KR20200035925A - 기판 처리 장치 및 가스 도입판 - Google Patents

기판 처리 장치 및 가스 도입판 Download PDF

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Abstract

처리 용기 내의 탑재대에 기판을 탑재하고, 가스를 공급해서 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 기판 처리 장치는, 상기 탑재대에 대향해서 마련되고, 기판이 배치되는 처리 공간과 제 1 가스가 확산하는 확산 공간의 사이에 마련된 구획부와, 상기 확산 공간에 상기 제 1 가스를 공급하기 위한 제 1 가스 공급부와, 상기 구획부를 두께 방향으로 관통해서 형성되고, 상기 확산 공간에 확산한 제 1 가스를 상기 처리 공간에 토출시키기 위한 복수의 제 1 가스 토출 구멍과, 상기 구획부에 있어서의 상기 처리 공간측의 가스 토출면으로 개구하는 복수의 제 2 가스 토출 구멍을 포함한다. 상기 제 2 가스 공급부는 상기 제 1 가스와는 독립해서 제 2 가스를, 상기 처리 공간에 있어서 횡 방향으로 배열된 복수의 영역에 각각 독립해서 공급한다.

Description

기판 처리 장치 및 가스 도입판{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND GAS INTRODUCTION PLATE}
본 발명은 처리 용기 내에 탑재된 기판에 대하여 가스를 공급하여 처리를 행하는 기술에 관한 것이다.
반도체 제조 프로세스의 하나로서, 반응 가스를 플라즈마화해서 에칭, 성막 처리 등을 행하는 플라즈마 처리가 있다. 이러한 플라즈마 처리 장치로서는, 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 처리 용기 내에 있어서, 처리 용기의 상부 측으로 처리 가스를 여기해서 플라즈마화하고, 이온 트랩부를 통과시킨 라디칼을 기판에 공급하는 플라즈마 처리 장치가 알려져 있다.
플라즈마 처리에 있어서, 처리 용기 내에서 처리 가스를 여기할 때에, 예를 들면 안테나에 고주파 전력을 공급하고, 처리 용기 내에 유도 전계를 발생시키고, 처리 용기 내에 공급된 처리 가스를 여기시키고, 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼」라고 한다)에 공급하는 방법이 있다. 그렇지만 공간 내에 있어서 처리 가스를 여기하기 위한 유도 전계가 균일하지 않기 때문에, 플라즈마의 분포에 대해서도 불균일하게 되기 쉽다. 또한, 플라즈마의 분포는 자장이나 전계의 영향을 받기 쉽고, 그 밀도의 조정이 어려운 문제가 있다. 그 때문에 웨이퍼에 공급되는 라디칼의 면내 분포에 대해 양호한 균일성을 얻는 것이 곤란했다. 근래에는, 웨이퍼에 형성되는 회로 패턴의 미세화에 따라, 웨이퍼의 처리의 면내 균일성에 대해 보다 한층 높은 정밀도가 요구되고 있고, 이 때문에 처리 모듈에 있어서 기판에 대한 처리의 면내 분포를 조정하는 기술이 요구되고 있었다.
특허문헌 2에는, 웨이퍼(W)의 주연부에 부가 가스를 공급해서, 가스의 농도를 조정하고, 웨이퍼(W)의 면내 균일성을 조정하는 기술이 기재되어 있지만, 웨이퍼(W)의 중심 측에 부가 가스를 공급할 수 없는 문제가 있다. 또 처리 가스를 플라즈마화해서, 웨이퍼에 공급하는 예에 대해서는 고려되어 있지 않다.
일본 공개 특허 공보 제 2006-324023 호 일본 특허 제 5192214 호
본 발명은 이러한 사정에 근거해서 이루어진 것이고, 그 목적은 처리 용기 내에 탑재된 기판에 가스를 공급할 때에, 가스의 농도의 면내 분포를 조정할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 기판 처리 장치는 처리 용기 내의 탑재대에 기판을 탑재하고, 가스를 공급해서 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
상기 탑재대에 대향해서 마련되고, 기판이 배치되는 처리 공간과 제 1 가스가 확산하는 확산 공간의 사이에 마련된 구획부와,
상기 확산 공간에 상기 제 1 가스를 공급하기 위한 제 1 가스 공급부와,
상기 구획부를 두께 방향으로 관통해서 형성되고, 상기 확산 공간으로 확산한 제 1 가스를 상기 처리 공간으로 토출시키기 위한 복수의 제 1 가스 토출 구멍과,
상기 구획부에 있어서의 상기 처리 공간측의 가스 토출면으로 개구하는 복수의 제 2 가스 토출 구멍을 포함하고, 상기 제 1 가스와는 독립해서 제 2 가스를 처리 공간에 공급하는 제 2 가스 공급부
를 구비하고,
상기 제 2 가스 공급부는 처리 공간에 있어서의 횡 방향으로 분할된 복수의 영역마다 각각 독립해서 제 2 가스를 공급하도록 구성된, 각 영역마다의 가스 공급부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 처리 방법은 상술의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서,
상기 확산 공간에 공급된 상기 제 1 가스를 활성화해서 상기 처리 공간에 공급하고, 상기 기판의 표면에 형성된 실리콘 질화막을 에칭하는 에칭 공정과,
상기 처리 공간에 있어서의 상기 활성화된 상기 제 1 가스의 분포를 조정하기 위해서, 상기 처리 공간에 있어서 횡 방향으로 배열된 복수의 영역에 각각 제 2 가스를 공급하는 분포 조정 공정과,
상기 에칭 공정 및 분포 조정 공정 이후에 행해지고, 상기 실리콘 질화막의 표면에 있어서의 산화막을 제거하기 위한 산화막 제거 가스를, 상기 제 1 가스 공급부로부터 상기 확산 공간을 거쳐서 상기 처리 공간에 공급하거나, 상기 제 2 가스 공급부로부터 상기 처리 공간에 공급하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 처리 용기 내에 탑재된 피처리 기판에 가스를 공급하는 기판 처리 장치로서, 처리 용기 내에서 가스를 확산시키는 확산 영역과, 기판에 가스 처리를 행하는 처리 영역과 구획부로 구획하고, 확산 공간에 제 1 가스를 공급하고 있다. 확산 공간에 공급한 제 1 가스를 구획부에 형성한 제 1 가스 공급 구멍을 통해서 공급함과 아울러, 구획부의 하면에 마련된 제 2 가스 공급 구멍으로부터, 제 1 가스와는 독립해서 제 2 가스를 처리 공간에 공급하고 있다. 또한, 제 2 가스를 공급할 때에, 기판의 중심축을 포함하는 중앙 영역에 제 2 가스를 공급하는 중앙측 가스 공급부와, 중앙 영역을 둘러싸는 주연부 영역으로부터 제 2 가스를 공급하는 주연부측 가스 공급부를 서로 독립하도록 마련하고 있다. 그 때문에 제 2 가스를 탑재대의 중심측과, 탑재대의 주연부측에서 독립해서 공급량을 변경할 수 있어, 기판의 가스 처리의 면내 분포를 조정할 수 있다.
도 1은 제 1 실시 형태에 따른 멀티 챔버 시스템의 평면도이다.
도 2는 제 1 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 종단면도이다.
도 3은 샤워판을 상방에서 본 평면도이다.
도 4는 샤워판을 하방에서 본 평면도이다
도 5는 상기 샤워판의 종단면도이다.
도 6은 상기 샤워판의 횡단면도이다.
도 7은 상기 샤워판의 단면 사시도이다.
도 8은 이온 트랩부의 단면도이다.
도 9는 이온 트랩부를 나타내는 평면도이다.
도 10은 플라즈마 처리 장치의 작용을 나타내는 설명도이다.
도 11은 플라즈마 처리 장치의 작용을 나타내는 설명도이다.
도 12는 본 발명의 실시 형태의 다른 예에 있어서의 샤워판의 설명도이다.
도 13은 본 발명의 기판 처리가 행해지는 웨이퍼를 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 실시 형태의 다른 예의 작용을 나타내는 설명도이다.
도 15는 본 발명의 실시 형태의 다른 예의 작용을 나타내는 설명도이다.
도 16은 에칭 처리 후의 웨이퍼를 나타내는 단면도이다.
도 17은 제 2 실시 형태에 따른 샤워판의 상면측을 나타내는 평면도이다.
도 18은 제 2 실시 형태에 따른 샤워판의 하면측을 나타내는 평면도이다.
도 19는 제 2 실시 형태에 따른 샤워판을 나타내는 종단면도이다.
도 20은 제 2 실시 형태에 따른 샤워판을 나타내는 종단면도이다.
도 21은 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 종단면도이다.
도 22는 제 3 실시 형태에 따른 샤워 헤드를 나타내는 평면도이다.
도 23은 제 3 실시 형태에 따른 샤워 헤드를 나타내는 평면도이다.
(제 1 실시 형태)
제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 플라즈마 처리 장치에 적용한 예에 대해 설명한다. 도 1은 플라즈마 처리 장치를 구비한 멀티 챔버 시스템인 진공 처리 장치를 나타낸다. 진공 처리 장치는 그 내부 분위기가 건조 가스, 예를 들면 건조한 질소 가스에 의해 상압(常壓) 분위기로 되는, 횡으로 연장된 상압(常壓) 반송실(12)를 구비하고, 상압 반송실(12)의 앞에는, 반송 용기(C)를 탑재하기 위한 3대의 로드 포트(11)가 나란히 설치되어 있다.
