플렉시블 디스플레이.A flexible display comprising the polyimide film according to claim 13 or 14. 제 16 항에 있어서,
상기 폴리이미드 필름은, 상기 플렉시블 디스플레이를 외부로부터 관찰했을 때에 시인되는 지점에 배치되어 있는, 플렉시블 디스플레이.
The method of claim 16,
The said polyimide film is arrange | positioned at the point visually recognized when the said flexible display was observed from the outside.
지지체의 표면 상에, 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 도포하는 도포 공정과,
상기 수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,
상기 폴리이미드 필름을 상기 지지체로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는, 폴리이미드 필름의 제조 방법.
A coating step of applying the resin composition according to any one of claims 1 to 12 on a surface of a support,
A film forming process of heating the resin composition to form a polyimide film,
A method for producing a polyimide film comprising a peeling step of peeling the polyimide film from the support.
제 18 항에 있어서,
상기 도포 공정은, 상기 수지 조성물을 슬릿 코트하는 것을 포함하는, 폴리이미드 필름의 제조 방법.
The method of claim 18,
The coating step includes a slit coat of the resin composition, a method for producing a polyimide film.
제 19 항에 있어서,
상기 식 (1) 중의 R1 의 적어도 1 개가, 하기 식 (2) :
Figure pct00029

로 나타내는 기인, 폴리이미드 필름의 제조 방법.
The method of claim 19,
At least one of R 1 in the formula (1) is represented by the following formula (2):
Figure pct00029

The group represented by the method for producing a polyimide film.
제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가, 하기 식 (3) :
Figure pct00030

{식 중, R3 및 R4 의 각각은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족 탄화수소기, 또는 탄소수 6 ∼ 10 의 1 가의 방향족기를 나타내고, 그리고 m 은, 1 ∼ 200 의 정수이다.} 으로 나타내는 구조를 갖는, 폴리이미드 필름의 제조 방법.
The method of claim 19 or 20,
The polyimide precursor is represented by the following formula (3):
Figure pct00030

{In the formula, each of R 3 and R 4 , when plural, each independently represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200 A method for producing a polyimide film having a structure represented by}.
제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 박리 공정에 앞서, 상기 지지체측으로부터 상기 폴리이미드 필름에 레이저를 조사하는 조사 공정을 추가로 포함하는, 폴리이미드 필름의 제조 방법.
The method according to any one of claims 18 to 21,
Prior to the peeling step, a method of manufacturing a polyimide film further comprising an irradiation step of irradiating a laser to the polyimide film from the support side.
지지체의 표면 상에, 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 도포하는 도포 공정과,
상기 수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,
상기 폴리이미드 필름 상에 소자를 형성하는 소자 형성 공정과,
상기 소자가 형성된 상기 폴리이미드 필름을 상기 지지체로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는 디스플레이의 제조 방법.
A coating step of applying the resin composition according to any one of claims 1 to 12 on a surface of a support,
A film forming process of heating the resin composition to form a polyimide film,
An element forming process for forming an element on the polyimide film,
A method of manufacturing a display comprising a peeling step of peeling the polyimide film on which the device is formed from the support.
제 23 항에 있어서,
상기 도포 공정은, 상기 수지 조성물을 슬릿 코트하는 것을 포함하는, 디스플레이의 제조 방법.
The method of claim 23,
The coating step includes a slit coat of the resin composition, a method of manufacturing a display.
제 23 항 또는 제 24 항에 있어서,
상기 디스플레이를 외부로부터 관찰했을 때에 시인되는 지점에 상기 폴리이미드 필름을 배치하는, 디스플레이의 제조 방법.
The method of claim 23 or 24,
A method for manufacturing a display, wherein the polyimide film is disposed at a point where the display is viewed when viewed from the outside.
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