KR20220098403A - Polyimide precursor resin composition - Google Patents

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아사히 가세이 가부시키가이샤
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Abstract

하기 식 (1) :

Figure pat00031

{식 중, R1 은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 2 가의 유기기를 나타내고, R2 는, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 4 가의 유기기를 나타내고, n 은 양의 정수이다.} 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체와, 용매를 포함하는 수지 조성물로서, 상기 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 110,000 ∼ 250,000 이고, 상기 수지 조성물의 고형분 함유량이 10 ∼ 25 질량% 인, 수지 조성물이 제공된다.Equation (1):
Figure pat00031

{wherein, when there are a plurality of R 1 , each independently represents a divalent organic group, R 2 each independently represents a tetravalent organic group when there is a plurality, and n is a positive integer.} As a resin composition containing a mid precursor and a solvent, the weight average molecular weight of the said polyimide precursor is 110,000-250,000, and the resin composition whose solid content of the said resin composition is 10-25 mass % is provided.

Figure pat00032
Figure pat00032

Description

폴리이미드 전구체 수지 조성물{POLYIMIDE PRECURSOR RESIN COMPOSITION}Polyimide precursor resin composition {POLYIMIDE PRECURSOR RESIN COMPOSITION}

본 발명은, 폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물, 및 폴리이미드 필름에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 플렉시블 디바이스 (예를 들어 플렉시블 디스플레이) 및 적층체 그리고 이들의 제조 방법에도 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition containing a polyimide precursor, and a polyimide film. The present invention also relates to flexible devices (eg flexible displays) and laminates and methods of making them.

폴리이미드 수지는, 불용, 불융의 초내열성 수지이고, 내열 특성 (예를 들어 내열산화성), 내방사선성, 내저온성, 내약품성 등이 우수한 특성을 가지고 있다. 이 때문에, 폴리이미드 수지는, 전자 재료를 포함하는 광범위한 분야에서 사용되고 있다. 전자 재료 분야에 있어서의 폴리이미드 수지의 적용예로는, 예를 들어 절연 코팅재, 절연막, 반도체, 박막 트랜지스터 액정 디스플레이 (TFT-LCD) 의 전극 보호막 등을 들 수 있다. 최근에는, 디스플레이 재료의 분야에 있어서 종래 사용되고 있던 유리 기판 대신에, 그 가벼움, 유연성을 이용한 플렉시블 기판의 채용이 검토되고 있다.Polyimide resin is an insoluble, infusible, superheat-resistant resin, and has excellent properties such as heat resistance (eg, thermal oxidation resistance), radiation resistance, low temperature resistance, and chemical resistance. For this reason, polyimide resin is used in the wide field including an electronic material. As an application example of the polyimide resin in the field of electronic materials, an insulating coating material, an insulating film, a semiconductor, the electrode protective film of a thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD), etc. are mentioned, for example. In recent years, instead of the glass substrate used conventionally in the field|area of a display material, adoption of the flexible board|substrate using the lightness and flexibility is examined.

예를 들어 특허문헌 1 에는, 비스(디아미노디페닐)술폰 (이하, DAS 라고도 한다) 으로부터 중합되고, 실록산 단위를 갖는 수지 전구체 (중량 평균 분자량 3 만 ∼ 9 만) 가 기재되고, 당해 전구체를 경화하여 얻어지는 폴리이미드는, 유리 등의 지지체와의 사이에 발생하는 잔류 응력이 낮고, 내약품성이 우수하고, 큐어 공정시의 산소 농도에 의한 황색도 (YI) 값 및 전광선 투과율에 대한 영향이 작은 것이 기재되어 있다. 또, 특허문헌 2 에는, 특정한 흡광도의 폴리이미드 전구체와, 특정한 흡광도의 알콕시실란 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물이 기재되고, 당해 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 수지가, 지지체와의 충분한 접착성과, 레이저 박리 등에 의한 박리성을 양립시키는 것이 기재되어 있다.For example, Patent Document 1 describes a resin precursor (weight average molecular weight of 30,000 to 90,000) that is polymerized from bis(diaminodiphenyl)sulfone (hereinafter also referred to as DAS) and has a siloxane unit, and the precursor is Polyimide obtained by curing has a low residual stress generated between a support such as glass, excellent chemical resistance, and has a small effect on yellowness (YI) value and total light transmittance due to oxygen concentration during the curing process. that is described. In addition, Patent Document 2 describes a resin composition comprising a polyimide precursor having a specific absorbance and an alkoxysilane compound having a specific absorbance, and the resin obtained by curing the resin composition has sufficient adhesiveness and , which makes releasability by laser peeling or the like compatible.

국제 공개 제2014/148441호International Publication No. 2014/148441 국제 공개 제2016/167296호International Publication No. 2016/167296

플렉시블 기판에 투명 폴리이미드 수지를 적용하고자 하는 경우, 유리 등의 기판 상에, 폴리이미드 전구체를 함유하는 수지 조성물을 도포하여 도막을 형성하고, 이어서 이것을 가열 건조시키고, 추가로 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드막으로 하고, 필요에 따라 그 막 상에 디바이스를 형성한 후, 그 막을 지지체인 유리 기판 등으로부터 박리하여 목적물을 얻는다.When a transparent polyimide resin is to be applied to a flexible substrate, a resin composition containing a polyimide precursor is applied on a substrate such as glass to form a coating film, and then this is heat-dried, and the polyimide precursor is further imidized After forming a device on the film as necessary, the film is peeled off from a support, such as a glass substrate, to obtain a target product.

최근, 플렉시블 기판의 용도인 디스플레이 등의 대형화에 수반하여, 폴리이미드 전구체를 포함하는 조성물을 유리 등의 기판에 도포하는 경우, 슬릿 코터를 사용하는 경우가 있다. 슬릿 코터로 조성물을 도포하여 도막을 형성하는 경우, 도막에 대한 영향을 미치는 파라미터로서, 코터 갭 (유리 기판과 슬릿 노즐의 거리를 규정하는 설정치) 이 있는데, 코터 갭이 작으면, 유리 기판의 평탄성이 나쁜 경우에 노즐이 기판에 접촉하여, 슬릿 노즐이 파손될 가능성이 있다. 특히 최근의 디스플레이 등의 대형화 등에 수반하여, 이 코터 갭을 충분히 크게 하는 것이 필요해졌다.In recent years, when apply|coating the composition containing a polyimide precursor to board|substrates, such as glass, with enlargement of the display etc. which are uses of a flexible substrate, a slit coater may be used. When the composition is applied with a slit coater to form a coating film, as a parameter affecting the coating film, there is a coater gap (a setting value that defines the distance between the glass substrate and the slit nozzle). If the coater gap is small, the flatness of the glass substrate In this bad case, the nozzle may contact the substrate and the slit nozzle may be damaged. In particular, with the recent increase in size of displays and the like, it has become necessary to sufficiently enlarge this coater gap.

또, 폴리이미드막을 플렉시블 디스플레이 등의 화면의 재료로서 사용하는 경우에는, 가시광의 파장이 약 380 ㎚ 내지 약 700 ㎚ 인 점에서, 양호한 광학 성능을 얻기 위해서는, 특히 높은 막두께 균일성이 요구된다.In addition, when a polyimide film is used as a material for a screen of a flexible display or the like, since the wavelength of visible light is about 380 nm to about 700 nm, particularly high film thickness uniformity is required in order to obtain good optical performance.

본 발명자들이 상기 특허문헌 1 및 2 에 기재된 것과 동일한 분자량 및 골격을 갖는 폴리이미드 전구체를 사용하여, 슬릿 코트의 코팅 평가를 실시한 결과, 상기 특성이 불충분한 것을 알아냈다. 따라서 본 발명의 일 양태는, 슬릿 코트의 코팅 특성이 우수함과 함께, 플렉시블 기판 등의 용도에 요구되는, 기계 특성 및 광학 특성도 우수한, 폴리이미드 전구체 함유 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.When the present inventors evaluated the coating of a slit coat using the polyimide precursor which has the same molecular weight and frame|skeleton as that described in the said patent documents 1 and 2, it discovered that the said characteristic was inadequate. Therefore, one aspect of the present invention aims to provide a polyimide precursor-containing resin composition that is excellent in the coating properties of the slit coat and also excellent in mechanical properties and optical properties required for applications such as flexible substrates.

본 발명자들은, 예의 검토를 실시한 결과, 특정한 구조를 갖는 폴리이미드 전구체를 사용하는 것이, 슬릿 코트에 있어서의 양호한 코팅 특성, 그리고 양호한 기계 특성 및 광학 특성의 실현을 가져오는 것을 알아냈다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors discovered that using the polyimide precursor which has a specific structure brought about the realization of the favorable coating property in a slit coat, and favorable mechanical property and optical property, as a result of earnestly examining.

즉, 본 발명은 하기의 양태를 포함한다.That is, the present invention includes the following aspects.

[1] 하기 식 (1) : [1] The following formula (1):

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

{식 중, R1 은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 2 가의 유기기를 나타내고, R2 는, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 4 가의 유기기를 나타내고, n 은 양의 정수이다.} 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체와, 용매를 포함하는 수지 조성물로서,{wherein, when there are a plurality of R 1 , each independently represents a divalent organic group, R 2 each independently represents a tetravalent organic group when there is a plurality, and n is a positive integer.} A resin composition comprising a mid precursor and a solvent,

상기 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 110,000 ∼ 250,000 이고,The polyimide precursor has a weight average molecular weight of 110,000 to 250,000,

상기 수지 조성물의 고형분 함유량이 10 ∼ 25 질량% 인, 수지 조성물.The resin composition whose solid content of the said resin composition is 10-25 mass %.

[2] 상기 수지 조성물의 점도를 온조기 부착 점도계로 23 ℃ 에서 측정했을 때의, 하기 식으로 나타내는 전단 속도 의존성 (TI) 이, 0.9 ∼ 1.1 인, 상기 양태 1 에 기재된 수지 조성물.[2] The resin composition according to Aspect 1, wherein the shear rate dependence (TI) expressed by the following formula when the viscosity of the resin composition is measured at 23°C with a viscometer equipped with a temperature controller is 0.9 to 1.1.

TI = ηa/ηbTI = ηa/ηb

{식 중, ηa (mPa·s) 는 수지 조성물의 측정 회전 속도 a (rpm) 에 있어서의 점도이고, ηb (mPa·s) 는 수지 조성물의 측정 회전 속도 b (rpm) 에 있어서의 점도이고, 단 a * 10 = b 이다.}{wherein, ηa (mPa·s) is the viscosity at the measured rotational speed a (rpm) of the resin composition, and ηb (mPa·s) is the viscosity at the measured rotational speed b (rpm) of the resin composition, However, a * 10 = b.}

[3] 상기 수지 조성물은, 슬릿 코트용의 수지 조성물인, 상기 양태 1 또는 2 에 기재된 수지 조성물.[3] The resin composition according to Aspect 1 or 2, wherein the resin composition is a resin composition for slit coat.

[4] 상기 식 (1) 중의 R1 의 적어도 1 개가, 하기 식 (2) : [4] At least one of R 1 in the formula (1) is represented by the following formula (2):

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

로 나타내는 기인, 상기 양태 1 ∼ 3 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.The resin composition in any one of said aspects 1-3 which is group represented by.

[5] 상기 폴리이미드 전구체가, 하기 식 (3) : [5] The polyimide precursor is the following formula (3):

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00003
Figure pat00003

{식 중, R3 및 R4 의 각각은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족 탄화수소기, 또는 탄소수 6 ∼ 10 의 1 가의 방향족기를 나타내고, 그리고 m 은, 1 ∼ 200 의 정수이다.} 으로 나타내는 구조를 갖는, 상기 양태 1 ∼ 4 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.{wherein, each of R 3 and R 4 , when there is a plurality, each independently represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200 is an integer of.} The resin composition according to any one of Aspects 1 to 4, wherein the resin composition has a structure represented by .

[6] 상기 폴리이미드 전구체가, 피로멜리트산 2 무수물을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체인, 상기 양태 1 ∼ 5 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[6] The resin composition according to any one of Aspects 1 to 5, wherein the polyimide precursor is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride containing pyromellitic dianhydride and diamine.

[7] 상기 폴리이미드 전구체가, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체인, 상기 양태 1 ∼ 6 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[7] Any one of said aspects 1-6 in which the said polyimide precursor is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride containing 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, and diamine The resin composition described in.

[8] 상기 폴리이미드 전구체가, 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체이고, 상기 테트라카르복실산 2 무수물이, 피로멜리트산 2 무수물 및 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물을, 상기 피로멜리트산 2 무수물과 상기 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물의 몰비 20 : 80 ∼ 80 : 20 으로 포함하는, 상기 양태 1 ∼ 7 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[8] The polyimide precursor is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride and diamine, and the tetracarboxylic dianhydride is pyromellitic dianhydride and 3,3',4,4'-biphenyltetra The said aspect 1 which contains carboxylic dianhydride in the molar ratio 20:80-80:20 of the said pyromellitic dianhydride and the said 3,3',4,4'- biphenyltetracarboxylic dianhydride The resin composition as described in any one of 7.

[9] 상기 폴리이미드 전구체가, 테트라카르복실산 2 무수물과, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 및 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개 이상의 디아민의 공중합체인, 상기 양태 1 ∼ 8 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[9] The polyimide precursor is tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 2,2'-bis(trifluoromethyl ) The resin composition according to any one of Aspects 1 to 8, which is a copolymer of at least one diamine selected from the group consisting of benzidine and 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene.

[10] 상기 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 160,000 ∼ 220,000 인, 상기 양태 1 ∼ 9 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[10] The resin composition according to any one of Aspects 1 to 9, wherein the polyimide precursor has a weight average molecular weight of 160,000 to 220,000.

[11] 상기 수지 조성물은, 플렉시블 디바이스용의 수지 조성물인, 상기 양태 1 ∼ 10 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[11] The resin composition according to any one of Aspects 1 to 10, wherein the resin composition is a resin composition for flexible devices.

[12] 상기 수지 조성물은, 플렉시블 디스플레이용의 수지 조성물인, 상기 양태 1 ∼ 11 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[12] The resin composition according to any one of Aspects 1 to 11, wherein the resin composition is a resin composition for a flexible display.

[13] 상기 양태 1 ∼ 12 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물인 폴리이미드 필름.[13] A polyimide film which is a cured product of the resin composition according to any one of Aspects 1 to 12.

[14] 막두께 10 ㎛ 환산으로의 두께 방향 리타데이션 (Rth) 이 300 이하이고, 및/또는, 막두께 10 ㎛ 환산으로의 황색도 (YI) 가 20 이하인, 상기 양태 13 에 기재된 폴리이미드 필름.[14] The polyimide film according to Aspect 13, wherein the thickness direction retardation (Rth) in terms of a film thickness of 10 µm is 300 or less, and/or the yellowness (YI) in terms of a film thickness of 10 µm is 20 or less. .

[15] 상기 양태 13 또는 14 에 기재된 폴리이미드 필름을 포함하는 플렉시블 디바이스.[15] A flexible device comprising the polyimide film according to Aspect 13 or 14.

[16] 상기 양태 13 또는 14 에 기재된 폴리이미드 필름을 포함하는 플렉시블 디스플레이.[16] A flexible display comprising the polyimide film according to Aspect 13 or 14.

[17] 상기 폴리이미드 필름은, 상기 플렉시블 디스플레이를 외부로부터 관찰했을 때에 시인되는 지점에 배치되어 있는, 상기 양태 16 에 기재된 플렉시블 디스플레이.[17] The flexible display according to Aspect 16, wherein the polyimide film is disposed at a position visually recognized when the flexible display is observed from the outside.

[18] 지지체의 표면 상에, 상기 양태 1 ∼ 12 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 도포하는 도포 공정과,[18] A coating step of applying the resin composition according to any one of Aspects 1 to 12 on the surface of the support;

상기 수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,A film forming step of heating the resin composition to form a polyimide film;

상기 폴리이미드 필름을 상기 지지체로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는, 폴리이미드 필름의 제조 방법.The manufacturing method of the polyimide film including the peeling process of peeling the said polyimide film from the said support body.

[19] 상기 도포 공정은, 상기 수지 조성물을 슬릿 코트하는 것을 포함하는, 상기 양태 18 에 기재된 폴리이미드 필름의 제조 방법.[19] The method for producing a polyimide film according to Aspect 18, wherein the coating step includes slit coating the resin composition.

[20] 상기 식 (1) 중의 R1 의 적어도 1 개가, 하기 식 (2) : [20] At least one of R 1 in the formula (1) is represented by the following formula (2):

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

로 나타내는 기인, 상기 양태 19 에 기재된 폴리이미드 필름의 제조 방법.A method for producing a polyimide film according to Aspect 19, which is a group represented by .

[21] 상기 폴리이미드 전구체가, 하기 식 (3) : [21] The polyimide precursor, the following formula (3):

[화학식 5][Formula 5]

Figure pat00005
Figure pat00005

{식 중, R3 및 R4 의 각각은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족 탄화수소기, 또는 탄소수 6 ∼ 10 의 1 가의 방향족기를 나타내고, 그리고 m 은, 1 ∼ 200 의 정수이다.} 으로 나타내는 구조를 갖는, 상기 양태 19 또는 20 에 기재된 폴리이미드 필름의 제조 방법.{wherein, each of R 3 and R 4 , when there is a plurality, each independently represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200 is an integer of.} The method for producing a polyimide film according to Aspect 19 or 20, which has a structure represented by .

[22] 상기 박리 공정에 앞서, 상기 지지체측으로부터 상기 폴리이미드 필름에 레이저를 조사하는 조사 공정을 추가로 포함하는, 상기 양태 18 ∼ 21 중 어느 하나에 기재된 폴리이미드 필름의 제조 방법.[22] The method for producing a polyimide film according to any one of Aspects 18 to 21, further comprising an irradiation step of irradiating a laser to the polyimide film from the support side prior to the peeling step.

[23] 지지체의 표면 상에, 상기 양태 1 ∼ 12 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 도포하는 도포 공정과,[23] A coating step of applying the resin composition according to any one of Aspects 1 to 12 on the surface of the support;

상기 수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,A film forming step of heating the resin composition to form a polyimide film;

상기 폴리이미드 필름 상에 소자를 형성하는 소자 형성 공정과,an element forming step of forming an element on the polyimide film;

상기 소자가 형성된 상기 폴리이미드 필름을 상기 지지체로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는 디스플레이의 제조 방법.and a peeling step of peeling the polyimide film on which the element is formed from the support.

[24] 상기 도포 공정은, 상기 수지 조성물을 슬릿 코트하는 것을 포함하는, 상기 양태 23 에 기재된 디스플레이의 제조 방법.[24] The method for producing a display according to Aspect 23, wherein the application step includes slit-coating the resin composition.

[25] 상기 디스플레이를 외부로부터 관찰했을 때에 시인되는 지점에 상기 폴리이미드 필름을 배치하는, 상기 양태 23 또는 24 에 기재된 디스플레이의 제조 방법.[25] The method for manufacturing a display according to Aspect 23 or 24, wherein the polyimide film is disposed at a position visually recognized when the display is observed from the outside.

본 발명의 일 양태에 의하면, 슬릿 코트에 있어서의 코팅 특성이 우수함과 함께, 플렉시블 기판 등의 용도에 요구되는 기계 특성 및 광학 특성도 우수한 폴리이미드 전구체 함유 수지 조성물을 제공하는 것이 가능해진다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to one aspect of this invention, while being excellent in the coating characteristic in a slit coat, it becomes possible to provide the polyimide precursor containing resin composition excellent also in the mechanical characteristic and optical characteristic required for uses, such as a flexible substrate.

도 1 은, 본 발명의 일 양태로 제공되는 디스플레이의 예로서의 톱 이미션형의 플렉시블 유기 EL 디스플레이의 폴리이미드 기판보다 상부의 구조를 나타내는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the structure above the polyimide board|substrate of a top emission type flexible organic electroluminescent display as an example of the display provided by one aspect|mode of this invention.

이하, 본 발명의 예시의 실시형태 (이하, 「실시형태」라고 약기한다.) 에 대하여, 상세히 설명한다. 또한, 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되지 않고, 그 요지의 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있다. 또, 본 개시에서 기재하는 특성치는, 특별한 기재가 없는 한, [실시예] 의 항에 있어서 기재하는 방법 또는 이것과 동등한 것이 당업자에게 이해되는 방법으로 측정되는 값인 것을 의도한다.DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention (hereinafter, abbreviated as "embodiments") will be described in detail. In addition, this invention is not limited to the following embodiment, It can variously deform and implement within the range of the summary. In addition, unless otherwise specified, the characteristic value described in the present disclosure is intended to be a value measured by a method understood by those skilled in the art that is equivalent to the method described in the section of [Examples] or equivalent thereto.

본 실시형태는,This embodiment is

하기 식 (1) : Equation (1):

[화학식 6][Formula 6]

Figure pat00006
Figure pat00006

{식 중, R1 은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 2 가의 유기기를 나타내고, R2 는, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 4 가의 유기기를 나타내고, n 은 양의 정수이다.}{Wherein, when there are a plurality of R 1 , each independently represents a divalent organic group, R 2 each independently represents a tetravalent organic group when there is a plurality, and n is a positive integer.}

로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물을 제공한다. 일 양태에 있어서, 당해 수지 조성물은, 당해 폴리이미드 전구체와 용매를 포함한다.A resin composition comprising a polyimide precursor having a structure represented by is provided. One aspect WHEREIN: The said resin composition contains the said polyimide precursor and a solvent.

바람직한 양태에 있어서는, 식 (1) 중의 R1 의 적어도 1 개가, 하기 식 (2) : In a preferable aspect, at least 1 of R<1> in Formula (1) is following formula (2):

[화학식 7][Formula 7]

Figure pat00007
Figure pat00007

로 나타내는 기이다.is a group represented by

식 (1) 중의 R1 의 적어도 1 개가 식 (2) 로 나타내는 구조인 것은, 폴리이미드 전구체의 경화물인 폴리이미드의 양호한 광학 특성 (특히 Rth) 및 내열성에 기여한다. 일 양태에 있어서, 식 (1) 중의 n 개의 R1 의 전부가 식 (2) 로 나타내는 구조를 갖는다. 또, 일 양태에 있어서, 식 (1) 중의 n 개의 R1 중 식 (2) 로 나타내는 구조의 비율은, 0 % 이상, 또는 10 % 이상, 또는 20 % 이상이어도 되고, 100 % 이하, 또는 90 % 이하여도 된다.It contributes to the favorable optical characteristic (particularly Rth) and heat resistance of the polyimide which is a hardened|cured material of a polyimide precursor that at least 1 of R<1> in Formula (1) is a structure represented by Formula (2). One aspect WHEREIN: All n pieces of R< 1 > in Formula (1) have a structure shown by Formula (2). Moreover, in one aspect, the ratio of the structure represented by Formula (2) among n pieces of R< 1 > in Formula (1) may be 0 % or more, or 10 % or more, or 20 % or more, 100 % or less, or 90 %. % or less.

본 실시형태는 또한, 상기 식 (1) 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물로서, 당해 수지 조성물의 경화물인 폴리이미드가, 두께 방향 리타데이션 (Rth) 300 이하 및/또는 황색도 (YI) 20 이하를 갖는, 수지 조성물도 제공한다. 상기의 낮은 두께 방향 리타데이션 (Rth) 은 폴리이미드가 저복굴절성인 것을 나타내고 있고, 또한 상기의 낮은 황색도 (YI) 는, 폴리이미드가 양호한 색조를 갖는 (즉 거의 무색인 것) 인 것을 나타내고 있다.This embodiment is also a resin composition containing the polyimide precursor which has a structure represented by said Formula (1), Comprising: The polyimide which is hardened|cured material of the said resin composition has thickness direction retardation (Rth) 300 or less and/or yellowness A resin composition having (YI) 20 or less is also provided. The low thickness direction retardation (Rth) indicates that the polyimide has low birefringence, and the low yellowness (YI) indicates that the polyimide has a good color tone (that is, almost colorless). .

본 실시형태의 수지 조성물은, 우수한 슬릿 코트 성능을 가짐과 함께, 우수한 기계 특성 및 광학 특성을 갖는 폴리이미드 필름을 부여하는 점에서, 바람직하게는 플렉시블 디바이스용 (예를 들어 플렉시블 기판용), 특히 바람직하게는 플렉시블 디스플레이용으로서 유용하다.The resin composition of this embodiment has the excellent slit-coat performance, and the point which provides the polyimide film which has the outstanding mechanical property and optical characteristic, Preferably it is for flexible devices (for example, for flexible substrates), especially Preferably, it is useful as an object for a flexible display.

(폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량)(weight average molecular weight of polyimide precursor)

일 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은 110,000 이상 250,000 이하이다. 본 발명자는, 본 실시형태의 수지 조성물을 슬릿 코트에 사용할 때, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 코팅 성능에 크게 영향을 주는 것을 알아내고, 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 110,000 이상인 경우에는, 수지 조성물의 고형분 함유량을 조정하여 양호한 슬릿 코트를 실현할 수 있고, 한편, 중량 평균 분자량이 250,000 이하인 폴리이미드 전구체는 제조 용이한 것을 알아냈다. 즉, 본 실시형태에 있어서, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은, 코팅 성능의 관점에서 110,000 이상이고, 제조 용이성의 면에서 250,000 이하이다.In one aspect, the weight average molecular weight of the polyimide precursor is 110,000 or more and 250,000 or less. When this inventor used the resin composition of this embodiment for a slit coat, it discovered that the weight average molecular weight of a polyimide precursor had a large influence on coating performance, and repeated earnest examination. As a result, it was found that, when the weight average molecular weight of the polyimide precursor is 110,000 or more, a good slit coat can be realized by adjusting the solid content of the resin composition, while a polyimide precursor having a weight average molecular weight of 250,000 or less is easy to manufacture. . That is, in this embodiment, the weight average molecular weight of a polyimide precursor is 110,000 or more from a viewpoint of coating performance, and is 250,000 or less from a viewpoint of manufacturing easiness.

폴리이미드 전구체의 바람직한 중량 평균 분자량은, 원하는 용도, 폴리이미드 전구체의 종류, 수지 조성물의 고형분 함유량, 수지 조성물이 포함할 수 있는 용매의 종류 등에 따라 상이해도 된다.The preferable weight average molecular weight of a polyimide precursor may differ with a desired use, the kind of polyimide precursor, solid content of a resin composition, the kind of solvent which a resin composition can contain, etc.

