KR20200041263A - 회전 각도 검출 장치 및 회전 각도 검출 방법, 그리고 이들을 사용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

회전 각도 검출 장치 및 회전 각도 검출 방법, 그리고 이들을 사용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

기판 처리 중에 회전축의 회전 각도를 비접촉으로 실시간으로 검출할 수 있는 회전 각도 검출 장치 및 회전 각도 검출 방법, 그리고 이들을 사용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
회전축의 외주 측면에 마련되고, 해당 외주 측면의 주위 방향을 따라 형상이 변화되는 가동측 패턴과,
상기 회전축의 주위에, 상기 가동측 패턴에 대향하여 고정 배치되며, 상기 회전축의 회전에 수반하여, 상기 가동측 패턴과의 중첩 상태가 변화되는 고정측 패턴과,
상기 가동측 패턴과 상기 고정측 패턴의 중첩 상태의 변화에 따라 변화되는 물리량을 검출하고, 해당 물리량에 기초하여 상기 회전축의 회전 각도를 검출한다.

Description

회전 각도 검출 장치 및 회전 각도 검출 방법, 그리고 이들을 사용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{ROTATION ANGLE DETECTION APPARATUS AND ROTATION ANGLE DETECTION METHOD, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD USING SAME}
본 개시는, 회전 각도 검출 장치 및 회전 각도 검출 방법, 그리고 이들을 사용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래부터, 톱니형의 패턴이 배열된 스케일 및 슬라이더를 상대적으로 변위시킴으로써 생기는 전자기적 결합도의 변화를 위상 방식에 의해 검출하는 위치 검출 방법이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 평1-237413호 공보
본 개시는, 기판 처리 중에 회전축의 회전 각도를 비접촉으로 실시간으로 검출할 수 있는 회전 각도 검출 장치 및 회전 각도 검출 방법, 그리고 이들을 사용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 개시의 일 형태에 관한 회전 각도 검출 장치는 회전축의 외주 측면에 마련되며, 해당 외주 측면의 주위 방향을 따라 형상이 변화되는 가동측 패턴과,
상기 회전축의 주위에, 상기 가동측 패턴에 대향하여 고정 배치되며, 상기 회전축의 회전에 수반하여, 상기 가동측 패턴과의 중첩 상태가 변화되는 고정측 패턴과,
상기 가동측 패턴과 상기 고정측 패턴의 중첩 상태의 변화에 따라 변화되는 물리량을 검출하고, 해당 물리량에 기초하여 상기 회전축의 회전 각도를 검출한다.
본 개시에 의하면, 진공 중, 또한 고온 하의 환경 하에서도, 회전축의 회전 각도를 비접촉으로 검출할 수 있다.
도 1은 본 발명의 자전 검출용 지그를 구비한 회전 테이블의 일 실시 형태를 나타내는 종단 측면도이다.
도 2는 회전 테이블을 도시하는 개략 사시도이다.
도 3은 적재대의 하면에 마련된 종동 기어를 모식적으로 도시하는 저면도이다.
도 4는 종동 기어와 구동 기어의 일부를 도시하는 평면도이다.
도 5는 본 개시의 제1 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치를 도시한 도면이다.
도 6은 제1 실시 형태에 관한 회전각 검출 장치의 전자기 유도 전압의 검출을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 7은 도 6과는 상이한 도전 패턴의 일례를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 6 및 도 7과는 상이한 도전 패턴의 일례를 나타낸 도면이다.
도 9는 피치를 부분적으로 상이하게 한 파형의 도전 패턴의 일례를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 개시의 제2 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 11은 제3 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 12는 본 개시의 기판 처리 장치를 적용한 성막 장치의 일 실시 형태를 나타내는 종단 측면도이다.
도 13은 성막 장치를 나타내는 횡단 평면도이다.
도 14는 성막 장치에 마련된 제어부의 일례를 나타내는 구성도이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명을 실시하기 위한 형태의 설명을 행한다.
본 개시에 관한 회전 각도 검출 장치 및 기판 처리 장치는, 처리 용기 내에서, 회전 테이블의 일면측에 마련된 기판의 적재대를 공전시키면서 자전시킴과 함께, 적재대가 통과하는 영역에 처리 가스를 공급하여 기판을 처리하는 장치에 있어서, 적재대의 자전량(자전 각도)을 검출한다. 적재대의 자전량은, 적재대의 자전 축의 외주 측면에 마련된 도전성의 가동측 패턴과, 자전 축의 주위에, 가동측 패턴과 대향하도록 마련된 도전성의 고정측 패턴을 사용하여, 고정측 패턴에 교류 전류를 흘려서 자계를 발생시켜, 가동측 패턴에 발생되는 전자기 유도 전압을 검출함으로써, 적재대의 회전각을 검출하고 있다. 이하에, 적재대의 회전 각도를 검출하는 구성에 대해, 구체적으로 설명한다.
우선, 적재대의 자전량을 검출하기 위해서 사용되는 회전 각도 검출 장치의 일 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은, 기판 처리 장치에 있어서 회전 테이블에 회전 각도 검출 장치(90)를 장착한 상태를 나타내는 종단 측면도이다. 회전 테이블(2)의 구조에 대해, 도 1 내지 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 2는, 회전 각도 검출 장치를 생략한 회전 테이블(2)의 주요부에 대해 개략적으로 나타낸 것이다. 회전 테이블(2)의 중심부에는 연직 하방으로 신장되는 회전축(21)이 접속되며, 이 회전축(21)은 공전용 회전 기구(22)에 접속되어 있다. 공전용 회전 기구(22)를 사용하여 회전축(21)을 회전시킴으로써, 상면측으로부터 보았을 때 회전 테이블(2)은 예를 들어 시계 방향으로 회전한다.
회전 테이블(2)의 상면측(일면측)에는, 회전 테이블(2)의 회전에 의해 공전하는 적재대(3)가 마련되어 있다. 적재대(3)는 평면 형상이 원형으로 형성되고, 회전 테이블(2)의 회전 방향을 따라서 예를 들어 5개 마련되어 있다. 적재대(3) 상면에는 오목부(31)가 형성되어 있고, 오목부(31) 내에 기판인 웨이퍼 W가 수평하게 수납된다. 즉, 오목부(31)는, 기판이 적재되는 기판 적재부를 이룬다. 또한, 이 회전 테이블(2)에서는 적재대(3)를 6개 마련하도록 해도 된다.
각 적재대(3)의 하면측 중앙부에는, 적재대(3)를 지지하는 자전 축(32)이 연직 하방으로 연장 돌출되도록 마련되어 있다. 자전 축(32)은 예를 들어 회전 테이블(2)의 하면에 통형체(33)를 통하여 고정된 베어링 유닛(34)에 의해 지지되어 있다. 이 때문에, 자전 축(32)은 회전 테이블(2)과 함께 자전 가능하게 마련되고, 적재대(3)는 회전 테이블(2)의 회전에 의해 공전하도록 구성되어 있다. 베어링 유닛(34)은, 자전 축(32)을 회전 가능하게 보유 지지하기 위한 베어링과, 베어링으로부터의 파티클의 비산을 방지하기 위한 자기 시일을 구비하고 있다(모두 도시되지 않음). 자전 축(32)의 하부측은, 베어링 유닛(34)을 관통하고 있으며, 그 하단부에는 종동 기어(4)가 마련되어 있다.