상압 반송실(12)의 정면벽에는, 상기 반송 용기(C)의 덮개와 함께 개폐되는 도어(17)가 장착되어 있다. 상압 반송실(12) 내에는, 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 관절 암으로 구성된 반송 기구(15)가 마련되어 있다. 상압 반송실(12)에 있어서의 로드 포트(11)의 반대 측에는, 예를 들면 2개의 로드록실(13)이 나란히 배치되어 있다. 로드록실(13)과 상압 반송실(12)의 사이에는, 게이트 밸브(18)가 마련되고, 로드록실(13)의 상압 반송실(12)측으로부터 보아 안쪽에는, 진공 반송실(10)이 게이트 밸브(19)를 사이에 두고 배치되어 있다.
진공 반송실(10)에는, 예를 들면 성막 처리, PHT(Post Heat Treatment) 처리 및 플라즈마 처리를 행하는 프로세스 모듈(1)이 접속되어 있다. 진공 반송실(10)에는, 관절 암으로 구성되는 2개의 반송 암을 구비한 반송 기구(16)가 마련되어 있고, 반송 기구(16)에 의해, 각 로드록실(13) 및 각 프로세스 모듈(1)의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수가 행해진다. 또 진공 처리 장치에 있어서의 상압 반송실(12)에는, 웨이퍼(W)를 냉각하기 위한 냉각 장치(14)가 접속되어 있다. 예를 들면 성막 장치는 웨이퍼(W)에 질화 실리콘(SiN) 막을 성막함과 아울러, PHT 장치는 플라즈마 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열해서 플라즈마 처리로 생성하는 반응 생성물을 승화시킨다.
다음으로 진공 처리 장치에 마련되는 프로세스 모듈(1) 중 플라즈마 처리 장치(2)에 대해 도 2를 참조해서 설명한다. 여기에서는, 예를 들면 3불화 질소(NF3) 가스, 산소(O2) 가스, 및 수소(H2) 가스를 여기시키고, 여기시킨 라디칼을 이용하여, 웨이퍼(W)에 형성한 SiN막의 에칭을 행하는 플라즈마 처리 장치를 예로 설명한다. 플라즈마 처리 장치(2)는 알루미늄 등의 금속제의 진공 용기로 구성된 처리 용기(20)를 구비하고 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이 플라즈마 처리 장치는, 좌우로 나란히 연결된 2개의 처리 용기(20)를 구비하고, 연결된 2개의 처리 용기(20)의 전후 방향 일면측에, 도 1에 나타내는 진공 반송실(10)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반입출을 행하기 위한, 2개의 처리 용기(20)에 공통인 반송구(22)가 형성되고, 이 반송구(22)는 게이트 밸브(21)에 의해 자유롭게 개폐하도록 구성되어 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이 연결된 처리 용기(20) 내는, 상부 측에 마련된 격벽(23)과, 격벽(23)의 아래쪽에 마련된 구획벽(24)에 의해, 각 처리 용기(20)가 구획되어 있다. 구획벽(24)은 예를 들면 승강 기구(25)에 의해 자유롭게 승강하도록 구성되고, 구획벽(24)을 하강시키고 있을 때는, 2개의 처리 용기(20)에 있어서의 탑재대(3)가 배치되어 있는 처리 공간끼리가 연통하고, 각 처리 용기(20) 내에 웨이퍼(W)를 반입할 수 있지만, 구획벽(24)을 상승시킴으로써, 2개의 처리 공간이 서로 구획된다. 또한 플라즈마 처리 장치(2)에 있어서의, 2개의 처리 용기(20) 내는 대략 마찬가지로 구성되어 있기 때문에, 이하 한쪽의 처리 용기(20)에 대해 설명한다.
도 1, 도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 용기(2)에는, 웨이퍼(W)를 수평으로 지지하기 위한 탑재대(3)가 배치되어 있다. 또 탑재대(3)의 내부에는 온도 조절 유로(33)가 형성되고, 온도 조절 유로에는, 예를 들면 물 등의 온도 조절용의 매체가 통류되고, 후술하는 라디칼 처리에 있어서, 웨이퍼(W)를 예를 들면 10~120℃로 온도 조정한다. 또 탑재대(3)에는 탑재대의 표면으로부터 돌출하도록 마련된 도시하지 않는 승강 핀이 둘레 방향으로 등간격으로 3개 마련되어 있다.
각 처리 용기(20)에 있어서의 천정판 부분에는, 예를 들면 석영판 등으로 구성된 유전체창(26)이 마련되어 있다. 각 유전체창(26)의 상면 측에는, 소용돌이 형상의 평면 코일로 구성된 고주파 안테나(27)가 탑재되어 있다. 코일 형상의 고주파 안테나(27)의 단부에는, 정합기(28)를 통해서 예를 들면 200~1200W의 고주파를 출력하는 고주파 전원(29)이 접속되어 있다. 고주파 안테나(27), 정합기(28) 및 고주파 전원(29)은 플라즈마 발생부에 상당한다.
또 각 처리 용기(20)마다 제 1 가스를 공급하기 위한 가스 공급구(34)가 형성되고, 가스 공급구(34)에는, 가스 공급관(35)의 일단측이 접속되어 있다. 가스 공급관(35)의 타단측은 3개로 분기하고, 각 단부에는, 각각 NF3 가스 공급원(36), H2 가스 공급원(37) 및 O2 가스 공급원(38)이 접속되어 있다. 또한 도 2의 V1~V3는 밸브이며, M1~M3는 유량 조정부이다. 이것에 의해, NF3 가스, H2 가스 및 O2 가스를 각각 소정의 유량으로 처리 용기(20) 내에 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 가스 공급구(34)로부터 공급되는 이들 가스는 제 1 가스에 상당한다.
처리 용기(20)에 있어서의 탑재대(3)의 위쪽에는, 처리 용기(20) 내를 NF3 가스, O2 가스 및 H2 가스를 확산하는 확산 공간인 동시에 플라즈마를 여기하는 플라즈마 공간(P)과, 탑재대(3)에 탑재된 웨이퍼(W)에 라디칼 처리를 행하는 처리 공간(S)으로 구획하는 구획부(5)가 마련되어 있다.
구획부(5)는 샤워판(4)과 이온 트랩부(51)를 구비하고, 아래쪽으로부터 이 순서로 배치되어 있다. 샤워판(4) 및 이온 트랩부(51)는 서로의 열팽창율의 차이로 인해 마찰로 파티클이 발생할 우려가 있기 때문에, 예를 들면 스페이서 등을 이용해서 서로 접촉하지 않도록 간극을 두고 배치된다.
샤워판(4)에 대해 도 3~도 7을 참조해서 설명한다. 도 3은 각 처리 용기(20)에 마련되는 샤워판(4)을 상방측에서 본 도면을 나타내고, 도 4는 한쪽의 처리 용기(20) 내에 있어서의 샤워판(4)을 탑재대(3)측에서 본 평면도를 나타낸다. 또 도 5는 샤워판(4)의 종단면도, 도 6은 샤워판(4)의 횡단면을 탑재대(3)측에서 본 단면도이며, 도 7은 샤워판(4)의 일부를 단면으로 한 사시도를 나타낸다. 또한, 도 7에 있어서는, 플랜지(400)에 형성한 가스 확산 유로(45) 및 가스 도입로(405)의 천정면은 판 형상의 부재에 의해 폐쇄되지만, 설명의 편의상 가스 확산 유로(45) 및 가스 도입로(405)의 천정면을 개방하도록 나타내고 있다. 후술하는 바와 같이 샤워판(4) 내에는, 처리 공간(S)측에 제 2 가스인 불활성 가스, 예를 들면 아르곤(Ar) 가스를 공급하기 위한 유로가 형성되어 있지만, 도 2에서는, 샤워판(4)의 단면은 도면 작성의 곤란성으로 인해 사선으로서 나타내고 있고, 후술하는 내부의 유로에 대해서는, 나타내지 않았다. 샤워판(4)은 예를 들면 알루미늄판으로 구성되고, 도 3에 나타내는 바와 같이 각 처리 용기(20) 내를 구획하는 샤워판(4)은 서로 접속된 1매의 판상체(40)로서 구성되어 있다.
판상체(40)에 있어서의 샤워판(4)의 주위에는 플랜지(400)가 형성되고, 샤워판(4)은 처리 용기(20)의 둘레벽 내에 플랜지(400)를 삽입해서 고정되고, 이 플랜지(400)를 거쳐서, 샤워판(4)의 열이 처리 용기(20)의 내벽을 지나 확산하도록 구성되어 있다. 또 플랜지(400)의 내부에 냉매 유로를 형성하여, 샤워판(4)을 냉각하도록 구성해도 좋다.
도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이 처리 용기(20)의 배열 방향을 좌우로 하면, 샤워판(4)을 전후로 구분한 2개의 반원 형상의 영역에, 각각 전후 방향으로 연장하고, 샤워판(4)을 두께 방향으로 관통하도록 형성된 슬릿(42)이 좌우 방향으로 배열되어 형성되어 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이 슬릿(42)은, 예를 들면 폭이 후술하는 이온 트랩부(51)에 형성된 슬릿(42)보다 넓게 구성됨과 아울러, 하면측의 개구부를 향해서 직경이 확대되도록 구성되어 있다. 또 슬릿(42)의 개구부의 단부가 챔퍼링되어 있고, 슬릿(42)을 통과하는 가스의 컨덕턴스의 저하를 억제하도록 구성되어 있다.