예를 들어, 중량 평균 분자량의 하한의 바람직한 예는,For example, a preferable example of the lower limit of the weight average molecular weight is

Figure pat00008
Figure pat00008

Figure pat00009
Figure pat00009

또, 중량 평균 분자량의 상한의 바람직한 예는,Moreover, a preferable example of the upper limit of a weight average molecular weight is,

Figure pat00010
Figure pat00010

Figure pat00011
Figure pat00011

예를 들어, 폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물의 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름 (본 개시에서 큐어막이라고도 한다.)) 의 신도 및 황색도 (YI) 의 관점에서는, 중량 평균 분자량 120,000 이상이 바람직하고, 130,000 이상이 더욱 바람직하고, 160,000 이상이 특히 바람직하다. 또, 당해 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 헤이즈의 관점에서는, 220,000 이하가 바람직하고, 200,000 이하가 보다 바람직하다. 바람직한 일 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은, 160,000 이상 220,000 이하이다.For example, in terms of elongation and yellowness (YI) of a cured product of a resin composition containing a polyimide precursor (for example, a polyimide film (also referred to as a cure film in the present disclosure)), a weight average molecular weight of 120,000 or more This is preferable, 130,000 or more are more preferable, and 160,000 or more are especially preferable. Moreover, from a viewpoint of the haze of the said hardened|cured material (for example, polyimide film), 220,000 or less are preferable and 200,000 or less are more preferable. A preferable aspect WHEREIN: The weight average molecular weights of a polyimide precursor are 160,000 or more and 220,000 or less.

(폴리이미드 필름의 두께 방향 리타데이션 (Rth))(Retardation in thickness direction (Rth) of polyimide film)

폴리이미드 전구체의 경화물 (즉 이미드화물) 로서 폴리이미드 필름을 제작했을 때, 당해 폴리이미드 필름의 막두께 10 ㎛ 에서의 두께 방향 리타데이션 (Rth) 은, 폴리이미드 전구체의 모노머 골격에 따라 상이하지만, 동일한 모노머 골격이면, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 클수록 Rth 가 작은 경향이 있다. 폴리머 골격으로는, DAS 를 사용하면 Rth 가 작아지는 경향이 있다. 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량과 폴리이미드 필름의 Rth 의 상기 관계의 메커니즘은 불명확하지만, 폴리이미드 필름의 분자의 배향, 및 결정도가 관계하는 것으로 생각된다.When a polyimide film is produced as a hardened|cured material (namely, imidation product) of a polyimide precursor, thickness direction retardation (Rth) in the film thickness of 10 micrometers of the said polyimide film changes with the monomer skeleton of a polyimide precursor. However, if it is the same monomer skeleton, there exists a tendency for Rth to be small, so that the weight average molecular weight of a polyimide precursor is large. As a polymer skeleton, when DAS is used, there exists a tendency for Rth to become small. Although the mechanism of the said relationship of the weight average molecular weight of a polyimide precursor and Rth of a polyimide film is unclear, it is thought that the orientation of the molecule|numerator of a polyimide film, and crystallinity are related.

특정 양태에 있어서, Rth 는, 저복굴절성의 폴리이미드 필름을 얻는 관점에서, 300 ㎚ 이하이다. 특히 폴리이미드 필름을 표시 재료로서 사용하는 경우, Rth 로는, 200 ㎚ 이하가 바람직하고, 100 ㎚ 이하가 보다 바람직하고, 80 ㎚ 이하가 보다 바람직하고, 50 ㎚ 이하가 보다 바람직하고, 30 ㎚ 가 특히 바람직하다. Rth 가 300 ㎚ 이하이면, 이미지 화상을 정확하게 포착하는 것이 용이하고, 특히, Rth 가 200 ㎚ 이하이면, 화상의 색재현성이 양호하다.A specific aspect WHEREIN: From a viewpoint of obtaining a polyimide film of low birefringence, Rth is 300 nm or less. In particular, when using a polyimide film as a display material, as Rth, 200 nm or less is preferable, 100 nm or less is more preferable, 80 nm or less is more preferable, 50 nm or less is more preferable, 30 nm is especially desirable. When Rth is 300 nm or less, it is easy to accurately capture an image, and in particular, when Rth is 200 nm or less, the color reproducibility of the image is good.

일 양태에 있어서, 폴리이미드 필름은, 막두께 10 ㎛ 환산으로의 두께 방향 리타데이션 (Rth) 이 300 ㎚ 이하이고, 및/또는, 막두께 10 ㎛ 환산으로의 황색도 (YI) 가 20 이하이다. 일 양태에 있어서, 폴리이미드 필름은, 막두께 10 ㎛ 환산으로의 두께 방향 리타데이션 (Rth) 이 300 ㎚ 이하이고, 및, 막두께 10 ㎛ 환산으로의 황색도 (YI) 가 20 이하이다.In one aspect, the polyimide film has a thickness direction retardation (Rth) of 300 nm or less in terms of a film thickness of 10 µm, and/or a yellowness (YI) of 20 or less in terms of a film thickness of 10 µm. . One aspect WHEREIN: The thickness direction retardation (Rth) of a polyimide film in conversion of 10 micrometers of film thickness is 300 nm or less, and yellowness (YI) in conversion of a film thickness of 10 micrometers is 20 or less.

(폴리이미드 필름의 황색도 (YI))(Yellowness (YI) of polyimide film)

특정 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체의 경화물 (즉 이미드화물) 로서 폴리이미드 필름을 제작했을 때, 당해 폴리이미드 필름의 막두께 10 ㎛ 에 있어서의 황색도 (YI) 는, 양호한 광학 특성을 얻는 관점에서, 20 이하이고, 바람직하게는 18 이하, 보다 바람직하게는 16 이하, 더욱 바람직하게는 14 이하, 더욱 바람직하게는 13 이하, 더욱 바람직하게는 10 이하, 특히 바람직하게는 7 이하이다. 당해 폴리이미드 필름의 막두께 10 ㎛ 에서의 YI 는, 폴리이미드 전구체의 모노머 골격에 따라 상이하지만, 동일한 모노머 골격이면, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 클수록 YI 가 작은 경향이 있다.A specific aspect WHEREIN: When a polyimide film is produced as hardened|cured material (that is, imidated material) of a polyimide precursor, the yellowness (YI) in the film thickness of 10 micrometers of the said polyimide film is favorable optical characteristic From a viewpoint, it is 20 or less, Preferably it is 18 or less, More preferably, it is 16 or less, More preferably, it is 14 or less, More preferably, it is 13 or less, More preferably, it is 10 or less, Especially preferably, it is 7 or less. Although YI in the film thickness of 10 micrometers of the said polyimide film changes with the monomer skeleton of a polyimide precursor, if it is the same monomer skeleton, it exists in the tendency for YI to be small, so that the weight average molecular weight of a polyimide precursor is large.

(폴리이미드 필름의 그 밖의 바람직한 특성)(Other desirable properties of polyimide film)

폴리이미드 전구체의 경화물 (즉 이미드화물) 로서 폴리이미드 필름을 유리 기판과 같은 무기 지지 기판 상에 제작했을 때, 당해 폴리이미드 필름의 막두께 10 ㎛ 에 있어서의 유리 기판과의 사이에 발생하는 잔류 응력은, 예를 들어 디스플레이 용도에 있어서의 제조상, 폴리이미드 부착의 유리 기판의 휨량 저감의 관점에서, 바람직하게는 25 ㎫ 이하, 보다 바람직하게는 23 ㎫ 이하, 더욱 바람직하게는 20 ㎫ 이하, 더욱 바람직하게는 18 ㎫ 이하, 특히 바람직하게는 16 ㎫ 이하이다.When a polyimide film is produced on an inorganic support substrate such as a glass substrate as a cured product (i.e., imidized product) of a polyimide precursor, the polyimide film has a thickness of 10 µm and is generated between the polyimide film and the glass substrate. Residual stress, for example, from the viewpoint of reducing the amount of curvature of a glass substrate with polyimide on the production side of a display use, Preferably it is 25 MPa or less, More preferably, it is 23 MPa or less, More preferably, it is 20 MPa or less, More preferably, it is 18 MPa or less, Especially preferably, it is 16 MPa or less.

또, 당해 폴리이미드 필름의 막두께 10 ㎛ 에 있어서의 인장 신도가 15 % 이상인 것이 바람직하다. 인장 신도는, 플렉시블 디스플레이의 역학 강도의 관점에서 보다 바람직하게는 20 % 이상이고, 더욱 바람직하게는 25 % 이상이고, 더욱 바람직하게는 30 % 이상이고, 더욱 바람직하게는 35 % 이상이고, 특히 바람직하게는 40 % 이상이다. 당해 폴리이미드 필름의 인장 신도는, 폴리이미드 전구체의 모노머 골격에 따라 상이하지만, 동일한 모노머 골격이면, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 클수록 인장 신도가 큰 경향이 있다.Moreover, it is preferable that the tensile elongation in the film thickness of 10 micrometers of the said polyimide film is 15 % or more. From the viewpoint of the mechanical strength of the flexible display, the tensile elongation is more preferably 20% or more, still more preferably 25% or more, still more preferably 30% or more, still more preferably 35% or more, particularly preferably In most cases, it is 40% or more. Although the tensile elongation of the said polyimide film changes with the monomer skeleton of a polyimide precursor, if it is the same monomer skeleton, there exists a tendency for tensile elongation to be large, so that the weight average molecular weight of a polyimide precursor is large.

폴리이미드 필름의 유리 전이 온도 Tg 는, 폴리이미드 상에 질화규소와 같은 무기막을 CVD 공정으로 제작할 때의 프로세스 온도가 보다 높아지는 관점에서, 360 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 400 ℃ 이상이 보다 바람직하고, 470 ℃ 이상이 더욱 바람직하다.The glass transition temperature Tg of the polyimide film is preferably 360 ° C. or higher, more preferably 400 ° C. or higher, and more preferably 470 ° C. The above is more preferable.

폴리이미드 필름은 막두께가 균일한 것이 바람직하다. 특히 폴리이미드 필름을 플렉시블 디스플레이 등의 화면의 재료로서 사용하는 경우에는, 가시광의 파장이 약 380 ㎚ 내지 약 700 ㎚ 이기 때문에 양호한 디스플레이 성능을 얻는 관점 및, 디스플레이의 제조 공정의 관점에서, 특히 높은 막두께 균일성이 요구된다. 폴리이미드 필름의 막두께 균일성 (막두께의 복수 점의 표준 편차) 은 10 ㎛ 이하가 바람직하고, 8 ㎛ 이하가 바람직하고, 5 ㎛ 이하가 바람직하고, 3 ㎛ 이하가 바람직하고, 2 ㎛ 이하가 바람직하고, 1 ㎛ 이하가 특히 바람직하고, 500 ㎚ 이하가 특히 바람직하고, 300 ㎚ 이하가 특히 바람직하다. 막두께 균일성은 작을수록 바람직하지만, 디스플레이 제조의 수율 향상의 관점에서, 예를 들어 50 ㎚ 이상, 또는 100 ㎚ 이상이어도 된다. 또한 상기 막두께 균일성은, 예를 들어 본 개시의 [실시예] 의 항에 기재된 방법으로 측정되는 복수 점의 막두께로부터 계산되는 3σ 의 값을 의미한다.It is preferable that the film thickness of a polyimide film is uniform. In particular, when a polyimide film is used as a material for a screen such as a flexible display, the wavelength of visible light is about 380 nm to about 700 nm, so from the viewpoint of obtaining good display performance and from the viewpoint of the manufacturing process of the display, a particularly high film Thickness uniformity is required. The film thickness uniformity of the polyimide film (standard deviation of multiple points of the film thickness) is preferably 10 µm or less, preferably 8 µm or less, preferably 5 µm or less, preferably 3 µm or less, and 2 µm or less. is preferably 1 µm or less, particularly preferably 500 nm or less, particularly preferably 300 nm or less. Although the film thickness uniformity is so preferable that it is small, 50 nm or more or 100 nm or more may be sufficient from a viewpoint of the yield improvement of display manufacture, for example. In addition, the said film thickness uniformity means the value of 3σ calculated from the film thickness of multiple points measured by the method described in the term of [Example] of this indication, for example.

(수지 조성물의 전단 속도 의존성)(Shear Rate Dependence of Resin Composition)

본 실시형태의 수지 조성물의 전단 속도 의존성 (TI) (이하, 간단히 TI 라고도 한다.) 은, 바람직하게는 0.9 이상 1.1 이하이다. 본 개시에서, TI 는, 수지 조성물의 점도를 23 ℃ 에서 온조기 부착 점도계 (토키 산업사 제조 TVE-35H) 로 측정했을 때에, 측정 회전수 a (rpm) 에 있어서의 점도 ηa (mPa·s) 와, 측정 회전수 b (rpm) 에 있어서의 점도 ηb (mPa·s) (단, a * 10 = b 이다) 로부터, 하기 식 : The shear rate dependence (TI) (hereinafter, simply referred to as TI) of the resin composition of the present embodiment is preferably 0.9 or more and 1.1 or less. In the present disclosure, TI is the viscosity ηa (mPa·s) at the measurement rotation speed a (rpm) when the viscosity of the resin composition is measured with a viscometer with a temperature controller (TVE-35H manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) at 23° C. , from the viscosity ηb (mPa·s) (provided that a * 10 = b) at the measurement rotation speed b (rpm), the following formula:

TI = ηa/ηbTI = ηa/ηb

에 따라 구해지는 값이다. 측정 조건의 상세한 것은 실시예 중의 기재에서 설명한다.It is a value obtained according to Details of the measurement conditions are described in the description in Examples.

전단 속도 의존성 (TI) 은, 바람직하게는, 0.9 이상, 또는 0.95 이상, 또는 1.0 이상이고, 바람직하게는, 1.1 이하, 또는 1.05 이하, 또는 1.0 이하이다. TI 가 이 범위이면, 수지 조성물은 뉴턴 유체라고 하며, 수지 조성물을 슬릿 코트한 경우의 막두께 균일성이 양호하기 때문에 바람직하다. 막두께 균일성이 양호한 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 폴리이미드 필름은, 양호한 막두께 균일성을 갖기 때문에, 플렉시블 디스플레이 등의 화면의 재료로서 바람직하게 사용할 수 있다.The shear rate dependence (TI) is preferably 0.9 or more, or 0.95 or more, or 1.0 or more, and preferably 1.1 or less, or 1.05 or less, or 1.0 or less. When TI is this range, a resin composition is said to be a Newtonian fluid, and since the film-thickness uniformity at the time of slit-coating a resin composition is favorable, it is preferable. Since the polyimide film obtained by hardening|curing the resin composition with favorable film-thickness uniformity has favorable film-thickness uniformity, it can use suitably as a material of screens, such as a flexible display.

수지 조성물의 전단 속도 의존성이 0.9 이상 1.1 이하인 경우에 막두께 균일성이 양호해지는 상세한 이유는 불명확하지만, 이하와 같이 생각된다.Although the detailed reason for which film thickness uniformity becomes favorable when the shear rate dependence of a resin composition is 0.9 or more and 1.1 or less is not clear, it thinks as follows.

슬릿 코트에 있어서는, 도포 개시 직후의 수지 조성물에 부여되는 전단 속도가 작고, 도포를 계속했을 때의 수지 조성물에 부여되는 전단 속도가 크다. 전단 속도 의존성이 작은 (구체적으로는 TI 가 0.9 이상 1.1 이하) 경우, 도포 개시 직후와 도포를 계속했을 때의 수지 조성물의 점도의 차가 작기 때문에, 도포 방향 (MD (Machine direction)) 의 막두께 편차가 작다 (즉 도포 방향의 막두께 균일성이 양호하다). 또, 슬릿 코트 노즐이, 폭 방향 (TD (Transverse direction)) 의 어느 일단만으로부터 수지 조성물을 주입하는 사양인 경우, 슬릿 코트시에, 주입구 부근에서는 수지 조성물의 전단 속도가 크지만, 주입구와 반대측 (즉 노즐의 데드 로크측) 에서는, 수지 조성물의 전단 속도가 작아진다. 이와 같은 경우에도, 전단 속도 의존성이 작음 (구체적으로는 TI 가 0.9 이상 1.1 이하) 으로써, 폭 방향의 막두께 편차를 작게 할 수 있다. 이와 같이, 전단 속도 의존성이 작은 (구체적으로는 TI 가 0.9 이상 1.1 이하) 것은, 전단에 의한 점도에 대한 영향을 저감시켜, MD 및 TD 어느 쪽에 있어서도 막두께 편차가 작다 (즉 막두께 균일성이 양호하다) 라고 하는 이점을 부여한다.In a slit coat, the shear rate provided to the resin composition immediately after the start of application|coating is small, and the shear rate provided to the resin composition when application|coating is continued is large. When the shear rate dependence is small (specifically, TI is 0.9 or more and 1.1 or less), the difference in the viscosity of the resin composition immediately after the start of application and when the application is continued is small, so the film thickness variation in the application direction (MD (Machine direction)) is small (that is, the film thickness uniformity in the application direction is good). In addition, when the slit coat nozzle has a specification for injecting the resin composition from only one end in the transverse direction (TD), the shear rate of the resin composition is large in the vicinity of the injection port during slit coating, but on the opposite side to the injection port (that is, on the deadlock side of a nozzle), the shear rate of a resin composition becomes small. Even in such a case, since the shear rate dependence is small (specifically, TI is 0.9 or more and 1.1 or less), the film thickness dispersion|variation in the width direction can be made small. As described above, the small shear rate dependence (specifically, TI of 0.9 or more and 1.1 or less) reduces the influence on the viscosity due to shear, and the film thickness variation is small in both MD and TD (that is, the film thickness uniformity is good).

수지 조성물의 전단 속도 의존성은, 수지 조성물의 합성 방법과 상관이 있다고 생각된다.It is thought that the shear rate dependence of a resin composition has correlation with the synthesis|combining method of a resin composition.

예를 들어, 반응 용기에, 산 2 무수물, 디아민, 및 구조에 의해 산 2 무수물 또는 디아민일 수 있는 실리콘 오일의 모두를 첨가하고 가열하여 반응하고 있는 경우와, 그 디아민에, 용매에 용해시킨 그 산 2 무수물과, 용매에 용해시킨 그 실리콘 오일을, 실온에서 시간을 들여 소량씩 적하하고, 조금씩 반응시키는 경우를 비교하면, 전자의 경우, 모노머 (즉 산 2 무수물, 디아민 및 실리콘 오일) 중, 보다 반응성이 높은 것 (산성 또는 염기성이 높은 것, 입체 장해가 작은 것 등) 부터 반응하고, 폴리이미드 전구체는 블록 폴리머가 되기 쉬운 경향이 있다. 한편, 후자의 경우, 산 2 무수물 및 실리콘 오일을 용매에 용해시키고, 소량씩 적하하고 있기 때문에, 각 모노머가 반응성 등에 관계없이 반응할 수 있고, 폴리이미드 전구체는 랜덤 폴리머가 되기 쉬운 경향이 있다. 이와 같이 상기의 전자와 후자에서는, 생성물의 폴리머 구성이 상이하다고 생각된다. 그리고 블록 폴리머 (전자) 의 경우, 폴리머 중에서 특정한 모노머가 모여 있기 때문에, 폴리머 사슬 사이에서 분자 간 상호 작용이 발생하기 쉬워지거나, 폴리머의 유연성이 저해되기 때문에 폴리머 사슬끼리에서 스택하기 쉬워진다고 생각된다. 결과적으로, 수지 조성물의 전단 속도 의존성이 커진다고 생각된다. 한편, 후자의 경우에는, 각 모노머가 순서적으로 결합하고 있고, 분자 간 상호 작용 등이 발생하기 어렵기 때문에, 전단 속도 의존성이 작다고 생각된다.For example, when all of an acid dianhydride, a diamine, and a silicone oil which may be an acid dianhydride or a diamine depending on the structure are added to the reaction vessel and reacted by heating, and the diamine dissolved in a solvent Comparing the case where acid dianhydride and the silicone oil dissolved in the solvent are added dropwise at room temperature over time and reacted little by little, in the former case, among monomers (ie, acid dianhydride, diamine and silicone oil), It reacts with those with higher reactivity (such as those with higher acidity or basicity, and those with less steric hindrance), and the polyimide precursor tends to become a block polymer. On the other hand, in the latter case, since acid dianhydride and silicone oil are dissolved in a solvent and dripped in small amounts, each monomer can react regardless of reactivity or the like, and the polyimide precursor tends to become a random polymer. As described above, in the former and the latter, it is considered that the polymer composition of the product is different. And in the case of a block polymer (the former), since specific monomers are gathered in the polymer, intermolecular interaction between polymer chains is likely to occur, or polymer flexibility is impaired, so it is thought that stacking between polymer chains becomes easy. As a result, it is thought that the shear rate dependence of a resin composition becomes large. On the other hand, in the latter case, it is considered that the shear rate dependence is small because the respective monomers are sequentially bonded and intermolecular interaction or the like does not easily occur.

또, 전자의 경우, 모노머를 모두 첨가하여 가열하고 있기 때문에, 특히 일부의 산 2 무수물은, 폴리머 사슬과 반응하기 전에, 열에 의해 산 2 무수물기가 개환한다고 생각된다. 산 2 무수물기가 개환하여 디카르복실기가 되면, 산 2 무수물기에 비해 반응성이 낮아지기 때문에, 폴리이미드 전구체의 분자량이 작아진다고 생각된다. 한편, 후자의 경우, 산 2 무수물을 용매에 용해시키고, 실온에서 소량씩 적하하기 때문에, 산 2 무수물기가 개환하지 않고 폴리머 사슬과 반응하는 것이 가능해져, 분자량이 커진다고 생각된다.Moreover, in the former case, since all monomers are added and heated, it is thought that acid dianhydride group ring-opens with a heat|fever before especially a part of acid dianhydride reacts with a polymer chain. Since reactivity becomes low compared with an acid dianhydride group when an acid dianhydride group is ring-opening and becomes a dicarboxyl group, it is thought that the molecular weight of a polyimide precursor becomes small. On the other hand, in the latter case, in order to melt|dissolve acid dianhydride in a solvent and to drip it little by little at room temperature, it becomes possible to react with a polymer chain without an acid dianhydride group ring-opening, and it is thought that molecular weight becomes large.

(수지 조성물의 슬릿 코트 특성)(Slit Coat Characteristics of Resin Composition)

폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물의 슬릿 노즐에 의한 코트 특성 (슬릿 코트 특성) 은, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량 및 수지 조성물의 고형분 함유량과 상관이 있다. 폴리이미드 전구체가 저분자량인 경우, 및/또는 수지 조성물이 저고형분 함유량인 경우에는, 노즐로부터의 액누설이 발생하기 쉽고, 한편, 폴리이미드 전구체가 고분자량인 경우, 및/또는 수지 조성물이 고고형분 함유량인 경우에는, 노즐 선단에서 바니시의 막힘이 발생하기 쉽다. 따라서, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은, 고형분 함유량을 제어함으로써 원하는 슬릿 코트 특성이 얻어지는 범위로 제어하는 것이 바람직하다.The coating characteristic (slit-coat characteristic) by the slit nozzle of the resin composition containing a polyimide precursor correlates with the weight average molecular weight of a polyimide precursor, and solid content content of a resin composition. When the polyimide precursor has a low molecular weight and/or when the resin composition has a low solid content, liquid leakage from the nozzle tends to occur, while when the polyimide precursor has a high molecular weight, and/or the resin composition has a high In the case of solid content, clogging of the varnish is likely to occur at the tip of the nozzle. Therefore, it is preferable to control the weight average molecular weight of a polyimide precursor in the range from which a desired slit-coat characteristic is obtained by controlling solid content.

(도막의 에지 특성)(Edge characteristics of coating film)

폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물을 슬릿 코트하여 건조 도막을 형성할 때, 폴리이미드 전구체가 저분자량인 경우, 및/또는 수지 조성물이 저고형분 함유량인 경우에는, 에지의 처짐이 발생하기 쉽고, 한편, 폴리이미드 전구체가 고분자량인 경우, 및/또는 수지 조성물이 고고형분 함유량인 경우에는, 에지 비드 (즉 에지의 융기) 가 발생하기 쉽다. 따라서, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량은, 고형분 함유량을 제어함으로써 원하는 에지 특성이 얻어지는 범위로 제어하는 것이 바람직하다.When the resin composition containing the polyimide precursor is slit-coated to form a dry coating film, when the polyimide precursor has a low molecular weight and/or when the resin composition has a low solid content, sagging of the edges tends to occur, while , when the polyimide precursor has a high molecular weight, and/or when the resin composition has a high solid content, edge beads (ie, ridges of the edges) are likely to occur. Therefore, it is preferable to control the weight average molecular weight of a polyimide precursor in the range from which a desired edge characteristic is acquired by controlling solid content content.

일 양태에 있어서, 수지 조성물의 고형분 함유량은, 10 질량% ∼ 25 질량% 이다. 수지 조성물을 슬릿 코트할 때의 설정 가능한 코트 갭 (즉, 슬릿 코트 노즐 선단과 기판의 갭) 은, 수지 조성물의 고형분 함유량과 상관하고, 수지 조성물에 포함되는 고형분의 종류가 동일하면, 수지 조성물의 고형분 함유량이 작을수록 코트 갭을 크게 할 수 있는 경향이 있다. 양호한 코팅의 관점에서 코트 갭은 큰 편이 바람직하고, 예를 들어, 코트 갭이 50 ㎛ 이상이면, 기판 사이즈가 비교적 큰 경우에도 슬릿 노즐과 기판의 충돌을 회피할 수 있다. 수지 조성물의 고형분 함유량이 10 질량% ∼ 25 질량% 인 경우, 폴리이미드 전구체의 종류 및 분자량을 선택하여 목적의 코트 갭을 실현할 수 있다. 수지 조성물의 바람직한 고형분 함유량은, 원하는 용도, 폴리이미드 전구체의 종류 및 분자량, 수지 조성물이 포함할 수 있는 용매의 종류 등에 따라 상이해도 된다.One aspect WHEREIN: Solid content content of a resin composition is 10 mass % - 25 mass %. The settable coating gap (that is, the gap between the tip of the slit coat nozzle and the substrate) when slit-coating the resin composition is correlated with the solid content of the resin composition, and if the type of solid content contained in the resin composition is the same, There exists a tendency which can enlarge a coat gap, so that solid content content is small. From the viewpoint of good coating, it is preferable that the coat gap is large, for example, if the coat gap is 50 μm or more, collision of the slit nozzle with the substrate can be avoided even when the substrate size is relatively large. When solid content of a resin composition is 10 mass % - 25 mass %, the kind and molecular weight of a polyimide precursor can be selected and the objective coat gap can be implement|achieved. The preferable solid content of a resin composition may differ according to a desired use, the kind and molecular weight of a polyimide precursor, the kind of solvent which the resin composition can contain, etc.

고형분 함유량의 하한의 바람직한 예는, 11 질량%, 12 질량%, 13 질량%, 14 질량%, 15 질량%, 16 질량%, 17 질량%, 18 질량%, 19 질량%, 20 질량%, 21 질량%, 22 질량%, 23 질량%, 또는 24 질량% 이다.Preferred examples of the lower limit of the solid content are 11 mass%, 12 mass%, 13 mass%, 14 mass%, 15 mass%, 16 mass%, 17 mass%, 18 mass%, 19 mass%, 20 mass%, 21 mass%, 22 mass%, 23 mass%, or 24 mass%.