도 3은 종동 기어(4)를 하면측으로부터 본 것이며, 이 도면에서는 종동 기어(4)를 모식적으로 도시하고 있다. 종동 기어(4)는 원판형으로 구성되고, 자전 축(32)과 서로 중심축을 일치시킨 상태로 접속되어 있다. 따라서, 종동 기어(4)는 자전 축(32)을 통하여 적재대(3)에 연결되어 있게 되고, 종동 기어(4)는 회전 테이블(2)의 회전에 의해 공전한다. 베어링 유닛(34)은, 자전 축(32)을 회전 가능하게 보유 지지하고 있으므로, 종동 기어(4)를 주위 방향으로 회전시키면, 각 적재대(3)가 자전 축 주위로 자전한다.
종동 기어(4)의 하면에는, 자전 방향을 따라서 영구 자석으로 이루어지는 자극부인 N극부(41) 및 S극부(42)가 교대로 배열되어 있다. N극부(41)는, S극부(42)와 구별하기 위해서 사선으로 표시하고 있다. 이 예에서는, 종동 기어(4)의 하면에 노출되는 N극부(41), S극부(42)는, 각각 동일한 형상의 직사각형으로 형성되고, 종동 기어(4)의 하면의 중심부로부터 가로 방향으로 방사상으로 연장되도록, 주위 방향으로 서로 간격을 두고 예를 들어 18개 배열되어 있다. N극부(41) 및 S극부(42)의 길이는, 예를 들어 종동 기어(4)의 저면의 중심을 초과하지 않도록, 종동 기어(4)의 반경보다 짧게 설정되어 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 종동 기어(4)의 하방측에는, 구동 기어(5)가 배치되어 있다. 이 구동 기어(5)는, 종동 기어(4)와 자기 기어 기구를 구성하는 것이며, 종동 기어(4)의 공전 궤도에 대향하도록, 또한 공전 궤도의 전체 주위를 따라 마련되어 있다. 이 예의 구동 기어(5)는, 그 중앙부에 원형의 개구부(50)를 구비한 원환형의 판형체로 이루어지고, 구동 기어(5)의 개구부(50)의 중심은, 회전 테이블(2)의 회전 중심과 정렬되도록 배치되어 있다. 구동 기어(5)의 상면에는, 종동 기어(4)의 공전 궤도를 따라서 전체 주위에 걸쳐, 영구 자석으로 이루어지는 자극부인 N극부(51) 및 S극부(52)가 교대로 배열되어 있다.
구동 기어(5)의 각 자극부인 N극부(51) 및 S극부(52)는, 종동 기어(4)의 하면과 대향하는 면에 배열되어 있다. 도 4는, 하나의 종동 기어(4)의 자극부(N극부(41) 및 S극부(42))와, 그 하방측의 구동 기어(5)의 자극부(N극부(51) 및 S극부(52))를 대응시켜 도시한 것이다. 이와 같이, 예를 들어 원환형의 구동 기어(5)의 표면에 노출되는 N극부(51), S극부(52)는, 해당 표면에 대향하는 종동 기어(4)의 하면에 형성된 N극부(41), S극부(42)의 형상과 중첩되도록, 예를 들어 직사각형으로 형성되어 있다. 도 4는, 종동 기어(4)의 N극부(41)와 구동 기어(5)의 S극부(52)가 중첩된 상태를 나타내고 있다. 예를 들어 구동 기어(5)의 실제의 예를 들면, N극부(51)와 S극부(52)가 합계 300개 전후 배열된다.
구동 기어(5)의 하면에는, 구동 기어(5)를 회전시키기 위한 예를 들어 환형의 다이렉트 드라이브 모터(DD 모터)로 이루어지는 자전용 회전 기구(53)가 마련되어 있고, 이 자전용 회전 기구(53)를 회전시킴으로써, 구동 기어(5)가 개구부(50)의 중심을 회전 중심으로 하여 회전하도록 구성되어 있다. 이 때문에, 구동 기어(5)와 회전 테이블(2)은 동일한 회전축 주위로 회전하게 된다. 이 예에서는, 회전 테이블(2)의 회전축(21)은, 구동 기어(5)의 개구부(50)에 마련된 공전용 회전 기구(22)에 접속되어 있다. 단, 회전 테이블(2)과 구동 기어(5)를 회전 중심을 정렬하여 회전시키는 구성이라면, 상술한 구성에는 제한되지 않는다.
다음에, 적재대(3)의 공전과 자전에 대해 설명한다. 종동 기어(4)는, 종동 기어(4)의 각 자극부(N극부(41), S극부(42))와 구동 기어(5)의 각 자극부(N극부(51), S극부(52)) 사이의 흡인력 및 반발력의 종합 작용에 의해 결정되는 위치에서 정지한다. 따라서, 회전 테이블(2)과 구동 기어(5)를 동일 회전수(회전 속도: rpm)로 회전시킨 때에는, 종동 기어(4)는 구동 기어(5)에 비해 상대적으로 정지되어 있기 때문에, 종동 기어(4) 즉 적재대(3)는, 자전하지 않고 정지되어 있다.
적재대(3)는, 구동 기어(5)와 회전 테이블(2)의 회전수에 차가 생겼을 때, 즉 구동 기어(5)의 각속도와, 회전 테이블(2)의 회전에 의한 종동 기어(4)의 각속도(말하자면 공전 각속도)의 사이에 속도차가 발생했을 때 자전한다. 구동 기어(5)의 각속도가 종동 기어(4)의 각속도보다도 클 때(구동 기어(5)의 각속도로부터 종동 기어(4)의 각속도를 차감한 속도차가 플러스일 때)는, 구동 기어(5)에 대향하고 있는 종동 기어(4)의 N극부(41), S극부(42)의 배열의 하방을, 구동 기어(5)의 N극부(51), S극부(52)의 배열이, 도 4에서 참고하면 좌측으로부터 우측으로 이동해 간다. 이 때문에, 종동 기어(4)에 작용하는 구동 기어(5)로부터의 반발력과 흡인력이 우측으로 이동하고, 이에 따라 종동 기어(4)의 N극부(41), S극부(42)의 배열도 우측으로 끌려가므로, 결과적으로 종동 기어(4)가 시계 방향으로 자전하게 된다.