또 도 4 및 도 6에 나타내는 바와 같이 샤워판(4)의 내부에는, 슬릿(42)이 형성된 반원 형상의 영역 사이를 좌우 방향(처리 용기(20)의 배열 방향)으로 연장하도록 가스 공급로(43)가 형성되어 있다. 가스 공급로(43)에 있어서의 샤워판(4)의 중앙 부근의 부위는, 가스 공급로(43)로부터 직교하는 방향(전후 방향)으로 분기한 복수의 중앙측 가스 공급로(44)가 샤워판(4)의 중앙 부근의 원형의 영역(중앙 영역)에 걸쳐서, 각 슬릿(42)의 간극에 형성되어 있다. 또 도 4, 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이 가스 공급로(43)에 있어서의 샤워판(4)의 주연부측의 단부는, 플랜지(400) 내부에 형성된 중앙측 가스 도입 포트(402)에 접속되어 있다. 중앙측 가스 도입 포트(402)에는, 중앙측 가스 공급관(47)을 통해서 Ar 가스 공급원(48)이 접속되고, 중앙측 가스 공급관(47)에는, 상류측으로부터 유량 조정부(M4) 및 밸브(V4)가 마련되어 있다. 또 도 4, 도 5 및 도 7에 나타내는 바와 같이 중앙측 가스 공급로(44)에는, 샤워판(4)의 탑재대(3)측의 면인 가스 토출면으로 개구하는 중앙측 가스 토출 구멍(41A)이 분산해서 형성되어 있다. 이 가스 공급로(43), 중앙측 가스 공급로(44), 중앙측 가스 도입 포트(402), 중앙측 가스 공급관(47), Ar 가스 공급원(48), 유량 조정부(M4), 밸브(V4) 및 중앙측 가스 토출 구멍(41A)은 중앙측 가스 공급부에 상당한다.
또 도 4, 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이 샤워판(4)의 전후의 주위에 있어서의 플랜지(400)의 내부에는, 해당 샤워판(4)의 주연부를 따라 원호 형상으로 연장하는 가스 확산 유로(45)가 형성되어 있고, 샤워판(4)에 있어서의 중앙 영역의 주위의 주연부 영역의 내부에는, 가스 확산 유로(45)로부터 분기하고, 전후 방향으로 연장하는 주연부측 가스 공급로(46)가 각 슬릿(42)의 간극에 형성되어 있다. 각 가스 확산 유로(45)에는, 각각 가스 확산 유로(45)를 길이 방향으로 2 등분하는 위치로부터, 판상체(40)의 주연부측을 향해서 접속 유로(404)가 인출되어, 전후 방향으로 연장하도록 형성되어 있다. 보다 구체적으로 말하면, 상기와 같이 가스 확산 유로(45)는 원호 형상이지만, 접속 유로(404)는 이 원호의 법선 방향을 따라 형성되어 있다. 그리고, 이 접속 유로(404)의 상류측은 굴곡되어, 주연부측 가스 도입로(405)를 형성하고 있다. 해당 주연부측 가스 도입로(405)는 판상체(40)의 좌우의 중앙부를 향하고, 접속 유로(404)의 연장 방향과는 직교하도록 연장하고 있고, 해당 주연부측 가스 도입로(405)의 상류단은 주연부측 가스 도입 포트(403)에 접속되어 있다.
그런데 도 6에 있어서 화살표의 앞의 점선의 범위 내에, 접속 유로(404) 및 가스 확산 유로(45)를 확대해서 나타내고 있다. 이 도 6에 나타내는 바와 같이 접속 유로(404)의 폭(d)은 주연부측 가스 도입로(405)의 유로의 폭(D)보다 가늘게 형성되어 있다(D＞d). 예를 들면 주연부측 가스 도입로(405)의 유로의 폭(D)이 4~10㎜이며, 접속 유로(404)의 유로의 폭(d)은 2~6㎜이다. 또 접속 유로(404)의 길이(L)는 접속 유로(404)의 유로의 폭(d)보다 2배 이상의 길이(L≥2d)이고, 접속 유로(404)의 길이(L)는 예를 들면 4~12㎜로 형성되어 있다.
주연부측 가스 도입 포트(403)에는, 주연부측 가스 공급관(49)을 거쳐서 Ar 가스 공급원(48)이 접속되어 있다. 주연부측 가스 공급관(49)에는, 상류측으로부터 유량 조정부(M5) 및 밸브(V5)가 마련되어 있다. 또 도 4, 도 5 및 도 7에 나타내는 바와 같이 주연부측 가스 공급로(46)에는, 샤워판(4)의 탑재대(3)측의 면으로 개구하는 주연부측 가스 토출 구멍(41B)이 분산되어 형성되어 있다. 이 가스 확산 유로(45), 주연부측 가스 공급로(46), 주연부측 가스 도입 포트(403), 접속 유로(404), 주연부측 가스 도입로(405), 주연부측 가스 공급관(49), Ar 가스 공급원(48), 유량 조정부(M5), 밸브(V5) 및 주연부측 가스 토출 구멍(41B)은 주연부측 가스 공급부에 상당한다. 도 4에서는, 중앙측 가스 토출 구멍(41A)을 흑점으로 나타내고, 주연부측 가스 토출 구멍(41B)을 백점으로 나타내고 있다.
이온 트랩부(51)는 도 8에 나타내는 바와 같이 예를 들면 상하에 배치된 2매의 석영판(51a, 51b)으로 구성되어 있다. 2매의 석영판(51a, 51b)의 사이에는, 주연부를 따라, 예를 들면 석영제의 스페이서(52)가 마련되고, 2매의 석영판(51a, 51b)이 간극을 두고 대향하도록 배치되어 있다. 각 석영판(51a, 51b)에는, 도 8, 도 9에 나타내는 바와 같이 각각 두께 방향으로 관통하는 슬릿(53, 54)이 좌우 방향으로 연장하도록 복수 형성되고, 각 석영판(51a, 51b)에 형성된 슬릿(53, 54)은 상방측에서 보았을 때에, 그 위치가 서로 겹치지 않도록, 서로 어긋나게 형성되어 있다. 또한 도 3~도 9에 있어서의 슬릿(42, 53, 54) 및 중앙측 가스 토출 구멍(41A), 주연부측 가스 토출 구멍(41B)은 모식적으로 나타낸 것이고, 슬릿 및 토출 구멍의 배치 간격이나 수에 대해 정확하게 기재하고 있지 않다.
또한 제 1 실시 형태에서는, 샤워판(4) 및 이온 트랩부(51)에 형성된 슬릿(42, 53, 54)이 제 1 가스 공급 구멍에 상당한다.
또 도 2로 돌아와, 처리 용기(20)의 바닥면에는, 배기구(61)가 개구되어 있고, 배기구(61)에는 배기로(62)가 접속되어 있다. 이 배기로(62)에는 예를 들면 펜듈럼(pendulum) 밸브로 이루어지는 압력 조정 밸브 등을 통해서 진공 펌프 등의 진공 배기부(6)가 접속되고, 처리 용기(20) 내가 소정의 진공 압력까지 감압할 수 있도록 구성되어 있다.
또 도 1에 나타내는 바와 같이 진공 처리 장치는 제어부(9)를 구비하고 있고, 이 제어부(9)는 프로그램, 메모리, CPU를 구비하고 있다. 이들 프로그램은 컴퓨터 기억 매체, 예를 들면 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 광학 자기 디스크 등에 저장되어 제어부(9)로 인스톨된다. 프로그램은 웨이퍼(W)의 반송, 플라즈마 처리 장치(2)에 있어서의 각 가스의 공급 중단을 포함한 처리의 일련의 동작을 실시하도록 스텝군이 짜여져 있다.
상술의 실시 형태의 작용에 대해 설명한다. 예를 들면 웨이퍼(W)를 수납한 반송 용기(C)가, 진공 처리 장치의 로드 포트(11)에 반입되면, 웨이퍼(W)는 반송 용기(C)로부터 취출되고, 상압 반송실(12), 로드록실(13)을 거쳐서, 진공 반송실(10)에 반송된다. 계속해서 웨이퍼(W)는 반송 기구(16)에 의해 성막 장치에 반송되고, SiN막이 성막된다. 그 후 웨이퍼(W)는 반송 기구(16)에 의해 성막 장치로부터 취출되고, 플라즈마 처리 장치(2)에 반송된다. 플라즈마 처리 장치(2)에서는, 예를 들면 각 탑재대(3)의 승강 핀과 반송 기구(16)의 협동 작용에 의해 웨이퍼(W)가 수수되어, 각 탑재대(3)에 탑재된다. 에칭 대상인 웨이퍼(W)가 반입된 후, 반송 장치를 진공 반송실에 퇴피시켜, 게이트 밸브(21)를 닫음과 아울러, 구획벽(24)을 상승시켜, 각 처리 용기(20)를 구획한다.
계속해서 각 처리 용기(20) 내의 압력을 예를 들면 13.3~133.3Pa로 설정하고, NF3 가스를 10~500 sccm, O2 가스를 10~1000 sccm, H2 가스를 5~130 sccm로 각각의 유량으로 공급한다. 또 Ar 가스를 중앙측 가스 토출 구멍(41A)으로부터 50~1000 sccm, 주연부측 가스 토출 구멍(41B)으로부터 50~1000 sccm의 유량으로 가스를 공급한다. 이것에 의해 처리 용기(20)에 있어서의 플라즈마 공간(P)에서는, 이온 트랩부(51)와 유전체창(26)의 사이에 NF3 가스, O2 가스 및 H2 가스가 혼합되어 채워진다.