고형분 함유량의 상한의 바람직한 예는, 24 질량%, 23 질량%, 22 질량%, 21 질량%, 20 질량%, 19 질량%, 18 질량%, 17 질량%, 16 질량%, 15 질량%, 14 질량%, 13 질량%, 12 질량%, 또는 11 질량% 이다.Preferred examples of the upper limit of the solid content are 24 mass%, 23 mass%, 22 mass%, 21 mass%, 20 mass%, 19 mass%, 18 mass%, 17 mass%, 16 mass%, 15 mass%, 14 mass%, 13 mass%, 12 mass%, or 11 mass%.

바람직한 일 양태에 있어서, 고형분 농도는, 10 ∼ 20 질량% 이고, 10 ∼ 15 질량% 가 더욱 바람직하다.A preferable aspect WHEREIN: Solid content concentration is 10-20 mass %, and 10-15 mass % is more preferable.

바람직한 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체는, 식 (3) : In a preferable aspect, a polyimide precursor is Formula (3):

[화학식 8][Formula 8]

Figure pat00012
Figure pat00012

{식 중, R3 및 R4 의 각각은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족 탄화수소기, 또는 탄소수 6 ∼ 10 의 1 가의 방향족기를 나타내고, 그리고 m 은, 1 ∼ 200 의 정수이다.} 으로 나타내는 구조를 갖는다.{wherein, each of R 3 and R 4 , when there is a plurality, each independently represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200 It is an integer of } has a structure represented by .

R3 및 R4 가 탄소수 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 6 ∼ 10 의 1 가의 방향족기인 것은, 지지체와의 사이에 발생하는 잔류 응력 및 Rth 를 저감시킬 수 있는 폴리이미드를 얻는 관점에서 유리하다. R3 및 R4 의 바람직한 구조로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 페닐기 등을 들 수 있다.R 3 and R 4 are a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, from the viewpoint of obtaining a polyimide capable of reducing residual stress and Rth generated between the support and the support. It is advantageous. A methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a phenyl group etc. are mentioned as a preferable structure of R< 3 > and R< 4 >.

m 은, 지지체와의 사이에 발생하는 잔류 응력 및 Rth 를 저감시킬 수 있는 폴리이미드를 얻는 관점에서, 1 ∼ 200 이고, 바람직하게는, 1 이상, 또는 3 이상, 또는 5 이상, 바람직하게는, 200 이하, 또는 180 이하, 또는 160 이하이다.m is 1-200, preferably 1 or more, or 3 or more, or 5 or more, from the viewpoint of obtaining a polyimide capable of reducing the residual stress and Rth generated between the support and the support body, preferably, 200 or less, or 180 or less, or 160 or less.

폴리이미드 전구체는 식 (3) 의 구조를 분자 중의 어느 부위에 가져도 되지만, 실록산 모노머의 종류, 비용의 관점에서, 식 (3) 의 구조는 디아민 성분 유래인 것이 바람직하다. 폴리이미드 전구체 전체 질량에서 차지하는, 식 (3) 으로 나타내는 구조 부위의 비율은, 지지체와의 사이에 발생하는 잔류 응력 및 Rth 를 저감시키는 관점에서, 바람직하게는 5 질량% 이상, 보다 바람직하게는 6 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 7 질량% 이상이고, 얻어지는 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 투명성, 및 내열성의 관점에서, 바람직하게는 40 질량% 이하, 보다 바람직하게는 30 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 25 질량% 이하이다.Although a polyimide precursor may have the structure of Formula (3) in any site|part in a molecule|numerator, it is preferable that the structure of Formula (3) is derived from a diamine component from a viewpoint of the kind and cost of a siloxane monomer. From a viewpoint of reducing the residual stress and Rth which generate|occur|produce between a support body, and the ratio of the structural site|part represented by Formula (3) in the polyimide precursor total mass, Preferably it is 5 mass % or more, More preferably, 6 It is mass % or more, More preferably, it is 7 mass % or more, From a viewpoint of transparency and heat resistance of the hardened|cured material (for example, polyimide film) obtained, Preferably it is 40 mass % or less, More preferably, it is 30 mass % or less. , More preferably, it is 25 mass % or less.

전형적인 양태에 있어서, 상기 식 (1) 로 나타내는 구조의 폴리이미드 전구체는, R1 기를 포함하는 디아민 성분과, R2 기를 포함하는 산 2 무수물 성분의 중합물이다.A typical aspect WHEREIN: The polyimide precursor of the structure shown by the said Formula (1) is a polymer of the diamine component containing R< 1 > group, and the acid dianhydride component containing R< 2 > group.

R2 기를 포함하는 산 2 무수물로는, 피로멜리트산 2 무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 무수물, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-시클로헥센-1,2디카르복실산 무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카르복실산 2 무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2 무수물, 메틸렌-4,4'-디프탈산 2 무수물, 1,1-에틸리덴-4,4'-디프탈산 2 무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-디프탈산 2 무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-디프탈산 2 무수물, 1,3-트리메틸렌-4,4'-디프탈산 2 무수물, 1,4-테트라메틸렌-4,4'-디프탈산 2 무수물, 1,5-펜타메틸렌-4,4'-디프탈산 2 무수물, 4,4'-옥시디프탈산 2 무수물, p-페닐렌비스(트리멜리테이트산 무수물), 티오-4,4'-디프탈산 2 무수물, 술포닐-4,4'-디프탈산 2 무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 2 무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 2 무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 2 무수물, 1,3-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 2 무수물, 1,4-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 2 무수물, 비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 2 무수물, 비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 2 무수물, 2,2-비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 2 무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 2 무수물, 비스(3,4-디카르복시페녹시)디메틸실란 2 무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 2 무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,7,8-페난트렌테트라카르복실산 2 무수물 등을 예시할 수 있다.Examples of the acid dianhydride containing the R 2 group include pyromellitic dianhydride, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic Acid dianhydride, 4,4′-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-cyclohexene-1,2 Dicarboxylic acid anhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2',3,3' -benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, methylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1-ethylidene-4 ,4'-diphthalic dianhydride, 2,2-propylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-trimethylene-4 ,4'-diphthalic dianhydride, 1,4-tetramethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,5-pentamethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 4,4'-oxydi Phthalic dianhydride, p-phenylenebis(trimellitate anhydride), thio-4,4'-diphthalic dianhydride, sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-bis(3, 4-dicarboxyphenyl)benzene dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1,4-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1, 3-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, 1,4-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, Bis[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, 2,2-bis[3-(3 ,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride, 2,2-bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenoxy)dimethyl silane dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride; 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6- Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,7,8-phenane Trentetracarboxylic dianhydride etc. can be illustrated.

그 중에서도, 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 및 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA) 은, 폴리이미드 전구체의 소정의 중량 평균 분자량의 범위 내에서 수지 조성물의 고형분 함유량을 제어한 경우에, 양호한 슬릿 코트 성능, 그리고, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 양호한 기계 특성, 광학 특성, 및 높은 유리 전이 온도가 용이하게 얻어지는 관점에서 바람직하다. 일 양태에 있어서, 식 (1) 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체는, 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체이다. 일 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체는, 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체이다. 또한 일 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체는, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체이다.Especially, when pyromellitic dianhydride (PMDA) and biphenyl tetracarboxylic dianhydride (BPDA) control solid content of a resin composition within the range of the predetermined weight average molecular weight of a polyimide precursor, favorable It is preferable from a viewpoint of slit coat performance and favorable mechanical properties and optical properties of hardened|cured material (for example, a polyimide film), and a high glass transition temperature being obtained easily. 1 aspect WHEREIN: The polyimide precursor which has a structure represented by Formula (1) is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride and diamine. 1 aspect WHEREIN: A polyimide precursor is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride containing pyromellitic dianhydride (PMDA), and diamine. Moreover, one aspect WHEREIN: A polyimide precursor is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride containing 3,3',4,4'- biphenyltetracarboxylic dianhydride, and diamine.

특정 양태에 있어서, 전체 산 2 무수물 중의, 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 및 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA) 의 합계 함유량은, 양호한 슬릿 코트 성능, 그리고, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 양호한 두께 방향 리타데이션 (Rth), 황색도 (YI), 유리 전이 온도 Tg, 및 신도를 얻는 관점에서, 바람직하게는 60 몰% 이상, 보다 바람직하게는 80 몰% 이상, 특히 바람직하게는 100 몰% 이다.A specific aspect WHEREIN: The total content of pyromellitic dianhydride (PMDA) and biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) in all acid dianhydrides has favorable slit-coat performance, and hardened|cured material (for example, From the viewpoint of obtaining good thickness direction retardation (Rth), yellowness (YI), glass transition temperature Tg, and elongation of the mid film), preferably 60 mol% or more, more preferably 80 mol% or more, particularly preferably It is usually 100 mol%.

특정 양태에 있어서, 전체 산 2 무수물 중의, 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 의 함유량은, 양호한 슬릿 코트 성능, 그리고, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 양호한 유리 전이 온도 Tg 를 얻는 관점에서, 0 몰% 이상이 바람직하고, 10 몰% 이상이 바람직하고, 20 몰% 이상이 바람직하고, 100 몰% 이하가 바람직하고, 90 몰% 이하가 바람직하다.A specific aspect WHEREIN: Content of pyromellitic dianhydride (PMDA) in all acid dianhydride is a viewpoint of obtaining favorable slit-coat performance and favorable glass transition temperature Tg of hardened|cured material (for example, polyimide film). , 0 mol% or more is preferable, 10 mol% or more is preferable, 20 mol% or more is preferable, 100 mol% or less is preferable, and 90 mol% or less is preferable.

특정 양태에 있어서, 전체 산 2 무수물 중의, 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA) 의 함유량은, 양호한 슬릿 코트 성능, 그리고, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 양호한, 두께 방향 리타데이션 (Rth), 황색도 (YI), 및 신도를 얻는 관점에서, 0 몰% 이상이 바람직하고, 10 몰% 이상이 바람직하고, 20 몰% 이상이 바람직하고, 100 몰% 이하가 바람직하고, 90 몰% 이하가 바람직하다.Specific aspect WHEREIN: Content of biphenyl tetracarboxylic dianhydride (BPDA) in all acid dianhydride is favorable thickness direction retardation of slit-coat performance and hardened|cured material (for example, polyimide film). From the viewpoint of obtaining (Rth), yellowness (YI), and elongation, 0 mol% or more is preferable, 10 mol% or more is preferable, 20 mol% or more is preferable, 100 mol% or less is preferable, and 90 mol% or less is preferable. mol% or less is preferable.

특정 양태에 있어서, 산 2 무수물 중의, 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) : 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA) 의 함유 비율은, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 양호한 두께 방향 리타데이션 (Rth), 황색도 (YI) 와 유리 전이 온도로 대표되는 내열성을 양립시키는 관점에서, 20 : 80 ∼ 80 : 20 이 바람직하고, 30 : 70 ∼ 70 : 30 이 보다 바람직하다. 특정 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체는, 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체이고, 그 테트라카르복실산 2 무수물이, 피로멜리트산 2 무수물 및 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물을, 피로멜리트산 2 무수물 : 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물의 몰비 20 : 80 ∼ 80 : 20, 보다 바람직하게는 30 : 70 ∼ 70 : 30 으로 포함한다.A specific aspect WHEREIN: The content ratio of pyromellitic dianhydride (PMDA):biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) in acid dianhydride is favorable thickness direction retardation of hardened|cured material (for example, polyimide film) From a viewpoint of making the heat resistance typified by dation (Rth), yellowness (YI), and glass transition temperature compatible, 20:80-80:20 is preferable and 30:70-70:30 are more preferable. A specific aspect WHEREIN: A polyimide precursor is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride and diamine, The tetracarboxylic dianhydride is pyromellitic dianhydride and 3,3',4,4'-biphenyl For tetracarboxylic dianhydride, the molar ratio of pyromellitic dianhydride:3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride is 20:80-80:20, More preferably 30:70- 70:30 is included.

식 (1) 에 있어서의 R1 기를 포함하는 디아민으로는, 디아미노디페닐술폰 (예를 들어 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰), p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,3'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노비페닐, 3,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 4,4-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 1,4-비스(3-아미노프로필디메틸실릴)벤젠 등을 들 수 있다.Examples of the diamine containing the R 1 group in the formula (1) include diaminodiphenylsulfone (eg, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 3,3′-diaminodiphenylsulfone), p- Phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfide, 4,4' -diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3' -diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis(4-aminophenoxy) ) Benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4- Bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)biphenyl Cy)phenyl]ether, 1,4-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene, 2,2-bis (4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl)propane, 2,2-bis[4 -(4-aminophenoxy)phenyl)hexafluoropropane, 1, 4-bis(3-aminopropyl dimethylsilyl)benzene, etc. are mentioned.

식 (1) 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체를 형성하기 위해 사용하는 디아민은, 디아미노디페닐술폰 (예를 들어, 4,4'-디아미노디페닐술폰 및/또는 3,3'-디아미노디페닐술폰) 을 포함하는 것이 바람직하다.The diamine used in order to form the polyimide precursor which has a structure represented by Formula (1) is diaminodiphenylsulfone (For example, 4,4'- diaminodiphenylsulfone and/or 3,3'-dia minodiphenylsulfone).

전체 디아민 중의 디아미노디페닐술폰의 함유량은, 50 몰% 이상이 바람직하고, 70 몰% 이상이 보다 바람직하고, 90 몰% 이상이 더욱 바람직하고, 95 몰% 이상이어도 된다. 디아미노디페닐술폰의 양이 많을수록, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 황색도 (YI), 유리 전이 온도 Tg, 두께 방향 리타데이션 Rth 의 관점에서 바람직하다. 디아미노디페닐술폰으로는, 4,4'-디아미노디페닐술폰이, 황색도 (YI) 가 낮은 관점에서 특히 바람직하다.50 mol% or more is preferable, as for content of the diaminodiphenylsulfone in all diamine, 70 mol% or more is more preferable, 90 mol% or more is still more preferable, 95 mol% or more may be sufficient. It is so preferable from a viewpoint of yellowness (YI) of hardened|cured material (for example, polyimide film), glass transition temperature Tg, and thickness direction retardation Rth, so that there is much quantity of diaminodiphenyl sulfone. As diaminodiphenylsulfone, 4,4'- diaminodiphenylsulfone is especially preferable from a viewpoint of a low yellowness (YI).

바람직한 양태에 있어서, 디아미노디페닐술폰과 공중합하는 상대의 디아민으로는, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 내열성, 및 황색도 (YI) 의 관점에서, 바람직하게는 디아미드비페닐류, 보다 바람직하게는 디아미노비스(트리플루오로메틸)비페닐 (TFMB) 을 포함한다. 전체 디아민 중의 디아미노비스(트리플루오로메틸)비페닐 (TFMB) 의 함유량은, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 황색도 (YI) 의 관점에서, 바람직하게는 20 몰% 이상, 보다 바람직하게는 30 몰% 이상이고, 디아민이 디아미노디페닐술폰 등의 다른 유리한 성분을 함유할 수 있도록 하는 관점에서, 바람직하게는 80 몰% 이하, 보다 바람직하게는 70 몰% 이하이다.In a preferred embodiment, the diamine to be copolymerized with diaminodiphenylsulfone is preferably diamide biphenyls from the viewpoint of heat resistance of the cured product (eg polyimide film) and yellowness (YI). , more preferably diaminobis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB). The content of diaminobis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) in all the diamines is preferably 20 mol% or more from the viewpoint of the yellowness (YI) of the cured product (eg, polyimide film). It is preferably 30 mol% or more, and is preferably 80 mol% or less, more preferably 70 mol% or less, from the viewpoint of allowing the diamine to contain other advantageous components such as diaminodiphenylsulfone.

바람직한 양태에 있어서, 디아민은, 규소 함유 디아민을 포함한다. 보다 바람직한 양태에 있어서, 디아민은, 전술한 식 (3) 으로 나타내는 구조를 포함하는 규소 함유 디아민을 포함한다. 규소 함유 디아민으로는, 예를 들어, 하기 식 (3a) : A preferable aspect WHEREIN: Diamine contains a silicon-containing diamine. A more preferable aspect WHEREIN: Diamine contains the silicon containing diamine containing the structure represented by Formula (3) mentioned above. As the silicon-containing diamine, for example, the following formula (3a):

[화학식 9][Formula 9]

Figure pat00013
Figure pat00013

{식 중, R5 는 2 가의 탄화수소기를 나타내고, 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 복수의 R3 및 R4 의 각각은, 식 (3) 에서 정의한 것과 동일하고, 그리고 l 은 1 ∼ 200 의 정수를 나타낸다.} 로 나타내는 디아미노(폴리)실록산을 바람직하게 사용할 수 있다.{wherein, R 5 represents a divalent hydrocarbon group, may be the same as or different from each other, each of a plurality of R 3 and R 4 is the same as defined in the formula (3), and l is an integer of 1 to 200 Diamino (poly) siloxane represented by } can be preferably used.

상기 일반식 (3a) 중의 R5 의 바람직한 구조로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 페닐렌기 등을 들 수 있다. 또, 식 (3a) 중의 R3 및 R4 의 바람직한 구조로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 페닐기 등을 들 수 있다.As a preferable structure of R< 5 > in the said General formula (3a), a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a phenylene group, etc. are mentioned. Moreover, as a preferable structure of R< 3 > and R< 4 > in Formula (3a), a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a phenyl group, etc. are mentioned.

상기 식 (3a) 로 나타내는 화합물의, 수 평균 분자량은, 얻어지는 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 과 지지체 사이에 발생하는 잔류 응력의 저감의 관점에서, 바람직하게는 500 이상, 보다 바람직하게는 1,000 이상, 더욱 바람직하게는 2,000 이상이고, 얻어지는 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 투명성 (특히 저 HAZE) 의 관점에서, 바람직하게는 12,000 이하, 보다 바람직하게는 10,000 이하, 더욱 바람직하게는 8,000 이하이다.The number average molecular weight of the compound represented by the formula (3a) is preferably 500 or more, more preferably 500 or more, from the viewpoint of reducing the residual stress generated between the obtained cured product (eg, polyimide film) and the support. 1,000 or more, more preferably 2,000 or more, from the viewpoint of transparency (particularly low HAZE) of the resulting cured product (eg polyimide film), preferably 12,000 or less, more preferably 10,000 or less, still more preferably less than 8,000.

상기 식 (3a) 로 나타내는 화합물로는, 구체적으로는, 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일 (신에츠 화학사 제조 : X22-1660B-3 (수 평균 분자량 4400), X22-9409 (수 평균 분자량 1300)), 양말단 아미노 변성 디메틸실리콘 (신에츠 화학사 제조 : X22-161A (수 평균 분자량 1600), X22-161B (수 평균 분자량 3000), KF8012 (수 평균 분자량 4400), 도레이 다우코닝 제조 : BY16-835U (수 평균 분자량 900) 칫소사 제조 : 사이라프레인 FM3311 (수 평균 분자량 1000)) 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일이, 내약품성 향상, Tg 의 향상의 관점에서 바람직하다.Specific examples of the compound represented by the formula (3a) include both terminal amine-modified methylphenyl silicone oil (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.: X22-1660B-3 (number average molecular weight 4400), X22-9409 (number average molecular weight 1300)), Amino-modified dimethyl silicone at both ends (Shin-Etsu Chemical Corporation: X22-161A (number average molecular weight 1600), X22-161B (number average molecular weight 3000), KF8012 (number average molecular weight 4400), Toray Dow Corning manufacture: BY16-835U (number average molecular weight) Molecular weight 900) Chisso Corporation make: Cyraprene FM3311 (number average molecular weight 1000)) etc. are mentioned. Among these, both terminal amine-modified methylphenyl silicone oil is preferable from the viewpoint of improving chemical resistance and Tg.

규소 함유 디아민의 공중합 비율은, 전체 폴리이미드 전구체의 질량에 대하여, 0.5 ∼ 30 질량% 의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0 질량% ∼ 25 질량%, 더욱 바람직하게는 1.5 질량% ∼ 20 질량% 이다. 0.5 질량% 이상인 경우, 지지체와의 사이에 발생하는 응력의 저하 효과가 양호하다. 또한 30 질량% 이하인 경우, 얻어지는 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 투명성 (특히 저 HAZE) 이 양호하고, 높은 전광선 투과율의 실현 및 Tg 의 저하 방지의 면에서 바람직하다.As for the copolymerization ratio of silicon-containing diamine, the range of 0.5-30 mass % is preferable with respect to the mass of all the polyimide precursors, More preferably, 1.0 mass % - 25 mass %, More preferably, 1.5 mass % - 20 mass % % to be. When it is 0.5 mass % or more, the fall effect of the stress which generate|occur|produces between a support body is favorable. Moreover, when it is 30 mass % or less, transparency (especially low HAZE) of the hardened|cured material obtained (for example, a polyimide film) is favorable, and it is preferable from the point of realization of a high total light transmittance, and fall prevention of Tg.

본 실시양태에 있어서의 폴리이미드 전구체를 형성하기 위한 산 성분으로는, 그 성능을 저해하지 않는 범위에서, 산 2 무수물 (예를 들어 상기에서 예시한 테트라카르복실산 2 무수물) 에 더하여, 디카르복실산을 사용해도 된다. 즉, 본 개시의 폴리이미드 전구체는 폴리아미드이미드 전구체여도 된다. 이와 같은 폴리이미드 전구체로부터 얻어지는 필름은, 기계 신도, 유리 전이 온도 Tg, 황색도 (YI) 등의 여러 성능이 양호할 수 있다. 사용하는 디카르복실산으로는, 방향 고리를 갖는 디카르복실산 및 지환식 디카르복실산을 들 수 있다. 특히 탄소수가 8 ∼ 36 인 방향족 디카르복실산, 및 탄소수가 6 ∼ 34 인 지환식 디카르복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 화합물인 것이 바람직하다. 여기서 말하는 탄소수에는, 카르복실기에 포함되는 탄소의 수도 포함한다. 이들 중, 방향 고리를 갖는 디카르복실산이 바람직하다.As an acid component for forming the polyimide precursor in this embodiment, in the range which does not impair the performance, in addition to acid dianhydride (for example, tetracarboxylic dianhydride illustrated above), dicarboxylic acid You may use an acid. That is, a polyamideimide precursor may be sufficient as the polyimide precursor of this indication. The film obtained from such a polyimide precursor may have favorable various performances, such as mechanical elongation, glass transition temperature Tg, and yellowness (YI). As dicarboxylic acid to be used, dicarboxylic acid and alicyclic dicarboxylic acid which have an aromatic ring are mentioned. It is especially preferable that it is at least 1 compound selected from the group which consists of C8-C36 aromatic dicarboxylic acid and C6-C34 alicyclic dicarboxylic acid. The number of carbons contained in a carboxyl group is also included in carbon number here. Among these, the dicarboxylic acid which has an aromatic ring is preferable.

구체적으로는, 예를 들어 이소프탈산, 테레프탈산, 4,4'-비페닐디카르복실산, 3,4'-비페닐디카르복실산, 3,3'-비페닐디카르복실산, 1,4-나프탈렌디카르복실산, 2,3-나프탈렌디카르복실산, 1,5-나프탈렌디카르복실산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 4,4'-술포닐비스벤조산, 3,4'-술포닐비스벤조산, 3,3'-술포닐비스벤조산, 4,4'-옥시비스벤조산, 3,4'-옥시비스벤조산, 3,3'-옥시비스벤조산, 2,2-비스(4-카르복시페닐)프로판, 2,2-비스(3-카르복시페닐)프로판, 2,2'-디메틸-4,4'-비페닐디카르복실산, 3,3'-디메틸-4,4'-비페닐디카르복실산, 2,2'-디메틸-3,3'-비페닐디카르복실산, 9,9-비스(4-(4-카르복시페녹시)페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-(3-카르복시페녹시)페닐)플루오렌, 4,4'-비스(4-카르복시페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-카르복시페녹시)비페닐, 3,4'-비스(4-카르복시페녹시)비페닐, 3,4'-비스(3-카르복시페녹시)비페닐, 3,3'-비스(4-카르복시페녹시)비페닐, 3,3'-비스(3-카르복시페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-카르복시페녹시)-p-터페닐, 4,4'-비스(4-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,4'-비스(4-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,3'-비스(4-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,4'-비스(4-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,3'-비스(4-카르복시페녹시)-m-터페닐, 4,4'-비스(3-카르복시페녹시)-p-터페닐, 4,4'-비스(3-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,4'-비스(3-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,3'-비스(3-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,4'-비스(3-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,3'-비스(3-카르복시페녹시)-m-터페닐, 1,1-시클로부탄디카르복실산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, 1,2-시클로헥산디카르복실산, 4,4'-벤조페논디카르복실산, 1,3-페닐렌이아세트산, 1,4-페닐렌이아세트산 등 ; 및 국제 공개 제2005/068535호 팜플렛에 기재된 5-아미노이소프탈산 유도체 등을 들 수 있다. 이들 디카르복실산을 폴리머에 실제로 공중합시키는 경우에는, 염화티오닐 등으로부터 유도되는 산 클로라이드체, 활성 에스테르체 등의 형태로 사용해도 된다.Specifically, for example, isophthalic acid, terephthalic acid, 4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,3'-biphenyldicarboxylic acid, 1, 4-naphthalenedicarboxylic acid, 2,3-naphthalenedicarboxylic acid, 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 4,4'-sulfonylbisbenzoic acid, 3, 4'-sulfonylbisbenzoic acid, 3,3'-sulfonylbisbenzoic acid, 4,4'-oxybisbenzoic acid, 3,4'-oxybisbenzoic acid, 3,3'-oxybisbenzoic acid, 2,2-bis (4-carboxyphenyl)propane, 2,2-bis(3-carboxyphenyl)propane, 2,2'-dimethyl-4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,3'-dimethyl-4,4 '-biphenyldicarboxylic acid, 2,2'-dimethyl-3,3'-biphenyldicarboxylic acid, 9,9-bis(4-(4-carboxyphenoxy)phenyl)fluorene, 9, 9-bis(4-(3-carboxyphenoxy)phenyl)fluorene, 4,4'-bis(4-carboxyphenoxy)biphenyl, 4,4'-bis(3-carboxyphenoxy)biphenyl, 3,4'-bis(4-carboxyphenoxy)biphenyl, 3,4'-bis(3-carboxyphenoxy)biphenyl, 3,3'-bis(4-carboxyphenoxy)biphenyl, 3, 3'-bis(3-carboxyphenoxy)biphenyl, 4,4'-bis(4-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 4,4'-bis(4-carboxyphenoxy)-m-ter Phenyl, 3,4'-bis(4-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 3,3'-bis(4-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 3,4'-bis(4-carboxy Phenoxy)-m-terphenyl, 3,3'-bis(4-carboxyphenoxy)-m-terphenyl, 4,4'-bis(3-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 4,4 '-bis(3-carboxyphenoxy)-m-terphenyl, 3,4'-bis(3-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 3,3'-bis(3-carboxyphenoxy)-p -terphenyl, 3,4'-bis(3-carboxyphenoxy)-m-terphenyl, 3,3'-bis(3-carboxyphenoxy)-m-terphenyl, 1,1-cyclobutanedicar Acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 4,4'-benzophenonedicarboxylic acid, 1,3-phenylenediacetic acid, 1,4- phenylene diacetic acid; and 5-aminoisophthalic acid derivatives described in International Publication No. 2005/068535 pamphlet. When actually copolymerizing these dicarboxylic acids with a polymer, you may use in the form of an acid chloride body derived from thionyl chloride etc., an active ester body, etc.