또한, 구동 기어(5)의 각속도가 종동 기어(4)의 각속도보다도 작을 때(구동 기어(5)의 각속도로부터 종동 기어(4)의 각속도를 차감한 속도차가 마이너스일 때)는, 구동 기어(5)에 대향하고 있는 종동 기어(4)의 N극부(41), S극부(42)의 배열의 하방을, 구동 기어(5)의 N극부(51), S극부(52)의 배열이, 도 4에서 참고하면 우측으로부터 좌측으로 이동해 간다. 이 때문에, 종동 기어(4)에 작용하는 구동 기어(5)로부터의 반발력과 흡인력이 좌측으로 이동하고, 이에 따라 종동 기어(4)의 N극부(41), S극부(42)의 배열도 좌측으로 끌려가므로, 결과적으로 종동 기어(4)가 반시계 방향으로 자전하게 된다.
다음에, 적재대(3)의 자전 축(32)의 회전 각도를 검출하는 회전 각도 검출 장치에 대해 설명한다. 도 5는, 본 개시의 제1 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치(90)를 도시한 도면이다. 제1 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치(90)는, 패턴부(60)와, 교류 전원(70)과, 검출부(80)를 갖는다. 또한, 패턴부(60)는, 가동측 패턴(61)과, 고정측 패턴(62)을 구비한다. 또한, 검출부(80)는, 유도 전압 검출부(81)와, 각도 검출부(85)를 구비한다.
패턴부(60)는, 전자기 유도 전압을 발생시키는 가동측 패턴(61) 및 고정측 패턴(62)을 갖는다. 가동측 패턴(61)은, 자전 축(32)의 외주 측면에 마련되는 패턴이며, 자전 축(32)의 회전과 함께 회전한다. 한편, 고정측 패턴(62)은, 자전 축(32)의 외주 측면의 주위로 이격하여, 가동측 패턴(61)과 대향하게 마련된다.
가동측 패턴(61)은, 예를 들어 절연 필름(61a) 위에 도전 패턴(61b)이 형성되어 구성된다. 한편, 고정측 패턴(62)은, 절연 필름이나 더 두툼한 절연 부재(62a)의 표면 위에 도전 패턴(62b)이 형성됨으로써 마련된다. 또한, 가동측 패턴(61)은, 절연 필름(61a)을 자전 축(32)의 외주 측면 위에 첩부하여 구성해도 된다. 이에 의해, 자전 축(32)에 직접 패턴을 형성하는 것 보다도 용이하게 도전 패턴(61b)을 자전 축(32)의 표면 위에 마련할 수 있다.
도전 패턴(61b, 62b)은, 예를 들어, 톱니형, 파형, 지그재그형 등의 주기적인 형상을 갖는 패턴으로 구성된다. 이와 같은 주기적인 도전 패턴(62b)을 형성한 고정측 패턴(62)을 1개소에 고정하고, 도전 패턴(61b)을 형성한 자전 축(32)을 회전시키면, 도전 패턴(61b, 62b)끼리 상대적으로 이동하고, 도전 패턴(61b, 62b)끼리의 중첩 상태, 즉 중첩 부분 및 중첩 면적이 변화한다.
고정측 패턴(62)의 도전 패턴(62b)에 교류 전력을 공급하면, 도전 패턴(62b)의 주위에 주기적으로 변화하는 자계가 발생한다. 그리고, 이 자계 내에서 가동측 패턴(61)의 도전 패턴(61b)이 이동하면, 상호 결합 정도의 변화에 따라, 도전 패턴(61b) 및 도전 패턴(62b)에, 시간과 함께 변화하는 전자기 유도 전압이 발생된다.
이와 같이 하여 발생된 전자기 유도 전압을, 검출부(80) 내의 전압 검출부(81)가 측정하여 검출하고, 전자기 유도 전압의 파형으로부터 회전 각도 검출부(85)가 자전 축(32)의 회전 각도를 산출하도록 하면, 자전 축(32)의 회전 각도를 검출할 수 있다. 즉, 도전 패턴(61b, 62b)끼리의 위치 관계와, 전자기 유도 전압의 파형의 관계를 미리 파악해 두면, 전압 검출부(81)에서 검출된 전자기 유도 전압 파형으로부터, 자전 축(32)이 어느 위치에 있는지를 회전 각도 검출부(85)가 검출할 수 있다.
도 6은, 제1 실시 형태에 관한 회전각 검출 장치의 전자기 유도 전압의 검출을 모식적으로 나타낸 도면이다. 고정측 패턴(62)의 도전 패턴(62b)에 교류 전원(70)으로부터 교류 전류가 공급되어, 자계 내를 가동측 패턴(61)의 도전 패턴(61b)이 이동하여, 전자기 유도 전압이 발생하고 있다. 그 전자기 유도 전압을 전압 검출부(81)가 측정하고, 전압 검출부(81)에서 측정한 전압 파형으로부터 각도 검출부(85)가 자전 축(32)의 회전 각도를 검출하는 구성으로 되어 있는 것이 도시되어 있다.
도 7은, 도 6과는 상이한 도전 패턴(61c)의 일례를 나타낸 도면이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 톱니형의 패턴 피치를 상이하게 한 패턴을 조합해도 된다. 도 7에 있어서는, 가장 피치가 큰 A, 다음으로 피치가 큰 B, 가장 피치가 작은 C가 조합되어 구성되어 있다. 이와 같이, 장소에 따라 피치를 상이하게 한 도전 패턴(61c)을 사용함으로써, 전자기 유도 전압의 변화를 상이하게 할 수 있고, 정확하게 자전 축(32)의 회전 각도를 검출할 수 있다.
도 8은, 도 6 및 도 7과는 상이한 도전 패턴(61d)의 일례를 나타낸 도면이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 파형 또는 지그재그형과 같은 주기적인 도전 패턴(61d)을 사용해도 된다.
도 9는, 피치를 부분적으로 상이하게 한 파형 또는 지그재그형의 도전 패턴(61e)의 일례를 나타낸 도면이다. 이와 같이, 파형의 패턴에 있어서도, 가장 피치가 큰 A, 다음으로 피치가 큰 B, 가장 피치가 작은 C가 조합되어 구성될 수 있다. 장소에 따라 피치를 상이하게 한 도전 패턴(61c)을 사용함으로써, 전자기 유도 전압의 변화를 상이하게 할 수 있고, 정확하게 자전 축(32)의 회전 각도를 검출할 수 있다.
또한, 복잡하기는 하지만, 반드시 주기적인 패턴을 선택할 필요는 없고, 검출되는 전자기 유도 전압의 파형과 자전 축(32)의 각도의 관계를 미리 알고 있으면, 불규칙한 도전 패턴을 사용하도록 해도 된다.
이와 같이, 가동측 패턴(61)의 도전 패턴(61b 내지 61e)은, 용도에 따라 다양한 형상의 도전 패턴으로 할 수 있다.
또한, 가동측 패턴(61) 뿐만 아니라, 필요에 따라, 고정측 패턴(62)의 쪽도, 다양한 형상의 도전 패턴(61b)으로 구성해도 된다. 이와 같이, 가동측 패턴(61) 및 고정측 패턴(62)의 도전 패턴(61b 내지 61e, 62b)은, 용도에 따라 다양한 형상 패턴으로 할 수 있다.