그 후 고주파 전원(29)으로부터 고주파 안테나(27)에 200~1200 W의 고주파 전력을 인가하면, 플라즈마 공간(P)에 유도 전계가 생기고, NF3 가스, O2 가스 및 H2 가스가 여기된다. 이것에 의해 도 10에 나타내는 바와 같이 플라즈마 공간(P)에는, NF3 가스, O2 가스 및 H2 가스의 플라즈마(100)가 생성되지만, 유도 전계가 도넛 형상으로 형성되기 때문에, 플라즈마 공간(P)에 생성되는 플라즈마(100)의 밀도 분포는, 도넛 형상으로 플라즈마의 농도가 높아진 분포로 된다.
계속해서 플라즈마(100)는 이온 트랩부(51)의 슬릿(53, 54)을 통과하지만, 플라즈마(100) 중의 이온은 이방(異方)적으로 이동하기 때문에, 이온 트랩부(51)의 2개의 슬릿(53, 54)을 통과하지 못하고 포착된다. 또 플라즈마 중의 라디칼은 등방(等方)적으로 이동하기 때문에, 이온 트랩부(51)를 통과해서, 샤워판(4)측으로 통과한다. 그 때문에 플라즈마화한 NF3 가스, O2 가스 및 H2 가스가 이온 트랩부(51)를 통과함으로써, 예를 들면 F, NF2, O 및 H 등의 라디칼의 농도가 높아진다.
그리고 이온 트랩부(51)를 통과한 F, NF2, O 및 H 등의 라디칼은 샤워판(4)의 슬릿(42)을 통과해서 처리 공간(S)에 진입한다. 플라즈마(100)는 플라즈마 공간(P)에서, 도넛 형상의 농도 분포로 되는 경향이 있다. 그리고 이온 트랩부(51) 및 샤워판(4)을 통과함으로써, 라디칼은 어느 정도 정류되고, 밀도가 균일화되어 처리 공간(S) 내에 침입해 웨이퍼(W)에 공급된다. 그렇지만 이온 트랩부(51) 및 샤워판(4)을 통과시킴으로써 완전하게 균일화하는 것이 어렵고, 또한 처리 공간(S)에 있어서의 배기에 의해, 라디칼의 밀도 분포는 영향을 받아 버린다.
그리고 중앙측 가스 토출 구멍(41A)으로부터 공급하는 Ar 가스의 유량과 주연부측 가스 토출 구멍(41B)으로부터 공급하는 Ar 가스의 유량을 조정하고, 처리 공간(S)에 있어서의 중앙측의 영역과 주연부측의 영역에 있어서 에칭량을 낮게 억제하고 싶은 쪽의 영역에 공급하는 Ar 가스의 유량을 상대적으로 많게 한다. 예를 들면 처리 공간(S)에 있어서의 주연부측의 영역에 있어서 에칭량을 낮게 억제하고 싶은 경우에는, Ar 가스의 유량을 웨이퍼(W)의 주연부 영역측에서 많게 하고, 웨이퍼(W)의 중앙 영역측에서 적게 한다. 이것에 의해 처리 공간(S)에 있어서, F, NF2, O 및 H 등의 라디칼이 웨이퍼(W)의 주연부 영역측의 영역에서 중앙 영역측보다, Ar 가스에 의해 희석되는 비율이 높아지기 때문에, 웨이퍼(W)의 중심 측에 있어서의 라디칼의 농도가 상대적으로 상승한다. 이것에 의해 도 11에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 중심 측에 있어서의 라디칼의 농도와 웨이퍼(W)의 주연부측에 있어서의 라디칼의 농도가 같다. 따라서 처리 공간(S)에 있어서의 라디칼(101)이 균일하게 되어, 웨이퍼(W)의 에칭의 면내 균일성이 양호해진다. 중앙측 가스 토출 구멍(41A) 및 주연부측 가스 토출 구멍(41B)으로부터 토출되는 Ar 가스에 의해, 제 1 가스 공급부로부터 공급된 가스를 여기시킨 F, NF2, O 및 H 등의 라디칼의 처리 공간(S) 내에 있어서의 분포가 조정되기 때문에, 제 2 가스인 Ar 가스는 제 1 가스의 분포를 조정하는 분포 조정용 가스라고 할 수 있다.
처리 공간(S)에 있어서는, F, NF2, O 및 H 등의 라디칼에 의해, SiN막이 에칭된다. 그 후 웨이퍼(W)는 반송 기구(16)에 의해 PHT 장치에 반송되어, 가열 처리가 행해진다. 이것에 의해 에칭 처리에 의해 발생한 찌꺼기가 승화되어 제거된다. 계속해서 웨이퍼(W)는 진공 분위기의 로드록실(13)에 반송되고, 이어서 로드록실(13)을 대기 분위기로 전환한 후, 웨이퍼(W)를 반송 기구(15)에 의해 취출하고, 냉각 장치(14)로, 웨이퍼(W)의 온도를 조정한 후, 예컨대 원래의 반송 용기(C)로 되돌린다.
상술의 실시 형태에 의하면, 처리 용기(20) 내에 탑재된 웨이퍼(W)에 가스를 공급해서 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 처리 용기(20) 내를 구획부(5)에 의해, NF3 가스, O2 가스 및 H2 가스를 여기하는 플라즈마 공간(P)과, 웨이퍼(W)에 라디칼 처리를 행하는 처리 공간(S)으로 구획하고 있다. 그리고 플라즈마 공간(P)에서 여기한 NF3 가스, O2 가스 및 H2 가스를 이온 트랩부(51)에 형성한 슬릿(53, 54) 및 샤워판(4)에 형성한 슬릿(42)을 거쳐서 라디칼로서 처리 공간(S)에 공급함과 아울러, 샤워판(4)의 하면으로부터 NF3 가스, O2 가스 및 H2 가스와 독립해서, Ar 가스를 공급하도록 구성하고 있다. 또한 Ar 가스를 공급할 때에, 탑재대(3)의 중앙 영역측으로부터 Ar 가스를 공급하는 중앙측 가스 공급부와, 탑재대(3)의 주연부 영역측으로부터 Ar 가스를 공급하는 주연부측 가스 공급부를 마련하고 있다. 그 때문에 Ar 가스를 탑재대(3)의 중심측과 탑재대(3)의 주연부측으로 독립해서 공급량을 조정할 수 있어, 웨이퍼(W)에 공급되는 라디칼의 면내 분포를 조정할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 플라즈마 처리의 면내 분포를 조정할 수 있다.
또 예를 들면 처리 용기(20) 내에 있어서의 NF3 가스, O2 가스 및 H2 가스의 공급 위치 등에 따라서는, 처리 공간(S)에 있어서의 중앙 영역측이 NF3 가스, O2 가스 및 H2 가스의 라디칼의 농도가 높아져 버리는 경우가 있다. 이러한 웨이퍼(W)의 중심측의 에칭량을 낮게 억제하고 싶은 경우에는, 중앙측 가스 공급부로부터 공급하는 Ar 가스의 양이 상대적으로 많아지도록 조정함으로써, 웨이퍼(W)의 중심측의 에칭량을 웨이퍼(W)의 주연부측에 있어서의 에칭량에 대해서 상대적으로 낮게 억제할 수 있다.
또한 샤워판(4)을 판상체(40)로 구성할 수 있기 때문에 두께가 얇아져, 이온 트랩부(51)와 조합해서 이용하는 경우에도, 장치의 대형화를 피할 수 있다.
또한 예를 들면 플라즈마 공간(P)측에 NF3 가스 등을 플라즈마화시키는 처리 가스를 공급하고, 샤워판(4)의 하면으로부터 NH3 가스 등을 플라즈마화시키지 않고 웨이퍼(W)에 공급하는 플라즈마 처리 장치이어도 좋다. 이러한 예로서는, 예를 들면 SiO2막을 COR(chemical Oxide Removal) 법에 의해, 제거하는 플라즈마 처리 장치를 들 수 있다. 이 플라즈마 처리 장치에서는, 에천트인 NH4F를 생성해서 웨이퍼(W)의 표면에 흡착시키고, NH4F와 SiO2를 반응시켜 AFS(플루오르 규산 암모늄)를 생성하지만, NH3 가스를 플라즈마화하면 NH4F가 생성되지 않는다. 그 때문에 플라즈마 공간(P)에 NF3 가스를 공급해서 플라즈마화함과 아울러, NH3 가스를 플라즈마 공간(P)을 통과시키지 않고 샤워판(4)의 하면으로부터 공급한다. 이러한 예에서도 중앙측 가스 토출 구멍(41A)으로부터 공급되는 NH3 가스의 공급량과 주연부측 가스 토출 구멍(41B)으로부터 공급되는 NH3 가스의 공급량을 조정함으로써, NH3 가스의 면내 분포를 조정하고, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 NH4F의 공급량의 면내 분포를 조정할 수 있기 때문에, 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
또 플라즈마가 이온 트랩부(51)에 충돌하면 이온 트랩부(51)가 열을 축적하는 경우가 있다. 이온 트랩부(51)를 통과하는 라디칼 등은 열 분포에 의해, 그 분포가 편향되는 경우가 있고, 이온 트랩부(51)의 열 분포에 의해 처리 공간(S)의 라디칼의 분포가 영향을 받는 경우가 있다. 상술의 실시 형태에서는, 샤워판(4)을 알루미늄판으로 구성하고 있다. 이온 트랩부(51)의 하부에 알루미늄판 등의 차열 부재(heat shield member)를 마련함으로써, 이온 트랩부(51)의 열의 처리 공간(S)으로의 복사를 차단할 수 있다. 그 때문에, 이온 트랩부(51)의 열의 영향으로 인한 처리 공간(S)의 라디칼 분포의 편향을 억제할 수 있어, 처리 공간(S)에 있어서의 라디칼의 농도 분포를 정밀도 좋게 조정할 수 있다.