바람직한 양태에 있어서는, 폴리이미드 전구체가, 테트라카르복실산 2 무수물과, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 및 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개 이상의 디아민의 공중합체이다.In a preferred aspect, the polyimide precursor is tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 2,2'-bis(trifluoro It is a copolymer of at least one diamine selected from the group consisting of methyl)benzidine and 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene.

특히 바람직한 폴리이미드 전구체로는 하기를 들 수 있다.The following are mentioned as a especially preferable polyimide precursor.

(1) 산 2 무수물 성분이 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 및 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS) 인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 130,000, 고형분 함유량 12 ∼ 25 질량%)(1) a polycondensate of a material component in which the acid dianhydride component is pyromellitic dianhydride (PMDA) and biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS) (more preferably silver has a weight average molecular weight of 110,000 to 130,000, and a solid content of 12 to 25 mass%)

(2) 산 2 무수물 성분이 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 및 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS) 및 규소 함유 디아민인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 210,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(2) Polycondensate of a material component in which the acid dianhydride component is pyromellitic dianhydride (PMDA) and biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS) and silicon-containing diamine (More preferably, a weight average molecular weight of 110,000-210,000, solid content 10-25 mass %)

(3) 산 2 무수물 성분이 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 및 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS), 디아미노비스(트리플루오로메틸)비페닐 (TFMB) 및 규소 함유 디아민인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 250,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(3) The acid dianhydride component is pyromellitic dianhydride (PMDA) and biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS), diaminobis(trifluoromethyl) Polycondensate of a material component that is biphenyl (TFMB) and silicon-containing diamine (more preferably, a weight average molecular weight of 110,000 to 250,000, a solid content of 10 to 25 mass%)

(4) 산 2 무수물 성분이 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS) 인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 140,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(4) a polycondensate of a material component in which the acid dianhydride component is pyromellitic dianhydride (PMDA) and the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS) (more preferably, a weight average molecular weight of 110,000 to 140,000, a solid content of 10 ~ 25% by mass)

(5) 산 2 무수물 성분이 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS) 및 규소 함유 디아민인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 230,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(5) a polycondensate of a material component in which the acid dianhydride component is pyromellitic dianhydride (PMDA), the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS) and silicon-containing diamine (more preferably, a weight average molecular weight of 110,000 to 230,000) , solid content 10 to 25 mass%)

(6) 산 2 무수물 성분이 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS), 디아미노비스(트리플루오로메틸)비페닐 (TFMB) 및 규소 함유 디아민인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 250,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(6) material component in which the acid dianhydride component is pyromellitic dianhydride (PMDA), the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS), diaminobis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) and silicon-containing diamine of polycondensate (more preferably, a weight average molecular weight of 110,000 to 250,000, and a solid content of 10 to 25 mass%)

(7) 산 2 무수물 성분이 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS) 인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 120,000, 고형분 함유량 20 ∼ 25 질량%)(7) a polycondensate of a material component in which the acid dianhydride component is biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS) (more preferably, a weight average molecular weight of 110,000 to 120,000; Solid content 20-25 mass %)

(8) 산 2 무수물 성분이 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS) 및 규소 함유 디아민인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 160,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(8) a polycondensate of a material component in which the acid dianhydride component is biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS) and silicon-containing diamine (more preferably, a weight average molecular weight) 110,000 to 160,000, solid content 10 to 25 mass%)

(9) 산 2 무수물 성분이 비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 디아민 성분이 디아미노디페닐술폰 (DAS), 디아미노비스(트리플루오로메틸)비페닐 (TFMB) 및 규소 함유 디아민인 재료 성분의 중축합물 (보다 바람직하게는, 중량 평균 분자량 110,000 ∼ 240,000, 고형분 함유량 10 ∼ 25 질량%)(9) The acid dianhydride component is biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), the diamine component is diaminodiphenylsulfone (DAS), diaminobis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB), and silicon-containing diamine Polycondensate of phosphorus material component (more preferably, weight average molecular weight 110,000-240,000, solid content 10-25 mass %)

상기 (1) ∼ (9) 의 중축합물의 재료 성분에 있어서, 규소 함유 디아민은, 바람직하게는 전술한 식 (3a) 로 나타내는 디아미노(폴리)실록산 (바람직하게는 수 평균 분자량 500 ∼ 12,000 의 것) 이고, 보다 바람직하게는 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일이다.In the material component of the polycondensate of the above (1) to (9), the silicon-containing diamine is preferably diamino(poly)siloxane represented by the above formula (3a) (preferably having a number average molecular weight of 500 to 12,000) ), and more preferably both terminal amine-modified methylphenyl silicone oil.

[폴리이미드 전구체의 제조][Preparation of polyimide precursor]

본 실시형태의 폴리이미드 전구체는, 산 2 무수물 성분과 디아민 성분을 포함하는 중축합 성분을 중축합 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 바람직한 양태에 있어서, 중축합 성분은, 산 2 무수물 성분과 디아민 성분으로 이루어진다. 중축합 반응은, 적당한 용매 중에서 실시하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 용매에 소정량의 디아민 성분을 용해시킨 후, 얻어진 디아민 용액에, 산 2 무수물을 소정량 첨가하고, 교반하는 방법을 들 수 있다.The polyimide precursor of this embodiment is compoundable by making the polycondensation component containing an acid dianhydride component and a diamine component polycondensate. A preferable aspect WHEREIN: A polycondensation component consists of an acid dianhydride component and a diamine component. It is preferable to carry out a polycondensation reaction in a suitable solvent. Specifically, for example, after dissolving a predetermined amount of the diamine component in a solvent, a predetermined amount of acid dianhydride is added to the obtained diamine solution, and the method of stirring is mentioned.

폴리이미드 전구체를 합성할 때의 산 2 무수물 성분과 디아민 성분의 몰비는, 폴리이미드 전구체 수지의 고분자량화, 수지 조성물의 슬릿 코팅 특성의 관점에서, 산 2 무수물 : 디아민 = 100 : 90 ∼ 100 : 110 (산 2 무수물 1 몰부에 대하여 디아민 0.90 ∼ 1.10 몰부) 의 범위로 하는 것이 바람직하고, 100 : 95 ∼ 100 : 105 (산 2 무수물 1 몰부에 대하여 디아민 0.95 ∼ 1.05 몰부) 의 범위로 하는 것이 더욱 바람직하다.The molar ratio of the acid dianhydride component and the diamine component at the time of synthesize|combining a polyimide precursor is acid dianhydride:diamine=100:90-100: from a viewpoint of high molecular weight-ization of polyimide precursor resin, and the slit coating characteristic of a resin composition: 110 (0.90 to 1.10 mole parts of diamine with respect to 1 mole part of acid dianhydride), and more preferably 100:95 to 100:105 (0.95 to 1.05 mole parts of diamine with respect to 1 mole part of acid dianhydride) desirable.

폴리이미드 전구체의 분자량은, 산 2 무수물 성분과 디아민 성분의 종류, 산 2 무수물 성분과 디아민 성분의 비의 조정, 말단 봉지제의 첨가, 반응 조건의 조정 등에 의해 컨트롤하는 것이 가능하다. 산 2 무수물 성분과 디아민 성분의 비가 1 : 1 에 가까울수록, 및 말단 봉지제의 사용량이 적을수록, 폴리이미드 전구체를 고분자량화할 수 있다. 산 2 무수물 성분 및 디아민 성분으로서 고순도품을 사용하는 것이 추천된다. 그 순도로는, 각각, 98 질량% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 99 질량% 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 99.5 질량% 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또, 산 2 무수물 성분 및 디아민 성분에 있어서의 수분 함량을 저감시킴으로써, 고순도화할 수도 있다. 복수 종류의 산 2 무수물 성분 또는 디아민 성분을 병용하는 경우에는, 산 2 무수물 성분 또는 디아민 성분의 전체로서 상기의 순도를 가지고 있으면 충분하지만, 사용하는 전종류의 산 2 무수물 성분 및 디아민 성분이, 각각 상기의 순도를 가지고 있는 것이 바람직하다.The molecular weight of a polyimide precursor can be controlled by the kind of an acid dianhydride component and a diamine component, adjustment of ratio of an acid dianhydride component and a diamine component, addition of a terminal blocker, adjustment of reaction conditions, etc. A polyimide precursor can be made high molecular weight, so that ratio of an acid dianhydride component and a diamine component is close to 1:1, and there is little usage-amount of a terminal blocker. It is recommended to use high-purity products as the acid dianhydride component and the diamine component. The purity is preferably 98 mass% or more, more preferably 99 mass% or more, and still more preferably 99.5 mass% or more. Moreover, it can also be highly purified by reducing the water content in an acid dianhydride component and a diamine component. When using multiple types of acid dianhydride components or diamine components together, it is enough to have said purity as the whole of an acid dianhydride component or a diamine component, However, All types of acid dianhydride components and diamine components to be used are each It is preferable to have the above purity.

반응의 용매로는, 산 2 무수물 성분 및 디아민 성분, 그리고 발생한 폴리이미드 전구체를 용해시킬 수 있고, 고분자량의 중합체가 얻어지는 용매이면 특별히 제한은 되지 않는다. 이와 같은 용매의 구체예로는, 예를 들어, 비프로톤성 용매, 페놀계 용매, 에테르 및 글리콜계 용매 등을 들 수 있다. 이들의 구체예로는, 상기 비프로톤성 용매로서 예를 들어, N,N-디메틸포름아미드 (DMF), N,N-디메틸아세트아미드 (DMAc), N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), N-메틸카프로락탐, 1,3-디메틸이미다졸리디논, 테트라메틸우레아, 하기 일반식 (4) : As a solvent of reaction, an acid dianhydride component, a diamine component, and the polyimide precursor which generate|occur|produced can be melt|dissolved, and if it is a solvent from which a high molecular weight polymer is obtained, a restriction|limiting in particular will not be carried out. Specific examples of such a solvent include, for example, an aprotic solvent, a phenolic solvent, an ether, and a glycol-based solvent. Specific examples thereof include, for example, N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-dimethylacetamide (DMAc), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) as the aprotic solvent. ), N-methylcaprolactam, 1,3-dimethylimidazolidinone, tetramethylurea, the following general formula (4):

[화학식 10][Formula 10]

Figure pat00014
Figure pat00014

식 중, R12 = 메틸기로 나타내는 에크아미드 M100 (상품명 : 이데미츠 흥산사 제조), 및, R12 = n-부틸기로 나타내는 에크아미드 B100 (상품명 : 이데미츠 흥산사 제조) 등의 아미드계 용매 ; γ-부티로락톤, γ-발레로락톤 등의 락톤계 용매 ; 헥사메틸포스포릭아미드, 헥사메틸포스핀트리아미드 등의 함인계 아미드계 용매 ; 디메틸술폰, 디메틸술폭시드, 술포란 등의 함황계 용매 ; 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논 등의 케톤계 용매 ; 피콜린, 피리딘 등의 3 급 아민계 용매 ; 아세트산(2-메톡시-1-메틸에틸) 등의 에스테르계 용매 등을 : 상기 페놀계 용매로서 예를 들어, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-자일레놀, 2,4-자일레놀, 2,5-자일레놀, 2,6-자일레놀, 3,4-자일레놀, 3,5-자일레놀 등을 : 상기 에테르 및 글리콜계 용매로서 예를 들어, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 1,2-비스(2-메톡시에톡시)에탄, 비스[2-(2-메톡시에톡시)에틸]에테르, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산 등을, 각각 들 수 있다. 이들 용매는, 단독으로 또는 2 종류 이상 혼합하여 사용해도 된다.amide solvents such as Ecamide M100 (trade name: manufactured by Idemitsu Kogsan Co., Ltd.) represented by R 12 = methyl group, and Ecamide B100 (trade name: Idemitsu Kogsan Co., Ltd.) represented by R 12 = n-butyl group; lactone solvents such as γ-butyrolactone and γ-valerolactone; phosphorus-containing amide solvents such as hexamethylphosphoricamide and hexamethylphosphine triamide; sulfur-containing solvents such as dimethyl sulfone, dimethyl sulfoxide and sulfolane; ketone solvents such as cyclohexanone and methylcyclohexanone; tertiary amine solvents such as picoline and pyridine; Ester solvents such as acetic acid (2-methoxy-1-methylethyl), etc.: Examples of the phenolic solvent include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, and 2,3-xylenol. , 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, etc.: as the ether and glycol solvents For example, 1,2-dimethoxyethane, bis(2-methoxyethyl)ether, 1,2-bis(2-methoxyethoxy)ethane, bis[2-(2-methoxyethoxy)ethyl ] Ether, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, etc. are mentioned, respectively. You may use these solvents individually or in mixture of 2 or more types.

폴리이미드 전구체의 합성에 사용되는 용매의 상압에 있어서의 비점은, 60 ∼ 300 ℃ 가 바람직하고, 140 ∼ 280 ℃ 가 보다 바람직하고, 170 ∼ 270 ℃ 가 특히 바람직하다. 용매의 비점이 300 ℃ 보다 높으면, 건조 공정이 장시간 필요해진다. 한편으로 용매의 비점이 60 ℃ 보다 낮으면, 건조 공정 중에, 수지막의 표면에 있어서의 거침의 발생, 수지막 중으로의 기포의 혼입 등이 일어나, 균일한 필름이 얻어지지 않는 경우가 있다. 특히, 비점이 170 ∼ 270 ℃ 이고, 및/또는 20 ℃ 에 있어서의 증기압이 250 Pa 이하인 용매를 사용하는 것이, 용해성 및 도공시 에지 크레이터링의 관점에서 바람직하다. 보다 구체적으로는, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), γ-부티로락톤 (GBL), 및 상기 일반식 (4) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상이 바람직하다.60-300 degreeC is preferable, as for the boiling point in normal pressure of the solvent used for the synthesis|combination of a polyimide precursor, 140-280 degreeC is more preferable, 170-270 degreeC is especially preferable. When the boiling point of a solvent is higher than 300 degreeC, a drying process becomes necessary for a long time. On the other hand, when the boiling point of the solvent is lower than 60°C, roughness occurs on the surface of the resin film, mixing of air bubbles into the resin film, etc. occur during the drying step, and a uniform film may not be obtained. In particular, it is preferable to use a solvent having a boiling point of 170 to 270°C and/or a solvent having a vapor pressure of 250 Pa or less at 20°C from the viewpoints of solubility and edge repelling during coating. More specifically, at least one selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), γ-butyrolactone (GBL), and a compound represented by the general formula (4) is preferable.

용매 중의 수분 함량은, 양호한 중축합 반응의 진행의 관점에서, 예를 들어 3,000 질량 ppm 이하인 것이 바람직하다. 또, 본 실시양태에 있어서의 수지 조성물 중, 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은, 5 질량% 미만인 것이 바람직하다. 수지 조성물 중에 분자량 1,000 미만의 분자가 존재하는 것은, 합성시에 사용하는 용매나 원료 (산 2 무수물, 디아민) 의 수분량이 관여하고 있기 때문이라고 생각된다. 즉, 일부의 산 2 무수물 모노머의 산 무수물기가 수분에 의해 가수 분해하여 카르복실기가 되고, 고분자량화하지 않고 저분자 상태로 잔존하는 것에 의한다고 생각된다. 따라서, 상기의 중축합 반응에 사용하는 용매의 수분량은 적을수록 바람직하다. 용매의 수분량은, 3,000 질량 ppm 이하로 하는 것이 바람직하고, 1,000 질량 ppm 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 동일하게, 원료에 포함되는 수분량에 대해서도, 3,000 질량 ppm 이하로 하는 것이 바람직하고, 1,000 질량 ppm 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the water content in a solvent is 3,000 mass ppm or less from a viewpoint of advancing favorable polycondensation reaction, for example. Moreover, in the resin composition in this embodiment, it is preferable that content of the molecule|numerator of molecular weight less than 1,000 is less than 5 mass %. It is thought that the presence of a molecule|numerator of molecular weight less than 1,000 in a resin composition is because the water content of the solvent used at the time of synthesis|combination, and raw material (acid dianhydride, diamine) is involved. That is, the acid anhydride group of some acid dianhydride monomers hydrolyzes with water|moisture content, becomes a carboxyl group, and it is thought based on what remains in a low molecular state, without making it high molecular weight. Therefore, it is so preferable that the water content of the solvent used for the said polycondensation reaction is small. It is preferable to set it as 3,000 mass ppm or less, and, as for the moisture content of a solvent, it is more preferable to set it as 1,000 mass ppm or less. Similarly, it is preferable to set it as 3,000 mass ppm or less also about the moisture content contained in a raw material, and it is more preferable to set it as 1,000 mass ppm or less.

용매의 수분량은, 사용하는 용매의 그레이드 (탈수 그레이드, 범용 그레이드 등), 용매 용기 (병, 18 L 캔, 캐니스터캔 등), 용매의 보관 상태 (희가스 봉입의 유무 등), 개봉으로부터 사용까지의 시간 (개봉 후 바로 사용하는지, 개봉 후 시간 경과한 후에 사용하는지 등) 등이 관여한다고 생각된다. 또, 합성 전의 반응기의 희가스 치환, 합성 중의 희가스 유통의 유무 등도 관여한다고 생각된다. 따라서, 폴리이미드 전구체의 합성시에는, 원료로서 고순도품을 사용하고, 수분량이 적은 용매를 사용함과 함께, 반응 전 및 반응 중에 계 내에 환경으로부터의 수분이 혼입하지 않는 조치를 강구하는 것이 추천된다.The water content of the solvent depends on the grade of the solvent used (dehydration grade, general-purpose grade, etc.), solvent container (bottle, 18 L can, canister can, etc.), storage condition of the solvent (whether or not sealed with noble gas, etc.), from opening to use. Time (whether to use immediately after opening, whether to use after time has elapsed after opening, etc.) is considered to be involved. Moreover, it is thought that the rare gas substitution of the reactor before synthesis|combination, the presence or absence of the rare gas flow|circulation during synthesis|combination, etc. are also involved. Therefore, when synthesizing the polyimide precursor, it is recommended to use a high-purity product as a raw material, use a solvent with a low water content, and take measures to prevent moisture from the environment from entering the system before and during the reaction.

용매 중에 각 중축합 성분을 용해시킬 때에는, 필요에 따라 가열해도 된다. 중합도가 높은 폴리이미드 전구체가 얻어진다는 관점에서, 폴리이미드 전구체 합성시의 바람직한 반응 온도로는, 0 ℃ ∼ 120 ℃, 또는 40 ℃ ∼ 100 ℃, 또는 60 ∼ 100 ℃ 를 예시할 수 있고, 바람직한 중합 시간으로는, 1 ∼ 100 시간, 또는 2 ∼ 10 시간을 예시할 수 있다. 중합 시간을 1 시간 이상으로 함으로써 균일한 중합도의 폴리이미드 전구체가 되고, 100 시간 이하로 함으로써 중합도가 높은 폴리이미드 전구체를 얻을 수 있다.When dissolving each polycondensation component in a solvent, you may heat as needed. From a viewpoint that a polyimide precursor with a high degree of polymerization is obtained, as a preferable reaction temperature at the time of polyimide precursor synthesis, 0 degreeC - 120 degreeC, or 40 degreeC - 100 degreeC, or 60-100 degreeC can be illustrated, Preferred polymerization As time, 1 to 100 hours or 2 to 10 hours can be illustrated. By making polymerization time into 1 hour or more, it becomes a polyimide precursor of a uniform polymerization degree, and by setting it as 100 hours or less, a polyimide precursor with a high polymerization degree can be obtained.

본 실시형태의 수지 조성물은, 식 (1) 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체와, 다른 추가의 폴리이미드 전구체의 조합이어도 되지만, 추가의 폴리이미드 전구체의 질량 비율은, 경화물 (예를 들어 폴리이미드 필름) 의 황색도 (YI) 및 전광선 투과율의 산소 의존성의 저감의 관점에서, 수지 조성물 중의 폴리이미드 전구체의 총량에 대하여, 30 질량% 이하인 것이 바람직하고, 10 질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.The resin composition of this embodiment may be a combination of a polyimide precursor having a structure represented by Formula (1) and another additional polyimide precursor, but the mass ratio of the additional polyimide precursor is From the viewpoint of reducing the oxygen dependence of the yellowness (YI) and total light transmittance of the mid film), it is preferably 30 mass % or less, and more preferably 10 mass % or less with respect to the total amount of the polyimide precursor in the resin composition.

본 실시형태의 바람직한 양태에 있어서, 폴리이미드 전구체는, 그 일부가 이미드화되어 있어도 된다. 부분 이미드화된 폴리이미드 전구체에 의하면, 수지 조성물의 실온 보관시의 점도 안정성을 향상시킬 수 있다. 이 경우의 이미드화율은, 수지 조성물 중에서의 폴리이미드 전구체의 용해성과 용액의 보존 안정성의 밸런스를 취하는 관점에서, 바람직하게는 5 % 이상, 보다 바람직하게는 8 % 이상이고, 바람직하게는 80 % 이하, 보다 바람직하게는 70 % 이하, 더욱 바람직하게는 50 % 이하이다. 이 부분 이미드화는, 폴리이미드 전구체를 가열하여 탈수 폐환함으로써 얻어진다. 이 가열은, 바람직하게는 120 ∼ 200 ℃, 보다 바람직하게는 150 ∼ 180 ℃ 의 온도에 있어서, 바람직하게는 15 분 ∼ 20 시간, 보다 바람직하게는 30 분 ∼ 10 시간 실시할 수 있다. 또, 상기 서술한 반응에 의해 얻어진 폴리아미드산에, N,N-디메틸포름아미드디메틸아세탈 또는 N,N-디메틸포름아미드디에틸아세탈을 첨가하고 가열하여, 카르복실산의 일부 또는 전부를 에스테르화한 후에, 본 실시형태에 있어서의 폴리이미드 전구체로서 사용함으로써, 실온 보관시의 점도 안정성이 향상된 수지 조성물을 얻을 수도 있다. 이들 에스테르 변성 폴리아미드산은, 그 밖에, 상기 서술한 산 2 무수물 성분을, 산 무수물기에 대하여 1 당량의 1 가의 알코올, 및 염화티오닐, 디시클로헥실카르보디이미드 등의 탈수 축합제와 순차적으로 반응시킨 후, 디아민 성분과 축합 반응시키는 방법에 의해서도 얻을 수 있다.A preferable aspect of this embodiment WHEREIN: As for the polyimide precursor, the part may be imidated. According to the partially imidated polyimide precursor, the viscosity stability at the time of room temperature storage of a resin composition can be improved. The imidation ratio in this case is preferably 5% or more, more preferably 8% or more, and preferably 80% from the viewpoint of balancing the solubility of the polyimide precursor in the resin composition and storage stability of the solution. Below, more preferably, it is 70 % or less, More preferably, it is 50 % or less. This partial imidation is obtained by heating a polyimide precursor and dehydrating and ring-closing. This heating becomes like this. Preferably it is a temperature of 120-200 degreeC, More preferably, it is 150-180 degreeC. WHEREIN: Preferably it is 15 minutes - 20 hours, More preferably, it can perform 30 minutes - 10 hours. In addition, N,N-dimethylformamide dimethyl acetal or N,N-dimethylformamide diethyl acetal is added to the polyamic acid obtained by the reaction described above and heated to esterify part or all of the carboxylic acid. After carrying out, the resin composition in which the viscosity stability at the time of room temperature storage improved can also be obtained by using as a polyimide precursor in this embodiment. In addition, these ester-modified polyamic acids react sequentially with the above-mentioned acid dianhydride component with 1 equivalent of monohydric alcohol with respect to the acid anhydride group, and a dehydration-condensing agent such as thionyl chloride and dicyclohexylcarbodiimide. After making it, it can obtain also by the method of making a diamine component and a condensation reaction.

일 양태에 있어서, 수지 조성물은 용매를 포함한다. 용매로는, 폴리이미드 전구체의 용해성이 양호하며, 또한 수지 조성물의 용액 점도를 적절히 제어할 수 있는 것이 바람직하고, 상기 폴리이미드 전구체의 반응 용매를, 조성물의 용매로서 사용할 수 있다. 그 중에서도, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), γ-부티로락톤 (GBL), 상기 일반식 (4) 로 나타내는 화합물 등이 바람직하다. 용매 조성의 구체예로는, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP) 단독, 또는 N-메틸-2-피롤리돈 (NMP) 과 γ-부티로락톤 (GBL) 의 혼합 용매 (예를 들어, NMP : GBL (질량비) = 10 : 90 ∼ 90 : 10) 등을 들 수 있다.In one aspect, the resin composition includes a solvent. As a solvent, it is preferable that the solubility of a polyimide precursor is favorable and can control the solution viscosity of a resin composition suitably, and the reaction solvent of the said polyimide precursor can be used as a solvent of a composition. Among them, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), γ-butyrolactone (GBL), a compound represented by the general formula (4), and the like are preferable. As a specific example of the solvent composition, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) alone or a mixed solvent of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and γ-butyrolactone (GBL) (eg, For example, NMP:GBL (mass ratio)=10:90-90:10) etc. are mentioned.

[추가의 성분][additional ingredients]

본 실시형태의 수지 조성물은, (a) 폴리이미드 전구체, 및 (b) 용매에 더하여 추가의 성분을 포함해도 된다. 추가의 성분으로는, (c) 계면 활성제, (d) 알콕시실란 화합물 등을 들 수 있다.The resin composition of this embodiment may contain the further component in addition to (a) a polyimide precursor and (b) a solvent. As an additional component, (c) surfactant, (d) an alkoxysilane compound, etc. are mentioned.

((c) 계면 활성제)((c) surfactant)

본 실시형태의 수지 조성물에, 계면 활성제를 첨가함으로써, 그 수지 조성물의 도포성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, 도공막에 있어서의 줄무늬의 발생을 방지할 수 있다.By adding surfactant to the resin composition of this embodiment, the applicability|paintability of the resin composition can be improved. Specifically, generation|occurrence|production of the stripe in a coating film can be prevented.