도 10은, 본 개시의 제2 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치(91)의 구성을 도시한 도면이다. 제2 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치(91)에 있어서는, 4개의 고정측 패턴(62 내지 65)을 자전 축(32)의 주위에 배치하고 있다. 4개의 고정측 패턴(62 내지 65)은, 등간격으로 자전 축(32)의 외주 측면을 둘러싸도록 배치되어 있다.
또한, 고정측 패턴(62 내지 65)의 도전 패턴과 각각에 대응하여 마련된 교류 전원(70 내지 73) 사이에, 4개의 검출부(81 내지 84)가 각각 대응하여 접속되어 있다. 이에 의해, 4개의 고정측 패턴(62 내지 65)에 대응하여 4개의 전압 검출점을 마련할 수 있어, 회전 각도 검출의 정밀도를 높일 수 있다. 즉, 자전 축(32)의 1회의 회전에 대해, 4개소에서 전압 데이터를 취득할 수 있어, 정밀도를 높일 수 있다. 4개소의 도전 패턴(61b)의 배분은, 동일한 도전 패턴으로 해도 되고, 상이한 도전 패턴끼리 되도록 해도 된다. 미리 전자기 유도 전압의 변화 방법(전압 파형)을 파악해 둠으로써, 고정밀도로 자전 축(32)의 회전 각도를 검출할 수 있다.
또한, 고정측 패턴(62 내지 65)의 개수는, 4개에 한정되지 않고, 설치 가능한. 2개 이상의 임의의 개수로 해도 된다. 또한, 도 10에 있어서는, 자전 축(32)의 중심에 관하여 점 대칭으로 되도록 배치했지만, 대칭의 배치에 한정되는 것은 아니고, 용도에 따라 다양한 배치로 할 수 있다. 단, 장치 구성 및 검출의 정밀도를 높이는 관점에서는, 복수개의 고정측 패턴(62 내지 65)을 점대칭으로 배치하는 것이 바람직하다.
또한, 가동측 패턴(61)의 도전 패턴(61b)은, 제1 실시 형태에 있어서 도 7 내지 도 9를 참조하여 설명한 바와 같이, 부분적으로 피치가 상이한 패턴을 마련하거나, 용도에 따라 다양한 패턴을 사용하거나 하는 구성으로 해도 된다. 이에 의해, 회전 각도 검출의 정밀도를 한층 높일 수 있다.
이와 같이, 제2 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치(91)에 의하면, 고정측 패턴(62 내지 65)의 개수 및 그것에 대응하여 검출부(81 내지 84)를 복수로 하여, 복수의 전압 데이터를 얻음으로써, 정밀도가 높은 자전 축(32)의 회전 각도 검출을 행할 수 있다.
도 11은, 제3 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치(92)의 일례를 나타낸 도면이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 제3 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치(92)는, 2단의 가동측 패턴(61, 66)과, 그 2단의 높이를 커버하는 2단의 고정측 패턴부(62, 67)를 구비한다. 즉, 도 5에서 설명한 고정측 패턴(62)의 상단에, 고정측 패턴부(67)가 추가된 구성을 갖는다. 그리고, 상단의 고정측 패턴부(67)에는, 교류 전원(75) 및 검출부(86)가 접속되어 있다. 검출부(86)는, 전압 검출부(87)와, 각도 검출부(88)를 포함한다. 즉, 고정측의 검출 기구가 2단으로 마련된 구성이다.
가동측 패턴(61, 66)의 도전 패턴(61b, 66b)을 수지 필름(61a, 66a)의 표면에 형성한 경우, 수지 필름(61a, 66a)을 자전 축(32)의 외주 측면에 간극 없이, 양단의 도전 패턴(61b, 66b)이 연속하도록 첩부하기는 곤란하여, 양단부의 사이에 간극(61f)이 형성되는 경우가 있다. 그러한 간극(61f)이 생기면, 도전 패턴(61b, 66b)이 없는 부분이 생겨 버려, 검출 정밀도가 저하될 우려가 있다.
그래서, 제3 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치(92)에 있어서는, 간극(61f)이 생긴 부분보다 높은 위치에 다른 가동측 패턴(66)을 마련하여, 도전 패턴(61b)이 도중에 끊어진 개소를 도전 패턴(66b)으로 보충하는 구성으로 하고 있다. 도전 패턴(66b)이 도중에 끊어져 있는 간극(66f)은, 도전 패턴(61b)이 보충하고 있으므로, 서로 간극을 보충하는 구성으로 되어, 도전 패턴이 존재하지 않는 개소를 없앨 수 있다.
이와 같이, 자전 축(32)의 축방향으로 길게 가동측 패턴(61, 66)을 마련한 것에 대응시켜, 고정측 패턴(67)의 길이를 길게 하여, 가동측 패턴(61, 66)의 양쪽 패턴을 커버할 수 있는 구성으로 했다. 미리, 도전 패턴(61b, 66b)이 도중에 끊어진 부분의 전압 파형과 회전 각도의 관계를 파악하여, 전압 변화를 파악함으로써, 신호를 도중에 끊어지게 하지 않고 회전 각도의 검출을 행할 수 있다. 또한, 가동측 패턴(61, 66)을 자전 축(32)에 마련하는 것이 용이해져, 조립 노동력을 저감시켜, 작업성을 향상시킬 수 있다.
또한, 가동측 패턴(61, 66) 및 고정측 패턴(62, 67)에 있어서, 제1 및 제2 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치(90, 91)와 조합하는 것이 가능하고, 여러가지의 도전 패턴이나, 복수의 고정측 패턴(62 내지 65)을 구비하는 것도 가능하다.
제1 내지 제3 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 본 개시의 회전 각도 검출 장치(90 내지 92)는, 용도에 따라 다양한 구성으로 할 수 있고, 프로세스 중에 있어서 정확하게 자전 축(32)의 회전 각도를 검출하는 것이 가능하다.
또한, 검출부(80)는, 전압 검출부(81 내지 84) 및 각도 검출부(85 내지 88)가 검출한 회전 각도를 검증하여, 복수의 자전 축(32)의 각각이 적절하게 회전하고 있는지를 실시간으로 감시한다. 그리고, 이상이 발견된 경우에는, 필요한 조사, 메인터넌스 등을 행하여, 자전 축(32)이 적절하게 자전하도록 상태를 조정, 정비할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 자전 축(32)에 회전 각도 검출 장치(90 내지 92)를 마련하는 예를 들어서 설명했지만, 회전축(21)에 마련하여, 회전축(21)의 회전 각도를 검출하는 것도 가능하다. 또한, 성막 장치 뿐만 아니라, 에칭 장치 등의 회전 테이블(2)을 사용하여 기판 처리를 행하는 장치에 폭 넓게 적용하는 것이 가능하다.