또한 플랜지(400)를 마련한 샤워판(4)을 차열 부재로 구성하고, 플랜지(400)를 처리 용기(20)에 접촉하도록 마련함으로써, 샤워판(4)의 열이 처리 용기(20)를 거쳐서 확산하기 때문에, 차열의 효과가 향상된다. 또한 제 2 가스를 공급하는 중앙측 가스 공급로(44) 및 주연부측 가스 공급로(46)을 샤워판(4)의 내부에 마련함으로써, 중앙측 가스 공급로(44) 및 주연부측 가스 공급로(46)에 가스를 흐르게 하는 것으로, 샤워판(4)의 열의 확산을 촉진할 수 있기 때문에 보다 효과가 커진다. 또 이온 트랩부(51)도, 플라즈마의 분포에 의한 열 분포가 상이하고, 처리 공간(S)측에 복사하는 열의 분포도 상이해진다. 그 때문에 샤워판(4)의 중심측의 내부에 관통 마련된 중앙측 가스 공급로(44)와, 주연부측의 내부에 관통 마련된 주연부측 가스 공급로(46)에 각각 독립해서 가스를 공급할 수 있도록 구성함으로써, 이온 트랩부(51)의 열 분포에 맞추어, 샤워판(4)에 있어서의 가스를 흐르게 하는 영역을 변경할 수 있기 때문에, 보다 샤워판(4)의 열을 효율적으로 확산할 수 있다.
그런데 도 6에서 설명한 바와 같이, 주연부측 가스 도입로(405)가 가스 확산 유로(45)를 길이 방향으로 2 등분하는 위치에 접속되어 있기 때문에, 가스 확산 유로(45)의 좌우 방향에 있어서 가스의 유량을 균일성 높게 분산시킬 수 있다. 그와 같이 가스 확산 유로(45)에서 분산한 가스가 각 주연부측 가스 공급로(46)에 유입하기 때문에, 주연부측 가스 공급로(46)의 하류 측에 마련되는 각 주연부측 가스 토출 구멍(41)으로부터, 균일성 높게 가스를 토출할 수 있다.
여기서, 주연부측 가스 도입로(405)에 있어서 가스가 좌우 방향 중 한쪽을 향해서 흐르고 있다. 그 때문에, 이 주연부측 가스 도입로(405)의 하류단을 직접 가스 확산 유로(45)의 길이 방향의 중앙부에 접속하는, 즉 상술한 접속 유로(404)를 거치지 않고 가스 확산 유로(45)에 가스를 도입하는 구성으로 하는 것보다도, 해당 확산 유로(45)에 가스를 공급하고, 가스 확산 유로(45)에 가스를 유통시켜 원호의 법선 방향으로 정류시킨 후에 가스 확산 유로(45)에 도입하는 도 6에서 설명한 구성이, 가스 확산 유로(45)의 좌우 방향에 있어서, 보다 균일성 높게 가스를 확산시킬 수 있기 때문에, 바람직하다.
또 접속 유로(404)에 있어서의 가스 흐름의 편향을 없애서, 해당 가스의 직진성을 양호하게 하고, 가스 확산 유로(45)에 있어서의 가스 분포의 균일성을 높게 하기 위해서, 접속 유로(404)의 폭(d)은 주연부측 가스 도입로(405)의 폭(D)보다 가는 것이 바람직하다. 또 그와 같이 접속 유로(404)에 있어서의 가스의 흐름의 편향을 없애기 위해서 접속 유로(404)는, 그 길이(L)가 폭(d)에 대해서, 상술한 바와 같이 2배 이상(L≥2d)인 것이 바람직하다.
또 주연부측 가스 도입로(405)에 있어서의 하류측 단부를 상류측에 비해 확장한 구조로 하고, 접속 유로(404)에 유입되는 가스를 가스 도입로(405)의 하류측 단부에서 일단 체류시킨 후, 접속 유로(404)로 유입하도록 해도 좋다. 이와 같이 구성함으로써, 유속을 느리게 한 가스를 접속 유로(404)에 유입시킬 수 있기 때문에, 접속 유로(404)에 있어서의 가스의 직진성이 양호하게 된다.
또 본 발명은 제 2 가스 공급부를 이루는 중앙측 가스 토출 구멍(41A) 및 주연부측 가스 토출 구멍(41B)으로부터 공급하는 가스를 복수 종류의 가스 사이에서 교체되도록 구성해도 좋다. 예를 들면 도 12에 나타내는 바와 같이 제 2 가스 공급부를 구성하는 중심측 가스 도입 포트(402) 및 주연부측 가스 도입 포트(403)에, Ar 가스와 산화막 제거용의 가스인 불화 수소(HF) 가스를 각각 독립해서 공급할 수 있는 구성으로 한다. 이와 같이 Ar 가스 및 HF 가스를 공급 가능한 장치를 기판 처리 장치(1A)라 한다. 각 포트(402, 403)로의 Ar 가스 및 HF 가스의 공급이 가능한 것을 제외하고, 이 기판 처리 장치(1A)는 플라즈마 처리 장치(2)와 마찬가지의 구성이다. 또한 도 12의 480은 HF 가스 공급원이다. 또 V7, V8는 밸브이며, M7, M8는 유량 조정부이다.
도 13은 기판 처리 장치(1A)에서 처리되는 피처리 기판인 웨이퍼(W)를 나타낸다. 이 웨이퍼(W)는 예를 들면 3D NAND 구조를 구비한 디바이스를 형성할 때에 이용되고, 실리콘 질화막(SiN막)(200)과, 실리콘 산화막(SiO2막)(201)이 교대로 각각 복수층 적층되어 있고, 이들 막을 관통하도록 메모리 홀(202)이 형성되어 있다. 기판 처리 장치(1A)의 처리 전에, 메모리 홀(202)의 측벽을 이루는 SiN막(200)의 표면에는 얇은 자연 산화막(203)이 형성되어 있다. 이 기판 처리 장치(1A)의 처리를 개략 설명하면, 상기의 자연 산화막(203)의 제거 후에 메모리 홀(202)의 측벽을 이루는 SiN막(200)의 표층을 에칭한다. 그러나, 이 에칭 처리 후에 SiN막(200)의 표면에 산화막이 형성되어 있는 경우가 있다. 그와 같이 산화막이 형성되어 있으면, 후속 공정에서 메모리 홀(202) 내로의 막의 매립이 정상적으로 행해지지 않을 우려가 있다. 그래서, 이 기판 처리 장치(1A)는 에칭 후에 산화막을 제거하고, 상기 막의 정상적인 매립이 저해되는 것을 막는다.
이 기판 처리 장치(1A)를 이용한 기판 처리의 일례에 대해 보다 자세하게 설명한다. 우선 도 13에 나타내는 웨이퍼(W)가 기판 처리 장치(1A) 내에 탑재되면, 메모리 홀(202)의 측면의 자연 산화막(203)의 제거 처리를 행한다. 이 경우에는, 처리 용기(2) 내를 진공 배기하고, 고주파 전원(29)을 오프로 한 상태에서, 도 14에 나타내는 바와 같이 샤워판(4)에 형성된 중앙측 가스 토출 구멍(41A), 주연부측 가스 토출 구멍(41B)으로부터 처리 공간(S)에 HF 가스를 공급한다. 또한 도 14 및 도 15에 있어서는, 열려 있는 밸브를 흰색으로 나타내고, 닫혀지고 있는 밸브를 검은 색으로 나타내고 있다. 이때 각 중앙측 가스 토출 구멍(41A)에 가스를 도입하는 중앙측 가스 도입 포트(402)에 공급되는 HF 가스의 유량과, 주연부측 가스 토출 구멍(41B)에 가스를 도입하는 2개의 주연부측 가스 도입 포트(403)에 공급되는 HF 가스의 유량은 예를 들면 서로 같아도 좋다. 상기와 같이 처리 공간(S)에 공급된 HF 가스의 작용에 의해, 메모리 홀(202)의 내면에 형성된 자연 산화막(203)이 제거된다.
계속해서 도 15에 나타내는 바와 같이 H2 가스 공급원(37)으로부터 플라즈마 공간(P)에 SiN막(204)을 개질하기 위한 개질 가스인 H2 가스를 공급함과 아울러 처리 공간(S)으로의 HF 가스의 공급을 정지한다. 또한 고주파 전원(29)을 온으로 해서, 플라즈마를 여기한다. 이것에 의해 플라즈마 공간(P)에서 H2 가스가 활성화해서, H 라디칼이 웨이퍼(W)에 공급된다. 이 H 라디칼의 작용에 의해 SiN막(200)에 있어서의 SiN의 결합이 분리되어, SiN막(200)이 에칭되기 쉬워진다(SiN막(200)이 개질된다).