이와 같은 계면 활성제는, 예를 들어, 실리콘계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제, 이들 이외의 비이온 계면 활성제 등을 들 수 있다. 이들의 예로는, 실리콘계 계면 활성제로서 예를 들어, 오르가노실록산 폴리머 KF-640, 642, 643, KP341, X-70-092, X-70-093 (이상, 상품명, 신에츠 화학 공업사 제조), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (이상, 상품명, 도레이·다우코닝·실리콘사 제조), SILWET L-77, L-7001, FZ-2105, FZ-2120, FZ-2154, FZ-2164, FZ-2166, L-7604 (이상, 상품명, 니혼 유니카사 제조), DBE-814, DBE-224, DBE-621, CMS-626, CMS-222, KF-352A, KF-354L, KF-355A, KF-6020, DBE-821, DBE-712 (Gelest), BYK-307, BYK-310, BYK-378, BYK-333 (이상, 상품명, 빅케미·재팬 제조), 그라놀 (상품명, 쿄에이샤 화학사 제조) 등을 ; 불소계 계면 활성제로서 예를 들어, 메가팍 F171, F173, R-08 (다이닛폰 잉크 화학 공업 주식회사 제조, 상품명), 플로라드 FC4430, FC4432 (스미토모 쓰리엠 주식회사, 상품명) 등을 ; 이들 이외의 비이온 계면 활성제로서 예를 들어, 폴리옥시에틸렌우라릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르 등을, 각각 들 수 있다.Examples of such surfactants include silicone-based surfactants, fluorine-based surfactants, and nonionic surfactants other than these surfactants. Examples of these include, as silicone surfactants, organosiloxane polymers KF-640, 642, 643, KP341, X-70-092, X-70-093 (above, trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Industries, Ltd.), SH -28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (above, trade names, manufactured by Toray Dow Corning Silicon Corporation), SILWET L-77, L-7001, FZ-2105, FZ-2120, FZ-2154, FZ-2164, FZ-2166, L-7604 (above, trade name, manufactured by Nippon Unica), DBE-814, DBE-224, DBE-621, CMS-626, CMS-222, KF-352A, KF-354L, KF-355A, KF-6020, DBE-821, DBE-712 (Gelest), BYK-307, BYK-310, BYK-378, BYK-333 (or above, brand name) , Big Chemie Japan), Granol (trade name, Kyoeisha Chemical Co., Ltd. make) etc.; As a fluorochemical surfactant, Megapac F171, F173, R-08 (made by Dainippon Ink Chemical Industries, Ltd., brand name), Florad FC4430, FC4432 (Sumitomo 3M Corporation, brand name) etc. are, for example; As nonionic surfactants other than these, polyoxyethylene uraryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether, etc. are mentioned, respectively, for example.

이들 계면 활성제 중에서도, 수지 조성물의 도공성 (줄무늬 억제) 의 관점에서, 실리콘계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제가 바람직하고, 큐어 공정시의 산소 농도에 의한 황색도 (YI) 값 및 전광선 투과율에 대한 영향의 관점에서, 실리콘계 계면 활성제가 바람직하다. (c) 계면 활성제를 사용하는 경우, 그 배합량은, 수지 조성물 중의 (a) 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여, 0.001 ∼ 5 질량부가 바람직하고, 0.01 ∼ 3 질량부가 보다 바람직하다.Among these surfactants, silicone-based surfactants and fluorine-based surfactants are preferable from the viewpoint of coatability (streak suppression) of the resin composition. From the viewpoint, silicone-based surfactants are preferred. (c) When using surfactant, 0.001-5 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of (a) polyimide precursors in a resin composition, and, as for the compounding quantity, 0.01-3 mass parts is more preferable.

(d) 알콕시실란 화합물(d) alkoxysilane compounds

본 실시형태에 관련된 수지 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드 필름을 플렉시블 기판 등에 사용하는 경우, 제조 프로세스에 있어서의 지지체와 폴리이미드 필름의 양호한 밀착성을 얻는 관점에서, 그 수지 조성물은, (a) 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여, 알콕시실란 화합물을 0.01 ∼ 20 질량부 함유할 수 있다. 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대한 알콕시실란 화합물의 함유량이 0.01 질량부 이상임으로써, 지지체와 폴리이미드 필름 사이에 양호한 밀착성을 얻을 수 있다. 또한 알콕시실란 화합물의 함유량이 20 질량부 이하인 것이, 수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서 바람직하다. 알콕시실란 화합물의 함유량은, 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여, 0.02 ∼ 15 질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.05 ∼ 10 질량부인 것이 더욱 바람직하고, 0.1 ∼ 8 질량부인 것이 특히 바람직하다.When using the polyimide film obtained from the resin composition which concerns on this embodiment for a flexible board|substrate etc., from a viewpoint of obtaining favorable adhesiveness of the support body in a manufacturing process, and a polyimide film, the resin composition is (a) polyimide precursor 100 0.01-20 mass parts of alkoxysilane compounds can be contained with respect to mass part. When content of the alkoxysilane compound with respect to 100 mass parts of polyimide precursors is 0.01 mass part or more, favorable adhesiveness between a support body and a polyimide film can be acquired. Moreover, it is preferable from a viewpoint of storage stability of a resin composition that content of an alkoxysilane compound is 20 mass parts or less. It is more preferable that content of an alkoxysilane compound is 0.02-15 mass parts with respect to 100 mass parts of polyimide precursors, It is still more preferable that it is 0.05-10 mass parts, It is especially preferable that it is 0.1-8 mass parts.

또, 본 실시형태에 관련된 수지 조성물의 첨가제로서 알콕시실란 화합물을 사용함으로써, 상기의 밀착성의 향상에 더하여, 수지 조성물의 도공성 (줄무늬 불균일 억제) 의 향상, 및, 얻어지는 경화막의 황색도 (YI) 값의 큐어시 산소 농도 의존성의 저감도 가능하다.Moreover, by using an alkoxysilane compound as an additive of the resin composition which concerns on this embodiment, in addition to said adhesive improvement, the improvement of coatability (streak nonuniformity suppression) of a resin composition, and yellowness (YI) of the cured film obtained It is also possible to reduce the dependence of the oxygen concentration upon curing the value.

알콕시실란 화합물로는, 예를 들어, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 비스(2-하이드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리프로폭시실란, γ-아미노프로필트리부톡시실란, γ-아미노에틸트리에톡시실란, γ-아미노에틸트리프로폭시실란, γ-아미노에틸트리부톡시실란, γ-아미노부틸트리에톡시실란, γ-아미노부틸트리메톡시실란, γ-아미노부틸트리프로폭시실란, γ-아미노부틸트리부톡시실란, 페닐실란트리올, 트리메톡시페닐실란, 트리메톡시(p-톨릴)실란, 디페닐실란디올, 디메톡시디페닐실란, 디에톡시디페닐실란, 디메톡시디-p-톨릴실란, 트리페닐실란올 및 하기 구조의 각각으로 나타내는 알콕시실란 화합물 등을 들 수 있고, 이들로부터 선택되는 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.Examples of the alkoxysilane compound include 3-ureidopropyltriethoxysilane, bis(2-hydroxyethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ -Aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltripropoxysilane, γ-aminopropyltributoxysilane, γ-aminoethyltriethoxysilane, γ-aminoethyltripropoxysilane, γ-aminoethyltribu Toxysilane, γ-aminobutyltriethoxysilane, γ-aminobutyltrimethoxysilane, γ-aminobutyltripropoxysilane, γ-aminobutyltributoxysilane, phenylsilane triol, trimethoxyphenylsilane, Trimethoxy(p-tolyl)silane, diphenylsilanediol, dimethoxydiphenylsilane, diethoxydiphenylsilane, dimethoxydi-p-tolylsilane, triphenylsilanol and an alkoxysilane compound represented by each of the following structures etc. are mentioned, It is preferable to use 1 or more types chosen from these.

[화학식 11][Formula 11]

Figure pat00015
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본 실시형태에 있어서의 수지 조성물의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 이하의 방법에 의할 수 있다.The manufacturing method of the resin composition in this embodiment is not specifically limited, For example, it can depend on the following method.

(a) 폴리이미드 전구체를 합성했을 때에 사용한 용매와, (b) 수지 조성물에 함유시키는 용매가 동일한 경우에는, 합성한 폴리이미드 전구체 용액을 그대로 수지 조성물로 할 수 있다. 또, 필요에 따라, 실온 (25 ℃) ∼ 80 ℃ 의 온도 범위에서, (a) 폴리이미드 전구체에 (b) 용매, 및 추가의 성분의 1 종 이상을 첨가하고, 교반 혼합한 후에, 수지 조성물로서 사용해도 된다. 이 교반 혼합에는, 교반 날개를 구비한 쓰리원 모터 (신토 화학 주식회사 제조), 자전 공전 믹서 등의 적절한 장치를 사용할 수 있다. 또한 필요에 따라 40 ∼ 100 ℃ 의 열을 가해도 된다.(a) When the solvent used when synthesize|combining a polyimide precursor and the solvent contained in (b) resin composition are the same, the synthesize|combined polyimide precursor solution can be used as a resin composition as it is. Moreover, as needed, in the temperature range of room temperature (25 degreeC) - 80 degreeC, after adding and stirring and mixing 1 or more types of (b) a solvent and an additional component to (a) polyimide precursor, the resin composition may be used as For this stirring and mixing, an appropriate device such as a three-one motor provided with stirring blades (manufactured by Shinto Chemical Co., Ltd.) and an autorotation revolving mixer can be used. Moreover, you may apply the heat|fever of 40-100 degreeC as needed.

한편, (a) 폴리이미드 전구체를 합성했을 때에 사용한 용매와, (b) 수지 조성물에 함유시키는 용매가 상이한 경우에는, 합성한 폴리이미드 전구체 용액 중의 용매를, 예를 들어 재침전, 용매 증류 제거 등의 적절한 방법에 의해 제거하여 (a) 폴리이미드 전구체를 단리한 후에, 실온 ∼ 80 ℃ 의 온도 범위에서, (b) 용매, 및 필요에 따라 추가의 성분을 첨가하고, 교반 혼합함으로써, 수지 조성물을 조제해도 된다.On the other hand, when the solvent used when synthesize|combining (a) polyimide precursor and the solvent contained in (b) resin composition differ, the solvent in the synthesize|combined polyimide precursor solution is reprecipitated, solvent distillation, etc., for example. (a) after isolating the polyimide precursor by removing by an appropriate method of may be prepared.

상기 서술한 바와 같이 수지 조성물을 조제한 후, 그 조성물을 예를 들어 130 ∼ 200 ℃ 에 있어서 예를 들어 5 분 ∼ 2 시간 가열함으로써, 폴리머가 석출을 일으키지 않는 정도로 폴리이미드 전구체의 일부를 탈수 이미드화해도 된다. 여기서, 가열 온도 및 가열 시간을 컨트롤함으로써, 이미드화율을 제어할 수 있다. 전술한 바와 같이, 부분 이미드화된 폴리이미드 전구체에 의하면, 수지 조성물의 실온 보관시의 점도 안정성을 향상시킬 수 있다.After preparing the resin composition as mentioned above, a part of polyimide precursor is dehydrated imide by heating the composition at 130-200 degreeC for 5 minutes - 2 hours, for example, to such an extent that a polymer does not raise|generate precipitation. can be reconciled Here, the imidation rate can be controlled by controlling the heating temperature and the heating time. As described above, according to the partially imidized polyimide precursor, the viscosity stability of the resin composition during storage at room temperature can be improved.

수지 조성물의 용액 점도는, 슬릿 코트 성능의 관점에 있어서는, 500 ∼ 100,000 mPa·s 가 바람직하고, 1,000 ∼ 50,000 mPa·s 가 보다 바람직하고, 3,000 ∼ 20,000 mPa·s 가 특히 바람직하다. 구체적으로는, 슬릿 노즐로부터 액누설되기 어려운 점에서, 바람직하게는 500 mPa·s 이상, 보다 바람직하게는 1,000 mPa·s 이상, 더욱 바람직하게는 3,000 mPa·s 이상이다. 또, 슬릿 노즐이 막히기 어려운 점에서, 바람직하게는 100,000 mPa·s 이하, 보다 바람직하게는 50,000 mPa·s 이하, 더욱 바람직하게는 20,000 mPa·s 이하이다. 또, 합성시의 점도의 관점에서는, 수지 조성물의 용액 점도가 200,000 mPa·s 보다 높으면, 합성시의 교반이 곤란해진다는 문제가 발생할 우려가 있다. 단, 합성할 때에, 용액이 고점도로 되었다고 해도, 반응 종료 후에 용매를 첨가하고 교반함으로써, 취급성이 좋은 점도의 수지 조성물을 얻는 것이 가능하다. 본 개시에 있어서의 수지 조성물의 용액 점도는, E 형 점도계 (예를 들어 VISCONICEHD, 토키 산업 제조) 를 사용하여, 23 ℃ 에서 측정되는 값이다.From the viewpoint of slit coat performance, the solution viscosity of the resin composition is preferably 500 to 100,000 mPa·s, more preferably 1,000 to 50,000 mPa·s, and particularly preferably 3,000 to 20,000 mPa·s. Specifically, it is preferably 500 mPa·s or more, more preferably 1,000 mPa·s or more, and still more preferably 3,000 mPa·s or more from the viewpoint of being difficult to leak from the slit nozzle. Moreover, since the slit nozzle is hard to be clogged, Preferably it is 100,000 mPa*s or less, More preferably, it is 50,000 mPa*s or less, More preferably, it is 20,000 mPa*s or less. Moreover, from a viewpoint of the viscosity at the time of synthesis, when the solution viscosity of a resin composition is higher than 200,000 mPa*s, there exists a possibility that the problem that stirring at the time of synthesis becomes difficult may arise. However, when synthesizing, even if the solution becomes highly viscous, it is possible to obtain a resin composition having good handleability by adding and stirring a solvent after completion of the reaction. The solution viscosity of the resin composition in this indication is a value measured at 23 degreeC using the E-type viscometer (For example, VISCONICEHD, the Toki Sangyo make).

본 실시형태에 관련된 수지 조성물의 수분량은, 3,000 질량 ppm 이하인 것이 바람직하다. 수지 조성물의 수분량은, 그 수지 조성물을 보존할 때의 점도 안정성의 관점에서, 2,500 질량 ppm 이하가 바람직하고, 2,000 질량 ppm 이하가 바람직하고, 1,500 질량 ppm 이하가 바람직하고, 1,000 질량 ppm 이하인 것이 보다 바람직하고, 500 질량 ppm 이하인 것이 더욱 바람직하고, 300 질량 ppm 이하가 바람직하고, 100 질량 ppm 이하가 바람직하다.It is preferable that the moisture content of the resin composition which concerns on this embodiment is 3,000 mass ppm or less. The moisture content of the resin composition is preferably 2,500 mass ppm or less, preferably 2,000 mass ppm or less, preferably 1,500 mass ppm or less, and 1,000 mass ppm or less from the viewpoint of viscosity stability when the resin composition is stored. It is preferable, and it is more preferable that it is 500 mass ppm or less, 300 mass ppm or less is preferable, and 100 mass ppm or less is preferable.

<폴리이미드 필름의 제조 방법><The manufacturing method of a polyimide film>

본 실시형태는,This embodiment is

지지체의 표면 상에, 본 실시형태의 수지 조성물을 도포하는 도포 공정과,A coating step of applying the resin composition of the present embodiment on the surface of the support;

수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,A film forming step of heating the resin composition to form a polyimide film;

폴리이미드 필름을 지지체로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 폴리이미드 필름의 제조 방법을 제공한다.A method for producing a polyimide film comprising a peeling step of peeling the polyimide film from a support is provided.

[도포 공정][Applying process]

도포 공정에 있어서, 지지체의 표면 상에 수지 조성물을 도포한다. 지지체는, 그 후의 막 형성 공정 (가열 공정) 의 가열 온도에 있어서의 내열성을 갖고, 또한, 박리 공정에 있어서의 박리성이 양호하면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 유리 (예를 들어, 무알칼리 유리) 기판 ; 실리콘 웨이퍼 ; PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), OPP (연신 폴리프로필렌), 폴리에틸렌글리콜테레프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술폰, 폴리페닐렌술파이드 등의 수지 기판 ; 스테인리스, 알루미나, 구리, 니켈 등의 금속 기판 등이 사용된다.A coating process WHEREIN: A resin composition is apply|coated on the surface of a support body. A support body will not be specifically limited, if it has heat resistance in the heating temperature of a subsequent film formation process (heating process) and the peelability in a peeling process is favorable. For example, a glass (for example, alkali free glass) board|substrate; silicon wafer; PET (polyethylene terephthalate), OPP (stretched polypropylene), polyethylene glycol terephthalate, polyethylene glycol naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyamideimide, polyetherimide, polyetheretherketone, polyethersulfone, polyphenylene resin substrates such as sulfone and polyphenylene sulfide; Metal substrates, such as stainless steel, alumina, copper, nickel, etc. are used.

박막상의 폴리이미드 성형체를 형성하는 경우에는, 예를 들어, 유리 기판, 실리콘 웨이퍼 등이 바람직하고, 후막상의 폴리이미드 성형체 (예를 들어 후막 필름, 시트 등) 를 형성하는 경우에는, 예를 들어, PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), OPP (연신 폴리프로필렌) 등으로 이루어지는 지지체가 바람직하다.When forming a thin-film polyimide molded body, for example, a glass substrate, a silicon wafer, etc. are preferable, and when forming a thick-film-shaped polyimide molded body (for example, a thick film, a sheet, etc.), for example, , PET (polyethylene terephthalate), OPP (stretched polypropylene), etc. are preferable.

도포 방법으로는, 일반적으로는, 닥터 블레이드 나이프 코터, 에어 나이프 코터, 롤 코터, 로터리 코터, 플로우 코터, 다이 코터, 바 코터 등의 도포 방법, 스핀 코트, 스프레이 코트, 딥 코트 등의 도포 방법 ; 스크린 인쇄 및 그라비아 인쇄 등으로 대표되는 인쇄 기술 등을 들 수 있지만, 본 실시형태의 수지 조성물은, 특히, 슬릿 코트 (즉 슬릿 코터로의 도포) 에 유용하다. 도포 두께는, 원하는 폴리이미드 필름의 두께와 수지 조성물 중의 폴리이미드 전구체의 함유량에 따라 적절히 조정되어야 하는 것이지만, 바람직하게는 1 ∼ 1,000 ㎛ 정도이다. 도포 공정은, 실온에 있어서의 실시로 충분하지만, 점도를 낮춰 작업성을 좋게 하는 목적으로, 수지 조성물을 예를 들어 40 ∼ 80 ℃ 의 범위에서 가온하여 실시해도 된다.As a coating method, Generally, Coating methods, such as a doctor blade knife coater, an air knife coater, a roll coater, a rotary coater, a flow coater, a die coater, a bar coater, A coating method, such as spin coating, spray coating, and dip coating; Although the printing technique etc. typified by screen printing, gravure printing, etc. are mentioned, The resin composition of this embodiment is especially useful for slit coating (that is, application|coating to a slit coater). Although application|coating thickness should be suitably adjusted according to the thickness of a desired polyimide film, and content of the polyimide precursor in a resin composition, Preferably it is about 1-1,000 micrometers. Although implementation in room temperature is sufficient for an application|coating process, you may heat and implement a resin composition in the range of 40-80 degreeC for the purpose of lowering a viscosity and improving workability|operativity.

[임의의 건조 공정][Optional drying process]

도포 공정에 계속해서, 건조 공정을 실시해도 되고, 건조 공정을 생략하고 직접 다음의 막 형성 공정 (가열 공정) 으로 진행해도 된다. 상기 건조 공정은, 수지 조성물 중의 유기 용제 제거의 목적으로 실시된다. 건조 공정을 실시하는 경우, 예를 들어, 핫 플레이트, 박스형 건조기, 컨베이어형 건조기 등의 적절한 장치를 이용할 수 있다. 건조 공정은, 80 ∼ 200 ℃ 에서 실시하는 것이 바람직하고, 100 ∼ 150 ℃ 에서 실시하는 것이 보다 바람직하다. 건조 공정의 실시 시간은, 1 분 ∼ 10 시간으로 하는 것이 바람직하고, 3 분 ∼ 1 시간으로 하는 것이 보다 바람직하다. 상기와 같이 하여, 지지체 상에 폴리이미드 전구체를 함유하는 도막이 형성된다.Continuing to the application step, a drying step may be performed, or the drying step may be omitted and the process may proceed directly to the next film formation step (heating step). The said drying process is implemented for the objective of the organic solvent removal in a resin composition. When performing a drying process, suitable apparatuses, such as a hot plate, a box-type dryer, and a conveyor-type dryer, can be used, for example. It is preferable to implement at 80-200 degreeC, and, as for a drying process, it is more preferable to implement at 100-150 degreeC. It is preferable to set it as 1 minute - 10 hours, and, as for the implementation time of a drying process, it is more preferable to set it as 3 minutes - 1 hour. As mentioned above, the coating film containing a polyimide precursor is formed on a support body.

[막 형성 공정][Film forming process]

계속해서, 막 형성 공정 (가열 공정) 을 실시한다. 가열 공정은, 상기의 건조 공정에서 도막 중에 잔류한 유기 용제의 제거를 실시함과 함께, 도막 중의 폴리이미드 전구체의 이미드화 반응을 진행시켜, 폴리이미드 필름을 얻는 공정이다. 이 가열 공정은, 예를 들어, 이너트 가스 오븐, 핫 플레이트, 박스형 건조기, 컨베이어형 건조기 등의 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 이 공정은 상기 건조 공정과 동시에 실시해도 되고, 양공정을 축차적으로 실시해도 된다.Then, the film formation process (heating process) is implemented. A heating process is a process of advancing the imidation reaction of the polyimide precursor in a coating film, and obtaining a polyimide film while removing the organic solvent which remained in the coating film at the said drying process. This heating process can be implemented using apparatuses, such as an inert gas oven, a hot plate, a box-type dryer, and a conveyor-type dryer, for example. This process may be performed simultaneously with the said drying process, and you may implement both processes sequentially.

가열 공정은, 공기 분위기하에서 실시해도 되지만, 안전성과, 얻어지는 폴리이미드 필름의 양호한 투명성, 낮은 두께 방향 리타데이션 (Rth) 및 낮은 황색도 (YI) 를 얻는 관점에서, 불활성 가스 분위기하에서 실시하는 것이 추천된다. 불활성 가스로는, 예를 들어, 질소, 아르곤 등을 들 수 있다. 가열 온도는, 폴리이미드 전구체의 종류, 및 수지 조성물 중의 용매의 종류에 따라 적절히 설정되어도 되지만, 250 ℃ ∼ 550 ℃ 가 바람직하고, 300 ∼ 450 ℃ 가 보다 바람직하다. 250 ℃ 이상이면 이미드화가 양호하게 진행되고, 550 ℃ 이하이면 얻어지는 폴리이미드 필름의 투명성의 저하, 내열성의 악화 등의 문제를 회피할 수 있다. 가열 시간은, 0.1 ∼ 10 시간 정도로 하는 것이 바람직하다.Although the heating process may be performed in an air atmosphere, it is recommended to carry out in an inert gas atmosphere from a viewpoint of obtaining safety, favorable transparency of the polyimide film obtained, low thickness direction retardation (Rth), and low yellowness (YI). do. As an inert gas, nitrogen, argon, etc. are mentioned, for example. Although heating temperature may be set suitably according to the kind of a polyimide precursor, and the kind of solvent in a resin composition, 250 degreeC - 550 degreeC are preferable, and 300-450 degreeC is more preferable. If it is 250 degreeC or more, imidation advances favorably, and if it is 550 degrees C or less, problems, such as a fall of transparency of the polyimide film obtained, and deterioration of heat resistance, can be avoided. The heating time is preferably about 0.1 to 10 hours.

본 실시형태에서는, 상기의 가열 공정에 있어서의 주위 분위기의 산소 농도는, 얻어지는 폴리이미드 필름의 투명성 및 황색도 (YI) 값의 관점에서, 2,000 질량 ppm 이하가 바람직하고, 100 질량 ppm 이하가 보다 바람직하고, 10 질량 ppm 이하가 더욱 바람직하다. 산소 농도가 2,000 질량 ppm 이하의 분위기 중에서 가열을 실시함으로써, 얻어지는 폴리이미드 필름의 황색도 (YI) 값을 30 이하로 할 수 있다.In this embodiment, 2,000 mass ppm or less is preferable from a viewpoint of transparency of the polyimide film obtained, and yellowness (YI) value, and, as for the oxygen concentration of the ambient atmosphere in said heating process, 100 mass ppm or less is more It is preferable, and 10 mass ppm or less is more preferable. When an oxygen concentration heats in an atmosphere of 2,000 mass ppm or less, the yellowness (YI) value of the polyimide film obtained can be 30 or less.

[박리 공정][Peeling process]

이어서, 박리 공정에서는, 지지체 상의 폴리이미드 필름을, 예를 들어 실온 ∼ 50 ℃ 정도까지 냉각한 후에 박리한다. 이 박리 공정으로는, 예를 들어 하기의 (1) ∼ (4) 의 양태를 들 수 있다.Next, at a peeling process, after cooling the polyimide film on a support body to about room temperature - about 50 degreeC, it peels. As this peeling process, the aspect of following (1)-(4) is mentioned, for example.

(1) 상기 방법에 의해, 폴리이미드 필름/지지체를 포함하는 구성체를 제작한 후, 그 구조체의 지지체측으로부터 레이저를 조사하여, 지지체와 폴리이미드 필름의 계면을 어블레이션 가공함으로써, 폴리이미드 수지를 박리하는 방법. 레이저의 종류로는, 고체 (YAG) 레이저, 가스 (UV 엑시머) 레이저 등을 들 수 있다. 파장 308 ㎚ 등의 스펙트럼을 사용하는 것이 바람직하다 (일본 공표특허공보 2007-512568, 일본 공표특허공보 2012-511173 등을 참조).(1) After producing a structure including a polyimide film/support by the above method, a laser is irradiated from the support side of the structure, and the interface between the support and the polyimide film is ablated to produce a polyimide resin How to peel. As a kind of laser, a solid-state (YAG) laser, a gas (UV excimer) laser, etc. are mentioned. It is preferable to use a spectrum with a wavelength of 308 nm or the like (refer to Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-512568, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-511173, etc.).