계속해서, 적재대(3)의 자전 축(32)의 회전 각도 검출 방법에 대해 설명하지만, 예를 들어 회전 각도의 검출은, 실제로 기판 처리의 프로세스를 실시할 때에 행하여진다. 이하, 제1 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치(90)를 사용한 예를 들어서 설명한다.
먼저, 이미 설명한 바와 같이, 공전용 회전 기구(22) 및 자전용 회전 기구(53)(구동 기어)를 각각 회전시킴으로써, 회전 테이블(2)의 회전에 의해 적재대(3)를 공전시킴과 함께, 적재대(3)를 자전시킨다.
그리고, 교류 전원(70)으로부터 고정측 패턴(62)에 교류 전력을 공급한다. 이에 의해, 고정측 패턴(62)으로부터 자계가 발생하고, 그것에 의하여, 전자기 유도 작용에 의해, 가동측 패턴(61)의 도전 패턴(61b)에 전류가 흘러, 전자기 유도 전압이 발생한다.
이 전자기 유도 전압을, 전압 검출부(81)가 검출하고, 전자기 유도 전압의 크기 및 변화로부터, 각도 검출부(82)가 자전 축(32)의 회전 각도를 검출한다. 이 검출은 실시간으로 행해지고, 복수의 자전 축(32)의 각각의 회전 각도가 감시된다. 모든 자전 축(32)이 적절하게 회전하고 있으면, 기판 처리의 프로세스는 계속되고, 이상이 있는 경우에는, 감시를 계속하고, 장치를 정지시켜 원인을 조사하는 등의 처치가 실시된다. 이와 같은 제어를 행함으로써, 항상 적절한 상태에서의 기판 처리가 가능해져, 기판 처리의 품질을 높일 수 있다.
계속해서, 본 발명의 기판 처리 장치 일 실시 형태로서, 웨이퍼 W에 성막 처리인 ALD를 실행하는 성막 장치(1)에 적재대(3)의 자전량을 검출하는 기구를 구비한 구성에 대해, 도 12 내지 도 14를 사용하여 설명한다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 성막 장치(1)는, 성막 처리가 행해지는 처리 용기를 이루는 진공 용기(11)를 구비하고, 이 진공 용기(11)는, 진공 용기(11)의 측벽(131) 및 저부(132)를 이루는 용기 본체(13)와, 이 용기 본체(13)의 상면측의 개구를 기밀하게 막는 천장판(12)에 의해 구성되어 있다. 진공 용기(11) 내에는, 원판으로 이루어지는 회전 테이블(2)이 마련되어 있다. 이 예의 회전 테이블(2)은, 원판형의 지지판(24)에 의해 하방측으로부터 지지되어 있고, 이 지지판(24)은, 적재대(3)를 회전 테이블(2)로부터 독립된 상태에서 지지하도록 구성되어 있다.
진공 용기(11)에는, 저부(132)와 대향하도록, 구획 벽부(133)가 형성되고, 이 구획 벽부(133)의 상방측에 회전 테이블(2), 구획 벽부(133)의 하방측에 지지판(24)이 각각 마련되어 있다. 구획 벽부(133)에는 히터(14)나 냉매 유로(15)가 마련됨과 함께, 원환형의 슬릿(16)이 형성되어 있다. 회전 테이블(2)의 하면에는, 상기 슬릿(16)에 대응하는 위치에서 연직 하방을 향하여 연장 돌출되도록, 복수개의 지주(25)가 주위 방향으로 마련되어 있다. 각 지주(25)는, 슬릿(16)을 관통하여, 지지판(24)에 접속되어 있다. 지지판(24)의 하면측 중앙부는, 회전축(21)을 통하여 공전용 회전 기구(22)에 접속되어 있다. 따라서, 회전축(21)을 회전시키면, 지지판(24) 및 지주(25)를 통하여 회전 테이블(2)이 연직축 방향으로 회전한다. 이렇게 지지판(24)은, 회전 테이블을 포함하는 회전 부위에 상당한다.
적재대(3)의 자전 축(32)은 구획 벽부(133)의 슬릿(16) 및 지지판(24)의 개구부(241)를 관통하여 하방측으로 연장 돌출하고, 지지판(24)의 하방측에 통형체(331)를 통하여 고정된 베어링 유닛(34)에 접속되어 있다. 적재대(3), 종동 기어(4)나 구동 기어(5)의 자극부의 구성, 구동 기어(5)의 개구부(50)의 내측에 공전용 회전 기구(22)가 마련되는 것 등은, 도 1에 도시되는 자전 검출용 지그와 마찬가지로 구성되어 있지만, 구동 기어(5)에 있어서, 자극부를 지지하는 부위에 대해서는, 후술하는 로터리 인코더(6)의 설치 영역을 확보하도록 구성되어 있다.
천장판(12)의 하면 중앙부에는, 평면으로 볼 때 원형의 중심 영역 형성부 C와, 중심 영역 형성부 C로부터 회전 테이블(2)의 외측을 향하여 넓게 형성된 평면으로 볼 때 부채형의 돌출부(17)가 형성되어 있다. 이들 중심 영역 형성부 C 및 돌출부(17)는, 진공 용기(11)의 내부 공간에, 그 외측 영역에 비하여 낮은 천장면을 형성하고 있다. 중심 영역 형성부 C와 회전 테이블(2)의 중심부의 간극은 N2 가스의 유로(18)를 구성하고 있다.
도 13에 나타내는 바와 같이, 진공 용기(11)(용기 본체(13)의 측벽면에는, 게이트 밸브(281)에 의해 개폐 가능하게 구성된 반출입부(28)가 마련되어 있다. 외부의 도시되지 않은 반송 기구에 보유 지지된 웨이퍼 W는, 이 반출입부(28)를 통하여 진공 용기(11) 내에 반입되어, 적재대(3)에 전달된다. 적재대(3)와 반송 기구 사이의 웨이퍼 W의 전달은, 각 적재대(3)에 마련된 도시되지 않은 관통 구멍을 통해 승강 가능하게 구성된 승강 핀을 사용하여 행하여지지만, 승강 핀의 기재는 생략되어 있다.
또한, 도 12, 도 13에 나타내는 바와 같이, 성막 장치(1)에 있어서의 회전 테이블(2)의 상방측에는, 원료 가스 노즐(101), 분리 가스 노즐(102), 산화 가스 노즐(103), 개질 가스 노즐(104), 분리 가스 노즐(105)이, 이 순서대로, 회전 테이블(2)의 회전 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. 각 가스 노즐(101 내지 105)은, 진공 용기(11)의 측벽으로부터 중심부를 향하여, 회전 테이블(2)의 직경 방향을 따라서 수평하게 신장되는 봉형으로 형성되고, 그 길이 방향을 따라서 서로 간격을 두고 마련된 다수의 토출구(106)로부터, 각종 가스를 하방측을 향하여 토출한다.