그 후 플라즈마 처리 장치(2)의 처리로서 도 10 및 도 11에서 설명한 바와 같이 SiN막(200)의 에칭 처리를 행한다. 이것에 의해 각각의 메모리 홀(202)의 측벽을 형성하는 SiN막(200)이 웨이퍼(W)의 면내에서 높은 균일성을 가지고 에칭된다.
그리고 메모리 홀(202) 내에 노출되어 있는 SiN막(200)이 수 nm의 두께로 에칭되면, 에칭이 종료된다. 이 SiN막(200)의 에칭은 각 메모리 홀(202)에 매립되는 막의 매립성을 양호하게 하기 위해서 행해진다. 또 에칭 종료시에 있어서의 메모리 홀(202)의 측벽을 이루는 SiN막(200)의 표면에는, 예를 들면 에칭에서 사용한 O2 가스의 작용에 의해 도 16에 나타내는 바와 같이 산화막(204)이 형성되어 있다.
그 때문에 후처리로서, 자연 산화막(203)의 제거 처리 공정과 마찬가지로 도 14에 나타내는 바와 같이 플라즈마 공간(P)으로의 각 가스의 공급을 정지함과 아울러, 고주파 전원(29)을 오프로 한 상태에서, 샤워판(4)의 가스 토출 구멍(41A, 41B)으로부터 HF 가스를 공급한다. 이것에 의해 SiN막(200)의 표면에 성막된 산화막(204)를 제거할 수 있다.
산화막(204)의 제거 후는, 예를 들면 상술의 실시 형태로 설명한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하고 웨이퍼(W)에 부착하고 있는 찌꺼기를 제거한다. 또한 웨이퍼(W)의 가열 처리는, 상술한 바와 같이 PHT 장치에 반송해서 행해도 좋고, 기판 처리 장치(1A)의 탑재대(3)에 가열부를 마련해서 기판 처리 장치(1A)에서 행해도 좋다.
이 기판 처리 장치(1A)에 의하면 웨이퍼(W)의 면내에 있어서의 SiN막(200)을 높은 균일성을 가지고 에칭할 수 있다. 또, 에칭 후에 있어서 SiN막(200) 표면의 산화막(204)이 제거되므로, 메모리 홀(202)로의 막의 매립을 저해하는 것을 막을 수 있다.
또한 이 기판 처리 장치(1A)에 의하면, 자연 산화막(203)의 제거 처리, SiN의 결합을 분리해서 에칭하기 쉽게 하는 전(前)처리 및 에칭 처리 후의 산화막(204)의 제거 처리의 일련의 기판 처리를 동일한 처리 용기(20) 내에서 행할 수 있다. 따라서, 상기의 일련의 기판 처리를 행할 때에, 복수의 처리 용기(20) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행할 필요가 없기 때문에, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 또한 자연 산화막(203)의 제거 처리 및 에칭만을 기판 처리 장치(1A)에서 행해도 좋고, 에칭 처리 및 산화막(204)의 제거 처리만을 기판 처리 장치(1A)에서 행해도 좋다.
또 에칭 처리의 전처리의 자연 산화막(203)의 제거 처리나, 에칭 처리의 후처리의 산화막(204)의 제거 처리는, HF 가스와 함께 NH3 가스를 공급하도록 구성해도 좋다. 또한 가스 공급구(34) 및 가스 공급구(34)에 가스를 공급하기 위한 가스 공급관(35), 각 밸브(V1~V3), 유량 조정부(M1~M3) 및 각 가스 공급원(36~38)은 제 1 가스 공급부를 이루고, 중앙측 가스 토출구(41A) 및 주연부측 가스 토출구(41B) 및 이들 중앙측 가스 토출구(41A) 및 주연부측 가스 토출구(41B)에 가스를 공급하기 위한 각 밸브(V4, V5), 유량 조정부(M4, M5) 및 Ar 가스 공급원(48)이 제 2 가스 공급부를 이루지만, HF 가스 및 NH3 가스는 제 1 가스 공급부와 제 2 가스 공급부 중 어느 하나로부터 공급해도 좋다. 또 개질 가스는 NH3 또는 H2O이어도 좋다.
(제 2 실시 형태)
제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 이 기판 처리 장치는, 도 2에 나타낸 플라즈마 처리 장치(2)와 구획부(5)의 일부를 구성하는 샤워판(8)의 구성이 다른 것을 제외하고 마찬가지로 구성되어 있다. 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치 샤워판(8)에 대해 도 17~도 20을 참조해서 설명한다. 또한 기재가 번잡하게 되는 것을 피하기 위해서, 샤워판(8)을 관통하는 슬릿(42)을 흑선으로 나타내고 있다. 도 17 및 도 18은 각각 상면측 및 하면측에서 본 샤워판(8)의 평면도를 나타낸다. 또 도 19 및 도 20은 각각 도 17 및 도 18에 나타낸 I 선 및 II 선에 있어서의 샤워판(8)의 종단면도이다.
도 17, 도 19 및 도 20에 나타내는 바와 같이 샤워판(8)의 상면측(플라즈마 공간(P)측)에 있어서의, 샤워판(8)의 전방 및 후방에 있어서의 플랜지(400)의 내부에는, 각각 샤워판(8)의 하면 주연부측으로부터 토출하는 Ar 가스를 좌우 방향으로 확산하는 주연부측 가스 확산 유로(91)가 형성되어 있다. 또 도 18, 도 19 및 도 20에 나타내는 바와 같이 샤워판(8)의 하면측에 있어서의 샤워판(8)의 전방 및 후방에 있어서의 플랜지(400)의 내부에는, 각각 샤워판(8)의 하면 중심부측으로부터 토출하는 Ar 가스를 좌우 방향으로 확산하는 중앙측 가스 확산 유로(92)가 형성되어 있다. 또 샤워판(8)의 내부에는, 샤워판(8)을 전방측으로부터 후방측까지 관통하고, 플랜지(400) 내에 있어서의 중앙측 가스 확산 유로(92)가 형성된 높이 위치보다 위쪽에 있어서, 주연부측 가스 확산 유로(91)의 아래쪽에 각 단부가 위치하도록 형성된 가스 유로(93)가 좌우 방향으로 배열되어 형성되어 있다. 또한 도 17 및 도 18에서는 주연부측 가스 확산 유로(91)의 천정면 및 중앙측 가스 확산 유로(92)의 하면이 개방되도록 나타내고 있지만, 도 19 및 도 20에 나타내는 바와 같이 주연부측 가스 확산 유로(91)의 천정면 및 중앙측 가스 확산 유로(92)의 하면은 모두 판 형상 부재에 의해 폐쇄되어 있다.
좌우로 배열된 가스 유로(93) 내의 안쪽의 유로(중앙 영역을 횡단하는 가스 유로(93))에 있어서는, 그 전후의 단부의 상면측에 연통로(96)가 마련되고 주연부측 가스 확산 유로(91)에 접속되는 가스 유로(93a)와, 그 전후의 단부의 하면측에 연통로(97)가 마련되고 중앙측 가스 확산 유로(92)에 접속되는 가스 유로(93b)가 교대로 배열되어 있다. 또 가스 유로(93) 내의 외측 부근의 유로(중앙 영역을 횡단하지 않는 가스 유로(93))는 모두 그 전후의 단부의 상면측에 연통로(96)가 마련되고, 주연부측 가스 확산 유로(91)에 접속된 가스 유로(93a)만으로 되어 있다.
또한 도 18 및 도 19에 나타내는 바와 같이 주연부측 가스 확산 유로(91)에 접속된 가스 유로(93a)에는, 샤워판(8)의 하면의 주연부측의 영역에 토출 구멍(95)이 형성되어 있다. 또 도 18 및 도 20에 나타내는 바와 같이 중앙측 가스 확산 유로(92)에 접속되는 가스 유로(93b)에 있어서는, 샤워판(8)의 하면의 중앙 영역에 토출 구멍(94)이 복수 형성되어 있다.
그리고 각 주연부측 가스 확산 유로(91)는, 도 6에 나타낸 샤워판(4)에 있어서의 주연부측 가스 확산 유로(45)와 마찬가지로 접속 유로(404) 및 주연부측 가스 도입로(405)를 거쳐서, 주연부측 가스 도입 포트(403)에 접속되어 있다. 또한 주연부측 가스 도입 포트(403)에는, 예를 들면 도 6에 나타낸 주연부측 가스 공급관(49)이 접속되고, Ar 가스를 주연부측 가스 확산 유로(91)를 거쳐서 가스 유로(93a)에 공급하도록 구성되어 있다. 또 각 중앙측 가스 확산 유로(92)도 접속 유로(406), 중앙측 가스 도입로(407)를 거쳐서 중앙측 가스 도입 포트(402)에 접속되어 있다. 접속 유로(406)는 접속 유로(404)와 마찬가지로, 중앙측 가스 도입로(407) 및 중앙측 가스 확산 유로(92)와 직교하도록 마련됨과 아울러, 접속 유로(406)의 유로의 폭은 중앙측 가스 도입로(407)의 유로의 폭보다 좁고, 접속 유로(406)의 길이는 접속 유로(406)의 유로의 폭의 2배 이상의 길이이다.
중앙측 가스 도입 포트(402)에는, 예를 들면 도 6에 나타낸 중앙측 가스 공급관(47)이 접속되고, Ar 가스를 중앙측 가스 확산 유로(92)를 거쳐서 가스 유로(93b)에 공급하도록 구성되어 있다. 또한 샤워판(8)에 있어서의 인접하는 가스 유로(93)(93a, 93b)의 간극에는, 플라즈마 공간(P)측에서 여기된 제 1 가스, 예를 들면 라디칼을 처리 공간(S)측에 공급하기 위한 슬릿(42)이 형성되어 있다.