(2) 지지체에 수지 조성물을 도공하기 전에, 지지체에 박리층을 형성하고, 그 후 폴리이미드 필름/박리층/지지체를 포함하는 구성체를 얻고, 폴리이미드 필름을 박리하는 방법. 박리층으로는, 파릴렌 (등록상표, 니혼 파릴렌 합동회사 제조), 산화텅스텐을 사용하는 방법 ; 식물유계, 실리콘계, 불소계, 알키드계 등의 이형제를 사용하는 방법 등을 들 수 있다 (일본 공개특허공보 2010-67957, 일본 공개특허공보 2013-179306 등을 참조).(2) Before coating a resin composition on a support body, a peeling layer is formed in a support body, After that, the structural body containing a polyimide film / peeling layer / support body is obtained, and the method of peeling a polyimide film. As the release layer, parylene (registered trademark, manufactured by Nippon Parylene Co., Ltd.) and tungsten oxide are used; and a method using a release agent such as vegetable oil, silicone, fluorine, or alkyd (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-67957, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-179306, etc.).

이 방법 (2) 와 상기 (1) 의 레이저 조사를 병용해도 된다.You may use this method (2) and the laser irradiation of said (1) together.

(3) 지지체로서 에칭 가능한 금속 기판을 사용하여, 폴리이미드 필름/지지체를 포함하는 구성체를 얻은 후, 에천트로 금속을 에칭함으로써, 폴리이미드 필름을 얻는 방법. 금속으로는, 예를 들어, 구리 (구체예로는, 미츠이 금속 광업 주식회사 제조의 전해 동박 「DFF」), 알루미늄 등을 사용할 수 있다. 에천트로는, 구리에 대해서는 염화 제 2 철 등을, 알루미늄에 대해서는 희염산 등을 사용할 수 있다.(3) A method of obtaining a polyimide film by using an etchable metal substrate as a support to obtain a structure including a polyimide film/support, and then etching the metal with an etchant. As a metal, copper (As a specific example, the electrolytic copper foil "DFF" manufactured by Mitsui Metals Mining Co., Ltd.), aluminum, etc. can be used, for example. As the etchant, ferric chloride or the like for copper and dilute hydrochloric acid or the like can be used for aluminum.

(4) 상기 방법에 의해, 폴리이미드 필름/지지체를 포함하는 구성체를 얻은 후, 폴리이미드 필름 표면에 점착 필름을 첩부하고, 지지체로부터 점착 필름/폴리이미드 필름을 분리하고, 그 후 점착 필름으로부터 폴리이미드 필름을 분리하는 방법.(4) By the above method, after obtaining a structure including a polyimide film/support body, the adhesive film is affixed to the surface of the polyimide film, the adhesive film/polyimide film is separated from the support body, and then the polyimide film is separated from the adhesive film How to separate the mid film.

이들 박리 방법 중에서도, 얻어지는 폴리이미드 필름의 표리의 굴절률차, 황색도 (YI) 값, 및 신도의 관점에서, 방법 (1) 또는 (2) 가 적절하고, 얻어지는 폴리이미드 필름의 표리의 굴절률차의 관점에서 방법 (1), 즉, 박리 공정에 앞서, 지지체측으로부터 레이저를 조사하는 조사 공정을 실시하는 것이 보다 적절하다.Among these peeling methods, method (1) or (2) is suitable from the viewpoint of the refractive index difference of the front and back of the polyimide film obtained, the yellowness (YI) value, and the elongation. From the viewpoint of the method (1), that is, prior to the peeling step, it is more appropriate to perform an irradiation step of irradiating a laser from the support side.

또한, 방법 (3) 에 있어서, 지지체로서 구리를 사용한 경우에는, 얻어지는 폴리이미드 필름의 황색도 (YI) 값이 커지고, 신도가 작아지는 경향이 보인다. 이것은, 구리 이온의 영향이라고 생각된다.Moreover, in the method (3), when copper is used as a support body, the yellowness (YI) value of the polyimide film obtained becomes large, and the tendency for elongation to become small is seen. This is considered to be the influence of copper ions.

상기의 방법에 의해 얻어지는 폴리이미드 필름의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 1 ∼ 200 ㎛ 의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛ 이다.Although the thickness of the polyimide film obtained by said method is not specifically limited, It is preferable that it is the range of 1-200 micrometers, More preferably, it is 5-100 micrometers.

<폴리이미드 필름의 용도><Use of polyimide film>

본 실시형태에 관련된 폴리이미드 전구체로부터 얻어지는 폴리이미드 필름은, 예를 들어, 반도체 절연막, TFT-LCD 절연막, 전극 보호막 등으로서 적용할 수 있는 것 외에, 플렉시블 디바이스의 제조에 있어서, 특히 TFT 기판이나 컬러 필터 기판, 터치 패널 기판으로서 바람직하게 이용할 수 있다. 여기서, 본 실시형태에 관련된 폴리이미드 필름을 적용 가능한 플렉시블 디바이스로는, 예를 들어, 플렉시블 디스플레이용 TFT 디바이스, 플렉시블 태양 전지, 플렉시블 터치 패널, 플렉시블 조명, 플렉시블 배터리, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 컬러 필터, 스마트폰 전용 표면 커버 렌즈 등을 들 수 있다.The polyimide film obtained from the polyimide precursor which concerns on this embodiment is applicable as a semiconductor insulating film, a TFT-LCD insulating film, an electrode protective film, etc., for example, and manufacture of a flexible device WHEREIN: In particular, a TFT substrate and a color It can use suitably as a filter board|substrate and a touchscreen board|substrate. Here, as a flexible device to which the polyimide film which concerns on this embodiment is applicable, For example, TFT device for flexible displays, a flexible solar cell, a flexible touch panel, a flexible illumination, a flexible battery, a flexible printed circuit board, a flexible color filter, A surface cover lens for exclusive use of a smartphone, etc. are mentioned.

폴리이미드 필름을 사용한 플렉시블 기판 상에 TFT 를 형성하는 공정은, 전형적으로는, 150 ∼ 650 ℃ 의 넓은 범위의 온도에서 실시된다. 구체적으로는 아모르퍼스 실리콘을 사용한 TFT 디바이스를 제작하는 경우에는, 일반적으로 250 ℃ ∼ 350 ℃ 의 프로세스 온도가 필요해지고, 본 실시형태의 폴리이미드 필름은 그 온도에 견딜 수 있을 필요가 있기 때문에, 구체적으로는 프로세스 온도 이상의 유리 전이 온도, 열 분해 개시 온도를 갖는 폴리머 구조를 적절히 선택할 필요가 있다.The process of forming TFT on the flexible substrate using a polyimide film is typically performed at the temperature of the wide range of 150-650 degreeC. In the case of producing a TFT device using amorphous silicon specifically, in general, a process temperature of 250°C to 350°C is required, and since the polyimide film of the present embodiment needs to be able to withstand the temperature, specifically As such, it is necessary to appropriately select a polymer structure having a glass transition temperature equal to or higher than the process temperature and a thermal decomposition initiation temperature.

금속 산화물 반도체 (IGZO 등) 를 사용한 TFT 디바이스를 제작하는 경우에는, 일반적으로 320 ℃ ∼ 400 ℃ 의 프로세스 온도가 필요해지고, 본 실시형태의 폴리이미드 필름은 그 온도에 견딜 수 있을 필요가 있기 때문에, TFT 제작 프로세스 최고 온도 이상의 유리 전이 온도, 열 분해 개시 온도를 갖는 폴리머 구조를 적절히 선택할 필요가 있다.In the case of manufacturing a TFT device using a metal oxide semiconductor (IGZO or the like), a process temperature of generally 320°C to 400°C is required, and the polyimide film of the present embodiment needs to be able to withstand the temperature, It is necessary to appropriately select a polymer structure having a glass transition temperature and thermal decomposition initiation temperature equal to or higher than the TFT fabrication process maximum temperature.

저온 폴리실리콘 (LTPS) 을 사용한 TFT 디바이스를 제작하는 경우에는, 일반적으로 380 ℃ ∼ 520 ℃ 의 프로세스 온도가 필요해지고, 본 실시형태의 폴리이미드 필름은 그 온도에 견딜 수 있을 필요가 있기 때문에, TFT 제작 프로세스 최고 온도 이상의 유리 전이 온도, 열 분해 개시 온도를 적절히 선택할 필요가 있다.In the case of producing a TFT device using low-temperature polysilicon (LTPS), a process temperature of 380°C to 520°C is generally required, and the polyimide film of the present embodiment needs to be able to withstand the temperature. It is necessary to appropriately select the glass transition temperature and thermal decomposition start temperature equal to or higher than the production process maximum temperature.

한편으로, 이들 열 이력에 의해, 폴리이미드 필름의 광학 특성 (특히, 광선 투과율, 리타데이션 특성 및 황색도) 은 고온 프로세스에 노출될수록 저하되는 경향이 있다. 그러나, 본 실시형태의 폴리이미드 전구체로부터 얻어지는 폴리이미드는, 열 이력을 거쳐도 양호한 광학 특성을 갖는다.On the other hand, due to these thermal histories, the optical properties (especially light transmittance, retardation properties, and yellowness) of the polyimide film tend to deteriorate as they are exposed to a high-temperature process. However, the polyimide obtained from the polyimide precursor of this embodiment has favorable optical characteristics even if it passes through a thermal history.

이하에, 본 실시형태의 수지 조성물 및 폴리이미드 필름의 용도예로서, 디스플레이 및 적층체 그리고 이들의 제조 방법에 대하여 설명한다.Below, as a use example of the resin composition of this embodiment, and a polyimide film, a display, a laminated body, and these manufacturing methods are demonstrated.

[디스플레이 및 그 제조 방법][Display and its manufacturing method]

본 실시형태는, 본 실시형태의 수지 조성물의 경화물인 폴리이미드 필름을 포함하는 플렉시블 디바이스도 제공한다. 그 플렉시블 디바이스의 적합예는 플렉시블 디스플레이이다. 일 양태에 있어서, 폴리이미드 필름은, 광학 특성 (예를 들어 Rth 및/또는 황색도) 이 우수하다. 따라서, 바람직한 양태에 있어서, 폴리이미드 필름은, 디스플레이를 외부로부터 관찰했을 때에 시인되는 지점 (구체적으로는, 플렉시블 디스플레이의 화면 부분) 에 배치되어 있다.This embodiment also provides the flexible device containing the polyimide film which is hardened|cured material of the resin composition of this embodiment. A suitable example of the flexible device is a flexible display. In one aspect, the polyimide film is excellent in optical properties (eg, Rth and/or yellowness). Therefore, in a preferable aspect, a polyimide film is arrange|positioned at the point (specifically, the screen part of a flexible display) visually recognized when a display is observed from the outside.

본 실시형태는,This embodiment is

유리 기판 등의 지지체의 표면 상에, 본 실시형태의 수지 조성물을 도포 (바람직하게는 슬릿 코트) 하는 도포 공정과,A coating step of applying (preferably slit coating) the resin composition of the present embodiment on the surface of a support such as a glass substrate;

수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,A film forming step of heating the resin composition to form a polyimide film;

폴리이미드 필름 상에 소자를 형성하는 소자 형성 공정과,an element forming step of forming an element on a polyimide film;

소자가 형성된 폴리이미드 필름을 지지체로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는 디스플레이의 제조 방법도 제공한다.Also provided is a method for manufacturing a display including a peeling step of peeling a polyimide film having an element formed thereon from a support.

[플렉시블 유기 EL 디스플레이의 제조 방법][Method for manufacturing flexible organic EL display]

도 1 은, 본 발명의 일 양태로 제공되는 디스플레이의 예로서의 톱 이미션형의 플렉시블 유기 EL 디스플레이의 폴리이미드 기판보다 상부의 구조를 나타내는 도면이다. 도 1 의 유기 EL 구조부 (25) 를 설명하면, 예를 들어, 적색광을 발광하는 유기 EL 소자 (250a), 녹색광을 발광하는 유기 EL 소자 (250b) 및 청색광을 발광하는 유기 EL 소자 (250c) 가 1 단위로서, 매트릭스상으로 배열되어 있고, 격벽 (뱅크) (251) 에 의해, 각 유기 EL 소자의 발광 영역이 획정되어 있다. 각 유기 EL 소자는, 하부 전극 (양극) (252), 정공 수송층 (253), 발광층 (254), 상부 전극 (음극) (255) 으로 구성되어 있다. 또, 질화규소 (SiN) 나 산화규소 (SiO) 로 이루어지는 CVD 복층막 (멀티 배리어 레이어) 을 나타내는 하부층 (2a) 상에는, 유기 EL 소자를 구동하기 위한 TFT (256) (저온 폴리실리콘 (LTPS), 금속 산화물 반도체 (IGZO 등) 로부터 선택된다), 컨택트홀 (257) 을 구비한 층간 절연막 (258), 및 하부 전극 (259) 이 복수 형성되어 있다. 유기 EL 소자는 봉지 기판 (2b) 으로 봉입되어 있고, 각 유기 EL 소자와 봉지 기판 (2b) 사이에 중공부 (261) 가 형성되어 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the structure above the polyimide board|substrate of a top emission type flexible organic electroluminescent display as an example of the display provided by one aspect|mode of this invention. When the organic EL structure part 25 of FIG. 1 is described, for example, an organic EL element 250a that emits red light, an organic EL element 250b that emits green light, and an organic EL element 250c that emits blue light are As one unit, they are arranged in a matrix form, and the light emitting region of each organic EL element is defined by a partition (bank) 251 . Each organic EL element is constituted by a lower electrode (anode) 252 , a hole transport layer 253 , a light emitting layer 254 , and an upper electrode (cathode) 255 . Moreover, on the lower layer 2a which shows the CVD multilayer film (multi-barrier layer) which consists of silicon nitride (SiN) or silicon oxide (SiO), TFT 256 (low temperature polysilicon (LTPS)) for driving an organic electroluminescent element, a metal A plurality of oxide semiconductors (such as IGZO), an interlayer insulating film 258 having a contact hole 257, and a lower electrode 259 are formed. The organic EL element is sealed with a sealing substrate 2b, and a hollow portion 261 is formed between each organic EL element and the sealing substrate 2b.

플렉시블 유기 EL 디스플레이 제조 공정에는, 유리 기판 지지체 상에 폴리이미드 필름을 제작하고, 그 상부에 상기 도 1 에 나타내는 유기 EL 기판을 제조하는 공정, 봉지 기판 제조 공정, 양기판을 첩합하는 조립 공정, 및, 유리 기판 지지체로부터 폴리이미드 필름 상에 제작된 유기 EL 디스플레이를 박리하는 박리 공정이 포함된다.In the flexible organic EL display manufacturing process, a polyimide film is produced on a glass substrate support, and the organic EL substrate shown in FIG. 1 is manufactured thereon, a sealing substrate manufacturing process, an assembly process of bonding both substrates, and , a peeling step of peeling the organic EL display produced on the polyimide film from the glass substrate support is included.

유기 EL 기판 제조 공정, 봉지 기판 제조 공정, 및 조립 공정은, 주지의 제조 공정을 적용할 수 있다. 이하에서는 그 일례를 들지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 또, 박리 공정은, 상기 서술한 폴리이미드 필름의 박리 공정과 동일해도 된다.A well-known manufacturing process is applicable to an organic electroluminescent board|substrate manufacturing process, a sealing board|substrate manufacturing process, and an assembly process. Although the example is given below, it is not limited to this. Moreover, the peeling process may be the same as the peeling process of the polyimide film mentioned above.

도 1 을 참조하여, 예를 들어, 먼저, 상기 서술한 방법에 의해 유리 기판 지지체 상에 본 개시의 폴리이미드 필름을 제작하고, 그 상부에 CVD 법 또는 스퍼터법에 의해 질화규소 (SiN) 와 산화규소 (SiO) 의 복층 구조로 이루어지는 멀티 배리어 레이어 (도 1 중의 하부 기판 (2a)) 를 제작하고, 그 상부에 TFT 를 구동하기 위한 메탈 배선층을, 포토레지스트 등을 사용하여 제작한다. 그 상부에 CVD 법을 사용하여 SiO 등의 액티브 버퍼층을 제작하고, 그 상부에 금속 산화물 반도체 (IGZO), 저온 폴리실리콘 (LTPS) 등의 TFT 디바이스 (도 1 중의 TFT (256)) 를 제작한다. 플렉시블 디스플레이용 TFT 기판을 제작 후, 감광성 아크릴 수지 등으로 컨택트홀 (257) 을 구비한 층간 절연막 (258) 을 형성한다. 스퍼터법 등으로 ITO 막을 성막하고, TFT 와 쌍을 이루도록 하부 전극 (259) 을 형성한다.Referring to FIG. 1 , for example, first, a polyimide film of the present disclosure is produced on a glass substrate support by the method described above, and silicon nitride (SiN) and silicon oxide are formed thereon by a CVD method or a sputtering method. A multi-barrier layer (lower substrate 2a in FIG. 1 ) having a multilayer structure of (SiO) is prepared, and a metal wiring layer for driving the TFT is formed thereon using a photoresist or the like. An active buffer layer, such as SiO, is produced on the upper part using the CVD method, and TFT devices (TFT 256 in FIG. 1), such as a metal oxide semiconductor (IGZO) and low-temperature polysilicon (LTPS), are produced in the upper part. After the TFT substrate for flexible display is produced, an interlayer insulating film 258 having contact holes 257 is formed with a photosensitive acrylic resin or the like. An ITO film is formed by a sputtering method or the like, and the lower electrode 259 is formed so as to form a pair with the TFT.

다음으로, 감광성 폴리이미드 등으로 격벽 (뱅크) (251) 을 형성한 후, 격벽으로 구획된 각 공간 내에, 정공 수송층 (253), 발광층 (254) 을 형성한다. 또, 발광층 (254) 및 격벽 (뱅크) (251) 을 덮도록 상부 전극 (음극) (255) 을 형성한다. 그 후, 파인 메탈 마스크 등을 마스크로 하여, 적색광을 발광하는 유기 EL 재료 (도 1 중의, 적색광을 발광하는 유기 EL 소자 (250a) 에 대응), 녹색광을 발광하는 유기 EL 재료 (도 1 중의, 녹색광을 발광하는 유기 EL 소자 (250b) 에 대응) 및 청색광을 발광하는 유기 EL 재료 (도 1 중의, 청색광을 발광하는 유기 EL 소자 (250c) 에 대응) 를 공지된 방법으로 증착함으로써, 유기 EL 기판이 제작되고, 봉지 필름 등 (도 1 중의 봉지 기판 (2b)) 으로 봉지 후, 유리 기판 지지체로부터 폴리이미드 기판보다 상부의 디바이스를 레이저 박리 등의 공지된 박리 방법으로 박리함으로써 톱 이미션 타입의 플렉시블 유기 EL 디스플레이가 제작된다. 본 실시형태의 폴리이미드를 사용한 경우에는, 시스루형의 플렉시블 유기 EL 디스플레이가 제작된다. 또, 공지된 방법으로 보텀 이미션 타입의 플렉시블 유기 EL 디스플레이를 제작해도 된다.Next, after forming the barrier ribs (banks) 251 with photosensitive polyimide or the like, the hole transporting layer 253 and the light emitting layer 254 are formed in each space partitioned by the barrier ribs. Moreover, the upper electrode (cathode) 255 is formed so that the light emitting layer 254 and the partition (bank) 251 may be covered. Then, using a fine metal mask or the like as a mask, an organic EL material emitting red light (corresponding to the organic EL element 250a emitting red light in FIG. 1) and an organic EL material emitting green light (in FIG. 1, An organic EL substrate by depositing an organic EL element 250b that emits green light) and an organic EL material that emits blue light (corresponding to the organic EL element 250c that emits blue light in Fig. 1) by a known method. This is produced, and after sealing with a sealing film or the like (sealing substrate 2b in Fig. 1), the device above the polyimide substrate from the glass substrate support is peeled off by a known peeling method such as laser peeling, so that the flexible top emission type An organic EL display is fabricated. When the polyimide of this embodiment is used, a see-through type flexible organic EL display is produced. Moreover, you may produce the flexible organic electroluminescent display of a bottom emission type by a well-known method.

[플렉시블 액정 디스플레이의 제조 방법][Method for manufacturing flexible liquid crystal display]

본 실시형태의 폴리이미드 필름을 사용하여 플렉시블 액정 디스플레이를 제작할 수 있다. 구체적인 제작 방법으로는, 상기 서술한 방법으로 유리 기판 지지체 상에 본 발명으로 이루어지는 폴리이미드 필름을 제작하고, 상기 서술한 방법을 사용하여, 예를 들어 아모르퍼스 실리콘, 금속 산화물 반도체 (IGZO 등), 또는 저온 폴리실리콘으로 이루어지는 TFT 기판을 제작한다. 별도로, 본 실시형태의, 도포 공정 및 막 형성 공정에 따라, 유리 기판 지지체 상에 폴리이미드 필름을 제작하고, 공지된 방법에 따라 컬러 레지스트 등을 사용하여, 폴리이미드 필름을 구비한 컬러 필터 유리 기판 (CF 기판) 을 제작한다. TFT 기판 및 CF 기판의 일방에, 스크린 인쇄에 의해, 열 경화성 에폭시 수지 등으로 구성된 시일 재료를, 액정 주입구의 부분을 결여한 프레임상 패턴으로 도포하고, 타방의 기판에, 액정층의 두께에 상당하는 직경을 갖고, 플라스틱 또는 실리카로 구성된 구상의 스페이서를 산포한다.A flexible liquid crystal display can be produced using the polyimide film of this embodiment. As a specific manufacturing method, the polyimide film which consists of this invention on a glass substrate support body is produced by the above-mentioned method, and using the above-mentioned method, for example, amorphous silicon, a metal oxide semiconductor (IGZO, etc.), Alternatively, a TFT substrate made of low-temperature polysilicon is manufactured. Separately, according to the application process and the film formation process of this embodiment, a polyimide film is produced on a glass substrate support body, and a color resist etc. are used according to a well-known method, The color filter glass substrate provided with the polyimide film. (CF substrate) is produced. On one of the TFT substrate and the CF substrate, a sealing material composed of a thermosetting epoxy resin or the like is applied by screen printing in a frame-like pattern lacking the liquid crystal injection port, and on the other substrate, equivalent to the thickness of the liquid crystal layer. A spherical spacer made of plastic or silica is dispersed.

이어서, TFT 기판과 CF 기판을 첩합하고, 시일 재료를 경화시킨다.Next, the TFT substrate and the CF substrate are bonded, and the sealing material is cured.

마지막으로, TFT 기판 및 CF 기판 그리고 시일 재료로 둘러싸이는 공간에, 감압법에 의해 액정 재료를 주입한 후, 액정 주입구에 열 경화 수지를 도포하고, 가열에 의해 액정 재료를 봉지함으로써 액정층을 형성한다. 마지막으로, CF 측의 유리 기판과 TFT 측의 유리 기판을 레이저 박리법 등으로 폴리이미드 필름과 유리 기판의 계면에서 박리함으로써 플렉시블 액정 디스플레이를 제작할 수 있다.Finally, a liquid crystal layer is formed by injecting a liquid crystal material into the space surrounded by the TFT substrate, the CF substrate, and the sealing material by a reduced pressure method, then applying a thermosetting resin to the liquid crystal injection port and sealing the liquid crystal material by heating. do. Finally, a flexible liquid crystal display can be produced by peeling the glass substrate by the side of CF and the glass substrate by the side of TFT at the interface of a polyimide film and a glass substrate by a laser peeling method etc.

[적층체의 제조 방법][Method for producing a laminate]

본 실시형태는,This embodiment is

지지체의 표면 상에, 본 실시형태의 수지 조성물을 도포하는 도포 공정과,A coating step of applying the resin composition of the present embodiment on the surface of the support;

수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,A film forming step of heating the resin composition to form a polyimide film;

폴리이미드 필름 상에 소자를 형성하는 소자 형성 공정을 포함하는 적층체의 제조 방법도 제공한다.Also provided is a method for manufacturing a laminate including an element forming step of forming an element on a polyimide film.

적층체에 있어서의 소자로는, 상기의 플렉시블 디바이스 (예를 들어 플렉시블 디스플레이) 로서 예시한 것을 들 수 있다. 지지체로는 예를 들어 유리 기판을 사용한다. 도포 공정 및 막 형성 공정의 바람직한 구체적 순서는, 전술한 폴리이미드 필름의 제조 방법에 관하여 전술한 것과 동일하다. 또한 소자 형성 공정에 있어서는, 지지체 상에 형성된, 플렉시블 기판으로서의 폴리이미드 필름 상에, 상기의 소자를 형성한다. 그 후, 임의로 박리 공정에 있어서 폴리이미드 필름 및 소자를 지지체로부터 박리해도 된다.As an element in a laminated body, what was illustrated as said flexible device (for example, a flexible display) is mentioned. A glass substrate is used as a support body, for example. Preferred specific procedures of the application step and the film formation step are the same as those described above with respect to the method for producing the polyimide film described above. Moreover, in an element formation process, said element is formed on the polyimide film as a flexible substrate formed on the support body. Then, in a peeling process, you may peel a polyimide film and an element from a support body arbitrarily.

실시예Example

이하, 본 발명에 대하여, 실시예에 기초하여 더욱 상세히 서술하지만, 이들은 설명을 위해 기술되는 것으로서, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 실시예 및 비교예에 있어서의 각종 평가는 다음과 같이 실시하였다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but these are described for the purpose of explanation, and the scope of the present invention is not limited to the following examples. Various evaluations in Examples and Comparative Examples were performed as follows.

<중량 평균 분자량><Weight Average Molecular Weight>

중량 평균 분자량 (Mw) 및 수 평균 분자량 (Mn) 은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 로, 하기의 조건에 의해 측정하였다.The weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.

용매로서, NMP (와코 순약 공업사 제조, 고속 액체 크로마토그래프용, 측정 직전에 24.8 mmol/L 의 브롬화리튬 1 수화물 (와코 순약 공업사 제조, 순도 99.5 %) 및 63.2 mmol/L 의 인산 (와코 순약 공업사 제조, 고속 액체 크로마토그래프용) 을 첨가하여 용해시킨 것) 를 사용하였다. 중량 평균 분자량을 산출하기 위한 검량선은, 스탠다드 폴리스티렌 (토소사 제조) 을 사용하여 제작하였다.As the solvent, NMP (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., for high performance liquid chromatography, 24.8 mmol/L lithium bromide monohydrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., purity 99.5%) immediately before measurement) and 63.2 mmol/L phosphoric acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) , for high performance liquid chromatograph) was added and dissolved) was used. The calibration curve for calculating the weight average molecular weight was produced using standard polystyrene (made by Tosoh Corporation).