원료 가스 노즐(101)은 예를 들어 BTBAS 가스를 토출한다. 도 13에서 부호 107은, 원료 가스 노즐(101)을 덮는 노즐 커버이며, 그 하방에 있어서의 BTBAS 가스의 농도를 높이는 역할을 갖는다. 또한, 산화 가스 노즐(103)은 예를 들어 O3 가스를 토출한다. 분리 가스 노즐(102, 105)은 예를 들어 N2 가스를 토출하고, 상면측으로부터 보아 천장판(12)의 돌출부(17)를 각각 주위 방향으로 분할하는 위치에 배치되어 있다. 개질 가스 노즐(104)은, 예를 들어 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스의 혼합 가스를 포함하는 개질 가스를 토출한다. 이 예에서는, 원료 가스, 산화 가스 및 개질 가스가 각각 처리 가스에 상당한다.
또한, 천장판(12)에는, 개질 가스 노즐(104)의 상방측에 플라스마 형성부(110)가 마련되어 있다. 도 13에는, 플라스마 형성부(110)가 마련되는 위치를 일점쇄선으로 나타내고 있다. 석영 등의 유전체를 포함하는 본체부(111)의 상면측에는, 패러데이 실드(113), 절연 부재(114)를 통하여, 금속선을 코일형으로 권회한 안테나(115)가 마련되고, 이 안테나(115)에는 고주파 전원(116)이 접속되어 있다. 도 13에서 부호 117은 전자계의 자계 성분을 하방으로 향하게 하기 위한 슬릿이다.
회전 테이블(2) 위에서, 원료 가스 노즐(101)의 하방 영역은, BTBAS 가스의 흡착이 행해지는 흡착 영역 R1, 산화 가스 노즐(103)의 하방 영역은, BTBAS 가스가 산화되는 산화 영역 R2에 상당한다. 또한, 플라스마 형성부(110)의 하방 영역은, 플라스마에 의해 SiO2막의 개질이 행해지는 개질 영역 R3, 돌출부(17)의 하방 영역은, 분리 가스 노즐(102, 105)로부터 토출되는 N2 가스에 의해, 흡착 영역 R1과 산화 영역 R2를 서로 분리하기 위한 분리 영역 D1, D2를 구성한다. 도면에서 부호 291, 292는 배기구이다.
계속해서, 적재대(3)의 자전량을 검출하는 기구에 대해 설명한다. 이 예에서는, 적재대(3)의 자전 축(32)의 하단에 가동측 패턴(61)을 마련함과 함께, 이 가동측 패턴(61)에 대향시켜 고정측 패턴(62)을 마련하고 있다.
성막 장치(1)에는, 도 14에 도시하는 바와 같이, 장치 전체의 동작의 컨트롤을 행하기 위한 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)가 마련되어 있다. 이 제어부(100)는, 검출부(80)를 포함하여 구성되어 있어도 되고, 별체로서 구성되어 있어도 된다.
제어부(100)는, CPU(201), 후술하는 성막 처리나 자전량 검출에 관한 성막 장치(1)의 운전 동작을 실행하기 위한 프로그램 등을 저장하는 프로그램 저장부(202), 기억부(203), 입력부(204), 데이터 처리부(205), 표시부(206)를 구비하고 있다. 도면에서 120은 버스이며, 이 버스(120)에는, 회전 테이블(2)의 공전용 회전 기구(22), 적재대(3)의 자전용 회전 기구(53)가 접속되어 있다.
기억부(203)는, 예를 들어 종동 기어(4)의 자전 속도와, 종동 기어(4)의 공전에 의한 각속도와 구동 기어(5)의 각속도의 속도차(Va-Vb)의 관계를 기억하는 것이다. 본 발명자들은, 종동 기어(4)의 공전에 의한 각속도와 구동 기어(5)의 각속도의 속도차와, 종동 기어(4)의 자전 속도는, 속도차가 있는 범위에서, 거의 비례 관계를 유지함을 파악했다. 예를 들어 수동 기어(5)의 각속도 Va와 종동 기어(4)의 공전에 의한 각속도 Vb의 속도차(Va-Vb)가 플러스((Va-Vb)>0)일 때에는, 속도차가 커질수록 우회전의 자전 속도가 커진다. 또한 속도차가 마이너스((Va-Vb)<0)일 때에는, 속도차가 커질수록 좌회전의 자전 속도가 커진다.
입력부(204)는 예를 들어 조작 화면으로 이루어지고, 종동 기어(4)의 자전 속도나 공전에 의한 각속도(회전 테이블(2)의 회전수)를 입력하기 위한 것이다. 데이터 처리부(205)는, 입력된 종동 기어(4)의 자전 속도와, 회전 테이블(2)의 회전수와, 상기 기억부(203)에 기억된 상기 관계에 기초하여, 구동 기어(5)의 회전수를 설정하기 위한 것이다. 종동 기어(4)의 자전 속도나 공전에 의한 각속도는, 예를 들어 메인터넌스 시에 입력할 수 있도록 구성되고, 종동 기어(4)의 자전 속도 및 각속도를 입력하면, 해당 자전 속도에 기초하여, 상기 관계로부터 종동 기어(4)의 공전에 의한 각속도와 구동 기어(5)의 각속도의 속도차를 파악하여, 구동 기어(5)의 회전수가 설정된다. 표시부(206)는, 예를 들어 제1 컨트롤러의 통신부로부터 송신된 적재대(3)의 자전량(회전각)의 검출값을 표시하는 것이다.
이하, 상술한 구성을 구비한 성막 장치(1)를 사용한 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 우선, 성막 처리를 행할 때에는, 회전 테이블(2)을 간헐적으로 회전시키면서, 각 적재대(3)를 반입출구(28)에 대향하는 위치로 이동시켜, 도시되지 않은 반송 기구를 사용하여 외부로부터 진공 용기(11) 내에 웨이퍼 W를 반입하여 적재대(3)에 전달한다. 그 후, 진공 용기(11) 내가 소정의 압력으로 되도록 배기구(291, 292)를 통하여 진공 배기를 실행한다. 또한, 분리 가스 노즐(102, 105), 중심 영역 형성부 C로부터 회전 테이블(2)에 대해 N2 가스를 공급함과 함께, 히터(14)에 의한 웨이퍼 W의 가열을 개시하여, 예를 들어 웨이퍼 W를 예를 들어 400℃로 가열한다.
그리고, 공전용 회전 기구(22)에 의해 회전 테이블(2)을 80rpm 이상 예를 들어 120rpm의 회전 속도로 회전시킴과 함께, 자전용 회전 기구(53)에 의해 구동 기어(5)를 회전시킨다. 이에 의해, 적재대(3)는 공전함과 함께 자전한다. 한편, 진공 용기(11) 내에서는, 원료 가스 노즐(101), 산화 가스 노즐(103), 개질 가스 노즐(104)로부터의 각 처리 가스의 공급과, 고주파 전원(116)으로부터의 안테나(115)로의 고주파의 인가에 의한 플라스마의 형성을 개시한다.