이와 같은 샤워판(8)에 있어서는, 제 1 실시 형태로 나타낸 샤워판(4)과 마찬가지로 주연부측 가스 공급관(49)으로부터 공급되는 가스가 주연부측 가스 확산 유로(91)에 의해 가스 유로(93a)의 배열 방향으로 유량을 균일하게 하도록 확산한 후, 각 가스 유로(93a)에 공급된다. 또한 중앙측 가스 공급관(47)으로부터 공급하는 가스가, 중앙측 가스 확산 유로(92)에서 가스 유로(93b)의 배열로 유량을 균일하게 하도록 확산한 후, 각 가스 유로(93b)에 공급된다. 그 때문에 샤워판(8)의 주연부 영역에 공급되는 가스뿐만 아니라, 중앙 영역에 공급하는 가스의 유량이 가스 유로(93b)의 배열 방향(좌우 방향)으로 균일하게 된다.
따라서, 샤워판(8)의 중앙 영역측으로부터 공급하는 제 2 가스와, 주연부측으로부터 공급하는 제 2 가스를 각각 균일하게 토출할 수 있다. 그 때문에 웨이퍼(W)의 중심측 및 주연부측에 공급되는 제 2 가스의 면내 분포를 각각 균일하게 할 수 있고, 웨이퍼(W)에 공급하는 제 2 가스의 면내 균일성을 조정할 때에, 보다 정밀도 좋게 조정할 수 있다.
(제 3 실시 형태)
또 본 발명은 가스를 플라즈마화하는 플라즈마 공간을 대신해서, 가스를 프리믹스하는 확산 공간을 구비한 기판 처리 장치에서도 좋다. 예를 들면 NF3 가스, Ar 가스, O2 가스, H2 가스 등의 가스를 프리믹스해서 처리 공간에 공급함과 아울러, 처리 공간에 직접, 예를 들면 HF 가스나 NH3 가스 등의 포스트믹스용의 가스를 공급해서 처리를 행하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 웨이퍼(W)에 가스 처리를 행하는 가스 처리부는 상술의 플라즈마 처리 장치의 처리 용기(20)와 마찬가지로 2개를 연결한 구성이어도 좋지만, 여기에서는 1개의 처리 용기(210)를 구비한 예에 대해 설명한다. 도 21에 나타내는 바와 같이, 원통형의 처리 용기(210)와, 처리 용기(210)의 천정판 부분에 샤워 헤드(7)를 마련해서 구성되어 있다. 또한 도면의 21, 22는 게이트 밸브 및 반송구, 61, 62 및 6은 플라즈마 처리 장치(2)와 마찬가지로 구성된 배기구, 배기관 및 진공 배기부이다. 또한 처리 용기 내에는, 플라즈마 처리 장치(2)와 마찬가지로 탑재대(3)가 마련되어 있다.
샤워 헤드(7)의 구성에 대해 도 21~도 23을 참조해서 설명한다. 샤워 헤드(7)는 제 1 가스를 확산시키는 확산 공간(D)을 구성하는 확산 부재(71)와, 처리 공간(S)에 가스를 분출하는 샤워 부재(72)를 구비하고, 도 21에 나타내는 바와 같이 탑재대(3)측으로부터 샤워 부재(72)와 확산 부재(71)를 이 순서로 겹쳐서 형성되어 있다. 확산 부재(71)의 바닥판(71a) 및 샤워 부재(72)는, 웨이퍼(W)의 처리를 행하는 처리 공간(S)과 가스를 확산하는 확산 공간(D)으로 구획하는 구획부에 상당한다. 또한 도 21~도 23은 모식적으로 나타낸 것이고, 토출 구멍의 배치나 수에 대해 정확하게 기재하고 있지 않다.
도 21 및 도 22에 나타내는 바와 같이 확산 부재(71)는 내부에 가스를 확산하는 확산실이 형성된 평탄한 원통 형상으로 구성되어 있다. 확산 부재(71)의 천정판에는, 예를 들면 NF3 가스, Ar 가스, O2 가스, H2 가스 등의 제 1 가스를 확산 부재(71) 내에 공급하는 제 1 가스 공급관(73)의 하류측 단부가 접속되고, 확산 부재(71)의 바닥판(71a)에는, 확산 부재(71) 내에서 확산한 가스를 토출하는 구멍부(74)가 바닥판을 관통하도록 마련되어 있다. 제 1 가스 공급관(73)의 상류측에는, NF3 가스, Ar 가스, O2 가스, H2 가스 등의 가스를 혼합해서 제 1 가스 공급관(73)에 공급하는 제 1 가스 공급원(85)이 접속되어 있다. 또한 도 21의 V6, M6는 각각 밸브 및 유량 조정부이다. 이 예에서는 확산 부재(71) 내에 제 1 가스를 한곳으로부터 공급하도록 구성하고 있지만, 예를 들면 복수의 가스를 각각 개별적으로 마련한 가스 도입부로부터 확산 공간(D)에 도입하도록 해도 좋다. 그리고 복수종의 가스를 확산 공간(D)에서 혼합하도록 해도 좋다.
또 도 21 및 도 22에 나타내는 바와 같이 확산 부재(71)의 내부에는, 확산 부재(71)를 평면에서 보아, 중심 부근의 위치에, 중앙측 가스 공급관(75)이 마련되고 확산 부재(71)의 천정판에 접속된, 제 2 가스 공급관(76)을 거쳐서 공급되는, 예를 들면 HF 가스나 NH3 가스 등의 포스트믹스용의 제 2 가스를 확산실에 확산시키지 않고, 후술하는 샤워 부재(72)의 중앙측의 영역에 공급하도록 구성되어 있다. 또 확산 부재(71)의 내부에 있어서의 주연부 부근의 위치에는, 주연부측 가스 공급관(77)이 마련되고, 천정판에 접속된 제 2 가스 공급관(78)을 거쳐서 공급되는 제 2 가스를 확산실에 확산시키지 않고, 후술하는 샤워 부재(72)의 주연부측의 영역에 공급하도록 구성되어 있다. 또한 도면의 86은 HF 가스나 NH3 가스 등의 포스트믹스용의 제 2 가스 공급원이며, 도 21의 V4, V5는 각각 제 2 가스 공급관(76, 78)에 마련된 밸브이고, M4, M5는 각각 제 2 가스 공급관(76, 78)에 마련된 유량 조정부이다.
도 21 및 도 23에 나타내는 바와 같이 샤워 부재(72)는 평탄한 바닥이 있는 원통 형상의 부재로 구성되고, 위쪽을 확산 부재의 바닥판(71a)에 의해 폐쇄시킴으로써 내부에 샤워실이 형성된다. 샤워실 내는, 구획벽(81)에 의해, 중앙 영역과 주연부측 영역으로 구획되어 있다. 그리고 확산 부재(71)의 중앙측 가스 공급관(75)을 거쳐서 샤워실에 공급되는 제 2 가스는, 도 21의 파선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 샤워실 내에 있어서의 구획벽(81)으로 둘러싸인 중앙 영역으로 유입되고, 구획벽(81)으로 둘러싸인 중앙 영역의 바닥면에 형성된 중앙측 가스 토출 구멍(82)으로부터, 처리 공간(S)으로 유입되어, 탑재대(3)에 탑재된 웨이퍼(W)를 향해 토출된다.
또 확산 부재(71)의 주연부측 가스 공급관(77)을 거쳐서 샤워실에 공급되는 제 2 가스는, 도 21에서 긴 점선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 샤워실 내에 있어서의 구획벽(81)보다 외측의 주연부 영역으로 유입되고, 구획벽(81)보다 외측의 주연부 영역의 바닥면에 형성된 주연부측 가스 토출 구멍(83)으로부터, 처리 공간(S)에 유입되고, 탑재대(3)에 탑재된 웨이퍼(W)를 향해 토출된다.