칼럼 : Shodex KD-806M (쇼와 전공사 제조)Column: Shodex KD-806M (manufactured by Showa Denko)

유속 : 1.0 ㎖/분Flow rate: 1.0 ml/min

칼럼 온도 : 40 ℃Column temperature: 40℃

펌프 : PU-2080Plus (JASCO 사 제조)Pump: PU-2080Plus (manufactured by JASCO)

검출기 : RI-2031Plus (RI : 시차 굴절계, JASCO 사 제조) 및 UV-2075Plus (UV-VIS : 자외 가시 흡광계, JASCO 사 제조)Detector: RI-2031Plus (RI: Differential Refractometer, manufactured by JASCO) and UV-2075Plus (UV-VIS: Ultraviolet-Visible Absorber, manufactured by JASCO)

<전단 속도 의존성 (TI) 평가><Evaluation of shear rate dependence (TI)>

실시예 및 비교예에 있어서 조제한 수지 조성물의 점도를, 23 ℃ 에 있어서, 온조기 부착 점도계 (토키 산업사 제조 TVE-35H) 를 사용하여, 측정 대상인 수지 조성물의 점도가 측정 가능한 회전 속도 및 콘 로터를 사용하여 측정하고, 전단 속도 의존성 평가를 실시하였다.The viscosity of the resin composition prepared in Examples and Comparative Examples was measured at 23°C using a viscometer with a temperature controller (TVE-35H manufactured by Toki Industries Co., Ltd.), the rotational speed and cone rotor at which the viscosity of the resin composition to be measured can be measured. was used, and shear rate dependence evaluation was performed.

구체적으로는, 측정 회전수 a (rpm) 에 있어서의 점도 ηa (mPa·s) 와, 측정 회전수 b (rpm) 에 있어서의 점도 ηb (mPa·s) 를 측정하고 (여기서 a * 10 = b 이다), 하기 식으로 나타내는 TI 를 구하였다.Specifically, the viscosity ηa (mPa·s) at the measurement rotation speed a (rpm) and the viscosity ηb (mPa·s) at the measurement rotation speed b (rpm) are measured (here, a * 10 = b ), TI represented by the following formula was obtained.

TI = ηa/ηbTI = ηa/ηb

측정 가능한 회전 속도의 구체예는, 예를 들어, 0.5, 1, 2.5, 5, 10, 20, 50, 100 rpm 이다.Specific examples of the measurable rotational speed are, for example, 0.5, 1, 2.5, 5, 10, 20, 50, 100 rpm.

측정 가능한 콘 로터의 구체예는, 예를 들어, 1°34' (콘 로터의 각도) × R24 (콘 로터의 직경), 1°34' × R12, 0.8° × R24, 0.8° × R12, 3° × R24, 3° × R12, 3° × R17.65, 3° × R14, 3° × R12, 3° × R9.7 이다.Specific examples of a measurable cone rotor are, for example, 1°34′ (angle of cone rotor) × R24 (diameter of cone rotor), 1°34′ × R12, 0.8° × R24, 0.8° × R12, 3 ° × R24, 3° × R12, 3° × R17.65, 3° × R14, 3° × R12, 3° × R9.7.

<코팅 평가><Coating evaluation>

실시예 및 비교예에 있어서 조제한 수지 조성물을, 슬릿 코터 (SCREEN 파인테크 솔루션즈 (주) 제조) 를 사용하여 300 ㎜ * 300 ㎜ 의 유리 기판에 295 ㎜ * 295 ㎜ 의 도포 면적으로 도포하고, 코팅 평가를 실시하였다.The resin composition prepared in Examples and Comparative Examples was applied to a glass substrate of 300 mm * 300 mm with a coating area of 295 mm * 295 mm using a slit coater (manufactured by SCREEN Finetech Solutions Co., Ltd.), and coating evaluation was carried out.

(슬릿 노즐 평가)(Slit nozzle evaluation)

실시예 및 비교예에 있어서 조제한 수지 조성물 (바니시) 을, 슬릿 코터의 노즐에 충전하고, 하기 기준으로 평가하고, 표에 기재하였다.The resin composition (varnish) prepared in the Example and the comparative example was filled in the nozzle of a slit coater, the following reference|standard evaluated, and it described in the table|surface.

노즐로부터 바니시의 토출을 개시하고, 토출을 정지한 후, 바니시가 슬릿 노즐로부터 흘러 떨어진다 : 액누설After the discharge of the varnish from the nozzle is started and the discharge is stopped, the varnish flows out from the slit nozzle: liquid leakage

노즐로부터 바니시가 토출되지 않는다 : 막힘Varnish does not eject from the nozzle: clogging

액누설, 막힘 없이 코트할 수 있다 : 문제 없음Coating without leakage or clogging: no problem

(코트 갭)(coat gap)

실시예 및 비교예에 있어서 조제한 수지 조성물 (바니시) 을, 이미드화 (산소 농도 10 질량 ppm 이하에 있어서, 100 ℃ 에서 1 시간 가열 후, 400 ℃ 에서 30 분간 가열) 한 후의 막두께가 10 ㎛ 가 되도록 유리 기판 상에 코트 (도포 속도 100 ㎜/sec) 하였다. 그 때의 슬릿 코터의 코트 갭 설정치를 표에 기재하였다.The film thickness of the resin composition (varnish) prepared in Examples and Comparative Examples after imidization (in an oxygen concentration of 10 mass ppm or less, heating at 100°C for 1 hour, and then heating at 400°C for 30 minutes) is 10 µm Coating was carried out on a glass substrate as much as possible (application rate of 100 mm/sec). The coat gap setting values of the slit coater at that time were described in the table.

(에지 평가)(Edge evaluation)

실시예 및 비교예에 있어서 조제한 수지 조성물을 유리 기판에 코트하고, 건조로로 이동하여 100 ℃ 에서 1 시간 가열한 후, 도막의 에지부를, 광학 현미경을 사용하여 10 배로 관찰하고, 하기 기준으로 평가하였다.The resin composition prepared in Examples and Comparative Examples was coated on a glass substrate, moved to a drying furnace and heated at 100° C. for 1 hour, and then the edge portion of the coating film was observed at 10 times using an optical microscope, and evaluated according to the following criteria. .

또, 촉침식 단차계 (P-15 : KLA Tencor 제조) 를 사용하여, 도포막의 에지 비드 (에지부의 융기) 를 측정하고, 하기 기준으로 평가하였다.Moreover, the edge bead (raise|lifting of an edge part) of the coating film was measured using the stylus type step meter (P-15: manufactured by KLA Tencor), and the following criteria evaluated.

에지 부분의 현미경 관찰에서 0.5 ㎜ 이상의 폭의 액 흘러내림이 관찰된다 : 처짐On microscopic observation of the edge portion, liquid dripping with a width of 0.5 mm or more is observed: sagging.

에지 부분의 막두께 측정에서 비드의 두께가 도포 막두께의 30 % 이상이다 : 비드In the film thickness measurement of the edge portion, the bead thickness is 30% or more of the applied film thickness: bead

처짐, 에지 이상이 모두 없다 : 문제 없음No deflection, no edge anomalies: no problem

(슬릿 코트 가부)(Slit coat or not)

상기 (슬릿 노즐 평가), (코트 갭), (에지 평가) 에 대하여, 하기 기준으로 평가하고, 표에 기재하였다.About the said (slit nozzle evaluation), (coat gap), and (edge evaluation), the following reference|standard evaluated and described in the table|surface.

각 실시예 및 비교예의 소정의 중량 평균 분자량의 폴리이미드 전구체를 사용한 조성물에 있어서, 7 ∼ 28 질량% 의 범위의 적어도 어느 고형분 함유량으로, 하기 모든 평가 결과를 만족시킨다 : 가In the composition using the polyimide precursor having a predetermined weight average molecular weight of each Example and Comparative Example, at least any solid content in the range of 7 to 28 mass%, all of the following evaluation results are satisfied:

각 실시예 및 비교예의 소정의 중합 평균 분자량의 폴리이미드 전구체를 사용한 조성물에 있어서, 고형분 함유량 7 ∼ 28 질량% 의 범위에서는, 하기 모든 평가 결과를 만족시키는 경우가 없다 : 불가The composition using the polyimide precursor of the predetermined polymerization average molecular weight of each Example and the comparative example WHEREIN: In the range of 7-28 mass % of solid content, all the following evaluation results are not satisfied: No

슬릿 노즐 평가 : 문제 없음Slit nozzle evaluation: no problem

코트 갭 : 50 ㎛ 이상Coat gap: 50 μm or more

에지 평가 : 문제 없음Edge Rating: No Problem

<경화막 막두께 균일성 (표준 편차)><Cured film thickness uniformity (standard deviation)>

상기 <코팅 평가> (코트 갭) 에 있어서 유리 기판 상에 제작한 실시예 및 비교예에 관련된 폴리이미드 필름 (즉, 300 ㎜ * 300 ㎜ 의 유리 기판에 295 ㎜ * 295 ㎜ 로 형성한 폴리이미드 필름) 을 사용하였다. 폴리이미드 필름이 형성된 유리 기판을 사용하여, 도포면의 중심으로부터, MD (즉 슬릿 코트 방향) 및 TD (MD 에 대하여 직각의 방향) 각각의 단면 (端面) 을 향하여, 20 ㎜ 간격의 위치의 막두께를 측정하였다 (따라서, 가장 끝은, 단면 (端面) 으로부터 7.5 ㎜ 의 위치가 된다.) (MD 15 점, TD 15 점으로 합계 30 점). 막두께의 측정은, 접촉식 단차계를 사용하였다. 그 결과로부터, 폴리이미드 필름의 막두께 균일성 (30 점의 막두께의 표준 편차) 을 계산하고, 하기 기준으로 평가하였다.The polyimide film according to the Example and Comparative Example produced on a glass substrate in the above <coating evaluation> (coat gap) (that is, a polyimide film formed at a size of 295 mm * 295 mm on a 300 mm * 300 mm glass substrate) ) was used. Using a glass substrate provided with a polyimide film, from the center of the coated surface toward each end face of MD (that is, slit coat direction) and TD (direction perpendicular to MD), the film thickness at a position at an interval of 20 mm was measured (therefore, the tip is at a position of 7.5 mm from the cross section) (30 points in total by 15 MD points and 15 TD points). For the measurement of the film thickness, a contact-type step meter was used. From the result, the film thickness uniformity (standard deviation of the film thickness of 30 points|pieces) of a polyimide film was calculated, and the following reference|standard evaluated.

양 : 면내 막두께 균일성 (3 시그마) 이 1.0 ㎛ 이하Amount: In-plane film thickness uniformity (3 sigma) 1.0 μm or less

가 : 면내 막두께 균일성 (3 시그마) 이 1.0 ㎛ 초과 2.0 ㎛ 이하A: In-plane film thickness uniformity (3 sigma) exceeds 1.0 μm and less than or equal to 2.0 μm

불량 : 면내 막두께 균일성 (3 시그마) 이 2.0 ㎛ 초과Poor: In-plane film thickness uniformity (3 sigma) exceeds 2.0 μm

<경화막 신도><Cured film elongation>

실시예 및 비교예에 있어서 조제한 수지 조성물을, 표면에 알루미늄 증착층을 형성한 6 인치 실리콘 웨이퍼 기판에, 경화 후 막두께가 10 ㎛ 가 되도록 스핀 코트하고, 100 ℃ 에서 6 분간 프리베이크하였다. 그 후, 종형 큐어 노 (코요 린드버그사 제조, 형식명 VF-2000B) 를 사용하고, 고 (庫) 내의 산소 농도가 10 질량 ppm 이하가 되도록 조정하고, 400 ℃ 에서 30 분간의 가열 경화 처리를 실시하여, 폴리이미드 필름이 형성된 웨이퍼를 제작하였다. 다음으로, 다이싱 소 (주식회사 디스코 제조 DAD 3350) 를 사용하여 그 웨이퍼의 폴리이미드 필름에 3 ㎜ 폭의 절개 자국을 넣은 후, 희염산 수용액에 하룻밤 침지하고 필름편을 박리하고, 건조시켰다. 이것을, 길이 50 ㎜ 로 커트하고, 샘플로 하였다.The resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were spin-coated on a 6-inch silicon wafer substrate having an aluminum vapor deposition layer formed on the surface thereof to a film thickness of 10 µm after curing, and prebaked at 100°C for 6 minutes. Then, using a vertical curing furnace (manufactured by Koyo Lindbergh, model name: VF-2000B), the oxygen concentration in the furnace is adjusted to be 10 mass ppm or less, and heat curing treatment is performed at 400°C for 30 minutes. Thus, a wafer having a polyimide film formed thereon was produced. Next, using a dicing saw (DAD 3350 manufactured by Disco Co., Ltd.), a 3 mm-wide incision was made in the polyimide film of the wafer, and then immersed in a diluted aqueous hydrochloric acid solution overnight, the film piece was peeled off and dried. This was cut to 50 mm in length, and it was set as the sample.

상기의 샘플에 대하여, TENSILON (오리엔테크사 제조 UTM-II-20) 을 사용하여, 시험 속도 40 ㎜/min, 초기 하중 0.5 fs 로 신도를 측정하였다. 하기 기준으로 평가하고, 표에 기재하였다.About the above sample, the elongation was measured using TENSILON (UTM-II-20 manufactured by Orientec Corporation) at a test speed of 40 mm/min and an initial load of 0.5 fs. It was evaluated based on the following criteria, and it is described in the table|surface.

우 : 40 % 이상Right: 40% or more

양 : 20 % 이상, 40 % 미만Amount: 20% or more, less than 40%

가 : 20 % 미만A: less than 20%

<경화막 헤이즈 (Haze)><Cured film haze (Haze)>

상기 <코팅 평가> (코트 갭) 에 있어서 유리 기판 상에 제작한 실시예 및 비교예에 관련된 폴리이미드 필름을 사용하였다.In the said <coating evaluation> (coat gap), the polyimide film which concerns on the Example and the comparative example produced on the glass substrate was used.

얻어진 샘플에 대하여, 스가 시험기사 제조 SC-3H 형 헤이즈미터를 사용하여 JIS K7105 투명도 시험법에 준거하여 헤이즈 (막두께 10 ㎛ 환산) 의 측정을 실시하였다. 측정 결과는 하기 기준으로 평가하고, 표에 기재하였다.About the obtained sample, the haze (10 micrometers of film thickness conversion) was measured based on JISK7105 transparency test method using the SC-3H type|mold haze meter manufactured by Suga Test Instruments. The measurement results were evaluated according to the following criteria, and are described in the table.

우 : 헤이즈가 0.5 이하Right: Haze is 0.5 or less

양 : 헤이즈가 0.5 보다 크고 1.5 이하Amount: Haze greater than 0.5 and less than 1.5

가 : 헤이즈가 1.5 보다 크다A: Haze is greater than 1.5

<경화막 황색도 (YI))><Cured film yellowness (YI))>

상기 <코팅 평가> (코트 갭) 에 있어서 유리 기판 상에 제작한 실시예 및 비교예에 관련된 폴리이미드 필름을 사용하였다. 얻어진 샘플에 대하여, 닛폰 전색 공업 (주) 제조 (분광 광도계 : SE600) 으로 D65 광원을 사용하여 황색도 (YI) 값 (막두께 10 ㎛ 환산) 을 측정하였다. 결과를 표에 기재하였다.In the said <coating evaluation> (coat gap), the polyimide film which concerns on the Example and the comparative example produced on the glass substrate was used. About the obtained sample, the yellowness (YI) value (10 micrometers of film thickness conversion) was measured by the Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. product (spectrophotometer: SE600) using the D65 light source. The results are shown in the table.

<경화막 Rth (리타데이션, 두께 방향 리타데이션)><Cured film Rth (retardation, retardation in thickness direction)>

상기 <코팅 평가> (코트 갭) 에 있어서 유리 기판 상에 제작한 실시예 및 비교예에 관련된 폴리이미드 필름을 사용하였다. 얻어진 샘플에 대하여, 위상차 복굴절 측정 장치 (오지 계측 기기사 제조, KOBRA-WR) 를 사용하여, Rth (막두께 10 ㎛ 환산) 를 측정하였다. 측정 광의 파장은 589 ㎚ 로 하였다. 결과를 표에 기재하였다.In the said <coating evaluation> (coat gap), the polyimide film which concerns on the Example and the comparative example produced on the glass substrate was used. With respect to the obtained sample, Rth (in terms of film thickness of 10 µm) was measured using a phase difference birefringence measuring apparatus (manufactured by Oji Instruments Co., Ltd., KOBRA-WR). The wavelength of the measurement light was 589 nm. The results are shown in the table.

<비교예 1-1><Comparative Example 1-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서 NMP (812 g) 를 첨가하고, 디아민으로서 4,4'-DAS (4,4'-디아미노디페닐술폰) (14.2 g), TFMB (12.2 g), 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일 (10.56 g) 을 교반하면서 첨가하고, 계속해서 산 2 무수물로서 PMDA (15.3 g), BPDA (8.8 g) 를 첨가하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 98)). 다음으로, 오일 배스를 사용하여 80 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반한 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 기재한다) 을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고 (설정 -20 ℃, 이하 동일.) 에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.In a 3 L separable flask with a stirring bar, NMP (812 g) was added while introducing nitrogen gas, and 4,4'-DAS (4,4'-diaminodiphenylsulfone) (14.2 g) as diamine (14.2 g), TFMB (12.2 g), both terminal amine-modified methylphenyl silicone oil (10.56 g) was added with stirring, and then PMDA (15.3 g) and BPDA (8.8 g) were added as acid dianhydride (molar ratio of acid dianhydride and diamine) (100:98)). Next, after heating up to 80 degreeC using the oil bath and stirring for 4 hours, the oil bath was removed and it returned to room temperature, and the NMP solution of a transparent polyamic acid (it is also described hereafter as a varnish) was obtained. The obtained varnish was stored in a freezer (setting -20°C, the same hereinafter), and used after thawing for evaluation.

<비교예 1-2 ∼ 1-6><Comparative Examples 1-2 to 1-6>

NMP 량을 변경하여 표 1 의 고형분 함유량으로 한 것을 제외하고 비교예 1-1 과 동일하게 실시하였다.It carried out similarly to Comparative Example 1-1 except that the amount of NMP was changed and it was set as the solid content of Table 1.

<실시예 1-1><Example 1-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서, 디아민으로서 4,4'-DAS (15.3 g) 및 TFMB (12.4 g), 그리고 이들 디아민의 전체 질량의 2 배의 질량의 중합 용매 (NMP) 를 첨가하였다.In a 3 L separable flask equipped with a stir bar, while introducing nitrogen gas, 4,4'-DAS (15.3 g) and TFMB (12.4 g) as diamines, and a polymerization solvent twice the mass of the total mass of these diamines ( NMP) was added.

다음으로 상기 세퍼러블 플라스크에 적하 깔때기를 세트하고, 그 적하 깔때기에 질소 가스를 도입하면서 산 2 무수물로서 PMDA (15.3 g) 및 BPDA (8.8 g), 그리고 이들 산 2 무수물의 2 배의 질량의 중합 용매 (NMP) 를 첨가하였다. 그리고, 실온에서 소형의 교반 날개로 교반하였다.Next, a dropping funnel is set in the separable flask, and while nitrogen gas is introduced into the dropping funnel, PMDA (15.3 g) and BPDA (8.8 g) as acid dianhydrides, and polymerization of twice the mass of these acid dianhydrides Solvent (NMP) was added. Then, the mixture was stirred at room temperature with a small stirring blade.

계속해서 상기 세퍼러블 플라스크에 다른 적하 깔때기를 세트하고, 그 적하 깔때기에 질소 가스를 도입하면서, 디아민으로서 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일 X-22-1660B-3 (10.56 g) 및 당해 실리콘 오일의 2 배의 질량의 중합 용매 (NMP) 를 첨가하였다. 그리고, 실온에서 소형의 교반 날개로 교반하였다.Then, another dropping funnel was set in the separable flask, and nitrogen gas was introduced into the dropping funnel, both terminal amine-modified methylphenyl silicone oil X-22-1660B-3 (10.56 g) as diamine and 2 of the silicone oil. Double the mass of polymerization solvent (NMP) was added. Then, the mixture was stirred at room temperature with a small stirring blade.

그리고, 세퍼러블 플라스크 내의 디아민 용액을 교반하면서, 실온에서, 상기 적하 깔때기의 소형의 교반 날개를 교반한 채로, 동시에 산 2 무수물 용액과 실리콘 오일의 적하를 개시하였다. 적하는 모두 저속으로 실시하고, 30 분 이상에 걸쳐 적하하였다. 적하 후, 세정 용매 (NMP) 로 세정하고, 잔존물을 적하하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 99)).And while stirring the diamine solution in a separable flask, at room temperature, dripping of the acid dianhydride solution and silicone oil was started simultaneously, stirring the small stirring blade of the said dropping funnel. All dripping was performed at low speed, and it was dripped over 30 minutes or more. After dripping, it wash|cleaned with the washing|cleaning solvent (NMP), and the residue was dripped (molar ratio of acid dianhydride and diamine (100:99)).

그 후, 추가 용매 (NMP) 를 첨가하여, 최종적으로 표 1 의 고형분 함유량이 되도록 하였다. 계속해서 실온에서 30 분 교반하고, 계속해서 오일 배스를 사용하여 70 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반하였다. 그 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 기재한다) 을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고 (설정 -20 ℃, 이하 동일.) 에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.Thereafter, an additional solvent (NMP) was added to finally reach the solid content in Table 1. Subsequently, the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes, and then the temperature was raised to 70°C using an oil bath, followed by stirring for 4 hours. Then, the oil bath was removed and it returned to room temperature, and the NMP solution of the transparent polyamic acid (it is also described hereafter as a varnish) was obtained. The obtained varnish was stored in a freezer (setting -20°C, the same hereinafter), and used after thawing for evaluation.

<실시예 1-2 ∼ 1-17, 2-1 ∼ 2-14, 3-1 ∼ 3-16, 4-1 ∼ 4-12><Examples 1-2 to 1-17, 2-1 to 2-14, 3-1 to 3-16, 4-1 to 4-12>

산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 1 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이 하고, 이에 따라 중합 용매의 사용량을 변경하고 (즉 산 2 무수물 또는 디아민의 질량의 2 배의 양이 되도록 조정하고), 추가로 실시예 1-5 ∼ 1-8, 2-5 ∼ 2-14, 3-3 ∼ 3-16, 4-5 ∼ 4-12 에 대해서는 「70 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반」을 「40 ℃ 로 승온하고 12 시간 교반」으로 변경하고, 실시예 1-9, 2-9, 3-9, 4-9 에 대해서는 「추가 용매 (NMP)」를 「추가 용매 (NMP 및 GBL) (첨가 후의 NMP/GBL 이 100/100 (w/w) 이 되도록 조정)」으로 변경한 것 외에는, 실시예 1-1 과 동일하게 하였다. 표 1 ∼ 4 에 나타내는 고형분량은 상기 추가 용매의 양을 변경함으로써 표에 나타내는 값으로 조정하였다. 또한 실시예 1-16, 2-12, 2-13, 3-14, 3-15, 4-10, 4-11 에 있어서 「12 시간 교반」한 후 추가로 반응 시간을 연장한 것의 중량 평균 분자량을 측정한 결과, 12 시간 교반 후와 비교하여 커지는 경우는 없었다.The mixing of the acid dianhydride and the diamine is as shown in Tables 1 to 4, and the amount of the polymerization solvent used is changed accordingly (that is, adjusted so as to be twice the mass of the acid dianhydride or diamine), and further carried out For Examples 1-5 to 1-8, 2-5 to 2-14, 3-3 to 3-16, and 4-5 to 4-12, “heat up to 70° C. and stir for 4 hours” and “heat up to 40° C.” and stirred for 12 hours", and for Examples 1-9, 2-9, 3-9, and 4-9, "Additional solvent (NMP)" was replaced with "Additional solvent (NMP and GBL) (NMP/GBL after addition") Adjusted so that it may become this 100/100 (w/w))", it carried out similarly to Example 1-1. The solid content shown in Tables 1-4 was adjusted to the value shown in a table|surface by changing the quantity of the said additional solvent. In addition, in Examples 1-16, 2-12, 2-13, 3-14, 3-15, 4-10, 4-11, the weight average molecular weight of those obtained by further extending the reaction time after "stirring for 12 hours" As a result of measuring, there was no case of increasing compared to after stirring for 12 hours.

<비교예 2-1 ∼ 2-6, 3-1 ∼ 3-6, 4-1 ∼ 4-7><Comparative Examples 2-1 to 2-6, 3-1 to 3-6, 4-1 to 4-7>

비교예 2-1, 3-1, 4-1 은, 비교예 1-1 의 NMP 량을 745 g (비교예 2-1), 799 g (비교예 3-1), 850 g (비교예 4-1) 으로 각각 변경하고, 산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 2 에 나타내는 바와 같이 한 것을 제외하고 비교예 1-1 과 동일하게 실시하였다. 또, NMP 량을 변경하여 표 2 ∼ 4 의 고형분 함유량으로 한 것을 제외하고, 비교예 2-2 ∼ 2-6 은 비교예 2-1 과, 비교예 3-2 ∼ 3-6 은 비교예 3-1 과, 비교예 4-2 ∼ 4-7 은 비교예 4-1 과, 각각 동일하게 실시하였다.In Comparative Examples 2-1, 3-1, and 4-1, the amount of NMP in Comparative Example 1-1 was 745 g (Comparative Example 2-1), 799 g (Comparative Example 3-1), 850 g (Comparative Example 4) It changed to -1), respectively, and it implemented similarly to Comparative Example 1-1 except having carried out the compounding of an acid dianhydride and diamine as Table 2 showed. Moreover, except having changed the amount of NMP and having set it as the solid content of Tables 2-4, Comparative Examples 2-2 to 2-6 are Comparative Example 2-1 and Comparative Examples 3-2 to 3-6 Comparative Example 3 -1 and Comparative Examples 4-2 to 4-7 were implemented similarly to Comparative Example 4-1, respectively.

<비교예 5-1><Comparative Example 5-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서 NMP (620 g) 를 첨가하고, 디아민으로서 4,4'-DAS (24.8 g) 를 교반하면서 첨가하고, 계속해서 산 2 무수물로서 PMDA (21.8 g) 를 첨가하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 100)). 다음으로, 오일 배스를 사용하여 80 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반한 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 기재한다) 을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.To a 3 L separable flask with a stirring bar, NMP (620 g) was added while introducing nitrogen gas, 4,4'-DAS (24.8 g) was added as diamine while stirring, and PMDA ( 21.8 g) (molar ratio of acid dianhydride to diamine (100: 100)). Next, after heating up to 80 degreeC using the oil bath and stirring for 4 hours, the oil bath was removed and it returned to room temperature, and the NMP solution of a transparent polyamic acid (it is also described hereafter as a varnish) was obtained. The obtained varnish was stored in a freezer and used after thawing for evaluation.

<비교예 5-2 ∼ 5-6><Comparative Examples 5-2 to 5-6>

NMP 량을 변경하여 표 5 의 고형분 함유량으로 한 것을 제외하고 비교예 5-1 과 동일하게 실시하였다.The same procedure as in Comparative Example 5-1 was carried out, except that the amount of NMP was changed and the solid content in Table 5 was set.