이 때, 교류 전원(70)으로부터 교류 전력이 고정측 패턴(62)에 공급된다. 그리고, 고정측 패턴(62)의 도전 패턴(62b)이 발생되는 자계 내를 가동측 패턴(61)이 통과하여, 가동측 패턴(61)의 도전 패턴(61b)에는, 전자기 유도 전압이 발생된다. 발생된 전자기 유도 전압을, 검출부(80)의 전압 검출부(81)가 검출하고, 검출된 전자기 유도 전압으로부터, 각도 검출부(85)가 복수의 자전 축(32)의 각각 회전 각도를 검출한다. 따라서, 회전 각도 검출 장치(90)는, 5개의 적재대(3)에 대응하여 5개 마련된다. 단, 검출부(80)는, 하나로 통합되어 있어도 된다. 이와 같은 자전 축(32)의 회전 각도 검출을 실시간으로 행하여, 각 자전 축(32)이 적절하게 자전하고 있는지 여부를 감시한다. 이상이 검출된 경우에는, 성막 장치(1)의 조건을 조정하거나, 성막 장치(1)를 정지시켜 원인을 조사하거나 하는 등의 조치를 행한다. 이에 의해, 성막 처리의 신뢰성을 높일 수 있다.
각 웨이퍼 W는, 흡착 영역 R1, 산화 영역 R2, 개질 영역 R3을 차례로 통과한다. 흡착 영역 R1에서는 BTBAS 가스가 웨이퍼 W에 흡착되고, 산화 영역 R2에서는 흡착된 BTBAS 가스가 O3 가스에 의해 산화되어, SiO2의 분자층이 1층 또는 복수층 형성된다. 개질 영역 R3에서는, 상기 SiO2의 분자층이 개질 가스의 플라스마에 노출되어 개질된다. 그리고, 회전 테이블(2)의 회전에 의해, 상술한 사이클이 복수회, 반복 실행됨으로써, SiO2의 분자층이 적층되어 웨이퍼 W 표면에 SiO2막이 형성된다.
이 성막 장치(1)에 있어서는, 회전 테이블(2)의 회전과 적재대(3)의 회전이 동기하지 않도록, 회전 테이블(2)의 회전수와 적재대(3)의 자전 속도가 설정된다. 즉, 웨이퍼 W가 제1 방향을 향한 상태에서, 회전 테이블(2)이 개시 포인트로부터 1회전하고, 다시 개시 포인트에 위치했을 때, 웨이퍼 W가 제1 방향과는 상이한 제2방향을 향하게 되는 자전 속도로 웨이퍼 W가 자전하도록 설정된다. 이와 같이, 적재대(3)는 회전 테이블(2)의 회전과 동기하지 않고 자전하므로, 각 적재대(3) 위의 웨이퍼 W는 자전 및 공전에 의해, 원료 가스의 흡착 영역 R1을 다양한 방향으로 통과함으로써, 웨이퍼 W의 주위 방향에서 보아, 웨이퍼 W에 형성되는 SiO2막의 막 두께의 치우침이 억제된다.
상술한 동작에 의해, SiO2의 분자층이 순차 적층되고, 미리 설정된 사이클수를 실행하면, 회전 테이블(2)의 회전이나 각종 가스의 공급, 플라스마의 형성, 공전용 회전 기구(22), 자전용 회전 기구(53)의 구동을 정지하고, 성막 처리를 종료한다. 그 후, 진공 용기(11) 내의 압력 조정을 행하고, 게이트 밸브(281)를 개방해서 외부의 반송 기구를 침입시켜, 반입시와는 반대의 수순으로 웨이퍼 W를 반출한다.
이와 같이, 본 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치, 회전 각도 검출 방법, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 자전 축(32)을 적절하게 회전시킨 상태에서 성막 처리 등의 기판 처리를 행할 수 있어, 프로세스의 품질을 높일 수 있다.
또한, 이상 설명한 실시 형태에서는, 가동측 패턴(61) 및 고정측 패턴(62)의 도체 패턴(61b, 62b)을 전자기 유도 전압의 측정에 사용되는 예에 대해 설명했지만, 정전 용량의 측정에 사용되는 것도 가능하다. 그 경우, 중첩 면적의 변화가 중요해지므로, 선의 패턴이 아니고, 베타막적인 패턴으로 중첩 면적이 변화해 가는 형상으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에서는, 가동측 패턴(61) 및 고정측 패턴(62)을 도체 패턴(61b, 62b)으로 구성하는 예에 대해 설명했지만, 광 등이 반사되는 반사 패턴이나, 다른 종류의 물리량을 측정 가능한 패턴을 대향시켜 회전 각도 검출 장치를 구성하는 것도 가능하다. 이와 같이, 본 실시 형태에 관한 회전 각도 검출 장치, 회전 각도 검출 방법, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 있어서는, 변화하는 물리량을 검출할 수 있으면, 다양한 재료를 포함하는 패턴을 사용할 수 있다.
이상, 본 개시의 바람직한 실시 형태에 대해 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 제한되지 않고, 본 개시의 범위를 일탈하지 않고, 상술한 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.

Claims (16)

  1. 회전축의 외주 측면에 마련되고, 해당 외주 측면의 주위 방향을 따라 형상이 변화되는 가동측 패턴과,
    상기 회전축의 주위에, 상기 가동측 패턴에 대향하여 고정 배치되며, 상기 회전축의 회전에 수반하여, 상기 가동측 패턴과의 중첩 상태가 변화되는 고정측 패턴을 포함하고,
    상기 가동측 패턴과 상기 고정측 패턴의 중첩 상태의 변화에 따라 변화되는 물리량을 검출하고, 해당 물리량에 기초하여 상기 회전축의 회전 각도를 검출하는, 회전 각도 검출 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가동측 패턴 및 상기 고정측 패턴은 도전 패턴인, 회전 각도 검출 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 고정측 패턴에는 교류 전류가 공급되고,
    상기 물리량은, 상기 고정측 패턴에서 발생되는 자계 내에서 상기 가동측 패턴이 이동함으로써 발생되는 전자기 유도 전압인, 회전 각도 검출 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 가동측 패턴 및 상기 고정측 패턴은, 주기적인 반복 패턴인, 회전 각도 검출 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 주기적인 반복 패턴은, 피치가 다른 패턴을 포함하는, 회전 각도 검출 장치.
  6. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고정측 패턴은, 주위 방향으로 이격하여 상기 회전축의 주위에 복수 마련되어 있는, 회전 각도 검출 장치.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가동측 패턴은, 절연 필름의 표면 위에 마련되어 있고,
    해당 절연 필름이 상기 회전축의 상기 외주 측면 위에 첩부되어 마련되어 있는, 회전 각도 검출 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 절연 필름은, 양단부가 중첩되지 않도록 상기 회전축의 상기 외주 측면 위에 첩부되어 있고,
    상기 절연 필름이 결여된 영역을 보충하는 제2 절연 필름이, 상기 절연 필름과 축방향에 있어서 중첩되지 않는 상기 회전축의 상기 외주 측면의 위치에 첩부되어 있고,
    상기 고정측 패턴은, 상기 제2 절연 필름의 표면 위에 마련되어 있는 제2 가동측 패턴과도 대향하고, 중첩되도록 마련되어 있는, 회전 각도 검출 장치.