또 샤워실 내에는, 확산 부재(71)의 바닥판(71a)에 형성된 구멍부(74)에 각각 대응해서, 가스 공급관(84)이 마련되고, 도 21에서 실선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 확산 부재(71)의 구멍부(74)로부터 토출되는 제 1 가스를 샤워실 내에 확산시키지 않고 샤워 부재(72)의 하방 토출하도록 구성되어 있다. 이 구멍부(74) 및 가스 공급관(84)은 제 1 가스 토출 구멍에 상당한다. 이러한 기판 처리 장치에서도, 제 1 가스를 확산 공간(D)에서 확산해서 처리 공간(S)에 토출함과 아울러, 제 2 가스를, 확산실을 통과시키지 않고 샤워 부재(72) 내의 중앙 영역 및 주연부 영역으로부터 처리 공간(S)으로 각각 독립해서 공급할 수 있다. 그 때문에 처리 용기(20) 내에 있어서의 제 2 가스의 농도 분포를 조정할 수 있어 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
2 : 플라즈마 처리 장치 3 : 탑재대
4, 8 : 샤워판 5 : 구획부
7 : 샤워 헤드 20 : 처리 용기
41A : 중앙측 가스 토출 구멍 41B : 주연부측 가스 토출 구멍
42 : 슬릿 51 : 이온 트랩부
D : 확산 공간 P : 플라즈마 공간
S : 처리 공간 W : 웨이퍼

Claims (17)

  1. 기판 처리 장치로서,
    플라즈마 생성 공간과 기판 처리 공간을 가지는 챔버와,
    상기 플라즈마 생성 공간에 제 1 가스를 도입하기 위한 제 1 가스 도입부와,
    상기 플라즈마 생성 공간에 도입된 상기 제 1 가스로부터 플라즈마를 형성하기 위한 플라즈마 발생부와,
    상기 챔버 내에서 상기 기판 처리 공간과 상기 플라즈마 생성 공간 사이에 배치되고, 가스 도입판을 포함하는 구획판을 구비하고,
    상기 가스 도입판은,
    상기 기판 처리 공간과 상기 플라즈마 생성 공간을 유체 연통하는 복수의 관통 슬릿과,
    상기 기판 처리 공간 측에서 제 1 영역과, 상기 제 1 영역과는 상이한 제 2 영역을 구비하는 제 1 면과,
    상기 기판 처리 공간에 제 2 가스를 도입하기 위한 제 1 가스 유로와 제 2 가스 유로 -상기 제 1 가스 유로는 상기 제 1 영역에 형성된 복수의 제 1 가스 토출 구멍을 구비하고, 상기 제 2 가스 유로는 상기 제 2 영역에 형성된 복수의 제 2 가스 토출 구멍을 구비함- 를 구비하고,
    상기 기판 처리 장치는 상기 제 1 가스 유로와 상기 제 2 가스 유로에의 상기 제 2 가스의 분배를 제어하기 위한 가스 분배 제어부를 더 구비하는
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 영역은 상기 가스 도입판의 중심을 포함하는 중앙 영역이고, 상기 제 2 영역은 상기 중앙 영역을 둘러싸는 주연 영역이고,
    상기 기판 처리 장치는 상기 중앙 영역에 대해서 상기 제 2 가스를 공급하기 위한 중앙측 가스 공급부와, 상기 주연 영역에 대해서 상기 제 2 가스를 공급하기 위한 주연측 가스 공급부를 더 구비하는
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 중앙측 가스 공급부는, 상기 가스 도입판의 주연부에 형성된 제 1 가스 도입 포트와, 일단측이 상기 제 1 가스 도입 포트에 연통하도록 상기 가스 도입판의 내부에 형성되고 타단측이 상기 제 1 면을 따라 상기 가스 도입판의 상기 중앙 영역까지 인출되는 상기 제 1 가스 유로를 구비하고,
    상기 주연측 가스 공급부는, 상기 가스 도입판의 주연부에 형성된 제 2 가스 도입 포트와, 일단측이 상기 제 2 가스 도입 포트에 연통하도록 상기 가스 도입판의 내부에 형성되고 타단측이 상기 제 1 면을 따라 상기 가스 도입판의 상기 주연 영역까지 인출되는 상기 제 2 가스 유로를 구비하는
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 유로는 상기 중앙 영역에서 분기하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 유로 및 상기 제 2 가스 유로는 각각 복수 마련되고,
    상기 구획판의 두께 방향을 높이 방향으로 하면, 상기 복수의 제 1 가스 유로의 각각에 상기 제 2 가스를 공급하기 위해서 상기 제 2 가스를 확산시키는 제 1 가스 확산 유로와, 상기 복수의 제 2 가스 유로의 각각에 상기 제 2 가스를 공급하기 위해서 상기 제 2 가스를 확산시키는 제 2 가스 확산 유로는 상기 구획판의 높이 방향의 위치가 서로 다르게 마련되고,
    상기 복수의 제 1 가스 유로 및 상기 복수의 제 2 가스 유로 각각은 상기 제 1 면을 따라 연장하고,
    상기 복수의 제 1 가스 유로 및 상기 복수의 제 2 가스 유로는 상기 구획판 내에서 수평 방향으로 배열되는
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 가스는 기판을 처리하는 처리 가스이며,
    상기 제 2 가스는 불활성 가스인
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 구획판은, 상기 가스 도입판보다 상기 플라즈마 생성 공간 측에 근접하게 마련되어, 그 내부에 상기 관통 슬릿에 연통하도록 마련된 가스 채널을 구비하고, 상기 플라즈마 중의 이온을 트랩하는 이온 트랩부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 구획판은 상기 이온 트랩부의 열이 상기 기판 처리 공간에 전달되는 것을 억제하기 위한 차열 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 차열 부재 및 상기 챔버는 금속으로 구성되어 서로 접촉하도록 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 가스는 기판의 표면에 형성된 실리콘 질화막을 에칭하기 위한 에칭 가스이며,
    상기 제 2 가스는 상기 기판 처리 공간에 있어서의 상기 제 1 가스의 분포를 조정하기 위한 분포 조정용 가스인
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    에칭의 이전 또는 이후에 상기 실리콘 질화막의 표면에 있어서의 산화막을 제거하기 위한 산화막 제거 가스를, 상기 제 1 가스 도입부로부터 상기 플라즈마 생성 공간을 거쳐 상기 기판 처리 공간에 공급하거나, 상기 제 1 가스 유로 및 상기 제 2 가스 유로로부터 상기 기판 처리 공간에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 도입부는 상기 에칭 가스를 상기 플라즈마 생성 공간에 공급하기 전에 해당 플라즈마 생성 공간에 상기 실리콘 질화막을 개질하기 위한 개질 가스를 공급하고,
    상기 플라즈마 발생부는 상기 개질 가스의 플라즈마를 생성하는
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 5 항에 있어서,
    상기 중앙측 가스 공급부는 상기 제 1 가스 도입 포트를 상기 제 1 가스 확산 유로와 접속시키는 제 1 접속 유로를 구비하고, 상기 제 1 접속 유로는 상기 제 1 가스 도입 포트와 상기 제 1 가스 확산 유로에 수직으로 배치되며,
    상기 주연측 가스 공급부는 상기 제 2 가스 도입 포트를 상기 제 2 가스 확산 유로와 접속시키는 제 2 접속 유로를 구비하고, 상기 제 2 접속 유로는 상기 제 2 가스 도입 포트와 상기 제 2 가스 확산 유로에 수직으로 배치되는
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 접속 유로의 폭은 상기 제 1 가스 도입 포트의 폭보다 작고,
    상기 제 1 접속 유로의 길이는 상기 제 1 접속 유로의 폭보다 2배 이상의 길이이고,
    상기 제 2 접속 유로의 폭은 상기 제 2 가스 도입 포트의 폭보다 작고,
    상기 제 2 접속 유로의 길이는 상기 제 2 접속 유로의 폭보다 2배 이상의 길이인
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제 5 항에 있어서,
    상기 높이 방향에 있어서 상기 제 1 가스 유로와 상기 제 2 가스 유로는 상기 제 1 가스 확산 유로와 상기 제 2 가스 확산 유로 사이에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 가스 도입판으로서,
    상기 가스 도입판을 관통하는 복수의 관통 슬릿과,
    제 1 영역과, 상기 제 1 영역과는 상이한 제 2 영역을 구비하는 제 1 면과,
    상기 제 1 면의 아래의 공간으로 가스를 도입하기 위한 제 1 가스 유로와 제 2 가스 유로를 구비하고,
    상기 제 1 가스 유로는 상기 제 1 영역에 형성된 복수의 제 1 가스 토출 구멍을 구비하고, 상기 제 2 가스 유로는 상기 제 2 영역에 형성된 복수의 제 2 가스 토출 구멍을 구비하고,
    상기 제 1 영역은 상기 가스 도입판의 중심을 포함하는 중앙 영역이고, 상기 제 2 영역은 상기 중앙 영역을 둘러싸는 주연 영역이고,
    상기 제 1 가스 유로는 상기 중앙 영역으로 상기 가스를 공급하고, 상기 제 2 가스 유로는 상기 주연 영역으로 상기 가스를 공급하는
    것을 특징으로 하는 가스 도입판.
  17. 가스 도입판으로서,
    상기 가스 도입판을 관통하는 복수의 관통 슬릿과,
    제 1 영역과, 상기 제 1 영역과는 상이한 제 2 영역을 구비하는 제 1 면과,
    상기 제 1 면의 아래의 공간으로 가스를 도입하기 위한 제 1 가스 유로와 제 2 가스 유로와,
    상기 가스 도입판의 주연부에 형성된 제 1 가스 도입 포트와 제 2 가스 도입 포트를 구비하고,
    상기 제 1 가스 유로는 상기 제 1 영역에 형성된 복수의 제 1 가스 토출 구멍을 구비하고, 상기 제 2 가스 유로는 상기 제 2 영역에 형성된 복수의 제 2 가스 토출 구멍을 구비하고,
    상기 제 1 영역은 상기 가스 도입판의 중심을 포함하는 중앙 영역이고, 상기 제 2 영역은 상기 중앙 영역을 둘러싸는 주연 영역이고,
    상기 제 1 가스 유로는, 상기 중앙 영역으로 상기 가스를 공급하고, 일단측이 상기 제 1 가스 도입 포트에 연통하도록 상기 가스 도입판의 내부에 형성되고 타단측이 상기 제 1 면을 따라 상기 가스 도입판의 상기 중앙 영역까지 인출되고,
    상기 제 2 가스 유로는, 상기 주연 영역으로 상기 가스를 공급하고, 일단측이 상기 제 2 가스 도입 포트에 연통하도록 상기 가스 도입판의 내부에 형성되고 타단측이 상기 제 1 면을 따라 상기 가스 도입판의 상기 주연 영역까지 인출되는
    것을 특징으로 하는 가스 도입판.
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