<실시예 5-1><Example 5-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서 디아민으로서 4,4'-DAS (24.3 g) 와, 디아민의 전체 질량의 2 배의 질량의 NMP 를 첨가하였다.4,4'-DAS (24.3 g) and NMP of twice the mass of the total mass of diamine were added to the 3 L separable flask with a stirring bar as diamine, introduce|transducing nitrogen gas.

다음으로 상기 세퍼러블 플라스크에 적하 깔때기를 세트하고, 그 적하 깔때기에 질소 가스를 도입하면서 산 2 무수물로서 PMDA (10.9 g), BPDA (14.7 g) 와 이들 산 2 무수물의 2 배의 질량의 NMP 를 첨가하였다. 그리고, 실온에서 소형의 교반 날개로 교반하였다.Next, a dropping funnel is set in the separable flask, and nitrogen gas is introduced into the dropping funnel, PMDA (10.9 g), BPDA (14.7 g) as acid dianhydride, and NMP twice the mass of these acid dianhydrides added. Then, the mixture was stirred at room temperature with a small stirring blade.

그리고, 세퍼러블 플라스크 내의 디아민 용액을 교반하면서, 실온에서, 상기 적하 깔때기의 소형의 교반 날개를 교반한 채로, 산 2 무수물 용액의 적하를 개시하였다. 적하는 저속으로 실시하고, 30 분 이상에 걸쳐 적하하였다. 적하 후, 세정 용매 (NMP) 로 세정하고, 잔존물을 적하하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 98)).And dripping of the acid dianhydride solution was started at room temperature, stirring the diamine solution in a separable flask, stirring the small stirring blade of the said dropping funnel. The dripping was performed at low speed, and it was dripped over 30 minutes or more. After dripping, it wash|cleaned with the washing|cleaning solvent (NMP), and the residue was dripped (molar ratio of acid dianhydride and diamine (100:98)).

그 후, 추가 용매 (NMP) 를 첨가하여, 최종적으로 표 5 의 고형분 함유량이 되도록 하였다. 계속해서 실온에서 30 분 교반하고, 계속해서 오일 배스를 사용하여 70 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반하였다. 그 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 기재한다) 을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고 (설정 -20 ℃, 이하 동일.) 에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.After that, an additional solvent (NMP) was added to finally reach the solid content in Table 5. Subsequently, the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes, and then the temperature was raised to 70°C using an oil bath, followed by stirring for 4 hours. Then, the oil bath was removed and it returned to room temperature, and the NMP solution of the transparent polyamic acid (it is also described hereafter as a varnish) was obtained. The obtained varnish was stored in a freezer (setting -20°C, the same hereinafter), and used after thawing for evaluation.

<실시예 5-2 ∼ 5-9, 6-1 ∼ 6-9, 7-1 ∼ 7-4, 8-1, 8-2><Examples 5-2 to 5-9, 6-1 to 6-9, 7-1 to 7-4, 8-1, 8-2>

산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 5 ∼ 9 에 나타내는 바와 같이 하고, 이에 따라 중합 용매의 사용량을 변경하고 (즉 산 2 무수물 또는 디아민의 질량의 2 배의 양이 되도록 조정하고), 추가로 실시예 5-3 ∼ 5-9, 6-5 ∼ 6-9, 7-4, 8-1, 8-2 에 대해서는 상기 「70 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반」을 「40 ℃ 로 승온하고 12 시간 교반」으로 변경하고, 실시예 5-7, 6-4, 7-4 에 대해서는 「추가 용매 (NMP)」를 「추가 용매 (NMP 및 GBL) (첨가 후의 NMP/GBL 이 100/100 (w/w) 이 되도록 조정)」으로 변경한 것 외에는, 실시예 5-1 과 동일하게 하였다. 표 5 ∼ 9 에 나타내는 고형분량은 상기 추가 용매의 양을 변경함으로써 표에 나타내는 값으로 조정하였다. 또한 실시예 5-8, 5-9, 6-6 ∼ 6-9 에 있어서 「12 시간 교반」한 후 추가로 반응 시간을 연장한 것의 중량 평균 분자량을 측정한 결과, 12 시간 교반 후와 비교하여 커지는 경우는 없었다.The compounding of acid dianhydride and diamine is as shown in Tables 5 to 9, and the amount of polymerization solvent used is changed accordingly (that is, adjusted so as to be twice the mass of acid dianhydride or diamine), and further carried out For Examples 5-3 to 5-9, 6-5 to 6-9, 7-4, 8-1, and 8-2, the above “heat up to 70° C. and stir for 4 hours” is “heated to 40° C. for 12 hours” stirring", and for Examples 5-7, 6-4, 7-4, "additional solvent (NMP)" was replaced with "additional solvent (NMP and GBL) (NMP/GBL after addition was 100/100 (w/ It was carried out similarly to Example 5-1 except having changed to "adjust so that it may become w)". The solid content shown in Tables 5-9 was adjusted to the value shown in a table|surface by changing the quantity of the said additional solvent. Further, in Examples 5-8, 5-9, 6-6 to 6-9, after "stirring for 12 hours", the weight average molecular weight of what was further extended for reaction time was measured, compared with that after stirring for 12 hours. There was no case of enlargement.

<비교예 6-1 ∼ 6-6, 7-1 ∼ 7-8, 8-1 ∼ 8-2><Comparative Examples 6-1 to 6-6, 7-1 to 7-8, 8-1 to 8-2>

비교예 6-1, 7-1, 8-1 ∼ 8-2 는, 비교예 5-1 의 NMP 량을 664 g (비교예 6-1), 718 g (비교예 7-1), 401 g (비교예 8-1), 344 g (비교예 8-2) 으로 각각 변경하고, 산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 6 ∼ 8 에 나타내는 바와 같이 한 것을 제외하고 비교예 5-1 과 동일하게 실시하였다. 비교예 6-2 ∼ 6-6 은 NMP 량을 변경하여 표 6 의 고형분 함유량으로 한 것을 제외하고 비교예 6-1 과 동일하게 실시하고, 비교예 7-2 ∼ 7-6 은 NMP 량을 변경하여 표 7 의 고형분 함유량으로 한 것을 제외하고 비교예 7-1 과 동일하게 실시하였다. 비교예 7-7, 7-8 은, NMP 량을 718 g 으로부터 215 g (비교예 7-7), 163 g (비교예 7-8) 으로 각각 변경하고, 산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 7 에 나타내는 바와 같이 하고, 「4 시간 교반」을 「3 시간 교반」으로 변경한 것을 제외하고 비교예 7-1 과 동일하게 실시하였다.In Comparative Examples 6-1, 7-1, 8-1 to 8-2, the amount of NMP in Comparative Example 5-1 was 664 g (Comparative Example 6-1), 718 g (Comparative Example 7-1), 401 g (Comparative Example 8-1) and 344 g (Comparative Example 8-2) were changed respectively to the same as in Comparative Example 5-1, except that the mixing of acid dianhydride and diamine was shown in Tables 6 to 8. carried out. Comparative Examples 6-2 to 6-6 were carried out in the same manner as in Comparative Example 6-1 except that the amount of NMP was changed to be the solid content in Table 6, and Comparative Examples 7-2 to 7-6 were changed to the amount of NMP. It was carried out in the same manner as in Comparative Example 7-1, except that the solid content in Table 7 was used. In Comparative Examples 7-7 and 7-8, the amount of NMP was changed from 718 g to 215 g (Comparative Example 7-7) and 163 g (Comparative Example 7-8), respectively, and the formulation of acid dianhydride and diamine was shown in the table. It carried out as shown in 7, and it carried out similarly to Comparative Example 7-1 except having changed "stirring for 4 hours" to "stirring for 3 hours".

<비교예 9-1><Comparative Example 9-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서 NMP (495 g) 를 첨가하고, 디아민으로서 TFMB (30.9 g) 를 교반하면서 첨가하고, 계속해서 산 2 무수물로서 BPAF (9,9-비스(3,4-디카르복시페닐)플루오렌 2 무수물) (45.8 g), 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일을 X-22-1660B-3 (10.56 g) 을 첨가하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 99)). 다음으로, 오일 배스를 사용하여 80 ℃ 로 승온하고 4 시간 교반한 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 기재한다) 을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.To a 3 L separable flask with a stirring bar, NMP (495 g) was added while introducing nitrogen gas, and TFMB (30.9 g) was added as a diamine while stirring, followed by BPAF (9,9-bis) as acid dianhydride. (3,4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride) (45.8 g), X-22-1660B-3 (10.56 g) was added to both terminal amine-modified methylphenyl silicone oil (acid dianhydride, diamine molar ratio ( 100:99)). Next, after heating up to 80 degreeC using the oil bath and stirring for 4 hours, the oil bath was removed and it returned to room temperature, and the NMP solution of a transparent polyamic acid (it is also described hereafter as a varnish) was obtained. The obtained varnish was stored in a freezer and used after thawing for evaluation.

<비교예 9-2 ∼ 9-3><Comparative Examples 9-2 to 9-3>

NMP 량을 495 g 으로부터 438 g (비교예 9-2), 374 g (비교예 9-3) 으로 각각 변경하고, 산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 9 에 나타내는 바와 같이 한 것을 제외하고, 비교예 9-1 과 동일하게 실시하였다.The amount of NMP was changed from 495 g to 438 g (Comparative Example 9-2) and 374 g (Comparative Example 9-3), respectively, and the compounding of acid dianhydride and diamine was as shown in Table 9. It carried out similarly to Example 9-1.

<실시예 9-1><Example 9-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서 디아민으로서 TFMB (31.3 g) 와, 디아민의 전체 질량의 2 배의 질량의 NMP (63 g) 를 첨가하였다.TFMB (31.3 g) and NMP (63 g) of twice the mass of the total mass of diamine were added to the 3 L separable flask with a stirring bar as diamine, introduce|transducing nitrogen gas.

다음으로 상기 세퍼러블 플라스크에 적하 깔때기를 세트하고, 그 적하 깔때기에 질소 가스를 도입하면서 산 2 무수물로서 BPAF (45.8 g) 와 이 산 2 무수물의 2 배의 질량의 NMP (92 g) 를 첨가하였다. 그리고, 실온에서 소형의 교반 날개로 교반하였다.Next, a dropping funnel was set in the separable flask, and while nitrogen gas was introduced into the dropping funnel, BPAF (45.8 g) as acid dianhydride and NMP (92 g) twice the mass of this acid dianhydride were added. . Then, the mixture was stirred at room temperature with a small stirring blade.

계속해서 상기 세퍼러블 플라스크에 다른 적하 깔때기를 세트하고, 그 적하 깔때기에 질소 가스를 도입하면서, 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일 X-22-1660B-3 (10.56 g) 과 당해 실리콘 오일의 2 배의 질량의 NMP (21 g) 를 첨가하였다. 그리고, 실온에서 소형의 교반 날개로 교반하였다.Then, another dropping funnel was set in the separable flask, and while nitrogen gas was introduced into the dropping funnel, amine-modified methylphenyl silicone oil X-22-1660B-3 (10.56 g) at both ends and twice the amount of the silicone oil. A mass of NMP (21 g) was added. Then, the mixture was stirred at room temperature with a small stirring blade.

그리고, 세퍼러블 플라스크 내의 디아민 용액을 교반하면서, 실온에서, 상기 적하 깔때기의 소형의 교반 날개를 교반한 채로, 산 2 무수물 용액의 적하를 개시하였다. 적하는 저속으로 실시하고, 30 분 이상에 걸쳐 적하하였다. 적하 후, 세정 용매 (NMP) 로 세정하고, 잔존물을 적하하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 100)).And dripping of the acid dianhydride solution was started at room temperature, stirring the diamine solution in a separable flask, stirring the small stirring blade of the said dropping funnel. The dripping was performed at low speed, and it was dripped over 30 minutes or more. It wash|cleaned with the washing|cleaning solvent (NMP) after dripping, and the residue was dripped (molar ratio of acid dianhydride and diamine (100:100)).

그 후, 추가 용매 (NMP) 를 첨가하여, 최종적으로 표 9 의 고형분 함유량이 되도록 하였다.Thereafter, an additional solvent (NMP) was added to finally reach the solid content in Table 9.

계속해서 실온에서 30 분 교반하고, 계속해서 오일 배스를 사용하여 40 ℃ 로 승온하고 12 시간 교반하였다. 그 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 기재한다) 을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고 (설정 -20 ℃, 이하 동일.) 에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.Then, it stirred at room temperature for 30 minutes, it heated up at 40 degreeC using the oil bath then, and stirred for 12 hours. Then, the oil bath was removed and it returned to room temperature, and the NMP solution of the transparent polyamic acid (it is also described hereafter as a varnish) was obtained. The obtained varnish was stored in a freezer (setting -20°C, the same hereinafter), and used after thawing for evaluation.

<실시예 9-2, 9-3><Examples 9-2, 9-3>

산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 9 에 나타내는 바와 같이 하고, 이에 따라 중합 용매의 사용량을 변경 (즉 산 2 무수물 또는 디아민의 질량의 2 배의 양이 되도록 조정) 한 것 외에는 실시예 9-1 과 동일하게 실시하였다. 표 9 에 나타내는 고형분량은 상기 추가 용매의 양을 변경함으로써 표에 나타내는 값으로 조정하였다.Example 9-1 except that the mixing of the acid dianhydride and the diamine was as shown in Table 9, and the amount of the polymerization solvent was changed accordingly (that is, adjusted so as to be twice the mass of the acid dianhydride or diamine). It was carried out in the same way as The solid content shown in Table 9 was adjusted to the value shown in Table by changing the quantity of the said addition solvent.

<실시예 10-1><Example 10-1>

교반 봉 부착 3 L 세퍼러블 플라스크에, 질소 가스를 도입하면서 NMP (246 g) 를 첨가하고, 디아민으로서 4,4'-DAS (14.4 g), TFMB (12.4 g), 양말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일 (10.56 g) 을 교반하면서 첨가하고, 계속해서 산 2 무수물로서 PMDA (15.3 g), BPDA (8.8 g) 를 첨가하였다 (산 2 무수물, 디아민의 몰비 (100 : 99)). 다음으로, 오일 배스를 사용하여 70 ℃ 로 승온하고 8 시간 교반한 후, 오일 배스를 제거하고 실온으로 되돌려, 투명한 폴리아미드산의 NMP 용액을 얻었다. 얻어진 바니시는 냉동고 (설정 -20 ℃, 이하 동일.) 에서 보관하고, 평가를 할 때는 해동하여 사용하였다.NMP (246 g) was added to a 3 L separable flask with a stirring bar, introducing nitrogen gas, 4,4'-DAS (14.4 g), TFMB (12.4 g), both terminal amine-modified methylphenyl silicone oil as diamines (10.56 g) was added with stirring, and then PMDA (15.3 g) and BPDA (8.8 g) were added as acid dianhydride (molar ratio of acid dianhydride and diamine (100:99)). Next, after heating up to 70 degreeC using the oil bath and stirring for 8 hours, the oil bath was removed and it returned to room temperature, and the NMP solution of the transparent polyamic acid was obtained. The obtained varnish was stored in a freezer (setting -20°C, the same hereinafter), and used after thawing for evaluation.

<실시예 10-2 ∼ 10-5><Examples 10-2 to 10-5>

NMP 량을 246 g 으로부터 225 g (실시예 10-2), 242 g (실시예 10-3), 185 g (실시예 10-4), 201 g (실시예 10-5) 으로 각각 변경하고, 산 2 무수물 및 디아민의 배합을 표 10 에 나타내는 바와 같이 한 것을 제외하고, 실시예 10-1 과 동일하게 실시하였다.The amount of NMP was changed from 246 g to 225 g (Example 10-2), 242 g (Example 10-3), 185 g (Example 10-4), 201 g (Example 10-5), respectively, It implemented similarly to Example 10-1 except having carried out the mixing|blending of acid dianhydride and diamine as shown in Table 10.

평가의 결과를 표 10 에 나타낸다.Table 10 shows the results of evaluation.

Figure pat00016
Figure pat00016

Figure pat00017
Figure pat00017

Figure pat00018
Figure pat00018

Figure pat00019
Figure pat00019

Figure pat00020
Figure pat00020

Figure pat00021
Figure pat00021

Figure pat00022
Figure pat00022

Figure pat00023
Figure pat00023

Figure pat00024
Figure pat00024

Figure pat00025
Figure pat00025

본 개시의 수지 조성물은, 플렉시블 디바이스 (예를 들어 플렉시블 기판), 특히 플렉시블 디스플레이 등의 용도에 바람직하게 적용할 수 있다. 예를 들어, 본 개시의 수지 조성물은, 액정 디스플레이, 유기 일렉트로루미네선스 디스플레이, 필드 이미션 디스플레이, 전자 페이퍼 등의 표시 장치의 투명 기판을 형성하기 위해 바람직하게 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 본 개시의 수지 조성물은, 박막 트랜지스터 (TFT) 의 기판, 컬러 필터의 기판, 투명 도전막 (ITO, IndiumTinOxide) 의 기판 등을 형성하기 위해 사용할 수 있다.The resin composition of this indication can be preferably applied to uses, such as a flexible device (for example, a flexible board|substrate), especially a flexible display. For example, the resin composition of this indication can be used suitably in order to form transparent substrates of display apparatuses, such as a liquid crystal display, an organic electroluminescent display, a field emission display, and electronic paper. More specifically, the resin composition of the present disclosure can be used to form a substrate of a thin film transistor (TFT), a substrate of a color filter, a substrate of a transparent conductive film (ITO, IndiumTinOxide), and the like.

2a : 하부 기판
2b : 봉지 기판
25 : 유기 EL 구조부
250a : 적색광을 발광하는 유기 EL 소자
250b : 녹색광을 발광하는 유기 EL 소자
250c : 청색광을 발광하는 유기 EL 소자
251 : 격벽 (뱅크)
252 : 하부 전극 (양극)
253 : 정공 수송층
254 : 발광층
255 : 상부 전극 (음극)
256 : TFT
257 : 컨택트홀
258 : 층간 절연막
259 : 하부 전극
261 : 중공부
2a: lower substrate
2b: encapsulation substrate
25: organic EL structure part
250a: organic EL device emitting red light
250b: organic EL device emitting green light
250c: organic EL element emitting blue light
251 bulkhead (bank)
252: lower electrode (anode)
253: hole transport layer
254: light emitting layer
255: upper electrode (cathode)
256: TFT
257: contact hole
258: interlayer insulating film
259: lower electrode
261: hollow

Claims (23)

하기 식 (1) :
Figure pat00026

{식 중, R1 은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 2 가의 유기기를 나타내고, R2 는, 복수 있는 경우 각각 독립적으로 4 가의 유기기를 나타내고, n 은 양의 정수이다.} 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체와, 용매를 포함하는 수지 조성물로서,
상기 폴리이미드 전구체가, 하기 식 (3) :
Figure pat00027

{식 중, R3 및 R4 의 각각은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족 탄화수소기, 또는 탄소수 6 ∼ 10 의 1 가의 방향족기를 나타내고, 그리고 m 은, 1 ∼ 200 의 정수이다.} 으로 나타내는 구조를 갖고,
상기 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 110,000 ∼ 250,000 이고,
상기 수지 조성물의 고형분 함유량이 10 ∼ 25 질량% 인, 수지 조성물.
Equation (1):
Figure pat00026

{wherein, when there are a plurality of R 1 , each independently represents a divalent organic group, R 2 each independently represents a tetravalent organic group when there is a plurality, and n is a positive integer.} A resin composition comprising a mid precursor and a solvent,
The said polyimide precursor is following formula (3):
Figure pat00027

{wherein, each of R 3 and R 4 , when there is a plurality, each independently represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200 It has a structure represented by },
The polyimide precursor has a weight average molecular weight of 110,000 to 250,000,
The resin composition whose solid content of the said resin composition is 10-25 mass %.
제 1 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가, 피로멜리트산 2 무수물을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체인, 수지 조성물.
The method of claim 1,
The resin composition in which the said polyimide precursor is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride containing pyromellitic dianhydride, and diamine.
제 1 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 공중합체인, 수지 조성물.
The method of claim 1,
The resin composition in which the said polyimide precursor is a copolymer of tetracarboxylic dianhydride containing 3,3',4,4'- biphenyltetracarboxylic dianhydride, and diamine.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지 조성물의 점도를 온조기 부착 점도계로 23 ℃ 에서 측정했을 때의, 하기 식으로 나타내는 전단 속도 의존성 (TI) 이, 0.9 ∼ 1.1 인, 수지 조성물.
TI = ηa/ηb
{식 중, ηa (mPa·s) 는 수지 조성물의 측정 회전 속도 a (rpm) 에 있어서의 점도이고, ηb (mPa·s) 는 수지 조성물의 측정 회전 속도 b (rpm) 에 있어서의 점도이고, 단 a * 10 = b 이다.}
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The resin composition whose shear rate dependence (TI) represented by the following formula when the viscosity of the said resin composition is measured at 23 degreeC with the viscometer with a temperature controller is 0.9-1.1.
TI = ηa/ηb
{wherein, ηa (mPa·s) is the viscosity at the measured rotational speed a (rpm) of the resin composition, and ηb (mPa·s) is the viscosity at the measured rotational speed b (rpm) of the resin composition, However, a * 10 = b.}
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지 조성물은, 슬릿 코트용의 수지 조성물인, 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The said resin composition is a resin composition for slit coats, The resin composition.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 식 (1) 중의 R1 의 적어도 1 개가, 하기 식 (2) :
Figure pat00028

로 나타내는 기인, 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
At least one of R 1 in the formula (1) is the following formula (2):
Figure pat00028

A group represented by , a resin composition.
제 1 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가, 테트라카르복실산 2 무수물과, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 및 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개 이상의 디아민의 공중합체인, 수지 조성물.
The method of claim 1,
The polyimide precursor is tetracarboxylic dianhydride, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine and 9,9-bis(4-aminophenyl) A resin composition which is a copolymer of at least one diamine selected from the group consisting of fluorene.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 160,000 ∼ 220,000 인, 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The weight average molecular weight of the said polyimide precursor is 160,000-220,000, the resin composition.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지 조성물은, 플렉시블 디바이스용의 수지 조성물인, 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The said resin composition is a resin composition for flexible devices.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지 조성물은, 플렉시블 디스플레이용의 수지 조성물인, 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The said resin composition is a resin composition for flexible displays, The resin composition.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물인 폴리이미드 필름.The polyimide film which is a hardened|cured material of the resin composition in any one of Claims 1-3. 제 11 항에 있어서,
막두께 10 ㎛ 환산으로의 두께 방향 리타데이션 (Rth) 이 300 이하이고, 및/또는, 막두께 10 ㎛ 환산으로의 황색도 (YI) 가 20 이하인, 폴리이미드 필름.
12. The method of claim 11,
The polyimide film whose thickness direction retardation (Rth) in conversion of a film thickness of 10 micrometers is 300 or less, and/or yellowness (YI) in conversion of a film thickness of 10 micrometers is 20 or less.
제 11 항에 기재된 폴리이미드 필름을 포함하는 플렉시블 디바이스.A flexible device comprising the polyimide film according to claim 11 . 제 11 항에 기재된 폴리이미드 필름을 포함하는 플렉시블 디스플레이.A flexible display comprising the polyimide film according to claim 11 . 제 14 항에 있어서,
상기 폴리이미드 필름은, 상기 플렉시블 디스플레이를 외부로부터 관찰했을 때에 시인되는 지점에 배치되어 있는, 플렉시블 디스플레이.
15. The method of claim 14,
The said polyimide film is arrange|positioned at the point visually recognized when the said flexible display is observed from the outside, The flexible display.
지지체의 표면 상에, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 도포하는 도포 공정과,
상기 수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,
상기 폴리이미드 필름을 상기 지지체로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는, 폴리이미드 필름의 제조 방법.
A coating step of applying the resin composition according to any one of claims 1 to 3 on the surface of the support;
A film forming step of heating the resin composition to form a polyimide film;
The manufacturing method of the polyimide film including the peeling process of peeling the said polyimide film from the said support body.
제 16 항에 있어서,
상기 도포 공정은, 상기 수지 조성물을 슬릿 코트하는 것을 포함하는, 폴리이미드 필름의 제조 방법.
17. The method of claim 16,
The said application process is a manufacturing method of a polyimide film including slit-coating the said resin composition.
제 16 항에 있어서,
상기 식 (1) 중의 R1 의 적어도 1 개가, 하기 식 (2) :
Figure pat00029

로 나타내는 기인, 폴리이미드 필름의 제조 방법.
17. The method of claim 16,
At least one of R 1 in the formula (1) is the following formula (2):
Figure pat00029

A group represented by , a method for producing a polyimide film.
제 16 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가, 하기 식 (3) :
Figure pat00030

{식 중, R3 및 R4 의 각각은, 복수 있는 경우 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족 탄화수소기, 또는 탄소수 6 ∼ 10 의 1 가의 방향족기를 나타내고, 그리고 m 은, 1 ∼ 200 의 정수이다.} 으로 나타내는 구조를 갖는, 폴리이미드 필름의 제조 방법.
17. The method of claim 16,
The said polyimide precursor is following formula (3):
Figure pat00030

{wherein, each of R 3 and R 4 , when there is a plurality, each independently represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200 It is an integer of.} The manufacturing method of the polyimide film which has a structure shown by.
제 16 항에 있어서,
상기 박리 공정에 앞서, 상기 지지체측으로부터 상기 폴리이미드 필름에 레이저를 조사하는 조사 공정을 추가로 포함하는, 폴리이미드 필름의 제조 방법.
17. The method of claim 16,
The manufacturing method of the polyimide film which further includes the irradiation process of irradiating a laser to the said polyimide film from the said support body before the said peeling process.
지지체의 표면 상에, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 도포하는 도포 공정과,
상기 수지 조성물을 가열하여 폴리이미드 필름을 형성하는 막 형성 공정과,
상기 폴리이미드 필름 상에 소자를 형성하는 소자 형성 공정과,
상기 소자가 형성된 상기 폴리이미드 필름을 상기 지지체로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는 디스플레이의 제조 방법.
A coating step of applying the resin composition according to any one of claims 1 to 3 on the surface of the support;
A film forming step of heating the resin composition to form a polyimide film;
an element forming step of forming an element on the polyimide film;
and a peeling step of peeling the polyimide film on which the element is formed from the support.
제 21 항에 있어서,
상기 도포 공정은, 상기 수지 조성물을 슬릿 코트하는 것을 포함하는, 디스플레이의 제조 방법.
22. The method of claim 21,
The said application process is a manufacturing method of a display including slit-coating the said resin composition.
제 21 항에 있어서,
상기 디스플레이를 외부로부터 관찰했을 때에 시인되는 지점에 상기 폴리이미드 필름을 배치하는, 디스플레이의 제조 방법.
22. The method of claim 21,
The manufacturing method of the display which arrange|positions the said polyimide film at the point visually recognized when the said display is observed from the outside.
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