  9. 제2항에 있어서, 상기 물리량은, 정전 용량인, 회전 각도 검출 장치.
  10. 처리실과,
    해당 처리실 내에 마련되고, 표면 위에 주위 방향을 따라 복수의 기판 적재부가 마련된 회전 테이블과,
    상기 복수의 기판 적재부의 각각에 마련된 자전 축과,
    해당 자전 축을 회전시키는 자전 축 구동 기구와,
    해당 자전 축의 회전 각도를 검출하는 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 회전 각도 검출 장치를 갖는, 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 자전 축과 상기 자전 축 구동 기구는, 자력을 사용하여 비접촉으로 연결되어 있는, 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 자전 축 구동 기구는, 상기 자전 축의 각각과 전체 주위에서 자기적으로 연결되는 환형의 유성형 자기 기어를 갖고, 해당 유성형 자기 기어의 회전에 의해 모든 자전 축을 회전 가능한, 기판 처리 장치.
  13. 주위 방향을 따라 마련된 복수의 기판 적재부의 각각에 기판이 적재된 회전 테이블을 회전시키는 공정과,
    상기 복수의 기판 적재부의 각각에 마련된 자전 축을 자전시키는 공정과,
    상기 자전 축의 외주 측면에 마련된 가동측 패턴과, 해당 가동측 패턴에 대향하여 고정 배치된 고정측 패턴의 중첩 상태의 변화에 따라 변화되는 물리량을 검출하고, 해당 물리량에 기초하여 상기 자전 축의 회전 각도를 검출하는 공정을 갖는, 회전 각도 검출 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 가동측 패턴 및 상기 고정측 패턴은 도전 패턴인, 회전 각도 검출 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 자전 축의 회전 각도를 검출하는 공정은,
    상기 고정측 패턴에는 교류 전류를 공급하는 공정을 포함하고,
    상기 물리량은, 상기 고정측 패턴에서 발생되는 자계 내에서 상기 가동측 패턴이 이동함으로써 발생되는 전자기 유도 전압인, 회전 각도 검출 방법.
  16. 처리실 내에 마련된 회전 테이블의 회전 방향을 따라서 마련된 원료 가스 공급 영역에 있어서, 기판의 표면 위에 원료 가스를 흡착시키는 공정과,
    상기 회전 테이블의 회전 방향에 있어서 상기 원료 가스 공급 영역의 하류측에 마련된 반응 영역에 있어서, 상기 원료 가스가 표면 위에 흡착된 상기 기판에 상기 원료 가스와 반응하여 반응 생성물을 생성하는 반응 가스를 상기 기판에 공급하여, 상기 반응 생성물의 분자층을 퇴적시키는 공정을,
    제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 회전 각도 검출 방법을 실시하면서 행하는, 기판 처리 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6777055B2 (ja) * 2017-01-11 2020-10-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
EP3704464B1 (en) * 2017-11-03 2021-03-31 ABB Schweiz AG Arrangement for monitoring antifriction bearing of rotating shaft of rotating electric machine

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6433021U (ko) * 1987-08-24 1989-03-01
JPH01237413A (ja) 1988-03-17 1989-09-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 位置検出方法
JPH05312505A (ja) * 1992-05-14 1993-11-22 Yaskawa Electric Corp 電磁式回転位置検出器
JPH11194004A (ja) * 1994-12-12 1999-07-21 Mitsutoyo Corp 静電容量式変位測定装置
JP2017187490A (ja) * 2016-04-05 2017-10-12 ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＤｒ． Ｊｏｈａｎｎｅｓ Ｈｅｉｄｅｎｈａｉｎ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ Ｍｉｔ Ｂｅｓｃｈｒａｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ 角度を測定するための装置及び方法
KR20180082958A (ko) * 2017-01-11 2018-07-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1113253A4 (en) * 1999-06-21 2006-11-02 Furukawa Electric Co Ltd ROTARY SENSOR AND ASSOCIATED MEASUREMENT
EP1321745A4 (en) * 2000-09-25 2005-09-07 Tokai Rika Co Ltd ROTATING ANGLE DETECTOR
JP4123761B2 (ja) * 2001-11-15 2008-07-23 松下電器産業株式会社 回転角度検出装置
US6926115B2 (en) * 2002-07-31 2005-08-09 Hitachi Cable, Ltd. Angle sensor, angle-torque sensor and electric power steering unit using same
JP5312505B2 (ja) 2011-03-29 2013-10-09 株式会社コナミデジタルエンタテインメント ゲーム装置、ゲーム装置の制御方法、及びプログラム
DE102013224098A1 (de) * 2013-11-26 2015-05-28 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung zur Erfassung von Drehwinkeln an einem rotierenden Bauteil in einem Fahrzeug
JP6209486B2 (ja) * 2014-05-13 2017-10-04 双葉電子工業株式会社 角度検出装置および角度検出装置を利用したサーボ装置
AU2014406529B2 (en) 2014-09-15 2019-10-31 Flowserve Pte. Ltd. Sensors for valve systems and related assemblies, systems and methods
JP6330623B2 (ja) * 2014-10-31 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP6433021B2 (ja) 2015-01-08 2018-12-05 学校法人早稲田大学 冠循環模擬装置
CN107022754B (zh) * 2016-02-02 2020-06-02 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP6763321B2 (ja) * 2017-03-01 2020-09-30 東京エレクトロン株式会社 自転検出用冶具、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法
KR20190067356A (ko) * 2017-12-07 2019-06-17 삼성전자주식회사 막 형성 장치
JP6935741B2 (ja) * 2017-12-20 2021-09-15 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP7187385B2 (ja) * 2019-05-22 2022-12-12 東京エレクトロン株式会社 磁気駆動装置、着磁方法及び磁気駆動装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6433021U (ko) * 1987-08-24 1989-03-01
JPH01237413A (ja) 1988-03-17 1989-09-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 位置検出方法
JPH05312505A (ja) * 1992-05-14 1993-11-22 Yaskawa Electric Corp 電磁式回転位置検出器
JPH11194004A (ja) * 1994-12-12 1999-07-21 Mitsutoyo Corp 静電容量式変位測定装置
JP2017187490A (ja) * 2016-04-05 2017-10-12 ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＤｒ． Ｊｏｈａｎｎｅｓ Ｈｅｉｄｅｎｈａｉｎ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ Ｍｉｔ Ｂｅｓｃｈｒａｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ 角度を測定するための装置及び方法
KR20180082958A (ko) * 2017-01-11 2018-07-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치

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